光ウィンドウとともに広角対物レンズを用いる検査装置
【課題】光ウィンドウを使用して別の環境に置かれた物体の結像の最高性能の実現を容易にする。
【解決手段】光ウィンドウは、パーティクル検出システム内に位置することができ、パーティクル検出システムは、第１環境と第２環境との間にあるセパレータを含む。セパレータは、開口と、開口内に配置された光エレメントとを含む。物体が第２環境に配置される。対物レンズが第１環境に配置される。ディテクタが第２環境に配置され、物体の表面上のパーティクルを検出するように構成される。
【解決手段】光ウィンドウは、パーティクル検出システム内に位置することができ、パーティクル検出システムは、第１環境と第２環境との間にあるセパレータを含む。セパレータは、開口と、開口内に配置された光エレメントとを含む。物体が第２環境に配置される。対物レンズが第１環境に配置される。ディテクタが第２環境に配置され、物体の表面上のパーティクルを検出するように構成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001] 本発明は、一般にリソグラフィに関し、特に、１つの環境に配置されたディテクタによる別の環境に配置された物体の結像の性能改善を容易にするように構成された光ウィンドウ分離環境に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002] リソグラフィは、集積回路（ＩＣ）や他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なプロセスとして広く認識されている。リソグラフィ装置は、リソグラフィ中に使用される、所望のパターンを基板上、例えば、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置を用いたＩＣの製造中、パターニングデバイス（マスクまたはレチクルとも呼ばれる）がＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成する。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（例えば、レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。ＩＣの別々の層の生成は、別々のレチクルを用いて別々の層上に別々のパターンを結像することを必要とすることが多い。従って、リソグラフィプロセス中、レチクルを交換する必要がある。
【０００３】
[0003] 一部のリソグラフィ形態において、レチクルは、リソグラフィプロセスを行うために必要な他のコンポーネントや装置とともに真空環境に保持される。しかし、可能な時には必ず、検査装置は、真空環境の外、例えば、周囲環境に配置される。
【０００４】
[0004] 良好な結像品質を確実にするために、欠陥および／またはパーティクルについて各レチクルを検査する。例えば、レチクルをレチクルサポート上に位置決めする前に、レチクルのパターン形成されていない面の検査を行う。これは、レチクルのパターン形成されていない面上に存在するパーティクルが、露光中に形成されたパターンのエラーを引き起こすおそれ、例えば、レチクルがレチクルサポートに適切に位置合わせまたは位置決めされないおそれがあるからである。レチクルのミスアライメントはターゲット基板に転写されたパターンのエラーを引き起こし、これによってパターン形成された基板の品質および／または有用性が低下することがある。
【０００５】
[0005] 通常環境（すなわち、周辺空気）にある対物レンズを、結像（すなわち、検査）対象のサンプルを含む浸食性または真空環境から分離するために、レチクルのパーティクル検査を行う際にウィンドウを検査光路内で使用することができる。例えば、レチクルは浸食性または真空環境に配置され、一方で対物レンズおよびディテクタは第２環境内の浸食性または真空環境の外（例えば、周囲空気）に配置される。このウィンドウは、主なリソグラフィ露光チャンバとは異なるレチクル検査チャンバの一部とすることができる。ウィンドウは、通常、ＢＫ７、クォーツ、サファイアなどのクラウンガラスの平行平面板から構成される。
【０００６】
[0006] ウィンドウ材料は、ウィンドウが分離している環境の１つまたは両方に対する透過率および抵抗についてのウィンドウ関数に基づかせることができる。従って、ウィンドウは、受動光エレメントとして扱われる。上述のように、ウィンドウは安価な市販材料（例えば、ＢＫ７、クォーツ、サファイア）から構成されることが多い。市販のウィンドウが球面収差、コマ収差、および／または非点収差を生じさせることは珍しいことではない。このタイプのウィンドウは、許容結像品質をもたらすためにより長い作動距離を必要とすることが多い。エラーおよびより長い作動距離の発生は結像システムの最適化全体を妨げる。
【発明の概要】
【０００７】
[0007] 上述より、求められるものは検査光路内の補正光エレメントである。この要求を満たすために、本発明の実施形態は、光ウィンドウを有する広角対物レンズを用いる広視野面欠陥検査装置を目的とするものであり、それにより別の環境に配置された物体の結像の最高性能の実現を容易にする。
【０００８】
[0008] 例えば、本発明の一実施形態は、セパレータと、光エレメントと、物体と、対物レンズと、ディテクタとを含むパーティクル検出システムを提供する。セパレータは、第１環境と第２環境との間に配置される。また、セパレータは開口を含む。光エレメントはセパレータの開口内に配置される。物体は第２環境に配置される。対物レンズは第１環境に配置される。また、ディテクタは第１環境に配置されて、対物レンズおよび光エレメントを通る光路に沿って、物体の表面上のパーティクルを検出する。
【０００９】
[0009] 一例において、セパレータはレチクル検査チャンバの壁を画定する。
【００１０】
[0010] 一例において、光エレメントは、高屈折率および低分散度を有するように構成された材料を含む。光エレメントは、少なくとも球面収差、コマ収差、非点収差を補正するように構成される。いくつかの例において、光エレメントは、屈折力を光路に与えるように構成される。他の例において、光エレメントは、無視できる屈折力を光路に与えるように構成される。少なくとも一例において、光エレメントは、各々が高い屈折率および低分散度を示すように構成された２つ以上の材料構成を含む。別の例において、２つ以上の材料構成のうちの少なくとも１つは、他の材料構成とは別の高屈折率の値および別の低分散度の値を有する。一例において、２つ以上の材料構成の各々は屈折力を含む。
【００１１】
[0011] 一例において、第１環境は約１気圧である。一例において、第２環境は真空である。
【００１２】
[0012] 一例において、パーティクル検出システムは、物体の表面からの散乱光のコントラストレベルに基づいて物体の表面上のパーティクルを検出するディテクタを含む。少なくとも一例において、物体はレチクルであり、表面はレチクルのパターン形成されていない面である。
【００１３】
[0013] 本発明の別の実施形態に従って、レチクルサポートと、投影システムと、基板サポートと、レチクル検査チャンバとを含むリソグラフィシステムが提供される。レチクルサポートは、レチクルがパターン形成されたビームを生成するように放射ビームの経路にレチクルを位置決めするように構成される。投影システムは、パターン形成されたビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成される。基板サポートは、リソグラフィプロセス中に基板を支持するように構成される。レチクル検査チャンバは、レチクルサポート、投影システム、および基板サポートの場所と連通しながら当該場所から離れている。レチクル検査チャンバは、壁と、光エレメントと、物体と、対物レンズと、ディテクタとを含む。壁は、第１環境と第２環境との間に配置される。また、壁は開口を含む。光エレメントは、壁の開口内に配置される。物体は第２環境に配置される。対物レンズは第１環境に配置される。また、ディテクタは第１環境に配置されて、対物レンズおよび光エレメントを通る光路に沿って、物体の表面上のパーティクルを検出する。
【００１４】
[0014] 本発明の別の特徴および利点、ならびに本発明のさまざまな実施形態の構造および動作を、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。なお本発明は、本明細書に記載の特定の実施形態に限定されない。このような実施形態は、例示のためにのみ本明細書で示される。本明細書の教示に基づいて、追加の実施形態が当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
[0015] 本明細書に組み込まれ、かつ明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明を示し、さらに説明とともに本発明の原理を説明し、かつ当業者が本発明を行い使用することを可能とするのに役立つ。
【００１６】
【図１Ａ】[0016] 図１Ａは、本発明の実施形態を実施するために使用可能である、反射型リソグラフィ装置を示す。
【図１Ｂ】[0016] 図１Ｂは、本発明の実施形態を実施するために使用可能である、透過型リソグラフィ装置を示す。
【図２】[0017] 図２は、例示的なＥＵＶリソグラフィ装置を示す。
【図３】[0018] 図３は、パーティクル検出システムを示す。
【図４】[0019] 図４は、光ウィンドウとして機能し得る光エレメントの一実施形態を示す。
【図５】[0019] 図５は、光ウィンドウとして機能し得る光エレメントの一実施形態を示す。
【図６】[0019] 図６は、光ウィンドウとして機能し得る光エレメントの一実施形態を示す。
【図７】[0019] 図７は、光ウィンドウとして機能し得る光エレメントの一実施形態を示す。
【図８】[0020] 図８は、パーティクル検出システムの第１構成を示す。
【図９】[0020] 図９は、パーティクル検出システムの第２構成を示す。
【００１７】
[0021] 本発明の特徴および利点は、図面を参照した以下の詳細な説明から、より明らかであろう。これらの図面において、同一の参照符号は、全体を通じて対応する要素を示す。図面において、同一の参照番号は、概して、同一、機能的に同様、および／または構造的に同様の要素を示す。要素が最初に現れる図面は、対応する参照番号の最も左の数字により示される。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
Ｉ．概要
[0022] 本発明は、光ウィンドウとともに広角対物レンズを用いる欠陥検査装置を目的とするものである。本明細書は、本発明の特徴を組み入れた１つ以上の実施形態を開示する。開示される実施形態は、本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は、開示される実施形態に限定されない。本発明は、添付の請求項により定義される。
【００１９】
[0023] 説明されている実施形態および本明細書での「一実施形態」、「実施形態」、「例示的実施形態」などに関する言及は、説明されている実施形態が特定の特徴、構造、または特性を含み得るが、各実施形態がその特定の特徴、構造、または特性を必ずしも含むとは限らないことを示す。また、そのような表現は同一の実施形態を必ずしも示すものではない。さらに、実施形態と関連して特定の特徴、構造、または特性が説明される場合、明示的に説明されているか否かによらず、他の実施形態と関連してそのような特徴、構造、または特性を達成することは当業者の知識の範囲内であると理解されたい。
【００２０】
[0024] 本発明の実施形態は、ハードウエア、ファームウエア、ソフトウエア、またはこれらの組合せの形式で実現されてよい。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサにより読取かつ実行可能である機械読取可能媒体に記憶された命令として実現されてもよい。機械読取可能媒体は、機械（例えば、演算デバイス）により読取可能な形式で情報を記憶または伝送する任意の機構を含んでよい。例えば、機械読取可能媒体は、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記録媒体、光記録媒体、フラッシュメモリデバイス、電気的、光学的、または音響的もしくはその他の伝送信号形式（例えば、搬送波、赤外信号、デジタル信号）、またはその他を含んでよい。また本明細書では、ファームウエア、ソフトウエア、ルーチン、命令は、ある動作を実行するためのものとして記述されていてもよい。しかし、当然のことながら、これらの記述は単に便宜上のものであり、これらの動作は、そのファームウエア、ソフトウエア、ルーチン、命令などを実行する演算デバイス、プロセッサ、コントローラ、または他のデバイスにより実際に得られるものである。
【００２１】
[0025] 広角検査結像システムで使用される光エレメントウィンドウの実施形態が以下に詳細に説明される。一実施形態において、光エレメントは、高屈折率および低分散度の材料を含む。別の実施形態において、光エレメントは、屈折力を有するまたは有さない２つ以上のコンポーネントを含み、各々のコンポーネントは高屈折率および低分散度の材料から形成される。光エレメントウィンドウは、２つの異なる環境を分離するために使用される。同様に、光エレメントウィンドウは、検査結像システム内の能動コンポーネント（すなわち、収差向上および／または屈折力のためのコンポーネント）として利用される。
【００２２】
[0026] しかし、そのような実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実行され得る例示的環境を提示することは有益である。
【００２３】
ＩＩ．例示的なリソグラフィ環境
Ａ．例示的な反射型および透過型リソグラフィシステム
[0027] 図１Ａおよび図１Ｂは、それぞれリソグラフィ装置１００および１００’を概略的に示している。リソグラフィ装置１００および１００’の各々は、放射ビームＢ（例えば、ＤＵＶまたはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル、または動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、を含む。また、リソグラフィ装置１００および１００’は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分（例えば、１つ以上のダイを含む）Ｃ上に投影するように構成された投影システムＰＳを有する。リソグラフィ装置１００において、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは反射性を有し、リソグラフィ装置１００’において、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは透過性を有する。
【００２４】
[0028] 照明システムＩＬとしては、放射Ｂを誘導し、整形し、または制御するための屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２５】
[0029] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００および１００’の設計、および、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００２６】
[0030] 「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作り出すように、放射ビームＢの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃ内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応し得る。
【００２７】
[0031] パターニングデバイスＭＡは、（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’のように）透過型であっても、（図１Ａのリソグラフィ装置１００のように）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例としては、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームＢにパターンを付ける。
【００２８】
[0032] 「投影システム」ＰＳという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含し得る。ＥＵＶまたは電子ビーム放射に対して真空環境を用いることができる。というのは、他のガスは放射または電子を吸収し過ぎる場合があるからである。従って、真空壁および真空ポンプを用いて、真空環境をビーム経路全体に提供することができる。
【００２９】
[0033] リソグラフィ装置１００および／またはリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）ＷＴを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上の基板テーブルＷＴを露光用に使うこともできる。
【００３０】
[0034] 図１Ａおよび図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００、１００’は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００または１００’の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームＢは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）を利用して進む。その他の場合においては、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００、１００’の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００３１】
[0035] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネント（図１Ｂ）を含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームＢを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００３２】
[0036] 図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。リソグラフィ装置１００において、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームＢの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００３３】
[0037] 図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１Ｂには明示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。
【００３４】
[0038] 通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００３５】
[0039] リソグラフィ装置１００および１００’は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを実質的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。パルス放射源ＳＯを採用することができ、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、本明細書に記載のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３６】
[0040] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３７】
[0041] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００３８】
[0042] さらなる実施形態において、リソグラフィ装置１００は極端紫外線（ＥＵＶ）源を含み、このＥＵＶ源はＥＵＶリソグラフィ用のＥＵＶ放射ビームを生成するように構成される。一般に、ＥＵＶ源は放射システム内に構成され（以下参照）、対応する照明システムはＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調整するように構成される。
【００３９】
Ｂ．例示的なＥＵＶリソグラフィ装置
[0043] 図２は、本発明の一実施形態に係る例示的なＥＵＶリソグラフィ装置２００を概略的に示している。図２において、ＥＵＶリソグラフィ装置２００は、放射システム４２、照明光学ユニット４４、および投影システムＰＳを含む。放射システム４２は、放射ビームを放電プラズマによって形成することができる放射源ＳＯを含む。一実施形態において、ＥＵＶ放射は、非常に高温のプラズマが生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射を放出するガスまたは蒸気、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気によって生成され得る。非常に高温のプラズマは、例えば電気放電によって、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生成することによって生成することができる。この放射源は、放電生成プラズマ（ＬＰＰ）源とも呼ばれる。放射を効率よく生成するために、Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または他の適切なガスまたは蒸気の分圧、例えば１０Ｐａが必要となり得る。放射源ＳＯから放出された放射は、放射源チャンバ４７から、放射源チャンバ４７の開口内または開口の後方に位置決めされたガスバリアまたは汚染物質トラップ４９を介してコレクタチャンバ４８内へ送られる。一実施形態において、ガスバリア４９は、チャネル構造を含むことができる。
【００４０】
[0044] コレクタチャンバ４８は、かすめ入射コレクタから形成され得る放射コレクタ５０（コレクタミラーまたはコレクタとも呼ばれる）を含む。放射コレクタ５０は、上流放射コレクタ側５０ａと下流放射コレクタ側５０ｂとを有し、コレクタ５０によって送られる放射を格子スペクトルフィルタ５１で反射させて、コレクタチャンバ４８のアパーチャにある仮想放射源点５２に集束させることができる。放射コレクタ５０は、当業者に知られている。
【００４１】
[0045] コレクタチャンバ４８から、放射ビーム５６が、照明光学系ユニット４４内で法線入射リフレクタ５３および５４を介し、レチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に位置決めされたレチクルまたはマスク（図示せず）上で反射される。パターン形成されたビーム５７が形成され、投影システムＰＳ内で反射エレメント５８および５９を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴ上に支持された基板（図示せず）上で結像される。さまざまな実施形態において、照明光学ユニット４４および投影システムＰＳは、図２に示すエレメントより数の多い（または少ない）エレメントを含み得る。例えば、格子スペクトルフィルタ５１は、リソグラフィ装置のタイプによって任意に存在してよい。さらに、一実施形態において、照明光学ユニット４４および投影システムＰＳは、図２に示すミラーより数の多いミラーを含み得る。例えば、投影システムＰＳは反射エレメント５８および５９に加えて１つから４つの反射エレメントを含んでよい。図２において、参照番号１８０は、２つのリフレクタの間の空間、例えば、リフレクタ１４２とリフレクタ１４３との間の空間を示す。
【００４２】
[0046] 一実施形態において、コレクタミラー５０は、かすめ入射コレクタの代わりに、またはかすめ入射コレクタに加えて、法線入射コレクタも含み得る。また、リフレクタ１４２、１４３および１４６を有する入れ子式コレクタに関連して説明するが、コレクタミラー５０は、本明細書においてコレクタの一例としてさらに用いられる。
【００４３】
[0047] さらに、図２に概略的に示すような格子５１の代わりに、透過型光フィルタを使用してよい。ＥＵＶを透過させる光フィルタ、ならびにＵＶ放射をより透過させない、または実質的にＵＶ放射を吸収する光フィルタは、当業者に公知である。従って、「格子スペクトル純度フィルタ」の使用は、本明細書においてさらに「スペクトル純度フィルタ」と区別なく示され、これには格子または透過型フィルタが含まれる。図２に示されていないが、ＥＵＶ透過型光フィルタを、追加の光エレメントとして含むことができ、例えば、コレクタミラー５０の上流、ならびに照明ユニット４４および／または投影システムＰＳ内の光ＥＵＶ透過型フィルタの上流で構成することができる。
【００４４】
[0048] 光エレメントに関する「上流の／で」および「下流の／で」という用語は、それぞれ、１つ以上の追加の光エレメントの「光学的に上流の」および「光学的に下流の」１つ以上の光エレメントの位置を示す。放射ビームがリソグラフィ装置２００を通過する光路に従って、第２光エレメントより放射源ＳＯに近い第１光エレメントが第２光エレメントの上流で構成され、第２光エレメントは第１光エレメントの下流で構成される。例えば、コレクタミラー５０はスペクトルフィルタ５１の上流で構成され、一方、光エレメント５３はスペクトルフィルタ５１の下流で構成される。
【００４５】
[0049] 図２に示されるすべての光エレメント（および本実施形態の概略図に示されていない追加の光エレメント）は、放射源ＳＯによって生成された汚染物質、例えば、Ｓｎの堆積の影響を受けることがある。このようなことは、放射コレクタ５０、およびスペクトル純度フィルタ５１（存在する場合）に対して当てはまり得る。従って、洗浄デバイスを用いてこれらの光エレメントのうちの１つ以上の光エレメントを洗浄することができ、また、洗浄方法をそれらの光エレメントだけでなく、法線入射リフレクタ５３および５４ならびに反射エレメント５８および５９または他の光エレメント、例えば、追加のミラー、格子などに適用することができる。
【００４６】
[0050] 放射コレクタ５０は、かすめ入射コレクタとすることができ、そのような実施形態において、コレクタ５０は光軸Ｏに沿って位置合わせされる。放射源ＳＯまたはその像もまた、光軸Ｏに沿って位置し得る。放射コレクタ５０は、リフレクタ１４２、１４３、および１４６（「シェル」またはいくつかのＷｏｌｔｅｒ型リフレクタを含むＷｏｌｔｅｒ型リフレクタとしても知られている）を含み得る。リフレクタ１４２、１４３、および１４６は、入れ子にされ、光軸Ｏについて対称であり得る。図２において、内側リフレクタは参照番号１４２で示され、中間リフレクタは参照番号１４３で示され、外側リフレクタは参照番号１４６で示される。放射コレクタ５０は、特定の体積、すなわち、外側リフレクタ１４６の体積を囲む。通常、小さい開口が存在し得るものの、外側リフレクタ１４６の体積の周囲は閉じられている。
【００４７】
[0051] リフレクタ１４２、１４３、および１４６の各々は、少なくとも一部が反射層または多数の反射層である面を有し得る。従って、リフレクタ１４２、１４３、および１４６（または４つ以上のリフレクタまたはシェルを有する放射コレクタの実施形態における追加のリフレクタ）は、少なくとも部分的に放射源ＳＯからのＥＵＶ放射を反射し、かつ集光するために設計され、リフレクタ１４２、１４３、および１４６の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射し、かつ集光するように設計されなくてよい。例えば、リフレクタの裏側の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射し、かつ集光するように設計されなくてよい。これらの反射層の表面上に、さらに、保護を目的として、またはこれらの反射層の表面の少なくとも一部の上に設けられた光フィルタとして、キャップ層が存在してよい。
【００４８】
[0052] 放射コレクタ５０は、放射源ＳＯまたは放射源ＳＯの像の近傍に配置され得る。各リフレクタ１４２、１４３、および１４６は、少なくとも２つの隣接した反射面を含み得る。これらの反射面のうち、放射源ＳＯからより遠い反射面は、放射源ＳＯにより近い反射面よりも光軸Ｏに対してより小さい角度で配置される。このように、かすめ入射コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って伝搬する（Ｅ）ＵＶ放射ビームを生成するように構成される。少なくとも２つのリフレクタは、光軸Ｏについて、実質的に同軸に配置され、かつ実質的に回転対称に延在し得る。当然のことながら、放射コレクタ５０は、外側リフレクタ１４６の外面上のさらなるフィーチャ、または外側リフレクタ１４６の周りのさらなるフィーチャ、例えば、保護ホルダ、ヒータを有し得る。
【００４９】
[0053] 本明細書に記載した実施形態において、「レンズ」および「レンズエレメント」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００５０】
[0054] さらに、本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外線（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）（例えば、１３.５ｎｍなどの５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、５ｎｍ未満で作用する硬Ｘ線、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。一般に、約７８０〜３０００ｎｍの間の（またはそれより大きい）波長を有する放射は、赤外放射とみなされる。ＵＶは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射を意味する。リソグラフィでは、ＵＶは、通常、水銀放電ランプによって生成され得る波長、すなわち、Ｇ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍ、および／またはＩ線３６５ｎｍにも適用される。真空ＵＶ、つまりＶＵＶ（すなわち、空気によって吸収されるＵＶ）は、約１００〜２００ｎｍの波長を有する放射を意味する。深紫外線（ＤＵＶ）は通常、１２６ｎｍ〜４２８ｎｍの範囲の波長を有する放射を意味し、一実施形態において、エキシマレーザはリソグラフィ装置で使用されるＤＵＶ放射を生成し得る。当然のことながら、例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する放射は、少なくとも一部が５〜２０ｎｍの範囲である特定の波長域の放射に関連する。
【００５１】
ＩＩＩ．２つの環境を分離する広角レンズ用光ウィンドウ
[0055] 図３は、本発明の一実施形態に係るパーティクル検出システム３００を概略的に示している。例えば、パーティクル検出システム３００は、図１Ａ、図１Ｂ、または図２に示すような、第１環境３０５を有するリソグラフィ装置に含まれるレチクル検査システムとすることができる。一例において、パーティクル検出システム３００は、第１環境３０５と第２環境３７０との間のセパレータ３６０を含む。セパレータ３６０は、開口３５５を含む。光エレメント３５０は、セパレータ３６０の開口３５５内に配置される。物体３３０は第２環境３７０に配置される。対物レンズ３４２が第１環境３０５に配置される。ディテクタ３４０が第１環境３０５に配置され、対物レンズ３４２および光エレメント３５０を通る光路３４５に沿って、物体３３０の表面３３５上のパーティクルを検出するように構成される。
【００５２】
[0056] 図示の例において、システム３００は、第１チャンバ３１０、例えば、露光チャンバ、および第２チャンバ、例えば、検査チャンバを含む（第１チャンバ３１０および第２チャンバ３２０は第２環境３７０内である）。物体３３０は、検査チャンバ３２０内で位置決めされる。セパレータ３６０は、第２チャンバ３２０と第１環境３０５との間にある。
【００５３】
[0057] 一例において、光エレメントウィンドウ３５０は、画像光に対してエラーまたは収差を生じさせずに物体３３０の表面の像を含む光をディテクタ３４０に送るように構成される。本発明の少なくとも１つの実施形態において、検査対象の物体３３０はレチクルである。少なくとも１つの実施形態において、検査チャンバ３２０は、レチクルを扱うように構成される。
【００５４】
[0058] 一例において、物体３３０が露光チャンバ３１０での動作状態に入る前に、物体３３０は検査チャンバ３２０内に位置決めされる。検査チャンバ３２０において、物体３３０の表面３３５は、光源３２５からの（例えば、表面の法線ベクトルに対する鈍角での）光ビームＬＢによって照明される。
【００５５】
[0059] 一例において、光エレメントウィンドウ３５０は、物体３３０の表面の平面からの法線ベクトルが、ウィンドウの光軸３４５に対する法線ベクトルとして光エレメントウィンドウ３５０を通るように構成することができる。すなわち、一例において、光エレメントウィンドウ３５０の光平面は、物体３３０の表面平面に平行に構成される。
【００５６】
[0060] 一例において、物体３３０の表面は、実質的に滑らかで光沢がある。少なくとも一例において、物体３３０はレチクルであり、その表面はレチクルの裏側である。レチクルの裏側はパターン形成されず、光沢があり滑らかである。従って、物体３３０の表面が光ビームＬＢで照明されるとき、光の大部分は入射角と等しい角度で表面３３５から反射される（すなわち、放射源光線）。
【００５７】
[0061] 入射角および反射角は、表面の法線ベクトルに対して数学的に定義される。しかし、入射光ＬＢが表面３３５上のパーティクルや他の不要な構造を照明するとき、光の少なくとも一部が、法線ベクトルの角度または法線ベクトルに近い角度で（すなわち、光エレメントウィンドウ３５０の光軸３４５に沿って）散乱する。ディテクタ３４０は、光軸３４５に沿って入射光線３４２を検出するように構成される。従って、パーティクルは、パーティクルと物体３３０の滑らかで光沢のある表面３３５との間の有意な光のコントラストシフトに基づいて検出される。というのは、光が表面３３５上のパーティクルや他の不要な構造から反射されない限り、光軸３４５に沿って物体３３０の表面３３５から反射される光が存在しないからである。
【００５８】
[0062] 光エレメントウィンドウ３５０の構成は、物体３３０の表面３３５からの像のコントラストの品質に影響を与える。従って、選択された構成によっては、パーティクルや他の不要な構造が物体３３０の表面３３５上にあるかどうかディテクタ３４０が判断できないことがある。
【００５９】
[0063] ディテクタ３４０は、（図８および図９に見られるような）追加の対物レンズエレメントも含み得る。追加のレンズエレメントは、物体３３０の表面３３５の広角視野を可能とするように構成される。
【００６０】
[0064] 一例において、光エレメントウィンドウ３５０が最適な光学特性未満のものを示す安価な市販の光学系である場合、物体３３０の表面３３５の光学像にエラーが生じることがある。こうしたエラーは、例えば、球面収差、コマ収差、非点収差である。エラーを補償するために、一例において、光路３４５のサイズを大きくする必要がある。同様に、光エレメントウィンドウ３５０がエラーを生じさせる場合、光路３４５の最適化が悪影響を受ける。従って、光エレメントウィンドウ３５０の構成および設計は重要である。
【００６１】
[0065] 物体３３０の表面３３５の検査は、リソグラフィ露光全体が最適に作用することを確実にするために行われる。例えば、物体３３０の表面３３５上のパーティクルや他の不要な構造は、物体３３０のリソグラフィ装置（例えば、図１Ａ、図１Ｂ、図２のそれぞれ１００、１００’、２００）内の関連するサポート（図示せず）への位置決めおよび設定に悪影響を及ぼす場合がある。一例において、レチクルの裏側のパーティクルは、レチクルのレチクルサポートへの位置決めおよびアライメントに悪影響を及ぼす場合がある。レチクルの裏側のパーティクルによって引き起こされたミスアライメントは、ターゲット基板上の投影パターンの実質的なエラーの原因となるおそれがある。
【００６２】
[0066] 一例において、ウィンドウ３５０は、ディテクタ３４０に対して高屈折率および低分散度を有する材料から構成されて、光エレメントウィンドウ３５０を介して最良の像を得る。さらに、またはあるいは、ウィンドウ３５０の他の特性も、最良の像を得るために選択することができる。
【００６３】
[0067] 屈折率は、物質を通過する光の速度に対する真空中の光の速度の比を指す。一例において、高屈折率は、約１．７５または１．７５を超える値とすることができる。さまざまな材料の屈折率は、可視光に対して１．７５未満の屈折率を示す材料が紫外光に対して１．７５または１．７５を超える屈折率を示し得るように周波数に依存していることが理解されよう。
【００６４】
[0068] 分散は、材料を通過する波の速度が波の周波数に依存する現象を指す。一例において、アッベ数は分散度を示すことができ、このアッベ数は屈折率に対する物質の分散度の基準である。一例において、低分散度は３０未満のアッベ数であり得る。
【００６５】
[0069] 例えば、光エレメントウィンドウ３５０が高屈折率（ｎ＞１．７５）および低分散度（ν＜３４）を有するガラス、例えば、ショット（Ｓｃｈｏｔｔ）のカタログが提示する光学ガラス（Ｎ−ＳＦ４、Ｎ−ＳＦ６、Ｎ−ＳＦ６６など）を用いる構成を有することを指定することによって、光エレメントウィンドウ３５０は光路３４５の能動エレメントとなり、像への収差を引き起こさずに物体３３０の表面３３５から反射される光線３４２をディテクタ３４０に効果的に送ることが可能である。この例において、こうした特性を示す光エレメントウィンドウ３５０は、より広い視野角を支持する高品質の結像を可能にし、ディテクタ３４０において高い像コントラストを生じさせる。
【００６６】
[0070] 図４、図５、図６、および図７は、図３のウィンドウ３５０を実現するために使用可能な光エレメント４５０、５５０、６５０、および７５０という４つの例示的実施形態を示している。これらの例は例示的であるが網羅的でないことを理解されたい。
【００６７】
[0071] 図４は、実質的に屈折力を有さない平行平面板４５０を示している。上述の通り、一例において、光エレメント４５０の構成は、高屈折率および低分散度に関して制御される。
【００６８】
[0072] 図５は、屈折力を有する板５５０を示している。従って、屈折率および分散特性に加えて、板５５０は、パーティクル検出システム３００の光路３４５に沿った屈折力を生じさせるために使用することができる。この例示的な構成において、屈折力の量は低い場合がある。
【００６９】
[0073] 図６は、第１および第２の結合された平行平面板６５２および６５４を有する光エレメント６５０を示している。一例において、平行平面板６５２と平行平面板６５４との間に空気ギャップまたは他の光接接触が存在し得る。また、３つ以上の板を使用してもよいことを理解されたい。一例において、平行平面板６５２および６５４は、高屈折率および低分散度の両方を示す材料から構成される。一例において、平行平面板６５２および６５４は、別々の屈折率および別々の分散度、例えば、ショット光学ガラスＮ−ＬＡＦ２（ｎ＝１．７４３、ν＝４４．８５）およびＮ−ＳＦ４（ｎ＝１．７５５、ν＝２７．３８）を有する材料から構成され、それによってコマ収差、非点収差、および軸上色収差などのより良好な色／単色収差補正を提供する。同様な屈折率を有するものの異なる分散度を有するＮ−ＬＡＦ３６（ｎ＝１．７９９、ν＝４２．３７）およびＮ−ＳＦ６（ｎ＝１．８０５、ν＝２５．４）などの材料の対に関しては、軸上色収差のみを補正することができる。
【００７０】
[0074] 図７は、第１および第２の結合された光コンポーネント７５２および７５４を有する光エレメント７５０を示している。この光コンポーネントの各々はある程度の屈折力を有するが組み合わせられたものは非常に弱い屈折力を示す（または全く示さない）。また、３つ以上のコンポーネントを使用してもよいことを理解されたい。光コンポーネント７５２および７５４は、高屈折率および低分散度の両方を示す材料から構成される。例えば、第１ウィンドウコンポーネントはショットガラスＮ−ＬＡＦ７（ｎ＝１．７４９、ν＝３４．８）から形成することができ、第２コンポーネントはショットガラスＮ−ＳＦ４（ｎ＝１．７５５、ν＝２７．３８）から形成することができる。一例において、コンポーネント７５２および７５４は結合して、屈折力を有さない光エレメントウィンドウを形成することができる。時として望ましい場合には、コンポーネント７５２および７５４は結合して屈折力を有する光エレメントウィンドウを形成する。
【００７１】
[0075] さらに、またはあるいは、コンポーネント６５２および６５４、ならびにコンポーネント７５２および７５４は、空気ギャップ、光接触、および／または媒体、例えば、水、カナダバルサム、合成コーティングおよび材料などによって近接または接触することができ、それによって適切な光学的性質がもたらされる。
【００７２】
[0076] 図８および図９は、パーティクル検出システム３００の光路３４５の第１構成８００および第２構成９００を示している。
【００７３】
[0077] 図８において、構成８００は、物体（例えば、図３の３３０）の表面８３０、広角光線８１０、平行平面板光エレメントウィンドウ８５０、対物レンズセット８２０、および検出デバイス８４０を含む。少なくとも１つの実施形態において、表面８３０はレチクルのパターン形成されていない面である。
【００７４】
[0078] 図９において、構成９００は、物体（例えば、図３の３３０）の表面９３０、広角光線９１０、マルチコンポーネント（ここでは２つ）光エレメントウィンドウ９５０、対物レンズセット５２０、および検出デバイス５４０を含む。少なくとも１つの実施形態において、表面５３０はレチクルのパターン形成されていない面である。
【００７５】
[0079] 図８および図９の両方において、光エレメントウィンドウ８５０／９５０はセパレータ（例えば、図３の３６０）（すなわち、壁など）内で位置決めされる。セパレータ（例えば、図３の３６０）は、第１環境８８０／９８０と第２環境８９０／９９０とを分離する点線として示されている。物体（例えば、図３の３３０）の表面８３０／９３０上のパーティクルから反射された光線８１０／９１０は、像に収差形態のエラーを生じさせずに、光エレメント８５０／９５０を通過する。図８において像は変化しないが、図９において像は、光エレメントウィンドウ９５０の２つ以上のコンポーネントの各々の屈折力に導かれる。図８および図９のそれぞれの光エレメントウィンドウ８５０／９５０を通過する光は、光を検出デバイス８４０／９４０上に屈折させる／成形する対物レンズセット８２０／９２０に入射する。対物レンズセット８２０／９２０は、光エレメントウィンドウ８５０／９５０とともに、不要な収差を生じさせず、かつ光路３４５の距離を適度な範囲に維持して、物体（例えば、図３の３３０）の表面８３０／９３０の広角視野を確保するように構成される。これによって、光エレメントウィンドウ８５０／９５０の設計に妨げられることなく結像最適化が行われることが可能になる。ディテクタ８４０／９４０は、像のコントラストシフトを判断し、それによって物体（例えば、図３の３３０）の表面８３０／９３０上の不要なパーティクルの位置を検出するように構成される。
【００７６】
[0080] 要約すると、高屈折率および低分散度を有するだけでなく光エレメントウィンドウ３５０の屈折力の実現性を生じさせる（図３に示すような）光エレメントウィンドウ３５０を設計することによって、設計者は広視野結像システムを効果的に製作することができる。そのようなウィンドウ３５０は、欠陥、パーティクル、およびヘーズの観点から、真空内ＥＵＶレチクルおよびウェーハの汚染検査に特に適切であろう。具体的に上述していないが、そのようなシステムはレチクルおよびウェーハチャックの汚染検査に適用可能であろう。同様に、このシステムはＤＵＶおよび／またはＥＵＶレチクルの表側および裏側の検査に等しく適用可能であろう。このシステムによって提供される広視野により、レチクル走査なしで全面結像を行うことができる。
【００７７】
[0081] 発明の概要および要約の項目は、発明者が想定するような本発明の１つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、すべての例示的実施形態を述べることはできず、従って本発明および請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。
【００７８】
[0082] 本発明を、複数の特定の機能の実施およびそれらの関係を示す機能構成ブロックを用いて説明してきた。これらの機能構成ブロックの境界は、説明の都合上、本明細書において任意に定義されている。これら特定の機能やそれらの関係が適切に実現される限り、別の境界を定義することができる。
【００７９】
[0083] 特定の実施形態に関する前述の説明は、本発明の全般的な特徴をすべて示すものであり、従って当業者の知識を適用すれば、過度の実験を行わなくとも、本発明の一般的な概念から逸脱することなく、そのような特定の実施形態などのさまざまな用途に対して容易に変更および／または改変を行うことができる。従って、そのような改変や変更は、本明細書で提示した教示ならびに説明に基づき、開示した実施形態の等価物の趣旨および範囲内に収まるものとする。なお、当然ながら、ここで用いた語法や用語は説明のためであって限定を意図するものではなく、本明細書の用語あるいは語法は、上記教示や説明を考慮しながら当業者が解釈すべきものである。
【００８０】
[0084] 本発明の範囲は上述の例示的実施形態のいずれによっても限定されるべきでなく、添付の特許請求の範囲および等価物によってのみ規定されるべきである。
【技術分野】
【０００１】
[0001] 本発明は、一般にリソグラフィに関し、特に、１つの環境に配置されたディテクタによる別の環境に配置された物体の結像の性能改善を容易にするように構成された光ウィンドウ分離環境に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002] リソグラフィは、集積回路（ＩＣ）や他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なプロセスとして広く認識されている。リソグラフィ装置は、リソグラフィ中に使用される、所望のパターンを基板上、例えば、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置を用いたＩＣの製造中、パターニングデバイス（マスクまたはレチクルとも呼ばれる）がＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成する。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（例えば、レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。ＩＣの別々の層の生成は、別々のレチクルを用いて別々の層上に別々のパターンを結像することを必要とすることが多い。従って、リソグラフィプロセス中、レチクルを交換する必要がある。
【０００３】
[0003] 一部のリソグラフィ形態において、レチクルは、リソグラフィプロセスを行うために必要な他のコンポーネントや装置とともに真空環境に保持される。しかし、可能な時には必ず、検査装置は、真空環境の外、例えば、周囲環境に配置される。
【０００４】
[0004] 良好な結像品質を確実にするために、欠陥および／またはパーティクルについて各レチクルを検査する。例えば、レチクルをレチクルサポート上に位置決めする前に、レチクルのパターン形成されていない面の検査を行う。これは、レチクルのパターン形成されていない面上に存在するパーティクルが、露光中に形成されたパターンのエラーを引き起こすおそれ、例えば、レチクルがレチクルサポートに適切に位置合わせまたは位置決めされないおそれがあるからである。レチクルのミスアライメントはターゲット基板に転写されたパターンのエラーを引き起こし、これによってパターン形成された基板の品質および／または有用性が低下することがある。
【０００５】
[0005] 通常環境（すなわち、周辺空気）にある対物レンズを、結像（すなわち、検査）対象のサンプルを含む浸食性または真空環境から分離するために、レチクルのパーティクル検査を行う際にウィンドウを検査光路内で使用することができる。例えば、レチクルは浸食性または真空環境に配置され、一方で対物レンズおよびディテクタは第２環境内の浸食性または真空環境の外（例えば、周囲空気）に配置される。このウィンドウは、主なリソグラフィ露光チャンバとは異なるレチクル検査チャンバの一部とすることができる。ウィンドウは、通常、ＢＫ７、クォーツ、サファイアなどのクラウンガラスの平行平面板から構成される。
【０００６】
[0006] ウィンドウ材料は、ウィンドウが分離している環境の１つまたは両方に対する透過率および抵抗についてのウィンドウ関数に基づかせることができる。従って、ウィンドウは、受動光エレメントとして扱われる。上述のように、ウィンドウは安価な市販材料（例えば、ＢＫ７、クォーツ、サファイア）から構成されることが多い。市販のウィンドウが球面収差、コマ収差、および／または非点収差を生じさせることは珍しいことではない。このタイプのウィンドウは、許容結像品質をもたらすためにより長い作動距離を必要とすることが多い。エラーおよびより長い作動距離の発生は結像システムの最適化全体を妨げる。
【発明の概要】
【０００７】
[0007] 上述より、求められるものは検査光路内の補正光エレメントである。この要求を満たすために、本発明の実施形態は、光ウィンドウを有する広角対物レンズを用いる広視野面欠陥検査装置を目的とするものであり、それにより別の環境に配置された物体の結像の最高性能の実現を容易にする。
【０００８】
[0008] 例えば、本発明の一実施形態は、セパレータと、光エレメントと、物体と、対物レンズと、ディテクタとを含むパーティクル検出システムを提供する。セパレータは、第１環境と第２環境との間に配置される。また、セパレータは開口を含む。光エレメントはセパレータの開口内に配置される。物体は第２環境に配置される。対物レンズは第１環境に配置される。また、ディテクタは第１環境に配置されて、対物レンズおよび光エレメントを通る光路に沿って、物体の表面上のパーティクルを検出する。
【０００９】
[0009] 一例において、セパレータはレチクル検査チャンバの壁を画定する。
【００１０】
[0010] 一例において、光エレメントは、高屈折率および低分散度を有するように構成された材料を含む。光エレメントは、少なくとも球面収差、コマ収差、非点収差を補正するように構成される。いくつかの例において、光エレメントは、屈折力を光路に与えるように構成される。他の例において、光エレメントは、無視できる屈折力を光路に与えるように構成される。少なくとも一例において、光エレメントは、各々が高い屈折率および低分散度を示すように構成された２つ以上の材料構成を含む。別の例において、２つ以上の材料構成のうちの少なくとも１つは、他の材料構成とは別の高屈折率の値および別の低分散度の値を有する。一例において、２つ以上の材料構成の各々は屈折力を含む。
【００１１】
[0011] 一例において、第１環境は約１気圧である。一例において、第２環境は真空である。
【００１２】
[0012] 一例において、パーティクル検出システムは、物体の表面からの散乱光のコントラストレベルに基づいて物体の表面上のパーティクルを検出するディテクタを含む。少なくとも一例において、物体はレチクルであり、表面はレチクルのパターン形成されていない面である。
【００１３】
[0013] 本発明の別の実施形態に従って、レチクルサポートと、投影システムと、基板サポートと、レチクル検査チャンバとを含むリソグラフィシステムが提供される。レチクルサポートは、レチクルがパターン形成されたビームを生成するように放射ビームの経路にレチクルを位置決めするように構成される。投影システムは、パターン形成されたビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成される。基板サポートは、リソグラフィプロセス中に基板を支持するように構成される。レチクル検査チャンバは、レチクルサポート、投影システム、および基板サポートの場所と連通しながら当該場所から離れている。レチクル検査チャンバは、壁と、光エレメントと、物体と、対物レンズと、ディテクタとを含む。壁は、第１環境と第２環境との間に配置される。また、壁は開口を含む。光エレメントは、壁の開口内に配置される。物体は第２環境に配置される。対物レンズは第１環境に配置される。また、ディテクタは第１環境に配置されて、対物レンズおよび光エレメントを通る光路に沿って、物体の表面上のパーティクルを検出する。
【００１４】
[0014] 本発明の別の特徴および利点、ならびに本発明のさまざまな実施形態の構造および動作を、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。なお本発明は、本明細書に記載の特定の実施形態に限定されない。このような実施形態は、例示のためにのみ本明細書で示される。本明細書の教示に基づいて、追加の実施形態が当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
[0015] 本明細書に組み込まれ、かつ明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明を示し、さらに説明とともに本発明の原理を説明し、かつ当業者が本発明を行い使用することを可能とするのに役立つ。
【００１６】
【図１Ａ】[0016] 図１Ａは、本発明の実施形態を実施するために使用可能である、反射型リソグラフィ装置を示す。
【図１Ｂ】[0016] 図１Ｂは、本発明の実施形態を実施するために使用可能である、透過型リソグラフィ装置を示す。
【図２】[0017] 図２は、例示的なＥＵＶリソグラフィ装置を示す。
【図３】[0018] 図３は、パーティクル検出システムを示す。
【図４】[0019] 図４は、光ウィンドウとして機能し得る光エレメントの一実施形態を示す。
【図５】[0019] 図５は、光ウィンドウとして機能し得る光エレメントの一実施形態を示す。
【図６】[0019] 図６は、光ウィンドウとして機能し得る光エレメントの一実施形態を示す。
【図７】[0019] 図７は、光ウィンドウとして機能し得る光エレメントの一実施形態を示す。
【図８】[0020] 図８は、パーティクル検出システムの第１構成を示す。
【図９】[0020] 図９は、パーティクル検出システムの第２構成を示す。
【００１７】
[0021] 本発明の特徴および利点は、図面を参照した以下の詳細な説明から、より明らかであろう。これらの図面において、同一の参照符号は、全体を通じて対応する要素を示す。図面において、同一の参照番号は、概して、同一、機能的に同様、および／または構造的に同様の要素を示す。要素が最初に現れる図面は、対応する参照番号の最も左の数字により示される。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
Ｉ．概要
[0022] 本発明は、光ウィンドウとともに広角対物レンズを用いる欠陥検査装置を目的とするものである。本明細書は、本発明の特徴を組み入れた１つ以上の実施形態を開示する。開示される実施形態は、本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は、開示される実施形態に限定されない。本発明は、添付の請求項により定義される。
【００１９】
[0023] 説明されている実施形態および本明細書での「一実施形態」、「実施形態」、「例示的実施形態」などに関する言及は、説明されている実施形態が特定の特徴、構造、または特性を含み得るが、各実施形態がその特定の特徴、構造、または特性を必ずしも含むとは限らないことを示す。また、そのような表現は同一の実施形態を必ずしも示すものではない。さらに、実施形態と関連して特定の特徴、構造、または特性が説明される場合、明示的に説明されているか否かによらず、他の実施形態と関連してそのような特徴、構造、または特性を達成することは当業者の知識の範囲内であると理解されたい。
【００２０】
[0024] 本発明の実施形態は、ハードウエア、ファームウエア、ソフトウエア、またはこれらの組合せの形式で実現されてよい。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサにより読取かつ実行可能である機械読取可能媒体に記憶された命令として実現されてもよい。機械読取可能媒体は、機械（例えば、演算デバイス）により読取可能な形式で情報を記憶または伝送する任意の機構を含んでよい。例えば、機械読取可能媒体は、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記録媒体、光記録媒体、フラッシュメモリデバイス、電気的、光学的、または音響的もしくはその他の伝送信号形式（例えば、搬送波、赤外信号、デジタル信号）、またはその他を含んでよい。また本明細書では、ファームウエア、ソフトウエア、ルーチン、命令は、ある動作を実行するためのものとして記述されていてもよい。しかし、当然のことながら、これらの記述は単に便宜上のものであり、これらの動作は、そのファームウエア、ソフトウエア、ルーチン、命令などを実行する演算デバイス、プロセッサ、コントローラ、または他のデバイスにより実際に得られるものである。
【００２１】
[0025] 広角検査結像システムで使用される光エレメントウィンドウの実施形態が以下に詳細に説明される。一実施形態において、光エレメントは、高屈折率および低分散度の材料を含む。別の実施形態において、光エレメントは、屈折力を有するまたは有さない２つ以上のコンポーネントを含み、各々のコンポーネントは高屈折率および低分散度の材料から形成される。光エレメントウィンドウは、２つの異なる環境を分離するために使用される。同様に、光エレメントウィンドウは、検査結像システム内の能動コンポーネント（すなわち、収差向上および／または屈折力のためのコンポーネント）として利用される。
【００２２】
[0026] しかし、そのような実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実行され得る例示的環境を提示することは有益である。
【００２３】
ＩＩ．例示的なリソグラフィ環境
Ａ．例示的な反射型および透過型リソグラフィシステム
[0027] 図１Ａおよび図１Ｂは、それぞれリソグラフィ装置１００および１００’を概略的に示している。リソグラフィ装置１００および１００’の各々は、放射ビームＢ（例えば、ＤＵＶまたはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル、または動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、を含む。また、リソグラフィ装置１００および１００’は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分（例えば、１つ以上のダイを含む）Ｃ上に投影するように構成された投影システムＰＳを有する。リソグラフィ装置１００において、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは反射性を有し、リソグラフィ装置１００’において、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは透過性を有する。
【００２４】
[0028] 照明システムＩＬとしては、放射Ｂを誘導し、整形し、または制御するための屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２５】
[0029] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００および１００’の設計、および、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００２６】
[0030] 「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作り出すように、放射ビームＢの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃ内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応し得る。
【００２７】
[0031] パターニングデバイスＭＡは、（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’のように）透過型であっても、（図１Ａのリソグラフィ装置１００のように）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例としては、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームＢにパターンを付ける。
【００２８】
[0032] 「投影システム」ＰＳという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含し得る。ＥＵＶまたは電子ビーム放射に対して真空環境を用いることができる。というのは、他のガスは放射または電子を吸収し過ぎる場合があるからである。従って、真空壁および真空ポンプを用いて、真空環境をビーム経路全体に提供することができる。
【００２９】
[0033] リソグラフィ装置１００および／またはリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）ＷＴを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上の基板テーブルＷＴを露光用に使うこともできる。
【００３０】
[0034] 図１Ａおよび図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００、１００’は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００または１００’の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームＢは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）を利用して進む。その他の場合においては、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００、１００’の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００３１】
[0035] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネント（図１Ｂ）を含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームＢを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００３２】
[0036] 図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。リソグラフィ装置１００において、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームＢの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００３３】
[0037] 図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１Ｂには明示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。
【００３４】
[0038] 通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００３５】
[0039] リソグラフィ装置１００および１００’は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを実質的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。パルス放射源ＳＯを採用することができ、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、本明細書に記載のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３６】
[0040] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３７】
[0041] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００３８】
[0042] さらなる実施形態において、リソグラフィ装置１００は極端紫外線（ＥＵＶ）源を含み、このＥＵＶ源はＥＵＶリソグラフィ用のＥＵＶ放射ビームを生成するように構成される。一般に、ＥＵＶ源は放射システム内に構成され（以下参照）、対応する照明システムはＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調整するように構成される。
【００３９】
Ｂ．例示的なＥＵＶリソグラフィ装置
[0043] 図２は、本発明の一実施形態に係る例示的なＥＵＶリソグラフィ装置２００を概略的に示している。図２において、ＥＵＶリソグラフィ装置２００は、放射システム４２、照明光学ユニット４４、および投影システムＰＳを含む。放射システム４２は、放射ビームを放電プラズマによって形成することができる放射源ＳＯを含む。一実施形態において、ＥＵＶ放射は、非常に高温のプラズマが生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射を放出するガスまたは蒸気、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気によって生成され得る。非常に高温のプラズマは、例えば電気放電によって、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生成することによって生成することができる。この放射源は、放電生成プラズマ（ＬＰＰ）源とも呼ばれる。放射を効率よく生成するために、Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または他の適切なガスまたは蒸気の分圧、例えば１０Ｐａが必要となり得る。放射源ＳＯから放出された放射は、放射源チャンバ４７から、放射源チャンバ４７の開口内または開口の後方に位置決めされたガスバリアまたは汚染物質トラップ４９を介してコレクタチャンバ４８内へ送られる。一実施形態において、ガスバリア４９は、チャネル構造を含むことができる。
【００４０】
[0044] コレクタチャンバ４８は、かすめ入射コレクタから形成され得る放射コレクタ５０（コレクタミラーまたはコレクタとも呼ばれる）を含む。放射コレクタ５０は、上流放射コレクタ側５０ａと下流放射コレクタ側５０ｂとを有し、コレクタ５０によって送られる放射を格子スペクトルフィルタ５１で反射させて、コレクタチャンバ４８のアパーチャにある仮想放射源点５２に集束させることができる。放射コレクタ５０は、当業者に知られている。
【００４１】
[0045] コレクタチャンバ４８から、放射ビーム５６が、照明光学系ユニット４４内で法線入射リフレクタ５３および５４を介し、レチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に位置決めされたレチクルまたはマスク（図示せず）上で反射される。パターン形成されたビーム５７が形成され、投影システムＰＳ内で反射エレメント５８および５９を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴ上に支持された基板（図示せず）上で結像される。さまざまな実施形態において、照明光学ユニット４４および投影システムＰＳは、図２に示すエレメントより数の多い（または少ない）エレメントを含み得る。例えば、格子スペクトルフィルタ５１は、リソグラフィ装置のタイプによって任意に存在してよい。さらに、一実施形態において、照明光学ユニット４４および投影システムＰＳは、図２に示すミラーより数の多いミラーを含み得る。例えば、投影システムＰＳは反射エレメント５８および５９に加えて１つから４つの反射エレメントを含んでよい。図２において、参照番号１８０は、２つのリフレクタの間の空間、例えば、リフレクタ１４２とリフレクタ１４３との間の空間を示す。
【００４２】
[0046] 一実施形態において、コレクタミラー５０は、かすめ入射コレクタの代わりに、またはかすめ入射コレクタに加えて、法線入射コレクタも含み得る。また、リフレクタ１４２、１４３および１４６を有する入れ子式コレクタに関連して説明するが、コレクタミラー５０は、本明細書においてコレクタの一例としてさらに用いられる。
【００４３】
[0047] さらに、図２に概略的に示すような格子５１の代わりに、透過型光フィルタを使用してよい。ＥＵＶを透過させる光フィルタ、ならびにＵＶ放射をより透過させない、または実質的にＵＶ放射を吸収する光フィルタは、当業者に公知である。従って、「格子スペクトル純度フィルタ」の使用は、本明細書においてさらに「スペクトル純度フィルタ」と区別なく示され、これには格子または透過型フィルタが含まれる。図２に示されていないが、ＥＵＶ透過型光フィルタを、追加の光エレメントとして含むことができ、例えば、コレクタミラー５０の上流、ならびに照明ユニット４４および／または投影システムＰＳ内の光ＥＵＶ透過型フィルタの上流で構成することができる。
【００４４】
[0048] 光エレメントに関する「上流の／で」および「下流の／で」という用語は、それぞれ、１つ以上の追加の光エレメントの「光学的に上流の」および「光学的に下流の」１つ以上の光エレメントの位置を示す。放射ビームがリソグラフィ装置２００を通過する光路に従って、第２光エレメントより放射源ＳＯに近い第１光エレメントが第２光エレメントの上流で構成され、第２光エレメントは第１光エレメントの下流で構成される。例えば、コレクタミラー５０はスペクトルフィルタ５１の上流で構成され、一方、光エレメント５３はスペクトルフィルタ５１の下流で構成される。
【００４５】
[0049] 図２に示されるすべての光エレメント（および本実施形態の概略図に示されていない追加の光エレメント）は、放射源ＳＯによって生成された汚染物質、例えば、Ｓｎの堆積の影響を受けることがある。このようなことは、放射コレクタ５０、およびスペクトル純度フィルタ５１（存在する場合）に対して当てはまり得る。従って、洗浄デバイスを用いてこれらの光エレメントのうちの１つ以上の光エレメントを洗浄することができ、また、洗浄方法をそれらの光エレメントだけでなく、法線入射リフレクタ５３および５４ならびに反射エレメント５８および５９または他の光エレメント、例えば、追加のミラー、格子などに適用することができる。
【００４６】
[0050] 放射コレクタ５０は、かすめ入射コレクタとすることができ、そのような実施形態において、コレクタ５０は光軸Ｏに沿って位置合わせされる。放射源ＳＯまたはその像もまた、光軸Ｏに沿って位置し得る。放射コレクタ５０は、リフレクタ１４２、１４３、および１４６（「シェル」またはいくつかのＷｏｌｔｅｒ型リフレクタを含むＷｏｌｔｅｒ型リフレクタとしても知られている）を含み得る。リフレクタ１４２、１４３、および１４６は、入れ子にされ、光軸Ｏについて対称であり得る。図２において、内側リフレクタは参照番号１４２で示され、中間リフレクタは参照番号１４３で示され、外側リフレクタは参照番号１４６で示される。放射コレクタ５０は、特定の体積、すなわち、外側リフレクタ１４６の体積を囲む。通常、小さい開口が存在し得るものの、外側リフレクタ１４６の体積の周囲は閉じられている。
【００４７】
[0051] リフレクタ１４２、１４３、および１４６の各々は、少なくとも一部が反射層または多数の反射層である面を有し得る。従って、リフレクタ１４２、１４３、および１４６（または４つ以上のリフレクタまたはシェルを有する放射コレクタの実施形態における追加のリフレクタ）は、少なくとも部分的に放射源ＳＯからのＥＵＶ放射を反射し、かつ集光するために設計され、リフレクタ１４２、１４３、および１４６の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射し、かつ集光するように設計されなくてよい。例えば、リフレクタの裏側の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射し、かつ集光するように設計されなくてよい。これらの反射層の表面上に、さらに、保護を目的として、またはこれらの反射層の表面の少なくとも一部の上に設けられた光フィルタとして、キャップ層が存在してよい。
【００４８】
[0052] 放射コレクタ５０は、放射源ＳＯまたは放射源ＳＯの像の近傍に配置され得る。各リフレクタ１４２、１４３、および１４６は、少なくとも２つの隣接した反射面を含み得る。これらの反射面のうち、放射源ＳＯからより遠い反射面は、放射源ＳＯにより近い反射面よりも光軸Ｏに対してより小さい角度で配置される。このように、かすめ入射コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って伝搬する（Ｅ）ＵＶ放射ビームを生成するように構成される。少なくとも２つのリフレクタは、光軸Ｏについて、実質的に同軸に配置され、かつ実質的に回転対称に延在し得る。当然のことながら、放射コレクタ５０は、外側リフレクタ１４６の外面上のさらなるフィーチャ、または外側リフレクタ１４６の周りのさらなるフィーチャ、例えば、保護ホルダ、ヒータを有し得る。
【００４９】
[0053] 本明細書に記載した実施形態において、「レンズ」および「レンズエレメント」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００５０】
[0054] さらに、本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外線（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）（例えば、１３.５ｎｍなどの５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、５ｎｍ未満で作用する硬Ｘ線、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。一般に、約７８０〜３０００ｎｍの間の（またはそれより大きい）波長を有する放射は、赤外放射とみなされる。ＵＶは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射を意味する。リソグラフィでは、ＵＶは、通常、水銀放電ランプによって生成され得る波長、すなわち、Ｇ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍ、および／またはＩ線３６５ｎｍにも適用される。真空ＵＶ、つまりＶＵＶ（すなわち、空気によって吸収されるＵＶ）は、約１００〜２００ｎｍの波長を有する放射を意味する。深紫外線（ＤＵＶ）は通常、１２６ｎｍ〜４２８ｎｍの範囲の波長を有する放射を意味し、一実施形態において、エキシマレーザはリソグラフィ装置で使用されるＤＵＶ放射を生成し得る。当然のことながら、例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する放射は、少なくとも一部が５〜２０ｎｍの範囲である特定の波長域の放射に関連する。
【００５１】
ＩＩＩ．２つの環境を分離する広角レンズ用光ウィンドウ
[0055] 図３は、本発明の一実施形態に係るパーティクル検出システム３００を概略的に示している。例えば、パーティクル検出システム３００は、図１Ａ、図１Ｂ、または図２に示すような、第１環境３０５を有するリソグラフィ装置に含まれるレチクル検査システムとすることができる。一例において、パーティクル検出システム３００は、第１環境３０５と第２環境３７０との間のセパレータ３６０を含む。セパレータ３６０は、開口３５５を含む。光エレメント３５０は、セパレータ３６０の開口３５５内に配置される。物体３３０は第２環境３７０に配置される。対物レンズ３４２が第１環境３０５に配置される。ディテクタ３４０が第１環境３０５に配置され、対物レンズ３４２および光エレメント３５０を通る光路３４５に沿って、物体３３０の表面３３５上のパーティクルを検出するように構成される。
【００５２】
[0056] 図示の例において、システム３００は、第１チャンバ３１０、例えば、露光チャンバ、および第２チャンバ、例えば、検査チャンバを含む（第１チャンバ３１０および第２チャンバ３２０は第２環境３７０内である）。物体３３０は、検査チャンバ３２０内で位置決めされる。セパレータ３６０は、第２チャンバ３２０と第１環境３０５との間にある。
【００５３】
[0057] 一例において、光エレメントウィンドウ３５０は、画像光に対してエラーまたは収差を生じさせずに物体３３０の表面の像を含む光をディテクタ３４０に送るように構成される。本発明の少なくとも１つの実施形態において、検査対象の物体３３０はレチクルである。少なくとも１つの実施形態において、検査チャンバ３２０は、レチクルを扱うように構成される。
【００５４】
[0058] 一例において、物体３３０が露光チャンバ３１０での動作状態に入る前に、物体３３０は検査チャンバ３２０内に位置決めされる。検査チャンバ３２０において、物体３３０の表面３３５は、光源３２５からの（例えば、表面の法線ベクトルに対する鈍角での）光ビームＬＢによって照明される。
【００５５】
[0059] 一例において、光エレメントウィンドウ３５０は、物体３３０の表面の平面からの法線ベクトルが、ウィンドウの光軸３４５に対する法線ベクトルとして光エレメントウィンドウ３５０を通るように構成することができる。すなわち、一例において、光エレメントウィンドウ３５０の光平面は、物体３３０の表面平面に平行に構成される。
【００５６】
[0060] 一例において、物体３３０の表面は、実質的に滑らかで光沢がある。少なくとも一例において、物体３３０はレチクルであり、その表面はレチクルの裏側である。レチクルの裏側はパターン形成されず、光沢があり滑らかである。従って、物体３３０の表面が光ビームＬＢで照明されるとき、光の大部分は入射角と等しい角度で表面３３５から反射される（すなわち、放射源光線）。
【００５７】
[0061] 入射角および反射角は、表面の法線ベクトルに対して数学的に定義される。しかし、入射光ＬＢが表面３３５上のパーティクルや他の不要な構造を照明するとき、光の少なくとも一部が、法線ベクトルの角度または法線ベクトルに近い角度で（すなわち、光エレメントウィンドウ３５０の光軸３４５に沿って）散乱する。ディテクタ３４０は、光軸３４５に沿って入射光線３４２を検出するように構成される。従って、パーティクルは、パーティクルと物体３３０の滑らかで光沢のある表面３３５との間の有意な光のコントラストシフトに基づいて検出される。というのは、光が表面３３５上のパーティクルや他の不要な構造から反射されない限り、光軸３４５に沿って物体３３０の表面３３５から反射される光が存在しないからである。
【００５８】
[0062] 光エレメントウィンドウ３５０の構成は、物体３３０の表面３３５からの像のコントラストの品質に影響を与える。従って、選択された構成によっては、パーティクルや他の不要な構造が物体３３０の表面３３５上にあるかどうかディテクタ３４０が判断できないことがある。
【００５９】
[0063] ディテクタ３４０は、（図８および図９に見られるような）追加の対物レンズエレメントも含み得る。追加のレンズエレメントは、物体３３０の表面３３５の広角視野を可能とするように構成される。
【００６０】
[0064] 一例において、光エレメントウィンドウ３５０が最適な光学特性未満のものを示す安価な市販の光学系である場合、物体３３０の表面３３５の光学像にエラーが生じることがある。こうしたエラーは、例えば、球面収差、コマ収差、非点収差である。エラーを補償するために、一例において、光路３４５のサイズを大きくする必要がある。同様に、光エレメントウィンドウ３５０がエラーを生じさせる場合、光路３４５の最適化が悪影響を受ける。従って、光エレメントウィンドウ３５０の構成および設計は重要である。
【００６１】
[0065] 物体３３０の表面３３５の検査は、リソグラフィ露光全体が最適に作用することを確実にするために行われる。例えば、物体３３０の表面３３５上のパーティクルや他の不要な構造は、物体３３０のリソグラフィ装置（例えば、図１Ａ、図１Ｂ、図２のそれぞれ１００、１００’、２００）内の関連するサポート（図示せず）への位置決めおよび設定に悪影響を及ぼす場合がある。一例において、レチクルの裏側のパーティクルは、レチクルのレチクルサポートへの位置決めおよびアライメントに悪影響を及ぼす場合がある。レチクルの裏側のパーティクルによって引き起こされたミスアライメントは、ターゲット基板上の投影パターンの実質的なエラーの原因となるおそれがある。
【００６２】
[0066] 一例において、ウィンドウ３５０は、ディテクタ３４０に対して高屈折率および低分散度を有する材料から構成されて、光エレメントウィンドウ３５０を介して最良の像を得る。さらに、またはあるいは、ウィンドウ３５０の他の特性も、最良の像を得るために選択することができる。
【００６３】
[0067] 屈折率は、物質を通過する光の速度に対する真空中の光の速度の比を指す。一例において、高屈折率は、約１．７５または１．７５を超える値とすることができる。さまざまな材料の屈折率は、可視光に対して１．７５未満の屈折率を示す材料が紫外光に対して１．７５または１．７５を超える屈折率を示し得るように周波数に依存していることが理解されよう。
【００６４】
[0068] 分散は、材料を通過する波の速度が波の周波数に依存する現象を指す。一例において、アッベ数は分散度を示すことができ、このアッベ数は屈折率に対する物質の分散度の基準である。一例において、低分散度は３０未満のアッベ数であり得る。
【００６５】
[0069] 例えば、光エレメントウィンドウ３５０が高屈折率（ｎ＞１．７５）および低分散度（ν＜３４）を有するガラス、例えば、ショット（Ｓｃｈｏｔｔ）のカタログが提示する光学ガラス（Ｎ−ＳＦ４、Ｎ−ＳＦ６、Ｎ−ＳＦ６６など）を用いる構成を有することを指定することによって、光エレメントウィンドウ３５０は光路３４５の能動エレメントとなり、像への収差を引き起こさずに物体３３０の表面３３５から反射される光線３４２をディテクタ３４０に効果的に送ることが可能である。この例において、こうした特性を示す光エレメントウィンドウ３５０は、より広い視野角を支持する高品質の結像を可能にし、ディテクタ３４０において高い像コントラストを生じさせる。
【００６６】
[0070] 図４、図５、図６、および図７は、図３のウィンドウ３５０を実現するために使用可能な光エレメント４５０、５５０、６５０、および７５０という４つの例示的実施形態を示している。これらの例は例示的であるが網羅的でないことを理解されたい。
【００６７】
[0071] 図４は、実質的に屈折力を有さない平行平面板４５０を示している。上述の通り、一例において、光エレメント４５０の構成は、高屈折率および低分散度に関して制御される。
【００６８】
[0072] 図５は、屈折力を有する板５５０を示している。従って、屈折率および分散特性に加えて、板５５０は、パーティクル検出システム３００の光路３４５に沿った屈折力を生じさせるために使用することができる。この例示的な構成において、屈折力の量は低い場合がある。
【００６９】
[0073] 図６は、第１および第２の結合された平行平面板６５２および６５４を有する光エレメント６５０を示している。一例において、平行平面板６５２と平行平面板６５４との間に空気ギャップまたは他の光接接触が存在し得る。また、３つ以上の板を使用してもよいことを理解されたい。一例において、平行平面板６５２および６５４は、高屈折率および低分散度の両方を示す材料から構成される。一例において、平行平面板６５２および６５４は、別々の屈折率および別々の分散度、例えば、ショット光学ガラスＮ−ＬＡＦ２（ｎ＝１．７４３、ν＝４４．８５）およびＮ−ＳＦ４（ｎ＝１．７５５、ν＝２７．３８）を有する材料から構成され、それによってコマ収差、非点収差、および軸上色収差などのより良好な色／単色収差補正を提供する。同様な屈折率を有するものの異なる分散度を有するＮ−ＬＡＦ３６（ｎ＝１．７９９、ν＝４２．３７）およびＮ−ＳＦ６（ｎ＝１．８０５、ν＝２５．４）などの材料の対に関しては、軸上色収差のみを補正することができる。
【００７０】
[0074] 図７は、第１および第２の結合された光コンポーネント７５２および７５４を有する光エレメント７５０を示している。この光コンポーネントの各々はある程度の屈折力を有するが組み合わせられたものは非常に弱い屈折力を示す（または全く示さない）。また、３つ以上のコンポーネントを使用してもよいことを理解されたい。光コンポーネント７５２および７５４は、高屈折率および低分散度の両方を示す材料から構成される。例えば、第１ウィンドウコンポーネントはショットガラスＮ−ＬＡＦ７（ｎ＝１．７４９、ν＝３４．８）から形成することができ、第２コンポーネントはショットガラスＮ−ＳＦ４（ｎ＝１．７５５、ν＝２７．３８）から形成することができる。一例において、コンポーネント７５２および７５４は結合して、屈折力を有さない光エレメントウィンドウを形成することができる。時として望ましい場合には、コンポーネント７５２および７５４は結合して屈折力を有する光エレメントウィンドウを形成する。
【００７１】
[0075] さらに、またはあるいは、コンポーネント６５２および６５４、ならびにコンポーネント７５２および７５４は、空気ギャップ、光接触、および／または媒体、例えば、水、カナダバルサム、合成コーティングおよび材料などによって近接または接触することができ、それによって適切な光学的性質がもたらされる。
【００７２】
[0076] 図８および図９は、パーティクル検出システム３００の光路３４５の第１構成８００および第２構成９００を示している。
【００７３】
[0077] 図８において、構成８００は、物体（例えば、図３の３３０）の表面８３０、広角光線８１０、平行平面板光エレメントウィンドウ８５０、対物レンズセット８２０、および検出デバイス８４０を含む。少なくとも１つの実施形態において、表面８３０はレチクルのパターン形成されていない面である。
【００７４】
[0078] 図９において、構成９００は、物体（例えば、図３の３３０）の表面９３０、広角光線９１０、マルチコンポーネント（ここでは２つ）光エレメントウィンドウ９５０、対物レンズセット５２０、および検出デバイス５４０を含む。少なくとも１つの実施形態において、表面５３０はレチクルのパターン形成されていない面である。
【００７５】
[0079] 図８および図９の両方において、光エレメントウィンドウ８５０／９５０はセパレータ（例えば、図３の３６０）（すなわち、壁など）内で位置決めされる。セパレータ（例えば、図３の３６０）は、第１環境８８０／９８０と第２環境８９０／９９０とを分離する点線として示されている。物体（例えば、図３の３３０）の表面８３０／９３０上のパーティクルから反射された光線８１０／９１０は、像に収差形態のエラーを生じさせずに、光エレメント８５０／９５０を通過する。図８において像は変化しないが、図９において像は、光エレメントウィンドウ９５０の２つ以上のコンポーネントの各々の屈折力に導かれる。図８および図９のそれぞれの光エレメントウィンドウ８５０／９５０を通過する光は、光を検出デバイス８４０／９４０上に屈折させる／成形する対物レンズセット８２０／９２０に入射する。対物レンズセット８２０／９２０は、光エレメントウィンドウ８５０／９５０とともに、不要な収差を生じさせず、かつ光路３４５の距離を適度な範囲に維持して、物体（例えば、図３の３３０）の表面８３０／９３０の広角視野を確保するように構成される。これによって、光エレメントウィンドウ８５０／９５０の設計に妨げられることなく結像最適化が行われることが可能になる。ディテクタ８４０／９４０は、像のコントラストシフトを判断し、それによって物体（例えば、図３の３３０）の表面８３０／９３０上の不要なパーティクルの位置を検出するように構成される。
【００７６】
[0080] 要約すると、高屈折率および低分散度を有するだけでなく光エレメントウィンドウ３５０の屈折力の実現性を生じさせる（図３に示すような）光エレメントウィンドウ３５０を設計することによって、設計者は広視野結像システムを効果的に製作することができる。そのようなウィンドウ３５０は、欠陥、パーティクル、およびヘーズの観点から、真空内ＥＵＶレチクルおよびウェーハの汚染検査に特に適切であろう。具体的に上述していないが、そのようなシステムはレチクルおよびウェーハチャックの汚染検査に適用可能であろう。同様に、このシステムはＤＵＶおよび／またはＥＵＶレチクルの表側および裏側の検査に等しく適用可能であろう。このシステムによって提供される広視野により、レチクル走査なしで全面結像を行うことができる。
【００７７】
[0081] 発明の概要および要約の項目は、発明者が想定するような本発明の１つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、すべての例示的実施形態を述べることはできず、従って本発明および請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。
【００７８】
[0082] 本発明を、複数の特定の機能の実施およびそれらの関係を示す機能構成ブロックを用いて説明してきた。これらの機能構成ブロックの境界は、説明の都合上、本明細書において任意に定義されている。これら特定の機能やそれらの関係が適切に実現される限り、別の境界を定義することができる。
【００７９】
[0083] 特定の実施形態に関する前述の説明は、本発明の全般的な特徴をすべて示すものであり、従って当業者の知識を適用すれば、過度の実験を行わなくとも、本発明の一般的な概念から逸脱することなく、そのような特定の実施形態などのさまざまな用途に対して容易に変更および／または改変を行うことができる。従って、そのような改変や変更は、本明細書で提示した教示ならびに説明に基づき、開示した実施形態の等価物の趣旨および範囲内に収まるものとする。なお、当然ながら、ここで用いた語法や用語は説明のためであって限定を意図するものではなく、本明細書の用語あるいは語法は、上記教示や説明を考慮しながら当業者が解釈すべきものである。
【００８０】
[0084] 本発明の範囲は上述の例示的実施形態のいずれによっても限定されるべきでなく、添付の特許請求の範囲および等価物によってのみ規定されるべきである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パーティクル検出システムであって、
第１環境および第２環境との間のセパレータであって、開口を含むセパレータと、
前記セパレータの前記開口内に配置される光エレメントと、
前記第２環境に配置される物体と、
前記第１環境に配置される対物レンズと、
前記第１環境に配置され、前記対物レンズおよび前記光エレメントを通る光路に沿って、前記物体の表面上のパーティクルを検出するディテクタと、を含む、パーティクル検出システム。
【請求項２】
前記セパレータは、レチクル検査チャンバの壁を画定する、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項３】
前記光エレメントは、高屈折率および低分散度を有する材料を含む、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項４】
前記光エレメントは収差を補正するように構成される、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項５】
前記光エレメントは屈折力を与えるように構成される、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項６】
前記光エレメントは、各々が高屈折率および低分散度を示す２つ以上の材料構成を含む、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項７】
前記２つ以上の材料構成は、別々の高屈折率の値および低分散度の値を有する、請求項６に記載のパーティクル検出システム。
【請求項８】
前記２つ以上の材料構成の各々は屈折力を含む、請求項６に記載のパーティクル検出システム。
【請求項９】
前記光エレメントは無視できる屈折力を有する、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項１０】
前記第１環境は約１気圧である、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項１１】
前記第２環境は真空である、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項１２】
前記ディテクタは、前記物体の前記表面からの散乱光のコントラストレベルに基づいて前記物体の前記表面上のパーティクルを検出する、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項１３】
前記表面は、レチクルのパターン形成されていない面である、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項１４】
リソグラフィシステムであって、
レチクルがパターン形成されたビームを生成するように放射ビームの経路に前記レチクルを位置決めするレチクルサポートと、
前記パターン形成されたビームを基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
リソグラフィプロセス中に前記基板を支持する基板サポートと、
前記レチクルサポート、前記投影システム、および前記基板サポートの場所と連通しながら当該場所から離れているレチクル検査チャンバであって、
第１環境と第２環境との間の壁であって、開口を含む壁と、
前記開口内に配置される光エレメントと、
前記第２環境に配置される物体と、
前記第１環境に配置される対物レンズと、
前記第１環境に配置され、前記対物レンズおよび前記光エレメントを通る光路に沿って、前記物体の表面上のパーティクルを検出するディテクタと、を含む、レチクル検査チャンバと、を含む、リソグラフィシステム。
【請求項１５】
前記光エレメントは、高屈折率および低分散度を有する材料を含む、請求項１４に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１】
パーティクル検出システムであって、
第１環境および第２環境との間のセパレータであって、開口を含むセパレータと、
前記セパレータの前記開口内に配置される光エレメントと、
前記第２環境に配置される物体と、
前記第１環境に配置される対物レンズと、
前記第１環境に配置され、前記対物レンズおよび前記光エレメントを通る光路に沿って、前記物体の表面上のパーティクルを検出するディテクタと、を含む、パーティクル検出システム。
【請求項２】
前記セパレータは、レチクル検査チャンバの壁を画定する、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項３】
前記光エレメントは、高屈折率および低分散度を有する材料を含む、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項４】
前記光エレメントは収差を補正するように構成される、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項５】
前記光エレメントは屈折力を与えるように構成される、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項６】
前記光エレメントは、各々が高屈折率および低分散度を示す２つ以上の材料構成を含む、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項７】
前記２つ以上の材料構成は、別々の高屈折率の値および低分散度の値を有する、請求項６に記載のパーティクル検出システム。
【請求項８】
前記２つ以上の材料構成の各々は屈折力を含む、請求項６に記載のパーティクル検出システム。
【請求項９】
前記光エレメントは無視できる屈折力を有する、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項１０】
前記第１環境は約１気圧である、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項１１】
前記第２環境は真空である、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項１２】
前記ディテクタは、前記物体の前記表面からの散乱光のコントラストレベルに基づいて前記物体の前記表面上のパーティクルを検出する、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項１３】
前記表面は、レチクルのパターン形成されていない面である、請求項１に記載のパーティクル検出システム。
【請求項１４】
リソグラフィシステムであって、
レチクルがパターン形成されたビームを生成するように放射ビームの経路に前記レチクルを位置決めするレチクルサポートと、
前記パターン形成されたビームを基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
リソグラフィプロセス中に前記基板を支持する基板サポートと、
前記レチクルサポート、前記投影システム、および前記基板サポートの場所と連通しながら当該場所から離れているレチクル検査チャンバであって、
第１環境と第２環境との間の壁であって、開口を含む壁と、
前記開口内に配置される光エレメントと、
前記第２環境に配置される物体と、
前記第１環境に配置される対物レンズと、
前記第１環境に配置され、前記対物レンズおよび前記光エレメントを通る光路に沿って、前記物体の表面上のパーティクルを検出するディテクタと、を含む、レチクル検査チャンバと、を含む、リソグラフィシステム。
【請求項１５】
前記光エレメントは、高屈折率および低分散度を有する材料を含む、請求項１４に記載のリソグラフィシステム。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−１４１７０（Ｐ２０１２−１４１７０Ａ）
【公開日】平成２４年１月１９日（２０１２．１．１９）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１１−１３７９８１（Ｐ２０１１−１３７９８１）
【出願日】平成２３年６月２２日（２０１１．６．２２）
【出願人】（５０３１９５２６３）エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． (232)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月１９日（２０１２．１．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３７９８１（Ｐ２０１１−１３７９８１）
【出願日】平成２３年６月２２日（２０１１．６．２２）
【出願人】（５０３１９５２６３）エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． (232)
【Ｆターム（参考）】
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