【課題】 本発明は、反射型マスクブランクスの基板に形成したアライメントマークが発塵源となることを防止し、前記アライメントマークを用いた欠陥検査およびアライメント描画により、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法、並びに、反射型マスクブランクスの検査方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 前記アライメントマークの底部に丸みをつけて、垂直な側壁部分と、丸みを有する底部とを有する凹型のアライメントマークとするにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、精度よくアライメントすることができるアライメント方法、及びマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかるアライメント方法は、基板１１の一部に複数の粒子１５を散布するステップと、複数の粒子１５の座標を検出するステップとを備えている。さらに、本発明の一態様にかかるアライメント方法は、複数の粒子１５をアライメントマークとして用いて、基板１１のアライメントを行うステップと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型露光用マスクを提供する。
【解決手段】基板上に多層反射膜、保護膜、吸収膜、裏面導電膜が形成された反射型マスクブランクスを準備する。次に、回路パターンとその領域外の吸収膜を選択的に除去して回路パターンと遮光枠領域を形成する。次に、前記遮光枠領域において保護膜と多層反射膜を除去する。加えて、前記遮光枠領域の基板とは対向位置の裏面導電膜に酸化インジウムスズを形成する。 （もっと読む）

【課題】波長が１３．５ｎｍ付近の極端紫外(Extreme Ultra Violet：ＥＵＶ)光を露光光源とする反射型マスクの欠陥修正技術を利用した半導体集積回路装置の製造技術を提供する。
【解決手段】位相欠陥２１１が生じている開口パターン２０４の近傍の吸収層２０３に、開口パターン２０４よりも微細な開口径を有する補助パターン３０１を形成する。この補助パターン３０１は、ウエハ上のフォトレジスト膜に開口パターン２０４を転写する際の露光光量を調整するためのパターンである。 （もっと読む）

【課題】取出し時の膜材料の付着や、ガラス基板保持部に付着した膜材料のガラス基板への転写を抑制することができるＥＵＶマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０の裏面側を保持する基板保持部２０と、ガラス基板１０の側面全周、基板保持部２０の側面全周のうち、基板保持部２０の上端を含めた高さ方向における少なくとも一部、および、ガラス基板１０の成膜面の外縁部を覆うことができ、搬出入用の開口部を有し、搬出入時の位置と、成膜時の位置と、の間を上下方向に移動可能である遮蔽部３０と、ガラス基板１０または製造後のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの搬出入用のアームと、を有し、搬出入用の開口部、ガラス基板１０および搬出入用のアームが所定の条件を満たすスパッタリング装置を用いて、ガラス基板上に反射層および吸収層を成膜するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】反射型マスクのパターンに損傷を及ぼす危険性を解消し、反射型マスク上の遮光領域の遮光性を高めてウェハ上の露光フィールド境界部のオーバー露光を抑制できる遮光領域を有する反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板と、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層で形成された吸収体パターンと、を少なくとも備えた反射型マスクであって、吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に、ＥＵＶ光を遮光するための遮光領域が設けられ、前記遮光領域が反射層と吸収層とを備え、前記遮光領域の反射層が、転写パターン領域の反射層と同一平面上になく、基板の主面に対して所定の角度を有する斜面上にあり、遮光領域に入射したＥＵＶ光の反射光を、転写パターン領域に入射したＥＵＶ光の反射光とは異なる方向に反射させる反射層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、位相欠陥による転写パターンへの影響を正確に把握することが可能な反射型マスクの欠陥修正方法および製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層と、上記多層膜の位相欠陥とを有する反射型マスクの欠陥修正方法であって、上記位相欠陥をＥＵＶ光で観察し、光学像から、上記多層膜の厚み方向に対する上記位相欠陥の傾きを含む上記位相欠陥の情報を取得する観察工程と、上記位相欠陥の情報に基づいて、上記位相欠陥を修正する修正工程とを有することを特徴とする反射型マスクの欠陥修正方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】遮光性能の高い遮光領域を有する反射型マスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板表面に形成された多層反射層と、該多層反射層の上に形成され、回路パターンを有する吸収層とを具備する反射型マスク。前記回路パターンの領域の外側に、前記吸収層および前記多層反射層が除去された遮光領域が形成され、前記多層反射層に形成された前記遮光領域の底部の開口幅は、前記吸収層に形成された前記遮光領域の開口幅よりも広いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】タンタル系材料の吸収体膜と、クロム系材料のエッチングマスク膜とが積層した反射型マスクブランクを用いて、高精度の転写パターンを有し、光学特性が良好な吸収体膜を有する反射型マスクを作製することを可能とする反射型マスクブランクを提供する。
【解決手段】反射型マスクを作製するために用いられる反射型マスクブランク１００であり、基板１上に多層反射膜５と吸収体膜２とエッチングマスク膜３が順に積層した構造を有する反射型マスクブランクであって、エッチングマスク膜は、クロムを含有する材料からなり、吸収体膜は、タンタルを含有する材料からなり、吸収体膜の基板側とは反対側の表層に高酸化層２２が形成されており、高酸化層は、Ｘ線電子分光分析を行ったときのＴａ４ｆのナロースペクトルが２３ｅＶよりも大きい束縛エネルギーで最大ピークを有することを特徴とする反射型マスクブランクである。 （もっと読む）

【課題】基板からの後方散乱により、リソグラフィ後にレジストに形成されるレジストパターンと設計上のパターンとのずれを軽減する。
【解決手段】描画パターンデザインを複数の単位区画に区切り、前記単位区画ごとの描画密度を取得して描画密度に基づく描画補正値を求め、前記単位区画内の密度別に区画されたパターン分布を取得してパターン分布に基づく描画補正値を求め、描画密度に基づく描画補正値とパターン分布に基づく描画補正値とを合わせた最適な露光補正値を求める。 （もっと読む）

【課題】極めて平坦度が高く、かつ、微小欠陥（凹状欠陥、凸状欠陥）を低減したマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド２１，１１が貼り付けられ上下に対向して設けられた上定盤２０と下定盤１０との間に、複数のガラス基板を挟持し、ガラス基板に上定盤側２０より研磨液を供給しながら、ガラス基板の両主表面を両面研磨する。ガラス基板の形状は四角形で、そのコーナー部においてノッチマークを少なとも１以上有する。ガラス基板の上記両面研磨は、ノッチマークが形成されていない一方の主表面を上定盤２０側にセットして行う。 （もっと読む）

【課題】高スループットで、欠陥面での品質の良い遮光枠を有する反射型マスク、反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、多層反射層を高温アニール処理にて融解し、反射率を低減することによって、遮光枠を形成することから、高スループットおよび比較的容易な工程で、欠陥面においてマスク品質の良い遮光枠を有する、反射型マスク、反射型マスクの製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】位相欠陥と表面異物とを識別できるＥＵＶマスク検査装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＥＵＶマスク検査装置は、ＥＵＶ光を出射するＥＵＶ光源１００ａと、ＥＵＶ光を伝播する第１多層膜楕円面鏡１０３ａ、第２多層膜楕円面鏡１０３ｂ、落とし込みＥＵＶミラー１０５を含む光学系と、ＥＵＶ光の光軸と同軸に導入され、光学系で伝播される紫外光を出射するＡｒＦエキシマレーザ１００ｄとを備える。紫外光は、ＥＵＶ光の光軸上に挿入された振り込みミラー１１３により反射され、ＥＵＶ光と同軸に導入される。 （もっと読む）

【課題】面粗さの小さい基板として適当なＴｉＯ_２−ＳｉＯ_２ガラスの提供。
【解決手段】ＴｉＯ_２濃度が１〜１２質量％のシリカガラスであり、かつ、ＴｉＯ_２濃度の最大値と最小値との差が、少なくとも一つの面内における３０ｍｍ×３０ｍｍの範囲で０．０６質量％以下であることを特徴とするＴｉＯ_２を含有するシリカガラス。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム又はイオンビーム撮像機器による極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）マスク検査の技術を提供する。
【解決手段】結合モジュールは、開口を定める上側部分と、マスク接触要素と、チャック接触要素と、マスク接触要素と上側部分の間に接続された中間要素とを含むことができる。開口の形状及びサイズは、極端紫外線（ＥＵＶＬ）マスクのパターン転写区域の形状及びサイズに対応することができる。結合モジュールは、マスク接触要素がＥＵＶＬマスクの上側部分に接触した状態でチャック接触要素がＥＵＶＬマスクを支持するチャックに接触するような形状及びサイズとすることができる。結合モジュールは、ＥＵＶＬマスクがチャック上に位置決めされた時にＥＵＶＬマスクの上側部分とチャックの間に少なくとも１つの導電経路を更に提供することができる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生が少なく、洗浄耐性の優れた遮光枠を有する反射型マスクブランク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】多層反射層０２を掘り込んだ遮光枠を有する反射型マスクにおいて、多層反射層の側面に、電解めっき法により側壁保護層を形成することで、パーティクルの発生を低減することができる。さらに本発明のマスクとすることで、マスク洗浄工程における多層反射層の劣化を抑制することが可能となり、高品質の反射型マスクを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェハで多重露光されるチップの境界領域に相応するマスク領域からＥＵＶ及びアウトオブバンドの反射を除去した反射型マスクを提供することを目的とする。
【解決手段】基板と、基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、多層反射膜の上に形成され、多層反射膜を保護する保護膜と、保護膜の上に形成され、露光光を吸収する光吸収膜と、基板の、多層反射膜が形成された面の反対面上に形成された導電膜とを備えるマスクブランクであって、導電膜は、微細構造パターンにより露光光の反射を抑制するモスアイ構造体を有する。 （もっと読む）

【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型露光用マスクを提供する。
【解決手段】露光に不要な波長を吸収する材料を含有する基板上に多層反射膜、保護膜、吸収膜、裏面導電膜が形成された反射型マスクブランクスを準備する。次に、回路パターンとその領域外の吸収膜を選択的に除去して回路パターンと遮光枠領域を形成する。次に、前記遮光枠領域において保護膜と多層反射膜を除去する。 （もっと読む）