説明

光子検知子モジュールと像映装置。

【課題】
レンジ解像度を達成するのに必要な回路速度と密度、レーザーエコーにおけるピコ秒の飛走相違に基づいた小さなターゲット表面変動を明示するのに必要な感度とを具えたレーダー像映システムを提供する。
【解決手段】
ターゲットからの光子反射を発生する光子源と、光子反射に反応して検知子アレイ出力信号を生成する検知子アレイと、検知子アレイ出力信号を受信する積層処理モジュールとを有してなり、処理モジュールが少なくとも2個の積層を有し、各積層が受信検知子アレイ出力信号処理のための少なくとも1個の集積回路チップを有している。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は光子検知子モジュールと像映装置に関するものであり、より詳しくはレーダー(レーザー・レーダー)像映技術に関するものであり、されに詳しくは高い解像度と感度で部分的に不鮮明またはカモフラージされたターゲットの三次元レーザー像映を可能とする装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
現在のレーザー像映は一般にターゲットをレーザーで走査して反射された光子(レーザーエコーとも呼ばれる)フオーカルプレーンアレイなどの光子検知子で検知するものである。ターゲットから光子検知子にレーザーエコーが戻るに要する時間を計算してターゲットレンジを決定する。検知子出力信号は電子的に処理されて、三次元対象上に表面体を明示する。そのような像映能力は,例えば車両が葉により不鮮明となったりカモフラージされていたり都会環境の中で像映センサーがターゲットの限られたまたは角度影像のみしか得ることができない場合には、貴重である。
【0003】
一般に現在のレーダー像映システムはレーザー源と、検知子アレイと結びつけられた適宜な光学素子と、検知子アレイ出力を使用可能な形態に処理する処理回路と、後処理回路と、処理された検知子アレイ出力を得て電子デイスプレー上のイメージなどの使用可能な形態に変換するソフトウエアとを有している。
【0004】
該システムの動作においては、1個以上のレーザーパルスが所望のターゲットに指向される。ターゲット表面からのレーザーエコーが受信されて適宜な光学素子により検知子アレイ中の検知子中に像映される。戻るレーザーエコーの飛走時間は検知子アレイ面とエコーが受信される表面体との間の距離に応じて変化するので、相対エコー遅れに基づいて三次元イメージが計算できる。
【0005】
1ナノ秒のレーザーエコー遅れだとターゲット表面変動が約15cmとなり、500ピコ秒のレーザーエコー遅れだと約8cmのターゲット表面変動となる。これらの短い時間期間から明らかなように、センチメーターレベル深さ解像度でターゲット表面体を解像するには、非常に高い検知子信号処理とタイミング回路速度が望ましい。残念なことに現在のレーダー像映システムでは必要な回路速度と非常に高い(例えばcm)範囲の解像度と感度とを得る能力を欠いているのである。
【0006】
これに代えてCCDビデオセンサーなどの従来の受動可視センサーは観察者に簡単に読み取った情報を提供する。にも拘わらず、複雑なビデオ環境(つまりカモフラージされたまたは部分的に不鮮明なターゲット)における正確な光景情報が観察者の意思決定において重要な要因である場合には、このようなタイプのセンサーは望ましくないのである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
以上のような従来技術の現状に鑑みてこの発明の目的は、レンジ解像度を達成するのに必要な回路速度と密度、レーザーエコーにおけるピコ秒の飛走相違に基づいた小さなターゲット表面変動を明示するのに必要な感度とを具えたレーダー像映システムを提供することにある。
【0008】
この発明の他の目的は、信頼性と、高速度と、高い回路密度とを具えたレーダー検知子システムとセンチメーターレベルでのレンジ解像度と感度とを具えた装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
このためこの発明の第1の技術思想は光子検知子モジュールに関するものであって、該モジュールは光子入力に反応して検知子アレイ出力信号を発生する光子検知子アレイと、検知子アレイ出力信号を受信しかつ電気的に接続されている積層処理モジュールとを有してなり、処理モジュールが少なくとも2個の積層を有しており、少なくとも1個の積層が受信された検知子アレイ出力信号を処理するための少なくとも1個の集積回路チップを有しており、各集積回路チップが検知子アレイ出力信号の増幅のための増幅回路を有しており、検知子アレイ出力信号を微分するための微分回路が増幅回路と電気的に接続されており、検知子アレイ出力信号を所定のしきい値と比較するための比較回路が微分回路と電気的に接続されており、検知子アレイ出力信号をデジタル値に変換するアナログ・デジタル変換回路が比較回路と電気的に接続されており、デジタル値を受信するFIFOレジスターが変換回路と電気的に接続されており、さらなる処理のためにFIFOレジスターデータを出力する出力手段がFIFOレジスターと電気的に接続されていることを要旨とするものである。
【0010】
またこの発明の第2の技術思想はイメージ装置に関するものであり、該装置はターゲットからの光子反射を発生する光子源と、光子反射に反応して検知子アレイ出力信号を生成する検知子アレイと、検知子アレイ出力信号を受信する積層処理モジュールとを有してなり、該処理モジュールが少なくとも2個の積層を有しており、各積層が受信検知子アレイ出力信号処理のための少なくとも1個の集積回路チップを有していることを要旨とするものである。
【発明の効果】
【0011】
この発明によれば高い像映能力が得られる。これは一部はROIC回路を有した積層を使用したからである。これにより検知子出力処理回路密度が増加し、一方回路導線長さとそれに伴う容量が最少となる。
【0012】
ROIC回路の積層の結果、専用検知子読出し回路を伴った大きな検知子アレイ(例えば128X128以上)を集積することができる。増幅器、しきい値検知子、サンプリング回路、デジタル・アナログ変換器(DAC)、先入れ先出し(FIFO)、レジスターレンジビンなどがすべて非常に小さなモジュールとなる。
【0013】
かくして得られたモジュールにより、検知子アレイ上の各検知子ピクセルにより検知された1個以上のレーザーエコーに基づいて小さな三次元ターゲット体を解像するのに必要な回路速度と密度とが達成される。同時に検知子アレイ上の各検知子のための専用処理チャンネルが与えられる。
【0014】
多層ROIC処理モジュールは積層からなるのが望ましく、該積層は薄い集積回路チップを有しており、各層は1以上の受信チャンネルを有している。像映されたターゲット表面から反射された光子の受信に基づいて、各チャンネルはT0(レーザーパルスの開始またはユーザー割当てのT0点)から光子戻り時間までのレーザー飛走時間を検知する回路を有している。
【0015】
飛走情報のレーザーエコー時間は処理されて、ROIC上のレンジビンからなるFIFOレジスター中に記憶されるデジタルビットに変換される。レンジビン中の高いビットは、一群のレンジビン内におけるその場所に基づいて、例えばレーザーエコーの到着時間を示すものと指定できる。レンジビンデータはROICモジュールから外部回路に多重送信され、該回路はデータを翻訳し、三次元ポイントクラウドなどの使用可能な形態に変換して、デイスプレー上の電子イメージとして表示する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0016】
図1はこの発明の構成のブロック線図であって、レーザー1などの光子源はビーム5を発生し、これがビーム成形光学素子10を経てシーンまたはターゲット7に指向される。
【0017】
好ましき実施例にあっては、レーザー1は1064nmであり、機械的に整列されて、300マイクロジュールのシードYAGレーザーであって、500ピコ秒幅のパルスを生成することができる。マスター・オシレーター・パワー増幅器などのビーム増幅器(図示せず)を設けてもよく、シードビームが増幅器に供給される。シードビームはファラデイー回転子を通過して2個のポンプYAGダイオードを有したフォーパス熱的制御増幅器に入る。
【0018】
好ましき実施例では、ビーム成形光学素子10はビーム成形ホログラフレンズであって、方形のビーム領域をターゲット上に投影するのに適している。方形ビーム領域は検知子アレイのその視野内の反射光子を受信・処理する能力を最適化するものである。
【0019】
ビーム5は好ましくは増幅されて、検知可能なターゲットからの光子反射を発生し、100mで10%の反射率を有している。
【0020】
収束光学素子20が設けられており、好ましくは75mm、F1.4レンズであって、レーザーパルス波長の最適化のための適宜なスペクトルフィルターを有している。収束光学素子20は配列されて、像映ターゲット7から反射された光子を受信して(つまり集約的ぼんやりさ、主体と背景)、以下に述べるようにこの発明の検知子アレイ上に結像される。
【0021】
ビームが印加された後、ビーム5をリズレープリズム(図示せず)に通して回転前進させて検知子アレイに照準合せすることにより、ビーム5は選択的にこの発明の検知子アレイと予整列される。収束光学素子20に近接整列されたビーム成形光学素子10に2個の光学サブアッセンブリーについて視差誤差を最小にする。
【0022】
検知子ユニット30はセンサーアレイまたは検知子アレイ40と積層処理読出し電子モジュール50を有している。
【0023】
検知子アレイ40は一般に個々のフォト検知子のフォーカルプレーン・アレイであって、ターゲットからの反射光子を検知してそれに反応して信号を発生するのに適している。好ましき実施例では、InGaAs検知子アレイが用いられている。Irvine Sensors社はこの発明における50μ中心上の40μ活性検知子を有した128X128InGaAs検知子アレイを発表している。そこではアレイ上の検知子の128X8組がアクセスされる。
【0024】
図2、3において、処理モジュール50は2個以上の層60の積層を有しており、各層は1以上の読出し電子回路70を有している。これらは好ましくは集積回路チップであって、検知子アレイ40から受信された信号を処理する。各読出し電子回路70は1以上のチャンネル75を含み、検知子アレイ40からの電子信号を処理する電子回路を有している。
【0025】
個々の層60は、電子回路70の入力、出力、パワーおよび読出しのグランドパスが金属トレース73を用いて各層60の1以上のエッジに接続されて1以上のアクセス導線80を形成するように、形成されている。
【0026】
層60は公知の接着剤62を用いて相互に結合されており、アクセス導線80を露出するように処理される(例えばグラウンドまたはラップされる)。層60は選択的に半導体処理の分野における公知の方法で薄くされて包装される。薄くされた活性層は取扱い上の便宜のためにシリコンキャップチップに埋設される。
【0027】
適宜な電導性接続パッド90が処理モジュール50の1以上の側面上に形成されて、1以上の「T−接続」80を形成して、アクセス導線80を検知子アレイ40および外部イメージ処理電子素子に接続するようにする。
【0028】
図3に示すのは検知子アレイ40上のバンプ結合と金属アクセス導線80との間のT−接続85である。T−接続構造により高密度積層が検知子アレイ40および処理モジュール外の外部回路に接続できる。
【0029】
この発明の一実施例においては、パッド90が1以上の処理モジュール側面上に形成されて、検知子アレイ40のインジウムバンプ結合などのバンプ結合を可能としている。検知子アレイ40のバンプ結合後、処理モジュール50上に垂直に配置された検知子アレイ40により占拠される容積は最少となり、しかも検知子−読出し回路導線長さは最適化されて、速度は増加されるが寄生容量は低減される。かかる接続構造は処理モジュールの高回路密度の有利さを活かし、しかも高速レーザーレンジ解像度に必要な非常に短い回路パスを与えているのである。
【0030】
図1に戻って、処理モジュール50の出力を受信・処理する外部電子回路100はワイヤー結合を通して処理モジュール50のアクセス可能な表面上の接続パッド90に接続できる。
【0031】
システムの動作において、ビーム5はビーム成形光学素子10から外側に広がり所望のターゲット上に結像される。ターゲットにより吸収されないかまたは鏡面反射されたパルスビームからの光子は種々のターゲット表面からの収束光学素子20に戻る。ターゲット表面と収束光学素子との間の距離は変動するので、検知子ユニットにより反射光子が受信される時間も変動する。検知子アレイ中の各検知子は検知子アレイから異なる距離にあるシーン表面からの光子反射から戻る多重信号を証明する。
【0032】
ビーム5は走査中のターゲット領域を横切って掃引されて256個の垂直サンプルを得る。レーザーは94Hzでパルス化されて256個の水平サンプルを得て、チャンネルデータは1024FIFOレンジビン中に記憶する。256X256X1024データはフレームとして記憶され、多重フレームが登録され三次元ポイントクラウドに合体されて、ターゲット対象分類のために三次元イメージとして表示される。
【0033】
反射光子がレーザー1から放射されて検知子アレイ40の表面に戻る飛走時間はターゲット表面の距離に応じて、光速(c=3X108m/s)と導光媒体の物理的特性に基づいて、変動する。
【0034】
ROICチップ上のチャンネルの実施例を図4に示す。図1、4に示すように、各チャンネル75は専用の検知子信号入力回路として機能できかつ回路を有しており、該回路はT0トリガー信号(初期レーザーパルストリガー)を受信して、FIFOレジスターに検知子アレイ40におけるレーザーエコーの到達時間についての基準を与える。レーザーパルスは捕捉間隔(例えば−500ピコ秒対500ナノ秒)に比べて短いのが望ましく、多重戻りが単一の検知子ピクセルにより検知できる。
【0035】
各チャンネル75は好ましくは非常に大きな帯域幅で動作するアナログ部分を有しており、さらに、FIFOレジスターがデータで満たされる間、2GHzまでで動作するデジタル部分を有している。チャンネル75にはデジタル・アナログ変換器が含まれており、さらに使用者が比較器のしきい値を調整できる回路を有している。各ROICは多重チャンネル(例えば128チャンネル)を含むことができ、これらが単一の出力信号に多重送信されて、外部回路100によるイメージ処理に供される。
【0036】
受信されたレーザーエコーは捕捉期間中にチャンネルにより集積・濾過される。集積された信号は増幅・微分される。これにより信号は増幅された信号強度のパルスに戻り変換され、該強度は比較器による検知を可能とする大きさである。比較器はパルスがプログラム可能な所定のしきい値に対して上下いずれであるかを検知する。一実施例にあっては、比較器の出力は2GHzの速度でサンプリングされて、1ビットのアナログ・デジタル変換信号となる。
【0037】
一実施例にあっては、各チャンネル75は1024デイープ、FIFOレジスターを有しており、これがT0からT0+約50ナノ秒からの比較器からの出力の履歴を記憶する。FIFOレジスター中の高ビットは、レジスター中のビットの場所で決定されるように、T0信号に関してレーザーエコーの到着時間として定義できる。FIFOが2GHzでクロックすると、レジスタービンの各ステージは時間履歴の500ピコ秒を表わし、これがレンジ履歴の7.5cmと同等と見なされる。T0トリガー信号のタイミングは変動することができ、これによりより遠くのターゲットから戻るレーザーエコーの戻り時間を長くできる。
【0038】
FIFOの1024ステージが満たされた後、ROICは従来のフレームと20MHzレートにおけるライン信号とを使って外部回路100へのデータ(MUX)を読み出す。MUXデータは適宜な外部回路を使って処理でき、ターゲットにより定義される三次元ポイントクラウドを生成し、さらに処理されて三次元電子イメージが生成される。
【図面の簡単な説明】
【0039】
【図1】この発明の構成を示すブロック線図である。
【図2】この発明の各層と積層を示す斜視図である。
【図3】この発明の処理モジュールの断面図である。
【図4】この発明の集積回路の回路図である。
【符号の説明】
【0040】
1 :レーザー
5 :ビーム
7 :ターゲット
10、20:光学素子
30 :検知子ユニット
40 :検知子アレイ
50 :処理モジュール
100:外部電子回路

【特許請求の範囲】
【請求項1】
光子入力に反応して検知子アレイ出力信号を発生する光子検知子アレイと、
検知子アレイ出力信号を受信しかつ電気的に接続されている積層処理モジュールとを有してなり、処理モジュールが少なくとも2個の積層を有しており、少なくとも1個の積層が受信された検知子アレイ出力信号を処理するための少なくとも1個の集積回路チップを有しており、各集積回路チップが検知子アレイ出力信号増幅のための増幅回路を有しており、検知子アレイ出力信号を微分するための微分回路が増幅回路と電気的に接続されており、検知子アレイ出力信号を所定のしきい値と比較するための比較回路が微分回路と電気的に接続されており、
検知子アレイ出力信号をデジタル値に変換するアナログ・デジタル変換回路が比較回路と電気的に接続されており、デジタル値を受信するFIFOレジスターが変換器と電気的に接続されており、さらなる処理のためにFIFOレジスターデータを出力する出力手段がFIFOレジスターを電気的に接続されていることを特徴とする光子検知子モジュール。
【請求項2】
出力手段が少なくとも1個のマルチプレックス回路を有していることを特徴とする請求項1に記載のモジュール。
【請求項3】
さらに検知子アレイの電気的に接続のための少なくとも1個のT−コネクターが設けられていることを特徴とする請求項1に記載のモジュール。
【請求項4】
デジタル値が1ビットのデジタル値であることを特徴とする請求項1に記載のモジュール。
【請求項5】
所定のしきい値が外部プログラム手段によりプログラム可能であることを特徴とする請求項1に記載のモジュール。
【請求項6】
検知子アレイが検知子ピクセルの少なくとも1個の8X128アレイからなっていることを特徴とする請求項1に記載のモジュール。
【請求項7】
検知子アレイが検知子ピクセルの少なくとも1個の128X128アレイからなっていることを特徴とする請求項1に記載のモジュール。
【請求項8】
検知子アレイがInGaAs検知子アレイであることを特徴とする請求項1に記載のモジュール。
【請求項9】
ターゲットからの光子反射を発生する光子源と、光子反射に反応して検知子アレイ出力信号を生成する検知子アレイと、検知子アレイ出力信号を受信する積層処理モジュールとを有してなり、該処理モジュールが少なくとも2個の積層を有しており、各積層が受信検知子アレイ出力信号処理のための少なくとも1個の集積回路チップを有していることを特徴とする像映装置。
【請求項10】
処理モジュールがその上に形成された少なくとも1個のT−接続構造を有しており、これが検知子を外部電子装置に電気的に接続していることを特徴とする請求項9に記載の装置。
【請求項11】
さらに回路手段が設けられていて、処理された検知子アレイ出力信号を電子イメージに変換することを特徴とする請求項9に記載の装置。
【請求項12】
回路手段が処理された検知子アレイ出力信号を三次元電子イメージに変換することを特徴とする請求項9に記載の装置。
【請求項13】
光子源がレーザーであることを特徴とする請求項9に記載の装置。
【請求項14】
光子源がパルスレーザーであることを特徴とする請求項9に記載の装置。
【請求項15】
さらにビーム成形光学素子が設けられていて、光子源をターゲット上に結像させることを特徴とする請求項9に記載の装置。
【請求項16】
さらに収束光学素子が設けられていて、反射光子を検知子アレイ上に結像させることを特徴とする請求項9に記載の装置。
【請求項17】
検知子アレイがInGaAs検知子アレイであることを特徴とする請求項9に記載の装置。
【請求項18】
検知子アレイが少なくとも1個のT−接続により処理モジュールにバンプ結合されていることを特徴とする請求項9に記載の装置。
【請求項19】
検知子アレイ出力信号が比較器により所定のしきい値と比較されることを特徴とする請求項9に記載の装置。
【請求項20】
外部電子装置が検知子アレイであることを特徴とする請求項9に記載の装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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