光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法
【課題】医・農薬の中間体として有用である光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体の効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】式（１）
【化４５】
［式中、Ｒ１は、置換若しくは無置換のＣ１−２０アルキル基又は置換若しくは無置換のＣ４−１２芳香族基を意味し、Ｒ２は、置換若しくは無置換のＣ１−２０アルキル基又は置換若しくは無置換のＣ４−１２芳香族基を意味する。］で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下において、触媒的不斉水素化反応により水素化することを特徴とする、式（２）又は式（３）
【化４６】
［式中、Ｒ１及びＲ２は、前記と同じ意味を示す。］で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【解決手段】式（１）
【化４５】
［式中、Ｒ１は、置換若しくは無置換のＣ１−２０アルキル基又は置換若しくは無置換のＣ４−１２芳香族基を意味し、Ｒ２は、置換若しくは無置換のＣ１−２０アルキル基又は置換若しくは無置換のＣ４−１２芳香族基を意味する。］で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下において、触媒的不斉水素化反応により水素化することを特徴とする、式（２）又は式（３）
【化４６】
［式中、Ｒ１及びＲ２は、前記と同じ意味を示す。］で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医・農薬の中間体として有用である光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体は、医・農薬等の生理活性物質をはじめとする、種々のファインケミカル材料で有用な化合物の重要な中間体である。
光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を製造する方法としては、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体触媒を用いた触媒的不斉水素化反応により、ラセミ体のα−アミノアシル酢酸エステル化合物を不斉水素化し、シン選択的に光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を製造する方法が知られていた（例えば非特許文献１及び２並びに特許文献１参照。）。
一方、オレフィン、ケトン及びイミン類の遷移金属触媒による不斉水素化反応はよく知られていた。（例えば非特許文献３参照。）。
【特許文献１】特開平０６−８０６１７号公報
【非特許文献１】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９８９，１１１，ｐ．９１３４−９１３５
【非特許文献２】ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ，１９９２，ｐ．１２４８−１２５４
【非特許文献３】Ｒ．Ｎｏｙｏｒｉ ｅｄ．Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｃａｔａｌｙｓｉｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，（１９９４）Ｊｈｏｎ Ｗｉｌｃｙ＆；Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
非特許文献１及び２並びに特許文献１に記載の方法は、光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のシン体を選択的に製造する方法としては優れているものである。
しかし、逆に光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を直接製造することはできないため、アンチ体を製造するためには、一旦シン体を製造し、一方の立体を反転させなければならなかった。
そのため、直接、光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を製造する方法が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、直接光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を製造する方法について鋭意検討を重ねた結果、アミノ基が無置換であるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下において、触媒的不斉水素化反応により水素化することによって、容易にアンチ体の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体が選択的に得られることを見出し、本発明を完成させた。
【０００５】
即ち、本発明は、
１．式（１）
｛式中、Ｒ１は、Ｃ１−２０アルキル基〔該Ｃ１−２０アルキル基はＣ４−１２芳香族基［該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。〕、又はＣ４−１２芳香族基〔該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基［該Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基及びＣ１−６アルキルカルボニルオキシ基は、Ｃ４−１２芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子で任意に置換されていてもよい。）で任意に置換されていてもよい。］又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。〕を意味し、
Ｒ２は、Ｃ１−２０アルキル基〔該Ｃ１−２０アルキル基はＣ４−１２芳香族基［該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。〕、又はＣ４−１２芳香族基［該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］を意味する。｝で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下において、触媒的不斉水素化反応により水素化することを特徴とする、式（２）又は式（３）
（式中、Ｒ１及びＲ２は、前記と同じ意味を示す。）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
２．前記触媒的不斉水素化反応に使用される触媒が、光学活性ホスフィン配位子を有する、周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体である１．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
３．前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属がルテニウム、イリジウム又はロジウムであり、光学活性ホスフィン配位子が光学活性２座ホスフィン配位子である２．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
４．前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属がルテニウムであり、光学活性２座ホスフィン配位子が式（４）
（式中、Ｒ３は、水素原子、メチル基又は三級ブチル基を意味し、絶対配置はＳ又はＲのどちらかを意味する。）である３．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
５．前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体がＲｕＨＸ１（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）又はＲｕ２Ｃｌ４（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）２（Ｅｔ３Ｎ）（式中、Ｒ３−ＢＩＮＡＰは前記式（４）で表される光学活性２座ホスフィン配位子を意味し、Ｅｔはエチル基を意味し、Ｘ１及びＸ２は、それぞれＣｌ、ＣｌＯ４、ＢＦ４、ＰＦ６、ＯＣＯＣＨ３、ＯＣＯＣＦ３、ＯＣＯ−ｔ−Ｂｕ又はＯＳＯ２ＣＦ３を意味するが、該錯体は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、ＡｌＣｌ３、ＳｎＣｌ４、ＴｉＣｌ４又はＺｎＣｌ２で更に配位されていてもよい。）である４．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
６．前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体がＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）（式中、Ｘ２及びＲ３−ＢＩＮＡＰは前記と同じ意味を表わし、該錯体は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、ＡｌＣｌ３、ＳｎＣｌ４、ＴｉＣｌ４又はＺｎＣｌ２で更に配位されていてもよい。）である５．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
７．Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド又はベンゼンで更に配位されたＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）（式中、Ｘ２がＣｌを表わし、Ｒ３−ＢＩＮＡＰは前記と同じ意味を表わす。）を用いる６．に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
８．前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属がイリジウムであり、光学活性２座ホスフィン配位子がＲ３−ＢＩＮＡＰ（Ｒ３−ＢＩＮＡＰは、前記と同じ意味を表わす。）又は式（５）
［式中、Ｒ６は、フェニル基、ナフチル基（該フェニル基及びナフチル基はＣ１−６アルキル基又はＣ１−６アルコキシ基で任意に置換されていてもよい。）、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基を意味し、Ｒ７は、メチル基又はメトキシ基を意味し、Ｒ８は、水素原子、メチル基、メトキシ基又は塩素原子を意味し、Ｒ９は、水素原子、メチル基、メトキシ基、ジメチルアミノ基又ジエチルアミノ基を意味し、絶対配置はＳ又はＲのどちらかを意味する。］で表される化合物である３．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
９．反応系中に酢酸塩を加える８．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
１０．前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体を調製する際、ヨウ素化合物を添加する９．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
１１．前記光学活性２座ホスフィン配位子が前記式（５）で表される化合物である１０．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
１２．前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体を調製する際、［Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２（式中、ｃｏｄは、１，５−シクロオクタジエンを意味する。）を使用する１１．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
１３．前記酸が強酸である１．〜１２．の何れか１つに記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
に関するものである。
【０００６】
以下、更に詳細に本発明を説明する。
尚、本発明中「ｎ」はノルマルを、「ｉ」はイソを、「ｓ」はセカンダリーを、「ｔ」はターシャリーを、「ｃ」はシクロを、「ｏ」はオルトを、「ｍ」はメタを、「ｐ」はパラを、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を、「Ｐｒ」はプロピル基を、「Ｂｕ」はブチル基を、「Ｐｅｎ」はペンチル基を、「Ｈｅｘ」はヘキシル基を、「Ｈｅｐ」はヘプチル基を、「Ｐｈ」はフェニル基を、「Ｂｎ」はベンジル基を、「Ｂｚ」はベンゾイル基を、「Ａｃ」はアセチル基を、「Ｔｓ」はパラトルエンスルホニル基を、「Ｂｏｃ」はターシャリーブトキシカルボニル基を意味する。
まず、置換基Ｒ１及びＲ２の各置換基における語句について説明する。
【０００７】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
【０００８】
Ｃ１−６アルキル基としては、直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ３−６シクロアルキル基を含んでいてもよく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｃ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ブチル基、１−メチル−ｃ−プロピル基、２−メチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ペンチル基、１−メチル−ｎ−ブチル基、２−メチル−ｎ−ブチル基、３−メチル−ｎ−ブチル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピル基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ペンチル基、１−メチル−ｃ−ブチル基、２−メチル−ｃ−ブチル基、３−メチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−プロピル基、２，３−ジメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチル−ｎ−ペンチル基、２−メチル−ｎ−ペンチル基、３−メチル−ｎ−ペンチル基、４−メチル−ｎ−ペンチル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、１−エチル−ｎ−ブチル基、２−エチル−ｎ−ブチル基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ヘキシル基、１−メチル−ｃ−ペンチル基、２−メチル−ｃ−ペンチル基、３−メチル−ｃ−ペンチル基、１−エチル−ｃ−ブチル基、２−エチル−ｃ−ブチル基、３−エチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，４−ジメチル−ｃ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、
２−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロピル基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基及び２−エチル−３−メチル−ｃ−プロピル基等が挙げられる。
【０００９】
Ｃ１−２０アルキル基としては直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ３−２０シクロアルキル基を含んでいてもよく、上記に加え、１−メチル−１−エチル−ｎ−ペンチル基、１−ヘプチル、２−ヘプチル基、ｃ−ヘプチル基、１−エチル−１，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−２，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−オクチル基、３−オクチル基、ｃ−オクチル基、４−メチル−３−ｎ−ヘプチル基、６−メチル−２−ｎ−ヘプチル基、２−プロピル−１−ｎ−ヘプチル基、２，４，４−トリメチル−１−ｎ−ペンチル基、１−ノニル基、２−ノニル基、２，６−ジメチル−４−ｎ−ヘプチル基、３−エチル−２，２−ジメチル−３−ｎ−ペンチル基、３，５，５−トリメチル−１−ｎ−ヘキシル基、１−デシル基、２−デシル基、４−デシル基、３，７−ジメチル−１−ｎ−オクチル基、３，７−ジメチル−３−ｎ−オクチル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基及びｎ−エイコシル基等が挙げられる。
【００１０】
Ｃ１−６アルコキシ基としては、直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ３−６シクロアルコキシ基を含んでいてもよく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｃ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｃ−ブトキシ基、１−メチル−ｃ−プロポキシ基、２−メチル−ｃ−プロポキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、１−メチル−ｎ−ブトキシ基、２−メチル−ｎ−ブトキシ基、３−メチル−ｎ−ブトキシ基、１，１−ジメチル−ｎ−プロポキシ基、１，２−ジメチル−ｎ−プロポキシ基、２，２−ジメチル−ｎ−プロポキシ基、１−エチル−ｎ−プロポキシ基、ｃ−ペンチルオキシ基、１−メチル−ｃ−ブトキシ基、２−メチル−ｃ−ブトキシ基、３−メチル−ｃ−ブトキシ基、１，２−ジメチル−ｃ−プロポキシ基、２，３−ジメチル−ｃ−プロポキシ基、１−エチル−ｃ−プロポキシ基、２−エチル−ｃ−プロポキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、１−メチル−ｎ−ペンチルオキシ基、２−メチル−ｎ−ペンチルオキシ基、３−メチル−ｎ−ペンチルオキシ基、４−メチル−ｎ−ペンチルオキシ基、１，１−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、１，２−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、１，３−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、２，２−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、２，３−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、３，３−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、１−エチル−ｎ−ブトキシ基、２−エチル−ｎ−ブトキシ基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロポキシ基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロポキシ基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロポキシ基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロポキシ基、ｃ−ヘキシルオキシ基、１−メチル−ｃ−ペンチルオキシ基、２−メチル−ｃ−ペンチルオキシ基、３−メチル−ｃ−ペンチルオキシ基、１−エチル−ｃ−ブトキシ基、２−エチル−ｃ−ブトキシ基、３−エチル−ｃ−ブトキシ基、１，２−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、１，３−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、２，２−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、２，３−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、２，４−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、３，３−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロポキシ基、２−ｎ−プロピル−ｃ−プロポキシ基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロポキシ基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロポキシ基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロポキシ基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロポキシ基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロポキシ基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロポキシ基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロポキシ基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロポキシ基及び２−エチル−３−メチル−ｃ−プロポキシ基等が挙げられる。
【００１１】
Ｃ１−６アルコキシカルボニル基としては、直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ３−６シクロアルコキシカルボニル基を含んでいてもよく、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｃ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｓ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｃ−ブトキシカルボニル基、１−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、１−メチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、３−メチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、１，２−ジメチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、２，２−ジメチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、１−エチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、ｃ−ペンチルオキシカルボニル基、１−メチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、２−メチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、３−メチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、１，２−ジメチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２，３−ジメチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、１−エチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−エチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、１−メチル−ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、２−メチル−ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、３−メチル−ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、４−メチル−ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、１，２−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、１，３−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、２，２−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、２，３−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、３，３−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、１−エチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、２−エチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、ｃ−ヘキシルオキシカルボニル基、１−メチル−ｃ−ペンチルオキシカルボニル基、２−メチル−ｃ−ペンチルオキシカルボニル基、３−メチル−ｃ−ペンチルオキシカルボニル基、１−エチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、２−エチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、３−エチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、１，２−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、１，３−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、２，２−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、２，３−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、２，４−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、３，３−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−ｎ−プロピル−ｃ−プロポキシカルボニル基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロポキシカルボニル基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基及び２−エチル−３−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基等が挙げられる。
【００１２】
Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基としては、直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ３−６シクロアルキルカルボニルオキシ基を含んでいてもよく、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｉ−プロピルカルボニルオキシ基、ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｉ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、３−メチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｃ−ペンチルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、３−メチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、１，２−ジメチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２，３−ジメチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−エチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、３−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、４−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１−エチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、２−エチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｃ−ヘキシルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｃ−ペンチルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｃ−ペンチルカルボニルオキシ基、３−メチル−ｃ−ペンチルカルボニルオキシ基、１−エチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、２−エチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、３−エチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、１，２−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、１，３−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、２，２−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、２，３−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、２，４−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、３，３−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−ｎ−プロピル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基及び２−エチル−３−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
【００１３】
Ｃ４−１２芳香族基としては、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基及びｐ−ビフェニリル基等が挙げられる。
【００１４】
次に、Ｒ１及びＲ２の各置換基における具体例について説明する。
【００１５】
Ｒ１の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｃ−プロピル、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ブチル基、１−メチル−ｃ−プロピル基、２−メチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ペンチル基、１−メチル−ｎ−ブチル基、２−メチル−ｎ−ブチル基、３−メチル−ｎ−ブチル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピル基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ペンチル基、１−メチル−ｃ−ブチル基、２−メチル−ｃ−ブチル基、３−メチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−プロピル基、２，３−ジメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチル−ｎ−ペンチル基、２−メチル−ｎ−ペンチル基、３−メチル−ｎ−ペンチル基、４−メチル−ｎ−ペンチル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、１−エチル−ｎ−ブチル基、２−エチル−ｎ−ブチル基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ヘキシル基、１−メチル−ｃ−ペンチル基、２−メチル−ｃ−ペンチル基、３−メチル−ｃ−ペンチル基、１−エチル−ｃ−ブチル基、２−エチル−ｃ−ブチル基、３−エチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，４−ジメチル−ｃ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、２−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロピル基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−３−メチル−ｃ−プロピル基、ｃ−ヘプチル基、ｃ−オクチル基、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、フェニル基、ｏ−メチルフェニル基、ｍ−メチルフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ｏ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｏ−ベンジルオキシフェニル基、ｍ−ベンジルオキシフェニル基、ｐ−ベンジルオキシフェニル基、ｏ−クロロフェニル基、ｍ−クロロフェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ｏ−ブロモフェニル基、ｍ−ブロモフェニル基、ｐ−ブロモフェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基及びベンジル基等が挙げられ、特に、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ペンチル基、ｃ−ヘキシル基、ｃ−ヘプチル基、フェニル基、ｐ−ベンジルオキシフェニル基、ｍ−メチルフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、β−ナフチル基、ｐ−ブロモフェニル基及び２−フリル基が挙げられる。
【００１６】
Ｒ２の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｃ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ブチル基、１−メチル−ｃ−プロピル基、２−メチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ペンチル基、１−メチル−ｎ−ブチル基、２−メチル−ｎ−ブチル基、３−メチル−ｎ−ブチル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピル基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ペンチル基、１−メチル−ｃ−ブチル基、２−メチル−ｃ−ブチル基、３−メチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−プロピル基、２，３−ジメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチル−ｎ−ペンチル基、２−メチル−ｎ−ペンチル基、３−メチル−ｎ−ペンチル基、４−メチル−ｎ−ペンチル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、１−エチル−ｎ−ブチル基、２−エチル−ｎ−ブチル基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ヘキシル基、１−メチル−ｃ−ペンチル基、２−メチル−ｃ−ペンチル基、３−メチル−ｃ−ペンチル基、１−エチル−ｃ−ブチル基、２−エチル−ｃ−ブチル基、３−エチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，４−ジメチル−ｃ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、２−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロピル基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−３−メチル−ｃ−プロピ基ル、ｃ−ヘプチル基、ｃ−オクチル基、フェニル基及びベンジル基等が挙げられ、特に、メチル基及びベンジル基が挙げられる。
【００１７】
好ましい式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物としては、以下のものが挙げられる。
１）Ｒ１がＣ１−２０アルキル基又はＣ４−１２芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基又はベンジルオキシ基で任意に置換されていてもよい。）である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
２）Ｒ２がＣ１−６アルキル基、又はＣ４−１２芳香族基で置換されたＣ１−６アルキル基である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
３）Ｒ１がＣ１−２０アルキル基又はＣ４−１２芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基又はベンジルオキシ基で任意に置換されていてもよい。）であり、Ｒ２がＣ１−６アルキル基、又はＣ４−１２芳香族基で置換されたＣ１−６アルキル基である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
４）Ｒ１がｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ペンチル基、ｃ−ヘキシル基、ｃ−ヘプチル基、フェニル基、ｐ−ベンジルオキシフェニル基、ｍ−メチルフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、β−ナフチル基、ｐ−ブロモフェニル基又は２−フリル基である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
５）Ｒ２がメチル基又はベンジル基である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
６）Ｒ１がｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ペンチル基、ｃ−ヘキシル基、ｃ−ヘプチル基、フェニル基、ｐ−ベンジルオキシフェニル基、ｍ−メチルフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、β−ナフチル基、ｐ−ブロモフェニル基又は２−フリル基であり、Ｒ２がメチル基又はベンジル基である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
【００１８】
本発明の触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒としては、通常の触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒を使用することができる。（非特許文献３参照。）
【００１９】
好ましい触媒としては、光学活性ホスフィン配位子を有する、周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体が挙げられる。
【００２０】
周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属としては、鉄、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム及び白金が挙げられるが、ルテニウム、ロジウム及びイリジウムが好ましい。
【００２１】
本発明に使用する光学活性ホスフィン配位子は全て光学活性体となる。
光学活性ホスフィン配位子としては、光学活性２座ホスフィン配位子が好ましい。
光学活性２座ホスフィン配位子としては、ＢＩＮＡＰ、ＢＩＰＨＥＭＰ、ＲＲＯＰＨＯＳ、ＤＥＧＵＰＨＯＳ、ＤＩＯＰ、ＤＩＰＡＭＰ、ＤｕＰＨＯＳ、ＮＯＲＰＨＯＳ、ＰＮＮＰ、ＳＫＥＷＰＨＯＳ、ＢＰＰＦＡ、ＳＥＧＰＨＯＳ、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ及びＨ８−ＢＩＮＡＰ等が挙げられる。
【００２２】
ＢＩＮＡＰとしては、ＢＩＮＡＰの誘導体も含まれ、具体例としては、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−三級ブチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｍ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−３，５−ジメチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−メトキシフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジシクロペンチルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−ジ（β−ナフチル）ホスフィノ−２’−ジフェニルホスフィノ−１，１’−ビナフチル及び２−ジフェニルホスフィノ−２’−ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ−１，１’−ビナフチル等が挙げられ、好ましくは、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル及び２，２’−ビス（ジ−ｐ−三級ブチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルが挙げられる。
【００２３】
ＢＩＰＨＥＭＰとしては、ＢＩＰＨＥＭＰの誘導体も含まれ、具体例としては、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメチル−４，４’−ビス（ジメチルアミノ）−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’，４，４’−テトラメチル−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’，３，３’−テトラメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’，４，４’−テトラメチル−３，３’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジ−ｐ−三級ブチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル及び２，２’，４，４’−テトラメチル−３，３’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジ−ｐ−メトキシフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニルが挙げられ、好ましくは２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニルが挙げられる。
【００２４】
その他の光学活性２座ホスフィン配位子及びその誘導体の例を以下に図示するが、これらに限定されるものではない。
【００２５】
本発明の触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒は、遷移金属化合物及び光学活性ホスフィン配位子より調製することができるが、必要に応じて配位可能な添加物を加えることもできる。
【００２６】
遷移金属化合物としては、ジ−μ−クロロテトラキス（シクロオクテン）２ロジウム、ジ−μ−クロロビス（１，５−シクロオクタジエン）２ロジウム及び１，５−シクロオクタジエンビス（アセトニトリル）ロジウムテトラフルオロホウ酸塩等のロジウム化合物、ジ−μ−クロロテトラキス（シクロオクテン）２イリジウム、ジ−μ−クロロビス（１，５−シクロオクタジエン）２イリジウム、ジ−μ−クロロテトラキス（エチレン）２イリジウム及び１，５−シクロオクタジエンビス（アセトニトリル）イリジウムテトラフルオロホウ酸塩等のイリジウム化合物、テトラクロロ（η−ベンゼン）２ルテニウム及びテトラクロロ［η−（ｐ−シメン）］２ルテニウム等のルテニウム化合物等が挙げられる。
【００２７】
添加物としては、配位可能な化合物で有れば特に限定はしないが、例えば、ルテニウム化合物を使用する場合は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等が好ましく、イリジウム化合物を使用する場合には、ヨウ素化合物が好ましい。
【００２８】
ヨウ素化合物の具体例としては、ヨウ化テトラメチルアンモニウム、ヨウ化テトラｎ−ブチルアンモニウム、ヨウ化ナトリウム及びヨウ化カリウム等が挙げられ、好ましくはヨウ化ナトリウムが挙げられる。
【００２９】
光学活性ホスフィン配位子の使用量は、光学活性２座ホスフィン配位子として、遷移金属化合物に対して１等量以上、好ましくは１〜２等量加えられ、より好ましくは、１．１〜１．５等量加えられる。
但し、遷移金属化合物と光学活性２座ホスフィン配位子が１：２の組成となる触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒においては、上述の２倍の使用量が用いられる。
又、光学活性単座ホスフィン配位子を使用する場合は、価数の関係上、上述の２倍の使用量が用いられる。
添加物を加える場合の使用量としては、触媒の組成比により一概には決定できないが、通常、遷移金属化合物の使用量に対して１〜１００等量の範囲、好ましくは、１〜１０等量の範囲である。
触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒を調製する場合は、通常、アルゴン等の不活性ガスの存在下で行うことが好ましい。
【００３０】
触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒のうち、ルテニウム触媒について、更に詳細に説明する。
ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体としては、ルテニウム−ＢＩＮＡＰ錯体、ルテニウム−ＢＩＰＨＥＭＰ錯体、ルテニウム−ＲＲＯＰＨＯＳ錯体、ルテニウム−ＤＥＧＵＰＨＯＳ錯体、ルテニウム−ＤＩＯＰ錯体、ルテニウム−ＤＩＰＡＭＰ錯体、ルテニウム−ＤｕＰＨＯＳ錯体、ルテニウム−ＮＯＲＰＨＯＳ錯体、ルテニウム−ＰＮＮＰ錯体、ルテニウム−ＳＫＥＷＰＨＯＳ錯体、ルテニウム−ＢＰＰＦＡ錯体、ルテニウム−ＳＥＧＰＨＯＳ錯体、ルテニウム−ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ錯体及びルテニウム−Ｈ８−ＢＩＮＡＰ錯体等が挙げられる。
【００３１】
以下、ルテニウム−ＢＩＮＡＰ錯体について詳細を記載するが、同様に他の光学活性ホスフィン配位子を用いてもよい。
ルテニウム−ＢＩＮＡＰ錯体としては、ＲｕＨＸ１（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）及びＲｕ２Ｃｌ４（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）２（Ｅｔ３Ｎ）［式中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれＣｌ、ＣｌＯ４、ＢＦ４、ＰＦ６、ＯＣＯＣＨ３、ＯＣＯＣＦ３、ＯＣＯ−ｔ−Ｂｕ又はＯＳＯ２ＣＦ３を意味し、Ｒ３−ＢＩＮＡＰは、
（式中、Ｒ３は、水素原子、メチル基又は三級ブチル基を意味し、絶対配置はＳ又はＲのどちらかを意味する。）を意味するが、該錯体は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、ＡｌＣｌ３、ＳｎＣｌ４、ＴｉＣｌ４又はＺｎＣｌ２で更に配位されていてもよい。］が挙げられ、具体的には、ＲｕＨＣｌ（ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＨＣｌ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＨＣｌ（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＨ（ＣｌＯ４）（ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＨ（ＣｌＯ４）（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＨ（ＢＦ４）（ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＨ（ＢＦ４）（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＨ（ＰＦ６）（ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＨ（ＰＦ６）（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＣｌ２（ＢＩＮＡＰ）、ＲｕＣｌ２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）、ＲｕＣｌ２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）、ＲｕＣｌ２（ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ、ＲｕＣｌ２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ、ＲｕＣｌ２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ、ＲｕＣｌ２（ＢＩＮＡＰ）（Ｃ６Ｈ６）ｎ、ＲｕＣｌ２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（Ｃ６Ｈ６）ｎ、ＲｕＣｌ２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）（Ｃ６Ｈ６）ｎ、Ｒｕ（ＣｌＯ４）２（ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＣｌＯ４）２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＣｌＯ４）２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＢＦ４）２（ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＢＦ４）２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＢＦ４）２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＰＦ６）２（ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＰＦ６）２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＦ３）２（ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＯＣＯ−ｔ−Ｂｕ）２（ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＦ３）２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（ＢＩＮＡＰ）（ＺｎＣｌ２）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（ＢＩＮＡＰ）（ＡｌＣｌ３）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（ＢＩＮＡＰ）（ＳｎＣｌ４）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（ＢＩＮＡＰ）（ＴｉＣｌ４）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ＺｎＣｌ２）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ＡｌＣｌ３）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ＳｎＣｌ４）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ＴｉＣｌ４）、Ｒｕ２Ｃｌ４（ＢＩＮＡＰ）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（ＢＩＮＡＰ）２（ＺｎＣｌ２）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（ＢＩＮＡＰ）２（ＡｌＣｌ３）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（ＢＩＮＡＰ）２（ＳｎＣｌ４）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（ＢＩＮＡＰ）２（ＴｉＣｌ４）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２（ＺｎＣｌ２）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２（ＡｌＣｌ３）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２（ＳｎＣｌ４）２（Ｅｔ３Ｎ）及びＲｕ２Ｃｌ４（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２（ＴｉＣｌ４）２（Ｅｔ３Ｎ）［式中、ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、Ｔ−ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジ−ｐ−ｔ−ブチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、Ｅｔはエチル基を意味し、ｔ−Ｂｕは、ｔ−ブチル基を意味し、ｄｍｆは、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを意味し、ｎは１又は２を意味する。］等が挙げられる。
【００３２】
好ましい、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体としては、以下の１）、２）のものが挙げられる。
１）ＲｕＨＸ１（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）又はＲｕ２Ｃｌ４（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）２（Ｅｔ３Ｎ）［式中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれＣｌ、ＣｌＯ４、ＢＦ４、ＰＦ６、ＯＣＯＣＨ３、ＯＣＯＣＦ３、ＯＣＯ−ｔ−Ｂｕ又はＯＳＯ２ＣＦ３を意味し、Ｒ３−ＢＩＮＡＰは、
（式中、Ｒ３は、水素原子、メチル基又は三級ブチル基を意味し、絶対配置はＳ又はＲのどちらかを意味する。）を意味するが、該錯体は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、ＡｌＣｌ３、ＳｎＣｌ４、ＴｉＣｌ４又はＺｎＣｌ２で更に配位されていてもよい。］。
２）ＲｕＣｌ２（ＢＩＮＡＰ）、ＲｕＣｌ２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）、ＲｕＣｌ２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）、ＲｕＣｌ２（ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ、ＲｕＣｌ２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ、ＲｕＣｌ２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ、ＲｕＣｌ２（ＢＩＮＡＰ）（Ｃ６Ｈ６）ｎ、ＲｕＣｌ２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（Ｃ６Ｈ６）ｎ又はＲｕＣｌ２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）（Ｃ６Ｈ６）ｎ［式中、ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、Ｔ−ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジ−ｐ−ｔ−ブチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、ｄｍｆは、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを意味し、ｎは１又は２を意味する。］。
【００３３】
好ましい、１）のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体としては、
ＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）（式中、Ｘ２及びＲ３−ＢＩＮＡＰは前記と同じ意味を表わし、該錯体は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、ＡｌＣｌ３、ＳｎＣｌ４、ＴｉＣｌ４又はＺｎＣｌ２で更に配位されていてもよい。）が挙げられ、更に好ましいものとしては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド又はベンゼンで更に配位されたＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）（式中、Ｘ２がＣｌを表わし、Ｒ３−ＢＩＮＡＰは前記と同じ意味を表わす。）が挙げられる。
【００３４】
また、好ましい２）のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体としては、
ＲｕＣｌ２（ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ、ＲｕＣｌ２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ又はＲｕＣｌ２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ［式中、ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、Ｔ−ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジ−ｐ−ｔ−ブチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、ｄｍｆは、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを意味し、ｎは１又は２を意味する。］が挙げられ、更に好ましいものとしては、ＲｕＣｌ２（ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ［式中、ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、ｄｍｆは、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを意味し、ｎは１又は２を意味する。］が挙げられる。
【００３５】
触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒のうち、イリジウム触媒について、更に詳細に説明する。
イリジウム−光学活性ホスフィン錯体としては、イリジウム−ＢＩＮＡＰ錯体、イリジウム−ＢＩＰＨＥＭＰ錯体、イリジウム−ＲＲＯＰＨＯＳ錯体、イリジウム−ＤＥＧＵＰＨＯＳ錯体、イリジウム−ＤＩＯＰ錯体、イリジウム−ＤＩＰＡＭＰ錯体、イリジウム−ＤｕＰＨＯＳ錯体、イリジウム−ＮＯＲＰＨＯＳ錯体、イリジウム−ＰＮＮＰ錯体、イリジウム−ＳＫＥＷＰＨＯＳ錯体、イリジウム−ＢＰＰＦＡ錯体、イリジウム−ＳＥＧＰＨＯＳ錯体、イリジウム−ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ錯体及びイリジウム−Ｈ８−ＢＩＮＡＰ錯体等が挙げられる。
【００３６】
好ましいイリジウム−光学活性ホスフィン錯体としては、イリジウム−ＢＩＮＡＰ錯体又はイリジウム−ＢＩＰＨＥＭＰ錯体が挙げられる。
イリジウム−ＢＩＮＡＰ錯体としては、ＢＩＮＡＰが、ＢＩＮＡＰ、Ｔ−ＢＩＮＡＰ又はｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰであるものが好ましく、また、前記錯体を調製する際、添加物としてヨウ素化合物を加えたものも好ましい。
また、イリジウム−ＢＩＰＨＥＭＰ錯体としては、ＢＩＰＨＥＭＰが２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ＭｅＯ−Ｂｉｐｈｅｐ）であるものが好ましく、更に、前記錯体を調製する際、添加物としてヨウ素化合物を加えたもの、特に、ヨウ素化合物として、ヨウ素化ナトリウム又はヨウ素化テトラｎ−ブチルアンモニウムを加えたものも好ましい。
【００３７】
更に、前記イリジウム−ＢＩＮＡＰ錯体又はイリジウム−ＢＩＰＨＥＭＰ錯体を調製する際、［Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２（式中、ｃｏｄは、１，５−シクロオクタジエンを意味する。）を加えたものも好ましく、特に、その調製の際、イリジウムの使用量に対し、１〜３等量のヨウ素化ナトリウムも添加物として使用したものが好ましい。
【００３８】
触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒のうち、ロジウム触媒について、更に詳細に説明する。
ロジウム−光学活性ホスフィン錯体としては、ロジウム−ＢＩＮＡＰ錯体、ロジウム−ＢＩＰＨＥＭＰ錯体、ロジウム−ＲＲＯＰＨＯＳ錯体、ロジウム−ＤＥＧＵＰＨＯＳ錯体、ロジウム−ＤＩＯＰ錯体、ロジウム−ＤＩＰＡＭＰ錯体、ロジウム−ＤｕＰＨＯＳ錯体、ロジウム−ＮＯＲＰＨＯＳ錯体、ロジウム−ＰＮＮＰ錯体、ロジウム−ＳＫＥＷＰＨＯＳ錯体、ロジウム−ＢＰＰＦＡ錯体、ロジウム−ＳＥＧＰＨＯＳ錯体、ロジウム−ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ錯体及びロジウム−Ｈ８−ＢＩＮＡＰ錯体等が挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
本発明の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法について説明する。
以下の式に示すように、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒及び酸の存在下において、水素で還元することにより、式（２）又は式（３）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を製造することができる。
【００４０】
通常、上記反応は溶媒中で行われる。
溶媒の種類としては、反応に関与しない溶媒であれば特に限定はしないが、例えば１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼン及び１，２−ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、２−ブタノール及びエチレングリコール等のアルコール系溶媒、酢酸並びに上記の溶媒の任意の混合溶媒が挙げられる。
【００４１】
好ましい溶媒としては、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、ハロゲン系溶媒とアルコール系溶媒の混合溶媒、ハロゲン系溶媒とエーテル系溶媒の混合溶媒、酢酸、酢酸とアルコール系溶媒の混合溶媒及び酢酸とエーテル系溶媒の混合溶媒が挙げられ、例えば、メタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、２−ブタノール、エチレングリコール、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、メタノール−塩化メチレン、ｎ−プロパノール−塩化メチレン、ｉ−プロパノール−塩化メチレン、ｎ−プロパノール−テトラヒドロフラン、酢酸、酢酸−ｉ−プロパノール及び酢酸−テトラヒドロフラン等が挙げられ、好ましくは、塩化メチレン、ｎ−プロパノール、ｎ−プロパノール−塩化メチレン及び酢酸等が挙げられる。
【００４２】
又、ルテニウム触媒を用いる場合は、塩化メチレン、ｎ−プロパノール、ｎ−プロパノール−塩化メチレン等が好ましく、イリジウム触媒を用いる場合は、酢酸を用いるのが好ましい。
【００４３】
触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒の使用量は、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の使用量に対して、０．０１〜１００モル％の範囲であるが、反応効率及びコスト的な観点から好ましくは、０．０１〜２０モル％の範囲、より好ましくは、０．１〜１０モル％の範囲、最も好ましくは、０．３〜５モル％の範囲が挙げられる。
【００４４】
式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を酸の存在する溶液に加えてもよいが、あらかじめ、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物と酸よりなる塩を調製し、その塩を溶液に加えることもできる。
α−アミノアシル酢酸エステル化合物の安定性の観点から、あらかじめ、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物と酸よりなる塩を調製し、その塩を溶液に加える方が好ましい。
【００４５】
使用する酸としては、好ましくは、強酸が挙げられる。
強酸の具体例としては、ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｈ２ＳＯ４、ＨＣｌＯ４、ＣＨ３ＳＯ３Ｈ、ＰｈＳＯ３Ｈ、ＴｓＯＨ、ＣＦ３ＳＯ３Ｈ及びＣＦ３ＣＯ２Ｈ等が挙げられ、好ましくは、ＨＣｌ及びＴｓＯＨが挙げられ、より好ましくは、ＨＣｌが挙げられる。
酸の使用量は、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の使用量に対して、０．８〜３モル等量の範囲であり、好ましくは、０．９〜２モル等量の範囲、より好ましくは、０．９〜１．５モル等量の範囲が挙げられる。
尚、上記の酸の使用量は、あらかじめ、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物と酸よりなる塩を調製して加える場合は、その塩に含まれる酸の量を含んだ全量を意味する。
【００４６】
又、反応系中に酢酸塩を添加することもできる。
酢酸塩としては、酢酸リチウム、酢酸ナトリウム及び酢酸カリウム等の酢酸アルカリ金属及び酢酸アンモニウム等が挙げられ、好ましくは、酢酸アルカリ金属が挙げられ、例えば、酢酸ナトリウムが挙げられる。
酢酸塩を添加する場合の使用量としては、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の使用量に対して、０．８〜５等量の範囲であり、好ましくは、０．８〜２等量の範囲である。
特に、イリジウム触媒を用いる場合は酢酸塩を添加するのが好ましい。
【００４７】
使用する水素は、通常水素ガスを使用する。
使用する水素の圧力は、通常１〜１５０気圧の範囲であるが、好ましくは１０〜１５０気圧、より好ましくは３０〜１００気圧の範囲である。
【００４８】
反応温度としては、０℃から溶媒の沸点までの範囲で反応を行うことができ、好ましくは１０〜１５０℃の範囲であり、より好ましくは３０〜１００℃の範囲である。
【００４９】
反応時間は、反応温度により変化するため一概に決定できないが、例えば、反応温度が５０℃の場合、４時間以上、１００℃の場合、３時間以上行えば充分である。
【００５０】
反応終了後は、溶媒を濃縮することにより、目的の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を塩として得ることができる。
又、反応液を塩基性とし、適当な溶剤で抽出することにより目的の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を得ることができる。
さらに、蒸留、再結晶及びシリカゲルカラムクロマトグラフィー等によって精製を行うことで、純度の高い純度の高い式（２）又は式（３）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を単離することができる。
【００５１】
本発明で得られる、式（２）又は式（３）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のジアステレオ選択性（ｄｅ：シン体とアンチ体の選択性）及びエナンチオ選択性（ｅｅ）は、得られた光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体をベンゾイル化した後、機器分析を行うことにより決定できる。
【００５２】
ベンゾイル化の方法を以下に示す。
即ち、式（２）又は式（３）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体又はその塩をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）中、ＮＥｔ３（トリエチルアミン）の存在下において、ＰｈＣＯＣｌ（ベンゾイルクロリド）と反応させることにより、式（２）又は式（３）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のベンゾイル化物を製造することができる。
得られたベンゾイル化物は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等で精製した後、１Ｈ−ＮＭＲ等により、ジアステレオ選択性（ｄｅ：シン体とアンチ体の選択性）を、又、光学活性カラムを用いたＨＰＬＣ分析等により、エナンチオ選択性（ｅｅ）を決定することができる。
【００５３】
原料となる、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物は、以下に示す方法により製造することができる。
即ち、酸無水物又はアシルクロリドとイソニトリル酢酸エステルを塩基（塩基としては、トリエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エン等が挙げられる。）の存在下において、縮合させて、オキサゾール化合物とした後、濃塩酸でオキサゾール環を開裂させることにより、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の塩酸塩を製造することができる。
得られた塩酸塩はそのまま次の還元反応に使用することもできるが、
塩基等で処理することにより、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物とすることもできる。
又、他の酸の塩を得るには、オキサゾール化合物を他の酸で開裂させるか又は塩酸塩を他の酸で塩交換する。
【００５４】
式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の塩酸塩は、以下に示す方法でも製造することができる。
即ち、グリシンをＴｓＯＨ（ｐ−トルエンスルホン酸）の存在下において、アルコールと脱水縮合させてエステルとした後、アミノ基をＢｏｃ２Ｏ（二炭酸ジ−ｔ−ブチル）でＢｏｃ化（ｔ−ブトキシカルボニル化）し、その後、ＫＨＭＤＳ（カリウムヘキサメチルジシラジド）で処理し、アシルクロリドを加えてアミド化した後、ＬＨＭＤＳ（リチウムヘキサメチルジシラジド）及びＤＭＰＵ（１，３−ジメチル−３，４，５，６−パーハイドロピリミジン−２−オン）で処理することにより転位反応を行いα−アミノアシル酢酸エステル化合物のＢｏｃ体を得た後、塩酸でＢｏｃを脱離させることにより、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の塩酸塩を製造することができる。
【実施例】
【００５５】
以下、本発明について、実施例を挙げて詳述するが、本発明はこれらの実施例になんら限定されるものではない。
【００５６】
参考例１ ２−シクロヘキシル−１−メトキシカルボニル−２−オキソ−エチル−アンモニウム；クロリドの製造
メチルイソシアノエート（３．１１ｇ）とシクロヘキサン酸無水物（８．２０ｇ，１．１当量）のＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）（１０．０ｍＬ）溶液にＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン）（４．７ｍＬ，１．０当量）を０℃下で滴下した。室温で１１時間攪拌した後、反応液を水で希釈し、ｎ−ヘキサン−酢酸エチル（５：１）で抽出を行ない、有機層を分離した。その後、有機層を、飽和食塩水、１ｍｏｌ／Ｌ塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水及び飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。その後、沈殿物をろ過し、そのろ液を減圧下において濃縮した。得られた粗物をｎ−ヘキサン−酢酸エチルから再結晶し、生成物（５．００ｇ，７５％）を得た。
融点９７．５−１０１℃
ＩＲ（ＫＢｒ）２９３１，２８５２，１７１９，１５９９，１１９９ｃｍ−１；
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．２６−１．８９（ｍ，１０Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−ＣＨ２），３．４５−３．４８（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），３．９１（ｓ，３Ｈ，ＣＯ２ＣＨ３），７．７４（ｓ，１Ｈ，ＯＣＨＮ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．７，２５．９，３０．６，３５．４，５１．９，１２５．２，１４８．６，１６２．６，１６４．１；
ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１１Ｈ１６ＮＯ３の計算値：２１０．１１３０（Ｍ＋−１）．
実測値：２１０．１１１９．
オキサゾール（１０ｍｍｏｌ）を濃塩酸（５．０ｍＬ）とメタノール（１５．０ｍＬ）に溶解した。溶液を５０℃で４時間攪拌した。その後、反応液を室温まで冷却し、濃縮した。残渣をジエチルエーテル中で粉砕し、α−アミノ−β−ケトエステルをろ取した。この固体を次工程にそのまま用いた。（収率：６７％）
ＩＲ（ＫＢｒ）２９３１，２８５６，１７５２，１７１９，１５６０，１５０８，１４５８，１２７６，１１４４ｃｍ−１；
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．１９−１．５０（ｍ，５Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），１．６６−１．８２（ｍ，４Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），２．１８−２．２０（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），２．９０−２．９５（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），３．９１（ｓ，３Ｈ，ＣＯ２ＣＨ３），５．５０（ｓ，ＣＯＣＨＮＨ３），８．９２（ｂｒ，ＣＯＣＨＮＨ３）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．０，２５．６，２５．７，２７．４，２９．２，４８．４，５４．２，６０．３，１６３．８，２０１．０；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１０Ｈ１８ＮＯ３の計算値：２００．１２８７（Ｍ＋−Ｃｌ）．実測値：２００．１２８２．
【００５７】
参考例２ １−メトキシカルボニル−３−メチル−２−オキソ−ブチル−アンモニウム；クロリドの製造
参考例１と同様にして対応するオキサゾールから目的化合物を得た。（収率：７９％）
ＩＲ（ＫＢｒ）２９７９，２６４２，１７５１，１７２０，１５０８，１４３８，１３８７，１２７５，１２３４，１０１３ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）δ１．１２（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．２４（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），３．１９−３．２８（ｓｅｐ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，１Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），３．９２（ｓ，３Ｈ，ＣＯ２ＣＨ３）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）δ１７．７，１９．１，３９．８，５４．６，１６５．３，２０３．６；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ７Ｈ１４ＮＯ３の計算値：１６０．０９７４（Ｍ＋−Ｃｌ）．実測値：１６０．０９７３．
【００５８】
参考例３ ｔ−ブトキシカルボニルアミノ酢酸ベンジルエステルの製造
グリシン（３５．０ｇ）、ＢｎＯＨ（ベンジルアルコール）（２３１ｍＬ）、ＴｓＯＨ・Ｈ２Ｏ（ｐ−トルエンスルホン酸１水和物）（１０６ｇ，１．２当量）のベンゼン（４６９ｍＬ）溶液を共沸脱水条件下で２９時間加熱還流させた。その後、反応液を室温まで冷却し、固体をろ取し、ジエチルエーテルで洗浄後、目的物２（１６８ｇ）を得た。この固体を精製なしに次工程に使用した。中間体２（１６８ｇ）をジオキサン−水に溶解し、炭酸水素ナトリウム（４７ｇ，１．２当量）、Ｂｏｃ２Ｏ（二炭酸ジ−ｔ−ブチル）（１１２ｇ，１．１当量）を加え、３時間攪拌した後、濃縮した。残渣を１ｍｏｌ／Ｌ硫酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、酢酸エチルで３回抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、濃縮した。残渣を、ジエチルエーテル−ヘキサンで晶析し、目的物３（１回目５４．３ｇ，２回目５１．２ｇ，３回目７．９ｇ；総量１１３．４ｇ，４２７ｍｍｏｌ，９２％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．４５（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３Ｃ），３．９６（ｄ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ２ＮＨ），５．００（ｂｒ，１Ｈ，ＣＨ２ＮＨ），５．１８（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．３４−７．３８（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）．
【００５９】
参考例４ ４ａの製造
原料３（１．０６ｇ，４．００ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（８．０ｍＬ）に溶解し−７８℃まで冷却した。続いてＫＨＭＤＳ（カリウムヘキサメチルジシラジド）（０．５Ｍ溶液９．０ｍＬ，１．１当量）を１０分かけて加えた後、同温度で２時間攪拌した。さらにイソブチリルクロリド（０．４６ｍＬ，１．１当量）を加え、同温度でさらに３時間攪拌した。その後、反応液を飽和塩化アンモニウムでクエンチし、酢酸エチル−ヘキサン（５：１）で３回抽出した。その有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、濃縮した。残渣をシリカゲルクロマトフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝３：１）で精製し、目的物４ａ（１．２６ｇ，９４％）を無色油状物で得た。
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））２９７８，１７４７，１６９８，１４５７，１３７０，１２１６，１１４８，１０２８ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．１７（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．４４（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３Ｃ），３．７２−３．７６（ｍ，１Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），４．４８（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｎ），５．１６（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．３２−７．３６（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１９．６，２７．８，３４．６，４５．６，６６．９，８３．７，１２８．４，１２８．５，１３５．４，１５２．１，１６８．９，１８０．２；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１８Ｈ２６ＮＯ５の計算値：３３６．１８１１（Ｍ＋＋１）．実測値：３３６．１８１１．
【００６０】
参考例５−９ ４ｂ−４ｆの製造
参考例４と同様の方法により４ｂ−４ｆを製造した。
４ｂ 無色油状物
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））２９６９，１７４７，１４５６，１３７０，１２１６，１１４９，１０３１ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９６（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），１．４３（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３Ｃ），１．６５−１．７０（ｍ，２Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），２．９１（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），４．５０（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｎ），５．１７（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．３２−７．３６（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１３．７，１８．４，２７．８，３９．８，４５．３，６６．９，８３．７，１２８．４，１２８．４，１２８．６，１３５．４，１５２．２，１６９．０，１７５．６；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１８Ｈ２６ＮＯ５の計算値：３３６．１８１１（Ｍ＋＋１）．実測値：３３６．１８０４．
４ｃ 無色油状物
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））２９７４，１７４７，１６９４，１４５６，１３３６，１１４８，１０１０ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．３５（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３ＣＣＯＮ），１．４４（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３ＣＯＣＯ），４．３３（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｎ），５．１６（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．３３−７．３６（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２７．１，２７．８，２７．９，４３．１，４８．３，６６．０，６６．９，８３．２，１２７．６，１２７．９，１２８．３，１２８．３，１２８．４，１２８．５，１３５．４，１５２．７，１６９．１，１８４．６；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１９Ｈ２８ＮＯ５の計算値：３５０．１９６７（Ｍ＋−１）．実測値：３５０．１９７６．
４ｄ
ＩＲ（ＫＢｒ）２９７１，２８７１，１７４６，１６９５，１４５５，１３７０，１１４８，１０４８，１０２７ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．４３（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３ＣＯＣＯ），１．５３−１．９４（ｍ，８Ｈ，ｃ−Ｐｅｎ−ＣＨ２），３．８０−３．８５（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｐｅｎ−ＣＨ），４．４９（ｓ，２Ｈ，ＣＨＮ），５．１６（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．３１−７．３７（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．９，２７．８，３０．４，４５．２，４５．７，６６．９，８３．５，１２８．４，１２８．５，１３５．４，１５２．１，１６９．０，１７９．１；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ３０Ｈ２８ＮＯ５の計算値：３６２．１９６７（Ｍ＋＋１）．実測値：３６２．１９３２．
４ｅ 白色固体
ＩＲ（ＫＢｒ）２９３１，２８５３，１７３７，１６９１，１４５０，１３６８，１３２３，１１９３，１１４６ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．２１−１．４２（ｍ，４Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−ＣＨ２），１．６７−１．８０（ｍ，４Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−ＣＨ２），１．９１−２．０５（ｍ，２Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−ＣＨ２），３．４６（ｔｔ，Ｊ＝３．３，１１．２Ｈｚ，ＣＨＣＯＮ），４．４７（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｎ），５．１５（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．３２−７．３６（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．７，２５．９，２７．８，２９．７，４４．４，４５．７，６６．９，８３．６，１２８．４，１２８．５，１３５．４，１５２．１，１６９．０，１７９．１；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２１Ｈ３０ＮＯ５の計算値：３７６．２１２４（Ｍ＋＋１）．実測値：３７６．２１４８．
４ｆ 白色固体
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））２９２９，２８５７，１７４１，１６９８，１４５７，１３３９，１１４９，１０４３ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．４４−１．６６（ｍ，１７Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−Ｈ，（ＣＨ３）３Ｃ），１．７２−１．７８（ｍ，２Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−Ｈ），１．９０−１．９７（ｍ，２Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−Ｈ），３．６４−３．７１（ｍ，１Ｈ，ＣＨＣＯＮ），４．４７（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２ＣＯ２ＣＨ２Ｐｈ），５．１６（ｓ，２Ｈ，ＣＨＣＯ２ＣＨ２Ｐｈ），７．３０−７．３８（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２６．５，２７．８，３１．６，４５．２，４５．６，６６．９，８３．５，１２８．４，１２８．５，１３５．４，１５２．１，１６９．０，１８０．１；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２２Ｈ３２ＮＯ５の計算値：３９０．２２８０（Ｍ＋＋１）．実測値：３９０．２２６６．
【００６１】
参考例１０ ５ａの製造
４ａのＴＨＦ（テトラヒドロフラン）溶液を−７８℃まで冷却した。この溶液にＤＭＰＵ（１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２−ピリミジノン）（２．０当量）とＬＨＭＤＳ（リチウムヘキサメチルジシラジド）（２．５当量）を１０分間かけて加え、同温度で２時間攪拌した後、反応液を飽和塩化アンモニウム水溶液でクエンチした。その後、酢酸エチル−ヘキサン（５：１）で３回抽出し、その有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、濃縮した。残渣をシリカゲルクロマトフィーで精製し、目的物５ａを無色油状物で得た。（収率：８５％）
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３４３１，２９７７，１７５９，１７１５，１４９６，１３６７，１２５１，１１６２ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９９（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．１４（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．４４（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３Ｃ），２．９４−２．９９（ｍ，１Ｈ，（ＣＨ３）３ＣＨ），５．１５−５．２９（ｍ，３Ｈ，ＣＨＮＨ，ＣＨ２Ｐｈ），５．７３（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．３１−７．３８（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１７．４，１８．７，２８．２，３８．４，６２．１，６８．０，８０．５，１２８．４，１２８．６，１３４．７，１５４．８，１６６．７，２０５．１；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１８Ｈ２６ＮＯ５の計算値：３３６．１８１１（Ｍ＋＋１）．実測値：３３６．１８１６．
【００６２】
参考例１１−１５ ５ｂ−５ｆの製造
参考例１０と同様の方法により５ｂ−５ｆを製造した。
５ｂ 無色油状物
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３４３２，２９７０，１７５９，１７１５，１４９６，１３６８，１２５３，１１６３ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．８３（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），１．４４（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３ＣＯ），１．５２−１．６２（ｍ，２Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），２．５２−２．６０（ｍ，２Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），５．０５（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），５．１６（ｄ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．２９（ｄ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．７４（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．３１−７．３８（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１３．４，１６．８，１９．５，２７．８，２８．２，４２．４，６３．７，６８．０，８０．５，１２８．４，１２８．６，１３４．７，１５４．９，１６６．６，２０１．０；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１８Ｈ２６ＮＯ５の計算値：３３６．１８１１（Ｍ＋１）．実測値：３３６．１７８８．
５ｃ
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３３７６，２９７７，１７５８，１７１３，１５０４，１３６８，１３２６，１２５２，１１６２ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．１８（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３ＣＣＯＣＨ），１．４３（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３ＣＯＣＯ），５．１５（ｄ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．２０（ｄ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．５２（ｍ，２Ｈ，ＣＯＣＨＮＨ），７．２９−７．３７（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２６．１，２８．２，４４．７，５７．０，６７．７，８０．６，１２８．３，１２８．５，１２８．６，１５４．８，１６７．６，２０８．０；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１９Ｈ２８ＮＯ５の計算値：３５０．１９６７（Ｍ＋−１）．実測値：３５０．１９１３．
５ｄ
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３４３０，２９６７，２８７１，１７５９，１７１４，１４８９，１３６７，１２５４，１１６２ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．３４−１．９４（ｍ，１７Ｈ，ｃ−Ｐｅｎ−ＣＨ２，（ＣＨ３）３ＣＯ），３．１４−３．１８（ｍ，１Ｈ，ＣＨＣＯＣＨＮＨ），５．１３−５．１７（ｍ，２Ｈ，ＣＨＮＨ，ＣＨ２Ｐｈ），５．２９（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．７６（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．３５−７．３８（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２６．０，２６．０，２８．２，２８．５，３０．３，４８．８，６３．５，６７．９，８０．５，１２８．６，１３４．８，１５４．８，１６６．８，２０３．７；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２０Ｈ２８ＮＯ５の計算値：３６２．１９６７（Ｍ＋＋１）．実測値：３６２．１９３３．
５ｅ
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３４３１，２９７８，２９３２，２８５６，１７５５，１７１３，１４９５，１４５３，１３６８，１３３７，１２５１，１１６１ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．０５−１．９２（ｍ，１９Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−ＣＨ２，（ＣＨ３）３ＣＯ），２．６４−２．６８（ｍ，１Ｈ，ＣＨＣＯＣＨＮＨ），５．１４（ｄ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．１８（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），５．３１（ｄ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．７３（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．３１−７．３６（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．０，２５．５，２５．７，２７．６，２８．３，２９．１，４８．２，６２．３，６８．０，８０．５，１２８．６，１２８．７，１３４．８，１５４．９，１６６．７，２０４．０；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２１Ｈ３０ＮＯ５の計算値：３７６．２１２４（Ｍ１＋１）．実測値：３７６．２１１８．
５ｆ
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３４２９，２９７８，２９２８，２８５８，１７５４，１７１３，１４９２，１３６７，１３３８，１２５４，１１６３ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．２４−１．９３（ｍ，２１Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−ＣＨ２，（ＣＨ３）３Ｃ），２．８８（ｓ，１Ｈ，ＣＨＣＯＣＨＮＨ），５．１４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，ＣＨ２Ｐｈ），５．１８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，ＣＨＣＯＣＨＮＨ），５．３０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，ＣＨ２Ｐｈ），５．７３（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＣＯＣＨＮＨ），７．３５−７．３８（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２６．２，２６．５，２８．０，２８．１，２８．２，２９．１，３０．３，４９．４，６２．４，６７．９，８０．４，１２８．５，１２８．６，１３４．８，１５４．９，１６６．７，２０４．４；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２２Ｈ３２ＮＯ５の計算値：３９０．２２８０（Ｍ＋−１）．実測値：３９０．２２６３．
【００６３】
参考例１６ ６ａの製造
５ａを４ｍｏｌ／Ｌの塩酸−ジオキサンに溶解し、室温下で４４時間攪拌した後、その反応液を濃縮した。残渣をジエチルエーテル中で粉砕し、目的物６ａをろ取した。この固体を次工程にそのまま用いた。（収率：９７％）
ＩＲ（ＫＢｒ）３４０３，２９７２，２９３６，２６５４，１７６２，１７３６，１５２３，１２６７ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９６（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．２２（ｄ，Ｊ＝６．７Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），３．０３−３．０９（ｍ，１Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），５．２４（ｄ，Ｊ＝１１．６Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．３３（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．４７（ｓ，１Ｈ，ＣＯＣＨＮ），７．３２−７．３８（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），９．００（ｂｒ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１７．１，１８．９，３８．９，６０．４，６７．０，６９．２，１２８．６，１２８．７，１２８．８，１３４．１，１６３．３，２０２．１；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１３Ｈ１８ＮＯ３の計算値：２３６．１２８７（Ｍ＋−Ｃｌ）．実測値：２３６．１２７２．
【００６４】
参考例１７−２１ ６ｂ−６ｆの製造
参考例１６と同様の方法により６ｂ−６ｆを製造した。
６ｂ
ＩＲ（ＫＢｒ）２９６８，２９３５，２５９９，１７５０，１７２５，１４５９，１２８０，１２２６，１１４７ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）δ０．８４（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），１．５０−１．６２（ｍ，２Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），２．６４−２．８０（ｍ，２Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），５．３２（ｄ，Ｊ＝１１．６Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．４１（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．３６−７．４６（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）δ１３．６，１７．６，４３．４，７０．２，１２９．８，１３０．１，１３５．８，１６４．７，１９９．２；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１３Ｈ１８ＮＯ５の計算値：２３６．１２８７（Ｍ＋−Ｃｌ）．実測値：２３６．１２７５．
６ｃ
ＩＲ（ＫＢｒ）２９７１，２９００，２８６７，１７４７，１７１８，１５４３，１５０８，１２６５，１２３９ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．２０（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３Ｃ），５．２５（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．６２（ｓ，１Ｈ，ＣＯＣＨＮ），７．３０−７．３７（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），９．００（ｂｒ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２６．６，４４．９，５６．７，６９．２，１２８．６，１２８．７，１２８．９，１３４．０，１６３．６，２０４．４；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１４Ｈ２０ＮＯ３の計算値：２５０．１４４３（Ｍ＋−Ｃｌ）．実測値：２５０．１４３８．
６ｄ
ＩＲ（ＫＢｒ）２９５１，１７４６，１７２０，１５０８，１４５８，１２６９，１２０７ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．４４−２．０２（ｍ，８Ｈ，ｃ−Ｐｅｎ−Ｈ），１．９６−２．０２（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｐｅｎ−Ｈ），５．２４（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．３３−５．３６（ｍ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ，ＣＯＣＨＮＨ３），７．２６−７．３９（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），９．００（ｂｒ，ＣＯＣＨＮＨ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．９，２６．０，２８．３，３０．６，４９．１，６１．６，６９．２，１２８．６，１２８．７，１２８．８，１３４．２，１６３．３，２００．７；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１５Ｈ２０ＮＯ３の計算値：２６２．１４４３（Ｍ＋−Ｃｌ）．実測値：２６２．１４４５．
６ｅ
ＩＲ（ＫＢｒ）２９３１，２８５４，１７４７，１７１９，１５０９，１２６６ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９７−１．３６（ｍ，５Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），１．４８−１．６２（ｍ，３Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），１．６９−１．７２（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），２．１１−２．１４（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），２．７８（ｔｔ，Ｊ＝３．２，１１．６Ｈｚ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），５．２１（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．３８（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．５３（ｓ，１Ｈ，ＣＯＣＨＮＨ３），７．３０−７．３９（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），８．９３（ｂｒ，ＣＯＣＨＮＨ３）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２４．９，２５．５，２５．６，２７．２，２９．１，４８．３，６０．６，６９．２，１２８．６，１２８．８，１２８．９，１３４．２，１６３，３，２００．８；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１６Ｈ２２ＮＯ３の計算値：２７６．１６００（Ｍ＋−Ｃｌ）．実測値：２７６．１６０２．
６ｆ
ＩＲ（ＫＢｒ）２９２７，２６２４，１７４６，１７２０，１５０９，１４５９，１２８１，１１９８，１１１９ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．１５−１．１８（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−Ｈ），１．４５−１．５７（ｍ，１０Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−Ｈ），２．９３−２．９７（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−Ｈ），５．２１（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．３８（ｄ，Ｊ＝１３．２Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．４０（ｓ，１Ｈ，ＣＯＣＨＮＨ３），７．３１−７．３９（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），９．０１（ｂｒ，ＣＯＣＨＮＨ３）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００Ｈｚ，ＣＤＣｌ３）δ２６．１，２６．５，２７．９，２８．１，２８．８，３０．３，４９．５，６０．７，６９．２，１２８．６，１２８．８，１２８．９，１３４．２，１６３．３，２０１，１；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１７Ｈ２４ＮＯ３の計算値：２９０．１７５６（Ｍ＋−Ｃｌ）．実測値：２９０．１７６５．
【００６５】
参考例２２
オキサゾール（１０２．８ｍｇ）のメタノール（３．０ｍＬ）溶液にＴｓＯＨ・Ｈ２Ｏ（ｐ−トルエンスルホン酸１水和物）（２３０．０ｍｇ）を加え、２５時間加熱還流した。この溶液を濃縮した後、ジエチルエーテル中で粉砕した。この粗物を精製せずに次工程に用いた。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．０３（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．１１（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），２．３４（ｓ，３Ｈ，Ａｒ−ＣＨ３），３．０６（ｓｅｐ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），５．３６（ｓ，１Ｈ，ＣＨＮＨ２），７．１３（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．７０（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），８．４６（ｓ，２Ｈ，ＣＨＮＨ２）．
【００６６】
参考例２３ ６ｇの製造
メチルイソシアノエート（２．９７ｇ，３０ｍｍｏｌ），ベンゾイルクロリド（２．９７ｇ，３０ｍｍｏｌ），ＴＥＡ（トリエチルアミン）（１２．６ｍｌ，９０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）（５０ｍｌ）に加え、室温下で４８時間攪拌した。その後、減圧下において溶媒を留去し、残渣に酢酸エチル（１００ｍｌ）を加え、水、１ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ（５０ｍｌ）、飽和ＮａＨＣＯ３（５０ｍｌ）、飽和食塩水（５０ｍｌ）で順次洗浄した。溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、沈殿物を濾去し、減圧下において溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（１００ｇ，酢酸エチル：ｎ−ヘキサン＝１：５）で精製し、オキサゾール化合物（４．０７ｇ，２０ｍｍｏｌ，６７％）を無色固体で得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ３．９６（ｓ，３Ｈ），７．４５〜７．５３（３Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．９２（ｓ，１Ｈ，ｏｘａｚｏｌｅ−Ｈ），８．００〜８．１２（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ）
ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：３１０８，１７１７，１５８２，１５６１，１５１６，１４９５，１４３３，１３５４，１３２５，１３１２，１２２１，１１９５，１１０９，１０８７，１０６８，１０１０，９３６，７６７，６８８．
オキサゾール化合物（２．２６ｇ，１１．１ｍｍｏｌ）を４ｍｏｌ／Ｌ塩酸−ジオキサン（１８ｍｌ）及びメタノール（１８ｍｌ）に溶解し、６０℃で２４時間攪拌した。その溶液を室温まで冷却した後、濃縮した。残渣をメタノールに溶解した後、再度濃縮した。この操作を５回繰り返し、完全に残留塩酸を除去した後、得られた固体をエーテルで洗浄し、ろ取した。この固体を酢酸エチルとメタノールから再結晶し、化合物６ｇ（１．４２ｇ，６．２ｍｍｏｌ，５６％）を無色固体で得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ３．７７（ｓ，３Ｈ），７．６０（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），７．７７（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）８．１７（ｄｄ，Ｊ＝１．６，８．８Ｈｚ２Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ（ｐｐｍ）５４．６，１３０．１，１３１．０，１３４．９，１３６．３，１６５．４，１９０．０；ＦＡＢＭＳ（ＮＢＡ）ｍ／ｚ：１９４（Ｍ−Ｃｌ−）−；ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：３４４１，２８４０，１７３９，１６８８，１５９７，１２７４，１２１７，６８４．
【００６７】
参考例２４ ６ｈの製造
参考例２３と同様にして対応するオキサゾールから目的化合物（６ｈ）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ３．７７（ｓ，３Ｈ），５．２３（ｓ，２Ｈ），６．０４（ｓ，１Ｈ），７．１〜７．５（ｍ，７Ｈ，Ａｒ−Ｈ），８．１４（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ（ｐｐｍ）５４．５，５８４，７１．５，１１６．２，１２７．８，１２８．７，１２９．３，１２９．７，１３３．６，１３７．７，１６５．８，１６６．０，１８７．９；ＦＡＢＭＳ（ＮＢＡ）ｍ／ｚ：３００（Ｍ−Ｃｌ−）＋；ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：３４４５，２９６９，１７５９，１６８５，１６０３，１５０９，１２７６，１２５４，１２２２，１１７６，１０７５，８３２，７４３，６９７．
【００６８】
参考例２５−２９ ６ｉ−６ｍの製造
参考例２３と同様の操作を行うことにより化合物６ｉ−６ｍを製造した。
尚、各化合物の構造は、以下の通りとなる。
６ｉ：Ｒ＝ｐ−メチルフェニル基
６ｊ：Ｒ＝ｍ−メチルフェニル基
６ｋ：Ｒ＝β−ナフチル基
６ｌ：Ｒ＝２−フリル基
６ｍ：Ｒ＝ｐ−ブロモフェニル基
各化合物の機器データを以下に示す。
６ｉ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ２．４７（ｓ，３Ｈ），３．７７（ｓ，３Ｈ），６．０９（ｓ，１Ｈ），７．４２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），８．０５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ２１．８，５４．５，５８．７，１３０．７，１３１．２，１３２．４，１４８，０，１６５．６，１８９．３；ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：２９９５，２８２６，２６２６，１７３９，１６８５，１６０４，１５０５，１４３４，１２７６，１２２０，１１７９，１０７４，９６８，９４２，８６３．
６ｊ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ２．４５（ｓ，３Ｈ），３．８１（ｓ，３Ｈ），６．１１（ｓ，１Ｈ），７．４〜７．６（２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．９〜８．０（２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ２１．３，５４．６，５８．８，１２８．３，１３０．０，１３１．２，１３５．０，１３７．０，１４０，３，１６５．５，１９０．１；ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：３００４，２８１３，２６２６，１７３７，１６８５，１６０２，１５１１，１４３４，１２７５，１２２８，１１６８，１０７２，９４８，８８９，８６６，７８５，６８５．
６ｋ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ３．７５（ｓ，３Ｈ），６．３０（ｓ，１Ｈ），７．６〜７．７５（２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．９〜８．１５（４Ｈ，ＡｒＨ），８．８２（１Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ５４．６，５８．７，１２５．０，１２８．５，１２９．０，１２９．９，１３１．０，１３１．２，１３２．２，１３３．８，１３４．３，１３７．８，１６５．６，１８９．９；ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：３４４０，２８１９，１７３９，１６８８，１６２２，１５９４，１５０２，１４３４，１２８０，１２３６，１１７４，１００８，９３７，８１１，７６０．
６ｌ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ３．８２（ｓ，３Ｈ），５．７８（ｓ，１Ｈ），６．８０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１．６，４．０Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．７１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．０Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），８．００（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ５４．７，５８．４，１１４．６，１２４．１，１５１．２，１５１．３，１６５．５，１７７．１；ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：３４３０，２９７３，２６３７，１７５２，１６７９，１５９０，１５７０，１５０４，１４６４，１４０４，１２８５，１２５２，１１５５，１０８８，１０７９，１０３６，１０２３，９９１，９５１，９１０，８７６，８４１，７６９．
６ｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ３．７８（ｓ，３Ｈ），６．１１（ｓ，１Ｈ），７．７９（２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），８．０５（２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ５４７，５８９，１３１．５，１３２．６，１３３．４，１３３．９，１６５．２，１８９．３；ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：２８１０，１７３８，１６８９，１５８６，１４９７，１４３３，１４０５，１２７５，１２１３，１１７６，１１３４，１１７５，９６６，９４０，８６４，８１６，７６４，６７６．
【００６９】
実施例１ β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造
アルゴン雰囲気下において、［ＲｕＣｌ２（Ｃ６Ｈ６）］２（１０．１ｍｇ）と（Ｓ）−ＢＩＮＡＰ（２５．３ｍｇ）およびＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）４００μＬをシュレンクチューブ中で混合した。この混合溶液を脱気した後、１００℃で１０分攪拌した。混合溶液の温度を室温まで下げた後、５０℃で２．５時間減圧乾燥させ、赤茶色の［ＲｕＣｌ２（Ｓ）−ＢＩＮＡＰ］（ｄｍｆ）ｎを、触媒として得た。参考例２で製造した１−メトキシカルボニル−３−メチル−２−オキソ−ブチル−アンモニウム；クロリド（１６９．２ｍｇ）をメタノール（２．０ｍＬ）に溶解し、脱気した後、その溶液を、上記触媒にアルゴン置換したカニューラで加えた。（残渣をメタノール１．０ｍｌで洗浄し、同様に加えた）溶液を、水素（１００ａｔｍ）中で５０℃において４８時間攪拌した。その後、反応液を濃縮し、目的物を得た。
得られた粗物を、ベンゾイル化し、機器分析することによりｄｅ及びｅｅを決定した。ｄｅは、１Ｈ−ＮＭＲにより決定し、ｅｅは、ＨＰＬＣにより決定した。
ベンゾイル化
得られた粗物をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）（１．７ｍＬ）に溶解した。続いてＢｚＣｌ（ベンゾイルクロリド）（１１０μＬ）とＴＥＡ（トリエチルアミン）（３８０μＬ）を０℃で溶液に加えた。室温で１時間攪拌した後、反応液に水、酢酸エチル及びヘキサンを加え、反応を停止させた。つづいて分液を行い、その有機層を１ｍｏｌ／Ｌ塩酸溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。その後、ろ過し、濃縮を行った。続いてこの残渣をシリカゲルクロマトグラフフィー（酢酸エチル：ｎ−ヘキサン＝１：３）で分取精製し、目的物（１６２．１ｍｇ，２工程７１％，ｄｅ９８％，５６％ｅｅ）を得た。ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝８５／１５，流速：０．５ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 １０．６分，２Ｓ，３Ｓ体 １５．６分．
［α］Ｄ２５＋３５．４（０．９９，ＣＨＣｌ３）；ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３４１７，２９６２，１７４７，１６３３，１５３８，１４５５，１３７２，１０６２，１０１１ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．０２（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．０５（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．７７（ｓｅｐ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，１Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），２．９１（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．６２（ｄｔ，Ｊ＝３．３，８．６Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．８２（ｓ，３Ｈ，ＣＯ２ＣＨ３），４．９７（ｄｄ，Ｊ＝３．３，７．３Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．１４（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，１Ｈ，ＮＨ），７．４４−７．４８（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．５２−７．５６（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．８２−７．８５（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１４Ｈ２０ＮＯ４の計算値：２６６．１３９２（Ｍ＋−１）．実測値：２６６．１４０８．
【実施例２】
【００７０】
原料の塩酸塩を参考例２２で製造したトシル酸塩に変更し、触媒の使用量を６．７ｍｏｌ％とした事以外は実施例１と同様の操作を行うことにより目的物を得た。（収率：７２％（２工程合計）、ｄｅ：９４％、ｅｅ：２２％）
【００７１】
実施例３−１１ 溶媒の効果
溶媒を種々変更した事以外は実施例１と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。尚、触媒の使用量は、基質に対して３．８−４．６ｍｏｌ％の範囲であった。又、収率は２工程の合計で示した。
【実施例１２】
【００７２】
基質を参考例１で製造した２−シクロヘキシル−１−メトキシカルボニル−２−オキソ−エチル−アンモニウム；クロリドに変更し、溶媒を塩化メチレンに変更した事以外は実施例１と同様の操作を行うことにより、目的物を得た（収率：８４％（２工程合計）、ｄｅ：９５％、ｅｅ：９６％）。
［α］Ｄ２６＋３５．５（１．０７，ＣＨＣｌ３）；融点９４−９７℃；ＩＲ（ＫＢｒ）３５４５，３４９３，３２８１，２９２７，２８５４，１７３９，１６３０，１５４２，１３６３，１２３０，１２０９ｃｍ−１；
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９７−１．３０（ｍ，５Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），１．４２−１．５１（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），１．６５−１．８４（ｍ，４Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），２．０３−２．０６（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），２．９４（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．６８（ｄｔ，Ｊ＝３．２，８．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．８２（ｓ，３Ｈ，ＣＯ２ＣＨ３），４．９７（ｄｄ，Ｊ＝３．２，７．６Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．１８（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，ＮＨ），７．４４−７．４７（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．５１−７．５６（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．８２−７．８４（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１７Ｈ２４ＮＯ４の計算値：３０６．１７０５（Ｍ＋＋１）．実測値：３０６．１７２４．
ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝８５／１５，流速：０．５ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 １１．２分，２Ｓ，３Ｓ体 １５．３分．
【実施例１３】
【００７３】
アルゴン雰囲気下において、［ＲｕＣｌ２（Ｃ６Ｈ６）］２（１０．３ｍｇ）と（Ｓ）−ＢＩＮＡＰ（２７．３ｍｇ）およびＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）４００μＬをシュレンクチューブ中で混合した。この混合溶液を脱気した後、１００℃で１０分攪拌した。混合溶液の温度を室温まで下げた後、５０℃で２．５時間減圧乾燥させ、赤茶色の（Ｓ）−ＢＩＮＡＰ−Ｒｕ（ＩＩ）を、触媒として得た。６ａ（２７１．８ｍｇ）を塩化メチレン（２．５ｍＬ）に溶解し、脱気した後、上記触媒にアルゴン置換したカニューラで加えた。（残渣を塩化メチレンで０．５ｍｌで洗浄し、同様に加えた）溶液を、水素（１００ａｔｍ）中で５０℃において４８時間攪拌した。その後、反応液を濃縮し、目的物を得た。
得られた粗物を、ベンゾイル化し、機器分析することによりｄｅ及びｅｅを決定した。ｄｅは、１Ｈ−ＮＭＲにより決定し、ｅｅは、ＨＰＬＣにより決定した。
ベンゾイル化
得られた粗物をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）（２．０ｍＬ）に溶解した。続いてＢｚＣｌ（ベンゾイルクロリド）（１３０μＬ）とＴＥＡ（トリエチルアミン）（４４０μＬ）を０℃で溶液に加えた。室温で１時間攪拌した後、反応液を水、酢酸エチル及びヘキサンを加え、反応を停止させた。続いて分液を行い、その有機層を１ｍｏｌ／Ｌ塩酸、炭酸水素ナトリウム水溶液で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。その後、ろ過し、濃縮を行った。続いてこの残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル：ｎ−ヘキサン＝１：２）で分取精製し、目的物を得た（収率：８７％（２工程合計）、ｄｅ：＞９９％、ｅｅ：９６％）。
ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝９０／１０，流速：０．５ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 ２１．６分，２Ｓ，３Ｓ体 ３０．３分．
［α］Ｄ２４＋３３．９（１．００，ＣＤＣｌ３）；融点９５．５−９６℃；ＩＲ（ＫＢｒ）３４１４，２９６１，２９３５，２８５８，１７４９，１６４７，１５１９，１１９２，１０６４ｃｍ−１；
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９５（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．１３（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．７１（ｍ，１Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），２．９２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．６３（ｄｔ，Ｊ＝３．１，８．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），４．９９（ｄｄ，Ｊ＝３．３，７．３Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），５．２３（ｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２−Ｐｈ），５．２９（ｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２−Ｐｈ），７．１４（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．３４−７．３９（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．４３−７．４７（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．５２−７．５６（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．８１−７．８３（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１８．９，１９．０，３１．５，５６．２，６７．６，７８．９，１２７．２，１２８．４，１２８．６，１２８．７，１３２．０，１３３．４，１３４．９，１６７．５，１７０．８；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２０Ｈ２４ＮＯ４の計算値：３４２．１７０５（Ｍ＋−１）．実測値：３４２．１６８２．Ｃ２０Ｈ２３ＮＯ４の元素分析計算値：Ｃ，７０．３６；Ｈ，６．７９；Ｎ，４．１０．実測値：Ｃ，７０．２６；Ｈ，６．８２；Ｎ，４．０６．
【００７４】
実施例１４−１６ 溶媒の効果
溶媒の種類及び触媒の使用量を変更した事以外は実施例１３と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。収率は２工程の合計で示した。
【００７５】
実施例１７−２０ 反応時間の検討
反応時間を変更した事以外は実施例１３と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。尚、触媒の使用量は、基質に対して３．９−４．１ｍｏｌ％の範囲であった。又、収率は２工程の合計で示した。
【実施例２１】
【００７６】
溶媒をジクロロエタン（（ＣＨ２Ｃｌ）２）に、反応温度を１００℃に、反応時間を３時間に変更した事以外は実施例１３と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。収率は２工程の合計で示した（収率：９０％（２工程合計）、ｄｅ：９３％、ｅｅ：９２％）。
【００７７】
実施例２２−３２
基質及び溶媒を変更した事以外は実施例１３と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。収率は２工程の合計で示した。
Ｒ＝ｎ−プロピル基
［α］Ｄ２２＋１４．８（１．０１，ＣＨＣｌ３）；融点９７−９９℃；ＩＲ（ＫＢｒ）３３５４，２９５８，２８６７，１７３７，１６２９，１５７８，１５３４，１２５４，１２２１ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．８５（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，３Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２），１．２８−１．５６（ｍ，４Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２），３．２９（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），４．０５−４．１０（ｍ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），４．９３（ｄｄ，Ｊ＝３．２，６．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），５．２１（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．３１（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．１４（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．２６−７．５６（ｍ，８Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．８２−７．８４（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１３．８，１８．９，３５．３，５８．３，６７．７，７３．１，１２７．２，１２８．２，１２８．４，１２８．７，１３２．１，１３３．３，１３４．９，１６８．０，１７０．３；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２０Ｈ２４ＮＯ４の計算値：３４２．１７０５（Ｍ＋＋１）．実測値：３４２．１６９９．
ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝９０／１０，流速：０．５ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 ２６．６分，２Ｓ，３Ｓ体 ３２．３分．
Ｒ＝ｔ−ブチル基
［α］Ｄ２２＋２３．９（１．００，ＣＨＣｌ３）；ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３３７３，３０６４，３０３３，２９５８，２９０８，２８７２，１７３１，１６４４，１５３８，１４８７，１１７７，１０７８ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９５（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３Ｃ），３．３３（ｄ，Ｊ＝１０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．６７（ｄｄ，Ｊ＝３．２，９．６Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），５．０２（ｄｄ，Ｊ＝３．２，７．６Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），５．２０（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．２４（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．１０（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．３４−７．４０（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．４３−７．４７（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．５１−７．５５（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．７８−７．８１（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２６．０，３５．４，５４．５，６７．６，８１．１，１２７．１，１２８．５，１２８．６，１３２．０，１３３．４，１３４．６，１６７．３，１７１．１；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２１Ｈ２６ＮＯ４の計算値：３５６．１８６２（Ｍ＋＋１）．実測値：３５６．１８２７．
ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＡＤ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝９０／１０，流速：１．０ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 ２６．８分，２Ｓ，３Ｓ体 １７．８分．
Ｒ＝シクロペンチル基
［α］Ｄ２４＋２０．５（１．００，ＣＨＣｌ３）；融点１０９−１１１℃；ＩＲ（ＫＢｒ）３４１４，３３４２，２９３８，２８６７，１７４６，１６４４，１５２１，１４８８，１１９５ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．３８−１．８８（ｍ，９Ｈ，ｃ−Ｐｅｎ−Ｈ），２．９５（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．７８（ｄｔ，Ｊ＝２．８，８．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），４．９２（ｄｄ，Ｊ＝２．８，７．２Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），５．２１（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．３１（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．１９（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．３４−７．３９（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．４３−７．４７（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．５１−７．５６（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．８１−７．８４（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．１，２５．５，２９．０，２９．８，４３．５，５７．３，６７．５，７８．０，１２７．２，１２８．４，１２８．６，１３２．０，１３３．４，１３５．０，１６７．６，１７０．５；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２２Ｈ２６ＮＯ４の計算値：３６８．１８６２（Ｍ−＋１）．実測値３６８．１８７０．
ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＡＤ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝９０／１０，流速：１．０ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 ２５．２分，２Ｓ，３Ｓ体 ２８．９分．
Ｒ＝シクロヘキシル基
融点１２５−１２７℃；ＩＲ（ＫＢｒ）３４０３，２９２９，２８４９，１７４２，１６４７，１５２１，１４８３，１２１１ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）
δ０．９５−１．７８（ｍ，１０Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−ＣＨ２），１．９９（ｄ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＣ（ＯＨ）ＣＨＮＨ），２．７８（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．６６（ｄｔ，Ｊ＝３．２，８．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），４．９９（ｄｄ，Ｊ＝２．９，７．３Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），５．１８（ｄ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．３４（ｄ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．１７（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．３２−７．５６（ｍ，８Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．８１−７．８３（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．６，２６．１，２９．０，２９．２，４０．９，５５．７，６７．５，７７．９，１２７．２，１２８．５，１２８．６，１３１．９，１３３．５，１３５．０，１６７．４，１７０．８ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２３Ｈ２８ＮＯ４の計算値：３８２．２０１８（Ｍ＋＋１）．実測値：３８２．１９９３．
ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＡＤ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝９０／１０，流速：１．０ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 １８．７分，２Ｓ，３Ｓ体 ３２．３分．
Ｒ＝シクロヘプチル基
［α］Ｄ２５＋１２．９（１．００，ＣＨＣｌ３）；ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３４１８，３０６４，３０３３，２９２５，２８５４，１７３４，１６４６，１５３９，１１９０，１０８２ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．２４−１．６４（ｍ，１１Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−Ｈ），１．７６−１．８９（ｍ，２Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−Ｈ），２．７９（ｄｄ，Ｊ＝５．６，８．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．７０（ｄｔ，Ｊ＝３．２，８．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），５．０１（ｄｄ，Ｊ＝３．２，７．２Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），５．１８（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．３２（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．１３（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，ＣＨＮＨ），７．３２−７．４０（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．４２−７．４６（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．５１−７．５５（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．８０−７．８２（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２６．１，２６．２，２８．２，２８．９，３０．６，４２．３，５５．８，６７．５，７７．６，１２７．２，１２８．５，１２８．６，１３１．９，１３３．５，１３５．０，１６７．４，１７０．９；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２４Ｈ３０ＮＯ４４の計算値：３９６．２１７５（Ｍ＋＋１）．実測値：３９６．２１９５．
ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝９０／１０，流速：０．５ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 ３０．５分，２Ｓ，３Ｓ体 ３４．７分．
【００７８】
実施例３３−４３
基質を参考例１で製造した２−シクロヘキシル−１−メトキシカルボニル−２−オキソ−エチル−アンモニウム；クロリドに変更し、種々の反応条件を検討した。
転化率は、反応液をＨＰＬＣで分析し、基質と生成物のピーク面積を以下の式に当てはめることにより算出した値を意味する。尚、式中の、４．３７という数字は、測定波長における基質と生成物の感度比を補正するために用いた値である。
転化率＝生成物の面積／（生成物の面積−基質の面積／４．３７）×１００
転化率の分析条件
分析方法：ＨＰＬＣ（島津ＬＣ１０Ａｖｐ）、逆相アイソクラチック分析
カラム：Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ＯＤＳ（化学物質評価技術研究機構）φ４．６ｍｍ×２５０ｍｍ＋ＣＡＰＣＥＬＬＰＡＫＳＣＸ ＵＧ８０（株式会社 資生堂）φ４．６ｍｍ×２５０ｍｍ移動相：アセトニトリル／１００ｍＭ ＫＨ２ＰＯ４緩衝溶液＝２／８（ｖ／ｖ）
流速：１．０ｍｌ／分．
検出：ＵＶ２１５ｎｍ
保持時間：基質２１．８分、生成物２３．４分．
ｅｅは、生成物をベンゾイル化した化合物をＨＰＬＣで分析することにより決定した。ｅｅの分析条件
分析方法：ＨＰＬＣ（島津ＬＣ１０Ａｖｐ）、順相アイソクラチック分析
カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ（ダイセル化学工業株式会社）
移動相：ｎ−ヘキサン／イソプロパノール＝８５／１５（ｖ／ｖ）
流速：０．５ｍｌ／分．
検出：ＵＶ２５４ｎｍ
保持時間：Ｒ体 １１．２分、Ｓ体 １５．３分．
【００７９】
実施例４４［Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２−（Ｓ）−ＭｅＯ−Ｂｉｐｈｅｐ−ＮａＩを触媒とする製造法。
［Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２（２．５ｍｇ，０．００３７ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−ＭｅＯ−Ｂｉｐｈｅｐ（５．８ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）及びヨウ化ナトリウム（２．３ｍｇ，０．０１５ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（１．０ｍＬ）に加えた溶液を凍結融解法（ｆｒｅｅｚｅ−ｔｈａｗｍｅｔｈｏｄ）により脱気した。
溶液をアルゴン雰囲気下において、室温で１０分攪拌した。
得られた黄色の触媒を真空下で乾燥させた。該触媒に参考例２３で製造した６ｇ（５７．４ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）、ＮａＯＡｃ（酢酸ナトリウム）（２０．５ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）及び脱気したＡｃＯＨ（酢酸）（１．２ｍＬ）をアルゴン雰囲気下で加えた。混合溶液を室温下において、水素圧１００気圧で攪拌した。２４時間攪拌した後、反応溶液を１ｍｏｌ／Ｌ塩酸（３．０ｍＬ）に加え、ジエチルエーテル５ｍＬで洗浄した。得られた水層を４０℃以下で減圧下において濃縮乾固し、残査に無水エタノールを加えて粉砕した。白色固体を濾去し、得られた透明の濾液を減圧下で濃縮した。残査をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）（３ｍＬ）に溶解し、その後、ＰｈＣＯＣｌ（ベンゾイルクロリド）（３５．２ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）及びＥｔ３Ｎ（トリエチルアミン）（７５．９ｍｇ，０．７５ｍｍｏｌ）を０℃にて加えた。室温で１時間攪拌した後、水及び酢酸エチル（１０ｍＬ）を加え、その有機層を、１ｍｏｌ／Ｌ塩酸（５ｍＬ）、飽和重曹水（５ｍＬ）、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥し、沈殿物を濾去した後、減圧下で濃縮した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（２０ｇ，酢酸エチル：ｎ−ヘキサン＝１：２）によって精製し、Ｎ−ベンゾイル体（５７．８ｍｇ，０．１９ｍｍｏｌ，７７％，＞９９％ｄｅ，８９．６％ｅｅ）を無色固体で得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ；３．７９（３Ｈ，ｓ），４．５６（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ），５．２４（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝３．６，６．８Ｈｚ），５．４０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝３．６，５．６Ｈｚ），６．８７（１Ｈ，ｂｒｄ），７．２〜７．４（５Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．４〜７．５（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．５〜７．６（１Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．７〜７．８（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）５２．６，５９．４，７５．１，１２５．９，１２７．１，１２８．０，１２８．３，１２８．６，１３２．１，１３３．０，１３９．１；ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：３３３８，１７４４，１６４４，１５２５，１２２９，１１７３，６９３．；ＦＡＢＭＳ（ＮＢＡ）ｍ／ｚ：３００（Ｍ−１）；
ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝８５／１５，流速：１．０ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 ８．６分，２Ｓ，３Ｓ体 １２．０分．
【００８０】
実施例４５−４９
添加物（ヨウ素化合物）、酢酸塩、温度及び反応時間を変更した事以外は実施例４４と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。収率は２工程の合計で示した。
尚、触媒の使用量は、基質に対してイリジウムの使用量は３ｍｏｌ％であり、（Ｓ）−ＭｅＯ−Ｂｉｐｈｅｐの使用量は、イリジウムの使用量に対して１．３３当量（４／３）である。
又、表中、ヨウ素化合物の量は、イリジウムの使用量に対する当量数を表し、酢酸塩の量は、基質に対する当量数を表し、ＴＢＡＩは、ヨウ化テトラｎ−ブチルアンモニウムを意味する。
【００８１】
実施例４９−５６
基質、添加物（ヨウ素化合物）、温度及び反応時間を変更した事以外は実施例４４と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。収率は２工程の合計で示した。
尚、基質の使用量：イリジウムの使用量：（Ｓ）−ＭｅＯ−Ｂｉｐｈｅｐの使用量：添加物（ヨウ素化合物）の使用量＝１００：３：４：６であり、酢酸塩（酢酸ナトリウム）は、基質に対して１当量使用した。
表中、ＯＢｎはベンジルオキシ基を、Ｐｈはフェニル基を、Ｍｅはメチル基を、Ｐｒはプロピル基を、β−Ｎａｐはβ−ナフチル基を、ＴＢＡＩは、ヨウ化テトラｎ−ブチルアンモニウムを意味する。
【００８２】
実施例５７−７４
実施例４４の配位子を（ｓ）−ＢＩＮＡＰに変更し、種々の条件を変更して目的化合物を製造した。収率は２工程の合計で示した。
尚、基質の使用量：イリジウムの使用量：（ｓ）−ＢＩＮＡＰの使用量＝１００：３：４である。表中、添加物の量は、イリジウムの使用量に対する当量数を表し、酢酸塩の量は、基質に対する当量数を表し、又、溶媒の種類は、以下の記号を意味する。
Ａ エタノール
Ｂ ｎ−プロパノール
Ｃ ｉ−プロパノール
Ｄ メタノール：ベンゼン＝１：２
Ｅ ｎ−プロパノール：テトラヒドロフラン＝１：２
Ｆ ｉ−プロパノール：酢酸＝１：１
Ｇ テトラヒドロフラン：酢酸＝１：１
Ｈ 酢酸
又、Ｐｈｔａは、フタルイミドを意味し、ＴＢＡＢは、臭化テトラｎ−ブチルアンモニウムを、ＴＢＡＩは、ヨウ化テトラｎ−ブチルアンモニウムを意味する。
【実施例７５】
【００８３】
配位子を（Ｓ）−Ｔ−ＢＩＮＡＰに変更した事以外は、実施例６４と同様の操作を行うことにより目的物を得た。（収率：８５％（２工程合計）、ｄｅ：＞９９％、ｅｅ：７１％）
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明により、医・農薬の中間体として有用である光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を効率的に製造することができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医・農薬の中間体として有用である光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体は、医・農薬等の生理活性物質をはじめとする、種々のファインケミカル材料で有用な化合物の重要な中間体である。
光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を製造する方法としては、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体触媒を用いた触媒的不斉水素化反応により、ラセミ体のα−アミノアシル酢酸エステル化合物を不斉水素化し、シン選択的に光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を製造する方法が知られていた（例えば非特許文献１及び２並びに特許文献１参照。）。
一方、オレフィン、ケトン及びイミン類の遷移金属触媒による不斉水素化反応はよく知られていた。（例えば非特許文献３参照。）。
【特許文献１】特開平０６−８０６１７号公報
【非特許文献１】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９８９，１１１，ｐ．９１３４−９１３５
【非特許文献２】ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ，１９９２，ｐ．１２４８−１２５４
【非特許文献３】Ｒ．Ｎｏｙｏｒｉ ｅｄ．Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｃａｔａｌｙｓｉｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，（１９９４）Ｊｈｏｎ Ｗｉｌｃｙ＆；Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
非特許文献１及び２並びに特許文献１に記載の方法は、光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のシン体を選択的に製造する方法としては優れているものである。
しかし、逆に光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を直接製造することはできないため、アンチ体を製造するためには、一旦シン体を製造し、一方の立体を反転させなければならなかった。
そのため、直接、光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を製造する方法が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、直接光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を製造する方法について鋭意検討を重ねた結果、アミノ基が無置換であるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下において、触媒的不斉水素化反応により水素化することによって、容易にアンチ体の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体が選択的に得られることを見出し、本発明を完成させた。
【０００５】
即ち、本発明は、
１．式（１）
｛式中、Ｒ１は、Ｃ１−２０アルキル基〔該Ｃ１−２０アルキル基はＣ４−１２芳香族基［該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。〕、又はＣ４−１２芳香族基〔該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基［該Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基及びＣ１−６アルキルカルボニルオキシ基は、Ｃ４−１２芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子で任意に置換されていてもよい。）で任意に置換されていてもよい。］又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。〕を意味し、
Ｒ２は、Ｃ１−２０アルキル基〔該Ｃ１−２０アルキル基はＣ４−１２芳香族基［該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。〕、又はＣ４−１２芳香族基［該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］を意味する。｝で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下において、触媒的不斉水素化反応により水素化することを特徴とする、式（２）又は式（３）
（式中、Ｒ１及びＲ２は、前記と同じ意味を示す。）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
２．前記触媒的不斉水素化反応に使用される触媒が、光学活性ホスフィン配位子を有する、周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体である１．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
３．前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属がルテニウム、イリジウム又はロジウムであり、光学活性ホスフィン配位子が光学活性２座ホスフィン配位子である２．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
４．前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属がルテニウムであり、光学活性２座ホスフィン配位子が式（４）
（式中、Ｒ３は、水素原子、メチル基又は三級ブチル基を意味し、絶対配置はＳ又はＲのどちらかを意味する。）である３．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
５．前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体がＲｕＨＸ１（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）又はＲｕ２Ｃｌ４（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）２（Ｅｔ３Ｎ）（式中、Ｒ３−ＢＩＮＡＰは前記式（４）で表される光学活性２座ホスフィン配位子を意味し、Ｅｔはエチル基を意味し、Ｘ１及びＸ２は、それぞれＣｌ、ＣｌＯ４、ＢＦ４、ＰＦ６、ＯＣＯＣＨ３、ＯＣＯＣＦ３、ＯＣＯ−ｔ−Ｂｕ又はＯＳＯ２ＣＦ３を意味するが、該錯体は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、ＡｌＣｌ３、ＳｎＣｌ４、ＴｉＣｌ４又はＺｎＣｌ２で更に配位されていてもよい。）である４．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
６．前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体がＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）（式中、Ｘ２及びＲ３−ＢＩＮＡＰは前記と同じ意味を表わし、該錯体は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、ＡｌＣｌ３、ＳｎＣｌ４、ＴｉＣｌ４又はＺｎＣｌ２で更に配位されていてもよい。）である５．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
７．Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド又はベンゼンで更に配位されたＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）（式中、Ｘ２がＣｌを表わし、Ｒ３−ＢＩＮＡＰは前記と同じ意味を表わす。）を用いる６．に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
８．前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属がイリジウムであり、光学活性２座ホスフィン配位子がＲ３−ＢＩＮＡＰ（Ｒ３−ＢＩＮＡＰは、前記と同じ意味を表わす。）又は式（５）
［式中、Ｒ６は、フェニル基、ナフチル基（該フェニル基及びナフチル基はＣ１−６アルキル基又はＣ１−６アルコキシ基で任意に置換されていてもよい。）、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基を意味し、Ｒ７は、メチル基又はメトキシ基を意味し、Ｒ８は、水素原子、メチル基、メトキシ基又は塩素原子を意味し、Ｒ９は、水素原子、メチル基、メトキシ基、ジメチルアミノ基又ジエチルアミノ基を意味し、絶対配置はＳ又はＲのどちらかを意味する。］で表される化合物である３．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
９．反応系中に酢酸塩を加える８．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
１０．前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体を調製する際、ヨウ素化合物を添加する９．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
１１．前記光学活性２座ホスフィン配位子が前記式（５）で表される化合物である１０．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
１２．前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体を調製する際、［Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２（式中、ｃｏｄは、１，５−シクロオクタジエンを意味する。）を使用する１１．記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
１３．前記酸が強酸である１．〜１２．の何れか１つに記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
に関するものである。
【０００６】
以下、更に詳細に本発明を説明する。
尚、本発明中「ｎ」はノルマルを、「ｉ」はイソを、「ｓ」はセカンダリーを、「ｔ」はターシャリーを、「ｃ」はシクロを、「ｏ」はオルトを、「ｍ」はメタを、「ｐ」はパラを、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を、「Ｐｒ」はプロピル基を、「Ｂｕ」はブチル基を、「Ｐｅｎ」はペンチル基を、「Ｈｅｘ」はヘキシル基を、「Ｈｅｐ」はヘプチル基を、「Ｐｈ」はフェニル基を、「Ｂｎ」はベンジル基を、「Ｂｚ」はベンゾイル基を、「Ａｃ」はアセチル基を、「Ｔｓ」はパラトルエンスルホニル基を、「Ｂｏｃ」はターシャリーブトキシカルボニル基を意味する。
まず、置換基Ｒ１及びＲ２の各置換基における語句について説明する。
【０００７】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
【０００８】
Ｃ１−６アルキル基としては、直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ３−６シクロアルキル基を含んでいてもよく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｃ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ブチル基、１−メチル−ｃ−プロピル基、２−メチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ペンチル基、１−メチル−ｎ−ブチル基、２−メチル−ｎ−ブチル基、３−メチル−ｎ−ブチル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピル基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ペンチル基、１−メチル−ｃ−ブチル基、２−メチル−ｃ−ブチル基、３−メチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−プロピル基、２，３−ジメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチル−ｎ−ペンチル基、２−メチル−ｎ−ペンチル基、３−メチル−ｎ−ペンチル基、４−メチル−ｎ−ペンチル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、１−エチル−ｎ−ブチル基、２−エチル−ｎ−ブチル基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ヘキシル基、１−メチル−ｃ−ペンチル基、２−メチル−ｃ−ペンチル基、３−メチル−ｃ−ペンチル基、１−エチル−ｃ−ブチル基、２−エチル−ｃ−ブチル基、３−エチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，４−ジメチル−ｃ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、
２−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロピル基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基及び２−エチル−３−メチル−ｃ−プロピル基等が挙げられる。
【０００９】
Ｃ１−２０アルキル基としては直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ３−２０シクロアルキル基を含んでいてもよく、上記に加え、１−メチル−１−エチル−ｎ−ペンチル基、１−ヘプチル、２−ヘプチル基、ｃ−ヘプチル基、１−エチル−１，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−２，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−オクチル基、３−オクチル基、ｃ−オクチル基、４−メチル−３−ｎ−ヘプチル基、６−メチル−２−ｎ−ヘプチル基、２−プロピル−１−ｎ−ヘプチル基、２，４，４−トリメチル−１−ｎ−ペンチル基、１−ノニル基、２−ノニル基、２，６−ジメチル−４−ｎ−ヘプチル基、３−エチル−２，２−ジメチル−３−ｎ−ペンチル基、３，５，５−トリメチル−１−ｎ−ヘキシル基、１−デシル基、２−デシル基、４−デシル基、３，７−ジメチル−１−ｎ−オクチル基、３，７−ジメチル−３−ｎ−オクチル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基及びｎ−エイコシル基等が挙げられる。
【００１０】
Ｃ１−６アルコキシ基としては、直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ３−６シクロアルコキシ基を含んでいてもよく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｃ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｃ−ブトキシ基、１−メチル−ｃ−プロポキシ基、２−メチル−ｃ−プロポキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、１−メチル−ｎ−ブトキシ基、２−メチル−ｎ−ブトキシ基、３−メチル−ｎ−ブトキシ基、１，１−ジメチル−ｎ−プロポキシ基、１，２−ジメチル−ｎ−プロポキシ基、２，２−ジメチル−ｎ−プロポキシ基、１−エチル−ｎ−プロポキシ基、ｃ−ペンチルオキシ基、１−メチル−ｃ−ブトキシ基、２−メチル−ｃ−ブトキシ基、３−メチル−ｃ−ブトキシ基、１，２−ジメチル−ｃ−プロポキシ基、２，３−ジメチル−ｃ−プロポキシ基、１−エチル−ｃ−プロポキシ基、２−エチル−ｃ−プロポキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、１−メチル−ｎ−ペンチルオキシ基、２−メチル−ｎ−ペンチルオキシ基、３−メチル−ｎ−ペンチルオキシ基、４−メチル−ｎ−ペンチルオキシ基、１，１−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、１，２−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、１，３−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、２，２−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、２，３−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、３，３−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、１−エチル−ｎ−ブトキシ基、２−エチル−ｎ−ブトキシ基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロポキシ基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロポキシ基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロポキシ基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロポキシ基、ｃ−ヘキシルオキシ基、１−メチル−ｃ−ペンチルオキシ基、２−メチル−ｃ−ペンチルオキシ基、３−メチル−ｃ−ペンチルオキシ基、１−エチル−ｃ−ブトキシ基、２−エチル−ｃ−ブトキシ基、３−エチル−ｃ−ブトキシ基、１，２−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、１，３−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、２，２−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、２，３−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、２，４−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、３，３−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロポキシ基、２−ｎ−プロピル−ｃ−プロポキシ基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロポキシ基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロポキシ基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロポキシ基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロポキシ基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロポキシ基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロポキシ基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロポキシ基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロポキシ基及び２−エチル−３−メチル−ｃ−プロポキシ基等が挙げられる。
【００１１】
Ｃ１−６アルコキシカルボニル基としては、直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ３−６シクロアルコキシカルボニル基を含んでいてもよく、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｃ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｓ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｃ−ブトキシカルボニル基、１−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、１−メチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、３−メチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、１，２−ジメチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、２，２−ジメチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、１−エチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、ｃ−ペンチルオキシカルボニル基、１−メチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、２−メチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、３−メチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、１，２−ジメチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２，３−ジメチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、１−エチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−エチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、１−メチル−ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、２−メチル−ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、３−メチル−ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、４−メチル−ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、１，２−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、１，３−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、２，２−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、２，３−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、３，３−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、１−エチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、２−エチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、ｃ−ヘキシルオキシカルボニル基、１−メチル−ｃ−ペンチルオキシカルボニル基、２−メチル−ｃ−ペンチルオキシカルボニル基、３−メチル−ｃ−ペンチルオキシカルボニル基、１−エチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、２−エチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、３−エチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、１，２−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、１，３−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、２，２−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、２，３−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、２，４−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、３，３−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−ｎ−プロピル−ｃ−プロポキシカルボニル基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロポキシカルボニル基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基及び２−エチル−３−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基等が挙げられる。
【００１２】
Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基としては、直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ３−６シクロアルキルカルボニルオキシ基を含んでいてもよく、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｉ−プロピルカルボニルオキシ基、ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｉ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、３−メチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｃ−ペンチルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、３−メチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、１，２−ジメチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２，３−ジメチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−エチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、３−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、４−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１−エチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、２−エチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｃ−ヘキシルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｃ−ペンチルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｃ−ペンチルカルボニルオキシ基、３−メチル−ｃ−ペンチルカルボニルオキシ基、１−エチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、２−エチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、３−エチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、１，２−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、１，３−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、２，２−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、２，３−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、２，４−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、３，３−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−ｎ−プロピル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基及び２−エチル−３−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
【００１３】
Ｃ４−１２芳香族基としては、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基及びｐ−ビフェニリル基等が挙げられる。
【００１４】
次に、Ｒ１及びＲ２の各置換基における具体例について説明する。
【００１５】
Ｒ１の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｃ−プロピル、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ブチル基、１−メチル−ｃ−プロピル基、２−メチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ペンチル基、１−メチル−ｎ−ブチル基、２−メチル−ｎ−ブチル基、３−メチル−ｎ−ブチル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピル基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ペンチル基、１−メチル−ｃ−ブチル基、２−メチル−ｃ−ブチル基、３−メチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−プロピル基、２，３−ジメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチル−ｎ−ペンチル基、２−メチル−ｎ−ペンチル基、３−メチル−ｎ−ペンチル基、４−メチル−ｎ−ペンチル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、１−エチル−ｎ−ブチル基、２−エチル−ｎ−ブチル基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ヘキシル基、１−メチル−ｃ−ペンチル基、２−メチル−ｃ−ペンチル基、３−メチル−ｃ−ペンチル基、１−エチル−ｃ−ブチル基、２−エチル−ｃ−ブチル基、３−エチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，４−ジメチル−ｃ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、２−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロピル基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−３−メチル−ｃ−プロピル基、ｃ−ヘプチル基、ｃ−オクチル基、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、フェニル基、ｏ−メチルフェニル基、ｍ−メチルフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ｏ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｏ−ベンジルオキシフェニル基、ｍ−ベンジルオキシフェニル基、ｐ−ベンジルオキシフェニル基、ｏ−クロロフェニル基、ｍ−クロロフェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ｏ−ブロモフェニル基、ｍ−ブロモフェニル基、ｐ−ブロモフェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基及びベンジル基等が挙げられ、特に、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ペンチル基、ｃ−ヘキシル基、ｃ−ヘプチル基、フェニル基、ｐ−ベンジルオキシフェニル基、ｍ−メチルフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、β−ナフチル基、ｐ−ブロモフェニル基及び２−フリル基が挙げられる。
【００１６】
Ｒ２の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｃ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ブチル基、１−メチル−ｃ−プロピル基、２−メチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ペンチル基、１−メチル−ｎ−ブチル基、２−メチル−ｎ−ブチル基、３−メチル−ｎ−ブチル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピル基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ペンチル基、１−メチル−ｃ−ブチル基、２−メチル−ｃ−ブチル基、３−メチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−プロピル基、２，３−ジメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチル−ｎ−ペンチル基、２−メチル−ｎ−ペンチル基、３−メチル−ｎ−ペンチル基、４−メチル−ｎ−ペンチル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、１−エチル−ｎ−ブチル基、２−エチル−ｎ−ブチル基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ヘキシル基、１−メチル−ｃ−ペンチル基、２−メチル−ｃ−ペンチル基、３−メチル−ｃ−ペンチル基、１−エチル−ｃ−ブチル基、２−エチル−ｃ−ブチル基、３−エチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，４−ジメチル−ｃ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、２−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロピル基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−３−メチル−ｃ−プロピ基ル、ｃ−ヘプチル基、ｃ−オクチル基、フェニル基及びベンジル基等が挙げられ、特に、メチル基及びベンジル基が挙げられる。
【００１７】
好ましい式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物としては、以下のものが挙げられる。
１）Ｒ１がＣ１−２０アルキル基又はＣ４−１２芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基又はベンジルオキシ基で任意に置換されていてもよい。）である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
２）Ｒ２がＣ１−６アルキル基、又はＣ４−１２芳香族基で置換されたＣ１−６アルキル基である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
３）Ｒ１がＣ１−２０アルキル基又はＣ４−１２芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基又はベンジルオキシ基で任意に置換されていてもよい。）であり、Ｒ２がＣ１−６アルキル基、又はＣ４−１２芳香族基で置換されたＣ１−６アルキル基である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
４）Ｒ１がｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ペンチル基、ｃ−ヘキシル基、ｃ−ヘプチル基、フェニル基、ｐ−ベンジルオキシフェニル基、ｍ−メチルフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、β−ナフチル基、ｐ−ブロモフェニル基又は２−フリル基である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
５）Ｒ２がメチル基又はベンジル基である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
６）Ｒ１がｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ペンチル基、ｃ−ヘキシル基、ｃ−ヘプチル基、フェニル基、ｐ−ベンジルオキシフェニル基、ｍ−メチルフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、β−ナフチル基、ｐ−ブロモフェニル基又は２−フリル基であり、Ｒ２がメチル基又はベンジル基である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
【００１８】
本発明の触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒としては、通常の触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒を使用することができる。（非特許文献３参照。）
【００１９】
好ましい触媒としては、光学活性ホスフィン配位子を有する、周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体が挙げられる。
【００２０】
周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属としては、鉄、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム及び白金が挙げられるが、ルテニウム、ロジウム及びイリジウムが好ましい。
【００２１】
本発明に使用する光学活性ホスフィン配位子は全て光学活性体となる。
光学活性ホスフィン配位子としては、光学活性２座ホスフィン配位子が好ましい。
光学活性２座ホスフィン配位子としては、ＢＩＮＡＰ、ＢＩＰＨＥＭＰ、ＲＲＯＰＨＯＳ、ＤＥＧＵＰＨＯＳ、ＤＩＯＰ、ＤＩＰＡＭＰ、ＤｕＰＨＯＳ、ＮＯＲＰＨＯＳ、ＰＮＮＰ、ＳＫＥＷＰＨＯＳ、ＢＰＰＦＡ、ＳＥＧＰＨＯＳ、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ及びＨ８−ＢＩＮＡＰ等が挙げられる。
【００２２】
ＢＩＮＡＰとしては、ＢＩＮＡＰの誘導体も含まれ、具体例としては、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−三級ブチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｍ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−３，５−ジメチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−メトキシフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジシクロペンチルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−ジ（β−ナフチル）ホスフィノ−２’−ジフェニルホスフィノ−１，１’−ビナフチル及び２−ジフェニルホスフィノ−２’−ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ−１，１’−ビナフチル等が挙げられ、好ましくは、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル及び２，２’−ビス（ジ−ｐ−三級ブチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルが挙げられる。
【００２３】
ＢＩＰＨＥＭＰとしては、ＢＩＰＨＥＭＰの誘導体も含まれ、具体例としては、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメチル−４，４’−ビス（ジメチルアミノ）−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’，４，４’−テトラメチル−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’，３，３’−テトラメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’，４，４’−テトラメチル−３，３’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジ−ｐ−三級ブチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル及び２，２’，４，４’−テトラメチル−３，３’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジ−ｐ−メトキシフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニルが挙げられ、好ましくは２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニルが挙げられる。
【００２４】
その他の光学活性２座ホスフィン配位子及びその誘導体の例を以下に図示するが、これらに限定されるものではない。
【００２５】
本発明の触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒は、遷移金属化合物及び光学活性ホスフィン配位子より調製することができるが、必要に応じて配位可能な添加物を加えることもできる。
【００２６】
遷移金属化合物としては、ジ−μ−クロロテトラキス（シクロオクテン）２ロジウム、ジ−μ−クロロビス（１，５−シクロオクタジエン）２ロジウム及び１，５−シクロオクタジエンビス（アセトニトリル）ロジウムテトラフルオロホウ酸塩等のロジウム化合物、ジ−μ−クロロテトラキス（シクロオクテン）２イリジウム、ジ−μ−クロロビス（１，５−シクロオクタジエン）２イリジウム、ジ−μ−クロロテトラキス（エチレン）２イリジウム及び１，５−シクロオクタジエンビス（アセトニトリル）イリジウムテトラフルオロホウ酸塩等のイリジウム化合物、テトラクロロ（η−ベンゼン）２ルテニウム及びテトラクロロ［η−（ｐ−シメン）］２ルテニウム等のルテニウム化合物等が挙げられる。
【００２７】
添加物としては、配位可能な化合物で有れば特に限定はしないが、例えば、ルテニウム化合物を使用する場合は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等が好ましく、イリジウム化合物を使用する場合には、ヨウ素化合物が好ましい。
【００２８】
ヨウ素化合物の具体例としては、ヨウ化テトラメチルアンモニウム、ヨウ化テトラｎ−ブチルアンモニウム、ヨウ化ナトリウム及びヨウ化カリウム等が挙げられ、好ましくはヨウ化ナトリウムが挙げられる。
【００２９】
光学活性ホスフィン配位子の使用量は、光学活性２座ホスフィン配位子として、遷移金属化合物に対して１等量以上、好ましくは１〜２等量加えられ、より好ましくは、１．１〜１．５等量加えられる。
但し、遷移金属化合物と光学活性２座ホスフィン配位子が１：２の組成となる触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒においては、上述の２倍の使用量が用いられる。
又、光学活性単座ホスフィン配位子を使用する場合は、価数の関係上、上述の２倍の使用量が用いられる。
添加物を加える場合の使用量としては、触媒の組成比により一概には決定できないが、通常、遷移金属化合物の使用量に対して１〜１００等量の範囲、好ましくは、１〜１０等量の範囲である。
触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒を調製する場合は、通常、アルゴン等の不活性ガスの存在下で行うことが好ましい。
【００３０】
触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒のうち、ルテニウム触媒について、更に詳細に説明する。
ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体としては、ルテニウム−ＢＩＮＡＰ錯体、ルテニウム−ＢＩＰＨＥＭＰ錯体、ルテニウム−ＲＲＯＰＨＯＳ錯体、ルテニウム−ＤＥＧＵＰＨＯＳ錯体、ルテニウム−ＤＩＯＰ錯体、ルテニウム−ＤＩＰＡＭＰ錯体、ルテニウム−ＤｕＰＨＯＳ錯体、ルテニウム−ＮＯＲＰＨＯＳ錯体、ルテニウム−ＰＮＮＰ錯体、ルテニウム−ＳＫＥＷＰＨＯＳ錯体、ルテニウム−ＢＰＰＦＡ錯体、ルテニウム−ＳＥＧＰＨＯＳ錯体、ルテニウム−ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ錯体及びルテニウム−Ｈ８−ＢＩＮＡＰ錯体等が挙げられる。
【００３１】
以下、ルテニウム−ＢＩＮＡＰ錯体について詳細を記載するが、同様に他の光学活性ホスフィン配位子を用いてもよい。
ルテニウム−ＢＩＮＡＰ錯体としては、ＲｕＨＸ１（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）及びＲｕ２Ｃｌ４（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）２（Ｅｔ３Ｎ）［式中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれＣｌ、ＣｌＯ４、ＢＦ４、ＰＦ６、ＯＣＯＣＨ３、ＯＣＯＣＦ３、ＯＣＯ−ｔ−Ｂｕ又はＯＳＯ２ＣＦ３を意味し、Ｒ３−ＢＩＮＡＰは、
（式中、Ｒ３は、水素原子、メチル基又は三級ブチル基を意味し、絶対配置はＳ又はＲのどちらかを意味する。）を意味するが、該錯体は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、ＡｌＣｌ３、ＳｎＣｌ４、ＴｉＣｌ４又はＺｎＣｌ２で更に配位されていてもよい。］が挙げられ、具体的には、ＲｕＨＣｌ（ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＨＣｌ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＨＣｌ（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＨ（ＣｌＯ４）（ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＨ（ＣｌＯ４）（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＨ（ＢＦ４）（ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＨ（ＢＦ４）（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＨ（ＰＦ６）（ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＨ（ＰＦ６）（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＣｌ２（ＢＩＮＡＰ）、ＲｕＣｌ２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）、ＲｕＣｌ２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）、ＲｕＣｌ２（ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ、ＲｕＣｌ２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ、ＲｕＣｌ２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ、ＲｕＣｌ２（ＢＩＮＡＰ）（Ｃ６Ｈ６）ｎ、ＲｕＣｌ２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（Ｃ６Ｈ６）ｎ、ＲｕＣｌ２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）（Ｃ６Ｈ６）ｎ、Ｒｕ（ＣｌＯ４）２（ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＣｌＯ４）２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＣｌＯ４）２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＢＦ４）２（ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＢＦ４）２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＢＦ４）２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＰＦ６）２（ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＰＦ６）２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＦ３）２（ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＯＣＯ−ｔ−Ｂｕ）２（ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＦ３）２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（ＢＩＮＡＰ）（ＺｎＣｌ２）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（ＢＩＮＡＰ）（ＡｌＣｌ３）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（ＢＩＮＡＰ）（ＳｎＣｌ４）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（ＢＩＮＡＰ）（ＴｉＣｌ４）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ＺｎＣｌ２）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ＡｌＣｌ３）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ＳｎＣｌ４）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ＴｉＣｌ４）、Ｒｕ２Ｃｌ４（ＢＩＮＡＰ）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（ＢＩＮＡＰ）２（ＺｎＣｌ２）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（ＢＩＮＡＰ）２（ＡｌＣｌ３）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（ＢＩＮＡＰ）２（ＳｎＣｌ４）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（ＢＩＮＡＰ）２（ＴｉＣｌ４）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２（ＺｎＣｌ２）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２（ＡｌＣｌ３）２（Ｅｔ３Ｎ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２（ＳｎＣｌ４）２（Ｅｔ３Ｎ）及びＲｕ２Ｃｌ４（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２（ＴｉＣｌ４）２（Ｅｔ３Ｎ）［式中、ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、Ｔ−ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジ−ｐ−ｔ−ブチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、Ｅｔはエチル基を意味し、ｔ−Ｂｕは、ｔ−ブチル基を意味し、ｄｍｆは、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを意味し、ｎは１又は２を意味する。］等が挙げられる。
【００３２】
好ましい、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体としては、以下の１）、２）のものが挙げられる。
１）ＲｕＨＸ１（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）又はＲｕ２Ｃｌ４（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）２（Ｅｔ３Ｎ）［式中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれＣｌ、ＣｌＯ４、ＢＦ４、ＰＦ６、ＯＣＯＣＨ３、ＯＣＯＣＦ３、ＯＣＯ−ｔ−Ｂｕ又はＯＳＯ２ＣＦ３を意味し、Ｒ３−ＢＩＮＡＰは、
（式中、Ｒ３は、水素原子、メチル基又は三級ブチル基を意味し、絶対配置はＳ又はＲのどちらかを意味する。）を意味するが、該錯体は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、ＡｌＣｌ３、ＳｎＣｌ４、ＴｉＣｌ４又はＺｎＣｌ２で更に配位されていてもよい。］。
２）ＲｕＣｌ２（ＢＩＮＡＰ）、ＲｕＣｌ２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）、ＲｕＣｌ２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）、ＲｕＣｌ２（ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ、ＲｕＣｌ２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ、ＲｕＣｌ２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ、ＲｕＣｌ２（ＢＩＮＡＰ）（Ｃ６Ｈ６）ｎ、ＲｕＣｌ２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（Ｃ６Ｈ６）ｎ又はＲｕＣｌ２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）（Ｃ６Ｈ６）ｎ［式中、ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、Ｔ−ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジ−ｐ−ｔ−ブチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、ｄｍｆは、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを意味し、ｎは１又は２を意味する。］。
【００３３】
好ましい、１）のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体としては、
ＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）（式中、Ｘ２及びＲ３−ＢＩＮＡＰは前記と同じ意味を表わし、該錯体は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、ＡｌＣｌ３、ＳｎＣｌ４、ＴｉＣｌ４又はＺｎＣｌ２で更に配位されていてもよい。）が挙げられ、更に好ましいものとしては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド又はベンゼンで更に配位されたＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）（式中、Ｘ２がＣｌを表わし、Ｒ３−ＢＩＮＡＰは前記と同じ意味を表わす。）が挙げられる。
【００３４】
また、好ましい２）のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体としては、
ＲｕＣｌ２（ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ、ＲｕＣｌ２（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ又はＲｕＣｌ２（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ［式中、ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、Ｔ−ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジ−ｐ−ｔ−ブチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、ｄｍｆは、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを意味し、ｎは１又は２を意味する。］が挙げられ、更に好ましいものとしては、ＲｕＣｌ２（ＢＩＮＡＰ）（ｄｍｆ）ｎ［式中、ＢＩＮＡＰは、絶対配置がＳ又はＲの、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを意味し、ｄｍｆは、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを意味し、ｎは１又は２を意味する。］が挙げられる。
【００３５】
触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒のうち、イリジウム触媒について、更に詳細に説明する。
イリジウム−光学活性ホスフィン錯体としては、イリジウム−ＢＩＮＡＰ錯体、イリジウム−ＢＩＰＨＥＭＰ錯体、イリジウム−ＲＲＯＰＨＯＳ錯体、イリジウム−ＤＥＧＵＰＨＯＳ錯体、イリジウム−ＤＩＯＰ錯体、イリジウム−ＤＩＰＡＭＰ錯体、イリジウム−ＤｕＰＨＯＳ錯体、イリジウム−ＮＯＲＰＨＯＳ錯体、イリジウム−ＰＮＮＰ錯体、イリジウム−ＳＫＥＷＰＨＯＳ錯体、イリジウム−ＢＰＰＦＡ錯体、イリジウム−ＳＥＧＰＨＯＳ錯体、イリジウム−ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ錯体及びイリジウム−Ｈ８−ＢＩＮＡＰ錯体等が挙げられる。
【００３６】
好ましいイリジウム−光学活性ホスフィン錯体としては、イリジウム−ＢＩＮＡＰ錯体又はイリジウム−ＢＩＰＨＥＭＰ錯体が挙げられる。
イリジウム−ＢＩＮＡＰ錯体としては、ＢＩＮＡＰが、ＢＩＮＡＰ、Ｔ−ＢＩＮＡＰ又はｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰであるものが好ましく、また、前記錯体を調製する際、添加物としてヨウ素化合物を加えたものも好ましい。
また、イリジウム−ＢＩＰＨＥＭＰ錯体としては、ＢＩＰＨＥＭＰが２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ＭｅＯ−Ｂｉｐｈｅｐ）であるものが好ましく、更に、前記錯体を調製する際、添加物としてヨウ素化合物を加えたもの、特に、ヨウ素化合物として、ヨウ素化ナトリウム又はヨウ素化テトラｎ−ブチルアンモニウムを加えたものも好ましい。
【００３７】
更に、前記イリジウム−ＢＩＮＡＰ錯体又はイリジウム−ＢＩＰＨＥＭＰ錯体を調製する際、［Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２（式中、ｃｏｄは、１，５−シクロオクタジエンを意味する。）を加えたものも好ましく、特に、その調製の際、イリジウムの使用量に対し、１〜３等量のヨウ素化ナトリウムも添加物として使用したものが好ましい。
【００３８】
触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒のうち、ロジウム触媒について、更に詳細に説明する。
ロジウム−光学活性ホスフィン錯体としては、ロジウム−ＢＩＮＡＰ錯体、ロジウム−ＢＩＰＨＥＭＰ錯体、ロジウム−ＲＲＯＰＨＯＳ錯体、ロジウム−ＤＥＧＵＰＨＯＳ錯体、ロジウム−ＤＩＯＰ錯体、ロジウム−ＤＩＰＡＭＰ錯体、ロジウム−ＤｕＰＨＯＳ錯体、ロジウム−ＮＯＲＰＨＯＳ錯体、ロジウム−ＰＮＮＰ錯体、ロジウム−ＳＫＥＷＰＨＯＳ錯体、ロジウム−ＢＰＰＦＡ錯体、ロジウム−ＳＥＧＰＨＯＳ錯体、ロジウム−ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ錯体及びロジウム−Ｈ８−ＢＩＮＡＰ錯体等が挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
本発明の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法について説明する。
以下の式に示すように、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒及び酸の存在下において、水素で還元することにより、式（２）又は式（３）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を製造することができる。
【００４０】
通常、上記反応は溶媒中で行われる。
溶媒の種類としては、反応に関与しない溶媒であれば特に限定はしないが、例えば１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼン及び１，２−ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、２−ブタノール及びエチレングリコール等のアルコール系溶媒、酢酸並びに上記の溶媒の任意の混合溶媒が挙げられる。
【００４１】
好ましい溶媒としては、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、ハロゲン系溶媒とアルコール系溶媒の混合溶媒、ハロゲン系溶媒とエーテル系溶媒の混合溶媒、酢酸、酢酸とアルコール系溶媒の混合溶媒及び酢酸とエーテル系溶媒の混合溶媒が挙げられ、例えば、メタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、２−ブタノール、エチレングリコール、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、メタノール−塩化メチレン、ｎ−プロパノール−塩化メチレン、ｉ−プロパノール−塩化メチレン、ｎ−プロパノール−テトラヒドロフラン、酢酸、酢酸−ｉ−プロパノール及び酢酸−テトラヒドロフラン等が挙げられ、好ましくは、塩化メチレン、ｎ−プロパノール、ｎ−プロパノール−塩化メチレン及び酢酸等が挙げられる。
【００４２】
又、ルテニウム触媒を用いる場合は、塩化メチレン、ｎ−プロパノール、ｎ−プロパノール−塩化メチレン等が好ましく、イリジウム触媒を用いる場合は、酢酸を用いるのが好ましい。
【００４３】
触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒の使用量は、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の使用量に対して、０．０１〜１００モル％の範囲であるが、反応効率及びコスト的な観点から好ましくは、０．０１〜２０モル％の範囲、より好ましくは、０．１〜１０モル％の範囲、最も好ましくは、０．３〜５モル％の範囲が挙げられる。
【００４４】
式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を酸の存在する溶液に加えてもよいが、あらかじめ、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物と酸よりなる塩を調製し、その塩を溶液に加えることもできる。
α−アミノアシル酢酸エステル化合物の安定性の観点から、あらかじめ、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物と酸よりなる塩を調製し、その塩を溶液に加える方が好ましい。
【００４５】
使用する酸としては、好ましくは、強酸が挙げられる。
強酸の具体例としては、ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｈ２ＳＯ４、ＨＣｌＯ４、ＣＨ３ＳＯ３Ｈ、ＰｈＳＯ３Ｈ、ＴｓＯＨ、ＣＦ３ＳＯ３Ｈ及びＣＦ３ＣＯ２Ｈ等が挙げられ、好ましくは、ＨＣｌ及びＴｓＯＨが挙げられ、より好ましくは、ＨＣｌが挙げられる。
酸の使用量は、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の使用量に対して、０．８〜３モル等量の範囲であり、好ましくは、０．９〜２モル等量の範囲、より好ましくは、０．９〜１．５モル等量の範囲が挙げられる。
尚、上記の酸の使用量は、あらかじめ、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物と酸よりなる塩を調製して加える場合は、その塩に含まれる酸の量を含んだ全量を意味する。
【００４６】
又、反応系中に酢酸塩を添加することもできる。
酢酸塩としては、酢酸リチウム、酢酸ナトリウム及び酢酸カリウム等の酢酸アルカリ金属及び酢酸アンモニウム等が挙げられ、好ましくは、酢酸アルカリ金属が挙げられ、例えば、酢酸ナトリウムが挙げられる。
酢酸塩を添加する場合の使用量としては、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の使用量に対して、０．８〜５等量の範囲であり、好ましくは、０．８〜２等量の範囲である。
特に、イリジウム触媒を用いる場合は酢酸塩を添加するのが好ましい。
【００４７】
使用する水素は、通常水素ガスを使用する。
使用する水素の圧力は、通常１〜１５０気圧の範囲であるが、好ましくは１０〜１５０気圧、より好ましくは３０〜１００気圧の範囲である。
【００４８】
反応温度としては、０℃から溶媒の沸点までの範囲で反応を行うことができ、好ましくは１０〜１５０℃の範囲であり、より好ましくは３０〜１００℃の範囲である。
【００４９】
反応時間は、反応温度により変化するため一概に決定できないが、例えば、反応温度が５０℃の場合、４時間以上、１００℃の場合、３時間以上行えば充分である。
【００５０】
反応終了後は、溶媒を濃縮することにより、目的の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を塩として得ることができる。
又、反応液を塩基性とし、適当な溶剤で抽出することにより目的の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を得ることができる。
さらに、蒸留、再結晶及びシリカゲルカラムクロマトグラフィー等によって精製を行うことで、純度の高い純度の高い式（２）又は式（３）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を単離することができる。
【００５１】
本発明で得られる、式（２）又は式（３）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のジアステレオ選択性（ｄｅ：シン体とアンチ体の選択性）及びエナンチオ選択性（ｅｅ）は、得られた光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体をベンゾイル化した後、機器分析を行うことにより決定できる。
【００５２】
ベンゾイル化の方法を以下に示す。
即ち、式（２）又は式（３）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体又はその塩をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）中、ＮＥｔ３（トリエチルアミン）の存在下において、ＰｈＣＯＣｌ（ベンゾイルクロリド）と反応させることにより、式（２）又は式（３）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のベンゾイル化物を製造することができる。
得られたベンゾイル化物は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等で精製した後、１Ｈ−ＮＭＲ等により、ジアステレオ選択性（ｄｅ：シン体とアンチ体の選択性）を、又、光学活性カラムを用いたＨＰＬＣ分析等により、エナンチオ選択性（ｅｅ）を決定することができる。
【００５３】
原料となる、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物は、以下に示す方法により製造することができる。
即ち、酸無水物又はアシルクロリドとイソニトリル酢酸エステルを塩基（塩基としては、トリエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エン等が挙げられる。）の存在下において、縮合させて、オキサゾール化合物とした後、濃塩酸でオキサゾール環を開裂させることにより、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の塩酸塩を製造することができる。
得られた塩酸塩はそのまま次の還元反応に使用することもできるが、
塩基等で処理することにより、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物とすることもできる。
又、他の酸の塩を得るには、オキサゾール化合物を他の酸で開裂させるか又は塩酸塩を他の酸で塩交換する。
【００５４】
式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の塩酸塩は、以下に示す方法でも製造することができる。
即ち、グリシンをＴｓＯＨ（ｐ−トルエンスルホン酸）の存在下において、アルコールと脱水縮合させてエステルとした後、アミノ基をＢｏｃ２Ｏ（二炭酸ジ−ｔ−ブチル）でＢｏｃ化（ｔ−ブトキシカルボニル化）し、その後、ＫＨＭＤＳ（カリウムヘキサメチルジシラジド）で処理し、アシルクロリドを加えてアミド化した後、ＬＨＭＤＳ（リチウムヘキサメチルジシラジド）及びＤＭＰＵ（１，３−ジメチル−３，４，５，６−パーハイドロピリミジン−２−オン）で処理することにより転位反応を行いα−アミノアシル酢酸エステル化合物のＢｏｃ体を得た後、塩酸でＢｏｃを脱離させることにより、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の塩酸塩を製造することができる。
【実施例】
【００５５】
以下、本発明について、実施例を挙げて詳述するが、本発明はこれらの実施例になんら限定されるものではない。
【００５６】
参考例１ ２−シクロヘキシル−１−メトキシカルボニル−２−オキソ−エチル−アンモニウム；クロリドの製造
メチルイソシアノエート（３．１１ｇ）とシクロヘキサン酸無水物（８．２０ｇ，１．１当量）のＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）（１０．０ｍＬ）溶液にＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン）（４．７ｍＬ，１．０当量）を０℃下で滴下した。室温で１１時間攪拌した後、反応液を水で希釈し、ｎ−ヘキサン−酢酸エチル（５：１）で抽出を行ない、有機層を分離した。その後、有機層を、飽和食塩水、１ｍｏｌ／Ｌ塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水及び飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。その後、沈殿物をろ過し、そのろ液を減圧下において濃縮した。得られた粗物をｎ−ヘキサン−酢酸エチルから再結晶し、生成物（５．００ｇ，７５％）を得た。
融点９７．５−１０１℃
ＩＲ（ＫＢｒ）２９３１，２８５２，１７１９，１５９９，１１９９ｃｍ−１；
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．２６−１．８９（ｍ，１０Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−ＣＨ２），３．４５−３．４８（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），３．９１（ｓ，３Ｈ，ＣＯ２ＣＨ３），７．７４（ｓ，１Ｈ，ＯＣＨＮ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．７，２５．９，３０．６，３５．４，５１．９，１２５．２，１４８．６，１６２．６，１６４．１；
ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１１Ｈ１６ＮＯ３の計算値：２１０．１１３０（Ｍ＋−１）．
実測値：２１０．１１１９．
オキサゾール（１０ｍｍｏｌ）を濃塩酸（５．０ｍＬ）とメタノール（１５．０ｍＬ）に溶解した。溶液を５０℃で４時間攪拌した。その後、反応液を室温まで冷却し、濃縮した。残渣をジエチルエーテル中で粉砕し、α−アミノ−β−ケトエステルをろ取した。この固体を次工程にそのまま用いた。（収率：６７％）
ＩＲ（ＫＢｒ）２９３１，２８５６，１７５２，１７１９，１５６０，１５０８，１４５８，１２７６，１１４４ｃｍ−１；
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．１９−１．５０（ｍ，５Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），１．６６−１．８２（ｍ，４Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），２．１８−２．２０（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），２．９０−２．９５（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），３．９１（ｓ，３Ｈ，ＣＯ２ＣＨ３），５．５０（ｓ，ＣＯＣＨＮＨ３），８．９２（ｂｒ，ＣＯＣＨＮＨ３）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．０，２５．６，２５．７，２７．４，２９．２，４８．４，５４．２，６０．３，１６３．８，２０１．０；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１０Ｈ１８ＮＯ３の計算値：２００．１２８７（Ｍ＋−Ｃｌ）．実測値：２００．１２８２．
【００５７】
参考例２ １−メトキシカルボニル−３−メチル−２−オキソ−ブチル−アンモニウム；クロリドの製造
参考例１と同様にして対応するオキサゾールから目的化合物を得た。（収率：７９％）
ＩＲ（ＫＢｒ）２９７９，２６４２，１７５１，１７２０，１５０８，１４３８，１３８７，１２７５，１２３４，１０１３ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）δ１．１２（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．２４（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），３．１９−３．２８（ｓｅｐ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，１Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），３．９２（ｓ，３Ｈ，ＣＯ２ＣＨ３）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）δ１７．７，１９．１，３９．８，５４．６，１６５．３，２０３．６；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ７Ｈ１４ＮＯ３の計算値：１６０．０９７４（Ｍ＋−Ｃｌ）．実測値：１６０．０９７３．
【００５８】
参考例３ ｔ−ブトキシカルボニルアミノ酢酸ベンジルエステルの製造
グリシン（３５．０ｇ）、ＢｎＯＨ（ベンジルアルコール）（２３１ｍＬ）、ＴｓＯＨ・Ｈ２Ｏ（ｐ−トルエンスルホン酸１水和物）（１０６ｇ，１．２当量）のベンゼン（４６９ｍＬ）溶液を共沸脱水条件下で２９時間加熱還流させた。その後、反応液を室温まで冷却し、固体をろ取し、ジエチルエーテルで洗浄後、目的物２（１６８ｇ）を得た。この固体を精製なしに次工程に使用した。中間体２（１６８ｇ）をジオキサン−水に溶解し、炭酸水素ナトリウム（４７ｇ，１．２当量）、Ｂｏｃ２Ｏ（二炭酸ジ−ｔ−ブチル）（１１２ｇ，１．１当量）を加え、３時間攪拌した後、濃縮した。残渣を１ｍｏｌ／Ｌ硫酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、酢酸エチルで３回抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、濃縮した。残渣を、ジエチルエーテル−ヘキサンで晶析し、目的物３（１回目５４．３ｇ，２回目５１．２ｇ，３回目７．９ｇ；総量１１３．４ｇ，４２７ｍｍｏｌ，９２％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．４５（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３Ｃ），３．９６（ｄ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ２ＮＨ），５．００（ｂｒ，１Ｈ，ＣＨ２ＮＨ），５．１８（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．３４−７．３８（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）．
【００５９】
参考例４ ４ａの製造
原料３（１．０６ｇ，４．００ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（８．０ｍＬ）に溶解し−７８℃まで冷却した。続いてＫＨＭＤＳ（カリウムヘキサメチルジシラジド）（０．５Ｍ溶液９．０ｍＬ，１．１当量）を１０分かけて加えた後、同温度で２時間攪拌した。さらにイソブチリルクロリド（０．４６ｍＬ，１．１当量）を加え、同温度でさらに３時間攪拌した。その後、反応液を飽和塩化アンモニウムでクエンチし、酢酸エチル−ヘキサン（５：１）で３回抽出した。その有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、濃縮した。残渣をシリカゲルクロマトフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝３：１）で精製し、目的物４ａ（１．２６ｇ，９４％）を無色油状物で得た。
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））２９７８，１７４７，１６９８，１４５７，１３７０，１２１６，１１４８，１０２８ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．１７（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．４４（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３Ｃ），３．７２−３．７６（ｍ，１Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），４．４８（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｎ），５．１６（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．３２−７．３６（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１９．６，２７．８，３４．６，４５．６，６６．９，８３．７，１２８．４，１２８．５，１３５．４，１５２．１，１６８．９，１８０．２；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１８Ｈ２６ＮＯ５の計算値：３３６．１８１１（Ｍ＋＋１）．実測値：３３６．１８１１．
【００６０】
参考例５−９ ４ｂ−４ｆの製造
参考例４と同様の方法により４ｂ−４ｆを製造した。
４ｂ 無色油状物
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））２９６９，１７４７，１４５６，１３７０，１２１６，１１４９，１０３１ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９６（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），１．４３（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３Ｃ），１．６５−１．７０（ｍ，２Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），２．９１（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），４．５０（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｎ），５．１７（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．３２−７．３６（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１３．７，１８．４，２７．８，３９．８，４５．３，６６．９，８３．７，１２８．４，１２８．４，１２８．６，１３５．４，１５２．２，１６９．０，１７５．６；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１８Ｈ２６ＮＯ５の計算値：３３６．１８１１（Ｍ＋＋１）．実測値：３３６．１８０４．
４ｃ 無色油状物
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））２９７４，１７４７，１６９４，１４５６，１３３６，１１４８，１０１０ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．３５（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３ＣＣＯＮ），１．４４（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３ＣＯＣＯ），４．３３（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｎ），５．１６（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．３３−７．３６（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２７．１，２７．８，２７．９，４３．１，４８．３，６６．０，６６．９，８３．２，１２７．６，１２７．９，１２８．３，１２８．３，１２８．４，１２８．５，１３５．４，１５２．７，１６９．１，１８４．６；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１９Ｈ２８ＮＯ５の計算値：３５０．１９６７（Ｍ＋−１）．実測値：３５０．１９７６．
４ｄ
ＩＲ（ＫＢｒ）２９７１，２８７１，１７４６，１６９５，１４５５，１３７０，１１４８，１０４８，１０２７ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．４３（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３ＣＯＣＯ），１．５３−１．９４（ｍ，８Ｈ，ｃ−Ｐｅｎ−ＣＨ２），３．８０−３．８５（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｐｅｎ−ＣＨ），４．４９（ｓ，２Ｈ，ＣＨＮ），５．１６（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．３１−７．３７（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．９，２７．８，３０．４，４５．２，４５．７，６６．９，８３．５，１２８．４，１２８．５，１３５．４，１５２．１，１６９．０，１７９．１；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ３０Ｈ２８ＮＯ５の計算値：３６２．１９６７（Ｍ＋＋１）．実測値：３６２．１９３２．
４ｅ 白色固体
ＩＲ（ＫＢｒ）２９３１，２８５３，１７３７，１６９１，１４５０，１３６８，１３２３，１１９３，１１４６ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．２１−１．４２（ｍ，４Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−ＣＨ２），１．６７−１．８０（ｍ，４Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−ＣＨ２），１．９１−２．０５（ｍ，２Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−ＣＨ２），３．４６（ｔｔ，Ｊ＝３．３，１１．２Ｈｚ，ＣＨＣＯＮ），４．４７（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｎ），５．１５（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．３２−７．３６（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．７，２５．９，２７．８，２９．７，４４．４，４５．７，６６．９，８３．６，１２８．４，１２８．５，１３５．４，１５２．１，１６９．０，１７９．１；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２１Ｈ３０ＮＯ５の計算値：３７６．２１２４（Ｍ＋＋１）．実測値：３７６．２１４８．
４ｆ 白色固体
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））２９２９，２８５７，１７４１，１６９８，１４５７，１３３９，１１４９，１０４３ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．４４−１．６６（ｍ，１７Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−Ｈ，（ＣＨ３）３Ｃ），１．７２−１．７８（ｍ，２Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−Ｈ），１．９０−１．９７（ｍ，２Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−Ｈ），３．６４−３．７１（ｍ，１Ｈ，ＣＨＣＯＮ），４．４７（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２ＣＯ２ＣＨ２Ｐｈ），５．１６（ｓ，２Ｈ，ＣＨＣＯ２ＣＨ２Ｐｈ），７．３０−７．３８（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２６．５，２７．８，３１．６，４５．２，４５．６，６６．９，８３．５，１２８．４，１２８．５，１３５．４，１５２．１，１６９．０，１８０．１；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２２Ｈ３２ＮＯ５の計算値：３９０．２２８０（Ｍ＋＋１）．実測値：３９０．２２６６．
【００６１】
参考例１０ ５ａの製造
４ａのＴＨＦ（テトラヒドロフラン）溶液を−７８℃まで冷却した。この溶液にＤＭＰＵ（１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２−ピリミジノン）（２．０当量）とＬＨＭＤＳ（リチウムヘキサメチルジシラジド）（２．５当量）を１０分間かけて加え、同温度で２時間攪拌した後、反応液を飽和塩化アンモニウム水溶液でクエンチした。その後、酢酸エチル−ヘキサン（５：１）で３回抽出し、その有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、濃縮した。残渣をシリカゲルクロマトフィーで精製し、目的物５ａを無色油状物で得た。（収率：８５％）
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３４３１，２９７７，１７５９，１７１５，１４９６，１３６７，１２５１，１１６２ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９９（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．１４（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．４４（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３Ｃ），２．９４−２．９９（ｍ，１Ｈ，（ＣＨ３）３ＣＨ），５．１５−５．２９（ｍ，３Ｈ，ＣＨＮＨ，ＣＨ２Ｐｈ），５．７３（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．３１−７．３８（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１７．４，１８．７，２８．２，３８．４，６２．１，６８．０，８０．５，１２８．４，１２８．６，１３４．７，１５４．８，１６６．７，２０５．１；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１８Ｈ２６ＮＯ５の計算値：３３６．１８１１（Ｍ＋＋１）．実測値：３３６．１８１６．
【００６２】
参考例１１−１５ ５ｂ−５ｆの製造
参考例１０と同様の方法により５ｂ−５ｆを製造した。
５ｂ 無色油状物
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３４３２，２９７０，１７５９，１７１５，１４９６，１３６８，１２５３，１１６３ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．８３（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），１．４４（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３ＣＯ），１．５２−１．６２（ｍ，２Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），２．５２−２．６０（ｍ，２Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），５．０５（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），５．１６（ｄ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．２９（ｄ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．７４（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．３１−７．３８（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１３．４，１６．８，１９．５，２７．８，２８．２，４２．４，６３．７，６８．０，８０．５，１２８．４，１２８．６，１３４．７，１５４．９，１６６．６，２０１．０；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１８Ｈ２６ＮＯ５の計算値：３３６．１８１１（Ｍ＋１）．実測値：３３６．１７８８．
５ｃ
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３３７６，２９７７，１７５８，１７１３，１５０４，１３６８，１３２６，１２５２，１１６２ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．１８（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３ＣＣＯＣＨ），１．４３（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３ＣＯＣＯ），５．１５（ｄ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．２０（ｄ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．５２（ｍ，２Ｈ，ＣＯＣＨＮＨ），７．２９−７．３７（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２６．１，２８．２，４４．７，５７．０，６７．７，８０．６，１２８．３，１２８．５，１２８．６，１５４．８，１６７．６，２０８．０；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１９Ｈ２８ＮＯ５の計算値：３５０．１９６７（Ｍ＋−１）．実測値：３５０．１９１３．
５ｄ
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３４３０，２９６７，２８７１，１７５９，１７１４，１４８９，１３６７，１２５４，１１６２ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．３４−１．９４（ｍ，１７Ｈ，ｃ−Ｐｅｎ−ＣＨ２，（ＣＨ３）３ＣＯ），３．１４−３．１８（ｍ，１Ｈ，ＣＨＣＯＣＨＮＨ），５．１３−５．１７（ｍ，２Ｈ，ＣＨＮＨ，ＣＨ２Ｐｈ），５．２９（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．７６（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．３５−７．３８（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２６．０，２６．０，２８．２，２８．５，３０．３，４８．８，６３．５，６７．９，８０．５，１２８．６，１３４．８，１５４．８，１６６．８，２０３．７；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２０Ｈ２８ＮＯ５の計算値：３６２．１９６７（Ｍ＋＋１）．実測値：３６２．１９３３．
５ｅ
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３４３１，２９７８，２９３２，２８５６，１７５５，１７１３，１４９５，１４５３，１３６８，１３３７，１２５１，１１６１ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．０５−１．９２（ｍ，１９Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−ＣＨ２，（ＣＨ３）３ＣＯ），２．６４−２．６８（ｍ，１Ｈ，ＣＨＣＯＣＨＮＨ），５．１４（ｄ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．１８（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），５．３１（ｄ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．７３（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．３１−７．３６（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．０，２５．５，２５．７，２７．６，２８．３，２９．１，４８．２，６２．３，６８．０，８０．５，１２８．６，１２８．７，１３４．８，１５４．９，１６６．７，２０４．０；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２１Ｈ３０ＮＯ５の計算値：３７６．２１２４（Ｍ１＋１）．実測値：３７６．２１１８．
５ｆ
ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３４２９，２９７８，２９２８，２８５８，１７５４，１７１３，１４９２，１３６７，１３３８，１２５４，１１６３ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．２４−１．９３（ｍ，２１Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−ＣＨ２，（ＣＨ３）３Ｃ），２．８８（ｓ，１Ｈ，ＣＨＣＯＣＨＮＨ），５．１４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，ＣＨ２Ｐｈ），５．１８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，ＣＨＣＯＣＨＮＨ），５．３０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，ＣＨ２Ｐｈ），５．７３（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＣＯＣＨＮＨ），７．３５−７．３８（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２６．２，２６．５，２８．０，２８．１，２８．２，２９．１，３０．３，４９．４，６２．４，６７．９，８０．４，１２８．５，１２８．６，１３４．８，１５４．９，１６６．７，２０４．４；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２２Ｈ３２ＮＯ５の計算値：３９０．２２８０（Ｍ＋−１）．実測値：３９０．２２６３．
【００６３】
参考例１６ ６ａの製造
５ａを４ｍｏｌ／Ｌの塩酸−ジオキサンに溶解し、室温下で４４時間攪拌した後、その反応液を濃縮した。残渣をジエチルエーテル中で粉砕し、目的物６ａをろ取した。この固体を次工程にそのまま用いた。（収率：９７％）
ＩＲ（ＫＢｒ）３４０３，２９７２，２９３６，２６５４，１７６２，１７３６，１５２３，１２６７ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９６（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．２２（ｄ，Ｊ＝６．７Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），３．０３−３．０９（ｍ，１Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），５．２４（ｄ，Ｊ＝１１．６Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．３３（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．４７（ｓ，１Ｈ，ＣＯＣＨＮ），７．３２−７．３８（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），９．００（ｂｒ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１７．１，１８．９，３８．９，６０．４，６７．０，６９．２，１２８．６，１２８．７，１２８．８，１３４．１，１６３．３，２０２．１；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１３Ｈ１８ＮＯ３の計算値：２３６．１２８７（Ｍ＋−Ｃｌ）．実測値：２３６．１２７２．
【００６４】
参考例１７−２１ ６ｂ−６ｆの製造
参考例１６と同様の方法により６ｂ−６ｆを製造した。
６ｂ
ＩＲ（ＫＢｒ）２９６８，２９３５，２５９９，１７５０，１７２５，１４５９，１２８０，１２２６，１１４７ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）δ０．８４（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），１．５０−１．６２（ｍ，２Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），２．６４−２．８０（ｍ，２Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ），５．３２（ｄ，Ｊ＝１１．６Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．４１（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．３６−７．４６（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）δ１３．６，１７．６，４３．４，７０．２，１２９．８，１３０．１，１３５．８，１６４．７，１９９．２；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１３Ｈ１８ＮＯ５の計算値：２３６．１２８７（Ｍ＋−Ｃｌ）．実測値：２３６．１２７５．
６ｃ
ＩＲ（ＫＢｒ）２９７１，２９００，２８６７，１７４７，１７１８，１５４３，１５０８，１２６５，１２３９ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．２０（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３Ｃ），５．２５（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．６２（ｓ，１Ｈ，ＣＯＣＨＮ），７．３０−７．３７（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），９．００（ｂｒ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２６．６，４４．９，５６．７，６９．２，１２８．６，１２８．７，１２８．９，１３４．０，１６３．６，２０４．４；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１４Ｈ２０ＮＯ３の計算値：２５０．１４４３（Ｍ＋−Ｃｌ）．実測値：２５０．１４３８．
６ｄ
ＩＲ（ＫＢｒ）２９５１，１７４６，１７２０，１５０８，１４５８，１２６９，１２０７ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．４４−２．０２（ｍ，８Ｈ，ｃ−Ｐｅｎ−Ｈ），１．９６−２．０２（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｐｅｎ−Ｈ），５．２４（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．３３−５．３６（ｍ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ，ＣＯＣＨＮＨ３），７．２６−７．３９（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），９．００（ｂｒ，ＣＯＣＨＮＨ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．９，２６．０，２８．３，３０．６，４９．１，６１．６，６９．２，１２８．６，１２８．７，１２８．８，１３４．２，１６３．３，２００．７；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１５Ｈ２０ＮＯ３の計算値：２６２．１４４３（Ｍ＋−Ｃｌ）．実測値：２６２．１４４５．
６ｅ
ＩＲ（ＫＢｒ）２９３１，２８５４，１７４７，１７１９，１５０９，１２６６ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９７−１．３６（ｍ，５Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），１．４８−１．６２（ｍ，３Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），１．６９−１．７２（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），２．１１−２．１４（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），２．７８（ｔｔ，Ｊ＝３．２，１１．６Ｈｚ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），５．２１（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．３８（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．５３（ｓ，１Ｈ，ＣＯＣＨＮＨ３），７．３０−７．３９（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），８．９３（ｂｒ，ＣＯＣＨＮＨ３）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２４．９，２５．５，２５．６，２７．２，２９．１，４８．３，６０．６，６９．２，１２８．６，１２８．８，１２８．９，１３４．２，１６３，３，２００．８；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１６Ｈ２２ＮＯ３の計算値：２７６．１６００（Ｍ＋−Ｃｌ）．実測値：２７６．１６０２．
６ｆ
ＩＲ（ＫＢｒ）２９２７，２６２４，１７４６，１７２０，１５０９，１４５９，１２８１，１１９８，１１１９ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．１５−１．１８（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−Ｈ），１．４５−１．５７（ｍ，１０Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−Ｈ），２．９３−２．９７（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−Ｈ），５．２１（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．３８（ｄ，Ｊ＝１３．２Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．４０（ｓ，１Ｈ，ＣＯＣＨＮＨ３），７．３１−７．３９（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），９．０１（ｂｒ，ＣＯＣＨＮＨ３）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００Ｈｚ，ＣＤＣｌ３）δ２６．１，２６．５，２７．９，２８．１，２８．８，３０．３，４９．５，６０．７，６９．２，１２８．６，１２８．８，１２８．９，１３４．２，１６３．３，２０１，１；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１７Ｈ２４ＮＯ３の計算値：２９０．１７５６（Ｍ＋−Ｃｌ）．実測値：２９０．１７６５．
【００６５】
参考例２２
オキサゾール（１０２．８ｍｇ）のメタノール（３．０ｍＬ）溶液にＴｓＯＨ・Ｈ２Ｏ（ｐ−トルエンスルホン酸１水和物）（２３０．０ｍｇ）を加え、２５時間加熱還流した。この溶液を濃縮した後、ジエチルエーテル中で粉砕した。この粗物を精製せずに次工程に用いた。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．０３（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．１１（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），２．３４（ｓ，３Ｈ，Ａｒ−ＣＨ３），３．０６（ｓｅｐ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），５．３６（ｓ，１Ｈ，ＣＨＮＨ２），７．１３（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．７０（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），８．４６（ｓ，２Ｈ，ＣＨＮＨ２）．
【００６６】
参考例２３ ６ｇの製造
メチルイソシアノエート（２．９７ｇ，３０ｍｍｏｌ），ベンゾイルクロリド（２．９７ｇ，３０ｍｍｏｌ），ＴＥＡ（トリエチルアミン）（１２．６ｍｌ，９０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）（５０ｍｌ）に加え、室温下で４８時間攪拌した。その後、減圧下において溶媒を留去し、残渣に酢酸エチル（１００ｍｌ）を加え、水、１ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ（５０ｍｌ）、飽和ＮａＨＣＯ３（５０ｍｌ）、飽和食塩水（５０ｍｌ）で順次洗浄した。溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、沈殿物を濾去し、減圧下において溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（１００ｇ，酢酸エチル：ｎ−ヘキサン＝１：５）で精製し、オキサゾール化合物（４．０７ｇ，２０ｍｍｏｌ，６７％）を無色固体で得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ３．９６（ｓ，３Ｈ），７．４５〜７．５３（３Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．９２（ｓ，１Ｈ，ｏｘａｚｏｌｅ−Ｈ），８．００〜８．１２（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ）
ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：３１０８，１７１７，１５８２，１５６１，１５１６，１４９５，１４３３，１３５４，１３２５，１３１２，１２２１，１１９５，１１０９，１０８７，１０６８，１０１０，９３６，７６７，６８８．
オキサゾール化合物（２．２６ｇ，１１．１ｍｍｏｌ）を４ｍｏｌ／Ｌ塩酸−ジオキサン（１８ｍｌ）及びメタノール（１８ｍｌ）に溶解し、６０℃で２４時間攪拌した。その溶液を室温まで冷却した後、濃縮した。残渣をメタノールに溶解した後、再度濃縮した。この操作を５回繰り返し、完全に残留塩酸を除去した後、得られた固体をエーテルで洗浄し、ろ取した。この固体を酢酸エチルとメタノールから再結晶し、化合物６ｇ（１．４２ｇ，６．２ｍｍｏｌ，５６％）を無色固体で得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ３．７７（ｓ，３Ｈ），７．６０（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），７．７７（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）８．１７（ｄｄ，Ｊ＝１．６，８．８Ｈｚ２Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ（ｐｐｍ）５４．６，１３０．１，１３１．０，１３４．９，１３６．３，１６５．４，１９０．０；ＦＡＢＭＳ（ＮＢＡ）ｍ／ｚ：１９４（Ｍ−Ｃｌ−）−；ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：３４４１，２８４０，１７３９，１６８８，１５９７，１２７４，１２１７，６８４．
【００６７】
参考例２４ ６ｈの製造
参考例２３と同様にして対応するオキサゾールから目的化合物（６ｈ）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ３．７７（ｓ，３Ｈ），５．２３（ｓ，２Ｈ），６．０４（ｓ，１Ｈ），７．１〜７．５（ｍ，７Ｈ，Ａｒ−Ｈ），８．１４（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ（ｐｐｍ）５４．５，５８４，７１．５，１１６．２，１２７．８，１２８．７，１２９．３，１２９．７，１３３．６，１３７．７，１６５．８，１６６．０，１８７．９；ＦＡＢＭＳ（ＮＢＡ）ｍ／ｚ：３００（Ｍ−Ｃｌ−）＋；ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：３４４５，２９６９，１７５９，１６８５，１６０３，１５０９，１２７６，１２５４，１２２２，１１７６，１０７５，８３２，７４３，６９７．
【００６８】
参考例２５−２９ ６ｉ−６ｍの製造
参考例２３と同様の操作を行うことにより化合物６ｉ−６ｍを製造した。
尚、各化合物の構造は、以下の通りとなる。
６ｉ：Ｒ＝ｐ−メチルフェニル基
６ｊ：Ｒ＝ｍ−メチルフェニル基
６ｋ：Ｒ＝β−ナフチル基
６ｌ：Ｒ＝２−フリル基
６ｍ：Ｒ＝ｐ−ブロモフェニル基
各化合物の機器データを以下に示す。
６ｉ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ２．４７（ｓ，３Ｈ），３．７７（ｓ，３Ｈ），６．０９（ｓ，１Ｈ），７．４２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），８．０５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ２１．８，５４．５，５８．７，１３０．７，１３１．２，１３２．４，１４８，０，１６５．６，１８９．３；ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：２９９５，２８２６，２６２６，１７３９，１６８５，１６０４，１５０５，１４３４，１２７６，１２２０，１１７９，１０７４，９６８，９４２，８６３．
６ｊ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ２．４５（ｓ，３Ｈ），３．８１（ｓ，３Ｈ），６．１１（ｓ，１Ｈ），７．４〜７．６（２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．９〜８．０（２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ２１．３，５４．６，５８．８，１２８．３，１３０．０，１３１．２，１３５．０，１３７．０，１４０，３，１６５．５，１９０．１；ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：３００４，２８１３，２６２６，１７３７，１６８５，１６０２，１５１１，１４３４，１２７５，１２２８，１１６８，１０７２，９４８，８８９，８６６，７８５，６８５．
６ｋ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ３．７５（ｓ，３Ｈ），６．３０（ｓ，１Ｈ），７．６〜７．７５（２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．９〜８．１５（４Ｈ，ＡｒＨ），８．８２（１Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ５４．６，５８．７，１２５．０，１２８．５，１２９．０，１２９．９，１３１．０，１３１．２，１３２．２，１３３．８，１３４．３，１３７．８，１６５．６，１８９．９；ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：３４４０，２８１９，１７３９，１６８８，１６２２，１５９４，１５０２，１４３４，１２８０，１２３６，１１７４，１００８，９３７，８１１，７６０．
６ｌ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ３．８２（ｓ，３Ｈ），５．７８（ｓ，１Ｈ），６．８０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１．６，４．０Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．７１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．０Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），８．００（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ５４．７，５８．４，１１４．６，１２４．１，１５１．２，１５１．３，１６５．５，１７７．１；ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：３４３０，２９７３，２６３７，１７５２，１６７９，１５９０，１５７０，１５０４，１４６４，１４０４，１２８５，１２５２，１１５５，１０８８，１０７９，１０３６，１０２３，９９１，９５１，９１０，８７６，８４１，７６９．
６ｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ３．７８（ｓ，３Ｈ），６．１１（ｓ，１Ｈ），７．７９（２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），８．０５（２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）：δ５４７，５８９，１３１．５，１３２．６，１３３．４，１３３．９，１６５．２，１８９．３；ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：２８１０，１７３８，１６８９，１５８６，１４９７，１４３３，１４０５，１２７５，１２１３，１１７６，１１３４，１１７５，９６６，９４０，８６４，８１６，７６４，６７６．
【００６９】
実施例１ β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造
アルゴン雰囲気下において、［ＲｕＣｌ２（Ｃ６Ｈ６）］２（１０．１ｍｇ）と（Ｓ）−ＢＩＮＡＰ（２５．３ｍｇ）およびＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）４００μＬをシュレンクチューブ中で混合した。この混合溶液を脱気した後、１００℃で１０分攪拌した。混合溶液の温度を室温まで下げた後、５０℃で２．５時間減圧乾燥させ、赤茶色の［ＲｕＣｌ２（Ｓ）−ＢＩＮＡＰ］（ｄｍｆ）ｎを、触媒として得た。参考例２で製造した１−メトキシカルボニル−３−メチル−２−オキソ−ブチル−アンモニウム；クロリド（１６９．２ｍｇ）をメタノール（２．０ｍＬ）に溶解し、脱気した後、その溶液を、上記触媒にアルゴン置換したカニューラで加えた。（残渣をメタノール１．０ｍｌで洗浄し、同様に加えた）溶液を、水素（１００ａｔｍ）中で５０℃において４８時間攪拌した。その後、反応液を濃縮し、目的物を得た。
得られた粗物を、ベンゾイル化し、機器分析することによりｄｅ及びｅｅを決定した。ｄｅは、１Ｈ−ＮＭＲにより決定し、ｅｅは、ＨＰＬＣにより決定した。
ベンゾイル化
得られた粗物をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）（１．７ｍＬ）に溶解した。続いてＢｚＣｌ（ベンゾイルクロリド）（１１０μＬ）とＴＥＡ（トリエチルアミン）（３８０μＬ）を０℃で溶液に加えた。室温で１時間攪拌した後、反応液に水、酢酸エチル及びヘキサンを加え、反応を停止させた。つづいて分液を行い、その有機層を１ｍｏｌ／Ｌ塩酸溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。その後、ろ過し、濃縮を行った。続いてこの残渣をシリカゲルクロマトグラフフィー（酢酸エチル：ｎ−ヘキサン＝１：３）で分取精製し、目的物（１６２．１ｍｇ，２工程７１％，ｄｅ９８％，５６％ｅｅ）を得た。ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝８５／１５，流速：０．５ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 １０．６分，２Ｓ，３Ｓ体 １５．６分．
［α］Ｄ２５＋３５．４（０．９９，ＣＨＣｌ３）；ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３４１７，２９６２，１７４７，１６３３，１５３８，１４５５，１３７２，１０６２，１０１１ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．０２（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．０５（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．７７（ｓｅｐ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，１Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），２．９１（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．６２（ｄｔ，Ｊ＝３．３，８．６Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．８２（ｓ，３Ｈ，ＣＯ２ＣＨ３），４．９７（ｄｄ，Ｊ＝３．３，７．３Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．１４（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，１Ｈ，ＮＨ），７．４４−７．４８（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．５２−７．５６（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．８２−７．８５（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１４Ｈ２０ＮＯ４の計算値：２６６．１３９２（Ｍ＋−１）．実測値：２６６．１４０８．
【実施例２】
【００７０】
原料の塩酸塩を参考例２２で製造したトシル酸塩に変更し、触媒の使用量を６．７ｍｏｌ％とした事以外は実施例１と同様の操作を行うことにより目的物を得た。（収率：７２％（２工程合計）、ｄｅ：９４％、ｅｅ：２２％）
【００７１】
実施例３−１１ 溶媒の効果
溶媒を種々変更した事以外は実施例１と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。尚、触媒の使用量は、基質に対して３．８−４．６ｍｏｌ％の範囲であった。又、収率は２工程の合計で示した。
【実施例１２】
【００７２】
基質を参考例１で製造した２−シクロヘキシル−１−メトキシカルボニル−２−オキソ−エチル−アンモニウム；クロリドに変更し、溶媒を塩化メチレンに変更した事以外は実施例１と同様の操作を行うことにより、目的物を得た（収率：８４％（２工程合計）、ｄｅ：９５％、ｅｅ：９６％）。
［α］Ｄ２６＋３５．５（１．０７，ＣＨＣｌ３）；融点９４−９７℃；ＩＲ（ＫＢｒ）３５４５，３４９３，３２８１，２９２７，２８５４，１７３９，１６３０，１５４２，１３６３，１２３０，１２０９ｃｍ−１；
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９７−１．３０（ｍ，５Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），１．４２−１．５１（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），１．６５−１．８４（ｍ，４Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），２．０３−２．０６（ｍ，１Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−Ｈ），２．９４（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．６８（ｄｔ，Ｊ＝３．２，８．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．８２（ｓ，３Ｈ，ＣＯ２ＣＨ３），４．９７（ｄｄ，Ｊ＝３．２，７．６Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．１８（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，ＮＨ），７．４４−７．４７（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．５１−７．５６（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．８２−７．８４（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ１７Ｈ２４ＮＯ４の計算値：３０６．１７０５（Ｍ＋＋１）．実測値：３０６．１７２４．
ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝８５／１５，流速：０．５ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 １１．２分，２Ｓ，３Ｓ体 １５．３分．
【実施例１３】
【００７３】
アルゴン雰囲気下において、［ＲｕＣｌ２（Ｃ６Ｈ６）］２（１０．３ｍｇ）と（Ｓ）−ＢＩＮＡＰ（２７．３ｍｇ）およびＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）４００μＬをシュレンクチューブ中で混合した。この混合溶液を脱気した後、１００℃で１０分攪拌した。混合溶液の温度を室温まで下げた後、５０℃で２．５時間減圧乾燥させ、赤茶色の（Ｓ）−ＢＩＮＡＰ−Ｒｕ（ＩＩ）を、触媒として得た。６ａ（２７１．８ｍｇ）を塩化メチレン（２．５ｍＬ）に溶解し、脱気した後、上記触媒にアルゴン置換したカニューラで加えた。（残渣を塩化メチレンで０．５ｍｌで洗浄し、同様に加えた）溶液を、水素（１００ａｔｍ）中で５０℃において４８時間攪拌した。その後、反応液を濃縮し、目的物を得た。
得られた粗物を、ベンゾイル化し、機器分析することによりｄｅ及びｅｅを決定した。ｄｅは、１Ｈ−ＮＭＲにより決定し、ｅｅは、ＨＰＬＣにより決定した。
ベンゾイル化
得られた粗物をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）（２．０ｍＬ）に溶解した。続いてＢｚＣｌ（ベンゾイルクロリド）（１３０μＬ）とＴＥＡ（トリエチルアミン）（４４０μＬ）を０℃で溶液に加えた。室温で１時間攪拌した後、反応液を水、酢酸エチル及びヘキサンを加え、反応を停止させた。続いて分液を行い、その有機層を１ｍｏｌ／Ｌ塩酸、炭酸水素ナトリウム水溶液で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。その後、ろ過し、濃縮を行った。続いてこの残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル：ｎ−ヘキサン＝１：２）で分取精製し、目的物を得た（収率：８７％（２工程合計）、ｄｅ：＞９９％、ｅｅ：９６％）。
ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝９０／１０，流速：０．５ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 ２１．６分，２Ｓ，３Ｓ体 ３０．３分．
［α］Ｄ２４＋３３．９（１．００，ＣＤＣｌ３）；融点９５．５−９６℃；ＩＲ（ＫＢｒ）３４１４，２９６１，２９３５，２８５８，１７４９，１６４７，１５１９，１１９２，１０６４ｃｍ−１；
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９５（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．１３（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），１．７１（ｍ，１Ｈ，（ＣＨ３）２ＣＨ），２．９２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．６３（ｄｔ，Ｊ＝３．１，８．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），４．９９（ｄｄ，Ｊ＝３．３，７．３Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），５．２３（ｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２−Ｐｈ），５．２９（ｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２−Ｐｈ），７．１４（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．３４−７．３９（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．４３−７．４７（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．５２−７．５６（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．８１−７．８３（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１８．９，１９．０，３１．５，５６．２，６７．６，７８．９，１２７．２，１２８．４，１２８．６，１２８．７，１３２．０，１３３．４，１３４．９，１６７．５，１７０．８；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２０Ｈ２４ＮＯ４の計算値：３４２．１７０５（Ｍ＋−１）．実測値：３４２．１６８２．Ｃ２０Ｈ２３ＮＯ４の元素分析計算値：Ｃ，７０．３６；Ｈ，６．７９；Ｎ，４．１０．実測値：Ｃ，７０．２６；Ｈ，６．８２；Ｎ，４．０６．
【００７４】
実施例１４−１６ 溶媒の効果
溶媒の種類及び触媒の使用量を変更した事以外は実施例１３と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。収率は２工程の合計で示した。
【００７５】
実施例１７−２０ 反応時間の検討
反応時間を変更した事以外は実施例１３と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。尚、触媒の使用量は、基質に対して３．９−４．１ｍｏｌ％の範囲であった。又、収率は２工程の合計で示した。
【実施例２１】
【００７６】
溶媒をジクロロエタン（（ＣＨ２Ｃｌ）２）に、反応温度を１００℃に、反応時間を３時間に変更した事以外は実施例１３と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。収率は２工程の合計で示した（収率：９０％（２工程合計）、ｄｅ：９３％、ｅｅ：９２％）。
【００７７】
実施例２２−３２
基質及び溶媒を変更した事以外は実施例１３と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。収率は２工程の合計で示した。
Ｒ＝ｎ−プロピル基
［α］Ｄ２２＋１４．８（１．０１，ＣＨＣｌ３）；融点９７−９９℃；ＩＲ（ＫＢｒ）３３５４，２９５８，２８６７，１７３７，１６２９，１５７８，１５３４，１２５４，１２２１ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．８５（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，３Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２），１．２８−１．５６（ｍ，４Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２），３．２９（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），４．０５−４．１０（ｍ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），４．９３（ｄｄ，Ｊ＝３．２，６．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），５．２１（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．３１（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．１４（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．２６−７．５６（ｍ，８Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．８２−７．８４（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１３．８，１８．９，３５．３，５８．３，６７．７，７３．１，１２７．２，１２８．２，１２８．４，１２８．７，１３２．１，１３３．３，１３４．９，１６８．０，１７０．３；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２０Ｈ２４ＮＯ４の計算値：３４２．１７０５（Ｍ＋＋１）．実測値：３４２．１６９９．
ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝９０／１０，流速：０．５ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 ２６．６分，２Ｓ，３Ｓ体 ３２．３分．
Ｒ＝ｔ−ブチル基
［α］Ｄ２２＋２３．９（１．００，ＣＨＣｌ３）；ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３３７３，３０６４，３０３３，２９５８，２９０８，２８７２，１７３１，１６４４，１５３８，１４８７，１１７７，１０７８ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９５（ｓ，９Ｈ，（ＣＨ３）３Ｃ），３．３３（ｄ，Ｊ＝１０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．６７（ｄｄ，Ｊ＝３．２，９．６Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），５．０２（ｄｄ，Ｊ＝３．２，７．６Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），５．２０（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．２４（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．１０（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．３４−７．４０（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．４３−７．４７（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．５１−７．５５（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．７８−７．８１（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２６．０，３５．４，５４．５，６７．６，８１．１，１２７．１，１２８．５，１２８．６，１３２．０，１３３．４，１３４．６，１６７．３，１７１．１；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２１Ｈ２６ＮＯ４の計算値：３５６．１８６２（Ｍ＋＋１）．実測値：３５６．１８２７．
ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＡＤ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝９０／１０，流速：１．０ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 ２６．８分，２Ｓ，３Ｓ体 １７．８分．
Ｒ＝シクロペンチル基
［α］Ｄ２４＋２０．５（１．００，ＣＨＣｌ３）；融点１０９−１１１℃；ＩＲ（ＫＢｒ）３４１４，３３４２，２９３８，２８６７，１７４６，１６４４，１５２１，１４８８，１１９５ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．３８−１．８８（ｍ，９Ｈ，ｃ−Ｐｅｎ−Ｈ），２．９５（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．７８（ｄｔ，Ｊ＝２．８，８．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），４．９２（ｄｄ，Ｊ＝２．８，７．２Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），５．２１（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．３１（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．１９（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．３４−７．３９（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．４３−７．４７（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．５１−７．５６（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．８１−７．８４（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．１，２５．５，２９．０，２９．８，４３．５，５７．３，６７．５，７８．０，１２７．２，１２８．４，１２８．６，１３２．０，１３３．４，１３５．０，１６７．６，１７０．５；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２２Ｈ２６ＮＯ４の計算値：３６８．１８６２（Ｍ−＋１）．実測値３６８．１８７０．
ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＡＤ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝９０／１０，流速：１．０ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 ２５．２分，２Ｓ，３Ｓ体 ２８．９分．
Ｒ＝シクロヘキシル基
融点１２５−１２７℃；ＩＲ（ＫＢｒ）３４０３，２９２９，２８４９，１７４２，１６４７，１５２１，１４８３，１２１１ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）
δ０．９５−１．７８（ｍ，１０Ｈ，ｃ−Ｈｅｘ−ＣＨ２），１．９９（ｄ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＣ（ＯＨ）ＣＨＮＨ），２．７８（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．６６（ｄｔ，Ｊ＝３．２，８．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），４．９９（ｄｄ，Ｊ＝２．９，７．３Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），５．１８（ｄ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．３４（ｄ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．１７（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），７．３２−７．５６（ｍ，８Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．８１−７．８３（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．６，２６．１，２９．０，２９．２，４０．９，５５．７，６７．５，７７．９，１２７．２，１２８．５，１２８．６，１３１．９，１３３．５，１３５．０，１６７．４，１７０．８ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２３Ｈ２８ＮＯ４の計算値：３８２．２０１８（Ｍ＋＋１）．実測値：３８２．１９９３．
ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＡＤ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝９０／１０，流速：１．０ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 １８．７分，２Ｓ，３Ｓ体 ３２．３分．
Ｒ＝シクロヘプチル基
［α］Ｄ２５＋１２．９（１．００，ＣＨＣｌ３）；ＩＲ（液膜（ｎｅａｔ））３４１８，３０６４，３０３３，２９２５，２８５４，１７３４，１６４６，１５３９，１１９０，１０８２ｃｍ−１；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．２４−１．６４（ｍ，１１Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−Ｈ），１．７６−１．８９（ｍ，２Ｈ，ｃ−Ｈｅｐ−Ｈ），２．７９（ｄｄ，Ｊ＝５．６，８．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），３．７０（ｄｔ，Ｊ＝３．２，８．８Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＯＨ），５．０１（ｄｄ，Ｊ＝３．２，７．２Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＮＨ），５．１８（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），５．３２（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），７．１３（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，ＣＨＮＨ），７．３２−７．４０（ｍ，５Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．４２−７．４６（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．５１−７．５５（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ），７．８０−７．８２（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２６．１，２６．２，２８．２，２８．９，３０．６，４２．３，５５．８，６７．５，７７．６，１２７．２，１２８．５，１２８．６，１３１．９，１３３．５，１３５．０，１６７．４，１７０．９；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ，ＮＢＡ）Ｃ２４Ｈ３０ＮＯ４４の計算値：３９６．２１７５（Ｍ＋＋１）．実測値：３９６．２１９５．
ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝９０／１０，流速：０．５ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 ３０．５分，２Ｓ，３Ｓ体 ３４．７分．
【００７８】
実施例３３−４３
基質を参考例１で製造した２−シクロヘキシル−１−メトキシカルボニル−２−オキソ−エチル−アンモニウム；クロリドに変更し、種々の反応条件を検討した。
転化率は、反応液をＨＰＬＣで分析し、基質と生成物のピーク面積を以下の式に当てはめることにより算出した値を意味する。尚、式中の、４．３７という数字は、測定波長における基質と生成物の感度比を補正するために用いた値である。
転化率＝生成物の面積／（生成物の面積−基質の面積／４．３７）×１００
転化率の分析条件
分析方法：ＨＰＬＣ（島津ＬＣ１０Ａｖｐ）、逆相アイソクラチック分析
カラム：Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ＯＤＳ（化学物質評価技術研究機構）φ４．６ｍｍ×２５０ｍｍ＋ＣＡＰＣＥＬＬＰＡＫＳＣＸ ＵＧ８０（株式会社 資生堂）φ４．６ｍｍ×２５０ｍｍ移動相：アセトニトリル／１００ｍＭ ＫＨ２ＰＯ４緩衝溶液＝２／８（ｖ／ｖ）
流速：１．０ｍｌ／分．
検出：ＵＶ２１５ｎｍ
保持時間：基質２１．８分、生成物２３．４分．
ｅｅは、生成物をベンゾイル化した化合物をＨＰＬＣで分析することにより決定した。ｅｅの分析条件
分析方法：ＨＰＬＣ（島津ＬＣ１０Ａｖｐ）、順相アイソクラチック分析
カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ（ダイセル化学工業株式会社）
移動相：ｎ−ヘキサン／イソプロパノール＝８５／１５（ｖ／ｖ）
流速：０．５ｍｌ／分．
検出：ＵＶ２５４ｎｍ
保持時間：Ｒ体 １１．２分、Ｓ体 １５．３分．
【００７９】
実施例４４［Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２−（Ｓ）−ＭｅＯ−Ｂｉｐｈｅｐ−ＮａＩを触媒とする製造法。
［Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２（２．５ｍｇ，０．００３７ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−ＭｅＯ−Ｂｉｐｈｅｐ（５．８ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）及びヨウ化ナトリウム（２．３ｍｇ，０．０１５ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（１．０ｍＬ）に加えた溶液を凍結融解法（ｆｒｅｅｚｅ−ｔｈａｗｍｅｔｈｏｄ）により脱気した。
溶液をアルゴン雰囲気下において、室温で１０分攪拌した。
得られた黄色の触媒を真空下で乾燥させた。該触媒に参考例２３で製造した６ｇ（５７．４ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）、ＮａＯＡｃ（酢酸ナトリウム）（２０．５ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）及び脱気したＡｃＯＨ（酢酸）（１．２ｍＬ）をアルゴン雰囲気下で加えた。混合溶液を室温下において、水素圧１００気圧で攪拌した。２４時間攪拌した後、反応溶液を１ｍｏｌ／Ｌ塩酸（３．０ｍＬ）に加え、ジエチルエーテル５ｍＬで洗浄した。得られた水層を４０℃以下で減圧下において濃縮乾固し、残査に無水エタノールを加えて粉砕した。白色固体を濾去し、得られた透明の濾液を減圧下で濃縮した。残査をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）（３ｍＬ）に溶解し、その後、ＰｈＣＯＣｌ（ベンゾイルクロリド）（３５．２ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）及びＥｔ３Ｎ（トリエチルアミン）（７５．９ｍｇ，０．７５ｍｍｏｌ）を０℃にて加えた。室温で１時間攪拌した後、水及び酢酸エチル（１０ｍＬ）を加え、その有機層を、１ｍｏｌ／Ｌ塩酸（５ｍＬ）、飽和重曹水（５ｍＬ）、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥し、沈殿物を濾去した後、減圧下で濃縮した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（２０ｇ，酢酸エチル：ｎ−ヘキサン＝１：２）によって精製し、Ｎ−ベンゾイル体（５７．８ｍｇ，０．１９ｍｍｏｌ，７７％，＞９９％ｄｅ，８９．６％ｅｅ）を無色固体で得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ；３．７９（３Ｈ，ｓ），４．５６（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ），５．２４（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝３．６，６．８Ｈｚ），５．４０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝３．６，５．６Ｈｚ），６．８７（１Ｈ，ｂｒｄ），７．２〜７．４（５Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．４〜７．５（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．５〜７．６（１Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．７〜７．８（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）５２．６，５９．４，７５．１，１２５．９，１２７．１，１２８．０，１２８．３，１２８．６，１３２．１，１３３．０，１３９．１；ＦＴ−ＩＲνｍａｘ（ＫＢｒ）：３３３８，１７４４，１６４４，１５２５，１２２９，１１７３，６９３．；ＦＡＢＭＳ（ＮＢＡ）ｍ／ｚ：３００（Ｍ−１）；
ＨＰＬＣ分析条件，カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ（ダイセル化学工業株式会社），移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝８５／１５，流速：１．０ｍＬ／分，保持時間：２Ｒ，３Ｒ体 ８．６分，２Ｓ，３Ｓ体 １２．０分．
【００８０】
実施例４５−４９
添加物（ヨウ素化合物）、酢酸塩、温度及び反応時間を変更した事以外は実施例４４と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。収率は２工程の合計で示した。
尚、触媒の使用量は、基質に対してイリジウムの使用量は３ｍｏｌ％であり、（Ｓ）−ＭｅＯ−Ｂｉｐｈｅｐの使用量は、イリジウムの使用量に対して１．３３当量（４／３）である。
又、表中、ヨウ素化合物の量は、イリジウムの使用量に対する当量数を表し、酢酸塩の量は、基質に対する当量数を表し、ＴＢＡＩは、ヨウ化テトラｎ−ブチルアンモニウムを意味する。
【００８１】
実施例４９−５６
基質、添加物（ヨウ素化合物）、温度及び反応時間を変更した事以外は実施例４４と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。収率は２工程の合計で示した。
尚、基質の使用量：イリジウムの使用量：（Ｓ）−ＭｅＯ−Ｂｉｐｈｅｐの使用量：添加物（ヨウ素化合物）の使用量＝１００：３：４：６であり、酢酸塩（酢酸ナトリウム）は、基質に対して１当量使用した。
表中、ＯＢｎはベンジルオキシ基を、Ｐｈはフェニル基を、Ｍｅはメチル基を、Ｐｒはプロピル基を、β−Ｎａｐはβ−ナフチル基を、ＴＢＡＩは、ヨウ化テトラｎ−ブチルアンモニウムを意味する。
【００８２】
実施例５７−７４
実施例４４の配位子を（ｓ）−ＢＩＮＡＰに変更し、種々の条件を変更して目的化合物を製造した。収率は２工程の合計で示した。
尚、基質の使用量：イリジウムの使用量：（ｓ）−ＢＩＮＡＰの使用量＝１００：３：４である。表中、添加物の量は、イリジウムの使用量に対する当量数を表し、酢酸塩の量は、基質に対する当量数を表し、又、溶媒の種類は、以下の記号を意味する。
Ａ エタノール
Ｂ ｎ−プロパノール
Ｃ ｉ−プロパノール
Ｄ メタノール：ベンゼン＝１：２
Ｅ ｎ−プロパノール：テトラヒドロフラン＝１：２
Ｆ ｉ−プロパノール：酢酸＝１：１
Ｇ テトラヒドロフラン：酢酸＝１：１
Ｈ 酢酸
又、Ｐｈｔａは、フタルイミドを意味し、ＴＢＡＢは、臭化テトラｎ−ブチルアンモニウムを、ＴＢＡＩは、ヨウ化テトラｎ−ブチルアンモニウムを意味する。
【実施例７５】
【００８３】
配位子を（Ｓ）−Ｔ−ＢＩＮＡＰに変更した事以外は、実施例６４と同様の操作を行うことにより目的物を得た。（収率：８５％（２工程合計）、ｄｅ：＞９９％、ｅｅ：７１％）
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明により、医・農薬の中間体として有用である光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を効率的に製造することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
｛式中、Ｒ１は、Ｃ１−２０アルキル基〔該Ｃ１−２０アルキル基はＣ４−１２芳香族基［該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。〕、又はＣ４−１２芳香族基〔該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基［該Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基及びＣ１−６アルキルカルボニルオキシ基は、Ｃ４−１２芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子で任意に置換されていてもよい。）で任意に置換されていてもよい。］又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。〕を意味し、
Ｒ２は、Ｃ１−２０アルキル基〔該Ｃ１−２０アルキル基はＣ４−１２芳香族基［該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。〕、又はＣ４−１２芳香族基［該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］を意味する。）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下において、触媒的不斉水素化反応により水素化することを特徴とする、式（２）又は式（３）
（式中、Ｒ１及びＲ２は、前記と同じ意味を示す。）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２】
前記触媒的不斉水素化反応に使用される触媒が、光学活性ホスフィン配位子を有する、周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体である請求項１記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項３】
前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属がルテニウム、イリジウム又はロジウムであり、光学活性ホスフィン配位子が光学活性２座ホスフィン配位子である請求項２記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項４】
前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属がルテニウムであり、光学活性２座ホスフィン配位子が式（４）
（式中、Ｒ３は、水素原子、メチル基又は三級ブチル基を意味し、絶対配置はＳ又はＲのどちらかを意味する。）である請求項３記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項５】
前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体がＲｕＨＸ１（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）又はＲｕ２Ｃｌ４（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）２（Ｅｔ３Ｎ）（式中、Ｒ３−ＢＩＮＡＰは前記式（４）で表される光学活性２座ホスフィン配位子を意味し、Ｅｔはエチル基を意味し、Ｘ１及びＸ２は、それぞれＣｌ、ＣｌＯ４、ＢＦ４、ＰＦ６、ＯＣＯＣＩＩ３、ＯＣＯＣＦ３、ＯＣＯ−ｔ−Ｂｕ又はＯＳＯ２ＣＦ３を意味するが、該錯体は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、ＡｌＣｌ３、ＳｎＣｌ４、ＴｉＣｌ４又はＺｎＣｌ２で更に配位されていてもよい。）である請求項４記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項６】
前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体がＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）（式中、Ｘ２及びＲ３−ＢＩＮＡＰは前記と同じ意味を表わし、該錯体は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、ＡｌＣｌ３、ＳｎＣｌ４、ＴｉＣｌ４又はＺｎＣｌ２で更に配位されていてもよい。）である請求項５記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項７】
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド又はベンゼンで更に配位されたＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）（式中、Ｘ２がＣｌを表わし、Ｒ３−ＢＩＮＡＰは前記と同じ意味を表わす。）を用いる請求項６に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項８】
前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属がイリジウムであり、光学活性２座ホスフィン配位子がＲ３−ＢＩＮＡＰ（Ｒ３−ＢＩＮＡＰは、前記と同じ意味を表わす。）又は式（５）
［式中、Ｒ６は、フェニル基、ナフチル基（該フェニル基及びナフチル基はＣ１−６アルキル基又はＣ１−６アルコキシ基で任意に置換されていてもよい。）、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基を意味し、Ｒ７は、メチル基又はメトキシ基を意味し、Ｒ８は、水素原子、メチル基、メトキシ基又は塩素原子を意味し、Ｒ９は、水素原子、メチル基、メトキシ基、ジメチルアミノ基又ジエチルアミノ基を意味し、絶対配置はＳ又はＲのどちらかを意味する。］で表される化合物である請求項３記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項９】
反応系中に酢酸塩を加える請求項８記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１０】
前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体を調製する際、ヨウ素化合物を添加する請求項９記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１１】
前記光学活性２座ホスフィン配位子が前記式（５）で表される化合物である請求項１０記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１２】
前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体を調製する際、［Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２（式中、ｃｏｄは、１，５−シクロオクタジエンを意味する。）を使用する請求項１１記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１３】
前記酸が強酸である請求項１〜１２の何れか１項に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１】
式（１）
｛式中、Ｒ１は、Ｃ１−２０アルキル基〔該Ｃ１−２０アルキル基はＣ４−１２芳香族基［該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。〕、又はＣ４−１２芳香族基〔該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基［該Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基及びＣ１−６アルキルカルボニルオキシ基は、Ｃ４−１２芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子で任意に置換されていてもよい。）で任意に置換されていてもよい。］又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。〕を意味し、
Ｒ２は、Ｃ１−２０アルキル基〔該Ｃ１−２０アルキル基はＣ４−１２芳香族基［該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。〕、又はＣ４−１２芳香族基［該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、Ｃ１−６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−６アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ４Ｒ５（式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１−６アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］を意味する。）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下において、触媒的不斉水素化反応により水素化することを特徴とする、式（２）又は式（３）
（式中、Ｒ１及びＲ２は、前記と同じ意味を示す。）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２】
前記触媒的不斉水素化反応に使用される触媒が、光学活性ホスフィン配位子を有する、周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体である請求項１記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項３】
前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属がルテニウム、イリジウム又はロジウムであり、光学活性ホスフィン配位子が光学活性２座ホスフィン配位子である請求項２記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項４】
前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属がルテニウムであり、光学活性２座ホスフィン配位子が式（４）
（式中、Ｒ３は、水素原子、メチル基又は三級ブチル基を意味し、絶対配置はＳ又はＲのどちらかを意味する。）である請求項３記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項５】
前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体がＲｕＨＸ１（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）２、ＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）又はＲｕ２Ｃｌ４（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）２（Ｅｔ３Ｎ）（式中、Ｒ３−ＢＩＮＡＰは前記式（４）で表される光学活性２座ホスフィン配位子を意味し、Ｅｔはエチル基を意味し、Ｘ１及びＸ２は、それぞれＣｌ、ＣｌＯ４、ＢＦ４、ＰＦ６、ＯＣＯＣＩＩ３、ＯＣＯＣＦ３、ＯＣＯ−ｔ−Ｂｕ又はＯＳＯ２ＣＦ３を意味するが、該錯体は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、ＡｌＣｌ３、ＳｎＣｌ４、ＴｉＣｌ４又はＺｎＣｌ２で更に配位されていてもよい。）である請求項４記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項６】
前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体がＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）（式中、Ｘ２及びＲ３−ＢＩＮＡＰは前記と同じ意味を表わし、該錯体は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、ＡｌＣｌ３、ＳｎＣｌ４、ＴｉＣｌ４又はＺｎＣｌ２で更に配位されていてもよい。）である請求項５記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項７】
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド又はベンゼンで更に配位されたＲｕＸ２２（Ｒ３−ＢＩＮＡＰ）（式中、Ｘ２がＣｌを表わし、Ｒ３−ＢＩＮＡＰは前記と同じ意味を表わす。）を用いる請求項６に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項８】
前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属がイリジウムであり、光学活性２座ホスフィン配位子がＲ３−ＢＩＮＡＰ（Ｒ３−ＢＩＮＡＰは、前記と同じ意味を表わす。）又は式（５）
［式中、Ｒ６は、フェニル基、ナフチル基（該フェニル基及びナフチル基はＣ１−６アルキル基又はＣ１−６アルコキシ基で任意に置換されていてもよい。）、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基を意味し、Ｒ７は、メチル基又はメトキシ基を意味し、Ｒ８は、水素原子、メチル基、メトキシ基又は塩素原子を意味し、Ｒ９は、水素原子、メチル基、メトキシ基、ジメチルアミノ基又ジエチルアミノ基を意味し、絶対配置はＳ又はＲのどちらかを意味する。］で表される化合物である請求項３記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項９】
反応系中に酢酸塩を加える請求項８記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１０】
前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体を調製する際、ヨウ素化合物を添加する請求項９記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１１】
前記光学活性２座ホスフィン配位子が前記式（５）で表される化合物である請求項１０記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１２】
前記周期表第ＶＩＩＩ族の遷移金属の錯体を調製する際、［Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２（式中、ｃｏｄは、１，５−シクロオクタジエンを意味する。）を使用する請求項１１記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１３】
前記酸が強酸である請求項１〜１２の何れか１項に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【国際公開番号】ＷＯ２００５／００５３７１
【国際公開日】平成１７年１月２０日（２００５．１．２０）
【発行日】平成１８年８月２４日（２００６．８．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−５１１５４２（Ｐ２００５−５１１５４２）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００４／００９８２９
【国際出願日】平成１６年７月９日（２００４．７．９）
【出願人】（０００００３９８６）日産化学工業株式会社 (510)
【Ｆターム（参考）】
【国際公開日】平成１７年１月２０日（２００５．１．２０）
【発行日】平成１８年８月２４日（２００６．８．２４）
【国際特許分類】
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００４／００９８２９
【国際出願日】平成１６年７月９日（２００４．７．９）
【出願人】（０００００３９８６）日産化学工業株式会社 (510)
【Ｆターム（参考）】
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