説明

共振型電力変換装置

【課題】安定してゼロ電圧スイッチングが可能な共振型電力変換装置を提供する。
【解決手段】直列接続した第1の直流電圧源と第2の直流電圧源の両端に、直列接続した第1の逆導通型スイッチング素子と第2の逆導通型スイッチング素子と、第1の逆導通型スイッチング素子に並列に接続した第1の共振コンデンサと、第2の逆導通型スイッチング素子に並列に接続した第2の共振コンデンサとからなる回路を接続し、第1の直流電圧源と第2の直流電圧源との接続点と第1の逆導通型スイッチング素子と第2の逆導通型スイッチング素子の接続点との間に、共振用スイッチと共振リアクトルとを直列接続してなる共振型電力変換装置において、第1の共振コンデンサと第2の共振コンデンサは、その両端電圧の上昇に対応してその静電容量が減少する特性を有する電圧依存性コンデンサであることを特徴とする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、共振回路を利用してゼロ電圧スイッチングを行う共振型電力変換装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体素子を用いた電力変換装置におけるスイッチング周波数の高周波化に伴い、半導体素子のスイッチング損失の増加、EMIノイズの増大が問題となっている。この問題を解決する技術の1つとして、共振回路を利用してゼロ電圧スイッチングを行う共振型電力変換装置が考案されている。
【0003】
例えば非特許文献1に開示されている共振型電力変換装置(部分共振PWMインバータ)は、共振動作を半導体スイッチング素子のターンオン時とターンオフ時にのみ利用し、それ以外の期間においては通常のPWMインバータと同様に動作する。図5は、非特許文献1に記載されている共振型電力変換装置を説明するための図である。
【0004】
図5において、直流電源Vdの正側端子Pと負側端子Nには、電源コンデンサC1とC2とからなる電源コンデンサ直列回路が接続される。電源コンデンサC1とC2の接続点は、電源コンデンサ直列回路の中点端子Mである。
【0005】
また、直流電源Vdの正側端子Pと負側端子Nには、半導体スイッチング素子Q1とQ2とを直列に接続した第1の回路が接続される。半導体スイッチング素子Q1とQ2には、逆並列に還流ダイオードD1とD2が接続されるとともに、共振コンデンサCr1とCr2とが並列に接続されている。半導体スイッチング素子Q1とQ2の接続点は、共振型電力変換装置の交流出力端子Uである。交流出力端子Uからは電流Ioが出力される。以下において、共振型電力変換装置の交流出力端子Uから外部に向かって流れる電流Ioの極性を正極性、外部から交流出力端子Uに向かって流れる電流Ioの極性を負極性とする。
【0006】
さらに、電源コンデンサ直列回路の中点端子Mと交流出力端子Uとの間には、共振用スイッチSr1とSr2とが逆直列に接続された回路と、リアクトルLrとを直列に接続した第2の回路が接続されている。共振用スイッチSr1とSr2とには、ダイオードDr1とDr2とが逆並列に接続されている。
【0007】
なお、半導体スイッチング素子Q1,Q2および共振用スイッチSr1,Sr2は、IGBTなどのように高い周波数でスイッチング動作が可能な半導体スイッチング素子である。
【0008】
上記の共振型電力変換装置において、正極性の出力電流Ioが流れ、かつ半導体スイッチング素子Q1がオフ、Q2がオンの状態から、半導体スイッチング素子Q2がターンオフするときの動作を説明する。出力電流Ioは、最初に半導体スイッチング素子Q2の還流ダイオードD2を流れている。
【0009】
まず、共振用スイッチSr1がオンする。共振用スイッチSr1がオンすると、コンデンサC2の電圧Vc2を電源として、コンデンサC2→共振リアクトルLr→共振用スイッチSr1→ダイオードDr2→半導体スイッチング素子Q2→コンデンサC2の経路で共振リアクトルLrに電流Irが流れる。共振リアクトルLrに流れる電流Irの増加に伴い、還流ダイオードD2に流れている電流は減少する。
【0010】
共振リアクトルLrに流れる電流Irが所定のブースト電流Ibを超えたとき、半導体スイッチング素子Q2をターンオフする。このとき、共振コンデンサCr2の電圧は0[V]である。したがって、半導体スイッチング素子Q2はゼロ電圧でターンオフする。
【0011】
半導体スイッチング素子Q2がターンオフすると、共振リアクトルLrに流れていた電流Irは共振コンデンサCr2を通して流れる。これにより、共振リアクトルLrと共振コンデンサCr2との間で、共振動作が始まる。
【0012】
共振リアクトルLrを流れる電流Irは、共振リアクトルLrのインダクタンス値と共振コンデンサCr2の静電容量値で定まる共振周期の1/4の期間までは増加し、この期間を経過した後は減少する。共振リアクトルLrを流れる電流Irが減少する過程で共振コンデンサCr2の電圧が直流電源Vdの電圧Eに達したとき、共振コンデンサCr2に流れていた電流Irは、還流ダイオードD1を通して、コンデンサC1に流れ始める。
【0013】
さらに電流Irが減少し、電流Irが出力電流Ioと一致したとき、半導体スイッチング素子Q1をターンオンさせる。これにより、半導体スイッチング素子Q1はゼロ電圧・ゼロ電流でターンオンする。
【0014】
共振用スイッチSr1は、電流Irが低下し0[A]になった後にオフする。
以下、上記の動作を回路の第1動作とする。
次に、負極正の出力電流Ioが流れ、かつ半導体スイッチング素子Q1がオフ、Q2がオンの状態から、半導体スイッチング素子Q2がターンオフするときの動作を説明する。出力電流Ioは、最初に半導体スイッチング素子Q2を流れている。
【0015】
この場合は共振用スイッチSr1,Sr2はスイッチング動作を行わない。半導体スイッチング素子Q2をオフすると出力電流Ioの一部は共振コンデンサCr2→コンデンサC2の経路で流れ、共振コンデンサCr2を充電する。これと同時に出力電流Ioの残りは共振コンデンサCr1→コンデンサC1の経路で流れ、共振コンデンサCr1を放電する。共振コンデンサCr2が直流電源Vdの電圧Eまで充電されると、共振コンデンサCr1の電圧は0[V]となり還流ダイオードD1が導通する。以降、出力電流Ioは還流ダイオードD1→コンデンサC1の経路で流れる。
【0016】
この状態で半導体スイッチング素子Q1をターンオンさせる。ここで、半導体スイッチング素子Q2は共振コンデンサCr2の電圧が0[V]のときにターンオフするのでゼロ電圧でターンオフすることができる。また、半導体スイッチング素子Q1は還流ダイオードD1が導通しているときにターンオンするのでゼロ電圧、ゼロ電流でターンオンすることができる。すなわち、この場合には共振用スイッチSr1,Sr2および共振リアクトルLrを用いなくてもゼロ電圧スイッチングが可能である。
【0017】
以下、上記の動作を回路の第2動作とする。
回路の他の動作としては、正極性の出力電流Ioが流れ、かつ半導体スイッチング素子Q2がオフ、Q1がオンの状態から、半導体スイッチング素子Q1がターンオフする動作がある。以下、この動作を回路の第3動作とする。また、負極性の出力電流Ioが流れ、かつ半導体スイッチング素子Q2がオフ、Q1がオンの状態から、半導体スイッチング素子Q1がターンオフする動作がある。以下、この動作を回路の第4動作とする。
【0018】
回路の対称性から、第1動作と第4動作は半導体スイッチング素子Q1とQ2、還流ダイオードD1とD2、共振コンデンサCr1とCr2、共振用スイッチSr1とSr2が入れ替わった全く同様な動作となるのは明らかである。また、第2動作と第3動作の関係も同様であることは明らかである。
【0019】
以上の動作により、半導体スイッチング素子Q1,Q2は、ゼロ電圧ターンオフおよびゼロ電圧・ゼロ電流ターンオンをすることができる。また、共振用スイッチSr1,Sr2は、ゼロ電流でターンオン・ターンオフをすることができる。
【0020】
その結果、上記共振型電力変換装置は、ハードスイッチング動作を行う電力変換装置に比べて、大幅なスイッチング損失の低減を可能としている。また、スイッチング動作に伴って発生するEMIノイズの大幅な低減を可能としている。
【0021】
ところで、共振コンデンサCr1,Cr2を直流電源Vdの電圧Eまで充電するためには、共振リアクトルLrに所定のブースト電流Ibが流れたときに、半導体スイッチング素子Q1またはQ2がターンオフしなければならない。ブースト電流Ibは、共振リアクトルLrに流れる電流Irと交流出力端子Uから出力される電流Ioとの差(Ir−Io)で規定される。ブースト電流Ibの所定値は、回路損失により生じる共振コンデンサCr1,Cr2の充電不足電圧を補償することができる値に設定される。
【0022】
共振リアクトルLrに所定のブースト電流Ibを流すためには、共振リアクトLrに流れる電流Irと出力電流Ioを正確に検出した上で、半導体スイッチング素子Q1,Q2のスイッチングタイミングを正確に決定する必要がある。そのため、高速・高性能な検出器や複雑な演算回路を使用しなければならないという問題があった。
【0023】
そこで、特許文献1には、ゼロ電圧検出回路と遅延回路とを組み合わせることにより、高速・高性能な検出器や複雑な演算回路を使用しなくても所定のブースト電流Ibが得られる共振型電力変換装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0024】
【特許文献1】特開2005−130612号公報
【非特許文献】
【0025】
【非特許文献1】「DC電源内部の分割電圧を利用した部分共振PWMインバータ」:平成5年度電気学会産業応用部門全国大会,P.331〜P.336
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0026】
しかしながら、特許文献1に開示されている共振型電力変換装置では、半導体スイッチング素子Q1,Q2のゼロ電圧を検出するために、新たにゼロ電圧検出回路を必要としている。また、半導体スイッチング素子Q1,Q2のスイッチングタイミングをゼロ電圧時点から所定時間遅らせるための遅延回路は、電子部品で構成する必要がある。電子部品は、個体間で特性のバラツキがあり、また温度により特性が変化するため、遅延回路で定める時間にはバラツキが生じる。そのため、半導体スイッチング素子Q1,Q2を安定にゼロ電圧スイッチングさせるのが難しいという問題がある。
【0027】
本発明は、このような従来の共振型電力変換装置が有している問題を解決しようとするものであり、安定してゼロ電圧スイッチングが可能な共振型電力変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0028】
上記目的を達成するために、本発明によって提供される共振型電力変換装置は、直列接続した第1の直流電圧源と第2の直流電圧源の一端に接続する第1の端子および他端に接続する第2の端子と、第1の直流電圧源と第2の直流電圧源の接続点に接続する第3の端子と、直列接続した第1の逆導通型スイッチング素子と第2の逆導通型スイッチング素子と、第1の逆導通型スイッチング素子に並列に接続した第1の共振コンデンサと、第2の逆導通型スイッチング素子に並列に接続した第2の共振コンデンサとを備え、直列接続した第1の逆導通型スイッチング素子と第2の逆導通型スイッチング素子の一端を第1の端子に接続し、その他端を第2の端子にそれぞれ接続し、第1の逆導通型スイッチング素子と第2の逆導通型スイッチング素子の接続点を交流出力端子とする第1の回路と、共振用スイッチと共振リアクトルとを直列接続してなる第2の回路と、を備えた共振型電力変換装置において、第1の共振コンデンサと第2の共振コンデンサは、その両端電圧の上昇に対応してその静電容量が減少する特性を有する電圧依存性コンデンサであることを特徴とする。
【0029】
本発明によれば、共振コンデンサが電圧依存性を有することにより、ブースト電流Ibの管理幅を広げることができる。その結果、高速・高性能な検出器や複雑な演算回路を設けなくても、半導体スイッチング素子Q1,Q2が安定してゼロ電圧スイッチングをすることができる。
【0030】
また、本発明によって提供される共振型電力変換装置は、上記共振型電力変換装置において、さらに、第1の共振コンデンサには直列に第1のスイッチが接続され、第2の共振コンデンサには直列に第2のスイッチが接続され、第1のスイッチは第1の回路の交流出力端子から正極性の電流が出力されるときは導通し、負極性の電流が出力されるときは非導通となり、第2のスイッチは第1のスイッチと逆の動作をすることを特徴とする。
【0031】
本発明によれば、共振コンデンサの充電動作時に、他方の共振コンデンサを切離すことができ、他方の共振コンデンサの影響を受けることがない。その結果、半導体スイッチング素子Q1,Q2がより安定してゼロ電圧スイッチングをすることができる。
【0032】
また、本発明によって提供される共振型電力変換装置は、上記共振型電力変換装置において、さらに、第1の共振コンデンサと第1のスイッチとの接続点と第2の端子と第2の逆導通型スイッチング素子との接続点との間に第3のスイッチが接続され、第2の共振コンデンサと第2のスイッチとの接続点と第1の端子と第1の逆導通型スイッチング素子との接続点との間に第4のスイッチが接続され、第3のスイッチは第2のスイッチが導通したとき導通し、第2のスイッチが非導通のとき非導通となり、第4のスイッチは第1のスイッチが導通したとき導通し、第1のスイッチが非導通のとき非導通となることを特徴とする。
【0033】
本発明によれば、共振コンデンサの充電動作時に他方の共振コンデンサを有効に活用することができる。
【発明の効果】
【0034】
本発明によると、共振コンデンサが電圧依存性を有することにより、ブースト電流Ibおよび半導体スイッチング素子Q1,Q2のスイッチングタイミングを管理するための複雑な演算回路を設けなくても、安定したゼロ電圧スイッチングが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【図1】本発明に係る共振型電力変換装置の第1の実施形態を説明するための図である。
【図2】本発明に係る共振型電力変換装置の他の実施形態を説明するための図である。
【図3】本発明に係る共振型電力変換装置の他の実施形態を説明するための図である。
【図4】本発明に係る共振型電力変換装置の他の実施形態を説明するための図である。
【図5】従来の共振型電力変換装置の実施形態を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0036】
以下、本発明の実施の形態を図1〜図4を参照して詳細に説明する。なお、図1〜図4において、図5に示した共振型電力変換装置と共通する構成要素には同符号を付し、その説明を省略する。
【0037】
図1は、本発明に係る共振型電力変換装置の第1の実施形態を説明するための図である。図1の共振型電力変換装置のすべての構成要素は、図5の構成要素と同じである。ただし、図5の共振コンデンサCr1とCr2が電圧依存性を有しない通常のコンデンサであるのに対し、図1の共振コンデンサCr1とCr2は、その両端電圧が上昇するとその静電容量が減少する特性を有する電圧依存性コンデンサである点で相違している。このような特性を有する電圧依存性コンデンサとして、セラミックコンデンサが知られている。
【0038】
電圧依存性コンデンサからなる共振コンデンサCr1,Cr2は、共振リアクトルLrに流れる電流Irで充電されると端子間電圧が上昇する。端子間電圧が上昇すると静電容量値が減少し、さらに端子間電圧が上昇する。その結果、通常のコンデンサを使用する場合よりも少ないブースト電流Ibで、共振コンデンサCr1,Cr2を直流電源Vdの電圧Eまで充電することができる。
【0039】
したがって、共振コンデンサCr1,Cr2に電圧依存性コンデンサを使用することにより、ブースト電流Ibに必要とされる電流値の下限を引き下げることができる。その結果、半導体スイッチング素子Q1,Q2をターンオフするタイミングの幅を広げることができる。これにより、新たにゼロ電圧検出回路を付加する必要がない上、ブースト電流Ibおよび半導体スイッチング素子Q1,Q2のスイッチングタイミングの管理を容易にすることができる。
【0040】
図2は、本発明に係る共振型電力変換装置の他の実施形態を説明するための図である。図2の共振型電力変換装置には、図1に示した共振型電力変換装置において、共振コンデンサCr1,Cr2と直列にスイッチS1,S2が接続されている。
【0041】
スイッチS1,S2は、出力電流Ioの極性にしたがって相互に逆のオン/オフ動作をする。具体的には、出力電流Ioが正極性のときはスイッチS2をオンし、S1をオフする。一方、出力電流Ioが負極性のときはスイッチS1をオンし、S2をオフする。
【0042】
図1に示した共振型電力変換装置では共振リアクトルLrと共振コンデンサCr1,Cr2とで、充電動作と放電動作を行う2つの共振回路が同時に構成される。そして、放電動作を行う共振回路は、充電動作を行う共振回路の共振コンデンサの充電を遅らせるように作用する。
【0043】
そこで、上述したように、スイッチS1,S2を用いて充電動作をしていない側の共振コンデンサを回路から切り離す。これにより、他方の共振コンデンサの影響を受けることなく、直流電源Vdの電圧Eまで共振コンデンサを充電することができる。
【0044】
なお、スイッチS1,S2は、出力電流Ioの極性に応じてオンまたはオフすればよい。したがって、スイッチS1,S2には、半導体スイッチング素子Q1,Q2に比べて1桁以上スイッチング速度が遅い逆導通型半導体スイッチング素子を使用することができる。スイッチング速度が遅い半導体スイッチング素子は、一般に、スイッチング速度が速い半導体スイッチング素子に比べて導通損失が少ない。よって、損失低減の面からも、スイッチS1,S2には、スイッチング速度が遅い半導体スイッチング素子を使用するのが好適である。
【0045】
また、スイッチS1,S2は、半導体スイッチング素子Q1,Q2がオン状態にあるときにオン/オフ動作させるのが良い。半導体スイッチング素子Q1,Q2がオン状態にあれば、スイッチS1,S2はゼロ電圧でオン/オフ動作をすることができ、オン/オフ動作に伴う損失が発生しない。
【0046】
また、図2に示すように半導体スイッチング素子Q1とスイッチS1のエミッタ端子をそれぞれ接続し、半導体スイッチング素子Q2とスイッチS2のエミッタ端子をそれぞれ接続するのが好適である。これにより、半導体スイッチング素子Q1とスイッチS1を駆動するためのゲート駆動回路(図示せず。)および半導体スイッチング素子Q2とスイッチS2を駆動するためのゲート駆動回路(図示せず。)の電位の基準点をそれぞれ共通にすることができる。これにより、ゲート駆動回路内の共通部品を省略することができ、ゲート駆動回路を小型化できる。
【0047】
図3は、本発明に係る共振型電力変換装置の他の実施形態を説明するための図である。図3の共振型電力変換装置には、図2に示した共振型電力変換装置において、さらにスイッチS1と共振コンデンサCr1との接続点と半導体スイッチング素子Q2と直流電源Vdの負側端子Nとの接続点との間に、スイッチS3が接続されている。また、共振コンデンサCr2とスイッチS2との接続点と半導体スイッチング素子Q1と直流電源Vdの正側端子Pとの接続点との間に、スイッチS4が接続されている。
【0048】
スイッチS3,S4には、スイッチS1,S2と同じ逆導通型半導体スイッチング素子を使用することができる。そして、スイッチS4はスイッチS1と同時にオン/オフ動作をする。また、スイッチS3はスイッチS2と同時にオン/オフ動作をする。すなわち、スイッチS1,S2は、共振コンデンサCr1,Cr2の一方が充電動作をするときに、他方の共振コンデンサを並列に接続するように機能する。
【0049】
これにより、共振コンデンサCr1,Cr2を共振回路から切り離すことなく、有効に活用することができる。
図4は、本発明に係る共振型電力変換装置の他の実施形態を説明するための図である。図4の共振型電力変換装置には、図1に示した共振型電力変換装置において、電圧依存性を有する共振コンデンサCr1,Cr2と並列に、それぞれ電圧依存性を有しない共振コンデンサCr3,Cr4が接続されている。
【0050】
電圧依存性を有する共振コンデンサと電圧依存性を有しない共振コンデンサとを並列に接続することにより、共振回路の特性を容易に調整することができる。
なお、本実施形態は、図2および図3に示した実施形態に係る共振型電力変換装置に適用することができるのは明らかである。
【0051】
また、図1〜図4に示した実施形態において、共振リアクトルLrと直列に接続する共振用スイッチは、逆阻止型IGBTなどの半導体スイッチング素子を逆並列接続して構成したものであっても、共振型電力変換装置の機能を発揮することができるのは明らかである。
【0052】
また、図2および図3に示した実施形態において、スイッチS1〜S4は逆導通型IGBTで表している。これは回路の動作上、共振コンデンサCr1、Cr2に負電圧の印加がないためである。そのため、共振コンデンサCr1,Cr2の電圧が0[V]のときに充電を阻止しておけば、スイッチS1〜S4が放電方向に導通可能であっても放電や逆極性の充電が発生せず、回路に何らの作用もしない。
【0053】
したがって、スイッチS1〜S4を、逆阻止型IGBTを逆並列に接続した構成とし、充放電動作をさせない場合に逆並列に接続した逆阻止型IGBTの両方を非導通とすることもできる。
【符号の説明】
【0054】
Vd・・・直流電源、C1,C2・・・コンデンサ、Lr・・・共振リアクトル、Sr1,Sr2・・・共振用スイッチ、Dr1,Dr2共振用ダイオード、Q1,Q2・・・半導体スイッチング素子、D1,D2・・・還流ダイオード、Cr1,Cr2・・・共振コンデンサ、S1〜S4・・・スイッチ、Ds1〜Ds4・・・ダイオード。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
直列接続した第1の直流電圧源と第2の直流電圧源の一端に接続する第1の端子および他端に接続する第2の端子と、前記第1の直流電圧源と第2の直流電圧源の接続点に接続する第3の端子と、
直列接続した第1の逆導通型スイッチング素子と第2の逆導通型スイッチング素子と、前記第1の逆導通型スイッチング素子に並列に接続した第1の共振コンデンサと、前記第2の逆導通型スイッチング素子に並列に接続した第2の共振コンデンサとを備え、前記直列接続した第1の逆導通型スイッチング素子と第2の逆導通型スイッチング素子の一端を前記第1の端子に接続し、その他端を前記第2の端子にそれぞれ接続し、前記第1の逆導通型スイッチング素子と第2の逆導通型スイッチング素子の接続点を交流出力端子とする第1の回路と、
共振用スイッチと共振リアクトルとを直列接続してなる第2の回路と、
を備えた共振型電力変換装置において、
前記第1の共振コンデンサと第2の共振コンデンサは、その両端電圧の上昇に対応してその静電容量が減少する特性を有する電圧依存性コンデンサであることを特徴とする共振型電力変換装置。
【請求項2】
請求項1に記載の共振型電力変換装置において、さらに
前記第1の共振コンデンサには直列に第1のスイッチが接続され、
前記第2の共振コンデンサには直列に第2のスイッチが接続され、
前記第1のスイッチは前記第1の回路の交流出力端子から正極性の電流が出力されるときは導通し、負極性の電流が出力されるときは非導通となり、
前記第2のスイッチは前記第1のスイッチと逆の動作をする
ことを特徴とする共振型電力変換装置。
【請求項3】
請求項2に記載の共振型電力変換装置において、さらに
前記第1の共振コンデンサと前記第1のスイッチとの接続点と前記第2の端子と前記第2の逆導通型スイッチング素子との接続点との間に第3のスイッチが接続され、
前記第2の共振コンデンサと前記第2のスイッチとの接続点と前記第1の端子と前記第1の逆導通型スイッチング素子との接続点との間に第4のスイッチが接続され、
前記第3のスイッチは前記第2のスイッチが導通したとき導通し、前記第2のスイッチが非導通のとき非導通となり、
前記第4のスイッチは前記第1のスイッチが導通したとき導通し、前記第1のスイッチが非導通のとき非導通となる
ことを特徴とする共振型電力変換装置。
【請求項4】
前記共振用スイッチは、第1の逆導通型スイッチング素子と第2の逆導通型スイッチング素子とを逆直列に接続してなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の共振型電力変換装置。
【請求項5】
前記共振用スイッチは、第1の逆阻止型スイッチング素子と第2の逆阻止型スイッチング素子とを逆並列に接続してなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の共振型電力変換装置。
【請求項6】
前記第1のスイッチと第2のスイッチのいずれかまたはいずれもが、逆導通型スイッチング素子であることを特徴とする請求項2または請求項3のいずれかに記載の共振型電力変換装置。
【請求項7】
前記第3のスイッチと第4のスイッチのいずれかまたはいずれもが、逆導通型スイッチング素子であることを特徴とする請求項3に記載の共振型電力変換装置。
【請求項8】
前記第1のスイッチと第2のスイッチのいずれかまたはいずれもが、逆阻止型スイッチング素子を逆並列に接続してなることを特徴とする請求項2または請求項3のいずれかに記載の共振型電力変換装置。
【請求項9】
前記第3のスイッチと第4のスイッチのいずれかまたはいずれもが、逆阻止型スイッチング素子を逆並列に接続してなることを特徴とする請求項3に記載の共振型電力変換装置。
【請求項10】
前記第1の共振コンデンサと第2の共振コンデンサとがセラミックコンデンサであることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の共振型電力変換装置。
【請求項11】
前記第1の逆導通型半導体スイッチングング素子と並列に第3の共振コンデンサが接続され、
前記第2の逆導通型半導体スイッチングング素子と並列に第4の共振コンデンサが接続され、
前記第3の共振コンデンサと前記第4の共振コンデンサとが電圧依存特性を有しないことを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の共振型電力変換装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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