【課題】主素子の出力静電容量の増大を防止し、接合容量充電電流に起因するターンオン損失を抑制する半導体スイッチを提供する。
【解決手段】逆導通性能を有し、高耐圧な電圧駆動型スイッチング素子である主素子１と、主素子１に比べ耐圧が低い逆流防止素子３と、主素子１の負極と逆流防止素子３の負極とを接続して主素子１の正極を正極端子とし、逆流防止素子３の正極を負極端子とし、正極端子と負極端子間に負極端子から正極端子に向かう方向が順方向となるように接続し、主素子１と同等の耐圧を有する高速還流ダイオード４と、主素子１の正極に正電圧が印加される方向に接続し、少なくとも主素子１の耐圧より低い電圧パルスを発生するとともに主素子１又は逆流防止素子３がオフする時期と略同期して電圧パルスを出力する予備電圧印加回路５と、を備えた半導体スイッチ。 （もっと読む）

【課題】損失低減効果を享受しつつ、より一層のコスト低減を図ることができるインバータ装置、およびそれを備えた空気調和機を得ること。
【解決手段】Ｓｉ系半導体で構成された第１のスイッチング素子８、および、第１のスイッチング素子８よりもオン抵抗が小さく、且つ、スイッチング速度が速いＷＧＢ半導体で構成された第２のスイッチング素子９が並列に接続された複数のスイッチング回路５を備え、直流電圧を所望の交流電圧に変換する変換回路４と、各スイッチング回路５をそれぞれオンオフ駆動するための複数の駆動信号を生成する駆動部１６と、各スイッチング回路５毎に、各駆動信号に基づき第１のスイッチング素子８よりも第２のスイッチング素子９を遅れてオン動作させ、第２のスイッチング素子９よりも第１のスイッチング素子８を遅れてオフ動作させるゲート回路１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電源電圧を安定化して、高周波駆動に対応可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】複数のハイサイドトランジスタユニットｍｈは、各相ごとに設けられ、対応する相の出力端子ＯＵＴと上側電源ラインＬＰの間に、電気的に並列に、かつ制御端子が独立して設けられる。複数のハイサイドゲートドライブ回路１０Ｈ＿Ｕ１〜Ｕ３は、対応する複数のハイサイドトランジスタユニットｍｈｕ１〜３にゲートドライブ信号を出力する。複数のハイサイド電源回路１４Ｈ＿Ｕ１〜Ｕ３は、対応するハイサイドゲートドライブ回路１０Ｈ＿Ｕ１〜Ｕ３に電源電圧ＶＤＤＨ＿Ｕ１〜Ｕ３を供給する。下側アームについても同様に、複数のローサイドトランジスタユニットに分割される。 （もっと読む）

【課題】指令制御装置の出力した駆動指令信号に関連する回路が誤動作した場合でもアーム短絡を抑止でき、かつ誤動作したことを検知する電力変換回路を提供する。
【解決手段】直列接続された第１、第２スイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動制御する第１、第２駆動制御装置と、駆動制御装置に指令を与える指令制御装置からなる電力変換装置であって、前記駆動制御装置は、指令制御装置の指令信号と他の駆動制御装置の出力するインターロック信号を演算する駆動回路と、スイッチング素子の導通状態を判定する状態判定回路と、指令信号と他の駆動制御装置のインターロック信号と状態判定回路の出力の少なくとも１つを入力するインターロック信号生成回路と、前記指令信号とインターロック信号と状態判定回路の出力の少なくとも２つを入力するフィードバック信号生成回路とを備え、フィードバック信号生成回路の出力を指令制御装置に供給する。 （もっと読む）

【課題】比較手段の数を抑制することができる異常検出装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体素子と、複数の半導体素子にそれぞれ対応して設けられ、複数の半導体素子の温度をそれぞれ検出する複数の温度検出手段と、複数の半導体素子の異常を検出する異常検出手段とを備え、異常検出手段は、複数の半導体素子のうち一の半導体素子の温度を検出する温度検出手段の検出温度と、半導体素子の上限温度を示す第１の閾値温度とを比較する第１の比較手段と、複数の半導体素子のうち他の半導体素子の温度を検出する温度検出手段の検出温度から、他の半導体素子の平均温度を算出する温度算出手段と、平均温度と所定の第２の閾値温度とを比較する第２の比較手段とを有し、第１の比較手段の比較結果及び第２の比較手段の比較結果に基づいて、複数の半導体素子の異常を検出する。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑えると共に、発生ノイズを低減することができる電力変換装置を、提供することを目的とする。
【解決手段】パワー半導体素子を内蔵し、パワー半導体素子の電極に接続された複数の電極フレーム１６ａ、１６ｂが外部に突出するようにモールド樹脂１８にて封止された樹脂封止型の半導体モジュール８が、金属ブロック１１ａ、１１ｂと絶縁された金属ベース２０ｂに載置された電力変換装置１であって、モジュール８の直流電力を供給する電源２の高電位側に接続され、パワー半導体素子の第一電極に接続された正電極フレーム１６ａ及び、電源２の低電位側に接続され、パワー半導体素子の第二電極に接続された負電極フレーム１６ｂと金属ベース２０ｂとの間に配置され、正電極フレーム１６ａ及び負電極フレーム１６ｂと金属ベース２０ｂとを容量結合するノイズバイパス手段７を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング周波数が高くても、適切にトランジスタの保護を行うことが可能なトランジスタ保護回路を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るトランジスタ保護回路１０は、駆動回路３０によって電源４０の高電位側電圧または低電位側電圧がゲート端子に印加されて、スイッチング制御される電圧駆動型のトランジスタ２０の保護を行うためのトランジスタ保護回路である。このトランジスタ保護回路１０は、トランジスタ２０の保護を実行する保護指令を受けたときに、電源４０の高電位側電圧を次第に低下させる電源制御部１２を備える。 （もっと読む）

【課題】高効率で低コストのスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】このインバータは、高耐圧トランジスタ１，３，５，７と低耐圧トランジスタ２，４，６，８を備える。トランジスタ１〜８は、それぞれ寄生ダイオード１ａ〜８ａを含む。たとえば、トランジスタ１，３，５，７のゲートにしきい値電圧よりも高い電圧を印加し、トランジスタ２，８をオフさせ、トランジスタ６をオンさせ、トランジスタ４をオン／オフさせる。高耐圧トランジスタ１，３の寄生ダイオード１ａ，３ａにはほとんど電流は流れないので、高耐圧トランジスタ１，３のリカバリ電流は小さい。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の直列構成を中心的な構成とし、変圧器を使用することなく高電圧及び多出力レベルを扱える電力変換器を提供する。
【解決手段】 高電圧を扱うため、電圧形変換器のレグ１を複数の半導体素子１０１〜１１２の直列接続で構成する。経済性に考慮し同一定格の半導体素子を用いる。また、直流回路２も高電圧となるので、直流コンデンサの直列接続で構成する。この構成において、レグ１を構成する半導体素子相互間の接続点と、各直流コンデンサ２０１〜２０６相互の接続点が、レグ１を構成する半導体素子と同じ電圧定格を有する半導体素子から構成されるスイッチ４１〜４４により接続される。直流回路２の直列接続されたコンデンサの数に応じたレベル数の出力電圧が出力端子Ｕに発生される。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路において、ノーマリオン型トランジスタを利用したスイッチング素子への貫通電流を抑制する。
【解決手段】ハイサイドトランジスタ２１とローサイドトランジスタ２２の少なくとも一方は、ノーマリオン型トランジスタである。２つのゲート駆動回路１１、１２の少なくとも一方は、正電源から供給される第１電源電圧ＶＤＤと、負電圧源３０から供給され接地電圧ＧＮＤよりも低い第２電源電圧ＶＮＥＧとに応じた駆動電圧ＧＨ、ＧＬを、ノーマリオン型のトランジスタのゲートに出力する。制御回路４０は、第２電源電圧ＶＮＥＧが参照電圧Ｖｒｅｆよりも高い場合、ハイサイドトランジスタ２１に流れるドレイン電流を遮断する。 （もっと読む）

【課題】相対するＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴに短絡電流が流れることのないようにする。
【解決手段】電動機の駆動装置１１は、交流電源に接続されて直流電力を出力する整流回路１７と、整流回路１７の直流電力を三相交流電力に変換して電動機を駆動する三相インバータ回路２１と、三相インバータ回路２１の通電相を切り替えると共に電動機２３の駆動を制御するためのＰＷＭ信号を三相インバータ回路２１に供給する制御回路２５とを備える。三相インバータ回路２１は、寄生ダイオードを有し、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ素子よりなる上アームおよび下アームを、三相の各相についてそれぞれ備える。ＰＷＭ信号は、各相について、上アームを駆動するためのオン期間および下アームを駆動するためのオン期間が相互に重ならないようにデッドタイム期間を挟んで設定される。 （もっと読む）

【課題】下アーム側のスイッチング素子を駆動する駆動電圧の変動を低減する。
【解決手段】駆動電圧（Vgx）を上アーム側スイッチング素子（10）のゲート端子に印加して該上アーム側スイッチング素子（10）を駆動する複数の上アーム側ドライブ回路（30）をそれぞれの上アーム側スイッチング素子（10）に対応して設ける。また、駆動電圧（Vgx）を下アーム側スイッチング素子（20）のゲート端子に印加して該下アーム側スイッチング素子（20）を駆動する複数の下アーム側ドライブ回路（40）をそれぞれの下アーム側スイッチング素子（20）に対応して設ける。そして、調整回路（50）によって、下アーム側スイッチング素子（20）のソース端子の電位変動に応じ、下アーム側ドライブ回路（40）が印加する駆動電圧（Vgx）を調整する。 （もっと読む）

【課題】ノイズ低減を図ることができる電力変換装置の提供。
【解決手段】電力変換装置は、パワー半導体素子を有するパワーモジュールと、パワー半導体素子を駆動する駆動回路、および該駆動回路に駆動電源を供給する電源トランス８５０を搭載した駆動回路基板２２と、制御回路を搭載した制御回路基板２０と、制御回路基板２０と駆動回路基板２２との間に配置される金属製ベースと、パワーモジュールと駆動回路基板２２と制御回路基板２０と金属製ベースを収納するハウジング１２と、を備え、パワーモジュールは、駆動回路基板２２を挟んで制御回路基板２０とは反対側に配置され、金属製ベースは、駆動回路基板２２と対向する領域の一部に貫通孔である開口８５２が形成され、電源トランス８５０は、その一部が貫通孔８５２内に収納されるように、金属製ベースが配置された側の駆動回路基板２２の面に搭載されている。 （もっと読む）

【課題】低出力におけるターンオフ時のスイッチング速度を速められるようにしたハーフブリッジ回路を提供する。
【解決手段】モード１〜３において誘導性負荷Ｌの通電方向が第１方向（図示左方向）であるとき、ＭＯＳトランジスタＳ１にオフ制御信号を印加するときには、ＭＯＳトランジスタＳ２にオン制御信号を印加するまでの間に、第１方向と同一方向に通電するようにＭＯＳトランジスタＳ３、Ｓ４に制御信号（Ｓ３＝オン制御信号：Ｓ４＝オフ制御信号）を一方向通電制御信号として印加する。モード４〜６において誘導性負荷Ｌの通電方向が第２方向（図示右方向）であるとき、ＭＯＳトランジスタＳ２にオフ制御信号を印加するときには、ＭＯＳトランジスタＳ１にオン制御信号を印加するまでの間に、第２方向と同一方向に通電するようにＭＯＳトランジスタＳ３、Ｓ４に制御信号（Ｓ３＝オフ制御信号：Ｓ４＝オン制御信号）を一方向通電制御信号として印加する。 （もっと読む）

【課題】スイッチングトランジスタの異常を精度よく検知することのできる電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置が備えるスイッチング回路ＳＷには、並列に接続された２個のトランジスタＴｒａ、Ｔｒｂと、各トランジスタの温度を計測する温度センサＱａ、Ｑｂが備えられている。電力変換装置のコントローラは、温度センサが計測した２個のトランジスタの温度差が予め定められた温度差閾値を超えている場合に、そのスイッチング回路ＳＷに含まれるトランジスタに異常が発生していることを示す診断結果を出力する。 （もっと読む）

【課題】シール構造が簡素であり且つ体格（平面方向の大きさ及び高さ方向の長さ）を小さくすることができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１は、半導体素子２０に絶縁部材３０を介して接合される冷却ケース５０を備えたパワーモジュール１０Ｌとパワーモジュール１０Ｈで構成される。各パワーモジュール１０Ｌ，１０Ｈの冷却ケース５０は、平面状に延びていて裏面５１ｂにピンフィン５１ｃが形成される放熱部５１と、放熱部５１から連続的に平面状に延びるヘッダ部５２と、冷媒６０が流入及び流出する水路部５３Ａ，５３Ｂと、冷媒６０が流れる冷媒空間ＲＫを形成する縁部５４とを有する。これら放熱部５１とヘッダ部５２と水路部５３Ａ，５３Ｂと縁部５４とが一体的に成形される。パワーモジュール１０Ｌとパワーモジュール１０Ｈとは、互いのピンフィン５１ｃが対向し、且つ互いの縁部５４がシールされた状態で組付けられている。 （もっと読む）

【課題】駆動電流を制御するスイッチ素子をより高い周波数で動作させることができ、且つ駆動電流の異常をより正確且つ安定的に検出することが可能な負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】負荷駆動装置１は、スイッチ素子Ｔ１に対してオン信号を周期的に出力し、且つ各周期におけるオン信号の出力期間の長さを所定の変動範囲内で変更するように制御を行う信号制御回路と、通電路における駆動電流の状態を検出する検出回路と、検出回路によって検出される駆動電流の状態に基づいて異常判定を行う異常判定回路と、異常判定回路によって異常と判定されることを条件として駆動電流を抑制する保護動作を行う保護回路とを備えている。そして、異常判定回路は、信号制御回路により、オン信号の出力期間の長さが変動範囲における最小長さよりも長い所定長さに設定されるときに、検出回路の検出結果に基づいて異常判定を行っている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サイリスタやスイッチなどを制御する機構なしに、ＭＭＣの単位変換器の上側のＩＧＢＴが故障した時でも該単位変換器の出力を短絡して、電流経路を確保して、運転継続可能な電力変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】上記の目的は、ＭＭＣの単位変換器の出力端子間に少なくともＰＭＰの三層構造を有するプレスパック素子を配置して且つ、該プレスパック素子の逆耐圧は、単位変換器に並列に接続されたＩＧＢＴの耐圧よりも高く、単位変換器を構成する直流コンデンサの耐圧よりも低いことを特徴とする電力変換装置により達成できる。
【効果】サイリスタやスイッチなどを制御する機構が不要であるため、電力変換装置を小形・簡素化できる。 （もっと読む）