半導体チップの製造方法
【目的】 ダイシング後の半導体ウェハのレジストの除去を効率良く行なう。
【構成】 レジスト工程において、半導体チップ１ａの原型となる半導体ウェハ１にレジスト２を塗布する。次に、マウント工程において、レジスト２が塗布された半導体ウェハ１をダイシングテープ３に粘着固定する。次に、ダイシング工程において、ダイシングテープ３に粘着固定された半導体ウェハ１をダイシング（チップ状に切断）する。次に、紫外線照射工程において、ダイシングテープ３に所定時間紫外線照射してダイシングテープ３の粘着層３ａを硬化させる。次に、レジスト除去工程において、半導体ウェハ１の表面に塗布されたレジスト２を有機溶剤４に浸漬させて除去する。次に、ピックアップ工程において、レジスト２除去後の半導体チップ１ａを取り出す。
【構成】 レジスト工程において、半導体チップ１ａの原型となる半導体ウェハ１にレジスト２を塗布する。次に、マウント工程において、レジスト２が塗布された半導体ウェハ１をダイシングテープ３に粘着固定する。次に、ダイシング工程において、ダイシングテープ３に粘着固定された半導体ウェハ１をダイシング（チップ状に切断）する。次に、紫外線照射工程において、ダイシングテープ３に所定時間紫外線照射してダイシングテープ３の粘着層３ａを硬化させる。次に、レジスト除去工程において、半導体ウェハ１の表面に塗布されたレジスト２を有機溶剤４に浸漬させて除去する。次に、ピックアップ工程において、レジスト２除去後の半導体チップ１ａを取り出す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの表面に塗布された保護膜の除去工程を簡素化した半導体チップの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、パソコンや携帯電話など様々な電子機器に具備されているＩＣなどの集積回路デバイスは、主に半導体チップで構成されている。この種の電子部品に装着された半導体チップは、例えば精製されたシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などの材料から成る半導体ウェハから製造される。
このような半導体チップでは、性能向上、集積度向上などのために、エアブリッジなどの配線下部に空隙のある構造（以下、エアブリッジと記す）を有するものも製造されている。しかし、エアブリッジは、ダイシング工程における水圧などによって損傷を受け易い。そこで、このようなエアブリッジを有する半導体チップの製造方法としては、図３（ａ）〜（ｆ）に示すような製造方法が一般的に知られている。
【０００３】
図３（ａ）〜（ｆ）に示すように、一般的な半導体チップの製造方法としては、形成した半導体ウェハ１１の表面上にダイシング時の破損を防止する為の保護膜１２（以下、レジストと記す）を塗布する工程（図３（ａ））、レジスト１２を塗布した半導体ウェハ１１をダイシングするために粘着剤１３ａと基材１３ｂからなるダイシングテープ１３に粘着固定する工程（図３（ｂ））、粘着固定された半導体ウェハ１１をダイシングする工程（図３（ｃ））、ダイシングした半導体ウェハ１１を粘着固定したダイシングテープ１３から一個ずつ取り外し、洗浄治具に移し替える工程（図３（ｄ））、有機溶剤１４に浸漬して半導体ウェハ１１の表面に塗布されたレジスト１２を除去する工程（図３（ｅ））、レジスト１２を除去した半導体ウェハ１１からなる半導体チップ１１ａを保管トレイなどに移し替える工程（図３（ｆ））の順で行なわれている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述した半導体チップの製造方法では、各半導体ウェハ１１に塗布されたレジスト１２を除去する際、アセトン等の有機溶剤１４を用いてレジスト１２の除去を行なっている。しかし、予め半導体ウェハ１１が固定されているダイシングテープ１３ごと有機溶剤１４に浸漬すると、ダイシングテープ１３の粘着層１３ａが溶解し、半導体ウェハ１１がダイシングテープ１３から剥がれて落ちて有機溶剤１４中に散乱し、半導体ウェハ１１の破損を招く恐れがある。
【０００５】
従って、このような事態を防止するためには、半導体ウェハ１１をダイシングして形成した半導体チップ１１ａを一つずつ洗浄治具に移動させた後、有機溶剤に浸漬させる必要があった。ところが、このような半導体チップ１１ａを洗浄治具に移動させてレジスト１２の除去を行う作業では、レジスト１２の除去を行なう工程が非常に煩雑となっていた。
【０００６】
また、上述した製造方法以外にも、図３におけるレジスト１２を塗布した半導体ウェハ１１をダイシングテープ１３に粘着固定する代わりに有機溶剤１４で溶解しないシリコンなどの基板１３ｂに有機溶剤１４で溶解しないＡｕ−Ｓｎなどの共晶合金の接着剤１３ａで加熱接着し、ダイシングした後、レジスト１２の除去を行う際、基板１３ｂごと有機溶剤１４に浸漬させ、レジスト１２の除去後の半導体チップ１１ａを移送させる方法も知られている（例えば、特開平７−１４２４２６号公報参照）。しかし、この場合においても、レジスト１２の除去後に加熱器を用いて粘着剤１３ａを溶解する別工程が必要不可欠となり、一連の作業工程時間が増すという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、ダイシング後の半導体ウェハのレジストの除去を効率良く行なうことができる半導体チップの製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した目的を達成するために、請求項１記載の半導体チップの製造方法は、
所定の材料により半導体ウェハ（１）を形成した後、該半導体ウェハのデバイス形成面にレジスト（２）を塗布するレジスト塗布工程と、
前記レジストを塗布した半導体ウェハを紫外線硬化性の粘着層（３ａ）と基材（３ｂ）からなるダイシングテープ（３）に粘着固定させるマウント工程と、
前記ダイシングテープに粘着固定された半導体ウェハをダイシングして半導体チップ（１ａ）を形成するダイシング工程と、
前記ダイシングテープの前記基材面側から所定時間紫外線照射して前記粘着層を硬化させる紫外線照射工程と、
前記半導体ウェハが前記ダイシングテープに粘着されたままの状態で該ダイシングテープごと有機溶剤４に浸漬させて前記レジストを除去するレジスト除去工程と、
前記レジストの除去後、前記半導体チップを取り出すピックアップ工程と、
を含むことを特徴とする。
【０００９】
請求項２記載の半導体チップの製造方法は、
所定の材料により半導体ウェハ（１）を形成した後、該半導体ウェハのデバイス形成面にレジスト（２）を塗布するレジスト塗布工程と、
前記レジストを塗布した半導体ウェハを紫外線硬化性の粘着層（３ａ）と基材（３ｂ）からなるダイシングテープ（３）に粘着固定させるマウント工程と、
前記ダイシングテープに粘着固定された半導体ウェハをダイシングして半導体チップ（１ａ）を形成するダイシング工程と、
前記半導体チップ間の間隔を物理的に拡張するエキスパンド工程と、
前記エキスパンドの状態を保って前記ダイシングテープの前記基材面側から所定時間紫外線照射して前記粘着層を硬化させる紫外線照射工程と、
前記半導体ウェハが前記ダイシングテープに粘着されたままの状態で該ダイシングテープごと有機溶剤４に浸漬させて前記レジストを除去するレジスト除去工程と、
前記レジストの除去後、前記半導体チップを取り出すピックアップ工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１０】
請求項３記載の半導体チップの製造方法は、請求項１又は２記載の半導体チップの製造方法において、
前記レジスト除去工程に使用する前記有機溶剤４の主成分がイソプロピルアルコールまたはエタノールであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように本発明の半導体チップの製造方法では、半導体ウェハをダイシングした後、ダイシングテープの基材面側から紫外線を所定時間照射してダイシングテープの粘着層を硬化させている。これにより、ダイシング後の半導体ウェハをダイシングテープに粘着固定したままダイシングテープごと有機溶剤に浸漬させてレジストを一斉に除去することができる。その結果、レジストを除去する際の別容器への移動作業が不要となり、レジストを除去する工程が簡素化されるとともに、作業コストが削減できる。
【００１２】
また、ダイシング後にエキスパンド工程を追加した製造方法の場合でも、ダイシング後の半導体ウェハをダイシングテープに粘着固定したままダイシングテープごと有機溶剤に浸漬させてレジストを一斉に除去することができる。しかも、作製する半導体ウェハが小さい場合や半導体チップ間の間隔が非常に狭い場合でも、エキスパンド工程で半導体チップ間の間隔を自由に調整することができ、ダイシングテープ上から各半導体チップをピックアップして容易に取り出すことができる。
【００１３】
さらに、レジスト除去工程において、主成分がイソプロピルアルコールまたはエタノールからなる有機溶剤を用いれば、硬化した粘着層が有機溶剤を吸収して膨潤するのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の最良の形態を各実施形態ごとに図面を参照しながら具体的に説明する。図１は本発明に係る半導体チップの製造方法の第１実施形態の作業手順を示す概略工程図、図２は本発明に係る半導体チップの製造方法の第２実施形態の作業手順を示す概略工程図である。
【００１５】
〔第１実施形態〕
まず、図１を参照しながら、第１実施形態による半導体チップの製造方法について詳細に説明する。
【００１６】
図１（ａ）〜（ｆ）に示すように、第１実施形態による半導体チップの製造方法は、半導体チップ１ａの原型となる半導体ウェハ１を形成した後、半導体ウェハ１にレジスト２を塗布するレジスト塗布工程（図１（ａ））、レジスト２が塗布された半導体ウェハ１をダイシングテープ３に粘着固定させるマウント工程（図１（ｂ））、ダイシングテープ３に粘着固定された半導体ウェハ１をダイシング（チップ状に切断）するダイシング工程（図１（ｃ））、ダイシングテープ３に紫外線を照射してダイシングテープ３の粘着層３ａを硬化させる紫外線照射工程（図１（ｄ））、ダイシングテープ３に粘着した半導体ウェハ１をダイシングテープ３ごと有機溶剤４に浸漬させてレジスト２を一斉除去するレジスト除去工程（図１（ｅ））、レジスト２除去後の半導体チップ１ａを取り出すピックアップ工程（図１（ｆ））の順で作業が行なわれる。以下、各工程毎に、その内容について詳述する。
【００１７】
・レジスト塗布工程
図１（ａ）に示すように、表面に使用目的に応じた回路パターンを形成した半導体ウェハ１に、該回路がダイシング時に損傷するのを防止するために、回路形成面全体にレジスト２を塗布する。
【００１８】
・マウント工程
図１（ｂ）に示すように、ダイシング時の半導体ウェハ１の位置ズレやチップの飛び散りを防止するため、紫外線の照射により硬化する粘着層３ａと基材３ｂとで形成された紫外線硬化性粘着テープからなるダイシングテープ３（本例では、リンテック（株）製のＡｄｗｉｌｌ Ｄ−６２８を使用した）の上に半導体ウェハ１を粘着させて保持する。
【００１９】
・ダイシング工程
図１（ｃ）に示すように、マウント工程においてダイシングテープ３に粘着固定された半導体ウェハ１に対し、約１５μｍ〜２００μｍ程度の厚みのダイヤモンドブレードを高速で回転させて移動し、半導体ウェハ１をチップ状に切断して半導体チップ１ａを得る。このとき、ダイヤモンドブレードと半導体ウェハ１が接する部分及びその近傍には潤滑及び冷却のために水をかける。
【００２０】
・紫外線照射工程
図１（ｄ）に示すように、不図示の紫外線照射装置を用い、所定の出力に設定された紫外線をダイシングテープ３の基材３ｂ側から所定時間照射させる。この基材３ｂ側からの紫外線の照射により粘着層３ａが硬化し、次工程であるレジスト除去工程において、有機溶剤４の溶液中で半導体チップ１ａが飛散せずにダイシングテープ３に固定された状態が保たれる。
【００２１】
具体的に、本例に使用したダイシングテープ３の場合、光量７０ｍＪ／ｃｍ2 以上で約８秒間紫外線照射すると、粘着層３ａの粘着力が低下するものであるが、４倍の約３２秒間紫外線を照射することにより粘着層３ａが硬化し、各半導体チップ１ａがダイシングテープ３の粘着層３ａに粘着固定された状態が維持される。
【００２２】
・レジスト除去工程
図１（ｅ）に示すように、レジスト２の除去に最適な濃度に調整された有機溶剤４が満たされた容器に対し、粘着層３ａの硬化によりダイシングテープ３に粘着固定された半導体チップ１ａ（半導体ウェハ１）をダイシングテープ３ごと所定時間浸漬させ、各半導体チップ１ａの回路形成面に塗布されているレジスト２を一斉に除去する。
【００２３】
ここで、レジスト２を除去するための有機溶剤４としては、イソプロピルアルコールを用いるのが好ましい。このイソプロピルアルコールを用いれば、硬化した粘着層３ａが有機溶剤４を吸収して膨潤するのを低減でき、レジスト２の除去中に各半導体チップ１ａがダイシングテープ３の粘着層３ａから剥離するのを防止することができる。なお、有機溶剤４としては、上述したイソプロピルアルコールのみに限定されることはなく、レジスト２が除去でき、硬化した粘着層３ａが溶解しない成分であればよい。
【００２４】
・ピックアップ工程
図１（ｆ）に示すように、レジスト２を一斉に除去した後、各半導体チップ１ａを不図示のピックアップ機構により一つずつ取り出し、例えば保管トレイに移し替えて保管したり、半導体チップ１ａを不図示のリードフレームに固定してダイボンディング工程などを行なう。
【００２５】
〔第２実施形態〕
次に、図２を参照しながら、第２実施形態による半導体チップの製造方法について説明する。なお、第２実施形態において、上述した第１実施形態と同一の構成要素には同一番号を付し、同一工程についての説明を省略している。
【００２６】
第２実施形態による半導体チップの製造方法は、第１実施形態による半導体チップの製造方法のダイシング工程（図１（ｃ））と紫外線照射工程（図１（ｅ））との間に、ダイシングされた各半導体チップ１ａ間の間隔を物理的に広げるためのエキスパンド工程（図２（ａ））が追加されたものである。なお、エキスパンド工程前のレジスト塗布工程、マウント工程、ダイシング工程は第１実施形態と同様の手法により行われる。
【００２７】
・エキスパンド工程
半導体ウェハ１をダイシングして複数の半導体チップ１ａを形成した際、半導体ウェハ１の大きさや各半導体チップ１ａの間隔が狭いと、後のピックアップ工程時に各半導体チップ１ａの取り出し移動が困難な場合がある。
【００２８】
そこで、本例では、図２（ａ）に示すように、半導体チップ１ａの取り出し移動を容易にするため、半導体チップ１ａの間隔を物理的に広げ（本例では上下左右の４方向）、半導体チップ１ａの間隔を拡張して調整する。
【００２９】
なお、エキスパンドする方向は４方向に限らず、半導体チップ１ａ同士の間隔がピックアップ工程時にピックアップ機構により取り出しやすい間隔になればよいので、例えば上下又は左右の２方向でも良く、特にエキスパンドする方向などは限定されない。
【００３０】
上述したエキスパンド工程以降の工程では、ダイシングテープ３上に粘着固着された半導体ウェハ１の各半導体チップ１ａのエキスパンドされた状態が保たれたまま第１実施形態と同様の紫外線照射工程（図２（ｂ））、レジスト除去工程（図２（ｃ））、ピックアップ工程（図２（ｄ））が行われる。なお、図２（ｂ）〜（ｄ）において、第１実施形態と同一の構成要素には同一番号を付している。
【００３１】
このように、上述した半導体チップの製造方法によれば、半導体ウェハ１をダイシングした後、ダイシングテープ３の基材３ｂ面側から紫外線を所定時間照射してダイシングテープ３の粘着層３ａを硬化させている。これにより、ダイシング後の半導体ウェハ１をダイシングテープ３に粘着固定したままダイシングテープ３ごと有機溶剤４が満たされた洗浄容器内に浸漬させてレジスト２を一斉に除去することができる。その結果、レジスト２を除去する際の別容器への移動作業が不要となり、レジスト２を除去する工程が簡素化されるとともに、作業コストが削減できるという効果を奏する。
【００３２】
また、第２実施形態のように、ダイシング後にエキスパンド工程を追加した製造方法の場合でも、第１実施形態と同様に、ダイシング後の半導体ウェハ１をダイシングテープ３に粘着固定したままダイシングテープ３ごと有機溶剤４が満たされた洗浄容器内に浸漬させてレジスト２を一斉に除去することができる。しかも、作製する半導体ウェハ１が小さい場合や半導体チップ１ａ間の間隔が非常に狭い場合でも、エキスパンド工程で半導体チップ１ａ間の間隔を自由に調整することができ、ダイシングテープ３上から各半導体チップ１ａをピックアップして容易に取り出すことができる。
【００３３】
以上、本発明を用いて最良の形態について説明したが、この形態による記述及び図面により本発明が限定されることはない。すなわち、この形態に基づいて当業者等によりなされる他の形態、実施例及び運用技術等はすべて本発明の範疇に含まれることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明における半導体チップの製造方法の第１実施形態の作業手順を示す概略工程図である。
【図２】本発明における半導体チップの製造方法の第２実施形態の作業手順を示す概略工程図である。
【図３】従来の半導体チップの製造方法の一例を示す概略工程図である。
【符号の説明】
【００３５】
１ 半導体ウェハ
１ａ 半導体チップ
２ レジスト
３ ダイシングテープ
３ａ 粘着層
３ｂ 基材
４ 有機溶剤
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの表面に塗布された保護膜の除去工程を簡素化した半導体チップの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、パソコンや携帯電話など様々な電子機器に具備されているＩＣなどの集積回路デバイスは、主に半導体チップで構成されている。この種の電子部品に装着された半導体チップは、例えば精製されたシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などの材料から成る半導体ウェハから製造される。
このような半導体チップでは、性能向上、集積度向上などのために、エアブリッジなどの配線下部に空隙のある構造（以下、エアブリッジと記す）を有するものも製造されている。しかし、エアブリッジは、ダイシング工程における水圧などによって損傷を受け易い。そこで、このようなエアブリッジを有する半導体チップの製造方法としては、図３（ａ）〜（ｆ）に示すような製造方法が一般的に知られている。
【０００３】
図３（ａ）〜（ｆ）に示すように、一般的な半導体チップの製造方法としては、形成した半導体ウェハ１１の表面上にダイシング時の破損を防止する為の保護膜１２（以下、レジストと記す）を塗布する工程（図３（ａ））、レジスト１２を塗布した半導体ウェハ１１をダイシングするために粘着剤１３ａと基材１３ｂからなるダイシングテープ１３に粘着固定する工程（図３（ｂ））、粘着固定された半導体ウェハ１１をダイシングする工程（図３（ｃ））、ダイシングした半導体ウェハ１１を粘着固定したダイシングテープ１３から一個ずつ取り外し、洗浄治具に移し替える工程（図３（ｄ））、有機溶剤１４に浸漬して半導体ウェハ１１の表面に塗布されたレジスト１２を除去する工程（図３（ｅ））、レジスト１２を除去した半導体ウェハ１１からなる半導体チップ１１ａを保管トレイなどに移し替える工程（図３（ｆ））の順で行なわれている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述した半導体チップの製造方法では、各半導体ウェハ１１に塗布されたレジスト１２を除去する際、アセトン等の有機溶剤１４を用いてレジスト１２の除去を行なっている。しかし、予め半導体ウェハ１１が固定されているダイシングテープ１３ごと有機溶剤１４に浸漬すると、ダイシングテープ１３の粘着層１３ａが溶解し、半導体ウェハ１１がダイシングテープ１３から剥がれて落ちて有機溶剤１４中に散乱し、半導体ウェハ１１の破損を招く恐れがある。
【０００５】
従って、このような事態を防止するためには、半導体ウェハ１１をダイシングして形成した半導体チップ１１ａを一つずつ洗浄治具に移動させた後、有機溶剤に浸漬させる必要があった。ところが、このような半導体チップ１１ａを洗浄治具に移動させてレジスト１２の除去を行う作業では、レジスト１２の除去を行なう工程が非常に煩雑となっていた。
【０００６】
また、上述した製造方法以外にも、図３におけるレジスト１２を塗布した半導体ウェハ１１をダイシングテープ１３に粘着固定する代わりに有機溶剤１４で溶解しないシリコンなどの基板１３ｂに有機溶剤１４で溶解しないＡｕ−Ｓｎなどの共晶合金の接着剤１３ａで加熱接着し、ダイシングした後、レジスト１２の除去を行う際、基板１３ｂごと有機溶剤１４に浸漬させ、レジスト１２の除去後の半導体チップ１１ａを移送させる方法も知られている（例えば、特開平７−１４２４２６号公報参照）。しかし、この場合においても、レジスト１２の除去後に加熱器を用いて粘着剤１３ａを溶解する別工程が必要不可欠となり、一連の作業工程時間が増すという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、ダイシング後の半導体ウェハのレジストの除去を効率良く行なうことができる半導体チップの製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した目的を達成するために、請求項１記載の半導体チップの製造方法は、
所定の材料により半導体ウェハ（１）を形成した後、該半導体ウェハのデバイス形成面にレジスト（２）を塗布するレジスト塗布工程と、
前記レジストを塗布した半導体ウェハを紫外線硬化性の粘着層（３ａ）と基材（３ｂ）からなるダイシングテープ（３）に粘着固定させるマウント工程と、
前記ダイシングテープに粘着固定された半導体ウェハをダイシングして半導体チップ（１ａ）を形成するダイシング工程と、
前記ダイシングテープの前記基材面側から所定時間紫外線照射して前記粘着層を硬化させる紫外線照射工程と、
前記半導体ウェハが前記ダイシングテープに粘着されたままの状態で該ダイシングテープごと有機溶剤４に浸漬させて前記レジストを除去するレジスト除去工程と、
前記レジストの除去後、前記半導体チップを取り出すピックアップ工程と、
を含むことを特徴とする。
【０００９】
請求項２記載の半導体チップの製造方法は、
所定の材料により半導体ウェハ（１）を形成した後、該半導体ウェハのデバイス形成面にレジスト（２）を塗布するレジスト塗布工程と、
前記レジストを塗布した半導体ウェハを紫外線硬化性の粘着層（３ａ）と基材（３ｂ）からなるダイシングテープ（３）に粘着固定させるマウント工程と、
前記ダイシングテープに粘着固定された半導体ウェハをダイシングして半導体チップ（１ａ）を形成するダイシング工程と、
前記半導体チップ間の間隔を物理的に拡張するエキスパンド工程と、
前記エキスパンドの状態を保って前記ダイシングテープの前記基材面側から所定時間紫外線照射して前記粘着層を硬化させる紫外線照射工程と、
前記半導体ウェハが前記ダイシングテープに粘着されたままの状態で該ダイシングテープごと有機溶剤４に浸漬させて前記レジストを除去するレジスト除去工程と、
前記レジストの除去後、前記半導体チップを取り出すピックアップ工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１０】
請求項３記載の半導体チップの製造方法は、請求項１又は２記載の半導体チップの製造方法において、
前記レジスト除去工程に使用する前記有機溶剤４の主成分がイソプロピルアルコールまたはエタノールであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように本発明の半導体チップの製造方法では、半導体ウェハをダイシングした後、ダイシングテープの基材面側から紫外線を所定時間照射してダイシングテープの粘着層を硬化させている。これにより、ダイシング後の半導体ウェハをダイシングテープに粘着固定したままダイシングテープごと有機溶剤に浸漬させてレジストを一斉に除去することができる。その結果、レジストを除去する際の別容器への移動作業が不要となり、レジストを除去する工程が簡素化されるとともに、作業コストが削減できる。
【００１２】
また、ダイシング後にエキスパンド工程を追加した製造方法の場合でも、ダイシング後の半導体ウェハをダイシングテープに粘着固定したままダイシングテープごと有機溶剤に浸漬させてレジストを一斉に除去することができる。しかも、作製する半導体ウェハが小さい場合や半導体チップ間の間隔が非常に狭い場合でも、エキスパンド工程で半導体チップ間の間隔を自由に調整することができ、ダイシングテープ上から各半導体チップをピックアップして容易に取り出すことができる。
【００１３】
さらに、レジスト除去工程において、主成分がイソプロピルアルコールまたはエタノールからなる有機溶剤を用いれば、硬化した粘着層が有機溶剤を吸収して膨潤するのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の最良の形態を各実施形態ごとに図面を参照しながら具体的に説明する。図１は本発明に係る半導体チップの製造方法の第１実施形態の作業手順を示す概略工程図、図２は本発明に係る半導体チップの製造方法の第２実施形態の作業手順を示す概略工程図である。
【００１５】
〔第１実施形態〕
まず、図１を参照しながら、第１実施形態による半導体チップの製造方法について詳細に説明する。
【００１６】
図１（ａ）〜（ｆ）に示すように、第１実施形態による半導体チップの製造方法は、半導体チップ１ａの原型となる半導体ウェハ１を形成した後、半導体ウェハ１にレジスト２を塗布するレジスト塗布工程（図１（ａ））、レジスト２が塗布された半導体ウェハ１をダイシングテープ３に粘着固定させるマウント工程（図１（ｂ））、ダイシングテープ３に粘着固定された半導体ウェハ１をダイシング（チップ状に切断）するダイシング工程（図１（ｃ））、ダイシングテープ３に紫外線を照射してダイシングテープ３の粘着層３ａを硬化させる紫外線照射工程（図１（ｄ））、ダイシングテープ３に粘着した半導体ウェハ１をダイシングテープ３ごと有機溶剤４に浸漬させてレジスト２を一斉除去するレジスト除去工程（図１（ｅ））、レジスト２除去後の半導体チップ１ａを取り出すピックアップ工程（図１（ｆ））の順で作業が行なわれる。以下、各工程毎に、その内容について詳述する。
【００１７】
・レジスト塗布工程
図１（ａ）に示すように、表面に使用目的に応じた回路パターンを形成した半導体ウェハ１に、該回路がダイシング時に損傷するのを防止するために、回路形成面全体にレジスト２を塗布する。
【００１８】
・マウント工程
図１（ｂ）に示すように、ダイシング時の半導体ウェハ１の位置ズレやチップの飛び散りを防止するため、紫外線の照射により硬化する粘着層３ａと基材３ｂとで形成された紫外線硬化性粘着テープからなるダイシングテープ３（本例では、リンテック（株）製のＡｄｗｉｌｌ Ｄ−６２８を使用した）の上に半導体ウェハ１を粘着させて保持する。
【００１９】
・ダイシング工程
図１（ｃ）に示すように、マウント工程においてダイシングテープ３に粘着固定された半導体ウェハ１に対し、約１５μｍ〜２００μｍ程度の厚みのダイヤモンドブレードを高速で回転させて移動し、半導体ウェハ１をチップ状に切断して半導体チップ１ａを得る。このとき、ダイヤモンドブレードと半導体ウェハ１が接する部分及びその近傍には潤滑及び冷却のために水をかける。
【００２０】
・紫外線照射工程
図１（ｄ）に示すように、不図示の紫外線照射装置を用い、所定の出力に設定された紫外線をダイシングテープ３の基材３ｂ側から所定時間照射させる。この基材３ｂ側からの紫外線の照射により粘着層３ａが硬化し、次工程であるレジスト除去工程において、有機溶剤４の溶液中で半導体チップ１ａが飛散せずにダイシングテープ３に固定された状態が保たれる。
【００２１】
具体的に、本例に使用したダイシングテープ３の場合、光量７０ｍＪ／ｃｍ2 以上で約８秒間紫外線照射すると、粘着層３ａの粘着力が低下するものであるが、４倍の約３２秒間紫外線を照射することにより粘着層３ａが硬化し、各半導体チップ１ａがダイシングテープ３の粘着層３ａに粘着固定された状態が維持される。
【００２２】
・レジスト除去工程
図１（ｅ）に示すように、レジスト２の除去に最適な濃度に調整された有機溶剤４が満たされた容器に対し、粘着層３ａの硬化によりダイシングテープ３に粘着固定された半導体チップ１ａ（半導体ウェハ１）をダイシングテープ３ごと所定時間浸漬させ、各半導体チップ１ａの回路形成面に塗布されているレジスト２を一斉に除去する。
【００２３】
ここで、レジスト２を除去するための有機溶剤４としては、イソプロピルアルコールを用いるのが好ましい。このイソプロピルアルコールを用いれば、硬化した粘着層３ａが有機溶剤４を吸収して膨潤するのを低減でき、レジスト２の除去中に各半導体チップ１ａがダイシングテープ３の粘着層３ａから剥離するのを防止することができる。なお、有機溶剤４としては、上述したイソプロピルアルコールのみに限定されることはなく、レジスト２が除去でき、硬化した粘着層３ａが溶解しない成分であればよい。
【００２４】
・ピックアップ工程
図１（ｆ）に示すように、レジスト２を一斉に除去した後、各半導体チップ１ａを不図示のピックアップ機構により一つずつ取り出し、例えば保管トレイに移し替えて保管したり、半導体チップ１ａを不図示のリードフレームに固定してダイボンディング工程などを行なう。
【００２５】
〔第２実施形態〕
次に、図２を参照しながら、第２実施形態による半導体チップの製造方法について説明する。なお、第２実施形態において、上述した第１実施形態と同一の構成要素には同一番号を付し、同一工程についての説明を省略している。
【００２６】
第２実施形態による半導体チップの製造方法は、第１実施形態による半導体チップの製造方法のダイシング工程（図１（ｃ））と紫外線照射工程（図１（ｅ））との間に、ダイシングされた各半導体チップ１ａ間の間隔を物理的に広げるためのエキスパンド工程（図２（ａ））が追加されたものである。なお、エキスパンド工程前のレジスト塗布工程、マウント工程、ダイシング工程は第１実施形態と同様の手法により行われる。
【００２７】
・エキスパンド工程
半導体ウェハ１をダイシングして複数の半導体チップ１ａを形成した際、半導体ウェハ１の大きさや各半導体チップ１ａの間隔が狭いと、後のピックアップ工程時に各半導体チップ１ａの取り出し移動が困難な場合がある。
【００２８】
そこで、本例では、図２（ａ）に示すように、半導体チップ１ａの取り出し移動を容易にするため、半導体チップ１ａの間隔を物理的に広げ（本例では上下左右の４方向）、半導体チップ１ａの間隔を拡張して調整する。
【００２９】
なお、エキスパンドする方向は４方向に限らず、半導体チップ１ａ同士の間隔がピックアップ工程時にピックアップ機構により取り出しやすい間隔になればよいので、例えば上下又は左右の２方向でも良く、特にエキスパンドする方向などは限定されない。
【００３０】
上述したエキスパンド工程以降の工程では、ダイシングテープ３上に粘着固着された半導体ウェハ１の各半導体チップ１ａのエキスパンドされた状態が保たれたまま第１実施形態と同様の紫外線照射工程（図２（ｂ））、レジスト除去工程（図２（ｃ））、ピックアップ工程（図２（ｄ））が行われる。なお、図２（ｂ）〜（ｄ）において、第１実施形態と同一の構成要素には同一番号を付している。
【００３１】
このように、上述した半導体チップの製造方法によれば、半導体ウェハ１をダイシングした後、ダイシングテープ３の基材３ｂ面側から紫外線を所定時間照射してダイシングテープ３の粘着層３ａを硬化させている。これにより、ダイシング後の半導体ウェハ１をダイシングテープ３に粘着固定したままダイシングテープ３ごと有機溶剤４が満たされた洗浄容器内に浸漬させてレジスト２を一斉に除去することができる。その結果、レジスト２を除去する際の別容器への移動作業が不要となり、レジスト２を除去する工程が簡素化されるとともに、作業コストが削減できるという効果を奏する。
【００３２】
また、第２実施形態のように、ダイシング後にエキスパンド工程を追加した製造方法の場合でも、第１実施形態と同様に、ダイシング後の半導体ウェハ１をダイシングテープ３に粘着固定したままダイシングテープ３ごと有機溶剤４が満たされた洗浄容器内に浸漬させてレジスト２を一斉に除去することができる。しかも、作製する半導体ウェハ１が小さい場合や半導体チップ１ａ間の間隔が非常に狭い場合でも、エキスパンド工程で半導体チップ１ａ間の間隔を自由に調整することができ、ダイシングテープ３上から各半導体チップ１ａをピックアップして容易に取り出すことができる。
【００３３】
以上、本発明を用いて最良の形態について説明したが、この形態による記述及び図面により本発明が限定されることはない。すなわち、この形態に基づいて当業者等によりなされる他の形態、実施例及び運用技術等はすべて本発明の範疇に含まれることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明における半導体チップの製造方法の第１実施形態の作業手順を示す概略工程図である。
【図２】本発明における半導体チップの製造方法の第２実施形態の作業手順を示す概略工程図である。
【図３】従来の半導体チップの製造方法の一例を示す概略工程図である。
【符号の説明】
【００３５】
１ 半導体ウェハ
１ａ 半導体チップ
２ レジスト
３ ダイシングテープ
３ａ 粘着層
３ｂ 基材
４ 有機溶剤
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の材料により半導体ウェハ（１）を形成した後、該半導体ウェハのデバイス形成面にレジスト（２）を塗布するレジスト塗布工程と、
前記レジストを塗布した半導体ウェハを紫外線硬化性の粘着層（３ａ）と基材（３ｂ）からなるダイシングテープ（３）に粘着固定させるマウント工程と、
前記ダイシングテープに粘着固定された半導体ウェハをダイシングして半導体チップ（１ａ）を形成するダイシング工程と、
前記ダイシングテープの前記基材面側から所定時間紫外線照射して前記粘着層を硬化させる紫外線照射工程と、
前記半導体ウェハが前記ダイシングテープに粘着されたままの状態で該ダイシングテープごと有機溶剤（４）に浸漬させて前記レジストを除去するレジスト除去工程と、
前記レジストの除去後、前記半導体チップを取り出すピックアップ工程と、
を含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項２】
所定の材料により半導体ウェハ（１）を形成した後、該半導体ウェハのデバイス形成面にレジスト（２）を塗布するレジスト塗布工程と、
前記レジストを塗布した半導体ウェハを紫外線硬化性の粘着層（３ａ）と基材（３ｂ）からなるダイシングテープ（３）に粘着固定させるマウント工程と、
前記ダイシングテープに粘着固定された半導体ウェハをダイシングして半導体チップ（１ａ）を形成するダイシング工程と、
前記半導体チップ間の間隔を物理的に拡張するエキスパンド工程と、
前記エキスパンドの状態を保って前記ダイシングテープの前記基材面側から所定時間紫外線照射して前記粘着層を硬化させる紫外線照射工程と、
前記半導体ウェハが前記ダイシングテープに粘着されたままの状態で該ダイシングテープごと有機溶剤（４）に浸漬させて前記レジストを除去するレジスト除去工程と、
前記レジストの除去後、前記半導体チップを取り出すピックアップ工程と、
を含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項３】
前記レジスト除去工程に使用する前記有機溶剤（４）の主成分がイソプロピルアルコールまたはエタノールであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１】
所定の材料により半導体ウェハ（１）を形成した後、該半導体ウェハのデバイス形成面にレジスト（２）を塗布するレジスト塗布工程と、
前記レジストを塗布した半導体ウェハを紫外線硬化性の粘着層（３ａ）と基材（３ｂ）からなるダイシングテープ（３）に粘着固定させるマウント工程と、
前記ダイシングテープに粘着固定された半導体ウェハをダイシングして半導体チップ（１ａ）を形成するダイシング工程と、
前記ダイシングテープの前記基材面側から所定時間紫外線照射して前記粘着層を硬化させる紫外線照射工程と、
前記半導体ウェハが前記ダイシングテープに粘着されたままの状態で該ダイシングテープごと有機溶剤（４）に浸漬させて前記レジストを除去するレジスト除去工程と、
前記レジストの除去後、前記半導体チップを取り出すピックアップ工程と、
を含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項２】
所定の材料により半導体ウェハ（１）を形成した後、該半導体ウェハのデバイス形成面にレジスト（２）を塗布するレジスト塗布工程と、
前記レジストを塗布した半導体ウェハを紫外線硬化性の粘着層（３ａ）と基材（３ｂ）からなるダイシングテープ（３）に粘着固定させるマウント工程と、
前記ダイシングテープに粘着固定された半導体ウェハをダイシングして半導体チップ（１ａ）を形成するダイシング工程と、
前記半導体チップ間の間隔を物理的に拡張するエキスパンド工程と、
前記エキスパンドの状態を保って前記ダイシングテープの前記基材面側から所定時間紫外線照射して前記粘着層を硬化させる紫外線照射工程と、
前記半導体ウェハが前記ダイシングテープに粘着されたままの状態で該ダイシングテープごと有機溶剤（４）に浸漬させて前記レジストを除去するレジスト除去工程と、
前記レジストの除去後、前記半導体チップを取り出すピックアップ工程と、
を含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項３】
前記レジスト除去工程に使用する前記有機溶剤（４）の主成分がイソプロピルアルコールまたはエタノールであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体チップの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００６−１２０８５０（Ｐ２００６−１２０８５０Ａ）
【公開日】平成１８年５月１１日（２００６．５．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３０７０４３（Ｐ２００４−３０７０４３）
【出願日】平成１６年１０月２１日（２００４．１０．２１）
【出願人】（００００００５７２）アンリツ株式会社 (838)
【公開日】平成１８年５月１１日（２００６．５．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１０月２１日（２００４．１０．２１）
【出願人】（００００００５７２）アンリツ株式会社 (838)
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