半導体発光ダイオードチップ、その製造方法及び品質管理方法
【課題】ウエハベース工程の履歴情報を追跡し管理することができる半導体発光ダイオードチップ、その製造方法及びこれを利用した品質管理方法を提供する。
【解決手段】半導体発光ダイオードチップは、基板１１と、当該基板の一領域に形成され、第１及び第２の化合物半導体層１２ａ，１２ｂと当該第１及び第２の化合物半導体層間に形成された活性層１２ｃとを有する発光積層体と、当該第１及び第２の化合物半導体層にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極とを備える発光ダイオードＬＤと、上記基板の他の領域に上記発光ダイオードから電気的に絶縁されるように形成され、それぞれのウエハベース工程の履歴情報に対応する固有の電気的特性値を有する回路部と、当該電気的特性値を測定できるように当該回路部に連結された複数の電極パッド１７とを備える少なくとも一つのヒューズシグネチャ回路Ｓ４，Ｓ５とを含む。
【解決手段】半導体発光ダイオードチップは、基板１１と、当該基板の一領域に形成され、第１及び第２の化合物半導体層１２ａ，１２ｂと当該第１及び第２の化合物半導体層間に形成された活性層１２ｃとを有する発光積層体と、当該第１及び第２の化合物半導体層にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極とを備える発光ダイオードＬＤと、上記基板の他の領域に上記発光ダイオードから電気的に絶縁されるように形成され、それぞれのウエハベース工程の履歴情報に対応する固有の電気的特性値を有する回路部と、当該電気的特性値を測定できるように当該回路部に連結された複数の電極パッド１７とを備える少なくとも一つのヒューズシグネチャ回路Ｓ４，Ｓ５とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光ダイオードチップに関し、特に、ウエハベース工程の履歴情報を追跡し管理することができる半導体発光ダイオードチップ、その製造方法及びこれを利用した品質管理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；以下、「ＬＥＤ」という）は、電気エネルギーを光エネルギーに変換する半導体素子であり、エネルギーバンドギャップによる特定波長の光を放つ化合物半導体からなり、光通信及びモバイルディスプレイ、コンピューターモニター等のディスプレイ、ＬＣＤ用バックライトユニット（Ｂａｃｋ Ｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ：ＢＬＵ）から照明装置に至るまで多様な領域への使用が拡大してきている。
【０００３】
一般に、ウエハベース工程としてエピタキシャル成長工程及び電極形成工程が行われ、ウエハを切断して個別のチップに分離した後には、上述した多様なアプリケーションにおける外部回路との容易な連結性及び放熱性の保障のためにパッケージ構造に製造されて用いられる。
【０００４】
しかしながら、このような製造工程の場合、特にパッケージベース工程ではＬＥＤパッケージに電気的欠陥又は外観不良が発生することがあり、チップ自体の欠陥によって最終ＬＥＤ製品に様々な不良が発生することがある。特に、ＬＥＤ製品の場合は、上述したウエハベース工程、パッケージベース工程、トリミング／分類工程及びモジュールアセンブリー工程等の多様な工程を経るため、最終製品での不良の原因を正確に分析することが非常に困難な状況にある。
【０００５】
ここで、上述したウエハベース工程から、チップ工程、パッケージベース工程及びモジュールアセンブリー工程に至るまでの全製造工程の履歴情報の管理は、不良の原因の正確な分析と共に、チップ特性とパッケージ特性との相関性を導き出すことにより所望の製品の収率の向上に大きく寄与する。
【０００６】
一方、ＬＥＤ製品の場合、パッケージベース工程では、パッケージの外観やリードフレーム上にレーザーマーキング（ｌａｓｅｒ ｍａｒｋｉｎｇ）を利用して製品の情報を判読可能に記録し、パッケージの製造のためのリードフレームベース工程中又はパッケージ完成後に製造履歴情報を追跡し管理することができるが、ウエハベース工程の履歴情報に対してはチップのサイズ及び輝度等の問題によって別途の製品履歴情報を管理することができない実情である。
【０００７】
このように、従来、別々に分離された個別のチップは、プロービングによって発光波長等の発光特性を基準に複数のランク（ｒａｎｋ）に区分されて用いられるだけであり、ＬＥＤ製品に不良が発生する時にウエハベース工程の履歴情報がチップ又はパッケージ及びモジュール製品の品質に及ぼす影響まで確認することはできないため、不良の原因を正確に分析するのに限界があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、ウエハベース工程の履歴情報を追跡し管理することができるように識別可能な情報を有する半導体発光ダイオードチップを提供することを目的とする。
【０００９】
本発明の他の目的は、上記識別可能な情報を有する半導体発光ダイオードチップの製造方法を提供することである。
【００１０】
本発明のさらに他の目的は、上記半導体発光ダイオードチップを利用して不良の原因を追跡し管理することでウエハベース工程の問題点を診断することができる半導体発光ダイオードチップの品質管理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した技術的課題を解決するために、本発明の一側面は、基板と；当該基板の一領域に形成され、第１及び第２の化合物半導体層と当該第１及び第２の化合物半導体層間に形成された活性層とを有する発光積層体と、当該第１及び第２の化合物半導体層にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極とを備える発光ダイオードと；上記基板の他の領域に上記発光ダイオードから電気的に絶縁されるように形成され、それぞれのウエハベース工程の履歴情報に対応する固有の電気的特性値を有する回路部と、当該電気的特性値を測定できるように当該回路部に連結された複数の電極パッドとを備える少なくとも一つのヒューズシグネチャ回路と；を含む半導体発光ダイオードチップを提供する。
【００１２】
上記回路部は、複数の半導体素子と、当該複数の半導体素子に連結された複数のヒューズとを含み、当該回路部の電気的特性値は、上記複数のヒューズの選択的切断により決められることができる。
【００１３】
上記ヒューズシグネチャ回路は、好ましくは複数であり、それぞれ他の領域に形成されることができる。
【００１４】
上記複数の半導体素子は、上記発光積層体の少なくとも一つの半導体層と共に成長された半導体層を含むことができる。
【００１５】
上記ウエハベース工程の履歴情報は、該当チップの属するウエハのロットナンバー、ロットのウエハナンバー、ウエハ上の該当チップの位置及び工程ライン表示からなる群から選択される少なくとも一つを含むことができる。
【００１６】
この場合、該当チップの位置は、レチクル座標と該当レチクル内でのチップの座標とを含むことができる。
【００１７】
特定のウエハベース工程の履歴情報を示すために、上記複数のヒューズの少なくとも一つは、切断された状態であることができる。
【００１８】
上記複数の半導体素子は、上記基板の他の領域において、上記発光積層体の少なくとも一つの層と共に成長された半導体層を含むことができる。
【００１９】
本発明の一実施形態による上記複数の半導体素子は、半導体ダイオードを含むことができる。この場合、上記半導体ダイオードは、上記基板の他の領域において、上記発光積層体の各層と共に成長された半導体積層体を含むことができる。
【００２０】
上記複数の半導体素子は、互いに直列に連結され、上記複数のヒューズは、それぞれ少なくとも一つの半導体素子に並列に連結されるように形成されることができる。
【００２１】
上記基板の他の領域は、上記発光積層体の各層と共に成長された半導体積層体を含み、上記ヒューズシグネチャ回路の電極パッドは、上記半導体積層体上に形成されることができる。
【００２２】
本発明の他の実施形態による上記複数の半導体素子は、トランジスタを含むことができる。この場合、上記トランジスタは、アンドープの第１の半導体層と、当該第１の半導体層上にチャンネル層として形成され当該第１の半導体層との界面で２次元電子ガス層を提供するアンドープの第２の半導体層と、当該第２の半導体層上に形成されたソース、ドレイン及びゲート電極とを含むことができる。
【００２３】
上記トランジスタは、上記基板の他の領域において、上記発光積層体の各層と共に成長された半導体積層体上に形成されることができる。
【００２４】
本発明の他の側面は、上記半導体発光ダイオードチップと、当該半導体発光ダイオードチップが実装されたパッケージ本体と、上記半導体発光ダイオードチップの第１及び第２の電極にそれぞれ連結された第１及び第２の外部端子と、上記ヒューズシグネチャ回路の複数の電極パッドにそれぞれ連結された複数のシグネチャ端子とを含む半導体発光ダイオードパッケージを提供する。
【００２５】
本発明のさらに他の側面は、上記半導体発光ダイオードチップが形成されたウエハを用意する段階と、上記回路部が該当チップのウエハベース工程の履歴情報により決められた電気的特性値を有するように上記複数のヒューズの少なくとも一つを選択的に切断する段階と、個別のチップが得られるように上記ウエハを切断する段階とを含む半導体発光ダイオードチップの製造方法を提供する。
【００２６】
本発明のさらに他の側面は、上記半導体発光ダイオードチップを用意する段階と、上記半導体発光ダイオードチップレベルから上記半導体発光ダイオードチップを有するパッケージ製造工程及び当該工程の完了後までの任意の時点で該当チップ又はパッケージの特性を測定する段階と、上記測定された特性と当該測定された特性に関連するチップのヒューズシグネチャ回路の電気的特性値から追跡されたウエハベース工程の履歴情報との相関性に基づいて当該ウエハベース工程の履歴情報が当該測定された特性に及ぶ影響を分析する段階とを含む半導体発光ダイオードチップの品質管理方法を提供する。
【００２７】
上記該当チップ又はパッケージの特性を測定する段階は、上記該当チップの駆動電圧、駆動電流、順方向電圧、発光強度、発光波長及び温度による波長変化の少なくとも一つを測定する段階を含むことができる。
【００２８】
上記該当チップ又はパッケージの特性を測定する段階は、上記パッケージの光量、発光強度、放出波長、色座標及び色温度の少なくとも一つを測定する段階を含むことができる。
【００２９】
上記測定された特性に及ぶ影響を分析する段階は、上記測定された特性のうち所望の範囲を外れた不良チップを仮想ウエハの座標にマッピングする段階と、上記仮想ウエハの座標にマッピングされた不良チップが特に多く分布された領域の原因を分析する段階とを含むことができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によると、ウエハベース工程の履歴情報を追跡し管理するために、ヒューズシグネチャ回路に特定の電気的特性値（例えば、電圧、抵抗、電流等）を提供し、後続工程又はパッケージ完成後にその電気的特性値の測定によって該当チップの履歴情報を確認することで、チップ又はパッケージの特性による問題の原因をウエハベース工程にまで拡張して診断することができる。
【００３１】
これにより、より正確に製品の不良の原因を判断することができ、結果的には、ＬＥＤ製品の品質の向上に大きく寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１の実施形態による半導体発光ダイオードチップの一例を示す概略斜視図である。
【図２】図１の半導体発光ダイオードチップのＩ−Ｉ'線に沿う断面図である。
【図３】図１の半導体発光ダイオードチップのII−II'線に沿う断面図である。
【図４】図１の半導体発光ダイオードチップのIII−III'線に沿う断面図である。
【図５ａ】図１の半導体発光ダイオードチップのヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５を示す概略構成図である。
【図５ｂ】図１の半導体発光ダイオードチップのヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５を示す回路図である。
【図６ａ】本発明の第２の実施形態による半導体発光ダイオードチップの多様な例を示す概略斜視図である。
【図６ｂ】本発明の第２の実施形態による半導体発光ダイオードチップの多様な例を示す概略斜視図である。
【図７】本発明の第２の実施形態によるトランジスタ構造の一例を示す断面図である。
【図８】本発明の他の側面による半導体発光ダイオードパッケージを示す概略斜視図である。
【図９】本発明の他の側面による半導体発光ダイオードパッケージが取り付けられた、照明装置の発光モジュールを示す概略斜視図である。
【図１０ａ】本発明による照明装置の一例としてバルブ型ランプを示す図である。
【図１０ｂ】本発明による照明装置の一例としてバルブ型ランプを示す図である。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は、仮想ウエハ上に半導体発光ダイオードチップの位置を表示する方法を説明するための仮想ウエハ及びレチクルの概略図である。
【図１２】半導体発光ダイオードパッケージの全製造工程においてウエハベース工程の履歴情報を追跡する過程を説明するための工程フローチャートである。
【図１３】パッケージレベルで測定された色座標を示すグラフである。
【図１４】図１３の結果による色座標の不良領域に存在するチップの位置を表示した仮想ウエハを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態を具体的に説明する。
【００３４】
図１は、本発明の第１の実施形態による半導体発光ダイオードチップの一例を示す概略斜視図であり、図２から図４は、それぞれ図１の半導体発光ダイオードチップのＩ−Ｉ'線、II−II'線及びIII−III'線に沿う断面図である。
【００３５】
図１及び図２を参照すると、本実施形態による半導体発光ダイオードチップ１０は、基板１１と、当該基板１１の一領域に形成された発光ダイオードＬＤと、当該基板１１の他の領域に形成された複数のヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５とを含む。図２に示されるように、上記基板１１は、エピタキシャル成長面に凹凸を有する構造であるが、これに限定されるものではない。
【００３６】
上記発光ダイオードＬＤは、第１及び第２の化合物半導体層１２ａ、１２ｂと当該第１及び第２の化合物半導体層１２ａ、１２ｂ間に形成された活性層１２ｃとを備える発光積層体１２と、上記第１及び第２の化合物半導体層１２ａ、１２ｂにそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極１３、１４とを含む。
【００３７】
本実施形態による発光積層体１２は、図２に示されるように、メサ構造を有することができる。即ち、発光積層体１２を部分的に除去するメサエッチングによって上記第１の化合物半導体層１２ａの上面は露出領域として得られることができる。
【００３８】
本実施形態による第１及び第２の電極１３、１４は、ボンディングパッド１３ａ、１４ａと、発光可能な全面積での均一な電流分散のために当該ボンディングパッド１３ａ、１４ａから伸びる電極指１３ｂ、１４ｂとを含むことができる。
【００３９】
本実施形態による半導体発光ダイオードチップ１０は、複数（５個）のヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５を含む。上記ヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５は、上記基板１１の一領域に形成された発光ダイオードＬＤから電気的に絶縁されることができる。
【００４０】
図３に示されるように、上記発光ダイオードＬＤと上記ヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５との電気的絶縁は、上記基板の一部領域まで形成された溝部Ｇと当該溝部Ｇに充填された絶縁物質１８とによってなされることができる。
【００４１】
本実施形態によるヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５は、複数の半導体素子１５と、当該半導体素子１５を連結する回路部１６と、当該回路部１６に連結された電極パッド１７とを含む。図５ａを参照すると、上記回路部１６は、選択的切断が可能な複数のヒューズ１６ａを含む。このようなヒューズの選択的切断により電極パッドで測定される電気的特性値を変え、これを利用して識別情報をヒューズシグネチャ回路に記録することができる。より詳細な内容は、図５ａ及び図５ｂを参照して後述する。
【００４２】
本実施形態によると、図１に示されるように、半導体発光ダイオードチップ１０の左右側に位置するヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ３は、それぞれ５個の半導体素子１５を含み、同半導体発光ダイオードチップ１０の上下側に位置するヒューズシグネチャ回路Ｓ４、Ｓ５は、それぞれ４個の半導体素子１５を含むことができる。
【００４３】
好ましくは、複数の半導体素子１５は、上記発光積層体１２を形成する工程と類似する工程を介して、当該発光積層体１２の少なくとも一つの半導体層と共に成長された半導体層を含むことができる。
【００４４】
本実施形態による半導体素子１５は、図４に示されるように、固有の抵抗値（又は電圧）を示す半導体ダイオードＤ１〜Ｄ５であることができ、上記発光積層体１２の各層と共に成長された半導体積層体ＢＤを含むことができる。
【００４５】
図４に示されるように、上記半導体ダイオードＤ１〜Ｄ５を構成する半導体積層体ＢＤは、上記基板１１の一部領域まで形成された溝Ｇによって分離されることができる。本実施形態によると、素子分離用溝Ｇには、絶縁物質１８が充填されることができる。
【００４６】
本実施形態による電極パッド１７は、図４に示されるように、上記発光積層体１２の各層と共に成長された半導体積層体ＢＤ上に形成されることができる。
【００４７】
このような構造では、素子分離用溝Ｇに充填された絶縁物質１８によって、電極パッド１７と半導体ダイオードＤ１〜Ｄ５とを連結する回路ライン１６ｂは、比較的平坦なレベルに形成されることができる。
【００４８】
図５ａは、本実施形態によるヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５の概略構成図である。図５ａに示されるヒューズシグネチャ回路は、複数の半導体素子１５と、当該半導体素子１５間を連結する回路部１６とを含む。
【００４９】
上記回路部１６は、複数のヒューズ１６ａを含む。上記複数のヒューズ１６ａは、レーザー又は過電流印加方式を利用して選択的に切断されることができる。このようなヒューズ１６ａの選択的切断により上記回路部１６の構成が変わり、上記電極パッド１７で測定される電気的特性値の変化をもたらすことができる。
【００５０】
上記ヒューズ１６ａの選択的切断により決められる固有の電気的特性値は、識別情報として取り扱われ、ウエハベース工程の履歴情報を示す値として活用されることができる。
【００５１】
上記回路部１６によって連結された複数の半導体素子１５は、固有の「電気的特性値」を有することができる。このような電気的特性値は、上記電極パッド１７で測定されることができる。本明細書における「電気的特性値」とは、公知の電気測定装備を利用して定量的に測定される値であって、例えば、電圧、電流及び抵抗等の値をいう。
【００５２】
本実施形態による上記半導体素子１５は、特定抵抗値を有する半導体ダイオードであることができる。なお、上記回路部１６は、上記半導体素子１５を直列に連結する回路ライン１６ｂと、当該回路ライン１６ｂと並列に連結される複数のヒューズ１６ａとを含むことができる。ここで、各ヒューズ１６ａは、図５ａに示されるように、多様な数の半導体素子に並列に連結されることができる。
【００５３】
図５ａに示される回路連結では、上記ヒューズ１６ａの選択的切断（「Ｃ」で表示）によって上記ヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５の電気的特性値を変えることができる。
【００５４】
即ち、図５ａに示されるように、Ｃ部分が切断される前には、相対的に抵抗が低いヒューズラインを介して電流が導通するため、電極パッド１７で０Ｖが測定されるのに対し、Ｃ部分が切断された場合には、最右側の半導体ダイオードから電流が流れるようになるため、該当半導体ダイオードの抵抗分だけ増加した電圧が電極パッド１７で測定される。
【００５５】
このように、上記ヒューズ１６ａの選択的切断によりヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５の電気的特性値を選択することができるため、選択された電気的特性値と半導体発光ダイオードチップ１０のウエハベース工程の履歴情報とを対応させることで、所望のウエハベース工程の履歴情報をヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５に記録することができる。
【００５６】
以下、図５ａに示されるヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５におけるヒューズ１６ａの選択的切断による電圧の変化を図５ｂの等価回路を参照して下記表１に示す。表１によると、各半導体ダイオードは、３Ｖの電圧を有し、Ｘは、切断された状態を示し、○は、切断されない状態を示す。
【００５７】
【表１】
【００５８】
このように、５個のヒューズ１６ａの選択的切断により、図５ａに示されるヒューズシグネチャ回路に６個識別情報（例えば、０、１、２、３、４、５）を記録することができ、当該記録された識別情報は、電極パッド１７で電圧測定によって確認することができる。
【００５９】
図５ａ及び図５ｂを参照して上述した実施形態は、容易な理解のための例示に過ぎない。各半導体素子及び回路部の構成を多様に変えることで、より多い情報の記録が可能なヒューズシグネチャ回路を構成することができる。
【００６０】
より詳細には、ヒューズの位置及び切断数に応じて半導体素子の識別情報を二進型（ｂｉｎａｒｙ）に具現することができる。例えば、各半導体ダイオードの電気的特性値（抵抗、逆方向電圧等）を異なるように設計し、当該異なる電気的特性値を有する半導体ダイオードのそれぞれに対してヒューズを並列に連結して情報を記録することができる。また、マトリックス状に回路を構成し、各単位にヒューズを並列に連結した形態を有することもできる。
【００６１】
上記ウエハベース工程の履歴情報は、ウエハベース全般の工程に関連する履歴情報であって、該当チップが属するウエハのロットナンバー、ロットのウエハナンバー、ウエハ上の該当チップの位置及び工程ライン表示からなる群から選択される少なくとも一つを含むことができるが、これに限定されるものではない。
【００６２】
上述した工程の履歴情報において、ウエハのロットナンバーは、同一ロットでの多数のウエハに対して行われる半導体製造工程の情報と関連し、ロットのウエハナンバーは、ウエハの順番及び位置情報と関連する。
【００６３】
上記ウエハ上の該当チップの位置は、同一ウエハ上でのチップの位置（座標）に関する情報を示し、上記該当チップの位置は、レチクル座標と該当レチクル内でのチップの座標で表示されることができる（図９ａ、図９ｂ及び関連説明参照）。他にも工程ライン、生産時期等の多様な履歴情報が含まれることができる。
【００６４】
本実施形態では、上記発光ダイオードＬＤの周囲に５個のヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５が形成されたことが示されているが、必要なウエハベース工程の履歴情報量に応じて上記ヒューズシグネチャ回路の個数を決めることができる。
【００６５】
例えば、１万個の半導体発光ダイオードチップを有するウエハを毎月３万枚ずつ生産する場合は、１年単位に９４．７億個の半導体素子に対するヒューズシグネチャ回路が求められる。このようなヒューズシグネチャ回路が各半導体素子の識別情報を二進型に具現する場合、ウエハナンバーやチップの位置を示すために、３４個のヒューズが必要とされることがある。また、別の情報を加えるために、適切な数のヒューズが加えられることができる。
【００６６】
前述した実施形態では、ヒューズシグネチャ回路を構成する半導体素子が半導体ダイオードの形態であることが示されているが、抵抗又はトランジスタ等の他の素子であることができる。抵抗で具現される半導体素子は、固有の抵抗を有する半導体層パターンを有することができる。
【００６７】
図６ａ及び図６ｂに示される半導体発光ダイオードチップ６０は、他の形態のヒューズシグネチャ回路であってトランジスタを用いるヒューズシグネチャ回路Ｓを含む。
【００６８】
図６ａに示される半導体発光ダイオードチップ６０は、基板６１と、当該基板６１の一領域に形成された発光ダイオードＬＤと、当該基板６１の他の領域に形成されたヒューズシグネチャ回路Ｓとを含む。
【００６９】
上記発光ダイオードＬＤは、図２に示される実施形態と類似するように、第１及び第２の化合物半導体層と、当該第１及び第２の化合物半導体層間に形成された活性層とを備える発光積層体６２と；上記第１及び第２の化合物半導体層にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極６３、６４と；を含む。本実施形態による発光積層体６２は、メサ構造を有することができる。
【００７０】
本実施形態による第１及び第２の電極６３、６４は、ボンディングパッド６３ａ、６４ａと、発光可能な全面積での均一な電流分散のために当該ボンディングパッド６３ａ、６４ａから伸びる電極指６３ｂ、６４ｂとを含むことができる。
【００７１】
本実施形態によるヒューズシグネチャ回路Ｓは、複数のトランジスタからなるデコーダーＤＣを含む。上記ヒューズシグネチャ回路Ｓは、上記基板６１の一領域に形成された発光ダイオードＬＤと電気的に絶縁されることができる。
【００７２】
上記デコーダーＤＣは、図示されてはいないが、複数の半導体トランジスタを含む回路で形成されることができる。本実施形態による半導体トランジスタは、上記発光積層体と共に成長された少なくとも一つの層を有することができる。
【００７３】
図７には、本実施形態によるトランジスタの好ましい一例として異種接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）が示されている。
【００７４】
図７に示される素子は、下部構造として上記発光ダイオードＬＤを構成する発光積層体６２に対応する半導体積層体６２'を含む。上記半導体積層体６２'上には、トランジスタ６５が形成されることができる。
【００７５】
図７に示されるように、上記トランジスタ６５は、アンドープの第１の半導体層６５ａと、当該第１の半導体層６５ａ上にチャンネル層として形成され当該第１の半導体層６５ａとの界面で２次元電子ガス層を提供するアンドープの第２の半導体層６５ｂとを有する異種接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）であることができる。上記トランジスタ６５は、上記第２の半導体層６５ｂ上に形成されたソースＳとドレインＤとゲートＧとをさらに含むことができる。
【００７６】
上記半導体発光ダイオードチップ６０が窒化物系半導体素子で具現される場合、上記第１の半導体層６５ａは、半絶縁又は高抵抗層としてアンドープのＧａＮ層であり、上記第２の半導体層６５ｂは、ＡｌＧａＮ層であることができる。
【００７７】
このようなＨＦＥＴ構造では、相違するバンドギャップを有する第１の半導体層６５ａと第２の半導体層６５ｂとの異種接合によって２次元電子ガス（２ＤＥＧ）層が形成される。ここで、上記ゲートＧに信号が入力されると、上記２ＤＥＧによってチャンネルが形成され、ソースＳとドレインＤとの間に電流が導通することができる。
【００７８】
このような原理を利用して複数のトランジスタを含むデコーダーＤＣを構成することができる。このようなデコーダーＤＣの回路ラインは、複数のヒューズと部分的に連結され、当該ヒューズの選択的切断により回路の構成を変えることが可能となる。このような回路の構成の変更によって、各電極パッド６７で測定される電気的特性値（即ち、情報関連データ）の変更が可能となる。
【００７９】
本実施形態によると、デコーダーＤＣから回路ラインを引き出して構成された複数のヒューズを有するヒューズ部６６を基板の他の領域に配置することができる。このようなヒューズ部６６の配置によって、選択的切断を容易に実現することができる。
【００８０】
図６ｂに示される半導体発光ダイオードチップ７０は、基板７１と、当該基板７１の一領域に形成された発光ダイオードＬＤと、当該基板７１の他の領域に形成された２個のヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２とを含む。
【００８１】
上記発光ダイオードＬＤは、前述した実施形態と類似するように、活性層を有する発光積層体７２と、ボンディングパッド７３ａ、７４ａと当該ボンディングパッド７３ａ、７４ａから伸びる電極指７３ｂ、７４ｂとを有する第１及び第２の電極７３、７４とを含むことができる。
【００８２】
本実施形態によるヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２は、複数のトランジスタからなるデコーダーＤＣを含む。上記ヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２は、図６ａの実施形態と類似するように、複数の半導体トランジスタを含む回路で形成されることができる。本実施形態による半導体トランジスタは、図７の形態として理解することができる。
【００８３】
図６ｂに示されるように、上記ヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２において、各デコーダーＤＣの回路ラインは、当該デコーダーＤＣから引き出されて構成されたヒューズ７６の選択的切断により回路の構成が変わるように形成されることができる。このような回路の構成の変更によって、各電極パッド７７で測定される電気的特性値（即ち、情報関連データ）の変更が可能となり、これを利用して所望の情報を記録することができる。
【００８４】
図６ａ及び図６ｂには、トランジスタからなるヒューズシグネチャ回路が示されているが、必要に応じて半導体ダイオード及び／又は抵抗等の他の素子と共に所望の形態のヒューズシグネチャ回路を構成することができる。
【００８５】
このように、本発明による半導体発光ダイオードチップは、ウエハベース工程の履歴情報がヒューズの選択的切断によりヒューズシグネチャ回路に記録された後、チップレベルのみならずパッケージレベルでも当該情報が識別可能となるように構成されることができる長所を有する。
【００８６】
また、本発明は、上述した半導体発光ダイオードチップを有する半導体発光ダイオードパッケージを提供する。図８及び図９に示される半導体発光ダイオードパッケージは、それぞれダイオード及びトランジスタを基にして構成されたヒューズシグネチャ回路を有する形態である。
【００８７】
図８に示される半導体発光ダイオードパッケージ９０は、パッケージの本体となるパッケージ基板９１と、当該パッケージ基板９１に実装された半導体発光ダイオードチップ８０とを含む。
【００８８】
上記半導体発光ダイオードチップ８０は、基板８１と、当該基板８１の一領域に形成された発光ダイオードＬＤと、当該基板８１の他の領域に形成されダイオード８５からなる２個のヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２とを含む。
【００８９】
上記発光ダイオードＬＤは、活性層を有する発光積層体８２と、ボンディングパッド８３ａ、８４ａと当該ボンディングパッド８３ａ、８４ａから伸びる電極指８３ｂ、８４ｂとを有する第１及び第２の電極８３、８４とを含むことができる。本実施形態によるヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２は、図５ａ及び図５ｂの形態と類似する形態として理解することができる。
【００９０】
本実施形態によるパッケージレベルでのヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２は、半導体発光ダイオードチップ８０のウエハベース工程の履歴情報に応じて必要とされるヒューズ（図示せず）が既に選択的に切断されている状態である。
【００９１】
図８に示されるように、上記半導体発光ダイオードチップ８０のボンディングパッド８３ａ、８４ａは、ワイヤＷを介して、パッケージ基板９１に形成された外部端子９２にそれぞれ連結されることができる。また、上記ヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２の電極パッド８７は、ワイヤＷを介して、パッケージ基板９１に設けられたシグネチャ端子９７に連結されることができる。
【００９２】
このように、上記半導体発光ダイオードパッケージ９０は、上記半導体発光ダイオードチップ８０を駆動させるための外部端子９２のみならず、ヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２に連結されたシグネチャ端子９７を含む。
【００９３】
これにより、最終パッケージレベルにおいて、上記半導体発光ダイオードパッケージ９０に用いられた半導体発光ダイオードチップ８０のウエハベース工程の履歴情報をシグネチャ端子９７から検出することができる。
【００９４】
本実施形態では、半導体発光ダイオードパッケージを簡単にパッケージ基板及び外部端子で示して説明したが、多様な形態の公知のパッケージ本体を有することができ、図８で説明したように、半導体発光ダイオードチップを駆動させるための外部端子のみならず、ヒューズシグネチャ回路に連結されたシグネチャ端子を提供することで、当該半導体発光ダイオードチップの情報を提供できるパッケージであればいずれのものでも本発明の範囲に属する。
【００９５】
このように、半導体発光ダイオードチップを採用する多様な光源装置で不良が発生するか又は必要な場合には、シグネチャ端子を利用してヒューズシグネチャ回路の情報を判読することで、該当半導体発光ダイオードチップの情報（特に、ウエハレベル関連情報）を確認することができる。
【００９６】
図９、図１０ａ及び図１０ｂには、多様な光源装置の例として、バルブ型照明装置に用いられる発光モジュール及び当該照明装置が示されている。
【００９７】
図９に示される発光モジュールは、図１０ａ及び図１０ｂの照明装置に採用可能な形態で、円形の印刷回路基板１２１と、当該印刷回路基板１２１に実装された半導体発光ダイオードチップ１１０とを含むことができる。
【００９８】
上記半導体発光ダイオードチップ１１０は、基板１１１と、当該基板１１１の一領域に形成された発光ダイオードＬＤと、当該基板１１１の他の領域に形成されたヒューズシグネチャ回路Ｓとを含む。本実施形態によるヒューズシグネチャ回路Ｓは、図６及び図７のトランジスタを含むデコーダーＤＣを含むことができる。
【００９９】
上記発光ダイオードＬＤは、活性層を有する発光積層体１１２と、ボンディングパッド１１３ａ、１１４ａと当該ボンディングパッド１１３ａ、１１４ａから伸びる電極指１１３ｂ、１１４ｂとを有する第１及び第２の電極１１３、１１４とを含むことができる。
【０１００】
図９に示されるように、上記半導体発光ダイオードチップ１１０のボンディングパッド１１３ａ、１１４ａは、ワイヤＷを介して、印刷回路基板１２１に形成された外部端子１２２にそれぞれ連結されることができる。
【０１０１】
一方、上記ヒューズシグネチャ回路Ｓの電極パッド１１７は、ワイヤＷを介して、上記印刷回路基板１２１に設けられたシグネチャ端子１２７に連結されることができる。
【０１０２】
このように、図９に示される発光モジュールでは、ヒューズシグネチャ回路Ｓに連結された別途のシグネチャ端子１２７を利用して最終パッケージレベルでも半導体発光ダイオードチップ１１０のウエハベース工程の履歴情報を確認することができる。
【０１０３】
本実施形態によるシグネチャ端子１２７は、ワイヤＷを介して上記ボンディングパッド１１７と連結されたパッド領域１２７ａと、チップの情報の確認のためにプローブが接触されるプローブ領域１２７ｂと、上記パッド領域１２７ａと上記プローブ領域１２７ｂとを連結する連結部１２７ｃとを含むことができる。
【０１０４】
このような構造では、上記プローブ領域１２７ｂが、上記ボンディングパッド１１７に連結された上記パッド領域１２７ａと離隔していることから、モジュール又は照明装置のプローブの接触を容易にすることができる。
【０１０５】
上述した発光モジュールは、図１０ａ及び図１０ｂに示される照明装置に 駆動部と共に採用されることができる。図１０ａ及び図１０ｂには、本発明による照明装置の一例としてバルブ型ランプが示されている。
【０１０６】
図１０ａは、照明装置の構成への理解のために各構成要素を分解した状態を示す斜視図であり、図１０ｂは、図１０ａにおける分解された構成要素が組み立てられた状態（但し、凸レンズ状のカバーの結合は除外）を示す斜視図である。
【０１０７】
図１０ａ及び図１０ｂを参照すると、上記照明装置３００は、発光モジュール１２０と、駆動部３３０と、外部接続部３１０とを含む。また、上記照明装置３００は、外部ハウジング及び内部ハウジング３４０、３２０並びにカバー部３６０等の外形構造物をさらに含むことができる。
【０１０８】
図９に示されるように、上記発光モジュール１２０は、上記半導体発光ダイオードチップ１１０と、当該半導体発光ダイオードチップ１１０が搭載された印刷回路基板１２１とを含むことができる。本実施形態によると、１個の半導体発光ダイオードチップ１１０が上記印刷回路基板１２１上に実装された形態であるが、必要に応じて複数の半導体発光ダイオードチップ１１０が実装されることができる。
【０１０９】
本実施形態による照明装置３００では、上記発光モジュール１２０は、熱放出部として作用する外部ハウジング３４０を含むことができる。上記外部ハウジング３４０は、上記発光モジュール１２０と直接触続して放熱効果を向上させる熱放出板３４５を含むことができるが、これに限定されるものではない。また、本実施形態による照明装置３００は、上記発光モジュール１２０上に取り付けられる凸レンズ状のカバー部３６０を含むことができる。
【０１１０】
本実施形態による駆動部３３０は、内部ハウジング３２０に取り付けられてソケット構造の外部接続部３１０に連結されることで外部電源から電力を供給されることができる。また、上記駆動部３３０は、発光モジュール１２０の半導体発光ダイオードチップ１１０を駆動させることができるように、上記外部電源からの電力を適宜な電流源に変換させて提供する役割をする。例えば、このような駆動部３３０は、ＡＣ−ＤＣコンバーター又は整流回路部品等からなることができる。
【０１１１】
図１０ａ及び図１０ｂに示される照明装置３００レベルでは、半導体発光ダイオードチップの情報を確認しようとする場合、上記カバー部３６０のみを除去した状態で図９のシグネチャ端子１２７のプローブ領域１２７ｂにプローブを連結して該当ヒューズシグネチャ回路Ｓの電気的特性値を測定し、その特性値に基づいて当該半導体発光ダイオードチップの情報（例えば、ウエハベース工程の履歴情報等）を追跡することができる。
【０１１２】
そして、上記追跡された情報と実際の照明装置から発生する該当半導体発光ダイオードチップ１１０の特性変化との関連性を調査し、その調査情報を基にしてウエハベース工程を改善させることができる。より詳細な内容は、図１１から図１４を参照して後述する。
【０１１３】
このように、ヒューズシグネチャ回路を有する半導体発光ダイオードチップを採用する発光モジュールでは、当該ヒューズシグネチャ回路と連結されたシグネチャ端子を含むことにより、当該発光モジュールのみならず、多様な完成製品（例えば、ランプ等の室内照明装置、街灯、看板、標識灯等の室外照明装置、自動車、航空機及び船舶用ヘッドランプ、後方灯等の交通手段用照明装置）でも該当半導体発光ダイオードチップの正確な情報を容易に且つ迅速に確認することができる。
【０１１４】
ウエハベース工程の履歴情報のうちウエハ上のチップの位置に関する情報を記録する方法について図１１（ａ）及び図１１（ｂ）を参照して説明する。
【０１１５】
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、ウエハ上に半導体発光ダイオードチップの位置を表示する方法を説明するためのウエハ及びレチクルの概略図である。
【０１１６】
ウエハ上の各チップの位置に関する情報を座標化し、その座標とヒューズシグネチャ回路での選択可能な電気的特性値とを対応させるテーブルを用意する。
【０１１７】
図１１（ａ）に示されるように、ウエハをレチクル別に区分し、各レチクルの情報（座標）を第１のヒューズシグネチャ回路に記録し、図１１（ｂ）に示されるように、各レチクルのチップの情報（座標）を第２のヒューズシグネチャ回路に記録する方式を用いることができる。この場合、必要に応じて各座標のｘ及びｙ成分を別途のヒューズシグネチャ回路にそれぞれ具現することで各シグネチャ回路をより簡単に構成することもできる。
【０１１８】
このような方式を利用して、該当チップを用いる後続工程や完成製品段階において、該当チップのヒューズシグネチャ回路の電気的特性値を測定することで、ウエハ上のチップの位置を追跡することができる。ウエハ上のチップの位置以外にもウエハベース工程における主な履歴情報に該当するウエハのロットナンバー又は工程ラインをそれぞれ異なるヒューズシグネチャ回路に適宜記録することができる。
【０１１９】
ヒューズの選択的切断は、チップの製造のためのエピ工程及び電極形成工程が完了した後にチップ単位に切断する前に行うことが好ましく、レーザー加工又は過電流印加方式等の多様な方法で行われることができる。
【０１２０】
このように、ウエハレベルにおいて各チップのヒューズシグネチャ回路に所望のウエハベース工程の履歴情報を記録するため、チップ単位に分離された後、後続工程で各チップに記録されたウエハベース工程の履歴情報を追跡することができる。
【０１２１】
ヒューズシグネチャ回路を利用してウエハベース工程の履歴情報を追跡して品質を改善する方法について図１２から図１４を参照して説明する。
【０１２２】
図１２は、半導体発光ダイオードチップの製造工程から後続工程を経てパッケージ完成工程までのヒューズシグネチャ回路を利用した履歴追跡過程を説明するための概略図である。
【０１２３】
図１２に示されるように、まず、ウエハベース工程、即ち、エピタキシャル成長工程及びその他の製造工程（電極形成等）を行う。個別のチップに切断される前に該当チップのウエハベース工程の履歴情報を該当チップのヒューズシグネチャ回路に記録する（ヒューズの選択的切断）。
【０１２４】
次いで、チッププロービング工程でチップの電気的及び光学的特性を測定できる。その測定結果に応じて不良チップを除外する選別過程を経たりチップをランク別に分類したりした後、所望の特性のＬＥＤパッケージを得るためのリードフレームベース工程が行われる。
【０１２５】
以後、パッケージが完成されると、構造体への仕上げ工程であるトリミング／分類工程を経て色感特性に基づいて適宜分類され積載されることができる。
【０１２６】
ウエハベース工程後、即ち、個別のチップに分離された後に、このような一連の製造工程を経てパッケージレベル又は特定モジュール（例えば、照明用光源等）レベルにおいてＬＥＤチップ又はパッケージの特性を測定する際に、その測定された結果を個別のチップとマッチングさせ、これにより、その測定された特性とウエハベース工程の履歴情報との相関性を導き出すことができる。
【０１２７】
このようなチップ特性とパッケージ特性との相関性に基づいて当該ウエハベース工程の履歴情報が上記測定された特性に及ぶ影響を分析することができる。特に、製品特性の測定結果（又は製品特性の不良判断）は、チッププロービング工程やリードフレームベース工程のみならず、パッケージベース工程でもシグネチャ端子を利用して得られることができる。
【０１２８】
上記測定された特性は、大きくチップに関連する特性（特に、チッププロービング工程で測定されるもの）とパッケージに関連する特性とに分けられる。
【０１２９】
上記チップに関連する特性は、該当チップの駆動電圧、駆動電流、順方向電圧、発光強度、発光波長及び温度による波長変化の少なくとも一つであり、上記パッケージに関連する特性は、該当パッケージの光量、発光強度、放出波長、色座標及び色温度の少なくとも一つであることができる。
【０１３０】
本発明による品質管理方法におけるチップ特性とパッケージ特性との相関性を分析した一例として、ウエハベース工程の履歴情報のうちのチップの位置とパッケージの色座標特性との相関性を図１３及び図１４に示す。
【０１３１】
図１３を参照すると、通常のパッケージ製造工程により白色発光のための所定の蛍光体が適用され、最終的にパッケージとして完成された後、各パッケージの色座標を測定した結果が示されている。
【０１３２】
このような色座標の測定結果に応じて、所望の色座標領域Ｇを外れた不良ＬＥＤパッケージの色座標領域Ｂ１、Ｂ２が発生すると、パッケージに用いられたチップのヒューズシグネチャ回路から情報を検出してウエハ上のチップの位置を追跡する。
【０１３３】
各パッケージに用いられたチップのウエハ上の位置情報を検出して、図１４に示されるように、仮想ウエハ１３０に各ＬＥＤパッケージの色座標測定結果を表示することができる。
【０１３４】
確認された不良ＬＥＤパッケージに用いられたチップは、図１４に示されるように、仮想ウエハ１３０のＢＣ領域に集中されている。このように、仮想ウエハの特定領域に不良ＬＥＤパッケージのチップが集中されていることは、ウエハベース工程の履歴情報と非常に密接な関連性があるものと見られ、このような不良集中領域に関連するウエハベース工程の原因を分析することで製品の収率を大きく向上させることができる。
【０１３５】
これに対し、チップの追跡機能を活用しない従来の品質改善方法では、色座標の特徴の原因の分析をウエハベース工程にまで拡張して行うことができなかったため、パッケージ工程（蛍光体配合及びディスペンシング工程）のみに限定して行われるしかなく、その結果、図１４に示されるウエハベース工程の問題は見過ごされるしかなかった。
【０１３６】
しかしながら、上述したように、本発明によると、ヒューズシグネチャ回路を用いてウエハベース工程まで追跡可能な品質改善方法を導入することで、ＬＥＤ製品の特性に及ぼす多様な問題の原因の分析を当該ウエハベース工程にまで拡張して行うことができ、これにより、製品の品質をより効果的に改善し、その結果、ＬＥＤパッケージの収率を大きく向上させることができる。
【０１３７】
本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されることなく、添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載の本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で多様な形態の置換、変形及び変更が可能であることは当技術分野における通常の知識を有する者に自明のことである。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光ダイオードチップに関し、特に、ウエハベース工程の履歴情報を追跡し管理することができる半導体発光ダイオードチップ、その製造方法及びこれを利用した品質管理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；以下、「ＬＥＤ」という）は、電気エネルギーを光エネルギーに変換する半導体素子であり、エネルギーバンドギャップによる特定波長の光を放つ化合物半導体からなり、光通信及びモバイルディスプレイ、コンピューターモニター等のディスプレイ、ＬＣＤ用バックライトユニット（Ｂａｃｋ Ｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ：ＢＬＵ）から照明装置に至るまで多様な領域への使用が拡大してきている。
【０００３】
一般に、ウエハベース工程としてエピタキシャル成長工程及び電極形成工程が行われ、ウエハを切断して個別のチップに分離した後には、上述した多様なアプリケーションにおける外部回路との容易な連結性及び放熱性の保障のためにパッケージ構造に製造されて用いられる。
【０００４】
しかしながら、このような製造工程の場合、特にパッケージベース工程ではＬＥＤパッケージに電気的欠陥又は外観不良が発生することがあり、チップ自体の欠陥によって最終ＬＥＤ製品に様々な不良が発生することがある。特に、ＬＥＤ製品の場合は、上述したウエハベース工程、パッケージベース工程、トリミング／分類工程及びモジュールアセンブリー工程等の多様な工程を経るため、最終製品での不良の原因を正確に分析することが非常に困難な状況にある。
【０００５】
ここで、上述したウエハベース工程から、チップ工程、パッケージベース工程及びモジュールアセンブリー工程に至るまでの全製造工程の履歴情報の管理は、不良の原因の正確な分析と共に、チップ特性とパッケージ特性との相関性を導き出すことにより所望の製品の収率の向上に大きく寄与する。
【０００６】
一方、ＬＥＤ製品の場合、パッケージベース工程では、パッケージの外観やリードフレーム上にレーザーマーキング（ｌａｓｅｒ ｍａｒｋｉｎｇ）を利用して製品の情報を判読可能に記録し、パッケージの製造のためのリードフレームベース工程中又はパッケージ完成後に製造履歴情報を追跡し管理することができるが、ウエハベース工程の履歴情報に対してはチップのサイズ及び輝度等の問題によって別途の製品履歴情報を管理することができない実情である。
【０００７】
このように、従来、別々に分離された個別のチップは、プロービングによって発光波長等の発光特性を基準に複数のランク（ｒａｎｋ）に区分されて用いられるだけであり、ＬＥＤ製品に不良が発生する時にウエハベース工程の履歴情報がチップ又はパッケージ及びモジュール製品の品質に及ぼす影響まで確認することはできないため、不良の原因を正確に分析するのに限界があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、ウエハベース工程の履歴情報を追跡し管理することができるように識別可能な情報を有する半導体発光ダイオードチップを提供することを目的とする。
【０００９】
本発明の他の目的は、上記識別可能な情報を有する半導体発光ダイオードチップの製造方法を提供することである。
【００１０】
本発明のさらに他の目的は、上記半導体発光ダイオードチップを利用して不良の原因を追跡し管理することでウエハベース工程の問題点を診断することができる半導体発光ダイオードチップの品質管理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した技術的課題を解決するために、本発明の一側面は、基板と；当該基板の一領域に形成され、第１及び第２の化合物半導体層と当該第１及び第２の化合物半導体層間に形成された活性層とを有する発光積層体と、当該第１及び第２の化合物半導体層にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極とを備える発光ダイオードと；上記基板の他の領域に上記発光ダイオードから電気的に絶縁されるように形成され、それぞれのウエハベース工程の履歴情報に対応する固有の電気的特性値を有する回路部と、当該電気的特性値を測定できるように当該回路部に連結された複数の電極パッドとを備える少なくとも一つのヒューズシグネチャ回路と；を含む半導体発光ダイオードチップを提供する。
【００１２】
上記回路部は、複数の半導体素子と、当該複数の半導体素子に連結された複数のヒューズとを含み、当該回路部の電気的特性値は、上記複数のヒューズの選択的切断により決められることができる。
【００１３】
上記ヒューズシグネチャ回路は、好ましくは複数であり、それぞれ他の領域に形成されることができる。
【００１４】
上記複数の半導体素子は、上記発光積層体の少なくとも一つの半導体層と共に成長された半導体層を含むことができる。
【００１５】
上記ウエハベース工程の履歴情報は、該当チップの属するウエハのロットナンバー、ロットのウエハナンバー、ウエハ上の該当チップの位置及び工程ライン表示からなる群から選択される少なくとも一つを含むことができる。
【００１６】
この場合、該当チップの位置は、レチクル座標と該当レチクル内でのチップの座標とを含むことができる。
【００１７】
特定のウエハベース工程の履歴情報を示すために、上記複数のヒューズの少なくとも一つは、切断された状態であることができる。
【００１８】
上記複数の半導体素子は、上記基板の他の領域において、上記発光積層体の少なくとも一つの層と共に成長された半導体層を含むことができる。
【００１９】
本発明の一実施形態による上記複数の半導体素子は、半導体ダイオードを含むことができる。この場合、上記半導体ダイオードは、上記基板の他の領域において、上記発光積層体の各層と共に成長された半導体積層体を含むことができる。
【００２０】
上記複数の半導体素子は、互いに直列に連結され、上記複数のヒューズは、それぞれ少なくとも一つの半導体素子に並列に連結されるように形成されることができる。
【００２１】
上記基板の他の領域は、上記発光積層体の各層と共に成長された半導体積層体を含み、上記ヒューズシグネチャ回路の電極パッドは、上記半導体積層体上に形成されることができる。
【００２２】
本発明の他の実施形態による上記複数の半導体素子は、トランジスタを含むことができる。この場合、上記トランジスタは、アンドープの第１の半導体層と、当該第１の半導体層上にチャンネル層として形成され当該第１の半導体層との界面で２次元電子ガス層を提供するアンドープの第２の半導体層と、当該第２の半導体層上に形成されたソース、ドレイン及びゲート電極とを含むことができる。
【００２３】
上記トランジスタは、上記基板の他の領域において、上記発光積層体の各層と共に成長された半導体積層体上に形成されることができる。
【００２４】
本発明の他の側面は、上記半導体発光ダイオードチップと、当該半導体発光ダイオードチップが実装されたパッケージ本体と、上記半導体発光ダイオードチップの第１及び第２の電極にそれぞれ連結された第１及び第２の外部端子と、上記ヒューズシグネチャ回路の複数の電極パッドにそれぞれ連結された複数のシグネチャ端子とを含む半導体発光ダイオードパッケージを提供する。
【００２５】
本発明のさらに他の側面は、上記半導体発光ダイオードチップが形成されたウエハを用意する段階と、上記回路部が該当チップのウエハベース工程の履歴情報により決められた電気的特性値を有するように上記複数のヒューズの少なくとも一つを選択的に切断する段階と、個別のチップが得られるように上記ウエハを切断する段階とを含む半導体発光ダイオードチップの製造方法を提供する。
【００２６】
本発明のさらに他の側面は、上記半導体発光ダイオードチップを用意する段階と、上記半導体発光ダイオードチップレベルから上記半導体発光ダイオードチップを有するパッケージ製造工程及び当該工程の完了後までの任意の時点で該当チップ又はパッケージの特性を測定する段階と、上記測定された特性と当該測定された特性に関連するチップのヒューズシグネチャ回路の電気的特性値から追跡されたウエハベース工程の履歴情報との相関性に基づいて当該ウエハベース工程の履歴情報が当該測定された特性に及ぶ影響を分析する段階とを含む半導体発光ダイオードチップの品質管理方法を提供する。
【００２７】
上記該当チップ又はパッケージの特性を測定する段階は、上記該当チップの駆動電圧、駆動電流、順方向電圧、発光強度、発光波長及び温度による波長変化の少なくとも一つを測定する段階を含むことができる。
【００２８】
上記該当チップ又はパッケージの特性を測定する段階は、上記パッケージの光量、発光強度、放出波長、色座標及び色温度の少なくとも一つを測定する段階を含むことができる。
【００２９】
上記測定された特性に及ぶ影響を分析する段階は、上記測定された特性のうち所望の範囲を外れた不良チップを仮想ウエハの座標にマッピングする段階と、上記仮想ウエハの座標にマッピングされた不良チップが特に多く分布された領域の原因を分析する段階とを含むことができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によると、ウエハベース工程の履歴情報を追跡し管理するために、ヒューズシグネチャ回路に特定の電気的特性値（例えば、電圧、抵抗、電流等）を提供し、後続工程又はパッケージ完成後にその電気的特性値の測定によって該当チップの履歴情報を確認することで、チップ又はパッケージの特性による問題の原因をウエハベース工程にまで拡張して診断することができる。
【００３１】
これにより、より正確に製品の不良の原因を判断することができ、結果的には、ＬＥＤ製品の品質の向上に大きく寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１の実施形態による半導体発光ダイオードチップの一例を示す概略斜視図である。
【図２】図１の半導体発光ダイオードチップのＩ−Ｉ'線に沿う断面図である。
【図３】図１の半導体発光ダイオードチップのII−II'線に沿う断面図である。
【図４】図１の半導体発光ダイオードチップのIII−III'線に沿う断面図である。
【図５ａ】図１の半導体発光ダイオードチップのヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５を示す概略構成図である。
【図５ｂ】図１の半導体発光ダイオードチップのヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５を示す回路図である。
【図６ａ】本発明の第２の実施形態による半導体発光ダイオードチップの多様な例を示す概略斜視図である。
【図６ｂ】本発明の第２の実施形態による半導体発光ダイオードチップの多様な例を示す概略斜視図である。
【図７】本発明の第２の実施形態によるトランジスタ構造の一例を示す断面図である。
【図８】本発明の他の側面による半導体発光ダイオードパッケージを示す概略斜視図である。
【図９】本発明の他の側面による半導体発光ダイオードパッケージが取り付けられた、照明装置の発光モジュールを示す概略斜視図である。
【図１０ａ】本発明による照明装置の一例としてバルブ型ランプを示す図である。
【図１０ｂ】本発明による照明装置の一例としてバルブ型ランプを示す図である。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は、仮想ウエハ上に半導体発光ダイオードチップの位置を表示する方法を説明するための仮想ウエハ及びレチクルの概略図である。
【図１２】半導体発光ダイオードパッケージの全製造工程においてウエハベース工程の履歴情報を追跡する過程を説明するための工程フローチャートである。
【図１３】パッケージレベルで測定された色座標を示すグラフである。
【図１４】図１３の結果による色座標の不良領域に存在するチップの位置を表示した仮想ウエハを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態を具体的に説明する。
【００３４】
図１は、本発明の第１の実施形態による半導体発光ダイオードチップの一例を示す概略斜視図であり、図２から図４は、それぞれ図１の半導体発光ダイオードチップのＩ−Ｉ'線、II−II'線及びIII−III'線に沿う断面図である。
【００３５】
図１及び図２を参照すると、本実施形態による半導体発光ダイオードチップ１０は、基板１１と、当該基板１１の一領域に形成された発光ダイオードＬＤと、当該基板１１の他の領域に形成された複数のヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５とを含む。図２に示されるように、上記基板１１は、エピタキシャル成長面に凹凸を有する構造であるが、これに限定されるものではない。
【００３６】
上記発光ダイオードＬＤは、第１及び第２の化合物半導体層１２ａ、１２ｂと当該第１及び第２の化合物半導体層１２ａ、１２ｂ間に形成された活性層１２ｃとを備える発光積層体１２と、上記第１及び第２の化合物半導体層１２ａ、１２ｂにそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極１３、１４とを含む。
【００３７】
本実施形態による発光積層体１２は、図２に示されるように、メサ構造を有することができる。即ち、発光積層体１２を部分的に除去するメサエッチングによって上記第１の化合物半導体層１２ａの上面は露出領域として得られることができる。
【００３８】
本実施形態による第１及び第２の電極１３、１４は、ボンディングパッド１３ａ、１４ａと、発光可能な全面積での均一な電流分散のために当該ボンディングパッド１３ａ、１４ａから伸びる電極指１３ｂ、１４ｂとを含むことができる。
【００３９】
本実施形態による半導体発光ダイオードチップ１０は、複数（５個）のヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５を含む。上記ヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５は、上記基板１１の一領域に形成された発光ダイオードＬＤから電気的に絶縁されることができる。
【００４０】
図３に示されるように、上記発光ダイオードＬＤと上記ヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５との電気的絶縁は、上記基板の一部領域まで形成された溝部Ｇと当該溝部Ｇに充填された絶縁物質１８とによってなされることができる。
【００４１】
本実施形態によるヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５は、複数の半導体素子１５と、当該半導体素子１５を連結する回路部１６と、当該回路部１６に連結された電極パッド１７とを含む。図５ａを参照すると、上記回路部１６は、選択的切断が可能な複数のヒューズ１６ａを含む。このようなヒューズの選択的切断により電極パッドで測定される電気的特性値を変え、これを利用して識別情報をヒューズシグネチャ回路に記録することができる。より詳細な内容は、図５ａ及び図５ｂを参照して後述する。
【００４２】
本実施形態によると、図１に示されるように、半導体発光ダイオードチップ１０の左右側に位置するヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ３は、それぞれ５個の半導体素子１５を含み、同半導体発光ダイオードチップ１０の上下側に位置するヒューズシグネチャ回路Ｓ４、Ｓ５は、それぞれ４個の半導体素子１５を含むことができる。
【００４３】
好ましくは、複数の半導体素子１５は、上記発光積層体１２を形成する工程と類似する工程を介して、当該発光積層体１２の少なくとも一つの半導体層と共に成長された半導体層を含むことができる。
【００４４】
本実施形態による半導体素子１５は、図４に示されるように、固有の抵抗値（又は電圧）を示す半導体ダイオードＤ１〜Ｄ５であることができ、上記発光積層体１２の各層と共に成長された半導体積層体ＢＤを含むことができる。
【００４５】
図４に示されるように、上記半導体ダイオードＤ１〜Ｄ５を構成する半導体積層体ＢＤは、上記基板１１の一部領域まで形成された溝Ｇによって分離されることができる。本実施形態によると、素子分離用溝Ｇには、絶縁物質１８が充填されることができる。
【００４６】
本実施形態による電極パッド１７は、図４に示されるように、上記発光積層体１２の各層と共に成長された半導体積層体ＢＤ上に形成されることができる。
【００４７】
このような構造では、素子分離用溝Ｇに充填された絶縁物質１８によって、電極パッド１７と半導体ダイオードＤ１〜Ｄ５とを連結する回路ライン１６ｂは、比較的平坦なレベルに形成されることができる。
【００４８】
図５ａは、本実施形態によるヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５の概略構成図である。図５ａに示されるヒューズシグネチャ回路は、複数の半導体素子１５と、当該半導体素子１５間を連結する回路部１６とを含む。
【００４９】
上記回路部１６は、複数のヒューズ１６ａを含む。上記複数のヒューズ１６ａは、レーザー又は過電流印加方式を利用して選択的に切断されることができる。このようなヒューズ１６ａの選択的切断により上記回路部１６の構成が変わり、上記電極パッド１７で測定される電気的特性値の変化をもたらすことができる。
【００５０】
上記ヒューズ１６ａの選択的切断により決められる固有の電気的特性値は、識別情報として取り扱われ、ウエハベース工程の履歴情報を示す値として活用されることができる。
【００５１】
上記回路部１６によって連結された複数の半導体素子１５は、固有の「電気的特性値」を有することができる。このような電気的特性値は、上記電極パッド１７で測定されることができる。本明細書における「電気的特性値」とは、公知の電気測定装備を利用して定量的に測定される値であって、例えば、電圧、電流及び抵抗等の値をいう。
【００５２】
本実施形態による上記半導体素子１５は、特定抵抗値を有する半導体ダイオードであることができる。なお、上記回路部１６は、上記半導体素子１５を直列に連結する回路ライン１６ｂと、当該回路ライン１６ｂと並列に連結される複数のヒューズ１６ａとを含むことができる。ここで、各ヒューズ１６ａは、図５ａに示されるように、多様な数の半導体素子に並列に連結されることができる。
【００５３】
図５ａに示される回路連結では、上記ヒューズ１６ａの選択的切断（「Ｃ」で表示）によって上記ヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５の電気的特性値を変えることができる。
【００５４】
即ち、図５ａに示されるように、Ｃ部分が切断される前には、相対的に抵抗が低いヒューズラインを介して電流が導通するため、電極パッド１７で０Ｖが測定されるのに対し、Ｃ部分が切断された場合には、最右側の半導体ダイオードから電流が流れるようになるため、該当半導体ダイオードの抵抗分だけ増加した電圧が電極パッド１７で測定される。
【００５５】
このように、上記ヒューズ１６ａの選択的切断によりヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５の電気的特性値を選択することができるため、選択された電気的特性値と半導体発光ダイオードチップ１０のウエハベース工程の履歴情報とを対応させることで、所望のウエハベース工程の履歴情報をヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５に記録することができる。
【００５６】
以下、図５ａに示されるヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５におけるヒューズ１６ａの選択的切断による電圧の変化を図５ｂの等価回路を参照して下記表１に示す。表１によると、各半導体ダイオードは、３Ｖの電圧を有し、Ｘは、切断された状態を示し、○は、切断されない状態を示す。
【００５７】
【表１】
【００５８】
このように、５個のヒューズ１６ａの選択的切断により、図５ａに示されるヒューズシグネチャ回路に６個識別情報（例えば、０、１、２、３、４、５）を記録することができ、当該記録された識別情報は、電極パッド１７で電圧測定によって確認することができる。
【００５９】
図５ａ及び図５ｂを参照して上述した実施形態は、容易な理解のための例示に過ぎない。各半導体素子及び回路部の構成を多様に変えることで、より多い情報の記録が可能なヒューズシグネチャ回路を構成することができる。
【００６０】
より詳細には、ヒューズの位置及び切断数に応じて半導体素子の識別情報を二進型（ｂｉｎａｒｙ）に具現することができる。例えば、各半導体ダイオードの電気的特性値（抵抗、逆方向電圧等）を異なるように設計し、当該異なる電気的特性値を有する半導体ダイオードのそれぞれに対してヒューズを並列に連結して情報を記録することができる。また、マトリックス状に回路を構成し、各単位にヒューズを並列に連結した形態を有することもできる。
【００６１】
上記ウエハベース工程の履歴情報は、ウエハベース全般の工程に関連する履歴情報であって、該当チップが属するウエハのロットナンバー、ロットのウエハナンバー、ウエハ上の該当チップの位置及び工程ライン表示からなる群から選択される少なくとも一つを含むことができるが、これに限定されるものではない。
【００６２】
上述した工程の履歴情報において、ウエハのロットナンバーは、同一ロットでの多数のウエハに対して行われる半導体製造工程の情報と関連し、ロットのウエハナンバーは、ウエハの順番及び位置情報と関連する。
【００６３】
上記ウエハ上の該当チップの位置は、同一ウエハ上でのチップの位置（座標）に関する情報を示し、上記該当チップの位置は、レチクル座標と該当レチクル内でのチップの座標で表示されることができる（図９ａ、図９ｂ及び関連説明参照）。他にも工程ライン、生産時期等の多様な履歴情報が含まれることができる。
【００６４】
本実施形態では、上記発光ダイオードＬＤの周囲に５個のヒューズシグネチャ回路Ｓ１〜Ｓ５が形成されたことが示されているが、必要なウエハベース工程の履歴情報量に応じて上記ヒューズシグネチャ回路の個数を決めることができる。
【００６５】
例えば、１万個の半導体発光ダイオードチップを有するウエハを毎月３万枚ずつ生産する場合は、１年単位に９４．７億個の半導体素子に対するヒューズシグネチャ回路が求められる。このようなヒューズシグネチャ回路が各半導体素子の識別情報を二進型に具現する場合、ウエハナンバーやチップの位置を示すために、３４個のヒューズが必要とされることがある。また、別の情報を加えるために、適切な数のヒューズが加えられることができる。
【００６６】
前述した実施形態では、ヒューズシグネチャ回路を構成する半導体素子が半導体ダイオードの形態であることが示されているが、抵抗又はトランジスタ等の他の素子であることができる。抵抗で具現される半導体素子は、固有の抵抗を有する半導体層パターンを有することができる。
【００６７】
図６ａ及び図６ｂに示される半導体発光ダイオードチップ６０は、他の形態のヒューズシグネチャ回路であってトランジスタを用いるヒューズシグネチャ回路Ｓを含む。
【００６８】
図６ａに示される半導体発光ダイオードチップ６０は、基板６１と、当該基板６１の一領域に形成された発光ダイオードＬＤと、当該基板６１の他の領域に形成されたヒューズシグネチャ回路Ｓとを含む。
【００６９】
上記発光ダイオードＬＤは、図２に示される実施形態と類似するように、第１及び第２の化合物半導体層と、当該第１及び第２の化合物半導体層間に形成された活性層とを備える発光積層体６２と；上記第１及び第２の化合物半導体層にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極６３、６４と；を含む。本実施形態による発光積層体６２は、メサ構造を有することができる。
【００７０】
本実施形態による第１及び第２の電極６３、６４は、ボンディングパッド６３ａ、６４ａと、発光可能な全面積での均一な電流分散のために当該ボンディングパッド６３ａ、６４ａから伸びる電極指６３ｂ、６４ｂとを含むことができる。
【００７１】
本実施形態によるヒューズシグネチャ回路Ｓは、複数のトランジスタからなるデコーダーＤＣを含む。上記ヒューズシグネチャ回路Ｓは、上記基板６１の一領域に形成された発光ダイオードＬＤと電気的に絶縁されることができる。
【００７２】
上記デコーダーＤＣは、図示されてはいないが、複数の半導体トランジスタを含む回路で形成されることができる。本実施形態による半導体トランジスタは、上記発光積層体と共に成長された少なくとも一つの層を有することができる。
【００７３】
図７には、本実施形態によるトランジスタの好ましい一例として異種接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）が示されている。
【００７４】
図７に示される素子は、下部構造として上記発光ダイオードＬＤを構成する発光積層体６２に対応する半導体積層体６２'を含む。上記半導体積層体６２'上には、トランジスタ６５が形成されることができる。
【００７５】
図７に示されるように、上記トランジスタ６５は、アンドープの第１の半導体層６５ａと、当該第１の半導体層６５ａ上にチャンネル層として形成され当該第１の半導体層６５ａとの界面で２次元電子ガス層を提供するアンドープの第２の半導体層６５ｂとを有する異種接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）であることができる。上記トランジスタ６５は、上記第２の半導体層６５ｂ上に形成されたソースＳとドレインＤとゲートＧとをさらに含むことができる。
【００７６】
上記半導体発光ダイオードチップ６０が窒化物系半導体素子で具現される場合、上記第１の半導体層６５ａは、半絶縁又は高抵抗層としてアンドープのＧａＮ層であり、上記第２の半導体層６５ｂは、ＡｌＧａＮ層であることができる。
【００７７】
このようなＨＦＥＴ構造では、相違するバンドギャップを有する第１の半導体層６５ａと第２の半導体層６５ｂとの異種接合によって２次元電子ガス（２ＤＥＧ）層が形成される。ここで、上記ゲートＧに信号が入力されると、上記２ＤＥＧによってチャンネルが形成され、ソースＳとドレインＤとの間に電流が導通することができる。
【００７８】
このような原理を利用して複数のトランジスタを含むデコーダーＤＣを構成することができる。このようなデコーダーＤＣの回路ラインは、複数のヒューズと部分的に連結され、当該ヒューズの選択的切断により回路の構成を変えることが可能となる。このような回路の構成の変更によって、各電極パッド６７で測定される電気的特性値（即ち、情報関連データ）の変更が可能となる。
【００７９】
本実施形態によると、デコーダーＤＣから回路ラインを引き出して構成された複数のヒューズを有するヒューズ部６６を基板の他の領域に配置することができる。このようなヒューズ部６６の配置によって、選択的切断を容易に実現することができる。
【００８０】
図６ｂに示される半導体発光ダイオードチップ７０は、基板７１と、当該基板７１の一領域に形成された発光ダイオードＬＤと、当該基板７１の他の領域に形成された２個のヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２とを含む。
【００８１】
上記発光ダイオードＬＤは、前述した実施形態と類似するように、活性層を有する発光積層体７２と、ボンディングパッド７３ａ、７４ａと当該ボンディングパッド７３ａ、７４ａから伸びる電極指７３ｂ、７４ｂとを有する第１及び第２の電極７３、７４とを含むことができる。
【００８２】
本実施形態によるヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２は、複数のトランジスタからなるデコーダーＤＣを含む。上記ヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２は、図６ａの実施形態と類似するように、複数の半導体トランジスタを含む回路で形成されることができる。本実施形態による半導体トランジスタは、図７の形態として理解することができる。
【００８３】
図６ｂに示されるように、上記ヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２において、各デコーダーＤＣの回路ラインは、当該デコーダーＤＣから引き出されて構成されたヒューズ７６の選択的切断により回路の構成が変わるように形成されることができる。このような回路の構成の変更によって、各電極パッド７７で測定される電気的特性値（即ち、情報関連データ）の変更が可能となり、これを利用して所望の情報を記録することができる。
【００８４】
図６ａ及び図６ｂには、トランジスタからなるヒューズシグネチャ回路が示されているが、必要に応じて半導体ダイオード及び／又は抵抗等の他の素子と共に所望の形態のヒューズシグネチャ回路を構成することができる。
【００８５】
このように、本発明による半導体発光ダイオードチップは、ウエハベース工程の履歴情報がヒューズの選択的切断によりヒューズシグネチャ回路に記録された後、チップレベルのみならずパッケージレベルでも当該情報が識別可能となるように構成されることができる長所を有する。
【００８６】
また、本発明は、上述した半導体発光ダイオードチップを有する半導体発光ダイオードパッケージを提供する。図８及び図９に示される半導体発光ダイオードパッケージは、それぞれダイオード及びトランジスタを基にして構成されたヒューズシグネチャ回路を有する形態である。
【００８７】
図８に示される半導体発光ダイオードパッケージ９０は、パッケージの本体となるパッケージ基板９１と、当該パッケージ基板９１に実装された半導体発光ダイオードチップ８０とを含む。
【００８８】
上記半導体発光ダイオードチップ８０は、基板８１と、当該基板８１の一領域に形成された発光ダイオードＬＤと、当該基板８１の他の領域に形成されダイオード８５からなる２個のヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２とを含む。
【００８９】
上記発光ダイオードＬＤは、活性層を有する発光積層体８２と、ボンディングパッド８３ａ、８４ａと当該ボンディングパッド８３ａ、８４ａから伸びる電極指８３ｂ、８４ｂとを有する第１及び第２の電極８３、８４とを含むことができる。本実施形態によるヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２は、図５ａ及び図５ｂの形態と類似する形態として理解することができる。
【００９０】
本実施形態によるパッケージレベルでのヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２は、半導体発光ダイオードチップ８０のウエハベース工程の履歴情報に応じて必要とされるヒューズ（図示せず）が既に選択的に切断されている状態である。
【００９１】
図８に示されるように、上記半導体発光ダイオードチップ８０のボンディングパッド８３ａ、８４ａは、ワイヤＷを介して、パッケージ基板９１に形成された外部端子９２にそれぞれ連結されることができる。また、上記ヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２の電極パッド８７は、ワイヤＷを介して、パッケージ基板９１に設けられたシグネチャ端子９７に連結されることができる。
【００９２】
このように、上記半導体発光ダイオードパッケージ９０は、上記半導体発光ダイオードチップ８０を駆動させるための外部端子９２のみならず、ヒューズシグネチャ回路Ｓ１、Ｓ２に連結されたシグネチャ端子９７を含む。
【００９３】
これにより、最終パッケージレベルにおいて、上記半導体発光ダイオードパッケージ９０に用いられた半導体発光ダイオードチップ８０のウエハベース工程の履歴情報をシグネチャ端子９７から検出することができる。
【００９４】
本実施形態では、半導体発光ダイオードパッケージを簡単にパッケージ基板及び外部端子で示して説明したが、多様な形態の公知のパッケージ本体を有することができ、図８で説明したように、半導体発光ダイオードチップを駆動させるための外部端子のみならず、ヒューズシグネチャ回路に連結されたシグネチャ端子を提供することで、当該半導体発光ダイオードチップの情報を提供できるパッケージであればいずれのものでも本発明の範囲に属する。
【００９５】
このように、半導体発光ダイオードチップを採用する多様な光源装置で不良が発生するか又は必要な場合には、シグネチャ端子を利用してヒューズシグネチャ回路の情報を判読することで、該当半導体発光ダイオードチップの情報（特に、ウエハレベル関連情報）を確認することができる。
【００９６】
図９、図１０ａ及び図１０ｂには、多様な光源装置の例として、バルブ型照明装置に用いられる発光モジュール及び当該照明装置が示されている。
【００９７】
図９に示される発光モジュールは、図１０ａ及び図１０ｂの照明装置に採用可能な形態で、円形の印刷回路基板１２１と、当該印刷回路基板１２１に実装された半導体発光ダイオードチップ１１０とを含むことができる。
【００９８】
上記半導体発光ダイオードチップ１１０は、基板１１１と、当該基板１１１の一領域に形成された発光ダイオードＬＤと、当該基板１１１の他の領域に形成されたヒューズシグネチャ回路Ｓとを含む。本実施形態によるヒューズシグネチャ回路Ｓは、図６及び図７のトランジスタを含むデコーダーＤＣを含むことができる。
【００９９】
上記発光ダイオードＬＤは、活性層を有する発光積層体１１２と、ボンディングパッド１１３ａ、１１４ａと当該ボンディングパッド１１３ａ、１１４ａから伸びる電極指１１３ｂ、１１４ｂとを有する第１及び第２の電極１１３、１１４とを含むことができる。
【０１００】
図９に示されるように、上記半導体発光ダイオードチップ１１０のボンディングパッド１１３ａ、１１４ａは、ワイヤＷを介して、印刷回路基板１２１に形成された外部端子１２２にそれぞれ連結されることができる。
【０１０１】
一方、上記ヒューズシグネチャ回路Ｓの電極パッド１１７は、ワイヤＷを介して、上記印刷回路基板１２１に設けられたシグネチャ端子１２７に連結されることができる。
【０１０２】
このように、図９に示される発光モジュールでは、ヒューズシグネチャ回路Ｓに連結された別途のシグネチャ端子１２７を利用して最終パッケージレベルでも半導体発光ダイオードチップ１１０のウエハベース工程の履歴情報を確認することができる。
【０１０３】
本実施形態によるシグネチャ端子１２７は、ワイヤＷを介して上記ボンディングパッド１１７と連結されたパッド領域１２７ａと、チップの情報の確認のためにプローブが接触されるプローブ領域１２７ｂと、上記パッド領域１２７ａと上記プローブ領域１２７ｂとを連結する連結部１２７ｃとを含むことができる。
【０１０４】
このような構造では、上記プローブ領域１２７ｂが、上記ボンディングパッド１１７に連結された上記パッド領域１２７ａと離隔していることから、モジュール又は照明装置のプローブの接触を容易にすることができる。
【０１０５】
上述した発光モジュールは、図１０ａ及び図１０ｂに示される照明装置に 駆動部と共に採用されることができる。図１０ａ及び図１０ｂには、本発明による照明装置の一例としてバルブ型ランプが示されている。
【０１０６】
図１０ａは、照明装置の構成への理解のために各構成要素を分解した状態を示す斜視図であり、図１０ｂは、図１０ａにおける分解された構成要素が組み立てられた状態（但し、凸レンズ状のカバーの結合は除外）を示す斜視図である。
【０１０７】
図１０ａ及び図１０ｂを参照すると、上記照明装置３００は、発光モジュール１２０と、駆動部３３０と、外部接続部３１０とを含む。また、上記照明装置３００は、外部ハウジング及び内部ハウジング３４０、３２０並びにカバー部３６０等の外形構造物をさらに含むことができる。
【０１０８】
図９に示されるように、上記発光モジュール１２０は、上記半導体発光ダイオードチップ１１０と、当該半導体発光ダイオードチップ１１０が搭載された印刷回路基板１２１とを含むことができる。本実施形態によると、１個の半導体発光ダイオードチップ１１０が上記印刷回路基板１２１上に実装された形態であるが、必要に応じて複数の半導体発光ダイオードチップ１１０が実装されることができる。
【０１０９】
本実施形態による照明装置３００では、上記発光モジュール１２０は、熱放出部として作用する外部ハウジング３４０を含むことができる。上記外部ハウジング３４０は、上記発光モジュール１２０と直接触続して放熱効果を向上させる熱放出板３４５を含むことができるが、これに限定されるものではない。また、本実施形態による照明装置３００は、上記発光モジュール１２０上に取り付けられる凸レンズ状のカバー部３６０を含むことができる。
【０１１０】
本実施形態による駆動部３３０は、内部ハウジング３２０に取り付けられてソケット構造の外部接続部３１０に連結されることで外部電源から電力を供給されることができる。また、上記駆動部３３０は、発光モジュール１２０の半導体発光ダイオードチップ１１０を駆動させることができるように、上記外部電源からの電力を適宜な電流源に変換させて提供する役割をする。例えば、このような駆動部３３０は、ＡＣ−ＤＣコンバーター又は整流回路部品等からなることができる。
【０１１１】
図１０ａ及び図１０ｂに示される照明装置３００レベルでは、半導体発光ダイオードチップの情報を確認しようとする場合、上記カバー部３６０のみを除去した状態で図９のシグネチャ端子１２７のプローブ領域１２７ｂにプローブを連結して該当ヒューズシグネチャ回路Ｓの電気的特性値を測定し、その特性値に基づいて当該半導体発光ダイオードチップの情報（例えば、ウエハベース工程の履歴情報等）を追跡することができる。
【０１１２】
そして、上記追跡された情報と実際の照明装置から発生する該当半導体発光ダイオードチップ１１０の特性変化との関連性を調査し、その調査情報を基にしてウエハベース工程を改善させることができる。より詳細な内容は、図１１から図１４を参照して後述する。
【０１１３】
このように、ヒューズシグネチャ回路を有する半導体発光ダイオードチップを採用する発光モジュールでは、当該ヒューズシグネチャ回路と連結されたシグネチャ端子を含むことにより、当該発光モジュールのみならず、多様な完成製品（例えば、ランプ等の室内照明装置、街灯、看板、標識灯等の室外照明装置、自動車、航空機及び船舶用ヘッドランプ、後方灯等の交通手段用照明装置）でも該当半導体発光ダイオードチップの正確な情報を容易に且つ迅速に確認することができる。
【０１１４】
ウエハベース工程の履歴情報のうちウエハ上のチップの位置に関する情報を記録する方法について図１１（ａ）及び図１１（ｂ）を参照して説明する。
【０１１５】
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、ウエハ上に半導体発光ダイオードチップの位置を表示する方法を説明するためのウエハ及びレチクルの概略図である。
【０１１６】
ウエハ上の各チップの位置に関する情報を座標化し、その座標とヒューズシグネチャ回路での選択可能な電気的特性値とを対応させるテーブルを用意する。
【０１１７】
図１１（ａ）に示されるように、ウエハをレチクル別に区分し、各レチクルの情報（座標）を第１のヒューズシグネチャ回路に記録し、図１１（ｂ）に示されるように、各レチクルのチップの情報（座標）を第２のヒューズシグネチャ回路に記録する方式を用いることができる。この場合、必要に応じて各座標のｘ及びｙ成分を別途のヒューズシグネチャ回路にそれぞれ具現することで各シグネチャ回路をより簡単に構成することもできる。
【０１１８】
このような方式を利用して、該当チップを用いる後続工程や完成製品段階において、該当チップのヒューズシグネチャ回路の電気的特性値を測定することで、ウエハ上のチップの位置を追跡することができる。ウエハ上のチップの位置以外にもウエハベース工程における主な履歴情報に該当するウエハのロットナンバー又は工程ラインをそれぞれ異なるヒューズシグネチャ回路に適宜記録することができる。
【０１１９】
ヒューズの選択的切断は、チップの製造のためのエピ工程及び電極形成工程が完了した後にチップ単位に切断する前に行うことが好ましく、レーザー加工又は過電流印加方式等の多様な方法で行われることができる。
【０１２０】
このように、ウエハレベルにおいて各チップのヒューズシグネチャ回路に所望のウエハベース工程の履歴情報を記録するため、チップ単位に分離された後、後続工程で各チップに記録されたウエハベース工程の履歴情報を追跡することができる。
【０１２１】
ヒューズシグネチャ回路を利用してウエハベース工程の履歴情報を追跡して品質を改善する方法について図１２から図１４を参照して説明する。
【０１２２】
図１２は、半導体発光ダイオードチップの製造工程から後続工程を経てパッケージ完成工程までのヒューズシグネチャ回路を利用した履歴追跡過程を説明するための概略図である。
【０１２３】
図１２に示されるように、まず、ウエハベース工程、即ち、エピタキシャル成長工程及びその他の製造工程（電極形成等）を行う。個別のチップに切断される前に該当チップのウエハベース工程の履歴情報を該当チップのヒューズシグネチャ回路に記録する（ヒューズの選択的切断）。
【０１２４】
次いで、チッププロービング工程でチップの電気的及び光学的特性を測定できる。その測定結果に応じて不良チップを除外する選別過程を経たりチップをランク別に分類したりした後、所望の特性のＬＥＤパッケージを得るためのリードフレームベース工程が行われる。
【０１２５】
以後、パッケージが完成されると、構造体への仕上げ工程であるトリミング／分類工程を経て色感特性に基づいて適宜分類され積載されることができる。
【０１２６】
ウエハベース工程後、即ち、個別のチップに分離された後に、このような一連の製造工程を経てパッケージレベル又は特定モジュール（例えば、照明用光源等）レベルにおいてＬＥＤチップ又はパッケージの特性を測定する際に、その測定された結果を個別のチップとマッチングさせ、これにより、その測定された特性とウエハベース工程の履歴情報との相関性を導き出すことができる。
【０１２７】
このようなチップ特性とパッケージ特性との相関性に基づいて当該ウエハベース工程の履歴情報が上記測定された特性に及ぶ影響を分析することができる。特に、製品特性の測定結果（又は製品特性の不良判断）は、チッププロービング工程やリードフレームベース工程のみならず、パッケージベース工程でもシグネチャ端子を利用して得られることができる。
【０１２８】
上記測定された特性は、大きくチップに関連する特性（特に、チッププロービング工程で測定されるもの）とパッケージに関連する特性とに分けられる。
【０１２９】
上記チップに関連する特性は、該当チップの駆動電圧、駆動電流、順方向電圧、発光強度、発光波長及び温度による波長変化の少なくとも一つであり、上記パッケージに関連する特性は、該当パッケージの光量、発光強度、放出波長、色座標及び色温度の少なくとも一つであることができる。
【０１３０】
本発明による品質管理方法におけるチップ特性とパッケージ特性との相関性を分析した一例として、ウエハベース工程の履歴情報のうちのチップの位置とパッケージの色座標特性との相関性を図１３及び図１４に示す。
【０１３１】
図１３を参照すると、通常のパッケージ製造工程により白色発光のための所定の蛍光体が適用され、最終的にパッケージとして完成された後、各パッケージの色座標を測定した結果が示されている。
【０１３２】
このような色座標の測定結果に応じて、所望の色座標領域Ｇを外れた不良ＬＥＤパッケージの色座標領域Ｂ１、Ｂ２が発生すると、パッケージに用いられたチップのヒューズシグネチャ回路から情報を検出してウエハ上のチップの位置を追跡する。
【０１３３】
各パッケージに用いられたチップのウエハ上の位置情報を検出して、図１４に示されるように、仮想ウエハ１３０に各ＬＥＤパッケージの色座標測定結果を表示することができる。
【０１３４】
確認された不良ＬＥＤパッケージに用いられたチップは、図１４に示されるように、仮想ウエハ１３０のＢＣ領域に集中されている。このように、仮想ウエハの特定領域に不良ＬＥＤパッケージのチップが集中されていることは、ウエハベース工程の履歴情報と非常に密接な関連性があるものと見られ、このような不良集中領域に関連するウエハベース工程の原因を分析することで製品の収率を大きく向上させることができる。
【０１３５】
これに対し、チップの追跡機能を活用しない従来の品質改善方法では、色座標の特徴の原因の分析をウエハベース工程にまで拡張して行うことができなかったため、パッケージ工程（蛍光体配合及びディスペンシング工程）のみに限定して行われるしかなく、その結果、図１４に示されるウエハベース工程の問題は見過ごされるしかなかった。
【０１３６】
しかしながら、上述したように、本発明によると、ヒューズシグネチャ回路を用いてウエハベース工程まで追跡可能な品質改善方法を導入することで、ＬＥＤ製品の特性に及ぼす多様な問題の原因の分析を当該ウエハベース工程にまで拡張して行うことができ、これにより、製品の品質をより効果的に改善し、その結果、ＬＥＤパッケージの収率を大きく向上させることができる。
【０１３７】
本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されることなく、添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載の本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で多様な形態の置換、変形及び変更が可能であることは当技術分野における通常の知識を有する者に自明のことである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一領域に形成され、第１及び第２の化合物半導体層と当該第１及び第２の化合物半導体層間に形成された活性層とを有する発光積層体と、当該第１及び第２の化合物半導体層にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極とを備える発光ダイオードと、
前記基板の他の領域に前記発光ダイオードから電気的に絶縁されるように形成され、それぞれのウエハベース工程の履歴情報に対応する固有の電気的特性値を有する回路部と、当該電気的特性値を測定できるように当該回路部に連結された複数の電極パッドとを備える少なくとも一つのヒューズシグネチャ回路と
を含み、
前記回路部は、複数の半導体素子と、当該複数の半導体素子に連結された複数のヒューズとを含み、当該回路部の電気的特性値は、前記複数のヒューズの選択的切断により決められる、半導体発光ダイオードチップ。
【請求項２】
前記ヒューズシグネチャ回路は、好ましくは複数であり、それぞれ他の領域に形成される、請求項１に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項３】
前記複数の半導体素子は、前記発光積層体の少なくとも一つの半導体層と共に成長された半導体層を含む、請求項１に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項４】
前記ウエハベース工程の履歴情報は、該当チップの属するウエハのロットナンバー、ロットのウエハナンバー、ウエハ上の該当チップの位置及び工程ライン表示からなる群から選択される少なくとも一つを含む、請求項１に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項５】
前記該当チップの位置は、レチクル座標と該当レチクル内でのチップの座標とを含む、請求項４に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項６】
前記複数のヒューズの少なくとも一つは、切断される、請求項１に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項７】
前記複数の半導体素子は、前記基板の他の領域において、前記発光積層体の少なくとも一つの層と共に成長された半導体層を含む、請求項１に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項８】
前記複数の半導体素子は、半導体ダイオードを含む、請求項１に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項９】
前記半導体ダイオードは、前記基板の他の領域において、前記発光積層体の各層と共に成長された半導体積層体を含む、請求項８に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項１０】
前記複数の半導体素子は、互いに直列に連結され、前記複数のヒューズは、それぞれ少なくとも一つの半導体素子に並列に連結されるように形成される、請求項８又は９に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項１１】
前記基板の他の領域は、前記発光積層体の各層と共に成長された半導体積層体を含み、前記ヒューズシグネチャ回路の電極パッドは、前記半導体積層体上に形成される、請求項８又は９に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項１２】
前記複数の半導体素子は、トランジスタを含む、請求項１に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項１３】
前記トランジスタは、
アンドープの第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上にチャンネル層として形成され当該第１の半導体層との界面で２次元電子ガス層を提供するアンドープの第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に形成されたソース、ドレイン及びゲート電極と
を含む、請求項１２に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項１４】
前記トランジスタは、前記基板の他の領域において、前記発光積層体の各層と共に成長された半導体積層体上に形成される、請求項１３に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか一項に記載の半導体発光ダイオードチップと、
前記半導体発光ダイオードチップが実装されたパッケージ本体と、
前記半導体発光ダイオードチップの第１及び第２の電極にそれぞれ連結された第１及び第２の外部端子と、
前記ヒューズシグネチャ回路の複数の電極パッドにそれぞれ連結された複数のシグネチャ端子と
を含む、半導体発光ダイオードパッケージ。
【請求項１６】
請求項１から１４のいずれか一項に記載の半導体発光ダイオードチップが形成されたウエハを用意する段階と、
前記回路部が該当チップのウエハベース工程の履歴情報により決められた電気的特性値を有するように前記複数のヒューズの少なくとも一つを選択的に切断する段階と、
個別のチップが得られるように前記ウエハを切断する段階と
を含む、半導体発光ダイオードチップの製造方法。
【請求項１７】
請求項１から１４のいずれか一項に記載の半導体発光ダイオードチップを用意する段階と、
前記半導体発光ダイオードチップレベルから前記半導体発光ダイオードチップを有するパッケージ製造工程及び当該工程の完了後までの任意の時点で該当チップ又はパッケージの特性を測定する段階と、
前記測定された特性と、前記測定された特性に関連するチップのヒューズシグネチャ回路の電気的特性値から追跡されたウエハベース工程の履歴情報との相関性に基づいて当該ウエハベース工程の履歴情報が当該測定された特性に及ぶ影響を分析する段階と
を含む、半導体発光ダイオードチップの品質管理方法。
【請求項１８】
前記該当チップ又はパッケージの特性を測定する段階は、前記該当チップの駆動電圧、駆動電流、順方向電圧、発光強度、発光波長及び温度による波長変化の少なくとも一つを測定する段階を含む、請求項１７に記載の半導体発光ダイオードチップの品質管理方法。
【請求項１９】
前記該当チップ又はパッケージの特性を測定する段階は、前記パッケージの光量、発光強度、放出波長、色座標及び色温度の少なくとも一つを測定する段階を含む、請求項１７に記載の半導体発光ダイオードチップの品質管理方法。
【請求項２０】
前記測定された特性に及ぶ影響を分析する段階は、
前記測定された特性のうち所望の範囲を外れた不良チップを仮想ウエハの座標にマッピングする段階と、
前記仮想ウエハの座標にマッピングされた不良チップが特に多く分布された領域の原因を分析する段階と
を含む、請求項１８又は１９に記載の半導体発光ダイオードチップの品質管理方法。
【請求項１】
基板と、
前記基板の一領域に形成され、第１及び第２の化合物半導体層と当該第１及び第２の化合物半導体層間に形成された活性層とを有する発光積層体と、当該第１及び第２の化合物半導体層にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極とを備える発光ダイオードと、
前記基板の他の領域に前記発光ダイオードから電気的に絶縁されるように形成され、それぞれのウエハベース工程の履歴情報に対応する固有の電気的特性値を有する回路部と、当該電気的特性値を測定できるように当該回路部に連結された複数の電極パッドとを備える少なくとも一つのヒューズシグネチャ回路と
を含み、
前記回路部は、複数の半導体素子と、当該複数の半導体素子に連結された複数のヒューズとを含み、当該回路部の電気的特性値は、前記複数のヒューズの選択的切断により決められる、半導体発光ダイオードチップ。
【請求項２】
前記ヒューズシグネチャ回路は、好ましくは複数であり、それぞれ他の領域に形成される、請求項１に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項３】
前記複数の半導体素子は、前記発光積層体の少なくとも一つの半導体層と共に成長された半導体層を含む、請求項１に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項４】
前記ウエハベース工程の履歴情報は、該当チップの属するウエハのロットナンバー、ロットのウエハナンバー、ウエハ上の該当チップの位置及び工程ライン表示からなる群から選択される少なくとも一つを含む、請求項１に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項５】
前記該当チップの位置は、レチクル座標と該当レチクル内でのチップの座標とを含む、請求項４に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項６】
前記複数のヒューズの少なくとも一つは、切断される、請求項１に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項７】
前記複数の半導体素子は、前記基板の他の領域において、前記発光積層体の少なくとも一つの層と共に成長された半導体層を含む、請求項１に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項８】
前記複数の半導体素子は、半導体ダイオードを含む、請求項１に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項９】
前記半導体ダイオードは、前記基板の他の領域において、前記発光積層体の各層と共に成長された半導体積層体を含む、請求項８に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項１０】
前記複数の半導体素子は、互いに直列に連結され、前記複数のヒューズは、それぞれ少なくとも一つの半導体素子に並列に連結されるように形成される、請求項８又は９に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項１１】
前記基板の他の領域は、前記発光積層体の各層と共に成長された半導体積層体を含み、前記ヒューズシグネチャ回路の電極パッドは、前記半導体積層体上に形成される、請求項８又は９に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項１２】
前記複数の半導体素子は、トランジスタを含む、請求項１に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項１３】
前記トランジスタは、
アンドープの第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上にチャンネル層として形成され当該第１の半導体層との界面で２次元電子ガス層を提供するアンドープの第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に形成されたソース、ドレイン及びゲート電極と
を含む、請求項１２に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項１４】
前記トランジスタは、前記基板の他の領域において、前記発光積層体の各層と共に成長された半導体積層体上に形成される、請求項１３に記載の半導体発光ダイオードチップ。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか一項に記載の半導体発光ダイオードチップと、
前記半導体発光ダイオードチップが実装されたパッケージ本体と、
前記半導体発光ダイオードチップの第１及び第２の電極にそれぞれ連結された第１及び第２の外部端子と、
前記ヒューズシグネチャ回路の複数の電極パッドにそれぞれ連結された複数のシグネチャ端子と
を含む、半導体発光ダイオードパッケージ。
【請求項１６】
請求項１から１４のいずれか一項に記載の半導体発光ダイオードチップが形成されたウエハを用意する段階と、
前記回路部が該当チップのウエハベース工程の履歴情報により決められた電気的特性値を有するように前記複数のヒューズの少なくとも一つを選択的に切断する段階と、
個別のチップが得られるように前記ウエハを切断する段階と
を含む、半導体発光ダイオードチップの製造方法。
【請求項１７】
請求項１から１４のいずれか一項に記載の半導体発光ダイオードチップを用意する段階と、
前記半導体発光ダイオードチップレベルから前記半導体発光ダイオードチップを有するパッケージ製造工程及び当該工程の完了後までの任意の時点で該当チップ又はパッケージの特性を測定する段階と、
前記測定された特性と、前記測定された特性に関連するチップのヒューズシグネチャ回路の電気的特性値から追跡されたウエハベース工程の履歴情報との相関性に基づいて当該ウエハベース工程の履歴情報が当該測定された特性に及ぶ影響を分析する段階と
を含む、半導体発光ダイオードチップの品質管理方法。
【請求項１８】
前記該当チップ又はパッケージの特性を測定する段階は、前記該当チップの駆動電圧、駆動電流、順方向電圧、発光強度、発光波長及び温度による波長変化の少なくとも一つを測定する段階を含む、請求項１７に記載の半導体発光ダイオードチップの品質管理方法。
【請求項１９】
前記該当チップ又はパッケージの特性を測定する段階は、前記パッケージの光量、発光強度、放出波長、色座標及び色温度の少なくとも一つを測定する段階を含む、請求項１７に記載の半導体発光ダイオードチップの品質管理方法。
【請求項２０】
前記測定された特性に及ぶ影響を分析する段階は、
前記測定された特性のうち所望の範囲を外れた不良チップを仮想ウエハの座標にマッピングする段階と、
前記仮想ウエハの座標にマッピングされた不良チップが特に多く分布された領域の原因を分析する段階と
を含む、請求項１８又は１９に記載の半導体発光ダイオードチップの品質管理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５ａ】
【図５ｂ】
【図６ａ】
【図６ｂ】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０ａ】
【図１０ｂ】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５ａ】
【図５ｂ】
【図６ａ】
【図６ｂ】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０ａ】
【図１０ｂ】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１２−１９５５８９（Ｐ２０１２−１９５５８９Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５９４００（Ｐ２０１２−５９４００）
【出願日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【出願人】（５１２０６６８４２）サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド． (5)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【出願人】（５１２０６６８４２）サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド． (5)
【Ｆターム（参考）】
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