半導体発光装置

【課題】従来の複数のＬＥＤダイを積層する積層型ＬＥＤ装置には、積層するＬＥＤダイの種類の制限や、積層するＬＥＤダイの数に制限があり、高輝度化や色調の調整範囲が限定的であった。
【解決手段】配線電極を有する回路基板３上に複数のＬＥＤダイ１ａ〜１ｄを積層したＬＥＤ装置１０であって、ＬＥＤダイ１ａ〜１ｄ間に蛍光体層２ａ〜２ｃやダイクロイックミラー６，７を介在さて小型化及び輝度向上を図り、さらに色度や経時変化の安定化を図る。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置のバックライトや照明装置に用いられる半導体発光装置に関し、さらに詳しくは複数の半導体発光素子を積層してパッケージ化した半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体発光素子は、長寿命で優れた駆動特性を有し、さらに小型で発光効率が良く、鮮やかな発光色を有することから、表示装置のバックライトや照明装置等に広く利用されるようになってきた。以下、特に断らない限りウェハーから切り出した状態の半導体発光素子をＬＥＤダイと呼び、ＬＥＤダイを回路基板に実装し樹脂等で被覆しパッケージ化した半導体発光装置をＬＥＤ装置と呼び区別する。
【０００３】
ＬＥＤ装置のなかには単一の回路基板に複数のＬＥＤダイを実装するものがある。例えば、赤色発光のＬＥＤダイ（Ｒ−ＬＥＤダイ）、緑色発光のＬＥＤダイ（Ｇ−ＬＥＤダイ）、青色発光のＬＥＤダイ（Ｂ−ＬＥＤダイ）が開発されたことから、加色混合型のＬＥＤ装置が実用化されている。この加色混合型のＬＥＤ装置は、Ｒ−ＬＥＤダイ，Ｇ−ＬＥＤダイ，Ｂ−ＬＥＤダイを同時に発光させることによって白色の照明装置に用いられたり、Ｒ−ＬＥＤダイ，Ｇ−ＬＥＤダイ，Ｂ−ＬＥＤダイのバランスを調整することによりフルカラーで発光する表示デバイス用素子として用いられたりする。
【０００４】
加色混合型のＬＥＤ装置は、ふつうＲ−ＬＥＤダイ，Ｇ−ＬＥＤダイ，Ｂ−ＬＥＤダイを単一の回路基板上に平面的に実装配置することが多い。このとき各色の発光が分離して見えることがあり、加色混合を行うためには発光面上に拡散板等を配置したりしていた。つまりＬＥＤダイを分散配置し発光させていたため混色性を高くすることが難しかった。
【０００５】
この欠点を解決するため、Ｒ−ＬＥＤダイ，Ｇ−ＬＥＤダイ，Ｂ−ＬＥＤダイを積層配置することにより、発光点を重ね合わせて混色性を高くしたＬＥＤ装置が提案されている（例えば特許文献１，特許文献２，特許文献３）。
【０００６】
特許文献１の図１に示されているＬＥＤ装置は、面積の等しいＲ−ＬＥＤダイ，Ｇ−ＬＥＤダイ，Ｂ−ＬＥＤダイを積層配置している。このとき下層のＬＥＤダイの発光する長波長光が、短波長光を発光する上層のＬＥＤダイを透過する構成とし、上層のＬＥＤダイに含まれる発光層による吸収を軽減し効率化を図っている。以上のようにしてこのＬＥＤ装置は、発光効率が良く小さな実装面積でありながら、白色発光或いはフルカラー発光を可能にしている。
【０００７】
また特許文献２の図６０に示されているＬＥＤ装置は、Ｒ−ＬＥＤダイ，Ｇ−ＬＥＤダイ，Ｂ−ＬＥＤダイの面積を順番に、小，中，大とし、面積が最大のＢ−ＬＥＤダイ上にＧ−ＬＥＤダイ，Ｒ−ＬＥＤダイを積層配置している。このＬＥＤ装置では、下側のＬＥＤダイが上側のＬＥＤダイの影にならない領域に発光層を形成し、小型で高輝度の光源を実現させている。
【０００８】
また特許文献３の図４に示されたＬＥＤ装置は、Ｂ−ＬＥＤダイ上に面積の等しいＲ−ＬＥＤダイとＢ−ＬＥＤダイを積層し、各ＬＥＤダイの間にスペーサを配置している。このスペーサにより、ＬＥＤダイ間に中空部が形成され、この中空部によって各ＬＥＤダイが発する熱を空気中に放出している。このようにして特許文献３の図４に示されたＬＥＤ装置は発光効率の低下を防止し、高輝度化を達成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−４３６２７号公報（図１，図４）
【特許文献２】特許第３３７８４６５号公報（図６０）
【特許文献３】特開２０１１−１９２６７２号公報（図４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記特許文献１から３で示されていたＬＥＤ装置は、ＬＥＤダイを積層することによりＬＥＤ装置の小型化及び高輝度化が達成できることを示唆していた。しかしながらこれらのＬＥＤ装置は、Ｒ−ＬＥＤダイ，Ｇ−ＬＥＤダイ，Ｂ−ＬＥＤダイを組合せていたため、白色化に際してＲ，Ｇ，Ｂのバランスをとることが難しいこと、各ＬＥＤダイの寿命及び経時変化が互いに異なること、及び３層構造以外の構成が考えにくいこと、が課題となっている。
【００１１】
そこで本発明は、複数の半導体発光素子を積層し小型化及び輝度向上を図るとき、色度や経時変化が安定し、積層する層の数に制限のない半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため本発明における半導体発光装置は、配線電極を有する回路基板上に複数の半導体発光素子を積層して配置し、前記半導体発光素子間に蛍光体層を介在させたことを特徴とする。
【００１３】
上記構成によれば、下層側の半導体発光素子から上方向に向かって出射する光の全て又は大部分が蛍光体層によって長波長側に波長変換される。この波長変換された光のうち上方に向かう光は、上層の半導体発光素子に入射するが、長波長側に波長変換されているので発光層でほとんど再吸収されず、上層の半導体発光素子を通過する。また他の蛍光体層に入射してもほとんど蛍光体により吸収されずに蛍光体層を通過する。このようにいったん長波長側に波長変換され上方に向かう光はそのまま半導体発光装置から出射する。すなわち半導体発光素子を積層しても、その半導体発光素子間に蛍光体層を備えていれば、波長変換された光を効率よく取り出すことができる。
【００１４】
このとき半導体発光素子は比較的短い波長で発光すればよい。すなわち蛍光体により白色発光（又は長波長化）させているので、赤色で発光する半導体発光素子、緑色で発光する半導体発光素子、青色で発光する半導体発光素子、という３種類の半導体発光素子を準備する必要がない。このため、色のバランスがとりやすく、経時変化も均等化する。また半導体発光素子の積層数の制限がない。
【００１５】
前記複数の半導体発光素子のうち最下層の半導体発光素子と前記回路基板上の間にも蛍光体層を介在させると良い。
【００１６】
上記構成によれば、最下層の半導体発光素子から下方向に出射した光が、回路基板上の間に設けた蛍光体層によって長波長側に変換される。長波長側に変換された光のうち、そのまま上方に向かう成分、及び回路基板上面で反射され上方に向かう成分は、最下層の半導体発光素子の発光層でほとんど吸収されず、この半導体発光素子を通過し上方へ向かう。この成分が加わることにより半導体発光装置からの出射光を多くできる。
【００１７】
前記複数の半導体発光素子のうち最下層の半導体発光素子は、前記回路基板上の配線電極にフリップチップ実装されていると良い。
【００１８】
上記構成によれば、最下層の半導体発光素子が回路基板上の配線電極にフリップチップ実装され、上層側の半導体発光素子が回路基板上の配線電極にワイヤーボンディングされる。フリップチップ実装は接続用のワイヤーが不要なため実装面積が小さくなるので、半導体発光装置としてはワイヤーボンディング工程の軽減と実装効率の向上が図られる。
【００１９】
前記複数の半導体発光素子のうち一部の半導体発光素子の下面にダイクロイックミラーを配設し、該ダイクロイックミラーが該ダイクロイックミラーを配設した前記半導体発光素子の発光波長より短い波長の光を反射し、長い波長の光を透過する特性を有すると良い。
【００２０】
上記構成によれば、ダイクロイックミラーを配設した半導体発光素子が下方に向かって出射する短い波長の光は、ダイクロイックミラーによって反射し上方に向かう。このときダイクロイックミラーの下方にある半導体発光素子と蛍光体層による発光のうち上方に向かう成分はそのままダイクロイックミラーを通過する。この結果、実質的にダイクロイックミラーを配設した半導体発光素子から下方に向う発光成分がなくなるので半導体発光装置としての出射効率が改善する。
【００２１】
前記複数の半導体発光素子のうち一部の半導体発光素子の上面にダイクロイックミラーを配設し、該ダイクロイックミラーが該ダイクロイックミラーを配設した前記半導体発光素子の発光波長より短い波長の光を透過し、長い波長の光を反射する特性を有すると良い。
【００２２】
上記構成によれば、ダイクロイックミラーを配設した半導体発光素子が上方に向かって出射する短い波長の光は、ダイクロイックミラーを通過し、その上方にある蛍光体層に入射する。ここで蛍光体層により波長変換され下方に向かう長い波長の光はダイクロイックミラーで反射し上方に向かう。同様に、蛍光体層を介してダイクロイックミラーの上方にある半導体発光素子から下方に出射する波長の短い光が蛍光体層で長い波長の光に変換されたとき、この長波長に変換された光のうち下方に向かう成分は、ダイクロイックミラーで反射し上方へ向かう。このようにしてダイクロイックミラーで反射して上方に向かう光が加わるため半導体発光装置としての出射効率が改善する。
【発明の効果】
【００２３】
上記の如く本発明の半導体発光装置によれば、小型化及び輝度向上を図るため複数の半導体発光素子を積層しても、色度や経時変化が安定し、積層する層数の制限をなくせる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ装置１０の断面図である。
【図２】図１に示すＬＥＤ装置１０の平面図である。
【図３】本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ装置２０の断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態におけるＬＥＤ装置３０の断面図である。
【図５】本発明の第４実施形態におけるＬＥＤ装置４０の断面図である。
【図６】本発明の第５実施形態におけるＬＥＤ装置５０の断面図である。
【図７】本発明の第６実施形態におけるＬＥＤ装置６０の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
（第１実施形態）
以下図面により本発明の詳細を説明する。図１，図２は本発明の第１実施形態における積層型のＬＥＤ装置を示し、図１はＬＥＤ装置１０の断面図、図２は平面図を示し、図１は図２のＡ−Ａ断面に対応している。
【００２６】
図１，図２において１０はＬＥＤ装置であり、4層のＬＥＤダイ１ａ，１ｂ１ｃ，１ｄが、各ＬＥＤダイ１ａ〜１ｄ間に積層された３層の蛍光体層２ａ，２ｂ，２ｃを介して回路基板３に積層している。各ＬＥＤダイ１ａ〜１ｄは長方形の形状を有し、ＬＥＤダイ１ａ，１ｃとが同一方向に配置され、ＬＥＤダイ１ａ，１ｃに対してＬＥＤダイ１ｂ，１ｄが直交配置されている。各ＬＥＤダイ１ａ〜１ｄの短辺に設けられた電極パッドは、ワイヤー４によって回路基板３上に形成された配線電極（図示せず）に接続されている。
【００２７】
上記ＬＥＤ装置１０は、ＬＥＤダイ１ａ〜１ｃとして発光波長の短い近紫外発光のＵＶ−ＬＥＤダイ又は青色発光のＢ−ＬＥＤダイを使用し、蛍光体層２ａ〜２ｃとしてＬＥＤダイの短波長の発光を長波長の光に変換する構成とする。このようにすると下層側のＬＥＤダイが発光した短波長の光は上層の蛍光体層によって長波長の光に変換されるので、上層のＬＥＤダイを通過するときの吸収が軽減される。この結果、ＬＥＤ装置１０は、最上層（又は最上層側）のＬＥＤダイによる短波長の発光と、下層の蛍光体層によって変換された長波長の光とを混合した混色光を出射する。
【００２８】
また、蛍光体層は吸収スペクトルが発光スペクトルより短波長側にあるため、下層側の蛍光体層により波長側に変換された光が上層の蛍光体層により再吸収されづらくなる。前述のようにＬＥＤダイとして短波長発光のＬＥＤダイを使用し、蛍光体層で長波長変換させると、積層するＬＥＤダイと蛍光体層の数の制限が無くなり、いろいろな組み合わせを行うことができるようになる。
【００２９】
例えばＬＥＤ装置１０は、全てのＬＥＤダイ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄにＢ−ＬＥＤダイを使用し、全ての蛍光体層２ａ，２ｂ，２ｃにＹＡＧ蛍光体層を使用することによって、各蛍光体層２ａ，２ｂ，２ｃによる黄色光と最上層のＢ−ＬＥＤダイ１ｄの青色光とを混色し白色光を出射することができる。すなわち構成部品としてＢ−ＬＥＤダイとＹＡＧ蛍光体層の２部品を用意するだけで良く、部材の管理が単純化できる。さらに積層する段数を増やすことによってＬＥＤ装置としての高輝度化を達成することができる。
【００３０】
また、ＬＥＤ装置１０において、ＬＥＤダイ１ａ，１ｂ，１ｃをＵＶ―ＬＥＤダイ（紫外線を発光するＬＥＤダイ）とし、最上層のＬＥＤダイ１ｄのみを青色光のＢ−ＬＥＤダイとし、全ての蛍光体層２ａ，２ｂ，２ｃにＹＡＧ蛍光体層としても良い。このときも同様に高輝度白色光のＬＥＤ装置を提供できる。
【００３１】
さらに、ＬＥＤ装置１０において、ＬＥＤダイ１ａ，１ｂ，１ｃをＵＶ―ＬＥＤダイとし、最上層のＬＥＤダイ１ｄのみを青色光のＢ−ＬＥＤダイとし、蛍光体層２ａ，２ｂ，２ｃを赤色蛍光体層と緑色蛍光体層の組み合わせとしても良い。この場合、Ｒ，Ｇ，Ｂ成分のバランスがとれた高輝度白色光のＬＥＤ装置を提供できる。またＬＥＤダイ１ａ〜１ｄを全てＵＶ−ＬＥＤダイとし、ＬＥＤダイ１ｄ上に青色発光する蛍光体層を追加しても良い。
【００３２】
（第２実施形態）
次に図３により本発明の第２実施形態のＬＥＤ装置について説明する。
図３は第２実施形態のＬＥＤ装置２０の断面図であり、基本的構成は図１に示す第１実施形態のＬＥＤ装置１０と同じであり、同一要素には同一番号を付し、重複する説明を省略する。ＬＥＤ装置２０がＬＥＤ装置１０と異なるところは、最下層のＬＥＤダイ１ａと回路基板３の間に第４の蛍光体層２ｄが挟持されていることである。ＬＥＤ装置２０の構成においてもＬＥＤ装置１０の構成と同様に、全てのＬＥＤダイ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄにＢ−ＬＥＤダイを使用し、蛍光体層２ａ，２ｂ，２ｃにＹＡＧ蛍光体層を使用することによって、各蛍光体層２ａ，２ｂ，２ｃによる黄色光と最上層のＢ−ＬＥＤダイ１ｄの青色光の混色による白色光を出射することは同じである。
【００３３】
異なるところは前述のごとく最下層のＬＥＤダイ１ａと回路基板３の間に第４の蛍光体層２ｄを設け、この蛍光体層２ｄも他の蛍光体層と同様のＹＡＧ蛍光体層としたことである。この結果最下層のＬＥＤダイ１ａから回路基板３方向に向う光は蛍光体層２ｄで波長変換された後、回路基板３の表面で反射され、ＬＥＤ装置２０の出射面側に戻っていく（この場合、回路基板の表面は反射特性を良くしておくことが好ましい）。したがってＬＥＤ装置２０はＬＥＤ装置１０に比較して、最下層のＬＥＤダイ１ａから回路基板３方向に向う光を有効活用でき出射効率が高くなる。
【００３４】
（第３実施形態）
次に図４により本発明の第３実施形態のＬＥＤ装置について説明する。
図４は第３実施形態のＬＥＤ装置３０の断面図であり、基本的構成は図１に示す第１実施形態のＬＥＤ装置１０と同じであり、同一要素には同一番号を付し、重複する説明を省略する。ＬＥＤ装置３０がＬＥＤ装置１０と異なるところは、最上層のＬＥＤダイ１ｄの上にさらに蛍光体層２ｅを積層してことである。
【００３５】
このＬＥＤ装置３０においては、全てのＬＥＤダイ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄにＵＶ−ＬＥＤダイを使用し、蛍光体層２ａを赤色蛍光体層，蛍光体層２ｂ，２ｃに緑色蛍光体層、蛍光体層２ｅに青色蛍光体層を使用することによって、全てＵＶ−ＬＥＤダイの発光をＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体層により波長変換した色調の良い白色光を出射するＬＥＤ装置３０となる。
【００３６】
（第４実施形態）
次に図５により本発明の第４実施形態のＬＥＤ装置について説明する。
図５は第４実施形態のＬＥＤ装置４０の断面図である。ＬＥＤ装置４０では２層のＬＥＤダイ１ａ，１ｂの間に１層の蛍光体層２ａを積層した実施形態を示している。下層のＬＥＤダイ１ａは下面電極５ａ．５ｂを有し、回路基板３の配線パターンにフリップチップ実装されており、上層のＬＥＤダイ１ｂは上面に電極パッドを有し、ワイヤー４によって回路基板３の配線パターンにワイヤーボンディングされている。また、本実施形態においては図３に示すＬＥＤ装置２０と同様に、下面電極５ａ．５ｂの周囲におけるＬＥＤダイ１ａと回路基板３の間には蛍光体層２ｄが設けられている。
【００３７】
上記ＬＥＤ装置４０の構成では最下層のＬＥＤダイ１ａが回路基板３上の配線パターンにフリップチップ実装され、上層側のＬＥＤダイ１ｂが回路基板３上の配線パターンにワイヤーボンディングされる。このＬＥＤダイ１ａに対してフリップチップ実装を採用することにより、接続用のワイヤーが不要となるため実装面積は小さくて良くなり、ＬＥＤ装置４０としてはワイヤーボンディング工程の軽減と実装効率の向上が図られる。
【００３８】
また、ＬＥＤ装置４０における、ＬＥＤダイと蛍光体層の組み合わせについては、いろいろ可能であるが、一例としてはＬＥＤ装置１０とほぼ同様に、ＬＥＤダイ１ａ，１ｂにＢ−ＬＥＤダイを使用し、蛍光体層２ａ，２ｄにＹＡＧ蛍光体層を採用することによって、各蛍光体層２ａ，２ｄによる黄色光と最上層のＢ−ＬＥＤダイ１ｂの青色光の混色による白色光を効率良く出射することがきる。また、本実施形態においては２層のＬＥＤダイ構成の事例を示したが、ＬＥＤダイ及び蛍光体層をさらに積層しても良いことは当然である。
【００３９】
（第５実施形態）
次に図６により本発明第５実施形態のＬＥＤ装置について説明する。
図６は本発明の第５実施形態のＬＥＤ装置５０の断面図であり、基本的構成は図５に示す第４実施形態のＬＥＤ装置４０と同じであり、同一要素には同一番号を付し、重複する説明を省略する。ＬＥＤ装置５０がＬＥＤ装置４０と異なるところは、ＬＥＤダイ１ｂの下面にダイクロイックミラー６を配設したことであり、このダイクロイックミラー６の特性がダイクロイックミラー６を配設したＬＥＤダイ１ｂの発光波長より短波長の光を反射し、長波長の光を透過する特性を有することである。
【００４０】
上記構成によれば、ダイクロイックミラー６を配設したＬＥＤダイ１ｂが下方に向かって出射する短波長の光線ＰＳは、ダイクロイックミラー６によって反射し上方に向かう。このときダイクロイックミラー６の下方にある蛍光体層２ａによる発光のうち上方に向かう光線ＰＬはそのままダイクロイックミラー６を通過する。この結果、実質的にダイクロイックミラー６を配設したＬＥＤダイ１ｂから下方に向う発光成分がなくなるのでＬＥＤ装置としての出射効率が改善する。
【００４１】
（第６実施形態）
次に図７により本発明の第６実施形態のＬＥＤ装置について説明する。
図７は第６実施形態のＬＥＤ装置６０の断面図であり、基本的構成は図６に示す第５実施形態のＬＥＤ装置５０と同じであり、同一要素には同一番号を付し、重複する説明を省略する。ＬＥＤ装置６０がＬＥＤ装置５０と異なるところは、ダイクロイックミラー７をＬＥＤダイ１ａの上面に配設したことであり、ダイクロイックミラー７の特性が該ダイクロイックミラー７を配設したＬＥＤダイ１ａの発光波長より短い波長の光を透過し、長い波長の光を反射する特性を有することである。
【００４２】
上記構成によれば、ダイクロイックミラー７を配設したＬＥＤダイ１ａが上方に向かって出射する短波長の光線ＰＳは、ダイクロイックミラー７を通過し、その上方にある蛍光体層２ａに入射し、蛍光体層２ａにより波長変換される。なお蛍光体層２ａにおいて光線ＰＳにより発光し下方に向かう長波長の光（図示していない）はダイクロイックミラー７で反射し上方に向かう。同様に、蛍光体層２ａを介してダイクロイックミラー７の上方にあるＬＥＤダイ１ｂから下方に出射する波長の短い光ＰＬは、蛍光体層２ａで長い波長の光に変換され、この長波長に変換された光のうち下方に向かう光線ＰＬは、ダイクロイックミラー７で反射し上方へ向かう。このようにしてダイクロイックミラー７で反射して上方に向かう光が加わるためＬＥＤ装置６０の出射効率が改善する。
【００４３】
上記ダイクロイックミラー６，７を備えたＬＥＤ装置５０，６０においても、ＬＥＤ装置４０と同様にＬＥＤダイと蛍光体層の組み合わせについては、いろいろ可能である。例えばＬＥＤ装置４０と同様に、ＬＥＤダイ１ａ，１ｂともにＢ−ＬＥＤダイを使用し、蛍光体層２ａ，２ｄにＹＡＧ蛍光体層を採用することによって、各蛍光体層２ａ，２ｄによる黄色光と最上層のＢ−ＬＥＤダイ１ｂの青色光との混色による白色光を効率良く出射することがきる。また、本実施形態においては２層のＬＥＤダイ構成の事例を示したが、ＬＥＤダイ及び蛍光体層をさらに多層にしても良いことは当然である。
【００４４】
上記の如く本発明によれば、ＵＶ−ＬＥＤダイやＢ−ＬＥＤダイのように比較的発光波長の短いＬＥＤダイを積層して使用し、各ＬＥＤダイ間に蛍光体層を積層する構成によって、小型化及び高輝度化を達成することができる。また積層枚数に制限がないため、配置面積を広げることなく輝度向上が可能で、しかも蛍光体層の組み合わせをいろいろ変えることによって、色調の調整もできる。さらに同一のＬＥＤダイ及び同一の蛍光体層を使用することができるため、特性のばらつきを小さくできたり、経時変化も同じにしたりできたりするので、ＬＥＤ装置として製品の安定化を図れる。
【符号の説明】
【００４５】
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄＬＥＤダイ
２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ蛍光体層
３回路基板
４ワイヤー
５ａ，５ｂ下面電極
６，７ダイクロイックミラー
１０，２０，３０，４０，５０，６０ＬＥＤ装置

【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線電極を有する回路基板上に複数の半導体発光素子を積層して配置し、前記半導体発光素子間に蛍光体層を介在させたことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記複数の半導体発光素子のうち最下層の半導体発光素子と前記回路基板上の間にも蛍光体層を介在させたことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記複数の半導体発光素子のうち最下層の半導体発光素子は、前記回路基板上の配線電極にフリップチップ実装されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記複数の半導体発光素子のうち一部の半導体発光素子の下面にダイクロイックミラーを配設し、該ダイクロイックミラーが該ダイクロイックミラーを配設した前記半導体発光素子の発光波長より短い波長の光を反射し、長い波長の光を透過する特性を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記複数の半導体発光素子のうち一部の半導体発光素子の上面にダイクロイックミラーを配設し、該ダイクロイックミラーが該ダイクロイックミラーを配設した前記半導体発光素子の発光波長より短い波長の光を透過し、長い波長の光を反射する特性を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。

【図１】