半導体装置用テープキャリアの製造方法
【課題】従来よりも高い電流密度での開口ヘの銅めっき充填を可能とすることにより、テープキャリアの生産性を向上させ、接続信頼性を高める半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁フィルム２１を厚さ方向に貫通する開口２３を設ける工程と、絶縁フィルムの上面に銅箔２４を貼り合わせることにより、絶縁フィルムの下面に開口越しにて銅箔を露出させる工程と、銅箔の上面にマスキング２６を施した後に、銅箔の下面における前記開口越しに露出した部分に対して銅めっき２７を行うことにより、開口の深さを小とするめっき充填工程と、めっき充填工程の後に、マスキングが除去された銅箔を上面側からフォトエッチングすることにより、導体パターン２８を形成する工程と、導体パターンに表面めっき処理層２９を形成する工程と、を有する。
【解決手段】絶縁フィルム２１を厚さ方向に貫通する開口２３を設ける工程と、絶縁フィルムの上面に銅箔２４を貼り合わせることにより、絶縁フィルムの下面に開口越しにて銅箔を露出させる工程と、銅箔の上面にマスキング２６を施した後に、銅箔の下面における前記開口越しに露出した部分に対して銅めっき２７を行うことにより、開口の深さを小とするめっき充填工程と、めっき充填工程の後に、マスキングが除去された銅箔を上面側からフォトエッチングすることにより、導体パターン２８を形成する工程と、導体パターンに表面めっき処理層２９を形成する工程と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を外部基板等に接続する際の接続媒体として用いられる半導体装置用テープキャリアの製造方法に関し、特に、ＢＧＡ型のパッケージに用いられる半導体装置用テープキャリアの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ：ボール グリッド アレイ）型のパッケージを用いた半導体装置は、多ピン化及び高密度実装化に適している。ＢＧＡ型パッケージを表す図４、および半導体装置用テープキャリア１０２の上面を表す図５ならびにその下面を表す図６に示されるように、特に、リール・トゥ・リールの工法で製造されるテープキャリア１０２は、形成される導体パターン１０３のファインピッチ化を達成できる。
【０００３】
具体的には、従来の半導体装置用テープキャリアの製造順序を示す図（断面図）である図７に示されるように、基板となるポリイミドフィルム１１０上に接着剤層１１１を設け（図７（ａ））、この接着剤層１１１付きポリイミドフィルム１１０を厚さ方向に貫通するビアホールを１１２設け（図７（ｂ））、ロール１１４ａ，１１４ｂにて銅箔１１３を貼り合わせる（図７（ｃ）（ｄ））。次に、銅箔１１３をフォトエッチング法により導体パターン１１５に形成する（図７（ｅ））。そして、導体パターン１１５にマスキングテープ１１６を貼り付け、ビアホール１１２に対して銅めっき１１７を充填し、ビアホールの深さを小にする（図７（ｆ））。その後、マスキングテープ１１６を剥がし（図７（ｇ））、ソルダーレジスト１１９を所定の形状に形成したのち、表面めっき処理層１１８を設ける（図７（ｈ））。この一連の工程により、半導体装置用テープキャリア１２０を製造する。
【０００４】
まとめると、厚さ方向に貫通された開口（ビアホール）を有するポリイミドフィルム１１０上に導体パターン１１５が形成されたテープキャリア１２０の上面側において、図４〜図６に示されるように導体パターン１０３と半導体素子１０４の電極１０５とを金線等のボンディングワイヤ１０６で接続して封止樹脂１０７でモールドした後、テープキャリア１０２の下面側において、ビアホール１０８を介してはんだボール１０９を導体パターン１０３と接続して半導体装置１０１とする構成が挙げられる。この場合、薄型化と小型化、すなわち高密度化が図れる利点がある。
【０００５】
更なる高密度化を推進するためには、上面側の導体パターン１０３のファインピッチ化のみならず、外部接続端子となる下面側にはんだボール１０９を搭載するビアホール１０８のファインピッチ化も進める必要がある。
そのためにはビアホール１０８の径を小さくする必要があるが、ビアホール１０８の径を単に小さくしただけでは、はんだボール１０９と導体パターン１０３との接合に不具合が生じるおそれがある。
【０００６】
そこで、はんだボール１０９が搭載されるビアホール１０８を金属めっき層によって埋め、ビアホール１０８の深さを小にすることにより、その不具合の解決が図られている（例えば、特許文献１、２参照）。なお、関連技術として、この金属めっき層を施す際に用いられる添加剤の添加量を、添加剤の成分毎に分けて変化させるものが知られている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許３２３８０７４号
【特許文献２】特許３５１０２１９号
【特許文献３】特開２００１−１５２３９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
一方、上述のようにビアホールに対して金属めっきを行う場合、金属めっきを行う際の電流密度について考慮する必要がある。
例えば、前記テープキャリアのうちの一つであるＴＡＢテープキャリア等で一般的に行なわれている硫酸銅めっき液系による光沢電気銅めっきの場合、めっき液製造メーカは銅めっき時の電流密度を１〜５Ａ／ｄｍ２程度とするよう推奨している。
さらに、リール・トゥ・リールで製造するというＴＡＢテープの工法上、電極間距離を近接できないなど銅めっき装置の構造にも制約があること、不均一な形状の導体パターンによるめっき厚分布への影響、細い導体パターンにより許容電流が小さくなることなどを考慮すると、結果的にめっき時の電流密度を１〜５Ａ／ｄｍ２から上昇させることは難しい。
【０００９】
このように電流密度を高くできない場合、リール・トゥ・リール工法では、搬送速度を低くして時間をかけてめっきを行うか、搬送速度を高く維持しつつもめっき槽を長くしてめっきを行う必要がある。後者の場合は設備費用が膨大になるためあまり現実的ではなく、前者が選択されるケースが多い。なお、深さ５０μｍの開口を、電流密度５Ａ／ｄｍ２にて銅めっきで埋め込む場合には、およそ４５分程度を要す計算となる。
【００１０】
また、上述のように時間をかけて銅めっきを行う場合、通常、ビアホール内の前記銅めっきと導体パターンとは製造方法において異なり、ひいては物性が異なるため、前記銅めっきと導体パターンとの接合について考慮する必要がある。特に、ＴＡＢテープキャリアで使用する導体パターンの形成用銅箔が電解銅箔であるとき、この接合について考慮する必要がある。
【００１１】
例えば、電解銅箔製造メーカが銅箔を作製する場合、ドラムめっき工法上、対向する電極を近接させることが可能であり、リール・トゥ・リール工法におけるめっき時の電流密度１〜５Ａ／ｄｍ２に比してドラムめっき工法では１５〜６０Ａ／ｄｍ２程度の高電流密度での稼動を達成している。例えば、厚さ５０μｍの電解銅箔を、電流密度６０Ａ／ｄｍ２にて形成する場合には、およそ４分程度を要す計算となる。
【００１２】
このため、ＴＡＢテープ製造工程において使用される銅箔と、ＴＡＢテープ製造工程において施される銅めっきとではめっき電流密度が異なることになり、金属としては同じ銅を用いていながらも、結晶配向等の物性が異なった状態となっている。
【００１３】
このように銅箔と銅めっきとで結晶配向等の物性が異なる半導体装置においては、折り曲げ等の機械的なストレスや過度な環境負荷（温度、湿度等）がかかった場合を想定して、銅箔と銅めっきとの間の接合を強化することが望まれる。
【００１４】
本発明の目的は、従来よりも高い電流密度での開口ヘの銅めっき充填を可能とすることにより、テープキャリアの生産性を向上させ、接続信頼性を高める半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第一の態様は、絶縁フィルムを厚さ方向に貫通する開口を設ける工程と、前記絶縁フィルムの上面に銅箔を貼り合わせることにより、前記絶縁フィルムの下面に前記開
口越しにて前記銅箔を露出させる工程と、前記銅箔の上面にマスキングを施した後に、前記銅箔の下面における前記開口越しに露出した部分に対して銅めっきを行うことにより、前記開口の深さを小とするめっき充填工程と、前記めっき充填工程の後に、前記マスキングが除去された銅箔を上面側からフォトエッチングすることにより、導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンに表面めっき処理層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
本発明の第二の態様は、第一の態様に記載の発明において、前記めっき充填工程は電解めっき方式で行われ、前記めっき充填工程時の電流密度は１５〜６０Ａ／ｄｍ２であることを特徴とする。
【００１７】
本発明の第三の態様は、第一または第二の態様に記載の発明において、前記めっき充填工程時に使用する銅めっき液は硫酸銅系の電解銅めっき液であり、添加剤成分として界面活性剤および／または光沢剤を含むことを特徴とする。
【００１８】
本発明の第四の態様は、第一ないし第三のいずれかの態様に記載の発明において、前記めっき充填工程をリール・トゥ・リール方式で行い、前記リール・トゥ・リール方式にて使用する銅めっき槽を１槽とし、前記銅めっき槽における銅めっき液の噴流圧力を０．１ＭＰａ以上とし、前記めっき充填工程の前処理として、前記銅箔の下面における前記開口越しに露出した部分の防錆皮膜を化学研摩液により除去することを特徴とする。
【００１９】
本発明の第五の態様は、第一ないし第四のいずれかの態様に記載の発明において、前記銅箔は電解銅箔であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、従来よりも高い電流密度での開口ヘの銅めっき充填を可能とすることにより、テープキャリアの生産性を向上させ、接続信頼性を高める半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態における半導体装置用テープキャリアの製造順序を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態におけるめっき充填工程に用いられる銅めっき装置の概略平面図である。
【図３】本実施例及び比較例における評価結果を示す図である。
【図４】ＢＧＡ型パッケージを示す断面図である。
【図５】テープキャリアの１単位分を上面側から見た場合の説明図である。
【図６】テープキャリアの１単位分を下面側から見た場合の説明図である。
【図７】従来の半導体装置用テープキャリアの製造順序を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明者らは、従来よりも高い電流密度での開口ヘの銅めっき充填を可能とする半導体装置用テープキャリアの製造方法について種々検討した。
その結果、発明者らは、開口ヘの銅めっき充填を行った後において、導体パターンを形成することによって、従来よりも高い電流密度での開口ヘの銅めっき充填を行うことができることを見出した。
【００２３】
以下に、本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法について説明する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態における半導体装置用テープキャリアの製造順序を示す断面図である。
本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造においては、まず、絶縁フィルム２１上に接着剤層２２を設ける（図１（ａ））。
前記絶縁フィルム２１は、絶縁性を有するものであればよく、例えばポリイミドフィルムが挙げられる。その外形は、基板として使用できるものならばどのような形状でもよく、例えば長尺の矩形形状が挙げられる。
前記接着剤層２２は、後述する銅箔２４と前記絶縁フィルム２１との間に位置し、前記接着剤層２２を介して銅箔２４と前記絶縁フィルム２１を接着できるものであればよく、例えばエポキシ樹脂系接着剤層が挙げられる。
【００２５】
次に、この接着剤層２２付きポリイミドフィルム２１に、厚さ方向に貫通するビアホール２３（以降、開口２３ともいう）を、金型パンチにより設ける（図１（ｂ））。
【００２６】
その後、前記絶縁フィルム２１の上面側に前記銅箔２４を貼り合わせる（図１（ｃ）（ｄ））。この貼り合わせは、前記接着剤層２２を介して行われ、ロール２５ａ，２５ｂを用いたラミネート法が用いられる。
このように、前記絶縁フィルム２１の上面に銅箔２４を貼り合わせることにより、前記絶縁フィルム２１の下面に前記開口２３越しにて前記銅箔２４を露出させる。
上述のように設けられた前記開口２３は、前記絶縁フィルム２１の上面側を銅箔２４で塞がれた形状のはんだボール搭載用ビアホールとなる。
なお、前記銅箔２４は電解銅箔であることが好ましい。前記銅箔２４を形成する際の電流密度と、後述する銅充填めっき２７（以降、銅めっきともいう）を形成する際の電流密度との差を小さくすることにより、結晶配向等の物性に相違が生ずるのを抑制でき、銅箔２４と銅めっき２７との間の接合を強化することができるためである。
【００２７】
この後、リール・トゥ・リール方式の銅めっき装置において、前記銅箔２４の上面に微粘着のテープ２６でマスキングを施した後に、前記銅箔２４の下面における前記開口２３越しに露出した部分に対して銅めっき２７を行い、前記開口２３を充填し、前記開口２３の深さを小とする（図１（ｅ））（以降、この工程をめっき充填工程ともいう）。なお、本実施形態では銅めっきを行っているが、他の適切な金属においても代替可能である。
【００２８】
従来では通常、めっき充填工程前に、導体パターンの形成が行われている。それに対して本実施形態では、前記めっき充填工程後に、マスキングテープ２６を剥がし（図１（ｆ））、フォトエッチング法により導体パターン２８を形成している（図１（ｇ））。
本実施形態のように導体パターン２８の形成前に銅めっき２７を施す場合と、図７に示される従来技術のように導体パターン１１５の形成後に銅めっき１１７を施す場合とでは、銅めっき時の銅箔２４の断面積が異なる。上述の通り、銅箔２４の下面における前記開口２３越しに露出した部分に対して銅めっき２７が施されるが、導体パターン２８形成前に銅めっきを行う場合の方が、エッチングを未だ行っていない分、銅めっき２７が施される銅箔２４の断面積が大きい。銅箔２４の断面積が大きいことにより、めっき充填工程における許容電流が高くなり、結果的に高い電流密度でのめっきに有利な条件となる。
【００２９】
また、前記めっき充填工程は電解めっき方式で行われ、その際の電流密度は１５〜６０Ａ／ｄｍ２とすることが好ましい。上述の通り、本実施形態では従来よりも高い電流密度での開口２３ヘの銅めっき２７の充填が可能となるため、電解めっき方式を用いる場合、めっき充填工程にかける時間を短縮することができ、テープキャリアの生産性を向上させることができるためである。また、電解銅箔作成時の電流密度と近い電流密度を選択できるため、電解銅箔と同等の物性（例えば結晶配向等）とすることができ、銅箔とめっきとの界面の接合信頼性が向上する。
【００３０】
また、前記めっき充填工程時に使用する銅めっき液は硫酸銅系の電解銅めっき液であることが好ましい。
【００３１】
さらに、銅めっき液への添加剤成分として界面活性剤および／または光沢剤を含んでいるのが好ましい。前記界面活性剤としては、例えばＰＥＧ（ポリエチレングリコール）やＰＰＧ（ポリプロピレングリコール）が挙げられる。また、前記光沢剤としては、例えばＳＰＳ（ビス（３−スルホプロピル）ジスルファイド２ナトリウム）が挙げられる。
【００３２】
最後に、導体パターン２８上面および側面にニッケル、金の順で表面めっき処理層２９としての最終めっきを施す（図１（ｈ））。この一連の工程により、半導体装置用テープキャリア３１を製造する。
なお、前記表面めっき処理層２９は接合方式に応じて、スズ、はんだ等、別の金属めっきを選択してもよい。また、前記表面めっき処理層２９を設ける際に、絶縁層としてソルダーレジスト３０を所定の形状に設けてもよい。
【００３３】
ここで、本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造工程内のめっき充填工程について詳細を説明する。
【００３４】
図２は、本発明の一実施形態におけるめっき充填工程に用いられる銅めっき装置の概略平面図である。
図２に示されるように、前記絶縁フィルム２１の上面に銅箔２４を貼り合わせている図１（ｄ）の状態のテープキャリア３２は、巻き出し部３３においてリール３４から巻き出されるリール・トゥ・リール方式にて行うのが好ましい。
【００３５】
次に、前側給電ロール（カソード側）３５にテープキャリア３２の銅箔２４上面を接触させた後、マスキングテープ貼付装置３６によって微粘着のマスキングテープをテープキャリア３２の銅箔２４上面に貼り合わせる。
【００３６】
めっき充填工程の前処理として、酸性脱脂槽３７にてテープキャリア３２を洗浄し、その後、酸洗槽３８にて過酸化水素−硫酸系の化学研摩液で開口２３内の銅箔２４面をエッチングする。このように、前記銅箔２４の下面における前記開口２３越しに露出した部分の防錆皮膜を化学研摩液により除去するのが好ましい。前記銅箔２４の下面における前記開口２３越しに露出した部分は通常、防錆皮膜としてニッケル、亜鉛等の異種金属が付着している。この状況下において、異種金属の混入による接合信頼性の低下を防ぐ目的から、この防錆皮膜層は銅めっきの前処理において化学研摩液で除去しておく必要があるためである。
なお、図２には図示していないけれども、槽間においてテープキャリア３２の水洗処理を行っている。以降の工程においても、同様の処理を行っている。
【００３７】
そして、テープキャリア３２に対してめっき充填工程の前処理を行った後、銅めっき槽３９を通過させる。
前記銅めっき槽３９は、銅めっき装置において多段槽ではなく１槽のみ設けられているのが好ましい。多段槽とする場合、槽を移動する際に銅めっきを中断することになるため、銅めっきが多段の層となるように形成されてしまい、結果的に脆い界面が形成されてしまうためである。
【００３８】
前記銅めっき槽３９には硫酸銅からなる銅めっき液４１が満たされており、さらにその内部には不溶性の電極（アノード側）４０が配置されている。さらに、本実施形態では、噴流攪拌を行うための噴流ノズル４２が配置されている。噴流ノズル４２が設けられてい
なくとも、銅めっき槽３９内においては攪拌が行われ、さらにテープキャリア３２自身が搬送されることにより若干の攪拌状態となっているが、これに加え銅めっき液の攪拌状態をさらに強力にすることができ、ひいては電流密度向上に有利となるようにするためである。なお、噴流ノズル４２の噴流圧力は０．ｌＭＰａ以上とするのが好ましい。これにより、めっき部近傍の攪拌を良好に行うことができ、従来に比べて高い電流密度においても銅イオンの供給が円滑に行なわれるためである。
【００３９】
まとめると、この銅めっき槽３９内では、不溶性の電極（アノード側）４０によって電界をかけながら、噴流ノズル４２によって銅めっき液４１をテープキャリア３２に噴流させる。
これにより、テープキャリア３２が銅めっき槽３９を通過する際、前記銅箔２４の下面における前記開口２３越しに露出した部分に対して銅めっき２７を施す。なお、銅箔２４の他の部分については、そもそも銅箔２４が露出していないため、または、マスキングテープ２６によりマスキングが施されているため、銅めっき２７は施されない。
【００４０】
銅めっき槽３９通過後、後洗浄槽４３で銅めっき液４１を洗い流す。そして、マスキングテープ剥離装置４４によりマスキングテープ２６を剥離し、後側給電ロール（カソード側）４５に銅箔２４の上面を接触させる。
さらに後水洗浄槽４６で水洗浄後、乾燥槽４７で乾燥して巻き取り部４８でリール４９に巻き取られる。
【００４１】
上述の通り、本実施形態によれば、従来よりも高い電流密度での開口２３ヘの銅めっき２７の充填を可能とすることにより、テープキャリアの生産性を向上させ、接続信頼性を高めることができる。本実施形態によって製造された半導体装置用テープキャリアは、半導体装置、特にファインピッチのＢＧＡ型パッケージ（Ｆ−ＢＧＡ）に好適である。
【実施例】
【００４２】
以下に、本発明の実施例を、図１を用いて説明する。
（実施例１）
まず、基板となるポリイミドフィルム２１（ユーピレックスＳ：厚さ５０μｍ）上に接着剤層２２（巴川Ｘ：厚さ１２μｍ）を設け（図１（ａ））、この接着剤層２２付きポリイミドフィルム２１を厚さ方向に貫通するビアホール２３（φ２８０μｍ）を設け（図１（ｂ））、ロール２５ａ，２５ｂにて銅箔２４（ＶＬＰ箔：厚さ１８μｍ）を貼り合わせた（図１（ｃ）（ｄ））。
そして、銅箔２４にマスキングテープ２６を貼り付け、ビアホール２３に対して銅めっき２７を、４０μｍ充填した（図１（ｅ））。
このとき、銅めっき液の噴流圧力を０．１ＭＰａとし、銅めっき時の電流密度は１５Ａ／ｄｍ２とした。
めっき充填工程の後、マスキングテープ２６を剥がし（図１（ｆ））、銅箔２４をフォトエッチングすることにより導体パターン２８を形成した（図１（ｇ））。
最後に、絶縁性を有するソルダーレジスト３０を所定の形状に形成したのち、金とニッケルからなる表面めっき処理層２９を設けた（図１（ｈ））。この一連の工程により、本実施例における半導体装置用テープキャリア３１を作製した。
【００４３】
（実施例２〜３）
実施例２においては、銅めっき時の電流密度を３０Ａ／ｄｍ２とした以外は、実施例１と同様に半導体装置用テープキャリア３１を作製した。
実施例３においては、銅めっき時の電流密度を６０Ａ／ｄｍ２とした以外は、実施例１と同様に半導体装置用テープキャリア３１を作製した。
【００４４】
（比較例１〜２）
図７に示すように、比較例１においては、めっき充填工程の前に、導体パターン１１５を形成し、その後でめっき充填工程を行い、銅めっき時の電流密度を３０Ａ／ｄｍ２とした以外は、実施例１と同様に半導体装置用テープキャリア１２０を作製した。
比較例２においては、めっき充填工程の前に、導体パターン１１５を形成し、その後でめっき充填工程を行い、銅めっき時の電流密度を５Ａ／ｄｍ２とし、銅めっき液の噴流を行わなかった以外は、実施例１と同様に半導体装置用テープキャリア１２０を作製した。
【００４５】
以上のようにして作製した実施例および比較例の試料について、めっき所要時間、めっき外観と電流効率、および接続信頼性を評価した。その結果を図３に示す。
なお、前記電流効率は、めっき電流と、めっき時間と、めっき充填工程前後における試料の重量差すなわちめっき析出量とから算出した。具体的には、めっき析出量が理論析出量であれば電流効率１００％として、電流効率を算出した。また、前記接続信頼性は、温度サイクル試験後における銅箔２４と銅めっき２７との間のクラック発生の有無から判断した。この温度サイクル試験は、低温側を−６５℃、高温側を１５０℃とし、各設定温度のホールド時間を３０分とし、１００サイクルを行った。
【００４６】
評価結果を示す図３より、実施例１〜３では、比較例に比べて高電流密度化が可能となり、めっきの所要時間は従来の１／３〜１／１２に短縮できた。また、めっき外観および電流効率は正常であり、銅箔２４と銅めっき２７との間のクラックの発生も確認できなかった。
【００４７】
比較例１では、めっき異常（ヤケめっき）が発生した。実施例２と同じ電流密度であるものの、導体パターン１１５作製後に銅めっき１１７を施したため、許容電流値が小さくなったことが原因と推定される。
比較例２では、めっき外観および電流効率は正常であるが、めっき時間が本実施例に比べて長時間を要すこと、銅箔１１３と銅めっき１１７との間のクラックが発生頻度５％の割合で発生したことから、本実施例と比較して劣っていると判断した。
【符号の説明】
【００４８】
２１ 絶縁フィルム
２２ 接着剤層
２３ 開口
２４ 銅箔
２５ ロール
２６ マスキングテープ
２７ 銅めっき
２８ 導体パターン
２９ 表面めっき処理層
３０ ソルダーレジスト
３１ 半導体装置用テープキャリア
３２ テープキャリア
３３ 巻き出し部
３４ リール
３５ 前側給電ロール（カソード）
３６ マスキングテープ貼付装置
３７ 酸性脱脂槽
３８ 酸洗槽
３９ 銅めっき槽
４０ 不溶性電極（アノード）
４１ 銅めっき液
４２ めっき液噴流ノズル
４３ 後洗浄槽
４４ マスキングテープ剥離装置
４５ 後側給電ロール（カソード）
４６ 後水洗浄槽
４７ 乾燥槽
４８ 巻き取り部
４９ リール
１０１ 半導体装置
１０２ テープキャリア
１０３ 導体パターン
１０４ 半導体素子
１０５ 電極
１０６ ボンディングワイヤ
１０７ 封止樹脂
１０８ ビアホール
１０９ はんだボール
１１０ ポリイミドフィルム
１１１ 接着剤層
１１２ 開口
１１３ 銅箔
１１４ ロール
１１５ 導体パターン
１１６ マスキングテープ
１１７ 銅めっき
１１８ 表面めっき処理層
１１９ ソルダーレジスト
１２０ 半導体装置用テープキャリア
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を外部基板等に接続する際の接続媒体として用いられる半導体装置用テープキャリアの製造方法に関し、特に、ＢＧＡ型のパッケージに用いられる半導体装置用テープキャリアの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ：ボール グリッド アレイ）型のパッケージを用いた半導体装置は、多ピン化及び高密度実装化に適している。ＢＧＡ型パッケージを表す図４、および半導体装置用テープキャリア１０２の上面を表す図５ならびにその下面を表す図６に示されるように、特に、リール・トゥ・リールの工法で製造されるテープキャリア１０２は、形成される導体パターン１０３のファインピッチ化を達成できる。
【０００３】
具体的には、従来の半導体装置用テープキャリアの製造順序を示す図（断面図）である図７に示されるように、基板となるポリイミドフィルム１１０上に接着剤層１１１を設け（図７（ａ））、この接着剤層１１１付きポリイミドフィルム１１０を厚さ方向に貫通するビアホールを１１２設け（図７（ｂ））、ロール１１４ａ，１１４ｂにて銅箔１１３を貼り合わせる（図７（ｃ）（ｄ））。次に、銅箔１１３をフォトエッチング法により導体パターン１１５に形成する（図７（ｅ））。そして、導体パターン１１５にマスキングテープ１１６を貼り付け、ビアホール１１２に対して銅めっき１１７を充填し、ビアホールの深さを小にする（図７（ｆ））。その後、マスキングテープ１１６を剥がし（図７（ｇ））、ソルダーレジスト１１９を所定の形状に形成したのち、表面めっき処理層１１８を設ける（図７（ｈ））。この一連の工程により、半導体装置用テープキャリア１２０を製造する。
【０００４】
まとめると、厚さ方向に貫通された開口（ビアホール）を有するポリイミドフィルム１１０上に導体パターン１１５が形成されたテープキャリア１２０の上面側において、図４〜図６に示されるように導体パターン１０３と半導体素子１０４の電極１０５とを金線等のボンディングワイヤ１０６で接続して封止樹脂１０７でモールドした後、テープキャリア１０２の下面側において、ビアホール１０８を介してはんだボール１０９を導体パターン１０３と接続して半導体装置１０１とする構成が挙げられる。この場合、薄型化と小型化、すなわち高密度化が図れる利点がある。
【０００５】
更なる高密度化を推進するためには、上面側の導体パターン１０３のファインピッチ化のみならず、外部接続端子となる下面側にはんだボール１０９を搭載するビアホール１０８のファインピッチ化も進める必要がある。
そのためにはビアホール１０８の径を小さくする必要があるが、ビアホール１０８の径を単に小さくしただけでは、はんだボール１０９と導体パターン１０３との接合に不具合が生じるおそれがある。
【０００６】
そこで、はんだボール１０９が搭載されるビアホール１０８を金属めっき層によって埋め、ビアホール１０８の深さを小にすることにより、その不具合の解決が図られている（例えば、特許文献１、２参照）。なお、関連技術として、この金属めっき層を施す際に用いられる添加剤の添加量を、添加剤の成分毎に分けて変化させるものが知られている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許３２３８０７４号
【特許文献２】特許３５１０２１９号
【特許文献３】特開２００１−１５２３９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
一方、上述のようにビアホールに対して金属めっきを行う場合、金属めっきを行う際の電流密度について考慮する必要がある。
例えば、前記テープキャリアのうちの一つであるＴＡＢテープキャリア等で一般的に行なわれている硫酸銅めっき液系による光沢電気銅めっきの場合、めっき液製造メーカは銅めっき時の電流密度を１〜５Ａ／ｄｍ２程度とするよう推奨している。
さらに、リール・トゥ・リールで製造するというＴＡＢテープの工法上、電極間距離を近接できないなど銅めっき装置の構造にも制約があること、不均一な形状の導体パターンによるめっき厚分布への影響、細い導体パターンにより許容電流が小さくなることなどを考慮すると、結果的にめっき時の電流密度を１〜５Ａ／ｄｍ２から上昇させることは難しい。
【０００９】
このように電流密度を高くできない場合、リール・トゥ・リール工法では、搬送速度を低くして時間をかけてめっきを行うか、搬送速度を高く維持しつつもめっき槽を長くしてめっきを行う必要がある。後者の場合は設備費用が膨大になるためあまり現実的ではなく、前者が選択されるケースが多い。なお、深さ５０μｍの開口を、電流密度５Ａ／ｄｍ２にて銅めっきで埋め込む場合には、およそ４５分程度を要す計算となる。
【００１０】
また、上述のように時間をかけて銅めっきを行う場合、通常、ビアホール内の前記銅めっきと導体パターンとは製造方法において異なり、ひいては物性が異なるため、前記銅めっきと導体パターンとの接合について考慮する必要がある。特に、ＴＡＢテープキャリアで使用する導体パターンの形成用銅箔が電解銅箔であるとき、この接合について考慮する必要がある。
【００１１】
例えば、電解銅箔製造メーカが銅箔を作製する場合、ドラムめっき工法上、対向する電極を近接させることが可能であり、リール・トゥ・リール工法におけるめっき時の電流密度１〜５Ａ／ｄｍ２に比してドラムめっき工法では１５〜６０Ａ／ｄｍ２程度の高電流密度での稼動を達成している。例えば、厚さ５０μｍの電解銅箔を、電流密度６０Ａ／ｄｍ２にて形成する場合には、およそ４分程度を要す計算となる。
【００１２】
このため、ＴＡＢテープ製造工程において使用される銅箔と、ＴＡＢテープ製造工程において施される銅めっきとではめっき電流密度が異なることになり、金属としては同じ銅を用いていながらも、結晶配向等の物性が異なった状態となっている。
【００１３】
このように銅箔と銅めっきとで結晶配向等の物性が異なる半導体装置においては、折り曲げ等の機械的なストレスや過度な環境負荷（温度、湿度等）がかかった場合を想定して、銅箔と銅めっきとの間の接合を強化することが望まれる。
【００１４】
本発明の目的は、従来よりも高い電流密度での開口ヘの銅めっき充填を可能とすることにより、テープキャリアの生産性を向上させ、接続信頼性を高める半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第一の態様は、絶縁フィルムを厚さ方向に貫通する開口を設ける工程と、前記絶縁フィルムの上面に銅箔を貼り合わせることにより、前記絶縁フィルムの下面に前記開
口越しにて前記銅箔を露出させる工程と、前記銅箔の上面にマスキングを施した後に、前記銅箔の下面における前記開口越しに露出した部分に対して銅めっきを行うことにより、前記開口の深さを小とするめっき充填工程と、前記めっき充填工程の後に、前記マスキングが除去された銅箔を上面側からフォトエッチングすることにより、導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンに表面めっき処理層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
本発明の第二の態様は、第一の態様に記載の発明において、前記めっき充填工程は電解めっき方式で行われ、前記めっき充填工程時の電流密度は１５〜６０Ａ／ｄｍ２であることを特徴とする。
【００１７】
本発明の第三の態様は、第一または第二の態様に記載の発明において、前記めっき充填工程時に使用する銅めっき液は硫酸銅系の電解銅めっき液であり、添加剤成分として界面活性剤および／または光沢剤を含むことを特徴とする。
【００１８】
本発明の第四の態様は、第一ないし第三のいずれかの態様に記載の発明において、前記めっき充填工程をリール・トゥ・リール方式で行い、前記リール・トゥ・リール方式にて使用する銅めっき槽を１槽とし、前記銅めっき槽における銅めっき液の噴流圧力を０．１ＭＰａ以上とし、前記めっき充填工程の前処理として、前記銅箔の下面における前記開口越しに露出した部分の防錆皮膜を化学研摩液により除去することを特徴とする。
【００１９】
本発明の第五の態様は、第一ないし第四のいずれかの態様に記載の発明において、前記銅箔は電解銅箔であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、従来よりも高い電流密度での開口ヘの銅めっき充填を可能とすることにより、テープキャリアの生産性を向上させ、接続信頼性を高める半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態における半導体装置用テープキャリアの製造順序を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態におけるめっき充填工程に用いられる銅めっき装置の概略平面図である。
【図３】本実施例及び比較例における評価結果を示す図である。
【図４】ＢＧＡ型パッケージを示す断面図である。
【図５】テープキャリアの１単位分を上面側から見た場合の説明図である。
【図６】テープキャリアの１単位分を下面側から見た場合の説明図である。
【図７】従来の半導体装置用テープキャリアの製造順序を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明者らは、従来よりも高い電流密度での開口ヘの銅めっき充填を可能とする半導体装置用テープキャリアの製造方法について種々検討した。
その結果、発明者らは、開口ヘの銅めっき充填を行った後において、導体パターンを形成することによって、従来よりも高い電流密度での開口ヘの銅めっき充填を行うことができることを見出した。
【００２３】
以下に、本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法について説明する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態における半導体装置用テープキャリアの製造順序を示す断面図である。
本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造においては、まず、絶縁フィルム２１上に接着剤層２２を設ける（図１（ａ））。
前記絶縁フィルム２１は、絶縁性を有するものであればよく、例えばポリイミドフィルムが挙げられる。その外形は、基板として使用できるものならばどのような形状でもよく、例えば長尺の矩形形状が挙げられる。
前記接着剤層２２は、後述する銅箔２４と前記絶縁フィルム２１との間に位置し、前記接着剤層２２を介して銅箔２４と前記絶縁フィルム２１を接着できるものであればよく、例えばエポキシ樹脂系接着剤層が挙げられる。
【００２５】
次に、この接着剤層２２付きポリイミドフィルム２１に、厚さ方向に貫通するビアホール２３（以降、開口２３ともいう）を、金型パンチにより設ける（図１（ｂ））。
【００２６】
その後、前記絶縁フィルム２１の上面側に前記銅箔２４を貼り合わせる（図１（ｃ）（ｄ））。この貼り合わせは、前記接着剤層２２を介して行われ、ロール２５ａ，２５ｂを用いたラミネート法が用いられる。
このように、前記絶縁フィルム２１の上面に銅箔２４を貼り合わせることにより、前記絶縁フィルム２１の下面に前記開口２３越しにて前記銅箔２４を露出させる。
上述のように設けられた前記開口２３は、前記絶縁フィルム２１の上面側を銅箔２４で塞がれた形状のはんだボール搭載用ビアホールとなる。
なお、前記銅箔２４は電解銅箔であることが好ましい。前記銅箔２４を形成する際の電流密度と、後述する銅充填めっき２７（以降、銅めっきともいう）を形成する際の電流密度との差を小さくすることにより、結晶配向等の物性に相違が生ずるのを抑制でき、銅箔２４と銅めっき２７との間の接合を強化することができるためである。
【００２７】
この後、リール・トゥ・リール方式の銅めっき装置において、前記銅箔２４の上面に微粘着のテープ２６でマスキングを施した後に、前記銅箔２４の下面における前記開口２３越しに露出した部分に対して銅めっき２７を行い、前記開口２３を充填し、前記開口２３の深さを小とする（図１（ｅ））（以降、この工程をめっき充填工程ともいう）。なお、本実施形態では銅めっきを行っているが、他の適切な金属においても代替可能である。
【００２８】
従来では通常、めっき充填工程前に、導体パターンの形成が行われている。それに対して本実施形態では、前記めっき充填工程後に、マスキングテープ２６を剥がし（図１（ｆ））、フォトエッチング法により導体パターン２８を形成している（図１（ｇ））。
本実施形態のように導体パターン２８の形成前に銅めっき２７を施す場合と、図７に示される従来技術のように導体パターン１１５の形成後に銅めっき１１７を施す場合とでは、銅めっき時の銅箔２４の断面積が異なる。上述の通り、銅箔２４の下面における前記開口２３越しに露出した部分に対して銅めっき２７が施されるが、導体パターン２８形成前に銅めっきを行う場合の方が、エッチングを未だ行っていない分、銅めっき２７が施される銅箔２４の断面積が大きい。銅箔２４の断面積が大きいことにより、めっき充填工程における許容電流が高くなり、結果的に高い電流密度でのめっきに有利な条件となる。
【００２９】
また、前記めっき充填工程は電解めっき方式で行われ、その際の電流密度は１５〜６０Ａ／ｄｍ２とすることが好ましい。上述の通り、本実施形態では従来よりも高い電流密度での開口２３ヘの銅めっき２７の充填が可能となるため、電解めっき方式を用いる場合、めっき充填工程にかける時間を短縮することができ、テープキャリアの生産性を向上させることができるためである。また、電解銅箔作成時の電流密度と近い電流密度を選択できるため、電解銅箔と同等の物性（例えば結晶配向等）とすることができ、銅箔とめっきとの界面の接合信頼性が向上する。
【００３０】
また、前記めっき充填工程時に使用する銅めっき液は硫酸銅系の電解銅めっき液であることが好ましい。
【００３１】
さらに、銅めっき液への添加剤成分として界面活性剤および／または光沢剤を含んでいるのが好ましい。前記界面活性剤としては、例えばＰＥＧ（ポリエチレングリコール）やＰＰＧ（ポリプロピレングリコール）が挙げられる。また、前記光沢剤としては、例えばＳＰＳ（ビス（３−スルホプロピル）ジスルファイド２ナトリウム）が挙げられる。
【００３２】
最後に、導体パターン２８上面および側面にニッケル、金の順で表面めっき処理層２９としての最終めっきを施す（図１（ｈ））。この一連の工程により、半導体装置用テープキャリア３１を製造する。
なお、前記表面めっき処理層２９は接合方式に応じて、スズ、はんだ等、別の金属めっきを選択してもよい。また、前記表面めっき処理層２９を設ける際に、絶縁層としてソルダーレジスト３０を所定の形状に設けてもよい。
【００３３】
ここで、本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造工程内のめっき充填工程について詳細を説明する。
【００３４】
図２は、本発明の一実施形態におけるめっき充填工程に用いられる銅めっき装置の概略平面図である。
図２に示されるように、前記絶縁フィルム２１の上面に銅箔２４を貼り合わせている図１（ｄ）の状態のテープキャリア３２は、巻き出し部３３においてリール３４から巻き出されるリール・トゥ・リール方式にて行うのが好ましい。
【００３５】
次に、前側給電ロール（カソード側）３５にテープキャリア３２の銅箔２４上面を接触させた後、マスキングテープ貼付装置３６によって微粘着のマスキングテープをテープキャリア３２の銅箔２４上面に貼り合わせる。
【００３６】
めっき充填工程の前処理として、酸性脱脂槽３７にてテープキャリア３２を洗浄し、その後、酸洗槽３８にて過酸化水素−硫酸系の化学研摩液で開口２３内の銅箔２４面をエッチングする。このように、前記銅箔２４の下面における前記開口２３越しに露出した部分の防錆皮膜を化学研摩液により除去するのが好ましい。前記銅箔２４の下面における前記開口２３越しに露出した部分は通常、防錆皮膜としてニッケル、亜鉛等の異種金属が付着している。この状況下において、異種金属の混入による接合信頼性の低下を防ぐ目的から、この防錆皮膜層は銅めっきの前処理において化学研摩液で除去しておく必要があるためである。
なお、図２には図示していないけれども、槽間においてテープキャリア３２の水洗処理を行っている。以降の工程においても、同様の処理を行っている。
【００３７】
そして、テープキャリア３２に対してめっき充填工程の前処理を行った後、銅めっき槽３９を通過させる。
前記銅めっき槽３９は、銅めっき装置において多段槽ではなく１槽のみ設けられているのが好ましい。多段槽とする場合、槽を移動する際に銅めっきを中断することになるため、銅めっきが多段の層となるように形成されてしまい、結果的に脆い界面が形成されてしまうためである。
【００３８】
前記銅めっき槽３９には硫酸銅からなる銅めっき液４１が満たされており、さらにその内部には不溶性の電極（アノード側）４０が配置されている。さらに、本実施形態では、噴流攪拌を行うための噴流ノズル４２が配置されている。噴流ノズル４２が設けられてい
なくとも、銅めっき槽３９内においては攪拌が行われ、さらにテープキャリア３２自身が搬送されることにより若干の攪拌状態となっているが、これに加え銅めっき液の攪拌状態をさらに強力にすることができ、ひいては電流密度向上に有利となるようにするためである。なお、噴流ノズル４２の噴流圧力は０．ｌＭＰａ以上とするのが好ましい。これにより、めっき部近傍の攪拌を良好に行うことができ、従来に比べて高い電流密度においても銅イオンの供給が円滑に行なわれるためである。
【００３９】
まとめると、この銅めっき槽３９内では、不溶性の電極（アノード側）４０によって電界をかけながら、噴流ノズル４２によって銅めっき液４１をテープキャリア３２に噴流させる。
これにより、テープキャリア３２が銅めっき槽３９を通過する際、前記銅箔２４の下面における前記開口２３越しに露出した部分に対して銅めっき２７を施す。なお、銅箔２４の他の部分については、そもそも銅箔２４が露出していないため、または、マスキングテープ２６によりマスキングが施されているため、銅めっき２７は施されない。
【００４０】
銅めっき槽３９通過後、後洗浄槽４３で銅めっき液４１を洗い流す。そして、マスキングテープ剥離装置４４によりマスキングテープ２６を剥離し、後側給電ロール（カソード側）４５に銅箔２４の上面を接触させる。
さらに後水洗浄槽４６で水洗浄後、乾燥槽４７で乾燥して巻き取り部４８でリール４９に巻き取られる。
【００４１】
上述の通り、本実施形態によれば、従来よりも高い電流密度での開口２３ヘの銅めっき２７の充填を可能とすることにより、テープキャリアの生産性を向上させ、接続信頼性を高めることができる。本実施形態によって製造された半導体装置用テープキャリアは、半導体装置、特にファインピッチのＢＧＡ型パッケージ（Ｆ−ＢＧＡ）に好適である。
【実施例】
【００４２】
以下に、本発明の実施例を、図１を用いて説明する。
（実施例１）
まず、基板となるポリイミドフィルム２１（ユーピレックスＳ：厚さ５０μｍ）上に接着剤層２２（巴川Ｘ：厚さ１２μｍ）を設け（図１（ａ））、この接着剤層２２付きポリイミドフィルム２１を厚さ方向に貫通するビアホール２３（φ２８０μｍ）を設け（図１（ｂ））、ロール２５ａ，２５ｂにて銅箔２４（ＶＬＰ箔：厚さ１８μｍ）を貼り合わせた（図１（ｃ）（ｄ））。
そして、銅箔２４にマスキングテープ２６を貼り付け、ビアホール２３に対して銅めっき２７を、４０μｍ充填した（図１（ｅ））。
このとき、銅めっき液の噴流圧力を０．１ＭＰａとし、銅めっき時の電流密度は１５Ａ／ｄｍ２とした。
めっき充填工程の後、マスキングテープ２６を剥がし（図１（ｆ））、銅箔２４をフォトエッチングすることにより導体パターン２８を形成した（図１（ｇ））。
最後に、絶縁性を有するソルダーレジスト３０を所定の形状に形成したのち、金とニッケルからなる表面めっき処理層２９を設けた（図１（ｈ））。この一連の工程により、本実施例における半導体装置用テープキャリア３１を作製した。
【００４３】
（実施例２〜３）
実施例２においては、銅めっき時の電流密度を３０Ａ／ｄｍ２とした以外は、実施例１と同様に半導体装置用テープキャリア３１を作製した。
実施例３においては、銅めっき時の電流密度を６０Ａ／ｄｍ２とした以外は、実施例１と同様に半導体装置用テープキャリア３１を作製した。
【００４４】
（比較例１〜２）
図７に示すように、比較例１においては、めっき充填工程の前に、導体パターン１１５を形成し、その後でめっき充填工程を行い、銅めっき時の電流密度を３０Ａ／ｄｍ２とした以外は、実施例１と同様に半導体装置用テープキャリア１２０を作製した。
比較例２においては、めっき充填工程の前に、導体パターン１１５を形成し、その後でめっき充填工程を行い、銅めっき時の電流密度を５Ａ／ｄｍ２とし、銅めっき液の噴流を行わなかった以外は、実施例１と同様に半導体装置用テープキャリア１２０を作製した。
【００４５】
以上のようにして作製した実施例および比較例の試料について、めっき所要時間、めっき外観と電流効率、および接続信頼性を評価した。その結果を図３に示す。
なお、前記電流効率は、めっき電流と、めっき時間と、めっき充填工程前後における試料の重量差すなわちめっき析出量とから算出した。具体的には、めっき析出量が理論析出量であれば電流効率１００％として、電流効率を算出した。また、前記接続信頼性は、温度サイクル試験後における銅箔２４と銅めっき２７との間のクラック発生の有無から判断した。この温度サイクル試験は、低温側を−６５℃、高温側を１５０℃とし、各設定温度のホールド時間を３０分とし、１００サイクルを行った。
【００４６】
評価結果を示す図３より、実施例１〜３では、比較例に比べて高電流密度化が可能となり、めっきの所要時間は従来の１／３〜１／１２に短縮できた。また、めっき外観および電流効率は正常であり、銅箔２４と銅めっき２７との間のクラックの発生も確認できなかった。
【００４７】
比較例１では、めっき異常（ヤケめっき）が発生した。実施例２と同じ電流密度であるものの、導体パターン１１５作製後に銅めっき１１７を施したため、許容電流値が小さくなったことが原因と推定される。
比較例２では、めっき外観および電流効率は正常であるが、めっき時間が本実施例に比べて長時間を要すこと、銅箔１１３と銅めっき１１７との間のクラックが発生頻度５％の割合で発生したことから、本実施例と比較して劣っていると判断した。
【符号の説明】
【００４８】
２１ 絶縁フィルム
２２ 接着剤層
２３ 開口
２４ 銅箔
２５ ロール
２６ マスキングテープ
２７ 銅めっき
２８ 導体パターン
２９ 表面めっき処理層
３０ ソルダーレジスト
３１ 半導体装置用テープキャリア
３２ テープキャリア
３３ 巻き出し部
３４ リール
３５ 前側給電ロール（カソード）
３６ マスキングテープ貼付装置
３７ 酸性脱脂槽
３８ 酸洗槽
３９ 銅めっき槽
４０ 不溶性電極（アノード）
４１ 銅めっき液
４２ めっき液噴流ノズル
４３ 後洗浄槽
４４ マスキングテープ剥離装置
４５ 後側給電ロール（カソード）
４６ 後水洗浄槽
４７ 乾燥槽
４８ 巻き取り部
４９ リール
１０１ 半導体装置
１０２ テープキャリア
１０３ 導体パターン
１０４ 半導体素子
１０５ 電極
１０６ ボンディングワイヤ
１０７ 封止樹脂
１０８ ビアホール
１０９ はんだボール
１１０ ポリイミドフィルム
１１１ 接着剤層
１１２ 開口
１１３ 銅箔
１１４ ロール
１１５ 導体パターン
１１６ マスキングテープ
１１７ 銅めっき
１１８ 表面めっき処理層
１１９ ソルダーレジスト
１２０ 半導体装置用テープキャリア
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムを厚さ方向に貫通する開口を設ける工程と、
前記絶縁フィルムの上面に銅箔を貼り合わせることにより、前記絶縁フィルムの下面に前記開口越しにて前記銅箔を露出させる工程と、
前記銅箔の上面にマスキングを施した後に、前記銅箔の下面における前記開口越しに露出した部分に対して銅めっきを行うことにより、前記開口の深さを小とするめっき充填工程と、
前記めっき充填工程の後に、前記マスキングが除去された銅箔を上面側からフォトエッチングすることにより、導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンに表面めっき処理層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
前記めっき充填工程は電解めっき方式で行われ、前記めっき充填工程時の電流密度は１５〜６０Ａ／ｄｍ２であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項３】
前記めっき充填工程時に使用する銅めっき液は硫酸銅系の電解銅めっき液であり、添加剤成分として界面活性剤および／または光沢剤を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項４】
前記めっき充填工程をリール・トゥ・リール方式で行い、
前記リール・トゥ・リール方式にて使用する銅めっき槽を１槽とし、
前記銅めっき槽における銅めっき液の噴流圧力を０．１ＭＰａ以上とし、
前記めっき充填工程の前処理として、前記銅箔の下面における前記開口越しに露出した部分の防錆皮膜を化学研摩液により除去する
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項５】
前記銅箔は電解銅箔であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項１】
絶縁フィルムを厚さ方向に貫通する開口を設ける工程と、
前記絶縁フィルムの上面に銅箔を貼り合わせることにより、前記絶縁フィルムの下面に前記開口越しにて前記銅箔を露出させる工程と、
前記銅箔の上面にマスキングを施した後に、前記銅箔の下面における前記開口越しに露出した部分に対して銅めっきを行うことにより、前記開口の深さを小とするめっき充填工程と、
前記めっき充填工程の後に、前記マスキングが除去された銅箔を上面側からフォトエッチングすることにより、導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンに表面めっき処理層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
前記めっき充填工程は電解めっき方式で行われ、前記めっき充填工程時の電流密度は１５〜６０Ａ／ｄｍ２であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項３】
前記めっき充填工程時に使用する銅めっき液は硫酸銅系の電解銅めっき液であり、添加剤成分として界面活性剤および／または光沢剤を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項４】
前記めっき充填工程をリール・トゥ・リール方式で行い、
前記リール・トゥ・リール方式にて使用する銅めっき槽を１槽とし、
前記銅めっき槽における銅めっき液の噴流圧力を０．１ＭＰａ以上とし、
前記めっき充填工程の前処理として、前記銅箔の下面における前記開口越しに露出した部分の防錆皮膜を化学研摩液により除去する
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項５】
前記銅箔は電解銅箔であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１０−２２５７９５（Ｐ２０１０−２２５７９５Ａ）
【公開日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−７０７１７（Ｐ２００９−７０７１７）
【出願日】平成２１年３月２３日（２００９．３．２３）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月２３日（２００９．３．２３）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
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