反射構造体及び画像表示装置
高さの異なる部分（Ｋ１、Ｋ２）を有する下地面（Ｓｆ）を複数有する支持体と、この支持体に形成されｘ方向に起伏部ピッチ（Ｔｘ）で並ぶ複数の起伏部（１８乃至１２８）と、複数の反射電極（Ｅｒ１、・・・、Ｅｇ６）とを有する反射電極基板（１）であって、複数の下地面（Ｓｆ）がｘ方向に画素ピッチ（Ｓｘ）で並び、起伏部ピッチ（Ｔｘ）が画素ピッチ（Ｓｘ）の非整数倍である反射電極基板（１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、互いに対応する位置に凹部又は凸部を有する複数の第１の起伏面であって、第１の方向に第１の起伏面ピッチで並ぶ複数の第１の起伏面を有する第１の基体、及び上記第１の基体に形成された反射手段を有する反射構造体に関する。
本発明は、対応する位置に凹部又は凸部を有し複数の起伏面方向に並ぶ複数の起伏面を有する第２の基体、及び上記第２の基体に形成された反射手段を有する反射構造体にも関する。
本発明は、更に、斯かる反射構造体を有する画像表示装置にも関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話などのモバイル機器は、画像を高精細で表示することが要求されており、これに伴い高精細画像の表示が可能なモバイル機器が急速に普及している。しかしながら、このようなモバイル機器の画面に表示された画像を見ると、画面を見ているユーザは、画面上に、いわゆる色付き（以下、単に「色付き」と呼ぶ）を認識する場合がある。このような色付きは、特にモバイル機器を屋外で使用した場合に顕著に表れる。色付きは、ユーザが画面上に表示された画像を見るときの妨害となるので、色付きを解消又は低減することが要求されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、色付きの解消又は低減が図られた反射構造体及びこの反射構造体が適用された画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成する本発明の反射構造体は、互いに対応する位置に凹部又は凸部を有する複数の第１の起伏面であって、第１の方向に第１の起伏面ピッチで並ぶ複数の第１の起伏面を有する第１の基体、及び上記第１の基体に形成された反射手段を有する反射構造体であって、上記第１の基体が、高さの異なる部分を有する第１の下地面を複数有する第１の支持体、及び上記第１の支持体に形成された複数の第１の起伏部であって、上記複数の第１の起伏面のうちの対応する第１の起伏面を有する複数の第１の起伏部、を有し、上記複数の第１の下地面が、上記第１の方向に第１の下地面ピッチで並び、上記第１の起伏面ピッチ及び第１の下地面ピッチのうちの大きい方のピッチが、小さい方のピッチの非整数倍である。このような構成によって、色付きを解消又は低減することができる。
【０００５】
本発明の反射構造体では、上記複数の第１の起伏部が、上記第１の起伏面ピッチと同じ第１の起伏部ピッチで並んでいてもよい。
【０００６】
本発明の反射構造体では、上記複数の第１の起伏部が繋がっていてもよい。
【０００７】
本発明の反射構造体では、上記第１の下地面ピッチを第１の画素ピッチとすることができる。
【０００８】
本発明の反射構造体では、上記反射手段が、上記第１の方向に上記第１の画素ピッチで並んでいてもよい。
【０００９】
本発明の反射構造体では、上記第１の支持体が、上記第１の方向に上記第１の画素ピッチで並ぶ複数の第１の導電ライン、及び上記第１の方向に上記第１の画素ピッチで並ぶ複数の第１の駆動素子であって、上記複数の第１の導電ラインのうちの対応する第１の導電ラインから、上記複数の第１の反射板のうちの対応する第１の反射板にデータを供給するための複数の第１の駆動素子、を有することができる。このような構造により、起伏部の対応する凸部の高さをばらつかせることができる。
【００１０】
本発明の反射構造体では、上記第１の基体が、互いに対応する位置に凹部又は凸部を有する複数の第２の起伏面であって、第２の方向に第２の起伏面ピッチで並ぶ複数の第２の起伏面を有することができる。
【００１１】
本発明の反射構造体では、上記第１の支持体が、高さの異なる部分を有する第２の下地面を複数有し、上記第１の基体が、上記第１の支持体に形成された複数の第２の起伏部であって、上記複数の第２の起伏面のうちの対応する第２の起伏面を有する複数の第２の起伏部を有し、上記複数の第２の下地面が、上記第２の方向に第２の下地面ピッチで並び、上記第２の起伏面ピッチ及び第２の下地面ピッチのうちの大きい方のピッチが、小さい方のピッチの非整数倍とすることができる。
【００１２】
本発明の反射構造体では、上記複数の第２の起伏部が、上記第２の起伏面ピッチと同じ第２の起伏部ピッチで並んでいてもよい。
【００１３】
本発明の反射構造体では、上記複数の第２の起伏部が繋がっていてもよい。
【００１４】
本発明の反射構造体では、上記第２の下地面ピッチを第２の画素ピッチとすることができる。
【００１５】
本発明の反射構造体では、上記第１の支持体が、上記第２の方向に上記第２の画素ピッチで並ぶ複数の第２の導電ライン、及び上記第２の方向に上記第２の画素ピッチで並ぶ複数の第２の駆動素子であって、上記複数の第２の導電ラインのうちの対応する第２の導電ラインにより制御される複数の第２の駆動素子、を有することができる。
【００１６】
本発明の反射構造体では、上記反射手段が、上記複数の第２の駆動素子に対応して備えられた複数の第２の反射板を有することができる。
【００１７】
本発明の反射構造体では、上記第２の起伏面が、上記第１の起伏面の凸部又は凹部に対応する位置に凹部又は凸部を有することができる。
【００１８】
本発明の反射構造体では、上記第１及び第２の方向が、それぞれ行方向及び列方向とすることができる。
【００１９】
また、本発明の別の反射構造体では、対応する位置に凹部又は凸部を有し複数の起伏面方向に並ぶ複数の起伏面を有する第２の基体、及び上記第２の基体に形成された反射手段を有する反射構造体であって、上記第２の基体が、高さの異なる部分を有する下地面を複数有する第１の支持体、及び上記第１の支持体に形成された複数の起伏部であって、上記複数の起伏面のうちの対応する起伏面を有する複数の起伏部、を有し、上記複数の下地面が、上記複数の下地面方向のうちの第１の下地面方向に、最も小さい第１の下地面ピッチで並び、上記複数の下地面方向のうちの第２の下地面方向に、上記第１の下地面ピッチと同じ又は上記第１の下地面ピッチの次に小さい第２の下地面ピッチで並び、上記複数の起伏面が、上記複数の起伏面方向のうちの第１の起伏面方向に、最も小さい第１の起伏面ピッチで並び、上記複数の起伏面方向のうちの第２の起伏面方向に、上記第１の起伏面ピッチと同じ又は上記第１の起伏面ピッチの次に小さい第２の起伏面ピッチで並び、上記第１及び第２の起伏面方向のうちの少なくとも一方が、上記第１及び第２の下地面方向とは異なる方向とする。このような構成によって、色付きを解消又は低減することができる。
【００２０】
本発明の別の反射構造体では、上記複数の第１の起伏部が繋がっていてもよい。
【００２１】
本発明の別の反射構造体では、上記第１の下地面ピッチを第１の画素ピッチとすることができる。
【００２２】
本発明の別の反射構造体では、上記反射手段が、上記第１の方向に上記第１の画素ピッチで並ぶ複数の第１の反射板を有することができる。
【００２３】
本発明の別の反射構造体では、上記第１の支持体が、上記第１の方向に上記第１の画素ピッチで並ぶ複数の第１の導電ライン、及び上記第１の方向に上記第１の画素ピッチで並ぶ複数の第１の駆動素子であって、上記複数の第１の導電ラインのうちの対応する第１の導電ラインから、上記複数の第１の反射板のうちの対応する第１の反射板にデータを供給するための複数の第１の駆動素子、を有することができる。
【００２４】
本発明の別の反射構造体では、上記第２の支持体が、上記第２の方向に上記第２の画素ピッチで並ぶ複数の第２の導電ライン、及び上記第２の方向に上記第２の画素ピッチで並ぶ複数の第２の駆動素子であって、上記複数の第２の導電ラインのうちの対応する第２の導電ラインにより制御される複数の第２の駆動素子、を有することができる。
【００２５】
本発明の別の反射構造体では、上記反射手段が、上記複数の第２の駆動素子に対応して備えられた複数の第２の反射板を有することができる。
【００２６】
尚、反射手段は、第１の方向に延在する反射ラインを有していてもよい。
【００２７】
また、本発明の画像表示装置は、上記の反射構造体を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は、本発明の反射構造体の第１実施例である、反射電極Ｅを有する反射電極基板１を示す斜視図である。この反射電極基板１は、例えば、液晶表示装置などの画像表示装置を構成する基板として用いることができる。
【００２９】
この反射電極基板１は、行列状に配された多数の反射電極Ｅと、外部回路に接続するための端子部ＴＧを有する。
【００３０】
図２は、図１に示す領域Ｆの拡大平面図である。
【００３１】
反射電極基板１は、表面に凹凸を有する有機膜８を備えている。この有機膜８の上に反射電極Ｅｒ１等が形成されている。有機膜８が凹凸を有するので、それに応じて、反射電極も凹凸を有する。図２では、赤の画像を表示するための反射電極Ｅｒ１、緑の画像を表示するための反射電極Ｅｇ１、青の画像を表示するための反射電極Ｅｂ１等が、ｘ方向（行方向）及びｙ方向（列方向）にそれぞれ画素ピッチＳｘ及びＳｙで順に並んでいる。ここで、有機膜８の凹凸パターンは、サブ画素領域とは独立して設計されていることに注意されたい。この実施例では、有機膜８の凹凸パターンをサブ画素領域とは独立して設計することによって、後述するように、有機膜８の凹凸パターンを容易に設計することが達成され、更に、観測者が反射電極基板１を見たときにほとんど色付きを認識しないようにすることも達成されている。以下、この反射電極基板１の製造方法について説明する。
【００３２】
まず、反射電極基板１を製造するに当たって、ガラス基板上の各画素領域毎にＴＦＴを形成する。
【００３３】
図３は、各画素領域にＴＦＴが形成された基板を示す平面図である。
【００３４】
図３には、ｘ及びｙ方向にそれぞれ画素ピッチＳｘ及びＳｙで並ぶサブ画素領域Ａｒ１、Ａｇ１及びＡｂ１等が一点鎖線で囲まれている。各サブ画素領域には、ＴＦＴが形成されている。斯かるＴＦＴは、ガラス基板に、ゲート電極２、ゲートライン３、半導体層４、ソース電極５、ソースライン６、及びドレイン電極７等を形成することによって製造される。ゲートライン３はｙ方向に画素ピッチＳｙで並んでおり、ソースライン６は、ｘ方向に画素ピッチＳｘで並んでいる。また、ＴＦＴは、ｘ方向及びｙ方向にそれぞれ画素ピッチＳｘ及びＳｙで並んでいる。
【００３５】
図４は、図３のサブ画素領域Ａｒ１のIV−IVラインに沿う断面図である。
【００３６】
ガラス基板５０上にはソースライン６が形成されているので、ソースライン６形成後の基板の表面は、ｚ方向の位置が相対的に異なる部分Ｋ１及びＫ２を有する面（以下、「下地面」という）Ｓｆを有する。図４には、ソースライン６によって形成される部分Ｋ１が示されているが、ゲートライン２及びＴＦＴによってもｚ方向の位置が相対的に異なる部分が形成されることに注意されたい。また、本実施例では、矩形状起伏部８１の下にＣｓラインは形成されていないが、Ｃｓラインが形成されているとすると、このＣｓラインによっても、高さが異なる部分が形成される。ここで、斯かる部分Ｋ１及びＫ２を有する下地面Ｓｆを構成する要因となるＴＦＴ、ゲートライン３及びソースライン６等は、図３に示すように、ｘ方向及びｙ方向にそれぞれ画素ピッチＳｘ及びＳｙで並んでいることに注意されたい。このような理由で、図４に示す部分Ｋ１及びＫ２を有する下地面Ｓｆは、サブ画素領域Ａｒ１以外の他のサブ画素領域にも形成され、その結果、図４に示すような下地面Ｓｆは、ｘ方向及びｙ方向にそれぞれ画素ピッチＳｘ及びＳｙで並んでいることにも注意されたい。
【００３７】
図３に示すように、各サブ画素領域にＴＦＴを形成した後、表面に凹凸を有する反射電極を形成する目的で、反射電極を形成する前に、凹凸の起伏面を有する有機膜を形成する（図５参照）。
【００３８】
図５は、凹凸の起伏面を有する有機膜８が形成された基板の平面図である。
【００３９】
有機膜８は、後に形成される反射電極をドレイン電極に接続するためのコンタクトホールＣＨを有している。更に、有機膜８は、凹凸を有する多数の起伏部を有している。図５には、これら多数の起伏部のうちの代表して１２個の起伏部１８乃至１２８が、実線で区分けされて示されている。この有機膜８は、例えば、単層膜として形成してもよく、又は多数の突起とその突起を覆う平坦化膜との組み合わせによって形成してもよい。
【００４０】
図６は、図４に示す各起伏部１８乃至１２８が有する凹部及び凸部のｘｙ面内における分布パターンを示す図である。
【００４１】
図６に示す白色の多角形は凸部を示し、白色の多角形に挟まれた太線は凹部を表している。凸部は起伏部内にランダム配置され、凹部は、凸部の間を縫うように広がっている。有機膜８の起伏部は、いずれの起伏部も、基本的には図６に示す凹凸分布を有しているが、起伏部内にコンタクトホールＣＨが必要な場合は、図６に示す凹凸パターンに、コンタクトホールＣＨが追加されることに注意されたい。例えば、ｘ方向に並ぶ４つの起伏部３８、６８、９８及び１２８は、コンタクトホールＣＨが不要であるので、図６に示す凹凸分布を有するが、一方、その他の８個の起伏部１８、２８、４８、５８、７８、８８、１０８、１１８は、コンタクトホールＣＨが必要であるので、図６に示す凹凸パターンに対してコンタクトホールＣＨが追加される。例えば、起伏部１８の凹凸分布は、図７のように示される。図７では、図６と異なり、２つのサブ画素領域Ａｒ１及びＡｇ１内のドレイン電極に対応して、２つのコンタクトホールＣＨが追加されている。但し、コンタクトホールＣＨが追加されていることを除けば、ｘｙ面内において図６の凹凸分布と図７の凹凸分布は同じであることにも注意されたい。尚、起伏部の凹凸パターンは、上記の凹凸パターンに限られず、例えば、図６に示す凹凸パターンを反転させたようなパターンであってもよい。また、図６及び図７に示すように、起伏部は略矩形状であるが、別の形状（例えば、略六角形状）であってもよい。
【００４２】
このような凹凸パターンを有する起伏部１８乃至１２８は、図５に示すように行列状に並んでいる。これら起伏部１８乃至１２８は、ｘ方向には起伏部ピッチＴｘで並び、ｙ方向には起伏部ピッチＴｙで並んでおり、その結果、ｘ方向及びｙ方向に対して斜めのｄｓ方向には起伏部ピッチＴｓで並んでいる。起伏部ピッチＴｘ及びＴｙはそれぞれ画素ピッチＳｘ及びＳｙとは異なっている。また、起伏部ピッチＴｘは画素ピッチＳｘより大きく、起伏部ピッチＴｙは画素ピッチＳｙより小さい。ここで、起伏部ピッチＴｘは画素ピッチＳｘの整数倍とはならないように規定され、起伏部ピッチＴｙは、このピッチＴｙを整数倍しても画素ピッチＳｙとはならないように規定されていることに注意されたい。第１実施例では、Ｔｘ＝（１７／８）Ｓｘに規定され、Ｔｙ＝（１７／２３）Ｓｙに規定されているが、これに限定されないことに注意されたい。上記のように規定された起伏部を有する有機膜８を形成した後、図２に示すように反射電極Ｅｒ１、Ｅｇ１、及びＥｂ１等が形成される。反射電極Ｅｒ１、Ｅｇ１、及びＥｂ１等は起伏部を有する有機膜８に形成されるので、反射電極も、有機膜８の起伏部の凹凸パターンに対応した凹凸パターンを有する。
【００４３】
上記のように、有機膜８の起伏部ピッチＴｘ及びＴｙと、画素ピッチＳｘ及びＳｙとの関係は、整数倍ではなく、非整数倍の関係である。起伏部ピッチと画素ピッチとの関係を非整数倍に規定することによって、反射電極基板１上に認識される色付きを効果的に低減することができる。以下、この理由について、有機膜が画素ピッチに対して整数倍のピッチで並ぶ起伏部を有する場合と比較しながら説明する。
【００４４】
図８は、画素ピッチＳｘ及びＳｙに対してそれぞれ整数倍の起伏部ピッチＴｘ’及びＴｙ’で並ぶ起伏部を有する有機膜８０が形成された後の基板の平面図である。
【００４５】
有機膜８０は矩形状起伏部、第１の直線状起伏部、及び第２の直線状起伏部を有している。図８には、代表して、８つの矩形状起伏部８１乃至８８と、これら８つの矩形状起伏部８１乃至８８の間に連なり、ｘ方向に延在する第１の直線状起伏部９１及びｙ方向に延在する第２の直線状起伏部９２とが示されている。矩形状起伏部８１乃至８８は、ｘ方向に画素ピッチＳｘに対して２倍の起伏部ピッチＴｘ’（＝２Ｓｘ）で並び、ｙ方向に画素ピッチＳｙと同じ起伏部ピッチＴｙ’（＝Ｓｙ）で並んでいる。従って、第１の直線状起伏部９１及び第２の直線状起伏部９２も、ｘ方向に起伏部ピッチＴｘ’（＝２Ｓｘ）で並びｙ方向に起伏部ピッチＴｙ’（＝Ｓｙ）で並んでいる。尚、図８に示されていない領域にも、図８に示されている起伏部と同じ凹凸パターンを有する起伏部が広がっている。
【００４６】
図９は、図８に示す有機膜８０が有する矩形状起伏部８１の拡大詳細図である。
【００４７】
矩形状起伏部８１は、２つのサブ画素領域のほぼ全体に渡って形成されている。矩形状起伏部８１は、ランダムに配された多数の凸部８１ａ、８１ｂ・・・８１ｚと、これら多数の凸部８１ａ、８１ｂ・・・８１ｚの間を縫うように広がる凹部８１１を有している。図９では、凸部８１ａ、８１ｂ・・・８１ｚは白色の多角形で示されており、凹部８１１はハッチングで示されている。また、矩形状起伏部８１は、２つのコンタクトホールＣＨを有している。その他の矩形状起伏部８２乃至８８も、図９に示す凹凸パターンと同じ凹凸パターンを有している。このように、矩形状起伏部は図９に示す凹凸パターンを有するが、図８では、図面の見易さの観点から、各矩形状起伏部には、一部の凸部しか示されていないことに注意されたい。
【００４８】
また、図８に示す矩形状起伏部は、起伏部ピッチＴｘ’及びＴｙ’がそれぞれ画素ピッチＳｘ及びＳｙの整数倍であるので、図５に示す矩形状起伏部とは異なり、全ての矩形状起伏部が対応する位置に２つのコンタクトホールＣＨを有している。
【００４９】
また、ｘ方向に延在する第１の直線状起伏部９１は同一の凹凸パターンを有しており、ｙ方向に延在する第２の直線状起伏部９２も同一の凹凸パターンを有している。
【００５０】
図１０は、図８の矩形状起伏部８１のサブ画素領域Ａｒ１側に存在する６個の凸部８１ａ乃至８１ｆの概略断面図である。
【００５１】
矩形状起伏部８１は、高さの異なる部分Ｋ１及びＫ２を有する下地面Ｓｆ（図４参照）に形成されるので、矩形状起伏部８１の凸部のｚ方向の位置は矩形状起伏部８１内でばらつく。矩形状起伏部８１の凸部は、部分Ｋ１に近づくほどｚ方向の位置が高くなり、部分Ｋ１から離れるほどｚ方向の位置が低くなる。従って、図１０に示す６個の凸部８１ａ乃至８１ｆを比較すると、凸部８１ａから凸部８１ｂ及び８１ｃに向かうにつれてｚ方向の位置は低くなっており、凸部８１ｄから凸部８１ｅ及び８１ｆに向かうにつれて、ｚ方向の位置は高くなっている。尚、図１０では、矩形状起伏部８１は、高さが異なる部分Ｋ１及びＫ２を覆っているが、このような高さが異なる部分は、例えばゲートラインによっても形成されているので、矩形状起伏部８１の凸部は、ゲートラインに近づくほどｚ方向の位置は高くなる。このように、矩形状起伏部８１の凸部は、図８に示すｘｙ面内のどの位置に形成されているかによって、ｚ方向の位置がばらついていることに注意されたい。
【００５２】
また、矩形状起伏部８１乃至８８は図９に示す共通の凹凸パターンを有するので、矩形状起伏部８１乃至８８をｘｙ面内において重ね合わせると、重なり合う凸部が生じることに注意されたい。例えば、矩形状起伏部８１の凸部８１ａは、別の矩形状起伏部８３の凸部８３ａと重なり合う。以下では、このように重なり合う凸部を、対応する凸部と規定し、対応する凸部には同じアルファベットを付している。例えば、矩形状起伏部８１の凸部８１ａと、矩形状起伏部８３の凸部８３ａは、ともにアルファベット「ａ」が付されているので、対応する凸部である。また、矩形状起伏部８１以外の矩形状起伏部も、図４に示す下地面Ｓｆと同様の下地面に形成されるため、対応する凸部は、ｚ方向の位置が同じとなる。このことが図１１に示されている。
【００５３】
図１１は、図８に示す矩形状起伏部８１内の２つの凸部８１ａ及び８１ｂと、それぞれに対応する矩形状起伏部８３内の２つの凸部８３ａ及び８３ｂとを含む断面図である。
【００５４】
矩形状起伏部８１の凸部８１ａは、矩形状起伏部８３の凸部８３ａに対応しているのでｚ方向の高さは一致する。同様に、矩形状起伏部８１の凸部８１ｂは、矩形状起伏部８３の凸部８３ｂに対応しているのでｚ方向の高さは一致する。従って、矩形状起伏部８１内の凸部８１ａと８１ｂとの高低差をΔＨとすると、矩形状起伏部８３内の凸部８３ａと８３ｂとの高低差もΔＨとすることができる。従って、矩形状起伏部８３の凸部は、矩形状起伏部８１の凸部とｚ方向に実質的に同じ高さ分布を有する。これに伴なって、矩形状起伏部８３の凹部も、矩形状起伏部８１の凹部とｚ方向に実質的に同じ高さ分布を有する。同様に、他の矩形状起伏部の凸部及び凹部も、それぞれ矩形状起伏部８１の凸部及び凹部とｚ方向に実質的に同じ高さ分布を有する。
【００５５】
このような同一の凹凸パターンの矩形状起伏部を有する有機膜８０を形成した後、反射電極を形成する（図１２参照）。
【００５６】
図１２は、反射電極Ｅｒ１、Ｅｇ１及びＥｂ１等が形成された基板の平面図である。尚、図１２では、ソースライン等は図示省略されている。
【００５７】
１つの矩形状起伏部には２つの反射電極が形成される。図１２には８個の矩形状起伏部８１乃至８８が示されているので、１６個の反射電極Ｅｒ１、Ｅｇ１及びＥｂ１等が示されている。反射電極Ｅｒ１、Ｅｇ１及びＥｂ１等は矩形状起伏部８１乃至８８の形状に倣うように形成され、この結果、反射電極Ｅｒ１、Ｅｇ１及びＥｂ１にも矩形状起伏部８１乃至８８の凹凸パターンに対応した凹凸パターンが設けられる。矩形状起伏部８１乃至８８は同じ凹凸パターンを有し、しかも１つの矩形状起伏部に２つの反射電極が形成されるので、反射電極の凹凸パターンは２種類現れる。図１２では、ｘ方向に、２種類の凹凸パターンを有する反射電極が交互に現れる。また、図１２には、反射電極が有する一部の凸部のみについて図示されている。具体的には、
（Ａ）図８に示す矩形状起伏部８１乃至８８の対応する８個の凸部８１ａ乃至８８ａにより形成される反射電極の８個の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）、
（Ｂ）図８に示す矩形状起伏部８１乃至８８の対応する８個の凸部８１ｈ乃至８８ｈにより形成される反射電極の８個の凸部ｐ（８１ｈ）乃至ｐ（８８ｈ）、及び
（Ｃ）図８に示す矩形状起伏部８１乃至８８の対応する８個の凸部８１ｉ乃至８８ｉにより形成される反射電極の８個の凸部ｐ（８１ｉ）乃至ｐ（８８ｉ）、
が示されている。
【００５８】
例えば、反射電極Ｅｒ１には、２つの凸部ｐ（８１ａ）及びｐ（８１ｈ）のみが図示され、反射電極Ｅｇ１には、１つの凸部ｐ（８１ｉ）のみが図示されている。ここで、反射電極の凸部を表す符号の（ ）内の文字は、その反射電極の凸部が、どの矩形状起伏部のどの凸部によって形成されているのかを表すために使用していることに注意されたい。例えば、反射電極の凸部が、矩形状起伏部８１の凸部８１ａによって形成されている場合には符号「（８１ａ）」が付され、矩形状起伏部８３の凸部８３ａによって形成されている場合には符号「（８３ａ）」が付される。その他の凸部についても同様である。
【００５９】
図１３は、図１２に示す反射電極Ｅｒ１の凸部ｐ（８１ａ）及び反射電極Ｅｂ１の凸部ｐ（８３ａ）を含む一部断面図である。
【００６０】
反射電極Ｅｒ１及びＥｂ１の凸部ｐ（８１ａ）及びｐ（８３ａ）は、それぞれ矩形状起伏部８１及び８３の凸部８１ａ及び８３ａにより形成される。これら矩形状起伏部８１及び８３の凸部８１ａ及び８３ａは、同じアルファベット「ａ」が付されているので対応した凸部であり、図１１を参照しながら説明したように、ｚ方向において同一の高さを有する。反射電極Ｅｒ１及びＥｂ１の膜厚は実質的に均一であり、従って、反射電極Ｅｂ１の凸部ｐ（８３ａ）は、反射電極Ｅｒ１の凸部ｐ（８１ａ）とｚ方向に同一の高さを有する。図１３には図示されていないが、その他の反射電極の凸部ｐ（８２ａ）、ｐ（８４ａ）、ｐ（８５ａ）、ｐ（８６ａ）、ｐ（８７ａ）及びｐ（８８ａ）も、反射電極Ｅｒ１の凸部ｐ（８１ａ）とｚ方向に同一の高さを有する。上記では、反射電極の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）について説明したが、他の反射電極の凸部も同様に説明される。図１２では、８個の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）がｚ方向に同じ高さを有し、８個の凸部ｐ（８１ｈ）乃至ｐ（８８ｈ）がｚ方向に同一の高さを有し、更に、８個の凸部ｐ（８１ｉ）乃至ｐ（８８ｉ）がｚ方向に同一の高さを有する。
【００６１】
上記のように、矩形状起伏部８１乃至８８を有する有機膜８０（図８参照）に反射電極（図１２参照）を形成することによって反射電極基板（以下、「従来基板」と呼ぶ）を製造する。次に、この従来基板に光を照射することによって従来基板に生じる色付きについて考察する。
【００６２】
図１４は、従来基板１００に光を照射するときの説明図である。尚、図１４に示す従来基板１００には、外部回路に接続するための端子部が図示省略されていることに注意されたい。
【００６３】
従来基板１００の中心を通過してこの従来基板１００に対して垂直に広がる仮想面ＳＩ内に、光源ＬＳ及び観測者ＨＥを考える。光源ＬＳから従来基板１００に向けて光が照射される。従来基板１００が有する各反射電極は多数の凸部を有するので、光源ＬＳからの光は反射電極の多数の凸部で反射し、この反射光は互いに干渉しながら観測者ＨＥに到達する。ここで、反射電極の凸部で反射した光の干渉をわかりやすく考察するために、光の干渉を、以下の３つの場合（１）、（２）及び（３）に分けて具体的に説明する。
（１）ｘ方向に所定の間隔で並ぶ凸部で反射した光の干渉
この干渉を考えるために、図１４の領域Ｆ内の反射電極について考える。
【００６４】
図１５は、図１４に示す領域Ｆの拡大図である。
【００６５】
図１５には、図８に示す矩形状起伏部８１乃至８８の対応する８個の凸部８１ａ乃至８８ａにより形成される反射電極の８個の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）が具体的に示されている。更に、これら８個の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）で反射し観測者HＥに向かう８本の反射光Ｌ81a乃至Ｌ88aも示されている。反射電極の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）は、ｘ方向に起伏部ピッチＴｘ’（＝２Ｓｘ）且つｙ方向に起伏部ピッチＴｙ’（＝Ｓｙ）で周期的に現れる。ここで、図１５に示すような反射電極の凸部を従来基板１００（図１４参照）の全領域に渡って考え、ｘ方向に起伏部ピッチＴｘ’だけ離れて並ぶ２つの凸部で反射する光の干渉を、従来基板１００の全領域に渡って考える。例えば、図１５では、反射光Ｌ81aとＬ83aとの干渉、反射光Ｌ82aとＬ84aとの干渉、反射光Ｌ83aとＬ85aとの干渉、反射光Ｌ84aとＬ86aとの干渉、反射光Ｌ85aとＬ87aとの干渉、及び反射光Ｌ86aとＬ88aとの干渉を考える。このようなｘ方向に並ぶ２つの凸部で反射する光の干渉を、従来基板１００の全領域に渡って考えると、この反射光の干渉によって、観測者ＨＥは、以下のような色プロファイルを認識する。
【００６６】
図１６は、観測者ＨＥが従来基板１００上に認識する色プロファイルのシミュレーション結果である。
【００６７】
観測者ＨＥが認識する色プロファイルＣxは、ｙ方向に延在する帯状の色Ｃm-p乃至Ｃm+pがｘ方向に並んだ縦縞の模様を有する。この色Ｃm-p乃至Ｃm+pは、それぞれ、図１４に示すｙ方向に延在する帯状の領域Ｙm-p乃至Ｙm+p内において観測者ＨＥが認識する色である。例えば、色Ｃｍ及びＣm+pは、それぞれ、領域Ｙｍ及びＹm+p内で観測者ＨＥが認識する色である。色Ｃmは実質的に白色であり、色Ｃmから等距離離れた色は、同じ色である。例えば、色Ｃm-xは色Ｃm+xと同じ色であり、色Ｃm-1は色Ｃm+1と同じ色である。さらに、色Ｃｍ以外の色は、色Ｃmから離れるにつれて、短波長側の色から長波長側の色が繰り返し現れるように変化する。
（２）ｙ方向に所定の間隔で並ぶ凸部で反射した光の干渉
この干渉を考えるために、図１４の領域Ｆ内の反射電極について再度考える。
【００６８】
図１７は、図１４に示す領域Ｆの拡大図である。
【００６９】
図１７には、反射電極の８個の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）に加えて、図８に示す矩形状起伏部８１乃至８８の対応する８個の凸部８１ｈ乃至８８ｈにより形成される反射電極の８個の凸部ｐ（８１ｈ）乃至ｐ（８８ｈ）も具体的に示されている。更に、８本の反射光Ｌ81a乃至Ｌ88aに加えて、８個の凸部ｐ（８１ｈ）乃至ｐ（８８ｈ）で反射し観測者HＥに向かう８本の反射光Ｌ81h乃至Ｌ88hも示されている。反射電極の凸部ｐ（８１ｈ）乃至ｐ（８８ｈ）は、反射電極の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）と同様に、ｘ方向に起伏部ピッチＴｘ’（＝２Ｓｘ）且つｙ方向に起伏部ピッチＴｙ’（＝Ｓｙ）で周期的に現れる。また、反射電極の凸部ｐ（８１ｈ）乃至ｐ（８８ｈ）は、それぞれ、反射電極の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）に対してｙ方向に距離Ｄｙだけ離れている。ここで、図１７に示すような反射電極の凸部を従来基板１００（図１４参照）の全領域に渡って考え、ｙ方向に距離Ｄｙだけ離れて並ぶ２つの凸部で反射する光の干渉を、従来基板１００の全領域に渡って考える。例えば、図１７では、反射光Ｌ81aとＬ81hとの干渉、反射光Ｌ82aとＬ82hとの干渉、反射光Ｌ83aとＬ83hとの干渉、．．．、反射光Ｌ87aとＬ87hとの干渉、及び反射光Ｌ88aとＬ88hとの干渉を考える。このようなｙ方向に距離Ｄｙだけ離れて並ぶ２つの凸部で反射する光の干渉を、従来基板１００の全領域に渡って考えると、この反射光の干渉によって、観測者ＨＥは、以下のような色プロファイルを認識する。
【００７０】
図１８は、観測者ＨＥが基板上に認識する色プロファイルのシミュレーション結果である。
【００７１】
観測者ＨＥは、ｘ方向に延在する帯状の色Ｃm-q乃至Ｃm+qがｙ方向に並んだ横縞の模様を有する色プロファイルＣｙを認識する。この色Ｃm-q乃至Ｃm+qは、それぞれ、図１４に示すｘ方向に延在する帯状の領域Ｘm-q乃至Ｘm+q内において観測者ＨＥが認識する色である。例えば、色Ｃｍ及びＣm+qは、それぞれ、領域Ｘｍ及びＸm+q内で観測者ＨＥが認識する色である。観測者ＨＥが領域Ｘｍで認識する色Ｃｍは、図１６に示す色Ｃｍと同様に実質的に白色となる。色Ｃmから等距離離れた色は、同じ色である。例えば、色Ｃm-xは色Ｃm+xと同じ色であり、色Ｃm-1は色Ｃm+1と同じ色である。さらに、色Ｃｍ以外の色は、色Ｃmから離れるにつれて、短波長側の色から長波長側の色が繰り返し現れるように変化する。
（３）ｘ方向及びｙ方向に対して斜め方向に所定の間隔で並ぶ凸部で反射した光の干渉
この干渉を考えるために、図１４の領域Ｆ内の反射電極について再度考える。
【００７２】
図１９は、図１４に示す領域Ｆの拡大図である。
【００７３】
図１９には、反射電極の８個の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）に加えて、図８に示す矩形状起伏部８１乃至８８の対応する８個の凸部８１ｉ乃至８８ｉにより形成される反射電極の８個の凸部ｐ（８１ｉ）乃至ｐ（８８ｉ）も示されている。更に、８本の反射光Ｌ81a乃至Ｌ88aに加えて、８個の凸部ｐ（８１ｉ）乃至ｐ（８８ｉ）で反射し観測者HＥに向かう８本の反射光Ｌ81i乃至Ｌ88iも示されている。反射電極の凸部ｐ（８１ｉ）乃至ｐ（８８ｉ）は、反射電極の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）と同様に、ｘ方向に起伏部ピッチＴｘ’（＝２Ｓｘ）且つｙ方向に起伏部ピッチＴｙ’（＝Ｓｙ）で周期的に現れる。また、反射電極の凸部ｐ（８１ｉ）乃至ｐ（８８ｉ）は、それぞれ、反射電極の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）に対して、ｘ方向及びｙ方向に対して斜めのｄxy方向に距離Ｄxyだけ離れている。ここで、図１９に示すような反射電極の凸部を従来基板１００（図１４参照）の全領域に渡って考え、ｄxy方向に距離Ｄxyだけ離れて並ぶ２つの凸部で反射する光の干渉を、従来基板１００の全領域に渡って考える。例えば、図１９では、反射光Ｌ81aとＬ81iとの干渉、反射光Ｌ82aとＬ82iとの干渉、反射光Ｌ83aとＬ83iとの干渉、．．．、反射光Ｌ87aとＬ87iとの干渉、及び反射光Ｌ88aとＬ88iとの干渉を考える。このようなｄxy方向に距離Ｄxyだけ離れて並ぶ２つの凸部で反射する光の干渉を、従来基板１００の全領域に渡って考えると、この反射光の干渉によって、観測者ＨＥは、以下のような色プロファイルを認識する。
【００７４】
図２０は、観測者ＨＥが基板上に認識する色プロファイルのシミュレーション結果である。
【００７５】
観測者ＨＥは、ｄxy方向に対して垂直のｄxy’方向に延在する帯状の色Ｃm-r乃至Ｃm+rがｄxy方向に並んだ斜め縞の模様を有する色プロファイルＣxyを認識する。この色Ｃm-r乃至Ｃm+rは、それぞれ、図１４に示すｄxy’方向に延在する帯状の領域ＸＹm-r乃至ＸＹm+r内において観測者ＨＥが認識する色である。例えば、色Ｃｍ及びＣm+rは、それぞれ、領域ＸＹｍ及びＸＹm+r内で観測者ＨＥが認識する色である。観測者ＨＥが領域ＸＹｍで認識する色Ｃｍは、図１６及び図１８に示す色Ｃｍと同様に実質的に白色となる。色Ｃｍから等距離離れた色は同じ色である。例えば、色Ｃm-xは色Ｃm+xと同じ色であり、色Ｃm-1は色Ｃm+1と同じ色である。さらに、色Ｃｍ以外の色は、色Ｃmから離れるにつれて、短波長側の色から長波長側の色が繰り返し現れるように変化する。
【００７６】
上記の説明では、色プロファイルＣｘ、Ｃｙ、及びＣxyは、別々に図示されているが、観測者ＨＥは、実際には、色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyが重なった状態でこれら色プロファイルを認識する。そこで、色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyが重なった状態での色プロファイルについて考察する。
【００７７】
図２１は、色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyが重なった状態を示す図である。
【００７８】
この図には、色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyのうち、同じ色である色Ｃm-x及びＣm+xが斜線で示されている。各色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyは色Ｃm-x及びＣm+xを有するので、各色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyの色Ｃm-x及びＣm+xが重なると、その重なった部分では色Ｃm-x（Ｃm+x）が強調される。図２１には、色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyのみが重なった状態が示されているが、図１５、図１７及び図１９に示す凸部の組み合わせ以外の凸部の組み合わせでは、色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxy以外の別の色プロファイルが考えられる。従って、凸部での反射光によって得られる色プロファイルを全て重ねると、従来基板１００全体に渡って色Ｃm-x（Ｃm+x）が強調された部分が現れ、観測者ＨＥはその強調された色Ｃm-x（Ｃm+x）を認識すると考えられる。その他の色（例えばＣm+1及びＣm-1）についても、観測者ＨＥは、強調された色を認識すると考えられる。従って、観測者ＨＥは、従来基板１００を見たときに色付きを認識すると考えられる。
【００７９】
尚、上記の説明では、反射電極の凸部で反射した光の干渉により生じる色プロファイルについて説明したが、反射電極の凹部で反射した光の干渉により生じる色プロファイルについても同様に説明できる。
【００８０】
上記の考察から、観測者ＨＥは、図１６、図１８及び図２０に示すような縞模様を有する色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyの重なりによって、色付きを認識すると考えられる。従って、色付きを解消又は低減させる一つの方法として、図１６、図１８及び図２０に示すような縞模様を有する色プロファイルが現れないようにすることが考えられる。そこで、次に、図１６、図１８及び図２０に示すような縞模様を有する色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyが現れる理由を探るために、再度図１４乃至図２０を検討する。
【００８１】
図１６、図１８及び図２０に示す色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyは、それぞれ図１５、図１７、及び図１９に示される反射光の干渉によって生じる。そこで、図１５、図１７及び図１９での反射光の干渉について考えてみる。
【００８２】
先ず、図１５を参照する。図１５では、ｘ方向に起伏部ピッチＴｘ’で並ぶ凸部で反射する反射光の干渉を考えるために、８本の反射光Ｌ81a乃至Ｌ88aが図示されている。ここで、８本の反射光Ｌ81a乃至Ｌ88aのうち、ｘ方向に並ぶ４本の反射光Ｌ81a、Ｌ83a、Ｌ85a及びＬ87aについて考える。４本の反射光Ｌ81a、Ｌ83a、Ｌ85a及びＬ87aの光路長は異なり、反射光Ｌ81aとＬ83aとの光路差ΔＬｘ１、反射光Ｌ83aとＬ85aとの光路差ΔＬｘ２、反射光Ｌ85aとＬ87aとの光路差ΔＬｘ３も異なる。この光路差ΔＬｘ１、ΔＬｘ２及びΔＬｘ３の値は、この順で大きくなる。このように、ｘ方向に並ぶ２つの凸部のペアにおいて反射する２本の反射光の光路差は、その反射光が反射する凸部のペアの位置によって異なる。これまでは、４本の反射光Ｌ81a、Ｌ83a、Ｌ85a及びＬ87aの光路差について説明したが、残りの４本の反射光Ｌ82a、Ｌ84a、Ｌ86a及びＬ88aの光路差も同様である。しかしながら、ｘ方向に並ぶ凸部のペアにおける反射光の光路差は、この凸部のペアの位置がｙ方向（ｘ方向に対し垂直）に移動しても、同じ光路差であることに注意されたい。例えば、図１５では、凸部ｐ（８２ａ）及びｐ（８４ａ）のペアは、凸部ｐ（８１ａ）及びｐ（８３ａ）のペアに対して相対的にｙ方向に移動した位置に存在しているので、反射光Ｌ82a及びＬ84aの光路差（ΔＬｘ１）は、反射光Ｌ81a及びＬ83aの光路差（ΔＬｘ１）に等しい。同様に、反射光Ｌ84a及びＬ86aの光路差（ΔＬｘ２）は反射光Ｌ83a及びＬ85aの光路差（ΔＬｘ２）に等しく、反射光Ｌ86a及びＬ88aの光路差（ΔＬｘ３）は反射光Ｌ85a及びＬ87aの光路差（ΔＬｘ３）に等しい。従って、凸部のペアの位置がｙ方向にずれても、反射光の光路差が同一であることに注意されたい。以上のことから、ｙ方向には、同じ光路差を生じさせる凸部のペアが並び、ｙ方向とは異なる方向（例えばｘ方向）には、異なる光路差を生じさせる凸部のペアが並ぶことがわかる。干渉光が呈する色は光路差に依存するので、観測者ＨＥは、光路差が同じであることに起因してｙ方向には同じ色を認識し、光路差が異なることに起因してｙ方向とは異なる方向（例えばｘ方向）には異なる色を認識し、その結果、図１６に示す縦縞の色プロファイルＣｘを認識すると考えられる。尚、或る凸部のペアと別の凸部のペアがｘ方向に異なる位置に存在していても、従来基板１００の領域Ｙm-p乃至Ｙm+p（図１４参照）のうちの同一の領域に存在しているのであれば（図１５において、例えば、凸部ｐ（８１ａ）及びｐ（８３ａ）のペアと、凸部ｐ（８３ａ）及びｐ（８５ａ）のペア）、或る凸部のペアで反射する反射光の光路差と別の凸部のペアで反射する反射光の光路差との違いはごく僅かであることに注意されたい。光路差の違いがごく僅かである場合（例えば、ΔＬｘ１とΔＬｘ２）、呈する色は似ているので、通常、観測者ＨＥは色の違いを識別できず、実質的に同一の色と認識する。従って、観測者ＨＥは、通常、各色Ｃm-p乃至Ｃm+pの幅Ｗｃ（図１６参照）を、２つの凸部の間の距離２Ｓｘ（画素ピッチＳｘの２倍）よりも大きい幅として認識することに注意されたい。
【００８３】
次に、図１７を参照する。図１７では、y方向に距離Ｄｙだけ離れて並ぶ２つの凸部で反射する反射光の干渉を考えるために、８本の反射光Ｌ81a乃至Ｌ88aと８本の反射光Ｌ81h乃至Ｌ88hが図示されている。ここで、ｙ方向に並ぶ４本の反射光Ｌ81h、Ｌ81a、Ｌ82h及びＬ82aについて考えると、反射光Ｌ81aとＬ81hとの光路差（ΔＬｙ１）は、反射光Ｌ82aとＬ82hとの光路差（ΔＬｙ２）とは異なる。このように、ｙ方向に隣り合う凸部での反射光の光路差は、その反射光が反射する凸部の位置によって異なる。ｙ方向に並ぶその他の反射光の光路差も、４本の反射光Ｌ81h、Ｌ81a、Ｌ82h及びＬ82aの光路差と同様に説明される。しかしながら、ｙ方向に並ぶ凸部のペアにおける反射光の光路差は、この凸部のペアの位置がｘ方向（ｙ方向に対し垂直）に移動しても、同じ光路差であることに注意されたい。例えば、図１７では、凸部ｐ（８３ａ）及びｐ（８３ｈ）のペアは、凸部ｐ（８１ａ）及びｐ（８１ｈ）のペアに対して相対的にｘ方向に移動した位置に存在しているので、反射光Ｌ83aとＬ83hとの光路差（ΔＬｙ１）は、反射光Ｌ81aとＬ81hとの光路差（ΔＬｙ１）に等しい。同様に、反射光Ｌ85aとＬ85hとの光路差、及び反射光Ｌ87aとＬ87hとの光路差も、反射光Ｌ81aとＬ81hとの光路差に等しい。一方、凸部ｐ（８４ａ）及びｐ（８４ｈ）のペアは、凸部ｐ（８２ａ）及びｐ（８２ｈ）のペアに対して相対的にｘ方向に移動した位置に存在しているので、反射光Ｌ84a及びＬ84hの光路差（ΔＬｙ２）は、反射光Ｌ82a及びＬ82hの光路差（ΔＬｙ２）に等しい。同様に、反射光Ｌ86aとＬ86hとの光路差、及び反射光Ｌ88aとＬ88hとの光路差も、反射光Ｌ82aとＬ82hとの光路差に等しい。従って、凸部のペアの位置がｘ方向にずれても、反射光の光路差が同一であることに注意されたい。以上のことから、ｘ方向には、同じ光路差を生じさせる凸部のペアが並び、ｘ方向と異なる方向（例えばｙ方向）には、異なる光路差を生じさせる凸部のペアが並ぶことがわかる。干渉光が呈する色は光路差に依存するので、観測者ＨＥは、光路差が同じであることに起因してｘ方向には同じ色を認識し、光路差が異なることに起因してｘ方向と異なる方向（例えばｙ方向）には異なる色を認識し、その結果、図１８に示す横縞の色プロファイルＣｙを認識すると考えられる。尚、或る凸部のペアと別の凸部のペアがｙ方向に異なる位置に存在していても、従来基板１００の領域Ｘm-q乃至Ｘm+q（図１４参照）のうちの同一の領域に存在しているのであれば（図１７において、例えば、凸部ｐ（８１ａ）及びｐ（８１ｈ）のペアと、凸部ｐ（８２ａ）及びｐ（８２ｈ）のペア）、或る凸部のペアで反射する反射光の光路差と別の凸部のペアで反射する反射光の光路差との違いはごく僅かであることに注意されたい。光路差の違いがごく僅かである場合（例えば、ΔＬｙ１とΔＬｙ２）、呈する色は似ているので、通常、観測者ＨＥは色の違いを識別できず、実質的に同一の色と認識する。従って、観測者ＨＥは、通常、各色Ｃm-q乃至Ｃm+qの幅Ｗｃ（図１８参照）を、２つの凸部の間の距離Ｄｙよりも大きい幅として認識することに注意されたい。
【００８４】
次に、図１９を参照する。図１９では、ｄxy方向に距離Ｄxyで並ぶ凸部で反射する反射光の干渉を考えるために、８本の反射光Ｌ81a乃至Ｌ88aと８本の反射光Ｌ81i乃至Ｌ88iが図示されている。ここで、反射光Ｌ81a及びＬ81iと、反射光Ｌ83a及びＬ83iについて考える。反射光Ｌ81aとＬ81iとの光路差ΔＬxy１及び反射光Ｌ83aとＬ83iとの光路差ΔＬxy２は互いに異なる。しかしながら、ｄxy方向に並ぶ凸部のペアにおける反射光の光路差は、この凸部のペアの位置がｄxy’方向（ｄxy方向に対し垂直）に移動しても、同じ光路差であることに注意されたい。例えば、図１９では、凸部ｐ（８６ａ）及びｐ（８６ｉ）のペアは、凸部ｐ（８１ａ）及びｐ（８１ｉ）のペアに対して相対的にｄxy’方向に移動した位置に存在しており、従って、反射光Ｌ86a及びＬ86iの光路差（ΔＬxy１）は、反射光Ｌ81a及びＬ81iの光路差（ΔＬxy１）に等しい。同様に、凸部ｐ（８８ａ）及びｐ（８８ｉ）のペアは、凸部ｐ（８３ａ）及びｐ（８３ｉ）のペアに対して相対的にｄxy’方向に移動した位置に存在しており、従って、反射光Ｌ88a及びＬ88iの光路差（ΔＬxy２）は、反射光Ｌ83a及びＬ83iの光路差（ΔＬxy２）に等しい。従って、凸部のペアの位置がｄxy’方向にずれても、反射光の光路差が同一であることに注意されたい。以上のことから、ｄxy’方向には、同じ光路差を生じさせる凸部のペアが並び、ｄxy’方向とは異なる方向（例えばｄxy方向）には、異なる光路差を生じさせる凸部のペアが並ぶことがわかる。干渉光が呈する色は光路差に依存するので、観測者ＨＥは、光路差が同じであることに起因してｄxy’方向には同じ色を認識し、光路差が異なることに起因してｄxy’方向とは異なる方向（例えばｄxy方向）には異なる色を認識し、その結果、図２０に示す斜め縞の色プロファイルＣxyを認識すると考えられる。尚、或る凸部のペアと別の凸部のペアがｄxy方向に異なる位置に存在していても、従来基板１００の領域ＸＹm-r乃至ＸＹm+r（図１４参照）のうちの同一の領域に存在しているのであれば（図１９において、例えば、凸部ｐ（８２ａ）及びｐ（８２ｉ）のペアと、凸部ｐ（８３ａ）及びｐ（８３ｉ）のペア）、或る凸部のペアで反射する反射光の光路差と別の凸部のペアで反射する反射光の光路差との違いはごく僅かであることに注意されたい。光路差の違いがごく僅かである場合（例えば、ΔＬxy１とΔＬxy２）、呈する色は似ているので、通常、観測者ＨＥは色の違いを識別できず、実質的に同一の色と認識する。従って、観測者ＨＥは、通常、各色Ｃm-r乃至Ｃm+rの幅Ｗｃ（図２０参照）を、２つの凸部の間の距離Ｄxyよりも大きい幅として認識することに注意されたい。
【００８５】
上記の考察によれば、図１６、図１８及び図２０に示すような縞模様を有する色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyが現れる原因は、従来基板１００上の帯状領域に、所定方向に並ぶ２つの凸部のペアが繰り返し現れることが原因と考えられる。従って、このような凸部のペアが繰り返し現れないようにすれば、色付きを解消又は低減させることができると考えられる。この目的のため、例えば、反射電極毎に異なる凹凸パターンを設計し、全ての反射電極の凹凸パターンを異ならせることが考えられる。この方法では、反射電極の凹凸パターンが異なるので、所定方向に並ぶ２つの凸部のペアが繰り返し現れないようにすることができ、従って、図２１に示すような色付きは生じないと考えられる。しかしながら、この方法では、反射電極毎に異なる凹凸パターンを設計する必要があるので、反射電極が多くなればなるほど、反射電極の凹凸パターンの設計が困難になる。例えばＱＶＧＡの携帯電話の場合、反射電極は２４０×３×３２０個備えられており、このような膨大な数の反射電極に対して異なる凹凸パターンを設計しなければならず、従って、この方法は、現実に利用できる方法ではない。
【００８６】
そこで、本願発明者は、膨大な数の凹凸パターンを設計することなく、容易に色付きを解消又は低減できるようにするため、図５を参照しながら説明したやり方で有機膜８を形成している。以下に、図５に示す有機膜８を形成することによって色付きが解消又は低減できる理由を説明する。
【００８７】
図５には、有機膜８の１２個の起伏部１８乃至１２８の対応する凸部１８ａ乃至１２８ａが示されている。図５に示す各起伏部は、図６に示す基本凹凸パターンを有するので、コンタクトホールＣＨの有無を除けば、各起伏部の凹凸パターンはｘｙ面内では同一である。しかしながら、起伏部ピッチＴｘと画素ピッチＳｘとの関係、及び起伏部ピッチＴｙと画素ピッチＳｙとの関係は、いずれも非整数倍の関係にあるので、対応する凸部どうしであっても、サブ画素領域内における凸部の位置が異なっていることに注意されたい。例えば、サブ画素領域Ａｒ１内の凸部２８ａは、サブ画素領域Ａｒ１内の左隅に位置しているが、一方、サブ画素領域Ａｇ３内の凸部８８ａは、サブ画素領域Ａｇ３内の右隅に位置している。このように、対応する凸部であっても、サブ画素領域内における凸部の位置が異なり、この結果、図２２に示すように、対応する凸部であってもｚ方向の高さがばらつく。
【００８８】
図２２は、図５の６個の起伏部２８、３８、５８、６８、８８及び９８の対応する６個の凸部２８ａ、３８ａ、５８ａ、６８ａ、８８ａ及び９８ａをｙ方向から見た概略断面図である。
【００８９】
６個の凸部２８ａ、３８ａ、５８ａ、６８ａ、８８ａ及び９８ａは互いに対応する凸部であるが、図２２に示すようにｚ方向の高さがばらつく。その結果、ｘ方向に隣り合う２つの凸部の高低差もばらつく。例えば、凸部２８ａと５８ａとの高低差ΔＨ１は、凸部５８ａと８８ａとの高低差ΔＨ３よりも小さく、凸部３８ａと６８ａとの高低差ΔＨ２は、凸部６８ａと９８ａとの高低差ΔＨ４よりも小さい。図２２には対応する凸部が６個しか示されていないが、この対応する凸部のｚ方向の高さのばらつきは、反射電極基板１（図１参照）全体に渡って生じている。これは、従来基板１００では対応する凸部のｚ方向の高さが等しい（図１１参照）ことと対照的である。第１実施例では、図２２に示すように、対応する凸部２８ａ、３８ａ、５８ａ、６８ａ、８８ａ及び９８ａであっても高さがばらつく点に着目している。対応する凸部であっても高さがばらつく有機膜８を形成した後、この有機膜８に反射電極（図２参照）を形成し、反射電極基板１が製造される。以下に、この反射電極基板１で反射した光の干渉について考察する。
【００９０】
図２３は、図１に示す領域Ｆの拡大図である。
【００９１】
図２３には、図２２に示す起伏部の対応する６個の凸部２８ａ、３８ａ、５８ａ、６８ａ、８８ａ及び９８ａにより形成された反射電極の６個の凸部ｐ（２８ａ）、ｐ（３８ａ）、ｐ（５８ａ）、ｐ（６８ａ）、ｐ（８８ａ）及びｐ（９８ａ）が具体的に示されている。
【００９２】
図２４は、図２３に示す６個の凸部ｐ（２８ａ）乃至ｐ（９８ａ）をｙ方向から見た概略断面図である。
【００９３】
図２２を参照しながら説明したように、矩形状起伏部の対応する凸部は高さがばらつくので、それに応じて、反射電極の凸部ｐ（２８ａ）乃至ｐ（９８ａ）もｚ方向の高さがばらつく。その結果、ｘ方向に隣り合う２つの凸部の高低差もばらつく。例えば、凸部ｐ（２８ａ）とｐ（５８ａ）との高低差ΔＨ１は、凸部ｐ（５８ａ）とｐ（８８ａ）との高低差ΔＨ３よりも小さく、凸部ｐ（３８ａ）とｐ（６８ａ）との高低差ΔＨ２は、凸部ｐ（６８ａ）とｐ（９８ａ）との高低差ΔＨ４よりも小さい。このように、凸部のペアの位置がｘ方向にずれると、それに伴なって高低差もばらつく。ここで、この高低差のばらつきは凸部のペアの位置がｙ方向にずれても生じることに注意されたい。例えば、凸部ｐ（２８ａ）とｐ（５８ａ）との高低差ΔＨ１は、凸部ｐ（３８ａ）とｐ（６８ａ）との高低差ΔＨ２よりも小さく、凸部ｐ（５８ａ）とｐ（８８ａ）との高低差ΔＨ３は、凸部ｐ（６８ａ）とｐ（９８ａ）との高低差ΔＨ４よりも小さい。斯かる高低差のばらつきは基板全体に渡って生じ、このような高低差のばらつきによって反射光の光路差もばらつく。例えば、反射光Ｌ28aとＬ58aとの光路差ΔＬｘ１は、反射光Ｌ38aとＬ68aとの光路差ΔＬｘ２とは異なり、反射光Ｌ58aとＬ88aとの光路差ΔＬｘ３は、反射光Ｌ68aとＬ98aとの光路差ΔＬｘ４とは異なる。従って、図２３では、図１５とは異なり、同一の光路差を生じさせる凸部のペアがｙ方向に現れず、この結果、図１６に示すような縦縞が現れないようにすることができる。図２３の場合、観測者ＨＥは基板上に以下のような色を認識する。
【００９４】
図２５は、観測者ＨＥが反射電極基板１上に認識する色の概念図である。
【００９５】
図２５には、反射電極基板１の一部の領域Ｆ内に現れる色が拡大して示されている。この拡大図に示すように、領域Ｆ内には、起伏部ピッチＴｘとＴｙとによって規定されるサブ領域内に、反射光の光路差に応じて種々の色Ｃ１、Ｃ２、…、Ｃｚが格子状に現れる。ここで、図２４を参照しながら説明したように、反射電極の凸部の高低差がばらつくことに起因して、反射光の光路差もばらつくことに注意されたい。この結果、領域Ｆには、種々の色が領域Ｆ内に分散されて現れる。従って、図２５では、図１６とは異なり、起伏部ピッチＴｘとＴｙとによって規定されるサブ領域毎に異なる色が現れ、所定方向に同一の色が現れない。このような狭いサブ領域毎に異なる色が分散している場合、観測者ＨＥは色の違いを見分けることができず、領域Ｆ内の種々の色を混色して認識する。基板上の領域Ｆ以外の領域も、領域Ｆと同様に、サブ領域毎に種々の色が分散して現れ、観測者ＨＥは、領域Ｆ以外の領域でも種々の色を混色して認識する。その結果、観測者ＨＥは反射電極基板１全体に渡って色付きを認識しない、又は観測者ＨＥが反射電極基板１全体に渡って認識する色付きが低減されると考えられる。
【００９６】
図２３乃至図２５は、ｘ方向に並ぶ２つの凸部が周期的に配列されることによって生じる反射光の干渉が説明されているが、その他の方向に並ぶ２つの凸部が周期的に配列されることによって生じる反射光の干渉も、図２５に示すように各色が格子状に並び、その結果色付きが解消又は低減されると考えられる。従って、観測者ＨＥの認識する色付きが基板全体に渡って解消又は低減すると考えられる。
【００９７】
第１実施例では、起伏部ピッチＴｘは画素ピッチＳｘよりも大きいが、これとは反対に、画素ピッチＳｘが起伏部ピッチＴｘより大きくてもよい。この場合は、画素ピッチＳｘが起伏部ピッチＴｘの非整数倍となるように、起伏部ピッチＴｘを規定すれば、やはり色付きを解消又は低減することができる。また、第１実施例では、起伏部ピッチＴｙは画素ピッチＳｙよりも小さいが、起伏部ピッチＴｙは画素ピッチＳｙより大きくてもよい。この場合は、起伏部ピッチＴｙが画素ピッチＳｙの非整数倍となるように、起伏部ピッチＴｙを規定すれば、やはり色付きを解消又は低減することができる。
【００９８】
また、第１実施例において、起伏部ピッチＴｘは画素ピッチＳｘの１７／８倍に規定されているので、起伏部の対応する凸部は、ｘ方向に関しては１７Ｓｘ（画素ピッチＳｘの１７倍）の周期で同じ高さとなる。このように、第１実施例では、ｘ方向に関しては１７Ｓｘ（画素ピッチＳｘの１７倍）の周期で同じ高さの凸部が現れる。色付きをより効果的に低減する観点から考えると、同じ高さを有する凸部の間隔は或る程度の大きいことが望ましく、例えば約１ｍｍあることが好ましい。Ｓｘの値は例えば８０μｍとすることができるので、この場合、１７Ｓｘ＝１．３６ｍｍとなる。従って、第１実施例の場合は、ｘ方向に関しては同じ高さの凸部が現れる周期は１．３６ｍｍであるので、色付きの低減には十分な効果がある。一方、起伏部ピッチＴｙは画素ピッチＳｘの１９／２４倍に規定されているので、対応する凸部は、ｙ方向に関しては１９９Ｓｙ（画素ピッチＳｙの１９倍）の周期で同じ高さとなる。このように、第１実施例では、ｙ方向に関しては１９Ｓｙ（画素ピッチＳｙの１９倍）の周期で同じ高さの凸部が現れる。Ｓｙの値は例えば２４０μｍとすることができるので、この場合、１９Ｓｙ＝４．５６ｍｍとなる。従って、第１実施例の場合は、ｙ方向に関しては同じ高さの凸部が現れる周期は４．５６ｍｍであるので、色付きの低減には十分な効果がある。尚、色付きを十分に低減することができるのであれば、同じ高さの凸部が現れる周期は、１ｍｍより短くてもよい。
【００９９】
また、第１実施例では、サブ画素領域が並ぶｘ方向及びｙ方向に着目し、ｘ方向及びｙ方向にそれぞれ起伏部ピッチＴｘ及びＴｙで並ぶ起伏部を有する有機膜８を形成することによって、色付きを解消又は低減している。しかしながら、サブ画素領域は、ｘ方向及びｙ方向以外の第３の方向（例えば、図５において、サブ画素領域Ａｒ２とＡｂ１とが並ぶ方向や、サブ画素領域Ａｒ２とＡｂ３とが並ぶ方向）にも並んでいるので、この第３の方向に着目し、第３の方向に所定の起伏部ピッチで並ぶ起伏部を有する有機膜を形成してもよい。しかしながら、より効果的に色付きを低減するには、ｘ方向及びｙ方向にそれぞれ起伏部ピッチＴｘ及びＴｙで並ぶ起伏部を有する有機膜８を形成する方が好ましい。
【０１００】
また、第１実施例では、起伏部ピッチＴｘと画素ピッチＳｘとの関係、及び起伏部ピッチＴｙと画素ピッチＳｙとの関係は、いずれも非整数倍であるが、いずれか一方の関係のみを非整数倍としても、色付きの低減を図ることができる。以下に、起伏部ピッチＴｘと画素ピッチＳｘとの関係のみを非整数倍にした第２実施例について説明する。
【０１０１】
図２６は、起伏部ピッチＴｘと画素ピッチＳｘとの関係のみを非整数倍にした第２実施例の反射電極基板の平面図である。
【０１０２】
反射電極基板は、矩形状起伏部１８乃至８８を有する有機膜８を有する。この有機膜８上に、反射電極Ｅｒ１、Ｅｇ１及びＥｂ１等が形成される。図２６には、反射電極の６個の凸部ｐ（１８ａ）乃至ｐ（６８ａ）と、６個の凸部ｐ（１８ｃ）乃至ｐ（６８ｃ）が具体的に示されている。６個の凸部ｐ（１８ａ）乃至ｐ（６８ａ）は、６個の矩形状起伏部１８乃至６８の対応する６個の凸部１８ａ乃至６８ａにより形成される。反射電極の残りの６個の凸部ｐ（１８ｃ）乃至ｐ（６８ｃ）は、６個の矩形状起伏部１８乃至６８の対応する６個の凸部１８ｃ乃至６８ｃにより形成される。
【０１０３】
図２７は、図２６に示すｘ方向に並ぶ凸部ｐ（１８ａ）、ｐ（３８ａ）及びｐ（５８ａ）をｙ方向から見た概略断面図である。
【０１０４】
起伏部ピッチＴｘと画素ピッチＳｘとの関係は、非整数倍であるので、凸部の高低差は、図２４と同様に、２つの凸部のペアの位置がｘ方向にずれることによって異なる。例えば、凸部ｐ（１８ａ）とｐ（３８ａ）との高低差ΔＨ１は、凸部ｐ（３８ａ）とｐ（５８ａ）との高低差ΔＨ２よりも大きい。ところが、図２６では、図２３と異なり、起伏部ピッチＴｙが画素ピッチＳｙと一致しているので、２つの凸部のペアの位置がｙ方向にずれても、２つの凸部の高低差は同じであることに注意されたい。例えば、凸部ｐ（２８ａ）とｐ（４８ａ）のペアは、凸部ｐ（１８ａ）とｐ（３８ａ）のペアに対して相対的にｙ方向に移動した位置に存在しているので、凸部ｐ（２８ａ）とｐ（４８ａ）との高低差も、ΔＨ１となる。このように、２つの凸部のペアの位置がｙ方向にずれても、凸部の高低差は同じであるので、ｘ方向に起伏部ピッチＴｘで並ぶ凸部での反射光の干渉を考えると、この場合の干渉色は、図１６に示すような縦縞を有すると考えられる（つまり、図２５とは異なり、色をランダムに分散させることができない）。しかしながら、図２６では、起伏部ピッチＴｘと画素ピッチＳｘとの関係が非整数倍であるので、ｙ方向以外の方向に並ぶ２つの凸部の高低差をばらつかせることができる。このことを説明するために、ｙ方向とは異なるｄxy方向に並ぶ２つの凸部ｐ（１８ａ）及びｐ（１８ｃ）のペアと、凸部ｐ（４８ａ）及びｐ（４８ｃ）のペアを考える。
【０１０５】
図２８は、図２６に示す凸部ｐ（１８ａ）及びｐ（１８ｃ）のペアと、凸部ｐ（４８ａ）及びｐ（４８ｃ）のペアをｄxy’方向から見た概略断面図である。
【０１０６】
ｄxy方向に並ぶ凸部ｐ（１８ａ）とｐ（１８ｃ）との高低差ΔＨ１は、ｄxy方向に並ぶ凸部ｐ（４８ａ）とｐ（４８ｃ）との高低差ΔＨ２よりも小さい。従って、ｄxy方向に並ぶ凸部での反射光の干渉を考えると、この場合は、図２５に示すように各色をランダムに分散させることができる。従って、例えば、起伏部ピッチＴｘと画素ピッチＳｘとの関係のみを非整数倍にしても、従来と比較して、色付きの低減が可能である。
【０１０７】
尚、第１及び第２実施例では、サブ画素領域が周期的に並ぶ方向に対して、画素ピッチと起伏部ピッチとを非整数倍することによって、色付きを解消又は低減する方法が記載されているが、別の方法でも、色付きを解消又は低減することが可能である。以下に、この別の方法について説明する。
【０１０８】
図２９は、第１及び第２実施例とは別の方法で色付きを解消又は低減することが可能な第３実施例の反射電極基板１の一部平面図である。
【０１０９】
サブ画素領域はｘｙ面内を２次元的に並んでいるので、サブ画素領域はｘ方向及びｙ方向に並ぶだけでなく、例えば、ｄ１方向乃至ｄ７方向にも並び、その結果、サブ画素領域は多数の方向に並んでいる。第３実施例では、このような多数の方向のうち、２つの方向、即ち、サブ画素領域が最も短いピッチＳｘで並ぶｘ方向と、次に短いピッチＳｙで並ぶｙ方向とに着目している。起伏部１８乃至１２８も、反射電極と同様に、多数の方向に並んでいるが、起伏部１８乃至１２８についても、2つの方向、即ち、起伏部１８乃至１２８が最も短いピッチＴｘで並ぶｘ’方向と、次に短いピッチＴｙで並ぶｙ’方向とに着目している。第３実施例では、起伏部１８乃至１２８の着目した２つの方向（ｘ’方向及びｙ’方向）が、サブ画素領域の着目した２つの方向（ｘ方向及びｙ方向）に対して交差するように、有機膜８が形成されている。このように有機膜８を形成することによっても、起伏部１８乃至１２８の対応する凸部の高さがばらつき、その結果、色付きを解消又は低減することが可能である。第３実施例では、起伏部ピッチＴｘ及びＴｙがそれぞれ画素ピッチＳｘ及びＳｙと一致していてたとしても、起伏部１８乃至１２８の対応する凸部の高さがばらつく。従って、図２９では、起伏部ピッチと画素ピッチとの関係が整数倍であるか非整数倍であるかを考慮しなくても、色付きを解消又は低減することができる。また、第３実施例のように、起伏部の並ぶ方向を画素の並ぶ方向に対して交差させることによって、モアレの低減を図ることも可能になる。
【０１１０】
尚、図２９では、有機膜８は、２つの起伏部ピッチＴｘ及びＴｙの各々が２つの画素ピッチＳｘとＳｙとの両方に対して交差するように形成されている。しかしながら、２つの起伏部ピッチＴｘ及びＴｙのいずれか一方のみが２つの画素ピッチＳｘとＳｙとの両方に対して交差するように有機膜８が形成されていても、色付きを低減することが可能である。また、図２９では、有機膜８の起伏部ピッチのうち、起伏部ピッチＴｘ’が最も小さく、その次に起伏部ピッチＴｙ’が小さい例が示されているが、起伏部ピッチＴｘ’及びＴｙ’は等しくてもよい。この場合であっても、互いに等しい２つの起伏部ピッチＴｘ’及びＴｙ’のいずれか一方又は両方が、２つの画素ピッチＳｘとＳｙとの両方に対して交差するように形成されていれば、色付きを低減することが可能である。また、図２９では、画素ピッチはＳｘはＳｙより小さいが、ＳｘはＳｙと等しくてもよい。この場合であっても、２つの起伏部ピッチＴｘ及びＴｙのいずれか一方又は両方が、画素ピッチＳｘとＳｙとの両方に対して交差するように形成されていれば、色付きを低減することが可能である。
【０１１１】
また、第１乃至第３実施例の反射電極基板を画像表示装置に適用した場合、従来基板１００を画像表示装置に適用した場合と比較して、基板で反射した光の利用効率を向上させることができる。以下、この理由について説明する。
【０１１２】
従来基板１００では、有機膜８０の凹凸パターンを設計する場合、隣接する２つのサブ画素領域毎に図９に示す矩形状起伏部の凹凸パターンを先ず設計し、次に、隣接する矩形状起伏部の間を埋めるように設けられる第１及び第２の直線状起伏部９１及び９２（図８参照）の凹凸パターンが設計される。このような設計に基づいて有機膜８０を形成すると、第１及び第２の直線状起伏部９１及び９２の断面形状が、矩形状起伏部の断面形状とは異なる（図３０参照）。
【０１１３】
図３０は、従来基板１００の第１及び第２の直線状起伏部９１及び９２（図８参照）の断面形状の概略を表すプロファイルと、従来基板１００の矩形状起伏部の断面形状の概略を表すプロファイルである。
【０１１４】
図３０には、第１及び第２の直線状起伏部９１及び９２（図８参照）の断面形状の概略を表すプロファイルが実線で示されており、矩形状起伏部の断面形状の概略を表すプロファイルが破線で示されている。矩形状起伏部のプロファイルは、破線で示されるように、同じような起伏が繰り返し現れるが、一方、第１及び第２の直線状起伏部のプロファイルは、緩やかな起伏と急峻な起伏とが混在して現れる。このような緩やかな起伏及び急峻な起伏は、従来基板１００を画像表示装置に適用した場合に光の利用効率の低下の原因となる。
【０１１５】
これに対して、第１乃至第３の実施例の反射電極基板では、有機膜８の凹凸パターンを設計する場合、サブ画素領域とは無関係に図６に示す凹凸パターンを設計し、この設計した凹凸パターンを敷き詰めるように並べることによって有機膜８全体の凹凸パターンが設計される。従って、図３０の実線で示される緩やかな起伏と急峻な起伏が生じないようにすることができ、その結果、反射電極基板１を画像表示装置に適用した場合、光の利用効率の向上が図られるという利点もある。
【０１１６】
また、第１乃至第３実施例の反射電極基板を画像表示装置に適用した場合、従来基板１００を画像表示装置に適用した場合と比較して、コントラストを向上させることが可能である。この理由について以下に説明する。
【０１１７】
従来基板１００を用いて画像表示装置を構成する場合、色付きが生じないように、従来基板１００の表面には、光を拡散させる機能を有する拡散フィルムが設けられる。しかしながら、拡散フィルムはコントラストを低下させる原因となる。
【０１１８】
これに対して、第１乃至第３実施例の反射電極基板は、有機膜８の起伏部ピッチ又は起伏部の並ぶ方向を調整することによって、色付きが解消又は低減されている。従って、色付きが完全に解消されている場合は、反射電極基板１に拡散フィルムを備える必要がなく、コントラストの低下が防止される。一方、色付きが完全に解消されておらず色付きが僅かに認識できる場合は、色付きを完全に解消するには従来基板と同様に拡散フィルムが必要となる。しかしながら、第１乃至第３実施例の反射電極基板１は、拡散フィルムを備えなくても色付きは或る程度軽減しているので、第１乃至第３実施例の反射電極基板１に必要な拡散フィルムとして、従来基板１００に必要な拡散フィルムよりも拡散性能が低いものを使用することができる。従って、画像表示装置に、第１乃至第３実施例の反射電極基板を用いることによって、従来基板を用いるよりも、コントラストの低下を抑えることができる。
【０１１９】
尚、第１乃至第３実施例では、有機膜８が有する起伏部は繋がっているが、これら起伏部は、例えば、各起伏部毎に分離されていてもよい。
【０１２０】
また、第１乃至第３実施例では、サブ画素はストライプ配列で配列されているが、本発明は、サブ画素がストライプ配列以外のやり方（例えば、デルタ配列）で配列されていてもよい。この場合であっても、起伏部ピッチと画素ピッチとの関係を非整数倍にする、又は起伏部の並ぶ方向をサブ画素（反射電極）の並ぶ方向に対して交差させることによって、色付きを解消又は低減することができる。
【０１２１】
また、第１乃至第３実施例では、１画素が３つのサブ画素で構成された例が示されているが、本発明は、１画素が、例えば４つのサブ画素で構成されていてもよい。この場合であっても、起伏部ピッチと画素ピッチとの関係を非整数倍にする、又は起伏部の並ぶ方向をサブ画素（反射電極）の並ぶ方向に対して交差させることによって、色付きを解消又は低減することができる。
【０１２２】
更に、第１乃至第３実施例では、カラーの画像表示させるために使用される反射電極基板が示されているが、本発明は、モノクロ画像を表示させるための反射電極基板にも適用できる。反射電極基板がモノクロ画像の表示用に構成されている場合、１画素に形成される反射電極は１つであるが、この場合であっても、起伏部ピッチと画素ピッチとの関係を非整数倍にする、又は起伏部の並ぶ方向を画素（反射電極）の並ぶ方向に対して交差させることによって、色付きを解消又は低減することができる。
【０１２３】
また、第１乃至第３実施例では、起伏部の凹凸パターンは、コンタクトホールＣＨの有無を除けば、どの起伏部も図６に示す凹凸パターンで表すことができる。従って、反射電極基板１の全体に渡って、個々の起伏部に対して異なる凹凸パターンを設計する必要は無く、起伏部の凹凸パターンの設計が容易になるという利点がある。
【０１２４】
更に、第１乃至第３実施例の反射電極基板１では、各サブ画素は光を反射する反射機能のみを有しており、光を透過する透過機能は有していないが、各サブ画素が、反射機能と透過機能との両方を備えている場合でも、本発明を適用することができる。
また、第１乃至第３実施例では、反射電極が各サブ画素領域毎に分離された例に本発明を適用しているが、例えばｘ方向に延在するライン状の反射電極を備えた例に本発明を適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
光を反射させることによって画像を表示する画像表示装置に利用の可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】図１は、本発明の反射構造体の第１実施例である、反射電極Ｅを有する反射電極基板１を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す領域Ｆの拡大平面図である。
【図３】図３は、各画素領域にＴＦＴが形成された基板を示す平面図である。
【図４】図４は、図３のサブ画素領域Ａｒ１のIV−IVラインに沿う断面図である。
【図５】図５は、凹凸の起伏面を有する有機膜８が形成された基板の平面図である。
【図６】図６は、図４に示す各起伏部１８乃至１２８が有する凹部及び凸部のｘｙ面内における分布パターンを示す図である。
【図７】図７は、コンタクトホールＣＨを有する起伏部のｘｙ面内における凹凸分布パターンの一例を示す図である。
【図８】図８は、画素ピッチＳｘ及びＳｙに対してそれぞれ整数倍の起伏部ピッチＴｘ’及びＴｙ’で並ぶ起伏部を有する有機膜８０が形成された後の基板の平面図である。
【図９】図９は、図８に示す有機膜８０が有する矩形状起伏部８１の拡大詳細図である。
【図１０】図１０は、図８の矩形状起伏部８１のサブ画素領域Ａｒ１側に存在する６個の凸部８１ａ乃至８１ｆの概略断面図である。
【図１１】図１１は、図８に示す矩形状起伏部８１内の２つの凸部８１ａ及び８１ｂと、それぞれに対応する矩形状起伏部８３内の２つの凸部８３ａ及び８３ｂとを含む断面図である。
【図１２】図１２は、反射電極Ｅｒ１、Ｅｇ１及びＥｂ１等が形成された基板の平面図である。
【図１３】図１３は、図１２に示す反射電極Ｅｒ１の凸部ｐ（８１ａ）及び反射電極Ｅｂ１の凸部ｐ（８３ａ）を含む一部断面図である。
【図１４】図１４は、従来基板１００に光を照射するときの説明図である。
【図１５】図１５は、図１４に示す領域Ｆの拡大図である。
【図１６】図１６は、観測者ＨＥが従来基板１００上に認識する色プロファイルのシミュレーション結果である。
【図１７】図１７は、図１４に示す領域Ｆの拡大図である。
【図１８】図１８は、観測者ＨＥが基板上に認識する色プロファイルのシミュレーション結果である。
【図１９】図１９は、図１４に示す領域Ｆの拡大図である。
【図２０】図２０は、観測者ＨＥが基板上に認識する色プロファイルのシミュレーション結果である。
【図２１】図２１は、色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyが重なった状態を示す図である。
【図２２】図２２は、図５の６個の起伏部２８、３８、５８、６８、８８及び９８の対応する６個の凸部２８ａ、３８ａ、５８ａ、６８ａ、８８ａ及び９８ａをｙ方向から見た概略断面図である。
【図２３】図２３は、図１に示す領域Ｆの拡大図である。
【図２４】図２４は、図２３に示す６個の凸部ｐ（２８ａ）乃至ｐ（９８ａ）をｙ方向から見た概略断面図である。
【図２５】図２５は、観測者ＨＥが反射電極基板１上に認識する色の概念図である。
【図２６】図２６は、起伏部ピッチＴｘと画素ピッチＳｘとの関係のみを非整数倍にした第２実施例の反射電極基板の平面図である。
【図２７】図２７は、図２６に示すｘ方向に並ぶ凸部ｐ（１８ａ）、ｐ（３８ａ）及びｐ（５８ａ）をｙ方向から見た概略断面図である。
【図２８】図２８は、図２６に示す凸部ｐ（１８ａ）及びｐ（１８ｃ）のペアと、凸部ｐ（４８ａ）及びｐ（４８ｃ）のペアをｄxy’方向から見た概略断面図である。
【図２９】図２９は、第１及び第２実施例とは別の方法で色付きを解消又は低減することが可能な第３実施例の反射電極基板１の一部平面図である。
【図３０】図３０は、従来基板１００の第１及び第２の直線状起伏部９１及び９２（図８参照）の断面形状の概略を表すプロファイルと、従来基板１００の矩形状起伏部の断面形状の概略を表すプロファイルである。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、互いに対応する位置に凹部又は凸部を有する複数の第１の起伏面であって、第１の方向に第１の起伏面ピッチで並ぶ複数の第１の起伏面を有する第１の基体、及び上記第１の基体に形成された反射手段を有する反射構造体に関する。
本発明は、対応する位置に凹部又は凸部を有し複数の起伏面方向に並ぶ複数の起伏面を有する第２の基体、及び上記第２の基体に形成された反射手段を有する反射構造体にも関する。
本発明は、更に、斯かる反射構造体を有する画像表示装置にも関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話などのモバイル機器は、画像を高精細で表示することが要求されており、これに伴い高精細画像の表示が可能なモバイル機器が急速に普及している。しかしながら、このようなモバイル機器の画面に表示された画像を見ると、画面を見ているユーザは、画面上に、いわゆる色付き（以下、単に「色付き」と呼ぶ）を認識する場合がある。このような色付きは、特にモバイル機器を屋外で使用した場合に顕著に表れる。色付きは、ユーザが画面上に表示された画像を見るときの妨害となるので、色付きを解消又は低減することが要求されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、色付きの解消又は低減が図られた反射構造体及びこの反射構造体が適用された画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成する本発明の反射構造体は、互いに対応する位置に凹部又は凸部を有する複数の第１の起伏面であって、第１の方向に第１の起伏面ピッチで並ぶ複数の第１の起伏面を有する第１の基体、及び上記第１の基体に形成された反射手段を有する反射構造体であって、上記第１の基体が、高さの異なる部分を有する第１の下地面を複数有する第１の支持体、及び上記第１の支持体に形成された複数の第１の起伏部であって、上記複数の第１の起伏面のうちの対応する第１の起伏面を有する複数の第１の起伏部、を有し、上記複数の第１の下地面が、上記第１の方向に第１の下地面ピッチで並び、上記第１の起伏面ピッチ及び第１の下地面ピッチのうちの大きい方のピッチが、小さい方のピッチの非整数倍である。このような構成によって、色付きを解消又は低減することができる。
【０００５】
本発明の反射構造体では、上記複数の第１の起伏部が、上記第１の起伏面ピッチと同じ第１の起伏部ピッチで並んでいてもよい。
【０００６】
本発明の反射構造体では、上記複数の第１の起伏部が繋がっていてもよい。
【０００７】
本発明の反射構造体では、上記第１の下地面ピッチを第１の画素ピッチとすることができる。
【０００８】
本発明の反射構造体では、上記反射手段が、上記第１の方向に上記第１の画素ピッチで並んでいてもよい。
【０００９】
本発明の反射構造体では、上記第１の支持体が、上記第１の方向に上記第１の画素ピッチで並ぶ複数の第１の導電ライン、及び上記第１の方向に上記第１の画素ピッチで並ぶ複数の第１の駆動素子であって、上記複数の第１の導電ラインのうちの対応する第１の導電ラインから、上記複数の第１の反射板のうちの対応する第１の反射板にデータを供給するための複数の第１の駆動素子、を有することができる。このような構造により、起伏部の対応する凸部の高さをばらつかせることができる。
【００１０】
本発明の反射構造体では、上記第１の基体が、互いに対応する位置に凹部又は凸部を有する複数の第２の起伏面であって、第２の方向に第２の起伏面ピッチで並ぶ複数の第２の起伏面を有することができる。
【００１１】
本発明の反射構造体では、上記第１の支持体が、高さの異なる部分を有する第２の下地面を複数有し、上記第１の基体が、上記第１の支持体に形成された複数の第２の起伏部であって、上記複数の第２の起伏面のうちの対応する第２の起伏面を有する複数の第２の起伏部を有し、上記複数の第２の下地面が、上記第２の方向に第２の下地面ピッチで並び、上記第２の起伏面ピッチ及び第２の下地面ピッチのうちの大きい方のピッチが、小さい方のピッチの非整数倍とすることができる。
【００１２】
本発明の反射構造体では、上記複数の第２の起伏部が、上記第２の起伏面ピッチと同じ第２の起伏部ピッチで並んでいてもよい。
【００１３】
本発明の反射構造体では、上記複数の第２の起伏部が繋がっていてもよい。
【００１４】
本発明の反射構造体では、上記第２の下地面ピッチを第２の画素ピッチとすることができる。
【００１５】
本発明の反射構造体では、上記第１の支持体が、上記第２の方向に上記第２の画素ピッチで並ぶ複数の第２の導電ライン、及び上記第２の方向に上記第２の画素ピッチで並ぶ複数の第２の駆動素子であって、上記複数の第２の導電ラインのうちの対応する第２の導電ラインにより制御される複数の第２の駆動素子、を有することができる。
【００１６】
本発明の反射構造体では、上記反射手段が、上記複数の第２の駆動素子に対応して備えられた複数の第２の反射板を有することができる。
【００１７】
本発明の反射構造体では、上記第２の起伏面が、上記第１の起伏面の凸部又は凹部に対応する位置に凹部又は凸部を有することができる。
【００１８】
本発明の反射構造体では、上記第１及び第２の方向が、それぞれ行方向及び列方向とすることができる。
【００１９】
また、本発明の別の反射構造体では、対応する位置に凹部又は凸部を有し複数の起伏面方向に並ぶ複数の起伏面を有する第２の基体、及び上記第２の基体に形成された反射手段を有する反射構造体であって、上記第２の基体が、高さの異なる部分を有する下地面を複数有する第１の支持体、及び上記第１の支持体に形成された複数の起伏部であって、上記複数の起伏面のうちの対応する起伏面を有する複数の起伏部、を有し、上記複数の下地面が、上記複数の下地面方向のうちの第１の下地面方向に、最も小さい第１の下地面ピッチで並び、上記複数の下地面方向のうちの第２の下地面方向に、上記第１の下地面ピッチと同じ又は上記第１の下地面ピッチの次に小さい第２の下地面ピッチで並び、上記複数の起伏面が、上記複数の起伏面方向のうちの第１の起伏面方向に、最も小さい第１の起伏面ピッチで並び、上記複数の起伏面方向のうちの第２の起伏面方向に、上記第１の起伏面ピッチと同じ又は上記第１の起伏面ピッチの次に小さい第２の起伏面ピッチで並び、上記第１及び第２の起伏面方向のうちの少なくとも一方が、上記第１及び第２の下地面方向とは異なる方向とする。このような構成によって、色付きを解消又は低減することができる。
【００２０】
本発明の別の反射構造体では、上記複数の第１の起伏部が繋がっていてもよい。
【００２１】
本発明の別の反射構造体では、上記第１の下地面ピッチを第１の画素ピッチとすることができる。
【００２２】
本発明の別の反射構造体では、上記反射手段が、上記第１の方向に上記第１の画素ピッチで並ぶ複数の第１の反射板を有することができる。
【００２３】
本発明の別の反射構造体では、上記第１の支持体が、上記第１の方向に上記第１の画素ピッチで並ぶ複数の第１の導電ライン、及び上記第１の方向に上記第１の画素ピッチで並ぶ複数の第１の駆動素子であって、上記複数の第１の導電ラインのうちの対応する第１の導電ラインから、上記複数の第１の反射板のうちの対応する第１の反射板にデータを供給するための複数の第１の駆動素子、を有することができる。
【００２４】
本発明の別の反射構造体では、上記第２の支持体が、上記第２の方向に上記第２の画素ピッチで並ぶ複数の第２の導電ライン、及び上記第２の方向に上記第２の画素ピッチで並ぶ複数の第２の駆動素子であって、上記複数の第２の導電ラインのうちの対応する第２の導電ラインにより制御される複数の第２の駆動素子、を有することができる。
【００２５】
本発明の別の反射構造体では、上記反射手段が、上記複数の第２の駆動素子に対応して備えられた複数の第２の反射板を有することができる。
【００２６】
尚、反射手段は、第１の方向に延在する反射ラインを有していてもよい。
【００２７】
また、本発明の画像表示装置は、上記の反射構造体を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は、本発明の反射構造体の第１実施例である、反射電極Ｅを有する反射電極基板１を示す斜視図である。この反射電極基板１は、例えば、液晶表示装置などの画像表示装置を構成する基板として用いることができる。
【００２９】
この反射電極基板１は、行列状に配された多数の反射電極Ｅと、外部回路に接続するための端子部ＴＧを有する。
【００３０】
図２は、図１に示す領域Ｆの拡大平面図である。
【００３１】
反射電極基板１は、表面に凹凸を有する有機膜８を備えている。この有機膜８の上に反射電極Ｅｒ１等が形成されている。有機膜８が凹凸を有するので、それに応じて、反射電極も凹凸を有する。図２では、赤の画像を表示するための反射電極Ｅｒ１、緑の画像を表示するための反射電極Ｅｇ１、青の画像を表示するための反射電極Ｅｂ１等が、ｘ方向（行方向）及びｙ方向（列方向）にそれぞれ画素ピッチＳｘ及びＳｙで順に並んでいる。ここで、有機膜８の凹凸パターンは、サブ画素領域とは独立して設計されていることに注意されたい。この実施例では、有機膜８の凹凸パターンをサブ画素領域とは独立して設計することによって、後述するように、有機膜８の凹凸パターンを容易に設計することが達成され、更に、観測者が反射電極基板１を見たときにほとんど色付きを認識しないようにすることも達成されている。以下、この反射電極基板１の製造方法について説明する。
【００３２】
まず、反射電極基板１を製造するに当たって、ガラス基板上の各画素領域毎にＴＦＴを形成する。
【００３３】
図３は、各画素領域にＴＦＴが形成された基板を示す平面図である。
【００３４】
図３には、ｘ及びｙ方向にそれぞれ画素ピッチＳｘ及びＳｙで並ぶサブ画素領域Ａｒ１、Ａｇ１及びＡｂ１等が一点鎖線で囲まれている。各サブ画素領域には、ＴＦＴが形成されている。斯かるＴＦＴは、ガラス基板に、ゲート電極２、ゲートライン３、半導体層４、ソース電極５、ソースライン６、及びドレイン電極７等を形成することによって製造される。ゲートライン３はｙ方向に画素ピッチＳｙで並んでおり、ソースライン６は、ｘ方向に画素ピッチＳｘで並んでいる。また、ＴＦＴは、ｘ方向及びｙ方向にそれぞれ画素ピッチＳｘ及びＳｙで並んでいる。
【００３５】
図４は、図３のサブ画素領域Ａｒ１のIV−IVラインに沿う断面図である。
【００３６】
ガラス基板５０上にはソースライン６が形成されているので、ソースライン６形成後の基板の表面は、ｚ方向の位置が相対的に異なる部分Ｋ１及びＫ２を有する面（以下、「下地面」という）Ｓｆを有する。図４には、ソースライン６によって形成される部分Ｋ１が示されているが、ゲートライン２及びＴＦＴによってもｚ方向の位置が相対的に異なる部分が形成されることに注意されたい。また、本実施例では、矩形状起伏部８１の下にＣｓラインは形成されていないが、Ｃｓラインが形成されているとすると、このＣｓラインによっても、高さが異なる部分が形成される。ここで、斯かる部分Ｋ１及びＫ２を有する下地面Ｓｆを構成する要因となるＴＦＴ、ゲートライン３及びソースライン６等は、図３に示すように、ｘ方向及びｙ方向にそれぞれ画素ピッチＳｘ及びＳｙで並んでいることに注意されたい。このような理由で、図４に示す部分Ｋ１及びＫ２を有する下地面Ｓｆは、サブ画素領域Ａｒ１以外の他のサブ画素領域にも形成され、その結果、図４に示すような下地面Ｓｆは、ｘ方向及びｙ方向にそれぞれ画素ピッチＳｘ及びＳｙで並んでいることにも注意されたい。
【００３７】
図３に示すように、各サブ画素領域にＴＦＴを形成した後、表面に凹凸を有する反射電極を形成する目的で、反射電極を形成する前に、凹凸の起伏面を有する有機膜を形成する（図５参照）。
【００３８】
図５は、凹凸の起伏面を有する有機膜８が形成された基板の平面図である。
【００３９】
有機膜８は、後に形成される反射電極をドレイン電極に接続するためのコンタクトホールＣＨを有している。更に、有機膜８は、凹凸を有する多数の起伏部を有している。図５には、これら多数の起伏部のうちの代表して１２個の起伏部１８乃至１２８が、実線で区分けされて示されている。この有機膜８は、例えば、単層膜として形成してもよく、又は多数の突起とその突起を覆う平坦化膜との組み合わせによって形成してもよい。
【００４０】
図６は、図４に示す各起伏部１８乃至１２８が有する凹部及び凸部のｘｙ面内における分布パターンを示す図である。
【００４１】
図６に示す白色の多角形は凸部を示し、白色の多角形に挟まれた太線は凹部を表している。凸部は起伏部内にランダム配置され、凹部は、凸部の間を縫うように広がっている。有機膜８の起伏部は、いずれの起伏部も、基本的には図６に示す凹凸分布を有しているが、起伏部内にコンタクトホールＣＨが必要な場合は、図６に示す凹凸パターンに、コンタクトホールＣＨが追加されることに注意されたい。例えば、ｘ方向に並ぶ４つの起伏部３８、６８、９８及び１２８は、コンタクトホールＣＨが不要であるので、図６に示す凹凸分布を有するが、一方、その他の８個の起伏部１８、２８、４８、５８、７８、８８、１０８、１１８は、コンタクトホールＣＨが必要であるので、図６に示す凹凸パターンに対してコンタクトホールＣＨが追加される。例えば、起伏部１８の凹凸分布は、図７のように示される。図７では、図６と異なり、２つのサブ画素領域Ａｒ１及びＡｇ１内のドレイン電極に対応して、２つのコンタクトホールＣＨが追加されている。但し、コンタクトホールＣＨが追加されていることを除けば、ｘｙ面内において図６の凹凸分布と図７の凹凸分布は同じであることにも注意されたい。尚、起伏部の凹凸パターンは、上記の凹凸パターンに限られず、例えば、図６に示す凹凸パターンを反転させたようなパターンであってもよい。また、図６及び図７に示すように、起伏部は略矩形状であるが、別の形状（例えば、略六角形状）であってもよい。
【００４２】
このような凹凸パターンを有する起伏部１８乃至１２８は、図５に示すように行列状に並んでいる。これら起伏部１８乃至１２８は、ｘ方向には起伏部ピッチＴｘで並び、ｙ方向には起伏部ピッチＴｙで並んでおり、その結果、ｘ方向及びｙ方向に対して斜めのｄｓ方向には起伏部ピッチＴｓで並んでいる。起伏部ピッチＴｘ及びＴｙはそれぞれ画素ピッチＳｘ及びＳｙとは異なっている。また、起伏部ピッチＴｘは画素ピッチＳｘより大きく、起伏部ピッチＴｙは画素ピッチＳｙより小さい。ここで、起伏部ピッチＴｘは画素ピッチＳｘの整数倍とはならないように規定され、起伏部ピッチＴｙは、このピッチＴｙを整数倍しても画素ピッチＳｙとはならないように規定されていることに注意されたい。第１実施例では、Ｔｘ＝（１７／８）Ｓｘに規定され、Ｔｙ＝（１７／２３）Ｓｙに規定されているが、これに限定されないことに注意されたい。上記のように規定された起伏部を有する有機膜８を形成した後、図２に示すように反射電極Ｅｒ１、Ｅｇ１、及びＥｂ１等が形成される。反射電極Ｅｒ１、Ｅｇ１、及びＥｂ１等は起伏部を有する有機膜８に形成されるので、反射電極も、有機膜８の起伏部の凹凸パターンに対応した凹凸パターンを有する。
【００４３】
上記のように、有機膜８の起伏部ピッチＴｘ及びＴｙと、画素ピッチＳｘ及びＳｙとの関係は、整数倍ではなく、非整数倍の関係である。起伏部ピッチと画素ピッチとの関係を非整数倍に規定することによって、反射電極基板１上に認識される色付きを効果的に低減することができる。以下、この理由について、有機膜が画素ピッチに対して整数倍のピッチで並ぶ起伏部を有する場合と比較しながら説明する。
【００４４】
図８は、画素ピッチＳｘ及びＳｙに対してそれぞれ整数倍の起伏部ピッチＴｘ’及びＴｙ’で並ぶ起伏部を有する有機膜８０が形成された後の基板の平面図である。
【００４５】
有機膜８０は矩形状起伏部、第１の直線状起伏部、及び第２の直線状起伏部を有している。図８には、代表して、８つの矩形状起伏部８１乃至８８と、これら８つの矩形状起伏部８１乃至８８の間に連なり、ｘ方向に延在する第１の直線状起伏部９１及びｙ方向に延在する第２の直線状起伏部９２とが示されている。矩形状起伏部８１乃至８８は、ｘ方向に画素ピッチＳｘに対して２倍の起伏部ピッチＴｘ’（＝２Ｓｘ）で並び、ｙ方向に画素ピッチＳｙと同じ起伏部ピッチＴｙ’（＝Ｓｙ）で並んでいる。従って、第１の直線状起伏部９１及び第２の直線状起伏部９２も、ｘ方向に起伏部ピッチＴｘ’（＝２Ｓｘ）で並びｙ方向に起伏部ピッチＴｙ’（＝Ｓｙ）で並んでいる。尚、図８に示されていない領域にも、図８に示されている起伏部と同じ凹凸パターンを有する起伏部が広がっている。
【００４６】
図９は、図８に示す有機膜８０が有する矩形状起伏部８１の拡大詳細図である。
【００４７】
矩形状起伏部８１は、２つのサブ画素領域のほぼ全体に渡って形成されている。矩形状起伏部８１は、ランダムに配された多数の凸部８１ａ、８１ｂ・・・８１ｚと、これら多数の凸部８１ａ、８１ｂ・・・８１ｚの間を縫うように広がる凹部８１１を有している。図９では、凸部８１ａ、８１ｂ・・・８１ｚは白色の多角形で示されており、凹部８１１はハッチングで示されている。また、矩形状起伏部８１は、２つのコンタクトホールＣＨを有している。その他の矩形状起伏部８２乃至８８も、図９に示す凹凸パターンと同じ凹凸パターンを有している。このように、矩形状起伏部は図９に示す凹凸パターンを有するが、図８では、図面の見易さの観点から、各矩形状起伏部には、一部の凸部しか示されていないことに注意されたい。
【００４８】
また、図８に示す矩形状起伏部は、起伏部ピッチＴｘ’及びＴｙ’がそれぞれ画素ピッチＳｘ及びＳｙの整数倍であるので、図５に示す矩形状起伏部とは異なり、全ての矩形状起伏部が対応する位置に２つのコンタクトホールＣＨを有している。
【００４９】
また、ｘ方向に延在する第１の直線状起伏部９１は同一の凹凸パターンを有しており、ｙ方向に延在する第２の直線状起伏部９２も同一の凹凸パターンを有している。
【００５０】
図１０は、図８の矩形状起伏部８１のサブ画素領域Ａｒ１側に存在する６個の凸部８１ａ乃至８１ｆの概略断面図である。
【００５１】
矩形状起伏部８１は、高さの異なる部分Ｋ１及びＫ２を有する下地面Ｓｆ（図４参照）に形成されるので、矩形状起伏部８１の凸部のｚ方向の位置は矩形状起伏部８１内でばらつく。矩形状起伏部８１の凸部は、部分Ｋ１に近づくほどｚ方向の位置が高くなり、部分Ｋ１から離れるほどｚ方向の位置が低くなる。従って、図１０に示す６個の凸部８１ａ乃至８１ｆを比較すると、凸部８１ａから凸部８１ｂ及び８１ｃに向かうにつれてｚ方向の位置は低くなっており、凸部８１ｄから凸部８１ｅ及び８１ｆに向かうにつれて、ｚ方向の位置は高くなっている。尚、図１０では、矩形状起伏部８１は、高さが異なる部分Ｋ１及びＫ２を覆っているが、このような高さが異なる部分は、例えばゲートラインによっても形成されているので、矩形状起伏部８１の凸部は、ゲートラインに近づくほどｚ方向の位置は高くなる。このように、矩形状起伏部８１の凸部は、図８に示すｘｙ面内のどの位置に形成されているかによって、ｚ方向の位置がばらついていることに注意されたい。
【００５２】
また、矩形状起伏部８１乃至８８は図９に示す共通の凹凸パターンを有するので、矩形状起伏部８１乃至８８をｘｙ面内において重ね合わせると、重なり合う凸部が生じることに注意されたい。例えば、矩形状起伏部８１の凸部８１ａは、別の矩形状起伏部８３の凸部８３ａと重なり合う。以下では、このように重なり合う凸部を、対応する凸部と規定し、対応する凸部には同じアルファベットを付している。例えば、矩形状起伏部８１の凸部８１ａと、矩形状起伏部８３の凸部８３ａは、ともにアルファベット「ａ」が付されているので、対応する凸部である。また、矩形状起伏部８１以外の矩形状起伏部も、図４に示す下地面Ｓｆと同様の下地面に形成されるため、対応する凸部は、ｚ方向の位置が同じとなる。このことが図１１に示されている。
【００５３】
図１１は、図８に示す矩形状起伏部８１内の２つの凸部８１ａ及び８１ｂと、それぞれに対応する矩形状起伏部８３内の２つの凸部８３ａ及び８３ｂとを含む断面図である。
【００５４】
矩形状起伏部８１の凸部８１ａは、矩形状起伏部８３の凸部８３ａに対応しているのでｚ方向の高さは一致する。同様に、矩形状起伏部８１の凸部８１ｂは、矩形状起伏部８３の凸部８３ｂに対応しているのでｚ方向の高さは一致する。従って、矩形状起伏部８１内の凸部８１ａと８１ｂとの高低差をΔＨとすると、矩形状起伏部８３内の凸部８３ａと８３ｂとの高低差もΔＨとすることができる。従って、矩形状起伏部８３の凸部は、矩形状起伏部８１の凸部とｚ方向に実質的に同じ高さ分布を有する。これに伴なって、矩形状起伏部８３の凹部も、矩形状起伏部８１の凹部とｚ方向に実質的に同じ高さ分布を有する。同様に、他の矩形状起伏部の凸部及び凹部も、それぞれ矩形状起伏部８１の凸部及び凹部とｚ方向に実質的に同じ高さ分布を有する。
【００５５】
このような同一の凹凸パターンの矩形状起伏部を有する有機膜８０を形成した後、反射電極を形成する（図１２参照）。
【００５６】
図１２は、反射電極Ｅｒ１、Ｅｇ１及びＥｂ１等が形成された基板の平面図である。尚、図１２では、ソースライン等は図示省略されている。
【００５７】
１つの矩形状起伏部には２つの反射電極が形成される。図１２には８個の矩形状起伏部８１乃至８８が示されているので、１６個の反射電極Ｅｒ１、Ｅｇ１及びＥｂ１等が示されている。反射電極Ｅｒ１、Ｅｇ１及びＥｂ１等は矩形状起伏部８１乃至８８の形状に倣うように形成され、この結果、反射電極Ｅｒ１、Ｅｇ１及びＥｂ１にも矩形状起伏部８１乃至８８の凹凸パターンに対応した凹凸パターンが設けられる。矩形状起伏部８１乃至８８は同じ凹凸パターンを有し、しかも１つの矩形状起伏部に２つの反射電極が形成されるので、反射電極の凹凸パターンは２種類現れる。図１２では、ｘ方向に、２種類の凹凸パターンを有する反射電極が交互に現れる。また、図１２には、反射電極が有する一部の凸部のみについて図示されている。具体的には、
（Ａ）図８に示す矩形状起伏部８１乃至８８の対応する８個の凸部８１ａ乃至８８ａにより形成される反射電極の８個の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）、
（Ｂ）図８に示す矩形状起伏部８１乃至８８の対応する８個の凸部８１ｈ乃至８８ｈにより形成される反射電極の８個の凸部ｐ（８１ｈ）乃至ｐ（８８ｈ）、及び
（Ｃ）図８に示す矩形状起伏部８１乃至８８の対応する８個の凸部８１ｉ乃至８８ｉにより形成される反射電極の８個の凸部ｐ（８１ｉ）乃至ｐ（８８ｉ）、
が示されている。
【００５８】
例えば、反射電極Ｅｒ１には、２つの凸部ｐ（８１ａ）及びｐ（８１ｈ）のみが図示され、反射電極Ｅｇ１には、１つの凸部ｐ（８１ｉ）のみが図示されている。ここで、反射電極の凸部を表す符号の（ ）内の文字は、その反射電極の凸部が、どの矩形状起伏部のどの凸部によって形成されているのかを表すために使用していることに注意されたい。例えば、反射電極の凸部が、矩形状起伏部８１の凸部８１ａによって形成されている場合には符号「（８１ａ）」が付され、矩形状起伏部８３の凸部８３ａによって形成されている場合には符号「（８３ａ）」が付される。その他の凸部についても同様である。
【００５９】
図１３は、図１２に示す反射電極Ｅｒ１の凸部ｐ（８１ａ）及び反射電極Ｅｂ１の凸部ｐ（８３ａ）を含む一部断面図である。
【００６０】
反射電極Ｅｒ１及びＥｂ１の凸部ｐ（８１ａ）及びｐ（８３ａ）は、それぞれ矩形状起伏部８１及び８３の凸部８１ａ及び８３ａにより形成される。これら矩形状起伏部８１及び８３の凸部８１ａ及び８３ａは、同じアルファベット「ａ」が付されているので対応した凸部であり、図１１を参照しながら説明したように、ｚ方向において同一の高さを有する。反射電極Ｅｒ１及びＥｂ１の膜厚は実質的に均一であり、従って、反射電極Ｅｂ１の凸部ｐ（８３ａ）は、反射電極Ｅｒ１の凸部ｐ（８１ａ）とｚ方向に同一の高さを有する。図１３には図示されていないが、その他の反射電極の凸部ｐ（８２ａ）、ｐ（８４ａ）、ｐ（８５ａ）、ｐ（８６ａ）、ｐ（８７ａ）及びｐ（８８ａ）も、反射電極Ｅｒ１の凸部ｐ（８１ａ）とｚ方向に同一の高さを有する。上記では、反射電極の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）について説明したが、他の反射電極の凸部も同様に説明される。図１２では、８個の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）がｚ方向に同じ高さを有し、８個の凸部ｐ（８１ｈ）乃至ｐ（８８ｈ）がｚ方向に同一の高さを有し、更に、８個の凸部ｐ（８１ｉ）乃至ｐ（８８ｉ）がｚ方向に同一の高さを有する。
【００６１】
上記のように、矩形状起伏部８１乃至８８を有する有機膜８０（図８参照）に反射電極（図１２参照）を形成することによって反射電極基板（以下、「従来基板」と呼ぶ）を製造する。次に、この従来基板に光を照射することによって従来基板に生じる色付きについて考察する。
【００６２】
図１４は、従来基板１００に光を照射するときの説明図である。尚、図１４に示す従来基板１００には、外部回路に接続するための端子部が図示省略されていることに注意されたい。
【００６３】
従来基板１００の中心を通過してこの従来基板１００に対して垂直に広がる仮想面ＳＩ内に、光源ＬＳ及び観測者ＨＥを考える。光源ＬＳから従来基板１００に向けて光が照射される。従来基板１００が有する各反射電極は多数の凸部を有するので、光源ＬＳからの光は反射電極の多数の凸部で反射し、この反射光は互いに干渉しながら観測者ＨＥに到達する。ここで、反射電極の凸部で反射した光の干渉をわかりやすく考察するために、光の干渉を、以下の３つの場合（１）、（２）及び（３）に分けて具体的に説明する。
（１）ｘ方向に所定の間隔で並ぶ凸部で反射した光の干渉
この干渉を考えるために、図１４の領域Ｆ内の反射電極について考える。
【００６４】
図１５は、図１４に示す領域Ｆの拡大図である。
【００６５】
図１５には、図８に示す矩形状起伏部８１乃至８８の対応する８個の凸部８１ａ乃至８８ａにより形成される反射電極の８個の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）が具体的に示されている。更に、これら８個の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）で反射し観測者HＥに向かう８本の反射光Ｌ81a乃至Ｌ88aも示されている。反射電極の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）は、ｘ方向に起伏部ピッチＴｘ’（＝２Ｓｘ）且つｙ方向に起伏部ピッチＴｙ’（＝Ｓｙ）で周期的に現れる。ここで、図１５に示すような反射電極の凸部を従来基板１００（図１４参照）の全領域に渡って考え、ｘ方向に起伏部ピッチＴｘ’だけ離れて並ぶ２つの凸部で反射する光の干渉を、従来基板１００の全領域に渡って考える。例えば、図１５では、反射光Ｌ81aとＬ83aとの干渉、反射光Ｌ82aとＬ84aとの干渉、反射光Ｌ83aとＬ85aとの干渉、反射光Ｌ84aとＬ86aとの干渉、反射光Ｌ85aとＬ87aとの干渉、及び反射光Ｌ86aとＬ88aとの干渉を考える。このようなｘ方向に並ぶ２つの凸部で反射する光の干渉を、従来基板１００の全領域に渡って考えると、この反射光の干渉によって、観測者ＨＥは、以下のような色プロファイルを認識する。
【００６６】
図１６は、観測者ＨＥが従来基板１００上に認識する色プロファイルのシミュレーション結果である。
【００６７】
観測者ＨＥが認識する色プロファイルＣxは、ｙ方向に延在する帯状の色Ｃm-p乃至Ｃm+pがｘ方向に並んだ縦縞の模様を有する。この色Ｃm-p乃至Ｃm+pは、それぞれ、図１４に示すｙ方向に延在する帯状の領域Ｙm-p乃至Ｙm+p内において観測者ＨＥが認識する色である。例えば、色Ｃｍ及びＣm+pは、それぞれ、領域Ｙｍ及びＹm+p内で観測者ＨＥが認識する色である。色Ｃmは実質的に白色であり、色Ｃmから等距離離れた色は、同じ色である。例えば、色Ｃm-xは色Ｃm+xと同じ色であり、色Ｃm-1は色Ｃm+1と同じ色である。さらに、色Ｃｍ以外の色は、色Ｃmから離れるにつれて、短波長側の色から長波長側の色が繰り返し現れるように変化する。
（２）ｙ方向に所定の間隔で並ぶ凸部で反射した光の干渉
この干渉を考えるために、図１４の領域Ｆ内の反射電極について再度考える。
【００６８】
図１７は、図１４に示す領域Ｆの拡大図である。
【００６９】
図１７には、反射電極の８個の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）に加えて、図８に示す矩形状起伏部８１乃至８８の対応する８個の凸部８１ｈ乃至８８ｈにより形成される反射電極の８個の凸部ｐ（８１ｈ）乃至ｐ（８８ｈ）も具体的に示されている。更に、８本の反射光Ｌ81a乃至Ｌ88aに加えて、８個の凸部ｐ（８１ｈ）乃至ｐ（８８ｈ）で反射し観測者HＥに向かう８本の反射光Ｌ81h乃至Ｌ88hも示されている。反射電極の凸部ｐ（８１ｈ）乃至ｐ（８８ｈ）は、反射電極の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）と同様に、ｘ方向に起伏部ピッチＴｘ’（＝２Ｓｘ）且つｙ方向に起伏部ピッチＴｙ’（＝Ｓｙ）で周期的に現れる。また、反射電極の凸部ｐ（８１ｈ）乃至ｐ（８８ｈ）は、それぞれ、反射電極の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）に対してｙ方向に距離Ｄｙだけ離れている。ここで、図１７に示すような反射電極の凸部を従来基板１００（図１４参照）の全領域に渡って考え、ｙ方向に距離Ｄｙだけ離れて並ぶ２つの凸部で反射する光の干渉を、従来基板１００の全領域に渡って考える。例えば、図１７では、反射光Ｌ81aとＬ81hとの干渉、反射光Ｌ82aとＬ82hとの干渉、反射光Ｌ83aとＬ83hとの干渉、．．．、反射光Ｌ87aとＬ87hとの干渉、及び反射光Ｌ88aとＬ88hとの干渉を考える。このようなｙ方向に距離Ｄｙだけ離れて並ぶ２つの凸部で反射する光の干渉を、従来基板１００の全領域に渡って考えると、この反射光の干渉によって、観測者ＨＥは、以下のような色プロファイルを認識する。
【００７０】
図１８は、観測者ＨＥが基板上に認識する色プロファイルのシミュレーション結果である。
【００７１】
観測者ＨＥは、ｘ方向に延在する帯状の色Ｃm-q乃至Ｃm+qがｙ方向に並んだ横縞の模様を有する色プロファイルＣｙを認識する。この色Ｃm-q乃至Ｃm+qは、それぞれ、図１４に示すｘ方向に延在する帯状の領域Ｘm-q乃至Ｘm+q内において観測者ＨＥが認識する色である。例えば、色Ｃｍ及びＣm+qは、それぞれ、領域Ｘｍ及びＸm+q内で観測者ＨＥが認識する色である。観測者ＨＥが領域Ｘｍで認識する色Ｃｍは、図１６に示す色Ｃｍと同様に実質的に白色となる。色Ｃmから等距離離れた色は、同じ色である。例えば、色Ｃm-xは色Ｃm+xと同じ色であり、色Ｃm-1は色Ｃm+1と同じ色である。さらに、色Ｃｍ以外の色は、色Ｃmから離れるにつれて、短波長側の色から長波長側の色が繰り返し現れるように変化する。
（３）ｘ方向及びｙ方向に対して斜め方向に所定の間隔で並ぶ凸部で反射した光の干渉
この干渉を考えるために、図１４の領域Ｆ内の反射電極について再度考える。
【００７２】
図１９は、図１４に示す領域Ｆの拡大図である。
【００７３】
図１９には、反射電極の８個の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）に加えて、図８に示す矩形状起伏部８１乃至８８の対応する８個の凸部８１ｉ乃至８８ｉにより形成される反射電極の８個の凸部ｐ（８１ｉ）乃至ｐ（８８ｉ）も示されている。更に、８本の反射光Ｌ81a乃至Ｌ88aに加えて、８個の凸部ｐ（８１ｉ）乃至ｐ（８８ｉ）で反射し観測者HＥに向かう８本の反射光Ｌ81i乃至Ｌ88iも示されている。反射電極の凸部ｐ（８１ｉ）乃至ｐ（８８ｉ）は、反射電極の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）と同様に、ｘ方向に起伏部ピッチＴｘ’（＝２Ｓｘ）且つｙ方向に起伏部ピッチＴｙ’（＝Ｓｙ）で周期的に現れる。また、反射電極の凸部ｐ（８１ｉ）乃至ｐ（８８ｉ）は、それぞれ、反射電極の凸部ｐ（８１ａ）乃至ｐ（８８ａ）に対して、ｘ方向及びｙ方向に対して斜めのｄxy方向に距離Ｄxyだけ離れている。ここで、図１９に示すような反射電極の凸部を従来基板１００（図１４参照）の全領域に渡って考え、ｄxy方向に距離Ｄxyだけ離れて並ぶ２つの凸部で反射する光の干渉を、従来基板１００の全領域に渡って考える。例えば、図１９では、反射光Ｌ81aとＬ81iとの干渉、反射光Ｌ82aとＬ82iとの干渉、反射光Ｌ83aとＬ83iとの干渉、．．．、反射光Ｌ87aとＬ87iとの干渉、及び反射光Ｌ88aとＬ88iとの干渉を考える。このようなｄxy方向に距離Ｄxyだけ離れて並ぶ２つの凸部で反射する光の干渉を、従来基板１００の全領域に渡って考えると、この反射光の干渉によって、観測者ＨＥは、以下のような色プロファイルを認識する。
【００７４】
図２０は、観測者ＨＥが基板上に認識する色プロファイルのシミュレーション結果である。
【００７５】
観測者ＨＥは、ｄxy方向に対して垂直のｄxy’方向に延在する帯状の色Ｃm-r乃至Ｃm+rがｄxy方向に並んだ斜め縞の模様を有する色プロファイルＣxyを認識する。この色Ｃm-r乃至Ｃm+rは、それぞれ、図１４に示すｄxy’方向に延在する帯状の領域ＸＹm-r乃至ＸＹm+r内において観測者ＨＥが認識する色である。例えば、色Ｃｍ及びＣm+rは、それぞれ、領域ＸＹｍ及びＸＹm+r内で観測者ＨＥが認識する色である。観測者ＨＥが領域ＸＹｍで認識する色Ｃｍは、図１６及び図１８に示す色Ｃｍと同様に実質的に白色となる。色Ｃｍから等距離離れた色は同じ色である。例えば、色Ｃm-xは色Ｃm+xと同じ色であり、色Ｃm-1は色Ｃm+1と同じ色である。さらに、色Ｃｍ以外の色は、色Ｃmから離れるにつれて、短波長側の色から長波長側の色が繰り返し現れるように変化する。
【００７６】
上記の説明では、色プロファイルＣｘ、Ｃｙ、及びＣxyは、別々に図示されているが、観測者ＨＥは、実際には、色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyが重なった状態でこれら色プロファイルを認識する。そこで、色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyが重なった状態での色プロファイルについて考察する。
【００７７】
図２１は、色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyが重なった状態を示す図である。
【００７８】
この図には、色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyのうち、同じ色である色Ｃm-x及びＣm+xが斜線で示されている。各色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyは色Ｃm-x及びＣm+xを有するので、各色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyの色Ｃm-x及びＣm+xが重なると、その重なった部分では色Ｃm-x（Ｃm+x）が強調される。図２１には、色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyのみが重なった状態が示されているが、図１５、図１７及び図１９に示す凸部の組み合わせ以外の凸部の組み合わせでは、色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxy以外の別の色プロファイルが考えられる。従って、凸部での反射光によって得られる色プロファイルを全て重ねると、従来基板１００全体に渡って色Ｃm-x（Ｃm+x）が強調された部分が現れ、観測者ＨＥはその強調された色Ｃm-x（Ｃm+x）を認識すると考えられる。その他の色（例えばＣm+1及びＣm-1）についても、観測者ＨＥは、強調された色を認識すると考えられる。従って、観測者ＨＥは、従来基板１００を見たときに色付きを認識すると考えられる。
【００７９】
尚、上記の説明では、反射電極の凸部で反射した光の干渉により生じる色プロファイルについて説明したが、反射電極の凹部で反射した光の干渉により生じる色プロファイルについても同様に説明できる。
【００８０】
上記の考察から、観測者ＨＥは、図１６、図１８及び図２０に示すような縞模様を有する色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyの重なりによって、色付きを認識すると考えられる。従って、色付きを解消又は低減させる一つの方法として、図１６、図１８及び図２０に示すような縞模様を有する色プロファイルが現れないようにすることが考えられる。そこで、次に、図１６、図１８及び図２０に示すような縞模様を有する色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyが現れる理由を探るために、再度図１４乃至図２０を検討する。
【００８１】
図１６、図１８及び図２０に示す色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyは、それぞれ図１５、図１７、及び図１９に示される反射光の干渉によって生じる。そこで、図１５、図１７及び図１９での反射光の干渉について考えてみる。
【００８２】
先ず、図１５を参照する。図１５では、ｘ方向に起伏部ピッチＴｘ’で並ぶ凸部で反射する反射光の干渉を考えるために、８本の反射光Ｌ81a乃至Ｌ88aが図示されている。ここで、８本の反射光Ｌ81a乃至Ｌ88aのうち、ｘ方向に並ぶ４本の反射光Ｌ81a、Ｌ83a、Ｌ85a及びＬ87aについて考える。４本の反射光Ｌ81a、Ｌ83a、Ｌ85a及びＬ87aの光路長は異なり、反射光Ｌ81aとＬ83aとの光路差ΔＬｘ１、反射光Ｌ83aとＬ85aとの光路差ΔＬｘ２、反射光Ｌ85aとＬ87aとの光路差ΔＬｘ３も異なる。この光路差ΔＬｘ１、ΔＬｘ２及びΔＬｘ３の値は、この順で大きくなる。このように、ｘ方向に並ぶ２つの凸部のペアにおいて反射する２本の反射光の光路差は、その反射光が反射する凸部のペアの位置によって異なる。これまでは、４本の反射光Ｌ81a、Ｌ83a、Ｌ85a及びＬ87aの光路差について説明したが、残りの４本の反射光Ｌ82a、Ｌ84a、Ｌ86a及びＬ88aの光路差も同様である。しかしながら、ｘ方向に並ぶ凸部のペアにおける反射光の光路差は、この凸部のペアの位置がｙ方向（ｘ方向に対し垂直）に移動しても、同じ光路差であることに注意されたい。例えば、図１５では、凸部ｐ（８２ａ）及びｐ（８４ａ）のペアは、凸部ｐ（８１ａ）及びｐ（８３ａ）のペアに対して相対的にｙ方向に移動した位置に存在しているので、反射光Ｌ82a及びＬ84aの光路差（ΔＬｘ１）は、反射光Ｌ81a及びＬ83aの光路差（ΔＬｘ１）に等しい。同様に、反射光Ｌ84a及びＬ86aの光路差（ΔＬｘ２）は反射光Ｌ83a及びＬ85aの光路差（ΔＬｘ２）に等しく、反射光Ｌ86a及びＬ88aの光路差（ΔＬｘ３）は反射光Ｌ85a及びＬ87aの光路差（ΔＬｘ３）に等しい。従って、凸部のペアの位置がｙ方向にずれても、反射光の光路差が同一であることに注意されたい。以上のことから、ｙ方向には、同じ光路差を生じさせる凸部のペアが並び、ｙ方向とは異なる方向（例えばｘ方向）には、異なる光路差を生じさせる凸部のペアが並ぶことがわかる。干渉光が呈する色は光路差に依存するので、観測者ＨＥは、光路差が同じであることに起因してｙ方向には同じ色を認識し、光路差が異なることに起因してｙ方向とは異なる方向（例えばｘ方向）には異なる色を認識し、その結果、図１６に示す縦縞の色プロファイルＣｘを認識すると考えられる。尚、或る凸部のペアと別の凸部のペアがｘ方向に異なる位置に存在していても、従来基板１００の領域Ｙm-p乃至Ｙm+p（図１４参照）のうちの同一の領域に存在しているのであれば（図１５において、例えば、凸部ｐ（８１ａ）及びｐ（８３ａ）のペアと、凸部ｐ（８３ａ）及びｐ（８５ａ）のペア）、或る凸部のペアで反射する反射光の光路差と別の凸部のペアで反射する反射光の光路差との違いはごく僅かであることに注意されたい。光路差の違いがごく僅かである場合（例えば、ΔＬｘ１とΔＬｘ２）、呈する色は似ているので、通常、観測者ＨＥは色の違いを識別できず、実質的に同一の色と認識する。従って、観測者ＨＥは、通常、各色Ｃm-p乃至Ｃm+pの幅Ｗｃ（図１６参照）を、２つの凸部の間の距離２Ｓｘ（画素ピッチＳｘの２倍）よりも大きい幅として認識することに注意されたい。
【００８３】
次に、図１７を参照する。図１７では、y方向に距離Ｄｙだけ離れて並ぶ２つの凸部で反射する反射光の干渉を考えるために、８本の反射光Ｌ81a乃至Ｌ88aと８本の反射光Ｌ81h乃至Ｌ88hが図示されている。ここで、ｙ方向に並ぶ４本の反射光Ｌ81h、Ｌ81a、Ｌ82h及びＬ82aについて考えると、反射光Ｌ81aとＬ81hとの光路差（ΔＬｙ１）は、反射光Ｌ82aとＬ82hとの光路差（ΔＬｙ２）とは異なる。このように、ｙ方向に隣り合う凸部での反射光の光路差は、その反射光が反射する凸部の位置によって異なる。ｙ方向に並ぶその他の反射光の光路差も、４本の反射光Ｌ81h、Ｌ81a、Ｌ82h及びＬ82aの光路差と同様に説明される。しかしながら、ｙ方向に並ぶ凸部のペアにおける反射光の光路差は、この凸部のペアの位置がｘ方向（ｙ方向に対し垂直）に移動しても、同じ光路差であることに注意されたい。例えば、図１７では、凸部ｐ（８３ａ）及びｐ（８３ｈ）のペアは、凸部ｐ（８１ａ）及びｐ（８１ｈ）のペアに対して相対的にｘ方向に移動した位置に存在しているので、反射光Ｌ83aとＬ83hとの光路差（ΔＬｙ１）は、反射光Ｌ81aとＬ81hとの光路差（ΔＬｙ１）に等しい。同様に、反射光Ｌ85aとＬ85hとの光路差、及び反射光Ｌ87aとＬ87hとの光路差も、反射光Ｌ81aとＬ81hとの光路差に等しい。一方、凸部ｐ（８４ａ）及びｐ（８４ｈ）のペアは、凸部ｐ（８２ａ）及びｐ（８２ｈ）のペアに対して相対的にｘ方向に移動した位置に存在しているので、反射光Ｌ84a及びＬ84hの光路差（ΔＬｙ２）は、反射光Ｌ82a及びＬ82hの光路差（ΔＬｙ２）に等しい。同様に、反射光Ｌ86aとＬ86hとの光路差、及び反射光Ｌ88aとＬ88hとの光路差も、反射光Ｌ82aとＬ82hとの光路差に等しい。従って、凸部のペアの位置がｘ方向にずれても、反射光の光路差が同一であることに注意されたい。以上のことから、ｘ方向には、同じ光路差を生じさせる凸部のペアが並び、ｘ方向と異なる方向（例えばｙ方向）には、異なる光路差を生じさせる凸部のペアが並ぶことがわかる。干渉光が呈する色は光路差に依存するので、観測者ＨＥは、光路差が同じであることに起因してｘ方向には同じ色を認識し、光路差が異なることに起因してｘ方向と異なる方向（例えばｙ方向）には異なる色を認識し、その結果、図１８に示す横縞の色プロファイルＣｙを認識すると考えられる。尚、或る凸部のペアと別の凸部のペアがｙ方向に異なる位置に存在していても、従来基板１００の領域Ｘm-q乃至Ｘm+q（図１４参照）のうちの同一の領域に存在しているのであれば（図１７において、例えば、凸部ｐ（８１ａ）及びｐ（８１ｈ）のペアと、凸部ｐ（８２ａ）及びｐ（８２ｈ）のペア）、或る凸部のペアで反射する反射光の光路差と別の凸部のペアで反射する反射光の光路差との違いはごく僅かであることに注意されたい。光路差の違いがごく僅かである場合（例えば、ΔＬｙ１とΔＬｙ２）、呈する色は似ているので、通常、観測者ＨＥは色の違いを識別できず、実質的に同一の色と認識する。従って、観測者ＨＥは、通常、各色Ｃm-q乃至Ｃm+qの幅Ｗｃ（図１８参照）を、２つの凸部の間の距離Ｄｙよりも大きい幅として認識することに注意されたい。
【００８４】
次に、図１９を参照する。図１９では、ｄxy方向に距離Ｄxyで並ぶ凸部で反射する反射光の干渉を考えるために、８本の反射光Ｌ81a乃至Ｌ88aと８本の反射光Ｌ81i乃至Ｌ88iが図示されている。ここで、反射光Ｌ81a及びＬ81iと、反射光Ｌ83a及びＬ83iについて考える。反射光Ｌ81aとＬ81iとの光路差ΔＬxy１及び反射光Ｌ83aとＬ83iとの光路差ΔＬxy２は互いに異なる。しかしながら、ｄxy方向に並ぶ凸部のペアにおける反射光の光路差は、この凸部のペアの位置がｄxy’方向（ｄxy方向に対し垂直）に移動しても、同じ光路差であることに注意されたい。例えば、図１９では、凸部ｐ（８６ａ）及びｐ（８６ｉ）のペアは、凸部ｐ（８１ａ）及びｐ（８１ｉ）のペアに対して相対的にｄxy’方向に移動した位置に存在しており、従って、反射光Ｌ86a及びＬ86iの光路差（ΔＬxy１）は、反射光Ｌ81a及びＬ81iの光路差（ΔＬxy１）に等しい。同様に、凸部ｐ（８８ａ）及びｐ（８８ｉ）のペアは、凸部ｐ（８３ａ）及びｐ（８３ｉ）のペアに対して相対的にｄxy’方向に移動した位置に存在しており、従って、反射光Ｌ88a及びＬ88iの光路差（ΔＬxy２）は、反射光Ｌ83a及びＬ83iの光路差（ΔＬxy２）に等しい。従って、凸部のペアの位置がｄxy’方向にずれても、反射光の光路差が同一であることに注意されたい。以上のことから、ｄxy’方向には、同じ光路差を生じさせる凸部のペアが並び、ｄxy’方向とは異なる方向（例えばｄxy方向）には、異なる光路差を生じさせる凸部のペアが並ぶことがわかる。干渉光が呈する色は光路差に依存するので、観測者ＨＥは、光路差が同じであることに起因してｄxy’方向には同じ色を認識し、光路差が異なることに起因してｄxy’方向とは異なる方向（例えばｄxy方向）には異なる色を認識し、その結果、図２０に示す斜め縞の色プロファイルＣxyを認識すると考えられる。尚、或る凸部のペアと別の凸部のペアがｄxy方向に異なる位置に存在していても、従来基板１００の領域ＸＹm-r乃至ＸＹm+r（図１４参照）のうちの同一の領域に存在しているのであれば（図１９において、例えば、凸部ｐ（８２ａ）及びｐ（８２ｉ）のペアと、凸部ｐ（８３ａ）及びｐ（８３ｉ）のペア）、或る凸部のペアで反射する反射光の光路差と別の凸部のペアで反射する反射光の光路差との違いはごく僅かであることに注意されたい。光路差の違いがごく僅かである場合（例えば、ΔＬxy１とΔＬxy２）、呈する色は似ているので、通常、観測者ＨＥは色の違いを識別できず、実質的に同一の色と認識する。従って、観測者ＨＥは、通常、各色Ｃm-r乃至Ｃm+rの幅Ｗｃ（図２０参照）を、２つの凸部の間の距離Ｄxyよりも大きい幅として認識することに注意されたい。
【００８５】
上記の考察によれば、図１６、図１８及び図２０に示すような縞模様を有する色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyが現れる原因は、従来基板１００上の帯状領域に、所定方向に並ぶ２つの凸部のペアが繰り返し現れることが原因と考えられる。従って、このような凸部のペアが繰り返し現れないようにすれば、色付きを解消又は低減させることができると考えられる。この目的のため、例えば、反射電極毎に異なる凹凸パターンを設計し、全ての反射電極の凹凸パターンを異ならせることが考えられる。この方法では、反射電極の凹凸パターンが異なるので、所定方向に並ぶ２つの凸部のペアが繰り返し現れないようにすることができ、従って、図２１に示すような色付きは生じないと考えられる。しかしながら、この方法では、反射電極毎に異なる凹凸パターンを設計する必要があるので、反射電極が多くなればなるほど、反射電極の凹凸パターンの設計が困難になる。例えばＱＶＧＡの携帯電話の場合、反射電極は２４０×３×３２０個備えられており、このような膨大な数の反射電極に対して異なる凹凸パターンを設計しなければならず、従って、この方法は、現実に利用できる方法ではない。
【００８６】
そこで、本願発明者は、膨大な数の凹凸パターンを設計することなく、容易に色付きを解消又は低減できるようにするため、図５を参照しながら説明したやり方で有機膜８を形成している。以下に、図５に示す有機膜８を形成することによって色付きが解消又は低減できる理由を説明する。
【００８７】
図５には、有機膜８の１２個の起伏部１８乃至１２８の対応する凸部１８ａ乃至１２８ａが示されている。図５に示す各起伏部は、図６に示す基本凹凸パターンを有するので、コンタクトホールＣＨの有無を除けば、各起伏部の凹凸パターンはｘｙ面内では同一である。しかしながら、起伏部ピッチＴｘと画素ピッチＳｘとの関係、及び起伏部ピッチＴｙと画素ピッチＳｙとの関係は、いずれも非整数倍の関係にあるので、対応する凸部どうしであっても、サブ画素領域内における凸部の位置が異なっていることに注意されたい。例えば、サブ画素領域Ａｒ１内の凸部２８ａは、サブ画素領域Ａｒ１内の左隅に位置しているが、一方、サブ画素領域Ａｇ３内の凸部８８ａは、サブ画素領域Ａｇ３内の右隅に位置している。このように、対応する凸部であっても、サブ画素領域内における凸部の位置が異なり、この結果、図２２に示すように、対応する凸部であってもｚ方向の高さがばらつく。
【００８８】
図２２は、図５の６個の起伏部２８、３８、５８、６８、８８及び９８の対応する６個の凸部２８ａ、３８ａ、５８ａ、６８ａ、８８ａ及び９８ａをｙ方向から見た概略断面図である。
【００８９】
６個の凸部２８ａ、３８ａ、５８ａ、６８ａ、８８ａ及び９８ａは互いに対応する凸部であるが、図２２に示すようにｚ方向の高さがばらつく。その結果、ｘ方向に隣り合う２つの凸部の高低差もばらつく。例えば、凸部２８ａと５８ａとの高低差ΔＨ１は、凸部５８ａと８８ａとの高低差ΔＨ３よりも小さく、凸部３８ａと６８ａとの高低差ΔＨ２は、凸部６８ａと９８ａとの高低差ΔＨ４よりも小さい。図２２には対応する凸部が６個しか示されていないが、この対応する凸部のｚ方向の高さのばらつきは、反射電極基板１（図１参照）全体に渡って生じている。これは、従来基板１００では対応する凸部のｚ方向の高さが等しい（図１１参照）ことと対照的である。第１実施例では、図２２に示すように、対応する凸部２８ａ、３８ａ、５８ａ、６８ａ、８８ａ及び９８ａであっても高さがばらつく点に着目している。対応する凸部であっても高さがばらつく有機膜８を形成した後、この有機膜８に反射電極（図２参照）を形成し、反射電極基板１が製造される。以下に、この反射電極基板１で反射した光の干渉について考察する。
【００９０】
図２３は、図１に示す領域Ｆの拡大図である。
【００９１】
図２３には、図２２に示す起伏部の対応する６個の凸部２８ａ、３８ａ、５８ａ、６８ａ、８８ａ及び９８ａにより形成された反射電極の６個の凸部ｐ（２８ａ）、ｐ（３８ａ）、ｐ（５８ａ）、ｐ（６８ａ）、ｐ（８８ａ）及びｐ（９８ａ）が具体的に示されている。
【００９２】
図２４は、図２３に示す６個の凸部ｐ（２８ａ）乃至ｐ（９８ａ）をｙ方向から見た概略断面図である。
【００９３】
図２２を参照しながら説明したように、矩形状起伏部の対応する凸部は高さがばらつくので、それに応じて、反射電極の凸部ｐ（２８ａ）乃至ｐ（９８ａ）もｚ方向の高さがばらつく。その結果、ｘ方向に隣り合う２つの凸部の高低差もばらつく。例えば、凸部ｐ（２８ａ）とｐ（５８ａ）との高低差ΔＨ１は、凸部ｐ（５８ａ）とｐ（８８ａ）との高低差ΔＨ３よりも小さく、凸部ｐ（３８ａ）とｐ（６８ａ）との高低差ΔＨ２は、凸部ｐ（６８ａ）とｐ（９８ａ）との高低差ΔＨ４よりも小さい。このように、凸部のペアの位置がｘ方向にずれると、それに伴なって高低差もばらつく。ここで、この高低差のばらつきは凸部のペアの位置がｙ方向にずれても生じることに注意されたい。例えば、凸部ｐ（２８ａ）とｐ（５８ａ）との高低差ΔＨ１は、凸部ｐ（３８ａ）とｐ（６８ａ）との高低差ΔＨ２よりも小さく、凸部ｐ（５８ａ）とｐ（８８ａ）との高低差ΔＨ３は、凸部ｐ（６８ａ）とｐ（９８ａ）との高低差ΔＨ４よりも小さい。斯かる高低差のばらつきは基板全体に渡って生じ、このような高低差のばらつきによって反射光の光路差もばらつく。例えば、反射光Ｌ28aとＬ58aとの光路差ΔＬｘ１は、反射光Ｌ38aとＬ68aとの光路差ΔＬｘ２とは異なり、反射光Ｌ58aとＬ88aとの光路差ΔＬｘ３は、反射光Ｌ68aとＬ98aとの光路差ΔＬｘ４とは異なる。従って、図２３では、図１５とは異なり、同一の光路差を生じさせる凸部のペアがｙ方向に現れず、この結果、図１６に示すような縦縞が現れないようにすることができる。図２３の場合、観測者ＨＥは基板上に以下のような色を認識する。
【００９４】
図２５は、観測者ＨＥが反射電極基板１上に認識する色の概念図である。
【００９５】
図２５には、反射電極基板１の一部の領域Ｆ内に現れる色が拡大して示されている。この拡大図に示すように、領域Ｆ内には、起伏部ピッチＴｘとＴｙとによって規定されるサブ領域内に、反射光の光路差に応じて種々の色Ｃ１、Ｃ２、…、Ｃｚが格子状に現れる。ここで、図２４を参照しながら説明したように、反射電極の凸部の高低差がばらつくことに起因して、反射光の光路差もばらつくことに注意されたい。この結果、領域Ｆには、種々の色が領域Ｆ内に分散されて現れる。従って、図２５では、図１６とは異なり、起伏部ピッチＴｘとＴｙとによって規定されるサブ領域毎に異なる色が現れ、所定方向に同一の色が現れない。このような狭いサブ領域毎に異なる色が分散している場合、観測者ＨＥは色の違いを見分けることができず、領域Ｆ内の種々の色を混色して認識する。基板上の領域Ｆ以外の領域も、領域Ｆと同様に、サブ領域毎に種々の色が分散して現れ、観測者ＨＥは、領域Ｆ以外の領域でも種々の色を混色して認識する。その結果、観測者ＨＥは反射電極基板１全体に渡って色付きを認識しない、又は観測者ＨＥが反射電極基板１全体に渡って認識する色付きが低減されると考えられる。
【００９６】
図２３乃至図２５は、ｘ方向に並ぶ２つの凸部が周期的に配列されることによって生じる反射光の干渉が説明されているが、その他の方向に並ぶ２つの凸部が周期的に配列されることによって生じる反射光の干渉も、図２５に示すように各色が格子状に並び、その結果色付きが解消又は低減されると考えられる。従って、観測者ＨＥの認識する色付きが基板全体に渡って解消又は低減すると考えられる。
【００９７】
第１実施例では、起伏部ピッチＴｘは画素ピッチＳｘよりも大きいが、これとは反対に、画素ピッチＳｘが起伏部ピッチＴｘより大きくてもよい。この場合は、画素ピッチＳｘが起伏部ピッチＴｘの非整数倍となるように、起伏部ピッチＴｘを規定すれば、やはり色付きを解消又は低減することができる。また、第１実施例では、起伏部ピッチＴｙは画素ピッチＳｙよりも小さいが、起伏部ピッチＴｙは画素ピッチＳｙより大きくてもよい。この場合は、起伏部ピッチＴｙが画素ピッチＳｙの非整数倍となるように、起伏部ピッチＴｙを規定すれば、やはり色付きを解消又は低減することができる。
【００９８】
また、第１実施例において、起伏部ピッチＴｘは画素ピッチＳｘの１７／８倍に規定されているので、起伏部の対応する凸部は、ｘ方向に関しては１７Ｓｘ（画素ピッチＳｘの１７倍）の周期で同じ高さとなる。このように、第１実施例では、ｘ方向に関しては１７Ｓｘ（画素ピッチＳｘの１７倍）の周期で同じ高さの凸部が現れる。色付きをより効果的に低減する観点から考えると、同じ高さを有する凸部の間隔は或る程度の大きいことが望ましく、例えば約１ｍｍあることが好ましい。Ｓｘの値は例えば８０μｍとすることができるので、この場合、１７Ｓｘ＝１．３６ｍｍとなる。従って、第１実施例の場合は、ｘ方向に関しては同じ高さの凸部が現れる周期は１．３６ｍｍであるので、色付きの低減には十分な効果がある。一方、起伏部ピッチＴｙは画素ピッチＳｘの１９／２４倍に規定されているので、対応する凸部は、ｙ方向に関しては１９９Ｓｙ（画素ピッチＳｙの１９倍）の周期で同じ高さとなる。このように、第１実施例では、ｙ方向に関しては１９Ｓｙ（画素ピッチＳｙの１９倍）の周期で同じ高さの凸部が現れる。Ｓｙの値は例えば２４０μｍとすることができるので、この場合、１９Ｓｙ＝４．５６ｍｍとなる。従って、第１実施例の場合は、ｙ方向に関しては同じ高さの凸部が現れる周期は４．５６ｍｍであるので、色付きの低減には十分な効果がある。尚、色付きを十分に低減することができるのであれば、同じ高さの凸部が現れる周期は、１ｍｍより短くてもよい。
【００９９】
また、第１実施例では、サブ画素領域が並ぶｘ方向及びｙ方向に着目し、ｘ方向及びｙ方向にそれぞれ起伏部ピッチＴｘ及びＴｙで並ぶ起伏部を有する有機膜８を形成することによって、色付きを解消又は低減している。しかしながら、サブ画素領域は、ｘ方向及びｙ方向以外の第３の方向（例えば、図５において、サブ画素領域Ａｒ２とＡｂ１とが並ぶ方向や、サブ画素領域Ａｒ２とＡｂ３とが並ぶ方向）にも並んでいるので、この第３の方向に着目し、第３の方向に所定の起伏部ピッチで並ぶ起伏部を有する有機膜を形成してもよい。しかしながら、より効果的に色付きを低減するには、ｘ方向及びｙ方向にそれぞれ起伏部ピッチＴｘ及びＴｙで並ぶ起伏部を有する有機膜８を形成する方が好ましい。
【０１００】
また、第１実施例では、起伏部ピッチＴｘと画素ピッチＳｘとの関係、及び起伏部ピッチＴｙと画素ピッチＳｙとの関係は、いずれも非整数倍であるが、いずれか一方の関係のみを非整数倍としても、色付きの低減を図ることができる。以下に、起伏部ピッチＴｘと画素ピッチＳｘとの関係のみを非整数倍にした第２実施例について説明する。
【０１０１】
図２６は、起伏部ピッチＴｘと画素ピッチＳｘとの関係のみを非整数倍にした第２実施例の反射電極基板の平面図である。
【０１０２】
反射電極基板は、矩形状起伏部１８乃至８８を有する有機膜８を有する。この有機膜８上に、反射電極Ｅｒ１、Ｅｇ１及びＥｂ１等が形成される。図２６には、反射電極の６個の凸部ｐ（１８ａ）乃至ｐ（６８ａ）と、６個の凸部ｐ（１８ｃ）乃至ｐ（６８ｃ）が具体的に示されている。６個の凸部ｐ（１８ａ）乃至ｐ（６８ａ）は、６個の矩形状起伏部１８乃至６８の対応する６個の凸部１８ａ乃至６８ａにより形成される。反射電極の残りの６個の凸部ｐ（１８ｃ）乃至ｐ（６８ｃ）は、６個の矩形状起伏部１８乃至６８の対応する６個の凸部１８ｃ乃至６８ｃにより形成される。
【０１０３】
図２７は、図２６に示すｘ方向に並ぶ凸部ｐ（１８ａ）、ｐ（３８ａ）及びｐ（５８ａ）をｙ方向から見た概略断面図である。
【０１０４】
起伏部ピッチＴｘと画素ピッチＳｘとの関係は、非整数倍であるので、凸部の高低差は、図２４と同様に、２つの凸部のペアの位置がｘ方向にずれることによって異なる。例えば、凸部ｐ（１８ａ）とｐ（３８ａ）との高低差ΔＨ１は、凸部ｐ（３８ａ）とｐ（５８ａ）との高低差ΔＨ２よりも大きい。ところが、図２６では、図２３と異なり、起伏部ピッチＴｙが画素ピッチＳｙと一致しているので、２つの凸部のペアの位置がｙ方向にずれても、２つの凸部の高低差は同じであることに注意されたい。例えば、凸部ｐ（２８ａ）とｐ（４８ａ）のペアは、凸部ｐ（１８ａ）とｐ（３８ａ）のペアに対して相対的にｙ方向に移動した位置に存在しているので、凸部ｐ（２８ａ）とｐ（４８ａ）との高低差も、ΔＨ１となる。このように、２つの凸部のペアの位置がｙ方向にずれても、凸部の高低差は同じであるので、ｘ方向に起伏部ピッチＴｘで並ぶ凸部での反射光の干渉を考えると、この場合の干渉色は、図１６に示すような縦縞を有すると考えられる（つまり、図２５とは異なり、色をランダムに分散させることができない）。しかしながら、図２６では、起伏部ピッチＴｘと画素ピッチＳｘとの関係が非整数倍であるので、ｙ方向以外の方向に並ぶ２つの凸部の高低差をばらつかせることができる。このことを説明するために、ｙ方向とは異なるｄxy方向に並ぶ２つの凸部ｐ（１８ａ）及びｐ（１８ｃ）のペアと、凸部ｐ（４８ａ）及びｐ（４８ｃ）のペアを考える。
【０１０５】
図２８は、図２６に示す凸部ｐ（１８ａ）及びｐ（１８ｃ）のペアと、凸部ｐ（４８ａ）及びｐ（４８ｃ）のペアをｄxy’方向から見た概略断面図である。
【０１０６】
ｄxy方向に並ぶ凸部ｐ（１８ａ）とｐ（１８ｃ）との高低差ΔＨ１は、ｄxy方向に並ぶ凸部ｐ（４８ａ）とｐ（４８ｃ）との高低差ΔＨ２よりも小さい。従って、ｄxy方向に並ぶ凸部での反射光の干渉を考えると、この場合は、図２５に示すように各色をランダムに分散させることができる。従って、例えば、起伏部ピッチＴｘと画素ピッチＳｘとの関係のみを非整数倍にしても、従来と比較して、色付きの低減が可能である。
【０１０７】
尚、第１及び第２実施例では、サブ画素領域が周期的に並ぶ方向に対して、画素ピッチと起伏部ピッチとを非整数倍することによって、色付きを解消又は低減する方法が記載されているが、別の方法でも、色付きを解消又は低減することが可能である。以下に、この別の方法について説明する。
【０１０８】
図２９は、第１及び第２実施例とは別の方法で色付きを解消又は低減することが可能な第３実施例の反射電極基板１の一部平面図である。
【０１０９】
サブ画素領域はｘｙ面内を２次元的に並んでいるので、サブ画素領域はｘ方向及びｙ方向に並ぶだけでなく、例えば、ｄ１方向乃至ｄ７方向にも並び、その結果、サブ画素領域は多数の方向に並んでいる。第３実施例では、このような多数の方向のうち、２つの方向、即ち、サブ画素領域が最も短いピッチＳｘで並ぶｘ方向と、次に短いピッチＳｙで並ぶｙ方向とに着目している。起伏部１８乃至１２８も、反射電極と同様に、多数の方向に並んでいるが、起伏部１８乃至１２８についても、2つの方向、即ち、起伏部１８乃至１２８が最も短いピッチＴｘで並ぶｘ’方向と、次に短いピッチＴｙで並ぶｙ’方向とに着目している。第３実施例では、起伏部１８乃至１２８の着目した２つの方向（ｘ’方向及びｙ’方向）が、サブ画素領域の着目した２つの方向（ｘ方向及びｙ方向）に対して交差するように、有機膜８が形成されている。このように有機膜８を形成することによっても、起伏部１８乃至１２８の対応する凸部の高さがばらつき、その結果、色付きを解消又は低減することが可能である。第３実施例では、起伏部ピッチＴｘ及びＴｙがそれぞれ画素ピッチＳｘ及びＳｙと一致していてたとしても、起伏部１８乃至１２８の対応する凸部の高さがばらつく。従って、図２９では、起伏部ピッチと画素ピッチとの関係が整数倍であるか非整数倍であるかを考慮しなくても、色付きを解消又は低減することができる。また、第３実施例のように、起伏部の並ぶ方向を画素の並ぶ方向に対して交差させることによって、モアレの低減を図ることも可能になる。
【０１１０】
尚、図２９では、有機膜８は、２つの起伏部ピッチＴｘ及びＴｙの各々が２つの画素ピッチＳｘとＳｙとの両方に対して交差するように形成されている。しかしながら、２つの起伏部ピッチＴｘ及びＴｙのいずれか一方のみが２つの画素ピッチＳｘとＳｙとの両方に対して交差するように有機膜８が形成されていても、色付きを低減することが可能である。また、図２９では、有機膜８の起伏部ピッチのうち、起伏部ピッチＴｘ’が最も小さく、その次に起伏部ピッチＴｙ’が小さい例が示されているが、起伏部ピッチＴｘ’及びＴｙ’は等しくてもよい。この場合であっても、互いに等しい２つの起伏部ピッチＴｘ’及びＴｙ’のいずれか一方又は両方が、２つの画素ピッチＳｘとＳｙとの両方に対して交差するように形成されていれば、色付きを低減することが可能である。また、図２９では、画素ピッチはＳｘはＳｙより小さいが、ＳｘはＳｙと等しくてもよい。この場合であっても、２つの起伏部ピッチＴｘ及びＴｙのいずれか一方又は両方が、画素ピッチＳｘとＳｙとの両方に対して交差するように形成されていれば、色付きを低減することが可能である。
【０１１１】
また、第１乃至第３実施例の反射電極基板を画像表示装置に適用した場合、従来基板１００を画像表示装置に適用した場合と比較して、基板で反射した光の利用効率を向上させることができる。以下、この理由について説明する。
【０１１２】
従来基板１００では、有機膜８０の凹凸パターンを設計する場合、隣接する２つのサブ画素領域毎に図９に示す矩形状起伏部の凹凸パターンを先ず設計し、次に、隣接する矩形状起伏部の間を埋めるように設けられる第１及び第２の直線状起伏部９１及び９２（図８参照）の凹凸パターンが設計される。このような設計に基づいて有機膜８０を形成すると、第１及び第２の直線状起伏部９１及び９２の断面形状が、矩形状起伏部の断面形状とは異なる（図３０参照）。
【０１１３】
図３０は、従来基板１００の第１及び第２の直線状起伏部９１及び９２（図８参照）の断面形状の概略を表すプロファイルと、従来基板１００の矩形状起伏部の断面形状の概略を表すプロファイルである。
【０１１４】
図３０には、第１及び第２の直線状起伏部９１及び９２（図８参照）の断面形状の概略を表すプロファイルが実線で示されており、矩形状起伏部の断面形状の概略を表すプロファイルが破線で示されている。矩形状起伏部のプロファイルは、破線で示されるように、同じような起伏が繰り返し現れるが、一方、第１及び第２の直線状起伏部のプロファイルは、緩やかな起伏と急峻な起伏とが混在して現れる。このような緩やかな起伏及び急峻な起伏は、従来基板１００を画像表示装置に適用した場合に光の利用効率の低下の原因となる。
【０１１５】
これに対して、第１乃至第３の実施例の反射電極基板では、有機膜８の凹凸パターンを設計する場合、サブ画素領域とは無関係に図６に示す凹凸パターンを設計し、この設計した凹凸パターンを敷き詰めるように並べることによって有機膜８全体の凹凸パターンが設計される。従って、図３０の実線で示される緩やかな起伏と急峻な起伏が生じないようにすることができ、その結果、反射電極基板１を画像表示装置に適用した場合、光の利用効率の向上が図られるという利点もある。
【０１１６】
また、第１乃至第３実施例の反射電極基板を画像表示装置に適用した場合、従来基板１００を画像表示装置に適用した場合と比較して、コントラストを向上させることが可能である。この理由について以下に説明する。
【０１１７】
従来基板１００を用いて画像表示装置を構成する場合、色付きが生じないように、従来基板１００の表面には、光を拡散させる機能を有する拡散フィルムが設けられる。しかしながら、拡散フィルムはコントラストを低下させる原因となる。
【０１１８】
これに対して、第１乃至第３実施例の反射電極基板は、有機膜８の起伏部ピッチ又は起伏部の並ぶ方向を調整することによって、色付きが解消又は低減されている。従って、色付きが完全に解消されている場合は、反射電極基板１に拡散フィルムを備える必要がなく、コントラストの低下が防止される。一方、色付きが完全に解消されておらず色付きが僅かに認識できる場合は、色付きを完全に解消するには従来基板と同様に拡散フィルムが必要となる。しかしながら、第１乃至第３実施例の反射電極基板１は、拡散フィルムを備えなくても色付きは或る程度軽減しているので、第１乃至第３実施例の反射電極基板１に必要な拡散フィルムとして、従来基板１００に必要な拡散フィルムよりも拡散性能が低いものを使用することができる。従って、画像表示装置に、第１乃至第３実施例の反射電極基板を用いることによって、従来基板を用いるよりも、コントラストの低下を抑えることができる。
【０１１９】
尚、第１乃至第３実施例では、有機膜８が有する起伏部は繋がっているが、これら起伏部は、例えば、各起伏部毎に分離されていてもよい。
【０１２０】
また、第１乃至第３実施例では、サブ画素はストライプ配列で配列されているが、本発明は、サブ画素がストライプ配列以外のやり方（例えば、デルタ配列）で配列されていてもよい。この場合であっても、起伏部ピッチと画素ピッチとの関係を非整数倍にする、又は起伏部の並ぶ方向をサブ画素（反射電極）の並ぶ方向に対して交差させることによって、色付きを解消又は低減することができる。
【０１２１】
また、第１乃至第３実施例では、１画素が３つのサブ画素で構成された例が示されているが、本発明は、１画素が、例えば４つのサブ画素で構成されていてもよい。この場合であっても、起伏部ピッチと画素ピッチとの関係を非整数倍にする、又は起伏部の並ぶ方向をサブ画素（反射電極）の並ぶ方向に対して交差させることによって、色付きを解消又は低減することができる。
【０１２２】
更に、第１乃至第３実施例では、カラーの画像表示させるために使用される反射電極基板が示されているが、本発明は、モノクロ画像を表示させるための反射電極基板にも適用できる。反射電極基板がモノクロ画像の表示用に構成されている場合、１画素に形成される反射電極は１つであるが、この場合であっても、起伏部ピッチと画素ピッチとの関係を非整数倍にする、又は起伏部の並ぶ方向を画素（反射電極）の並ぶ方向に対して交差させることによって、色付きを解消又は低減することができる。
【０１２３】
また、第１乃至第３実施例では、起伏部の凹凸パターンは、コンタクトホールＣＨの有無を除けば、どの起伏部も図６に示す凹凸パターンで表すことができる。従って、反射電極基板１の全体に渡って、個々の起伏部に対して異なる凹凸パターンを設計する必要は無く、起伏部の凹凸パターンの設計が容易になるという利点がある。
【０１２４】
更に、第１乃至第３実施例の反射電極基板１では、各サブ画素は光を反射する反射機能のみを有しており、光を透過する透過機能は有していないが、各サブ画素が、反射機能と透過機能との両方を備えている場合でも、本発明を適用することができる。
また、第１乃至第３実施例では、反射電極が各サブ画素領域毎に分離された例に本発明を適用しているが、例えばｘ方向に延在するライン状の反射電極を備えた例に本発明を適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
光を反射させることによって画像を表示する画像表示装置に利用の可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】図１は、本発明の反射構造体の第１実施例である、反射電極Ｅを有する反射電極基板１を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す領域Ｆの拡大平面図である。
【図３】図３は、各画素領域にＴＦＴが形成された基板を示す平面図である。
【図４】図４は、図３のサブ画素領域Ａｒ１のIV−IVラインに沿う断面図である。
【図５】図５は、凹凸の起伏面を有する有機膜８が形成された基板の平面図である。
【図６】図６は、図４に示す各起伏部１８乃至１２８が有する凹部及び凸部のｘｙ面内における分布パターンを示す図である。
【図７】図７は、コンタクトホールＣＨを有する起伏部のｘｙ面内における凹凸分布パターンの一例を示す図である。
【図８】図８は、画素ピッチＳｘ及びＳｙに対してそれぞれ整数倍の起伏部ピッチＴｘ’及びＴｙ’で並ぶ起伏部を有する有機膜８０が形成された後の基板の平面図である。
【図９】図９は、図８に示す有機膜８０が有する矩形状起伏部８１の拡大詳細図である。
【図１０】図１０は、図８の矩形状起伏部８１のサブ画素領域Ａｒ１側に存在する６個の凸部８１ａ乃至８１ｆの概略断面図である。
【図１１】図１１は、図８に示す矩形状起伏部８１内の２つの凸部８１ａ及び８１ｂと、それぞれに対応する矩形状起伏部８３内の２つの凸部８３ａ及び８３ｂとを含む断面図である。
【図１２】図１２は、反射電極Ｅｒ１、Ｅｇ１及びＥｂ１等が形成された基板の平面図である。
【図１３】図１３は、図１２に示す反射電極Ｅｒ１の凸部ｐ（８１ａ）及び反射電極Ｅｂ１の凸部ｐ（８３ａ）を含む一部断面図である。
【図１４】図１４は、従来基板１００に光を照射するときの説明図である。
【図１５】図１５は、図１４に示す領域Ｆの拡大図である。
【図１６】図１６は、観測者ＨＥが従来基板１００上に認識する色プロファイルのシミュレーション結果である。
【図１７】図１７は、図１４に示す領域Ｆの拡大図である。
【図１８】図１８は、観測者ＨＥが基板上に認識する色プロファイルのシミュレーション結果である。
【図１９】図１９は、図１４に示す領域Ｆの拡大図である。
【図２０】図２０は、観測者ＨＥが基板上に認識する色プロファイルのシミュレーション結果である。
【図２１】図２１は、色プロファイルＣｘ、Ｃｙ及びＣxyが重なった状態を示す図である。
【図２２】図２２は、図５の６個の起伏部２８、３８、５８、６８、８８及び９８の対応する６個の凸部２８ａ、３８ａ、５８ａ、６８ａ、８８ａ及び９８ａをｙ方向から見た概略断面図である。
【図２３】図２３は、図１に示す領域Ｆの拡大図である。
【図２４】図２４は、図２３に示す６個の凸部ｐ（２８ａ）乃至ｐ（９８ａ）をｙ方向から見た概略断面図である。
【図２５】図２５は、観測者ＨＥが反射電極基板１上に認識する色の概念図である。
【図２６】図２６は、起伏部ピッチＴｘと画素ピッチＳｘとの関係のみを非整数倍にした第２実施例の反射電極基板の平面図である。
【図２７】図２７は、図２６に示すｘ方向に並ぶ凸部ｐ（１８ａ）、ｐ（３８ａ）及びｐ（５８ａ）をｙ方向から見た概略断面図である。
【図２８】図２８は、図２６に示す凸部ｐ（１８ａ）及びｐ（１８ｃ）のペアと、凸部ｐ（４８ａ）及びｐ（４８ｃ）のペアをｄxy’方向から見た概略断面図である。
【図２９】図２９は、第１及び第２実施例とは別の方法で色付きを解消又は低減することが可能な第３実施例の反射電極基板１の一部平面図である。
【図３０】図３０は、従来基板１００の第１及び第２の直線状起伏部９１及び９２（図８参照）の断面形状の概略を表すプロファイルと、従来基板１００の矩形状起伏部の断面形状の概略を表すプロファイルである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体、および
前記基体上に形成された反射手段、
を有する反射構造体であって、
前記基体は、
高さの異なる部分を有する第１の下地面と、高さの異なる部分を有する第２の下地面と、が備えられた支持体、
前記支持体に形成された第１の起伏部であって、第１の凹部又は凸部を有する第１の起伏部、および
前記支持体に形成された第２の起伏部であって、前記第１の凹部又は凸部に対応する第２の凹部又は凸部を有する第２の起伏部、
を有し、
前記第１および第２の下地面が、第１の方向に第１の下地面ピッチで並び、
前記第１および第２の起伏部が、前記第１の方向に第１の起伏部ピッチで並び、
前記第１の下地面ピッチ及び前記第１の起伏部ピッチのうちの大きい方のピッチが、小さい方のピッチの非整数倍である、反射構造体。
【請求項２】
前記第１の起伏部が前記第２の起伏部に繋がっている、請求項１に記載の反射構造体。
【請求項３】
前記第１の下地面ピッチが第１の画素ピッチに等しい、請求項１又は２に記載の反射構造体。
【請求項４】
前記反射手段が第１の反射板および第２の反射板を有し、前記第１および第２の反射板が前記第１の方向に前記第１の画素ピッチで並ぶ、請求項３に記載の反射構造体。
【請求項５】
前記支持体が、
第１の導電ライン、
第２の導電ライン、
前記第１の導電ラインを通じて前記第１の反射板にデータを供給するための第１の駆動素子、および
前記第２の導電ラインを通じて前記第２の反射板にデータを供給するための第２の駆動素子、
を有し、
前記第１および第２の導電ラインは、前記第１の方向に前記第１の画素ピッチで並び、
前記第１および第２の駆動素子は、前記第１の方向に前記第１の画素ピッチで並ぶ、請求項４に記載の反射構造体。
【請求項６】
前記支持体が、高さの異なる部分を有する第３の下地面を有し、
前記基体が、前記支持体に形成された第３の起伏部であって、前記第１の凹部又は凸部に対応する第３の凹部又は凸部を有する第３の起伏部を有し、
前記第１および第３の下地面は、第２の方向に第２の下地面ピッチで並び、
前記第１および第３の起伏部は、前記第２の方向に第２の起伏部ピッチで並び、
前記第２の下地面ピッチ及び前記第２の起伏部ピッチのうちの大きい方のピッチが、小さい方のピッチの非整数倍である、請求項１〜５のうちのいずれか一項に記載の反射構造体。
【請求項７】
前記第１の起伏部が前記第３の起伏部に繋がっている、請求項６に記載の反射構造体。
【請求項８】
前記第２の下地面ピッチが第２の画素ピッチに等しい、請求項６又は７に記載の反射構造体。
【請求項９】
前記支持体が、
第３の導電ライン、
第４の導電ライン、および
前記第３の導電ラインを通じて制御される第３の駆動素子、
を有し、
前記第１の駆動素子は、前記第４の導電ラインを通じて制御され、
前記第３および第４の導電ラインが、前記第２の方向に前記第２の画素ピッチで並び、
前記第１および第３の駆動素子が、前記第２の方向に前記第２の画素ピッチで並ぶ、請求項８に記載の反射構造体。
【請求項１０】
前記反射手段が、前記第３の駆動素子に対応する第３の反射板を有し、前記第１および第３の反射板が前記第２の方向に前記第２の画素ピッチで並ぶ、請求項９に記載の反射構造体。
【請求項１１】
前記第１および第２の方向が、それぞれ行方向及び列方向である、請求項６乃至１０のうちのいずれか１項に記載の反射構造体。
【請求項１２】
前記反射手段が、前記第１の方向に延在する反射ラインを有する、請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の反射構造体。
【請求項１３】
基体、および
前記基体上に形成された反射手段、
を有する反射構造体であって、
前記基体は、
高さの異なる部分を有する第１の下地面と、高さの異なる部分を有する第２の下地面と、高さの異なる部分を有する第３の下地面と、が備えられた支持体、
前記支持体に形成された第１の起伏部、
前記支持体に形成された第２の起伏部、および
前記支持体に形成された第３の起伏部、
を有し、
前記第１および第２の下地面が、第１の下地面方向に、複数の下地面ピッチのうちの第１の下地面ピッチで並び、前記第１の下地面ピッチは、前記複数の下地面ピッチのうちの最も小さいピッチであり、
前記第１および第３の下地面が、第２の下地面方向に、前記複数の下地面ピッチのうちの第２の下地面ピッチで並び、前記第２の下地面ピッチは、前記第１の下地面ピッチに等しい、又は前記第１の下地面ピッチの次に最も小さいピッチであり、
前記第１および第２の起伏部が、第１の起伏部方向に、複数の起伏部ピッチのうちの第１の起伏部ピッチで並び、前記第１の起伏部ピッチは、前記複数の起伏部ピッチのうちの最も小さいピッチであり、
前記第１および第３の起伏部が、第２の起伏部方向に、前記複数の起伏部ピッチのうちの第２の起伏部ピッチで並び、前記第２の起伏部ピッチは、前記第１の起伏部ピッチに等しい、又は前記第１の起伏部ピッチの次に最も小さいピッチであり、
前記第１及び第２の起伏部方向のうちの少なくとも一方が、前記第１及び第２の下地面方向とは異なる方向である、反射構造体。
【請求項１４】
前記第１、第２、および第３の起伏部が繋がっている、請求項１３に記載の反射構造体。
【請求項１５】
前記第１の下地面ピッチが第１の画素ピッチに等しい請求項１３又は１４に記載の反射構造体。
【請求項１６】
前記反射手段が、前記第１の下地面方向に前記第１の画素ピッチで並ぶ第１の反射板および第２の反射板を有する、請求項１５に記載の反射構造体。
【請求項１７】
前記支持体が、
第１の導電ライン、
第２の導電ライン、
前記第１の導電ラインから前記第１の反射板にデータを供給するための第１の駆動素子、および
前記第２の導電ラインから前記第２の反射板にデータを供給するための第２の駆動素子、
を有し、
前記第１および第２の導電ラインは、前記第１の下地面方向に前記第１の画素ピッチで並び、
前記第１および第２の駆動素子は、前記第１の下地面方向に前記第１の画素ピッチで並ぶ、請求項１６に記載の反射構造体。
【請求項１８】
前記支持体が、
第３の導電ライン、
第４の導電ライン、および
前記第３の駆動ラインを通じて制御される第３の駆動素子、
を有し、
前記第１の駆動素子は、前記第４の導電ラインを通じて制御され、
前記第３および第４の導電ラインは、前記第２の方向に前記第２の画素ピッチで並び、
前記第１および第３の駆動素子は、前記第２の方向に前記第２の画素ピッチで並ぶ、請求項１７に記載の反射構造体。
【請求項１９】
前記反射手段は、前記第３の駆動素子に対応する第３の反射板を有し、前記第１および第３の反射板が前記第２の方向に前記第２の画素ピッチで並ぶ、請求項１８に記載の反射構造体。
【請求項２０】
前記反射手段が、前記第１の下地面方向に延在する反射ラインを有する、請求項１３〜１５のうちのいずれか一項に記載の反射構造体。
【請求項２１】
請求項１乃至２０のうちのいずれか１項に記載の反射構造体を有する画像表示装置。
【請求項１】
基体、および
前記基体上に形成された反射手段、
を有する反射構造体であって、
前記基体は、
高さの異なる部分を有する第１の下地面と、高さの異なる部分を有する第２の下地面と、が備えられた支持体、
前記支持体に形成された第１の起伏部であって、第１の凹部又は凸部を有する第１の起伏部、および
前記支持体に形成された第２の起伏部であって、前記第１の凹部又は凸部に対応する第２の凹部又は凸部を有する第２の起伏部、
を有し、
前記第１および第２の下地面が、第１の方向に第１の下地面ピッチで並び、
前記第１および第２の起伏部が、前記第１の方向に第１の起伏部ピッチで並び、
前記第１の下地面ピッチ及び前記第１の起伏部ピッチのうちの大きい方のピッチが、小さい方のピッチの非整数倍である、反射構造体。
【請求項２】
前記第１の起伏部が前記第２の起伏部に繋がっている、請求項１に記載の反射構造体。
【請求項３】
前記第１の下地面ピッチが第１の画素ピッチに等しい、請求項１又は２に記載の反射構造体。
【請求項４】
前記反射手段が第１の反射板および第２の反射板を有し、前記第１および第２の反射板が前記第１の方向に前記第１の画素ピッチで並ぶ、請求項３に記載の反射構造体。
【請求項５】
前記支持体が、
第１の導電ライン、
第２の導電ライン、
前記第１の導電ラインを通じて前記第１の反射板にデータを供給するための第１の駆動素子、および
前記第２の導電ラインを通じて前記第２の反射板にデータを供給するための第２の駆動素子、
を有し、
前記第１および第２の導電ラインは、前記第１の方向に前記第１の画素ピッチで並び、
前記第１および第２の駆動素子は、前記第１の方向に前記第１の画素ピッチで並ぶ、請求項４に記載の反射構造体。
【請求項６】
前記支持体が、高さの異なる部分を有する第３の下地面を有し、
前記基体が、前記支持体に形成された第３の起伏部であって、前記第１の凹部又は凸部に対応する第３の凹部又は凸部を有する第３の起伏部を有し、
前記第１および第３の下地面は、第２の方向に第２の下地面ピッチで並び、
前記第１および第３の起伏部は、前記第２の方向に第２の起伏部ピッチで並び、
前記第２の下地面ピッチ及び前記第２の起伏部ピッチのうちの大きい方のピッチが、小さい方のピッチの非整数倍である、請求項１〜５のうちのいずれか一項に記載の反射構造体。
【請求項７】
前記第１の起伏部が前記第３の起伏部に繋がっている、請求項６に記載の反射構造体。
【請求項８】
前記第２の下地面ピッチが第２の画素ピッチに等しい、請求項６又は７に記載の反射構造体。
【請求項９】
前記支持体が、
第３の導電ライン、
第４の導電ライン、および
前記第３の導電ラインを通じて制御される第３の駆動素子、
を有し、
前記第１の駆動素子は、前記第４の導電ラインを通じて制御され、
前記第３および第４の導電ラインが、前記第２の方向に前記第２の画素ピッチで並び、
前記第１および第３の駆動素子が、前記第２の方向に前記第２の画素ピッチで並ぶ、請求項８に記載の反射構造体。
【請求項１０】
前記反射手段が、前記第３の駆動素子に対応する第３の反射板を有し、前記第１および第３の反射板が前記第２の方向に前記第２の画素ピッチで並ぶ、請求項９に記載の反射構造体。
【請求項１１】
前記第１および第２の方向が、それぞれ行方向及び列方向である、請求項６乃至１０のうちのいずれか１項に記載の反射構造体。
【請求項１２】
前記反射手段が、前記第１の方向に延在する反射ラインを有する、請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の反射構造体。
【請求項１３】
基体、および
前記基体上に形成された反射手段、
を有する反射構造体であって、
前記基体は、
高さの異なる部分を有する第１の下地面と、高さの異なる部分を有する第２の下地面と、高さの異なる部分を有する第３の下地面と、が備えられた支持体、
前記支持体に形成された第１の起伏部、
前記支持体に形成された第２の起伏部、および
前記支持体に形成された第３の起伏部、
を有し、
前記第１および第２の下地面が、第１の下地面方向に、複数の下地面ピッチのうちの第１の下地面ピッチで並び、前記第１の下地面ピッチは、前記複数の下地面ピッチのうちの最も小さいピッチであり、
前記第１および第３の下地面が、第２の下地面方向に、前記複数の下地面ピッチのうちの第２の下地面ピッチで並び、前記第２の下地面ピッチは、前記第１の下地面ピッチに等しい、又は前記第１の下地面ピッチの次に最も小さいピッチであり、
前記第１および第２の起伏部が、第１の起伏部方向に、複数の起伏部ピッチのうちの第１の起伏部ピッチで並び、前記第１の起伏部ピッチは、前記複数の起伏部ピッチのうちの最も小さいピッチであり、
前記第１および第３の起伏部が、第２の起伏部方向に、前記複数の起伏部ピッチのうちの第２の起伏部ピッチで並び、前記第２の起伏部ピッチは、前記第１の起伏部ピッチに等しい、又は前記第１の起伏部ピッチの次に最も小さいピッチであり、
前記第１及び第２の起伏部方向のうちの少なくとも一方が、前記第１及び第２の下地面方向とは異なる方向である、反射構造体。
【請求項１４】
前記第１、第２、および第３の起伏部が繋がっている、請求項１３に記載の反射構造体。
【請求項１５】
前記第１の下地面ピッチが第１の画素ピッチに等しい請求項１３又は１４に記載の反射構造体。
【請求項１６】
前記反射手段が、前記第１の下地面方向に前記第１の画素ピッチで並ぶ第１の反射板および第２の反射板を有する、請求項１５に記載の反射構造体。
【請求項１７】
前記支持体が、
第１の導電ライン、
第２の導電ライン、
前記第１の導電ラインから前記第１の反射板にデータを供給するための第１の駆動素子、および
前記第２の導電ラインから前記第２の反射板にデータを供給するための第２の駆動素子、
を有し、
前記第１および第２の導電ラインは、前記第１の下地面方向に前記第１の画素ピッチで並び、
前記第１および第２の駆動素子は、前記第１の下地面方向に前記第１の画素ピッチで並ぶ、請求項１６に記載の反射構造体。
【請求項１８】
前記支持体が、
第３の導電ライン、
第４の導電ライン、および
前記第３の駆動ラインを通じて制御される第３の駆動素子、
を有し、
前記第１の駆動素子は、前記第４の導電ラインを通じて制御され、
前記第３および第４の導電ラインは、前記第２の方向に前記第２の画素ピッチで並び、
前記第１および第３の駆動素子は、前記第２の方向に前記第２の画素ピッチで並ぶ、請求項１７に記載の反射構造体。
【請求項１９】
前記反射手段は、前記第３の駆動素子に対応する第３の反射板を有し、前記第１および第３の反射板が前記第２の方向に前記第２の画素ピッチで並ぶ、請求項１８に記載の反射構造体。
【請求項２０】
前記反射手段が、前記第１の下地面方向に延在する反射ラインを有する、請求項１３〜１５のうちのいずれか一項に記載の反射構造体。
【請求項２１】
請求項１乃至２０のうちのいずれか１項に記載の反射構造体を有する画像表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【公表番号】特表２００７−５２３３６３（Ｐ２００７−５２３３６３Ａ）
【公表日】平成１９年８月１６日（２００７．８．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５４８４５０（Ｐ２００６−５４８４５０）
【出願日】平成１６年１２月２４日（２００４．１２．２４）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＩＢ２００４／０５２９２０
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０６９０６５
【国際公開日】平成１７年７月２８日（２００５．７．２８）
【出願人】（５９００００２４８）コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ (12,071)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１９年８月１６日（２００７．８．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１２月２４日（２００４．１２．２４）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＩＢ２００４／０５２９２０
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０６９０６５
【国際公開日】平成１７年７月２８日（２００５．７．２８）
【出願人】（５９００００２４８）コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ (12,071)
【Ｆターム（参考）】
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