反射鏡付放電ランプ
【課題】反射鏡の開口部側の電極の温度上昇を抑制し、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプを提供する。
【解決手段】この発明に係る反射鏡付放電ランプ１００は、開口部３ａとこの開口部３ａの反対側にネック部３ｂとを有する楕円形反射鏡３と、中心軸が楕円形反射鏡３の開口部３ａとネック部３ｂとを結ぶ中心軸に略一致し、発光部１１の中心が楕円形反射鏡３の焦点と略一致し、石英バルブ２０内にＦリード線１７が溶接されたＦモリブデン箔１５を溶接したＦ電極１２と、Ｒリード線１８が溶接されたＲモリブデン箔１６を溶接したＲ電極１３と、水銀１４と、希ガスとを封入した発光部１１を略中央部に有する発光管１と、発光部１１を形成する石英バルブ２０における、少なくとも楕円形反射鏡３の開口部３ａ側のＦ電極１２付近の表面に施され、Ｆ電極１２の温度上昇を抑制する電極温度上昇抑制加工部６０とを備えたことを特徴とする。
【解決手段】この発明に係る反射鏡付放電ランプ１００は、開口部３ａとこの開口部３ａの反対側にネック部３ｂとを有する楕円形反射鏡３と、中心軸が楕円形反射鏡３の開口部３ａとネック部３ｂとを結ぶ中心軸に略一致し、発光部１１の中心が楕円形反射鏡３の焦点と略一致し、石英バルブ２０内にＦリード線１７が溶接されたＦモリブデン箔１５を溶接したＦ電極１２と、Ｒリード線１８が溶接されたＲモリブデン箔１６を溶接したＲ電極１３と、水銀１４と、希ガスとを封入した発光部１１を略中央部に有する発光管１と、発光部１１を形成する石英バルブ２０における、少なくとも楕円形反射鏡３の開口部３ａ側のＦ電極１２付近の表面に施され、Ｆ電極１２の温度上昇を抑制する電極温度上昇抑制加工部６０とを備えたことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プロジェクタ装置に使用される反射鏡付放電ランプに関する。
【背景技術】
【０００２】
現状、交流タイプの反射鏡付放電ランプ（以下、ランプとも呼ぶ）は、特に楕円形反射鏡との組合せの場合、光学系からの反射光により楕円形反射鏡の開口部側の電極の温度が上昇し、それにより両電極間に温度差が発生し正常なハロゲンサイクルが機能しなくなる。結果として、楕円形反射鏡の開口部側の電極先端が損耗し、ランプ特性が維持できなくなる場合がある。また、電極損耗により、電極形状が変化しアークスポットのずれが発生する。一般的に交流タイプの超高圧水銀ランプの場合、サイクル毎のスポットずれが、「ちらつき」となって感じられる。
【０００３】
この対策として、サイクル毎の電流波形に重畳パルスを加えて、電極先端の温度を高め、ハロゲンサイクルの最適化を図る方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特表平１０−５０１９１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１の方法では、常に一定の電流パルスが発生しており、ハロゲンサイクルの最適化を図るどころか、逆に電極に大きなダメージを与えることになりかねない。
【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、反射鏡の開口部側の電極の温度上昇を抑制し、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る反射鏡付放電ランプは、
開口部とこの開口部の反対側にネック部とを有する反射鏡と、
中心軸が前記反射鏡の前記開口部と前記ネック部とを結ぶ中心軸に略一致し、発光部の中心が前記反射鏡の焦点と略一致し、石英バルブ内にＦリード線が溶接されたＦモリブデン箔を溶接したＦ電極と、Ｒリード線が溶接されたＲモリブデン箔を溶接したＲ電極と、水銀と、希ガスとを封入した前記発光部を略中央部に有する発光管と、
前記発光部を形成する前記石英バルブにおける、少なくとも前記反射鏡の前記開口部側のＦ電極付近の表面に施され、前記Ｆ電極の温度上昇を抑制する電極温度上昇抑制加工部とを備えたことを特徴とする。
【０００７】
また、前記電極温度上昇抑制加工部の前記反射鏡の前記開口部側の軸方向端部は、前記Ｆモリブデン箔側の封止部の前記反射鏡の前記開口部側の端部付近まで延びるように構成することを特徴とする。
【０００８】
また、前記電極温度上昇抑制加工部を、赤外線反射膜で構成することを特徴とする。
【０００９】
また、前記電極温度上昇抑制加工部を、フロスト加工により施すことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
この発明に係る反射鏡付放電ランプは、発光部を形成する石英バルブにおける、少なくとも反射鏡の開口部側のＦ電極付近の表面に施され、Ｆ電極の温度上昇を抑制する電極温度上昇抑制加工部を備えたことにより、反射鏡の開口部側の電極の温度上昇を抑制し、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプが得られる。
【００１１】
また、電極温度上昇抑制加工部の反射鏡の開口部側の軸方向端部を、Ｆモリブデン箔側の封止部の反射鏡の開口部側の端部付近まで延びるように構成することにより、さらに反射鏡の開口部側の電極の温度上昇を抑制し、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプが得られる。
【００１２】
また、電極温度上昇抑制加工部を赤外線反射膜で構成することにより、プロジェクタ装置の光学系からの反射光を反射するので、反射鏡の開口部側のＦ電極の温度上昇を抑制することができ、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプが得られる。
【００１３】
また、電極温度上昇抑制加工部をフロスト加工により施すことにより、電極温度上昇抑制加工部の表面積が増加する。また、プロジェクタ装置の光学系からの反射光を電極温度上昇抑制加工部の凹凸により拡散させる。これらの二つの要因により、反射鏡の開口部側のＦ電極の温度上昇を抑制することができる。それにより、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
実施の形態１．
図１乃至図８は実施の形態１を示す図で、図１は反射鏡付放電ランプ１００の構成図、図２は一部を破断して断面で示す反射鏡付放電ランプ１００の構成図、図３は製造過程における初期のＦ電極１２の構成を示す図、図４はＦ電極１２の先端を溶解してメルト電極１２ｃを形成した図、図５はＦ電極１２を点灯させて電極先端部１２ｄを形成した図、図６はシミュレーションに用いたプロジェクタ装置の構成の概念図、図７は図６の構成において光学系から発光管１へ戻るエネルギーを求めた結果を示す図、図８は一部を破断して断面で示す変形例の反射鏡付放電ランプ１００の構成図である。
【００１５】
本実施の形態は、発光管１の石英バルブの表面に施す加工に特徴がある。従って、反射鏡付放電ランプ１００の全体構成については、簡単に説明する。
【００１６】
図１、図２により、反射鏡付放電ランプ１００の構成を説明する。反射鏡付放電ランプ１００は、発光管１と、この発光管１を保持するセラミックリング２と、セラミックリング２が固定される楕円形反射鏡３（反射鏡の一例）と、セラミックリング２の後面に固定されるキャップ５とを備える。セラミックリング２は、発光管１のＲモリブデン箔付近（封止部）を保持する。反射鏡は、楕円形反射鏡３以外に、放物型反射鏡等でもよい。
【００１７】
発光管１は、石英バルブ２０内にＦリード線１７が溶接されたＦモリブデン箔１５を溶接したＦ電極１２と、Ｒリード線１８が溶接されたＲモリブデン箔１６を溶接したＲ電極１３と、水銀１４と、希ガス（アルゴン等）を封入した略球状の発光部１１を中央部（中央部分）に有する。
【００１８】
楕円形反射鏡３は、回転楕円体形状の一部分の形をしている。楕円形反射鏡３の材質は、ガラスである。
【００１９】
発光管１は、Ｆ電極１２を楕円形反射鏡３の開口部３ａ側に、Ｒ電極１３をネック部３ｂ側にして配置させる。
【００２０】
発光管１の中心軸を、楕円形反射鏡３の開口部３ａとネック部３ｂを結ぶ中心軸に一致させ、発光部１１の中心が楕円形反射鏡３の焦点に一致するように発光管１を楕円形反射鏡３に組み込んだ構造とする。
【００２１】
セラミックリング２は、外周面２ａ、内周面２ｂを有する略円筒形である。セラミックリング２は、楕円形反射鏡３に固定される側の端部に、楕円形反射鏡３のネック部３ｂを覆うように嵌合する嵌合部２２を備える。
【００２２】
また、セラミックリング２は、楕円形反射鏡３に固定される側の端部に、楕円形反射鏡３のネック部３ｂの軸方向端部が当接する当接部２１を備える。当接部２１は、発光管１の中心線方向に対して略直角である。
【００２３】
セラミックリング２は、セメント４ａにより楕円形反射鏡３に固定される。セメント４ａの主成分は、シリカである。
【００２４】
さらに、セラミックリング２は、楕円形反射鏡３に固定される側の端部に、嵌合部２２を切り欠いた切り欠き部２３を備える。切り欠き部２３は、通風口として機能する。反射鏡付放電ランプ１００において、楕円形反射鏡３にセラミックリング２を固定した状態では、切り欠き部２３が開口している。発光管１が何らかの原因により破裂した場合、ガラスの破片がこの切り欠き部２３から飛び散る恐れがあるので、図１に示すように、切り欠き部２３にメッシュ７を設けている。
【００２５】
ここで、反射鏡付放電ランプ１００の組み立て手順を簡単に説明する。
【００２６】
先ず、楕円形反射鏡３にセラミックリング２を固定する。楕円形反射鏡３のネック部３ｂに、セラミックリング２の嵌合部２２をネック部３ｂを覆うように嵌め、ネック部３ｂの軸方向端部にセラミックリング２の当接部２１を当接させる。
【００２７】
その状態で、セメント４ａで、楕円形反射鏡３とセラミックリング２とを接着する。セメント４ａの主成分は、シリカである。
【００２８】
次に、発光管１を楕円形反射鏡３とセラミックリング２の内部に挿入する。そして、発光管１を点灯させながら、発光管１に３次元的な位置調整（軸調整ともいう）を行う。
【００２９】
これにより、発光管１の中心軸が楕円形反射鏡３の開口部３ａとネック部３ｂを結ぶ中心軸に一致し、発光部１１の中心が楕円形反射鏡３の焦点となる状態となる。
【００３０】
そして、セメント４ｂを発光管１とセラミックリング２の内周面２ｂとの隙間に注入し乾燥する（図２）。セメント４ｂは、セメント４ａと同様、主成分はシリカである。
【００３１】
さらに、セラミックリング２から突出している発光管１を切断する。このとき、Ｒリード線１８は切断しない。
【００３２】
Ｒリード線１８とトリガーワイヤ９とを、かしめ部材（図示せず、金属製）でかしめる。リング状のかしめ部材にＲリード線１８とトリガーワイヤ９とを通し、リング状のかしめ部材を潰してかしめるイメージである。
【００３３】
Ｒリード線１８とトリガーワイヤ９とをかしめたかしめ部材を第１の端子６に溶接する。
【００３４】
そして、キャップ５をセラミックリング２に被せる。このとき、キャップ５にはその側壁に切り欠き部（図示せず）があり、この切り欠き部に第１の端子６が納まる。
【００３５】
尚、発光管１の楕円形反射鏡３の開口部３ａ側のＦリード線１７は、楕円形反射鏡３の外周面に取り付けられる第２の端子３１に接続される。
【００３６】
第１の端子６と、第２の端子３１とが電源に接続される。
【００３７】
本実施の形態の特徴は、発光管１の発光部１１を形成する石英バルブ２０における、楕円形反射鏡３の開口部３ａ側のＦ電極１２付近の表面に電極温度上昇抑制加工部６０を施す点に特徴がある。電極温度上昇抑制加工部６０は、楕円形反射鏡３の開口部３ａ側のＦ電極１２の温度上昇を抑制するために設けられる。詳細を後述する。
【００３８】
次に、Ｆ電極１２、Ｒ電極１３の構成について説明する。Ｆ電極１２とＲ電極１３の基本的な構成は同じであるので、Ｆ電極１２を例に説明する。
【００３９】
図３に示すように、Ｆ電極１２は、先ず芯線１２ａの一方の端部（Ｒ電極１３と対向する側）にコイル１２ｂを所定線径、所定巻数で巻く。コイル１２ｂの所定線径、所定巻数は、ランプのワット数によって変わる。
【００４０】
図３に示すＦ電極１２は、例えば、２５０Ｗワットのランプに使用されるものである。ワット数が増えると、コイル１２ｂの所定線径、所定巻数は増加する。
【００４１】
芯線１２ａの材料は、タングステンである。また、芯線１２ａの線径は、０．５ｍｍ程度である。
【００４２】
コイル１２ｂの材料も、タングステンである。また、コイル１２ｂの線径は、０．２５〜０．３ｍｍ程度である。
【００４３】
Ｆ電極１２（Ｒ電極１３も同じ）は、図３の形状のままでは、ランプでの放電が安定しないため、Ｒ電極１３に対向する部分を滑らかな曲面にする。Ｆ電極１２の先端に、滑らかな曲面形状のメルト電極１２ｃを形成する（図４参照）。
【００４４】
メルト電極１２ｃは、Ｆ電極１２及びＲ電極１３にタングステンが溶解する程度の電流を流すことで形成される。タングステンの融点は、約３４０７°Ｃである。
【００４５】
このメルト電極１２ｃは、Ｆ電極１２及びＲ電極１３を発光管１に組み込む前に行う場合と、Ｆ電極１２及びＲ電極１３を発光管１に組み込んだ後に行う場合とがある。どちらでもよい。
【００４６】
さらに、ランプ完成後に、エージング（ランプを点灯させる）を行うと、Ｆ電極１２（Ｒ電極１３も同じ）のメルト電極１２ｃの先端に、メルト電極１２ｃに比べると小さい電極先端部１２ｄ（図５参照）が形成される。
【００４７】
メルト電極１２ｃのサイズは、例えば、軸方向長さ、最大径ともに約０．１〜０．２ｍｍ程度である。
【００４８】
次に、プロジェクタ装置の光学系からのランプへ戻る反射光のエネルギーをシミュレーションにより調査した結果を示す。
【００４９】
図６はシミュレーションに用いたプロジェクタ装置の構成の概念図である。図６において、本実施の形態の反射鏡付放電ランプ１００は、プロジェクタ装置の前面ガラス３０を備えるホルダーに保持される。
【００５０】
前面ガラス３０は、反射鏡付放電ランプ１００の中心線１００ａに対する直交線に対して、角度θ１傾斜している。角度θ１は、例えば、十度以内である。前面ガラス３０では、発光管１から放射された光は、全透過する（一例）。
【００５１】
前面ガラス３０の前方に、紫外線と赤外線を反射するＵＶ／ＩＲフィルタ４０（紫外線／赤外線フィルタ）を設ける。ＵＶ／ＩＲフィルタ４０も、反射鏡付放電ランプ１００の中心線１００ａに対する直交線に対して、角度θ２傾斜している。角度θ２は、例えば、十数度である。
【００５２】
ＵＶ／ＩＲフィルタ４０を角度θ２傾斜させているのは、ＵＶ／ＩＲフィルタ４０から戻る紫外線／赤外線が反射鏡付放電ランプ１００から外れ、発光管１に戻るエネルギーが傾斜させない場合より小さくなると考えられるからである。
【００５３】
ＵＶ／ＩＲフィルタ４０の前方に、カラーフォイル５０を設ける。カラーフォイル５０からは、光が前方へ放射される。但し、カラーフォイル５０から戻るエネルギーもある。
【００５４】
図７は図６の構成において光学系から発光管１へ戻るエネルギーを求めた結果を示す図であり、横軸は前面ガラス３０と発光管１の放電中心（Ｆ電極１２とＲ電極１３との間の中心）との距離、縦軸は発光管１へ戻るエネルギー（全放射エネルギーに対する比［％］）である。そして、図６の構成において、Ｆ電極１２とＲ電極１３とに戻るエネルギーを求めている。また、参考に図６の構成からＵＶ／ＩＲフィルタ４０を省いたときのＦ電極１２に戻るエネルギーも求めている。但し、このデータについては、特に以下では言及しない。
【００５５】
図７から解るように、プロジェクタ装置で通常採用される前面ガラス３０と発光管１の放電中心との距離において、図６の構成では、
（１）Ｆ電極１２へ戻るエネルギー（全放射エネルギーに対する比［％］）は、６．５〜８［％］程度である。
（２）Ｒ電極１３へ戻るエネルギー（全放射エネルギーに対する比［％］）は、１〜２［％］程度である。
【００５６】
このように、Ｒ電極１３に比べ、Ｆ電極１２へ戻るエネルギーが圧倒的に大きい。そのため、Ｆ電極１２の温度が上昇し、Ｒ電極１３との温度差が発生する場合は、Ｆ電極１２の電極先端部１２ｄが損耗し、ランプ特性が維持できなくなる場合がある。また、電極先端部１２ｄの損耗により、電極形状が変化しアークスポットのずれが発生する。交流タイプの反射鏡付放電ランプ１００の場合、サイクル毎のスポットずれが、「ちらつき」となって感じられることになる。
【００５７】
上記シミュレーション（図６の構成）におけるＦ電極１２とＲ電極１３の温度データの一例は、以下に示す通りである。
（１）Ｆ電極１２の温度：約２９００℃
（２）Ｒ電極１３の温度：約２８００℃
両者には、約１００℃の差があることが解る。
【００５８】
参考データであるが、反射鏡付放電ランプ１００をプロジェクタ装置から外に出し、自然点灯した場合のＦ電極１２とＲ電極１３の温度データの一例は、以下に示す通りである。
（１）Ｆ電極１２の温度：２８１５〜２８２０℃
（２）Ｒ電極１３の温度：２８１１〜２８１７℃
両者には、殆ど差がないことが解る。
【００５９】
このように、反射鏡付放電ランプ１００をプロジェクタ装置に組込むと、プロジェクタ装置の光学系からの反射光により楕円形反射鏡３の開口部側のＦ電極１２の温度が上昇することが解る。それによりＦ電極１２とＲ電極１３との間に温度差が発生し正常なハロゲンサイクルが機能しなくなる。結果として、楕円形反射鏡３の開口部側のＦ電極１２の電極先端部１２ｄが損耗し、ランプ特性が維持できなくなる場合がある。
【００６０】
そこで、本実施の形態では、図２に示すように、発光管１の発光部１１を形成する石英バルブ２０における、楕円形反射鏡３の開口部３ａ側のＦ電極１２付近の表面に電極温度上昇抑制加工部６０を施す。楕円形反射鏡３の開口部側のＦ電極１２の電極先端部１２ｄを含むＦ電極１２の温度上昇を抑制して、Ｆ電極１２の電極先端部１２ｄの損耗を低減することが目的である。
【００６１】
電極温度上昇抑制加工部６０は、例えば、以下に示す方法で形成する。
（１）赤外線反射膜を石英バルブ２０の表面に塗布する。
（２）フロスト加工（サンドブラスト加工）を施す。
【００６２】
赤外線反射膜としては、例えば、高屈折率材料として酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、低屈折率材料としてシリカ（ＳｉＯ２）からなる多層膜が広く使用されているものを用いる。
【００６３】
サンドプラスト加工は、石英バルブ２０の表面を荒らす加工である。サンドプラスト加工により、約１μｍ以下の凹凸が形成される（粗面化される）。
【００６４】
また、電極温度上昇抑制加工部６０が施される位置は、
（１）電極温度上昇抑制加工部６０の楕円形反射鏡３の開口部３ａの反対側の軸方向（発光管１の軸方向）端部と、Ｆ電極１２のコイル１２ｂの芯線１２ａ側（Ｒ電極１３の反対側）の軸方向（発光管１の軸方向）端部とが略一致する。発光管１からの光束を低下させないためである。
（２）電極温度上昇抑制加工部６０の楕円形反射鏡３の開口部３ａ側の軸方向（発光管１の軸方向）端部は、発光管１の石英バルブ２０の発光部１１と、Ｆモリブデン箔１５側の封止部２０ａとの境界線（ネック部ということもある）付近に位置する。
【００６５】
但し、電極温度上昇抑制加工部６０が施される領域は、Ｆ電極１２付近の発光部１１を形成する石英バルブ２０付近に施されていればよい。
【００６６】
赤外線反射膜により形成される電極温度上昇抑制加工部６０は、プロジェクタ装置の光学系からの反射光を反射するので、楕円形反射鏡３の開口部側のＦ電極１２の温度上昇を抑制することができる。それにより、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプを提供することができる。
【００６７】
フロスト加工（サンドブラスト加工）により形成される電極温度上昇抑制加工部６０は、電極温度上昇抑制加工部６０の表面積が増加する。また、プロジェクタ装置の光学系からの反射光を電極温度上昇抑制加工部６０の凹凸により拡散させる。これらの二つの要因により、楕円形反射鏡３の開口部側のＦ電極１２の温度上昇を抑制することができる。それにより、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプを提供することができる。
【００６８】
図８は一部を破断して断面で示す変形例の反射鏡付放電ランプ１００の構成図である。図２では電極温度上昇抑制加工部６０を、（１）電極温度上昇抑制加工部６０の楕円形反射鏡３の開口部３ａの反対側の軸方向（発光管１の軸方向）端部と、Ｆ電極１２のコイル１２ｂの芯線１２ａ側（Ｒ電極１３の反対側）の軸方向（発光管１の軸方向）端部とが略一致し、
（２）電極温度上昇抑制加工部６０の楕円形反射鏡３の開口部３ａ側の軸方向（発光管１の軸方向）端部は、発光管１の石英バルブ２０の発光部１１と、Ｆモリブデン箔１５側の封止部２０ａとの境界線（ネック部ということもある）付近に位置する、ようにした。
【００６９】
これに対して、図８に示す電極温度上昇抑制加工部６０は、
（１）電極温度上昇抑制加工部６０の楕円形反射鏡３の開口部３ａの反対側の軸方向（発光管１の軸方向）端部と、Ｆ電極１２のコイル１２ｂの芯線１２ａ側（Ｒ電極１３の反対側）の軸方向（発光管１の軸方向）端部とが略一致し、
（２）電極温度上昇抑制加工部６０の楕円形反射鏡３の開口部３ａ側の軸方向（発光管１の軸方向）端部は、Ｆモリブデン箔１５側の封止部２０ａの楕円形反射鏡３の開口部３ａ側の端部付近まで延びる。
【００７０】
このような構成とすることにより、赤外線反射膜により形成される電極温度上昇抑制加工部６０は、及びフロスト加工（サンドブラスト加工）により形成される電極温度上昇抑制加工部６０の効果を高めることができる。
【００７１】
以上のように、赤外線反射膜又はフロスト加工（サンドブラスト加工）により形成される電極温度上昇抑制加工部６０を、少なくともＦ電極１２付近の発光部１１を形成する石英バルブ２０付近に施すことにより、プロジェクタ装置の光学系からの反射光による楕円形反射鏡３の開口部側のＦ電極１２の温度上昇を抑制することができる。それにより、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプを提供することができる。
【００７２】
また、電極温度上昇抑制加工部６０の楕円形反射鏡３の開口部３ａの反対側の軸方向（発光管１の軸方向）端部と、Ｆ電極１２のコイル１２ｂの芯線１２ａ側（Ｒ電極１３の反対側）の軸方向（発光管１の軸方向）端部とが略一致するようにすることにより、発光管１からの光束を低下させることなく、プロジェクタ装置の光学系からの反射光による楕円形反射鏡３の開口部側のＦ電極１２の温度上昇を抑制することができる。
【００７３】
また、電極温度上昇抑制加工部６０の楕円形反射鏡３の開口部３ａ側の軸方向（発光管１の軸方向）端部は、Ｆモリブデン箔１５側の封止部２０ａの楕円形反射鏡３の開口部３ａ側の端部付近まで延びるように構成することにより、さらに、プロジェクタ装置の光学系からの反射光による楕円形反射鏡３の開口部側のＦ電極１２の温度上昇を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】実施の形態１を示す図で、反射鏡付放電ランプ１００の構成図。
【図２】実施の形態１を示す図で、一部を破断して断面で示す反射鏡付放電ランプ１００の構成図。
【図３】実施の形態１を示す図で、製造過程における初期のＦ電極１２の構成を示す図。
【図４】実施の形態１を示す図で、Ｆ電極１２の先端を溶解してメルト電極１２ｃを形成した図。
【図５】実施の形態１を示す図で、Ｆ電極１２を点灯させて電極先端部１２ｄを形成した図。
【図６】実施の形態１を示す図で、シミュレーションに用いたプロジェクタ装置の構成の概念図。
【図７】実施の形態１を示す図で、図６の構成において光学系から発光管１へ戻るエネルギーを求めた結果を示す図。
【図８】実施の形態１を示す図で、一部を破断して断面で示す変形例の反射鏡付放電ランプ１００の構成図。
【符号の説明】
【００７５】
１ 発光管、２ セラミックリング、２ａ 外周面、２ｂ 内周面、３ 楕円形反射鏡、３ａ 開口部、３ｂ ネック部、４ａ セメント、４ｂ セメント、５ キャップ、６ 第１の端子、７ メッシュ、９ トリガーワイヤ、１１ 発光部、１２ Ｆ電極、１２ａ 芯線、１２ｂ コイル、１２ｃ メルト電極、１２ｄ 電極先端部、１３ Ｒ電極、１４ 水銀、１５ Ｆモリブデン箔、１６ Ｒモリブデン箔、１７ Ｆリード線、１８ Ｒリード線、２０ 石英バルブ、２０ａ 封止部、２１ 当接部、２２ 嵌合部、２３ 切り欠き部、３０ 前面ガラス、３１ 第２の端子、４０ ＵＶ／ＩＲフィルタ、５０ カラーフォイル、６０ 電極温度上昇抑制加工部、１００ 反射鏡付放電ランプ。
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プロジェクタ装置に使用される反射鏡付放電ランプに関する。
【背景技術】
【０００２】
現状、交流タイプの反射鏡付放電ランプ（以下、ランプとも呼ぶ）は、特に楕円形反射鏡との組合せの場合、光学系からの反射光により楕円形反射鏡の開口部側の電極の温度が上昇し、それにより両電極間に温度差が発生し正常なハロゲンサイクルが機能しなくなる。結果として、楕円形反射鏡の開口部側の電極先端が損耗し、ランプ特性が維持できなくなる場合がある。また、電極損耗により、電極形状が変化しアークスポットのずれが発生する。一般的に交流タイプの超高圧水銀ランプの場合、サイクル毎のスポットずれが、「ちらつき」となって感じられる。
【０００３】
この対策として、サイクル毎の電流波形に重畳パルスを加えて、電極先端の温度を高め、ハロゲンサイクルの最適化を図る方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特表平１０−５０１９１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１の方法では、常に一定の電流パルスが発生しており、ハロゲンサイクルの最適化を図るどころか、逆に電極に大きなダメージを与えることになりかねない。
【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、反射鏡の開口部側の電極の温度上昇を抑制し、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る反射鏡付放電ランプは、
開口部とこの開口部の反対側にネック部とを有する反射鏡と、
中心軸が前記反射鏡の前記開口部と前記ネック部とを結ぶ中心軸に略一致し、発光部の中心が前記反射鏡の焦点と略一致し、石英バルブ内にＦリード線が溶接されたＦモリブデン箔を溶接したＦ電極と、Ｒリード線が溶接されたＲモリブデン箔を溶接したＲ電極と、水銀と、希ガスとを封入した前記発光部を略中央部に有する発光管と、
前記発光部を形成する前記石英バルブにおける、少なくとも前記反射鏡の前記開口部側のＦ電極付近の表面に施され、前記Ｆ電極の温度上昇を抑制する電極温度上昇抑制加工部とを備えたことを特徴とする。
【０００７】
また、前記電極温度上昇抑制加工部の前記反射鏡の前記開口部側の軸方向端部は、前記Ｆモリブデン箔側の封止部の前記反射鏡の前記開口部側の端部付近まで延びるように構成することを特徴とする。
【０００８】
また、前記電極温度上昇抑制加工部を、赤外線反射膜で構成することを特徴とする。
【０００９】
また、前記電極温度上昇抑制加工部を、フロスト加工により施すことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
この発明に係る反射鏡付放電ランプは、発光部を形成する石英バルブにおける、少なくとも反射鏡の開口部側のＦ電極付近の表面に施され、Ｆ電極の温度上昇を抑制する電極温度上昇抑制加工部を備えたことにより、反射鏡の開口部側の電極の温度上昇を抑制し、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプが得られる。
【００１１】
また、電極温度上昇抑制加工部の反射鏡の開口部側の軸方向端部を、Ｆモリブデン箔側の封止部の反射鏡の開口部側の端部付近まで延びるように構成することにより、さらに反射鏡の開口部側の電極の温度上昇を抑制し、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプが得られる。
【００１２】
また、電極温度上昇抑制加工部を赤外線反射膜で構成することにより、プロジェクタ装置の光学系からの反射光を反射するので、反射鏡の開口部側のＦ電極の温度上昇を抑制することができ、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプが得られる。
【００１３】
また、電極温度上昇抑制加工部をフロスト加工により施すことにより、電極温度上昇抑制加工部の表面積が増加する。また、プロジェクタ装置の光学系からの反射光を電極温度上昇抑制加工部の凹凸により拡散させる。これらの二つの要因により、反射鏡の開口部側のＦ電極の温度上昇を抑制することができる。それにより、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
実施の形態１．
図１乃至図８は実施の形態１を示す図で、図１は反射鏡付放電ランプ１００の構成図、図２は一部を破断して断面で示す反射鏡付放電ランプ１００の構成図、図３は製造過程における初期のＦ電極１２の構成を示す図、図４はＦ電極１２の先端を溶解してメルト電極１２ｃを形成した図、図５はＦ電極１２を点灯させて電極先端部１２ｄを形成した図、図６はシミュレーションに用いたプロジェクタ装置の構成の概念図、図７は図６の構成において光学系から発光管１へ戻るエネルギーを求めた結果を示す図、図８は一部を破断して断面で示す変形例の反射鏡付放電ランプ１００の構成図である。
【００１５】
本実施の形態は、発光管１の石英バルブの表面に施す加工に特徴がある。従って、反射鏡付放電ランプ１００の全体構成については、簡単に説明する。
【００１６】
図１、図２により、反射鏡付放電ランプ１００の構成を説明する。反射鏡付放電ランプ１００は、発光管１と、この発光管１を保持するセラミックリング２と、セラミックリング２が固定される楕円形反射鏡３（反射鏡の一例）と、セラミックリング２の後面に固定されるキャップ５とを備える。セラミックリング２は、発光管１のＲモリブデン箔付近（封止部）を保持する。反射鏡は、楕円形反射鏡３以外に、放物型反射鏡等でもよい。
【００１７】
発光管１は、石英バルブ２０内にＦリード線１７が溶接されたＦモリブデン箔１５を溶接したＦ電極１２と、Ｒリード線１８が溶接されたＲモリブデン箔１６を溶接したＲ電極１３と、水銀１４と、希ガス（アルゴン等）を封入した略球状の発光部１１を中央部（中央部分）に有する。
【００１８】
楕円形反射鏡３は、回転楕円体形状の一部分の形をしている。楕円形反射鏡３の材質は、ガラスである。
【００１９】
発光管１は、Ｆ電極１２を楕円形反射鏡３の開口部３ａ側に、Ｒ電極１３をネック部３ｂ側にして配置させる。
【００２０】
発光管１の中心軸を、楕円形反射鏡３の開口部３ａとネック部３ｂを結ぶ中心軸に一致させ、発光部１１の中心が楕円形反射鏡３の焦点に一致するように発光管１を楕円形反射鏡３に組み込んだ構造とする。
【００２１】
セラミックリング２は、外周面２ａ、内周面２ｂを有する略円筒形である。セラミックリング２は、楕円形反射鏡３に固定される側の端部に、楕円形反射鏡３のネック部３ｂを覆うように嵌合する嵌合部２２を備える。
【００２２】
また、セラミックリング２は、楕円形反射鏡３に固定される側の端部に、楕円形反射鏡３のネック部３ｂの軸方向端部が当接する当接部２１を備える。当接部２１は、発光管１の中心線方向に対して略直角である。
【００２３】
セラミックリング２は、セメント４ａにより楕円形反射鏡３に固定される。セメント４ａの主成分は、シリカである。
【００２４】
さらに、セラミックリング２は、楕円形反射鏡３に固定される側の端部に、嵌合部２２を切り欠いた切り欠き部２３を備える。切り欠き部２３は、通風口として機能する。反射鏡付放電ランプ１００において、楕円形反射鏡３にセラミックリング２を固定した状態では、切り欠き部２３が開口している。発光管１が何らかの原因により破裂した場合、ガラスの破片がこの切り欠き部２３から飛び散る恐れがあるので、図１に示すように、切り欠き部２３にメッシュ７を設けている。
【００２５】
ここで、反射鏡付放電ランプ１００の組み立て手順を簡単に説明する。
【００２６】
先ず、楕円形反射鏡３にセラミックリング２を固定する。楕円形反射鏡３のネック部３ｂに、セラミックリング２の嵌合部２２をネック部３ｂを覆うように嵌め、ネック部３ｂの軸方向端部にセラミックリング２の当接部２１を当接させる。
【００２７】
その状態で、セメント４ａで、楕円形反射鏡３とセラミックリング２とを接着する。セメント４ａの主成分は、シリカである。
【００２８】
次に、発光管１を楕円形反射鏡３とセラミックリング２の内部に挿入する。そして、発光管１を点灯させながら、発光管１に３次元的な位置調整（軸調整ともいう）を行う。
【００２９】
これにより、発光管１の中心軸が楕円形反射鏡３の開口部３ａとネック部３ｂを結ぶ中心軸に一致し、発光部１１の中心が楕円形反射鏡３の焦点となる状態となる。
【００３０】
そして、セメント４ｂを発光管１とセラミックリング２の内周面２ｂとの隙間に注入し乾燥する（図２）。セメント４ｂは、セメント４ａと同様、主成分はシリカである。
【００３１】
さらに、セラミックリング２から突出している発光管１を切断する。このとき、Ｒリード線１８は切断しない。
【００３２】
Ｒリード線１８とトリガーワイヤ９とを、かしめ部材（図示せず、金属製）でかしめる。リング状のかしめ部材にＲリード線１８とトリガーワイヤ９とを通し、リング状のかしめ部材を潰してかしめるイメージである。
【００３３】
Ｒリード線１８とトリガーワイヤ９とをかしめたかしめ部材を第１の端子６に溶接する。
【００３４】
そして、キャップ５をセラミックリング２に被せる。このとき、キャップ５にはその側壁に切り欠き部（図示せず）があり、この切り欠き部に第１の端子６が納まる。
【００３５】
尚、発光管１の楕円形反射鏡３の開口部３ａ側のＦリード線１７は、楕円形反射鏡３の外周面に取り付けられる第２の端子３１に接続される。
【００３６】
第１の端子６と、第２の端子３１とが電源に接続される。
【００３７】
本実施の形態の特徴は、発光管１の発光部１１を形成する石英バルブ２０における、楕円形反射鏡３の開口部３ａ側のＦ電極１２付近の表面に電極温度上昇抑制加工部６０を施す点に特徴がある。電極温度上昇抑制加工部６０は、楕円形反射鏡３の開口部３ａ側のＦ電極１２の温度上昇を抑制するために設けられる。詳細を後述する。
【００３８】
次に、Ｆ電極１２、Ｒ電極１３の構成について説明する。Ｆ電極１２とＲ電極１３の基本的な構成は同じであるので、Ｆ電極１２を例に説明する。
【００３９】
図３に示すように、Ｆ電極１２は、先ず芯線１２ａの一方の端部（Ｒ電極１３と対向する側）にコイル１２ｂを所定線径、所定巻数で巻く。コイル１２ｂの所定線径、所定巻数は、ランプのワット数によって変わる。
【００４０】
図３に示すＦ電極１２は、例えば、２５０Ｗワットのランプに使用されるものである。ワット数が増えると、コイル１２ｂの所定線径、所定巻数は増加する。
【００４１】
芯線１２ａの材料は、タングステンである。また、芯線１２ａの線径は、０．５ｍｍ程度である。
【００４２】
コイル１２ｂの材料も、タングステンである。また、コイル１２ｂの線径は、０．２５〜０．３ｍｍ程度である。
【００４３】
Ｆ電極１２（Ｒ電極１３も同じ）は、図３の形状のままでは、ランプでの放電が安定しないため、Ｒ電極１３に対向する部分を滑らかな曲面にする。Ｆ電極１２の先端に、滑らかな曲面形状のメルト電極１２ｃを形成する（図４参照）。
【００４４】
メルト電極１２ｃは、Ｆ電極１２及びＲ電極１３にタングステンが溶解する程度の電流を流すことで形成される。タングステンの融点は、約３４０７°Ｃである。
【００４５】
このメルト電極１２ｃは、Ｆ電極１２及びＲ電極１３を発光管１に組み込む前に行う場合と、Ｆ電極１２及びＲ電極１３を発光管１に組み込んだ後に行う場合とがある。どちらでもよい。
【００４６】
さらに、ランプ完成後に、エージング（ランプを点灯させる）を行うと、Ｆ電極１２（Ｒ電極１３も同じ）のメルト電極１２ｃの先端に、メルト電極１２ｃに比べると小さい電極先端部１２ｄ（図５参照）が形成される。
【００４７】
メルト電極１２ｃのサイズは、例えば、軸方向長さ、最大径ともに約０．１〜０．２ｍｍ程度である。
【００４８】
次に、プロジェクタ装置の光学系からのランプへ戻る反射光のエネルギーをシミュレーションにより調査した結果を示す。
【００４９】
図６はシミュレーションに用いたプロジェクタ装置の構成の概念図である。図６において、本実施の形態の反射鏡付放電ランプ１００は、プロジェクタ装置の前面ガラス３０を備えるホルダーに保持される。
【００５０】
前面ガラス３０は、反射鏡付放電ランプ１００の中心線１００ａに対する直交線に対して、角度θ１傾斜している。角度θ１は、例えば、十度以内である。前面ガラス３０では、発光管１から放射された光は、全透過する（一例）。
【００５１】
前面ガラス３０の前方に、紫外線と赤外線を反射するＵＶ／ＩＲフィルタ４０（紫外線／赤外線フィルタ）を設ける。ＵＶ／ＩＲフィルタ４０も、反射鏡付放電ランプ１００の中心線１００ａに対する直交線に対して、角度θ２傾斜している。角度θ２は、例えば、十数度である。
【００５２】
ＵＶ／ＩＲフィルタ４０を角度θ２傾斜させているのは、ＵＶ／ＩＲフィルタ４０から戻る紫外線／赤外線が反射鏡付放電ランプ１００から外れ、発光管１に戻るエネルギーが傾斜させない場合より小さくなると考えられるからである。
【００５３】
ＵＶ／ＩＲフィルタ４０の前方に、カラーフォイル５０を設ける。カラーフォイル５０からは、光が前方へ放射される。但し、カラーフォイル５０から戻るエネルギーもある。
【００５４】
図７は図６の構成において光学系から発光管１へ戻るエネルギーを求めた結果を示す図であり、横軸は前面ガラス３０と発光管１の放電中心（Ｆ電極１２とＲ電極１３との間の中心）との距離、縦軸は発光管１へ戻るエネルギー（全放射エネルギーに対する比［％］）である。そして、図６の構成において、Ｆ電極１２とＲ電極１３とに戻るエネルギーを求めている。また、参考に図６の構成からＵＶ／ＩＲフィルタ４０を省いたときのＦ電極１２に戻るエネルギーも求めている。但し、このデータについては、特に以下では言及しない。
【００５５】
図７から解るように、プロジェクタ装置で通常採用される前面ガラス３０と発光管１の放電中心との距離において、図６の構成では、
（１）Ｆ電極１２へ戻るエネルギー（全放射エネルギーに対する比［％］）は、６．５〜８［％］程度である。
（２）Ｒ電極１３へ戻るエネルギー（全放射エネルギーに対する比［％］）は、１〜２［％］程度である。
【００５６】
このように、Ｒ電極１３に比べ、Ｆ電極１２へ戻るエネルギーが圧倒的に大きい。そのため、Ｆ電極１２の温度が上昇し、Ｒ電極１３との温度差が発生する場合は、Ｆ電極１２の電極先端部１２ｄが損耗し、ランプ特性が維持できなくなる場合がある。また、電極先端部１２ｄの損耗により、電極形状が変化しアークスポットのずれが発生する。交流タイプの反射鏡付放電ランプ１００の場合、サイクル毎のスポットずれが、「ちらつき」となって感じられることになる。
【００５７】
上記シミュレーション（図６の構成）におけるＦ電極１２とＲ電極１３の温度データの一例は、以下に示す通りである。
（１）Ｆ電極１２の温度：約２９００℃
（２）Ｒ電極１３の温度：約２８００℃
両者には、約１００℃の差があることが解る。
【００５８】
参考データであるが、反射鏡付放電ランプ１００をプロジェクタ装置から外に出し、自然点灯した場合のＦ電極１２とＲ電極１３の温度データの一例は、以下に示す通りである。
（１）Ｆ電極１２の温度：２８１５〜２８２０℃
（２）Ｒ電極１３の温度：２８１１〜２８１７℃
両者には、殆ど差がないことが解る。
【００５９】
このように、反射鏡付放電ランプ１００をプロジェクタ装置に組込むと、プロジェクタ装置の光学系からの反射光により楕円形反射鏡３の開口部側のＦ電極１２の温度が上昇することが解る。それによりＦ電極１２とＲ電極１３との間に温度差が発生し正常なハロゲンサイクルが機能しなくなる。結果として、楕円形反射鏡３の開口部側のＦ電極１２の電極先端部１２ｄが損耗し、ランプ特性が維持できなくなる場合がある。
【００６０】
そこで、本実施の形態では、図２に示すように、発光管１の発光部１１を形成する石英バルブ２０における、楕円形反射鏡３の開口部３ａ側のＦ電極１２付近の表面に電極温度上昇抑制加工部６０を施す。楕円形反射鏡３の開口部側のＦ電極１２の電極先端部１２ｄを含むＦ電極１２の温度上昇を抑制して、Ｆ電極１２の電極先端部１２ｄの損耗を低減することが目的である。
【００６１】
電極温度上昇抑制加工部６０は、例えば、以下に示す方法で形成する。
（１）赤外線反射膜を石英バルブ２０の表面に塗布する。
（２）フロスト加工（サンドブラスト加工）を施す。
【００６２】
赤外線反射膜としては、例えば、高屈折率材料として酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、低屈折率材料としてシリカ（ＳｉＯ２）からなる多層膜が広く使用されているものを用いる。
【００６３】
サンドプラスト加工は、石英バルブ２０の表面を荒らす加工である。サンドプラスト加工により、約１μｍ以下の凹凸が形成される（粗面化される）。
【００６４】
また、電極温度上昇抑制加工部６０が施される位置は、
（１）電極温度上昇抑制加工部６０の楕円形反射鏡３の開口部３ａの反対側の軸方向（発光管１の軸方向）端部と、Ｆ電極１２のコイル１２ｂの芯線１２ａ側（Ｒ電極１３の反対側）の軸方向（発光管１の軸方向）端部とが略一致する。発光管１からの光束を低下させないためである。
（２）電極温度上昇抑制加工部６０の楕円形反射鏡３の開口部３ａ側の軸方向（発光管１の軸方向）端部は、発光管１の石英バルブ２０の発光部１１と、Ｆモリブデン箔１５側の封止部２０ａとの境界線（ネック部ということもある）付近に位置する。
【００６５】
但し、電極温度上昇抑制加工部６０が施される領域は、Ｆ電極１２付近の発光部１１を形成する石英バルブ２０付近に施されていればよい。
【００６６】
赤外線反射膜により形成される電極温度上昇抑制加工部６０は、プロジェクタ装置の光学系からの反射光を反射するので、楕円形反射鏡３の開口部側のＦ電極１２の温度上昇を抑制することができる。それにより、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプを提供することができる。
【００６７】
フロスト加工（サンドブラスト加工）により形成される電極温度上昇抑制加工部６０は、電極温度上昇抑制加工部６０の表面積が増加する。また、プロジェクタ装置の光学系からの反射光を電極温度上昇抑制加工部６０の凹凸により拡散させる。これらの二つの要因により、楕円形反射鏡３の開口部側のＦ電極１２の温度上昇を抑制することができる。それにより、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプを提供することができる。
【００６８】
図８は一部を破断して断面で示す変形例の反射鏡付放電ランプ１００の構成図である。図２では電極温度上昇抑制加工部６０を、（１）電極温度上昇抑制加工部６０の楕円形反射鏡３の開口部３ａの反対側の軸方向（発光管１の軸方向）端部と、Ｆ電極１２のコイル１２ｂの芯線１２ａ側（Ｒ電極１３の反対側）の軸方向（発光管１の軸方向）端部とが略一致し、
（２）電極温度上昇抑制加工部６０の楕円形反射鏡３の開口部３ａ側の軸方向（発光管１の軸方向）端部は、発光管１の石英バルブ２０の発光部１１と、Ｆモリブデン箔１５側の封止部２０ａとの境界線（ネック部ということもある）付近に位置する、ようにした。
【００６９】
これに対して、図８に示す電極温度上昇抑制加工部６０は、
（１）電極温度上昇抑制加工部６０の楕円形反射鏡３の開口部３ａの反対側の軸方向（発光管１の軸方向）端部と、Ｆ電極１２のコイル１２ｂの芯線１２ａ側（Ｒ電極１３の反対側）の軸方向（発光管１の軸方向）端部とが略一致し、
（２）電極温度上昇抑制加工部６０の楕円形反射鏡３の開口部３ａ側の軸方向（発光管１の軸方向）端部は、Ｆモリブデン箔１５側の封止部２０ａの楕円形反射鏡３の開口部３ａ側の端部付近まで延びる。
【００７０】
このような構成とすることにより、赤外線反射膜により形成される電極温度上昇抑制加工部６０は、及びフロスト加工（サンドブラスト加工）により形成される電極温度上昇抑制加工部６０の効果を高めることができる。
【００７１】
以上のように、赤外線反射膜又はフロスト加工（サンドブラスト加工）により形成される電極温度上昇抑制加工部６０を、少なくともＦ電極１２付近の発光部１１を形成する石英バルブ２０付近に施すことにより、プロジェクタ装置の光学系からの反射光による楕円形反射鏡３の開口部側のＦ電極１２の温度上昇を抑制することができる。それにより、電極損耗の少ない反射鏡付放電ランプを提供することができる。
【００７２】
また、電極温度上昇抑制加工部６０の楕円形反射鏡３の開口部３ａの反対側の軸方向（発光管１の軸方向）端部と、Ｆ電極１２のコイル１２ｂの芯線１２ａ側（Ｒ電極１３の反対側）の軸方向（発光管１の軸方向）端部とが略一致するようにすることにより、発光管１からの光束を低下させることなく、プロジェクタ装置の光学系からの反射光による楕円形反射鏡３の開口部側のＦ電極１２の温度上昇を抑制することができる。
【００７３】
また、電極温度上昇抑制加工部６０の楕円形反射鏡３の開口部３ａ側の軸方向（発光管１の軸方向）端部は、Ｆモリブデン箔１５側の封止部２０ａの楕円形反射鏡３の開口部３ａ側の端部付近まで延びるように構成することにより、さらに、プロジェクタ装置の光学系からの反射光による楕円形反射鏡３の開口部側のＦ電極１２の温度上昇を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】実施の形態１を示す図で、反射鏡付放電ランプ１００の構成図。
【図２】実施の形態１を示す図で、一部を破断して断面で示す反射鏡付放電ランプ１００の構成図。
【図３】実施の形態１を示す図で、製造過程における初期のＦ電極１２の構成を示す図。
【図４】実施の形態１を示す図で、Ｆ電極１２の先端を溶解してメルト電極１２ｃを形成した図。
【図５】実施の形態１を示す図で、Ｆ電極１２を点灯させて電極先端部１２ｄを形成した図。
【図６】実施の形態１を示す図で、シミュレーションに用いたプロジェクタ装置の構成の概念図。
【図７】実施の形態１を示す図で、図６の構成において光学系から発光管１へ戻るエネルギーを求めた結果を示す図。
【図８】実施の形態１を示す図で、一部を破断して断面で示す変形例の反射鏡付放電ランプ１００の構成図。
【符号の説明】
【００７５】
１ 発光管、２ セラミックリング、２ａ 外周面、２ｂ 内周面、３ 楕円形反射鏡、３ａ 開口部、３ｂ ネック部、４ａ セメント、４ｂ セメント、５ キャップ、６ 第１の端子、７ メッシュ、９ トリガーワイヤ、１１ 発光部、１２ Ｆ電極、１２ａ 芯線、１２ｂ コイル、１２ｃ メルト電極、１２ｄ 電極先端部、１３ Ｒ電極、１４ 水銀、１５ Ｆモリブデン箔、１６ Ｒモリブデン箔、１７ Ｆリード線、１８ Ｒリード線、２０ 石英バルブ、２０ａ 封止部、２１ 当接部、２２ 嵌合部、２３ 切り欠き部、３０ 前面ガラス、３１ 第２の端子、４０ ＵＶ／ＩＲフィルタ、５０ カラーフォイル、６０ 電極温度上昇抑制加工部、１００ 反射鏡付放電ランプ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部とこの開口部の反対側にネック部とを有する反射鏡と、
中心軸が前記反射鏡の前記開口部と前記ネック部とを結ぶ中心軸に略一致し、発光部の中心が前記反射鏡の焦点と略一致し、石英バルブ内にＦリード線が溶接されたＦモリブデン箔を溶接したＦ電極と、Ｒリード線が溶接されたＲモリブデン箔を溶接したＲ電極と、水銀と、希ガスとを封入した前記発光部を略中央部に有する発光管と、
前記発光部を形成する前記石英バルブにおける、少なくとも前記反射鏡の前記開口部側のＦ電極付近の表面に施され、前記Ｆ電極の温度上昇を抑制する電極温度上昇抑制加工部とを備えたことを特徴とする反射鏡付放電ランプ。
【請求項２】
前記電極温度上昇抑制加工部の前記反射鏡の前記開口部側の軸方向端部は、前記Ｆモリブデン箔側の封止部の前記反射鏡の前記開口部側の端部付近まで延びるように構成することを特徴とする請求項１記載の反射鏡付放電ランプ。
【請求項３】
前記電極温度上昇抑制加工部を、赤外線反射膜で構成することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の反射鏡付放電ランプ。
【請求項４】
前記電極温度上昇抑制加工部を、フロスト加工により施すことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の反射鏡付放電ランプ。
【請求項１】
開口部とこの開口部の反対側にネック部とを有する反射鏡と、
中心軸が前記反射鏡の前記開口部と前記ネック部とを結ぶ中心軸に略一致し、発光部の中心が前記反射鏡の焦点と略一致し、石英バルブ内にＦリード線が溶接されたＦモリブデン箔を溶接したＦ電極と、Ｒリード線が溶接されたＲモリブデン箔を溶接したＲ電極と、水銀と、希ガスとを封入した前記発光部を略中央部に有する発光管と、
前記発光部を形成する前記石英バルブにおける、少なくとも前記反射鏡の前記開口部側のＦ電極付近の表面に施され、前記Ｆ電極の温度上昇を抑制する電極温度上昇抑制加工部とを備えたことを特徴とする反射鏡付放電ランプ。
【請求項２】
前記電極温度上昇抑制加工部の前記反射鏡の前記開口部側の軸方向端部は、前記Ｆモリブデン箔側の封止部の前記反射鏡の前記開口部側の端部付近まで延びるように構成することを特徴とする請求項１記載の反射鏡付放電ランプ。
【請求項３】
前記電極温度上昇抑制加工部を、赤外線反射膜で構成することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の反射鏡付放電ランプ。
【請求項４】
前記電極温度上昇抑制加工部を、フロスト加工により施すことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の反射鏡付放電ランプ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１０−６１８１６（Ｐ２０１０−６１８１６Ａ）
【公開日】平成２２年３月１８日（２０１０．３．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２２３１００（Ｐ２００８−２２３１００）
【出願日】平成２０年９月１日（２００８．９．１）
【出願人】（５９１０１５６２５）オスラム・メルコ株式会社 (123)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年３月１８日（２０１０．３．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年９月１日（２００８．９．１）
【出願人】（５９１０１５６２５）オスラム・メルコ株式会社 (123)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]