説明

可変同調回路及びテレビジョンチューナ

【課題】高域側での可変範囲を拡大できると共にインダクタのL値を確保して低域側での回路Qを大きくでき、利得低下、ノイズの増大、発振不安定化等の不具合を解消すること。
【解決手段】バラクタダイオード41とコンデンサ42とを直列接続した回路に第一のインダクタL4を並列接続して第一の並列共振回路を構成し、前記バラクタダイオード41に第二のインダクタL44を直流カットコンデンサ43を介して並列接続して第二の並列共振回路を構成する。バラクタダイオード41が最大容量時における前記第二の並列共振回路の共振周波数を、可変周波数範囲の最低周波数付近に設定することとする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、可変容量ダイオードを使用したテレビジョンチューナの可変同調回路及びその可変同調回路を搭載したテレビジョンチューナに関する。
【背景技術】
【0002】
テレビジョンチューナは、受信周波数の選択又は妨害波の除去等の為に可変容量ダイオードを使用した可変同調回路を搭載している(例えば、特許文献1参照)。図3は特許文献1に開示されたテレビジョンチューナの機能ブロック図である。同図において、アンテナ101より入力したテレビ電波の受信信号は、同調回路102で周波数選択が行われ、高周波増幅回路103で増幅され、次の複同調回路104で受信周波数が選択され周波数混合回路105に入力される。周波数混合回路105では、受信周波数は局部発振回路106の局部発振信号と混合され、複同調回路104の受信周波数と局部発振回路106の局部発振信号の差の中間周波数に変換されて周波数混合回路105より出力される。この中間周波数の信号は、中間周波数増幅回路107で増幅して、チューナーの出力となる。
【0003】
上記テレビジョンチューナでは、同調回路102、複同調回路104及び局部発振回路106の各部に可変同調回路が備えられている。図4に一般的な可変同調回路の構成図を示す。インダクタL1に対してバラクタダイオードD1が並列に接続され、バラクタダイオードD1のカソードにチューニング電圧Vcが印加されるように構成されている。なお、同図ではバラクタダイオードD1のカソード側には直流カット用に大きな容量値のコンデンサCが設けられている。バラクタダイオードD1に印加するチューニング電圧Vcの大きさに応じてバラクタダイオードD1の容量を変化させることにより共振周波数を変化させて所望周波数を選択するように構成されている。
【0004】
図5はバラクタダイオードの印加電圧に応じた容量変化を示す容量カーブ特性図である。同図に示す容量カーブを基に、バラクタダイオードD1に直列接続されるコンデンサCと並列接続されるインダクタL1によって同調周波数を決定している。高域側の同調特性を確保する為には、インダクタL1/容量共に小さくする必要がある。そして、高域側の同調特性確保の為に小さい値に設定したインダクタL1/容量を固定値として、バラクタダイオードD1の容量変化で低域側の同調特性を確保することになる。
【特許文献1】特開平10−242805号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところが、テレビジョンチューナには、実装基板の浮遊容量、各種半導体素子の内部容量、その他の容量が、バラクタダイオードD1に対して並列に存在するため、可変同調回路における高域側は可変範囲が抑圧される傾向にある。
【0006】
一方、可変同調回路における低域側は、インダクタL1を小さいL値に設定しなければならないことから回路のQ値が低下し、例えば同調回路102ではインピーダンスが低下してロス及びノイズが増大し、利得が低下する問題が生じる。また局部発振回路106では、回路のQ値が低下することで発振が不安定になるといった問題が発生する。
【0007】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、高域側での可変範囲を拡大できると共にインダクタのL値を確保して低域側での回路Qを大きくでき、利得低下、ノイズの増大、発振不安定化等の不具合を解消する可変同調回路及びテレビジョンチューナを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の可変同調回路は、可変容量素子とコンデンサとを直列接続した回路に第一のインダクタを並列接続して第一の並列共振回路を構成し、前記可変容量素子に第二のインダクタを交流的に並列接続して第二の並列共振回路を構成したことを特徴とする。
【0009】
この構成によれば、可変容量素子に第二のインダクタを交流的に並列接続して第二の並列共振回路を構成したので、可変容量素子の容量を変えることにより、同調回路のL性が低域側で大きくなり、高域側では小さくなるように等価的にL値を変化させることができ、高域側での可変範囲を拡大できると共にインダクタのL値を確保して低域側での回路Qを大きくでき、利得低下、ノイズの増大、発振不安定化等の不具合を解消することができる。
【0010】
また本発明は、上記可変同調回路において、前記可変容量素子が最大容量時における前記第二の並列共振回路の共振周波数を、可変周波数範囲の最低周波数付近に設定することを特徴とする。
【0011】
この構成により、同調回路のL性が低域側の最低周波数付近で最大となり、低域側の周波数選択時における同調回路を構成するインダクタは従来回路に比べて大きくなるので、可変容量素子の直列容量となるコンデンサを小容量化することとなり、低域側での回路Qを大きくすることができる。
【0012】
また本発明は、上記可変同調回路において、前記可変容量素子が最小容量時における前記第二の並列共振回路の共振周波数を、可変周波数範囲の最高周波数よりも高域側に越えるように設定することを特徴とする。
【0013】
この構成により、同調回路のL性が高域側の最高周波数付近で小さくなり、高域側の周波数選択時における同調回路を構成するインダクタは従来回路に比べて小さくなるので、可変容量素子に並列接続される第一のインダクタのL値を大きくすると共に可変容量素子の直列容量となるコンデンサを小容量化することとなり、高域側での可変範囲を拡大できる。
【0014】
また本発明は、上記何れかの可変同調回路を、入力同調回路、段間同調回路、発振回路の少なくともいずれか一つに搭載したことを特徴とするテレビジョンチューナである。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、テレビジョンチューナの可変同調回路において、高域側での可変範囲を拡大できると共にインダクタのL値を確保して低域側での回路Qを大きくでき、利得低下、ノイズの増大、発振不安定化等の不具合を解消することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0016】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
本発明の一実施の形態に係るテレビジョンチューナは、UHF受信用の単一バンド型テレビジョンチューナであり、入力同調、RF複同調、局部発振の合計4つの同調回路を搭載している。
【0017】
図1は本実施の形態に係るテレビジョンチューナの回路図であり、入力同調部から後段の回路構成を示している。図示されないアンテナの出力端に入力同調回路10の入力端が接続され、入力同調回路10の出力端が結合コンデンサ11を介して高周波増幅回路12の入力端に接続されている。高周波増幅回路12の出力端は結合コンデンサ13を介して複同調回路の一次側同調回路14に接続されている。複同調回路の二次側同調回路15の出力端は結合コンデンサ16を介して周波数変換回路17に接続されている。周波数変換回路17には局部発振回路18が接続され、局部発振回路18には発振周波数を決める共振回路19が接続されている。また、周波数変換回路17の出力端はバンドパスフィルタ21を介して中間周波増幅回路22に接続されている。テレビジョンチューナを構成する各部の基本動作は、後述する同調動作を除いて、図3に示すテレビジョンチューナと同じである。
【0018】
入力同調回路10は、アンテナ出力端から高周波信号が導入される信号伝送路Mに対して、第一のインダクタL1が当該信号伝送路Mとグラウンドとの間に接続されている。第一のインダクタL1に対してバラクタダイオード31が並列に接続されている。バラクタダイオード31はアノードを信号伝送路Mに接続する一方、カソードを直流カットコンデンサ32を介してグラウンドに接続している。本実施の形態は、バラクタダイオード31に対して第二のインダクタL11が交流的に並列接続されている。第二のインダクタL11の一端をバラクタダイオード31のアノードに接続し、他端をコンデンサ33を介してバラクタダイオード31のカソードに接続している。チューニング端子T1には、図示していない集積回路からチューニング電圧Tuが印加される。バラクタダイオード31のカソードは、抵抗R1を介してチューニング端子T1に接続されており、受信周波数に応じて電圧制御されるチューニング電圧Tuが印加されるように構成されている。
【0019】
複同調回路の一次側同調回路14、二次側同調回路15及び共振回路19は、上記入力同調回路10と同様に第一のインダクタとバラクタダイオードとで共振回路を構成し、さらにバラクタダイオードに第二のインダクタが交流的に並列接続された構成をしている。
【0020】
すなわち、一次側同調回路14は、一次側コイルとなる第一のインダクタL2とバラクタダイオード34及び直流カットコンデンサ35の直列回路とからなる並列共振回路を構成し、バラクタダイオード34に対して第二のインダクタL22がカソード側にコンデンサ36を介して並列に接続されている。電源端子T2には外部から電源Bが供給されている。高周波増幅回路12の出力端には、電源端子T2から抵抗R5及びチョークコイルL5を経由して電源Bが印加され、一次側同調回路14の入力段となるバラクタダイオード34のアノードとの間に結合コンデンサ13が配置される。
【0021】
また二次側同調回路15は、二次側コイルとなる第一のインダクタL3とバラクタダイオード37及び直流カットコンデンサ38の直列回路とからなる並列共振回路で構成される。バラクタダイオード37に対して第二のインダクタL33がカソード側にコンデンサ39を介して並列に接続されている。バラクタダイオード37のカソードには抵抗R2を介してチューニング電圧Tuが印加されるように構成されている。
【0022】
局部発振回路18の共振回路19は、第一のインダクタL4とバラクタダイオード41及び直流カットコンデンサ42の直列回路とからなる並列共振回路で構成される。バラクタダイオード41に対して第二のインダクタL44がカソード側にコンデンサ43を介して並列に接続されている。バラクタダイオード41のカソードは抵抗R3を介してチューニング電圧Tuが印加され、アノードは抵抗R4を介してグラウンドに接続されるように構成されている。なお、局部発振回路18に対して第一のインダクタL4の一端が直流カットコンデンサ44を介して接続され、他端は直流カットコンデンサ45を介して接続されている。
【0023】
なお、本実施の形態では、高周波増幅回路12の入力端と周波数変換回路17の入力端との間を信号線路MMで接続し、信号線路MMと一次側同調回路14の第一のインダクタL2の一端との間をパターン等の容量23を介して接続するように構成している。かかる回路構成によりイメージ成分を抑制するようにしている。
【0024】
次に、上記可変同調回路(10,14,15,19)における第二のインダクタのL値及びバラクタダイオードに直列接続される直流カットコンデンサのC値の設定値に関する考え方を説明する。以下、共振回路19の回路構成を例にして説明するが、他の同調回路(10,14,15)でも同様の考え方で設計可能である。
【0025】
本実施の形態では、図2に示すように本テレビジョンチューナの低域側の目標最低周波数を周波数f1として、バラクタダイオード41が最大容量のとき(低域側の目標最高周波数f1を選択受信時のチューニング電圧)、第二のインダクタL44とバラクタダイオード41とによる共振周波数f11が低域側の目標最低周波数f1となるように第二のインダクタL44のL値を選択する。例えば、低域側の最低周波数でのバラクタダイオード41の容量が17pF(チューニング電圧Vc=1.5V)であれば、低域側の最低周波数f1を368MHzとすると、第二のインダクタンスL44のL値は11nHに設定することになる。そして、バラクタダイオード41が最大容量のとき第一及び第二のインダクタL4、L44とバラクタダイオード41及び直流カットコンデンサ42とによる共振周波数f1が共振周波数f11よりも僅かに小さくなるように第一のインダクタL4及び直流カットコンデンサ42の値を選択する。これにより、低域側の最低周波数を選択受信する際に、第二のインダクタL44とバラクタダイオード41との並列共振によるL性はほぼ最大となる。
【0026】
一方、図2に示すように本テレビジョンチューナの高域側の目標最高周波数を周波数f2として、バラクタダイオード41が最小容量のとき(高域側の目標最高周波数f2を選択受信時のチューニング電圧)、上記の通り設定された第二のインダクタL44とバラクタダイオード41とによる共振周波数f22は高域側の目標最高周波数f2を高域側に大きく超えることとなる。例えば、高域側の目標最高周波数f2が860MHzである場合、第二のインダクタンスL44を11nHに設定すると、1073MHz付近に共振点が来ることになる。これにより、高域側の最高周波数を選択受信する際に、第二のインダクタL44とバラクタダイオード41との並列共振によるL性は極めて小さくなる。
【0027】
このように、本実施の形態は、バラクタダイオード41の容量を変えることにより、同調回路のL性が低域側で大きくなり、高域側では小さくなるように等価的にL値を変化させている。
【0028】
また、高域側において第二のインダクタL44とバラクタダイオード41との並列共振によるL性は極めて小さくなり、この小さいインダクタが第一のインダクタL4に対して並列に接続されるので、第一及び第二のインダクタL4、L44とバラクタダイオード41及び直流カットコンデンサ42とによる共振周波数を、本来の目標最高周波数f2とするためには、第一のインダクタL4のL値を従来に比べて大きくする必要がある。
【0029】
一方、低域側においては、第一及び第二のインダクタL4、L44は上記の通り選択したことにより、同調回路を構成するインダクタが大きくなるので、バラクタダイオード41の直列容量となる直流カットコンデンサ42を小容量化して、低域側の同調周波数の設定を行う。このように本実施の形態は、直流カットコンデンサ42を小容量化することにより、バラクタダイオード41が最大容量のとき第一及び第二のインダクタL4、L44とバラクタダイオード41及び直流カットコンデンサ42とによる共振周波数f1が共振周波数f11よりも僅かに小さくなるように調整する。
【0030】
以上のように本実施の形態によれば、バラクタダイオード41が最大容量のとき、第二のインダクタL44とバラクタダイオード41とによる共振周波数f11が低域側の目標最低周波数f1となるように第二のインダクタL44のL値を選択するので、高域側において第二のインダクタL44とバラクタダイオード41との並列共振によるL性は極めて小さい値とすることができ、高域側での可変範囲を容易に拡大することができる。また、第一のインダクタL4に大きなL値を確保すると共に直流カットコンデンサ42を小容量化するので、回路Qの低下を抑制できる。その結果、利得低下、ノイズの拡大又は局部発振回路18,19における不安定発振等の不具合を防止することができる。
【0031】
また、入力同調回路10、一次側同調回路14、二次側同調回路15においても、第二のインダクタL11,L22,L33のL値を、バラクタダイオード31,34,37との共振周波数が、低域側の目標最低周波数f1付近となるように設定することにより、高域側での可変範囲の拡大を図れると共に低域側での回路Qを確保することができる。なお、第二のインダクタとバラクタダイオードとの共振周波数f11は、低域側の目標最低周波数f1付近であれば、低域側のL性を大きくする効果を奏することができ、必ずしも共振周波数f11と低域側の目標最低周波数f1とを一致又は近傍に設定する必要はない。
【0032】
なお、本発明はUHF受信用の単一バンドチューナに限定されるものではなく、UHF、VHFハイバンド、VHFローバンドを切替えるテレビジョンチューナにも同様に適用可能である。また、一次側及び二次側の段間同調回路で構成される複同調回路に代えて、1つの段間同調回路としても良い。
【産業上の利用可能性】
【0033】
本発明は、可変容量ダイオードを使用したテレビジョンチューナに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【0034】
【図1】本発明の一実施の形態に係るテレビジョンチューナの構成図
【図2】上記一実施の形態における動作原理を説明するための説明図
【図3】従来のテレビジョンチューナの全体構成図
【図4】従来の同調回路の構成図
【図5】バラクタダイオードの容量カーブを示す図
【符号の説明】
【0035】
10 入力同調回路
11,13,16 結合コンデンサ
12 高周波増幅回路
14 複同調回路の一次側同調回路
15 複同調回路の二次側同調回路
17 周波数変換回路
18 局部発振回路
19 共振回路
21 バンドパスフィルタ
22 中間周波増幅回路
L1,L2,L3,L4 第一のインダクタ
L11,L22,L33,L44 第二のインダクタ
31,34,37,41 バラクタダイオード
32,35,38,42 直流カットコンデンサ(直列容量)
33,36,39,43 直流カットコンデンサ


【特許請求の範囲】
【請求項1】
可変容量素子とコンデンサとを直列接続した回路に第一のインダクタを並列接続して第一の並列共振回路を構成し、前記可変容量素子に第二のインダクタを交流的に並列接続して第二の並列共振回路を構成したことを特徴とする可変同調回路。
【請求項2】
前記可変容量素子が最大容量時における前記第二の並列共振回路の共振周波数を、可変周波数範囲の最低周波数付近に設定することを特徴とする請求項1記載の可変同調回路。
【請求項3】
前記可変容量素子が最小容量時における前記第二の並列共振回路の共振周波数を、可変周波数範囲の最高周波数よりも高域側に越えるように設定することを特徴とする請求項2記載の可変同調回路。
【請求項4】
請求項1から請求項3の何れかに記載の可変同調回路を、入力同調回路、段間同調回路、発振回路の少なくともいずれか一つに搭載したことを特徴とするテレビジョンチューナ。


【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【公開番号】特開2008−141655(P2008−141655A)
【公開日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−328153(P2006−328153)
【出願日】平成18年12月5日(2006.12.5)
【出願人】(000010098)アルプス電気株式会社 (4,263)
【Fターム(参考)】