同軸配線構造及びその製造方法

【課題】高速信号伝送時のクロストークを軽減できる同軸配線構造を提供する。
【解決手段】導電性材料からなる支持基板（１０）上に第１の絶縁層（２０）が形成され、この第１の絶縁層上に回路配線（３０）が形成される。この回路配線の周囲は第２の絶縁層（４０）によって覆われ、更に第１および第２の絶縁層の周囲はシールド層（５０）によって覆われる。このことにより、回路配線（３０）を中心導体とし、また支持基板（１０）とシールド層（５０）を外部導体とした同軸構造が実現される。

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速伝送時のクロストークを軽減できる同軸配線構造及びその製造方法に関し、特にハードディスク・ドライブ（ＨＤＤ）の磁気ヘッド用サスペンション等に適用される同軸配線構造及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＨＤＤの磁気ヘッド用サスペンションでは、従来、図４（Ａ）の平面図に示すように、導電性の支持基板１０上に回路配線３０を形成して、先端の磁気ヘッド用接続端子１００と後端の外部回路用接続端子１１０との間を接続している。端子１００は、磁気ディスク（図示せず）に対し情報をリード／ライトする磁気ヘッド（図示せず）に接続される。端子１１０は外部のリード／ライト用駆動増幅器（図示せず）に接続される。
【０００３】支持基板１０はステンレスのようなバネ性を有する導電性材料で平板状に形成され、その表面には、図３（Ｂ）の部分拡大断面図に示すように、例えばポリイミドからなる第１の絶縁層２０が形成されている。回路配線３０は、この絶縁層２０上に形成される。回路配線３０の周囲（上面および側面）は、第２の絶縁層４０で覆われる。この絶縁層４０も、第１の絶縁層２０と同様、例えばポリイミドからなり、回路配配線３０の表面保護層となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図４に示した従来の構造では、回路配線３０に対する保護層は、第２の絶縁層４０のみであるため、回路配線３０を伝送される信号の周波数が高くなるにつれ、クロストークの影響が大きくなる。本発明は、かかる点を改善し、高速伝送時のクロストークを軽減できる同軸配線構造及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の同軸配線構造は、導電性材料からなる支持基板と、この支持基板上に形成された第１の絶縁層と、この第１の絶縁層上に形成された回路配線と、この回路配線の周囲を覆うように形成された第２の絶縁層と、前記第１および第２の絶縁層の周囲を覆うように形成されたシールド層とを備えることを特徴とする。
【０００６】本発明の実施の形態では、前記支持基板は、磁気ヘッドのサスペンションであるが、これは一般的なプリント配線板の支持基板であってもよい。また、本発明の好ましい実施の態様では、前記回路配線の一部が外部接続のために露出するように、前記シールド層及び前記第１の絶縁層の一部に窓開け加工が施される。
【０００７】また、本発明に係る同軸配線構造の製造方法は、導電性材料からなる支持基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層上に回路配線を形成する工程と、この回路配線の周囲を覆うように第２の絶縁層を形成する工程と、前記第２の絶縁層の一部に前記回路配線まで達する窓を形成する工程と、前記第１及び第２の絶縁層を覆うようにシールド層を形成する工程と、前記窓を形成した部分のシールド層を選択的に除去する工程とを有することを特徴とする。
【０００８】本発明によれば、回路配線を保護する第１及び第２の絶縁層の周囲を覆うようにシールド層が形成されているので、回路配線を導電性の支持基板とシールド層とで取り囲むことができる。これにより、回路配線を伝送される信号の周波数が高くなっても、隣接する回路配線間のクロストークを抑制することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るＨＤＤの磁気ヘッド用サスペンションの同軸配線構造を示す図である。同図（Ａ）において、ステンレスなどが形成された導電性の支持基板１０の上には、回路配線３０が形成され、この回路配線３０を介して磁気ヘッド用接続端子１００と外部回路用接続端子１１０との間を接続している。
【００１０】同図（Ｂ）は、同図（Ａ）の回路配線３０のａで示した途中部分の拡大断面図である。この図において、導電性材料からなる支持基板１０の上には第１の絶縁層２０が形成され、更にその上に回路配線３０が形成されている。また、その上には、第２の保護層４０が回路配線３０の周囲を覆うように形成されている。回路配線３０の周囲を覆う第１及び第２の絶縁層２０，４０の更に周囲（上面及び側面）は、５０は第１および第２の絶縁層２０，４０の周囲を覆うように形成されたシールド層である。
【００１１】この断面構造は、回路配線３０を中心導体とし、また絶縁層２０，４０を誘電体とし、更に支持基板１０およびシールド層５０を外部導体とする同軸構造である。従って、回路配線３０を伝達される高速信号のクロストークは、外部導体（支持基板１０及びシールド層５０）によって完全にシールドされる。
【００１２】一例として、支持基板１０は、ステンレス材料で形成されている。回路配線３０は、Ｃｕ／Ｎｉ材料（２層構造）で形成されている。絶縁層２０，４０はいずれもポリイミドで形成されている。シールド層５０は、導電性のある材料、例えばＣｕ又はＣｒ／Ｃｕ材料（２層構造）で形成されている。
【００１３】同図（Ｃ）は、同図（Ａ）の部分ｃの拡大断面図であり、端子１００（又は１１０）部分の構造を示している。即ち、端子部分では、シールド層５０に窓開け５１が施されると共に、絶縁層４０に窓開け４２が施され、この窓開け４２，５１の部分の回路配線３０が外部に露出している。この露出部で外部回路や磁気ヘッドとの電気的な接続を行うようにしている。
【００１４】図２は、図１に示した同軸配線構造の製造方法の一例を示す工程図である。先ず、工程（１）に示すように、支持基板１０となるステンレス箔を準備し、その表面に感光性ポリイミドで第１の絶縁層２０を形成する。この絶縁層２０はパターニングされ、基板１０の表面を露出させるための分離部２１が、以後に形成される回路配線３０，３０間に形成される。
【００１５】次に、工程（２）に示すように、絶縁層２０の表面にＣｕ／Ｎｉ材料の回路配線３０を形成する。その後、工程（３）に示すように、回路配線３０の周囲（上面および側面）に第２の絶縁層４０を形成する。第２の絶縁層４０も第１の絶縁層２０と同様にパターンニングされ、基板１０の表面を露出させるための分離部４１が形成される。工程（４）では、第１および第２の絶縁層２０，４０の周囲を覆うように、スパッタ法又は蒸着法によって導電性のシールド層５０を形成する。
【００１６】なお、実際には端子１００，１１０の部分の窓開けが必要であるので、その工程を追加すると、図３のようになる。工程（１）〜（３）までは図２と同様である。工程（４）では、第２の絶縁層４０に端子部の窓開け４２を行い、回路配線３０を露出させる。次に、工程（５）において、第１および第２の絶縁層２０，４０の周囲を覆うように、スパッタ法又は蒸着法によって導電性のシールド層５０を形成する。このシールド層５０は同時に回路配線３０の表面も覆ってしまうので、次の工程（６）において、エッチングによってシールド層５０に窓開け５１を行い、回路配線３０の表面を露出させ、完成する。
【００１７】工程（６）に示すように、シールド層５０は、その下側平坦部５２によって支持基板１０に電気的に確実に接続されている。また、シールド層５０は、回路配線３０，３０間の分離部５３においても支持基板１０と接触する構造である。従って、シールド層５０と支持基板１０は、個々の回路配線３０（中心導体）に対して個別の同軸構造を実現するための外部導体をそれぞれ形成する。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、磁気ヘッド用サスペンションで使用される回路配線を同軸構造としたので、高速信号伝送時のクロストークを軽減できる。本発明の同軸配線構造はまた、一般的なプリント配線基板にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る同軸配線構造を示す（Ａ）平面図及び（Ｂ），（Ｃ）断面図である。
【図２】図１の同軸配線構造のｂの部分の製造方法を示す工程図である。
【図３】図１の同軸配線構造のｃの部分の製造方法を示す工程図である。
【図４】従来の磁気ヘッド用サスペンションの一例を示す（Ａ）平面図および（Ｂ）断面図である。
【符号の説明】
１０・・・支持基板、２０・・・第１の絶縁層、３０・・・回路配線、４０・・・第２の絶縁層、５０・・・シールド層、１００，１１０・・・接続端子。

【特許請求の範囲】
【請求項１】導電性材料からなる支持基板と、この支持基板上に形成された第１の絶縁層と、この第１の絶縁層上に形成された回路配線と、この回路配線の周囲を覆うように形成された第２の絶縁層と、前記第１および第２の絶縁層の周囲を覆うように形成されたシールド層とを備えたことを特徴とする同軸配線構造。
【請求項２】前記支持基板は、磁気ヘッドのサスペンションである請求項１記載の同軸配線構造。
【請求項３】前記支持基板は、プリント配線板の支持基板である請求項１記載の同軸配線構造。
【請求項４】前記回路配線の一部が外部接続のために露出するように、前記シールド層及び前記第１の絶縁層の一部に窓開け加工が施されていることを特徴とする請求項１記載の同軸配線構造。
【請求項５】導電性材料からなる支持基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層上に回路配線を形成する工程と、この回路配線の周囲を覆うように第２の絶縁層を形成する工程と、前記第２の絶縁層の一部に前記回路配線まで達する窓を形成する工程と、前記第１及び第２の絶縁層を覆うようにシールド層を形成する工程と、前記窓を形成した部分のシールド層を選択的に除去する工程とを有することを特徴とする同軸配線構造の製造方法。

【図１】