多層フレキシブル配線基板の製造方法、多層フレキシブル配線基板及びプローブカード
【課題】多層フレキシブル配線基板の製造途中で配線層毎のオープン・ショート検査を可能にする。
【解決手段】製造手順は次のとおりである。仮基板６６と検査用配線層５０を備える基礎部分を製造する。検査用配線層に検査端子５６，５８を形成する。電気めっき法により第１配線層７０を形成する。検査プローブ７２，７４を用いて第１配線層７０のショート検査を実施する。第１配線層７０の上に絶縁層７６を形成して、電気めっき法によりビア８２を形成する。ビア８２の形成の有無に基づいて第１配線層７０のオープン欠陥の有無を判断する。第２配線層８４以降についても同様の工程を繰り返す。仮基板６６から多層配線部を剥離し、さらに、その多層配線部から選択エッチング法で検査用配線層５０を除去する。
【解決手段】製造手順は次のとおりである。仮基板６６と検査用配線層５０を備える基礎部分を製造する。検査用配線層に検査端子５６，５８を形成する。電気めっき法により第１配線層７０を形成する。検査プローブ７２，７４を用いて第１配線層７０のショート検査を実施する。第１配線層７０の上に絶縁層７６を形成して、電気めっき法によりビア８２を形成する。ビア８２の形成の有無に基づいて第１配線層７０のオープン欠陥の有無を判断する。第２配線層８４以降についても同様の工程を繰り返す。仮基板６６から多層配線部を剥離し、さらに、その多層配線部から選択エッチング法で検査用配線層５０を除去する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層フレキシブル配線基板の製造方法に関し、特に、多層の配線層を形成する途中で配線の電気的な検査が可能な製造方法に関するものである。また、本発明は、上記製造方法によって製造された多層フレキシブル配線基板及びその多層フレキシブル配線基板を備えるプローブカードに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ビルドアップ方式でフレキシブル配線基板を多層化する従来方法の一例（後述の特許文献１を参照。）を図９を用いて説明する。図９（Ａ）は多層フレキシブル配線基板の製造途中の断面図である。仮基板１０の上に仮固定用の接着層１２を設けて、その上に、第１絶縁フィルム１４、第１絶縁接着層１６、第２絶縁フィルム１８、第２絶縁接着層２０、及び、第３絶縁フィルム２２を積層する。それらの積層の途中で、無電界めっき法を用いて、ビア２４、第１配線層２６、ビア２８、第２配線層３０、及び、ビア３２を形成する。ビア３２の上端に上部端子３４を形成する。次に、仮基板１０と仮固定用の接着層１２を除去して、図９（Ｂ）に示すように、下方のビア２４を露出させる。そのビア２４の表面に下部端子２５を形成する。これで多層フレキシブル配線基板が完成する。
【０００３】
この多層フレキシブル配線基板について配線の電気的な検査を実施するには、例えば、次のような手順をとる。図９（Ｂ）の完成状態において、配線のオープン欠陥（すなわち断線）を検査するには、ひとつの配線経路に属する下部端子２５と上部端子３４を選択して、それらの端子に一対の検査プローブを当てて、それらの端子間の導通状態を調べる。導通があれば正常である。導通がなければ、配線経路のどこかにオープン欠陥があると判定する。このようなオープン検査を、すべての配線経路に対して実施する。一方、配線のショート欠陥（すなわち短絡）を検査するには、異なる配線経路に属する（すなわち、互いに導通するはずのない）二つの端子（下部端子２５と上部端子３４の組み合わせでも、下部端子２５同士でも、上部端子３４同士でも構わない。）を選択して、それらの端子に一対の検査プローブを当てて、それらの端子間の導通状態を調べる。導通がなければ正常である。導通があれば、一方の端子が属する配線経路と、他方の端子が属する別の配線経路との間に、ショート欠陥があると判定する。このようなショート検査を、短絡するおそれのある（例えば、隣り合う）一対の配線経路のすべての組み合わせで実施する。
【０００４】
ところで、多層フレキシブル配線基板の場合、完成後のオープン・ショート検査で配線欠陥を見つけたとしても、積層が済んでいるので、積層内部の欠陥部分のリペア（修理）が困難である。そこで、多層配線の製造途中において、配線の各層を製造した直後にその配線を検査することが考えられる。この点を検討すると、図９（Ａ）において、例えば、第１配線層２６を形成した直後にショート検査を実施しようと思えば、それは可能である。具体的には、第１配線層２６として形成された配線パターンのうち、異なる配線経路に属する二つの配線に、一対の検査プローブを接触させれば、それらの配線経路間のショート検査が可能である。しかし、オープン検査は不可能である。その理由は、配線経路の一方の端部である下方のビア２４が、多層配線の製造途中では外部に露出していないからである。すなわち、露出していない下方のビア２４には検査プローブを当てることができない。
【０００５】
次に、上述の無電解めっき法ではなくて、電気めっき法を用いてビルドアップ方式でフレキシブル配線基板を多層化する従来方法（後述の特許文献２を参照。）を説明する。図９（Ｃ）はこの方法で作られた多層フレキシブル配線基板の製造途中の断面図である。図９（Ａ）と異なる点は、最下層の仮基板１０が導電性であることと、この仮基板１０にビア２４が電気的に接続していることと、仮基板１０に通電しながら電気めっき法で下方のビア２４から上端のビア３２までの配線経路を形成していくことである。多層配線を製造したら、仮基板１０と仮固定用の接着層１２を除去して、図９（Ｂ）と同じ完成状態となる。
【０００６】
図９（Ｃ）に示す電気めっき法を用いた場合、図９（Ａ）の例とは逆に、多層配線の製造途中において、オープン検査は可能であるが、ショート検査は不可能である。この点を以下に説明する。第１配線層２６を形成した直後の状態を考えると、下方のビア２４は導電性の仮基板１０に電気的に接続している。したがって、仮基板１０と、製造途中の上面に露出している第１配線層２６との間で、導通検査を実施できる。これにより、配線経路のオープン検査が可能である。しかし、ショート検査は不可能である。その理由は、製造途中では、電気めっきを可能とするためにすべての配線経路が最下層の仮基板１０に電気的に接続しているからである。すなわち、本来は導通するはずのない異なる配線経路が仮基板１０を経由して互いに導通状態になっており、ショート欠陥を見つけることができない。
【０００７】
このように、上述の二つの製造方法のどちらを採用しても、多層配線の製造途中においてオープン検査とショート検査のどちらかが不可能になる。ゆえに、製造途中でオープン検査とショート検査の両方が可能な多層フレキシブル配線基板の製造方法が望まれる。
【０００８】
そこで、多層配線基板を製造途中で検査できる従来技術を探すと、後述の特許文献３がある。この特許文献３は、セラミック基板の上にビルドアップ方式で多層配線を形成する技術において、セラミック基板の内部に、検査用の内部導体層を設けている。この内部導体層を利用して、多層配線を形成する途中で、各配線層の異常を検査できる。ただし、内部導体層と配線経路との間の「静電容量」に基づいて配線の異常を判定しているので、次のような困難さがある。静電容量に基づく異常判定をするには、規格配線の静電容量実測値と検査対象配線の静電容量実測値とを比較するか、または、静電容量の理論計算値と実測値とを比較する必要がある。この場合、正常値からの静電容量変化が小さい配線欠損の場合は、正確な判定が困難である。例えば、測定点から遠い配線末端部分でのオープン欠陥は静電容量変化が小さい。また、ビア単体など配線長が短い部分でのショート欠陥は静電容量変化が小さい。このような欠陥は静電容量に基づく判定では検出が難しい。これに比べると、電気的な導通の有無による検査は、欠陥の有無が明瞭なので、電気的な導通の有無を利用して、製造途中でオープン・ショート検査が可能な多層フレキシブル配線基板の製造方法が望まれる。
【０００９】
ところで、本発明は、「検査専用の配線パターンを用いて配線検査を実施して、最後には検査専用の配線パターンを除去する」ことに関係しているが、この点は後述の特許文献４に記載されている。この特許文献４は、多層配線基板の製造方法及び試験方法を開示している。その要点を説明すると、試験用の内部ダミー配線を多層配線の中に作り込んで、その内部ダミー配線を、最上部の上部ダミー配線と接続する。上部ダミー配線は、多数の配線をひとつ置きにつなぐように一対の櫛歯状のパターンとする（特許文献４の図１１を参照）。これにより、互いに隣接する配線が異なる櫛歯状パターンに接続される。この状態で、二つの櫛歯状パターン間でショート検査を実施すれば、互いに隣接する配線の間でのショート検査を一括して実施できる。検査後には、上部ダミー配線（櫛歯状パターン）を除去する。
【００１０】
この特許文献４に記載の方法を用いれば、一対の検査プローブを二つの櫛歯状パターンに接触させるだけで、多数の配線について一括したショート検査が可能である。しかし、多層配線の製造途中で検査することは不可能である。その理由は、多層配線が完成してから、その最上部に櫛歯状パターンを形成しているからである。さらに、別の問題として、多層配線基板の内部に内部ダミー配線が余剰配線として残り、余剰の静電容量が発生して、電気的特性の劣化が予想される。
【００１１】
また、「検査専用の配線パターンを用いて配線検査を実施して、最後には検査専用の配線パターンを除去する」ことに関する別の従来例が後述の特許文献５に記載されている。この特許文献５は、セラミック基板の上に多層配線を形成して、それを検査する方法を開示している。その要点を説明すると、セラミック基板の一方の側に試験用パターンを形成し、他方の側に多層配線を形成する。多層配線の一部は試験用パターンを介して互いに接続している。セラミック基板の片側（多層配線を形成した側）にプローブ・ヘッドを接触させて多層配線の短絡や断線を検査する。検査後に、試験用パターンを研磨工程で除去する。
【００１２】
この特許文献５は多層配線は開示しているが、その多層配線の製造方法は開示していない。したがって、製造途中で配線層毎に検査が可能かどうかは不明である。当然ながら、特許文献５は、多層配線をその製造途中で検査することには触れていない。
【００１３】
さらに、本発明は、多層フレキシブル配線基板を備えたプローブカードにも関係しているが、そのようなプローブカードは、例えば、後述の特許文献６に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開平９−１８６４６２号公報
【特許文献２】特開２００３−２０９３６６号公報
【特許文献３】特開２００８−２１８４４１号公報
【特許文献４】特開平９−２４６７３１号公報
【特許文献５】特開平１−２３２７９０号公報
【特許文献６】特開２００７−２８５８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上述の各種の従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、多層配線の製造途中で配線層毎のオープン・ショート検査が可能となるような多層フレキシブル配線基板の製造方法を提供することにある。本発明の別の目的は、上述のような製造方法で製造された多層フレキシブル配線基板を提供することにあり、また、そのような多層フレキシブル配線基板を備えたプローブカードを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の多層フレキシブル配線基板の製造方法は、次の（ア）乃至（シ）の各段階を備えている。（ア）仮基板と、前記仮基板の上にある第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上にある検査用配線層であって互いに絶縁された複数の検査配線を含む検査用配線層と、前記検査用配線層の上にある第２絶縁層と、前記第２絶縁層を貫通して前記検査用配線層の前記複数の配線要素に電気的に接続する複数の第１ビアと、を備える基礎部分を製造する段階。（イ）前記第２絶縁層に複数の開口を形成して、それらの開口を通して、前記検査用配線層の前記複数の検査配線のそれぞれの一部を外部に露出させて、その露出部分を複数の検査端子とする段階。（ウ）前記複数の検査端子にめっき用電極を接触させて、前記検査用配線層と前記第１ビアとに通電しながら、電気めっき法で前記第２絶縁層の上に、前記第１ビアにつながる第１配線層を形成する段階。（エ）前記複数の検査端子の任意のひとつに第１検査プローブを接触させ、当該検査端子とは別の検査端子に第２検査プローブを接触させて、前記第１ビアから前記第１配線層に至るひとつの配線経路と前記第１ビアから前記第１配線層に至る別の配線経路との間のショート検査を実施する段階。（オ）前記第１配線層の上に第３絶縁層を形成して、その第３絶縁層を貫通する第２ビア用ビアホールを形成すると共に、前記第３絶縁層に複数の開口を形成して、それらの開口と前記第２絶縁層に形成された開口とを通して、前記複数の検査端子を露出させる段階。（カ）前記複数の検査端子にめっき用電極を接触させて、前記検査用配線層と前記第１ビアと前記第１配線層とに通電しながら、電気めっき法により、前記第２ビア用ビアホールに第２ビアを形成する段階。（キ）前記第２ビアが形成されたか否かを確認することで前記第１ビアから前記第１配線層に至る配線経路のオープン検査を実施する段階。（ク）前記複数の検査端子にめっき用電極を接触させて、前記検査用配線層と前記第１ビアと前記第１配線層と前記第２ビアとに通電しながら、電気めっき法で前記第３絶縁層の上に、前記第２ビアにつながる第２配線層を形成する段階。（ケ）前記（エ）から（キ）までの段階と同様にして、前記第２配線層までの配線経路についてショート検査とオープン検査を実施する段階。（コ）第３配線層以降の配線層が必要ならば、それらの配線層について、前記（ク）及び（ケ）の段階と同様の段階を繰り返す段階。（サ）最上部の配線層を覆うように最上部の絶縁層を形成し、その最上部の絶縁層を貫通して前記最上部の配線層に電気的に接続する複数の最上部のビアを形成し、その最上部のビアにつながる上部端子を形成する段階。（シ）前記仮基板と前記第１絶縁層と前記検査用配線層を除去して、前記第１ビアを露出させて、これを下部端子とする段階。
【００１７】
本発明の製造方法において、上述の基礎部分を製造する段階は、好ましくは、次の（ａ）乃至（ｈ）の各段階を備えている。（ａ）仮ベースの上に、この仮ベースから剥離が可能な導電性の犠牲層を形成する段階。（ｂ）前記犠牲層の上に前記第２絶縁層を形成して、この第２絶縁層を貫通して前記犠牲層に電気的に接続する前記第１ビアを形成する段階。（ｃ）前記第１ビアの上に貴金属めっきを施す段階。（ｄ）前記第２絶縁層の上に、アディティブ法を用いて、前記貴金属めっきに接続する前記検査用配線層を形成する段階。（ｅ）前記検査用配線層を前記第１絶縁層で覆う段階。（ｆ）前記犠牲層から前記第１絶縁層までの積層体を前記仮ベースから剥離する段階。（ｇ）前記第１絶縁層の上に前記仮基板を貼り付ける段階。（ｈ）前記積層体から前記犠牲層を除去して前記第１ビアを露出させる段階。
【００１８】
本発明の製造方法において、前記複数の第１ビアのうち互いに隣り合う前記第１ビアは、好ましくは、前記検査用配線層の前記複数の検査配線のうちの異なる検査配線に接続している。
【００１９】
本発明の多層フレキシブル配線基板は、上述の製造方法で製造された多層フレキシブル配線基板である。また、本発明のプローブカードは、そのような多層フレキシブル配線基板を備えたプローブカードである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、多層フレキシブル配線基板の製造途中において、配線層毎にオープン・ショート検査が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は本発明の製造方法の一実施例の製造手順を示す断面図である。
【図２】図２は図１の手順の続きを示す断面図である。
【図３】図３は図２の手順の続きを示す断面図である。
【図４】図４は図３の手順の続きを示す断面図である。
【図５】図５は図４の手順の続きを示す断面図である。
【図６】図６は検査用配線層の二つの検査配線を示す平面図である。
【図７】図７は本発明の製造方法の一実施例のフローチャートである。
【図８】図８は基礎部分の製造に関するフローチャートである。
【図９】図９は従来方法を示す断面図である。
【図１０】図１０は本発明のプローブカードの一実施例の縦断面図である。
【図１１】図１１は図１０に示すプローブカードに搭載された多層フレキシブル配線基板の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳しく説明する。図１〜５は本発明の製造方法の一実施例の手順を示す断面図である。その手順を順を追って説明する。図１（Ａ）に示すように、ステンレス製の仮ベース３６の上に、この仮ベース３６から剥離可能な導電性の犠牲層３８を形成する。具体的には、仮ベース３６（ステンレス製）の表面に酸化膜が存在したままの状態で、その上にニッケルめっきと銅めっきを形成する。この複合めっき層が犠牲層３８である。この複合めっき層は酸化膜の上に形成されているので、剥離可能である。
【００２３】
次に、図１（Ｂ）に示すように、犠牲層３８と仮ベース３６の上に、絶縁性の接着層４０を介して絶縁フィルム４２を貼り付ける。絶縁フィルム４２は多層フレキシブル配線基板のベース材となるものである。絶縁フィルム４２は本発明における第２絶縁層に該当する。
【００２４】
次に、図１（Ｃ）に示すように、絶縁フィルム４２と接着層４０にレーザでビアホール４４を形成する。
【００２５】
次に、図１（Ｄ）に示すように、そのビアホールを埋めるように、電気めっき法によりビア４６を形成する。ビア４６は犠牲層３８に電気的に接続している。ビア４６はニッケルめっき層の上に銅めっき層を形成したものである。厚み数μｍのニッケルめっき層は犠牲層３８の側に位置しており、このニッケルめっき層は、犠牲層３８を除去するときに一緒に除去される。ビア４６は本発明における第１ビアに該当する。ビア４６の表面に貴金属めっき４８（例えば、金めっき）を形成する。
【００２６】
次に、図１（Ｅ）に示すように、絶縁フィルム４２と貴金属めっき４８の上に、アディティブ法を用いて検査用配線層５０（例えば、銅製）を形成する。アディティブ法は、例えば、次のように実施する。絶縁フィルム４２と貴金属めっき４８の上にスパッタリング法で薄い金属膜を形成する。その上に、めっきレジストで必要な部分をマスクしてから、電気めっきを施して検査用配線層５０を形成する。めっきレジストを除去してから、検査用配線層５０をマスクとしてスパッタリング膜をエッチング除去する。
【００２７】
検査用配線層５０は、互いに絶縁された複数の検査配線を含んでいる。図６は検査用配線層のパターンの一例を示す平面図である。この例では、検査用配線層は第１検査配線５２と第２検査配線５４を含んでいる。第１検査配線５２は、多数のビアのうち、ひとつ置きのビア群４６ａに接続している（実際には貴金属めっきを介して接続している）。第２検査配線５４は、第１検査配線５２に接続していない別のひとつ置きのビア群４６ｂに接続している。第１検査配線５２は、面積の広い第１検査端子５６を含んでおり、第２検査配線５４は、面積の広い第２検査端子５８を含んでいる。このような検査用配線層を用いると、ビア間のピッチが狭くてビアに検査プローブを接触させることが難しい場合でも、面積の広い検査端子５６，５８に検査プローブを接触させることができる。
【００２８】
図２（Ａ）に示すように、図１（Ｅ）の状態に対して、検査用配線層５０と絶縁フィルム４２の上に、絶縁性の接着層６０を介して接着層保持基材６２（例えば、ポリイミド）を貼り付ける。接着層保持基材６２と接着層６０は本発明における第１絶縁層の一部に該当する。そして、犠牲層３８から接着層保持基材６２までの積層体を、仮ベース３６から剥離する。仮ベース３６から剥離した積層体を上下反転した状態を図２（Ｂ）に示す。
【００２９】
次に、図２（Ｃ）に示すように、図２（Ｂ）に示す積層体を、絶縁性の接着層６４を介して仮基板６６に貼り付ける。接着層６４は剥離除去可能な接着層であり、本発明における第１絶縁層の一部に該当する。
【００３０】
次に、図２（Ｃ）において、犠牲層３８をエッチングで除去する。犠牲層３８の除去方法は、具体的には次のとおりである。図２（Ｃ）において、犠牲層３８の表面はニッケルめっきである。まず、ニッケルのみを溶かすエッチング液を用いてニッケル部分を除去し、次に、その下の銅めっきの部分を、銅のみを溶かすエッチング液を用いて除去する。ビア４６の犠牲層３８側はニッケルめっき層で形成されているので、銅のエッチング液を用いて犠牲層３８を溶かすときに、ビア４６はエッチングされずに残る。犠牲層３８を除去したら、次に、接着層４０を溶剤で除去する。最後に、手研磨でビア４６の表面側のニッケルめっきを除去する。犠牲層３８と接着層４０を除去した状態を図２（Ｄ）に示す。これが本発明における基礎部分に該当する。最下層は仮基板６６であり、最上層は絶縁フィルム４２である。絶縁フィルム４２から複数のビア４６（ビア群４６ａと４６ｂ）が露出している。内部には検査用配線層５０（５２，５４）があり、その第１検査配線５２と第２検査配線５４（図６を参照）がビア群４６ａ，４６ｂに電気的に接続している。
【００３１】
犠牲層３８を除去する方法として、上述のようにニッケル・ストッパを用いる方法の代わりに、ＣＭＰ（化学機械研磨）法を用いることもできる。ＣＭＰ法を用いる方法は次のとおりである。まず、ビア４６はニッケルめっきと銅めっきの積層構造にする必要はなく、銅めっき層だけでビア４６を形成する。そして、図２（Ｃ）において、接着層４０を溶剤で除去する。その際、犠牲層３８の下には溶剤が入っていかないので、犠牲層３８の下の接着層４０は残る。その状態でＣＭＰ法で研磨すると、犠牲層３８のみが除去され、ビア４６の周囲の接着層４０だけが残った状態で研磨が終了する。その後、残った接着層４０を溶剤で除去する。
【００３２】
ニッケル・ストッパ法またはＣＭＰ法で犠牲層３８を除去したら、図３（Ａ）に示すように、絶縁フィルム４２にレーザで開口６８を形成して、検査用配線層の第１検査配線５２及び第２検査配線５４の一部を露出させ、その露出部分を第１検査端子５６及び第２検査端子５８とする。
【００３３】
次に、図３（Ｂ）に示すように、第１検査端子５６と第２検査端子５８にめっき用電極６８を接触させて、検査用配線層の第１検査配線５２及び第２検査配線５４、並びに、ビア群４６ａ，４６ｂに通電しながら、電気めっき法により、絶縁フィルム４２の上に第１配線層７０（例えば、銅製）を形成する。
【００３４】
次に、図３（Ｃ）に示すように、第１検査端子５６に第１検査プローブ７２を接触させ、第２検査端子５８に第２検査プローブ７４を接触させて、ビア群４６ａから第１配線層７０に至る配線経路と、ビア群４６ｂから第１配線層７０に至る別の配線経路との間で、ショート検査を実施する。導通がなければ正常であり、導通があれば、それらの配線経路の間でショート欠陥（短絡）が生じていると判定する。そのようなショート欠陥が見つかれば、その段階でリペア（修理）を行う。図６に示すように、第１検査配線５２はひとつ置きのビア群４６ａに接続しており、第２検査配線５４は別のひとつ置きのビア群４６ｂに接続しているので、隣り合うビアは、異なる検査配線に接続している。したがって、第１検査配線５２と第２検査配線５４の間でショート検査を行うことで、隣り合うビアに接続する配線経路同士のすべてのショート検査を一括して行うことができる。
【００３５】
上述のショート検査において、ショート欠陥が存在すると判明した場合に、どの部分にショート欠陥があるかを特定するには、例えば、顕微鏡等を用いた目視検査で最終的に確認する。上述の図６に示すような検査配線パターンを用いる場合には、第１検査端子５６につながる配線経路と第２検査端子５８につながる配線経路との間のすべての箇所を確認することが必要である。これに対して、検査配線パターンを複数の領域に分けて、各領域ごとに１対の検査端子を設けるようにすれば、ショート欠陥が判明した領域だけについてショート箇所を調べればよく、ショート箇所の特定が容易になる。
【００３６】
ショート検査が終了したら、図３（Ｄ）に示すように、第１配線層７０と絶縁フィルム４２の上に、絶縁性の接着層７６を介して絶縁フィルム７８を貼り付ける。絶縁フィルム７８と接着層７６は本発明における第３絶縁層に該当する。次に、絶縁フィルム７８と接着層７６にレーザで開口８０を形成して、検査端子５６，５８を露出させる。また、絶縁フィルム７８と接着層７６にレーザでビアホール８１を形成する。
【００３７】
次に、図４（Ａ）に示すように、検査端子５６，５８（図３（Ｄ）を参照）にめっき用電極６８を接触させて、検査用配線層の第１検査配線５２及び第２検査配線５４、ビア群４６ａ，４６ｂ、並びに、第１配線層７０に通電しながら、電気めっき法により、ビアホール８１（図３（Ｄ）を参照）を埋めるようにビア８２（例えば、銅製）を形成する。このビア８２を形成する工程を利用して、以下に述べるように、第１配線層７０のオープン検査を実施する。第１配線層７０にオープン欠陥が存在すると、そのオープン欠陥よりも先に位置するビアホール８１のところには電気が通じていないので、そのビアホール８１にはビア８２が形成されない。したがって、ビアホール８１にビア８２が形成されたかどうかを、顕微鏡等を用いて目視で確認することで、第１配線層７０におけるオープン欠陥の有無を一括して確認できる。オープン欠陥を見つけた場合は、ビア８２が形成されないビアホールに関係する配線領域について、レーザ等を用いて接着層７６と絶縁フィルム７８を取り除いて、第１配線層７０のオープン箇所を金属ペースト等を用いて修理することができる。
【００３８】
次に、図４（Ｂ）に示すように、第１検査端子と第２検査端子にめっき用電極６８を接触させて、検査用配線層の第１検査配線５２と第２検査配線５４、ビア４６、第１配線層７０、及び、ビア８２に通電しながら、電気めっき法により、絶縁フィルム７８の上に第２配線層８４（例えば、銅製）を形成する。
【００３９】
次に、図４（Ｃ）に示すように、第１検査端子に第１検査プローブ７２を接触させ、第２検査端子に第２検査プローブ７４を接触させて、ビア群４６ａから第２配線層８４に至る配線経路と、ビア群４６ｂから第２配線層８４に至る別の配線経路との間で、ショート検査を実施する。
【００４０】
次に、図４（Ｄ）に示すように、第２配線層８４と絶縁フィルム７８の上に、絶縁性の接着層８６を介して絶縁フィルム８８を貼り付ける。絶縁フィルム８８と接着層８６は本発明における最上部の絶縁層に該当する。次に、絶縁フィルム８８と接着層８６にレーザで開口９０を形成して、検査端子５６，５８を露出させる。また、絶縁フィルム８８と接着層８６にレーザでビアホール９１を形成する。
【００４１】
次に、図５（Ａ）に示すように、検査端子５６，５８（図４（Ｄ）を参照）にめっき用電極６８を接触させて、検査用配線層の第１検査配線５２及び第２検査配線５４、ビア群４６ａ，４６ｂ、第１配線層７０、ビア８２、並びに、第２配線層８４に通電しながら、電気めっき法により、ビアホール９１（図４（Ｄ）を参照）を埋めるようにビア９２（例えば、銅製）を形成する。このビア９２を形成する工程を利用して、上述のビア８２の形成の場合と同様に、第２配線層８４のオープン検査を実施する。
【００４２】
第３配線層以降の配線層が必要であれば、第２配線層までと同様の工程を繰り返す。この実施例の説明では、説明の簡便さのために、第２配線層を最終の配線層とする。したがって、ビア９２は本発明における最上部のビアに該当する。
【００４３】
次に、図５（Ｂ）に示すように、検査端子５６，５８（図４（Ｄ）を参照）にめっき用電極６８を接触させて、最上部のビア９２の表面に電気めっき法により上部端子９４を形成する。
【００４４】
次に、最下部の仮基板６６から接着層６４のところで多層配線部を剥離し、さらに、その多層配線部から接着層６４、接着層保持基材６２、及び、接着層６０を溶解除去する。除去後の状態を図５（Ｃ）に示す。
【００４５】
次に、図５（Ｃ）において、検査用配線層５０を選択エッチング法で除去する。この選択エッチング法では、検査用配線層５０は溶けるがビア４６の表面の貴金属めっき４８が溶けないようなエッチング液を使う。このエッチングによりビア４６上の貴金属めっき４８が露出して、これが下部端子となる。
【００４６】
次に、図５（Ｄ）に示すように、多層フレキシブル配線配線基板の周囲を切断線９６のところで切断して、不要な端部を除去する。これで多層フレキシブル配線基板が完成する。
【００４７】
図７と図８に示すフローチャートは、これまでに説明してきた手順をまとめたものである。このフローチャートを用いて製造手順をおさらいする。図７のフローチャートにおいて、「基礎部分の製造」の工程（ステップＳ１０）は図１（Ａ）〜図２（Ｅ）を参照して説明した工程である。これを詳しく示したものが図８のフローチャートである。
【００４８】
図８のフローチャートにおいて、「仮ベース上に犠牲層を形成」の工程（ステップＳ２８）は図１（Ａ）を参照して説明した工程であり、仮ベース３６の上に犠牲層３８を形成する。「第１ビアの形成」の工程（ステップＳ３０）は図１（Ｃ）〜（Ｄ）を参照して説明した工程であり、ビアホール４４にビア４６を埋め込む。「貴金属めっき」の工程（ステップＳ３２）は図１（Ｄ）を参照して説明した工程であり、ビア４６の表面に貴金属めっき４８を形成する。「検査用配線層の形成」の工程（ステップＳ３４）は図１（Ｅ）を参照して説明した工程であり、絶縁フィルム４２の上に検査用配線層５０を形成する。「第１絶縁層の形成」の工程（ステップＳ３６）は図２（Ａ）を参照して説明した工程であり、検査用配線層５０の上に接着層６０を介して接着層保持基材６２を貼り付ける。「仮ベースからの剥離」の工程（ステップＳ３８）は図２（Ａ）〜（Ｂ）を参照して説明した工程であり、犠牲層３８から接着層保持基材６２までの積層体を仮ベース３６から剥離する。「仮基板の貼り付け」の工程（ステップＳ４０）は図２（Ｃ）を参照して説明した工程であり、上述の積層体を接着層６４を介して仮基板６６に貼り付ける。「犠牲層の除去」の工程（ステップＳ４２）は図２（Ｃ）〜（Ｄ）を参照して説明した工程であり、犠牲層３８をエッチング法で除去する。
【００４９】
図７のフローチャートに戻って、「検査端子の形成」の工程（ステップＳ１２）は図３（Ａ）を参照して説明した工程であり、第１検査配線５２及び第２検査配線５４の一部を露出させて第１検査端子５６及び第２検査端子５８を形成する。「配線層の形成」の工程（ステップＳ１４）は図３（Ｂ）を参照して説明した工程であり、電気めっき法により第１配線層７０を形成する。「ショート検査」の工程（ステップＳ１６）は図３（Ｃ）を参照して説明した工程であり、検査プローブ７２，７４を用いて第１配線層７０のショート検査を実施する。「ビアの形成」の工程（ステップＳ１８）は図３（Ｄ）〜図４（Ａ）を参照して説明した工程であり、電気めっき法によりビア８２を形成する。「オープン検査」の工程（ステップＳ２０）は図４（Ａ）を参照して説明した工程であり、ビア８２の形成の有無を確認することで、第１配線層７０のオープン検査を実施する。「最上部の配線層か？」の工程（ステップＳ２２）は、最上部の配線層かどうかを判断する工程であり、最上部の配線層でない場合は、次の配線層について、上述のステップＳ１４〜Ｓ２０を繰り返す。第２配線層についての繰り返しは、図４（Ｂ）〜図５（Ａ）を参照して説明した工程である。最上部の配線層である場合は、「最上部構造の形成」の工程（ステップＳ２４）を実施する。この「最上部構造の形成」の工程は、図５（Ｂ）で説明した工程であり、最上部のビア９２の表面に電気めっき法により上部端子９４を形成する。「仮基板と検査用配線層の除去」の工程（ステップＳ２６）は図５（Ｃ）〜（Ｄ）を参照して説明した工程であり、仮基板６６から多層配線部を剥離し、さらに、検査用配線層５０を選択エッチング法で除去する。
【００５０】
上述の実施例は配線層の数は２層であるが、３層以上の任意の層数とすることができる。
【００５１】
図１０は本発明のプローブカードの一実施例の縦断面図である。このプローブカードは上述の製造方法で製造された多層フレキシブル配線基板を備えるものである。図１０において、プローブカードは、その主要な構成部品として、リジッド配線基板１００と支持板１０２とばね部材１０４とブロック１０６と多層フレキシブル配線基板１０８を備えている。このプローブカードの基本的な構造は上述の特許文献６に開示されているものである。本発明のプローブカードと特許文献６に開示されたプローブカードとの違いは、本発明のプローブカードに搭載された多層フレキシブル配線基板１０８が、これまでに説明してきた製造方法で製造されたものであることである。図１１は多層フレキシブル配線基板１０８の平面図である。
【００５２】
図１０と図１１において、多層フレキシブル配線基板１０８は、その外縁部において、上部端子１０９（図５（Ｄ）の上部端子９４に相当）がリジッド配線基板１００の配線路（図示せず）に電気的に接続されている。また、多層フレキシブル配線基板１０８の中央部の接触子領域１１０には多数のプローブ１１２が固定されている。これらのプローブ１１２は、多層フレキシブル配線基板１０８の下部端子（図５（Ｄ）の貴金属めっき４８に相当）に固定されている。
【符号の説明】
【００５３】
３６ 仮ベース
３８ 犠牲層
４０ 接着層
４２ 絶縁フィルム
４４ ビアホール
４６ ビア
４６ａ，４６ｂ ビア群
４８ 貴金属めっき
５０ 検査用配線層
５２ 第１検査配線
５４ 第２検査配線
５６ 第１検査端子
５８ 第２検査端子
６０ 接着層
６２ 接着層保持基材
６４ 接着層
６６ 仮基板
６８ めっき用電極
７０ 第１配線層
７２ 第１検査プローブ
７４ 第２検査プローブ
７６ 接着層
７８ 絶縁フィルム
８０ 開口
８１ ビアホール
８２ ビア
８４ 第２配線層
８６ 接着層
８８ 絶縁フィルム
９０ 開口
９１ ビアホール
９２ ビア
９４ 上部端子
９６ 切断線
１００ リジッド配線基板
１０２ 支持板
１０４ ばね部材
１０６ ブロック
１０８ 多層フレキシブル配線基板
１０９ 上部端子
１１０ 接触子領域
１１２ プローブ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層フレキシブル配線基板の製造方法に関し、特に、多層の配線層を形成する途中で配線の電気的な検査が可能な製造方法に関するものである。また、本発明は、上記製造方法によって製造された多層フレキシブル配線基板及びその多層フレキシブル配線基板を備えるプローブカードに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ビルドアップ方式でフレキシブル配線基板を多層化する従来方法の一例（後述の特許文献１を参照。）を図９を用いて説明する。図９（Ａ）は多層フレキシブル配線基板の製造途中の断面図である。仮基板１０の上に仮固定用の接着層１２を設けて、その上に、第１絶縁フィルム１４、第１絶縁接着層１６、第２絶縁フィルム１８、第２絶縁接着層２０、及び、第３絶縁フィルム２２を積層する。それらの積層の途中で、無電界めっき法を用いて、ビア２４、第１配線層２６、ビア２８、第２配線層３０、及び、ビア３２を形成する。ビア３２の上端に上部端子３４を形成する。次に、仮基板１０と仮固定用の接着層１２を除去して、図９（Ｂ）に示すように、下方のビア２４を露出させる。そのビア２４の表面に下部端子２５を形成する。これで多層フレキシブル配線基板が完成する。
【０００３】
この多層フレキシブル配線基板について配線の電気的な検査を実施するには、例えば、次のような手順をとる。図９（Ｂ）の完成状態において、配線のオープン欠陥（すなわち断線）を検査するには、ひとつの配線経路に属する下部端子２５と上部端子３４を選択して、それらの端子に一対の検査プローブを当てて、それらの端子間の導通状態を調べる。導通があれば正常である。導通がなければ、配線経路のどこかにオープン欠陥があると判定する。このようなオープン検査を、すべての配線経路に対して実施する。一方、配線のショート欠陥（すなわち短絡）を検査するには、異なる配線経路に属する（すなわち、互いに導通するはずのない）二つの端子（下部端子２５と上部端子３４の組み合わせでも、下部端子２５同士でも、上部端子３４同士でも構わない。）を選択して、それらの端子に一対の検査プローブを当てて、それらの端子間の導通状態を調べる。導通がなければ正常である。導通があれば、一方の端子が属する配線経路と、他方の端子が属する別の配線経路との間に、ショート欠陥があると判定する。このようなショート検査を、短絡するおそれのある（例えば、隣り合う）一対の配線経路のすべての組み合わせで実施する。
【０００４】
ところで、多層フレキシブル配線基板の場合、完成後のオープン・ショート検査で配線欠陥を見つけたとしても、積層が済んでいるので、積層内部の欠陥部分のリペア（修理）が困難である。そこで、多層配線の製造途中において、配線の各層を製造した直後にその配線を検査することが考えられる。この点を検討すると、図９（Ａ）において、例えば、第１配線層２６を形成した直後にショート検査を実施しようと思えば、それは可能である。具体的には、第１配線層２６として形成された配線パターンのうち、異なる配線経路に属する二つの配線に、一対の検査プローブを接触させれば、それらの配線経路間のショート検査が可能である。しかし、オープン検査は不可能である。その理由は、配線経路の一方の端部である下方のビア２４が、多層配線の製造途中では外部に露出していないからである。すなわち、露出していない下方のビア２４には検査プローブを当てることができない。
【０００５】
次に、上述の無電解めっき法ではなくて、電気めっき法を用いてビルドアップ方式でフレキシブル配線基板を多層化する従来方法（後述の特許文献２を参照。）を説明する。図９（Ｃ）はこの方法で作られた多層フレキシブル配線基板の製造途中の断面図である。図９（Ａ）と異なる点は、最下層の仮基板１０が導電性であることと、この仮基板１０にビア２４が電気的に接続していることと、仮基板１０に通電しながら電気めっき法で下方のビア２４から上端のビア３２までの配線経路を形成していくことである。多層配線を製造したら、仮基板１０と仮固定用の接着層１２を除去して、図９（Ｂ）と同じ完成状態となる。
【０００６】
図９（Ｃ）に示す電気めっき法を用いた場合、図９（Ａ）の例とは逆に、多層配線の製造途中において、オープン検査は可能であるが、ショート検査は不可能である。この点を以下に説明する。第１配線層２６を形成した直後の状態を考えると、下方のビア２４は導電性の仮基板１０に電気的に接続している。したがって、仮基板１０と、製造途中の上面に露出している第１配線層２６との間で、導通検査を実施できる。これにより、配線経路のオープン検査が可能である。しかし、ショート検査は不可能である。その理由は、製造途中では、電気めっきを可能とするためにすべての配線経路が最下層の仮基板１０に電気的に接続しているからである。すなわち、本来は導通するはずのない異なる配線経路が仮基板１０を経由して互いに導通状態になっており、ショート欠陥を見つけることができない。
【０００７】
このように、上述の二つの製造方法のどちらを採用しても、多層配線の製造途中においてオープン検査とショート検査のどちらかが不可能になる。ゆえに、製造途中でオープン検査とショート検査の両方が可能な多層フレキシブル配線基板の製造方法が望まれる。
【０００８】
そこで、多層配線基板を製造途中で検査できる従来技術を探すと、後述の特許文献３がある。この特許文献３は、セラミック基板の上にビルドアップ方式で多層配線を形成する技術において、セラミック基板の内部に、検査用の内部導体層を設けている。この内部導体層を利用して、多層配線を形成する途中で、各配線層の異常を検査できる。ただし、内部導体層と配線経路との間の「静電容量」に基づいて配線の異常を判定しているので、次のような困難さがある。静電容量に基づく異常判定をするには、規格配線の静電容量実測値と検査対象配線の静電容量実測値とを比較するか、または、静電容量の理論計算値と実測値とを比較する必要がある。この場合、正常値からの静電容量変化が小さい配線欠損の場合は、正確な判定が困難である。例えば、測定点から遠い配線末端部分でのオープン欠陥は静電容量変化が小さい。また、ビア単体など配線長が短い部分でのショート欠陥は静電容量変化が小さい。このような欠陥は静電容量に基づく判定では検出が難しい。これに比べると、電気的な導通の有無による検査は、欠陥の有無が明瞭なので、電気的な導通の有無を利用して、製造途中でオープン・ショート検査が可能な多層フレキシブル配線基板の製造方法が望まれる。
【０００９】
ところで、本発明は、「検査専用の配線パターンを用いて配線検査を実施して、最後には検査専用の配線パターンを除去する」ことに関係しているが、この点は後述の特許文献４に記載されている。この特許文献４は、多層配線基板の製造方法及び試験方法を開示している。その要点を説明すると、試験用の内部ダミー配線を多層配線の中に作り込んで、その内部ダミー配線を、最上部の上部ダミー配線と接続する。上部ダミー配線は、多数の配線をひとつ置きにつなぐように一対の櫛歯状のパターンとする（特許文献４の図１１を参照）。これにより、互いに隣接する配線が異なる櫛歯状パターンに接続される。この状態で、二つの櫛歯状パターン間でショート検査を実施すれば、互いに隣接する配線の間でのショート検査を一括して実施できる。検査後には、上部ダミー配線（櫛歯状パターン）を除去する。
【００１０】
この特許文献４に記載の方法を用いれば、一対の検査プローブを二つの櫛歯状パターンに接触させるだけで、多数の配線について一括したショート検査が可能である。しかし、多層配線の製造途中で検査することは不可能である。その理由は、多層配線が完成してから、その最上部に櫛歯状パターンを形成しているからである。さらに、別の問題として、多層配線基板の内部に内部ダミー配線が余剰配線として残り、余剰の静電容量が発生して、電気的特性の劣化が予想される。
【００１１】
また、「検査専用の配線パターンを用いて配線検査を実施して、最後には検査専用の配線パターンを除去する」ことに関する別の従来例が後述の特許文献５に記載されている。この特許文献５は、セラミック基板の上に多層配線を形成して、それを検査する方法を開示している。その要点を説明すると、セラミック基板の一方の側に試験用パターンを形成し、他方の側に多層配線を形成する。多層配線の一部は試験用パターンを介して互いに接続している。セラミック基板の片側（多層配線を形成した側）にプローブ・ヘッドを接触させて多層配線の短絡や断線を検査する。検査後に、試験用パターンを研磨工程で除去する。
【００１２】
この特許文献５は多層配線は開示しているが、その多層配線の製造方法は開示していない。したがって、製造途中で配線層毎に検査が可能かどうかは不明である。当然ながら、特許文献５は、多層配線をその製造途中で検査することには触れていない。
【００１３】
さらに、本発明は、多層フレキシブル配線基板を備えたプローブカードにも関係しているが、そのようなプローブカードは、例えば、後述の特許文献６に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開平９−１８６４６２号公報
【特許文献２】特開２００３−２０９３６６号公報
【特許文献３】特開２００８−２１８４４１号公報
【特許文献４】特開平９−２４６７３１号公報
【特許文献５】特開平１−２３２７９０号公報
【特許文献６】特開２００７−２８５８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上述の各種の従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、多層配線の製造途中で配線層毎のオープン・ショート検査が可能となるような多層フレキシブル配線基板の製造方法を提供することにある。本発明の別の目的は、上述のような製造方法で製造された多層フレキシブル配線基板を提供することにあり、また、そのような多層フレキシブル配線基板を備えたプローブカードを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の多層フレキシブル配線基板の製造方法は、次の（ア）乃至（シ）の各段階を備えている。（ア）仮基板と、前記仮基板の上にある第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上にある検査用配線層であって互いに絶縁された複数の検査配線を含む検査用配線層と、前記検査用配線層の上にある第２絶縁層と、前記第２絶縁層を貫通して前記検査用配線層の前記複数の配線要素に電気的に接続する複数の第１ビアと、を備える基礎部分を製造する段階。（イ）前記第２絶縁層に複数の開口を形成して、それらの開口を通して、前記検査用配線層の前記複数の検査配線のそれぞれの一部を外部に露出させて、その露出部分を複数の検査端子とする段階。（ウ）前記複数の検査端子にめっき用電極を接触させて、前記検査用配線層と前記第１ビアとに通電しながら、電気めっき法で前記第２絶縁層の上に、前記第１ビアにつながる第１配線層を形成する段階。（エ）前記複数の検査端子の任意のひとつに第１検査プローブを接触させ、当該検査端子とは別の検査端子に第２検査プローブを接触させて、前記第１ビアから前記第１配線層に至るひとつの配線経路と前記第１ビアから前記第１配線層に至る別の配線経路との間のショート検査を実施する段階。（オ）前記第１配線層の上に第３絶縁層を形成して、その第３絶縁層を貫通する第２ビア用ビアホールを形成すると共に、前記第３絶縁層に複数の開口を形成して、それらの開口と前記第２絶縁層に形成された開口とを通して、前記複数の検査端子を露出させる段階。（カ）前記複数の検査端子にめっき用電極を接触させて、前記検査用配線層と前記第１ビアと前記第１配線層とに通電しながら、電気めっき法により、前記第２ビア用ビアホールに第２ビアを形成する段階。（キ）前記第２ビアが形成されたか否かを確認することで前記第１ビアから前記第１配線層に至る配線経路のオープン検査を実施する段階。（ク）前記複数の検査端子にめっき用電極を接触させて、前記検査用配線層と前記第１ビアと前記第１配線層と前記第２ビアとに通電しながら、電気めっき法で前記第３絶縁層の上に、前記第２ビアにつながる第２配線層を形成する段階。（ケ）前記（エ）から（キ）までの段階と同様にして、前記第２配線層までの配線経路についてショート検査とオープン検査を実施する段階。（コ）第３配線層以降の配線層が必要ならば、それらの配線層について、前記（ク）及び（ケ）の段階と同様の段階を繰り返す段階。（サ）最上部の配線層を覆うように最上部の絶縁層を形成し、その最上部の絶縁層を貫通して前記最上部の配線層に電気的に接続する複数の最上部のビアを形成し、その最上部のビアにつながる上部端子を形成する段階。（シ）前記仮基板と前記第１絶縁層と前記検査用配線層を除去して、前記第１ビアを露出させて、これを下部端子とする段階。
【００１７】
本発明の製造方法において、上述の基礎部分を製造する段階は、好ましくは、次の（ａ）乃至（ｈ）の各段階を備えている。（ａ）仮ベースの上に、この仮ベースから剥離が可能な導電性の犠牲層を形成する段階。（ｂ）前記犠牲層の上に前記第２絶縁層を形成して、この第２絶縁層を貫通して前記犠牲層に電気的に接続する前記第１ビアを形成する段階。（ｃ）前記第１ビアの上に貴金属めっきを施す段階。（ｄ）前記第２絶縁層の上に、アディティブ法を用いて、前記貴金属めっきに接続する前記検査用配線層を形成する段階。（ｅ）前記検査用配線層を前記第１絶縁層で覆う段階。（ｆ）前記犠牲層から前記第１絶縁層までの積層体を前記仮ベースから剥離する段階。（ｇ）前記第１絶縁層の上に前記仮基板を貼り付ける段階。（ｈ）前記積層体から前記犠牲層を除去して前記第１ビアを露出させる段階。
【００１８】
本発明の製造方法において、前記複数の第１ビアのうち互いに隣り合う前記第１ビアは、好ましくは、前記検査用配線層の前記複数の検査配線のうちの異なる検査配線に接続している。
【００１９】
本発明の多層フレキシブル配線基板は、上述の製造方法で製造された多層フレキシブル配線基板である。また、本発明のプローブカードは、そのような多層フレキシブル配線基板を備えたプローブカードである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、多層フレキシブル配線基板の製造途中において、配線層毎にオープン・ショート検査が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は本発明の製造方法の一実施例の製造手順を示す断面図である。
【図２】図２は図１の手順の続きを示す断面図である。
【図３】図３は図２の手順の続きを示す断面図である。
【図４】図４は図３の手順の続きを示す断面図である。
【図５】図５は図４の手順の続きを示す断面図である。
【図６】図６は検査用配線層の二つの検査配線を示す平面図である。
【図７】図７は本発明の製造方法の一実施例のフローチャートである。
【図８】図８は基礎部分の製造に関するフローチャートである。
【図９】図９は従来方法を示す断面図である。
【図１０】図１０は本発明のプローブカードの一実施例の縦断面図である。
【図１１】図１１は図１０に示すプローブカードに搭載された多層フレキシブル配線基板の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳しく説明する。図１〜５は本発明の製造方法の一実施例の手順を示す断面図である。その手順を順を追って説明する。図１（Ａ）に示すように、ステンレス製の仮ベース３６の上に、この仮ベース３６から剥離可能な導電性の犠牲層３８を形成する。具体的には、仮ベース３６（ステンレス製）の表面に酸化膜が存在したままの状態で、その上にニッケルめっきと銅めっきを形成する。この複合めっき層が犠牲層３８である。この複合めっき層は酸化膜の上に形成されているので、剥離可能である。
【００２３】
次に、図１（Ｂ）に示すように、犠牲層３８と仮ベース３６の上に、絶縁性の接着層４０を介して絶縁フィルム４２を貼り付ける。絶縁フィルム４２は多層フレキシブル配線基板のベース材となるものである。絶縁フィルム４２は本発明における第２絶縁層に該当する。
【００２４】
次に、図１（Ｃ）に示すように、絶縁フィルム４２と接着層４０にレーザでビアホール４４を形成する。
【００２５】
次に、図１（Ｄ）に示すように、そのビアホールを埋めるように、電気めっき法によりビア４６を形成する。ビア４６は犠牲層３８に電気的に接続している。ビア４６はニッケルめっき層の上に銅めっき層を形成したものである。厚み数μｍのニッケルめっき層は犠牲層３８の側に位置しており、このニッケルめっき層は、犠牲層３８を除去するときに一緒に除去される。ビア４６は本発明における第１ビアに該当する。ビア４６の表面に貴金属めっき４８（例えば、金めっき）を形成する。
【００２６】
次に、図１（Ｅ）に示すように、絶縁フィルム４２と貴金属めっき４８の上に、アディティブ法を用いて検査用配線層５０（例えば、銅製）を形成する。アディティブ法は、例えば、次のように実施する。絶縁フィルム４２と貴金属めっき４８の上にスパッタリング法で薄い金属膜を形成する。その上に、めっきレジストで必要な部分をマスクしてから、電気めっきを施して検査用配線層５０を形成する。めっきレジストを除去してから、検査用配線層５０をマスクとしてスパッタリング膜をエッチング除去する。
【００２７】
検査用配線層５０は、互いに絶縁された複数の検査配線を含んでいる。図６は検査用配線層のパターンの一例を示す平面図である。この例では、検査用配線層は第１検査配線５２と第２検査配線５４を含んでいる。第１検査配線５２は、多数のビアのうち、ひとつ置きのビア群４６ａに接続している（実際には貴金属めっきを介して接続している）。第２検査配線５４は、第１検査配線５２に接続していない別のひとつ置きのビア群４６ｂに接続している。第１検査配線５２は、面積の広い第１検査端子５６を含んでおり、第２検査配線５４は、面積の広い第２検査端子５８を含んでいる。このような検査用配線層を用いると、ビア間のピッチが狭くてビアに検査プローブを接触させることが難しい場合でも、面積の広い検査端子５６，５８に検査プローブを接触させることができる。
【００２８】
図２（Ａ）に示すように、図１（Ｅ）の状態に対して、検査用配線層５０と絶縁フィルム４２の上に、絶縁性の接着層６０を介して接着層保持基材６２（例えば、ポリイミド）を貼り付ける。接着層保持基材６２と接着層６０は本発明における第１絶縁層の一部に該当する。そして、犠牲層３８から接着層保持基材６２までの積層体を、仮ベース３６から剥離する。仮ベース３６から剥離した積層体を上下反転した状態を図２（Ｂ）に示す。
【００２９】
次に、図２（Ｃ）に示すように、図２（Ｂ）に示す積層体を、絶縁性の接着層６４を介して仮基板６６に貼り付ける。接着層６４は剥離除去可能な接着層であり、本発明における第１絶縁層の一部に該当する。
【００３０】
次に、図２（Ｃ）において、犠牲層３８をエッチングで除去する。犠牲層３８の除去方法は、具体的には次のとおりである。図２（Ｃ）において、犠牲層３８の表面はニッケルめっきである。まず、ニッケルのみを溶かすエッチング液を用いてニッケル部分を除去し、次に、その下の銅めっきの部分を、銅のみを溶かすエッチング液を用いて除去する。ビア４６の犠牲層３８側はニッケルめっき層で形成されているので、銅のエッチング液を用いて犠牲層３８を溶かすときに、ビア４６はエッチングされずに残る。犠牲層３８を除去したら、次に、接着層４０を溶剤で除去する。最後に、手研磨でビア４６の表面側のニッケルめっきを除去する。犠牲層３８と接着層４０を除去した状態を図２（Ｄ）に示す。これが本発明における基礎部分に該当する。最下層は仮基板６６であり、最上層は絶縁フィルム４２である。絶縁フィルム４２から複数のビア４６（ビア群４６ａと４６ｂ）が露出している。内部には検査用配線層５０（５２，５４）があり、その第１検査配線５２と第２検査配線５４（図６を参照）がビア群４６ａ，４６ｂに電気的に接続している。
【００３１】
犠牲層３８を除去する方法として、上述のようにニッケル・ストッパを用いる方法の代わりに、ＣＭＰ（化学機械研磨）法を用いることもできる。ＣＭＰ法を用いる方法は次のとおりである。まず、ビア４６はニッケルめっきと銅めっきの積層構造にする必要はなく、銅めっき層だけでビア４６を形成する。そして、図２（Ｃ）において、接着層４０を溶剤で除去する。その際、犠牲層３８の下には溶剤が入っていかないので、犠牲層３８の下の接着層４０は残る。その状態でＣＭＰ法で研磨すると、犠牲層３８のみが除去され、ビア４６の周囲の接着層４０だけが残った状態で研磨が終了する。その後、残った接着層４０を溶剤で除去する。
【００３２】
ニッケル・ストッパ法またはＣＭＰ法で犠牲層３８を除去したら、図３（Ａ）に示すように、絶縁フィルム４２にレーザで開口６８を形成して、検査用配線層の第１検査配線５２及び第２検査配線５４の一部を露出させ、その露出部分を第１検査端子５６及び第２検査端子５８とする。
【００３３】
次に、図３（Ｂ）に示すように、第１検査端子５６と第２検査端子５８にめっき用電極６８を接触させて、検査用配線層の第１検査配線５２及び第２検査配線５４、並びに、ビア群４６ａ，４６ｂに通電しながら、電気めっき法により、絶縁フィルム４２の上に第１配線層７０（例えば、銅製）を形成する。
【００３４】
次に、図３（Ｃ）に示すように、第１検査端子５６に第１検査プローブ７２を接触させ、第２検査端子５８に第２検査プローブ７４を接触させて、ビア群４６ａから第１配線層７０に至る配線経路と、ビア群４６ｂから第１配線層７０に至る別の配線経路との間で、ショート検査を実施する。導通がなければ正常であり、導通があれば、それらの配線経路の間でショート欠陥（短絡）が生じていると判定する。そのようなショート欠陥が見つかれば、その段階でリペア（修理）を行う。図６に示すように、第１検査配線５２はひとつ置きのビア群４６ａに接続しており、第２検査配線５４は別のひとつ置きのビア群４６ｂに接続しているので、隣り合うビアは、異なる検査配線に接続している。したがって、第１検査配線５２と第２検査配線５４の間でショート検査を行うことで、隣り合うビアに接続する配線経路同士のすべてのショート検査を一括して行うことができる。
【００３５】
上述のショート検査において、ショート欠陥が存在すると判明した場合に、どの部分にショート欠陥があるかを特定するには、例えば、顕微鏡等を用いた目視検査で最終的に確認する。上述の図６に示すような検査配線パターンを用いる場合には、第１検査端子５６につながる配線経路と第２検査端子５８につながる配線経路との間のすべての箇所を確認することが必要である。これに対して、検査配線パターンを複数の領域に分けて、各領域ごとに１対の検査端子を設けるようにすれば、ショート欠陥が判明した領域だけについてショート箇所を調べればよく、ショート箇所の特定が容易になる。
【００３６】
ショート検査が終了したら、図３（Ｄ）に示すように、第１配線層７０と絶縁フィルム４２の上に、絶縁性の接着層７６を介して絶縁フィルム７８を貼り付ける。絶縁フィルム７８と接着層７６は本発明における第３絶縁層に該当する。次に、絶縁フィルム７８と接着層７６にレーザで開口８０を形成して、検査端子５６，５８を露出させる。また、絶縁フィルム７８と接着層７６にレーザでビアホール８１を形成する。
【００３７】
次に、図４（Ａ）に示すように、検査端子５６，５８（図３（Ｄ）を参照）にめっき用電極６８を接触させて、検査用配線層の第１検査配線５２及び第２検査配線５４、ビア群４６ａ，４６ｂ、並びに、第１配線層７０に通電しながら、電気めっき法により、ビアホール８１（図３（Ｄ）を参照）を埋めるようにビア８２（例えば、銅製）を形成する。このビア８２を形成する工程を利用して、以下に述べるように、第１配線層７０のオープン検査を実施する。第１配線層７０にオープン欠陥が存在すると、そのオープン欠陥よりも先に位置するビアホール８１のところには電気が通じていないので、そのビアホール８１にはビア８２が形成されない。したがって、ビアホール８１にビア８２が形成されたかどうかを、顕微鏡等を用いて目視で確認することで、第１配線層７０におけるオープン欠陥の有無を一括して確認できる。オープン欠陥を見つけた場合は、ビア８２が形成されないビアホールに関係する配線領域について、レーザ等を用いて接着層７６と絶縁フィルム７８を取り除いて、第１配線層７０のオープン箇所を金属ペースト等を用いて修理することができる。
【００３８】
次に、図４（Ｂ）に示すように、第１検査端子と第２検査端子にめっき用電極６８を接触させて、検査用配線層の第１検査配線５２と第２検査配線５４、ビア４６、第１配線層７０、及び、ビア８２に通電しながら、電気めっき法により、絶縁フィルム７８の上に第２配線層８４（例えば、銅製）を形成する。
【００３９】
次に、図４（Ｃ）に示すように、第１検査端子に第１検査プローブ７２を接触させ、第２検査端子に第２検査プローブ７４を接触させて、ビア群４６ａから第２配線層８４に至る配線経路と、ビア群４６ｂから第２配線層８４に至る別の配線経路との間で、ショート検査を実施する。
【００４０】
次に、図４（Ｄ）に示すように、第２配線層８４と絶縁フィルム７８の上に、絶縁性の接着層８６を介して絶縁フィルム８８を貼り付ける。絶縁フィルム８８と接着層８６は本発明における最上部の絶縁層に該当する。次に、絶縁フィルム８８と接着層８６にレーザで開口９０を形成して、検査端子５６，５８を露出させる。また、絶縁フィルム８８と接着層８６にレーザでビアホール９１を形成する。
【００４１】
次に、図５（Ａ）に示すように、検査端子５６，５８（図４（Ｄ）を参照）にめっき用電極６８を接触させて、検査用配線層の第１検査配線５２及び第２検査配線５４、ビア群４６ａ，４６ｂ、第１配線層７０、ビア８２、並びに、第２配線層８４に通電しながら、電気めっき法により、ビアホール９１（図４（Ｄ）を参照）を埋めるようにビア９２（例えば、銅製）を形成する。このビア９２を形成する工程を利用して、上述のビア８２の形成の場合と同様に、第２配線層８４のオープン検査を実施する。
【００４２】
第３配線層以降の配線層が必要であれば、第２配線層までと同様の工程を繰り返す。この実施例の説明では、説明の簡便さのために、第２配線層を最終の配線層とする。したがって、ビア９２は本発明における最上部のビアに該当する。
【００４３】
次に、図５（Ｂ）に示すように、検査端子５６，５８（図４（Ｄ）を参照）にめっき用電極６８を接触させて、最上部のビア９２の表面に電気めっき法により上部端子９４を形成する。
【００４４】
次に、最下部の仮基板６６から接着層６４のところで多層配線部を剥離し、さらに、その多層配線部から接着層６４、接着層保持基材６２、及び、接着層６０を溶解除去する。除去後の状態を図５（Ｃ）に示す。
【００４５】
次に、図５（Ｃ）において、検査用配線層５０を選択エッチング法で除去する。この選択エッチング法では、検査用配線層５０は溶けるがビア４６の表面の貴金属めっき４８が溶けないようなエッチング液を使う。このエッチングによりビア４６上の貴金属めっき４８が露出して、これが下部端子となる。
【００４６】
次に、図５（Ｄ）に示すように、多層フレキシブル配線配線基板の周囲を切断線９６のところで切断して、不要な端部を除去する。これで多層フレキシブル配線基板が完成する。
【００４７】
図７と図８に示すフローチャートは、これまでに説明してきた手順をまとめたものである。このフローチャートを用いて製造手順をおさらいする。図７のフローチャートにおいて、「基礎部分の製造」の工程（ステップＳ１０）は図１（Ａ）〜図２（Ｅ）を参照して説明した工程である。これを詳しく示したものが図８のフローチャートである。
【００４８】
図８のフローチャートにおいて、「仮ベース上に犠牲層を形成」の工程（ステップＳ２８）は図１（Ａ）を参照して説明した工程であり、仮ベース３６の上に犠牲層３８を形成する。「第１ビアの形成」の工程（ステップＳ３０）は図１（Ｃ）〜（Ｄ）を参照して説明した工程であり、ビアホール４４にビア４６を埋め込む。「貴金属めっき」の工程（ステップＳ３２）は図１（Ｄ）を参照して説明した工程であり、ビア４６の表面に貴金属めっき４８を形成する。「検査用配線層の形成」の工程（ステップＳ３４）は図１（Ｅ）を参照して説明した工程であり、絶縁フィルム４２の上に検査用配線層５０を形成する。「第１絶縁層の形成」の工程（ステップＳ３６）は図２（Ａ）を参照して説明した工程であり、検査用配線層５０の上に接着層６０を介して接着層保持基材６２を貼り付ける。「仮ベースからの剥離」の工程（ステップＳ３８）は図２（Ａ）〜（Ｂ）を参照して説明した工程であり、犠牲層３８から接着層保持基材６２までの積層体を仮ベース３６から剥離する。「仮基板の貼り付け」の工程（ステップＳ４０）は図２（Ｃ）を参照して説明した工程であり、上述の積層体を接着層６４を介して仮基板６６に貼り付ける。「犠牲層の除去」の工程（ステップＳ４２）は図２（Ｃ）〜（Ｄ）を参照して説明した工程であり、犠牲層３８をエッチング法で除去する。
【００４９】
図７のフローチャートに戻って、「検査端子の形成」の工程（ステップＳ１２）は図３（Ａ）を参照して説明した工程であり、第１検査配線５２及び第２検査配線５４の一部を露出させて第１検査端子５６及び第２検査端子５８を形成する。「配線層の形成」の工程（ステップＳ１４）は図３（Ｂ）を参照して説明した工程であり、電気めっき法により第１配線層７０を形成する。「ショート検査」の工程（ステップＳ１６）は図３（Ｃ）を参照して説明した工程であり、検査プローブ７２，７４を用いて第１配線層７０のショート検査を実施する。「ビアの形成」の工程（ステップＳ１８）は図３（Ｄ）〜図４（Ａ）を参照して説明した工程であり、電気めっき法によりビア８２を形成する。「オープン検査」の工程（ステップＳ２０）は図４（Ａ）を参照して説明した工程であり、ビア８２の形成の有無を確認することで、第１配線層７０のオープン検査を実施する。「最上部の配線層か？」の工程（ステップＳ２２）は、最上部の配線層かどうかを判断する工程であり、最上部の配線層でない場合は、次の配線層について、上述のステップＳ１４〜Ｓ２０を繰り返す。第２配線層についての繰り返しは、図４（Ｂ）〜図５（Ａ）を参照して説明した工程である。最上部の配線層である場合は、「最上部構造の形成」の工程（ステップＳ２４）を実施する。この「最上部構造の形成」の工程は、図５（Ｂ）で説明した工程であり、最上部のビア９２の表面に電気めっき法により上部端子９４を形成する。「仮基板と検査用配線層の除去」の工程（ステップＳ２６）は図５（Ｃ）〜（Ｄ）を参照して説明した工程であり、仮基板６６から多層配線部を剥離し、さらに、検査用配線層５０を選択エッチング法で除去する。
【００５０】
上述の実施例は配線層の数は２層であるが、３層以上の任意の層数とすることができる。
【００５１】
図１０は本発明のプローブカードの一実施例の縦断面図である。このプローブカードは上述の製造方法で製造された多層フレキシブル配線基板を備えるものである。図１０において、プローブカードは、その主要な構成部品として、リジッド配線基板１００と支持板１０２とばね部材１０４とブロック１０６と多層フレキシブル配線基板１０８を備えている。このプローブカードの基本的な構造は上述の特許文献６に開示されているものである。本発明のプローブカードと特許文献６に開示されたプローブカードとの違いは、本発明のプローブカードに搭載された多層フレキシブル配線基板１０８が、これまでに説明してきた製造方法で製造されたものであることである。図１１は多層フレキシブル配線基板１０８の平面図である。
【００５２】
図１０と図１１において、多層フレキシブル配線基板１０８は、その外縁部において、上部端子１０９（図５（Ｄ）の上部端子９４に相当）がリジッド配線基板１００の配線路（図示せず）に電気的に接続されている。また、多層フレキシブル配線基板１０８の中央部の接触子領域１１０には多数のプローブ１１２が固定されている。これらのプローブ１１２は、多層フレキシブル配線基板１０８の下部端子（図５（Ｄ）の貴金属めっき４８に相当）に固定されている。
【符号の説明】
【００５３】
３６ 仮ベース
３８ 犠牲層
４０ 接着層
４２ 絶縁フィルム
４４ ビアホール
４６ ビア
４６ａ，４６ｂ ビア群
４８ 貴金属めっき
５０ 検査用配線層
５２ 第１検査配線
５４ 第２検査配線
５６ 第１検査端子
５８ 第２検査端子
６０ 接着層
６２ 接着層保持基材
６４ 接着層
６６ 仮基板
６８ めっき用電極
７０ 第１配線層
７２ 第１検査プローブ
７４ 第２検査プローブ
７６ 接着層
７８ 絶縁フィルム
８０ 開口
８１ ビアホール
８２ ビア
８４ 第２配線層
８６ 接着層
８８ 絶縁フィルム
９０ 開口
９１ ビアホール
９２ ビア
９４ 上部端子
９６ 切断線
１００ リジッド配線基板
１０２ 支持板
１０４ ばね部材
１０６ ブロック
１０８ 多層フレキシブル配線基板
１０９ 上部端子
１１０ 接触子領域
１１２ プローブ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の（ア）乃至（シ）の各段階を備える多層フレキシブル配線基板の製造方法。
（ア）仮基板と、前記仮基板の上にある第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上にある検査用配線層であって互いに絶縁された複数の検査配線を含む検査用配線層と、前記検査用配線層の上にある第２絶縁層と、前記第２絶縁層を貫通して前記検査用配線層の前記複数の配線要素に電気的に接続する複数の第１ビアと、を備える基礎部分を製造する段階。
（イ）前記第２絶縁層に複数の開口を形成して、それらの開口を通して、前記検査用配線層の前記複数の検査配線のそれぞれの一部を外部に露出させて、その露出部分を複数の検査端子とする段階。
（ウ）前記複数の検査端子にめっき用電極を接触させて、前記検査用配線層と前記第１ビアとに通電しながら、電気めっき法で前記第２絶縁層の上に、前記第１ビアにつながる第１配線層を形成する段階。
（エ）前記複数の検査端子の任意のひとつに第１検査プローブを接触させ、当該検査端子とは別の検査端子に第２検査プローブを接触させて、前記第１ビアから前記第１配線層に至るひとつの配線経路と前記第１ビアから前記第１配線層に至る別の配線経路との間のショート検査を実施する段階。
（オ）前記第１配線層の上に第３絶縁層を形成して、その第３絶縁層を貫通する第２ビア用ビアホールを形成すると共に、前記第３絶縁層に複数の開口を形成して、それらの開口と前記第２絶縁層に形成された開口とを通して、前記複数の検査端子を露出させる段階。
（カ）前記複数の検査端子にめっき用電極を接触させて、前記検査用配線層と前記第１ビアと前記第１配線層とに通電しながら、電気めっき法により、前記第２ビア用ビアホールに第２ビアを形成する段階。
（キ）前記第２ビアが形成されたか否かを確認することで前記第１ビアから前記第１配線層に至る配線経路のオープン検査を実施する段階。
（ク）前記複数の検査端子にめっき用電極を接触させて、前記検査用配線層と前記第１ビアと前記第１配線層と前記第２ビアとに通電しながら、電気めっき法で前記第３絶縁層の上に、前記第２ビアにつながる第２配線層を形成する段階。
（ケ）前記（エ）から（キ）までの段階と同様にして、前記第２配線層までの配線経路についてショート検査とオープン検査を実施する段階。
（コ）第３配線層以降の配線層が必要ならば、それらの配線層について、前記（ク）及び（ケ）の段階と同様の段階を繰り返す段階。
（サ）最上部の配線層を覆うように最上部の絶縁層を形成し、その最上部の絶縁層を貫通して前記最上部の配線層に電気的に接続する複数の最上部のビアを形成し、その最上部のビアにつながる上部端子を形成する段階。
（シ）前記仮基板と前記第１絶縁層と前記検査用配線層を除去して、前記第１ビアを露出させて、これを下部端子とする段階。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法において、前記基礎部分を製造する段階は次の（ａ）乃至（ｈ）の各段階を備えることを特徴とする製造方法。
（ａ）仮ベースの上に、この仮ベースから剥離が可能な導電性の犠牲層を形成する段階。
（ｂ）前記犠牲層の上に前記第２絶縁層を形成して、この第２絶縁層を貫通して前記犠牲層に電気的に接続する前記第１ビアを形成する段階。
（ｃ）前記第１ビアの上に貴金属めっきを施す段階。
（ｄ）前記第２絶縁層の上に、アディティブ法を用いて、前記貴金属めっきに接続する前記検査用配線層を形成する段階。
（ｅ）前記検査用配線層を前記第１絶縁層で覆う段階。
（ｆ）前記犠牲層から前記第１絶縁層までの積層体を前記仮ベースから剥離する段階。
（ｇ）前記第１絶縁層の上に前記仮基板を貼り付ける段階。
（ｈ）前記積層体から前記犠牲層を除去して前記第１ビアを露出させる段階。
【請求項３】
請求項１または２に記載の製造方法において、前記複数の第１ビアのうち互いに隣り合う前記第１ビアは、前記検査用配線層の前記複数の検査配線のうちの異なる検査配線に接続していることを特徴とする製造方法。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載された製造方法によって製造された多層フレキシブル配線基板。
【請求項５】
請求項４に記載された多層フレキシブル配線基板を備えるプローブカード。
【請求項１】
次の（ア）乃至（シ）の各段階を備える多層フレキシブル配線基板の製造方法。
（ア）仮基板と、前記仮基板の上にある第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上にある検査用配線層であって互いに絶縁された複数の検査配線を含む検査用配線層と、前記検査用配線層の上にある第２絶縁層と、前記第２絶縁層を貫通して前記検査用配線層の前記複数の配線要素に電気的に接続する複数の第１ビアと、を備える基礎部分を製造する段階。
（イ）前記第２絶縁層に複数の開口を形成して、それらの開口を通して、前記検査用配線層の前記複数の検査配線のそれぞれの一部を外部に露出させて、その露出部分を複数の検査端子とする段階。
（ウ）前記複数の検査端子にめっき用電極を接触させて、前記検査用配線層と前記第１ビアとに通電しながら、電気めっき法で前記第２絶縁層の上に、前記第１ビアにつながる第１配線層を形成する段階。
（エ）前記複数の検査端子の任意のひとつに第１検査プローブを接触させ、当該検査端子とは別の検査端子に第２検査プローブを接触させて、前記第１ビアから前記第１配線層に至るひとつの配線経路と前記第１ビアから前記第１配線層に至る別の配線経路との間のショート検査を実施する段階。
（オ）前記第１配線層の上に第３絶縁層を形成して、その第３絶縁層を貫通する第２ビア用ビアホールを形成すると共に、前記第３絶縁層に複数の開口を形成して、それらの開口と前記第２絶縁層に形成された開口とを通して、前記複数の検査端子を露出させる段階。
（カ）前記複数の検査端子にめっき用電極を接触させて、前記検査用配線層と前記第１ビアと前記第１配線層とに通電しながら、電気めっき法により、前記第２ビア用ビアホールに第２ビアを形成する段階。
（キ）前記第２ビアが形成されたか否かを確認することで前記第１ビアから前記第１配線層に至る配線経路のオープン検査を実施する段階。
（ク）前記複数の検査端子にめっき用電極を接触させて、前記検査用配線層と前記第１ビアと前記第１配線層と前記第２ビアとに通電しながら、電気めっき法で前記第３絶縁層の上に、前記第２ビアにつながる第２配線層を形成する段階。
（ケ）前記（エ）から（キ）までの段階と同様にして、前記第２配線層までの配線経路についてショート検査とオープン検査を実施する段階。
（コ）第３配線層以降の配線層が必要ならば、それらの配線層について、前記（ク）及び（ケ）の段階と同様の段階を繰り返す段階。
（サ）最上部の配線層を覆うように最上部の絶縁層を形成し、その最上部の絶縁層を貫通して前記最上部の配線層に電気的に接続する複数の最上部のビアを形成し、その最上部のビアにつながる上部端子を形成する段階。
（シ）前記仮基板と前記第１絶縁層と前記検査用配線層を除去して、前記第１ビアを露出させて、これを下部端子とする段階。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法において、前記基礎部分を製造する段階は次の（ａ）乃至（ｈ）の各段階を備えることを特徴とする製造方法。
（ａ）仮ベースの上に、この仮ベースから剥離が可能な導電性の犠牲層を形成する段階。
（ｂ）前記犠牲層の上に前記第２絶縁層を形成して、この第２絶縁層を貫通して前記犠牲層に電気的に接続する前記第１ビアを形成する段階。
（ｃ）前記第１ビアの上に貴金属めっきを施す段階。
（ｄ）前記第２絶縁層の上に、アディティブ法を用いて、前記貴金属めっきに接続する前記検査用配線層を形成する段階。
（ｅ）前記検査用配線層を前記第１絶縁層で覆う段階。
（ｆ）前記犠牲層から前記第１絶縁層までの積層体を前記仮ベースから剥離する段階。
（ｇ）前記第１絶縁層の上に前記仮基板を貼り付ける段階。
（ｈ）前記積層体から前記犠牲層を除去して前記第１ビアを露出させる段階。
【請求項３】
請求項１または２に記載の製造方法において、前記複数の第１ビアのうち互いに隣り合う前記第１ビアは、前記検査用配線層の前記複数の検査配線のうちの異なる検査配線に接続していることを特徴とする製造方法。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載された製造方法によって製造された多層フレキシブル配線基板。
【請求項５】
請求項４に記載された多層フレキシブル配線基板を備えるプローブカード。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−９８２８６（Ｐ２０１３−９８２８６Ａ）
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２３８５０５（Ｐ２０１１−２３８５０５）
【出願日】平成２３年１０月３１日（２０１１．１０．３１）
【出願人】（０００１５３０１８）株式会社日本マイクロニクス (349)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月３１日（２０１１．１０．３１）
【出願人】（０００１５３０１８）株式会社日本マイクロニクス (349)
【Ｆターム（参考）】
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