太陽電池用基板およびそれを用いた太陽電池
【課題】 加熱・冷却工程においても、基板上に形成した絶縁層の剥離を抑制できる太陽電池用基板、およびそれを用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】 基材１１と、基材１１上に積層された電気絶縁性の絶縁層（第１の層）１３と、基材１１と絶縁層１３との間に配置された軟化層（第２の層）１２とを含み、軟化層１２が軟化する温度が、基材１１および絶縁層１３が軟化する温度よりも低い。
【解決手段】 基材１１と、基材１１上に積層された電気絶縁性の絶縁層（第１の層）１３と、基材１１と絶縁層１３との間に配置された軟化層（第２の層）１２とを含み、軟化層１２が軟化する温度が、基材１１および絶縁層１３が軟化する温度よりも低い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池用基板およびそれを用いた太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、太陽電池用の基板として様々な基板が提案されている。たとえば、基板上に、絶縁層、低融点層およびモリブデン薄膜（下部電極）が順に積層された基板が開示されている（たとえば特許文献１の［００２５］段落および図２）。低融点層は、モリブデン薄膜の剥離を防止するために形成される。
【特許文献１】特開２００４−１０３６６３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の基板では、絶縁層とモリブデン薄膜との間の剥離を抑制することはできるが、基板と絶縁層との間で剥離が生じる場合があった。
【０００４】
そのため、本発明は、基板上に形成した絶縁層の剥離を抑制できる太陽電池用基板、およびそれを用いた太陽電池を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の太陽電池用基板は、太陽電池に用いられる基板であって、基材と、前記基材上に積層された電気絶縁性の第１の層と、前記基材と前記第１の層との間に配置された第２の層とを含み、前記第２の層が軟化する温度が、前記基材および前記第１の層が軟化する温度よりも低い。
【０００６】
また、本発明の太陽電池は、基板と前記基板上に形成された光起電力層とを備える太陽電池であって、前記基板が上記本発明の太陽電池用基板である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の太陽電池用基板によれば、基板上に形成した絶縁層の剥離を抑制できる。また、この基板によれば、絶縁層上に導電層を形成した場合でも、導電層が基板から分離することを抑制できる。この太陽電池用基板を用いた本発明の太陽電池は、製造時の歩留まりが高く、製造後の信頼性も高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態について例を挙げて説明する。なお、以下の説明では、特定の材料、特定の層厚、特定の積層構造を例示する場合があるが、それらは一例であり、本発明はそれらの例示に限定されない。
【０００９】
本発明の基板は、太陽電池に用いられる基板であって、基材と、基材上に積層された電気絶縁性の第１の層と、基材と第１の層との間に配置された第２の層とを含む。第２の層が軟化する温度は、基材および第１の層が軟化する温度よりも低い。この構成によれば、加熱（たとえば４００℃以上の加熱）や冷却の過程において、基板上に形成された絶縁層が熱膨張の差によって剥離することを抑制できる。
【００１０】
物質には、所定の融点を有する物質と、所定の融点を有さない物質（たとえば無定形物質）とが存在する。この明細書において、「軟化する温度」とは、その物質が所定の融点を有する場合にはその融点を意味し、所定の融点を有さない場合にはその軟化点（軟化温度）を意味する。また、その軟化点とは、粘性率（η）が、４．５×１０7ポアズになるときの温度を意味する。
【００１１】
上記本発明の太陽電池用基板では、第１の層に対して第２の層とは反対側に積層された導電性の第３の層をさらに含んでもよい。すなわち、第１〜第３の層は、基板側から、第２の層、第１の層、および第３の層の順で配置される。第３の層は、金属などの導電性の材料からなる。第３の層の厚さに特に限定はなく、たとえば０．２μｍ〜１μｍ程度であってもよい。第３の層は、太陽電池の裏面電極として利用できる。
【００１２】
ＣＩＳ太陽電池やＣＩＧＳ太陽電池の基板の場合、第３の層としてモリブデン（Ｍｏ）からなる層を用いることが好ましい。モリブデン層は、ＣＩＳ膜やＣＩＧＳ膜とオーミックコンタクトが可能であり、ＣＩＳ膜やＣＩＧＳ膜などの化合物半導体層への拡散の恐れもない。また、モリブデン層の熱膨張率とＣＩＳ膜やＣＩＧＳ膜などの化合物半導体層の熱膨張率との差が比較的小さいため、モリブデン層から化合物半導体層が剥離するおそれが少ない。
【００１３】
上記本発明の太陽電池用基板では、第２の層が軟化する温度が４００℃以下であってもよい。この構成によれば、４００℃以上の加熱によって生じる剥離を抑制できる。なお、第２の層が軟化する温度は、２００℃〜４００℃の範囲であることが好ましく、たとえば２５０℃〜３００℃の範囲である。
【００１４】
上記本発明の太陽電池用基板では、第２の層が、ガラスからなるものであってもよい。ガラスとしては、たとえば、ＰｂＯ−ＳｉＯ2、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3を用いることができる。また、上記本発明の太陽電池用基板では、第２の層が、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｉｎ合金、またはＳｎ合金のいずれかからなるものであってもよい。
【００１５】
第２の層は、比較的低い温度（第２の層が軟化する温度よりも低い温度）では固体の状態であり、所定の形状を維持する。第２の層は、５００〜６００℃の高温で劣化しない無機物からなることが好ましい。そのような無機物としては、融点または軟化点が４００℃以下の金属やガラス等が挙げられる。
【００１６】
第２の層の材料として金属を用いる場合、特に、Ｉｎ、Ｓｎまたはそれらの合金が好ましい。Ｉｎの融点は約１５７℃であり、Ｓｎの融点は約２３２℃であり、これらの合金はさらに融点が低い。また、これらの金属からなる薄膜は、作製が容易である。
【００１７】
Ｓｎ合金としては、融点が４００℃以下のＳｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｉｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂ等が挙げられる。なお、他のＳｎ合金を用いてもよい。
【００１８】
上記本発明の太陽電池用基板では、第１の層と第３の層との間に配置された第４の層をさらに含んでもよい。この第４の層が軟化する温度は、基材、第１の層および第３の層が軟化する温度よりも低い。この構成によれば、絶縁層（第１の層）および導電層（第３の層）が、加熱や冷却の過程において剥離することを抑制できる。
【００１９】
第４の層は、第２の層と同様の性質を有する層であり、第２の層と同様の材料で形成できる。すなわち、第４の層が軟化する温度が４００℃以下であってもよい。第４の層が軟化する温度は、２００℃〜４００℃の範囲であることが好ましく、たとえば２５０℃〜３００℃の範囲である。また、第４の層は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｉｎ合金、またはＳｎ合金のいずれかからなるものであってもよいし、第２の層の材料として説明した他の材料からなるものであってもよい。
【００２０】
上記本発明の太陽電池用基板では、基材が、ステンレス、チタンおよび銅からなる群より選ばれる少なくとも１つの材料からなるものであってもよい。これらの材料からなる基材は耐熱性が高いため、耐熱性に優れる基板が得られる。
【００２１】
基材は、ステンレス、チタンおよび銅以外の材料からなる基材であってもよく、たとえば、アルミニウムホイル、コバルト膜、ポリイミドフィルムといった耐熱性のある基材が好ましい。ステンレス薄膜は、比較的安価である、軽量である、高温に耐える、強度が優れる、といった利点を有するため、太陽電池用の基材として適している。基材の厚さは、素材の種類によっても異なり、特に限定されないが、強度や重量などを考慮して、通常、２０μｍ〜１ｍｍの範囲から選択される。
【００２２】
これらの基板は軽量であるため、太陽電池を湾曲させて取り付ける場合にも施工が容易である。また、薄い基板は可撓性を有するので、基板をロール状にして連続的に太陽電池を形成できる。その結果、生産が容易になり、また、生産された太陽電池をロール状に巻き取って保管できるため、保管や運搬などを含めた生産性に優れる。
【００２３】
上記本発明の太陽電池用基板では、第１の層が、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2およびＡｌ2Ｏ3からなる群より選ばれる少なくとも１つの酸化物からなるものであってもよい。これらの材料は電気絶縁性に優れるため好ましい。なお、他の絶縁物で第１の層を形成してもよい。
【００２４】
第１の層の厚さに特に限定はないが、第１の層が厚すぎると、第２の層の溶融または軟化時に流動や変形が生じることがある。そのため、第１の層の厚さは、通常、０．０１μｍ〜０．５μｍ程度であることが好ましい。
【００２５】
第１〜第４の層の形成方法に限定はなく、公知の方法を適用できる。たとえば、第１の層（絶縁層）は、溶射法や、スパッタリング法や、ガラスの材料を溶融する方法で形成できる。第２および第４の層（軟化層）は、たとえば、スパッタリング法や、ゾルーゲル法や、蒸着法で形成できる。第３の層（導電層）は、たとえば、スパッタリング法や蒸着法で形成できる。
【００２６】
本発明の太陽電池は、基板と基板上に形成された光起電力層とを備える太陽電池であって、基板が上記本発明の太陽電池用基板である。光起電力層に特に限定はなく、光の照射によって起電力を生じる接合を含む多層膜が適用される。たとえば、光起電力層として、ＣＩＳ層やＣＩＧＳ層からなる半導体層を光吸収層として含む多層膜を用いることができる。ＣＩＳ層やＣＩＧＳ層は、Ｃｕなどの１Ｂ族元素と、ＩｎやＧａなどの３Ｂ族元素と、ＳｅやＳなどの６Ｂ族元素とによって構成される、Ｉ−III−VI族化合物半導体層であり、Ｇａを含むものがＣＩＧＳ層である。ｐ形のＣＩＳ層またはＣＩＧＳ層と、ｎ形の半導体層とを組み合わせることによって、光起電力層を構成できる。この場合のｎ形半導体層には、ＺｎＯ層やＣｄＳ層などを用いることができる。
【００２７】
太陽電池を製造する場合、通常、５００〜６００℃の高温に基板が加熱されて半導体層などが形成されたのち、冷却される。このとき、従来の基板では、基板の熱膨張率と絶縁層の熱膨張率との差によって、基板の冷却時に、基板から絶縁層が剥離する場合があった。これに対し、本発明の基板を用いた場合には、基材と絶縁層（第１の層）との間に比較的低温で軟化する第２の層が存在するため、高温に加熱した際に発生する基板と絶縁層との間の応力を緩和する。その結果、加熱および冷却の差異に基材から絶縁層が剥離することを抑制できる。
【００２８】
また、本発明では、絶縁層（第１の層）と導電層（第３の層）との間に、比較的低温で軟化する第４の層を形成することによって、加熱および冷却の際に、絶縁層から導電層が剥離することを抑制できる。なお、基材上に絶縁層を形成することによって、基材が導電性であっても、複数の太陽電池が直列に接続した構造を１つの基板上に形成できる。このような直列接続構造とすることによって、出力電圧が高い太陽電池が得られる。
【００２９】
なお、別の観点では、本発明は、本発明の基板を用いて、軟化層が軟化する温度以上の温度に加熱する工程を含む製造工程で太陽電池を製造する方法に関する。軟化層が軟化する温度以上の温度（たとえば４００℃以上の温度）で加熱する工程は、たとえば半導体層を形成する際の工程である。この製造方法によれば、太陽電池を歩留まりよく製造できる。
【００３０】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について例を挙げて説明する。なお、以下の説明では、同様の部分に同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
【００３１】
＜基板の例＞
本発明の基板の一例を図１に示す。図１の基板１０は、基材１１と、基材１１上に順に積層された、軟化層（第２の層）１２および絶縁層（第１の層）１３とを備える。
【００３２】
本発明の基板の他の一例を図２に示す。図２の基板２０は、基材１１と、基材１１上に順に積層された、軟化層１２、絶縁層１３および導電層（第３の層）１４とを備える。
【００３３】
本発明の基板のその他の一例を図３に示す。図３の基板３０は、基材１１と、基材１１上に順に積層された軟化層１２、絶縁層１３、軟化層（第４の層）１５、および導電層１４とを備える。基材および第１〜第４の層は、上述した材料で形成される。
【００３４】
＜太陽電池の例＞
図３の基板３０を用いた本発明の太陽電池の一例の断面図を図４に示す。図４の太陽電池４０は、導電層（第３の層）１４としてモリブデン層を用いている。
【００３５】
太陽電池４０は、基板３０と、基板３０の上に順に積層されたｐ形半導体層４１、ｎ形半導体層４２、窓層４３、および透明電極４４とを備える。基板３０の導電層１４は、モリブデンからなる。また、太陽電池４０は、透明電極４４上に形成されたｎ側の取り出し電極４５と、導電層１４上に形成されたｐ側の取り出し電極４６とを備える。
【００３６】
ｐ形半導体層４１は光吸収層であり、ＣＩＧＳ層などを適用できる。ｎ形半導体層４２はＣｄＳなどで形成でき、窓層４３はＺｎＯなどで形成でき、透明電極４４は、ＩＴＯ（インジウム−錫−酸化物）などで形成できる。
【００３７】
ｐ形半導体層４１となるＣＩＳ層やＣＩＧＳ層を形成する場合、基板の温度を５００〜６００℃程度の高温にする必要がある。本発明の基板３０には軟化層１２および１５が存在するため、加熱および冷却の際に、基材１１と絶縁層１３との間に発生する応力、および絶縁層１３と導電層１４との間に発生する応力を緩和できる。そのため、基板３０を加熱および冷却した際にそれらの層の界面で剥離が生じすることを抑制できる。
【００３８】
本発明の太陽電池の他の一例を図５に示す。図５の太陽電池５０は、直列接続された複数のユニットセル５０ａを備える。
【００３９】
太陽電池５０は、基板３０と、基板３０の上に順に積層されたｐ形半導体層４１、ｎ形半導体層４２、窓層４３、および透明電極４４とを備える。基板３０の導電層１４は、モリブデンからなる。導電層１４以外の部分の材料の例については、上述したため説明を省略する。
【００４０】
基板３０の軟化層１５および導電層１４には、複数の溝５１がほぼ平行に形成されている。また、ｐ形半導体層４１、ｎ形半導体層４２および窓層４３にも、複数の溝５２がほぼ平行に形成されている。溝５２の内部は、透明電極４４によって埋められている。また、ｐ形半導体層４１から透明電極４４を切断する溝５３が形成されている。溝５１、５２および５３は、互いにほぼ平行であり、それぞれ、少しずつずれるように形成されている。これらの溝は、メカニカルスクライブ法や、レーザスクライブ法などの公知の方法で形成できる。
【００４１】
基材１１上には、これらの溝によって分けられた複数のユニットセル５０ａが存在する。隣接するユニットセル５０ａは、溝５２に充填された透明電極４４によって直列に接続されている。このように複数のユニットセル５０ａを直列に接続することによって、高い出力電圧が得られる。なお、溝５１にはｐ形半導体層４１が埋め込まれているが、溝５１の幅を適切な幅とすることによって、１つのユニットセル５０ａの導電層１４とそれに隣接するユニットセル５０ａの導電層１４との間の抵抗を充分に高くできる。
【００４２】
太陽電池５０は、公知の方法で形成できる。太陽電池５０の製造過程においても、太陽電池４０と同様に、絶縁層１３や導電層１４が剥離することを抑制できる。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例を用いて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。
【００４４】
（実施例１）
実施例１では、図１の基板１０を作製した例について説明する。まず、厚さ０．５ｍｍのステンレス板に、軟化層１２としてＳｎ膜を蒸着法で形成した。Ｓｎ膜の膜厚は０．１μｍであった。次に、Ｓｎ膜の上に、ＳｉＯ2を５３ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3を１４ｗｔ％、Ｎａ2Ｏを１３ｗｔ％、ＴｉＯ2を１５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を５ｗｔ％の割合でそれぞれ含むガラス層を形成した。ガラス層は、上記成分の混合物を約８００℃で加熱することによって形成した。
【００４５】
このようにして得られた基板に対して、室温から１０００℃まで加熱したのち室温に冷却するサイクルを１０回以上繰り返したが、絶縁層の剥離は起こらなかった。
【００４６】
なお、本実施例では軟化層としてＳｎ膜を用いた例について記したが、Ｓｎの代わりに、軟化層１２の材料として上述したどの材料を用いても同様の結果が得られた。
【００４７】
（実施例２）
実施例２では、図４に示した太陽電池４０と同様の形態の太陽電池を作製した一例について説明する。まず、厚さ５０μｍのステンレス基板上に、軟化層１２としてＩｎ膜を蒸着法で形成した。Ｉｎ膜の膜厚は０．１μｍであった。この上に、溶射によってアルミナ膜を形成した。アルミナ膜の膜厚は１００μｍであった。この上に、軟化層１５としてＩｎ膜を蒸着法で形成した。Ｉｎ膜の膜厚は０．１μｍであった。この上に、導電層１４として膜厚０．４μｍのＭｏ膜をスパッタ法で形成した。
【００４８】
次に、Ｍｏ膜上に、ｐ形半導体層４１として膜厚２μｍのＣＩＧＳ膜を蒸着法によって形成した。ＣＩＧＳ膜の製膜温度（基板温度）は６００℃であった。ＣＩＧＳ膜の形成過程において、膜の剥離は見られなかった。
【００４９】
次に、Ｉｎを含む化合物（塩）である塩化インジウム（ＩｎＣｌ3）とチオアセトアミドとを含有する水溶液を用意した。水溶液中の塩化インジウムの濃度は０．００５Ｍとし、チオアセトアミドの濃度は０．１Ｍとし、ｐＨは１．９とした。この水溶液を入れた容器を７５℃に保った温水槽に静置した。この水溶液にＣＩＧＳ膜を形成した基板を、約１０秒間浸漬した。その後、溶液から基板を引き上げて純水で洗浄した。この操作によって、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜の表面に膜厚が約５ｎｍのＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2膜を形成した。Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2膜によってパッシベーション効果とオールバリヤー効果が得られるため、特性が高い太陽電池を形成できる。
【００５０】
次に、カドミウムを含む化合物（塩）である硫酸カドミウム（ＣｄＳＯ4）とアンモニアとを含有する水溶液を用意した。水溶液中の硫酸カドミウムの濃度は０．００１Ｍとし、アンモニアの濃度は１Ｍとした。この溶液を入れた容器を８５℃に保った温水槽に静置した。この溶液にＣＩＧＳ膜を形成した基板を約６分間浸漬した。その後、溶液から基板を引き上げて純水で洗浄し、ＣｄＳからなるｎ形半導体層を形成した。
【００５１】
次に、窓層であるＺｎＯ膜（膜厚１００ｎｍ）と、透明電極であるＩＴＯ膜（膜厚１００ｎｍ）とをスパッタリング法によって形成した。ＺｎＯ膜形成時のスパッタの条件は、アルゴンガス圧１．５×１０-4Ｐａ（２×１０-2Ｔｏｒｒ）、高周波パワー４００Ｗとした。また、ＩＴＯ膜形成時のスパッタの条件は、アルゴンガス圧６×１０-5Ｐａ（８×１０-3Ｔｏｒｒ）、高周波パワー４００Ｗとした。
【００５２】
次に、裏面電極（Ｍｏ膜）の一部の上に、取り出し電極としてＮｉＣｒ膜を形成した。また、ＩＴＯ膜の一部の上に、取り出し電極としてＡｕ膜を形成した。これらの電極は、電子ビーム蒸着法によって形成した。
【００５３】
このようにして、本発明の太陽電池を形成した。上記の一連の工程において、ステンレス基板上の膜には剥離が生じなかった。
【００５４】
一方、比較のため、軟化層１２および１５であるＩｎ膜を形成しなかった基板を用いて、上記の太陽電池と同様に光起電力層を形成した。この場合、６００℃の基板温度でＣＩＧＳ膜を形成したのち試料作製室から基板を取り出すと、約６５％の試料で、ステンレス基板表面またはＭｏ膜表面での剥離が生じた。このとき剥離が生じなかった試料についてさらに製造工程を進めると、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2膜を形成するための処理において、さらに２３％の試料で剥離が生じた。このとき剥離が生じなかった試料についてさらに製造工程を進めると、ＣｄＳ膜を形成するための処理において、さらに１２％の試料で剥離が生じた。このようにして、軟化層を形成しなかった基板を用いた試料では、すべての試料で剥離が生じた。
【００５５】
上述した方法で作製した本発明の太陽電池について、ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の疑似太陽光を照射して特性を評価した。その結果、短絡電流が３４．５ｍＡ／ｃｍ2、開放電圧が０．６３Ｖ、曲線因子が０．７０、変換効率が１５．２％であった。この特性はガラス基板上に形成したＣＩＧＳ太陽電池の特性と同じであった。
【００５６】
なお、本実施例では、軟化層として、Ｉｎを用いた場合について説明したが、Ｉｎの代わりに、軟化層１２の材料として上述したどの材料を用いても同様の結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は、太陽電池用の基板および太陽電池に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の太陽電池用基板の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の太陽電池用基板の他の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の太陽電池用基板のその他の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の太陽電池の一例を示す断面図である。
【図５】本発明の太陽電池の他の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０、２０、３０ 基板
１１ 基材
１２ 軟化層（第２の層）
１３ 絶縁層（第１の層）
１４ 導電層（第３の層）
１５ 軟化層（第４の層）
４０、５０ 太陽電池
４１ ｐ形半導体層
４２ ｎ形半導体層
４３ 窓層
４４ 透明電極
４５、４６ 取り出し電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池用基板およびそれを用いた太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、太陽電池用の基板として様々な基板が提案されている。たとえば、基板上に、絶縁層、低融点層およびモリブデン薄膜（下部電極）が順に積層された基板が開示されている（たとえば特許文献１の［００２５］段落および図２）。低融点層は、モリブデン薄膜の剥離を防止するために形成される。
【特許文献１】特開２００４−１０３６６３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の基板では、絶縁層とモリブデン薄膜との間の剥離を抑制することはできるが、基板と絶縁層との間で剥離が生じる場合があった。
【０００４】
そのため、本発明は、基板上に形成した絶縁層の剥離を抑制できる太陽電池用基板、およびそれを用いた太陽電池を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の太陽電池用基板は、太陽電池に用いられる基板であって、基材と、前記基材上に積層された電気絶縁性の第１の層と、前記基材と前記第１の層との間に配置された第２の層とを含み、前記第２の層が軟化する温度が、前記基材および前記第１の層が軟化する温度よりも低い。
【０００６】
また、本発明の太陽電池は、基板と前記基板上に形成された光起電力層とを備える太陽電池であって、前記基板が上記本発明の太陽電池用基板である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の太陽電池用基板によれば、基板上に形成した絶縁層の剥離を抑制できる。また、この基板によれば、絶縁層上に導電層を形成した場合でも、導電層が基板から分離することを抑制できる。この太陽電池用基板を用いた本発明の太陽電池は、製造時の歩留まりが高く、製造後の信頼性も高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態について例を挙げて説明する。なお、以下の説明では、特定の材料、特定の層厚、特定の積層構造を例示する場合があるが、それらは一例であり、本発明はそれらの例示に限定されない。
【０００９】
本発明の基板は、太陽電池に用いられる基板であって、基材と、基材上に積層された電気絶縁性の第１の層と、基材と第１の層との間に配置された第２の層とを含む。第２の層が軟化する温度は、基材および第１の層が軟化する温度よりも低い。この構成によれば、加熱（たとえば４００℃以上の加熱）や冷却の過程において、基板上に形成された絶縁層が熱膨張の差によって剥離することを抑制できる。
【００１０】
物質には、所定の融点を有する物質と、所定の融点を有さない物質（たとえば無定形物質）とが存在する。この明細書において、「軟化する温度」とは、その物質が所定の融点を有する場合にはその融点を意味し、所定の融点を有さない場合にはその軟化点（軟化温度）を意味する。また、その軟化点とは、粘性率（η）が、４．５×１０7ポアズになるときの温度を意味する。
【００１１】
上記本発明の太陽電池用基板では、第１の層に対して第２の層とは反対側に積層された導電性の第３の層をさらに含んでもよい。すなわち、第１〜第３の層は、基板側から、第２の層、第１の層、および第３の層の順で配置される。第３の層は、金属などの導電性の材料からなる。第３の層の厚さに特に限定はなく、たとえば０．２μｍ〜１μｍ程度であってもよい。第３の層は、太陽電池の裏面電極として利用できる。
【００１２】
ＣＩＳ太陽電池やＣＩＧＳ太陽電池の基板の場合、第３の層としてモリブデン（Ｍｏ）からなる層を用いることが好ましい。モリブデン層は、ＣＩＳ膜やＣＩＧＳ膜とオーミックコンタクトが可能であり、ＣＩＳ膜やＣＩＧＳ膜などの化合物半導体層への拡散の恐れもない。また、モリブデン層の熱膨張率とＣＩＳ膜やＣＩＧＳ膜などの化合物半導体層の熱膨張率との差が比較的小さいため、モリブデン層から化合物半導体層が剥離するおそれが少ない。
【００１３】
上記本発明の太陽電池用基板では、第２の層が軟化する温度が４００℃以下であってもよい。この構成によれば、４００℃以上の加熱によって生じる剥離を抑制できる。なお、第２の層が軟化する温度は、２００℃〜４００℃の範囲であることが好ましく、たとえば２５０℃〜３００℃の範囲である。
【００１４】
上記本発明の太陽電池用基板では、第２の層が、ガラスからなるものであってもよい。ガラスとしては、たとえば、ＰｂＯ−ＳｉＯ2、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3を用いることができる。また、上記本発明の太陽電池用基板では、第２の層が、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｉｎ合金、またはＳｎ合金のいずれかからなるものであってもよい。
【００１５】
第２の層は、比較的低い温度（第２の層が軟化する温度よりも低い温度）では固体の状態であり、所定の形状を維持する。第２の層は、５００〜６００℃の高温で劣化しない無機物からなることが好ましい。そのような無機物としては、融点または軟化点が４００℃以下の金属やガラス等が挙げられる。
【００１６】
第２の層の材料として金属を用いる場合、特に、Ｉｎ、Ｓｎまたはそれらの合金が好ましい。Ｉｎの融点は約１５７℃であり、Ｓｎの融点は約２３２℃であり、これらの合金はさらに融点が低い。また、これらの金属からなる薄膜は、作製が容易である。
【００１７】
Ｓｎ合金としては、融点が４００℃以下のＳｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｉｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂ等が挙げられる。なお、他のＳｎ合金を用いてもよい。
【００１８】
上記本発明の太陽電池用基板では、第１の層と第３の層との間に配置された第４の層をさらに含んでもよい。この第４の層が軟化する温度は、基材、第１の層および第３の層が軟化する温度よりも低い。この構成によれば、絶縁層（第１の層）および導電層（第３の層）が、加熱や冷却の過程において剥離することを抑制できる。
【００１９】
第４の層は、第２の層と同様の性質を有する層であり、第２の層と同様の材料で形成できる。すなわち、第４の層が軟化する温度が４００℃以下であってもよい。第４の層が軟化する温度は、２００℃〜４００℃の範囲であることが好ましく、たとえば２５０℃〜３００℃の範囲である。また、第４の層は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｉｎ合金、またはＳｎ合金のいずれかからなるものであってもよいし、第２の層の材料として説明した他の材料からなるものであってもよい。
【００２０】
上記本発明の太陽電池用基板では、基材が、ステンレス、チタンおよび銅からなる群より選ばれる少なくとも１つの材料からなるものであってもよい。これらの材料からなる基材は耐熱性が高いため、耐熱性に優れる基板が得られる。
【００２１】
基材は、ステンレス、チタンおよび銅以外の材料からなる基材であってもよく、たとえば、アルミニウムホイル、コバルト膜、ポリイミドフィルムといった耐熱性のある基材が好ましい。ステンレス薄膜は、比較的安価である、軽量である、高温に耐える、強度が優れる、といった利点を有するため、太陽電池用の基材として適している。基材の厚さは、素材の種類によっても異なり、特に限定されないが、強度や重量などを考慮して、通常、２０μｍ〜１ｍｍの範囲から選択される。
【００２２】
これらの基板は軽量であるため、太陽電池を湾曲させて取り付ける場合にも施工が容易である。また、薄い基板は可撓性を有するので、基板をロール状にして連続的に太陽電池を形成できる。その結果、生産が容易になり、また、生産された太陽電池をロール状に巻き取って保管できるため、保管や運搬などを含めた生産性に優れる。
【００２３】
上記本発明の太陽電池用基板では、第１の層が、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2およびＡｌ2Ｏ3からなる群より選ばれる少なくとも１つの酸化物からなるものであってもよい。これらの材料は電気絶縁性に優れるため好ましい。なお、他の絶縁物で第１の層を形成してもよい。
【００２４】
第１の層の厚さに特に限定はないが、第１の層が厚すぎると、第２の層の溶融または軟化時に流動や変形が生じることがある。そのため、第１の層の厚さは、通常、０．０１μｍ〜０．５μｍ程度であることが好ましい。
【００２５】
第１〜第４の層の形成方法に限定はなく、公知の方法を適用できる。たとえば、第１の層（絶縁層）は、溶射法や、スパッタリング法や、ガラスの材料を溶融する方法で形成できる。第２および第４の層（軟化層）は、たとえば、スパッタリング法や、ゾルーゲル法や、蒸着法で形成できる。第３の層（導電層）は、たとえば、スパッタリング法や蒸着法で形成できる。
【００２６】
本発明の太陽電池は、基板と基板上に形成された光起電力層とを備える太陽電池であって、基板が上記本発明の太陽電池用基板である。光起電力層に特に限定はなく、光の照射によって起電力を生じる接合を含む多層膜が適用される。たとえば、光起電力層として、ＣＩＳ層やＣＩＧＳ層からなる半導体層を光吸収層として含む多層膜を用いることができる。ＣＩＳ層やＣＩＧＳ層は、Ｃｕなどの１Ｂ族元素と、ＩｎやＧａなどの３Ｂ族元素と、ＳｅやＳなどの６Ｂ族元素とによって構成される、Ｉ−III−VI族化合物半導体層であり、Ｇａを含むものがＣＩＧＳ層である。ｐ形のＣＩＳ層またはＣＩＧＳ層と、ｎ形の半導体層とを組み合わせることによって、光起電力層を構成できる。この場合のｎ形半導体層には、ＺｎＯ層やＣｄＳ層などを用いることができる。
【００２７】
太陽電池を製造する場合、通常、５００〜６００℃の高温に基板が加熱されて半導体層などが形成されたのち、冷却される。このとき、従来の基板では、基板の熱膨張率と絶縁層の熱膨張率との差によって、基板の冷却時に、基板から絶縁層が剥離する場合があった。これに対し、本発明の基板を用いた場合には、基材と絶縁層（第１の層）との間に比較的低温で軟化する第２の層が存在するため、高温に加熱した際に発生する基板と絶縁層との間の応力を緩和する。その結果、加熱および冷却の差異に基材から絶縁層が剥離することを抑制できる。
【００２８】
また、本発明では、絶縁層（第１の層）と導電層（第３の層）との間に、比較的低温で軟化する第４の層を形成することによって、加熱および冷却の際に、絶縁層から導電層が剥離することを抑制できる。なお、基材上に絶縁層を形成することによって、基材が導電性であっても、複数の太陽電池が直列に接続した構造を１つの基板上に形成できる。このような直列接続構造とすることによって、出力電圧が高い太陽電池が得られる。
【００２９】
なお、別の観点では、本発明は、本発明の基板を用いて、軟化層が軟化する温度以上の温度に加熱する工程を含む製造工程で太陽電池を製造する方法に関する。軟化層が軟化する温度以上の温度（たとえば４００℃以上の温度）で加熱する工程は、たとえば半導体層を形成する際の工程である。この製造方法によれば、太陽電池を歩留まりよく製造できる。
【００３０】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について例を挙げて説明する。なお、以下の説明では、同様の部分に同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
【００３１】
＜基板の例＞
本発明の基板の一例を図１に示す。図１の基板１０は、基材１１と、基材１１上に順に積層された、軟化層（第２の層）１２および絶縁層（第１の層）１３とを備える。
【００３２】
本発明の基板の他の一例を図２に示す。図２の基板２０は、基材１１と、基材１１上に順に積層された、軟化層１２、絶縁層１３および導電層（第３の層）１４とを備える。
【００３３】
本発明の基板のその他の一例を図３に示す。図３の基板３０は、基材１１と、基材１１上に順に積層された軟化層１２、絶縁層１３、軟化層（第４の層）１５、および導電層１４とを備える。基材および第１〜第４の層は、上述した材料で形成される。
【００３４】
＜太陽電池の例＞
図３の基板３０を用いた本発明の太陽電池の一例の断面図を図４に示す。図４の太陽電池４０は、導電層（第３の層）１４としてモリブデン層を用いている。
【００３５】
太陽電池４０は、基板３０と、基板３０の上に順に積層されたｐ形半導体層４１、ｎ形半導体層４２、窓層４３、および透明電極４４とを備える。基板３０の導電層１４は、モリブデンからなる。また、太陽電池４０は、透明電極４４上に形成されたｎ側の取り出し電極４５と、導電層１４上に形成されたｐ側の取り出し電極４６とを備える。
【００３６】
ｐ形半導体層４１は光吸収層であり、ＣＩＧＳ層などを適用できる。ｎ形半導体層４２はＣｄＳなどで形成でき、窓層４３はＺｎＯなどで形成でき、透明電極４４は、ＩＴＯ（インジウム−錫−酸化物）などで形成できる。
【００３７】
ｐ形半導体層４１となるＣＩＳ層やＣＩＧＳ層を形成する場合、基板の温度を５００〜６００℃程度の高温にする必要がある。本発明の基板３０には軟化層１２および１５が存在するため、加熱および冷却の際に、基材１１と絶縁層１３との間に発生する応力、および絶縁層１３と導電層１４との間に発生する応力を緩和できる。そのため、基板３０を加熱および冷却した際にそれらの層の界面で剥離が生じすることを抑制できる。
【００３８】
本発明の太陽電池の他の一例を図５に示す。図５の太陽電池５０は、直列接続された複数のユニットセル５０ａを備える。
【００３９】
太陽電池５０は、基板３０と、基板３０の上に順に積層されたｐ形半導体層４１、ｎ形半導体層４２、窓層４３、および透明電極４４とを備える。基板３０の導電層１４は、モリブデンからなる。導電層１４以外の部分の材料の例については、上述したため説明を省略する。
【００４０】
基板３０の軟化層１５および導電層１４には、複数の溝５１がほぼ平行に形成されている。また、ｐ形半導体層４１、ｎ形半導体層４２および窓層４３にも、複数の溝５２がほぼ平行に形成されている。溝５２の内部は、透明電極４４によって埋められている。また、ｐ形半導体層４１から透明電極４４を切断する溝５３が形成されている。溝５１、５２および５３は、互いにほぼ平行であり、それぞれ、少しずつずれるように形成されている。これらの溝は、メカニカルスクライブ法や、レーザスクライブ法などの公知の方法で形成できる。
【００４１】
基材１１上には、これらの溝によって分けられた複数のユニットセル５０ａが存在する。隣接するユニットセル５０ａは、溝５２に充填された透明電極４４によって直列に接続されている。このように複数のユニットセル５０ａを直列に接続することによって、高い出力電圧が得られる。なお、溝５１にはｐ形半導体層４１が埋め込まれているが、溝５１の幅を適切な幅とすることによって、１つのユニットセル５０ａの導電層１４とそれに隣接するユニットセル５０ａの導電層１４との間の抵抗を充分に高くできる。
【００４２】
太陽電池５０は、公知の方法で形成できる。太陽電池５０の製造過程においても、太陽電池４０と同様に、絶縁層１３や導電層１４が剥離することを抑制できる。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例を用いて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。
【００４４】
（実施例１）
実施例１では、図１の基板１０を作製した例について説明する。まず、厚さ０．５ｍｍのステンレス板に、軟化層１２としてＳｎ膜を蒸着法で形成した。Ｓｎ膜の膜厚は０．１μｍであった。次に、Ｓｎ膜の上に、ＳｉＯ2を５３ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3を１４ｗｔ％、Ｎａ2Ｏを１３ｗｔ％、ＴｉＯ2を１５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を５ｗｔ％の割合でそれぞれ含むガラス層を形成した。ガラス層は、上記成分の混合物を約８００℃で加熱することによって形成した。
【００４５】
このようにして得られた基板に対して、室温から１０００℃まで加熱したのち室温に冷却するサイクルを１０回以上繰り返したが、絶縁層の剥離は起こらなかった。
【００４６】
なお、本実施例では軟化層としてＳｎ膜を用いた例について記したが、Ｓｎの代わりに、軟化層１２の材料として上述したどの材料を用いても同様の結果が得られた。
【００４７】
（実施例２）
実施例２では、図４に示した太陽電池４０と同様の形態の太陽電池を作製した一例について説明する。まず、厚さ５０μｍのステンレス基板上に、軟化層１２としてＩｎ膜を蒸着法で形成した。Ｉｎ膜の膜厚は０．１μｍであった。この上に、溶射によってアルミナ膜を形成した。アルミナ膜の膜厚は１００μｍであった。この上に、軟化層１５としてＩｎ膜を蒸着法で形成した。Ｉｎ膜の膜厚は０．１μｍであった。この上に、導電層１４として膜厚０．４μｍのＭｏ膜をスパッタ法で形成した。
【００４８】
次に、Ｍｏ膜上に、ｐ形半導体層４１として膜厚２μｍのＣＩＧＳ膜を蒸着法によって形成した。ＣＩＧＳ膜の製膜温度（基板温度）は６００℃であった。ＣＩＧＳ膜の形成過程において、膜の剥離は見られなかった。
【００４９】
次に、Ｉｎを含む化合物（塩）である塩化インジウム（ＩｎＣｌ3）とチオアセトアミドとを含有する水溶液を用意した。水溶液中の塩化インジウムの濃度は０．００５Ｍとし、チオアセトアミドの濃度は０．１Ｍとし、ｐＨは１．９とした。この水溶液を入れた容器を７５℃に保った温水槽に静置した。この水溶液にＣＩＧＳ膜を形成した基板を、約１０秒間浸漬した。その後、溶液から基板を引き上げて純水で洗浄した。この操作によって、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜の表面に膜厚が約５ｎｍのＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2膜を形成した。Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2膜によってパッシベーション効果とオールバリヤー効果が得られるため、特性が高い太陽電池を形成できる。
【００５０】
次に、カドミウムを含む化合物（塩）である硫酸カドミウム（ＣｄＳＯ4）とアンモニアとを含有する水溶液を用意した。水溶液中の硫酸カドミウムの濃度は０．００１Ｍとし、アンモニアの濃度は１Ｍとした。この溶液を入れた容器を８５℃に保った温水槽に静置した。この溶液にＣＩＧＳ膜を形成した基板を約６分間浸漬した。その後、溶液から基板を引き上げて純水で洗浄し、ＣｄＳからなるｎ形半導体層を形成した。
【００５１】
次に、窓層であるＺｎＯ膜（膜厚１００ｎｍ）と、透明電極であるＩＴＯ膜（膜厚１００ｎｍ）とをスパッタリング法によって形成した。ＺｎＯ膜形成時のスパッタの条件は、アルゴンガス圧１．５×１０-4Ｐａ（２×１０-2Ｔｏｒｒ）、高周波パワー４００Ｗとした。また、ＩＴＯ膜形成時のスパッタの条件は、アルゴンガス圧６×１０-5Ｐａ（８×１０-3Ｔｏｒｒ）、高周波パワー４００Ｗとした。
【００５２】
次に、裏面電極（Ｍｏ膜）の一部の上に、取り出し電極としてＮｉＣｒ膜を形成した。また、ＩＴＯ膜の一部の上に、取り出し電極としてＡｕ膜を形成した。これらの電極は、電子ビーム蒸着法によって形成した。
【００５３】
このようにして、本発明の太陽電池を形成した。上記の一連の工程において、ステンレス基板上の膜には剥離が生じなかった。
【００５４】
一方、比較のため、軟化層１２および１５であるＩｎ膜を形成しなかった基板を用いて、上記の太陽電池と同様に光起電力層を形成した。この場合、６００℃の基板温度でＣＩＧＳ膜を形成したのち試料作製室から基板を取り出すと、約６５％の試料で、ステンレス基板表面またはＭｏ膜表面での剥離が生じた。このとき剥離が生じなかった試料についてさらに製造工程を進めると、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2膜を形成するための処理において、さらに２３％の試料で剥離が生じた。このとき剥離が生じなかった試料についてさらに製造工程を進めると、ＣｄＳ膜を形成するための処理において、さらに１２％の試料で剥離が生じた。このようにして、軟化層を形成しなかった基板を用いた試料では、すべての試料で剥離が生じた。
【００５５】
上述した方法で作製した本発明の太陽電池について、ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の疑似太陽光を照射して特性を評価した。その結果、短絡電流が３４．５ｍＡ／ｃｍ2、開放電圧が０．６３Ｖ、曲線因子が０．７０、変換効率が１５．２％であった。この特性はガラス基板上に形成したＣＩＧＳ太陽電池の特性と同じであった。
【００５６】
なお、本実施例では、軟化層として、Ｉｎを用いた場合について説明したが、Ｉｎの代わりに、軟化層１２の材料として上述したどの材料を用いても同様の結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は、太陽電池用の基板および太陽電池に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の太陽電池用基板の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の太陽電池用基板の他の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の太陽電池用基板のその他の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の太陽電池の一例を示す断面図である。
【図５】本発明の太陽電池の他の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０、２０、３０ 基板
１１ 基材
１２ 軟化層（第２の層）
１３ 絶縁層（第１の層）
１４ 導電層（第３の層）
１５ 軟化層（第４の層）
４０、５０ 太陽電池
４１ ｐ形半導体層
４２ ｎ形半導体層
４３ 窓層
４４ 透明電極
４５、４６ 取り出し電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池に用いられる基板であって、
基材と、前記基材上に積層された電気絶縁性の第１の層と、前記基材と前記第１の層との間に配置された第２の層とを含み、
前記第２の層が軟化する温度が、前記基材および前記第１の層が軟化する温度よりも低い太陽電池用基板。
【請求項２】
前記第１の層に対して前記第２の層とは反対側に積層された導電性の第３の層をさらに含む請求項１に記載の太陽電池用基板。
【請求項３】
前記第２の層が軟化する温度が４００℃以下である請求項１または２に記載の太陽電池用基板。
【請求項４】
前記第２の層が、ガラスからなる請求項１または２に記載の太陽電池用基板。
【請求項５】
前記第２の層が、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｉｎ合金、またはＳｎ合金のいずれかからなる請求項１または２に記載の太陽電池用基板。
【請求項６】
前記第１の層と前記第３の層との間に配置された第４の層をさらに含み、
前記第４の層が軟化する温度が、前記基材、前記第１の層および前記第３の層が軟化する温度よりも低い請求項２に記載の太陽電池用基板。
【請求項７】
前記第４の層が軟化する温度が４００℃以下である請求項６に記載の太陽電池用基板。
【請求項８】
前記基材が、ステンレス、チタンおよび銅からなる群より選ばれる少なくとも１つの材料からなる請求項１〜７のいずれか１項に記載の太陽電池用基板。
【請求項９】
前記第１の層が、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2およびＡｌ2Ｏ3からなる群より選ばれる少なくとも１つの酸化物からなる請求項１〜８のいずれか１項に記載の太陽電池用基板。
【請求項１０】
基板と前記基板上に形成された光起電力層とを備える太陽電池であって、
前記基板が請求項１〜９のいずれか１項に記載された太陽電池用基板である太陽電池。
【請求項１】
太陽電池に用いられる基板であって、
基材と、前記基材上に積層された電気絶縁性の第１の層と、前記基材と前記第１の層との間に配置された第２の層とを含み、
前記第２の層が軟化する温度が、前記基材および前記第１の層が軟化する温度よりも低い太陽電池用基板。
【請求項２】
前記第１の層に対して前記第２の層とは反対側に積層された導電性の第３の層をさらに含む請求項１に記載の太陽電池用基板。
【請求項３】
前記第２の層が軟化する温度が４００℃以下である請求項１または２に記載の太陽電池用基板。
【請求項４】
前記第２の層が、ガラスからなる請求項１または２に記載の太陽電池用基板。
【請求項５】
前記第２の層が、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｉｎ合金、またはＳｎ合金のいずれかからなる請求項１または２に記載の太陽電池用基板。
【請求項６】
前記第１の層と前記第３の層との間に配置された第４の層をさらに含み、
前記第４の層が軟化する温度が、前記基材、前記第１の層および前記第３の層が軟化する温度よりも低い請求項２に記載の太陽電池用基板。
【請求項７】
前記第４の層が軟化する温度が４００℃以下である請求項６に記載の太陽電池用基板。
【請求項８】
前記基材が、ステンレス、チタンおよび銅からなる群より選ばれる少なくとも１つの材料からなる請求項１〜７のいずれか１項に記載の太陽電池用基板。
【請求項９】
前記第１の層が、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2およびＡｌ2Ｏ3からなる群より選ばれる少なくとも１つの酸化物からなる請求項１〜８のいずれか１項に記載の太陽電池用基板。
【請求項１０】
基板と前記基板上に形成された光起電力層とを備える太陽電池であって、
前記基板が請求項１〜９のいずれか１項に記載された太陽電池用基板である太陽電池。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００６−２９４７６７（Ｐ２００６−２９４７６７Ａ）
【公開日】平成１８年１０月２６日（２００６．１０．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１１１５５０（Ｐ２００５−１１１５５０）
【出願日】平成１７年４月８日（２００５．４．８）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１６年度、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「太陽光発電技術研究開発（先進太陽電池技術研究開発）」委託研究、産業活力再生特別措置法第３０条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月２６日（２００６．１０．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年４月８日（２００５．４．８）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１６年度、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「太陽光発電技術研究開発（先進太陽電池技術研究開発）」委託研究、産業活力再生特別措置法第３０条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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