情報記録媒体
【課題】青色レーザで記録・再生を行った場合のコントラストを改善し、良好な再生特性を持つ多層情報記録用媒体を提供する。
【解決手段】基板１と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜３，９の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層７とを有する情報記録媒体において、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係になるように各情報面の透過率を設定すると共に、前記基板の厚さを０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下および／または前記スペーサ層の厚さを１３μｍ以上２７μｍ以下とした。
【解決手段】基板１と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜３，９の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層７とを有する情報記録媒体において、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係になるように各情報面の透過率を設定すると共に、前記基板の厚さを０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下および／または前記スペーサ層の厚さを１３μｍ以上２７μｍ以下とした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクに用いられる情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光を照射して薄膜（記録膜）に情報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜材料の相変化（相転移とも呼ばれる）やフォトダークニングなど、レーザ光の照射による原子配列変化を利用するものは、薄膜の変形をほとんど伴わないため、２枚のディスク部材を直接貼り合わせて両面ディスク構造情報記録媒体、または複数の情報面を有する多層構造情報記録媒体が得られるという長所を持つ。
【０００３】
通常の光ディスクでは、波長が６６０ｎｍ付近の一般に赤色レーザと言われている光源を用いている。これら情報記録媒体は基板上に下部保護層、ＧｅＳｂＴｅ系等の記録膜、ＺｎＳ−ＳｉＯ2系上部保護層、Ａｌなど反射率の大きい反射層を順に積層した構造を有している。記録容量を上げる方法はいくつかあるが、６６０ｎｍ付近の波長より短波長の光源を使用する方法や多層構造にする方法などが提案されている。ＯＤＳ／ＩＳＯＭ‘９９予稿集第１１０頁（文献１）に波長４００ｎｍ付近用の２層情報記録媒体が示されている。この媒体では光入射側に反射層を持たない第１の情報面と光から遠い側にＡｌ合金反射層を持つ第２の情報面を有する。しかし、このデータは計算結果のみで記録・再生した場合に生じるコントラストが小さい点の改良については示されていない。また、同様な波長４００ｎｍ付近用の２層情報記録媒体がＰＣＯＳ’９９講演予稿集２２頁（文献２）に開示されているが、この媒体も同様に光入射側に反射層を持たない第１の情報面をもつ。
【０００４】
また、特開平１０−２９３９４２号には、透明下部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護膜、透明型反射膜または透明干渉膜からなる相変化型記録媒体を複数層設けることが記載されている。
【０００５】
なお、波長４００ｎｍ付近の短波長のレーザは一般に、長波長の赤色レーザと対比させて青色、青緑色、青紫色、緑色レーザなどと呼ばれているが本明細書中では、まとめて青色レーザと呼ぶ。
【０００６】
本明細書では、結晶−非晶質間の相変化ばかりでなく、融解（液相への変化）と再結晶化、結晶状態−結晶状態間の相変化も含むものとして「相変化」及び「原子配列変化」という用語を使用する。また、マークエッジ記録とは、記録マークのエッジ部分を信号の“１”に、マーク間およびマーク内を信号の“０”に対応させた記録方式のことをいう。本明細書において光ディスクとは、光の照射によって再生できる情報が記載された円板（ディスク）、及び／または光の照射によって情報の再生を行う装置をいう。
【非特許文献１】ＯＤＳ／ＩＳＯＭ‘９９予稿集第１１０頁
【非特許文献２】ＰＣＯＳ’９９講演予稿集２２頁
【特許文献１】特開平１０−２９３９４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の多層情報記録媒体はいずれも、青色レーザを用いた高密度の書き換え可能な相変化型の多層情報記録媒体として用いる場合、コントラストが小さいという問題を有している。
【０００８】
また、特開平１０−２９３９４２号では、透明反射層の透過率について思想がない。
【０００９】
そこで、この発明の目的は、青色レーザで記録・再生を行った場合のコントラストを改善し、良好な再生特性を持つ多層情報記録用媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、前記課題を解決するため、第１に、情報記録媒体を、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下であるという構成にした。
【００１１】
第２に、情報記録媒体を、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であるという構成にした。
【００１２】
第３に、情報記録媒体を、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下で、前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であるという構成にした。
【００１３】
第４に、情報記録媒体を、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下であるという構成にした。
【００１４】
第５に、情報記録媒体を、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であるという構成にした。
【００１５】
第６に、情報記録媒体を、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下で、前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であるという構成にした。
【００１６】
第７に、前記第１乃至第６のいずれかの構成を有する情報記録媒体において、前記記録膜の膜厚が４ｎｍ以上２５ｎｍ以下であるという構成にした。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると良好な記録・再生特性を有する情報記録媒体が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
【実施例１】
【００１９】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図１は、本発明の第１実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造を示す模式図である。この媒体は次のようにして製作した。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板１上に、膜厚約３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜を積層してなるＬ０下部保護層２、膜厚約６ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８Ｌ０記録膜３、膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜を積層してなるＬ０上部保護層４、膜厚約３５ｎｍの（Ａｌ２Ｏ３）膜よりなるＬ０透明反射層５、膜厚約５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０最上部保護層６を順次形成した。上記のような層４，５，６多層積層によって生じる光学干渉を用いて透明な反射層を得る。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００２０】
他方、同様のスパッタリング方法により、第１のディスク部材と異なる構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、ポリカーボネイト保護基板１２上に、膜厚約８０ｎｍのＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜からなるＬ１反射層１１上に膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約５ｎｍのＣｒ２Ｏ３を積層してなるＬ１上部保護層１０、膜厚約１８ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８Ｌ１記録膜９、膜厚約５ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜を積層してなるＬ１下部保護層８を順次形成したものである。
【００２１】
その後、前記第１のディスク部材と第２のディスク部材をそれぞれのＬ０最上部保護層６とＬ１下部保護層８をスペーサ層７を介して貼り合わせ、図１に示す２層情報記録媒体（ディスクＡ）を得た。
【００２２】
各情報面は光入射側の構成膜（Ｌ０下部保護層２からＬ０最上部保護層６まで）をＬ０、光から遠い方の構成膜（Ｌ１下部保護層８からＬ１反射層１１まで）をＬ１とした。
【００２３】
（従来型の情報記録媒体の構成、製法）
透明反射層の効果を明らかにするため、透明反射層を持たないディスク状情報記録媒体を作製した。図２は、この媒体の断面構造を示す模式図である。
【００２４】
この媒体は次のようにして製作した。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．５８５ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板１上に、膜厚約３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜からなるＬ０下部保護層２、膜厚約６ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ０記録膜３、膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０上部保護層４を順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００２５】
他方、同様のスパッタリング方法により、第１のディスク部材と異なる構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、ポリカーボネイト保護基板１２上に、膜厚約８０ｎｍのＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜からなるＬ１反射層１１上に膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約５ｎｍのＣｒ２Ｏ３からなるＬ１上部保護層１０、膜厚約１８ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ１記録膜９、膜厚約５ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ１下部保護層８を順次形成したものである。
【００２６】
その後、前記第１のディスク部材と第２のディスク部材をそれぞれのＬ０上部保護層４とＬ１下部保護層８をスペーサー層７を介して貼り合わせ、図２に示す情報記録媒体（ディスクＢ）を得た。
【００２７】
（初期結晶化）
前記のようにして製作したディスクＡとディスクＢのＬ０記録膜３に、次のようにして初期結晶化を行った。なお、以下ではＬ０記録膜３、Ｌ１記録膜９についてのみ説明するが、この他の多層媒体の記録膜についても全く同様である。
【００２８】
媒体（ディスクＡ，ディスクＢ）を記録トラック上の点の線速度が５ｍ／ｓであるように回転させ、波長約８１０ｎｍの半導体レーザのレーザパワーを３００ｍＷにしてＬ１の記録膜にフォーカスした後、レーザパワーを７００ｍＷにして、基板１およびＬ０膜、スペーサー層を通して記録膜９に媒体の半径方向に長い長円形のスポット形状で照射した。スポットの移動は、媒体の１回転につき媒体の半径方向のスポット長の１／２４ずつずらした。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は１回でもよいが３回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。この初期結晶化は高速で行える利点がある。
【００２９】
次ぎに波長約８１０ｎｍの半導体レーザのレーザパワーを３００ｍＷにしてレーザのフォーカス位置を変えてＬ０の記録膜にフォーカスした後、レーザパワーを７００ｍＷにして、基板１を通して記録膜３に媒体の半径方向に長い長円形のスポット形状で照射した。スポットの移動は、媒体の１回転につき媒体の半径方向のスポット長の１／２４ずつずらした。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は１回でもよいが３回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。この初期結晶化は高速で行える利点がある。
【００３０】
初期化の順序はＬ１記録膜から行ってもＬ０記録膜から行っても、また３層以上の多層情報記録媒体においてはランダムに行っても良い。
【００３１】
（記録・消去・再生）
前記のようにして製作し、初期結晶化を行った媒体について、次ぎのように記録・消去・再生特定の評価を行った。なお、以下ではＬ１の記録膜９についてのみ説明するが、Ｌ０の記録膜３についても全く同様であり、また３層以上の多層情報記録媒体においてのそれぞれの情報面の記録膜についても同様である。
【００３２】
初期結晶化が完了した記録膜９の記録領域にトラッキングと自動焦点合わせを行いながら、記録用レーザ光のパワーを中間パワーレベルＰｅ（３ｍＷ）と高パワーレベルＰｈ（７ｍＷ）との間で変化させて情報の記録を行った。記録トラックの線速度は９ｍ／ｓ、半導体レーザ波長は４０５ｎｍ、レンズの開口数（ＮＡ）は０．６５である。記録用レーザ光により記録領域に形成される非晶質またはそれに近い部分が記録点となる。この媒体の反射率は結晶状態の方が高く、記録され非晶質状態になった領域の反射率が低くなっている。
【００３３】
記録用レーザ光の高レベルと中間レベルのパワー比は１：０．３〜１：０．７の範囲が好ましい。また、この他に短時間ずつ他のパワーレベルにしてもよい。図３に示したように、１つの記録マークの形成中にウインドウ幅の半分（Ｔｗ／２）ずつ中間パワーレベルＰｅより低いボトムパワーレベルＰｂまでパワーを繰り返し下げ、かつクーリングパワーレベルＰｃを記録パルスの最後に持つ波形を生成する手段を持った装置で記録・再生を行うと、再生信号波形のジッター値およびエラーレートが低減した。クーリングパワーレベルＰｃは中間パワーレベルＰｅより低く、ボトムパワーレベルＰｂより高いか同じレベルである。この波形は、第１パルス幅Ｔｐが記録マークとそのマークの直前に設けられたスペースの長さの組み合わせによって変化する特徴とクーリングパルス幅Ｔｃ（記録パルスの最後にＰｃレベルまで下げる時間幅）が記録マークとそのマークの後続スペース長の組み合わせにより決まる特徴を持つ。マーク直前のスペース長が短く、マークが長いほどＴｐは短くなり、マーク直前のスペース長が長く、マークが短いほどＴｐは長くなる。ただし、媒体の構造によっては６Ｔｗマークの記録用記録波形のＴｐを特に長くした場合、ジッター低減効果が大きかった。また、後続のスペース長が長く、マークが長いほど、Ｔｃは短くなり、後続のスペース長が短く、マークが短いほど、Ｔｃは長くなる。
【００３４】
図３には３Ｔｗ，４Ｔｗ，６Ｔｗ，１１Ｔｗの記録波形しか示していないが、５Ｔｗは６Ｔｗの記録波形の一連の高いパワーレベルのパルス列のうち、Ｔｗ／２の高いパワーレベルＰｈと直後のＴｗ／２のボトムパワーレベルＰｂをそれぞれ一つずつ削減したものである。また、７Ｔｗ〜１０Ｔｗ用記録波形は６Ｔｗ用記録波形の最後尾の高いパワーレベルのパルスの直前に、Ｔｗ／２の高いパワーレベルＰｈとＴｗ／２のボトムパワーレベルＰｂを、それぞれ１組ずつ追加したものである。したがって、５組追加したものが１１Ｔｗである。
【００３５】
ここでは、３Ｔｗに対応する最短記録マーク長を０．２６μｍとした。記録すべき部分を通り過ぎると、レーザ光パワーを再生（読み出し）用レーザ光の低パワーレベルＰｒ（１ｍＷ）に下げるようにした。
【００３６】
このような記録方法では、既に情報が記録されている部分に対して消去することなく、重ね書きによって新たな情報を記録すれば、新たな情報に書き換えられる。すなわち、単一のほぼ円形の光スポットによるオーバーライトが可能である。
【００３７】
しかし、書き換え時の最初のディスク１回転または複数回転で、前記のパワー変調した記録用レーザ光の中間パワーレベル（３ｍＷ）またはそれに近いパワーの連続光を照射して、記録されている情報を一たん消去し、その後、次の１回転でボトムパワーレベル（０．５ｍＷ）と高パワーレベル（７ｍＷ）の間で、または中間パワーレベル（３ｍＷ）と高パワーレベル（７ｍＷ）との間で、情報信号に従ってパワー変調したレーザ光を照射して記録するようにしてもよい。このように、情報を消去してから記録するようにすれば、前に書かれていた情報の消え残りが少ない。従って、線速度を２倍に上げた場合の書き換えも、容易になる。
【００３８】
（透明反射層の効果）
本実施例記載の透明反射層を持つ図１に記載の情報記録媒体（ディスクＡ）および透明反射層を持たない図２に記載の従来の情報記録媒体（ディスクＢ）のＬ０について比較した。初回記録時の最短記録信号（３Ｔｗ）のＣ／Ｎ（搬送波対雑音比）について比べたところ、ディスクＡでは５０ｄＢのＣ／Ｎがあったが、ディスクＢではＣ／Ｎが小さく４６ｄＢであった。ディスクＡでＣ／Ｎが大きくなったのは、透明反射層を設けることにより記録膜と透明反射層との間での干渉を利用することが出来、信号振幅が大きくなったためである。
【００３９】
（透明反射層の光学特性）
透明反射層５の光学特性依存性を測定した。光学特性を変化させた複数の媒体を作成した。最短記録マーク３Ｔｗと３Ｔスペースの繰り返し信号を記録した際のＣ／Ｎを測定した。結果を表１に示す。透明反射層の組成が変わると透明反射層の消衰係数が変化し、反射層での吸収量が多くなるため、透過率一定とした時の反射率差が小さくなり、Ｃ／Ｎ（ｄＢ）が低下した。った。これより、透明反射層の消衰係数は、小さいことが好ましいことがわかる。実用レベルでＣ／Ｎを確保するには４８ｄＢ以上必要であるため、透明反射層の消衰係数０．５以下であることが好ましい。また、レーザの環境温度変動による劣化を考慮した場合には、Ｃ／Ｎが４９ｄＢ以上必要であるため、透明反射層の消衰係数は０．３ 以下であることがより好ましい。また、透明反射層の反射率は５％以上５０％以下であることが望ましい。
【表１】
【００４０】
次に透明反射層５の屈折率依存性を測定した。これを、表２に示す。透明反射層の屈折率ｎが変わると上部保護層と透明反射層の光干渉量が変わるため、透過率一定とした時の反射率差がかわる。ここで、反射率差とは、媒体における、記録膜の結晶状態と非結晶状態、つまり未記録状態と記録状態との反射率の差をいう。
【表２】
【００４１】
これより、透明反射層の屈折率は、実用レベルの反射率差を確保するには４％以上必要であるため、透明反射層の屈折率２．２以下または２．５以上であることが好ましい。また、レーザの環境温度変動による劣化を考慮した場合には、反射率差が５％以上必要であるため、透明反射層の屈折率は２．０ 以下または２．６以上であることがより好ましい。
【００４２】
さらに上部保護層の屈折率（２．３５）との差が大きい方が好ましいことがわかる。上部保護層の屈折率と透明反射層の屈折率の差が０．１５以上であることが好ましい。また、レーザの環境温度変動による劣化を考慮した場合には、上部保護層の屈折率と透明反射層の屈折率の差が０．２５以上であることがより好ましい。
【００４３】
透明反射層膜厚及び上部保護層膜厚及び最上部保護層膜厚は、反射率差が大きくとれるように決定することがＣ／Ｎが大きくなり好ましい。この膜厚は上部保護層が８０〜１６０ｎｍが好ましく、１００〜１４０ｎｍがより好ましい。透明反射層と最上部保護層膜厚は、透明反射層と最上部保護層膜厚の合計が５０〜１３０ｎｍが好ましく、７０〜１１０ｎｍがより好ましい。
【００４４】
干渉を利用するためには、透明反射層膜厚の最低膜厚は５ｎｍ以上にすることが好ましく、１０ｎｍ以上だとより好ましい。
【００４５】
透明反射層材料は、ＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，ＣｒＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）などの窒化物が好ましい。これら化合物における元素比は、例えば酸化物や硫化物における金属元素と酸素元素あるいは硫黄元素の比は、Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３は２：３、ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＧｅＯ２は１：２、Ｔａ２Ｏ５は２：５、ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが、その比から外れていても同様の効果は得られる。しかし、上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ２Ｏ３からＡｌ量で±１０原子％以下、Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ２からＳｉ量で±１０原子％以下等、金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
【００４６】
この他上記光学特性を持つ材料も使用可能である。透明反射層材料中の不純物元素が５原子％を超えると１万回以上の多数回オーバーライト時のジッター上昇が５％以上になることがわかった。したがって、透明反射層材料中の不純物元素が透明反射層成分の５原子％以下が書き換え特性の劣化を少なく出来、好ましい。２原子％以下であるとさらに好ましい。
【００４７】
（下部保護層）
本実施例では、Ｌ１下部保護層８を（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０とＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３層の２層構造としている。また、Ｌ０下部保護層２を（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜を積層した３層構造としている。２層構造をとる下部保護層２、８の（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０に代わる材料としては、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合比を変えたものが好ましい。また、ＺｎＳ，Ｓｉ−Ｎ系材料、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料、ＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ２Ｓ３，ＣｄＳ，Ｉｎ２Ｓ３，Ｇａ２Ｓ３，ＧｅＳ，ＳｎＳ２，ＰｂＳ，Ｂｉ２Ｓ３などの硫化物、ＳｎＳｅ２，Ｓｂ２Ｓｅ３，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ２Ｓｅ３，Ｇａ２Ｓｅ３，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ２，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ２Ｓｅ３などのセレン化物、ＣｅＦ３，ＭｇＦ２，ＣａＦ２などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ２，Ｂ４Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、ＺｎＳ−ＳｉＯ２，ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３など、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。この中で、ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが６０ｍｏｌ％以上を占めると成膜時間を短くできるため、これを６０ｍｏｌ％以上含む混合物の場合、ＺｎＳのスパッタレートが大きい点と酸化物や窒化物等の化学安定性の良い点が組み合わされる。この他の硫化物、セレン化物でもＺｎＳに近い特性が得られた。
【００４８】
これら化合物における元素比は、例えば酸化物や硫化物における金属元素と酸素元素あるいは硫黄元素の比は、Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３は２：３、ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＧｅＯ２は１：２、Ｔａ２Ｏ５は２：５、ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが、その比から外れていても同様の効果は得られる。しかし、上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ２Ｏ３からＡｌ量で±１０原子％以下、Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ２からＳｉ量で±１０原子％以下等、金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
【００４９】
上記材料は、下部保護層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると、書き換え可能回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
【００５０】
本実施例で用いた下部保護層の消衰係数ｋについては０または０に近いことが好ましい。さらに、下部保護層材料の８０％以上の膜厚において消衰係数ｋがｋ≦０．０１であれば、コントラストの低下が２％以下に抑制でき好ましい。
【００５１】
下部保護層を２層以上にし、記録膜側の下部保護層材料をＣｒ２Ｏ３またはＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３すると、多数回書き換え時に記録膜へＺｎ，Ｓの拡散を抑制でき、書き換え特性が良好であることがわかった。記録膜側の下部保護層材料のＣｒ２Ｏ３に代わる材料としては、Ｃｒ２Ｏ３にＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３を混合した混合物が好ましい。次いで、ＣｏＯまたはＧｅＯ２，ＮｉＯ、これらとＣｒ２Ｏ３の混合物が好ましい。これら酸化物は消衰係数ｋが小さく、下部界面層における吸収が非常に小さい。そのため、変調度が大きく保てるという利点がある。
【００５２】
また、Ｃｒ２Ｏ３またはＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３の一部をＡｌ２Ｏ３またはＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３に変えると、記録膜以外での吸収が減り透過率が大きくできるため、Ｌ０層でＣ／Ｎが大きく出来てこのましい。Ａｌ２Ｏ３またはＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３の代りにＳｉＯ２またはＳｉ３３Ｏ６３Ｎ４など、またこれらの窒素と酸素量の比が異なるものを用いても同様な特性が得られた。
【００５３】
また、ＡｌＮ，ＢＮ，ＣｒＮ，Ｃｒ2Ｎ，ＧｅＮ，ＨｆＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）、Ｓｉ−Ｎ系材料、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料、ＴａＮ，ＴｉＮ，ＺｒＮ，などの窒化物は保存寿命が大きくなり、外界温度変化に強く、より好ましい。窒素が含まれた記録膜組成またはそれに近い組成の材料でも接着力が向上する。
【００５４】
その他、ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＣｕＯ，ＣｄＯ，Ｄｙ２Ｏ３，ＦｅＯ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＨｆＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＭｎＯ，ＭｏＯ２，ＭｏＯ３，ＮｂＯ，ＮｂＯ２，ＰｂＯ，ＰｄＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，Ｓｃ２Ｏ３，ＳｒＯ，ＴｈＯ２，ＴｉＯ２，Ｔｉ２Ｏ３，ＴｉＯ，ＴｅＯ２，ＶＯ，Ｖ２Ｏ３，ＶＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３などの酸化物、Ｃ，Ｃｒ３Ｃ２，Ｃｒ２３Ｃ６，Ｃｒ７Ｃ３，Ｆｅ３Ｃ，Ｍｏ２Ｃ，ＷＣ，Ｗ２Ｃ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＣａＣ２などの炭化物または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよいし、これらの混合材料でもよい。
【００５５】
下部保護層の記録膜側に酸化物または窒化物の層を設けた場合は、Ｚｎ，Ｓ等の記録膜中への拡散が防止でき、消え残りが増加するのを抑制できる。さらに、記録感度を低下させないためには、２５ｎｍ以下とすることが好ましく、１０ｎｍ以下ではより好ましかった。均一な膜形成ができるのは約２ｎｍ以上であり、５ｎｍ以上がさらに良好であった。これより、記録膜側の下部保護層膜厚を２〜２５ｎｍとすると記録・再生特性がより良くなり、好ましい。未満の場合、再結晶化のためにＣ／Ｎが低下した。また、下部保護層膜厚が１０ｎｍ未満の場合、記録膜の保護効果がなくなるため、書き換え可能回数が１桁以上低下した。下部保護層と記載したものは、Ｌ０下部保護層、Ｌ１下部保護層、さらに多層情報記録媒体の下部保護層を意味する。
【００５６】
（記録膜）
本実施例では、記録膜３、記録膜９をＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８により形成している。本記録膜の再生波長における屈折率は、結晶状態が２．０、非晶質状態が２．６と、結晶状態の方が小さい。
【００５７】
Ｇｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８に代わる記録膜３，９の材料としては、Ａｇ３Ｇｅ３０Ｓｂ１４Ｔｅ５３，Ｃｒ３Ｇｅ３２Ｓｂ１３Ｔｅ５２等、Ａｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｃｒ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料で組成比の異なるものが変調度が大きくなり好ましい。記録膜３および／または記録膜９中のＡｇ量やＣｒ量が多いと短波長での反射率変化が大きくなるが、結晶化速度は遅くなる。従って、添加されるＡｇ量またはＣｒ量が２原子％以上、１０原子％以下が好ましい。しかし、Ａｇの添加されていないＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料でもオーバーライトは可能である。Ａｇの代わりに記録膜３，９へ添加する元素としては、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｂｉのいずれかのうちの少なくとも一つで置き換えても、オーバーライト特性が良好であることがわかった。これらの記録膜３，９材料は全て、再生波長における屈折率は結晶状態の方が非晶質状態より小さい。
【００５８】
本実施例で記録膜９の膜厚を変化させ、１０回書き換え後および１０万回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ、表３のようになった。記録膜９の膜厚（ｎｍ）に対し、１０回書き換え後については前エッジまたは後エッジのジッターの悪い方の値（％）を、１万回書き換え後については前エッジのジッター値（％）を示した。
【表３】
【００５９】
これより、記録膜９の膜厚を薄くすると記録膜流動や偏析による、１０回書き換え後のジッターが増加し、また厚くすると、１万回書き換え後のジッターが増加することがわかった。これより、記録膜９の膜厚は４ｎｍ以上、２５ｎｍ以下がジッターを２０％以下にでき好ましく、５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であればジッターを１５％以下に出来より好ましい。
【００６０】
記録膜３の膜厚および、１〜Ｎ−１情報面（レイヤー）における記録膜膜厚については、前記情報面の記録膜膜厚が情報面１≦情報面２≦…≦情報面Ｎ−１≦情報面Ｎの関係にあると各情報面において記録・再生可能となるため好ましい。さらに、光入射側の基板より１からＮ−１番めの情報面用記録膜の合計膜厚が１０ｎｍ以下であると、Ｎ番めの情報面のＣ／Ｎが４８ｄＢ以上と大きくでき好ましい。上記合計膜厚が８ｎｍ以下になるとＮ番めの情報面のＣ／Ｎが４９ｄＢ以上と大きくできより好ましい。
【００６１】
（上部保護層）
本実施例では、上部保護層１０をＺｎＳ−ＳｉＯ２とＣｒ４０Ｏ６０により形成した。また、Ｌ０上部保護層４を（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ６０膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ６０膜を積層した３層構造としている。
【００６２】
ＺｎＳ−ＳｉＯ２に代わる上部保護層の材料としては、Ｓｉ−Ｎ系材料、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料、ＺｎＳ，ＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ２Ｓ３，ＣｄＳ，Ｉｎ２Ｓ３，Ｇａ２Ｓ３，ＧｅＳ，ＳｎＳ２，ＰｂＳ，Ｂｉ２Ｓ３などの硫化物、ＳｎＳｅ２，Ｓｂ２Ｓｅ３，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ２Ｓｅ３，Ｇａ２Ｓｅ３，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ２，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ２Ｓｅ３などのセレン化物、ＣｅＦ３，ＭｇＦ２，ＣａＦ２などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ２，Ｂ４Ｃ，Ｂ，Ｃまたは、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、ＺｎＳ−ＳｉＯ２，ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３などこれらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。消衰係数は０または０に近いことが好ましい。
【００６３】
これら化合物における元素比は、例えば酸化物あるいは硫化物における金属元素と酸素元素あるいは硫黄元素の比は、Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３は２：３、ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＧｅＯ２は１：２、Ｔａ２Ｏ５は２：５、ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが、その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ２Ｏ３からＡｌ量で±１０原子％以下、Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ２からＳｉ量で±１０原子％以下等、金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
【００６４】
上記材料は、上部保護層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると、書き換え可能回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
【００６５】
上部保護層を２層以上にし、記録膜側の上部保護層材料をＣｒ２Ｏ３にすると、多数回書き換え時に記録膜へＺｎ，Ｓの拡散を抑制でき、書き換え特性が良好になることがわかった。
【００６６】
さらにその一部をＡｌ２Ｏ３，またはＳｉＯ２に変えるとコントラストが大きく出来て好ましいことがわかった。
【００６７】
上部保護層と記載したものは、Ｌ０上部保護層、Ｌ１上部保護層、さらに多層情報記録媒体の上部保護層を意味する。
【００６８】
（反射層）
本実施例では反射層１１にＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜を用いた。他の反射層の材料としては、Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ａｕ等、Ａｇ合金を主成分とするものが好ましい。Ａｇも使用可能である。Ａｇ合金中のＡｇ以外の元素の含有量を０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良好になり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良好になることがわかった。
【００６９】
また、Ｚｎ９８Ｐｄ２膜、Ｚｎ９８Ｐｔ２膜、Ｚｎ９８Ｃｕ２膜、Ｚｎ９８Ｎｉ２膜、Ｚｎ−Ｐｄ膜、Ｚｎ−Ｐｔ膜、Ｚｎ−Ｃｕ膜、Ｚｎ−Ｎｉ膜は、Ａｇ系材料に比べコストが安いという利点がある。Ｚｎも使用可能である。Ｚｎ合金中のＺｎ以外の元素の含有量は０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良好になり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良好になることがわかった。
【００７０】
次いで、Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金、上記以外のＡｇ合金、Ｃｕ合金、Ｐｄ合金、Ｐｔ合金などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよい。このように、反射層は、金属元素、半金属元素、これらの合金、混合物からなる。
【００７１】
この中で、Ａｇ，Ａｌ，Ａｌ合金、Ａｇ合金、等のように、反射率が大きいものは、コントラスト比が大きくなり書き換え特性が良好である。単体より合金の方が接着力が大きくなる。この場合の主成分となるＡｌ，Ａｇ等以外の元素の含有量はＡｇ合金同様に、０．５原子％以上５原子％以下の範囲にすると、コントラスト比が大きく、また接着力も大きくでき良好であった。１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良くなった。波長４００ｎｍ付近における反射率を比較するとＡｇまたはＡｇ合金は約９５％、Ａｌ，Ａｌ合金は約９２％と、Ａｇ系の方が大きいが、材料コストも大きい。これらに次ぐ材料としては、Ｚｎ，Ｚｎ合金が約８９％、Ｐｔ，Ｐｔ合金が約６５％と短波長における反射率が大きく、コントラストを大きく出来た。
【００７２】
上記材料は、反射層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると、書き換え可能回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
【００７３】
反射層膜厚が２０ｎｍより薄い場合、強度が弱く、熱拡散が小さく記録膜流動が起きやすいため、１万回書き換え後のジッターが１５％より大きくなる。３０ｎｍでは１５％まで低下できる。また、反射層膜厚が２００ｎｍより厚い場合、それぞれの反射層を作製する時間が長くなり、２工程以上に分ける、またはスパッタリング用の真空室を２室以上設ける等、形成時間が倍増した。また、反射層の膜厚が５ｎｍ以下だと島状に成膜され、ノイズが大きくなった。これより、反射層の膜厚はノイズ及びジッター、形成時間より、５ｎｍ以上、２００ｎｍ以下が好ましい。
【００７４】
（基板）
本実施例では、表面に直接、トラッキング用の溝を有するポリカーボネート基板１を用いているが、それに代えてポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよい。強化ガラスの代わりに石英やＣａＦを用いてもよい。
【００７５】
また、トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全てまたは一部に、記録・再生波長をλとしたとき、λ／１２ｎ′（ｎ′は基板材料の屈折率）以上の深さの溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割されていてもよい。溝深さが約λ／６ｎ′の時、クロストークが小さくなり好ましいことが分かった。さらに溝深さが約λ／３ｎ′より深い時、基板形成時の歩留まりは悪くなるが、クロスイレースが小さくなり好ましいことが分かった。
【００７６】
また、その溝幅は場所により異なっていてもよい。溝部の存在しない、サンプルサーボフォーマットの基板、他のトラッキング方式、その他のフォーマットによる基板等でも良い。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。トラックピッチの大きさが小さいと隣のトラックからの信号の漏れが検出されノイズとなるため、トラックピッチはスポット径（光強度が１／ｅ2となる領域）の１／２以上であることが好ましい。
【００７７】
ディスクサイズも直径１２ｃｍに限らず、１３ｃｍ、８ｃｍ、３．５インチ、２．５インチ等、他のサイズでも良い。ディスク厚さも０．６ｍｍに限らず、１．２ｍｍ、０．８ｍｍ、０．４ｍｍ、０．１ｍｍ等、他の厚さでも良い。
【００７８】
本実施例では、スペーサ層を介して貼り合わせているが、第２のディスク部材の代わりに別の構成のディスク部材、または保護用の基板などを用いてもよい。貼り合わせに用いるディスク部材または保護用の基板の図５のように保護基板側から形成して、最後に光入射側の基板１を形成するか、貼り合わせしてもよい。またこうして作製した２まいのディスクを貼り合わせて両面ディスクとしてもよい。紫外線波長領域における透過率が大きい場合、紫外線硬化樹脂によって貼り合わせを行うこともできる。その他の方法で貼り合わせを行ってもよい。また、第１および第２のディスク部材を貼り合わせる前に第１および第２のディスク部材の最上層上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布し、硬化後に貼り合わせを行うと、エラーレートをより低減できる。
【００７９】
（各層の膜厚、材料）
各層の膜厚、材料についてはそれぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記録・再生特性等が向上するが、それぞれの好ましい範囲を組み合わせることにより、さらに効果が上がる。
【実施例２】
【００８０】
（情報記録媒体の構成、製法）
図１の模式図に示した断面構造を有し、膜厚のみを相違させ、他は全て同じ条件とした情報記録媒体を製作した。この媒体は次のようにして製作した。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板１上に、膜厚約３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜からなるＬ０下部保護層２、膜厚約６ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ０記録膜３、膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０上部保護層４、膜厚約３５ｎｍの（Ａｌ２Ｏ３）膜よりなるＬ０透明反射層５、膜厚約５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０最上部保護層６を順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００８１】
他方、同様のスパッタリング方法により、第１のディスク部材と異なる構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、ポリカーボネイト保護基板１２上に、膜厚約８０ｎｍのＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜からなるＬ１反射層１１上に膜厚約１２０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約５ｎｍのＣｒ２Ｏ３からなるＬ１上部保護層１０、膜厚約１０ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ１記録膜９、膜厚約５ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約９５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ１下部保護層８を順次形成したものである。
【００８２】
その後、前記第１のディスク部材と第２のディスク部材をそれぞれのＬ０最上部保護層６とＬ１下部保護層８をスペーサ層７を介して貼り合わせ、図１に示す２層情報記録媒体（ディスクＡ）を得た。
【００８３】
各情報面は光入射側の構成膜（Ｌ０下部保護層２からＬ０最上部保護層６まで）をＬ０、光から遠い方の構成膜（Ｌ１下部保護層８からＬ１反射層１１まで）をＬ１とした。
【００８４】
これより、Ｌ１ディスクの反射率は、結晶状態の反射率が非晶質状態の反射率より低くなった。また下部保護層、記録膜、上部保護層の膜厚を変えると記録膜の吸収率比Ａｃ／Ａａ（Ａｃは結晶状態の記録膜における吸収、Ａａは非晶質状態の記録膜における吸収）を１．３倍に大きく出来実施例１に記載の多層情報記録媒体のＬ１に比べ、本実施例のＬ１はオーバーライト時のジッターを５％以上小さくできることがわかった。
【００８５】
Ｌ１下部保護層８膜厚の好ましい範囲は７０ｎｍ〜１４０ｎｍ，より好ましい範囲は８０ｎｍ〜１３０ｎｍである。Ｌ１上部保護層１０膜厚の好ましい範囲は９５ｎｍ〜１５５ｎｍ，より好ましい範囲は１０５ｎｍ〜１４５ｎｍである。Ｌ１記録膜９膜厚の好ましい範囲は実施例１に記載の通りである。
【実施例３】
【００８６】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図４は、本発明の多層ディスク状情報記録媒体の断面構造を示す模式図である。２層以上の媒体はこのようにして製作した。一例として３層媒体を示す。
【００８７】
まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板３０上に、膜厚約８０ｎｍのＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜からなるＬ２反射層２９上に膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約５ｎｍのＣｒ２Ｏ３からなるＬ２上部保護層２８、膜厚約１８ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ２記録膜２７、膜厚約５ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ２下部保護層２６を順次形成したものである。
【００８８】
その後、紫外線硬化樹脂を用いてトラッキング用の溝をスタンパから転写するフォトポリメリゼーション法（２Ｐ法）によって表面にトラッキング用の溝を有するＬ１−Ｌ２間スペーサ層２５を形成した。 この上に、Ｌ１を形成した。Ｌ１−Ｌ２間スペーサ層２５上に、膜厚約５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ１最上部保護層２４、膜厚約３５ｎｍの（Ａｌ２Ｏ３）膜よりなるＬ１透明反射層２３、膜厚約１２０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜からなるＬ１上部保護層２２、膜厚約５ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ１記録膜２１、膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるL１下部保護層２０、を順次形成した。
【００８９】
次に先ほどと同様の２Ｐ法によりＬ０−Ｌ１間スペーサ層１９を形成した。
【００９０】
Ｌ０−Ｌ１間スペーサ層１９上に膜厚約５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０最上部保護層１８、膜厚約３５ｎｍの（Ａｌ２Ｏ３）膜よりなるＬ０透明反射層１７、膜厚約１２０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜からなるＬ０上部保護層１６、膜厚約４ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ０記録膜３、膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０下部保護層１５、膜厚約２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０最上部保護層１４を順次形成した。最後に基板１３を貼り併せた。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして多層ディスク部材を得た。初期化及び、記録・再生方法は実施例１と同様である。このように、片側３層以上にして記録・再生することが可能である。
【実施例４】
【００９１】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例１の情報記録媒体の基板１の板厚０．５７５〜０．５９６ｍｍの範囲で板厚のみ変えた多層情報記録媒体を作製した。（ディスクＥ１〜Ｅ８）
（基板板厚依存性）
本実施例の情報記録媒体（ディスクＥ１〜Ｅ８）の各レイヤーに３Ｔｗの記録信号を記録し、Ｓ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を測定した。この結果を表４に示す。
【表４】
【００９２】
このように、基板の板厚が厚すぎるとフォーカスがずれるためＬ１のＳ／Ｎが下がり、板厚が薄すぎるとフォーカスがずれＬ０のＳ／Ｎが下がる。したがって、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生した場合、エラーせずに信号が再生できるため多層情報記録媒体の基板厚は０．５７８ｍｍ以上０．５９２以下が好ましいことがわかった。さらに環境温度の変動にも適用できるレベルで再生できることから、基板厚さが０．５８ｍｍ以上０．５９ｍｍ以下がより好ましい。また、レーザ波長が６６０ｎｍより短いため、板厚許容量が小さくなっている。従って、最大厚さと最小厚さの差が０．０１４ｍｍ以下であることが好ましく、０．０１ｍｍ以下であることがより好ましい。
【００９３】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜３、実施例５と同様である。
【実施例５】
【００９４】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例１の情報記録媒体のスペーサ層７の厚さを１０〜３１μｍの範囲でスペーサ層厚のみ変えた多層情報記録媒体を作製した。（ディスクＦ１〜Ｆ８）
（基板板厚依存性）
本実施例の情報記録媒体（ディスクＦ１〜Ｆ８）の各レイヤーに３Ｔｗの記録信号を記録し、Ｓ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を測定した。この結果を表５に示す。
【表５】
【００９５】
このように、スペーサ層厚が厚すぎるとフォーカスがずれるためＬ１のＳ／Ｎが下がり、スペーサ層厚が薄すぎるとフォーカスがずれＬ０のＳ／Ｎが下がる。したがって、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生した場合、エラーせずに信号が再生できるため多層情報記録媒体のスペーサ層厚は１３μｍ以上２７μｍ以下が好ましいことがわかった。さらに環境温度の変動にも適用できるレベルで再生できることから、スペーサ層厚は１５μｍ以上２５μｍ以下がより好ましい。また、レーザ波長が６６０ｎｍより短いため、スペーサ層厚許容量が小さくなっている。従って、最大厚さと最小厚さの差が１４μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましい。
【００９６】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜４と同様である。
【実施例６】
【００９７】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例１の情報記録媒体の基板１の板厚を０．０９４ｍｍ、スペーサ層７の厚さを９μｍに変えた多層情報記録媒体を作製した。本媒体の作製方法は、実施例３に記載したように保護基板側からＬ１膜を積層し、次にスペーサ層を２Ｐ法にて作製した後、Ｌ０膜を積層、基板１を形成した。基板１の形成方法は、スピンコート、２Ｐ法のいずれか１つ、これらの組み合わせ、また別の方法でもよい。板厚が実施例７の範囲にあることと好ましい。板厚がずれた場合はＳ／Ｎが悪くなるが、記録・再生は可能であった。
【００９８】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜３、７〜８と同様である。
【実施例７】
【００９９】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例１の情報記録媒体の基板１の板厚を０．０９１〜０．０９７ｍｍの範囲で板厚のみ変えた多層情報記録媒体を作製した。（ディスクＨ１〜Ｈ８）
（基板板厚依存性）
本実施例の情報記録媒体（ディスクＨ１〜Ｈ８）の各レイヤーに３Ｔｗの記録信号を記録し、Ｓ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を測定した。この結果を表６に示す。
【表６】
【０１００】
このように、基板の板厚が厚すぎるとフォーカスがずれるためＬ１のＳ／Ｎが下がり、板厚が薄すぎるとフォーカスがずれＬ０のＳ／Ｎが下がる。したがって、ＮＡ０．８５の光学系で記録・再生した場合、エラーせずに信号が再生できるため多層情報記録媒体の基板厚は０．０９１ｍｍ以上０．０９７ｍｍ以下が好ましいことがわかった。さらに環境温度の変動にも適用できるレベルで再生できることから、基板厚さが０．０９２ｍｍ以上０．０９６ｍｍ以下がより好ましい。また、レーザ波長が６６０ｎｍより短いため、板厚許容量が小さくなっている。従って、最大厚さと最小厚さの差が０．００６ｍｍ以下であることが好ましく、０．００４ｍｍ以下であることがより好ましい。
【０１０１】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜３、実施例６、８と同様である。
【実施例８】
【０１０２】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例６の情報記録媒体のスペーサ層７の厚さを７〜１３μｍの範囲でスペーサ層厚のみ変えた多層情報記録媒体を作製した。（ディスクＪ１〜Ｊ８）
（基板板厚依存性）本実施例の情報記録媒体（ディスクＪ１〜Ｊ８）の各レイヤーに３Ｔｗの記録信号を記録し、Ｓ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を測定した。この結果を表７に示す。
【表７】
【０１０３】
このように、スペーサ層厚が厚すぎるとフォーカスがずれるためＬ１のＳ／Ｎが下がり、スペーサ層厚が薄すぎるとフォーカスがずれＬ０のＳ／Ｎが下がる。したがって、ＮＡ０．８５の光学系で記録・再生した場合、エラーせずに信号が再生できるため多層情報記録媒体のスペーサ層厚は７μｍ以上１３μｍ以下が好ましいことがわかった。さらに環境温度の変動にも適用できるレベルで再生できることから、スペーサ層厚は８μｍ以上１２μｍ以下がより好ましい。また、レーザ波長が６６０ｎｍより短いため、スペーサ層厚許容量が小さくなっている。従って、最大厚さと最小厚さの差が６μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以下であることがより好ましい。
【０１０４】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜３、６〜７と同様である。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明による情報記録媒体の一例の断面模式図。
【図２】従来構造の情報記録媒体の断面模式図。
【図３】本発明の情報記録媒体の記録・再生特性評価に用いた記録波形を示す図。
【図４】本発明による情報記録媒体の他の例を示す断面模式図。
【図５】本発明による情報記録媒体の他の例を示す断面模式図。
【符号の説明】
【０１０６】
１，１′ 基板
２，２′ 下部保護層
３，３′ 記録膜
４，４′ 上部保護層
５，５′ 冷却制御層
６，６′ 反射層
７ 貼り合わせ樹脂
８，８′ コントラスト拡大層
１４ 基板
Ｔ ウインド幅（Ｔｗ）
Ｐｃ クーリングパルスパワーレベル
Ｐｅ 中間パワーレベル
Ｐｈ 高パワーレベル
Ｐｐ プリヒートパワーレベル
Ｐ１ パワーが０のレベル
Ｔｃ クーリングパルス幅
Ｔｐ 第１パルス幅
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクに用いられる情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光を照射して薄膜（記録膜）に情報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜材料の相変化（相転移とも呼ばれる）やフォトダークニングなど、レーザ光の照射による原子配列変化を利用するものは、薄膜の変形をほとんど伴わないため、２枚のディスク部材を直接貼り合わせて両面ディスク構造情報記録媒体、または複数の情報面を有する多層構造情報記録媒体が得られるという長所を持つ。
【０００３】
通常の光ディスクでは、波長が６６０ｎｍ付近の一般に赤色レーザと言われている光源を用いている。これら情報記録媒体は基板上に下部保護層、ＧｅＳｂＴｅ系等の記録膜、ＺｎＳ−ＳｉＯ2系上部保護層、Ａｌなど反射率の大きい反射層を順に積層した構造を有している。記録容量を上げる方法はいくつかあるが、６６０ｎｍ付近の波長より短波長の光源を使用する方法や多層構造にする方法などが提案されている。ＯＤＳ／ＩＳＯＭ‘９９予稿集第１１０頁（文献１）に波長４００ｎｍ付近用の２層情報記録媒体が示されている。この媒体では光入射側に反射層を持たない第１の情報面と光から遠い側にＡｌ合金反射層を持つ第２の情報面を有する。しかし、このデータは計算結果のみで記録・再生した場合に生じるコントラストが小さい点の改良については示されていない。また、同様な波長４００ｎｍ付近用の２層情報記録媒体がＰＣＯＳ’９９講演予稿集２２頁（文献２）に開示されているが、この媒体も同様に光入射側に反射層を持たない第１の情報面をもつ。
【０００４】
また、特開平１０−２９３９４２号には、透明下部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護膜、透明型反射膜または透明干渉膜からなる相変化型記録媒体を複数層設けることが記載されている。
【０００５】
なお、波長４００ｎｍ付近の短波長のレーザは一般に、長波長の赤色レーザと対比させて青色、青緑色、青紫色、緑色レーザなどと呼ばれているが本明細書中では、まとめて青色レーザと呼ぶ。
【０００６】
本明細書では、結晶−非晶質間の相変化ばかりでなく、融解（液相への変化）と再結晶化、結晶状態−結晶状態間の相変化も含むものとして「相変化」及び「原子配列変化」という用語を使用する。また、マークエッジ記録とは、記録マークのエッジ部分を信号の“１”に、マーク間およびマーク内を信号の“０”に対応させた記録方式のことをいう。本明細書において光ディスクとは、光の照射によって再生できる情報が記載された円板（ディスク）、及び／または光の照射によって情報の再生を行う装置をいう。
【非特許文献１】ＯＤＳ／ＩＳＯＭ‘９９予稿集第１１０頁
【非特許文献２】ＰＣＯＳ’９９講演予稿集２２頁
【特許文献１】特開平１０−２９３９４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の多層情報記録媒体はいずれも、青色レーザを用いた高密度の書き換え可能な相変化型の多層情報記録媒体として用いる場合、コントラストが小さいという問題を有している。
【０００８】
また、特開平１０−２９３９４２号では、透明反射層の透過率について思想がない。
【０００９】
そこで、この発明の目的は、青色レーザで記録・再生を行った場合のコントラストを改善し、良好な再生特性を持つ多層情報記録用媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、前記課題を解決するため、第１に、情報記録媒体を、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下であるという構成にした。
【００１１】
第２に、情報記録媒体を、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であるという構成にした。
【００１２】
第３に、情報記録媒体を、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下で、前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であるという構成にした。
【００１３】
第４に、情報記録媒体を、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下であるという構成にした。
【００１４】
第５に、情報記録媒体を、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であるという構成にした。
【００１５】
第６に、情報記録媒体を、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下で、前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であるという構成にした。
【００１６】
第７に、前記第１乃至第６のいずれかの構成を有する情報記録媒体において、前記記録膜の膜厚が４ｎｍ以上２５ｎｍ以下であるという構成にした。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると良好な記録・再生特性を有する情報記録媒体が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
【実施例１】
【００１９】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図１は、本発明の第１実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造を示す模式図である。この媒体は次のようにして製作した。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板１上に、膜厚約３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜を積層してなるＬ０下部保護層２、膜厚約６ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８Ｌ０記録膜３、膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜を積層してなるＬ０上部保護層４、膜厚約３５ｎｍの（Ａｌ２Ｏ３）膜よりなるＬ０透明反射層５、膜厚約５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０最上部保護層６を順次形成した。上記のような層４，５，６多層積層によって生じる光学干渉を用いて透明な反射層を得る。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００２０】
他方、同様のスパッタリング方法により、第１のディスク部材と異なる構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、ポリカーボネイト保護基板１２上に、膜厚約８０ｎｍのＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜からなるＬ１反射層１１上に膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約５ｎｍのＣｒ２Ｏ３を積層してなるＬ１上部保護層１０、膜厚約１８ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８Ｌ１記録膜９、膜厚約５ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜を積層してなるＬ１下部保護層８を順次形成したものである。
【００２１】
その後、前記第１のディスク部材と第２のディスク部材をそれぞれのＬ０最上部保護層６とＬ１下部保護層８をスペーサ層７を介して貼り合わせ、図１に示す２層情報記録媒体（ディスクＡ）を得た。
【００２２】
各情報面は光入射側の構成膜（Ｌ０下部保護層２からＬ０最上部保護層６まで）をＬ０、光から遠い方の構成膜（Ｌ１下部保護層８からＬ１反射層１１まで）をＬ１とした。
【００２３】
（従来型の情報記録媒体の構成、製法）
透明反射層の効果を明らかにするため、透明反射層を持たないディスク状情報記録媒体を作製した。図２は、この媒体の断面構造を示す模式図である。
【００２４】
この媒体は次のようにして製作した。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．５８５ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板１上に、膜厚約３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜からなるＬ０下部保護層２、膜厚約６ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ０記録膜３、膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０上部保護層４を順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００２５】
他方、同様のスパッタリング方法により、第１のディスク部材と異なる構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、ポリカーボネイト保護基板１２上に、膜厚約８０ｎｍのＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜からなるＬ１反射層１１上に膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約５ｎｍのＣｒ２Ｏ３からなるＬ１上部保護層１０、膜厚約１８ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ１記録膜９、膜厚約５ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ１下部保護層８を順次形成したものである。
【００２６】
その後、前記第１のディスク部材と第２のディスク部材をそれぞれのＬ０上部保護層４とＬ１下部保護層８をスペーサー層７を介して貼り合わせ、図２に示す情報記録媒体（ディスクＢ）を得た。
【００２７】
（初期結晶化）
前記のようにして製作したディスクＡとディスクＢのＬ０記録膜３に、次のようにして初期結晶化を行った。なお、以下ではＬ０記録膜３、Ｌ１記録膜９についてのみ説明するが、この他の多層媒体の記録膜についても全く同様である。
【００２８】
媒体（ディスクＡ，ディスクＢ）を記録トラック上の点の線速度が５ｍ／ｓであるように回転させ、波長約８１０ｎｍの半導体レーザのレーザパワーを３００ｍＷにしてＬ１の記録膜にフォーカスした後、レーザパワーを７００ｍＷにして、基板１およびＬ０膜、スペーサー層を通して記録膜９に媒体の半径方向に長い長円形のスポット形状で照射した。スポットの移動は、媒体の１回転につき媒体の半径方向のスポット長の１／２４ずつずらした。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は１回でもよいが３回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。この初期結晶化は高速で行える利点がある。
【００２９】
次ぎに波長約８１０ｎｍの半導体レーザのレーザパワーを３００ｍＷにしてレーザのフォーカス位置を変えてＬ０の記録膜にフォーカスした後、レーザパワーを７００ｍＷにして、基板１を通して記録膜３に媒体の半径方向に長い長円形のスポット形状で照射した。スポットの移動は、媒体の１回転につき媒体の半径方向のスポット長の１／２４ずつずらした。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は１回でもよいが３回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。この初期結晶化は高速で行える利点がある。
【００３０】
初期化の順序はＬ１記録膜から行ってもＬ０記録膜から行っても、また３層以上の多層情報記録媒体においてはランダムに行っても良い。
【００３１】
（記録・消去・再生）
前記のようにして製作し、初期結晶化を行った媒体について、次ぎのように記録・消去・再生特定の評価を行った。なお、以下ではＬ１の記録膜９についてのみ説明するが、Ｌ０の記録膜３についても全く同様であり、また３層以上の多層情報記録媒体においてのそれぞれの情報面の記録膜についても同様である。
【００３２】
初期結晶化が完了した記録膜９の記録領域にトラッキングと自動焦点合わせを行いながら、記録用レーザ光のパワーを中間パワーレベルＰｅ（３ｍＷ）と高パワーレベルＰｈ（７ｍＷ）との間で変化させて情報の記録を行った。記録トラックの線速度は９ｍ／ｓ、半導体レーザ波長は４０５ｎｍ、レンズの開口数（ＮＡ）は０．６５である。記録用レーザ光により記録領域に形成される非晶質またはそれに近い部分が記録点となる。この媒体の反射率は結晶状態の方が高く、記録され非晶質状態になった領域の反射率が低くなっている。
【００３３】
記録用レーザ光の高レベルと中間レベルのパワー比は１：０．３〜１：０．７の範囲が好ましい。また、この他に短時間ずつ他のパワーレベルにしてもよい。図３に示したように、１つの記録マークの形成中にウインドウ幅の半分（Ｔｗ／２）ずつ中間パワーレベルＰｅより低いボトムパワーレベルＰｂまでパワーを繰り返し下げ、かつクーリングパワーレベルＰｃを記録パルスの最後に持つ波形を生成する手段を持った装置で記録・再生を行うと、再生信号波形のジッター値およびエラーレートが低減した。クーリングパワーレベルＰｃは中間パワーレベルＰｅより低く、ボトムパワーレベルＰｂより高いか同じレベルである。この波形は、第１パルス幅Ｔｐが記録マークとそのマークの直前に設けられたスペースの長さの組み合わせによって変化する特徴とクーリングパルス幅Ｔｃ（記録パルスの最後にＰｃレベルまで下げる時間幅）が記録マークとそのマークの後続スペース長の組み合わせにより決まる特徴を持つ。マーク直前のスペース長が短く、マークが長いほどＴｐは短くなり、マーク直前のスペース長が長く、マークが短いほどＴｐは長くなる。ただし、媒体の構造によっては６Ｔｗマークの記録用記録波形のＴｐを特に長くした場合、ジッター低減効果が大きかった。また、後続のスペース長が長く、マークが長いほど、Ｔｃは短くなり、後続のスペース長が短く、マークが短いほど、Ｔｃは長くなる。
【００３４】
図３には３Ｔｗ，４Ｔｗ，６Ｔｗ，１１Ｔｗの記録波形しか示していないが、５Ｔｗは６Ｔｗの記録波形の一連の高いパワーレベルのパルス列のうち、Ｔｗ／２の高いパワーレベルＰｈと直後のＴｗ／２のボトムパワーレベルＰｂをそれぞれ一つずつ削減したものである。また、７Ｔｗ〜１０Ｔｗ用記録波形は６Ｔｗ用記録波形の最後尾の高いパワーレベルのパルスの直前に、Ｔｗ／２の高いパワーレベルＰｈとＴｗ／２のボトムパワーレベルＰｂを、それぞれ１組ずつ追加したものである。したがって、５組追加したものが１１Ｔｗである。
【００３５】
ここでは、３Ｔｗに対応する最短記録マーク長を０．２６μｍとした。記録すべき部分を通り過ぎると、レーザ光パワーを再生（読み出し）用レーザ光の低パワーレベルＰｒ（１ｍＷ）に下げるようにした。
【００３６】
このような記録方法では、既に情報が記録されている部分に対して消去することなく、重ね書きによって新たな情報を記録すれば、新たな情報に書き換えられる。すなわち、単一のほぼ円形の光スポットによるオーバーライトが可能である。
【００３７】
しかし、書き換え時の最初のディスク１回転または複数回転で、前記のパワー変調した記録用レーザ光の中間パワーレベル（３ｍＷ）またはそれに近いパワーの連続光を照射して、記録されている情報を一たん消去し、その後、次の１回転でボトムパワーレベル（０．５ｍＷ）と高パワーレベル（７ｍＷ）の間で、または中間パワーレベル（３ｍＷ）と高パワーレベル（７ｍＷ）との間で、情報信号に従ってパワー変調したレーザ光を照射して記録するようにしてもよい。このように、情報を消去してから記録するようにすれば、前に書かれていた情報の消え残りが少ない。従って、線速度を２倍に上げた場合の書き換えも、容易になる。
【００３８】
（透明反射層の効果）
本実施例記載の透明反射層を持つ図１に記載の情報記録媒体（ディスクＡ）および透明反射層を持たない図２に記載の従来の情報記録媒体（ディスクＢ）のＬ０について比較した。初回記録時の最短記録信号（３Ｔｗ）のＣ／Ｎ（搬送波対雑音比）について比べたところ、ディスクＡでは５０ｄＢのＣ／Ｎがあったが、ディスクＢではＣ／Ｎが小さく４６ｄＢであった。ディスクＡでＣ／Ｎが大きくなったのは、透明反射層を設けることにより記録膜と透明反射層との間での干渉を利用することが出来、信号振幅が大きくなったためである。
【００３９】
（透明反射層の光学特性）
透明反射層５の光学特性依存性を測定した。光学特性を変化させた複数の媒体を作成した。最短記録マーク３Ｔｗと３Ｔスペースの繰り返し信号を記録した際のＣ／Ｎを測定した。結果を表１に示す。透明反射層の組成が変わると透明反射層の消衰係数が変化し、反射層での吸収量が多くなるため、透過率一定とした時の反射率差が小さくなり、Ｃ／Ｎ（ｄＢ）が低下した。った。これより、透明反射層の消衰係数は、小さいことが好ましいことがわかる。実用レベルでＣ／Ｎを確保するには４８ｄＢ以上必要であるため、透明反射層の消衰係数０．５以下であることが好ましい。また、レーザの環境温度変動による劣化を考慮した場合には、Ｃ／Ｎが４９ｄＢ以上必要であるため、透明反射層の消衰係数は０．３ 以下であることがより好ましい。また、透明反射層の反射率は５％以上５０％以下であることが望ましい。
【表１】
【００４０】
次に透明反射層５の屈折率依存性を測定した。これを、表２に示す。透明反射層の屈折率ｎが変わると上部保護層と透明反射層の光干渉量が変わるため、透過率一定とした時の反射率差がかわる。ここで、反射率差とは、媒体における、記録膜の結晶状態と非結晶状態、つまり未記録状態と記録状態との反射率の差をいう。
【表２】
【００４１】
これより、透明反射層の屈折率は、実用レベルの反射率差を確保するには４％以上必要であるため、透明反射層の屈折率２．２以下または２．５以上であることが好ましい。また、レーザの環境温度変動による劣化を考慮した場合には、反射率差が５％以上必要であるため、透明反射層の屈折率は２．０ 以下または２．６以上であることがより好ましい。
【００４２】
さらに上部保護層の屈折率（２．３５）との差が大きい方が好ましいことがわかる。上部保護層の屈折率と透明反射層の屈折率の差が０．１５以上であることが好ましい。また、レーザの環境温度変動による劣化を考慮した場合には、上部保護層の屈折率と透明反射層の屈折率の差が０．２５以上であることがより好ましい。
【００４３】
透明反射層膜厚及び上部保護層膜厚及び最上部保護層膜厚は、反射率差が大きくとれるように決定することがＣ／Ｎが大きくなり好ましい。この膜厚は上部保護層が８０〜１６０ｎｍが好ましく、１００〜１４０ｎｍがより好ましい。透明反射層と最上部保護層膜厚は、透明反射層と最上部保護層膜厚の合計が５０〜１３０ｎｍが好ましく、７０〜１１０ｎｍがより好ましい。
【００４４】
干渉を利用するためには、透明反射層膜厚の最低膜厚は５ｎｍ以上にすることが好ましく、１０ｎｍ以上だとより好ましい。
【００４５】
透明反射層材料は、ＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，ＣｒＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）などの窒化物が好ましい。これら化合物における元素比は、例えば酸化物や硫化物における金属元素と酸素元素あるいは硫黄元素の比は、Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３は２：３、ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＧｅＯ２は１：２、Ｔａ２Ｏ５は２：５、ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが、その比から外れていても同様の効果は得られる。しかし、上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ２Ｏ３からＡｌ量で±１０原子％以下、Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ２からＳｉ量で±１０原子％以下等、金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
【００４６】
この他上記光学特性を持つ材料も使用可能である。透明反射層材料中の不純物元素が５原子％を超えると１万回以上の多数回オーバーライト時のジッター上昇が５％以上になることがわかった。したがって、透明反射層材料中の不純物元素が透明反射層成分の５原子％以下が書き換え特性の劣化を少なく出来、好ましい。２原子％以下であるとさらに好ましい。
【００４７】
（下部保護層）
本実施例では、Ｌ１下部保護層８を（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０とＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３層の２層構造としている。また、Ｌ０下部保護層２を（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜を積層した３層構造としている。２層構造をとる下部保護層２、８の（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０に代わる材料としては、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合比を変えたものが好ましい。また、ＺｎＳ，Ｓｉ−Ｎ系材料、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料、ＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ２Ｓ３，ＣｄＳ，Ｉｎ２Ｓ３，Ｇａ２Ｓ３，ＧｅＳ，ＳｎＳ２，ＰｂＳ，Ｂｉ２Ｓ３などの硫化物、ＳｎＳｅ２，Ｓｂ２Ｓｅ３，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ２Ｓｅ３，Ｇａ２Ｓｅ３，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ２，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ２Ｓｅ３などのセレン化物、ＣｅＦ３，ＭｇＦ２，ＣａＦ２などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ２，Ｂ４Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、ＺｎＳ−ＳｉＯ２，ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３など、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。この中で、ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが６０ｍｏｌ％以上を占めると成膜時間を短くできるため、これを６０ｍｏｌ％以上含む混合物の場合、ＺｎＳのスパッタレートが大きい点と酸化物や窒化物等の化学安定性の良い点が組み合わされる。この他の硫化物、セレン化物でもＺｎＳに近い特性が得られた。
【００４８】
これら化合物における元素比は、例えば酸化物や硫化物における金属元素と酸素元素あるいは硫黄元素の比は、Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３は２：３、ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＧｅＯ２は１：２、Ｔａ２Ｏ５は２：５、ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが、その比から外れていても同様の効果は得られる。しかし、上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ２Ｏ３からＡｌ量で±１０原子％以下、Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ２からＳｉ量で±１０原子％以下等、金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
【００４９】
上記材料は、下部保護層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると、書き換え可能回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
【００５０】
本実施例で用いた下部保護層の消衰係数ｋについては０または０に近いことが好ましい。さらに、下部保護層材料の８０％以上の膜厚において消衰係数ｋがｋ≦０．０１であれば、コントラストの低下が２％以下に抑制でき好ましい。
【００５１】
下部保護層を２層以上にし、記録膜側の下部保護層材料をＣｒ２Ｏ３またはＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３すると、多数回書き換え時に記録膜へＺｎ，Ｓの拡散を抑制でき、書き換え特性が良好であることがわかった。記録膜側の下部保護層材料のＣｒ２Ｏ３に代わる材料としては、Ｃｒ２Ｏ３にＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３を混合した混合物が好ましい。次いで、ＣｏＯまたはＧｅＯ２，ＮｉＯ、これらとＣｒ２Ｏ３の混合物が好ましい。これら酸化物は消衰係数ｋが小さく、下部界面層における吸収が非常に小さい。そのため、変調度が大きく保てるという利点がある。
【００５２】
また、Ｃｒ２Ｏ３またはＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３の一部をＡｌ２Ｏ３またはＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３に変えると、記録膜以外での吸収が減り透過率が大きくできるため、Ｌ０層でＣ／Ｎが大きく出来てこのましい。Ａｌ２Ｏ３またはＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３の代りにＳｉＯ２またはＳｉ３３Ｏ６３Ｎ４など、またこれらの窒素と酸素量の比が異なるものを用いても同様な特性が得られた。
【００５３】
また、ＡｌＮ，ＢＮ，ＣｒＮ，Ｃｒ2Ｎ，ＧｅＮ，ＨｆＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）、Ｓｉ−Ｎ系材料、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料、ＴａＮ，ＴｉＮ，ＺｒＮ，などの窒化物は保存寿命が大きくなり、外界温度変化に強く、より好ましい。窒素が含まれた記録膜組成またはそれに近い組成の材料でも接着力が向上する。
【００５４】
その他、ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＣｕＯ，ＣｄＯ，Ｄｙ２Ｏ３，ＦｅＯ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＨｆＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＭｎＯ，ＭｏＯ２，ＭｏＯ３，ＮｂＯ，ＮｂＯ２，ＰｂＯ，ＰｄＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，Ｓｃ２Ｏ３，ＳｒＯ，ＴｈＯ２，ＴｉＯ２，Ｔｉ２Ｏ３，ＴｉＯ，ＴｅＯ２，ＶＯ，Ｖ２Ｏ３，ＶＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３などの酸化物、Ｃ，Ｃｒ３Ｃ２，Ｃｒ２３Ｃ６，Ｃｒ７Ｃ３，Ｆｅ３Ｃ，Ｍｏ２Ｃ，ＷＣ，Ｗ２Ｃ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＣａＣ２などの炭化物または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよいし、これらの混合材料でもよい。
【００５５】
下部保護層の記録膜側に酸化物または窒化物の層を設けた場合は、Ｚｎ，Ｓ等の記録膜中への拡散が防止でき、消え残りが増加するのを抑制できる。さらに、記録感度を低下させないためには、２５ｎｍ以下とすることが好ましく、１０ｎｍ以下ではより好ましかった。均一な膜形成ができるのは約２ｎｍ以上であり、５ｎｍ以上がさらに良好であった。これより、記録膜側の下部保護層膜厚を２〜２５ｎｍとすると記録・再生特性がより良くなり、好ましい。未満の場合、再結晶化のためにＣ／Ｎが低下した。また、下部保護層膜厚が１０ｎｍ未満の場合、記録膜の保護効果がなくなるため、書き換え可能回数が１桁以上低下した。下部保護層と記載したものは、Ｌ０下部保護層、Ｌ１下部保護層、さらに多層情報記録媒体の下部保護層を意味する。
【００５６】
（記録膜）
本実施例では、記録膜３、記録膜９をＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８により形成している。本記録膜の再生波長における屈折率は、結晶状態が２．０、非晶質状態が２．６と、結晶状態の方が小さい。
【００５７】
Ｇｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８に代わる記録膜３，９の材料としては、Ａｇ３Ｇｅ３０Ｓｂ１４Ｔｅ５３，Ｃｒ３Ｇｅ３２Ｓｂ１３Ｔｅ５２等、Ａｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｃｒ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料で組成比の異なるものが変調度が大きくなり好ましい。記録膜３および／または記録膜９中のＡｇ量やＣｒ量が多いと短波長での反射率変化が大きくなるが、結晶化速度は遅くなる。従って、添加されるＡｇ量またはＣｒ量が２原子％以上、１０原子％以下が好ましい。しかし、Ａｇの添加されていないＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料でもオーバーライトは可能である。Ａｇの代わりに記録膜３，９へ添加する元素としては、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｂｉのいずれかのうちの少なくとも一つで置き換えても、オーバーライト特性が良好であることがわかった。これらの記録膜３，９材料は全て、再生波長における屈折率は結晶状態の方が非晶質状態より小さい。
【００５８】
本実施例で記録膜９の膜厚を変化させ、１０回書き換え後および１０万回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ、表３のようになった。記録膜９の膜厚（ｎｍ）に対し、１０回書き換え後については前エッジまたは後エッジのジッターの悪い方の値（％）を、１万回書き換え後については前エッジのジッター値（％）を示した。
【表３】
【００５９】
これより、記録膜９の膜厚を薄くすると記録膜流動や偏析による、１０回書き換え後のジッターが増加し、また厚くすると、１万回書き換え後のジッターが増加することがわかった。これより、記録膜９の膜厚は４ｎｍ以上、２５ｎｍ以下がジッターを２０％以下にでき好ましく、５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であればジッターを１５％以下に出来より好ましい。
【００６０】
記録膜３の膜厚および、１〜Ｎ−１情報面（レイヤー）における記録膜膜厚については、前記情報面の記録膜膜厚が情報面１≦情報面２≦…≦情報面Ｎ−１≦情報面Ｎの関係にあると各情報面において記録・再生可能となるため好ましい。さらに、光入射側の基板より１からＮ−１番めの情報面用記録膜の合計膜厚が１０ｎｍ以下であると、Ｎ番めの情報面のＣ／Ｎが４８ｄＢ以上と大きくでき好ましい。上記合計膜厚が８ｎｍ以下になるとＮ番めの情報面のＣ／Ｎが４９ｄＢ以上と大きくできより好ましい。
【００６１】
（上部保護層）
本実施例では、上部保護層１０をＺｎＳ−ＳｉＯ２とＣｒ４０Ｏ６０により形成した。また、Ｌ０上部保護層４を（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ６０膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ６０膜を積層した３層構造としている。
【００６２】
ＺｎＳ−ＳｉＯ２に代わる上部保護層の材料としては、Ｓｉ−Ｎ系材料、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料、ＺｎＳ，ＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ２Ｓ３，ＣｄＳ，Ｉｎ２Ｓ３，Ｇａ２Ｓ３，ＧｅＳ，ＳｎＳ２，ＰｂＳ，Ｂｉ２Ｓ３などの硫化物、ＳｎＳｅ２，Ｓｂ２Ｓｅ３，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ２Ｓｅ３，Ｇａ２Ｓｅ３，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ２，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ２Ｓｅ３などのセレン化物、ＣｅＦ３，ＭｇＦ２，ＣａＦ２などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ２，Ｂ４Ｃ，Ｂ，Ｃまたは、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、ＺｎＳ−ＳｉＯ２，ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３などこれらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。消衰係数は０または０に近いことが好ましい。
【００６３】
これら化合物における元素比は、例えば酸化物あるいは硫化物における金属元素と酸素元素あるいは硫黄元素の比は、Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３は２：３、ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＧｅＯ２は１：２、Ｔａ２Ｏ５は２：５、ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが、その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ２Ｏ３からＡｌ量で±１０原子％以下、Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ２からＳｉ量で±１０原子％以下等、金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
【００６４】
上記材料は、上部保護層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると、書き換え可能回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
【００６５】
上部保護層を２層以上にし、記録膜側の上部保護層材料をＣｒ２Ｏ３にすると、多数回書き換え時に記録膜へＺｎ，Ｓの拡散を抑制でき、書き換え特性が良好になることがわかった。
【００６６】
さらにその一部をＡｌ２Ｏ３，またはＳｉＯ２に変えるとコントラストが大きく出来て好ましいことがわかった。
【００６７】
上部保護層と記載したものは、Ｌ０上部保護層、Ｌ１上部保護層、さらに多層情報記録媒体の上部保護層を意味する。
【００６８】
（反射層）
本実施例では反射層１１にＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜を用いた。他の反射層の材料としては、Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ａｕ等、Ａｇ合金を主成分とするものが好ましい。Ａｇも使用可能である。Ａｇ合金中のＡｇ以外の元素の含有量を０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良好になり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良好になることがわかった。
【００６９】
また、Ｚｎ９８Ｐｄ２膜、Ｚｎ９８Ｐｔ２膜、Ｚｎ９８Ｃｕ２膜、Ｚｎ９８Ｎｉ２膜、Ｚｎ−Ｐｄ膜、Ｚｎ−Ｐｔ膜、Ｚｎ−Ｃｕ膜、Ｚｎ−Ｎｉ膜は、Ａｇ系材料に比べコストが安いという利点がある。Ｚｎも使用可能である。Ｚｎ合金中のＺｎ以外の元素の含有量は０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良好になり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良好になることがわかった。
【００７０】
次いで、Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金、上記以外のＡｇ合金、Ｃｕ合金、Ｐｄ合金、Ｐｔ合金などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよい。このように、反射層は、金属元素、半金属元素、これらの合金、混合物からなる。
【００７１】
この中で、Ａｇ，Ａｌ，Ａｌ合金、Ａｇ合金、等のように、反射率が大きいものは、コントラスト比が大きくなり書き換え特性が良好である。単体より合金の方が接着力が大きくなる。この場合の主成分となるＡｌ，Ａｇ等以外の元素の含有量はＡｇ合金同様に、０．５原子％以上５原子％以下の範囲にすると、コントラスト比が大きく、また接着力も大きくでき良好であった。１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良くなった。波長４００ｎｍ付近における反射率を比較するとＡｇまたはＡｇ合金は約９５％、Ａｌ，Ａｌ合金は約９２％と、Ａｇ系の方が大きいが、材料コストも大きい。これらに次ぐ材料としては、Ｚｎ，Ｚｎ合金が約８９％、Ｐｔ，Ｐｔ合金が約６５％と短波長における反射率が大きく、コントラストを大きく出来た。
【００７２】
上記材料は、反射層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると、書き換え可能回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
【００７３】
反射層膜厚が２０ｎｍより薄い場合、強度が弱く、熱拡散が小さく記録膜流動が起きやすいため、１万回書き換え後のジッターが１５％より大きくなる。３０ｎｍでは１５％まで低下できる。また、反射層膜厚が２００ｎｍより厚い場合、それぞれの反射層を作製する時間が長くなり、２工程以上に分ける、またはスパッタリング用の真空室を２室以上設ける等、形成時間が倍増した。また、反射層の膜厚が５ｎｍ以下だと島状に成膜され、ノイズが大きくなった。これより、反射層の膜厚はノイズ及びジッター、形成時間より、５ｎｍ以上、２００ｎｍ以下が好ましい。
【００７４】
（基板）
本実施例では、表面に直接、トラッキング用の溝を有するポリカーボネート基板１を用いているが、それに代えてポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよい。強化ガラスの代わりに石英やＣａＦを用いてもよい。
【００７５】
また、トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全てまたは一部に、記録・再生波長をλとしたとき、λ／１２ｎ′（ｎ′は基板材料の屈折率）以上の深さの溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割されていてもよい。溝深さが約λ／６ｎ′の時、クロストークが小さくなり好ましいことが分かった。さらに溝深さが約λ／３ｎ′より深い時、基板形成時の歩留まりは悪くなるが、クロスイレースが小さくなり好ましいことが分かった。
【００７６】
また、その溝幅は場所により異なっていてもよい。溝部の存在しない、サンプルサーボフォーマットの基板、他のトラッキング方式、その他のフォーマットによる基板等でも良い。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。トラックピッチの大きさが小さいと隣のトラックからの信号の漏れが検出されノイズとなるため、トラックピッチはスポット径（光強度が１／ｅ2となる領域）の１／２以上であることが好ましい。
【００７７】
ディスクサイズも直径１２ｃｍに限らず、１３ｃｍ、８ｃｍ、３．５インチ、２．５インチ等、他のサイズでも良い。ディスク厚さも０．６ｍｍに限らず、１．２ｍｍ、０．８ｍｍ、０．４ｍｍ、０．１ｍｍ等、他の厚さでも良い。
【００７８】
本実施例では、スペーサ層を介して貼り合わせているが、第２のディスク部材の代わりに別の構成のディスク部材、または保護用の基板などを用いてもよい。貼り合わせに用いるディスク部材または保護用の基板の図５のように保護基板側から形成して、最後に光入射側の基板１を形成するか、貼り合わせしてもよい。またこうして作製した２まいのディスクを貼り合わせて両面ディスクとしてもよい。紫外線波長領域における透過率が大きい場合、紫外線硬化樹脂によって貼り合わせを行うこともできる。その他の方法で貼り合わせを行ってもよい。また、第１および第２のディスク部材を貼り合わせる前に第１および第２のディスク部材の最上層上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布し、硬化後に貼り合わせを行うと、エラーレートをより低減できる。
【００７９】
（各層の膜厚、材料）
各層の膜厚、材料についてはそれぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記録・再生特性等が向上するが、それぞれの好ましい範囲を組み合わせることにより、さらに効果が上がる。
【実施例２】
【００８０】
（情報記録媒体の構成、製法）
図１の模式図に示した断面構造を有し、膜厚のみを相違させ、他は全て同じ条件とした情報記録媒体を製作した。この媒体は次のようにして製作した。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板１上に、膜厚約３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜からなるＬ０下部保護層２、膜厚約６ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ０記録膜３、膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０上部保護層４、膜厚約３５ｎｍの（Ａｌ２Ｏ３）膜よりなるＬ０透明反射層５、膜厚約５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０最上部保護層６を順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００８１】
他方、同様のスパッタリング方法により、第１のディスク部材と異なる構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、ポリカーボネイト保護基板１２上に、膜厚約８０ｎｍのＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜からなるＬ１反射層１１上に膜厚約１２０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約５ｎｍのＣｒ２Ｏ３からなるＬ１上部保護層１０、膜厚約１０ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ１記録膜９、膜厚約５ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約９５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ１下部保護層８を順次形成したものである。
【００８２】
その後、前記第１のディスク部材と第２のディスク部材をそれぞれのＬ０最上部保護層６とＬ１下部保護層８をスペーサ層７を介して貼り合わせ、図１に示す２層情報記録媒体（ディスクＡ）を得た。
【００８３】
各情報面は光入射側の構成膜（Ｌ０下部保護層２からＬ０最上部保護層６まで）をＬ０、光から遠い方の構成膜（Ｌ１下部保護層８からＬ１反射層１１まで）をＬ１とした。
【００８４】
これより、Ｌ１ディスクの反射率は、結晶状態の反射率が非晶質状態の反射率より低くなった。また下部保護層、記録膜、上部保護層の膜厚を変えると記録膜の吸収率比Ａｃ／Ａａ（Ａｃは結晶状態の記録膜における吸収、Ａａは非晶質状態の記録膜における吸収）を１．３倍に大きく出来実施例１に記載の多層情報記録媒体のＬ１に比べ、本実施例のＬ１はオーバーライト時のジッターを５％以上小さくできることがわかった。
【００８５】
Ｌ１下部保護層８膜厚の好ましい範囲は７０ｎｍ〜１４０ｎｍ，より好ましい範囲は８０ｎｍ〜１３０ｎｍである。Ｌ１上部保護層１０膜厚の好ましい範囲は９５ｎｍ〜１５５ｎｍ，より好ましい範囲は１０５ｎｍ〜１４５ｎｍである。Ｌ１記録膜９膜厚の好ましい範囲は実施例１に記載の通りである。
【実施例３】
【００８６】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図４は、本発明の多層ディスク状情報記録媒体の断面構造を示す模式図である。２層以上の媒体はこのようにして製作した。一例として３層媒体を示す。
【００８７】
まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板３０上に、膜厚約８０ｎｍのＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜からなるＬ２反射層２９上に膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約５ｎｍのＣｒ２Ｏ３からなるＬ２上部保護層２８、膜厚約１８ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ２記録膜２７、膜厚約５ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ２下部保護層２６を順次形成したものである。
【００８８】
その後、紫外線硬化樹脂を用いてトラッキング用の溝をスタンパから転写するフォトポリメリゼーション法（２Ｐ法）によって表面にトラッキング用の溝を有するＬ１−Ｌ２間スペーサ層２５を形成した。 この上に、Ｌ１を形成した。Ｌ１−Ｌ２間スペーサ層２５上に、膜厚約５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ１最上部保護層２４、膜厚約３５ｎｍの（Ａｌ２Ｏ３）膜よりなるＬ１透明反射層２３、膜厚約１２０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜からなるＬ１上部保護層２２、膜厚約５ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ１記録膜２１、膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるL１下部保護層２０、を順次形成した。
【００８９】
次に先ほどと同様の２Ｐ法によりＬ０−Ｌ１間スペーサ層１９を形成した。
【００９０】
Ｌ０−Ｌ１間スペーサ層１９上に膜厚約５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０最上部保護層１８、膜厚約３５ｎｍの（Ａｌ２Ｏ３）膜よりなるＬ０透明反射層１７、膜厚約１２０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜からなるＬ０上部保護層１６、膜厚約４ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ０記録膜３、膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０下部保護層１５、膜厚約２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０最上部保護層１４を順次形成した。最後に基板１３を貼り併せた。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして多層ディスク部材を得た。初期化及び、記録・再生方法は実施例１と同様である。このように、片側３層以上にして記録・再生することが可能である。
【実施例４】
【００９１】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例１の情報記録媒体の基板１の板厚０．５７５〜０．５９６ｍｍの範囲で板厚のみ変えた多層情報記録媒体を作製した。（ディスクＥ１〜Ｅ８）
（基板板厚依存性）
本実施例の情報記録媒体（ディスクＥ１〜Ｅ８）の各レイヤーに３Ｔｗの記録信号を記録し、Ｓ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を測定した。
【００９２】
基板の板厚が厚すぎるとフォーカスがずれるためＬ１のＳ／Ｎが下がり、板厚が薄すぎるとフォーカスがずれＬ０のＳ／Ｎが下がる。したがって、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生した場合、エラーせずに信号が再生できるため多層情報記録媒体の基板厚は０．５７８ｍｍ以上０．５９２以下が好ましいことがわかった。さらに環境温度の変動にも適用できるレベルで再生できることから、基板厚さが０．５８ｍｍ以上０．５９ｍｍ以下がより好ましい。また、レーザ波長が６６０ｎｍより短いため、板厚許容量が小さくなっている。従って、最大厚さと最小厚さの差が０．０１４ｍｍ以下であることが好ましく、０．０１ｍｍ以下であることがより好ましい。
【００９３】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜３、実施例５と同様である。
【実施例５】
【００９４】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例１の情報記録媒体のスペーサ層７の厚さを１０〜３１μｍの範囲でスペーサ層厚のみ変えた多層情報記録媒体を作製した。（ディスクＦ１〜Ｆ８）
（基板板厚依存性）
本実施例の情報記録媒体（ディスクＦ１〜Ｆ８）の各レイヤーに３Ｔｗの記録信号を記録し、Ｓ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を測定した。この結果を表４に示す。
【表４】
【００９５】
このように、スペーサ層厚が厚すぎるとフォーカスがずれるためＬ１のＳ／Ｎが下がり、スペーサ層厚が薄すぎるとフォーカスがずれＬ０のＳ／Ｎが下がる。したがって、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生した場合、エラーせずに信号が再生できるため多層情報記録媒体のスペーサ層厚は１３μｍ以上２７μｍ以下が好ましいことがわかった。さらに環境温度の変動にも適用できるレベルで再生できることから、スペーサ層厚は１５μｍ以上２５μｍ以下がより好ましい。また、レーザ波長が６６０ｎｍより短いため、スペーサ層厚許容量が小さくなっている。従って、最大厚さと最小厚さの差が１４μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましい。
【００９６】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜４と同様である。
【実施例６】
【００９７】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例１の情報記録媒体の基板１の板厚を０．０９４ｍｍ、スペーサ層７の厚さを９μｍに変えた多層情報記録媒体を作製した。本媒体の作製方法は、実施例３に記載したように保護基板側からＬ１膜を積層し、次にスペーサ層を２Ｐ法にて作製した後、Ｌ０膜を積層、基板１を形成した。基板１の形成方法は、スピンコート、２Ｐ法のいずれか１つ、これらの組み合わせ、また別の方法でもよい。板厚が実施例７の範囲にあることと好ましい。板厚がずれた場合はＳ／Ｎが悪くなるが、記録・再生は可能であった。
【００９８】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜３、７〜８と同様である。
【実施例７】
【００９９】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例１の情報記録媒体の基板１の板厚を０．０９１〜０．０９７ｍｍの範囲で板厚のみ変えた多層情報記録媒体を作製した。（ディスクＨ１〜Ｈ８）
（基板板厚依存性）
本実施例の情報記録媒体（ディスクＨ１〜Ｈ８）の各レイヤーに３Ｔｗの記録信号を記録し、Ｓ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を測定した。。
【０１００】
基板の板厚が厚すぎるとフォーカスがずれるためＬ１のＳ／Ｎが下がり、板厚が薄すぎるとフォーカスがずれＬ０のＳ／Ｎが下がる。したがって、ＮＡ０．８５の光学系で記録・再生した場合、エラーせずに信号が再生できるため多層情報記録媒体の基板厚は０．０９１ｍｍ以上０．０９７ｍｍ以下が好ましいことがわかった。さらに環境温度の変動にも適用できるレベルで再生できることから、基板厚さが０．０９２ｍｍ以上０．０９６ｍｍ以下がより好ましい。また、レーザ波長が６６０ｎｍより短いため、板厚許容量が小さくなっている。従って、最大厚さと最小厚さの差が０．００６ｍｍ以下であることが好ましく、０．００４ｍｍ以下であることがより好ましい。
【０１０１】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜３、実施例６、８と同様である。
【実施例８】
【０１０２】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例６の情報記録媒体のスペーサ層７の厚さを７〜１３μｍの範囲でスペーサ層厚のみ変えた多層情報記録媒体を作製した。（ディスクＪ１〜Ｊ８）
（基板板厚依存性）本実施例の情報記録媒体（ディスクＪ１〜Ｊ８）の各レイヤーに３Ｔｗの記録信号を記録し、Ｓ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を測定した。この結果を表５に示す。
【表５】
【０１０３】
このように、スペーサ層厚が厚すぎるとフォーカスがずれるためＬ１のＳ／Ｎが下がり、スペーサ層厚が薄すぎるとフォーカスがずれＬ０のＳ／Ｎが下がる。したがって、ＮＡ０．８５の光学系で記録・再生した場合、エラーせずに信号が再生できるため多層情報記録媒体のスペーサ層厚は７μｍ以上１３μｍ以下が好ましいことがわかった。さらに環境温度の変動にも適用できるレベルで再生できることから、スペーサ層厚は８μｍ以上１２μｍ以下がより好ましい。また、レーザ波長が６６０ｎｍより短いため、スペーサ層厚許容量が小さくなっている。従って、最大厚さと最小厚さの差が６μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以下であることがより好ましい。
【０１０４】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜３、６〜７と同様である。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明による情報記録媒体の一例の断面模式図。
【図２】従来構造の情報記録媒体の断面模式図。
【図３】本発明の情報記録媒体の記録・再生特性評価に用いた記録波形を示す図。
【図４】本発明による情報記録媒体の他の例を示す断面模式図。
【図５】本発明による情報記録媒体の他の例を示す断面模式図。
【符号の説明】
【０１０６】
１，１′ 基板
２，２′ 下部保護層
３，３′ 記録膜
４，４′ 上部保護層
５，５′ 冷却制御層
６，６′ 反射層
７ 貼り合わせ樹脂
８，８′ コントラスト拡大層
１４ 基板
Ｔ ウインド幅（Ｔｗ）
Ｐｃ クーリングパルスパワーレベル
Ｐｅ 中間パワーレベル
Ｐｈ 高パワーレベル
Ｐｐ プリヒートパワーレベル
Ｐ１ パワーが０のレベル
Ｔｃ クーリングパルス幅
Ｔｐ 第１パルス幅
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクに用いられる情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光を照射して薄膜（記録膜）に情報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜材料の相変化（相転移とも呼ばれる）やフォトダークニングなど、レーザ光の照射による原子配列変化を利用するものは、薄膜の変形をほとんど伴わないため、２枚のディスク部材を直接貼り合わせて両面ディスク構造情報記録媒体、または複数の情報面を有する多層構造情報記録媒体が得られるという長所を持つ。
【０００３】
通常の光ディスクでは、波長が６６０ｎｍ付近の一般に赤色レーザと言われている光源を用いている。これら情報記録媒体は基板上に下部保護層、ＧｅＳｂＴｅ系等の記録膜、ＺｎＳ−ＳｉＯ2系上部保護層、Ａｌなど反射率の大きい反射層を順に積層した構造を有している。記録容量を上げる方法はいくつかあるが、６６０ｎｍ付近の波長より短波長の光源を使用する方法や多層構造にする方法などが提案されている。ＯＤＳ／ＩＳＯＭ‘９９予稿集第１１０頁（文献１）に波長４００ｎｍ付近用の２層情報記録媒体が示されている。この媒体では光入射側に反射層を持たない第１の情報面と光から遠い側にＡｌ合金反射層を持つ第２の情報面を有する。しかし、このデータは計算結果のみで記録・再生した場合に生じるコントラストが小さい点の改良については示されていない。また、同様な波長４００ｎｍ付近用の２層情報記録媒体がＰＣＯＳ’９９講演予稿集２２頁（文献２）に開示されているが、この媒体も同様に光入射側に反射層を持たない第１の情報面をもつ。
【０００４】
また、特開平１０−２９３９４２号には、透明下部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護膜、透明型反射膜または透明干渉膜からなる相変化型記録媒体を複数層設けることが記載されている。
【０００５】
なお、波長４００ｎｍ付近の短波長のレーザは一般に、長波長の赤色レーザと対比させて青色、青緑色、青紫色、緑色レーザなどと呼ばれているが本明細書中では、まとめて青色レーザと呼ぶ。
【０００６】
本明細書では、結晶−非晶質間の相変化ばかりでなく、融解（液相への変化）と再結晶化、結晶状態−結晶状態間の相変化も含むものとして「相変化」及び「原子配列変化」という用語を使用する。また、マークエッジ記録とは、記録マークのエッジ部分を信号の“１”に、マーク間およびマーク内を信号の“０”に対応させた記録方式のことをいう。本明細書において光ディスクとは、光の照射によって再生できる情報が記載された円板（ディスク）、及び／または光の照射によって情報の再生を行う装置をいう。
【非特許文献１】ＯＤＳ／ＩＳＯＭ‘９９予稿集第１１０頁
【非特許文献２】ＰＣＯＳ’９９講演予稿集２２頁
【特許文献１】特開平１０−２９３９４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の多層情報記録媒体はいずれも、青色レーザを用いた高密度の書き換え可能な相変化型の多層情報記録媒体として用いる場合、コントラストが小さいという問題を有している。
【０００８】
また、特開平１０−２９３９４２号では、透明反射層の透過率について思想がない。
【０００９】
そこで、この発明の目的は、青色レーザで記録・再生を行った場合のコントラストを改善し、良好な再生特性を持つ多層情報記録用媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、前記課題を解決するため、第１に、情報記録媒体を、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下であるという構成にした。
【００１１】
第２に、情報記録媒体を、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であるという構成にした。
【００１２】
第３に、情報記録媒体を、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下で、前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であるという構成にした。
【００１３】
第４に、情報記録媒体を、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下であるという構成にした。
【００１４】
第５に、情報記録媒体を、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であるという構成にした。
【００１５】
第６に、情報記録媒体を、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下で、前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であるという構成にした。
【００１６】
第７に、前記第１乃至第６のいずれかの構成を有する情報記録媒体において、前記記録膜の膜厚が４ｎｍ以上２５ｎｍ以下であるという構成にした。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると良好な記録・再生特性を有する情報記録媒体が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
【実施例１】
【００１９】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図１は、本発明の第１実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造を示す模式図である。この媒体は次のようにして製作した。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板１上に、膜厚約３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜を積層してなるＬ０下部保護層２、膜厚約６ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８Ｌ０記録膜３、膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜を積層してなるＬ０上部保護層４、膜厚約３５ｎｍの（Ａｌ２Ｏ３）膜よりなるＬ０透明反射層５、膜厚約５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０最上部保護層６を順次形成した。上記のような層４，５，６多層積層によって生じる光学干渉を用いて透明な反射層を得る。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００２０】
他方、同様のスパッタリング方法により、第１のディスク部材と異なる構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、ポリカーボネイト保護基板１２上に、膜厚約８０ｎｍのＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜からなるＬ１反射層１１上に膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約５ｎｍのＣｒ２Ｏ３を積層してなるＬ１上部保護層１０、膜厚約１８ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８Ｌ１記録膜９、膜厚約５ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜を積層してなるＬ１下部保護層８を順次形成したものである。
【００２１】
その後、前記第１のディスク部材と第２のディスク部材をそれぞれのＬ０最上部保護層６とＬ１下部保護層８をスペーサ層７を介して貼り合わせ、図１に示す２層情報記録媒体（ディスクＡ）を得た。
【００２２】
各情報面は光入射側の構成膜（Ｌ０下部保護層２からＬ０最上部保護層６まで）をＬ０、光から遠い方の構成膜（Ｌ１下部保護層８からＬ１反射層１１まで）をＬ１とした。
【００２３】
（従来型の情報記録媒体の構成、製法）
透明反射層の効果を明らかにするため、透明反射層を持たないディスク状情報記録媒体を作製した。図２は、この媒体の断面構造を示す模式図である。
【００２４】
この媒体は次のようにして製作した。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．５８５ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板１上に、膜厚約３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜からなるＬ０下部保護層２、膜厚約６ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ０記録膜３、膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０上部保護層４を順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００２５】
他方、同様のスパッタリング方法により、第１のディスク部材と異なる構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、ポリカーボネイト保護基板１２上に、膜厚約８０ｎｍのＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜からなるＬ１反射層１１上に膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約５ｎｍのＣｒ２Ｏ３からなるＬ１上部保護層１０、膜厚約１８ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ１記録膜９、膜厚約５ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ１下部保護層８を順次形成したものである。
【００２６】
その後、前記第１のディスク部材と第２のディスク部材をそれぞれのＬ０上部保護層４とＬ１下部保護層８をスペーサー層７を介して貼り合わせ、図２に示す情報記録媒体（ディスクＢ）を得た。
【００２７】
（初期結晶化）
前記のようにして製作したディスクＡとディスクＢのＬ０記録膜３に、次のようにして初期結晶化を行った。なお、以下ではＬ０記録膜３、Ｌ１記録膜９についてのみ説明するが、この他の多層媒体の記録膜についても全く同様である。
【００２８】
媒体（ディスクＡ，ディスクＢ）を記録トラック上の点の線速度が５ｍ／ｓであるように回転させ、波長約８１０ｎｍの半導体レーザのレーザパワーを３００ｍＷにしてＬ１の記録膜にフォーカスした後、レーザパワーを７００ｍＷにして、基板１およびＬ０膜、スペーサー層を通して記録膜９に媒体の半径方向に長い長円形のスポット形状で照射した。スポットの移動は、媒体の１回転につき媒体の半径方向のスポット長の１／２４ずつずらした。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は１回でもよいが３回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。この初期結晶化は高速で行える利点がある。
【００２９】
次ぎに波長約８１０ｎｍの半導体レーザのレーザパワーを３００ｍＷにしてレーザのフォーカス位置を変えてＬ０の記録膜にフォーカスした後、レーザパワーを７００ｍＷにして、基板１を通して記録膜３に媒体の半径方向に長い長円形のスポット形状で照射した。スポットの移動は、媒体の１回転につき媒体の半径方向のスポット長の１／２４ずつずらした。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は１回でもよいが３回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。この初期結晶化は高速で行える利点がある。
【００３０】
初期化の順序はＬ１記録膜から行ってもＬ０記録膜から行っても、また３層以上の多層情報記録媒体においてはランダムに行っても良い。
【００３１】
（記録・消去・再生）
前記のようにして製作し、初期結晶化を行った媒体について、次ぎのように記録・消去・再生特定の評価を行った。なお、以下ではＬ１の記録膜９についてのみ説明するが、Ｌ０の記録膜３についても全く同様であり、また３層以上の多層情報記録媒体においてのそれぞれの情報面の記録膜についても同様である。
【００３２】
初期結晶化が完了した記録膜９の記録領域にトラッキングと自動焦点合わせを行いながら、記録用レーザ光のパワーを中間パワーレベルＰｅ（３ｍＷ）と高パワーレベルＰｈ（７ｍＷ）との間で変化させて情報の記録を行った。記録トラックの線速度は９ｍ／ｓ、半導体レーザ波長は４０５ｎｍ、レンズの開口数（ＮＡ）は０．６５である。記録用レーザ光により記録領域に形成される非晶質またはそれに近い部分が記録点となる。この媒体の反射率は結晶状態の方が高く、記録され非晶質状態になった領域の反射率が低くなっている。
【００３３】
記録用レーザ光の高レベルと中間レベルのパワー比は１：０．３〜１：０．７の範囲が好ましい。また、この他に短時間ずつ他のパワーレベルにしてもよい。図３に示したように、１つの記録マークの形成中にウインドウ幅の半分（Ｔｗ／２）ずつ中間パワーレベルＰｅより低いボトムパワーレベルＰｂまでパワーを繰り返し下げ、かつクーリングパワーレベルＰｃを記録パルスの最後に持つ波形を生成する手段を持った装置で記録・再生を行うと、再生信号波形のジッター値およびエラーレートが低減した。クーリングパワーレベルＰｃは中間パワーレベルＰｅより低く、ボトムパワーレベルＰｂより高いか同じレベルである。この波形は、第１パルス幅Ｔｐが記録マークとそのマークの直前に設けられたスペースの長さの組み合わせによって変化する特徴とクーリングパルス幅Ｔｃ（記録パルスの最後にＰｃレベルまで下げる時間幅）が記録マークとそのマークの後続スペース長の組み合わせにより決まる特徴を持つ。マーク直前のスペース長が短く、マークが長いほどＴｐは短くなり、マーク直前のスペース長が長く、マークが短いほどＴｐは長くなる。ただし、媒体の構造によっては６Ｔｗマークの記録用記録波形のＴｐを特に長くした場合、ジッター低減効果が大きかった。また、後続のスペース長が長く、マークが長いほど、Ｔｃは短くなり、後続のスペース長が短く、マークが短いほど、Ｔｃは長くなる。
【００３４】
図３には３Ｔｗ，４Ｔｗ，６Ｔｗ，１１Ｔｗの記録波形しか示していないが、５Ｔｗは６Ｔｗの記録波形の一連の高いパワーレベルのパルス列のうち、Ｔｗ／２の高いパワーレベルＰｈと直後のＴｗ／２のボトムパワーレベルＰｂをそれぞれ一つずつ削減したものである。また、７Ｔｗ〜１０Ｔｗ用記録波形は６Ｔｗ用記録波形の最後尾の高いパワーレベルのパルスの直前に、Ｔｗ／２の高いパワーレベルＰｈとＴｗ／２のボトムパワーレベルＰｂを、それぞれ１組ずつ追加したものである。したがって、５組追加したものが１１Ｔｗである。
【００３５】
ここでは、３Ｔｗに対応する最短記録マーク長を０．２６μｍとした。記録すべき部分を通り過ぎると、レーザ光パワーを再生（読み出し）用レーザ光の低パワーレベルＰｒ（１ｍＷ）に下げるようにした。
【００３６】
このような記録方法では、既に情報が記録されている部分に対して消去することなく、重ね書きによって新たな情報を記録すれば、新たな情報に書き換えられる。すなわち、単一のほぼ円形の光スポットによるオーバーライトが可能である。
【００３７】
しかし、書き換え時の最初のディスク１回転または複数回転で、前記のパワー変調した記録用レーザ光の中間パワーレベル（３ｍＷ）またはそれに近いパワーの連続光を照射して、記録されている情報を一たん消去し、その後、次の１回転でボトムパワーレベル（０．５ｍＷ）と高パワーレベル（７ｍＷ）の間で、または中間パワーレベル（３ｍＷ）と高パワーレベル（７ｍＷ）との間で、情報信号に従ってパワー変調したレーザ光を照射して記録するようにしてもよい。このように、情報を消去してから記録するようにすれば、前に書かれていた情報の消え残りが少ない。従って、線速度を２倍に上げた場合の書き換えも、容易になる。
【００３８】
（透明反射層の効果）
本実施例記載の透明反射層を持つ図１に記載の情報記録媒体（ディスクＡ）および透明反射層を持たない図２に記載の従来の情報記録媒体（ディスクＢ）のＬ０について比較した。初回記録時の最短記録信号（３Ｔｗ）のＣ／Ｎ（搬送波対雑音比）について比べたところ、ディスクＡでは５０ｄＢのＣ／Ｎがあったが、ディスクＢではＣ／Ｎが小さく４６ｄＢであった。ディスクＡでＣ／Ｎが大きくなったのは、透明反射層を設けることにより記録膜と透明反射層との間での干渉を利用することが出来、信号振幅が大きくなったためである。
【００３９】
（透明反射層の光学特性）
透明反射層５の光学特性依存性を測定した。光学特性を変化させた複数の媒体を作成した。最短記録マーク３Ｔｗと３Ｔスペースの繰り返し信号を記録した際のＣ／Ｎを測定した。結果を表１に示す。透明反射層の組成が変わると透明反射層の消衰係数が変化し、反射層での吸収量が多くなるため、透過率一定とした時の反射率差が小さくなり、Ｃ／Ｎ（ｄＢ）が低下した。った。これより、透明反射層の消衰係数は、小さいことが好ましいことがわかる。実用レベルでＣ／Ｎを確保するには４８ｄＢ以上必要であるため、透明反射層の消衰係数０．５以下であることが好ましい。また、レーザの環境温度変動による劣化を考慮した場合には、Ｃ／Ｎが４９ｄＢ以上必要であるため、透明反射層の消衰係数は０．３ 以下であることがより好ましい。また、透明反射層の反射率は５％以上５０％以下であることが望ましい。
【表１】
【００４０】
次に透明反射層５の屈折率依存性を測定した。これを、表２に示す。透明反射層の屈折率ｎが変わると上部保護層と透明反射層の光干渉量が変わるため、透過率一定とした時の反射率差がかわる。ここで、反射率差とは、媒体における、記録膜の結晶状態と非結晶状態、つまり未記録状態と記録状態との反射率の差をいう。
【表２】
【００４１】
これより、透明反射層の屈折率は、実用レベルの反射率差を確保するには４％以上必要であるため、透明反射層の屈折率２．２以下または２．５以上であることが好ましい。また、レーザの環境温度変動による劣化を考慮した場合には、反射率差が５％以上必要であるため、透明反射層の屈折率は２．０ 以下または２．６以上であることがより好ましい。
【００４２】
さらに上部保護層の屈折率（２．３５）との差が大きい方が好ましいことがわかる。上部保護層の屈折率と透明反射層の屈折率の差が０．１５以上であることが好ましい。また、レーザの環境温度変動による劣化を考慮した場合には、上部保護層の屈折率と透明反射層の屈折率の差が０．２５以上であることがより好ましい。
【００４３】
透明反射層膜厚及び上部保護層膜厚及び最上部保護層膜厚は、反射率差が大きくとれるように決定することがＣ／Ｎが大きくなり好ましい。この膜厚は上部保護層が８０〜１６０ｎｍが好ましく、１００〜１４０ｎｍがより好ましい。透明反射層と最上部保護層膜厚は、透明反射層と最上部保護層膜厚の合計が５０〜１３０ｎｍが好ましく、７０〜１１０ｎｍがより好ましい。
【００４４】
干渉を利用するためには、透明反射層膜厚の最低膜厚は５ｎｍ以上にすることが好ましく、１０ｎｍ以上だとより好ましい。
【００４５】
透明反射層材料は、ＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，ＣｒＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）などの窒化物が好ましい。これら化合物における元素比は、例えば酸化物や硫化物における金属元素と酸素元素あるいは硫黄元素の比は、Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３は２：３、ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＧｅＯ２は１：２、Ｔａ２Ｏ５は２：５、ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが、その比から外れていても同様の効果は得られる。しかし、上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ２Ｏ３からＡｌ量で±１０原子％以下、Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ２からＳｉ量で±１０原子％以下等、金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
【００４６】
この他上記光学特性を持つ材料も使用可能である。透明反射層材料中の不純物元素が５原子％を超えると１万回以上の多数回オーバーライト時のジッター上昇が５％以上になることがわかった。したがって、透明反射層材料中の不純物元素が透明反射層成分の５原子％以下が書き換え特性の劣化を少なく出来、好ましい。２原子％以下であるとさらに好ましい。
【００４７】
（下部保護層）
本実施例では、Ｌ１下部保護層８を（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０とＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３層の２層構造としている。また、Ｌ０下部保護層２を（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜を積層した３層構造としている。２層構造をとる下部保護層２、８の（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０に代わる材料としては、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合比を変えたものが好ましい。また、ＺｎＳ，Ｓｉ−Ｎ系材料、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料、ＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ２Ｓ３，ＣｄＳ，Ｉｎ２Ｓ３，Ｇａ２Ｓ３，ＧｅＳ，ＳｎＳ２，ＰｂＳ，Ｂｉ２Ｓ３などの硫化物、ＳｎＳｅ２，Ｓｂ２Ｓｅ３，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ２Ｓｅ３，Ｇａ２Ｓｅ３，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ２，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ２Ｓｅ３などのセレン化物、ＣｅＦ３，ＭｇＦ２，ＣａＦ２などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ２，Ｂ４Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、ＺｎＳ−ＳｉＯ２，ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３など、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。この中で、ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが６０ｍｏｌ％以上を占めると成膜時間を短くできるため、これを６０ｍｏｌ％以上含む混合物の場合、ＺｎＳのスパッタレートが大きい点と酸化物や窒化物等の化学安定性の良い点が組み合わされる。この他の硫化物、セレン化物でもＺｎＳに近い特性が得られた。
【００４８】
これら化合物における元素比は、例えば酸化物や硫化物における金属元素と酸素元素あるいは硫黄元素の比は、Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３は２：３、ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＧｅＯ２は１：２、Ｔａ２Ｏ５は２：５、ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが、その比から外れていても同様の効果は得られる。しかし、上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ２Ｏ３からＡｌ量で±１０原子％以下、Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ２からＳｉ量で±１０原子％以下等、金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
【００４９】
上記材料は、下部保護層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると、書き換え可能回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
【００５０】
本実施例で用いた下部保護層の消衰係数ｋについては０または０に近いことが好ましい。さらに、下部保護層材料の８０％以上の膜厚において消衰係数ｋがｋ≦０．０１であれば、コントラストの低下が２％以下に抑制でき好ましい。
【００５１】
下部保護層を２層以上にし、記録膜側の下部保護層材料をＣｒ２Ｏ３またはＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３すると、多数回書き換え時に記録膜へＺｎ，Ｓの拡散を抑制でき、書き換え特性が良好であることがわかった。記録膜側の下部保護層材料のＣｒ２Ｏ３に代わる材料としては、Ｃｒ２Ｏ３にＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３を混合した混合物が好ましい。次いで、ＣｏＯまたはＧｅＯ２，ＮｉＯ、これらとＣｒ２Ｏ３の混合物が好ましい。これら酸化物は消衰係数ｋが小さく、下部界面層における吸収が非常に小さい。そのため、変調度が大きく保てるという利点がある。
【００５２】
また、Ｃｒ２Ｏ３またはＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３の一部をＡｌ２Ｏ３またはＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３に変えると、記録膜以外での吸収が減り透過率が大きくできるため、Ｌ０層でＣ／Ｎが大きく出来てこのましい。Ａｌ２Ｏ３またはＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３の代りにＳｉＯ２またはＳｉ３３Ｏ６３Ｎ４など、またこれらの窒素と酸素量の比が異なるものを用いても同様な特性が得られた。
【００５３】
また、ＡｌＮ，ＢＮ，ＣｒＮ，Ｃｒ2Ｎ，ＧｅＮ，ＨｆＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）、Ｓｉ−Ｎ系材料、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料、ＴａＮ，ＴｉＮ，ＺｒＮ，などの窒化物は保存寿命が大きくなり、外界温度変化に強く、より好ましい。窒素が含まれた記録膜組成またはそれに近い組成の材料でも接着力が向上する。
【００５４】
その他、ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＣｕＯ，ＣｄＯ，Ｄｙ２Ｏ３，ＦｅＯ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＨｆＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＭｎＯ，ＭｏＯ２，ＭｏＯ３，ＮｂＯ，ＮｂＯ２，ＰｂＯ，ＰｄＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，Ｓｃ２Ｏ３，ＳｒＯ，ＴｈＯ２，ＴｉＯ２，Ｔｉ２Ｏ３，ＴｉＯ，ＴｅＯ２，ＶＯ，Ｖ２Ｏ３，ＶＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３などの酸化物、Ｃ，Ｃｒ３Ｃ２，Ｃｒ２３Ｃ６，Ｃｒ７Ｃ３，Ｆｅ３Ｃ，Ｍｏ２Ｃ，ＷＣ，Ｗ２Ｃ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＣａＣ２などの炭化物または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよいし、これらの混合材料でもよい。
【００５５】
下部保護層の記録膜側に酸化物または窒化物の層を設けた場合は、Ｚｎ，Ｓ等の記録膜中への拡散が防止でき、消え残りが増加するのを抑制できる。さらに、記録感度を低下させないためには、２５ｎｍ以下とすることが好ましく、１０ｎｍ以下ではより好ましかった。均一な膜形成ができるのは約２ｎｍ以上であり、５ｎｍ以上がさらに良好であった。これより、記録膜側の下部保護層膜厚を２〜２５ｎｍとすると記録・再生特性がより良くなり、好ましい。未満の場合、再結晶化のためにＣ／Ｎが低下した。また、下部保護層膜厚が１０ｎｍ未満の場合、記録膜の保護効果がなくなるため、書き換え可能回数が１桁以上低下した。下部保護層と記載したものは、Ｌ０下部保護層、Ｌ１下部保護層、さらに多層情報記録媒体の下部保護層を意味する。
【００５６】
（記録膜）
本実施例では、記録膜３、記録膜９をＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８により形成している。本記録膜の再生波長における屈折率は、結晶状態が２．０、非晶質状態が２．６と、結晶状態の方が小さい。
【００５７】
Ｇｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８に代わる記録膜３，９の材料としては、Ａｇ３Ｇｅ３０Ｓｂ１４Ｔｅ５３，Ｃｒ３Ｇｅ３２Ｓｂ１３Ｔｅ５２等、Ａｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｃｒ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料で組成比の異なるものが変調度が大きくなり好ましい。記録膜３および／または記録膜９中のＡｇ量やＣｒ量が多いと短波長での反射率変化が大きくなるが、結晶化速度は遅くなる。従って、添加されるＡｇ量またはＣｒ量が２原子％以上、１０原子％以下が好ましい。しかし、Ａｇの添加されていないＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料でもオーバーライトは可能である。Ａｇの代わりに記録膜３，９へ添加する元素としては、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｂｉのいずれかのうちの少なくとも一つで置き換えても、オーバーライト特性が良好であることがわかった。これらの記録膜３，９材料は全て、再生波長における屈折率は結晶状態の方が非晶質状態より小さい。
【００５８】
本実施例で記録膜９の膜厚を変化させ、１０回書き換え後および１０万回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ、表３のようになった。記録膜９の膜厚（ｎｍ）に対し、１０回書き換え後については前エッジまたは後エッジのジッターの悪い方の値（％）を、１万回書き換え後については前エッジのジッター値（％）を示した。
【表３】
【００５９】
これより、記録膜９の膜厚を薄くすると記録膜流動や偏析による、１０回書き換え後のジッターが増加し、また厚くすると、１万回書き換え後のジッターが増加することがわかった。これより、記録膜９の膜厚は４ｎｍ以上、２５ｎｍ以下がジッターを２０％以下にでき好ましく、５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であればジッターを１５％以下に出来より好ましい。
【００６０】
記録膜３の膜厚および、１〜Ｎ−１情報面（レイヤー）における記録膜膜厚については、前記情報面の記録膜膜厚が情報面１≦情報面２≦…≦情報面Ｎ−１≦情報面Ｎの関係にあると各情報面において記録・再生可能となるため好ましい。さらに、光入射側の基板より１からＮ−１番めの情報面用記録膜の合計膜厚が１０ｎｍ以下であると、Ｎ番めの情報面のＣ／Ｎが４８ｄＢ以上と大きくでき好ましい。上記合計膜厚が８ｎｍ以下になるとＮ番めの情報面のＣ／Ｎが４９ｄＢ以上と大きくできより好ましい。
【００６１】
（上部保護層）
本実施例では、上部保護層１０をＺｎＳ−ＳｉＯ２とＣｒ４０Ｏ６０により形成した。また、Ｌ０上部保護層４を（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ６０膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ６０膜を積層した３層構造としている。
【００６２】
ＺｎＳ−ＳｉＯ２に代わる上部保護層の材料としては、Ｓｉ−Ｎ系材料、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料、ＺｎＳ，ＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ２Ｓ３，ＣｄＳ，Ｉｎ２Ｓ３，Ｇａ２Ｓ３，ＧｅＳ，ＳｎＳ２，ＰｂＳ，Ｂｉ２Ｓ３などの硫化物、ＳｎＳｅ２，Ｓｂ２Ｓｅ３，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ２Ｓｅ３，Ｇａ２Ｓｅ３，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ２，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ２Ｓｅ３などのセレン化物、ＣｅＦ３，ＭｇＦ２，ＣａＦ２などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ２，Ｂ４Ｃ，Ｂ，Ｃまたは、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、ＺｎＳ−ＳｉＯ２，ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３などこれらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。消衰係数は０または０に近いことが好ましい。
【００６３】
これら化合物における元素比は、例えば酸化物あるいは硫化物における金属元素と酸素元素あるいは硫黄元素の比は、Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３は２：３、ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＧｅＯ２は１：２、Ｔａ２Ｏ５は２：５、ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが、その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ２Ｏ３からＡｌ量で±１０原子％以下、Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ２からＳｉ量で±１０原子％以下等、金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
【００６４】
上記材料は、上部保護層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると、書き換え可能回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
【００６５】
上部保護層を２層以上にし、記録膜側の上部保護層材料をＣｒ２Ｏ３にすると、多数回書き換え時に記録膜へＺｎ，Ｓの拡散を抑制でき、書き換え特性が良好になることがわかった。
【００６６】
さらにその一部をＡｌ２Ｏ３，またはＳｉＯ２に変えるとコントラストが大きく出来て好ましいことがわかった。
【００６７】
上部保護層と記載したものは、Ｌ０上部保護層、Ｌ１上部保護層、さらに多層情報記録媒体の上部保護層を意味する。
【００６８】
（反射層）
本実施例では反射層１１にＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜を用いた。他の反射層の材料としては、Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ａｕ等、Ａｇ合金を主成分とするものが好ましい。Ａｇも使用可能である。Ａｇ合金中のＡｇ以外の元素の含有量を０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良好になり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良好になることがわかった。
【００６９】
また、Ｚｎ９８Ｐｄ２膜、Ｚｎ９８Ｐｔ２膜、Ｚｎ９８Ｃｕ２膜、Ｚｎ９８Ｎｉ２膜、Ｚｎ−Ｐｄ膜、Ｚｎ−Ｐｔ膜、Ｚｎ−Ｃｕ膜、Ｚｎ−Ｎｉ膜は、Ａｇ系材料に比べコストが安いという利点がある。Ｚｎも使用可能である。Ｚｎ合金中のＺｎ以外の元素の含有量は０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良好になり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良好になることがわかった。
【００７０】
次いで、Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金、上記以外のＡｇ合金、Ｃｕ合金、Ｐｄ合金、Ｐｔ合金などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよい。このように、反射層は、金属元素、半金属元素、これらの合金、混合物からなる。
【００７１】
この中で、Ａｇ，Ａｌ，Ａｌ合金、Ａｇ合金、等のように、反射率が大きいものは、コントラスト比が大きくなり書き換え特性が良好である。単体より合金の方が接着力が大きくなる。この場合の主成分となるＡｌ，Ａｇ等以外の元素の含有量はＡｇ合金同様に、０．５原子％以上５原子％以下の範囲にすると、コントラスト比が大きく、また接着力も大きくでき良好であった。１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良くなった。波長４００ｎｍ付近における反射率を比較するとＡｇまたはＡｇ合金は約９５％、Ａｌ，Ａｌ合金は約９２％と、Ａｇ系の方が大きいが、材料コストも大きい。これらに次ぐ材料としては、Ｚｎ，Ｚｎ合金が約８９％、Ｐｔ，Ｐｔ合金が約６５％と短波長における反射率が大きく、コントラストを大きく出来た。
【００７２】
上記材料は、反射層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると、書き換え可能回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
【００７３】
反射層膜厚が２０ｎｍより薄い場合、強度が弱く、熱拡散が小さく記録膜流動が起きやすいため、１万回書き換え後のジッターが１５％より大きくなる。３０ｎｍでは１５％まで低下できる。また、反射層膜厚が２００ｎｍより厚い場合、それぞれの反射層を作製する時間が長くなり、２工程以上に分ける、またはスパッタリング用の真空室を２室以上設ける等、形成時間が倍増した。また、反射層の膜厚が５ｎｍ以下だと島状に成膜され、ノイズが大きくなった。これより、反射層の膜厚はノイズ及びジッター、形成時間より、５ｎｍ以上、２００ｎｍ以下が好ましい。
【００７４】
（基板）
本実施例では、表面に直接、トラッキング用の溝を有するポリカーボネート基板１を用いているが、それに代えてポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよい。強化ガラスの代わりに石英やＣａＦを用いてもよい。
【００７５】
また、トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全てまたは一部に、記録・再生波長をλとしたとき、λ／１２ｎ′（ｎ′は基板材料の屈折率）以上の深さの溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割されていてもよい。溝深さが約λ／６ｎ′の時、クロストークが小さくなり好ましいことが分かった。さらに溝深さが約λ／３ｎ′より深い時、基板形成時の歩留まりは悪くなるが、クロスイレースが小さくなり好ましいことが分かった。
【００７６】
また、その溝幅は場所により異なっていてもよい。溝部の存在しない、サンプルサーボフォーマットの基板、他のトラッキング方式、その他のフォーマットによる基板等でも良い。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。トラックピッチの大きさが小さいと隣のトラックからの信号の漏れが検出されノイズとなるため、トラックピッチはスポット径（光強度が１／ｅ2となる領域）の１／２以上であることが好ましい。
【００７７】
ディスクサイズも直径１２ｃｍに限らず、１３ｃｍ、８ｃｍ、３．５インチ、２．５インチ等、他のサイズでも良い。ディスク厚さも０．６ｍｍに限らず、１．２ｍｍ、０．８ｍｍ、０．４ｍｍ、０．１ｍｍ等、他の厚さでも良い。
【００７８】
本実施例では、スペーサ層を介して貼り合わせているが、第２のディスク部材の代わりに別の構成のディスク部材、または保護用の基板などを用いてもよい。貼り合わせに用いるディスク部材または保護用の基板の図５のように保護基板側から形成して、最後に光入射側の基板１を形成するか、貼り合わせしてもよい。またこうして作製した２まいのディスクを貼り合わせて両面ディスクとしてもよい。紫外線波長領域における透過率が大きい場合、紫外線硬化樹脂によって貼り合わせを行うこともできる。その他の方法で貼り合わせを行ってもよい。また、第１および第２のディスク部材を貼り合わせる前に第１および第２のディスク部材の最上層上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布し、硬化後に貼り合わせを行うと、エラーレートをより低減できる。
【００７９】
（各層の膜厚、材料）
各層の膜厚、材料についてはそれぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記録・再生特性等が向上するが、それぞれの好ましい範囲を組み合わせることにより、さらに効果が上がる。
【実施例２】
【００８０】
（情報記録媒体の構成、製法）
図１の模式図に示した断面構造を有し、膜厚のみを相違させ、他は全て同じ条件とした情報記録媒体を製作した。この媒体は次のようにして製作した。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板１上に、膜厚約３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜からなるＬ０下部保護層２、膜厚約６ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ０記録膜３、膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０上部保護層４、膜厚約３５ｎｍの（Ａｌ２Ｏ３）膜よりなるＬ０透明反射層５、膜厚約５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０最上部保護層６を順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００８１】
他方、同様のスパッタリング方法により、第１のディスク部材と異なる構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、ポリカーボネイト保護基板１２上に、膜厚約８０ｎｍのＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜からなるＬ１反射層１１上に膜厚約１２０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約５ｎｍのＣｒ２Ｏ３からなるＬ１上部保護層１０、膜厚約１０ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ１記録膜９、膜厚約５ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約９５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ１下部保護層８を順次形成したものである。
【００８２】
その後、前記第１のディスク部材と第２のディスク部材をそれぞれのＬ０最上部保護層６とＬ１下部保護層８をスペーサ層７を介して貼り合わせ、図１に示す２層情報記録媒体（ディスクＡ）を得た。
【００８３】
各情報面は光入射側の構成膜（Ｌ０下部保護層２からＬ０最上部保護層６まで）をＬ０、光から遠い方の構成膜（Ｌ１下部保護層８からＬ１反射層１１まで）をＬ１とした。
【００８４】
これより、Ｌ１ディスクの反射率は、結晶状態の反射率が非晶質状態の反射率より低くなった。また下部保護層、記録膜、上部保護層の膜厚を変えると記録膜の吸収率比Ａｃ／Ａａ（Ａｃは結晶状態の記録膜における吸収、Ａａは非晶質状態の記録膜における吸収）を１．３倍に大きく出来実施例１に記載の多層情報記録媒体のＬ１に比べ、本実施例のＬ１はオーバーライト時のジッターを５％以上小さくできることがわかった。
【００８５】
Ｌ１下部保護層８膜厚の好ましい範囲は７０ｎｍ〜１４０ｎｍ，より好ましい範囲は８０ｎｍ〜１３０ｎｍである。Ｌ１上部保護層１０膜厚の好ましい範囲は９５ｎｍ〜１５５ｎｍ，より好ましい範囲は１０５ｎｍ〜１４５ｎｍである。Ｌ１記録膜９膜厚の好ましい範囲は実施例１に記載の通りである。
【実施例３】
【００８６】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図４は、本発明の多層ディスク状情報記録媒体の断面構造を示す模式図である。２層以上の媒体はこのようにして製作した。一例として３層媒体を示す。
【００８７】
まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板３０上に、膜厚約８０ｎｍのＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜からなるＬ２反射層２９上に膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約５ｎｍのＣｒ２Ｏ３からなるＬ２上部保護層２８、膜厚約１８ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ２記録膜２７、膜厚約５ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ２下部保護層２６を順次形成したものである。
【００８８】
その後、紫外線硬化樹脂を用いてトラッキング用の溝をスタンパから転写するフォトポリメリゼーション法（２Ｐ法）によって表面にトラッキング用の溝を有するＬ１−Ｌ２間スペーサ層２５を形成した。 この上に、Ｌ１を形成した。Ｌ１−Ｌ２間スペーサ層２５上に、膜厚約５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ１最上部保護層２４、膜厚約３５ｎｍの（Ａｌ２Ｏ３）膜よりなるＬ１透明反射層２３、膜厚約１２０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜からなるＬ１上部保護層２２、膜厚約５ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ１記録膜２１、膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるL１下部保護層２０、を順次形成した。
【００８９】
次に先ほどと同様の２Ｐ法によりＬ０−Ｌ１間スペーサ層１９を形成した。
【００９０】
Ｌ０−Ｌ１間スペーサ層１９上に膜厚約５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０最上部保護層１８、膜厚約３５ｎｍの（Ａｌ２Ｏ３）膜よりなるＬ０透明反射層１７、膜厚約１２０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜からなるＬ０上部保護層１６、膜厚約４ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ０記録膜３、膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０下部保護層１５、膜厚約２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０最上部保護層１４を順次形成した。最後に基板１３を貼り併せた。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして多層ディスク部材を得た。初期化及び、記録・再生方法は実施例１と同様である。このように、片側３層以上にして記録・再生することが可能である。
【実施例４】
【００９１】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例１の情報記録媒体の基板１の板厚０．５７５〜０．５９６ｍｍの範囲で板厚のみ変えた多層情報記録媒体を作製した。（ディスクＥ１〜Ｅ８）
（基板板厚依存性）
本実施例の情報記録媒体（ディスクＥ１〜Ｅ８）の各レイヤーに３Ｔｗの記録信号を記録し、Ｓ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を測定した。この結果を表４に示す。
【表４】
【００９２】
このように、基板の板厚が厚すぎるとフォーカスがずれるためＬ１のＳ／Ｎが下がり、板厚が薄すぎるとフォーカスがずれＬ０のＳ／Ｎが下がる。したがって、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生した場合、エラーせずに信号が再生できるため多層情報記録媒体の基板厚は０．５７８ｍｍ以上０．５９２以下が好ましいことがわかった。さらに環境温度の変動にも適用できるレベルで再生できることから、基板厚さが０．５８ｍｍ以上０．５９ｍｍ以下がより好ましい。また、レーザ波長が６６０ｎｍより短いため、板厚許容量が小さくなっている。従って、最大厚さと最小厚さの差が０．０１４ｍｍ以下であることが好ましく、０．０１ｍｍ以下であることがより好ましい。
【００９３】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜３、実施例５と同様である。
【実施例５】
【００９４】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例１の情報記録媒体のスペーサ層７の厚さを１０〜３１μｍの範囲でスペーサ層厚のみ変えた多層情報記録媒体を作製した。（ディスクＦ１〜Ｆ８）
（基板板厚依存性）
本実施例の情報記録媒体（ディスクＦ１〜Ｆ８）の各レイヤーに３Ｔｗの記録信号を記録し、Ｓ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を測定した。この結果を表５に示す。
【表５】
【００９５】
このように、スペーサ層厚が厚すぎるとフォーカスがずれるためＬ１のＳ／Ｎが下がり、スペーサ層厚が薄すぎるとフォーカスがずれＬ０のＳ／Ｎが下がる。したがって、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生した場合、エラーせずに信号が再生できるため多層情報記録媒体のスペーサ層厚は１３μｍ以上２７μｍ以下が好ましいことがわかった。さらに環境温度の変動にも適用できるレベルで再生できることから、スペーサ層厚は１５μｍ以上２５μｍ以下がより好ましい。また、レーザ波長が６６０ｎｍより短いため、スペーサ層厚許容量が小さくなっている。従って、最大厚さと最小厚さの差が１４μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましい。
【００９６】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜４と同様である。
【実施例６】
【００９７】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例１の情報記録媒体の基板１の板厚を０．０９４ｍｍ、スペーサ層７の厚さを９μｍに変えた多層情報記録媒体を作製した。本媒体の作製方法は、実施例３に記載したように保護基板側からＬ１膜を積層し、次にスペーサ層を２Ｐ法にて作製した後、Ｌ０膜を積層、基板１を形成した。基板１の形成方法は、スピンコート、２Ｐ法のいずれか１つ、これらの組み合わせ、また別の方法でもよい。板厚が実施例７の範囲にあることと好ましい。板厚がずれた場合はＳ／Ｎが悪くなるが、記録・再生は可能であった。
【００９８】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜３、７〜８と同様である。
【実施例７】
【００９９】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例１の情報記録媒体の基板１の板厚を０．０９１〜０．０９７ｍｍの範囲で板厚のみ変えた多層情報記録媒体を作製した。（ディスクＨ１〜Ｈ８）
（基板板厚依存性）
本実施例の情報記録媒体（ディスクＨ１〜Ｈ８）の各レイヤーに３Ｔｗの記録信号を記録し、Ｓ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を測定した。この結果を表６に示す。
【表６】
【０１００】
このように、基板の板厚が厚すぎるとフォーカスがずれるためＬ１のＳ／Ｎが下がり、板厚が薄すぎるとフォーカスがずれＬ０のＳ／Ｎが下がる。したがって、ＮＡ０．８５の光学系で記録・再生した場合、エラーせずに信号が再生できるため多層情報記録媒体の基板厚は０．０９１ｍｍ以上０．０９７ｍｍ以下が好ましいことがわかった。さらに環境温度の変動にも適用できるレベルで再生できることから、基板厚さが０．０９２ｍｍ以上０．０９６ｍｍ以下がより好ましい。また、レーザ波長が６６０ｎｍより短いため、板厚許容量が小さくなっている。従って、最大厚さと最小厚さの差が０．００６ｍｍ以下であることが好ましく、０．００４ｍｍ以下であることがより好ましい。
【０１０１】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜３、実施例６、８と同様である。
【実施例８】
【０１０２】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例６の情報記録媒体のスペーサ層７の厚さを７〜１３μｍの範囲でスペーサ層厚のみ変えた多層情報記録媒体を作製した。（ディスクＪ１〜Ｊ８）
（基板板厚依存性）本実施例の情報記録媒体（ディスクＪ１〜Ｊ８）の各レイヤーに３Ｔｗの記録信号を記録し、Ｓ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を測定した。この結果を表７に示す。
【表７】
【０１０３】
このように、スペーサ層厚が厚すぎるとフォーカスがずれるためＬ１のＳ／Ｎが下がり、スペーサ層厚が薄すぎるとフォーカスがずれＬ０のＳ／Ｎが下がる。したがって、ＮＡ０．８５の光学系で記録・再生した場合、エラーせずに信号が再生できるため多層情報記録媒体のスペーサ層厚は７μｍ以上１３μｍ以下が好ましいことがわかった。さらに環境温度の変動にも適用できるレベルで再生できることから、スペーサ層厚は８μｍ以上１２μｍ以下がより好ましい。また、レーザ波長が６６０ｎｍより短いため、スペーサ層厚許容量が小さくなっている。従って、最大厚さと最小厚さの差が６μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以下であることがより好ましい。
【０１０４】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜３、６〜７と同様である。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明による情報記録媒体の一例の断面模式図。
【図２】従来構造の情報記録媒体の断面模式図。
【図３】本発明の情報記録媒体の記録・再生特性評価に用いた記録波形を示す図。
【図４】本発明による情報記録媒体の他の例を示す断面模式図。
【図５】本発明による情報記録媒体の他の例を示す断面模式図。
【符号の説明】
【０１０６】
１，１′ 基板
２，２′ 下部保護層
３，３′ 記録膜
４，４′ 上部保護層
５，５′ 冷却制御層
６，６′ 反射層
７ 貼り合わせ樹脂
８，８′ コントラスト拡大層
１４ 基板
Ｔ ウインド幅（Ｔｗ）
Ｐｃ クーリングパルスパワーレベル
Ｐｅ 中間パワーレベル
Ｐｈ 高パワーレベル
Ｐｐ プリヒートパワーレベル
Ｐ１ パワーが０のレベル
Ｔｃ クーリングパルス幅
Ｔｐ 第１パルス幅
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクに用いられる情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光を照射して薄膜（記録膜）に情報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜材料の相変化（相転移とも呼ばれる）やフォトダークニングなど、レーザ光の照射による原子配列変化を利用するものは、薄膜の変形をほとんど伴わないため、２枚のディスク部材を直接貼り合わせて両面ディスク構造情報記録媒体、または複数の情報面を有する多層構造情報記録媒体が得られるという長所を持つ。
【０００３】
通常の光ディスクでは、波長が６６０ｎｍ付近の一般に赤色レーザと言われている光源を用いている。これら情報記録媒体は基板上に下部保護層、ＧｅＳｂＴｅ系等の記録膜、ＺｎＳ−ＳｉＯ2系上部保護層、Ａｌなど反射率の大きい反射層を順に積層した構造を有している。記録容量を上げる方法はいくつかあるが、６６０ｎｍ付近の波長より短波長の光源を使用する方法や多層構造にする方法などが提案されている。ＯＤＳ／ＩＳＯＭ‘９９予稿集第１１０頁（文献１）に波長４００ｎｍ付近用の２層情報記録媒体が示されている。この媒体では光入射側に反射層を持たない第１の情報面と光から遠い側にＡｌ合金反射層を持つ第２の情報面を有する。しかし、このデータは計算結果のみで記録・再生した場合に生じるコントラストが小さい点の改良については示されていない。また、同様な波長４００ｎｍ付近用の２層情報記録媒体がＰＣＯＳ’９９講演予稿集２２頁（文献２）に開示されているが、この媒体も同様に光入射側に反射層を持たない第１の情報面をもつ。
【０００４】
また、特開平１０−２９３９４２号には、透明下部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護膜、透明型反射膜または透明干渉膜からなる相変化型記録媒体を複数層設けることが記載されている。
【０００５】
なお、波長４００ｎｍ付近の短波長のレーザは一般に、長波長の赤色レーザと対比させて青色、青緑色、青紫色、緑色レーザなどと呼ばれているが本明細書中では、まとめて青色レーザと呼ぶ。
【０００６】
本明細書では、結晶−非晶質間の相変化ばかりでなく、融解（液相への変化）と再結晶化、結晶状態−結晶状態間の相変化も含むものとして「相変化」及び「原子配列変化」という用語を使用する。また、マークエッジ記録とは、記録マークのエッジ部分を信号の“１”に、マーク間およびマーク内を信号の“０”に対応させた記録方式のことをいう。本明細書において光ディスクとは、光の照射によって再生できる情報が記載された円板（ディスク）、及び／または光の照射によって情報の再生を行う装置をいう。
【非特許文献１】ＯＤＳ／ＩＳＯＭ‘９９予稿集第１１０頁
【非特許文献２】ＰＣＯＳ’９９講演予稿集２２頁
【特許文献１】特開平１０−２９３９４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の多層情報記録媒体はいずれも、青色レーザを用いた高密度の書き換え可能な相変化型の多層情報記録媒体として用いる場合、コントラストが小さいという問題を有している。
【０００８】
また、特開平１０−２９３９４２号では、透明反射層の透過率について思想がない。
【０００９】
そこで、この発明の目的は、青色レーザで記録・再生を行った場合のコントラストを改善し、良好な再生特性を持つ多層情報記録用媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、前記課題を解決するため、第１に、情報記録媒体を、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下であるという構成にした。
【００１１】
第２に、情報記録媒体を、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であるという構成にした。
【００１２】
第３に、情報記録媒体を、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下で、前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であるという構成にした。
【００１３】
第４に、情報記録媒体を、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下であるという構成にした。
【００１４】
第５に、情報記録媒体を、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であるという構成にした。
【００１５】
第６に、情報記録媒体を、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下で、前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であるという構成にした。
【００１６】
第７に、前記第１乃至第６のいずれかの構成を有する情報記録媒体において、前記記録膜の膜厚が４ｎｍ以上２５ｎｍ以下であるという構成にした。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると良好な記録・再生特性を有する情報記録媒体が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
【実施例１】
【００１９】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図１は、本発明の第１実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造を示す模式図である。この媒体は次のようにして製作した。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板１上に、膜厚約３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜を積層してなるＬ０下部保護層２、膜厚約６ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８Ｌ０記録膜３、膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜を積層してなるＬ０上部保護層４、膜厚約３５ｎｍの（Ａｌ２Ｏ３）膜よりなるＬ０透明反射層５、膜厚約５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０最上部保護層６を順次形成した。上記のような層４，５，６多層積層によって生じる光学干渉を用いて透明な反射層を得る。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００２０】
他方、同様のスパッタリング方法により、第１のディスク部材と異なる構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、ポリカーボネイト保護基板１２上に、膜厚約８０ｎｍのＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜からなるＬ１反射層１１上に膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約５ｎｍのＣｒ２Ｏ３を積層してなるＬ１上部保護層１０、膜厚約１８ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８Ｌ１記録膜９、膜厚約５ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜を積層してなるＬ１下部保護層８を順次形成したものである。
【００２１】
その後、前記第１のディスク部材と第２のディスク部材をそれぞれのＬ０最上部保護層６とＬ１下部保護層８をスペーサ層７を介して貼り合わせ、図１に示す２層情報記録媒体（ディスクＡ）を得た。
【００２２】
各情報面は光入射側の構成膜（Ｌ０下部保護層２からＬ０最上部保護層６まで）をＬ０、光から遠い方の構成膜（Ｌ１下部保護層８からＬ１反射層１１まで）をＬ１とした。
【００２３】
（従来型の情報記録媒体の構成、製法）
透明反射層の効果を明らかにするため、透明反射層を持たないディスク状情報記録媒体を作製した。図２は、この媒体の断面構造を示す模式図である。
【００２４】
この媒体は次のようにして製作した。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．５８５ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板１上に、膜厚約３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜からなるＬ０下部保護層２、膜厚約６ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ０記録膜３、膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０上部保護層４を順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００２５】
他方、同様のスパッタリング方法により、第１のディスク部材と異なる構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、ポリカーボネイト保護基板１２上に、膜厚約８０ｎｍのＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜からなるＬ１反射層１１上に膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約５ｎｍのＣｒ２Ｏ３からなるＬ１上部保護層１０、膜厚約１８ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ１記録膜９、膜厚約５ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ１下部保護層８を順次形成したものである。
【００２６】
その後、前記第１のディスク部材と第２のディスク部材をそれぞれのＬ０上部保護層４とＬ１下部保護層８をスペーサー層７を介して貼り合わせ、図２に示す情報記録媒体（ディスクＢ）を得た。
【００２７】
（初期結晶化）
前記のようにして製作したディスクＡとディスクＢのＬ０記録膜３に、次のようにして初期結晶化を行った。なお、以下ではＬ０記録膜３、Ｌ１記録膜９についてのみ説明するが、この他の多層媒体の記録膜についても全く同様である。
【００２８】
媒体（ディスクＡ，ディスクＢ）を記録トラック上の点の線速度が５ｍ／ｓであるように回転させ、波長約８１０ｎｍの半導体レーザのレーザパワーを３００ｍＷにしてＬ１の記録膜にフォーカスした後、レーザパワーを７００ｍＷにして、基板１およびＬ０膜、スペーサー層を通して記録膜９に媒体の半径方向に長い長円形のスポット形状で照射した。スポットの移動は、媒体の１回転につき媒体の半径方向のスポット長の１／２４ずつずらした。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は１回でもよいが３回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。この初期結晶化は高速で行える利点がある。
【００２９】
次ぎに波長約８１０ｎｍの半導体レーザのレーザパワーを３００ｍＷにしてレーザのフォーカス位置を変えてＬ０の記録膜にフォーカスした後、レーザパワーを７００ｍＷにして、基板１を通して記録膜３に媒体の半径方向に長い長円形のスポット形状で照射した。スポットの移動は、媒体の１回転につき媒体の半径方向のスポット長の１／２４ずつずらした。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は１回でもよいが３回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。この初期結晶化は高速で行える利点がある。
【００３０】
初期化の順序はＬ１記録膜から行ってもＬ０記録膜から行っても、また３層以上の多層情報記録媒体においてはランダムに行っても良い。
【００３１】
（記録・消去・再生）
前記のようにして製作し、初期結晶化を行った媒体について、次ぎのように記録・消去・再生特定の評価を行った。なお、以下ではＬ１の記録膜９についてのみ説明するが、Ｌ０の記録膜３についても全く同様であり、また３層以上の多層情報記録媒体においてのそれぞれの情報面の記録膜についても同様である。
【００３２】
初期結晶化が完了した記録膜９の記録領域にトラッキングと自動焦点合わせを行いながら、記録用レーザ光のパワーを中間パワーレベルＰｅ（３ｍＷ）と高パワーレベルＰｈ（７ｍＷ）との間で変化させて情報の記録を行った。記録トラックの線速度は９ｍ／ｓ、半導体レーザ波長は４０５ｎｍ、レンズの開口数（ＮＡ）は０．６５である。記録用レーザ光により記録領域に形成される非晶質またはそれに近い部分が記録点となる。この媒体の反射率は結晶状態の方が高く、記録され非晶質状態になった領域の反射率が低くなっている。
【００３３】
記録用レーザ光の高レベルと中間レベルのパワー比は１：０．３〜１：０．７の範囲が好ましい。また、この他に短時間ずつ他のパワーレベルにしてもよい。図３に示したように、１つの記録マークの形成中にウインドウ幅の半分（Ｔｗ／２）ずつ中間パワーレベルＰｅより低いボトムパワーレベルＰｂまでパワーを繰り返し下げ、かつクーリングパワーレベルＰｃを記録パルスの最後に持つ波形を生成する手段を持った装置で記録・再生を行うと、再生信号波形のジッター値およびエラーレートが低減した。クーリングパワーレベルＰｃは中間パワーレベルＰｅより低く、ボトムパワーレベルＰｂより高いか同じレベルである。この波形は、第１パルス幅Ｔｐが記録マークとそのマークの直前に設けられたスペースの長さの組み合わせによって変化する特徴とクーリングパルス幅Ｔｃ（記録パルスの最後にＰｃレベルまで下げる時間幅）が記録マークとそのマークの後続スペース長の組み合わせにより決まる特徴を持つ。マーク直前のスペース長が短く、マークが長いほどＴｐは短くなり、マーク直前のスペース長が長く、マークが短いほどＴｐは長くなる。ただし、媒体の構造によっては６Ｔｗマークの記録用記録波形のＴｐを特に長くした場合、ジッター低減効果が大きかった。また、後続のスペース長が長く、マークが長いほど、Ｔｃは短くなり、後続のスペース長が短く、マークが短いほど、Ｔｃは長くなる。
【００３４】
図３には３Ｔｗ，４Ｔｗ，６Ｔｗ，１１Ｔｗの記録波形しか示していないが、５Ｔｗは６Ｔｗの記録波形の一連の高いパワーレベルのパルス列のうち、Ｔｗ／２の高いパワーレベルＰｈと直後のＴｗ／２のボトムパワーレベルＰｂをそれぞれ一つずつ削減したものである。また、７Ｔｗ〜１０Ｔｗ用記録波形は６Ｔｗ用記録波形の最後尾の高いパワーレベルのパルスの直前に、Ｔｗ／２の高いパワーレベルＰｈとＴｗ／２のボトムパワーレベルＰｂを、それぞれ１組ずつ追加したものである。したがって、５組追加したものが１１Ｔｗである。
【００３５】
ここでは、３Ｔｗに対応する最短記録マーク長を０．２６μｍとした。記録すべき部分を通り過ぎると、レーザ光パワーを再生（読み出し）用レーザ光の低パワーレベルＰｒ（１ｍＷ）に下げるようにした。
【００３６】
このような記録方法では、既に情報が記録されている部分に対して消去することなく、重ね書きによって新たな情報を記録すれば、新たな情報に書き換えられる。すなわち、単一のほぼ円形の光スポットによるオーバーライトが可能である。
【００３７】
しかし、書き換え時の最初のディスク１回転または複数回転で、前記のパワー変調した記録用レーザ光の中間パワーレベル（３ｍＷ）またはそれに近いパワーの連続光を照射して、記録されている情報を一たん消去し、その後、次の１回転でボトムパワーレベル（０．５ｍＷ）と高パワーレベル（７ｍＷ）の間で、または中間パワーレベル（３ｍＷ）と高パワーレベル（７ｍＷ）との間で、情報信号に従ってパワー変調したレーザ光を照射して記録するようにしてもよい。このように、情報を消去してから記録するようにすれば、前に書かれていた情報の消え残りが少ない。従って、線速度を２倍に上げた場合の書き換えも、容易になる。
【００３８】
（透明反射層の効果）
本実施例記載の透明反射層を持つ図１に記載の情報記録媒体（ディスクＡ）および透明反射層を持たない図２に記載の従来の情報記録媒体（ディスクＢ）のＬ０について比較した。初回記録時の最短記録信号（３Ｔｗ）のＣ／Ｎ（搬送波対雑音比）について比べたところ、ディスクＡでは５０ｄＢのＣ／Ｎがあったが、ディスクＢではＣ／Ｎが小さく４６ｄＢであった。ディスクＡでＣ／Ｎが大きくなったのは、透明反射層を設けることにより記録膜と透明反射層との間での干渉を利用することが出来、信号振幅が大きくなったためである。
【００３９】
（透明反射層の光学特性）
透明反射層５の光学特性依存性を測定した。光学特性を変化させた複数の媒体を作成した。最短記録マーク３Ｔｗと３Ｔスペースの繰り返し信号を記録した際のＣ／Ｎを測定した。結果を表１に示す。透明反射層の組成が変わると透明反射層の消衰係数が変化し、反射層での吸収量が多くなるため、透過率一定とした時の反射率差が小さくなり、Ｃ／Ｎ（ｄＢ）が低下した。った。これより、透明反射層の消衰係数は、小さいことが好ましいことがわかる。実用レベルでＣ／Ｎを確保するには４８ｄＢ以上必要であるため、透明反射層の消衰係数０．５以下であることが好ましい。また、レーザの環境温度変動による劣化を考慮した場合には、Ｃ／Ｎが４９ｄＢ以上必要であるため、透明反射層の消衰係数は０．３ 以下であることがより好ましい。また、透明反射層の反射率は５％以上５０％以下であることが望ましい。
【表１】
【００４０】
次に透明反射層５の屈折率依存性を測定した。これを、表２に示す。透明反射層の屈折率ｎが変わると上部保護層と透明反射層の光干渉量が変わるため、透過率一定とした時の反射率差がかわる。ここで、反射率差とは、媒体における、記録膜の結晶状態と非結晶状態、つまり未記録状態と記録状態との反射率の差をいう。
【表２】
【００４１】
これより、透明反射層の屈折率は、実用レベルの反射率差を確保するには４％以上必要であるため、透明反射層の屈折率２．２以下または２．５以上であることが好ましい。また、レーザの環境温度変動による劣化を考慮した場合には、反射率差が５％以上必要であるため、透明反射層の屈折率は２．０ 以下または２．６以上であることがより好ましい。
【００４２】
さらに上部保護層の屈折率（２．３５）との差が大きい方が好ましいことがわかる。上部保護層の屈折率と透明反射層の屈折率の差が０．１５以上であることが好ましい。また、レーザの環境温度変動による劣化を考慮した場合には、上部保護層の屈折率と透明反射層の屈折率の差が０．２５以上であることがより好ましい。
【００４３】
透明反射層膜厚及び上部保護層膜厚及び最上部保護層膜厚は、反射率差が大きくとれるように決定することがＣ／Ｎが大きくなり好ましい。この膜厚は上部保護層が８０〜１６０ｎｍが好ましく、１００〜１４０ｎｍがより好ましい。透明反射層と最上部保護層膜厚は、透明反射層と最上部保護層膜厚の合計が５０〜１３０ｎｍが好ましく、７０〜１１０ｎｍがより好ましい。
【００４４】
干渉を利用するためには、透明反射層膜厚の最低膜厚は５ｎｍ以上にすることが好ましく、１０ｎｍ以上だとより好ましい。
【００４５】
透明反射層材料は、ＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，ＣｒＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）などの窒化物が好ましい。これら化合物における元素比は、例えば酸化物や硫化物における金属元素と酸素元素あるいは硫黄元素の比は、Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３は２：３、ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＧｅＯ２は１：２、Ｔａ２Ｏ５は２：５、ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが、その比から外れていても同様の効果は得られる。しかし、上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ２Ｏ３からＡｌ量で±１０原子％以下、Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ２からＳｉ量で±１０原子％以下等、金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
【００４６】
この他上記光学特性を持つ材料も使用可能である。透明反射層材料中の不純物元素が５原子％を超えると１万回以上の多数回オーバーライト時のジッター上昇が５％以上になることがわかった。したがって、透明反射層材料中の不純物元素が透明反射層成分の５原子％以下が書き換え特性の劣化を少なく出来、好ましい。２原子％以下であるとさらに好ましい。
【００４７】
（下部保護層）
本実施例では、Ｌ１下部保護層８を（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０とＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３層の２層構造としている。また、Ｌ０下部保護層２を（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜を積層した３層構造としている。２層構造をとる下部保護層２、８の（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０に代わる材料としては、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合比を変えたものが好ましい。また、ＺｎＳ，Ｓｉ−Ｎ系材料、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料、ＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ２Ｓ３，ＣｄＳ，Ｉｎ２Ｓ３，Ｇａ２Ｓ３，ＧｅＳ，ＳｎＳ２，ＰｂＳ，Ｂｉ２Ｓ３などの硫化物、ＳｎＳｅ２，Ｓｂ２Ｓｅ３，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ２Ｓｅ３，Ｇａ２Ｓｅ３，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ２，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ２Ｓｅ３などのセレン化物、ＣｅＦ３，ＭｇＦ２，ＣａＦ２などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ２，Ｂ４Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、ＺｎＳ−ＳｉＯ２，ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３など、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。この中で、ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが６０ｍｏｌ％以上を占めると成膜時間を短くできるため、これを６０ｍｏｌ％以上含む混合物の場合、ＺｎＳのスパッタレートが大きい点と酸化物や窒化物等の化学安定性の良い点が組み合わされる。この他の硫化物、セレン化物でもＺｎＳに近い特性が得られた。
【００４８】
これら化合物における元素比は、例えば酸化物や硫化物における金属元素と酸素元素あるいは硫黄元素の比は、Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３は２：３、ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＧｅＯ２は１：２、Ｔａ２Ｏ５は２：５、ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが、その比から外れていても同様の効果は得られる。しかし、上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ２Ｏ３からＡｌ量で±１０原子％以下、Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ２からＳｉ量で±１０原子％以下等、金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
【００４９】
上記材料は、下部保護層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると、書き換え可能回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
【００５０】
本実施例で用いた下部保護層の消衰係数ｋについては０または０に近いことが好ましい。さらに、下部保護層材料の８０％以上の膜厚において消衰係数ｋがｋ≦０．０１であれば、コントラストの低下が２％以下に抑制でき好ましい。
【００５１】
下部保護層を２層以上にし、記録膜側の下部保護層材料をＣｒ２Ｏ３またはＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３すると、多数回書き換え時に記録膜へＺｎ，Ｓの拡散を抑制でき、書き換え特性が良好であることがわかった。記録膜側の下部保護層材料のＣｒ２Ｏ３に代わる材料としては、Ｃｒ２Ｏ３にＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３を混合した混合物が好ましい。次いで、ＣｏＯまたはＧｅＯ２，ＮｉＯ、これらとＣｒ２Ｏ３の混合物が好ましい。これら酸化物は消衰係数ｋが小さく、下部界面層における吸収が非常に小さい。そのため、変調度が大きく保てるという利点がある。
【００５２】
また、Ｃｒ２Ｏ３またはＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３の一部をＡｌ２Ｏ３またはＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３に変えると、記録膜以外での吸収が減り透過率が大きくできるため、Ｌ０層でＣ／Ｎが大きく出来てこのましい。Ａｌ２Ｏ３またはＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３の代りにＳｉＯ２またはＳｉ３３Ｏ６３Ｎ４など、またこれらの窒素と酸素量の比が異なるものを用いても同様な特性が得られた。
【００５３】
また、ＡｌＮ，ＢＮ，ＣｒＮ，Ｃｒ2Ｎ，ＧｅＮ，ＨｆＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）、Ｓｉ−Ｎ系材料、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料、ＴａＮ，ＴｉＮ，ＺｒＮ，などの窒化物は保存寿命が大きくなり、外界温度変化に強く、より好ましい。窒素が含まれた記録膜組成またはそれに近い組成の材料でも接着力が向上する。
【００５４】
その他、ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＣｕＯ，ＣｄＯ，Ｄｙ２Ｏ３，ＦｅＯ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＨｆＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＭｎＯ，ＭｏＯ２，ＭｏＯ３，ＮｂＯ，ＮｂＯ２，ＰｂＯ，ＰｄＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，Ｓｃ２Ｏ３，ＳｒＯ，ＴｈＯ２，ＴｉＯ２，Ｔｉ２Ｏ３，ＴｉＯ，ＴｅＯ２，ＶＯ，Ｖ２Ｏ３，ＶＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３などの酸化物、Ｃ，Ｃｒ３Ｃ２，Ｃｒ２３Ｃ６，Ｃｒ７Ｃ３，Ｆｅ３Ｃ，Ｍｏ２Ｃ，ＷＣ，Ｗ２Ｃ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＣａＣ２などの炭化物または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよいし、これらの混合材料でもよい。
【００５５】
下部保護層の記録膜側に酸化物または窒化物の層を設けた場合は、Ｚｎ，Ｓ等の記録膜中への拡散が防止でき、消え残りが増加するのを抑制できる。さらに、記録感度を低下させないためには、２５ｎｍ以下とすることが好ましく、１０ｎｍ以下ではより好ましかった。均一な膜形成ができるのは約２ｎｍ以上であり、５ｎｍ以上がさらに良好であった。これより、記録膜側の下部保護層膜厚を２〜２５ｎｍとすると記録・再生特性がより良くなり、好ましい。未満の場合、再結晶化のためにＣ／Ｎが低下した。また、下部保護層膜厚が１０ｎｍ未満の場合、記録膜の保護効果がなくなるため、書き換え可能回数が１桁以上低下した。下部保護層と記載したものは、Ｌ０下部保護層、Ｌ１下部保護層、さらに多層情報記録媒体の下部保護層を意味する。
【００５６】
（記録膜）
本実施例では、記録膜３、記録膜９をＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８により形成している。本記録膜の再生波長における屈折率は、結晶状態が２．０、非晶質状態が２．６と、結晶状態の方が小さい。
【００５７】
Ｇｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８に代わる記録膜３，９の材料としては、Ａｇ３Ｇｅ３０Ｓｂ１４Ｔｅ５３，Ｃｒ３Ｇｅ３２Ｓｂ１３Ｔｅ５２等、Ａｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｃｒ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料で組成比の異なるものが変調度が大きくなり好ましい。記録膜３および／または記録膜９中のＡｇ量やＣｒ量が多いと短波長での反射率変化が大きくなるが、結晶化速度は遅くなる。従って、添加されるＡｇ量またはＣｒ量が２原子％以上、１０原子％以下が好ましい。しかし、Ａｇの添加されていないＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料でもオーバーライトは可能である。Ａｇの代わりに記録膜３，９へ添加する元素としては、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｂｉのいずれかのうちの少なくとも一つで置き換えても、オーバーライト特性が良好であることがわかった。これらの記録膜３，９材料は全て、再生波長における屈折率は結晶状態の方が非晶質状態より小さい。
【００５８】
本実施例で記録膜９の膜厚を変化させ、１０回書き換え後および１０万回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ、表３のようになった。記録膜９の膜厚（ｎｍ）に対し、１０回書き換え後については前エッジまたは後エッジのジッターの悪い方の値（％）を、１万回書き換え後については前エッジのジッター値（％）を示した。
【表３】
【００５９】
これより、記録膜９の膜厚を薄くすると記録膜流動や偏析による、１０回書き換え後のジッターが増加し、また厚くすると、１万回書き換え後のジッターが増加することがわかった。これより、記録膜９の膜厚は４ｎｍ以上、２５ｎｍ以下がジッターを２０％以下にでき好ましく、５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であればジッターを１５％以下に出来より好ましい。
【００６０】
記録膜３の膜厚および、１〜Ｎ−１情報面（レイヤー）における記録膜膜厚については、前記情報面の記録膜膜厚が情報面１≦情報面２≦…≦情報面Ｎ−１≦情報面Ｎの関係にあると各情報面において記録・再生可能となるため好ましい。さらに、光入射側の基板より１からＮ−１番めの情報面用記録膜の合計膜厚が１０ｎｍ以下であると、Ｎ番めの情報面のＣ／Ｎが４８ｄＢ以上と大きくでき好ましい。上記合計膜厚が８ｎｍ以下になるとＮ番めの情報面のＣ／Ｎが４９ｄＢ以上と大きくできより好ましい。
【００６１】
（上部保護層）
本実施例では、上部保護層１０をＺｎＳ−ＳｉＯ２とＣｒ４０Ｏ６０により形成した。また、Ｌ０上部保護層４を（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ６０膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ６０膜を積層した３層構造としている。
【００６２】
ＺｎＳ−ＳｉＯ２に代わる上部保護層の材料としては、Ｓｉ−Ｎ系材料、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料、ＺｎＳ，ＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ２Ｓ３，ＣｄＳ，Ｉｎ２Ｓ３，Ｇａ２Ｓ３，ＧｅＳ，ＳｎＳ２，ＰｂＳ，Ｂｉ２Ｓ３などの硫化物、ＳｎＳｅ２，Ｓｂ２Ｓｅ３，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ２Ｓｅ３，Ｇａ２Ｓｅ３，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ２，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ２Ｓｅ３などのセレン化物、ＣｅＦ３，ＭｇＦ２，ＣａＦ２などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ２，Ｂ４Ｃ，Ｂ，Ｃまたは、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、ＺｎＳ−ＳｉＯ２，ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３などこれらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。消衰係数は０または０に近いことが好ましい。
【００６３】
これら化合物における元素比は、例えば酸化物あるいは硫化物における金属元素と酸素元素あるいは硫黄元素の比は、Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３は２：３、ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＧｅＯ２は１：２、Ｔａ２Ｏ５は２：５、ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが、その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ２Ｏ３からＡｌ量で±１０原子％以下、Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ２からＳｉ量で±１０原子％以下等、金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
【００６４】
上記材料は、上部保護層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると、書き換え可能回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
【００６５】
上部保護層を２層以上にし、記録膜側の上部保護層材料をＣｒ２Ｏ３にすると、多数回書き換え時に記録膜へＺｎ，Ｓの拡散を抑制でき、書き換え特性が良好になることがわかった。
【００６６】
さらにその一部をＡｌ２Ｏ３，またはＳｉＯ２に変えるとコントラストが大きく出来て好ましいことがわかった。
【００６７】
上部保護層と記載したものは、Ｌ０上部保護層、Ｌ１上部保護層、さらに多層情報記録媒体の上部保護層を意味する。
【００６８】
（反射層）
本実施例では反射層１１にＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜を用いた。他の反射層の材料としては、Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ａｕ等、Ａｇ合金を主成分とするものが好ましい。Ａｇも使用可能である。Ａｇ合金中のＡｇ以外の元素の含有量を０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良好になり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良好になることがわかった。
【００６９】
また、Ｚｎ９８Ｐｄ２膜、Ｚｎ９８Ｐｔ２膜、Ｚｎ９８Ｃｕ２膜、Ｚｎ９８Ｎｉ２膜、Ｚｎ−Ｐｄ膜、Ｚｎ−Ｐｔ膜、Ｚｎ−Ｃｕ膜、Ｚｎ−Ｎｉ膜は、Ａｇ系材料に比べコストが安いという利点がある。Ｚｎも使用可能である。Ｚｎ合金中のＺｎ以外の元素の含有量は０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良好になり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良好になることがわかった。
【００７０】
次いで、Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金、上記以外のＡｇ合金、Ｃｕ合金、Ｐｄ合金、Ｐｔ合金などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよい。このように、反射層は、金属元素、半金属元素、これらの合金、混合物からなる。
【００７１】
この中で、Ａｇ，Ａｌ，Ａｌ合金、Ａｇ合金、等のように、反射率が大きいものは、コントラスト比が大きくなり書き換え特性が良好である。単体より合金の方が接着力が大きくなる。この場合の主成分となるＡｌ，Ａｇ等以外の元素の含有量はＡｇ合金同様に、０．５原子％以上５原子％以下の範囲にすると、コントラスト比が大きく、また接着力も大きくでき良好であった。１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良くなった。波長４００ｎｍ付近における反射率を比較するとＡｇまたはＡｇ合金は約９５％、Ａｌ，Ａｌ合金は約９２％と、Ａｇ系の方が大きいが、材料コストも大きい。これらに次ぐ材料としては、Ｚｎ，Ｚｎ合金が約８９％、Ｐｔ，Ｐｔ合金が約６５％と短波長における反射率が大きく、コントラストを大きく出来た。
【００７２】
上記材料は、反射層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると、書き換え可能回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
【００７３】
反射層膜厚が２０ｎｍより薄い場合、強度が弱く、熱拡散が小さく記録膜流動が起きやすいため、１万回書き換え後のジッターが１５％より大きくなる。３０ｎｍでは１５％まで低下できる。また、反射層膜厚が２００ｎｍより厚い場合、それぞれの反射層を作製する時間が長くなり、２工程以上に分ける、またはスパッタリング用の真空室を２室以上設ける等、形成時間が倍増した。また、反射層の膜厚が５ｎｍ以下だと島状に成膜され、ノイズが大きくなった。これより、反射層の膜厚はノイズ及びジッター、形成時間より、５ｎｍ以上、２００ｎｍ以下が好ましい。
【００７４】
（基板）
本実施例では、表面に直接、トラッキング用の溝を有するポリカーボネート基板１を用いているが、それに代えてポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよい。強化ガラスの代わりに石英やＣａＦを用いてもよい。
【００７５】
また、トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全てまたは一部に、記録・再生波長をλとしたとき、λ／１２ｎ′（ｎ′は基板材料の屈折率）以上の深さの溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割されていてもよい。溝深さが約λ／６ｎ′の時、クロストークが小さくなり好ましいことが分かった。さらに溝深さが約λ／３ｎ′より深い時、基板形成時の歩留まりは悪くなるが、クロスイレースが小さくなり好ましいことが分かった。
【００７６】
また、その溝幅は場所により異なっていてもよい。溝部の存在しない、サンプルサーボフォーマットの基板、他のトラッキング方式、その他のフォーマットによる基板等でも良い。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。トラックピッチの大きさが小さいと隣のトラックからの信号の漏れが検出されノイズとなるため、トラックピッチはスポット径（光強度が１／ｅ2となる領域）の１／２以上であることが好ましい。
【００７７】
ディスクサイズも直径１２ｃｍに限らず、１３ｃｍ、８ｃｍ、３．５インチ、２．５インチ等、他のサイズでも良い。ディスク厚さも０．６ｍｍに限らず、１．２ｍｍ、０．８ｍｍ、０．４ｍｍ、０．１ｍｍ等、他の厚さでも良い。
【００７８】
本実施例では、スペーサ層を介して貼り合わせているが、第２のディスク部材の代わりに別の構成のディスク部材、または保護用の基板などを用いてもよい。貼り合わせに用いるディスク部材または保護用の基板の図５のように保護基板側から形成して、最後に光入射側の基板１を形成するか、貼り合わせしてもよい。またこうして作製した２まいのディスクを貼り合わせて両面ディスクとしてもよい。紫外線波長領域における透過率が大きい場合、紫外線硬化樹脂によって貼り合わせを行うこともできる。その他の方法で貼り合わせを行ってもよい。また、第１および第２のディスク部材を貼り合わせる前に第１および第２のディスク部材の最上層上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布し、硬化後に貼り合わせを行うと、エラーレートをより低減できる。
【００７９】
（各層の膜厚、材料）
各層の膜厚、材料についてはそれぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記録・再生特性等が向上するが、それぞれの好ましい範囲を組み合わせることにより、さらに効果が上がる。
【実施例２】
【００８０】
（情報記録媒体の構成、製法）
図１の模式図に示した断面構造を有し、膜厚のみを相違させ、他は全て同じ条件とした情報記録媒体を製作した。この媒体は次のようにして製作した。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板１上に、膜厚約３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜からなるＬ０下部保護層２、膜厚約６ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ０記録膜３、膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０上部保護層４、膜厚約３５ｎｍの（Ａｌ２Ｏ３）膜よりなるＬ０透明反射層５、膜厚約５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０最上部保護層６を順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００８１】
他方、同様のスパッタリング方法により、第１のディスク部材と異なる構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、ポリカーボネイト保護基板１２上に、膜厚約８０ｎｍのＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜からなるＬ１反射層１１上に膜厚約１２０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約５ｎｍのＣｒ２Ｏ３からなるＬ１上部保護層１０、膜厚約１０ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ１記録膜９、膜厚約５ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約９５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ１下部保護層８を順次形成したものである。
【００８２】
その後、前記第１のディスク部材と第２のディスク部材をそれぞれのＬ０最上部保護層６とＬ１下部保護層８をスペーサ層７を介して貼り合わせ、図１に示す２層情報記録媒体（ディスクＡ）を得た。
【００８３】
各情報面は光入射側の構成膜（Ｌ０下部保護層２からＬ０最上部保護層６まで）をＬ０、光から遠い方の構成膜（Ｌ１下部保護層８からＬ１反射層１１まで）をＬ１とした。
【００８４】
これより、Ｌ１ディスクの反射率は、結晶状態の反射率が非晶質状態の反射率より低くなった。また下部保護層、記録膜、上部保護層の膜厚を変えると記録膜の吸収率比Ａｃ／Ａａ（Ａｃは結晶状態の記録膜における吸収、Ａａは非晶質状態の記録膜における吸収）を１．３倍に大きく出来実施例１に記載の多層情報記録媒体のＬ１に比べ、本実施例のＬ１はオーバーライト時のジッターを５％以上小さくできることがわかった。
【００８５】
Ｌ１下部保護層８膜厚の好ましい範囲は７０ｎｍ〜１４０ｎｍ，より好ましい範囲は８０ｎｍ〜１３０ｎｍである。Ｌ１上部保護層１０膜厚の好ましい範囲は９５ｎｍ〜１５５ｎｍ，より好ましい範囲は１０５ｎｍ〜１４５ｎｍである。Ｌ１記録膜９膜厚の好ましい範囲は実施例１に記載の通りである。
【実施例３】
【００８６】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図４は、本発明の多層ディスク状情報記録媒体の断面構造を示す模式図である。２層以上の媒体はこのようにして製作した。一例として３層媒体を示す。
【００８７】
まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板３０上に、膜厚約８０ｎｍのＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１膜からなるＬ２反射層２９上に膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約５ｎｍのＣｒ２Ｏ３からなるＬ２上部保護層２８、膜厚約１８ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ２記録膜２７、膜厚約５ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約８０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ２下部保護層２６を順次形成したものである。
【００８８】
その後、紫外線硬化樹脂を用いてトラッキング用の溝をスタンパから転写するフォトポリメリゼーション法（２Ｐ法）によって表面にトラッキング用の溝を有するＬ１−Ｌ２間スペーサ層２５を形成した。 この上に、Ｌ１を形成した。Ｌ１−Ｌ２間スペーサ層２５上に、膜厚約５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ１最上部保護層２４、膜厚約３５ｎｍの（Ａｌ２Ｏ３）膜よりなるＬ１透明反射層２３、膜厚約１２０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜からなるＬ１上部保護層２２、膜厚約５ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ１記録膜２１、膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるL１下部保護層２０、を順次形成した。
【００８９】
次に先ほどと同様の２Ｐ法によりＬ０−Ｌ１間スペーサ層１９を形成した。
【００９０】
Ｌ０−Ｌ１間スペーサ層１９上に膜厚約５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０最上部保護層１８、膜厚約３５ｎｍの（Ａｌ２Ｏ３）膜よりなるＬ０透明反射層１７、膜厚約１２０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜と膜厚約１ｎｍのＣｒ２Ｏ３膜からなるＬ０上部保護層１６、膜厚約４ｎｍのＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８からなるＬ０記録膜３、膜厚約１ｎｍのＣｒ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約４ｎｍのＡｌ４０Ｏ５７Ｎ３膜と膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０下部保護層１５、膜厚約２５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜からなるＬ０最上部保護層１４を順次形成した。最後に基板１３を貼り併せた。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして多層ディスク部材を得た。初期化及び、記録・再生方法は実施例１と同様である。このように、片側３層以上にして記録・再生することが可能である。
【実施例４】
【００９１】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例１の情報記録媒体の基板１の板厚０．５７５〜０．５９６ｍｍの範囲で板厚のみ変えた多層情報記録媒体を作製した。（ディスクＥ１〜Ｅ８）
（基板板厚依存性）
本実施例の情報記録媒体（ディスクＥ１〜Ｅ８）の各レイヤーに３Ｔｗの記録信号を記録し、Ｓ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を測定した。
【００９２】
基板の板厚が厚すぎるとフォーカスがずれるためＬ１のＳ／Ｎが下がり、板厚が薄すぎるとフォーカスがずれＬ０のＳ／Ｎが下がる。したがって、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生した場合、エラーせずに信号が再生できるため多層情報記録媒体の基板厚は０．５７８ｍｍ以上０．５９２以下が好ましいことがわかった。さらに環境温度の変動にも適用できるレベルで再生できることから、基板厚さが０．５８ｍｍ以上０．５９ｍｍ以下がより好ましい。また、レーザ波長が６６０ｎｍより短いため、板厚許容量が小さくなっている。従って、最大厚さと最小厚さの差が０．０１４ｍｍ以下であることが好ましく、０．０１ｍｍ以下であることがより好ましい。
【００９３】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜３、実施例５と同様である。
【実施例５】
【００９４】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例１の情報記録媒体のスペーサ層７の厚さを１０〜３１μｍの範囲でスペーサ層厚のみ変えた多層情報記録媒体を作製した。（ディスクＦ１〜Ｆ８）
（基板板厚依存性）
本実施例の情報記録媒体（ディスクＦ１〜Ｆ８）の各レイヤーに３Ｔｗの記録信号を記録し、Ｓ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を測定した。この結果を表４に示す。
【表４】
【００９５】
このように、スペーサ層厚が厚すぎるとフォーカスがずれるためＬ１のＳ／Ｎが下がり、スペーサ層厚が薄すぎるとフォーカスがずれＬ０のＳ／Ｎが下がる。したがって、ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生した場合、エラーせずに信号が再生できるため多層情報記録媒体のスペーサ層厚は１３μｍ以上２７μｍ以下が好ましいことがわかった。さらに環境温度の変動にも適用できるレベルで再生できることから、スペーサ層厚は１５μｍ以上２５μｍ以下がより好ましい。また、レーザ波長が６６０ｎｍより短いため、スペーサ層厚許容量が小さくなっている。従って、最大厚さと最小厚さの差が１４μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましい。
【００９６】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜４と同様である。
【実施例６】
【００９７】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例１の情報記録媒体の基板１の板厚を０．０９４ｍｍ、スペーサ層７の厚さを９μｍに変えた多層情報記録媒体を作製した。本媒体の作製方法は、実施例３に記載したように保護基板側からＬ１膜を積層し、次にスペーサ層を２Ｐ法にて作製した後、Ｌ０膜を積層、基板１を形成した。基板１の形成方法は、スピンコート、２Ｐ法のいずれか１つ、これらの組み合わせ、また別の方法でもよい。板厚が実施例７の範囲にあることと好ましい。板厚がずれた場合はＳ／Ｎが悪くなるが、記録・再生は可能であった。
【００９８】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜３、７〜８と同様である。
【実施例７】
【００９９】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例１の情報記録媒体の基板１の板厚を０．０９１〜０．０９７ｍｍの範囲で板厚のみ変えた多層情報記録媒体を作製した。（ディスクＨ１〜Ｈ８）
（基板板厚依存性）
本実施例の情報記録媒体（ディスクＨ１〜Ｈ８）の各レイヤーに３Ｔｗの記録信号を記録し、Ｓ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を測定した。。
【０１００】
基板の板厚が厚すぎるとフォーカスがずれるためＬ１のＳ／Ｎが下がり、板厚が薄すぎるとフォーカスがずれＬ０のＳ／Ｎが下がる。したがって、ＮＡ０．８５の光学系で記録・再生した場合、エラーせずに信号が再生できるため多層情報記録媒体の基板厚は０．０９１ｍｍ以上０．０９７ｍｍ以下が好ましいことがわかった。さらに環境温度の変動にも適用できるレベルで再生できることから、基板厚さが０．０９２ｍｍ以上０．０９６ｍｍ以下がより好ましい。また、レーザ波長が６６０ｎｍより短いため、板厚許容量が小さくなっている。従って、最大厚さと最小厚さの差が０．００６ｍｍ以下であることが好ましく、０．００４ｍｍ以下であることがより好ましい。
【０１０１】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜３、実施例６、８と同様である。
【実施例８】
【０１０２】
（情報記録媒体の構成、製法）
実施例６の情報記録媒体のスペーサ層７の厚さを７〜１３μｍの範囲でスペーサ層厚のみ変えた多層情報記録媒体を作製した。（ディスクＪ１〜Ｊ８）
（基板板厚依存性）本実施例の情報記録媒体（ディスクＪ１〜Ｊ８）の各レイヤーに３Ｔｗの記録信号を記録し、Ｓ／Ｎ比（シグナル対ノイズ比）を測定した。この結果を表５に示す。
【表５】
【０１０３】
このように、スペーサ層厚が厚すぎるとフォーカスがずれるためＬ１のＳ／Ｎが下がり、スペーサ層厚が薄すぎるとフォーカスがずれＬ０のＳ／Ｎが下がる。したがって、ＮＡ０．８５の光学系で記録・再生した場合、エラーせずに信号が再生できるため多層情報記録媒体のスペーサ層厚は７μｍ以上１３μｍ以下が好ましいことがわかった。さらに環境温度の変動にも適用できるレベルで再生できることから、スペーサ層厚は８μｍ以上１２μｍ以下がより好ましい。また、レーザ波長が６６０ｎｍより短いため、スペーサ層厚許容量が小さくなっている。従って、最大厚さと最小厚さの差が６μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以下であることがより好ましい。
【０１０４】
本実施例に記載されていない事項については、実施例１〜３、６〜７と同様である。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明による情報記録媒体の一例の断面模式図。
【図２】従来構造の情報記録媒体の断面模式図。
【図３】本発明の情報記録媒体の記録・再生特性評価に用いた記録波形を示す図。
【図４】本発明による情報記録媒体の他の例を示す断面模式図。
【図５】本発明による情報記録媒体の他の例を示す断面模式図。
【符号の説明】
【０１０６】
１，１′ 基板
２，２′ 下部保護層
３，３′ 記録膜
４，４′ 上部保護層
５，５′ 冷却制御層
６，６′ 反射層
７ 貼り合わせ樹脂
８，８′ コントラスト拡大層
１４ 基板
Ｔ ウインド幅（Ｔｗ）
Ｐｃ クーリングパルスパワーレベル
Ｐｅ 中間パワーレベル
Ｐｈ 高パワーレベル
Ｐｐ プリヒートパワーレベル
Ｐ１ パワーが０のレベル
Ｔｃ クーリングパルス幅
Ｔｐ 第１パルス幅
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項３】
基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下で、前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項４】
ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項５】
ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項６】
ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下で、前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１つに記載の情報記録媒体において、前記記録膜の膜厚が４ｎｍ以上２５ｎｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項１】
基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項３】
基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下で、前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項４】
ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項５】
ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項６】
ＮＡ０．６５の光学系で記録・再生される情報記録媒体であって、基板と、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録されるＮ層の記録膜の情報面と（Ｎは２以上の整数）、Ｎ−１個のスペーサ層とを有し、光入射側の情報面から情報面を数えたとき、前記情報面の透過率が情報面１＞情報面２……情報面Ｎ−１＞情報面Ｎの関係にあり、かつ前記基板の厚さが０．５７８ｍｍ以上０．５９２ｍｍ以下で、前記スペーサ層の厚さが１３μｍ以上２７μｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１つに記載の情報記録媒体において、前記記録膜の膜厚が４ｎｍ以上２５ｎｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００６−６６０７１（Ｐ２００６−６６０７１Ａ）
【公開日】平成１８年３月９日（２００６．３．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３０４６５１（Ｐ２００５−３０４６５１）
【出願日】平成１７年１０月１９日（２００５．１０．１９）
【分割の表示】特願２０００−２６０８６０（Ｐ２０００−２６０８６０）の分割
【原出願日】平成１２年８月２５日（２０００．８．２５）
【出願人】（０００００５８１０）日立マクセル株式会社 (2,366)
【出願人】（０００００５１０８）株式会社日立製作所 (27,607)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月９日（２００６．３．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１０月１９日（２００５．１０．１９）
【分割の表示】特願２０００−２６０８６０（Ｐ２０００−２６０８６０）の分割
【原出願日】平成１２年８月２５日（２０００．８．２５）
【出願人】（０００００５８１０）日立マクセル株式会社 (2,366)
【出願人】（０００００５１０８）株式会社日立製作所 (27,607)
【Ｆターム（参考）】
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