感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、
【課題】ブリッジ前寸法等の解像力及び露光ラチチュードに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ａ）、酸の作用により分解し、現像液に対する溶解性が変化する樹脂（Ｂ）、及び、活性光線又は放射線の照射により前記化合物（Ａ）が発生する酸と、酸存在下で反応し、共有結合を形成する化合物（Ｃ）を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（但し、前記樹脂（Ｂ）と化合物（Ｃ）とは同一の化合物であっても良い）、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ａ）、酸の作用により分解し、現像液に対する溶解性が変化する樹脂（Ｂ）、及び、活性光線又は放射線の照射により前記化合物（Ａ）が発生する酸と、酸存在下で反応し、共有結合を形成する化合物（Ｃ）を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（但し、前記樹脂（Ｂ）と化合物（Ｃ）とは同一の化合物であっても良い）、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ａ）、
酸の作用により分解し、現像液に対する溶解性が変化する樹脂（Ｂ）、及び、
活性光線又は放射線の照射により前記化合物（Ａ）が発生する酸と、酸存在下で反応し、共有結合を形成する化合物（Ｃ）を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。但し、前記樹脂（Ｂ）と化合物（Ｃ）とは同一の化合物であっても良い。
【請求項２】
前記化合物（Ａ）が、活性光線又は放射線の照射により、電子供与性基ＲＥＤ、又は酸の作用により電子供与性基ＲＥＤを発生する基を有する酸を発生する化合物であり、
前記化合物（Ｃ）が、電子受容性基ＲＥＡを有する化合物であり、
前記電子供与性基ＲＥＤと前記電子受容性基ＲＥＡとが酸存在下で反応して共有結合を形成する、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】
前記化合物（Ａ）が、活性光線又は放射線の照射により、電子受容性基ＲＥＡを有する酸を発生する化合物であり、
前記化合物（Ｃ）が、電子供与性基ＲＥＤ、又は酸の作用により電子供与性基ＲＥＤを発生する基を有する化合物であり、
前記電子供与性基ＲＥＤと前記電子受容性基ＲＥＡとが酸存在下で反応して共有結合を形成する、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項４】
活性光線又は放射線の照射により前記化合物（Ａ）が発生する酸が、非求核性アニオン性基として、スルホン酸アニオン性基、イミド酸アニオン性基及びカルボン酸アニオン性基のいずれかを有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項５】
活性光線又は放射線の照射により前記化合物（Ａ）が発生する酸が、非求核性アニオン性基として、スルホン酸アニオン性基及びイミド酸アニオン性基のいずれかを有する、請求項４に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項６】
前記電子供与性基ＲＥＤが、水酸基、チオール基及びカルボキシル基のいずれかである、請求項２〜５のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項７】
前記電子供与性基ＲＥＤが、水酸基及びチオール基のいずれかである、請求項６に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項８】
前記電子受容性基ＲＥＡが、環状エーテル基、ビニルエーテル基、アルデヒド基、カルボニル基と共役しているアルケニル基及びメチロール基のいずれかである、請求項２〜７のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項９】
前記電子受容性基ＲＥＡが、環状エーテル基、ビニルエーテル基及びメチロール基のいずれかである、請求項８に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項１０】
前記樹脂（Ｂ）と化合物（Ｃ）とが同一の化合物である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項１１】
前記樹脂（Ｂ）と化合物（Ｃ）とが異なる化合物である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項１２】
前記樹脂（Ｂ）が、実質的に芳香環を有さない、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。
【請求項１４】
請求項１３に記載のレジスト膜を露光する工程、及び現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法。
【請求項１５】
前記現像液が、有機溶剤を含む現像液である、請求項１４に記載のパターン形成方法。
【請求項１６】
前記露光する工程における露光が、液浸露光である、請求項１４又は１５に記載のパターン形成方法。
【請求項１】
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ａ）、
酸の作用により分解し、現像液に対する溶解性が変化する樹脂（Ｂ）、及び、
活性光線又は放射線の照射により前記化合物（Ａ）が発生する酸と、酸存在下で反応し、共有結合を形成する化合物（Ｃ）を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。但し、前記樹脂（Ｂ）と化合物（Ｃ）とは同一の化合物であっても良い。
【請求項２】
前記化合物（Ａ）が、活性光線又は放射線の照射により、電子供与性基ＲＥＤ、又は酸の作用により電子供与性基ＲＥＤを発生する基を有する酸を発生する化合物であり、
前記化合物（Ｃ）が、電子受容性基ＲＥＡを有する化合物であり、
前記電子供与性基ＲＥＤと前記電子受容性基ＲＥＡとが酸存在下で反応して共有結合を形成する、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】
前記化合物（Ａ）が、活性光線又は放射線の照射により、電子受容性基ＲＥＡを有する酸を発生する化合物であり、
前記化合物（Ｃ）が、電子供与性基ＲＥＤ、又は酸の作用により電子供与性基ＲＥＤを発生する基を有する化合物であり、
前記電子供与性基ＲＥＤと前記電子受容性基ＲＥＡとが酸存在下で反応して共有結合を形成する、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項４】
活性光線又は放射線の照射により前記化合物（Ａ）が発生する酸が、非求核性アニオン性基として、スルホン酸アニオン性基、イミド酸アニオン性基及びカルボン酸アニオン性基のいずれかを有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項５】
活性光線又は放射線の照射により前記化合物（Ａ）が発生する酸が、非求核性アニオン性基として、スルホン酸アニオン性基及びイミド酸アニオン性基のいずれかを有する、請求項４に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項６】
前記電子供与性基ＲＥＤが、水酸基、チオール基及びカルボキシル基のいずれかである、請求項２〜５のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項７】
前記電子供与性基ＲＥＤが、水酸基及びチオール基のいずれかである、請求項６に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項８】
前記電子受容性基ＲＥＡが、環状エーテル基、ビニルエーテル基、アルデヒド基、カルボニル基と共役しているアルケニル基及びメチロール基のいずれかである、請求項２〜７のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項９】
前記電子受容性基ＲＥＡが、環状エーテル基、ビニルエーテル基及びメチロール基のいずれかである、請求項８に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項１０】
前記樹脂（Ｂ）と化合物（Ｃ）とが同一の化合物である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項１１】
前記樹脂（Ｂ）と化合物（Ｃ）とが異なる化合物である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項１２】
前記樹脂（Ｂ）が、実質的に芳香環を有さない、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。
【請求項１４】
請求項１３に記載のレジスト膜を露光する工程、及び現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法。
【請求項１５】
前記現像液が、有機溶剤を含む現像液である、請求項１４に記載のパターン形成方法。
【請求項１６】
前記露光する工程における露光が、液浸露光である、請求項１４又は１５に記載のパターン形成方法。
【公開番号】特開２０１２−７３４０１（Ｐ２０１２−７３４０１Ａ）
【公開日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１７９６５（Ｐ２０１０−２１７９６５）
【出願日】平成２２年９月２８日（２０１０．９．２８）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２８日（２０１０．９．２８）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
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