振幅イコライザ
【課題】損失最小周波数での低損失性能を保持したまま、加工コストを低減できる平面基板構成や同軸管を用いた振幅イコライザを提供する。
【解決手段】裏面を地導体２とする第１絶縁性基板１と、第１絶縁性基板１の表面に形成した入出力端を有する主線路３と、主線路３の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた第１絶縁性基板１の表面に形成したストリップ導体４と、ストリップ導体４のパターンに沿って第２絶縁性基板５の表面に形成した前記ストリップ導体４より短いストリップ線路７と、ストリップ線路７に沿って抵抗体膜８を介して両側からストリップ線路７を挟むようにパターン形成しストリップ導体４と分布的に短絡させた接地パターン９と、ストリップ導体４の開放端側に位置する前記ストリップ線路７と主線路３とを電気接続する電気接続手段１１とを備える。
【解決手段】裏面を地導体２とする第１絶縁性基板１と、第１絶縁性基板１の表面に形成した入出力端を有する主線路３と、主線路３の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた第１絶縁性基板１の表面に形成したストリップ導体４と、ストリップ導体４のパターンに沿って第２絶縁性基板５の表面に形成した前記ストリップ導体４より短いストリップ線路７と、ストリップ線路７に沿って抵抗体膜８を介して両側からストリップ線路７を挟むようにパターン形成しストリップ導体４と分布的に短絡させた接地パターン９と、ストリップ導体４の開放端側に位置する前記ストリップ線路７と主線路３とを電気接続する電気接続手段１１とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、進行波管や高周波半導体増幅器などに用いられ、利得周波数特性の平坦化を行う振幅イコライザに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波帯、ミリ波帯などの進行波管増幅器や、半導体増幅器などにおいて、出力信号の振幅が周波数により差異を生じる場合、すなわち利得周波数特性が平坦でない場合に、増幅器の入力側または出力側の端子に接続し、振幅差異を抑制し、周波数特性の平坦化を行うための振幅イコライザ(利得等化装置)が搭載される。また、増幅器の非線形性で発生する２次高調波などの不要波を抑圧するための帯域阻止フィルタとしても機能する。
【０００３】
振幅イコライザに関しては、例えば、特開平８−１２５４０１号公報図２（特許文献１参照）にはチャンネル増幅器としての進行波管（ＴＷＴ）の応用として、ＲＦ入力ポ−ト２０とＲＦ出力ポ−ト４０を有しマイクロストリップライン２２，３０，５０，４２で構成されている主マイクロストリップ伝送ラインと、この主マイクロストリップ伝送ラインのほぼ中心に位置されているＴ結合部３１に結合されているスタブチュ−ナと、このスタブチューナに結合されている可変抵抗手段５４とを具備した利得等化装置が開示されている。
【０００４】
また、特開２００４−２８９７４９号公報図２（特許文献２参照）には、マイクロ波信号が伝搬する主線路６と接地間に、抵抗７と伝送線路１１とインダクタ１２との直列回路を設け、この直列回路の伝送線路１１とインダクタ１２との間に先端開放線路１３を接続するとともに、伝送線路１１と先端開放線路１３の電気長を所望の周波数帯で１／４波長よりも短く選ぶことにより、凹形の損失の周波数特性も兼ね備えるようにした周波数イコライザが開示されている。
【０００５】
また、特開２００２−２１７６１９号公報図１（特許文献３参照）には、マイクロストリップ主線路の側縁に対向してマイクロストリップ副線路の入力端を配置しキャパシタンスを構成するパターン間隙を形成し、マイクロストリップ副線路の入力端の近辺でかつマイクロストリップ主線路の側縁に沿って調整用パターンを配置し、必要に応じて入力端と金ワイヤまたは金リボンで接続することによりパターン間隙の幅を変更するようにしたイコライザが開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平８−１２５４０１号公報（第２図）
【０００７】
【特許文献２】特開２００４−２８９７４９号公報（第２図）
【０００８】
【特許文献３】特開２００２−２１７６１９号公報（第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載のものでは、ＭＭＩＣ構成の振幅イコライザなのでＭＭＩＣの初期製造に多くの費用が必要であり、少量生産には適していないという課題があった。
【００１０】
特許文献２及び特許文献３に記載のものでは、抵抗素子は２次元的広がりがあるため、最小損失周波数での損失が増加するという課題があった。
【００１１】
この発明に係る振幅イコライザは損失最小周波数での低損失性能を保持したまま、加工コストを低減できる平面基板構成や同軸管を用いた振幅イコライザを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に係る振幅イコライザは、裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成したストリップ導体と、このストリップ導体のパターンに沿って第２絶縁性基板の表面に形成した前記ストリップ導体より短いストリップ線路と、このストリップ線路に沿って抵抗体膜を介して両側から前記ストリップ線路を挟むようにパターン形成し前記ストリップ導体と分布的に短絡させた接地パターンと、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記ストリップ線路と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記ストリッ
プ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器を、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けたものである。
【００１３】
請求項２に係る振幅イコライザは、裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成したストリップ導体と、このストリップ導体のパターンに沿って第２絶縁性基板の表面に形成した前記ストリップ導体より短いストリップ線路と、このストリップ線路に沿って抵抗体膜を介して両側から前記ストリップ線路を挟むようにパターン形成し前記ストリップ導体と分布的に短絡させた接地パターンと、前記第２絶縁性基板と離間して設置した板状の調整ブロックと、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記ストリップ線路と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記ストリップ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器を、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けると共に前記第２絶縁性基板と前記調整ブロックとの間隔を小さくすることにより減衰量を増加させ、前記間隔を大きくすることにより減衰量を低下させるものである。
【００１４】
請求項３に係る振幅イコライザは、前記ストリップ導体の他端を地導体として構成した
ストリップ線路共振器と、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路とを前記主線路に沿って複数個設けた請求項１に記載のものである。
【００１５】
請求項４に係る振幅イコライザは、裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成したストリップ導体と、このストリップ導体のパターンに沿って裏面を導体パターンとする第２絶縁性基板の表面に形成した前記ストリップ導体より短いストリップ線路と、このストリップ線路に沿って抵抗体膜を介して両側から前記ストリップ線路を挟むようにパターン形成し前記ストリップ導体と分布的に短絡させた接地パターンと、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記ストリップ線路と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記第２絶縁性基板の裏面と前記ストリップ導体とを接着することにより前記第２絶縁性基板の導体パターンによる導体膜と前記ストリップ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器を、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けたものである。
【００１６】
請求項５に係る振幅イコライザは、裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に前記第１絶縁性基板の裏面と短絡するパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成した幅広パターンと、裏面を導体パターンとする第１絶縁層と、この第１絶縁層の表面に形成され、前記主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を前記幅広パターンと電気接続したパターンを延在させたストリップ導体と、このストリップ導体に沿って離間して両側から挟むように前記主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を前記幅広パターンと電気接続したパターンを延在させた前記第１絶縁層の表面に形成した外導体と、この外導体及び前記ストリップ導体上に設けられた第２絶縁層と、この第２絶縁層の表面に形成され、前記ストリップ導体のパターンに沿って設けた前記ストリップ導体より短いストリップ線路と、このストリップ線路に沿って抵抗体膜を介して両側から前記ストリップ線路を挟むようにパターン形成し前記ストリップ導体と分布的に短絡させた接地パターンと、この接地パターンと離間して延在し、前記外導体に沿って分布的に短絡させた前記第２絶縁層の表面に形成した表面外導体と、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記ストリップ線路と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記第１絶縁層の裏面と前記幅広パターンとを接着することにより、前記第１絶縁層の導体パターンによる導体膜と前記ストリップ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器を、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けたものである。
【００１７】
請求項６に係る振幅イコライザは、裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成したストリップ導体と、このストリップ導体のパターンに沿って内周導体と外周導体とを有し、前記内周導体と前記外周導体間に電波吸収材を充填した前記ストリップ導体より短い同軸管線路と、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記同軸管線路の内周導体と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記外周導体と前記ストリップ導
体とを接着することにより、前記ストリップ導体の他端を地導体として構成した同軸管線路共振器を、前記内周導体、前記電波吸収体、前記外周導体で構成した抵抗体付加同軸管線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けたものである。
【００１８】
請求項７に係る振幅イコライザは、裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に前記第１絶縁性基板の裏面と短絡するパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成した幅広パターンと、この幅広パターンに沿って内周導体と外周導体とを有し、前記内周導体と前記外周導体間に電波吸収材を充填した前記ストリップ導体より短い同軸管線路と、前記同軸管線路に絶縁体を介して覆う一端が開放され他端が前記外周導体と短絡された外皮導体と、この外皮導体の一端側を前記主線路側に位置させた前記同軸管線路の内周導体と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記外皮導体と前記幅広パターンとを接
着することにより、前記外皮導体と前記外周導体の他端を地導体として構成した同軸管線路共振器を、前記内周導体、前記電波吸収体、前記外周導体で構成した抵抗体付加同軸管線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けたものである。
【００１９】
請求項８に係る振幅イコライザは、裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、内周導体と外周導体とを有し、前記内周導体と前記外周導体間に電波吸収材を充填した同軸管線路と、この同軸管線路に絶縁体を介して覆う一端が開放され他端が前記外周導体と短絡された外皮導体と、この外皮導体の一端側に対応する前記主線路側に位置させた前記同軸管線路の内周導体と前記主線路とを電気接続する電気接続手段と、前記第１絶縁性基板の裏面と前記外皮導体とを載置する導体基台とを備え、前記外皮導体と前記第１絶縁性基板とを接着することにより、前記外皮導体と前記外周導体の他端を地導体として構成した同軸管線路共振器を、前記内周
導体、前記電波吸収体、前記外周導体で構成した抵抗体付加同軸管線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けたものである。
【発明の効果】
【００２０】
この発明に係る振幅イコライザによれば、ストリップ導体で構成したストリップ共振器と抵抗体を付加したコプレナー線路とを連結して主線路を通過するマイクロ波周波数の振幅制御を行えるので、ストリップ線路共振器のストリップ導体上に抵抗体膜を形成した線路を形成することにより、損失が最小となる周波数では、主線路側から見た入力インピーダンスは無限大となり、抵抗体膜に全く電流が流れない無損失特性を可能とする効果がある。
【００２１】
また、この発明に係る振幅イコライザによれば、同軸管線路の内周導体と外周導体との間に電波吸収体を充填することにより、損失が最小となる周波数では、主線路側から見た入力インピーダンスは無限大となり、同軸管線路を用いても抵抗体を付加したコプレナー線路同様、無損失特性を維持できる。
【００２２】
また、この発明に係る振幅イコライザによれば、誘電体などの絶縁性基板や同軸管などを用いてイコライザ回路を構成するので切削などの機械加工が不要であり製造コストを削減でき、かつ小形化、軽量化にも貢献するという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１に係る振幅イコライザについて説明する。図１は、実施の形態１による振幅イコライザの外観図である。図２は、図１に示す振幅イコライザのＡ−Ａ断面図である。図３は、図１に示す振幅イコライザのＢ−Ｂ断面図である。図１〜図３において、１はセラミック材又はプリント配線材などを基材とした第１絶縁性基板（誘電体基板）、２は第１絶縁性基板１の裏面に全面メタライズ形成された導体膜（地導体）、３は第１絶縁性基板１の表面に形成した入出力端を有する主線路、４は一端を主線路３の近傍に直交させて開放端とし、他端に向かってパターンを延在させた第１絶縁性基板１の表面に形成されたストリップ導体（ストリップ線路共振器パターン）である。
【００２４】
５はセラミック材又はプリント配線材などを基材とし、裏面をストリップ導体４の表面に載置した第２絶縁性基板、６はストリップ導体４の一端から延在したパターンの終端側に配置され、地導体２と接続するビアホール、７はストリップ導体４に沿って設けられ、第２絶縁性基板５の表面に形成したストリップ線路、８はストリップ線路７に沿って設けられ、両側からストリップ線路７を挟むように当接させて厚膜又は薄膜パターンで形成した帯状の抵抗体膜、９は抵抗体膜８を介してストリップ線路７の両側に設けられた接地パターン、１０は接地パターン９に沿って所定の間隔毎に設置したビアホール、１１はストリップ線路７と主線路３とを電気接続する金リボンや金ワイヤなどの導体線で構成した電気接続手段である。
【００２５】
なお、第２絶縁性基板５の表面に配置されたストリップ線路７、抵抗体膜８、接地パターン９及びビアホール１０で構成した回路を抵抗体膜装荷コプレナー線路１２と呼び、主線路３の近傍に設置したストリップ導体４の開放端からビアホール６で地導体２に短絡したストリップ導体４の終端までを総称してストリップ線路共振器１３と呼ぶ。図１〜図３中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００２６】
次に動作について説明する。図４は、実施の形態１による振幅イコライザの回路図である。図４において、１２はブロック図で表示した抵抗体膜装荷コプレナー線路、１３はブロック図で表示したストリップ線路共振器であり、ストリップ線路共振器１３は、単一又は複数の異なる特性インピーダンスの分布定数線路を繋ぎ合わせた線路で構成される。
【００２７】
接地パターン９はストリップ導体４の終端部のビアホール６で地導体２に接続されてるので、ストリップ導体４をストリップ線路共振器１３の地導体とみなし、導体線１１との間で主線路３側からストリップ線路共振器１３と抵抗体膜装荷コプレナー線路１２側を見たインピーダンスＺｔは、ストリップ線路共振器１３の入力インピーダンスＺｒと抵抗体膜装荷コプレナー線路１２の入力インピーダンスＺｃとの直列接続と見なすことができる。すなわち、Ｚｔ＝Ｚｒ＋Ｚｃで表すことができる。したがって、振幅イコライザ回路全体は、主線路３に対して、インピーダンスＺｔの回路が並列接続された図５に示す等価回路で表現できる。
【００２８】
ストリップ線路共振器１３は電気長が１／４波長や３／４波長など、１／４波長の奇数倍の電気長（線路内波長）になる周波数において共振し、そのとき開放端での入力インピーダンスは無限大、すなわち、この開放端の一点では開放状態となり、電流定在波の節となる。このとき、物理的にはこの分岐線路に高周波電流は流れ込まないことになる。このため、これに直列に接続されている抵抗体膜装荷コプレナー線路１２にも高周波電流は流れない。したがって主線路３には並列に何も接続されていない状態と同様の状態となり、入力された信号は減衰することなくそのまま出力端子に現れる。
【００２９】
上記の共振周波数以外の周波数ではストリップ線路共振器１３の開放端での入力インピーダンスは有限となり高周波電流が流れ込む。したがって、これに直列に接続されている抵抗体膜装荷コプレナー線路１２にも高周波電流が流れることになる。このため、主線路３には並列に、抵抗体膜装荷コプレナー線路１２の入力インピーダンスの実部に相当した抵抗が並列接続された状態となり、入力された信号は減衰して出力端子に現れる。図６は、通過帯域における振幅イコライザの振幅を示したものである。この減衰の周波数特性の一例では各共振周波数ｆ１、ｆ２から離れるに従い減衰が大きくなり、両共振周波数の中心付近で減衰が最大となる特性となる。
【００３０】
単独の進行波管増幅器（ＴＷＴ）の利得の周波数特性は一般に図７に示すように、所要周波数帯域の下限周波数ｆ１と上限周波数ｆ２の両端で利得が極小で、中心周波数近傍で最も利得が大きくなる特性を有する。そこで、この発明の実施の形態１による振幅イコライザのストリップ線路共振器１３のＮ次共振周波数をｆ１、Ｎ＋１次の共振周波数をｆ２に設定するようにストリップ共振器１３の特性インピーダンスを調整すると、上記進行波管増幅器と振幅イコライザとを直列に接続することにより総合の利得周波数特性は図８に示すように平坦化できる。また、振幅イコライザの減衰量の最大値は、抵抗体膜８の材料定数、ストリップ線路７のパターン幅、ストリップ線路７と接地パターン９との間隔により設定できる。
【００３１】
以上からこの発明の実施の形態１によれば、信号の減衰が原理的になくなるため、大電力増幅器の利得周波数特性の平坦化や高調波抑制用フィルタとして適用すると、良好な通信回線の実現や、低消費電力、高効率化を図ることが可能となる。
【００３２】
実施の形態２．
この発明の実施の形態２による振幅イコライザについて図９〜図１１を用いて説明する。図９は、実施の形態２による振幅イコライザの外観図である。図１０は、図９に示す振幅イコライザに筐体を参考付加した場合のＣ−Ｃ断面図である。図１１は、図９に示す振幅イコライザに筐体を参考付加した場合のＤ−Ｄ断面図である。図９〜図１１において、１４は、導体，電波吸収体，セラミック材などの絶縁材料のいずれかから構成され、線路の電磁カップリング量を変化させることによりコプレナー線路１２の特性インピーダンスを調整する板状の調整ブロック、１５は取り付け用ブロック、１６は振幅イコライザを収納する筐体、１７は筐体１６と合わせて密閉空間を構成する蓋、１８は蓋１７を貫通して筐体１６に収納されたコプレナー線路の上部に位置した調整ブロック１４の高さを調整する調整ネジ（ネジ）、１９は調整ネジ１８を固定するナット、２０は伸縮ばねである。図図９〜図１１中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００３３】
次に動作について説明する。実施の形態２では、実施の形態１に示した振幅イコライザに対して振幅イコライザに筐体１６と蓋１７とを付加し、筐体１６は主線路３の入出力部を除き、周囲が壁で覆われた枠体を含む構成としている。
【００３４】
抵抗体膜装荷コプレナー線路１２の上方近傍に調整ブロック１４を配置し、抵抗体膜装荷コプレナー線路１２との距離をネジ１８により調整する。取り付け用ブロック１５は調整ブロック１４とネジ１８とを接続させるもので調整ブロック１４に接着固定される。ナット１９とばね２０とで調整ブロック１４の位置を固定する。この構成により抵抗体膜装荷コプレナー線路１２の特性インピーダンスを変更する。すなわち、抵抗体膜装荷コプレナー線路１２の上部にある調整ブロック１４を抵抗膜装荷コプレナー線路１２に近づけることで抵抗体膜装荷コプレナー線路１２の入力インピーダンスの実部が小さくなり、振幅イコライザの減衰量は大きくなり、遠ざけると振幅イコライザの実部が大きくなり、振幅イコライザの減衰量は小さくなる。
【００３５】
以上から振幅イコライザをＴＷＴの入力部又は出力部に設置することによりＴＷＴの減衰量の調整が可能となる。
【００３６】
実施の形態３．
この発明の実施の形態３による振幅イコライザについて図１２を用いて説明する。図１２は実施の形態３による振幅イコライザの外観図である。実施の形態３では、実施の形態１で示したストリップ線路共振器１３と抵抗体膜装荷コプレナー線路１２とを主線路３に沿って複数配置している。複数配置することにより、単一のストリップ線路共振器１３と抵抗体膜装荷コプレナー線路１２における減衰量が不足した場合、減衰量を補い所要の減衰量を得ることができる。また、単一構成で反射が大きい場合、複数配置することによりそれぞれの反射を打ち消し、振幅イコライザ全体としては反射を低減でき、動作周波数帯域内での通過特性の不要なリップルを取り除ける効果がある。
【００３７】
実施の形態４．
この発明の実施の形態４による振幅イコライザについて図１３〜図１５を用いて説明する。図１３は、実施の形態４による振幅イコライザの外観図である。図１４は、図１３に示す振幅イコライザのＥ−Ｅ断面図である。図１５は、図１３に示す振幅イコライザのＦ−Ｆ断面図である。図１３〜図１５において、２１は、第２絶縁性基板５の裏面に全面メタライズ形成された導体膜（地導体）である。なお、図１３では構造を明確に説明するため抵抗体膜装荷コプレナー線路１２をストリップ線路共振器１３から切り離した展開図で示している。図１３〜図１５中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００３８】
次に動作について説明する。抵抗膜装荷コプレナー線路１２の裏面全面にもストリップ線路共振器１３すなわち、ストリップ導体パターン４とは別に導体膜２１を設けている。最終形状は図１４、図１５に示すように抵抗体膜装荷コプレナー線路１２をストリップ線路共振器１３上に配置し、導体膜２１とストリップ線路共振器１３とを電気的に接続するとともに導体線１１で抵抗体膜装荷コプレナー線路１２と主線路３とを接続した構成となる。
【００３９】
以上から第２絶縁性基板５に抵抗体膜装荷コプレナー線路１２を主線路３の基板から切り離せば、抵抗体膜装荷コプレナー線路１２単体で入力インピーダンスＺｃを正確に測定し、接着性に可逆性のある紫外線（ＵＶ）硬化樹脂で接着固定して振幅イコライザとして組立を行うことにより、生産工程時における製品の性能安定化を図ることができる利点がある。
【００４０】
実施の形態５．
この発明の実施の形態５による振幅イコライザについて図１６〜図１９を用いて説明する。図１６は、実施の形態５による振幅イコライザの外観図である。図１７は、図１６に示す振幅イコライザのＧ−Ｇ断面図である。図１８は、図１６に示す振幅イコライザのストリップ導体を含む領域のＨ−Ｈ断面図である。図１９は、図１６に示す振幅イコライザの接地パターン９を含む領域のＩ−Ｉ断面図である。図１６〜図１９において、２２は一端を主線路３の近傍に配置し、他端に向かって幅広のパターンを延在させた第１絶縁性基板１の表面に形成した幅広パターン、２３は幅広パターン２２の全域に亘り所定の間隔で面上に配置したビアホール、２４は第１絶縁層、２５は第１絶縁層２４の外層（裏面）に設置した導体パターン、２６は第２絶縁層、２７は第２絶縁層２６の外層表面に設置した表面導体パターンであり、表面導体パターン２７は、中央に設置したストリップ線路２７ａと両側端部に設置した表面導体２７ｂ、２７ｃ及びストリップ線路２７ａと表面導体２７ｂ、２７ｃとの間に位置する接地パターン９からなる。
【００４１】
また、ストリップ線路２７ａと接地パターン９との間は抵抗体膜８で接続される。２８は第１絶縁層２４と第２絶縁層２６で挟まれた内層導体パターンであり、内層導体パターン２８は中央に設置した内層導体２８ａ（ストリップ導体）と両側端部に設置した内層導体（外導体）２８ｂ、２８ｃからなる。図１６〜図１９中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００４２】
第１絶縁層２４、第１絶縁層２４の表面に設置した導体パターン２５、第２絶縁層２６、第２絶縁層の表面に設置した表面導体パターン２７、第１絶縁層２４と第２絶縁層２６で挟まれた内層導体パターン２８及び抵抗体膜８で多層基板を形成し、多層基板で形成された回路を多層回路基板回路と呼ぶ。なお、図１６では構造を明確に説明するため多層基板は第１絶縁性基板１の幅広パターン２２から切り離した展開図で示している。
【００４３】
次に動作について説明する。第１絶縁性基板１の表面に設置した幅広パターン２２にビアホール２３を介して地導体２と電気的に接続することで幅広パターン２２は地導体の機能を有する。従って幅広パターン２２と接する第１絶縁層２４の外層（表面）に設置した導体パターン２５も地導体の役目を担う。内層導体パターン２８の中央に設置した内層導体２８ａはストリップ線路共振器の役目を担い、両側端部に設置した内層導体（外導体）２８ｂ、２８ｃで側面側の地導体の役目を担う。
【００４４】
第２絶縁層２６の表面中央に設置したストリップ線路２７ａ、表面導体２７ｂ、２７ｃで基板を多層化し、実施の形態１同様に抵抗体膜８及び接地パターン９で抵抗体膜装荷コプレナー線路１２を形成する。
【００４５】
導体パターン２５と内層導体２８ｂ、２８ｃおよび表面導体２７ｂ、２７ｃを電気的に層間接続するビアホール６、および、主線路３から離れた側のストリップ線路共振器（内層導体２８ａ）の端部と導体パターン２５とを電気的に層間接続するビアホール６、さらに、ストリップ線路共振器（内層導体）２８ａと接地パターン９とを層間接続するビアホール６を設けることによりストリップ線路共振器（内層導体）２８ａと抵抗体膜装荷コプレナー線路１２を一体化した多層基板回路（多層回路基板）３０を形成する。
【００４６】
最終形状として図１７、図１８、図１９に示すように多層回路基板３０の導体パターン２５を幅広パターン２２に電気的に接続するように配置し、ストリップ線路２７ａと主線路３とを導体線１１により接続すると、実施の形態１と同様、振幅イコライザとして動作する。
【００４７】
以上からこの多層基板回路３０を主線路３の基板から切り離せば、多層基板回路３０単独でストリップ線路共振器２８ａと抵抗体膜装荷コプレナー線路１２の直列入力インピーダンスＺｔ（＝Ｚｃ＋Ｚｒ）を総合的に測定でき、減衰量の周波数特性を正確に確認した後に組立を可能とする利点があり、実施の形態４同様、生産工程時における製品の性能安定化を図ることができる。
【００４８】
実施の形態６．
この発明の実施の形態６による振幅イコライザについて図２０を用いて説明する。図２０は、実施の形態６による振幅イコライザの外観図である。図２０において、３１は同軸管の内周導体、３２は同軸管の外周導体、３３はカーボン材や金属粉などを含み抵抗体としての電波吸収体、３４は抵抗体装荷同軸管線路である。この抵抗体装荷同軸管線路３４は、主線路３とストリップ線路共振器４は実施の形態１同様、第１絶縁性基板１を用いたストリップ線路構造であったが、実施の形態１で示した抵抗体膜装荷コプレナー線路１２を内導体３１、外導体３２、電波吸収体３３からなる抵抗体装荷同軸管線路３４に置き換えている。実施の形態４同様、この抵抗体装荷同軸管線路３４を主線路３の基板から切り離せば、抵抗体装荷同軸管線路３４単独で入力インピーダンスＺｃを正確に測定した後に組立てできる特徴があり、量産時での性能安定化を図ることができる。図中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００４９】
実施の形態７．
この発明の実施の形態７による振幅イコライザについて図２１〜図２２を用いて説明する。図２１は、実施の形態７による振幅イコライザの外観図である。図２２は、図２１に示す振幅イコライザのＪ−Ｊ断面図である。図２１〜図２２において、３５は誘電体、３６は同軸管の外皮導体、３７は抵抗体装荷２重同軸管線路である。図２１〜図２２中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００５０】
第１絶縁性基板１表面はビアホール２３を介して地導体２と電気的に接続された幅広パターン２２を形成している。実施の形態５で示した多層基板回路３０を内周導体３１、外周導体３２、電波吸収体３３、誘電体３５、外皮導体３６からなる抵抗体装荷２重同軸管線路３７に置き換えている。なお、誘電体３５部分は空洞でも良い。外周導体３２は外皮導体３６から見れば誘電体３５を媒質とした同軸線路の内導体の機能をもち、主線路３から離れた側の外周導体３２の端は外皮導体３６に短絡され外周導体３２、外皮導体３６、および誘電体３５は先端短絡の共振器を形成している。最終形状として図２２に示すように抵抗体装荷２重同軸管線路３７の外皮導体３６を地導体である幅広パターン２２に電気的に接続するように配置し、内周導体３１と主線路３とを導体線１１により接続すると、実施の形態５同様、振幅イコライザとして動作する。
【００５１】
この抵抗体装荷２重同軸管線路３７を主線路３の基板から切り離せば、抵抗体装荷２重同軸管線路３７単独で直列入力インピーダンスＺｔ（＝Ｚｃ＋Ｚｒ）を総合的に測定でき、減衰量の周波数特性を正確に確認した後に組立てできる特徴があり、実施の形態６に比較しさらに量産時での性能安定化を図ることができる。
【００５２】
実施の形態８．
この発明の実施の形態８による振幅イコライザについて図２３を用いて説明する。図２３は、実施の形態８による振幅イコライザの外観図である。図２３において、３８は金属筐体などの導体基台であり、この場合も抵抗体装荷２重同軸管線路３７を構成する。図中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００５３】
振幅イコライザの導体基台３８上に抵抗体装荷２重同軸管線路３７を配置することにより、ストリップ導体４や幅広パターン２２が不要となることによりビアホール加工も軽減できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】この発明の実施の形態１に係る振幅イコライザの外観図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係る図１に示す振幅イコライザのＡ−Ａ断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係る図１に示す振幅イコライザのＢ−Ｂ断面図である。
【図４】この発明の実施の形態１に係る振幅イコライザの回路図である。
【図５】この発明の実施の形態１に係る振幅イコライザの等価回路である。
【図６】この発明の実施の形態１に係る振幅イコライザの減衰周波数特性である。
【図７】単独の進行波管増幅器の利得周波数特性を説明する図である。
【図８】総合利得周波数特性を説明する図である。
【図９】この発明の実施の形態２に係る振幅イコライザの外観図である。
【図１０】この発明の実施の形態２に係る図９に示す振幅イコライザのＣ−Ｃ断面図である。
【図１１】この発明の実施の形態２に係る図９に示す振幅イコライザのＤ−Ｄ断面図である。
【図１２】この発明の実施の形態３に係る振幅イコライザの外観図である。
【図１３】この発明の実施の形態４に係る振幅イコライザの外観図である。
【図１４】この発明の実施の形態４に係る図１３に示す振幅イコライザのＥ−Ｅ断面図である。
【図１５】この発明の実施の形態４に係る図１３に示す振幅イコライザのＦ−Ｆ断面図である。
【図１６】この発明の実施の形態５に係る振幅イコライザの外観図である。
【図１７】この発明の実施の形態５に係る図１６に示す振幅イコライザのＧ−Ｇ断面図である。
【図１８】この発明の実施の形態５に係る図１６に示す振幅イコライザのストリップ線路を含むＨ−Ｈ断面図である。
【図１９】この発明の実施の形態５に係る図１６に示す振幅イコライザの接地パターンを含むＩ−Ｉ断面図である。
【図２０】この発明の実施の形態６に係る振幅イコライザの外観図である。
【図２１】この発明の実施の形態７に係る振幅イコライザの外観図である。
【図２２】この発明の実施の形態７に係る図２１に示す振幅イコライザのＪ−Ｊ断面図である。
【図２３】この発明の実施の形態８に係る振幅イコライザの外観図である。
【符号の説明】
【００５５】
１・・第１絶縁性基板 ２・・導体膜（地導体） ３・・主線路
４・・ストリップ導体（ストリップ線路共振器パターン）
５・・第２絶縁性基板 ６・・ビアホール ７・・ストリップ線路 ８・・抵抗体膜
９・・接地パターン １０・・ビアホール １１・・電気接続手段（導体線）
１２・・抵抗体装荷コプレナー線路 １３・・ストリップ線路共振器
１４・・調整ブロック １５・・取り付け用ブロック １６・・筐体
１７・・蓋 １８・・調整ネジ １９・・ナット ２０・・伸縮ばね（ばね）
２１・・導体膜（地導体） ２２・・幅広パターン（地導体） ２３・・ビアホール
２４・・第１絶縁層 ２５・・導体パターン（地導体） ２６・・第２絶縁層
２７・・表面導体パターン ２７ａ・・ストリップ線路 ２７ｂ・・表面導体（地導体）
２７ｃ・・表面導体（地導体） ２８・・内層導体パターン
２８ａ・・内層導体（ストリップ導体） ２８ｂ・・内層外導体
２８ｃ・・内層外導体 ３０・・多層基板回路（多層回路基板）
３１・・内周導体 ３２・・外周導体
３３・・電波吸収体（抵抗体） ３４・・抵抗体装荷同軸管線路
３５・・誘電体 ３６・・外皮導体 ３７・・抵抗体装荷２重同軸管線路
３８・・導体基台
【技術分野】
【０００１】
この発明は、進行波管や高周波半導体増幅器などに用いられ、利得周波数特性の平坦化を行う振幅イコライザに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波帯、ミリ波帯などの進行波管増幅器や、半導体増幅器などにおいて、出力信号の振幅が周波数により差異を生じる場合、すなわち利得周波数特性が平坦でない場合に、増幅器の入力側または出力側の端子に接続し、振幅差異を抑制し、周波数特性の平坦化を行うための振幅イコライザ(利得等化装置)が搭載される。また、増幅器の非線形性で発生する２次高調波などの不要波を抑圧するための帯域阻止フィルタとしても機能する。
【０００３】
振幅イコライザに関しては、例えば、特開平８−１２５４０１号公報図２（特許文献１参照）にはチャンネル増幅器としての進行波管（ＴＷＴ）の応用として、ＲＦ入力ポ−ト２０とＲＦ出力ポ−ト４０を有しマイクロストリップライン２２，３０，５０，４２で構成されている主マイクロストリップ伝送ラインと、この主マイクロストリップ伝送ラインのほぼ中心に位置されているＴ結合部３１に結合されているスタブチュ−ナと、このスタブチューナに結合されている可変抵抗手段５４とを具備した利得等化装置が開示されている。
【０００４】
また、特開２００４−２８９７４９号公報図２（特許文献２参照）には、マイクロ波信号が伝搬する主線路６と接地間に、抵抗７と伝送線路１１とインダクタ１２との直列回路を設け、この直列回路の伝送線路１１とインダクタ１２との間に先端開放線路１３を接続するとともに、伝送線路１１と先端開放線路１３の電気長を所望の周波数帯で１／４波長よりも短く選ぶことにより、凹形の損失の周波数特性も兼ね備えるようにした周波数イコライザが開示されている。
【０００５】
また、特開２００２−２１７６１９号公報図１（特許文献３参照）には、マイクロストリップ主線路の側縁に対向してマイクロストリップ副線路の入力端を配置しキャパシタンスを構成するパターン間隙を形成し、マイクロストリップ副線路の入力端の近辺でかつマイクロストリップ主線路の側縁に沿って調整用パターンを配置し、必要に応じて入力端と金ワイヤまたは金リボンで接続することによりパターン間隙の幅を変更するようにしたイコライザが開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平８−１２５４０１号公報（第２図）
【０００７】
【特許文献２】特開２００４−２８９７４９号公報（第２図）
【０００８】
【特許文献３】特開２００２−２１７６１９号公報（第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載のものでは、ＭＭＩＣ構成の振幅イコライザなのでＭＭＩＣの初期製造に多くの費用が必要であり、少量生産には適していないという課題があった。
【００１０】
特許文献２及び特許文献３に記載のものでは、抵抗素子は２次元的広がりがあるため、最小損失周波数での損失が増加するという課題があった。
【００１１】
この発明に係る振幅イコライザは損失最小周波数での低損失性能を保持したまま、加工コストを低減できる平面基板構成や同軸管を用いた振幅イコライザを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に係る振幅イコライザは、裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成したストリップ導体と、このストリップ導体のパターンに沿って第２絶縁性基板の表面に形成した前記ストリップ導体より短いストリップ線路と、このストリップ線路に沿って抵抗体膜を介して両側から前記ストリップ線路を挟むようにパターン形成し前記ストリップ導体と分布的に短絡させた接地パターンと、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記ストリップ線路と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記ストリッ
プ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器を、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けたものである。
【００１３】
請求項２に係る振幅イコライザは、裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成したストリップ導体と、このストリップ導体のパターンに沿って第２絶縁性基板の表面に形成した前記ストリップ導体より短いストリップ線路と、このストリップ線路に沿って抵抗体膜を介して両側から前記ストリップ線路を挟むようにパターン形成し前記ストリップ導体と分布的に短絡させた接地パターンと、前記第２絶縁性基板と離間して設置した板状の調整ブロックと、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記ストリップ線路と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記ストリップ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器を、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けると共に前記第２絶縁性基板と前記調整ブロックとの間隔を小さくすることにより減衰量を増加させ、前記間隔を大きくすることにより減衰量を低下させるものである。
【００１４】
請求項３に係る振幅イコライザは、前記ストリップ導体の他端を地導体として構成した
ストリップ線路共振器と、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路とを前記主線路に沿って複数個設けた請求項１に記載のものである。
【００１５】
請求項４に係る振幅イコライザは、裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成したストリップ導体と、このストリップ導体のパターンに沿って裏面を導体パターンとする第２絶縁性基板の表面に形成した前記ストリップ導体より短いストリップ線路と、このストリップ線路に沿って抵抗体膜を介して両側から前記ストリップ線路を挟むようにパターン形成し前記ストリップ導体と分布的に短絡させた接地パターンと、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記ストリップ線路と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記第２絶縁性基板の裏面と前記ストリップ導体とを接着することにより前記第２絶縁性基板の導体パターンによる導体膜と前記ストリップ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器を、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けたものである。
【００１６】
請求項５に係る振幅イコライザは、裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に前記第１絶縁性基板の裏面と短絡するパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成した幅広パターンと、裏面を導体パターンとする第１絶縁層と、この第１絶縁層の表面に形成され、前記主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を前記幅広パターンと電気接続したパターンを延在させたストリップ導体と、このストリップ導体に沿って離間して両側から挟むように前記主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を前記幅広パターンと電気接続したパターンを延在させた前記第１絶縁層の表面に形成した外導体と、この外導体及び前記ストリップ導体上に設けられた第２絶縁層と、この第２絶縁層の表面に形成され、前記ストリップ導体のパターンに沿って設けた前記ストリップ導体より短いストリップ線路と、このストリップ線路に沿って抵抗体膜を介して両側から前記ストリップ線路を挟むようにパターン形成し前記ストリップ導体と分布的に短絡させた接地パターンと、この接地パターンと離間して延在し、前記外導体に沿って分布的に短絡させた前記第２絶縁層の表面に形成した表面外導体と、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記ストリップ線路と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記第１絶縁層の裏面と前記幅広パターンとを接着することにより、前記第１絶縁層の導体パターンによる導体膜と前記ストリップ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器を、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けたものである。
【００１７】
請求項６に係る振幅イコライザは、裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成したストリップ導体と、このストリップ導体のパターンに沿って内周導体と外周導体とを有し、前記内周導体と前記外周導体間に電波吸収材を充填した前記ストリップ導体より短い同軸管線路と、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記同軸管線路の内周導体と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記外周導体と前記ストリップ導
体とを接着することにより、前記ストリップ導体の他端を地導体として構成した同軸管線路共振器を、前記内周導体、前記電波吸収体、前記外周導体で構成した抵抗体付加同軸管線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けたものである。
【００１８】
請求項７に係る振幅イコライザは、裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に前記第１絶縁性基板の裏面と短絡するパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成した幅広パターンと、この幅広パターンに沿って内周導体と外周導体とを有し、前記内周導体と前記外周導体間に電波吸収材を充填した前記ストリップ導体より短い同軸管線路と、前記同軸管線路に絶縁体を介して覆う一端が開放され他端が前記外周導体と短絡された外皮導体と、この外皮導体の一端側を前記主線路側に位置させた前記同軸管線路の内周導体と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記外皮導体と前記幅広パターンとを接
着することにより、前記外皮導体と前記外周導体の他端を地導体として構成した同軸管線路共振器を、前記内周導体、前記電波吸収体、前記外周導体で構成した抵抗体付加同軸管線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けたものである。
【００１９】
請求項８に係る振幅イコライザは、裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、内周導体と外周導体とを有し、前記内周導体と前記外周導体間に電波吸収材を充填した同軸管線路と、この同軸管線路に絶縁体を介して覆う一端が開放され他端が前記外周導体と短絡された外皮導体と、この外皮導体の一端側に対応する前記主線路側に位置させた前記同軸管線路の内周導体と前記主線路とを電気接続する電気接続手段と、前記第１絶縁性基板の裏面と前記外皮導体とを載置する導体基台とを備え、前記外皮導体と前記第１絶縁性基板とを接着することにより、前記外皮導体と前記外周導体の他端を地導体として構成した同軸管線路共振器を、前記内周
導体、前記電波吸収体、前記外周導体で構成した抵抗体付加同軸管線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けたものである。
【発明の効果】
【００２０】
この発明に係る振幅イコライザによれば、ストリップ導体で構成したストリップ共振器と抵抗体を付加したコプレナー線路とを連結して主線路を通過するマイクロ波周波数の振幅制御を行えるので、ストリップ線路共振器のストリップ導体上に抵抗体膜を形成した線路を形成することにより、損失が最小となる周波数では、主線路側から見た入力インピーダンスは無限大となり、抵抗体膜に全く電流が流れない無損失特性を可能とする効果がある。
【００２１】
また、この発明に係る振幅イコライザによれば、同軸管線路の内周導体と外周導体との間に電波吸収体を充填することにより、損失が最小となる周波数では、主線路側から見た入力インピーダンスは無限大となり、同軸管線路を用いても抵抗体を付加したコプレナー線路同様、無損失特性を維持できる。
【００２２】
また、この発明に係る振幅イコライザによれば、誘電体などの絶縁性基板や同軸管などを用いてイコライザ回路を構成するので切削などの機械加工が不要であり製造コストを削減でき、かつ小形化、軽量化にも貢献するという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１に係る振幅イコライザについて説明する。図１は、実施の形態１による振幅イコライザの外観図である。図２は、図１に示す振幅イコライザのＡ−Ａ断面図である。図３は、図１に示す振幅イコライザのＢ−Ｂ断面図である。図１〜図３において、１はセラミック材又はプリント配線材などを基材とした第１絶縁性基板（誘電体基板）、２は第１絶縁性基板１の裏面に全面メタライズ形成された導体膜（地導体）、３は第１絶縁性基板１の表面に形成した入出力端を有する主線路、４は一端を主線路３の近傍に直交させて開放端とし、他端に向かってパターンを延在させた第１絶縁性基板１の表面に形成されたストリップ導体（ストリップ線路共振器パターン）である。
【００２４】
５はセラミック材又はプリント配線材などを基材とし、裏面をストリップ導体４の表面に載置した第２絶縁性基板、６はストリップ導体４の一端から延在したパターンの終端側に配置され、地導体２と接続するビアホール、７はストリップ導体４に沿って設けられ、第２絶縁性基板５の表面に形成したストリップ線路、８はストリップ線路７に沿って設けられ、両側からストリップ線路７を挟むように当接させて厚膜又は薄膜パターンで形成した帯状の抵抗体膜、９は抵抗体膜８を介してストリップ線路７の両側に設けられた接地パターン、１０は接地パターン９に沿って所定の間隔毎に設置したビアホール、１１はストリップ線路７と主線路３とを電気接続する金リボンや金ワイヤなどの導体線で構成した電気接続手段である。
【００２５】
なお、第２絶縁性基板５の表面に配置されたストリップ線路７、抵抗体膜８、接地パターン９及びビアホール１０で構成した回路を抵抗体膜装荷コプレナー線路１２と呼び、主線路３の近傍に設置したストリップ導体４の開放端からビアホール６で地導体２に短絡したストリップ導体４の終端までを総称してストリップ線路共振器１３と呼ぶ。図１〜図３中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００２６】
次に動作について説明する。図４は、実施の形態１による振幅イコライザの回路図である。図４において、１２はブロック図で表示した抵抗体膜装荷コプレナー線路、１３はブロック図で表示したストリップ線路共振器であり、ストリップ線路共振器１３は、単一又は複数の異なる特性インピーダンスの分布定数線路を繋ぎ合わせた線路で構成される。
【００２７】
接地パターン９はストリップ導体４の終端部のビアホール６で地導体２に接続されてるので、ストリップ導体４をストリップ線路共振器１３の地導体とみなし、導体線１１との間で主線路３側からストリップ線路共振器１３と抵抗体膜装荷コプレナー線路１２側を見たインピーダンスＺｔは、ストリップ線路共振器１３の入力インピーダンスＺｒと抵抗体膜装荷コプレナー線路１２の入力インピーダンスＺｃとの直列接続と見なすことができる。すなわち、Ｚｔ＝Ｚｒ＋Ｚｃで表すことができる。したがって、振幅イコライザ回路全体は、主線路３に対して、インピーダンスＺｔの回路が並列接続された図５に示す等価回路で表現できる。
【００２８】
ストリップ線路共振器１３は電気長が１／４波長や３／４波長など、１／４波長の奇数倍の電気長（線路内波長）になる周波数において共振し、そのとき開放端での入力インピーダンスは無限大、すなわち、この開放端の一点では開放状態となり、電流定在波の節となる。このとき、物理的にはこの分岐線路に高周波電流は流れ込まないことになる。このため、これに直列に接続されている抵抗体膜装荷コプレナー線路１２にも高周波電流は流れない。したがって主線路３には並列に何も接続されていない状態と同様の状態となり、入力された信号は減衰することなくそのまま出力端子に現れる。
【００２９】
上記の共振周波数以外の周波数ではストリップ線路共振器１３の開放端での入力インピーダンスは有限となり高周波電流が流れ込む。したがって、これに直列に接続されている抵抗体膜装荷コプレナー線路１２にも高周波電流が流れることになる。このため、主線路３には並列に、抵抗体膜装荷コプレナー線路１２の入力インピーダンスの実部に相当した抵抗が並列接続された状態となり、入力された信号は減衰して出力端子に現れる。図６は、通過帯域における振幅イコライザの振幅を示したものである。この減衰の周波数特性の一例では各共振周波数ｆ１、ｆ２から離れるに従い減衰が大きくなり、両共振周波数の中心付近で減衰が最大となる特性となる。
【００３０】
単独の進行波管増幅器（ＴＷＴ）の利得の周波数特性は一般に図７に示すように、所要周波数帯域の下限周波数ｆ１と上限周波数ｆ２の両端で利得が極小で、中心周波数近傍で最も利得が大きくなる特性を有する。そこで、この発明の実施の形態１による振幅イコライザのストリップ線路共振器１３のＮ次共振周波数をｆ１、Ｎ＋１次の共振周波数をｆ２に設定するようにストリップ共振器１３の特性インピーダンスを調整すると、上記進行波管増幅器と振幅イコライザとを直列に接続することにより総合の利得周波数特性は図８に示すように平坦化できる。また、振幅イコライザの減衰量の最大値は、抵抗体膜８の材料定数、ストリップ線路７のパターン幅、ストリップ線路７と接地パターン９との間隔により設定できる。
【００３１】
以上からこの発明の実施の形態１によれば、信号の減衰が原理的になくなるため、大電力増幅器の利得周波数特性の平坦化や高調波抑制用フィルタとして適用すると、良好な通信回線の実現や、低消費電力、高効率化を図ることが可能となる。
【００３２】
実施の形態２．
この発明の実施の形態２による振幅イコライザについて図９〜図１１を用いて説明する。図９は、実施の形態２による振幅イコライザの外観図である。図１０は、図９に示す振幅イコライザに筐体を参考付加した場合のＣ−Ｃ断面図である。図１１は、図９に示す振幅イコライザに筐体を参考付加した場合のＤ−Ｄ断面図である。図９〜図１１において、１４は、導体，電波吸収体，セラミック材などの絶縁材料のいずれかから構成され、線路の電磁カップリング量を変化させることによりコプレナー線路１２の特性インピーダンスを調整する板状の調整ブロック、１５は取り付け用ブロック、１６は振幅イコライザを収納する筐体、１７は筐体１６と合わせて密閉空間を構成する蓋、１８は蓋１７を貫通して筐体１６に収納されたコプレナー線路の上部に位置した調整ブロック１４の高さを調整する調整ネジ（ネジ）、１９は調整ネジ１８を固定するナット、２０は伸縮ばねである。図図９〜図１１中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００３３】
次に動作について説明する。実施の形態２では、実施の形態１に示した振幅イコライザに対して振幅イコライザに筐体１６と蓋１７とを付加し、筐体１６は主線路３の入出力部を除き、周囲が壁で覆われた枠体を含む構成としている。
【００３４】
抵抗体膜装荷コプレナー線路１２の上方近傍に調整ブロック１４を配置し、抵抗体膜装荷コプレナー線路１２との距離をネジ１８により調整する。取り付け用ブロック１５は調整ブロック１４とネジ１８とを接続させるもので調整ブロック１４に接着固定される。ナット１９とばね２０とで調整ブロック１４の位置を固定する。この構成により抵抗体膜装荷コプレナー線路１２の特性インピーダンスを変更する。すなわち、抵抗体膜装荷コプレナー線路１２の上部にある調整ブロック１４を抵抗膜装荷コプレナー線路１２に近づけることで抵抗体膜装荷コプレナー線路１２の入力インピーダンスの実部が小さくなり、振幅イコライザの減衰量は大きくなり、遠ざけると振幅イコライザの実部が大きくなり、振幅イコライザの減衰量は小さくなる。
【００３５】
以上から振幅イコライザをＴＷＴの入力部又は出力部に設置することによりＴＷＴの減衰量の調整が可能となる。
【００３６】
実施の形態３．
この発明の実施の形態３による振幅イコライザについて図１２を用いて説明する。図１２は実施の形態３による振幅イコライザの外観図である。実施の形態３では、実施の形態１で示したストリップ線路共振器１３と抵抗体膜装荷コプレナー線路１２とを主線路３に沿って複数配置している。複数配置することにより、単一のストリップ線路共振器１３と抵抗体膜装荷コプレナー線路１２における減衰量が不足した場合、減衰量を補い所要の減衰量を得ることができる。また、単一構成で反射が大きい場合、複数配置することによりそれぞれの反射を打ち消し、振幅イコライザ全体としては反射を低減でき、動作周波数帯域内での通過特性の不要なリップルを取り除ける効果がある。
【００３７】
実施の形態４．
この発明の実施の形態４による振幅イコライザについて図１３〜図１５を用いて説明する。図１３は、実施の形態４による振幅イコライザの外観図である。図１４は、図１３に示す振幅イコライザのＥ−Ｅ断面図である。図１５は、図１３に示す振幅イコライザのＦ−Ｆ断面図である。図１３〜図１５において、２１は、第２絶縁性基板５の裏面に全面メタライズ形成された導体膜（地導体）である。なお、図１３では構造を明確に説明するため抵抗体膜装荷コプレナー線路１２をストリップ線路共振器１３から切り離した展開図で示している。図１３〜図１５中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００３８】
次に動作について説明する。抵抗膜装荷コプレナー線路１２の裏面全面にもストリップ線路共振器１３すなわち、ストリップ導体パターン４とは別に導体膜２１を設けている。最終形状は図１４、図１５に示すように抵抗体膜装荷コプレナー線路１２をストリップ線路共振器１３上に配置し、導体膜２１とストリップ線路共振器１３とを電気的に接続するとともに導体線１１で抵抗体膜装荷コプレナー線路１２と主線路３とを接続した構成となる。
【００３９】
以上から第２絶縁性基板５に抵抗体膜装荷コプレナー線路１２を主線路３の基板から切り離せば、抵抗体膜装荷コプレナー線路１２単体で入力インピーダンスＺｃを正確に測定し、接着性に可逆性のある紫外線（ＵＶ）硬化樹脂で接着固定して振幅イコライザとして組立を行うことにより、生産工程時における製品の性能安定化を図ることができる利点がある。
【００４０】
実施の形態５．
この発明の実施の形態５による振幅イコライザについて図１６〜図１９を用いて説明する。図１６は、実施の形態５による振幅イコライザの外観図である。図１７は、図１６に示す振幅イコライザのＧ−Ｇ断面図である。図１８は、図１６に示す振幅イコライザのストリップ導体を含む領域のＨ−Ｈ断面図である。図１９は、図１６に示す振幅イコライザの接地パターン９を含む領域のＩ−Ｉ断面図である。図１６〜図１９において、２２は一端を主線路３の近傍に配置し、他端に向かって幅広のパターンを延在させた第１絶縁性基板１の表面に形成した幅広パターン、２３は幅広パターン２２の全域に亘り所定の間隔で面上に配置したビアホール、２４は第１絶縁層、２５は第１絶縁層２４の外層（裏面）に設置した導体パターン、２６は第２絶縁層、２７は第２絶縁層２６の外層表面に設置した表面導体パターンであり、表面導体パターン２７は、中央に設置したストリップ線路２７ａと両側端部に設置した表面導体２７ｂ、２７ｃ及びストリップ線路２７ａと表面導体２７ｂ、２７ｃとの間に位置する接地パターン９からなる。
【００４１】
また、ストリップ線路２７ａと接地パターン９との間は抵抗体膜８で接続される。２８は第１絶縁層２４と第２絶縁層２６で挟まれた内層導体パターンであり、内層導体パターン２８は中央に設置した内層導体２８ａ（ストリップ導体）と両側端部に設置した内層導体（外導体）２８ｂ、２８ｃからなる。図１６〜図１９中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００４２】
第１絶縁層２４、第１絶縁層２４の表面に設置した導体パターン２５、第２絶縁層２６、第２絶縁層の表面に設置した表面導体パターン２７、第１絶縁層２４と第２絶縁層２６で挟まれた内層導体パターン２８及び抵抗体膜８で多層基板を形成し、多層基板で形成された回路を多層回路基板回路と呼ぶ。なお、図１６では構造を明確に説明するため多層基板は第１絶縁性基板１の幅広パターン２２から切り離した展開図で示している。
【００４３】
次に動作について説明する。第１絶縁性基板１の表面に設置した幅広パターン２２にビアホール２３を介して地導体２と電気的に接続することで幅広パターン２２は地導体の機能を有する。従って幅広パターン２２と接する第１絶縁層２４の外層（表面）に設置した導体パターン２５も地導体の役目を担う。内層導体パターン２８の中央に設置した内層導体２８ａはストリップ線路共振器の役目を担い、両側端部に設置した内層導体（外導体）２８ｂ、２８ｃで側面側の地導体の役目を担う。
【００４４】
第２絶縁層２６の表面中央に設置したストリップ線路２７ａ、表面導体２７ｂ、２７ｃで基板を多層化し、実施の形態１同様に抵抗体膜８及び接地パターン９で抵抗体膜装荷コプレナー線路１２を形成する。
【００４５】
導体パターン２５と内層導体２８ｂ、２８ｃおよび表面導体２７ｂ、２７ｃを電気的に層間接続するビアホール６、および、主線路３から離れた側のストリップ線路共振器（内層導体２８ａ）の端部と導体パターン２５とを電気的に層間接続するビアホール６、さらに、ストリップ線路共振器（内層導体）２８ａと接地パターン９とを層間接続するビアホール６を設けることによりストリップ線路共振器（内層導体）２８ａと抵抗体膜装荷コプレナー線路１２を一体化した多層基板回路（多層回路基板）３０を形成する。
【００４６】
最終形状として図１７、図１８、図１９に示すように多層回路基板３０の導体パターン２５を幅広パターン２２に電気的に接続するように配置し、ストリップ線路２７ａと主線路３とを導体線１１により接続すると、実施の形態１と同様、振幅イコライザとして動作する。
【００４７】
以上からこの多層基板回路３０を主線路３の基板から切り離せば、多層基板回路３０単独でストリップ線路共振器２８ａと抵抗体膜装荷コプレナー線路１２の直列入力インピーダンスＺｔ（＝Ｚｃ＋Ｚｒ）を総合的に測定でき、減衰量の周波数特性を正確に確認した後に組立を可能とする利点があり、実施の形態４同様、生産工程時における製品の性能安定化を図ることができる。
【００４８】
実施の形態６．
この発明の実施の形態６による振幅イコライザについて図２０を用いて説明する。図２０は、実施の形態６による振幅イコライザの外観図である。図２０において、３１は同軸管の内周導体、３２は同軸管の外周導体、３３はカーボン材や金属粉などを含み抵抗体としての電波吸収体、３４は抵抗体装荷同軸管線路である。この抵抗体装荷同軸管線路３４は、主線路３とストリップ線路共振器４は実施の形態１同様、第１絶縁性基板１を用いたストリップ線路構造であったが、実施の形態１で示した抵抗体膜装荷コプレナー線路１２を内導体３１、外導体３２、電波吸収体３３からなる抵抗体装荷同軸管線路３４に置き換えている。実施の形態４同様、この抵抗体装荷同軸管線路３４を主線路３の基板から切り離せば、抵抗体装荷同軸管線路３４単独で入力インピーダンスＺｃを正確に測定した後に組立てできる特徴があり、量産時での性能安定化を図ることができる。図中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００４９】
実施の形態７．
この発明の実施の形態７による振幅イコライザについて図２１〜図２２を用いて説明する。図２１は、実施の形態７による振幅イコライザの外観図である。図２２は、図２１に示す振幅イコライザのＪ−Ｊ断面図である。図２１〜図２２において、３５は誘電体、３６は同軸管の外皮導体、３７は抵抗体装荷２重同軸管線路である。図２１〜図２２中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００５０】
第１絶縁性基板１表面はビアホール２３を介して地導体２と電気的に接続された幅広パターン２２を形成している。実施の形態５で示した多層基板回路３０を内周導体３１、外周導体３２、電波吸収体３３、誘電体３５、外皮導体３６からなる抵抗体装荷２重同軸管線路３７に置き換えている。なお、誘電体３５部分は空洞でも良い。外周導体３２は外皮導体３６から見れば誘電体３５を媒質とした同軸線路の内導体の機能をもち、主線路３から離れた側の外周導体３２の端は外皮導体３６に短絡され外周導体３２、外皮導体３６、および誘電体３５は先端短絡の共振器を形成している。最終形状として図２２に示すように抵抗体装荷２重同軸管線路３７の外皮導体３６を地導体である幅広パターン２２に電気的に接続するように配置し、内周導体３１と主線路３とを導体線１１により接続すると、実施の形態５同様、振幅イコライザとして動作する。
【００５１】
この抵抗体装荷２重同軸管線路３７を主線路３の基板から切り離せば、抵抗体装荷２重同軸管線路３７単独で直列入力インピーダンスＺｔ（＝Ｚｃ＋Ｚｒ）を総合的に測定でき、減衰量の周波数特性を正確に確認した後に組立てできる特徴があり、実施の形態６に比較しさらに量産時での性能安定化を図ることができる。
【００５２】
実施の形態８．
この発明の実施の形態８による振幅イコライザについて図２３を用いて説明する。図２３は、実施の形態８による振幅イコライザの外観図である。図２３において、３８は金属筐体などの導体基台であり、この場合も抵抗体装荷２重同軸管線路３７を構成する。図中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００５３】
振幅イコライザの導体基台３８上に抵抗体装荷２重同軸管線路３７を配置することにより、ストリップ導体４や幅広パターン２２が不要となることによりビアホール加工も軽減できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】この発明の実施の形態１に係る振幅イコライザの外観図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係る図１に示す振幅イコライザのＡ−Ａ断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係る図１に示す振幅イコライザのＢ−Ｂ断面図である。
【図４】この発明の実施の形態１に係る振幅イコライザの回路図である。
【図５】この発明の実施の形態１に係る振幅イコライザの等価回路である。
【図６】この発明の実施の形態１に係る振幅イコライザの減衰周波数特性である。
【図７】単独の進行波管増幅器の利得周波数特性を説明する図である。
【図８】総合利得周波数特性を説明する図である。
【図９】この発明の実施の形態２に係る振幅イコライザの外観図である。
【図１０】この発明の実施の形態２に係る図９に示す振幅イコライザのＣ−Ｃ断面図である。
【図１１】この発明の実施の形態２に係る図９に示す振幅イコライザのＤ−Ｄ断面図である。
【図１２】この発明の実施の形態３に係る振幅イコライザの外観図である。
【図１３】この発明の実施の形態４に係る振幅イコライザの外観図である。
【図１４】この発明の実施の形態４に係る図１３に示す振幅イコライザのＥ−Ｅ断面図である。
【図１５】この発明の実施の形態４に係る図１３に示す振幅イコライザのＦ−Ｆ断面図である。
【図１６】この発明の実施の形態５に係る振幅イコライザの外観図である。
【図１７】この発明の実施の形態５に係る図１６に示す振幅イコライザのＧ−Ｇ断面図である。
【図１８】この発明の実施の形態５に係る図１６に示す振幅イコライザのストリップ線路を含むＨ−Ｈ断面図である。
【図１９】この発明の実施の形態５に係る図１６に示す振幅イコライザの接地パターンを含むＩ−Ｉ断面図である。
【図２０】この発明の実施の形態６に係る振幅イコライザの外観図である。
【図２１】この発明の実施の形態７に係る振幅イコライザの外観図である。
【図２２】この発明の実施の形態７に係る図２１に示す振幅イコライザのＪ−Ｊ断面図である。
【図２３】この発明の実施の形態８に係る振幅イコライザの外観図である。
【符号の説明】
【００５５】
１・・第１絶縁性基板 ２・・導体膜（地導体） ３・・主線路
４・・ストリップ導体（ストリップ線路共振器パターン）
５・・第２絶縁性基板 ６・・ビアホール ７・・ストリップ線路 ８・・抵抗体膜
９・・接地パターン １０・・ビアホール １１・・電気接続手段（導体線）
１２・・抵抗体装荷コプレナー線路 １３・・ストリップ線路共振器
１４・・調整ブロック １５・・取り付け用ブロック １６・・筐体
１７・・蓋 １８・・調整ネジ １９・・ナット ２０・・伸縮ばね（ばね）
２１・・導体膜（地導体） ２２・・幅広パターン（地導体） ２３・・ビアホール
２４・・第１絶縁層 ２５・・導体パターン（地導体） ２６・・第２絶縁層
２７・・表面導体パターン ２７ａ・・ストリップ線路 ２７ｂ・・表面導体（地導体）
２７ｃ・・表面導体（地導体） ２８・・内層導体パターン
２８ａ・・内層導体（ストリップ導体） ２８ｂ・・内層外導体
２８ｃ・・内層外導体 ３０・・多層基板回路（多層回路基板）
３１・・内周導体 ３２・・外周導体
３３・・電波吸収体（抵抗体） ３４・・抵抗体装荷同軸管線路
３５・・誘電体 ３６・・外皮導体 ３７・・抵抗体装荷２重同軸管線路
３８・・導体基台
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成したストリップ導体と、このストリップ導体のパターンに沿って第２絶縁性基板の表面に形成した前記ストリップ導体より短いストリップ線路と、このストリップ線路に沿って抵抗体膜を介して両側から前記ストリップ線路を挟むようにパターン形成し前記ストリップ導体と分布的に短絡させた接地パターンと、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記ストリップ線路と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記ストリップ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器を、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けた振幅イコライザ。
【請求項２】
裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成したストリップ導体と、このストリップ導体のパターンに沿って第２絶縁性基板の表面に形成した前記ストリップ導体より短いストリップ線路と、このストリップ線路に沿って抵抗体膜を介して両側から前記ストリップ線路を挟むようにパターン形成し前記ストリップ導体と分布的に短絡させた接地パターンと、前記第２絶縁性基板と離間して設置した板状の調整ブロックと、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記ストリップ線路と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記ストリップ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器を、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けると共に前記第２絶縁性基板と前記調整ブロックとの間隔を小さくすることにより減衰量を増加させ、前記間隔を大きくすることにより減衰量を低下させる振幅イコライザ。
【請求項３】
前記ストリップ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器と、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路とを前記主線路に沿って複数個設けた請求項１に記載の振幅イコライザ。
【請求項４】
裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成したストリップ導体と、このストリップ導体のパターンに沿って裏面を導体パターンとする第２絶縁性基板の表面に形成した前記ストリップ導体より短いストリップ線路と、このストリップ線路に沿って抵抗体膜を介して両側から前記ストリップ線路を挟むようにパターン形成し前記ストリップ導体と分布的に短絡させた接地パターンと、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記ストリップ線路と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記第２絶縁性基板の裏面と前記ストリップ導体とを接着することにより前記第２絶縁性基板の導体パターンによる導体膜と前記ストリップ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器を、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けた振幅イコライザ。
【請求項５】
裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に前記第１絶縁性基板の裏面と短絡するパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成した幅広パターンと、裏面を導体パターンとする第１絶縁層と、この第１絶縁層の表面に形成され、前記主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を前記幅広パターンと電気接続したパターンを延在させたストリップ導体と、このストリップ導体に沿って離間して両側から挟むように前記主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を前記幅広パターンと電気接続したパターンを延在させた前記第１絶縁層の表面に形成した外導体と、この外導体及び前記ストリップ導体上に設けられた第２絶縁層と、この第２絶縁層の表面に形成され、前記ストリップ導体のパターンに沿って設けた前記ストリップ導体より短いストリップ線路と、このストリップ線路に沿って抵抗体膜を介して両側から前記ストリップ線路を挟むようにパターン形成し前記ストリップ導体と分布的に短絡させた接地パターンと、この接地パターンと離間して延在し、前記外導体に沿って分布的に短絡させた前記第２絶縁層の表面に形成した表面外導体と、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記ストリップ線路と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記第１絶縁層の裏面と前記幅広パターンとを接着することにより、前記第１絶縁層の導体パターンによる導体膜と前記ストリップ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器を、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けた振幅イコライザ。
【請求項６】
裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成したストリップ導体と、このストリップ導体のパターンに沿って内周導体と外周導体とを有し、前記内周導体と前記外周導体間に電波吸収材を充填した前記ストリップ導体より短い同軸管線路と、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記同軸管線路の内周導体と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記外周導体と前記ストリップ導体とを接着することにより、前記ストリップ導体の他端を地導体として構成した同軸管線路共振器を、前記内周導体、前記電波吸収体、前記外周導体で構成した抵抗体付加同軸管線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けた振幅イコライザ。
【請求項７】
裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に前記第１絶縁性基板の裏面と短絡するパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成した幅広パターンと、この幅広パターンに沿って内周導体と外周導体とを有し、前記内周導体と前記外周導体間に電波吸収材を充填した前記ストリップ導体より短い同軸管線路と、前記同軸管線路に絶縁体を介して覆う一端が開放され他端が前記外周導体と短絡された外皮導体と、この外皮導体の一端側を前記主線路側に位置させた前記同軸管線路の内周導体と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記外皮導体と前記幅広パターンとを接着することにより、前記外皮導体と前記外周導体の他端を地導体として構成した同軸管線路共振器を、前記内周導体、前記電波吸収体、前記外周導体で構成した抵抗体付加同軸管線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けた振幅イコライザ。
【請求項８】
裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、内周導体と外周導体とを有し、前記内周導体と前記外周導体間に電波吸収材を充填した同軸管線路と、この同軸管線路に絶縁体を介して覆う一端が開放され他端が前記外周導体と短絡された外皮導体と、この外皮導体の一端側に対応する前記主線路側に位置させた前記同軸管線路の内周導体と前記主線路とを電気接続する電気接続手段と、前記第１絶縁性基板の裏面と前記外皮導体とを載置する導体基台とを備え、前記外皮導体と前記第１絶縁性基板とを接着することにより、前記外皮導体と前記外周導体の他端を地導体として構成した同軸管線路共振器を、前記内周導体、前記電波吸収体、前記外周導体で構成した抵抗体付加同軸管線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けた振幅イコライザ。
【請求項１】
裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成したストリップ導体と、このストリップ導体のパターンに沿って第２絶縁性基板の表面に形成した前記ストリップ導体より短いストリップ線路と、このストリップ線路に沿って抵抗体膜を介して両側から前記ストリップ線路を挟むようにパターン形成し前記ストリップ導体と分布的に短絡させた接地パターンと、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記ストリップ線路と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記ストリップ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器を、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けた振幅イコライザ。
【請求項２】
裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成したストリップ導体と、このストリップ導体のパターンに沿って第２絶縁性基板の表面に形成した前記ストリップ導体より短いストリップ線路と、このストリップ線路に沿って抵抗体膜を介して両側から前記ストリップ線路を挟むようにパターン形成し前記ストリップ導体と分布的に短絡させた接地パターンと、前記第２絶縁性基板と離間して設置した板状の調整ブロックと、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記ストリップ線路と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記ストリップ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器を、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けると共に前記第２絶縁性基板と前記調整ブロックとの間隔を小さくすることにより減衰量を増加させ、前記間隔を大きくすることにより減衰量を低下させる振幅イコライザ。
【請求項３】
前記ストリップ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器と、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路とを前記主線路に沿って複数個設けた請求項１に記載の振幅イコライザ。
【請求項４】
裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成したストリップ導体と、このストリップ導体のパターンに沿って裏面を導体パターンとする第２絶縁性基板の表面に形成した前記ストリップ導体より短いストリップ線路と、このストリップ線路に沿って抵抗体膜を介して両側から前記ストリップ線路を挟むようにパターン形成し前記ストリップ導体と分布的に短絡させた接地パターンと、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記ストリップ線路と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記第２絶縁性基板の裏面と前記ストリップ導体とを接着することにより前記第２絶縁性基板の導体パターンによる導体膜と前記ストリップ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器を、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けた振幅イコライザ。
【請求項５】
裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に前記第１絶縁性基板の裏面と短絡するパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成した幅広パターンと、裏面を導体パターンとする第１絶縁層と、この第１絶縁層の表面に形成され、前記主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を前記幅広パターンと電気接続したパターンを延在させたストリップ導体と、このストリップ導体に沿って離間して両側から挟むように前記主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を前記幅広パターンと電気接続したパターンを延在させた前記第１絶縁層の表面に形成した外導体と、この外導体及び前記ストリップ導体上に設けられた第２絶縁層と、この第２絶縁層の表面に形成され、前記ストリップ導体のパターンに沿って設けた前記ストリップ導体より短いストリップ線路と、このストリップ線路に沿って抵抗体膜を介して両側から前記ストリップ線路を挟むようにパターン形成し前記ストリップ導体と分布的に短絡させた接地パターンと、この接地パターンと離間して延在し、前記外導体に沿って分布的に短絡させた前記第２絶縁層の表面に形成した表面外導体と、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記ストリップ線路と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記第１絶縁層の裏面と前記幅広パターンとを接着することにより、前記第１絶縁層の導体パターンによる導体膜と前記ストリップ導体の他端を地導体として構成したストリップ線路共振器を、前記ストリップ線路、前記抵抗体膜、前記接地パターンで構成した抵抗体付加コプレナー線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けた振幅イコライザ。
【請求項６】
裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成したストリップ導体と、このストリップ導体のパターンに沿って内周導体と外周導体とを有し、前記内周導体と前記外周導体間に電波吸収材を充填した前記ストリップ導体より短い同軸管線路と、前記ストリップ導体の開放端側に位置する前記同軸管線路の内周導体と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記外周導体と前記ストリップ導体とを接着することにより、前記ストリップ導体の他端を地導体として構成した同軸管線路共振器を、前記内周導体、前記電波吸収体、前記外周導体で構成した抵抗体付加同軸管線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けた振幅イコライザ。
【請求項７】
裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、この主線路の近傍に前記第１絶縁性基板の裏面と短絡するパターンを延在させた前記第１絶縁性基板の表面に形成した幅広パターンと、この幅広パターンに沿って内周導体と外周導体とを有し、前記内周導体と前記外周導体間に電波吸収材を充填した前記ストリップ導体より短い同軸管線路と、前記同軸管線路に絶縁体を介して覆う一端が開放され他端が前記外周導体と短絡された外皮導体と、この外皮導体の一端側を前記主線路側に位置させた前記同軸管線路の内周導体と前記主線路とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記外皮導体と前記幅広パターンとを接着することにより、前記外皮導体と前記外周導体の他端を地導体として構成した同軸管線路共振器を、前記内周導体、前記電波吸収体、前記外周導体で構成した抵抗体付加同軸管線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けた振幅イコライザ。
【請求項８】
裏面を地導体とする第１絶縁性基板と、この第１絶縁性基板の表面に形成した入出力端を有する主線路と、内周導体と外周導体とを有し、前記内周導体と前記外周導体間に電波吸収材を充填した同軸管線路と、この同軸管線路に絶縁体を介して覆う一端が開放され他端が前記外周導体と短絡された外皮導体と、この外皮導体の一端側に対応する前記主線路側に位置させた前記同軸管線路の内周導体と前記主線路とを電気接続する電気接続手段と、前記第１絶縁性基板の裏面と前記外皮導体とを載置する導体基台とを備え、前記外皮導体と前記第１絶縁性基板とを接着することにより、前記外皮導体と前記外周導体の他端を地導体として構成した同軸管線路共振器を、前記内周導体、前記電波吸収体、前記外周導体で構成した抵抗体付加同軸管線路と連結させて前記主線路を通過するマイクロ波周波数帯域内に振幅の減衰領域を設けた振幅イコライザ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【公開番号】特開２００９−１７１５１５（Ｐ２００９−１７１５１５Ａ）
【公開日】平成２１年７月３０日（２００９．７．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１０３８４（Ｐ２００８−１０３８４）
【出願日】平成２０年１月２１日（２００８．１．２１）
【出願人】（０００００６０１３）三菱電機株式会社 (33,312)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年７月３０日（２００９．７．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１月２１日（２００８．１．２１）
【出願人】（０００００６０１３）三菱電機株式会社 (33,312)
【Ｆターム（参考）】
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