放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル
【課題】蛍光体層の表面へのゴミ，埃などの付着を防止することで、熱処理時における蛍光体層表面へのシミ（変色）の発生を防止して、点欠陥などが少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを得ること。
【解決手段】気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、堆積が終了してから熱処理を終了するまで前記蛍光体層を密閉しないカバーで保護することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。なお、蒸着終了後、熱処理を行う前に、前記蛍光体層の加湿処理を行うこと、および表面に付着しているゴミ，埃などの除去を行うことが好ましい。
【解決手段】気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、堆積が終了してから熱処理を終了するまで前記蛍光体層を密閉しないカバーで保護することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。なお、蒸着終了後、熱処理を行う前に、前記蛍光体層の加湿処理を行うこと、および表面に付着しているゴミ，埃などの除去を行うことが好ましい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピューテッドラジオグラフィー（ＣＲ）等で放射線画像の記録（撮影）を行う際に用いられる放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネルに関し、より具体的には、柱状結晶からなる蛍光体層（いわゆる、輝尽性蛍光体層）表面へのゴミ、埃などの付着を防止し、後段の熱処理時におけるシミ（変色）の発生を防止し、点欠陥などが少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線（Ｘ線，α線，β線，γ線，電子線および紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギの一部を蓄積し、その後、可視光などの励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。
【０００３】
例えば、この輝尽性蛍光体の膜（輝尽性蛍光体層）を有する放射線像変換パネルを利用する放射線画像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士写真フイルム（株）製のＦＣＲ（Fuji Computed Radiography）システムとして実用化されている。
この放射線画像情報記録再生システムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、放射線像変換パネル（輝尽性蛍光体層）に被写体の放射線画像情報を記録する。記録後に、放射線像変換パネルをレーザ光等の励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴディスプレイや液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などの表示装置または写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線画像として出力する。
【０００４】
放射線像変換パネルは、通常、輝尽性蛍光体の粉末を、バインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料をガラスまたは樹脂製のパネル状の支持体に塗布し、乾燥することによって、作製される。
これに対し、真空蒸着またはスパッタリング等の真空成膜法（気相成膜法）によって、支持体に輝尽性蛍光体層（以下、単に蛍光体層ともいう）を形成してなる蛍光体パネルも知られている。真空成膜法による蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという優れた特性を有している。さらに、蛍光体層が蛍光体の柱状構造で形成されるため、鮮鋭度の高い良好な画質が得られる。
【０００５】
また、放射線像変換パネルにおいては、読み取り時にちり（塵）またはほこり（埃）などのゴミや異物が付着した場合、および製造時に塵または埃などの異物が混入した場合、得られる画像に欠陥が生じる虞がある。このため、このような画像の欠陥の発生を抑制するために、種々の技術が開示されている（特許文献１〜特許文献４参照）。
【０００６】
特許文献１には、蓄積性蛍光体シートのクリーニング機構が設けられた放射線画像読取装置が開示されている。この特許文献１のクリーニング機構は、回転クリーニングローラ対と、除電ブラシ対とを有するものである。
特許文献１の放射線画像読取装置においては、クリーニング機構により、蛍光体シートの表面に付着した異物を除去するとともに、表面の電荷を除去する。これにより、電荷による放射線画像の影響や、塵埃の付着による放射線画像の悪影響を取り除いている。
【０００７】
また、特許文献２の放射線画像読取装置は、放射線画像の記録された蓄積性蛍光体パネルを搬送する搬送系が、蓄積性蛍光体パネルの両面側に位置するように配置された複数の弾性ベルトを備えるものである。
特許文献２の放射線画像読取装置においては、複数の弾性ベルトを駆動し複数の弾性ベルトの間に挟まれた蓄積性蛍光体パネルを搬送する。これにより、蓄積性蛍光体パネルを搬送する際に傷が付くこと、またひずみが生じ経年劣化してしまうことを防止し、さらには、搬送中に蓄積性蛍光体パネルに塵，ゴミ，埃などの異物が付着することを防止するものである。この特許文献２においても、蛍光体層へのゴミの付着を防止し、画像読み取り時に生じる画像の劣化を未然に防止することができる。
【０００８】
さらに、特許文献３の放射線画像変換パネルの製造方法には、保護層および蛍光体層の少なくとも１層の表面のゴミを粘着力による除去方法で除去した後に、保護層と蛍光体層をそれぞれ接着させる工程を有するものが開示されている。
このように、特許文献３においては、放射線画像変換パネルの製造方法の工程の中に、ゴミ除去方法を設けることにより、繰り返し使用される放射線画像変換パネルに対し、搬送系等を介して読み取り部に侵入した塵埃や蓄積性蛍光体シートに付着した塵埃等による画像読み取り精度の劣化を防止し、ノイズの少ない優れた画像が得られる。
【０００９】
また、特許文献４には、放射線画像変換パネルの高い画質を維持しながら、耐水性や耐溶剤性とともにゴミ異物の付着による画像欠陥の発生を抑制するために、放射線画像変換パネルの蛍光体層の表面に少なくとも１層の保護層を設けた放射線画像変換パネルが開示されている。なお、この保護層は、放射線画像変換パネルを構成する蛍光体シートが完成した後に、この蛍光体シートを放射線画像変換パネルに組み込む過程で付加されるものである。
【００１０】
【特許文献１】特開平５−７２６５６号公報
【特許文献２】特開平１１−３４４７８１号公報
【特許文献３】特開２００５−４３０５０号公報
【特許文献４】特開２００５−２２７０６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１の放射線画像読取装置および特許文献２の放射線画像読取装置においては、画像の読み取り時に、付着するゴミを取り除くものであり、放射線像変換パネルにゴミが混入している場合には、対処できないという問題点がある。
また、特許文献３においては、保護層と蛍光体層との間にゴミが混入しないようにするものであるものの、蛍光体層を形成するに際し、ゴミ，埃などの混入を抑制するものではない。この結果、蛍光体層を形成する際に、ゴミ，埃などが混入した場合、製造された放射線像変換パネルにおいては、以下に示すような画像欠陥が生じる虞がある。
【００１２】
画像欠陥の発生する原因としては、従来、ヒロック（Ｈillock：異常突出）が知られている。これは、図９に示す放射線像変換パネル２００のように、通常は、柱状結晶２０６が成長し、この柱状結晶２０６により輝尽性蛍光体層（蛍光体層）２０４が構成され、また、蛍光体層２０４の表面２０４ａは略均一な高さとなるものが、ゴミ等に影響されて生ずるものである。
すなわち、基板２０２上に蛍光体層２０４を形成する際に、基板２０４にゴミ２０８がある場合、このゴミ２０８を起点として異常成長結晶２０６ａが起き、結果として蛍光体層２０４において、この表面２０４ａから突出したヒロック（Ｈillock）Ｈが生じる。このような異常成長結晶２０６ａにより、得られる画像において、本来黒である画像が白くなる点欠陥が生じる。このように、ゴミ，埃などの混入を抑制しない場合には、必ずしも欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができるとは限らない。
【００１３】
本発明者は、これとは別に、蛍光体層の感度上昇を目的として膜形成後に熱処理を行う際に、この蛍光体層の表面にゴミ，埃などが付着していると、熱処理時にゴミ，埃などが溶けて蛍光体層の内部に滲み込むことがあり、この場合は、蛍光体層表面にシミ（変色）を生じさせ、上述のヒロック（Ｈillock）の場合と同様の放射線画像の点欠陥が生じ、重大な問題となることを見出した。
【００１４】
具体的には、図１０（ａ）に示すように、放射線像変換パネル２１０の基板２１２上の蛍光体層２１４の表面にゴミ（例えば、人体由来の皮膚等の有機物）２１６ａ，２１６ｂが付着している場合、この放射線像変換パネル２１０を熱処理装置内に入れて熱処理（アニール）を行うと、図１０（ｂ）に示すように、ゴミ２１６ａ，２１６ｂが熱により溶融して、２１８ａ，２１８ｂで示すようにシミ（変色）となり、このシミ（変色）が放射線画像上の点欠陥となる。
【００１５】
この熱処理時に蛍光体層表面に発生するシミ（変色）は、上述のヒロック（Ｈillock）が蛍光体層（気相堆積膜）の異常成長に起因するものであるのに対し、蛍光体層の形成後における熱処理時に、蛍光体層の表面に付着しているゴミ，埃などが溶けることに起因して発生するものであり、その防止策も当然ヒロック（Ｈillock）の防止策とは異なる方策が必要になる。
【００１６】
本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、蛍光体層の表面へのゴミ，埃などの付着を防止することで、熱処理時における蛍光体層表面へのシミ（変色）の発生を防止して、点欠陥などが少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができる放射線像変換パネルの製造方法およびこの方法により製造された、放射線画像の点欠陥の発生しない放射線像変換パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、堆積が終了してから熱処理を終了するまで前記蛍光体層を密閉しないカバーで保護することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供するものである（請求項１）。
ここで、本発明においては、前記カバーとして、φ１μｍ〜φ１．５ｍｍの細孔を有するものを用いることが好ましい（請求項２）。
【００１８】
また、本発明の第２の態様は、真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、熱処理前に前記蛍光体層を所定の温湿度条件で所定の期間保管する工程（以下、この工程を加湿処理工程という）を含み、蒸着が終了してから熱処理を終了するまで前記蛍光体層を密閉しないカバーで保護することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供するものである（請求項３）。
【００１９】
ここで、上記加湿処理工程での好ましい加湿処理条件の一つとして、温度が１０℃〜６０℃、相対湿度が２０％ＲＨ〜４５％ＲＨの環境下における、０．５時間〜１６８時間の加湿処理（蛍光体層を、前記環境下に、０．５時間〜１６８時間、曝す加湿処理）が例示される。
また、好ましい加湿処理条件の別の例として、温度が１０℃〜６０℃、相対湿度Ｈが４５％ＲＨ＜Ｈ≦８０％ＲＨの環境下において所定時間の加湿処理を行い、かつ、前記処理時間をｔ［時間］とした際に、下記式
Ｘ＝［ｅｘｐ（６．４×１０−２×（Ｔ＋２７３））×Ｈ×１０−１０×ｔ］
における「Ｘ」が０．２〜２１０を満たす加湿処理が例示される。
また、好ましい加湿処理のさらに別の例として、温度が１０℃〜６０℃で、相対湿度Ｈが８０％ＲＨ＜Ｈ＜９０％ＲＨの環境下での、１０分〜３０分の加湿処理が例示される。
【００２０】
上記のように加湿処理条件を定めるのは、本発明者が実験により、加湿工程を行う場の温度と湿度によって最適な加湿工程処理時間が存在することを見出したことに基くものである。実際上は、製造現場等の加湿工程を行う場の環境に応じて温度と湿度が定められた後で、この温度と湿度に対応するように加湿工程処理時間を決定すればよい。
【００２１】
なお、上記加湿処理工程の作用・効果は、本出願人が先に提案した特願２００３−２０５３９２号「輝尽性蛍光体パネルの製造方法」（特開２００５−５５１８５号公報参照）に記載されているような、蒸着が終了してから熱処理を行うまでの間における蛍光体層の特性の劣化を好適に防止することに加えて、ＰＳＬ感度等の輝尽発光特性を改善できることが挙げられる。
【００２２】
ここで、少なくとも前記蛍光体層を所定の温湿度条件で所定の期間保管する工程（加湿処理工程）においては、前記蛍光体層を密閉しないカバーで保護することが好ましい（請求項４）。
また、前記カバーとして、φ１μｍ〜φ１．５ｍｍの細孔を有するものを用いることが好ましい（請求項５）。
【００２３】
また、本発明の第３の態様は、真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、熱処理前に前記蛍光体層表面の異物を除去することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供するものである（請求項６）。
【００２４】
ここで、前記蛍光体層表面の異物の除去を、当該蛍光体層表面に風速２ｍ／ｓ以上の空気を吹き付けることで行うことが好ましい（請求項７）。
また、前記蛍光体層表面の異物の除去を、当該蛍光体層表面に粘着材を接触させることで行うことが好ましい（請求項８）。
ここで、前記粘着材としてブチルゴムローラを用いることが好ましい（請求項９）。
【００２５】
また、本発明の第４の態様は、真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、熱処理前に前記蛍光体層を所定の温湿度条件で所定の期間保管する工程（加湿処理工程）を含み、熱処理前に前記蛍光体層表面の異物を除去することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供するものである（請求項１０）。
【００２６】
ここで、前記蛍光体層の異物の除去を、当該蛍光体層表面に風速２ｍ／ｓ以上の空気を吹き付けることで行うことが好ましい（請求項１１）。
また、前記蛍光体層表面の異物の除去を、当該蛍光体層表面に粘着材を接触させることで行うことが好ましい（請求項１２）。
またさらに、前記粘着材としてブチルゴムローラを用いることが好ましい（請求項１３）。
【００２７】
また、本発明の第５の態様は、上述の請求項１〜１３のいずれかに記載の放射線像変換パネルの製造方法により製造された放射線像変換パネルを提供するものである（請求項１４）。
【発明の効果】
【００２８】
本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法によれば、真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、堆積が終了してから熱処理を終了するまで上記蛍光体層を密閉しないカバーで保護する構成としたことにより、形成された蛍光体層表面に異物（ゴミ，埃など）の付着を防止することが可能になるという効果が得られる。
また、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法によれば、形成された蛍光体層の熱処理前に上記蛍光体層表面の異物を除去する構成としたことにより、熱処理時に発生する上記蛍光体層表面のシミ（変色）を防止することが可能になるという効果が得られる。
【００２９】
また、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法においては、放射線像変換パネルの製造に際して、熱処理前に蛍光体層を所定の温湿度条件で所定の期間保管する工程（加湿処理工程）を含むことも好ましく、この際には、少なくともこの保管工程の間、上記蛍光体層を密閉しないカバーで保護することが有効である。
なお、上述の蛍光体層表面の異物を除去する方法としては、非接触の方法（例えば、空気流吹き付けによる除去方法）、あるいは接触式の方法（例えば、粘着材を用いる除去方法）等、種々の方法が利用可能である。
【００３０】
また、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法により製造された蛍光体層を備えた放射線像変換パネルは、放射線画像の点欠陥の発生しない放射線像変換パネルであることはいうまでもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法について、添付の図面に示される好適実施形態を基に詳細に説明する。
図１（ａ）は、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の一実施形態を示す模式的断面図であり、同（ｂ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の模式的側断面図である。
【００３２】
図１に示す放射線像変換パネル製造装置（以下、単に製造装置ともいう）１０は、蓄積性蛍光体（母体）となる材料と、付活剤（賦活剤：activator）となる材料とを別々に蒸発する二元の真空蒸着によって、基板７０の表面７０ｄに蓄積性蛍光体からなる蛍光体層を形成して、（蓄積性）放射線像変換パネルを製造する装置である。
【００３３】
このような製造装置１０は、基本的に、真空チャンバ１２と、基板保持搬送機構１４と、加熱蒸発部（抵抗加熱手段）１６と、真空ポンプ（真空排気手段）１８と、ガス導入ノズル１９と、制御部２０とを有して構成される。なお、本実施形態に係る製造装置１０は、これ以外にも、公知の真空蒸着装置が有する各種の構成要素を有してもよいのは、もちろんである。例えば、真空チャンバ１２内の真空度を測定する真空計（図示せず）を有し、制御部２０に接続されている。
【００３４】
なお、本実施形態において、基板７０は、基板ホルダ３９に収納されて基板保持搬送機構１４に基板ホルダ３９ごと保持され、真空チャンバ１２内にセットされて直線搬送されるものである。
また、ここでは、基板ホルダ３９は、基板７０をその側面から挿入して内部に係止して保持する形で保持するように構成されているものである。
【００３５】
また、本発明は、図１に示すような二元の真空蒸着装置に限定はされず、全ての成膜材料を混合して蒸発源に収納する一元の真空蒸着を行う装置であってもよく、あるいは、三元以上の真空蒸着を行う装置であってもよいが、好ましくは、複数の成膜材料を別々の蒸発源に収納する、二元あるいはそれ以上の多元の真空蒸着装置である。
【００３６】
また、本実施形態においては、好適な一例として、蛍光体成分となる臭化セシウム（ＣｓＢｒ）と、付活剤成分となる臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒｘ（ｘは、通常、２〜３であり、特に２が好ましい）とを成膜材料として用い、抵抗加熱による二元の真空蒸着を行って、基板７０に蓄積性蛍光体であるＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層を成膜して、放射線像変換パネルを作製する。
【００３７】
また、成膜中に不活性ガスの導入を行うためのガス導入ノズル１９を有する製造装置１０は、好ましくは、一旦、真空チャンバ１２内を高真空度まで排気した後、排気を行いつつガス導入ノズル１９によって不活性ガスを導入して真空チャンバ１２内を０．１Ｐａ〜１０Ｐａ程度の真空度（以下、中真空という）とし、この中真空下で、加熱蒸発部１６において抵抗加熱によって成膜材料（臭化セシウムおよび臭化ユーロピウム）を加熱蒸発して、基板保持搬送機構１４によって基板７０を直線状に搬送（以下、直線搬送という）しつつ、真空蒸着による基板７０への蛍光体層の成膜を行う。
【００３８】
また、本発明においては、蛍光体層を形成する輝尽性蛍光体として、各種のものが利用可能であるが、例えば、下記の輝尽性蛍光体が好ましく例示される。
例えば、米国特許第３８５９５２７号の明細書に記載されている輝尽性蛍光体である、「ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ」、「ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ」、「ＴｈＯ２：Ｅｒ」、および「Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ」。
【００３９】
特開昭５５−１２１４２号公報に開示される、「ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ」、「ＢａＯ・ｘＡｌ２Ｏ３：Ｅｕ（但し、０．８≦ｘ≦１０）」、および、一般式「ＭＩＩＯ・ｘＳｉＯ２：Ａ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭＩＩは、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，ＣｄおよびＢａからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，Ｔｌ，ＢｉおよびＭｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０．５≦ｘ≦２．５である。）
【００４０】
特開昭５５−１２１４４号公報に開示される、一般式「ＬｎＯＸ：ｘＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｌｎは、Ｌａ，Ｙ，ＧｄおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種であり、Ａは、ＣｅおよびＴｂの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００４１】
特開昭５５−１２１４５号公報に開示される、一般式「（Ｂａ１−ｘ、Ｍ２＋ｘ）ＦＸ：ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ２＋は、Ｍｇ、Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，ＹｂおよびＥｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．６であり、０≦ｙ≦０．２である。）
【００４２】
特開昭５９−３８２７８号公報に開示される、一般式「ｘＭ３（ＰＯ４）２・ＮＸ２：ｙＡ」または「Ｍ３（ＰＯ４）２・ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭおよびＮは、それぞれ、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓｂ，Ｔｌ，ＭｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦６、０≦ｙ≦１である。）
【００４３】
一般式「ｎＲｅＸ３・ｍＡＸ’２：ｘＥｕ」または「ｎＲｅＸ３・ｍＡＸ’２：ｘＥｕ，ｙＳｍ」で示される輝尽性蛍光体。
上記式において、Ｒｅは、Ｌａ，Ｇｄ，ＹおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＸおよびＸ’は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，およびＢｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０−４＜ｘ＜３×１０−１であり、１×１０−４＜ｙ＜１×１０−１であり、さらに、１×１０−３＜ｎ／ｍ＜７×１０−１である。
【００４４】
特開昭６１−７２０８７号公報に開示される、一般式「ＭＩＸ・ａＭＩＩＸ’２・ｂＭＩＩＩＸ''３：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体。
上記式において、ＭＩは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭＩＩは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、ＭＩＩＩは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ，Ｘ’およびＸ''は、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０＜ｃ≦０．２である。
【００４５】
特開昭５６−１１６７７７号公報に開示される、一般式「（Ｂａ１−Ｘ、ＭＩＩＸ）Ｆ２・ａＢａＸ２：ｙＥｕ，ｚＡ」で示される輝尽性蛍光体。
上記式において、ＭＩＩは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、ＺｒおよびＳｃの少なくとも一種である。また、０．５≦ａ≦１．２５であり、０≦ｘ≦１であり、１×１０−６≦ｙ≦２×１０−１であり、０＜ｚ≦１×１０−２である。）
【００４６】
特開昭５８−６９２８１号公報に開示される、一般式「ＭＩＩＩＯＸ：ｘＣｅ」で示される輝尽性蛍光体。
上記式において、ＭＩＩＩは、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００４７】
特開昭５８−２０６６７８号公報に開示される、一般式「Ｂａ１−ｘＭａＬａＦＸ：ｙＥｕ２＋」で示される輝尽性蛍光体。
上記式において、Ｍは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｌは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ，ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０−２≦ｘ≦０．５であり、０≦ｙ≦０．１であり、さらに、ａはｘ／２である。
【００４８】
特開昭５９−７５２００号公報に開示される、一般式「ＭＩＩＦＸ・ａＭＩＸ’・ｂＭ’ＩＩＸ''２・ｃＭＩＩＩＸ３・ｘＡ：ｙＥｕ２＋」で示される輝尽性蛍光体。
上記式においてＭＩＩは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも１種であり、ＭＩは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ’ＩＩは、ＢｅおよびＭｇの少なくとも一方の二価の金属であり、ＭＩＩＩは、Ａｌ，Ｇａ，ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ａは、金属酸化物であり、Ｘ，Ｘ’およびＸ''は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ≦２であり、０≦ｂ≦１×１０−２であり、０≦ｃ≦１×１０−２であり、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ≧１０−６であり、さらに、０＜ｘ≦０．５であり、０＜ｙ≦０．２である。）
【００４９】
特に、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が良好に得られる等の点で、特開昭５９−３８２７８号公報に開示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく例示され、中でも特に、ＭＩが、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００５０】
本実施形態において、真空チャンバ１２は、鉄，ステンレス，アルミニウム等で形成される、真空蒸着装置で利用される公知の真空チャンバ（ベルジャー，真空槽）である。
真空チャンバ１２の一方の側面１２ｂには、真空ポンプ１８がディフューザ１８ａを介して接続されている。この真空ポンプ１８は、例えば、油拡散ポンプが用いられる。なお、真空ポンプ１８は、特に限定されるものではなく、必要な到達真空度を達成できるものであれば、真空蒸着装置で利用されている各種のものが利用可能である。一例として、クライオポンプ，ターボモレキュラポンプ等を利用することができ、さらに補助として、クライオコイル等を併用してもよい。なお、蛍光体層を成膜する製造装置１０においては、真空チャンバ１２内の到達真空度は、８．０×１０−４Ｐａより高い真空度が得られるものであることが好ましい。
【００５１】
また、真空チャンバ１２の上記側面１２ｂに対向する他方の側面１２ｃには、扉１３が開閉自在に設けられている。
本実施形態においては、扉１３を開けて、真空チャンバ１２内に基板７０の搬入、および成膜材料の搬入などが行われる。また、扉１３を閉じ、真空チャンバ１２を閉塞して真空蒸着などが行われる。
【００５２】
ガス導入ノズル１９も、ボンベとの接続手段およびガス流量の調整手段等を有する（もしくは、これらに接続される）、真空蒸着装置またはスパッタリング装置等で用いられている公知のガス導入手段であり、前記中真空での真空蒸着による蛍光体層の成膜を行うために、アルゴン（Ａｒ）ガス，窒素ガスまたはその他の希ガス等の不活性ガスを真空チャンバ１２内に導入する。この不活性ガスとは、真空蒸着の際に、基板７０および蛍光体層と反応しないガスのことである。
このガス導入ノズル１９の開口部（ガス導入口）１９ａを介して、不活性ガスが真空チャンバ１２内に導入される。ガス導入ノズル１９（開口部１９ａ）は、例えば、加熱蒸発部１６の近傍、かつ真空チャンバ１２の底面１２ａに設けられている。
【００５３】
基板保持搬送機構１４は、基板７０を基板ホルダ３９ごと保持して、直線搬送するものであり、図２に模式的に示すように、駆動手段２２と、リニアモータガイド２４と、基板保持手段２６とから構成される。なお、図２（ａ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的平面図、同（ｂ）は、図１に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的正面図、同（ｃ）は、図１に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的側面図である。
【００５４】
駆動手段２２は、基板保持手段２６を基板７０の搬送方向Ｍに移動（往復動）させるもので、基板７０の搬送方向Ｍに延在して保持部材３０によって回転自在に軸支されるネジ軸３２ａと、このネジ軸３２ａに螺合するナット部３２ｂからなるボールネジ３２と、前記ネジ軸３２ａを回転するモータ３４とからなる、ボールネジを用いる公知の直線状の移動機構である。
【００５５】
なお、本発明において、駆動手段はボールネジ３２とモータ３４とを利用するものに限定はされず、シリンダを利用する搬送手段，モータとモータによって回転されるリング状のチェーンを用いる搬送手段など、必要な耐熱性を有するものであれば、公知の直線状の移動（搬送）手段が、各種利用可能である。
【００５６】
リニアモータガイド（以下、ＬＭガイドという）２４は、駆動手段２２による基板保持手段２６（すなわち、基板７０）の直線搬送を補助するもので、ガイドレール２４ａと、長手方向に移動自在に上記ガイドレール２４ａに係合する係合部材２４ｂとからなる、公知のリニアモータガイドである。
ガイドレール２４ａは、基板７０の搬送方向Ｍに延在して、前記ネジ軸３２ａを中心とする対象位置に離間して２本が配置され、共に、真空チャンバ１２の天井面に固定される。一方、係合部材２４ｂは、各ガイドレール２４ａに２つずつ係合するように、合計４つが基板保持手段２６（後述する基台３６の上面）に固定される。
【００５７】
基板保持手段（以下、単に保持手段ともいう）２６は、基板ホルダ３９ごと基板７０を保持して、前記ＬＭガイド２４によって案内されつつ前記駆動手段２２によって直線状で移動されるものであり、基台３６と、保持機構３８と、防熱部材４０とから構成される。
【００５８】
基台３６は、製造装置１０が適正に設置された状態で水平となる長方形状の平板状部材である。
基台３６の上面の中心には、前記ボールネジ３２のナット部３２ｂが固定され、また、基台３６の上面の２本の対角線上の対称位置には、２本のガイドレール２４ａの間隔に応じて前記ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂが固定される。
【００５９】
保持機構３８は、取付部材３８ａと保持部材３８ｂとから構成され、基台３６の角部に４つが配置される。
取付部材３８ａは、矩形の断面略Ｃ字状の形状を有するものである。この取付部材３８ａは、Ｃ字開放部を内側に向けて、搬送方向Ｍと直交方向の外方からＣ字天井面の一部を基台３６の角部に載置して、基台３６に垂下するようにして固定される。従って、保持手段２６は、基台３６の下部には、基台３６の面積よりも広い空間を有している。
【００６０】
保持部材３８ｂは、下端に基板ホルダ３９（基板７０）の保持手段を有するものであり、取付部材３８ａに垂下して固定される。すなわち、基板ホルダ３９（基板７０）を保持する保持機構３８は、基台３６に角部近傍で垂下される。
【００６１】
本実施形態において、保持部材３８ｂによる基板ホルダ３９（基板７０）の保持方法には特に限定はなく、治具等を用いる方法、静電気を利用する方法、吸着を利用する方法等、上面から板状物を保持する公知の方法が各種利用可能である。また、基板７０への蛍光体層の蒸着領域等に応じて可能であれば、治具等を用いて、下方から基板ホルダ３９（基板７０）の四隅を押さえる保持手段、下方から基板ホルダ３９（基板７０）の四辺を押さえる保持手段等を利用してもよい。
また、取付部材３８ａと保持部材３８ｂとの間にスペーサを入れる、ネジによる調整手段を設ける、シリンダによる昇降手段を設ける等の方法で、保持部材３８ｂの下端位置すなわち基板７０を保持／搬送する高さを調整可能にしてもよい。
【００６２】
前述のように、基台３６は、駆動手段２２によって直線搬送される。従って、基板保持搬送機構１４は、保持機構３８によって例えば、基板ホルダ３９（基板７０）の四隅近傍を保持し、保持手段２６を駆動手段２２によって搬送することにより、基板７０を基板ホルダ３９ごと直線搬送する。
【００６３】
ラインセンサ等による放射線画像の読み取りが想定される放射線像変換パネルの蛍光体層には、±３％以内、好ましくは±２％以内の高い膜厚分布均一性が要求される。
本実施形態においては、上述このように基板７０を直線搬送しつつ、抵抗加熱による中真空の真空蒸着によって蛍光体層を形成することにより、結晶性が良好で、膜厚分布均一性の高い蛍光体層の形成を実現している。
【００６４】
ここで、本発明に係る製造方法で好適に形成される前記各種の蓄積性蛍光体からなる蛍光体層、特にアルカリハライド系蓄積性蛍光体からなる蛍光体層、中でも特にＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層を、真空蒸着によって形成（成膜）する際には、一旦、系内を高い真空度に排気した後、排気を維持した状態でＡｒガスまたは窒素ガス等の不活性ガスを系内に導入して、０．１〜１０Ｐａ、特に０．５〜３Ｐａ程度の中真空度として蛍光体層を形成するのが好ましい。
これにより、良好な柱状の結晶構造を有する蛍光体層を形成することができ、輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた放射線像変換パネルを製造することができる。
【００６５】
本実施形態に係る製造装置１０は、基本的に、このような中真空での蛍光体層の形成を行うものであり、ガス導入ノズル１９（開口部１９ａ）から真空チャンバ１２内に不活性ガスを導入しつつ中真空で抵抗加熱によって真空蒸着を行う。
本実施形態に係る製造装置１０においては、基板ホルダ３９ごと基板７０を直線搬送しつつ真空蒸着によって蛍光体層の形成を行うことにより、基板７０表面における移動速度を全面的に均一にできる。
具体的には、搬送方向Ｍと直交する方向Ｈにおける成膜材料の蒸発量を均一にするだけで、基板７０の全面的に均一に成膜材料の蒸気を暴露することができ、簡易な蒸発源の位置設定でも、膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成できる。しかも、直線搬送の往復搬送を行って成膜を行うことにより、微量成分であるユーロピウム（付活剤）の蛍光体層中における分散状態も、好適にできる。
【００６６】
なお、本発明において、必要な膜厚の蛍光体層を形成できれば、成膜中における基板７０の直線搬送は、１回の直線搬送でも、１回の往復動（往復搬送）でも、往復動を複数回行ってもよい。また、基板の搬送経路は、おおむね直線状であれば、多少、ジグザグ状であっても、波打つような経路であってもよい。
一般的に、同じ膜厚であれば、加熱蒸発部１６の上部の通過回数が多い程、膜厚分布均一性を高くできるので、複数回の往復動を行って蛍光体層を形成するのが好ましい。また、往復動の回数は、蛍光体層の目的膜厚または目的とする膜厚分布均一性等に応じて、適宜、決定すればよく、最後の搬送は一方向でもよい。直線搬送の搬送速度にも、特に限定はなく、ＬＭガイド２４の速度限界、往復動の回数、目的とする蛍光体層の膜厚等に応じて、適宜、決定すればよい。
【００６７】
基板ホルダ３９（基板７０）を保持する保持手段２６において、上面にボールネジ３２のナット部３２ｂおよびＬＭガイド２４の係合部材２４ｂ等が固定される基台３６の直下には、防熱部材４０が配置される。ここで、前述のように、図示例の製造装置１０においては、略Ｃ字状の取付部材３８ａを用いて保持部材３８ｂを基台３６から垂下した状態で固定することにより、基台３６の下部に基台３６よりも広い空間を有している。これを利用して、図示例においては、防熱部材４０の面積を基台３６の面積より大きくして、充分な余裕を持って基台３６の下面全面を防熱部材４０で覆っている。
防熱部材４０は、後述する加熱蒸発部１６（蒸発源）に対して基台３６を覆うことにより、加熱蒸発部１６からの輻射熱等によって、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂが加熱されるのを防止するものである。
【００６８】
先の説明から明らかなように、高い輝尽発光特性および画像鮮鋭性を実現可能な優れた結晶構造を有し、かつラインセンサによる高精度な放射線画像の読み取りが可能な膜厚均一性に優れた放射線像変換パネルを製造するためには、基板ホルダ３９（基板７０）を直線搬送しつつ、抵抗加熱による中真空での真空蒸着を行う必要がある。
【００６９】
ここで、周知のように、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂには、円滑な移動を可能にするためにボールが組み込まれ、また、ボールの円滑な回転を可能にするために、グリス等の潤滑剤が注入される。また、ボールを有さなくても、円滑な駆動を可能にするために、通常、駆動手段および搬送ガイド手段の摺動部にはグリス等の潤滑剤が注入される。
【００７０】
防熱部材４０には、特に限定はなく、加熱蒸発部１６からの輻射熱を遮蔽して、係合部材２４ｂおよびナット部３２ｂ、またさらに基台３６が加熱されることを防止できれば、各種のものが利用可能である。一例として、ステンレス板，鋼板，アルミニウム板，モリブデン板等が例示される。なお、固定方法は、防熱部材４０に応じて、適宜、決定すればよい。
また、必要に応じて、防熱部材４０に接触するパイプに冷水を流す、板材（防熱部材４０）の内部をくり抜いて水を流す等の手段によって、防熱部材４０の冷却手段を設けてもよい。
【００７１】
前述のように、図示例においては、好ましい態様として、防熱部材４０は基台３６よりも大きな面積を有し、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂが固定される基台３６の下面全面を覆って配置される。しかしながら、本発明は、これに限定はされず、例えば、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂに対応する領域、あるいはさらにボールネジ３２のナット部３２ｂに対応する領域のみを、加熱蒸発部１６に対して防熱部材で覆ってもよい。
但し、係合部材２４ｂおよびナット部３２ｂの加熱をより好適に防止するためには、図示例のように、これらに熱を伝達する可能性のある部材は、加熱蒸発部１６に対して可能な限り防熱部材４０で覆うのが好ましい。
【００７２】
図１に戻って、説明を続ける。
真空チャンバ１２の下方には、加熱蒸発部１６が配置される。
加熱蒸発部１６は、抵抗加熱によって蛍光体層を形成するための成膜材料である臭化セシウムおよび臭化ユーロピウムを蒸発させる部位である。この加熱蒸発部１６により成膜材料を加熱・蒸発させることにより、臭化セシウムおよび臭化ユーロピウムの蒸気（成膜材料蒸気）からなる蒸着場が形成される。
【００７３】
前述のように、製造装置１０は、好ましい態様として、蛍光体成分である臭化セシウムと、付活剤成分である臭化ユーロピウムとを、独立して加熱蒸発する、二元の真空蒸着を行うものである。従って、加熱蒸発部１６には、臭化セシウム用（蛍光体用）の蒸発源となるルツボ（容器）５０、および、臭化ユーロピウム用（付活剤用）の蒸発源となるルツボ（容器）５２が配置される。
【００７４】
このようなルツボ５０および５２は、真空蒸着における抵抗加熱蒸発源用のルツボと同様、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）などの高融点金属で形成され、電極（図示省略）から通電されることにより自身が発熱し、充填された成膜材料を加熱／溶融して、蒸発させるものである。
また、本発明において、抵抗加熱用の電源（加熱制御手段）には、特に限定はなく、サイリスタ方式，ＤＣ方式，熱電対フィードバック方式等、抵抗加熱装置で用いられる各種の方式が利用可能である。また、抵抗加熱を行う際の出力にも特に限定はなく、使用する成膜材料，ルツボの形成材料の抵抗値または発熱量等に応じて、適宜、設定すればよい。
【００７５】
蓄積性蛍光体において、付活剤と蛍光体とは、例えばモル濃度比で０．０００５／１〜０．０１／１程度と、蛍光体層の大部分が蛍光体である。
そのため、図示例においては、蒸発量（消費量）の多い臭化セシウム（蛍光体用）のルツボ５０は、円筒状（ドラム型）の大型のルツボを用いている。このルツボ５０は、ドラムの側面に、ドラムの軸線方向に延在するスリット状の開口を有し、この開口に一致して、開口と同形状の上下開口面を有する四角筒状のチムニー５０ａを蒸気排出部として設けている。
【００７６】
他方、蒸発量（消費量）の少ない臭化ユーロピウム用（付活剤用）のルツボ５２は、ここでは、日本バックスメタルクルーシブルタイプ真空蒸着用蒸発源ＣＥ−２を用いている。このルツボは素材としてＴａを用いており、その周囲をヒータで覆い、さらにその周囲を断熱材であるアルミナで覆った構造を有している。また、ルツボは、間接加熱方式で加熱される。
【００７７】
このようなスリット状のチムニーを有するルツボを用いることにより、ルツボ内における局所加熱または異状加熱によって突沸が生じた際に、成膜材料が不意にルツボから飛び出して周囲または基板７０に付着して、汚染することを防止できる。特に、抵抗加熱を利用する中真空の蒸着では、前述のように、基板７０と蒸着源とを近接して配置する必要があるので、その効果は大きい。
【００７８】
ここで、製造装置１０においては、ルツボ５０および５２を、基板７０の搬送方向Ｍと直交する方向Ｈ（以下、配列方向Ｈという）に複数配列することにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発量を均一にして、直線搬送される基板７０の全面に均一に成膜材料蒸気を供給して、例えば、膜厚分布均一性が±３％以下の蛍光体層を形成している。なお、各ルツボは、離間させるか、または絶縁材の挿入等によって、互いに熱絶縁状態にある。
【００７９】
加熱蒸発部１６の模式的平面図である図３に示すように、図示例においては、一例として、臭化セシウム用のルツボ５０は、円筒（ドラム）の軸線方向を配列方向Ｈに一致して、６つが配列されている。ルツボ５０において、電極は円筒の端面に形成されており、個々のルツボ５０で独立して電源に接続される。また、各ルツボ５０に対応して、臭化セシウムの蒸発量を測定するための水晶振動子センサ５４が配置され（図１（ａ），（ｂ）では、装置の全体構成を明瞭にするために省略している）、この蒸発量の測定結果に応じて、ルツボ５０への通電量が制御される。なお、蒸発量の制御は、温度センサによって行ってもよい。
【００８０】
他方、ボート型のルツボである臭化ユーロピウム用のルツボ５２も、長手方向を配列方向Ｈに一致して、６つが配列される。ルツボ５２も、配列方向Ｈの両端に電極が形成され、個々に独立した電源が接続される。
【００８１】
図示例においては、好ましい態様として、１つのルツボ５０とルツボ５２とを対として、すなわち、蛍光体の成膜材料である臭化セシウムの１つの蒸発源と付活剤の成膜材料である臭化ユーロピウムの１つの蒸発源を対として、両者が基板７０の直線搬送方向Ｍに並ぶように配置し、さらに、より好ましい態様として、両者を装置およびルツボの構成上、可能な限り近接して配置している。
このような構成とすることにより、母体となる臭化セシウム蒸気中に、臭化ユーロピウム蒸気を充分に分散して、微量成分であるユーロピウム（付活剤）を蛍光体層中に均一に分散し、輝尽発光特性等の良好な蛍光体層を形成できる。
【００８２】
また、ルツボ５０の列およびルツボ５２の列においては、共に、配列されるルツボは、装置およびルツボの構成上、可能な限り配列方向Ｈに近接して配置され、かつルツボの列は、基板７０の配列方向Ｈのサイズを充分に包含する長さとするのが好ましい。
このような構成とすることにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発蒸気量を均一にして、より膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成することができる。
【００８３】
このような配列方向Ｈへのルツボの列は、１つであってもよく、図示例のように２列であってもよく、さらに、３列以上であってもよい。
ここで、複数列のルツボの列を有する場合には、各ルツボの列は、基板７０の搬送方向Ｍから見た際に、他のルツボの列の成膜材料蒸気の排出口（前記スリット状のチムニー）の配列方向Ｈの間隙を、互いに埋めるように配置するのが好ましく、さらに、異なる列で成膜材料蒸気の排出口が搬送方向Ｍに重ならないように配置するのがより好ましい。いい換えれば、搬送方向Ｍから見た際に、各ルツボの列で、成膜材料蒸気の排出口が互い違いとなるようにするのが好ましい。図示例においては、配列方向Ｈへの２列のルツボの列において、搬送方向Ｍから見た際に、一方のルツボ列の電極位置に他方のルツボ列の蒸気排出口が位置するように、各ルツボの列を配列している。
このような構成とすることにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発蒸気量を均一にして、より膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成することができる。
【００８４】
さらに、配列方向Ｈへのルツボの列を複数有する場合には、搬送方向Ｍの外側に蒸発量の多い臭化セシウム（付活剤）用のルツボ５０の列を位置するのが好ましい。
このような構成とすることにより、蒸発量の多い臭化セシウムの蒸発量センサを、搬送方向Ｍに対してルツボの列の外側の開いている空間に配置することができ、すなわち、蒸発量センサの選択自由度、製造装置１０の設計自由度を向上することができる。
【００８５】
なお、図示は省略するが、製造装置１０の加熱蒸発部１６は、全ルツボを水平方向の４方で囲む、ルツボの最上部よりも高い四角筒状の防熱板が配置され、かつ、この防熱板の上部開放面を閉塞／開放自在に、成膜材料蒸気を遮蔽するためのシャッタ（図示せず）が配置される。
【００８６】
本実施形態においては、基板７０は、例えば、金属または合金からなるものであり、薄い板状部材またはシート部材である。また、基板７０の材質は、特に限定されるものではなく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、ステンレス鋼、銅、クロムまたはニッケルなどを用いることができる。なお、本実施形態においては、基板７０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金により構成されることが好ましい。
また、基板７０としては、ガラス、セラミックス、カーボン、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート），ポリイミド等、放射線像変換パネルで利用されている各種のシート状の基板を全て利用することができる。
【００８７】
次に、製造装置１０を用いた本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法について詳細にその動作を説明する。
本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法においては、最終的には、図６に示すような基板７０と、この基板７０上に形成された蛍光体層７２と、この蛍光体層７２上に形成され、蛍光体層７２を封止する防湿保護層７４とを有する放射線像変換パネル８０を製造するが、その前段の工程では、まず、基板７０上に蛍光体層７２を形成する。
【００８８】
予め、基板７０を基板ホルダ３９（図１（ａ）参照）にセットしておく。
次に、基板７０を基板ホル３９ごと、プラズマ洗浄装置（図示せず）にセットし、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７２の形成面）をプラズマ洗浄する。
次に、真空チャンバ１２の扉１３を開き、真空チャンバ１２を大気開放状態にし、基板保持搬送機構１４の保持手段２６（図２（ｂ）参照）の保持部材３８ｂに基板ホルダ３９ごと基板７０を保持する。
【００８９】
次に、全てのルツボ５０に臭化セシウムを、全てのルツボ５２に臭化ユーロピウムを所定量まで充填した後、すなわち、成膜材料を真空チャンバ１２内にセットした後、シャッタ（図示せず）を閉じる。
次いで、真空ポンプ１８を駆動して真空チャンバ１２内を排気し、真空チャンバ１２内が、例えば、８×１０−４Ｐａとなった時点で、排気を継続しつつ、ガス導入ノズル１９によって開口部１９ａを経て真空チャンバ１２内に、例えば、Ａｒガスを導入して、真空チャンバ１２内の圧力を、例えば、１．０Ｐａに調整し、さらに、抵抗加熱用の電源を駆動して全てのルツボ５０およびルツボ５２に通電して成膜材料を加熱する。
【００９０】
その後、予め設定した所定時間（例えば、６０分）が経過したら、シャッタを開放し、次いで、モータ３４を駆動して、所定速度での基板７０の直線搬送を開始し、基板７０の表面７０ｄへの蛍光体層７２の形成を開始する。
形成する蛍光体層７２の膜厚等に応じて設定された所定回数の直線搬送の往復動が終了したら、基板７０の直線搬送を停止し、シャッタを閉塞し、抵抗加熱用の電源を切り、ガス導入ノズル１９によるＡｒガスの導入を止める。
次に、窒素ガスまたは乾燥空気を真空チャンバ１２内に導入して、真空チャンバ１２内を大気圧とする。すなわち、大気開放状態とする。
【００９１】
次いで、真空チャンバ１２の扉１３を開き、蛍光体層７２を形成した基板７０を基板ホルダ３９ごと取り出し、作業台に運ぶ。
前述のように、本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法においては、蛍光体層７２を形成した基板７０、すなわち蛍光体シート（蛍光体層を有する基板）に熱処理終了までの間、防塵カバーを被せることが特徴的動作である。
【００９２】
すなわち、図４に示すように、蛍光体シートが形成されると（ステップ９０）、蛍光体シートを基板ホルダ３９から取り外し、その上部に、防塵カバーを装着する（ステップ９２）。そして、熱処理装置内において所定の熱処理（アニール）を施し（ステップ９４）、熱処理終了後に防塵カバーを取り外す（ステップ９６）。
ここで、熱処理装置による熱処理（アニール）の前段において、前述の加湿処理工程を施すことが好ましい。この詳細については後述する。
【００９３】
ここでは、上述の防塵カバーとして、アルミ板にφ２０μｍの細孔を多数形成したものを用いた。また、この防塵カバーは、図５に示すように、適宜の形状の複数の支持脚１３２を有し、防塵カバー１３０の下面が蛍光体シート（蛍光体層７２）の表面に接触しないように位置決めできるように構成しておくことが好ましい。なお、図５中の７０ｃは、蛍光体層７２の蒸着領域を規定するための枠を示している（図６参照）。
【００９４】
また、上述の防塵カバーに設ける細孔は、後に詳述するように、蛍光体シートが形成された後、熱処理を行うまでの間、必要に応じて付加される、この蛍光体シートを所定の温湿度条件下に保管することにより放射線照射に対する感度を上昇させる過程で、蛍光体シートの全面が均一な温湿度条件に維持されるようにしつつ、ゴミ，埃などの付着を防止するために形成されているものであり、この細孔のサイズは、実験結果等に基づいて決定すればよい。
また、ここでは、アルミ板に所定サイズの細孔を形成したものを用いているが、本発明はこれに限らず、既成のいわゆるメッシュ付き材料（金網状，焼結体状等）を適宜選択して用いることも可能である。
【００９５】
上記実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法によれば、蛍光体シートが形成された後、熱処理が終了するまでの間、このような防塵カバーを装着することにより、蛍光体シートへのゴミ，埃などの付着を防止することが可能になり、これらに起因するシミ（変色）の発生が防止され、結果的に、放射線像変換パネル上における放射線画像の点欠陥の発生を防止することが可能になるという効果が得られる。
【００９６】
ところで、先に説明した通り、蒸着が終了した蛍光体シートを所定の温湿度条件下に保管することにより放射線照射に対する感度を上昇させることができる。この現象は、今回本発明者が定量的に把握したもので、これにより、蛍光体シートの放射線照射に対する感度を上昇させる具体的な適用への手がかりが得られたものである。
実用上有効と考えられる温湿度条件としては、蛍光体シートを、温度２０℃〜５０℃、相対湿度３０％〜８０％の環境で５分〜１週間保管するという条件が、一つの目安となる。ただし、この条件は、蛍光体シートを構成する蛍光体の種類や蒸着条件、さらには、保管後における熱処理の条件等に影響されることもあると考えられる。
【００９７】
また、上記実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法においては、蒸着が終了してから熱処理を終了するまで、蛍光体シートを密閉しないカバーで保護することを特徴としていたが、本発明ではこれとは異なる実施形態が実施可能である。
具体的には、上述のようなカバーを装着する代わりに、蒸着が終了した蛍光体層に関して、熱処理を開始するまでにその表面に付着しているゴミ，埃などを除去する工程を導入する実施形態が実施可能である。
【００９８】
このような工程を導入することにより、熱処理開始時に、蛍光体層の表面を、ゴミ，埃などを除去した状態とすることが可能になり、これらに起因するシミ（変色）の発生が防止され、結果として、放射線像変換パネル上における放射線画像の点欠陥の発生を防止することが可能になるという効果が得られる。
【００９９】
以下、前述の製造装置１０を用いて製造した放射線像変換パネルを例として、本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法について詳細にその動作を説明する。
なお、製造装置１０を用いた蒸着方法によって放射線像変換パネルを製造する過程に関しては、先に説明した動作と同様であるので、以下の説明では、形成された放射線像変換パネル（蛍光体層）についてのゴミ，埃などの除去工程から説明を開始する。
【０１００】
本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法におけるゴミ，埃などの除去工程は、蒸着が終了した蛍光体層の表面にゴミ，埃などが付着してい多としても，これを熱処理工程に持ち込むことがないように、その前段で除去するものである。
具体的除去方法としては、非接触の方法（例えば、空気流吹き付けによる除去方法）、あるいは接触式の方法（例えば、粘着材を用いる除去方法）等、種々の方法が利用可能である。
【０１０１】
第１の非接触の方法として、ここでは、空気流吹き付けによる除去方法を説明する。
例えば、図７に示すような所定の風量・風速でエアー（１１０ａ）を噴出するエアーガン（空気噴出銃）１１０を、蛍光体層７２の一方の端から他方の端へ、図中に矢印Ｓで示すように移動させることにより、蛍光体層７２上のゴミ１１２ａ，１１２ｂを除去する装置を用いる方法が適用可能である。
【０１０２】
あるいは、図８に示すような粘着材からなるローラ（１２０ａ）を備えたゴミ取りローラ１２０を用いて、上と同様に図中に矢印Ｓで示すように移動させることにより、蛍光体層７２上のゴミ１１２ａ，１１２ｂを除去する装置を用いる方法が適用可能である。ここで、上述の粘着材からなるローラ（１２０ａ）としては、ゴミの除去作用が十分あることと同時に、ローラ構成材料が蛍光体層７２上に残らないことが必要であり、この観点からブチルゴムローラが好適に用い得る。
ここで、上述の粘着材からなるローラ（１２０ａ）の硬度（Ｈｓ ＪＩＳ−Ａ）は、３０°程度が好ましく、ＪＩＳ Ｚ０２３７で規定される、粘着力は９１ｈＰａ程度であることが好ましい。
【０１０３】
上に例示した方法によってゴミ，埃などの除去工程が終了した蛍光体シートは、さらなるゴミ，埃などの付着を防止するため、前述のような防塵カバー１３０を装着した状態で、熱処理装置内において所定の条件で熱処理（アニール）される。
熱処理が終了し、十分に冷却された状態の蛍光体シートは、次に、次工程の防湿保護層７４（図６参照）を形成する防湿保護層形成装置（図示せず）まで搬送する。そして、蛍光体層７２の上に、例えばディスペンサー等を用いて接着剤を塗布し、接着層７６を形成する。
次いで、例えば、ロール状に巻回された防湿保護フィルム（図示せず）を引き出し、熱ラミネーション法により、上記接着層７６の上に防湿保護フィルムを貼り付けて、外縁を基板７０の溝７０ｂに植設した枠７０ｃの上縁部に密着させて防湿保護層７４（図６参照）を形成する。このようにして、図６に示す放射線像変換パネル８０を製造することができる。
なお、防湿保護層７４としては、予め接着剤が塗布された保護フィルムを用いて形成することもできる。
【０１０４】
また、防湿保護層７４を構成する防湿保護フィルムとしては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、ＳｉＯ２膜とＳｉＯ２とＰＶＡ（ポリビニルアルコール）とのハイブリット層とＳｉＯ２膜との３層を形成してなる防湿保護層７４が例示される。これ以外にも、ガラス板（フィルム），ポリエチレンテレフタレートまたはポリカーボネート等の樹脂フィルム、樹脂フィルムにＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＣなどの無機物質が堆積したフィルム等も好ましく例示される。
【０１０５】
なお、ＰＥＴフィルム上に、ＳｉＯ２膜／ＳｉＯ２とＰＶＡとのハイブリット層／ＳｉＯ２膜の３層を形成した防湿保護層７４において、例えば、ＳｉＯ２膜は、スパッタリング法を用いて、ＳｉＯ２とＰＶＡのハイブリット膜は、ＰＶＡとＳｉＯ２の比率が１：１となるようにゾル・ゲル法を用いて、それぞれ形成すればよい。
また、防湿保護層７４は、４０℃の温度で相対湿度が９０％の環境下において、透湿度が０．２〜０．６（ｇ／（ｍ２・ｄａｙ））であることが好ましい。
【０１０６】
ここで、前述の加湿処理工程について補足説明しておく。
通常は、真空チャンバ内における蛍光体層の形成終了後、特別な処理を施すことなく、所定の時間経過後に蛍光体層の感度上昇を目的とする熱処理（アニール）を行っているが、本発明者は、熱処理前に蛍光体層を２０℃〜５０℃、相対湿度３０％〜８０％の環境で５分〜１週間保管する工程（すなわち、加湿処理工程）を経ることで、蛍光体層の感度上昇を実現できることを見出し、この工程を追加することを、実質上、基本とするようにしたものである。
この加湿処理工程による蛍光体層の感度上昇に係る降下の原因は、必ずしも定かではないが、実験的には明確な効果が得られるものであり、実用上、非常に有効な処理であるということができるものである。
【０１０７】
以下、具体的な実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではないのはいうまでもない。
ここでは、図１に示した実施形態に係る製造装置（放射線像変換パネル製造装置）を用いて。以下の各種類の方法で、放射線像変換パネル（蛍光体シート）を作製した。
【０１０８】
すなわち、第１群の実験では、蒸着終了後、
（１）形成された蛍光体層に、ゴミ付着に対して特別に保護措置を講じることなしに、加湿処理工程並びに熱処理工程を施したもの：これを比較例１とする
（２）形成された蛍光体層に、ゴミ付着を防止するための保護カバー（φ３μｍの細孔付きメッシュ構造のもの）を装着したもの（この保護カバーは、熱処理工程後、冷却が終了するまで装着を継続した）：これを実施例１とする
（３）形成された蛍光体層に、ゴミ付着を防止するための保護カバー（φ２０μｍの細孔付きメッシュ構造のもの）を装着したもの（この保護カバーは、熱処理工程後、冷却が終了するまで装着を継続した）：これを実施例２とする
【０１０９】
（４）形成された蛍光体層に、ゴミ付着を防止するための保護カバー（φ２００μｍの細孔付きメッシュ構造のもの）を装着したもの（この保護カバーは、熱処理工程後、冷却が終了するまで装着を継続した）：これを実施例３とする
（５）形成された蛍光体層に、ゴミ付着を防止するための保護カバー（φ７００μｍの細孔付きメッシュ構造のもの）を装着したもの（この保護カバーは、熱処理工程後、冷却が終了するまで装着を継続した）：これを実施例４とする
（６）形成された蛍光体層に、ゴミ付着を防止するための保護カバー（φ１０００μｍの細孔付きメッシュ構造のもの）を装着したもの（この保護カバーは、熱処理工程後、冷却が終了するまで装着を継続した）：これを実施例５とする
【０１１０】
（７）形成された蛍光体層に、ゴミ付着を防止するための保護カバー（φ２０００μｍの細孔付きメッシュ構造のもの）を装着したもの（この保護カバーは、熱処理工程後、冷却が終了するまで装着を継続した）：これを実施例６とする
（８）形成された蛍光体層に、ゴミ付着を防止するための保護カバー（φ３μｍの細孔付きメッシュ構造のもの）を装着したもの（この保護カバーは、加湿処理工程終了後、熱処理工程に入る前に取り外した）：これを実施例７とする
（９）形成された蛍光体層に、ゴミ付着を防止するための保護カバー（φ３μｍの細孔付きメッシュ構造のもの）を装着したもの（この保護カバーは、熱処理工程終了後、冷却の前に取り外した）：これを実施例８とする
の９種類の方法で放射線像変換パネル（蛍光体シート）を、各１０枚ずつ作製した。
【０１１１】
また、第２群の実験では、蒸着終了後、
（１）形成された蛍光体層に付着している（可能性のある）ゴミを図７に示したような空気流吹き付けによる除去装置（エアーガン）を用いて除去した後、加湿処理工程（この際、上述の保護カバーは装着していない）を施し、その後に再び、エアーガンを用いてゴミ除去処理を行ったもの（エアーガンの空気流吹き付け速度は５ｍ／ｓとした、また、ゴミ除去処理終了後、熱処理前に、平板状の保護カバー（すなわち、細孔なしの保護カバー）を装着した）：これを実施例９とする
【０１１２】
（２）上と同様の方法で、エアーガンの空気流吹き付け速度を５０ｍ／ｓとしたもの：これを実施例１０とする
（３）上と同様の方法で、エアーガンの空気流吹き付け速度を７５ｍ／ｓとしたもの：これを実施例１１とする
（４）上と同様の方法で、エアーガンの空気流吹き付け速度を０．５ｍ／ｓとしたもの：これを実施例１２とする
【０１１３】
（５）形成された蛍光体層に付着している（可能性のある）ゴミを図８に示したような粘着材からなるローラ（粘着材としては、ブチルゴムを用いている）を用いて除去した後、加湿処理工程（この際、上述の保護カバーは装着していない）を施し、その後に再び、同じ粘着材からなるローラによるゴミ除去処理を行ったもの（ゴミ除去処理終了後には、熱処理前に、上と同様に平板状の保護カバーを装着した）：これを実施例１３とする
の５種類の方法で放射線像変換パネル（蛍光体シート）を、各１０枚ずつ作製した。
【０１１４】
上述の２群の実験においては、実施例１〜実施例１３および比較例１により作製した放射線像変換パネル（蛍光体シート）について、均一な放射線露光を行った際に得られた画像の点欠陥数をそれぞれ調べた。
なお、各放射線像変換パネルの構成は、図６に示すように、基板７０に蛍光体層７２が設けられ、この蛍光体層７２を封止する防湿保護層７４が設けられた構成とした。
また、基板には、アルミニウム合金基板（ＹＨ７５（白銅（株）製）を用いた。また、基板の大きさは、４５０ｍｍ×４５０ｍｍ×１０ｍｍとした。
【０１１５】
実施例１〜実施例１３および比較例１の放射線像変換パネル（蛍光体シート）は、蒸着終了までの工程に関しては全く同様であり、蒸着終了後の処理並びにその際のゴミ・埃に対する対応方法が、上述のように異なるものである。
実施例１〜実施例１３および比較例１の各放射線像変換パネル（蛍光体シート）の製造方法の概要は、以下の通りである。
【０１１６】
基板７０を基板ホルダ３９にセットした状態で、基板ホルダ３９ごと基板７０をプラズマ洗浄装置にセットした。そして、プラズマ洗浄装置により、圧力が１ＰａのＡｒガス雰囲気下、電力が５００Ｗ、時間が６０秒の条件でＡｒプラズマを発生させて基板７０表面の洗浄を行った後、基板ホルダ３９ごと基板７０を真空チャンバ１２内の基板保持搬送機構１４の基板保持手段２６にセットした。
【０１１７】
次に、ＣｓＢｒ蒸発源（成膜材料）およびＥｕＢｒ２蒸発源（成膜材料）を真空チャンバ１２内の加熱蒸発部１６の抵抗加熱用のルツボ（容器）５０、５２に充填した。
ここでは、蒸発源（成膜材料）として、純度が４Ｎ以上の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）粉末、および純度が３Ｎ以上の臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ２）の溶融品を用意した。ＥｕＢｒ２溶融品は、酸化を防ぐため十分なハロゲン雰囲気としたチューブ炉中にて、白金製ルツボに粉体を入れ、温度８００℃に加熱して溶融、冷却後、炉から取り出して作製したものを用いている。各原料中の微量元素をＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合高周波プラズマ分光分析−質量分析法）により分析した結果、ＣｓＢｒ中のＣｓ以外のアルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ）はそれぞれ１０質量ｐｐｍ以下であり、アルカリ土類金属（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）などの他の元素は、２質量ｐｐｍ以下であった。また、ＥｕＢｒ２中のＥｕ以外の希土類元素は各々２０質量ｐｐｍ以下であり、他の元素は１０質量ｐｐｍ以下であった。これらの原料は、吸湿性が高いので、露点−２０℃以下の乾燥雰囲気を保ったデシケータ内で保管し、使用直前に取り出すようにした。
なお、ここでは、基板７０と加熱蒸発部１６との距離は１００ｍｍとし、基板７０を直線搬送しながら、蛍光体層７２を形成した。
【０１１８】
ＣｓＢｒ蒸発源およびＥｕＢｒ２蒸発源（成膜材料）を抵抗加熱用のルツボ（容器）５０、５２に充填した後に、真空チャンバ１２の、扉１３を閉じて真空チャンバ１２を閉塞し、真空ポンプ１８を駆動して真空チャンバ１２内を排気し、真空チャンバ１２内が、例えば、８×１０−４Ｐａとなった時点で、排気を継続しつつ、ガス導入ノズル１９によって開口部１９ａを経て真空チャンバ１２内に、例えば、Ａｒガスを導入して、真空チャンバ１２内の圧力を、例えば、１．０Ｐａに調整した。
【０１１９】
そして、この中真空下で蒸着工程を行ったものを１４０枚（１０枚×１４種類）繰り返して作製した。
上で得られた各基板については、その都度、前述の方法に従ってこれを放射線像変換パネル８０に加工し、性能比較に備えた。
【０１２０】
なお、ここで用いた蒸着工程の諸条件の詳細は、以下の通りである。
前述の３種類の基板の処理のそれぞれが終了した後に、真空チャンバ１２内を８×１０−４Ｐａの真空度まで排気後、Ａｒガスを所定量導入して１．０Ｐａの真空度とした。
そして、基板７０と加熱蒸発部１６（ルツボ５０およびルツボ５２）との間に設けられたシャッタを閉じた状態で、各蒸発源（ＣｓＢｒおよびＥｕＢｒ２）をそれぞれ抵抗加熱装置で加熱溶融させた。加熱開始から６０分経過後、まず、ルツボ５０側のシャッタだけを開いて、基板７０の直線搬送を開始し、基板７０の表面にＣｓＢｒ蛍光体母体を堆積させた。
【０１２１】
次いで、ルツボ５０側のシャッタを開いてから所定時間が経過した後に、ルツボ５２側のシャッタも開いて、ＣｓＢｒ蛍光体母体の上へのＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体の堆積を開始した。
なお、堆積速度は６μｍ／分とした。また、加熱蒸発部１６の各々の抵抗加熱装置の抵抗電流を調整して、輝尽性蛍光体層におけるＥｕ／Ｃｓのモル濃度比が、０．００３／１となるように制御した。
【０１２２】
蒸着終了後、抵抗加熱装置の電源を切り、Ａｒガスの導入を停止した。
次に、真空チャンバ１２内に窒素ガスまたは乾燥空気を導入し、真空チャンバ１２内を大気圧にした。そして、扉１３を開けて、真空チャンバ１２内から基板７０を基板ホルダ３９ごと取り出した。
【０１２３】
これにより、基板７０の表面７０ｄには、蛍光体の柱状結晶が略垂直方向に延びて密に林立した構造の蛍光体層７２が形成された。なお、蛍光体層７２の厚さは７００μｍであり、蛍光体層７２が形成されている面積は４００ｍｍ×４００ｍｍであった。
【０１２４】
次に、蛍光体層７２が形成された基板７０について、感度を上げるために、前述の加湿処理を施した（比較例１を除く）。このときの加湿処理の条件は、温度：３０℃、相対湿度：６０％ＲＨ、時間：６時間としている。
なお、この際における各実施例，比較例における保護カバーの装着の有無，ゴミ除去処理の態様等は、前述の通りである。
【０１２５】
次に、蛍光体層７２が形成された基板７０について、感度を上げるために、温度２００℃で２０分、熱処理を行った。
なお、この際における各実施例，比較例における保護カバーの装着の有無は、前述の通りである。
【０１２６】
熱処理工程においては、まず、蛍光体層７２が形成された基板７０をガス導入可能な真空加熱装置内に設置された加熱プレート（２１０℃に設定）上に置き、乾燥エアーを真空加熱装置内に流しながら、上述のように、温度２００℃、時間２０分の熱処理条件で熱処理を行った。熱処理後、真空加熱装置から蛍光体層７２が形成された基板７０を取り出し、大気中で冷却した。
【０１２７】
次に、蛍光体層７２および基板７０の表面７０ｄの蛍光体層７２が形成されていない領域に、例えば、ディスペンサー等を用いて接着剤を塗布した。
次いで、ロール状に巻回された防湿保護フィルムを引き出し、熱ラミネーション法により、蛍光体層７２の上に防湿保護フィルムを貼り付けて、外縁を基板の表面に密着させて防湿保護層７４を形成した。
このようにして、各放射線像変換パネルを作製した。
【０１２８】
本実施例においては、上述のように作製した実施例１〜実施例１３および比較例１に係る各放射線像変換パネルについて、放射線画像として、一様画像を取得し、この放射線画像（一様画像）における点欠陥を調べた。
【０１２９】
ここでの、各放射線像変換パネルにより得られた放射線画像（一様画像）の点欠陥の測定方法について説明する。
先ず、放射線像変換パネルの表面全面に、タングステン管球を用い、管電圧が８０ｋＶのＸ線を線量１０ｍＲ（２．５８×１０−６Ｃ／ｋｇ）で照射した後、ラインスキャナ方式の画像読取装置（波長が６６０ｎｍの半導体レーザ光を照射し、放射線像変換パネルの表面から放射された輝尽発光光を、ライン状に受光素子が配置されたＣＣＤで受光するもの）で読み取り、読み取った光（受光した光）を電気信号に変換して、放射線画像として一様画像を得た。この放射線画像（一様画像）をレーザプリンタによりフィルム上に可視像として出力した。
【０１３０】
次に、各放射線像変換パネルについて、得られたフィルムに記録された放射線画像（一様画像）について、シャウカステンを用いて放射線画像（一様画像）の中心部の１０ｃｍ×１０ｃｍの範囲（１０ｃｍ□：１００ｃｍ２）において、白く抜けた点を点欠陥としてその個数を目視により数えた。このようにして、点欠陥の個数を測定した。
下記の表１（第１群の実験に係るもの）および表２（第１群の実験に係るもの＋比較例１）に、この結果である各放射線像変換パネルの点欠陥の個数を示す。
【０１３１】
【表１】
ここで、メッシュカバーとは細孔付きの保護カバー、アルミカバーとは細孔なしの保護カバーを意味している。
【０１３２】
【表２】
ここで、エアーブローとは空気流吹き付けによるゴミ除去処理を、また、ブチルゴムローラとはゴミ取りローラ（粘着材を用いるローラ）によるゴミ除去処理を、それぞれ示している。
【０１３３】
表１に示すように、比較例１に係る放射線像変換パネルには、１００ｃｍ２当たり５個のゴミ等に起因するシミが発生していたが、φ１０００μｍ以下の細孔を有するメッシュカバーを装着した実施例１〜実施例５に係る放射線像変換パネルは、この種のシミの発生は皆無であった。また、φ２０００μｍの細孔を有するメッシュカバーを装着した実施例６では、一部のゴミが細孔を透過したため、わずかにシミの発生が見られた。
【０１３４】
また、もっとも小さいφ３μｍの細孔を有するメッシュカバーを装着した実施例７，実施例８に係る放射線像変換パネルでは、カバーの装着期間が短かったことにより、これもわずかにシミの発生が見られた。
上述の実施例６に係る放射線像変換パネル並びに実施例７，実施例８に係る放射線像変換パネルでは、シミが発生してはいるものの、その発生個数が明確に減少しており、本発明の効果は明らかである。
【０１３５】
また、表２に示すように、熱処理工程前にゴミ除去処理を行っていない比較例１（この比較例１は、先の表１に示した比較例１と同じものである）では、前述の通り１００ｃｍ２当たり５個のゴミ等に起因するシミが発生していたが、実施例９〜実施例１３に示したゴミ除去処理を行った例では、空気流吹き付けによる除去方法（実施例９〜実施例１２）および粘着材からなるローラを用いる除去方法（実施例１３）のいずれも、その効果が明瞭である。
【０１３６】
上記表１，表２に示したように、本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法により製造された放射線像変換パネルは、比較例１係る放射線像変換パネルに比して、点欠陥の個数が大幅に減少しており、その優秀性、すなわち本発明の効果が顕著であることが確認された。
このように、本発明の放射線像変換パネルの製造方法においては、欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができた。
【０１３７】
なお、本発明は上記実施形態並びに実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいことはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】（ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の一実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）はその模式的側断面図である。
【図２】（ａ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的平面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的正面図であり、（ｃ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的側面図である。
【図３】図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の加熱蒸発部を示す模式的平面図である。
【図４】一実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法における防塵カバーの装着態様を示す模式図である。
【図５】一実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法に用いられる防塵カバーの装着状況を示す模式側面図である。
【図６】一実施形態の放射線像変換パネルの製造方法により製造された放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
【図７】一実施形態の放射線像変換パネルの製造方法におけるゴミ除去方法の具体例（その１）を示す模式側面図である。
【図８】一実施形態の放射線像変換パネルの製造方法におけるゴミ除去方法の具体例（その２）を示す模式側面図である。
【図９】放射線像変換パネルにおける点欠陥の発生を説明する模式図（その１）である。
【図１０】放射線像変換パネルにおける点欠陥の発生を説明する模式図（その２）である。
【符号の説明】
【０１３９】
１０ 放射線像変換パネル製造装置（製造装置）
１２ 真空チャンバ
１４ 基板保持搬送手段
１６ 加熱蒸発部
１８ 真空ポンプ
１９ ガス導入ノズル
２０ 制御部
２２ 駆動手段
２４ ＬＭガイド
２６ （基板）保持手段
３０ 保持部材
３２ ボールネジ
３４ モータ
３６ 基台
３８ 保持機構
４０ 防熱部材
５０，５２ ルツボ
７０ 基板
７０ｂ 基板の溝
７０ｃ 枠
７０ｄ 基板の表面
７２ 輝尽性蛍光体層（蛍光体層）
７４ 防湿保護層
７６ 接着層
８０ 放射線像変換パネル
１００ 防塵カバー
１０２ 支持脚
１１０ エアーガン（空気噴出銃）
１１０ａ （噴出）エアー
１１２ａ，１１２ｂ ゴミ
１２０ ゴミ取りローラ
１２０ａ 粘着材ローラ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピューテッドラジオグラフィー（ＣＲ）等で放射線画像の記録（撮影）を行う際に用いられる放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネルに関し、より具体的には、柱状結晶からなる蛍光体層（いわゆる、輝尽性蛍光体層）表面へのゴミ、埃などの付着を防止し、後段の熱処理時におけるシミ（変色）の発生を防止し、点欠陥などが少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線（Ｘ線，α線，β線，γ線，電子線および紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギの一部を蓄積し、その後、可視光などの励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。
【０００３】
例えば、この輝尽性蛍光体の膜（輝尽性蛍光体層）を有する放射線像変換パネルを利用する放射線画像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士写真フイルム（株）製のＦＣＲ（Fuji Computed Radiography）システムとして実用化されている。
この放射線画像情報記録再生システムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、放射線像変換パネル（輝尽性蛍光体層）に被写体の放射線画像情報を記録する。記録後に、放射線像変換パネルをレーザ光等の励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴディスプレイや液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などの表示装置または写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線画像として出力する。
【０００４】
放射線像変換パネルは、通常、輝尽性蛍光体の粉末を、バインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料をガラスまたは樹脂製のパネル状の支持体に塗布し、乾燥することによって、作製される。
これに対し、真空蒸着またはスパッタリング等の真空成膜法（気相成膜法）によって、支持体に輝尽性蛍光体層（以下、単に蛍光体層ともいう）を形成してなる蛍光体パネルも知られている。真空成膜法による蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという優れた特性を有している。さらに、蛍光体層が蛍光体の柱状構造で形成されるため、鮮鋭度の高い良好な画質が得られる。
【０００５】
また、放射線像変換パネルにおいては、読み取り時にちり（塵）またはほこり（埃）などのゴミや異物が付着した場合、および製造時に塵または埃などの異物が混入した場合、得られる画像に欠陥が生じる虞がある。このため、このような画像の欠陥の発生を抑制するために、種々の技術が開示されている（特許文献１〜特許文献４参照）。
【０００６】
特許文献１には、蓄積性蛍光体シートのクリーニング機構が設けられた放射線画像読取装置が開示されている。この特許文献１のクリーニング機構は、回転クリーニングローラ対と、除電ブラシ対とを有するものである。
特許文献１の放射線画像読取装置においては、クリーニング機構により、蛍光体シートの表面に付着した異物を除去するとともに、表面の電荷を除去する。これにより、電荷による放射線画像の影響や、塵埃の付着による放射線画像の悪影響を取り除いている。
【０００７】
また、特許文献２の放射線画像読取装置は、放射線画像の記録された蓄積性蛍光体パネルを搬送する搬送系が、蓄積性蛍光体パネルの両面側に位置するように配置された複数の弾性ベルトを備えるものである。
特許文献２の放射線画像読取装置においては、複数の弾性ベルトを駆動し複数の弾性ベルトの間に挟まれた蓄積性蛍光体パネルを搬送する。これにより、蓄積性蛍光体パネルを搬送する際に傷が付くこと、またひずみが生じ経年劣化してしまうことを防止し、さらには、搬送中に蓄積性蛍光体パネルに塵，ゴミ，埃などの異物が付着することを防止するものである。この特許文献２においても、蛍光体層へのゴミの付着を防止し、画像読み取り時に生じる画像の劣化を未然に防止することができる。
【０００８】
さらに、特許文献３の放射線画像変換パネルの製造方法には、保護層および蛍光体層の少なくとも１層の表面のゴミを粘着力による除去方法で除去した後に、保護層と蛍光体層をそれぞれ接着させる工程を有するものが開示されている。
このように、特許文献３においては、放射線画像変換パネルの製造方法の工程の中に、ゴミ除去方法を設けることにより、繰り返し使用される放射線画像変換パネルに対し、搬送系等を介して読み取り部に侵入した塵埃や蓄積性蛍光体シートに付着した塵埃等による画像読み取り精度の劣化を防止し、ノイズの少ない優れた画像が得られる。
【０００９】
また、特許文献４には、放射線画像変換パネルの高い画質を維持しながら、耐水性や耐溶剤性とともにゴミ異物の付着による画像欠陥の発生を抑制するために、放射線画像変換パネルの蛍光体層の表面に少なくとも１層の保護層を設けた放射線画像変換パネルが開示されている。なお、この保護層は、放射線画像変換パネルを構成する蛍光体シートが完成した後に、この蛍光体シートを放射線画像変換パネルに組み込む過程で付加されるものである。
【００１０】
【特許文献１】特開平５−７２６５６号公報
【特許文献２】特開平１１−３４４７８１号公報
【特許文献３】特開２００５−４３０５０号公報
【特許文献４】特開２００５−２２７０６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１の放射線画像読取装置および特許文献２の放射線画像読取装置においては、画像の読み取り時に、付着するゴミを取り除くものであり、放射線像変換パネルにゴミが混入している場合には、対処できないという問題点がある。
また、特許文献３においては、保護層と蛍光体層との間にゴミが混入しないようにするものであるものの、蛍光体層を形成するに際し、ゴミ，埃などの混入を抑制するものではない。この結果、蛍光体層を形成する際に、ゴミ，埃などが混入した場合、製造された放射線像変換パネルにおいては、以下に示すような画像欠陥が生じる虞がある。
【００１２】
画像欠陥の発生する原因としては、従来、ヒロック（Ｈillock：異常突出）が知られている。これは、図９に示す放射線像変換パネル２００のように、通常は、柱状結晶２０６が成長し、この柱状結晶２０６により輝尽性蛍光体層（蛍光体層）２０４が構成され、また、蛍光体層２０４の表面２０４ａは略均一な高さとなるものが、ゴミ等に影響されて生ずるものである。
すなわち、基板２０２上に蛍光体層２０４を形成する際に、基板２０４にゴミ２０８がある場合、このゴミ２０８を起点として異常成長結晶２０６ａが起き、結果として蛍光体層２０４において、この表面２０４ａから突出したヒロック（Ｈillock）Ｈが生じる。このような異常成長結晶２０６ａにより、得られる画像において、本来黒である画像が白くなる点欠陥が生じる。このように、ゴミ，埃などの混入を抑制しない場合には、必ずしも欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができるとは限らない。
【００１３】
本発明者は、これとは別に、蛍光体層の感度上昇を目的として膜形成後に熱処理を行う際に、この蛍光体層の表面にゴミ，埃などが付着していると、熱処理時にゴミ，埃などが溶けて蛍光体層の内部に滲み込むことがあり、この場合は、蛍光体層表面にシミ（変色）を生じさせ、上述のヒロック（Ｈillock）の場合と同様の放射線画像の点欠陥が生じ、重大な問題となることを見出した。
【００１４】
具体的には、図１０（ａ）に示すように、放射線像変換パネル２１０の基板２１２上の蛍光体層２１４の表面にゴミ（例えば、人体由来の皮膚等の有機物）２１６ａ，２１６ｂが付着している場合、この放射線像変換パネル２１０を熱処理装置内に入れて熱処理（アニール）を行うと、図１０（ｂ）に示すように、ゴミ２１６ａ，２１６ｂが熱により溶融して、２１８ａ，２１８ｂで示すようにシミ（変色）となり、このシミ（変色）が放射線画像上の点欠陥となる。
【００１５】
この熱処理時に蛍光体層表面に発生するシミ（変色）は、上述のヒロック（Ｈillock）が蛍光体層（気相堆積膜）の異常成長に起因するものであるのに対し、蛍光体層の形成後における熱処理時に、蛍光体層の表面に付着しているゴミ，埃などが溶けることに起因して発生するものであり、その防止策も当然ヒロック（Ｈillock）の防止策とは異なる方策が必要になる。
【００１６】
本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、蛍光体層の表面へのゴミ，埃などの付着を防止することで、熱処理時における蛍光体層表面へのシミ（変色）の発生を防止して、点欠陥などが少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができる放射線像変換パネルの製造方法およびこの方法により製造された、放射線画像の点欠陥の発生しない放射線像変換パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、堆積が終了してから熱処理を終了するまで前記蛍光体層を密閉しないカバーで保護することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供するものである（請求項１）。
ここで、本発明においては、前記カバーとして、φ１μｍ〜φ１．５ｍｍの細孔を有するものを用いることが好ましい（請求項２）。
【００１８】
また、本発明の第２の態様は、真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、熱処理前に前記蛍光体層を所定の温湿度条件で所定の期間保管する工程（以下、この工程を加湿処理工程という）を含み、蒸着が終了してから熱処理を終了するまで前記蛍光体層を密閉しないカバーで保護することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供するものである（請求項３）。
【００１９】
ここで、上記加湿処理工程での好ましい加湿処理条件の一つとして、温度が１０℃〜６０℃、相対湿度が２０％ＲＨ〜４５％ＲＨの環境下における、０．５時間〜１６８時間の加湿処理（蛍光体層を、前記環境下に、０．５時間〜１６８時間、曝す加湿処理）が例示される。
また、好ましい加湿処理条件の別の例として、温度が１０℃〜６０℃、相対湿度Ｈが４５％ＲＨ＜Ｈ≦８０％ＲＨの環境下において所定時間の加湿処理を行い、かつ、前記処理時間をｔ［時間］とした際に、下記式
Ｘ＝［ｅｘｐ（６．４×１０−２×（Ｔ＋２７３））×Ｈ×１０−１０×ｔ］
における「Ｘ」が０．２〜２１０を満たす加湿処理が例示される。
また、好ましい加湿処理のさらに別の例として、温度が１０℃〜６０℃で、相対湿度Ｈが８０％ＲＨ＜Ｈ＜９０％ＲＨの環境下での、１０分〜３０分の加湿処理が例示される。
【００２０】
上記のように加湿処理条件を定めるのは、本発明者が実験により、加湿工程を行う場の温度と湿度によって最適な加湿工程処理時間が存在することを見出したことに基くものである。実際上は、製造現場等の加湿工程を行う場の環境に応じて温度と湿度が定められた後で、この温度と湿度に対応するように加湿工程処理時間を決定すればよい。
【００２１】
なお、上記加湿処理工程の作用・効果は、本出願人が先に提案した特願２００３−２０５３９２号「輝尽性蛍光体パネルの製造方法」（特開２００５−５５１８５号公報参照）に記載されているような、蒸着が終了してから熱処理を行うまでの間における蛍光体層の特性の劣化を好適に防止することに加えて、ＰＳＬ感度等の輝尽発光特性を改善できることが挙げられる。
【００２２】
ここで、少なくとも前記蛍光体層を所定の温湿度条件で所定の期間保管する工程（加湿処理工程）においては、前記蛍光体層を密閉しないカバーで保護することが好ましい（請求項４）。
また、前記カバーとして、φ１μｍ〜φ１．５ｍｍの細孔を有するものを用いることが好ましい（請求項５）。
【００２３】
また、本発明の第３の態様は、真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、熱処理前に前記蛍光体層表面の異物を除去することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供するものである（請求項６）。
【００２４】
ここで、前記蛍光体層表面の異物の除去を、当該蛍光体層表面に風速２ｍ／ｓ以上の空気を吹き付けることで行うことが好ましい（請求項７）。
また、前記蛍光体層表面の異物の除去を、当該蛍光体層表面に粘着材を接触させることで行うことが好ましい（請求項８）。
ここで、前記粘着材としてブチルゴムローラを用いることが好ましい（請求項９）。
【００２５】
また、本発明の第４の態様は、真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、熱処理前に前記蛍光体層を所定の温湿度条件で所定の期間保管する工程（加湿処理工程）を含み、熱処理前に前記蛍光体層表面の異物を除去することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供するものである（請求項１０）。
【００２６】
ここで、前記蛍光体層の異物の除去を、当該蛍光体層表面に風速２ｍ／ｓ以上の空気を吹き付けることで行うことが好ましい（請求項１１）。
また、前記蛍光体層表面の異物の除去を、当該蛍光体層表面に粘着材を接触させることで行うことが好ましい（請求項１２）。
またさらに、前記粘着材としてブチルゴムローラを用いることが好ましい（請求項１３）。
【００２７】
また、本発明の第５の態様は、上述の請求項１〜１３のいずれかに記載の放射線像変換パネルの製造方法により製造された放射線像変換パネルを提供するものである（請求項１４）。
【発明の効果】
【００２８】
本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法によれば、真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、堆積が終了してから熱処理を終了するまで上記蛍光体層を密閉しないカバーで保護する構成としたことにより、形成された蛍光体層表面に異物（ゴミ，埃など）の付着を防止することが可能になるという効果が得られる。
また、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法によれば、形成された蛍光体層の熱処理前に上記蛍光体層表面の異物を除去する構成としたことにより、熱処理時に発生する上記蛍光体層表面のシミ（変色）を防止することが可能になるという効果が得られる。
【００２９】
また、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法においては、放射線像変換パネルの製造に際して、熱処理前に蛍光体層を所定の温湿度条件で所定の期間保管する工程（加湿処理工程）を含むことも好ましく、この際には、少なくともこの保管工程の間、上記蛍光体層を密閉しないカバーで保護することが有効である。
なお、上述の蛍光体層表面の異物を除去する方法としては、非接触の方法（例えば、空気流吹き付けによる除去方法）、あるいは接触式の方法（例えば、粘着材を用いる除去方法）等、種々の方法が利用可能である。
【００３０】
また、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法により製造された蛍光体層を備えた放射線像変換パネルは、放射線画像の点欠陥の発生しない放射線像変換パネルであることはいうまでもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法について、添付の図面に示される好適実施形態を基に詳細に説明する。
図１（ａ）は、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の一実施形態を示す模式的断面図であり、同（ｂ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の模式的側断面図である。
【００３２】
図１に示す放射線像変換パネル製造装置（以下、単に製造装置ともいう）１０は、蓄積性蛍光体（母体）となる材料と、付活剤（賦活剤：activator）となる材料とを別々に蒸発する二元の真空蒸着によって、基板７０の表面７０ｄに蓄積性蛍光体からなる蛍光体層を形成して、（蓄積性）放射線像変換パネルを製造する装置である。
【００３３】
このような製造装置１０は、基本的に、真空チャンバ１２と、基板保持搬送機構１４と、加熱蒸発部（抵抗加熱手段）１６と、真空ポンプ（真空排気手段）１８と、ガス導入ノズル１９と、制御部２０とを有して構成される。なお、本実施形態に係る製造装置１０は、これ以外にも、公知の真空蒸着装置が有する各種の構成要素を有してもよいのは、もちろんである。例えば、真空チャンバ１２内の真空度を測定する真空計（図示せず）を有し、制御部２０に接続されている。
【００３４】
なお、本実施形態において、基板７０は、基板ホルダ３９に収納されて基板保持搬送機構１４に基板ホルダ３９ごと保持され、真空チャンバ１２内にセットされて直線搬送されるものである。
また、ここでは、基板ホルダ３９は、基板７０をその側面から挿入して内部に係止して保持する形で保持するように構成されているものである。
【００３５】
また、本発明は、図１に示すような二元の真空蒸着装置に限定はされず、全ての成膜材料を混合して蒸発源に収納する一元の真空蒸着を行う装置であってもよく、あるいは、三元以上の真空蒸着を行う装置であってもよいが、好ましくは、複数の成膜材料を別々の蒸発源に収納する、二元あるいはそれ以上の多元の真空蒸着装置である。
【００３６】
また、本実施形態においては、好適な一例として、蛍光体成分となる臭化セシウム（ＣｓＢｒ）と、付活剤成分となる臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒｘ（ｘは、通常、２〜３であり、特に２が好ましい）とを成膜材料として用い、抵抗加熱による二元の真空蒸着を行って、基板７０に蓄積性蛍光体であるＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層を成膜して、放射線像変換パネルを作製する。
【００３７】
また、成膜中に不活性ガスの導入を行うためのガス導入ノズル１９を有する製造装置１０は、好ましくは、一旦、真空チャンバ１２内を高真空度まで排気した後、排気を行いつつガス導入ノズル１９によって不活性ガスを導入して真空チャンバ１２内を０．１Ｐａ〜１０Ｐａ程度の真空度（以下、中真空という）とし、この中真空下で、加熱蒸発部１６において抵抗加熱によって成膜材料（臭化セシウムおよび臭化ユーロピウム）を加熱蒸発して、基板保持搬送機構１４によって基板７０を直線状に搬送（以下、直線搬送という）しつつ、真空蒸着による基板７０への蛍光体層の成膜を行う。
【００３８】
また、本発明においては、蛍光体層を形成する輝尽性蛍光体として、各種のものが利用可能であるが、例えば、下記の輝尽性蛍光体が好ましく例示される。
例えば、米国特許第３８５９５２７号の明細書に記載されている輝尽性蛍光体である、「ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ」、「ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ」、「ＴｈＯ２：Ｅｒ」、および「Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ」。
【００３９】
特開昭５５−１２１４２号公報に開示される、「ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ」、「ＢａＯ・ｘＡｌ２Ｏ３：Ｅｕ（但し、０．８≦ｘ≦１０）」、および、一般式「ＭＩＩＯ・ｘＳｉＯ２：Ａ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭＩＩは、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，ＣｄおよびＢａからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，Ｔｌ，ＢｉおよびＭｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０．５≦ｘ≦２．５である。）
【００４０】
特開昭５５−１２１４４号公報に開示される、一般式「ＬｎＯＸ：ｘＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｌｎは、Ｌａ，Ｙ，ＧｄおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種であり、Ａは、ＣｅおよびＴｂの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００４１】
特開昭５５−１２１４５号公報に開示される、一般式「（Ｂａ１−ｘ、Ｍ２＋ｘ）ＦＸ：ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ２＋は、Ｍｇ、Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，ＹｂおよびＥｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．６であり、０≦ｙ≦０．２である。）
【００４２】
特開昭５９−３８２７８号公報に開示される、一般式「ｘＭ３（ＰＯ４）２・ＮＸ２：ｙＡ」または「Ｍ３（ＰＯ４）２・ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭおよびＮは、それぞれ、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓｂ，Ｔｌ，ＭｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦６、０≦ｙ≦１である。）
【００４３】
一般式「ｎＲｅＸ３・ｍＡＸ’２：ｘＥｕ」または「ｎＲｅＸ３・ｍＡＸ’２：ｘＥｕ，ｙＳｍ」で示される輝尽性蛍光体。
上記式において、Ｒｅは、Ｌａ，Ｇｄ，ＹおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＸおよびＸ’は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，およびＢｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０−４＜ｘ＜３×１０−１であり、１×１０−４＜ｙ＜１×１０−１であり、さらに、１×１０−３＜ｎ／ｍ＜７×１０−１である。
【００４４】
特開昭６１−７２０８７号公報に開示される、一般式「ＭＩＸ・ａＭＩＩＸ’２・ｂＭＩＩＩＸ''３：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体。
上記式において、ＭＩは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭＩＩは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、ＭＩＩＩは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ，Ｘ’およびＸ''は、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０＜ｃ≦０．２である。
【００４５】
特開昭５６−１１６７７７号公報に開示される、一般式「（Ｂａ１−Ｘ、ＭＩＩＸ）Ｆ２・ａＢａＸ２：ｙＥｕ，ｚＡ」で示される輝尽性蛍光体。
上記式において、ＭＩＩは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、ＺｒおよびＳｃの少なくとも一種である。また、０．５≦ａ≦１．２５であり、０≦ｘ≦１であり、１×１０−６≦ｙ≦２×１０−１であり、０＜ｚ≦１×１０−２である。）
【００４６】
特開昭５８−６９２８１号公報に開示される、一般式「ＭＩＩＩＯＸ：ｘＣｅ」で示される輝尽性蛍光体。
上記式において、ＭＩＩＩは、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００４７】
特開昭５８−２０６６７８号公報に開示される、一般式「Ｂａ１−ｘＭａＬａＦＸ：ｙＥｕ２＋」で示される輝尽性蛍光体。
上記式において、Ｍは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｌは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ，ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０−２≦ｘ≦０．５であり、０≦ｙ≦０．１であり、さらに、ａはｘ／２である。
【００４８】
特開昭５９−７５２００号公報に開示される、一般式「ＭＩＩＦＸ・ａＭＩＸ’・ｂＭ’ＩＩＸ''２・ｃＭＩＩＩＸ３・ｘＡ：ｙＥｕ２＋」で示される輝尽性蛍光体。
上記式においてＭＩＩは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも１種であり、ＭＩは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ’ＩＩは、ＢｅおよびＭｇの少なくとも一方の二価の金属であり、ＭＩＩＩは、Ａｌ，Ｇａ，ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ａは、金属酸化物であり、Ｘ，Ｘ’およびＸ''は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ≦２であり、０≦ｂ≦１×１０−２であり、０≦ｃ≦１×１０−２であり、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ≧１０−６であり、さらに、０＜ｘ≦０．５であり、０＜ｙ≦０．２である。）
【００４９】
特に、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が良好に得られる等の点で、特開昭５９−３８２７８号公報に開示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく例示され、中でも特に、ＭＩが、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００５０】
本実施形態において、真空チャンバ１２は、鉄，ステンレス，アルミニウム等で形成される、真空蒸着装置で利用される公知の真空チャンバ（ベルジャー，真空槽）である。
真空チャンバ１２の一方の側面１２ｂには、真空ポンプ１８がディフューザ１８ａを介して接続されている。この真空ポンプ１８は、例えば、油拡散ポンプが用いられる。なお、真空ポンプ１８は、特に限定されるものではなく、必要な到達真空度を達成できるものであれば、真空蒸着装置で利用されている各種のものが利用可能である。一例として、クライオポンプ，ターボモレキュラポンプ等を利用することができ、さらに補助として、クライオコイル等を併用してもよい。なお、蛍光体層を成膜する製造装置１０においては、真空チャンバ１２内の到達真空度は、８．０×１０−４Ｐａより高い真空度が得られるものであることが好ましい。
【００５１】
また、真空チャンバ１２の上記側面１２ｂに対向する他方の側面１２ｃには、扉１３が開閉自在に設けられている。
本実施形態においては、扉１３を開けて、真空チャンバ１２内に基板７０の搬入、および成膜材料の搬入などが行われる。また、扉１３を閉じ、真空チャンバ１２を閉塞して真空蒸着などが行われる。
【００５２】
ガス導入ノズル１９も、ボンベとの接続手段およびガス流量の調整手段等を有する（もしくは、これらに接続される）、真空蒸着装置またはスパッタリング装置等で用いられている公知のガス導入手段であり、前記中真空での真空蒸着による蛍光体層の成膜を行うために、アルゴン（Ａｒ）ガス，窒素ガスまたはその他の希ガス等の不活性ガスを真空チャンバ１２内に導入する。この不活性ガスとは、真空蒸着の際に、基板７０および蛍光体層と反応しないガスのことである。
このガス導入ノズル１９の開口部（ガス導入口）１９ａを介して、不活性ガスが真空チャンバ１２内に導入される。ガス導入ノズル１９（開口部１９ａ）は、例えば、加熱蒸発部１６の近傍、かつ真空チャンバ１２の底面１２ａに設けられている。
【００５３】
基板保持搬送機構１４は、基板７０を基板ホルダ３９ごと保持して、直線搬送するものであり、図２に模式的に示すように、駆動手段２２と、リニアモータガイド２４と、基板保持手段２６とから構成される。なお、図２（ａ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的平面図、同（ｂ）は、図１に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的正面図、同（ｃ）は、図１に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的側面図である。
【００５４】
駆動手段２２は、基板保持手段２６を基板７０の搬送方向Ｍに移動（往復動）させるもので、基板７０の搬送方向Ｍに延在して保持部材３０によって回転自在に軸支されるネジ軸３２ａと、このネジ軸３２ａに螺合するナット部３２ｂからなるボールネジ３２と、前記ネジ軸３２ａを回転するモータ３４とからなる、ボールネジを用いる公知の直線状の移動機構である。
【００５５】
なお、本発明において、駆動手段はボールネジ３２とモータ３４とを利用するものに限定はされず、シリンダを利用する搬送手段，モータとモータによって回転されるリング状のチェーンを用いる搬送手段など、必要な耐熱性を有するものであれば、公知の直線状の移動（搬送）手段が、各種利用可能である。
【００５６】
リニアモータガイド（以下、ＬＭガイドという）２４は、駆動手段２２による基板保持手段２６（すなわち、基板７０）の直線搬送を補助するもので、ガイドレール２４ａと、長手方向に移動自在に上記ガイドレール２４ａに係合する係合部材２４ｂとからなる、公知のリニアモータガイドである。
ガイドレール２４ａは、基板７０の搬送方向Ｍに延在して、前記ネジ軸３２ａを中心とする対象位置に離間して２本が配置され、共に、真空チャンバ１２の天井面に固定される。一方、係合部材２４ｂは、各ガイドレール２４ａに２つずつ係合するように、合計４つが基板保持手段２６（後述する基台３６の上面）に固定される。
【００５７】
基板保持手段（以下、単に保持手段ともいう）２６は、基板ホルダ３９ごと基板７０を保持して、前記ＬＭガイド２４によって案内されつつ前記駆動手段２２によって直線状で移動されるものであり、基台３６と、保持機構３８と、防熱部材４０とから構成される。
【００５８】
基台３６は、製造装置１０が適正に設置された状態で水平となる長方形状の平板状部材である。
基台３６の上面の中心には、前記ボールネジ３２のナット部３２ｂが固定され、また、基台３６の上面の２本の対角線上の対称位置には、２本のガイドレール２４ａの間隔に応じて前記ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂが固定される。
【００５９】
保持機構３８は、取付部材３８ａと保持部材３８ｂとから構成され、基台３６の角部に４つが配置される。
取付部材３８ａは、矩形の断面略Ｃ字状の形状を有するものである。この取付部材３８ａは、Ｃ字開放部を内側に向けて、搬送方向Ｍと直交方向の外方からＣ字天井面の一部を基台３６の角部に載置して、基台３６に垂下するようにして固定される。従って、保持手段２６は、基台３６の下部には、基台３６の面積よりも広い空間を有している。
【００６０】
保持部材３８ｂは、下端に基板ホルダ３９（基板７０）の保持手段を有するものであり、取付部材３８ａに垂下して固定される。すなわち、基板ホルダ３９（基板７０）を保持する保持機構３８は、基台３６に角部近傍で垂下される。
【００６１】
本実施形態において、保持部材３８ｂによる基板ホルダ３９（基板７０）の保持方法には特に限定はなく、治具等を用いる方法、静電気を利用する方法、吸着を利用する方法等、上面から板状物を保持する公知の方法が各種利用可能である。また、基板７０への蛍光体層の蒸着領域等に応じて可能であれば、治具等を用いて、下方から基板ホルダ３９（基板７０）の四隅を押さえる保持手段、下方から基板ホルダ３９（基板７０）の四辺を押さえる保持手段等を利用してもよい。
また、取付部材３８ａと保持部材３８ｂとの間にスペーサを入れる、ネジによる調整手段を設ける、シリンダによる昇降手段を設ける等の方法で、保持部材３８ｂの下端位置すなわち基板７０を保持／搬送する高さを調整可能にしてもよい。
【００６２】
前述のように、基台３６は、駆動手段２２によって直線搬送される。従って、基板保持搬送機構１４は、保持機構３８によって例えば、基板ホルダ３９（基板７０）の四隅近傍を保持し、保持手段２６を駆動手段２２によって搬送することにより、基板７０を基板ホルダ３９ごと直線搬送する。
【００６３】
ラインセンサ等による放射線画像の読み取りが想定される放射線像変換パネルの蛍光体層には、±３％以内、好ましくは±２％以内の高い膜厚分布均一性が要求される。
本実施形態においては、上述このように基板７０を直線搬送しつつ、抵抗加熱による中真空の真空蒸着によって蛍光体層を形成することにより、結晶性が良好で、膜厚分布均一性の高い蛍光体層の形成を実現している。
【００６４】
ここで、本発明に係る製造方法で好適に形成される前記各種の蓄積性蛍光体からなる蛍光体層、特にアルカリハライド系蓄積性蛍光体からなる蛍光体層、中でも特にＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層を、真空蒸着によって形成（成膜）する際には、一旦、系内を高い真空度に排気した後、排気を維持した状態でＡｒガスまたは窒素ガス等の不活性ガスを系内に導入して、０．１〜１０Ｐａ、特に０．５〜３Ｐａ程度の中真空度として蛍光体層を形成するのが好ましい。
これにより、良好な柱状の結晶構造を有する蛍光体層を形成することができ、輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた放射線像変換パネルを製造することができる。
【００６５】
本実施形態に係る製造装置１０は、基本的に、このような中真空での蛍光体層の形成を行うものであり、ガス導入ノズル１９（開口部１９ａ）から真空チャンバ１２内に不活性ガスを導入しつつ中真空で抵抗加熱によって真空蒸着を行う。
本実施形態に係る製造装置１０においては、基板ホルダ３９ごと基板７０を直線搬送しつつ真空蒸着によって蛍光体層の形成を行うことにより、基板７０表面における移動速度を全面的に均一にできる。
具体的には、搬送方向Ｍと直交する方向Ｈにおける成膜材料の蒸発量を均一にするだけで、基板７０の全面的に均一に成膜材料の蒸気を暴露することができ、簡易な蒸発源の位置設定でも、膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成できる。しかも、直線搬送の往復搬送を行って成膜を行うことにより、微量成分であるユーロピウム（付活剤）の蛍光体層中における分散状態も、好適にできる。
【００６６】
なお、本発明において、必要な膜厚の蛍光体層を形成できれば、成膜中における基板７０の直線搬送は、１回の直線搬送でも、１回の往復動（往復搬送）でも、往復動を複数回行ってもよい。また、基板の搬送経路は、おおむね直線状であれば、多少、ジグザグ状であっても、波打つような経路であってもよい。
一般的に、同じ膜厚であれば、加熱蒸発部１６の上部の通過回数が多い程、膜厚分布均一性を高くできるので、複数回の往復動を行って蛍光体層を形成するのが好ましい。また、往復動の回数は、蛍光体層の目的膜厚または目的とする膜厚分布均一性等に応じて、適宜、決定すればよく、最後の搬送は一方向でもよい。直線搬送の搬送速度にも、特に限定はなく、ＬＭガイド２４の速度限界、往復動の回数、目的とする蛍光体層の膜厚等に応じて、適宜、決定すればよい。
【００６７】
基板ホルダ３９（基板７０）を保持する保持手段２６において、上面にボールネジ３２のナット部３２ｂおよびＬＭガイド２４の係合部材２４ｂ等が固定される基台３６の直下には、防熱部材４０が配置される。ここで、前述のように、図示例の製造装置１０においては、略Ｃ字状の取付部材３８ａを用いて保持部材３８ｂを基台３６から垂下した状態で固定することにより、基台３６の下部に基台３６よりも広い空間を有している。これを利用して、図示例においては、防熱部材４０の面積を基台３６の面積より大きくして、充分な余裕を持って基台３６の下面全面を防熱部材４０で覆っている。
防熱部材４０は、後述する加熱蒸発部１６（蒸発源）に対して基台３６を覆うことにより、加熱蒸発部１６からの輻射熱等によって、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂが加熱されるのを防止するものである。
【００６８】
先の説明から明らかなように、高い輝尽発光特性および画像鮮鋭性を実現可能な優れた結晶構造を有し、かつラインセンサによる高精度な放射線画像の読み取りが可能な膜厚均一性に優れた放射線像変換パネルを製造するためには、基板ホルダ３９（基板７０）を直線搬送しつつ、抵抗加熱による中真空での真空蒸着を行う必要がある。
【００６９】
ここで、周知のように、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂには、円滑な移動を可能にするためにボールが組み込まれ、また、ボールの円滑な回転を可能にするために、グリス等の潤滑剤が注入される。また、ボールを有さなくても、円滑な駆動を可能にするために、通常、駆動手段および搬送ガイド手段の摺動部にはグリス等の潤滑剤が注入される。
【００７０】
防熱部材４０には、特に限定はなく、加熱蒸発部１６からの輻射熱を遮蔽して、係合部材２４ｂおよびナット部３２ｂ、またさらに基台３６が加熱されることを防止できれば、各種のものが利用可能である。一例として、ステンレス板，鋼板，アルミニウム板，モリブデン板等が例示される。なお、固定方法は、防熱部材４０に応じて、適宜、決定すればよい。
また、必要に応じて、防熱部材４０に接触するパイプに冷水を流す、板材（防熱部材４０）の内部をくり抜いて水を流す等の手段によって、防熱部材４０の冷却手段を設けてもよい。
【００７１】
前述のように、図示例においては、好ましい態様として、防熱部材４０は基台３６よりも大きな面積を有し、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂが固定される基台３６の下面全面を覆って配置される。しかしながら、本発明は、これに限定はされず、例えば、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂに対応する領域、あるいはさらにボールネジ３２のナット部３２ｂに対応する領域のみを、加熱蒸発部１６に対して防熱部材で覆ってもよい。
但し、係合部材２４ｂおよびナット部３２ｂの加熱をより好適に防止するためには、図示例のように、これらに熱を伝達する可能性のある部材は、加熱蒸発部１６に対して可能な限り防熱部材４０で覆うのが好ましい。
【００７２】
図１に戻って、説明を続ける。
真空チャンバ１２の下方には、加熱蒸発部１６が配置される。
加熱蒸発部１６は、抵抗加熱によって蛍光体層を形成するための成膜材料である臭化セシウムおよび臭化ユーロピウムを蒸発させる部位である。この加熱蒸発部１６により成膜材料を加熱・蒸発させることにより、臭化セシウムおよび臭化ユーロピウムの蒸気（成膜材料蒸気）からなる蒸着場が形成される。
【００７３】
前述のように、製造装置１０は、好ましい態様として、蛍光体成分である臭化セシウムと、付活剤成分である臭化ユーロピウムとを、独立して加熱蒸発する、二元の真空蒸着を行うものである。従って、加熱蒸発部１６には、臭化セシウム用（蛍光体用）の蒸発源となるルツボ（容器）５０、および、臭化ユーロピウム用（付活剤用）の蒸発源となるルツボ（容器）５２が配置される。
【００７４】
このようなルツボ５０および５２は、真空蒸着における抵抗加熱蒸発源用のルツボと同様、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）などの高融点金属で形成され、電極（図示省略）から通電されることにより自身が発熱し、充填された成膜材料を加熱／溶融して、蒸発させるものである。
また、本発明において、抵抗加熱用の電源（加熱制御手段）には、特に限定はなく、サイリスタ方式，ＤＣ方式，熱電対フィードバック方式等、抵抗加熱装置で用いられる各種の方式が利用可能である。また、抵抗加熱を行う際の出力にも特に限定はなく、使用する成膜材料，ルツボの形成材料の抵抗値または発熱量等に応じて、適宜、設定すればよい。
【００７５】
蓄積性蛍光体において、付活剤と蛍光体とは、例えばモル濃度比で０．０００５／１〜０．０１／１程度と、蛍光体層の大部分が蛍光体である。
そのため、図示例においては、蒸発量（消費量）の多い臭化セシウム（蛍光体用）のルツボ５０は、円筒状（ドラム型）の大型のルツボを用いている。このルツボ５０は、ドラムの側面に、ドラムの軸線方向に延在するスリット状の開口を有し、この開口に一致して、開口と同形状の上下開口面を有する四角筒状のチムニー５０ａを蒸気排出部として設けている。
【００７６】
他方、蒸発量（消費量）の少ない臭化ユーロピウム用（付活剤用）のルツボ５２は、ここでは、日本バックスメタルクルーシブルタイプ真空蒸着用蒸発源ＣＥ−２を用いている。このルツボは素材としてＴａを用いており、その周囲をヒータで覆い、さらにその周囲を断熱材であるアルミナで覆った構造を有している。また、ルツボは、間接加熱方式で加熱される。
【００７７】
このようなスリット状のチムニーを有するルツボを用いることにより、ルツボ内における局所加熱または異状加熱によって突沸が生じた際に、成膜材料が不意にルツボから飛び出して周囲または基板７０に付着して、汚染することを防止できる。特に、抵抗加熱を利用する中真空の蒸着では、前述のように、基板７０と蒸着源とを近接して配置する必要があるので、その効果は大きい。
【００７８】
ここで、製造装置１０においては、ルツボ５０および５２を、基板７０の搬送方向Ｍと直交する方向Ｈ（以下、配列方向Ｈという）に複数配列することにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発量を均一にして、直線搬送される基板７０の全面に均一に成膜材料蒸気を供給して、例えば、膜厚分布均一性が±３％以下の蛍光体層を形成している。なお、各ルツボは、離間させるか、または絶縁材の挿入等によって、互いに熱絶縁状態にある。
【００７９】
加熱蒸発部１６の模式的平面図である図３に示すように、図示例においては、一例として、臭化セシウム用のルツボ５０は、円筒（ドラム）の軸線方向を配列方向Ｈに一致して、６つが配列されている。ルツボ５０において、電極は円筒の端面に形成されており、個々のルツボ５０で独立して電源に接続される。また、各ルツボ５０に対応して、臭化セシウムの蒸発量を測定するための水晶振動子センサ５４が配置され（図１（ａ），（ｂ）では、装置の全体構成を明瞭にするために省略している）、この蒸発量の測定結果に応じて、ルツボ５０への通電量が制御される。なお、蒸発量の制御は、温度センサによって行ってもよい。
【００８０】
他方、ボート型のルツボである臭化ユーロピウム用のルツボ５２も、長手方向を配列方向Ｈに一致して、６つが配列される。ルツボ５２も、配列方向Ｈの両端に電極が形成され、個々に独立した電源が接続される。
【００８１】
図示例においては、好ましい態様として、１つのルツボ５０とルツボ５２とを対として、すなわち、蛍光体の成膜材料である臭化セシウムの１つの蒸発源と付活剤の成膜材料である臭化ユーロピウムの１つの蒸発源を対として、両者が基板７０の直線搬送方向Ｍに並ぶように配置し、さらに、より好ましい態様として、両者を装置およびルツボの構成上、可能な限り近接して配置している。
このような構成とすることにより、母体となる臭化セシウム蒸気中に、臭化ユーロピウム蒸気を充分に分散して、微量成分であるユーロピウム（付活剤）を蛍光体層中に均一に分散し、輝尽発光特性等の良好な蛍光体層を形成できる。
【００８２】
また、ルツボ５０の列およびルツボ５２の列においては、共に、配列されるルツボは、装置およびルツボの構成上、可能な限り配列方向Ｈに近接して配置され、かつルツボの列は、基板７０の配列方向Ｈのサイズを充分に包含する長さとするのが好ましい。
このような構成とすることにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発蒸気量を均一にして、より膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成することができる。
【００８３】
このような配列方向Ｈへのルツボの列は、１つであってもよく、図示例のように２列であってもよく、さらに、３列以上であってもよい。
ここで、複数列のルツボの列を有する場合には、各ルツボの列は、基板７０の搬送方向Ｍから見た際に、他のルツボの列の成膜材料蒸気の排出口（前記スリット状のチムニー）の配列方向Ｈの間隙を、互いに埋めるように配置するのが好ましく、さらに、異なる列で成膜材料蒸気の排出口が搬送方向Ｍに重ならないように配置するのがより好ましい。いい換えれば、搬送方向Ｍから見た際に、各ルツボの列で、成膜材料蒸気の排出口が互い違いとなるようにするのが好ましい。図示例においては、配列方向Ｈへの２列のルツボの列において、搬送方向Ｍから見た際に、一方のルツボ列の電極位置に他方のルツボ列の蒸気排出口が位置するように、各ルツボの列を配列している。
このような構成とすることにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発蒸気量を均一にして、より膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成することができる。
【００８４】
さらに、配列方向Ｈへのルツボの列を複数有する場合には、搬送方向Ｍの外側に蒸発量の多い臭化セシウム（付活剤）用のルツボ５０の列を位置するのが好ましい。
このような構成とすることにより、蒸発量の多い臭化セシウムの蒸発量センサを、搬送方向Ｍに対してルツボの列の外側の開いている空間に配置することができ、すなわち、蒸発量センサの選択自由度、製造装置１０の設計自由度を向上することができる。
【００８５】
なお、図示は省略するが、製造装置１０の加熱蒸発部１６は、全ルツボを水平方向の４方で囲む、ルツボの最上部よりも高い四角筒状の防熱板が配置され、かつ、この防熱板の上部開放面を閉塞／開放自在に、成膜材料蒸気を遮蔽するためのシャッタ（図示せず）が配置される。
【００８６】
本実施形態においては、基板７０は、例えば、金属または合金からなるものであり、薄い板状部材またはシート部材である。また、基板７０の材質は、特に限定されるものではなく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、ステンレス鋼、銅、クロムまたはニッケルなどを用いることができる。なお、本実施形態においては、基板７０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金により構成されることが好ましい。
また、基板７０としては、ガラス、セラミックス、カーボン、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート），ポリイミド等、放射線像変換パネルで利用されている各種のシート状の基板を全て利用することができる。
【００８７】
次に、製造装置１０を用いた本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法について詳細にその動作を説明する。
本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法においては、最終的には、図６に示すような基板７０と、この基板７０上に形成された蛍光体層７２と、この蛍光体層７２上に形成され、蛍光体層７２を封止する防湿保護層７４とを有する放射線像変換パネル８０を製造するが、その前段の工程では、まず、基板７０上に蛍光体層７２を形成する。
【００８８】
予め、基板７０を基板ホルダ３９（図１（ａ）参照）にセットしておく。
次に、基板７０を基板ホル３９ごと、プラズマ洗浄装置（図示せず）にセットし、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７２の形成面）をプラズマ洗浄する。
次に、真空チャンバ１２の扉１３を開き、真空チャンバ１２を大気開放状態にし、基板保持搬送機構１４の保持手段２６（図２（ｂ）参照）の保持部材３８ｂに基板ホルダ３９ごと基板７０を保持する。
【００８９】
次に、全てのルツボ５０に臭化セシウムを、全てのルツボ５２に臭化ユーロピウムを所定量まで充填した後、すなわち、成膜材料を真空チャンバ１２内にセットした後、シャッタ（図示せず）を閉じる。
次いで、真空ポンプ１８を駆動して真空チャンバ１２内を排気し、真空チャンバ１２内が、例えば、８×１０−４Ｐａとなった時点で、排気を継続しつつ、ガス導入ノズル１９によって開口部１９ａを経て真空チャンバ１２内に、例えば、Ａｒガスを導入して、真空チャンバ１２内の圧力を、例えば、１．０Ｐａに調整し、さらに、抵抗加熱用の電源を駆動して全てのルツボ５０およびルツボ５２に通電して成膜材料を加熱する。
【００９０】
その後、予め設定した所定時間（例えば、６０分）が経過したら、シャッタを開放し、次いで、モータ３４を駆動して、所定速度での基板７０の直線搬送を開始し、基板７０の表面７０ｄへの蛍光体層７２の形成を開始する。
形成する蛍光体層７２の膜厚等に応じて設定された所定回数の直線搬送の往復動が終了したら、基板７０の直線搬送を停止し、シャッタを閉塞し、抵抗加熱用の電源を切り、ガス導入ノズル１９によるＡｒガスの導入を止める。
次に、窒素ガスまたは乾燥空気を真空チャンバ１２内に導入して、真空チャンバ１２内を大気圧とする。すなわち、大気開放状態とする。
【００９１】
次いで、真空チャンバ１２の扉１３を開き、蛍光体層７２を形成した基板７０を基板ホルダ３９ごと取り出し、作業台に運ぶ。
前述のように、本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法においては、蛍光体層７２を形成した基板７０、すなわち蛍光体シート（蛍光体層を有する基板）に熱処理終了までの間、防塵カバーを被せることが特徴的動作である。
【００９２】
すなわち、図４に示すように、蛍光体シートが形成されると（ステップ９０）、蛍光体シートを基板ホルダ３９から取り外し、その上部に、防塵カバーを装着する（ステップ９２）。そして、熱処理装置内において所定の熱処理（アニール）を施し（ステップ９４）、熱処理終了後に防塵カバーを取り外す（ステップ９６）。
ここで、熱処理装置による熱処理（アニール）の前段において、前述の加湿処理工程を施すことが好ましい。この詳細については後述する。
【００９３】
ここでは、上述の防塵カバーとして、アルミ板にφ２０μｍの細孔を多数形成したものを用いた。また、この防塵カバーは、図５に示すように、適宜の形状の複数の支持脚１３２を有し、防塵カバー１３０の下面が蛍光体シート（蛍光体層７２）の表面に接触しないように位置決めできるように構成しておくことが好ましい。なお、図５中の７０ｃは、蛍光体層７２の蒸着領域を規定するための枠を示している（図６参照）。
【００９４】
また、上述の防塵カバーに設ける細孔は、後に詳述するように、蛍光体シートが形成された後、熱処理を行うまでの間、必要に応じて付加される、この蛍光体シートを所定の温湿度条件下に保管することにより放射線照射に対する感度を上昇させる過程で、蛍光体シートの全面が均一な温湿度条件に維持されるようにしつつ、ゴミ，埃などの付着を防止するために形成されているものであり、この細孔のサイズは、実験結果等に基づいて決定すればよい。
また、ここでは、アルミ板に所定サイズの細孔を形成したものを用いているが、本発明はこれに限らず、既成のいわゆるメッシュ付き材料（金網状，焼結体状等）を適宜選択して用いることも可能である。
【００９５】
上記実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法によれば、蛍光体シートが形成された後、熱処理が終了するまでの間、このような防塵カバーを装着することにより、蛍光体シートへのゴミ，埃などの付着を防止することが可能になり、これらに起因するシミ（変色）の発生が防止され、結果的に、放射線像変換パネル上における放射線画像の点欠陥の発生を防止することが可能になるという効果が得られる。
【００９６】
ところで、先に説明した通り、蒸着が終了した蛍光体シートを所定の温湿度条件下に保管することにより放射線照射に対する感度を上昇させることができる。この現象は、今回本発明者が定量的に把握したもので、これにより、蛍光体シートの放射線照射に対する感度を上昇させる具体的な適用への手がかりが得られたものである。
実用上有効と考えられる温湿度条件としては、蛍光体シートを、温度２０℃〜５０℃、相対湿度３０％〜８０％の環境で５分〜１週間保管するという条件が、一つの目安となる。ただし、この条件は、蛍光体シートを構成する蛍光体の種類や蒸着条件、さらには、保管後における熱処理の条件等に影響されることもあると考えられる。
【００９７】
また、上記実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法においては、蒸着が終了してから熱処理を終了するまで、蛍光体シートを密閉しないカバーで保護することを特徴としていたが、本発明ではこれとは異なる実施形態が実施可能である。
具体的には、上述のようなカバーを装着する代わりに、蒸着が終了した蛍光体層に関して、熱処理を開始するまでにその表面に付着しているゴミ，埃などを除去する工程を導入する実施形態が実施可能である。
【００９８】
このような工程を導入することにより、熱処理開始時に、蛍光体層の表面を、ゴミ，埃などを除去した状態とすることが可能になり、これらに起因するシミ（変色）の発生が防止され、結果として、放射線像変換パネル上における放射線画像の点欠陥の発生を防止することが可能になるという効果が得られる。
【００９９】
以下、前述の製造装置１０を用いて製造した放射線像変換パネルを例として、本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法について詳細にその動作を説明する。
なお、製造装置１０を用いた蒸着方法によって放射線像変換パネルを製造する過程に関しては、先に説明した動作と同様であるので、以下の説明では、形成された放射線像変換パネル（蛍光体層）についてのゴミ，埃などの除去工程から説明を開始する。
【０１００】
本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法におけるゴミ，埃などの除去工程は、蒸着が終了した蛍光体層の表面にゴミ，埃などが付着してい多としても，これを熱処理工程に持ち込むことがないように、その前段で除去するものである。
具体的除去方法としては、非接触の方法（例えば、空気流吹き付けによる除去方法）、あるいは接触式の方法（例えば、粘着材を用いる除去方法）等、種々の方法が利用可能である。
【０１０１】
第１の非接触の方法として、ここでは、空気流吹き付けによる除去方法を説明する。
例えば、図７に示すような所定の風量・風速でエアー（１１０ａ）を噴出するエアーガン（空気噴出銃）１１０を、蛍光体層７２の一方の端から他方の端へ、図中に矢印Ｓで示すように移動させることにより、蛍光体層７２上のゴミ１１２ａ，１１２ｂを除去する装置を用いる方法が適用可能である。
【０１０２】
あるいは、図８に示すような粘着材からなるローラ（１２０ａ）を備えたゴミ取りローラ１２０を用いて、上と同様に図中に矢印Ｓで示すように移動させることにより、蛍光体層７２上のゴミ１１２ａ，１１２ｂを除去する装置を用いる方法が適用可能である。ここで、上述の粘着材からなるローラ（１２０ａ）としては、ゴミの除去作用が十分あることと同時に、ローラ構成材料が蛍光体層７２上に残らないことが必要であり、この観点からブチルゴムローラが好適に用い得る。
ここで、上述の粘着材からなるローラ（１２０ａ）の硬度（Ｈｓ ＪＩＳ−Ａ）は、３０°程度が好ましく、ＪＩＳ Ｚ０２３７で規定される、粘着力は９１ｈＰａ程度であることが好ましい。
【０１０３】
上に例示した方法によってゴミ，埃などの除去工程が終了した蛍光体シートは、さらなるゴミ，埃などの付着を防止するため、前述のような防塵カバー１３０を装着した状態で、熱処理装置内において所定の条件で熱処理（アニール）される。
熱処理が終了し、十分に冷却された状態の蛍光体シートは、次に、次工程の防湿保護層７４（図６参照）を形成する防湿保護層形成装置（図示せず）まで搬送する。そして、蛍光体層７２の上に、例えばディスペンサー等を用いて接着剤を塗布し、接着層７６を形成する。
次いで、例えば、ロール状に巻回された防湿保護フィルム（図示せず）を引き出し、熱ラミネーション法により、上記接着層７６の上に防湿保護フィルムを貼り付けて、外縁を基板７０の溝７０ｂに植設した枠７０ｃの上縁部に密着させて防湿保護層７４（図６参照）を形成する。このようにして、図６に示す放射線像変換パネル８０を製造することができる。
なお、防湿保護層７４としては、予め接着剤が塗布された保護フィルムを用いて形成することもできる。
【０１０４】
また、防湿保護層７４を構成する防湿保護フィルムとしては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、ＳｉＯ２膜とＳｉＯ２とＰＶＡ（ポリビニルアルコール）とのハイブリット層とＳｉＯ２膜との３層を形成してなる防湿保護層７４が例示される。これ以外にも、ガラス板（フィルム），ポリエチレンテレフタレートまたはポリカーボネート等の樹脂フィルム、樹脂フィルムにＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＣなどの無機物質が堆積したフィルム等も好ましく例示される。
【０１０５】
なお、ＰＥＴフィルム上に、ＳｉＯ２膜／ＳｉＯ２とＰＶＡとのハイブリット層／ＳｉＯ２膜の３層を形成した防湿保護層７４において、例えば、ＳｉＯ２膜は、スパッタリング法を用いて、ＳｉＯ２とＰＶＡのハイブリット膜は、ＰＶＡとＳｉＯ２の比率が１：１となるようにゾル・ゲル法を用いて、それぞれ形成すればよい。
また、防湿保護層７４は、４０℃の温度で相対湿度が９０％の環境下において、透湿度が０．２〜０．６（ｇ／（ｍ２・ｄａｙ））であることが好ましい。
【０１０６】
ここで、前述の加湿処理工程について補足説明しておく。
通常は、真空チャンバ内における蛍光体層の形成終了後、特別な処理を施すことなく、所定の時間経過後に蛍光体層の感度上昇を目的とする熱処理（アニール）を行っているが、本発明者は、熱処理前に蛍光体層を２０℃〜５０℃、相対湿度３０％〜８０％の環境で５分〜１週間保管する工程（すなわち、加湿処理工程）を経ることで、蛍光体層の感度上昇を実現できることを見出し、この工程を追加することを、実質上、基本とするようにしたものである。
この加湿処理工程による蛍光体層の感度上昇に係る降下の原因は、必ずしも定かではないが、実験的には明確な効果が得られるものであり、実用上、非常に有効な処理であるということができるものである。
【０１０７】
以下、具体的な実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではないのはいうまでもない。
ここでは、図１に示した実施形態に係る製造装置（放射線像変換パネル製造装置）を用いて。以下の各種類の方法で、放射線像変換パネル（蛍光体シート）を作製した。
【０１０８】
すなわち、第１群の実験では、蒸着終了後、
（１）形成された蛍光体層に、ゴミ付着に対して特別に保護措置を講じることなしに、加湿処理工程並びに熱処理工程を施したもの：これを比較例１とする
（２）形成された蛍光体層に、ゴミ付着を防止するための保護カバー（φ３μｍの細孔付きメッシュ構造のもの）を装着したもの（この保護カバーは、熱処理工程後、冷却が終了するまで装着を継続した）：これを実施例１とする
（３）形成された蛍光体層に、ゴミ付着を防止するための保護カバー（φ２０μｍの細孔付きメッシュ構造のもの）を装着したもの（この保護カバーは、熱処理工程後、冷却が終了するまで装着を継続した）：これを実施例２とする
【０１０９】
（４）形成された蛍光体層に、ゴミ付着を防止するための保護カバー（φ２００μｍの細孔付きメッシュ構造のもの）を装着したもの（この保護カバーは、熱処理工程後、冷却が終了するまで装着を継続した）：これを実施例３とする
（５）形成された蛍光体層に、ゴミ付着を防止するための保護カバー（φ７００μｍの細孔付きメッシュ構造のもの）を装着したもの（この保護カバーは、熱処理工程後、冷却が終了するまで装着を継続した）：これを実施例４とする
（６）形成された蛍光体層に、ゴミ付着を防止するための保護カバー（φ１０００μｍの細孔付きメッシュ構造のもの）を装着したもの（この保護カバーは、熱処理工程後、冷却が終了するまで装着を継続した）：これを実施例５とする
【０１１０】
（７）形成された蛍光体層に、ゴミ付着を防止するための保護カバー（φ２０００μｍの細孔付きメッシュ構造のもの）を装着したもの（この保護カバーは、熱処理工程後、冷却が終了するまで装着を継続した）：これを実施例６とする
（８）形成された蛍光体層に、ゴミ付着を防止するための保護カバー（φ３μｍの細孔付きメッシュ構造のもの）を装着したもの（この保護カバーは、加湿処理工程終了後、熱処理工程に入る前に取り外した）：これを実施例７とする
（９）形成された蛍光体層に、ゴミ付着を防止するための保護カバー（φ３μｍの細孔付きメッシュ構造のもの）を装着したもの（この保護カバーは、熱処理工程終了後、冷却の前に取り外した）：これを実施例８とする
の９種類の方法で放射線像変換パネル（蛍光体シート）を、各１０枚ずつ作製した。
【０１１１】
また、第２群の実験では、蒸着終了後、
（１）形成された蛍光体層に付着している（可能性のある）ゴミを図７に示したような空気流吹き付けによる除去装置（エアーガン）を用いて除去した後、加湿処理工程（この際、上述の保護カバーは装着していない）を施し、その後に再び、エアーガンを用いてゴミ除去処理を行ったもの（エアーガンの空気流吹き付け速度は５ｍ／ｓとした、また、ゴミ除去処理終了後、熱処理前に、平板状の保護カバー（すなわち、細孔なしの保護カバー）を装着した）：これを実施例９とする
【０１１２】
（２）上と同様の方法で、エアーガンの空気流吹き付け速度を５０ｍ／ｓとしたもの：これを実施例１０とする
（３）上と同様の方法で、エアーガンの空気流吹き付け速度を７５ｍ／ｓとしたもの：これを実施例１１とする
（４）上と同様の方法で、エアーガンの空気流吹き付け速度を０．５ｍ／ｓとしたもの：これを実施例１２とする
【０１１３】
（５）形成された蛍光体層に付着している（可能性のある）ゴミを図８に示したような粘着材からなるローラ（粘着材としては、ブチルゴムを用いている）を用いて除去した後、加湿処理工程（この際、上述の保護カバーは装着していない）を施し、その後に再び、同じ粘着材からなるローラによるゴミ除去処理を行ったもの（ゴミ除去処理終了後には、熱処理前に、上と同様に平板状の保護カバーを装着した）：これを実施例１３とする
の５種類の方法で放射線像変換パネル（蛍光体シート）を、各１０枚ずつ作製した。
【０１１４】
上述の２群の実験においては、実施例１〜実施例１３および比較例１により作製した放射線像変換パネル（蛍光体シート）について、均一な放射線露光を行った際に得られた画像の点欠陥数をそれぞれ調べた。
なお、各放射線像変換パネルの構成は、図６に示すように、基板７０に蛍光体層７２が設けられ、この蛍光体層７２を封止する防湿保護層７４が設けられた構成とした。
また、基板には、アルミニウム合金基板（ＹＨ７５（白銅（株）製）を用いた。また、基板の大きさは、４５０ｍｍ×４５０ｍｍ×１０ｍｍとした。
【０１１５】
実施例１〜実施例１３および比較例１の放射線像変換パネル（蛍光体シート）は、蒸着終了までの工程に関しては全く同様であり、蒸着終了後の処理並びにその際のゴミ・埃に対する対応方法が、上述のように異なるものである。
実施例１〜実施例１３および比較例１の各放射線像変換パネル（蛍光体シート）の製造方法の概要は、以下の通りである。
【０１１６】
基板７０を基板ホルダ３９にセットした状態で、基板ホルダ３９ごと基板７０をプラズマ洗浄装置にセットした。そして、プラズマ洗浄装置により、圧力が１ＰａのＡｒガス雰囲気下、電力が５００Ｗ、時間が６０秒の条件でＡｒプラズマを発生させて基板７０表面の洗浄を行った後、基板ホルダ３９ごと基板７０を真空チャンバ１２内の基板保持搬送機構１４の基板保持手段２６にセットした。
【０１１７】
次に、ＣｓＢｒ蒸発源（成膜材料）およびＥｕＢｒ２蒸発源（成膜材料）を真空チャンバ１２内の加熱蒸発部１６の抵抗加熱用のルツボ（容器）５０、５２に充填した。
ここでは、蒸発源（成膜材料）として、純度が４Ｎ以上の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）粉末、および純度が３Ｎ以上の臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ２）の溶融品を用意した。ＥｕＢｒ２溶融品は、酸化を防ぐため十分なハロゲン雰囲気としたチューブ炉中にて、白金製ルツボに粉体を入れ、温度８００℃に加熱して溶融、冷却後、炉から取り出して作製したものを用いている。各原料中の微量元素をＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合高周波プラズマ分光分析−質量分析法）により分析した結果、ＣｓＢｒ中のＣｓ以外のアルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ）はそれぞれ１０質量ｐｐｍ以下であり、アルカリ土類金属（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）などの他の元素は、２質量ｐｐｍ以下であった。また、ＥｕＢｒ２中のＥｕ以外の希土類元素は各々２０質量ｐｐｍ以下であり、他の元素は１０質量ｐｐｍ以下であった。これらの原料は、吸湿性が高いので、露点−２０℃以下の乾燥雰囲気を保ったデシケータ内で保管し、使用直前に取り出すようにした。
なお、ここでは、基板７０と加熱蒸発部１６との距離は１００ｍｍとし、基板７０を直線搬送しながら、蛍光体層７２を形成した。
【０１１８】
ＣｓＢｒ蒸発源およびＥｕＢｒ２蒸発源（成膜材料）を抵抗加熱用のルツボ（容器）５０、５２に充填した後に、真空チャンバ１２の、扉１３を閉じて真空チャンバ１２を閉塞し、真空ポンプ１８を駆動して真空チャンバ１２内を排気し、真空チャンバ１２内が、例えば、８×１０−４Ｐａとなった時点で、排気を継続しつつ、ガス導入ノズル１９によって開口部１９ａを経て真空チャンバ１２内に、例えば、Ａｒガスを導入して、真空チャンバ１２内の圧力を、例えば、１．０Ｐａに調整した。
【０１１９】
そして、この中真空下で蒸着工程を行ったものを１４０枚（１０枚×１４種類）繰り返して作製した。
上で得られた各基板については、その都度、前述の方法に従ってこれを放射線像変換パネル８０に加工し、性能比較に備えた。
【０１２０】
なお、ここで用いた蒸着工程の諸条件の詳細は、以下の通りである。
前述の３種類の基板の処理のそれぞれが終了した後に、真空チャンバ１２内を８×１０−４Ｐａの真空度まで排気後、Ａｒガスを所定量導入して１．０Ｐａの真空度とした。
そして、基板７０と加熱蒸発部１６（ルツボ５０およびルツボ５２）との間に設けられたシャッタを閉じた状態で、各蒸発源（ＣｓＢｒおよびＥｕＢｒ２）をそれぞれ抵抗加熱装置で加熱溶融させた。加熱開始から６０分経過後、まず、ルツボ５０側のシャッタだけを開いて、基板７０の直線搬送を開始し、基板７０の表面にＣｓＢｒ蛍光体母体を堆積させた。
【０１２１】
次いで、ルツボ５０側のシャッタを開いてから所定時間が経過した後に、ルツボ５２側のシャッタも開いて、ＣｓＢｒ蛍光体母体の上へのＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体の堆積を開始した。
なお、堆積速度は６μｍ／分とした。また、加熱蒸発部１６の各々の抵抗加熱装置の抵抗電流を調整して、輝尽性蛍光体層におけるＥｕ／Ｃｓのモル濃度比が、０．００３／１となるように制御した。
【０１２２】
蒸着終了後、抵抗加熱装置の電源を切り、Ａｒガスの導入を停止した。
次に、真空チャンバ１２内に窒素ガスまたは乾燥空気を導入し、真空チャンバ１２内を大気圧にした。そして、扉１３を開けて、真空チャンバ１２内から基板７０を基板ホルダ３９ごと取り出した。
【０１２３】
これにより、基板７０の表面７０ｄには、蛍光体の柱状結晶が略垂直方向に延びて密に林立した構造の蛍光体層７２が形成された。なお、蛍光体層７２の厚さは７００μｍであり、蛍光体層７２が形成されている面積は４００ｍｍ×４００ｍｍであった。
【０１２４】
次に、蛍光体層７２が形成された基板７０について、感度を上げるために、前述の加湿処理を施した（比較例１を除く）。このときの加湿処理の条件は、温度：３０℃、相対湿度：６０％ＲＨ、時間：６時間としている。
なお、この際における各実施例，比較例における保護カバーの装着の有無，ゴミ除去処理の態様等は、前述の通りである。
【０１２５】
次に、蛍光体層７２が形成された基板７０について、感度を上げるために、温度２００℃で２０分、熱処理を行った。
なお、この際における各実施例，比較例における保護カバーの装着の有無は、前述の通りである。
【０１２６】
熱処理工程においては、まず、蛍光体層７２が形成された基板７０をガス導入可能な真空加熱装置内に設置された加熱プレート（２１０℃に設定）上に置き、乾燥エアーを真空加熱装置内に流しながら、上述のように、温度２００℃、時間２０分の熱処理条件で熱処理を行った。熱処理後、真空加熱装置から蛍光体層７２が形成された基板７０を取り出し、大気中で冷却した。
【０１２７】
次に、蛍光体層７２および基板７０の表面７０ｄの蛍光体層７２が形成されていない領域に、例えば、ディスペンサー等を用いて接着剤を塗布した。
次いで、ロール状に巻回された防湿保護フィルムを引き出し、熱ラミネーション法により、蛍光体層７２の上に防湿保護フィルムを貼り付けて、外縁を基板の表面に密着させて防湿保護層７４を形成した。
このようにして、各放射線像変換パネルを作製した。
【０１２８】
本実施例においては、上述のように作製した実施例１〜実施例１３および比較例１に係る各放射線像変換パネルについて、放射線画像として、一様画像を取得し、この放射線画像（一様画像）における点欠陥を調べた。
【０１２９】
ここでの、各放射線像変換パネルにより得られた放射線画像（一様画像）の点欠陥の測定方法について説明する。
先ず、放射線像変換パネルの表面全面に、タングステン管球を用い、管電圧が８０ｋＶのＸ線を線量１０ｍＲ（２．５８×１０−６Ｃ／ｋｇ）で照射した後、ラインスキャナ方式の画像読取装置（波長が６６０ｎｍの半導体レーザ光を照射し、放射線像変換パネルの表面から放射された輝尽発光光を、ライン状に受光素子が配置されたＣＣＤで受光するもの）で読み取り、読み取った光（受光した光）を電気信号に変換して、放射線画像として一様画像を得た。この放射線画像（一様画像）をレーザプリンタによりフィルム上に可視像として出力した。
【０１３０】
次に、各放射線像変換パネルについて、得られたフィルムに記録された放射線画像（一様画像）について、シャウカステンを用いて放射線画像（一様画像）の中心部の１０ｃｍ×１０ｃｍの範囲（１０ｃｍ□：１００ｃｍ２）において、白く抜けた点を点欠陥としてその個数を目視により数えた。このようにして、点欠陥の個数を測定した。
下記の表１（第１群の実験に係るもの）および表２（第１群の実験に係るもの＋比較例１）に、この結果である各放射線像変換パネルの点欠陥の個数を示す。
【０１３１】
【表１】
ここで、メッシュカバーとは細孔付きの保護カバー、アルミカバーとは細孔なしの保護カバーを意味している。
【０１３２】
【表２】
ここで、エアーブローとは空気流吹き付けによるゴミ除去処理を、また、ブチルゴムローラとはゴミ取りローラ（粘着材を用いるローラ）によるゴミ除去処理を、それぞれ示している。
【０１３３】
表１に示すように、比較例１に係る放射線像変換パネルには、１００ｃｍ２当たり５個のゴミ等に起因するシミが発生していたが、φ１０００μｍ以下の細孔を有するメッシュカバーを装着した実施例１〜実施例５に係る放射線像変換パネルは、この種のシミの発生は皆無であった。また、φ２０００μｍの細孔を有するメッシュカバーを装着した実施例６では、一部のゴミが細孔を透過したため、わずかにシミの発生が見られた。
【０１３４】
また、もっとも小さいφ３μｍの細孔を有するメッシュカバーを装着した実施例７，実施例８に係る放射線像変換パネルでは、カバーの装着期間が短かったことにより、これもわずかにシミの発生が見られた。
上述の実施例６に係る放射線像変換パネル並びに実施例７，実施例８に係る放射線像変換パネルでは、シミが発生してはいるものの、その発生個数が明確に減少しており、本発明の効果は明らかである。
【０１３５】
また、表２に示すように、熱処理工程前にゴミ除去処理を行っていない比較例１（この比較例１は、先の表１に示した比較例１と同じものである）では、前述の通り１００ｃｍ２当たり５個のゴミ等に起因するシミが発生していたが、実施例９〜実施例１３に示したゴミ除去処理を行った例では、空気流吹き付けによる除去方法（実施例９〜実施例１２）および粘着材からなるローラを用いる除去方法（実施例１３）のいずれも、その効果が明瞭である。
【０１３６】
上記表１，表２に示したように、本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法により製造された放射線像変換パネルは、比較例１係る放射線像変換パネルに比して、点欠陥の個数が大幅に減少しており、その優秀性、すなわち本発明の効果が顕著であることが確認された。
このように、本発明の放射線像変換パネルの製造方法においては、欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができた。
【０１３７】
なお、本発明は上記実施形態並びに実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいことはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】（ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の一実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）はその模式的側断面図である。
【図２】（ａ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的平面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的正面図であり、（ｃ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的側面図である。
【図３】図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の加熱蒸発部を示す模式的平面図である。
【図４】一実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法における防塵カバーの装着態様を示す模式図である。
【図５】一実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法に用いられる防塵カバーの装着状況を示す模式側面図である。
【図６】一実施形態の放射線像変換パネルの製造方法により製造された放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
【図７】一実施形態の放射線像変換パネルの製造方法におけるゴミ除去方法の具体例（その１）を示す模式側面図である。
【図８】一実施形態の放射線像変換パネルの製造方法におけるゴミ除去方法の具体例（その２）を示す模式側面図である。
【図９】放射線像変換パネルにおける点欠陥の発生を説明する模式図（その１）である。
【図１０】放射線像変換パネルにおける点欠陥の発生を説明する模式図（その２）である。
【符号の説明】
【０１３９】
１０ 放射線像変換パネル製造装置（製造装置）
１２ 真空チャンバ
１４ 基板保持搬送手段
１６ 加熱蒸発部
１８ 真空ポンプ
１９ ガス導入ノズル
２０ 制御部
２２ 駆動手段
２４ ＬＭガイド
２６ （基板）保持手段
３０ 保持部材
３２ ボールネジ
３４ モータ
３６ 基台
３８ 保持機構
４０ 防熱部材
５０，５２ ルツボ
７０ 基板
７０ｂ 基板の溝
７０ｃ 枠
７０ｄ 基板の表面
７２ 輝尽性蛍光体層（蛍光体層）
７４ 防湿保護層
７６ 接着層
８０ 放射線像変換パネル
１００ 防塵カバー
１０２ 支持脚
１１０ エアーガン（空気噴出銃）
１１０ａ （噴出）エアー
１１２ａ，１１２ｂ ゴミ
１２０ ゴミ取りローラ
１２０ａ 粘着材ローラ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、
堆積が終了してから熱処理を終了するまで前記蛍光体層を密閉しないカバーで保護することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
前記カバーとして、φ１μｍ〜φ１．５ｍｍの細孔を有するものを用いる請求項１に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、
熱処理前に前記蛍光体層を所定の温湿度条件で所定の期間保管する工程を含み、
蒸着が終了してから熱処理を終了するまで前記蛍光体層を密閉しないカバーで保護することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項４】
少なくとも前記蛍光体層を所定の温湿度条件で所定の期間保管する工程においては、前記蛍光体層を密閉しないカバーで保護する請求項３に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項５】
前記カバーとして、φ１μｍ〜φ１．５ｍｍの細孔を有するものを用いる請求項３または４に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項６】
真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、
熱処理前に前記蛍光体層表面の異物を除去することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項７】
前記蛍光体層表面の異物の除去を、当該蛍光体層表面に風速２ｍ／ｓ以上の空気を吹き付けることで行う請求項６に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項８】
前記蛍光体層表面の異物の除去を、当該蛍光体層表面に粘着材を接触させることで行う請求項６に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項９】
前記粘着材としてブチルゴムローラを用いる請求項８に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１０】
真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、
熱処理前に前記蛍光体層を所定の温湿度条件で所定の期間保管する工程を含み、
熱処理前に前記蛍光体層表面の異物を除去することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記蛍光体層の異物の除去を、当該蛍光体層表面に風速２ｍ／ｓ以上の空気を吹き付けることで行う請求項１０に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記蛍光体層表面の異物の除去を、当該蛍光体層表面に粘着材を接触させることで行う請求項１０に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記粘着材としてブチルゴムローラを用いる請求項１２に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の放射線像変換パネルの製造方法により製造された放射線像変換パネル。
【請求項１】
真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、
堆積が終了してから熱処理を終了するまで前記蛍光体層を密閉しないカバーで保護することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
前記カバーとして、φ１μｍ〜φ１．５ｍｍの細孔を有するものを用いる請求項１に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、
熱処理前に前記蛍光体層を所定の温湿度条件で所定の期間保管する工程を含み、
蒸着が終了してから熱処理を終了するまで前記蛍光体層を密閉しないカバーで保護することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項４】
少なくとも前記蛍光体層を所定の温湿度条件で所定の期間保管する工程においては、前記蛍光体層を密閉しないカバーで保護する請求項３に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項５】
前記カバーとして、φ１μｍ〜φ１．５ｍｍの細孔を有するものを用いる請求項３または４に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項６】
真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、
熱処理前に前記蛍光体層表面の異物を除去することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項７】
前記蛍光体層表面の異物の除去を、当該蛍光体層表面に風速２ｍ／ｓ以上の空気を吹き付けることで行う請求項６に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項８】
前記蛍光体層表面の異物の除去を、当該蛍光体層表面に粘着材を接触させることで行う請求項６に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項９】
前記粘着材としてブチルゴムローラを用いる請求項８に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１０】
真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、
熱処理前に前記蛍光体層を所定の温湿度条件で所定の期間保管する工程を含み、
熱処理前に前記蛍光体層表面の異物を除去することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記蛍光体層の異物の除去を、当該蛍光体層表面に風速２ｍ／ｓ以上の空気を吹き付けることで行う請求項１０に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記蛍光体層表面の異物の除去を、当該蛍光体層表面に粘着材を接触させることで行う請求項１０に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記粘着材としてブチルゴムローラを用いる請求項１２に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の放射線像変換パネルの製造方法により製造された放射線像変換パネル。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００８−１４９００（Ｐ２００８−１４９００Ａ）
【公開日】平成２０年１月２４日（２００８．１．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１８９１３１（Ｐ２００６−１８９１３１）
【出願日】平成１８年７月１０日（２００６．７．１０）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１月２４日（２００８．１．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年７月１０日（２００６．７．１０）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
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