新規イリジウム錯体および有機発光素子および画像表示装置
【課題】発光スペクトルの半値幅が小さい新規イリジウム錯体とそれを有する有機発光素子を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）に示されるイリジウム錯体。
［式中、Ｒ１とＲ２はいずれもアルキル基である。Ｒ３はアルキル基、置換あるいは未置換のフェニル基である。Ｒ４とＲ５はそれぞれ水素原子、アルキル基から選ばれる。Ｒ６は水素原子あるいはシアノ基である。］
【解決手段】下記一般式（１）に示されるイリジウム錯体。
［式中、Ｒ１とＲ２はいずれもアルキル基である。Ｒ３はアルキル基、置換あるいは未置換のフェニル基である。Ｒ４とＲ５はそれぞれ水素原子、アルキル基から選ばれる。Ｒ６は水素原子あるいはシアノ基である。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はイリジウム錯体およびそれを有する有機発光素子と画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子の開発が盛んに行われている。有機発光素子の開発には新規な燐光発光材料の開発が行われている。特許文献１には以下の構造式で示されるイリジウム錯体が記載されている。また、この化合物にさまざまな置換基を導入した誘導体が特許文献２に記載されている。
【０００３】
【化１】
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開２００６／０００８６７０号明細書
【特許文献２】特開２００７−１２３３９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記構造式の化合物、Ｉｒ（Ｐｉｍ）３は、青色発光を示し（特許文献１）、また、さまざまな置換基を導入した誘導体が検討されているが、未だ十分な特性を得られていない（特許文献２）。
【０００６】
そこで本発明は、青色から緑色領域での発光特性に優れた、新規なイリジウム錯体を提供することを目的とする。そして、それを有する発光特性の優れた有機発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
よって本発明は、
下記一般式（１）に示されるイリジウム錯体を提供する。
【０００８】
【化２】
【０００９】
（一般式（１）において、
Ｈは水素原子、Ｎは窒素原子、Ｉｒはイリジウム原子である。
Ｒ１とＲ２はいずれもアルキル基である。
Ｒ３はアルキル基、置換あるいは未置換のフェニル基である。
Ｒ４とＲ５はそれぞれ水素原子、アルキル基から選ばれる。
Ｒ６は水素原子あるいはシアノ基である。）
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、発光スペクトルの半値幅の小さい新規なイリジウム錯体を提供することができる。また基本骨格に置換基を導入することによって発光波長の調整が可能な新規イリジウム錯体を提供することができる。そして、これら新規イリジウム錯体を有する有機発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】有機発光素子とその下の有機発光素子に接続されるスイッチング素子とを示す断面模式図である。
【図２】本実施形態に係る化合物ｐｉ１−１と参考例のＩｒ（Ｐｉｍ）３のトルエン溶液の室温でのＰＬスペクトルである。
【図３】本実施形態に係る化合物と参考例のＩｒ（Ｐｉｍ）３のトルエン溶液の７７ＫでのＰＬスペクトルである。
【図４】本実施形態に係る化合物と参考例のｂＩｒ−０１、ｇＩｒ−０１のトルエン溶液の室温でのＰＬスペクトルである。
【図５】本実施形態に係る化合物と参考例のｂＩｒ−０１、ｇＩｒ−０１のトルエン溶液の７７ＫでのＰＬスペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明に係るイリジウム錯体は、下記一般式（１）で示される。
【００１３】
【化３】
【００１４】
（一般式（１）において、
Ｈは水素原子、Ｎは窒素原子、Ｉｒはイリジウム原子である。
Ｒ１とＲ２はいずれもアルキル基である。
Ｒ３はアルキル基、置換あるいは未置換のフェニル基である。
Ｒ４とＲ５はそれぞれ水素原子、アルキル基から選ばれる。
Ｒ６は水素原子あるいはシアノ基である。）
【００１５】
本発明に係わる一般式（１）で示されるイリジウム錯体は、一般式（１）に示すようにトリアジン環−フェニル環−イミダゾール環が特定位置で結合した骨格を有している。この骨格を以降では、“一般式（１）の配位子主骨格”と記す。
【００１６】
本発明のイリジウム錯体は、一般式（１）の配位子主骨格に由来する強い配位子場によって、青色、緑色発光錯体として優れている。
【００１７】
トリアジン環−フェニル環−イミダゾール環からなる配位子構造は下記のＡ乃至Ｄの４つの構造が考えられるが、Ｃの構造、即ち一般式（１）の配位子主骨格が、特に青色領域における発光材料の基本骨格として優れている。
【００１８】
【化４】
【００１９】
青色と緑色の発光領域で優れた発光特性を得るためには、より強い配位子場を形成できる配位子を用いる必要がある。一般的に配位子場を大きくするためには、メタルから配位子へのπバックドネーション（π−ｂａｃｋ ｄｏｎａｔｉｏｎ）を大きくすることが重要である。トリアジン環の電子求引性に由来するπバックドネーションをもっとも効果的に働かせるためには、以下の２つの要件が重要であると本発明者等は気付いた。
要件１．イリジウムに結合するフェニル環と結合するトリアジン環の、フェニル環上の置換位置が、イリジウムに対してオルト位、またはパラ位にあること。
要件２．トリアジン環とフェニル環が同一平面に位置できること。
Ｂは、イリジウムとトリアジン環はフェニル環上においてメタ位の関係にあり、上記の要件１を満たさない。
また、Ａ、Ｄは、トリアジン環の結合位の隣接位にＡはイリジウム原子による立体反発、Ｄはイミダゾール環による立体反発により、フェニル環とトリアジン環は立体的に平面構造を保つことが出来ない。よって、ＡとＤは要件２を満たさない。
したがって、Ｃの構造のみが要件１と要件２を満たし、一般式（１）の配位子主骨格が青色から緑色に優れており、特に青色領域で優れている。
更に、フェニル環が有する２つのＨ、即ち一般式（１）で示す２つのＨで示される水素原子は、トリアジン環−フェニル環との平面性を維持する上で必須である。ファンデルワールス半径が小さい水素原子は、隣接するトリアジン環の窒素原子との立体的反発や電子的反発が無い。フェニル環とトリアジン環の２つの環が同一平面になる状態が最も安定化するので、これら水素原子が他の原子や置換基に仮に置き換わった場合、立体反発と電子的反発によって、トリアジン環とフェニル環は同一平面から大きく捩れる構造になる。
【００２０】
以下の表にトリアジン環とフェニル環との２面角を分子軌道計算によって求めた値を示す。
【００２１】
【化５】
【００２２】
このように、フェニル環上のトリアジン環が置換した隣接位は水素原子であることが２つの環の平面性を維持する上で有用である。
【００２３】
なお、２面角の計算には、市販の電子状態計算ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ０３＊ Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ｄ．０１を用いて基底状態の構造最適化計算を行なった。その際、量子化学計算法として、密度汎関数法（Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｔｈｅｏｒｙ）を採用し、汎関数にはＢ３ＬＹＰを用いた。基底関数はＧａｕｓｓｉａｎ ０３， Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ｄ．０１では６−３１Ｇ＊を用いた。
* Gaussian 03, Revision D.01,
M. J. Frisch, G. W. Trucks, H. B. Schlegel, G. E. Scuseria,
M. A. Robb, J. R. Cheeseman, J. A. Montgomery, Jr., T. Vreven,
K. N. Kudin, J. C. Burant, J. M. Millam, S. S. Iyengar, J. Tomasi,
V. Barone, B. Mennucci, M. Cossi, G. Scalmani, N. Rega,
G. A. Petersson, H. Nakatsuji, M. Hada, M. Ehara, K. Toyota,
R. Fukuda, J. Hasegawa, M. Ishida, T. Nakajima, Y. Honda, O. Kitao,
H. Nakai, M. Klene, X. Li, J. E. Knox, H. P. Hratchian, J. B. Cross,
V. Bakken, C. Adamo, J. Jaramillo, R. Gomperts, R. E. Stratmann,
O. Yazyev, A. J. Austin, R. Cammi, C. Pomelli, J. W. Ochterski,
P. Y. Ayala, K. Morokuma, G. A. Voth, P. Salvador, J. J. Dannenberg,
V. G. Zakrzewski, S. Dapprich, A. D. Daniels, M. C. Strain,
O. Farkas, D. K. Malick, A. D. Rabuck, K. Raghavachari,
J. B. Foresman, J. V. Ortiz, Q. Cui, A. G. Baboul, S. Clifford,
J. Cioslowski, B. B. Stefanov, G. Liu, A. Liashenko, P. Piskorz,
I. Komaromi, R. L. Martin, D. J. Fox, T. Keith, M. A. Al-Laham,
C. Y. Peng, A. Nanayakkara, M. Challacombe, P. M. W. Gill,
B. Johnson, W. Chen, M. W. Wong, C. Gonzalez, and J. A. Pople,
Gaussian, Inc., Wallingford CT, 2004.
【００２４】
Ｒ１、Ｒ２で表されるアルキル基として、メチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ネオペンチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロ［２．２．２］オクタン−１−イル基、１−アダマンチル基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。また、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。しかしながら、Ｒ１、Ｒ２は、大きな排除体積を持つアルキル基が好ましい。なぜなら、トリアジン環の孤立電子対を立体的に覆うことで、トリアジン環上の窒素原子の配位能力を抑制できる。具体的な排除体積の大きい置換基としては、ＳＰ３混成軌道からなる３級炭素の置換基が有効である。例えば、ｔｅｒｔ−ブチル基やビシクロ［２．２．２］オクタン−１−イル基、１−アダマンチル基等が好ましい。
【００２５】
排除体積の大きなアルキル基を導入することで、以下の少なくとも何れかが期待できる。
効果１．高純度かつ、高収率で得ることが可能である。
効果２．窒素原子の配位能力を抑制することで、孤立電子対によるイオン性不純物の取り込みを抑制し、有機発光素子の寿命が向上する。
効果３．分子間相互作用を抑制し、発光材料の濃度消光を抑制できる。濃度消光とは高濃度の場合に発光強度が低下する現象のことである。
【００２６】
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５で表されるアルキル基として、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。また、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５で表されるアルキル基は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
【００２７】
しかしながら、Ｒ３は、錯体の精製の観点から分子量の小さいアルキル基や置換または未置換のフェニル基が好ましい。また、錯体が励起して、中心金属から配位子へ電荷移動遷移した際に置換基が遊離しにくい方が素子の寿命にとって良いという観点からも、アルキル基や置換または未置換のフェニル基が好ましい。また、Ｒ３で表されるフェニル基が置換しても良い置換基はメチル基、エチル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。しかしながら、分子量の観点からメチル基やエチル基が好ましい。
【００２８】
また、Ｒ５は、錯体の精製の観点から分子量の小さい水素原子やアルキル基が好ましい。また、電子供与することにより、電子状態を変化させて錯体の発光色を変化させたい場合にはアルキル基が置換することが有効である。具体的には、メチル基やエチル基が好ましい。
【００２９】
Ｒ６は、立体的に隣接する配位子と近いため、錯体の合成収率の観点から、排除体積の小さい置換基が好ましい。具体的には水素原子、シアノ基が好ましい。また、金属からのバックドネーションをより大きくして、配位子場の分裂を大きくするために、シアノ基が置換することが有効である。
【００３０】
本発明に係るイリジウム錯体は、有機発光素子の発光層のゲスト材料またはホスト材料として用いることができる。有機発光素子は対向する一対の電極とその間に配置される発光層を有している。有機発光素子は発光層以外に別の層を有しても良い。
【００３１】
本発明に係るイリジウム錯体は、発光層以外の層、即ちホール注入層、ホール輸送層、ホール・エキシトンブロッキング層、電子輸送層、あるいは電子注入層のいずれの層に適宜用いることができる。ここでホスト材料とゲスト材料とは、発光層を構成する化合物の中で、重量比が最も大きいものがホスト材料であり、発光層を構成する化合物の中でホスト材料よりも重量比が小さいものがゲスト材料である。
【００３２】
本発明に係るイリジウム錯体は、有機発光素子の発光層のゲスト材料として好ましく用いることができる。特に青色あるいは緑色発光素子のゲスト材料として用いられることが好ましい。
【００３３】
本発明に係るイリジウム錯体の基本骨格に、置換基を導入することで発光波長を変化させることが可能である。発光波長を変化させる置換基としては、アルキル基やシアノ基等が挙げられる。
【００３４】
本発明に係るイリジウム錯体を発光層のゲスト材料として用いる場合は、ホスト材料はこのイリジウム錯体よりもＬＵＭＯ準位が高い材料、言い換えれば真空順位により近いホスト材料を用いることが好ましい。というのも本発明に係るイリジウム錯体はＬＵＭＯ準位が低いため発光層、すなわちホスト材料に供給される電子をホスト材料からより良好に受けることができるからである。ＬＵＭＯ準位とは最低空軌道準位の略である。なおＨＯＭＯ準位とは最高被占準位の略である。ホスト材料とゲスト材料の更なる説明は後述する。
【００３５】
（本発明に係るイリジウム錯体の例示）
上記一般式（１）に該当する化合物の具体例を以下に示す。本発明はこれらに限られるものではない。
【００３６】
【化６】
【００３７】
【化７】
【００３８】
【化８】
【００３９】
【化９】
【００４０】
本発明のイリジウム錯体の特徴を以下の４つの群として挙げた。
（ｐｉ１−１乃至ｐｉ１−５）
一般式（１）のＲ１とＲ２に相当するトリアジン環の孤立電子対を立体的に覆う排除体積の大きな置換基を有し、フェニル環とイミダゾール環が無置換のＩｒ錯体群。
（ｐｉ２−１乃至ｐｉ２−１１）
イミダゾール環の窒素に置換または未置換のフェニル基が置換して、中心金属から配位子へ電荷移動遷移した際に置換基がより遊離しにくくなったＩｒ錯体群。
（ｐｉ３−１乃至ｐｉ３−１０）
イミダゾール環に電子供与基が置換して電子状態を変えて発光の最大波長を４５０ｎｍから５００ｎｍの間で調節できるＩｒ錯体群。
（ｐｉ４−１乃至ｐｉ４−５）
フェニル環に電子求引基が置換して金属からのバックドネーションをより大きくし、配位子場分裂幅を大きくさせたＩｒ錯体群。
【００４１】
以上のように例示化合物を挙げた。また本発明に係るイリジウム錯体の基本骨格は置換基を設けることにより青から緑色に発光しうる。
【００４２】
（合成ルートの説明）
本発明に係るイリジウム錯体の合成ルートの一例を説明する。以下に反応式を記す。
【００４３】
一般式（１）で示される有機化合物の配位子は、文献 Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．，（２００８），Ｖｏｌ．４７，８２４６−８２５０、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，（２００７），Ｖｏｌ．９，４１９５−４１９８、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ，（２００５），Ｖｏｌ．８１，１０５−１１１、ＷＯ２００８／１２４８５０号公報、Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．，（２００７），Ｖｏｌ．５０，５２８−５４２等を参考にして以下に示す合成ルート１、２、３、４のように合成することができる。
【００４４】
置換基についても前記文献において種々の置換基を導入しているのでｔｅｒｔ−ブチル基を例えば１−アダマンチル基といった他の置換基に置き換えて合成することができる。また同様に水素原子を例えば、アルキル基、シアノ基といった他の置換基に置き換えて合成することができる。
【００４５】
＜合成ルート１＞
【００４６】
【化１０】
【００４７】
＜合成ルート２＞
【００４８】
【化１１】
【００４９】
＜合成ルート３＞
【００５０】
【化１２】
【００５１】
＜合成ルート４＞
【００５２】
【化１３】
【００５３】
原料Ｐ１乃至Ｐ６を変える事による配位子への置換基の導入合成例を以下に示す。ただし、これらの合成例によって、これらに限定されるものではない。
【００５４】
【化１４】
【００５５】
【化１５】
【００５６】
【化１６】
【００５７】
【化１７】
【００５８】
【化１８】
【００５９】
【化１９】
【００６０】
【化２０】
【００６１】
この様にして合成できる種々の配位子は以下の合成ルート５、合成ルート６もしくは合成ルート７の様に合成することで、例示に示す錯体にする事ができるが、これらに限定されるものではない。
【００６２】
＜合成ルート５＞
【００６３】
【化２１】
【００６４】
＜合成ルート６＞
【００６５】
【化２２】
【００６６】
＜合成ルート７＞
【００６７】
【化２３】
【００６８】
（有機発光素子の説明）
次に本発明に係る有機発光素子を説明する。
【００６９】
本発明に係る有機発光素子は一対の電極である陽極と陰極とそれらの間に配置される有機化合物層とを少なくとも有する。この有機化合物層が一般式（１）で表されるイリジウム錯体を有する。有機発光素子とは、前記陽極および前記陰極からキャリアを注入することで前記有機化合物層中の発光性イリジウム錯体の励起子を生成させ、該励起子が基底状態に戻る際に光を放出する素子である。
【００７０】
この有機化合物層が発光層である場合、発光層は本発明に係るイリジウム錯体のみから構成されていても良いし、発光層には他の成分が存在しても良い。
【００７１】
発光層が本発明に係るイリジウム錯体を一部有しても良い場合とは、本発明に係るイリジウム錯体が発光層の主成分であってもよく、あるいは副成分であってもよい。
【００７２】
ここで主成分と副成分とは、発光層を構成する化合物の中で重量比が最も大きいものを主成分と呼び、主成分よりも重量比が小さいものを副成分と呼ぶ。
【００７３】
主成分である材料は、ホスト材料と呼ぶこともできる。
【００７４】
副成分である材料は、ドーパント（ゲスト）材料である。他にも発光アシスト材料、電荷注入材料を副成分として挙げることができる。
【００７５】
なお、本発明に係るイリジウム錯体をゲスト材料として用いる場合、ホスト材料に対するゲスト材料の濃度は０．０１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であることが好ましく、０．５ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であることがより好ましい。
【００７６】
本発明者らは種々の検討を行い、本発明の前記一般式（１）で表されるイリジウム錯体を発光層のホスト材料またはゲスト材料、特にゲスト材料として用いた素子が高効率で高輝度な光出力を有し、耐久性が高いことを見出した。
【００７７】
以下に、本発明に係るイリジウム錯体を用いた有機発光素子の例を示す。
【００７８】
本発明に係るイリジウム錯体を用いて作製される有機発光素子としては、基板上に、順次陽極、発光層、陰極を設けた構成のものが挙げられる。他にも順次陽極、ホール輸送層、電子輸送層、陰極）を設けた構成のものが挙げられる。また順次陽極、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、陰極を設けた構成が挙げられる。他にも順次陽極、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、陰極を設けた構成や順次、陽極、ホール輸送層、発光層、ホール・エキシトンブロッキング層、電子輸送層、陰極を設けた構成が挙げられる。ただしこれら５種の多層型の例はあくまでごく基本的な素子構成であり、本発明に係るイリジウム錯体を用いた有機発光素子の構成はこれらに限定されるものではない。例えば、電極と有機化合物層界面に絶縁性層を設ける、接着層あるいは干渉層を設ける、電子輸送層もしくはホール輸送層がイオン化ポテンシャルの異なる２層から構成されるなど多様な層構成をとることができる。
【００７９】
本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体は、該発光素子の有機化合物層としていずれの層構成でも使用することができる。
ここで本発明のイリジウム錯体以外にも、必要に応じて他の化合物を一緒に用いることができる。例えばホール注入性化合物あるいは輸送性化合物、あるいはホスト材料であるホスト化合物、あるいは発光性化合物、あるいは電子注入性化合物あるいは電子輸送性化合物等である。これら化合物は従来公知の低分子系あるいは高分子系の化合物である。
【００８０】
以下にこれらの化合物例を挙げる。
【００８１】
ホール注入性化合物あるいはホール輸送性化合物としては、ホール移動度が高い材料であることが好ましい。正孔注入性能あるいは正孔輸送性能を有する低分子及び高分子系材料としては、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【００８２】
ホスト化合物としては、具体的な構造式を以下表に示す。ホスト化合物は以下表に示す構造式を有する誘導体である化合物であってもよい。またそれ以外に、縮環化合物（例えばフルオレン誘導体、ナフタレン誘導体、カルバゾール誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体等）、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、有機亜鉛錯体、及びトリフェニルアミン誘導体、ポリ（フルオレン）誘導体、ポリ（フェニレン）誘導体等の高分子誘導体が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【００８３】
電子注入性化合物あるいは電子輸送性化合物としては、ホール注入性化合物あるいはホール輸送性化合物のホール移動度とのバランス等を考慮し選択される。電子注入性能あるいは電子輸送性能を有する化合物としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機アルミニウム錯体等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【００８４】
【化２４】
【００８５】
陽極材料としては、仕事関数がなるべく大きなものがよい。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン等の金属単体あるいはこれらの合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物である。また、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性ポリマーでもよい。これらの電極物質は単独で使用してもよいし複数併用して使用してもよい。また、陽極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。
【００８６】
一方、陰極材料としては、仕事関数の小さなものがよい。例えば、リチウム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロム等の金属単体が挙げられる。あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えば、マグネシウム−銀、アルミニウム−リチウム、アルミニウム−マグネシウム等が使用できる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は単独で使用してもよいし、複数併用して使用してもよい。また、陰極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。
【００８７】
本発明に係る有機発光素子において、本発明に係るイリジウム錯体を含有する層及びその他の有機化合物からなる層は、以下に示す方法により形成される。一般には真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマあるいは、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等）により薄膜を形成する。ここで真空蒸着法や溶液塗布法等によって層を形成すると、結晶化等が起こりにくく経時安定性に優れる。また塗布法で成膜する場合は、適当なバインダー樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。
【００８８】
上記バインダー樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、尿素樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらバインダー樹脂は、ホモポリマー又は共重合体として１種単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤を併用してもよい。
【００８９】
本発明に係る有機発光素子は、表示装置や照明装置に用いることができる。他にも電子写真方式の画像形成装置の露光光源や、液晶表示装置のバックライトなどがある。
【００９０】
表示装置は本発明に係る有機発光素子を表示部に有する。表示部とは画素を有しており、該画素は本発明に係る有機発光素子を有する。表示装置はＰＣ等の画像表示装置として用いることができる。
【００９１】
表示装置はデジタルカメラやデジタルビデオカメラ等の撮像装置の表示部に用いられてもよい。撮像装置は該表示部と撮像するための撮像光学系を有する撮像部とを有する。
【００９２】
次に、本発明に係る有機発光素子を使用した表示装置について説明する。
【００９３】
図１は、本発明に係る有機発光素子とそれを駆動するための有機発光素子に接続されているスイッチング素子であるＴＦＴを有する基板の断面構造を示した模式図である。構造の詳細を以下に説明する。
【００９４】
図１の表示装置３は、ガラス等の基板３１とその上部にＴＦＴ又は有機化合物層を保護するための防湿膜３２が設けられている。また符号３３はＣｒ等の金属のゲート電極３３である。符号３４はゲート絶縁膜３４であり３５は半導体層である。
【００９５】
ＴＦＴ素子３８は半導体膜３５とドレイン電極３６とソース電極３７とを有している。ＴＦＴ素子３８の上部には絶縁膜３９が設けられている。コンタクトホール（スルーホール）３１０を介して有機発光素子の陽極３１１とソース電極３７とが接続されている。
【００９６】
有機化合物層３１２は本図では多層の有機化合物層を１つの層の如き図示をしている。陰極３１３の上には有機発光素子の劣化を抑制するための第一の保護層３１４や第二の保護層３１５が設けられている。
【００９７】
有機発光素子はＴＦＴ素子により発光輝度が制御される。有機発光素子を複数面内に設けることでそれぞれの発光輝度により画像を表示することができる。ＴＦＴをスイッチング素子の一例としてあげたが他にもＭＩＭ素子等を用いることができる。
【００９８】
本発明の有機発光素子を用いた表示装置を駆動することにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。
【実施例】
【００９９】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明していくが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１００】
＜実施例１＞
例示化合物ｐｉ１−１の合成
【０１０１】
【化２５】
【０１０２】
【化２６】
【０１０３】
（中間体１−２、１−３の合成）
化合物１−１、２５．０８ｇ（１３７．８ｍｍｏｌ）、メチルアミノアセトアルデヒドジメチルアセタール、１４．７９ｇ（１２４．１ｍｍｏｌ）、塩化銅（Ｉ）、１３．６４ｇ（１３７．８ｍｏｌ）を窒素雰囲気中で９０度に昇温し１２時間攪拌した。反応後、混合物を１，４−ジオキサン２５０ｍｌに溶解させ、室温にて５規定の水酸化ナトリウム水溶液を８０ｍｌを加えて１時間攪拌した。セライトでろ過した後、濃縮し、蟻酸１５０ｍｌを加え、窒素雰囲気中で１１０度に昇温し２時間攪拌した。反応後、炭酸水素ナトリウムの飽和水溶液で中和し、有機層を酢酸エチルで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮した。シリカゲルカラム（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝１／１）で精製し、化合物１−２と１−３の混合物を１４．６ｇ（収率５５．４％）得た。
【０１０４】
（中間体１−４の合成）
化合物１−２と１−３の混合物、１４．６ｇ（６８．７ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン、２２．６８ｇ（８９．３ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、２．３７ｇ（４．１２ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル、３．３８ｇ（８．２４ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム、２０．２３ｇ（２０６．１ｍｍｏｌ）を脱水１，４−ジオキサン３００ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気中で１０５度に昇温し、５時間攪拌した。反応後、１００ｍｌの水を加え、有機層をトルエンで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮した。シリカゲルカラム（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝１／２）で精製し、化合物１−４を５．７ｇ（収率２９．１％）得た。
【０１０５】
（中間体１−６の合成）
化合物１−５、４０．０ｇ（２１６．９ｍｍｏｌ）、塩化銅（Ｉ）、１．５ｇ（７．８８ｍｏｌ）を脱水テトラヒドロフラン１５０ｍｌに溶解させ、氷点下５度でｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムクロリド（２３％テトラヒドロフラン溶液）、２１０ｍｌ（４２０．０ｍｍｏｌ）を滴下しながら添加した。添加後、０度にて３時間攪拌し、１００ｍｌの水を加えた。反応後、セライトでろ過し、有機層を酢酸エチルで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮した。シリカゲルカラム（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝４／１）で精製し、化合物１−６を４１．２ｇ（収率８３．３％）得た。
【０１０６】
（中間体１−７の合成）
化合物１−４、５．２ｇ（１８．３ｍｍｏｌ）、化合物１−６、４．５８（２０．１ｍｍｏｌ）をトルエン８０ｍｌ、エタノール４０ｍｌ、二規定の炭酸セシウム水溶液４０ｍｌの混合溶液に溶解させ、窒素雰囲気中、室温で攪拌下、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１．４１ｇ（１．２２ｍｍｏｌ）を添加した。８５度に昇温し、４時間攪拌した。反応後、有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮した。シリカゲルカラム（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝２／１）で精製し、化合物１−７を５．９ｇ（収率８４．０％）得た。
１Ｈ−ＮＭＲ測定（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）により、この化合物の構造を確認した。σ（ｐｐｍ）：８．８３（ｓ，１Ｈ），８．６４−８．６２（ｄ，１Ｈ），７．８９−７．８７（ｄ，１Ｈ），７．６１−７．５７（ｔ，１Ｈ），７．１７（ｓ，１Ｈ），７．０２（ｓ，１Ｈ），３．８２（ｓ，３Ｈ），１．４４（ｓ，１８Ｈ）
【０１０７】
（中間体１−８の合成）
化合物１−７，１．０ｇ（２．８６ｍｍｏｌ），塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物，０．４６ｇ（１．３０ｍｍｏｌ）を２−エトキシエタノール３０ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気中で１２０度に昇温し１２時間攪拌した。反応終了後、５０ｍｌの水を加え、析出した粉をメンブレンフィルターでろ取し、水とメタノールで洗浄した。乾燥後、化合物１−８を１．７ｇ（収率７０．７％）得た。
【０１０８】
（中間体１−９の合成）
化合物１−８、１．５ｇ（０．８１ｍｍｏｌ）、アセチルアセトン２．０ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム、３．４ｇ（３２．１ｍｍｏｌ）を２−エトキシエタノール２５ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気中で９０度に昇温し、５時間攪拌した。反応後、水を１００ｍｌ添加し、有機層をトルエンで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮した。シリカゲルカラム（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝１／１）で精製し、化合物１−９を１．２ｇ（収率３７．５％）得た。
１Ｈ−ＮＭＲ測定（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）により、この化合物の構造を確認した。σ（ｐｐｍ）：８．６５（ｓ，１Ｈ）、８．６４（ｓ，１Ｈ），７．８３−７．８２（ｄ，１Ｈ）、７．８１−７．８０（ｄ，１Ｈ），７．０４−７．０３（ｄ，２Ｈ），６．９７（ｄ，２Ｈ），６．５６（ｓ，１Ｈ），６．５４（ｓ，１Ｈ），５．１８（ｓ，１Ｈ），４．２４（ｓ，６Ｈ），１．８０（ｓ，６Ｈ），１．３４（ｓ，３６Ｈ）
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）によりこの化合物のＭ＋である１２３７を確認した。
【０１０９】
（ｐｉ１−１の合成）
化合物１−９、０．４５ｇ（０．４５ｍｍｏｌ）、化合物１−７、０．９５ｇ（２．７１ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気中で２２０度に昇温し、１２時間攪拌した。反応後、ヘプタンを添加し、析出した粉をろ取した。ろ取した粉をトルエンに溶解させ、シリカゲルカラム（展開溶媒：トルエン）で精製し、化合物ｐｉ１−１のフェイシャル体を１８５ｍｇ（収率３３．１％）得た。
１Ｈ−ＮＭＲ測定（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）により、この化合物の構造を確認した。σ（ｐｐｍ）：８．７６−８．７５（ｄ，３Ｈ），７．９７−７．９５（ｄｄ，３Ｈ），７．１６−７．１４（ｄ，３Ｈ），６．７３−６．７２（ｄ，３Ｈ），６．４１（ｄ，３Ｈ），４．１２（ｓ，９Ｈ），１．３７（ｓ，５４Ｈ）
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）によりこの化合物のＭ＋である１２３７を確認した。
【０１１０】
次に化合物ｐｐ１−１と下記に示すＩｒ（Ｐｉｍ）３との発光特性の比較を行った。
【０１１１】
【化２７】
【０１１２】
化合物ｐｉ１−１の１×１０−５ｍｏｌ／ｌにおけるトルエン溶液の室温での発光スペクトルを、日立製Ｆ−４５００を用いて３５０ｎｍの励起波長においてフォトルミネッセンスの測定を行った結果を図２に示す。図２には比較例としてＩｒ（Ｐｉｍ）３の結果も合わせて示してある。図２は測定データの重ね書きであり、第１ピークを１．０として重ね合わせたスペクトルである。
【０１１３】
図２に示すように、化合物ｐｉ１−１は４８７ｎｍに最大強度の第１ピークを有し、５１５ｎｍ付近に第２ピークを有する、半値幅３５ｎｍのスペクトルであった。比較化合物Ｉｒ（Ｐｉｍ）３は４６７ｎｍに第１ピークを有し、４９８ｎｍに最大強度の第２ピークを有する、半値幅７０ｎｍのスペクトルであった。
【０１１４】
次いで化合物ｐｉ１−１の１×１０−５ｍｏｌ／ｌにおけるトルエン溶液の７７Ｋでの発光スペクトルを、日立製Ｆ−４５００を用いて３５０ｎｍの励起波長においてフォトルミネッセンスの測定を行った結果を図３に示す。図３には比較例として同様にＩｒ（Ｐｉｍ）３の同条件でのＰＬ測定の結果も合わせて示してある。図３は測定データの重ね書きであり、最大強度の第１ピークを１．０として重ね合わせたスペクトルである。
【０１１５】
図３に示すように、化合物ｐｉ１−１は４９１ｎｍに最大強度の第１ピークを有し、５２７ｎｍに第２ピークを有するスペクトルであった。また、最大強度の第１ピークを１．０としたときの第２ピークの大きさは０．３０であった。比較化合物Ｉｒ（Ｐｉｍ）３は４６２ｎｍに最大強度の第１ピークを有し、４９５ｎｍに第２ピークを有するスペクトルであった。また、最大強度の第１ピークを１．０としたときの第２ピークの大きさは０．６２であった。
【０１１６】
また、化合物ｐｉ１−１の室温、溶液状態での絶対量子収率を浜松ホトニクス社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０−０２）を用いて測定したところ、０．８０であった。また、比較化合物Ｉｒ（Ｐｉｍ）３の絶対量子収率を１．００としたときの化合物ｐｉ１−１の絶対量子収率は１．１４であった。
【０１１７】
次に、化合物ｐｉ１−１と一般的な青色である下記に示すｂＩｒ−０１と一般的な緑色であるｇＩｒ−０１との発光特性の比較を行った。
【０１１８】
【化２８】
【０１１９】
化合物ｐｉ１−１の１×１０−５ｍｏｌ／ｌにおけるトルエン溶液の室温での発光スペクトルを、日立製Ｆ−４５００を用いて３５０ｎｍの励起波長においてフォトルミネッセンスの測定を行った結果を図４に示す。図４には比較例として青色発光を示す同じホモレプティック錯体であるｂＩｒ−０１と緑色発光を示すホモレプティック錯体であるｇＩｒ−０１のＰＬ測定の結果も合わせて示してある。図４は測定データの重ね書きであり、第１ピークを１．０として重ね合わせたスペクトルである。
【０１２０】
図４に示すように、化合物ｐｉ１−１は４８７ｎｍに最大強度の第１ピークを有し、５１５ｎｍ付近に第２ピークを有する、半値幅３５ｎｍのスペクトルであった。比較化合物ｂＩｒ−０１は４６８ｎｍに第１ピークを有し、４９２ｎｍに最大強度の第２ピークを有する、半値幅６６ｎｍのスペクトルであった。また、比較化合物ｇＩｒ−０１は５１０ｎｍに最大強度の第１ピークを有し、５４０ｎｍ付近に第２ピークを有する半値幅５８ｎｍのスペクトルであった。
【０１２１】
次いで化合物ｐｉ１−１の１×１０−５ｍｏｌ／ｌにおけるトルエン溶液の７７Ｋでの発光スペクトルを、日立製Ｆ−４５００を用いて３５０ｎｍの励起波長においてフォトルミネッセンスの測定を行った結果を図５に示す。図５には比較例として同様にｂＩｒ−０１とｇＩｒ−０１の同条件でのＰＬ測定の結果も合わせて示してある。図５は測定データの重ね書きであり、最大強度の第１ピークを１．０として重ね合わせたスペクトルである。
【０１２２】
図５に示すように、化合物ｐｉ１−１は４９１ｎｍに最大強度の第１ピークを有し、５２７ｎｍに第２ピークを有するスペクトルであった。また、最大強度の第１ピークを１．０としたときの第２ピークの大きさは０．３０であった。比較化合物ｂＩｒ−０１は４６０ｎｍに最大強度の第１ピークを有し、４９２ｎｍに第２ピークを有するスペクトルであった。また、最大強度の第１ピークを１．０としたときの第２ピークの大きさは０．７７であった。比較化合物ｇＩｒ−０１は５００ｎｍに最大強度の第１ピークを有し、５３５ｎｍに第２ピークを有するスペクトルであった。また、最大強度の第１ピークを１．０としたときの第２ピークの大きさは０．４５であった。
【０１２３】
以上より、本発明に関わるイリジウム錯体は半値幅も第２ピークも小さく、高い量子収率を有するため、有機発光素子用材料として優れていることが分かる。
【０１２４】
＜実施例２＞
有機発光素子を以下に示す方法で作成した。
【０１２５】
基板としてのガラス基板上に、陽極としての酸化錫インジウム（ＩＴＯ）をスパッタ法にて１２０ｎｍの膜厚で成膜したものを透明導電性支持基板として用いた。これをアセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄し、次いでＩＰＡで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾン洗浄したものを透明導電性支持基板として使用した。
【０１２６】
下記に示す化合物２−１の０．３重量％のクロロホルム溶液を準備し、基板上に準備した溶液を垂らし、１０００ｒｐｍで４０秒の条件でスピンコートすることでホール注入層として化合物２−１を３０ｎｍの膜厚に形成した。次いでホール輸送層として下記に示す化合物２−１を用いて、真空蒸着法にて２０ｎｍの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は１．０×１０−４Ｐａ、成膜速度は０．１ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。
【０１２７】
次に、ホール輸送層の上に発光層として、ホストである下記に示す化合物２−２とゲストである例示化合物ｐｉ１−１を、ｐｉ１−１の含有量が発光層の全体量に対して１０重量％となるように共蒸着した。このとき発光層の膜厚を４０ｎｍとした。また蒸着時の真空度を１．０×１０−４Ｐａ、成膜速度を０．１ｎｍ／ｓｅｃとした。
【０１２８】
更に電子輸送層として下記化合物２−３を真空蒸着法にて３０ｎｍの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は１．０×１０−４Ｐａ、成膜速度は０．２−０．３ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。
【０１２９】
【化２９】
【０１３０】
次に、フッ化リチウムを先ほどの有機層の上に、真空蒸着法により厚さ０．５ｎｍ形成し、更に真空蒸着法により厚さ１５０ｎｍのアルミニウム膜を設け、アルミニウム−リチウム合金膜を電子注入電極（陰極）とする有機発光素子を作成した。蒸着時の真空度は１．０×１０−４Ｐａ、成膜速度は１．０−１．２ｎｍ／ｓｅｃの条件で成膜した。
【０１３１】
得られた有機ＥＬ素子は、水分の吸着によって素子劣化が起こらないように、乾燥空気雰囲気中で保護用ガラス板をかぶせ、アクリル樹脂系接着材で封止した。
【０１３２】
この様にして得られた素子に、ＩＴＯ電極（陽極）を正極、Ａｌ電極（陰極）を負極にして、電流電圧特性をヒューレッドパッカード社製・微小電流計４１４０Ｂで測定し、発光輝度は、トプコン社製ＢＭ７で測定した。８．０Ｖの印加電圧で、発光輝度１００ｃｄ／ｍ２を観測し、その時の外部量子効率（Φｅｘｅ）は１５．０％であり、高効率で発光することが確認された。また最大波長４９４ｎｍの青緑色発光が観測された。
【０１３３】
さらに、窒素雰囲気下で電流密度を１ｍＡ／ｃｍ２に保ち、電圧を印加したところ、初期輝度に対する１０時間後の輝度劣化は小さかった。
【０１３４】
（結果と考察）
本発明に係わるイリジウム錯体は高い量子収率と青から緑色に適した発光を有する新規化合物であり、有機発光素子に用いた場合、良好な発光特性を有する発光素子を作ることができる。
【符号の説明】
【０１３５】
３１１ 陽極
３１２ 有機化合物層
３１３ 陰極
３８ ＴＦＴ素子
【技術分野】
【０００１】
本発明はイリジウム錯体およびそれを有する有機発光素子と画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子の開発が盛んに行われている。有機発光素子の開発には新規な燐光発光材料の開発が行われている。特許文献１には以下の構造式で示されるイリジウム錯体が記載されている。また、この化合物にさまざまな置換基を導入した誘導体が特許文献２に記載されている。
【０００３】
【化１】
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開２００６／０００８６７０号明細書
【特許文献２】特開２００７−１２３３９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記構造式の化合物、Ｉｒ（Ｐｉｍ）３は、青色発光を示し（特許文献１）、また、さまざまな置換基を導入した誘導体が検討されているが、未だ十分な特性を得られていない（特許文献２）。
【０００６】
そこで本発明は、青色から緑色領域での発光特性に優れた、新規なイリジウム錯体を提供することを目的とする。そして、それを有する発光特性の優れた有機発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
よって本発明は、
下記一般式（１）に示されるイリジウム錯体を提供する。
【０００８】
【化２】
【０００９】
（一般式（１）において、
Ｈは水素原子、Ｎは窒素原子、Ｉｒはイリジウム原子である。
Ｒ１とＲ２はいずれもアルキル基である。
Ｒ３はアルキル基、置換あるいは未置換のフェニル基である。
Ｒ４とＲ５はそれぞれ水素原子、アルキル基から選ばれる。
Ｒ６は水素原子あるいはシアノ基である。）
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、発光スペクトルの半値幅の小さい新規なイリジウム錯体を提供することができる。また基本骨格に置換基を導入することによって発光波長の調整が可能な新規イリジウム錯体を提供することができる。そして、これら新規イリジウム錯体を有する有機発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】有機発光素子とその下の有機発光素子に接続されるスイッチング素子とを示す断面模式図である。
【図２】本実施形態に係る化合物ｐｉ１−１と参考例のＩｒ（Ｐｉｍ）３のトルエン溶液の室温でのＰＬスペクトルである。
【図３】本実施形態に係る化合物と参考例のＩｒ（Ｐｉｍ）３のトルエン溶液の７７ＫでのＰＬスペクトルである。
【図４】本実施形態に係る化合物と参考例のｂＩｒ−０１、ｇＩｒ−０１のトルエン溶液の室温でのＰＬスペクトルである。
【図５】本実施形態に係る化合物と参考例のｂＩｒ−０１、ｇＩｒ−０１のトルエン溶液の７７ＫでのＰＬスペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明に係るイリジウム錯体は、下記一般式（１）で示される。
【００１３】
【化３】
【００１４】
（一般式（１）において、
Ｈは水素原子、Ｎは窒素原子、Ｉｒはイリジウム原子である。
Ｒ１とＲ２はいずれもアルキル基である。
Ｒ３はアルキル基、置換あるいは未置換のフェニル基である。
Ｒ４とＲ５はそれぞれ水素原子、アルキル基から選ばれる。
Ｒ６は水素原子あるいはシアノ基である。）
【００１５】
本発明に係わる一般式（１）で示されるイリジウム錯体は、一般式（１）に示すようにトリアジン環−フェニル環−イミダゾール環が特定位置で結合した骨格を有している。この骨格を以降では、“一般式（１）の配位子主骨格”と記す。
【００１６】
本発明のイリジウム錯体は、一般式（１）の配位子主骨格に由来する強い配位子場によって、青色、緑色発光錯体として優れている。
【００１７】
トリアジン環−フェニル環−イミダゾール環からなる配位子構造は下記のＡ乃至Ｄの４つの構造が考えられるが、Ｃの構造、即ち一般式（１）の配位子主骨格が、特に青色領域における発光材料の基本骨格として優れている。
【００１８】
【化４】
【００１９】
青色と緑色の発光領域で優れた発光特性を得るためには、より強い配位子場を形成できる配位子を用いる必要がある。一般的に配位子場を大きくするためには、メタルから配位子へのπバックドネーション（π−ｂａｃｋ ｄｏｎａｔｉｏｎ）を大きくすることが重要である。トリアジン環の電子求引性に由来するπバックドネーションをもっとも効果的に働かせるためには、以下の２つの要件が重要であると本発明者等は気付いた。
要件１．イリジウムに結合するフェニル環と結合するトリアジン環の、フェニル環上の置換位置が、イリジウムに対してオルト位、またはパラ位にあること。
要件２．トリアジン環とフェニル環が同一平面に位置できること。
Ｂは、イリジウムとトリアジン環はフェニル環上においてメタ位の関係にあり、上記の要件１を満たさない。
また、Ａ、Ｄは、トリアジン環の結合位の隣接位にＡはイリジウム原子による立体反発、Ｄはイミダゾール環による立体反発により、フェニル環とトリアジン環は立体的に平面構造を保つことが出来ない。よって、ＡとＤは要件２を満たさない。
したがって、Ｃの構造のみが要件１と要件２を満たし、一般式（１）の配位子主骨格が青色から緑色に優れており、特に青色領域で優れている。
更に、フェニル環が有する２つのＨ、即ち一般式（１）で示す２つのＨで示される水素原子は、トリアジン環−フェニル環との平面性を維持する上で必須である。ファンデルワールス半径が小さい水素原子は、隣接するトリアジン環の窒素原子との立体的反発や電子的反発が無い。フェニル環とトリアジン環の２つの環が同一平面になる状態が最も安定化するので、これら水素原子が他の原子や置換基に仮に置き換わった場合、立体反発と電子的反発によって、トリアジン環とフェニル環は同一平面から大きく捩れる構造になる。
【００２０】
以下の表にトリアジン環とフェニル環との２面角を分子軌道計算によって求めた値を示す。
【００２１】
【化５】
【００２２】
このように、フェニル環上のトリアジン環が置換した隣接位は水素原子であることが２つの環の平面性を維持する上で有用である。
【００２３】
なお、２面角の計算には、市販の電子状態計算ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ０３＊ Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ｄ．０１を用いて基底状態の構造最適化計算を行なった。その際、量子化学計算法として、密度汎関数法（Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｔｈｅｏｒｙ）を採用し、汎関数にはＢ３ＬＹＰを用いた。基底関数はＧａｕｓｓｉａｎ ０３， Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ｄ．０１では６−３１Ｇ＊を用いた。
* Gaussian 03, Revision D.01,
M. J. Frisch, G. W. Trucks, H. B. Schlegel, G. E. Scuseria,
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【００２４】
Ｒ１、Ｒ２で表されるアルキル基として、メチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ネオペンチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロ［２．２．２］オクタン−１−イル基、１−アダマンチル基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。また、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。しかしながら、Ｒ１、Ｒ２は、大きな排除体積を持つアルキル基が好ましい。なぜなら、トリアジン環の孤立電子対を立体的に覆うことで、トリアジン環上の窒素原子の配位能力を抑制できる。具体的な排除体積の大きい置換基としては、ＳＰ３混成軌道からなる３級炭素の置換基が有効である。例えば、ｔｅｒｔ−ブチル基やビシクロ［２．２．２］オクタン−１−イル基、１−アダマンチル基等が好ましい。
【００２５】
排除体積の大きなアルキル基を導入することで、以下の少なくとも何れかが期待できる。
効果１．高純度かつ、高収率で得ることが可能である。
効果２．窒素原子の配位能力を抑制することで、孤立電子対によるイオン性不純物の取り込みを抑制し、有機発光素子の寿命が向上する。
効果３．分子間相互作用を抑制し、発光材料の濃度消光を抑制できる。濃度消光とは高濃度の場合に発光強度が低下する現象のことである。
【００２６】
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５で表されるアルキル基として、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。また、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５で表されるアルキル基は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
【００２７】
しかしながら、Ｒ３は、錯体の精製の観点から分子量の小さいアルキル基や置換または未置換のフェニル基が好ましい。また、錯体が励起して、中心金属から配位子へ電荷移動遷移した際に置換基が遊離しにくい方が素子の寿命にとって良いという観点からも、アルキル基や置換または未置換のフェニル基が好ましい。また、Ｒ３で表されるフェニル基が置換しても良い置換基はメチル基、エチル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。しかしながら、分子量の観点からメチル基やエチル基が好ましい。
【００２８】
また、Ｒ５は、錯体の精製の観点から分子量の小さい水素原子やアルキル基が好ましい。また、電子供与することにより、電子状態を変化させて錯体の発光色を変化させたい場合にはアルキル基が置換することが有効である。具体的には、メチル基やエチル基が好ましい。
【００２９】
Ｒ６は、立体的に隣接する配位子と近いため、錯体の合成収率の観点から、排除体積の小さい置換基が好ましい。具体的には水素原子、シアノ基が好ましい。また、金属からのバックドネーションをより大きくして、配位子場の分裂を大きくするために、シアノ基が置換することが有効である。
【００３０】
本発明に係るイリジウム錯体は、有機発光素子の発光層のゲスト材料またはホスト材料として用いることができる。有機発光素子は対向する一対の電極とその間に配置される発光層を有している。有機発光素子は発光層以外に別の層を有しても良い。
【００３１】
本発明に係るイリジウム錯体は、発光層以外の層、即ちホール注入層、ホール輸送層、ホール・エキシトンブロッキング層、電子輸送層、あるいは電子注入層のいずれの層に適宜用いることができる。ここでホスト材料とゲスト材料とは、発光層を構成する化合物の中で、重量比が最も大きいものがホスト材料であり、発光層を構成する化合物の中でホスト材料よりも重量比が小さいものがゲスト材料である。
【００３２】
本発明に係るイリジウム錯体は、有機発光素子の発光層のゲスト材料として好ましく用いることができる。特に青色あるいは緑色発光素子のゲスト材料として用いられることが好ましい。
【００３３】
本発明に係るイリジウム錯体の基本骨格に、置換基を導入することで発光波長を変化させることが可能である。発光波長を変化させる置換基としては、アルキル基やシアノ基等が挙げられる。
【００３４】
本発明に係るイリジウム錯体を発光層のゲスト材料として用いる場合は、ホスト材料はこのイリジウム錯体よりもＬＵＭＯ準位が高い材料、言い換えれば真空順位により近いホスト材料を用いることが好ましい。というのも本発明に係るイリジウム錯体はＬＵＭＯ準位が低いため発光層、すなわちホスト材料に供給される電子をホスト材料からより良好に受けることができるからである。ＬＵＭＯ準位とは最低空軌道準位の略である。なおＨＯＭＯ準位とは最高被占準位の略である。ホスト材料とゲスト材料の更なる説明は後述する。
【００３５】
（本発明に係るイリジウム錯体の例示）
上記一般式（１）に該当する化合物の具体例を以下に示す。本発明はこれらに限られるものではない。
【００３６】
【化６】
【００３７】
【化７】
【００３８】
【化８】
【００３９】
【化９】
【００４０】
本発明のイリジウム錯体の特徴を以下の４つの群として挙げた。
（ｐｉ１−１乃至ｐｉ１−５）
一般式（１）のＲ１とＲ２に相当するトリアジン環の孤立電子対を立体的に覆う排除体積の大きな置換基を有し、フェニル環とイミダゾール環が無置換のＩｒ錯体群。
（ｐｉ２−１乃至ｐｉ２−１１）
イミダゾール環の窒素に置換または未置換のフェニル基が置換して、中心金属から配位子へ電荷移動遷移した際に置換基がより遊離しにくくなったＩｒ錯体群。
（ｐｉ３−１乃至ｐｉ３−１０）
イミダゾール環に電子供与基が置換して電子状態を変えて発光の最大波長を４５０ｎｍから５００ｎｍの間で調節できるＩｒ錯体群。
（ｐｉ４−１乃至ｐｉ４−５）
フェニル環に電子求引基が置換して金属からのバックドネーションをより大きくし、配位子場分裂幅を大きくさせたＩｒ錯体群。
【００４１】
以上のように例示化合物を挙げた。また本発明に係るイリジウム錯体の基本骨格は置換基を設けることにより青から緑色に発光しうる。
【００４２】
（合成ルートの説明）
本発明に係るイリジウム錯体の合成ルートの一例を説明する。以下に反応式を記す。
【００４３】
一般式（１）で示される有機化合物の配位子は、文献 Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．，（２００８），Ｖｏｌ．４７，８２４６−８２５０、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，（２００７），Ｖｏｌ．９，４１９５−４１９８、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ，（２００５），Ｖｏｌ．８１，１０５−１１１、ＷＯ２００８／１２４８５０号公報、Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．，（２００７），Ｖｏｌ．５０，５２８−５４２等を参考にして以下に示す合成ルート１、２、３、４のように合成することができる。
【００４４】
置換基についても前記文献において種々の置換基を導入しているのでｔｅｒｔ−ブチル基を例えば１−アダマンチル基といった他の置換基に置き換えて合成することができる。また同様に水素原子を例えば、アルキル基、シアノ基といった他の置換基に置き換えて合成することができる。
【００４５】
＜合成ルート１＞
【００４６】
【化１０】
【００４７】
＜合成ルート２＞
【００４８】
【化１１】
【００４９】
＜合成ルート３＞
【００５０】
【化１２】
【００５１】
＜合成ルート４＞
【００５２】
【化１３】
【００５３】
原料Ｐ１乃至Ｐ６を変える事による配位子への置換基の導入合成例を以下に示す。ただし、これらの合成例によって、これらに限定されるものではない。
【００５４】
【化１４】
【００５５】
【化１５】
【００５６】
【化１６】
【００５７】
【化１７】
【００５８】
【化１８】
【００５９】
【化１９】
【００６０】
【化２０】
【００６１】
この様にして合成できる種々の配位子は以下の合成ルート５、合成ルート６もしくは合成ルート７の様に合成することで、例示に示す錯体にする事ができるが、これらに限定されるものではない。
【００６２】
＜合成ルート５＞
【００６３】
【化２１】
【００６４】
＜合成ルート６＞
【００６５】
【化２２】
【００６６】
＜合成ルート７＞
【００６７】
【化２３】
【００６８】
（有機発光素子の説明）
次に本発明に係る有機発光素子を説明する。
【００６９】
本発明に係る有機発光素子は一対の電極である陽極と陰極とそれらの間に配置される有機化合物層とを少なくとも有する。この有機化合物層が一般式（１）で表されるイリジウム錯体を有する。有機発光素子とは、前記陽極および前記陰極からキャリアを注入することで前記有機化合物層中の発光性イリジウム錯体の励起子を生成させ、該励起子が基底状態に戻る際に光を放出する素子である。
【００７０】
この有機化合物層が発光層である場合、発光層は本発明に係るイリジウム錯体のみから構成されていても良いし、発光層には他の成分が存在しても良い。
【００７１】
発光層が本発明に係るイリジウム錯体を一部有しても良い場合とは、本発明に係るイリジウム錯体が発光層の主成分であってもよく、あるいは副成分であってもよい。
【００７２】
ここで主成分と副成分とは、発光層を構成する化合物の中で重量比が最も大きいものを主成分と呼び、主成分よりも重量比が小さいものを副成分と呼ぶ。
【００７３】
主成分である材料は、ホスト材料と呼ぶこともできる。
【００７４】
副成分である材料は、ドーパント（ゲスト）材料である。他にも発光アシスト材料、電荷注入材料を副成分として挙げることができる。
【００７５】
なお、本発明に係るイリジウム錯体をゲスト材料として用いる場合、ホスト材料に対するゲスト材料の濃度は０．０１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であることが好ましく、０．５ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であることがより好ましい。
【００７６】
本発明者らは種々の検討を行い、本発明の前記一般式（１）で表されるイリジウム錯体を発光層のホスト材料またはゲスト材料、特にゲスト材料として用いた素子が高効率で高輝度な光出力を有し、耐久性が高いことを見出した。
【００７７】
以下に、本発明に係るイリジウム錯体を用いた有機発光素子の例を示す。
【００７８】
本発明に係るイリジウム錯体を用いて作製される有機発光素子としては、基板上に、順次陽極、発光層、陰極を設けた構成のものが挙げられる。他にも順次陽極、ホール輸送層、電子輸送層、陰極）を設けた構成のものが挙げられる。また順次陽極、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、陰極を設けた構成が挙げられる。他にも順次陽極、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、陰極を設けた構成や順次、陽極、ホール輸送層、発光層、ホール・エキシトンブロッキング層、電子輸送層、陰極を設けた構成が挙げられる。ただしこれら５種の多層型の例はあくまでごく基本的な素子構成であり、本発明に係るイリジウム錯体を用いた有機発光素子の構成はこれらに限定されるものではない。例えば、電極と有機化合物層界面に絶縁性層を設ける、接着層あるいは干渉層を設ける、電子輸送層もしくはホール輸送層がイオン化ポテンシャルの異なる２層から構成されるなど多様な層構成をとることができる。
【００７９】
本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体は、該発光素子の有機化合物層としていずれの層構成でも使用することができる。
ここで本発明のイリジウム錯体以外にも、必要に応じて他の化合物を一緒に用いることができる。例えばホール注入性化合物あるいは輸送性化合物、あるいはホスト材料であるホスト化合物、あるいは発光性化合物、あるいは電子注入性化合物あるいは電子輸送性化合物等である。これら化合物は従来公知の低分子系あるいは高分子系の化合物である。
【００８０】
以下にこれらの化合物例を挙げる。
【００８１】
ホール注入性化合物あるいはホール輸送性化合物としては、ホール移動度が高い材料であることが好ましい。正孔注入性能あるいは正孔輸送性能を有する低分子及び高分子系材料としては、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【００８２】
ホスト化合物としては、具体的な構造式を以下表に示す。ホスト化合物は以下表に示す構造式を有する誘導体である化合物であってもよい。またそれ以外に、縮環化合物（例えばフルオレン誘導体、ナフタレン誘導体、カルバゾール誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体等）、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、有機亜鉛錯体、及びトリフェニルアミン誘導体、ポリ（フルオレン）誘導体、ポリ（フェニレン）誘導体等の高分子誘導体が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【００８３】
電子注入性化合物あるいは電子輸送性化合物としては、ホール注入性化合物あるいはホール輸送性化合物のホール移動度とのバランス等を考慮し選択される。電子注入性能あるいは電子輸送性能を有する化合物としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機アルミニウム錯体等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【００８４】
【化２４】
【００８５】
陽極材料としては、仕事関数がなるべく大きなものがよい。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン等の金属単体あるいはこれらの合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物である。また、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性ポリマーでもよい。これらの電極物質は単独で使用してもよいし複数併用して使用してもよい。また、陽極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。
【００８６】
一方、陰極材料としては、仕事関数の小さなものがよい。例えば、リチウム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロム等の金属単体が挙げられる。あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えば、マグネシウム−銀、アルミニウム−リチウム、アルミニウム−マグネシウム等が使用できる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は単独で使用してもよいし、複数併用して使用してもよい。また、陰極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。
【００８７】
本発明に係る有機発光素子において、本発明に係るイリジウム錯体を含有する層及びその他の有機化合物からなる層は、以下に示す方法により形成される。一般には真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマあるいは、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等）により薄膜を形成する。ここで真空蒸着法や溶液塗布法等によって層を形成すると、結晶化等が起こりにくく経時安定性に優れる。また塗布法で成膜する場合は、適当なバインダー樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。
【００８８】
上記バインダー樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、尿素樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらバインダー樹脂は、ホモポリマー又は共重合体として１種単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤を併用してもよい。
【００８９】
本発明に係る有機発光素子は、表示装置や照明装置に用いることができる。他にも電子写真方式の画像形成装置の露光光源や、液晶表示装置のバックライトなどがある。
【００９０】
表示装置は本発明に係る有機発光素子を表示部に有する。表示部とは画素を有しており、該画素は本発明に係る有機発光素子を有する。表示装置はＰＣ等の画像表示装置として用いることができる。
【００９１】
表示装置はデジタルカメラやデジタルビデオカメラ等の撮像装置の表示部に用いられてもよい。撮像装置は該表示部と撮像するための撮像光学系を有する撮像部とを有する。
【００９２】
次に、本発明に係る有機発光素子を使用した表示装置について説明する。
【００９３】
図１は、本発明に係る有機発光素子とそれを駆動するための有機発光素子に接続されているスイッチング素子であるＴＦＴを有する基板の断面構造を示した模式図である。構造の詳細を以下に説明する。
【００９４】
図１の表示装置３は、ガラス等の基板３１とその上部にＴＦＴ又は有機化合物層を保護するための防湿膜３２が設けられている。また符号３３はＣｒ等の金属のゲート電極３３である。符号３４はゲート絶縁膜３４であり３５は半導体層である。
【００９５】
ＴＦＴ素子３８は半導体膜３５とドレイン電極３６とソース電極３７とを有している。ＴＦＴ素子３８の上部には絶縁膜３９が設けられている。コンタクトホール（スルーホール）３１０を介して有機発光素子の陽極３１１とソース電極３７とが接続されている。
【００９６】
有機化合物層３１２は本図では多層の有機化合物層を１つの層の如き図示をしている。陰極３１３の上には有機発光素子の劣化を抑制するための第一の保護層３１４や第二の保護層３１５が設けられている。
【００９７】
有機発光素子はＴＦＴ素子により発光輝度が制御される。有機発光素子を複数面内に設けることでそれぞれの発光輝度により画像を表示することができる。ＴＦＴをスイッチング素子の一例としてあげたが他にもＭＩＭ素子等を用いることができる。
【００９８】
本発明の有機発光素子を用いた表示装置を駆動することにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。
【実施例】
【００９９】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明していくが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１００】
＜実施例１＞
例示化合物ｐｉ１−１の合成
【０１０１】
【化２５】
【０１０２】
【化２６】
【０１０３】
（中間体１−２、１−３の合成）
化合物１−１、２５．０８ｇ（１３７．８ｍｍｏｌ）、メチルアミノアセトアルデヒドジメチルアセタール、１４．７９ｇ（１２４．１ｍｍｏｌ）、塩化銅（Ｉ）、１３．６４ｇ（１３７．８ｍｏｌ）を窒素雰囲気中で９０度に昇温し１２時間攪拌した。反応後、混合物を１，４−ジオキサン２５０ｍｌに溶解させ、室温にて５規定の水酸化ナトリウム水溶液を８０ｍｌを加えて１時間攪拌した。セライトでろ過した後、濃縮し、蟻酸１５０ｍｌを加え、窒素雰囲気中で１１０度に昇温し２時間攪拌した。反応後、炭酸水素ナトリウムの飽和水溶液で中和し、有機層を酢酸エチルで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮した。シリカゲルカラム（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝１／１）で精製し、化合物１−２と１−３の混合物を１４．６ｇ（収率５５．４％）得た。
【０１０４】
（中間体１−４の合成）
化合物１−２と１−３の混合物、１４．６ｇ（６８．７ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン、２２．６８ｇ（８９．３ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、２．３７ｇ（４．１２ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル、３．３８ｇ（８．２４ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム、２０．２３ｇ（２０６．１ｍｍｏｌ）を脱水１，４−ジオキサン３００ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気中で１０５度に昇温し、５時間攪拌した。反応後、１００ｍｌの水を加え、有機層をトルエンで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮した。シリカゲルカラム（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝１／２）で精製し、化合物１−４を５．７ｇ（収率２９．１％）得た。
【０１０５】
（中間体１−６の合成）
化合物１−５、４０．０ｇ（２１６．９ｍｍｏｌ）、塩化銅（Ｉ）、１．５ｇ（７．８８ｍｏｌ）を脱水テトラヒドロフラン１５０ｍｌに溶解させ、氷点下５度でｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムクロリド（２３％テトラヒドロフラン溶液）、２１０ｍｌ（４２０．０ｍｍｏｌ）を滴下しながら添加した。添加後、０度にて３時間攪拌し、１００ｍｌの水を加えた。反応後、セライトでろ過し、有機層を酢酸エチルで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮した。シリカゲルカラム（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝４／１）で精製し、化合物１−６を４１．２ｇ（収率８３．３％）得た。
【０１０６】
（中間体１−７の合成）
化合物１−４、５．２ｇ（１８．３ｍｍｏｌ）、化合物１−６、４．５８（２０．１ｍｍｏｌ）をトルエン８０ｍｌ、エタノール４０ｍｌ、二規定の炭酸セシウム水溶液４０ｍｌの混合溶液に溶解させ、窒素雰囲気中、室温で攪拌下、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１．４１ｇ（１．２２ｍｍｏｌ）を添加した。８５度に昇温し、４時間攪拌した。反応後、有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮した。シリカゲルカラム（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝２／１）で精製し、化合物１−７を５．９ｇ（収率８４．０％）得た。
１Ｈ−ＮＭＲ測定（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）により、この化合物の構造を確認した。σ（ｐｐｍ）：８．８３（ｓ，１Ｈ），８．６４−８．６２（ｄ，１Ｈ），７．８９−７．８７（ｄ，１Ｈ），７．６１−７．５７（ｔ，１Ｈ），７．１７（ｓ，１Ｈ），７．０２（ｓ，１Ｈ），３．８２（ｓ，３Ｈ），１．４４（ｓ，１８Ｈ）
【０１０７】
（中間体１−８の合成）
化合物１−７，１．０ｇ（２．８６ｍｍｏｌ），塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物，０．４６ｇ（１．３０ｍｍｏｌ）を２−エトキシエタノール３０ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気中で１２０度に昇温し１２時間攪拌した。反応終了後、５０ｍｌの水を加え、析出した粉をメンブレンフィルターでろ取し、水とメタノールで洗浄した。乾燥後、化合物１−８を１．７ｇ（収率７０．７％）得た。
【０１０８】
（中間体１−９の合成）
化合物１−８、１．５ｇ（０．８１ｍｍｏｌ）、アセチルアセトン２．０ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム、３．４ｇ（３２．１ｍｍｏｌ）を２−エトキシエタノール２５ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気中で９０度に昇温し、５時間攪拌した。反応後、水を１００ｍｌ添加し、有機層をトルエンで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮した。シリカゲルカラム（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝１／１）で精製し、化合物１−９を１．２ｇ（収率３７．５％）得た。
１Ｈ−ＮＭＲ測定（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）により、この化合物の構造を確認した。σ（ｐｐｍ）：８．６５（ｓ，１Ｈ）、８．６４（ｓ，１Ｈ），７．８３−７．８２（ｄ，１Ｈ）、７．８１−７．８０（ｄ，１Ｈ），７．０４−７．０３（ｄ，２Ｈ），６．９７（ｄ，２Ｈ），６．５６（ｓ，１Ｈ），６．５４（ｓ，１Ｈ），５．１８（ｓ，１Ｈ），４．２４（ｓ，６Ｈ），１．８０（ｓ，６Ｈ），１．３４（ｓ，３６Ｈ）
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）によりこの化合物のＭ＋である１２３７を確認した。
【０１０９】
（ｐｉ１−１の合成）
化合物１−９、０．４５ｇ（０．４５ｍｍｏｌ）、化合物１−７、０．９５ｇ（２．７１ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気中で２２０度に昇温し、１２時間攪拌した。反応後、ヘプタンを添加し、析出した粉をろ取した。ろ取した粉をトルエンに溶解させ、シリカゲルカラム（展開溶媒：トルエン）で精製し、化合物ｐｉ１−１のフェイシャル体を１８５ｍｇ（収率３３．１％）得た。
１Ｈ−ＮＭＲ測定（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）により、この化合物の構造を確認した。σ（ｐｐｍ）：８．７６−８．７５（ｄ，３Ｈ），７．９７−７．９５（ｄｄ，３Ｈ），７．１６−７．１４（ｄ，３Ｈ），６．７３−６．７２（ｄ，３Ｈ），６．４１（ｄ，３Ｈ），４．１２（ｓ，９Ｈ），１．３７（ｓ，５４Ｈ）
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）によりこの化合物のＭ＋である１２３７を確認した。
【０１１０】
次に化合物ｐｐ１−１と下記に示すＩｒ（Ｐｉｍ）３との発光特性の比較を行った。
【０１１１】
【化２７】
【０１１２】
化合物ｐｉ１−１の１×１０−５ｍｏｌ／ｌにおけるトルエン溶液の室温での発光スペクトルを、日立製Ｆ−４５００を用いて３５０ｎｍの励起波長においてフォトルミネッセンスの測定を行った結果を図２に示す。図２には比較例としてＩｒ（Ｐｉｍ）３の結果も合わせて示してある。図２は測定データの重ね書きであり、第１ピークを１．０として重ね合わせたスペクトルである。
【０１１３】
図２に示すように、化合物ｐｉ１−１は４８７ｎｍに最大強度の第１ピークを有し、５１５ｎｍ付近に第２ピークを有する、半値幅３５ｎｍのスペクトルであった。比較化合物Ｉｒ（Ｐｉｍ）３は４６７ｎｍに第１ピークを有し、４９８ｎｍに最大強度の第２ピークを有する、半値幅７０ｎｍのスペクトルであった。
【０１１４】
次いで化合物ｐｉ１−１の１×１０−５ｍｏｌ／ｌにおけるトルエン溶液の７７Ｋでの発光スペクトルを、日立製Ｆ−４５００を用いて３５０ｎｍの励起波長においてフォトルミネッセンスの測定を行った結果を図３に示す。図３には比較例として同様にＩｒ（Ｐｉｍ）３の同条件でのＰＬ測定の結果も合わせて示してある。図３は測定データの重ね書きであり、最大強度の第１ピークを１．０として重ね合わせたスペクトルである。
【０１１５】
図３に示すように、化合物ｐｉ１−１は４９１ｎｍに最大強度の第１ピークを有し、５２７ｎｍに第２ピークを有するスペクトルであった。また、最大強度の第１ピークを１．０としたときの第２ピークの大きさは０．３０であった。比較化合物Ｉｒ（Ｐｉｍ）３は４６２ｎｍに最大強度の第１ピークを有し、４９５ｎｍに第２ピークを有するスペクトルであった。また、最大強度の第１ピークを１．０としたときの第２ピークの大きさは０．６２であった。
【０１１６】
また、化合物ｐｉ１−１の室温、溶液状態での絶対量子収率を浜松ホトニクス社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０−０２）を用いて測定したところ、０．８０であった。また、比較化合物Ｉｒ（Ｐｉｍ）３の絶対量子収率を１．００としたときの化合物ｐｉ１−１の絶対量子収率は１．１４であった。
【０１１７】
次に、化合物ｐｉ１−１と一般的な青色である下記に示すｂＩｒ−０１と一般的な緑色であるｇＩｒ−０１との発光特性の比較を行った。
【０１１８】
【化２８】
【０１１９】
化合物ｐｉ１−１の１×１０−５ｍｏｌ／ｌにおけるトルエン溶液の室温での発光スペクトルを、日立製Ｆ−４５００を用いて３５０ｎｍの励起波長においてフォトルミネッセンスの測定を行った結果を図４に示す。図４には比較例として青色発光を示す同じホモレプティック錯体であるｂＩｒ−０１と緑色発光を示すホモレプティック錯体であるｇＩｒ−０１のＰＬ測定の結果も合わせて示してある。図４は測定データの重ね書きであり、第１ピークを１．０として重ね合わせたスペクトルである。
【０１２０】
図４に示すように、化合物ｐｉ１−１は４８７ｎｍに最大強度の第１ピークを有し、５１５ｎｍ付近に第２ピークを有する、半値幅３５ｎｍのスペクトルであった。比較化合物ｂＩｒ−０１は４６８ｎｍに第１ピークを有し、４９２ｎｍに最大強度の第２ピークを有する、半値幅６６ｎｍのスペクトルであった。また、比較化合物ｇＩｒ−０１は５１０ｎｍに最大強度の第１ピークを有し、５４０ｎｍ付近に第２ピークを有する半値幅５８ｎｍのスペクトルであった。
【０１２１】
次いで化合物ｐｉ１−１の１×１０−５ｍｏｌ／ｌにおけるトルエン溶液の７７Ｋでの発光スペクトルを、日立製Ｆ−４５００を用いて３５０ｎｍの励起波長においてフォトルミネッセンスの測定を行った結果を図５に示す。図５には比較例として同様にｂＩｒ−０１とｇＩｒ−０１の同条件でのＰＬ測定の結果も合わせて示してある。図５は測定データの重ね書きであり、最大強度の第１ピークを１．０として重ね合わせたスペクトルである。
【０１２２】
図５に示すように、化合物ｐｉ１−１は４９１ｎｍに最大強度の第１ピークを有し、５２７ｎｍに第２ピークを有するスペクトルであった。また、最大強度の第１ピークを１．０としたときの第２ピークの大きさは０．３０であった。比較化合物ｂＩｒ−０１は４６０ｎｍに最大強度の第１ピークを有し、４９２ｎｍに第２ピークを有するスペクトルであった。また、最大強度の第１ピークを１．０としたときの第２ピークの大きさは０．７７であった。比較化合物ｇＩｒ−０１は５００ｎｍに最大強度の第１ピークを有し、５３５ｎｍに第２ピークを有するスペクトルであった。また、最大強度の第１ピークを１．０としたときの第２ピークの大きさは０．４５であった。
【０１２３】
以上より、本発明に関わるイリジウム錯体は半値幅も第２ピークも小さく、高い量子収率を有するため、有機発光素子用材料として優れていることが分かる。
【０１２４】
＜実施例２＞
有機発光素子を以下に示す方法で作成した。
【０１２５】
基板としてのガラス基板上に、陽極としての酸化錫インジウム（ＩＴＯ）をスパッタ法にて１２０ｎｍの膜厚で成膜したものを透明導電性支持基板として用いた。これをアセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄し、次いでＩＰＡで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾン洗浄したものを透明導電性支持基板として使用した。
【０１２６】
下記に示す化合物２−１の０．３重量％のクロロホルム溶液を準備し、基板上に準備した溶液を垂らし、１０００ｒｐｍで４０秒の条件でスピンコートすることでホール注入層として化合物２−１を３０ｎｍの膜厚に形成した。次いでホール輸送層として下記に示す化合物２−１を用いて、真空蒸着法にて２０ｎｍの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は１．０×１０−４Ｐａ、成膜速度は０．１ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。
【０１２７】
次に、ホール輸送層の上に発光層として、ホストである下記に示す化合物２−２とゲストである例示化合物ｐｉ１−１を、ｐｉ１−１の含有量が発光層の全体量に対して１０重量％となるように共蒸着した。このとき発光層の膜厚を４０ｎｍとした。また蒸着時の真空度を１．０×１０−４Ｐａ、成膜速度を０．１ｎｍ／ｓｅｃとした。
【０１２８】
更に電子輸送層として下記化合物２−３を真空蒸着法にて３０ｎｍの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は１．０×１０−４Ｐａ、成膜速度は０．２−０．３ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。
【０１２９】
【化２９】
【０１３０】
次に、フッ化リチウムを先ほどの有機層の上に、真空蒸着法により厚さ０．５ｎｍ形成し、更に真空蒸着法により厚さ１５０ｎｍのアルミニウム膜を設け、アルミニウム−リチウム合金膜を電子注入電極（陰極）とする有機発光素子を作成した。蒸着時の真空度は１．０×１０−４Ｐａ、成膜速度は１．０−１．２ｎｍ／ｓｅｃの条件で成膜した。
【０１３１】
得られた有機ＥＬ素子は、水分の吸着によって素子劣化が起こらないように、乾燥空気雰囲気中で保護用ガラス板をかぶせ、アクリル樹脂系接着材で封止した。
【０１３２】
この様にして得られた素子に、ＩＴＯ電極（陽極）を正極、Ａｌ電極（陰極）を負極にして、電流電圧特性をヒューレッドパッカード社製・微小電流計４１４０Ｂで測定し、発光輝度は、トプコン社製ＢＭ７で測定した。８．０Ｖの印加電圧で、発光輝度１００ｃｄ／ｍ２を観測し、その時の外部量子効率（Φｅｘｅ）は１５．０％であり、高効率で発光することが確認された。また最大波長４９４ｎｍの青緑色発光が観測された。
【０１３３】
さらに、窒素雰囲気下で電流密度を１ｍＡ／ｃｍ２に保ち、電圧を印加したところ、初期輝度に対する１０時間後の輝度劣化は小さかった。
【０１３４】
（結果と考察）
本発明に係わるイリジウム錯体は高い量子収率と青から緑色に適した発光を有する新規化合物であり、有機発光素子に用いた場合、良好な発光特性を有する発光素子を作ることができる。
【符号の説明】
【０１３５】
３１１ 陽極
３１２ 有機化合物層
３１３ 陰極
３８ ＴＦＴ素子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）に示されるイリジウム錯体。
【化１】
（一般式（１）において、
Ｈは水素原子、Ｎは窒素原子、Ｉｒはイリジウム原子である。
Ｒ１とＲ２はいずれもアルキル基である。
Ｒ３はアルキル基、置換あるいは未置換のフェニル基である。
Ｒ４とＲ５はそれぞれ水素原子、アルキル基から選ばれる。
Ｒ６は水素原子あるいはシアノ基である。）
【請求項２】
一般式（１）において、前記Ｒ１とＲ２がいずれもｔｅｒｔ−ブチル基であることを特徴とする請求項１に記載のイリジウム錯体。
【請求項３】
一般式（１）において、Ｒ４とＲ５とＲ６がいずれも水素原子であることを特徴とする請求項２に記載のイリジウム錯体。
【請求項４】
陰極と陽極と、前記陽極と陰極の間に配置される有機化合物層とを有する有機発光素子において、前記有機化合物層は請求項１乃至３記載のいずれか一項に記載のイリジウム錯体を有することを特徴とする有機発光素子。
【請求項５】
前記有機化合物層は発光層であることを特徴とする請求項４に記載の有機発光素子。
【請求項６】
複数の画素を有し、前記複数の画素のそれぞれは、請求項４乃至５記載のいずれか一項に記載の有機発光素子と前記有機発光素子に接続されるスイッチング素子を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項１】
下記一般式（１）に示されるイリジウム錯体。
【化１】
（一般式（１）において、
Ｈは水素原子、Ｎは窒素原子、Ｉｒはイリジウム原子である。
Ｒ１とＲ２はいずれもアルキル基である。
Ｒ３はアルキル基、置換あるいは未置換のフェニル基である。
Ｒ４とＲ５はそれぞれ水素原子、アルキル基から選ばれる。
Ｒ６は水素原子あるいはシアノ基である。）
【請求項２】
一般式（１）において、前記Ｒ１とＲ２がいずれもｔｅｒｔ−ブチル基であることを特徴とする請求項１に記載のイリジウム錯体。
【請求項３】
一般式（１）において、Ｒ４とＲ５とＲ６がいずれも水素原子であることを特徴とする請求項２に記載のイリジウム錯体。
【請求項４】
陰極と陽極と、前記陽極と陰極の間に配置される有機化合物層とを有する有機発光素子において、前記有機化合物層は請求項１乃至３記載のいずれか一項に記載のイリジウム錯体を有することを特徴とする有機発光素子。
【請求項５】
前記有機化合物層は発光層であることを特徴とする請求項４に記載の有機発光素子。
【請求項６】
複数の画素を有し、前記複数の画素のそれぞれは、請求項４乃至５記載のいずれか一項に記載の有機発光素子と前記有機発光素子に接続されるスイッチング素子を有することを特徴とする画像表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１１−１２１８７４（Ｐ２０１１−１２１８７４Ａ）
【公開日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２７８９６６（Ｐ２００９−２７８９６６）
【出願日】平成２１年１２月８日（２００９．１２．８）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月８日（２００９．１２．８）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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