説明

有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法

【課題】本発明の目的は、ロールツウロール方式により製造される有機ELパネルにおいても、水分や酸素に対するバリア耐性を低下させることなく、保護膜形成時の製造負荷を低減させた有機ELパネルの製造方法を提供することにある。
【解決手段】フレキシブル基板上に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、該有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成する、ロールツウロール方式による有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、有機EL素子の形成に続きインラインで第1の保護膜を形成した後、有機EL素子を形成する工程とは別に、オフラインでさらに第2の保護膜を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子上に保護膜を形成する有機ELパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、自発光素子として有機EL素子が注目されている。有機EL素子は、ガラス等の基板上に薄膜の有機化合物からなる発光層を電極で挟持した構成で、電極間に電流を供給すると発光する素子である。
【0003】
有機EL素子を安価に量産するために、有機EL素子を、樹脂フィルム等のフレキシブル基板上に、ロールツウロール方式により形成する生産技術が考案されている(例えばWO01/005194号明細書参照)。
【0004】
有機EL素子は、水分や酸素による劣化が起きるため、信頼性の観点から外気と完全に遮断する封止を行うことが必要である。従来のロールツウロール方式では、真空環境下においてロールから繰り出したフレキシブル基板に有機EL素子を形成した後、再びロールに巻き取り、その後、真空環境下から不活性ガスを充填した容器に移して、次の工程に搬送している。
【0005】
しかしながら、不活性ガスの容器内の環境は、有機EL素子が製膜されたときの真空環境下に比べて水分や酸素の低減が充分でない。したがって、封止される前の不活性ガスの環境下での搬送時に、有機EL素子が劣化して製品寿命を縮める恐れが高い。
【0006】
一方、薄膜の封止方法として、窒化膜や窒化酸化膜等の安定した薄膜のバリア膜により有機EL素子を覆う方法が知られている。バリア膜の形成は、電子ビーム法、スパッタリング法、プラズマCVD法、イオンプレーティング法等の薄膜製膜法により真空環境下で行われ、高融点材料や化合物でも比較的容易に膜形成が可能である。
【0007】
バリア膜形成法の従来技術として、特許文献1に、ターゲット式のスパッタ装置の技術が開示されている。しかしながら、従来のバリア膜は、有機EL素子の突起等の表面状態によりクラックが発生すると、特に高温高湿環境下における水分透過率が不充分になる。また、バリアの膜強度不足のため、外部要因によるキズや擦れに対する耐傷性が充分ではなかった。
【0008】
また、別の封止方法として、特許文献2においては、有機EL素子にシート状の封止部材を貼り合わせる技術が開示されている。しかしながら、この様な封止作業を大気圧環境下で行おうとすると有機EL素子の水分や酸素による劣化が問題となる。
【0009】
本発明は上記点に鑑みてなされたもので、その目的はロールツウロール方式で生産される有機EL素子の封止工程による性能劣化を低減させた有機ELパネルの製造方法を提供することにある。
【特許文献1】特開2002−332567号公報
【特許文献2】特開2005−4063号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
従って、本発明の目的は、ロールツウロール方式により製造される有機ELパネルにおいても、水分や酸素に対するバリア耐性を低下させることなく、保護膜形成時の製造負荷を低減させた有機ELパネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明が解決しようとする上記の課題は、以下の手段により達成される。
【0012】
1.フレキシブル基板上に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、該有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成する、ロールツウロール方式による有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、有機EL素子の形成に続きインラインで第1の保護膜を形成した後、有機EL素子を形成する工程とは別に、オフラインでさらに第2の保護膜を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【0013】
2.前記第1の保護膜の形成は、真空環境下において、電子ビーム法、スパッタリング法、プラズマCVD法、イオンプレーティング法のいずれかの方法により行われることを特徴とする前記1記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【0014】
3.前記第1の保護膜は、窒化酸化シリコンまたは窒化シリコンのいずれかであることを特徴とする前記1または2記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【0015】
4.前記第2の保護膜の形成は、大気圧環境下であって、露点温度が−10℃以下の乾燥条件下で実施することを特徴とする前記1〜3のいずれか1項記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【0016】
5.前記第2の保護膜の形成は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子および第1の保護膜が形成されたフレキシブル基板に樹脂フィルムを貼り付けて行うことを特徴とする前記1〜4のいずれか1項記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【0017】
6.前記樹脂フィルムに、第3のバリア膜が予め形成されていることを特徴とする前記5記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【0018】
7.前記樹脂フィルムの貼り付けは、中間層を介して行うことを特徴とする前記5または6記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【発明の効果】
【0019】
本発明により、ロールツウロール方式で生産される有機EL素子の封止工程による性能劣化を低減させた有機ELパネルの製造方法が提供された。
【発明を実施するための最良の形態】
【0020】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【0021】
本発明におけるロールツウロール方式とは、ロール状に巻いた、例えば長さ数百メートル、幅1メートルほどの連続したフレキシブル基板、例えばフィルムを繰り出して、間欠的、或いは連続的に搬送しながら該フレキシブル基板上に有機EL素子を形成し、再びロールに巻き取る方式である。
【0022】
有機EL素子の形成工程に前後して、素子駆動のための回路パターンの形成や、素子を覆う保護フィルムを貼り合わせてからロールに巻き取らせてもよい。
【0023】
個別に切り離された基板を工程毎に搬送する枚葉方式とロールツウロール方式を比較すると、枚葉方式では、それぞれの工程に基板の搬入部、搬出部を設ける必要があり、工程毎の装置規模が大きくなりやすいが、ロールツウロール方式では、基板は各工程間を間欠或いは連続的に流れるため各工程を互いに連結でき、基板搬送に伴う作業の削減や装置の小型化が可能となる。
【0024】
本発明におけるロールツウロール方式においてインラインとは、ロール状のフレキシブル基板が、有機EL素子が形成される工程に繰り出されてから巻き取られるまでの工程内であることであり、オフラインとは、有機EL素子が形成されたフレキシブル基板が一旦ロール状上に巻き取られた後の工程である。
【0025】
また、本発明における真空条件下とは、1×10-1Pa以下の圧力環境下にあることであり、水分や酸素の残留が少なく、有機EL素子の劣化が低減される環境である。また、大気圧環境下とは、1万Pa〜20万Paの圧力環境下にあることであり、真空環境下に比べて水分や酸素の残留が多い環境である。
【0026】
(発明の実施の形態)
以下、本発明を、実施の形態により説明する。
【0027】
本発明に係わる実施の形態について、その一例を以下、図面に基づいて説明する。
【0028】
先ず、有機EL素子について以下に説明する。
【0029】
図1は、有機EL素子10の模式図である。
図において、有機EL素子10は、基板11上に、第1電極12、有機層13、第2電極14を積層した素子である。
【0030】
第1電極12は、陽極であって、透明にする場合はインジウムチンオキサイド(ITO)、インジウムジンクオキサイド(IZO)、金、酸化錫、酸化亜鉛等の仕事関数が4eV以上で透過率が40%以上の導電性材料による電極である。
【0031】
有機層13は、発光層を含む数nm〜数μmの有機化合物又は錯体等の有機材料からなる単層、または複数の層であり、例えば、陽極と接する正孔輸送層、発光材料を備える発光層、陰極と接する電子輸送層の3層等からなり、フッ化リチウム層や無機金属塩の層、またはそれらを含有する層などが任意の位置に配置されていてもよい。
【0032】
第2電極14は、陰極であって、反射電極とする場合はアルミニウム、ナトリウム、リチウム、マグネシウム、銀、カルシウム等の仕事関数が4eV未満で、反射率が60%以上の金属材料からなる電極である。
【0033】
基板11は、基材としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)等のフレキシブル基板用の基材である。
【0034】
本発明における有機EL素子は、第1電極(陽極)12、第2電極(陰極)14を介して、外部から供給された電流により、有機層13において電子および正孔が結合し、結合により生じた励起エネルギーを利用した発光を行う素子で、有機層13からの光は第1電極(陽極)12を通して取り出される。励起エネルギーを利用する発光としては、1重項励起エネルギーを発光に利用する蛍光、或いは、3重項励起エネルギーを発光に利用する燐光が挙げられる。特に、燐光は、3重項励起子が発光に寄与するため、蛍光に比べ高い発光効率が得られるので、光源として望ましい発光である。
【0035】
有機EL素子10の発光層からの発光は、第1電極12、基板11を透過して取り出されるが、第2電極(陰極)を、薄膜の陰極材料と透過率の高い陽極材料を積層して構成し、実質的に透明として、陰極から光を取り出す、所謂トップエミッションの構成にしてもよい。
【0036】
本発明は、これら有機EL素子にガスバアリア性の保護膜(バリア膜)を形成して、大気中の水や酸素等のガスから遮断、封止する有機ELパネルの製造方法である。保護膜は、第1のバリア膜および好ましくは樹脂製の第2のバリア膜からなっている。
【0037】
次に、本発明に係わる有機EL素子または有機ELパネルを形成する製造プロセスを以下に説明する。
【0038】
図2は、有機ELパネルの製造プロセスのブロック図である。
【0039】
本発明の有機ELパネルの製造方法は、有機EL素子形成工程120、第1の保護膜形成工程130、第2の保護膜形成工程140等からなり、ロールツウロールの製造プロセスにおいて、ロール状のフレキシブル基板を送り出して、有機EL素子形成工程120において有機EL素子を形成後にインラインの第1の保護膜形成工程にて第1のバリア膜を製膜し、製膜されたフレキシブル基板をロール状に巻き取り、その後、巻き取った、ロール状の有機EL素子、第1のバリア膜が形成された基板をオフラインに移し、ここから、第1の保護膜が形成されたフレキシブルな有機EL素子を第2のバリア膜製膜工程へ繰り出して第2の保護膜形成工程において第2のバリア膜を製膜する製造方法である。
【0040】
基板は、あらかじめ第1電極(陽極)がパターニングされた基板である。従来のロールツウロール方式のようにインラインで電極形成のパターニングを行ってもよいが、電極の形成時の金属粉の飛散等による有機EL素子電極間でのショートの懸念があり、このときは金属粉の有機EL素子形成工程への遮断対策が必要である。
【0041】
基板のパターンは、照明用途のときは、面上に電極がパターニングされたもの、ディスプレイ用途のときは、TFTがあらかじめマトリクス状に配置されたアクティブタイプ、或いは、配線がマトリクス状にパターニングされたパッシブタイプでもよい。
【0042】
洗浄工程110は、ロール状に巻かれたフレキシブル基板を繰り出して、プラズマ洗浄等の乾式洗浄、超音波洗浄槽に浸漬させて洗浄した後に乾燥させる等の湿式洗浄、或いは乾式と湿式を組み合わせた工程により基板の洗浄を行う工程である。
【0043】
有機EL素子形成工程120は、蒸着法、インクジェット法、印刷法、塗布法等の周知の技術により有機EL素子が形成される工程である。
【0044】
第1の保護膜形成工程130は、有機EL素子形成工程の後に、インラインで第1のバリア膜を成膜する工程で、製膜方法は、電子ビーム法、スパッタリング法、プラズマCVD法、イオンプレーティング法等の薄膜作製法により真空環境下で有機EL素子を覆うように第1のバリア膜が製膜される工程である。
【0045】
第2の保護膜形成工程140は、有機EL素子、そして第1のバリア膜が形成されたフレキシブル基板をロール状に巻き取った後、オフラインで、再びロールから基板を繰り出して、第1のバリア膜が製膜された基板上に、大気圧環境下において、インクジェット法、印刷法、塗布法等により、あるいは別のバリアフィルムを貼り合わせる等によって、第1のバリア膜の2倍以上の厚みを有する樹脂層を第2のバリア膜として製膜する工程である。
【0046】
第2の保護膜形成工程において、樹脂層を第2のバリア膜として形成する方法としては、前記有機エレクトロルミネッセンス素子および第1の保護膜が形成されたフレキシブル基板に樹脂フィルムを貼り付けて行う方法が好ましい。
【0047】
この様にオフラインで第2の保護膜が形成され、封止されることにより製造された有機ELパネルはロール状に巻き取られる。
【0048】
この様に真空環境下においてバリア膜を前記の電子ビーム法、スパッタリング法、プラズマCVD法、イオンプレーティング法等の薄膜製膜法により形成すると、その後、オフラインで行われる残留ガスの多い大気圧環境下における第2の保護膜の形成において、有機EL素子がこれら残留ガスに晒されることがなく封止を行うことができる。
【0049】
次に、本発明の有機ELパネルの具体的な製造プロセスの詳細を以下に説明する。
【0050】
図3は、本発明の有機ELパネルの製造プロセスの模式図である。
【0051】
ロール状に巻かれたフレキシブル基板10は、洗浄工程110に繰り出されて、超音波洗浄槽111に浸して超音波洗浄を行った後、リンス槽112で純水により洗浄液のリンス、シャワーヘッド113ですすぎを行い、乾燥ゾーン114で乾燥される。
【0052】
その後、バッファゾーン115により後工程との搬送速度が調整され、予備室a(116a)、予備室b(116b)を通って、プラズマ槽116に搬送される。各予備室入り口、予備室間、予備室とプラズマ槽間にはフィルム状の基材を通過させるゲートバルブ117が備えられている。ゲートバルブ117は基板表面、特に有機EL素子形成側となる表面が無接触で丁度通り抜けるだけのオリフィス(バルブを形成しており、間隙を調製できるようになっていることが好ましい)を備えており、これにより、基板は、減圧予備室116a、さらにもう一つの減圧予備室116bと、差動排気によってそれぞれ減圧度が調整されプラズマ槽に搬入される。
【0053】
各減圧予備室およびプラズマ槽は、それぞれ備えられた真空ポンプ(非図示)によって差動排気されており、プラズマ槽までに大気圧環境下から、プラズマ槽で必要とされる真空環境下になるよう調整される。ここでは減圧予備室は二つで示したが、3つ以上の多段で減圧してもよい。ここでは二つの予備室を通過して基板はプラズマ槽に入る。
【0054】
プラズマ槽116おいて基板は、例えば、1×10-4Paの真空環境下で酸素プラズマによる洗浄が行われる。
【0055】
洗浄が行われた後、次に基板10は有機EL素子の形成工程120に搬送される。
【0056】
有機EL素子の形成が行われる蒸着槽121はやはり1×10-4Pa以下の圧力の真空環境下となり、また、前記酸素プラズマによる洗浄槽からの排ガスの混入を避けるためやはり予備室121aが設けられる。即ちプラズマ槽と予備室間、また予備室と蒸着槽間にはゲートバルブを備え、やはり洗浄された表面が接触しないようオリフィス間隙がそれぞれ調整する。また、予備室にはポンプ(図示していない)を接続し排気して圧力の調整、またプラズマ槽と蒸着槽を分離する役割を果たす。
【0057】
有機EL素子の形成工程120では、前記バッファゾーン115により搬送が調整されている間、有機EL素子の形成時に基板10の端部に設けられたマーキング孔15が空いた部分が、蒸着槽内の所定の位置となると搬送が停止し、蒸着槽121において蒸着が行われる。蒸着槽121は、1×10-4Pa以下の圧力の真空環境下で、蒸着源122から有機材料或いは金属材料が昇華されて、マスク123により所定のパターンで基板10の所定位置の陽極上に有機層、陰極が積層されて、有機EL素子が形成される。
【0058】
有機EL素子は、例えば、陽極/正孔輸送層/発光層/陰極の構成からなる有機EL素子の場合、陽極が形成された基板上に、正孔輸送層(α−NPD);500Å、発光層(Alq3);600Åの厚さで順次形成した後、その上に陰極(アルミニウム)を2000Åの膜厚で蒸着形成する。
【0059】
【化1】

【0060】
有機EL素子が形成された基板10は、次に、予備室131aを通って、第1の保護膜形成工程130に搬送される。
【0061】
第1の保護膜であるバリア膜は、金属の酸化膜、酸化窒化膜、窒化膜、金属薄膜、ダイヤモンドライクカーボン膜を少なくとも1種以上含んでいる膜で、厚みは50nm以上50μm以下の薄膜である。
【0062】
好ましい金属としては珪素、アルミニウム等の金属であり、例えば、好ましいバリア膜材料として酸化窒化珪素、窒化珪素が挙げられる。
【0063】
従って、ここでは、スパッタ装置、例えばRFマグネトロンスパッタ装置が用いられる。
【0064】
第1の保護膜成膜工程130では、有機EL素子の形成工程120と同様に基板10の端部に設けられたマーキング孔15の所定の位置で搬送が停止してスパッタ槽131で所定の位置にスパッタが行われる。
【0065】
スパッタ槽131では、スパッタガスによる10-1Pa以下の圧力の真空環境下において、対向ターゲット132内に発生させたスパッタガスプラズマによりターゲット132がスパッタされて基板10上に形成された有機EL素子を覆うように第1のバリア膜が製膜される。
【0066】
ターゲット132は、有機EL素子に形成させるバリア膜の構成材料と同一材料、あるいは、スパッタガスとの反応により構成材料と同一となる材料で構成されている。例えば、スパッタガスとしては、例えば酸素5体積%を含むアルゴンを用い、ターゲットとしてSi34を用い、酸化窒化珪素膜を形成する。
【0067】
また、前工程である蒸着工程は1×10-4Pa以下の圧力の真空環境下であるため、有機EL素子の形成工程120と第1の保護膜形成工程130間には、やはり前記同様のゲートバルブを備えた予備室131aをおいて、差動排気により減圧度の調整を行う。
【0068】
こうして、有機EL素子および第1のバリア膜がインラインで順次形成されたフレキシブルな基板10は、スパッタ槽131を出て、減圧度の調整のためのゲートバルブを備えた予備室131b、131cを順次通過して、差動排気により減圧が徐々に解除され、真空環境下から大気圧環境下へと取り出されロール状に巻き取られてオフラインの次工程に搬送される。
【0069】
大気圧環境下に取り出され、ロール状に巻き取られて後の、次工程となる第2の保護膜形成工程140環境は、概ね数万Paから十数万Paの大気圧環境に加えて、露点温度−10℃以下の乾燥環境に管理されている。ここにおいては、既に有機EL素子上に第1のバリア膜が成膜されており、乾燥環境下では水分に対して十分な耐性が確保されているため真空環境とする必要がない。
【0070】
図4を用いて、第2の保護膜形成工程について説明する。
【0071】
第2の保護膜形成工程140は、塗布手段141、ラミネート手段143、硬化手段、切断手段、封止フィルム145等からなる。
【0072】
塗布手段141は、有機EL素子に第2のバリア膜を形成するための接着層142を貼付する手段であり、接着層は、紫外線で硬化する接着剤等をこれにより塗布して用いてよい。封止部分への接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
【0073】
また、塗布手段141の代わりに、特開2005−4063号公報に開示されている如き接着シートを保護膜である封止フィルム145に予め貼り付けたものを用いてもよい。
【0074】
ラミネート手段143は、長尺ローラから繰り出される封止フィルム145を接着層142上にラミネートする手段である。ラミネート方法は、上下ローラの加圧或いは、加熱、或いは加圧と加熱により封止フィルム145を第1のバリア膜上に接着剤142を介してラミネートする。
【0075】
硬化手段144は、接着層142を硬化させて、封止フィルム145を貼り付ける手段である。接着剤が紫外線硬化樹脂のときは例えば、ハロゲンランプ等のUV光源を照射して光反応により硬化させ、熱硬化を利用した接着剤のときは、所定温度に加熱して接着剤を硬化させる。
【0076】
切断手段146は、基板10を所定の大きさに裁断する手段である。切断は、上下動するカッターによる切断でもよいし、振動を抑えた円形の回転カッターを利用してもよい。
【0077】
第2のバリア膜成膜工程で繰り出された有機EL素子および第1の保護膜が形成された基板10は、第1のバリア膜上に、紫外線硬化接着剤がシリンジ141により所定の流量で送り出されて所定の厚みで塗布される。
【0078】
その後、ラミネート手段により封止フィルム145と基板10を接着剤を介してラミネートする。第1のバリア膜上に接着槽142を介して封止フィルム145がラミネートされた基板10は、UV光源144により所定時間照射されて接着層が硬化する。
【0079】
封止フィルムとしては、可撓性を有する薄い(厚さ10μm〜1mm)樹脂フィルム、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、エチレンポリビニルアルコール、エチレンビニルアセテート、ETFE等の樹脂フィルムが用いられる。またエチレンビニルアセテートフィルムと、旭硝子製ETFE(アフレックス厚さ25μm)の耐候性樹脂とを貼り合わせて一体化したフィルム等、積層フィルムでもよい。
【0080】
また、封止用のこれらのフィルムにはさらに、あらかじめ第3のバリア膜が形成されていてもよく、例えば、前記第1の保護膜である、金属の酸化膜、酸化窒化膜、窒化膜、金属薄膜等の、厚み50nm以上50μm以下の薄膜である。これにより封止機能をさらに高められる。具体的にはアルミナ蒸着フィルム、樹脂フィルムがラミネートされた金属箔等がある。
【0081】
また、接着剤として、具体的には、例えば、エポキシ系、アクリル系、アクリルウレタン系等の紫外線硬化樹脂を用いることができる。また、熱硬化性樹脂を用いてもよい。封止部分への接着剤の塗布は、前記の通り市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
【0082】
また、これに限らず、特開2005−4063号公報に開示されているような接着シートを封止フィルムに貼り付けても良い。
【0083】
そして切断手段146によりマーキング孔15に沿って所定の大きさの有機EL素子に切断される。切断手段は、カッター等を用いることができるが、カッターに限らず、振動を加えた円形の回転カッターを利用すると切断カスが少なく良い。
【0084】
以上本発明の方法によって有機ELパネルを製造する方法について、好ましい実施の態様を示した。
【0085】
本発明の製造方法では、予め第1のバリア膜が成膜されているため、第2のバリア膜を形成する工程は、基板10を巻き取った後のオフラインの工程で行える。このため、有機EL素子を形成するインライン工程に併せて、後工程のオフライン工程の搬送速度や工程時間を調整する必要がなく、各工程に見合った作業時間を選択することができる。
【0086】
又、インライン工程において、バッファゾーンにより洗浄工程と有機EL素子成膜工程を分けているが、これに限らず、洗浄工程後の一度ロール状に巻き取って、その後、真空環境下の有機EL素子形成工程にて再び基板を送り出して、有機EL素子を形成してもよい。
【0087】
又、オフライン工程では、第1のバリア膜が既に製膜ずみであるので、水分や酸素により有機EL素子に与えるダメージが低減するため作業環境を真空環境下にする必要がない。従って、オフラインである第2のバリア膜を成膜する工程の装置を真空に対応にする必要がなく、成膜装置のコストが低減する。従って、第2のバリア膜を形成する工程は、例えば、貼り合わせ工程で発生したシワ故障の復帰作業や、断裁工程で用いるカッターの交換等のメンテナンス作業を大気圧環境下で行えるため、真空環境下から大気圧環境に戻して作業を行う場合と比べると、作業効率の向上や工程停止時間の短縮がはかれる。
【図面の簡単な説明】
【0088】
【図1】有機EL素子10の構成を示す模式図である。
【図2】バリア膜形成時の製造プロセスを示すブロック図である。
【図3】本発明の有機ELパネルの製造プロセスの模式図である。
【図4】第2の保護膜形成工程について説明する図である。
【符号の説明】
【0089】
10 有機EL素子
11 基板
12 陽極
13 有機層
14 陰極
110 洗浄工程
120 有機EL素子形成工程
130 第1の保護膜形成工程
140 第2の保護膜形成工程

【特許請求の範囲】
【請求項1】
フレキシブル基板上に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、該有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成する、ロールツウロール方式による有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、有機EL素子の形成に続きインラインで第1の保護膜を形成した後、有機EL素子を形成する工程とは別に、オフラインでさらに第2の保護膜を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項2】
前記第1の保護膜の形成は、真空環境下において、電子ビーム法、スパッタリング法、プラズマCVD法、イオンプレーティング法のいずれかの方法により行われることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項3】
前記第1の保護膜は、窒化酸化シリコンまたは窒化シリコンのいずれかであることを特徴とする請求項1または2記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項4】
前記第2の保護膜の形成は、大気圧環境下であって、露点温度が−10℃以下の乾燥条件下で実施することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項5】
前記第2の保護膜の形成は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子および第1の保護膜が形成されたフレキシブル基板に樹脂フィルムを貼り付けて行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項6】
前記樹脂フィルムに、第3のバリア膜が予め形成されていることを特徴とする請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項7】
前記樹脂フィルムの貼り付けは、中間層を介して行うことを特徴とする請求項5または6記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【公開番号】特開2007−109592(P2007−109592A)
【公開日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−301363(P2005−301363)
【出願日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【出願人】(000001270)コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Fターム(参考)】