説明

有機エレクトロルミネッセンス素子及び装置

【課題】陰極に接して陰極を挟む、電子注入効率の高い電子注入層と有機キャップ層を備える有機EL素子において、電子注入性の低下による高電圧化や駆動特性の劣化を抑制することにある。
【解決手段】陰極5に接して、陰極5を挟む、アルカリ金属またはアルカリ金属化合物またはアルカリ土類金属またはアルカリ土類金属化合物を含有する電子注入層4と有機キャップ層6を備える有機EL素子において、有機キャップ層6が電子注入層4と同じ組成を有している。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はフラットパネルディスプレイ、プロジェクションディスプレイ、照明等に応用される有機エレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence:以下「EL」と略す)素子及び該素子を用いてなる装置に関する。
【背景技術】
【0002】
有機材料のエレクトロルミネッセンスを利用した有機EL素子が現在盛んに研究開発されている。有機EL素子は、陽極と陰極との間に、少なくとも発光層を有する有機化合物層を配置し、有機化合物層に通電することにより、それぞれの電極から注入された正孔と電子が発光層において再結合して発光を生じる。
【0003】
有機EL素子の課題として、発光効率の向上が挙げられる。この課題に対して、特許文献1では、有機EL素子の上部に有機キャッピング層を蒸着法で形成し、その屈折率あるいは膜厚を制御することで高効率化を達成している。
【0004】
また、有機EL素子は、水分や酸素に弱いという課題もある。この水分や酸素から保護するために、有機EL素子形成後、スパッタリング法やプラズマCVD法等の高エネルギー成膜手法を用いて保護層を形成する技術が知られている。このような高エネルギー成膜手法で保護層を形成すると、有機EL素子の有機化合物層がダメージを受ける場合がある。この課題に対し、特許文献2では、有機化合物層を保護するために、有機化合物層上に第1導電層を形成した後、その上に蒸着法によりバッファ層を形成し、その上にスパッタリング法によって形成される第2導電層を備える有機EL素子について開示されている。
【0005】
一方、特許文献3には、アルカリ金属またはアルカリ土類金属をドープした電子注入層を用いた有機EL素子が提案されている。このため、陰極からの注入障壁を低下させ電子注入性を向上させることが可能となり、長寿命の有機EL素子が実現される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2006−156390号公報
【特許文献2】特開2005−63928号公報
【特許文献3】特開2007−188870号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、特許文献3の電子注入層を下層に備えた電極上に特許文献1の有機キャッピング層又は特許文献2のバッファ層を形成した場合には次のような問題があった。即ち、高温環境下において経時的に電極近傍のアルカリ金属、アルカリ土類金属が有機キャッピング層又はバッファ層に拡散してしまう。その結果、電子注入性が低下し、高電圧化や駆動特性の劣化を引き起こす場合があった。
【0008】
本発明の課題は、陰極に接して陰極を挟む、電子注入効率の高い電子注入層と有機化合物からなる層(以下、有機キャップ層という)を備える有機EL素子において、電子注入性の低下による高電圧化や駆動特性の劣化を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明は、陽極と、発光層と、アルカリ金属またはアルカリ金属化合物またはアルカリ土類金属またはアルカリ土類金属化合物とを含有する電子注入層と、前記電子注入層に接して配置される陰極と、前記陰極に接して配置される有機キャップ層とを少なくとも有し、前記有機キャップ層が前記電子注入層と同じ組成を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【0010】
また、本発明は、前記本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子と、該素子を駆動する駆動手段とを備えたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置である。
【発明の効果】
【0011】
本発明においては、電子注入層と有機キャップ層とが同じ組成であるので、電子注入効率の高い電子注入層の電子注入性の低下による高電圧化や駆動特性の劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の有機EL素子の一実施形態の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、発光層と、アルカリ金属またはアルカリ金属化合物またはアルカリ土類金属またはアルカリ土類金属化合物とを含有する電子注入層と、前記電子注入層に接して配置される陰極とを備えている。さらに、本発明の有機EL素子は、陰極の電子注入層とは反対側に有機キャップ層を備えており、電子注入層と有機キャップ層とが同じ組成を有している。
【0014】
また、本発明の有機EL装置は、本発明の有機EL素子と、該素子を駆動するための駆動手段とを備えている。
【0015】
以下、本発明の有機EL素子について、図1に実施形態の断面模式図を挙げて説明する。図1の有機EL素子は、トップエミッション型の素子であり、図中の1は基板、2は陽極、3は発光層、4は電子注入層、5は陰極、6は有機キャップ層、7は保護層、8は有機化合物層である。本例は発光層3を含む有機化合物層8とそれを狭持する上下に配置された一対の電極2,3の3層構成で1つの発光素子を構成している。有機化合物層8は本例では発光層3と電子注入層4とからなるが、これに限定されるものではなく、必要に応じて電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層、正孔ブロック層などが配置される。
【0016】
また、図1は一つの画素を模式的に示しており、有機EL装置としては、これらの画素を並列に複数並べ、素子の駆動手段として電極2,3間に通電する電源を備えることで構成される。
【0017】
陽極2は、必要に応じてTFT等のスイッチング素子が形成された基板1上に形成され、光反射性の部材で形成されることが好ましい。具体的には、Cr、Al、Ag、Au、Pt等の材料からなることが好ましく、反射率が高い部材であるほど、光取り出し効率や光共振効果を向上できる。また、これらの金属を含む層上にITOやIZOなどの透明電極を積層して、陽極2としても良い。
【0018】
陽極2を形成した基板1上に、公知の手段により、有機化合物層8を堆積する。有機化合物層8は、発光効率の観点からアモルファス膜であることが好ましい。発光層3は有機発光材料から構成される。具体的には、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体或いは複合オリゴ体など公知の材料を使用できる。
【0019】
正孔輸送層、正孔注入層(いずれも不図示)は正孔輸送材料から構成され、具体的には、フタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Eu錯体等が使用できる。
【0020】
電子輸送層(不図示)は電子輸送材料から構成される。具体的には、アルミニウムに8−ヒドロキシキノリンの3量体が配位したAlq3、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系、オキサゾール誘電体系、トリアゾール誘電体系、フェナントロリン系化合物等を使用できる。
【0021】
一般的に有機化合物層8は、陽極2上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層3、電子輸送層の順に積層を行い、さらに、その後に電子注入層4を成膜する。本発明においては、少なくとも発光層3と電子注入層4を有し、必要に応じて他の機能層を用いることができる。
【0022】
本発明に係る電子注入層4としては、電子注入性を向上させるために低仕事関数であるアルカリ金属化合物やアルカリ金属、アルカリ土類金属化合物やアルカリ土類金属をドープした有機化合物層を用いる。電子注入層4に含まれるアルカリ金属やアルカリ土類金属はヘテロ環式化合物のヘテロ原子や有機金属錯体の金属原子に対して、電子を供与し有機分子をラジカルアニオン状態にするといったような分子間相互作用があると考えられている。そのため、有機材料とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を共蒸着で形成した層を電子注入層4として用いることで隣接する分子間の電子授受をスムーズに行うことが可能となり、陰極からの注入障壁を低下させ電子注入性を向上させている。有機材料としては、前記電子輸送材料に挙げた有機物を用いることができ、仕事関数の小さいアルカリ金属やアルカリ土類金属が電子を与えることで、ラジカルアニオン状態になりやすいヘテロ環系化合物や金属錯体化合物が好ましく用いられる。また、アルカリ金属又はアルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物又はアルカリ土類金属としては、Li、Na、Cs、Mg、又はこれらの化合物が好ましく用いられる。また、電子注入層4中の、有機材料と、アルカリ金属化合物やアルカリ金属、アルカリ土類金属化合物やアルカリ土類金属との重量比は、9:1乃至1:1であることが好ましい。
【0023】
有機化合物層8を構成する有機化合物層の膜厚は、膜厚は光共振効果から、光学的に計算されて決めることができる。
【0024】
本発明においては、電子注入層4に接触するように陰極5を形成する。陰極5は、陽極2と光共振効果を可能とするような半透過反射膜であり、金属薄膜を電極として用いる。本発明に用いることができる金属としてはAgやAgを含む合金が好適である。Agを含む場合には、反射率が高くなるので、光学干渉効果が強くなるからである。また、形成方法としては一般的に蒸着法やスパッタリング法を用いる。
【0025】
また、本発明に係る陰極5はシート抵抗を低くする観点から、10nm以上が好ましく、また、光を吸収させずに陰極5側から効果的に取り出すという観点から20nm以下の薄膜が好ましい。一方、Ag単体或いはAg合金を20nm以下の薄膜にした場合には、均一に膜形成されずに、部分的に膜が切れた不連続な状態で形成される。そのため、膜の切れ目から電子注入層4に含まれるアルカリ金属、アルカリ土類金属が後述する有機キャップ層6に拡散してしまう恐れがある。特にAg単体からなる膜では顕著である。
【0026】
有機キャップ層6は陰極5に接触するように形成される。上記したように、陰極5は薄膜であるため、有機キャップ層6をスパッタリング法やプラズマCVD法で成膜を行うと下層の有機化合物層8にダメージを与えて寿命特性が劣化してしまう。そのため、有機キャップ層6は、ダメージの少ない蒸着法で10nmから150nm程度に成膜する。
【0027】
本発明に係る有機キャップ層6は、その上に厚膜の保護層7をスパッタリング法やプラズマCVD法で形成する際に、陰極5下の有機化合物層8への影響を防止するための層であり、本発明においては、電子注入層4と同じ組成で構成される。本発明に係る電子注入層4における分子間相互作用はアルカリ金属、アルカリ土類金属を留めるほど強くなく、特に高温環境下において、電子注入層4の界面近傍のアルカリ金属、アルカリ土類金属は他の有機化合物層へ拡散してしまう。この際に、電子注入層4に接触する有機化合物層にアルカリ金属、アルカリ土類金属と分子間相互作用を引き起こす構造の有機材料即ち、ヘテロ環式化合物や有機金属錯体を用いると、次のような問題を生じる。即ち、分子間相互作用によって容易にアルカリ金属、アルカリ土類金属が有機化合物層に入り込み、拡散が進行してしまう。本発明の電子注入層4と有機キャップ層6の間には陰極5が存在するが、不連続であるためにアルカリ金属、アルカリ土類金属の拡散を防止するには不十分である。
【0028】
しかしながら本発明においては、有機キャップ層6を電子注入層4と同一組成とすることによって、電子注入層4と有機キャップ層6のアルカリ金属、アルカリ土類金属の拡散速度を等しくしている。その結果、高温環境下においても電極界面のアルカリ金属、アルカリ土類金属がどちらか一方にのみ拡散することなく、ほぼ均一な濃度を保つことができる。即ち、本発明によると、有機キャップ層6に電子注入層4と同一組成を用いることで、高温環境下においても、電子注入層4の陰極5界面のアルカリ金属、アルカリ土類金属の減少をなくし、電子注入性の低下を抑制でき、安定した発光特性を得ることが可能となる。
【0029】
また、本発明における有機キャップ層は前記電子注入層4と同一組成の有機キャップ層6上に必要に応じて他の組成の有機化合物層を形成して多層としても良く、光学計算により膜厚を決定しても良い。本発明は、保護層7を必ずしも必要とするわけでなく、特許文献1のように、高効率化のために有機化合物からなる層を陰極5上に積層する構成として、ガラスキャップによって水分等から保護される形態であってもよい。
【0030】
上記有機キャップ層6上に防湿作用を有する保護層7を形成する。保護層7は、光取り出しの観点から透明であり、且つ水分が透過しにくい無機化合物が好適である。具体的には、SiN、SiO、SiONなどの公知の防湿膜やITO、IZOなどの透明導電膜を用いることができ、スパッタリング法やプラズマCVD法により50nm乃至500nm程度形成する。
【0031】
本発明の有機EL素子の封止については、特に制限されず、ガラスキャップを用いても良いが、保護層7にSiNなどを用いた場合には、保護層7を1乃至10μm程度まで厚膜化して膜封止としても良い。また、SiOとSiNのように違う構成で多層としても良く、SiNなどの保護層上に樹脂を10μmの厚さに形成し、更にSiNなどを成膜し、膜封止としても良い。
【0032】
以上のように得られた有機EL素子は、有機キャップ層6への電子注入層4からのアルカリ金属、アルカリ土類金属の拡散を抑制し、安定した発光特性を得ることが可能となる。
【実施例】
【0033】
(実施例1)
陽極を形成した基板上に有機化合物層として正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層の順で形成した。電子注入層にはフェナントロリン系化合物とCs2CO3を重量比9:1で20nmの厚さに共蒸着した。
【0034】
その後、前記電子注入層上に陰極を形成した。陰極にはAgを蒸着して用いた。Agは真空度5×10-5Paの真空チャンバーにてタングステン製の金属ボートにより抵抗加熱により12nmの厚さに蒸着した。
【0035】
前記陰極上に有機キャップ層を形成した。有機キャップ層には電子注入層に用いたフェナントロリン系化合物とCs2CO3を共蒸着にて、電子注入層と同じ濃度となるように50nmの厚さに堆積した。
【0036】
その後プラズマCVD法により保護層としてSiNを5μmの厚さで堆積させ、有機EL素子を得た。
【0037】
本例の有機EL素子を80℃の高温環境下にて保管し、保管時間を変えて駆動特性を観察したが、経時による電圧上昇や駆動特性の変化は見られなかった。
【0038】
(実施例2)
電子注入層及び有機キャップ層に金属錯体であるAlq3とCsFを共蒸着して用い、保護層としてIZOを50nmの厚さで成膜した以外は実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
【0039】
本例の有機EL素子を80℃の高温環境下にて保管し、保管時間を変えて駆動特性を観察したが、経時による電圧上昇や駆動特性の変化は見られなかった。
【0040】
(実施例3)
電子注入層及び有機キャップ層に金属錯体であるAlq3とCsFを共蒸着して用い、保護層としてSiNを540nmの厚さで成膜し、その後、厚さ10μmのエポキシ樹脂からなる樹脂層、更にSiNを1μmの厚さで成膜した。これら以外は実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
【0041】
本例の有機EL素子を80℃の高温環境下にて保管し、保管時間を変えて駆動特性を観察したが、経時による電圧上昇や駆動特性の変化は見られなかった。
【0042】
(比較例1)
有機キャップ層としてフェナントロリン系化合物を蒸着にて50nmの厚さで堆積させた以外は実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
【0043】
得られた有機EL素子を80℃の高温環境下にて保管し、保管時間を変えて駆動特性を観察したところ、電圧上昇が発生している場合や駆動特性が劣化している場合があった。また、この素子を二次イオン質量分析装置(SIMS)にて分析してみたところ、陰極近傍のフェナントロリン系化合物層にCsが拡散していることが確認された。
【0044】
(比較例2)
有機キャップ層としてAlq3を蒸着にて50nmの厚さで堆積させた以外は実施例2と同様の方法で有機EL素子を作製した。
【0045】
得られた有機EL素子を80℃の高温環境下にて保管し、保管時間を変えて駆動特性を観察したところ、電圧上昇が発生している場合や駆動特性が劣化している場合があった。また、この素子を二次イオン質量分析装置(SIMS)にて分析してみたところ、陰極近傍のAlq3層にCsが拡散していることが確認された。
【符号の説明】
【0046】
1:基板、2:陽極、3:発光層、4:電子注入層、5:陰極、6:有機キャップ層、7:保護層、8:有機化合物層

【特許請求の範囲】
【請求項1】
陽極と、発光層と、アルカリ金属またはアルカリ金属化合物またはアルカリ土類金属またはアルカリ土類金属化合物とを含有する電子注入層と、前記電子注入層に接して配置される陰極と、前記陰極に接して配置される有機キャップ層とを少なくとも有し、前記有機キャップ層が前記電子注入層と同じ組成を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項2】
前記陰極が、Agを含み、その膜厚が10nm以上20nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項3】
前記電子注入層及び前記有機キャップ層が、ヘテロ環式化合物又は金属錯体化合物と、Cs又はCs化合物とを有することを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項4】
前記有機キャップ層に接して、スパッタリング法もしくはプラズマCVD法により形成された保護層が配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項5】
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する駆動手段とを備えたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。

【図1】
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【公開番号】特開2011−108475(P2011−108475A)
【公開日】平成23年6月2日(2011.6.2)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−261749(P2009−261749)
【出願日】平成21年11月17日(2009.11.17)
【出願人】(000001007)キヤノン株式会社 (59,756)
【Fターム(参考)】