有機化合物層の積層方法、エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法、エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル
【課題】有機化合物層を積層する場合において、上層側の有機化合物層を湿式塗布法により成膜するときに隣り合う電極の間で有機化合物含有液が混ざってしまうことを防止すること。
【解決手段】トランジスタアレイパネル５０の表面にサブピクセル電極２０ａをマトリクス状にパターニングし、サブピクセル電極２０ａの間に金属隔壁Ｗを成長させる。トランジスタアレイパネル５０をトリアジン水溶液に浸漬することにより、金属隔壁Ｗの表面処理を行う。正孔注入材料を水に分散した有機化合物含有液をサブピクセル電極２０ａに塗布し、正孔輸送層２０ｄを熱処理する。トリアジンジチオール溶液にトランジスタアレイパネル５０を浸漬することにより、金属隔壁Ｗの表面処理を再び行う。有機化合物含有液を正孔輸送層２０ｄに塗布することにより、正孔輸送層２０ｄ上に発光層２０ｅを成膜すし、対向電極２０ｃを成膜する。
【解決手段】トランジスタアレイパネル５０の表面にサブピクセル電極２０ａをマトリクス状にパターニングし、サブピクセル電極２０ａの間に金属隔壁Ｗを成長させる。トランジスタアレイパネル５０をトリアジン水溶液に浸漬することにより、金属隔壁Ｗの表面処理を行う。正孔注入材料を水に分散した有機化合物含有液をサブピクセル電極２０ａに塗布し、正孔輸送層２０ｄを熱処理する。トリアジンジチオール溶液にトランジスタアレイパネル５０を浸漬することにより、金属隔壁Ｗの表面処理を再び行う。有機化合物含有液を正孔輸送層２０ｄに塗布することにより、正孔輸送層２０ｄ上に発光層２０ｅを成膜すし、対向電極２０ｃを成膜する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極上に有機化合物層を積層する有機化合物層の積層方法及びエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法に関するとともに、その製造方法によって製造されたエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子はアノードとカソードとの間に有機化合物層が介在した積層構造を為しており、アノードとカソードの間に正バイアス電圧が印加されると有機化合物層において発光する。このような複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を赤、緑、青の何れかに発光させるサブピクセルとして基板上にマトリクス状に配列し、画像表示を行うエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルが実現化されている。
【０００３】
また、有機化合物層の中にはインクジェット法といった湿式塗布法によって電極に積層されることが可能なものもあり、電極に対して酸素プラズマ処理を行うことによって電極を親液化し、その後電極に有機化合物含有液を塗布すると、電極に塗布した有機化合物含有液がアノード全体に広がり、均一な膜厚の有機化合物層を形成することができる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、隣り合う電極の間で有機化合物含有液が混ざらないように、電極の間に隔壁を凸設させることも行われている（例えば、特許文献１参照。）。隔壁を凸設させた場合でも、塗布した有機化合物含有液の量が多ければ、隣り合う電極の間で有機化合物含有液が混ざってしまう。そこで、隔壁自体に撥液性を持たせることで、それを防止している。
【特許文献１】特開２０００−３５３５９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、アノードとカソードの間の有機化合物層は、一般的に発光層を含む複数の電荷輸送層の積層構造となっている。有機エレクトロルミネッセンス素子の電荷輸送特性を向上させるため、電荷輸送層の成膜後、電荷輸送層を熱処理することが行われているが、電荷輸送層の熱処理時に隔壁の撥液性が低下してしまう。そのため、電荷輸送層の上にさらに電荷輸送層を湿式塗布法により成膜しようとすると、隣り合う電極の間でこの有機化合物含有液が混ざってしまう。
【０００６】
そこで、本発明は、上記問題点を解決しようとしてなされたものであり、電荷輸送層となる有機化合物層を積層する場合において、上層側の有機化合物層を湿式塗布法により成膜するときに隣り合う電極の間で有機化合物含有液が混ざってしまうことを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するために、請求項１に係る発明は、パネル上に配列された電極上に有機化合物層を積層する積層方法において、前記電極の間に配置された金属層に第一撥液性溶液を塗布することによって前記金属層の表面処理を行い、前記電極に第一有機化合物含有液を塗布することによって第一有機化合物層を成膜してから熱処理し、第二撥液性溶液を前記金属層に塗布することによって前記金属層の表面処理を再び行い、前記第一有機化合物層上にさらに第二有機化合物含有液を塗布することによって第二有機化合物層を成膜することを特徴とする。
【０００８】
前記第一撥液性溶液が、トリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体をアルカリ金属の水酸化物とともに溶かした水溶液であることが好ましい。
【０００９】
前記第一有機化合物含有液が、前記第一有機化合物層となる材料を含む水溶液であることが好ましい。
【００１０】
前記第二撥液性溶液が、トリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体を疎水性の溶剤に溶解した溶液であることが好ましい。
【００１１】
前記第二撥液性溶液が、前記第一有機化合物層に対し溶解性の低い溶剤にトリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体を溶解した溶液であることが好ましい。
【００１２】
前記第二有機化合物含有液が、前記第一有機化合物層に対し溶解性の低い溶剤に第二有機化合物層となる材料を溶解した溶液であることが好ましい。
【００１３】
前記第一有機化合物層は、親水性の溶剤に対して溶解性があり、疎水性の溶剤に対して溶解性が低いことが好ましい。
【００１４】
前記第一撥液性溶液及び前記第二撥液性溶液の少なくとも一方は、フッ素を含んだ置換基を有するトリアジンジチオール誘導体を含むことが好ましい。
【００１５】
前記金属層の金属として銅、銀、アルミ又はそれらを主成分とする合金を用いることが好ましい。
【００１６】
前記電極が金属酸化物であることが好ましい。
【００１７】
前記金属層の表面処理を再び行った後、前記第一有機化合物層上にインタレイヤ層を湿式塗布法により成膜し、そのインタレイヤ層を不活性ガス雰囲気下において熱処理し、そのインタレイヤ層上に前記第二有機化合物含有液を塗布することが好ましい。
【００１８】
請求項１２に係る発明は、パネル上に配列された電極の間に配置された金属層に第一撥液性溶液を塗布することによって前記金属層の表面処理を行い、前記電極に第一有機化合物含有液を塗布することによって第一有機化合物層を成膜してから熱処理し、第二撥液性溶液を前記金属層に塗布することによって前記金属層の表面処理を再び行い、前記第一有機化合物層上にさらに第二有機化合物含有液を塗布して第二有機化合物層を成膜した後、前記第二有機化合物層上に対向電極を形成することを特徴とすることを特徴とする。
【００１９】
請求項１３に記載のエレクトルミネッセンスディスプレイパネルは、請求項１２に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、表面処理が行った金属層間の電極上に第一有機化合物層を成膜してからパネルを加熱したために金属層の表面の特性が劣化しても、再び表面処理を行うので、金属層の表面の特性が良好になり、容易に第二有機化合物含有液を塗布することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）という用語をＥＬと略称する。
【００２２】
図１は、ＥＬディスプレイパネルの四画素分の平面図である。図１に示すように、このＥＬディスプレイパネルにおいては、赤、青及び緑のサブピクセルＰによって１ドットの画素が構成され、このような画素がマトリクス状に配列されている。水平方向の配列に着目すると赤のサブピクセルＰ、青のサブピクセルＰ、緑のサブピクセルＰの順に繰り返し配列され、垂直方向の配列に着目すると同じ色が一列に配列されている。
【００２３】
このＥＬディスプレイパネルにおいては、サブピクセルＰに各種の信号を出力するために、複数の走査線Ｘ、信号線Ｙ及び供給線Ｚが設けられている。走査線Ｘ及び供給線Ｚは水平方向に延在し、信号線Ｙは垂直方向に延在している。ここでｍドットのサブピクセルＰが水平方向に配列されている場合（但し、Ｍは３の倍数）、Ｍ本の信号線Ｙが互いに平行となるように設けられ、ＮドットのサブピクセルＰが垂直方向に配列されている場合（但し、Ｎは２以上の整数）、Ｎ本の走査線Ｘ及びＮ本の供給線Ｚが互いに平行となるように設けられている。走査線Ｘと供給線Ｚは交互に配列されている。
【００２４】
図２は、サブピクセルＰの等価回路図である。サブピクセルＰは、３つのｎチャネル型トランジスタ２１〜２３と、キャパシタ２４と、有機ＥＬ素子２０とを有し、サブピクセルＰの色が有機ＥＬ素子２０の発光色で決まる。以下では、トランジスタ２１をスイッチトランジスタ２１と称し、トランジスタ２２を保持トランジスタ２２と称し、トランジスタ２３を駆動トランジスタ２３と称する。
【００２５】
スイッチトランジスタ２１においては、ソース２１ｓが信号線Ｙに導通し、ドレイン２１ｄが有機ＥＬ素子２０のアノード、駆動トランジスタ２３のソース２３ｓ及びキャパシタ２４の電極２４ｂに導通し、ゲート２１ｇが保持トランジスタ２２のゲート２２ｇ及び走査線Ｘに導通している。
【００２６】
保持トランジスタ２２においては、ソース２２ｓが駆動トランジスタ２３のゲート２３ｇ及びキャパシタ２４の電極２４ａに導通し、ドレイン２２ｄが駆動トランジスタ２３のドレイン２３ｄ及び供給線Ｚに導通し、ゲート２２ｇがスイッチトランジスタ２１のゲート２１ｇ及び走査線Ｘに導通している。
【００２７】
駆動トランジスタ２３においては、ソース２３ｓが有機ＥＬ素子２０のアノード、スイッチトランジスタ２１のドレイン２１ｄ及びキャパシタ２４の電極２４ｂに導通し、ドレイン２３ｄが保持トランジスタ２２のドレイン２２ｄ及び供給線Ｚに導通し、ゲート２３ｇが保持トランジスタ２２のソース２２ｓ及びキャパシタ２４の電極２４ａに導通している。
【００２８】
垂直方向に沿って一列に配列された何れのサブピクセルＰのスイッチトランジスタ２１のソース２１ｓも共通の信号線Ｙに導通している。一方、水平方向に沿って一列に配列された何れのサブピクセルＰのスイッチトランジスタ２１のゲート２１ｇも共通の走査線Ｘに導通している。
【００２９】
なお、図２において、スイッチトランジスタ２１、保持トランジスタ２２、駆動トランジスタ２３をｎチャネル型としたが、ｐチャネル型でもよい。この場合、ソースとドレインの関係が逆となる。
【００３０】
図３は、図１の切断線III−IIIに沿ってＥＬディスプレイパネルを厚さ方向に切断した矢視断面図である。図３に示すように、スイッチトランジスタ２１、保持トランジスタ２２及び駆動トランジスタ２３は絶縁基板２の上に設けられ、これらスイッチトランジスタ２１、保持トランジスタ２２及び駆動トランジスタ２３が共通の保護絶縁膜３２によって被覆されている。
【００３１】
スイッチトランジスタ２１、保持トランジスタ２２及び駆動トランジスタ２３は、何れも逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。つまり、スイッチトランジスタ２１は、絶縁基板２上に形成されたゲート２１ｇと、ゲート絶縁膜３１を挟んでゲート２１ｇに対向した半導体膜２１ｃと、半導体膜２１ｃの中央部上に形成されたチャネル保護膜２１ｐと、半導体膜２１ｃの両端部上において互いに離間するよう形成され、チャネル保護膜２１ｐに一部重なった不純物半導体膜２１ａ，２１ｂと、不純物半導体膜２１ａ上に形成されたドレイン２１ｄと、不純物半導体膜２１ｂ上に形成されたソース２１ｓと、から構成されている。駆動トランジスタ２３も、絶縁基板２上に形成されたゲート２３ｇと、ゲート絶縁膜３１を挟んでゲート２３ｇに対向した半導体膜２３ｃと、半導体膜２３ｃの中央部上に形成されたチャネル保護膜２３ｐと、半導体膜２３ｃの両端部上において互いに離間するよう形成され、チャネル保護膜２３ｐに一部重なった不純物半導体膜２３ａ，２３ｂと、不純物半導体膜２３ａ上に形成されたドレイン２３ｄと、不純物半導体膜２３ｂ上に形成されたソース２３ｓと、から構成されている。保持トランジスタ２２も、スイッチトランジスタ２２及び駆動トランジスタ２３と同様に構成されている。
【００３２】
スイッチトランジスタ２１のゲート２１ｇ、保持トランジスタ２２のゲート２２ｇ、駆動トランジスタ２３のゲート２３ｇ、キャパシタ２４の電極２４ａは、気相成長法（例えば、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着等のＰＶＤ法やＣＶＤ法）によって絶縁基板２上に成膜された導電性のゲートレイヤーをフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成されたものである。走査線Ｘ及び供給線Ｚは、ゲートレイヤーのパターニングによってゲート２１ｇ〜２３ｇと同時に形成されたものである。そして、ゲート２１ｇ〜２３ｇ、電極２４ａ、走査線Ｘ及び供給線Ｚは、共通のゲート絶縁膜３１によって被覆されている。
【００３３】
スイッチトランジスタ２１のドレイン２１ｄ及びソース２１ｓ、保持トランジスタ２２のドレイン２２ｄ及びソース２２ｓ、駆動トランジスタ２３のドレイン２３ｄ及びソース２３ｓ並びにキャパシタ２４の電極２４ｂは、気相成長法によってゲート絶縁膜３１上に成膜された導電性のドレインレイヤーをフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成されたものである。信号線Ｙは、ドレインレイヤーのパターニングによってソース２１ｓ〜２３ｓ及びドレイン２１ｄ〜２３ｄと同時に形成されたものである。そして、ソース２１ｓ〜２３ｓ、電極２４ｂ、ドレイン２１ｄ〜２３ｄ及び信号線Ｙは、窒化シリコン又は酸化シリコン等を有する共通の保護絶縁膜３２によって被覆されている。
【００３４】
保護絶縁膜３２には、樹脂を硬化させた平坦化膜３３が積層されている。平坦化膜３３の表面が平坦となり、スイッチトランジスタ２１、保持トランジスタ２２、駆動トランジスタ２３、走査線Ｘ、信号線Ｙ及び供給線Ｚによる凹凸が平坦化膜３３によって解消されている。なお図示しないが、供給線Ｚ上には供給線Ｚの配線の抵抗による信号遅延を解消するために、銅、銀、金、アルミ又はそれらを主成分とした合金を含む低抵抗の配線が形成されていてもよい。この配線は、平坦化膜３３及び保護絶縁膜３２に設けられた溝に埋設されている。この低抵抗配線は、後述する絶縁膜３４によって信号線Ｙ及び金属隔壁Ｗと絶縁されている。
【００３５】
なお、絶縁基板２から平坦化膜３３までの積層構造がトランジスタアレイパネル５０である。
【００３６】
平坦化膜３３上には、有機ＥＬ素子２０のアノードであるサブピクセル電極２０ａがマトリクス状に配列されている。図１において、矩形状のサブピクセルＰの位置は、サブピクセル電極２０ａ（図２等に図示）の位置を表したものである。即ち、隣り合う信号線Ｙの間ではサブピクセル電極２０ａが垂直方向に一列に配列され、走査線Ｘとその下隣りの供給線Ｚの間ではサブピクセル電極２０ａが水平方向に一列に配列されている。なお、これらサブピクセル電極２０ａは、気相成長法によって平坦化膜３３上に成膜された導電性膜（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ））をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成されたものである。それぞれのサブピクセルＰにおいてコンタクトホール９１が平坦化膜３３及び保護絶縁膜３２を貫通するよう形成され、コンタクトホール９１に埋められた導電性パッド９２によってサブピクセル電極２０ａと駆動トランジスタ２３のソース２３ｓが接続されている。
【００３７】
平坦化膜３３上には、サブピクセル電極２０ａの他に絶縁膜３４が形成されている。絶縁膜３４はサブピクセル電極２０ａの間を縫うように網目状に形成されるとともにサブピクセル電極２０ａの一部外縁部に重なり、サブピクセル電極２０ａが絶縁膜３４によって囲繞されている。
【００３８】
絶縁膜３４上には、銅、銀、金、アルミ又はそれらを主成分とした合金を含む金属隔壁Ｗが形成されている。図１に示すように、金属隔壁Ｗは垂直方向のサブピクセル電極２０ａの列とその隣りのサブピクセル電極２０ａの列との間において垂直方向に延在し、信号線Ｙと金属隔壁Ｗが平行となっているとともに平面視して重なっている。金属隔壁Ｗは、メッキ法により形成されたものであるので、トランジスタ２１〜２３の各電極、走査線Ｘ、信号線Ｙ及び供給線Ｚよりも十分に厚い。また、これら金属隔壁Ｗは、サブピクセルＰが配列されている領域の外側において互いに接続され、後述する対向電極２０ｃと導通している。金属隔壁Ｗは各対向電極２０ｃと導通して共通電圧を供給するとともに、各対向電極２０ｃが十分低抵抗でなくても、全体として電極のシート抵抗を下げる作用をもたらす。なお、金属隔壁Ｗの表面に金メッキが施されていても良い。
【００３９】
なお、図１において、信号線Ｙと金属隔壁Ｗとを区別しやすくするために、金属隔壁Ｗの幅が信号線Ｙの幅よりも狭くなっているが、実際には図３に示すように、金属隔壁Ｗは信号線Ｙとほぼ同じ幅となっていてもよいし、金属隔壁Ｗを信号線Ｙより幅広としてもよい。また、図１では複数の金属隔壁Ｗがライン状に形成されて絶縁膜３４の一部に重なっているが、金属隔壁Ｗが網目状に形成され、その網目状の金属隔壁Ｗが絶縁膜３４の全体に重なっていても良い。
【００４０】
金属隔壁Ｗの表面には、撥液性を有した撥液性導通層３６が成膜されている。撥液性導通層３６は、次の化学式（１）に示されたトリアジルトリチオールのメルカプト基（−ＳＨ）の水素原子（Ｈ）が還元離脱し、硫黄原子（Ｓ）が選択的に金属隔壁Ｗの表面に酸化吸着したものである。なお、或る液体に対して接触角が５０°以上になる状態を撥液性といい、或る液体に対して接触角が４０°以下になる状態を親液性という。
【００４１】
【化１】
【００４２】
撥液性導通層３６は極めて薄い分子層構造である。つまり、撥液性導通層３６は、トリアジルトリチオール分子が金属隔壁Ｗの表面に極薄い膜であるから、非常に低抵抗であるため、厚さ方向に電気的に導通することができる。トリアジルトリチオール分子は、選択的に金属と結合するが、ＩＴＯ等の金属酸化物や、有機物には撥液性を示すほど被膜することはない。なお、撥液性を顕著にするためにトリアジルトリチオールに代えて、次の化学式（２）に示すようにトリアジルトリチオールのメルカプト基（−ＳＨ）がフッ化アルキルを含む撥液性官能基に置換された誘導体でも良い。撥液性官能基は化学式（２）に示したもの以外でも良い。なお、化学式（２）の化合物はメルカプト基の水素原子（Ｈ）が還元離脱し、硫黄原子（Ｓ）が金属隔壁Ｗの表面に酸化吸着することで、撥液性導通層３６が形成される。
【００４３】
【化２】
ただし、ｍは１以上の整数であり、好ましくは２であり、ｎは１以上の整数であり、好ましくは３である。
【００４４】
サブピクセル電極２０ａ上には有機ＥＬ層２０ｂが積層されている。有機ＥＬ層２０ｂは、有機化合物含有層を二層以上積層したものである。ここでは、有機ＥＬ層２０ｂは、サブピクセル電極２０ａから順に正孔輸送層２０ｄ、発光層２０ｅの順に積層した二層構造である。正孔輸送層は、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）からなり、発光層は、ポリフルオレン系発光材料からなる。なお、有機ＥＬ層２０ｂが、サブピクセル電極２０ａから順に正孔輸送層、発光層、電子輸送層となる三層構造であっても良いし、サブピクセル電極２０ａから順に発光層、電子輸送層となる二層構造であっても良いし、サブピクセル電極２０ａをカソードとし、サブピクセル電極２０ａから順に発光層、正孔輸送層としてもよいし、サブピクセル電極２０ａから順に電子輸送層、発光層としてもよいし、電荷輸送層と発光層との組合せは任意に設定できる。また、これらの層構造において適切な層間に電荷輸送を制限するインタレイヤ層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であっても良い。
【００４５】
有機ＥＬ層２０ｂは、撥液性導通層３６の形成後に湿式塗布法（例えば、インクジェット法）によって成膜される。この場合、正孔輸送層２０ｄとなるＰＥＤＯＴ及びＰＳＳを含有する有機化合物含有液をサブピクセル電極２０ａに塗布して成膜し、その後、発光層２０ｅとなるポリフルオレン系発光材料を含有する有機化合物含有液を塗布するが、厚膜の金属隔壁Ｗが設けられているので、更には金属隔壁Ｗの表面に撥液性導通層３６が形成されているので、隣り合うサブピクセル電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が金属隔壁Ｗを越えて混ざり合うことを防止することができる。
【００４６】
なお、サブピクセルＰが赤の場合には有機ＥＬ層２０ｂ（特に、発光層２０ｅ）が赤色に発光し、サブピクセルＰが緑の場合には有機ＥＬ層２０ｂが緑色に発光し、サブピクセルＰが青の場合には有機ＥＬ層２０ｂが青色に発光するように、それぞれの発光層２０ｅの材料を設定する。
【００４７】
有機ＥＬ層２０ｂ上には、有機ＥＬ素子２０のカソードである対向電極２０ｃが成膜されている。対向電極２０ｃは、全てのサブピクセルＰに共通して形成された共通電極であり、べた一面に成膜されている。対向電極２０ｃがべた一面に成膜されることで、対向電極２０ｃが撥液性導通層３６を挟んで金属隔壁Ｗを被覆している。撥液性導通層３６は極めて薄い膜であるので対向電極２０ｃと金属隔壁Ｗは撥液性導通層３６を介して導通しており、低抵抗で張り巡らされた金属隔壁Ｗが出力する共通電位によって、対向電極２０ｃの電位はどのサブピクセルにおいても均等になっている。
【００４８】
対向電極２０ｃは、サブピクセル電極２０ａよりも仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金で形成されている。また、対向電極２０ｃは、上記各種材料の層が積層された積層構造となっていても良いし、以上の各種材料の層に加えて金属層が堆積した積層構造となっていても良い。具体的には、対向電極２０ｃは、ＥＬディスプレイパネルをボトムエミッション構造の場合、有機ＥＬ層２０ｂ側に設けられた低仕事関数の高純度のバリウム層と、バリウム層を被覆するように設けられたアルミニウム層とからなる積層構造であるか、又は、有機ＥＬ層２０ｂ側に設けられたリチウム層と、バリウム層を被覆するように設けられたアルミニウム層とからなる積層構造であり、トップエミッション構造の場合、上述した仕事関数の低い単体又は合金を含む層と、上述したＩＴＯ等の透明電極の積層構造でよい。また対向電極２０ｃをアノードとする場合は、上述したＩＴＯ等の透明電極で構成すればよい。
【００４９】
なお、サブピクセル電極２０ａ、有機ＥＬ層２０ｂ、対向電極２０ｃの順に積層されたものが有機ＥＬ素子２０である。
【００５０】
次に、ＥＬディスプレイパネルの製造方法について説明する。
【００５１】
スパッタリング、蒸着といった気相成長法によってゲートレイヤーを絶縁基板２上にべた一面に成膜する。次に、そのゲートレイヤーに対してフォトリソグラフィー法・エッチング法を順に施すことによって、ゲート２１ｇ、ゲート２２ｇ、ゲート２３ｇ及び電極２４ａを形成するとともに、同時に複数の走査線Ｘ及び供給線Ｚをパターニングする。
【００５２】
次に、気相成長法によってゲート絶縁膜３１をべた一面に成膜する。
【００５３】
次に、気相成長法・フォトリソグラフィー法・エッチング法を適宜何回か行うことによって、スイッチトランジスタ２１、保持トランジスタ２２、駆動トランジスタ２３の半導体膜、チャネル保護膜及び不純物半導体膜をパターニングする。
【００５４】
次に、気相成長法によってドレインレイヤーをゲート絶縁膜３１上にべた一面に成膜する。次に、そのドレインレイヤーに対してフォトリソグラフィー法・エッチング法を順に施すことによって、ドレイン２１ｄ，２２ｄ，２３ｄ、ソース２１ｓ，２２ｓ，２３ｓ及び電極２４ｂを形成するとともに、同時に複数の信号線Ｙをパターニングする。
【００５５】
次に、気相成長法によって保護絶縁膜３２をべた一面に成膜する。次に、保護絶縁膜３２全体に樹脂を塗布し、その樹脂を乾燥させることで、平坦化膜３３をべた一面に成膜する。
【００５６】
次に、コンタクトホール９１を保護絶縁膜３２及び平坦化膜３３に形成し、メッキ法等によってコンタクトホール９１の導電性パッド９２を形成する。このとき、走査線Ｘ、信号線Ｙ及び供給線Ｚの端子部を露出するようにコンタクトホールを形成してもよい。
【００５７】
次に、気相成長法によって導電性膜を平坦化膜３３の表面べた一面に成膜し、その導電性膜に対してフォトリソグラフィー法・エッチング法を順に施すことによって、サブピクセル電極２０ａをパターニングする。
【００５８】
次に、気相成長法によって絶縁膜を成膜後、絶縁膜に対してフォトリソグラフィー法・エッチング法を順次行うことで、その絶縁膜を網目状の下地層となる絶縁膜３４にパターニングする。これにより、サブピクセル電極２０ａが露出される。次に、水平方向に隣り合うサブピクセル電極２０ａの間であってその絶縁膜３４の上に金属隔壁Ｗをメッキ法によって成長させる。
【００５９】
次に、紫外線／オゾン洗浄法によってトランジスタアレイパネル５０を洗浄する。
【００６０】
次に、表面全体にトリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体（化学式（１）又は化学式（２））の水溶液をトランジスタアレイパネル５０に塗布することによって、或いは、トランジスタアレイパネル５０をトリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体の水溶液に浸漬することによって、金属隔壁Ｗの表面処理を行う。トリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体の性質により、金属隔壁Ｗの表面にはトリアジンチオール水溶液が塗布されて、金属隔壁Ｗの表面には撥液性導通層３６が形成されるが、サブピクセル電極２０ａのような金属酸化物や絶縁膜の表面には撥液性導通層がほとんど形成されない。
【００６１】
ここで、化学式（２）のフッ素系トリアジンジチオール誘導体は、水に難溶又は不溶であるが、同モル量のＮａＯＨ又はＫＯＨの水溶液に溶解し、フッ素系トリアジンジチオール誘導体水溶液を調製することができる。水溶液の濃度は、１×１０-4〜１×１０-2ｍｏｌ／Ｌの範囲とする。フッ素系トリアジンジチオール誘導体水溶液を用いる場合には、水溶液の温度を２０〜３０℃とし、浸漬時間を１〜１０分とすることが好ましい。フッ素系トリアジンジチオール誘導体のフッ素は多い程、撥水性を示すが溶媒に溶解しにくくなるので多すぎないことが好ましい。
なお、化学式（１）、化学式（２）のトリアジンチオール水溶液の代わりに、6-ジメチルアミノ-1,3,5-トリアジン-2,4-ジチオール−ナトリウム塩の水溶液を用いても良い。この水溶液の濃度を１×１０-3ｍｏｌ／Ｌに調整し、その水溶液の温度を２０〜３０℃とし、浸漬時間を１〜３０分とした。
また、トリアジンチオール水溶液として、6-ジドデシルアミノ-1,3,5-トリアジン-2,4-ジチオール−ナトリウム塩の水溶液を用いても良い。この水溶液の濃度を１×１０-3ｍｏｌ／Ｌに調整し、その水溶液の温度を３０〜５０℃とし、浸漬時間を１〜３０分とした。
なお、上述のトリチオールやジチオールに限らず、モノチオールとしてもよく、モノチオールの場合、フッ化アルキルを含む撥液性官能基を一つまたは二つ設けてもよい。
【００６２】
化学式（１）、化学式（２）等のトリアジンチオール水溶液にトランジスタアレイパネル５０を浸漬した後、そのトランジスタアレイパネル５０を取り出し、アルコールによってそのトランジスタアレイパネル５０をすすぐ。これにより、余分なトリアジンチオールを洗い流す。
【００６３】
次に、そのトランジスタアレイパネル５０を水で二次洗浄した後、不活性ガス（例えば、窒素ガス（Ｎ2））をトランジスタアレイパネル５０に吹き付けることにより、トランジスタアレイパネル５０を乾燥させる。
【００６４】
次に、親水性の溶剤に対して溶解性を示し且つ疎水性の溶剤に対して難溶性又は不溶性である正孔注入材料（例えば導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントとなるＰＳＳ）を水に溶解した有機化合物含有液をサブピクセル電極２０ａに塗布する。塗布方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いても良いし、ディップコート法、スピンコート法といったコーティング法を用いても良い。サブピクセル電極２０ａごとに独立して正孔輸送層２０ｄを成膜するためには、インクジェット法等の印刷方法が好ましい。
【００６５】
このように湿式塗布法により正孔輸送層２０ｄを形成した場合、厚膜の金属隔壁Ｗが設けられているから、更には金属隔壁Ｗの表面に撥液性導通層３６がコーティングされているから、隣り合うサブピクセル電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が金属隔壁Ｗを越えて混ざり合わない。そのため、サブピクセル電極２０ａごとに独立して正孔輸送層２０ｄを形成することができる。
【００６６】
更に、撥液性導通層３６の撥液性によって、サブピクセル電極２０ａに塗布された有機化合物含有液がサブピクセル電極２０ａの外縁部で厚くならないので、正孔輸送層２０ｄを均一な膜厚で成膜することができる。
【００６７】
正孔輸送層２０ｄを形成した後、正孔輸送層２０ｄを大気に曝露した状態で、ホットプレートを用いてトランジスタアレイパネル５０を１６０〜１８０℃の温度で熱処理する。正孔輸送層２０ｄが１６０〜１８０℃に加熱されると、発光特性及び寿命が向上するが、撥液性導通層３６の撥液性が低下してしまう。
【００６８】
次に、化学式（１）、化学式（２）等のトリアジンチオールの溶液を調整する。ここでは、溶媒を疎水性の芳香族系の有機溶剤（例えば、トルエン）とし、トリアジンチオール溶液の濃度を１×１０-4〜１×１０-2ｍｏｌ／Ｌとする。２０〜３０℃のトリアジンチオール溶液にトランジスタアレイパネル５０を１０〜６０秒間浸漬することによって、金属隔壁Ｗの表面処理を再び行う。これにより、金属隔壁Ｗにトリアジンチオール溶液が塗布されて、撥液性導通層３６の撥液性が向上する。トリアジンチオールの溶剤を有機溶剤とすることで、正孔輸送層２０ｄがその溶液に溶けない。更に、トリアジンチオール化合物は、選択的に金属と結合するが、ＩＴＯ等の金属酸化物や、有機物には撥液性を示すほど被膜することはないため、正孔輸送層２０ｄの表面にはトリアジン化合物の膜がほとんど形成されず、正孔輸送層２０ｄの表面の親液性が確保される。
【００６９】
トリアジンチオール溶液にトランジスタアレイパネル５０を浸漬した後、そのトランジスタアレイパネル５０を取り出し、トルエンによってそのトランジスタアレイパネル５０をすすぐ。これにより、余分なトリアジンチオールを洗い流す。
【００７０】
次に、不活性ガス（例えば、窒素ガス）をトランジスタアレイパネル５０に吹き付けることにより、トランジスタアレイパネル５０を乾燥させる。
【００７１】
次に、発光色が赤、緑、青のポリフルオレン系発光材料をそれぞれ疎水性の有機溶剤（例えば、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン）に溶かし、赤、緑、青それぞれの有機化合物含有液を準備する。そして、赤のサブピクセルＰの正孔輸送層２０ｄ上には赤の有機化合物含有液を塗布し、緑のサブピクセルＰの正孔輸送層２０ｄ上には緑の有機化合物含有液を塗布し、青のサブピクセルＰの正孔輸送層２０ｄ上には青の有機化合物含有液を塗布する。これにより、正孔輸送層２０ｄ上に発光層２０ｅを成膜する。塗布方法としてはインクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いて、色ごとに塗り分けを行う。
【００７２】
このように湿式塗布法により発光層２０ｅを形成した場合、厚膜の金属隔壁Ｗが設けられているから、更には金属隔壁Ｗの表面に活性な撥液性導通層３６がコーティングされているから、隣り合うサブピクセルＰに塗布された有機化合物含有液が金属隔壁Ｗを越えて混ざり合わない。そのため、サブピクセルＰごとに独立して正孔輸送層２０ｄを形成することができる。
【００７３】
次に、不活性ガス雰囲気（例えば、窒素ガス雰囲気）下でホットプレートによってトランジスタアレイパネル５０を乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。なお、真空中でシーズヒータによる乾燥を行っても良い。
【００７４】
次に、気相成長法により対向電極２０ｃをべた一面に成膜する。具体的には、真空蒸着法によってＣａ又はＢａの薄膜をべた一面に成膜し、その上にＡｌをべた一面に成膜する。
【００７５】
次に、封止基板（例えば、メタルキャップ、ガラス基板）に紫外線硬化性又は熱硬化性の接着剤を塗布し、その接着剤によって封止基板を対向電極２０ｃに接着する。これにより、ＥＬディスプレイパネルが完成する。
【００７６】
以上のように、本実施形態によれば、各サブピクセルＰの間において凸設された金属隔壁Ｗがトランジスタ２１〜２３の電極とにメッキ法により成長したものであるから、金属隔壁Ｗを厚膜にすることができ、金属隔壁Ｗを低抵抗化することができる。そして、金属隔壁Ｗが対向電極２０ｃに導通しているから、対向電極２０ｃ自体が薄膜化してより高抵抗になっても対向電極２０ｃの電圧を面内で一様にすることができる。従って、サブピクセルＰごとの発光強度のバラツキを防止することができ、面内の発光強度を一様することができる。例えば、全てのサブピクセル電極２０ａに同じ電位を印加した場合でも、どのサブピクセルＰにおいても有機ＥＬ層２０ｂの発光強度もほぼ等しくなる。
【００７７】
また、正孔輸送層２０ｄ、発光層２０ｅのそれぞれの形成前に、トリアジンチオール溶液によって金属隔壁Ｗの表面を撥液性にしたため、正孔輸送層２０ｄ、発光層２０ｅの塗り分けを容易に行うことができる。特に、正孔輸送層２０ｄの形成後に、トルエンを溶媒としたトリアジンチオール溶液を用いたので、正孔輸送層２０ｄを溶解することなく、金属隔壁Ｗの撥液処理が可能となる。
【００７８】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。
【００７９】
例えば、正孔輸送層２０ｄと発光層２０ｅとの間に疎水性の溶剤に対して溶解性を示し且つ親水性の溶剤に対して難溶性又は不溶性である材料で構成されるインタレイヤ層を形成する場合には、有機ＥＬ層２０ｂの形成方法は次のような順序になる。上述の場合と同様に、金属隔壁Ｗの表面に撥液性導通層３６を形成してから正孔輸送層２０ｄを形成した後、トルエンを溶媒としたトリアジンチオール溶液にトランジスタアレイパネル５０を浸漬する。その後、湿式塗布法（例えば、インクジェット法、スピンコート法、ディップコート法、印刷法）によって正孔輸送層２０ｄの上にインタレイヤ層を形成する。その後、トランジスタアレイパネル５０を熱処理するが、不活性ガス雰囲気（例えば、窒素ガス雰囲気）において熱処理を行えば、金属隔壁Ｗの表面の撥液性が低下しない。その後、上述した場合と同様に、発光層２０ｅを形成する。
【００８０】
また上記実施形態では、第一層となる電荷輸送層として、親水性の溶剤に対して溶解性があり且つ疎水性の溶剤に対して溶解性が低い材料を用い、第二層となる電荷輸送層として、親水性の溶剤に対して溶解性が低く且つ疎水性の溶剤に対して溶解性がある材料を用いたが、第一層となる電荷輸送層として、親水性の溶剤に対して溶解性が低く且つ疎水性の溶剤に対して溶解性がある材料を用い、第二層となる電荷輸送層として、親水性の溶剤に対して溶解性があり且つ疎水性の溶剤に対して溶解性が低い材料を用いてもよい。
そして、金属隔壁Ｗの表面にトリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体による第一撥液処理を行ってから、第一層となる電荷輸送層の疎水性溶液をサブピクセル電極２０ａ上に付して乾燥させて第一層を成膜後、第一層に対して溶解性の低い親水性溶剤でトリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体を溶解したトリアジンチオール溶液を金属隔壁Ｗの表面に付して第二撥液処理を行えば、このトリアジンチオール溶液によって第一層が溶解されることがほとんどない。さらに第一層上に成膜される第二層は、親水性溶剤に第二層となる材料が溶解された溶液によって成膜されれば、この第二層溶液によって第一層が溶解されることはない。
【実施例１】
【００８１】
以下、実施例を挙げることにより本発明について更に具体的に説明する。
銅を成膜した基板をトリアジンチオール水溶液に浸漬した。トリアジンチオール水溶液としては、化学式（２）に示したフッ素系トリアジンジチオール誘導体（ｍは２、ｎは３）とＮａＯＨをそれぞれ２．０×１０-3ｍｏｌ／Ｌの濃度にて一緒に純水に溶解させたものを用いた。トリアジンチオール水溶液の温度を２３℃とし、浸漬時間を３分とした。その後、その基板をエタノールにて洗浄し、更に純水で洗浄し、その基板に窒素ガスを吹き付けて乾燥させた。その後、銅の膜に対する純水やメシチレンの接触角を測定した。その結果を図４に示す。図４において、「純水接触角初期値」は、上述の通り、基板を一度トリアジンチオール水溶液に浸漬して撥液性導通層を被膜してから常温で測定した純水の接触角であり、「メシチレン接触角初期値」は、基板を一度トリアジンチオール水溶液に浸漬して撥液性導通層を被膜してから常温で測定したメシチレンの接触角である。
【００８２】
その後、その基板を熱処理したが、その加熱時間を１５分とした。その後、常温での銅の膜に対する水やメシチレンの接触角を測定した。その結果を図４及び表１に示す。図４、表１の「純水接触角」及び「メシチレン接触角」から明らかなように、熱処理をした後、基板における純水やメシチレンの接触角が低下することがわかる。特に、熱処理温度が高くなるにつれて、接触率が低下しやすくなる。
【００８３】
その後、溶媒であるトルエンにフッ素系トリアジンジチオール誘導体を溶かし、濃度２．０×１０-3ｍｏｌ／Ｌのフッ素系トリアジンジチオール誘導体溶液を調製した。熱処理後の基板をフッ素系トリアジンジチオール誘導体溶液に浸漬した。ここで、フッ素系トリアジンジチオール誘導体溶液の温度を２３℃とし、浸漬時間を３０秒とした。その後、銅の膜に対するメシチレンの接触角を測定した。その結果を図４及び表１に示す。図４及び表１において、「再処理後」が、上述のような熱処理の後、再びフッ素系トリアジンジチオール誘導体溶液に浸漬して乾燥した基板の常温でのメシチレンの接触角である。なお、図４及び表１中の温度は、一度目のトリアジンチオール誘導体水溶液に浸漬した後の乾燥温度であって、二度目の浸漬後は高温乾燥していない。図４、表１から明らかなように、再び、フッ素系トリアジンジチオール誘導体溶液に浸漬して撥液性導通層を被膜した基板の常温での接触角が向上し、撥液性が向上したことがわかる。
【００８４】
【表１】
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】ディスプレイパネルの概略平面図である。
【図２】サブピクセルの等価回路図である。
【図３】図１の切断線III−IIIに沿った面の矢視断面図である。
【図４】純水及びメシチレンの接触角と乾燥温度との関係を示したグラフである。
【符号の説明】
【００８６】
２０ａ サブピクセル電極（電極）
２０ｄ 正孔輸送層（有機化合物層）
２０ｅ 発光層（有機化合物層）
３６ 撥液性導通層
５０ トランジスタアレイパネル（基板）
Ｗ 金属隔壁
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極上に有機化合物層を積層する有機化合物層の積層方法及びエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法に関するとともに、その製造方法によって製造されたエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子はアノードとカソードとの間に有機化合物層が介在した積層構造を為しており、アノードとカソードの間に正バイアス電圧が印加されると有機化合物層において発光する。このような複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を赤、緑、青の何れかに発光させるサブピクセルとして基板上にマトリクス状に配列し、画像表示を行うエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルが実現化されている。
【０００３】
また、有機化合物層の中にはインクジェット法といった湿式塗布法によって電極に積層されることが可能なものもあり、電極に対して酸素プラズマ処理を行うことによって電極を親液化し、その後電極に有機化合物含有液を塗布すると、電極に塗布した有機化合物含有液がアノード全体に広がり、均一な膜厚の有機化合物層を形成することができる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、隣り合う電極の間で有機化合物含有液が混ざらないように、電極の間に隔壁を凸設させることも行われている（例えば、特許文献１参照。）。隔壁を凸設させた場合でも、塗布した有機化合物含有液の量が多ければ、隣り合う電極の間で有機化合物含有液が混ざってしまう。そこで、隔壁自体に撥液性を持たせることで、それを防止している。
【特許文献１】特開２０００−３５３５９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、アノードとカソードの間の有機化合物層は、一般的に発光層を含む複数の電荷輸送層の積層構造となっている。有機エレクトロルミネッセンス素子の電荷輸送特性を向上させるため、電荷輸送層の成膜後、電荷輸送層を熱処理することが行われているが、電荷輸送層の熱処理時に隔壁の撥液性が低下してしまう。そのため、電荷輸送層の上にさらに電荷輸送層を湿式塗布法により成膜しようとすると、隣り合う電極の間でこの有機化合物含有液が混ざってしまう。
【０００６】
そこで、本発明は、上記問題点を解決しようとしてなされたものであり、電荷輸送層となる有機化合物層を積層する場合において、上層側の有機化合物層を湿式塗布法により成膜するときに隣り合う電極の間で有機化合物含有液が混ざってしまうことを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するために、請求項１に係る発明は、パネル上に配列された電極上に有機化合物層を積層する積層方法において、前記電極の間に配置された金属層に第一撥液性溶液を塗布することによって前記金属層の表面処理を行い、前記電極に第一有機化合物含有液を塗布することによって第一有機化合物層を成膜してから熱処理し、第二撥液性溶液を前記金属層に塗布することによって前記金属層の表面処理を再び行い、前記第一有機化合物層上にさらに第二有機化合物含有液を塗布することによって第二有機化合物層を成膜することを特徴とする。
【０００８】
前記第一撥液性溶液が、トリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体をアルカリ金属の水酸化物とともに溶かした水溶液であることが好ましい。
【０００９】
前記第一有機化合物含有液が、前記第一有機化合物層となる材料を含む水溶液であることが好ましい。
【００１０】
前記第二撥液性溶液が、トリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体を疎水性の溶剤に溶解した溶液であることが好ましい。
【００１１】
前記第二撥液性溶液が、前記第一有機化合物層に対し溶解性の低い溶剤にトリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体を溶解した溶液であることが好ましい。
【００１２】
前記第二有機化合物含有液が、前記第一有機化合物層に対し溶解性の低い溶剤に第二有機化合物層となる材料を溶解した溶液であることが好ましい。
【００１３】
前記第一有機化合物層は、親水性の溶剤に対して溶解性があり、疎水性の溶剤に対して溶解性が低いことが好ましい。
【００１４】
前記第一撥液性溶液及び前記第二撥液性溶液の少なくとも一方は、フッ素を含んだ置換基を有するトリアジンジチオール誘導体を含むことが好ましい。
【００１５】
前記金属層の金属として銅、銀、アルミ又はそれらを主成分とする合金を用いることが好ましい。
【００１６】
前記電極が金属酸化物であることが好ましい。
【００１７】
前記金属層の表面処理を再び行った後、前記第一有機化合物層上にインタレイヤ層を湿式塗布法により成膜し、そのインタレイヤ層を不活性ガス雰囲気下において熱処理し、そのインタレイヤ層上に前記第二有機化合物含有液を塗布することが好ましい。
【００１８】
請求項１２に係る発明は、パネル上に配列された電極の間に配置された金属層に第一撥液性溶液を塗布することによって前記金属層の表面処理を行い、前記電極に第一有機化合物含有液を塗布することによって第一有機化合物層を成膜してから熱処理し、第二撥液性溶液を前記金属層に塗布することによって前記金属層の表面処理を再び行い、前記第一有機化合物層上にさらに第二有機化合物含有液を塗布して第二有機化合物層を成膜した後、前記第二有機化合物層上に対向電極を形成することを特徴とすることを特徴とする。
【００１９】
請求項１３に記載のエレクトルミネッセンスディスプレイパネルは、請求項１２に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、表面処理が行った金属層間の電極上に第一有機化合物層を成膜してからパネルを加熱したために金属層の表面の特性が劣化しても、再び表面処理を行うので、金属層の表面の特性が良好になり、容易に第二有機化合物含有液を塗布することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）という用語をＥＬと略称する。
【００２２】
図１は、ＥＬディスプレイパネルの四画素分の平面図である。図１に示すように、このＥＬディスプレイパネルにおいては、赤、青及び緑のサブピクセルＰによって１ドットの画素が構成され、このような画素がマトリクス状に配列されている。水平方向の配列に着目すると赤のサブピクセルＰ、青のサブピクセルＰ、緑のサブピクセルＰの順に繰り返し配列され、垂直方向の配列に着目すると同じ色が一列に配列されている。
【００２３】
このＥＬディスプレイパネルにおいては、サブピクセルＰに各種の信号を出力するために、複数の走査線Ｘ、信号線Ｙ及び供給線Ｚが設けられている。走査線Ｘ及び供給線Ｚは水平方向に延在し、信号線Ｙは垂直方向に延在している。ここでｍドットのサブピクセルＰが水平方向に配列されている場合（但し、Ｍは３の倍数）、Ｍ本の信号線Ｙが互いに平行となるように設けられ、ＮドットのサブピクセルＰが垂直方向に配列されている場合（但し、Ｎは２以上の整数）、Ｎ本の走査線Ｘ及びＮ本の供給線Ｚが互いに平行となるように設けられている。走査線Ｘと供給線Ｚは交互に配列されている。
【００２４】
図２は、サブピクセルＰの等価回路図である。サブピクセルＰは、３つのｎチャネル型トランジスタ２１〜２３と、キャパシタ２４と、有機ＥＬ素子２０とを有し、サブピクセルＰの色が有機ＥＬ素子２０の発光色で決まる。以下では、トランジスタ２１をスイッチトランジスタ２１と称し、トランジスタ２２を保持トランジスタ２２と称し、トランジスタ２３を駆動トランジスタ２３と称する。
【００２５】
スイッチトランジスタ２１においては、ソース２１ｓが信号線Ｙに導通し、ドレイン２１ｄが有機ＥＬ素子２０のアノード、駆動トランジスタ２３のソース２３ｓ及びキャパシタ２４の電極２４ｂに導通し、ゲート２１ｇが保持トランジスタ２２のゲート２２ｇ及び走査線Ｘに導通している。
【００２６】
保持トランジスタ２２においては、ソース２２ｓが駆動トランジスタ２３のゲート２３ｇ及びキャパシタ２４の電極２４ａに導通し、ドレイン２２ｄが駆動トランジスタ２３のドレイン２３ｄ及び供給線Ｚに導通し、ゲート２２ｇがスイッチトランジスタ２１のゲート２１ｇ及び走査線Ｘに導通している。
【００２７】
駆動トランジスタ２３においては、ソース２３ｓが有機ＥＬ素子２０のアノード、スイッチトランジスタ２１のドレイン２１ｄ及びキャパシタ２４の電極２４ｂに導通し、ドレイン２３ｄが保持トランジスタ２２のドレイン２２ｄ及び供給線Ｚに導通し、ゲート２３ｇが保持トランジスタ２２のソース２２ｓ及びキャパシタ２４の電極２４ａに導通している。
【００２８】
垂直方向に沿って一列に配列された何れのサブピクセルＰのスイッチトランジスタ２１のソース２１ｓも共通の信号線Ｙに導通している。一方、水平方向に沿って一列に配列された何れのサブピクセルＰのスイッチトランジスタ２１のゲート２１ｇも共通の走査線Ｘに導通している。
【００２９】
なお、図２において、スイッチトランジスタ２１、保持トランジスタ２２、駆動トランジスタ２３をｎチャネル型としたが、ｐチャネル型でもよい。この場合、ソースとドレインの関係が逆となる。
【００３０】
図３は、図１の切断線III−IIIに沿ってＥＬディスプレイパネルを厚さ方向に切断した矢視断面図である。図３に示すように、スイッチトランジスタ２１、保持トランジスタ２２及び駆動トランジスタ２３は絶縁基板２の上に設けられ、これらスイッチトランジスタ２１、保持トランジスタ２２及び駆動トランジスタ２３が共通の保護絶縁膜３２によって被覆されている。
【００３１】
スイッチトランジスタ２１、保持トランジスタ２２及び駆動トランジスタ２３は、何れも逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。つまり、スイッチトランジスタ２１は、絶縁基板２上に形成されたゲート２１ｇと、ゲート絶縁膜３１を挟んでゲート２１ｇに対向した半導体膜２１ｃと、半導体膜２１ｃの中央部上に形成されたチャネル保護膜２１ｐと、半導体膜２１ｃの両端部上において互いに離間するよう形成され、チャネル保護膜２１ｐに一部重なった不純物半導体膜２１ａ，２１ｂと、不純物半導体膜２１ａ上に形成されたドレイン２１ｄと、不純物半導体膜２１ｂ上に形成されたソース２１ｓと、から構成されている。駆動トランジスタ２３も、絶縁基板２上に形成されたゲート２３ｇと、ゲート絶縁膜３１を挟んでゲート２３ｇに対向した半導体膜２３ｃと、半導体膜２３ｃの中央部上に形成されたチャネル保護膜２３ｐと、半導体膜２３ｃの両端部上において互いに離間するよう形成され、チャネル保護膜２３ｐに一部重なった不純物半導体膜２３ａ，２３ｂと、不純物半導体膜２３ａ上に形成されたドレイン２３ｄと、不純物半導体膜２３ｂ上に形成されたソース２３ｓと、から構成されている。保持トランジスタ２２も、スイッチトランジスタ２２及び駆動トランジスタ２３と同様に構成されている。
【００３２】
スイッチトランジスタ２１のゲート２１ｇ、保持トランジスタ２２のゲート２２ｇ、駆動トランジスタ２３のゲート２３ｇ、キャパシタ２４の電極２４ａは、気相成長法（例えば、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着等のＰＶＤ法やＣＶＤ法）によって絶縁基板２上に成膜された導電性のゲートレイヤーをフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成されたものである。走査線Ｘ及び供給線Ｚは、ゲートレイヤーのパターニングによってゲート２１ｇ〜２３ｇと同時に形成されたものである。そして、ゲート２１ｇ〜２３ｇ、電極２４ａ、走査線Ｘ及び供給線Ｚは、共通のゲート絶縁膜３１によって被覆されている。
【００３３】
スイッチトランジスタ２１のドレイン２１ｄ及びソース２１ｓ、保持トランジスタ２２のドレイン２２ｄ及びソース２２ｓ、駆動トランジスタ２３のドレイン２３ｄ及びソース２３ｓ並びにキャパシタ２４の電極２４ｂは、気相成長法によってゲート絶縁膜３１上に成膜された導電性のドレインレイヤーをフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成されたものである。信号線Ｙは、ドレインレイヤーのパターニングによってソース２１ｓ〜２３ｓ及びドレイン２１ｄ〜２３ｄと同時に形成されたものである。そして、ソース２１ｓ〜２３ｓ、電極２４ｂ、ドレイン２１ｄ〜２３ｄ及び信号線Ｙは、窒化シリコン又は酸化シリコン等を有する共通の保護絶縁膜３２によって被覆されている。
【００３４】
保護絶縁膜３２には、樹脂を硬化させた平坦化膜３３が積層されている。平坦化膜３３の表面が平坦となり、スイッチトランジスタ２１、保持トランジスタ２２、駆動トランジスタ２３、走査線Ｘ、信号線Ｙ及び供給線Ｚによる凹凸が平坦化膜３３によって解消されている。なお図示しないが、供給線Ｚ上には供給線Ｚの配線の抵抗による信号遅延を解消するために、銅、銀、金、アルミ又はそれらを主成分とした合金を含む低抵抗の配線が形成されていてもよい。この配線は、平坦化膜３３及び保護絶縁膜３２に設けられた溝に埋設されている。この低抵抗配線は、後述する絶縁膜３４によって信号線Ｙ及び金属隔壁Ｗと絶縁されている。
【００３５】
なお、絶縁基板２から平坦化膜３３までの積層構造がトランジスタアレイパネル５０である。
【００３６】
平坦化膜３３上には、有機ＥＬ素子２０のアノードであるサブピクセル電極２０ａがマトリクス状に配列されている。図１において、矩形状のサブピクセルＰの位置は、サブピクセル電極２０ａ（図２等に図示）の位置を表したものである。即ち、隣り合う信号線Ｙの間ではサブピクセル電極２０ａが垂直方向に一列に配列され、走査線Ｘとその下隣りの供給線Ｚの間ではサブピクセル電極２０ａが水平方向に一列に配列されている。なお、これらサブピクセル電極２０ａは、気相成長法によって平坦化膜３３上に成膜された導電性膜（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ））をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成されたものである。それぞれのサブピクセルＰにおいてコンタクトホール９１が平坦化膜３３及び保護絶縁膜３２を貫通するよう形成され、コンタクトホール９１に埋められた導電性パッド９２によってサブピクセル電極２０ａと駆動トランジスタ２３のソース２３ｓが接続されている。
【００３７】
平坦化膜３３上には、サブピクセル電極２０ａの他に絶縁膜３４が形成されている。絶縁膜３４はサブピクセル電極２０ａの間を縫うように網目状に形成されるとともにサブピクセル電極２０ａの一部外縁部に重なり、サブピクセル電極２０ａが絶縁膜３４によって囲繞されている。
【００３８】
絶縁膜３４上には、銅、銀、金、アルミ又はそれらを主成分とした合金を含む金属隔壁Ｗが形成されている。図１に示すように、金属隔壁Ｗは垂直方向のサブピクセル電極２０ａの列とその隣りのサブピクセル電極２０ａの列との間において垂直方向に延在し、信号線Ｙと金属隔壁Ｗが平行となっているとともに平面視して重なっている。金属隔壁Ｗは、メッキ法により形成されたものであるので、トランジスタ２１〜２３の各電極、走査線Ｘ、信号線Ｙ及び供給線Ｚよりも十分に厚い。また、これら金属隔壁Ｗは、サブピクセルＰが配列されている領域の外側において互いに接続され、後述する対向電極２０ｃと導通している。金属隔壁Ｗは各対向電極２０ｃと導通して共通電圧を供給するとともに、各対向電極２０ｃが十分低抵抗でなくても、全体として電極のシート抵抗を下げる作用をもたらす。なお、金属隔壁Ｗの表面に金メッキが施されていても良い。
【００３９】
なお、図１において、信号線Ｙと金属隔壁Ｗとを区別しやすくするために、金属隔壁Ｗの幅が信号線Ｙの幅よりも狭くなっているが、実際には図３に示すように、金属隔壁Ｗは信号線Ｙとほぼ同じ幅となっていてもよいし、金属隔壁Ｗを信号線Ｙより幅広としてもよい。また、図１では複数の金属隔壁Ｗがライン状に形成されて絶縁膜３４の一部に重なっているが、金属隔壁Ｗが網目状に形成され、その網目状の金属隔壁Ｗが絶縁膜３４の全体に重なっていても良い。
【００４０】
金属隔壁Ｗの表面には、撥液性を有した撥液性導通層３６が成膜されている。撥液性導通層３６は、次の化学式（１）に示されたトリアジルトリチオールのメルカプト基（−ＳＨ）の水素原子（Ｈ）が還元離脱し、硫黄原子（Ｓ）が選択的に金属隔壁Ｗの表面に酸化吸着したものである。なお、或る液体に対して接触角が５０°以上になる状態を撥液性といい、或る液体に対して接触角が４０°以下になる状態を親液性という。
【００４１】
【化１】
【００４２】
撥液性導通層３６は極めて薄い分子層構造である。つまり、撥液性導通層３６は、トリアジルトリチオール分子が金属隔壁Ｗの表面に極薄い膜であるから、非常に低抵抗であるため、厚さ方向に電気的に導通することができる。トリアジルトリチオール分子は、選択的に金属と結合するが、ＩＴＯ等の金属酸化物や、有機物には撥液性を示すほど被膜することはない。なお、撥液性を顕著にするためにトリアジルトリチオールに代えて、次の化学式（２）に示すようにトリアジルトリチオールのメルカプト基（−ＳＨ）がフッ化アルキルを含む撥液性官能基に置換された誘導体でも良い。撥液性官能基は化学式（２）に示したもの以外でも良い。なお、化学式（２）の化合物はメルカプト基の水素原子（Ｈ）が還元離脱し、硫黄原子（Ｓ）が金属隔壁Ｗの表面に酸化吸着することで、撥液性導通層３６が形成される。
【００４３】
【化２】
ただし、ｍは１以上の整数であり、好ましくは２であり、ｎは１以上の整数であり、好ましくは３である。
【００４４】
サブピクセル電極２０ａ上には有機ＥＬ層２０ｂが積層されている。有機ＥＬ層２０ｂは、有機化合物含有層を二層以上積層したものである。ここでは、有機ＥＬ層２０ｂは、サブピクセル電極２０ａから順に正孔輸送層２０ｄ、発光層２０ｅの順に積層した二層構造である。正孔輸送層は、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）からなり、発光層は、ポリフルオレン系発光材料からなる。なお、有機ＥＬ層２０ｂが、サブピクセル電極２０ａから順に正孔輸送層、発光層、電子輸送層となる三層構造であっても良いし、サブピクセル電極２０ａから順に発光層、電子輸送層となる二層構造であっても良いし、サブピクセル電極２０ａをカソードとし、サブピクセル電極２０ａから順に発光層、正孔輸送層としてもよいし、サブピクセル電極２０ａから順に電子輸送層、発光層としてもよいし、電荷輸送層と発光層との組合せは任意に設定できる。また、これらの層構造において適切な層間に電荷輸送を制限するインタレイヤ層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であっても良い。
【００４５】
有機ＥＬ層２０ｂは、撥液性導通層３６の形成後に湿式塗布法（例えば、インクジェット法）によって成膜される。この場合、正孔輸送層２０ｄとなるＰＥＤＯＴ及びＰＳＳを含有する有機化合物含有液をサブピクセル電極２０ａに塗布して成膜し、その後、発光層２０ｅとなるポリフルオレン系発光材料を含有する有機化合物含有液を塗布するが、厚膜の金属隔壁Ｗが設けられているので、更には金属隔壁Ｗの表面に撥液性導通層３６が形成されているので、隣り合うサブピクセル電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が金属隔壁Ｗを越えて混ざり合うことを防止することができる。
【００４６】
なお、サブピクセルＰが赤の場合には有機ＥＬ層２０ｂ（特に、発光層２０ｅ）が赤色に発光し、サブピクセルＰが緑の場合には有機ＥＬ層２０ｂが緑色に発光し、サブピクセルＰが青の場合には有機ＥＬ層２０ｂが青色に発光するように、それぞれの発光層２０ｅの材料を設定する。
【００４７】
有機ＥＬ層２０ｂ上には、有機ＥＬ素子２０のカソードである対向電極２０ｃが成膜されている。対向電極２０ｃは、全てのサブピクセルＰに共通して形成された共通電極であり、べた一面に成膜されている。対向電極２０ｃがべた一面に成膜されることで、対向電極２０ｃが撥液性導通層３６を挟んで金属隔壁Ｗを被覆している。撥液性導通層３６は極めて薄い膜であるので対向電極２０ｃと金属隔壁Ｗは撥液性導通層３６を介して導通しており、低抵抗で張り巡らされた金属隔壁Ｗが出力する共通電位によって、対向電極２０ｃの電位はどのサブピクセルにおいても均等になっている。
【００４８】
対向電極２０ｃは、サブピクセル電極２０ａよりも仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金で形成されている。また、対向電極２０ｃは、上記各種材料の層が積層された積層構造となっていても良いし、以上の各種材料の層に加えて金属層が堆積した積層構造となっていても良い。具体的には、対向電極２０ｃは、ＥＬディスプレイパネルをボトムエミッション構造の場合、有機ＥＬ層２０ｂ側に設けられた低仕事関数の高純度のバリウム層と、バリウム層を被覆するように設けられたアルミニウム層とからなる積層構造であるか、又は、有機ＥＬ層２０ｂ側に設けられたリチウム層と、バリウム層を被覆するように設けられたアルミニウム層とからなる積層構造であり、トップエミッション構造の場合、上述した仕事関数の低い単体又は合金を含む層と、上述したＩＴＯ等の透明電極の積層構造でよい。また対向電極２０ｃをアノードとする場合は、上述したＩＴＯ等の透明電極で構成すればよい。
【００４９】
なお、サブピクセル電極２０ａ、有機ＥＬ層２０ｂ、対向電極２０ｃの順に積層されたものが有機ＥＬ素子２０である。
【００５０】
次に、ＥＬディスプレイパネルの製造方法について説明する。
【００５１】
スパッタリング、蒸着といった気相成長法によってゲートレイヤーを絶縁基板２上にべた一面に成膜する。次に、そのゲートレイヤーに対してフォトリソグラフィー法・エッチング法を順に施すことによって、ゲート２１ｇ、ゲート２２ｇ、ゲート２３ｇ及び電極２４ａを形成するとともに、同時に複数の走査線Ｘ及び供給線Ｚをパターニングする。
【００５２】
次に、気相成長法によってゲート絶縁膜３１をべた一面に成膜する。
【００５３】
次に、気相成長法・フォトリソグラフィー法・エッチング法を適宜何回か行うことによって、スイッチトランジスタ２１、保持トランジスタ２２、駆動トランジスタ２３の半導体膜、チャネル保護膜及び不純物半導体膜をパターニングする。
【００５４】
次に、気相成長法によってドレインレイヤーをゲート絶縁膜３１上にべた一面に成膜する。次に、そのドレインレイヤーに対してフォトリソグラフィー法・エッチング法を順に施すことによって、ドレイン２１ｄ，２２ｄ，２３ｄ、ソース２１ｓ，２２ｓ，２３ｓ及び電極２４ｂを形成するとともに、同時に複数の信号線Ｙをパターニングする。
【００５５】
次に、気相成長法によって保護絶縁膜３２をべた一面に成膜する。次に、保護絶縁膜３２全体に樹脂を塗布し、その樹脂を乾燥させることで、平坦化膜３３をべた一面に成膜する。
【００５６】
次に、コンタクトホール９１を保護絶縁膜３２及び平坦化膜３３に形成し、メッキ法等によってコンタクトホール９１の導電性パッド９２を形成する。このとき、走査線Ｘ、信号線Ｙ及び供給線Ｚの端子部を露出するようにコンタクトホールを形成してもよい。
【００５７】
次に、気相成長法によって導電性膜を平坦化膜３３の表面べた一面に成膜し、その導電性膜に対してフォトリソグラフィー法・エッチング法を順に施すことによって、サブピクセル電極２０ａをパターニングする。
【００５８】
次に、気相成長法によって絶縁膜を成膜後、絶縁膜に対してフォトリソグラフィー法・エッチング法を順次行うことで、その絶縁膜を網目状の下地層となる絶縁膜３４にパターニングする。これにより、サブピクセル電極２０ａが露出される。次に、水平方向に隣り合うサブピクセル電極２０ａの間であってその絶縁膜３４の上に金属隔壁Ｗをメッキ法によって成長させる。
【００５９】
次に、紫外線／オゾン洗浄法によってトランジスタアレイパネル５０を洗浄する。
【００６０】
次に、表面全体にトリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体（化学式（１）又は化学式（２））の水溶液をトランジスタアレイパネル５０に塗布することによって、或いは、トランジスタアレイパネル５０をトリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体の水溶液に浸漬することによって、金属隔壁Ｗの表面処理を行う。トリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体の性質により、金属隔壁Ｗの表面にはトリアジンチオール水溶液が塗布されて、金属隔壁Ｗの表面には撥液性導通層３６が形成されるが、サブピクセル電極２０ａのような金属酸化物や絶縁膜の表面には撥液性導通層がほとんど形成されない。
【００６１】
ここで、化学式（２）のフッ素系トリアジンジチオール誘導体は、水に難溶又は不溶であるが、同モル量のＮａＯＨ又はＫＯＨの水溶液に溶解し、フッ素系トリアジンジチオール誘導体水溶液を調製することができる。水溶液の濃度は、１×１０-4〜１×１０-2ｍｏｌ／Ｌの範囲とする。フッ素系トリアジンジチオール誘導体水溶液を用いる場合には、水溶液の温度を２０〜３０℃とし、浸漬時間を１〜１０分とすることが好ましい。フッ素系トリアジンジチオール誘導体のフッ素は多い程、撥水性を示すが溶媒に溶解しにくくなるので多すぎないことが好ましい。
なお、化学式（１）、化学式（２）のトリアジンチオール水溶液の代わりに、6-ジメチルアミノ-1,3,5-トリアジン-2,4-ジチオール−ナトリウム塩の水溶液を用いても良い。この水溶液の濃度を１×１０-3ｍｏｌ／Ｌに調整し、その水溶液の温度を２０〜３０℃とし、浸漬時間を１〜３０分とした。
また、トリアジンチオール水溶液として、6-ジドデシルアミノ-1,3,5-トリアジン-2,4-ジチオール−ナトリウム塩の水溶液を用いても良い。この水溶液の濃度を１×１０-3ｍｏｌ／Ｌに調整し、その水溶液の温度を３０〜５０℃とし、浸漬時間を１〜３０分とした。
なお、上述のトリチオールやジチオールに限らず、モノチオールとしてもよく、モノチオールの場合、フッ化アルキルを含む撥液性官能基を一つまたは二つ設けてもよい。
【００６２】
化学式（１）、化学式（２）等のトリアジンチオール水溶液にトランジスタアレイパネル５０を浸漬した後、そのトランジスタアレイパネル５０を取り出し、アルコールによってそのトランジスタアレイパネル５０をすすぐ。これにより、余分なトリアジンチオールを洗い流す。
【００６３】
次に、そのトランジスタアレイパネル５０を水で二次洗浄した後、不活性ガス（例えば、窒素ガス（Ｎ2））をトランジスタアレイパネル５０に吹き付けることにより、トランジスタアレイパネル５０を乾燥させる。
【００６４】
次に、親水性の溶剤に対して溶解性を示し且つ疎水性の溶剤に対して難溶性又は不溶性である正孔注入材料（例えば導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントとなるＰＳＳ）を水に溶解した有機化合物含有液をサブピクセル電極２０ａに塗布する。塗布方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いても良いし、ディップコート法、スピンコート法といったコーティング法を用いても良い。サブピクセル電極２０ａごとに独立して正孔輸送層２０ｄを成膜するためには、インクジェット法等の印刷方法が好ましい。
【００６５】
このように湿式塗布法により正孔輸送層２０ｄを形成した場合、厚膜の金属隔壁Ｗが設けられているから、更には金属隔壁Ｗの表面に撥液性導通層３６がコーティングされているから、隣り合うサブピクセル電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が金属隔壁Ｗを越えて混ざり合わない。そのため、サブピクセル電極２０ａごとに独立して正孔輸送層２０ｄを形成することができる。
【００６６】
更に、撥液性導通層３６の撥液性によって、サブピクセル電極２０ａに塗布された有機化合物含有液がサブピクセル電極２０ａの外縁部で厚くならないので、正孔輸送層２０ｄを均一な膜厚で成膜することができる。
【００６７】
正孔輸送層２０ｄを形成した後、正孔輸送層２０ｄを大気に曝露した状態で、ホットプレートを用いてトランジスタアレイパネル５０を１６０〜１８０℃の温度で熱処理する。正孔輸送層２０ｄが１６０〜１８０℃に加熱されると、発光特性及び寿命が向上するが、撥液性導通層３６の撥液性が低下してしまう。
【００６８】
次に、化学式（１）、化学式（２）等のトリアジンチオールの溶液を調整する。ここでは、溶媒を疎水性の芳香族系の有機溶剤（例えば、トルエン）とし、トリアジンチオール溶液の濃度を１×１０-4〜１×１０-2ｍｏｌ／Ｌとする。２０〜３０℃のトリアジンチオール溶液にトランジスタアレイパネル５０を１０〜６０秒間浸漬することによって、金属隔壁Ｗの表面処理を再び行う。これにより、金属隔壁Ｗにトリアジンチオール溶液が塗布されて、撥液性導通層３６の撥液性が向上する。トリアジンチオールの溶剤を有機溶剤とすることで、正孔輸送層２０ｄがその溶液に溶けない。更に、トリアジンチオール化合物は、選択的に金属と結合するが、ＩＴＯ等の金属酸化物や、有機物には撥液性を示すほど被膜することはないため、正孔輸送層２０ｄの表面にはトリアジン化合物の膜がほとんど形成されず、正孔輸送層２０ｄの表面の親液性が確保される。
【００６９】
トリアジンチオール溶液にトランジスタアレイパネル５０を浸漬した後、そのトランジスタアレイパネル５０を取り出し、トルエンによってそのトランジスタアレイパネル５０をすすぐ。これにより、余分なトリアジンチオールを洗い流す。
【００７０】
次に、不活性ガス（例えば、窒素ガス）をトランジスタアレイパネル５０に吹き付けることにより、トランジスタアレイパネル５０を乾燥させる。
【００７１】
次に、発光色が赤、緑、青のポリフルオレン系発光材料をそれぞれ疎水性の有機溶剤（例えば、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン）に溶かし、赤、緑、青それぞれの有機化合物含有液を準備する。そして、赤のサブピクセルＰの正孔輸送層２０ｄ上には赤の有機化合物含有液を塗布し、緑のサブピクセルＰの正孔輸送層２０ｄ上には緑の有機化合物含有液を塗布し、青のサブピクセルＰの正孔輸送層２０ｄ上には青の有機化合物含有液を塗布する。これにより、正孔輸送層２０ｄ上に発光層２０ｅを成膜する。塗布方法としてはインクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いて、色ごとに塗り分けを行う。
【００７２】
このように湿式塗布法により発光層２０ｅを形成した場合、厚膜の金属隔壁Ｗが設けられているから、更には金属隔壁Ｗの表面に活性な撥液性導通層３６がコーティングされているから、隣り合うサブピクセルＰに塗布された有機化合物含有液が金属隔壁Ｗを越えて混ざり合わない。そのため、サブピクセルＰごとに独立して正孔輸送層２０ｄを形成することができる。
【００７３】
次に、不活性ガス雰囲気（例えば、窒素ガス雰囲気）下でホットプレートによってトランジスタアレイパネル５０を乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。なお、真空中でシーズヒータによる乾燥を行っても良い。
【００７４】
次に、気相成長法により対向電極２０ｃをべた一面に成膜する。具体的には、真空蒸着法によってＣａ又はＢａの薄膜をべた一面に成膜し、その上にＡｌをべた一面に成膜する。
【００７５】
次に、封止基板（例えば、メタルキャップ、ガラス基板）に紫外線硬化性又は熱硬化性の接着剤を塗布し、その接着剤によって封止基板を対向電極２０ｃに接着する。これにより、ＥＬディスプレイパネルが完成する。
【００７６】
以上のように、本実施形態によれば、各サブピクセルＰの間において凸設された金属隔壁Ｗがトランジスタ２１〜２３の電極とにメッキ法により成長したものであるから、金属隔壁Ｗを厚膜にすることができ、金属隔壁Ｗを低抵抗化することができる。そして、金属隔壁Ｗが対向電極２０ｃに導通しているから、対向電極２０ｃ自体が薄膜化してより高抵抗になっても対向電極２０ｃの電圧を面内で一様にすることができる。従って、サブピクセルＰごとの発光強度のバラツキを防止することができ、面内の発光強度を一様することができる。例えば、全てのサブピクセル電極２０ａに同じ電位を印加した場合でも、どのサブピクセルＰにおいても有機ＥＬ層２０ｂの発光強度もほぼ等しくなる。
【００７７】
また、正孔輸送層２０ｄ、発光層２０ｅのそれぞれの形成前に、トリアジンチオール溶液によって金属隔壁Ｗの表面を撥液性にしたため、正孔輸送層２０ｄ、発光層２０ｅの塗り分けを容易に行うことができる。特に、正孔輸送層２０ｄの形成後に、トルエンを溶媒としたトリアジンチオール溶液を用いたので、正孔輸送層２０ｄを溶解することなく、金属隔壁Ｗの撥液処理が可能となる。
【００７８】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。
【００７９】
例えば、正孔輸送層２０ｄと発光層２０ｅとの間に疎水性の溶剤に対して溶解性を示し且つ親水性の溶剤に対して難溶性又は不溶性である材料で構成されるインタレイヤ層を形成する場合には、有機ＥＬ層２０ｂの形成方法は次のような順序になる。上述の場合と同様に、金属隔壁Ｗの表面に撥液性導通層３６を形成してから正孔輸送層２０ｄを形成した後、トルエンを溶媒としたトリアジンチオール溶液にトランジスタアレイパネル５０を浸漬する。その後、湿式塗布法（例えば、インクジェット法、スピンコート法、ディップコート法、印刷法）によって正孔輸送層２０ｄの上にインタレイヤ層を形成する。その後、トランジスタアレイパネル５０を熱処理するが、不活性ガス雰囲気（例えば、窒素ガス雰囲気）において熱処理を行えば、金属隔壁Ｗの表面の撥液性が低下しない。その後、上述した場合と同様に、発光層２０ｅを形成する。
【００８０】
また上記実施形態では、第一層となる電荷輸送層として、親水性の溶剤に対して溶解性があり且つ疎水性の溶剤に対して溶解性が低い材料を用い、第二層となる電荷輸送層として、親水性の溶剤に対して溶解性が低く且つ疎水性の溶剤に対して溶解性がある材料を用いたが、第一層となる電荷輸送層として、親水性の溶剤に対して溶解性が低く且つ疎水性の溶剤に対して溶解性がある材料を用い、第二層となる電荷輸送層として、親水性の溶剤に対して溶解性があり且つ疎水性の溶剤に対して溶解性が低い材料を用いてもよい。
そして、金属隔壁Ｗの表面にトリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体による第一撥液処理を行ってから、第一層となる電荷輸送層の疎水性溶液をサブピクセル電極２０ａ上に付して乾燥させて第一層を成膜後、第一層に対して溶解性の低い親水性溶剤でトリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体を溶解したトリアジンチオール溶液を金属隔壁Ｗの表面に付して第二撥液処理を行えば、このトリアジンチオール溶液によって第一層が溶解されることがほとんどない。さらに第一層上に成膜される第二層は、親水性溶剤に第二層となる材料が溶解された溶液によって成膜されれば、この第二層溶液によって第一層が溶解されることはない。
【実施例１】
【００８１】
以下、実施例を挙げることにより本発明について更に具体的に説明する。
銅を成膜した基板をトリアジンチオール水溶液に浸漬した。トリアジンチオール水溶液としては、化学式（２）に示したフッ素系トリアジンジチオール誘導体（ｍは２、ｎは３）とＮａＯＨをそれぞれ２．０×１０-3ｍｏｌ／Ｌの濃度にて一緒に純水に溶解させたものを用いた。トリアジンチオール水溶液の温度を２３℃とし、浸漬時間を３分とした。その後、その基板をエタノールにて洗浄し、更に純水で洗浄し、その基板に窒素ガスを吹き付けて乾燥させた。その後、銅の膜に対する純水やメシチレンの接触角を測定した。その結果を図４に示す。図４において、「純水接触角初期値」は、上述の通り、基板を一度トリアジンチオール水溶液に浸漬して撥液性導通層を被膜してから常温で測定した純水の接触角であり、「メシチレン接触角初期値」は、基板を一度トリアジンチオール水溶液に浸漬して撥液性導通層を被膜してから常温で測定したメシチレンの接触角である。
【００８２】
その後、その基板を熱処理したが、その加熱時間を１５分とした。その後、常温での銅の膜に対する水やメシチレンの接触角を測定した。その結果を図４及び表１に示す。図４、表１の「純水接触角」及び「メシチレン接触角」から明らかなように、熱処理をした後、基板における純水やメシチレンの接触角が低下することがわかる。特に、熱処理温度が高くなるにつれて、接触率が低下しやすくなる。
【００８３】
その後、溶媒であるトルエンにフッ素系トリアジンジチオール誘導体を溶かし、濃度２．０×１０-3ｍｏｌ／Ｌのフッ素系トリアジンジチオール誘導体溶液を調製した。熱処理後の基板をフッ素系トリアジンジチオール誘導体溶液に浸漬した。ここで、フッ素系トリアジンジチオール誘導体溶液の温度を２３℃とし、浸漬時間を３０秒とした。その後、銅の膜に対するメシチレンの接触角を測定した。その結果を図４及び表１に示す。図４及び表１において、「再処理後」が、上述のような熱処理の後、再びフッ素系トリアジンジチオール誘導体溶液に浸漬して乾燥した基板の常温でのメシチレンの接触角である。なお、図４及び表１中の温度は、一度目のトリアジンチオール誘導体水溶液に浸漬した後の乾燥温度であって、二度目の浸漬後は高温乾燥していない。図４、表１から明らかなように、再び、フッ素系トリアジンジチオール誘導体溶液に浸漬して撥液性導通層を被膜した基板の常温での接触角が向上し、撥液性が向上したことがわかる。
【００８４】
【表１】
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】ディスプレイパネルの概略平面図である。
【図２】サブピクセルの等価回路図である。
【図３】図１の切断線III−IIIに沿った面の矢視断面図である。
【図４】純水及びメシチレンの接触角と乾燥温度との関係を示したグラフである。
【符号の説明】
【００８６】
２０ａ サブピクセル電極（電極）
２０ｄ 正孔輸送層（有機化合物層）
２０ｅ 発光層（有機化合物層）
３６ 撥液性導通層
５０ トランジスタアレイパネル（基板）
Ｗ 金属隔壁
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パネル上に配列された電極上に有機化合物層を積層する積層方法において、
前記電極の間に配置された金属層に第一撥液性溶液を塗布することによって前記金属層の表面処理を行い、
前記電極に第一有機化合物含有液を塗布することによって第一有機化合物層を成膜してから熱処理し、
第二撥液性溶液を前記金属層に塗布することによって前記金属層の表面処理を再び行い、
前記第一有機化合物層上にさらに第二有機化合物含有液を塗布することによって第二有機化合物層を成膜することを特徴とする有機化合物層の積層方法。
【請求項２】
前記第一撥液性溶液が、トリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体をアルカリ金属の水酸化物とともに溶かした水溶液であることを特徴とする請求項１に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項３】
前記第一有機化合物含有液が、前記第一有機化合物層となる材料を含む水溶液であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項４】
前記第二撥液性溶液が、トリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体を疎水性の溶剤に溶解した溶液であることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項５】
前記第二撥液性溶液が、前記第一有機化合物層に対し溶解性の低い溶剤にトリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体を溶解した溶液であることを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項６】
前記第二有機化合物含有液が、前記第一有機化合物層に対し溶解性の低い溶剤に第二有機化合物層となる材料を溶解した溶液であることを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項７】
前記第一有機化合物層は、親水性の溶剤に対して溶解性があり、疎水性の溶剤に対して溶解性が低いことを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項８】
前記第一撥液性溶液及び前記第二撥液性溶液の少なくとも一方は、フッ素を含んだ置換基を有するトリアジンジチオール誘導体を含むことを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項９】
前記金属層の金属として銅、銀、アルミ又はそれらを主成分とする合金を用いることを特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項１０】
前記電極が金属酸化物であることを特徴とする請求項１から９の何れか一項に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項１１】
前記金属層の表面処理を再び行った後、前記第一有機化合物層上にインタレイヤ層を湿式塗布法により成膜し、そのインタレイヤ層を不活性ガス雰囲気下において熱処理し、そのインタレイヤ層上に前記第二有機化合物含有液を塗布することを特徴とする請求項１から１０の何れか一項に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項１２】
パネル上に配列された電極の間に配置された金属層に第一撥液性溶液を塗布することによって前記金属層の表面処理を行い、
前記電極に第一有機化合物含有液を塗布することによって第一有機化合物層を成膜してから熱処理し、
第二撥液性溶液を前記金属層に塗布することによって前記金属層の表面処理を再び行い、
前記第一有機化合物層上にさらに第二有機化合物含有液を塗布して第二有機化合物層を成膜した後、
前記第二有機化合物層上に対向電極を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とするエレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。
【請求項１】
パネル上に配列された電極上に有機化合物層を積層する積層方法において、
前記電極の間に配置された金属層に第一撥液性溶液を塗布することによって前記金属層の表面処理を行い、
前記電極に第一有機化合物含有液を塗布することによって第一有機化合物層を成膜してから熱処理し、
第二撥液性溶液を前記金属層に塗布することによって前記金属層の表面処理を再び行い、
前記第一有機化合物層上にさらに第二有機化合物含有液を塗布することによって第二有機化合物層を成膜することを特徴とする有機化合物層の積層方法。
【請求項２】
前記第一撥液性溶液が、トリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体をアルカリ金属の水酸化物とともに溶かした水溶液であることを特徴とする請求項１に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項３】
前記第一有機化合物含有液が、前記第一有機化合物層となる材料を含む水溶液であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項４】
前記第二撥液性溶液が、トリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体を疎水性の溶剤に溶解した溶液であることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項５】
前記第二撥液性溶液が、前記第一有機化合物層に対し溶解性の低い溶剤にトリアジンチオール化合物またはトリアジンチオール誘導体を溶解した溶液であることを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項６】
前記第二有機化合物含有液が、前記第一有機化合物層に対し溶解性の低い溶剤に第二有機化合物層となる材料を溶解した溶液であることを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項７】
前記第一有機化合物層は、親水性の溶剤に対して溶解性があり、疎水性の溶剤に対して溶解性が低いことを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項８】
前記第一撥液性溶液及び前記第二撥液性溶液の少なくとも一方は、フッ素を含んだ置換基を有するトリアジンジチオール誘導体を含むことを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項９】
前記金属層の金属として銅、銀、アルミ又はそれらを主成分とする合金を用いることを特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項１０】
前記電極が金属酸化物であることを特徴とする請求項１から９の何れか一項に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項１１】
前記金属層の表面処理を再び行った後、前記第一有機化合物層上にインタレイヤ層を湿式塗布法により成膜し、そのインタレイヤ層を不活性ガス雰囲気下において熱処理し、そのインタレイヤ層上に前記第二有機化合物含有液を塗布することを特徴とする請求項１から１０の何れか一項に記載の有機化合物層の積層方法。
【請求項１２】
パネル上に配列された電極の間に配置された金属層に第一撥液性溶液を塗布することによって前記金属層の表面処理を行い、
前記電極に第一有機化合物含有液を塗布することによって第一有機化合物層を成膜してから熱処理し、
第二撥液性溶液を前記金属層に塗布することによって前記金属層の表面処理を再び行い、
前記第一有機化合物層上にさらに第二有機化合物含有液を塗布して第二有機化合物層を成膜した後、
前記第二有機化合物層上に対向電極を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とするエレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００６−２５２８７６（Ｐ２００６−２５２８７６Ａ）
【公開日】平成１８年９月２１日（２００６．９．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−６５７６１（Ｐ２００５−６５７６１）
【出願日】平成１７年３月９日（２００５．３．９）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年９月２１日（２００６．９．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月９日（２００５．３．９）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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