有機発光ダイオード駆動回路、有機発光ダイオード表示装置及び有機発光ダイオード表示装置の駆動方法
【課題】本発明は、有機発光ダイオード駆動素子の特性変化を防止できる有機発光ダイオード駆動回路、それを利用した有機発光ダイオード表示装置及び有機発光ダイオード表示装置の駆動方法を提供することにある。
【解決手段】本発明による有機発光ダイオード駆動回路は、電流により発光する有機発光ダイオード、スキャンパルスに応答してデータ電圧を第１ノードに供給する第１スイッチ、第１ノード上のデータ電圧により有機発光ダイオードに流れる電流を制御する第２スイッチ、及び第１ノードのデータ電圧を制御するストレス補償回路を備える。
【解決手段】本発明による有機発光ダイオード駆動回路は、電流により発光する有機発光ダイオード、スキャンパルスに応答してデータ電圧を第１ノードに供給する第１スイッチ、第１ノード上のデータ電圧により有機発光ダイオードに流れる電流を制御する第２スイッチ、及び第１ノードのデータ電圧を制御するストレス補償回路を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード表示装置に係り、特に有機発光ダイオード駆動素子の特性変化を防止できる有機発光ダイオード駆動回路、それを利用した有機発光ダイオード表示装置及び有機発光ダイオード表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、陰極線管の短所である重量及び体積を減少できる各種の平板表示装置が注目されている。このような平板表示装置としては、液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）、電界放出表示装置（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）及び発光ダイオード（以下、“ＬＥＤ”という。（ＬＥＤ：Light-Emitting Diode））表示装置などがある。
【０００３】
そのうち、ＬＥＤ表示装置は、電子と正孔との再結合により蛍光体を発光させるＬＥＤを利用し、前記ＬＥＤは、蛍光体として無機化合物を使用する無機ＬＥＤ表示装置と、有機化合物を使用する有機ＬＥＤ（以下、“ＯＬＥＤ”という（ＯＬＥＤ：Organic Light-Emitting Diode））表示装置とに区分される。前記ＯＬＥＤ表示装置は、低電圧駆動、自己発光、薄膜型、広い視野角、速い応答速度及び高いコントラストなどの多くの長所を有しているので、次世代の表示装置として期待されている。
【０００４】
ＯＬＥＤは、通常、負極と正極との間に積層された電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層及び正孔注入層から構成される。前記ＯＬＥＤでは、正極と負極との間に所定の電圧を印加する場合、負極から発生した電子が電子注入層及び電子輸送層を通じて発光層側に移動し、正極から発生した正孔が正孔注入層及び正孔輸送層を通じて発光層側に移動する。これにより、発光層では、電子輸送層及び正孔輸送層から供給された電子と正孔との再結合により光を放出する。
【０００５】
図１に示したように、前記ＯＬＥＤを利用するアクティブマトリックスタイプのＯＬＥＤ表示装置１０は、ｎ個のゲートラインＧ１〜Ｇｎ（ただし、ｎは正の整数）とｍ個のデータラインＤ１〜Ｄｍ（ただし、ｍは正の整数）との交差により定義された領域にｎ×ｍマトリックス形態に配列されたｎ×ｍ個の画素Ｐ［ｉ，ｊ］（ただし、Ｐ［ｉ，ｊ］はｉ行、ｊ列に位置した画素、ｉはｎより小さいか、または同じ正の整数、ｊはｍより小さいか、または同じ正の整数）を含むＯＬＥＤパネル１３、ＯＬＥＤパネル１３のゲートラインＧ１〜Ｇｎを駆動するゲート駆動回路１２、ＯＬＥＤパネル１３のデータラインＤ１〜Ｄｍを駆動するデータ駆動回路１１、及びデータラインＤ１〜Ｄｍと並べて配列されて、高電位の電源電圧Ｖｄｄを各画素Ｐ［ｉ，ｊ］に供給するｍ個の電源電圧供給ラインＳ１〜Ｓｍを備える。
【０００６】
ゲート駆動回路１２は、ゲートラインＧ１〜Ｇｎにスキャンパルスを供給して、ゲートラインＧ１〜Ｇｎを順次に駆動する。
【０００７】
データ駆動回路１１は、外部から入力されたデジタルデータ電圧をアナログデータ電圧に変換する。そして、データ駆動回路１１は、アナログデータ電圧をスキャンパルスが供給される度にデータラインＤ１〜Ｄｍに供給する。
【０００８】
画素Ｐ［ｉ，ｊ］は、それぞれ第ｉゲートラインＧｉにスキャンパルスが供給されるとき、第ｊデータラインＤｊからのデータ電圧を供給されてそのデータ電圧に相応する光を発生させる。
【０００９】
このために、各画素Ｐ［ｉ，ｊ］は、第ｊ電源電圧供給ラインＳｊに正極が接続されたＯＬＥＤと、ＯＬＥＤを駆動するために、ＯＬＥＤの負極に接続されると共に、第ｉゲートラインＧｉ及び第ｊデータラインＤｊと接続され、低電位の電源電圧Ｖｓｓが供給されるＯＬＥＤ駆動回路１５とを備える。
【００１０】
前記ＯＬＥＤ駆動回路１５は、第ｉゲートラインＧｉからのスキャンパルスに応答して、第ｊデータラインＤｊからのデータ電圧を第１ノードＮ１に供給する第１トランジスタＴ１、第１ノードＮ１の電圧に応答してＯＬＥＤに流れる電流量を制御する第２トランジスタＴ２、及び第１ノードＮ１上の電圧が充電されるストレージキャパシタＣｓを備える。
【００１１】
このＯＬＥＤ駆動回路１５の駆動波形は、図２に示すようである。図２において、“１Ｆ”は１フレーム期間、“１Ｈ”は１水平期間、“Ｖｇ＿ｉ”は第ｉゲートラインＧｉから供給されるゲート電圧、“Ｐｓｃ”はスキャンパルス、“Ｖｄ＿ｊ”は第ｊデータラインＤｊから供給されるデータ電圧、“Ｐｒｓ”はリセットパルス、“ＶＮ１”は第１ノードＮ１上の電圧（以下、第１ノード電圧ＶＮ１という。）、“ＩＯＬＥＤ”はＯＬＥＤを通じて流れる電流を表す。
【００１２】
図１及び図２に示すように、第１トランジスタＴ１は、ゲートラインＧｉを通じてスキャンパルスが供給されれば、ターンオンされてデータラインＤｊから供給されたデータ電圧Ｖｄを第１ノードＮ１に供給する。第１ノードＮ１に供給されたデータ電圧Ｖｄは、ストレージキャパシタＣｓに充電されると共に第２トランジスタＴ２のゲート端子に供給される。このように供給されるデータ電圧Ｖｄにより第２トランジスタＴ２がターンオンされれば、ＯＬＥＤを通じて電流が流れる。このとき、ＯＬＥＤを通じて流れる電流は、高電位の電源電圧ＶＤＤにより発生し、電流量は、第２トランジスタＴ２に印加されるデータ電圧Ｖｄの大きさに比例する。そして、第１トランジスタＴ１がターンオフされても、第２トランジスタＴ２は、ストレージキャパシタＣｓによる第１ノード電圧ＶＮ１によりターンオン状態を維持して、次のフレームのデータ電圧Ｖｄが供給されるまでＯＬＥＤを経由して流れる電流量を制御する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
前記ＯＬＥＤ駆動回路１５には、次のような問題点がある。
【００１４】
図２に示すように、ＯＬＥＤを駆動する第２トランジスタＴ２のゲート電極には、ポジティブ（正）のデータ電圧Ｖｄが長時間印加される。このように長時間印加されるポジティブのデータ電圧Ｖｄにより、第２トランジスタＴ２には、図３に示すように累積ゲートバイアスストレスが発生し、このような累積ゲートバイアスストレスにより、第２トランジスタＴ２には、図４Ａに示すように劣化による特性変化が発生する。図４Ａは、ポジティブのゲートバイアスストレスによるトランジスタの特性変化を示し、図４Ｂは、ネガティブ（負）のゲートバイアスストレスによるトランジスタの特性変化を示し、図４Ａ及び図４Ｂで矢印は、トランジスタのしきい電圧の移動を表す。このようにゲートバイアスストレスにより発生する第２トランジスタＴ２のようなＯＬＥＤ駆動素子の特性変化は、ＯＬＥＤに流れる電流量を変化させてＯＬＥＤ駆動回路１５の動作の信頼性を低下させ、さらに、ＯＬＥＤ表示装置の動作についての信頼性を低下させる。
【００１５】
本発明は、かかる問題点を解決するためになされたものであり、ＯＬＥＤ駆動素子の特性変化を防止してＯＬＥＤ駆動回路の動作の信頼性を確保し、さらに、ＯＬＥＤ表示装置の動作の信頼性を確保できるＯＬＥＤ駆動回路、ＯＬＥＤ表示装置、及びＯＬＥＤ表示装置の駆動方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記の目的を達成するために、本発明によるＯＬＥＤ駆動回路は、電流により発光するＯＬＥＤ、スキャンパルスに応答してデータ電圧を第１ノードに供給する第１スイッチ、第１ノード上のデータ電圧によりＯＬＥＤに流れる電流を制御する第２スイッチ、及び第１ノードのデータ電圧を制御するストレス補償回路を備える。
【００１７】
本発明によるＯＬＥＤ表示装置は、互いに交差するデータライン及びゲートライン、ゲートラインにスキャンパルスを供給するゲート駆動回路、データラインにビデオデータ電圧を供給するデータ駆動回路、電流により発光するＯＬＥＤ、スキャンパルスに応答してデータ電圧を第１ノードに供給する第１スイッチ、第１ノード上のデータ電圧によりＯＬＥＤに流れる電流を制御する第２スイッチ、及び第１ノードのデータ電圧を制御するストレス補償回路を備える。
【００１８】
本発明によるＯＬＥＤ表示装置の駆動方法は、複数のゲートラインにスキャンパルスを供給するステップ、ゲートラインと交差するデータラインにデータ電圧を供給するステップ、及びＯＬＥＤ駆動回路に含まれたトランジスタの電圧をリセット電圧に制御するステップを含む。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によるＯＬＥＤ駆動回路、ＯＬＥＤ表示装置及びＯＬＥＤ表示装置の駆動方法は、リセットパルスに応答してＯＬＥＤ駆動素子の制御ノードを放電させる第３トランジスタを備えて、ＯＬＥＤ駆動素子の劣化による特性変化を防止できるので動作の信頼性が向上する。さらに、データ電圧の低電位の基準電圧よりスキャンパルス及びリセットパルスの低電位の基準電圧を低くする駆動波形を供給して、さらに向上したＯＬＥＤ駆動回路の動作の信頼性を確保できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図５〜図９Ｂを参照して、本発明の望ましい実施の形態について説明する。
【００２１】
図５に示すように、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置は、ｎ個のゲートラインＧ１〜Ｇｎ（ただし、ｎは正の整数）とｍ個のデータラインＤ１〜Ｄｍ（ただし、ｍは正の整数）との交差により定義された領域にｎ×ｍマトリックス形態に配列されたｎ×ｍ個の画素Ｐ［ｉ，ｊ］（ただし、Ｐ［ｉ，ｊ］はｉ行、ｊ列に位置した画素、ｉはｎより小さいか、または同じ正の整数、ｊはｍより小さいか、または同じ正の整数）を含むＯＬＥＤパネル１０３、ＯＬＥＤパネル１０３のゲートラインＧ１〜Ｇｎを駆動するゲート駆動回路１０２、ＯＬＥＤパネル１０３のデータラインＤ１〜Ｄｍを駆動するデータ駆動回路１０１、データラインＤ１〜Ｄｍと並べて配列されて、高電位の電源電圧ＶＤＤを各画素Ｐ［ｉ，ｊ］に供給するｍ個の電源電圧供給ラインＳ１〜Ｓｍ、及びゲートラインＧ１〜Ｇｎと並行に配列されて、リセット信号を各画素Ｐ［ｉ，ｊ］に供給するリセットラインＲ１〜Ｒｎを備える。
【００２２】
ゲート駆動回路１０２は、ゲートラインＧ１〜Ｇｎにスキャンパルスを供給して、ゲートラインＧ１〜Ｇｎを順次駆動する。
【００２３】
データ駆動回路１０１は、外部から入力されたデジタルデータ電圧をアナログデータ電圧に変換する。そして、データ駆動回路１０１は、スキャンパルスが供給される度に、アナログデータ電圧をデータラインＤ１〜Ｄｍに供給する。
【００２４】
画素Ｐ［ｉ，ｊ］は、それぞれ第ｉゲートラインＧｉにスキャンパルスＰｓｃが供給されるとき、第ｊデータラインＤｊからのデータ電圧Ｖｄ＿ｊが供給されて、そのデータ電圧に相応する光を発生させる。
【００２５】
このために、各画素Ｐ［ｉ，ｊ］は、第ｊ電源電圧供給ラインＳｊに正極が接続されたＯＬＥＤと、ＯＬＥＤを駆動するために、ＯＬＥＤの負極に接続されると共に、第ｉゲートラインＧｉ、第ｊデータラインＤｊ及び第ｉリセットラインＲｉと接続され、低電位の電源電圧Ｖｓｓが供給されるＯＬＥＤ駆動回路１０５とを備える。
【００２６】
前記ＯＬＥＤ駆動回路１０５は、第ｉゲートラインＧｉからのスキャンパルスに応答して、第ｊデータラインＤｊからのデータ電圧を第１ノードＮ１に供給する第１トランジスタＴ１、第１ノードＮ１上の電圧に応答してＯＬＥＤに流れる電流量を制御する第２トランジスタＴ２、及び第ｉリセットラインＲｉからのリセットパルスに応答して第１ノードＮ１を放電させる第３トランジスタＴ３を備える。トランジスタＴ１，Ｔ２，Ｔ３は、非晶質のシリコンタイプまたはポリシリコンタイプのトランジスタで具現される。
【００２７】
このＯＬＥＤ駆動回路１０５の駆動波形は、図６に示すようである。図６において、“１Ｆ”は１フレーム期間、“１Ｈ”は１水平期間、“Ｖｇ＿ｉ”は第ｉゲートラインＧｉから供給されるゲート電圧、“Ｐｓｃ”はスキャンパルス、“Ｖｄ＿ｊ”は第ｊデータラインＤｊから供給されるデータ電圧、“Ｖｒ＿ｉ”は第ｉリセットラインＲｉから供給されるリセット電圧、“Ｐｒｓ”はリセットパルス、“ＶＮ１”は第１ノードＮ１上の電圧、“ＩＯＬＥＤ”はＯＬＥＤを通じて流れる電流を表す。
【００２８】
図５及び図６に示すように、第１トランジスタＴ１は、第ｉゲートラインＧｉを通じてスキャンパルスＰｓｃが供給されれば、ターンオンされて第ｊデータラインＤｊから供給されたデータ電圧Ｖｄを第１ノードＮ１に供給する。第１ノードＮ１に供給されたデータ電圧Ｖｄは、第２トランジスタＴ２のゲート端子に供給される。このように供給されるデータ電圧Ｖｄにより第２トランジスタＴ２がターンオンされれば、ＯＬＥＤを通じて電流が流れる。このとき、ＯＬＥＤを通じて流れる電流は、高電位の電源電圧ＶＤＤにより発生し、その電流量は、第２トランジスタＴ２のゲート電極に印加されるデータ電圧Ｖｄの大きさに比例する。そして、第１トランジスタＴ１がターンオフされても、データ電圧Ｖｄによる第１ノードＮ１上の電圧ＶＮ１は、リセットパルスＰｒｓにより第３トランジスタＴ３がターンオンされて第１ノードＮ１が放電されるまで維持する。したがって、第２トランジスタＴ２も、リセットパルスＰｒｓが供給されるまでターンオン状態を維持する。このとき、第ｉリセットラインＲｉから供給されるリセットパルスＰｒｓは、フレーム期間ごとにスキャンパルスＰｓｃと１／２フレーム期間の時間差をおいて発生する。
【００２９】
リセットパルスＰｒｓは、リセット駆動回路（図示せず）から発生する。リセット駆動回路は、ゲート駆動回路１０２と同様に、シフトレジスタを備えてゲート駆動回路１０２からのスキャンパルスに続いてリセットパルスＰｒｓを発生させ、そのリセットパルスＰｒｓを順次シフトさせる。
【００３０】
このようにスキャンパルスＰｓｃと１／２フレーム期間の時間差をおいて発生するリセットパルスＰｒｓにより、第３トランジスタＴ３を利用して第１ノードＮ１を放電させることによって、第２トランジスタＴ２は、１／２フレーム期間のストレス回復期間を有する。すなわち、図７Ａに示すように、１／２フレーム期間のターンオン期間に第２トランジスタＴ２に累積されて増加するゲートバイアスストレスは、ターンオフされる１／２フレーム期間だけ減少する。
【００３１】
つまり、第２トランジスタＴ２、すなわちＯＬＥＤ駆動素子は、１／２フレーム期間にターンオン状態を維持した後、１／２フレーム期間にはターンオフ状態を維持する。したがって、図７Ｂに示すように、ターンオン状態であるときに発生したＯＬＥＤ駆動素子の特性変化は、ターンオフ状態であるときに回復期間に回復されるので、ＯＬＥＤ駆動素子の劣化による特性変化を防止して、ＯＬＥＤ駆動回路の動作についての信頼性を向上させる。
【００３２】
図７Ｂに示すように、ポジティブのバイアスストレスは、斜線で示した領域１７０のように１／２フレーム期間に次第に第２トランジスタＴ２のゲート電極に累積される。本発明は、残りの１／２フレーム期間の回復期間に第２トランジスタＴ２のゲート電圧を放電させて、ストレスによる第２トランジスタＴ２の劣化を防止できる。
【００３３】
回復区間にＯＬＥＤ駆動素子のゲート電極にソース及びデータ電極より相対的に低い電源を印加する場合には、ネガティブのバイアスストレス効果をさらに向上させる。すなわち、ネガティブのバイアスストレス効果をさらに向上させて、ＯＬＥＤ駆動素子の特性回復を向上させる。一般的にゲートバイアスストレスは、印加された電圧の大きさに比例であり、これによりＯＬＥＤ駆動素子の低電位の基準電圧より低い第２低電位の基準電圧を利用して、ネガティブのバイアスストレス効果を強化して、全体的に駆動による特性変化による信頼性を非常に向上させる。
【００３４】
図８は、本発明の他の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置のブロック図である。
【００３５】
図８に示すように、ＯＬＥＤ表示装置２００は、データ駆動回路１０１、ゲート駆動回路２０２、ＯＬＥＤパネル１０３及びＯＬＥＤ駆動回路２０５を備える。複数のリセットラインＲ１〜Ｒｎは、複数のゲートラインＧ１〜Ｇｎと並行に設ける。リセットラインＲ１〜Ｒｎは、第３トランジスタＴ３のソース端子に接続される。ネガティブのストレス電圧−Ｖｓｔｒは、リセットラインＲ１〜Ｒｎを通じて第３トランジスタＴ３のソース端子に供給される。ネガティブのストレス電圧−Ｖｓｔｒは、低電位の基準電圧より低くてもよいものとする。ゲート駆動回路２０２は、ゲートハイ電圧Ｖｇｈとネガティブのストレス電圧−Ｖｓｔｒとの間でスイングするスキャンパルスを発生させる。リセット電圧は、ネガティブのストレス電圧−Ｖｓｔｒから上昇するが、データ電圧は、ネガティブのストレス電圧−Ｖｓｔｒより高い低電位の電源電圧ＶＳＳから上昇する。
【００３６】
図９Ａ及び図９Ｂは、図６のＯＬＥＤ駆動回路の駆動波形、及びそれに比べて回復効果を向上させて信頼性を強化した場合の駆動波形を示す図面である。この駆動波形は、ゲート電圧Ｖｇ＿ｉの波形及びリセット電圧Ｖｒ＿ｉの波形の低電位の基準電圧が、データ電圧Ｖｄ＿ｇの低電位の基準電圧より低いことを特徴とする。ＯＬＥＤ駆動素子の制御ノード（第１ノード）に印加される累積バイアスストレスは、斜線で示した領域２１０，２２０のようである。図９Ｂの駆動波形によりＯＬＥＤ駆動素子が駆動する場合、累積バイアスストレスを最小化して特性変化を最小化できる。また、データ電圧Ｖｄ＿ｇの低電位の基準電圧に比べて相対的に低い第２低電位の基準電圧（すなわち、ゲート電圧とリセット電圧との低電位の基準電圧）の調節を通じて、ネガティブのバイアスストレスの大きさを調節でき、それを通じて累積バイアスストレスを最小化できる。
【００３７】
前述したように、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ駆動回路は、リセットパルスに応答してＯＬＥＤ駆動素子の制御ノードを放電させる第３トランジスタを備えて、ＯＬＥＤ駆動素子の劣化による特性変化を防止できるので動作の信頼性が向上する。さらに、データ電圧の低電位の基準電圧よりスキャンパルス及びリセットパルスの低電位の基準電圧を低くする駆動波形を供給して、さらに向上したＯＬＥＤ駆動回路の動作の信頼性を確保できる。
【００３８】
以上説明した内容を通じて、当業者であれば、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であるということが分かる。したがって、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、ＯＬＥＤ表示装置関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】従来のＯＬＥＤ表示装置を示す図面である。
【図２】図１のＯＬＥＤ駆動回路の駆動波形を示す図面である。
【図３】電圧印加時間による累積ゲートバイアスストレスを示す図面である。
【図４Ａ】ポジティブのゲートバイアスストレスによる素子の特性変化を示す図面である。
【図４Ｂ】ネガティブのゲートバイアスストレスによる素子の特性変化を示す図面である。
【図５】本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置を示す図面である。
【図６】図５のＯＬＥＤ駆動回路の駆動波形を示す図面である。
【図７Ａ】図５のＯＬＥＤ駆動回路によるゲートバイアスストレスの減少を示す図面である。
【図７Ｂ】図７Ａのポジティブのバイアスストレスをもたらす駆動波形を示す図面である。
【図８】本発明の他の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置を示す図面である。
【図９Ａ】図８のＯＬＥＤ駆動回路によるゲートバイアスストレスの減少を示す図面である。
【図９Ｂ】図９Ａのポジティブのバイアスストレスをもたらす駆動波形を示す図面である。
【符号の説明】
【００４１】
１００，２００ ＯＬＥＤ表示装置、１０１，２０１ データ駆動回路、１０２，２０２ ゲート駆動回路。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード表示装置に係り、特に有機発光ダイオード駆動素子の特性変化を防止できる有機発光ダイオード駆動回路、それを利用した有機発光ダイオード表示装置及び有機発光ダイオード表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、陰極線管の短所である重量及び体積を減少できる各種の平板表示装置が注目されている。このような平板表示装置としては、液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）、電界放出表示装置（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）及び発光ダイオード（以下、“ＬＥＤ”という。（ＬＥＤ：Light-Emitting Diode））表示装置などがある。
【０００３】
そのうち、ＬＥＤ表示装置は、電子と正孔との再結合により蛍光体を発光させるＬＥＤを利用し、前記ＬＥＤは、蛍光体として無機化合物を使用する無機ＬＥＤ表示装置と、有機化合物を使用する有機ＬＥＤ（以下、“ＯＬＥＤ”という（ＯＬＥＤ：Organic Light-Emitting Diode））表示装置とに区分される。前記ＯＬＥＤ表示装置は、低電圧駆動、自己発光、薄膜型、広い視野角、速い応答速度及び高いコントラストなどの多くの長所を有しているので、次世代の表示装置として期待されている。
【０００４】
ＯＬＥＤは、通常、負極と正極との間に積層された電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層及び正孔注入層から構成される。前記ＯＬＥＤでは、正極と負極との間に所定の電圧を印加する場合、負極から発生した電子が電子注入層及び電子輸送層を通じて発光層側に移動し、正極から発生した正孔が正孔注入層及び正孔輸送層を通じて発光層側に移動する。これにより、発光層では、電子輸送層及び正孔輸送層から供給された電子と正孔との再結合により光を放出する。
【０００５】
図１に示したように、前記ＯＬＥＤを利用するアクティブマトリックスタイプのＯＬＥＤ表示装置１０は、ｎ個のゲートラインＧ１〜Ｇｎ（ただし、ｎは正の整数）とｍ個のデータラインＤ１〜Ｄｍ（ただし、ｍは正の整数）との交差により定義された領域にｎ×ｍマトリックス形態に配列されたｎ×ｍ個の画素Ｐ［ｉ，ｊ］（ただし、Ｐ［ｉ，ｊ］はｉ行、ｊ列に位置した画素、ｉはｎより小さいか、または同じ正の整数、ｊはｍより小さいか、または同じ正の整数）を含むＯＬＥＤパネル１３、ＯＬＥＤパネル１３のゲートラインＧ１〜Ｇｎを駆動するゲート駆動回路１２、ＯＬＥＤパネル１３のデータラインＤ１〜Ｄｍを駆動するデータ駆動回路１１、及びデータラインＤ１〜Ｄｍと並べて配列されて、高電位の電源電圧Ｖｄｄを各画素Ｐ［ｉ，ｊ］に供給するｍ個の電源電圧供給ラインＳ１〜Ｓｍを備える。
【０００６】
ゲート駆動回路１２は、ゲートラインＧ１〜Ｇｎにスキャンパルスを供給して、ゲートラインＧ１〜Ｇｎを順次に駆動する。
【０００７】
データ駆動回路１１は、外部から入力されたデジタルデータ電圧をアナログデータ電圧に変換する。そして、データ駆動回路１１は、アナログデータ電圧をスキャンパルスが供給される度にデータラインＤ１〜Ｄｍに供給する。
【０００８】
画素Ｐ［ｉ，ｊ］は、それぞれ第ｉゲートラインＧｉにスキャンパルスが供給されるとき、第ｊデータラインＤｊからのデータ電圧を供給されてそのデータ電圧に相応する光を発生させる。
【０００９】
このために、各画素Ｐ［ｉ，ｊ］は、第ｊ電源電圧供給ラインＳｊに正極が接続されたＯＬＥＤと、ＯＬＥＤを駆動するために、ＯＬＥＤの負極に接続されると共に、第ｉゲートラインＧｉ及び第ｊデータラインＤｊと接続され、低電位の電源電圧Ｖｓｓが供給されるＯＬＥＤ駆動回路１５とを備える。
【００１０】
前記ＯＬＥＤ駆動回路１５は、第ｉゲートラインＧｉからのスキャンパルスに応答して、第ｊデータラインＤｊからのデータ電圧を第１ノードＮ１に供給する第１トランジスタＴ１、第１ノードＮ１の電圧に応答してＯＬＥＤに流れる電流量を制御する第２トランジスタＴ２、及び第１ノードＮ１上の電圧が充電されるストレージキャパシタＣｓを備える。
【００１１】
このＯＬＥＤ駆動回路１５の駆動波形は、図２に示すようである。図２において、“１Ｆ”は１フレーム期間、“１Ｈ”は１水平期間、“Ｖｇ＿ｉ”は第ｉゲートラインＧｉから供給されるゲート電圧、“Ｐｓｃ”はスキャンパルス、“Ｖｄ＿ｊ”は第ｊデータラインＤｊから供給されるデータ電圧、“Ｐｒｓ”はリセットパルス、“ＶＮ１”は第１ノードＮ１上の電圧（以下、第１ノード電圧ＶＮ１という。）、“ＩＯＬＥＤ”はＯＬＥＤを通じて流れる電流を表す。
【００１２】
図１及び図２に示すように、第１トランジスタＴ１は、ゲートラインＧｉを通じてスキャンパルスが供給されれば、ターンオンされてデータラインＤｊから供給されたデータ電圧Ｖｄを第１ノードＮ１に供給する。第１ノードＮ１に供給されたデータ電圧Ｖｄは、ストレージキャパシタＣｓに充電されると共に第２トランジスタＴ２のゲート端子に供給される。このように供給されるデータ電圧Ｖｄにより第２トランジスタＴ２がターンオンされれば、ＯＬＥＤを通じて電流が流れる。このとき、ＯＬＥＤを通じて流れる電流は、高電位の電源電圧ＶＤＤにより発生し、電流量は、第２トランジスタＴ２に印加されるデータ電圧Ｖｄの大きさに比例する。そして、第１トランジスタＴ１がターンオフされても、第２トランジスタＴ２は、ストレージキャパシタＣｓによる第１ノード電圧ＶＮ１によりターンオン状態を維持して、次のフレームのデータ電圧Ｖｄが供給されるまでＯＬＥＤを経由して流れる電流量を制御する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
前記ＯＬＥＤ駆動回路１５には、次のような問題点がある。
【００１４】
図２に示すように、ＯＬＥＤを駆動する第２トランジスタＴ２のゲート電極には、ポジティブ（正）のデータ電圧Ｖｄが長時間印加される。このように長時間印加されるポジティブのデータ電圧Ｖｄにより、第２トランジスタＴ２には、図３に示すように累積ゲートバイアスストレスが発生し、このような累積ゲートバイアスストレスにより、第２トランジスタＴ２には、図４Ａに示すように劣化による特性変化が発生する。図４Ａは、ポジティブのゲートバイアスストレスによるトランジスタの特性変化を示し、図４Ｂは、ネガティブ（負）のゲートバイアスストレスによるトランジスタの特性変化を示し、図４Ａ及び図４Ｂで矢印は、トランジスタのしきい電圧の移動を表す。このようにゲートバイアスストレスにより発生する第２トランジスタＴ２のようなＯＬＥＤ駆動素子の特性変化は、ＯＬＥＤに流れる電流量を変化させてＯＬＥＤ駆動回路１５の動作の信頼性を低下させ、さらに、ＯＬＥＤ表示装置の動作についての信頼性を低下させる。
【００１５】
本発明は、かかる問題点を解決するためになされたものであり、ＯＬＥＤ駆動素子の特性変化を防止してＯＬＥＤ駆動回路の動作の信頼性を確保し、さらに、ＯＬＥＤ表示装置の動作の信頼性を確保できるＯＬＥＤ駆動回路、ＯＬＥＤ表示装置、及びＯＬＥＤ表示装置の駆動方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記の目的を達成するために、本発明によるＯＬＥＤ駆動回路は、電流により発光するＯＬＥＤ、スキャンパルスに応答してデータ電圧を第１ノードに供給する第１スイッチ、第１ノード上のデータ電圧によりＯＬＥＤに流れる電流を制御する第２スイッチ、及び第１ノードのデータ電圧を制御するストレス補償回路を備える。
【００１７】
本発明によるＯＬＥＤ表示装置は、互いに交差するデータライン及びゲートライン、ゲートラインにスキャンパルスを供給するゲート駆動回路、データラインにビデオデータ電圧を供給するデータ駆動回路、電流により発光するＯＬＥＤ、スキャンパルスに応答してデータ電圧を第１ノードに供給する第１スイッチ、第１ノード上のデータ電圧によりＯＬＥＤに流れる電流を制御する第２スイッチ、及び第１ノードのデータ電圧を制御するストレス補償回路を備える。
【００１８】
本発明によるＯＬＥＤ表示装置の駆動方法は、複数のゲートラインにスキャンパルスを供給するステップ、ゲートラインと交差するデータラインにデータ電圧を供給するステップ、及びＯＬＥＤ駆動回路に含まれたトランジスタの電圧をリセット電圧に制御するステップを含む。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によるＯＬＥＤ駆動回路、ＯＬＥＤ表示装置及びＯＬＥＤ表示装置の駆動方法は、リセットパルスに応答してＯＬＥＤ駆動素子の制御ノードを放電させる第３トランジスタを備えて、ＯＬＥＤ駆動素子の劣化による特性変化を防止できるので動作の信頼性が向上する。さらに、データ電圧の低電位の基準電圧よりスキャンパルス及びリセットパルスの低電位の基準電圧を低くする駆動波形を供給して、さらに向上したＯＬＥＤ駆動回路の動作の信頼性を確保できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図５〜図９Ｂを参照して、本発明の望ましい実施の形態について説明する。
【００２１】
図５に示すように、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置は、ｎ個のゲートラインＧ１〜Ｇｎ（ただし、ｎは正の整数）とｍ個のデータラインＤ１〜Ｄｍ（ただし、ｍは正の整数）との交差により定義された領域にｎ×ｍマトリックス形態に配列されたｎ×ｍ個の画素Ｐ［ｉ，ｊ］（ただし、Ｐ［ｉ，ｊ］はｉ行、ｊ列に位置した画素、ｉはｎより小さいか、または同じ正の整数、ｊはｍより小さいか、または同じ正の整数）を含むＯＬＥＤパネル１０３、ＯＬＥＤパネル１０３のゲートラインＧ１〜Ｇｎを駆動するゲート駆動回路１０２、ＯＬＥＤパネル１０３のデータラインＤ１〜Ｄｍを駆動するデータ駆動回路１０１、データラインＤ１〜Ｄｍと並べて配列されて、高電位の電源電圧ＶＤＤを各画素Ｐ［ｉ，ｊ］に供給するｍ個の電源電圧供給ラインＳ１〜Ｓｍ、及びゲートラインＧ１〜Ｇｎと並行に配列されて、リセット信号を各画素Ｐ［ｉ，ｊ］に供給するリセットラインＲ１〜Ｒｎを備える。
【００２２】
ゲート駆動回路１０２は、ゲートラインＧ１〜Ｇｎにスキャンパルスを供給して、ゲートラインＧ１〜Ｇｎを順次駆動する。
【００２３】
データ駆動回路１０１は、外部から入力されたデジタルデータ電圧をアナログデータ電圧に変換する。そして、データ駆動回路１０１は、スキャンパルスが供給される度に、アナログデータ電圧をデータラインＤ１〜Ｄｍに供給する。
【００２４】
画素Ｐ［ｉ，ｊ］は、それぞれ第ｉゲートラインＧｉにスキャンパルスＰｓｃが供給されるとき、第ｊデータラインＤｊからのデータ電圧Ｖｄ＿ｊが供給されて、そのデータ電圧に相応する光を発生させる。
【００２５】
このために、各画素Ｐ［ｉ，ｊ］は、第ｊ電源電圧供給ラインＳｊに正極が接続されたＯＬＥＤと、ＯＬＥＤを駆動するために、ＯＬＥＤの負極に接続されると共に、第ｉゲートラインＧｉ、第ｊデータラインＤｊ及び第ｉリセットラインＲｉと接続され、低電位の電源電圧Ｖｓｓが供給されるＯＬＥＤ駆動回路１０５とを備える。
【００２６】
前記ＯＬＥＤ駆動回路１０５は、第ｉゲートラインＧｉからのスキャンパルスに応答して、第ｊデータラインＤｊからのデータ電圧を第１ノードＮ１に供給する第１トランジスタＴ１、第１ノードＮ１上の電圧に応答してＯＬＥＤに流れる電流量を制御する第２トランジスタＴ２、及び第ｉリセットラインＲｉからのリセットパルスに応答して第１ノードＮ１を放電させる第３トランジスタＴ３を備える。トランジスタＴ１，Ｔ２，Ｔ３は、非晶質のシリコンタイプまたはポリシリコンタイプのトランジスタで具現される。
【００２７】
このＯＬＥＤ駆動回路１０５の駆動波形は、図６に示すようである。図６において、“１Ｆ”は１フレーム期間、“１Ｈ”は１水平期間、“Ｖｇ＿ｉ”は第ｉゲートラインＧｉから供給されるゲート電圧、“Ｐｓｃ”はスキャンパルス、“Ｖｄ＿ｊ”は第ｊデータラインＤｊから供給されるデータ電圧、“Ｖｒ＿ｉ”は第ｉリセットラインＲｉから供給されるリセット電圧、“Ｐｒｓ”はリセットパルス、“ＶＮ１”は第１ノードＮ１上の電圧、“ＩＯＬＥＤ”はＯＬＥＤを通じて流れる電流を表す。
【００２８】
図５及び図６に示すように、第１トランジスタＴ１は、第ｉゲートラインＧｉを通じてスキャンパルスＰｓｃが供給されれば、ターンオンされて第ｊデータラインＤｊから供給されたデータ電圧Ｖｄを第１ノードＮ１に供給する。第１ノードＮ１に供給されたデータ電圧Ｖｄは、第２トランジスタＴ２のゲート端子に供給される。このように供給されるデータ電圧Ｖｄにより第２トランジスタＴ２がターンオンされれば、ＯＬＥＤを通じて電流が流れる。このとき、ＯＬＥＤを通じて流れる電流は、高電位の電源電圧ＶＤＤにより発生し、その電流量は、第２トランジスタＴ２のゲート電極に印加されるデータ電圧Ｖｄの大きさに比例する。そして、第１トランジスタＴ１がターンオフされても、データ電圧Ｖｄによる第１ノードＮ１上の電圧ＶＮ１は、リセットパルスＰｒｓにより第３トランジスタＴ３がターンオンされて第１ノードＮ１が放電されるまで維持する。したがって、第２トランジスタＴ２も、リセットパルスＰｒｓが供給されるまでターンオン状態を維持する。このとき、第ｉリセットラインＲｉから供給されるリセットパルスＰｒｓは、フレーム期間ごとにスキャンパルスＰｓｃと１／２フレーム期間の時間差をおいて発生する。
【００２９】
リセットパルスＰｒｓは、リセット駆動回路（図示せず）から発生する。リセット駆動回路は、ゲート駆動回路１０２と同様に、シフトレジスタを備えてゲート駆動回路１０２からのスキャンパルスに続いてリセットパルスＰｒｓを発生させ、そのリセットパルスＰｒｓを順次シフトさせる。
【００３０】
このようにスキャンパルスＰｓｃと１／２フレーム期間の時間差をおいて発生するリセットパルスＰｒｓにより、第３トランジスタＴ３を利用して第１ノードＮ１を放電させることによって、第２トランジスタＴ２は、１／２フレーム期間のストレス回復期間を有する。すなわち、図７Ａに示すように、１／２フレーム期間のターンオン期間に第２トランジスタＴ２に累積されて増加するゲートバイアスストレスは、ターンオフされる１／２フレーム期間だけ減少する。
【００３１】
つまり、第２トランジスタＴ２、すなわちＯＬＥＤ駆動素子は、１／２フレーム期間にターンオン状態を維持した後、１／２フレーム期間にはターンオフ状態を維持する。したがって、図７Ｂに示すように、ターンオン状態であるときに発生したＯＬＥＤ駆動素子の特性変化は、ターンオフ状態であるときに回復期間に回復されるので、ＯＬＥＤ駆動素子の劣化による特性変化を防止して、ＯＬＥＤ駆動回路の動作についての信頼性を向上させる。
【００３２】
図７Ｂに示すように、ポジティブのバイアスストレスは、斜線で示した領域１７０のように１／２フレーム期間に次第に第２トランジスタＴ２のゲート電極に累積される。本発明は、残りの１／２フレーム期間の回復期間に第２トランジスタＴ２のゲート電圧を放電させて、ストレスによる第２トランジスタＴ２の劣化を防止できる。
【００３３】
回復区間にＯＬＥＤ駆動素子のゲート電極にソース及びデータ電極より相対的に低い電源を印加する場合には、ネガティブのバイアスストレス効果をさらに向上させる。すなわち、ネガティブのバイアスストレス効果をさらに向上させて、ＯＬＥＤ駆動素子の特性回復を向上させる。一般的にゲートバイアスストレスは、印加された電圧の大きさに比例であり、これによりＯＬＥＤ駆動素子の低電位の基準電圧より低い第２低電位の基準電圧を利用して、ネガティブのバイアスストレス効果を強化して、全体的に駆動による特性変化による信頼性を非常に向上させる。
【００３４】
図８は、本発明の他の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置のブロック図である。
【００３５】
図８に示すように、ＯＬＥＤ表示装置２００は、データ駆動回路１０１、ゲート駆動回路２０２、ＯＬＥＤパネル１０３及びＯＬＥＤ駆動回路２０５を備える。複数のリセットラインＲ１〜Ｒｎは、複数のゲートラインＧ１〜Ｇｎと並行に設ける。リセットラインＲ１〜Ｒｎは、第３トランジスタＴ３のソース端子に接続される。ネガティブのストレス電圧−Ｖｓｔｒは、リセットラインＲ１〜Ｒｎを通じて第３トランジスタＴ３のソース端子に供給される。ネガティブのストレス電圧−Ｖｓｔｒは、低電位の基準電圧より低くてもよいものとする。ゲート駆動回路２０２は、ゲートハイ電圧Ｖｇｈとネガティブのストレス電圧−Ｖｓｔｒとの間でスイングするスキャンパルスを発生させる。リセット電圧は、ネガティブのストレス電圧−Ｖｓｔｒから上昇するが、データ電圧は、ネガティブのストレス電圧−Ｖｓｔｒより高い低電位の電源電圧ＶＳＳから上昇する。
【００３６】
図９Ａ及び図９Ｂは、図６のＯＬＥＤ駆動回路の駆動波形、及びそれに比べて回復効果を向上させて信頼性を強化した場合の駆動波形を示す図面である。この駆動波形は、ゲート電圧Ｖｇ＿ｉの波形及びリセット電圧Ｖｒ＿ｉの波形の低電位の基準電圧が、データ電圧Ｖｄ＿ｇの低電位の基準電圧より低いことを特徴とする。ＯＬＥＤ駆動素子の制御ノード（第１ノード）に印加される累積バイアスストレスは、斜線で示した領域２１０，２２０のようである。図９Ｂの駆動波形によりＯＬＥＤ駆動素子が駆動する場合、累積バイアスストレスを最小化して特性変化を最小化できる。また、データ電圧Ｖｄ＿ｇの低電位の基準電圧に比べて相対的に低い第２低電位の基準電圧（すなわち、ゲート電圧とリセット電圧との低電位の基準電圧）の調節を通じて、ネガティブのバイアスストレスの大きさを調節でき、それを通じて累積バイアスストレスを最小化できる。
【００３７】
前述したように、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ駆動回路は、リセットパルスに応答してＯＬＥＤ駆動素子の制御ノードを放電させる第３トランジスタを備えて、ＯＬＥＤ駆動素子の劣化による特性変化を防止できるので動作の信頼性が向上する。さらに、データ電圧の低電位の基準電圧よりスキャンパルス及びリセットパルスの低電位の基準電圧を低くする駆動波形を供給して、さらに向上したＯＬＥＤ駆動回路の動作の信頼性を確保できる。
【００３８】
以上説明した内容を通じて、当業者であれば、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であるということが分かる。したがって、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、ＯＬＥＤ表示装置関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】従来のＯＬＥＤ表示装置を示す図面である。
【図２】図１のＯＬＥＤ駆動回路の駆動波形を示す図面である。
【図３】電圧印加時間による累積ゲートバイアスストレスを示す図面である。
【図４Ａ】ポジティブのゲートバイアスストレスによる素子の特性変化を示す図面である。
【図４Ｂ】ネガティブのゲートバイアスストレスによる素子の特性変化を示す図面である。
【図５】本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置を示す図面である。
【図６】図５のＯＬＥＤ駆動回路の駆動波形を示す図面である。
【図７Ａ】図５のＯＬＥＤ駆動回路によるゲートバイアスストレスの減少を示す図面である。
【図７Ｂ】図７Ａのポジティブのバイアスストレスをもたらす駆動波形を示す図面である。
【図８】本発明の他の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置を示す図面である。
【図９Ａ】図８のＯＬＥＤ駆動回路によるゲートバイアスストレスの減少を示す図面である。
【図９Ｂ】図９Ａのポジティブのバイアスストレスをもたらす駆動波形を示す図面である。
【符号の説明】
【００４１】
１００，２００ ＯＬＥＤ表示装置、１０１，２０１ データ駆動回路、１０２，２０２ ゲート駆動回路。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流により発光する有機発光ダイオードと、
スキャンパルスに応答して、データ電圧を前記有機発光ダイオードに接続された第１ノードに供給する第１スイッチと、
前記第１のノードと前記有機発光ダイオードとの間に接続され、前記第１ノード上のデータ電圧により、前記有機発光ダイオードに流れる電流を制御する第２スイッチと、
前記第１ノードのデータ電圧を制御するストレス補償回路と、
を備えることを特徴とする有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項２】
前記ストレス補償回路は、リセットパルスに応答して、前記第１ノードのデータ電圧を放電させる第３スイッチを備えることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項３】
前記リセットパルスは、前記スキャンパルスの発生時点より１／２フレーム期間だけ遅延された時点に発生することを特徴とする請求項２に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項４】
前記データ電圧は、第１低電位の基準電圧から上昇し、
前記スキャンパルス及び前記リセットパルスは、前記第１低電位の基準電圧より低い第２低電位の基準電圧から上昇することを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項５】
前記データ電圧は、第１低電位の基準電圧から上昇し、
前記リセットパルスは、前記第１低電位の基準電圧より低い第２低電位の基準電圧から上昇することを特徴とする請求項２に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項６】
前記第１、第２及び第３スイッチは、それぞれトランジスタを備えることを特徴とする請求項２に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項７】
前記トランジスタは、それぞれ非晶質のトランジスタであることを特徴とする請求項６に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項８】
前記トランジスタは、それぞれポリシリコントランジスタであることを特徴とする請求項６に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項９】
前記ストレス補償回路は、前記第１ノードに補償電圧を供給し、
前記補償電圧の極性は、前記第１ノードに供給されるデータ電圧の極性と異なることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項１０】
前記ストレス補償回路は、前記データ電圧の低電位の基準電圧より低い電圧を前記第１ノードに供給する第３スイッチを備えることを特徴とする請求項９に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項１１】
前記第３スイッチは、前記第１スイッチに続いてターンオンされることを特徴とする請求項１０に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項１２】
前記第１、第２及び第３スイッチは、それぞれ非晶質のトランジスタを備えることを特徴とする請求項１０に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項１３】
前記第１、第２及び第３スイッチは、それぞれポリシリコントランジスタを備えることを特徴とする請求項１０に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項１４】
互いに交差するデータライン及びゲートラインと、
前記ゲートラインにスキャンパルスを供給するゲート駆動回路と、
前記データラインにビデオデータ電圧を供給するデータ駆動回路と、
電流により発光する有機発光ダイオードと、
前記スキャンパルスに応答して、データ電圧を第１ノードに供給する第１スイッチと、
前記第１ノード上のデータ電圧により、前記有機発光ダイオードに流れる電流を制御する第２スイッチと、
前記第１ノードのデータ電圧を制御するストレス補償回路と、
を備えることを特徴とする有機発光ダイオード表示装置。
【請求項１５】
前記ストレス補償回路は、リセットパルスに応答して、前記第１ノードのデータ電圧を放電させる第３スイッチを備えることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項１６】
前記リセットパルスは、前記スキャンパルスの発生時点から所定の時間だけ遅延されることを特徴とする請求項１５に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項１７】
前記リセットパルスは、前記スキャンパルスの発生時点より１／２フレーム期間だけ遅延された時点に発生することを特徴とする請求項１６に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項１８】
前記第１、第２及び第３スイッチは、それぞれ非晶質のトランジスタを備えることを特徴とする請求項１５に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項１９】
前記トランジスタは、それぞれポリシリコントランジスタを備えることを特徴とする請求項１８に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項２０】
前記ストレス補償回路は、リセットパルスに応答して第１ノードを放電させる第３スイッチを備え、前記データ電圧は、第１低電位の基準電圧から上昇することを特徴とする請求項１４に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項２１】
前記スキャンパルス及び前記リセットパルス、または前記リセットパルスのみが、前記第１低電位の基準電圧より低い第２低電位の基準電圧から上昇することを特徴とする請求項２０に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項２２】
前記リセットパルスは、前記スキャンパルスの発生時点より１／２フレーム期間だけ遅延された時点に発生することを特徴とする請求項２１に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項２３】
前記ストレス補償回路は、前記第１ノードに補償電圧を供給し、前記補償電圧の極性は、前記第１ノードに供給されるデータ電圧の極性と異なることを特徴とする請求項２１に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項２４】
前記ストレス補償回路は、リセットパルスに応答して第１スイッチに続いてターンオンされて、前記データ電圧の低電位の基準電圧より低い電圧を前記第１ノードに供給する第３スイッチを備えることを特徴とする請求項２３に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項２５】
前記リセットパルスは、前記スキャンパルスの発生時点より１／２フレーム期間だけ遅延された時点に発生することを特徴とする請求項２４に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項２６】
複数のゲートラインにスキャンパルスを供給するステップと、
前記ゲートラインと交差する前記データラインにデータ電圧を供給するステップと、
有機発光ダイオード駆動回路に含まれたトランジスタの電圧をリセット電圧に制御するステップと、
を含むことを特徴とする有機発光ダイオード表示装置の駆動方法。
【請求項２７】
前記電圧を制御するステップは、
前記トランジスタの制御ノードに接続された複数のリセットラインに前記リセット電圧を供給するステップを含むことを特徴とする請求項２６に記載の有機発光ダイオード表示装置の駆動方法。
【請求項２８】
前記電圧を制御するステップは、
第１の１／２フレーム期間に前記トランジスタの制御ノードを充電するステップと、
前記第１の１／２フレーム期間に続く第２の１／２フレーム期間に前記トランジスタの制御ノードを放電させるステップと、
を含むことを特徴とする請求項２７に記載の有機発光ダイオード表示装置の駆動方法。
【請求項２９】
前記電圧を制御するステップは、
第１の１／２フレーム期間に前記トランジスタの制御ノードにデータ電圧を供給するステップと、
前記第１の１／２フレーム期間に続く第２の１／２フレーム期間に、前記トランジスタの制御ノードに前記リセット電圧を供給するステップと、
を含むことを特徴とする請求項２７に記載の有機発光ダイオード表示装置の駆動方法。
【請求項３０】
前記データ電圧を第１低電位の基準電圧から上昇させるステップと、
前記リセット電圧を前記第１低電位の基準電圧より低い第２低電位の基準電圧から上昇させるステップと、
を含むことを特徴とする請求項２９に記載の有機発光ダイオード表示装置の駆動方法。
【請求項１】
電流により発光する有機発光ダイオードと、
スキャンパルスに応答して、データ電圧を前記有機発光ダイオードに接続された第１ノードに供給する第１スイッチと、
前記第１のノードと前記有機発光ダイオードとの間に接続され、前記第１ノード上のデータ電圧により、前記有機発光ダイオードに流れる電流を制御する第２スイッチと、
前記第１ノードのデータ電圧を制御するストレス補償回路と、
を備えることを特徴とする有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項２】
前記ストレス補償回路は、リセットパルスに応答して、前記第１ノードのデータ電圧を放電させる第３スイッチを備えることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項３】
前記リセットパルスは、前記スキャンパルスの発生時点より１／２フレーム期間だけ遅延された時点に発生することを特徴とする請求項２に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項４】
前記データ電圧は、第１低電位の基準電圧から上昇し、
前記スキャンパルス及び前記リセットパルスは、前記第１低電位の基準電圧より低い第２低電位の基準電圧から上昇することを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項５】
前記データ電圧は、第１低電位の基準電圧から上昇し、
前記リセットパルスは、前記第１低電位の基準電圧より低い第２低電位の基準電圧から上昇することを特徴とする請求項２に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項６】
前記第１、第２及び第３スイッチは、それぞれトランジスタを備えることを特徴とする請求項２に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項７】
前記トランジスタは、それぞれ非晶質のトランジスタであることを特徴とする請求項６に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項８】
前記トランジスタは、それぞれポリシリコントランジスタであることを特徴とする請求項６に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項９】
前記ストレス補償回路は、前記第１ノードに補償電圧を供給し、
前記補償電圧の極性は、前記第１ノードに供給されるデータ電圧の極性と異なることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項１０】
前記ストレス補償回路は、前記データ電圧の低電位の基準電圧より低い電圧を前記第１ノードに供給する第３スイッチを備えることを特徴とする請求項９に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項１１】
前記第３スイッチは、前記第１スイッチに続いてターンオンされることを特徴とする請求項１０に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項１２】
前記第１、第２及び第３スイッチは、それぞれ非晶質のトランジスタを備えることを特徴とする請求項１０に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項１３】
前記第１、第２及び第３スイッチは、それぞれポリシリコントランジスタを備えることを特徴とする請求項１０に記載の有機発光ダイオード駆動回路。
【請求項１４】
互いに交差するデータライン及びゲートラインと、
前記ゲートラインにスキャンパルスを供給するゲート駆動回路と、
前記データラインにビデオデータ電圧を供給するデータ駆動回路と、
電流により発光する有機発光ダイオードと、
前記スキャンパルスに応答して、データ電圧を第１ノードに供給する第１スイッチと、
前記第１ノード上のデータ電圧により、前記有機発光ダイオードに流れる電流を制御する第２スイッチと、
前記第１ノードのデータ電圧を制御するストレス補償回路と、
を備えることを特徴とする有機発光ダイオード表示装置。
【請求項１５】
前記ストレス補償回路は、リセットパルスに応答して、前記第１ノードのデータ電圧を放電させる第３スイッチを備えることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項１６】
前記リセットパルスは、前記スキャンパルスの発生時点から所定の時間だけ遅延されることを特徴とする請求項１５に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項１７】
前記リセットパルスは、前記スキャンパルスの発生時点より１／２フレーム期間だけ遅延された時点に発生することを特徴とする請求項１６に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項１８】
前記第１、第２及び第３スイッチは、それぞれ非晶質のトランジスタを備えることを特徴とする請求項１５に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項１９】
前記トランジスタは、それぞれポリシリコントランジスタを備えることを特徴とする請求項１８に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項２０】
前記ストレス補償回路は、リセットパルスに応答して第１ノードを放電させる第３スイッチを備え、前記データ電圧は、第１低電位の基準電圧から上昇することを特徴とする請求項１４に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項２１】
前記スキャンパルス及び前記リセットパルス、または前記リセットパルスのみが、前記第１低電位の基準電圧より低い第２低電位の基準電圧から上昇することを特徴とする請求項２０に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項２２】
前記リセットパルスは、前記スキャンパルスの発生時点より１／２フレーム期間だけ遅延された時点に発生することを特徴とする請求項２１に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項２３】
前記ストレス補償回路は、前記第１ノードに補償電圧を供給し、前記補償電圧の極性は、前記第１ノードに供給されるデータ電圧の極性と異なることを特徴とする請求項２１に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項２４】
前記ストレス補償回路は、リセットパルスに応答して第１スイッチに続いてターンオンされて、前記データ電圧の低電位の基準電圧より低い電圧を前記第１ノードに供給する第３スイッチを備えることを特徴とする請求項２３に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項２５】
前記リセットパルスは、前記スキャンパルスの発生時点より１／２フレーム期間だけ遅延された時点に発生することを特徴とする請求項２４に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項２６】
複数のゲートラインにスキャンパルスを供給するステップと、
前記ゲートラインと交差する前記データラインにデータ電圧を供給するステップと、
有機発光ダイオード駆動回路に含まれたトランジスタの電圧をリセット電圧に制御するステップと、
を含むことを特徴とする有機発光ダイオード表示装置の駆動方法。
【請求項２７】
前記電圧を制御するステップは、
前記トランジスタの制御ノードに接続された複数のリセットラインに前記リセット電圧を供給するステップを含むことを特徴とする請求項２６に記載の有機発光ダイオード表示装置の駆動方法。
【請求項２８】
前記電圧を制御するステップは、
第１の１／２フレーム期間に前記トランジスタの制御ノードを充電するステップと、
前記第１の１／２フレーム期間に続く第２の１／２フレーム期間に前記トランジスタの制御ノードを放電させるステップと、
を含むことを特徴とする請求項２７に記載の有機発光ダイオード表示装置の駆動方法。
【請求項２９】
前記電圧を制御するステップは、
第１の１／２フレーム期間に前記トランジスタの制御ノードにデータ電圧を供給するステップと、
前記第１の１／２フレーム期間に続く第２の１／２フレーム期間に、前記トランジスタの制御ノードに前記リセット電圧を供給するステップと、
を含むことを特徴とする請求項２７に記載の有機発光ダイオード表示装置の駆動方法。
【請求項３０】
前記データ電圧を第１低電位の基準電圧から上昇させるステップと、
前記リセット電圧を前記第１低電位の基準電圧より低い第２低電位の基準電圧から上昇させるステップと、
を含むことを特徴とする請求項２９に記載の有機発光ダイオード表示装置の駆動方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【公開番号】特開２００７−４１１４（Ｐ２００７−４１１４Ａ）
【公開日】平成１９年１月１１日（２００７．１．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３６４０２３（Ｐ２００５−３６４０２３）
【出願日】平成１７年１２月１６日（２００５．１２．１６）
【出願人】（５９９１２７６６７）エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド (279)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１月１１日（２００７．１．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１２月１６日（２００５．１２．１６）
【出願人】（５９９１２７６６７）エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド (279)
【Ｆターム（参考）】
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