説明

有機金属錯体および前記錯体を用いた発光素子、発光装置、並びに電子機器

【課題】視感効率の高い赤色の発光が得られる有機金属錯体を提供する。
【解決手段】下記一般式(G2)で表される有機金属錯体は課題の性能を有し、発光素子、発光装置、電子機器に利用することができる。


(式中、R〜Rは水素又はシアノ基を表し、Mは第9属又は第10属の中心金属であり、Lはモノアニオン性の配位子を表す。)

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機金属錯体に関する。特に、三重項励起状態を発光に変換できる有機金属錯体に関する。また本発明は、前記有機金属錯体を用いた発光素子、発光装置、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
有機化合物は、光を吸収することで励起状態となる。そして、この励起状態を経由することにより、種々の反応(光化学反応)を起こす場合や発光(ルミネッセンス)を生じる場合があり、様々な応用がなされている。
【0003】
光化学反応の一例として、一重項酸素の不飽和有機分子との反応(酸素付加)がある(例えば、非特許文献1参照)。酸素分子は基底状態が三重項状態であるため、一重項状態の酸素(一重項酸素)は直接の光励起では生成しない。しかしながら、他の三重項励起分子の存在下においては一重項酸素が生成し、酸素付加反応に至ることができる。この時、三重項励起分子となりうる化合物は、光増感剤と呼ばれる。
【0004】
このように、一重項酸素を生成するためには、光励起により三重項励起分子となりうる光増感剤が必要である。しかしながら、通常の有機化合物は基底状態が一重項状態であるため、三重項励起状態への光励起は禁制遷移となり、三重項励起分子は生じにくい。したがって、このような光増感剤としては、一重項励起状態から三重項励起状態への項間交差を起こしやすい化合物(あるいは、直接三重項励起状態へ光励起されるという禁制遷移を許容する化合物)が求められている。言い換えれば、そのような化合物は光増感剤としての利用が可能であり、有益と言える。
【0005】
また、そのような化合物は、しばしば燐光を放出することがある。燐光とは多重度の異なるエネルギー間の遷移によって生じる発光のことであり、通常の有機化合物では三重項励起状態から一重項基底状態へ戻る際に生じる発光のことをさす(これに対し、一重項励起状態から一重項基底状態へ戻る際の発光は、蛍光と呼ばれる)。燐光を放出できる化合物、すなわち三重項励起状態と基底状態のエネルギー差(三重項励起エネルギー)を発光に変換できる化合物(以下、燐光性化合物と称す)の応用分野としては、有機化合物を発光物質とする発光素子が挙げられる。
【0006】
この発光素子の構成は、電極間に発光物質である有機化合物を含む発光層を設けただけの単純な構造であり、薄型軽量・高速応答性・直流低電圧駆動などの特性から、次世代のフラットパネルディスプレイ素子として注目されている。また、この発光素子を用いたディスプレイは、コントラストや画質に優れ、視野角が広いという特徴も有している。
【0007】
有機化合物を発光物質とする発光素子の発光機構は、キャリア注入型である。すなわち、電極間に発光層を挟んで電圧を印加することにより、電極から注入された電子およびホールが再結合して発光物質が励起状態となり、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。そして、励起状態の種類としては、先に述べた光励起の場合と同様、一重項励起状態(S)と三重項励起状態(T)が可能である。また、発光素子におけるその統計的な生成比率は、S:T=1:3であると考えられている。
【0008】
一重項励起状態を発光に変換する化合物(以下、蛍光性化合物と称す)は室温において、三重項励起状態からの発光(燐光)は観測されず、一重項励起状態からの発光(蛍光)のみが観測される。したがって、蛍光性化合物を用いた発光素子における内部量子効率(注入したキャリアに対して発生するフォトンの割合)の理論的限界は、S:T=1:3であることを根拠に25%とされている。
【0009】
一方、上述した燐光性化合物を用いれば、内部量子効率は75〜100%にまで理論上は可能となる。つまり、蛍光性化合物に比べて3〜4倍の発光効率が可能となる。このような理由から、高効率な発光素子を実現するために、燐光性化合物を用いた発光素子の開発が近年盛んに行われている(例えば、非特許文献2参照)。特に、燐光性化合物としては、その燐光量子収率の高さゆえに、イリジウム等を中心金属とする有機金属錯体が注目されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0010】
【非特許文献1】井上晴夫、外3名、基礎化学コース 光化学I(丸善株式会社)、106−110
【非特許文献2】Zhang、Guo−Lin、外5名、Gaodeng Xuexiao Huaxue Xuebao(2004)、vol.25、No.3、397−400
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
非特許文献2で開示されているような有機金属錯体は、項間交差を起こしやすいため光増感剤としての利用などが期待できる。また、三重項励起状態からの発光(燐光)を生じやすいため、発光素子へ応用することにより、高効率な発光素子が期待される。しかしながら、このような有機金属錯体の種類はまだ少ないのが現状である。
【0012】
また、非特許文献2で開示されている有機金属錯体は、発光色が橙色であるため、フルカラーディスプレイなどへの応用を考慮した場合、赤色としての色純度が悪くなり、色再現性の観点で不利な要素となる。逆に、発光色が深赤色領域になると、すなわち、発光波長が極端に長波長になると、色再現性の観点では有利であるが、視感効率(Luminous efficiency,単位:cd/A)が低下してしまう。
【0013】
以上のことから、本発明の一態様では、良好な赤色の発光が得られる有機金属錯体を提供することを課題の一とする。また、良好な赤色として人の目に知覚される光の波長は620nm付近の波長であることから、620nm付近に発光のピークを有する有機金属錯体を提供することを課題の一とする。また、視感効率の高い赤色の発光が得られる有機金属錯体を提供することを課題の一とする。
【0014】
また、発光効率の高い発光素子を提供することを課題の一とする。また、視感効率の高い赤色の発光が得られる発光素子を提供することを課題の一とする。また、消費電力の低減された発光装置および電子機器を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【0015】
本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、下記一般式(G0)で表されるピラジン誘導体が、第9族または第10族の金属イオンに対してオルトメタル化することにより、有機金属錯体を形成できることを見出した。また、該有機金属錯体が、項間交差を起こしやすく、また効率良く燐光発光できることを見出した。さらに、該有機金属錯体の発光色が、620nm付近に発光波長のピークを有する、良好な赤色を呈することも見出した。
【0016】
【化1】


(但し、式中、R〜Rは水素又はシアノ基を表し、その少なくとも一つがシアノ基である。)
【0017】
なお、シアノ基はR〜Rのいずれか一に適用することが、有機金属錯体合成の容易さという観点から好ましい態様である。
【0018】
また、上記一般式(G0)で表されるピラジン誘導体がオルトメタル化した構造が燐光発光という機能に大きく寄与することから、下記一般式(G1)で表される部分構造を有する有機金属錯体を本発明の一態様として挙げることができる。
【0019】
【化2】


(但し、式中、R〜Rは水素又はシアノ基を表し、その少なくとも一つがシアノ基である。また、Mは中心金属であり、第9族元素、あるいは第10族元素を表す。)
【0020】
なお、シアノ基はR〜Rのいずれか一に適用することが、有機金属錯体合成の容易さという観点から好ましい態様である。
【0021】
ここで、上述の一般式(G1)で表される構造を有する有機金属錯体として、具体的には、下記一般式(G2)で表される有機金属錯体が合成が容易であるために好ましい。
【0022】
【化3】


(但し、式中、R〜Rは水素又はシアノ基を表し、その少なくとも一つがシアノ基である。また、Mは中心金属であり、第9族元素、あるいは第10族元素を表す。また、前記中心金属が第9族元素の時はn=2であり、第10族元素の時はn=1である。また、Lはモノアニオン性の配位子を表す。)
【0023】
なお、シアノ基はR〜Rのいずれか一に適用することが、有機金属錯体合成の容易さという観点から好ましい態様である。このことから、本発明の一態様である有機金属錯体は下記一般式(G3)、(G4)、又は(G5)で表される有機金属錯体である。
【0024】
【化4】

【0025】
【化5】

【0026】
【化6】


(但し、一般式(G3)、(G4)、及び(G5)中、Mは中心金属であり、第9族元素、あるいは第10族元素を表す。また、前記中心金属が第9族元素の時はn=2であり、第10族元素の時はn=1である。また、Lはモノアニオン性の配位子を表す。)
【0027】
なお、上述のモノアニオン性の配位子Lは、ベータジケトン構造を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、またはカルボキシル基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、またはフェノール性水酸基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、または2つの配位元素がいずれも窒素であるモノアニオン性の二座キレート配位子のいずれかが、配位能力が高いため好ましい。特に好ましくは、下記の構造式(L1)〜(L8)に示すモノアニオン性の配位子である。これらの配位子は、配位能力が高く、かつ安価に入手することができるため有効である。
【0028】
【化7】

【0029】
上記一般式(G1)乃至(G5)で表される本発明の一態様である有機金属錯体をより効率よく燐光発光させるためには、重原子効果の観点から中心金属は重い金属の方が好ましい。したがって、上述の有機金属錯体において、中心金属Mがイリジウムまたは白金である有機金属錯体が好ましい態様である。中でも、中心金属Mをイリジウムとすることで有機金属錯体の耐熱性が向上するため、中心金属Mとしては特にイリジウムが好ましい。また、配位子Lはその発光色の観点から、上記した配位子群の中でも(L1)で表される配位子であることが好ましい。従って、一般式(G2)で表される構造のうち、下記構造式(1)、(2)又は(3)で表される有機金属錯体であるのが好ましい。
【0030】
【化8】

【0031】
【化9】

【0032】
【化10】

【0033】
また、上記一般式(G0)で表されるピラジン誘導体のうち、下記構造式(G0−1)、(G0−2)、または(G0−3)で表されるピラジン誘導体が、有機金属錯体合成の容易さという観点から好ましい態様である。
【0034】
【化11】

【0035】
ところで、上述の一般式(G1)〜(G5)、及び構造式(1)、(2)又は(3)で表される構造を有する有機金属錯体は、一般式(G0)で表されるピラジン誘導体が金属イオンにオルトメタル化しているという配位構造が、燐光発光という機能に大きく寄与する。したがって、本発明の他の態様は、以上で述べたような有機金属錯体を含む発光材料である。
【0036】
また、本発明の一態様の有機金属錯体は燐光発光できる、すなわち三重項励起エネルギーを発光に変換することが可能であるため、発光素子に適用することにより高効率化が可能となり、非常に有効である。したがって、上述の有機金属錯体のいずれかを用いた発光素子も本発明の一態様に含むものとする。
【0037】
この時、本発明の一態様の有機金属錯体は、発光物質としての利用法が発光効率の面で効果的である。したがって、本発明の一態様の有機金属錯体を発光物質として用いた発光素子も本発明の一態様である。また、その発光素子は、好ましくは、一対の電極間に発光層を有し、発光層は、本発明の一態様の有機金属錯体をホスト材料中に分散させた構造であることが好ましい。
【0038】
また、このようにして得られた本発明の一態様である発光素子は高い発光効率を実現できるため、これを発光素子として用いた発光装置(画像表示デバイスや発光デバイス)は、低消費電力を実現できる。したがって、本発明に係る発光素子を用いた発光装置や電子機器も本発明の一態様として含むものとする。
【0039】
本発明の一態様である発光装置は、一対の電極間に発光層を有し、発光層に、上記の有機金属錯体を含む発光素子と、発光素子の発光を制御する制御手段とを有することを特徴とする。なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた画像表示デバイスもしくは発光デバイスを含む。また、本発明の発光装置には、発光素子が形成された基板にコネクター、例えば異方導電性フィルムやTCP(Tape Carrier Package)等のTAB(Tape Automated Bonding)テープが接続されたモジュールや、さらにその先にプリント配線板が設けられたモジュールも含み、また、発光素子が形成された基板にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも含むものとする。さらに、照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。
【0040】
また、本発明の一態様である電子機器は、表示部を有し、表示部は、上述した発光素子と発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【0041】
本発明の一態様の有機金属錯体は、良好な赤色の発光を呈することができる有機金属錯体である。また、本発明の一態様の有機金属錯体は620nm付近に発光のピークを有する有機金属錯体である。また、本発明の一態様の有機金属錯体は発光効率の高い有機金属錯体である。また、視感効率(Luminous efficiency,単位:cd/A)の高い赤色発光を得ることができる有機金属錯体である。
【0042】
また、本発明の一態様の有機金属錯体を用いて発光素子を作製することにより、発光効率の高い発光素子を得ることができる。また、視感効率の高い赤色の発光を得ることができる発光素子を得ることができる。
【0043】
また、本発明の一態様の有機金属錯体を用いることにより、消費電力の低減された発光装置および電子機器を提供することができる。また、赤色の再現性が高く、高品質の映像を提供することができる発光装置および電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0044】
【図1】本発明の一態様である発光素子を説明する図。
【図2】本発明の一態様である発光素子を説明する図。
【図3】本発明の一態様である発光素子を説明する図。
【図4】本発明の一態様である発光装置を説明する図。
【図5】本発明の一態様である発光装置を説明する図。
【図6】本発明の一態様である電子機器を説明する図。
【図7】本発明の一態様である電子機器を説明する図。
【図8】本発明の一態様である照明装置を説明する図。
【図9】本発明の一態様である照明装置を説明する図。
【図10】5−(3−シアノフェニル)−2,3−ジフェニルピラジンのH−NMRチャートを示す図。
【図11】(アセチルアセトナト)ビス[5−(3−シアノフェニル)−2,3−ジフェニルピラジナト]イリジウム(III)のH−NMRチャートを示す図。
【図12】(アセチルアセトナト)ビス[5−(3−シアノフェニル)−2,3−ジフェニルピラジナト]イリジウム(III)の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを示す図。
【発明を実施するための形態】
【0045】
以下に開示される発明の実施の態様について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、以下に開示される発明は以下の説明に限定されず、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0046】
(実施の形態1)
本実施の形態1では、本発明の一態様に係る有機金属錯体について説明する。
【0047】
≪一般式(G0)で表されるピラジン誘導体の合成法≫
本発明の一態様では、下記一般式(G0)で表されるピラジン誘導体が、9族または10族の金属イオンに対して、オルトメタル化することにより、有機金属錯体を形成している。
【0048】
【化12】


(但し、式中、R〜Rは水素又はシアノ基を表し、その少なくとも一つがシアノ基である。)
【0049】
一般式(G0)で表されるピラジン誘導体は、以下のような簡便な合成スキームにより合成できる。例えば、下記合成スキーム(a)に示すように、ピラジン誘導体のハロゲン化物(A1)と、アリールボロン酸化合物(A2)とを反応させることにより得られる。なお、合成スキーム(a)において、Xはハロゲン元素を表す。また、R〜Rは水素又はシアノ基を表し、その少なくとも一つがシアノ基である。
【0050】
【化13】

【0051】
または、下記合成スキーム(a’)に示すように、ピラジン誘導体(A1’)と、アリールリチウムまたは臭化アリールマグネシウム化合物(A2’)とを反応させることにより得られる。なお、合成スキーム(a’)において、R〜Rは水素又はシアノ基を表し、その少なくとも一つがシアノ基である。
【0052】
【化14】

【0053】
または、下記合成スキーム(a’’)に示すように、1,2−ジアミノ化合物(A1’’)と、1,2−ジカルボニル化合物(A2’’)とを反応させることにより得られる。なお、合成スキーム(a’’)において、R〜Rは水素又はシアノ基を表し、その少なくとも一つがシアノ基である。
【0054】
【化15】

【0055】
≪一般式(G2)で表される本発明の有機金属錯体の合成法≫
次に、下記一般式(G2)で表される有機金属錯体について説明する。
【0056】
【化16】


(但し、式中、R〜Rは水素又はシアノ基を表し、その少なくとも一つがシアノ基である。また、Mは中心金属であり、第9族元素、あるいは第10族元素を表す。また、Lはモノアニオン性の配位子を表す。)
【0057】
一般式(G2)で表される有機金属錯体は、良好な赤色の燐光発光を呈する。一般式(G2)において、9族または10族の金属イオンに対してオルトメタル化した部分構造(下記一般式(G1)で表される構造)を有することが、燐光発光という機能に大きく寄与している。
【0058】
【化17】


(但し、式中R〜Rは水素又はシアノ基を表し、その少なくとも一つがシアノ基である。また、Mは中心金属であり、第9族元素、あるいは第10族元素を表す。)
【0059】
なお、上述の一般式(G1)及び(G2)において、シアノ基はR〜Rのいずれか一つに適用することが、有機金属錯体合成の容易さという観点から好ましい態様である。
【0060】
また、モノアニオン性の配位子Lは、ベータジケトン構造を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、またはカルボキシル基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、またはフェノール性水酸基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、または2つの配位元素がいずれも窒素であるモノアニオン性の二座キレート配位子のいずれかが、配位能力が高いため好ましい。特に好ましくは、下記の構造式(L1)〜(L8)に示すモノアニオン性の配位子である。これらの配位子は、配位能力が高く、かつ安価に入手することができるため好適である。
【0061】
【化18】

【0062】
なお、中心金属であるMについては、第9族元素および第10族元素から選ばれるが、発光効率の観点からはイリジウム(III)または白金(II)が好ましい。特に、イリジウム(III)を用いると熱的に安定であるため好適である。
【0063】
まず、下記合成スキーム(b)に示すように、一般式(G0)で表されるピラジン誘導体と、ハロゲンを含む9族または10族の金属化合物(金属ハロゲン化物や金属錯体)とを適当な溶媒中で加熱することにより、一般式(G1)で表される構造を有する本発明の有機金属錯体の一種である複核錯体(B)を得ることができる。ハロゲンを含む9族または10族の金属化合物としては、塩化ロジウム水和物、塩化パラジウム、塩化イリジウム水和物、塩化イリジウム水和物塩酸塩、テトラクロロ白金(II)酸カリウム等が挙げられる。なお、合成スキーム(b)では、Mは第9族元素または第10族元素を表し、Xはハロゲン元素を表す。また、Mが第9族元素の時はn=2、Mが第10族元素の時はn=1である。
【0064】
【化19】

【0065】
続いて、上述の合成スキーム(b)で得られる複核錯体(B)と、モノアニオン性の配位子Lの原料であるHL(Hは水素)とを反応させることにより、HLからプロトンが脱離して中心金属Mに配位し、一般式(G2)で表される有機金属錯体が得られる。なお、合成スキーム(c)では、Mは第9族元素または第10族元素を表し、Xはハロゲン元素を表す。また、Mが第9族元素の時はn=2、Mが第10族元素の時はn=1である。また、Lはモノアニオン性の配位子を表す。
【0066】
【化20】

【0067】
なお、合成スキーム(b)及び合成スキーム(c)において、R〜Rは水素又はシアノ基を表し、その少なくとも一つがシアノ基である。シアノ基はR〜Rのいずれか一に適用することが、有機金属錯体合成の容易さという観点から好ましい態様である。
【0068】
以下に本実施の形態の有機金属錯体の具体例を列挙する(下記構造式(1)〜(20))。但し、本発明はこれらに限定されることはない。
【0069】
【化21】

【0070】
【化22】

【0071】
【化23】

【0072】
以上で説明した本実施の形態の有機金属錯体は、620nm付近にその発光ピークを有する、視感効率的にも優れた良好な赤色を呈する有機金属錯体である。また、当該有機金属錯体は項間交差が可能なため光増感剤としても利用できる。また、燐光発光が可能であるため、発光材料や発光素子の発光物質として利用できる。
【0073】
(実施の形態2)
本実施の形態では、実施の形態1で述べた有機金属錯体を発光物質として用いた発光素子の態様について、図1を用いて説明する。
【0074】
図1は、第1の電極101と第2の電極102との間に発光層113を有する発光素子を示した図である。そして、発光層113には、先の実施の形態1で述べたような本発明の有機金属錯体が含まれている。
【0075】
このような発光素子に対して電圧を印加することにより、第1の電極101側から注入された正孔と第2の電極102側から注入された電子とが、発光層113において再結合し、実施の形態1で示した有機金属錯体を励起状態にする。そして、励起状態の該有機金属錯体が基底状態に戻る際に発光する。このように、実施の形態1で示した有機金属錯体は発光素子の発光物質として機能する。なお、本実施の形態の発光素子において、第1の電極101は陽極として機能し、第2の電極102は陰極として機能する。
【0076】
ここで、発光層113は、実施の形態1で示した有機金属錯体を含んでいる。すなわち、発光層113は一般式(G1)で表される構造を有する有機金属錯体を含み、より好ましくは、一般式(G2)で表される有機金属錯体を含む。発光層113の構成は、実施の形態1で示した有機金属錯体よりも大きい三重項励起エネルギーを有する物質をホストとして用い、実施の形態1で示した有機金属錯体をゲストとして分散してなる層であることが好ましい。これによって、有機金属錯体からの発光が、濃度に起因して消光してしまうことを防ぐことができる。なお、三重項励起エネルギーとは、基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差である。
【0077】
実施の形態1で示した有機金属錯体を分散状態にするために用いる物質(すなわちホスト)について特に限定はないが、2,3−ビス(4−ジフェニルアミノフェニル)キノキサリン(略称:TPAQn)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)のようなアリールアミン骨格を有する化合物の他、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、4,4’,4’’−トリ(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)等のカルバゾール誘導体や、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ピリジナト]亜鉛(略称:Znpp)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンズオキサゾラト]亜鉛(略称:ZnBOX)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)等の金属錯体が好ましい。また、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)のような高分子化合物を用いることもできる。特に、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ピリジナト]亜鉛(略称:Znpp)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンズオキサゾラト]亜鉛(略称:ZnBOX)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)などの金属錯体を用いると、実施の形態1で示した有機金属錯体が効率良く発光できる。さらに好ましくは、亜鉛錯体を用いることが好ましい。
【0078】
なお、実施の形態1で示した有機金属錯体は、良好な赤色発光することが可能であるので、赤色発光する発光素子を得ることができる。また、実施の形態1で示した有機金属錯体は燐光発光であることから発光効率が高いため、当該有機金属錯体を発光層に用いることで発光効率の高い発光素子が得られる。また、発光のピークが620nm付近にあることから、視感効率(Luminous efficiency,単位:cd/A)の高い赤色発光を示す発光素子を得ることができる。
【0079】
また、本実施の形態で示す発光素子は、発光効率が高いため、消費電力を低減することができる。
【0080】
また、第1の電極101について特に限定はないが、本実施の形態のように、陽極として機能する際は仕事関数の大きい物質で形成されていることが好ましい。具体的には、インジウム錫酸化物(ITO)、または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)、2〜20wt%の酸化亜鉛を含む酸化インジウム(IZO)の他、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)等を用いることができる。なお、第1の電極101は、例えばスパッタ法や蒸着法等を用いて形成することができる。
【0081】
また、第2の電極102について特に限定はないが、本実施の形態のように、陰極として機能する際は仕事関数の小さい物質で形成されていることが好ましい。具体的には、アルミニウム(Al)やインジウム(In)の他、リチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、マグネシウム(Mg)やカルシウム(Ca)等のアルカリ土類金属、エルビウム(Er)やイッテルビウム(Yb)等の希土類金属を用いることができる。また、アルミニウムリチウム合金(AlLi)やマグネシウム銀合金(MgAg)のような合金を用いることもできる。なお、第2の電極102は、例えばスパッタ法や蒸着法等を用いて形成することができる。
【0082】
なお、発光した光を外部に取り出すために、第1の電極101と第2の電極102のいずれか一または両方は、ITO等の可視光を透過する導電膜から成る電極、または可視光を透過出来るように数nm〜数十nmの厚さで形成された電極であることが好ましい。
【0083】
また、第1の電極101と発光層113との間には、図1に示すように正孔輸送層112を設けてもよい。ここで、正孔輸送層とは、第1の電極101から注入された正孔を発光層113へ輸送する機能を有する層である。このように、正孔輸送層112を設け、第1の電極101と発光層113とを離すことによって、発光が金属に起因して消光することを防ぐことができる。ただし、正孔輸送層112は必ずしも設ける必要はない。
【0084】
正孔輸送層112を構成する物質について特に限定はないが、例えば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)、4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:TPD)、4,4’−ビス[N−(9,9−ジメチルフルオレン−2−イル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DFLDPBi)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:m−MTDATA)などの芳香族アミン化合物を用いることができる。また、ポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)などの高分子化合物を用いることもできる。
【0085】
なお、正孔輸送層112は、二層以上の層を積層して形成された多層構造であってもよい。また、二種類以上の物質を混合して形成してもよい。
【0086】
また、第2の電極102と発光層113との間には、図1に示すように電子輸送層114を設けてもよい。ここで、電子輸送層とは、第2の電極102から注入された電子を発光層113へ輸送する機能を有する層である。このように、電子輸送層114を設け、第2の電極102と発光層113とを離すことによって、発光が金属に起因して消光することを防ぐことができる。ただし、電子輸送層114は必ずしも設ける必要はない。
【0087】
電子輸送層114を構成する物質について特に限定はないが、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンズオキサゾラト]亜鉛(略称:ZnBOX)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ))などの金属錯体が挙げられる。また、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:p−EtTAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、4,4’−ビス(5−メチルベンゾオキサゾール−2−イル)スチルベン(略称:BzOs)などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ(2,5−ピリジン−ジイル)(略称:PPy)のような高分子化合物を用いることもできる。
【0088】
なお、電子輸送層114は、二層以上の層を積層して形成された多層構造であってもよい。また、二種類以上の物質を混合して形成してもよい。
【0089】
さらに、第1の電極101と正孔輸送層112との間には、図1に示すように正孔注入層111を設けてもよい。ここで、正孔注入層とは、陽極として機能する電極から正孔輸送層112へ正孔の注入を補助する機能を有する層である。ただし、正孔注入層111は必ずしも設ける必要はない。
【0090】
正孔注入層111を構成する物質について特に限定はないが、例えば、バナジウム酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物、クロム酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン(略称:HPc)や銅フタロシアニン(CuPc)等のフタロシアニン化合物を用いることができる。また、上述した正孔輸送層112を構成する物質を用いることもできる。また、ポリ(エチレンジオキシチオフェン)とポリ(スチレンスルホン酸)の混合物(略称:PEDOT/PSS)のような高分子化合物を用いることもできる。
【0091】
あるいは、正孔注入層111に、有機化合物と電子受容体とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子受容体によって有機化合物に正孔が発生するため、正孔注入性および正孔輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した正孔の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した正孔輸送層112を構成する物質(芳香族アミン化合物等)を用いることができる。電子受容体としては、有機化合物に対し電子受容性を示す物質であればよい。具体的には、遷移金属酸化物であることが好ましく、例えば、バナジウム酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物、クロム酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物等が挙げられる。また、塩化鉄(III)、塩化アルミニウム(III)のようなルイス酸を用いることもできる。また、7,7,8,8−テトラシアノ−2,3,5,6−テトラフルオロキノジメタン(略称:F4−TCNQ)等の有機化合物を用いることもできる。
【0092】
なお、正孔注入層111は、二層以上の層を積層して形成された多層構造であってもよい。また、二種類以上の物質を混合して形成してもよい。
【0093】
また、第2の電極102と電子輸送層114との間には、図1に示すように電子注入層115を設けてもよい。ここで、電子注入層とは、陰極として機能する電極から電子輸送層114へ電子の注入を補助する機能を有する層である。ただし、電子注入層115は必ずしも設ける必要はない。
【0094】
電子注入層115を構成する物質について特に限定はないが、例えば、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF)、リチウム酸化物(LiOx)のようなアルカリ金属化合物またはアルカリ土類金属化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム(ErF)のような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層114を構成する物質を用いることもできる。
【0095】
あるいは、電子注入層115に、有機化合物と電子供与体とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層114を構成する物質(金属錯体や複素芳香族化合物等)を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物(LiOx)、カルシウム酸化物(CaOx)、バリウム酸化物(BaOx)等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン(略称:TTF)等の有機化合物を用いることもできる。
【0096】
以上で述べた本実施の形態で示す発光素子において、正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114、電子注入層115は、それぞれ、蒸着法、またはインクジェット法、または塗布法等、いずれの方法で形成しても構わない。また、第1の電極101または第2の電極102についても、スパッタリング法、蒸着法等、インクジェット法、または塗布法等、いずれの方法を用いて形成しても構わない。
【0097】
(実施の形態3)
本実施の形態では、実施の形態2とは異なる発光素子の態様について図2を参照して説明する。実施の形態1で示した有機金属錯体を用いた発光素子の態様は、複数の発光層を有するものであってもよい。複数の発光層を設け、それぞれの発光層から発光させることで、複数の発光が混合された発光を得ることができる。したがって、例えば白色光を得ることができる。本実施の形態では、複数の発光層を有する発光素子の態様について図2を用いて説明する。
【0098】
図2において、第1の電極201と第2の電極202との間には、第1の発光層213と第2の発光層215が設けられており、第1の発光層213における発光と第2の発光層215における発光が混合された発光を得ることができる。第1の発光層213と第2の発光層215との間には、分離層214を有することが好ましい。
【0099】
第1の電極201の電位が第2の電極202の電位よりも高くなるように電圧を印加すると、第1の電極201と第2の電極202との間に電流が流れ、第1の発光層213または第2の発光層215または分離層214において正孔と電子とが再結合する。生じた励起エネルギーは、第1の発光層213と第2の発光層215の両方に分配され、第1の発光層213に含まれた第1の発光物質と第2の発光層215に含まれた第2の発光物質を励起状態にする。そして、励起状態になった第1の発光物質と第2の発光物質とは、それぞれ基底状態に戻るときに発光する。
【0100】
第1の発光層213には、ペリレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブチル)ペリレン(略称:TBP)、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(略称:DPVBi)、4,4’−ビス[2−(N−エチルカルバゾール−3−イル)ビニル]ビフェニル(略称:BCzVBi)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)ガリウムクロリド(GamqCl)などの蛍光性化合物や、ビス{2−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ピリジナト−N,C2’}イリジウム(III)ピコリナート(略称:Ir(CFppy)(pic))、ビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIr(acac))、ビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)、ビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)テトラ(1−ピラゾリル)ボラート(略称:FIr6)などの燐光性化合物に代表される第1の発光物質が含まれており、450〜510nmに発光スペクトルのピークを有する発光(すなわち、青色〜青緑色)が得られる。また、第1の発光層213の構成は、第1の発光物質が蛍光性化合物の場合、第1の発光物質よりも大きい一重項励起エネルギーを有する物質を第1のホストとして用い、第1の発光物質をゲストとして分散してなる層であることが好ましい。また、第1の発光物質が燐光性化合物の場合、第1の発光物質よりも大きい三重項励起エネルギーを有する物質を第1のホストとして用い、第1の発光物質をゲストとして分散してなる層であることが好ましい。第1のホストとしては、先に述べたNPB、CBP、TCTA等の他、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)等を用いることができる。なお、一重項励起エネルギーとは、基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差である。また、三重項励起エネルギーとは、基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差である。
【0101】
一方、第2の発光層215は、実施の形態1で示した有機金属錯体を含んでおり、赤色の発光が得られる。また、実施の形態1で示した有機金属錯体は、高い発光効率を示すため、発光効率の高い発光素子が得られる。また、消費電力が低減された発光素子を得ることができる。
【0102】
第2の発光層215の構成は、実施の形態2で述べた発光層113と同様の構成とすればよい。
【0103】
また、分離層214は、具体的には、上述したTPAQn、NPB、CBP、TCTA、Znpp、ZnBOX等を用いて形成することができる。このように、分離層214を設けることで、第1の発光層213と第2の発光層215のいずれか一方のみの発光強度が強くなってしまうという不具合を防ぐことができる。ただし、分離層214は必ずしも必要ではなく、第1の発光層213の発光強度と第2の発光層215の発光強度との割合を調節するため、適宜設ければよい。
【0104】
なお、本実施の形態では、第2の発光層215に実施の形態1で示した有機金属錯体を用い、第1の発光層に他の発光物質を適用したが、逆に第1の発光層213に実施の形態1で示した有機金属錯体を用い、第2の発光層215に他の発光物質を適用してもよい。
【0105】
また、本実施の形態では、図2のように2層の発光層が設けられた発光素子について記載しているが、発光層の層数は2層に限定されるものでは無く、それぞれの発光層からの発光が混合されれば、2層以上、例えば3層あってもよい。その結果、例えば演色性の良好な白色光が得られる。
【0106】
なお、第1の電極201は、先の実施の形態2で述べた第1の電極101と同様の構成とすればよい。また、第2の電極202も、先の実施の形態2で述べた第2の電極102と同様の構成とすればよい。
【0107】
また、本実施の形態では、図2に示すように、正孔注入層211、正孔輸送層212、電子輸送層216、電子注入層217を設けているが、これらの層の構成に関しても、先に実施の形態2で述べた各層の構成を適用すればよい。ただし、これらの層は必ずしも必要ではなく、素子の特性に応じて適宜設ければよい。
【0108】
(実施の形態4)
本実施の形態では、複数の発光層を設け、かつ実施の形態2または3とは異なる素子構造でそれぞれの発光層から発光させる発光素子を例示する。したがって、本実施の形態においても、複数の発光が混合された発光を得ることができる。すなわち、例えば白色光を得ることができる。以下、図3を用いて説明する。
【0109】
図3の発光素子は、第1の電極301と第2の電極302との間に、第1の発光層313と第2の発光層323を設けている。また、第1の発光層313と第2の発光層323との間には、電荷発生層としてN層315およびP層321とを設けている。
【0110】
N層315は電子を発生させる層であり、P層321は正孔を発生させる層である。第1の電極301の電位が第2の電極302の電位よりも高くなるように電圧を印加したとき、第1の電極301から注入された正孔とN層315から注入された電子が、第1の発光層313において再結合し、第1の発光層313に含まれた第1の発光物質が発光する。さらに、第2の電極302から注入された電子とP層321から注入された正孔が、第2の発光層323において再結合し、第2の発光層323に含まれた第2の発光物質が発光する。
【0111】
第1の発光層313は、先の実施の形態3における第1の発光層213と同様の構成とすればよく、450〜510nmに発光スペクトルのピークを有する発光(すなわち青色〜青緑色)が得られる。また、第2の発光層323は、先の実施の形態3における第2の発光層215と同様の構成でよく、実施の形態1で示した有機金属錯体を含んでおり、赤色の発光が得られる。実施の形態1で示した有機金属錯体は、高い発光効率を示すため、発光効率の高い発光素子が得られる。また、消費電力が低減された発光素子を得ることができる。
【0112】
N層315は電子を発生させる層であるため、実施の形態2で述べた有機化合物と電子供与体とを混合してなる複合材料を用いて形成すればよい。このような構成とすることで、電子を第1の発光層313側へ注入することができる。
【0113】
P層321は正孔を発生させる層であるため、実施の形態2で述べた有機化合物と電子受容体とを混合してなる複合材料を用いて形成すればよい。このような構成とすることで、正孔を第2の発光層323側へ注入することができる。また、P層321には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、ITO、ITSOといったような正孔注入性に優れた金属酸化物を用いることもできる。
【0114】
また、本実施の形態では、図3のように2層の発光層が設けられた発光素子について記載しているが、発光層の層数は2層に限定されるものでは無く、それぞれの発光層からの発光が混合されれば、2層以上、例えば3層あってもよい。その結果、例えば演色性の良好な白色光が得られる。
【0115】
なお、第1の電極301は、先の実施の形態2で述べた第1の電極101と同様の構成とすればよい。また、第2の電極302も、先の実施の形態2で述べた第2の電極102と同様の構成とすればよい。
【0116】
また、本実施の形態では、図3に示すように、正孔注入層311、正孔輸送層312および322、電子輸送層314および324、電子注入層325を設けているが、これらの層の構成に関しても、先に実施の形態2で述べた各層の構成を適用すればよい。ただし、これらの層は必ずしも必要ではなく、素子の特性に応じて適宜設ければよい。
【0117】
(実施の形態5)
本実施の形態5では、実施の形態1で示した有機金属錯体を増感剤として用いた発光素子の態様について、図1を用いて説明する。
【0118】
図1には、第1の電極101と第2の電極102との間に発光層113を有する発光素子が表されている。そして、発光層113には、先の実施の形態1で述べたような有機金属錯体と、その有機金属錯体よりも長波長の発光を呈することのできる蛍光性化合物とが含まれている。
【0119】
このような発光素子において、第1の電極101から注入された正孔と第2の電極102側から注入された電子とが、発光層113において再結合し、蛍光性化合物を励起状態にする。そして、励起状態の蛍光性化合物は基底状態に戻るときに発光する。この時、実施の形態1で示した有機金属錯体は、蛍光性化合物に対して増感剤として作用し、蛍光性化合物の一重項励起状態の分子の数を増幅する。このように、実施の形態1で示した有機金属錯体を増感剤として用いることによって発光効率の良い発光素子を得ることができる。なお、本実施の形態5の発光素子において、第1の電極101は陽極として機能し、第2の電極102は陰極として機能する。
【0120】
発光層113は、実施の形態1で示した有機金属錯体と、その有機金属錯体よりも長波長の発光を呈することのできる蛍光性化合物とを含んでいる。その構成は、実施の形態1で示した有機金属錯体よりも大きい三重項励起エネルギーを有すると同時に該蛍光性化合物よりも大きい一重項励起エネルギーを有する物質をホストとして用い、実施の形態1で示した有機金属錯体および該蛍光性化合物をゲストとして分散してなる層であることが好ましい。
【0121】
実施の形態1で示した有機金属錯体と蛍光性化合物とを分散状態にするために用いる物質(すなわちホスト)については特に限定はなく、先の実施の形態2においてホストとして挙げた物質等を用いることができる。
【0122】
また、蛍光性化合物についても特に限定はないが、4−ジシアノメチレン−2−イソプロピル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン(略称:DCJTI)、マグネシウムフタロシアニン、マグネシウムポルフィリン、フタロシアニン等の赤色〜赤外の発光を示す化合物が好ましい。
【0123】
なお、第1の電極101、第2の電極102共に、先の実施の形態2で述べた第1の電極、第2の電極と同様の構成とすればよい。
【0124】
また、本実施の形態5では、図1に示すように、正孔注入層111、正孔輸送層112、電子輸送層114、電子注入層115を設けているが、これらの層の構成に関しても、先に実施の形態2で述べた各層の構成を適用すればよい。ただし、これらの層は必ずしも必要ではなく、素子の特性に応じて適宜設ければよい。
【0125】
以上に述べた発光素子は、実施の形態1で示した有機金属錯体を増感剤として用いることによって、高効率の発光が得られるものである。
【0126】
(実施の形態6)
本実施の形態では、実施の形態1で示した有機金属錯体を用いて作製された発光装置について図4を用いて説明する。なお、図4(A)は、発光装置を示す上面図、図4(B)は図4(A)をA−A’およびB−B’で切断した断面図である。点線で示された601は駆動回路部(ソース側駆動回路)、602は画素部、603は駆動回路部(ゲート側駆動回路)である。また、604は封止基板、605はシール材であり、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。
【0127】
なお、引き回し配線608はソース側駆動回路601及びゲート側駆動回路603に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキット)609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。
【0128】
次に、断面構造について図4(B)を用いて説明する。素子基板610上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路601と、画素部602中の一つの画素が示されている。
【0129】
なお、ソース側駆動回路601にはnチャネル型TFT623とpチャネル型TFT624とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。
【0130】
また、画素部602はスイッチング用TFT611と、電流制御用TFT612とそのドレインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
【0131】
また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物614の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径(0.2μm〜3μm)を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【0132】
第1の電極613上には、発光層616、および第2の電極617がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第1の電極613に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITO膜、または珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、2〜20wt%の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
【0133】
また、発光層616は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。発光層616は、実施の形態1で示した有機金属錯体を含んでいる。また、発光層616を構成する他の材料としては、低分子材料、オリゴマー、デンドリマー、または高分子材料であっても良い。
【0134】
さらに、発光層616上に形成され、陰極として機能する第2の電極617に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料(Al、Mg、Li、Ca、またはこれらの合金や化合物、MgAg、MgIn、AlLi、LiF、CaF等)を用いることが好ましい。なお、発光層616で生じた光が第2の電極617を透過させる場合には、第2の電極617として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜(ITO、2〜20wt%の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、珪素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛(ZnO)等)との積層を用いるのが良い。
【0135】
さらにシール材605で封止基板604を素子基板610と貼り合わせることにより、素子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光素子618が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填されており、不活性気体(窒素やアルゴン等)が充填される場合の他、シール材605で充填される場合もある。
【0136】
なお、シール材605にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板604に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiberglass−Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【0137】
以上のようにして、実施の形態1で示した有機金属錯体を用いて作製された発光装置を得ることができる。
【0138】
本実施の形態の発光装置は、実施の形態1で示した有機金属錯体を用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、発光効率の高い発光素子を有しているため、消費電力が低減された発光装置を得ることができる。また、視感効率の高い赤色発光が可能であるため、フルカラーディスプレイに適しており、消費電力が低く、色再現性に優れた発光装置を得ることができる。
【0139】
以上のように、本実施の形態では、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、この他、パッシブマトリクス型の発光装置であってもよい。図5には本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置の斜視図を示す。図5において、基板951上には、電極952と電極956との間には発光層955が設けられている。電極952の端部は絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層954が設けられている。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層954の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺(絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接する辺)の方が上辺(絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接しない辺)よりも短い。このように、隔壁層954を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、発光効率の高い本発明の発光素子を含むことによって、低消費電力で駆動させることができる。
【0140】
(実施の形態7)
本実施の形態では、実施の形態6に示す発光装置をその一部に含む電子機器について説明する。本実施の形態で示す電子機器は、実施の形態1に示した有機金属錯体を含み、発光効率が高く、消費電力が低減された表示部を有する。また色再現性に優れた表示部を有する。フルカラーディスプレイに実施の形態1で示した有機金属錯体を用いる場合、赤色発光素子以外については、種々の発光物質を用い、実施の形態2〜5で説明したものと同様の構成の発光素子を適用することができる。
【0141】
実施の形態1の有機金属錯体を用いて作製された発光素子を有する電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置)などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図6に示す。
【0142】
図6(A)は本実施の形態に係るテレビ装置であり、筐体9101、支持台9102、表示部9103、スピーカー部9104、ビデオ入力端子9105等を含む。このテレビ装置において、表示部9103は、実施の形態2〜5で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、消費電力が小さいという特徴を有している。また、視感効率の高い赤色発光が可能であるという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9103も同様の特徴を有するため、このテレビ装置は画質の劣化がなく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、テレビ装置において、劣化補償機能や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、筐体9101や支持台9102の小型軽量化を図ることが可能である。本実施の形態に係るテレビ装置は、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、それにより住環境に適合した製品を提供することができる。また、視感効率の高い赤色発光が可能である発光素子を有するため、消費電力が低く、色再現性に優れた表示部を有するテレビ装置を得ることができる。
【0143】
図6(B)は本実施の形態に係るコンピュータであり、本体9201、筐体9202、表示部9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイス9206等を含む。このコンピュータにおいて、表示部9203は、実施の形態2〜5で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、消費電力が小さいという特徴を有している。また、視感効率の高い赤色発光が可能であるという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9203も同様の特徴を有するため、このコンピュータは画質の劣化がなく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、コンピュータにおいて、劣化補償機能や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9201や筐体9202の小型軽量化を図ることが可能である。本実施の形態に係るコンピュータは、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、環境に適合した製品を提供することができる。また、視感効率の高い赤色発光が可能である発光素子を有するため、消費電力が低く、色再現性に優れた表示部を有するコンピュータを得ることができる。
【0144】
図6(C)は本実施の形態に係る携帯電話であり、本体9401、筐体9402、表示部9403、音声入力部9404、音声出力部9405、操作キー9406、外部接続ポート9407等を含む。この携帯電話において、表示部9403は、実施の形態2〜5で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、消費電力が小さいという特徴を有している。また、視感効率の高い赤色発光が可能であるという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9403も同様の特徴を有するため、この携帯電話は画質の劣化がなく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、携帯電話において、劣化補償機能や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9401や筐体9402の小型軽量化を図ることが可能である。本実施の形態に係る携帯電話は、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。また、視感効率の高い赤色発光が可能である発光素子を有するため、消費電力が低く、色再現性に優れた表示部を有する携帯電話を得ることができる。
【0145】
図6(D)は本実施の形態に係るカメラであり、本体9501、表示部9502、筐体9503、外部接続ポート9504、リモコン受信部9505、受像部9506、バッテリー9507、音声入力部9508、操作キー9509、接眼部9510等を含む。このカメラにおいて、表示部9502は、実施の形態2〜5で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、消費電力が小さいという特徴を有している。また、視感効率の高い赤色発光が可能であるという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9502も同様の特徴を有するため、このカメラは画質の劣化がなく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、カメラにおいて、劣化補償機能や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9501の小型軽量化を図ることが可能である。本実施の形態に係るカメラは、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。また、視感効率の高い赤色発光が可能である発光素子を有するため、消費電力が低く、色再現性に優れた表示部を有するカメラを得ることができる。
【0146】
以上の様に、上記実施の形態で示した発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。実施の形態1で示した有機金属錯体を用いることにより、低消費電力で、色再現性に優れた表示部を有する電子機器を提供することが可能となる。
【0147】
また、上記実施の形態で示した発光装置は、照明装置として用いることもできる。上記実施の形態で示した発光素子を照明装置として用いる一態様を、図7を用いて説明する。
【0148】
図7は、上記実施の形態で示した発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図7に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐体904を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライト903は、上記実施の形態で示した発光装置が用いられおり、端子906により、電流が供給されている。
【0149】
上記実施の形態で示した発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、消費電力の低減されたバックライトが得られる。また、上記実施の形態で示した発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、上記実施の形態で示した発光装置は薄型で低消費電力であるため、表示装置の薄型化、低消費電力化も可能となる。
【0150】
図8は、実施の形態1で示した有機金属錯体を適用した発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図8に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002を有し、光源2002として、上記実施の形態で示した発光装置が用いられている。従って、消費電力の低い発光装置とすることができる。
【0151】
図9は、実施の形態1で示した有機金属錯体を適用した発光装置を、室内の照明装置3001として用いた例である。この発光装置は大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、この発光装置は、薄型で低消費電力であるため、薄型化、低消費電力化の照明装置として用いることが可能となる。このように、本実施の形態で示す発光装置を、室内の照明装置3001として用いた部屋に、図6(A)で説明したような、テレビ装置3002を設置することもできる。
【実施例1】
【0152】
≪合成例1≫
本合成例1では、実施の形態1においての構造式(1)として示した本発明の一態様である有機金属錯体、(アセチルアセトナト)ビス[5−(3−シアノフェニル)−2,3−ジフェニルピラジナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(dppr−3CP)(acac)])の合成例を具体的に例示する。
【0153】
<ステップ1;5−(3−シアノフェニル)−2,3−ジフェニルピラジン(略称:Hdppr−3CP)の合成>
まず、2,3−ジフェニル−5−クロロピラジン1.02g、3−シアノフェニルボロン酸0.62g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)(略称:Pd(PPh)0.15g、トルエン10mL、エタノール1.5mL、炭酸カリウム1.16g、水4.2mLを、還流管をつけたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波(2.45GHz 100〜150W)を45分間照射し、反応させた。この混合物に水を加え、ジクロロメタンを抽出溶媒として有機層を抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥した後の溶液をろ過した。この溶液の溶媒を留去した後、留去により得られた残渣を、ジクロロメタンと酢酸エチルの混合液を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、白色粉末状固体を収率42%で得た。なお、マイクロ波の照射はマイクロ波合成装置(CEM社製 Discover)を用いた。ステップ1の合成スキームを下記(a−1)に示す。
【0154】
【化24】

【0155】
核磁気共鳴法(NMR)によって、この化合物が目的物である5−(3−シアノフェニル)−2,3−ジフェニルピラジン(略称:Hdppr−3CP)であることを確認した。
【0156】
得られた化合物のH NMRデータを以下に示す。H−NMR.δ(CDCl):7.30−7.41(m,6H),7.50−7.58(m,4H),7.64(t,1H),7.76(d,1H),8.37(d,1H),8.51(s,1H),9.04(s,1H)。
【0157】
また、H NMRチャートを図10に示す。
【0158】
<ステップ2;ジ−μ−クロロ−ビス[ビス{5−(3−シアノフェニル)−2,3−ジフェニルピラジナト}イリジウム(III)](略称:[Ir(dppr−3CP)Cl])の合成>
ステップ1に続いて、2−エトキシエタノール6mL、水2mL、上記ステップ1で得たピラジン誘導体Hdppr−3CP0.52g、塩化イリジウム水和物(IrCl・HO)(Sigma−Aldrich社製)0.22gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波(2.45GHz 100W)を30分間照射し、反応させた。反応溶液より析出してきた橙色粉末をろ過し、エタノールにて洗浄することにより、複核錯体[Ir(dppr−3CP)Cl]を得た(収率70%)。ステップ2の合成スキームを下記(b−1)に示す。
【0159】
【化25】

【0160】
<ステップ3;(アセチルアセトナト)ビス[5−(3−シアノフェニル)―2,3−ジフェニルピラジナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(dppr−3CP)(acac)]の合成>
ステップ2に続き、2−エトキシエタノール10mL、上記ステップ2で得た複核錯体[Ir(dppr−3CP)Cl] 0.46g、アセチルアセトン0.081mL、炭酸ナトリウム0.28gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波(2.45GHz 100W)を20分間照射し、反応させた。反応溶液をろ過し、得られたろ液の溶媒を留去した。留去により得られた残渣を、メタノールにて再結晶することにより、赤色粉末状固体を、収率6%で得た。ステップ3の合成スキームを下記(c−1)に示す。
【0161】
【化26】

【0162】
核磁気共鳴法(NMR)によって、この化合物が目的物であるジ−μ−クロロ−ビス[ビス{5−(3−シアノフェニル)−2,3−ジフェニルピラジナト}イリジウム(III)](略称:[Ir(dppr−3CP)Cl])であることを確認した。
【0163】
得られた化合物のH NMRデータを以下に示す。H−NMR.δ(CDCl):1.95(s,6H),5.39(s,1H),6.44(d,2H),6.54(t,2H),6.70(t,2H),6.96(d,2H),7.57−7.66(m,8H),7.73−7.83(m,6H),8.25(d,2H),8.42(s,2H),8.95(s,2H)。
【0164】
また、H NMRチャートを図11に示す。
【0165】
次に、[Ir(dppr−3CP)(acac)]の吸収スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定は紫外可視分光光度計((株)日本分光製 V550型)を用い、クロロホルム溶液を用いて、室温で測定を行った。また、[Ir(dppr−3CP)(acac)]の発光スペクトルを測定した。発光スペクトルの測定は蛍光光度計((株)浜松ホトニクス製 FS920)を用い、脱気したクロロホルム溶液を用いて、室温で測定を行った。測定結果を図12に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。
【0166】
図11に示す通り、本発明の一態様である構造式(1)で示す有機金属錯体[Ir(dppr−3CP)(acac)]は、632nmに発光ピークを有しており、クロロホルム溶液からは赤色の発光が観測された。
【符号の説明】
【0167】
101 第1の電極
102 第2の電極
111 正孔注入層
112 正孔輸送層
113 発光層
114 電子輸送層
115 電子注入層
201 第1の電極
202 第2の電極
211 正孔注入層
212 正孔輸送層
213 発光層
214 分離層
215 発光層
216 電子輸送層
217 電子注入層
301 第1の電極
302 第2の電極
311 正孔注入層
312 正孔輸送層
313 発光層
314 電子輸送層
315 N層
321 P層
323 発光層
325 電子注入層
601 ソース側駆動回路
602 画素部
603 ゲート側駆動回路
604 封止基板
605 シール材
607 空間
608 配線
609 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
610 素子基板
611 スイッチング用TFT
612 電流制御用TFT
613 第1の電極
614 絶縁物
616 発光層
617 第2の電極
618 発光素子
623 nチャネル型TFT
624 pチャネル型TFT
901 筐体
902 液晶層
903 バックライト
904 筐体
905 ドライバIC
906 端子
951 基板
952 電極
953 絶縁層
954 隔壁層
955 発光層
956 電極
2001 筐体
2002 光源
3001 照明装置
3002 テレビ装置
9101 筐体
9102 支持台
9103 表示部
9104 スピーカー部
9105 ビデオ入力端子
9201 本体
9202 筐体
9203 表示部
9204 キーボード
9205 外部接続ポート
9206 ポインティングデバイス
9401 本体
9402 筐体
9403 表示部
9404 音声入力部
9405 音声出力部
9406 操作キー
9407 外部接続ポート
9501 本体
9502 表示部
9503 筐体
9504 外部接続ポート
9505 リモコン受信部
9506 受像部
9507 バッテリー
9508 音声入力部
9509 操作キー
9510 接眼部

【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記一般式(G2)で表される有機金属錯体。
【化1】

(但し、式中、R〜Rは水素又はシアノ基を表し、その少なくとも一つがシアノ基である。また、Lはモノアニオン性の配位子を表す。また、Mは中心金属であり、第9族元素、あるいは第10族元素を表す。また、前記中心金属が第9族元素の時はn=2であり、第10族元素の時はn=1である。)
【請求項2】
下記一般式(G2)で表される有機金属錯体
【化2】

(但し、式中、R〜Rは水素又はシアノ基であり、そのいずれか一がシアノ基である。また、Lはモノアニオン性の配位子を表す。また、Mは中心金属であり、第9族元素、あるいは第10族元素を表す。また、前記中心金属が第9族元素の時はn=2であり、第10族元素の時はn=1である。)
【請求項3】
下記一般式(G3)で表される有機金属錯体。
【化3】

(但し、Lはモノアニオン性の配位子を表す。また、Mは中心金属であり、第9族元素、あるいは第10族元素を表す。また、前記中心金属が第9族元素の時はn=2であり、第10族元素の時はn=1である。)
【請求項4】
下記一般式(G4)で表される有機金属錯体。
【化4】

(但し、Lはモノアニオン性の配位子を表す。また、Mは中心金属であり、第9族元素、あるいは第10族元素を表す。また、前記中心金属が第9族元素の時はn=2であり、第10族元素の時はn=1である。)
【請求項5】
下記一般式(G5)で表される有機金属錯体。
【化5】

(但し、Lはモノアニオン性の配位子を表す。また、Mは中心金属であり、第9族元素、あるいは第10族元素を表す。また、前記中心金属が第9族元素の時はn=2であり、第10族元素の時はn=1である。)
【請求項6】
請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記モノアニオン性の配位子は、下記構造式(L1)乃至(L8)で表されるモノアニオン性の配位子である有機金属錯体。
【化6】

【請求項7】
請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、前記中心金属がイリジウムまたは白金であることを特徴とする有機金属錯体。
【請求項8】
下記構造式(1)で表される有機金属錯体。
【化7】

【請求項9】
下記構造式(2)で表される有機金属錯体。
【化8】

【請求項10】
下記構造式(3)で表される有機金属錯体。
【化9】

【請求項11】
請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の有機金属錯体を含む発光材料。
【請求項12】
請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の有機金属錯体を含む発光素子。
【請求項13】
請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の有機金属錯体を、発光物質として含む発光素子。
【請求項14】
請求項12または請求項13に記載の発光素子を用いた発光装置。
【請求項15】
請求項14に記載の発光装置を表示部に用いた電子機器。
【請求項16】
下記構造式(G0−1)で表されるピラジン誘導体。
【化10】

【請求項17】
下記構造式(G0−2)で表されるピラジン誘導体。
【化11】

【請求項18】
下記構造式(G0−3)で表されるピラジン誘導体。
【化12】


【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【公開番号】特開2010−120931(P2010−120931A)
【公開日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−243811(P2009−243811)
【出願日】平成21年10月22日(2009.10.22)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】