【課題】バンク及び複数の有機薄膜層を有する有機電界発光素子であって、各有機薄膜層に膜厚ムラや欠陥等がなく、高品質な表示が可能な有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】第１の電極、及び該第１の電極と対向するように形成された第２の電極を有し、該第１の電極及び該第２の電極の間に、
電荷輸送性を有する第１電荷輸送層と、前記第１電荷輸送層上に積層され、電荷輸送性を有する第２電荷輸送層と、前記第２電荷輸送層上にパターン状に形成されたバンクと、前記バンクにより区画された領域内に形成された機能性層とを有する有機電界発光素子であって、
前記第２電荷輸送層がドープ材料を含まない。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はバンクを有する有機電界発光素子とその製造方法、及びその有機電界発光素子を用いた画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
１９８７年に、コダック社のＴａｎｇらによる真空蒸着法を用いた積層型の有機電界発光（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下「ＥＬ」と略称する場合がある。）素子が報告されて以来（非特許文献１参照）、有機ＥＬディスプレイの開発が盛んに行なわれている。現在では有機電界発光素子を表示ディスプレイとして使用したカーオーディオやデジタルカメラ、携帯電話などが次々に製品化されている。
【０００３】
このような積層型有機電界発光素子では、通常、陽極と陰極との間に複数の有機薄膜層（発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層等）が積層して設けられる。これらの有機薄膜層の形成は、多くの場合、低分子量色素等、有機薄膜層の材料を真空蒸着することにより行なわれていた。
しかしながら、正孔注入層等の有機薄膜層は真空蒸着法により所望の膜厚で形成することが難しい場合があった。これは、有機薄膜層の材料を蒸着させる場合、下地となる電極の表面に異物や突起、窪み等があるとその影響を受けやすいことによる。また、このように膜厚ムラのある有機薄膜層（例えば正孔注入層等）の上にさらに有機薄膜層として発光層を積層した場合、発光層の膜厚ムラがより大きいものとなりやすく、画像表示装置とした際に表示ムラが生じてしまうことがあった。
そこで、積層型有機電界発光素子における上記有機薄膜層を、湿式成膜法によって形成する技術も報告されている。例えば、特許文献１には、高分子正孔輸送性化合物を含有するインクを塗布することにより正孔注入層を形成した後、上記正孔注入層上に低分子発光材料を含有するインクを塗布し、発光層を形成した有機電界発光素子等が記載されている。
【０００４】
特に、このような湿式成膜法を用いて各層を形成する場合の積層型有機電界発光素子では、例えば特許文献２に開示されているように、上記有機薄膜層上に形成する陰極配線を分離配置することや発光層のＲＧＢの塗りわけ等を目的として、陽極上にバンク（隔壁）を設けることがある。このようなバンクを有する有機電界発光素子は、陽極上にバンクを形成した後、正孔注入層や発光層等の複数の有機薄膜層及び陰極配線を、湿式成膜法や蒸着法等により順次形成することにより得られる。
しかしながら、陽極上にバンクを形成する方法においては、有機薄膜層を形成する際にすでにバンクが形成されていることから、例えば正孔注入層等の有機薄膜層を湿式成膜法で形成した場合には、塗布された溶液がバンクに沿って広がってしまうこと等によって、正孔注入層等の有機薄膜層を所望の厚みとすることが難しく、特にバンク近傍での膜厚ムラが大きくなることがあった。また上記正孔注入層等の上にさらに有機薄膜層として発光層を積層した場合、上記と同様により大きなムラが生じやすく、表示ムラが生じたり、得られる有機電界発光素子のバンク近傍の領域、すなわち発光領域と非発光領域との境界が曖昧となること等があった。特に 上記正孔注入層等の上にさらに湿式成膜法により異なる層を積層した場合、既にバンク近傍での膜厚ムラが大きい状態の層の上に別の層を塗布することになり、膜厚が均一で欠陥等がない層とすることが著しく困難になる場合があった。
そこで、特許文献３〜４では、膜厚のばらつきをなくすために、正孔注入層上に、バンクを形成する技術が開示されている。しかしながら、この方法では、正孔注入層上に、フォトリソグラフィーなど溶剤を使用する製造方法でバンク形成するため、正孔注入層の種類等によっては、フォトレジストに用いられる溶剤により正孔注入層の一部または全部が溶解し、有機電界発光素子の特性が低下してしまったり、また当該溶解の程度が温度などの環境条件によって変動し、製品製造時に有機電界発光素子の特性が一定せずばらついてしまうこと等があった。特に、正孔注入層上に、バンクを形成する技術においては、発光ムラが生じたり、電圧上昇、低発光効率となるなどの課題があった。
【０００５】
【非特許文献１】Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ 第５１巻 ９１３ページ
【特許文献１】国際公開第２００６／０９５５３９号パンフレット
【特許文献２】特開２００１−３５１７７９号公報
【特許文献３】特開２００４−２３５１２８号公報
【特許文献４】特開２００７−２４２２７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、以上の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、バンク及び複数の有機薄膜層を有する有機電界発光素子であって、各有機薄膜層に膜厚ムラや欠陥等がなく、さらに発光ムラもなく、また電圧上昇や低発光効率等の課題が解決された、高品質な表示が可能な有機電界発光素子等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らが鋭意検討した結果、バンクを、第１電荷輸送層および第２電荷輸送層の２層以上積層された層上に形成し、バンクが直接形成される第２電荷輸送層をドープ材料を含まない層とすることにより、上記課題が解決されることがわかり本発明に到達した。
【０００８】
すなわち、本発明の第１の要旨は、第１の電極、及び前記第１の電極と対向するように形成された第２の電極を有し、前記第１の電極及び前記第２の電極の間に、電荷輸送性を有する第１電荷輸送層と、前記第１電荷輸送層上に積層され、電荷輸送性を有する第２電荷輸送層と、前記第２電荷輸送層上にパターン状に形成されたバンクと、前記バンクにより区画された領域内に形成された機能性層とを有する有機電界発光素子であって、前記第２電荷輸送層がドープ材料を含まない層であることを特徴とする有機電界発光素子に存する（請求項１）。
【０００９】
またこの際、前記第１電荷輸送層がドープ材料を含む層であることが好ましい（請求項２）。
また、前記機能性層が発光層を含む層であることが好ましい（請求項３）。
前記バンクはフォトレジストを用いて形成されていてもよい（請求項４）。
また前記バンクが、前記第１の電極及び第１電荷輸送層に接していないことが好ましい（請求項５）。
【００１０】
本発明の第２の要旨は、上述したいずれかの有機電界発光素子を用いたことを特徴とする画像表示装置に存する（請求項６）。
【００１１】
また本発明の第３の要旨は、第１の電極、及び前記第１の電極と対向するように形成された第２の電極を有し、前記第１の電極及び前記第２の電極の間に、電荷輸送性を有する第１電荷輸送層と、前記第１電荷輸送層上に積層され、電荷輸送性を有する第２電荷輸送層と、前記第２電荷輸送層上にパターン状に形成されたバンクと、前記バンクにより区画された領域内に形成された機能性層とを有する有機電界発光素子の製造方法であって、前記第１の電極、及び前記第１電荷輸送層を形成した後、前記第２電荷輸送層をドープ材料を含まない組成物を成膜して形成する第２電荷輸送層形成工程と、前記第２電荷輸送層上にパターン状にバンクを形成するバンク形成工程と、前記第２電荷輸送層上の前記バンクにより区画された領域内に、前記機能性層を形成する機能性層形成工程とを行なうことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法に存する（請求項７）。
また、この際、前記第１電荷輸送層を、ドープ材料を含む組成物を成膜して形成することが好ましい（請求項８）。
また、前記バンク形成工程が、露点０℃未満の乾燥空気中、不活性雰囲気中、または圧力１００Ｐａ未満の減圧下での加熱工程を有していてもよい（請求項９)。
【発明の効果】
【００１２】
電荷輸送層上にバンクを有する有機電界発光素子において、発光ムラや欠陥等がなく、低駆動電圧で、高発光効率の、高品質な画像表示が可能な有機電界発光素子を安定して製造することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の説明に限定されるものではなく、その要旨の範囲内において種々に変更して実施することができる。
本発明は、バンクを有する有機電界発光素子とその製造方法、及びその有機電界発光素子を用いた画像表示装置に関する。以下、それぞれについて説明する。
【００１４】
Ａ．有機電界発光素子
まず、本発明の有機電界発光素子について説明する。本発明の有機電界発光素子は、第１の電極、及び前記第１の電極と対向するように形成された第２の電極を有し、前記第１の電極及び前記第２の電極の間に、電荷輸送性を有する第１電荷輸送層と、前記第１電荷輸送層上に積層され、電荷輸送性を有する第２電荷輸送層と、前記第２電荷輸送層上にパターン状に形成されたバンクと、前記バンクにより区画された領域内に形成された機能性層とを有する有機電界発光素子であって、前記第２電荷輸送層がドープ材料を含まない層であることを特徴とする。
【００１５】
本発明においては、第１電荷輸送層及び第２電荷輸送層が積層された上に、バンクが配置される。したがって、従来の、陽極上にバンクが形成された有機電界発光素子とは異なり、第１電荷輸送層や第２電荷輸送層の形成時に、バンクの影響を受けることがなく、これらの層が所望の膜厚及び形状に形成されたものとすることができる。
ここで、画素毎に異なる発光色、例えばＲＧＢを有するフルカラー表示素子において、発光層ではない第１電荷輸送層や第２電荷輸送層は各色で共通とできることが多い。このような場合、第１電荷輸送層や第２電荷輸送層は複数の画素間にまたがって成膜してもよい。特にこのような場合において、第１電荷輸送層や第２電荷輸送層を成膜してからバンクを形成することにより、第１電荷輸送層や第２電荷輸送層の膜厚ムラを少なくすることができ、この上に積層される機能性層についても、所望の膜厚や形状に形成されたものとすることができる。また、上記バンクの形状を利用して、バンクにより区画された領域に高精細に機能性層が形成されているものとすることができるという利点も有する。
【００１６】
以上のことから、本発明によれば、色ムラが少なく、また発光領域と非発光領域との境界が明瞭な有機電界発光素子とすることが可能である。
また、特に、第２電荷輸送層をドープ材料を含まない層とすることにより、駆動電圧の上昇や発光効率の低下を防ぐことができる。
また、第２電荷輸送層に例えば架橋性の化合物を使用する、若しくは含有させることにより、バンク形成に使用する溶剤によって下地層が溶解し、有機電界発光素子の特性を低下させたり、下地層の溶解の程度が温度などの環境因子によって変動し、得られた有機電界発光素子の特性がばらつくこと等を抑制できる。
【００１７】
なお、通常、第１電荷輸送層、第２電荷輸送層、及び機能性層のうち、本発明においては特に、上記機能性層が発光層を含む層であることが好ましい。特に、機能性層のうち、第２電荷輸送層と隣接する層が発光層であることが好ましい。この場合、上記バンクを利用して、混色なく発光層が形成されたものとすることができる。但し、機能性層は必ずしも発光層を含む必要はない。
【００１８】
ここで、本発明の有機電界発光素子における第１電荷輸送層及び第２電荷輸送層は、電荷を輸送する性能を有する層であれば、本発明の効果を著しく逸脱しない限りその種類に制限はない。ただし、第２電荷輸送層はドープ材料を含まない層とする。第１電荷輸送層及び第２電荷輸送層はそれぞれ、電子を輸送する性能を有する層であってもよく、また正孔を輸送する性能を有する層であってもよい。また正孔及び電子を輸送する性能を有する層、例えば発光層等であってもよい。このような第１電荷輸送層及び第２電荷輸送層の例としては、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層等が挙げられる。
【００１９】
また、上記機能性層は、上記バンクにより区画された領域、すなわち第２電荷輸送層のうち、上記バンクが形成されていない領域に形成されてその機能を果たすことが可能な層であり、通常、有機電界発光素子の２つの電極間に形成される層の１層または２層以上を積層したものである。有機電界発光素子の２つの電極間に形成される層としては、特に限定されるものではないが、例としては正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層等が挙げられる。機能性層は、これらのうちの１層のみからなるものであってもよく、また２層以上が積層されたものであってもよい。
【００２０】
また上記機能性層の形状としては上記バンクにより区画された領域のみに形成されているものであってもよく、また例えば上記バンクにより区画された領域及び上記バンク上、すなわちバンクにより区画された領域及びバンクを覆うように形成されているものであってもよい。ただし、発光層は、バンクにより区画された領域のみに形成されていることが好ましい。また上記機能性層の形成方法に制限はなく、通常機能性層の種類に応じて適宜選択される。例えば上記機能性層は真空蒸着法等の乾式成膜法により形成された層であってもよく、またインクジェット法等の湿式成膜法により形成された層であってもよい。なお、上記バンクの形状を利用して機能性層を形成する場合、すなわちバンクにより隔てられた領域にそれぞれ異なる種類の機能性層を形成する場合や、機能性層をバンクによって分離したい場合等には、湿式成膜法で機能性層形成用組成物を塗布して機能性層を形成することが好ましい。
【００２１】
また第１の電極及び第２の電極は、何れかが陽極であり、他方が陰極である。
以下、本発明の有機電界発光素子について、第１の電極が陽極、第２の電極が陰極であり、第１電荷輸送層が正孔注入層、第２電荷輸送層が正孔輸送層、さらに機能性層が発光層である場合を例に説明する。図１は、上記実施形態における有機電界発光素子の構造を模式的に示す断面図である。図１に示す有機電界発光素子１０ａは、基板１の上に、陽極２、正孔注入層３（第１電荷輸送層）、正孔輸送層４（第２電荷輸送層）、パターン状に形成されたバンク５、上記バンク５により区画された領域に少なくとも形成された発光層６（機能性層）、及び陰極７を有する。以下、上記各部材について説明する。
【００２２】
＜１．基板＞
基板１は有機電界発光素子１０ａの支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板等、汎用材料からなる透明基板を用いることが好ましい。
【００２３】
基板１の材料の例としては、ＢＫ７、ＳＦ１１、ＬａＳＦＮ９、ＢａＫ１、Ｆ２などの各種ショットガラス、合成フェーズドシリカガラス、光学クラウンガラス、低膨張ボロシリケートガラス、サファイヤガラス、ソーダガラス、無アルカリガラスなどのガラス、ＴＦＴが形成されたガラス、高分子材料としては、ポリメチルメタクリレートや架橋アクリレートなどのアクリル樹脂、ピスフェノールＡポリカーボネートなどの芳香族ポリカーボネート樹脂、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、ポリシクロオレフィンなどの非晶性ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレンなどのスチレン樹脂、ポリエーテルスルホンなどのポリスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂などの合成樹脂、等が挙げられる。また、これらのうち２種以上の積層体であってもよい。目的と用途に応じて、これらの基板の上に反射防止フィルム、円偏光フィルム、位相差フィルムなどの光学フィルムを形成、若しくは貼り合わせてもよい。
【００２４】
ただし、合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意することが好ましい。基板１のガスバリア性が小さすぎると、基板１を通過した外気により有機電界発光素子１０ａが劣化する可能性があるからである。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【００２５】
＜２．陽極＞
本実施の形態において、第１の電極は陽極とする。
基板１上には、例えば陽極２が設けられる。陽極２は、発光層６側への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属；インジウム及び／またはスズの酸化物等の金属酸化物；ヨウ化銅等のハロゲン化金属；カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。なお、陽極２の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【００２６】
陽極２の形成方法に制限は無いが、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われる。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダ樹脂溶液にそれらを分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
また、陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
【００２７】
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、中でも８０％以上とすることが好ましく、この場合、陽極２の厚みは、通常５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常１０００ｎｍ以下、中でも５００ｎｍ以下が好ましい。一方、陽極２が不透明でよい場合、陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板１と同一でもよい。さらに、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【００２８】
また、陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的として、陽極２の表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることが好ましい。
さらに、正孔注入の効率を更に向上させ、かつ、正孔注入層３の陽極２への付着力を改善させる目的で、正孔注入層３と陽極２との間に公知の陽極バッファ層を挿入してもよい。
【００２９】
＜３．正孔注入層＞
本実施の形態においては、第１電荷輸送層は正孔注入層３とする。
ここで、第１電荷輸送層は、特にドープ材料を含む層であることが好ましい。本発明において、ドープ材料とは、正孔輸送性化合物及び電子受容性化合物を含む材料、または、電子輸送性化合物及び電子供与性化合物を含む材料をいう。すなわち、第１電荷輸送層にドープ材料を含むとは、第１電荷輸送層に正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むこと、または、電子輸送性化合物と電子供与性化合物とを含むことを意味する。もちろん、第１電荷輸送層中において、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物、または、電子輸送性化合物と電子供与性化合物とが反応して生成される化合物が含まれている状態であってもよい。
このような第１電荷輸送層として、本発明では正孔注入層が特に好ましい。正孔注入層３は、陽極２から発光層６側へ正孔を輸送する層である。
以下、まず正孔注入層３に含有される成分を説明し、次に正孔注入層３の形成方法について説明する。
【００３０】
〔３−１．正孔注入層の材料〕
正孔注入層３の材料は、正孔を注入可能なものであれば特に制限はなく、正孔注入層３を湿式成膜法で形成する場合は、正孔注入層用の塗布用組成物（以下、適宜「正孔注入層形成用組成物」ということがある）に、正孔注入層の材料が含有される。この正孔注入層の材料は、正孔注入層３を形成しうるものであれば特に制限は無い。通常は、正孔注入層３の材料として、正孔輸送性化合物を用いる。さらに、正孔注入層３の材料として、それ以外の成分を用いてもよい。以下、これらの正孔注入層３の材料について説明する。
【００３１】
（３−１−１．正孔輸送性化合物）
正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。なお、イオン化ポテンシャルは物質のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、光電子分光法で直接測定されるか、電気化学的に測定した酸化電位を基準電極に対して補正して求められる。後者の方法の場合は、例えば、飽和甘コウ電極（ＳＣＥ）を基準電極として用いたとき、下記式で表される（”Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ”， Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ， １９８５年， ｐｐ．９８）。
イオン化ポテンシャル ＝ 酸化電位（ｖｓ．ＳＣＥ）＋４．３ｅＶ
【００３２】
正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。
【００３３】
なお、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのものおよび芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。
【００３４】
正孔注入層３の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、正孔注入層形成用組成物や正孔注入層に、このような化合物のうち何れか１種が単独で含有されていてもよく、２種以上が含有されていてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物の１種または２種以上と、その他の正孔輸送性化合物の１種または２種以上を併用することが好ましい。
以下、重合体（以下、ポリマーともいう。）の正孔輸送性化合物、及び低分子量の正孔輸送性化合物について、それぞれ説明する。
【００３５】
（３−１−１−１．ポリマー）
正孔注入層３の材料として用いられるポリマーの種類は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。ただし、その中でも、正孔輸送性を有するポリマー（高分子量の正孔輸送性化合物（以下適宜、「正孔輸送性ポリマー」という。）が好ましく、この観点から、４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物であることが好ましい。
【００３６】
前記正孔輸送性ポリマーの例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体等が挙げられる。中でも、非晶質性、溶剤への溶解度、可視光の透過率の点から、芳香族アミン誘導体が好ましい。また、ポリチオフェンの誘導体である３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）をもまた好ましい。また、このポリマーの末端をメタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
【００３７】
芳香族アミン誘導体の中でも、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。なお、ここでいう芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００万以下の高分子化合物が更に好ましい。
【００３８】
芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
【化１】

【００３９】
（式（Ｉ）中、Ａｒ¹及びＡｒ²は各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、又は、置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表わす。Ａｒ³〜Ａｒ⁵は各々独立して、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基、又は、置換基を有していてもよい２価の芳香族複素環基を表わす。Ｘは、下記の連結基群Ｘ１の中から選ばれる連結基を表わす。）
【００４０】
・連結基群Ｘ１：
【化２】

【００４１】
（式中、Ａｒ¹¹〜Ａｒ²⁸は各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表わす。Ｒ¹及びＲ²は各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表わす。）
【００４２】
前記式（Ｉ）において、Ａｒ¹〜Ａｒ⁵及びＡｒ¹¹〜Ａｒ²⁸としては、任意の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環由来の、１価又は２価の基が適用可能である。即ち、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ¹⁶、Ａｒ²¹及びＡｒ²⁶は、それぞれ１価の基が適用可能であり、Ａｒ³〜Ａｒ⁵、Ａｒ¹¹〜Ａｒ¹⁵、Ａｒ¹⁷〜Ａｒ²⁰、Ａｒ²²〜Ａｒ²⁵、Ａｒ²⁷及びＡｒ²⁸は、それぞれ２価の基が適用可能である。これらは各々同一であっても、互いに異なっていてもよい。また、任意の置換基を有していてもよい。
【００４３】
前記の芳香族炭化水素環としては、例えば、５又は６員環の単環又は２〜５縮合環が挙げられる。その具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などが挙げられる。
【００４４】
前記の芳香族複素環としては、例えば、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環が挙げられる。その具体例としては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などが挙げられる。
【００４５】
また、Ａｒ³〜Ａｒ⁵、Ａｒ¹¹〜Ａｒ¹⁵、Ａｒ¹⁷〜Ａｒ²⁰、Ａｒ²²〜Ａｒ²⁵、Ａｒ²⁷、Ａｒ²⁸としては、上に例示した１種類又は２種類以上の芳香族炭化水素環及び／又は芳香族複素環由来の２価の基を２つ以上連結して用いることもできる。
【００４６】
さらに、Ａｒ¹〜Ａｒ⁵及びＡｒ¹¹〜Ａｒ²⁸の芳香族炭化水素環及び／又は芳香族複素環由来の基は、本発明の趣旨に反しない限りにおいて、更に置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基の種類は特に制限されないが、例としては、下記の置換基群Ｗから選ばれる１種又は２種以上が挙げられる。なお、置換基は、１個が単独で置換していてもよく、２個以上が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。
【００４７】
［置換基群Ｗ］
メチル基、エチル基等の、炭素数が通常１以上、通常１０以下、好ましくは８以下のアルキル基；ビニル基等の、炭素数が通常２以上、通常１１以下、好ましくは５以下のアルケニル基；エチニル基等の、炭素数が通常２以上、通常１１以下、好ましくは５以下のアルキニル基；メトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が通常１以上、通常１０以下、好ましくは６以下のアルコキシ基；フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の、炭素数が通常４以上、好ましくは５以上、通常２５以下、好ましくは１４以下のアリールオキシ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が通常２以上、通常１１以下、好ましくは７以下のアルコキシカルボニル基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、炭素数が通常２以上、通常２０以下、好ましくは１２以下のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、Ｎ−カルバゾリル基等の、炭素数が通常１０以上、好ましくは１２以上、通常３０以下、好ましくは２２以下のジアリールアミノ基；フェニルメチルアミノ基等の、炭素数が通常６以上、好ましくは７以上、通常２５以下、好ましくは１７以下のアリールアルキルアミノ基；アセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が通常２以上、通常１０以下、好ましくは７以下のアシル基；フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；トリフルオロメチル基等の、炭素数が通常１以上、通常８以下、好ましくは４以下のハロアルキル基；メチルチオ基、エチルチオ基等の、炭素数が通常１以上、通常１０以下、好ましくは６以下のアルキルチオ基；フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の、炭素数が通常４以上、好ましくは５以上、通常２５以下、好ましくは１４以下のアリールチオ基；トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の、炭素数が通常２以上、好ましくは３以上、通常３３以下、好ましくは２６以下のシリル基；トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の、炭素数が通常２以上、好ましくは３以上、通常３３以下、好ましくは２６以下のシロキシ基；シアノ基；フェニル基、ナフチル基等の、炭素数が通常６以上、通常３０以下、好ましくは１８以下の芳香族炭化水素環基；チエニル基、ピリジル基等の、炭素数が通常３以上、好ましくは４以上、通常２８以下、好ましくは１７以下の芳香族複素環基。
【００４８】
上述したものの中でも、Ａｒ¹及びＡｒ²としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の１価の基が好ましく、フェニル基、ナフチル基が更に好ましい。
【００４９】
また、上述したものの中でも、Ａｒ³〜Ａｒ⁵としては、耐熱性、酸化還元電位を含めた正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環由来の２価の基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基が更に好ましい。
【００５０】
前記式（Ｉ）において、Ｒ¹及びＲ²としては、水素原子又は任意の置換基が適用可能である。これらは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。置換基の種類は、本発明の趣旨に反しない限り特に制限されないが、適用可能な置換基を例示するならば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基が挙げられる。これらの具体例としては、先に置換基群Ｗにおいて例示した各基が挙げられる。
【００５１】
正孔注入層３の材料として用いられる正孔輸送性ポリマーの重量平均分子量は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１０００以上、好ましくは２０００以上、より好ましくは３０００以上、また、通常５０万以下、好ましくは２０万以下、より好ましくは１０万以下である。
【００５２】
正孔注入層３中のポリマーの割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、正孔注入層３全体に対する重量比の値で、通常１０重量％以上、好ましくは３０重量％以上、また、通常９９．９重量％以下、好ましくは９９重量％以下である。なお、２種以上のポリマーを併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにすることが好ましい。
【００５３】
（３−１−１−２．低分子量の正孔輸送性化合物）
また、正孔注入層３の材料としては、必要に応じて低分子量の正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。
低分子量の正孔輸送性化合物は、従来、有機電界発光素子における正孔注入・輸送性の薄膜形成材料として利用されてきた各種の化合物の中から、適宜選択することが可能である。中でも、溶剤溶解性の高いものが好ましい。
【００５４】
低分子量の正孔輸送性化合物の好ましい例としては、芳香族アミン化合物が挙げられる。中でも、芳香族三級アミン化合物が特に好ましい。
【００５５】
なお、低分子量の正孔輸送性化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常２００以上、好ましくは４００以上、より好ましくは６００以上、また、通常５０００以下、好ましくは３０００以下、より好ましくは２０００以下、更に好ましくは１７００以下、特に好ましくは１４００以下の範囲である。分子量が小さ過ぎると耐熱性が低くなる傾向がある一方で、低分子量の正孔輸送性化合物の分子量が大き過ぎると合成及び精製が困難となる傾向がある。
【００５６】
なお、低分子量の正孔輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【００５７】
（３−１−２．電子受容性化合物）
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層３の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。 電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。
正孔注入層３の材料として用いられる電子受容性化合物の種類は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、電子受容性化合物としては酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。 その例としては、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種または２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（いずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素；ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオンが挙げられる。上記の化合物のうち、強い酸化力を有する点で、有機基の置換したオニウム塩、高原子価の無機化合物が好ましく、種々の溶剤に可溶である点で、有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物が好ましい。さらに、強い酸化力と高い溶解性とを両立する点から、有機基の置換したオニウム塩が特に好ましく、下記式（II−１）〜（II−３）で表わされる化合物であることが特に好ましい。
【００５８】
【化３】

【００５９】
（上記式（II−１）〜（II−３）中、Ｒ¹¹、Ｒ²¹及びＲ³¹は、各々独立に、Ａ¹〜Ａ³と炭素原子で結合する有機基を表わす。Ｒ¹²、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ³²〜Ｒ³⁴は、各々独立に、任意の基を表わす。Ｒ¹¹〜Ｒ³⁴のうち隣接する２以上の基が、互いに結合して環を形成していてもよい。Ａ¹〜Ａ³は何れも長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）第３周期以降の元素であって、Ａ¹は周期表の第１７族に属する元素を表わし、Ａ²は周期表の第１６族に属する元素を表わし、Ａ³は周期表の第１５族に属する元素を表わす。Ｚ₁^n1-〜Ｚ₃^n3-は、各々独立に、対アニオンを表わす。ｎ₁〜ｎ₃は、各々独立に、対アニオンのイオン価を表わす。）
【００６０】
上記式（II−１）〜（II−３）中、Ｒ¹¹、Ｒ²¹及びＲ³¹は、各々独立に、Ａ¹〜Ａ³と炭素原子で結合する有機基を表わす。したがって、Ｒ¹¹、Ｒ²¹及びＲ³¹としては、Ａ¹〜Ａ³との結合部分に炭素原子を有する有機基であれば、本発明の趣旨に反しない限り、その種類は特に制限されない。
【００６１】
Ｒ¹¹、Ｒ²¹及びＲ³¹の分子量は、それぞれ、その置換基を含めた値で、通常１０００以下、好ましくは５００以下の範囲である。
Ｒ¹¹、Ｒ²¹及びＲ³¹の好ましい例としては、正電荷を非局在化させる点から、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基が挙げられる。中でも、正電荷を非局在化させるとともに熱的に安定であることから、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基が好ましい。
【００６２】
アルキル基としては、例えば、直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基であって、その炭素数が通常１以上、また、通常１２以下、好ましくは６以下のものが挙げられる。具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【００６３】
アルケニル基としては、例えば、炭素数が通常２以上、通常１２以下、好ましくは６以下のものが挙げられる。具体例としては、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基等が挙げられる。
【００６４】
アルキニル基としては、例えば、炭素数が通常２以上、通常１２以下、好ましくは６以下のものが挙げられる。具体例としては、エチニル基、プロパルギル基等が挙げられる。
【００６５】
芳香族炭化水素基としては、例えば、５又は６員環の単環又は２〜５縮合環由来の１価の基であり、正電荷を当該基上により非局在化させられる基が挙げられる。その具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオレン環等の由来の一価の基が挙げられる。
【００６６】
芳香族複素環基としては、例えば、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の１価の基であり、正電荷を当該基上により非局在化させられる基が挙げられる。その具体例としては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環等の由来の一価の基が挙げられる。
【００６７】
上記式（II−１）〜（II−３）中、Ｒ¹²、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ³²〜Ｒ³⁴は、各々独立に、任意の置換基を表わす。したがって、Ｒ¹²、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ³²〜Ｒ³⁴の種類は、本発明の趣旨に反しない限り特に制限されない。
Ｒ¹²、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ³²〜Ｒ³⁴の分子量は、それぞれ、その置換基を含めた値で、通常１０００以下、好ましくは５００以下の範囲である。
【００６８】
Ｒ¹²、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ³²〜Ｒ³⁴の例としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アシルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホニルオキシ基、シアノ基、水酸基、チオール基、シリル基等が挙げられる。中でも、Ｒ¹¹、Ｒ²¹及びＲ³¹と同様、電子受容性が大きい点から、Ａ¹〜Ａ³との結合部分に炭素原子を有する有機基が好ましく、例としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基が好ましい。特に、電子受容性が大きいとともに熱的に安定であることから、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基が好ましい。
【００６９】
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基としては、Ｒ¹¹、Ｒ²¹及びＲ³¹について先に説明したものと同様のものが挙げられる。
【００７０】
以上、Ｒ¹¹、Ｒ²¹、Ｒ³¹、Ｒ¹²、Ｒ²²、Ｒ²³、及びＲ³²〜Ｒ³⁴として例示した基は、本発明の趣旨に反しない限りにおいて、更に他の置換基によって置換されていてもよい。置換基の種類は特に制限されないが、例としては、上記Ｒ¹¹、Ｒ²¹、Ｒ³¹、Ｒ¹²、Ｒ²²、Ｒ²³、及びＲ³²〜Ｒ³⁴としてそれぞれ例示した基の他、ハロゲン原子、シアノ基、チオシアノ基、ニトロ基等が挙げられる。中でも、耐熱性及び電子受容性の妨げにならない観点から、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基が好ましい。なお、前記の更に置換する置換基は、１個のみで置換していてもよく、２個以上が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。
【００７１】
また、上記式（II−１）〜（II−３）中、Ｒ¹¹〜Ｒ³⁴のうち隣接する２以上の基は、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００７２】
式（II−１）〜（II−３）中、Ａ¹〜Ａ³は、何れも周期表第３周期以降（第３〜第６周期）の元素であって、Ａ¹は、長周期型周期表の第１７族に属する元素を表わし、Ａ²は、第１６族に属する元素を表わし、Ａ³は、第１５族に属する元素を表わす。
【００７３】
中でも、電子受容性及び入手容易性の観点から、周期表の第５周期以前（第３〜第５周期）の元素が好ましい。即ち、Ａ¹としてはヨウ素原子、臭素原子、塩素原子のうち何れ
かが好ましく、Ａ²としてはテルル原子、セレン原子、硫黄原子のうち何れかが好ましく、Ａ³としてはアンチモン原子、ヒ素原子、リン原子のうち何れかが好ましい。
【００７４】
特に、電子受容性、化合物の安定性の面から、式（II−１）におけるＡ¹が臭素原子又はヨウ素原子である化合物、又は、式（II−２）におけるＡ²がセレン原子又は硫黄原子である化合物が好ましく、中でも、式（II−１）におけるＡ¹がヨウ素原子である化合物が特に好ましい。
【００７５】
式（II−１）〜（II−３）中、Ｚ₁^n1-〜Ｚ₃^n3-は、各々独立に、対アニオンを表わす。対アニオンの種類は特に制限されず、単原子イオンであっても錯イオンであってもよい。但し、対アニオンのサイズが大きいほど負電荷が非局在化し、それに伴い正電荷も非局在化して電子受容能が大きくなるため、単原子イオンよりも錯イオンの方が好ましい。
【００７６】
式（II−１）〜（II−３）中、ｎ₁〜ｎ₃は、各々独立に、対アニオンＺ₁^n1-〜Ｚ₃^n3-のイオン価に相当する任意の正の整数である。ｎ₁〜ｎ₃の値は特に制限されないが、何れも１又は２であることが好ましく、１であることが特に好ましい。
【００７７】
Ｚ₁^n1-〜Ｚ₃^n3-の具体例としては、水酸化物イオン、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、シアン化物イオン、硝酸イオン、亜硝酸イオン、硫酸イオン、亜硫酸イオン、過塩素酸イオン、過臭素酸イオン、過ヨウ素酸イオン、塩素酸イオン、亜塩素酸イオン、次亜塩素酸イオン、リン酸イオン、亜リン酸イオン、次亜リン酸イオン、ホウ酸イオン、イソシアン酸イオン、水硫化物イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘキサクロロアンチモン酸イオン；酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、安息香酸イオン等のカルボン酸イオン；メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン；メトキシイオン、ｔ−ブトキシイオン等のアルコキシイオンなどが挙げられる。
【００７８】
特に、対アニオンＺ₁^n1-〜Ｚ₃^n3-としては、化合物の安定性、溶剤への溶解性の点で、下記式（II−４）〜（II−６）で表わされる錯イオンが好ましく、サイズが大きいという点で、負電荷が非局在化し、それに伴い正電荷も非局在化して電子受容能が大きくなるため、下記式（II−６）で表わされる錯イオンが更に好ましい。
【００７９】
【化４】

【００８０】
式（II−４）及び（II−６）中、Ｅ¹及びＥ³は、各々独立に、長周期型周期表の第１３族に属する元素を表わす。中でもホウ素原子、アルミニウム原子、ガリウム原子が好ましく、化合物の安定性、合成及び精製のし易さの点から、ホウ素原子が好ましい。
【００８１】
式（II−５）中、Ｅ²は、長周期型周期表の第１５族に属する元素を表わす。中でもリ
ン原子、ヒ素原子、アンチモン原子が好ましく、化合物の安定性、合成及び精製のし易さ、毒性の点から、リン原子が好ましい。
【００８２】
式（II−４）及び（II−５）中、Ｘは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子を表わし、化合物の安定性、合成及び精製のし易さの点からフッ素原子、塩素原子であることが好ましく、フッ素原子であることが特に好ましい。
【００８３】
式（II−６）中、Ａｒ⁶¹〜Ａｒ⁶⁴は、各々独立に、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表わす。芳香族炭化水素基、芳香族複素環基の例示としては、Ｒ¹¹、Ｒ²¹及びＲ³¹について先に例示したものと同様の、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の１価の基が挙げられる。中でも、化合物の安定性、耐熱性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環由来の１価の基が好ましい。
【００８４】
Ａｒ⁶¹〜Ａｒ⁶⁴として例示した芳香族炭化水素基、芳香族複素環基は、本発明の趣旨に反しない限りにおいて、更に別の置換基によって置換されていてもよい。置換基の種類は特に制限されず、任意の置換基が適用可能であるが、電子吸引性の基であることが好ましい。
【００８５】
Ａｒ⁶¹〜Ａｒ⁶⁴が有してもよい置換基として好ましい電子吸引性の基を例示するならば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；シアノ基；チオシアノ基；ニトロ基；メシル基等のアルキルスルホニル基；トシル基等のアリールスルホニル基；ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が通常１以上、通常１２以下、好ましくは６以下のアシル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が通常２以上、通常１０以下、好ましくは７以下のアルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等の、炭素数が通常３以上、好ましくは４以上、通常２５以下、好ましくは１５以下の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を有するアリールオキシカルボニル基；アミノカルボニル基；アミノスルホニル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等の、炭素数が通常１以上、通常１０以下、好ましくは６以下の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基にフッ素原子、塩素原子などのハロゲン原子が置換したハロアルキル基、などが挙げられる。
【００８６】
中でも、Ａｒ⁶¹〜Ａｒ⁶⁴のうち少なくとも１つの基が、フッ素原子又は塩素原子を置換基として１つ又は２つ以上有することがより好ましい。特に、負電荷を効率よく非局在化する点、及び、適度な昇華性を有する点から、Ａｒ⁶¹〜Ａｒ⁶⁴の水素原子がすべてフッ素原子で置換されたパーフルオロアリール基であることが特に好ましい。パーフルオロアリール基の具体例としては、ペンタフルオロフェニル基、ヘプタフルオロ−２−ナフチル基、テトラフルオロ−４−ピリジル基等が挙げられる。
なお、前記の置換基は、１個のみが置換していてもよく、２個以上が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。
【００８７】
式（II−４）〜（II−６）で表わされる錯イオンの式量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１００以上、好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上、また、通常５０００以下、好ましくは３０００以下、更に好ましくは２０００以下の範囲である。該錯イオンの式量が小さ過ぎると、正電荷及び負電荷の非局在化が不十分なため、電子受容能が低下する場合があり、また、該錯イオンの式量が大き過ぎると、該化合物自体が電荷輸送の妨げとなる場合がある。
【００８８】
正孔注入層３の材料としては、上に説明した各種の電子受容性化合物のうち、何れか１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。２種以上の電子受容性化合物を用いる場合には、上記式（II−１）〜（II−３）のうち何れか１つの式に該当する電子受容性化合物を２種以上組み合わせてもよく、それぞれ異なる式に該当する２種以上の電子受容性化合物を組み合わせてもよい。
【００８９】
正孔注入層３及び正孔注入層形成用組成物中における電子受容性化合物の含有量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、上述の正孔輸送性化合物に対する値で、通常０．１重量％以上、好ましくは１重量％以上、また、通常１００重量％以下、好ましくは６０重量％以下、更に好ましくは５０重量％以下である。この値は、すなわち、正孔注入層３における、正孔輸送性化合物に対する電子受容性化合物の含有量ともいえる。電子受容性化合物の量は多い方が不溶化しやすいため好ましく、加熱時間が短時間で不溶化することができる。なお、２種以上の電子受容性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
【００９０】
なお、正孔注入層３の形成時或いは形成後に、上記の正孔輸送性化合物、すなわち上述の正孔輸送性を有するポリマー及び／または低分子量の正孔輸送性化合物が、この電子受容性化合物と反応することにより、形成後の正孔注入層３中では、正孔輸送性化合物のカチオンラジカル及びイオン化合物が生成している場合がある。
以上、正孔輸送性化合物および電子受容性化合物について説明したが、正孔輸送性化合物および電子受容性化合物の好ましい組み合わせ、すなわち、好ましいドープ材料としては、芳香族三級アミン化合物（例えば、上記式（I）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物）と有機基の置換したオニウム塩（例えば、上記式（II-1）〜（II-3）で表される化合物）とを組み合わせたものや、３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が好ましい。また、このポリマーの末端をメタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
【００９１】
（３−１−３．その他の成分）
正孔注入層３の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述した正孔輸送性化合物（ポリマー及び低分子量の正孔輸送性化合物）、並びに電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダ樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【００９２】
〔３−２．正孔注入層の形成〕
（湿式成膜法による正孔注入層の形成）
正孔注入層３の形成方法は特に限定されるものではなく、上述の材料に応じて適宜選択することができる。例えば湿式成膜法により正孔注入層３を形成する場合は、上述の材料を適切な溶剤に溶解させて塗布用組成物を調製し、それを塗布及び乾燥することにより形成することができる。以下、特に湿式成膜法により正孔注入層３を形成する方法について説明する。
【００９３】
正孔注入層形成用組成物に含有させる正孔注入層用溶剤としては、正孔注入層３の形成が可能である限り任意のものを用いることができる。ただし、前述のポリマー、電子受容性化合物及び低分子量の正孔輸送性化合物のうち、少なくとも１種、中でも２種以上、特には３種全てを、溶解することが可能なものが好ましい。具体的な溶解性としては、常温・常圧下で、ポリマーを通常０．００５重量％以上、中でも０．５重量％以上、特には１重量％以上溶解することが好ましく、電子受容性化合物を通常０．００１重量％以上、中でも０．１重量％以上、特には０．２重量％以上溶解することが好ましい。
【００９４】
また、正孔注入層用溶剤としては、ポリマー、電子受容性化合物、低分子量の正孔輸送性化合物及びそれらの混合から生じるフリーキャリア（カチオンラジカル）を失活させる可能性のある失活物質又は失活物質を発生させるものを含まない溶剤が好ましい。
【００９５】
正孔注入層用溶剤としては、本発明の効果を著しく損なわない限り制限はないが、例えば、水、アルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤、等が挙げられる。
アルコール系溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等の脂肪族アルコール等が挙げられる。
【００９６】
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。
【００９７】
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。
【００９８】
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、等が挙げられる。アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。これらの溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。
【００９９】
ただし、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤は、酸化剤とポリマーを溶解する能力が低いため、アルコール系溶剤、エーテル系溶剤またはエステル系溶剤と混合して用いることが好ましい。
【０１００】
正孔注入層形成用組成物に対する正孔注入層用溶剤の比率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１０重量％以上、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０％重量以上、また、通常９９．９９９重量％以下、好ましくは９９．９９重量％以下、更に好ましくは９９．９重量％以下の範囲である。なお、正孔注入層用溶剤として２種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。
【０１０１】
正孔注入層形成用組成物の塗布・成膜後、得られた塗膜を乾燥し、正孔注入層用溶剤を除去することにより、正孔注入層３が形成される。成膜の方式は、パターニングが可能な方法であれば、本発明の効果を著しく損なわない限り制限はない。例えば、湿式成膜法が挙げられる。なお、本発明において、湿式成膜法とは、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、ノズルプリンティング法、オフセット印刷法、エアロゾル法、エアロゾルジェット法等の成膜法をいう。
【０１０２】
これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、エアロゾルジェット法が好ましい。これらの成膜方法は版材を使用しないため、正孔注入層形成用組成物中の正孔注入層用溶剤に版材成分が溶解し、結果的に版材成分が膜中に混入する等の問題が起こらない利点がある。
【０１０３】
なお、乾燥の手法は例えば、プレート（ホットプレート）上に基板を搭載しそのプレートを介して塗布膜を加熱させるホットプレート方式、前記基板の上面側及び／又は下面側にヒーターを配置し、ヒーターから電磁波（例えば赤外線）を照射して、薄膜を加熱する方式、等を用いることができる。加熱手段は１つでもよく、また２つ以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。
【０１０４】
なお、正孔注入層３の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。
【０１０５】
（真空蒸着法による正孔注入層の形成）
真空蒸着法により正孔注入層３を形成する場合には、正孔注入層３の構成材料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種または２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０^−４Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上の材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極２上に正孔注入層３を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層３を形成することもできる。
【０１０６】
蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０^−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０^−４Ｐａ）以上、通常９．０×１０^−６Ｔｏｒｒ（１２．０×１０^−４Ｐａ）以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１Å／秒（０．０１ｎｍ／ｓｅｃ）以上、通常５．０Å／秒（０．５ｎｍ／ｓｅｃ）以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上で、好ましくは５０℃以下で行われる。
【０１０７】
真空蒸着法により正孔注入層３を成膜した場合の膜厚については、湿式成膜法により成膜した場合と同様の範囲とすることができる。
【０１０８】
＜４．正孔輸送層＞
本実施の形態において、第２電荷輸送層は正孔輸送層とする。本発明において、第２電荷輸送層は、ドープ材料を含まない層であることを特徴とし、特に第２電荷輸送層を正孔輸送層とすることが好ましい。正孔輸送層４は、正孔注入層３側から発光層６側へ正孔を輸送する層である。
正孔輸送層４（第２電荷輸送層）がドープ材料を含有する組成物により成膜されている場合、この層に多数のイオン及び／またはラジカル種が存在することになる。この場合、これらのイオンまたはラジカル種が次に設けるバンク形成プロセスに影響を与える可能性があり、そのことによりバンク材料やプロセスの選定範囲を狭め、あるいは環境条件等によってバンクの形成が不安定になる可能性がある。このため、正孔輸送層４はドープ材料を含まない組成物により成膜することが好ましい。
【０１０９】
正孔輸送層４を形成する材料としては、上記正孔注入層３に混合して用いてもよい正孔輸送化合物として例示した化合物と同様のものが挙げられる。
このような正孔輸送層４の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層３に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。
また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
【０１１０】
中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
ポリアリールアミン誘導体としては、下記式（II）で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式（II）で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、Ａｒ^ａまたはＡｒ^ｂが異なっているものであってもよい。
【０１１１】
【化５】

（式（II）中、Ａｒ^ａおよびＡｒ^ｂは、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。）
【０１１２】
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の基およびこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【０１１３】
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５または６員環の単環または２〜４縮合環由来の基およびこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【０１１４】
溶解性、耐熱性の点から、Ａｒ^ａおよびＡｒ^ｂは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が２環以上連結してなる基（例えば、ビフェニル基やターフェニル基）が好ましい。
中でも、ベンゼン環由来の基（フェニル基）、ベンゼン環が２環連結してなる基（ビフェニル基）およびフルオレン環由来の基（フルオレニル基）が好ましい。
【０１１５】
Ａｒ^ａおよびＡｒ^ｂの置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【０１１６】
ポリアリーレン誘導体としては、前記式（II）におけるＡｒ^ａやＡｒ^ｂとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
【０１１７】
ポリアリーレン誘導体としては、下記式（III−１）及び／または下記式（III−２）からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
【０１１８】
【化６】

【０１１９】
（式（III−１）中、Ｒ^a、Ｒ^b、Ｒ^ｃおよびＲ^ｄは、各々独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を表す。ｔおよびｓは、各々独立に、０〜３の整数を表す。ｔまたはｓが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲ^aまたはＲ^bは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲ^aまたはＲ^bどうしで環を形成していてもよい。）
【０１２０】
【化７】

【０１２１】
（式（III−２）中、Ｒ^ｅおよびＲ^ｆは、各々独立に、上記式（III−１）におけるＲ^a、Ｒ^b、Ｒ^ｃまたはＲ^ｄと同義である。ｒおよびｕは、各々独立に、０〜３の整数を表す。ｒまたはｕが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲ^ｅおよびＲ^ｆは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲ^ｅまたはＲ^ｆどうしで環を形成していてもよい。Ｘは、５員環または６員環を構成する原子または原子群を表す。）
【０１２２】
Ｘの具体例としては、酸素原子、置換基を有していてもよいホウ素原子、置換基を有していてもよい窒素原子、置換基を有していてもよいケイ素原子、置換基を有していてもよいリン原子、置換基を有していてもよいイオウ原子、置換基を有していてもよい炭素原子またはこれらが結合してなる基である。
【０１２３】
また、ポリアリーレン誘導体としては、下記式（III−１）および／または下記式（III−２）からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式（III−３）で表される繰り返し単 位を有することが好ましい。
【０１２４】
【化８】

【０１２５】
（式（III−３）中、Ａｒ^ｃ〜Ａｒ^ｊは、各々独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。ｖおよびｗは、各々独立に０または１を表す。）
Ａｒ^ｃ〜Ａｒ^ｊの具体例としては、前記式（II）における、Ａｒ^ａおよびＡｒ^ｂと同様である。
【０１２６】
上記式（III−１）〜（III−３）の具体例およびポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開２００８−９８６１９号公報に記載のものなどが挙げられる。
【０１２７】
正孔輸送層４は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
【０１２８】
また正孔輸送層４は、バンク５形成時に使用する溶剤に溶解しないことが好ましい。このため、架橋基を有する正孔輸送性化合物を用いたり、架橋基を有する添加物を含有させ、正孔輸送層４の形成後に熱、光などの活性エネルギー線照射により不溶化させることが好ましい。架橋基を有する正孔輸送性化合物は、モノマー、オリゴマー或いはポリマーのいずれであってもよい。架橋基としては、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基；ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。架橋基を有する正孔輸送性化合物は、上記の架橋基を、１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。架橋基を有する正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。これらは１種単独で、または２種以上を任意の比率及び組合せで用いることができる。
なお、ここで「誘導体」とは当該用語を付された化合物を排除するものではなく、例えば「トリフェニルアミン誘導体」は、トリフェニルアミンと、トリフェニルアミンから誘導して得られる化合物との両方を含むものとする。
【０１２９】
湿式成膜法により正孔輸送層４を形成する場合は、上述の材料を適切な溶剤に溶解させて塗布用組成物（以下、正孔輸送層形成用組成物という場合がある）を調製し、それを用いて成膜工程、乾燥工程を経ることにより形成する。これらの詳細は、先の〔３−２．正孔注入層の形成〕の欄で説明した内容と同様である。なお、本発明においては、ドープ材料を含まない該塗布用組成物を調製する。
【０１３０】
正孔輸送層４を製造するための塗布用組成物に含有させる正孔輸送層用溶剤としては、正孔輸送層４の形成が可能である限り任意のものを用いることができる。ただし、前述の正孔輸送性化合物や高分子材料を溶解することが可能なものが好ましい。また、正孔注入層３を溶解しない溶剤を用いることがより好ましい。
【０１３１】
正孔輸送層４を製造するための塗布用組成物の塗布・成膜後、得られた塗膜を乾燥し、正孔輸送層用溶剤を除去することにより、正孔輸送層４が形成される。湿式成膜の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、〔３−２．正孔注入層の形成〕の欄で説明した、いかなる方式も用いることができる。
また乾燥の手法についても、〔３−２．正孔注入層の形成〕の欄で説明した手法と同様であれば、他に制限はない。
【０１３２】
また、真空蒸着法により正孔輸送層４を形成してもよく、この場合における成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。
【０１３３】
なお、正孔輸送層４の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
なお、本発明において、第１電荷輸送層と第２電荷輸送層との間には他の層が形成されていてもよいが、第１電荷輸送層と第２電荷輸送層とは、隣接して形成されていることが好ましい。
【０１３４】
＜５．バンク＞
正孔輸送層４（第２電荷輸送層）上には、パターン状にバンク５が設けられる。バンク５は、発光層６（機能性層）や、陰極７（第２の電極）を区画すること等を目的として設けられる。バンク５のパターンの形状は特に限定されるものではなく、発光層６の形状や陰極７の形状等に合わせて適宜選択される。本実施形態では機能性層が発光層６であることから、発光領域のパターンを反転させたパターン等とすることができる。陰極７を区画すること等を目的として設けられる場合、上記バンクを陰極隔壁として利用し、有機電界発光パネルにおける、陰極のストライプ状パターニングに用いることができる。
またバンクの断面形状についても特に限定されず、例えば断面形状は矩形状であってもよく、半円形状であってもよく、また逆テーパー形状の台形状やテーパー形状の台形状等であってもよい。またバンクの上面から見た形状についても特に限定されず、矩形、楕円形、または角が丸い長方形等の開口部をもつ形状、あるいは直線状の形状であってもよい。本発明においては特に、バンクが上述の第１の電極及び第１電荷輸送層（本実施の形態では電荷注入層３）に接していないことが好ましい。本発明において、バンクは第２電荷輸送層に接している。そのため、バンクが第１の電極及び／または第１電荷輸送層にも接している場合、バンクは複数の異なる層に接することになる。この場合、バンクと、上記複数の異なる層のうちいずれかの層との密着性が劣り、バンク形状が安定しない、バンクが剥離する、等の課題が生じることがある。一方、バンクが第１の電極及び第１電荷輸送層に接していない場合、すなわちバンクが第２電荷輸送層のみに接している場合は、バンクと第２電荷輸送層の密着性を確保すればよく、複数の層との密着性を確保するよりも技術的により容易に達成可能である。
【０１３５】
またバンク５の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上、また、通常１００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下の範囲である。これにより機能性層（ここでは発光層６）または機能性層以降に成膜される層の膜厚ムラを抑制することができる。なお第２電荷輸送層上に成膜される第１層目の層が発光層６である場合は特に、バンク５の膜厚が、発光層６の膜厚より大きいことが好ましい。
【０１３６】
またバンク５の幅についても本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、フォトレジストの解像度、バンクが設けられる層とバンクとの密着性等の面から通常１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上である。また通常上記バンクが設けられた領域は通常、有機電界発光素子の非発光領域とされるため、有機電界発光素子の発光効率や発光面積等の面から、通常５００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下である。
【０１３７】
〔５−１．バンクの材料〕
バンク５の材料としては、目的とするパターン状にバンク５を形成可能な材料であれば特に限定されず、例えばバンク５が電荷輸送性を有するものとしてもよい。バンク５が電荷輸送性を有する場合、発光面内にバンク材料の残渣（剥離不良）があった場合にも、素子の発光ムラを少なくできるという利点がある。
【０１３８】
上記バンク５の材料としては、具体的には、スクリーン印刷レジスト材料、フォトレジストなどのレジスト材料、または上記第２電荷輸送層の形成に用いられる材料等を用いることができる。
【０１３９】
スクリーン印刷レジスト材料は、直接必要な部分にのみ樹脂を印刷するため、スクリーン印刷レジスト材料をバンク５の材料として用いた場合、比較的無駄が少なくまた大面積にも対応し易い。また現像工程が必要ないため、現像液等による第２電荷輸送層の特性低下がないという利点がある。またフォトレジストは汎用されていることから、フォトレジストをバンク５の材料として用いた場合、プロセス条件として既知の条件を利用することができ、微細加工精度が高く、さらにはポジ型、ネガ型等の種類を含む材料選択、露光、現像、ベーク等の条件を適切に設定することにより、逆テーパー形状の台形状やテーパー形状の台形状等の断面形状を比較的容易に作製することができるという利点がある。
【０１４０】
また、上記バンク５の材料として第２電荷輸送層の形成に用いられる材料を用いる利点としては、例えばパターニング後、第２電荷輸送層上に残渣が残ってしまった場合であっても、機能性層に影響を及ぼす可能性が少ない点がある。またハーフトーンマスクを用いるフォトリソグラフィー等を用いて、凹型の断面形状を持ち、第２電荷輸送層とバンクを兼用する構造を第２電荷輸送層の材料で形成し、製造工程を簡略化できるという点が挙げられる。
【０１４１】
上記バンク５の材料として用いられるフォトレジストとしては、ポジ型、ネガ型のいずれも使用できる。ポジ型フォトレジストの例としては、ＴＥＬＲ−Ｐ００３ ＰＭ（東京応化工業株式会社製）、ＭＣＰＲ ｉ７０１０Ｎ（ローム・アンド・ハース社製）が挙げられる。ネガ型フォトレジストの例としては、ＺＰＮ２４６４（日本ゼオン株式会社製）がある。使用するフォトレジストは、バンクを形成する目的に応じて選択することが好ましい。例えば、インクジェット印刷用として形成する場合は、テーパー形状の断面を有するバンク形成に適したフォトレジストの使用が好適である。一方、バンク５をパッシブマトリクスディスプレイ等における陰極隔壁として形成する場合は、逆テーパー形状の断面を有するバンク形成に適したフォトレジストの使用が望ましい。
【０１４２】
また、第２電荷輸送層と同様の材料としては、上述した正孔注入層や正孔輸送層の欄で説明した材料や、後述する正孔阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層等の欄で説明するいかなる材料も用いることが可能である。上記の中でも、本実施形態において異なる発光色を良好に塗り分けるためには、発光層をバンク形成直後に成膜することが望ましいという観点から、発光層に隣接する層であることが好ましい。
以下、フォトレジストの例について詳説するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１４３】
（５−１−１．フォトレジスト）
フォトレジスト（バンク形成用組成物）に含有されていることが好ましい材料としては、バインダー樹脂、エチレン性不飽和化合物、光重合開始剤、及びアミノ化合物などが挙げられる。
以下、これらについて詳述する。
【０１４４】
（バインダー樹脂）
本発明に用いられるフォトレジストは、バインダー樹脂を含有することが好ましい。バインダー樹脂としては、現像液で現像可能な樹脂が用いられる。現像液としては通常アルカリ現像液が好適に用いられることから、バインダー樹脂はアルカリ可溶性樹脂であることが好ましい。
【０１４５】
アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、アクリル酸系樹脂、カルボキシ基含有ウレタン樹脂、変性エポキシ樹脂、変性ノボラック樹脂、カルド樹脂、カルボキシ基含有ビニル系樹脂とエポキシ基含有不飽和化合物との反応生成物、各種エチレン性不飽和基とカルボキシ基とを含有する樹脂等が挙げられ、好ましくは、アクリル酸系樹脂、カルボキシ基含有ビニル系樹脂とエポキシ基含有不飽和化合物との反応生成物、エチレン性不飽和基とカルボキシ基とを含有する樹脂、および変性ノボラック樹脂が挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上を任意の比率及び組合せで用いることができる。
【０１４６】
以下に、上記の中でも特に好適に用いられるバインダー樹脂として、アクリル酸系樹脂、カルボキシ基含有ビニル系樹脂とエポキシ基含有不飽和化合物との反応生成物、エチレン性不飽和基とカルボキシ基とを含有する樹脂および変性ノボラック樹脂について、さらに詳述する。
なお、本発明において、「（メタ）アクリル酸」とは、アクリル酸とメタクリル酸の双方を含むことを意味し、「（メタ）アクリレート」、「（メタ）アクリロイル」なども同様の意味である。また、モノマー名の前に「（ポリ）」をつけたものは、当該モノマーと、そのポリマーとの双方を含むことを意味し、「（酸）無水物」または「（無水）…酸」とは、酸とその無水物の双方を含むことを意味する。
【０１４７】
さらに、（共）重合体とは、重合体と共重合体の双方を含むことを意味する。
また、本発明において、「全固形分」とは、本発明のフォトレジストの構成成分のうち、溶剤を除くすべての成分を意味する。
【０１４８】
・アクリル酸系樹脂
本発明に用いられるフォトレジストに含有されるバインダー樹脂としては、アクリル酸系樹脂であることが好ましい。
アクリル酸系樹脂は、アルカリ可溶性が向上する点で、側鎖又は主鎖に、カルボキシ基又はフェノール性水酸基のいずれかを有する単量体を重合させて得られる（共）重合体であることが好ましい。
主鎖又は側鎖に、カルボキシ基又はフェノール性水酸基のいずれかを有する単量体としては、例えば、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートに酸（無水物）を付加させた単量体が挙げられる。酸（無水物）としては、（無水）コハク酸、（無水）フタル酸、（無水）マレイン酸などが挙げられる。
【０１４９】
ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートに酸（無水物）を付加させた単量体としては、例えば、コハク酸（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）エステル、アジピン酸（２−アクリロイロキシエチル）エステル、フタル酸（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）エステル、ヘキサヒドロフタル酸（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）エステル等が挙げられる。
【０１５０】
さらに、上記の単量体と共重合させることができる単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン等のスチレン系単量体類、桂皮酸、マレイン酸、フマル酸、無水マレイン酸、イタコン酸などの不飽和基含有カルボン酸類、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレート、アダマンチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸のエステル類、（メタ）アクリル酸にε−カプロラクトン、γ−ブチロラクトン等のラクトン類を付加させた化合物類等、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル等のアクリロニトリル類、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド等のアクリルアミド類、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、桂皮酸ビニル、ピバリン酸ビニル等の酸ビニル類が挙げられる。
これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。
【０１５１】
・カルボキシ基含有ビニル系樹脂とエポキシ基含有不飽和化合物との反応生成物
本発明に用いられるフォトレジストに含有される別の好ましいバインダー樹脂としては、カルボキシ基含有ビニル系樹脂とエポキシ基含有不飽和化合物との反応生成物が挙げられる。
【０１５２】
カルボキシ基含有ビニル系樹脂としては、例えば、（メタ）アクリレート−（メタ）アクリル酸共重合体、スチレン−（メタ）アクリレート−（メタ）アクリル酸系重合体等が挙げられ、１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
またエポキシ基含有不飽和化合物としては、例えば、アリルグリシジルエーテル、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられ、１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１５３】
・エチレン性不飽和基とカルボキシ基とを含有する樹脂
本発明に用いられるフォトレジストに含有されるさらに別の好ましいバインダー樹脂としては、エチレン性不飽和基とカルボキシ基とを含有する樹脂が挙げられる。
エチレン性不飽和基とカルボキシ基とを含有する樹脂としては、２種以上の不飽和基を有する化合物と不飽和カルボン酸、および必要に応じて不飽和カルボン酸エステルとの共重合体などが挙げられる。
【０１５４】
２種以上の不飽和基を有する化合物としては例えば、アリル（メタ）アクリレート、３−アリルオキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、シンナミル（メタ）アクリレート、メタリル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジアリル（メタ）アクリルアミド、ビニル（メタ）アクリレート、２−フェニルビニル（メタ）アクリレート、ビニル（メタ）アクリルアミド等が挙げられ、、１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
また不飽和カルボン酸又は不飽和カルボン酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸（エステル）、及び（メタ）アクリル酸（エステル）等が挙げられ、１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１５５】
・変性ノボラック樹脂
本発明におけるフォトレジストに含有されるバインダー樹脂としては、変性ノボラック樹脂であることが好ましい。
変性ノボラック樹脂は、ノボラック樹脂と不飽和基含有エポキシ化合物を反応後、得られた反応物の水酸基と（無水）多塩基酸とを付加させることで得られる樹脂である。
【０１５６】
ノボラック樹脂類としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、安息香酸、４−ヒドロキシフェニル酢酸、サリチル酸、等のフェノール類の少なくとも１種を、酸触媒下、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、フルフラール等のアルデヒド類、又は、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、の１種または２種以上を重合して得られる樹脂が挙げられる。
また、ノボラック樹脂の代わりに、レゾール樹脂を用いてもよい。
【０１５７】
不飽和基含有エポキシ化合物としては、例えば、グリシジル（メタ）アクリレート、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート、グリシジルオキシ（ポリ）アルキレングリコール（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート、（３，４−エポキシシクロヘキシル）ビニル等が挙げられる。１種のみを用いてもよく、また２種以上を併用してもよい。
【０１５８】
（無水）多塩基酸としては、水酸基と付加する基を有する化合物であればとくに制限はなく、公知の材料を用いることができるが、例えば、マレイン酸、コハク酸、イタコン酸、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸、メチル−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸等の二塩基性カルボン酸及びその無水物；トリメリット酸、ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビフェニルテトラカルボン酸、等の多塩基性カルボン酸及びその無水物、などが挙げられ、１種のみを用いてもよく、また２種以上を併用してもよい。
【０１５９】
・バインダー樹脂の含有量など
フォトレジスト中におけるバインダー樹脂の含有割合は、溶剤を除く全固形分に対して、通常５重量％以上、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは１５重量％以上であり、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、より好ましくは５０重量％以下である。この下限値を下回るとバンクを形成するのに十分な硬化性が得られず、所望の形状のバンクが形成できない可能性がある。また、この上限値を上回ると塗布性や現像性が低下する可能性がある。
上記バインダー樹脂は、１種を単独で用いてもよく、異なる２種を混合して用いてもよい。
【０１６０】
（エチレン性不飽和化合物）
本発明に用いられるフォトレジストは、エチレン性不飽和化合物を含有することが好ましい。
エチレン性不飽和化合物としては、特に制限はないが、後述の有機電界発光素子の製造方法のバンク形成工程における現像の際、露光部と非露光部との現像液に対する溶解性の差が大きくなり、バンクのパターンが所望の形状に形成される点で、エチレン性不飽和基を分子内に２個以上有する化合物であることが好ましく、また、その不飽和基は（メタ）アクリロイルオキシ基に由来することが更に好ましい。
【０１６１】
エチレン性不飽和基を分子内に２個以上有する化合物としては、例えば、不飽和カルボン酸とポリヒドロキシ化合物とのエステル類、（メタ）アクリロイルオキシ基含有ホスフェート類、ヒドロキシ（メタ）アクリレート化合物とポリイソシアネート化合物とのウレタン（メタ）アクリレート類、及び、（メタ）アクリル酸又はヒドロキシ（メタ）アクリレート化合物とポリエポキシ化合物とのエポキシ（メタ）アクリレート類等が挙げられ、好ましくは、エステル（メタ）アクリレート類、又は、ウレタン（メタ）アクリレート類であり、特に好ましくはジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート等、５官能以上のものである。
【０１６２】
フォトレジスト中の、エチレン性不飽和化合物の濃度は、溶剤を除く全固形分に対して、通常５重量％以上、好ましくは１０重量％以上、また通常８０重量％以下、好ましくは７０重量％以下である。この下限値を下回ると、バンク形成工程における露光の際、露光による硬化性が十分でなく、所望の形状のバンクが形成できない可能性があり、また、この上限値を上回ると所望の形状のバンクが形成できない可能性がある。
上記エチレン性不飽和化合物は、１種を単独で用いてもよく、異なる２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。
【０１６３】
（光重合開始剤）
本発明におけるフォトレジストは、光重合開始剤を含有することが好ましい。
光重合開始剤としては、活性光線によりエチレン性不飽和基を重合させる化合物であれば特に限定されるものではなく、公知の光重合開始剤を用いることができる。
【０１６４】
フォトレジスト中の、光重合開始剤の濃度は、溶剤を除く全固形分に対して、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また通常３０重量％以下、好ましくは２０重量％以下である。フォトレジスト中の光重合開始剤の濃度が過度に大きいとバンクを形成する第２電荷輸送層との密着性が低下する可能性があり、また濃度が小さ過ぎると形成するバンクの硬化性が低下する可能性がある。
上記光重合開始剤は、１種を単独で用いてもよく、また異なる２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。
【０１６５】
（アミノ化合物）
本発明に用いられるフォトレジストは、露光によるフォトレジストの架橋を促進する点で、アミノ化合物を含有することが好ましい。
アミノ化合物としては、公知の化合物を用いることができるが、例えば、官能基としてメチロール基、及び／またはそれを炭素数１以上８以下のアルコール縮合変性したアルコキシメチル基を少なくとも２個有するアミノ化合物が挙げられる。
フォトレジスト中の、アミノ化合物の濃度は、溶剤を除く全固形分に対して、通常４０重量％以下、好ましくは３０重量％以下、また、通常０．５重量％以上、好ましくは１重量％以上である。濃度が大き過ぎると、フォトレジストの保存安定性に影響する可能性があり、また濃度が小さ過ぎると、形成したバンクの硬化性が低下する可能性がある。
上記アミノ化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。
【０１６６】
（その他の成分）
本発明におけるフォトレジストは、さらに、その他の成分を含んでいてもよい。その他の成分としては、撥液剤、着色剤、表面改質剤、現像改良剤、紫外線吸収剤、重合禁止剤、酸化防止剤、シランカップリング剤、エポキシ化合物、その他の樹脂、溶剤等が挙げられる。
【０１６７】
（撥液剤）
本発明におけるフォトレジストは、撥液剤を含有することが好ましい。
撥液剤としては、バンクに撥液性を持たせる効果があれば特に限定されないが、例えば、フッ素含有化合物やシリコン含有化合物が挙げられる。溶剤として有機溶剤を用いる場合には、フッ素含有化合物を用いることが好ましい。
フッ素含有化合物としては、特に制限されず、低分子化合物でも、高分子化合物であってもよいが、例えば、パーフルオロアルキル基やパーフルオロポリエーテル基などを含む化合物が挙げられる。
【０１６８】
パーフルオロアルキル基を含む化合物としては、例えば、特開平７−３５９１６号公報、特開平１１−２８１８１５号公報、国際公開第２００４−０４２４７４号パンフレット、特開２００５−６０５１５号公報、特開２００５−３１５９８４号公報、特開２００６−１７１０８６号公報、等に記載の化合物；ＢＹＫ−３４０（ビッグケミー社製）、モディパーＦ２００、Ｆ６００、Ｆ３０３５（以上、日油社製）フタージェントＭシリーズ、Ｓシリーズ、Ｆシリーズ、Ｇシリーズ、Ｄシリーズ、オリゴマーシリーズ（以上、ネオス社製）、ユニダイン（ダイキン工業社製）、トリフロロプロピルトリクロロシラン（信越シリコーン社製）、サーフロンＳ−３８６（ＡＧＣセイミケミカル社製）、等のパーフルオロ基含有アクリルモノマーを成分として共重合した樹脂が挙げられる。
【０１６９】
さらに、撥液剤として用いられる樹脂（以下、「撥インク性樹脂」と称する）としては、例えば、フッ素化エポキシ樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、フッ素化ポリアミド樹脂、フッ素化ポリウレタン樹脂、フッ素化シロキサン樹脂及びそれらの変性樹脂などのも挙げられる。
また、撥液剤として、バンク形成工程中、例えば現像工程などで撥液剤が流出する可能性がない点で、撥インク性樹脂を用いることが好ましい。さらに、撥インク性樹脂は、側鎖として架橋性基を有する撥インク性樹脂（以下、「架橋性基含有撥インク性樹脂」と称する）を用いることが好ましい。
【０１７０】
架橋性基含有撥インク樹脂としては、特に制限はないが、例えば、メガファックＲＳ−１０１、ＲＳ−１０２、ＲＳ−１０５、ＲＳ−４０１、ＲＳ−４０２、ＲＳ−５０１、ＲＳ−５０２（以上、ＤＩＣ社製）、オプツールＤＡＣ（ダイキン工業社製）、パーフルオロ（メタ）アクリレート、パーフルオロジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
上記の撥液剤は、１種を単独で用いてもよく、また２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１７１】
上記撥液剤の濃度は、撥液剤におけるフッ素原子含有量が１０重量％以上の場合は、フォトレジストの溶剤を除く全固形分に対して、通常０．００１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、また通常１０重量％以下、好ましくは６重量％以下である。
また、フッ素原子含有量が１０重量％より少ない場合は、通常０．１重量％以上、好ましくは１重量％以上、また通常７０重量％以下、好ましくは５０重量％以下である。
【０１７２】
この下限値を下回ると、バンクの撥インク性が不十分となり、機能性層（本実施の形態では発光層）を形成する際に、機能性層形成用組成物（発光層形成用組成物）がバンクにより区画された領域に流れ出してしまう可能性がある。また、この上限値を上回ると、後述の現像工程での現像が困難となり、所望の形状のバンクが形成されにくくなる可能性がある。
上記撥液剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。
【０１７３】
（着色剤）
本発明に用いられるフォトレジストは、着色剤を含んでいてもよい。
着色剤としては、公知の着色剤を用いることができ、例えば、顔料、染料等が挙げられるが、機能性層が発光層を含む場合、バンクを黒色に着色することで、より鮮明な画素が得られる点で、黒色着色剤が好ましい。黒色着色剤としては、例えば、黒色染料や、カーボンブラック、チタンブラック、有機顔料などが挙げられる。
着色剤の濃度は、フォトレジスト中の溶剤を除く全固形分に対して、通常６０重量％以下、好ましくは４０重量％以下である。
【０１７４】
着色剤として顔料を用いる場合は、フォトレジスト中で顔料が凝集するのを防止する点で、さらに分散剤や分散助剤を含んでいてもよい。
上記着色剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。
【０１７５】
（表面改質剤、現像改良剤）
本発明に用いられるフォトレジストは、表面改質剤及び現像改良剤を含んでいてもよい。
表面改質剤及び現像改良剤としては、特に制限はなく、公知の材料をもちいることができるが、例えば、カチオン性、アニオン性、ノニオン性、フッ素系、シリコン系界面活性剤などが挙げられる。
表面改質剤または現像改良剤の濃度は、フォトレジスト中の溶剤を除く全固形分に対して、通常２０重量％以下、好ましくは１０重量％以下である。
上記表面改質剤及び現像改良剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。
【０１７６】
（重合禁止剤、酸化防止剤）
本発明に用いられるフォトレジストは、フォトレジストの安定性が向上する点で、重合禁止剤や酸化防止剤を含有することが好ましい。
重合禁止剤としては、例えば、ハイドロキノン、メトキシフェノール等が挙げられる。
また酸化防止剤としては、例えば、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−クレゾール（ＢＨＴ）等のヒンダードフェノール系の化合物などが挙げられる。
重合開始剤および酸化防止剤の濃度は、フォトレジスト中の溶剤を除く全固形分に対して、通常５ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以上６００ｐｐｍ以下である。
【０１７７】
この濃度が小さすぎると、フォトレジストが重合したり酸化したりして、バンク形成材料として用いることが困難となる可能性がある。また、この濃度が大きすぎると、例えば、バンク形成工程における加熱の際、フォトレジストの硬化が不十分となる可能性がある。
上記重合禁止剤及び酸化防止剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。
【０１７８】
（シランカップリング剤）
本発明に用いられるフォトレジストは、形成したバンクと第２電荷輸送層との密着性を向上する点で、シランカップリング剤を含有していてもよい。
シランカップリング剤としては、例えば、エポキシ系、メタクリル系、アミノ系、イミダゾール系シランカップリング剤等が挙げられ、中でもエポキシ系、及びイミダゾール系シランカップリング剤が好ましい。
シランカップリング剤の濃度は、フォトレジスト中の溶剤を除く全固形分に対して、通常２０重量％以下、好ましくは１５重量％以下である。
上記シランカップリング剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。
【０１７９】
（エポキシ化合物）
本発明に用いられるフォトレジストは、形成したバンクの硬化性や、形成したバンクと第２電荷輸送層との密着性を向上する点で、エポキシ化合物を含有していてもよい。
エポキシ化合物としては、エポキシ基を有する繰り返し単位を含む化合物が好ましく、公知の材料を用いることができるが、例えば、ポリヒドロキシ化合物とエピクロルヒドリンを反応させて得られるポリグリシジルエーテル化合物、ポリカルボン酸化合物とエピクロルヒドリンを反応させて得られるポリグリシジルエステル化合物、及び、ポリアミン化合物とエピクロルヒドリンを反応させて得られるポリグリシジルアミン化合物、等が挙げられる。
上記エポキシ化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。
【０１８０】
エポキシ化合物の濃度は、フォトレジスト中の溶剤を除く全固形分に対して、通常４０重量％以下、好ましくは３０重量％以下である。濃度が大きすぎると、フォトレジストの保存安定性に影響する可能性がある。
【０１８１】
（溶剤）
本発明に用いられるフォトレジストは、通常溶剤を含有する。
フォトレジストに含有される溶剤としては、特に制限は無く、フォトレジスト及び各成分を溶解又は分散させるための溶剤が適宜選択されるが、例えば、水、ジイソプロピルエーテル、ミネラルスピリット、ｎ−ペンタン、アミルエーテル、エチルカプリレート、ｎ−ヘキサン、ジエチルエーテル、イソプレン、エチルイソブチルエーテル、ブチルステアレート、ｎ−オクタン、バルソル＃２、アプコ＃１８ソルベント、ジイソブチレン、アミルアセテート、ブチルブチレート、アプコシンナー、ブチルエーテル、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキセン、メチルノニルケトン、プロピルエーテル、ドデカン、Ｓｏｃａｌ ｓｏｌｖｅｎｔ Ｎｏ．１およびＮｏ．２、アミルホルメート、ジヘキシルエーテル、ジイソプロピルケトン、ソルベッソ＃１５０、酢酸ブチル（ｎ、ｓｅｃ、ｔ）、ヘキセン、シェル ＴＳ２８ ソルベント、ブチルクロライド、エチルアミルケトン、エチルベンゾネート、アミルクロライド、エチレングリコールジエチルエーテル、エチルオルソホルメート、メトキシメチルペンタノン、メチルブチルケトン、メチルヘキシルケトン、メチルイソブチレート、ベンゾニトリル、エチルプロピオネート、メチルセロソルブアセテート、メチルイソアミルケトン、メチルイソブチルケトン、プロピルアセテート、アミルアセテート、アミルホルメート、シクロヘキシルアセテート、ビシクロヘキシル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジペンテン、メトキシメチルペンタノール、メチルアミルケトン、メチルイソプロピルケトン、プロピルプロピオネート、プロピレングリコール−ｔ−ブチルエーテル、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、カルビトール、シクロヘキサノン、酢酸エチル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸、３−エトキシプロピオン酸、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、ジグライム、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールアセテート、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール−ｔ−ブチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、トリプロピレングリコールメチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、等が挙げられる。
【０１８２】
また、フォトレジストに含有される溶剤の沸点は、通常６０℃以上、好ましくは７０℃以上、また通常２８０℃以下、好ましくは２６０℃以下である。
上記溶剤は、フォトレジスト溶液中の全固形分の割合が、通常１０重量％以上、また通常９０重量％以下となるように使用される。
上記溶剤は、１種を単独で用いてもよく、また異なる２種以上を任意の比率及び組合せで混合して用いてもよい。
【０１８３】
〔５−２．バンクの形成〕
バンク５の形成方法は、上記材料に応じて適宜選択される。
例えばバンク５を製造するための材料が、上記フォトレジストである場合には、フォトレジストを上記第２電荷輸送層（正孔輸送層４）上に塗布し、フォトマスク等を用いて目的とするパターン状に露光・現像する方法等とすることができる。
【０１８４】
フォトレジストの塗布の方式は本発明の効果を著しく損なわない限り制限はない。例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、ソフトリソグラフ法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、等が挙げられる。
【０１８５】
また、上記フォトレジストの露光条件等については、上記材料の種類等に応じて適宜選択される。具体的な露光条件としては、露光波長に関しては、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、i線（波長３６５ｎｍ）、ブロード(ｇ、ｈ、ｉ線の３波長)、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザー（波長１５７ｎｍ）等が選択可能であるが、本発明では、要求されるレジスト線幅と、取り扱い設備の簡便さから、放電ランプ等を光源に用いるｇ線、ｉ線、またはブロードを用いることが好ましい。また露光量については、通常所望のバンク形状を得るために適切な条件を選択するが、露光時間の観点から、１Ｊ／ｃｍ²以下であることが好ましい。
【０１８６】
また現像液についても上記フォトレジストの種類により適宜選択されるが、ポジ型レジストの場合は、通常テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）の水溶液が用いられる。ＴＭＡＨの濃度は２．３８％が一般的である。現像液中には必要に応じて界面活性剤等の添加剤を加えてもよい。ネガ型レジストの場合は、有機溶剤を含む現像液が用いられ、レジストの材料に併せて複数の有機溶剤及び／または水を混合して用いたり、界面活性剤等の添加剤を加えてもよい。中でもＴＭＡＨ水溶液、またはハロゲン溶剤を含まない現像液が、環境負荷低減の観点から好ましい。また現像条件も上記フォトレジストの種類により適宜選択されるが、通常室温または１００℃以下に加熱した現像液に一定時間浸漬したり、現像液を基板に棒状ないしシャワー状に注いだりする方法とすることができる。この場合、現像時間を短縮し、または量産時に複数の基板をバラツキなく安定的に現像させるため、基板を揺動させたり現像液を撹拌したりしてもよい。
【０１８７】
現像液が必要な時間を超えて現像液等がレジスト上に付着することにより、所望の形状に形成されたレジストが、過度に現像されて望ましくない形状に変化することを防止するため、現像時間終了後に現像液を除去する目的、及び現像液に含まれる成分や、現像されたレジスト残渣がバンクまたはその下地層に付着・残留することを防ぐ目的で、通常、現像の次にリンスを行う。リンスは、リンス液中に浸漬したり、リンス液を基板に棒状ないしシャワー状に注いだりする方法で行われる。リンス液についても上記フォトレジストの種類により適宜選択されるが、現像液及びフォトレジスト残渣を良好に溶解するものが好ましい。ＴＭＡＨ水溶液を現像液に用いる場合は通常超純水が用いられ、有機溶剤を含む現像液を使用する場合には、その有機溶剤を良好に溶解する液が用いられる。リンス液に、有機電界発光素子の特性に影響する不純物が含まれていると、アクティブ駆動有機電界発光素子パネルにおける駆動用薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）特性に対する影響、及び／または得られた有機電界発光素子の特性、例えば素子電圧、発光効率、駆動寿命等に影響を及ぼすことがある。適当でない不純物の例としては、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、亜鉛、銅、鉄、アルミニウム、パラジウムなどの金属イオンまたはそれらの金属酸化物、金属化合物、あるいはポリマーを含む有機化合物、バクテリア、微生物及びその死骸等が挙げられる。特に適当ではない不純物の例としては、ナトリウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン、亜鉛イオン、鉄イオン、銅イオン、アルミニウムイオン、パラジウムイオンなどの金属イオン、及び有機ハロゲン化物が挙げられる。中でも、金属イオン及び沸点が１５０℃以上の有機ハロゲン化物は、バンク形成工程におけるポストベークによっても除去できない可能性が高い。これらの不純物のリンス液中濃度は、通常０．１％以下、好ましくは１００ｐｐｍ以下、より好ましくは１ｐｐｍ以下に低減されていることが好ましい。
【０１８８】
リンス工程の後には、所望の形状に形成されたバンクと第２電荷輸送層との密着性を高め、またリンス液及びリンス液に含まれる、適当でない不純物を加熱により除去するため、ポストベークが通常行われる。ポストベークの条件も上記フォトレジストの種類により適宜選択されるが、ポストベーク温度についてはバンクと第２電荷輸送層との密着性を高め、リンス液及び適当でない不純物を除去する観点から、通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上であり、高温によるバンク及び／または下地の構造変化、化学変化を防ぐ観点から、通常３５０℃未満、好ましくは３００℃未満である。加熱手段については特に制限はなく、ホットプレート、オーブン、赤外線や電磁波などの活性エネルギー線照射等が挙げられる。加熱時の雰囲気については、ポストベーク後に水分が再吸着すること、あるいは高温時のバンクまたは下地の酸化を防ぐため、露点０℃未満の乾燥空気中、窒素などの不活性ガス中、圧力１００Ｐａ未満の減圧下で行うことが好ましい。加熱時間についても特に制限はないが、製造時間を短縮する観点から、通常３時間以内、好ましくは１時間以内で行われる。
【０１８９】
なお、必要に応じて、フォトレジストの塗布後、露光前にプリベーク工程を行ってもよい。プリベークの条件もフォトレジストの種類により適宜選択されるが、高温でプリベークを行うとフォトレジストを所望の形状に現像することが難しくなることから、通常ポストベークより低い温度で行われる。また現像前に、露光後ベークを施してもよい。露光後ベークは通常ネガ型のフォトレジストを使用する際、露光部を確実に不溶化させる目的で行われる。
【０１９０】
一方、上記バンク５の形成に第２電荷輸送層４と同様の材料を用いる場合、上記バンク５の形成は、上記フォトレジストを用いた場合と同様に、層形成後、露光・現像する方法であってもよく、ハーフトーンマスク等を用いて、凹型の断面形状を有するように露光・現像する方法であってもよく、また湿式成膜法等によってバンク５を形成する領域のみに上記材料を塗布する方法等であってもよい。
【０１９１】
なお、上記バンク５は１層のみから形成してもよいが、上述した材料を用い、同一種類または異なる種類の２層以上の層を積層して形成してもよい。またバンク５の表面は、例えば機能性層（本実施の形態では発光層６）の形成方法や形成材料等に合わせて適宜、親液化処理や撥液化処理等を行なってもよい。親液化処理や撥液化処理の方法としては特に制限はないが、例としては、大気圧または減圧条件で、ＣＦ₄などのフッ素化物、酸素、アルゴンなどの希ガス、またはそれらの混合ガス雰囲気中でプラズマ放電を行う方法、バンク形成用材料に親液性や撥液性の材料を用いる方法、あるいはバンク形成用材料塗布液に親液性や撥液性の添加物、例えば界面活性剤を混合する方法などが挙げられる。
【０１９２】
＜６．発光層＞
本実施の形態においては、機能性層は発光層とする。
本実施の形態における有機電界発光素子では、少なくとも上記バンクにより区画された領域、すなわちバンク５が形成されていない領域の正孔輸送層４上に、発光層６が設けられる。発光層６は、電界を与えられた電極間において、陽極２から正孔注入層３等を通じて注入された正孔と、陰極７から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
【０１９３】
〔６−１．発光層の材料〕
発光層６は、その構成材料として、少なくとも、発光の性質を有する材料（発光材料）を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する化合物（正孔輸送性化合物）、電子輸送の性質を有する化合物（電子輸送性化合物）、あるいは、正孔・電子の両方を輸送する性質を有する化合物を含有する。発光材料をドーパント材料として用い、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物をホスト材料として用いることが好ましい。発光材料については特に限定はなく、所望の発光波長で発光し、発光効率が良好である物質を用いればよい。更に、発光層６は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。なお、本発明においては、高分子化合物、低分子化合物のいずれも使用できるが、発光材料が低分子化合物であることが好ましい。なお、低分子化合物とは、分子量が、通常６０００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは１５００以下の化合物をいう。
【０１９４】
（６−１−１．発光材料）
発光材料としては、任意の公知の材料を適用可能である。例えば、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。
なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることが好ましい。
【０１９５】
以下、発光材料のうち蛍光色素の例を挙げるが、蛍光色素（蛍光発光材料）は以下の例示物に限定されるものではない。
青色発光を与える蛍光色素（青色蛍光色素）としては、例えば、ペリレン、ピレン、アントラセン、クリセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。
緑色発光を与える蛍光色素（緑色蛍光色素）としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。
黄色発光を与える蛍光色素（黄色蛍光色素）としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
赤色発光を与える蛍光色素（赤色蛍光色素）としては、例えば、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
【０１９６】
次に、発光材料のうち、燐光発光材料について説明する。燐光発光材料としては、例えば、周期表第７〜１１族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体が挙げられる。
【０１９７】
燐光性有機金属錯体に含まれる、周期表第７〜１１族から選ばれる金属として、好ましいもの例を挙げると、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記式（Ｖ）又は式（VI）で表わされる化合物が挙げられる。
【０１９８】
【化９】

｛式（Ｖ）中、Ｍは金属を表わし、ｑは上記金属の価数を表わす。また、Ｌ及びＬ’は二座配位子を表わす。ｊは０、１又は２の数を表わす。｝
【０１９９】
【化１０】

｛式（VI）中、Ｍ⁷は金属を表わし、Ｔは炭素原子又は窒素原子を表わす。Ｒ⁹²〜Ｒ⁹⁵は、各々独立に置換基を表わす。但し、Ｔが窒素原子の場合は、Ｒ⁹⁴及びＲ⁹⁵は無い。｝
【０２００】
以下、まず、式（Ｖ）で表わされる化合物について説明する。
式（Ｖ）中、Ｍは任意の金属を表わし、好ましいものの具体例としては、周期表第７〜１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。
【０２０１】
また、式（Ｖ）中、二座配位子Ｌは、以下の部分構造を有する配位子を示す。
【化１１】

上記Ｌの部分構造において、環Ａ１”は、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表わす。
【０２０２】
環Ａ１”を構成する芳香族炭化水素基としては、例えば、５又は６員環の単環又は２〜５縮合環が挙げられる。その具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環由来の１価の基などが挙げられる。
【０２０３】
環Ａ１”を構成する芳香族複素環基としては、例えば、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環が挙げられる。その具体例としては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環由来の１価の基などが挙げられる。
【０２０４】
また、上記Ｌの部分構造において、環Ａ２は、置換基を有していてもよい、含窒素芳香族複素環基を表わす。
環Ａ２を構成する含窒素芳香族複素環基としては、例えば、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環が挙げられる。その具体例としては、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、フロピロール環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環由来の１価の基などが挙げられる。
【０２０５】
環Ａ１”又は環Ａ２がそれぞれ有していてもよい置換基の例としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基；フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
なお、前記置換基は、１個のみが置換していてもよく、２個以上が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。
【０２０６】
また、式（Ｖ）中、二座配位子Ｌ’は、以下の部分構造のうちの少なくともいずれかを有する配位子を示す。但し、以下の式において、「Ｐｈ」はフェニル基を表わす。
【化１２】

【０２０７】
中でも、Ｌ’としては、錯体の安定性の観点から、以下に挙げる配位子が好ましい。
【化１３】

【０２０８】
式（Ｖ）で表わされる化合物として、更に好ましくは、下記式（Ｖａ）、（Ｖｂ）及び（Ｖｃ）の少なくともいずれかで表わされる化合物が挙げられる。
【０２０９】
【化１４】

【０２１０】
｛式（Ｖａ）中、Ｍ⁴は、Ｍと同様の金属を表わし、ｗは、上記金属の価数を表わし、環Ａ１”は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わし、環Ａ２は、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表わす。｝
【０２１１】
【化１５】

【０２１２】
｛式（Ｖｂ）中、Ｍ⁵は、Ｍと同様の金属を表わし、ｗは、上記金属の価数を表わし、環Ａ１”は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表わし、環Ａ２は、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表わす。｝
【０２１３】
【化１６】

【０２１４】
｛式（Ｖｃ）中、Ｍ⁶は、Ｍと同様の金属を表わし、ｗは、上記金属の価数を表わし、ｊは、０、１又は２を表わし、環Ａ１”及び環Ａ１’は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表わし、環Ａ２及び環Ａ２’は、各々独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表わす。｝
【０２１５】
上記式（Ｖａ）、（Ｖｂ）及び（Ｖｃ）において、環Ａ１”及び環Ａ１’の好ましい例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
【０２１６】
上記式（Ｖａ）、（Ｖｂ）及び（Ｖｃ）において、環Ａ２及び環Ａ２’の好ましい例としては、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。
【０２１７】
上記式（Ｖａ）、（Ｖｂ）及び（Ｖｃ）のいずれかで表わされる化合物が有していてもよい置換基としては、例えば、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。
【０２１８】
また、前記置換基の炭素数は本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。ただし、置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。また、置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。また、置換基がアルコキシカルボニル基である場合、その炭素数は通常２以上６以下である。また、置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。また、置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常６以上１４以下である。また、置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常２以上２４以下である。また、置換基がジアリールアミノ基である場合、その炭素数は通常１２以上２８以下である。また、置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常１以上１４以下である。また、置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上１２以下である。
【０２１９】
なお、前記の置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環Ａ１”が有する置換基と環Ａ２が有する置換基とが結合するか、又は、環Ａ１’が有する置換基と環Ａ２’が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環としては、例えば７，８−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
【０２２０】
上述した置換基の中でも、環Ａ１”、環Ａ１’、環Ａ２及び環Ａ２’の置換基として、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。なお、環Ａ１”、環Ａ１’、環Ａ２及び環Ａ２’の置換基は、１個のみが置換していてもよく、２個以上が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。
【０２２１】
また、式（Ｖａ）、（Ｖｂ）及び（Ｖｃ）におけるＭ⁴〜Ｍ⁶の好ましい例としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられる。
【０２２２】
上記式（Ｖ）、（Ｖａ）、（Ｖｂ）及び（Ｖｃ）のいずれかで示される有機金属錯体の具体例を以下に示す。但し、下記の化合物に限定されるものではない。
【０２２３】
【化１７】

【０２２４】
【化１８】

【０２２５】
さらに、上記式（Ｖ）で表わされる有機金属錯体の中でも、特に、配位子Ｌ及び／又はＬ’として２−アリールピリジン系配位子（即ち、２−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、及び、これに任意の基が縮合してなるもの）を有する化合物が好ましい。
【０２２６】
また、国際公開第２００５／０１９３７３号パンフレット明細書に記載の化合物も、発光材料として使用することが可能である。
【０２２７】
次に、式（VI）で表わされる化合物について説明する。
式（VI）中、Ｍ⁷は金属を表わす。具体例としては、周期表第７〜１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の２価の金属が挙げられる。
【０２２８】
また、式（VI）において、Ｒ⁹²及びＲ⁹³は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシ基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基からなる群より選ばれる少なくとも１種を表わす。なお、各Ｒ⁹²及びＲ⁹³はそれぞれ同じでもよく異なっていてもよい。
【０２２９】
更に、式（VI）においてＴが炭素原子である場合、Ｒ⁹⁴及びＲ⁹⁵は、各々独立に、Ｒ⁹²及びＲ⁹³と同様の例示物で表わされる置換基を表わす。また、式（VI）においてＴが窒素原子である場合は、Ｒ⁹⁴及びＲ⁹⁵は無い。なお、各Ｔは同じでもよく異なっていてもよい。
【０２３０】
また、式（VI）においてＲ⁹²〜Ｒ⁹⁵は、更に置換基を有していてもよい。置換基を有する場合、その種類に特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。また、その置換基は、１個のみが置換していてもよく、２個以上が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。
さらに、式（VI）においてＲ⁹²〜Ｒ⁹⁵のうち任意の２つ以上の基が互いに連結して環を形成してもよい。
【０２３１】
式（VI）で表わされる有機金属錯体の具体例（Ｔ−１〜Ｔ−７）を以下に示す。但し、下記の例示物に限定されるものではない。また、以下の化学式において、Ｍｅはメチル基を表わし、Ｅｔはエチル基を表わす。
【０２３２】
【化１９】

【０２３３】
発光材料として用いる化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上の範囲である。分子量が小さ過ぎると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、層を形成した際の層の質の低下を招いたり、或いはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりする場合がある。一方、分子量が大き過ぎると、有機化合物の精製が困難となってしまったり、溶剤に溶解させる際に時間を要したりする傾向がある。
【０２３４】
なお、上述した発光材料は、いずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０２３５】
発光層６における発光材料の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．０５重量％以上、好ましくは０．３重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、また、通常３５重量％以下、好ましくは２５重量％以下、更に好ましくは２０重量％以下である。発光材料が少なすぎると発光ムラを生じる可能性があり、多すぎると発光効率が低下する可能性がある。なお、２種以上の発光材料を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
【０２３６】
（６−１−２．正孔輸送性化合物）
また、発光層６には、構成材料として、正孔輸送性化合物を含有させてもよい。ここで、正孔輸送性化合物のうち、低分子量の正孔輸送性化合物の例としては、前述の（３−１−１−２．低分子量の正孔輸送性化合物）の欄で例示した各種の化合物のほか、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルに代表される、２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ， １９９７年， Ｖｏｌ．７２−７４， ｐｐ．９８５）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ， １９９６年， ｐｐ．２１７５）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｍｅｔａｌｓ， １９９７年， Ｖｏｌ．９１， ｐｐ．２０９）等が挙げられる。なお、発光層６において、正孔輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０２３７】
発光層６における正孔輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．１重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、また、通常９５重量％以下、好ましくは７５重量％以下、更に好ましくは５０重量％以下である。正孔輸送性化合物が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。なお、２種以上の正孔輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
【０２３８】
（６−１−３．電子輸送性化合物）
発光層６には、構成材料として、電子輸送性化合物を含有させてもよい。ここで、電子輸送性化合物のうち、低分子量の電子輸送性化合物の例としては、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）や、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）や、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）や、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）や、４，４’−ビス（９−カルバゾール）−ビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。なお、発光層６において、電子輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０２３９】
発光層６における電子輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．１重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、また、通常９５重量％以下、好ましくは７５重量％以下、更に好ましくは５０重量％以下である。電子輸送性化合物が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。なお、２種以上の電子輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
【０２４０】
〔６−２．発光層の形成〕
上記発光層６の形成法としては、湿式成膜法、真空蒸着法が挙げられる。湿式成膜法により発光層６を形成する場合、上述の材料を適切な溶剤に溶解させて塗布用組成物（発光層形成用組成物、機能性層形成用組成物）を調製し、それを上記バンク５が形成された正孔輸送層４上に塗布・成膜し、乾燥して溶剤を除去することにより形成する。この際、正孔輸送層４及びバンク５を覆うように塗布・成膜してもよく、また上記バンク５により区画された領域のみに、湿式成膜法により塗布・成膜してもよい。湿式成膜法としては、例えばインクジェット法、ノズルプリンティング法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、エアロゾル法、エアロゾルジェット法等が好ましい。
【０２４１】
発光層６を製造するための塗布用組成物に含有させる発光層用溶剤としては、発光層６の形成が可能である限り任意のものを用いることができる。ただし、前述の発光材料、正孔輸送性化合物、及び、電子輸送性化合物を溶解することが可能なものが好ましい。具体的な溶解性としては、常温・常圧下で、発光材料、正孔輸送性化合物、あるいは電子輸送性化合物を、通常０．０１重量％以上、中でも０．０５重量％以上、特には０．１重量％以上溶解することが好ましい。発光層用溶剤の好適な例は、上述した〔３−２．正孔注入層の形成〕の欄で説明した溶剤と同様である。
【０２４２】
発光層６を製造するための塗布用組成物に対する発光層用溶剤の比率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１重量％以上、好ましく１０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、また、通常９９．９９重量％以下、好ましくは９９．９重量％以下、更に好ましくは９９重量％以下の範囲である。なお、発光層用溶剤として２種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。
【０２４３】
発光層６を製造するための湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、例えば上記〔３−２．正孔注入層の形成〕の欄で説明した、いかなる方式も用いることができる。なお、乾燥の手法についても、〔３−２．正孔注入層の形成〕の欄で説明した手法と同様とすることができ、他に制限はない。
【０２４４】
なお、発光層６は単一の層からなる構成としてもよいが、複数の層が積層された構成としてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいが、異なる材料からなる層であってもよい。
【０２４５】
発光層６の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。発光層６の膜厚が、薄すぎると発光層に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると有機電界発光素子の駆動電圧が上昇する可能性がある。
【０２４６】
＜７．陰極＞
本実施の形態においては、第２の電極は陰極とする。
陰極７は、発光層６側の層に電子を注入する役割を果たすものである。陰極７の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。なお、陰極７の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０２４７】
陰極７の膜厚は、通常、陽極２と同様である。
さらに、低仕事関数金属から成る陰極７を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ
及び比率で併用してもよい。
【０２４８】
＜８．その他の層＞
以上、図１に示す層構成の有機電界発光素子を中心に説明してきたが、本発明に係る有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよく、後述するいずれの層を第１電荷輸送層、第２電荷輸送層、または機能性層として用いてもよい。またさらにその性能を損なわない限り、陽極２と陰極７との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
【０２４９】
例えば図２に示すように、有機電界発光素子１０ｂとして、発光層６と陰極７との間に電子注入層８及び電子輸送層９を有する構成等とすることもできる。なお図１と同様の構成要素については同一の符号を付して表わし、その説明は省略する。また、例えば図３に示すように、有機電界発光素子１０ｃとして、第１電荷輸送層を正孔注入層３とし、第２電荷輸送層を電子阻止層１１とした構成等も可能である。図１及び図２と同様の構成要素については同一の符号を付して表わし、その説明は省略する。
【０２５０】
また例えば第１の電極を陰極とし、第２の電極を陽極としてもよい。この場合、図４に示すように、有機電界発光素子１０ｄは、基板１の上に、陰極７、電子注入層８（第１電荷輸送層）、電子輸送層９（第２電荷輸送層）、電子輸送層９上にパターン状に形成されたバンク５、上記バンク５により区画された領域に少なくとも形成された発光層６（機能性層）、及び陽極２を有する構成等とすることができる。
【０２５１】
〔８−１．電子輸送層〕
電子輸送層９は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極７から注入された電子を効率よく発光層６の方向に輸送することができる化合物より形成される。
【０２５２】
電子輸送層９に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極７又は後述する電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。なお、電子輸送層９の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０２５３】
電子輸送層９の形成方法に制限はなく、例えば湿式成膜法により形成してもよいが、真空蒸着法により形成することが特に好ましい。
電子輸送層９の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
【０２５４】
〔８−２．電子阻止層〕
電子阻止層１１は、発光層６から移動してくる電子が正孔注入層３に到達するのを阻止することで、発光層６内で正孔と電子との再結合確率を上げ、生成した励起子を発光層６内に閉じこめる役割と、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく発光層６の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は効果的である。
【０２５５】
電子阻止層１１に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、本発明において、発光層６を湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層１１に湿式成膜の適合性があることが好ましい。このような電子阻止層１１に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号パンフレット記載）等が挙げられる。なお、電子阻止層１１の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０２５６】
電子阻止層１１の形成方法に制限はない。従って、上述の材料を上述の〔３−２．正孔注入層の形成〕の欄で説明した方法や、その他の方法で正孔注入層３等の上に積層することにより形成することができる。
【０２５７】
〔８−３．電子注入層〕
電子注入層８は、陰極７から注入された電子を効率良く発光層６へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうため、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。その膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。
【０２５８】
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常、５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。
また、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）、酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）、炭酸セシウム（II）（ＣｓＣＯ₃）等で形成された極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９７年， Ｖｏｌ．７０， ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ， １９９７年， Ｖｏｌ．４４， ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ ０４ Ｄｉｇｅｓｔ， ｐｐ．１５４等参照）。
なお、電子注入層８の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０２５９】
電子注入層８の形成方法に制限はない。従って、上述の材料を上述の〔３−２．正孔注入層の形成〕の欄で説明した湿式成膜法や、その他の方法で発光層６上に積層することにより形成することができる。
【０２６０】
〔８−４．正孔阻止層〕
また、例えば、発光層６と電子輸送層９との間に、正孔阻止層を設けてもよい。正孔阻止層は、発光層６の上に、発光層６の陰極７側の界面に接するように積層される層である。この正孔阻止層は、陽極２から移動してくる正孔が陰極７に到達するのを阻止する役割と、陰極７から注入された電子を効率よく発光層６の方向に輸送する役割とを有する。
【０２６１】
正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト），（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト），（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号パンフレットに記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層の材料として好ましい。なお、正孔阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０２６２】
正孔阻止層の形成方法に制限はない。従って、上述の材料を上述の〔３−２．正孔注入層の形成〕の欄で説明した湿式成膜法や真空蒸着法等で形成できるが、真空蒸着法で形成することが好ましい。
正孔阻止層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
【０２６３】
〔８−５．その他〕
更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明の有機電界発光素子を構成することも可能である。
【０２６４】
また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ₂Ｏ₅）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０２６５】
更には、本発明の有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
【０２６６】
また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
【０２６７】
Ｂ．画像表示装置
本発明の画像表示装置は、上述した有機電界発光素子を用いたことを特徴とする。上記有機電界発光素子を用いていることから、色ムラ等がなく、発光領域及び非発光領域の境界が明瞭な画像表示装置とすることができるという利点を有する。また、機能性層として発光層が形成されている場合には、上述したバンクによって発光層を形成する際に隣接する発光層が混色してしまうこと等が少ないものとすることができる。したがって、より高品質な画像表示が可能な画像表示装置とすることができるという利点も有する。
【０２６８】
このような有機電界発光素子を備えた画像表示装置としては、例えばパッシブマトリクス駆動有機電界発光ディスプレイ及び／またはアクティブマトリクス駆動有機電界発光ディスプレイを用いたテレビ、携帯電話用モニタ、携帯端末用モニタ、ＰＣ用モニタ、公衆向け情報表示装置等とすることができる。
例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社，平成１６年８月２０日発行，時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で画像表示装置を形成することができる。
【０２６９】
Ｃ．有機電界発光素子の製造方法
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、第１の電極、及び該第１の電極と対向するように形成された第２の電極を有し、該第１の電極及び該第２の電極の間に、電荷輸送性を有する第１電荷輸送層と、前記第１電荷輸送層上に積層され、電荷輸送性を有する第２電荷輸送層と、前記第２電荷輸送層上にパターン状に形成されたバンクと、前記バンクにより区画された領域内に形成された機能性層とを有する有機電界発光素子の製造方法であって、前記第１の電極、及び前記第１電荷輸送層を形成した後、前記第２電荷輸送層をドープ材料を含まない組成物を成膜して形成する第２電荷輸送層形成工程と、前記第２電荷輸送層上にパターン状にバンクを形成するバンク形成工程と、前記第２電荷輸送層上の前記バンクにより区画された領域内に、前記機能性層を形成する機能性層形成工程とを行うことを特徴とする。本発明により製造される具体的な有機電界発光素子としては、上述した「Ａ．有機電界発光素子」で説明したものと同様とすることができる。
【０２７０】
本発明においては、第１の電極、及び前記第１電荷輸送層を形成した後、前記第２電荷輸送層をドープ材料を含まない組成物を成膜して形成する第２電荷輸送層形成工程と、第２電荷輸送層上にパターン状にバンクを形成するバンク形成工程を行ない、さらに前記第２電荷輸送層上の前記バンクにより区画された領域内に、機能性層を形成する機能性層形成工程を行うことを特徴とする。
【０２７１】
本発明によれば、上記第１電荷輸送層及び第２電荷輸送層を形成した後、第２電荷輸送層上にバンクを形成することから、第１電荷輸送層及び第２電荷輸送層の形成が簡易である。また第１電荷輸送層及び第２電荷輸送層を形成する際に、バンクの存在によって第１電荷輸送層及び第２電荷輸送層の膜厚ムラが生じてしまうことがない。また、第１電荷輸送層及び第２電荷輸送層が所望の膜厚及び形状に形成されていることから、その上に積層される機能性層の膜厚にもムラが少ないものとすることができる。したがって、簡易な工程で第１電荷輸送層、第２電荷輸送層、及び機能性層を所望の形状及び膜厚に形成することが可能であり、高品質な表示が可能な有機電界発光素子を製造することができる。以下、上記各工程について説明する。
【０２７２】
＜１．第２電荷輸送層形成工程＞
本発明においては、第１の電極、及び第１電荷輸送層を形成した後に、ドープ材料を含まない組成物を成膜して、第２電荷輸送層を形成する。第２電荷輸送層の形成方法としては、上記正孔輸送層の形成方法として記載したものと同様である。
【０２７３】
＜２．バンク形成工程＞
本発明においては、第１電荷輸送層及び第２電荷輸送層を形成した後に、第２電荷輸送層上にパターン状にバンクを形成する。上記第２電荷輸送層上にパターン状にバンクを形成する方法としては、第２電荷輸送層上にバンク形成用材料を塗布・成膜し、露光・現像を行う方法や、バンクの形状にバンク形成用材料を塗布し、硬化させる方法、所望のパターン状に塗布することが可能な成膜方法を用いて第２電荷輸送層上に直接塗布する方法等があげられる。このようなバンクの形成方法については、上述した「Ａ．有機電界発光素子」における＜５．バンク＞の欄で説明した方法と同様とすることができる。また形成されるバンクの形状等についても、上述したものと同様とすることができる。なお、バンクは一層のみから形成してもよく、また同一または異なる層を２層以上積層してバンクを形成してもよい。
【０２７４】
本発明においては、上述の「Ａ．有機電界発光素子」における＜５．バンク＞の欄で説明したように、バンク形成工程において、バンクと第２電荷輸送層との密着性を高め、例えばリンス液及び適当でない不純物等を除去し、かつ水分の再吸着、あるいは高温時のバンクまたは下地の酸化を防ぐ観点から、露点０℃未満の乾燥空気中、不活性雰囲気中、または圧力１００Ｐａ未満の減圧下での加熱する工程を有することが好ましい。この際の加熱温度としては、通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上であり、高温によるバンク及び／または下地の構造変化、化学変化を防ぐ観点から、通常３５０℃未満、好ましくは３００℃未満である。また加熱手段については特に制限はなく、ホットプレート、オーブン、赤外線や電磁波などの活性エネルギー線照射等が挙げられる。また加熱時間についても特に制限はないが、製造時間を短縮する観点から、通常３時間以内、好ましくは１時間以内で行われる。
【０２７５】
＜３．機能性層形成工程＞
本発明においては、上記第２電荷輸送層上の上記バンクにより区画された領域内に、機能性層を形成する。本発明においては、第２電荷輸送層のうち、バンクにより区画された領域、すなわちバンクが形成されておらず第２電荷輸送層が露出している領域のみに機能性層を形成してもよく、また上記バンクにより区画された領域及びバンク上に機能性層を形成してもよい。具体的には、インクジェット法、ノズルプリンティング法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、エアロゾル法、エアロゾルジェット法等に代表される湿式成膜法により、上記バンクにより区画された領域のみに、機能性層を形成するための機能性層形成用組成物を塗布し、機能性層を形成する方法であってもよく、また例えば真空蒸着法や湿式成膜法等により、上記第２電荷輸送層及びバンクを覆うように成膜して機能性層を形成する方法等であってもよい。また第２電荷輸送層及びバンクを覆うように成膜した後、この層をパターニングして、必要な領域のみに機能性層を形成してもよい。なお、上記機能性層は、一層のみから形成してもよく、また同一または異なる層を２層以上積層して機能性層を形成してもよい。またさらに、バンクにより区画された領域ごとに、異なる材料を用いて複数種類の機能性層を形成してもよい。
【０２７６】
なお、本工程における機能性層の形成方法や、形成する機能性層の膜厚、形状等については、形成する機能性層の種類等に応じて適宜選択する。上記機能性層の材料や膜厚、形状等については、上述した「Ａ．有機電界発光素子」における各部材の欄で説明したものと同様とする。
【０２７７】
＜４．その他の工程＞
本発明では、上記バンク形成工程を行なう前に、第１の電極、第１電荷輸送層、及び第２電荷輸送層を形成する。上記第１の電極、第１電荷輸送層、及び第２電荷輸送層の形成方法については、上記各部材の種類等にあわせて適宜選択され、上述した「Ａ．有機電界発光素子」における各部材の形成方法で説明した方法とすることができる。
また、本発明においては、上記各工程の前後や各工程間に、必要に応じて適宜他の工程を有していてもよい。
【実施例】
【０２７８】
以下、製造例、実施例及び比較例を挙げて、本発明を更に詳細に説明する。なお、以下の実施例は本発明を詳細に説明するために示すものであり、本発明はその趣旨に反しない限り以下の実施例に限定されるものではない。
【０２７９】
［実施例１］
（陽極（第１の電極）の形成）
ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍの厚さに堆積したもの（三容真空社製、スパッタ成膜品）を通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。陽極が形成された基板（ＩＴＯ基板）を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行なった。
【０２８０】
（正孔注入層（第１電荷輸送層）の形成）
次に、ドープ材料を含む正孔注入層形成用組成物の調製を行った。正孔輸送性化合物として、下記式（ｉ）の繰り返し構造を有するポリマー（重量平均分子質量２９６００；ガラス転移温度１７７℃）２重量％と、電子受容性化合物として、下記式（ii）で表される化合物０．８重量％を、溶剤として安息香酸エチルに溶解し、正孔注入層形成用組成物を調製した。
【０２８１】
【化２０】

洗浄処理したＩＴＯ基板上に、上記正孔注入層形成用組成物を用いてスピンコート法にて正孔注入層を形成した。スピンコートは気温２３℃、相対湿度５０％の大気中で行ない、スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ時間は３０秒とした。塗布後、ホットプレート上で８０℃、１分間加熱乾燥した後、オーブン大気中で２３０℃、３時間ベークし、膜厚３０ｎｍのドープ材料を含む正孔注入層を形成した。
【０２８２】
（正孔輸送層（第２電荷輸送層）の形成）
次に、ドープ材料を含まない正孔輸送層形成用組成物の調製を行った。下記式（iii）の繰り返し構造を有するポリマー（重量平均分子質量１００００；ガラス転移温度１３８℃）０．４重量％を、溶剤としてトルエンに溶解し、正孔輸送層形成用組成物を調製した。トルエンは市販の脱水トルエンを用いた。
【０２８３】
【化２１】

【０２８４】
正孔注入層を形成した基板を窒素グローブボックスに入れ、正孔注入層上に、上記正孔輸送層形成用組成物を用いてスピンコート法にて正孔輸送層を形成した。スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ時間は３０秒とした。塗布後、ホットプレート上で２３０℃１時間ベークし、膜厚２０ｎｍのドープ材料を含まない正孔輸送層を形成した。
正孔輸送層形成用組成物の調製、スピンコートおよびベークは、すべて酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で大気暴露せずに行った。
【０２８５】
（バンクの形成）
次に、正孔輸送層までを形成した基板を大気中に取り出し、紫外光をカットしたイエロールームにて、フォトレジストにてバンクの形成を行った。フォトレジストは、ＴＥＬＲ−Ｐ００３ ＰＭ１０ｃｐ（東京応化製）を用いた。
まず、スピンコート法にてフォトレジストを塗布した。スピンコートは気温２３℃、相対湿度５０％の大気中で行ない、スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ時間は３０秒とした。塗布後、ホットプレート上で１１０℃、９０秒間加熱乾燥した。加熱後、フォトレジストを除去したい部分が開口部となっているクロムメッキされた石英基板のマスクを用い、ウシオ電機製露光装置ＵＸ−１０００ＳＭ−ＡＣＳ０１にて、開口部から８０ｍＪ／ｃｍ²（３６５ｎｍ）のＵＶ光を照射した。クロムメッキされた石英基板のマスクは、メッキ部幅１５０μｍ、開口部幅１５０μｍのストライプ状、開口部が１辺５００μｍの正方形の形状のものを用いた。照射後、ＴＭＡＨの２．３８％水溶液に１分間浸漬して揺動し、その後、純水による水洗を１分間行ない、窒素ブローして乾燥させ、さらにホットプレート上で１１０℃、９０秒間加熱乾燥した。ついで、基板を窒素グローブボックス中に移し、窒素グローブボックス中で２００℃、１時間ポストベークし、正孔輸送層上にフォトレジストにてバンクを形成した。
フォトレジストにて形成したバンクは、厚み８８０ｎｍ、開口部が１辺５００μｍの長さである正方形（ａ）および、厚み８８０ｎｍ、開口部の幅が１５０ｎｍ、ピッチ３００μｍのストライプ状（ｂ）であった。
この基板を真空蒸着装置内に配置し、装置内を真空度が１．２×１０^-6Ｔｏｒｒ以下になるまでスクロールポンプによる粗引きの後、クライオポンプにて排気した。基板には、所定の領域に、蒸着用マスクを配置し、真空蒸着装置内には、必要な蒸着材料をそれぞれ別の坩堝に入れて配置した。
【０２８６】
（発光層の形成）
本実施例において、機能性層は、発光層、正孔阻止層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された層である。
ホスト材料として下記式(iv)で表される化合物と、ドーパント材料として下記式(ｖ)で表される化合物を入れた各坩堝を同時に通電加熱して、正孔輸送層の上に共蒸着した。蒸着条件は、蒸着時の真空度１．２×１０^-6Ｔｏｒｒ、下記式(iv)で表される化合物の蒸着速度を０．６Å／ｓ、下記式(ｖ)で表される化合物の蒸着速度０．０３６Å／ｓとし、下記式(iv)で表される化合物：下記式(ｖ)で表される化合物＝１００：６の膜厚３０ｎｍの発光層を形成した。
【０２８７】
【化２２】

【０２８８】
（正孔阻止層の形成）
下記式(vi)で表される化合物を入れたモリブデン製ボートを通電加熱し、発光層の上に蒸着した。蒸着条件は、蒸着時の真空度１．２×１０^-6Ｔｏｒｒ、蒸着速度１．０Å／ｓとし、膜厚１０ｎｍの正孔阻止層を形成した。
【０２８９】
【化２３】

【０２９０】
（電子輸送層の形成）
下記式(vii)で表される化合物を入れたモリブデン製ボートを通電加熱し、正孔阻止層上に蒸着した。蒸着条件は、蒸着時の真空度１．２×１０^-6Ｔｏｒｒ、蒸着速度１．５Å／ｓとし、膜厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
【０２９１】
【化２４】

【０２９２】
（電子注入層の形成）
ここで、電子輸送層までを形成した素子を一度真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して、発光層蒸着時と同様にして装置内の真空度が２×１０^-6Ｔｏｒｒになるまで排気した。先ず、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度０．０５Å／秒、真空度２．０×１０^-6Ｔｏｒｒで、０．５ｎｍの膜厚で発光層の上に成膜した。
【０２９３】
（陰極（第２の電極）形成）
次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度４Å／秒、真空度５×１０^-6Ｔｏｒｒで膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成して陰極を形成した。以上の様にして、正孔輸送層上のバンクによって発光領域を形成した有機電界発光素子が得られた。
【０２９４】
（素子評価）
（ａ）正孔輸送層上に四角形の開口部を有するバンクを形成した素子
１辺５００μｍの正方形の発光領域がムラ無く均一に発光することを確認した。
（ｂ）正孔輸送上にストライプ上にバンクを形成した素子
幅１５０μｍのストライプ状発光領域がムラ無く均一に発光することを確認した。
【０２９５】
［実施例２］
発光層を、以下に記す発光層塗布液（発光層形成用組成物）を塗布乾燥することで形成した以外は実施例１と同様にして素子を作製した。
【０２９６】
（発光層形成用組成物の調製）
下記式(viii)で表される化合物を５０重量部、下記式（ix）で表される化合物を５０重量部、及び下記式(ｘ)で表される化合物を５重量部を、溶剤としてフェンコン５１４５重量部に溶解させ、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターでろ過し、発光層形成用組成物を調製した。発光層形成用組成物は、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で行った。
【０２９７】
【化２５】

【０２９８】
【化２６】

【０２９９】
【化２７】

バンク形成処理した基板に、上記発光層形成用組成物を用いてスピンコート法にて発光層を形成した。スピンコートは、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で行ない、スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ時間は３０秒とした。塗布後、ホットプレート上で１３０℃、１分間プレ乾燥した後、電極上の不要部分を拭き取り、次いで、ホットプレート上で１３０℃、１時間真空加熱して乾燥し、膜厚２６ｎｍの発光層を形成した。
この基板を真空蒸着装置内に配置し、装置内を真空度が１．２×１０^-6Ｔｏｒｒ以下になるまでスクロールポンプによる粗引きの後、クライオポンプにて排気した。基板には、所定の領域に、蒸着用マスクを配置し、真空蒸着装置内には、必要な蒸着材料をそれぞれ別の坩堝に入れて配置した。
【０３００】
（素子評価）
（ａ）正孔輸送層上に四角形の開口部を有するバンクを形成した素子
１辺５００μｍの正方形の発光領域からの発光を確認した。
（ｂ）正孔輸送層上にストライプ上にバンクを形成した素子
幅１５０μｍのストライプ状発光領域からの発光を確認した。
【０３０１】
［実施例３］
ガラス基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄し、実施例１と同様にして正孔注入層および正孔輸送層を形成した。このときの正孔注入層と正孔輸送層の合計膜厚は５１．６ｎｍであった。
正孔注入層と正孔輸送層をこの順に設けたガラス板をスピナーにセットし、正孔輸送層上に、フォトレジストに含まれる溶剤であるＰＧＭＥＡ（Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate）をスポイトで垂らし、1分間静置した後、スピナーを１５００ｒｐｍの回転数で３０秒間回転させてＰＧＭＥＡを振り切り、その後ホットプレート上で８０℃１分間加熱乾燥し、正孔注入層をＰＧＭＥＡ処理した。
ＰＧＭＥＡ処理後の正孔注入層と正孔輸送層の合計膜厚は５１．３ｎｍであり、膜厚変化は誤差内であり膜厚減少は認められなかった。
【０３０２】
［比較例１］
正孔輸送層を形成しなかった以外は実施例３と同様にしてガラス板上に正孔注入層を形成した。このときの正孔注入層の膜厚は３６．７ｎｍであった。
この正孔注入層つきガラス板を実施例３同様にしてＰＧＭＥＡ処理を行った。ＰＧＭＥＡ処理後の正孔注入層の膜厚は３２．１ｎｍであり、膜厚減少が認められた。
【０３０３】
以上より、正孔注入層上にフォトレジストを用いて構造物を形成する場合、下地である正孔注入層がフォトレジストに含まれる溶剤に溶解する。そのため、現像後に正孔注入層の材料とフォトレジストの混合物が残留し、有機電界発光素子の発光ムラになったり、電圧上昇、低発光効率化などの特性低下が起こる。一方、正孔輸送層上にフォトレジストを用いて構造物を形成する場合、下地である正孔輸送層は硬化しているためフォトレジストの溶剤に溶解せず、現像後に正孔輸送材料とフォトレジストとの混合物が残らないため、有機電界発光素子の発光ムラになったり、電圧上昇、低発光効率化などの特性低下は起らず、発光面はムラなく均一に発光し、特性が良好な素子やパネルを得ることが出来る。
【０３０４】
［合成例１］
（バインダー樹脂の製造）
フォトレジスト（バンク形成用組成物）に用いるバインダー樹脂を下記の通り合成した。
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１４５重量部を窒素置換しながら攪拌し、１２０℃に昇温した。これに、スチレン２０重量部、グリシジルメタクリレート５７重量部およびトリシクロデカン骨格を有するモノアクリレート（日立化成（株）製「ＦＡ−５１３Ｍ」）８２重量部を滴下し、更に、１４０℃で２時間攪拌し続けた。次に、反応容器内を空気置換し、アクリル酸２７重量部にトリスジメチルアミノメチルフェノール０．７重量部およびハイドロキノン０．１２重量部を投入し、１２０℃で６時間反応を続けた。その後、テトラヒドロ無水フタル酸（ＴＨＰＡ）５２重量部、トリエチルアミン０．７重量部を加え、１２０℃で３．５時間反応させ、下記式で表されるアルカリ可溶性樹脂であるバインダー樹脂を得た。この樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は約８０００であった。
【化２８】

【０３０５】
［実施例４］
（陽極(第１の電極)の形成）
２５ｍｍ×３７．５ｍｍ×厚さ０．７ｍｍのガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍの厚さに堆積したもの（三容真空社製、スパッタ成膜品）を通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。陽極を形成した基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行なった
【０３０６】
（正孔注入層（第１電荷輸送層）の形成）
上記洗浄された陽極を形成した基板上に、実施例１と同じ正孔注入層形成用組成物を用いて、スピンコート法にて乾燥膜厚３０ｎｍになるように、気温２３℃、相対湿度５０％の大気中で成膜を行なった。成膜後、ホットプレート上で８０℃、１分間加熱乾燥した。次いでジクロロエタンを含ませた綿棒を用いて、有機電界発光素子の発光領域を含み、かつ正孔注入層の塗布表面の大きさが約１２ｍｍ×約１２ｍｍとなるように、外周部の膜を拭き取った。拭き取り後オーブン大気中で２３０℃、３時間ベークし、ドープ材料を含む正孔注入層を形成した。
【０３０７】
（正孔輸送層（第２電荷輸送層）の形成）
次に、前記正孔注入層を形成した基板を窒素グローブボックスに入れ、正孔注入層上に、実施例１と同じ正孔輸送層形成用組成物を用いてスピンコート法にて乾燥膜厚２０ｎｍになるように、気温２３℃、相対湿度５０％の大気中で成膜を行なった。次いでトルエンを含ませた綿棒を用いて、上記正孔注入層の塗布面を含み、かつ正孔輸送層の塗布表面の大きさが約１５ｍｍ×約１５ｍｍとなるように、外周部の膜を拭き取った。拭き取り後、ホットプレート上で２３０℃にて、１時間ベークし、架橋性化合物を架橋させ、ドープ材料を含まない正孔輸送層を形成した。
【０３０８】
（バンクの形成）
次に、正孔輸送層までを形成した基板を大気中に取り出し、紫外光をカットしたイエロールームにてフォトレジストの調製及びバンクの形成を行った。
バンクを形成するため、下記表１の成分を含有するフォトレジスト（バンク形成用組成物）を調製した。調製は、それぞれの成分を配合後混合することにより行った。
【０３０９】
【表１】

【０３１０】
【化２９】

【０３１１】
該フォトレジストをスピンコート法により成膜した。スピンコートは、気温２３℃、相対湿度５０％の大気中で行なった。成膜後、常温で１分間、真空乾燥し、さらにホットプレート上で８０℃、６０秒間加熱乾燥させた。成膜された層の厚みは、３．１μｍであった。
該フォトレジストはネガ（光が照射された領域が硬化して残る）タイプであるため、紫外光を遮光するクロムメッキが、組成物を硬化させたい領域において紫外光を透過するように除去された石英基板のマスクを用いた。該マスクのマスクパターンは、紫外光透過部幅３０μｍで、クロムメッキ部（１辺７０μｍの正方形）がマスク面内で縦横に各２０個、碁盤の目のように並んだアレイパターンであった。このアレイパターンの紫外光透過領域が、２ｍｍ幅にパターン形成された陽極の辺縁からはみ出すことなく、かつ前記正孔輸送層の塗布面内に入るように位置合わせを行った。位置合わせ後、３ｋＷ高圧水銀灯を用いて１００ｍＪ／ｃｍ²の条件にて露光した。照射後、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）の２．３８重量％およびエタノール１０重量％を含む水溶液を現像液として、２３℃において、水圧０．１ＭＰａのシャワー現像を２分間行った後、純水スプレーで３０秒間リンスし、圧縮空気でブローすることにより水切りを行った。ついで、基板を窒素グローブボックス中に移し、窒素グローブボックス中で、２３０℃、３０分間ポストベークし、正孔輸送層上にバンクを形成した。形成したバンクは厚さ ３．１μｍ、開口部が1辺７０μｍの長さである略正方形となった。
【０３１２】
（発光層の形成）
本実施例において、機能性層は、発光層、正孔阻止層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された層である。
次に、ホスト材料として、以下に示す有機化合物（Ｃ３）および（Ｃ４）、また、ドーパント材料として以下に示すイリジウム錯体（Ｄ２）を、（Ｃ３）：（Ｃ４）：（Ｄ２）＝１０：１０：１（重量比）の比率で、溶剤であるＣＨＢ（シクロヘキシルベンゼン）に溶解させ、固形分濃度０．５重量％の発光層形成用組成物を調製した。
【０３１３】
【化３０】

【０３１４】
この発光層形成用組成物をインクジェット装置に仕込み、正孔輸送層の上の該バンクで区画された領域（1辺７０μｍ）１つ当たり液滴量２５ｐｌで吐出し、発光層を形成した。
なお、２０ノズル（発光層形成用組成物を吐出する開口が２０個並んでいるノズル）を同時に使用して、２０×２０の区画領域にインクを吐出した。
終了後、速やかに発光層が形成された基板を減圧乾燥機に導入し、減圧下（１０ｋＰａ）、１３０℃にて、１時間の乾燥を行った。このようにして膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。
【０３１５】
（正孔阻止層〜陰極の形成）
この後、実施例１と同様にして、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層及び陰極を形成した。
（封止）
陰極までを形成した基板を真空蒸着装置内より、大気中に取り出して、窒素グローブボックス（酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍ）に速やかに導入し、その中で封止を行った。
まず、該基板の発光領域をすべて覆うことができる面積の窪みを有し、該基板の外形よりは小さい外形を有するガラス製キャップを用意し、水分除去のための乾燥剤を該窪みの底部に貼付した。該基板上に、該キャップのリブ（窪みの周囲にある縁取り）部と略同形状になるよう、該紫外線硬化樹脂を塗布し、該キャップをその塗布した樹脂とリブ部とが重なり合うように貼り合わせ、該キャップ側からスポット紫外線照射装置によって紫外線硬化樹脂を硬化させた。
【０３１６】
（発光の確認）
以上の様にして、第２電荷輸送層（正孔輸送層）上に、バンクを有する有機電界発光素子が得られた。
この素子は、１辺７０μｍの正方形の発光領域が均一に発光することを確認した。
【０３１７】
［実施例５］
発光層を以下のようにして、真空蒸着法で形成した他は、実施例４と同様にして、有機電界発光素子を作製した。この素子は、１辺７０μｍの正方形の発光領域が均一に発光することを確認した。
（発光層の形成）
下記式(iv)で表される化合物と、下記式(ｖ)で表される化合物を入れた各坩堝を同時に通電加熱して、バンクが形成された正孔輸送層の上に共蒸着した。蒸着条件は、蒸着時の真空度１．２×１０^-6Ｔｏｒｒ（１．６×１０^−４Ｐａ）、下記式(iv)で表される化合物の蒸着速度を０．６Å／秒（０．０６ｎｍ／ｓｅｃ）、下記式(ｖ)で表される化合物の蒸着速度０．０３６Å／秒（０．００３６ｎｍ／ｓｅｃ）とし、下記式(iv)で表される化合物：下記式(ｖ)で表される化合物＝１００：６（重量比）の、膜厚３０ｎｍの発光層を形成した。
【化３１】

【産業上の利用可能性】
【０３１８】
本発明は、有機電界発光素子が使用される各種の分野、例えば、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯等の分野において、好適に使用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【０３１９】
【図１】本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の有機電界発光素子の構造の別の例を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の有機電界発光素子の構造の更に別の例を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の有機電界発光素子の構造の更に別の例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【０３２０】
１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ バンク
６ 発光層
７ 陰極
８ 電子注入層
９ 電子輸送層
１０ａ〜１０ｄ 有機電界発光素子
１１ 電子阻止層

【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極、及び前記第１の電極と対向するように形成された第２の電極を有し、前記第１の電極及び前記第２の電極の間に、
電荷輸送性を有する第１電荷輸送層と、前記第１電荷輸送層上に積層され、電荷輸送性を有する第２電荷輸送層と、前記第２電荷輸送層上にパターン状に形成されたバンクと、前記バンクにより区画された領域内に形成された機能性層とを有する有機電界発光素子であって、
前記第２電荷輸送層がドープ材料を含まない層である
ことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
前記第１電荷輸送層がドープ材料を含む層である
ことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記機能性層が発光層を含む層である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記バンクがフォトレジストを用いて形成されている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記バンクが、前記第１の電極及び前記第１電荷輸送層に接していない
ことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いた
ことを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
第１の電極、及び前記第１の電極と対向するように形成された第２の電極を有し、前記第１の電極及び前記第２の電極の間に、電荷輸送性を有する第１電荷輸送層と、前記第１電荷輸送層上に積層され、電荷輸送性を有する第２電荷輸送層と、前記第２電荷輸送層上にパターン状に形成されたバンクと、前記バンクにより区画された領域内に形成された機能性層とを有する有機電界発光素子の製造方法であって、
前記第１の電極、及び前記第１電荷輸送層を形成した後、
前記第２電荷輸送層をドープ材料を含まない組成物を成膜して形成する第２電荷輸送層形成工程と、
前記第２電荷輸送層上にパターン状にバンクを形成するバンク形成工程と、
前記第２電荷輸送層上の前記バンクにより区画された領域内に、前記機能性層を形成する機能性層形成工程とを行なう
ことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１電荷輸送層を、ドープ材料を含む組成物を成膜して形成する
ことを特徴とする、請求項７に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記バンク形成工程が、露点０℃未満の乾燥空気中、不活性雰囲気中、または圧力１００Ｐａ未満の減圧下での加熱工程を有する
ことを特徴とする、請求項７または８に記載の有機電界発光素子の製造方法。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【公開番号】特開２００９−１２３６９６（Ｐ２００９−１２３６９６Ａ）
【公開日】平成２１年６月４日（２００９．６．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２７３８４８（Ｐ２００８−２７３８４８）
【出願日】平成２０年１０月２４日（２００８．１０．２４）
【出願人】（０００００５９６８）三菱化学株式会社 (4,356)
【Ｆターム（参考）】