有機電界発光素子および表示装置
【課題】有機層の全体膜厚をある程度確保して発光不良の発生を防止しつつも、発光効率と寿命特性に優れた有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】陽極13と陰極15との間に挟持された総膜厚[da]150nm以上の有機層14と、有機層14を構成するもので、母骨格が環員数3〜7の多環式芳香族炭化水素化合物からなるホスト材料を含有する発光層14cと、有機層13を構成するもので陽極13と発光層14cとの間に配置されると共に発光層14cの膜厚[d1]よりも薄い膜厚[d2]を有する正孔供給層14a,14bとを有する有機電界発光素子。
【解決手段】陽極13と陰極15との間に挟持された総膜厚[da]150nm以上の有機層14と、有機層14を構成するもので、母骨格が環員数3〜7の多環式芳香族炭化水素化合物からなるホスト材料を含有する発光層14cと、有機層13を構成するもので陽極13と発光層14cとの間に配置されると共に発光層14cの膜厚[d1]よりも薄い膜厚[d2]を有する正孔供給層14a,14bとを有する有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機電界発光素子(いわゆる有機EL素子)および表示装置に関し、特に、アントラセン誘導体を含む発光層を備えた有機電界発光素子および表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
有機材料のエレクトロルミネッセンス(electroluminescence:以下ELと記す)を利用した有機電界発光素子(いわゆる有機EL素子)は、陽極と陰極との間に有機正孔輸送層や有機発光層を積層させた有機層を設けてなり、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
【0003】
図12は、このような有機電界発光素子の一構成例を示す断面図である。この図に示す有機電界発光素子51は、例えばガラス等からなる透明な基板52上に設けられており、基板52上に設けられた陽極53、陽極53上に設けられた有機層54、および有機層54上に設けられた陰極55により構成されている。有機層54は、陽極53側から、正孔注入層54a、正孔輸送層54b、発光層54cおよび電子輸送層54dを順次積層させた構成を有している。また以上の他にも、基板側から順に、陰極55、有機層54、陽極53を順次積層した構成のものもある。
【0004】
このような構成の有機電界発光素子51では、陰極55から注入された電子と陽極53から注入された正孔とが発光層54cにて再結合し、この再結合の際に生じる光が陽極53または陰極55を介して取り出される。
【0005】
ところで上述した有機電界発光素子51を構成する有機層54のうち、発光層54cは、アントラセン誘導体からなるホスト材料に、別途発光中心のドーパント(ゲスト材料)を添加して用いられることが多い。アントラセン誘導体は、正孔よりも電子の輸送能が高い。このため、アントラセン誘導体を用いた発光層54cにおいては、電子と正孔の再結合領域が陽極53側に集中する。このため、高い発光効率が得えられる一方で、電子の正孔輸送層54bへの漏れが生じ易く、このような電子もの漏れが有機電界発光素子51の寿命特性を低下させる要因の一つになっている。
【0006】
そこで、素子全体のキャリアバランスを整える試みとして、発光層54cと電子輸送層54dとの間に正孔輸送性が高い層を配置した構成が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
【0007】
また以上のような有機電界発光素子51においては、陽極53および陰極55間のショートを防止して発光不良発生を軽減するために、有機層54はある程度以上の膜厚が必要である。このため一般的には、高い移動度を示す正孔輸送層54bを厚膜化して有機層54全体の膜厚を確保している(例えば、特許文献2参照)。またこの他にも、電子輸送層54d中に活性金属をドープすることで当該電子輸送層54dを高移動度とし、この電子輸送層54dを厚膜化する構成も提案されている(例えば、特許文献3参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特開2006−66890号公報
【特許文献2】特開2005−101008号公報
【特許文献3】特開2005−123094号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
しかしながら、特許文献1に記載されたように、発光層と電子輸送層の間に正孔輸送性が高い層が配置された有機電界発光素子では、発光層への電子輸送性が低下する。このため、駆動電圧の上昇およびキャリア不足により電流効率が悪くなり、結果として寿命特性を向上させる効果が低かった。
【0010】
また、特許文献2のように、正孔輸送層を厚膜化することで有機層54の膜厚を確保する構成では、正孔輸送層が高い移動度を示すとは言え、駆動電圧が高くなり安く、ある程度の膜厚以上に堆積させるのは難しい。そして、特許文献3に記載されたように、活性金属をドーピングすることで高移動度とした電子輸送層を厚膜化することで有機層の膜厚を確保する構成では、駆動電圧の低い素子を構成することが可能であるものの、素子の駆動中に活性金属が電子輸送層外に拡散し、消光サイトとなり短寿命化する。
【0011】
そこで本発明は、有機層の全体膜厚をある程度確保して発光不良の発生を防止しつつも、発光効率と寿命特性に優れた有機電界発光素子を提供することおよびこの有機電界発光素子を用いた表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
このような目的を達成するための本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に総膜厚150nm以上の有機層が挟持されている。この有機層は、母骨格が環員数3〜7の多環式芳香族炭化水素化合物からなるホスト材料を含有する発光層を備えている。また有機層は、発光層よりも薄い膜厚を有する正孔供給層を、陽極と発光層との間に設けている。
【0013】
また本発明の表示装置は、このような構成の有機電界発光素子を基板上に配列形成した表示装置でもある。
【0014】
このような構成の有機電界発光素子および表示装置では、発光層に対して正孔供給層の膜厚を相対的に薄くしたことにより、陽極側から発光層への正孔供給量が増大する。これにより、発光層内において正孔と電子の過不足がなく、かつキャリア供給量も十分に確保できる。このため、以降の実施例で説明するように高い発光効率を得ることができる。また、正孔と電子の過不足がないことにより、キャリアバランスが崩れにくく、駆動劣化が抑制されて発光寿命を長くすることができる。
【0015】
しかも、後の実施例で説明するように、有機層の総膜厚が150nm以上と厚くとも、駆動電圧を低く抑えることが可能である。これにより、基板上の異物を膜厚が厚い有機膜で覆うことができ、陽極と陰極間でのショートが発生しにくく非発光画素が生じないため有機電界発光素子の生産歩留まりを改善することが出来る。
【発明の効果】
【0016】
以上説明したように、本発明の有機電界発光素子および表示装置によれば、有機層の総膜厚をある程度確保して発光不良の発生を防止しつつも、発光効率と寿命特性に優れた有機電界発光素子を得ることができる。この結果、低消費電力で、かつ長期信頼性に優れた表示装置を効率よく生産実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本発明の実施形態に係る有機電界発光素子の構成を示す断面図である。
【図2】本発明の実施形態に係る表示装置の回路構成の一例を示す回路構成図である。
【図3】本発明が適用される封止された構成のモジュール形状の表示装置を示す構成図である。
【図4】本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。
【図5】本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、(A)は表側から見た斜視図、(B)は裏側から見た斜視図である。
【図6】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図7】本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
【図8】本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す斜視図であり、(A)は開いた状態での正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた除隊での正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。
【図9】有機層の総膜厚[da]に対する発光層の膜厚[d1]の値[d1/da]と電流効率および発光寿命との関係を示すグラフである。
【図10】従来の有機電界発光素子の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、本発明の実施を以下の順序で説明する。
1.有機電界発光素子の全体構成
2.基板の構成
3.陽極の構成
4.陰極の構成
5.有機層の全体構成
6.有機層の材質
7.有機層の膜厚構成
8.表示装置の構成
9.適用例
【0019】
≪1.有機電界発光素子の全体構成≫
図1は、本発明の有機電界発光素子の一構成例を示す断面図である。この図に示す有機電界発光素子11は、基板12上に設けられた陽極13、この陽極13上に重ねて設けられた有機層14、この有機層14上に設けられた陰極15を備えている。
【0020】
以下の説明においては、陽極13から注入された正孔と陰極15から注入された電子が発光層14c内で再結合する際に生じた発光光を、基板12と反対側の陰極15側から取り出す上面発光方式(トップエミッション方式)の有機電界発光素子11の構成を説明する。
【0021】
≪2.基板の構成≫
まず、有機電界発光素子11が設けられる基板12は、ガラスのような透明基板や、シリコン基板、さらにはフィルム状のフレキシブル基板等の中から適宜選択して用いられることとする。また、この有機電界発光素子11を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合、基板12として、画素毎にTFTを設けてなるTFT基板が用いられる。この場合、この表示装置は、上面発光方式の有機電界発光素子11をTFTを用いて駆動する構造となる。
【0022】
≪3.陽極の構成≫
そして、この基板12上に下部電極として設けられる陽極13は、効率良く正孔を注入するために電極材料の真空準位からの仕事関数が大きいもの、例えばクロム(Cr)、金(Au)、酸化スズ(SnO2)とアンチモン(Sb)との合金、酸化亜鉛(ZnO)とアルミニウム(Al)との合金、銀(Ag)合金、さらにはこれらの金属や合金の酸化物等を、単独または混在させた状態で用いることができる。
【0023】
有機電界発光素子11が上面発光方式の場合は、陽極13を高反射率材料で構成することで、干渉効果及び高反射率効果で外部への光取り出し効率を改善することが可能であり、このような電極材料には、例えばAl、Ag等を主成分とする電極を用いることが好ましい。これらの高反射率材料層上に、例えばITOのような仕事関数が大きい透明電極材料層を設けることでキャリア注入効率を高めることも可能である。
【0024】
また、陽極13をAl合金で構成し、Al合金の副成分として、主成分のAlよりも相対的に仕事関数が小さい例えばネオジウム等の金属を用いると、Al合金の安定性が向上し、反射率が高く、安定な陽極を実現することが可能となる。この場合、ITOのような仕事関数が大きい透明電極材料層の陽極に比較して仕事関数が小さくなることが多く、一般に用いられるアミン系の正孔注入層のみでは正孔注入障壁が大きくなってしまうことが多い。したがって、アミン材料に対しF4TCNQ(2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane)等のアクセプタ材料を混合した層やPEDOT-PSS(ポリエチレンジオキシチオフェンーポリスチレンスルホン酸)等のいわゆるp-ドープ層を陽極界面に形成するか、後述するアザトリフェニレン誘導体を用いることで、低駆動電圧を得ることが可能となる。特に素子安定性・低駆動電圧の面でアザトリフェニレン誘導体が好ましい。
【0025】
尚、この有機電界発光素子11を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合、陽極13は、TFTが設けられている画素毎にパターニングされていることとする。そして、陽極13の上層には、ここでの図示を省略した絶縁膜が設けられ、この絶縁膜の開口部から、各画素の陽極13表面を露出させていることとする。
【0026】
≪4.陰極の構成≫
一方、陰極15は、仕事関数が小さい材料を用いて有機層14と接する層が構成されており、かつ光透過性が良好な構成で有ればよい。このような構成として、例えば、陰極15は、陽極13側から順に第1層15a、第2層15bを積層した構造となっている。
【0027】
第1層15aは、仕事関数が小さく、かつ光透過性の良好な材料を用いて構成される。このような材料としては、例えばLi2O、Cs2Co3、Cs2SO4、MgF、LiFやCaF2等のアルカリ金属酸化物、アルカリ金属弗化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類弗化物が挙げられる。また、第2層15bは、薄膜のMgAg電極やCa電極などの、光透過性を有しかつ導電性が良好な材料で構成される。また、この有機電界発光素子11が、特に陽極13と陰極15との間で発光光を共振させて取り出す共振器構造で構成される上面発光素子の場合には、例えばMg−Agのような半透過性反射材料を用いて第2層15bを構成し、第2層15bと陽極13の間で発光光を共振させる。また、上記第2層15bは、例えば透明なSiNx化合物からなり、電極の劣化抑制のための封止電極として形成される。
【0028】
尚、以上の第1層15a、第2層15bは、真空蒸着法、スパッタリング法、さらにはプラズマCVD法などの手法によって形成される。また、この有機電界発光素子を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合、陰極15は、ここでの図示を省略した陽極13の周縁を覆う絶縁膜および有機層14によって、陽極13に対して絶縁された状態で基板12上にベタ膜状で形成され、各画素に共通電極として用いてもよい。
【0029】
≪5.有機層の全体構成≫
そして、上述した陽極13および陰極15の間に挟持される有機層14は、少なくとも発光層14cを有する層である。この有機層14は、陽極13側から順に、正孔供給層(ここでは正孔注入層14aおよび正孔輸送層14b)、発光層14c、電子輸送層14dを積層してなる。正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bを積層してなる正孔供給層は、陽極13から発光層14cへ正孔を供給するための層である。また電子輸送層14dは、陰極13から発光層14cへ電子を供給するための層である。
【0030】
これらの各層は、例えば真空蒸着法や、例えばスピンコート法などの他の方法によって形成された有機層からなる。
【0031】
また特に、発光層14cは、後に詳細に説明するような母骨格が環員数3〜7の多環式芳香族炭化水素化合物からなるホスト材料を含む層であるところが特徴的である。この発光層14cは、このようなホスト材料と共に、発光性ゲスト材料を含む層である。発光性ゲスト材料は、発光層14c全体に含有されていて良く、このような単層構造の発光層14cを構成するホスト材料には、アントラセン誘導体が好ましく用いられる。
【0032】
また発光層14cは、発光層14cにおける陽極13側の実質的な発光部位となるエリア、すなわち正孔と電子との再結合エリアのみに発光性ゲスト材料を含有させていても良い。この場合、発光層14cは、陽極13側から、ホスト材料と発光性ゲスト材料とを含む実質的な発光部位となる層と、ホスト材料からなる層との積層構造となる。
【0033】
またこのような積層構造の発光層14cにおいては、発光性ゲスト材料と共に発光部位(再結合エリア)を構成するホスト材料としてナフタセン誘導体が好ましく用いられる。また、発光性ゲスト材料を含有しない層を構成するホスト材料としてアントラセン誘導体が好ましく用いられる。
【0034】
次に、以上のような有機層14を構成する各層の材質と膜厚の特徴を説明する。
【0035】
≪6.有機層の材質≫
先ず、有機層14を構成する各層の材料構成を、本発明に特徴的である発光層14c、電子輸送層14dの順に説明し、さらに正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bの材料構成を説明する。
【0036】
<発光層14cのホスト材料>
本発明の特徴的な構成の一つとして、発光層14cが、母骨格が環員数3〜7の多環式芳香族炭化水素化合物をホスト材料として含有していることが挙げられる。ホスト材料を構成する多環式芳香族炭化水素化合物の母骨格としては、アントラセン、ピレン、ベンゾピレン、クリセン、ナフタセン、ベンゾナフタセン、ジベンゾナフタセン、ペリレン、またはコロネンから選択される。
【0037】
中でも下記一般式(1)で示されるアントラセンを母骨格として有するアントラセン誘導体をホスト材料とすることが好ましい。
【0038】
【化3】
【0039】
ただし、一般式(1)中において、R1〜R6はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のカルボニル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のカルボニルエステル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、置換基を有しても良い炭素数30以下のシリル基,置換基を有しても良い炭素数30以下のアリール基、置換基を有しても良い炭素数30以下の複素環基、または置換基を有しても良い炭素数30以下のアミノ基を示す。尚、上記置換基を有しても良い基の場合には、置換基の炭素数を含めた炭素数であることとする。
【0040】
一般式(1)におけるR1〜R6が示すアリール基は、例えば、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、フルオレニル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、1−クリセニル基,6−クリセニル基,2−フルオランテニル基,3−フルオランテニル基,2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基等が挙げられる。
【0041】
また一般式(1)中におけるR1〜R6が示す複素環基は、ヘテロ原子としてO、N、Sを含有する5員または6員環の芳香族複素環基、炭素数3〜20の縮合多環芳香複素環基が挙げられる。また、芳香族複素環基及び縮合多環芳香複素環基としては、チエニル基、フリル基、ピロリル基、ピリジル基、キノリル基、キノキサリル基、イミダゾピリジル基、ベンゾチアゾール基が挙げられる。代表的なものとしては,1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、などが挙げられる。
【0042】
一般式(1)中におけるR1〜R6が示すアミノ基は、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基等のいずれでもよい。これらは、総炭素数1〜6の脂肪族および1〜4環の芳香族炭素環の少なくとも一方を有することが好ましい。このような基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ビスビフェニリルアミノ基、ジナフチルアミノ基が挙げられる。
【0043】
尚、上記置換基の2種以上は縮合環を形成していても良く、さらに置換基を有していてもよい。
【0044】
以上のようなホスト材料として適するアントラセン誘導体の具体例としては、下記構造式(1)-1〜(1)-111が例示される。
【0045】
【化3−1】
【0046】
【化3−2】
【0047】
【化3−3】
【0048】
【化3−4】
【0049】
【化3−5】
【0050】
【化3−6】
【0051】
【化3−7】
【0052】
【化3−8】
【0053】
【化3−9】
【0054】
以上のようなアントラセン誘導体は、発光層14cの全域に発光性ゲスト材料が含有されている構成においてのホスト材料として好ましく用いられる。またこのアントラセン誘導体は、発光層14cの発光部位(再結合エリア)のみに発光性ゲスト材料が含有されている構成において、発光性ゲスト材料を含有しない層(部位)のホスト材料としても好ましく用いられる。
【0055】
また特に、発光層14cの発光部位(再結合エリア)のみに発光性ゲスト材料が含有されている構成において、この発光部位(再結合エリア)に用いるホスト材料としては、下記一般式(1)’のナフタセン誘導体が好ましく用いられる。
【0056】
【化4】
【0057】
ただし、一般式(1)’中において、R1〜R8はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数30以下の置換あるいは無置換のシリル基,炭素数30以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数30以下の置換あるいは無置換の複素環基、もしくは炭素数30以下の置換あるいは無置換のアミノ基を示す。
【0058】
一般式(1)’におけるR1〜R8が示すアリール基は、例えば、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、フルオレニル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、1−クリセニル基,6−クリセニル基,2−フルオランテニル基,3−フルオランテニル基,2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基等が挙げられる。
【0059】
また一般式(1)’におけるR1〜R8が示す複素環基は、ヘテロ原子としてO、N、Sを含有する5員または6員環の芳香族複素環基、炭素数2〜20の縮合多環芳香複素環基が挙げられる。また、芳香族複素環基及び縮合多環芳香複素環基としては、チエニル基、フリル基、ピロリル基、ピリジル基、キノリル基、キノキサリル基、イミダゾピリジル基、ベンゾチアゾール基が挙げられる。代表的なものとしては,1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、などが挙げられる。
【0060】
一般式(1)’におけるR1〜R8が示すアミノ基は、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基等のいずれでもよい。これらは、総炭素数1〜6の脂肪族及び/又は1〜4環の芳香族炭素環を有することが好ましい。このような基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ビスビフェニリルアミノ基、ジナフチルアミノ基が挙げられる。
【0061】
尚、上記置換基の2種以上は縮合環を形成していても良く、さらに置換基を有していてもよい。
【0062】
また特に、上記一般式(1)’で表されるナフタセン誘導体は、以下の一般式(1a)’で表されるルブレン誘導体であることが好ましい。
【0063】
【化4−1】
【0064】
一般式(1a)’中、R11〜R15、R21〜R25、R31〜R35、R41〜R45は、それぞれ独立に水素原子、アリール基、複素環基、アミノ基、アリールオキシ基、アルキル基、またはアルケニル基を示す。ただし、R11〜R15、R21〜R25、R31〜R35、R41〜R45は、それぞれ同一であることが好ましい。
【0065】
また一般式(1a)’中R5〜R8は、それぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、または置換基を有しても良いアルケニル基であることとする。
【0066】
一般式(1a)’におけるアリール基、複素環基、およびアミノ基の好ましい態様は、一般式(1)のR1〜R8と同様であって良い。尚、R11〜R15、R21〜R25、R31〜R35、R41〜R45がアミノ基である場合、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、またはアラルキルアミノ基であることとする。これらは、総炭素数1〜6の脂肪族や1〜4環の芳香族炭素環を有することが好ましい。このような基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ビスビフェニリルアミノ基が挙げられる。
【0067】
発光層14cのホスト材料として好適に用いられるナフタセン誘導体のより具体的な他の例としては、一般式(1a)’のルブレン誘導体の一つである下記化合物(1)’-1のルブレンが挙げられるが、この他にも以下の化合物(1)’-2〜(1)’-4が例示される。
【0068】
【化4−2】
【0069】
<発光層14cの発光性ゲスト材料>
発光層14cを構成する発光性ゲスト材料としては、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、低分子りん光色素、りん光性の高分子、さらには金属錯体等の、蛍光発光性ゲスト材料またはリン光発光性ゲスト材料が用いられる。
【0070】
蛍光発光性ゲスト材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ナフタセン誘導体、スチリルアミン誘導体、ビス(アジニル)メテンホウ素錯体、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体,インデノ[1,2,3-cd]ペリレン誘導体、ビス(アジニル)メテンホウ素錯体ピラン系色素等の有機物質が用いられる。
【0071】
また特に、赤色の蛍光発光性ゲスト材料としては、ペリレン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、ピロメテン錯体、ピラン誘導体、またはスチリル誘導体などが用いられる。この場合には、上記一般式(1)’で示したナフタセン誘導体をホスト材料として用いることが好ましい。
【0072】
りん光発光性ゲスト材料としては、イリジウム錯体、白金錯体、レニウム錯体、オスミウム錯体、ルテニウム錯体、金錯体などの有機金属燐光材料や、他のオルトメタル化錯体が用いられる。尚、三重項励起子を経由したりん光発光が得られるリン光発光性材料を用いることにより、一重項励起子を経由した蛍光発光を利用する蛍光材料よりも、原理的には高い発光効率が期待される。
【0073】
このような発光性ゲスト材料は、以降に説明するように発光層14cが70nm以上の膜厚で形成されていれば、発光層14cの全域にドープされていても良いし、発光層14cの陽極13寄りの再結合エリアのみにドープされていても良い。また、数種類の発光性ゲスト材料を混合しても良いし、異なる発光性ゲスト材料を含有した積層構造として発光層14cを構成しても良い。
【0074】
このような発光性ゲスト材料は、濃度消光しない最適値で発光層14c内にドープされていればよく、具体的にはドープ濃度は体積比50%〜0.1%であることとする。
【0075】
<電子輸送層14d>
本発明の特徴的な構成の2つ目として、発光層14cと陰極15との間に設けた電子輸送層14dが、含窒素複素環誘導体を含む層として設けられていることが挙げられる。含窒素複素環誘導体を含む電子輸送層14dは、電子を発光層14cに輸送するためのものである。電子輸送層14dの材料としては、例えば、キノリン、フェナントロリン、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ベンゾイミダゾ−ルまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。具体的には、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(略称Alq3 )、ベンゾイミダゾール誘導体、アクリジン、スチルベン、1,10−フェナントロリンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。
【0076】
特に発光層14cを150nm以上の厚膜に形成する場合には、有機電界発光素子11を低電圧駆動とするために、下記一般式(2)で示すベンゾイミダゾール誘導体あるいは一般式(2)’で示すフェナントロリン環を少なくとも1個有するフェナントロリン誘導体を含窒素複素環誘導体として含む電子輸送層14dとすることが好ましい。
【0077】
【化5】
【0078】
ただし一般式(2)中において、A1,A2は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有しても良い炭素数60以下のアリール基、置換基を有しても良い複素環基、置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルキル基、または置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルコキシ基を示す。さらに、A1,A2は、連結基を介して結合していても良い。
【0079】
また一般式(2)中のBは、置換基を有しても良い炭素数60以下のアリーレン基、置換基を有しても良いピリジニレン基、置換基を有しても良いキノリニレン基、または置換基を有しても良いフルオレニレン基を示す。
【0080】
さらに一般式(2)中のArは、置換基を有しても良い炭素数6〜60のアリール基、置換基を有しても良い炭素数3〜60の複素環基、置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルコキシ基を示す。
【0081】
このような一般式(2)のベンゾイミダゾール誘導体の具体例を、下記表1〜6の構造式(2)-1〜(2)-48に示す。尚、表1〜6において、Ar(α)は、一般式(2)中における[ベンゾイミダゾール構造+A1+A2]を示す。
【0082】
【表1】
【0083】
【表2】
【0084】
【表3】
【0085】
【表4】
【0086】
【表5】
【0087】
【表6】
【0088】
以上の構造式(2)-1〜(2)-48に代表される一般式(2)のベンゾイミダゾール誘導体は、特許4185097に記載された合成例で用いられた合成法で、合成することができるが、本特許についてはこれに何ら限定されるものではない。
【0089】
また、本発明において発光層14cと陰極15との間に設ける電子輸送層を構成する含窒素複素環誘導体としてのベンゾイミダゾール誘導体は、一般式(2)で示される構造に限定されず、下記構造式(2)-49〜(2)-60に示す材料であっても良い。
【0090】
【化6】
【0091】
さらに、本発明において発光層14cと陰極15との間に設ける電子輸送層を構成する含窒素複素環誘導体としてのベンゾイミダゾール誘導体は、先に示した構造の他、構造式(2)-61〜(2)-88に示すジベンゾイミダゾール誘導体であっても良い。
【0092】
【化7−1】
【0093】
【化7−2】
【0094】
また、一般式(2)’で示すフェナントロリン環を少なくとも1個有するフェナントロリン誘導体の具体例を下記構造式(2)’-1〜(2)’-14に示す。
【0095】
【化8】
【0096】
尚、電子輸送層14dは、1種類の含窒素複素環誘導体を含む層の単層であってもよく、含窒素複素環誘導体を2種以上含んだ混合層であってもよく、含窒素複素環誘導体と他の化合物との混合層であってもよい。ここで、他の化合物としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属およびその酸化物、複合酸化物、フッ化物、炭酸塩から選ばれる少なくとも1種が挙げられる。また、電子輸送層14dが、含窒素複素環誘導体を含む層を複数積層して構成されていてもよく、含窒素複素環誘導体を含む層とこれ以外の化合物の層を含む積層構造であってもよい。この場合、含窒素複素環誘導体以外の化合物の層は、含窒素複素環誘導体を含む層の陽極13側に配置されても陰極15側に配置されてもよい。
【0097】
<正孔注入層14aおよび正孔輸送層14b>
正孔供給層を構成する正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bは、一般的な正孔注入・正孔輸送材料を用いて構成される。またより好ましい材料としては、下記一般式(3)に示すアザトリフェニレン誘導体、下記一般式(4)に示すアミン誘導体、下記一般式(5)に示すジアミン誘導体、または下記一般式(6)に示すトリアリールアミン多量体である。これらの化合物を用いて正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bを構成することにより、上述した電子輸送層14dの電子供給に対して、正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bから発光層14cへの正孔供給を最適化できる。
【0098】
【化9】
【0099】
これらの一般式(3)〜(6)の材料は、正孔注入層14a、正孔輸送層14bのどちらに用いてもよい。ただし、窒素(N)含有率の高い組成の化合物を正孔注入層14aとして用いることにより、陽極13からの正孔注入障壁を低減することができるため。また、本発明の構成においては電子注入が強化されていることから、良好なキャリアバランスを得るためにも陽極界面には正孔注入性の高いアザトリフェニレン誘導体[一般式(3)]を用いることがさらに好ましい。
【0100】
ここで、上記一般式(3)に示すアザトリフェニレン誘導体は、一般式(3)中におけるR1〜R6が、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アリールアミノ基、炭素数20以下の置換もしくは無置換のカルボニル基、炭素数20以下の置換もしくは無置換のカルボニルエステル基、炭素数20以下の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数20以下の置換もしくは無置換のアルケニル基、炭素数20以下の置換もしくは無置換のアルコキシル基、炭素数30以下の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数30以下の置換もしくは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基を示す。そして隣接するRm(m=1〜6)は環状構造を通じて互いに結合してもよい。一般式(3)中のX1〜X6は、それぞれ独立に炭素もしくは窒素(N)原子である。この化合物は、特にXがN原子のとき、化合物中のN含有率が高くなるため、正孔注入層14aに好適に用いられる。
【0101】
ここで、アザトリフェニレン誘導体の具体例としては、下記構造式(3)-1に示すヘキサニトリルアザトリフェニレンが挙げられる。
【0102】
【化10】
【0103】
また、上記一般式(4)に示すアミン誘導体は、上記一般式(4)中におけるA0〜A2が、それぞれ独立に炭素数6〜30の芳香族炭化水素を示す。A0〜A2の芳香族炭化水素は、各々が無置換もしくは置換基を有しても良い。この場合、置換基としては、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボニルエステル基、アルキル基、アルケニル基、環状アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アミノ基、複素環基、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる。これらの置換基は、A0〜A2の芳香族炭化水素に対していくつ置換されても良い。
【0104】
ここで、上記アミン誘導体の具体例としては、下記構造式(4)-1〜(4)-9の化合物が挙げられる。
【0105】
【化11】
【0106】
また、一般式(5)に示すジアミン誘導体は、一般式(5)中にけるA3〜A6が、それぞれ独立に炭素数6〜20の芳香族炭化水素を示す。A3〜A6の芳香族炭化水素は、各々が無置換、しくは置換基を有しても良い。この場合、置換基としては、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボニルエステル基、アルキル基、アルケニル基、環状アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アミノ基、複素環基、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる。これらの置換基は、A3〜A6の芳香族炭化水素に対していくつ置換されても良い。またA3とA4、A5とA5はそれぞれ連結基を介して結合していてもよい。また一般式(5)中にけるYは、芳香族炭化水素を示し、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、フルオランテン、ペリレンから選ばれるものであって、mは1以上の整数を示す。
【0107】
ここで、上記ジアミン誘導体の具体例としては、下記構造式(5)-1〜(5)-83に示す化合物があげられる。
【0108】
【表7】
【0109】
【表8】
【0110】
【表9】
【0111】
【表10】
【0112】
また、上記一般式(6)に示すトリアリールアミン多量体は、一般式(6)中におけるA7〜A12が、それぞれ独立に炭素数6〜20の芳香族炭化水素を示す。A7〜A12の芳香族炭化水素は、各々が無置換もしくは置換基を有しても良い。この場合、置換基としては、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボニルエステル基、アルキル基、アルケニル基、環状アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アミノ基、複素環基、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる。これらの置換基は、A7〜A12の芳香族炭化水素にいくつ置換されていても良い。一般式(6)中のZ1からZ3は、芳香族炭化水素を示し、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、フルオランテン、ペリレンから選ばれるものである。さらに一般式(6)中のp、qおよびrは、1以上の整数を示す。また一般式(6)中のA7とA8、A9とA10、A11とA12はそれぞれ連結基を介して結合していてもよい。
【0113】
ここで、上記トリアリールアミン多量体の具体例としては、下記構造式(6)-1〜(6)-15に示す化合物が挙げられる。
【0114】
【表11】
【0115】
以上のような有機層14を構成する各層14a〜14dは、他の要件を備えてもよい。さらに、各層14a〜14dがそれぞれ積層構造であってもよい。例えば、発光層14cが、青色発光層と緑色発光層と赤色発光層との積層構造で構成され、白色に発光する有機電界発光素子を構成してもよい。
【0116】
≪7.有機層の膜厚構成≫
次に、上述した材料で構成された各層を積層してなる有機層14の膜厚構成を説明する。
【0117】
図1を参照し、有機層14中における発光層14cの膜厚を[d1]とし、有機層14の全体の総膜厚を[da]とする。この場合、0.90>[d1]/[da]>0.30の関係を満たすように有機層14の総膜厚[da]と発光層14cの膜厚[d1]とが設計されていることとする。これにより、後の実施例で説明するように発光層14cに対する正孔・電子の供給バランスがとり易く、電流効率および発光寿命の向上が図れるため好ましい。
【0118】
この数式の根拠を以下に述べる。先ず、ホスト材料を含む発光層14cに対して、陰極を直接形成する構成では、後述する励起子の陰極への拡散が懸念される。このため、発光層14cと陰極15との間には電子注入層14dを設ける必要があると考えられる。また、基板表面(トップエミッション素子の場合には、陽極13の表面となる)のラフネスを吸収するためには、発光層14cと陽極13との間に、正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bなどの正孔供給層を設ける必要があると考えられる。
【0119】
たとえば、一次の干渉による青色発光素子の有機層14の総膜厚[da]は、概ね170〜250nm程度であり150nm以上が好ましい。ここで、発光層14cへの電子注入が円滑に行なわれ、かつ、基板表面のラフネスを吸収するためには、有機層14の総膜厚が200nmは必要と考えられ、この事が[d1]/[da]の数値的下限の根拠となっている。
【0120】
一方、数値的上限の根拠に関しては、下記に詳細に述べるが、励起子を生成するために必要な再結合領域及び生成した励起子の拡散長を考慮して規定している。
【0121】
また発光層14cの膜厚[d1]は、さらに70nm以上で形成されていることが好ましく、70nm以上の膜厚で形成されることで、電子供給が強すぎることがなく、正孔供給とのバランスをとることが可能になる。
【0122】
この70nmという数値の根拠に付いて以下に述べる。発光層14cに注入された正孔と電子は、再結合して励起子を生成し発光に至るが、この再結合領域は、概ね20nm程度の膜厚中に局在している。発光層14c内における再結合領域の分布は、再結合領域が発光層14cの膜厚中心に近い場合には正規分布を取る場合やポアソン分布になる場合もある。また、発光層14cの界面に再結合領域が局在する場合には、χ2分布(χ二乗分布)や正規分布に従う場合もあり、発光層14cを構成するホスト材料と発光性ゲスト材料との性質によって決まるもので、一義的に定義することは出来ない。また、生成した励起子の拡散長は、概ね30nm以内である。
【0123】
発明者らが検討したデバイス構造の中で、再結合領域が発光層14cの中心にあるデバイスがあった。この場合、再結合領域に必要な膜厚20nmとし、さらに励起子の拡散長として陽極13方向および陰極15方向に各25nmを確保することを考慮すると、発光層14cの膜厚[d1]として最低でも70nm以上は必要になる。
【0124】
ここで、励起子の拡散長を含めた膜厚が充分に確保されない場合には、励起子エネルギーが周辺の正孔供給層や電子輸送層へ拡散し、その結果、発光効率の低下や寿命が短くなる等、デバイス特性を悪化させ、極めて好ましくない。尚、発光層14cの膜厚[d1]が合計で70nm以上であれば、異なるアントラセン誘導体を積層した積層構造であっても良い。
【0125】
次に、正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bからなる正孔供給層の合計膜厚[d2]は、発光層14cの膜厚[d1]よりも薄いこととする。これらの正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bは、発光層14cに対して正孔供給能のバランスをとるため、正孔注入層14aと正孔輸送層14bのトータル膜厚[d2]が60nm以下に設定されていることが好ましい。その理由は、光取り出し効率を最大に近付ける為には、再結合領域が正孔供給層と発光層14cとの界面側に局在した場合、後述する数式(2)より導かれるように正孔供給層の膜厚[d2]は、60nm以下であることが好ましいと考えられる。
【0126】
またさらに、この有機電界発光素子11は、陽極13と陰極15との間で発光光を共振させて取り出す共振器構造とすることで、取り出し光の色純度を向上させ、共振の中心波長付近の取り出し光の強度を向上させることが可能となる。この場合、例えば陽極13の発光層14c側の反射端面を第1端部P1、陰極15の発光層14c側の反射端面を第2端部P2とし、有機層14を共振部とする。そして、発光層14cで発生した光を共振させて第2端部P2側から取り出す共振器構造とした場合、共振器の第1端部P1と第2端部P2との間の光学的距離Lを、下記数式(1)を満たすように設定する。光学的距離Lは、実際には数式(1)を満たす正の最小値となるように選択することが好ましい。
【0127】
【数1】
【0128】
上記数式(1)中において、Lは、第1端部P1と第2端部P2との間の光学的距離である。Φは、第1端部P1で生じる反射光の位相シフトΦ1 と、第2端部P2で生じる反射光の位相シフトΦ2 との和(Φ=Φ1 +Φ2 )(rad)である。λは、第2端部P2の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長である。mは、Lが正となる整数である。尚、数式(1)においてLおよびλは単位が共通すればよく、例えば(nm)を単位とする。
【0129】
また、有機発光素子11では、発光層14cの最大発光位置と第1端部P1との間の光学的距離L1 が下記数式(2)を満たし、最大発光位置と第2端部P2との間の光学的距離L2 が下記数式(3)を満たすように調整されている。ここで、最大発光位置とは、発光領域のうちで最も発光強度が大きい位置を言う。例えば、発光層14cの陽極13側と陰極15側との両方の界面で発光する場合には、そのうち発光強度の大きい方の界面となる。
【0130】
【数2】
【0131】
上記数式(2)中において、tL1 は、第1端部P1と最大発光位置との間の光学的理論距離である。a1 は、発光層14cにおける発光分布に基づく補正量である。λは、取り出したい光のスペクトルのピーク波長である。Φ1 は、第1端部P1で生じる反射光の位相シフト(rad)である。m1 は、0または整数である。
【0132】
【数3】
【0133】
上記数式(3)中において、tL2 は、第2端部P2と最大発光位置との間の光学的理論距離である。a2 は、発光層14cにおける発光分布に基づく補正量である。λは、取り出したい光のスペクトルのピーク波長である。Φ2 は、第2端部P2で生じる反射光の位相シフト(rad)である。m2 は、0または整数である。
【0134】
上記数式(2)は、発光層14cで発生した光のうち陽極13の方へ向かう光が第1端部P1で反射して戻ってきたときに、その戻り光の位相と発光時の位相とが同一となり、発光した光のうち陰極15の方へ向かう光と強め合う関係となるようにするためのものである。また、数式(3)は、発光層14cで発生した光のうち陰極15の方へ向かう光が第2端部P2で反射して戻ってきたときに、その戻り光の位相と発光時の位相とが同一となり、発光した光のうち陽極13の方へ向かう光と強め合う関係となるようにするためのものである。
【0135】
本実施形態の有機電界発光素子11では、発光層14cの膜厚[d1]を正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bのトータル膜厚[d2]よりも厚く形成することで、上記数式(2)、(3)のm1>m2となるように設計することが可能である。これにより、光の取り出し効率を高めることができる。
【0136】
尚、数式(2)の光学的理論距離tL1 および数式(3)の光学的理論距離tL2 は、発光領域に広がりがないと考えた場合に、第1端部P1または第2端部P2での位相変化量と、進行することでの位相変化量がちょうど打ち消し合い、戻り光の位相と発光時の位相とが同一となる理論値である。ただし、発光部分には通常広がりがあるので、数式(2)および数式(3)では、発光分布に基づく補正量a1 、a2 が加えられている。
【0137】
補正量a、a2 は発光分布により異なるが、最大発光位置が発光層14cの陰極15側にあり、発光分布が最大発光位置から陽極13側に広がっている場合、または最大発光位置が発光層14cの陽極13側にあり、発光分布が最大発光位置から陰極15側に広がっている場合には、例えば下記数式(4)により求められる。
【0138】
【数4】
【0139】
数式(4)中において、bは、発光層14cにおける発光分布が最大発光位置から陽極13の方向へ広がっている場合には2n≦b≦6nの範囲内の値、最大発光位置から陰極15の方向へ広がっている場合には−6n≦b≦−2nの範囲内の値である。sは、発光層14cにおける発光分布に関する物性値(1/e減衰距離)である。nは、取り出したい光のスペクトルのピーク波長λにおける第1端部P1と第2端部P2との間の平均屈折率である。
【0140】
≪8.表示装置の構成≫
次に、上述した構成の有機電界発光素子11を基板12上に配列形成してなるアクティブマトリックス方式の表示装置の例について、図2の回路構成図について説明する。
【0141】
図2に示すように、この表示装置20の基板12上には、表示領域12aとその周辺領域12bとが設定されている。表示領域12aには、複数の走査線21と複数の信号線22とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して1つの画素aが設けられた画素アレイ部として構成されている。これら各画素aには有機電界発光素子が設けられている。また、周辺領域12bには、走査線21を走査駆動する走査線駆動回路23と、輝度情報に応じた映像信号(すなわち入力信号)を信号線22に供給する信号線駆動回路24とが配置されている。
【0142】
各画素aに設けられる画素回路は、例えば有機電界発光素子11、駆動トランジスタTr1、書き込みトランジスタ(サンプリングトランジスタ)Tr2、および保持容量Csで構成されている。そして、走査線駆動回路23による駆動により、書き込みトランジスタTr2を介して信号線22から書き込まれた映像信号が保持容量Csに保持され、保持された信号量に応じた電流が有機電界発光素子11に供給され、この電流値に応じた輝度で有機電界発光素子11が発光する。尚、駆動用の薄膜トランジスタTr2と保持容量Csとは、共通の電源供給線(Vcc)25に接続されている。
【0143】
尚、以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。また、周辺領域12bには、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路が追加される。
【0144】
尚、本発明にかかる表示装置は、図3に開示したような、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部である表示領域12aを囲むようにシーリング部27が設けられ、このシーリング部27を接着剤として、透明なガラス等の対向部(封止基板28)に貼り付けられ形成された表示モジュールが該当する。この透明な封止基板28には、カラーフィルタ、保護膜、遮光膜等が設けられてもよい。尚、表示領域12aが形成された表示モジュールとしての基板12には、外部から表示領域12a(画素アレイ部)への信号等を入出力するためのフレキシブルプリント基板29が設けられていてもよい。
【0145】
このような有機電界発光素子11および表示装置20によれば、正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bからなる正孔供給層の膜厚を、発光層14cよりも相対的に薄くすることで、上記アントラセン含有の発光層14cへの正孔供給量を増大させることができる。これにより、発光層14c中における正孔と電子の過不足がなく、かつキャリア供給量も十分多いキャリアバランスを得ることができるため、高い発光効率を得ることができる。また、正孔と電子の過不足がないことで、キャリアバランスが崩れにくく、駆動劣化が抑制され、発光寿命を長くすることができる。
【0146】
また、有機層14全体の総膜厚が厚くとも駆動電圧が低い素子構成をとることが可能であるため、基板12上に異物があっても覆うことが可能である。したがって陽極13と陰極15間でのショートが発生し難く、非発光画素が生じないため有機電界発光素子11およびこれを用いた表示装置20の生産歩留まりを改善することが出来る。
【0147】
尚、本発明の有機電界発光素子11は、TFT基板を用いたアクティブマトリックス方式の表示装置20に用いることに限定されず、パッシブ方式の表示装置に用いる有機電界発光素子としても適用可能であり、同様の効果を得ることができる。パッシブ方式の表示装置である場合には、上記陰極15または陽極13の一方が信号線として構成され他方が走査線として構成される。
【0148】
また、以上の実施形態においては、基板12と反対側に設けた陰極15側から発光を取り出す「上面発光型」の場合を説明した。しかし本発明は、基板12を透明材料で構成することで、発光を基板12側から取り出す「下面発光型」の有機電界発光素子にも適用される。この場合、図1を用いて説明した積層構造において、透明材料からなる基板12上の陽極13を、例えばITOのような仕事関数が大きい透明電極材料を用いて構成する。これにより、基板12側および基板12と反対側の両方から発光光が取り出される。また、このような構成において、陰極15を反射材料で構成することにより、基板12側からのみ発光光が取り出される。この場合、陰極15の最上層にAuGeやAu、Pt等の封止電極を付けてもよい。
【0149】
さらに、図1を用いて説明した積層構造を、透明材料からなる基板12側から逆に積み上げて陽極13を上部電極とした構成であっても、基板12側から発光光を取り出す「透過型」の有機電界発光素子を構成することができる。この場合においても、上部電極となる陽極13を透明電極に変更することで、基板12側および基板12と反対側の両方から発光光が取り出される。
【0150】
また、以上の実施形態で説明した本発明の有機電界発光素子11は、発光層14cを有する有機層14のユニットを積層してなるスタック型の有機電界発光素子に適用することも可能である。ここで、スタック型とは、タンデム素子のことであり、例えば、特開平11−329748号公報では、複数の有機発光素子が中間導電層を介して電気的に直列に接合されていることを特徴とする素子に付いて述べられている。
【0151】
また、特開2003−45676号公報及び特開2003−272860号公報には、タンデム素子を実現するための素子構成の開示と詳細な実施例が記載されている。これらによれば、有機層のユニットを2ユニット積層した場合には、理想的にはlm/Wは変ること無しにcd/Aを2倍に、3層積層した場合には、理想的にはlm/Wは変ること無しにcd/Aを3倍にすることが可能であると述べられている。
【0152】
従って、本発明をタンデム素子に用いた場合には、タンデム素子とすることで効率が向上することによる長寿命化と、本発明における長寿命化効果が相乗効果となり、極めて長寿命な素子を得ることが可能になる。
【0153】
≪9.適用例≫
以上説明した本発明に係る表示装置は、図4〜図8に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
【0154】
図4は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル102やフィルターガラス103等から構成される映像表示画面部101を含み、その映像表示画面部101として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。
【0155】
図5は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、(A)は表側から見た斜視図、(B)は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部111、表示部112、メニュースイッチ113、シャッターボタン114等を含み、その表示部112として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【0156】
図6は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体121に、文字等を入力するとき操作されるキーボード122、画像を表示する表示部123等を含み、その表示部123として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【0157】
図7は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部131、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ132、撮影時のスタート/ストップスイッチ133、表示部134等を含み、その表示部134として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【0158】
図8は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す斜視図であり、(A)は開いた状態での正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた除隊での正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体141、下側筐体142、連結部(ここではヒンジ部)143、ディスプレイ144、サブディスプレイ145、ピクチャーライト146、カメラ147等を含み、そのディスプレイ144やサブディスプレイ145として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【実施例】
【0159】
次に、本発明の具体的な実施例およびこれらの実施例に対する比較例の有機電界発光素子の製造手順と、これらの評価結果を説明する。
【0160】
<実施例1〜12>
上述した実施の形態において、図1を用いて説明した構成の有機電界発光素子11を形成した。ここでは、陽極13から注入された正孔と陰極15から注入された電子が発光層14c内で再結合する再に生じた発光光を、陰極15側から取り出す上面発光方式の有機電界発光素子11を形成した。また発光光が、陽極13と陰極15との間で共振して取り出される共振器構造として有機電界発光素子11を形成した。尚、下記表12には、実施例1〜12および比較例1〜6の層構成を合わせて示すが、各実施例および比較例で共通している構成については、その記載を省略している。以下に有機電界発光素子11の製造手順を説明する。
【0161】
【表12】
【0162】
先ず、30mm×30mmのガラス板からなる基板12上に、陽極13として、Ag層200nmの膜厚で形成した後、Ag層上にITO層を10nmの膜厚で形成した。この場合には、陽極13中のAg層における有機層14側の端面が、形成する共振器構造の第1端面P1となる。次に、SiO2蒸着により2mm×2mmの発光領域以外を絶縁膜(図示省略)でマスクした有機電界発光素子用のセルを作製した。
【0163】
次に、陽極13上に、正孔注入層14aとして、先の構造式(5)-57に示すジアミン誘導体を真空蒸着法により10nm(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec)の膜厚で形成した。さらにこの正孔注入層14a上に、(5)-43からなる正孔輸送層14bを上記表12に示す各膜厚で成膜した。
【0164】
次いで、上記表12に示すように、各実施例1〜12および比較例1〜6毎に、各材料を各膜厚で用いて発光層14cおよび電子輸送層14dをこの順に正孔輸送層14b上に蒸着成膜して有機層14を得た。これにより、総膜厚[da]=150nm以上の有機層14を形成した。
【0165】
また、表12に示す各材料は以下の通りであり、発光層14cのホスト材料(1),(2)としてアントラセン誘導体、ホスト材料(3)としてナフタセン誘導体を用いた。ただし、比較例5,6では、ホスト材料Aとして本発明に含まれない環員数2の多環式芳香族水素化合物であるBAlqを用いた。発光層14cの発光性ゲスト材料には、青色のゲスト材料(1)、緑色のゲスト材料(2)、赤色のゲスト材料(3)、(4)、および赤色のりん光発光性ゲスト材料(5)を用いた。さらに、電子輸送層14dを構成するETL材料(1)〜(4)には含窒素複素環誘導体を用いた。
【0166】
【化12】
【0167】
以上のようにして正孔注入層14a〜電子輸送層14dまでの有機層14を形成した後、陰極15の第1層15aとして、LiFを真空蒸着法により約0.3nm(蒸着速度〜0.01nm/sec)の膜厚で形成し、次いで、第2層15bとしてMgAgを真空蒸着法により10nmの膜厚で形成し、2層構造の陰極15を設けた。この場合には、第2層15bの有機層14側の面が、共振器構造の第2端面P2となる。
【0168】
以上のようにして、本発明を適用した実施例1〜12の有機電界発光素子11、および比較例1〜6の有機電界発光素子を作製した。これらの有機電界発光素子、陽極13と陰極15のショートを防ぐのに有効なように、有機層14の総膜厚d2=150nm以上の厚膜とした構成となっている。
【0169】
<評価結果−1>
上述のように作製した実施例1〜12および比較例1〜6の有機電界発光素子について、10mAcm-2の電流密度における電流効率(cd/A)および駆動電圧(V)を測定した。また、50℃で50mAcm-2の定電流駆動時の初期輝度を1とした相対輝度が0.8に低下する時間を発光寿命として測定した。この結果を上記表12に合わせて示した。
【0170】
この表12に示すように、本発明を適用して作製した実施例1〜12の有機電界発光素子11は、発光層14cを構成するホスト材料(1)〜(3)は、母骨格が環員数3または4の多環式芳香族炭化水素化合物からなる。さらに、発光層14cの膜厚[d1]は、正孔注入層14a(10nm)および正孔輸送層14b(30nm)を合わせた正孔供給層の膜厚[d2](40nm)よりも大きい。
【0171】
一方、比較例1〜5の有機電界発光素子は、発光層14cの膜厚[d1]が、正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bを合わせた正孔供給層の膜厚[d2]よりも大きい構成ではない。また、比較例5,6の有機電界発光素子は、発光層14cを構成するホスト材料Aが母骨格が環員数3〜7の多環式芳香族炭化水素化合物ではない。
【0172】
これらの実施例1〜12と比較例1〜5とを比較すると次のようである。
【0173】
同一のゲスト材料(1)を全領域にドープした発光層14cを有する実施例1〜3と比較例1〜3とを比較すると、発光層14cの膜厚[d1]を、正孔輸送層および正孔輸送層からなる正孔供給層の膜厚[d2]よりも厚くした実施例1〜3の方が、電流効率が高く、駆動電圧が低く、発光寿命の長かった。また、有機層14の総膜厚d2=150nm以上と厚膜であるにもかかわらず、特に電子輸送層14dを構成する含窒素複素環誘導体として一般式(2)に相当するETL(3)のベンゾイミダゾール誘導体を用いた実施例3〜5は、同様の構成の比較例1〜3よりも充分低い駆動電圧の素子が形成できることが確認された。
【0174】
さらに、実施例9,10の比較から、発光性ゲスト材料が発光層14cの陽極13寄りの再結合エリアのみにドープされた構成では、ゲスト材料を含有しない層がホスト材料(1)のアントラセン誘導体であることで、電流効率が高く、駆動電圧が低く、発光寿命の長の有機電界発光素子が得られることが確認された。
【0175】
実施例5,8に示すようにジケトピロロピロール錯体である赤色のゲスト材料(3)や、実施例8,9に示すようにピロメテン錯体である赤色のゲスト材料(4)とともに、ナフタセン誘導体であるホスト材料(3)とを組み合わせて用いることにより、発光効率の良好な有機電界発光素子が得られることが確認された。
【0176】
また、実施例11,12と比較例5,6との比較から、リン光発光性のゲスト材料(5)を用いた場合であっても、本発明を適用することにより、電流効率が高く、駆動電圧が低く、発光寿命の長の有機電界発光素子が得られることが確認された。
【0177】
<実施例13〜20>
上述した実施の形態において、図1を用いて説明した構成の有機電界発光素子11を形成した。ここでは、先の実施例1〜12と同様に、陽極13から注入された正孔と陰極15から注入された電子が発光層14c内で再結合する再に生じた発光光を、陰極15側から取り出す上面発光方式の有機電界発光素子11を形成した。また発光光が、陽極13と陰極15との間で共振して取り出される共振器構造として有機電界発光素子11を形成した。尚、下記表13には、各実施例13〜20の各層の膜厚を合わせて示すが、各実施例で共通している構成については、その記載を省略している。以下に有機電界発光素子11の製造手順を説明する。
【0178】
【表13】
【0179】
先ず、30mm×30mmのガラス板からなる基板12上に、陽極13として、Ag層200nmの膜厚で形成した後、Ag層上にITO層を10nmの膜厚で形成した。この場合には、陽極13中のAg層における有機層14側の端面が、形成する共振器構造の第1端面P1となる。次に、SiO2蒸着により2mm×2mmの発光領域以外を絶縁膜(図示省略)でマスクした有機電界発光素子用のセルを作製した。
【0180】
次に、陽極13上に、正孔注入層14aとして、構造式(5)-57からなるジアミン誘導体を真空蒸着法により10nm(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec)の膜厚で形成した。さらにこの正孔注入層14a上に、(5)-42からなる正孔輸送層14bを上記表13に示す各膜厚で成膜した。
【0181】
次いで、下記の材料を用いた発光層14cおよび電子輸送層14dをこの順に蒸着によって形成し、総膜厚d2=150nm以上の有機層14を得た。この際、実施例13〜20毎に、上記表13に示す各膜厚で発光層14cおよび電子輸送層14dを成膜した。尚、発光層14cのホスト材料(1)にはアントラセン誘導体を用い、電子輸送層14dを構成するETL材料(7)には含窒素複素環誘導体としてベンゾイミダゾール誘導体を用いた。また発光層14c中におけるゲスト材料(6)の添加量は、5wt%である。
【0182】
【化13】
【0183】
以上のようにして正孔注入層14a〜電子輸送層14dまでの有機層14を形成した後、陰極15の第1層15aとして、LiFを真空蒸着法により約0.3nm(蒸着速度〜0.01nm/sec)の膜厚で形成し、次いで、第2層15bとしてMgAgを真空蒸着法により10nmの膜厚で形成し、2層構造の陰極15を設けた。この場合には、第2層15bの有機層14側の面が、共振器構造の第2端面P2となる。
【0184】
以上のようにして、有機電界発光素子11を作製した。この有機電界発光素子11は、陽極13と陰極15のショートを防ぐのに有効なように、有機層14の総膜厚[da]=150nm以上の厚膜とした構成となっている。
【0185】
<評価結果−2>
上述のように作製した実施例13〜20の有機電界発光素子11について、10mAcm-2の電流密度における電流効率(cd/A)を測定した。また、50℃で50mAcm-2の定電流駆動時の初期輝度を1とした相対輝度が0.8に低下する時間を発光寿命として測定した。この結果を上記表13に合わせて示した。また図9には、有機層14の総膜厚[da]に対する発光層14cの膜厚[d1]の値[d1]/[da]と、電流効率および発光寿命との関係をグラフにして示した。
【0186】
この結果から0.90>[d1]/[da]>0.30の関係を満たす範囲であれば、電流効率が5.2(4.0)(cd/A)以上、発光寿命が500(400)(hr)以上に確保されることが確認された。
【符号の説明】
【0187】
11…有機電界発光素子、13…陽極、14…有機層、14a…正孔注入層(正孔供給層)、14b…正孔輸送層(正孔供給層)、14c…発光層、14d…電子輸送層、15…陰極
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機電界発光素子(いわゆる有機EL素子)および表示装置に関し、特に、アントラセン誘導体を含む発光層を備えた有機電界発光素子および表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
有機材料のエレクトロルミネッセンス(electroluminescence:以下ELと記す)を利用した有機電界発光素子(いわゆる有機EL素子)は、陽極と陰極との間に有機正孔輸送層や有機発光層を積層させた有機層を設けてなり、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
【0003】
図12は、このような有機電界発光素子の一構成例を示す断面図である。この図に示す有機電界発光素子51は、例えばガラス等からなる透明な基板52上に設けられており、基板52上に設けられた陽極53、陽極53上に設けられた有機層54、および有機層54上に設けられた陰極55により構成されている。有機層54は、陽極53側から、正孔注入層54a、正孔輸送層54b、発光層54cおよび電子輸送層54dを順次積層させた構成を有している。また以上の他にも、基板側から順に、陰極55、有機層54、陽極53を順次積層した構成のものもある。
【0004】
このような構成の有機電界発光素子51では、陰極55から注入された電子と陽極53から注入された正孔とが発光層54cにて再結合し、この再結合の際に生じる光が陽極53または陰極55を介して取り出される。
【0005】
ところで上述した有機電界発光素子51を構成する有機層54のうち、発光層54cは、アントラセン誘導体からなるホスト材料に、別途発光中心のドーパント(ゲスト材料)を添加して用いられることが多い。アントラセン誘導体は、正孔よりも電子の輸送能が高い。このため、アントラセン誘導体を用いた発光層54cにおいては、電子と正孔の再結合領域が陽極53側に集中する。このため、高い発光効率が得えられる一方で、電子の正孔輸送層54bへの漏れが生じ易く、このような電子もの漏れが有機電界発光素子51の寿命特性を低下させる要因の一つになっている。
【0006】
そこで、素子全体のキャリアバランスを整える試みとして、発光層54cと電子輸送層54dとの間に正孔輸送性が高い層を配置した構成が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
【0007】
また以上のような有機電界発光素子51においては、陽極53および陰極55間のショートを防止して発光不良発生を軽減するために、有機層54はある程度以上の膜厚が必要である。このため一般的には、高い移動度を示す正孔輸送層54bを厚膜化して有機層54全体の膜厚を確保している(例えば、特許文献2参照)。またこの他にも、電子輸送層54d中に活性金属をドープすることで当該電子輸送層54dを高移動度とし、この電子輸送層54dを厚膜化する構成も提案されている(例えば、特許文献3参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特開2006−66890号公報
【特許文献2】特開2005−101008号公報
【特許文献3】特開2005−123094号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
しかしながら、特許文献1に記載されたように、発光層と電子輸送層の間に正孔輸送性が高い層が配置された有機電界発光素子では、発光層への電子輸送性が低下する。このため、駆動電圧の上昇およびキャリア不足により電流効率が悪くなり、結果として寿命特性を向上させる効果が低かった。
【0010】
また、特許文献2のように、正孔輸送層を厚膜化することで有機層54の膜厚を確保する構成では、正孔輸送層が高い移動度を示すとは言え、駆動電圧が高くなり安く、ある程度の膜厚以上に堆積させるのは難しい。そして、特許文献3に記載されたように、活性金属をドーピングすることで高移動度とした電子輸送層を厚膜化することで有機層の膜厚を確保する構成では、駆動電圧の低い素子を構成することが可能であるものの、素子の駆動中に活性金属が電子輸送層外に拡散し、消光サイトとなり短寿命化する。
【0011】
そこで本発明は、有機層の全体膜厚をある程度確保して発光不良の発生を防止しつつも、発光効率と寿命特性に優れた有機電界発光素子を提供することおよびこの有機電界発光素子を用いた表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
このような目的を達成するための本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に総膜厚150nm以上の有機層が挟持されている。この有機層は、母骨格が環員数3〜7の多環式芳香族炭化水素化合物からなるホスト材料を含有する発光層を備えている。また有機層は、発光層よりも薄い膜厚を有する正孔供給層を、陽極と発光層との間に設けている。
【0013】
また本発明の表示装置は、このような構成の有機電界発光素子を基板上に配列形成した表示装置でもある。
【0014】
このような構成の有機電界発光素子および表示装置では、発光層に対して正孔供給層の膜厚を相対的に薄くしたことにより、陽極側から発光層への正孔供給量が増大する。これにより、発光層内において正孔と電子の過不足がなく、かつキャリア供給量も十分に確保できる。このため、以降の実施例で説明するように高い発光効率を得ることができる。また、正孔と電子の過不足がないことにより、キャリアバランスが崩れにくく、駆動劣化が抑制されて発光寿命を長くすることができる。
【0015】
しかも、後の実施例で説明するように、有機層の総膜厚が150nm以上と厚くとも、駆動電圧を低く抑えることが可能である。これにより、基板上の異物を膜厚が厚い有機膜で覆うことができ、陽極と陰極間でのショートが発生しにくく非発光画素が生じないため有機電界発光素子の生産歩留まりを改善することが出来る。
【発明の効果】
【0016】
以上説明したように、本発明の有機電界発光素子および表示装置によれば、有機層の総膜厚をある程度確保して発光不良の発生を防止しつつも、発光効率と寿命特性に優れた有機電界発光素子を得ることができる。この結果、低消費電力で、かつ長期信頼性に優れた表示装置を効率よく生産実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本発明の実施形態に係る有機電界発光素子の構成を示す断面図である。
【図2】本発明の実施形態に係る表示装置の回路構成の一例を示す回路構成図である。
【図3】本発明が適用される封止された構成のモジュール形状の表示装置を示す構成図である。
【図4】本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。
【図5】本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、(A)は表側から見た斜視図、(B)は裏側から見た斜視図である。
【図6】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図7】本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
【図8】本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す斜視図であり、(A)は開いた状態での正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた除隊での正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。
【図9】有機層の総膜厚[da]に対する発光層の膜厚[d1]の値[d1/da]と電流効率および発光寿命との関係を示すグラフである。
【図10】従来の有機電界発光素子の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、本発明の実施を以下の順序で説明する。
1.有機電界発光素子の全体構成
2.基板の構成
3.陽極の構成
4.陰極の構成
5.有機層の全体構成
6.有機層の材質
7.有機層の膜厚構成
8.表示装置の構成
9.適用例
【0019】
≪1.有機電界発光素子の全体構成≫
図1は、本発明の有機電界発光素子の一構成例を示す断面図である。この図に示す有機電界発光素子11は、基板12上に設けられた陽極13、この陽極13上に重ねて設けられた有機層14、この有機層14上に設けられた陰極15を備えている。
【0020】
以下の説明においては、陽極13から注入された正孔と陰極15から注入された電子が発光層14c内で再結合する際に生じた発光光を、基板12と反対側の陰極15側から取り出す上面発光方式(トップエミッション方式)の有機電界発光素子11の構成を説明する。
【0021】
≪2.基板の構成≫
まず、有機電界発光素子11が設けられる基板12は、ガラスのような透明基板や、シリコン基板、さらにはフィルム状のフレキシブル基板等の中から適宜選択して用いられることとする。また、この有機電界発光素子11を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合、基板12として、画素毎にTFTを設けてなるTFT基板が用いられる。この場合、この表示装置は、上面発光方式の有機電界発光素子11をTFTを用いて駆動する構造となる。
【0022】
≪3.陽極の構成≫
そして、この基板12上に下部電極として設けられる陽極13は、効率良く正孔を注入するために電極材料の真空準位からの仕事関数が大きいもの、例えばクロム(Cr)、金(Au)、酸化スズ(SnO2)とアンチモン(Sb)との合金、酸化亜鉛(ZnO)とアルミニウム(Al)との合金、銀(Ag)合金、さらにはこれらの金属や合金の酸化物等を、単独または混在させた状態で用いることができる。
【0023】
有機電界発光素子11が上面発光方式の場合は、陽極13を高反射率材料で構成することで、干渉効果及び高反射率効果で外部への光取り出し効率を改善することが可能であり、このような電極材料には、例えばAl、Ag等を主成分とする電極を用いることが好ましい。これらの高反射率材料層上に、例えばITOのような仕事関数が大きい透明電極材料層を設けることでキャリア注入効率を高めることも可能である。
【0024】
また、陽極13をAl合金で構成し、Al合金の副成分として、主成分のAlよりも相対的に仕事関数が小さい例えばネオジウム等の金属を用いると、Al合金の安定性が向上し、反射率が高く、安定な陽極を実現することが可能となる。この場合、ITOのような仕事関数が大きい透明電極材料層の陽極に比較して仕事関数が小さくなることが多く、一般に用いられるアミン系の正孔注入層のみでは正孔注入障壁が大きくなってしまうことが多い。したがって、アミン材料に対しF4TCNQ(2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane)等のアクセプタ材料を混合した層やPEDOT-PSS(ポリエチレンジオキシチオフェンーポリスチレンスルホン酸)等のいわゆるp-ドープ層を陽極界面に形成するか、後述するアザトリフェニレン誘導体を用いることで、低駆動電圧を得ることが可能となる。特に素子安定性・低駆動電圧の面でアザトリフェニレン誘導体が好ましい。
【0025】
尚、この有機電界発光素子11を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合、陽極13は、TFTが設けられている画素毎にパターニングされていることとする。そして、陽極13の上層には、ここでの図示を省略した絶縁膜が設けられ、この絶縁膜の開口部から、各画素の陽極13表面を露出させていることとする。
【0026】
≪4.陰極の構成≫
一方、陰極15は、仕事関数が小さい材料を用いて有機層14と接する層が構成されており、かつ光透過性が良好な構成で有ればよい。このような構成として、例えば、陰極15は、陽極13側から順に第1層15a、第2層15bを積層した構造となっている。
【0027】
第1層15aは、仕事関数が小さく、かつ光透過性の良好な材料を用いて構成される。このような材料としては、例えばLi2O、Cs2Co3、Cs2SO4、MgF、LiFやCaF2等のアルカリ金属酸化物、アルカリ金属弗化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類弗化物が挙げられる。また、第2層15bは、薄膜のMgAg電極やCa電極などの、光透過性を有しかつ導電性が良好な材料で構成される。また、この有機電界発光素子11が、特に陽極13と陰極15との間で発光光を共振させて取り出す共振器構造で構成される上面発光素子の場合には、例えばMg−Agのような半透過性反射材料を用いて第2層15bを構成し、第2層15bと陽極13の間で発光光を共振させる。また、上記第2層15bは、例えば透明なSiNx化合物からなり、電極の劣化抑制のための封止電極として形成される。
【0028】
尚、以上の第1層15a、第2層15bは、真空蒸着法、スパッタリング法、さらにはプラズマCVD法などの手法によって形成される。また、この有機電界発光素子を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合、陰極15は、ここでの図示を省略した陽極13の周縁を覆う絶縁膜および有機層14によって、陽極13に対して絶縁された状態で基板12上にベタ膜状で形成され、各画素に共通電極として用いてもよい。
【0029】
≪5.有機層の全体構成≫
そして、上述した陽極13および陰極15の間に挟持される有機層14は、少なくとも発光層14cを有する層である。この有機層14は、陽極13側から順に、正孔供給層(ここでは正孔注入層14aおよび正孔輸送層14b)、発光層14c、電子輸送層14dを積層してなる。正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bを積層してなる正孔供給層は、陽極13から発光層14cへ正孔を供給するための層である。また電子輸送層14dは、陰極13から発光層14cへ電子を供給するための層である。
【0030】
これらの各層は、例えば真空蒸着法や、例えばスピンコート法などの他の方法によって形成された有機層からなる。
【0031】
また特に、発光層14cは、後に詳細に説明するような母骨格が環員数3〜7の多環式芳香族炭化水素化合物からなるホスト材料を含む層であるところが特徴的である。この発光層14cは、このようなホスト材料と共に、発光性ゲスト材料を含む層である。発光性ゲスト材料は、発光層14c全体に含有されていて良く、このような単層構造の発光層14cを構成するホスト材料には、アントラセン誘導体が好ましく用いられる。
【0032】
また発光層14cは、発光層14cにおける陽極13側の実質的な発光部位となるエリア、すなわち正孔と電子との再結合エリアのみに発光性ゲスト材料を含有させていても良い。この場合、発光層14cは、陽極13側から、ホスト材料と発光性ゲスト材料とを含む実質的な発光部位となる層と、ホスト材料からなる層との積層構造となる。
【0033】
またこのような積層構造の発光層14cにおいては、発光性ゲスト材料と共に発光部位(再結合エリア)を構成するホスト材料としてナフタセン誘導体が好ましく用いられる。また、発光性ゲスト材料を含有しない層を構成するホスト材料としてアントラセン誘導体が好ましく用いられる。
【0034】
次に、以上のような有機層14を構成する各層の材質と膜厚の特徴を説明する。
【0035】
≪6.有機層の材質≫
先ず、有機層14を構成する各層の材料構成を、本発明に特徴的である発光層14c、電子輸送層14dの順に説明し、さらに正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bの材料構成を説明する。
【0036】
<発光層14cのホスト材料>
本発明の特徴的な構成の一つとして、発光層14cが、母骨格が環員数3〜7の多環式芳香族炭化水素化合物をホスト材料として含有していることが挙げられる。ホスト材料を構成する多環式芳香族炭化水素化合物の母骨格としては、アントラセン、ピレン、ベンゾピレン、クリセン、ナフタセン、ベンゾナフタセン、ジベンゾナフタセン、ペリレン、またはコロネンから選択される。
【0037】
中でも下記一般式(1)で示されるアントラセンを母骨格として有するアントラセン誘導体をホスト材料とすることが好ましい。
【0038】
【化3】
【0039】
ただし、一般式(1)中において、R1〜R6はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のカルボニル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のカルボニルエステル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、置換基を有しても良い炭素数30以下のシリル基,置換基を有しても良い炭素数30以下のアリール基、置換基を有しても良い炭素数30以下の複素環基、または置換基を有しても良い炭素数30以下のアミノ基を示す。尚、上記置換基を有しても良い基の場合には、置換基の炭素数を含めた炭素数であることとする。
【0040】
一般式(1)におけるR1〜R6が示すアリール基は、例えば、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、フルオレニル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、1−クリセニル基,6−クリセニル基,2−フルオランテニル基,3−フルオランテニル基,2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基等が挙げられる。
【0041】
また一般式(1)中におけるR1〜R6が示す複素環基は、ヘテロ原子としてO、N、Sを含有する5員または6員環の芳香族複素環基、炭素数3〜20の縮合多環芳香複素環基が挙げられる。また、芳香族複素環基及び縮合多環芳香複素環基としては、チエニル基、フリル基、ピロリル基、ピリジル基、キノリル基、キノキサリル基、イミダゾピリジル基、ベンゾチアゾール基が挙げられる。代表的なものとしては,1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、などが挙げられる。
【0042】
一般式(1)中におけるR1〜R6が示すアミノ基は、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基等のいずれでもよい。これらは、総炭素数1〜6の脂肪族および1〜4環の芳香族炭素環の少なくとも一方を有することが好ましい。このような基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ビスビフェニリルアミノ基、ジナフチルアミノ基が挙げられる。
【0043】
尚、上記置換基の2種以上は縮合環を形成していても良く、さらに置換基を有していてもよい。
【0044】
以上のようなホスト材料として適するアントラセン誘導体の具体例としては、下記構造式(1)-1〜(1)-111が例示される。
【0045】
【化3−1】
【0046】
【化3−2】
【0047】
【化3−3】
【0048】
【化3−4】
【0049】
【化3−5】
【0050】
【化3−6】
【0051】
【化3−7】
【0052】
【化3−8】
【0053】
【化3−9】
【0054】
以上のようなアントラセン誘導体は、発光層14cの全域に発光性ゲスト材料が含有されている構成においてのホスト材料として好ましく用いられる。またこのアントラセン誘導体は、発光層14cの発光部位(再結合エリア)のみに発光性ゲスト材料が含有されている構成において、発光性ゲスト材料を含有しない層(部位)のホスト材料としても好ましく用いられる。
【0055】
また特に、発光層14cの発光部位(再結合エリア)のみに発光性ゲスト材料が含有されている構成において、この発光部位(再結合エリア)に用いるホスト材料としては、下記一般式(1)’のナフタセン誘導体が好ましく用いられる。
【0056】
【化4】
【0057】
ただし、一般式(1)’中において、R1〜R8はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数30以下の置換あるいは無置換のシリル基,炭素数30以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数30以下の置換あるいは無置換の複素環基、もしくは炭素数30以下の置換あるいは無置換のアミノ基を示す。
【0058】
一般式(1)’におけるR1〜R8が示すアリール基は、例えば、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、フルオレニル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、1−クリセニル基,6−クリセニル基,2−フルオランテニル基,3−フルオランテニル基,2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基等が挙げられる。
【0059】
また一般式(1)’におけるR1〜R8が示す複素環基は、ヘテロ原子としてO、N、Sを含有する5員または6員環の芳香族複素環基、炭素数2〜20の縮合多環芳香複素環基が挙げられる。また、芳香族複素環基及び縮合多環芳香複素環基としては、チエニル基、フリル基、ピロリル基、ピリジル基、キノリル基、キノキサリル基、イミダゾピリジル基、ベンゾチアゾール基が挙げられる。代表的なものとしては,1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、などが挙げられる。
【0060】
一般式(1)’におけるR1〜R8が示すアミノ基は、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基等のいずれでもよい。これらは、総炭素数1〜6の脂肪族及び/又は1〜4環の芳香族炭素環を有することが好ましい。このような基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ビスビフェニリルアミノ基、ジナフチルアミノ基が挙げられる。
【0061】
尚、上記置換基の2種以上は縮合環を形成していても良く、さらに置換基を有していてもよい。
【0062】
また特に、上記一般式(1)’で表されるナフタセン誘導体は、以下の一般式(1a)’で表されるルブレン誘導体であることが好ましい。
【0063】
【化4−1】
【0064】
一般式(1a)’中、R11〜R15、R21〜R25、R31〜R35、R41〜R45は、それぞれ独立に水素原子、アリール基、複素環基、アミノ基、アリールオキシ基、アルキル基、またはアルケニル基を示す。ただし、R11〜R15、R21〜R25、R31〜R35、R41〜R45は、それぞれ同一であることが好ましい。
【0065】
また一般式(1a)’中R5〜R8は、それぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、または置換基を有しても良いアルケニル基であることとする。
【0066】
一般式(1a)’におけるアリール基、複素環基、およびアミノ基の好ましい態様は、一般式(1)のR1〜R8と同様であって良い。尚、R11〜R15、R21〜R25、R31〜R35、R41〜R45がアミノ基である場合、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、またはアラルキルアミノ基であることとする。これらは、総炭素数1〜6の脂肪族や1〜4環の芳香族炭素環を有することが好ましい。このような基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ビスビフェニリルアミノ基が挙げられる。
【0067】
発光層14cのホスト材料として好適に用いられるナフタセン誘導体のより具体的な他の例としては、一般式(1a)’のルブレン誘導体の一つである下記化合物(1)’-1のルブレンが挙げられるが、この他にも以下の化合物(1)’-2〜(1)’-4が例示される。
【0068】
【化4−2】
【0069】
<発光層14cの発光性ゲスト材料>
発光層14cを構成する発光性ゲスト材料としては、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、低分子りん光色素、りん光性の高分子、さらには金属錯体等の、蛍光発光性ゲスト材料またはリン光発光性ゲスト材料が用いられる。
【0070】
蛍光発光性ゲスト材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ナフタセン誘導体、スチリルアミン誘導体、ビス(アジニル)メテンホウ素錯体、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体,インデノ[1,2,3-cd]ペリレン誘導体、ビス(アジニル)メテンホウ素錯体ピラン系色素等の有機物質が用いられる。
【0071】
また特に、赤色の蛍光発光性ゲスト材料としては、ペリレン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、ピロメテン錯体、ピラン誘導体、またはスチリル誘導体などが用いられる。この場合には、上記一般式(1)’で示したナフタセン誘導体をホスト材料として用いることが好ましい。
【0072】
りん光発光性ゲスト材料としては、イリジウム錯体、白金錯体、レニウム錯体、オスミウム錯体、ルテニウム錯体、金錯体などの有機金属燐光材料や、他のオルトメタル化錯体が用いられる。尚、三重項励起子を経由したりん光発光が得られるリン光発光性材料を用いることにより、一重項励起子を経由した蛍光発光を利用する蛍光材料よりも、原理的には高い発光効率が期待される。
【0073】
このような発光性ゲスト材料は、以降に説明するように発光層14cが70nm以上の膜厚で形成されていれば、発光層14cの全域にドープされていても良いし、発光層14cの陽極13寄りの再結合エリアのみにドープされていても良い。また、数種類の発光性ゲスト材料を混合しても良いし、異なる発光性ゲスト材料を含有した積層構造として発光層14cを構成しても良い。
【0074】
このような発光性ゲスト材料は、濃度消光しない最適値で発光層14c内にドープされていればよく、具体的にはドープ濃度は体積比50%〜0.1%であることとする。
【0075】
<電子輸送層14d>
本発明の特徴的な構成の2つ目として、発光層14cと陰極15との間に設けた電子輸送層14dが、含窒素複素環誘導体を含む層として設けられていることが挙げられる。含窒素複素環誘導体を含む電子輸送層14dは、電子を発光層14cに輸送するためのものである。電子輸送層14dの材料としては、例えば、キノリン、フェナントロリン、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ベンゾイミダゾ−ルまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。具体的には、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(略称Alq3 )、ベンゾイミダゾール誘導体、アクリジン、スチルベン、1,10−フェナントロリンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。
【0076】
特に発光層14cを150nm以上の厚膜に形成する場合には、有機電界発光素子11を低電圧駆動とするために、下記一般式(2)で示すベンゾイミダゾール誘導体あるいは一般式(2)’で示すフェナントロリン環を少なくとも1個有するフェナントロリン誘導体を含窒素複素環誘導体として含む電子輸送層14dとすることが好ましい。
【0077】
【化5】
【0078】
ただし一般式(2)中において、A1,A2は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有しても良い炭素数60以下のアリール基、置換基を有しても良い複素環基、置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルキル基、または置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルコキシ基を示す。さらに、A1,A2は、連結基を介して結合していても良い。
【0079】
また一般式(2)中のBは、置換基を有しても良い炭素数60以下のアリーレン基、置換基を有しても良いピリジニレン基、置換基を有しても良いキノリニレン基、または置換基を有しても良いフルオレニレン基を示す。
【0080】
さらに一般式(2)中のArは、置換基を有しても良い炭素数6〜60のアリール基、置換基を有しても良い炭素数3〜60の複素環基、置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルコキシ基を示す。
【0081】
このような一般式(2)のベンゾイミダゾール誘導体の具体例を、下記表1〜6の構造式(2)-1〜(2)-48に示す。尚、表1〜6において、Ar(α)は、一般式(2)中における[ベンゾイミダゾール構造+A1+A2]を示す。
【0082】
【表1】
【0083】
【表2】
【0084】
【表3】
【0085】
【表4】
【0086】
【表5】
【0087】
【表6】
【0088】
以上の構造式(2)-1〜(2)-48に代表される一般式(2)のベンゾイミダゾール誘導体は、特許4185097に記載された合成例で用いられた合成法で、合成することができるが、本特許についてはこれに何ら限定されるものではない。
【0089】
また、本発明において発光層14cと陰極15との間に設ける電子輸送層を構成する含窒素複素環誘導体としてのベンゾイミダゾール誘導体は、一般式(2)で示される構造に限定されず、下記構造式(2)-49〜(2)-60に示す材料であっても良い。
【0090】
【化6】
【0091】
さらに、本発明において発光層14cと陰極15との間に設ける電子輸送層を構成する含窒素複素環誘導体としてのベンゾイミダゾール誘導体は、先に示した構造の他、構造式(2)-61〜(2)-88に示すジベンゾイミダゾール誘導体であっても良い。
【0092】
【化7−1】
【0093】
【化7−2】
【0094】
また、一般式(2)’で示すフェナントロリン環を少なくとも1個有するフェナントロリン誘導体の具体例を下記構造式(2)’-1〜(2)’-14に示す。
【0095】
【化8】
【0096】
尚、電子輸送層14dは、1種類の含窒素複素環誘導体を含む層の単層であってもよく、含窒素複素環誘導体を2種以上含んだ混合層であってもよく、含窒素複素環誘導体と他の化合物との混合層であってもよい。ここで、他の化合物としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属およびその酸化物、複合酸化物、フッ化物、炭酸塩から選ばれる少なくとも1種が挙げられる。また、電子輸送層14dが、含窒素複素環誘導体を含む層を複数積層して構成されていてもよく、含窒素複素環誘導体を含む層とこれ以外の化合物の層を含む積層構造であってもよい。この場合、含窒素複素環誘導体以外の化合物の層は、含窒素複素環誘導体を含む層の陽極13側に配置されても陰極15側に配置されてもよい。
【0097】
<正孔注入層14aおよび正孔輸送層14b>
正孔供給層を構成する正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bは、一般的な正孔注入・正孔輸送材料を用いて構成される。またより好ましい材料としては、下記一般式(3)に示すアザトリフェニレン誘導体、下記一般式(4)に示すアミン誘導体、下記一般式(5)に示すジアミン誘導体、または下記一般式(6)に示すトリアリールアミン多量体である。これらの化合物を用いて正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bを構成することにより、上述した電子輸送層14dの電子供給に対して、正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bから発光層14cへの正孔供給を最適化できる。
【0098】
【化9】
【0099】
これらの一般式(3)〜(6)の材料は、正孔注入層14a、正孔輸送層14bのどちらに用いてもよい。ただし、窒素(N)含有率の高い組成の化合物を正孔注入層14aとして用いることにより、陽極13からの正孔注入障壁を低減することができるため。また、本発明の構成においては電子注入が強化されていることから、良好なキャリアバランスを得るためにも陽極界面には正孔注入性の高いアザトリフェニレン誘導体[一般式(3)]を用いることがさらに好ましい。
【0100】
ここで、上記一般式(3)に示すアザトリフェニレン誘導体は、一般式(3)中におけるR1〜R6が、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アリールアミノ基、炭素数20以下の置換もしくは無置換のカルボニル基、炭素数20以下の置換もしくは無置換のカルボニルエステル基、炭素数20以下の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数20以下の置換もしくは無置換のアルケニル基、炭素数20以下の置換もしくは無置換のアルコキシル基、炭素数30以下の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数30以下の置換もしくは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基を示す。そして隣接するRm(m=1〜6)は環状構造を通じて互いに結合してもよい。一般式(3)中のX1〜X6は、それぞれ独立に炭素もしくは窒素(N)原子である。この化合物は、特にXがN原子のとき、化合物中のN含有率が高くなるため、正孔注入層14aに好適に用いられる。
【0101】
ここで、アザトリフェニレン誘導体の具体例としては、下記構造式(3)-1に示すヘキサニトリルアザトリフェニレンが挙げられる。
【0102】
【化10】
【0103】
また、上記一般式(4)に示すアミン誘導体は、上記一般式(4)中におけるA0〜A2が、それぞれ独立に炭素数6〜30の芳香族炭化水素を示す。A0〜A2の芳香族炭化水素は、各々が無置換もしくは置換基を有しても良い。この場合、置換基としては、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボニルエステル基、アルキル基、アルケニル基、環状アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アミノ基、複素環基、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる。これらの置換基は、A0〜A2の芳香族炭化水素に対していくつ置換されても良い。
【0104】
ここで、上記アミン誘導体の具体例としては、下記構造式(4)-1〜(4)-9の化合物が挙げられる。
【0105】
【化11】
【0106】
また、一般式(5)に示すジアミン誘導体は、一般式(5)中にけるA3〜A6が、それぞれ独立に炭素数6〜20の芳香族炭化水素を示す。A3〜A6の芳香族炭化水素は、各々が無置換、しくは置換基を有しても良い。この場合、置換基としては、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボニルエステル基、アルキル基、アルケニル基、環状アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アミノ基、複素環基、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる。これらの置換基は、A3〜A6の芳香族炭化水素に対していくつ置換されても良い。またA3とA4、A5とA5はそれぞれ連結基を介して結合していてもよい。また一般式(5)中にけるYは、芳香族炭化水素を示し、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、フルオランテン、ペリレンから選ばれるものであって、mは1以上の整数を示す。
【0107】
ここで、上記ジアミン誘導体の具体例としては、下記構造式(5)-1〜(5)-83に示す化合物があげられる。
【0108】
【表7】
【0109】
【表8】
【0110】
【表9】
【0111】
【表10】
【0112】
また、上記一般式(6)に示すトリアリールアミン多量体は、一般式(6)中におけるA7〜A12が、それぞれ独立に炭素数6〜20の芳香族炭化水素を示す。A7〜A12の芳香族炭化水素は、各々が無置換もしくは置換基を有しても良い。この場合、置換基としては、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボニルエステル基、アルキル基、アルケニル基、環状アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アミノ基、複素環基、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる。これらの置換基は、A7〜A12の芳香族炭化水素にいくつ置換されていても良い。一般式(6)中のZ1からZ3は、芳香族炭化水素を示し、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、フルオランテン、ペリレンから選ばれるものである。さらに一般式(6)中のp、qおよびrは、1以上の整数を示す。また一般式(6)中のA7とA8、A9とA10、A11とA12はそれぞれ連結基を介して結合していてもよい。
【0113】
ここで、上記トリアリールアミン多量体の具体例としては、下記構造式(6)-1〜(6)-15に示す化合物が挙げられる。
【0114】
【表11】
【0115】
以上のような有機層14を構成する各層14a〜14dは、他の要件を備えてもよい。さらに、各層14a〜14dがそれぞれ積層構造であってもよい。例えば、発光層14cが、青色発光層と緑色発光層と赤色発光層との積層構造で構成され、白色に発光する有機電界発光素子を構成してもよい。
【0116】
≪7.有機層の膜厚構成≫
次に、上述した材料で構成された各層を積層してなる有機層14の膜厚構成を説明する。
【0117】
図1を参照し、有機層14中における発光層14cの膜厚を[d1]とし、有機層14の全体の総膜厚を[da]とする。この場合、0.90>[d1]/[da]>0.30の関係を満たすように有機層14の総膜厚[da]と発光層14cの膜厚[d1]とが設計されていることとする。これにより、後の実施例で説明するように発光層14cに対する正孔・電子の供給バランスがとり易く、電流効率および発光寿命の向上が図れるため好ましい。
【0118】
この数式の根拠を以下に述べる。先ず、ホスト材料を含む発光層14cに対して、陰極を直接形成する構成では、後述する励起子の陰極への拡散が懸念される。このため、発光層14cと陰極15との間には電子注入層14dを設ける必要があると考えられる。また、基板表面(トップエミッション素子の場合には、陽極13の表面となる)のラフネスを吸収するためには、発光層14cと陽極13との間に、正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bなどの正孔供給層を設ける必要があると考えられる。
【0119】
たとえば、一次の干渉による青色発光素子の有機層14の総膜厚[da]は、概ね170〜250nm程度であり150nm以上が好ましい。ここで、発光層14cへの電子注入が円滑に行なわれ、かつ、基板表面のラフネスを吸収するためには、有機層14の総膜厚が200nmは必要と考えられ、この事が[d1]/[da]の数値的下限の根拠となっている。
【0120】
一方、数値的上限の根拠に関しては、下記に詳細に述べるが、励起子を生成するために必要な再結合領域及び生成した励起子の拡散長を考慮して規定している。
【0121】
また発光層14cの膜厚[d1]は、さらに70nm以上で形成されていることが好ましく、70nm以上の膜厚で形成されることで、電子供給が強すぎることがなく、正孔供給とのバランスをとることが可能になる。
【0122】
この70nmという数値の根拠に付いて以下に述べる。発光層14cに注入された正孔と電子は、再結合して励起子を生成し発光に至るが、この再結合領域は、概ね20nm程度の膜厚中に局在している。発光層14c内における再結合領域の分布は、再結合領域が発光層14cの膜厚中心に近い場合には正規分布を取る場合やポアソン分布になる場合もある。また、発光層14cの界面に再結合領域が局在する場合には、χ2分布(χ二乗分布)や正規分布に従う場合もあり、発光層14cを構成するホスト材料と発光性ゲスト材料との性質によって決まるもので、一義的に定義することは出来ない。また、生成した励起子の拡散長は、概ね30nm以内である。
【0123】
発明者らが検討したデバイス構造の中で、再結合領域が発光層14cの中心にあるデバイスがあった。この場合、再結合領域に必要な膜厚20nmとし、さらに励起子の拡散長として陽極13方向および陰極15方向に各25nmを確保することを考慮すると、発光層14cの膜厚[d1]として最低でも70nm以上は必要になる。
【0124】
ここで、励起子の拡散長を含めた膜厚が充分に確保されない場合には、励起子エネルギーが周辺の正孔供給層や電子輸送層へ拡散し、その結果、発光効率の低下や寿命が短くなる等、デバイス特性を悪化させ、極めて好ましくない。尚、発光層14cの膜厚[d1]が合計で70nm以上であれば、異なるアントラセン誘導体を積層した積層構造であっても良い。
【0125】
次に、正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bからなる正孔供給層の合計膜厚[d2]は、発光層14cの膜厚[d1]よりも薄いこととする。これらの正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bは、発光層14cに対して正孔供給能のバランスをとるため、正孔注入層14aと正孔輸送層14bのトータル膜厚[d2]が60nm以下に設定されていることが好ましい。その理由は、光取り出し効率を最大に近付ける為には、再結合領域が正孔供給層と発光層14cとの界面側に局在した場合、後述する数式(2)より導かれるように正孔供給層の膜厚[d2]は、60nm以下であることが好ましいと考えられる。
【0126】
またさらに、この有機電界発光素子11は、陽極13と陰極15との間で発光光を共振させて取り出す共振器構造とすることで、取り出し光の色純度を向上させ、共振の中心波長付近の取り出し光の強度を向上させることが可能となる。この場合、例えば陽極13の発光層14c側の反射端面を第1端部P1、陰極15の発光層14c側の反射端面を第2端部P2とし、有機層14を共振部とする。そして、発光層14cで発生した光を共振させて第2端部P2側から取り出す共振器構造とした場合、共振器の第1端部P1と第2端部P2との間の光学的距離Lを、下記数式(1)を満たすように設定する。光学的距離Lは、実際には数式(1)を満たす正の最小値となるように選択することが好ましい。
【0127】
【数1】
【0128】
上記数式(1)中において、Lは、第1端部P1と第2端部P2との間の光学的距離である。Φは、第1端部P1で生じる反射光の位相シフトΦ1 と、第2端部P2で生じる反射光の位相シフトΦ2 との和(Φ=Φ1 +Φ2 )(rad)である。λは、第2端部P2の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長である。mは、Lが正となる整数である。尚、数式(1)においてLおよびλは単位が共通すればよく、例えば(nm)を単位とする。
【0129】
また、有機発光素子11では、発光層14cの最大発光位置と第1端部P1との間の光学的距離L1 が下記数式(2)を満たし、最大発光位置と第2端部P2との間の光学的距離L2 が下記数式(3)を満たすように調整されている。ここで、最大発光位置とは、発光領域のうちで最も発光強度が大きい位置を言う。例えば、発光層14cの陽極13側と陰極15側との両方の界面で発光する場合には、そのうち発光強度の大きい方の界面となる。
【0130】
【数2】
【0131】
上記数式(2)中において、tL1 は、第1端部P1と最大発光位置との間の光学的理論距離である。a1 は、発光層14cにおける発光分布に基づく補正量である。λは、取り出したい光のスペクトルのピーク波長である。Φ1 は、第1端部P1で生じる反射光の位相シフト(rad)である。m1 は、0または整数である。
【0132】
【数3】
【0133】
上記数式(3)中において、tL2 は、第2端部P2と最大発光位置との間の光学的理論距離である。a2 は、発光層14cにおける発光分布に基づく補正量である。λは、取り出したい光のスペクトルのピーク波長である。Φ2 は、第2端部P2で生じる反射光の位相シフト(rad)である。m2 は、0または整数である。
【0134】
上記数式(2)は、発光層14cで発生した光のうち陽極13の方へ向かう光が第1端部P1で反射して戻ってきたときに、その戻り光の位相と発光時の位相とが同一となり、発光した光のうち陰極15の方へ向かう光と強め合う関係となるようにするためのものである。また、数式(3)は、発光層14cで発生した光のうち陰極15の方へ向かう光が第2端部P2で反射して戻ってきたときに、その戻り光の位相と発光時の位相とが同一となり、発光した光のうち陽極13の方へ向かう光と強め合う関係となるようにするためのものである。
【0135】
本実施形態の有機電界発光素子11では、発光層14cの膜厚[d1]を正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bのトータル膜厚[d2]よりも厚く形成することで、上記数式(2)、(3)のm1>m2となるように設計することが可能である。これにより、光の取り出し効率を高めることができる。
【0136】
尚、数式(2)の光学的理論距離tL1 および数式(3)の光学的理論距離tL2 は、発光領域に広がりがないと考えた場合に、第1端部P1または第2端部P2での位相変化量と、進行することでの位相変化量がちょうど打ち消し合い、戻り光の位相と発光時の位相とが同一となる理論値である。ただし、発光部分には通常広がりがあるので、数式(2)および数式(3)では、発光分布に基づく補正量a1 、a2 が加えられている。
【0137】
補正量a、a2 は発光分布により異なるが、最大発光位置が発光層14cの陰極15側にあり、発光分布が最大発光位置から陽極13側に広がっている場合、または最大発光位置が発光層14cの陽極13側にあり、発光分布が最大発光位置から陰極15側に広がっている場合には、例えば下記数式(4)により求められる。
【0138】
【数4】
【0139】
数式(4)中において、bは、発光層14cにおける発光分布が最大発光位置から陽極13の方向へ広がっている場合には2n≦b≦6nの範囲内の値、最大発光位置から陰極15の方向へ広がっている場合には−6n≦b≦−2nの範囲内の値である。sは、発光層14cにおける発光分布に関する物性値(1/e減衰距離)である。nは、取り出したい光のスペクトルのピーク波長λにおける第1端部P1と第2端部P2との間の平均屈折率である。
【0140】
≪8.表示装置の構成≫
次に、上述した構成の有機電界発光素子11を基板12上に配列形成してなるアクティブマトリックス方式の表示装置の例について、図2の回路構成図について説明する。
【0141】
図2に示すように、この表示装置20の基板12上には、表示領域12aとその周辺領域12bとが設定されている。表示領域12aには、複数の走査線21と複数の信号線22とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して1つの画素aが設けられた画素アレイ部として構成されている。これら各画素aには有機電界発光素子が設けられている。また、周辺領域12bには、走査線21を走査駆動する走査線駆動回路23と、輝度情報に応じた映像信号(すなわち入力信号)を信号線22に供給する信号線駆動回路24とが配置されている。
【0142】
各画素aに設けられる画素回路は、例えば有機電界発光素子11、駆動トランジスタTr1、書き込みトランジスタ(サンプリングトランジスタ)Tr2、および保持容量Csで構成されている。そして、走査線駆動回路23による駆動により、書き込みトランジスタTr2を介して信号線22から書き込まれた映像信号が保持容量Csに保持され、保持された信号量に応じた電流が有機電界発光素子11に供給され、この電流値に応じた輝度で有機電界発光素子11が発光する。尚、駆動用の薄膜トランジスタTr2と保持容量Csとは、共通の電源供給線(Vcc)25に接続されている。
【0143】
尚、以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。また、周辺領域12bには、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路が追加される。
【0144】
尚、本発明にかかる表示装置は、図3に開示したような、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部である表示領域12aを囲むようにシーリング部27が設けられ、このシーリング部27を接着剤として、透明なガラス等の対向部(封止基板28)に貼り付けられ形成された表示モジュールが該当する。この透明な封止基板28には、カラーフィルタ、保護膜、遮光膜等が設けられてもよい。尚、表示領域12aが形成された表示モジュールとしての基板12には、外部から表示領域12a(画素アレイ部)への信号等を入出力するためのフレキシブルプリント基板29が設けられていてもよい。
【0145】
このような有機電界発光素子11および表示装置20によれば、正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bからなる正孔供給層の膜厚を、発光層14cよりも相対的に薄くすることで、上記アントラセン含有の発光層14cへの正孔供給量を増大させることができる。これにより、発光層14c中における正孔と電子の過不足がなく、かつキャリア供給量も十分多いキャリアバランスを得ることができるため、高い発光効率を得ることができる。また、正孔と電子の過不足がないことで、キャリアバランスが崩れにくく、駆動劣化が抑制され、発光寿命を長くすることができる。
【0146】
また、有機層14全体の総膜厚が厚くとも駆動電圧が低い素子構成をとることが可能であるため、基板12上に異物があっても覆うことが可能である。したがって陽極13と陰極15間でのショートが発生し難く、非発光画素が生じないため有機電界発光素子11およびこれを用いた表示装置20の生産歩留まりを改善することが出来る。
【0147】
尚、本発明の有機電界発光素子11は、TFT基板を用いたアクティブマトリックス方式の表示装置20に用いることに限定されず、パッシブ方式の表示装置に用いる有機電界発光素子としても適用可能であり、同様の効果を得ることができる。パッシブ方式の表示装置である場合には、上記陰極15または陽極13の一方が信号線として構成され他方が走査線として構成される。
【0148】
また、以上の実施形態においては、基板12と反対側に設けた陰極15側から発光を取り出す「上面発光型」の場合を説明した。しかし本発明は、基板12を透明材料で構成することで、発光を基板12側から取り出す「下面発光型」の有機電界発光素子にも適用される。この場合、図1を用いて説明した積層構造において、透明材料からなる基板12上の陽極13を、例えばITOのような仕事関数が大きい透明電極材料を用いて構成する。これにより、基板12側および基板12と反対側の両方から発光光が取り出される。また、このような構成において、陰極15を反射材料で構成することにより、基板12側からのみ発光光が取り出される。この場合、陰極15の最上層にAuGeやAu、Pt等の封止電極を付けてもよい。
【0149】
さらに、図1を用いて説明した積層構造を、透明材料からなる基板12側から逆に積み上げて陽極13を上部電極とした構成であっても、基板12側から発光光を取り出す「透過型」の有機電界発光素子を構成することができる。この場合においても、上部電極となる陽極13を透明電極に変更することで、基板12側および基板12と反対側の両方から発光光が取り出される。
【0150】
また、以上の実施形態で説明した本発明の有機電界発光素子11は、発光層14cを有する有機層14のユニットを積層してなるスタック型の有機電界発光素子に適用することも可能である。ここで、スタック型とは、タンデム素子のことであり、例えば、特開平11−329748号公報では、複数の有機発光素子が中間導電層を介して電気的に直列に接合されていることを特徴とする素子に付いて述べられている。
【0151】
また、特開2003−45676号公報及び特開2003−272860号公報には、タンデム素子を実現するための素子構成の開示と詳細な実施例が記載されている。これらによれば、有機層のユニットを2ユニット積層した場合には、理想的にはlm/Wは変ること無しにcd/Aを2倍に、3層積層した場合には、理想的にはlm/Wは変ること無しにcd/Aを3倍にすることが可能であると述べられている。
【0152】
従って、本発明をタンデム素子に用いた場合には、タンデム素子とすることで効率が向上することによる長寿命化と、本発明における長寿命化効果が相乗効果となり、極めて長寿命な素子を得ることが可能になる。
【0153】
≪9.適用例≫
以上説明した本発明に係る表示装置は、図4〜図8に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
【0154】
図4は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル102やフィルターガラス103等から構成される映像表示画面部101を含み、その映像表示画面部101として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。
【0155】
図5は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、(A)は表側から見た斜視図、(B)は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部111、表示部112、メニュースイッチ113、シャッターボタン114等を含み、その表示部112として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【0156】
図6は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体121に、文字等を入力するとき操作されるキーボード122、画像を表示する表示部123等を含み、その表示部123として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【0157】
図7は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部131、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ132、撮影時のスタート/ストップスイッチ133、表示部134等を含み、その表示部134として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【0158】
図8は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す斜視図であり、(A)は開いた状態での正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた除隊での正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体141、下側筐体142、連結部(ここではヒンジ部)143、ディスプレイ144、サブディスプレイ145、ピクチャーライト146、カメラ147等を含み、そのディスプレイ144やサブディスプレイ145として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【実施例】
【0159】
次に、本発明の具体的な実施例およびこれらの実施例に対する比較例の有機電界発光素子の製造手順と、これらの評価結果を説明する。
【0160】
<実施例1〜12>
上述した実施の形態において、図1を用いて説明した構成の有機電界発光素子11を形成した。ここでは、陽極13から注入された正孔と陰極15から注入された電子が発光層14c内で再結合する再に生じた発光光を、陰極15側から取り出す上面発光方式の有機電界発光素子11を形成した。また発光光が、陽極13と陰極15との間で共振して取り出される共振器構造として有機電界発光素子11を形成した。尚、下記表12には、実施例1〜12および比較例1〜6の層構成を合わせて示すが、各実施例および比較例で共通している構成については、その記載を省略している。以下に有機電界発光素子11の製造手順を説明する。
【0161】
【表12】
【0162】
先ず、30mm×30mmのガラス板からなる基板12上に、陽極13として、Ag層200nmの膜厚で形成した後、Ag層上にITO層を10nmの膜厚で形成した。この場合には、陽極13中のAg層における有機層14側の端面が、形成する共振器構造の第1端面P1となる。次に、SiO2蒸着により2mm×2mmの発光領域以外を絶縁膜(図示省略)でマスクした有機電界発光素子用のセルを作製した。
【0163】
次に、陽極13上に、正孔注入層14aとして、先の構造式(5)-57に示すジアミン誘導体を真空蒸着法により10nm(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec)の膜厚で形成した。さらにこの正孔注入層14a上に、(5)-43からなる正孔輸送層14bを上記表12に示す各膜厚で成膜した。
【0164】
次いで、上記表12に示すように、各実施例1〜12および比較例1〜6毎に、各材料を各膜厚で用いて発光層14cおよび電子輸送層14dをこの順に正孔輸送層14b上に蒸着成膜して有機層14を得た。これにより、総膜厚[da]=150nm以上の有機層14を形成した。
【0165】
また、表12に示す各材料は以下の通りであり、発光層14cのホスト材料(1),(2)としてアントラセン誘導体、ホスト材料(3)としてナフタセン誘導体を用いた。ただし、比較例5,6では、ホスト材料Aとして本発明に含まれない環員数2の多環式芳香族水素化合物であるBAlqを用いた。発光層14cの発光性ゲスト材料には、青色のゲスト材料(1)、緑色のゲスト材料(2)、赤色のゲスト材料(3)、(4)、および赤色のりん光発光性ゲスト材料(5)を用いた。さらに、電子輸送層14dを構成するETL材料(1)〜(4)には含窒素複素環誘導体を用いた。
【0166】
【化12】
【0167】
以上のようにして正孔注入層14a〜電子輸送層14dまでの有機層14を形成した後、陰極15の第1層15aとして、LiFを真空蒸着法により約0.3nm(蒸着速度〜0.01nm/sec)の膜厚で形成し、次いで、第2層15bとしてMgAgを真空蒸着法により10nmの膜厚で形成し、2層構造の陰極15を設けた。この場合には、第2層15bの有機層14側の面が、共振器構造の第2端面P2となる。
【0168】
以上のようにして、本発明を適用した実施例1〜12の有機電界発光素子11、および比較例1〜6の有機電界発光素子を作製した。これらの有機電界発光素子、陽極13と陰極15のショートを防ぐのに有効なように、有機層14の総膜厚d2=150nm以上の厚膜とした構成となっている。
【0169】
<評価結果−1>
上述のように作製した実施例1〜12および比較例1〜6の有機電界発光素子について、10mAcm-2の電流密度における電流効率(cd/A)および駆動電圧(V)を測定した。また、50℃で50mAcm-2の定電流駆動時の初期輝度を1とした相対輝度が0.8に低下する時間を発光寿命として測定した。この結果を上記表12に合わせて示した。
【0170】
この表12に示すように、本発明を適用して作製した実施例1〜12の有機電界発光素子11は、発光層14cを構成するホスト材料(1)〜(3)は、母骨格が環員数3または4の多環式芳香族炭化水素化合物からなる。さらに、発光層14cの膜厚[d1]は、正孔注入層14a(10nm)および正孔輸送層14b(30nm)を合わせた正孔供給層の膜厚[d2](40nm)よりも大きい。
【0171】
一方、比較例1〜5の有機電界発光素子は、発光層14cの膜厚[d1]が、正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bを合わせた正孔供給層の膜厚[d2]よりも大きい構成ではない。また、比較例5,6の有機電界発光素子は、発光層14cを構成するホスト材料Aが母骨格が環員数3〜7の多環式芳香族炭化水素化合物ではない。
【0172】
これらの実施例1〜12と比較例1〜5とを比較すると次のようである。
【0173】
同一のゲスト材料(1)を全領域にドープした発光層14cを有する実施例1〜3と比較例1〜3とを比較すると、発光層14cの膜厚[d1]を、正孔輸送層および正孔輸送層からなる正孔供給層の膜厚[d2]よりも厚くした実施例1〜3の方が、電流効率が高く、駆動電圧が低く、発光寿命の長かった。また、有機層14の総膜厚d2=150nm以上と厚膜であるにもかかわらず、特に電子輸送層14dを構成する含窒素複素環誘導体として一般式(2)に相当するETL(3)のベンゾイミダゾール誘導体を用いた実施例3〜5は、同様の構成の比較例1〜3よりも充分低い駆動電圧の素子が形成できることが確認された。
【0174】
さらに、実施例9,10の比較から、発光性ゲスト材料が発光層14cの陽極13寄りの再結合エリアのみにドープされた構成では、ゲスト材料を含有しない層がホスト材料(1)のアントラセン誘導体であることで、電流効率が高く、駆動電圧が低く、発光寿命の長の有機電界発光素子が得られることが確認された。
【0175】
実施例5,8に示すようにジケトピロロピロール錯体である赤色のゲスト材料(3)や、実施例8,9に示すようにピロメテン錯体である赤色のゲスト材料(4)とともに、ナフタセン誘導体であるホスト材料(3)とを組み合わせて用いることにより、発光効率の良好な有機電界発光素子が得られることが確認された。
【0176】
また、実施例11,12と比較例5,6との比較から、リン光発光性のゲスト材料(5)を用いた場合であっても、本発明を適用することにより、電流効率が高く、駆動電圧が低く、発光寿命の長の有機電界発光素子が得られることが確認された。
【0177】
<実施例13〜20>
上述した実施の形態において、図1を用いて説明した構成の有機電界発光素子11を形成した。ここでは、先の実施例1〜12と同様に、陽極13から注入された正孔と陰極15から注入された電子が発光層14c内で再結合する再に生じた発光光を、陰極15側から取り出す上面発光方式の有機電界発光素子11を形成した。また発光光が、陽極13と陰極15との間で共振して取り出される共振器構造として有機電界発光素子11を形成した。尚、下記表13には、各実施例13〜20の各層の膜厚を合わせて示すが、各実施例で共通している構成については、その記載を省略している。以下に有機電界発光素子11の製造手順を説明する。
【0178】
【表13】
【0179】
先ず、30mm×30mmのガラス板からなる基板12上に、陽極13として、Ag層200nmの膜厚で形成した後、Ag層上にITO層を10nmの膜厚で形成した。この場合には、陽極13中のAg層における有機層14側の端面が、形成する共振器構造の第1端面P1となる。次に、SiO2蒸着により2mm×2mmの発光領域以外を絶縁膜(図示省略)でマスクした有機電界発光素子用のセルを作製した。
【0180】
次に、陽極13上に、正孔注入層14aとして、構造式(5)-57からなるジアミン誘導体を真空蒸着法により10nm(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec)の膜厚で形成した。さらにこの正孔注入層14a上に、(5)-42からなる正孔輸送層14bを上記表13に示す各膜厚で成膜した。
【0181】
次いで、下記の材料を用いた発光層14cおよび電子輸送層14dをこの順に蒸着によって形成し、総膜厚d2=150nm以上の有機層14を得た。この際、実施例13〜20毎に、上記表13に示す各膜厚で発光層14cおよび電子輸送層14dを成膜した。尚、発光層14cのホスト材料(1)にはアントラセン誘導体を用い、電子輸送層14dを構成するETL材料(7)には含窒素複素環誘導体としてベンゾイミダゾール誘導体を用いた。また発光層14c中におけるゲスト材料(6)の添加量は、5wt%である。
【0182】
【化13】
【0183】
以上のようにして正孔注入層14a〜電子輸送層14dまでの有機層14を形成した後、陰極15の第1層15aとして、LiFを真空蒸着法により約0.3nm(蒸着速度〜0.01nm/sec)の膜厚で形成し、次いで、第2層15bとしてMgAgを真空蒸着法により10nmの膜厚で形成し、2層構造の陰極15を設けた。この場合には、第2層15bの有機層14側の面が、共振器構造の第2端面P2となる。
【0184】
以上のようにして、有機電界発光素子11を作製した。この有機電界発光素子11は、陽極13と陰極15のショートを防ぐのに有効なように、有機層14の総膜厚[da]=150nm以上の厚膜とした構成となっている。
【0185】
<評価結果−2>
上述のように作製した実施例13〜20の有機電界発光素子11について、10mAcm-2の電流密度における電流効率(cd/A)を測定した。また、50℃で50mAcm-2の定電流駆動時の初期輝度を1とした相対輝度が0.8に低下する時間を発光寿命として測定した。この結果を上記表13に合わせて示した。また図9には、有機層14の総膜厚[da]に対する発光層14cの膜厚[d1]の値[d1]/[da]と、電流効率および発光寿命との関係をグラフにして示した。
【0186】
この結果から0.90>[d1]/[da]>0.30の関係を満たす範囲であれば、電流効率が5.2(4.0)(cd/A)以上、発光寿命が500(400)(hr)以上に確保されることが確認された。
【符号の説明】
【0187】
11…有機電界発光素子、13…陽極、14…有機層、14a…正孔注入層(正孔供給層)、14b…正孔輸送層(正孔供給層)、14c…発光層、14d…電子輸送層、15…陰極
【特許請求の範囲】
【請求項1】
陽極と、
陰極と、
前記陽極と陰極との間に挟持された総膜厚[da]150nm以上の有機層と、
前記有機層を構成するもので、母骨格が環員数3〜7の多環式芳香族炭化水素化合物からなるホスト材料を含有する発光層と、
前記有機層を構成するもので、前記陽極と前記発光層との間に配置されると共に当該発光層の膜厚[d1]よりも薄い膜厚[d2]を有する正孔供給層と
を有する有機電界発光素子。
【請求項2】
前記有機層の総膜厚[da]に対する前記発光層の膜厚[d1]が、0.90>[d1]/[da]>0.30の関係を満たすように構成されている
請求項1に記載の有機電界発光素子。
【請求項3】
前記ホスト材料を構成する多環式芳香族炭化水素化合物の母骨格が、アントラセン、ピレン、ベンゾピレン、クリセン、ナフタセン、ベンゾナフタセン、ジベンゾナフタセン、ペリレン、コロネンから選択される
請求項1〜2のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項4】
前記ホスト材料を構成する多環式芳香族炭化水素化合物は、下記一般式(1)で示されるアントラセン誘導体である
請求項1〜3のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【化1】
ただし、一般式(1)中において、R1〜R6はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のカルボニル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のカルボニルエステル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、置換基を有しても良い炭素数30以下のシリル基,置換基を有しても良い炭素数30以下のアリール基、置換基を有しても良い炭素数30以下の複素環基、または置換基を有しても良い炭素数30以下のアミノ基を示す。
【請求項5】
前記ホスト材料として含有する前記発光層の膜厚[d1]は、70nm以上である
請求項4記載の有機電界発光素子。
【請求項6】
前記正孔供給層の膜厚[d2]は60nm以下である
請求項1〜5のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項7】
前記発光層は、前記陽極側から順に、前記ホスト材料と共に発光性ゲスト材料とを含む層と、当該ホスト材料を含む層とを積層させてなる
請求項1〜6のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項8】
前記発光層は、前記陽極側から順に、前記ホスト材料としてのナフタセン誘導体と共に発光性ゲスト材料とを含む層と、前記ホスト材料としてアントラセン誘導体を含む層とを積層させてなる
請求項1〜7のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項9】
前記発光層で発生させた光を前記陽極と前記陰極との間で共振させて当該陽極および当該陰極の一方から取り出す
請求項1〜8のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項10】
前記発光層と前記陰極との間に含窒素複素環誘導体を含む層を設けた
請求項1〜9のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項11】
前記発光層と前記陰極との間にベンゾイミダゾール誘導体からなる含窒素複素環誘導体を含む層を設けた
請求項1〜10のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項12】
前記含窒素複素環誘導体は下記一般式(2)で示されるベンゾイミダゾール誘導体である
請求項10または11に記載の有機電界発光素子。
【化2】
ただし一般式(2)中において、
A1,A2は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有しても良い炭素数60以下のアリール基、置換基を有しても良い複素環基、置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルキル基、または置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルコキシ基を示すと共に、A1,A2が連結基を介して結合していても良く、
Bは、置換基を有しても良い炭素数60以下のアリーレン基、置換基を有しても良いピリジニレン基、置換基を有しても良いキノリニレン基、または置換基を有しても良いフルオレニレン基を示し、
Arは、置換基を有しても良い炭素数6〜60のアリール基、置換基を有しても良い炭素数3〜60の複素環基、置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルコキシ基を示す。
【請求項13】
前記発光層と前記陰極との間にフェナントロリン誘導体からなる含窒素複素環誘導体を含む層を設けた
請求項1〜10のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項14】
前記発光層はリン光発光性の発光性ゲスト材料を含有する
請求項1〜13のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項15】
陽極と、
陰極と、
前記陽極と陰極との間に挟持された総膜厚[da]150nm以上の有機層と、
前記有機層を構成するもので、母骨格が環員数3〜7の多環式芳香族炭化水素化合物からなるホスト材料を含有する発光層と、
前記有機層を構成するもので、前記陽極と前記発光層との間に配置されると共に当該発光層の膜厚[d1]よりも薄い膜厚[d2]を有する正孔供給層と、
前記陽極と陰極との間に有機層を挟持してなる有機電界発光素子が配列形成される基板と
を有する表示装置。
【請求項1】
陽極と、
陰極と、
前記陽極と陰極との間に挟持された総膜厚[da]150nm以上の有機層と、
前記有機層を構成するもので、母骨格が環員数3〜7の多環式芳香族炭化水素化合物からなるホスト材料を含有する発光層と、
前記有機層を構成するもので、前記陽極と前記発光層との間に配置されると共に当該発光層の膜厚[d1]よりも薄い膜厚[d2]を有する正孔供給層と
を有する有機電界発光素子。
【請求項2】
前記有機層の総膜厚[da]に対する前記発光層の膜厚[d1]が、0.90>[d1]/[da]>0.30の関係を満たすように構成されている
請求項1に記載の有機電界発光素子。
【請求項3】
前記ホスト材料を構成する多環式芳香族炭化水素化合物の母骨格が、アントラセン、ピレン、ベンゾピレン、クリセン、ナフタセン、ベンゾナフタセン、ジベンゾナフタセン、ペリレン、コロネンから選択される
請求項1〜2のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項4】
前記ホスト材料を構成する多環式芳香族炭化水素化合物は、下記一般式(1)で示されるアントラセン誘導体である
請求項1〜3のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【化1】
ただし、一般式(1)中において、R1〜R6はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のカルボニル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のカルボニルエステル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数20以下のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、置換基を有しても良い炭素数30以下のシリル基,置換基を有しても良い炭素数30以下のアリール基、置換基を有しても良い炭素数30以下の複素環基、または置換基を有しても良い炭素数30以下のアミノ基を示す。
【請求項5】
前記ホスト材料として含有する前記発光層の膜厚[d1]は、70nm以上である
請求項4記載の有機電界発光素子。
【請求項6】
前記正孔供給層の膜厚[d2]は60nm以下である
請求項1〜5のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項7】
前記発光層は、前記陽極側から順に、前記ホスト材料と共に発光性ゲスト材料とを含む層と、当該ホスト材料を含む層とを積層させてなる
請求項1〜6のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項8】
前記発光層は、前記陽極側から順に、前記ホスト材料としてのナフタセン誘導体と共に発光性ゲスト材料とを含む層と、前記ホスト材料としてアントラセン誘導体を含む層とを積層させてなる
請求項1〜7のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項9】
前記発光層で発生させた光を前記陽極と前記陰極との間で共振させて当該陽極および当該陰極の一方から取り出す
請求項1〜8のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項10】
前記発光層と前記陰極との間に含窒素複素環誘導体を含む層を設けた
請求項1〜9のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項11】
前記発光層と前記陰極との間にベンゾイミダゾール誘導体からなる含窒素複素環誘導体を含む層を設けた
請求項1〜10のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項12】
前記含窒素複素環誘導体は下記一般式(2)で示されるベンゾイミダゾール誘導体である
請求項10または11に記載の有機電界発光素子。
【化2】
ただし一般式(2)中において、
A1,A2は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有しても良い炭素数60以下のアリール基、置換基を有しても良い複素環基、置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルキル基、または置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルコキシ基を示すと共に、A1,A2が連結基を介して結合していても良く、
Bは、置換基を有しても良い炭素数60以下のアリーレン基、置換基を有しても良いピリジニレン基、置換基を有しても良いキノリニレン基、または置換基を有しても良いフルオレニレン基を示し、
Arは、置換基を有しても良い炭素数6〜60のアリール基、置換基を有しても良い炭素数3〜60の複素環基、置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルコキシ基を示す。
【請求項13】
前記発光層と前記陰極との間にフェナントロリン誘導体からなる含窒素複素環誘導体を含む層を設けた
請求項1〜10のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項14】
前記発光層はリン光発光性の発光性ゲスト材料を含有する
請求項1〜13のうちの1項に記載の有機電界発光素子。
【請求項15】
陽極と、
陰極と、
前記陽極と陰極との間に挟持された総膜厚[da]150nm以上の有機層と、
前記有機層を構成するもので、母骨格が環員数3〜7の多環式芳香族炭化水素化合物からなるホスト材料を含有する発光層と、
前記有機層を構成するもので、前記陽極と前記発光層との間に配置されると共に当該発光層の膜厚[d1]よりも薄い膜厚[d2]を有する正孔供給層と、
前記陽極と陰極との間に有機層を挟持してなる有機電界発光素子が配列形成される基板と
を有する表示装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【公開番号】特開2009−267373(P2009−267373A)
【公開日】平成21年11月12日(2009.11.12)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−58987(P2009−58987)
【出願日】平成21年3月12日(2009.3.12)
【出願人】(000002185)ソニー株式会社 (34,172)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年11月12日(2009.11.12)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年3月12日(2009.3.12)
【出願人】(000002185)ソニー株式会社 (34,172)
【Fターム(参考)】
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