有機ＥＬ発光体配向制御用組成物、有機ＥＬ発光体配向制御膜、有機ＥＬ素子及びその製造方法
【課題】高耐熱性を有し、有機ＥＬ発光体の異方的配向による高い偏光発光効率を示す有機ＥＬ発光体配向制御膜を形成するための、配向制御用組成物を提供。
【解決手段】［Ａ］桂皮酸構造を含む光配向性基を有する化合物を含有するポリオルガノシロキサン化合物であることが好ましい。下記式（１）および（２）で表される化合物に由来する基からなる群より選択される少なくとも１種である。
【解決手段】［Ａ］桂皮酸構造を含む光配向性基を有する化合物を含有するポリオルガノシロキサン化合物であることが好ましい。下記式（１）および（２）で表される化合物に由来する基からなる群より選択される少なくとも１種である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ発光体の配向を制御可能な膜の形成に好適な有機ＥＬ発光体配向制御用組成物、これにより形成される有機ＥＬ発光体配向制御膜、この有機ＥＬ発光体配向制御膜を有する有機ＥＬ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
素子自体が発光するデバイスとして、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、無機ＥＬ素子、半導体ＬＥＤ、プラズマディスプレイ等が開発されている。それぞれの発光素子の特徴を活かした表示デバイスの開発が進められているところ、中でも発光性有機化合物である有機ＥＬ発光体を用いた有機ＥＬ素子は、薄型化が容易であり、消費電力が低く、輝度や動画表示機能が優れているという点で注目を浴びている。
【０００３】
こうした有機ＥＬ素子の応用例の一つとして、液晶表示素子のバックライトとして用いようとする試みがなされている。液晶はそれ自体が発光するわけではなく、ブロードな波長を含む自然光を発するバックライトを利用することで画像情報を表示している。液晶表示素子の画像表示機能を向上させつつ全体としての消費電力を抑制するには、バックライトからの光を有効利用することが求められる。
【０００４】
液晶表示素子は、液晶セルへの電圧制御により偏光板を透過する光を調節して画像情報を表示している。偏光板は所定の方向の偏光のみを通す性質を有するのに対し、通常のバックライトから放射される光は無偏光であるので、バックライトから放射される光の一部がバックライト側の偏光板で遮られてしまう。このような状況ではバックライトからの光が有効に利用されているといえず、結果的に液晶表示素子の消費電力が高くなる原因の一つとなっている。一般的に有機ＥＬ素子では、陰極からの電子と陽極からの正孔との発光層における結合により発光するところ、これにより取り出される光は無偏光であることから、有機ＥＬ素子をそのまま用いたのではバックライト光としてより効率的な利用を図ることはできない。
【０００５】
そこで、一方向に偏光した光をバックライト自体から発するようにすることで、偏光板で遮られる光の割合を低減し、多くの光を有効に利用する技術が提案されている。このような考えに基づき、有機ＥＬ素子を上述のような偏光発光バックライトに応用した例として、発光体層を一軸配向させて、発光の段階から偏光を発するという有機ＥＬ素子が開発されている。
【０００６】
従来の発光体層の配向技術によると、配向膜上に発光体層を形成することにより、発光体層を構成する化合物を一軸配向している。具体的にはラビング処理を施した膜を配向膜として用い、この配向膜上に発光体層を形成することで発光体を一軸配向させている（例えば、特開平１１−２０４２６１号公報参照）。このような偏光発光する有機ＥＬ素子を光源に用いることで上述のような偏光板による光の損失を低減している。しかしながら、ラビング処理を施す際には膜表面を物理的に削ることになるので、膜及び他の層に損傷を与えるおそれがある。さらにラビング処理を行うと微小な粉塵が生じ、この粉塵に起因して短絡が生じるおそれがある。以上の点からラビング処理法では信頼性の高い有機ＥＬ素子を製造するには限界がある。
【０００７】
そこで、ラビング処理に代わり、発光体層を自発的に配向させる技術として、発光体層が光を照射することで少なくとも一部が一軸配向する光配向性化合物と、発光する有機化合物とを含んで構成される有機ＥＬ素子が提案されている（例えば、特開２００９−２３９１８０号公報参照）。この有機ＥＬ素子では上述したラビング処理を行う場合の問題は生じないものの、ラビング処理を施した配向膜を用いた場合に比べると光照射による発光層の配向が容易ではなく、発光体層の配向には相当の光照射量が必要である。また、製造時や使用時における熱負荷に対しては、熱負荷前と比較して発光効率が低下してしまう。
【０００８】
このような状況に鑑み、高耐熱性による発光効率安定性を有すると共に、有機ＥＬ発光体の異方的配向を高レベルで誘起して偏光の発光効率（以下、単に「偏光発光効率」ともいう）を高めることが可能な有機ＥＬ発光体配向制御膜、及びこれを形成し得る光配向感度が良好な有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の開発が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−２０４２６１号公報
【特許文献２】特開２００９−２３９１８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、光配向の感度が良好であり、高耐熱性による発光効率安定性を有すると共に、有機ＥＬ発光体の異方的配向を高レベルで誘起して偏光の発光効率を高めることが可能な有機ＥＬ発光体配向制御膜、及びこれを形成し得る有機ＥＬ発光体配向制御用組成物、上記有機ＥＬ発光体配向制御膜を備える有機ＥＬ素子、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するためになされた発明は、
［Ａ］桂皮酸構造を含む光配向性基を有する化合物（以下、「［Ａ］化合物」又は「光配向性化合物」ともいう。）を含有する有機ＥＬ発光体配向制御用組成物である。
【００１２】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、［Ａ］桂皮酸構造を含む光配向性基を有する化合物を含有しているため、これを用いて有機ＥＬ発光体配向制御膜を形成する場合、良好な光配向感度によって光配向性基の配向に必要な光照射量を低減させることができ、これにより、有機ＥＬ素子の生産効率を高めることができる。また、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を用いて形成された有機ＥＬ発光体配向制御膜において異方的に配向した［Ａ］化合物により、有機ＥＬ発光体の高レベルでの異方的配向を可能とし、その結果、有機ＥＬ素子における優れた偏光発光効率を達成することができる。
【００１３】
［Ａ］化合物がポリオルガノシロキサン化合物であることが好ましい。当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物によれば、［Ａ］化合物がポリオルガノシロキサン化合物である、すなわち主鎖構造としてポリオルガノシロキサンを採用していることで、得られる配向制御膜の熱的安定性や化学的安定性が高く、高耐熱性を示し、これにより熱負荷後においても当初の発光効率を長期間高い割合で維持することができる。
【００１４】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物では、上記桂皮酸構造を含む光配向性基が、下記式（１）で表される化合物に由来する基及び（２）で表される化合物に由来する基からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい（以下、下記式（１）で表される化合物及び下記式（２）で表される化合物の一方又は両方を、単に「特定桂皮酸誘導体」ともいう）。
【化１】
（式（１）中、Ｒ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基又はシクロヘキシレン基であり、このフェニレン、ビフェニレン基、ターフェニレン基又はシクロヘキシレン基の水素原子の一部又は全部は、炭素数１〜１０のアルキル基、置換基としてフッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１０のアルコキシ基、フッ素原子又はシアノ基で置換されてもよい。Ｒ２は、単結合、炭素数１〜３のアルキレン基、酸素原子、硫黄原子、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＮＨ−又は−ＣＯＯ−である。ａは、０〜３の整数であり、ａが２以上の場合、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ３はフッ素原子又はシアノ基であり、ｂは０〜４の整数である。
式（２）中、Ｒ４は、フェニレン基又はシクロヘキシレン基であり、このフェニレン基又はシクロヘキシレン基の水素原子の一部又は全部は、炭素数１〜１０の鎖状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０の鎖状又は環状のアルコキシ基、フッ素原子又はシアノ基で置換されてもよい。Ｒ５は、単結合、炭素数１〜３のアルキレン基、酸素原子、硫黄原子又は−ＮＨ−である。ｃは、１〜３の整数であり、ｃが２以上の場合、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ６は、フッ素原子又はシアノ基であり、ｄは０〜４の整数である。Ｒ７は、酸素原子、−ＣＯＯ−＊又は−ＯＣＯ−＊（ただし、以上において「＊」を付した結合手がＲ８と結合する）である。Ｒ８は、２価の芳香族基、２価の脂環式基、２価の複素環式基又は２価の縮合環式基である。Ｒ９は、単結合、−ＯＣＯ−（ＣＨ２）ｆ−＊又は−Ｏ（ＣＨ２）ｇ−＊（ただし、以上において「＊」を付した結合手がカルボキシル基と結合する）である。ｆ及びｇはそれぞれ１〜１０の整数であり、ｅは０〜３の整数である。）
【００１５】
上記桂皮酸構造を含む光配向性基として上記特定桂皮酸誘導体に由来する基を用いることにより、有機ＥＬ発光体に対する異方性付与性能、すなわち配向性能がさらに高くなり、有機ＥＬ発光体の一軸配向（異方的配向）の規定が容易となって、有機ＥＬ発光体層の偏光発光効率をさらに向上させることができる。
【００１６】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物においては、［Ａ］化合物が、エポキシ基を有する１価の有機基を含むポリオルガノシロキサン、その加水分解物及びその加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種（以下、単に「エポキシ基を有するポリオルガノシロキサン」ともいう）と、上記式（１）で表される化合物及び上記式（２）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種との反応生成物であることが好ましい。当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物において、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと特定桂皮酸誘導体との間の反応性を利用することにより、主鎖としてのポリオルガノシロキサンに光配向性を有する特定桂皮酸誘導体に由来する側鎖基を容易に導入することができる。
【００１７】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物では、上記エポキシ基を有する１価の有機基が、下記式（Ｘ１−１）又は（Ｘ１−２）で表されることが好ましい。
【化２】
【化３】
（式（Ｘ１−１）中、Ａは酸素原子又は単結合である。ｈは１〜３の整数であり、ｉは０〜６の整数である。ただし、ｉが０の場合、Ａは単結合である。
式（Ｘ１−２）中、ｊは１〜６の整数である。
式（Ｘ１−１）及び（Ｘ１−２）中、「＊」は、それぞれ結合手であることを示す。）
【００１８】
上記エポキシ基を有する１価の有機基として上記式（Ｘ１−１）又は（Ｘ１−２）で表される構造を採用することにより、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物のポリオルガノシロキサンに、上記特定桂皮酸誘導体に由来する側鎖基を導入しやすくなる。
【００１９】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、［Ｂ］カルボン酸のアセタールエステル構造、カルボン酸のケタールエステル構造、カルボン酸の１−アルキルシクロアルキルエステル構造及びカルボン酸のｔ−ブチルエステル構造からなる群より選択される少なくとも１種の構造を２個以上有する化合物（以下、「［Ｂ］化合物」又は「エステル構造含有化合物」ともいう。）をさらに含有することが好ましい。このような［Ｂ］化合物を当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が含有することにより、偏光照射前の焼成工程（以下、「ポストベーク」ともいう）において酸が発生し、発生した酸によって［Ａ］化合物の架橋を促進させることができ、その結果、得られる有機ＥＬ発光体配向制御膜の耐熱性を向上させることができる。
【００２０】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御膜は、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物により形成される。その結果、当該有機ＥＬ発光体配向制御膜は、熱負荷後でも高耐熱性による優れた発光効率安定性を示すとともに、光配向性基によって有機ＥＬ発光体の一軸配向の規定が容易となり、有機ＥＬ発光体層における優れた偏光発光効率を発現させることができる。
【００２１】
本発明の有機ＥＬ素子は、基板上に形成されたアノード電極と、上記アノード電極を覆うように形成された当該有機ＥＬ発光体配向制御膜と、上記有機ＥＬ発光体配向制御膜上に形成された有機ＥＬ発光体層と、上記有機ＥＬ発光体層上に形成されたカソード電極とを備える。当該有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ発光体層用の配向制御膜として当該有機ＥＬ発光体配向制御膜を採用しているので、優れた光配向感度を発揮して配向制御膜の形成のための光照射量を低減することができるとともに、有機ＥＬ発光体層における偏光発光効率を向上させることができる。また、当該有機ＥＬ発光体配向制御膜の耐熱性が高いことから、熱負荷後においても当初の発光効率を長期間にわたって維持することができる。
【００２２】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に形成されたアノード電極を覆うように、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を用いて塗膜を形成する工程、上記塗膜に直線偏光を照射して有機ＥＬ発光体配向制御膜を形成する工程、上記有機ＥＬ発光体配向制御膜上に有機ＥＬ発光体層を形成する工程、及び、上記有機ＥＬ発光体層上にカソード電極を形成する工程を有する。当該有機ＥＬ素子の製造方法を採用することにより、当該有機ＥＬ素子を効率的にかつ簡便に製造することができる。
【発明の効果】
【００２３】
上述したように、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物、有機ＥＬ発光体配向制御膜、有機ＥＬ素子及びその製造方法によれば、良好な光配向感度を達成することができ、高耐熱性による発光効率安定性を実現しつつ、有機ＥＬ発光体を高いレベルで異方的に配向させて優れた偏光発光効率を発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一例を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、［Ａ］桂皮酸構造を含む光配向性基を有する化合物を含有することから、高感度の光配向性により配向に必要な光照射量を低減させることができる。また、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を用いることにより、得られる有機ＥＬ発光体配向制御膜が高耐熱性を示し、これにより熱負荷後における高発光効率安定性を発揮することができる。加えて、この有機ＥＬ発光体配向制御膜は優れた光配向性を有するので、有機ＥＬ発光体層における高レベルでの異方的配向を発現させることができ、有機ＥＬ素子の偏光発光効率を向上させることができる。
【００２６】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、［Ａ］化合物を含有していると共に、好適成分として［Ｂ］化合物（エステル構造含有化合物）を含有していてもよく、その他の任意成分として、［Ａ］化合物以外の重合体（以下、単に「他の重合体」ともいう）、硬化剤、硬化触媒、硬化促進剤、分子内に少なくとも一つのエポキシ基を有する化合物（以下、単に「エポキシ化合物」ともいう）、官能性シラン化合物、界面活性剤、光増感性化合物等を含んでいてもよい。以下、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物について説明する。
【００２７】
＜［Ａ］成分：桂皮酸構造を含む光配向性基を有する化合物＞
［Ａ］化合物は光配向性基を有する。当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物で有機ＥＬ発光体配向制御膜を形成した際、この光配向性基に偏光等の異方性を有する光を照射すると、その有機ＥＬ発光体配向制御膜内での分子の再配列や異方性を伴った化学反応等を誘起する。この異方性を伴った配向制御膜分子構造の変化により、有機ＥＬ発光体に異方性を付与することになる。
【００２８】
上記光配向性基は、桂皮酸又はその誘導体を基本骨格とする桂皮酸構造を含む。上記光配向性基が桂皮酸構造を含むことで、二量化型の異方性発現を呈し、高い配向能を発揮できると共に、光配向性基の導入が容易となる。なお、桂皮酸又はその誘導体は、光照射により二量化可能であれば、シス型・トランス型を問わない。
【００２９】
桂皮酸構造を含む光配向性基の構造は、桂皮酸又はその誘導体を基本骨格として含有していれば特に限定されないが、上記式（１）で表される化合物及び上記式（２）で表される化合物（すなわち、特定桂皮酸誘導体）のうちの少なくとも１種に由来する基であることが好ましい。なお、上記式（１）中、Ｒ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基又はシクロヘキシレン基であり、このフェニレン、ビフェニレン基、ターフェニレン基又はシクロヘキシレン基の水素原子の一部又は全部は、炭素数１〜１０のアルキル基、置換基としてフッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１０のアルコキシ基、フッ素原子又はシアノ基で置換されてもよい。Ｒ２は、単結合、炭素数１〜３のアルキレン基、酸素原子、硫黄原子、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＮＨ−又は−ＣＯＯ−である。ａは、０〜３の整数であり、ａが２以上の場合、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ３はフッ素原子又はシアノ基であり、ｂは０〜４の整数である。
【００３０】
上記式（１）で表される化合物としては、例えば、下記のものを挙げることができる。
【００３１】
【化４】
【００３２】
【化５】
【００３３】
【化６】
【００３４】
【化７】
【００３５】
【化８】
【００３６】
【化９】
【００３７】
【化１０】
【００３８】
【化１１】
【００３９】
【化１２】
【００４０】
【化１３】
【００４１】
【化１４】
【００４２】
【化１５】
【００４３】
【化１６】
【００４４】
これらのうちＲ１としては、無置換のフェニレン基、又はフッ素原子若しくは炭素数１〜３のアルキル基で置換されたフェニレン基が好ましく、Ｒ２は単結合、酸素原子又は−ＣＨ＝ＣＨ−であるものが好ましい。ｂは０〜１が好ましく、ａが１〜３のときはｂが０であることが特に好ましい。
【００４５】
上記式（２）中、Ｒ４は、フェニレン基又はシクロヘキシレン基であり、このフェニレン基又はシクロヘキシレン基の水素原子の一部又は全部は、炭素数１〜１０の鎖状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０の鎖状又は環状のアルコキシ基、フッ素原子又はシアノ基で置換されてもよい。Ｒ５は、単結合、炭素数１〜３のアルキレン基、酸素原子、硫黄原子又は−ＮＨ−である。ｃは、１〜３の整数であり、ｃが２以上の場合、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ６は、フッ素原子又はシアノ基であり、ｄは０〜４の整数である。Ｒ７は、酸素原子、−ＣＯＯ−＊又は−ＯＣＯ−＊（ただし、以上において「＊」を付した結合手がＲ８と結合する）である。Ｒ８は、２価の芳香族基、２価の脂環式基、２価の複素環式基又は２価の縮合環式基である。Ｒ９は、単結合、−ＯＣＯ−（ＣＨ２）ｆ−＊又は−Ｏ（ＣＨ２）ｇ−＊（ただし、以上において「＊」を付した結合手がカルボキシル基と結合する）である。ｆ及びｇは、それぞれ１〜１０の整数であり、ｅは０〜３の整数である。
【００４６】
上記式（２）で表される化合物としては、例えば、下記式（２−１）〜（２−４）で表される化合物を挙げることができる。
【００４７】
【化１７】
（式中、Ｑは、炭素数１〜１０の鎖状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０の鎖状又は環状のアルコキシ基、フッ素原子又はシアノ基であり、ｆは式（２）と同義である。）
【００４８】
＜特定桂皮酸誘導体の合成＞
特定桂皮酸誘導体の合成手順は特に限定されず、従来公知の方法を組み合わせて行うことができる。代表的な合成手順としては、例えば、（１）塩基性条件下、ハロゲン原子で置換されたベンゼン環骨格を有する化合物と、アクリル酸とを遷移金属触媒存在下で反応させて特定桂皮酸誘導体を得る方法、（２）塩基性条件下、ベンゼン環の水素原子がハロゲン原子で置換された桂皮酸と、ハロゲン原子で置換されたベンゼン環骨格を有する化合物とを遷移金属触媒存在下で反応させて特定桂皮酸誘導体とする方法等が例示される。ただし、特定桂皮酸誘導体の合成手順はこれらに限定されるものではない。
【００４９】
［Ａ］化合物は、桂皮酸構造を含む光配向性基を有する限り特に限定されないが、側鎖に桂皮酸構造を含む光配向性基を有するポリマーであることが好ましく、ポリオルガノシロキサン、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリアクリレート、ポリメタアクリレート、ポリ（スチレン‐フェニルマレイミド）誘導体、セルロース誘導体、ポリエステル、ポリアミド、ポリスチレン誘導体及びポリアミック酸エステルを主鎖構造とするものが電気特性の面からより好ましく、耐光性の面からポリオルガノシロキサンを主鎖構造とするものがさらに好ましい。
【００５０】
［Ａ］化合物がポリオルガノシロキサンを主鎖構造とする化合物（ポリオルガノシロキサン化合物）は、主鎖としてのポリオルガノシロキサン、その加水分解物及びその加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種に由来する部分に、側鎖として上記光配向性基が導入された構造を有する。［Ａ］化合物がポリオルガノシロキサン化合物である場合、光配向性基とポリオルガノシロキサン化合物とにより、光配向の感度が良好となり、低光照射量を実現することができる。同時に、主鎖としてポリオルガノシロキサンを採用しているので、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物で形成された有機ＥＬ発光体配向制御膜は、優れた化学的安定性・熱的安定性を有し、高耐熱性を発揮することから、熱負荷後においても発光効率を長期間にわたり維持することができる。
【００５１】
＜ポリオルガノシロキサン、その加水分解物及びその加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種に由来する部分＞
［Ａ］化合物が、ポリオルガノシロキサン化合物である場合、この主鎖として含まれるポリオルガノシロキサン、その加水分解物及びその加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種に由来する部分としては、それ自体に上記光配向性基を導入し得る構造に由来した部分を有する限り特に限定されない。ポリオルガノシロキサン化合物である［Ａ］化合物は、このようなポリオルガノシロキサン、その加水分解物、その加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種に由来する部分と、上記光配向性を示す化合物に由来する基とを有する。
【００５２】
上記光配向性基を導入し得る構造としては、例えば水酸基、エポキシ基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、エステル基、アミド基等が挙げられる。この中でも、導入及び調製の容易性を考慮すると、エポキシ基が好ましい。
【００５３】
［Ａ］化合物は、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと、上記式（１）及び／又は（２）で表される化合物との反応生成物であることが好ましい。当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物において、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと特定桂皮酸誘導体との間の反応性を利用することにより、主鎖としてのポリオルガノシロキサンに光配向性を有する特定桂皮酸誘導体に由来する基を容易に導入することができる。
【００５４】
＜エポキシ基を有するポリオルガノシロキサン＞
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物で用いられるエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンは、ポリオルガノシロキサンに側鎖としてエポキシ基を有する１価の有機基が導入されていれば特に限定されない。上記エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンとしては、下記式（３）で表される繰り返し単位を有するポリオルガノシロキサン、その加水分解物及びその加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００５５】
【化１８】
（式（３）中、Ｘ１はエポキシ基を有する１価の有機基であり、Ｙ１は水酸基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。）
【００５６】
なお、上記式（３）で表される繰り返し単位を有するポリオルガノシロキサンの加水分解物又はその縮合物は、そのポリオルガノシロキサン同士の加水分解縮合物だけでなく、上記式（３）で表される繰り返し単位の加水分解縮合によりポリオルガノシロキサンが生成される過程において、主鎖の枝分かれや架橋等が生じて得られるポリオルガノシロキサンが上記式（３）で表される繰り返し単位を有する場合の加水分解物又はその縮合物をも含む概念である。
【００５７】
上記式（３）におけるＸ１は、エポキシ基を有する１価の有機基であれば特に限定されず、例えば、グリシジル基、グリシジルオキシ基、エポキシシクロヘキシル基を含む基等が挙げられる。上記エポキシ基を有する１価の有機基（すなわち、Ｘ１）としては、上記式（Ｘ１−１）又は（Ｘ１−２）で表されることが好ましい。さらに上記式（Ｘ１−１）又は（Ｘ１−２）で表される基のうち、下記式（Ｘ１−１−１）又は（Ｘ１−２−１）
【００５８】
【化１９】
（上記式中、「＊」は結合手であることを示す。）
で表される基が好ましい。
【００５９】
上記式（３）中のＹ１において、炭素数１〜１０のアルコキシ基として、例えばメトキシ基、エトキシ基等；炭素数１〜２０のアルキル基として、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ラウリル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基等；炭素数６〜２０のアリール基としては、例えばフェニル基等をそれぞれ挙げることができる。
【００６０】
エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定したポリスチレン換算の質量平均分子量が、５００〜１００，０００であることが好ましく、１，０００〜１０，０００であることがより好ましく、さらに１，０００〜５，０００であることが好ましい。
【００６１】
このようなエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンは、好ましくはエポキシ基を有するシラン化合物、あるいはエポキシ基を有するシラン化合物と他のシラン化合物の混合物を、好ましくは適当な有機溶媒、水及び触媒の存在下において加水分解又は加水分解・縮合することにより合成することができる。
【００６２】
上記エポキシ基を有するシラン化合物としては、例えば３−グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルジメチルメトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルジメチルエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン等を挙げることができる。
【００６３】
上記他のシラン化合物として、例えばテトラクロロシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、トリクロロシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリ−ｉ−プロポキシシラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フルオロトリクロロシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、フルオロトリ−ｎ−プロポキシシラン、フルオロトリ−ｉ−プロポキシシラン、フルオロトリ−ｎ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、メチルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリクロロシラン、
２−（トリフルオロメチル）エチルトリメトキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリエトキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリクロロシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリエトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリクロロシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリメトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリエトキシシラン、
【００６４】
２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ヒドロキシメチルトリクロロシラン、ヒドロキシメチルトリメトキシシラン、ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリクロロシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリクロロシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、メルカプトメチルトリメトキシシラン、
【００６５】
メルカプトメチルトリエトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｉ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、アリルトリクロロシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリ−ｎ−プロポキシシラン、アリルトリ−ｉ−プロポキシシラン、アリルトリ−ｎ−ブトキシシラン、アリルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｉ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、メチルジクロロシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、メチルジ−ｎ−プロポキシシラン、メチルジ−ｉ−プロポキシシラン、メチルジ−ｎ−ブトキシシラン、メチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジメチルジクロロシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
【００６６】
（メチル）〔２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル〕ジクロロシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル〕ジメトキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル〕ジエメトキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル〕ジ−ｎ−プロポキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル〕ジ−ｉ−プロポキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル〕ジ−ｎ−ブトキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル〕ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジクロロシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジメトキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジエトキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジ−ｎ−プロポキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジ−ｉ−プロポキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジ−ｎ−ブトキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、（メチル）（ビニル）ジクロロシラン、（メチル）（ビニル）ジメトキシシラン、（メチル）（ビニル）ジエトキシシラン、（メチル）（ビニル）ジ−ｎ−プロポキシシラン、（メチル）（ビニル）ジ−ｉ−プロポキシシラン、（メチル）（ビニル）ジ−ｎ−ブトキシシラン、
【００６７】
（メチル）（ビニル）ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジビニルジクロロシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、ジビニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジビニルジ−ｉ−プロポキシシラン、ジビニルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジビニルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、クロロジメチルシラン、メトキシジメチルシラン、エトキシジメチルシラン、クロロトリメチルシラン、ブロモトリメチルシラン、ヨードトリメチルシラン、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、ｎ−プロポキシトリメチルシラン、ｉ−プロポキシトリメチルシラン、ｎ−ブトキシトリメチルシラン、ｓｅｃ−ブトキシトリメチルシラン、ｔ−ブトキシトリメチルシラン、（クロロ）（ビニル）ジメチルシラン、（メトキシ）（ビニル）ジメチルシラン、（エトキシ）（ビニル）ジメチルシラン、（クロロ）（メチル）ジフェニルシラン、（メトキシ）（メチル）ジフェニルシラン、（エトキシ）（メチル）ジフェニルシラン等のケイ素原子を１個有するシラン化合物のほか、
【００６８】
商品名で、例えばＫＣ−８９、ＫＣ−８９Ｓ、Ｘ−２１−３１５３、Ｘ−２１−５８４１、Ｘ−２１−５８４２、Ｘ−２１−５８４３、Ｘ−２１−５８４４、Ｘ−２１−５８４５、Ｘ−２１−５８４６、Ｘ−２１−５８４７、Ｘ−２１−５８４８、Ｘ−２２−１６０ＡＳ、Ｘ−２２−１７０Ｂ、Ｘ−２２−１７０ＢＸ、Ｘ−２２−１７０Ｄ、Ｘ−２２−１７０ＤＸ、Ｘ−２２−１７６Ｂ、Ｘ−２２−１７６Ｄ、Ｘ−２２−１７６ＤＸ、Ｘ−２２−１７６Ｆ、Ｘ−４０−２３０８、Ｘ−４０−２６５１、Ｘ−４０−２６５５Ａ、Ｘ−４０−２６７１、Ｘ−４０−２６７２、Ｘ−４０−９２２０、Ｘ−４０−９２２５、Ｘ−４０−９２２７、Ｘ−４０−９２４６、Ｘ−４０−９２４７、Ｘ−４０−９２５０、Ｘ−４０−９３２３、Ｘ−４１−１０５３、Ｘ−４１−１０５６、Ｘ−４１−１８０５、Ｘ−４１−１８１０、ＫＦ６００１、ＫＦ６００２、ＫＦ６００３、ＫＲ２１２、ＫＲ−２１３、ＫＲ−２１７、ＫＲ２２０Ｌ、ＫＲ２４２Ａ、ＫＲ２７１、ＫＲ２８２、ＫＲ３００、ＫＲ３１１、ＫＲ４０１Ｎ、ＫＲ５００、ＫＲ５１０、ＫＲ５２０６、ＫＲ５２３０、ＫＲ５２３５、ＫＲ９２１８、ＫＲ９７０６（以上、信越化学工業（株）製）；グラスレジン（昭和電工（株）製）；ＳＨ８０４、ＳＨ８０５、ＳＨ８０６Ａ、ＳＨ８４０、ＳＲ２４００、ＳＲ２４０２、ＳＲ２４０５、ＳＲ２４０６、ＳＲ２４１０、ＳＲ２４１１、ＳＲ２４１６、ＳＲ２４２０（以上、東レ・ダウコーニング（株）製）；ＦＺ３７１１、ＦＺ３７２２（以上、日本ユニカー（株）製）；ＤＭＳ−Ｓ１２、ＤＭＳ−Ｓ１５、ＤＭＳ−Ｓ２１、ＤＭＳ−Ｓ２７、ＤＭＳ−Ｓ３１、ＤＭＳ−Ｓ３２、ＤＭＳ−Ｓ３３、ＤＭＳ−Ｓ３５、ＤＭＳ−Ｓ３８、ＤＭＳ−Ｓ４２、ＤＭＳ−Ｓ４５、ＤＭＳ−Ｓ５１、ＤＭＳ−２２７、ＰＳＤ−０３３２、ＰＤＳ−１６１５、ＰＤＳ−９９３１、ＸＭＳ−５０２５（以上、チッソ（株）製）；メチルシリケートＭＳ５１、メチルシリケートＭＳ５６（以上、三菱化学（株）製）；エチルシリケート２８、エチルシリケート４０、エチルシリケート４８（以上、コルコート（株）製）；ＧＲ１００、ＧＲ６５０、ＧＲ９０８、ＧＲ９５０（以上、昭和電工（株）製）等の部分縮合物を挙げることができる。
【００６９】
これらの他のシラン化合物のうち、得られる有機ＥＬ発光体配向制御膜の配向性及び化学的安定性の観点から、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、メルカプトメチルトリメトキシシラン、メルカプトメチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン又はジメチルジエトキシシランが好ましい。
【００７０】
本発明に用いられるエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンは、光配向性を有する側鎖を充分な量で導入しつつ、エポキシ基の導入量が過剰となることによる意図しない副反応等を抑制するために、そのエポキシ当量が１００〜１０，０００ｇ／モルであることが好ましく、１５０〜１，０００ｇ／モルであることがより好ましい。したがって、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンを合成するにあたっては、エポキシ基を有するシラン化合物と他のシラン化合物との使用割合を、得られるポリオルガノシロキサンエポキシ当量が上記の範囲になるように調製して設定することが好ましい。
【００７１】
具体的には、このような他のシラン化合物は、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと他のシラン化合物との合計に対して０〜５０質量％用いることが好ましく、５〜３０質量％用いることがより好ましい。
【００７２】
エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンを合成するにあたって使用することのできる有機溶媒としては、例えば炭化水素化合物、ケトン化合物、エステル化合物、エーテル化合物、アルコール化合物等を挙げることができる。
【００７３】
上記炭化水素化合物としては、例えば、トルエン、キシレン等；上記ケトン化合物として、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルｎ−アミルケトン、ジエチルケトン、シクロヘキサノン等；上記エステル化合物としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、乳酸エチル等；上記エーテル化合物としては、例えばエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等；上記アルコール化合物としては、例えば１−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル等を、それぞれ挙げることができる。これらのうち非水溶性のものが好ましい。これらの有機溶媒は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。
【００７４】
有機溶媒の使用量は、全シラン化合物１００質量部に対して、好ましくは１０〜１０，０００質量部、より好ましくは５０〜１，０００質量部である。また、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンを製造する際の水の使用量は、全シラン化合物に対して、好ましくは０．５〜１００倍モル、より好ましくは１〜３０倍モルである。
【００７５】
上記触媒としては例えば酸、アルカリ金属化合物、有機塩基、チタン化合物、ジルコニウム化合物等を用いることができる。
【００７６】
上記アルカリ金属化合物としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド等を挙げることができる。
【００７７】
上記有機塩基としては、例えばエチルアミン、ジエチルアミン、ピペラジン、ピペリジン、ピロリジン、ピロールの如き１〜２級有機アミン；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロウンデセンの如き３級の有機アミン；テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの如き４級の有機アンモニウム塩等を、それぞれ挙げることができる。これらの有機塩基のうち、反応が穏やかに進行する点を考慮して、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジンの如き３級の有機アミン；テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの如き４級の有機アンモニウム塩が好ましい。
【００７８】
エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンを製造する際の触媒としては、アルカリ金属化合物又は有機塩基が好ましい。アルカリ金属化合物又は有機塩基を触媒として用いることにより、エポキシ基の開環等の副反応を生じることなく、高い加水分解・縮合速度で目的とするポリオルガノシロキサンを得ることができることになり、生産安定性に優れることとなって好ましい。また、触媒としてアルカリ金属化合物又は有機塩基を用いて合成されたエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと特定桂皮酸誘導体との反応生成物を含有する本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、保存安定性が極めて優れるため好都合である。
【００７９】
その理由は、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗｓ、９５巻、ｐ１４０９（１９９５年）に指摘されているように、加水分解、縮合反応において触媒としてアルカリ金属化合物又は有機塩基を用いると、ランダム構造、はしご型構造又はかご型構造が形成され、シラノール基の含有割合が少ないポリオルガノシロキサンが得られるためではないかと推察される。シラノール基の含有割合が少ないため、シラノール基同士の縮合反応が抑えられ、さらに、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が後述の他の重合体を含有するものである場合には、シラノール基と他の重合体との縮合反応が抑えられるため、保存安定性に優れる結果になるものと推察される。
【００８０】
触媒としては、特に有機塩基が好ましい。有機塩基の使用量は、有機塩基の種類、温度等の反応条件等により異なり、適宜に設定することができる。有機塩基の具体的な使用量としては、例えば全シラン化合物に対して、好ましくは０．０１〜３倍モルであり、より好ましくは０．０５〜１倍モルである。
【００８１】
エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンを製造する際の加水分解又は加水分解・縮合反応は、エポキシ基を有するシラン化合物と必要に応じて他のシラン化合物とを有機溶媒に溶解し、この溶液を有機塩基及び水と混合して、例えば油浴等により加熱することにより実施することが好ましい。
【００８２】
加水分解・縮合反応時には、油浴の加熱温度を好ましくは１３０℃以下、より好ましくは４０〜１００℃として、好ましくは０．５〜１２時間、より好ましくは１〜８時間加熱するのが望ましい。加熱中は、混合液を撹拌してもよいし、還流下に置いてもよい。
【００８３】
反応終了後、反応液から分取した有機溶媒層を水で洗浄することが好ましい。この洗浄に際しては、洗浄操作が容易になる点で、少量の塩を含む水、例えば０．２質量％程度の硝酸アンモニウム水溶液等で洗浄することが好ましい。洗浄は洗浄後の水層が中性になるまで行い、その後有機溶媒層を、必要に応じて無水硫酸カルシウム、モレキュラーシーブス等の乾燥剤で乾燥した後、溶媒を除去することにより、目的とするエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンを得ることができる。
【００８４】
本発明においては、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンとして市販されているものを用いてもよい。このような市販品としては、例えばＤＭＳ−Ｅ０１，ＤＭＳ−Ｅ１２、ＤＭＳ−Ｅ２１，ＥＭＳ−３２（以上、チッソ（株）製）等を挙げることができる。
【００８５】
［Ａ］化合物は、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサン自体が加水分解されて生じる加水分解物に由来する部分や、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサン同士が加水分解縮合した加水分解縮合物に由来する部分を含んでいてもよい。当該部分の構成材料であるこれらの加水分解物や加水分解縮合物もエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンの加水分解ないし縮合条件と同様に調製することができる。
【００８６】
＜［Ａ］化合物の合成＞
本発明で使用される［Ａ］化合物がポリオルガノシロキサン化合物である場合、例えば上記の如きエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと上記式（１）及び／又は（２）で表される化合物（すなわち、特定桂皮酸誘導体）とを、好ましくは触媒の存在下に反応させることにより合成することができる。
【００８７】
ここで特定桂皮酸誘導体は、ポリオルガノシロキサンの有するエポキシ基１モルに対して好ましくは０．００１〜１０モル、より好ましくは０．０１〜５モル、さらに好ましくは０．０５〜２モル使用される。
【００８８】
上記触媒としては、有機塩基、又はエポキシ化合物と酸無水物との反応を促進するいわゆる硬化促進剤として公知の化合物を用いることができる。
【００８９】
上記有機塩基としては、例えばエチルアミン、ジエチルアミン、ピペラジン、ピペリジン、ピロリジン、ピロールの如き１〜２級有機アミン；
トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロウンデセンの如き３級の有機アミン；
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの如き４級の有機アミン等を挙げることができる。
これらの有機塩基のうち、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジンの如き３級の有機アミン；テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの如き４級の有機アンモニウム塩が好ましい。
【００９０】
上記硬化促進剤としては、例えばベンジルジメチルアミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、シクロヘキシルジメチルアミン、トリエタノールアミンの如き３級アミン；
２−メチルイミダゾール、２−ｎ−ヘプチルイミダゾール、２−ｎ−ウンデシルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−メチルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−ｎ−ウンデシルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−フェニルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジ（ヒドロキシメチル）イミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−フェニル−４，５−ジ〔（２’−シアノエトキシ）メチル〕イミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−ｎ−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテート、１−（２−シアノエチル）−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、１−（２−シアノエチル）−２−エチル−４−メチルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−ｎ−ウンデシルイミダゾリル）エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）〕エチル−ｓ−トリアジン、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、及び２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕エチル−ｓ−トリアジンのイソシアヌル酸付加物の如きイミダゾール化合物；
ジフェニルフォスフィン、トリフェニルフォスフィン、亜リン酸トリフェニルの如き有機リン化合物；
【００９１】
ベンジルトリフェニルフォスフォニウムクロライド、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムブロマイド、メチルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド、エチルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド、ｎ−ブチルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド、テトラフェニルフォスフォニウムブロマイド、エチルトリフェニルフォスフォニウムヨーダイド、エチルトリフェニルフォスフォニウムアセテート、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムｏ，ｏ−ジエチルフォスフォロジチオネート、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムベンゾトリアゾレート、テトラフェニルフォスフォニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムテトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムテトラフェニルボレートの如き４級フォスフォニウム塩；
１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７やその有機酸塩の如きジアザビシクロアルケン；
オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、アルミニウムアセチルアセトン錯体の如き有機金属化合物；
テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムクロライドの如き４級アンモニウム塩；
三フッ化ホウ素、ホウ酸トリフェニルの如きホウ素化合物；
塩化亜鉛、塩化第二錫の如き金属ハロゲン化合物；
ジシアンジアミドやアミンとエポキシ樹脂との付加物等のアミン付加型促進剤等の高融点分散型潜在性硬化促進剤；
上記イミダゾール化合物、有機リン化合物や４級フォスフォニウム塩等の硬化促進剤の表面をポリマーで被覆したマイクロカプセル型潜在性硬化促進剤；
アミン塩型潜在性硬化促進剤；
ルイス酸塩、ブレンステッド酸塩等の高温解離型の熱カチオン重合型潜在性硬化促進剤等の潜在性硬化促進剤等を挙げることができる。
【００９２】
これらの触媒の中でも、テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムクロライドの如き４級アンモニウム塩が好ましい。
【００９３】
触媒は、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサン１００質量部に対して好ましくは１００質量部以下、より好ましくは０．０１〜１００質量部、さらに好ましくは０．１〜２０質量部の量で使用される。
【００９４】
反応温度は、好ましくは０〜２００℃、より好ましくは５０〜１５０℃である。反応時間は、好ましくは０．１〜５０時間、より好ましくは０．５〜２０時間である。
【００９５】
［Ａ］化合物は、必要に応じて有機溶剤の存在下に合成することができる。かかる有機溶媒としては、例えば、炭化水素化合物、エーテル化合物、エステル化合物、ケトン化合物、アミド化合物、アルコール化合物等を挙げることができる。これらのうち、エーテル化合物、エステル化合物、ケトン化合物が、原料及び生成物の溶解性ならびに生成物の精製のし易さの観点から好ましい。溶媒は、固形分濃度（反応溶液中の溶媒以外の成分の質量が溶液の全質量に占める割合）が、好ましくは０．１質量％以上７０質量％以下、より好ましくは５質量％以上５０質量％以下となる量で使用される。
【００９６】
本発明の［Ａ］化合物は、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンに、特定桂皮酸誘導体のカルボキシル基のエポキシへの開環付加により特定桂皮酸誘導体に由来する構造を導入することで得ることができる。この製造方法は簡便であり、しかも特定桂皮酸誘導体に由来する構造の導入率を高くすることができる点で極めて好適な方法である。
【００９７】
本発明においては、本発明の効果を損なわない範囲で上記特定桂皮酸誘導体の一部を下記式（４）で表される化合物で置き換えて使用してもよい。この場合、［Ａ］化合物の合成は、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと、特定桂皮酸誘導体及び下記式（４）で表される化合物の混合物とを反応させることにより行われる。
【００９８】
【化２０】
【００９９】
上記式（４）におけるＲ１０は、水素原子の一部又は全部がフッ素で置換されていてもよいアルキル基若しくはアルコキシ基であり、好ましくは、炭素数８〜２０のアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数４〜２１のフルオロアルキル基若しくはフルオロアルコキシ基である。Ｒ１１は、単結合、シクロアルキレン基又はアリーレン基であり、好ましくは、単結合、１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基である。また、Ｒ１２は、有機酸基であり、好ましくは、カルボキシル基である。
【０１００】
上記式（４）で表される化合物の好ましい例として、例えば下記式（４−１）〜（４−３）のいずれかで表される化合物が挙げられる。
【０１０１】
【化２１】
【０１０２】
上記式（４）で表される化合物は、［Ａ］化合物の活性部位を失活させて当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の安定性向上に寄与し得る。本発明において、特定桂皮酸誘導体と共に上記式（４）で表される化合物を使用する場合、特定桂皮酸誘導体及び上記式（４）で表される化合物の合計の使用割合は、ポリオルガノシロキサンの有するエポキシ基１モルに対して、好ましくは０．００１〜１．５モル、より好ましくは０．０１〜１モル、さらに好ましくは０．０５〜０．９モルである。この場合、上記式（４）で表される化合物は、特定桂皮酸誘導体との合計に対して好ましくは５０モル％以下、より好ましくは２５モル％以下の範囲で使用される。上記式（４）で表される化合物の使用割合が５０モル％を超えると、有機ＥＬ発光体配向制御膜における配向性が低下する不具合を生じるおそれがある。
【０１０３】
なお、［Ａ］化合物がポリオルガノシロキサン化合物以外のポリマーである場合の製造方法としては、光配向性基を導入し得る構造を有する公知のポリマーと、桂皮酸や桂皮酸誘導体（上記特定桂皮酸誘導体や、桂皮酸塩化物等）とを反応させる方法を挙げることができる。上記光配向性基を導入し得る構造としては、例えば水酸基、エポキシ基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、エステル基、アミド基等が挙げられる。
【０１０４】
このようにして得られた［Ａ］化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるスチレン換算での質量平均分子量は特に限定されないが、１，０００〜２０，０００であることが好ましく、３，０００〜１５，０００であることがより好ましい。このような分子量範囲にあることで、有機ＥＬ発光体配向制御膜の良好な配向性及び熱的安定性を確保することができる。
【０１０５】
＜［Ｂ］成分：エステル構造含有化合物＞
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は［Ｂ］エステル構造含有化合物を含むことにより、耐熱性及び耐光性に優れる有機ＥＬ発光体配向制御膜を形成し得ると共に、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の保存安定性を向上させることができる。
【０１０６】
［Ｂ］エステル構造含有化合物は、分子内にカルボン酸のアセタールエステル構造、カルボン酸のケタールエステル構造、カルボン酸の１−アルキルシクロアルキルエステル構造及びカルボン酸のｔ−ブチルエステル構造からなる群より選択される少なくとも１種の構造を２個以上有する化合物である。［Ｂ］エステル構造含有化合物は、これらの構造のうちの同じ種類の構造を２個以上有する化合物であってもよく、これらの構造のうちの異なる種類の構造を合わせて２個以上有する化合物であってもよい。上記カルボン酸のアセタールエステル構造を含む基としては、下記式（Ｂ−１）及び（Ｂ−２）のそれぞれで表される基を挙げることができる。
【０１０７】
【化２２】
（式（Ｂ−１）中、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０の脂環式基、炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数７〜１０のアラルキル基であり、
式（Ｂ−２）中、ｎ１は２〜１０の整数である。）
【０１０８】
ここで、上記式（Ｂ−１）におけるＲ１３について、
アルキル基としてメチル基；
脂環式基としてシクロヘキシル基；
アリール基としてフェニル基；
アラルキル基としてベンジル基が、それぞれ好ましく、
Ｒ１４のアルキル基として炭素数１〜６のアルキル基；
脂環式基として炭素数６〜１０の脂環式基；
アリール基としてフェニル基；
アラルキル基としてベンジル基又は２−フェニルエチル基が、それぞれ好ましい。式（Ｂ−２）におけるｎ１としては、３又は４であることが好ましい。
【０１０９】
上記式（Ｂ−１）で表される基としては、例えば、１−メトキシエトキシカルボニル基、１−エトキシエトキシカルボニル基、１−ｎ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−ｉ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−ｎ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−ｉ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−ｓｅｃ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−ｔ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−シクロペンチルオキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル基、１−ノルボルニルオキシエトキシカルボニル基、１−ボルニルオキシエトキシカルボニル基、１−フェノキシエトキシカルボニル基、１−（１−ナフチルオキシ）エトキシカルボニル基、１−ベンジルオキシエトキシカルボニル基、１−フェネチルオキシエトキシカルボニル基、（シクロヘキシル）（メトキシ）メトキシカルボニル基、（シクロヘキシル）（エトキシ）メトキシカルボニル基、（シクロヘキシル）（ｎ−プロポキシ）メトキシカルボニル基、（シクロヘキシル）（ｉ−プロポキシ）メトキシカルボニル基、（シクロヘキシル）（シクロヘキシルオキシ）メトキシカルボニル基、（シクロヘキシル）（フェノキシ）メトキシカルボニル基、（シクロヘキシル）（ベンジルオキシ）メトキシカルボニル基、（フェニル）（メトキシ）メトキシカルボニル基、（フェニル）（エトキシ）メトキシカルボニル基、（フェニル）（ｎ−プロポキシ）メトキシカルボニル基、（フェニル）（ｉ−プロポキシ）メトキシカルボニル基、（フェニル）（シクロヘキシルオキシ）メトキシカルボニル基、（フェニル）（フェノキシ）メトキシカルボニル基、（フェニル）（ベンジルオキシ）メトキシカルボニル基、（ベンジル）（メトキシ）メトキシカルボニル基、（ベンジル）（エトキシ）メトキシカルボニル基、（ベンジル）（ｎ−プロポキシ）メトキシカルボニル基、（ベンジル）（ｉ−プロポキシ）メトキシカルボニル基、（ベンジル）（シクロヘキシルオキシ）メトキシカルボニル基、（ベンジル）（フェノキシ）メトキシカルボニル基、（ベンジル）（ベンジルオキシ）メトキシカルボニル基等；
上記式（Ｂ−２）で表される基としては、例えば２−テトラヒドロフラニルオキシカルボニル基、２−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基等
が挙げられる。
【０１１０】
これらのうち、１−エトキシエトキシカルボニル基、１−ｎ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル基、２−テトラヒドロフラニルオキシカルボニル基、２−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基等が好ましい。
【０１１１】
上記カルボン酸のケタールエステル構造を含む基としては、例えば、下記式（Ｂ−３）〜（Ｂ−５）のそれぞれで表される基を挙げることができる。
【０１１２】
【化２３】
（式（Ｂ−３）中、Ｒ１５は炭素数１〜１２のアルキル基であり、Ｒ１６及びＲ１７は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式基、炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数７〜２０のアラルキル基である。
式（Ｂ−４）中、Ｒ１８は炭素数１〜１２のアルキル基であり、ｎ２は２〜８の整数である。
式（Ｂ−５）中、Ｒ１９は炭素数１〜１２のアルキル基であり、ｎ３は２〜８の整数である。）
【０１１３】
ここで、上記式（Ｂ−３）におけるＲ１５のアルキル基としてはメチル基が好ましく、
Ｒ１６についてはアルキル基としてメチル基；
脂環式基としてシクロヘキシル基；
アリール基としてフェニル基；
アラルキル基としてベンジル基が、それぞれ好ましく、
Ｒ１７については、アルキル基として炭素数１〜６のアルキル基；
脂環式基として炭素数６〜１０の脂環式基；
アリール基としてフェニル基；
アラルキル基としてベンジル基又は２−フェニルエチル基が、それぞれ好ましく、
式（Ｂ−４）におけるＲ１８のアルキル基としてメチル基が、ｎ２としては３又は４であることが、それぞれ好ましく、
式（Ｂ−５）におけるＲ１９のアルキル基としてはメチル基が、ｎ３としては３又は４であることが、それぞれ好ましい。
【０１１４】
上記式（Ｂ−３）で表される基としては、例えば、１−メチル−１−メトキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−エトキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−ｎ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−ｉ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−ｎ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−ｉ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−ｓｅｃ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−ｔ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−シクロペンチルオキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−ノルボルニルオキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−ボルニルオキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−フェノキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−（１−ナフチルオキシ）エトキシカルボニル基、１−メチル−１−ベンジルオキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−フェネチルオキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシル−１−メトキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシル−１−エトキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシル−１−ｎ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシル−１−ｉ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシル−１−シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシル−１−フェノキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシル−１−ベンジルオキシエトキシカルボニル基、１−フェニル−１−メトキシエトキシカルボニル基、１−フェニル−１−エトキシエトキシカルボニル基、１−フェニル−１−ｎ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−フェニル−１−ｉ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−フェニル−１−シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル基、１−フェニル−１−フェノキシエトキシカルボニル基、１−フェニル−１−ベンジルオキシエトキシカルボニル基、１−ベンジル−１−メトキシエトキシカルボニル基、１−ベンジル−１−エトキシエトキシカルボニル基、１−ベンジル−１−ｎ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−ベンジル−１−ｉ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−ベンジル−１−シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル基、１−ベンジル−１−フェノキシエトキシカルボニル基、１−ベンジル−１−ベンジルオキシエトキシカルボニル基等；
【０１１５】
上記式（Ｂ−４）で表される基としては、例えば２−（２−メチルテトラヒドロフラニル）オキシカルボニル基、２−（２−メチルテトラヒドロピラニル）オキシカルボニル基等；
上記式（Ｂ−５）で表される基としては、例えば１−メトキシシクロペンチルオキシカルボニル基、１−メトキシシクロヘキシルオキシカルボニル基等
をそれぞれ挙げることができる。
【０１１６】
これらのうち、１−メチル−１−メトキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル基等が好ましい。
【０１１７】
上記カルボン酸の１−アルキルシクロアルキルエステル構造を含む基としては、例えば下記式（Ｂ−６）で表される基を挙げることができる。
【０１１８】
【化２４】
（式（Ｂ−６）中、Ｒ２０は炭素数１〜１２のアルキル基であり、ｎ４は１〜８の整数である。）
【０１１９】
上記式（Ｂ−６）におけるＲ２０のアルキル基としては炭素数１〜１０のアルキル基が好ましい。
【０１２０】
上記式（Ｂ−６）で表される基としては、例えば１−メチルシクロプロポキシカルボニル基、１−メチルシクロブトキシカルボニル基、１−メチルシクロペントキシカルボニル基、１−メチルシクロへキシロキシカルボニル基、１−メチルシクロヘプチロキシカルボニル基、１−メチルシクロオクチロキシカルボニル基、１−メチルシクロノニロキシカルボニル基、１−メチルシクロデシロキシカルボニル基、１−エチルシクロプロポキシカルボニル基、１−エチルシクロブトキシカルボニル基、１−エチルシクロペントキシカルボニル基、１−エチルシクロヘキシロキシカルボニル基、１−エチルシクロヘプチロキシカルボニル基、１−エチルシクロオクチロキシカルボニル基、１−エチルシクロノニロキシカルボニル基、１−エチルシクロデシロキシカルボニル基、１−（イソ）プロピルシクロプロポキシカルボニル基、１−（イソ）プロピルシクロブトキシカルボニル基、１−（イソ）プロピルシクロペントキシカルボニル基、１−（イソ）プロピルシクロヘキシロキシカルボニル基、１−（イソ）プロピルシクロヘプチロキシカルボニル基、１−（イソ）プロピルシクロオクチロキシカルボニル基、１−（イソ）プロピルシクロノニロキシカルボニル基、１−（イソ）プロピルシクロデシロキシカルボニル基、１−（イソ）ブチルシクロプロポキシカルボニル基、１−（イソ）ブチルシクロブトキシカルボニル基、１−（イソ）ブチルシクロペントキシカルボニル基、１−（イソ）ブチルシクロヘキシロキシカルボニル基、１−（イソ）ブチルシクロヘプチロキシカルボニル基、１−（イソ）ブチルシクロオクチロキシカルボニル基、１−（イソ）ブチルシクロノニロキシカルボニル基、１−（イソ）ブチルシクロデシロキシカルボニル基、１−（イソ）ペンチルシクロプロポキシカルボニル基、１−（イソ）ペンチルシクロブトキシカルボニル基、１−（イソ）ペンチルシクロペントキシカルボニル基、１−（イソ）ペンチルシクロヘキシロキシカルボニル基、１−（イソ）ペンチルシクロヘプチロキシカルボニル基、１−（イソ）ペンチルシクロオクチロキシカルボニル基、１−（イソ）ペンチルシクロノニロキシカルボニル基、１−（イソ）ペンチルシクロデシロキシカルボニル基、
【０１２１】
１−（イソ）ヘキシルシクロプロポキシカルボニル基、１−（イソ）ヘキシルシクロブトキシカルボニル基、１−（イソ）ヘキシルシクロペントキシカルボニル基、１−（イソ）ヘキシルシクロヘキシロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘキシルシクロヘプチロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘキシルシクロオクチロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘキシルシクロノニロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘキシルシクロデシロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘプチルシクロプロポキシカルボニル基、１−（イソ）ヘプチルシクロブトキシカルボニル基、１−（イソ）ヘプチルシクロペントキシカルボニル基、１−（イソ）ヘプチルシクロヘキシロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘプチルシクロヘプチロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘプチルシクロオクチロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘプチルシクロノニロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘプチルシクロデシロキシカルボニル基、１−（イソ）オクチルシクロプロポキシカルボニル基、１−（イソ）オクチルシクロブトキシカルボニル基、１−（イソ）オクチルシクロペントキシカルボニル基、１−（イソ）オクチルシクロヘキシロキシカルボニル基、１−（イソ）オクチルシクロヘプチロキシカルボニル基、１−（イソ）オクチルシクロオクチロキシカルボニル基、１−（イソ）オクチルシクロノニロキシカルボニル基、１−（イソ）オクチルシクロデシロキシカルボニル基等を挙げることができる。
【０１２２】
上記カルボン酸のｔ−ブチルエステル構造を含む基とは、ｔ−ブトキシカルボニル基である。
【０１２３】
本発明における［Ｂ］エステル構造含有化合物としては、下記式（Ｂ）で表される化合物が好ましい。
ＢｎＲ （Ｂ）
（式（Ｂ）中、Ｂは上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）のいずれかで表される基若しくはｔ−ブトキシカルボニル基であり、ｎが２であってＲが単結合であるか、又はｎが２〜１０の整数であってＲが炭素数３〜１０の複素環化合物から水素を除去して得られるｎ価の基若しくは炭素数１〜１８のｎ価の炭化水素基である。）
ｎとしては、２又は３であることが好ましい。
【０１２４】
上記式（Ｂ）におけるＲの具体例としては、ｎが２である場合として、単結合、メチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、２，６−ナフタレニル基、５−ナトリウムスルホ−１，３−フェニレン基、５−テトラブチルホスホニウムスルホ−１，３−フェニレン基等；
【０１２５】
ｎが３である場合として、下記式
【０１２６】
【化２５】
【０１２７】
で表される基、ベンゼン−１，３，５−トリイル基等
をそれぞれ挙げることができる。上記アルキレン基としては、直鎖のものが好ましい。
【０１２８】
上記式（Ｂ）で表される［Ｂ］エステル構造含有化合物は、有機化学の定法により、又は有機化学の定法を適宜に組み合わせることにより合成することができる。
【０１２９】
例えば上記式（Ｂ）における基Ｂが上記式（Ｂ−１）で表される基である化合物（ただし、Ｒ１３がフェニル基である場合を除く。）は、好ましくはリン酸触媒の存在下で化合物Ｒ−（ＣＯＯＨ）ｎ（ただし、Ｒ及びｎは、それぞれ上記式（Ｂ）におけるのと同義である。）及び化合物Ｒ１４−Ｏ−ＣＨ＝Ｒ１３’（ただし、Ｒ１４は上記式（Ｂ−１）におけるのと同義であり、Ｒ１３’は上記式（Ｂ−１）における基Ｒ１３の一位炭素から水素原子を除去して得られる基である。）を付加することにより合成することができる。
【０１３０】
上記式（Ｂ）における基Ｂが上記式（Ｂ−２）で表される基である化合物は、好ましくはｐ−トルエンスルホン酸触媒の存在下で化合物Ｒ−（ＣＯＯＨ）ｎ（ただし、Ｒ及びｎは、それぞれ、上記式（Ｂ）におけるのと同義である。）及び下記式で表される化合物を付加することにより合成することができる。
【０１３１】
【化２６】
（式中、ｎ１は上記式（Ｂ−２）におけるのと同義である。）
【０１３２】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物中の［Ｂ］エステル構造含有化合物の含有量は、要求される耐熱性等を考慮して決めれば特に限定されないものの、［Ａ］化合物１００質量部に対して［Ｂ］エステル構造含有化合物０．１〜５０質量部が好ましく、１〜２０質量部がより好ましく、２〜１０質量部が特に好ましい。
【０１３３】
＜他の重合体＞
上記他の重合体は、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の溶液特性、及び得られる有機ＥＬ発光体配向制御膜の電気特性をより改善するために使用することができる。かかる他の重合体としては、例えば上記式（３）で表される繰り返し単位とは異なる構造の繰り返し単位を有するポリオルガノシロキサン、その加水分解物及びその加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種（以下、単に「他のポリオルガノシロキサン」ともいう。）、ポリアミック酸エステル、ポリエステル、ポリアミド、セルロース誘導体、ポリアセタール、ポリスチレン誘導体、ポリ（スチレン−フェニルマレイミド）誘導体、ポリ（メタ）アクリレート等を挙げることができる。
【０１３４】
＜他のポリオルガノシロキサン＞
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、上述のように、［Ａ］化合物以外にも他のポリオルガノシロキサンを含んでいてもよい。本発明において他のポリオルガノシロキサンを含む場合、下記式（５）で表される繰り返し単位を有するポリオルガノシロキサン、その加水分解物及びその加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【０１３５】
【化２７】
（式（５）中、Ｘ２は水酸基、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜２０のアリール基であり、Ｙ２は水酸基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基である。）
【０１３６】
なお、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が、上記他のポリオルガノシロキサンを含む場合、他のポリオルガノシロキサンの大部分は、［Ａ］化合物とは独立して存在しているもの、その一部は［Ａ］化合物との縮合物として存在していてもよい。
【０１３７】
かかる他のポリオルガノシロキサンは、例えばアルコキシシラン化合物及びハロゲン化シラン化合物からなる群より選択される少なくとも１種のシラン化合物（以下、「原料シラン化合物」ともいう。）を、好ましくは適当な有機溶媒中で、水及び触媒の存在下において加水分解又は加水分解・縮合することにより合成することができる。
【０１３８】
ここで使用できる原料シラン化合物としては、例えばテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラクロロシラン；メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、メチルトリクロロシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、エチルトリクロロシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリクロロシラン；ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジクロロシラン；トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルクロロシラン等を挙げることができる。これらのうちテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン又はトリメチルエトキシシランが好ましい。
【０１３９】
他のポリオルガノシロキサンを合成する際に、任意的に使用することのできる有機溶媒としては、例えばアルコール化合物、ケトン化合物、アミド化合物もしくはエステル化合物又はその他の非プロトン性化合物を挙げることができる。これらは単独で又は２種以上組み合わせて使用できる。
【０１４０】
上記アルコール化合物としては、例えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノール、ヘプタノール−３、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアルコール、２，６−ジメチルヘプタノール−４、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール化合物；
エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ペンタンジオール−２，４、２−メチルペンタンジオール−２，４、ヘキサンジオール−２，５、ヘプタンジオール−２，４、２−エチルヘキサンジオール−１，３、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール化合物；
【０１４１】
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール化合物の部分エーテル等を、それぞれ挙げることができる。これらのアルコール化合物は、１種であるいは２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１４２】
上記ケトン化合物としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ−ブチルケトン、ジ−ｉ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、２−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェンチョン、アセトフェノン等のモノケトン化合物；
アセチルアセトン、２，４−ペンタンジオン、２，４−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオン、３，５−ヘプタンジオン、５−メチル−２，４−ヘキサンジオン、２，４−オクタンジオン、３，５−オクタンジオン、２，４−ノナンジオン、３，５−ノナンジオン、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ヘプタンジオン等のβ−ジケトン化合物；
アセトニルアセトン等のγ−ジケトン化合物
等を、それぞれ挙げることができる。これらのケトン化合物は、１種であるいは２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１４３】
上記アミド化合物としては、例えばホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ−ホルミルピペリジン、Ｎ−ホルミルピロリジン、Ｎ−アセチルモルホリン、Ｎ−アセチルピペリジン、Ｎ−アセチルピロリジン等を挙げることができる。これらアミド化合物は、１種であるいは２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１４４】
上記エステル化合物としては、例えば炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミル、マロン酸ジエチル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等を挙げることができる。これらエステル化合物は、１種であるいは２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１４５】
上記その他の非プロトン性化合物としては、例えば、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルスルファミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−メチルピロール、Ｎ−エチルピロール、Ｎ−メチル−Δ３−ピロリン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−エチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルピペラジン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチル−４−ピペリドン、Ｎ−メチル−２−ピペリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジメチルテトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン等を挙げることができる。
これら溶媒のうち、多価アルコール化合物、多価アルコール化合物の部分エーテル、又はエステル化合物が特に好ましい。
【０１４６】
他のポリオルガノシロキサンの合成に際して使用する水の量としては、原料シラン化合物の有するアルコキシ基及びハロゲン原子の総量の１モルに対して、好ましくは０．０１〜１００モルであり、より好ましくは０．１〜３０モルであり、さらに１〜１．５モルであることが好ましい。
【０１４７】
他のポリオルガノシロキサンの合成に際して使用できる触媒としては、例えば金属キレート化合物、有機酸、無機酸、有機塩基、アンモニア、アルカリ金属化合物等を挙げることができる。
【０１４８】
上記金属キレート化合物として、例えばトリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、テトラキス（アセチルアセトナート）チタン、
【０１４９】
トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、テトラキス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）チタン、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）チタン、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）チタン等のチタンキレート化合物；
【０１５０】
トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、テトラキス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、
【０１５１】
ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、テトラキス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム等のジルコニウムキレート化合物；
トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム等のアルミニウムキレート化合物等が挙げられる。
【０１５２】
上記有機酸として、例えば酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、アジピン酸、メチルマロン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン酸、ミキミ酸、２−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸等を挙げることができる。
【０１５３】
上記無機酸としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸等を挙げることができる。
【０１５４】
上記有機塩基としては、例えばピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロオクラン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウンデセン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等を挙げることができる。
【０１５５】
上記アルカリ金属化合物としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウム等を挙げることができる。これら触媒は、１種をあるいは２種以上を一緒に使用してもよい。
【０１５６】
これら触媒のうち、金属キレート化合物、有機酸又は無機酸が好ましい。金属キレート化合物としては、チタンキレート化合物が特に好ましい。
【０１５７】
触媒の使用量は、原料シラン化合物１００質量部に対して好ましくは０．００１〜１０質量部であり、より好ましくは０．００１〜１質量部である。
【０１５８】
触媒は、原料であるシラン化合物中又はシラン化合物を有機溶媒に溶解した溶液中に予め添加しておいてもよく、あるいは添加される水中に溶解又は分散させておいてもよい。
【０１５９】
他のポリオルガノシロキサンの合成に際して添加される水は、原料であるシラン化合物中又はシラン化合物を有機溶媒に溶解した溶液中に、断続的又は連続的に添加することができる。
【０１６０】
他のポリオルガノシロキサンの合成の際の反応温度としては、好ましくは０〜１００℃であり、より好ましくは１５〜８０℃である。反応時間は好ましくは０．５〜２４時間であり、より好ましくは１〜８時間である。
【０１６１】
＜他の重合体の使用割合＞
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が、［Ａ］化合物と共に他の重合体を含有するものである場合、他の重合体の含有量としては、［Ａ］化合物１００質量部に対して１０，０００質量部以下であることが好ましい。他の重合体のより好ましい含有量は、他の重合体の種類により異なる。
【０１６２】
一方、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が、［Ａ］化合物及び他のポリオルガノシロキサンを含有するものである場合における両者の好ましい使用割合は、［Ａ］化合物１００質量部に対する他のポリオルガノシロキサンの量として１００〜２，０００質量部である。本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が、［Ａ］化合物とともに他の重合体を含有するものである場合、他の重合体の種類としては、他のポリオルガノシロキサンであることが好ましい。
【０１６３】
＜硬化剤及び硬化触媒、並びに硬化促進剤＞
上記硬化剤及び硬化触媒は、［Ａ］化合物の架橋反応をより強固にする目的で本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物に含ませることができる。上記硬化促進剤は、硬化剤の司る硬化反応を促進する目的で本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物に含ませることができる。
【０１６４】
上記硬化剤としては、エポキシ基を有する硬化性化合物、又はエポキシ基を有する化合物を含有する硬化性組成物の硬化に一般に用いられている硬化剤を用いることができる。このような硬化剤としては、例えば多価アミン、多価カルボン酸無水物、多価カルボン酸を例示することができる。
【０１６５】
上記多価カルボン酸無水物としては、例えばシクロヘキサントリカルボン酸の無水物及びその他の多価カルボン酸無水物を挙げることができる。
【０１６６】
シクロヘキサントリカルボン酸無水物の具体例としては、例えばシクロヘキサン−１，３，４−トリカルボン酸−３，４−無水物、シクロヘキサン−１，３，５−トリカルボン酸−３，５−無水物、シクロヘキサン−１，２，３−トリカルボン酸−２，３−酸無水物等を挙げることができ、その他の多価カルボン酸無水物としては、例えば４−メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルナジック酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物、無水コハク酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水トリメリット酸、下記式（６）
【０１６７】
【化２８】
（式（６）中、ｐは１〜２０の整数である。）
で表される化合物、及びポリアミック酸の合成に一般に用いられるテトラカルボン酸二無水物のほか、α−テルピネン、アロオシメン等の共役二重結合を有する脂環式化合物と無水マレイン酸とのディールス・アルダー反応生成物及びこれらの水素添加物等を挙げることができる。
【０１６８】
上記硬化触媒としては、例えば６フッ化アンチモン化合物、６フッ化リン化合物、アルミニウムトリスアセチルアセトナート等を用いることができる。これらの触媒は、加熱によりエポキシ基のカチオン重合を触媒することができる。
【０１６９】
上記硬化促進剤としては、例えばイミダゾール化合物；
４級リン化合物；
４級アミン化合物；
１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７やその有機酸塩の如きジアザビシクロアルケン；
オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、アルミニウムアセチルアセトン錯体の如き有機金属化合物；
三フッ化ホウ素、ホウ酸トリフェニルの如きホウ素化合物；
塩化亜鉛、塩化第二錫の如き金属ハロゲン化合物；
ジシアンジアミド、アミンとエポキシ樹脂との付加物の如きアミン付加型促進剤等の高融点分散型潜在性硬化促進剤；
４級フォスフォニウム塩等の表面をポリマーで被覆したマイクロカプセル型潜在性硬化促進剤；
アミン塩型潜在性硬化促進剤；
ルイス酸塩、ブレンステッド酸塩の如き高温解離型の熱カチオン重合型潜在性硬化促進剤等を挙げることができる。
【０１７０】
＜エポキシ化合物＞
上記エポキシ化合物は、形成される有機ＥＬ発光体配向制御膜の基板又はアノード電極表面に対する接着性を向上させる観点から、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物に含ませてもよい。
【０１７１】
かかるエポキシ化合物としては、例えばエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、２，２−ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，３，５，６−テトラグリシジル−２，４−ヘキサンジオール、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，−ジグリシジル−ベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジル−アミノメチルシクロヘキサン等を好ましいものとして挙げることができる。
【０１７２】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物がエポキシ化合物を含有する場合、その含有割合としては、上記［Ａ］化合物と任意的に使用される他の重合体との合計１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜４０質量部以下であり、より好ましくは０．１〜３０質量部である。
【０１７３】
なお、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物がエポキシ化合物を含有する場合、その架橋反応を効率良く起こす目的で、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール等の塩基触媒を併用してもよい。
【０１７４】
＜官能性シラン化合物＞
上記官能性シラン化合物は、得られる有機ＥＬ発光体配向制御膜のアノード電極との接着性を向上する目的で使用することができる。官能性シラン化合物としては、例えば３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、１０−トリメトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられ、さらに特開昭６３ー２９１９２２号公報に記載されている、テトラカルボン酸二無水物とアミノ基を有するシラン化合物との反応物等が挙げられる。
【０１７５】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が官能性シラン化合物を含有する場合、その含有割合としては、［Ａ］化合物と任意的に使用される他の重合体との合計１００質量部に対して、好ましくは５０質量部以下であり、より好ましくは２０質量部以下である。
【０１７６】
＜界面活性剤＞
上記界面活性剤としては、例えばノニオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性界面活性剤、シリコーン界面活性剤、ポリアルキレンオキシド界面活性剤、含フッ素界面活性剤等を挙げることができる。
【０１７７】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が上記界面活性剤を含む場合、その含有割合としては、有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の全体１００質量部に対して、好ましくは１０質量部以下であり、より好ましくは１質量部以下である。
【０１７８】
＜光増感性化合物＞
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物に含有され得る光増感性化合物は、カルボキシル基、水酸基、−ＳＨ、−ＮＣＯ、−ＮＨＲ（ただし、Ｒは水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基である）、−ＣＨ＝ＣＨ２及びＳＯ２Ｃｌからなる群より選択される少なくとも１種の基並びに光増感性構造を有する化合物である。上記エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと、特定桂皮酸誘導体及び光増感性化合物の混合物とを反応させることにより、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物に含有される［Ａ］化合物は、特定桂皮酸誘導体に由来する感光性構造（桂皮酸構造）と光増感性化合物に由来する光増感性構造とを併有することとなる。この光増感性構造は、光の照射により励起し、この励起エネルギーを重合体内で近接する感光性構造に与える機能を有する。この励起状態は一重項であってもよく、三重項であってもよいが、長寿命や効率的なエネルギー移動に鑑み、三重項であることが好ましい。上記光増感性構造が吸収する光は、波長１５０〜６００ｎｍの範囲の紫外線又は可視光線であることが好ましい。波長が上記下限より短い光は、通常の光学系で取り扱うことができないため、光配向法に好適に用いることができない。一方、上記上限より波長の長い光は、エネルギーが小さく、上記光増感性構造の励起状態を誘起し難い。
【０１７９】
かかる光増感性構造としては、例えばアセトフェノン構造、ベンゾフェノン構造、アントラキノン構造、ビフェニル構造、カルバゾール構造、ニトロアリール構造、フルオレン構造、ナフタレン構造、アントラセン構造、アクリジン構造、インドール構造等が挙げられ、これらを単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。これらの光増感性構造は、それぞれ、アセトフェノン、ベンゾフェノン、アントラキノン、ビフェニル、カルバゾール、ニトロベンゼンもしくはジニトロベンゼン、ナフタレン、フルオレン、アントラセン、アクリジン又はインドールから、１〜４個の水素原子を除去して得られる基からなる構造をいう。ここで、アセトフェノン構造、カルバゾール構造及びインドール構造のそれぞれは、アセトフェノン、カルバゾール又はインドールのベンゼン環が有する水素原子のうちの１〜４個を除去して得られる基からなる構造であることが好ましい。これらの光増感性構造のうち、アセトフェノン構造、ベンゾフェノン構造、アントラキノン構造、ビフェニル構造、カルバゾール構造、ニトロアリール構造及びナフタレン構造からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、アセトフェノン構造、ベンゾフェノン構造及びニトロアリール構造からなる群より選択される少なくとも１種であることが特に好ましい。
【０１８０】
光増感性化合物としては、カルボキシル基及び光増感性構造を有する化合物であることが好ましく、さらに好ましい化合物として、例えば下記式（Ｈ−１）〜（Ｈ−１０）のそれぞれで表される化合物等を挙げることができる。
【０１８１】
【化２９】
（式中、ｑは１〜６の整数である。）
【０１８２】
本発明で使用される［Ａ］化合物は、上記の如きエポキシ基を有するポリオルガノシロキサン及び特定桂皮酸誘導体に加え、光増感性化合物を合わせて、好ましくは触媒の存在下において、好ましくは有機溶媒中で反応させることにより合成してもよい。この場合、特定桂皮酸誘導体は、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンのケイ素原子１モルに対して、好ましくは０．００１〜１モル、より好ましくは０．１〜１モル、さらに好ましくは０．２〜０．９モルの範囲で使用される。光増感性化合物は、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンのケイ素原子１モルに対して、好ましくは０．０００１〜０．５モル、より好ましくは０．０００５〜０．２モル、さらに好ましくは０．００１〜０．１モルの範囲で使用される。
【０１８３】
＜有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の調製＞
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、上述の通り、［Ａ］化合物を必須成分として含有し、その他に必要に応じて他の成分を含有するものであるが、好ましくは各成分が有機溶媒に溶解された溶液状の組成物として調製される。なお、光配向性化合物と他の含有成分（例えば、ポリアミック酸及びポリイミドからなる群より選択される少なくとも１種の重合体や他のポリオルガノシロキサン等）とは、有機ＥＬ発光体配向制御用組成物及び有機ＥＬ発光体配向制御膜のいずれの状態においても、互いに一部結合していてもよい。
【０１８４】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を調製するために使用することのできる有機溶媒としては、［Ａ］化合物、及び使用される他の成分を溶解し、これらと反応しないものが好ましい。本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物に好ましく使用することのできる有機溶媒は、任意的に添加される他の重合体の種類により異なる。
【０１８５】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物において、［Ａ］化合物に対する好ましい有機溶剤としては、ポリアミック酸の合成に用いられるものとして上記に例示した有機溶媒を挙げることができる。このとき、本発明のポリアミック酸の合成に用いられるものとして例示した貧溶媒を併用してもよい。これら有機溶媒は、単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
【０１８６】
一方、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が、重合体として［Ａ］化合物及び他のポリオルガノシロキサンを含有する場合における好ましい有機溶剤としては、例えば、１−エトキシ−２−プロパノール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレンブリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ）、エチレングリコールモノアミルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコール、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、メチルカルビトール、エチルカルビトール、プロピルカルビトール、ブチルカルビトール、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸ｎ−ヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸オクチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル等が挙げられる。この中で好ましくは、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル等を挙げることができる。
【０１８７】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の調製に用いられる好ましい溶媒は、他の重合体の使用の有無及びその種類に従い、上記した有機溶媒の１種又は２種以上を組み合わせて得ることができる。このような溶媒は、下記の好ましい固形分濃度において有機ＥＬ発光体配向制御用組成物に含有される各成分が析出せず、且つ有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の表面張力が２５〜４０ｍＮ／ｍの範囲となるものである。
【０１８８】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の固形分濃度、すなわち有機ＥＬ発光体配向制御用組成物中の溶媒以外の全成分の質量が有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の全質量に占める割合は、粘性、揮発性等を考慮して選択されるが、好ましくは１〜１０質量％の範囲である。本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、基板又はアノード電極上に塗布されて、有機ＥＬ発光体配向制御膜となる塗膜を形成するが、固形分濃度が１質量％以上である場合には、この塗膜の膜厚が過小となりにくくなって良好な有機ＥＬ発光体配向制御膜を得ることができる。一方、固形分濃度が１０質量％以下の場合には、塗膜の膜厚が過大となることを抑制して良好な有機ＥＬ発光体配向制御膜を得ることができ、また、有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の粘性が増大することを防止して塗布特性を良好にすることができる。特に好ましい固形分濃度の範囲は、基板又はアノード電極に有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を塗布する際に採用する方法によって異なる。例えばスピンナー法による場合には１．５〜４．５質量％の範囲が特に好ましい。印刷法による場合には、固形分濃度を３〜９質量％の範囲とし、それによって溶液粘度を１２〜５０ｍＰａ・ｓの範囲とするのが特に好ましい。インクジェット法による場合には、固形分濃度を１〜５質量％の範囲とし、それによって溶液粘度を３〜１５ｍＰａ・ｓの範囲とするのが特に好ましい。
【０１８９】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を調製する際の温度は、好ましくは０℃〜２００℃、より好ましくは０℃〜４０℃である。
【０１９０】
＜有機ＥＬ発光体配向制御膜＞
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、光配向法により有機ＥＬ発光体層に異方性を付与する配向制御膜を形成するために好適に使用することができる。
【０１９１】
有機ＥＬ発光体配向制御膜を形成する方法としては、例えば、基板上にアノード電極を形成し、このアノード電極を覆うように当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物による塗膜を形成し、次いで該塗膜に異方性を有する偏光等を照射する光配向法により有機ＥＬ発光体配向能を付与する方法を挙げることができる。
【０１９２】
まず、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を、例えば、ロールコーター法、スピンナー法、印刷法、インクジェット法等の適宜の塗布方法により塗布する。そして、該塗布面を、予備加熱（プレベーク）し、次いで焼成（ポストベーク）することにより塗膜を形成する。プレベーク条件は、例えば４０〜１２０℃において０．１〜５分であり、ポストベーク条件は、好ましくは１２０〜３００℃、より好ましくは１５０〜２５０℃において、好ましくは５〜２００分、より好ましくは１０〜１００分である。ポストベーク後の塗膜の膜厚は、好ましくは０．００１〜１μｍであり、より好ましくは０．００５〜０．５μｍである。
【０１９３】
次いで、上記塗膜に直線偏光若しくは部分偏光された光又は無偏光の光を照射することにより、有機ＥＬ発光体配向能を付与する。ここで、光としては、例えば１５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長の光を含む紫外線及び可視光線を用いることができるが、３００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の光を含む紫外線が好ましい。用いる光が直線偏光又は部分偏光している場合には、照射は基板面に垂直の方向から行っても、斜め方向から行ってもよく、また、これらを組み合わせて行ってもよい。無偏光の光を照射する場合には、照射の方向は斜め方向である必要がある。
【０１９４】
使用する光源としては、例えば低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、重水素ランプ、メタルハライドランプ、アルゴン共鳴ランプ、キセノンランプ、エキシマーレーザー等を使用することができる。上記の好ましい波長領域の紫外線は、上記光源を、例えばフィルターや回折格子等と併用する手段等により得ることができる。
【０１９５】
光の照射量としては特に限定されないが、好ましくは１Ｊ／ｍ２以上１０，０００Ｊ／ｍ２未満であり、より好ましくは１０〜３，０００Ｊ／ｍ２である。なお、従来知られている有機ＥＬ発光体配向制御用組成物から形成された塗膜に対し、光配向法により有機ＥＬ発光体配向能を付与する場合、１０，０００Ｊ／ｍ２以上の光照射量が必要であった。しかし本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を用いると、光配向法の際の放射線照射量が３，０００Ｊ／ｍ２以下、さらに１，０００Ｊ／ｍ２以下であっても良好な有機ＥＬ発光体配向能を付与することができ、有機ＥＬ素子の生産性向上と製造コストの削減に資する。
【０１９６】
有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の塗布に際しては、基板やアノード電極との接着性をさらに良好なものにするために、基板やアノード電極上に、予め官能性シラン化合物、チタネート等を塗布しておいてもよい。
【０１９７】
＜有機ＥＬ素子及びその製造方法＞
本発明の有機ＥＬ素子について図面を参照しつつ説明する。図１は、本発明の有機ＥＬ素子の一例を示す模式的断面図である。有機ＥＬ素子１は、基板２上に形成されたアノード電極３と、アノード電極３を覆うように形成された有機ＥＬ発光体配向制御膜４と、有機ＥＬ発光体配向制御膜４上に形成された有機ＥＬ発光体層５と、有機ＥＬ発光体層５上に形成されたカソード電極６とを備える。
【０１９８】
また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に形成されたアノード電極を覆うように、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を用いて塗膜を形成する工程、上記塗膜に直線偏光を照射して有機ＥＬ発光体配向制御膜を形成する工程、上記有機ＥＬ発光体配向制御膜上に有機ＥＬ発光体層を形成する工程、及び上記有機ＥＬ発光体層上にカソード電極を形成する工程
を有する。以下、各要素について説明する。
【０１９９】
＜基板＞
基板２は、可視光領域の光の透過率が高く、また有機ＥＬ素子を形成する工程において変化しないものが好適に用いられ、リジッド板でも、フレキシブル板でもよく、例えばガラス板、プラスチック板、高分子フィルム及びシリコン板、並びにこれらを積層した積層板等が好適に用いられる。
【０２００】
プラスチック板や高分子フィルムを構成する樹脂としては、例えば有機ＥＬ発光体層５及び後述する正孔注入層等を塗布法で成膜する際に使用される塗布液に溶解しないものが好ましい。具体的には、低密度又は高密度のポリエチレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、エチレン−オクテン共重合体、エチレン−ノルボルネン共重合体、エチレン−ドモン共重合体、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体、アイオノマー樹脂等のポリオレフィン系樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂；ナイロン−６、ナイロン−６，６、メタキシレンジアミン−アジピン酸縮重合体；ポリメチルメタクリルイミド等のアミド系樹脂；ポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂；ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアクリロニトリル等のスチレン−アクリロニトリル系樹脂；トリ酢酸セルロース、ジ酢酸セルロース等の疎水化セルロース系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン等のハロゲン含有樹脂；ポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、セルロース誘導体等の水素結合性樹脂；ポリカーボネート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリメチレンオキシド樹脂、ポリアリレート樹脂、液晶樹脂等のエンジニアリングプラスチック系樹脂等が挙げられる。
【０２０１】
基板には作製プロセスでの耐熱性が求められるので、上述の樹脂の中でもガラス転移点Ｔｇが、１５０℃以上の樹脂が好ましく、１８０℃以上の樹脂がより好ましく、２００℃以上の樹脂がさらに好ましい。
【０２０２】
なお、トップエミッション型の有機ＥＬ素子では、基板から光が取出されないので透明の基板である必要がなく、透光性の基板でも不透光性の基板でもよい。
【０２０３】
＜アノード電極＞
アノード電極３は、透光性及び導電性を示す薄膜によって実現され、例えば金属酸化物膜及び金属薄膜等によって構成される。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、銅等の薄膜を挙げることができ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化スズ等の薄膜が好ましい。またアノード電極３として、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。アノード電極３の厚みは、光透過性と導電性とを考慮して適宜設定することができ、一般的には１０ｎｍ〜１０μｍ程度であり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍ、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。なお、アノード電極側から光を取出さない場合には、アノード電極は不透明な陽極で形成してもよい。
【０２０４】
アノード電極の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。
【０２０５】
＜有機ＥＬ発光体配向制御膜＞
有機ＥＬ素子１を構成する有機ＥＬ発光体配向制御膜４としては、上述の本発明の有機ＥＬ発光体配向制御膜を用いる。有機ＥＬ発光体配向制御膜４の構成や製造方法は上述の説明の通りであるので、ここでは省略する。
【０２０６】
＜有機ＥＬ発光体層＞
有機ＥＬ発光体層５は、有機ＥＬ発光体である発光性有機化合物を含んでおり、この発光する有機化合物（以下、単に「発光材料」ともいう）は、蛍光及び／又は燐光を発する有機物、若しくはこの有機物と、ドーパントとを含んで構成される。ドーパントは、例えば発光効率の向上や発光波長を変化させる等の目的で付加される。発光材料は、低分子化合物又は高分子化合物のいずれでもよく、液晶性を示す材料が好ましい。有機ＥＬ発光体層を構成する発光材料としては、例えば以下のものを挙げることができる。有機ＥＬ発光体層は、白色を発光することが好ましい。
【０２０７】
色素系の発光材料としては、例えばシクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等が挙げられる。
【０２０８】
金属錯体系の発光材料としては、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等、又はＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子に、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体を挙げることができ、例えば、イリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等を挙げることができる。
【０２０９】
高分子系の発光材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、及びポリビニルカルバゾール誘導体等、並びに上記色素系の発光材料や金属錯体系の発光材料を高分子化したもの等が挙げられる。
【０２１０】
上記発光材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、及びそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等を挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体等が好ましい。
【０２１１】
また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、及びそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等を挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等が好ましい。
【０２１２】
また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、及びそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体等を挙げることが出来る。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体等が好ましい。
【０２１３】
ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等を挙げることができる。
【０２１４】
液晶性を示す発光材料の具体的な一例としては、例えば、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ２００３，３６、３４５７−３４６４、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００６，８９，１２１９２０、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｂ１０７，４８８７（２００３）、日本化学会春季年会３Ｇ７−４０、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ２００５，５９６３，５９３６０Ｃに記載される液晶性発光材料が挙げられる。
【０２１５】
以上の発光材料のうちで配向し易い材料という観点からは、室温から５０度の領域に液晶性を有するものが好ましい。なお、このような有機ＥＬ発光体層の厚さは、通常約２ｎｍ〜２０００ｎｍである。
【０２１６】
有機ＥＬ発光体層を形成する工程では、まず例えば有機ＥＬ発光体層となる液晶性化合物（発光材料）を含む塗布液を用いた塗布法により有機ＥＬ発光体層用膜を形成する。
【０２１７】
有機ＥＬ発光体層用の塗布液は、溶液でも乳濁液でもよい。有機ＥＬ発光体層用の塗布液の溶媒は、液晶性化合物（発光材料）を溶解する液体であればよく、例えば正孔注入層用の塗布液の溶媒として挙げた溶媒を適宜用いることができ、また分散媒は、液晶性化合物（発光材料）を均質に分散可能な液体であればよい。
【０２１８】
塗布法としては、例えばスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法等のコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等を挙げられる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法が好ましい。また、昇華性の低分子化合物の場合には、真空蒸着法を用いることができる。さらには、レーザーによる転写や熱転写等の方法によって、所望するところのみに有機ＥＬ発光体層を形成することもできる。
【０２１９】
このようにして形成した有機ＥＬ発光体層は、当該有機ＥＬ発光体配向制御膜上に形成されていることから、有機ＥＬ発光体が高度に一軸配向して優れた偏光発光効率を示すと共に、熱負荷後であっても高い割合で初期発光効率を維持することができる。
【０２２０】
＜カソード電極＞
カソード電極６は陰極として機能する。このようなカソード電極６の材料としては、仕事関数が小さく、有機ＥＬ発光体層５への電子注入が容易な材料が好ましく、また電気伝導度の高い材料が好ましい。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及びＩＩＩ−Ｂ族金属等の金属を用いることができ、さらに具体的にはリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、又は上記金属のうち２つ以上の合金、又はそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及び錫のうち１つ以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、例えばマグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
【０２２１】
なお、透明な電極でカソード電極を構成する場合には、カソード電極は例えば上記の材料から成る薄膜と、導電性金属酸化物や導電性有機物等から成る薄膜とを積層した積層体で構成される。
【０２２２】
当該有機ＥＬ素子では、以上の構成の他、アノード電極と有機ＥＬ発光体配向制御膜との間に正孔の注入効率を改善するために必要に応じて正孔注入層を設けてもよい。
【０２２３】
＜正孔注入層＞
正孔注入材料としては、例えばフェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。
【０２２４】
正孔注入層を形成する工程では、まず例えば正孔注入機能を有する正孔注入材料を含む塗布液を用いた塗布法により機能層薄膜（正孔注入層用膜）を形成する。
【０２２５】
正孔注入層用の塗布液は、溶液でも乳濁液でもよい。正孔注入層用の塗布液の溶媒は、正孔注入材料を溶解する液体であればよく、また分散媒は、正孔注入材料を均質に分散可能な液体であればよい。溶媒としては、例えばクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、及び水を挙げることができる。
【０２２６】
塗布法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等を挙げることができる。
【０２２７】
図１の有機ＥＬ素子１では、アノード電極２とカソード電極６との間に有機ＥＬ発光体配向制御膜４及び有機ＥＬ発光体層５とが配置され、必要に応じてアノード電極２と有機ＥＬ発光体配向制御膜４との間に正孔注入層が配置される。しかし、有機ＥＬ素子１の構成は図１に示す構成に限らない。以下に有機ＥＬ素子のアノード電極とカソード電極との間の素子構成の一例について説明する。なおアノード電極及びカソード電極は、光の取出される側に配置される電極が少なくとも透明であればよく、一方を陽極、他方を陰極として用いればよいので、以下の説明では陽極及び陰極のうちのいずれか一方をアノード電極とし、他方をカソード電極として、アノード電極及びカソード電極の極性を特定せずに素子構成の一例を説明する。
【０２２８】
上述したように陽極と陰極との間には、少なくとも一層の有機ＥＬ発光体層が設けられていればよく、陽極と陰極との間には複数の有機ＥＬ発光体層、及び／又は有機ＥＬ発光体層とは異なる１又は複数の層を設けてもよい。
【０２２９】
陰極と有機ＥＬ発光体層との間に設けられる層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられる。陰極と有機ＥＬ発光体層との間に、電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に近い側に位置する層を電子注入層といい、有機ＥＬ発光体層に近い側に位置する層を電子輸送層という。
【０２３０】
電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子輸送層は、陰極、又は電子注入層、若しくは陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお電子注入層又は電子輸送層が、正孔ブロック層を兼ねる場合がある。
【０２３１】
陽極と有機ＥＬ発光体層との間に設ける層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が挙げられる。陽極と有機ＥＬ発光体層との間に、正孔注入層と正孔輸送層との両方が設けられる場合、陽極に近い側に位置する層を正孔注入層といい、有機ＥＬ発光体層に近い側に位置する層を正孔輸送層という。
【０２３２】
正孔注入層は、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔輸送層は、陽極又は正孔注入層、若しくは陽極により近い正孔輸送層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。正孔注入層又は正孔輸送層が、電子ブロック層を兼ねることがある。
【０２３３】
なお、電子注入層及び正孔注入層を総称して電荷注入層ということがあり、電子輸送層及び正孔輸送層を総称して電荷輸送層ということがある。
【０２３４】
有機ＥＬ素子のとりうる層構成の具体的な一例を以下に示す。
ａ）陽極／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／陰極
ｂ）陽極／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／陰極
ｃ）陽極／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／電荷注入層／有機ＥＬ発光体層／陰極
ｅ）陽極／有機ＥＬ発光体層／電荷注入層／陰極
ｆ）陽極／電荷注入層／有機ＥＬ発光体層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／陰極
ｈ）陽極／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電荷注入層／陰極
ｉ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／有機ＥＬ発光体層／電荷輸送層／陰極
ｋ）陽極／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｌ）陽極／電荷注入層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電荷輸送層／陰極
ｎ）陽極／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｏ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
（ここで、記号「／」は、この記号「／」を挟む２つの層が隣接して積層されることを示す。以下同じ。）
【０２３５】
また、有機ＥＬ素子は、２層以上の有機ＥＬ発光体層を有していてもよい。２層の有機ＥＬ発光体層を有する有機ＥＬ素子の具体例としては、
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／電荷注入層／電極／電荷注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
の層構成を有するものが挙げられる。
【０２３６】
また、３層以上の有機ＥＬ発光体層を有する有機ＥＬ素子としては、（電極／電荷注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／電荷注入層）を一つの繰り返し単位とすると、
ｑ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／電荷注入層／繰り返し単位／繰り返し単位／・・・／陰極
のように、２つ以上の繰り返し単位を含む層構成を有するものが挙げられる。
【０２３７】
上記層構成ｐ及びｑにおいて、陽極、陰極、有機ＥＬ発光体層以外の各層は必要に応じて削除することができる。
【０２３８】
基板２から光を取出すボトムエミッション型の有機ＥＬ素子では、有機ＥＬ発光体層を基準にして、基板２側に配置される層を全て透明な層で構成する。また後述するように有機ＥＬ発光体層を基準にして基板とは反対側から光を取出すいわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ素子では、有機ＥＬ発光体層を基準にして、基板とは反対側に配置される層を全て透明な層で構成する。
【０２３９】
有機ＥＬ素子は、さらに電極との密着性向上や、電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して膜厚が２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために、隣接する上記各層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
【０２４０】
以下、各層の具体的な構成について説明する。なお有機ＥＬ発光体層５及び正孔注入層については、上述したので重複する説明を省略する。また、陽極及び／又は陰極には、それぞれ上述したアノード電極又はカソード電極を適宜用いることができるので重複する説明を省略する。
【０２４１】
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体等が挙げられる。
【０２４２】
これらの正孔輸送材料の中で、正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体等の高分子の正孔輸送材料が好ましく、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体等がさらに好ましい。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０２４３】
正孔輸送層の成膜方法としては、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法を挙げることができ、高分子の正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法を挙げることができる。
【０２４４】
正孔輸送層を製造する工程では、まず例えば正孔輸送材料を含む塗布液を用いた塗布法により機能性薄膜（正孔輸送層用膜）を形成する。
【０２４５】
正孔輸送層用の塗布液は、溶液でも乳濁液でもよい。正孔輸送層用の塗布液の溶媒は、正孔輸送材料を溶解する液体であればよく、例えば正孔注入層用の塗布液の溶媒として挙げた溶媒を適宜用いることができ、また分散媒は、正孔輸送材料を均質に分散可能な液体であればよい。
【０２４６】
塗布法としては、上述した正孔注入層及び有機ＥＬ発光体層の形成に用いられる塗布法として挙げた塗布法を適宜用いることができる。
【０２４７】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が弱いものが好適に用いられる。該高分子バインダーとしては、ポリカーボネート、ポリアクリレート（ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート等）ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が挙げられる。
【０２４８】
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択され、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、厚すぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２４９】
＜電子ブロック層＞
電子ブロック層は、上述したように電子の輸送を堰き止める機能を有する層であり、例えば正孔注入層と有機ＥＬ発光体層とを有する素子構成の場合には、該正孔注入層と有機ＥＬ発光体層との間に設けられる層（通常、正孔輸送層）を意味する。
【０２５０】
電子ブロック層を備える有機ＥＬ素子の層構成の具体的な一例を以下のｑ）〜ｔ）に示す。
ｑ）陽極／電子ブロック層／有機ＥＬ発光体層／陰極
ｒ）陽極／正孔輸送層／電子ブロック層／有機ＥＬ発光体層／陰極
ｓ）陽極／電子ブロック層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／陰極
ｔ）陽極／正孔輸送層／電子ブロック層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／陰極
【０２５１】
電子ブロックを構成する電子ブロック材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の、芳香族アミンを含むポリマーが例示される。
【０２５２】
電子ブロック層の成膜の方法に制限はないが、例えば高分子材料を用いる場合においては溶液からの成膜による方法が例示される。
【０２５３】
電子ブロック層を製造する工程では、まず例えば電子ブロック材料を含む塗布液を用いた塗布法により機能性薄膜（電子ブロック層用膜）を形成する。
【０２５４】
電子ブロック層用の塗布液は、溶液でも乳濁液でもよい。電子ブロック層用の塗布液の溶媒は、電子ブロック材料を溶解する液体であればよく、例えば電子ブロック層用の塗布液の溶媒として挙げた溶媒を適宜用いることができ、また分散媒は、電子ブロック材料を均質に分散可能な液体であればよい。
【０２５５】
塗布法としては、上述した電子ブロック層及び有機ＥＬ発光体層の形成に用いられる塗布法として挙げた塗布法を適宜用いることができる。
【０２５６】
また、電子ブロック層用の塗布液は、高分子バインダーとの混合溶液でもよい。混合する高分子バインダーとしては、電子ブロック機能を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が弱いものが好適に用いられる。該高分子バインダーとしては、ポリカーボネート、ポリアクリレート（ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート等）、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が挙げられる。
【０２５７】
電子ブロック層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択され、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、厚すぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、電子ブロック層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜５００μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜２００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。
【０２５８】
＜電子注入層＞
電子注入層を構成する電子注入材料としては、有機ＥＬ発光体層の種類に応じて、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、又は上記金属を１種類以上含む合金、又は上記金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸化物、又は上記物質の混合物等が挙げられる。アルカリ金属又はその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム等が挙げられる。また、アルカリ土類金属又はその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。
【０２５９】
電子注入層は、２層以上を積層した積層体であってもよい。積層体の具体例としては、ＬｉＦ／Ｃａ等が挙げられる。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法等によって形成される。電子注入層の膜厚としては、１ｎｍ〜１μｍ程度が好ましい。
【０２６０】
＜電子輸送層＞
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、例えばオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体等を挙げることができる。
【０２６１】
これらのうち、電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
【０２６２】
上述の有機ＥＬ素子１を用いることによって、有機ＥＬ素子を備える照明装置、又は有機ＥＬ素子を複数備える表示装置を実現することができる。
【０２６３】
当該有機ＥＬ素子は、液晶表示装置のバックライト、照明装置、面状光源、セグメント表示装置及びドットマトリックス表示装置の光源として用いることができ、当該有機ＥＬ素子はそれ自体が直線偏光を発するので、特に液晶表示装置のバックライトとして好適に用いられる。
【０２６４】
当該有機ＥＬ素子を面状光源として用いる場合には、例えば面状の陽極と陰極とを積層方向の一方から見て重なり合うように配置すればよい。またセグメント表示装置の光源として所定のパターンで発光する有機ＥＬ素子を構成するには、光を通す窓が所定のパターンで形成されたマスクを上記面状光源の表面に設置する方法、消光すべき部位の有機物層を極端に厚く形成して実質的に非発光とする方法、陽極及び陰極のうちの少なくともいずれか一方の電極を所定のパターンで形成する方法がある。これらの方法で所定のパターンで発光する有機ＥＬ素子を形成するとともに、いくつかの電極に対して選択的に電圧を印加できるように配線を施すことによって、数字や文字、簡単な記号等を表示可能なセグメントタイプ表示装置を実現することができる。
【０２６５】
ドットマトリックス表示装置の光源とするためには、陽極と陰極とをそれぞれストライプ状に形成して、積層方向の一方からみて互いに直交するように配置すればよい。部分カラー表示、マルチカラー表示が可能等ドットマトリックス表示装置を実現するためには、発光色の異なる複数の種類の発光材料を塗り分ける方法、並びにカラーフィルター及び蛍光変換フィルター等を用いる方法を用いればよい。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動してもよく、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。
【０２６６】
さらに、上記面状光源は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト、あるいは面状の照明装置として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いることで、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【０２６７】
バックライトは、面状に形成した当該有機ＥＬ素子と、例えば拡散板とを積層させて構成される。また液晶表示装置は、液晶セルと、液晶セルに電場をかける一対の電極と、液晶セルを挟んで配置される一対の偏光板と、該一対の偏光板の一方に光を照射する上記バックライトとを含んで構成される。なお、偏光度合いの高い有機ＥＬ素子を用いる場合には、一対の偏光板のうち、バックライト側の偏光板を省略してもよい。上述したように当該有機ＥＬ素子は、所定の方向に偏光した光を発するので、バックライトから放出される光も偏光した光であり、このようなバックライトを液晶表示装置に用いると、偏光板での光の損失を低減することができる。これによって消費電力の低い液晶表示装置を実現することができる。
【実施例】
【０２６８】
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。
【０２６９】
以下の実施例において得られたエポキシ基を有するポリオルガノシロキサン及び［Ａ］化合物の質量平均分子量（Ｍｗ）は、下記仕様のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定したポリスチレン換算値である。
カラム：東ソー（株）製、ＴＳＫｇｅｌＧＲＣＸＬＩＩ
溶剤：テトラヒドロフラン
温度：４０℃
圧力：６８ｋｇｆ／ｃｍ２
なお、以下の実施例において用いた原料化合物及び重合体の必要量は、下記の合成例に示す合成スケールでの原料化合物及び重合体の合成を必要に応じて繰り返すことにより確保した。
【０２７０】
＜エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンの合成＞
［合成例１］
撹拌機、温度計、滴下漏斗及び還流冷却管を備えた反応容器に、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（ＥＣＥＴＳ）１００．０ｇ、メチルイソブチルケトン５００ｇ及びトリエチルアミン１０．０ｇを仕込み、室温で混合した。
次いで、脱イオン水１００ｇを滴下漏斗より３０分かけて滴下した後、還流下で混合しつつ、８０℃で６時間反応させた。反応終了後、有機層を取り出し、０．２質量％硝酸アンモニウム水溶液により洗浄後の水が中性になるまで洗浄したのち、減圧下で溶媒及び水を留去することにより、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンを粘稠な透明液体として得た。
【０２７１】
このエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンについて、１Ｈ−ＮＭＲ分析を行なったところ、化学シフト（δ）＝３．２ｐｐｍ付近にエポキシ基に基づくピークが理論強度どおりに得られ、反応中にエポキシ基の副反応が起こっていないことが確認された。得られたエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンのＭｗは２，２００であり、エポキシ当量は１８６であった。
【０２７２】
＜特定桂皮酸誘導体の合成＞
特定桂皮酸誘導体の合成反応は全て不活性雰囲気中で行った。
［合成例２］
冷却管を備えた５００ｍＬの三口フラスコに４−ブロモジフェニルエーテル２０ｇ、酢酸パラジウム０．１８ｇ、トリス（２−トリル）ホスフィン０．９８ｇ、トリエチルアミン３２．４ｇ、ジメチルアセトアミド１３５ｍＬを混合した。次にシリンジでアクリル酸を７ｇ混合溶液に加え撹拌した。この混合溶液を更に１２０℃で３時間加熱撹拌した。ＴＬＣで反応の終了を確認した後、反応溶液を室温まで冷却した。沈殿物をろ別した後、ろ液を１Ｎ塩酸水溶液３００ｍＬに注ぎ、沈殿物を回収した。この沈殿物を酢酸エチルとヘキサン１：１溶液で再結晶することにより下記式（Ｋ−１）で表される化合物（特定桂皮酸誘導体（Ｋ−１））を８．４ｇ得た。
【０２７３】
【化３０】
【０２７４】
［合成例３］
冷却管を備えた３００ｍＬの三口フラスコに４−フルオロフェニルボロン酸６．５ｇ、４−ブロモ桂皮酸１０ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム２．７ｇ、炭酸ナトリウム４ｇ、テトラヒドロフラン８０ｍＬ、純水３９ｍＬを混合した。引き続き反応溶液を８０℃で８時間加熱撹拌し、反応終了をＴＬＣで確認した。反応溶液を室温まで冷却後、１Ｎ−塩酸水溶液２００ｍＬに注ぎ、析出固体をろ別した。得られた固体を酢酸エチルに溶解させ、１Ｎ−塩酸水溶液１００ｍＬ、純水１００ｍＬ、飽和食塩水１００ｍＬの順で分液洗浄した。次に有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。得られた固体を真空乾燥し、下記式（Ｋ−２）で表される化合物（特定桂皮酸誘導体（Ｋ−２））を９ｇ得た。
【０２７５】
【化３１】
【０２７６】
［合成例４］
冷却管を備えた２００ｍＬの三口フラスコに、４−フルオロスチレン３．６ｇ、４−ブロモ桂皮酸６ｇ、酢酸パラジウム０．０５９ｇ、トリス（２−トリル）ホスフィン０．３２ｇ、トリエチルアミン１１ｇ、ジメチルアセトアミド５０ｍＬを混合した。この溶液を１２０℃で３時間加熱撹拌し、ＴＬＣで反応の終了を確認した後、反応溶液を室温まで冷却した。沈殿物をろ別した後、ろ液を１Ｎ塩酸水溶液３００ｍＬに注ぎ、沈殿物を回収した。これらの沈殿物を酢酸エチルで再結晶することにより下記式（Ｋ−３）で表される化合物（特定桂皮酸誘導体（Ｋ−３））を４．１ｇ得た。
【０２７７】
【化３２】
【０２７８】
［合成例５］
冷却管を備えた２００ｍＬの三口フラスコに４−ビニルビフェニル９．５ｇ、４−ブロモ桂皮酸１０ｇ、酢酸パラジウム０．０９９ｇ、トリス（２−トリル）ホスフィン０．５４ｇ、トリエチルアミン１８ｇ、ジメチルアセトアミド８０ｍＬを混合した。この溶液を１２０℃で３時間加熱撹拌し、ＴＬＣで反応の終了を確認した後、反応溶液を室温まで冷却した。沈殿物をろ別した後、ろ液を１Ｎ塩酸水溶液５００ｍＬに注ぎ、沈殿物を回収した。これらの沈殿物をジメチルアセトアミド、エタノール１：１溶液で再結晶することにより下記式（Ｋ−４）で表される化合物（特定桂皮酸誘導体（Ｋ−４））を１１ｇ得た。
【０２７９】
【化３３】
［合成例６］
１Ｌのナス型フラスコに４−ヒドロキシ安息香酸メチル９１．３ｇ、炭酸カリウム１８２．４ｇ及びＮ−メチル−２−ピロリドン３２０ｍＬを仕込み、室温で１時間撹拌を行った後、１−ヨード−４，４，４−トリフロロブタン１１０．９ｇを加え１００℃で５時間撹拌した。反応終了後、水で再沈殿を行った。次いで、この沈殿に水酸化ナトリウム４８ｇ及び水４００ｍＬを加えて３時間還流して加水分解反応を行った。反応終了後、塩酸で中和し、生じた沈殿をエタノールで再結晶することにより４−（４，４，４−トリフルオロブチルオキシ）安息香酸の白色結晶を１０２ｇ得た。得られた４−ペンチルオキシ安息香酸のうち１０．４１ｇを反応容器中にとり、これに塩化チオニル１００ｍＬ及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７７ｍＬを加えて８０℃で１時間撹拌した。続いて、減圧下で塩化チオニルを留去し、塩化メチレンを加えて炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮を行った後、テトラヒドロフランを加えて溶液とした。次に、上記とは別の５００ｍＬ三口フラスコに４−ヒドロキシ桂皮酸７．３９ｇ、炭酸カリウム１３．８２ｇ、テトラブチルアンモニウム０．４８ｇ、テトラヒドロフラン５０ｍＬ及び水１００ｍＬを仕込んだ。この水溶液を氷冷し、上記テトラヒドロフラン溶液をゆっくり滴下し、さらに２時間撹拌下に反応を行った。反応終了後、塩酸を加えて中和し、酢酸エチルで抽出した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮を行った後、エタノールで再結晶することにより、下記式（Ｋ−５）で表される化合物（特定桂皮酸誘導体（Ｋ−５））の白色結晶を９．２ｇ得た。
【０２８０】
【化３４】
【０２８１】
＜［Ａ］光配向性化合物の合成＞
［合成例７］
１００ｍＬの三口フラスコに、上記合成例１で得たエポキシ基を有するポリオルガノシロキサン９．３ｇ、メチルイソブチルケトン２６ｇ、上記合成例２で得た特定桂皮酸誘導体（Ｋ−１）３ｇ及び商品名「ＵＣＡＴ １８Ｘ」（サンアプロ（株）製の４級アミン塩である。）０．１０ｇを仕込み、８０℃で１２時間撹拌した。反応終了後、メタノールで再沈殿を行い、沈殿物を酢酸エチルに溶解して溶液を得、この溶液を３回水洗した後、溶剤を留去することにより、［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−１）を白色粉末として６．３ｇ得た。［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−１）の質量平均分子量Ｍｗは３５００であった。
【０２８２】
［合成例８］
合成例３で得た特定桂皮酸誘導体（Ｋ−２）３ｇを用いたこと以外は合成例７と同様に行った。その結果、［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−２）の白色粉末を７．０ｇ得た。［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−２）の質量平均分子量Ｍｗは４９００であった。
【０２８３】
［合成例９］
合成例４で得た特定桂皮酸誘導体（Ｋ−３）４ｇを用いたこと以外は合成例７と同様に行った。その結果、［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−３）の白色粉末を１０ｇ得た。［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−３）の質量平均分子量Ｍｗは５０００であった。
【０２８４】
［合成例１０］
合成例５で得た特定桂皮酸誘導体（Ｋ−４）４．１ｇを用いたこと以外は合成例７と同様に行った。その結果、［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−４）の白色粉末を１０ｇ得た。［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−４）の質量平均分子量Ｍｗは４２００であった。
【０２８５】
［合成例１１］
２００ｍＬの三口フラスコに、上記合成例１で得たエポキシ基を有するポリオルガノシロキサン５．０ｇ、メチルイソブチルケトン４６．４ｇ、合成例６で得た特定桂皮酸誘導体（Ｋ−５）５．３ｇ（エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンの有するケイ素原子に対して５０モル％に相当する。）、光増感性化合物として下記式（Ｈ−１−１）
【０２８６】
【化３５】
【０２８７】
で表される化合物１．０８ｇ（エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンの有するケイ素原子に対して２０モル％に相当する。）及びテトラブチルアンモニウムブロミド０．１０ｇを仕込み、８０℃で１２時間撹拌下に反応を行った。反応終了後、メタノールで再沈殿を行い、沈殿物を酢酸エチルに溶解して溶液を得、該溶液を３回水洗した後、溶媒を留去することにより、［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−５）を白色粉末として２．８ｇ得た。［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−５）の質量平均分子量Ｍｗは１２，５００であった。
【０２８８】
［合成例１２］
ポリ（２−ヒドロキシエチルメタクリレート）１３．１ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン５０ｍｌに加熱溶解し、室温まで冷やした後、ピリジン１０ｍｌを添加した。これに塩化シンナモイル１７．０ｇを加え、８時間攪拌した。反応混合物をＮ−メチル−２−ピロリドンで希釈した後メタノールに加え、沈殿を十分に水洗し乾燥することで［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−６）２５ｇを得た。
【０２８９】
＜［Ｂ］エステル構造含有化合物の合成＞
下記スキームに従って、エステル構造含有化合物（Ｂ−１−１）を合成した。
【０２９０】
【化３６】
【０２９１】
［合成例１３］
還流管、温度計及び窒素導入管を備えた５００ｍＬの三口フラスコにトリメシン酸２１ｇ、ｎ−ブチルビニルエーテル６０ｇ及びリン酸０．０９ｇを仕込み、５０℃で３０時間撹拌下に反応を行った。反応終了後、反応混合物にヘキサン５００ｍＬを加えて得た有機層につき、１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液で２回及び水で３回、順次に分液洗浄した。その後、有機層から溶媒を留去することにより、エステル構造含有化合物（Ｂ−１−１）を無色透明の液体として５０ｇ得た。
【０２９２】
＜有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の調製＞
〔実施例１〕
組成がＮ−メチル−２−ピロリドン：ブチルセロソルブ＝５０：５０（質量比）である溶媒に、上記合成例７で得た［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−１）１００質量部を溶解し、固形分濃度が４．０質量％の溶液とした。この溶液を孔径１μｍのフィルターで濾過することにより、有機ＥＬ発光体配向制御用組成物（Ａ−１）を調製した。
【０２９３】
〔実施例２〜５〕
［Ａ］光配向性化合物を変更することにより種々の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物（Ａ−２）〜（Ａ−５）を実施例１と同様に調製した。なお、実施例４では、［Ａ］化合物１００質量部に対して、さらに合成例１２で得られたエステル構造含有化合物（Ｂ−１−１）を５質量部添加して有機ＥＬ発光体配向制御用組成物（Ａ−４）を調製した。これらの配合を表１に示す。
【０２９４】
〔実施例６〕
［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−６）にＮ−メチル−２−ピロリドン及びブチルセロソルブを加えて、溶媒組成がＮ−メチル−２−ピロリドン：ブチルセロソルブ＝５０：５０（質量比）、固形分濃度が４．０質量％の溶液とした。この溶液を孔径１μｍのフィルターで濾過することにより、有機ＥＬ発光体配向制御用組成物（Ａ−６）を調製した。
【０２９５】
〔比較例１〕
４−（２−メタクリロイルオキシエトキシ）アゾベンゼン１．００ｇと２、２’−アゾビス（イソブチロニトリル）０．０１ｇと乾燥したベンゼン２．００ｇとをアンプルに入れて脱気した後、封管し、これをメタノール中に注ぎ高分子化合物の沈殿物を得た。これをろ過した後、再度、沈殿物をベンゼンに溶解しメタノールで再沈殿してろ過する操作を２回繰り返した後、乾燥させた。これにＮ−メチル−２−ピロリドン及びブチルセロソルブを加えて、溶媒組成がＮ−メチル−２−ピロリドン：ブチルセロソルブ＝５０：５０（質量比）、固形分濃度が４．０質量％の溶液とした。この溶液を孔径１μｍのフィルターで濾過することにより、組成物（ＣＡ−１）を調製した。
【０２９６】
＜有機ＥＬ発光体配向制御膜の形成及び有機ＥＬ素子の作成＞
アノード電極であるＩＴＯをコートしたガラス基板（シート抵抗１５Ω／□）をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、次いで純水で洗浄し、さらにイソプロピルアルコールでリンスしてただちに乾燥させた。このアノード電極を形成した基板上に、実施例１で調製した有機ＥＬ発光体配向制御用組成物（Ａ−１）をスピンナーにより塗布し、８０℃のホットプレートで１分間プレベークを行った後、庫内を窒素置換したオーブン中にて２００℃で１時間加熱（ポストベーク）して膜厚０．１μｍの塗膜を形成した。形成後の膜厚が０．１μｍになるように、スピンナー回転数を２０００回転、配向制御膜溶剤の固形分濃度を４．０質量％とした。次いで、この塗膜表面に、Ｈｇ−Ｘｅランプ及びグレンテーラープリズムを用いて３１３ｎｍの輝線を含む直線偏向紫外線を、基板法線から垂直に照射して有機ＥＬ発光体配向制御膜とした。このときの形成した塗膜における光配向性基の配向に必要な光照射量を測定し、光配向性の感度の指標とした。なお、光配向性基の配向は、偏光顕微鏡を用いて確認した。
【０２９７】
次に、配向制御膜を施した基板を真空チャンバー内の基板ホルダーに導入し、１０−５Ｐａまで真空排気を行った。蒸発セルを加熱し、有機ＥＬ発光体配向制御膜上に発光体分子として下記式（７−１）〜式（７−５）に示すスチリルスチルベン誘導体のトランス−トランス体を共蒸着して有機ＥＬ発光体層（厚さ５０ｎｍ）を作製した。
【０２９８】
【化３７】
【０２９９】
【化３８】
【０３００】
【化３９】
【０３０１】
【化４０】
【０３０２】
【化４１】
【０３０３】
モル組成比式（７−１）：式（７−２）：式（７−３）：式（７−４）：式（７−５）はおよそ１：２：２：３：２とした。このとき基板温度は２５℃とした。
【０３０４】
次に、ＭｇとＡｇを共蒸着して、カソード電極（厚さ５０ｎｍ、Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１重量比）を作製し、上述した図１に示す構造をもつ有機ＥＬ素子を得た。
【０３０５】
実施例２〜６及び比較例１で調製した組成物についても同様にして有機ＥＬ素子を作製した。これらの有機ＥＬ素子について、以下の方法により評価した。評価結果を表１に示す。
【０３０６】
＜有機ＥＬ素子の評価＞
（１）初期発光効率の評価
上記手順で作製した有機ＥＬ素子を１０ｍＡ／ｃｍ２の直流電流により発光させ、発光体分子の配向方向に偏光板の偏光軸を平行に配置し、偏光板を通した際の発光効率（偏光発光効率）（Ｃｄ／Ａ）を初期発光効率として測定した。
【０３０７】
（２）熱負荷後の発光効率の評価
当該有機ＥＬ素子を加熱条件に置き、熱負荷後の発光効率を測定して熱に対する安定性を評価した。具体的には、上記手順で作製した有機ＥＬ素子を７０℃に設定したオーブン中にて５００時間加熱し、その後、上記「（１）初期発光効率の評価」と同じ手順で熱負荷後の発光効率を測定した。評価結果を表１に示す。併せて、熱負荷後における発光効率の維持率についても表１に示す。
【０３０８】
【表１】
【０３０９】
表１の結果から明らかなように、実施例１〜６の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物によると、これらを用いて有機ＥＬ発光体配向制御膜を作製する際の光配向に必要な光照射量が極めて低く光配向の感度が良好であった。また、当該配向制御膜を備える当該有機ＥＬ素子では高い偏光発光効率が達成され、さらに当該有機ＥＬ素子では、熱負荷後においても当初の発光効率が高い割合で維持されており、優れた耐熱性が得られる結果となった。特に、実施例１〜５の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を用いて作成した配向膜は、熱付加後の発行効率の低下が極めて小さく、耐熱性が優れることがわかる。比較例１の組成物を用いて作製した配向膜では、光配向の光照射量として２００００Ｊ／ｍ２も要した。また、比較例１では、偏光発光効率が実施例の有機ＥＬ素子の偏光発光効率と比較して大幅に下回る値となったことに加え、熱負荷後の発光効率も大幅に低下しており、耐熱性にも劣る結果となった。
【産業上の利用可能性】
【０３１０】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、桂皮酸構造を含む光配向性基を有する化合物を含有しているので、上述のように、光配向性の感度が良好で、熱負荷後の発光効率の安定性に優れ、当該有機ＥＬ発光体配向制御膜を備える有機ＥＬ素子では、当該有機ＥＬ発光体配向制御膜表面の光配向性基により有機ＥＬ発光体の異方的配向を高いレベルで誘起することができ、その結果、優れた偏光発光効率を達成することができる。
【符号の説明】
【０３１１】
１ 有機ＥＬ素子
２ 基板
３ アノード電極
４ 有機ＥＬ発光体配向制御膜
５ 有機ＥＬ発光体層
６ カソード電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ発光体の配向を制御可能な膜の形成に好適な有機ＥＬ発光体配向制御用組成物、これにより形成される有機ＥＬ発光体配向制御膜、この有機ＥＬ発光体配向制御膜を有する有機ＥＬ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
素子自体が発光するデバイスとして、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、無機ＥＬ素子、半導体ＬＥＤ、プラズマディスプレイ等が開発されている。それぞれの発光素子の特徴を活かした表示デバイスの開発が進められているところ、中でも発光性有機化合物である有機ＥＬ発光体を用いた有機ＥＬ素子は、薄型化が容易であり、消費電力が低く、輝度や動画表示機能が優れているという点で注目を浴びている。
【０００３】
こうした有機ＥＬ素子の応用例の一つとして、液晶表示素子のバックライトとして用いようとする試みがなされている。液晶はそれ自体が発光するわけではなく、ブロードな波長を含む自然光を発するバックライトを利用することで画像情報を表示している。液晶表示素子の画像表示機能を向上させつつ全体としての消費電力を抑制するには、バックライトからの光を有効利用することが求められる。
【０００４】
液晶表示素子は、液晶セルへの電圧制御により偏光板を透過する光を調節して画像情報を表示している。偏光板は所定の方向の偏光のみを通す性質を有するのに対し、通常のバックライトから放射される光は無偏光であるので、バックライトから放射される光の一部がバックライト側の偏光板で遮られてしまう。このような状況ではバックライトからの光が有効に利用されているといえず、結果的に液晶表示素子の消費電力が高くなる原因の一つとなっている。一般的に有機ＥＬ素子では、陰極からの電子と陽極からの正孔との発光層における結合により発光するところ、これにより取り出される光は無偏光であることから、有機ＥＬ素子をそのまま用いたのではバックライト光としてより効率的な利用を図ることはできない。
【０００５】
そこで、一方向に偏光した光をバックライト自体から発するようにすることで、偏光板で遮られる光の割合を低減し、多くの光を有効に利用する技術が提案されている。このような考えに基づき、有機ＥＬ素子を上述のような偏光発光バックライトに応用した例として、発光体層を一軸配向させて、発光の段階から偏光を発するという有機ＥＬ素子が開発されている。
【０００６】
従来の発光体層の配向技術によると、配向膜上に発光体層を形成することにより、発光体層を構成する化合物を一軸配向している。具体的にはラビング処理を施した膜を配向膜として用い、この配向膜上に発光体層を形成することで発光体を一軸配向させている（例えば、特開平１１−２０４２６１号公報参照）。このような偏光発光する有機ＥＬ素子を光源に用いることで上述のような偏光板による光の損失を低減している。しかしながら、ラビング処理を施す際には膜表面を物理的に削ることになるので、膜及び他の層に損傷を与えるおそれがある。さらにラビング処理を行うと微小な粉塵が生じ、この粉塵に起因して短絡が生じるおそれがある。以上の点からラビング処理法では信頼性の高い有機ＥＬ素子を製造するには限界がある。
【０００７】
そこで、ラビング処理に代わり、発光体層を自発的に配向させる技術として、発光体層が光を照射することで少なくとも一部が一軸配向する光配向性化合物と、発光する有機化合物とを含んで構成される有機ＥＬ素子が提案されている（例えば、特開２００９−２３９１８０号公報参照）。この有機ＥＬ素子では上述したラビング処理を行う場合の問題は生じないものの、ラビング処理を施した配向膜を用いた場合に比べると光照射による発光層の配向が容易ではなく、発光体層の配向には相当の光照射量が必要である。また、製造時や使用時における熱負荷に対しては、熱負荷前と比較して発光効率が低下してしまう。
【０００８】
このような状況に鑑み、高耐熱性による発光効率安定性を有すると共に、有機ＥＬ発光体の異方的配向を高レベルで誘起して偏光の発光効率（以下、単に「偏光発光効率」ともいう）を高めることが可能な有機ＥＬ発光体配向制御膜、及びこれを形成し得る光配向感度が良好な有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の開発が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−２０４２６１号公報
【特許文献２】特開２００９−２３９１８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、光配向の感度が良好であり、高耐熱性による発光効率安定性を有すると共に、有機ＥＬ発光体の異方的配向を高レベルで誘起して偏光の発光効率を高めることが可能な有機ＥＬ発光体配向制御膜、及びこれを形成し得る有機ＥＬ発光体配向制御用組成物、上記有機ＥＬ発光体配向制御膜を備える有機ＥＬ素子、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するためになされた発明は、
［Ａ］桂皮酸構造を含む光配向性基を有する化合物（以下、「［Ａ］化合物」又は「光配向性化合物」ともいう。）を含有する有機ＥＬ発光体配向制御用組成物である。
【００１２】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、［Ａ］桂皮酸構造を含む光配向性基を有する化合物を含有しているため、これを用いて有機ＥＬ発光体配向制御膜を形成する場合、良好な光配向感度によって光配向性基の配向に必要な光照射量を低減させることができ、これにより、有機ＥＬ素子の生産効率を高めることができる。また、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を用いて形成された有機ＥＬ発光体配向制御膜において異方的に配向した［Ａ］化合物により、有機ＥＬ発光体の高レベルでの異方的配向を可能とし、その結果、有機ＥＬ素子における優れた偏光発光効率を達成することができる。
【００１３】
［Ａ］化合物がポリオルガノシロキサン化合物であることが好ましい。当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物によれば、［Ａ］化合物がポリオルガノシロキサン化合物である、すなわち主鎖構造としてポリオルガノシロキサンを採用していることで、得られる配向制御膜の熱的安定性や化学的安定性が高く、高耐熱性を示し、これにより熱負荷後においても当初の発光効率を長期間高い割合で維持することができる。
【００１４】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物では、上記桂皮酸構造を含む光配向性基が、下記式（１）で表される化合物に由来する基及び（２）で表される化合物に由来する基からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい（以下、下記式（１）で表される化合物及び下記式（２）で表される化合物の一方又は両方を、単に「特定桂皮酸誘導体」ともいう）。
【化１】
（式（１）中、Ｒ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基又はシクロヘキシレン基であり、このフェニレン、ビフェニレン基、ターフェニレン基又はシクロヘキシレン基の水素原子の一部又は全部は、炭素数１〜１０のアルキル基、置換基としてフッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１０のアルコキシ基、フッ素原子又はシアノ基で置換されてもよい。Ｒ２は、単結合、炭素数１〜３のアルキレン基、酸素原子、硫黄原子、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＮＨ−又は−ＣＯＯ−である。ａは、０〜３の整数であり、ａが２以上の場合、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ３はフッ素原子又はシアノ基であり、ｂは０〜４の整数である。
式（２）中、Ｒ４は、フェニレン基又はシクロヘキシレン基であり、このフェニレン基又はシクロヘキシレン基の水素原子の一部又は全部は、炭素数１〜１０の鎖状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０の鎖状又は環状のアルコキシ基、フッ素原子又はシアノ基で置換されてもよい。Ｒ５は、単結合、炭素数１〜３のアルキレン基、酸素原子、硫黄原子又は−ＮＨ−である。ｃは、１〜３の整数であり、ｃが２以上の場合、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ６は、フッ素原子又はシアノ基であり、ｄは０〜４の整数である。Ｒ７は、酸素原子、−ＣＯＯ−＊又は−ＯＣＯ−＊（ただし、以上において「＊」を付した結合手がＲ８と結合する）である。Ｒ８は、２価の芳香族基、２価の脂環式基、２価の複素環式基又は２価の縮合環式基である。Ｒ９は、単結合、−ＯＣＯ−（ＣＨ２）ｆ−＊又は−Ｏ（ＣＨ２）ｇ−＊（ただし、以上において「＊」を付した結合手がカルボキシル基と結合する）である。ｆ及びｇはそれぞれ１〜１０の整数であり、ｅは０〜３の整数である。）
【００１５】
上記桂皮酸構造を含む光配向性基として上記特定桂皮酸誘導体に由来する基を用いることにより、有機ＥＬ発光体に対する異方性付与性能、すなわち配向性能がさらに高くなり、有機ＥＬ発光体の一軸配向（異方的配向）の規定が容易となって、有機ＥＬ発光体層の偏光発光効率をさらに向上させることができる。
【００１６】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物においては、［Ａ］化合物が、エポキシ基を有する１価の有機基を含むポリオルガノシロキサン、その加水分解物及びその加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種（以下、単に「エポキシ基を有するポリオルガノシロキサン」ともいう）と、上記式（１）で表される化合物及び上記式（２）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種との反応生成物であることが好ましい。当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物において、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと特定桂皮酸誘導体との間の反応性を利用することにより、主鎖としてのポリオルガノシロキサンに光配向性を有する特定桂皮酸誘導体に由来する側鎖基を容易に導入することができる。
【００１７】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物では、上記エポキシ基を有する１価の有機基が、下記式（Ｘ１−１）又は（Ｘ１−２）で表されることが好ましい。
【化２】
【化３】
（式（Ｘ１−１）中、Ａは酸素原子又は単結合である。ｈは１〜３の整数であり、ｉは０〜６の整数である。ただし、ｉが０の場合、Ａは単結合である。
式（Ｘ１−２）中、ｊは１〜６の整数である。
式（Ｘ１−１）及び（Ｘ１−２）中、「＊」は、それぞれ結合手であることを示す。）
【００１８】
上記エポキシ基を有する１価の有機基として上記式（Ｘ１−１）又は（Ｘ１−２）で表される構造を採用することにより、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物のポリオルガノシロキサンに、上記特定桂皮酸誘導体に由来する側鎖基を導入しやすくなる。
【００１９】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、［Ｂ］カルボン酸のアセタールエステル構造、カルボン酸のケタールエステル構造、カルボン酸の１−アルキルシクロアルキルエステル構造及びカルボン酸のｔ−ブチルエステル構造からなる群より選択される少なくとも１種の構造を２個以上有する化合物（以下、「［Ｂ］化合物」又は「エステル構造含有化合物」ともいう。）をさらに含有することが好ましい。このような［Ｂ］化合物を当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が含有することにより、偏光照射前の焼成工程（以下、「ポストベーク」ともいう）において酸が発生し、発生した酸によって［Ａ］化合物の架橋を促進させることができ、その結果、得られる有機ＥＬ発光体配向制御膜の耐熱性を向上させることができる。
【００２０】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御膜は、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物により形成される。その結果、当該有機ＥＬ発光体配向制御膜は、熱負荷後でも高耐熱性による優れた発光効率安定性を示すとともに、光配向性基によって有機ＥＬ発光体の一軸配向の規定が容易となり、有機ＥＬ発光体層における優れた偏光発光効率を発現させることができる。
【００２１】
本発明の有機ＥＬ素子は、基板上に形成されたアノード電極と、上記アノード電極を覆うように形成された当該有機ＥＬ発光体配向制御膜と、上記有機ＥＬ発光体配向制御膜上に形成された有機ＥＬ発光体層と、上記有機ＥＬ発光体層上に形成されたカソード電極とを備える。当該有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ発光体層用の配向制御膜として当該有機ＥＬ発光体配向制御膜を採用しているので、優れた光配向感度を発揮して配向制御膜の形成のための光照射量を低減することができるとともに、有機ＥＬ発光体層における偏光発光効率を向上させることができる。また、当該有機ＥＬ発光体配向制御膜の耐熱性が高いことから、熱負荷後においても当初の発光効率を長期間にわたって維持することができる。
【００２２】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に形成されたアノード電極を覆うように、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を用いて塗膜を形成する工程、上記塗膜に直線偏光を照射して有機ＥＬ発光体配向制御膜を形成する工程、上記有機ＥＬ発光体配向制御膜上に有機ＥＬ発光体層を形成する工程、及び、上記有機ＥＬ発光体層上にカソード電極を形成する工程を有する。当該有機ＥＬ素子の製造方法を採用することにより、当該有機ＥＬ素子を効率的にかつ簡便に製造することができる。
【発明の効果】
【００２３】
上述したように、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物、有機ＥＬ発光体配向制御膜、有機ＥＬ素子及びその製造方法によれば、良好な光配向感度を達成することができ、高耐熱性による発光効率安定性を実現しつつ、有機ＥＬ発光体を高いレベルで異方的に配向させて優れた偏光発光効率を発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一例を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、［Ａ］桂皮酸構造を含む光配向性基を有する化合物を含有することから、高感度の光配向性により配向に必要な光照射量を低減させることができる。また、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を用いることにより、得られる有機ＥＬ発光体配向制御膜が高耐熱性を示し、これにより熱負荷後における高発光効率安定性を発揮することができる。加えて、この有機ＥＬ発光体配向制御膜は優れた光配向性を有するので、有機ＥＬ発光体層における高レベルでの異方的配向を発現させることができ、有機ＥＬ素子の偏光発光効率を向上させることができる。
【００２６】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、［Ａ］化合物を含有していると共に、好適成分として［Ｂ］化合物（エステル構造含有化合物）を含有していてもよく、その他の任意成分として、［Ａ］化合物以外の重合体（以下、単に「他の重合体」ともいう）、硬化剤、硬化触媒、硬化促進剤、分子内に少なくとも一つのエポキシ基を有する化合物（以下、単に「エポキシ化合物」ともいう）、官能性シラン化合物、界面活性剤、光増感性化合物等を含んでいてもよい。以下、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物について説明する。
【００２７】
＜［Ａ］成分：桂皮酸構造を含む光配向性基を有する化合物＞
［Ａ］化合物は光配向性基を有する。当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物で有機ＥＬ発光体配向制御膜を形成した際、この光配向性基に偏光等の異方性を有する光を照射すると、その有機ＥＬ発光体配向制御膜内での分子の再配列や異方性を伴った化学反応等を誘起する。この異方性を伴った配向制御膜分子構造の変化により、有機ＥＬ発光体に異方性を付与することになる。
【００２８】
上記光配向性基は、桂皮酸又はその誘導体を基本骨格とする桂皮酸構造を含む。上記光配向性基が桂皮酸構造を含むことで、二量化型の異方性発現を呈し、高い配向能を発揮できると共に、光配向性基の導入が容易となる。なお、桂皮酸又はその誘導体は、光照射により二量化可能であれば、シス型・トランス型を問わない。
【００２９】
桂皮酸構造を含む光配向性基の構造は、桂皮酸又はその誘導体を基本骨格として含有していれば特に限定されないが、上記式（１）で表される化合物及び上記式（２）で表される化合物（すなわち、特定桂皮酸誘導体）のうちの少なくとも１種に由来する基であることが好ましい。なお、上記式（１）中、Ｒ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基又はシクロヘキシレン基であり、このフェニレン、ビフェニレン基、ターフェニレン基又はシクロヘキシレン基の水素原子の一部又は全部は、炭素数１〜１０のアルキル基、置換基としてフッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１０のアルコキシ基、フッ素原子又はシアノ基で置換されてもよい。Ｒ２は、単結合、炭素数１〜３のアルキレン基、酸素原子、硫黄原子、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＮＨ−又は−ＣＯＯ−である。ａは、０〜３の整数であり、ａが２以上の場合、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ３はフッ素原子又はシアノ基であり、ｂは０〜４の整数である。
【００３０】
上記式（１）で表される化合物としては、例えば、下記のものを挙げることができる。
【００３１】
【化４】
【００３２】
【化５】
【００３３】
【化６】
【００３４】
【化７】
【００３５】
【化８】
【００３６】
【化９】
【００３７】
【化１０】
【００３８】
【化１１】
【００３９】
【化１２】
【００４０】
【化１３】
【００４１】
【化１４】
【００４２】
【化１５】
【００４３】
【化１６】
【００４４】
これらのうちＲ１としては、無置換のフェニレン基、又はフッ素原子若しくは炭素数１〜３のアルキル基で置換されたフェニレン基が好ましく、Ｒ２は単結合、酸素原子又は−ＣＨ＝ＣＨ−であるものが好ましい。ｂは０〜１が好ましく、ａが１〜３のときはｂが０であることが特に好ましい。
【００４５】
上記式（２）中、Ｒ４は、フェニレン基又はシクロヘキシレン基であり、このフェニレン基又はシクロヘキシレン基の水素原子の一部又は全部は、炭素数１〜１０の鎖状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０の鎖状又は環状のアルコキシ基、フッ素原子又はシアノ基で置換されてもよい。Ｒ５は、単結合、炭素数１〜３のアルキレン基、酸素原子、硫黄原子又は−ＮＨ−である。ｃは、１〜３の整数であり、ｃが２以上の場合、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ６は、フッ素原子又はシアノ基であり、ｄは０〜４の整数である。Ｒ７は、酸素原子、−ＣＯＯ−＊又は−ＯＣＯ−＊（ただし、以上において「＊」を付した結合手がＲ８と結合する）である。Ｒ８は、２価の芳香族基、２価の脂環式基、２価の複素環式基又は２価の縮合環式基である。Ｒ９は、単結合、−ＯＣＯ−（ＣＨ２）ｆ−＊又は−Ｏ（ＣＨ２）ｇ−＊（ただし、以上において「＊」を付した結合手がカルボキシル基と結合する）である。ｆ及びｇは、それぞれ１〜１０の整数であり、ｅは０〜３の整数である。
【００４６】
上記式（２）で表される化合物としては、例えば、下記式（２−１）〜（２−４）で表される化合物を挙げることができる。
【００４７】
【化１７】
（式中、Ｑは、炭素数１〜１０の鎖状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０の鎖状又は環状のアルコキシ基、フッ素原子又はシアノ基であり、ｆは式（２）と同義である。）
【００４８】
＜特定桂皮酸誘導体の合成＞
特定桂皮酸誘導体の合成手順は特に限定されず、従来公知の方法を組み合わせて行うことができる。代表的な合成手順としては、例えば、（１）塩基性条件下、ハロゲン原子で置換されたベンゼン環骨格を有する化合物と、アクリル酸とを遷移金属触媒存在下で反応させて特定桂皮酸誘導体を得る方法、（２）塩基性条件下、ベンゼン環の水素原子がハロゲン原子で置換された桂皮酸と、ハロゲン原子で置換されたベンゼン環骨格を有する化合物とを遷移金属触媒存在下で反応させて特定桂皮酸誘導体とする方法等が例示される。ただし、特定桂皮酸誘導体の合成手順はこれらに限定されるものではない。
【００４９】
［Ａ］化合物は、桂皮酸構造を含む光配向性基を有する限り特に限定されないが、側鎖に桂皮酸構造を含む光配向性基を有するポリマーであることが好ましく、ポリオルガノシロキサン、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリアクリレート、ポリメタアクリレート、ポリ（スチレン‐フェニルマレイミド）誘導体、セルロース誘導体、ポリエステル、ポリアミド、ポリスチレン誘導体及びポリアミック酸エステルを主鎖構造とするものが電気特性の面からより好ましく、耐光性の面からポリオルガノシロキサンを主鎖構造とするものがさらに好ましい。
【００５０】
［Ａ］化合物がポリオルガノシロキサンを主鎖構造とする化合物（ポリオルガノシロキサン化合物）は、主鎖としてのポリオルガノシロキサン、その加水分解物及びその加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種に由来する部分に、側鎖として上記光配向性基が導入された構造を有する。［Ａ］化合物がポリオルガノシロキサン化合物である場合、光配向性基とポリオルガノシロキサン化合物とにより、光配向の感度が良好となり、低光照射量を実現することができる。同時に、主鎖としてポリオルガノシロキサンを採用しているので、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物で形成された有機ＥＬ発光体配向制御膜は、優れた化学的安定性・熱的安定性を有し、高耐熱性を発揮することから、熱負荷後においても発光効率を長期間にわたり維持することができる。
【００５１】
＜ポリオルガノシロキサン、その加水分解物及びその加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種に由来する部分＞
［Ａ］化合物が、ポリオルガノシロキサン化合物である場合、この主鎖として含まれるポリオルガノシロキサン、その加水分解物及びその加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種に由来する部分としては、それ自体に上記光配向性基を導入し得る構造に由来した部分を有する限り特に限定されない。ポリオルガノシロキサン化合物である［Ａ］化合物は、このようなポリオルガノシロキサン、その加水分解物、その加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種に由来する部分と、上記光配向性を示す化合物に由来する基とを有する。
【００５２】
上記光配向性基を導入し得る構造としては、例えば水酸基、エポキシ基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、エステル基、アミド基等が挙げられる。この中でも、導入及び調製の容易性を考慮すると、エポキシ基が好ましい。
【００５３】
［Ａ］化合物は、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと、上記式（１）及び／又は（２）で表される化合物との反応生成物であることが好ましい。当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物において、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと特定桂皮酸誘導体との間の反応性を利用することにより、主鎖としてのポリオルガノシロキサンに光配向性を有する特定桂皮酸誘導体に由来する基を容易に導入することができる。
【００５４】
＜エポキシ基を有するポリオルガノシロキサン＞
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物で用いられるエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンは、ポリオルガノシロキサンに側鎖としてエポキシ基を有する１価の有機基が導入されていれば特に限定されない。上記エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンとしては、下記式（３）で表される繰り返し単位を有するポリオルガノシロキサン、その加水分解物及びその加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００５５】
【化１８】
（式（３）中、Ｘ１はエポキシ基を有する１価の有機基であり、Ｙ１は水酸基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。）
【００５６】
なお、上記式（３）で表される繰り返し単位を有するポリオルガノシロキサンの加水分解物又はその縮合物は、そのポリオルガノシロキサン同士の加水分解縮合物だけでなく、上記式（３）で表される繰り返し単位の加水分解縮合によりポリオルガノシロキサンが生成される過程において、主鎖の枝分かれや架橋等が生じて得られるポリオルガノシロキサンが上記式（３）で表される繰り返し単位を有する場合の加水分解物又はその縮合物をも含む概念である。
【００５７】
上記式（３）におけるＸ１は、エポキシ基を有する１価の有機基であれば特に限定されず、例えば、グリシジル基、グリシジルオキシ基、エポキシシクロヘキシル基を含む基等が挙げられる。上記エポキシ基を有する１価の有機基（すなわち、Ｘ１）としては、上記式（Ｘ１−１）又は（Ｘ１−２）で表されることが好ましい。さらに上記式（Ｘ１−１）又は（Ｘ１−２）で表される基のうち、下記式（Ｘ１−１−１）又は（Ｘ１−２−１）
【００５８】
【化１９】
（上記式中、「＊」は結合手であることを示す。）
で表される基が好ましい。
【００５９】
上記式（３）中のＹ１において、炭素数１〜１０のアルコキシ基として、例えばメトキシ基、エトキシ基等；炭素数１〜２０のアルキル基として、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ラウリル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基等；炭素数６〜２０のアリール基としては、例えばフェニル基等をそれぞれ挙げることができる。
【００６０】
エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定したポリスチレン換算の質量平均分子量が、５００〜１００，０００であることが好ましく、１，０００〜１０，０００であることがより好ましく、さらに１，０００〜５，０００であることが好ましい。
【００６１】
このようなエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンは、好ましくはエポキシ基を有するシラン化合物、あるいはエポキシ基を有するシラン化合物と他のシラン化合物の混合物を、好ましくは適当な有機溶媒、水及び触媒の存在下において加水分解又は加水分解・縮合することにより合成することができる。
【００６２】
上記エポキシ基を有するシラン化合物としては、例えば３−グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルジメチルメトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルジメチルエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン等を挙げることができる。
【００６３】
上記他のシラン化合物として、例えばテトラクロロシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、トリクロロシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリ−ｉ−プロポキシシラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フルオロトリクロロシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、フルオロトリ−ｎ−プロポキシシラン、フルオロトリ−ｉ−プロポキシシラン、フルオロトリ−ｎ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、メチルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリクロロシラン、
２−（トリフルオロメチル）エチルトリメトキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリエトキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリクロロシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリエトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリクロロシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリメトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリエトキシシラン、
【００６４】
２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ヒドロキシメチルトリクロロシラン、ヒドロキシメチルトリメトキシシラン、ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリクロロシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリクロロシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、メルカプトメチルトリメトキシシラン、
【００６５】
メルカプトメチルトリエトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｉ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、アリルトリクロロシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリ−ｎ−プロポキシシラン、アリルトリ−ｉ−プロポキシシラン、アリルトリ−ｎ−ブトキシシラン、アリルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｉ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、メチルジクロロシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、メチルジ−ｎ−プロポキシシラン、メチルジ−ｉ−プロポキシシラン、メチルジ−ｎ−ブトキシシラン、メチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジメチルジクロロシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
【００６６】
（メチル）〔２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル〕ジクロロシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル〕ジメトキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル〕ジエメトキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル〕ジ−ｎ−プロポキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル〕ジ−ｉ−プロポキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル〕ジ−ｎ−ブトキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル〕ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジクロロシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジメトキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジエトキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジ−ｎ−プロポキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジ−ｉ−プロポキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジ−ｎ−ブトキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、（メチル）（ビニル）ジクロロシラン、（メチル）（ビニル）ジメトキシシラン、（メチル）（ビニル）ジエトキシシラン、（メチル）（ビニル）ジ−ｎ−プロポキシシラン、（メチル）（ビニル）ジ−ｉ−プロポキシシラン、（メチル）（ビニル）ジ−ｎ−ブトキシシラン、
【００６７】
（メチル）（ビニル）ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジビニルジクロロシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、ジビニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジビニルジ−ｉ−プロポキシシラン、ジビニルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジビニルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、クロロジメチルシラン、メトキシジメチルシラン、エトキシジメチルシラン、クロロトリメチルシラン、ブロモトリメチルシラン、ヨードトリメチルシラン、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、ｎ−プロポキシトリメチルシラン、ｉ−プロポキシトリメチルシラン、ｎ−ブトキシトリメチルシラン、ｓｅｃ−ブトキシトリメチルシラン、ｔ−ブトキシトリメチルシラン、（クロロ）（ビニル）ジメチルシラン、（メトキシ）（ビニル）ジメチルシラン、（エトキシ）（ビニル）ジメチルシラン、（クロロ）（メチル）ジフェニルシラン、（メトキシ）（メチル）ジフェニルシラン、（エトキシ）（メチル）ジフェニルシラン等のケイ素原子を１個有するシラン化合物のほか、
【００６８】
商品名で、例えばＫＣ−８９、ＫＣ−８９Ｓ、Ｘ−２１−３１５３、Ｘ−２１−５８４１、Ｘ−２１−５８４２、Ｘ−２１−５８４３、Ｘ−２１−５８４４、Ｘ−２１−５８４５、Ｘ−２１−５８４６、Ｘ−２１−５８４７、Ｘ−２１−５８４８、Ｘ−２２−１６０ＡＳ、Ｘ−２２−１７０Ｂ、Ｘ−２２−１７０ＢＸ、Ｘ−２２−１７０Ｄ、Ｘ−２２−１７０ＤＸ、Ｘ−２２−１７６Ｂ、Ｘ−２２−１７６Ｄ、Ｘ−２２−１７６ＤＸ、Ｘ−２２−１７６Ｆ、Ｘ−４０−２３０８、Ｘ−４０−２６５１、Ｘ−４０−２６５５Ａ、Ｘ−４０−２６７１、Ｘ−４０−２６７２、Ｘ−４０−９２２０、Ｘ−４０−９２２５、Ｘ−４０−９２２７、Ｘ−４０−９２４６、Ｘ−４０−９２４７、Ｘ−４０−９２５０、Ｘ−４０−９３２３、Ｘ−４１−１０５３、Ｘ−４１−１０５６、Ｘ−４１−１８０５、Ｘ−４１−１８１０、ＫＦ６００１、ＫＦ６００２、ＫＦ６００３、ＫＲ２１２、ＫＲ−２１３、ＫＲ−２１７、ＫＲ２２０Ｌ、ＫＲ２４２Ａ、ＫＲ２７１、ＫＲ２８２、ＫＲ３００、ＫＲ３１１、ＫＲ４０１Ｎ、ＫＲ５００、ＫＲ５１０、ＫＲ５２０６、ＫＲ５２３０、ＫＲ５２３５、ＫＲ９２１８、ＫＲ９７０６（以上、信越化学工業（株）製）；グラスレジン（昭和電工（株）製）；ＳＨ８０４、ＳＨ８０５、ＳＨ８０６Ａ、ＳＨ８４０、ＳＲ２４００、ＳＲ２４０２、ＳＲ２４０５、ＳＲ２４０６、ＳＲ２４１０、ＳＲ２４１１、ＳＲ２４１６、ＳＲ２４２０（以上、東レ・ダウコーニング（株）製）；ＦＺ３７１１、ＦＺ３７２２（以上、日本ユニカー（株）製）；ＤＭＳ−Ｓ１２、ＤＭＳ−Ｓ１５、ＤＭＳ−Ｓ２１、ＤＭＳ−Ｓ２７、ＤＭＳ−Ｓ３１、ＤＭＳ−Ｓ３２、ＤＭＳ−Ｓ３３、ＤＭＳ−Ｓ３５、ＤＭＳ−Ｓ３８、ＤＭＳ−Ｓ４２、ＤＭＳ−Ｓ４５、ＤＭＳ−Ｓ５１、ＤＭＳ−２２７、ＰＳＤ−０３３２、ＰＤＳ−１６１５、ＰＤＳ−９９３１、ＸＭＳ−５０２５（以上、チッソ（株）製）；メチルシリケートＭＳ５１、メチルシリケートＭＳ５６（以上、三菱化学（株）製）；エチルシリケート２８、エチルシリケート４０、エチルシリケート４８（以上、コルコート（株）製）；ＧＲ１００、ＧＲ６５０、ＧＲ９０８、ＧＲ９５０（以上、昭和電工（株）製）等の部分縮合物を挙げることができる。
【００６９】
これらの他のシラン化合物のうち、得られる有機ＥＬ発光体配向制御膜の配向性及び化学的安定性の観点から、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、メルカプトメチルトリメトキシシラン、メルカプトメチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン又はジメチルジエトキシシランが好ましい。
【００７０】
本発明に用いられるエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンは、光配向性を有する側鎖を充分な量で導入しつつ、エポキシ基の導入量が過剰となることによる意図しない副反応等を抑制するために、そのエポキシ当量が１００〜１０，０００ｇ／モルであることが好ましく、１５０〜１，０００ｇ／モルであることがより好ましい。したがって、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンを合成するにあたっては、エポキシ基を有するシラン化合物と他のシラン化合物との使用割合を、得られるポリオルガノシロキサンエポキシ当量が上記の範囲になるように調製して設定することが好ましい。
【００７１】
具体的には、このような他のシラン化合物は、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと他のシラン化合物との合計に対して０〜５０質量％用いることが好ましく、５〜３０質量％用いることがより好ましい。
【００７２】
エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンを合成するにあたって使用することのできる有機溶媒としては、例えば炭化水素化合物、ケトン化合物、エステル化合物、エーテル化合物、アルコール化合物等を挙げることができる。
【００７３】
上記炭化水素化合物としては、例えば、トルエン、キシレン等；上記ケトン化合物として、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルｎ−アミルケトン、ジエチルケトン、シクロヘキサノン等；上記エステル化合物としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、乳酸エチル等；上記エーテル化合物としては、例えばエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等；上記アルコール化合物としては、例えば１−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル等を、それぞれ挙げることができる。これらのうち非水溶性のものが好ましい。これらの有機溶媒は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。
【００７４】
有機溶媒の使用量は、全シラン化合物１００質量部に対して、好ましくは１０〜１０，０００質量部、より好ましくは５０〜１，０００質量部である。また、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンを製造する際の水の使用量は、全シラン化合物に対して、好ましくは０．５〜１００倍モル、より好ましくは１〜３０倍モルである。
【００７５】
上記触媒としては例えば酸、アルカリ金属化合物、有機塩基、チタン化合物、ジルコニウム化合物等を用いることができる。
【００７６】
上記アルカリ金属化合物としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド等を挙げることができる。
【００７７】
上記有機塩基としては、例えばエチルアミン、ジエチルアミン、ピペラジン、ピペリジン、ピロリジン、ピロールの如き１〜２級有機アミン；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロウンデセンの如き３級の有機アミン；テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの如き４級の有機アンモニウム塩等を、それぞれ挙げることができる。これらの有機塩基のうち、反応が穏やかに進行する点を考慮して、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジンの如き３級の有機アミン；テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの如き４級の有機アンモニウム塩が好ましい。
【００７８】
エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンを製造する際の触媒としては、アルカリ金属化合物又は有機塩基が好ましい。アルカリ金属化合物又は有機塩基を触媒として用いることにより、エポキシ基の開環等の副反応を生じることなく、高い加水分解・縮合速度で目的とするポリオルガノシロキサンを得ることができることになり、生産安定性に優れることとなって好ましい。また、触媒としてアルカリ金属化合物又は有機塩基を用いて合成されたエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと特定桂皮酸誘導体との反応生成物を含有する本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、保存安定性が極めて優れるため好都合である。
【００７９】
その理由は、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗｓ、９５巻、ｐ１４０９（１９９５年）に指摘されているように、加水分解、縮合反応において触媒としてアルカリ金属化合物又は有機塩基を用いると、ランダム構造、はしご型構造又はかご型構造が形成され、シラノール基の含有割合が少ないポリオルガノシロキサンが得られるためではないかと推察される。シラノール基の含有割合が少ないため、シラノール基同士の縮合反応が抑えられ、さらに、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が後述の他の重合体を含有するものである場合には、シラノール基と他の重合体との縮合反応が抑えられるため、保存安定性に優れる結果になるものと推察される。
【００８０】
触媒としては、特に有機塩基が好ましい。有機塩基の使用量は、有機塩基の種類、温度等の反応条件等により異なり、適宜に設定することができる。有機塩基の具体的な使用量としては、例えば全シラン化合物に対して、好ましくは０．０１〜３倍モルであり、より好ましくは０．０５〜１倍モルである。
【００８１】
エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンを製造する際の加水分解又は加水分解・縮合反応は、エポキシ基を有するシラン化合物と必要に応じて他のシラン化合物とを有機溶媒に溶解し、この溶液を有機塩基及び水と混合して、例えば油浴等により加熱することにより実施することが好ましい。
【００８２】
加水分解・縮合反応時には、油浴の加熱温度を好ましくは１３０℃以下、より好ましくは４０〜１００℃として、好ましくは０．５〜１２時間、より好ましくは１〜８時間加熱するのが望ましい。加熱中は、混合液を撹拌してもよいし、還流下に置いてもよい。
【００８３】
反応終了後、反応液から分取した有機溶媒層を水で洗浄することが好ましい。この洗浄に際しては、洗浄操作が容易になる点で、少量の塩を含む水、例えば０．２質量％程度の硝酸アンモニウム水溶液等で洗浄することが好ましい。洗浄は洗浄後の水層が中性になるまで行い、その後有機溶媒層を、必要に応じて無水硫酸カルシウム、モレキュラーシーブス等の乾燥剤で乾燥した後、溶媒を除去することにより、目的とするエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンを得ることができる。
【００８４】
本発明においては、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンとして市販されているものを用いてもよい。このような市販品としては、例えばＤＭＳ−Ｅ０１，ＤＭＳ−Ｅ１２、ＤＭＳ−Ｅ２１，ＥＭＳ−３２（以上、チッソ（株）製）等を挙げることができる。
【００８５】
［Ａ］化合物は、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサン自体が加水分解されて生じる加水分解物に由来する部分や、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサン同士が加水分解縮合した加水分解縮合物に由来する部分を含んでいてもよい。当該部分の構成材料であるこれらの加水分解物や加水分解縮合物もエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンの加水分解ないし縮合条件と同様に調製することができる。
【００８６】
＜［Ａ］化合物の合成＞
本発明で使用される［Ａ］化合物がポリオルガノシロキサン化合物である場合、例えば上記の如きエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと上記式（１）及び／又は（２）で表される化合物（すなわち、特定桂皮酸誘導体）とを、好ましくは触媒の存在下に反応させることにより合成することができる。
【００８７】
ここで特定桂皮酸誘導体は、ポリオルガノシロキサンの有するエポキシ基１モルに対して好ましくは０．００１〜１０モル、より好ましくは０．０１〜５モル、さらに好ましくは０．０５〜２モル使用される。
【００８８】
上記触媒としては、有機塩基、又はエポキシ化合物と酸無水物との反応を促進するいわゆる硬化促進剤として公知の化合物を用いることができる。
【００８９】
上記有機塩基としては、例えばエチルアミン、ジエチルアミン、ピペラジン、ピペリジン、ピロリジン、ピロールの如き１〜２級有機アミン；
トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロウンデセンの如き３級の有機アミン；
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの如き４級の有機アミン等を挙げることができる。
これらの有機塩基のうち、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジンの如き３級の有機アミン；テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの如き４級の有機アンモニウム塩が好ましい。
【００９０】
上記硬化促進剤としては、例えばベンジルジメチルアミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、シクロヘキシルジメチルアミン、トリエタノールアミンの如き３級アミン；
２−メチルイミダゾール、２−ｎ−ヘプチルイミダゾール、２−ｎ−ウンデシルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−メチルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−ｎ−ウンデシルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−フェニルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジ（ヒドロキシメチル）イミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−フェニル−４，５−ジ〔（２’−シアノエトキシ）メチル〕イミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−ｎ−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテート、１−（２−シアノエチル）−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、１−（２−シアノエチル）−２−エチル−４−メチルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−ｎ−ウンデシルイミダゾリル）エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）〕エチル−ｓ−トリアジン、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、及び２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕エチル−ｓ−トリアジンのイソシアヌル酸付加物の如きイミダゾール化合物；
ジフェニルフォスフィン、トリフェニルフォスフィン、亜リン酸トリフェニルの如き有機リン化合物；
【００９１】
ベンジルトリフェニルフォスフォニウムクロライド、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムブロマイド、メチルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド、エチルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド、ｎ−ブチルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド、テトラフェニルフォスフォニウムブロマイド、エチルトリフェニルフォスフォニウムヨーダイド、エチルトリフェニルフォスフォニウムアセテート、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムｏ，ｏ−ジエチルフォスフォロジチオネート、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムベンゾトリアゾレート、テトラフェニルフォスフォニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムテトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムテトラフェニルボレートの如き４級フォスフォニウム塩；
１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７やその有機酸塩の如きジアザビシクロアルケン；
オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、アルミニウムアセチルアセトン錯体の如き有機金属化合物；
テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムクロライドの如き４級アンモニウム塩；
三フッ化ホウ素、ホウ酸トリフェニルの如きホウ素化合物；
塩化亜鉛、塩化第二錫の如き金属ハロゲン化合物；
ジシアンジアミドやアミンとエポキシ樹脂との付加物等のアミン付加型促進剤等の高融点分散型潜在性硬化促進剤；
上記イミダゾール化合物、有機リン化合物や４級フォスフォニウム塩等の硬化促進剤の表面をポリマーで被覆したマイクロカプセル型潜在性硬化促進剤；
アミン塩型潜在性硬化促進剤；
ルイス酸塩、ブレンステッド酸塩等の高温解離型の熱カチオン重合型潜在性硬化促進剤等の潜在性硬化促進剤等を挙げることができる。
【００９２】
これらの触媒の中でも、テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムクロライドの如き４級アンモニウム塩が好ましい。
【００９３】
触媒は、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサン１００質量部に対して好ましくは１００質量部以下、より好ましくは０．０１〜１００質量部、さらに好ましくは０．１〜２０質量部の量で使用される。
【００９４】
反応温度は、好ましくは０〜２００℃、より好ましくは５０〜１５０℃である。反応時間は、好ましくは０．１〜５０時間、より好ましくは０．５〜２０時間である。
【００９５】
［Ａ］化合物は、必要に応じて有機溶剤の存在下に合成することができる。かかる有機溶媒としては、例えば、炭化水素化合物、エーテル化合物、エステル化合物、ケトン化合物、アミド化合物、アルコール化合物等を挙げることができる。これらのうち、エーテル化合物、エステル化合物、ケトン化合物が、原料及び生成物の溶解性ならびに生成物の精製のし易さの観点から好ましい。溶媒は、固形分濃度（反応溶液中の溶媒以外の成分の質量が溶液の全質量に占める割合）が、好ましくは０．１質量％以上７０質量％以下、より好ましくは５質量％以上５０質量％以下となる量で使用される。
【００９６】
本発明の［Ａ］化合物は、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンに、特定桂皮酸誘導体のカルボキシル基のエポキシへの開環付加により特定桂皮酸誘導体に由来する構造を導入することで得ることができる。この製造方法は簡便であり、しかも特定桂皮酸誘導体に由来する構造の導入率を高くすることができる点で極めて好適な方法である。
【００９７】
本発明においては、本発明の効果を損なわない範囲で上記特定桂皮酸誘導体の一部を下記式（４）で表される化合物で置き換えて使用してもよい。この場合、［Ａ］化合物の合成は、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと、特定桂皮酸誘導体及び下記式（４）で表される化合物の混合物とを反応させることにより行われる。
【００９８】
【化２０】
【００９９】
上記式（４）におけるＲ１０は、水素原子の一部又は全部がフッ素で置換されていてもよいアルキル基若しくはアルコキシ基であり、好ましくは、炭素数８〜２０のアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数４〜２１のフルオロアルキル基若しくはフルオロアルコキシ基である。Ｒ１１は、単結合、シクロアルキレン基又はアリーレン基であり、好ましくは、単結合、１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基である。また、Ｒ１２は、有機酸基であり、好ましくは、カルボキシル基である。
【０１００】
上記式（４）で表される化合物の好ましい例として、例えば下記式（４−１）〜（４−３）のいずれかで表される化合物が挙げられる。
【０１０１】
【化２１】
【０１０２】
上記式（４）で表される化合物は、［Ａ］化合物の活性部位を失活させて当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の安定性向上に寄与し得る。本発明において、特定桂皮酸誘導体と共に上記式（４）で表される化合物を使用する場合、特定桂皮酸誘導体及び上記式（４）で表される化合物の合計の使用割合は、ポリオルガノシロキサンの有するエポキシ基１モルに対して、好ましくは０．００１〜１．５モル、より好ましくは０．０１〜１モル、さらに好ましくは０．０５〜０．９モルである。この場合、上記式（４）で表される化合物は、特定桂皮酸誘導体との合計に対して好ましくは５０モル％以下、より好ましくは２５モル％以下の範囲で使用される。上記式（４）で表される化合物の使用割合が５０モル％を超えると、有機ＥＬ発光体配向制御膜における配向性が低下する不具合を生じるおそれがある。
【０１０３】
なお、［Ａ］化合物がポリオルガノシロキサン化合物以外のポリマーである場合の製造方法としては、光配向性基を導入し得る構造を有する公知のポリマーと、桂皮酸や桂皮酸誘導体（上記特定桂皮酸誘導体や、桂皮酸塩化物等）とを反応させる方法を挙げることができる。上記光配向性基を導入し得る構造としては、例えば水酸基、エポキシ基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、エステル基、アミド基等が挙げられる。
【０１０４】
このようにして得られた［Ａ］化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるスチレン換算での質量平均分子量は特に限定されないが、１，０００〜２０，０００であることが好ましく、３，０００〜１５，０００であることがより好ましい。このような分子量範囲にあることで、有機ＥＬ発光体配向制御膜の良好な配向性及び熱的安定性を確保することができる。
【０１０５】
＜［Ｂ］成分：エステル構造含有化合物＞
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は［Ｂ］エステル構造含有化合物を含むことにより、耐熱性及び耐光性に優れる有機ＥＬ発光体配向制御膜を形成し得ると共に、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の保存安定性を向上させることができる。
【０１０６】
［Ｂ］エステル構造含有化合物は、分子内にカルボン酸のアセタールエステル構造、カルボン酸のケタールエステル構造、カルボン酸の１−アルキルシクロアルキルエステル構造及びカルボン酸のｔ−ブチルエステル構造からなる群より選択される少なくとも１種の構造を２個以上有する化合物である。［Ｂ］エステル構造含有化合物は、これらの構造のうちの同じ種類の構造を２個以上有する化合物であってもよく、これらの構造のうちの異なる種類の構造を合わせて２個以上有する化合物であってもよい。上記カルボン酸のアセタールエステル構造を含む基としては、下記式（Ｂ−１）及び（Ｂ−２）のそれぞれで表される基を挙げることができる。
【０１０７】
【化２２】
（式（Ｂ−１）中、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０の脂環式基、炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数７〜１０のアラルキル基であり、
式（Ｂ−２）中、ｎ１は２〜１０の整数である。）
【０１０８】
ここで、上記式（Ｂ−１）におけるＲ１３について、
アルキル基としてメチル基；
脂環式基としてシクロヘキシル基；
アリール基としてフェニル基；
アラルキル基としてベンジル基が、それぞれ好ましく、
Ｒ１４のアルキル基として炭素数１〜６のアルキル基；
脂環式基として炭素数６〜１０の脂環式基；
アリール基としてフェニル基；
アラルキル基としてベンジル基又は２−フェニルエチル基が、それぞれ好ましい。式（Ｂ−２）におけるｎ１としては、３又は４であることが好ましい。
【０１０９】
上記式（Ｂ−１）で表される基としては、例えば、１−メトキシエトキシカルボニル基、１−エトキシエトキシカルボニル基、１−ｎ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−ｉ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−ｎ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−ｉ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−ｓｅｃ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−ｔ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−シクロペンチルオキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル基、１−ノルボルニルオキシエトキシカルボニル基、１−ボルニルオキシエトキシカルボニル基、１−フェノキシエトキシカルボニル基、１−（１−ナフチルオキシ）エトキシカルボニル基、１−ベンジルオキシエトキシカルボニル基、１−フェネチルオキシエトキシカルボニル基、（シクロヘキシル）（メトキシ）メトキシカルボニル基、（シクロヘキシル）（エトキシ）メトキシカルボニル基、（シクロヘキシル）（ｎ−プロポキシ）メトキシカルボニル基、（シクロヘキシル）（ｉ−プロポキシ）メトキシカルボニル基、（シクロヘキシル）（シクロヘキシルオキシ）メトキシカルボニル基、（シクロヘキシル）（フェノキシ）メトキシカルボニル基、（シクロヘキシル）（ベンジルオキシ）メトキシカルボニル基、（フェニル）（メトキシ）メトキシカルボニル基、（フェニル）（エトキシ）メトキシカルボニル基、（フェニル）（ｎ−プロポキシ）メトキシカルボニル基、（フェニル）（ｉ−プロポキシ）メトキシカルボニル基、（フェニル）（シクロヘキシルオキシ）メトキシカルボニル基、（フェニル）（フェノキシ）メトキシカルボニル基、（フェニル）（ベンジルオキシ）メトキシカルボニル基、（ベンジル）（メトキシ）メトキシカルボニル基、（ベンジル）（エトキシ）メトキシカルボニル基、（ベンジル）（ｎ−プロポキシ）メトキシカルボニル基、（ベンジル）（ｉ−プロポキシ）メトキシカルボニル基、（ベンジル）（シクロヘキシルオキシ）メトキシカルボニル基、（ベンジル）（フェノキシ）メトキシカルボニル基、（ベンジル）（ベンジルオキシ）メトキシカルボニル基等；
上記式（Ｂ−２）で表される基としては、例えば２−テトラヒドロフラニルオキシカルボニル基、２−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基等
が挙げられる。
【０１１０】
これらのうち、１−エトキシエトキシカルボニル基、１−ｎ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル基、２−テトラヒドロフラニルオキシカルボニル基、２−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基等が好ましい。
【０１１１】
上記カルボン酸のケタールエステル構造を含む基としては、例えば、下記式（Ｂ−３）〜（Ｂ−５）のそれぞれで表される基を挙げることができる。
【０１１２】
【化２３】
（式（Ｂ−３）中、Ｒ１５は炭素数１〜１２のアルキル基であり、Ｒ１６及びＲ１７は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式基、炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数７〜２０のアラルキル基である。
式（Ｂ−４）中、Ｒ１８は炭素数１〜１２のアルキル基であり、ｎ２は２〜８の整数である。
式（Ｂ−５）中、Ｒ１９は炭素数１〜１２のアルキル基であり、ｎ３は２〜８の整数である。）
【０１１３】
ここで、上記式（Ｂ−３）におけるＲ１５のアルキル基としてはメチル基が好ましく、
Ｒ１６についてはアルキル基としてメチル基；
脂環式基としてシクロヘキシル基；
アリール基としてフェニル基；
アラルキル基としてベンジル基が、それぞれ好ましく、
Ｒ１７については、アルキル基として炭素数１〜６のアルキル基；
脂環式基として炭素数６〜１０の脂環式基；
アリール基としてフェニル基；
アラルキル基としてベンジル基又は２−フェニルエチル基が、それぞれ好ましく、
式（Ｂ−４）におけるＲ１８のアルキル基としてメチル基が、ｎ２としては３又は４であることが、それぞれ好ましく、
式（Ｂ−５）におけるＲ１９のアルキル基としてはメチル基が、ｎ３としては３又は４であることが、それぞれ好ましい。
【０１１４】
上記式（Ｂ−３）で表される基としては、例えば、１−メチル−１−メトキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−エトキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−ｎ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−ｉ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−ｎ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−ｉ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−ｓｅｃ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−ｔ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−シクロペンチルオキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−ノルボルニルオキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−ボルニルオキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−フェノキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−（１−ナフチルオキシ）エトキシカルボニル基、１−メチル−１−ベンジルオキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−フェネチルオキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシル−１−メトキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシル−１−エトキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシル−１−ｎ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシル−１−ｉ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシル−１−シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシル−１−フェノキシエトキシカルボニル基、１−シクロヘキシル−１−ベンジルオキシエトキシカルボニル基、１−フェニル−１−メトキシエトキシカルボニル基、１−フェニル−１−エトキシエトキシカルボニル基、１−フェニル−１−ｎ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−フェニル−１−ｉ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−フェニル−１−シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル基、１−フェニル−１−フェノキシエトキシカルボニル基、１−フェニル−１−ベンジルオキシエトキシカルボニル基、１−ベンジル−１−メトキシエトキシカルボニル基、１−ベンジル−１−エトキシエトキシカルボニル基、１−ベンジル−１−ｎ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−ベンジル−１−ｉ−プロポキシエトキシカルボニル基、１−ベンジル−１−シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル基、１−ベンジル−１−フェノキシエトキシカルボニル基、１−ベンジル−１−ベンジルオキシエトキシカルボニル基等；
【０１１５】
上記式（Ｂ−４）で表される基としては、例えば２−（２−メチルテトラヒドロフラニル）オキシカルボニル基、２−（２−メチルテトラヒドロピラニル）オキシカルボニル基等；
上記式（Ｂ−５）で表される基としては、例えば１−メトキシシクロペンチルオキシカルボニル基、１−メトキシシクロヘキシルオキシカルボニル基等
をそれぞれ挙げることができる。
【０１１６】
これらのうち、１−メチル−１−メトキシエトキシカルボニル基、１−メチル−１−シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル基等が好ましい。
【０１１７】
上記カルボン酸の１−アルキルシクロアルキルエステル構造を含む基としては、例えば下記式（Ｂ−６）で表される基を挙げることができる。
【０１１８】
【化２４】
（式（Ｂ−６）中、Ｒ２０は炭素数１〜１２のアルキル基であり、ｎ４は１〜８の整数である。）
【０１１９】
上記式（Ｂ−６）におけるＲ２０のアルキル基としては炭素数１〜１０のアルキル基が好ましい。
【０１２０】
上記式（Ｂ−６）で表される基としては、例えば１−メチルシクロプロポキシカルボニル基、１−メチルシクロブトキシカルボニル基、１−メチルシクロペントキシカルボニル基、１−メチルシクロへキシロキシカルボニル基、１−メチルシクロヘプチロキシカルボニル基、１−メチルシクロオクチロキシカルボニル基、１−メチルシクロノニロキシカルボニル基、１−メチルシクロデシロキシカルボニル基、１−エチルシクロプロポキシカルボニル基、１−エチルシクロブトキシカルボニル基、１−エチルシクロペントキシカルボニル基、１−エチルシクロヘキシロキシカルボニル基、１−エチルシクロヘプチロキシカルボニル基、１−エチルシクロオクチロキシカルボニル基、１−エチルシクロノニロキシカルボニル基、１−エチルシクロデシロキシカルボニル基、１−（イソ）プロピルシクロプロポキシカルボニル基、１−（イソ）プロピルシクロブトキシカルボニル基、１−（イソ）プロピルシクロペントキシカルボニル基、１−（イソ）プロピルシクロヘキシロキシカルボニル基、１−（イソ）プロピルシクロヘプチロキシカルボニル基、１−（イソ）プロピルシクロオクチロキシカルボニル基、１−（イソ）プロピルシクロノニロキシカルボニル基、１−（イソ）プロピルシクロデシロキシカルボニル基、１−（イソ）ブチルシクロプロポキシカルボニル基、１−（イソ）ブチルシクロブトキシカルボニル基、１−（イソ）ブチルシクロペントキシカルボニル基、１−（イソ）ブチルシクロヘキシロキシカルボニル基、１−（イソ）ブチルシクロヘプチロキシカルボニル基、１−（イソ）ブチルシクロオクチロキシカルボニル基、１−（イソ）ブチルシクロノニロキシカルボニル基、１−（イソ）ブチルシクロデシロキシカルボニル基、１−（イソ）ペンチルシクロプロポキシカルボニル基、１−（イソ）ペンチルシクロブトキシカルボニル基、１−（イソ）ペンチルシクロペントキシカルボニル基、１−（イソ）ペンチルシクロヘキシロキシカルボニル基、１−（イソ）ペンチルシクロヘプチロキシカルボニル基、１−（イソ）ペンチルシクロオクチロキシカルボニル基、１−（イソ）ペンチルシクロノニロキシカルボニル基、１−（イソ）ペンチルシクロデシロキシカルボニル基、
【０１２１】
１−（イソ）ヘキシルシクロプロポキシカルボニル基、１−（イソ）ヘキシルシクロブトキシカルボニル基、１−（イソ）ヘキシルシクロペントキシカルボニル基、１−（イソ）ヘキシルシクロヘキシロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘキシルシクロヘプチロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘキシルシクロオクチロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘキシルシクロノニロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘキシルシクロデシロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘプチルシクロプロポキシカルボニル基、１−（イソ）ヘプチルシクロブトキシカルボニル基、１−（イソ）ヘプチルシクロペントキシカルボニル基、１−（イソ）ヘプチルシクロヘキシロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘプチルシクロヘプチロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘプチルシクロオクチロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘプチルシクロノニロキシカルボニル基、１−（イソ）ヘプチルシクロデシロキシカルボニル基、１−（イソ）オクチルシクロプロポキシカルボニル基、１−（イソ）オクチルシクロブトキシカルボニル基、１−（イソ）オクチルシクロペントキシカルボニル基、１−（イソ）オクチルシクロヘキシロキシカルボニル基、１−（イソ）オクチルシクロヘプチロキシカルボニル基、１−（イソ）オクチルシクロオクチロキシカルボニル基、１−（イソ）オクチルシクロノニロキシカルボニル基、１−（イソ）オクチルシクロデシロキシカルボニル基等を挙げることができる。
【０１２２】
上記カルボン酸のｔ−ブチルエステル構造を含む基とは、ｔ−ブトキシカルボニル基である。
【０１２３】
本発明における［Ｂ］エステル構造含有化合物としては、下記式（Ｂ）で表される化合物が好ましい。
ＢｎＲ （Ｂ）
（式（Ｂ）中、Ｂは上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）のいずれかで表される基若しくはｔ−ブトキシカルボニル基であり、ｎが２であってＲが単結合であるか、又はｎが２〜１０の整数であってＲが炭素数３〜１０の複素環化合物から水素を除去して得られるｎ価の基若しくは炭素数１〜１８のｎ価の炭化水素基である。）
ｎとしては、２又は３であることが好ましい。
【０１２４】
上記式（Ｂ）におけるＲの具体例としては、ｎが２である場合として、単結合、メチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、２，６−ナフタレニル基、５−ナトリウムスルホ−１，３−フェニレン基、５−テトラブチルホスホニウムスルホ−１，３−フェニレン基等；
【０１２５】
ｎが３である場合として、下記式
【０１２６】
【化２５】
【０１２７】
で表される基、ベンゼン−１，３，５−トリイル基等
をそれぞれ挙げることができる。上記アルキレン基としては、直鎖のものが好ましい。
【０１２８】
上記式（Ｂ）で表される［Ｂ］エステル構造含有化合物は、有機化学の定法により、又は有機化学の定法を適宜に組み合わせることにより合成することができる。
【０１２９】
例えば上記式（Ｂ）における基Ｂが上記式（Ｂ−１）で表される基である化合物（ただし、Ｒ１３がフェニル基である場合を除く。）は、好ましくはリン酸触媒の存在下で化合物Ｒ−（ＣＯＯＨ）ｎ（ただし、Ｒ及びｎは、それぞれ上記式（Ｂ）におけるのと同義である。）及び化合物Ｒ１４−Ｏ−ＣＨ＝Ｒ１３’（ただし、Ｒ１４は上記式（Ｂ−１）におけるのと同義であり、Ｒ１３’は上記式（Ｂ−１）における基Ｒ１３の一位炭素から水素原子を除去して得られる基である。）を付加することにより合成することができる。
【０１３０】
上記式（Ｂ）における基Ｂが上記式（Ｂ−２）で表される基である化合物は、好ましくはｐ−トルエンスルホン酸触媒の存在下で化合物Ｒ−（ＣＯＯＨ）ｎ（ただし、Ｒ及びｎは、それぞれ、上記式（Ｂ）におけるのと同義である。）及び下記式で表される化合物を付加することにより合成することができる。
【０１３１】
【化２６】
（式中、ｎ１は上記式（Ｂ−２）におけるのと同義である。）
【０１３２】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物中の［Ｂ］エステル構造含有化合物の含有量は、要求される耐熱性等を考慮して決めれば特に限定されないものの、［Ａ］化合物１００質量部に対して［Ｂ］エステル構造含有化合物０．１〜５０質量部が好ましく、１〜２０質量部がより好ましく、２〜１０質量部が特に好ましい。
【０１３３】
＜他の重合体＞
上記他の重合体は、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の溶液特性、及び得られる有機ＥＬ発光体配向制御膜の電気特性をより改善するために使用することができる。かかる他の重合体としては、例えば上記式（３）で表される繰り返し単位とは異なる構造の繰り返し単位を有するポリオルガノシロキサン、その加水分解物及びその加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種（以下、単に「他のポリオルガノシロキサン」ともいう。）、ポリアミック酸エステル、ポリエステル、ポリアミド、セルロース誘導体、ポリアセタール、ポリスチレン誘導体、ポリ（スチレン−フェニルマレイミド）誘導体、ポリ（メタ）アクリレート等を挙げることができる。
【０１３４】
＜他のポリオルガノシロキサン＞
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、上述のように、［Ａ］化合物以外にも他のポリオルガノシロキサンを含んでいてもよい。本発明において他のポリオルガノシロキサンを含む場合、下記式（５）で表される繰り返し単位を有するポリオルガノシロキサン、その加水分解物及びその加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【０１３５】
【化２７】
（式（５）中、Ｘ２は水酸基、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜２０のアリール基であり、Ｙ２は水酸基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基である。）
【０１３６】
なお、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が、上記他のポリオルガノシロキサンを含む場合、他のポリオルガノシロキサンの大部分は、［Ａ］化合物とは独立して存在しているもの、その一部は［Ａ］化合物との縮合物として存在していてもよい。
【０１３７】
かかる他のポリオルガノシロキサンは、例えばアルコキシシラン化合物及びハロゲン化シラン化合物からなる群より選択される少なくとも１種のシラン化合物（以下、「原料シラン化合物」ともいう。）を、好ましくは適当な有機溶媒中で、水及び触媒の存在下において加水分解又は加水分解・縮合することにより合成することができる。
【０１３８】
ここで使用できる原料シラン化合物としては、例えばテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラクロロシラン；メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、メチルトリクロロシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、エチルトリクロロシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリクロロシラン；ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジクロロシラン；トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルクロロシラン等を挙げることができる。これらのうちテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン又はトリメチルエトキシシランが好ましい。
【０１３９】
他のポリオルガノシロキサンを合成する際に、任意的に使用することのできる有機溶媒としては、例えばアルコール化合物、ケトン化合物、アミド化合物もしくはエステル化合物又はその他の非プロトン性化合物を挙げることができる。これらは単独で又は２種以上組み合わせて使用できる。
【０１４０】
上記アルコール化合物としては、例えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノール、ヘプタノール−３、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアルコール、２，６−ジメチルヘプタノール−４、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール化合物；
エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ペンタンジオール−２，４、２−メチルペンタンジオール−２，４、ヘキサンジオール−２，５、ヘプタンジオール−２，４、２−エチルヘキサンジオール−１，３、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール化合物；
【０１４１】
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール化合物の部分エーテル等を、それぞれ挙げることができる。これらのアルコール化合物は、１種であるいは２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１４２】
上記ケトン化合物としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ−ブチルケトン、ジ−ｉ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、２−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェンチョン、アセトフェノン等のモノケトン化合物；
アセチルアセトン、２，４−ペンタンジオン、２，４−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオン、３，５−ヘプタンジオン、５−メチル−２，４−ヘキサンジオン、２，４−オクタンジオン、３，５−オクタンジオン、２，４−ノナンジオン、３，５−ノナンジオン、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ヘプタンジオン等のβ−ジケトン化合物；
アセトニルアセトン等のγ−ジケトン化合物
等を、それぞれ挙げることができる。これらのケトン化合物は、１種であるいは２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１４３】
上記アミド化合物としては、例えばホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ−ホルミルピペリジン、Ｎ−ホルミルピロリジン、Ｎ−アセチルモルホリン、Ｎ−アセチルピペリジン、Ｎ−アセチルピロリジン等を挙げることができる。これらアミド化合物は、１種であるいは２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１４４】
上記エステル化合物としては、例えば炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミル、マロン酸ジエチル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等を挙げることができる。これらエステル化合物は、１種であるいは２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１４５】
上記その他の非プロトン性化合物としては、例えば、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルスルファミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−メチルピロール、Ｎ−エチルピロール、Ｎ−メチル−Δ３−ピロリン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−エチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルピペラジン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチル−４−ピペリドン、Ｎ−メチル−２−ピペリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジメチルテトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン等を挙げることができる。
これら溶媒のうち、多価アルコール化合物、多価アルコール化合物の部分エーテル、又はエステル化合物が特に好ましい。
【０１４６】
他のポリオルガノシロキサンの合成に際して使用する水の量としては、原料シラン化合物の有するアルコキシ基及びハロゲン原子の総量の１モルに対して、好ましくは０．０１〜１００モルであり、より好ましくは０．１〜３０モルであり、さらに１〜１．５モルであることが好ましい。
【０１４７】
他のポリオルガノシロキサンの合成に際して使用できる触媒としては、例えば金属キレート化合物、有機酸、無機酸、有機塩基、アンモニア、アルカリ金属化合物等を挙げることができる。
【０１４８】
上記金属キレート化合物として、例えばトリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、テトラキス（アセチルアセトナート）チタン、
【０１４９】
トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、テトラキス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）チタン、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）チタン、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）チタン等のチタンキレート化合物；
【０１５０】
トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、テトラキス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、
【０１５１】
ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、テトラキス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム等のジルコニウムキレート化合物；
トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム等のアルミニウムキレート化合物等が挙げられる。
【０１５２】
上記有機酸として、例えば酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、アジピン酸、メチルマロン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン酸、ミキミ酸、２−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸等を挙げることができる。
【０１５３】
上記無機酸としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸等を挙げることができる。
【０１５４】
上記有機塩基としては、例えばピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロオクラン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウンデセン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等を挙げることができる。
【０１５５】
上記アルカリ金属化合物としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウム等を挙げることができる。これら触媒は、１種をあるいは２種以上を一緒に使用してもよい。
【０１５６】
これら触媒のうち、金属キレート化合物、有機酸又は無機酸が好ましい。金属キレート化合物としては、チタンキレート化合物が特に好ましい。
【０１５７】
触媒の使用量は、原料シラン化合物１００質量部に対して好ましくは０．００１〜１０質量部であり、より好ましくは０．００１〜１質量部である。
【０１５８】
触媒は、原料であるシラン化合物中又はシラン化合物を有機溶媒に溶解した溶液中に予め添加しておいてもよく、あるいは添加される水中に溶解又は分散させておいてもよい。
【０１５９】
他のポリオルガノシロキサンの合成に際して添加される水は、原料であるシラン化合物中又はシラン化合物を有機溶媒に溶解した溶液中に、断続的又は連続的に添加することができる。
【０１６０】
他のポリオルガノシロキサンの合成の際の反応温度としては、好ましくは０〜１００℃であり、より好ましくは１５〜８０℃である。反応時間は好ましくは０．５〜２４時間であり、より好ましくは１〜８時間である。
【０１６１】
＜他の重合体の使用割合＞
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が、［Ａ］化合物と共に他の重合体を含有するものである場合、他の重合体の含有量としては、［Ａ］化合物１００質量部に対して１０，０００質量部以下であることが好ましい。他の重合体のより好ましい含有量は、他の重合体の種類により異なる。
【０１６２】
一方、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が、［Ａ］化合物及び他のポリオルガノシロキサンを含有するものである場合における両者の好ましい使用割合は、［Ａ］化合物１００質量部に対する他のポリオルガノシロキサンの量として１００〜２，０００質量部である。本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が、［Ａ］化合物とともに他の重合体を含有するものである場合、他の重合体の種類としては、他のポリオルガノシロキサンであることが好ましい。
【０１６３】
＜硬化剤及び硬化触媒、並びに硬化促進剤＞
上記硬化剤及び硬化触媒は、［Ａ］化合物の架橋反応をより強固にする目的で本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物に含ませることができる。上記硬化促進剤は、硬化剤の司る硬化反応を促進する目的で本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物に含ませることができる。
【０１６４】
上記硬化剤としては、エポキシ基を有する硬化性化合物、又はエポキシ基を有する化合物を含有する硬化性組成物の硬化に一般に用いられている硬化剤を用いることができる。このような硬化剤としては、例えば多価アミン、多価カルボン酸無水物、多価カルボン酸を例示することができる。
【０１６５】
上記多価カルボン酸無水物としては、例えばシクロヘキサントリカルボン酸の無水物及びその他の多価カルボン酸無水物を挙げることができる。
【０１６６】
シクロヘキサントリカルボン酸無水物の具体例としては、例えばシクロヘキサン−１，３，４−トリカルボン酸−３，４−無水物、シクロヘキサン−１，３，５−トリカルボン酸−３，５−無水物、シクロヘキサン−１，２，３−トリカルボン酸−２，３−酸無水物等を挙げることができ、その他の多価カルボン酸無水物としては、例えば４−メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルナジック酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物、無水コハク酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水トリメリット酸、下記式（６）
【０１６７】
【化２８】
（式（６）中、ｐは１〜２０の整数である。）
で表される化合物、及びポリアミック酸の合成に一般に用いられるテトラカルボン酸二無水物のほか、α−テルピネン、アロオシメン等の共役二重結合を有する脂環式化合物と無水マレイン酸とのディールス・アルダー反応生成物及びこれらの水素添加物等を挙げることができる。
【０１６８】
上記硬化触媒としては、例えば６フッ化アンチモン化合物、６フッ化リン化合物、アルミニウムトリスアセチルアセトナート等を用いることができる。これらの触媒は、加熱によりエポキシ基のカチオン重合を触媒することができる。
【０１６９】
上記硬化促進剤としては、例えばイミダゾール化合物；
４級リン化合物；
４級アミン化合物；
１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７やその有機酸塩の如きジアザビシクロアルケン；
オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、アルミニウムアセチルアセトン錯体の如き有機金属化合物；
三フッ化ホウ素、ホウ酸トリフェニルの如きホウ素化合物；
塩化亜鉛、塩化第二錫の如き金属ハロゲン化合物；
ジシアンジアミド、アミンとエポキシ樹脂との付加物の如きアミン付加型促進剤等の高融点分散型潜在性硬化促進剤；
４級フォスフォニウム塩等の表面をポリマーで被覆したマイクロカプセル型潜在性硬化促進剤；
アミン塩型潜在性硬化促進剤；
ルイス酸塩、ブレンステッド酸塩の如き高温解離型の熱カチオン重合型潜在性硬化促進剤等を挙げることができる。
【０１７０】
＜エポキシ化合物＞
上記エポキシ化合物は、形成される有機ＥＬ発光体配向制御膜の基板又はアノード電極表面に対する接着性を向上させる観点から、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物に含ませてもよい。
【０１７１】
かかるエポキシ化合物としては、例えばエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、２，２−ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，３，５，６−テトラグリシジル−２，４−ヘキサンジオール、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，−ジグリシジル−ベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジル−アミノメチルシクロヘキサン等を好ましいものとして挙げることができる。
【０１７２】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物がエポキシ化合物を含有する場合、その含有割合としては、上記［Ａ］化合物と任意的に使用される他の重合体との合計１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜４０質量部以下であり、より好ましくは０．１〜３０質量部である。
【０１７３】
なお、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物がエポキシ化合物を含有する場合、その架橋反応を効率良く起こす目的で、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール等の塩基触媒を併用してもよい。
【０１７４】
＜官能性シラン化合物＞
上記官能性シラン化合物は、得られる有機ＥＬ発光体配向制御膜のアノード電極との接着性を向上する目的で使用することができる。官能性シラン化合物としては、例えば３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、１０−トリメトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられ、さらに特開昭６３ー２９１９２２号公報に記載されている、テトラカルボン酸二無水物とアミノ基を有するシラン化合物との反応物等が挙げられる。
【０１７５】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が官能性シラン化合物を含有する場合、その含有割合としては、［Ａ］化合物と任意的に使用される他の重合体との合計１００質量部に対して、好ましくは５０質量部以下であり、より好ましくは２０質量部以下である。
【０１７６】
＜界面活性剤＞
上記界面活性剤としては、例えばノニオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性界面活性剤、シリコーン界面活性剤、ポリアルキレンオキシド界面活性剤、含フッ素界面活性剤等を挙げることができる。
【０１７７】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が上記界面活性剤を含む場合、その含有割合としては、有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の全体１００質量部に対して、好ましくは１０質量部以下であり、より好ましくは１質量部以下である。
【０１７８】
＜光増感性化合物＞
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物に含有され得る光増感性化合物は、カルボキシル基、水酸基、−ＳＨ、−ＮＣＯ、−ＮＨＲ（ただし、Ｒは水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基である）、−ＣＨ＝ＣＨ２及びＳＯ２Ｃｌからなる群より選択される少なくとも１種の基並びに光増感性構造を有する化合物である。上記エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと、特定桂皮酸誘導体及び光増感性化合物の混合物とを反応させることにより、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物に含有される［Ａ］化合物は、特定桂皮酸誘導体に由来する感光性構造（桂皮酸構造）と光増感性化合物に由来する光増感性構造とを併有することとなる。この光増感性構造は、光の照射により励起し、この励起エネルギーを重合体内で近接する感光性構造に与える機能を有する。この励起状態は一重項であってもよく、三重項であってもよいが、長寿命や効率的なエネルギー移動に鑑み、三重項であることが好ましい。上記光増感性構造が吸収する光は、波長１５０〜６００ｎｍの範囲の紫外線又は可視光線であることが好ましい。波長が上記下限より短い光は、通常の光学系で取り扱うことができないため、光配向法に好適に用いることができない。一方、上記上限より波長の長い光は、エネルギーが小さく、上記光増感性構造の励起状態を誘起し難い。
【０１７９】
かかる光増感性構造としては、例えばアセトフェノン構造、ベンゾフェノン構造、アントラキノン構造、ビフェニル構造、カルバゾール構造、ニトロアリール構造、フルオレン構造、ナフタレン構造、アントラセン構造、アクリジン構造、インドール構造等が挙げられ、これらを単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。これらの光増感性構造は、それぞれ、アセトフェノン、ベンゾフェノン、アントラキノン、ビフェニル、カルバゾール、ニトロベンゼンもしくはジニトロベンゼン、ナフタレン、フルオレン、アントラセン、アクリジン又はインドールから、１〜４個の水素原子を除去して得られる基からなる構造をいう。ここで、アセトフェノン構造、カルバゾール構造及びインドール構造のそれぞれは、アセトフェノン、カルバゾール又はインドールのベンゼン環が有する水素原子のうちの１〜４個を除去して得られる基からなる構造であることが好ましい。これらの光増感性構造のうち、アセトフェノン構造、ベンゾフェノン構造、アントラキノン構造、ビフェニル構造、カルバゾール構造、ニトロアリール構造及びナフタレン構造からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、アセトフェノン構造、ベンゾフェノン構造及びニトロアリール構造からなる群より選択される少なくとも１種であることが特に好ましい。
【０１８０】
光増感性化合物としては、カルボキシル基及び光増感性構造を有する化合物であることが好ましく、さらに好ましい化合物として、例えば下記式（Ｈ−１）〜（Ｈ−１０）のそれぞれで表される化合物等を挙げることができる。
【０１８１】
【化２９】
（式中、ｑは１〜６の整数である。）
【０１８２】
本発明で使用される［Ａ］化合物は、上記の如きエポキシ基を有するポリオルガノシロキサン及び特定桂皮酸誘導体に加え、光増感性化合物を合わせて、好ましくは触媒の存在下において、好ましくは有機溶媒中で反応させることにより合成してもよい。この場合、特定桂皮酸誘導体は、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンのケイ素原子１モルに対して、好ましくは０．００１〜１モル、より好ましくは０．１〜１モル、さらに好ましくは０．２〜０．９モルの範囲で使用される。光増感性化合物は、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンのケイ素原子１モルに対して、好ましくは０．０００１〜０．５モル、より好ましくは０．０００５〜０．２モル、さらに好ましくは０．００１〜０．１モルの範囲で使用される。
【０１８３】
＜有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の調製＞
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、上述の通り、［Ａ］化合物を必須成分として含有し、その他に必要に応じて他の成分を含有するものであるが、好ましくは各成分が有機溶媒に溶解された溶液状の組成物として調製される。なお、光配向性化合物と他の含有成分（例えば、ポリアミック酸及びポリイミドからなる群より選択される少なくとも１種の重合体や他のポリオルガノシロキサン等）とは、有機ＥＬ発光体配向制御用組成物及び有機ＥＬ発光体配向制御膜のいずれの状態においても、互いに一部結合していてもよい。
【０１８４】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を調製するために使用することのできる有機溶媒としては、［Ａ］化合物、及び使用される他の成分を溶解し、これらと反応しないものが好ましい。本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物に好ましく使用することのできる有機溶媒は、任意的に添加される他の重合体の種類により異なる。
【０１８５】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物において、［Ａ］化合物に対する好ましい有機溶剤としては、ポリアミック酸の合成に用いられるものとして上記に例示した有機溶媒を挙げることができる。このとき、本発明のポリアミック酸の合成に用いられるものとして例示した貧溶媒を併用してもよい。これら有機溶媒は、単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
【０１８６】
一方、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物が、重合体として［Ａ］化合物及び他のポリオルガノシロキサンを含有する場合における好ましい有機溶剤としては、例えば、１−エトキシ−２−プロパノール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレンブリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ）、エチレングリコールモノアミルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコール、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、メチルカルビトール、エチルカルビトール、プロピルカルビトール、ブチルカルビトール、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸ｎ−ヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸オクチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル等が挙げられる。この中で好ましくは、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル等を挙げることができる。
【０１８７】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の調製に用いられる好ましい溶媒は、他の重合体の使用の有無及びその種類に従い、上記した有機溶媒の１種又は２種以上を組み合わせて得ることができる。このような溶媒は、下記の好ましい固形分濃度において有機ＥＬ発光体配向制御用組成物に含有される各成分が析出せず、且つ有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の表面張力が２５〜４０ｍＮ／ｍの範囲となるものである。
【０１８８】
当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の固形分濃度、すなわち有機ＥＬ発光体配向制御用組成物中の溶媒以外の全成分の質量が有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の全質量に占める割合は、粘性、揮発性等を考慮して選択されるが、好ましくは１〜１０質量％の範囲である。本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、基板又はアノード電極上に塗布されて、有機ＥＬ発光体配向制御膜となる塗膜を形成するが、固形分濃度が１質量％以上である場合には、この塗膜の膜厚が過小となりにくくなって良好な有機ＥＬ発光体配向制御膜を得ることができる。一方、固形分濃度が１０質量％以下の場合には、塗膜の膜厚が過大となることを抑制して良好な有機ＥＬ発光体配向制御膜を得ることができ、また、有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の粘性が増大することを防止して塗布特性を良好にすることができる。特に好ましい固形分濃度の範囲は、基板又はアノード電極に有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を塗布する際に採用する方法によって異なる。例えばスピンナー法による場合には１．５〜４．５質量％の範囲が特に好ましい。印刷法による場合には、固形分濃度を３〜９質量％の範囲とし、それによって溶液粘度を１２〜５０ｍＰａ・ｓの範囲とするのが特に好ましい。インクジェット法による場合には、固形分濃度を１〜５質量％の範囲とし、それによって溶液粘度を３〜１５ｍＰａ・ｓの範囲とするのが特に好ましい。
【０１８９】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を調製する際の温度は、好ましくは０℃〜２００℃、より好ましくは０℃〜４０℃である。
【０１９０】
＜有機ＥＬ発光体配向制御膜＞
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、光配向法により有機ＥＬ発光体層に異方性を付与する配向制御膜を形成するために好適に使用することができる。
【０１９１】
有機ＥＬ発光体配向制御膜を形成する方法としては、例えば、基板上にアノード電極を形成し、このアノード電極を覆うように当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物による塗膜を形成し、次いで該塗膜に異方性を有する偏光等を照射する光配向法により有機ＥＬ発光体配向能を付与する方法を挙げることができる。
【０１９２】
まず、本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を、例えば、ロールコーター法、スピンナー法、印刷法、インクジェット法等の適宜の塗布方法により塗布する。そして、該塗布面を、予備加熱（プレベーク）し、次いで焼成（ポストベーク）することにより塗膜を形成する。プレベーク条件は、例えば４０〜１２０℃において０．１〜５分であり、ポストベーク条件は、好ましくは１２０〜３００℃、より好ましくは１５０〜２５０℃において、好ましくは５〜２００分、より好ましくは１０〜１００分である。ポストベーク後の塗膜の膜厚は、好ましくは０．００１〜１μｍであり、より好ましくは０．００５〜０．５μｍである。
【０１９３】
次いで、上記塗膜に直線偏光若しくは部分偏光された光又は無偏光の光を照射することにより、有機ＥＬ発光体配向能を付与する。ここで、光としては、例えば１５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長の光を含む紫外線及び可視光線を用いることができるが、３００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の光を含む紫外線が好ましい。用いる光が直線偏光又は部分偏光している場合には、照射は基板面に垂直の方向から行っても、斜め方向から行ってもよく、また、これらを組み合わせて行ってもよい。無偏光の光を照射する場合には、照射の方向は斜め方向である必要がある。
【０１９４】
使用する光源としては、例えば低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、重水素ランプ、メタルハライドランプ、アルゴン共鳴ランプ、キセノンランプ、エキシマーレーザー等を使用することができる。上記の好ましい波長領域の紫外線は、上記光源を、例えばフィルターや回折格子等と併用する手段等により得ることができる。
【０１９５】
光の照射量としては特に限定されないが、好ましくは１Ｊ／ｍ２以上１０，０００Ｊ／ｍ２未満であり、より好ましくは１０〜３，０００Ｊ／ｍ２である。なお、従来知られている有機ＥＬ発光体配向制御用組成物から形成された塗膜に対し、光配向法により有機ＥＬ発光体配向能を付与する場合、１０，０００Ｊ／ｍ２以上の光照射量が必要であった。しかし本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を用いると、光配向法の際の放射線照射量が３，０００Ｊ／ｍ２以下、さらに１，０００Ｊ／ｍ２以下であっても良好な有機ＥＬ発光体配向能を付与することができ、有機ＥＬ素子の生産性向上と製造コストの削減に資する。
【０１９６】
有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の塗布に際しては、基板やアノード電極との接着性をさらに良好なものにするために、基板やアノード電極上に、予め官能性シラン化合物、チタネート等を塗布しておいてもよい。
【０１９７】
＜有機ＥＬ素子及びその製造方法＞
本発明の有機ＥＬ素子について図面を参照しつつ説明する。図１は、本発明の有機ＥＬ素子の一例を示す模式的断面図である。有機ＥＬ素子１は、基板２上に形成されたアノード電極３と、アノード電極３を覆うように形成された有機ＥＬ発光体配向制御膜４と、有機ＥＬ発光体配向制御膜４上に形成された有機ＥＬ発光体層５と、有機ＥＬ発光体層５上に形成されたカソード電極６とを備える。
【０１９８】
また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に形成されたアノード電極を覆うように、当該有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を用いて塗膜を形成する工程、上記塗膜に直線偏光を照射して有機ＥＬ発光体配向制御膜を形成する工程、上記有機ＥＬ発光体配向制御膜上に有機ＥＬ発光体層を形成する工程、及び上記有機ＥＬ発光体層上にカソード電極を形成する工程
を有する。以下、各要素について説明する。
【０１９９】
＜基板＞
基板２は、可視光領域の光の透過率が高く、また有機ＥＬ素子を形成する工程において変化しないものが好適に用いられ、リジッド板でも、フレキシブル板でもよく、例えばガラス板、プラスチック板、高分子フィルム及びシリコン板、並びにこれらを積層した積層板等が好適に用いられる。
【０２００】
プラスチック板や高分子フィルムを構成する樹脂としては、例えば有機ＥＬ発光体層５及び後述する正孔注入層等を塗布法で成膜する際に使用される塗布液に溶解しないものが好ましい。具体的には、低密度又は高密度のポリエチレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、エチレン−オクテン共重合体、エチレン−ノルボルネン共重合体、エチレン−ドモン共重合体、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体、アイオノマー樹脂等のポリオレフィン系樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂；ナイロン−６、ナイロン−６，６、メタキシレンジアミン−アジピン酸縮重合体；ポリメチルメタクリルイミド等のアミド系樹脂；ポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂；ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアクリロニトリル等のスチレン−アクリロニトリル系樹脂；トリ酢酸セルロース、ジ酢酸セルロース等の疎水化セルロース系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン等のハロゲン含有樹脂；ポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、セルロース誘導体等の水素結合性樹脂；ポリカーボネート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリメチレンオキシド樹脂、ポリアリレート樹脂、液晶樹脂等のエンジニアリングプラスチック系樹脂等が挙げられる。
【０２０１】
基板には作製プロセスでの耐熱性が求められるので、上述の樹脂の中でもガラス転移点Ｔｇが、１５０℃以上の樹脂が好ましく、１８０℃以上の樹脂がより好ましく、２００℃以上の樹脂がさらに好ましい。
【０２０２】
なお、トップエミッション型の有機ＥＬ素子では、基板から光が取出されないので透明の基板である必要がなく、透光性の基板でも不透光性の基板でもよい。
【０２０３】
＜アノード電極＞
アノード電極３は、透光性及び導電性を示す薄膜によって実現され、例えば金属酸化物膜及び金属薄膜等によって構成される。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、銅等の薄膜を挙げることができ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化スズ等の薄膜が好ましい。またアノード電極３として、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。アノード電極３の厚みは、光透過性と導電性とを考慮して適宜設定することができ、一般的には１０ｎｍ〜１０μｍ程度であり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍ、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。なお、アノード電極側から光を取出さない場合には、アノード電極は不透明な陽極で形成してもよい。
【０２０４】
アノード電極の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。
【０２０５】
＜有機ＥＬ発光体配向制御膜＞
有機ＥＬ素子１を構成する有機ＥＬ発光体配向制御膜４としては、上述の本発明の有機ＥＬ発光体配向制御膜を用いる。有機ＥＬ発光体配向制御膜４の構成や製造方法は上述の説明の通りであるので、ここでは省略する。
【０２０６】
＜有機ＥＬ発光体層＞
有機ＥＬ発光体層５は、有機ＥＬ発光体である発光性有機化合物を含んでおり、この発光する有機化合物（以下、単に「発光材料」ともいう）は、蛍光及び／又は燐光を発する有機物、若しくはこの有機物と、ドーパントとを含んで構成される。ドーパントは、例えば発光効率の向上や発光波長を変化させる等の目的で付加される。発光材料は、低分子化合物又は高分子化合物のいずれでもよく、液晶性を示す材料が好ましい。有機ＥＬ発光体層を構成する発光材料としては、例えば以下のものを挙げることができる。有機ＥＬ発光体層は、白色を発光することが好ましい。
【０２０７】
色素系の発光材料としては、例えばシクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等が挙げられる。
【０２０８】
金属錯体系の発光材料としては、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等、又はＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子に、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体を挙げることができ、例えば、イリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等を挙げることができる。
【０２０９】
高分子系の発光材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、及びポリビニルカルバゾール誘導体等、並びに上記色素系の発光材料や金属錯体系の発光材料を高分子化したもの等が挙げられる。
【０２１０】
上記発光材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、及びそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等を挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体等が好ましい。
【０２１１】
また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、及びそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等を挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等が好ましい。
【０２１２】
また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、及びそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体等を挙げることが出来る。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体等が好ましい。
【０２１３】
ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等を挙げることができる。
【０２１４】
液晶性を示す発光材料の具体的な一例としては、例えば、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ２００３，３６、３４５７−３４６４、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００６，８９，１２１９２０、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｂ１０７，４８８７（２００３）、日本化学会春季年会３Ｇ７−４０、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ２００５，５９６３，５９３６０Ｃに記載される液晶性発光材料が挙げられる。
【０２１５】
以上の発光材料のうちで配向し易い材料という観点からは、室温から５０度の領域に液晶性を有するものが好ましい。なお、このような有機ＥＬ発光体層の厚さは、通常約２ｎｍ〜２０００ｎｍである。
【０２１６】
有機ＥＬ発光体層を形成する工程では、まず例えば有機ＥＬ発光体層となる液晶性化合物（発光材料）を含む塗布液を用いた塗布法により有機ＥＬ発光体層用膜を形成する。
【０２１７】
有機ＥＬ発光体層用の塗布液は、溶液でも乳濁液でもよい。有機ＥＬ発光体層用の塗布液の溶媒は、液晶性化合物（発光材料）を溶解する液体であればよく、例えば正孔注入層用の塗布液の溶媒として挙げた溶媒を適宜用いることができ、また分散媒は、液晶性化合物（発光材料）を均質に分散可能な液体であればよい。
【０２１８】
塗布法としては、例えばスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法等のコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等を挙げられる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法が好ましい。また、昇華性の低分子化合物の場合には、真空蒸着法を用いることができる。さらには、レーザーによる転写や熱転写等の方法によって、所望するところのみに有機ＥＬ発光体層を形成することもできる。
【０２１９】
このようにして形成した有機ＥＬ発光体層は、当該有機ＥＬ発光体配向制御膜上に形成されていることから、有機ＥＬ発光体が高度に一軸配向して優れた偏光発光効率を示すと共に、熱負荷後であっても高い割合で初期発光効率を維持することができる。
【０２２０】
＜カソード電極＞
カソード電極６は陰極として機能する。このようなカソード電極６の材料としては、仕事関数が小さく、有機ＥＬ発光体層５への電子注入が容易な材料が好ましく、また電気伝導度の高い材料が好ましい。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及びＩＩＩ−Ｂ族金属等の金属を用いることができ、さらに具体的にはリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、又は上記金属のうち２つ以上の合金、又はそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及び錫のうち１つ以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、例えばマグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
【０２２１】
なお、透明な電極でカソード電極を構成する場合には、カソード電極は例えば上記の材料から成る薄膜と、導電性金属酸化物や導電性有機物等から成る薄膜とを積層した積層体で構成される。
【０２２２】
当該有機ＥＬ素子では、以上の構成の他、アノード電極と有機ＥＬ発光体配向制御膜との間に正孔の注入効率を改善するために必要に応じて正孔注入層を設けてもよい。
【０２２３】
＜正孔注入層＞
正孔注入材料としては、例えばフェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。
【０２２４】
正孔注入層を形成する工程では、まず例えば正孔注入機能を有する正孔注入材料を含む塗布液を用いた塗布法により機能層薄膜（正孔注入層用膜）を形成する。
【０２２５】
正孔注入層用の塗布液は、溶液でも乳濁液でもよい。正孔注入層用の塗布液の溶媒は、正孔注入材料を溶解する液体であればよく、また分散媒は、正孔注入材料を均質に分散可能な液体であればよい。溶媒としては、例えばクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、及び水を挙げることができる。
【０２２６】
塗布法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等を挙げることができる。
【０２２７】
図１の有機ＥＬ素子１では、アノード電極２とカソード電極６との間に有機ＥＬ発光体配向制御膜４及び有機ＥＬ発光体層５とが配置され、必要に応じてアノード電極２と有機ＥＬ発光体配向制御膜４との間に正孔注入層が配置される。しかし、有機ＥＬ素子１の構成は図１に示す構成に限らない。以下に有機ＥＬ素子のアノード電極とカソード電極との間の素子構成の一例について説明する。なおアノード電極及びカソード電極は、光の取出される側に配置される電極が少なくとも透明であればよく、一方を陽極、他方を陰極として用いればよいので、以下の説明では陽極及び陰極のうちのいずれか一方をアノード電極とし、他方をカソード電極として、アノード電極及びカソード電極の極性を特定せずに素子構成の一例を説明する。
【０２２８】
上述したように陽極と陰極との間には、少なくとも一層の有機ＥＬ発光体層が設けられていればよく、陽極と陰極との間には複数の有機ＥＬ発光体層、及び／又は有機ＥＬ発光体層とは異なる１又は複数の層を設けてもよい。
【０２２９】
陰極と有機ＥＬ発光体層との間に設けられる層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられる。陰極と有機ＥＬ発光体層との間に、電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に近い側に位置する層を電子注入層といい、有機ＥＬ発光体層に近い側に位置する層を電子輸送層という。
【０２３０】
電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子輸送層は、陰極、又は電子注入層、若しくは陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお電子注入層又は電子輸送層が、正孔ブロック層を兼ねる場合がある。
【０２３１】
陽極と有機ＥＬ発光体層との間に設ける層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が挙げられる。陽極と有機ＥＬ発光体層との間に、正孔注入層と正孔輸送層との両方が設けられる場合、陽極に近い側に位置する層を正孔注入層といい、有機ＥＬ発光体層に近い側に位置する層を正孔輸送層という。
【０２３２】
正孔注入層は、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔輸送層は、陽極又は正孔注入層、若しくは陽極により近い正孔輸送層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。正孔注入層又は正孔輸送層が、電子ブロック層を兼ねることがある。
【０２３３】
なお、電子注入層及び正孔注入層を総称して電荷注入層ということがあり、電子輸送層及び正孔輸送層を総称して電荷輸送層ということがある。
【０２３４】
有機ＥＬ素子のとりうる層構成の具体的な一例を以下に示す。
ａ）陽極／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／陰極
ｂ）陽極／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／陰極
ｃ）陽極／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／電荷注入層／有機ＥＬ発光体層／陰極
ｅ）陽極／有機ＥＬ発光体層／電荷注入層／陰極
ｆ）陽極／電荷注入層／有機ＥＬ発光体層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／陰極
ｈ）陽極／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電荷注入層／陰極
ｉ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／有機ＥＬ発光体層／電荷輸送層／陰極
ｋ）陽極／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｌ）陽極／電荷注入層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電荷輸送層／陰極
ｎ）陽極／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｏ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
（ここで、記号「／」は、この記号「／」を挟む２つの層が隣接して積層されることを示す。以下同じ。）
【０２３５】
また、有機ＥＬ素子は、２層以上の有機ＥＬ発光体層を有していてもよい。２層の有機ＥＬ発光体層を有する有機ＥＬ素子の具体例としては、
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／電荷注入層／電極／電荷注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
の層構成を有するものが挙げられる。
【０２３６】
また、３層以上の有機ＥＬ発光体層を有する有機ＥＬ素子としては、（電極／電荷注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／電荷注入層）を一つの繰り返し単位とすると、
ｑ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／電荷注入層／繰り返し単位／繰り返し単位／・・・／陰極
のように、２つ以上の繰り返し単位を含む層構成を有するものが挙げられる。
【０２３７】
上記層構成ｐ及びｑにおいて、陽極、陰極、有機ＥＬ発光体層以外の各層は必要に応じて削除することができる。
【０２３８】
基板２から光を取出すボトムエミッション型の有機ＥＬ素子では、有機ＥＬ発光体層を基準にして、基板２側に配置される層を全て透明な層で構成する。また後述するように有機ＥＬ発光体層を基準にして基板とは反対側から光を取出すいわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ素子では、有機ＥＬ発光体層を基準にして、基板とは反対側に配置される層を全て透明な層で構成する。
【０２３９】
有機ＥＬ素子は、さらに電極との密着性向上や、電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して膜厚が２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために、隣接する上記各層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
【０２４０】
以下、各層の具体的な構成について説明する。なお有機ＥＬ発光体層５及び正孔注入層については、上述したので重複する説明を省略する。また、陽極及び／又は陰極には、それぞれ上述したアノード電極又はカソード電極を適宜用いることができるので重複する説明を省略する。
【０２４１】
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体等が挙げられる。
【０２４２】
これらの正孔輸送材料の中で、正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体等の高分子の正孔輸送材料が好ましく、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体等がさらに好ましい。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０２４３】
正孔輸送層の成膜方法としては、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法を挙げることができ、高分子の正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法を挙げることができる。
【０２４４】
正孔輸送層を製造する工程では、まず例えば正孔輸送材料を含む塗布液を用いた塗布法により機能性薄膜（正孔輸送層用膜）を形成する。
【０２４５】
正孔輸送層用の塗布液は、溶液でも乳濁液でもよい。正孔輸送層用の塗布液の溶媒は、正孔輸送材料を溶解する液体であればよく、例えば正孔注入層用の塗布液の溶媒として挙げた溶媒を適宜用いることができ、また分散媒は、正孔輸送材料を均質に分散可能な液体であればよい。
【０２４６】
塗布法としては、上述した正孔注入層及び有機ＥＬ発光体層の形成に用いられる塗布法として挙げた塗布法を適宜用いることができる。
【０２４７】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が弱いものが好適に用いられる。該高分子バインダーとしては、ポリカーボネート、ポリアクリレート（ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート等）ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が挙げられる。
【０２４８】
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択され、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、厚すぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２４９】
＜電子ブロック層＞
電子ブロック層は、上述したように電子の輸送を堰き止める機能を有する層であり、例えば正孔注入層と有機ＥＬ発光体層とを有する素子構成の場合には、該正孔注入層と有機ＥＬ発光体層との間に設けられる層（通常、正孔輸送層）を意味する。
【０２５０】
電子ブロック層を備える有機ＥＬ素子の層構成の具体的な一例を以下のｑ）〜ｔ）に示す。
ｑ）陽極／電子ブロック層／有機ＥＬ発光体層／陰極
ｒ）陽極／正孔輸送層／電子ブロック層／有機ＥＬ発光体層／陰極
ｓ）陽極／電子ブロック層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／陰極
ｔ）陽極／正孔輸送層／電子ブロック層／有機ＥＬ発光体層／電子輸送層／陰極
【０２５１】
電子ブロックを構成する電子ブロック材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の、芳香族アミンを含むポリマーが例示される。
【０２５２】
電子ブロック層の成膜の方法に制限はないが、例えば高分子材料を用いる場合においては溶液からの成膜による方法が例示される。
【０２５３】
電子ブロック層を製造する工程では、まず例えば電子ブロック材料を含む塗布液を用いた塗布法により機能性薄膜（電子ブロック層用膜）を形成する。
【０２５４】
電子ブロック層用の塗布液は、溶液でも乳濁液でもよい。電子ブロック層用の塗布液の溶媒は、電子ブロック材料を溶解する液体であればよく、例えば電子ブロック層用の塗布液の溶媒として挙げた溶媒を適宜用いることができ、また分散媒は、電子ブロック材料を均質に分散可能な液体であればよい。
【０２５５】
塗布法としては、上述した電子ブロック層及び有機ＥＬ発光体層の形成に用いられる塗布法として挙げた塗布法を適宜用いることができる。
【０２５６】
また、電子ブロック層用の塗布液は、高分子バインダーとの混合溶液でもよい。混合する高分子バインダーとしては、電子ブロック機能を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が弱いものが好適に用いられる。該高分子バインダーとしては、ポリカーボネート、ポリアクリレート（ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート等）、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が挙げられる。
【０２５７】
電子ブロック層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択され、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、厚すぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、電子ブロック層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜５００μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜２００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。
【０２５８】
＜電子注入層＞
電子注入層を構成する電子注入材料としては、有機ＥＬ発光体層の種類に応じて、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、又は上記金属を１種類以上含む合金、又は上記金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸化物、又は上記物質の混合物等が挙げられる。アルカリ金属又はその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム等が挙げられる。また、アルカリ土類金属又はその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。
【０２５９】
電子注入層は、２層以上を積層した積層体であってもよい。積層体の具体例としては、ＬｉＦ／Ｃａ等が挙げられる。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法等によって形成される。電子注入層の膜厚としては、１ｎｍ〜１μｍ程度が好ましい。
【０２６０】
＜電子輸送層＞
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、例えばオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体等を挙げることができる。
【０２６１】
これらのうち、電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
【０２６２】
上述の有機ＥＬ素子１を用いることによって、有機ＥＬ素子を備える照明装置、又は有機ＥＬ素子を複数備える表示装置を実現することができる。
【０２６３】
当該有機ＥＬ素子は、液晶表示装置のバックライト、照明装置、面状光源、セグメント表示装置及びドットマトリックス表示装置の光源として用いることができ、当該有機ＥＬ素子はそれ自体が直線偏光を発するので、特に液晶表示装置のバックライトとして好適に用いられる。
【０２６４】
当該有機ＥＬ素子を面状光源として用いる場合には、例えば面状の陽極と陰極とを積層方向の一方から見て重なり合うように配置すればよい。またセグメント表示装置の光源として所定のパターンで発光する有機ＥＬ素子を構成するには、光を通す窓が所定のパターンで形成されたマスクを上記面状光源の表面に設置する方法、消光すべき部位の有機物層を極端に厚く形成して実質的に非発光とする方法、陽極及び陰極のうちの少なくともいずれか一方の電極を所定のパターンで形成する方法がある。これらの方法で所定のパターンで発光する有機ＥＬ素子を形成するとともに、いくつかの電極に対して選択的に電圧を印加できるように配線を施すことによって、数字や文字、簡単な記号等を表示可能なセグメントタイプ表示装置を実現することができる。
【０２６５】
ドットマトリックス表示装置の光源とするためには、陽極と陰極とをそれぞれストライプ状に形成して、積層方向の一方からみて互いに直交するように配置すればよい。部分カラー表示、マルチカラー表示が可能等ドットマトリックス表示装置を実現するためには、発光色の異なる複数の種類の発光材料を塗り分ける方法、並びにカラーフィルター及び蛍光変換フィルター等を用いる方法を用いればよい。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動してもよく、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。
【０２６６】
さらに、上記面状光源は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト、あるいは面状の照明装置として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いることで、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【０２６７】
バックライトは、面状に形成した当該有機ＥＬ素子と、例えば拡散板とを積層させて構成される。また液晶表示装置は、液晶セルと、液晶セルに電場をかける一対の電極と、液晶セルを挟んで配置される一対の偏光板と、該一対の偏光板の一方に光を照射する上記バックライトとを含んで構成される。なお、偏光度合いの高い有機ＥＬ素子を用いる場合には、一対の偏光板のうち、バックライト側の偏光板を省略してもよい。上述したように当該有機ＥＬ素子は、所定の方向に偏光した光を発するので、バックライトから放出される光も偏光した光であり、このようなバックライトを液晶表示装置に用いると、偏光板での光の損失を低減することができる。これによって消費電力の低い液晶表示装置を実現することができる。
【実施例】
【０２６８】
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。
【０２６９】
以下の実施例において得られたエポキシ基を有するポリオルガノシロキサン及び［Ａ］化合物の質量平均分子量（Ｍｗ）は、下記仕様のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定したポリスチレン換算値である。
カラム：東ソー（株）製、ＴＳＫｇｅｌＧＲＣＸＬＩＩ
溶剤：テトラヒドロフラン
温度：４０℃
圧力：６８ｋｇｆ／ｃｍ２
なお、以下の実施例において用いた原料化合物及び重合体の必要量は、下記の合成例に示す合成スケールでの原料化合物及び重合体の合成を必要に応じて繰り返すことにより確保した。
【０２７０】
＜エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンの合成＞
［合成例１］
撹拌機、温度計、滴下漏斗及び還流冷却管を備えた反応容器に、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（ＥＣＥＴＳ）１００．０ｇ、メチルイソブチルケトン５００ｇ及びトリエチルアミン１０．０ｇを仕込み、室温で混合した。
次いで、脱イオン水１００ｇを滴下漏斗より３０分かけて滴下した後、還流下で混合しつつ、８０℃で６時間反応させた。反応終了後、有機層を取り出し、０．２質量％硝酸アンモニウム水溶液により洗浄後の水が中性になるまで洗浄したのち、減圧下で溶媒及び水を留去することにより、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンを粘稠な透明液体として得た。
【０２７１】
このエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンについて、１Ｈ−ＮＭＲ分析を行なったところ、化学シフト（δ）＝３．２ｐｐｍ付近にエポキシ基に基づくピークが理論強度どおりに得られ、反応中にエポキシ基の副反応が起こっていないことが確認された。得られたエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンのＭｗは２，２００であり、エポキシ当量は１８６であった。
【０２７２】
＜特定桂皮酸誘導体の合成＞
特定桂皮酸誘導体の合成反応は全て不活性雰囲気中で行った。
［合成例２］
冷却管を備えた５００ｍＬの三口フラスコに４−ブロモジフェニルエーテル２０ｇ、酢酸パラジウム０．１８ｇ、トリス（２−トリル）ホスフィン０．９８ｇ、トリエチルアミン３２．４ｇ、ジメチルアセトアミド１３５ｍＬを混合した。次にシリンジでアクリル酸を７ｇ混合溶液に加え撹拌した。この混合溶液を更に１２０℃で３時間加熱撹拌した。ＴＬＣで反応の終了を確認した後、反応溶液を室温まで冷却した。沈殿物をろ別した後、ろ液を１Ｎ塩酸水溶液３００ｍＬに注ぎ、沈殿物を回収した。この沈殿物を酢酸エチルとヘキサン１：１溶液で再結晶することにより下記式（Ｋ−１）で表される化合物（特定桂皮酸誘導体（Ｋ−１））を８．４ｇ得た。
【０２７３】
【化３０】
【０２７４】
［合成例３］
冷却管を備えた３００ｍＬの三口フラスコに４−フルオロフェニルボロン酸６．５ｇ、４−ブロモ桂皮酸１０ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム２．７ｇ、炭酸ナトリウム４ｇ、テトラヒドロフラン８０ｍＬ、純水３９ｍＬを混合した。引き続き反応溶液を８０℃で８時間加熱撹拌し、反応終了をＴＬＣで確認した。反応溶液を室温まで冷却後、１Ｎ−塩酸水溶液２００ｍＬに注ぎ、析出固体をろ別した。得られた固体を酢酸エチルに溶解させ、１Ｎ−塩酸水溶液１００ｍＬ、純水１００ｍＬ、飽和食塩水１００ｍＬの順で分液洗浄した。次に有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。得られた固体を真空乾燥し、下記式（Ｋ−２）で表される化合物（特定桂皮酸誘導体（Ｋ−２））を９ｇ得た。
【０２７５】
【化３１】
【０２７６】
［合成例４］
冷却管を備えた２００ｍＬの三口フラスコに、４−フルオロスチレン３．６ｇ、４−ブロモ桂皮酸６ｇ、酢酸パラジウム０．０５９ｇ、トリス（２−トリル）ホスフィン０．３２ｇ、トリエチルアミン１１ｇ、ジメチルアセトアミド５０ｍＬを混合した。この溶液を１２０℃で３時間加熱撹拌し、ＴＬＣで反応の終了を確認した後、反応溶液を室温まで冷却した。沈殿物をろ別した後、ろ液を１Ｎ塩酸水溶液３００ｍＬに注ぎ、沈殿物を回収した。これらの沈殿物を酢酸エチルで再結晶することにより下記式（Ｋ−３）で表される化合物（特定桂皮酸誘導体（Ｋ−３））を４．１ｇ得た。
【０２７７】
【化３２】
【０２７８】
［合成例５］
冷却管を備えた２００ｍＬの三口フラスコに４−ビニルビフェニル９．５ｇ、４−ブロモ桂皮酸１０ｇ、酢酸パラジウム０．０９９ｇ、トリス（２−トリル）ホスフィン０．５４ｇ、トリエチルアミン１８ｇ、ジメチルアセトアミド８０ｍＬを混合した。この溶液を１２０℃で３時間加熱撹拌し、ＴＬＣで反応の終了を確認した後、反応溶液を室温まで冷却した。沈殿物をろ別した後、ろ液を１Ｎ塩酸水溶液５００ｍＬに注ぎ、沈殿物を回収した。これらの沈殿物をジメチルアセトアミド、エタノール１：１溶液で再結晶することにより下記式（Ｋ−４）で表される化合物（特定桂皮酸誘導体（Ｋ−４））を１１ｇ得た。
【０２７９】
【化３３】
［合成例６］
１Ｌのナス型フラスコに４−ヒドロキシ安息香酸メチル９１．３ｇ、炭酸カリウム１８２．４ｇ及びＮ−メチル−２−ピロリドン３２０ｍＬを仕込み、室温で１時間撹拌を行った後、１−ヨード−４，４，４−トリフロロブタン１１０．９ｇを加え１００℃で５時間撹拌した。反応終了後、水で再沈殿を行った。次いで、この沈殿に水酸化ナトリウム４８ｇ及び水４００ｍＬを加えて３時間還流して加水分解反応を行った。反応終了後、塩酸で中和し、生じた沈殿をエタノールで再結晶することにより４−（４，４，４−トリフルオロブチルオキシ）安息香酸の白色結晶を１０２ｇ得た。得られた４−ペンチルオキシ安息香酸のうち１０．４１ｇを反応容器中にとり、これに塩化チオニル１００ｍＬ及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７７ｍＬを加えて８０℃で１時間撹拌した。続いて、減圧下で塩化チオニルを留去し、塩化メチレンを加えて炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮を行った後、テトラヒドロフランを加えて溶液とした。次に、上記とは別の５００ｍＬ三口フラスコに４−ヒドロキシ桂皮酸７．３９ｇ、炭酸カリウム１３．８２ｇ、テトラブチルアンモニウム０．４８ｇ、テトラヒドロフラン５０ｍＬ及び水１００ｍＬを仕込んだ。この水溶液を氷冷し、上記テトラヒドロフラン溶液をゆっくり滴下し、さらに２時間撹拌下に反応を行った。反応終了後、塩酸を加えて中和し、酢酸エチルで抽出した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮を行った後、エタノールで再結晶することにより、下記式（Ｋ−５）で表される化合物（特定桂皮酸誘導体（Ｋ−５））の白色結晶を９．２ｇ得た。
【０２８０】
【化３４】
【０２８１】
＜［Ａ］光配向性化合物の合成＞
［合成例７］
１００ｍＬの三口フラスコに、上記合成例１で得たエポキシ基を有するポリオルガノシロキサン９．３ｇ、メチルイソブチルケトン２６ｇ、上記合成例２で得た特定桂皮酸誘導体（Ｋ−１）３ｇ及び商品名「ＵＣＡＴ １８Ｘ」（サンアプロ（株）製の４級アミン塩である。）０．１０ｇを仕込み、８０℃で１２時間撹拌した。反応終了後、メタノールで再沈殿を行い、沈殿物を酢酸エチルに溶解して溶液を得、この溶液を３回水洗した後、溶剤を留去することにより、［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−１）を白色粉末として６．３ｇ得た。［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−１）の質量平均分子量Ｍｗは３５００であった。
【０２８２】
［合成例８］
合成例３で得た特定桂皮酸誘導体（Ｋ−２）３ｇを用いたこと以外は合成例７と同様に行った。その結果、［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−２）の白色粉末を７．０ｇ得た。［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−２）の質量平均分子量Ｍｗは４９００であった。
【０２８３】
［合成例９］
合成例４で得た特定桂皮酸誘導体（Ｋ−３）４ｇを用いたこと以外は合成例７と同様に行った。その結果、［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−３）の白色粉末を１０ｇ得た。［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−３）の質量平均分子量Ｍｗは５０００であった。
【０２８４】
［合成例１０］
合成例５で得た特定桂皮酸誘導体（Ｋ−４）４．１ｇを用いたこと以外は合成例７と同様に行った。その結果、［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−４）の白色粉末を１０ｇ得た。［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−４）の質量平均分子量Ｍｗは４２００であった。
【０２８５】
［合成例１１］
２００ｍＬの三口フラスコに、上記合成例１で得たエポキシ基を有するポリオルガノシロキサン５．０ｇ、メチルイソブチルケトン４６．４ｇ、合成例６で得た特定桂皮酸誘導体（Ｋ−５）５．３ｇ（エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンの有するケイ素原子に対して５０モル％に相当する。）、光増感性化合物として下記式（Ｈ−１−１）
【０２８６】
【化３５】
【０２８７】
で表される化合物１．０８ｇ（エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンの有するケイ素原子に対して２０モル％に相当する。）及びテトラブチルアンモニウムブロミド０．１０ｇを仕込み、８０℃で１２時間撹拌下に反応を行った。反応終了後、メタノールで再沈殿を行い、沈殿物を酢酸エチルに溶解して溶液を得、該溶液を３回水洗した後、溶媒を留去することにより、［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−５）を白色粉末として２．８ｇ得た。［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−５）の質量平均分子量Ｍｗは１２，５００であった。
【０２８８】
［合成例１２］
ポリ（２−ヒドロキシエチルメタクリレート）１３．１ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン５０ｍｌに加熱溶解し、室温まで冷やした後、ピリジン１０ｍｌを添加した。これに塩化シンナモイル１７．０ｇを加え、８時間攪拌した。反応混合物をＮ−メチル−２−ピロリドンで希釈した後メタノールに加え、沈殿を十分に水洗し乾燥することで［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−６）２５ｇを得た。
【０２８９】
＜［Ｂ］エステル構造含有化合物の合成＞
下記スキームに従って、エステル構造含有化合物（Ｂ−１−１）を合成した。
【０２９０】
【化３６】
【０２９１】
［合成例１３］
還流管、温度計及び窒素導入管を備えた５００ｍＬの三口フラスコにトリメシン酸２１ｇ、ｎ−ブチルビニルエーテル６０ｇ及びリン酸０．０９ｇを仕込み、５０℃で３０時間撹拌下に反応を行った。反応終了後、反応混合物にヘキサン５００ｍＬを加えて得た有機層につき、１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液で２回及び水で３回、順次に分液洗浄した。その後、有機層から溶媒を留去することにより、エステル構造含有化合物（Ｂ−１−１）を無色透明の液体として５０ｇ得た。
【０２９２】
＜有機ＥＬ発光体配向制御用組成物の調製＞
〔実施例１〕
組成がＮ−メチル−２−ピロリドン：ブチルセロソルブ＝５０：５０（質量比）である溶媒に、上記合成例７で得た［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−１）１００質量部を溶解し、固形分濃度が４．０質量％の溶液とした。この溶液を孔径１μｍのフィルターで濾過することにより、有機ＥＬ発光体配向制御用組成物（Ａ−１）を調製した。
【０２９３】
〔実施例２〜５〕
［Ａ］光配向性化合物を変更することにより種々の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物（Ａ−２）〜（Ａ−５）を実施例１と同様に調製した。なお、実施例４では、［Ａ］化合物１００質量部に対して、さらに合成例１２で得られたエステル構造含有化合物（Ｂ−１−１）を５質量部添加して有機ＥＬ発光体配向制御用組成物（Ａ−４）を調製した。これらの配合を表１に示す。
【０２９４】
〔実施例６〕
［Ａ］光配向性化合物（Ｓ−６）にＮ−メチル−２−ピロリドン及びブチルセロソルブを加えて、溶媒組成がＮ−メチル−２−ピロリドン：ブチルセロソルブ＝５０：５０（質量比）、固形分濃度が４．０質量％の溶液とした。この溶液を孔径１μｍのフィルターで濾過することにより、有機ＥＬ発光体配向制御用組成物（Ａ−６）を調製した。
【０２９５】
〔比較例１〕
４−（２−メタクリロイルオキシエトキシ）アゾベンゼン１．００ｇと２、２’−アゾビス（イソブチロニトリル）０．０１ｇと乾燥したベンゼン２．００ｇとをアンプルに入れて脱気した後、封管し、これをメタノール中に注ぎ高分子化合物の沈殿物を得た。これをろ過した後、再度、沈殿物をベンゼンに溶解しメタノールで再沈殿してろ過する操作を２回繰り返した後、乾燥させた。これにＮ−メチル−２−ピロリドン及びブチルセロソルブを加えて、溶媒組成がＮ−メチル−２−ピロリドン：ブチルセロソルブ＝５０：５０（質量比）、固形分濃度が４．０質量％の溶液とした。この溶液を孔径１μｍのフィルターで濾過することにより、組成物（ＣＡ−１）を調製した。
【０２９６】
＜有機ＥＬ発光体配向制御膜の形成及び有機ＥＬ素子の作成＞
アノード電極であるＩＴＯをコートしたガラス基板（シート抵抗１５Ω／□）をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、次いで純水で洗浄し、さらにイソプロピルアルコールでリンスしてただちに乾燥させた。このアノード電極を形成した基板上に、実施例１で調製した有機ＥＬ発光体配向制御用組成物（Ａ−１）をスピンナーにより塗布し、８０℃のホットプレートで１分間プレベークを行った後、庫内を窒素置換したオーブン中にて２００℃で１時間加熱（ポストベーク）して膜厚０．１μｍの塗膜を形成した。形成後の膜厚が０．１μｍになるように、スピンナー回転数を２０００回転、配向制御膜溶剤の固形分濃度を４．０質量％とした。次いで、この塗膜表面に、Ｈｇ−Ｘｅランプ及びグレンテーラープリズムを用いて３１３ｎｍの輝線を含む直線偏向紫外線を、基板法線から垂直に照射して有機ＥＬ発光体配向制御膜とした。このときの形成した塗膜における光配向性基の配向に必要な光照射量を測定し、光配向性の感度の指標とした。なお、光配向性基の配向は、偏光顕微鏡を用いて確認した。
【０２９７】
次に、配向制御膜を施した基板を真空チャンバー内の基板ホルダーに導入し、１０−５Ｐａまで真空排気を行った。蒸発セルを加熱し、有機ＥＬ発光体配向制御膜上に発光体分子として下記式（７−１）〜式（７−５）に示すスチリルスチルベン誘導体のトランス−トランス体を共蒸着して有機ＥＬ発光体層（厚さ５０ｎｍ）を作製した。
【０２９８】
【化３７】
【０２９９】
【化３８】
【０３００】
【化３９】
【０３０１】
【化４０】
【０３０２】
【化４１】
【０３０３】
モル組成比式（７−１）：式（７−２）：式（７−３）：式（７−４）：式（７−５）はおよそ１：２：２：３：２とした。このとき基板温度は２５℃とした。
【０３０４】
次に、ＭｇとＡｇを共蒸着して、カソード電極（厚さ５０ｎｍ、Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１重量比）を作製し、上述した図１に示す構造をもつ有機ＥＬ素子を得た。
【０３０５】
実施例２〜６及び比較例１で調製した組成物についても同様にして有機ＥＬ素子を作製した。これらの有機ＥＬ素子について、以下の方法により評価した。評価結果を表１に示す。
【０３０６】
＜有機ＥＬ素子の評価＞
（１）初期発光効率の評価
上記手順で作製した有機ＥＬ素子を１０ｍＡ／ｃｍ２の直流電流により発光させ、発光体分子の配向方向に偏光板の偏光軸を平行に配置し、偏光板を通した際の発光効率（偏光発光効率）（Ｃｄ／Ａ）を初期発光効率として測定した。
【０３０７】
（２）熱負荷後の発光効率の評価
当該有機ＥＬ素子を加熱条件に置き、熱負荷後の発光効率を測定して熱に対する安定性を評価した。具体的には、上記手順で作製した有機ＥＬ素子を７０℃に設定したオーブン中にて５００時間加熱し、その後、上記「（１）初期発光効率の評価」と同じ手順で熱負荷後の発光効率を測定した。評価結果を表１に示す。併せて、熱負荷後における発光効率の維持率についても表１に示す。
【０３０８】
【表１】
【０３０９】
表１の結果から明らかなように、実施例１〜６の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物によると、これらを用いて有機ＥＬ発光体配向制御膜を作製する際の光配向に必要な光照射量が極めて低く光配向の感度が良好であった。また、当該配向制御膜を備える当該有機ＥＬ素子では高い偏光発光効率が達成され、さらに当該有機ＥＬ素子では、熱負荷後においても当初の発光効率が高い割合で維持されており、優れた耐熱性が得られる結果となった。特に、実施例１〜５の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を用いて作成した配向膜は、熱付加後の発行効率の低下が極めて小さく、耐熱性が優れることがわかる。比較例１の組成物を用いて作製した配向膜では、光配向の光照射量として２００００Ｊ／ｍ２も要した。また、比較例１では、偏光発光効率が実施例の有機ＥＬ素子の偏光発光効率と比較して大幅に下回る値となったことに加え、熱負荷後の発光効率も大幅に低下しており、耐熱性にも劣る結果となった。
【産業上の利用可能性】
【０３１０】
本発明の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物は、桂皮酸構造を含む光配向性基を有する化合物を含有しているので、上述のように、光配向性の感度が良好で、熱負荷後の発光効率の安定性に優れ、当該有機ＥＬ発光体配向制御膜を備える有機ＥＬ素子では、当該有機ＥＬ発光体配向制御膜表面の光配向性基により有機ＥＬ発光体の異方的配向を高いレベルで誘起することができ、その結果、優れた偏光発光効率を達成することができる。
【符号の説明】
【０３１１】
１ 有機ＥＬ素子
２ 基板
３ アノード電極
４ 有機ＥＬ発光体配向制御膜
５ 有機ＥＬ発光体層
６ カソード電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
［Ａ］桂皮酸構造を含む光配向性基を有する化合物
を含有する有機ＥＬ発光体配向制御用組成物。
【請求項２】
［Ａ］化合物がポリオルガノシロキサン化合物である請求項１に記載の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物。
【請求項３】
上記桂皮酸構造を含む光配向性基が、下記式（１）で表される化合物に由来する基及び（２）で表される化合物に由来する基からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物。
【化１】
（式（１）中、Ｒ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基又はシクロヘキシレン基であり、このフェニレン、ビフェニレン基、ターフェニレン基又はシクロヘキシレン基の水素原子の一部又は全部は、炭素数１〜１０のアルキル基、置換基としてフッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１０のアルコキシ基、フッ素原子又はシアノ基で置換されてもよい。Ｒ２は、単結合、炭素数１〜３のアルキレン基、酸素原子、硫黄原子、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＮＨ−又は−ＣＯＯ−である。ａは、０〜３の整数であり、ａが２以上の場合、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ３はフッ素原子又はシアノ基であり、ｂは０〜４の整数である。
式（２）中、Ｒ４は、フェニレン基又はシクロヘキシレン基であり、このフェニレン基又はシクロヘキシレン基の水素原子の一部又は全部は、炭素数１〜１０の鎖状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０の鎖状又は環状のアルコキシ基、フッ素原子又はシアノ基で置換されてもよい。Ｒ５は、単結合、炭素数１〜３のアルキレン基、酸素原子、硫黄原子又は−ＮＨ−である。ｃは、１〜３の整数であり、ｃが２以上の場合、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ６は、フッ素原子又はシアノ基であり、ｄは０〜４の整数である。Ｒ７は、酸素原子、−ＣＯＯ−＊又は−ＯＣＯ−＊（ただし、以上において「＊」を付した結合手がＲ８と結合する）である。Ｒ８は、２価の芳香族基、２価の脂環式基、２価の複素環式基又は２価の縮合環式基である。Ｒ９は、単結合、−ＯＣＯ−（ＣＨ２）ｆ−＊又は−Ｏ（ＣＨ２）ｇ−＊（ただし、以上において「＊」を付した結合手がカルボキシル基と結合する）である。ｆ及びｇはそれぞれ１〜１０の整数であり、ｅは０〜３の整数である。）
【請求項４】
［Ａ］化合物が、
エポキシ基を有する１価の有機基を含むポリオルガノシロキサン、その加水分解物及びその加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種と、
上記式（１）で表される化合物及び上記式（２）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種と
の反応生成物である請求項３に記載の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物。
【請求項５】
上記エポキシ基を有する１価の有機基が、下記式（Ｘ１−１）又は（Ｘ１−２）で表される請求項４に記載の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物。
【化２】
【化３】
（式（Ｘ１−１）中、Ａは酸素原子又は単結合である。ｈは１〜３の整数であり、ｉは０〜６の整数である。ただし、ｉが０の場合、Ａは単結合である。
式（Ｘ１−２）中、ｊは１〜６の整数である。
式（Ｘ１−１）及び（Ｘ１−２）中、「＊」は、それぞれ結合手であることを示す。）
【請求項６】
［Ｂ］カルボン酸のアセタールエステル構造、カルボン酸のケタールエステル構造、カルボン酸の１−アルキルシクロアルキルエステル構造及びカルボン酸のｔ−ブチルエステル構造からなる群より選択される少なくとも１種の構造を２個以上有する化合物
をさらに含有する請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物により形成される有機ＥＬ発光体配向制御膜。
【請求項８】
基板上に形成されたアノード電極と、
上記アノード電極を覆うように形成された請求項７に記載の有機ＥＬ発光体配向制御膜と、
上記有機ＥＬ発光体配向制御膜上に形成された有機ＥＬ発光体層と、
上記有機ＥＬ発光体層上に形成されたカソード電極と
を備える有機ＥＬ素子。
【請求項９】
基板上に形成されたアノード電極を覆うように、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を用いて塗膜を形成する工程、
上記塗膜に直線偏光を照射して有機ＥＬ発光体配向制御膜を形成する工程、
上記有機ＥＬ発光体配向制御膜上に有機ＥＬ発光体層を形成する工程、及び
上記有機ＥＬ発光体層上にカソード電極を形成する工程
を有する有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１】
［Ａ］桂皮酸構造を含む光配向性基を有する化合物
を含有する有機ＥＬ発光体配向制御用組成物。
【請求項２】
［Ａ］化合物がポリオルガノシロキサン化合物である請求項１に記載の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物。
【請求項３】
上記桂皮酸構造を含む光配向性基が、下記式（１）で表される化合物に由来する基及び（２）で表される化合物に由来する基からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物。
【化１】
（式（１）中、Ｒ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基又はシクロヘキシレン基であり、このフェニレン、ビフェニレン基、ターフェニレン基又はシクロヘキシレン基の水素原子の一部又は全部は、炭素数１〜１０のアルキル基、置換基としてフッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１０のアルコキシ基、フッ素原子又はシアノ基で置換されてもよい。Ｒ２は、単結合、炭素数１〜３のアルキレン基、酸素原子、硫黄原子、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＮＨ−又は−ＣＯＯ−である。ａは、０〜３の整数であり、ａが２以上の場合、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ３はフッ素原子又はシアノ基であり、ｂは０〜４の整数である。
式（２）中、Ｒ４は、フェニレン基又はシクロヘキシレン基であり、このフェニレン基又はシクロヘキシレン基の水素原子の一部又は全部は、炭素数１〜１０の鎖状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０の鎖状又は環状のアルコキシ基、フッ素原子又はシアノ基で置換されてもよい。Ｒ５は、単結合、炭素数１〜３のアルキレン基、酸素原子、硫黄原子又は−ＮＨ−である。ｃは、１〜３の整数であり、ｃが２以上の場合、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ６は、フッ素原子又はシアノ基であり、ｄは０〜４の整数である。Ｒ７は、酸素原子、−ＣＯＯ−＊又は−ＯＣＯ−＊（ただし、以上において「＊」を付した結合手がＲ８と結合する）である。Ｒ８は、２価の芳香族基、２価の脂環式基、２価の複素環式基又は２価の縮合環式基である。Ｒ９は、単結合、−ＯＣＯ−（ＣＨ２）ｆ−＊又は−Ｏ（ＣＨ２）ｇ−＊（ただし、以上において「＊」を付した結合手がカルボキシル基と結合する）である。ｆ及びｇはそれぞれ１〜１０の整数であり、ｅは０〜３の整数である。）
【請求項４】
［Ａ］化合物が、
エポキシ基を有する１価の有機基を含むポリオルガノシロキサン、その加水分解物及びその加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも１種と、
上記式（１）で表される化合物及び上記式（２）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種と
の反応生成物である請求項３に記載の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物。
【請求項５】
上記エポキシ基を有する１価の有機基が、下記式（Ｘ１−１）又は（Ｘ１−２）で表される請求項４に記載の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物。
【化２】
【化３】
（式（Ｘ１−１）中、Ａは酸素原子又は単結合である。ｈは１〜３の整数であり、ｉは０〜６の整数である。ただし、ｉが０の場合、Ａは単結合である。
式（Ｘ１−２）中、ｊは１〜６の整数である。
式（Ｘ１−１）及び（Ｘ１−２）中、「＊」は、それぞれ結合手であることを示す。）
【請求項６】
［Ｂ］カルボン酸のアセタールエステル構造、カルボン酸のケタールエステル構造、カルボン酸の１−アルキルシクロアルキルエステル構造及びカルボン酸のｔ−ブチルエステル構造からなる群より選択される少なくとも１種の構造を２個以上有する化合物
をさらに含有する請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物により形成される有機ＥＬ発光体配向制御膜。
【請求項８】
基板上に形成されたアノード電極と、
上記アノード電極を覆うように形成された請求項７に記載の有機ＥＬ発光体配向制御膜と、
上記有機ＥＬ発光体配向制御膜上に形成された有機ＥＬ発光体層と、
上記有機ＥＬ発光体層上に形成されたカソード電極と
を備える有機ＥＬ素子。
【請求項９】
基板上に形成されたアノード電極を覆うように、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光体配向制御用組成物を用いて塗膜を形成する工程、
上記塗膜に直線偏光を照射して有機ＥＬ発光体配向制御膜を形成する工程、
上記有機ＥＬ発光体配向制御膜上に有機ＥＬ発光体層を形成する工程、及び
上記有機ＥＬ発光体層上にカソード電極を形成する工程
を有する有機ＥＬ素子の製造方法。
【図１】
【公開番号】特開２０１１−２０５０６２（Ｐ２０１１−２０５０６２Ａ）
【公開日】平成２３年１０月１３日（２０１１．１０．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６９８９（Ｐ２０１１−６９８９）
【出願日】平成２３年１月１７日（２０１１．１．１７）
【出願人】（０００００４１７８）ＪＳＲ株式会社 (3,320)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月１３日（２０１１．１０．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月１７日（２０１１．１．１７）
【出願人】（０００００４１７８）ＪＳＲ株式会社 (3,320)
【Ｆターム（参考）】
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