有機ＥＬ素子、有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法
【課題】正孔注入層からの電流リークを抑制し且つウェットコーティングで形成される発光媒体層の膜厚平坦性を改善することで、表示品質の良い有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】開口部を形成する無機絶縁層からなる第１絶縁層１０３の電極上絶縁層部１０３ａの膜厚ｄ１を、無機化合物で形成される正孔注入層１０５の膜厚ｄ２と、正孔注入層１０５と有機発光層１０７の間のウェットコーティング法によって形成される機能層（正孔輸送層１０６）の総膜厚ｄ３と、有機発光層１０７の膜厚ｄ４とが、（１．５×ｄ２）≦ｄ１≦ｄ３＋（ｄ４／２）の関係を満たす膜厚とすることにより、第１絶縁層１０３の開口端部に形成される段差に起因したウェットコーティング層の開口内膜厚の膨れ上がりを抑制し、且つリーク電流抑制の効果も併せ持つことができる。
【解決手段】開口部を形成する無機絶縁層からなる第１絶縁層１０３の電極上絶縁層部１０３ａの膜厚ｄ１を、無機化合物で形成される正孔注入層１０５の膜厚ｄ２と、正孔注入層１０５と有機発光層１０７の間のウェットコーティング法によって形成される機能層（正孔輸送層１０６）の総膜厚ｄ３と、有機発光層１０７の膜厚ｄ４とが、（１．５×ｄ２）≦ｄ１≦ｄ３＋（ｄ４／２）の関係を満たす膜厚とすることにより、第１絶縁層１０３の開口端部に形成される段差に起因したウェットコーティング層の開口内膜厚の膨れ上がりを抑制し、且つリーク電流抑制の効果も併せ持つことができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、陽極としての電極と、陰極としての電極との間に、少なくともＥＬ現象を呈する有機発光層を挟持してなる構造を有し、電極間に電圧が印加されると、有機発光層に正孔と電子とが注入され、この正孔と電子とが有機発光層で再結合することにより、有機発光層が発光する自発光型の素子である。さらに、有機ＥＬ素子において、発光効率を増大させるなどの目的から、陽極と有機発光層との間に正孔注入層、正孔輸送層、又は、有機発光層と陰極との間に電子輸送層、電子注入層などの機能層が適宜選択して設けられている。そして、有機発光層とこれら正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などの機能層を合わせて有機発光媒体層と呼ばれている。
【０００３】
有機発光層を形成する有機発光材料には、低分子材料と高分子材料が有り、良く使用される方法として、低分子材料は真空蒸着法等により薄膜形成する方法がある。このときに微細パターンのマスクを用いてパターニングするが、この方法では基板が大型化すればするほどパターニング精度が出にくいという問題がある。また、真空中で成膜するためにスループットが悪いという問題もある。
【０００４】
そこで高分子材料や低分子材料を溶剤に溶かして塗工液にし、これをウェットコーティング法で薄膜形成する方法が試みられるようになってきている。薄膜形成するためのウェットコーティング法としては、スピンコート法、バーコート法、スリットコート法、ディップコート法等がある。しかしながら、高精細にパターニングしたりＲＧＢ３色に塗り分けしたりするためには、これらのウェットコーティング法では難しく、塗りわけ・パターニングを得意とする印刷法による薄膜形成が最も有効であると考えられる。
【０００５】
しかし、これらの高分子の有機発光材料を溶媒に溶解または分散させて有機発光インキとした場合、有機発光材料の溶解性から濃度を１％前後とする必要があった。この有機発光インキを印刷する方法としては、弾性を有するゴム版や樹脂版を用いる凸版印刷法（例えば特許文献１参照）、さらにはインクジェット法（例えば特許文献２参照）などが提案されている。
【０００６】
これら凸版印刷法やインクジェット法にて被印刷基板上に有機発光層を形成する場合、濃度が１％前後の有機発光インキがそのままの状態で被印刷基板に転写される。したがって、有機発光インキをＲＧＢ三色に塗り分けする場合、有機発光インキが隣の画素まで広がってしまい、混色が生じてしまう。そのため、インキの広がりを抑えるために隔壁を設け、さらに隔壁によって仕切られた画素電極内に有機発光インキを印刷するという方法が用いられている。
【０００７】
インクジェット法はインクジェットノズルから有機発光インキを被印刷部位に複数回滴下し有機発光層を形成する方式であり、ノズルと被印刷基板とに距離があり、インキは自身の重量でのみ隔壁で仕切られた被印刷部位に広がるようにして形成される。
また、凸版印刷法では凸版の凸状部を被印刷部位に接触させるため、版による押し付け及び隔壁により形成された空間を凸版が埋めることによりインキは隔壁で囲まれた画素内を横方向に広がるように形成される。
【０００８】
一方、正孔注入層や正孔輸送層等の機能層はパターニングせずに、有機ＥＬディスプレイパネルの画像形成に関わる部分全体に全面形成、いわゆるベタ形成する方法があり、真空蒸着法やスパッタリング法、または塗布型の正孔輸送材料をスピンコート法やダイコート法といったコーティング法を用いて形成されてきた。これは、正孔輸送層の膜厚は一般に１００ｎｍ以下の薄膜であり、層の横方向へ流れる電流よりも厚み方向へ流れる電流のほうが流れやすく、よって電極がパターニングされていれば、電流の画素の外へのリークはしにくいと言われているためである。
しかし、用いられる材料特性によっては隔壁に沿って電流リークが発生してしまう場合があり、それは正孔輸送層等の機能層をパターニングして印刷法により塗り分けた場合においても同様である。
【０００９】
また、凸版印刷法やインクジェット法による塗膜形成方法においては、隔壁で囲まれた画素内で塗膜が乾燥していくために、画素周辺部においてコーヒーステインの様な現象が発生し、その結果画素開口部の中で中心部では乾燥後の塗布膜厚が薄く、隔壁に接する外周部では塗布膜厚は厚くなるなどの問題があり、厚膜化した場合には平坦性が悪くなってしまう。そのため中心部のある程度膜厚が相対的に薄くなっている部分が主に発光するようになることにより、猫目状の発光形状となったりすることで、画素発光効率の低下を招くといった問題があった。
また画素発光面積の小さな素子では、発光面積が小さくなるための輝度不足分を発光強度で補う必要があるため、発光している部分にはより大きな負担がかかるようになり、結果として寿命の低下にもつながるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−１５５８５８号公報
【特許文献２】特開２００２−３０５０７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、電極上に形成される正孔注入層として、隔壁に沿ってリークが発生するような材料を使用していたとしても、正孔注入層がドライコーティングで成膜される無機化合物の場合においては、隔壁開口部より内側に絶縁層による開口部を形成することで、絶縁層に十分な膜厚があれば、正孔注入層の局所薄膜化により電流が流れにくくなり、リークを防ぐことが可能である。
【００１２】
しかしながら、続いて機能層及び有機発光層をウェットコーティング法により形成した場合には、隔壁内側に形成された絶縁層を起点として、開口部の外周部膜厚が厚くなり、平坦性が悪くなってしまうという問題がある。
本発明は上記問題を鑑みてなされたものであり、電流リークを抑制し、且つウェットコーティングにより形成される発光媒体層の膜厚平坦性を改善することで、表示品質の良い有機ＥＬ素子、有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ素子表示装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願発明者は、鋭意検討の結果、第１電極に対して開口部を有する第１絶縁層の膜厚を、第１電極及び第２電極間に形成された層構造の膜厚に適した膜厚とすることで、第１絶縁層の開口部端部に形成される段差に起因したウェットコーティング層の開口外周部の膨れ上がりを抑制し、リーク電流抑制効果も得ることができることを見出した。
すなわち、上記目的を達成するために、本発明の請求項１にかかる有機ＥＬ素子は、発明は、基板と、当該基板上に形成された第１電極と、当該第１電極の周端部上を含む前記第１電極の周囲に形成されて前記第１電極と対向する領域に開口部を形成する無機絶縁層からなる第１絶縁層と、当該第１絶縁層上に形成され且つ前記第１電極と対向する領域に前記第１絶縁層の前記開口部よりも広い開口部を形成する第２絶縁層と、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層で囲まれる前記第１電極を含む領域上に形成され、且つドライコーティング法により無機化合物で形成される正孔注入層と、ウェットコーティング法により形成される１層以上の機能層及び有機発光層とがこの順に積層されてなる発光媒体層と、前記発光媒体層上に形成され前記第１電極と対をなす第２電極と、を備えた有機ＥＬ素子において、前記第１絶縁層の、前記第１電極の周端部上に形成された電極上絶縁層部の膜厚ｄ１と、前記正孔注入層の膜厚ｄ２と、前記正孔注入層と前記有機発光層との間の前記機能層の総膜厚ｄ３と、前記有機発光層の膜厚ｄ４とは、（１．５）×ｄ２≦ｄ１≦ｄ３＋（ｄ４／２）の関係を満たすことを特徴としている。
【００１４】
また、請求項２にかかる発明は、前記第１絶縁層の前記開口部側の断面形状は、逆テーパー形状又は前記第１電極の上面に対して垂直であることを特徴としている。
また、請求項３にかかる発明は、前記第１絶縁層の前記開口部側端部位置と前記第２絶縁層の開口側端部位置との差は、１．０μｍ以上であることを特徴としている。
また、請求項４にかかる発明は、前記正孔注入層は、１種類以上の無機化合物により形成され、少なくともモリブデンを含むことを特徴としている。
さらに、請求項５にかかる発明は、表示素子として、請求項１から請求項４の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子を備えることを特徴としている。
【００１５】
また、本発明の請求項６にかかる有機ＥＬ素子の製造方法は、基板と、当該基板上に形成された第１電極と、当該第１電極の周端部上を含む前記第１電極の周囲に形成されて前記第１電極と対向する領域に開口部を形成する無機絶縁層からなる第１絶縁層と、当該第１絶縁層上に形成され且つ前記第１電極と対向する領域に前記第１絶縁層の前記開口部よりも広い開口部を形成する第２絶縁層と、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層で囲まれる前記第１電極を含む領域上に形成され、且つドライコーティング法により無機化合物で形成される正孔注入層と、ウェットコーティング法により形成される１層以上の機能層及び有機発光層とがこの順に積層されてなる発光媒体層と、前記発光媒体層上に形成され前記第１電極と対をなす第２電極と、を備えた有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記第１絶縁層の、前記第１電極の周端部上に形成された電極上絶縁層部の膜厚ｄ１と、前記正孔注入層の膜厚ｄ２と、前記正孔注入層と前記有機発光層との間の前記機能層の総膜厚ｄ３と、前記有機発光層の膜厚ｄ４とが、（１．５）×ｄ２≦ｄ１≦ｄ３＋（ｄ４／２）の関係を満たすように、前記第１絶縁層、前記正孔注入層、前記正孔注入層と前記有効発光層との間の前記機能層及び前記有機発光層を作製することを特徴としている。
【００１６】
また、請求項７にかかる発明は、前記ウェットコーティング法として、印刷法を用いることを特徴としている。
さらに、請求項８にかかる発明は、前記印刷法は、凸版印刷法であることを特徴としている。
また、本発明の請求項９にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、表示素子として有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記有機ＥＬ素子を、請求項６から請求項８の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法を用いて作製することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、第１電極に対して開口部を形成する第１絶縁層の電極上絶縁層部の膜厚ｄ１を、無機化合物で形成される正孔注入層の膜厚ｄ２と、正孔注入層と有機発光層との間のウェットコーティング法によって形成される機能層の総膜厚ｄ３と、同様にウェットコーティング法によって形成される有機発光層の膜厚ｄ４とが、（１．５×ｄ２）≦ｄ１≦ｄ３＋（ｄ４／２）の関係を満たす薄膜とすることより、第１絶縁層の開口端部の段差に起因したウェットコーティング層の開口内膜厚の膨れ上がりを抑制し、且つリーク電流抑制の効果も併せ持つことができ、その結果、画素内均一発光が得られ、発光効率の良い有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ表示装置を得ることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置のパネル部を示す概略断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の画素部を示す概略断面図、（ｂ）は図２（ａ）中の１０３ａ周辺部分の拡大図である。
【図３】本発明の実施の形態にかかるＴＦＴ基板を示す概略断面図である。
【図４】本発明の実施の形態において用いた凸版印刷装置の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、実施の形態において、同一構成要素には同一符号を付けることにする。
なお、ここでは、有機ＥＬ表示装置に適用される、図１に示す、アクティブマトリクス駆動型有機ＥＬパネル１０に本発明を適用した場合について説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、パッシブマトリクス駆動型有機ＥＬパネルに適用することも可能である。
【００２０】
以下、本発明を適用したアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬパネル１０について、図１を参照して説明する。
図２（ａ）は、アクティブマトリクス駆動型有機ＥＬパネル１０を構成する１画素部分を示す概略断面図である。
図２（ａ）に示すアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬパネル１０の画素部１００は、薄膜トランジスタＴＦＴを備えたＴＦＴ基板１０１と、画素ごとに設けられる薄膜トランジスタＴＦＴ及び第１電極１０２（陽極）と、第１電極１０２の端部を覆うように設けられ開口部を形成する第１絶縁層１０３と、第１絶縁層１０３上に積層された、画素間を区切るための隔壁としての第２絶縁層１０４と、第２絶縁層１０４間に形成される第１電極１０２を含む凹部の内側に無機化合物で形成された正孔注入層１０５と、第２絶縁層１０４間に形成される前記凹部底面の正孔注入層１０５上に形成される正孔輸送層１０６と、正孔輸送層１０６上に形成される有機発光層１０７と、有機発光層１０７上に形成される第２電極１０８（陰極）とを備える。
【００２１】
このとき、第１絶縁層１０３の第１電極１０２の上部にあたる電極上絶縁層部１０３ａの膜厚ｄ１と、無機化合物で形成される正孔注入層１０５の膜厚ｄ２と、正孔輸送層１０６の膜厚ｄ３と、有機発光層１０７の膜厚ｄ４とが、次式（１）の関係を満たすように形成されている。
（１．５×ｄ２）≦ｄ１≦ｄ３＋（ｄ４／２） ……（１）
【００２２】
つまり、電極上絶縁層部１０３ａの膜厚ｄ１と正孔注入層１０５の膜厚ｄ２との膜厚差が、正孔注入層１０５の膜厚ｄ２の半分の値よりも小さいと、分断されずにリーク電流が生じる可能性がある。また、第１絶縁層１０３の電極上絶縁層部１０３ａの膜厚ｄ１が、有機発光層１０７の膜厚ｄ４の半分の値を超えると、有機発光層１０７のうち、電極上絶縁層部１０３ａの上方に電極上絶縁層部１０３ａに乗り上げた形で形成される領域は、他の領域に比較して電極上絶縁層部１０３ａの膜厚に応じた分だけ盛り上がることになるため、有機発光層１０７の平坦性が低下し、結果的に発光領域の平坦性が低下する可能性がある。そのため、電極上絶縁層部１０３ａの膜厚ｄ１を、上記範囲に制限している。
【００２３】
次に、本発明の実施の形態にかかるアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬパネル１０に用いる基板(バックプレーン)１０１について図３を参照して説明する。
本発明の実施の形態のアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬパネル１０に用いる基板(バックプレーン)１０１には、図３に示すように、薄膜トランジスタＴＦＴと有機ＥＬパネル１０の第１電極１０２を設けている。そして、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極２０６と有機ＥＬパネル１０の第１電極１０２とを電気的に接続している。
薄膜トランジスタＴＦＴや、その上方に構成されるアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬパネル１０が形成されるＴＦＴ基板（バックプレーン）１０１は、支持体２０２により支持される。
【００２４】
この支持体２０２としては機械的強度、絶縁性を有し寸法安定性に優れた部材であれば如何なる材料も使用することができる。例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材や、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、シート、板や、前記プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。
【００２５】
光取出しをどちらの面から行うかに応じて支持体２０２の透光性を選択すればよい。これらの材料からなる支持体２０２は、有機ＥＬパネル１０内への水分の侵入を避けるために、無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。特に、有機発光媒体層（正孔注入層１０５、正孔輸送層１０６及び有機発光層１０７）への水分の侵入を避けるために、支持体２０２における含水率及びガス透過係数を小さくすることが好ましい。
【００２６】
支持体２０２上に設ける薄膜トランジスタＴＦＴは、公知の構成を有する薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、図３に示すように、主としてソース電極２０６となる領域、ドレイン電極２０７となる領域、チャネル領域が形成される活性層２０３、ゲート絶縁膜２０４及びゲート電極２０５から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。薄膜トランジスタＴＦＴの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。なお、図３において、２０８は走査線、２０９は層間絶縁膜である。
【００２７】
活性層２０３は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）等の有機半導体材料により形成することができる。これらの活性層２０３は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ法により積層し、イオンドーピングする方法；ＳｉＨ４ ガスを用いてＬＰＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法；Ｓｉ２ Ｈ６ ガスを用いてＬＰＣＶＤ法により、またＳｉＨ４ ガスを用いてＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザ等のレーザによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法（低温プロセス）；減圧ＣＶＤ法又はＬＰＣＶＤ法によりポリシリコンを積層し、１０００℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜２０４を形成し、その上にｎ＋ ポリシリコンのゲート電極２０５を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法（高温プロセス）等が挙げられる。
【００２８】
ゲート絶縁膜２０４としては、通常、ゲート絶縁膜として使用されているものを用いることができ、例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ２、ポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ２等を用いることができる。
ゲート電極２０５としては、通常、ゲート電極として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属、チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。
ソース電極２０６及びドレイン電極２０７としては、通常、ソース電極及びドレイン電極として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属、チタン、タンタル、タングステン等を用いることができる。
【００２９】
なお、薄膜トランジスタＴＦＴは、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極２０５が３つ以上形成されたマルチゲート構造であってもよい。また、ＬＤＤ構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、１つの画素中に２つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。
本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬパネル１０は、薄膜トランジスタＴＦＴが有機ＥＬパネル１０のスイッチング素子として機能するように接続されている必要があり、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極２０６と画素部１００の画素電極（第１電極１０２）とが電気的に接続されている。
【００３０】
次に、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極２０６を電気的に接続する画素部１００の第１電極１０２について説明する。
図２に示すように、ＴＦＴ基板１０１の上に第１電極１０２を成膜し、形成されるべき画素に応じてパターニングを行う。パターニングされた第１電極１０２は、後述の隔壁によって区画され、各画素に対応した第１電極１０２となる。
【００３１】
第１電極１０２の材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができる。第１電極１０２を陽極とする場合にはＩＴＯなど仕事関数の高い材料を選択することが好ましい。下方から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション構造の場合は透光性のある材料を選択する必要がある。必要に応じて、第１電極１０２の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として併設してもよい。
【００３２】
第１電極１０２の形成方法としては、第１電極１０２を形成する材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。第１電極１０２のパターニング方法としては、第１電極１０２を形成する材料やその成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィ法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。基板として薄膜トランジスタＴＦＴを形成した物を用いる場合は下層の画素に対応して導通を図ることができるように形成する。
【００３３】
次に、画素部１００の第１絶縁層１０３及び第２絶縁層１０４を形成する方法について説明する。
本発明の実施の形態にかかる画素部１００の第１絶縁層１０３は、第１電極１０２の端部を覆い、画素（第１電極１０２）に対応した発光領域を区画するように形成する。第２絶縁層１０４は、第１絶縁層１０３の端部から１．０μｍ以上後退するように形成し、第１電極１０２側からみて一段目が第１絶縁層１０３からなり、２段目が第２絶縁層１０４からなる、２段隔壁を形成している。
【００３４】
第１絶縁層１０３及び第２絶縁層１０４の形成方法としては、従来と同様に、ＴＦＴ基板１０１上に第１電極１０２が形成されてなる基体上に無機膜を一様に形成し、レジストでマスキングした後、ドライエッチングを行う方法や、基体上に感光性樹脂を積層し、フォトリソグラフィ法により所定のパターンとする方法が挙げられる。
本実施の形態にかかる２段隔壁を形成する場合、第１絶縁層１０３に無機材料、第２絶縁層１０４に感光性樹脂を使用する。なお、第１絶縁層１０３の形成において、第１絶縁層１０３のうち、第１電極１０２上の部分である電極上絶縁層部１０３ａのみを別途同様の方法で形成することも考えられる。
【００３５】
ここで、第１絶縁層１０３の電極上絶縁層部１０３aの膜厚ｄ１は、無機化合物で形成される正孔注入層１０５の膜厚ｄ２と、正孔輸送層１０６の膜厚ｄ３と、有機発光層１０７の膜厚ｄ４との間で、前記（１）式の関係を満たす薄膜である。
また正孔注入層１０５の無機材料の持つ正孔注入性や電気特性に応じて、図２（ｂ）に示すように、第一絶縁層１０３の第１電極１０２側の端部、すなわち電極上絶縁層部１０３ａの端部を、端部側ほど薄くなるように、つまり断面形状が図２（ｂ）において上部側が長く下部側が短い逆テーパー形状となるようにしてもよい。この逆テーパー形状は、例えば異方性エッチングにより形成すればよい。
【００３６】
なお、図２（ｂ）は、電極上絶縁層部１０３ａ周辺部分のみを拡大したものである。
第一絶縁膜１０３の電極上絶縁層部１０３ａの膜厚が上記（１）式で規定される膜厚よりも薄い場合には正孔注入層１０５から横方向へのリークが発生し、効率、寿命の低下原因となる。また、正孔注入性が高い無機材料を正孔注入層１０５として使用した場合においては、第１絶縁膜１０３の膜厚を上記（１）式で規定される範囲内で断面を逆テーパー形状とすることで、リークを抑えることが可能である。
【００３７】
電極上絶縁層部１０３ａの膜厚が上記（１）式で規定される膜厚よりも厚い場合には、後工程の、ウェットコーティング法による成膜工程において、第１絶縁層１０３の第１電極１０２側端部からの塗りあがりのため、第１絶縁層１０３に囲まれた画素開口部内の有機層の平坦性が悪くなる。上記（１）式の条件を満足する場合には、電流リークがなく、画素開口部内の有機層の平坦性の良い構造を得ることができる。さらに、第２絶縁層１０４を、第１絶縁層１０３の端部から１．０μｍ以上後退するように形成している。そのため、平坦性を高くすることも可能である。
【００３８】
第２絶縁層１０４の好ましい高さは０．５μｍ以上２μｍ以下程度である。第２絶縁層１０４の高さが２μｍより高すぎると第２電極１０８の形成及び封止の妨げとなり、０．５μｍより低すぎると画素電極（第１電極１０２）の周縁を覆い切れない、あるいは有機発光層等の形成時に隣接する画素とショートしたり混色したりしてしまうからである。
【００３９】
次に、本発明の実施の形態にかかる画素部１００の有機発光層１０７等の有機発光媒体層の形成方法について説明する。
上述した第１絶縁層１０３及び第２絶縁層１０４を形成した後、無機化合物を使用し正孔注入層１０５を、少なくとも第１電極１０２の上に相当する領域に形成する。正孔注入材料として無機材料を用いる場合、無機材料としては、Ｃｕ２Ｏ，Ｃｒ２Ｏ３，Ｍｎ２Ｏ３，ＦｅＯｘ（ｘ≧０．１）ＮｉＯ，ＣｏＯ，Ｐｒ２Ｏ３，Ａｇ２Ｏ，ＭｏＯ２，Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯ，ＴｉＯ２，ＳｎＯ２，ＴｈＯ２，Ｖ２Ｏ５，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５，ＭｏＯ３，ＷＯ３，ＭｎＯ２などを用いて真空蒸着法やスパッタ法により形成する。ただし材料はこれらに限定されるものではない。これにより、第２絶縁層１０４間に形成される凹部の底面に相当する第１電極１０２の上方に相当する領域及び第２絶縁層１０４の側面に正孔注入層１０５が形成される。
【００４０】
正孔注入層１０５を形成した後、正孔輸送層１０６を形成する。この正孔輸送層１０６は、第２絶縁層１０４間に形成される凹部の正孔注入層１０５上に積層される。正孔輸送層１０６を形成する際に用いる材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの、芳香族アミンを含むポリマーなどが挙げられる。これらの材料は溶媒に溶解または分散させ、スピンコータ等を用いた各種塗布方法や凸版印刷法やインクジェット法などの各種印刷法を用いて形成される。
【００４１】
正孔輸送層１０６を形成した後、有機発光層１０７を形成する。この有機発光層１０７は、第２絶縁層１０４間に形成される凹部の正孔輸送層１０６上に積層される。
有機発光層１０７は電流を流すことにより発光する層であり、有機発光層１０７を形成する有機発光材料は、例えばクマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、Ｎ，Ｎ‘−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系などの発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料が挙げられる。
【００４２】
これらの有機発光材料は溶媒に溶解または安定に分散させ有機発光インキとなる。有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの単独またはこれらの混合溶媒が上げられる。中でもトルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、有機発光インキには必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。
ここで、本発明の実施の形態では、正孔注入層１０５の他に機能層として正孔輸送層１０６と形成したが、これらの層構成は、使用する材料等に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、さらに、有機発光層１０７と陰極である第２電極１０８との間に、電子輸送層及び電子注入層の両方又は何れか一方を設けるようにしてもよい。
【００４３】
次に、有機材料を用いる場合の正孔輸送層１０６及び有機発光層１０７を形成する際に用いる装置の一例として、凸版印刷装置３００について図４を参照して説明する。
図４は、上述の画素電極（第１電極１０２）、隔壁としての第２絶縁層１０４、例えば無機材料からなる正孔輸送層１０６までが形成されたＴＦＴ基板１０１を、被印刷基板３０７として、有機発光材料からなる有機発光インキを、ＴＦＴ基板１０１上にパターン印刷するための、凸版印刷装置３００である。
【００４４】
この凸版印刷装置３００は、インキタンク３０１とインキチャンバ３０２とアニロックスロール３０３と、画線部が凸形状に形成された凸版からなる版３０５がマウントされた版銅３０６とを有している。インキタンク３０１には、溶剤で希釈された有機発光インキが収容されており、インキチャンバ３０２にはインキタンク３０１より有機発光インキが送り込まれるようになっている。アニロックスロール３０３はインキチャンバ３０２のインキ供給部に接して回転可能に支持されている。
前記版３０５には、予めＴＦＴ基板１０１に形成された画素電極としての第１電極１０２のパターンに応じて凸形状の画線部を形成しておく。
【００４５】
アニロックスロール３０３の回転に伴い、インキチャンバ３０２により、アニロックスロール３０３の表面に有機発光インキが供給され、供給された有機発光インキのインキ層３０４は均一な膜厚に形成される。このインキ層３０４のインキはアニロックスロール３０３に近接して回転駆動される版胴３０６にマウントされた版３０５の画線部となる凸状部に転移し、平台３０８上に設置された被印刷基板３０７の、隔壁としての第２絶縁層１０４で囲まれた領域、すなわち画素電極となる第１電極１０２の上方にパターン印刷され、これにより画素部が形成される。
【００４６】
次に、第２電極１０８を形成する。第２電極１０８を陰極とする場合には有機発光層１０７への電子注入効率の高い、仕事関数の低い物質を用いる。具体的にはＭｇ，Ａｌ，Ｙｂ等の金属単体を用いたり、発光媒体と接する界面にＬｉや酸化Ｌｉ，ＬｉＦ等の化合物を数ｎｍ挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層したりして用いてもよい。または電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｓｃ，Ｙ，Ｙｂ等の金属１種以上と、安定なＡｇ，Ａｌ，
Ｃｕの金属元素との合金系を用いてもよい。具体的にはＭｇＡｇ，ＡｌＬｉ，ＣｕＬｉ等の合金が使用できる。
【００４７】
第２電極１０８の形成方法は、第２電極１０８となる材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。
有機ＥＬパネル１０としては電極間に発光材料を挟み、電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光材料は大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまう。このため、通常は外部と遮断するための封止体（図示せず）を設ける。封止体は例えば封止材上に樹脂層を設けて作製することができる。
【００４８】
封止材としては、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。また、材料の一例として、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルムなどを挙げることができる。耐湿性フィルムの例として、プラスチック基材の両面にＳｉＯｘをＣＶＤ法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、１０−６ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。
【００４９】
樹脂層の材料の一例として、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、２液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート（ＥＥＡ）ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物などの熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。樹脂層を封止材の上に形成する方法の一例として、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができる。必要に応じて吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることもできる。封止材上に形成する樹脂層の厚みは、封止する有機ＥＬパネル１０の大きさや形状により任意に決定されるが、５μｍ〜５００μｍ程度が望ましい。なお、ここでは封止材上に樹脂層として形成したが直接有機ＥＬパネル側に形成することもできる。
【００５０】
最後に、有機ＥＬパネル１０と封止体との貼り合わせを封止室で行う。封止体を、封止材と樹脂層の２層構造とし、樹脂層に熱可塑性樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着のみ行うことが好ましい。熱硬化型接着樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着した後、さらに硬化温度で加熱硬化を行うことが好ましい。光硬化性接着樹脂を使用した場合は、ロールで圧着した後、さらに光を照射することで硬化を行うことができる。
【実施例】
【００５１】
以下に本発明の実施例及び比較例を示す。
（実施例１）
図１に示すＴＦＴ基板１０１として、支持体２０２上に設けられ、スイッチング素子として機能する薄膜トランジスタＴＦＴを備えたアクティブマトリックス基板を用いた。ＴＦＴ基板１０１のサイズは２００ｍｍ×２００ｍｍでその中に対角５インチのディスプレイが中央に設置されており、このアクティブマトリックス基板の上方に第１電極１０２を形成した。
【００５２】
形成方法としては、まず、スパッタリング法を用いてＩＴＯ膜を厚さ４０ｎｍし、そのＩＴＯ膜を、フォトリソグラフィ法と酸溶液によるエッチングで幅２５μｍとなるようにパターニングして、第１電極１０２となる透明電極（画素電極）を形成した。画素数は３２０×２４０とした。
【００５３】
次に、ＴＦＴ基板（アクティブマトリックス基板）１０１上に設けられた第１電極１０２の端部を被覆し画素を区画するように２段隔壁を形成した。すなわち、まず第１絶縁層１０３を作製した。この第１絶縁層１０３は、ＴＦＴ基板（アクティブマトリックス基板）１０１上に無機材料を真空蒸着法により厚さ３５ｎｍで一様に形成し、レジストでマスキングした後、第１電極１０２の端部を０．５μｍ被覆するように、ドライエッチング法により第１電極１０２間に幅４０μｍのラインパターンを形成した。この際、第１絶縁層１０３の、画素を形成する第１電極１０２側の端部の断面形状が図２（ｂ）に示すように逆テーパー形状となるように形成した。なお、第１絶縁層１０３の膜厚３５ｎｍは、逆テーパー形状に形成されている電極上絶縁層部１０３ａの膜厚が前記（１）式を満足する値となる膜厚である。
【００５４】
この第１絶縁層１０３の上に、第２絶縁層１０４を形成した。第２絶縁層１０４は、まず、フォトレジスト材料を全面スピンコートし、厚さ２μｍで形成した。そして、塗布されたフォトレジスト材料に対してフォトリソグラフィ法により、第１絶縁層１０３の、第１電極１０２側の端部から１．０μｍ後退させて、第２絶縁層１０４を形成した。
【００５５】
次に、第１電極１０２と第１絶縁層１０３及び第２絶縁層１０４との表面上に、正孔注入材料として、厚さ２０ｎｍの酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）を、真空蒸着法により積層させ、正孔注入層１０５を形成した。蒸発源と基板との距離は３００ｍｍ、前記基板表面中心から前記蒸着源方向と前記基板表面の法線方向とのなす角度が０度となる位置に設置した。
【００５６】
次に、正孔輸送材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を濃度０．５％になるようにトルエンに溶解させたインキを用いて、上述した正孔注入層１０５まで形成したＴＦＴ基板１０１を被印刷基板３０７として、凸版印刷装置３００にセッティングし、第１絶縁層１０３に挟まれた第１電極１０２の真上にそのラインパターンに合わせて正孔輸送層１０６を凸版印刷法で印刷した。印刷、乾燥後の正孔輸送層１０６の膜厚は２０ｎｍとなった。
【００５７】
次に、有機発光材料であるポリフェニレンピニレン誘導体を濃度１％になるようにトルエンに溶解させた有機発光インキを用い、上述した正孔輸送層１０６までを形成したＴＦＴ基板１０１を被印刷基板３０７として、凸版印刷装置３００にセッティングし、第１絶縁層１０３に挟まれた第１電極１０２の真上にそのラインパターンに合わせて、凸版印刷法により画素中央部の狙い膜厚を８０ｎｍとして印刷を行った。
なお、実施例１においては、第１絶縁層１０３の電極上絶縁層部１０３aの膜厚ｄ１が、正孔注入層１０５の膜厚ｄ２、正孔輸送層１０６の膜厚ｄ３、有機発光層１０７の膜厚ｄ４に対して前記（１）式を満たす薄膜となるように作製した。
【００５８】
次に、第２電極１０８として真空蒸着法でＢａ膜を、メタルマスクを用いて膜厚４ｎｍに成膜した後、Ａｌ膜を真空蒸着法によりメタルマスクを用いて膜厚１５０ｎｍに成膜した。そして、キャップ型封止ガラスと接着剤を、発光領域をカバーするように載せ、約９０℃、１時間接着剤を熱硬化して密閉封止し、アクティブマトリックス駆動型有機ＥＬパネル１０を製作した。
【００５９】
このようにして作成したアクティブマトリックス駆動型有機ＥＬパネル１０を評価した結果、表１に示すように、膜厚分布が画素中央部の狙い膜厚＋１０％以内となる膜厚を持つ領域が画素内全体中７３％となり、画素内のほぼ全体が発光していることが確認された。また印加電圧７Ｖにおける輝度が６２０ｃｄ/ｍ２と輝度値も向上した。正孔注入層１０５から隔壁に沿った電流リークも見られず良好な発光状態が観測された。
【００６０】
（実施例２）
実施例２として、第１絶縁層１０３の膜厚を２５ｎｍ、正孔注入層１０５の膜厚を１５ｎｍとし、その他は実施例１と同様の条件下で有機ＥＬパネル１０を製作した。この実施例２においては、表１に示すように、膜厚分布が、画素中央部の狙い膜厚＋１０％以内となる膜厚を持つ領域が画素内全体中７７％となり、画素内のほぼ全体が発光していることが確認された。また印加電圧７Ｖにおける輝度が７１０ｃｄ/ｍ２となり輝度値も向上した。正孔注入層１０５から隔壁に沿った電流リークも見られず良好な発光状態が観測された。
【００６１】
（比較例１）
実施例１の比較例として、第１絶縁層１０３の膜厚を１５０ｎｍとした。この時、電極上絶縁層部１０３aの膜厚は（１．５×ｄ２）≧ｄ１となっている。その他は実施例１と同一条件下で有機ＥＬパネル１０を作成した。この比較例１においては、表１に示すように、膜厚分布が画素中央部の狙い膜厚＋１０％以内となる膜厚を持つ領域が画素内全体中３８％となり、画素端部付近で非発光領域が存在することが確認できた。また印加電圧７Ｖにおける輝度が４２０ｃｄ/ｍ２であった。正孔注入層１０５から隔壁に沿った電流リークは見られなかった。
【００６２】
（比較例２）
実施例１の比較例として、第１絶縁層１０３の膜厚を２０ｎｍとした。この時、電極上絶縁層部１０３ａの膜厚はｄ１≧ｄ３＋（ｄ４／２）となっている。その他は実施例１と同一条件下で有機ＥＬパネル１０を作成した。この比較例２においては、表１に示すように、膜厚分布が画素中央部の狙い膜厚＋１０％以内となる膜厚を持つ領域が画素内全体中７８％となった。但し、正孔注入層１０５から隔壁に沿った電流リークが原因と思われる隔壁周辺部からの発光が観測され、良好な発光特性が得られなかった。
【００６３】
【表１】
【００６４】
このように、第１絶縁層１０３の電極上絶縁層部１０３aの膜厚ｄ１が、正孔注入層１０５の膜厚ｄ２、正孔輸送層１０６の膜厚ｄ３、有機発光層１０７の膜厚ｄ４に対して前記（１）式を満たす薄膜となるように、有機ＥＬパネル１０を作製することで、膜厚平坦性を向上し、且つ電流リークを抑制することができ、良好な発光状態の有機ＥＬパネル１０を得ることができた。
【００６５】
なお、上記実施の形態においては、正孔注入層と有機発光層との間に、機能層として１層の正孔輸送層を設けた場合について説明したが、これに限るものではない。正孔注入層と有機発光層との間の機能層として、複数の正孔輸送層を設けてもよい。例えば第２の正孔輸送層として、電子ブロック等の機能を有する層を別途設けてもよい。
また、上記実施の形態においては、本発明を、有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬパネルに適用した場合について説明したが、これに限るものではなく、例えば、照明用の発光パネルに適用することも可能である。
【符号の説明】
【００６６】
１０ 有機ＥＬパネル
１０１ ＴＦＴ基板（バックプレーン）
１０２ 第１電極（画素電極）
１０３ 第１絶縁層
１０３ａ 電極上絶縁層部
１０４ 第２絶縁層
１０５ 正孔注入層
１０６ 正孔輸送層
１０７ 有機発光層
１０８ 第２電極
２０２ 支持体
２０３ 活性層
２０４ ゲート絶縁膜
２０５ ゲート電極
２０６ ソース電極
２０７ ドレイン電極
２０８ 走査線
２１０ 隔壁
３００ 凸版印刷装置
３０１ インキタンク
３０２ インキチャンバ
３０３ アニロックスロール
３０４ インキ層
３０５ 版
３０６ 版胴
３０７ 被印刷基板
３０８ 平台
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、陽極としての電極と、陰極としての電極との間に、少なくともＥＬ現象を呈する有機発光層を挟持してなる構造を有し、電極間に電圧が印加されると、有機発光層に正孔と電子とが注入され、この正孔と電子とが有機発光層で再結合することにより、有機発光層が発光する自発光型の素子である。さらに、有機ＥＬ素子において、発光効率を増大させるなどの目的から、陽極と有機発光層との間に正孔注入層、正孔輸送層、又は、有機発光層と陰極との間に電子輸送層、電子注入層などの機能層が適宜選択して設けられている。そして、有機発光層とこれら正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などの機能層を合わせて有機発光媒体層と呼ばれている。
【０００３】
有機発光層を形成する有機発光材料には、低分子材料と高分子材料が有り、良く使用される方法として、低分子材料は真空蒸着法等により薄膜形成する方法がある。このときに微細パターンのマスクを用いてパターニングするが、この方法では基板が大型化すればするほどパターニング精度が出にくいという問題がある。また、真空中で成膜するためにスループットが悪いという問題もある。
【０００４】
そこで高分子材料や低分子材料を溶剤に溶かして塗工液にし、これをウェットコーティング法で薄膜形成する方法が試みられるようになってきている。薄膜形成するためのウェットコーティング法としては、スピンコート法、バーコート法、スリットコート法、ディップコート法等がある。しかしながら、高精細にパターニングしたりＲＧＢ３色に塗り分けしたりするためには、これらのウェットコーティング法では難しく、塗りわけ・パターニングを得意とする印刷法による薄膜形成が最も有効であると考えられる。
【０００５】
しかし、これらの高分子の有機発光材料を溶媒に溶解または分散させて有機発光インキとした場合、有機発光材料の溶解性から濃度を１％前後とする必要があった。この有機発光インキを印刷する方法としては、弾性を有するゴム版や樹脂版を用いる凸版印刷法（例えば特許文献１参照）、さらにはインクジェット法（例えば特許文献２参照）などが提案されている。
【０００６】
これら凸版印刷法やインクジェット法にて被印刷基板上に有機発光層を形成する場合、濃度が１％前後の有機発光インキがそのままの状態で被印刷基板に転写される。したがって、有機発光インキをＲＧＢ三色に塗り分けする場合、有機発光インキが隣の画素まで広がってしまい、混色が生じてしまう。そのため、インキの広がりを抑えるために隔壁を設け、さらに隔壁によって仕切られた画素電極内に有機発光インキを印刷するという方法が用いられている。
【０００７】
インクジェット法はインクジェットノズルから有機発光インキを被印刷部位に複数回滴下し有機発光層を形成する方式であり、ノズルと被印刷基板とに距離があり、インキは自身の重量でのみ隔壁で仕切られた被印刷部位に広がるようにして形成される。
また、凸版印刷法では凸版の凸状部を被印刷部位に接触させるため、版による押し付け及び隔壁により形成された空間を凸版が埋めることによりインキは隔壁で囲まれた画素内を横方向に広がるように形成される。
【０００８】
一方、正孔注入層や正孔輸送層等の機能層はパターニングせずに、有機ＥＬディスプレイパネルの画像形成に関わる部分全体に全面形成、いわゆるベタ形成する方法があり、真空蒸着法やスパッタリング法、または塗布型の正孔輸送材料をスピンコート法やダイコート法といったコーティング法を用いて形成されてきた。これは、正孔輸送層の膜厚は一般に１００ｎｍ以下の薄膜であり、層の横方向へ流れる電流よりも厚み方向へ流れる電流のほうが流れやすく、よって電極がパターニングされていれば、電流の画素の外へのリークはしにくいと言われているためである。
しかし、用いられる材料特性によっては隔壁に沿って電流リークが発生してしまう場合があり、それは正孔輸送層等の機能層をパターニングして印刷法により塗り分けた場合においても同様である。
【０００９】
また、凸版印刷法やインクジェット法による塗膜形成方法においては、隔壁で囲まれた画素内で塗膜が乾燥していくために、画素周辺部においてコーヒーステインの様な現象が発生し、その結果画素開口部の中で中心部では乾燥後の塗布膜厚が薄く、隔壁に接する外周部では塗布膜厚は厚くなるなどの問題があり、厚膜化した場合には平坦性が悪くなってしまう。そのため中心部のある程度膜厚が相対的に薄くなっている部分が主に発光するようになることにより、猫目状の発光形状となったりすることで、画素発光効率の低下を招くといった問題があった。
また画素発光面積の小さな素子では、発光面積が小さくなるための輝度不足分を発光強度で補う必要があるため、発光している部分にはより大きな負担がかかるようになり、結果として寿命の低下にもつながるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−１５５８５８号公報
【特許文献２】特開２００２−３０５０７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、電極上に形成される正孔注入層として、隔壁に沿ってリークが発生するような材料を使用していたとしても、正孔注入層がドライコーティングで成膜される無機化合物の場合においては、隔壁開口部より内側に絶縁層による開口部を形成することで、絶縁層に十分な膜厚があれば、正孔注入層の局所薄膜化により電流が流れにくくなり、リークを防ぐことが可能である。
【００１２】
しかしながら、続いて機能層及び有機発光層をウェットコーティング法により形成した場合には、隔壁内側に形成された絶縁層を起点として、開口部の外周部膜厚が厚くなり、平坦性が悪くなってしまうという問題がある。
本発明は上記問題を鑑みてなされたものであり、電流リークを抑制し、且つウェットコーティングにより形成される発光媒体層の膜厚平坦性を改善することで、表示品質の良い有機ＥＬ素子、有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ素子表示装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願発明者は、鋭意検討の結果、第１電極に対して開口部を有する第１絶縁層の膜厚を、第１電極及び第２電極間に形成された層構造の膜厚に適した膜厚とすることで、第１絶縁層の開口部端部に形成される段差に起因したウェットコーティング層の開口外周部の膨れ上がりを抑制し、リーク電流抑制効果も得ることができることを見出した。
すなわち、上記目的を達成するために、本発明の請求項１にかかる有機ＥＬ素子は、発明は、基板と、当該基板上に形成された第１電極と、当該第１電極の周端部上を含む前記第１電極の周囲に形成されて前記第１電極と対向する領域に開口部を形成する無機絶縁層からなる第１絶縁層と、当該第１絶縁層上に形成され且つ前記第１電極と対向する領域に前記第１絶縁層の前記開口部よりも広い開口部を形成する第２絶縁層と、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層で囲まれる前記第１電極を含む領域上に形成され、且つドライコーティング法により無機化合物で形成される正孔注入層と、ウェットコーティング法により形成される１層以上の機能層及び有機発光層とがこの順に積層されてなる発光媒体層と、前記発光媒体層上に形成され前記第１電極と対をなす第２電極と、を備えた有機ＥＬ素子において、前記第１絶縁層の、前記第１電極の周端部上に形成された電極上絶縁層部の膜厚ｄ１と、前記正孔注入層の膜厚ｄ２と、前記正孔注入層と前記有機発光層との間の前記機能層の総膜厚ｄ３と、前記有機発光層の膜厚ｄ４とは、（１．５）×ｄ２≦ｄ１≦ｄ３＋（ｄ４／２）の関係を満たすことを特徴としている。
【００１４】
また、請求項２にかかる発明は、前記第１絶縁層の前記開口部側の断面形状は、逆テーパー形状又は前記第１電極の上面に対して垂直であることを特徴としている。
また、請求項３にかかる発明は、前記第１絶縁層の前記開口部側端部位置と前記第２絶縁層の開口側端部位置との差は、１．０μｍ以上であることを特徴としている。
また、請求項４にかかる発明は、前記正孔注入層は、１種類以上の無機化合物により形成され、少なくともモリブデンを含むことを特徴としている。
さらに、請求項５にかかる発明は、表示素子として、請求項１から請求項４の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子を備えることを特徴としている。
【００１５】
また、本発明の請求項６にかかる有機ＥＬ素子の製造方法は、基板と、当該基板上に形成された第１電極と、当該第１電極の周端部上を含む前記第１電極の周囲に形成されて前記第１電極と対向する領域に開口部を形成する無機絶縁層からなる第１絶縁層と、当該第１絶縁層上に形成され且つ前記第１電極と対向する領域に前記第１絶縁層の前記開口部よりも広い開口部を形成する第２絶縁層と、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層で囲まれる前記第１電極を含む領域上に形成され、且つドライコーティング法により無機化合物で形成される正孔注入層と、ウェットコーティング法により形成される１層以上の機能層及び有機発光層とがこの順に積層されてなる発光媒体層と、前記発光媒体層上に形成され前記第１電極と対をなす第２電極と、を備えた有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記第１絶縁層の、前記第１電極の周端部上に形成された電極上絶縁層部の膜厚ｄ１と、前記正孔注入層の膜厚ｄ２と、前記正孔注入層と前記有機発光層との間の前記機能層の総膜厚ｄ３と、前記有機発光層の膜厚ｄ４とが、（１．５）×ｄ２≦ｄ１≦ｄ３＋（ｄ４／２）の関係を満たすように、前記第１絶縁層、前記正孔注入層、前記正孔注入層と前記有効発光層との間の前記機能層及び前記有機発光層を作製することを特徴としている。
【００１６】
また、請求項７にかかる発明は、前記ウェットコーティング法として、印刷法を用いることを特徴としている。
さらに、請求項８にかかる発明は、前記印刷法は、凸版印刷法であることを特徴としている。
また、本発明の請求項９にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、表示素子として有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記有機ＥＬ素子を、請求項６から請求項８の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法を用いて作製することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、第１電極に対して開口部を形成する第１絶縁層の電極上絶縁層部の膜厚ｄ１を、無機化合物で形成される正孔注入層の膜厚ｄ２と、正孔注入層と有機発光層との間のウェットコーティング法によって形成される機能層の総膜厚ｄ３と、同様にウェットコーティング法によって形成される有機発光層の膜厚ｄ４とが、（１．５×ｄ２）≦ｄ１≦ｄ３＋（ｄ４／２）の関係を満たす薄膜とすることより、第１絶縁層の開口端部の段差に起因したウェットコーティング層の開口内膜厚の膨れ上がりを抑制し、且つリーク電流抑制の効果も併せ持つことができ、その結果、画素内均一発光が得られ、発光効率の良い有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ表示装置を得ることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置のパネル部を示す概略断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の画素部を示す概略断面図、（ｂ）は図２（ａ）中の１０３ａ周辺部分の拡大図である。
【図３】本発明の実施の形態にかかるＴＦＴ基板を示す概略断面図である。
【図４】本発明の実施の形態において用いた凸版印刷装置の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、実施の形態において、同一構成要素には同一符号を付けることにする。
なお、ここでは、有機ＥＬ表示装置に適用される、図１に示す、アクティブマトリクス駆動型有機ＥＬパネル１０に本発明を適用した場合について説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、パッシブマトリクス駆動型有機ＥＬパネルに適用することも可能である。
【００２０】
以下、本発明を適用したアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬパネル１０について、図１を参照して説明する。
図２（ａ）は、アクティブマトリクス駆動型有機ＥＬパネル１０を構成する１画素部分を示す概略断面図である。
図２（ａ）に示すアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬパネル１０の画素部１００は、薄膜トランジスタＴＦＴを備えたＴＦＴ基板１０１と、画素ごとに設けられる薄膜トランジスタＴＦＴ及び第１電極１０２（陽極）と、第１電極１０２の端部を覆うように設けられ開口部を形成する第１絶縁層１０３と、第１絶縁層１０３上に積層された、画素間を区切るための隔壁としての第２絶縁層１０４と、第２絶縁層１０４間に形成される第１電極１０２を含む凹部の内側に無機化合物で形成された正孔注入層１０５と、第２絶縁層１０４間に形成される前記凹部底面の正孔注入層１０５上に形成される正孔輸送層１０６と、正孔輸送層１０６上に形成される有機発光層１０７と、有機発光層１０７上に形成される第２電極１０８（陰極）とを備える。
【００２１】
このとき、第１絶縁層１０３の第１電極１０２の上部にあたる電極上絶縁層部１０３ａの膜厚ｄ１と、無機化合物で形成される正孔注入層１０５の膜厚ｄ２と、正孔輸送層１０６の膜厚ｄ３と、有機発光層１０７の膜厚ｄ４とが、次式（１）の関係を満たすように形成されている。
（１．５×ｄ２）≦ｄ１≦ｄ３＋（ｄ４／２） ……（１）
【００２２】
つまり、電極上絶縁層部１０３ａの膜厚ｄ１と正孔注入層１０５の膜厚ｄ２との膜厚差が、正孔注入層１０５の膜厚ｄ２の半分の値よりも小さいと、分断されずにリーク電流が生じる可能性がある。また、第１絶縁層１０３の電極上絶縁層部１０３ａの膜厚ｄ１が、有機発光層１０７の膜厚ｄ４の半分の値を超えると、有機発光層１０７のうち、電極上絶縁層部１０３ａの上方に電極上絶縁層部１０３ａに乗り上げた形で形成される領域は、他の領域に比較して電極上絶縁層部１０３ａの膜厚に応じた分だけ盛り上がることになるため、有機発光層１０７の平坦性が低下し、結果的に発光領域の平坦性が低下する可能性がある。そのため、電極上絶縁層部１０３ａの膜厚ｄ１を、上記範囲に制限している。
【００２３】
次に、本発明の実施の形態にかかるアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬパネル１０に用いる基板(バックプレーン)１０１について図３を参照して説明する。
本発明の実施の形態のアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬパネル１０に用いる基板(バックプレーン)１０１には、図３に示すように、薄膜トランジスタＴＦＴと有機ＥＬパネル１０の第１電極１０２を設けている。そして、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極２０６と有機ＥＬパネル１０の第１電極１０２とを電気的に接続している。
薄膜トランジスタＴＦＴや、その上方に構成されるアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬパネル１０が形成されるＴＦＴ基板（バックプレーン）１０１は、支持体２０２により支持される。
【００２４】
この支持体２０２としては機械的強度、絶縁性を有し寸法安定性に優れた部材であれば如何なる材料も使用することができる。例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材や、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、シート、板や、前記プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。
【００２５】
光取出しをどちらの面から行うかに応じて支持体２０２の透光性を選択すればよい。これらの材料からなる支持体２０２は、有機ＥＬパネル１０内への水分の侵入を避けるために、無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。特に、有機発光媒体層（正孔注入層１０５、正孔輸送層１０６及び有機発光層１０７）への水分の侵入を避けるために、支持体２０２における含水率及びガス透過係数を小さくすることが好ましい。
【００２６】
支持体２０２上に設ける薄膜トランジスタＴＦＴは、公知の構成を有する薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、図３に示すように、主としてソース電極２０６となる領域、ドレイン電極２０７となる領域、チャネル領域が形成される活性層２０３、ゲート絶縁膜２０４及びゲート電極２０５から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。薄膜トランジスタＴＦＴの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。なお、図３において、２０８は走査線、２０９は層間絶縁膜である。
【００２７】
活性層２０３は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）等の有機半導体材料により形成することができる。これらの活性層２０３は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ法により積層し、イオンドーピングする方法；ＳｉＨ４ ガスを用いてＬＰＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法；Ｓｉ２ Ｈ６ ガスを用いてＬＰＣＶＤ法により、またＳｉＨ４ ガスを用いてＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザ等のレーザによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法（低温プロセス）；減圧ＣＶＤ法又はＬＰＣＶＤ法によりポリシリコンを積層し、１０００℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜２０４を形成し、その上にｎ＋ ポリシリコンのゲート電極２０５を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法（高温プロセス）等が挙げられる。
【００２８】
ゲート絶縁膜２０４としては、通常、ゲート絶縁膜として使用されているものを用いることができ、例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ２、ポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ２等を用いることができる。
ゲート電極２０５としては、通常、ゲート電極として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属、チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。
ソース電極２０６及びドレイン電極２０７としては、通常、ソース電極及びドレイン電極として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属、チタン、タンタル、タングステン等を用いることができる。
【００２９】
なお、薄膜トランジスタＴＦＴは、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極２０５が３つ以上形成されたマルチゲート構造であってもよい。また、ＬＤＤ構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、１つの画素中に２つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。
本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬパネル１０は、薄膜トランジスタＴＦＴが有機ＥＬパネル１０のスイッチング素子として機能するように接続されている必要があり、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極２０６と画素部１００の画素電極（第１電極１０２）とが電気的に接続されている。
【００３０】
次に、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極２０６を電気的に接続する画素部１００の第１電極１０２について説明する。
図２に示すように、ＴＦＴ基板１０１の上に第１電極１０２を成膜し、形成されるべき画素に応じてパターニングを行う。パターニングされた第１電極１０２は、後述の隔壁によって区画され、各画素に対応した第１電極１０２となる。
【００３１】
第１電極１０２の材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができる。第１電極１０２を陽極とする場合にはＩＴＯなど仕事関数の高い材料を選択することが好ましい。下方から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション構造の場合は透光性のある材料を選択する必要がある。必要に応じて、第１電極１０２の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として併設してもよい。
【００３２】
第１電極１０２の形成方法としては、第１電極１０２を形成する材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。第１電極１０２のパターニング方法としては、第１電極１０２を形成する材料やその成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィ法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。基板として薄膜トランジスタＴＦＴを形成した物を用いる場合は下層の画素に対応して導通を図ることができるように形成する。
【００３３】
次に、画素部１００の第１絶縁層１０３及び第２絶縁層１０４を形成する方法について説明する。
本発明の実施の形態にかかる画素部１００の第１絶縁層１０３は、第１電極１０２の端部を覆い、画素（第１電極１０２）に対応した発光領域を区画するように形成する。第２絶縁層１０４は、第１絶縁層１０３の端部から１．０μｍ以上後退するように形成し、第１電極１０２側からみて一段目が第１絶縁層１０３からなり、２段目が第２絶縁層１０４からなる、２段隔壁を形成している。
【００３４】
第１絶縁層１０３及び第２絶縁層１０４の形成方法としては、従来と同様に、ＴＦＴ基板１０１上に第１電極１０２が形成されてなる基体上に無機膜を一様に形成し、レジストでマスキングした後、ドライエッチングを行う方法や、基体上に感光性樹脂を積層し、フォトリソグラフィ法により所定のパターンとする方法が挙げられる。
本実施の形態にかかる２段隔壁を形成する場合、第１絶縁層１０３に無機材料、第２絶縁層１０４に感光性樹脂を使用する。なお、第１絶縁層１０３の形成において、第１絶縁層１０３のうち、第１電極１０２上の部分である電極上絶縁層部１０３ａのみを別途同様の方法で形成することも考えられる。
【００３５】
ここで、第１絶縁層１０３の電極上絶縁層部１０３aの膜厚ｄ１は、無機化合物で形成される正孔注入層１０５の膜厚ｄ２と、正孔輸送層１０６の膜厚ｄ３と、有機発光層１０７の膜厚ｄ４との間で、前記（１）式の関係を満たす薄膜である。
また正孔注入層１０５の無機材料の持つ正孔注入性や電気特性に応じて、図２（ｂ）に示すように、第一絶縁層１０３の第１電極１０２側の端部、すなわち電極上絶縁層部１０３ａの端部を、端部側ほど薄くなるように、つまり断面形状が図２（ｂ）において上部側が長く下部側が短い逆テーパー形状となるようにしてもよい。この逆テーパー形状は、例えば異方性エッチングにより形成すればよい。
【００３６】
なお、図２（ｂ）は、電極上絶縁層部１０３ａ周辺部分のみを拡大したものである。
第一絶縁膜１０３の電極上絶縁層部１０３ａの膜厚が上記（１）式で規定される膜厚よりも薄い場合には正孔注入層１０５から横方向へのリークが発生し、効率、寿命の低下原因となる。また、正孔注入性が高い無機材料を正孔注入層１０５として使用した場合においては、第１絶縁膜１０３の膜厚を上記（１）式で規定される範囲内で断面を逆テーパー形状とすることで、リークを抑えることが可能である。
【００３７】
電極上絶縁層部１０３ａの膜厚が上記（１）式で規定される膜厚よりも厚い場合には、後工程の、ウェットコーティング法による成膜工程において、第１絶縁層１０３の第１電極１０２側端部からの塗りあがりのため、第１絶縁層１０３に囲まれた画素開口部内の有機層の平坦性が悪くなる。上記（１）式の条件を満足する場合には、電流リークがなく、画素開口部内の有機層の平坦性の良い構造を得ることができる。さらに、第２絶縁層１０４を、第１絶縁層１０３の端部から１．０μｍ以上後退するように形成している。そのため、平坦性を高くすることも可能である。
【００３８】
第２絶縁層１０４の好ましい高さは０．５μｍ以上２μｍ以下程度である。第２絶縁層１０４の高さが２μｍより高すぎると第２電極１０８の形成及び封止の妨げとなり、０．５μｍより低すぎると画素電極（第１電極１０２）の周縁を覆い切れない、あるいは有機発光層等の形成時に隣接する画素とショートしたり混色したりしてしまうからである。
【００３９】
次に、本発明の実施の形態にかかる画素部１００の有機発光層１０７等の有機発光媒体層の形成方法について説明する。
上述した第１絶縁層１０３及び第２絶縁層１０４を形成した後、無機化合物を使用し正孔注入層１０５を、少なくとも第１電極１０２の上に相当する領域に形成する。正孔注入材料として無機材料を用いる場合、無機材料としては、Ｃｕ２Ｏ，Ｃｒ２Ｏ３，Ｍｎ２Ｏ３，ＦｅＯｘ（ｘ≧０．１）ＮｉＯ，ＣｏＯ，Ｐｒ２Ｏ３，Ａｇ２Ｏ，ＭｏＯ２，Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯ，ＴｉＯ２，ＳｎＯ２，ＴｈＯ２，Ｖ２Ｏ５，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５，ＭｏＯ３，ＷＯ３，ＭｎＯ２などを用いて真空蒸着法やスパッタ法により形成する。ただし材料はこれらに限定されるものではない。これにより、第２絶縁層１０４間に形成される凹部の底面に相当する第１電極１０２の上方に相当する領域及び第２絶縁層１０４の側面に正孔注入層１０５が形成される。
【００４０】
正孔注入層１０５を形成した後、正孔輸送層１０６を形成する。この正孔輸送層１０６は、第２絶縁層１０４間に形成される凹部の正孔注入層１０５上に積層される。正孔輸送層１０６を形成する際に用いる材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの、芳香族アミンを含むポリマーなどが挙げられる。これらの材料は溶媒に溶解または分散させ、スピンコータ等を用いた各種塗布方法や凸版印刷法やインクジェット法などの各種印刷法を用いて形成される。
【００４１】
正孔輸送層１０６を形成した後、有機発光層１０７を形成する。この有機発光層１０７は、第２絶縁層１０４間に形成される凹部の正孔輸送層１０６上に積層される。
有機発光層１０７は電流を流すことにより発光する層であり、有機発光層１０７を形成する有機発光材料は、例えばクマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、Ｎ，Ｎ‘−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系などの発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料が挙げられる。
【００４２】
これらの有機発光材料は溶媒に溶解または安定に分散させ有機発光インキとなる。有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの単独またはこれらの混合溶媒が上げられる。中でもトルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、有機発光インキには必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。
ここで、本発明の実施の形態では、正孔注入層１０５の他に機能層として正孔輸送層１０６と形成したが、これらの層構成は、使用する材料等に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、さらに、有機発光層１０７と陰極である第２電極１０８との間に、電子輸送層及び電子注入層の両方又は何れか一方を設けるようにしてもよい。
【００４３】
次に、有機材料を用いる場合の正孔輸送層１０６及び有機発光層１０７を形成する際に用いる装置の一例として、凸版印刷装置３００について図４を参照して説明する。
図４は、上述の画素電極（第１電極１０２）、隔壁としての第２絶縁層１０４、例えば無機材料からなる正孔輸送層１０６までが形成されたＴＦＴ基板１０１を、被印刷基板３０７として、有機発光材料からなる有機発光インキを、ＴＦＴ基板１０１上にパターン印刷するための、凸版印刷装置３００である。
【００４４】
この凸版印刷装置３００は、インキタンク３０１とインキチャンバ３０２とアニロックスロール３０３と、画線部が凸形状に形成された凸版からなる版３０５がマウントされた版銅３０６とを有している。インキタンク３０１には、溶剤で希釈された有機発光インキが収容されており、インキチャンバ３０２にはインキタンク３０１より有機発光インキが送り込まれるようになっている。アニロックスロール３０３はインキチャンバ３０２のインキ供給部に接して回転可能に支持されている。
前記版３０５には、予めＴＦＴ基板１０１に形成された画素電極としての第１電極１０２のパターンに応じて凸形状の画線部を形成しておく。
【００４５】
アニロックスロール３０３の回転に伴い、インキチャンバ３０２により、アニロックスロール３０３の表面に有機発光インキが供給され、供給された有機発光インキのインキ層３０４は均一な膜厚に形成される。このインキ層３０４のインキはアニロックスロール３０３に近接して回転駆動される版胴３０６にマウントされた版３０５の画線部となる凸状部に転移し、平台３０８上に設置された被印刷基板３０７の、隔壁としての第２絶縁層１０４で囲まれた領域、すなわち画素電極となる第１電極１０２の上方にパターン印刷され、これにより画素部が形成される。
【００４６】
次に、第２電極１０８を形成する。第２電極１０８を陰極とする場合には有機発光層１０７への電子注入効率の高い、仕事関数の低い物質を用いる。具体的にはＭｇ，Ａｌ，Ｙｂ等の金属単体を用いたり、発光媒体と接する界面にＬｉや酸化Ｌｉ，ＬｉＦ等の化合物を数ｎｍ挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層したりして用いてもよい。または電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｓｃ，Ｙ，Ｙｂ等の金属１種以上と、安定なＡｇ，Ａｌ，
Ｃｕの金属元素との合金系を用いてもよい。具体的にはＭｇＡｇ，ＡｌＬｉ，ＣｕＬｉ等の合金が使用できる。
【００４７】
第２電極１０８の形成方法は、第２電極１０８となる材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。
有機ＥＬパネル１０としては電極間に発光材料を挟み、電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光材料は大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまう。このため、通常は外部と遮断するための封止体（図示せず）を設ける。封止体は例えば封止材上に樹脂層を設けて作製することができる。
【００４８】
封止材としては、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。また、材料の一例として、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルムなどを挙げることができる。耐湿性フィルムの例として、プラスチック基材の両面にＳｉＯｘをＣＶＤ法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、１０−６ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。
【００４９】
樹脂層の材料の一例として、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、２液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート（ＥＥＡ）ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物などの熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。樹脂層を封止材の上に形成する方法の一例として、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができる。必要に応じて吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることもできる。封止材上に形成する樹脂層の厚みは、封止する有機ＥＬパネル１０の大きさや形状により任意に決定されるが、５μｍ〜５００μｍ程度が望ましい。なお、ここでは封止材上に樹脂層として形成したが直接有機ＥＬパネル側に形成することもできる。
【００５０】
最後に、有機ＥＬパネル１０と封止体との貼り合わせを封止室で行う。封止体を、封止材と樹脂層の２層構造とし、樹脂層に熱可塑性樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着のみ行うことが好ましい。熱硬化型接着樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着した後、さらに硬化温度で加熱硬化を行うことが好ましい。光硬化性接着樹脂を使用した場合は、ロールで圧着した後、さらに光を照射することで硬化を行うことができる。
【実施例】
【００５１】
以下に本発明の実施例及び比較例を示す。
（実施例１）
図１に示すＴＦＴ基板１０１として、支持体２０２上に設けられ、スイッチング素子として機能する薄膜トランジスタＴＦＴを備えたアクティブマトリックス基板を用いた。ＴＦＴ基板１０１のサイズは２００ｍｍ×２００ｍｍでその中に対角５インチのディスプレイが中央に設置されており、このアクティブマトリックス基板の上方に第１電極１０２を形成した。
【００５２】
形成方法としては、まず、スパッタリング法を用いてＩＴＯ膜を厚さ４０ｎｍし、そのＩＴＯ膜を、フォトリソグラフィ法と酸溶液によるエッチングで幅２５μｍとなるようにパターニングして、第１電極１０２となる透明電極（画素電極）を形成した。画素数は３２０×２４０とした。
【００５３】
次に、ＴＦＴ基板（アクティブマトリックス基板）１０１上に設けられた第１電極１０２の端部を被覆し画素を区画するように２段隔壁を形成した。すなわち、まず第１絶縁層１０３を作製した。この第１絶縁層１０３は、ＴＦＴ基板（アクティブマトリックス基板）１０１上に無機材料を真空蒸着法により厚さ３５ｎｍで一様に形成し、レジストでマスキングした後、第１電極１０２の端部を０．５μｍ被覆するように、ドライエッチング法により第１電極１０２間に幅４０μｍのラインパターンを形成した。この際、第１絶縁層１０３の、画素を形成する第１電極１０２側の端部の断面形状が図２（ｂ）に示すように逆テーパー形状となるように形成した。なお、第１絶縁層１０３の膜厚３５ｎｍは、逆テーパー形状に形成されている電極上絶縁層部１０３ａの膜厚が前記（１）式を満足する値となる膜厚である。
【００５４】
この第１絶縁層１０３の上に、第２絶縁層１０４を形成した。第２絶縁層１０４は、まず、フォトレジスト材料を全面スピンコートし、厚さ２μｍで形成した。そして、塗布されたフォトレジスト材料に対してフォトリソグラフィ法により、第１絶縁層１０３の、第１電極１０２側の端部から１．０μｍ後退させて、第２絶縁層１０４を形成した。
【００５５】
次に、第１電極１０２と第１絶縁層１０３及び第２絶縁層１０４との表面上に、正孔注入材料として、厚さ２０ｎｍの酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）を、真空蒸着法により積層させ、正孔注入層１０５を形成した。蒸発源と基板との距離は３００ｍｍ、前記基板表面中心から前記蒸着源方向と前記基板表面の法線方向とのなす角度が０度となる位置に設置した。
【００５６】
次に、正孔輸送材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を濃度０．５％になるようにトルエンに溶解させたインキを用いて、上述した正孔注入層１０５まで形成したＴＦＴ基板１０１を被印刷基板３０７として、凸版印刷装置３００にセッティングし、第１絶縁層１０３に挟まれた第１電極１０２の真上にそのラインパターンに合わせて正孔輸送層１０６を凸版印刷法で印刷した。印刷、乾燥後の正孔輸送層１０６の膜厚は２０ｎｍとなった。
【００５７】
次に、有機発光材料であるポリフェニレンピニレン誘導体を濃度１％になるようにトルエンに溶解させた有機発光インキを用い、上述した正孔輸送層１０６までを形成したＴＦＴ基板１０１を被印刷基板３０７として、凸版印刷装置３００にセッティングし、第１絶縁層１０３に挟まれた第１電極１０２の真上にそのラインパターンに合わせて、凸版印刷法により画素中央部の狙い膜厚を８０ｎｍとして印刷を行った。
なお、実施例１においては、第１絶縁層１０３の電極上絶縁層部１０３aの膜厚ｄ１が、正孔注入層１０５の膜厚ｄ２、正孔輸送層１０６の膜厚ｄ３、有機発光層１０７の膜厚ｄ４に対して前記（１）式を満たす薄膜となるように作製した。
【００５８】
次に、第２電極１０８として真空蒸着法でＢａ膜を、メタルマスクを用いて膜厚４ｎｍに成膜した後、Ａｌ膜を真空蒸着法によりメタルマスクを用いて膜厚１５０ｎｍに成膜した。そして、キャップ型封止ガラスと接着剤を、発光領域をカバーするように載せ、約９０℃、１時間接着剤を熱硬化して密閉封止し、アクティブマトリックス駆動型有機ＥＬパネル１０を製作した。
【００５９】
このようにして作成したアクティブマトリックス駆動型有機ＥＬパネル１０を評価した結果、表１に示すように、膜厚分布が画素中央部の狙い膜厚＋１０％以内となる膜厚を持つ領域が画素内全体中７３％となり、画素内のほぼ全体が発光していることが確認された。また印加電圧７Ｖにおける輝度が６２０ｃｄ/ｍ２と輝度値も向上した。正孔注入層１０５から隔壁に沿った電流リークも見られず良好な発光状態が観測された。
【００６０】
（実施例２）
実施例２として、第１絶縁層１０３の膜厚を２５ｎｍ、正孔注入層１０５の膜厚を１５ｎｍとし、その他は実施例１と同様の条件下で有機ＥＬパネル１０を製作した。この実施例２においては、表１に示すように、膜厚分布が、画素中央部の狙い膜厚＋１０％以内となる膜厚を持つ領域が画素内全体中７７％となり、画素内のほぼ全体が発光していることが確認された。また印加電圧７Ｖにおける輝度が７１０ｃｄ/ｍ２となり輝度値も向上した。正孔注入層１０５から隔壁に沿った電流リークも見られず良好な発光状態が観測された。
【００６１】
（比較例１）
実施例１の比較例として、第１絶縁層１０３の膜厚を１５０ｎｍとした。この時、電極上絶縁層部１０３aの膜厚は（１．５×ｄ２）≧ｄ１となっている。その他は実施例１と同一条件下で有機ＥＬパネル１０を作成した。この比較例１においては、表１に示すように、膜厚分布が画素中央部の狙い膜厚＋１０％以内となる膜厚を持つ領域が画素内全体中３８％となり、画素端部付近で非発光領域が存在することが確認できた。また印加電圧７Ｖにおける輝度が４２０ｃｄ/ｍ２であった。正孔注入層１０５から隔壁に沿った電流リークは見られなかった。
【００６２】
（比較例２）
実施例１の比較例として、第１絶縁層１０３の膜厚を２０ｎｍとした。この時、電極上絶縁層部１０３ａの膜厚はｄ１≧ｄ３＋（ｄ４／２）となっている。その他は実施例１と同一条件下で有機ＥＬパネル１０を作成した。この比較例２においては、表１に示すように、膜厚分布が画素中央部の狙い膜厚＋１０％以内となる膜厚を持つ領域が画素内全体中７８％となった。但し、正孔注入層１０５から隔壁に沿った電流リークが原因と思われる隔壁周辺部からの発光が観測され、良好な発光特性が得られなかった。
【００６３】
【表１】
【００６４】
このように、第１絶縁層１０３の電極上絶縁層部１０３aの膜厚ｄ１が、正孔注入層１０５の膜厚ｄ２、正孔輸送層１０６の膜厚ｄ３、有機発光層１０７の膜厚ｄ４に対して前記（１）式を満たす薄膜となるように、有機ＥＬパネル１０を作製することで、膜厚平坦性を向上し、且つ電流リークを抑制することができ、良好な発光状態の有機ＥＬパネル１０を得ることができた。
【００６５】
なお、上記実施の形態においては、正孔注入層と有機発光層との間に、機能層として１層の正孔輸送層を設けた場合について説明したが、これに限るものではない。正孔注入層と有機発光層との間の機能層として、複数の正孔輸送層を設けてもよい。例えば第２の正孔輸送層として、電子ブロック等の機能を有する層を別途設けてもよい。
また、上記実施の形態においては、本発明を、有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬパネルに適用した場合について説明したが、これに限るものではなく、例えば、照明用の発光パネルに適用することも可能である。
【符号の説明】
【００６６】
１０ 有機ＥＬパネル
１０１ ＴＦＴ基板（バックプレーン）
１０２ 第１電極（画素電極）
１０３ 第１絶縁層
１０３ａ 電極上絶縁層部
１０４ 第２絶縁層
１０５ 正孔注入層
１０６ 正孔輸送層
１０７ 有機発光層
１０８ 第２電極
２０２ 支持体
２０３ 活性層
２０４ ゲート絶縁膜
２０５ ゲート電極
２０６ ソース電極
２０７ ドレイン電極
２０８ 走査線
２１０ 隔壁
３００ 凸版印刷装置
３０１ インキタンク
３０２ インキチャンバ
３０３ アニロックスロール
３０４ インキ層
３０５ 版
３０６ 版胴
３０７ 被印刷基板
３０８ 平台
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
当該基板上に形成された第１電極と、
当該第１電極の周端部上を含む前記第１電極の周囲に形成されて前記第１電極と対向する領域に開口部を形成する無機絶縁層からなる第１絶縁層と、
当該第１絶縁層上に形成され且つ前記第１電極と対向する領域に前記第１絶縁層の前記開口部よりも広い開口部を形成する第２絶縁層と、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層で囲まれる前記第１電極を含む領域上に形成され、且つドライコーティング法により無機化合物で形成される正孔注入層と、ウェットコーティング法により形成される１層以上の機能層及び有機発光層とがこの順に積層されてなる発光媒体層と、
前記発光媒体層上に形成され前記第１電極と対をなす第２電極と、を備えた有機ＥＬ素子において、
前記第１絶縁層の、前記第１電極の周端部上に形成された電極上絶縁層部の膜厚ｄ１と、前記正孔注入層の膜厚ｄ２と、前記正孔注入層と前記有機発光層との間の前記機能層の総膜厚ｄ３と、前記有機発光層の膜厚ｄ４とは、（１．５）×ｄ２≦ｄ１≦ｄ３＋（ｄ４／２）の関係を満たすことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記第１絶縁層の前記開口部側の断面形状は、逆テーパー形状又は前記第１電極の上面に対して垂直であることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記第１絶縁層の前記開口部側端部位置と前記第２絶縁層の開口側端部位置との差は、１．０μｍ以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記正孔注入層は、１種類以上の無機化合物により形成され、少なくともモリブデンを含むことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
表示素子として、請求項１から請求項４の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
基板と、
当該基板上に形成された第１電極と、
当該第１電極の周端部上を含む前記第１電極の周囲に形成されて前記第１電極と対向する領域に開口部を形成する無機絶縁層からなる第１絶縁層と、
当該第１絶縁層上に形成され且つ前記第１電極と対向する領域に前記第１絶縁層の前記開口部よりも広い開口部を形成する第２絶縁層と、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層で囲まれる前記第１電極を含む領域上に形成され、且つドライコーティング法により無機化合物で形成される正孔注入層と、ウェットコーティング法により形成される１層以上の機能層及び有機発光層とがこの順に積層されてなる発光媒体層と、
前記発光媒体層上に形成され前記第１電極と対をなす第２電極と、を備えた有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記第１絶縁層の、前記第１電極の周端部上に形成された電極上絶縁層部の膜厚ｄ１と、前記正孔注入層の膜厚ｄ２と、前記正孔注入層と前記有機発光層との間の前記機能層の総膜厚ｄ３と、前記有機発光層の膜厚ｄ４とが、（１．５）×ｄ２≦ｄ１≦ｄ３＋（ｄ４／２）の関係を満たすように、前記第１絶縁層、前記正孔注入層、前記正孔注入層と前記有効発光層との間の前記機能層及び前記有機発光層を作製することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】
前記ウェットコーティング法として、印刷法を用いることを特徴とする請求項６記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項８】
前記印刷法は、凸版印刷法であることを特徴とする請求項７記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項９】
表示素子として有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記有機ＥＬ素子を、請求項６から請求項８の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法を用いて作製することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１】
基板と、
当該基板上に形成された第１電極と、
当該第１電極の周端部上を含む前記第１電極の周囲に形成されて前記第１電極と対向する領域に開口部を形成する無機絶縁層からなる第１絶縁層と、
当該第１絶縁層上に形成され且つ前記第１電極と対向する領域に前記第１絶縁層の前記開口部よりも広い開口部を形成する第２絶縁層と、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層で囲まれる前記第１電極を含む領域上に形成され、且つドライコーティング法により無機化合物で形成される正孔注入層と、ウェットコーティング法により形成される１層以上の機能層及び有機発光層とがこの順に積層されてなる発光媒体層と、
前記発光媒体層上に形成され前記第１電極と対をなす第２電極と、を備えた有機ＥＬ素子において、
前記第１絶縁層の、前記第１電極の周端部上に形成された電極上絶縁層部の膜厚ｄ１と、前記正孔注入層の膜厚ｄ２と、前記正孔注入層と前記有機発光層との間の前記機能層の総膜厚ｄ３と、前記有機発光層の膜厚ｄ４とは、（１．５）×ｄ２≦ｄ１≦ｄ３＋（ｄ４／２）の関係を満たすことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記第１絶縁層の前記開口部側の断面形状は、逆テーパー形状又は前記第１電極の上面に対して垂直であることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記第１絶縁層の前記開口部側端部位置と前記第２絶縁層の開口側端部位置との差は、１．０μｍ以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記正孔注入層は、１種類以上の無機化合物により形成され、少なくともモリブデンを含むことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
表示素子として、請求項１から請求項４の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
基板と、
当該基板上に形成された第１電極と、
当該第１電極の周端部上を含む前記第１電極の周囲に形成されて前記第１電極と対向する領域に開口部を形成する無機絶縁層からなる第１絶縁層と、
当該第１絶縁層上に形成され且つ前記第１電極と対向する領域に前記第１絶縁層の前記開口部よりも広い開口部を形成する第２絶縁層と、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層で囲まれる前記第１電極を含む領域上に形成され、且つドライコーティング法により無機化合物で形成される正孔注入層と、ウェットコーティング法により形成される１層以上の機能層及び有機発光層とがこの順に積層されてなる発光媒体層と、
前記発光媒体層上に形成され前記第１電極と対をなす第２電極と、を備えた有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記第１絶縁層の、前記第１電極の周端部上に形成された電極上絶縁層部の膜厚ｄ１と、前記正孔注入層の膜厚ｄ２と、前記正孔注入層と前記有機発光層との間の前記機能層の総膜厚ｄ３と、前記有機発光層の膜厚ｄ４とが、（１．５）×ｄ２≦ｄ１≦ｄ３＋（ｄ４／２）の関係を満たすように、前記第１絶縁層、前記正孔注入層、前記正孔注入層と前記有効発光層との間の前記機能層及び前記有機発光層を作製することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】
前記ウェットコーティング法として、印刷法を用いることを特徴とする請求項６記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項８】
前記印刷法は、凸版印刷法であることを特徴とする請求項７記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項９】
表示素子として有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記有機ＥＬ素子を、請求項６から請求項８の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法を用いて作製することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−２１６６０１（Ｐ２０１１−２１６６０１Ａ）
【公開日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−８２２００（Ｐ２０１０−８２２００）
【出願日】平成２２年３月３１日（２０１０．３．３１）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月３１日（２０１０．３．３１）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
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