有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ素子
【課題】全層をスピンコート法で積層した素子と比較して同等の性能を有し、かつ、材料コストを大幅に低減できる有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ素子の製造方法は、第１電極と第２電極との間に有機ＥＬ材料からなる有機発光層を含んだ複数の有機層からなる有機機能層を有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、基板上に第１電極を形成する工程（ステップＳ１０）と、第１電極上に有機機能層を形成する工程（ステップＳ２０〜Ｓ４０）と、を含み、有機機能層を形成する工程では、有機発光層の液状の形成材料をスピンコート法で所定の位置に配した後、これを固化して有機発光層を形成し、有機発光層を除く複数の有機層のうちの少なくとも１層の液状の形成材料を液滴吐出法で所定の位置に配した後、これを固化して有機発光層を除く複数の有機層のうちの少なくとも１層を形成する。
【解決手段】有機ＥＬ素子の製造方法は、第１電極と第２電極との間に有機ＥＬ材料からなる有機発光層を含んだ複数の有機層からなる有機機能層を有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、基板上に第１電極を形成する工程（ステップＳ１０）と、第１電極上に有機機能層を形成する工程（ステップＳ２０〜Ｓ４０）と、を含み、有機機能層を形成する工程では、有機発光層の液状の形成材料をスピンコート法で所定の位置に配した後、これを固化して有機発光層を形成し、有機発光層を除く複数の有機層のうちの少なくとも１層の液状の形成材料を液滴吐出法で所定の位置に配した後、これを固化して有機発光層を除く複数の有機層のうちの少なくとも１層を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electroluminescence）素子は、薄型、全固体型、面状自発光及び高速応答であるといった特徴を有する発光装置であり、フラットディスプレイパネルやバックライトへの応用が期待されている。また、近年では、発光材料の三重項励起状態に起因する燐光を発光に用いる高効率な有機ＥＬ素子が提案されている。燐光材料が注目されているのは、燐光材料が原理的に高効率化を実現しやすい材料であると考えられているからである。すなわち、キャリア再結合により生成される励起子が一重項励起子と三重項励起子とからなり、その確率が１：３である。一重項を利用した有機ＥＬ素子では、一重項励起子から基底状態に遷移する際の蛍光を発光として取り出していたが、原理的にその発光収率が生成された励起子数に対して２５％であってこれが原理的上限であった。しかし、三重項から発生する励起子からの燐光を用いれば、原理的に少なくとも３倍の収率が期待される。さらに、燐光を用いることにより、エネルギー的に高い一重項から三重項への項間交差による転移を考え合わせれば、原理的には４倍の１００％の発光収率が期待できる。
【０００３】
ところで、このような有機ＥＬ素子における有機発光層を構成する材料としては、大きく分けて高分子系のものと低分子系のものとに分類される。高分子系材料は、有機溶媒に対する溶解性が比較的高いため、インクジェット法等の液滴吐出法による選択塗布が可能となる。一方、低分子系材料は、高分子系材料と比較して発光特性に優れている。
【０００４】
そして、液滴吐出法等の湿式法により形成された高分子系材料を用いた有機ＥＬ素子では、正孔注入層から発光層への正孔注入を促進するために高い導電性を有する有機膜を正孔注入層として用いている。
【０００５】
また、このような有機発光層を形成する方法としては、蒸着と塗布とに大別される。その蒸着の場合は、真空蒸着法によって主に溶解性の悪い低分子材料を用い有機薄膜を形成している。
【０００６】
一方、塗布の場合は、溶解性の高い高分子材料や低分子材料を溶媒に溶解あるいは分散させて、スピンコート法やインクジェット法により有機発光層を形成している。特にインクジェット法は、スピンコート法と比較して有機発光材料を無駄にせず、かつオンデマンドで微細パターニングを成膜する手段として大変有効である。
【０００７】
しかしながら、インクジェット法で作成した素子は高沸点溶媒の使用や成膜プロセス等の起因により、スピンコート法で作成した素子と比較して素子特性が大幅に低下してしまう傾向がある（例えば、非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】C.Sekine,FPD international 2008 Forum B-33
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このため、インクジェット法で作成した素子は高沸点溶媒の使用や成膜プロセス等の起因により、スピンコート法で作成した素子と比較して素子特性が大幅に低下してしまう問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【００１１】
［適用例１］第１電極と第２電極との間に有機ＥＬ材料からなる有機発光層を含んだ複数の有機層からなる有機機能層を有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、基板上に前記第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に前記有機機能層を形成する工程と、を含み、前記有機機能層を形成する工程では、前記有機発光層の液状の形成材料をスピンコート法で所定の位置に配した後、これを固化して前記有機発光層を形成し、前記有機発光層を除く前記複数の有機層のうちの少なくとも１層の液状の形成材料を液滴吐出法で所定の位置に配した後、これを固化して前記有機発光層を除く前記複数の有機層のうちの少なくとも１層を形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００１２】
発明者は、液滴吐出法において素子特性の低下をもたらしているのは発光層形成工程にあることを突き止めた。そこで鋭意研究の結果、正孔注入層及び正孔輸送層（又は注入輸送層）までを液滴吐出法で形成し、発光層をスピンコート法で形成する手法を得ることに成功し、その知見をもとに本発明を完成した。
【００１３】
これによれば、正孔注入層と正孔輸送層までを液滴吐出法で積層し、発光層をスピンコート法で積層することで、全層をスピンコート法で積層した素子と比較して同等の性能を有し、かつ、材料コストを大幅に低減できる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することができる。
【００１４】
［適用例２］上記有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機機能層を形成する工程では、前記有機機能層のうちの前記有機発光層を除く全ての前記複数の有機層を液滴吐出法で形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００１５】
これによれば、材料コストを大幅に低減できる。
【００１６】
［適用例３］上記有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機機能層を形成する工程では、全ての前記複数の有機層を高分子材料を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００１７】
これによれば、有機溶媒に対する溶解性が比較的高いため、液滴吐出法による選択塗布が容易になる。
【００１８】
［適用例４］上記有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機機能層を形成する工程では、全ての前記複数の有機層を低分子材料を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００１９】
これによれば、発光特性の高い有機発光層を形成できる。
【００２０】
［適用例５］上記有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機機能層を形成する工程では、前記複数の有機層を高分子材料で構成する第１の層と低分子材料で構成する第２の層とで形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００２１】
これによれば、スピンコート法や液滴吐出法による塗布方法の使い分けが容易になる。
【００２２】
［適用例６］上記有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機機能層を形成する工程では、前記有機発光層を蛍光材料を含有する液状の形成材料を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００２３】
これによれば、発光特性の高い有機発光層を容易に形成できる。
【００２４】
［適用例７］上記有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機機能層を形成する工程では、前記有機発光層を燐光材料を含有する液状の形成材料を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００２５】
これによれば、より発光特性の高い有機発光層を容易に形成できる。
【００２６】
［適用例８］上記１〜７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法によって製造されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【００２７】
これによれば、全層をスピンコート法で積層した素子と比較して同等の性能を有し、かつ、材料コストを大幅に低減できる有機ＥＬ素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】第１、２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図。
【図２】第１、２、９の実施形態に係る有機ＥＬ素子を拡大して示す側断面構成図。
【図３】（Ａ）は、実施例１、５、９、１１、１３に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート、（Ｂ）は、実施例２、６、１０、１２、１４に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。
【図４】（Ａ）は、比較例１、７、１１、１３、１５に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート、（Ｂ）は、比較例２、８、１２、１４、１６に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。
【図５】第３、４の実施形態に係る有機ＥＬ素子を拡大して示す側断面構成図。
【図６】実施例３、４、１５に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。
【図７】（Ａ）は、比較例３、５、１７に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート、（Ｂ）は、比較例４、６、１８に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。
【図８】第５、７、８の実施形態に係る有機ＥＬ素子を拡大して示す側断面構成図。
【図９】第６の実施形態に係る有機ＥＬ素子を拡大して示す側断面構成図。
【図１０】（Ａ）は、実施例７に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート、（Ｂ）は、実施例８に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。
【図１１】（Ａ）は、比較例９に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート、（Ｂ）は、比較例１０に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。
【図１２】第１０の実施形態に係る有機ＥＬ素子を拡大して示す側断面構成図。
【図１３】本実施形態に係る画像形成装置を示す概略構成図。
【図１４】（Ａ）は、本実施形態に係る携帯電話の一例を示した斜視図、（Ｂ）は、本実施形態に係るワープロ、パソコン等の携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図、（Ｃ）は、本実施形態に係る腕時計型電子機器の一例を示した斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下では、実施形態について図を参照しつつ説明する。実施形態の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、構造の特徴的な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造はその寸法や縮尺を実際の構造に対して異ならせて示す場合がある。
【００３０】
［第１の実施形態］
図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２の配線構造を示す模式図である。本実施形態の有機ＥＬ装置２は、スイッチング素子として薄膜トランジスター（以下、ＴＦＴと称す）を用いたアクティブマトリクス方式のものである。有機ＥＬ装置２は、図１に示すように、複数の走査線１０と、走査線１０に直交して延びる複数の信号線１２と、それぞれの信号線１２に並列に延びる複数の電源線１４と、を備えている。信号線１２には、シフトレジスター、レベルシフター、ビデオライン、及びアナログスイッチ等を有する信号線駆動回路１６が接続されている。また、走査線１０には、シフトレジスター及びレベルシフターを有する走査線駆動回路１８が接続されている。
【００３１】
また、走査線１０及び信号線１２により区画される領域には、画素２０が設けられている。画素２０は、発光素子として機能する有機ＥＬ素子４と、有機ＥＬ素子４に供給される電気信号をスイッチングするスイッチング素子と、前記電気信号を保持する保持容量２４と、を備えている。本実施形態では、前記スイッチング素子として、第１スイッチング素子２６と第２スイッチング素子２８とを備えている。
【００３２】
第１スイッチング素子２６のソース電極は、信号線１２から分岐されたものであり、第１スイッチング素子２６のドレイン電極は、第２スイッチング素子２８のゲート電極に電気的に接続されている。また、第１スイッチング素子２６の能動層は、ゲート絶縁膜を介して信号線１２と重なり合うように設けられており、重なり合う部分の信号線１２がゲート電極として機能するようになっている。
【００３３】
第２スイッチング素子２８のソース電極は、電源線１４から分岐されたものであり、第２スイッチング素子２８のドレイン電極は、有機ＥＬ素子４の画素電極（後述する）と電気的に接続されている。保持容量２４は、その一端が第１スイッチング素子２６のドレイン電極と第２スイッチング素子２８のゲート電極との間に電気的に接続されているともに、他端が電源線１４に電気的に接続されている。保持容量２４により、第２スイッチング素子２８のゲート電極に印加された電圧を一定期間保持することができるようになっている。
【００３４】
このような構成により、走査線駆動回路１８から所定のタイミングで発せられた電気信号は、走査線１０を介して第１スイッチング素子２６のゲート電極に供給され、第１スイッチング素子２６をオンにする。第１スイッチング素子２６がオンになると、信号線駆動回路１６からの電気信号は、信号線１２を介して第１スイッチング素子２６のソース電極に供給され、第１スイッチング素子２６の能動層及びドレイン電極を介して、第２スイッチング素子２８のゲート電極に供給されこれをオンにする。第２スイッチング素子２８がオンになると、電源線１４からの電気信号は、第２スイッチング素子２８のソース電極及びドレイン電極を介して有機ＥＬ素子４の画素電極に供給される。このように、有機ＥＬ素子４に所定の電気信号が所定のタイミングで供給されるようになっている。
【００３５】
図２は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子４を拡大して示す側断面構成図である。本実施形態の有機ＥＬ素子４は、図２に示すように、ＴＦＴ基板２２上に順に形成された画素電極（第１電極）３０、有機機能層３２、及び共通電極（第２電極）３４を備えている。画素電極３０は島状に形成されており、画素電極３０の間には、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）やシリコン窒化物（ＳｉＮ）等からなる絶縁部３６が形成されている。絶縁部３６は、画素電極３０の端部を覆うとともに、画素電極３０の中央部上を開口させて形成されている。この開口内に露出した画素電極３０上が発光領域Ｌとなっており、発光領域Ｌの間が非発光領域Ｂとなっている。また、有機機能層３２は、発光領域Ｌ及び非発光領域Ｂに配設されている。
【００３６】
本実施形態では、画素電極３０が陽極として機能するようになっており、共通電極３４が陰極として機能するようになっている。画素電極３０は、第２スイッチング素子２８のドレイン電極に電気的に接続されている。第２スイッチング素子２８のソース電極は、電源線１４を介して有機ＥＬ装置２の内部又は外部に設けられた電源（図示略）と接続可能とされており、共通電極３４は、配線等を介して電源と接続可能とされている。
【００３７】
ＴＦＴ基板２２は、ガラス等からなる基板上に、図１に示した第１スイッチング素子２６や第２スイッチング素子２８等のスイッチング素子、走査線１０や信号線１２、電源線１４等の各種配線等が形成されたものである。
【００３８】
画素電極３０は、仕事関数が高い（例えば５ｅＶ以上）導電材料、具体的にはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等からなっており、画素電極３０から有機機能層３２に正孔（キャリア）が効率的に供給されるようになっている。また、ＩＴＯは透光性を有する材料であり、有機機能層３２から発せられた光を画素電極３０側から取り出すことが可能となっている。
【００３９】
共通電極３４は、仕事関数が低い（例えば５ｅＶ以下）材料からなっている。仕事関数が低い材料としては、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物であるフッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体等が挙げられる。本実施形態では、有機機能層３２上に図示略のカルシウム層及びアルミニウム層が順に形成された多層構造となっている。カルシウム層は、有機機能層３２に電子を注入する電子注入層、あるいは有機機能層３２に電子を輸送する電子輸送層等として機能するようになっており、アルミニウム層は共通電極３４を低抵抗化するとともに有機機能層３２から発せられた光を画素電極３０側に反射する反射層としても機能するようになっている。
【００４０】
有機機能層３２は、有機ＥＬ材料からなる有機発光層４２を有するものである。有機機能層３２は、画素電極３０側から正孔注入層３８、有機発光層４２が順次積層された構造や、正孔注入層３８と有機発光層４２との間に正孔輸送層４０を設けた構造、正孔注入層３８に替えて正孔注入輸送層を設けた構造、さらに有機発光層４２の共通電極３４側に電子注入（輸送）層を設けた構造等を用いることができる。
【００４１】
有機機能層３２の形成材料としては、公知のものを用いることができ、具体的には以下のようなものが挙げられる。
【００４２】
正孔注入層３８の形成材料として、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体等が挙げられる。
【００４３】
正孔輸送層４０の形成材料としては、ＴＡＰＣ、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、２−ＴＮＡＴＡ、ＴＣＴＡ、スピロ−ＴＡＤ、（ＤＴＰ）ＤＰＰＤ、ＨＴＭ１、ＴＰＴＥ１、ＮＴＰＡ、ＴＦＬＴＦ、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）やポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系有機高分子材料等が挙げられる。
【００４４】
有機発光層４２の形成材料としては、前記した正孔輸送層４０の形成材料の他、ペニレン系色素や、クマリン系色素、ローダミン系色素等の有機高分子材料、あるいはこれら有機高分子材料に例えばルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子有機材料をドープしたもの、ＣＢＰ（４．４．−ジカルバゾール−４，４−ビフェニル）誘導体、ＰｔＯＥＰ（白金ポルフィリン錯体）誘導体、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（イリジウム錯体）誘導体、ＦＩｒｐｉｃ（イリジウム錯体）誘導体等の燐光材料等が挙げられる。
【００４５】
具体的には、高分子材料を有機発光層４２として用いた場合、Poly[{2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-(1-cyanovinylenephenylene)}-co-{2,5-bis(N,N'-diphenylamino)-1,4-phenylenel]等の赤色発光材料や、Poly[(9,9-dioctylfuorenyl-2,7-diyl)-co-(1,4-benzo-(2,1’,3)-thiadiazole)]等の緑色発光材料、Poly[(9,9-dihexylfuorenyl)-co-(9,10-anthracene)]等の青色発光材料等が挙げられる。
【００４６】
また、低分子材料を有機発光層４２として用いた場合、ホスト材料としてＣＢＰ等、蛍光ゲスト材料としてＤＣＭ等の赤色発光材料が、キナクリドン等の緑色発光材料、ペリレン等の青色発光材料が、燐光ゲスト材料としてＰｔＯＥＰ等の赤色発光材料、ＩｒＰＰｙ等の緑色発光材料、ＦＩｒｐｉｃ等の青色発光材料等が挙げられる。
【００４７】
電子輸送層５６の材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体等が挙げられる。
【００４８】
以上のような構成により、有機ＥＬ素子４が電源と電気的に接続された状態で第２スイッチング素子２８のゲート電極に電気信号が伝わりこれがオンになると、画素電極３０と共通電極３４との間に所定の電圧（電気信号）が印加（供給）される。これにより、画素電極３０から正孔注入層３８に正孔が供給され、この正孔は正孔注入層３８及び正孔輸送層４０を通って有機発光層４２に運ばれる。正孔注入層３８は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳからなる低抵抗のものであり、正孔はその厚さ方向に良好に輸送されて有機発光層４２に注入される。
【００４９】
有機発光層４２においては、注入された正孔が共通電極３４側から供給された電子と再結合することにより、前記電気信号に応じた光を発するようになっている。
【００５０】
画素電極３０側に発せられた光がＴＦＴ基板２２側から取り出されるとともに、共通電極３４側に発せられた光も共通電極３４により反射されてＴＦＴ基板２２側から取り出されるようになっている。取り出された光は、画像形成や画像表示等に用いることができるようになっている。
【００５１】
ここで、赤色の画素２０における積層体には、赤色の色光を発する発光層が形成されている。同様に、緑色の画素２０の積層体には緑色の色光を発する発光層が形成されており、青色の画素２０の積層体には青色の色光を発する発光層が形成されている。なお、各発光層が赤色、緑色、青色の異なる色光を発する３色方式に限定するものではなく、例えば、発光層は白色の単色で、画素ごとに赤色、緑色、青色のカラーフィルターを備えたカラーフィルター方式であってもよい。
【００５２】
なお、本実施形態では、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置２の構成例を説明したが、トップエミッション型の有機ＥＬ装置を採用することもでき、いずれの型を採用した場合でも本実施形態の効果を得ることができる。
【００５３】
［第２の実施形態］
次に、第１の実施形態の有機ＥＬ素子４に基づいて有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。本実施形態に係る有機ＥＬ素子４の製造方法は、全有機機能層３２の形成材料として、高分子材料が用いられる。
【００５４】
（実施例１）
図３（Ａ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４の製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４の製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ５０）とを備えている。
【００５５】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入層３８を形成し、スピンコート法を用いて、正孔輸送層４０及び有機発光層４２を形成する。以下、図３（Ａ）のフローチャートに従い、図１及び図２を用いて有機ＥＬ素子４の製造方法について説明する。
【００５６】
まず、有機ＥＬ素子形成用の基板を用意する。本実施例では、前記のＴＦＴ基板２２を基板に用いる。ＴＦＴ基板２２は、例えばガラス等からなる基板上に、図１に示した第１スイッチング素子２６や第２スイッチング素子２８等のスイッチング素子、走査線１０や信号線１２、電源線１４等の各種配線等が形成されたものである。これらは公知の形成材料や形成方法を用いて形成することができる。
【００５７】
次に、図２に示すように、ＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する（ステップＳ１０）。具体的には、ＴＦＴ基板２２上にＩＴＯ等の導電材料を成膜した後、この膜を公知のフォトリソグラフィ法及びエッチング技術等を用いてパターニングすることにより島状の画素電極３０を形成する。そして、画素電極３０及びＴＦＴ基板２２を覆ってシリコン酸化物を成膜した後、この膜をパターニングして画素電極３０上を開口する。これにより、画素電極３０の周縁部を覆うとともに、画素電極３０の所定の部分を露出させる開口部を有する絶縁部３６を形成する。ここでは、開口部内に露出した画素電極３０上が発光領域Ｌとし、発光領域Ｌの間が非発光領域Ｂとする。
【００５８】
次に、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１０）。隔壁４８は、公知の形成材料や形成方法を用いて形成することができる。例えば画素電極３０及び絶縁部３６を覆って樹脂材料を成膜した後、この樹脂膜をパターニングして画素電極３０や必要に応じて絶縁部３６の周縁部を露出させる開口部を形成することにより隔壁４８を形成する。なお、ＴＦＴ基板２２及び画素電極３０を覆って絶縁部３６の形成材料を成膜した後、この膜上に隔壁４８の形成材料を成膜し、次いで隔壁４８の材料膜及び絶縁部３６の材料膜を順にパターニングするようにしてもよい。
【００５９】
次に、隔壁４８の間に配した溶液に１５０℃で焼成処理を行って、正孔注入層３８を形成する（ステップＳ２０）。具体的には、有機機能層３２の液状の形成材料を液滴吐出ヘッド（図示せず）から吐出して、これを隔壁４８の間に層厚５０〜６０ｎｍの層を選択的に配する。本実施例では、正孔注入層３８の形成材料として、安定した吐出を可能にするため、前記第１の実施形態で用いたＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ分散液に溶媒を添加して粘度を調整した溶液を用いる。溶液としては、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ヘキサメチルホスソルアミド（ＨＭＰ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類の高沸点溶媒等を用いることができる。溶液の粘度を、１〜３ｗｔ％の溶液において２〜２０ｃｐｓ程度とすることが好ましく、７〜１０ｃｐｓ程度とすることがより好ましい。このようにすれば、液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに詰まりを生じることなく溶液を安定に吐出することができる。
【００６０】
次に、正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ３０）。具体的には、正孔輸送層４０の形成材料であるＴＦＢを１．５ｗｔ％のキシレン溶液とし、この溶液を正孔注入層３８上にスピンコート法で塗布し、次いでこの塗布膜を窒素雰囲気において１８０℃程度の温度で１時間程度加熱して乾燥させる。次いで、その表面をキシレン溶媒で洗浄し、キシレン溶媒に対して可溶な表層を除去するとともに不溶な層を残して、厚さが１０〜２０ｎｍ程度の正孔輸送層４０を形成する。
【００６１】
正孔輸送層４０の形成材料としては、ＴＦＢが好適に用いられる。ＴＦＢは、正孔注入層３８と有機発光層４２の間に配設されることにより、正孔注入層３８から有機発光層４２への正孔の輸送を容易にする機能を有しており、したがって得られる有機ＥＬ装置２（有機ＥＬ素子４）の発光特性をより良好にすることができる。
【００６２】
正孔輸送層４０の形成材料については前記材料に限定されることなく、ＴＦＢに代えて、例えばＦ８−ＴＰＡ等、従来公知の種々の正孔輸送材料を用いることができる。なお、このような正孔輸送層４０にも、後述するように、前記正孔注入層３８中に含まれている金属成分が、量的には少ないものの含まれている。
【００６３】
次に、正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ４０）。具体的には、高分子材料の赤色発光材料を、１．８ｗｔ％のキシレン溶液とし、この溶液を正孔輸送層４０上にスピンコート法で塗布し、次いでこの塗布膜を窒素雰囲気において１３０℃程度の温度で３０分程度加熱して焼成し、厚さが６０〜８０ｎｍ程度の有機発光層４２を形成する。
【００６４】
次に、有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ５０）。具体的には、有機発光層４２上に、例えば真空度が１０-6Ｔｏｒｒ（１．３３×１０-4Ｐａ）の雰囲気でカルシウムを真空蒸着法により１０ｎｍ程度の厚さに成膜した後、同様の条件下でアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ程度の厚さに成膜して、カルシウム膜とアルミニウム膜とからなる共通電極３４（図２参照）を形成する。このようにして、図２に示した有機ＥＬ素子４が得られる。
【００６５】
（実施例２）
次に、実施例１と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図３（Ｂ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４の製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４の製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ８０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１００）とを備えている。
【００６６】
本実施例が実施例１と異なる点は、液滴吐出法を用いて、正孔輸送層４０を形成する点である。以下、図３（Ｂ）のフローチャートに従い、図２を用いて有機ＥＬ素子４の製造方法について説明する。
【００６７】
まず、図２に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ６０）。
【００６８】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に、正孔注入層３８を形成する（ステップＳ７０）。
【００６９】
次に、正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ８０）。具体的には、正孔輸送層４０の形成材料として、実施例１で用いたＴＦＢを０．９ｗｔ％のシクロヘキシルベンゼン溶液とし、これを正孔注入層３８と同様に液滴吐出法で隔壁４８の間に配する。次いで、配した溶液を窒素雰囲気において１８０℃程度の温度で１時間程度加熱して乾燥させる。次いで、その表面をキシレン溶媒で洗浄し、キシレン溶媒に対して可溶な表層を除去するとともに不溶な層を残して、厚さが１０〜２０ｎｍ程度の正孔輸送層４０を形成する。
【００７０】
次に、実施例１と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ９０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１００）。このようにして、図２に示した有機ＥＬ素子４が得られる。
【００７１】
（比較例１）
次に、実施例１及び２と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４の製造方法を示すフローチャートである。本比較例の有機ＥＬ素子４の製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１１０）と、正孔注入層３８をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１５０）とを備えている。
【００７２】
本比較例が実施例１及び２と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ａ）のフローチャートに従い、図２を用いて有機ＥＬ素子４の製造方法について説明する。
【００７３】
まず、図２に示すように、本比較例においても、実施例１及び２と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１１０）。
【００７４】
次に、隔壁４８の間に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１２０）。具体的には、画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に、正孔注入層３８を形成した後、この上に正孔輸送層４０を形成し、次いでこの上に有機発光層４２を形成する。具体的には、例えばポリチオフェン誘導体である３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）をポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）に分散させ、さらにこれを水に分散させたＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ溶液を画素電極３０及びＴＦＴ基板２２上に一括して成膜する。ここでは、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ溶液をスピンコート法で塗布しこの塗布膜を１５０℃程度で焼成して、厚さが５０〜６０ｎｍ程度の正孔注入層３８を形成する。
【００７５】
正孔注入層３８の形成材料としては、特に、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液が好適に用いられる。このＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に、ポリチオフェン誘導体である３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させたものである。このＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは、特にポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）が水との結合によって強酸性を呈するものである。ここで、この正孔注入層３８中には、後述する手法により、金属イオン等の金属成分がほぼ均一に分布した状態で含まれている。
【００７６】
なお、正孔注入層３８の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体等を、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。
【００７７】
次に、実施例１と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１３０）。
次に、実施例１と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１４０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１５０）。
【００７８】
（比較例２）
次に、実施例１及び２と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４の製造方法を示すフローチャートである。本比較例の有機ＥＬ素子４の製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１８０）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２００）とを備えている。
【００７９】
本比較例が実施例１及び２と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ｂ）のフローチャートに従い、図２を用いて有機ＥＬ素子４の製造方法について説明する。
【００８０】
まず、図２に示すように、本比較例においても、実施例１及び２と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１６０）。
【００８１】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１７０）。
次に、実施例２と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１８０）。
【００８２】
次に、正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１９０）。具体的には、有機発光層４２の形成材料として、赤色発光材料を１．５ｗｔ％のシクロヘキシルベンゼン溶液とし、これを正孔注入層３８等と同様に液滴吐出法で隔壁４８の間に配する。ここでも、溶液の粘度を調整することにより溶液を安定に吐出することができる。次いで、配した溶液を窒素雰囲気において１３０℃程度の温度で３０分程度加熱して焼成し、厚さが６０〜８０ｎｍ程度の有機発光層４２を形成する。ここで、赤色発光材料として、実施例１と同様な材料が用いられる。
【００８３】
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２００）。
【００８４】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表１に示す。なお、表１には、全層スピンコート法で作成した比較例１の半減時間を１とするように規格化して示している。
【００８５】
【表１】
【００８６】
本実施形態によれば、表１に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した素子より半減時間が２２％まで低下した。一方、正孔注入層３８を液滴吐出法で積層し、正孔輸送層４０及び有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４と同等の半減時間が得られた。
【００８７】
さらには正孔注入層３８及び正孔輸送層４０を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２のみをスピンコート法で積層すれば全層スピンコート法で作成した有機ＥＬ素子４と同等の寿命特性を得ることが可能となった（図示しないが、他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【００８８】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４の材料利用効率を表２に示す。なお、表２には、全層スピンコート法で作成した比較例１の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【００８９】
【表２】
【００９０】
本実施形態によれば、表２に示すように、材料利用効率は、正孔注入層３８のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の４０倍となった。さらに、正孔注入層３８及び正孔輸送層４０まで液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の５０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【００９１】
［第３の実施形態］
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図５は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子４Ａを拡大して示す側断面構成図である。本実施形態に係る有機ＥＬ素子４Ａの製造方法は、全有機機能層３２の形成材料として、低分子材料が用いられる点である。なお、有機発光層４２の形成材料として、蛍光材料が用いられている。
【００９２】
（実施例３）
図６は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ａの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ａの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２１０）と、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ２２０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２３０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２４０）とを備えている。
【００９３】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入輸送層５２を形成し、スピンコート法を用いて、有機発光層４２を形成する。以下、図６のフローチャートに従い、図５を用いて有機ＥＬ素子４Ａの製造方法について説明する。
【００９４】
まず、図５に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２１０）。
【００９５】
次に、隔壁４８の間に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ２２０）。具体的には、正孔注入輸送層５２の形成材料として、ＶＢ−ＴＣＴＡを０．３ｗｔ％のジクロロベンゼン溶液とし、この溶液を液滴吐出法で隔壁４８の間に配する。ここでも、溶液の粘度を調整することにより溶液を安定に吐出することができる。次いで、配した溶液を窒素雰囲気において１８０℃程度の温度で３０分程度加熱して乾燥させ有機溶媒に対して不溶な厚さが２０ｎｍ程度の正孔注入輸送層５２を形成する。
【００９６】
次に、正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ２３０）。具体的には、赤色発光材料のＣＢＰ−ＤＣＭを、０．５ｗｔ％のトルエン溶液とし、この溶液を正孔注入輸送層５２上にスピンコート法で塗布し、次いでこの塗布膜を窒素雰囲気において１３０℃程度の温度で３０分程度加熱して焼成し、厚さが３０〜４０ｎｍ程度の有機発光層４２を形成する。ここで、ホスト材料にはＣＢＰ（ビフェニル）、蛍光ゲスト材料には４一（ジシアノ−メチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４−ピラン（ＤＣＭ）が用いられる。
【００９７】
次に、有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２４０）。具体的には、有機発光層４２上に、例えば真空度が１０-6Ｔｏｒｒ（１．３３×１０-4Ｐａ）の雰囲気で真空蒸着法により、層厚３０ｎｍのＢＣＰ（バソキュプロイン）層を積層して正孔ブロック層５４を形成し、その上に層厚３０ｎｍのＡｌｑ3（トリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体）層及び層厚１ｎｍのＬｉＦ（フッ化リチウム）層を順次積層して電子輸送層５６を形成し、その上に層厚２００ｎｍのＡｌ層を積層して共通電極３４を形成する。このようにして、図５に示した有機ＥＬ素子４Ａが得られる。
【００９８】
（比較例３）
次に、実施例３と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図７（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ａの製造方法を示すフローチャートである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ａの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２５０）と、正孔注入輸送層５２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２６０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２７０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２８０）とを備えている。
【００９９】
本比較例が実施例３と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図７（Ａ）のフローチャートに従い、図５を用いて有機ＥＬ素子４Ａの製造方法について説明する。
【０１００】
まず、図５に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２５０）。
【０１０１】
次に、隔壁４８の間に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ２６０）。具体的には、画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入輸送層５２としてＶＢ−ＴＣＴＡを０．９ｗｔ％塩化メチレン溶液としスピンコート法により２０ｎｍ形成し、窒素雰囲気下において１８０℃、３０分、加熱し塗布膜を焼成し、有機溶媒に不溶な正孔注入輸送層５２を形成する。
【０１０２】
次に、実施例３と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ２７０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２８０）。
【０１０３】
（比較例４）
次に、実施例３と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図７（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ａの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ａの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２９０）と、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ３００）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ３１０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ３２０）とを備えている。
【０１０４】
本比較例が実施例３と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図７（Ｂ）のフローチャートに従い、図５を用いて有機ＥＬ素子４Ａの製造方法について説明する。
【０１０５】
まず、図５に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２９０）。
【０１０６】
次に、実施例３と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ３００）。
【０１０７】
次に、正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ３１０）。具体的には、赤色発光材料のＣＢＰ−ＤＣＭを、０．５ｗｔ％のジクロロベンゼン溶液とし、この溶液を正孔注入輸送層５２上に液滴吐出法で吐出し、次いでこの吐出膜を窒素雰囲気において１３０℃程度の温度で３０分程度加熱して焼成し、厚さが３０〜４０ｎｍ程度の有機発光層４２を形成する。ここで、ホスト材料にはＣＢＰ、蛍光ゲスト材料にはＤＣＭが用いられる。
【０１０８】
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ３２０）。
【０１０９】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ａを初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表３に示す。なお、表３には、全層スピンコート法で作成した比較例３の半減時間を１とするように規格化して示している。
【０１１０】
【表３】
【０１１１】
本実施形態によれば、表３に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した有機ＥＬ素子４Ａより半減時間が４０％まで低下した。一方、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ａの半減時間は、全層スピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ａと同等の半減時間が得られた（他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【０１１２】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ａの材料利用効率を表４に示す。なお、表４には、全層スピンコート法で作成した比較例３の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【０１１３】
【表４】
【０１１４】
本実施形態によれば、表４に示すように、材料利用効率は、正孔注入輸送層５２のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の３０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【０１１５】
［第４の実施形態］
次に、第３の実施形態と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。本実施形態が第３の実施形態と異なる点は、全有機機能層３２の形成材料として、低分子材料が用いられる点である。なお、有機発光層４２の形成材料として、燐光材料が用いられている。
【０１１６】
（実施例４）
図６は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ａの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ａの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２１０）と、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ２２０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２３０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２４０）とを備えている。
【０１１７】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入輸送層５２を形成し、スピンコート法を用いて、有機発光層４２を形成する。以下、図６のフローチャートに従い、図５を用いて有機ＥＬ素子４Ａの製造方法について説明する。
【０１１８】
まず、図５に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２１０）。
【０１１９】
次に、実施例３と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ２２０）。
【０１２０】
次に、正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ２３０）。具体的には、赤色発光材料のＣＢＰ−ＰｔＯＥＰを、０．５ｗｔ％の塩化メチレン溶液とし、この溶液を正孔注入輸送層５２上にスピンコート法で塗布し、次いでこの塗布膜を窒素雰囲気において１３０℃程度の温度で３０分程度加熱して焼成し、厚さが３０〜４０ｎｍ程度の有機発光層４２を形成する。ここで、ホスト材料にはＣＢＰ、燐光ゲスト材料にはＰｔＯＥＰが用いられる。
【０１２１】
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２４０）。このようにして、図５に示した有機ＥＬ素子４Ａが得られる。
【０１２２】
（比較例５）
次に、実施例４と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図７（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ａの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ａの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２５０）と、正孔注入輸送層５２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２６０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２７０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２８０）とを備えている。
【０１２３】
本比較例が実施例３と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図７（Ａ）のフローチャートに従い、図５を用いて有機ＥＬ素子４Ａの製造方法について説明する。
【０１２４】
まず、図５に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２５０）。
【０１２５】
次に、比較例３と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ２６０）。
次に、実施例４と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ２７０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２８０）。
【０１２６】
（比較例６）
次に、実施例４と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図７（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ａの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ａの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２９０）と、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ３００）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ３１０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ３２０）とを備えている。
【０１２７】
本比較例が実施例３と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図７（Ｂ）のフローチャートに従い、図５を用いて有機ＥＬ素子４Ａの製造方法について説明する。
【０１２８】
まず、図５に示すように、本比較例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２９０）。
【０１２９】
次に、実施例３と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ３００）。
【０１３０】
次に、正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ３１０）。具体的には、赤色発光材料のＣＢＰ−ＰｔＯＥＰを、０．５ｗｔ％のジクロロベンゼン溶液とし、この溶液を正孔注入輸送層５２上に液滴吐出法で吐出し、次いでこの吐出膜を窒素雰囲気において１３０℃程度の温度で３０分程度加熱して焼成し、厚さが３０〜４０ｎｍ程度の有機発光層４２を形成する。ここで、ホスト材料にはＣＢＰ、燐光ゲスト材料にはＰｔＯＥＰが用いられる。
【０１３１】
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ３２０）。
【０１３２】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ａを初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表５に示す。なお、表５には、全層スピンコート法で作成した比較例５の半減時間を１とするように規格化して示している。
【０１３３】
【表５】
【０１３４】
本実施形態によれば、表５に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した有機ＥＬ素子４Ａより半減時間が２６％まで低下した。一方、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ａの半減時間は、全層スピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ａと同等の半減時間が得られた（他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【０１３５】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ａの材料利用効率を表６に示す。なお、表６には、全層スピンコート法で作成した比較例５の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【０１３６】
【表６】
【０１３７】
本実施形態によれば、表６に示すように、材料利用効率は、正孔注入輸送層５２のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の３０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【０１３８】
［第５の実施形態］
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図８は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子４Ｂを拡大して示す側断面構成図である。本実施形態に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、正孔注入層３８の形成材料として、高分子材料が用いられ、正孔輸送層４０及び有機発光層４２の形成材料として、低分子材料が用いられる点である。なお、有機発光層４２の形成材料として、燐光材料が用いられている。
【０１３９】
（実施例５）
図３（Ａ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ５０）とを備えている。
【０１４０】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入層３８を形成し、スピンコート法を用いて、正孔輸送層４０及び有機発光層４２を形成する。以下、図３（Ａ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０１４１】
まず、図８に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１０）。
【０１４２】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ２０）。
【０１４３】
次に、正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ３０）。具体的には、正孔輸送層４０の形成材料として、ＶＢ−ＴＣＴＡを０．９ｗｔ％の塩化メチレン溶液とし、この溶液を正孔注入層３８上にスピンコート法で塗布し、次いでこの塗布膜を窒素雰囲気において１８０℃程度の温度で３０分程度加熱して乾燥させ有機溶媒に対して不溶な厚さが２０ｎｍ程度の正孔輸送層４０を形成する。
【０１４４】
次に、実施例４と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ４０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ５０）。このようにして、図８に示した有機ＥＬ素子４Ｂが得られる。
【０１４５】
（実施例６）
次に、実施例５と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図３（Ｂ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ８０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１００）とを備えている。
【０１４６】
本実施例が実施例５と異なる点は、液滴吐出法を用いて、正孔輸送層４０を形成する点である。以下、図３（Ｂ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０１４７】
まず、図８に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ６０）。
【０１４８】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ７０）。
【０１４９】
次に、正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ８０）。具体的には、正孔輸送層４０の形成材料として、ＶＢ−ＴＣＴＡを０．３ｗｔ％のジクロロベンゼン溶液とし、この溶液を正孔注入層３８上に液滴吐出法で吐出し、次いでこの吐出膜を窒素雰囲気において１８０℃程度の温度で３０分程度加熱して乾燥させ有機溶媒に対して不溶な厚さが２０ｎｍ程度の正孔輸送層４０を形成する。
【０１５０】
次に、実施例４と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ９０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１００）。このようにして、図８に示した有機ＥＬ素子４Ｂが得られる。
【０１５１】
（比較例７）
次に、実施例５及び６と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローチャートである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１１０）と、正孔注入層３８をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１５０）とを備えている。
【０１５２】
本比較例が実施例５及び６と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ａ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０１５３】
まず、図８に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１１０）。
【０１５４】
次に、比較例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１２０）。ここで、正孔注入層３８の材料として、比較例１と同様な材料が用いられる。
次に、実施例５と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１３０）。
次に、実施例４と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１４０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１５０）。
【０１５５】
（比較例８）
次に、実施例５及び６と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローチャートである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１８０）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２００）とを備えている。
【０１５６】
本比較例が実施例５及び６と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ｂ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０１５７】
まず、図８に示すように、本比較例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１６０）。
【０１５８】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１７０）。
次に、実施例６と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１８０）。
次に、比較例６と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１９０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２００）。
【０１５９】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｂを初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表７に示している。なお、表７には、全層スピンコート法で作成した比較例７の半減時間を１とするように規格化して示している。
【０１６０】
【表７】
【０１６１】
本実施形態によれば、表７に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した有機ＥＬ素子４Ｂより半減時間が３０％まで低下した。一方、正孔注入層３８を液滴吐出法で積層し、正孔輸送層４０及び有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｂの半減時間は、全層スピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｂと同等の半減時間が得られた。
【０１６２】
さらには正孔注入層３８及び正孔輸送層４０を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２のみをスピンコート法で積層すれば全層スピンコート法で作成した有機ＥＬ素子４Ｂと同等の寿命特性を得ることが可能となった（図示しないが、他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【０１６３】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｂの材料利用効率を表８に示す。なお、表８には、全層スピンコート法で作成した比較例７の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【０１６４】
【表８】
【０１６５】
本実施形態によれば、表８に示すように、材料利用効率は、正孔注入層３８のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の４０倍となった。さらに、正孔注入層３８及び正孔輸送層４０まで液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の５０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【０１６６】
［第６の実施形態］
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図９は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子４Ｃを拡大して示す側断面構成図である。本実施形態に係る有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法は、正孔注入層３８の形成材料として、高分子材料が用いられ、正孔注入輸送層５２及び有機発光層４２の形成材料として、低分子材料が用いられる点である。なお、有機発光層４２の形成材料として、蛍光材料が用いられている。
【０１６７】
（実施例７）
図１０（Ａ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ３３０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ３４０）と、正孔注入輸送層５２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ３５０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ３６０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ３７０）とを備えている。
【０１６８】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入層３８を形成し、スピンコート法を用いて、正孔注入輸送層５２及び有機発光層４２を形成する。以下、図１０（Ａ）のフローチャートに従い、図９を用いて有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法について説明する。
【０１６９】
まず、図９に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ３３０）。
【０１７０】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ３４０）。
次に、比較例３と同様に正孔注入層３８上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ３５０）。
次に、実施例３と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ３６０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ３７０）。このようにして、図９に示した有機ＥＬ素子４Ｃが得られる。
【０１７１】
（実施例８）
次に、実施例７と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図１０（Ｂ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ３８０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ３９０）と、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ４００）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４１０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ４２０）とを備えている。
【０１７２】
本実施例が実施例７と異なる点は、液滴吐出法を用いて、正孔注入輸送層５２を形成する点である。以下、図１０（Ｂ）のフローチャートに従い、図９を用いて有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法について説明する。
【０１７３】
まず、図９に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ３８０）。
【０１７４】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ３９０）。
次に、実施例３と同様に正孔注入層３８上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ４００）。
次に、実施例３と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ４１０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ４２０）。このようにして、図９に示した有機ＥＬ素子４Ｃが得られる。
【０１７５】
（比較例９）
次に、実施例７及び８と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図１１（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法を示すフローチャートである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ４３０）と、正孔注入層３８をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４４０）と、正孔注入輸送層５２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４５０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４６０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ４７０）とを備えている。
【０１７６】
本比較例が実施例７及び８と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図１１（Ａ）のフローチャートに従い、図９を用いて有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法について説明する。
【０１７７】
まず、図９に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ４３０）。
【０１７８】
次に、比較例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ４４０）。
次に、比較例３と同様に正孔注入層３８上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ４５０）。
次に、実施例３と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ４６０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ４７０）。
【０１７９】
（比較例１０）
次に、実施例７及び８と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図１１（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法を示すフローチャートである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ４８０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ４９０）と、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ５００）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ５１０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ５２０）とを備えている。
【０１８０】
本比較例が実施例７及び８と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図１１（Ｂ）のフローチャートに従い、図９を用いて有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法について説明する。
【０１８１】
まず、図９に示すように、本比較例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ４８０）。
【０１８２】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ４９０）。
次に、実施例３と同様に正孔注入層３８上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ５００）。
次に、比較例４と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ５１０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ５２０）。
【０１８３】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｃを初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表９に示す。なお、表９には、全層スピンコート法で作成した比較例９の半減時間を１とするように規格化して示している。
【０１８４】
【表９】
【０１８５】
本実施形態によれば、表９に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した有機ＥＬ素子４Ｃより半減時間が２８％まで低下した。一方、正孔注入層３８を液滴吐出法で積層し、正孔注入輸送層５２及び有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｃの半減時間は、全層スピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｃと同等の半減時間が得られた。
【０１８６】
さらには正孔注入層３８及び正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２のみをスピンコート法で積層すれば全層スピンコート法で作成した有機ＥＬ素子４Ｃと同等の寿命特性を得ることが可能となった（他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【０１８７】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｃの材料利用効率を表１０に示す。なお、表１０には、全層スピンコート法で作成した比較例９の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【０１８８】
【表１０】
【０１８９】
本実施形態によれば、表１０に示すように、材料利用効率は、正孔注入層３８のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の４０倍となった。さらに、正孔注入層３８及び正孔注入輸送層５２まで液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の５０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【０１９０】
［第７の実施形態］
次に、第５の実施形態と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。本実施形態が第５の実施形態と異なる点は、正孔注入層３８及び正孔輸送層４０の形成材料として、高分子材料が用いられ、有機発光層４２の形成材料として、低分子材料が用いられる点である。なお、有機発光層４２の形成材料として、燐光材料が用いられている。
【０１９１】
（実施例９）
図３（Ａ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ５０）とを備えている。
【０１９２】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入層３８を形成し、スピンコート法を用いて、正孔輸送層４０及び有機発光層４２を形成する。以下、図３（Ａ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０１９３】
まず、図８に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１０）。
【０１９４】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ２０）。
次に、実施例１と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ３０）。
次に、実施例４と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ４０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ５０）。このようにして、図８に示した有機ＥＬ素子４Ｂが得られる。
【０１９５】
（実施例１０）
次に、実施例９と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図３（Ｂ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ８０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１００）とを備えている。
【０１９６】
本実施例が実施例９と異なる点は、液滴吐出法を用いて、正孔輸送層４０を形成する点である。以下、図３（Ｂ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０１９７】
まず、図８に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ６０）。
【０１９８】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ７０）。
次に、実施例２と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ８０）。
次に、実施例４と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ９０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１００）。このようにして、図８に示した有機ＥＬ素子４Ｂが得られる。
【０１９９】
（比較例１１）
次に、実施例９及び１０と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１１０）と、正孔注入層３８をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１５０）とを備えている。
【０２００】
本比較例が実施例９及び１０と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ａ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０２０１】
まず、図８に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１１０）。
【０２０２】
次に、比較例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１２０）。
次に、実施例１と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１３０）。
次に、実施例４と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１４０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１５０）。
【０２０３】
（比較例１２）
次に、実施例９及び１０と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１８０）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２００）とを備えている。
【０２０４】
本比較例が実施例９及び１０と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ｂ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０２０５】
まず、図８に示すように、本比較例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１６０）。
【０２０６】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１７０）。
次に、実施例２と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１８０）。
次に、比較例６と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１９０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２００）。
【０２０７】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｂを初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表１１に示す。なお、表１１には、全層スピンコート法で作成した比較例１１の半減時間を１とするように規格化して示している。
【０２０８】
【表１１】
【０２０９】
本実施形態によれば、表１１に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した有機ＥＬ素子４Ｂより半減時間が３２％まで低下した。一方、正孔注入層３８を液滴吐出法で積層し、正孔輸送層４０及び有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｂの半減時間は、全層スピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｂと同等の半減時間が得られた。
【０２１０】
さらには正孔注入層３８及び正孔輸送層４０を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２のみをスピンコート法で積層すれば全層スピンコート法で作成した有機ＥＬ素子４Ｂと同等の寿命特性を得ることが可能となった（他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【０２１１】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｂの材料利用効率を表１２に示す。なお、表１２には、全層スピンコート法で作成した比較例１１の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【０２１２】
【表１２】
【０２１３】
本実施形態によれば、表１２に示すように、材料利用効率は、正孔注入層３８のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の４０倍となった。さらに、正孔注入層３８及び正孔輸送層４０まで液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の５０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【０２１４】
［第８の実施形態］
次に、第５及び７の実施形態と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。本実施形態が第５及び７の実施形態と異なる点は、正孔注入層３８及び正孔輸送層４０の形成材料として、高分子材料が用いられ、有機発光層４２の形成材料として、低分子材料が用いられる点である。なお、有機発光層４２の形成材料として、蛍光材料が用いられている。
【０２１５】
（実施例１１）
図３（Ａ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ５０）とを備えている。
【０２１６】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入層３８を形成し、スピンコート法を用いて、正孔輸送層４０及び有機発光層４２を形成する。以下、図３（Ａ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０２１７】
次に、図８に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１０）。
【０２１８】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ２０）。
次に、実施例１と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ３０）。
次に、実施例３と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ４０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ５０）。このようにして、図８に示した有機ＥＬ素子４Ｂが得られる。
【０２１９】
（実施例１２）
次に、実施例１１と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図３（Ｂ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ８０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１００）とを備えている。
【０２２０】
本実施例が実施例１１と異なる点は、液滴吐出法を用いて、正孔輸送層４０を形成する点である。以下、図３（Ｂ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０２２１】
まず、図８に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ６０）。
【０２２２】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ７０）。
次に、実施例２と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ８０）。
次に、実施例３と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ９０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１００）。このようにして、図８に示した有機ＥＬ素子４Ｂが得られる。
【０２２３】
（比較例１３）
次に、実施例１１及び１２と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１１０）と、正孔注入層３８をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１５０）とを備えている。
【０２２４】
本比較例が実施例１１及び１２と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ａ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０２２５】
まず、図８に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１１０）。
【０２２６】
次に、比較例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１２０）。
次に、実施例１と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１３０）。
次に、実施例３と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１４０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１５０）。
【０２２７】
（比較例１４）
次に、実施例１１及び１２と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１８０）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２００）とを備えている。
【０２２８】
本比較例が実施例１１及び１２と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ｂ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０２２９】
まず、図８に示すように、本比較例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１６０）。
【０２３０】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１７０）。
次に、実施例２と同様にして正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１８０）。
次に、比較例４と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１９０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２００）。
【０２３１】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｂを初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表１３に示す。なお、表１３には、全層スピンコート法で作成した比較例１３の半減時間を１とするように規格化して示している。
【０２３２】
【表１３】
【０２３３】
本実施形態によれば、表１３に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した有機ＥＬ素子４Ｂより半減時間が３２％まで低下した。一方、正孔注入層３８を液滴吐出法で積層し、正孔輸送層４０及び有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｂの半減時間は、全層スピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｂと同等の半減時間が得られた。
【０２３４】
さらには正孔注入層３８及び正孔輸送層４０を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２のみをスピンコート法で積層すれば全層スピンコート法で作成した有機ＥＬ素子４Ｂと同等の寿命特性を得ることが可能となった（他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【０２３５】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｂの材料利用効率を表１４に示す。なお、表１４には、全層スピンコート法で作成した比較例１３の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【０２３６】
【表１４】
【０２３７】
本実施形態によれば、表１４に示すように、材料利用効率は、正孔注入層３８のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の４０倍となった。さらに、正孔注入層３８及び正孔輸送層４０まで液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の５０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【０２３８】
［第９の実施形態］
次に、第２の実施形態と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。本実施形態が第２の実施形態と異なる点は、正孔注入層３８及び有機発光層４２の形成材料として、高分子材料が用いられ、正孔輸送層４０の形成材料として、低分子材料が用いられる点である。
【０２３９】
（実施例１３）
図３（Ａ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４の製造方法を示すフローである。本実施例の有機ＥＬ素子４の製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ５０）とを備えている。
【０２４０】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入層３８を形成し、スピンコート法を用いて、正孔輸送層４０及び有機発光層４２を形成する。以下、図３（Ａ）のフローチャートに従い、図２を用いて有機ＥＬ素子４の製造方法について説明する。
【０２４１】
まず、図２に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１０）。
【０２４２】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ２０）。
次に、実施例５と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ３０）。
次に、実施例１と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ４０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ５０）。このようにして、図２に示した有機ＥＬ素子４が得られる。
【０２４３】
（実施例１４）
次に、実施例１３と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図３（Ｂ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４の製造方法を示すフローである。本実施例の有機ＥＬ素子４の製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ８０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１００）とを備えている。
【０２４４】
本実施例が実施例１３と異なる点は、液滴吐出法を用いて、正孔輸送層４０を形成する点である。以下、図３（Ｂ）のフローチャートに従い、図２を用いて有機ＥＬ素子４の製造方法について説明する。
【０２４５】
まず、図２に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ６０）。
【０２４６】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ７０）。
次に、実施例６と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ８０）。
次に、実施例１と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ９０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１００）。このようにして、図２に示した有機ＥＬ素子４が得られる。
【０２４７】
（比較例１５）
次に、実施例１３及び１４と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４の製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４の製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１１０）と、正孔注入層３８をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１５０）とを備えている。
【０２４８】
本比較例が実施例１３及び１４と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ａ）のフローチャートに従い、図２を用いて有機ＥＬ素子４の製造方法について説明する。
【０２４９】
まず、図２に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１１０）。
【０２５０】
次に、比較例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１２０）。
次に、実施例５と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１３０）。
次に、実施例１と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１４０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１５０）。
【０２５１】
（比較例１６）
次に、実施例１３及び１４と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４の製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４の製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１８０）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２００）とを備えている。
【０２５２】
本比較例が実施例１３及び１４と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ｂ）のフローチャートに従い、図２を用いて有機ＥＬ素子４の製造方法について説明する。
【０２５３】
まず、図２に示すように、本比較例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１６０）。
【０２５４】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１７０）。
次に、実施例６と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１８０）。
次に、比較例２と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１９０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２００）。
【０２５５】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表１５に示す。なお、表１５には、全層スピンコート法で作成した比較例１５の半減時間を１とするように規格化して示している。
【０２５６】
【表１５】
【０２５７】
本実施形態によれば、表１５に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した有機ＥＬ素子４より半減時間が２２％まで低下した。一方、正孔注入層３８を液滴吐出法で積層し、正孔輸送層４０及び有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４の半減時間は、全層スピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４と同等の半減時間が得られた。
【０２５８】
さらには正孔注入層３８及び正孔輸送層４０を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２のみをスピンコート法で積層すれば全層スピンコート法で作成した有機ＥＬ素子４と同等の寿命特性を得ることが可能となった（他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【０２５９】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４の材料利用効率を表１６に示す。なお、表１６には、全層スピンコート法で作成した比較例１５の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【０２６０】
【表１６】
【０２６１】
本実施形態によれば、表１６に示すように、材料利用効率は、正孔注入層３８のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の４０倍となった。さらに、正孔注入層３８及び正孔輸送層４０まで液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の５０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【０２６２】
［第１０の実施形態］
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図１２は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子４Ｄを拡大して示す側断面構成図である。本実施形態に係る有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法は、正孔注入輸送層５２の形成材料として、低分子材料が用いられ、有機発光層４２の形成材料として、高分子材料が用いられる点である。
【０２６３】
（実施例１５）
図６は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２１０）と、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ２２０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２３０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２４０）とを備えている。
【０２６４】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入輸送層５２を形成し、スピンコート法を用いて、有機発光層４２を形成する。以下、図６のフローチャートに従い、図１２を用いて有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法について説明する。
【０２６５】
まず、図１２に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２１０）。
【０２６６】
次に、実施例３と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ２２０）。
次に、実施例１と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ２３０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２４０）。このようにして、図１２に示した有機ＥＬ素子４Ｄが得られる。
【０２６７】
（比較例１７）
次に、実施例１５と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図７（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２５０）と、正孔注入輸送層５２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２６０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２７０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２８０）とを備えている。
【０２６８】
本比較例が実施例１５と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図７（Ａ）のフローチャートに従い、図１２を用いて有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法について説明する。
【０２６９】
まず、図１２に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２５０）。
【０２７０】
次に、比較例３と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ２６０）。
次に、実施例１と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ２７０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２８０）。
【０２７１】
（比較例１８）
次に、実施例１５と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図７（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２９０）と、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ３００）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ３１０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ３２０）とを備えている。
【０２７２】
本比較例が実施例１５と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図７（Ｂ）のフローチャートに従い、図１２を用いて有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法について説明する。
【０２７３】
まず、図１２に示すように、本比較例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２９０）。
【０２７４】
次に、実施例３と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ３００）。
次に、比較例２と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ３１０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ３２０）。
【０２７５】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｄを初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表１７に示す。なお、表１７には、全層スピンコート法で作成した比較例１７の半減時間を１とするように規格化して示している。
【０２７６】
【表１７】
【０２７７】
本実施形態によれば、表１７に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した有機ＥＬ素子４Ｄより半減時間が２０％まで低下した。一方、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｄの半減時間は、全層スピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｄと同等の半減時間が得られた（図示しないが、他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【０２７８】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｄの材料利用効率を表１８に示す。なお、表１８には、全層スピンコート法で作成した比較例１７の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【０２７９】
【表１８】
【０２８０】
本実施形態によれば、表１８に示すように、材料利用効率は、正孔注入輸送層５２のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の３０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【０２８１】
上記実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法にあっては、液滴吐出法を用いて有機機能層３２の液状の形成材料を配するので、材料の無駄を無くすことができ低コストで有機ＥＬ素子を製造することができる。また、グリコールエーテル類の高沸点溶媒等を添加することにより吐出する溶液の粘度を調整しているので、この溶液を安定に吐出させることができ、高信頼性の有機ＥＬ素子を製造することができる。前記のような溶媒が添加された形成材料で有機機能層３２を形成すると、溶媒を添加しない場合よりも有機機能層３２の抵抗値が２〜３桁程度小さくなる。そのため、優れた電気特性の有機ＥＬ素子を製造することができる。
【０２８２】
［電子機器］
次に、上記実施形態の有機ＥＬ素子を有するラインヘッド（有機ＥＬ装置）を備えた画像形成装置（電子機器）について説明する。
図１３は、本実施形態に係る画像形成装置１００を示す概略構成図である。
【０２８３】
画像形成装置１００は、転写媒体１０２の走行経路の近傍に、像担持体としての感光体ドラム１０４を備えている。感光体ドラム１０４の周囲には、感光体ドラム１０４の回転方向（図中に矢印で示す）に沿って、露光装置１０６、現像装置１０８及び転写ローラー１１０が順次配設されている。感光体ドラム１０４は、回転軸１１２の周りに回転可能に設けられており、その外周面には、回転軸方向中央部に感光面１０４Ａが形成されている。露光装置１０６及び現像装置１０８は感光体ドラム１０４の回転軸１１２に沿って長軸状に配置されており、その長軸方向の幅は、感光面１０４Ａの幅と概ね一致している。
【０２８４】
この画像形成装置１００では、まず、感光体ドラム１０４が回転する過程において、露光装置１０６の上流側に設けられた図示略の帯電装置により感光体ドラム１０４の表面（感光面１０４Ａ）が例えば正に帯電され、次いで露光装置１０６により感光体ドラム１０４の表面が露光されて表面に静電潜像ＬＡが形成される。さらに、現像装置１０８の現像ローラー１１４により、トナー（現像剤）１１６が感光体ドラム１０４の表面に付与され、静電潜像ＬＡの電気的吸着力によって静電潜像ＬＡに対応したトナー像が形成される。なお、トナー粒子は正に帯電されている。
【０２８５】
現像装置１０８によるトナー像の形成後は、感光体ドラム１０４の更なる回転によりトナー像が転写媒体１０２に接触し、転写ローラー１１０により転写媒体１０２の背面からトナー像のトナー粒子とは逆極性の電荷（ここでは負電荷）が付与され、これに応じて、トナー像を形成するトナー粒子が感光体ドラム１０４の表面から転写媒体１０２に吸引され、トナー像が転写媒体１０２の表面に転写される。
【０２８６】
露光装置１０６は、複数の発光素子１１８を有するラインヘッド１２０と、ラインヘッド１２０から放射された光Ｌを正立等倍結像させる複数のレンズ素子１２２を有する結像光学素子１２４とを備えている。ラインヘッド１２０と結像光学素子１２４とは、互いにアライメントされた状態で図示略のヘッドケースによって保持され、感光体ドラム１０４上に固定されている。
【０２８７】
ラインヘッド１２０は、複数の発光素子１１８を感光体ドラム１０４の回転軸１１２に沿って配列してなる発光素子列１２６と、発光素子１１８を駆動させる図示略の駆動素子からなる駆動素子群と、これら駆動素子（駆動素子群）の駆動を制御する制御回路群１２８とを備えている。発光素子１１８、駆動素子群及び制御回路群１２８は長細い矩形の素子基板（基体）１２０Ａ上に一体形成されている。
【０２８８】
結像光学素子１２４は、日本板硝子株式会社製のセルフォック（登録商標）レンズ素子と同様の構成からなるレンズ素子１２２を感光体ドラム１０４の回転軸１１２に沿って千鳥状に２列配列（配置）してなるレンズ素子列１３０を備えている。
【０２８９】
一般に、ラインヘッドに用いられる発光素子には高輝度であることが求められており、通常は高輝度とするほど発光にじみが顕著となる。
【０２９０】
この画像形成装置１００は、ラインヘッド１２０が上記実施形態の有機ＥＬ素子で構成されている。
【０２９１】
次に、上記実施形態の有機ＥＬ素子を有する画像表示装置（有機ＥＬ装置）を表示部に用いた電子機器について説明する。
【０２９２】
図１４（Ａ）は、本実施形態に係る携帯電話の一例を示した斜視図である。携帯電話２００は表示部２０２を備えており、表示部２０２は上記実施形態の有機ＥＬ装置により構成されている。
図１４（Ｂ）は、本実施形態に係るワープロ、パソコン等の携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。情報処理装置３００は、キーボードなどの入力部３０２、表示部３０４、筐体３０６等を備えている。また、表示部３０４は、上記実施形態の有機ＥＬ装置により構成されている。
図１４（Ｃ）は、本実施形態に係る腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。時計４００は表示部４０２を備えている。表示部４０２は、上記実施形態の有機ＥＬ装置により構成されている。
【０２９３】
図１４（Ａ）〜（Ｃ）に示す電子機器はいずれも、その表示部が上記実施形態の有機ＥＬ装置により構成されているので、良好な表示が可能なものとなっている。
【０２９４】
なお、電子機器としては、前記電子機器に限られることなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、ディスクトップ型コンピューター、液晶プロジェクター、マルチメディア対応のパーソナルコンピューター（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャー、ワードプロセッサー、テレビ、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
【０２９５】
また、上記実施形態を適用した有機ＥＬ素子は、発光効率の高い発光素子を有しており、照明装置として用いることもできる。
【０２９６】
なお、上記実施形態の実施例及び比較例で用いた発光材料は赤に限定されるものではなく緑及び青でも可能である。また正孔注入層３８、正孔輸送層４０、正孔注入輸送層５２、有機発光層４２、正孔ブロック層５４、電子輸送層５６、共通電極３４は本実施例、比較例に記載の高分子材料、低分子材料、電極材料に限定されるものではない。
【０２９７】
また、上記実施形態で作成した素子を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間において、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した素子より半減時間が２０〜４０％まで低下している。
【符号の説明】
【０２９８】
２…有機ＥＬ装置 ４，４Ａ〜４Ｄ…有機ＥＬ素子 １０…走査線 １２…信号線 １４…電源線 １６…信号線駆動回路 １８…走査線駆動回路 ２０…画素 ２２…ＴＦＴ基板 ２４…保持容量 ２６…第１スイッチング素子 ２８…第２スイッチング素子 ３０…画素電極 ３２…有機機能層 ３４…共通電極 ３６…絶縁部 ３８…正孔注入層 ４０…正孔輸送層 ４２…有機発光層 ４８…隔壁 ５２…正孔注入輸送層 ５４…正孔ブロック層 ５６…電子輸送層 １００…画像形成装置 １０２…転写媒体 １０４…感光体ドラム １０４Ａ…感光面 １０６…露光装置 １０８…現像装置 １１０…転写ローラー １１２…回転軸 １１４…現像ローラー １１６…トナー（現像剤） １１８…発光素子 １２０…ラインヘッド １２０Ａ…素子基板（基体） １２２…レンズ素子 １２４…結像光学素子 １２６…発光素子列 １２８…制御回路群 １３０…レンズ素子列 ２００…携帯電話 ２０２…表示部 ３００…情報処理装置 ３０２…入力部 ３０４…表示部 ３０６…筐体 ４００…時計 ４０２…表示部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electroluminescence）素子は、薄型、全固体型、面状自発光及び高速応答であるといった特徴を有する発光装置であり、フラットディスプレイパネルやバックライトへの応用が期待されている。また、近年では、発光材料の三重項励起状態に起因する燐光を発光に用いる高効率な有機ＥＬ素子が提案されている。燐光材料が注目されているのは、燐光材料が原理的に高効率化を実現しやすい材料であると考えられているからである。すなわち、キャリア再結合により生成される励起子が一重項励起子と三重項励起子とからなり、その確率が１：３である。一重項を利用した有機ＥＬ素子では、一重項励起子から基底状態に遷移する際の蛍光を発光として取り出していたが、原理的にその発光収率が生成された励起子数に対して２５％であってこれが原理的上限であった。しかし、三重項から発生する励起子からの燐光を用いれば、原理的に少なくとも３倍の収率が期待される。さらに、燐光を用いることにより、エネルギー的に高い一重項から三重項への項間交差による転移を考え合わせれば、原理的には４倍の１００％の発光収率が期待できる。
【０００３】
ところで、このような有機ＥＬ素子における有機発光層を構成する材料としては、大きく分けて高分子系のものと低分子系のものとに分類される。高分子系材料は、有機溶媒に対する溶解性が比較的高いため、インクジェット法等の液滴吐出法による選択塗布が可能となる。一方、低分子系材料は、高分子系材料と比較して発光特性に優れている。
【０００４】
そして、液滴吐出法等の湿式法により形成された高分子系材料を用いた有機ＥＬ素子では、正孔注入層から発光層への正孔注入を促進するために高い導電性を有する有機膜を正孔注入層として用いている。
【０００５】
また、このような有機発光層を形成する方法としては、蒸着と塗布とに大別される。その蒸着の場合は、真空蒸着法によって主に溶解性の悪い低分子材料を用い有機薄膜を形成している。
【０００６】
一方、塗布の場合は、溶解性の高い高分子材料や低分子材料を溶媒に溶解あるいは分散させて、スピンコート法やインクジェット法により有機発光層を形成している。特にインクジェット法は、スピンコート法と比較して有機発光材料を無駄にせず、かつオンデマンドで微細パターニングを成膜する手段として大変有効である。
【０００７】
しかしながら、インクジェット法で作成した素子は高沸点溶媒の使用や成膜プロセス等の起因により、スピンコート法で作成した素子と比較して素子特性が大幅に低下してしまう傾向がある（例えば、非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】C.Sekine,FPD international 2008 Forum B-33
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このため、インクジェット法で作成した素子は高沸点溶媒の使用や成膜プロセス等の起因により、スピンコート法で作成した素子と比較して素子特性が大幅に低下してしまう問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【００１１】
［適用例１］第１電極と第２電極との間に有機ＥＬ材料からなる有機発光層を含んだ複数の有機層からなる有機機能層を有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、基板上に前記第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に前記有機機能層を形成する工程と、を含み、前記有機機能層を形成する工程では、前記有機発光層の液状の形成材料をスピンコート法で所定の位置に配した後、これを固化して前記有機発光層を形成し、前記有機発光層を除く前記複数の有機層のうちの少なくとも１層の液状の形成材料を液滴吐出法で所定の位置に配した後、これを固化して前記有機発光層を除く前記複数の有機層のうちの少なくとも１層を形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００１２】
発明者は、液滴吐出法において素子特性の低下をもたらしているのは発光層形成工程にあることを突き止めた。そこで鋭意研究の結果、正孔注入層及び正孔輸送層（又は注入輸送層）までを液滴吐出法で形成し、発光層をスピンコート法で形成する手法を得ることに成功し、その知見をもとに本発明を完成した。
【００１３】
これによれば、正孔注入層と正孔輸送層までを液滴吐出法で積層し、発光層をスピンコート法で積層することで、全層をスピンコート法で積層した素子と比較して同等の性能を有し、かつ、材料コストを大幅に低減できる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することができる。
【００１４】
［適用例２］上記有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機機能層を形成する工程では、前記有機機能層のうちの前記有機発光層を除く全ての前記複数の有機層を液滴吐出法で形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００１５】
これによれば、材料コストを大幅に低減できる。
【００１６】
［適用例３］上記有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機機能層を形成する工程では、全ての前記複数の有機層を高分子材料を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００１７】
これによれば、有機溶媒に対する溶解性が比較的高いため、液滴吐出法による選択塗布が容易になる。
【００１８】
［適用例４］上記有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機機能層を形成する工程では、全ての前記複数の有機層を低分子材料を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００１９】
これによれば、発光特性の高い有機発光層を形成できる。
【００２０】
［適用例５］上記有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機機能層を形成する工程では、前記複数の有機層を高分子材料で構成する第１の層と低分子材料で構成する第２の層とで形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００２１】
これによれば、スピンコート法や液滴吐出法による塗布方法の使い分けが容易になる。
【００２２】
［適用例６］上記有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機機能層を形成する工程では、前記有機発光層を蛍光材料を含有する液状の形成材料を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００２３】
これによれば、発光特性の高い有機発光層を容易に形成できる。
【００２４】
［適用例７］上記有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機機能層を形成する工程では、前記有機発光層を燐光材料を含有する液状の形成材料を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００２５】
これによれば、より発光特性の高い有機発光層を容易に形成できる。
【００２６】
［適用例８］上記１〜７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法によって製造されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【００２７】
これによれば、全層をスピンコート法で積層した素子と比較して同等の性能を有し、かつ、材料コストを大幅に低減できる有機ＥＬ素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】第１、２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図。
【図２】第１、２、９の実施形態に係る有機ＥＬ素子を拡大して示す側断面構成図。
【図３】（Ａ）は、実施例１、５、９、１１、１３に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート、（Ｂ）は、実施例２、６、１０、１２、１４に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。
【図４】（Ａ）は、比較例１、７、１１、１３、１５に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート、（Ｂ）は、比較例２、８、１２、１４、１６に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。
【図５】第３、４の実施形態に係る有機ＥＬ素子を拡大して示す側断面構成図。
【図６】実施例３、４、１５に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。
【図７】（Ａ）は、比較例３、５、１７に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート、（Ｂ）は、比較例４、６、１８に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。
【図８】第５、７、８の実施形態に係る有機ＥＬ素子を拡大して示す側断面構成図。
【図９】第６の実施形態に係る有機ＥＬ素子を拡大して示す側断面構成図。
【図１０】（Ａ）は、実施例７に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート、（Ｂ）は、実施例８に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。
【図１１】（Ａ）は、比較例９に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート、（Ｂ）は、比較例１０に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。
【図１２】第１０の実施形態に係る有機ＥＬ素子を拡大して示す側断面構成図。
【図１３】本実施形態に係る画像形成装置を示す概略構成図。
【図１４】（Ａ）は、本実施形態に係る携帯電話の一例を示した斜視図、（Ｂ）は、本実施形態に係るワープロ、パソコン等の携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図、（Ｃ）は、本実施形態に係る腕時計型電子機器の一例を示した斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下では、実施形態について図を参照しつつ説明する。実施形態の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、構造の特徴的な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造はその寸法や縮尺を実際の構造に対して異ならせて示す場合がある。
【００３０】
［第１の実施形態］
図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２の配線構造を示す模式図である。本実施形態の有機ＥＬ装置２は、スイッチング素子として薄膜トランジスター（以下、ＴＦＴと称す）を用いたアクティブマトリクス方式のものである。有機ＥＬ装置２は、図１に示すように、複数の走査線１０と、走査線１０に直交して延びる複数の信号線１２と、それぞれの信号線１２に並列に延びる複数の電源線１４と、を備えている。信号線１２には、シフトレジスター、レベルシフター、ビデオライン、及びアナログスイッチ等を有する信号線駆動回路１６が接続されている。また、走査線１０には、シフトレジスター及びレベルシフターを有する走査線駆動回路１８が接続されている。
【００３１】
また、走査線１０及び信号線１２により区画される領域には、画素２０が設けられている。画素２０は、発光素子として機能する有機ＥＬ素子４と、有機ＥＬ素子４に供給される電気信号をスイッチングするスイッチング素子と、前記電気信号を保持する保持容量２４と、を備えている。本実施形態では、前記スイッチング素子として、第１スイッチング素子２６と第２スイッチング素子２８とを備えている。
【００３２】
第１スイッチング素子２６のソース電極は、信号線１２から分岐されたものであり、第１スイッチング素子２６のドレイン電極は、第２スイッチング素子２８のゲート電極に電気的に接続されている。また、第１スイッチング素子２６の能動層は、ゲート絶縁膜を介して信号線１２と重なり合うように設けられており、重なり合う部分の信号線１２がゲート電極として機能するようになっている。
【００３３】
第２スイッチング素子２８のソース電極は、電源線１４から分岐されたものであり、第２スイッチング素子２８のドレイン電極は、有機ＥＬ素子４の画素電極（後述する）と電気的に接続されている。保持容量２４は、その一端が第１スイッチング素子２６のドレイン電極と第２スイッチング素子２８のゲート電極との間に電気的に接続されているともに、他端が電源線１４に電気的に接続されている。保持容量２４により、第２スイッチング素子２８のゲート電極に印加された電圧を一定期間保持することができるようになっている。
【００３４】
このような構成により、走査線駆動回路１８から所定のタイミングで発せられた電気信号は、走査線１０を介して第１スイッチング素子２６のゲート電極に供給され、第１スイッチング素子２６をオンにする。第１スイッチング素子２６がオンになると、信号線駆動回路１６からの電気信号は、信号線１２を介して第１スイッチング素子２６のソース電極に供給され、第１スイッチング素子２６の能動層及びドレイン電極を介して、第２スイッチング素子２８のゲート電極に供給されこれをオンにする。第２スイッチング素子２８がオンになると、電源線１４からの電気信号は、第２スイッチング素子２８のソース電極及びドレイン電極を介して有機ＥＬ素子４の画素電極に供給される。このように、有機ＥＬ素子４に所定の電気信号が所定のタイミングで供給されるようになっている。
【００３５】
図２は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子４を拡大して示す側断面構成図である。本実施形態の有機ＥＬ素子４は、図２に示すように、ＴＦＴ基板２２上に順に形成された画素電極（第１電極）３０、有機機能層３２、及び共通電極（第２電極）３４を備えている。画素電極３０は島状に形成されており、画素電極３０の間には、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）やシリコン窒化物（ＳｉＮ）等からなる絶縁部３６が形成されている。絶縁部３６は、画素電極３０の端部を覆うとともに、画素電極３０の中央部上を開口させて形成されている。この開口内に露出した画素電極３０上が発光領域Ｌとなっており、発光領域Ｌの間が非発光領域Ｂとなっている。また、有機機能層３２は、発光領域Ｌ及び非発光領域Ｂに配設されている。
【００３６】
本実施形態では、画素電極３０が陽極として機能するようになっており、共通電極３４が陰極として機能するようになっている。画素電極３０は、第２スイッチング素子２８のドレイン電極に電気的に接続されている。第２スイッチング素子２８のソース電極は、電源線１４を介して有機ＥＬ装置２の内部又は外部に設けられた電源（図示略）と接続可能とされており、共通電極３４は、配線等を介して電源と接続可能とされている。
【００３７】
ＴＦＴ基板２２は、ガラス等からなる基板上に、図１に示した第１スイッチング素子２６や第２スイッチング素子２８等のスイッチング素子、走査線１０や信号線１２、電源線１４等の各種配線等が形成されたものである。
【００３８】
画素電極３０は、仕事関数が高い（例えば５ｅＶ以上）導電材料、具体的にはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等からなっており、画素電極３０から有機機能層３２に正孔（キャリア）が効率的に供給されるようになっている。また、ＩＴＯは透光性を有する材料であり、有機機能層３２から発せられた光を画素電極３０側から取り出すことが可能となっている。
【００３９】
共通電極３４は、仕事関数が低い（例えば５ｅＶ以下）材料からなっている。仕事関数が低い材料としては、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物であるフッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体等が挙げられる。本実施形態では、有機機能層３２上に図示略のカルシウム層及びアルミニウム層が順に形成された多層構造となっている。カルシウム層は、有機機能層３２に電子を注入する電子注入層、あるいは有機機能層３２に電子を輸送する電子輸送層等として機能するようになっており、アルミニウム層は共通電極３４を低抵抗化するとともに有機機能層３２から発せられた光を画素電極３０側に反射する反射層としても機能するようになっている。
【００４０】
有機機能層３２は、有機ＥＬ材料からなる有機発光層４２を有するものである。有機機能層３２は、画素電極３０側から正孔注入層３８、有機発光層４２が順次積層された構造や、正孔注入層３８と有機発光層４２との間に正孔輸送層４０を設けた構造、正孔注入層３８に替えて正孔注入輸送層を設けた構造、さらに有機発光層４２の共通電極３４側に電子注入（輸送）層を設けた構造等を用いることができる。
【００４１】
有機機能層３２の形成材料としては、公知のものを用いることができ、具体的には以下のようなものが挙げられる。
【００４２】
正孔注入層３８の形成材料として、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体等が挙げられる。
【００４３】
正孔輸送層４０の形成材料としては、ＴＡＰＣ、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、２−ＴＮＡＴＡ、ＴＣＴＡ、スピロ−ＴＡＤ、（ＤＴＰ）ＤＰＰＤ、ＨＴＭ１、ＴＰＴＥ１、ＮＴＰＡ、ＴＦＬＴＦ、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）やポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系有機高分子材料等が挙げられる。
【００４４】
有機発光層４２の形成材料としては、前記した正孔輸送層４０の形成材料の他、ペニレン系色素や、クマリン系色素、ローダミン系色素等の有機高分子材料、あるいはこれら有機高分子材料に例えばルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子有機材料をドープしたもの、ＣＢＰ（４．４．−ジカルバゾール−４，４−ビフェニル）誘導体、ＰｔＯＥＰ（白金ポルフィリン錯体）誘導体、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（イリジウム錯体）誘導体、ＦＩｒｐｉｃ（イリジウム錯体）誘導体等の燐光材料等が挙げられる。
【００４５】
具体的には、高分子材料を有機発光層４２として用いた場合、Poly[{2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-(1-cyanovinylenephenylene)}-co-{2,5-bis(N,N'-diphenylamino)-1,4-phenylenel]等の赤色発光材料や、Poly[(9,9-dioctylfuorenyl-2,7-diyl)-co-(1,4-benzo-(2,1’,3)-thiadiazole)]等の緑色発光材料、Poly[(9,9-dihexylfuorenyl)-co-(9,10-anthracene)]等の青色発光材料等が挙げられる。
【００４６】
また、低分子材料を有機発光層４２として用いた場合、ホスト材料としてＣＢＰ等、蛍光ゲスト材料としてＤＣＭ等の赤色発光材料が、キナクリドン等の緑色発光材料、ペリレン等の青色発光材料が、燐光ゲスト材料としてＰｔＯＥＰ等の赤色発光材料、ＩｒＰＰｙ等の緑色発光材料、ＦＩｒｐｉｃ等の青色発光材料等が挙げられる。
【００４７】
電子輸送層５６の材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体等が挙げられる。
【００４８】
以上のような構成により、有機ＥＬ素子４が電源と電気的に接続された状態で第２スイッチング素子２８のゲート電極に電気信号が伝わりこれがオンになると、画素電極３０と共通電極３４との間に所定の電圧（電気信号）が印加（供給）される。これにより、画素電極３０から正孔注入層３８に正孔が供給され、この正孔は正孔注入層３８及び正孔輸送層４０を通って有機発光層４２に運ばれる。正孔注入層３８は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳからなる低抵抗のものであり、正孔はその厚さ方向に良好に輸送されて有機発光層４２に注入される。
【００４９】
有機発光層４２においては、注入された正孔が共通電極３４側から供給された電子と再結合することにより、前記電気信号に応じた光を発するようになっている。
【００５０】
画素電極３０側に発せられた光がＴＦＴ基板２２側から取り出されるとともに、共通電極３４側に発せられた光も共通電極３４により反射されてＴＦＴ基板２２側から取り出されるようになっている。取り出された光は、画像形成や画像表示等に用いることができるようになっている。
【００５１】
ここで、赤色の画素２０における積層体には、赤色の色光を発する発光層が形成されている。同様に、緑色の画素２０の積層体には緑色の色光を発する発光層が形成されており、青色の画素２０の積層体には青色の色光を発する発光層が形成されている。なお、各発光層が赤色、緑色、青色の異なる色光を発する３色方式に限定するものではなく、例えば、発光層は白色の単色で、画素ごとに赤色、緑色、青色のカラーフィルターを備えたカラーフィルター方式であってもよい。
【００５２】
なお、本実施形態では、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置２の構成例を説明したが、トップエミッション型の有機ＥＬ装置を採用することもでき、いずれの型を採用した場合でも本実施形態の効果を得ることができる。
【００５３】
［第２の実施形態］
次に、第１の実施形態の有機ＥＬ素子４に基づいて有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。本実施形態に係る有機ＥＬ素子４の製造方法は、全有機機能層３２の形成材料として、高分子材料が用いられる。
【００５４】
（実施例１）
図３（Ａ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４の製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４の製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ５０）とを備えている。
【００５５】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入層３８を形成し、スピンコート法を用いて、正孔輸送層４０及び有機発光層４２を形成する。以下、図３（Ａ）のフローチャートに従い、図１及び図２を用いて有機ＥＬ素子４の製造方法について説明する。
【００５６】
まず、有機ＥＬ素子形成用の基板を用意する。本実施例では、前記のＴＦＴ基板２２を基板に用いる。ＴＦＴ基板２２は、例えばガラス等からなる基板上に、図１に示した第１スイッチング素子２６や第２スイッチング素子２８等のスイッチング素子、走査線１０や信号線１２、電源線１４等の各種配線等が形成されたものである。これらは公知の形成材料や形成方法を用いて形成することができる。
【００５７】
次に、図２に示すように、ＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する（ステップＳ１０）。具体的には、ＴＦＴ基板２２上にＩＴＯ等の導電材料を成膜した後、この膜を公知のフォトリソグラフィ法及びエッチング技術等を用いてパターニングすることにより島状の画素電極３０を形成する。そして、画素電極３０及びＴＦＴ基板２２を覆ってシリコン酸化物を成膜した後、この膜をパターニングして画素電極３０上を開口する。これにより、画素電極３０の周縁部を覆うとともに、画素電極３０の所定の部分を露出させる開口部を有する絶縁部３６を形成する。ここでは、開口部内に露出した画素電極３０上が発光領域Ｌとし、発光領域Ｌの間が非発光領域Ｂとする。
【００５８】
次に、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１０）。隔壁４８は、公知の形成材料や形成方法を用いて形成することができる。例えば画素電極３０及び絶縁部３６を覆って樹脂材料を成膜した後、この樹脂膜をパターニングして画素電極３０や必要に応じて絶縁部３６の周縁部を露出させる開口部を形成することにより隔壁４８を形成する。なお、ＴＦＴ基板２２及び画素電極３０を覆って絶縁部３６の形成材料を成膜した後、この膜上に隔壁４８の形成材料を成膜し、次いで隔壁４８の材料膜及び絶縁部３６の材料膜を順にパターニングするようにしてもよい。
【００５９】
次に、隔壁４８の間に配した溶液に１５０℃で焼成処理を行って、正孔注入層３８を形成する（ステップＳ２０）。具体的には、有機機能層３２の液状の形成材料を液滴吐出ヘッド（図示せず）から吐出して、これを隔壁４８の間に層厚５０〜６０ｎｍの層を選択的に配する。本実施例では、正孔注入層３８の形成材料として、安定した吐出を可能にするため、前記第１の実施形態で用いたＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ分散液に溶媒を添加して粘度を調整した溶液を用いる。溶液としては、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ヘキサメチルホスソルアミド（ＨＭＰ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類の高沸点溶媒等を用いることができる。溶液の粘度を、１〜３ｗｔ％の溶液において２〜２０ｃｐｓ程度とすることが好ましく、７〜１０ｃｐｓ程度とすることがより好ましい。このようにすれば、液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに詰まりを生じることなく溶液を安定に吐出することができる。
【００６０】
次に、正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ３０）。具体的には、正孔輸送層４０の形成材料であるＴＦＢを１．５ｗｔ％のキシレン溶液とし、この溶液を正孔注入層３８上にスピンコート法で塗布し、次いでこの塗布膜を窒素雰囲気において１８０℃程度の温度で１時間程度加熱して乾燥させる。次いで、その表面をキシレン溶媒で洗浄し、キシレン溶媒に対して可溶な表層を除去するとともに不溶な層を残して、厚さが１０〜２０ｎｍ程度の正孔輸送層４０を形成する。
【００６１】
正孔輸送層４０の形成材料としては、ＴＦＢが好適に用いられる。ＴＦＢは、正孔注入層３８と有機発光層４２の間に配設されることにより、正孔注入層３８から有機発光層４２への正孔の輸送を容易にする機能を有しており、したがって得られる有機ＥＬ装置２（有機ＥＬ素子４）の発光特性をより良好にすることができる。
【００６２】
正孔輸送層４０の形成材料については前記材料に限定されることなく、ＴＦＢに代えて、例えばＦ８−ＴＰＡ等、従来公知の種々の正孔輸送材料を用いることができる。なお、このような正孔輸送層４０にも、後述するように、前記正孔注入層３８中に含まれている金属成分が、量的には少ないものの含まれている。
【００６３】
次に、正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ４０）。具体的には、高分子材料の赤色発光材料を、１．８ｗｔ％のキシレン溶液とし、この溶液を正孔輸送層４０上にスピンコート法で塗布し、次いでこの塗布膜を窒素雰囲気において１３０℃程度の温度で３０分程度加熱して焼成し、厚さが６０〜８０ｎｍ程度の有機発光層４２を形成する。
【００６４】
次に、有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ５０）。具体的には、有機発光層４２上に、例えば真空度が１０-6Ｔｏｒｒ（１．３３×１０-4Ｐａ）の雰囲気でカルシウムを真空蒸着法により１０ｎｍ程度の厚さに成膜した後、同様の条件下でアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ程度の厚さに成膜して、カルシウム膜とアルミニウム膜とからなる共通電極３４（図２参照）を形成する。このようにして、図２に示した有機ＥＬ素子４が得られる。
【００６５】
（実施例２）
次に、実施例１と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図３（Ｂ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４の製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４の製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ８０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１００）とを備えている。
【００６６】
本実施例が実施例１と異なる点は、液滴吐出法を用いて、正孔輸送層４０を形成する点である。以下、図３（Ｂ）のフローチャートに従い、図２を用いて有機ＥＬ素子４の製造方法について説明する。
【００６７】
まず、図２に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ６０）。
【００６８】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に、正孔注入層３８を形成する（ステップＳ７０）。
【００６９】
次に、正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ８０）。具体的には、正孔輸送層４０の形成材料として、実施例１で用いたＴＦＢを０．９ｗｔ％のシクロヘキシルベンゼン溶液とし、これを正孔注入層３８と同様に液滴吐出法で隔壁４８の間に配する。次いで、配した溶液を窒素雰囲気において１８０℃程度の温度で１時間程度加熱して乾燥させる。次いで、その表面をキシレン溶媒で洗浄し、キシレン溶媒に対して可溶な表層を除去するとともに不溶な層を残して、厚さが１０〜２０ｎｍ程度の正孔輸送層４０を形成する。
【００７０】
次に、実施例１と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ９０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１００）。このようにして、図２に示した有機ＥＬ素子４が得られる。
【００７１】
（比較例１）
次に、実施例１及び２と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４の製造方法を示すフローチャートである。本比較例の有機ＥＬ素子４の製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１１０）と、正孔注入層３８をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１５０）とを備えている。
【００７２】
本比較例が実施例１及び２と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ａ）のフローチャートに従い、図２を用いて有機ＥＬ素子４の製造方法について説明する。
【００７３】
まず、図２に示すように、本比較例においても、実施例１及び２と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１１０）。
【００７４】
次に、隔壁４８の間に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１２０）。具体的には、画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に、正孔注入層３８を形成した後、この上に正孔輸送層４０を形成し、次いでこの上に有機発光層４２を形成する。具体的には、例えばポリチオフェン誘導体である３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）をポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）に分散させ、さらにこれを水に分散させたＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ溶液を画素電極３０及びＴＦＴ基板２２上に一括して成膜する。ここでは、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ溶液をスピンコート法で塗布しこの塗布膜を１５０℃程度で焼成して、厚さが５０〜６０ｎｍ程度の正孔注入層３８を形成する。
【００７５】
正孔注入層３８の形成材料としては、特に、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液が好適に用いられる。このＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に、ポリチオフェン誘導体である３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させたものである。このＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは、特にポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）が水との結合によって強酸性を呈するものである。ここで、この正孔注入層３８中には、後述する手法により、金属イオン等の金属成分がほぼ均一に分布した状態で含まれている。
【００７６】
なお、正孔注入層３８の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体等を、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。
【００７７】
次に、実施例１と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１３０）。
次に、実施例１と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１４０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１５０）。
【００７８】
（比較例２）
次に、実施例１及び２と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４の製造方法を示すフローチャートである。本比較例の有機ＥＬ素子４の製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１８０）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２００）とを備えている。
【００７９】
本比較例が実施例１及び２と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ｂ）のフローチャートに従い、図２を用いて有機ＥＬ素子４の製造方法について説明する。
【００８０】
まず、図２に示すように、本比較例においても、実施例１及び２と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１６０）。
【００８１】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１７０）。
次に、実施例２と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１８０）。
【００８２】
次に、正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１９０）。具体的には、有機発光層４２の形成材料として、赤色発光材料を１．５ｗｔ％のシクロヘキシルベンゼン溶液とし、これを正孔注入層３８等と同様に液滴吐出法で隔壁４８の間に配する。ここでも、溶液の粘度を調整することにより溶液を安定に吐出することができる。次いで、配した溶液を窒素雰囲気において１３０℃程度の温度で３０分程度加熱して焼成し、厚さが６０〜８０ｎｍ程度の有機発光層４２を形成する。ここで、赤色発光材料として、実施例１と同様な材料が用いられる。
【００８３】
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２００）。
【００８４】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表１に示す。なお、表１には、全層スピンコート法で作成した比較例１の半減時間を１とするように規格化して示している。
【００８５】
【表１】
【００８６】
本実施形態によれば、表１に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した素子より半減時間が２２％まで低下した。一方、正孔注入層３８を液滴吐出法で積層し、正孔輸送層４０及び有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４と同等の半減時間が得られた。
【００８７】
さらには正孔注入層３８及び正孔輸送層４０を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２のみをスピンコート法で積層すれば全層スピンコート法で作成した有機ＥＬ素子４と同等の寿命特性を得ることが可能となった（図示しないが、他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【００８８】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４の材料利用効率を表２に示す。なお、表２には、全層スピンコート法で作成した比較例１の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【００８９】
【表２】
【００９０】
本実施形態によれば、表２に示すように、材料利用効率は、正孔注入層３８のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の４０倍となった。さらに、正孔注入層３８及び正孔輸送層４０まで液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の５０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【００９１】
［第３の実施形態］
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図５は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子４Ａを拡大して示す側断面構成図である。本実施形態に係る有機ＥＬ素子４Ａの製造方法は、全有機機能層３２の形成材料として、低分子材料が用いられる点である。なお、有機発光層４２の形成材料として、蛍光材料が用いられている。
【００９２】
（実施例３）
図６は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ａの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ａの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２１０）と、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ２２０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２３０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２４０）とを備えている。
【００９３】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入輸送層５２を形成し、スピンコート法を用いて、有機発光層４２を形成する。以下、図６のフローチャートに従い、図５を用いて有機ＥＬ素子４Ａの製造方法について説明する。
【００９４】
まず、図５に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２１０）。
【００９５】
次に、隔壁４８の間に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ２２０）。具体的には、正孔注入輸送層５２の形成材料として、ＶＢ−ＴＣＴＡを０．３ｗｔ％のジクロロベンゼン溶液とし、この溶液を液滴吐出法で隔壁４８の間に配する。ここでも、溶液の粘度を調整することにより溶液を安定に吐出することができる。次いで、配した溶液を窒素雰囲気において１８０℃程度の温度で３０分程度加熱して乾燥させ有機溶媒に対して不溶な厚さが２０ｎｍ程度の正孔注入輸送層５２を形成する。
【００９６】
次に、正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ２３０）。具体的には、赤色発光材料のＣＢＰ−ＤＣＭを、０．５ｗｔ％のトルエン溶液とし、この溶液を正孔注入輸送層５２上にスピンコート法で塗布し、次いでこの塗布膜を窒素雰囲気において１３０℃程度の温度で３０分程度加熱して焼成し、厚さが３０〜４０ｎｍ程度の有機発光層４２を形成する。ここで、ホスト材料にはＣＢＰ（ビフェニル）、蛍光ゲスト材料には４一（ジシアノ−メチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４−ピラン（ＤＣＭ）が用いられる。
【００９７】
次に、有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２４０）。具体的には、有機発光層４２上に、例えば真空度が１０-6Ｔｏｒｒ（１．３３×１０-4Ｐａ）の雰囲気で真空蒸着法により、層厚３０ｎｍのＢＣＰ（バソキュプロイン）層を積層して正孔ブロック層５４を形成し、その上に層厚３０ｎｍのＡｌｑ3（トリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体）層及び層厚１ｎｍのＬｉＦ（フッ化リチウム）層を順次積層して電子輸送層５６を形成し、その上に層厚２００ｎｍのＡｌ層を積層して共通電極３４を形成する。このようにして、図５に示した有機ＥＬ素子４Ａが得られる。
【００９８】
（比較例３）
次に、実施例３と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図７（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ａの製造方法を示すフローチャートである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ａの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２５０）と、正孔注入輸送層５２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２６０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２７０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２８０）とを備えている。
【００９９】
本比較例が実施例３と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図７（Ａ）のフローチャートに従い、図５を用いて有機ＥＬ素子４Ａの製造方法について説明する。
【０１００】
まず、図５に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２５０）。
【０１０１】
次に、隔壁４８の間に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ２６０）。具体的には、画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入輸送層５２としてＶＢ−ＴＣＴＡを０．９ｗｔ％塩化メチレン溶液としスピンコート法により２０ｎｍ形成し、窒素雰囲気下において１８０℃、３０分、加熱し塗布膜を焼成し、有機溶媒に不溶な正孔注入輸送層５２を形成する。
【０１０２】
次に、実施例３と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ２７０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２８０）。
【０１０３】
（比較例４）
次に、実施例３と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図７（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ａの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ａの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２９０）と、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ３００）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ３１０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ３２０）とを備えている。
【０１０４】
本比較例が実施例３と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図７（Ｂ）のフローチャートに従い、図５を用いて有機ＥＬ素子４Ａの製造方法について説明する。
【０１０５】
まず、図５に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２９０）。
【０１０６】
次に、実施例３と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ３００）。
【０１０７】
次に、正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ３１０）。具体的には、赤色発光材料のＣＢＰ−ＤＣＭを、０．５ｗｔ％のジクロロベンゼン溶液とし、この溶液を正孔注入輸送層５２上に液滴吐出法で吐出し、次いでこの吐出膜を窒素雰囲気において１３０℃程度の温度で３０分程度加熱して焼成し、厚さが３０〜４０ｎｍ程度の有機発光層４２を形成する。ここで、ホスト材料にはＣＢＰ、蛍光ゲスト材料にはＤＣＭが用いられる。
【０１０８】
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ３２０）。
【０１０９】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ａを初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表３に示す。なお、表３には、全層スピンコート法で作成した比較例３の半減時間を１とするように規格化して示している。
【０１１０】
【表３】
【０１１１】
本実施形態によれば、表３に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した有機ＥＬ素子４Ａより半減時間が４０％まで低下した。一方、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ａの半減時間は、全層スピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ａと同等の半減時間が得られた（他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【０１１２】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ａの材料利用効率を表４に示す。なお、表４には、全層スピンコート法で作成した比較例３の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【０１１３】
【表４】
【０１１４】
本実施形態によれば、表４に示すように、材料利用効率は、正孔注入輸送層５２のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の３０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【０１１５】
［第４の実施形態］
次に、第３の実施形態と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。本実施形態が第３の実施形態と異なる点は、全有機機能層３２の形成材料として、低分子材料が用いられる点である。なお、有機発光層４２の形成材料として、燐光材料が用いられている。
【０１１６】
（実施例４）
図６は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ａの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ａの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２１０）と、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ２２０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２３０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２４０）とを備えている。
【０１１７】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入輸送層５２を形成し、スピンコート法を用いて、有機発光層４２を形成する。以下、図６のフローチャートに従い、図５を用いて有機ＥＬ素子４Ａの製造方法について説明する。
【０１１８】
まず、図５に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２１０）。
【０１１９】
次に、実施例３と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ２２０）。
【０１２０】
次に、正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ２３０）。具体的には、赤色発光材料のＣＢＰ−ＰｔＯＥＰを、０．５ｗｔ％の塩化メチレン溶液とし、この溶液を正孔注入輸送層５２上にスピンコート法で塗布し、次いでこの塗布膜を窒素雰囲気において１３０℃程度の温度で３０分程度加熱して焼成し、厚さが３０〜４０ｎｍ程度の有機発光層４２を形成する。ここで、ホスト材料にはＣＢＰ、燐光ゲスト材料にはＰｔＯＥＰが用いられる。
【０１２１】
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２４０）。このようにして、図５に示した有機ＥＬ素子４Ａが得られる。
【０１２２】
（比較例５）
次に、実施例４と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図７（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ａの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ａの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２５０）と、正孔注入輸送層５２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２６０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２７０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２８０）とを備えている。
【０１２３】
本比較例が実施例３と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図７（Ａ）のフローチャートに従い、図５を用いて有機ＥＬ素子４Ａの製造方法について説明する。
【０１２４】
まず、図５に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２５０）。
【０１２５】
次に、比較例３と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ２６０）。
次に、実施例４と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ２７０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２８０）。
【０１２６】
（比較例６）
次に、実施例４と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図７（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ａの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ａの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２９０）と、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ３００）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ３１０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ３２０）とを備えている。
【０１２７】
本比較例が実施例３と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図７（Ｂ）のフローチャートに従い、図５を用いて有機ＥＬ素子４Ａの製造方法について説明する。
【０１２８】
まず、図５に示すように、本比較例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２９０）。
【０１２９】
次に、実施例３と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ３００）。
【０１３０】
次に、正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ３１０）。具体的には、赤色発光材料のＣＢＰ−ＰｔＯＥＰを、０．５ｗｔ％のジクロロベンゼン溶液とし、この溶液を正孔注入輸送層５２上に液滴吐出法で吐出し、次いでこの吐出膜を窒素雰囲気において１３０℃程度の温度で３０分程度加熱して焼成し、厚さが３０〜４０ｎｍ程度の有機発光層４２を形成する。ここで、ホスト材料にはＣＢＰ、燐光ゲスト材料にはＰｔＯＥＰが用いられる。
【０１３１】
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ３２０）。
【０１３２】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ａを初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表５に示す。なお、表５には、全層スピンコート法で作成した比較例５の半減時間を１とするように規格化して示している。
【０１３３】
【表５】
【０１３４】
本実施形態によれば、表５に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した有機ＥＬ素子４Ａより半減時間が２６％まで低下した。一方、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ａの半減時間は、全層スピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ａと同等の半減時間が得られた（他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【０１３５】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ａの材料利用効率を表６に示す。なお、表６には、全層スピンコート法で作成した比較例５の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【０１３６】
【表６】
【０１３７】
本実施形態によれば、表６に示すように、材料利用効率は、正孔注入輸送層５２のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の３０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【０１３８】
［第５の実施形態］
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図８は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子４Ｂを拡大して示す側断面構成図である。本実施形態に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、正孔注入層３８の形成材料として、高分子材料が用いられ、正孔輸送層４０及び有機発光層４２の形成材料として、低分子材料が用いられる点である。なお、有機発光層４２の形成材料として、燐光材料が用いられている。
【０１３９】
（実施例５）
図３（Ａ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ５０）とを備えている。
【０１４０】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入層３８を形成し、スピンコート法を用いて、正孔輸送層４０及び有機発光層４２を形成する。以下、図３（Ａ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０１４１】
まず、図８に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１０）。
【０１４２】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ２０）。
【０１４３】
次に、正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ３０）。具体的には、正孔輸送層４０の形成材料として、ＶＢ−ＴＣＴＡを０．９ｗｔ％の塩化メチレン溶液とし、この溶液を正孔注入層３８上にスピンコート法で塗布し、次いでこの塗布膜を窒素雰囲気において１８０℃程度の温度で３０分程度加熱して乾燥させ有機溶媒に対して不溶な厚さが２０ｎｍ程度の正孔輸送層４０を形成する。
【０１４４】
次に、実施例４と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ４０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ５０）。このようにして、図８に示した有機ＥＬ素子４Ｂが得られる。
【０１４５】
（実施例６）
次に、実施例５と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図３（Ｂ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ８０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１００）とを備えている。
【０１４６】
本実施例が実施例５と異なる点は、液滴吐出法を用いて、正孔輸送層４０を形成する点である。以下、図３（Ｂ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０１４７】
まず、図８に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ６０）。
【０１４８】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ７０）。
【０１４９】
次に、正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ８０）。具体的には、正孔輸送層４０の形成材料として、ＶＢ−ＴＣＴＡを０．３ｗｔ％のジクロロベンゼン溶液とし、この溶液を正孔注入層３８上に液滴吐出法で吐出し、次いでこの吐出膜を窒素雰囲気において１８０℃程度の温度で３０分程度加熱して乾燥させ有機溶媒に対して不溶な厚さが２０ｎｍ程度の正孔輸送層４０を形成する。
【０１５０】
次に、実施例４と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ９０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１００）。このようにして、図８に示した有機ＥＬ素子４Ｂが得られる。
【０１５１】
（比較例７）
次に、実施例５及び６と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローチャートである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１１０）と、正孔注入層３８をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１５０）とを備えている。
【０１５２】
本比較例が実施例５及び６と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ａ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０１５３】
まず、図８に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１１０）。
【０１５４】
次に、比較例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１２０）。ここで、正孔注入層３８の材料として、比較例１と同様な材料が用いられる。
次に、実施例５と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１３０）。
次に、実施例４と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１４０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１５０）。
【０１５５】
（比較例８）
次に、実施例５及び６と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローチャートである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１８０）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２００）とを備えている。
【０１５６】
本比較例が実施例５及び６と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ｂ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０１５７】
まず、図８に示すように、本比較例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１６０）。
【０１５８】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１７０）。
次に、実施例６と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１８０）。
次に、比較例６と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１９０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２００）。
【０１５９】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｂを初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表７に示している。なお、表７には、全層スピンコート法で作成した比較例７の半減時間を１とするように規格化して示している。
【０１６０】
【表７】
【０１６１】
本実施形態によれば、表７に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した有機ＥＬ素子４Ｂより半減時間が３０％まで低下した。一方、正孔注入層３８を液滴吐出法で積層し、正孔輸送層４０及び有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｂの半減時間は、全層スピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｂと同等の半減時間が得られた。
【０１６２】
さらには正孔注入層３８及び正孔輸送層４０を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２のみをスピンコート法で積層すれば全層スピンコート法で作成した有機ＥＬ素子４Ｂと同等の寿命特性を得ることが可能となった（図示しないが、他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【０１６３】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｂの材料利用効率を表８に示す。なお、表８には、全層スピンコート法で作成した比較例７の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【０１６４】
【表８】
【０１６５】
本実施形態によれば、表８に示すように、材料利用効率は、正孔注入層３８のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の４０倍となった。さらに、正孔注入層３８及び正孔輸送層４０まで液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の５０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【０１６６】
［第６の実施形態］
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図９は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子４Ｃを拡大して示す側断面構成図である。本実施形態に係る有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法は、正孔注入層３８の形成材料として、高分子材料が用いられ、正孔注入輸送層５２及び有機発光層４２の形成材料として、低分子材料が用いられる点である。なお、有機発光層４２の形成材料として、蛍光材料が用いられている。
【０１６７】
（実施例７）
図１０（Ａ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ３３０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ３４０）と、正孔注入輸送層５２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ３５０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ３６０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ３７０）とを備えている。
【０１６８】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入層３８を形成し、スピンコート法を用いて、正孔注入輸送層５２及び有機発光層４２を形成する。以下、図１０（Ａ）のフローチャートに従い、図９を用いて有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法について説明する。
【０１６９】
まず、図９に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ３３０）。
【０１７０】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ３４０）。
次に、比較例３と同様に正孔注入層３８上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ３５０）。
次に、実施例３と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ３６０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ３７０）。このようにして、図９に示した有機ＥＬ素子４Ｃが得られる。
【０１７１】
（実施例８）
次に、実施例７と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図１０（Ｂ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ３８０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ３９０）と、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ４００）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４１０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ４２０）とを備えている。
【０１７２】
本実施例が実施例７と異なる点は、液滴吐出法を用いて、正孔注入輸送層５２を形成する点である。以下、図１０（Ｂ）のフローチャートに従い、図９を用いて有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法について説明する。
【０１７３】
まず、図９に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ３８０）。
【０１７４】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ３９０）。
次に、実施例３と同様に正孔注入層３８上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ４００）。
次に、実施例３と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ４１０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ４２０）。このようにして、図９に示した有機ＥＬ素子４Ｃが得られる。
【０１７５】
（比較例９）
次に、実施例７及び８と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図１１（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法を示すフローチャートである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ４３０）と、正孔注入層３８をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４４０）と、正孔注入輸送層５２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４５０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４６０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ４７０）とを備えている。
【０１７６】
本比較例が実施例７及び８と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図１１（Ａ）のフローチャートに従い、図９を用いて有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法について説明する。
【０１７７】
まず、図９に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ４３０）。
【０１７８】
次に、比較例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ４４０）。
次に、比較例３と同様に正孔注入層３８上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ４５０）。
次に、実施例３と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ４６０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ４７０）。
【０１７９】
（比較例１０）
次に、実施例７及び８と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図１１（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法を示すフローチャートである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ４８０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ４９０）と、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ５００）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ５１０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ５２０）とを備えている。
【０１８０】
本比較例が実施例７及び８と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図１１（Ｂ）のフローチャートに従い、図９を用いて有機ＥＬ素子４Ｃの製造方法について説明する。
【０１８１】
まず、図９に示すように、本比較例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ４８０）。
【０１８２】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ４９０）。
次に、実施例３と同様に正孔注入層３８上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ５００）。
次に、比較例４と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ５１０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ５２０）。
【０１８３】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｃを初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表９に示す。なお、表９には、全層スピンコート法で作成した比較例９の半減時間を１とするように規格化して示している。
【０１８４】
【表９】
【０１８５】
本実施形態によれば、表９に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した有機ＥＬ素子４Ｃより半減時間が２８％まで低下した。一方、正孔注入層３８を液滴吐出法で積層し、正孔注入輸送層５２及び有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｃの半減時間は、全層スピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｃと同等の半減時間が得られた。
【０１８６】
さらには正孔注入層３８及び正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２のみをスピンコート法で積層すれば全層スピンコート法で作成した有機ＥＬ素子４Ｃと同等の寿命特性を得ることが可能となった（他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【０１８７】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｃの材料利用効率を表１０に示す。なお、表１０には、全層スピンコート法で作成した比較例９の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【０１８８】
【表１０】
【０１８９】
本実施形態によれば、表１０に示すように、材料利用効率は、正孔注入層３８のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の４０倍となった。さらに、正孔注入層３８及び正孔注入輸送層５２まで液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の５０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【０１９０】
［第７の実施形態］
次に、第５の実施形態と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。本実施形態が第５の実施形態と異なる点は、正孔注入層３８及び正孔輸送層４０の形成材料として、高分子材料が用いられ、有機発光層４２の形成材料として、低分子材料が用いられる点である。なお、有機発光層４２の形成材料として、燐光材料が用いられている。
【０１９１】
（実施例９）
図３（Ａ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ５０）とを備えている。
【０１９２】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入層３８を形成し、スピンコート法を用いて、正孔輸送層４０及び有機発光層４２を形成する。以下、図３（Ａ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０１９３】
まず、図８に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１０）。
【０１９４】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ２０）。
次に、実施例１と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ３０）。
次に、実施例４と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ４０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ５０）。このようにして、図８に示した有機ＥＬ素子４Ｂが得られる。
【０１９５】
（実施例１０）
次に、実施例９と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図３（Ｂ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ８０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１００）とを備えている。
【０１９６】
本実施例が実施例９と異なる点は、液滴吐出法を用いて、正孔輸送層４０を形成する点である。以下、図３（Ｂ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０１９７】
まず、図８に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ６０）。
【０１９８】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ７０）。
次に、実施例２と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ８０）。
次に、実施例４と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ９０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１００）。このようにして、図８に示した有機ＥＬ素子４Ｂが得られる。
【０１９９】
（比較例１１）
次に、実施例９及び１０と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１１０）と、正孔注入層３８をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１５０）とを備えている。
【０２００】
本比較例が実施例９及び１０と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ａ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０２０１】
まず、図８に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１１０）。
【０２０２】
次に、比較例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１２０）。
次に、実施例１と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１３０）。
次に、実施例４と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１４０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１５０）。
【０２０３】
（比較例１２）
次に、実施例９及び１０と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１８０）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２００）とを備えている。
【０２０４】
本比較例が実施例９及び１０と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ｂ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０２０５】
まず、図８に示すように、本比較例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１６０）。
【０２０６】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１７０）。
次に、実施例２と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１８０）。
次に、比較例６と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１９０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２００）。
【０２０７】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｂを初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表１１に示す。なお、表１１には、全層スピンコート法で作成した比較例１１の半減時間を１とするように規格化して示している。
【０２０８】
【表１１】
【０２０９】
本実施形態によれば、表１１に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した有機ＥＬ素子４Ｂより半減時間が３２％まで低下した。一方、正孔注入層３８を液滴吐出法で積層し、正孔輸送層４０及び有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｂの半減時間は、全層スピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｂと同等の半減時間が得られた。
【０２１０】
さらには正孔注入層３８及び正孔輸送層４０を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２のみをスピンコート法で積層すれば全層スピンコート法で作成した有機ＥＬ素子４Ｂと同等の寿命特性を得ることが可能となった（他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【０２１１】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｂの材料利用効率を表１２に示す。なお、表１２には、全層スピンコート法で作成した比較例１１の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【０２１２】
【表１２】
【０２１３】
本実施形態によれば、表１２に示すように、材料利用効率は、正孔注入層３８のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の４０倍となった。さらに、正孔注入層３８及び正孔輸送層４０まで液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の５０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【０２１４】
［第８の実施形態］
次に、第５及び７の実施形態と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。本実施形態が第５及び７の実施形態と異なる点は、正孔注入層３８及び正孔輸送層４０の形成材料として、高分子材料が用いられ、有機発光層４２の形成材料として、低分子材料が用いられる点である。なお、有機発光層４２の形成材料として、蛍光材料が用いられている。
【０２１５】
（実施例１１）
図３（Ａ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ５０）とを備えている。
【０２１６】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入層３８を形成し、スピンコート法を用いて、正孔輸送層４０及び有機発光層４２を形成する。以下、図３（Ａ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０２１７】
次に、図８に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１０）。
【０２１８】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ２０）。
次に、実施例１と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ３０）。
次に、実施例３と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ４０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ５０）。このようにして、図８に示した有機ＥＬ素子４Ｂが得られる。
【０２１９】
（実施例１２）
次に、実施例１１と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図３（Ｂ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ８０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１００）とを備えている。
【０２２０】
本実施例が実施例１１と異なる点は、液滴吐出法を用いて、正孔輸送層４０を形成する点である。以下、図３（Ｂ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０２２１】
まず、図８に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ６０）。
【０２２２】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ７０）。
次に、実施例２と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ８０）。
次に、実施例３と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ９０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１００）。このようにして、図８に示した有機ＥＬ素子４Ｂが得られる。
【０２２３】
（比較例１３）
次に、実施例１１及び１２と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１１０）と、正孔注入層３８をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１５０）とを備えている。
【０２２４】
本比較例が実施例１１及び１２と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ａ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０２２５】
まず、図８に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１１０）。
【０２２６】
次に、比較例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１２０）。
次に、実施例１と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１３０）。
次に、実施例３と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１４０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１５０）。
【０２２７】
（比較例１４）
次に、実施例１１及び１２と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１８０）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２００）とを備えている。
【０２２８】
本比較例が実施例１１及び１２と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ｂ）のフローチャートに従い、図８を用いて有機ＥＬ素子４Ｂの製造方法について説明する。
【０２２９】
まず、図８に示すように、本比較例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１６０）。
【０２３０】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１７０）。
次に、実施例２と同様にして正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１８０）。
次に、比較例４と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１９０）。
次に、実施例３と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２００）。
【０２３１】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｂを初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表１３に示す。なお、表１３には、全層スピンコート法で作成した比較例１３の半減時間を１とするように規格化して示している。
【０２３２】
【表１３】
【０２３３】
本実施形態によれば、表１３に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した有機ＥＬ素子４Ｂより半減時間が３２％まで低下した。一方、正孔注入層３８を液滴吐出法で積層し、正孔輸送層４０及び有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｂの半減時間は、全層スピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｂと同等の半減時間が得られた。
【０２３４】
さらには正孔注入層３８及び正孔輸送層４０を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２のみをスピンコート法で積層すれば全層スピンコート法で作成した有機ＥＬ素子４Ｂと同等の寿命特性を得ることが可能となった（他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【０２３５】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｂの材料利用効率を表１４に示す。なお、表１４には、全層スピンコート法で作成した比較例１３の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【０２３６】
【表１４】
【０２３７】
本実施形態によれば、表１４に示すように、材料利用効率は、正孔注入層３８のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の４０倍となった。さらに、正孔注入層３８及び正孔輸送層４０まで液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の５０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【０２３８】
［第９の実施形態］
次に、第２の実施形態と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。本実施形態が第２の実施形態と異なる点は、正孔注入層３８及び有機発光層４２の形成材料として、高分子材料が用いられ、正孔輸送層４０の形成材料として、低分子材料が用いられる点である。
【０２３９】
（実施例１３）
図３（Ａ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４の製造方法を示すフローである。本実施例の有機ＥＬ素子４の製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ５０）とを備えている。
【０２４０】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入層３８を形成し、スピンコート法を用いて、正孔輸送層４０及び有機発光層４２を形成する。以下、図３（Ａ）のフローチャートに従い、図２を用いて有機ＥＬ素子４の製造方法について説明する。
【０２４１】
まず、図２に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１０）。
【０２４２】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ２０）。
次に、実施例５と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ３０）。
次に、実施例１と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ４０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ５０）。このようにして、図２に示した有機ＥＬ素子４が得られる。
【０２４３】
（実施例１４）
次に、実施例１３と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図３（Ｂ）は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４の製造方法を示すフローである。本実施例の有機ＥＬ素子４の製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ８０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１００）とを備えている。
【０２４４】
本実施例が実施例１３と異なる点は、液滴吐出法を用いて、正孔輸送層４０を形成する点である。以下、図３（Ｂ）のフローチャートに従い、図２を用いて有機ＥＬ素子４の製造方法について説明する。
【０２４５】
まず、図２に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に、島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ６０）。
【０２４６】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ７０）。
次に、実施例６と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ８０）。
次に、実施例１と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ９０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１００）。このようにして、図２に示した有機ＥＬ素子４が得られる。
【０２４７】
（比較例１５）
次に、実施例１３及び１４と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４の製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４の製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１１０）と、正孔注入層３８をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１２０）と、正孔輸送層４０をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１３０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ１４０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ１５０）とを備えている。
【０２４８】
本比較例が実施例１３及び１４と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ａ）のフローチャートに従い、図２を用いて有機ＥＬ素子４の製造方法について説明する。
【０２４９】
まず、図２に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１１０）。
【０２５０】
次に、比較例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１２０）。
次に、実施例５と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１３０）。
次に、実施例１と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１４０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ１５０）。
【０２５１】
（比較例１６）
次に、実施例１３及び１４と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図４（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４の製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４の製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ１６０）と、正孔注入層３８を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１７０）と、正孔輸送層４０を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１８０）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ１９０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２００）とを備えている。
【０２５２】
本比較例が実施例１３及び１４と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図４（Ｂ）のフローチャートに従い、図２を用いて有機ＥＬ素子４の製造方法について説明する。
【０２５３】
まず、図２に示すように、本比較例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ１６０）。
【０２５４】
次に、実施例１と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入層３８を形成する（ステップＳ１７０）。
次に、実施例６と同様に正孔注入層３８上に正孔輸送層４０を形成する（ステップＳ１８０）。
次に、比較例２と同様に正孔輸送層４０上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ１９０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２００）。
【０２５５】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表１５に示す。なお、表１５には、全層スピンコート法で作成した比較例１５の半減時間を１とするように規格化して示している。
【０２５６】
【表１５】
【０２５７】
本実施形態によれば、表１５に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した有機ＥＬ素子４より半減時間が２２％まで低下した。一方、正孔注入層３８を液滴吐出法で積層し、正孔輸送層４０及び有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４の半減時間は、全層スピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４と同等の半減時間が得られた。
【０２５８】
さらには正孔注入層３８及び正孔輸送層４０を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２のみをスピンコート法で積層すれば全層スピンコート法で作成した有機ＥＬ素子４と同等の寿命特性を得ることが可能となった（他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【０２５９】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４の材料利用効率を表１６に示す。なお、表１６には、全層スピンコート法で作成した比較例１５の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【０２６０】
【表１６】
【０２６１】
本実施形態によれば、表１６に示すように、材料利用効率は、正孔注入層３８のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の４０倍となった。さらに、正孔注入層３８及び正孔輸送層４０まで液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の５０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【０２６２】
［第１０の実施形態］
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
図１２は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子４Ｄを拡大して示す側断面構成図である。本実施形態に係る有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法は、正孔注入輸送層５２の形成材料として、低分子材料が用いられ、有機発光層４２の形成材料として、高分子材料が用いられる点である。
【０２６３】
（実施例１５）
図６は、本実施例に係る有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法を示すフローチャートである。本実施例の有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２１０）と、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ２２０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２３０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２４０）とを備えている。
【０２６４】
本実施例では、液滴吐出法を用いて、正孔注入輸送層５２を形成し、スピンコート法を用いて、有機発光層４２を形成する。以下、図６のフローチャートに従い、図１２を用いて有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法について説明する。
【０２６５】
まず、図１２に示すように、本実施例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２１０）。
【０２６６】
次に、実施例３と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ２２０）。
次に、実施例１と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ２３０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２４０）。このようにして、図１２に示した有機ＥＬ素子４Ｄが得られる。
【０２６７】
（比較例１７）
次に、実施例１５と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図７（Ａ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２５０）と、正孔注入輸送層５２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２６０）と、有機発光層４２をスピンコート法で形成する工程（ステップＳ２７０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ２８０）とを備えている。
【０２６８】
本比較例が実施例１５と異なる点は、スピンコート法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図７（Ａ）のフローチャートに従い、図１２を用いて有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法について説明する。
【０２６９】
まず、図１２に示すように、本比較例においても、実施例３と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２５０）。
【０２７０】
次に、比較例３と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ２６０）。
次に、実施例１と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ２７０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ２８０）。
【０２７１】
（比較例１８）
次に、実施例１５と異なる態様の有機ＥＬ素子の製造方法を比較例として説明する。
図７（Ｂ）は、本比較例に係る有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法を示すフローである。本比較例の有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法は、画素電極３０等を形成する工程（ステップＳ２９０）と、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ３００）と、有機発光層４２を液滴吐出法で形成する工程（ステップＳ３１０）と、共通電極３４を形成する工程（ステップＳ３２０）とを備えている。
【０２７２】
本比較例が実施例１５と異なる点は、液滴吐出法を用いて、全有機機能層３２を形成する点である。以下、図７（Ｂ）のフローチャートに従い、図１２を用いて有機ＥＬ素子４Ｄの製造方法について説明する。
【０２７３】
まず、図１２に示すように、本比較例においても、実施例１と同様にＴＦＴ基板２２上に島状の画素電極３０を形成し、次いで画素電極３０の間に絶縁部３６を形成する。そして、絶縁部３６上に隔壁４８を形成する（ステップＳ２９０）。
【０２７４】
次に、実施例３と同様に画素電極３０が形成されたＴＦＴ基板２２上に正孔注入輸送層５２を形成する（ステップＳ３００）。
次に、比較例２と同様に正孔注入輸送層５２上に有機発光層４２を形成する（ステップＳ３１０）。
次に、実施例１と同様に有機発光層４２上に共通電極３４を形成する（ステップＳ３２０）。
【０２７５】
ここで、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｄを初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間を表１７に示す。なお、表１７には、全層スピンコート法で作成した比較例１７の半減時間を１とするように規格化して示している。
【０２７６】
【表１７】
【０２７７】
本実施形態によれば、表１７に示すように、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した有機ＥＬ素子４Ｄより半減時間が２０％まで低下した。一方、正孔注入輸送層５２を液滴吐出法で積層し、有機発光層４２をスピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｄの半減時間は、全層スピンコート法で積層した有機ＥＬ素子４Ｄと同等の半減時間が得られた（図示しないが、他の発光色に関しても同様の結果が得られた）。
【０２７８】
さらに、本実施形態の実施例及び比較例で作成した有機ＥＬ素子４Ｄの材料利用効率を表１８に示す。なお、表１８には、全層スピンコート法で作成した比較例１７の材料利用効率を１とするように規格化して示している。
【０２７９】
【表１８】
【０２８０】
本実施形態によれば、表１８に示すように、材料利用効率は、正孔注入輸送層５２のみ液滴吐出法で積層した場合、スピンコート法で積層した際の３０倍となった。上記利用効率は、本実施形態の実施例及び比較例に基づくものであり、この限りではない。
【０２８１】
上記実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法にあっては、液滴吐出法を用いて有機機能層３２の液状の形成材料を配するので、材料の無駄を無くすことができ低コストで有機ＥＬ素子を製造することができる。また、グリコールエーテル類の高沸点溶媒等を添加することにより吐出する溶液の粘度を調整しているので、この溶液を安定に吐出させることができ、高信頼性の有機ＥＬ素子を製造することができる。前記のような溶媒が添加された形成材料で有機機能層３２を形成すると、溶媒を添加しない場合よりも有機機能層３２の抵抗値が２〜３桁程度小さくなる。そのため、優れた電気特性の有機ＥＬ素子を製造することができる。
【０２８２】
［電子機器］
次に、上記実施形態の有機ＥＬ素子を有するラインヘッド（有機ＥＬ装置）を備えた画像形成装置（電子機器）について説明する。
図１３は、本実施形態に係る画像形成装置１００を示す概略構成図である。
【０２８３】
画像形成装置１００は、転写媒体１０２の走行経路の近傍に、像担持体としての感光体ドラム１０４を備えている。感光体ドラム１０４の周囲には、感光体ドラム１０４の回転方向（図中に矢印で示す）に沿って、露光装置１０６、現像装置１０８及び転写ローラー１１０が順次配設されている。感光体ドラム１０４は、回転軸１１２の周りに回転可能に設けられており、その外周面には、回転軸方向中央部に感光面１０４Ａが形成されている。露光装置１０６及び現像装置１０８は感光体ドラム１０４の回転軸１１２に沿って長軸状に配置されており、その長軸方向の幅は、感光面１０４Ａの幅と概ね一致している。
【０２８４】
この画像形成装置１００では、まず、感光体ドラム１０４が回転する過程において、露光装置１０６の上流側に設けられた図示略の帯電装置により感光体ドラム１０４の表面（感光面１０４Ａ）が例えば正に帯電され、次いで露光装置１０６により感光体ドラム１０４の表面が露光されて表面に静電潜像ＬＡが形成される。さらに、現像装置１０８の現像ローラー１１４により、トナー（現像剤）１１６が感光体ドラム１０４の表面に付与され、静電潜像ＬＡの電気的吸着力によって静電潜像ＬＡに対応したトナー像が形成される。なお、トナー粒子は正に帯電されている。
【０２８５】
現像装置１０８によるトナー像の形成後は、感光体ドラム１０４の更なる回転によりトナー像が転写媒体１０２に接触し、転写ローラー１１０により転写媒体１０２の背面からトナー像のトナー粒子とは逆極性の電荷（ここでは負電荷）が付与され、これに応じて、トナー像を形成するトナー粒子が感光体ドラム１０４の表面から転写媒体１０２に吸引され、トナー像が転写媒体１０２の表面に転写される。
【０２８６】
露光装置１０６は、複数の発光素子１１８を有するラインヘッド１２０と、ラインヘッド１２０から放射された光Ｌを正立等倍結像させる複数のレンズ素子１２２を有する結像光学素子１２４とを備えている。ラインヘッド１２０と結像光学素子１２４とは、互いにアライメントされた状態で図示略のヘッドケースによって保持され、感光体ドラム１０４上に固定されている。
【０２８７】
ラインヘッド１２０は、複数の発光素子１１８を感光体ドラム１０４の回転軸１１２に沿って配列してなる発光素子列１２６と、発光素子１１８を駆動させる図示略の駆動素子からなる駆動素子群と、これら駆動素子（駆動素子群）の駆動を制御する制御回路群１２８とを備えている。発光素子１１８、駆動素子群及び制御回路群１２８は長細い矩形の素子基板（基体）１２０Ａ上に一体形成されている。
【０２８８】
結像光学素子１２４は、日本板硝子株式会社製のセルフォック（登録商標）レンズ素子と同様の構成からなるレンズ素子１２２を感光体ドラム１０４の回転軸１１２に沿って千鳥状に２列配列（配置）してなるレンズ素子列１３０を備えている。
【０２８９】
一般に、ラインヘッドに用いられる発光素子には高輝度であることが求められており、通常は高輝度とするほど発光にじみが顕著となる。
【０２９０】
この画像形成装置１００は、ラインヘッド１２０が上記実施形態の有機ＥＬ素子で構成されている。
【０２９１】
次に、上記実施形態の有機ＥＬ素子を有する画像表示装置（有機ＥＬ装置）を表示部に用いた電子機器について説明する。
【０２９２】
図１４（Ａ）は、本実施形態に係る携帯電話の一例を示した斜視図である。携帯電話２００は表示部２０２を備えており、表示部２０２は上記実施形態の有機ＥＬ装置により構成されている。
図１４（Ｂ）は、本実施形態に係るワープロ、パソコン等の携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。情報処理装置３００は、キーボードなどの入力部３０２、表示部３０４、筐体３０６等を備えている。また、表示部３０４は、上記実施形態の有機ＥＬ装置により構成されている。
図１４（Ｃ）は、本実施形態に係る腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。時計４００は表示部４０２を備えている。表示部４０２は、上記実施形態の有機ＥＬ装置により構成されている。
【０２９３】
図１４（Ａ）〜（Ｃ）に示す電子機器はいずれも、その表示部が上記実施形態の有機ＥＬ装置により構成されているので、良好な表示が可能なものとなっている。
【０２９４】
なお、電子機器としては、前記電子機器に限られることなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、ディスクトップ型コンピューター、液晶プロジェクター、マルチメディア対応のパーソナルコンピューター（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャー、ワードプロセッサー、テレビ、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
【０２９５】
また、上記実施形態を適用した有機ＥＬ素子は、発光効率の高い発光素子を有しており、照明装置として用いることもできる。
【０２９６】
なお、上記実施形態の実施例及び比較例で用いた発光材料は赤に限定されるものではなく緑及び青でも可能である。また正孔注入層３８、正孔輸送層４０、正孔注入輸送層５２、有機発光層４２、正孔ブロック層５４、電子輸送層５６、共通電極３４は本実施例、比較例に記載の高分子材料、低分子材料、電極材料に限定されるものではない。
【０２９７】
また、上記実施形態で作成した素子を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で寿命測定した際の半減時間において、液滴吐出法で有機発光層４２まで全て積層した場合、スピンコート法で全て積層した素子より半減時間が２０〜４０％まで低下している。
【符号の説明】
【０２９８】
２…有機ＥＬ装置 ４，４Ａ〜４Ｄ…有機ＥＬ素子 １０…走査線 １２…信号線 １４…電源線 １６…信号線駆動回路 １８…走査線駆動回路 ２０…画素 ２２…ＴＦＴ基板 ２４…保持容量 ２６…第１スイッチング素子 ２８…第２スイッチング素子 ３０…画素電極 ３２…有機機能層 ３４…共通電極 ３６…絶縁部 ３８…正孔注入層 ４０…正孔輸送層 ４２…有機発光層 ４８…隔壁 ５２…正孔注入輸送層 ５４…正孔ブロック層 ５６…電子輸送層 １００…画像形成装置 １０２…転写媒体 １０４…感光体ドラム １０４Ａ…感光面 １０６…露光装置 １０８…現像装置 １１０…転写ローラー １１２…回転軸 １１４…現像ローラー １１６…トナー（現像剤） １１８…発光素子 １２０…ラインヘッド １２０Ａ…素子基板（基体） １２２…レンズ素子 １２４…結像光学素子 １２６…発光素子列 １２８…制御回路群 １３０…レンズ素子列 ２００…携帯電話 ２０２…表示部 ３００…情報処理装置 ３０２…入力部 ３０４…表示部 ３０６…筐体 ４００…時計 ４０２…表示部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極との間に有機ＥＬ材料からなる有機発光層を含んだ複数の有機層からなる有機機能層を有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
基板上に前記第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に前記有機機能層を形成する工程と、
を含み、
前記有機機能層を形成する工程では、前記有機発光層の液状の形成材料をスピンコート法で所定の位置に配した後、これを固化して前記有機発光層を形成し、
前記有機発光層を除く前記複数の有機層のうちの少なくとも１層の液状の形成材料を液滴吐出法で所定の位置に配した後、これを固化して前記有機発光層を除く前記複数の有機層のうちの少なくとも１層を形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記有機機能層を形成する工程では、前記有機機能層のうちの前記有機発光層を除く全ての前記複数の有機層を液滴吐出法で形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記有機機能層を形成する工程では、全ての前記複数の有機層を高分子材料を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記有機機能層を形成する工程では、全ての前記複数の有機層を低分子材料を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記有機機能層を形成する工程では、前記複数の有機層を高分子材料で構成する第１の層と低分子材料で構成する第２の層とで形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記有機機能層を形成する工程では、前記有機発光層を蛍光材料を含有する液状の形成材料を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記有機機能層を形成する工程では、前記有機発光層を燐光材料を含有する液状の形成材料を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法によって製造されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項１】
第１電極と第２電極との間に有機ＥＬ材料からなる有機発光層を含んだ複数の有機層からなる有機機能層を有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
基板上に前記第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に前記有機機能層を形成する工程と、
を含み、
前記有機機能層を形成する工程では、前記有機発光層の液状の形成材料をスピンコート法で所定の位置に配した後、これを固化して前記有機発光層を形成し、
前記有機発光層を除く前記複数の有機層のうちの少なくとも１層の液状の形成材料を液滴吐出法で所定の位置に配した後、これを固化して前記有機発光層を除く前記複数の有機層のうちの少なくとも１層を形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記有機機能層を形成する工程では、前記有機機能層のうちの前記有機発光層を除く全ての前記複数の有機層を液滴吐出法で形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記有機機能層を形成する工程では、全ての前記複数の有機層を高分子材料を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記有機機能層を形成する工程では、全ての前記複数の有機層を低分子材料を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記有機機能層を形成する工程では、前記複数の有機層を高分子材料で構成する第１の層と低分子材料で構成する第２の層とで形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記有機機能層を形成する工程では、前記有機発光層を蛍光材料を含有する液状の形成材料を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記有機機能層を形成する工程では、前記有機発光層を燐光材料を含有する液状の形成材料を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法によって製造されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１０−２７７７６５（Ｐ２０１０−２７７７６５Ａ）
【公開日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１２７５８４（Ｐ２００９−１２７５８４）
【出願日】平成２１年５月２７日（２００９．５．２７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年５月２７日（２００９．５．２７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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