有機ＥＬ素子
【課題】色純度を保ち、実用的な製造工程で製造でき、かつ、長寿命である有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】陽極１２と、陰極１４と、陽極１２と陰極１４との間に設けられた発光層１３２と、を備えた有機ＥＬ素子１であって、発光層１３２は、ホストと、第１ドーパントと、第２ドーパントと、を含有し、第１ドーパントの発光強度は、第２ドーパントの発光強度の１２倍以上であり、第２ドーパントの含有量は、０．００１質量％〜０．５質量％であり、発光層１３２は、塗布プロセスによって成膜される。
【解決手段】陽極１２と、陰極１４と、陽極１２と陰極１４との間に設けられた発光層１３２と、を備えた有機ＥＬ素子１であって、発光層１３２は、ホストと、第１ドーパントと、第２ドーパントと、を含有し、第１ドーパントの発光強度は、第２ドーパントの発光強度の１２倍以上であり、第２ドーパントの含有量は、０．００１質量％〜０．５質量％であり、発光層１３２は、塗布プロセスによって成膜される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子に関する。特に、発光寿命の長い有機ＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子が知られている。
有機ＥＬ素子は、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に配設された有機化合物にて構成される発光層と、を備える。
そして、電圧を印加し、発光層に電流を流す。
すると、発光層における電子と正孔との再結合の際の放出エネルギーが光として取り出される。
ここで、発光層を単一の有機化合物で構成するのではなく、ホスト材料にドーパント材料を添加した構成が知られている（例えば、特許文献１）。
通常、ホストに対し、ドーパントは０．１〜２０質量％程度ドープされる。
すると、発光効率および寿命に優れた有機ＥＬ素子とすることができる。
【０００３】
そして、更なる改良のため、特に長寿命化のために、発光層ではなく、発光層に隣接した副次的な層にドーパントをドープすることが知られている（例えば、特許文献２、３、４）。
【０００４】
特許文献２では、発光層に隣接した正孔輸送層あるいは電子輸送層において発光層に接する副次的な層（二次層）を設け、この二次層に発光に寄与しない色中性ドーパントをドープする構成が開示されている。
特許文献３では、正孔注入層に多環縮合環化合物（具体的にはルブレン）をドープする構成が開示されている。
特許文献４では、主として発光する陽極側の青色発光層の陰極側に赤色発光層を配置した構成が開示されている。
そして、このような構成により、有機ＥＬ素子の駆動が安定し、寿命が長くなる効果が開示されている。
【０００５】
しかしながら、上記文献に開示される構成では、発光層や電荷輸送層の他に新たに層を増やす必要があるため、製造工程が複雑になってしまうという問題がある。
【０００６】
ここで、特許文献５には、一の発光層に複数のドーパントを含有させる構成が開示されている。
複数のドーパントとしては、３種が挙げられ、すなわち、（i）励起子トラップドーパント、（ii）正孔トラップドーパント、（iii）ルミネセンスドーパントが挙げられている。
例として、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）錯体からなるホストに、（i）励起子トラップドーパントとしてルブレン５％、（ii）正孔トラップドーパントとして４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（ＮＰＤ）５％、（iii）ルミネセンスドーパントとしてＤＣＪＴB２％をドープした構成が開示されている。この構成により、駆動寿命が長くなる効果が開示されている。
【０００７】
しかしながら、特許文献５に記載の有機ＥＬ素子の構成では、ルミネセンスドーパントに対して、励起子トラップドーパントや正孔トラップドーパントの量が多く、励起子トラップドーパントや正孔トラップドーパントも当然に発光している。
そのため、ルミネセンスドーパントの発光色に対して色純度が低下してしまう。
さらには、一の発光層を構成するにあたって、ホスト材料と３つのドーパント材料とで合計４種の材料により発光層を成膜することは非常に困難である。
特許文献５の実施例に開示されるごとく蒸着法によって成膜する場合、４種の材料を蒸発させて全体に均一な濃度で共蒸着することは困難である。
部分的な濃度のムラが生じてしまうことは避けられず、発光ムラが生じるので、現実的ではない。
【０００８】
【特許文献１】特開平０７−２８８１８４号公報
【特許文献２】特開２００３−０５１３８８号公報
【特許文献３】米国特許第５９８９７３７号公報
【特許文献４】特開２００４−２２１０４５号公報
【特許文献５】特開２００２−３８１４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、色純度を保ち、実用的な製造工程で製造でき、かつ、長寿命である有機ＥＬ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた発光層と、を備えた有機ＥＬ素子であって、前記発光層は、ホストと、第１ドーパントと、第２ドーパントと、を含有し、前記第１ドーパントの発光強度は、前記第２ドーパントの発光強度の１２倍以上であり、前記発光層は、塗布プロセスによって成膜されることを特徴とする。
【００１１】
このような構成において、主に発光を担う第１ドーパントとは別に、第２ドーパントを発光層に添加する。
第２ドーパントの発光強度は、主として発光を担う第１ドーパントの発光強度と比べ、非常に小さい。このため、第２ドーパントの発光により有機ＥＬ素子全体としての発光の色純度が低下することがなく、有機ＥＬ素子の発光の色純度は維持される。
そして、第２ドーパントは発光色に寄与するものではないが、このような微量の第２ドーパントが添加されることにより、有機ＥＬ素子が長寿命化される。
【００１２】
なお、ここでいうドーパント発光強度とは、通電時に得られるEL発光スペクトルの当該ドーパントからの発光成分を意味する。
一般的に、第１ドーパントの発光強度を第２ドーパントの発光強度よりも高くする場合には、発光層中の第１ドーパントの含有量を、第２ドーパントの含有量よりも多くすることが必要である。また、第１ドーパントの方が第２ドーパントよりも発光ピーク波長が短波長である場合は、第１ドーパントの発光エネルギーが第２ドーパントに移動したり、吸収再発光したりするため、第２ドーパントの方が発光しやすい傾向がある。
例えば、第２ドーパントの含有量を十分に少なくすることにより、第１ドーパントと第２ドーパントとの発光強度比を１２倍以上にすることができる。
【００１３】
本発明において、発光層は、塗布プロセスで成膜される。
すなわち、それぞれ所定量ずつのホスト材料、第１ドーパント材料、第２ドーパント材料を溶媒に溶解させて有機ＥＬ材料含有溶液とする。この有機ＥＬ材料含有溶液を基板あるいは下地層等に滴下し、溶媒を蒸発させる。すると発光層が成膜される。
これによれば、第１ドーパントと、微量の第２ドーパントと、が均一に分散した発光層を容易に成膜することができる。
【００１４】
従来は発光層の成膜にあたり蒸着法を用いていたため、複数のドーパントを、異なる濃度で、一つの層に均一に共蒸着させることが困難であった。
ここで、複数のドーパントのそれぞれの濃度を高くすれば（例えば、１質量％以上）、蒸着法でも均一な成膜が可能であるが、その場合、第２ドーパントの発光強度も強くなり、有機ＥＬ素子全体の発光の色純度が低下する。すなわち、従来の成膜プロセスである蒸着法では一つの発光層にドープした第１ドーパントと第２ドーパントで発光強度比を１２倍以上にすることは不可能であった。
そのため、従来は、第１ドーパントを含有する発光層とは別に、微量の第２ドーパントを含有する二次層を設けていた。しかし、この場合、有機ＥＬ素子の積層数が増え、製造工程が複雑になるとともに、光取り出し効率が低下する。
つまり、積層数を抑え、かつ、色純度を保ちつつ複数のドーパントを用いることが困難であった。
【００１５】
この点、本発明によれば、成膜工程において塗布プロセスを用いるので、材料の混合比を正確に制御でき、さらに、微量の混合量であっても膜中に均一分布させることができる。
そして、第２ドーパントの発光強度を、第１ドーパントの発光色に影響のない程度に抑えることができる。
したがって、本発明によれば、色純度を劣化させることなく、また、積層数を増やすことなく複数のドーパントを用いることができ、有機ＥＬ素子の長寿命化を図ることができる。
【００１６】
本発明では、前記第２ドーパントの含有量は、０．００１質量％〜０．５質量％であることが好ましい。
このように第２ドーパントの含有量を低くすることで、第２ドーパントの発光強度は小さくして、第１ドーパントと第２ドーパントとの発光強度比を１２倍以上にすることができる。
【００１７】
本発明では、前記第１ドーパントのエネルギーギャップは、前記第２ドーパントのエネルギーギャップよりも大きいことが好ましい。
【００１８】
例えば、第１ドーパントのエネルギーギャップが２．９ｅＶ以上であり、第２ドーパントのエネルギーギャップが２．９ｅＶ未満とすることが例として挙げられる。
【００１９】
このような構成において、発光層にエネルギーギャップが小さい第２ドーパントが微量に含まれる。
すると、この第２ドーパントが電荷トラップとなって、発光層に過剰に注入される電荷（電子またはホール）をトラップして電荷バランスを整える。
その結果、有機ＥＬ素子の発光性能を向上させつつ、長寿命化を図ることができる。
【００２０】
従来、電荷の注入バランスが偏って、電子または正孔の一方が過剰に発光層に注入された場合、発光効率が低下したり、寿命が短くなるという問題が生じていた。
これは、電荷の注入バランスが偏った場合、発光域が発光層の陽極側または陰極側にずれたり、さらには、電荷が発光層を通過してしまうという現象が生じているためと考えられる。
電荷の不釣合いにより発光域がずれた場合には、十分に発光材料の性能を引き出すことができない。
さらに、発光層のみならず正孔輸送層あるいは電子輸送層にまで電荷が通過してしまうと、正孔輸送層や電子輸送層で電荷の再結合が起こってしまうために、材料の劣化が激しく寿命を短くしていると考えられている。
【００２１】
この点、本発明では、第２ドーパントによって発光層の電荷のバランスを調整できる。その結果、再結合領域を発光層の最適な領域に制御して発光効率を維持し、かつ、長寿命化を図ることができる。
そして、この場合でも、第２ドーパントの含有量は小さいので、有機ＥＬ素子全体の発光色に影響を与えることなく、色純度を保つことができる。
【００２２】
なお、第２ドーパントの発光が第１ドーパントの発光色に影響を与えないという観点から、第２ドーパントの含有量は少ない方が好ましい。一方、電荷トラップとして第２ドーパントが機能する観点からは所定の濃度が必要である。
この点から、第２ドーパントの含有量は、０．００１質量％〜０．５質量％であることが好ましく、０．００５質量％〜０．４質量％であることがより好ましく、０．０１質量％〜０．１質量％であることがさらに好ましい。
【００２３】
ここで、エネルギーギャップとは、伝導レベルと価電子レベルとの差をいい、例えば、ベンゼン中の吸収スペクトルの吸収端から測定した値により規定することができる。具体的には、市販の可視紫外分光光度計を用いて吸収スペクトルを測定し、その吸収スペクトルが立ち上がり始める波長から算出する。
ただし、上記の規定によらず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲でエネルギーギャップとして定義できる値であればよい。
【００２４】
本発明では、前記発光層と前記陰極との間に電子輸送層を備え、前記第２ドーパントは、前記ホストに対してアフィニティ準位が０．２ｅＶ以上大きく、前記電子輸送層の電子移動度は０．２５ｍＶ／ｃｍの電界強度において、１０−４ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましい。
【００２５】
この構成において、電子移動度が高い電子輸送層を用いることにより、有機ＥＬ素子の駆動電圧を低下させることができる。
また、発光層に注入された電子および正孔による励起子エネルギーは、ホストから第１ドーパントに移動して発光として取り出される。
【００２６】
ここで、電子輸送性能が高い電子輸送層を用いた場合、駆動電圧を下げることができる一方、電子を発光層に過剰に注入してしまう恐れもある。
そして、過剰に注入された電子が正孔輸送層（または陽極）に達してしまうと正孔輸送層（または陽極）を劣化させてしまい、有機ＥＬ素子の寿命を短くしてしまう。
この点、本発明では、ホストよりもアフィニティ準位が大きい第２ドーパントを備える。すると、この第２ドーパントが電子トラップとして作用する。過剰に注入された電子が第２ドーパントによってトラップされ、電荷バランスが整えられる。
その結果、電子移動度の高い電子輸送材によって電圧を低下させつつ、長寿命化も図ることができる。
【００２７】
ここで、アフィニティ準位Ａｆ（電子親和力）とは、材料の分子に電子を一つ与えた時に放出または吸収されるエネルギーをいい、放出の場合は正、吸収の場合は負と定義する。
アフィニティ準位Ａｆは、イオン化ポテンシャルＩｐと光学エネルギーギャップＥｇとにより次のように規定する。
Ａｆ＝Ｉｐ−Ｅｇ
ここで、イオン化ポテンシャルＩｐは、各材料の化合物から電子を取り去ってイオン化するために要するエネルギーを意味し、例えば、本願では、紫外線光電子分光分析装置（ＡＣ−３、理研（株）計器）で測定した値を用いることができる。
ただし、上記の規定によらず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲でアフィニティ準位として定義できる値であればよい。
【００２８】
また、電子移動度は、例えば、ＴＯＦ（time-of-flight）法によって測定することが例として挙げられるが、測定法は限られるものではない。
【００２９】
本発明では、前記電子輸送層は、下記式（１）で表される含窒素複素環誘導体を含むことが好ましい。
【００３０】
【化１】
【００３１】
（式（１）中、ＨＡｒは、置換もしくは無置換の炭素数３〜４０の含窒素複素環基である。
Ｌは、単結合、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜６０のヘテロアリーレン基または置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。
Ａｒ１は、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０の２価の芳香族炭化水素基である。
Ａｒ２は、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリール基または置換もしくは無置換の炭素数３〜６０のヘテロアリール基である。）
【００３２】
このような材料により、高い電子輸送性能を有する電子輸送層を構成することができる。
【００３３】
なお、本発明では、発光層のホストにドープするドーパントとして、第１ドーパント、第２ドーパントに加えて、さらに、第３ドーパントを添加してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００３５】
図１は、有機ＥＬ素子の一例を示す図である。
有機ＥＬ素子１は、ディスプレイパネルの各画素を構成するものであり、図示しない所定の駆動回路により印加電圧が制御され、発光動作の制御が行われる。
有機ＥＬ素子１は、基板１１側から順に積層された陽極１２、有機層１３および陰極１４を備え、保護膜１５にて覆われて気密に保護される。
【００３６】
本実施形態では、透明のガラス基板１１側から発光光を取り出すボトムエミッションタイプであり、ガラス基板１１上に透明電極を陽極１２として備える。
また、有機層１３と挟んで陽極１２と反対側にはＡｌ等で構成され光反射性の陰極１４を備える。
【００３７】
有機層１３は、陽極１２側から順に、正孔輸送帯域１３１、発光層１３２、電子輸送帯域１３３、を備える。
【００３８】
正孔輸送帯域１３１は、陽極１２から注入されたホールを輸送して発光層１３２にホールを注入するもので、本実施形態では正孔輸送層１３１Ａからなる。
正孔輸送層１３１Ａ（正孔輸送帯域１３１）は、イオン化エネルギーが小さいものが好ましく、例えば、通常５．５ｅＶ以下であることが好ましい。
また正孔輸送層１３１Ａ（正孔輸送帯域１３１）は、より低い電界強度で正孔を輸送する材料が好ましく、例えば、１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０−４ｃｍ２／Ｖ・秒であれば好ましい。具体的な材料については後述する。
【００３９】
発光層１３２は、電界印加時に正孔および電子がそれぞれ注入され（電荷注入機能）、この注入された電荷（正孔、電子）を電界の力で輸送し（電荷輸送機能）、正孔と電子との再結合の場を提供してこれを発光につなげるものである（発光機能）。
本実施形態において、発光層１３２は、ホストと、第１ドーパントと、第２ドーパントと、を備える。
ここで、ホスト材料とドーパント材料について説明する。
発光層１３２は、発光層１３２の大部分を構成するホスト材料と、このホスト材料にドープされるドーパント材料とで構成される。
ホスト材料は、例えば３０ｎｍ〜１００ｎｍの発光層１３２の大部分（例えば８０％以上）を構成する。
ホスト材料に対してドーパント材料が添加（ドープ）されており、その比（ドーパント材料／ホスト材料）は０．０１〜２０質量％とすることが一例として挙げられる。
ホスト材料からドーパント材料にエネルギー移動等が生じ、ドーパント材料が発光機能を担う。
【００４０】
そして、本実施形態においては、ホストに対して２種類のドーパントとして第１ドーパントと第２ドーパントとがドープされる。
発光の大部分は第１ドーパントが担うものであり、第１ドーパントの発光強度Ｉ１は、第２ドーパントの発光強度Ｉ２の１２倍以上である。
本実施形態の有機ＥＬ素子１は良好な短波長発光を示す素子にすべく、主として発光する第１ドーパントは、例えば、青色発光を示す発光材料とすることが例としてあげられ、例えば、エネルギーギャップが２．９ｅＶ以上である。
【００４１】
第２ドーパントは、発光層１３２において微量に含有されているものであり、その発光強度Ｉ２は小さい。
そして、このように第２ドーパントの発光強度Ｉ２を小さくするために、第２ドーパントの含有量は、発光層１３２の０．００１質量％〜０．５質量％である。
第２ドーパントは、第１ドーパントよりもエネルギーギャップが小さく、例えば、第１ドーパントのエネルギーギャップが２．９ｅＶ以上である場合、第２ドーパントのエネルギーギャップは２．９ｅＶ以下とする。
また、第２ドーパントを電子トラップとして機能させるため、第２ドーパントのアフィニティ準位Ａｆ２は、ホストのアフィニティ準位ＡｆＨよりも０．２ｅＶ以上大きいものとする。
【００４２】
次に、上記のように微量の第２ドーパントを含有する発光層１３２を成膜するにあたっては、塗布プロセスで成膜する。
すなわち、それぞれ所定量ずつのホスト材料、第１ドーパント材料、第２ドーパント材料を溶媒に溶解させて有機ＥＬ材料含有溶液とする。
そして、スピンコート法等により下地層の上に成膜する。
溶液を用いた塗布法によれば、ホスト、第１ドーパント、第２ドーパントの３種の材料の含有比を正確に制御することができる。
特に、微量の第２ドーパントの含有比を正確に制御でき、かつ、膜にした場合に第２ドーパントを膜中に均一に分布させることができる。
【００４３】
次に、発光層１３２を構成する化合物の具体例を挙げる。
ホストとしては、長寿命な発光材料として公知のものを用いることが可能である。
例えば、一般式（２）で示される材料をホスト材料として用いることが好ましい。
【００４４】
【化２】
【００４５】
式（２）中、Ａｒ１は核炭素数６〜５０の芳香族環であり、Ｘは置換基である。
ｍは１〜５の整数、ｎは０〜６の整数である。ｍ≧２の時、Ａｒ１はそれぞれ同じでも異なっていても良い。ｎ≧２の時、Ｘはそれぞれ同じでも異なっていても良い。
【００４６】
Ａｒ１として具体的には、フェニル環、ナフチル環、アントラセン環、ビフェニレン環、アズレン環、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、アセフェナンスリレン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、ピセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ペンタセン環、テトラフェニレン環、ヘキサフェン環、ヘキサセン環、ルビセン環、コロネン環、トリナフチレン環等が挙げられる。
好ましくはフェニル環、ナフチル環、アントラセン環、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ペリレン環、トリナフチレン環等が挙げられる。
さらに好ましくはフェニル環、ナフチル環、アントラセン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、ピレン環、クリセン環、ペリレン環等が挙げられる。
【００４７】
また、Ｘとして具体的には、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換若しくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換若しくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のカルボキシル基、置換又は無置換のスチリル基、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基等である。
【００４８】
置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、３−フルオランテニル基等が挙げられる。
【００４９】
好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、３−フルオランテニル基等が挙げられる。
【００５０】
置換若しくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基の例としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
【００５１】
置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。
【００５２】
置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基は−ＯＹで表される基であり、Ｙの例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【００５３】
置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基の例としては、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
【００５４】
置換若しくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基は−ＯＹ’と表され、Ｙ’の例としてはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
【００５５】
置換若しくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基は−ＳＹ”と表され、Ｙ”の例としてはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
【００５６】
置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のカルボキシル基は−ＣＯＯＺと表され、Ｚの例としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【００５７】
置換又は無置換のスチリル基の例としては、２−フェニル−１−ビニル基、２，２−ジフェニル−１−ビニル基、１，２，２−トリフェニル−１−ビニル基等が挙げられる。
ハロゲン基の例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
【００５８】
ｍは１〜２、ｎは０〜４が好ましい。
一般式（２）の化合物の具体例を以下に示す。
【００５９】
【化３】
【００６０】
【化４】
【００６１】
【化５】
【００６２】
また、次の式（３）で表されるアントラセン誘導体もホストとして好適である。
【００６３】
【化６】
【００６４】
式中、Ｒ１１〜Ｒ２０は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，アリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アリールアミノ基又は置換しても良い複素環基を示し、ｃ，ｄ，ｅ及びｆは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ１１同士，Ｒ１２同士，Ｒ１６同士又はＲ１７同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またＲ１１同士，Ｒ１２同士，Ｒ１６同士又はＲ１７同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ１３とＲ１４，Ｒ１８とＲ１９がたがいに結合して環を形成していてもよい。
Ｌ２は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換しても良いアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。
【００６５】
次の式（４）で示されるスピロフルオレン誘導体もホストとして好適である。
【００６６】
【化７】
【００６７】
式中、Ａ５〜Ａ８は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のビフェニル基又は置換もしくは無置換のナフチル基である。
【００６８】
また、次の式（５）で表される縮合環含有化合物もホストとして好適である。
【００６９】
【化８】
【００７０】
式中、Ａ９〜Ａ１４はそれぞれ水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基であり、Ｒ２１〜Ｒ２３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数５〜１８のアリールオキシ基、炭素数７〜１８のアラルキルオキシ基、炭素数５〜１６のアリールアミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜６のエステル基又はハロゲン原子を示し、Ａ９〜Ａ１４のうち少なくとも１つは３環以上の縮合芳香族環を有する基である。
【００７１】
また、下記式（６）で表されるフルオレン化合物もホストとして好適である。
【００７２】
【化９】
【００７３】
式中、Ｒ１及びＲ２は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基，置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、シアノ基又はハロゲン原子を表わす。
異なるフルオレン基に結合するＲ１同士、Ｒ２同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ１及びＲ２は、同じであっても異なっていてもよい。Ｒ３及びＲ４は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基又は置換あるいは無置換の複素環基を表わし、異なるフルオレン基に結合するＲ３同士、Ｒ４同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ３及びＲ４は、同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ１及びＡｒ２は、ベンゼン環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基又はベンゼン環と複素環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多環複素環基を表わし、Ａｒ１及びＡｒ２は、同じであっても異なっていてもよい。ｎは、１〜１０の整数を表す。
【００７４】
以上のホスト材料の中でも、好ましくはアントラセン誘導体、さらに好ましくはモノアントラセン誘導体、特に好ましくは非対称アントラセン（アントラセン骨格を中心軸にしたときに左右が互いに異なるものをいう）である。
【００７５】
また、次の式（７）で表されるナフタセン誘導体もホストして好適である。
【００７６】
【化１０】
【００７７】
式（７）中、Ｑ１０、Ｑ２０、Ｑ３０、Ｑ４０、Ｑ５０、Ｑ６０、Ｑ７０、Ｑ８０、Ｑ１１０、Ｑ１２０、Ｑ１３０およびＱ１４０は、それぞれ水素、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアリール基、アミノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数１〜２０のアリーロキシ基、炭素数１〜２０のアリールチオ基、炭素数１〜２０のアルケニル基、炭素数１〜２０のアラルキル基または複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。
【００７８】
さらに、前記式（７）で表されるナフタセン誘導体におけるＱ１０、Ｑ２０、Ｑ３０およびＱ４０の１つ以上がアリール基であることが好ましく、さらには、次の式（８）で表されるものがより好ましい。
【００７９】
【化１１】
【００８０】
式（８）中、Ｑ１０、Ｑ２１〜Ｑ２５、Ｑ３１〜Ｑ３５、Ｑ４０〜Ｑ８０、Ｑ１１０〜Ｑ１４０は、それぞれ水素、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニル基、アラルキル基または複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。
Ｑ２１〜Ｑ２５、Ｑ３１〜Ｑ３５は隣接する２個以上が互いに結合して環を形成してもよい。
【００８１】
さらに、上記式（８）で表されるナフタセン誘導体におけるＱ２１、Ｑ２５、Ｑ３１、Ｑ３５の１つ以上は、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリーロキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アラルキル基または複素環基であることが好ましい。
【００８２】
さらに、次の式（９）で表されるフルオランテン誘導体もホストとして好適である。
【００８３】
【化１２】
【００８４】
式（９）において、Ａｒは、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基であり、Ｒは互いに異なっていてもよく、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基である。
【００８５】
上記フルオランテン誘導体の具体例としては次のものが挙げられる。
【００８６】
【化１３】
【００８７】
上記式のＲは、式（９）のＲと同じである。
そして、Ｒは好ましくは水素又はフェニル基である。
より好ましくは、ナフタレン骨格又はアントラセン骨格に対向して置換する二つのＲがフェニル基であり他は水素である。
【００８８】
次に、第１ドーパント、第２ドーパントとしては、それぞれ長寿命な発光材料として公知のものを用いることが可能である。
そして、第１ドーパントの発光強度Ｉ１が第２ドーパントの発光強度Ｉ２の１２倍以上になるように、それぞれの濃度を設定し、かつ、第２ドーパントの含有量は０．００１質量％〜０．５質量％にすればよい。
このとき、第２ドーパントが電荷トラップとなるように、エネルギーギャップの小さい方を第２ドーパントとして選択する。
さらに、青色発光材料の寿命を長くする観点から、第１ドーパントをＥｇ≧２．９ｅＶの材料を選択し、第２ドーパントの添加によって、青色材料（第１ドーパント）の寿命を長くする構成であることが好ましい。
【００８９】
上記のホスト材料と組み合わせるに好適なドーパント材料としては以下のものが列挙されるので、このうちから第１ドーパントと第２ドーパントに適宜選択する。
【００９０】
ドーパントとしては、次の式で表されるアミン系ドーパントが挙げられる。
【００９１】
【化１４】
【００９２】
式（１２）中、Ａｒ２〜Ａｒ４は置換又は無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換又は無置換のスチリル基である。
ｐは１〜４の整数である。
ｐ≧２の時、Ａｒ３、Ａｒ４はそれぞれ同じでも異なっていても良い。
【００９３】
置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、３−フルオランテニル基等が挙げられる。
【００９４】
好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、３−フルオランテニル基等が挙げられる。
【００９５】
置換又は無置換のスチリル基の例としては、２−フェニル−１−ビニル基、２，２−ジフェニル−１−ビニル基、１，２，２−トリフェニル−１−ビニル基等が挙げられる。
一般式（１２）の化合物の具体例、及びその他ドーパントとして好適な化合物の例を以下に示す。
尚、式中において、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を表す。
なお、スチリル基がＮに直結する場合のみならず、スチリル基とＮとの間に二価の基（例えばフェニレン基に代表されるアリーレン基等）を有する場合も置換のスチリル基に含む。
【００９６】
【化１５】
【００９７】
【化１６】
【００９８】
【化１７】
【００９９】
【化１８】
【０１００】
また、以下のものは、第１ドーパントとして使用してもよいが、第２ドーパントとして使用するのに好適である。
【０１０１】
【化１９】
【０１０２】
【化２０】
【０１０３】
【化２１】
【０１０４】
【化２２】
【０１０５】
【化２３】
【０１０６】
【化２４】
【０１０７】
【化２５】
【０１０８】
【化２６】
【０１０９】
また、次の式（１３）、式（１４）のペリレン誘導体は、第２ドーパントとして好適であり、さらに、上記ナフタセン誘導体のホストに組み合わせるのに特に好適である。
【０１１０】
【化２７】
【０１１１】
一般式（１３）及び（１４）において、Ａｒ５１、Ａｒ５２及びＡｒ５３は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは無置換の核原子数６〜５０の芳香族複素環基を表す。
【０１１２】
Ｘ１〜Ｘ１８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキルチオ基、置換若しくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルケニルオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルケニルチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の核原子数６〜５０の芳香族複素環基、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数７〜５０のアラルキル基、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールアルキルオキシ基、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールアルキルチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールアルケニル基、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０のアルケニルアリール基、アミノ基、カルバゾリル基、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ５４、−ＣＯＲ５５、又は−ＯＣＯＲ５６（ここで、Ｒ５４、Ｒ５５及びＲ５６は、それぞれ水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換若しくは無置換の核炭素数７〜５０のアラルキル基、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは無置換の核原子数６〜５０の芳香族複素環基を表す。）から選ばれる基を表す。
また、隣接する基は互いに結合していてもよく、さらにはＸ１〜Ｘ１８が結合している炭素原子と共に環を形成していてもよい。
【０１１３】
ここで、式（１３）、式（１４）において、Ｘ１〜Ｘ１８の少なくとも一つは水素でない場合が好ましい。または、Ａｒ５１、Ａｒ５２及びＡｒ５３の置換基、Ｘ１〜Ｘ１８及びＸ１〜Ｘ１８の置換基の中の少なくとも１つはハロゲン原子である場合が好ましい。
【０１１４】
さらに、ペリレン誘導体のうちインデノペリレン誘導体として以下のものが挙げられる。
【０１１５】
【化２８】
【０１１６】
上記式（１５）、（１６）において、Ｒは互いに異なっていてもよく、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケニルチオ基、芳香環含有アルキル基、芳香環含有アルキルオキシ基、芳香環含有アルキルチオ基、芳香環基、芳香族複素環基、芳香環オキシ基、芳香環チオ基、芳香環アルケニル基、アルケニル芳香環基、アミノ基、カルバゾリル基、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ５１（Ｒ５１は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基又は芳香環基である。）、−ＣＯＲ５２（Ｒ５２は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基、芳香環基又はアミノ基である）、又は−ＯＣＯＲ５３（Ｒ５３はアルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基又は芳香環基である）である。
ここでＲの隣接する基は、互いに結合してもよく、又は置換している炭素原子と共に環を形成していてもよい。
さらに、Ｒの少なくとも１つは水素ではないことが好ましい。
【０１１７】
さらに、上記の他、ドーパントとしては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ピレン誘導体、ナフタセン誘導体、ルブレン誘導体、フルオランテン誘導体、ベンゾフルオランテン誘導体、ジインデノペリレン誘導体、スチリルアミン誘導体、ビスアミノ−ジスチルベン誘導体、アクリドン誘導体、アクリジン誘導体、キナクリドン誘導体等、クマリン誘導体〔例えば、クマリン１、クマリン６、クマリン７、クマリン３０、クマリン１０６、クマリン１３８、クマリン１５１、クマリン１５２、クマリン１５３、クマリン３０７、クマリン３１１、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリン３３８、クマリン３４３、クマリン５００〕、ピラン誘導体〔例えば、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２〕、オキサゾン誘導体〔例えば、ナイルレッド〕、アリールアミン化合物及び／又はスチリルアミン化合物、コロネン、クリセン、フルオレセイン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、および、蛍光色素等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１１８】
次に、電子輸送帯域１３３について説明する。
電子輸送帯域１３３としては電子輸送層１３３Ａと電子注入層１３３Ｂとを備える。
電子輸送層１３３Ａは、発光層１３２への電子の注入を助ける層であって、電子移動度が大きい。
本実施形態では、駆動電圧を下げるため、電子移動度が大きい電子輸送層１３３Ａが好ましく、０．２５ｍＶ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が１０−４ｃｍ２／Ｖｓ以上である。
このように電子移動度が高い電子輸送層１３３Ａを備えた場合、駆動電圧が低くなる一方、発光層１３２に過剰に電子注入が行われてしまい、寿命を劣化させることがある。
この点、本実施形態では発光層１３２に第２ドーパントを添加することにより、第２ドーパントを電子トラップとして機能させ、電荷バランスをとる構成としている。
よって、高い電子移動度を有する電子輸送層１３３Ａを備え、低い駆動電圧と長寿命を同時に達成することができる。
また、本実施形態のごとくボトムエミッション型有機ＥＬ素子ででは、直接陽極１２から取り出される発光と、電極による反射を経由して取り出される発光とが干渉することが知られている。
この干渉効果を効率的に利用するため、電子輸送層１３３Ａの膜厚を数ｎｍ〜数μｍの膜厚で適宜調整することが行われる。
この場合、電子輸送層１３３Ａを厚くすると電圧上昇等の懸念もあるが、本実施形態では電子移動度が高い電子輸送層１３３Ａを備えるため、干渉効果を十分に利用できる膜厚にしても駆動電圧の上昇につながりにくいという効果がある。
【０１１９】
電子輸送層１３３Ａの具体的化合物としては上記式（１）で表される含窒素複素環誘導体を含むものが例として挙げられ、このような含窒素複素環誘導体の具体例としては下記に示すものが挙げられる。ただし、本発明の電子輸送層の材料としてはこれらの例示化合物に限定されるものではない。
【０１２０】
【化２９】
【０１２１】
【化３０】
【０１２２】
【化３１】
【０１２３】
【化３２】
【０１２４】
【化３３】
【０１２５】
【化３４】
【０１２６】
【化３５】
【０１２７】
【化３６】
【０１２８】
【化３７】
【０１２９】
【化３８】
【０１３０】
【化３９】
【０１３１】
【化４０】
【０１３２】
【化４１】
【０１３３】
【化４２】
【０１３４】
【化４３】
【０１３５】
【化４４】
【０１３６】
【化４５】
【０１３７】
以上の具体例のうち、特に、（１−１）、（１−５）、（１−７）、（２−１）、（３−１）、（４−２）、（４−６）、（７−２）、（７−７）、（７−８）、（７−９）、（９−７）が好ましい。
【０１３８】
電子注入層１３３Ｂは、陰極１４と有機層１３との間において電流のリークを有効に防止して電子注入性を高めるものであり、絶縁体や半導体等で構成される。
【０１３９】
次に、有機ＥＬ素子１の製造方法について説明する。
透光性基板１１上に陽極１２／正孔注入層１３１Ａ／発光層１３２／電子注入層１３３Ｂ／陰極１５が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例を記載する。
まず、適当な透光性基板１１上に陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極１２を作製する。
次にこの陽極１２上に正孔注入層１３１Ａを設ける。
正孔注入層１３１Ａの形成は、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、塗布法で成膜することが好ましい。
膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。
【０１４０】
次に、発光層１３２は、塗布プロセスによって成膜される。
すなわち、それぞれ所定量ずつのホスト材料、第１ドーパント材料、第２ドーパント材料を溶媒に溶解させて有機ＥＬ材料含有溶液とする。
この有機ＥＬ材料含有溶液をスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、等の塗布法を用いることができる。
パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
【０１４１】
溶媒例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、エチルビフェニル、イソプロピルビフェニル、アニソール、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのアルコキシ基、ハロゲンを有しても良い芳香族系溶媒が挙げられる。
また、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒も溶媒として用いられ、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒も溶媒として用いられる。
【０１４２】
また、有機ＥＬ材料含有溶液の粘度を調整するために、有機ＥＬ材料含有溶液に粘度調整液を混合してもよく、粘度調整液としては、例えば、アルコール系溶液、ケトン系溶液、パラフィン系溶液およびアルキル置換芳香族系溶液等が挙げられる。好ましくは、アルコール系溶液、アルキル置換芳香族系溶液である。
アルコール系溶液としては、メタノールやエタノール、プロパノール、n-ブタノール、s-ブタノール、2-メチル-1-ブタノール、2-メチル-2-ブタノール、3-メチル-2-ブタノール、ｔ-ブタノール、n-ペンタノール、4-メチル-２-ペンタノール、3-メチル-1-ペンチン-3-オール、n-ヘキサノール、2-エチルヘキサノール、3、5-ジメチル-1-ヘキシン-3-オール、n-ヘプタノール、3、3,5-トリメチルヘキサノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-オクタノール、n-ノナノール、n-デカノール、メチルシクロヘキサノール、シクロヘキサノール、α-テルピネオール、ネオペンチルアルコール、グリシドール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール、プロパンジオール、ブタンジオール、ベンジルアルコール、などが例として挙げられる。上記アルコールは直鎖、分岐構造のどちらでも良い。
アルキル置換芳香族系溶液としては直鎖または分岐のブチルベンゼン、ドデシルベンゼン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、ジシクロヘキシルベンゼン、1,1-ビス（3,4-ジメチルフェニル）エタン、3-メチルジフェニルエーテルなどが挙げられる
粘度調整液は単独で使用してもよく、複数混合して用いてもよい。
【０１４３】
次に、この発光層１３２上に電子注入層１３３Ｂを設ける。
真空蒸着法により形成することが例として挙げられるが、塗布法によって成膜してもよい。
【０１４４】
最後に陰極１５を積層して有機ＥＬ素子１を得ることができる。
陰極１５は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリング等を用いることができる。
なお、下地の有機物層１３を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
【０１４５】
有機ＥＬ素子１の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
なお、有機ＥＬ素子１に直流電圧を印加する場合、陽極１２を＋、陰極１５を−の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極１２が＋、陰極１５が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。
【実施例】
【０１４６】
以下、本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
尚、各実施例で使用した化合物の性質及び作製した素子は下記の方法で評価した。
（１）エネルギーギャップ：ベンゼン中の吸収スペクトルの吸収端から測定した。具体的には、市販の可視紫外分光光度計を用いて吸収スペクトルを測定し、その吸収スペクトルが立ち上がり始める波長から算出する。
（２）輝度：分光放射輝度計（ＣＳ−１０００、ミノルタ製）により測定した。
（３）発光極大波長の発光強度：作製するＥＬ素子と同じ条件でドーパントとして第１ドーパントのみを含む発光層（第１発光層）、及び、ドーパントとして第２ドーパントのみを含む発光層（第二発光層）の単層膜をそれぞれ作製し、市販の蛍光測定装置を用いてそれぞれの単層膜の蛍光スペクトルを測定する。得られた第１発光層の蛍光スペクトルから、第１発光層の発光極大波長ａにおいて、第一発光層の蛍光強度Ｉａを測定する。同様に、得られた第２発光層の蛍光スペクトルから、第２発光層の発光極大波長ｂにおいて、第二発光層の蛍光強度Ｉｂ を測定する。
第１発光層と第二発光層の発光極大波長が十分に離れている場合は、ＥＬ素子の発光スペクトルにおける、ａ，ｂの波長における発光強度Ｉａ，ＩｂがそれぞれＩ１，Ｉ２と近似できる。
第１発光層と第二発光層の発光極大波長が近接している場合は、ＥＬ素子全体の発光スペクトルは、第１発光層からの発光スペクトルと第２発光層からの発光スペクトルの和になると仮定できる。
従って、得られた第１発光層の蛍光スペクトルにおいて、波長ａ、ｂの蛍光強度Ｉ１ａ 、Ｉ１ｂを測定する。同様に、第２発光層の蛍光スペクトルにおいて、波長ａ，ｂの蛍光強度Ｉ２ａ、Ｉ２ｂを測定する。Ｉ１，Ｉ２について以下の式が成り立つ。
Ｉａ＝Ｉ１＊Ｉ１ａ＋Ｉ２＊Ｉ２ａ
Ｉｂ＝Ｉ１＊Ｉ１ｂ＋Ｉ２＊Ｉ２ｂ
上記の式よりＩ１、Ｉ２の比が求められる。
（４）発光効率：マルチメータを用いて測定した電流密度値と輝度（１００ｎｉｔ）より算出した。
（５）Ｃ．Ｉ．Ｅ色度座標：（２）と同様に測定して得られる。
（６）半減寿命：初期輝度１０００ｎｉｔ、定電流条件下にて封止した素子に対し測定を行った。（室温）
（７）電子移動度：Ｔｉｍｅ ｏｆ ｆｌｉｇｈｔ法により算出した。具体的には、ＩＴＯ／有機層（電子注入層等、層厚１〜２μｍ）／Ａｌの構成としたものについて、光照射により生じる過渡電流の時間特性（過渡特性時間） を測定し、以下の式により電子移動度を算出した。
電子移動度＝（有機層厚）２／（過渡特性時間・電界強度）
【０１４７】
実施例において使用した化合物を以下に示す。
【０１４８】
【化４６】
【０１４９】
【化４７】
【０１５０】
【化４８】
【０１５１】
【化４９】
【０１５２】
【化５０】
【０１５３】
【化５１】
【０１５４】
上記化合物のエネルギーギャップ、アフィニティ準位、電子移動度のデータは次の通りである。
Ｄ１のＥｇ＝２．９ｅＶ、Ａｆ＝２．５ｅＶ
Ｈ１のＥｇ＝３．０ｅＶ、Ａｆ＝２．７ｅＶ
Ｄ２のＥｇ＝２．８ｅＶ、Ａｆ＝２．８ｅＶ
Ｄ３のＥｇ＝２．６ｅＶ、Ａｆ＝３．０ｅＶ
ＥＴ−１の電子移動度は４×１０−４ｃｍ２／Ｖ・ｓ（ただしＥ＝５×１０５Ｖ／ｃｍの電界中で）
Ａｌｑの電子移動度は５×１０−６ｃｍ２／Ｖ・ｓ（ただしＥ＝５×１０５Ｖ／ｃｍの電界中で）
【０１５５】
（比較例１）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄した後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極付きガラス基板に、スピンコート法で正孔注入層に用いるポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ）の混合物を５０ｎｍの膜厚で成膜した。
ついで、上記ポリマー１（Ｍｗ:１４５０００）のトルエン溶液（０．６質量％）をスピンコート法で２０ｎｍの膜厚で成膜し、１７０℃で３０分間乾燥した。
その後、成膜済みの基板を真空蒸着装置に移送した。
発光層としては２つの積層から構成し、第１発光層はドーパントＤ１とホストＨ１を２０ｎｍ（ドープ濃度５質量％）とし、第２発光層はドーパントＤ２／ホストＨ１を２０ｎｍ（５質量％）として、順次真空蒸着法にて成膜した。
この膜上に膜厚２０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウム膜（以下「Ａｌｑ膜」と略記する。）を成膜した。
このＡｌｑ膜は、電子輸送層として機能する。
この上に、電子注入層としてフッ化リチウムを１ｎｍの膜厚に成膜した。
最後にアルミニウムを膜厚１５０ｎｍで成膜し、陰極を形成した。
電流を流して性能を評価したところ、輝度６．７ｃｄ／Ａ、色度（０．１５、０．１７）、半減寿命ＬＴ５０＝３０００ｈ＠１０００ｃｄ/ｍ２、駆動電圧＝６．５Ｖ＠１０ｍＡ/ｃｍ２、発光強度比Ｉ１／Ｉ２＝８０／２０であった。
【０１５６】
（比較例２）
発光層を１層で膜厚を４０ｎｍにし、ホストをＨ１、ドーパントＤ１を５質量％、ドーパントＤ２を１質量％、としたこと以外は比較例１と同様に素子を作製した。
その結果、輝度１０ｃｄ／Ａ、色度（０．１５、０．３０）、半減寿命ＬＴ５０＝５０００ｈ＠１０００ｃｄ/ｍ２、駆動電圧＝６．５Ｖ＠１０ｍＡ/ｃｍ２、発光強度比Ｉ１／Ｉ２＝０／１００、となった。
すなわち、ドープ濃度が少ないにもかかわらず、第２ドーパントＤ２の発光のみとなり、発光は青緑色になった。
【０１５７】
（比較例３）
比較例１において、第２発光層の第２ドーパントＤ２の濃度を１質量％にした。
それ以外は比較例１と同様に素子を作成した。
その結果、７．０ｃｄ／Ａ、色度（０．１５、０．１６）、半減寿命ＬＴ５０＝３０００ｈ＠１０００ｃｄ／ｍ２、電圧６．５Ｖ＠１０ｍＡ／ｃｍ２、発光強度比Ｉ１／Ｉ２＝９０／１０であった。
第２ドーパントの発光が減って色純度はよくなったが、長寿命化の効果は不十分であった。
【０１５８】
（比較例４）
比較例１において、発光層を第１発光層のみとし、膜厚を４０ｎｍに変更し、電子輸送層としてＥＴ−１を蒸着法で成膜した。それ以外は比較例１と同様に素子を作成した。
その結果、輝度８ｃｄ／Ａ、色度（０．１５、０．１５）、半減寿命ＬＴ５０＝３００ｈ、駆動電圧＝３．５Ｖ＠１０ｍＡ／ｃｍ２、発光強度比Ｉ１／Ｉ２＝１００／０であった。
電子輸送層にＥＴ−１を用いたことにより、駆動電圧が低下したが、寿命は比較例１よりも短かった。
【０１５９】
（実施例１）
比較例４において、発光層を塗布法で成膜した。
すなわち、シクロヘキサノンを溶媒に用い、ドーパントＤ１とドーパントＤ２をそれぞれ、５質量％、０．５質量％とした溶液を調整し、この溶液からスピンコートにて一層からなる発光層を成膜した。発光層の膜厚は２０ｎｍとした。
それ以外は比較例４と同様に素子を作成した。
その結果、輝度８ｃｄ／Ａ、色度（０．１５、０．１６）、半減寿命ＬＴ５０＝４０００ｈ＠１０００ｃｄ／ｍ２、駆動電圧＝３．５Ｖ＠１０ｍＡ／ｃｍ２、発光強度比Ｉ１／Ｉ２＝９５／５であった。
一層からなる発光層に第２ドーパントＤ２を希薄にドープすることで、発光は第１ドーパントＤ１のみとすることができ、かつ、寿命も比較例１よりも長く、比較例１に比べて第２発光層が無い分、駆動電圧は３Ｖ低下した。
【０１６０】
（実施例２）
電子輸送層を比較例１と同じにしたこと以外は実施例１と同様に素子を作製した。
その結果、輝度７ｃｄ／Ａ、色度（０．１５、０．１６）、半減寿命ＬＴ５０＝５０００ｈ＠１０００ｃｄ／ｍ２、駆動電圧＝６．５Ｖ＠１０ｍＡ／ｃｍ２、発光強度比Ｉ１／Ｉ２＝９５／５であった。
実施例１よりも電圧は上昇するが、寿命は更に延び、色度も良好であった。
【０１６１】
（実施例３）
第２ドーパントＤ２の濃度を０．０１質量％としたこと以外は実施例１と同様に素子を作製した。
発光輝度８ｃｄ／Ａ、色度（０．１５、０．１５）、半減寿命ＬＴ５０＝３８００ｈ＠１０００ｃｄ／ｍ２、駆動電圧＝３．５Ｖ＠１０ｍＡ／ｃｍ２、発光強度比Ｉ１／Ｉ２＝９９／１であった。
【０１６２】
（実施例４）
実施例１において、Ｄ２を０．４質量％としたこと以外は、同様に作製した。
以下、結果は下記の表１を参照。
【０１６３】
（実施例５）
第２ドーパントＤ２の濃度を０．０５質量％としたこと以外は、実施例１と同様に素子を作製した。
【０１６４】
（実施例６）
第２ドーパントＤ２の濃度を０．０３質量％としたこと以外は実施例１と同様に素子を作製した。
【０１６５】
（実施例７）
実施例１において、Ｄ２をＤ３とし、濃度を０．０５質量％としたこと以外は、同様に作製した。
【０１６６】
（実施例８）
実施例１において、Ｄ２をＤ３とし、濃度０．３質量％としたこと以外は、同様に作製した。
【０１６７】
【表１】
【０１６８】
比較例４に対して、実施例１から実施例８を比較すると、比較例４は発光層は一層でドーパントとしては主に発光する第１ドーパントのみを含有しているのに対し、実施例１から実施例８では一つの発光層中に主として発光する第１ドーパントに加えて微量の第２ドーパントが含有されている。
比較例４と実施例１から実施例８では色度は略同じで良好な青色であるが、実施例１から実施例８では格段に寿命が長いことがわかる。
このことから、本発明のごとく一の発光層中に第１ドーパントと微量の第２ドーパントを含有させることにより、極めて長寿命でありながら、色純度も良好である素子を構成できることが示された。
そして、比較例１と実施例１から実施例８との対比によれば、比較例１のごとく発光層を２層として第１発光層に第１ドーパントを含有させ、第２発光層に第２ドーパントを含有させる場合でも同様な作用効果を期待できるものであるが、本発明の構成によって、色純度および寿命において格段の向上を図れることが示された。
さらに、比較例１における色純度の欠点を解消するために比較例３のごとく発光層を２層として第２発光層の第２ドーパントＤ２濃度を低くした場合でも色純度の問題は多少改善されるものの、比較例３では発光層を二層に分けているため、寿命に関しては本発明の実施例ほどの効果を奏さないことが示された。
なお、第２発光層の第２ドーパント濃度を比較例３よりも低くすることを試みても蒸着法では不可能であり、実施例のごとくドーパント濃度を低くするには塗布法を採用することが必要である。
【０１６９】
なお、本発明は上記実施形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で変更してもよいことはもちろんである。
第２ドーパントの含有比は上記実施例に限定されず、第１ドーパントと第２ドーパントとの発光強度比が１２倍以上となれば第２ドーパントの含有量は制限されるものではない。
第２ドーパントのエネルギーギャップは第１ドーパントのエネルギーギャップより小さいことが好ましいが、第２ドーパントのエネルギーギャップが第１ドーパントのエネルギーギャップより大きくてもよい。この場合でも、第２ドーパントのＡｆがホストのＡｆよりも０．２ｅＶ以上大きければ電子トラップとして作用する。
電子輸送層としては上述の化合物に限られず、公知の電子輸送材料を適用できることはもちろんであり、そのような場合でも本発明の効果を奏する。
以下、本発明の変形例として、素子構成および各層の材料等について列挙するが、これに限られるものではないことはもちろんである。
【０１７０】
（１）有機ＥＬ素子の構成
以下、有機ＥＬ素子の素子構成について説明する。
有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
(1) 陽極／発光層／陰極
(2) 陽極／正孔注入層／発光層／陰極
(3) 陽極／発光層／電子注入層／陰極
(4) 陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
(5) 陽極／有機半導体層／発光層／陰極
(6) 陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
(7) 陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
(8) 陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
(9) 陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
(10)陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
(11)陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
(12)陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
(13)陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
などの構造を挙げることができる。
【０１７１】
（２）透光性基板
有機ＥＬ素子は、透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。
ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。
またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
【０１７２】
（３）陽極
有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、金、銀、白金、銅等が適用できる。 陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。
【０１７３】
（４）正孔注入、輸送層
正孔注入、輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入、輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば、１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０−４ｃｍ２／Ｖ・秒であれば好ましい。
正孔注入、輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１７４】
具体例として例えば、トリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，１８０，７０３号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、特開平１−２１１３９９号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。
さらに、チオフェンポリマーでもよく、ポリ（アルキルチオフェン）ポリマーが例として挙げられ、ポリジオキシチオフェン、さらに、ポリ（３，４−ジオキシチオフェン）が好ましい例として挙げられる。また、アニリン系としてはポリマー（ポリアニリン）であってもよい。
【０１７５】
また、次の式で表されるものを挙げることができる。
Ｑ１−Ｇ−Ｑ２
（式中、Ｑ１及びＱ２は少なくとも１個の三級アミンを有する部位であり、Ｇは連結基である。）
【０１７６】
さらに好ましくは以下の式（１７）で示すアミン誘導体である。
【０１７７】
【化５２】
【０１７８】
式において、Ａｒ２１〜Ａｒ２４は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の複素芳香族環である。
Ｒ２１、Ｒ２２は置換基であり、ｓ、ｔはそれぞれ０〜４の整数である。
Ａｒ２１及びＡｒ２２、Ａｒ２３及びＡｒ２４はそれぞれ互いに連結して環状構造を形成してもよい。
Ｒ２１及びＲ２２もそれぞれ互いに連結して環状構造を形成してもよい。
Ａｒ２１〜Ａｒ２４の置換基、及びＲ２１、Ｒ２２は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の複素芳香族環、炭素数１〜５０のアルキル基、炭素数１〜５０のアルコキシ基、炭素数１〜５０のアルキルアリール基、炭素数１〜５０のアラルキル基、スチリル基、核炭素数６〜５０の芳香族環若しくは核原子数５〜５０の複素芳香族環で置換されたアミノ基、核炭素数６〜５０の芳香族環若しくは核原子数５〜５０の複素芳香族環で置換されたアミノ基で置換された核炭素数６〜５０の芳香族環若しくは核原子数５〜５０の複素芳香族環である。
【０１７９】
正孔注入層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報等に開示のもの）、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０１８０】
また、米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、また、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。
また、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。
【０１８１】
また、発光層及び発光層と陽極の間の有機層の少なくとも一層が、酸化剤を含有していることが好ましく、好ましい酸化剤としては、電子吸引性又は電子アクセプターであり、具体的には、ルイス酸、各種キノン誘導体、ジシアノキノジメタン誘導体、芳香族アミンとルイス酸で形成された塩類等が挙げられ、ルイス酸は、塩化鉄、塩化アンチモン、塩化アルミニウム等が挙げられる。
この他に特許第０３５７１９７７号で開示されている下記式（１８）で表される含窒素複素環誘導体も用いることができる。
【０１８２】
【化５３】
【０１８３】
式（１８）中、Ｒ１〜Ｒ６は置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換の複素環基のいずれかを示す。但し、Ｒ１〜Ｒ６は同じでも異なっていてもよい。また、Ｒ１とＲ２，Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６またはＲ１とＲ６，Ｒ２とＲ３、Ｒ４とＲ５が縮合環を形成していてもよい。
【０１８４】
さらに、ＵＳ２００４／１１３５４７ Ａ１で開示されている下記式（１９）の化合物も用いることができる。
【０１８５】
【化５４】
【０１８６】
式（１９）中、Ｒ１〜Ｒ６は置換基であり、好ましくはシアノ基、ニトロ基、スルホニル基、カルボニル基、トリフルオロメチル基、ハロゲンなどの電子吸引基である。
【０１８７】
正孔注入、輸送層は上述した化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入、輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入、輸送層は正孔輸送帯域に本発明の化合物を含有していれば、上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよいし、又は前記正孔注入、輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入、輸送層を積層したものであってもよい。
また、有機半導体層は発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、１０−１０Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平８−１９３１９１号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。
【０１８８】
（５）電子注入層
有機ＥＬ素子の好ましい形態に、電子を輸送する領域又は陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。
【０１８９】
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Ｌｉ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）およびＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも１つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、およびＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも１つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選択される少なくとも１つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、ＲｂまたはＣｓであり、最も好ましのは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂあるいはＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
【０１９０】
陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けても良い。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも１つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２ＳｅおよびＮａ２Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、およびＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌおよびＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２およびＢｅＦ２といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
また、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の１種単独または２種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
【０１９１】
（６）陰極
陰極としては、電子注入・輸送層又は発光層に電子を注入するため、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム・カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで発光層からの発光を陰極から取り出す場合（トップエミッションの場合）、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
【０１９２】
（７）絶縁層
有機ＥＬ素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。
これらの混合物や積層物を用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１９３】
本発明は、表示装置等に用いる混合色の有機ＥＬ素子として利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１９４】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例を示す図である。
【符号の説明】
【０１９５】
１ 有機ＥＬ素子
１１ 基板
１２ 陽極
１３ 有機層
１４ 陰極
１５ 保護膜
１３１ 正孔輸送帯域
１３１Ａ 正孔輸送層
１３２ 発光層
１３３ 電子輸送帯域
１３３Ａ 電子輸送層
１３３Ｂ 電子注入層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子に関する。特に、発光寿命の長い有機ＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子が知られている。
有機ＥＬ素子は、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に配設された有機化合物にて構成される発光層と、を備える。
そして、電圧を印加し、発光層に電流を流す。
すると、発光層における電子と正孔との再結合の際の放出エネルギーが光として取り出される。
ここで、発光層を単一の有機化合物で構成するのではなく、ホスト材料にドーパント材料を添加した構成が知られている（例えば、特許文献１）。
通常、ホストに対し、ドーパントは０．１〜２０質量％程度ドープされる。
すると、発光効率および寿命に優れた有機ＥＬ素子とすることができる。
【０００３】
そして、更なる改良のため、特に長寿命化のために、発光層ではなく、発光層に隣接した副次的な層にドーパントをドープすることが知られている（例えば、特許文献２、３、４）。
【０００４】
特許文献２では、発光層に隣接した正孔輸送層あるいは電子輸送層において発光層に接する副次的な層（二次層）を設け、この二次層に発光に寄与しない色中性ドーパントをドープする構成が開示されている。
特許文献３では、正孔注入層に多環縮合環化合物（具体的にはルブレン）をドープする構成が開示されている。
特許文献４では、主として発光する陽極側の青色発光層の陰極側に赤色発光層を配置した構成が開示されている。
そして、このような構成により、有機ＥＬ素子の駆動が安定し、寿命が長くなる効果が開示されている。
【０００５】
しかしながら、上記文献に開示される構成では、発光層や電荷輸送層の他に新たに層を増やす必要があるため、製造工程が複雑になってしまうという問題がある。
【０００６】
ここで、特許文献５には、一の発光層に複数のドーパントを含有させる構成が開示されている。
複数のドーパントとしては、３種が挙げられ、すなわち、（i）励起子トラップドーパント、（ii）正孔トラップドーパント、（iii）ルミネセンスドーパントが挙げられている。
例として、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）錯体からなるホストに、（i）励起子トラップドーパントとしてルブレン５％、（ii）正孔トラップドーパントとして４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（ＮＰＤ）５％、（iii）ルミネセンスドーパントとしてＤＣＪＴB２％をドープした構成が開示されている。この構成により、駆動寿命が長くなる効果が開示されている。
【０００７】
しかしながら、特許文献５に記載の有機ＥＬ素子の構成では、ルミネセンスドーパントに対して、励起子トラップドーパントや正孔トラップドーパントの量が多く、励起子トラップドーパントや正孔トラップドーパントも当然に発光している。
そのため、ルミネセンスドーパントの発光色に対して色純度が低下してしまう。
さらには、一の発光層を構成するにあたって、ホスト材料と３つのドーパント材料とで合計４種の材料により発光層を成膜することは非常に困難である。
特許文献５の実施例に開示されるごとく蒸着法によって成膜する場合、４種の材料を蒸発させて全体に均一な濃度で共蒸着することは困難である。
部分的な濃度のムラが生じてしまうことは避けられず、発光ムラが生じるので、現実的ではない。
【０００８】
【特許文献１】特開平０７−２８８１８４号公報
【特許文献２】特開２００３−０５１３８８号公報
【特許文献３】米国特許第５９８９７３７号公報
【特許文献４】特開２００４−２２１０４５号公報
【特許文献５】特開２００２−３８１４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、色純度を保ち、実用的な製造工程で製造でき、かつ、長寿命である有機ＥＬ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた発光層と、を備えた有機ＥＬ素子であって、前記発光層は、ホストと、第１ドーパントと、第２ドーパントと、を含有し、前記第１ドーパントの発光強度は、前記第２ドーパントの発光強度の１２倍以上であり、前記発光層は、塗布プロセスによって成膜されることを特徴とする。
【００１１】
このような構成において、主に発光を担う第１ドーパントとは別に、第２ドーパントを発光層に添加する。
第２ドーパントの発光強度は、主として発光を担う第１ドーパントの発光強度と比べ、非常に小さい。このため、第２ドーパントの発光により有機ＥＬ素子全体としての発光の色純度が低下することがなく、有機ＥＬ素子の発光の色純度は維持される。
そして、第２ドーパントは発光色に寄与するものではないが、このような微量の第２ドーパントが添加されることにより、有機ＥＬ素子が長寿命化される。
【００１２】
なお、ここでいうドーパント発光強度とは、通電時に得られるEL発光スペクトルの当該ドーパントからの発光成分を意味する。
一般的に、第１ドーパントの発光強度を第２ドーパントの発光強度よりも高くする場合には、発光層中の第１ドーパントの含有量を、第２ドーパントの含有量よりも多くすることが必要である。また、第１ドーパントの方が第２ドーパントよりも発光ピーク波長が短波長である場合は、第１ドーパントの発光エネルギーが第２ドーパントに移動したり、吸収再発光したりするため、第２ドーパントの方が発光しやすい傾向がある。
例えば、第２ドーパントの含有量を十分に少なくすることにより、第１ドーパントと第２ドーパントとの発光強度比を１２倍以上にすることができる。
【００１３】
本発明において、発光層は、塗布プロセスで成膜される。
すなわち、それぞれ所定量ずつのホスト材料、第１ドーパント材料、第２ドーパント材料を溶媒に溶解させて有機ＥＬ材料含有溶液とする。この有機ＥＬ材料含有溶液を基板あるいは下地層等に滴下し、溶媒を蒸発させる。すると発光層が成膜される。
これによれば、第１ドーパントと、微量の第２ドーパントと、が均一に分散した発光層を容易に成膜することができる。
【００１４】
従来は発光層の成膜にあたり蒸着法を用いていたため、複数のドーパントを、異なる濃度で、一つの層に均一に共蒸着させることが困難であった。
ここで、複数のドーパントのそれぞれの濃度を高くすれば（例えば、１質量％以上）、蒸着法でも均一な成膜が可能であるが、その場合、第２ドーパントの発光強度も強くなり、有機ＥＬ素子全体の発光の色純度が低下する。すなわち、従来の成膜プロセスである蒸着法では一つの発光層にドープした第１ドーパントと第２ドーパントで発光強度比を１２倍以上にすることは不可能であった。
そのため、従来は、第１ドーパントを含有する発光層とは別に、微量の第２ドーパントを含有する二次層を設けていた。しかし、この場合、有機ＥＬ素子の積層数が増え、製造工程が複雑になるとともに、光取り出し効率が低下する。
つまり、積層数を抑え、かつ、色純度を保ちつつ複数のドーパントを用いることが困難であった。
【００１５】
この点、本発明によれば、成膜工程において塗布プロセスを用いるので、材料の混合比を正確に制御でき、さらに、微量の混合量であっても膜中に均一分布させることができる。
そして、第２ドーパントの発光強度を、第１ドーパントの発光色に影響のない程度に抑えることができる。
したがって、本発明によれば、色純度を劣化させることなく、また、積層数を増やすことなく複数のドーパントを用いることができ、有機ＥＬ素子の長寿命化を図ることができる。
【００１６】
本発明では、前記第２ドーパントの含有量は、０．００１質量％〜０．５質量％であることが好ましい。
このように第２ドーパントの含有量を低くすることで、第２ドーパントの発光強度は小さくして、第１ドーパントと第２ドーパントとの発光強度比を１２倍以上にすることができる。
【００１７】
本発明では、前記第１ドーパントのエネルギーギャップは、前記第２ドーパントのエネルギーギャップよりも大きいことが好ましい。
【００１８】
例えば、第１ドーパントのエネルギーギャップが２．９ｅＶ以上であり、第２ドーパントのエネルギーギャップが２．９ｅＶ未満とすることが例として挙げられる。
【００１９】
このような構成において、発光層にエネルギーギャップが小さい第２ドーパントが微量に含まれる。
すると、この第２ドーパントが電荷トラップとなって、発光層に過剰に注入される電荷（電子またはホール）をトラップして電荷バランスを整える。
その結果、有機ＥＬ素子の発光性能を向上させつつ、長寿命化を図ることができる。
【００２０】
従来、電荷の注入バランスが偏って、電子または正孔の一方が過剰に発光層に注入された場合、発光効率が低下したり、寿命が短くなるという問題が生じていた。
これは、電荷の注入バランスが偏った場合、発光域が発光層の陽極側または陰極側にずれたり、さらには、電荷が発光層を通過してしまうという現象が生じているためと考えられる。
電荷の不釣合いにより発光域がずれた場合には、十分に発光材料の性能を引き出すことができない。
さらに、発光層のみならず正孔輸送層あるいは電子輸送層にまで電荷が通過してしまうと、正孔輸送層や電子輸送層で電荷の再結合が起こってしまうために、材料の劣化が激しく寿命を短くしていると考えられている。
【００２１】
この点、本発明では、第２ドーパントによって発光層の電荷のバランスを調整できる。その結果、再結合領域を発光層の最適な領域に制御して発光効率を維持し、かつ、長寿命化を図ることができる。
そして、この場合でも、第２ドーパントの含有量は小さいので、有機ＥＬ素子全体の発光色に影響を与えることなく、色純度を保つことができる。
【００２２】
なお、第２ドーパントの発光が第１ドーパントの発光色に影響を与えないという観点から、第２ドーパントの含有量は少ない方が好ましい。一方、電荷トラップとして第２ドーパントが機能する観点からは所定の濃度が必要である。
この点から、第２ドーパントの含有量は、０．００１質量％〜０．５質量％であることが好ましく、０．００５質量％〜０．４質量％であることがより好ましく、０．０１質量％〜０．１質量％であることがさらに好ましい。
【００２３】
ここで、エネルギーギャップとは、伝導レベルと価電子レベルとの差をいい、例えば、ベンゼン中の吸収スペクトルの吸収端から測定した値により規定することができる。具体的には、市販の可視紫外分光光度計を用いて吸収スペクトルを測定し、その吸収スペクトルが立ち上がり始める波長から算出する。
ただし、上記の規定によらず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲でエネルギーギャップとして定義できる値であればよい。
【００２４】
本発明では、前記発光層と前記陰極との間に電子輸送層を備え、前記第２ドーパントは、前記ホストに対してアフィニティ準位が０．２ｅＶ以上大きく、前記電子輸送層の電子移動度は０．２５ｍＶ／ｃｍの電界強度において、１０−４ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましい。
【００２５】
この構成において、電子移動度が高い電子輸送層を用いることにより、有機ＥＬ素子の駆動電圧を低下させることができる。
また、発光層に注入された電子および正孔による励起子エネルギーは、ホストから第１ドーパントに移動して発光として取り出される。
【００２６】
ここで、電子輸送性能が高い電子輸送層を用いた場合、駆動電圧を下げることができる一方、電子を発光層に過剰に注入してしまう恐れもある。
そして、過剰に注入された電子が正孔輸送層（または陽極）に達してしまうと正孔輸送層（または陽極）を劣化させてしまい、有機ＥＬ素子の寿命を短くしてしまう。
この点、本発明では、ホストよりもアフィニティ準位が大きい第２ドーパントを備える。すると、この第２ドーパントが電子トラップとして作用する。過剰に注入された電子が第２ドーパントによってトラップされ、電荷バランスが整えられる。
その結果、電子移動度の高い電子輸送材によって電圧を低下させつつ、長寿命化も図ることができる。
【００２７】
ここで、アフィニティ準位Ａｆ（電子親和力）とは、材料の分子に電子を一つ与えた時に放出または吸収されるエネルギーをいい、放出の場合は正、吸収の場合は負と定義する。
アフィニティ準位Ａｆは、イオン化ポテンシャルＩｐと光学エネルギーギャップＥｇとにより次のように規定する。
Ａｆ＝Ｉｐ−Ｅｇ
ここで、イオン化ポテンシャルＩｐは、各材料の化合物から電子を取り去ってイオン化するために要するエネルギーを意味し、例えば、本願では、紫外線光電子分光分析装置（ＡＣ−３、理研（株）計器）で測定した値を用いることができる。
ただし、上記の規定によらず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲でアフィニティ準位として定義できる値であればよい。
【００２８】
また、電子移動度は、例えば、ＴＯＦ（time-of-flight）法によって測定することが例として挙げられるが、測定法は限られるものではない。
【００２９】
本発明では、前記電子輸送層は、下記式（１）で表される含窒素複素環誘導体を含むことが好ましい。
【００３０】
【化１】
【００３１】
（式（１）中、ＨＡｒは、置換もしくは無置換の炭素数３〜４０の含窒素複素環基である。
Ｌは、単結合、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜６０のヘテロアリーレン基または置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。
Ａｒ１は、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０の２価の芳香族炭化水素基である。
Ａｒ２は、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリール基または置換もしくは無置換の炭素数３〜６０のヘテロアリール基である。）
【００３２】
このような材料により、高い電子輸送性能を有する電子輸送層を構成することができる。
【００３３】
なお、本発明では、発光層のホストにドープするドーパントとして、第１ドーパント、第２ドーパントに加えて、さらに、第３ドーパントを添加してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００３５】
図１は、有機ＥＬ素子の一例を示す図である。
有機ＥＬ素子１は、ディスプレイパネルの各画素を構成するものであり、図示しない所定の駆動回路により印加電圧が制御され、発光動作の制御が行われる。
有機ＥＬ素子１は、基板１１側から順に積層された陽極１２、有機層１３および陰極１４を備え、保護膜１５にて覆われて気密に保護される。
【００３６】
本実施形態では、透明のガラス基板１１側から発光光を取り出すボトムエミッションタイプであり、ガラス基板１１上に透明電極を陽極１２として備える。
また、有機層１３と挟んで陽極１２と反対側にはＡｌ等で構成され光反射性の陰極１４を備える。
【００３７】
有機層１３は、陽極１２側から順に、正孔輸送帯域１３１、発光層１３２、電子輸送帯域１３３、を備える。
【００３８】
正孔輸送帯域１３１は、陽極１２から注入されたホールを輸送して発光層１３２にホールを注入するもので、本実施形態では正孔輸送層１３１Ａからなる。
正孔輸送層１３１Ａ（正孔輸送帯域１３１）は、イオン化エネルギーが小さいものが好ましく、例えば、通常５．５ｅＶ以下であることが好ましい。
また正孔輸送層１３１Ａ（正孔輸送帯域１３１）は、より低い電界強度で正孔を輸送する材料が好ましく、例えば、１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０−４ｃｍ２／Ｖ・秒であれば好ましい。具体的な材料については後述する。
【００３９】
発光層１３２は、電界印加時に正孔および電子がそれぞれ注入され（電荷注入機能）、この注入された電荷（正孔、電子）を電界の力で輸送し（電荷輸送機能）、正孔と電子との再結合の場を提供してこれを発光につなげるものである（発光機能）。
本実施形態において、発光層１３２は、ホストと、第１ドーパントと、第２ドーパントと、を備える。
ここで、ホスト材料とドーパント材料について説明する。
発光層１３２は、発光層１３２の大部分を構成するホスト材料と、このホスト材料にドープされるドーパント材料とで構成される。
ホスト材料は、例えば３０ｎｍ〜１００ｎｍの発光層１３２の大部分（例えば８０％以上）を構成する。
ホスト材料に対してドーパント材料が添加（ドープ）されており、その比（ドーパント材料／ホスト材料）は０．０１〜２０質量％とすることが一例として挙げられる。
ホスト材料からドーパント材料にエネルギー移動等が生じ、ドーパント材料が発光機能を担う。
【００４０】
そして、本実施形態においては、ホストに対して２種類のドーパントとして第１ドーパントと第２ドーパントとがドープされる。
発光の大部分は第１ドーパントが担うものであり、第１ドーパントの発光強度Ｉ１は、第２ドーパントの発光強度Ｉ２の１２倍以上である。
本実施形態の有機ＥＬ素子１は良好な短波長発光を示す素子にすべく、主として発光する第１ドーパントは、例えば、青色発光を示す発光材料とすることが例としてあげられ、例えば、エネルギーギャップが２．９ｅＶ以上である。
【００４１】
第２ドーパントは、発光層１３２において微量に含有されているものであり、その発光強度Ｉ２は小さい。
そして、このように第２ドーパントの発光強度Ｉ２を小さくするために、第２ドーパントの含有量は、発光層１３２の０．００１質量％〜０．５質量％である。
第２ドーパントは、第１ドーパントよりもエネルギーギャップが小さく、例えば、第１ドーパントのエネルギーギャップが２．９ｅＶ以上である場合、第２ドーパントのエネルギーギャップは２．９ｅＶ以下とする。
また、第２ドーパントを電子トラップとして機能させるため、第２ドーパントのアフィニティ準位Ａｆ２は、ホストのアフィニティ準位ＡｆＨよりも０．２ｅＶ以上大きいものとする。
【００４２】
次に、上記のように微量の第２ドーパントを含有する発光層１３２を成膜するにあたっては、塗布プロセスで成膜する。
すなわち、それぞれ所定量ずつのホスト材料、第１ドーパント材料、第２ドーパント材料を溶媒に溶解させて有機ＥＬ材料含有溶液とする。
そして、スピンコート法等により下地層の上に成膜する。
溶液を用いた塗布法によれば、ホスト、第１ドーパント、第２ドーパントの３種の材料の含有比を正確に制御することができる。
特に、微量の第２ドーパントの含有比を正確に制御でき、かつ、膜にした場合に第２ドーパントを膜中に均一に分布させることができる。
【００４３】
次に、発光層１３２を構成する化合物の具体例を挙げる。
ホストとしては、長寿命な発光材料として公知のものを用いることが可能である。
例えば、一般式（２）で示される材料をホスト材料として用いることが好ましい。
【００４４】
【化２】
【００４５】
式（２）中、Ａｒ１は核炭素数６〜５０の芳香族環であり、Ｘは置換基である。
ｍは１〜５の整数、ｎは０〜６の整数である。ｍ≧２の時、Ａｒ１はそれぞれ同じでも異なっていても良い。ｎ≧２の時、Ｘはそれぞれ同じでも異なっていても良い。
【００４６】
Ａｒ１として具体的には、フェニル環、ナフチル環、アントラセン環、ビフェニレン環、アズレン環、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、アセフェナンスリレン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、ピセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ペンタセン環、テトラフェニレン環、ヘキサフェン環、ヘキサセン環、ルビセン環、コロネン環、トリナフチレン環等が挙げられる。
好ましくはフェニル環、ナフチル環、アントラセン環、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ペリレン環、トリナフチレン環等が挙げられる。
さらに好ましくはフェニル環、ナフチル環、アントラセン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、ピレン環、クリセン環、ペリレン環等が挙げられる。
【００４７】
また、Ｘとして具体的には、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換若しくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換若しくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のカルボキシル基、置換又は無置換のスチリル基、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基等である。
【００４８】
置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、３−フルオランテニル基等が挙げられる。
【００４９】
好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、３−フルオランテニル基等が挙げられる。
【００５０】
置換若しくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基の例としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
【００５１】
置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。
【００５２】
置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基は−ＯＹで表される基であり、Ｙの例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【００５３】
置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基の例としては、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
【００５４】
置換若しくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基は−ＯＹ’と表され、Ｙ’の例としてはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
【００５５】
置換若しくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基は−ＳＹ”と表され、Ｙ”の例としてはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
【００５６】
置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のカルボキシル基は−ＣＯＯＺと表され、Ｚの例としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【００５７】
置換又は無置換のスチリル基の例としては、２−フェニル−１−ビニル基、２，２−ジフェニル−１−ビニル基、１，２，２−トリフェニル−１−ビニル基等が挙げられる。
ハロゲン基の例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
【００５８】
ｍは１〜２、ｎは０〜４が好ましい。
一般式（２）の化合物の具体例を以下に示す。
【００５９】
【化３】
【００６０】
【化４】
【００６１】
【化５】
【００６２】
また、次の式（３）で表されるアントラセン誘導体もホストとして好適である。
【００６３】
【化６】
【００６４】
式中、Ｒ１１〜Ｒ２０は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，アリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アリールアミノ基又は置換しても良い複素環基を示し、ｃ，ｄ，ｅ及びｆは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ１１同士，Ｒ１２同士，Ｒ１６同士又はＲ１７同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またＲ１１同士，Ｒ１２同士，Ｒ１６同士又はＲ１７同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ１３とＲ１４，Ｒ１８とＲ１９がたがいに結合して環を形成していてもよい。
Ｌ２は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換しても良いアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。
【００６５】
次の式（４）で示されるスピロフルオレン誘導体もホストとして好適である。
【００６６】
【化７】
【００６７】
式中、Ａ５〜Ａ８は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のビフェニル基又は置換もしくは無置換のナフチル基である。
【００６８】
また、次の式（５）で表される縮合環含有化合物もホストとして好適である。
【００６９】
【化８】
【００７０】
式中、Ａ９〜Ａ１４はそれぞれ水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基であり、Ｒ２１〜Ｒ２３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数５〜１８のアリールオキシ基、炭素数７〜１８のアラルキルオキシ基、炭素数５〜１６のアリールアミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜６のエステル基又はハロゲン原子を示し、Ａ９〜Ａ１４のうち少なくとも１つは３環以上の縮合芳香族環を有する基である。
【００７１】
また、下記式（６）で表されるフルオレン化合物もホストとして好適である。
【００７２】
【化９】
【００７３】
式中、Ｒ１及びＲ２は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基，置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、シアノ基又はハロゲン原子を表わす。
異なるフルオレン基に結合するＲ１同士、Ｒ２同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ１及びＲ２は、同じであっても異なっていてもよい。Ｒ３及びＲ４は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基又は置換あるいは無置換の複素環基を表わし、異なるフルオレン基に結合するＲ３同士、Ｒ４同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ３及びＲ４は、同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ１及びＡｒ２は、ベンゼン環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基又はベンゼン環と複素環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多環複素環基を表わし、Ａｒ１及びＡｒ２は、同じであっても異なっていてもよい。ｎは、１〜１０の整数を表す。
【００７４】
以上のホスト材料の中でも、好ましくはアントラセン誘導体、さらに好ましくはモノアントラセン誘導体、特に好ましくは非対称アントラセン（アントラセン骨格を中心軸にしたときに左右が互いに異なるものをいう）である。
【００７５】
また、次の式（７）で表されるナフタセン誘導体もホストして好適である。
【００７６】
【化１０】
【００７７】
式（７）中、Ｑ１０、Ｑ２０、Ｑ３０、Ｑ４０、Ｑ５０、Ｑ６０、Ｑ７０、Ｑ８０、Ｑ１１０、Ｑ１２０、Ｑ１３０およびＱ１４０は、それぞれ水素、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアリール基、アミノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数１〜２０のアリーロキシ基、炭素数１〜２０のアリールチオ基、炭素数１〜２０のアルケニル基、炭素数１〜２０のアラルキル基または複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。
【００７８】
さらに、前記式（７）で表されるナフタセン誘導体におけるＱ１０、Ｑ２０、Ｑ３０およびＱ４０の１つ以上がアリール基であることが好ましく、さらには、次の式（８）で表されるものがより好ましい。
【００７９】
【化１１】
【００８０】
式（８）中、Ｑ１０、Ｑ２１〜Ｑ２５、Ｑ３１〜Ｑ３５、Ｑ４０〜Ｑ８０、Ｑ１１０〜Ｑ１４０は、それぞれ水素、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニル基、アラルキル基または複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。
Ｑ２１〜Ｑ２５、Ｑ３１〜Ｑ３５は隣接する２個以上が互いに結合して環を形成してもよい。
【００８１】
さらに、上記式（８）で表されるナフタセン誘導体におけるＱ２１、Ｑ２５、Ｑ３１、Ｑ３５の１つ以上は、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリーロキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アラルキル基または複素環基であることが好ましい。
【００８２】
さらに、次の式（９）で表されるフルオランテン誘導体もホストとして好適である。
【００８３】
【化１２】
【００８４】
式（９）において、Ａｒは、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基であり、Ｒは互いに異なっていてもよく、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基である。
【００８５】
上記フルオランテン誘導体の具体例としては次のものが挙げられる。
【００８６】
【化１３】
【００８７】
上記式のＲは、式（９）のＲと同じである。
そして、Ｒは好ましくは水素又はフェニル基である。
より好ましくは、ナフタレン骨格又はアントラセン骨格に対向して置換する二つのＲがフェニル基であり他は水素である。
【００８８】
次に、第１ドーパント、第２ドーパントとしては、それぞれ長寿命な発光材料として公知のものを用いることが可能である。
そして、第１ドーパントの発光強度Ｉ１が第２ドーパントの発光強度Ｉ２の１２倍以上になるように、それぞれの濃度を設定し、かつ、第２ドーパントの含有量は０．００１質量％〜０．５質量％にすればよい。
このとき、第２ドーパントが電荷トラップとなるように、エネルギーギャップの小さい方を第２ドーパントとして選択する。
さらに、青色発光材料の寿命を長くする観点から、第１ドーパントをＥｇ≧２．９ｅＶの材料を選択し、第２ドーパントの添加によって、青色材料（第１ドーパント）の寿命を長くする構成であることが好ましい。
【００８９】
上記のホスト材料と組み合わせるに好適なドーパント材料としては以下のものが列挙されるので、このうちから第１ドーパントと第２ドーパントに適宜選択する。
【００９０】
ドーパントとしては、次の式で表されるアミン系ドーパントが挙げられる。
【００９１】
【化１４】
【００９２】
式（１２）中、Ａｒ２〜Ａｒ４は置換又は無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換又は無置換のスチリル基である。
ｐは１〜４の整数である。
ｐ≧２の時、Ａｒ３、Ａｒ４はそれぞれ同じでも異なっていても良い。
【００９３】
置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、３−フルオランテニル基等が挙げられる。
【００９４】
好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、３−フルオランテニル基等が挙げられる。
【００９５】
置換又は無置換のスチリル基の例としては、２−フェニル−１−ビニル基、２，２−ジフェニル−１−ビニル基、１，２，２−トリフェニル−１−ビニル基等が挙げられる。
一般式（１２）の化合物の具体例、及びその他ドーパントとして好適な化合物の例を以下に示す。
尚、式中において、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を表す。
なお、スチリル基がＮに直結する場合のみならず、スチリル基とＮとの間に二価の基（例えばフェニレン基に代表されるアリーレン基等）を有する場合も置換のスチリル基に含む。
【００９６】
【化１５】
【００９７】
【化１６】
【００９８】
【化１７】
【００９９】
【化１８】
【０１００】
また、以下のものは、第１ドーパントとして使用してもよいが、第２ドーパントとして使用するのに好適である。
【０１０１】
【化１９】
【０１０２】
【化２０】
【０１０３】
【化２１】
【０１０４】
【化２２】
【０１０５】
【化２３】
【０１０６】
【化２４】
【０１０７】
【化２５】
【０１０８】
【化２６】
【０１０９】
また、次の式（１３）、式（１４）のペリレン誘導体は、第２ドーパントとして好適であり、さらに、上記ナフタセン誘導体のホストに組み合わせるのに特に好適である。
【０１１０】
【化２７】
【０１１１】
一般式（１３）及び（１４）において、Ａｒ５１、Ａｒ５２及びＡｒ５３は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは無置換の核原子数６〜５０の芳香族複素環基を表す。
【０１１２】
Ｘ１〜Ｘ１８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキルチオ基、置換若しくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルケニルオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルケニルチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の核原子数６〜５０の芳香族複素環基、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数７〜５０のアラルキル基、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールアルキルオキシ基、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールアルキルチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールアルケニル基、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０のアルケニルアリール基、アミノ基、カルバゾリル基、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ５４、−ＣＯＲ５５、又は−ＯＣＯＲ５６（ここで、Ｒ５４、Ｒ５５及びＲ５６は、それぞれ水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換若しくは無置換の核炭素数７〜５０のアラルキル基、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは無置換の核原子数６〜５０の芳香族複素環基を表す。）から選ばれる基を表す。
また、隣接する基は互いに結合していてもよく、さらにはＸ１〜Ｘ１８が結合している炭素原子と共に環を形成していてもよい。
【０１１３】
ここで、式（１３）、式（１４）において、Ｘ１〜Ｘ１８の少なくとも一つは水素でない場合が好ましい。または、Ａｒ５１、Ａｒ５２及びＡｒ５３の置換基、Ｘ１〜Ｘ１８及びＸ１〜Ｘ１８の置換基の中の少なくとも１つはハロゲン原子である場合が好ましい。
【０１１４】
さらに、ペリレン誘導体のうちインデノペリレン誘導体として以下のものが挙げられる。
【０１１５】
【化２８】
【０１１６】
上記式（１５）、（１６）において、Ｒは互いに異なっていてもよく、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケニルチオ基、芳香環含有アルキル基、芳香環含有アルキルオキシ基、芳香環含有アルキルチオ基、芳香環基、芳香族複素環基、芳香環オキシ基、芳香環チオ基、芳香環アルケニル基、アルケニル芳香環基、アミノ基、カルバゾリル基、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ５１（Ｒ５１は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基又は芳香環基である。）、−ＣＯＲ５２（Ｒ５２は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基、芳香環基又はアミノ基である）、又は−ＯＣＯＲ５３（Ｒ５３はアルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基又は芳香環基である）である。
ここでＲの隣接する基は、互いに結合してもよく、又は置換している炭素原子と共に環を形成していてもよい。
さらに、Ｒの少なくとも１つは水素ではないことが好ましい。
【０１１７】
さらに、上記の他、ドーパントとしては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ピレン誘導体、ナフタセン誘導体、ルブレン誘導体、フルオランテン誘導体、ベンゾフルオランテン誘導体、ジインデノペリレン誘導体、スチリルアミン誘導体、ビスアミノ−ジスチルベン誘導体、アクリドン誘導体、アクリジン誘導体、キナクリドン誘導体等、クマリン誘導体〔例えば、クマリン１、クマリン６、クマリン７、クマリン３０、クマリン１０６、クマリン１３８、クマリン１５１、クマリン１５２、クマリン１５３、クマリン３０７、クマリン３１１、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリン３３８、クマリン３４３、クマリン５００〕、ピラン誘導体〔例えば、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２〕、オキサゾン誘導体〔例えば、ナイルレッド〕、アリールアミン化合物及び／又はスチリルアミン化合物、コロネン、クリセン、フルオレセイン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、および、蛍光色素等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１１８】
次に、電子輸送帯域１３３について説明する。
電子輸送帯域１３３としては電子輸送層１３３Ａと電子注入層１３３Ｂとを備える。
電子輸送層１３３Ａは、発光層１３２への電子の注入を助ける層であって、電子移動度が大きい。
本実施形態では、駆動電圧を下げるため、電子移動度が大きい電子輸送層１３３Ａが好ましく、０．２５ｍＶ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が１０−４ｃｍ２／Ｖｓ以上である。
このように電子移動度が高い電子輸送層１３３Ａを備えた場合、駆動電圧が低くなる一方、発光層１３２に過剰に電子注入が行われてしまい、寿命を劣化させることがある。
この点、本実施形態では発光層１３２に第２ドーパントを添加することにより、第２ドーパントを電子トラップとして機能させ、電荷バランスをとる構成としている。
よって、高い電子移動度を有する電子輸送層１３３Ａを備え、低い駆動電圧と長寿命を同時に達成することができる。
また、本実施形態のごとくボトムエミッション型有機ＥＬ素子ででは、直接陽極１２から取り出される発光と、電極による反射を経由して取り出される発光とが干渉することが知られている。
この干渉効果を効率的に利用するため、電子輸送層１３３Ａの膜厚を数ｎｍ〜数μｍの膜厚で適宜調整することが行われる。
この場合、電子輸送層１３３Ａを厚くすると電圧上昇等の懸念もあるが、本実施形態では電子移動度が高い電子輸送層１３３Ａを備えるため、干渉効果を十分に利用できる膜厚にしても駆動電圧の上昇につながりにくいという効果がある。
【０１１９】
電子輸送層１３３Ａの具体的化合物としては上記式（１）で表される含窒素複素環誘導体を含むものが例として挙げられ、このような含窒素複素環誘導体の具体例としては下記に示すものが挙げられる。ただし、本発明の電子輸送層の材料としてはこれらの例示化合物に限定されるものではない。
【０１２０】
【化２９】
【０１２１】
【化３０】
【０１２２】
【化３１】
【０１２３】
【化３２】
【０１２４】
【化３３】
【０１２５】
【化３４】
【０１２６】
【化３５】
【０１２７】
【化３６】
【０１２８】
【化３７】
【０１２９】
【化３８】
【０１３０】
【化３９】
【０１３１】
【化４０】
【０１３２】
【化４１】
【０１３３】
【化４２】
【０１３４】
【化４３】
【０１３５】
【化４４】
【０１３６】
【化４５】
【０１３７】
以上の具体例のうち、特に、（１−１）、（１−５）、（１−７）、（２−１）、（３−１）、（４−２）、（４−６）、（７−２）、（７−７）、（７−８）、（７−９）、（９−７）が好ましい。
【０１３８】
電子注入層１３３Ｂは、陰極１４と有機層１３との間において電流のリークを有効に防止して電子注入性を高めるものであり、絶縁体や半導体等で構成される。
【０１３９】
次に、有機ＥＬ素子１の製造方法について説明する。
透光性基板１１上に陽極１２／正孔注入層１３１Ａ／発光層１３２／電子注入層１３３Ｂ／陰極１５が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例を記載する。
まず、適当な透光性基板１１上に陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極１２を作製する。
次にこの陽極１２上に正孔注入層１３１Ａを設ける。
正孔注入層１３１Ａの形成は、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、塗布法で成膜することが好ましい。
膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。
【０１４０】
次に、発光層１３２は、塗布プロセスによって成膜される。
すなわち、それぞれ所定量ずつのホスト材料、第１ドーパント材料、第２ドーパント材料を溶媒に溶解させて有機ＥＬ材料含有溶液とする。
この有機ＥＬ材料含有溶液をスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、等の塗布法を用いることができる。
パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
【０１４１】
溶媒例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、エチルビフェニル、イソプロピルビフェニル、アニソール、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのアルコキシ基、ハロゲンを有しても良い芳香族系溶媒が挙げられる。
また、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒も溶媒として用いられ、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒も溶媒として用いられる。
【０１４２】
また、有機ＥＬ材料含有溶液の粘度を調整するために、有機ＥＬ材料含有溶液に粘度調整液を混合してもよく、粘度調整液としては、例えば、アルコール系溶液、ケトン系溶液、パラフィン系溶液およびアルキル置換芳香族系溶液等が挙げられる。好ましくは、アルコール系溶液、アルキル置換芳香族系溶液である。
アルコール系溶液としては、メタノールやエタノール、プロパノール、n-ブタノール、s-ブタノール、2-メチル-1-ブタノール、2-メチル-2-ブタノール、3-メチル-2-ブタノール、ｔ-ブタノール、n-ペンタノール、4-メチル-２-ペンタノール、3-メチル-1-ペンチン-3-オール、n-ヘキサノール、2-エチルヘキサノール、3、5-ジメチル-1-ヘキシン-3-オール、n-ヘプタノール、3、3,5-トリメチルヘキサノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-オクタノール、n-ノナノール、n-デカノール、メチルシクロヘキサノール、シクロヘキサノール、α-テルピネオール、ネオペンチルアルコール、グリシドール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール、プロパンジオール、ブタンジオール、ベンジルアルコール、などが例として挙げられる。上記アルコールは直鎖、分岐構造のどちらでも良い。
アルキル置換芳香族系溶液としては直鎖または分岐のブチルベンゼン、ドデシルベンゼン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、ジシクロヘキシルベンゼン、1,1-ビス（3,4-ジメチルフェニル）エタン、3-メチルジフェニルエーテルなどが挙げられる
粘度調整液は単独で使用してもよく、複数混合して用いてもよい。
【０１４３】
次に、この発光層１３２上に電子注入層１３３Ｂを設ける。
真空蒸着法により形成することが例として挙げられるが、塗布法によって成膜してもよい。
【０１４４】
最後に陰極１５を積層して有機ＥＬ素子１を得ることができる。
陰極１５は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリング等を用いることができる。
なお、下地の有機物層１３を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
【０１４５】
有機ＥＬ素子１の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
なお、有機ＥＬ素子１に直流電圧を印加する場合、陽極１２を＋、陰極１５を−の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極１２が＋、陰極１５が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。
【実施例】
【０１４６】
以下、本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
尚、各実施例で使用した化合物の性質及び作製した素子は下記の方法で評価した。
（１）エネルギーギャップ：ベンゼン中の吸収スペクトルの吸収端から測定した。具体的には、市販の可視紫外分光光度計を用いて吸収スペクトルを測定し、その吸収スペクトルが立ち上がり始める波長から算出する。
（２）輝度：分光放射輝度計（ＣＳ−１０００、ミノルタ製）により測定した。
（３）発光極大波長の発光強度：作製するＥＬ素子と同じ条件でドーパントとして第１ドーパントのみを含む発光層（第１発光層）、及び、ドーパントとして第２ドーパントのみを含む発光層（第二発光層）の単層膜をそれぞれ作製し、市販の蛍光測定装置を用いてそれぞれの単層膜の蛍光スペクトルを測定する。得られた第１発光層の蛍光スペクトルから、第１発光層の発光極大波長ａにおいて、第一発光層の蛍光強度Ｉａを測定する。同様に、得られた第２発光層の蛍光スペクトルから、第２発光層の発光極大波長ｂにおいて、第二発光層の蛍光強度Ｉｂ を測定する。
第１発光層と第二発光層の発光極大波長が十分に離れている場合は、ＥＬ素子の発光スペクトルにおける、ａ，ｂの波長における発光強度Ｉａ，ＩｂがそれぞれＩ１，Ｉ２と近似できる。
第１発光層と第二発光層の発光極大波長が近接している場合は、ＥＬ素子全体の発光スペクトルは、第１発光層からの発光スペクトルと第２発光層からの発光スペクトルの和になると仮定できる。
従って、得られた第１発光層の蛍光スペクトルにおいて、波長ａ、ｂの蛍光強度Ｉ１ａ 、Ｉ１ｂを測定する。同様に、第２発光層の蛍光スペクトルにおいて、波長ａ，ｂの蛍光強度Ｉ２ａ、Ｉ２ｂを測定する。Ｉ１，Ｉ２について以下の式が成り立つ。
Ｉａ＝Ｉ１＊Ｉ１ａ＋Ｉ２＊Ｉ２ａ
Ｉｂ＝Ｉ１＊Ｉ１ｂ＋Ｉ２＊Ｉ２ｂ
上記の式よりＩ１、Ｉ２の比が求められる。
（４）発光効率：マルチメータを用いて測定した電流密度値と輝度（１００ｎｉｔ）より算出した。
（５）Ｃ．Ｉ．Ｅ色度座標：（２）と同様に測定して得られる。
（６）半減寿命：初期輝度１０００ｎｉｔ、定電流条件下にて封止した素子に対し測定を行った。（室温）
（７）電子移動度：Ｔｉｍｅ ｏｆ ｆｌｉｇｈｔ法により算出した。具体的には、ＩＴＯ／有機層（電子注入層等、層厚１〜２μｍ）／Ａｌの構成としたものについて、光照射により生じる過渡電流の時間特性（過渡特性時間） を測定し、以下の式により電子移動度を算出した。
電子移動度＝（有機層厚）２／（過渡特性時間・電界強度）
【０１４７】
実施例において使用した化合物を以下に示す。
【０１４８】
【化４６】
【０１４９】
【化４７】
【０１５０】
【化４８】
【０１５１】
【化４９】
【０１５２】
【化５０】
【０１５３】
【化５１】
【０１５４】
上記化合物のエネルギーギャップ、アフィニティ準位、電子移動度のデータは次の通りである。
Ｄ１のＥｇ＝２．９ｅＶ、Ａｆ＝２．５ｅＶ
Ｈ１のＥｇ＝３．０ｅＶ、Ａｆ＝２．７ｅＶ
Ｄ２のＥｇ＝２．８ｅＶ、Ａｆ＝２．８ｅＶ
Ｄ３のＥｇ＝２．６ｅＶ、Ａｆ＝３．０ｅＶ
ＥＴ−１の電子移動度は４×１０−４ｃｍ２／Ｖ・ｓ（ただしＥ＝５×１０５Ｖ／ｃｍの電界中で）
Ａｌｑの電子移動度は５×１０−６ｃｍ２／Ｖ・ｓ（ただしＥ＝５×１０５Ｖ／ｃｍの電界中で）
【０１５５】
（比較例１）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄した後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極付きガラス基板に、スピンコート法で正孔注入層に用いるポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ）の混合物を５０ｎｍの膜厚で成膜した。
ついで、上記ポリマー１（Ｍｗ:１４５０００）のトルエン溶液（０．６質量％）をスピンコート法で２０ｎｍの膜厚で成膜し、１７０℃で３０分間乾燥した。
その後、成膜済みの基板を真空蒸着装置に移送した。
発光層としては２つの積層から構成し、第１発光層はドーパントＤ１とホストＨ１を２０ｎｍ（ドープ濃度５質量％）とし、第２発光層はドーパントＤ２／ホストＨ１を２０ｎｍ（５質量％）として、順次真空蒸着法にて成膜した。
この膜上に膜厚２０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウム膜（以下「Ａｌｑ膜」と略記する。）を成膜した。
このＡｌｑ膜は、電子輸送層として機能する。
この上に、電子注入層としてフッ化リチウムを１ｎｍの膜厚に成膜した。
最後にアルミニウムを膜厚１５０ｎｍで成膜し、陰極を形成した。
電流を流して性能を評価したところ、輝度６．７ｃｄ／Ａ、色度（０．１５、０．１７）、半減寿命ＬＴ５０＝３０００ｈ＠１０００ｃｄ/ｍ２、駆動電圧＝６．５Ｖ＠１０ｍＡ/ｃｍ２、発光強度比Ｉ１／Ｉ２＝８０／２０であった。
【０１５６】
（比較例２）
発光層を１層で膜厚を４０ｎｍにし、ホストをＨ１、ドーパントＤ１を５質量％、ドーパントＤ２を１質量％、としたこと以外は比較例１と同様に素子を作製した。
その結果、輝度１０ｃｄ／Ａ、色度（０．１５、０．３０）、半減寿命ＬＴ５０＝５０００ｈ＠１０００ｃｄ/ｍ２、駆動電圧＝６．５Ｖ＠１０ｍＡ/ｃｍ２、発光強度比Ｉ１／Ｉ２＝０／１００、となった。
すなわち、ドープ濃度が少ないにもかかわらず、第２ドーパントＤ２の発光のみとなり、発光は青緑色になった。
【０１５７】
（比較例３）
比較例１において、第２発光層の第２ドーパントＤ２の濃度を１質量％にした。
それ以外は比較例１と同様に素子を作成した。
その結果、７．０ｃｄ／Ａ、色度（０．１５、０．１６）、半減寿命ＬＴ５０＝３０００ｈ＠１０００ｃｄ／ｍ２、電圧６．５Ｖ＠１０ｍＡ／ｃｍ２、発光強度比Ｉ１／Ｉ２＝９０／１０であった。
第２ドーパントの発光が減って色純度はよくなったが、長寿命化の効果は不十分であった。
【０１５８】
（比較例４）
比較例１において、発光層を第１発光層のみとし、膜厚を４０ｎｍに変更し、電子輸送層としてＥＴ−１を蒸着法で成膜した。それ以外は比較例１と同様に素子を作成した。
その結果、輝度８ｃｄ／Ａ、色度（０．１５、０．１５）、半減寿命ＬＴ５０＝３００ｈ、駆動電圧＝３．５Ｖ＠１０ｍＡ／ｃｍ２、発光強度比Ｉ１／Ｉ２＝１００／０であった。
電子輸送層にＥＴ−１を用いたことにより、駆動電圧が低下したが、寿命は比較例１よりも短かった。
【０１５９】
（実施例１）
比較例４において、発光層を塗布法で成膜した。
すなわち、シクロヘキサノンを溶媒に用い、ドーパントＤ１とドーパントＤ２をそれぞれ、５質量％、０．５質量％とした溶液を調整し、この溶液からスピンコートにて一層からなる発光層を成膜した。発光層の膜厚は２０ｎｍとした。
それ以外は比較例４と同様に素子を作成した。
その結果、輝度８ｃｄ／Ａ、色度（０．１５、０．１６）、半減寿命ＬＴ５０＝４０００ｈ＠１０００ｃｄ／ｍ２、駆動電圧＝３．５Ｖ＠１０ｍＡ／ｃｍ２、発光強度比Ｉ１／Ｉ２＝９５／５であった。
一層からなる発光層に第２ドーパントＤ２を希薄にドープすることで、発光は第１ドーパントＤ１のみとすることができ、かつ、寿命も比較例１よりも長く、比較例１に比べて第２発光層が無い分、駆動電圧は３Ｖ低下した。
【０１６０】
（実施例２）
電子輸送層を比較例１と同じにしたこと以外は実施例１と同様に素子を作製した。
その結果、輝度７ｃｄ／Ａ、色度（０．１５、０．１６）、半減寿命ＬＴ５０＝５０００ｈ＠１０００ｃｄ／ｍ２、駆動電圧＝６．５Ｖ＠１０ｍＡ／ｃｍ２、発光強度比Ｉ１／Ｉ２＝９５／５であった。
実施例１よりも電圧は上昇するが、寿命は更に延び、色度も良好であった。
【０１６１】
（実施例３）
第２ドーパントＤ２の濃度を０．０１質量％としたこと以外は実施例１と同様に素子を作製した。
発光輝度８ｃｄ／Ａ、色度（０．１５、０．１５）、半減寿命ＬＴ５０＝３８００ｈ＠１０００ｃｄ／ｍ２、駆動電圧＝３．５Ｖ＠１０ｍＡ／ｃｍ２、発光強度比Ｉ１／Ｉ２＝９９／１であった。
【０１６２】
（実施例４）
実施例１において、Ｄ２を０．４質量％としたこと以外は、同様に作製した。
以下、結果は下記の表１を参照。
【０１６３】
（実施例５）
第２ドーパントＤ２の濃度を０．０５質量％としたこと以外は、実施例１と同様に素子を作製した。
【０１６４】
（実施例６）
第２ドーパントＤ２の濃度を０．０３質量％としたこと以外は実施例１と同様に素子を作製した。
【０１６５】
（実施例７）
実施例１において、Ｄ２をＤ３とし、濃度を０．０５質量％としたこと以外は、同様に作製した。
【０１６６】
（実施例８）
実施例１において、Ｄ２をＤ３とし、濃度０．３質量％としたこと以外は、同様に作製した。
【０１６７】
【表１】
【０１６８】
比較例４に対して、実施例１から実施例８を比較すると、比較例４は発光層は一層でドーパントとしては主に発光する第１ドーパントのみを含有しているのに対し、実施例１から実施例８では一つの発光層中に主として発光する第１ドーパントに加えて微量の第２ドーパントが含有されている。
比較例４と実施例１から実施例８では色度は略同じで良好な青色であるが、実施例１から実施例８では格段に寿命が長いことがわかる。
このことから、本発明のごとく一の発光層中に第１ドーパントと微量の第２ドーパントを含有させることにより、極めて長寿命でありながら、色純度も良好である素子を構成できることが示された。
そして、比較例１と実施例１から実施例８との対比によれば、比較例１のごとく発光層を２層として第１発光層に第１ドーパントを含有させ、第２発光層に第２ドーパントを含有させる場合でも同様な作用効果を期待できるものであるが、本発明の構成によって、色純度および寿命において格段の向上を図れることが示された。
さらに、比較例１における色純度の欠点を解消するために比較例３のごとく発光層を２層として第２発光層の第２ドーパントＤ２濃度を低くした場合でも色純度の問題は多少改善されるものの、比較例３では発光層を二層に分けているため、寿命に関しては本発明の実施例ほどの効果を奏さないことが示された。
なお、第２発光層の第２ドーパント濃度を比較例３よりも低くすることを試みても蒸着法では不可能であり、実施例のごとくドーパント濃度を低くするには塗布法を採用することが必要である。
【０１６９】
なお、本発明は上記実施形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で変更してもよいことはもちろんである。
第２ドーパントの含有比は上記実施例に限定されず、第１ドーパントと第２ドーパントとの発光強度比が１２倍以上となれば第２ドーパントの含有量は制限されるものではない。
第２ドーパントのエネルギーギャップは第１ドーパントのエネルギーギャップより小さいことが好ましいが、第２ドーパントのエネルギーギャップが第１ドーパントのエネルギーギャップより大きくてもよい。この場合でも、第２ドーパントのＡｆがホストのＡｆよりも０．２ｅＶ以上大きければ電子トラップとして作用する。
電子輸送層としては上述の化合物に限られず、公知の電子輸送材料を適用できることはもちろんであり、そのような場合でも本発明の効果を奏する。
以下、本発明の変形例として、素子構成および各層の材料等について列挙するが、これに限られるものではないことはもちろんである。
【０１７０】
（１）有機ＥＬ素子の構成
以下、有機ＥＬ素子の素子構成について説明する。
有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
(1) 陽極／発光層／陰極
(2) 陽極／正孔注入層／発光層／陰極
(3) 陽極／発光層／電子注入層／陰極
(4) 陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
(5) 陽極／有機半導体層／発光層／陰極
(6) 陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
(7) 陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
(8) 陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
(9) 陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
(10)陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
(11)陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
(12)陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
(13)陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
などの構造を挙げることができる。
【０１７１】
（２）透光性基板
有機ＥＬ素子は、透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。
ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。
またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
【０１７２】
（３）陽極
有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、金、銀、白金、銅等が適用できる。 陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。
【０１７３】
（４）正孔注入、輸送層
正孔注入、輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入、輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば、１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０−４ｃｍ２／Ｖ・秒であれば好ましい。
正孔注入、輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１７４】
具体例として例えば、トリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，１８０，７０３号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、特開平１−２１１３９９号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。
さらに、チオフェンポリマーでもよく、ポリ（アルキルチオフェン）ポリマーが例として挙げられ、ポリジオキシチオフェン、さらに、ポリ（３，４−ジオキシチオフェン）が好ましい例として挙げられる。また、アニリン系としてはポリマー（ポリアニリン）であってもよい。
【０１７５】
また、次の式で表されるものを挙げることができる。
Ｑ１−Ｇ−Ｑ２
（式中、Ｑ１及びＱ２は少なくとも１個の三級アミンを有する部位であり、Ｇは連結基である。）
【０１７６】
さらに好ましくは以下の式（１７）で示すアミン誘導体である。
【０１７７】
【化５２】
【０１７８】
式において、Ａｒ２１〜Ａｒ２４は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の複素芳香族環である。
Ｒ２１、Ｒ２２は置換基であり、ｓ、ｔはそれぞれ０〜４の整数である。
Ａｒ２１及びＡｒ２２、Ａｒ２３及びＡｒ２４はそれぞれ互いに連結して環状構造を形成してもよい。
Ｒ２１及びＲ２２もそれぞれ互いに連結して環状構造を形成してもよい。
Ａｒ２１〜Ａｒ２４の置換基、及びＲ２１、Ｒ２２は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の複素芳香族環、炭素数１〜５０のアルキル基、炭素数１〜５０のアルコキシ基、炭素数１〜５０のアルキルアリール基、炭素数１〜５０のアラルキル基、スチリル基、核炭素数６〜５０の芳香族環若しくは核原子数５〜５０の複素芳香族環で置換されたアミノ基、核炭素数６〜５０の芳香族環若しくは核原子数５〜５０の複素芳香族環で置換されたアミノ基で置換された核炭素数６〜５０の芳香族環若しくは核原子数５〜５０の複素芳香族環である。
【０１７９】
正孔注入層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報等に開示のもの）、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０１８０】
また、米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、また、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。
また、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。
【０１８１】
また、発光層及び発光層と陽極の間の有機層の少なくとも一層が、酸化剤を含有していることが好ましく、好ましい酸化剤としては、電子吸引性又は電子アクセプターであり、具体的には、ルイス酸、各種キノン誘導体、ジシアノキノジメタン誘導体、芳香族アミンとルイス酸で形成された塩類等が挙げられ、ルイス酸は、塩化鉄、塩化アンチモン、塩化アルミニウム等が挙げられる。
この他に特許第０３５７１９７７号で開示されている下記式（１８）で表される含窒素複素環誘導体も用いることができる。
【０１８２】
【化５３】
【０１８３】
式（１８）中、Ｒ１〜Ｒ６は置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換の複素環基のいずれかを示す。但し、Ｒ１〜Ｒ６は同じでも異なっていてもよい。また、Ｒ１とＲ２，Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６またはＲ１とＲ６，Ｒ２とＲ３、Ｒ４とＲ５が縮合環を形成していてもよい。
【０１８４】
さらに、ＵＳ２００４／１１３５４７ Ａ１で開示されている下記式（１９）の化合物も用いることができる。
【０１８５】
【化５４】
【０１８６】
式（１９）中、Ｒ１〜Ｒ６は置換基であり、好ましくはシアノ基、ニトロ基、スルホニル基、カルボニル基、トリフルオロメチル基、ハロゲンなどの電子吸引基である。
【０１８７】
正孔注入、輸送層は上述した化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入、輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入、輸送層は正孔輸送帯域に本発明の化合物を含有していれば、上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよいし、又は前記正孔注入、輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入、輸送層を積層したものであってもよい。
また、有機半導体層は発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、１０−１０Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平８−１９３１９１号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。
【０１８８】
（５）電子注入層
有機ＥＬ素子の好ましい形態に、電子を輸送する領域又は陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。
【０１８９】
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Ｌｉ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）およびＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも１つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、およびＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも１つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選択される少なくとも１つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、ＲｂまたはＣｓであり、最も好ましのは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂあるいはＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
【０１９０】
陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けても良い。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも１つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２ＳｅおよびＮａ２Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、およびＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌおよびＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２およびＢｅＦ２といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
また、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の１種単独または２種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
【０１９１】
（６）陰極
陰極としては、電子注入・輸送層又は発光層に電子を注入するため、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム・カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで発光層からの発光を陰極から取り出す場合（トップエミッションの場合）、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
【０１９２】
（７）絶縁層
有機ＥＬ素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。
これらの混合物や積層物を用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１９３】
本発明は、表示装置等に用いる混合色の有機ＥＬ素子として利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１９４】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例を示す図である。
【符号の説明】
【０１９５】
１ 有機ＥＬ素子
１１ 基板
１２ 陽極
１３ 有機層
１４ 陰極
１５ 保護膜
１３１ 正孔輸送帯域
１３１Ａ 正孔輸送層
１３２ 発光層
１３３ 電子輸送帯域
１３３Ａ 電子輸送層
１３３Ｂ 電子注入層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた発光層と、を備えた有機ＥＬ素子であって、
前記発光層は、ホストと、第１ドーパントと、第２ドーパントと、を含有し、
前記第１ドーパントの発光強度は、前記第２ドーパントの発光強度の１２倍以上であり、
前記発光層は、塗布プロセスによって成膜される
ことを特徴とした有機ＥＬ素子。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ素子において、
前記第２ドーパントの含有量は、０．００１質量％〜０．５質量％である
ことを特徴とした有機ＥＬ素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子において、
前記第１ドーパントのエネルギーギャップは、前記第２ドーパントのエネルギーギャップよりも大きい
ことを特徴とした有機ＥＬ素子。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子において、
前記発光層と前記陰極との間に電子輸送層を備え、
前記第２ドーパントは、前記ホストに対してアフィニティ準位が０．２ｅＶ以上大きく、
前記電子輸送層の電子移動度は、０．２５ｍＶ／ｃｍの電界強度において、１０−４ｃｍ２／Ｖｓ以上である
ことを特徴とした有機ＥＬ素子。
【請求項５】
請求項４に記載の有機ＥＬ素子において、
前記電子輸送層は、下記式（１）で表される含窒素複素環誘導体を含む
ことを特徴とした有機ＥＬ素子。
【化１】
（式中、ＨＡｒは、置換もしくは無置換の炭素数３〜４０の含窒素複素環基である。
Ｌは、単結合、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜６０のヘテロアリーレン基または置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。
Ａｒ１は、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０の２価の芳香族炭化水素基である。
Ａｒ２は、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリール基または置換もしくは無置換の炭素数３〜６０のヘテロアリール基である。）
【請求項１】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた発光層と、を備えた有機ＥＬ素子であって、
前記発光層は、ホストと、第１ドーパントと、第２ドーパントと、を含有し、
前記第１ドーパントの発光強度は、前記第２ドーパントの発光強度の１２倍以上であり、
前記発光層は、塗布プロセスによって成膜される
ことを特徴とした有機ＥＬ素子。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ素子において、
前記第２ドーパントの含有量は、０．００１質量％〜０．５質量％である
ことを特徴とした有機ＥＬ素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子において、
前記第１ドーパントのエネルギーギャップは、前記第２ドーパントのエネルギーギャップよりも大きい
ことを特徴とした有機ＥＬ素子。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子において、
前記発光層と前記陰極との間に電子輸送層を備え、
前記第２ドーパントは、前記ホストに対してアフィニティ準位が０．２ｅＶ以上大きく、
前記電子輸送層の電子移動度は、０．２５ｍＶ／ｃｍの電界強度において、１０−４ｃｍ２／Ｖｓ以上である
ことを特徴とした有機ＥＬ素子。
【請求項５】
請求項４に記載の有機ＥＬ素子において、
前記電子輸送層は、下記式（１）で表される含窒素複素環誘導体を含む
ことを特徴とした有機ＥＬ素子。
【化１】
（式中、ＨＡｒは、置換もしくは無置換の炭素数３〜４０の含窒素複素環基である。
Ｌは、単結合、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜６０のヘテロアリーレン基または置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。
Ａｒ１は、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０の２価の芳香族炭化水素基である。
Ａｒ２は、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリール基または置換もしくは無置換の炭素数３〜６０のヘテロアリール基である。）
【図１】
【公開番号】特開２００８−２７０５５７（Ｐ２００８−２７０５５７Ａ）
【公開日】平成２０年１１月６日（２００８．１１．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１１２１５４（Ｐ２００７−１１２１５４）
【出願日】平成１９年４月２０日（２００７．４．２０）
【出願人】（０００１８３６４６）出光興産株式会社 (2,069)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１１月６日（２００８．１１．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年４月２０日（２００７．４．２０）
【出願人】（０００１８３６４６）出光興産株式会社 (2,069)
【Ｆターム（参考）】
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