有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システム
【課題】有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合でも、異物によりリーク性の暗点となる有機発光素子を検出できる有機ＥＬ表示パネルの検査方法を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示パネル５の全画素を、第１電流に基づいて発光させるステップＳ２１と、周辺画素の第１発光輝度とは異なる第２発光輝度である画素を注目画素として特定させるステップＳ２４と、注目画素及び周辺画素を、第２電流に基づいて発光させるステップＳ２５と、周辺画素の第３発光輝度及び注目画素の第４発光輝度を算出させるステップＳ２７と、第１輝度比と第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、その差が所定値を超えている場合には、注目画素に含まれる有機発光素子はショートしていると判定させるステップＳ２９と、を含む。
【解決手段】有機ＥＬ表示パネル５の全画素を、第１電流に基づいて発光させるステップＳ２１と、周辺画素の第１発光輝度とは異なる第２発光輝度である画素を注目画素として特定させるステップＳ２４と、注目画素及び周辺画素を、第２電流に基づいて発光させるステップＳ２５と、周辺画素の第３発光輝度及び注目画素の第４発光輝度を算出させるステップＳ２７と、第１輝度比と第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、その差が所定値を超えている場合には、注目画素に含まれる有機発光素子はショートしていると判定させるステップＳ２９と、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を利用した有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
アノード（陽極）とカソード（陰極）との間に有機発光層が介在されてなる有機発光素子（有機ＥＬ素子）を備えた有機ＥＬ表示パネルがある。この有機ＥＬ表示パネルを製造する製造工程において、有機発光素子を構成する陽極と陰極との間に異物が混入することがある。
【０００３】
この場合、すなわち、有機発光素子に異物が混入した場合、陽極と陰極との間に流れる電流は、本来有機発光層に流れるべき電流が異物を介して流れてしまうため、発光輝度が低下してしまう。換言すると、有機発光素子に異物が混入した場合、陽極と陰極との間に流れる電流が異物を介してリークすることになる。ここで、異物の混入により発光輝度が低下した有機ＥＬ素子を「リーク性の暗点」とも称する。
【０００４】
有機ＥＬ表示パネルを製造後に出荷する前には、有機ＥＬ表示パネルを検査し、リーク性の暗点となる有機発光素子があった場合には、それを特定する。そして、特定したリーク性の暗点となる有機素子に対して種々のリペア方法を用いて絶縁化するなどの対応を行い、その対応後に出荷する。
【０００５】
リーク性の暗点となる有機発光素子を検出する方法としては、複数の有機発光素子の各々に対応する各駆動トランジスタの電圧−電流特性における線形領域の電圧を用いて、各有機ＥＬ発光素子に電流を流し、各有機ＥＬ発光素子の発光輝度を測定し、比較することで検出する方法がある（例えば、特許文献１）。
【０００６】
特許文献１では、有機発光素子に供給する駆動電流を制御するための駆動トランジスタをその電圧−電流特性における線形領域で動作させ、有機発光素子を発光レベルとする。そして、その発光レベルの発光輝度またはカソード電流に基づき、リーク性の暗点となる有機発光素子として、有機発光素子のショートに起因した滅点欠陥を検出する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−６４８０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の検査方法では、駆動トランジスタをその電圧−電流特性における線形領域で動作させた場合、ショートパスの抵抗が高い画素ほど正常輝度に近い輝度およびカソード電流になってしまい、欠陥の検出が困難であるという問題がある。すなわち従来の検査方法では欠陥（リーク性の暗点となる有機発光素子）を見逃してしまうという問題がある。
【０００９】
具体的には、リーク性の暗点を発生させる異物が低抵抗のものである場合、異物が有機発光層より低抵抗であるため、陽極と陰極との間において有機発光層を流れる電流より異物を介して流れる電流の方が多くなり、異物が混在した有機発光素子による発光輝度は低下する。この場合、従来の検査方法を用いて、異物が混在した有機発光素子と正常な有機発光素子との識別はできる。
【００１０】
一方、リーク性の暗点を発生させる異物が高抵抗のものである場合、リーク量は異物が低抵抗のものである場合と比較して少なくなる。そのため、異物が高抵抗のものである場合、異物が有機発光層より高抵抗であるため、本来有機発光層に流れるべき電流が異物を介して流れることも相対的に少なく、発光輝度の低下も小さい傾向にある。
【００１１】
したがって、この場合、従来の検査方法では、リーク性の暗点となる有機発光素子として検出することができず、リーク性の暗点となる有機発光素子が有機ＥＬ表示パネルに残存する可能性が高い。
【００１２】
さらに、高抵抗の異物が有機ＥＬ表示パネルに残存した場合、高抵抗の異物は熱源となるため、異物を含む有機発光素子の周辺の正常な有機発光素子にも影響を与えてしまい、正常な有機発光素子の寿命を劣化させる可能性がある。
【００１３】
本発明は、上述の事情を鑑みてなされたもので、有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合でも、異物によりリーク性の暗点となる有機発光素子を検出できる有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する有機ＥＬ表示パネルと、前記有機ＥＬ表示パネルが発光した際の画像である発光画像を撮像する撮像装置と、前記撮像装置にて撮像された発光画像に基づいて前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素の発光輝度を求める情報処理装置と、を含むシステムを用いて前記有機ＥＬ表示パネルを検査する有機ＥＬ表示パネルの検査方法であって、前記有機ＥＬ表示パネルが有する全画素を、第１電流に基づいて発光させる第１ステップと、前記撮像装置に、前記第１電流に基づいて発光された前記有機ＥＬ表示パネルの第１発光画像を撮像させる第２ステップと、前記情報処理装置は、前記第１発光画像に基づき前記有機ＥＬ表示パネルの各画素の発光輝度を算出する第３ステップと、前記情報処理装置は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と当該所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する第４ステップと、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を、前記第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる第５ステップと、前記撮像装置に、前記第２電流に基づいて発光された、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を含む前記有機ＥＬ表示パネルの第２発光画像を撮像させる第６ステップと、前記情報処理装置は、前記第２発光画像に基づく前記周辺画素の第３発光輝度及び前記注目画素の第４発光輝度を算出する第７ステップと、前記情報処理装置に、前記第３発光輝度と前記第４発光輝度との第２輝度比を算出させる第８ステップと、前記情報処理装置は、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、前記差が所定値を超えている場合には、前記注目画素に含まれる有機発光素子には異物によるリークパスが形成されていると判定する第９ステップと、を含む。
【００１５】
それにより、素子駆動トランジスタをその飽和領域で動作させ、発光輝度又はカソード電流の条件を２条件以上で暗点明度（注目画素の輝度とその周囲輝度の比）の条件間での変化に基づくことで、ＥＬ素子のショートに起因した滅点欠陥を検出する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合でも、異物によりリーク性の暗点となる有機発光素子を検出できる有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムを実現できる。それにより、異物によるリークパスが形成されている有機発光素子を含む欠陥画素つまりショート起因の欠陥画素を見逃さず検査でき、品質および信頼性の高い表示装置を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示パネルの検査システムの構成を示す図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態における情報処理装置の処理を示す図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示パネルの構成を説明するための図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示パネルの有する一画素部の回路構成を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態における検査システムの検査方法を示すフローチャートである。
【図６】図６は、本発明の実施の形態における検査システムの検査方法の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図７Ａ】図７Ａは、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化することを説明するための図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化することを説明するための図である。
【図８Ａ】図８Ａは、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化することを説明するための図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化することを説明するための図である。
【図９】図９は、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合の測定結果の一例を示す図である。
【図１０】図１０は、有機発光素子に印加して得られる周辺画素との輝度比をまとめた表を示す図である。
【図１１】図１１は、駆動トランジスタが飽和状態である場合のＩＶ特性を模式的に示す図である。
【図１２】図１２は、駆動トランジスタが線形状態である場合のＩＶ特性を模式的に示す図である。
【図１３】図１３は、ショートしていると判定された暗点画素の有機発光素子のリペア工程を説明するためのフローチャートである。
【図１４】図１４は、本発明の有機ＥＬ表示パネルを用いた有機ＥＬ表示装置の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
第１の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する有機ＥＬ表示パネルと、前記有機ＥＬ表示パネルが発光した際の画像である発光画像を撮像する撮像装置と、前記撮像装置にて撮像された発光画像に基づいて前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素の発光輝度を求める情報処理装置と、を含むシステムを用いて前記有機ＥＬ表示パネルを検査する有機ＥＬ表示パネルの検査方法であって、前記有機ＥＬ表示パネルが有する全画素を、第１電流に基づいて発光させる第１ステップと、前記撮像装置に、前記第１電流に基づいて発光された前記有機ＥＬ表示パネルの第１発光画像を撮像させる第２ステップと、前記情報処理装置は、前記第１発光画像に基づき前記有機ＥＬ表示パネルの各画素の発光輝度を算出する第３ステップと、前記情報処理装置は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と当該所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する第４ステップと、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を、前記第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる第５ステップと、前記撮像装置に、前記第２電流に基づいて発光された、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を含む前記有機ＥＬ表示パネルの第２発光画像を撮像させる第６ステップと、前記情報処理装置は、前記第２発光画像に基づく前記周辺画素の第３発光輝度及び前記注目画素の第４発光輝度を算出する第７ステップと、前記情報処理装置に、前記第３発光輝度と前記第４発光輝度との第２輝度比を算出させる第８ステップと、前記情報処理装置は、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、前記差が所定値を超えている場合には、前記注目画素に含まれる有機発光素子には異物によるリークパスが形成されていると判定する第９ステップと、を含む。
【００１９】
本態様によると、まず、同一電流（第１電流）に基づいて有機ＥＬ表示パネルに含まれる全画素を発光させている。これは、有機ＥＬ表示パネルに含まれる全画素を同一電流（第１電流）に基づいて発光させた場合、前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素に異常がなければ、同一電流（第１電流）に基づいて発光された発光画像から算出する各画素の発光輝度は同一となるからである。つまり、同一電流（第１電流）に基づいて発光された発光像から算出されたある画素の発光輝度がその画素の周辺画素の発光輝度と異なれば、その画素は異常であると判定できるからである。
【００２０】
ここで、この異常の原因として２つ考えられる。１つ目は注目画素に含まれる有機発光素子中の有機発光層の劣化である。２つ目は、注目画素に含まれる有機発光素子の有機発光層は劣化していないが、製造過程で有機発光素子に混入した異物の存在により、発光輝度が低下することである。
【００２１】
そして、この２つ目の原因は、有機発光素子において陰極電極と陽極電極との間に異物が混入すると、陰極電極と陽極電極との間で有機発光層を流れる電流とは別に、陰極電極と陽極電極との間で異物を介して電流が流れることである。それにより、有機発光素子の発光輝度が低下する。なお、陰極電極と陽極電極との間で異物を介して電流が流れる経路をリークパスと称する。
【００２２】
上記２つの原因のいずれの原因により、異常が生じたのかを判別するために、本発明者は、検出した注目画素（暗点画素）がリーク起因かどうかを判定する方法を想到した。なぜなら、異常の原因が１つ目の原因であれば、注目画素（暗点画素）を検出したステップ時に用いた電流（第１電流）とは異なる電流（第２電流）を流せば、発光輝度の変化量も電流の変化量に比例して変動すると考えられる。そのため、１回目の電流値による輝度比と２回目の電流値による輝度比とで輝度比は同じになるからである。一方、異常の原因が２つ目の原因であれば、第１電流と異なる電流（第２電流）を流せば、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化すると考えられる。そのため、１回目の電流値による第１輝度比と２回目の電流値による第２輝度比とでは輝度比が異なるからである。
【００２３】
上記のように、まず、前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる全画素に対して同一電流（第１電流）に基づいて発光をさせ、各画素の発光輝度とその周辺画素の第１発光輝度とに基づき、周辺画素の発光輝度（第１発光輝度）とは異なる第２発光輝度である画素を注目画素として特定する。
【００２４】
次に、注目画素及びその周辺画素に対して同一電流（第１電流）とは異なる電流に基づく発光をさせ、前記周辺画素の第３発光輝度と注目画素の第４発光輝度とを算出する。
【００２５】
その上で、第１輝度比（第１発光輝度及び第２発光輝度の比）と第２輝度比（第３発光輝度及び第４発光輝度の比）との差が所定値を超える場合、注目画素に含まれる有機発光素子はショートして（異物によるリークパスが形成されて）おり、注目画素はリーク性起因の暗点画素と判定することができる。
【００２６】
これによると、周辺画素より発光輝度が暗い画素があった場合に、その原因が注目画素に含まれる発光素子中の有機発光層の劣化であるのか、又は、注目画素に含まれる有機発光素子に異物が混入してリークパスが形成されたためか、を識別できる。
【００２７】
上記のように、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合、陰極と陽極との間で異物を流れる電流より陰極と陽極との間で有機発光層を流れる電流の方が多くなる。この場合、陰極と陽極との間に異物が介在する場合であっても、陰極と陽極との間に異物が介在しない発光素子と比較して発光輝度の差はあまり大きくならない傾向になる。
【００２８】
そのため、従来の方法では、リーク性の暗点となった有機発光素子を識別することができなかった。それに対して、本態様では、第１電流と第２電流との差を大きくすれば、リークパスを形成する異物の抵抗が高いためにリークパスを流れる電流より陰極と陽極との間で有機発光層を流れる電流の方が多い場合でも、得られる第１輝度比と第２輝度比に差が現れる。これにより、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合においても、有機発光素子に異物が混入してリークパスが形成されたためか否か、を確実に識別することができる。
【００２９】
これにより、有機発光素子に混入した異物が高抵抗のものであっても、リーク性の暗点となった有機発光素子を効果的に検出できる。従って、高抵抗の異物が有機ＥＬ表示パネルに残存することを防止し、高抵抗の異物が残存することにより高抵抗の異物が熱源となるのを防ぐことができる。その結果、高抵抗の異物を含む有機発光素子の周辺の正常な有機発光素子にも影響を与えて、正常な有機発光素子の寿命を劣化させる可能性を低減できる。
【００３０】
第２の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法において、前記第２電流は、前記第１電流よりも大きい。
【００３１】
第３の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法において、前記第１電流は、前記有機発光素子の電圧−輝度特性の低階調に属する電圧に対応する電流であり、前記低階調は、各画素で表示可能な最大階調の１０％より大きく２５％以下の階調である。
【００３２】
第４の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法において、前記第２電流は、前記有機発光素子の電圧−輝度特性の高階調に属する電圧に対応する電流であり、記高階調は、各画素で表示可能な最大階調の４０％以上１００％以下の階調である。
【００３３】
第５の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法においては、前記第９ステップにおいて、前記情報処理装置に、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子の有機発光層は劣化していると判定させる。
【００３４】
さらに、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値以下の場合、注目画素に含まれる有機発光層が劣化していると判定する。
【００３５】
これによると、周辺画素より発光輝度が暗い画素があった場合に、その原因が前記注目画素の有する有機発光素子中の有機発光層の劣化であるのか、又は、前記注目画素の有する有機発光素子に異物が混入してリークパスが形成されたためか、を確実に判定できる。
【００３６】
第６の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法において、前記所定値とは、０又は０に近似した値である。
【００３７】
第７の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法においては、前記第１ステップにおいて、前記第１電流に基づいて前記全画素を発光させる際に用いる電圧は、前記全画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられ、前記第５ステップにおいて、前記第２電流に基づいて前記注目画素及び前記周辺画素を発光させる際に用いる電圧は、前記注目画素及び前記周辺画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる。
【００３８】
有機発光素子に異物が混入してリークパスが形成されている場合、異物が混入した有機発光素子は、その周辺画素の有機発光素子と特性が異なる有機発光素子と考えることができる。駆動トランジスタの電圧−電流特性における線形領域の電圧を印加した場合、異物が混入した有機発光素子と異物が混入していない有機発光素子に同一電流に基づく発光をさせることは困難である。
【００３９】
そこで、本態様によると、第１ステップにおいて、駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧を用いて第１電流に基づき全画素を発光させ、前記第５ステップにおいて、駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧を用いて第１電流とは異なる第２電流に基づいて注目画素及び周辺画素を発光させる。
【００４０】
すなわち、有機発光素子に異物が混入してリークパスが形成されている場合、異物が混入した有機発光素子は、その周辺画素の有機発光素子と特性が異なる有機発光素子と考えることができる。異なる特性の有機発光素子が混在する全画素に対して同一電流を流させるには、駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧を用いる必要がある。
【００４１】
これにより、異物が混入する暗点画素を含めた全画素を、同一電流に基づいて発光させることができる。
【００４２】
第８の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法において、前記周辺画素は、前記注目画素の周辺の複数の画素であり、前記第１発光輝度及び前記第３発光輝度は、前記周辺画素の平均発光輝度である。
【００４３】
第９の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、前記第４ステップにおいて、特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないかどうかを判定する判定ステップを含み、当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないと判定した場合に、前記第５ステップを行う。
【００４４】
本態様によると、第４ステップにおいて特定された注目画素の数が所定の基準値より少ない場合、第５ステップ以降の処理に進む。この場合、有機ＥＬ表示パネルに含まれる周辺画素の第１発光輝度とは異なる第２発光輝度である注目画素（暗点画素等の異常画素）の数が、比較的少ないことになる。そのため、以降の処理において、注目画素の異常の原因を判定し、その異常の原因がリークパスであれば、その後のリペア処理などを施すことにより、有機ＥＬ表示パネルを救済することができる。
【００４５】
第１０の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値以上であると判定した場合には、前記有機ＥＬ表示パネルを不良パネルと判定する。
【００４６】
本態様によると、第４ステップにおいて特定された注目画素の数が所定の基準値以上の場合、有機ＥＬ表示パネルをＮＧのパネル（不良パネル）と判定する。この場合、有機ＥＬ表示パネルに含まれる注目画素（暗点画素等の異常画素）の数が、比較的多いので、その後にリペア処理などを施しても、有機ＥＬ表示パネルを救済して出荷することができない。そのため、注目画素の異常の原因は判定しないで検査を終了する。すなわち、第５ステップ以降の処理には進まない。
【００４７】
第１１の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、前記第９ステップにおいて、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、さらに、前記情報処理装置に、前記注目画素における前記駆動トランジスタの電圧−電流特性の線形領域の電圧を、前記注目画素に印加させて、前記注目画素の電流値を検出させる検出ステップを含み、前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が予め定められた値以上の場合、前記情報処理装置に、前記注目画素はショートしていると判定させ、前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が前記予め定められた値より小さい場合、前記情報処理装置に、前記注目画素に含まれる有機発光素子は劣化していると判定させる。
【００４８】
本態様によると、前記第１発光輝度と前記第２発光輝度との差が前記所定範囲以内の場合、注目画素に含まれる有機発光素子は劣化している場合のほかに、リークパスを形成する異物の抵抗が低い可能性も存在する。
【００４９】
即ち、リークパスを形成する異物の抵抗が低い場合、陰極と陽極との間で異物を流れる電流が陰極と陽極との間で有機発光層を流れる電流と同程度以上になる。そのため、前記注目画素に対応する有機発光素子が劣化していると確実に判定できない。
【００５０】
この場合には、駆動トランジスタの電圧−電流特性における線形領域の電圧を用いて判定してもよい。
【００５１】
第１２の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、第１の態様〜第１１の態様のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法により、ショートしていると判定された有機発光素子に対して、前記有機発光素子に含まれる陰極電極及び陽極電極の少なくともいずれか一方を絶縁化させて、前記陰極電極と前記陽極電極との間に電流が流れない状態にするリペア工程を含む。
【００５２】
本態様により、高抵抗の異物が混入して「リーク性の暗点」となった有機発光素子に対して、リペア処理を施すことにより、高抵抗の異物が有機ＥＬ表示パネルに残存することを防止するだけでなく、高抵抗の異物が残存することにより高抵抗の異物が熱源となるのを防ぐことができる。従って、高抵抗の異物を含む有機発光素子の周辺の正常な有機発光素子にも影響を与えて、正常な有機発光素子の寿命を劣化させる可能性を低減できる。その結果、品質改善が施された有機ＥＬ表示パネルを提供できる。
【００５３】
第１３の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムは、有機ＥＬ表示パネルの検査システムであって、陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する有機ＥＬ表示パネルと、前記有機ＥＬ表示パネルが発光した際の画像である発光画像を撮像する撮像装置と、前記撮像装置にて撮像された発光画像に基づいて前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素の発光輝度を求める情報処理装置とを備え、前記情報処理装置は、前記有機ＥＬ表示パネルが有する全画素を、第１電流に基づいて発光させる第１ステップと、前記撮像装置に、前記第１電流に基づいて発光された前記有機ＥＬ表示パネルの第１発光画像を撮像させる第２ステップと、前記第１発光画像に基づき前記有機ＥＬ表示パネルの各画素の発光輝度を算出する第３ステップと、前記情報処理装置は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と当該所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する第４ステップと、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を、前記第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる第５ステップと、前記撮像装置に、前記第２電流に基づいて発光された、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を含む前記有機ＥＬ表示パネルの第２発光画像を撮像させる第６ステップと、前記第２発光画像に基づく前記周辺画素の第３発光輝度及び前記注目画素の第４発光輝度を算出する第７ステップと、前記第３発光輝度と前記第４発光輝度との第２輝度比を算出する第８ステップと、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、前記差が所定値を超えている場合には、前記注目画素に含まれる有機発光素子には異物によるリークパスが形成されていると判定する第９ステップと、を実行する。
【００５４】
第１４の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記情報処理装置は、前記第９ステップにおいて、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子の有機発光層は劣化していると判定する。
【００５５】
第１５の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記所定値とは、０又は０に近似した値である。
【００５６】
第１６の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいては、前記第１ステップにおいて、前記第１電流に基づいて前記全画素を発光させる際に用いる電圧は、前記全画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられ、前記第５ステップにおいて、前記第２電流に基づいて前記注目画素及び前記周辺画素を発光させる際に用いる電圧は、前記注目画素及び前記周辺画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる。
【００５７】
第１７の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記周辺画素は、前記注目画素の周辺の複数の画素であり、前記第１発光輝度及び前記第３発光輝度は、前記周辺画素の平均発光輝度である。
【００５８】
第１８の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記情報処理装置は、前記第４ステップにおいて、特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないかどうかを判定する判定ステップを実行し、当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないと判定した場合に、前記第５ステップを実行する。
【００５９】
第１９の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記情報処理装置は、当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値以上であると判定した場合には、前記有機ＥＬ表示パネルをＮＧのパネルと判定する。
【００６０】
第２０の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記情報処理装置は、前記第９ステップにおいて、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、さらに、前記注目画素における前記駆動トランジスタの電圧−電流特性の線形領域の電圧を、前記注目画素に印加させて、前記注目画素の電流値を検出する検出ステップを実行し、前記情報処理装置は、前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が予め定められた値以上の場合、前記注目画素はショートしていると判定し、前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が前記予め定められた値より小さい場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子は劣化していると判定する。
【００６１】
（実施の形態）
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。
【００６２】
図１は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示パネルの検査システムの構成を示す図である。図２は、本発明の実施の形態における情報処理装置の処理を示す図である。
【００６３】
図１に示す検査システムは、表示装置１と、撮像装置３と、情報処理装置４とで構成される。
【００６４】
表示装置１は、製造された有機ＥＬ表示パネル５と有機ＥＬ表示パネル５を制御するための制御回路２とで構成されている。ここで、有機ＥＬ表示パネル５は、陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する。なお、有機ＥＬ表示パネル５では、ＲＧＢそれぞれの発光色を示す有機発光素子を含む画素が並べたり、ＲＧＢを配列したカラーフィルタをさらに備えたりすることで、色も発光することができる。
【００６５】
表示装置１の制御回路２は、情報処理装置４の命令により（Ｓ１１）、有機ＥＬ表示パネル５を制御して（Ｓ１２）、発光させる。具体的には、制御回路２は、所望の電流値を駆動トランジスタに印加するよう、有機ＥＬ表示パネル５を制御して、有機ＥＬ表示パネル５を発光させる。
【００６６】
撮像装置３は、情報処理装置４の命令により（Ｓ１３）、有機ＥＬ表示パネル５が発光した際の全画素の画像である発光画像を撮像する。
【００６７】
情報処理装置４は、上述したように、表示装置１と、撮像装置３とを制御し、撮像装置３で撮像された発光画像に基づいて、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる各画素の発光輝度を算出する。
【００６８】
この検査システムは、詳細は後述するが、有機ＥＬ表示パネル５にリーク性の暗転となる有機発光素子換言すると異物によるリークパスが形成されている有機発光素子が存在する場合には、それを効果的に検出することができる。
【００６９】
次に、有機ＥＬ表示パネル５の詳細構成について説明する。
【００７０】
図３は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示パネルの構成を説明するための図である。図４は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示パネルの有する一画素部の回路構成を示す図である。
【００７１】
有機ＥＬ表示パネル５は、走査線駆動回路６と、データ線駆動回路７と、行列状に配列された画素部１０と、対応する画素部１０にデータ信号（信号電圧）を伝達するためのデータ線２０と、対応する画素部１０に走査信号を伝達するための走査線２１とを備える。
【００７２】
有機ＥＬ表示パネル５は、走査線駆動回路６及びデータ線駆動回路７に入力される制御回路２からの信号に基づき、映像を表示する。換言すると、有機ＥＬ表示パネル５は、行列状に配列された複数の画素部１０を備え、外部から有機ＥＬ表示パネル５へ入力された輝度信号に基づいて画像を表示する。
【００７３】
ここで、画素部１０の回路構成について図４を参照しながら詳細に説明する。
【００７４】
画素部１０は、本発明の画素に相当し、図４に示すように、電流発光素子である有機発光素子Ｄ１と、駆動トランジスタＴ１と、スイッチングトランジスタＴ２と、保持コンデンサＣｓと、参照トランジスタＴ３と、分離トランジスタＴ４とを備える。また、画素部１０には、走査線２１と、信号電圧を供給するためのデータ線２０と、マージ線２３と、駆動トランジスタＴ１のドレイン電極の電位を決定するための高電圧側電源線２４と、有機発光素子Ｄ１の第２電極に接続された低電圧側電源線２５と、保持コンデンサＣｓの第１電極の電圧値を規定する第１の基準電圧を供給する基準電圧電源線２６と、リセット線２７とが接続されている。
【００７５】
有機発光素子Ｄ１は、本発明の有機発光素子に相当し、駆動トランジスタＴ１の駆動電流により発光する。有機発光素子Ｄ１は、カソードが、低電圧側電源線２５に接続され、アノードが、駆動トランジスタＴ１のソースに接続されている。ここで、低電圧側電源線２５に供給されている電圧はＶｓｓであり、例えば０（ｖ）である。
【００７６】
駆動トランジスタＴ１は、本発明の駆動トランジスタに相当し、画素部１０の有機発光素子Ｄ１を駆動させる。具体的には、駆動トランジスタＴ１は、有機発光素子Ｄ１に電流を流すことで有機発光素子Ｄ１を発光させる電圧駆動の駆動素子である。駆動トランジスタＴ１は、ゲートが、分離トランジスタＴ４及びスイッチングトランジスタＴ２を介してデータ線２０に接続され、ソースが有機発光素子Ｄ１のアノードに接続され、ドレインが、高電圧側電源線２４に接続されている。ここで、高電圧側電源線２４に供給されている電圧はＶＤＤであり、例えば２０（ｖ）である。これにより、駆動トランジスタＴ１は、ゲートに供給された信号電圧（データ信号）を、その信号電圧（データ信号）に対応した信号電流に変換し、変換された信号電流を有機発光素子Ｄ１に供給する。
【００７７】
保持コンデンサＣｓは、駆動トランジスタＴ１の流す電流量を決める信号電圧を保持する機能を有する。具体的には、保持コンデンサＣｓは、駆動トランジスタＴ１のソース（低電圧側電源線２５）と駆動トランジスタＴ１のゲートとの間に接続されている。
【００７８】
保持コンデンサＣｓは、例えば、スイッチングトランジスタＴ２がオフ状態となった後も、直前の信号電圧を維持し、継続して駆動トランジスタＴ１から有機発光素子Ｄ１へ駆動電流を供給させる機能を有する。なお、保持コンデンサＣｓは、信号電圧を、その信号電圧に静電容量を積算した電荷で保持する。
【００７９】
スイッチングトランジスタＴ２は、一方の端子がデータ線２０に接続され、他方の端子が保持コンデンサＣｓの第２電極に接続され、データ線２０と保持コンデンサＣｓの第２電極との導通及び非導通を切り換える。具体的には、スイッチングトランジスタＴ２は、映像信号に応じた信号電圧（データ信号）を保持コンデンサＣｓに書き込むための機能を有する。スイッチングトランジスタＴ２は、ゲートが、走査線２１に接続されており、ドレインまたはソースがデータ線２０に接続されている。そして、スイッチングトランジスタＴ２は、データ線２０の信号電圧（データ信号）を駆動トランジスタＴ１のゲートに供給するタイミングを制御する機能を有する。
【００８０】
参照トランジスタＴ３は、保持コンデンサＣｓの第１電極と基準電圧電源線２６との導通及び非導通を切り換える。具体的には、参照トランジスタＴ３は、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈを検出するときに駆動トランジスタＴ１のゲートに基準電圧（Ｖｒ）を与える機能を有する。参照トランジスタＴ３は、ドレインおよびソースの一方が、駆動トランジスタＴ１のゲートに接続され、ドレインおよびソースの他方が、参照電圧（Ｖｒ）を印加するための基準電圧電源線２６に接続されている。また、参照トランジスタＴ３は、ゲートがリセット線２７に接続されている。
【００８１】
分離トランジスタＴ４は、一方の端子が駆動トランジスタＴ１のソース電極に接続され、他方の端子が保持コンデンサＣｓの第２電極に接続され、駆動トランジスタＴ１のソース電極と保持コンデンサＣｓの第２電極との導通及び非導通を切り換える。具体的には、分離トランジスタＴ４は、保持コンデンサＣｓに電圧を書き込む書き込み期間において保持コンデンサＣｓと駆動トランジスタＴ１とを切り離す機能を有する。分離トランジスタＴ４は、ドレインおよびソースの一方が、駆動トランジスタＴ１のソースに接続され、ドレインおよびソースの他方が、保持コンデンサＣｓの第２電極に接続されている。また、分離トランジスタＴ４は、ゲートがマージ線２３と接続されている。また、分離トランジスタＴ４は、発光期間において保持コンデンサＣｓと駆動トランジスタＴ１のソース電極とを接続する。これにより、駆動トランジスタＴ１のゲート電極−ソース電極間に保持コンデンサＣｓに保持された信号電圧（データ信号）を印加する。その結果、駆動トランジスタＴ１は、有機発光素子Ｄ１に信号電圧（データ信号）応じた電流を供給する。
【００８２】
なお、駆動トランジスタＴ１、スイッチングトランジスタＴ２、参照トランジスタＴ３及び分離トランジスタＴ４はそれぞれ、例えばＮチャンネル薄膜トランジスタであり、エンハンスメント型トランジスタである。もちろん、チャネル薄膜トランジスタであってもよいし、デプレッション型トランジスタであってもよい。
【００８３】
以上のように画素部１０は構成される。
【００８４】
再び、図３に戻って説明を続ける。
【００８５】
走査線駆動回路６は、走査線２１に接続されており、画素部１０のスイッチングトランジスタＴ２の導通・非導通を制御する機能を有する。具体的には、走査線駆動回路６は、図３において行方向に配列された画素部１０に共通に接続された走査線２１にそれぞれ独立に走査信号ｓｃａｎを供給する。
【００８６】
データ線駆動回路７は、データ線２０に接続されており、映像信号に応じた信号電圧（データ信号）を出力して、駆動トランジスタＴ１に流れる信号電流を決定する機能を有する。具体的には、データ線駆動回路７は、図３において列方向に配列された画素部１０に共通に接続されたデータ線２０にそれぞれ独立に信号電圧（データ信号）を供給する。
【００８７】
また、上記では、高電圧側電源線２４と基準電圧電源線２６とは別の電源線としているが、共通の電源線としてもよい。
【００８８】
次に、図１に示す検査システムが、撮像装置３で撮像された発光画像に基づいて、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる各画素の発光輝度を求める検査方法について説明する。
【００８９】
図５は、本発明の実施の形態における検査システムの検査方法を示すフローチャートである。
【００９０】
まず、情報処理装置４は、制御回路２を介して、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる全画素（全画素部１０）を第１電流に基づいて発光させる（Ｓ２１）。
【００９１】
なお、この第１電流に基づいて発光をさせる際に用いる電圧は、全画素の各々に含まれる駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる。
【００９２】
次に、情報処理装置４は、撮像装置３に、第１電流に基づいて発光された有機ＥＬ表示パネル５の第１発光画像を撮像させる（Ｓ２２）。ここで、第１発光画像とは、有機ＥＬ表示パネル５の全画素部１０が第１電流に基づいて発光した際の画像である。
【００９３】
次に、情報処理装置４は、第１発光画像に基づき有機ＥＬ表示パネル５が有する各画素部１０の発光輝度を算出する（Ｓ２３）。
【００９４】
次に、情報処理装置４は、所定の画素とその周辺の画素との発光輝度比に基づき注目画素を特定する（Ｓ２４）。具体的には、情報処理装置４は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する。ここで、周辺画素は、暗点画素（注目画素）の周囲（周辺）にある複数の画素であり、第１発光輝度は、例えば周辺画素の平均発光輝度である。
【００９５】
次に、情報処理装置４は、少なくとも注目画素及び周辺画素を、第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる（Ｓ２５）。ここで、情報処理装置４は、第２電流に基づいて有機ＥＬ表示パネル５の全画素を発光させるとしてもよい。以下では、全画素を発光させたとして説明する。
【００９６】
次に、情報処理装置４は、撮像装置３に、第２電流に基づいて発光された有機ＥＬ表示パネル５の第２発光画像を撮像させる（Ｓ２６）。ここで、第２発光画像とは、有機ＥＬ表示パネル５の全画素部１０が第２電流に基づいて発光した際の画像である。
【００９７】
なお、この第２電流に基づいて発光をさせる際に用いる電圧は、全画素の各々に含まれる駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる。
【００９８】
次に、情報処理装置４は、注目画素及びその周辺画素の発光輝度を算出する（Ｓ２７）。具体的には、情報処理装置４は、第２発光画像に基づき周辺画素が発光する輝度である第３発光輝度及び第２発光画像に基づき注目画素が発光する輝度である第４発光輝度を算出する（Ｓ２７）。ここで、第３発光輝度は、上述したように、例えば周辺画素の平均発光輝度である。
【００９９】
次に、情報処理装置４は、第２電流に対応する注目画素と周辺画素の輝度比について算出する（Ｓ２８）。具体的には、情報処理装置４は、第２電流に対応する注目画素と周辺画素の輝度比すなわち第３発光輝度と第４発光輝度との第２輝度比を算出する。
【０１００】
次に、情報処理装置４は、第１電流及び第２電流それぞれに対応する注目画素と周辺画素の輝度比の差が所定値を超しているかを確認する（Ｓ２９）。具体的には、情報処理装置４は、第１輝度比と第２輝度比との差が所定値を超しているかを確認する。ここで、所定値とは、０又は０に近似する値であり、例えば、０．００５等、０．１未満の値である。
【０１０１】
そして、情報処理装置４は、第１輝度比と第２輝度比との差が所定値を超えている場合には、注目画素に含まれる有機発光素子Ｄ１は異物によりリークパスが形成されている（ショートしている）と判定する。
【０１０２】
以上のようにして、本発明の形態における検査システムは、有機ＥＬ表示パネル５にリーク性の暗転となる有機発光素子Ｄ１が存在する場合には、それを検出することができる。
【０１０３】
以下、さらに、図５を用いて説明した有機ＥＬ表示パネル５の検査方法の詳細について説明する。
【０１０４】
図６は、本発明の実施の形態における検査システムの検査方法の詳細を説明するためのフローチャートである。
【０１０５】
まず、情報処理装置４が輝度を測定する色を決定する（Ｓ３０）。具体的には、有機ＥＬ表示パネル５が発光する色を決定し、撮像装置３を決定した色を撮像できるように撮像装置３を調整する。
【０１０６】
次に、リーク性の暗点となる可能性のある有機発光素子Ｄ１を含む画素部１０（暗点画素）を検出する（Ｓ３１）。
【０１０７】
具体的には、まず、撮像装置３が撮像（測定）する階調を決定する（Ｓ３１１）。ここで、決定する階調は、後述する理由から、低階調であることが好ましい。ここで、低階調とは、有機発光素子の電圧−輝度特性において、各画素で表示可能な最大階調の１０％より大きく２５％以下の階調に対応する階調である。
【０１０８】
続いて、決定した色に対応する全ての画素部１０（全サブ画素）を、決定した階調に応じた電圧を印加し、発光させる（Ｓ３１２）。
【０１０９】
ここで、Ｓ３１２は、上述したＳ２１の具体的な１つの態様である。すなわち、Ｓ２１における全画像は、決定した色に対応する全ての画素部１０に対応し、第１電流は、決定した階調に応じた電圧を対応する画素部１０に印加した際に駆動トランジスタＴ１に流れる電流に相当する。
【０１１０】
続いて、情報処理装置４は、撮像装置３で、有機ＥＬ表示パネル５の発光画像（第１発光画像）を撮像（測定）する（Ｓ３１３）。ここで、Ｓ３１３は、上述したＳ２２の具体的な１つの態様である。
【０１１１】
続いて、情報処理装置４は、撮像装置３で、撮像した発光画像（第１発光画像）を取得し、画像処理により、各サブ画素の輝度値を算出する（Ｓ３１４）。ここで、Ｓ３１４は、上述したＳ２３の具体的な１つの態様である。
【０１１２】
続いて、各サブ画素の輝度値とその周辺画素（周囲画素）の輝度値との輝度比（第１輝度比）を算出し、輝度比基準値と照合することで、注目画素を特定（選別）する（Ｓ３１５）。この輝度比基準値は、例えば、０．５である。そして、基準値により特定（選別）された注目画素の位置情報とその輝度比（第１輝度比）をメモリに格納する。ここで、Ｓ３１５は、上述したＳ２４の具体的な１つの態様である。
【０１１３】
このようにして、Ｓ３１において、リーク性の暗点となる可能性のある有機発光素子Ｄ１を含む画素部１０（暗点画素）を検出する。
【０１１４】
Ｓ３１では、有機ＥＬ表示パネル５が有する全サブ画素を同一電流（第１電流）に基づいて発光をさせている。これは、有機ＥＬ表示パネル５が有する全サブ画素を同一電流に基づいて発光させた場合、有機ＥＬ表示パネル５が有する各サブ画素に異常がなければ、同一電流に基づいて発光された発光画像から算出する各サブ画素の発光輝度は同一となるからである。つまり、同一電流に基づいて発光された発光画像から算出されたある画素部１０の発光輝度がその画素部１０の周辺画素の発光輝度と異なれば、その画素部は異常であると判定できるからである。
【０１１５】
次に、Ｓ３１において選別された注目画素の数が基準値より少ないかどうかを判定する（Ｓ３２）。そして、選別（特定）された注目画素の数が基準値より少ないと判定した場合には（Ｓ３２でＹｅｓ）、次のＳ３３に進む。
【０１１６】
すなわち、Ｓ３２でＹｅｓの場合、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる周辺画素の第１発光輝度とは異なる第２発光輝度である注目画素（暗点画素等の異常画素）の数が、比較的少ないことになる。そのため、以降の処理において、注目画素の異常の原因を判定し、その異常の原因がリークパスであれば、その後のリペア処理などを施すことにより、有機ＥＬ表示パネル５を救済することができる。
【０１１７】
一方、選別（特定）された注目画素の数が基準値以上であると判定した場合には（Ｓ３２でＮｏ）、有機ＥＬ表示パネルをＮＧのパネル（不良パネル）と判定し、検査を終了する。
【０１１８】
すなわち、Ｓ３２でＮｏの場合、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる注目画素（暗点画素等の異常画素）の数が、比較的多いので、その後にリペア処理などを施しても、有機ＥＬ表示パネル５を救済して出荷することができない。そのため、注目画素の異常の原因は判定しないで検査を終了する。すなわち、Ｓ３３以降の処理には進まない。
【０１１９】
次に、Ｓ３３において、Ｓ３１で検出した注目画素（暗点画素）がリーク起因かどうか（有機発光素子に異物によるリークパスが形成されているかどうか）どうかを判定する。
【０１２０】
具体的には、まず、撮像装置３が撮像（測定）する階調を決定する（Ｓ３３１）。ここで、決定する階調は、後述する理由から、高階調であることが好ましい。ここで、高階調とは、有機発光素子の電圧−輝度特性において、各画素で表示可能な最大階調の４０％以上１００％以下の階調に対応する階調である。
【０１２１】
続いて、決定した色に対応する全ての画素部１０（全サブ画素）を、決定した階調（高階調）に応じた電圧を印加し、発光させる（Ｓ３３２）。
【０１２２】
ここで、Ｓ３３２は、上述したＳ２５の具体的な１つの態様である。すなわち、Ｓ２１における全画像は、決定した色に対応する全ての画素部１０に対応し、第２電流は、決定した階調（高階調）に応じた電圧を対応する画素部１０に印加した際に駆動トランジスタＴ１に流れる電流に相当する。
【０１２３】
続いて、情報処理装置４は、撮像装置３で、有機ＥＬ表示パネル５の発光画像（第２発光画像）を撮像（測定）する（Ｓ３３３）。ここで、Ｓ３３３は、上述したＳ２６の具体的な１つの態様である。
【０１２４】
続いて、情報処理装置４は、撮像装置３で、撮像した発光画像（第２発光画像）を取得し、画像処理により、選別（特定）された注目画素とその周辺画素の輝度値を算出する（Ｓ３３４）。ここで、Ｓ３３４は、上述したＳ２７の具体的な１つの態様である。
【０１２５】
続いて、選別（特定）された注目画素とその周辺画素の輝度値との輝度比（第２輝度比）を算出し、Ｓ３１で算出した輝度比（第１輝度比）との差分が所定値を超えているかを確認する（Ｓ３３５）。そして、その差分が所定値を超えている注目画素の位置情報をメモリに格納する。ここで、Ｓ３３５は、上述したＳ２８及びＳ２９の具体的な１つの態様である。
【０１２６】
このようにして、Ｓ３３では、Ｓ３１で検出した注目画素（暗点画素）がリーク起因かどうかを判定する。
【０１２７】
次に、Ｓ３３において算出した差分値が所定値以下となる注目画素があるか否かを判定する（Ｓ３４）。
【０１２８】
Ｓ３３において算出した差分値が所定値以下となる注目画素がない場合（Ｓ３４でＮｏ）、全色（ＲＧＢ）に対応するサブ画素の発光画像の撮像が終了したかを確認する（Ｓ３６）。そして、全色の撮像が終了していない場合には（Ｓ３６でＮｏ）、全色の撮像が終了するまで、Ｓ３０〜Ｓ３５の処理を繰り返し、全色の撮像が終了した場合に（Ｓ３６でＹｅｓ）、検査を終了する。
【０１２９】
一方、Ｓ３３において算出した差分値が所定値以下となる注目画素がある場合（Ｓ３４でＹｅｓ）、情報処理装置４は、その注目画素が有する有機発光素子Ｄ１の有機発光層が劣化していると判定する。つまり、その注目画素（暗点画素）は、リーク起因ではない暗点画素であると判定される。このようにして、情報処理装置４は、周辺画素より発光輝度が暗い画素（暗点画素）があった場合に、その原因がその注目画素の有する有機発光素子Ｄ１中の有機発光層の劣化であるのか、又は、その注目画素の有する有機発光素子Ｄ１に異物が混入してリークパスが形成されたためかを確実に判定できる。
【０１３０】
しかし、Ｓ３４のＹｅｓの場合、さらに、Ｓ３５に進み、従来技術として知られている電流測定などを用いて、本当にリーク起因ではないつまり注目画素に含まれる有機発光素子Ｄ１中の有機発光層の劣化であるのかを判定する。
【０１３１】
具体的には、差分値が所定値以下となる注目画素に対して、さらに、電流測定（従来技術）を行い、予め定められた値以上の電流値を示すかを確認し（Ｓ３５）、Ｓ３６の判定に進む。ここで、その注目画素が予め定められた値以上の電流値を示す場合には、その注目画素の位置情報をメモリに格納する。
【０１３２】
より詳細には、Ｓ３５において、情報処理装置４は、ある注目画素について第１輝度比と第２輝度比との差が所定値以下の場合、その注目画素に、注目画素が有する駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における線形領域の電圧を印加することにより、その注目画素の電流値を検出する。そして、情報処理装置４は、検出された電流値が予め定められた値（所定値）以上である場合には、その注目画素はショートしている（リーク起因の暗点画素である）と判定し、その注目画素の位置情報をメモリに格納する。反対に、検出された電流値が予め定められた値（所定値）より小さい場合は、その注目画素に含まれる有機発光素子は劣化していると判定する。
【０１３３】
このようにして、Ｓ３５では、Ｓ３３において算出した差分値が所定値以下となる注目画素（暗点画素）が本当にリーク起因ではないつまり注目画素に含まれる有機発光素子Ｄ１中の有機発光層の劣化であるのかを再度判定する。
【０１３４】
以上のようにして、図１に示す検査システムで有機ＥＬ表示パネル５の検査を行う。
【０１３５】
以下、本発明における検査方法を想到した着眼点について説明する。
【０１３６】
まず、Ｓ３１において、周辺画素の発光輝度（第１発光輝度）と異なる発光輝度（第２発光輝度）である画素を注目画素として特定する。なぜなら、上述したように同一電流に基づいて発光された発光画像から算出されたある画素部１０の発光輝度がその画素部１０の周辺画素の発光輝度と異なれば、その画素部１０（暗点画素）は、異常であると判定できるからである。
【０１３７】
しかし、この異常の原因としては次の２つの原因が考えられる。１つ目の原因は注目画素が有する有機発光素子Ｄ１中の有機発光層の劣化である。２つ目の原因は、注目画素が有する有機発光素子の有機発光層は劣化していないが、製造過程で有機発光素子Ｄ１に混入した異物の存在により、発光輝度が低下することである。
【０１３８】
そして、この２つ目の原因は、有機発光素子Ｄ１において陰極電極及び陽極電極の間に異物が混入すると、陰極電極及び陽極電極の間で有機発光層を流れる電流とは別に、陰極電極及び陽極電極の間で異物を介して電流が流れることである。それにより、有機発光素子Ｄ１の発光輝度が低下する。上述したように、陰極電極及び陽極電極の間で異物を介して電流が流れる経路をリークパスと称する。
【０１３９】
上記２つの原因のいずれの原因により、異常が生じたのかを判別するために、本発明者は、Ｓ３３において、Ｓ３１で検出した注目画素（暗点画素）がリーク起因か（異物が混入してリークパスが形成されたためか）を判定する方法を想到した。なぜなら、異常の原因が１つ目の原因である場合、Ｓ３３において、Ｓ３１とは異なる電流を注目画素に流せば、発光輝度の変化量も電流の変化量に比例して変動すると考えられる。そして、１回目（Ｓ３１）の電流値による輝度比と２回目（Ｓ３３）の電流値による輝度比とは同じになるからである。一方、異常の原因が２つ目の原因である場合には、Ｓ３１とは異なる電流を注目画素に流せば、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化すると考えられる。そして、１回目（Ｓ３１）の電流値による第１輝度比と２回目（Ｓ３３）の電流値による第２輝度比とは異なるからである。
【０１４０】
次に、注目画素が、リーク起因の暗点画素である場合に、異なる電流を注目画素に流せば、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化することを検証した結果について説明する。
【０１４１】
図７Ａ〜図１０は、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化することを説明するための図である。
【０１４２】
図７Ａは、リークパスの発生メカニズムを示しており、有機発光素子Ｄ１の構造を示す一例であり、例えば、陽極電極（ＡＭ：Ａｎｏｄｅ Ｍｅｔａｌ）上に、正孔注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）と、発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）と、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）と、陰極電極（ＣＡＴ:Ｃａｔｈｏｄｅ）と、封止層とがこの順に構成されている。また、正孔注入層（ＨＩＬ）と、発光層（ＥＭＬ）とは、隔壁（ＢＮＫ：Ｂａｎｋ）で囲まれている。
【０１４３】
また、図７Ａの模式図では、有機発光素子Ｄ１の陽極電極（ＡＭ）の層内又は下方に存在する異物または空洞などにより、陽極電極（ＡＭ）が凸形状に変形し、陽極電極（ＡＭ）と陰極電極（ＣＡＴ）との間に、発光パスとは別にリークパスが存在していることを示している。
【０１４４】
このような有機発光素子Ｄ１を含む暗点画素は、図７Ｂに示す等価回路で示すことができる。ここで、図７Ｂは、暗点画素の等価回路を示す図である。
【０１４５】
図７Ｂに示す等価回路と図３に示す回路図とを比較すればわかるように、暗点画素では、有機発光素子Ｄ１と並行にリークパスとなる経路３０が形成されていることになる。
【０１４６】
ここで、有機発光素子Ｄ１の発光パスに流れる電流をＩ＿ＥＬとし、この有機発光素子Ｄ１を駆動する駆動トランジスタＴ１に流れる電流をＩ＿ｌｏｃａｌとする。また、リークパスとなる経路３０を流れる電流をＩ＿ｌｅａｋ ｐａｓｓとする。また、有機発光素子Ｄ１に印加される電圧をＶＥＬとする。
【０１４７】
図８Ａは、有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合の暗点画素のＩＶ特性を示している。図８Ｂは、有機発光素子に混入した異物が低抵抗の異物である場合の暗点画素のＩＶ特性を示している。また、図８Ａ及び図８Ｂには、点Ａ及び点Ｂに対応する電圧ＶＥＬが有機発光素子Ｄ１に印加されたときの、当該有機発光素子Ｄ１を含む暗点画素の輝度とその周辺画素の輝度との比を示している。なお、この輝度比の値は、陰極と陽極との間に異物が介在しない有機発光素子Ｄ１である周辺画素の輝度を１としたときの比に相当する。
【０１４８】
ここで、図８Ａを参照し、第１電流が低階調に対応する電流であることが好ましい理由について述べる。有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合の暗点画素を含む画素部１０に低階調に対応する電圧（例えば図８Ａの点Ａ）を印加したとする。
【０１４９】
この場合、リークパスがある画素（暗点画素）では、有機発光素子Ｄ１の発光パスに流れる電流Ｉ＿ＥＬとリークパスとなる経路３０を流れる電流Ｉ＿ｌｅａｋ ｐａｓｓとの電流量の比は、４ａ：６ａとなる。ここで、リークパスがない周辺画素の有機発光素子Ｄ１の発光パスに流れる電流Ｉ＿ＥＬを１０ａとしている。
【０１５０】
輝度は電流量に応じるため、周辺画素に対する暗点画素（リークパスである経路３０が形成される画素）の輝度比は０．４となる。このように、第１電流が低階調に対応する電流とする場合には、周辺画素と暗点画素（リークパスである経路３０が形成される画素）と輝度の差が顕著に表れる。
【０１５１】
一方、仮に、第１電流が高階調に対応する電流とする場合について説明する。すなわち、有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合の暗点画素を含む画素部１０に高階調に対応する電圧（例えば図８Ａの点Ｂ）を印加したとする。
【０１５２】
この場合、リークパスがある画素（暗点画素）では、有機発光素子Ｄ１の発光パスに流れる電流Ｉ＿ＥＬとリークパスとなる経路３０を流れる電流Ｉ＿ｌｅａｋ ｐａｓｓとの電流量の比は、９ｂ：１ｂとなる。これは、リークパスとなる経路３０が高抵抗のためである。ここで、リークパスがない周辺画素の有機発光素子Ｄ１の発光パスに流れる電流Ｉ＿ＥＬを１０ｂとしている。
【０１５３】
輝度は電流量に応じるため、周辺画素に対する暗点画素（リークパスである経路３０が形成される画素）の輝度比は０．９となる。このように、第１電流が高階調に対応する電流とする場合には、周辺画素と暗点画素（リークパスである経路３０が形成される画素）と輝度の差は僅差でしか表れない。その結果、周辺画素と暗点画素（リークパスである経路３０が形成される画素）と輝度の差の識別が困難、あるいは識別できなくなる。
【０１５４】
したがって、上述の理由により、第１電流を低階調に対応する電流にし、第１電流を流すことで、注目画素の識別を容易に行うことができるので、注目画素（暗点画素）を検出できる。
【０１５５】
次に、図８Ｂに示すように、リークパスを形成する異物の抵抗が低い場合、有機発光層を流れる電流Ｉ＿ＥＬのよりも、異物を流れる電流Ｉ＿ｌｅａｋ ｐａｓｓの方が多くなる。この場合すなわち陰極と陽極との間に異物が介在する場合には、陰極と陽極との間に異物が介在しない有機発光素子Ｄ１と比較すると発光輝度の差は大きい。
【０１５６】
一方、図８Ａに示すように、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合、異物を流れる電流Ｉ＿ＥＬより有機発光層を流れる電流Ｉ＿ｌｅａｋ ｐａｓｓの方が多くなる。この場合、すなわち陰極と陽極との間に異物が介在する場合であっても、陰極と陽極との間に異物が介在しない有機発光素子Ｄ１と比較しても、発光輝度の差はあまり大きくならない傾向がある。
【０１５７】
しかし、図８Ａに示すように、例えば点Ａと点Ｂとのように大きく異なる電圧（電流）を有機発光素子Ｄ１に印加して得られる周辺画素との輝度比には差が現れる。ここで、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合の測定結果の一例を図９に示す。なお、図９では、周辺画素の輝度の平均を周辺画素の輝度としている。
【０１５８】
図８Ａ及び図９に示すように、有機発光素子Ｄ１に印加する電圧の差を大きくすれば、リークパスを形成する異物の抵抗が高く、リークパスを流れる電流より有機発光層を流れる電流の方が多い場合、得られる周辺画素との輝度比に大きな差が現れる。一方、図８Ｂに示すように、リークパスを形成する異物の抵抗が低い場合でも、得られる周辺画素との輝度比には小さいながらも差が現れる。すなわち、上記理由により、第１電流が低階調に対応する電流であった場合、第２電流は高階調に対応する電流であることが好ましい。
【０１５９】
また、設定する第１電流について説明する。第１電流は、低階調であることが好適であることは上述の通りである。さらに、撮像装置３の光の検出精度を考慮すると、輝度が大きい方が撮像装置３の光の検出精度は高くなる。
【０１６０】
それを鑑みると、第１電流は低階調でありつつ、低階調のうちで最大輝度に対応する電流に設定されることが好適である。なお、この第１電流を設定する具体的方法は、同じ製造ラインの他のパネルの検査により、得られる複数の有機発光素子の電圧−輝度特性の平均に基づいて決めるとしてもよい。
【０１６１】
それに対して、暗点画素となった原因が有機発光素子Ｄ１の発光パスの劣化の場合には、得られる周辺画素との輝度比には差はない。なお、以上をまとめた表を図１０に示している。
【０１６２】
これにより、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合においても、有機発光素子Ｄ１に異物が混入してリークパスが形成されたためか否かを確実に識別することができるのがわかる。
【０１６３】
次に、Ｓ２１及びＳ２５（Ｓ３１２及びＳ３３２）において、有機発光素子Ｄ１を発光させる際に用いる電圧は、駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる理由について説明する。
【０１６４】
図１１は、駆動トランジスタが飽和状態である場合のＩＶ特性を模式的に示す図である。図１２は、駆動トランジスタが線形状態である場合のＩＶ特性を模式的に示す図である。図１１及び図１２において、線Ｘは、リークパスがある場合の有機発光素子Ｄ１（暗点画素の有機ＥＬ素子）のＩＶ特性を示しており、線Ｙは、リークパスがない場合の有機発光素子Ｄ１（周辺画素の有機ＥＬ素子）のＩＶ特性を示している。また、線Ｚ１は駆動トランジスタＴ１が飽和状態である場合のＩＶ特性を示しており、線Ｚ２は駆動トランジスタＴ１が線形状態である場合のＩＶ特性を示している。
【０１６５】
有機発光素子Ｄ１（暗点画素の有機ＥＬ素子）に異物が混入してリークパスが形成されている場合（線Ｘ）、その有機発光素子Ｄ１は、周辺画素の正常な有機発光素子Ｄ１（線Ｙ）と特性が異なる有機発光素子Ｄ１と考えることができる。そのため、駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における線形領域の電圧（線Ｚ２）を全画素の有機発光素子Ｄ１に印加した場合、異物が混入した有機発光素子Ｄ１と異物が混入していない有機発光素子Ｄ１に同一電流（第１電流）に基づく発光をさせることは困難である。
【０１６６】
そこで、本実施の形態では、Ｓ２１（Ｓ３１２）において、駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における飽和領域の電圧（線Ｚ１）を用いて第１電流に基づき全画素を発光させる。そして、Ｓ２５（Ｓ３３２）において、駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における飽和領域の電圧を用い第２電流に基づいて注目画素及び周辺画素を発光させる。
【０１６７】
すなわち、有機発光素子Ｄ１に異物が混入してリークパスが形成されている場合、異物が混入した有機発光素子Ｄ１は、その周辺画素の正常な有機発光素子Ｄ１と特性が異なる有機発光素子Ｄ１と考えることができる。しかし、図１１に示すように、駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧（線Ｚ２）を異なる特性の有機発光素子Ｄ１が混在する全画素に印加することで、全画素に同一電流を流させることができる。
【０１６８】
これにより、異物が混入する有機発光素子Ｄ１を有する暗点画素を含めた全画素を、同一電流に基づいて発光させることができる。
【０１６９】
以上のように、上述した本実施の形態の検査方法によれば、有機発光素子に混入した異物が高抵抗のものであっても、リーク性の暗点となった有機発光素子を効果的に検出できる。
【０１７０】
それにより、リーク性の暗点画素すなわちショートしている（異物が混入してリークパスが形成された）と判定された暗点画素の有機発光素子をリペアすることができる。
【０１７１】
図１３は、ショートしていると判定された暗点画素の有機発光素子のリペア工程を説明するためのフローチャートである。図１３には、上記で説明した検査方法後の、リペア方法の一例が示されている。
【０１７２】
具体的には、Ｓ３３でリーク起因と判定された暗点画素の異物の位置を検出する（Ｓ４１）。例えば、顕微鏡などを用いて、リーク起因と判定された暗点画素の位置情報をメモリから読み出して、その暗点画素の異物の位置を検出する。
【０１７３】
次に、検出した異物を、既存の方法を用いてリペアする（Ｓ４２）。
【０１７４】
具体的には、検出した異物を含む有機発光素子Ｄ１に対して、例えばレーザー照射を行うなどで、有機発光素子Ｄ１に含まれる陰極電極及び陽極電極の少なくともいずれか一方を絶縁化させて、陰極電極と陽極電極との間に電流が流れない状態にする。
【０１７５】
以上のようにして、高抵抗の異物が混入して、リーク性の暗点となった有機発光素子Ｄ１に対して、リペア処理を施すことができる。
【０１７６】
それにより、高抵抗の異物が有機ＥＬ表示パネル５の画素部１０に残存することを防止し、残存した高抵抗の異物が熱源となるのを防ぐことができる。
【０１７７】
したがって、高抵抗の異物を含む有機発光素子Ｄ１の周辺の正常な有機発光素子Ｄ１にも影響を与え、正常な有機発光素子Ｄ１の寿命を劣化させる可能性も低減できる。その結果、より品質改善が施された有機ＥＬ表示パネル５を提供できるという効果を奏する。
【０１７８】
以上、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムによれば、有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合でも、異物によりリーク性の暗点となる有機発光素子を検出できる有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムを実現できる。それにより、異物によるリークパスが形成されている有機発光素子を含む欠陥画素つまりショート起因の欠陥画素を見逃さず検査でき、品質および信頼性の高い表示装置を製造できる。
【０１７９】
具体的には、まず、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる全サブ画素に対して同一電流（第１電流）に基づいて発光をさせ、各サブ画素の発光輝度とその周辺画素の発光輝度（第１発光輝度）とに基づき、周辺画素の発光輝度（第１発光輝度）と異なる発光輝度（第２発光輝度）である画素を注目画素として特定する。なぜなら、上述したように同一電流に基づいて発光された発光画像から算出されたある画素部１０の発光輝度がその画素部１０の周辺画素の発光輝度と異なれば、その画素部１０は、リーク性の暗点となる可能性のある有機発光素子Ｄ１を含む画素部１０（暗点画素）であると判定できるからである。
【０１８０】
次に、注目画素及びその周辺画素に対して第１電流とは異なる電流（第２電流）に基づく発光をさせ、周辺画素の発光輝度（第３発光輝度）と注目画素の発光輝度（第４発光輝度）を算出する。その上で、第１輝度比（第１発光輝度及び第２発光輝度の比）と第２輝度比（第３発光輝度及び第４発光輝度の比）との差が所定範囲（所定値）を超える場合、注目画素に含まれる有機発光素子Ｄ１はショートしており、注目画素はリーク性起因の暗点画素と判定することができる。
【０１８１】
これにより、有機発光素子Ｄ１に混入した異物が高抵抗のものであっても、リーク性の暗点となった有機発光素子Ｄ１を効果的に検出できる。従って、高抵抗の異物が有機ＥＬ表示パネルに残存することを防止し、高抵抗の異物が残存することにより高抵抗の異物が熱源となるのを防ぐことができる。その結果、高抵抗の異物を含む有機発光素子Ｄ１の周辺の正常な有機発光素子Ｄ１にも影響を与えて、正常な有機発光素子Ｄ１の寿命を劣化させる可能性を低減できる。
【０１８２】
さらに、図１４に示す有機ＥＬ表示装置に、本発明の有機ＥＬ表示パネル５を用いた場合には、暗点画素の少なく、長寿命な高画質な有機ＥＬ表示装置を実現することができる。
【０１８３】
以上、本発明の有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムについて、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１８４】
本発明は、特にテレビ等の有機ＥＬ表示装置に内蔵される有機ＥＬ表示パネル検査方法及び検査システムに有用であり、暗点画素の少なく、長寿命な高画質な有機ＥＬ表示装置の製造方法等として用いるのに最適である。
【符号の説明】
【０１８５】
１ 表示装置
２ 制御回路
３ 撮像装置
４ 情報処理装置
５ 表示パネル
６ 走査線駆動回路
７ データ線駆動回路
１０ 画素部
２０ データ線
２１ 走査線
２３ マージ線
２４ 高電圧側電源線
２５ 低電圧側電源線
２６ 基準電圧電源線
２７ リセット線
３０ 経路
Ｃｓ 保持コンデンサ
Ｄ１ 有機発光素子
Ｔ１ 駆動トランジスタ
Ｔ２ スイッチングトランジスタ
Ｔ３ 参照トランジスタ
Ｔ４ 分離トランジスタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を利用した有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
アノード（陽極）とカソード（陰極）との間に有機発光層が介在されてなる有機発光素子（有機ＥＬ素子）を備えた有機ＥＬ表示パネルがある。この有機ＥＬ表示パネルを製造する製造工程において、有機発光素子を構成する陽極と陰極との間に異物が混入することがある。
【０００３】
この場合、すなわち、有機発光素子に異物が混入した場合、陽極と陰極との間に流れる電流は、本来有機発光層に流れるべき電流が異物を介して流れてしまうため、発光輝度が低下してしまう。換言すると、有機発光素子に異物が混入した場合、陽極と陰極との間に流れる電流が異物を介してリークすることになる。ここで、異物の混入により発光輝度が低下した有機ＥＬ素子を「リーク性の暗点」とも称する。
【０００４】
有機ＥＬ表示パネルを製造後に出荷する前には、有機ＥＬ表示パネルを検査し、リーク性の暗点となる有機発光素子があった場合には、それを特定する。そして、特定したリーク性の暗点となる有機素子に対して種々のリペア方法を用いて絶縁化するなどの対応を行い、その対応後に出荷する。
【０００５】
リーク性の暗点となる有機発光素子を検出する方法としては、複数の有機発光素子の各々に対応する各駆動トランジスタの電圧−電流特性における線形領域の電圧を用いて、各有機ＥＬ発光素子に電流を流し、各有機ＥＬ発光素子の発光輝度を測定し、比較することで検出する方法がある（例えば、特許文献１）。
【０００６】
特許文献１では、有機発光素子に供給する駆動電流を制御するための駆動トランジスタをその電圧−電流特性における線形領域で動作させ、有機発光素子を発光レベルとする。そして、その発光レベルの発光輝度またはカソード電流に基づき、リーク性の暗点となる有機発光素子として、有機発光素子のショートに起因した滅点欠陥を検出する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−６４８０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の検査方法では、駆動トランジスタをその電圧−電流特性における線形領域で動作させた場合、ショートパスの抵抗が高い画素ほど正常輝度に近い輝度およびカソード電流になってしまい、欠陥の検出が困難であるという問題がある。すなわち従来の検査方法では欠陥（リーク性の暗点となる有機発光素子）を見逃してしまうという問題がある。
【０００９】
具体的には、リーク性の暗点を発生させる異物が低抵抗のものである場合、異物が有機発光層より低抵抗であるため、陽極と陰極との間において有機発光層を流れる電流より異物を介して流れる電流の方が多くなり、異物が混在した有機発光素子による発光輝度は低下する。この場合、従来の検査方法を用いて、異物が混在した有機発光素子と正常な有機発光素子との識別はできる。
【００１０】
一方、リーク性の暗点を発生させる異物が高抵抗のものである場合、リーク量は異物が低抵抗のものである場合と比較して少なくなる。そのため、異物が高抵抗のものである場合、異物が有機発光層より高抵抗であるため、本来有機発光層に流れるべき電流が異物を介して流れることも相対的に少なく、発光輝度の低下も小さい傾向にある。
【００１１】
したがって、この場合、従来の検査方法では、リーク性の暗点となる有機発光素子として検出することができず、リーク性の暗点となる有機発光素子が有機ＥＬ表示パネルに残存する可能性が高い。
【００１２】
さらに、高抵抗の異物が有機ＥＬ表示パネルに残存した場合、高抵抗の異物は熱源となるため、異物を含む有機発光素子の周辺の正常な有機発光素子にも影響を与えてしまい、正常な有機発光素子の寿命を劣化させる可能性がある。
【００１３】
本発明は、上述の事情を鑑みてなされたもので、有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合でも、異物によりリーク性の暗点となる有機発光素子を検出できる有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する有機ＥＬ表示パネルと、前記有機ＥＬ表示パネルが発光した際の画像である発光画像を撮像する撮像装置と、前記撮像装置にて撮像された発光画像に基づいて前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素の発光輝度を求める情報処理装置と、を含むシステムを用いて前記有機ＥＬ表示パネルを検査する有機ＥＬ表示パネルの検査方法であって、前記有機ＥＬ表示パネルが有する全画素を、第１電流に基づいて発光させる第１ステップと、前記撮像装置に、前記第１電流に基づいて発光された前記有機ＥＬ表示パネルの第１発光画像を撮像させる第２ステップと、前記情報処理装置は、前記第１発光画像に基づき前記有機ＥＬ表示パネルの各画素の発光輝度を算出する第３ステップと、前記情報処理装置は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と当該所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する第４ステップと、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を、前記第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる第５ステップと、前記撮像装置に、前記第２電流に基づいて発光された、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を含む前記有機ＥＬ表示パネルの第２発光画像を撮像させる第６ステップと、前記情報処理装置は、前記第２発光画像に基づく前記周辺画素の第３発光輝度及び前記注目画素の第４発光輝度を算出する第７ステップと、前記情報処理装置に、前記第３発光輝度と前記第４発光輝度との第２輝度比を算出させる第８ステップと、前記情報処理装置は、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、前記差が所定値を超えている場合には、前記注目画素に含まれる有機発光素子には異物によるリークパスが形成されていると判定する第９ステップと、を含む。
【００１５】
それにより、素子駆動トランジスタをその飽和領域で動作させ、発光輝度又はカソード電流の条件を２条件以上で暗点明度（注目画素の輝度とその周囲輝度の比）の条件間での変化に基づくことで、ＥＬ素子のショートに起因した滅点欠陥を検出する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合でも、異物によりリーク性の暗点となる有機発光素子を検出できる有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムを実現できる。それにより、異物によるリークパスが形成されている有機発光素子を含む欠陥画素つまりショート起因の欠陥画素を見逃さず検査でき、品質および信頼性の高い表示装置を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示パネルの検査システムの構成を示す図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態における情報処理装置の処理を示す図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示パネルの構成を説明するための図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示パネルの有する一画素部の回路構成を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態における検査システムの検査方法を示すフローチャートである。
【図６】図６は、本発明の実施の形態における検査システムの検査方法の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図７Ａ】図７Ａは、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化することを説明するための図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化することを説明するための図である。
【図８Ａ】図８Ａは、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化することを説明するための図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化することを説明するための図である。
【図９】図９は、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合の測定結果の一例を示す図である。
【図１０】図１０は、有機発光素子に印加して得られる周辺画素との輝度比をまとめた表を示す図である。
【図１１】図１１は、駆動トランジスタが飽和状態である場合のＩＶ特性を模式的に示す図である。
【図１２】図１２は、駆動トランジスタが線形状態である場合のＩＶ特性を模式的に示す図である。
【図１３】図１３は、ショートしていると判定された暗点画素の有機発光素子のリペア工程を説明するためのフローチャートである。
【図１４】図１４は、本発明の有機ＥＬ表示パネルを用いた有機ＥＬ表示装置の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
第１の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する有機ＥＬ表示パネルと、前記有機ＥＬ表示パネルが発光した際の画像である発光画像を撮像する撮像装置と、前記撮像装置にて撮像された発光画像に基づいて前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素の発光輝度を求める情報処理装置と、を含むシステムを用いて前記有機ＥＬ表示パネルを検査する有機ＥＬ表示パネルの検査方法であって、前記有機ＥＬ表示パネルが有する全画素を、第１電流に基づいて発光させる第１ステップと、前記撮像装置に、前記第１電流に基づいて発光された前記有機ＥＬ表示パネルの第１発光画像を撮像させる第２ステップと、前記情報処理装置は、前記第１発光画像に基づき前記有機ＥＬ表示パネルの各画素の発光輝度を算出する第３ステップと、前記情報処理装置は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と当該所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する第４ステップと、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を、前記第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる第５ステップと、前記撮像装置に、前記第２電流に基づいて発光された、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を含む前記有機ＥＬ表示パネルの第２発光画像を撮像させる第６ステップと、前記情報処理装置は、前記第２発光画像に基づく前記周辺画素の第３発光輝度及び前記注目画素の第４発光輝度を算出する第７ステップと、前記情報処理装置に、前記第３発光輝度と前記第４発光輝度との第２輝度比を算出させる第８ステップと、前記情報処理装置は、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、前記差が所定値を超えている場合には、前記注目画素に含まれる有機発光素子には異物によるリークパスが形成されていると判定する第９ステップと、を含む。
【００１９】
本態様によると、まず、同一電流（第１電流）に基づいて有機ＥＬ表示パネルに含まれる全画素を発光させている。これは、有機ＥＬ表示パネルに含まれる全画素を同一電流（第１電流）に基づいて発光させた場合、前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素に異常がなければ、同一電流（第１電流）に基づいて発光された発光画像から算出する各画素の発光輝度は同一となるからである。つまり、同一電流（第１電流）に基づいて発光された発光像から算出されたある画素の発光輝度がその画素の周辺画素の発光輝度と異なれば、その画素は異常であると判定できるからである。
【００２０】
ここで、この異常の原因として２つ考えられる。１つ目は注目画素に含まれる有機発光素子中の有機発光層の劣化である。２つ目は、注目画素に含まれる有機発光素子の有機発光層は劣化していないが、製造過程で有機発光素子に混入した異物の存在により、発光輝度が低下することである。
【００２１】
そして、この２つ目の原因は、有機発光素子において陰極電極と陽極電極との間に異物が混入すると、陰極電極と陽極電極との間で有機発光層を流れる電流とは別に、陰極電極と陽極電極との間で異物を介して電流が流れることである。それにより、有機発光素子の発光輝度が低下する。なお、陰極電極と陽極電極との間で異物を介して電流が流れる経路をリークパスと称する。
【００２２】
上記２つの原因のいずれの原因により、異常が生じたのかを判別するために、本発明者は、検出した注目画素（暗点画素）がリーク起因かどうかを判定する方法を想到した。なぜなら、異常の原因が１つ目の原因であれば、注目画素（暗点画素）を検出したステップ時に用いた電流（第１電流）とは異なる電流（第２電流）を流せば、発光輝度の変化量も電流の変化量に比例して変動すると考えられる。そのため、１回目の電流値による輝度比と２回目の電流値による輝度比とで輝度比は同じになるからである。一方、異常の原因が２つ目の原因であれば、第１電流と異なる電流（第２電流）を流せば、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化すると考えられる。そのため、１回目の電流値による第１輝度比と２回目の電流値による第２輝度比とでは輝度比が異なるからである。
【００２３】
上記のように、まず、前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる全画素に対して同一電流（第１電流）に基づいて発光をさせ、各画素の発光輝度とその周辺画素の第１発光輝度とに基づき、周辺画素の発光輝度（第１発光輝度）とは異なる第２発光輝度である画素を注目画素として特定する。
【００２４】
次に、注目画素及びその周辺画素に対して同一電流（第１電流）とは異なる電流に基づく発光をさせ、前記周辺画素の第３発光輝度と注目画素の第４発光輝度とを算出する。
【００２５】
その上で、第１輝度比（第１発光輝度及び第２発光輝度の比）と第２輝度比（第３発光輝度及び第４発光輝度の比）との差が所定値を超える場合、注目画素に含まれる有機発光素子はショートして（異物によるリークパスが形成されて）おり、注目画素はリーク性起因の暗点画素と判定することができる。
【００２６】
これによると、周辺画素より発光輝度が暗い画素があった場合に、その原因が注目画素に含まれる発光素子中の有機発光層の劣化であるのか、又は、注目画素に含まれる有機発光素子に異物が混入してリークパスが形成されたためか、を識別できる。
【００２７】
上記のように、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合、陰極と陽極との間で異物を流れる電流より陰極と陽極との間で有機発光層を流れる電流の方が多くなる。この場合、陰極と陽極との間に異物が介在する場合であっても、陰極と陽極との間に異物が介在しない発光素子と比較して発光輝度の差はあまり大きくならない傾向になる。
【００２８】
そのため、従来の方法では、リーク性の暗点となった有機発光素子を識別することができなかった。それに対して、本態様では、第１電流と第２電流との差を大きくすれば、リークパスを形成する異物の抵抗が高いためにリークパスを流れる電流より陰極と陽極との間で有機発光層を流れる電流の方が多い場合でも、得られる第１輝度比と第２輝度比に差が現れる。これにより、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合においても、有機発光素子に異物が混入してリークパスが形成されたためか否か、を確実に識別することができる。
【００２９】
これにより、有機発光素子に混入した異物が高抵抗のものであっても、リーク性の暗点となった有機発光素子を効果的に検出できる。従って、高抵抗の異物が有機ＥＬ表示パネルに残存することを防止し、高抵抗の異物が残存することにより高抵抗の異物が熱源となるのを防ぐことができる。その結果、高抵抗の異物を含む有機発光素子の周辺の正常な有機発光素子にも影響を与えて、正常な有機発光素子の寿命を劣化させる可能性を低減できる。
【００３０】
第２の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法において、前記第２電流は、前記第１電流よりも大きい。
【００３１】
第３の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法において、前記第１電流は、前記有機発光素子の電圧−輝度特性の低階調に属する電圧に対応する電流であり、前記低階調は、各画素で表示可能な最大階調の１０％より大きく２５％以下の階調である。
【００３２】
第４の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法において、前記第２電流は、前記有機発光素子の電圧−輝度特性の高階調に属する電圧に対応する電流であり、記高階調は、各画素で表示可能な最大階調の４０％以上１００％以下の階調である。
【００３３】
第５の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法においては、前記第９ステップにおいて、前記情報処理装置に、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子の有機発光層は劣化していると判定させる。
【００３４】
さらに、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値以下の場合、注目画素に含まれる有機発光層が劣化していると判定する。
【００３５】
これによると、周辺画素より発光輝度が暗い画素があった場合に、その原因が前記注目画素の有する有機発光素子中の有機発光層の劣化であるのか、又は、前記注目画素の有する有機発光素子に異物が混入してリークパスが形成されたためか、を確実に判定できる。
【００３６】
第６の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法において、前記所定値とは、０又は０に近似した値である。
【００３７】
第７の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法においては、前記第１ステップにおいて、前記第１電流に基づいて前記全画素を発光させる際に用いる電圧は、前記全画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられ、前記第５ステップにおいて、前記第２電流に基づいて前記注目画素及び前記周辺画素を発光させる際に用いる電圧は、前記注目画素及び前記周辺画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる。
【００３８】
有機発光素子に異物が混入してリークパスが形成されている場合、異物が混入した有機発光素子は、その周辺画素の有機発光素子と特性が異なる有機発光素子と考えることができる。駆動トランジスタの電圧−電流特性における線形領域の電圧を印加した場合、異物が混入した有機発光素子と異物が混入していない有機発光素子に同一電流に基づく発光をさせることは困難である。
【００３９】
そこで、本態様によると、第１ステップにおいて、駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧を用いて第１電流に基づき全画素を発光させ、前記第５ステップにおいて、駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧を用いて第１電流とは異なる第２電流に基づいて注目画素及び周辺画素を発光させる。
【００４０】
すなわち、有機発光素子に異物が混入してリークパスが形成されている場合、異物が混入した有機発光素子は、その周辺画素の有機発光素子と特性が異なる有機発光素子と考えることができる。異なる特性の有機発光素子が混在する全画素に対して同一電流を流させるには、駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧を用いる必要がある。
【００４１】
これにより、異物が混入する暗点画素を含めた全画素を、同一電流に基づいて発光させることができる。
【００４２】
第８の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法において、前記周辺画素は、前記注目画素の周辺の複数の画素であり、前記第１発光輝度及び前記第３発光輝度は、前記周辺画素の平均発光輝度である。
【００４３】
第９の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、前記第４ステップにおいて、特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないかどうかを判定する判定ステップを含み、当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないと判定した場合に、前記第５ステップを行う。
【００４４】
本態様によると、第４ステップにおいて特定された注目画素の数が所定の基準値より少ない場合、第５ステップ以降の処理に進む。この場合、有機ＥＬ表示パネルに含まれる周辺画素の第１発光輝度とは異なる第２発光輝度である注目画素（暗点画素等の異常画素）の数が、比較的少ないことになる。そのため、以降の処理において、注目画素の異常の原因を判定し、その異常の原因がリークパスであれば、その後のリペア処理などを施すことにより、有機ＥＬ表示パネルを救済することができる。
【００４５】
第１０の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値以上であると判定した場合には、前記有機ＥＬ表示パネルを不良パネルと判定する。
【００４６】
本態様によると、第４ステップにおいて特定された注目画素の数が所定の基準値以上の場合、有機ＥＬ表示パネルをＮＧのパネル（不良パネル）と判定する。この場合、有機ＥＬ表示パネルに含まれる注目画素（暗点画素等の異常画素）の数が、比較的多いので、その後にリペア処理などを施しても、有機ＥＬ表示パネルを救済して出荷することができない。そのため、注目画素の異常の原因は判定しないで検査を終了する。すなわち、第５ステップ以降の処理には進まない。
【００４７】
第１１の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、前記第９ステップにおいて、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、さらに、前記情報処理装置に、前記注目画素における前記駆動トランジスタの電圧−電流特性の線形領域の電圧を、前記注目画素に印加させて、前記注目画素の電流値を検出させる検出ステップを含み、前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が予め定められた値以上の場合、前記情報処理装置に、前記注目画素はショートしていると判定させ、前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が前記予め定められた値より小さい場合、前記情報処理装置に、前記注目画素に含まれる有機発光素子は劣化していると判定させる。
【００４８】
本態様によると、前記第１発光輝度と前記第２発光輝度との差が前記所定範囲以内の場合、注目画素に含まれる有機発光素子は劣化している場合のほかに、リークパスを形成する異物の抵抗が低い可能性も存在する。
【００４９】
即ち、リークパスを形成する異物の抵抗が低い場合、陰極と陽極との間で異物を流れる電流が陰極と陽極との間で有機発光層を流れる電流と同程度以上になる。そのため、前記注目画素に対応する有機発光素子が劣化していると確実に判定できない。
【００５０】
この場合には、駆動トランジスタの電圧−電流特性における線形領域の電圧を用いて判定してもよい。
【００５１】
第１２の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、第１の態様〜第１１の態様のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法により、ショートしていると判定された有機発光素子に対して、前記有機発光素子に含まれる陰極電極及び陽極電極の少なくともいずれか一方を絶縁化させて、前記陰極電極と前記陽極電極との間に電流が流れない状態にするリペア工程を含む。
【００５２】
本態様により、高抵抗の異物が混入して「リーク性の暗点」となった有機発光素子に対して、リペア処理を施すことにより、高抵抗の異物が有機ＥＬ表示パネルに残存することを防止するだけでなく、高抵抗の異物が残存することにより高抵抗の異物が熱源となるのを防ぐことができる。従って、高抵抗の異物を含む有機発光素子の周辺の正常な有機発光素子にも影響を与えて、正常な有機発光素子の寿命を劣化させる可能性を低減できる。その結果、品質改善が施された有機ＥＬ表示パネルを提供できる。
【００５３】
第１３の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムは、有機ＥＬ表示パネルの検査システムであって、陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する有機ＥＬ表示パネルと、前記有機ＥＬ表示パネルが発光した際の画像である発光画像を撮像する撮像装置と、前記撮像装置にて撮像された発光画像に基づいて前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素の発光輝度を求める情報処理装置とを備え、前記情報処理装置は、前記有機ＥＬ表示パネルが有する全画素を、第１電流に基づいて発光させる第１ステップと、前記撮像装置に、前記第１電流に基づいて発光された前記有機ＥＬ表示パネルの第１発光画像を撮像させる第２ステップと、前記第１発光画像に基づき前記有機ＥＬ表示パネルの各画素の発光輝度を算出する第３ステップと、前記情報処理装置は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と当該所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する第４ステップと、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を、前記第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる第５ステップと、前記撮像装置に、前記第２電流に基づいて発光された、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を含む前記有機ＥＬ表示パネルの第２発光画像を撮像させる第６ステップと、前記第２発光画像に基づく前記周辺画素の第３発光輝度及び前記注目画素の第４発光輝度を算出する第７ステップと、前記第３発光輝度と前記第４発光輝度との第２輝度比を算出する第８ステップと、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、前記差が所定値を超えている場合には、前記注目画素に含まれる有機発光素子には異物によるリークパスが形成されていると判定する第９ステップと、を実行する。
【００５４】
第１４の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記情報処理装置は、前記第９ステップにおいて、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子の有機発光層は劣化していると判定する。
【００５５】
第１５の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記所定値とは、０又は０に近似した値である。
【００５６】
第１６の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいては、前記第１ステップにおいて、前記第１電流に基づいて前記全画素を発光させる際に用いる電圧は、前記全画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられ、前記第５ステップにおいて、前記第２電流に基づいて前記注目画素及び前記周辺画素を発光させる際に用いる電圧は、前記注目画素及び前記周辺画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる。
【００５７】
第１７の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記周辺画素は、前記注目画素の周辺の複数の画素であり、前記第１発光輝度及び前記第３発光輝度は、前記周辺画素の平均発光輝度である。
【００５８】
第１８の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記情報処理装置は、前記第４ステップにおいて、特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないかどうかを判定する判定ステップを実行し、当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないと判定した場合に、前記第５ステップを実行する。
【００５９】
第１９の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記情報処理装置は、当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値以上であると判定した場合には、前記有機ＥＬ表示パネルをＮＧのパネルと判定する。
【００６０】
第２０の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記情報処理装置は、前記第９ステップにおいて、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、さらに、前記注目画素における前記駆動トランジスタの電圧−電流特性の線形領域の電圧を、前記注目画素に印加させて、前記注目画素の電流値を検出する検出ステップを実行し、前記情報処理装置は、前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が予め定められた値以上の場合、前記注目画素はショートしていると判定し、前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が前記予め定められた値より小さい場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子は劣化していると判定する。
【００６１】
（実施の形態）
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。
【００６２】
図１は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示パネルの検査システムの構成を示す図である。図２は、本発明の実施の形態における情報処理装置の処理を示す図である。
【００６３】
図１に示す検査システムは、表示装置１と、撮像装置３と、情報処理装置４とで構成される。
【００６４】
表示装置１は、製造された有機ＥＬ表示パネル５と有機ＥＬ表示パネル５を制御するための制御回路２とで構成されている。ここで、有機ＥＬ表示パネル５は、陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する。なお、有機ＥＬ表示パネル５では、ＲＧＢそれぞれの発光色を示す有機発光素子を含む画素が並べたり、ＲＧＢを配列したカラーフィルタをさらに備えたりすることで、色も発光することができる。
【００６５】
表示装置１の制御回路２は、情報処理装置４の命令により（Ｓ１１）、有機ＥＬ表示パネル５を制御して（Ｓ１２）、発光させる。具体的には、制御回路２は、所望の電流値を駆動トランジスタに印加するよう、有機ＥＬ表示パネル５を制御して、有機ＥＬ表示パネル５を発光させる。
【００６６】
撮像装置３は、情報処理装置４の命令により（Ｓ１３）、有機ＥＬ表示パネル５が発光した際の全画素の画像である発光画像を撮像する。
【００６７】
情報処理装置４は、上述したように、表示装置１と、撮像装置３とを制御し、撮像装置３で撮像された発光画像に基づいて、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる各画素の発光輝度を算出する。
【００６８】
この検査システムは、詳細は後述するが、有機ＥＬ表示パネル５にリーク性の暗転となる有機発光素子換言すると異物によるリークパスが形成されている有機発光素子が存在する場合には、それを効果的に検出することができる。
【００６９】
次に、有機ＥＬ表示パネル５の詳細構成について説明する。
【００７０】
図３は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示パネルの構成を説明するための図である。図４は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示パネルの有する一画素部の回路構成を示す図である。
【００７１】
有機ＥＬ表示パネル５は、走査線駆動回路６と、データ線駆動回路７と、行列状に配列された画素部１０と、対応する画素部１０にデータ信号（信号電圧）を伝達するためのデータ線２０と、対応する画素部１０に走査信号を伝達するための走査線２１とを備える。
【００７２】
有機ＥＬ表示パネル５は、走査線駆動回路６及びデータ線駆動回路７に入力される制御回路２からの信号に基づき、映像を表示する。換言すると、有機ＥＬ表示パネル５は、行列状に配列された複数の画素部１０を備え、外部から有機ＥＬ表示パネル５へ入力された輝度信号に基づいて画像を表示する。
【００７３】
ここで、画素部１０の回路構成について図４を参照しながら詳細に説明する。
【００７４】
画素部１０は、本発明の画素に相当し、図４に示すように、電流発光素子である有機発光素子Ｄ１と、駆動トランジスタＴ１と、スイッチングトランジスタＴ２と、保持コンデンサＣｓと、参照トランジスタＴ３と、分離トランジスタＴ４とを備える。また、画素部１０には、走査線２１と、信号電圧を供給するためのデータ線２０と、マージ線２３と、駆動トランジスタＴ１のドレイン電極の電位を決定するための高電圧側電源線２４と、有機発光素子Ｄ１の第２電極に接続された低電圧側電源線２５と、保持コンデンサＣｓの第１電極の電圧値を規定する第１の基準電圧を供給する基準電圧電源線２６と、リセット線２７とが接続されている。
【００７５】
有機発光素子Ｄ１は、本発明の有機発光素子に相当し、駆動トランジスタＴ１の駆動電流により発光する。有機発光素子Ｄ１は、カソードが、低電圧側電源線２５に接続され、アノードが、駆動トランジスタＴ１のソースに接続されている。ここで、低電圧側電源線２５に供給されている電圧はＶｓｓであり、例えば０（ｖ）である。
【００７６】
駆動トランジスタＴ１は、本発明の駆動トランジスタに相当し、画素部１０の有機発光素子Ｄ１を駆動させる。具体的には、駆動トランジスタＴ１は、有機発光素子Ｄ１に電流を流すことで有機発光素子Ｄ１を発光させる電圧駆動の駆動素子である。駆動トランジスタＴ１は、ゲートが、分離トランジスタＴ４及びスイッチングトランジスタＴ２を介してデータ線２０に接続され、ソースが有機発光素子Ｄ１のアノードに接続され、ドレインが、高電圧側電源線２４に接続されている。ここで、高電圧側電源線２４に供給されている電圧はＶＤＤであり、例えば２０（ｖ）である。これにより、駆動トランジスタＴ１は、ゲートに供給された信号電圧（データ信号）を、その信号電圧（データ信号）に対応した信号電流に変換し、変換された信号電流を有機発光素子Ｄ１に供給する。
【００７７】
保持コンデンサＣｓは、駆動トランジスタＴ１の流す電流量を決める信号電圧を保持する機能を有する。具体的には、保持コンデンサＣｓは、駆動トランジスタＴ１のソース（低電圧側電源線２５）と駆動トランジスタＴ１のゲートとの間に接続されている。
【００７８】
保持コンデンサＣｓは、例えば、スイッチングトランジスタＴ２がオフ状態となった後も、直前の信号電圧を維持し、継続して駆動トランジスタＴ１から有機発光素子Ｄ１へ駆動電流を供給させる機能を有する。なお、保持コンデンサＣｓは、信号電圧を、その信号電圧に静電容量を積算した電荷で保持する。
【００７９】
スイッチングトランジスタＴ２は、一方の端子がデータ線２０に接続され、他方の端子が保持コンデンサＣｓの第２電極に接続され、データ線２０と保持コンデンサＣｓの第２電極との導通及び非導通を切り換える。具体的には、スイッチングトランジスタＴ２は、映像信号に応じた信号電圧（データ信号）を保持コンデンサＣｓに書き込むための機能を有する。スイッチングトランジスタＴ２は、ゲートが、走査線２１に接続されており、ドレインまたはソースがデータ線２０に接続されている。そして、スイッチングトランジスタＴ２は、データ線２０の信号電圧（データ信号）を駆動トランジスタＴ１のゲートに供給するタイミングを制御する機能を有する。
【００８０】
参照トランジスタＴ３は、保持コンデンサＣｓの第１電極と基準電圧電源線２６との導通及び非導通を切り換える。具体的には、参照トランジスタＴ３は、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈを検出するときに駆動トランジスタＴ１のゲートに基準電圧（Ｖｒ）を与える機能を有する。参照トランジスタＴ３は、ドレインおよびソースの一方が、駆動トランジスタＴ１のゲートに接続され、ドレインおよびソースの他方が、参照電圧（Ｖｒ）を印加するための基準電圧電源線２６に接続されている。また、参照トランジスタＴ３は、ゲートがリセット線２７に接続されている。
【００８１】
分離トランジスタＴ４は、一方の端子が駆動トランジスタＴ１のソース電極に接続され、他方の端子が保持コンデンサＣｓの第２電極に接続され、駆動トランジスタＴ１のソース電極と保持コンデンサＣｓの第２電極との導通及び非導通を切り換える。具体的には、分離トランジスタＴ４は、保持コンデンサＣｓに電圧を書き込む書き込み期間において保持コンデンサＣｓと駆動トランジスタＴ１とを切り離す機能を有する。分離トランジスタＴ４は、ドレインおよびソースの一方が、駆動トランジスタＴ１のソースに接続され、ドレインおよびソースの他方が、保持コンデンサＣｓの第２電極に接続されている。また、分離トランジスタＴ４は、ゲートがマージ線２３と接続されている。また、分離トランジスタＴ４は、発光期間において保持コンデンサＣｓと駆動トランジスタＴ１のソース電極とを接続する。これにより、駆動トランジスタＴ１のゲート電極−ソース電極間に保持コンデンサＣｓに保持された信号電圧（データ信号）を印加する。その結果、駆動トランジスタＴ１は、有機発光素子Ｄ１に信号電圧（データ信号）応じた電流を供給する。
【００８２】
なお、駆動トランジスタＴ１、スイッチングトランジスタＴ２、参照トランジスタＴ３及び分離トランジスタＴ４はそれぞれ、例えばＮチャンネル薄膜トランジスタであり、エンハンスメント型トランジスタである。もちろん、チャネル薄膜トランジスタであってもよいし、デプレッション型トランジスタであってもよい。
【００８３】
以上のように画素部１０は構成される。
【００８４】
再び、図３に戻って説明を続ける。
【００８５】
走査線駆動回路６は、走査線２１に接続されており、画素部１０のスイッチングトランジスタＴ２の導通・非導通を制御する機能を有する。具体的には、走査線駆動回路６は、図３において行方向に配列された画素部１０に共通に接続された走査線２１にそれぞれ独立に走査信号ｓｃａｎを供給する。
【００８６】
データ線駆動回路７は、データ線２０に接続されており、映像信号に応じた信号電圧（データ信号）を出力して、駆動トランジスタＴ１に流れる信号電流を決定する機能を有する。具体的には、データ線駆動回路７は、図３において列方向に配列された画素部１０に共通に接続されたデータ線２０にそれぞれ独立に信号電圧（データ信号）を供給する。
【００８７】
また、上記では、高電圧側電源線２４と基準電圧電源線２６とは別の電源線としているが、共通の電源線としてもよい。
【００８８】
次に、図１に示す検査システムが、撮像装置３で撮像された発光画像に基づいて、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる各画素の発光輝度を求める検査方法について説明する。
【００８９】
図５は、本発明の実施の形態における検査システムの検査方法を示すフローチャートである。
【００９０】
まず、情報処理装置４は、制御回路２を介して、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる全画素（全画素部１０）を第１電流に基づいて発光させる（Ｓ２１）。
【００９１】
なお、この第１電流に基づいて発光をさせる際に用いる電圧は、全画素の各々に含まれる駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる。
【００９２】
次に、情報処理装置４は、撮像装置３に、第１電流に基づいて発光された有機ＥＬ表示パネル５の第１発光画像を撮像させる（Ｓ２２）。ここで、第１発光画像とは、有機ＥＬ表示パネル５の全画素部１０が第１電流に基づいて発光した際の画像である。
【００９３】
次に、情報処理装置４は、第１発光画像に基づき有機ＥＬ表示パネル５が有する各画素部１０の発光輝度を算出する（Ｓ２３）。
【００９４】
次に、情報処理装置４は、所定の画素とその周辺の画素との発光輝度比に基づき注目画素を特定する（Ｓ２４）。具体的には、情報処理装置４は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する。ここで、周辺画素は、暗点画素（注目画素）の周囲（周辺）にある複数の画素であり、第１発光輝度は、例えば周辺画素の平均発光輝度である。
【００９５】
次に、情報処理装置４は、少なくとも注目画素及び周辺画素を、第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる（Ｓ２５）。ここで、情報処理装置４は、第２電流に基づいて有機ＥＬ表示パネル５の全画素を発光させるとしてもよい。以下では、全画素を発光させたとして説明する。
【００９６】
次に、情報処理装置４は、撮像装置３に、第２電流に基づいて発光された有機ＥＬ表示パネル５の第２発光画像を撮像させる（Ｓ２６）。ここで、第２発光画像とは、有機ＥＬ表示パネル５の全画素部１０が第２電流に基づいて発光した際の画像である。
【００９７】
なお、この第２電流に基づいて発光をさせる際に用いる電圧は、全画素の各々に含まれる駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる。
【００９８】
次に、情報処理装置４は、注目画素及びその周辺画素の発光輝度を算出する（Ｓ２７）。具体的には、情報処理装置４は、第２発光画像に基づき周辺画素が発光する輝度である第３発光輝度及び第２発光画像に基づき注目画素が発光する輝度である第４発光輝度を算出する（Ｓ２７）。ここで、第３発光輝度は、上述したように、例えば周辺画素の平均発光輝度である。
【００９９】
次に、情報処理装置４は、第２電流に対応する注目画素と周辺画素の輝度比について算出する（Ｓ２８）。具体的には、情報処理装置４は、第２電流に対応する注目画素と周辺画素の輝度比すなわち第３発光輝度と第４発光輝度との第２輝度比を算出する。
【０１００】
次に、情報処理装置４は、第１電流及び第２電流それぞれに対応する注目画素と周辺画素の輝度比の差が所定値を超しているかを確認する（Ｓ２９）。具体的には、情報処理装置４は、第１輝度比と第２輝度比との差が所定値を超しているかを確認する。ここで、所定値とは、０又は０に近似する値であり、例えば、０．００５等、０．１未満の値である。
【０１０１】
そして、情報処理装置４は、第１輝度比と第２輝度比との差が所定値を超えている場合には、注目画素に含まれる有機発光素子Ｄ１は異物によりリークパスが形成されている（ショートしている）と判定する。
【０１０２】
以上のようにして、本発明の形態における検査システムは、有機ＥＬ表示パネル５にリーク性の暗転となる有機発光素子Ｄ１が存在する場合には、それを検出することができる。
【０１０３】
以下、さらに、図５を用いて説明した有機ＥＬ表示パネル５の検査方法の詳細について説明する。
【０１０４】
図６は、本発明の実施の形態における検査システムの検査方法の詳細を説明するためのフローチャートである。
【０１０５】
まず、情報処理装置４が輝度を測定する色を決定する（Ｓ３０）。具体的には、有機ＥＬ表示パネル５が発光する色を決定し、撮像装置３を決定した色を撮像できるように撮像装置３を調整する。
【０１０６】
次に、リーク性の暗点となる可能性のある有機発光素子Ｄ１を含む画素部１０（暗点画素）を検出する（Ｓ３１）。
【０１０７】
具体的には、まず、撮像装置３が撮像（測定）する階調を決定する（Ｓ３１１）。ここで、決定する階調は、後述する理由から、低階調であることが好ましい。ここで、低階調とは、有機発光素子の電圧−輝度特性において、各画素で表示可能な最大階調の１０％より大きく２５％以下の階調に対応する階調である。
【０１０８】
続いて、決定した色に対応する全ての画素部１０（全サブ画素）を、決定した階調に応じた電圧を印加し、発光させる（Ｓ３１２）。
【０１０９】
ここで、Ｓ３１２は、上述したＳ２１の具体的な１つの態様である。すなわち、Ｓ２１における全画像は、決定した色に対応する全ての画素部１０に対応し、第１電流は、決定した階調に応じた電圧を対応する画素部１０に印加した際に駆動トランジスタＴ１に流れる電流に相当する。
【０１１０】
続いて、情報処理装置４は、撮像装置３で、有機ＥＬ表示パネル５の発光画像（第１発光画像）を撮像（測定）する（Ｓ３１３）。ここで、Ｓ３１３は、上述したＳ２２の具体的な１つの態様である。
【０１１１】
続いて、情報処理装置４は、撮像装置３で、撮像した発光画像（第１発光画像）を取得し、画像処理により、各サブ画素の輝度値を算出する（Ｓ３１４）。ここで、Ｓ３１４は、上述したＳ２３の具体的な１つの態様である。
【０１１２】
続いて、各サブ画素の輝度値とその周辺画素（周囲画素）の輝度値との輝度比（第１輝度比）を算出し、輝度比基準値と照合することで、注目画素を特定（選別）する（Ｓ３１５）。この輝度比基準値は、例えば、０．５である。そして、基準値により特定（選別）された注目画素の位置情報とその輝度比（第１輝度比）をメモリに格納する。ここで、Ｓ３１５は、上述したＳ２４の具体的な１つの態様である。
【０１１３】
このようにして、Ｓ３１において、リーク性の暗点となる可能性のある有機発光素子Ｄ１を含む画素部１０（暗点画素）を検出する。
【０１１４】
Ｓ３１では、有機ＥＬ表示パネル５が有する全サブ画素を同一電流（第１電流）に基づいて発光をさせている。これは、有機ＥＬ表示パネル５が有する全サブ画素を同一電流に基づいて発光させた場合、有機ＥＬ表示パネル５が有する各サブ画素に異常がなければ、同一電流に基づいて発光された発光画像から算出する各サブ画素の発光輝度は同一となるからである。つまり、同一電流に基づいて発光された発光画像から算出されたある画素部１０の発光輝度がその画素部１０の周辺画素の発光輝度と異なれば、その画素部は異常であると判定できるからである。
【０１１５】
次に、Ｓ３１において選別された注目画素の数が基準値より少ないかどうかを判定する（Ｓ３２）。そして、選別（特定）された注目画素の数が基準値より少ないと判定した場合には（Ｓ３２でＹｅｓ）、次のＳ３３に進む。
【０１１６】
すなわち、Ｓ３２でＹｅｓの場合、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる周辺画素の第１発光輝度とは異なる第２発光輝度である注目画素（暗点画素等の異常画素）の数が、比較的少ないことになる。そのため、以降の処理において、注目画素の異常の原因を判定し、その異常の原因がリークパスであれば、その後のリペア処理などを施すことにより、有機ＥＬ表示パネル５を救済することができる。
【０１１７】
一方、選別（特定）された注目画素の数が基準値以上であると判定した場合には（Ｓ３２でＮｏ）、有機ＥＬ表示パネルをＮＧのパネル（不良パネル）と判定し、検査を終了する。
【０１１８】
すなわち、Ｓ３２でＮｏの場合、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる注目画素（暗点画素等の異常画素）の数が、比較的多いので、その後にリペア処理などを施しても、有機ＥＬ表示パネル５を救済して出荷することができない。そのため、注目画素の異常の原因は判定しないで検査を終了する。すなわち、Ｓ３３以降の処理には進まない。
【０１１９】
次に、Ｓ３３において、Ｓ３１で検出した注目画素（暗点画素）がリーク起因かどうか（有機発光素子に異物によるリークパスが形成されているかどうか）どうかを判定する。
【０１２０】
具体的には、まず、撮像装置３が撮像（測定）する階調を決定する（Ｓ３３１）。ここで、決定する階調は、後述する理由から、高階調であることが好ましい。ここで、高階調とは、有機発光素子の電圧−輝度特性において、各画素で表示可能な最大階調の４０％以上１００％以下の階調に対応する階調である。
【０１２１】
続いて、決定した色に対応する全ての画素部１０（全サブ画素）を、決定した階調（高階調）に応じた電圧を印加し、発光させる（Ｓ３３２）。
【０１２２】
ここで、Ｓ３３２は、上述したＳ２５の具体的な１つの態様である。すなわち、Ｓ２１における全画像は、決定した色に対応する全ての画素部１０に対応し、第２電流は、決定した階調（高階調）に応じた電圧を対応する画素部１０に印加した際に駆動トランジスタＴ１に流れる電流に相当する。
【０１２３】
続いて、情報処理装置４は、撮像装置３で、有機ＥＬ表示パネル５の発光画像（第２発光画像）を撮像（測定）する（Ｓ３３３）。ここで、Ｓ３３３は、上述したＳ２６の具体的な１つの態様である。
【０１２４】
続いて、情報処理装置４は、撮像装置３で、撮像した発光画像（第２発光画像）を取得し、画像処理により、選別（特定）された注目画素とその周辺画素の輝度値を算出する（Ｓ３３４）。ここで、Ｓ３３４は、上述したＳ２７の具体的な１つの態様である。
【０１２５】
続いて、選別（特定）された注目画素とその周辺画素の輝度値との輝度比（第２輝度比）を算出し、Ｓ３１で算出した輝度比（第１輝度比）との差分が所定値を超えているかを確認する（Ｓ３３５）。そして、その差分が所定値を超えている注目画素の位置情報をメモリに格納する。ここで、Ｓ３３５は、上述したＳ２８及びＳ２９の具体的な１つの態様である。
【０１２６】
このようにして、Ｓ３３では、Ｓ３１で検出した注目画素（暗点画素）がリーク起因かどうかを判定する。
【０１２７】
次に、Ｓ３３において算出した差分値が所定値以下となる注目画素があるか否かを判定する（Ｓ３４）。
【０１２８】
Ｓ３３において算出した差分値が所定値以下となる注目画素がない場合（Ｓ３４でＮｏ）、全色（ＲＧＢ）に対応するサブ画素の発光画像の撮像が終了したかを確認する（Ｓ３６）。そして、全色の撮像が終了していない場合には（Ｓ３６でＮｏ）、全色の撮像が終了するまで、Ｓ３０〜Ｓ３５の処理を繰り返し、全色の撮像が終了した場合に（Ｓ３６でＹｅｓ）、検査を終了する。
【０１２９】
一方、Ｓ３３において算出した差分値が所定値以下となる注目画素がある場合（Ｓ３４でＹｅｓ）、情報処理装置４は、その注目画素が有する有機発光素子Ｄ１の有機発光層が劣化していると判定する。つまり、その注目画素（暗点画素）は、リーク起因ではない暗点画素であると判定される。このようにして、情報処理装置４は、周辺画素より発光輝度が暗い画素（暗点画素）があった場合に、その原因がその注目画素の有する有機発光素子Ｄ１中の有機発光層の劣化であるのか、又は、その注目画素の有する有機発光素子Ｄ１に異物が混入してリークパスが形成されたためかを確実に判定できる。
【０１３０】
しかし、Ｓ３４のＹｅｓの場合、さらに、Ｓ３５に進み、従来技術として知られている電流測定などを用いて、本当にリーク起因ではないつまり注目画素に含まれる有機発光素子Ｄ１中の有機発光層の劣化であるのかを判定する。
【０１３１】
具体的には、差分値が所定値以下となる注目画素に対して、さらに、電流測定（従来技術）を行い、予め定められた値以上の電流値を示すかを確認し（Ｓ３５）、Ｓ３６の判定に進む。ここで、その注目画素が予め定められた値以上の電流値を示す場合には、その注目画素の位置情報をメモリに格納する。
【０１３２】
より詳細には、Ｓ３５において、情報処理装置４は、ある注目画素について第１輝度比と第２輝度比との差が所定値以下の場合、その注目画素に、注目画素が有する駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における線形領域の電圧を印加することにより、その注目画素の電流値を検出する。そして、情報処理装置４は、検出された電流値が予め定められた値（所定値）以上である場合には、その注目画素はショートしている（リーク起因の暗点画素である）と判定し、その注目画素の位置情報をメモリに格納する。反対に、検出された電流値が予め定められた値（所定値）より小さい場合は、その注目画素に含まれる有機発光素子は劣化していると判定する。
【０１３３】
このようにして、Ｓ３５では、Ｓ３３において算出した差分値が所定値以下となる注目画素（暗点画素）が本当にリーク起因ではないつまり注目画素に含まれる有機発光素子Ｄ１中の有機発光層の劣化であるのかを再度判定する。
【０１３４】
以上のようにして、図１に示す検査システムで有機ＥＬ表示パネル５の検査を行う。
【０１３５】
以下、本発明における検査方法を想到した着眼点について説明する。
【０１３６】
まず、Ｓ３１において、周辺画素の発光輝度（第１発光輝度）と異なる発光輝度（第２発光輝度）である画素を注目画素として特定する。なぜなら、上述したように同一電流に基づいて発光された発光画像から算出されたある画素部１０の発光輝度がその画素部１０の周辺画素の発光輝度と異なれば、その画素部１０（暗点画素）は、異常であると判定できるからである。
【０１３７】
しかし、この異常の原因としては次の２つの原因が考えられる。１つ目の原因は注目画素が有する有機発光素子Ｄ１中の有機発光層の劣化である。２つ目の原因は、注目画素が有する有機発光素子の有機発光層は劣化していないが、製造過程で有機発光素子Ｄ１に混入した異物の存在により、発光輝度が低下することである。
【０１３８】
そして、この２つ目の原因は、有機発光素子Ｄ１において陰極電極及び陽極電極の間に異物が混入すると、陰極電極及び陽極電極の間で有機発光層を流れる電流とは別に、陰極電極及び陽極電極の間で異物を介して電流が流れることである。それにより、有機発光素子Ｄ１の発光輝度が低下する。上述したように、陰極電極及び陽極電極の間で異物を介して電流が流れる経路をリークパスと称する。
【０１３９】
上記２つの原因のいずれの原因により、異常が生じたのかを判別するために、本発明者は、Ｓ３３において、Ｓ３１で検出した注目画素（暗点画素）がリーク起因か（異物が混入してリークパスが形成されたためか）を判定する方法を想到した。なぜなら、異常の原因が１つ目の原因である場合、Ｓ３３において、Ｓ３１とは異なる電流を注目画素に流せば、発光輝度の変化量も電流の変化量に比例して変動すると考えられる。そして、１回目（Ｓ３１）の電流値による輝度比と２回目（Ｓ３３）の電流値による輝度比とは同じになるからである。一方、異常の原因が２つ目の原因である場合には、Ｓ３１とは異なる電流を注目画素に流せば、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化すると考えられる。そして、１回目（Ｓ３１）の電流値による第１輝度比と２回目（Ｓ３３）の電流値による第２輝度比とは異なるからである。
【０１４０】
次に、注目画素が、リーク起因の暗点画素である場合に、異なる電流を注目画素に流せば、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化することを検証した結果について説明する。
【０１４１】
図７Ａ〜図１０は、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化することを説明するための図である。
【０１４２】
図７Ａは、リークパスの発生メカニズムを示しており、有機発光素子Ｄ１の構造を示す一例であり、例えば、陽極電極（ＡＭ：Ａｎｏｄｅ Ｍｅｔａｌ）上に、正孔注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）と、発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）と、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）と、陰極電極（ＣＡＴ:Ｃａｔｈｏｄｅ）と、封止層とがこの順に構成されている。また、正孔注入層（ＨＩＬ）と、発光層（ＥＭＬ）とは、隔壁（ＢＮＫ：Ｂａｎｋ）で囲まれている。
【０１４３】
また、図７Ａの模式図では、有機発光素子Ｄ１の陽極電極（ＡＭ）の層内又は下方に存在する異物または空洞などにより、陽極電極（ＡＭ）が凸形状に変形し、陽極電極（ＡＭ）と陰極電極（ＣＡＴ）との間に、発光パスとは別にリークパスが存在していることを示している。
【０１４４】
このような有機発光素子Ｄ１を含む暗点画素は、図７Ｂに示す等価回路で示すことができる。ここで、図７Ｂは、暗点画素の等価回路を示す図である。
【０１４５】
図７Ｂに示す等価回路と図３に示す回路図とを比較すればわかるように、暗点画素では、有機発光素子Ｄ１と並行にリークパスとなる経路３０が形成されていることになる。
【０１４６】
ここで、有機発光素子Ｄ１の発光パスに流れる電流をＩ＿ＥＬとし、この有機発光素子Ｄ１を駆動する駆動トランジスタＴ１に流れる電流をＩ＿ｌｏｃａｌとする。また、リークパスとなる経路３０を流れる電流をＩ＿ｌｅａｋ ｐａｓｓとする。また、有機発光素子Ｄ１に印加される電圧をＶＥＬとする。
【０１４７】
図８Ａは、有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合の暗点画素のＩＶ特性を示している。図８Ｂは、有機発光素子に混入した異物が低抵抗の異物である場合の暗点画素のＩＶ特性を示している。また、図８Ａ及び図８Ｂには、点Ａ及び点Ｂに対応する電圧ＶＥＬが有機発光素子Ｄ１に印加されたときの、当該有機発光素子Ｄ１を含む暗点画素の輝度とその周辺画素の輝度との比を示している。なお、この輝度比の値は、陰極と陽極との間に異物が介在しない有機発光素子Ｄ１である周辺画素の輝度を１としたときの比に相当する。
【０１４８】
ここで、図８Ａを参照し、第１電流が低階調に対応する電流であることが好ましい理由について述べる。有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合の暗点画素を含む画素部１０に低階調に対応する電圧（例えば図８Ａの点Ａ）を印加したとする。
【０１４９】
この場合、リークパスがある画素（暗点画素）では、有機発光素子Ｄ１の発光パスに流れる電流Ｉ＿ＥＬとリークパスとなる経路３０を流れる電流Ｉ＿ｌｅａｋ ｐａｓｓとの電流量の比は、４ａ：６ａとなる。ここで、リークパスがない周辺画素の有機発光素子Ｄ１の発光パスに流れる電流Ｉ＿ＥＬを１０ａとしている。
【０１５０】
輝度は電流量に応じるため、周辺画素に対する暗点画素（リークパスである経路３０が形成される画素）の輝度比は０．４となる。このように、第１電流が低階調に対応する電流とする場合には、周辺画素と暗点画素（リークパスである経路３０が形成される画素）と輝度の差が顕著に表れる。
【０１５１】
一方、仮に、第１電流が高階調に対応する電流とする場合について説明する。すなわち、有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合の暗点画素を含む画素部１０に高階調に対応する電圧（例えば図８Ａの点Ｂ）を印加したとする。
【０１５２】
この場合、リークパスがある画素（暗点画素）では、有機発光素子Ｄ１の発光パスに流れる電流Ｉ＿ＥＬとリークパスとなる経路３０を流れる電流Ｉ＿ｌｅａｋ ｐａｓｓとの電流量の比は、９ｂ：１ｂとなる。これは、リークパスとなる経路３０が高抵抗のためである。ここで、リークパスがない周辺画素の有機発光素子Ｄ１の発光パスに流れる電流Ｉ＿ＥＬを１０ｂとしている。
【０１５３】
輝度は電流量に応じるため、周辺画素に対する暗点画素（リークパスである経路３０が形成される画素）の輝度比は０．９となる。このように、第１電流が高階調に対応する電流とする場合には、周辺画素と暗点画素（リークパスである経路３０が形成される画素）と輝度の差は僅差でしか表れない。その結果、周辺画素と暗点画素（リークパスである経路３０が形成される画素）と輝度の差の識別が困難、あるいは識別できなくなる。
【０１５４】
したがって、上述の理由により、第１電流を低階調に対応する電流にし、第１電流を流すことで、注目画素の識別を容易に行うことができるので、注目画素（暗点画素）を検出できる。
【０１５５】
次に、図８Ｂに示すように、リークパスを形成する異物の抵抗が低い場合、有機発光層を流れる電流Ｉ＿ＥＬのよりも、異物を流れる電流Ｉ＿ｌｅａｋ ｐａｓｓの方が多くなる。この場合すなわち陰極と陽極との間に異物が介在する場合には、陰極と陽極との間に異物が介在しない有機発光素子Ｄ１と比較すると発光輝度の差は大きい。
【０１５６】
一方、図８Ａに示すように、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合、異物を流れる電流Ｉ＿ＥＬより有機発光層を流れる電流Ｉ＿ｌｅａｋ ｐａｓｓの方が多くなる。この場合、すなわち陰極と陽極との間に異物が介在する場合であっても、陰極と陽極との間に異物が介在しない有機発光素子Ｄ１と比較しても、発光輝度の差はあまり大きくならない傾向がある。
【０１５７】
しかし、図８Ａに示すように、例えば点Ａと点Ｂとのように大きく異なる電圧（電流）を有機発光素子Ｄ１に印加して得られる周辺画素との輝度比には差が現れる。ここで、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合の測定結果の一例を図９に示す。なお、図９では、周辺画素の輝度の平均を周辺画素の輝度としている。
【０１５８】
図８Ａ及び図９に示すように、有機発光素子Ｄ１に印加する電圧の差を大きくすれば、リークパスを形成する異物の抵抗が高く、リークパスを流れる電流より有機発光層を流れる電流の方が多い場合、得られる周辺画素との輝度比に大きな差が現れる。一方、図８Ｂに示すように、リークパスを形成する異物の抵抗が低い場合でも、得られる周辺画素との輝度比には小さいながらも差が現れる。すなわち、上記理由により、第１電流が低階調に対応する電流であった場合、第２電流は高階調に対応する電流であることが好ましい。
【０１５９】
また、設定する第１電流について説明する。第１電流は、低階調であることが好適であることは上述の通りである。さらに、撮像装置３の光の検出精度を考慮すると、輝度が大きい方が撮像装置３の光の検出精度は高くなる。
【０１６０】
それを鑑みると、第１電流は低階調でありつつ、低階調のうちで最大輝度に対応する電流に設定されることが好適である。なお、この第１電流を設定する具体的方法は、同じ製造ラインの他のパネルの検査により、得られる複数の有機発光素子の電圧−輝度特性の平均に基づいて決めるとしてもよい。
【０１６１】
それに対して、暗点画素となった原因が有機発光素子Ｄ１の発光パスの劣化の場合には、得られる周辺画素との輝度比には差はない。なお、以上をまとめた表を図１０に示している。
【０１６２】
これにより、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合においても、有機発光素子Ｄ１に異物が混入してリークパスが形成されたためか否かを確実に識別することができるのがわかる。
【０１６３】
次に、Ｓ２１及びＳ２５（Ｓ３１２及びＳ３３２）において、有機発光素子Ｄ１を発光させる際に用いる電圧は、駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる理由について説明する。
【０１６４】
図１１は、駆動トランジスタが飽和状態である場合のＩＶ特性を模式的に示す図である。図１２は、駆動トランジスタが線形状態である場合のＩＶ特性を模式的に示す図である。図１１及び図１２において、線Ｘは、リークパスがある場合の有機発光素子Ｄ１（暗点画素の有機ＥＬ素子）のＩＶ特性を示しており、線Ｙは、リークパスがない場合の有機発光素子Ｄ１（周辺画素の有機ＥＬ素子）のＩＶ特性を示している。また、線Ｚ１は駆動トランジスタＴ１が飽和状態である場合のＩＶ特性を示しており、線Ｚ２は駆動トランジスタＴ１が線形状態である場合のＩＶ特性を示している。
【０１６５】
有機発光素子Ｄ１（暗点画素の有機ＥＬ素子）に異物が混入してリークパスが形成されている場合（線Ｘ）、その有機発光素子Ｄ１は、周辺画素の正常な有機発光素子Ｄ１（線Ｙ）と特性が異なる有機発光素子Ｄ１と考えることができる。そのため、駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における線形領域の電圧（線Ｚ２）を全画素の有機発光素子Ｄ１に印加した場合、異物が混入した有機発光素子Ｄ１と異物が混入していない有機発光素子Ｄ１に同一電流（第１電流）に基づく発光をさせることは困難である。
【０１６６】
そこで、本実施の形態では、Ｓ２１（Ｓ３１２）において、駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における飽和領域の電圧（線Ｚ１）を用いて第１電流に基づき全画素を発光させる。そして、Ｓ２５（Ｓ３３２）において、駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における飽和領域の電圧を用い第２電流に基づいて注目画素及び周辺画素を発光させる。
【０１６７】
すなわち、有機発光素子Ｄ１に異物が混入してリークパスが形成されている場合、異物が混入した有機発光素子Ｄ１は、その周辺画素の正常な有機発光素子Ｄ１と特性が異なる有機発光素子Ｄ１と考えることができる。しかし、図１１に示すように、駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧（線Ｚ２）を異なる特性の有機発光素子Ｄ１が混在する全画素に印加することで、全画素に同一電流を流させることができる。
【０１６８】
これにより、異物が混入する有機発光素子Ｄ１を有する暗点画素を含めた全画素を、同一電流に基づいて発光させることができる。
【０１６９】
以上のように、上述した本実施の形態の検査方法によれば、有機発光素子に混入した異物が高抵抗のものであっても、リーク性の暗点となった有機発光素子を効果的に検出できる。
【０１７０】
それにより、リーク性の暗点画素すなわちショートしている（異物が混入してリークパスが形成された）と判定された暗点画素の有機発光素子をリペアすることができる。
【０１７１】
図１３は、ショートしていると判定された暗点画素の有機発光素子のリペア工程を説明するためのフローチャートである。図１３には、上記で説明した検査方法後の、リペア方法の一例が示されている。
【０１７２】
具体的には、Ｓ３３でリーク起因と判定された暗点画素の異物の位置を検出する（Ｓ４１）。例えば、顕微鏡などを用いて、リーク起因と判定された暗点画素の位置情報をメモリから読み出して、その暗点画素の異物の位置を検出する。
【０１７３】
次に、検出した異物を、既存の方法を用いてリペアする（Ｓ４２）。
【０１７４】
具体的には、検出した異物を含む有機発光素子Ｄ１に対して、例えばレーザー照射を行うなどで、有機発光素子Ｄ１に含まれる陰極電極及び陽極電極の少なくともいずれか一方を絶縁化させて、陰極電極と陽極電極との間に電流が流れない状態にする。
【０１７５】
以上のようにして、高抵抗の異物が混入して、リーク性の暗点となった有機発光素子Ｄ１に対して、リペア処理を施すことができる。
【０１７６】
それにより、高抵抗の異物が有機ＥＬ表示パネル５の画素部１０に残存することを防止し、残存した高抵抗の異物が熱源となるのを防ぐことができる。
【０１７７】
したがって、高抵抗の異物を含む有機発光素子Ｄ１の周辺の正常な有機発光素子Ｄ１にも影響を与え、正常な有機発光素子Ｄ１の寿命を劣化させる可能性も低減できる。その結果、より品質改善が施された有機ＥＬ表示パネル５を提供できるという効果を奏する。
【０１７８】
以上、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムによれば、有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合でも、異物によりリーク性の暗点となる有機発光素子を検出できる有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムを実現できる。それにより、異物によるリークパスが形成されている有機発光素子を含む欠陥画素つまりショート起因の欠陥画素を見逃さず検査でき、品質および信頼性の高い表示装置を製造できる。
【０１７９】
具体的には、まず、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる全サブ画素に対して同一電流（第１電流）に基づいて発光をさせ、各サブ画素の発光輝度とその周辺画素の発光輝度（第１発光輝度）とに基づき、周辺画素の発光輝度（第１発光輝度）と異なる発光輝度（第２発光輝度）である画素を注目画素として特定する。なぜなら、上述したように同一電流に基づいて発光された発光画像から算出されたある画素部１０の発光輝度がその画素部１０の周辺画素の発光輝度と異なれば、その画素部１０は、リーク性の暗点となる可能性のある有機発光素子Ｄ１を含む画素部１０（暗点画素）であると判定できるからである。
【０１８０】
次に、注目画素及びその周辺画素に対して第１電流とは異なる電流（第２電流）に基づく発光をさせ、周辺画素の発光輝度（第３発光輝度）と注目画素の発光輝度（第４発光輝度）を算出する。その上で、第１輝度比（第１発光輝度及び第２発光輝度の比）と第２輝度比（第３発光輝度及び第４発光輝度の比）との差が所定範囲（所定値）を超える場合、注目画素に含まれる有機発光素子Ｄ１はショートしており、注目画素はリーク性起因の暗点画素と判定することができる。
【０１８１】
これにより、有機発光素子Ｄ１に混入した異物が高抵抗のものであっても、リーク性の暗点となった有機発光素子Ｄ１を効果的に検出できる。従って、高抵抗の異物が有機ＥＬ表示パネルに残存することを防止し、高抵抗の異物が残存することにより高抵抗の異物が熱源となるのを防ぐことができる。その結果、高抵抗の異物を含む有機発光素子Ｄ１の周辺の正常な有機発光素子Ｄ１にも影響を与えて、正常な有機発光素子Ｄ１の寿命を劣化させる可能性を低減できる。
【０１８２】
さらに、図１４に示す有機ＥＬ表示装置に、本発明の有機ＥＬ表示パネル５を用いた場合には、暗点画素の少なく、長寿命な高画質な有機ＥＬ表示装置を実現することができる。
【０１８３】
以上、本発明の有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムについて、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１８４】
本発明は、特にテレビ等の有機ＥＬ表示装置に内蔵される有機ＥＬ表示パネル検査方法及び検査システムに有用であり、暗点画素の少なく、長寿命な高画質な有機ＥＬ表示装置の製造方法等として用いるのに最適である。
【符号の説明】
【０１８５】
１ 表示装置
２ 制御回路
３ 撮像装置
４ 情報処理装置
５ 表示パネル
６ 走査線駆動回路
７ データ線駆動回路
１０ 画素部
２０ データ線
２１ 走査線
２３ マージ線
２４ 高電圧側電源線
２５ 低電圧側電源線
２６ 基準電圧電源線
２７ リセット線
３０ 経路
Ｃｓ 保持コンデンサ
Ｄ１ 有機発光素子
Ｔ１ 駆動トランジスタ
Ｔ２ スイッチングトランジスタ
Ｔ３ 参照トランジスタ
Ｔ４ 分離トランジスタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する有機ＥＬ表示パネルと、前記有機ＥＬ表示パネルが発光した際の画像である発光画像を撮像する撮像装置と、前記撮像装置にて撮像された発光画像に基づいて前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素の発光輝度を求める情報処理装置と、を含むシステムを用いて前記有機ＥＬ表示パネルを検査する有機ＥＬ表示パネルの検査方法であって、
前記有機ＥＬ表示パネルが有する全画素を、第１電流に基づいて発光させる第１ステップと、
前記撮像装置に、前記第１電流に基づいて発光された前記有機ＥＬ表示パネルの第１発光画像を撮像させる第２ステップと、
前記情報処理装置は、前記第１発光画像に基づき前記有機ＥＬ表示パネルの各画素の発光輝度を算出する第３ステップと、
前記情報処理装置は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と当該所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する第４ステップと、
少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を、前記第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる第５ステップと、
前記撮像装置に、前記第２電流に基づいて発光された、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を含む前記有機ＥＬ表示パネルの第２発光画像を撮像させる第６ステップと、
前記情報処理装置は、前記第２発光画像に基づく前記周辺画素の第３発光輝度及び前記注目画素の第４発光輝度を算出する第７ステップと、
前記情報処理装置に、前記第３発光輝度と前記第４発光輝度との第２輝度比を算出させる第８ステップと、
前記情報処理装置は、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、前記差が所定値を超えている場合には、前記注目画素に含まれる有機発光素子には異物によるリークパスが形成されていると判定する第９ステップと、を含む、
有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項２】
前記第２電流は、前記第１電流よりも大きい、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項３】
前記第１電流は、
前記有機発光素子の電圧−輝度特性の低階調に属する電圧に対応する電流であり、
前記低階調は、各画素で表示可能な最大階調の１０％より大きく２５％以下の階調である、
請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項４】
前記第２電流は、
前記有機発光素子の電圧−輝度特性の高階調に属する電圧に対応する電流であり、
前記高階調は、各画素で表示可能な最大階調の４０％以上１００％以下の階調である、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項５】
前記第９ステップにおいて、
前記情報処理装置に、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子の有機発光層は劣化していると判定させる、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項６】
前記所定値とは、０又は０に近似した値である、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項７】
前記第１ステップにおいて、
前記第１電流に基づいて前記全画素を発光させる際に用いる電圧は、前記全画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられ、
前記第５ステップにおいて、
前記第２電流に基づいて前記注目画素及び前記周辺画素を発光させる際に用いる電圧は、前記注目画素及び前記周辺画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項８】
前記周辺画素は、前記注目画素の周辺の複数の画素であり、
前記第１発光輝度及び前記第３発光輝度は、前記周辺画素の平均発光輝度である、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項９】
前記第４ステップにおいて、特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないかどうかを判定する判定ステップを含み、
当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないと判定した場合に、前記第５ステップを行う、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項１０】
当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値以上であると判定した場合には、前記有機ＥＬ表示パネルを不良パネルと判定する、
請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項１１】
前記第９ステップにおいて、
前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、さらに、前記情報処理装置に、前記注目画素における前記駆動トランジスタの電圧−電流特性の線形領域の電圧を、前記注目画素に印加させて、前記注目画素の電流値を検出させる検出ステップを含み、
前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が予め定められた値以上の場合、前記情報処理装置に、前記注目画素はショートしていると判定させ、
前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が前記予め定められた値より小さい場合、前記情報処理装置に、前記注目画素に含まれる有機発光素子は劣化していると判定させる、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法により、ショートしていると判定された有機発光素子に対して、前記有機発光素子に含まれる陰極電極及び陽極電極の少なくともいずれか一方を絶縁化させて、前記陰極電極と前記陽極電極との間に電流が流れない状態にするリペア工程を含む、
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
有機ＥＬ表示パネルの検査システムであって、
陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する有機ＥＬ表示パネルと、
前記有機ＥＬ表示パネルが発光した際の画像である発光画像を撮像する撮像装置と、
前記撮像装置にて撮像された発光画像に基づいて前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素の発光輝度を求める情報処理装置とを備え、
前記情報処理装置は、
前記有機ＥＬ表示パネルが有する全画素を、第１電流に基づいて発光させる第１ステップと、
前記撮像装置に、前記第１電流に基づいて発光された前記有機ＥＬ表示パネルの第１発光画像を撮像させる第２ステップと、
前記第１発光画像に基づき前記有機ＥＬ表示パネルの各画素の発光輝度を算出する第３ステップと、
前記情報処理装置は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と当該所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する第４ステップと、
少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を、前記第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる第５ステップと、
前記撮像装置に、前記第２電流に基づいて発光された、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を含む前記有機ＥＬ表示パネルの第２発光画像を撮像させる第６ステップと、
前記第２発光画像に基づく前記周辺画素の第３発光輝度及び前記注目画素の第４発光輝度を算出する第７ステップと、
前記第３発光輝度と前記第４発光輝度との第２輝度比を算出する第８ステップと、
前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、前記差が所定値を超えている場合には、前記注目画素に含まれる有機発光素子には異物によるリークパスが形成されていると判定する第９ステップと、を実行する、
有機ＥＬ表示パネルの検査システム。
【請求項１４】
前記情報処理装置は、前記第９ステップにおいて、
前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子の有機発光層は劣化していると判定する、
請求項１３に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。
【請求項１５】
前記所定値とは、０又は０に近似した値である、
請求項１３または１４に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。
【請求項１６】
前記第１ステップにおいて、
前記第１電流に基づいて前記全画素を発光させる際に用いる電圧は、前記全画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられ、
前記第５ステップにおいて、
前記第２電流に基づいて前記注目画素及び前記周辺画素を発光させる際に用いる電圧は、前記注目画素及び前記周辺画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる、
請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。
【請求項１７】
前記周辺画素は、前記注目画素の周辺の複数の画素であり、
前記第１発光輝度及び前記第３発光輝度は、前記周辺画素の平均発光輝度である、
請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。
【請求項１８】
前記情報処理装置は、前記第４ステップにおいて、特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないかどうかを判定する判定ステップを実行し、
当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないと判定した場合に、前記第５ステップを実行する、
請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。
【請求項１９】
前記情報処理装置は、当該判定ステップにおいて、
前記特定された注目画素の数が所定の基準値以上であると判定した場合には、前記有機ＥＬ表示パネルをＮＧのパネルと判定する、
請求項１８に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。
【請求項２０】
前記情報処理装置は、前記第９ステップにおいて、
前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、さらに、前記注目画素における前記駆動トランジスタの電圧−電流特性の線形領域の電圧を、前記注目画素に印加させて、前記注目画素の電流値を検出する検出ステップを実行し、
前記情報処理装置は、
前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が予め定められた値以上の場合、前記注目画素はショートしていると判定し、
前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が前記予め定められた値より小さい場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子は劣化していると判定する、
請求項１３に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。
【請求項１】
陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する有機ＥＬ表示パネルと、前記有機ＥＬ表示パネルが発光した際の画像である発光画像を撮像する撮像装置と、前記撮像装置にて撮像された発光画像に基づいて前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素の発光輝度を求める情報処理装置と、を含むシステムを用いて前記有機ＥＬ表示パネルを検査する有機ＥＬ表示パネルの検査方法であって、
前記有機ＥＬ表示パネルが有する全画素を、第１電流に基づいて発光させる第１ステップと、
前記撮像装置に、前記第１電流に基づいて発光された前記有機ＥＬ表示パネルの第１発光画像を撮像させる第２ステップと、
前記情報処理装置は、前記第１発光画像に基づき前記有機ＥＬ表示パネルの各画素の発光輝度を算出する第３ステップと、
前記情報処理装置は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と当該所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する第４ステップと、
少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を、前記第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる第５ステップと、
前記撮像装置に、前記第２電流に基づいて発光された、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を含む前記有機ＥＬ表示パネルの第２発光画像を撮像させる第６ステップと、
前記情報処理装置は、前記第２発光画像に基づく前記周辺画素の第３発光輝度及び前記注目画素の第４発光輝度を算出する第７ステップと、
前記情報処理装置に、前記第３発光輝度と前記第４発光輝度との第２輝度比を算出させる第８ステップと、
前記情報処理装置は、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、前記差が所定値を超えている場合には、前記注目画素に含まれる有機発光素子には異物によるリークパスが形成されていると判定する第９ステップと、を含む、
有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項２】
前記第２電流は、前記第１電流よりも大きい、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項３】
前記第１電流は、
前記有機発光素子の電圧−輝度特性の低階調に属する電圧に対応する電流であり、
前記低階調は、各画素で表示可能な最大階調の１０％より大きく２５％以下の階調である、
請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項４】
前記第２電流は、
前記有機発光素子の電圧−輝度特性の高階調に属する電圧に対応する電流であり、
前記高階調は、各画素で表示可能な最大階調の４０％以上１００％以下の階調である、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項５】
前記第９ステップにおいて、
前記情報処理装置に、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子の有機発光層は劣化していると判定させる、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項６】
前記所定値とは、０又は０に近似した値である、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項７】
前記第１ステップにおいて、
前記第１電流に基づいて前記全画素を発光させる際に用いる電圧は、前記全画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられ、
前記第５ステップにおいて、
前記第２電流に基づいて前記注目画素及び前記周辺画素を発光させる際に用いる電圧は、前記注目画素及び前記周辺画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項８】
前記周辺画素は、前記注目画素の周辺の複数の画素であり、
前記第１発光輝度及び前記第３発光輝度は、前記周辺画素の平均発光輝度である、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項９】
前記第４ステップにおいて、特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないかどうかを判定する判定ステップを含み、
当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないと判定した場合に、前記第５ステップを行う、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項１０】
当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値以上であると判定した場合には、前記有機ＥＬ表示パネルを不良パネルと判定する、
請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項１１】
前記第９ステップにおいて、
前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、さらに、前記情報処理装置に、前記注目画素における前記駆動トランジスタの電圧−電流特性の線形領域の電圧を、前記注目画素に印加させて、前記注目画素の電流値を検出させる検出ステップを含み、
前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が予め定められた値以上の場合、前記情報処理装置に、前記注目画素はショートしていると判定させ、
前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が前記予め定められた値より小さい場合、前記情報処理装置に、前記注目画素に含まれる有機発光素子は劣化していると判定させる、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法により、ショートしていると判定された有機発光素子に対して、前記有機発光素子に含まれる陰極電極及び陽極電極の少なくともいずれか一方を絶縁化させて、前記陰極電極と前記陽極電極との間に電流が流れない状態にするリペア工程を含む、
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
有機ＥＬ表示パネルの検査システムであって、
陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する有機ＥＬ表示パネルと、
前記有機ＥＬ表示パネルが発光した際の画像である発光画像を撮像する撮像装置と、
前記撮像装置にて撮像された発光画像に基づいて前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素の発光輝度を求める情報処理装置とを備え、
前記情報処理装置は、
前記有機ＥＬ表示パネルが有する全画素を、第１電流に基づいて発光させる第１ステップと、
前記撮像装置に、前記第１電流に基づいて発光された前記有機ＥＬ表示パネルの第１発光画像を撮像させる第２ステップと、
前記第１発光画像に基づき前記有機ＥＬ表示パネルの各画素の発光輝度を算出する第３ステップと、
前記情報処理装置は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と当該所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する第４ステップと、
少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を、前記第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる第５ステップと、
前記撮像装置に、前記第２電流に基づいて発光された、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を含む前記有機ＥＬ表示パネルの第２発光画像を撮像させる第６ステップと、
前記第２発光画像に基づく前記周辺画素の第３発光輝度及び前記注目画素の第４発光輝度を算出する第７ステップと、
前記第３発光輝度と前記第４発光輝度との第２輝度比を算出する第８ステップと、
前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、前記差が所定値を超えている場合には、前記注目画素に含まれる有機発光素子には異物によるリークパスが形成されていると判定する第９ステップと、を実行する、
有機ＥＬ表示パネルの検査システム。
【請求項１４】
前記情報処理装置は、前記第９ステップにおいて、
前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子の有機発光層は劣化していると判定する、
請求項１３に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。
【請求項１５】
前記所定値とは、０又は０に近似した値である、
請求項１３または１４に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。
【請求項１６】
前記第１ステップにおいて、
前記第１電流に基づいて前記全画素を発光させる際に用いる電圧は、前記全画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられ、
前記第５ステップにおいて、
前記第２電流に基づいて前記注目画素及び前記周辺画素を発光させる際に用いる電圧は、前記注目画素及び前記周辺画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる、
請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。
【請求項１７】
前記周辺画素は、前記注目画素の周辺の複数の画素であり、
前記第１発光輝度及び前記第３発光輝度は、前記周辺画素の平均発光輝度である、
請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。
【請求項１８】
前記情報処理装置は、前記第４ステップにおいて、特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないかどうかを判定する判定ステップを実行し、
当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないと判定した場合に、前記第５ステップを実行する、
請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。
【請求項１９】
前記情報処理装置は、当該判定ステップにおいて、
前記特定された注目画素の数が所定の基準値以上であると判定した場合には、前記有機ＥＬ表示パネルをＮＧのパネルと判定する、
請求項１８に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。
【請求項２０】
前記情報処理装置は、前記第９ステップにおいて、
前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、さらに、前記注目画素における前記駆動トランジスタの電圧−電流特性の線形領域の電圧を、前記注目画素に印加させて、前記注目画素の電流値を検出する検出ステップを実行し、
前記情報処理装置は、
前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が予め定められた値以上の場合、前記注目画素はショートしていると判定し、
前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が前記予め定められた値より小さい場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子は劣化していると判定する、
請求項１３に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１３−６２０８６（Ｐ２０１３−６２０８６Ａ）
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９８７３１（Ｐ２０１１−１９８７３１）
【出願日】平成２３年９月１２日（２０１１．９．１２）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１２日（２０１１．９．１２）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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