有機ＥＬ表示装置及びその製造方法
【課題】発光材料を画素電極に滴下した場合に画素電極の角部まで均一に広がるようにした有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板１０上に平面形状矩形の画素電極２６がマトリックス状に配置された有機ＥＬ表示装置において、画素電極２０の４つの角部に液溜まり部３８をそれぞれ形成し、画素電極２６から液溜まり部３８へ連通し、かつ、液溜まり部３８より小さく形成された液入口４０を有する。
【解決手段】アレイ基板１０上に平面形状矩形の画素電極２６がマトリックス状に配置された有機ＥＬ表示装置において、画素電極２０の４つの角部に液溜まり部３８をそれぞれ形成し、画素電極２６から液溜まり部３８へ連通し、かつ、液溜まり部３８より小さく形成された液入口４０を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自己発光型表示装置である有機ＥＬ表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置の各画素は、アレイ基板側に配置される画素電極（陽極）と、画素電極上に配置される活性層と、活性層上に配置される対向電極（陰極）とによって構成される。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置において、小型かつ高精細な表示装置を実現するためには、画素サイズ及び画素ピッチをできるだけ小さくする必要がある。そのため、画素の平面形状を矩形にした有機ＥＬ表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−５９６６０公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような平面形状矩形の画素を有する有機ＥＬ表示装置において、活性層はインクジェット方式によって形成されることが多く、液体状の発光材料をインクジェットヘッドのノズルから吐出させて画素電極上に滴下し、活性層を形成している。
【０００５】
このような液体状の発光材料を滴下した場合に、画素電極の平面形状が矩形であるため、液体状の発光材料が画素電極の角部まで広がらずに、中央部のみ液体状の発光材料が集まり、発光が不均一になるという問題点がある。
【０００６】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、発光材料を画素電極に滴下した場合に発光材料が均等に広がるようにした有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板上にマトリクス状に配置された島状の画素電極と、前記画素電極を囲む隔壁と、前記画素電極の各角部に形成された液溜まり部と、前記画素電極から前記液溜まり部へ連通し、かつ、前記液溜まり部より小さく形成されたの液入口と、前記画素電極上に配置される活性層と、前記活性層を挟んで前記画素電極に対向配置される対向電極を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。
【０００８】
また本発明は、基板上にマトリクス状に配置された島状の画素電極と、前記画素電極を囲む隔壁とを備える有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記画素電極の下層に位置するように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上面に画素電極を形成する工程と、前記画素電極の周囲から立ち上がると共に、前記画素の各角部に相当する位置に液溜まり部が形成されるように前記隔壁を形成し、かつ、前記画素電極から前記液溜まり部への液入口を前記液溜まり部より小さく形成する工程と、前記隔壁に囲まれた前記下部電極の上層に選択塗布法によって液体状の発光材料を滴下して活性層を形成する工程と、を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の有機ＥＬ表示装置であると、矩形の画素電極の角部に液溜まり部がそれぞれ形成されているため、インクジェット方式などの選択塗布法によって発光材料が滴下された場合に、この液溜まり部によって液状の発光材料が吸い込まれるようにして広がり画素電極の角部まで均一に広がる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施形態のフルカラー有機ＥＬ表示装置について図１と図２に基づいて説明する。
【００１１】
図１は、有機ＥＬ表示装置の一部構造を概略的に示す縦断面図であり、ここでは特に一画素分で、かつ、発光層を形成する前のアレイ基板１０の縦断面図を示している。
【００１２】
アレイ基板１０上には、走査線と、この走査線に直交するように配置された信号線と、信号線と走査線との交点付近に配置されたスイッチング素子である画素ＴＦＴと、画素ＴＦＴを介して信号線に接続された駆動トランジスタ１４と、駆動トランジスタ１４より供給される駆動信号に応じて表示動作をする画素２０をマトリクス状に有している。
【００１３】
図１に示すように、例えばガラス基板でなる支持基板１２上には画素ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、駆動トランジスタ１４等が形成されている。これら画素ＴＦＴ、駆動トランジスタ１４は、支持基板１２上に形成されたポリシリコン半導体層Ｐと、このポリシリコン半導体層Ｐと第１絶縁膜１６を介して配置されたゲート電極Ｇと、第１絶縁膜１６と第２絶縁膜１８を介してポリシリコン半導体層Ｐのソース領域にコンタクトしたソース電極Ｓと、第１絶縁膜１６及び第２絶縁膜１８を介してポリシリコン半導体層Ｐのドレイン領域にコンタクトしたドレイン電極Ｄを備えている。画素ＴＦＴのソース電極には信号線が接続され、ゲート電極には走査線が接続されている。また、駆動トランジスタ１４のゲート電極Ｇには画素ＴＦＴのドレイン電極が接続され、ソース電極Ｓには高電位端子、ドレイン電極Ｄには画素２０を介して低電位端子が接続される。
【００１４】
画素２０は、第２絶縁膜１８の上に配置された第３絶縁膜２２の上に配置されている。
【００１５】
各画素２０は、下部電極（画素電極ともいう）２６と、下部電極２６上に配置され少なくとも発光層を含む活性層と、活性層を挟んで画素電極と対向配置される対向電極とから構成される。
【００１６】
詳しくは、画素２０の下部電極（ここでは陽極）２６が第３絶縁膜２２の上層にマトリクス状に形成され、第３絶縁膜２２に設けられているコンタクトホール２８によって駆動トランジスタ１４のドレイン電極Ｄと接続されている。下部電極２６は、光透過性導電材料であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）で形成されている。
【００１７】
この下部電極２６の上層にはアクリル樹脂よりなる隔壁２４が形成されている。隔壁２４，２４は横方向と縦方向に隣接する画素２０，２０を区画するものであり、図２に示すように、全体としては、マトリックス状に画素２０を区画する。このアクリル樹脂で形成された隔壁２４を形成するには、ＵＶ光でマスク露光する。この画素２０の縦方向の寸法はＸ（数値を入れてください）ミクロンであり、横方向の寸法はＹ（数値を入れてください）ミクロンである。また、隔壁２４の高さはＺ（数値を入れてください）ミクロンである。なお、この矩形状の画素２０の４つの角部には、液溜まり部３８がそれぞれ形成されている。この液溜まり部３８については、後から詳しく説明する。
【００１８】
図１に示すように、画素２０の凹部の下面に位置する下部電極２６の上には、発光層３０が積層されている。この発光層３０は、下部電極２６に対向配置された陰極の上部電極（不図示）との間に挟持されるものである。この発光層３０は、ＲＧＢ各色共通に形成されるホール輸送層、エレクトロン輸送層、及び各色毎に形成される有機発光層の三層構造で構成されるか、または、機能的に複合されたホール輸送層と有機発光層の二層で構成されている。本実施形態では、二層構造で説明する。
【００１９】
ホール輸送層は、芳香族アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体より形成され、有機発光層は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光する有機化合物によって形成されている。この有機発光層は、例えば高分子系材料を採用する場合には、ＰＰＶ（ポリパラフェニデンビニデン）やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などを積層して構成されている。
【００２０】
このホール輸送層と有機発光層を形成には、まず、インクジェット方式によりホール輸送層を形成する発光材料３２を滴下する。次に、その上に有機発光層を形成する発光材料を滴下する。すなわち、図１に示すように発光材料３２をインクジェットヘッドのノズル３６から滴下する
この滴下した液体の発光材料３２が図２に示す平面形状矩形の画素２０の角部まで均等に広がるようにするための画素２０の構造について図２に基づいて説明する。
【００２１】
画素２０の４つの角部には、それぞれ平面形状矩形の液溜まり部３８が設けられている。この液溜まり部３８は、画素２０の角部と連続して設けられ、液溜まり部３８の液入口４０は、液溜まり部３８よりも小さく形成され、例えばその寸法は、２〜１０μｍである。また、この液溜まり部３８の底面は下部電極２６によって形成され、その下部電極２６の一部から一つ下の層にある第３絶縁膜２２が露出している。このように第３絶縁膜２２を露出させるために、下部電極２６を形成するときに、液溜まり部３８よりもやや小さい形状で下部電極２６を形成し、さらに、隔壁２４を形成するときに、液溜まり部３８及び液入口４０が形成されるようにマスク露光をして形成する。
【００２２】
４つの液溜まり部３８を有する画素２０の下部電極２６の上に、図２の中央部に示すようにインクジェット方式により発光材料３０を滴下する。液状の発光材料３０は、図２の右側に示すように、画素２０の角部近傍まで流れ、液入口４０が小さくなっていることにより毛細管現象が働き液溜まり部３８に発光材料３０が流れ込む。そのため、画素２０の角部まで結果的に発光材料が流れ込むこととなり、均等に発光材料３０が広がることとなる。特に、第３絶縁膜ＳｉＮｘは、親水性を有しているため、この液溜まり部３８に流れ込んだ液状の発光材料３０が弾かれさらに広がりを促進させる。
【００２３】
なお、本発明は上記各実施形態に限らず、その主旨を逸脱しない限り種々に変更することができる。
【００２４】
例えば、平面形状矩形の液溜まり部３８に限らず、円形でもよい。
【００２５】
また、液溜まり部３８に第３絶縁層２２を露出させていなくても、液状の発光材料３０は、画素２０の角部近傍まで流れ、液入口４０が小さくなっていることにより毛細管現象が働き液溜まり部３８まで発光材料３０が流れ込む。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施形態のアレイ基板の縦断面図である。
【図２】同じく画素部分の拡大縦断面図である。
【符号の説明】
【００２７】
１０ アレイ基板
２０ 画素
２２ 第３絶縁膜
２４ 隔壁
２６ 下部電極
２８ コンタクトホール
３０ 発光層
３６ ノズル
３８ 液溜まり部
４０ 液入口
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自己発光型表示装置である有機ＥＬ表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置の各画素は、アレイ基板側に配置される画素電極（陽極）と、画素電極上に配置される活性層と、活性層上に配置される対向電極（陰極）とによって構成される。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置において、小型かつ高精細な表示装置を実現するためには、画素サイズ及び画素ピッチをできるだけ小さくする必要がある。そのため、画素の平面形状を矩形にした有機ＥＬ表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−５９６６０公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような平面形状矩形の画素を有する有機ＥＬ表示装置において、活性層はインクジェット方式によって形成されることが多く、液体状の発光材料をインクジェットヘッドのノズルから吐出させて画素電極上に滴下し、活性層を形成している。
【０００５】
このような液体状の発光材料を滴下した場合に、画素電極の平面形状が矩形であるため、液体状の発光材料が画素電極の角部まで広がらずに、中央部のみ液体状の発光材料が集まり、発光が不均一になるという問題点がある。
【０００６】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、発光材料を画素電極に滴下した場合に発光材料が均等に広がるようにした有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板上にマトリクス状に配置された島状の画素電極と、前記画素電極を囲む隔壁と、前記画素電極の各角部に形成された液溜まり部と、前記画素電極から前記液溜まり部へ連通し、かつ、前記液溜まり部より小さく形成されたの液入口と、前記画素電極上に配置される活性層と、前記活性層を挟んで前記画素電極に対向配置される対向電極を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。
【０００８】
また本発明は、基板上にマトリクス状に配置された島状の画素電極と、前記画素電極を囲む隔壁とを備える有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記画素電極の下層に位置するように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上面に画素電極を形成する工程と、前記画素電極の周囲から立ち上がると共に、前記画素の各角部に相当する位置に液溜まり部が形成されるように前記隔壁を形成し、かつ、前記画素電極から前記液溜まり部への液入口を前記液溜まり部より小さく形成する工程と、前記隔壁に囲まれた前記下部電極の上層に選択塗布法によって液体状の発光材料を滴下して活性層を形成する工程と、を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の有機ＥＬ表示装置であると、矩形の画素電極の角部に液溜まり部がそれぞれ形成されているため、インクジェット方式などの選択塗布法によって発光材料が滴下された場合に、この液溜まり部によって液状の発光材料が吸い込まれるようにして広がり画素電極の角部まで均一に広がる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施形態のフルカラー有機ＥＬ表示装置について図１と図２に基づいて説明する。
【００１１】
図１は、有機ＥＬ表示装置の一部構造を概略的に示す縦断面図であり、ここでは特に一画素分で、かつ、発光層を形成する前のアレイ基板１０の縦断面図を示している。
【００１２】
アレイ基板１０上には、走査線と、この走査線に直交するように配置された信号線と、信号線と走査線との交点付近に配置されたスイッチング素子である画素ＴＦＴと、画素ＴＦＴを介して信号線に接続された駆動トランジスタ１４と、駆動トランジスタ１４より供給される駆動信号に応じて表示動作をする画素２０をマトリクス状に有している。
【００１３】
図１に示すように、例えばガラス基板でなる支持基板１２上には画素ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、駆動トランジスタ１４等が形成されている。これら画素ＴＦＴ、駆動トランジスタ１４は、支持基板１２上に形成されたポリシリコン半導体層Ｐと、このポリシリコン半導体層Ｐと第１絶縁膜１６を介して配置されたゲート電極Ｇと、第１絶縁膜１６と第２絶縁膜１８を介してポリシリコン半導体層Ｐのソース領域にコンタクトしたソース電極Ｓと、第１絶縁膜１６及び第２絶縁膜１８を介してポリシリコン半導体層Ｐのドレイン領域にコンタクトしたドレイン電極Ｄを備えている。画素ＴＦＴのソース電極には信号線が接続され、ゲート電極には走査線が接続されている。また、駆動トランジスタ１４のゲート電極Ｇには画素ＴＦＴのドレイン電極が接続され、ソース電極Ｓには高電位端子、ドレイン電極Ｄには画素２０を介して低電位端子が接続される。
【００１４】
画素２０は、第２絶縁膜１８の上に配置された第３絶縁膜２２の上に配置されている。
【００１５】
各画素２０は、下部電極（画素電極ともいう）２６と、下部電極２６上に配置され少なくとも発光層を含む活性層と、活性層を挟んで画素電極と対向配置される対向電極とから構成される。
【００１６】
詳しくは、画素２０の下部電極（ここでは陽極）２６が第３絶縁膜２２の上層にマトリクス状に形成され、第３絶縁膜２２に設けられているコンタクトホール２８によって駆動トランジスタ１４のドレイン電極Ｄと接続されている。下部電極２６は、光透過性導電材料であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）で形成されている。
【００１７】
この下部電極２６の上層にはアクリル樹脂よりなる隔壁２４が形成されている。隔壁２４，２４は横方向と縦方向に隣接する画素２０，２０を区画するものであり、図２に示すように、全体としては、マトリックス状に画素２０を区画する。このアクリル樹脂で形成された隔壁２４を形成するには、ＵＶ光でマスク露光する。この画素２０の縦方向の寸法はＸ（数値を入れてください）ミクロンであり、横方向の寸法はＹ（数値を入れてください）ミクロンである。また、隔壁２４の高さはＺ（数値を入れてください）ミクロンである。なお、この矩形状の画素２０の４つの角部には、液溜まり部３８がそれぞれ形成されている。この液溜まり部３８については、後から詳しく説明する。
【００１８】
図１に示すように、画素２０の凹部の下面に位置する下部電極２６の上には、発光層３０が積層されている。この発光層３０は、下部電極２６に対向配置された陰極の上部電極（不図示）との間に挟持されるものである。この発光層３０は、ＲＧＢ各色共通に形成されるホール輸送層、エレクトロン輸送層、及び各色毎に形成される有機発光層の三層構造で構成されるか、または、機能的に複合されたホール輸送層と有機発光層の二層で構成されている。本実施形態では、二層構造で説明する。
【００１９】
ホール輸送層は、芳香族アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体より形成され、有機発光層は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光する有機化合物によって形成されている。この有機発光層は、例えば高分子系材料を採用する場合には、ＰＰＶ（ポリパラフェニデンビニデン）やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などを積層して構成されている。
【００２０】
このホール輸送層と有機発光層を形成には、まず、インクジェット方式によりホール輸送層を形成する発光材料３２を滴下する。次に、その上に有機発光層を形成する発光材料を滴下する。すなわち、図１に示すように発光材料３２をインクジェットヘッドのノズル３６から滴下する
この滴下した液体の発光材料３２が図２に示す平面形状矩形の画素２０の角部まで均等に広がるようにするための画素２０の構造について図２に基づいて説明する。
【００２１】
画素２０の４つの角部には、それぞれ平面形状矩形の液溜まり部３８が設けられている。この液溜まり部３８は、画素２０の角部と連続して設けられ、液溜まり部３８の液入口４０は、液溜まり部３８よりも小さく形成され、例えばその寸法は、２〜１０μｍである。また、この液溜まり部３８の底面は下部電極２６によって形成され、その下部電極２６の一部から一つ下の層にある第３絶縁膜２２が露出している。このように第３絶縁膜２２を露出させるために、下部電極２６を形成するときに、液溜まり部３８よりもやや小さい形状で下部電極２６を形成し、さらに、隔壁２４を形成するときに、液溜まり部３８及び液入口４０が形成されるようにマスク露光をして形成する。
【００２２】
４つの液溜まり部３８を有する画素２０の下部電極２６の上に、図２の中央部に示すようにインクジェット方式により発光材料３０を滴下する。液状の発光材料３０は、図２の右側に示すように、画素２０の角部近傍まで流れ、液入口４０が小さくなっていることにより毛細管現象が働き液溜まり部３８に発光材料３０が流れ込む。そのため、画素２０の角部まで結果的に発光材料が流れ込むこととなり、均等に発光材料３０が広がることとなる。特に、第３絶縁膜ＳｉＮｘは、親水性を有しているため、この液溜まり部３８に流れ込んだ液状の発光材料３０が弾かれさらに広がりを促進させる。
【００２３】
なお、本発明は上記各実施形態に限らず、その主旨を逸脱しない限り種々に変更することができる。
【００２４】
例えば、平面形状矩形の液溜まり部３８に限らず、円形でもよい。
【００２５】
また、液溜まり部３８に第３絶縁層２２を露出させていなくても、液状の発光材料３０は、画素２０の角部近傍まで流れ、液入口４０が小さくなっていることにより毛細管現象が働き液溜まり部３８まで発光材料３０が流れ込む。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施形態のアレイ基板の縦断面図である。
【図２】同じく画素部分の拡大縦断面図である。
【符号の説明】
【００２７】
１０ アレイ基板
２０ 画素
２２ 第３絶縁膜
２４ 隔壁
２６ 下部電極
２８ コンタクトホール
３０ 発光層
３６ ノズル
３８ 液溜まり部
４０ 液入口
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にマトリクス状に配置された島状の画素電極と、
前記画素電極を囲む隔壁と、
前記画素電極の各角部に形成された液溜まり部と、
前記画素電極から前記液溜まり部へ連通し、かつ、前記液溜まり部より小さく形成されたの液入口と、
前記画素電極上に配置される活性層と、
前記活性層を挟んで前記画素電極に対向配置される対向電極を備える
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記液溜まり部の一部に親水層が露出している
ことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記親水層がＳｉＮｘである
ことを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
基板上にマトリクス状に配置された島状の画素電極と、前記画素電極を囲む隔壁とを備える有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記画素電極の下層に位置するように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上面に画素電極を形成する工程と、
前記画素電極の周囲から立ち上がると共に、前記画素の各角部に相当する位置に液溜まり部が形成されるように前記隔壁を形成し、かつ、前記画素電極から前記液溜まり部への液入口を前記液溜まり部より小さく形成する工程と、
前記隔壁に囲まれた前記下部電極の上層に選択塗布法によって液体状の発光材料を滴下して活性層を形成する工程と、
を備える
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記液溜まり部の一部に親水性のある前記絶縁層が露出するように前記画素電極を形成する
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１】
基板上にマトリクス状に配置された島状の画素電極と、
前記画素電極を囲む隔壁と、
前記画素電極の各角部に形成された液溜まり部と、
前記画素電極から前記液溜まり部へ連通し、かつ、前記液溜まり部より小さく形成されたの液入口と、
前記画素電極上に配置される活性層と、
前記活性層を挟んで前記画素電極に対向配置される対向電極を備える
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記液溜まり部の一部に親水層が露出している
ことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記親水層がＳｉＮｘである
ことを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
基板上にマトリクス状に配置された島状の画素電極と、前記画素電極を囲む隔壁とを備える有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記画素電極の下層に位置するように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上面に画素電極を形成する工程と、
前記画素電極の周囲から立ち上がると共に、前記画素の各角部に相当する位置に液溜まり部が形成されるように前記隔壁を形成し、かつ、前記画素電極から前記液溜まり部への液入口を前記液溜まり部より小さく形成する工程と、
前記隔壁に囲まれた前記下部電極の上層に選択塗布法によって液体状の発光材料を滴下して活性層を形成する工程と、
を備える
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記液溜まり部の一部に親水性のある前記絶縁層が露出するように前記画素電極を形成する
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２００７−１２８６９０（Ｐ２００７−１２８６９０Ａ）
【公開日】平成１９年５月２４日（２００７．５．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３１８７８０（Ｐ２００５−３１８７８０）
【出願日】平成１７年１１月１日（２００５．１１．１）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年５月２４日（２００７．５．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月１日（２００５．１１．１）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
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