有機ＥＬ表示装置及びその製造方法
【課題】有機層が基板上の所定領域からずれたエリアに形成されるのを抑制し、輝度が高く画素欠陥の少ない有機ＥＬ表示装置を製造する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１００の製造方法は、基板１１０上に、該基板１１０上に配設された複数のマスクスペーサ１２３を介してマスク２００を設け、該基板１１０下方からの蒸着により該基板１１０表面の所定部分に有機層１２４を形成する有機層蒸着工程を備えている。複数のマスクスペーサ１２３は、基板１１０上の表示領域に設けられていると共に、マスク２００を基板１１０上に設けた際に該マスク２００によってスペーサ頂部が包絡されるようにスペーサ頂部包絡手段を構成している。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１００の製造方法は、基板１１０上に、該基板１１０上に配設された複数のマスクスペーサ１２３を介してマスク２００を設け、該基板１１０下方からの蒸着により該基板１１０表面の所定部分に有機層１２４を形成する有機層蒸着工程を備えている。複数のマスクスペーサ１２３は、基板１１０上の表示領域に設けられていると共に、マスク２００を基板１１０上に設けた際に該マスク２００によってスペーサ頂部が包絡されるようにスペーサ頂部包絡手段を構成している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報処理機器の多様化に伴い、陰極線管（ＣＲＴ）よりも消費電力が少なく、薄型化が可能であるフラットパネルディスプレイに対する需要が高まってきている。低電圧駆動、全固体型、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとしては、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置が挙げられる。
【０００３】
フルカラー表示を行う有機ＥＬ表示装置の方式としては、赤色発光有機ＥＬ素子、緑色発光有機ＥＬ素子、及び青色発光有機ＥＬ素子を並置して画素を構成したＲＧＢ塗り分け方式や、白色発光有機ＥＬ素子と赤色、緑色、及び青色のカラーフィルタとを組み合わせたカラーフィルタ方式、青色発光有機ＥＬ素子と赤色・緑色への色変換フィルタとを組み合わせた色変換方式等が挙げられる。これらのうち、消費電力や色再現範囲に優れる点から、ＲＧＢ塗り分け方式が広く採用されている。
【０００４】
ＲＧＢ塗り分け方式の有機ＥＬ表示装置において、各色の発光層をパターニングする方法として蒸着マスクを用いた真空蒸着法が挙げられる。
【０００５】
特許文献１には、有機ＥＬ表示装置の発光層を蒸着マスクを用いた真空蒸着法で形成する方法において、表示領域内に隔壁部が形成されると共に、表示領域を取り囲む周辺領域内にスペーサ部が隔壁部よりも低い高さとなるように形成することが開示されている。
【特許文献１】特開２００７−１２３０２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、蒸着マスクを用いて発光層を形成する場合、蒸着しようとする所定領域内からずれたエリアに発光層が形成されてしまうという問題がある。特に、フルカラー表示を行う有機ＥＬ素子においては、発光層が所定領域からずれて、隣接する他色の発光層の領域に形成されると、その部分が混色し有機ＥＬ表示装置全体としての輝度が低下してしまったり、蒸着されない部分が欠陥となり表示品位が低下したりする問題がある。
【０００７】
本発明は、発光層が所定領域からずれて形成されるのを抑制して、表示輝度の高い有機ＥＬ表示装置を製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板上に、該基板上に配設された複数のマスクスペーサを介してマスクを設け、該基板下方からの蒸着により該基板表面の所定部分に有機層を形成する有機層蒸着工程を備えたものであって、
複数のマスクスペーサは、基板上の表示領域に設けられていると共に、マスクを基板上に設けた際に該マスクによってスペーサ頂部が包絡されるようにスペーサ頂部包絡手段を構成していることを特徴とする。
【０００９】
上記の構成によれば、基板にマスクの重ね合わせを行ったときに、マスクスペーサがスペーサ頂部包絡手段を構成しているので、マスクがスペーサ頂部を包絡した状態で保持される。これにより、マスクを重ね合わせたときに複数のマスクスペーサが一様なスペーサ高さとなっている場合と比較して、表示領域中央においても表示領域周辺部においても基板とマスクとの距離を小さくすることができる。その結果として、基板上に有機層を蒸着する際に蒸着物の拡散が小さくなり、有機層が所定領域からずれて形成されるのを抑制することができる。
【００１０】
上記スペーサ頂部包絡手段は、複数のマスクスペーサの配設密度が不均一である構成であってもよい。
【００１１】
その場合、上記複数のマスクスペーサの配設密度は、表示領域中央において最も大きく且つ該表示領域中央から外側に向かうに従って小さくなることが好ましい。
【００１２】
或いは、上記複数のマスクスペーサの配設密度は、表示領域中央を含む直線状領域において最も大きく且つ該直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って小さくなってもよい。
【００１３】
上記の構成によれば、マスクスペーサの配設密度が不均一であるので、マスクを重ね合わせると配設密度が小さい領域ではマスクスペーサが圧縮されてスペーサ高さが低くなる。そのため、マスクがスペーサ頂部を包絡するように位置付けることができる。
【００１４】
上記スペーサ頂部包絡手段は、複数のマスクスペーサの頂面の面積が不均一である構成であってもよい。
【００１５】
その場合、上記複数のマスクスペーサの頂面の面積は、表示領域中央において最も大きく且つ該表示領域中央から外側に向かうに従って小さくなることが好ましい。
【００１６】
或いは、上記複数のマスクスペーサの頂面の面積は、表示領域中央を含む直線状領域において最も大きく且つ該直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って小さくなってもよい。
【００１７】
上記の構成によれば、マスクスペーサの頂面の面積が不均一であるので、マスクを重ね合わせると頂面の面積が小さい領域ではマスクスペーサが圧縮されてスペーサ高さが低くなる。そのため、マスクがスペーサ頂部を包絡するように位置付けることができる。
【００１８】
上記スペーサ頂部包絡手段は、複数のマスクスペーサの高さが不均一である構成であってもよい。
【００１９】
その場合、上記複数のマスクスペーサの高さは、表示領域中央において最も高く且つ該表示領域中央から外側に向かうに従って低くなることが好ましい。
【００２０】
或いは、上記複数のマスクスペーサの高さは、表示領域中央を含む直線状領域において最も高く且つ該直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って低くなってもよい。
【００２１】
また、上記有機層蒸着上底の前に、基板上に連続多重露光によるフォトリソグラフィ技術により高さが不均一である複数のマスクスペーサを形成するスペーサ形成工程をさらに備えていてもよい。
【００２２】
上記の構成によれば、マスクスペーサのスペーサ高さがマスクの撓みの形状に沿うように形成されるので、表示領域周辺部のマスクスペーサを圧縮して縮めるための外力をマスクに付与することなく、スペーサ頂部がマスクに包絡されるように基板に重ね合わせることができる。
【００２３】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上記の有機ＥＬ表示装置の製造方法を用いて製造されたものである。
【発明の効果】
【００２４】
本発明は、基板上に、該基板上に配設された複数のマスクスペーサを介してマスクを設け、該基板下方からの蒸着により該基板表面の所定部分に有機層を形成する有機層蒸着工程を備え、複数のマスクスペーサは、基板上の表示領域に設けられていると共に、マスクを基板上に設けた際に該マスクによってスペーサ頂部が包絡されるようにスペーサ頂部包絡手段を構成しているので、有機層が基板上の所定領域からずれて形成されるのを抑制することができ、結果として、輝度の高く、欠陥の少ない高品位の有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、実施形態について図面に基づいて詳細に説明する。
【００２６】
《実施形態１》
（有機ＥＬ表示装置）
図１及び２は、実施形態１のＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置１００を示す。この有機ＥＬ表示装置１００は、例えば、携帯電話やカーナビ等のディスプレイとして用いられる。
【００２７】
有機ＥＬ表示装置１００は、ＴＦＴ基板１１０上に有機ＥＬ素子１２０が設けられ、これらが不活性ガス雰囲気下で接着剤を介して設けられたガラス、フィルム等からなる封止部材（それぞれ不図示）により封止された構造を有する。そして、それらによって複数の画素１３０がマトリクス状に構成されており、画素１３０によって画像表示を行う。なお、各画素１３０のそれぞれは、赤色補助画素１３１Ｒ、緑色補助画素１３１Ｇ、及び青色補助画素１３１Ｂの３つの補助画素で構成されている。
【００２８】
ＴＦＴ基板１１０は、絶縁基板１１０上に複数のゲート線が横方向に並行に延びるように設けられていると共に、複数のソース線がゲート線の延びる方向と角度をなす方向（典型的には直交方向）に並行に延びるように設けられ、ゲート線とソース線との各交差部に対応してＴＦＴが設けられている。ＴＦＴは、各画素１３０に対応するようにマトリクス状に複数配設されており、対応するゲート線及びソース線のそれぞれに電気的に接続されている。また、ＴＦＴ基板１１０には、ＴＦＴの上層に平坦化膜が設けられている。ＴＦＴ基板１１０は、例えばガラス又はプラスチック等の絶縁性の材料で構成されている。ＴＦＴ基板１１０は、例えば厚さが０．７〜１．１ｍｍ、縦長さが４００〜５００ｍｍ、及び横長さが３００〜４００ｍｍである。
【００２９】
有機ＥＬ素子１２０は、ＴＦＴ基板１１０表面に設けられており、ＴＦＴ基板１１０上に第１電極１２１がパターン形成され、画素表示を行わない領域にエッジカバー１２２及びマスクスペーサ１２３が設けられていると共に、画素表示部分には有機層１２４及び第２電極１２５が順に積層された構成を有する。
【００３０】
第１電極１２１は、導電性材料で形成されており、ＴＦＴ基板１１０の平坦化膜上に各画素１３０に対応するように設けられている。第１電極１２１は、有機層１２４にホール（正孔）を注入する機能を有する。第１電極１２１は、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ，ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の導電性の材料で構成されている。第１電極１２１は、例えば厚さが５０〜１５０ｎｍである。
【００３１】
第１電極１２１上には、画素１３０と画素１３０との間の部分や補助画素１３１と補助画素１３１との間の部分に、絶縁性の材料でエッジカバー１２２が設けられている。エッジカバー１２２は、隣り合う補助画素１３１同士を隔てる隔壁部としての機能を有すると共に、第１電極１２１の端部を被覆することにより端部での第１電極１２１と第２電極１２５との短絡を防止する機能を有する。エッジカバー１２２は、例えば幅が１０〜１００μｍ及び高さが０．３〜２μｍの壁状に形成されている。エッジカバー１２２を形成している材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ゾル−ゲル樹脂、ノボラック樹脂等の感光性樹脂が挙げられる。また、アクリル系樹脂としては、例えばＪＳＲ社製のオプトマーシリーズ等を用いることができる。
【００３２】
エッジカバー１２２の所定部分には、基板１１０とは反対の方向に突出するように柱状のマスクスペーサ１２３が設けられている。マスクスペーサ１２３は、後述する有機ＥＬ表示装置１００の製造において、蒸着の際に蒸着マスク２００を重ね合わせるときのスペーサとしての機能を有する。これにより、蒸着の際に蒸着マスク２００が基板１１０に直接接触して基板１１０の表面が損傷を受けることを防止できる。マスクスペーサ１２３を形成している材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ゾル−ゲル樹脂、ノボラック樹脂等の感光性樹脂が挙げられる。また、アクリル系樹脂としては、例えばＪＳＲ社製のオプトマーシリーズ等を用いることができる。マスクスペーサ１２３は、エッジカバー１２２と同一の材料で形成されていても、異種の材料で形成されていてもよい。マスクスペーサ１２３のそれぞれは、例えば、断面形状が径４〜７０μｍの円形であって、高さが０．３〜６μｍである。
【００３３】
ここで、マスクスペーサ１２３が単位面積あたりに配設されている本数を配設密度という。マスクスペーサ１２３は、図３に示すように、基板１１０上の表示領域の中央部において配設密度が最も大きく、表示領域中央から外側に向かうに従って、配設密度が小さくなっている。そして、複数のマスクスペーサ１２３の配設密度が不均一であることが、後述の製造工程におけるスペーサ頂部包絡手段を構成している。マスクスペーサ１２３の配設密度は、表示領域中央においては例えば４００〜８５０本／ｍｍ２であり、また、表示領域周辺部においては例えば７〜４５本／ｍｍ２である。表示領域中央から表示領域周辺部にかけてのマスクスペーサ１２３の配設密度の分布は、製造において蒸着の際に蒸着マスク２００を重ね合わせたときに、蒸着マスク２００によって圧縮変形されて蒸着マスク２００の撓み形状に沿うような高さ分布となるように設計されている。この分布については、製造方法の項において詳細に後述する。なお、この配設密度の分布は、例えば、基板平面上に略同心円状に広がっていてもよい。
【００３４】
有機層１２４は、第１電極１２１側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層が順に積層された構造を有する。なお、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層は必須ではなく、必要に応じて積層すればよく、削除することも可能である。
【００３５】
正孔注入層及び正孔輸送層は、それぞれ発光層への正孔注入効率及び正孔輸送効率を高める機能を有する。正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、或いはこれらの誘導体、又は、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物或いはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマー或いはポリマー等が挙げられる。正孔注入層及び正孔輸送層は、それぞれ独立に構成されていても一体に構成されていてもよく、後者の場合は、例えば厚さが１０〜１００ｎｍである。
【００３６】
発光層は、第１電極１２１側から注入されたホール（正孔）と第２電極１２５側から注入された電子とを再結合させて光を出射させる機能を有する。発光層は、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の発光効率が高い材料で形成されている。発光層の材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、或いはこれらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体ジトルイルビニルビフェニルが挙げられる。発光層は、例えば厚さが３０〜１００ｎｍである。
【００３７】
電子輸送層及び電子注入層は、それぞれ、第２電極１２５から発光層への電子輸送効率及び電子注入効率を高める機能を有する。電子輸送層及び電子注入層の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、又はこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリン又はこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。電子輸送層及び電子注入層は、それぞれ独立に構成されていても一体に構成されていてもよく、後者の場合は、例えば厚さが１０〜１００ｎｍである。
【００３８】
第２電極１２５は、有機層１２４に電子を注入する機能を有する。第２電極１２５の材料としては、例えば、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウム、仕事関数の小さい金属等が挙げられる。第２電極１２５は、例えば厚さが５０〜１００ｎｍである。
【００３９】
第２電極１２５を覆うように保護膜（図示せず）が設けられていてもよい。保護膜は、絶縁性や導電性の材料で形成されており、厚さが例えば１００〜１０００ｎｍである。保護膜は、水や酸素が有機層１２４へ混入するのを阻止する機能を有する。
【００４０】
封止部材は、例えば、ガラスやシリコンで形成されている。封止部材は、例えば熱硬化性樹脂の接着剤でＴＦＴ基板１１０に接着されており、有機層１２４に水や酸素等が混入しないように有機ＥＬ素子１２０を封止する機能を有する。微量に混入した水や酸素を捕捉するために、さらに乾燥剤が封入されていてもよい。
【００４１】
封止部材やＴＦＴ基板１１０の外側表面にはそれぞれ偏光板が設けられていてもよい。
【００４２】
以上の構成の有機ＥＬ表示装置１００では、各画素１３０において、ＴＦＴがオンとなった際に、有機層１２４に対し、第１電極１２１からホール（正孔）が注入されると共に第２電極１２５から電子が注入され、それらのホールと電子とが発光層で再結合し、それによって放出されたエネルギーが発光層の発光材料を励起させ、励起された発光材料が励起状態から基底状態に戻るときに蛍光や燐光を放出し、その蛍光や燐光が有機層１２４の発光として外部に出射され、画素１３０全体として所定の画像を表示することとなる。
【００４３】
なお、本実施形態では、第１電極１２１が陽極及び第２電極１２５が陰極である構成としたが、第１電極１２１が陰極及び第２電極１２５が陽極の逆構造型有機ＥＬ素子であってもよい。この場合、第１電極１２１から有機層１２４に電子が注入されると共に第２電極１２５から有機層１２４にホールが注入されて両者が再結合することにより有機層１２４が発光し、画素１３０全体として所定の画像を表示を行う。
【００４４】
また、本実施形態ではＴＦＴアレイが形成されたアクティブ型の有機ＥＬ表示装置１００について説明したが、特にこれに限られるものではなく、例えばＴＦＴアレイが形成されていないパッシブ型の有機ＥＬ表示装置であってもよい。
【００４５】
さらに、本実施形態ではＲＧＢの３色の補助画素１３１で１画素１３０が構成されているとしたが、特にこれに限られず、例えば白色発光を行う白色補助画素を加えたＲＧＢＷの４色の補助画素で１画素が構成されていてもよい。また、各補助画素１３１が図１等に示すように矩形に形成されていてもよく、その他の形状であってもよい。また、各補助画素１３１の配置も特にこれに限定されるものではない。
【００４６】
さらに、本実施形態では、基板１１０側から光を取り出すボトムエミッション型の構成としたが、封止部材側から光を取り出すトップエミッション型の構成としてもよい。その場合、第１電極１２１は例えばアルミニウムや銀合金（ＡＰＣ等）の反射性の材料で形成され、第２電極１２５は光透過性の材料で例えば１０〜３０ｎｍの厚さとなるように形成される。
【００４７】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
次に、上記有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。この有機ＥＬ表示装置１００の製造方法は、第１電極等形成工程、有機層蒸着工程、及び第２電極等形成工程を備えている。
【００４８】
＜第１電極等形成工程＞
まず、公知の方法により作製したＴＦＴ基板１１０の平坦化膜に各ＴＦＴ毎にドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成する。そして、スパッタ法によって、そのコンタクトホールと電気的に接続するように第１電極１２１となるＩＴＯ膜を形成し、フォトリソグラフィを用いてパターニングを行い、さらに、エッチング液として塩化第２鉄を用いてエッチングをすることにより、各画素表示領域に対応する形状の第１電極１２１を形成する。
【００４９】
次に、補助画素１３１の発光領域以外の部分に対応するようにエッジカバー１２２を形成する。まず、例えばスピンコート法によって絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィを用いてパターニングを行い、その後に熱硬化を行ってエッジカバー１２２を形成する。
【００５０】
続いて、エッジカバー１２２上の所定の領域に柱状のマスクスペーサ１２３を形成する。
【００５１】
まず、例えばスピンコート法によって、アクリルからなる感光性樹脂を６μｍ程度の膜厚となるようにして塗布する。なお、感光性樹脂膜を塗布した後にプリベークを行った後に、再度塗布とプリベークの工程を繰り返すことによって感光性樹脂膜を任意の厚さに成膜してもよい。
【００５２】
感光性樹脂膜を塗布した後、これを任意のパターン形状が描かれた露光マスクで覆って露光し、露光マスクの形成されていない部分をエッチングして、所定のパターン形状のマスクスペーサ１２３を形成する。感光性樹脂膜の露光は、ステッパ露光方式等の分割露光方式で行ってもよく、ミラープロジェクション露光方式等の一括露光方式で行ってもよい。
【００５３】
このとき、マスクスペーサ１２３の配設密度が、表示領域中央において最も大きく、且つ、その表示領域中央から外側に向かうに従って小さくなるようにパターニングする。この配設密度の分布は、後工程である有機層蒸着工程において蒸着マスク２００を重ね合わせたときに蒸着マスク２００によって圧縮変形されて蒸着マスク２００の撓み形状に沿うような高さ分布となるように計算した配設密度の分布とする。
【００５４】
なお、フックの法則を用いて配設密度の分布を計算する。具体的には、加わる力をＦ，１画素あたりのマスクスペーサ面積をＳ，マスクスペーサのひずみ量をε、ヤング率をＥ，マスクスペーサの変形量をΔＬ、マスクスペーサの元の長さをＬ，１画素あたりのマスクスペーサの個数をη、及び、マスクスペーサの面積をｓとして、以下の数１で表される。
【００５５】
【数１】
【００５６】
これより、ひずみ量εは、１画素あたりのマスクスペーサの面積に反比例することが分かる。つまり、マスクスペーサの配設密度が小さくなると、マスクスペーサの圧縮による変形量が大きくなる。
【００５７】
数１に基づいて所定のひずみ量となるように計算を行った計算例を表１に示す。
【００５８】
【表１】
【００５９】
表１において、マスク撓み変化率は、その位置における単位長さ当たりに対する撓み量の変化度合いを示している。また、スペーサ高さ変化率はその位置における単位長さ当たりに対するスペーサ高さの変化度合いを示している。なお、ここではスペース高さ変化率がマスク撓み変化率を超えないように規定している。これにより、マスクスペーサ１２３の変形によって蒸着マスク２００と基板１１０との間に想定しない空隙が発生することを抑制することができる。このマスク撓み変化率に従ってマスクスペーサ１２３が分布するようにパターニングする。
【００６０】
＜有機層蒸着工程＞
次いで、蒸着マスク２００を用いた真空蒸着法によって、第１電極１２１上に有機層１２４を形成する。具体的には、例えば、有機層１２４が低分子型の有機層１２４である場合、まず、ＮＰＰ（N,N-di(naphthalene-1-yl)-N,N-diphenyl-benzidene）の正孔注入層兼正孔輸送層を成膜し、次に、発光層を成膜した後、Ａｌｑ３（アルミニウムキノリノール錯体(aluminato-tris-8-hydroxyquinolate)）の電子輸送層兼電子注入層を成膜することにより形成する。
【００６１】
以下、この真空蒸着法について詳述する。この真空蒸着法では、蒸着マスク２００と、基板ホルダ４１、マスクホルダ４２、及び蒸着源４３を備えた真空チャンバとを使用する。真空チャンバには蒸着源４３が複数設けられていてもよい。蒸着マスク２００は、例えば、インバー、ニッケル等で構成されている。蒸着マスク２００は、例えば、縦長さが４００〜５００ｍｍ、横長さが３００〜４００ｍｍ、及び厚さが１０〜１００μｍであり、マスクフレームで固定されている。マスクフレームは例えば幅４０ｍｍ、厚さ３０ｍｍである。なお、蒸着源４３は、基板１１０の下方に位置している。基板１１０の上方から有機物の蒸着を行った場合、蒸着分子同士が結合して大きな塊（クラスタ）となり、基板上に形成する膜が不揃いの大きさの粒子で構成されることとなり好ましくないが、基板の下方から蒸着した場合、クラスタは自重により下方（蒸着源４３側）に落ちてしまうので、基板上には均一な大きさの粒子からなる膜を形成することができる。
【００６２】
まず、図４に示すようにＴＦＴ基板１１０を基板ホルダ４１に取り付ける。このとき、有機層１２４を形成する面が下になるようにする。
【００６３】
次に、マスクホルダ４２に蒸着マスク２００を取り付ける。このとき、マスクホルダ４２で保持した部分を上方に引き上げる力を加え、蒸着マスク２００がマスクスペーサ１２３に密着するような張力を与える。なお、ここでいう密着とは、マスクスペーサ１２３の配設密度が小さい部分に圧力がかかる程度に蒸着マスク２００がマスクスペーサ１２３に密着していればよく、全てのマスクスペーサ１２３が蒸着マスク２００と接することを要さない。
【００６４】
図５及び６は、マスクスペーサ１２３の配設密度の分布を示す図である。図７（ａ）に示す配設密度の大きい表示領域中央においては、蒸着マスク２００に上向きの張力が付与されても、マスクスペーサ１２３が圧縮されてスペーサ高さが低くなることはない。一方、図７（ｂ）に示す配設密度の小さい表示領域周辺部においては、蒸着マスク２００に上向きの張力が付与されることにより、マスクスペーサ１２３が圧縮されて、表示領域中央よりもスペーサ高さが低くなる。これによってマスクスペーサのスペーサ高さが不均一化されるので、蒸着マスク２００をマスクホルダ４２に取り付けることにより、マスクスペーサ１２３が蒸着マスク２００に包絡されるように位置する状態となる。
【００６５】
続いて、蒸着源４３を加熱して蒸着を行う。このときの蒸着条件は、例えば、温度が２００〜３００℃、圧力が１０−５〜１０−４Ｐａ，及び蒸着速度が０．０５〜０．１ｎｍ／ｓｅｃである。この蒸着を行うことによってＴＦＴ基板１１０上に有機層１２４を形成する。
【００６６】
なお、蒸着マスク２００を用いた真空蒸着法によって有機層１２４を形成するとして説明したが、少なくとも発光層をこの方法によって形成すればよく、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層については、パターニングを行って形成する必要のないときは蒸着マスク２００を使用しない。
【００６７】
＜第２電極等形成工程＞
続いて、例えば真空蒸着法等を用いて、画素領域の全体に第２電極１２５を形成する。
【００６８】
そして、イオンビームスパッタ法等によって第２電極１２５を覆うように保護膜を形成する。続いて、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中で有機ＥＬ素子が形成された基板を封止樹脂及び封止ガラスで封止する。また、必要に応じてカラーフィルタ基板や偏光板等を貼り合わせる。このようにして有機ＥＬ表示装置１００が製造される。
【００６９】
−実施形態１の効果−
実施形態１の構成によれば、マスクスペーサ１２３の配設密度が表示領域中央において最も大きく、且つ表示領域周辺部に向かうに従って小さくなっているので、基板に蒸着マスク２００を重ね合わせると、配設密度の小さい表示領域周辺部に設けられたマスクスペーサ１２３が圧縮されて表示領域中央のマスクスペーサ１２３よりもスペーサ高さが低くなる。こうして、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持される。
【００７０】
蒸着マスクを重ね合わせたときに複数のマスクスペーサが一様なスペーサ高さとなっている場合には、基板と蒸着マスクとの距離は、表示領域中央においてはマスクスペーサの長さに蒸着マスクの撓み分を加えた長さとなっている。また、表示領域周辺部においてはマスクスペーサの長さとなっている。しかしながら、実施形態１によれば、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持されているので、基板と蒸着マスク２００との距離は、表示領域中央においては、図８（ａ）に示すようにスペーサ高さの長さとなっている。また、表示領域周辺部においては、図８（ｂ）に示すように圧縮されて縮められたスペーサ高さの長さとなっている。したがって、表示領域中央においても表示領域周辺部においても基板と蒸着マスク２００との距離を小さくすることができる。その結果、基板上に有機層を蒸着形成する際に蒸着物の拡散が小さくなり、有機層が所定領域からずれて形成されるのを抑制することができて高輝度で画素欠陥の少ない高品位の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。さらに、蒸着ずれが抑制されることにより、各補助画素の領域の境界部分での混色が抑制されるので、コントラスト比の優れた有機ＥＬ表示装置が得られる。
【００７１】
また、実施形態１にかかるスペーサ頂部包絡手段は、マスクスペーサ１２３の形成パターンを工夫することによって設けることができるので、製造方法に複雑な工程を追加することなく容易に上記の効果を得ることができる。
【００７２】
《実施形態２》
（有機ＥＬ表示装置）
実施形態２にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、マスクスペーサ１２３の形成パターンを除いて、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１００と同一の構成を有する。なお、同一名称の構成については、実施形態１と共通の参照符号を用いて説明する。
【００７３】
図９は、実施形態２にかかるマスクスペーサ１２３の配設レイアウトを示す。
【００７４】
複数のマスクスペーサ１２３は、基板１１０上の表示領域の中央部を含む直線状領域（図９では、基板中央の縦方向の直線状領域）において配設密度が最も大きく、この直線状領域の両側のそれぞれの外側（図９では、左方及び右方）に向かうに従って、配設密度が小さくなっている。マスクスペーサ１２３の配設密度は、直線状領域においては例えば４００〜８５０本／ｍｍ２であり、また、その周辺部においては例えば７〜４５本／ｍｍ２である。表示領域中央から表示領域周辺部にかけてのマスクスペーサ１２３の配設密度の分布は、製造において蒸着の際に蒸着マスク２００を重ね合わせたときに、蒸着マスク２００によって圧縮変形されて蒸着マスク２００の撓み形状に沿うような高さ分布となるように設計されている。図１０及び１１は、マスクスペーサ１２３の配設密度の分布を示す図である。
【００７５】
なお、図９では基板の縦方向が直線状領域の直線方向となっているが、特にこれに限られるものではなく、例えば基板の斜め方向が直線状領域の直線方向であってもよい。
【００７６】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
実施形態２の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、マスクスペーサ１２３の配設密度が、表示領域の中央部を含む直線状領域において最も大きく、直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って小さくなるようにマスクスペーサ１２３を形成することを除いて、実施形態１と同一である。
【００７７】
なお、赤色補助画素１３１Ｒ、緑色補助画素１３１Ｇ、及び青色補助画素１３１Ｂが図９に示すようにそれぞれ矩形であって、三者が横に並列して配されており、さらに、隣り合う画素１３０同士において赤色補助画素１３１Ｒと赤色補助画素１３１Ｒ、緑色補助画素１３１Ｇと緑色補助画素１３１Ｇ、及び青色補助画素１３１Ｂと青色補助画素１３１Ｂが隣り合うように配置されている（以下、「ライン状に並んで配されている」という）とき、ライン方向と直線状領域の直線方向とが一致するようにマスクスペーサ１２３の配設密度の分布を設けることが好ましい。この場合、直線方向には配設密度の分布を設けないので直線方向の蒸着ずれの抑制効果は実施形態１の場合に比べて劣るものの、直線方向には同じ色の発光を行う有機層１２４が設けられるので、蒸着ずれが起こったとしても異なる色同士の混色は生じない。
【００７８】
−実施形態２の効果−
実施形態２の構成によれば、マスクスペーサ１２３の配設密度が表示領域中央を含む直線状領域において最も大きく、且つその直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って小さくなっているので、基板に蒸着マスク２００を重ね合わせると、配設密度の小さい外側の領域に設けられたマスクスペーサ１２３が圧縮されて直線状領域のマスクスペーサ１２３よりもスペーサ高さが低くなる。こうして、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持される。
【００７９】
蒸着マスクを重ね合わせたときに複数のマスクスペーサが一様なスペーサ高さとなっている場合には、基板と蒸着マスクとの距離は、直線状領域においてはマスクスペーサの長さに蒸着マスクの撓み分を加えた長さとなっている。また、外側の領域においてはマスクスペーサの長さとなっている。しかしながら、実施形態２によれば、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持されているので、基板と蒸着マスク２００との距離は、直線状領域においてはスペーサ高さの長さとなっている。また、外側の領域においては圧縮されて縮められたスペーサ高さの長さとなっている。したがって、直線状領域においてもその外側の領域においても基板と蒸着マスク２００との距離を小さくすることができる。その結果、基板上に有機層を蒸着形成する際に蒸着物の拡散が小さくなり、有機層が所定領域からずれて形成されるのを抑制することができて高輝度で画素欠陥の少ない高品位の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。さらに、蒸着ずれが抑制されることにより、各補助画素の領域の境界部分での混色が抑制されるので、コントラスト比の優れた有機ＥＬ表示装置が得られる。
【００８０】
また、実施形態２にかかるスペーサ頂部包絡手段は、マスクスペーサ１２３の形成パターンを工夫することによって設けることができるので、製造方法に複雑な工程を追加することなく容易に上記の効果を得ることができる。しかも、直線状領域の直線方向には配設密度の分布を設けないので、実施形態１よりも容易に設計することができる。特にマスクスペーサ１２３のパターニングをステッパ露光方式によって行う場合には、使用する露光枚数を低減できる可能性があり、有機ＥＬ表示装置１００の製造が容易になる。
【００８１】
なお、各色補助画素１３１がライン状に並んで配された有機ＥＬ表示装置１００の場合、直線方向に配設密度の分布を設けないので実施形態１と比較して直線方向の蒸着ずれの抑制効果が低減されるものの、直線方向には同じ色の発光を行う有機層１２４が設けられるので、異なる色同士の混色は生じない。
【００８２】
《実施形態３》
（有機ＥＬ表示装置）
実施形態３にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、マスクスペーサ１２３の形成パターンを除いて実施形態１と同一の構成を有する。
【００８３】
図１２は、実施形態３にかかるマスクスペーサ１２３の配設レイアウトを示す。ここでは、基板１１０上の表示領域におけるマスクスペーサ１２３の配設密度は一定となっている。複数のマスクスペーサ１２３は、頂面の面積が不均一であり、スペーサ頂部包絡手段を構成している。なお、マスクスペーサ１２３の頂面の面積とは、蒸着マスク２００を基板に重ね合わせる時に蒸着マスク２００と接する部分の面積を意味する。
【００８４】
複数のマスクスペーサ１２３は、基板１１０上の表示領域中央部のマスクスペーサ１２３の頂面の面積が最も大きく、表示領域中央から外側に向かうに従って、マスクスペーサ１２３の頂面の面積が小さくなるように設けられている。それぞれのマスクスペーサ１２３の頂面の面積は、表示領域中央においては例えば７００〜４０００μｍ２であり、また、表示領域周辺部においては例えば１３〜８０μｍ２である。表示領域中央から表示領域周辺部にかけてのマスクスペーサ１２３の頂面の面積の分布は、蒸着マスク２００によって圧縮変形されて蒸着マスク２００の撓み形状に沿うような高さ分布となるように設計されている。
【００８５】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
次に、上記有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。この有機ＥＬ表示装置１００の製造方法は、第１電極等形成工程、有機層蒸着工程、及び第２電極等形成工程を備えている。
【００８６】
＜第１電極等形成工程＞
まず、実施形態１と同一の方法によって、ＴＦＴ基板１１０、第１電極１２１、及びエッジカバー１２２を形成する。
【００８７】
次に、実施形態１と同様に、エッジカバー１２２上にマスクスペーサ１２３を形成する。このとき、実施形態１とは異なったパターニングを行ってマスクスペーサ１２３を形成する。すなわち、表示領域におけるマスクスペーサ１２３の配設密度は一定である一方、複数のマスクスペーサ１２３のそれぞれの頂面の面積が示領域中央において最も大きく、且つ、その表示領域中央から外側に向かうに従って小さくなるように形成する。この頂面の面積の分布は、後工程である有機層蒸着工程において蒸着マスク２００を重ね合わせたときに蒸着マスク２００によって圧縮変形されて蒸着マスク２００の撓み形状に沿うような高さ分布となるように計算した分布とする。
【００８８】
なお、フックの法則を用いて頂面の面積の分布を計算する。具体的には、加わる力をＦ，１画素あたりのマスクスペーサ面積をＳ，マスクスペーサのひずみ量をε、ヤング率をＥ，マスクスペーサの変形量をΔＬ、及び、マスクスペーサの元の長さをＬとして、以下の数２で表される。
【００８９】
【数２】
【００９０】
これより、ひずみ量εは、１画素あたりのマスクスペーサの面積Ｓに反比例することが分かる。つまり、マスクスペーサの配設密度が一定のまま１画素あたりのマスクスペーサの頂面の面積が小さくなると、マスクスペーサの圧縮による変形量が大きくなる。
【００９１】
数２に基づいて所定のひずみ量となるように計算を行った計算例を表２に示す。
【００９２】
【表２】
【００９３】
表２において、マスクスペーサ頂面面積比は、表示領域中央に設けられたマスクスペーサの頂面の面積を１としたときのマスクスペーサの頂面の面積の比を示す。このマスクスペーサ頂面面積比に従ってマスクスペーサ１２３が分布するようにパターニングする。図１３及び１４は、マスクスペーサ１２３の頂面の面積の分布を示す図である。
【００９４】
＜有機層蒸着工程＞
実施形態１と同一の方法によって、真空蒸着法を用いて有機層１２４を形成する。このとき、図１５（ａ）に示す頂面の面積の大きい表示領域中央においては、蒸着マスク２００に上向きの張力が付与されても、マスクスペーサ１２３が圧縮されてスペーサ高さが低くなることはない。一方、図１５（ｂ）に示す頂面の面積の小さい表示領域周辺部においては、蒸着マスク２００に上向きの張力が付与されることにより、マスクスペーサ１２３が圧縮されて、表示領域中央よりもスペーサ高さが低くなる。これによってマスクスペーサのスペーサ高さが不均一化されるので、蒸着マスク２００をマスクホルダ４２に取り付けることにより、マスクスペーサ１２３が蒸着マスク２００に包絡されるように位置する状態となる。
【００９５】
＜第２電極等形成工程＞
実施形態１と同一の方法によって、第２電極１２５、保護膜、封止部材等を形成する。これにより、実施形態３にかかる有機ＥＬ表示装置１００が完成する。
【００９６】
−実施形態３の効果−
実施形態３の構成によれば、マスクスペーサ１２３の頂面の面積が表示領域中央において最も大きく、且つ表示領域周辺部に向かうに従って小さくなっているので、基板に蒸着マスク２００を重ね合わせると、頂面の面積の小さい表示領域周辺部に設けられたマスクスペーサ１２３が圧縮されて表示領域中央のマスクスペーサ１２３よりもスペーサ高さが低くなる。こうして、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持される。
【００９７】
蒸着マスクを重ね合わせたときに複数のマスクスペーサが一様なスペーサ高さとなっている場合には、基板と蒸着マスクとの距離は、表示領域中央においてはマスクスペーサの長さに蒸着マスクの撓み分を加えた長さとなっている。また、表示領域周辺部においてはマスクスペーサの長さとなっている。しかしながら、実施形態１によれば、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持されているので、基板と蒸着マスク２００との距離は、表示領域中央においてはスペーサ高さの長さとなっている。また、表示領域周辺部においては圧縮されて縮められたスペーサ高さの長さとなっている。したがって、表示領域中央においても表示領域周辺部においても基板と蒸着マスク２００との距離を小さくすることができる。その結果、基板上に有機層を蒸着形成する際に蒸着物の拡散が小さくなり、有機層が所定領域からずれて形成されるのを抑制することができて高輝度の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。さらに、蒸着ずれが抑制されることにより、各補助画素の領域の境界部分での混色が抑制されるので、コントラスト比の優れた有機ＥＬ表示装置が得られる。
【００９８】
また、実施形態３にかかるスペーサ頂部包絡手段は、マスクスペーサ１２３の形成パターンを工夫することによって設けることができるので、製造方法に複雑な工程を追加することなく容易に上記の効果を得ることができる。
【００９９】
《実施形態４》
（有機ＥＬ表示装置）
実施形態４にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、マスクスペーサ１２３の形成パターンを除いて、実施形態３にかかる有機ＥＬ表示装置１００と同一の構成を有する。
【０１００】
図１６は、実施形態４にかかるマスクスペーサ１２３の配設レイアウトを示す。
【０１０１】
複数のマスクスペーサ１２３は、基板１１０上の表示領域の中央部を含む直線状領域（図１６では、基板中央の縦方向の直線状領域）において頂面の面積が最も大きく、この直線状領域の両側のそれぞれの外側（図１６では、左方及び右方）に向かうに従って、頂面の面積が小さくなっている。マスクスペーサ１２３の頂面の面積は、直線状領域においては例えば７００〜４０００μｍ２であり、また、その周辺部においては例えば１３〜８０μｍ２である。表示領域中央から表示領域周辺部にかけてのマスクスペーサ１２３の頂面の面積の分布は、製造において蒸着の際に蒸着マスク２００を重ね合わせたときに、蒸着マスク２００によって圧縮変形されて蒸着マスク２００の撓み形状に沿うような高さ分布となるように設計されている。図１７及び１８は、マスクスペーサ１２３の頂面の面積の分布を示す図である。
【０１０２】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
実施形態４の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、マスクスペーサ１２３の頂面の面積が、表示領域の中央部を含む直線状領域において最も大きく、直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って小さくなるようにマスクスペーサ１２３を形成することを除いて、実施形態３と同一である。
【０１０３】
なお、赤色補助画素１３１Ｒ、緑色補助画素１３１Ｇ、及び青色補助画素１３１Ｂが図９に示すようにそれぞれ矩形であって、三者が横に並列して配されており、さらに、隣り合う画素１３０同士において赤色補助画素１３１Ｒと赤色補助画素１３１Ｒ、緑色補助画素１３１Ｇと緑色補助画素１３１Ｇ、及び青色補助画素１３１Ｂと青色補助画素１３１Ｂがライン状に並んで配されているとき、ライン方向と直線状領域の直線方向とが一致するようにマスクスペーサ１２３の配設密度の分布を設けることが好ましい。この場合、直線方向には頂面の面積の分布を設けないので直線方向の蒸着ずれの抑制効果は実施形態１の場合に比べて劣るものの、直線方向には同じ色の発光を行う有機層１２４が設けられるので、蒸着ずれが起こったとしても異なる色同士の混色は生じない。
【０１０４】
−実施形態４の効果−
実施形態４の構成によれば、マスクスペーサ１２３の頂面の面積が表示領域中央を含む直線状領域において最も大きく、且つその直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って小さくなっているので、基板に蒸着マスク２００を重ね合わせると、頂面の面積の小さい外側の領域に設けられたマスクスペーサ１２３が圧縮されて直線状領域のマスクスペーサ１２３よりもスペーサ高さが低くなる。こうして、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持される。
【０１０５】
蒸着マスクを重ね合わせたときに複数のマスクスペーサが一様なスペーサ高さとなっている場合には、基板と蒸着マスクとの距離は、直線状領域においてはマスクスペーサの長さに蒸着マスクの撓み分を加えた長さとなっている。また、外側の領域においてはマスクスペーサの長さとなっている。しかしながら、実施形態４によれば、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持されているので、基板と蒸着マスク２００との距離は、直線状領域においてはスペーサ高さの長さとなっている。また、外側の領域においては圧縮されて縮められたスペーサ高さの長さとなっている。したがって、直線状領域においてもその外側の領域においても基板と蒸着マスク２００との距離を小さくすることができる。その結果、基板上に有機層を蒸着形成する際に蒸着物の拡散が小さくなり、有機層が所定領域からずれて形成されるのを抑制することができて高輝度で画素欠陥の少ない高品位の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。さらに、蒸着ずれが抑制されることにより、各補助画素の領域の境界部分での混色が抑制されるので、コントラスト比の優れた有機ＥＬ表示装置が得られる。
【０１０６】
また、実施形態４にかかるスペーサ頂部包絡手段は、マスクスペーサ１２３の形成パターンを工夫することによって設けることができるので、製造方法に複雑な工程を追加することなく容易に上記の効果を得ることができる。しかも、直線状領域の直線方向には頂面の面積の分布を設けないので、実施形態３よりも容易に設計することができる。特にマスクスペーサ１２３のパターニングをステッパ露光方式によって行う場合には、使用する露光枚数を低減できる可能性があり、有機ＥＬ表示装置１００の製造が容易になる。
【０１０７】
なお、各色補助画素１３１がライン状に並んで配された有機ＥＬ表示装置１００の場合、直線方向に頂面の面積の分布を設けないので実施形態３と比較して直線方向の蒸着ずれの抑制効果が低減されるものの、直線方向には同じ色の発光を行う有機層１２４が設けられるので、異なる色同士の混色は生じない。
【０１０８】
《実施形態５》
（有機ＥＬ表示装置）
実施形態５にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、マスクスペーサ１２３の形成パターン及びスペーサ高さを除いて実施形態１と同一の構成を有する。
【０１０９】
図１９は、実施形態５にかかるマスクスペーサ１２３の配設レイアウトを示す。ここでは、基板１１０上の表示領域におけるマスクスペーサ１２３の配設密度は一定となっており、また、マスクスペーサ１２３の頂面の面積も全て一定となっている。複数のマスクスペーサ１２３は、それぞれの高さが不均一であり、後述の製造工程におけるスペーサ頂部包絡手段を構成している。
【０１１０】
複数のマスクスペーサ１２３は、基板上の表示領域中央部のマスクスペーサ１２３の高さが最も高く、表示領域中央から外側に向かうに従って、マスクスペーサ１２３の高さが低くなるように設けられている。それぞれのマスクスペーサ１２３の高さは、表示領域中央においては例えば５〜６μｍであり、また、表示領域周辺部においては例えば０．３〜１．５μｍである。表示領域中央から表示領域周辺部にかけてのマスクスペーサ１２３の高さの分布は、製造において蒸着の際に蒸着マスク２００を重ね合わせたときに、蒸着マスク２００によって圧縮変形されて蒸着マスク２００の撓み形状に沿うように設計されている。
【０１１１】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
次に、上記有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。この有機ＥＬ表示装置１００の製造方法は、第１電極等形成工程、有機層蒸着工程、及び第２電極等形成工程を備えており、第１電極等形成工程はスペーサ形成工程をさらに備えている。
【０１１２】
＜第１電極等形成工程＞
まず、実施形態１と同一の方法によって、ＴＦＴ基板１１０、第１電極１２１、及びエッジカバー１２２を形成する。
【０１１３】
−スペーサ形成工程−
次に、エッジカバー１２２上にマスクスペーサ１２３を形成する。このとき、表示領域におけるマスクスペーサ１２３の配設密度は一定であり、複数のマスクスペーサ１２３のそれぞれの頂面の面積も均一である一方、スペーサ高さが、表示領域中央部のマスクスペーサ１２３の高さが最も高く、表示領域中央から外側に向かうに従って、マスクスペーサ１２３の高さが低くなるようにマスクスペーサ１２３を形成する。なお、例えば連続多重露光を行って、スペーサ高さが一様ではないマスクスペーサ１２３の形成を行う。
【０１１４】
まず、実施形態１と同様にマスクスペーサ１２３を形成する。このとき、基板１１０の表示領域全体において配設密度及び頂面の面積が一様であって且つスペーサ高さの均一なパターンとなるようにマスクスペーサ１２３を形成する。
【０１１５】
次いで、スペース高さが均一なマスクスペーサ１２３に連続多重露光を行ってスペーサ高さを調整する。ここでは、図２０に示すように、表示領域中央を第１領域１１０Ａ、第１領域１１０Ａを囲む領域を第２領域１１０Ｂ、第２領域１１０Ｂを囲む領域を第３領域１１０Ｃ、第３領域１１０Ｃを囲む領域を第４領域１１０Ｄ、及び、第４領域１１０Ｄを囲む領域であって表示領域周辺部を第５領域１１０Ｅとする。
【０１１６】
まず、第１領域１１０Ａをマスクして、マスクスペーサ１２３のパターニングを行う時の露光よりも弱い強度で露光を行う。これにより、第２〜第５領域におけるマスクスペーサ１２３を、図２１（ａ）に示す第１領域１１０Ａと同じ高さの状態から、図２１（ｂ）に示したそれよりも低い高さに形成する。
【０１１７】
次に、第１領域１１０Ａ及び第２領域１１０Ｂをマスクして、マスクスペーサ１２３のパターニングを行う時の露光よりも弱い強度で露光を行う。これにより、図２１（ｃ）に示すように、第３〜第５領域におけるマスクスペーサ１２３のスペーサ高さが第１、第２領域よりも低くなる。
【０１１８】
さらに弱い強度での露光を繰り返すことによって、マスクスペーサ１２３のスペーサ高さは図２０（ａ）に示すように、第１領域１１０Ａにおいて最も高く、表示領域周辺部に行くに従って低くなるようにマスクスペーサ１２３を形成することができる。
【０１１９】
マスクスペーサ１２３のそれぞれの高さの分布は、後工程である有機層蒸着工程において蒸着マスク２００を重ね合わせたときに、蒸着マスク２００の撓み形状に沿うような分布となるように計算した高さの分布とする。
【０１２０】
マスクスペーサ１２３の高さの分布の計算を行った計算例を表３に示す。このマスクスペーサ１２３の高さに従ってマスクスペーサ１２３が分布するようにパターニングする。
【０１２１】
【表３】
【０１２２】
なお、ここでは第１〜第５領域に分けて説明したが、特にこれに限られるものではなく、領域数が４以下であっても６以上であってもよい。
【０１２３】
＜有機層蒸着工程＞
実施形態１と同一の方法によって、真空蒸着法を用いて有機層１２４を形成する。このとき、マスクスペーサ１２３が表示領域中央部のマスクスペーサ１２３の高さが最も高く、表示領域中央から外側に向かうに従ってマスクスペーサ１２３の高さが低くなるように設けられているので、蒸着マスク２００をマスクホルダ４２に取り付けることにより、マスクスペーサ１２３が蒸着マスク２００に包絡されるように位置する状態となる。
【０１２４】
＜第２電極等形成工程＞
実施形態１と同様に、第２電極１２５、保護膜、封止部材等を形成する。これにより、実施形態５にかかる有機ＥＬ表示装置１００が完成する。
【０１２５】
−実施形態５の効果−
実施形態５の構成によれば、マスクスペーサ１２３のスペーサ高さが表示領域中央において最も高く、且つ表示領域周辺部に向かうに従って低くなっているので、基板に蒸着マスク２００を重ね合わせると、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持される。
【０１２６】
蒸着マスクを重ね合わせたときに複数のマスクスペーサが一様なスペーサ高さとなっている場合には、基板と蒸着マスクとの距離は、表示領域中央においてはマスクスペーサの長さに蒸着マスクの撓み分を加えた長さとなっている。また、表示領域周辺部においてはマスクスペーサの長さとなっている。しかしながら、実施形態５によれば、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持されているので、基板と蒸着マスク２００との距離は、表示領域中央においてはスペーサ高さの長さとなっている。また、表示領域周辺部においては表示領域中央よりも低く形成されたスペーサ高さの長さとなっている。したがって、表示領域中央においても表示領域周辺部においても基板と蒸着マスク２００との距離を小さくすることができる。その結果、基板上に有機層を蒸着形成する際に蒸着物の拡散が小さくなり、有機層が所定領域からずれて形成されるのを抑制することができて高輝度で画素欠陥の少ない高品位の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。さらに、蒸着ずれが抑制されることにより、各補助画素の領域の境界部分での混色が抑制されるので、コントラスト比の優れた有機ＥＬ表示装置が得られる。
【０１２７】
《実施形態６》
（有機ＥＬ表示装置）
実施形態６にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、マスクスペーサ１２３のそれぞれの高さの分布の仕方を除いて、実施形態５にかかる有機ＥＬ表示装置１００と同一の構成を有する。なお、マスクスペーサ１２３の配設レイアウトは、図１９に示す実施形態５のものと同一である。
【０１２８】
複数のマスクスペーサ１２３は、それぞれの高さが、基板１１０上の表示領域の中央部を含む直線状領域（図１９では、基板中央の縦方向の直線状領域）において最も高く、この直線状領域の両側のそれぞれの外側（図１９では、左方及び右方）に向かうに従って低くなっている。マスクスペーサ１２３の高さは、直線状領域においては例えば５〜６μｍであり、また、その周辺部においては例えば０．３〜１．５μｍである。表示領域中央から表示領域周辺部にかけてのマスクスペーサ１２３の高さの分布は、製造において蒸着の際に蒸着マスク２００を重ね合わせたときの蒸着マスク２００の撓み形状に沿うよう高さとなるように設計されている。図２２及び２３は、マスクスペーサ１２３のスペーサ高さの分布を示す図である。
【０１２９】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
実施形態６の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、マスクスペーサ１２３のスペーサ高さが、表示領域の中央部を含む直線状領域において最も高く、直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って低くなるようにマスクスペーサ１２３を形成することを除いて、実施形態５と同一である。
【０１３０】
なお、赤色補助画素１３１Ｒ、緑色補助画素１３１Ｇ、及び青色補助画素１３１Ｂが図９に示すようにそれぞれ矩形であって、三者が横に並列して配されており、さらに、隣り合う画素１３０同士において赤色補助画素１３１Ｒと赤色補助画素１３１Ｒ、緑色補助画素１３１Ｇと緑色補助画素１３１Ｇ、及び青色補助画素１３１Ｂと青色補助画素１３１Ｂがライン状に並んで配されているとき、ライン方向と直線状領域の直線方向とが一致するようにマスクスペーサ１２３の配設密度の分布を設けることが好ましい。この場合、直線方向にはスペーサ高さの分布を設けないので直線方向の蒸着ずれの抑制効果は実施形態１の場合に比べて劣るものの、直線方向には同じ色の発光を行う有機層１２４が設けられるので、蒸着ずれが起こったとしても異なる色同士の混色は生じない。
【０１３１】
−実施形態６の効果−
実施形態６の構成によれば、マスクスペーサ１２３のスペーサ高さが表示領域中央を含む直線状領域において最も高く、且つその直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って低くなっているので、基板に蒸着マスク２００を重ね合わせると、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持される。
【０１３２】
蒸着マスクを重ね合わせたときに複数のマスクスペーサが一様なスペーサ高さとなっている場合には、基板と蒸着マスクとの距離は、直線状領域においてはマスクスペーサの長さに蒸着マスクの撓み分を加えた長さとなっている。また、外側の領域においてはマスクスペーサの長さとなっている。しかしながら、実施形態６によれば、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持されているので、基板と蒸着マスク２００との距離は、直線状領域においてはスペーサ高さの長さとなっている。また、外側の領域においては直線状領域よりも低く形成されたスペーサ高さの長さとなっている。したがって、直線状領域においてもその外側の領域においても基板と蒸着マスク２００との距離を小さくすることができる。その結果、基板上に有機層を蒸着形成する際に蒸着物の拡散が小さくなり、有機層が所定領域からずれて形成されるのを抑制することができて高輝度で画素欠陥の少ない高品位の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。さらに、蒸着ずれが抑制されることにより、各補助画素の領域の境界部分での混色が抑制されるので、コントラスト比の優れた有機ＥＬ表示装置が得られる。
【０１３３】
なお、各色補助画素１３１がライン状に並んで配された有機ＥＬ表示装置１００の場合、直線方向にスペーサ高さの分布を設けないので実施形態５と比較して直線方向の蒸着ずれの抑制効果が低減されるものの、直線方向には同じ色の発光を行う有機層１２４が設けられるので、異なる色同士の混色は生じない。
【０１３４】
《その他の実施形態》
その他、例えば複数のマスクスペーサ１２３が配設密度が不均一であって且つそれぞれの頂面の面積が不均一なレイアウトで形成されており、これらがスペーサ頂部包絡手段を構成している有機ＥＬ表示装置１００であっても、本発明の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【０１３５】
以上説明したように、本発明は有機ＥＬ表示装置及びその製造方法について有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１３６】
【図１】有機ＥＬ表示装置の表示領域を示す平面図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩにおける断面図である。
【図３】実施形態１にかかる基板上のマスクスペーサの配設レイアウトを示す図である。
【図４】基板と蒸着マスクとの支持状態を示す断面図である。
【図５】実施形態１のマスクスペーサの配設密度を示す図である。
【図６】実施形態１のマスクスペーサの配設密度を示すグラフである。
【図７】実施形態１にかかる（ａ）表示領域中央の画素及び（ｂ）周辺部画素のマスクスペーサの配設レイアウトの拡大図である。
【図８】（ａ）表示領域中央の画素及び（ｂ）周辺部画素の蒸着マスクの取り付け状態を示す説明図である。
【図９】実施形態２にかかる基板上のマスクスペーサの配設レイアウトを示す図である。
【図１０】実施形態２のマスクスペーサの配設密度を示す図である。
【図１１】実施形態２のマスクスペーサの配設密度を示すグラフである。
【図１２】実施形態３にかかる基板上のマスクスペーサの配設レイアウトを示す図である。
【図１３】実施形態３のマスクスペーサの頂部の面積の分布を示す図である。
【図１４】実施形態３のマスクスペーサの頂部の面積の分布を示すグラフである。
【図１５】実施形態３にかかる（ａ）表示領域中央の画素及び（ｂ）周辺部画素のマスクスペーサの配設レイアウトの拡大図である。
【図１６】実施形態４にかかる基板上のマスクスペーサの配設レイアウトを示す図である。
【図１７】実施形態４のマスクスペーサの頂部の面積の分布を示す図である。
【図１８】実施形態４のマスクスペーサの頂部の面積の分布を示すグラフである。
【図１９】実施形態５にかかる基板上のマスクスペーサの配設レイアウトを示す図である。
【図２０】実施形態５のマスクスペーサの高さの分布を示す図である。
【図２１】任意のマスクスペーサの高さを得るための連続多重露光の説明図である。
【図２２】実施形態６のマスクスペーサの高さの分布を示す図である。
【図２３】実施形態６のマスクスペーサの高さの分布を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１３７】
１００ 有機ＥＬ表示装置
１１０ 基板（ＴＦＴ基板）
１２３ マスクスペーサ
１３０ 画素
２００ マスク（蒸着マスク）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報処理機器の多様化に伴い、陰極線管（ＣＲＴ）よりも消費電力が少なく、薄型化が可能であるフラットパネルディスプレイに対する需要が高まってきている。低電圧駆動、全固体型、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとしては、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置が挙げられる。
【０００３】
フルカラー表示を行う有機ＥＬ表示装置の方式としては、赤色発光有機ＥＬ素子、緑色発光有機ＥＬ素子、及び青色発光有機ＥＬ素子を並置して画素を構成したＲＧＢ塗り分け方式や、白色発光有機ＥＬ素子と赤色、緑色、及び青色のカラーフィルタとを組み合わせたカラーフィルタ方式、青色発光有機ＥＬ素子と赤色・緑色への色変換フィルタとを組み合わせた色変換方式等が挙げられる。これらのうち、消費電力や色再現範囲に優れる点から、ＲＧＢ塗り分け方式が広く採用されている。
【０００４】
ＲＧＢ塗り分け方式の有機ＥＬ表示装置において、各色の発光層をパターニングする方法として蒸着マスクを用いた真空蒸着法が挙げられる。
【０００５】
特許文献１には、有機ＥＬ表示装置の発光層を蒸着マスクを用いた真空蒸着法で形成する方法において、表示領域内に隔壁部が形成されると共に、表示領域を取り囲む周辺領域内にスペーサ部が隔壁部よりも低い高さとなるように形成することが開示されている。
【特許文献１】特開２００７−１２３０２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、蒸着マスクを用いて発光層を形成する場合、蒸着しようとする所定領域内からずれたエリアに発光層が形成されてしまうという問題がある。特に、フルカラー表示を行う有機ＥＬ素子においては、発光層が所定領域からずれて、隣接する他色の発光層の領域に形成されると、その部分が混色し有機ＥＬ表示装置全体としての輝度が低下してしまったり、蒸着されない部分が欠陥となり表示品位が低下したりする問題がある。
【０００７】
本発明は、発光層が所定領域からずれて形成されるのを抑制して、表示輝度の高い有機ＥＬ表示装置を製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板上に、該基板上に配設された複数のマスクスペーサを介してマスクを設け、該基板下方からの蒸着により該基板表面の所定部分に有機層を形成する有機層蒸着工程を備えたものであって、
複数のマスクスペーサは、基板上の表示領域に設けられていると共に、マスクを基板上に設けた際に該マスクによってスペーサ頂部が包絡されるようにスペーサ頂部包絡手段を構成していることを特徴とする。
【０００９】
上記の構成によれば、基板にマスクの重ね合わせを行ったときに、マスクスペーサがスペーサ頂部包絡手段を構成しているので、マスクがスペーサ頂部を包絡した状態で保持される。これにより、マスクを重ね合わせたときに複数のマスクスペーサが一様なスペーサ高さとなっている場合と比較して、表示領域中央においても表示領域周辺部においても基板とマスクとの距離を小さくすることができる。その結果として、基板上に有機層を蒸着する際に蒸着物の拡散が小さくなり、有機層が所定領域からずれて形成されるのを抑制することができる。
【００１０】
上記スペーサ頂部包絡手段は、複数のマスクスペーサの配設密度が不均一である構成であってもよい。
【００１１】
その場合、上記複数のマスクスペーサの配設密度は、表示領域中央において最も大きく且つ該表示領域中央から外側に向かうに従って小さくなることが好ましい。
【００１２】
或いは、上記複数のマスクスペーサの配設密度は、表示領域中央を含む直線状領域において最も大きく且つ該直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って小さくなってもよい。
【００１３】
上記の構成によれば、マスクスペーサの配設密度が不均一であるので、マスクを重ね合わせると配設密度が小さい領域ではマスクスペーサが圧縮されてスペーサ高さが低くなる。そのため、マスクがスペーサ頂部を包絡するように位置付けることができる。
【００１４】
上記スペーサ頂部包絡手段は、複数のマスクスペーサの頂面の面積が不均一である構成であってもよい。
【００１５】
その場合、上記複数のマスクスペーサの頂面の面積は、表示領域中央において最も大きく且つ該表示領域中央から外側に向かうに従って小さくなることが好ましい。
【００１６】
或いは、上記複数のマスクスペーサの頂面の面積は、表示領域中央を含む直線状領域において最も大きく且つ該直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って小さくなってもよい。
【００１７】
上記の構成によれば、マスクスペーサの頂面の面積が不均一であるので、マスクを重ね合わせると頂面の面積が小さい領域ではマスクスペーサが圧縮されてスペーサ高さが低くなる。そのため、マスクがスペーサ頂部を包絡するように位置付けることができる。
【００１８】
上記スペーサ頂部包絡手段は、複数のマスクスペーサの高さが不均一である構成であってもよい。
【００１９】
その場合、上記複数のマスクスペーサの高さは、表示領域中央において最も高く且つ該表示領域中央から外側に向かうに従って低くなることが好ましい。
【００２０】
或いは、上記複数のマスクスペーサの高さは、表示領域中央を含む直線状領域において最も高く且つ該直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って低くなってもよい。
【００２１】
また、上記有機層蒸着上底の前に、基板上に連続多重露光によるフォトリソグラフィ技術により高さが不均一である複数のマスクスペーサを形成するスペーサ形成工程をさらに備えていてもよい。
【００２２】
上記の構成によれば、マスクスペーサのスペーサ高さがマスクの撓みの形状に沿うように形成されるので、表示領域周辺部のマスクスペーサを圧縮して縮めるための外力をマスクに付与することなく、スペーサ頂部がマスクに包絡されるように基板に重ね合わせることができる。
【００２３】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上記の有機ＥＬ表示装置の製造方法を用いて製造されたものである。
【発明の効果】
【００２４】
本発明は、基板上に、該基板上に配設された複数のマスクスペーサを介してマスクを設け、該基板下方からの蒸着により該基板表面の所定部分に有機層を形成する有機層蒸着工程を備え、複数のマスクスペーサは、基板上の表示領域に設けられていると共に、マスクを基板上に設けた際に該マスクによってスペーサ頂部が包絡されるようにスペーサ頂部包絡手段を構成しているので、有機層が基板上の所定領域からずれて形成されるのを抑制することができ、結果として、輝度の高く、欠陥の少ない高品位の有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、実施形態について図面に基づいて詳細に説明する。
【００２６】
《実施形態１》
（有機ＥＬ表示装置）
図１及び２は、実施形態１のＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置１００を示す。この有機ＥＬ表示装置１００は、例えば、携帯電話やカーナビ等のディスプレイとして用いられる。
【００２７】
有機ＥＬ表示装置１００は、ＴＦＴ基板１１０上に有機ＥＬ素子１２０が設けられ、これらが不活性ガス雰囲気下で接着剤を介して設けられたガラス、フィルム等からなる封止部材（それぞれ不図示）により封止された構造を有する。そして、それらによって複数の画素１３０がマトリクス状に構成されており、画素１３０によって画像表示を行う。なお、各画素１３０のそれぞれは、赤色補助画素１３１Ｒ、緑色補助画素１３１Ｇ、及び青色補助画素１３１Ｂの３つの補助画素で構成されている。
【００２８】
ＴＦＴ基板１１０は、絶縁基板１１０上に複数のゲート線が横方向に並行に延びるように設けられていると共に、複数のソース線がゲート線の延びる方向と角度をなす方向（典型的には直交方向）に並行に延びるように設けられ、ゲート線とソース線との各交差部に対応してＴＦＴが設けられている。ＴＦＴは、各画素１３０に対応するようにマトリクス状に複数配設されており、対応するゲート線及びソース線のそれぞれに電気的に接続されている。また、ＴＦＴ基板１１０には、ＴＦＴの上層に平坦化膜が設けられている。ＴＦＴ基板１１０は、例えばガラス又はプラスチック等の絶縁性の材料で構成されている。ＴＦＴ基板１１０は、例えば厚さが０．７〜１．１ｍｍ、縦長さが４００〜５００ｍｍ、及び横長さが３００〜４００ｍｍである。
【００２９】
有機ＥＬ素子１２０は、ＴＦＴ基板１１０表面に設けられており、ＴＦＴ基板１１０上に第１電極１２１がパターン形成され、画素表示を行わない領域にエッジカバー１２２及びマスクスペーサ１２３が設けられていると共に、画素表示部分には有機層１２４及び第２電極１２５が順に積層された構成を有する。
【００３０】
第１電極１２１は、導電性材料で形成されており、ＴＦＴ基板１１０の平坦化膜上に各画素１３０に対応するように設けられている。第１電極１２１は、有機層１２４にホール（正孔）を注入する機能を有する。第１電極１２１は、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ，ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の導電性の材料で構成されている。第１電極１２１は、例えば厚さが５０〜１５０ｎｍである。
【００３１】
第１電極１２１上には、画素１３０と画素１３０との間の部分や補助画素１３１と補助画素１３１との間の部分に、絶縁性の材料でエッジカバー１２２が設けられている。エッジカバー１２２は、隣り合う補助画素１３１同士を隔てる隔壁部としての機能を有すると共に、第１電極１２１の端部を被覆することにより端部での第１電極１２１と第２電極１２５との短絡を防止する機能を有する。エッジカバー１２２は、例えば幅が１０〜１００μｍ及び高さが０．３〜２μｍの壁状に形成されている。エッジカバー１２２を形成している材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ゾル−ゲル樹脂、ノボラック樹脂等の感光性樹脂が挙げられる。また、アクリル系樹脂としては、例えばＪＳＲ社製のオプトマーシリーズ等を用いることができる。
【００３２】
エッジカバー１２２の所定部分には、基板１１０とは反対の方向に突出するように柱状のマスクスペーサ１２３が設けられている。マスクスペーサ１２３は、後述する有機ＥＬ表示装置１００の製造において、蒸着の際に蒸着マスク２００を重ね合わせるときのスペーサとしての機能を有する。これにより、蒸着の際に蒸着マスク２００が基板１１０に直接接触して基板１１０の表面が損傷を受けることを防止できる。マスクスペーサ１２３を形成している材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ゾル−ゲル樹脂、ノボラック樹脂等の感光性樹脂が挙げられる。また、アクリル系樹脂としては、例えばＪＳＲ社製のオプトマーシリーズ等を用いることができる。マスクスペーサ１２３は、エッジカバー１２２と同一の材料で形成されていても、異種の材料で形成されていてもよい。マスクスペーサ１２３のそれぞれは、例えば、断面形状が径４〜７０μｍの円形であって、高さが０．３〜６μｍである。
【００３３】
ここで、マスクスペーサ１２３が単位面積あたりに配設されている本数を配設密度という。マスクスペーサ１２３は、図３に示すように、基板１１０上の表示領域の中央部において配設密度が最も大きく、表示領域中央から外側に向かうに従って、配設密度が小さくなっている。そして、複数のマスクスペーサ１２３の配設密度が不均一であることが、後述の製造工程におけるスペーサ頂部包絡手段を構成している。マスクスペーサ１２３の配設密度は、表示領域中央においては例えば４００〜８５０本／ｍｍ２であり、また、表示領域周辺部においては例えば７〜４５本／ｍｍ２である。表示領域中央から表示領域周辺部にかけてのマスクスペーサ１２３の配設密度の分布は、製造において蒸着の際に蒸着マスク２００を重ね合わせたときに、蒸着マスク２００によって圧縮変形されて蒸着マスク２００の撓み形状に沿うような高さ分布となるように設計されている。この分布については、製造方法の項において詳細に後述する。なお、この配設密度の分布は、例えば、基板平面上に略同心円状に広がっていてもよい。
【００３４】
有機層１２４は、第１電極１２１側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層が順に積層された構造を有する。なお、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層は必須ではなく、必要に応じて積層すればよく、削除することも可能である。
【００３５】
正孔注入層及び正孔輸送層は、それぞれ発光層への正孔注入効率及び正孔輸送効率を高める機能を有する。正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、或いはこれらの誘導体、又は、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物或いはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマー或いはポリマー等が挙げられる。正孔注入層及び正孔輸送層は、それぞれ独立に構成されていても一体に構成されていてもよく、後者の場合は、例えば厚さが１０〜１００ｎｍである。
【００３６】
発光層は、第１電極１２１側から注入されたホール（正孔）と第２電極１２５側から注入された電子とを再結合させて光を出射させる機能を有する。発光層は、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の発光効率が高い材料で形成されている。発光層の材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、或いはこれらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体ジトルイルビニルビフェニルが挙げられる。発光層は、例えば厚さが３０〜１００ｎｍである。
【００３７】
電子輸送層及び電子注入層は、それぞれ、第２電極１２５から発光層への電子輸送効率及び電子注入効率を高める機能を有する。電子輸送層及び電子注入層の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、又はこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリン又はこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。電子輸送層及び電子注入層は、それぞれ独立に構成されていても一体に構成されていてもよく、後者の場合は、例えば厚さが１０〜１００ｎｍである。
【００３８】
第２電極１２５は、有機層１２４に電子を注入する機能を有する。第２電極１２５の材料としては、例えば、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウム、仕事関数の小さい金属等が挙げられる。第２電極１２５は、例えば厚さが５０〜１００ｎｍである。
【００３９】
第２電極１２５を覆うように保護膜（図示せず）が設けられていてもよい。保護膜は、絶縁性や導電性の材料で形成されており、厚さが例えば１００〜１０００ｎｍである。保護膜は、水や酸素が有機層１２４へ混入するのを阻止する機能を有する。
【００４０】
封止部材は、例えば、ガラスやシリコンで形成されている。封止部材は、例えば熱硬化性樹脂の接着剤でＴＦＴ基板１１０に接着されており、有機層１２４に水や酸素等が混入しないように有機ＥＬ素子１２０を封止する機能を有する。微量に混入した水や酸素を捕捉するために、さらに乾燥剤が封入されていてもよい。
【００４１】
封止部材やＴＦＴ基板１１０の外側表面にはそれぞれ偏光板が設けられていてもよい。
【００４２】
以上の構成の有機ＥＬ表示装置１００では、各画素１３０において、ＴＦＴがオンとなった際に、有機層１２４に対し、第１電極１２１からホール（正孔）が注入されると共に第２電極１２５から電子が注入され、それらのホールと電子とが発光層で再結合し、それによって放出されたエネルギーが発光層の発光材料を励起させ、励起された発光材料が励起状態から基底状態に戻るときに蛍光や燐光を放出し、その蛍光や燐光が有機層１２４の発光として外部に出射され、画素１３０全体として所定の画像を表示することとなる。
【００４３】
なお、本実施形態では、第１電極１２１が陽極及び第２電極１２５が陰極である構成としたが、第１電極１２１が陰極及び第２電極１２５が陽極の逆構造型有機ＥＬ素子であってもよい。この場合、第１電極１２１から有機層１２４に電子が注入されると共に第２電極１２５から有機層１２４にホールが注入されて両者が再結合することにより有機層１２４が発光し、画素１３０全体として所定の画像を表示を行う。
【００４４】
また、本実施形態ではＴＦＴアレイが形成されたアクティブ型の有機ＥＬ表示装置１００について説明したが、特にこれに限られるものではなく、例えばＴＦＴアレイが形成されていないパッシブ型の有機ＥＬ表示装置であってもよい。
【００４５】
さらに、本実施形態ではＲＧＢの３色の補助画素１３１で１画素１３０が構成されているとしたが、特にこれに限られず、例えば白色発光を行う白色補助画素を加えたＲＧＢＷの４色の補助画素で１画素が構成されていてもよい。また、各補助画素１３１が図１等に示すように矩形に形成されていてもよく、その他の形状であってもよい。また、各補助画素１３１の配置も特にこれに限定されるものではない。
【００４６】
さらに、本実施形態では、基板１１０側から光を取り出すボトムエミッション型の構成としたが、封止部材側から光を取り出すトップエミッション型の構成としてもよい。その場合、第１電極１２１は例えばアルミニウムや銀合金（ＡＰＣ等）の反射性の材料で形成され、第２電極１２５は光透過性の材料で例えば１０〜３０ｎｍの厚さとなるように形成される。
【００４７】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
次に、上記有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。この有機ＥＬ表示装置１００の製造方法は、第１電極等形成工程、有機層蒸着工程、及び第２電極等形成工程を備えている。
【００４８】
＜第１電極等形成工程＞
まず、公知の方法により作製したＴＦＴ基板１１０の平坦化膜に各ＴＦＴ毎にドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成する。そして、スパッタ法によって、そのコンタクトホールと電気的に接続するように第１電極１２１となるＩＴＯ膜を形成し、フォトリソグラフィを用いてパターニングを行い、さらに、エッチング液として塩化第２鉄を用いてエッチングをすることにより、各画素表示領域に対応する形状の第１電極１２１を形成する。
【００４９】
次に、補助画素１３１の発光領域以外の部分に対応するようにエッジカバー１２２を形成する。まず、例えばスピンコート法によって絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィを用いてパターニングを行い、その後に熱硬化を行ってエッジカバー１２２を形成する。
【００５０】
続いて、エッジカバー１２２上の所定の領域に柱状のマスクスペーサ１２３を形成する。
【００５１】
まず、例えばスピンコート法によって、アクリルからなる感光性樹脂を６μｍ程度の膜厚となるようにして塗布する。なお、感光性樹脂膜を塗布した後にプリベークを行った後に、再度塗布とプリベークの工程を繰り返すことによって感光性樹脂膜を任意の厚さに成膜してもよい。
【００５２】
感光性樹脂膜を塗布した後、これを任意のパターン形状が描かれた露光マスクで覆って露光し、露光マスクの形成されていない部分をエッチングして、所定のパターン形状のマスクスペーサ１２３を形成する。感光性樹脂膜の露光は、ステッパ露光方式等の分割露光方式で行ってもよく、ミラープロジェクション露光方式等の一括露光方式で行ってもよい。
【００５３】
このとき、マスクスペーサ１２３の配設密度が、表示領域中央において最も大きく、且つ、その表示領域中央から外側に向かうに従って小さくなるようにパターニングする。この配設密度の分布は、後工程である有機層蒸着工程において蒸着マスク２００を重ね合わせたときに蒸着マスク２００によって圧縮変形されて蒸着マスク２００の撓み形状に沿うような高さ分布となるように計算した配設密度の分布とする。
【００５４】
なお、フックの法則を用いて配設密度の分布を計算する。具体的には、加わる力をＦ，１画素あたりのマスクスペーサ面積をＳ，マスクスペーサのひずみ量をε、ヤング率をＥ，マスクスペーサの変形量をΔＬ、マスクスペーサの元の長さをＬ，１画素あたりのマスクスペーサの個数をη、及び、マスクスペーサの面積をｓとして、以下の数１で表される。
【００５５】
【数１】
【００５６】
これより、ひずみ量εは、１画素あたりのマスクスペーサの面積に反比例することが分かる。つまり、マスクスペーサの配設密度が小さくなると、マスクスペーサの圧縮による変形量が大きくなる。
【００５７】
数１に基づいて所定のひずみ量となるように計算を行った計算例を表１に示す。
【００５８】
【表１】
【００５９】
表１において、マスク撓み変化率は、その位置における単位長さ当たりに対する撓み量の変化度合いを示している。また、スペーサ高さ変化率はその位置における単位長さ当たりに対するスペーサ高さの変化度合いを示している。なお、ここではスペース高さ変化率がマスク撓み変化率を超えないように規定している。これにより、マスクスペーサ１２３の変形によって蒸着マスク２００と基板１１０との間に想定しない空隙が発生することを抑制することができる。このマスク撓み変化率に従ってマスクスペーサ１２３が分布するようにパターニングする。
【００６０】
＜有機層蒸着工程＞
次いで、蒸着マスク２００を用いた真空蒸着法によって、第１電極１２１上に有機層１２４を形成する。具体的には、例えば、有機層１２４が低分子型の有機層１２４である場合、まず、ＮＰＰ（N,N-di(naphthalene-1-yl)-N,N-diphenyl-benzidene）の正孔注入層兼正孔輸送層を成膜し、次に、発光層を成膜した後、Ａｌｑ３（アルミニウムキノリノール錯体(aluminato-tris-8-hydroxyquinolate)）の電子輸送層兼電子注入層を成膜することにより形成する。
【００６１】
以下、この真空蒸着法について詳述する。この真空蒸着法では、蒸着マスク２００と、基板ホルダ４１、マスクホルダ４２、及び蒸着源４３を備えた真空チャンバとを使用する。真空チャンバには蒸着源４３が複数設けられていてもよい。蒸着マスク２００は、例えば、インバー、ニッケル等で構成されている。蒸着マスク２００は、例えば、縦長さが４００〜５００ｍｍ、横長さが３００〜４００ｍｍ、及び厚さが１０〜１００μｍであり、マスクフレームで固定されている。マスクフレームは例えば幅４０ｍｍ、厚さ３０ｍｍである。なお、蒸着源４３は、基板１１０の下方に位置している。基板１１０の上方から有機物の蒸着を行った場合、蒸着分子同士が結合して大きな塊（クラスタ）となり、基板上に形成する膜が不揃いの大きさの粒子で構成されることとなり好ましくないが、基板の下方から蒸着した場合、クラスタは自重により下方（蒸着源４３側）に落ちてしまうので、基板上には均一な大きさの粒子からなる膜を形成することができる。
【００６２】
まず、図４に示すようにＴＦＴ基板１１０を基板ホルダ４１に取り付ける。このとき、有機層１２４を形成する面が下になるようにする。
【００６３】
次に、マスクホルダ４２に蒸着マスク２００を取り付ける。このとき、マスクホルダ４２で保持した部分を上方に引き上げる力を加え、蒸着マスク２００がマスクスペーサ１２３に密着するような張力を与える。なお、ここでいう密着とは、マスクスペーサ１２３の配設密度が小さい部分に圧力がかかる程度に蒸着マスク２００がマスクスペーサ１２３に密着していればよく、全てのマスクスペーサ１２３が蒸着マスク２００と接することを要さない。
【００６４】
図５及び６は、マスクスペーサ１２３の配設密度の分布を示す図である。図７（ａ）に示す配設密度の大きい表示領域中央においては、蒸着マスク２００に上向きの張力が付与されても、マスクスペーサ１２３が圧縮されてスペーサ高さが低くなることはない。一方、図７（ｂ）に示す配設密度の小さい表示領域周辺部においては、蒸着マスク２００に上向きの張力が付与されることにより、マスクスペーサ１２３が圧縮されて、表示領域中央よりもスペーサ高さが低くなる。これによってマスクスペーサのスペーサ高さが不均一化されるので、蒸着マスク２００をマスクホルダ４２に取り付けることにより、マスクスペーサ１２３が蒸着マスク２００に包絡されるように位置する状態となる。
【００６５】
続いて、蒸着源４３を加熱して蒸着を行う。このときの蒸着条件は、例えば、温度が２００〜３００℃、圧力が１０−５〜１０−４Ｐａ，及び蒸着速度が０．０５〜０．１ｎｍ／ｓｅｃである。この蒸着を行うことによってＴＦＴ基板１１０上に有機層１２４を形成する。
【００６６】
なお、蒸着マスク２００を用いた真空蒸着法によって有機層１２４を形成するとして説明したが、少なくとも発光層をこの方法によって形成すればよく、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層については、パターニングを行って形成する必要のないときは蒸着マスク２００を使用しない。
【００６７】
＜第２電極等形成工程＞
続いて、例えば真空蒸着法等を用いて、画素領域の全体に第２電極１２５を形成する。
【００６８】
そして、イオンビームスパッタ法等によって第２電極１２５を覆うように保護膜を形成する。続いて、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中で有機ＥＬ素子が形成された基板を封止樹脂及び封止ガラスで封止する。また、必要に応じてカラーフィルタ基板や偏光板等を貼り合わせる。このようにして有機ＥＬ表示装置１００が製造される。
【００６９】
−実施形態１の効果−
実施形態１の構成によれば、マスクスペーサ１２３の配設密度が表示領域中央において最も大きく、且つ表示領域周辺部に向かうに従って小さくなっているので、基板に蒸着マスク２００を重ね合わせると、配設密度の小さい表示領域周辺部に設けられたマスクスペーサ１２３が圧縮されて表示領域中央のマスクスペーサ１２３よりもスペーサ高さが低くなる。こうして、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持される。
【００７０】
蒸着マスクを重ね合わせたときに複数のマスクスペーサが一様なスペーサ高さとなっている場合には、基板と蒸着マスクとの距離は、表示領域中央においてはマスクスペーサの長さに蒸着マスクの撓み分を加えた長さとなっている。また、表示領域周辺部においてはマスクスペーサの長さとなっている。しかしながら、実施形態１によれば、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持されているので、基板と蒸着マスク２００との距離は、表示領域中央においては、図８（ａ）に示すようにスペーサ高さの長さとなっている。また、表示領域周辺部においては、図８（ｂ）に示すように圧縮されて縮められたスペーサ高さの長さとなっている。したがって、表示領域中央においても表示領域周辺部においても基板と蒸着マスク２００との距離を小さくすることができる。その結果、基板上に有機層を蒸着形成する際に蒸着物の拡散が小さくなり、有機層が所定領域からずれて形成されるのを抑制することができて高輝度で画素欠陥の少ない高品位の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。さらに、蒸着ずれが抑制されることにより、各補助画素の領域の境界部分での混色が抑制されるので、コントラスト比の優れた有機ＥＬ表示装置が得られる。
【００７１】
また、実施形態１にかかるスペーサ頂部包絡手段は、マスクスペーサ１２３の形成パターンを工夫することによって設けることができるので、製造方法に複雑な工程を追加することなく容易に上記の効果を得ることができる。
【００７２】
《実施形態２》
（有機ＥＬ表示装置）
実施形態２にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、マスクスペーサ１２３の形成パターンを除いて、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１００と同一の構成を有する。なお、同一名称の構成については、実施形態１と共通の参照符号を用いて説明する。
【００７３】
図９は、実施形態２にかかるマスクスペーサ１２３の配設レイアウトを示す。
【００７４】
複数のマスクスペーサ１２３は、基板１１０上の表示領域の中央部を含む直線状領域（図９では、基板中央の縦方向の直線状領域）において配設密度が最も大きく、この直線状領域の両側のそれぞれの外側（図９では、左方及び右方）に向かうに従って、配設密度が小さくなっている。マスクスペーサ１２３の配設密度は、直線状領域においては例えば４００〜８５０本／ｍｍ２であり、また、その周辺部においては例えば７〜４５本／ｍｍ２である。表示領域中央から表示領域周辺部にかけてのマスクスペーサ１２３の配設密度の分布は、製造において蒸着の際に蒸着マスク２００を重ね合わせたときに、蒸着マスク２００によって圧縮変形されて蒸着マスク２００の撓み形状に沿うような高さ分布となるように設計されている。図１０及び１１は、マスクスペーサ１２３の配設密度の分布を示す図である。
【００７５】
なお、図９では基板の縦方向が直線状領域の直線方向となっているが、特にこれに限られるものではなく、例えば基板の斜め方向が直線状領域の直線方向であってもよい。
【００７６】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
実施形態２の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、マスクスペーサ１２３の配設密度が、表示領域の中央部を含む直線状領域において最も大きく、直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って小さくなるようにマスクスペーサ１２３を形成することを除いて、実施形態１と同一である。
【００７７】
なお、赤色補助画素１３１Ｒ、緑色補助画素１３１Ｇ、及び青色補助画素１３１Ｂが図９に示すようにそれぞれ矩形であって、三者が横に並列して配されており、さらに、隣り合う画素１３０同士において赤色補助画素１３１Ｒと赤色補助画素１３１Ｒ、緑色補助画素１３１Ｇと緑色補助画素１３１Ｇ、及び青色補助画素１３１Ｂと青色補助画素１３１Ｂが隣り合うように配置されている（以下、「ライン状に並んで配されている」という）とき、ライン方向と直線状領域の直線方向とが一致するようにマスクスペーサ１２３の配設密度の分布を設けることが好ましい。この場合、直線方向には配設密度の分布を設けないので直線方向の蒸着ずれの抑制効果は実施形態１の場合に比べて劣るものの、直線方向には同じ色の発光を行う有機層１２４が設けられるので、蒸着ずれが起こったとしても異なる色同士の混色は生じない。
【００７８】
−実施形態２の効果−
実施形態２の構成によれば、マスクスペーサ１２３の配設密度が表示領域中央を含む直線状領域において最も大きく、且つその直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って小さくなっているので、基板に蒸着マスク２００を重ね合わせると、配設密度の小さい外側の領域に設けられたマスクスペーサ１２３が圧縮されて直線状領域のマスクスペーサ１２３よりもスペーサ高さが低くなる。こうして、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持される。
【００７９】
蒸着マスクを重ね合わせたときに複数のマスクスペーサが一様なスペーサ高さとなっている場合には、基板と蒸着マスクとの距離は、直線状領域においてはマスクスペーサの長さに蒸着マスクの撓み分を加えた長さとなっている。また、外側の領域においてはマスクスペーサの長さとなっている。しかしながら、実施形態２によれば、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持されているので、基板と蒸着マスク２００との距離は、直線状領域においてはスペーサ高さの長さとなっている。また、外側の領域においては圧縮されて縮められたスペーサ高さの長さとなっている。したがって、直線状領域においてもその外側の領域においても基板と蒸着マスク２００との距離を小さくすることができる。その結果、基板上に有機層を蒸着形成する際に蒸着物の拡散が小さくなり、有機層が所定領域からずれて形成されるのを抑制することができて高輝度で画素欠陥の少ない高品位の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。さらに、蒸着ずれが抑制されることにより、各補助画素の領域の境界部分での混色が抑制されるので、コントラスト比の優れた有機ＥＬ表示装置が得られる。
【００８０】
また、実施形態２にかかるスペーサ頂部包絡手段は、マスクスペーサ１２３の形成パターンを工夫することによって設けることができるので、製造方法に複雑な工程を追加することなく容易に上記の効果を得ることができる。しかも、直線状領域の直線方向には配設密度の分布を設けないので、実施形態１よりも容易に設計することができる。特にマスクスペーサ１２３のパターニングをステッパ露光方式によって行う場合には、使用する露光枚数を低減できる可能性があり、有機ＥＬ表示装置１００の製造が容易になる。
【００８１】
なお、各色補助画素１３１がライン状に並んで配された有機ＥＬ表示装置１００の場合、直線方向に配設密度の分布を設けないので実施形態１と比較して直線方向の蒸着ずれの抑制効果が低減されるものの、直線方向には同じ色の発光を行う有機層１２４が設けられるので、異なる色同士の混色は生じない。
【００８２】
《実施形態３》
（有機ＥＬ表示装置）
実施形態３にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、マスクスペーサ１２３の形成パターンを除いて実施形態１と同一の構成を有する。
【００８３】
図１２は、実施形態３にかかるマスクスペーサ１２３の配設レイアウトを示す。ここでは、基板１１０上の表示領域におけるマスクスペーサ１２３の配設密度は一定となっている。複数のマスクスペーサ１２３は、頂面の面積が不均一であり、スペーサ頂部包絡手段を構成している。なお、マスクスペーサ１２３の頂面の面積とは、蒸着マスク２００を基板に重ね合わせる時に蒸着マスク２００と接する部分の面積を意味する。
【００８４】
複数のマスクスペーサ１２３は、基板１１０上の表示領域中央部のマスクスペーサ１２３の頂面の面積が最も大きく、表示領域中央から外側に向かうに従って、マスクスペーサ１２３の頂面の面積が小さくなるように設けられている。それぞれのマスクスペーサ１２３の頂面の面積は、表示領域中央においては例えば７００〜４０００μｍ２であり、また、表示領域周辺部においては例えば１３〜８０μｍ２である。表示領域中央から表示領域周辺部にかけてのマスクスペーサ１２３の頂面の面積の分布は、蒸着マスク２００によって圧縮変形されて蒸着マスク２００の撓み形状に沿うような高さ分布となるように設計されている。
【００８５】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
次に、上記有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。この有機ＥＬ表示装置１００の製造方法は、第１電極等形成工程、有機層蒸着工程、及び第２電極等形成工程を備えている。
【００８６】
＜第１電極等形成工程＞
まず、実施形態１と同一の方法によって、ＴＦＴ基板１１０、第１電極１２１、及びエッジカバー１２２を形成する。
【００８７】
次に、実施形態１と同様に、エッジカバー１２２上にマスクスペーサ１２３を形成する。このとき、実施形態１とは異なったパターニングを行ってマスクスペーサ１２３を形成する。すなわち、表示領域におけるマスクスペーサ１２３の配設密度は一定である一方、複数のマスクスペーサ１２３のそれぞれの頂面の面積が示領域中央において最も大きく、且つ、その表示領域中央から外側に向かうに従って小さくなるように形成する。この頂面の面積の分布は、後工程である有機層蒸着工程において蒸着マスク２００を重ね合わせたときに蒸着マスク２００によって圧縮変形されて蒸着マスク２００の撓み形状に沿うような高さ分布となるように計算した分布とする。
【００８８】
なお、フックの法則を用いて頂面の面積の分布を計算する。具体的には、加わる力をＦ，１画素あたりのマスクスペーサ面積をＳ，マスクスペーサのひずみ量をε、ヤング率をＥ，マスクスペーサの変形量をΔＬ、及び、マスクスペーサの元の長さをＬとして、以下の数２で表される。
【００８９】
【数２】
【００９０】
これより、ひずみ量εは、１画素あたりのマスクスペーサの面積Ｓに反比例することが分かる。つまり、マスクスペーサの配設密度が一定のまま１画素あたりのマスクスペーサの頂面の面積が小さくなると、マスクスペーサの圧縮による変形量が大きくなる。
【００９１】
数２に基づいて所定のひずみ量となるように計算を行った計算例を表２に示す。
【００９２】
【表２】
【００９３】
表２において、マスクスペーサ頂面面積比は、表示領域中央に設けられたマスクスペーサの頂面の面積を１としたときのマスクスペーサの頂面の面積の比を示す。このマスクスペーサ頂面面積比に従ってマスクスペーサ１２３が分布するようにパターニングする。図１３及び１４は、マスクスペーサ１２３の頂面の面積の分布を示す図である。
【００９４】
＜有機層蒸着工程＞
実施形態１と同一の方法によって、真空蒸着法を用いて有機層１２４を形成する。このとき、図１５（ａ）に示す頂面の面積の大きい表示領域中央においては、蒸着マスク２００に上向きの張力が付与されても、マスクスペーサ１２３が圧縮されてスペーサ高さが低くなることはない。一方、図１５（ｂ）に示す頂面の面積の小さい表示領域周辺部においては、蒸着マスク２００に上向きの張力が付与されることにより、マスクスペーサ１２３が圧縮されて、表示領域中央よりもスペーサ高さが低くなる。これによってマスクスペーサのスペーサ高さが不均一化されるので、蒸着マスク２００をマスクホルダ４２に取り付けることにより、マスクスペーサ１２３が蒸着マスク２００に包絡されるように位置する状態となる。
【００９５】
＜第２電極等形成工程＞
実施形態１と同一の方法によって、第２電極１２５、保護膜、封止部材等を形成する。これにより、実施形態３にかかる有機ＥＬ表示装置１００が完成する。
【００９６】
−実施形態３の効果−
実施形態３の構成によれば、マスクスペーサ１２３の頂面の面積が表示領域中央において最も大きく、且つ表示領域周辺部に向かうに従って小さくなっているので、基板に蒸着マスク２００を重ね合わせると、頂面の面積の小さい表示領域周辺部に設けられたマスクスペーサ１２３が圧縮されて表示領域中央のマスクスペーサ１２３よりもスペーサ高さが低くなる。こうして、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持される。
【００９７】
蒸着マスクを重ね合わせたときに複数のマスクスペーサが一様なスペーサ高さとなっている場合には、基板と蒸着マスクとの距離は、表示領域中央においてはマスクスペーサの長さに蒸着マスクの撓み分を加えた長さとなっている。また、表示領域周辺部においてはマスクスペーサの長さとなっている。しかしながら、実施形態１によれば、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持されているので、基板と蒸着マスク２００との距離は、表示領域中央においてはスペーサ高さの長さとなっている。また、表示領域周辺部においては圧縮されて縮められたスペーサ高さの長さとなっている。したがって、表示領域中央においても表示領域周辺部においても基板と蒸着マスク２００との距離を小さくすることができる。その結果、基板上に有機層を蒸着形成する際に蒸着物の拡散が小さくなり、有機層が所定領域からずれて形成されるのを抑制することができて高輝度の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。さらに、蒸着ずれが抑制されることにより、各補助画素の領域の境界部分での混色が抑制されるので、コントラスト比の優れた有機ＥＬ表示装置が得られる。
【００９８】
また、実施形態３にかかるスペーサ頂部包絡手段は、マスクスペーサ１２３の形成パターンを工夫することによって設けることができるので、製造方法に複雑な工程を追加することなく容易に上記の効果を得ることができる。
【００９９】
《実施形態４》
（有機ＥＬ表示装置）
実施形態４にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、マスクスペーサ１２３の形成パターンを除いて、実施形態３にかかる有機ＥＬ表示装置１００と同一の構成を有する。
【０１００】
図１６は、実施形態４にかかるマスクスペーサ１２３の配設レイアウトを示す。
【０１０１】
複数のマスクスペーサ１２３は、基板１１０上の表示領域の中央部を含む直線状領域（図１６では、基板中央の縦方向の直線状領域）において頂面の面積が最も大きく、この直線状領域の両側のそれぞれの外側（図１６では、左方及び右方）に向かうに従って、頂面の面積が小さくなっている。マスクスペーサ１２３の頂面の面積は、直線状領域においては例えば７００〜４０００μｍ２であり、また、その周辺部においては例えば１３〜８０μｍ２である。表示領域中央から表示領域周辺部にかけてのマスクスペーサ１２３の頂面の面積の分布は、製造において蒸着の際に蒸着マスク２００を重ね合わせたときに、蒸着マスク２００によって圧縮変形されて蒸着マスク２００の撓み形状に沿うような高さ分布となるように設計されている。図１７及び１８は、マスクスペーサ１２３の頂面の面積の分布を示す図である。
【０１０２】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
実施形態４の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、マスクスペーサ１２３の頂面の面積が、表示領域の中央部を含む直線状領域において最も大きく、直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って小さくなるようにマスクスペーサ１２３を形成することを除いて、実施形態３と同一である。
【０１０３】
なお、赤色補助画素１３１Ｒ、緑色補助画素１３１Ｇ、及び青色補助画素１３１Ｂが図９に示すようにそれぞれ矩形であって、三者が横に並列して配されており、さらに、隣り合う画素１３０同士において赤色補助画素１３１Ｒと赤色補助画素１３１Ｒ、緑色補助画素１３１Ｇと緑色補助画素１３１Ｇ、及び青色補助画素１３１Ｂと青色補助画素１３１Ｂがライン状に並んで配されているとき、ライン方向と直線状領域の直線方向とが一致するようにマスクスペーサ１２３の配設密度の分布を設けることが好ましい。この場合、直線方向には頂面の面積の分布を設けないので直線方向の蒸着ずれの抑制効果は実施形態１の場合に比べて劣るものの、直線方向には同じ色の発光を行う有機層１２４が設けられるので、蒸着ずれが起こったとしても異なる色同士の混色は生じない。
【０１０４】
−実施形態４の効果−
実施形態４の構成によれば、マスクスペーサ１２３の頂面の面積が表示領域中央を含む直線状領域において最も大きく、且つその直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って小さくなっているので、基板に蒸着マスク２００を重ね合わせると、頂面の面積の小さい外側の領域に設けられたマスクスペーサ１２３が圧縮されて直線状領域のマスクスペーサ１２３よりもスペーサ高さが低くなる。こうして、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持される。
【０１０５】
蒸着マスクを重ね合わせたときに複数のマスクスペーサが一様なスペーサ高さとなっている場合には、基板と蒸着マスクとの距離は、直線状領域においてはマスクスペーサの長さに蒸着マスクの撓み分を加えた長さとなっている。また、外側の領域においてはマスクスペーサの長さとなっている。しかしながら、実施形態４によれば、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持されているので、基板と蒸着マスク２００との距離は、直線状領域においてはスペーサ高さの長さとなっている。また、外側の領域においては圧縮されて縮められたスペーサ高さの長さとなっている。したがって、直線状領域においてもその外側の領域においても基板と蒸着マスク２００との距離を小さくすることができる。その結果、基板上に有機層を蒸着形成する際に蒸着物の拡散が小さくなり、有機層が所定領域からずれて形成されるのを抑制することができて高輝度で画素欠陥の少ない高品位の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。さらに、蒸着ずれが抑制されることにより、各補助画素の領域の境界部分での混色が抑制されるので、コントラスト比の優れた有機ＥＬ表示装置が得られる。
【０１０６】
また、実施形態４にかかるスペーサ頂部包絡手段は、マスクスペーサ１２３の形成パターンを工夫することによって設けることができるので、製造方法に複雑な工程を追加することなく容易に上記の効果を得ることができる。しかも、直線状領域の直線方向には頂面の面積の分布を設けないので、実施形態３よりも容易に設計することができる。特にマスクスペーサ１２３のパターニングをステッパ露光方式によって行う場合には、使用する露光枚数を低減できる可能性があり、有機ＥＬ表示装置１００の製造が容易になる。
【０１０７】
なお、各色補助画素１３１がライン状に並んで配された有機ＥＬ表示装置１００の場合、直線方向に頂面の面積の分布を設けないので実施形態３と比較して直線方向の蒸着ずれの抑制効果が低減されるものの、直線方向には同じ色の発光を行う有機層１２４が設けられるので、異なる色同士の混色は生じない。
【０１０８】
《実施形態５》
（有機ＥＬ表示装置）
実施形態５にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、マスクスペーサ１２３の形成パターン及びスペーサ高さを除いて実施形態１と同一の構成を有する。
【０１０９】
図１９は、実施形態５にかかるマスクスペーサ１２３の配設レイアウトを示す。ここでは、基板１１０上の表示領域におけるマスクスペーサ１２３の配設密度は一定となっており、また、マスクスペーサ１２３の頂面の面積も全て一定となっている。複数のマスクスペーサ１２３は、それぞれの高さが不均一であり、後述の製造工程におけるスペーサ頂部包絡手段を構成している。
【０１１０】
複数のマスクスペーサ１２３は、基板上の表示領域中央部のマスクスペーサ１２３の高さが最も高く、表示領域中央から外側に向かうに従って、マスクスペーサ１２３の高さが低くなるように設けられている。それぞれのマスクスペーサ１２３の高さは、表示領域中央においては例えば５〜６μｍであり、また、表示領域周辺部においては例えば０．３〜１．５μｍである。表示領域中央から表示領域周辺部にかけてのマスクスペーサ１２３の高さの分布は、製造において蒸着の際に蒸着マスク２００を重ね合わせたときに、蒸着マスク２００によって圧縮変形されて蒸着マスク２００の撓み形状に沿うように設計されている。
【０１１１】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
次に、上記有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。この有機ＥＬ表示装置１００の製造方法は、第１電極等形成工程、有機層蒸着工程、及び第２電極等形成工程を備えており、第１電極等形成工程はスペーサ形成工程をさらに備えている。
【０１１２】
＜第１電極等形成工程＞
まず、実施形態１と同一の方法によって、ＴＦＴ基板１１０、第１電極１２１、及びエッジカバー１２２を形成する。
【０１１３】
−スペーサ形成工程−
次に、エッジカバー１２２上にマスクスペーサ１２３を形成する。このとき、表示領域におけるマスクスペーサ１２３の配設密度は一定であり、複数のマスクスペーサ１２３のそれぞれの頂面の面積も均一である一方、スペーサ高さが、表示領域中央部のマスクスペーサ１２３の高さが最も高く、表示領域中央から外側に向かうに従って、マスクスペーサ１２３の高さが低くなるようにマスクスペーサ１２３を形成する。なお、例えば連続多重露光を行って、スペーサ高さが一様ではないマスクスペーサ１２３の形成を行う。
【０１１４】
まず、実施形態１と同様にマスクスペーサ１２３を形成する。このとき、基板１１０の表示領域全体において配設密度及び頂面の面積が一様であって且つスペーサ高さの均一なパターンとなるようにマスクスペーサ１２３を形成する。
【０１１５】
次いで、スペース高さが均一なマスクスペーサ１２３に連続多重露光を行ってスペーサ高さを調整する。ここでは、図２０に示すように、表示領域中央を第１領域１１０Ａ、第１領域１１０Ａを囲む領域を第２領域１１０Ｂ、第２領域１１０Ｂを囲む領域を第３領域１１０Ｃ、第３領域１１０Ｃを囲む領域を第４領域１１０Ｄ、及び、第４領域１１０Ｄを囲む領域であって表示領域周辺部を第５領域１１０Ｅとする。
【０１１６】
まず、第１領域１１０Ａをマスクして、マスクスペーサ１２３のパターニングを行う時の露光よりも弱い強度で露光を行う。これにより、第２〜第５領域におけるマスクスペーサ１２３を、図２１（ａ）に示す第１領域１１０Ａと同じ高さの状態から、図２１（ｂ）に示したそれよりも低い高さに形成する。
【０１１７】
次に、第１領域１１０Ａ及び第２領域１１０Ｂをマスクして、マスクスペーサ１２３のパターニングを行う時の露光よりも弱い強度で露光を行う。これにより、図２１（ｃ）に示すように、第３〜第５領域におけるマスクスペーサ１２３のスペーサ高さが第１、第２領域よりも低くなる。
【０１１８】
さらに弱い強度での露光を繰り返すことによって、マスクスペーサ１２３のスペーサ高さは図２０（ａ）に示すように、第１領域１１０Ａにおいて最も高く、表示領域周辺部に行くに従って低くなるようにマスクスペーサ１２３を形成することができる。
【０１１９】
マスクスペーサ１２３のそれぞれの高さの分布は、後工程である有機層蒸着工程において蒸着マスク２００を重ね合わせたときに、蒸着マスク２００の撓み形状に沿うような分布となるように計算した高さの分布とする。
【０１２０】
マスクスペーサ１２３の高さの分布の計算を行った計算例を表３に示す。このマスクスペーサ１２３の高さに従ってマスクスペーサ１２３が分布するようにパターニングする。
【０１２１】
【表３】
【０１２２】
なお、ここでは第１〜第５領域に分けて説明したが、特にこれに限られるものではなく、領域数が４以下であっても６以上であってもよい。
【０１２３】
＜有機層蒸着工程＞
実施形態１と同一の方法によって、真空蒸着法を用いて有機層１２４を形成する。このとき、マスクスペーサ１２３が表示領域中央部のマスクスペーサ１２３の高さが最も高く、表示領域中央から外側に向かうに従ってマスクスペーサ１２３の高さが低くなるように設けられているので、蒸着マスク２００をマスクホルダ４２に取り付けることにより、マスクスペーサ１２３が蒸着マスク２００に包絡されるように位置する状態となる。
【０１２４】
＜第２電極等形成工程＞
実施形態１と同様に、第２電極１２５、保護膜、封止部材等を形成する。これにより、実施形態５にかかる有機ＥＬ表示装置１００が完成する。
【０１２５】
−実施形態５の効果−
実施形態５の構成によれば、マスクスペーサ１２３のスペーサ高さが表示領域中央において最も高く、且つ表示領域周辺部に向かうに従って低くなっているので、基板に蒸着マスク２００を重ね合わせると、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持される。
【０１２６】
蒸着マスクを重ね合わせたときに複数のマスクスペーサが一様なスペーサ高さとなっている場合には、基板と蒸着マスクとの距離は、表示領域中央においてはマスクスペーサの長さに蒸着マスクの撓み分を加えた長さとなっている。また、表示領域周辺部においてはマスクスペーサの長さとなっている。しかしながら、実施形態５によれば、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持されているので、基板と蒸着マスク２００との距離は、表示領域中央においてはスペーサ高さの長さとなっている。また、表示領域周辺部においては表示領域中央よりも低く形成されたスペーサ高さの長さとなっている。したがって、表示領域中央においても表示領域周辺部においても基板と蒸着マスク２００との距離を小さくすることができる。その結果、基板上に有機層を蒸着形成する際に蒸着物の拡散が小さくなり、有機層が所定領域からずれて形成されるのを抑制することができて高輝度で画素欠陥の少ない高品位の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。さらに、蒸着ずれが抑制されることにより、各補助画素の領域の境界部分での混色が抑制されるので、コントラスト比の優れた有機ＥＬ表示装置が得られる。
【０１２７】
《実施形態６》
（有機ＥＬ表示装置）
実施形態６にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、マスクスペーサ１２３のそれぞれの高さの分布の仕方を除いて、実施形態５にかかる有機ＥＬ表示装置１００と同一の構成を有する。なお、マスクスペーサ１２３の配設レイアウトは、図１９に示す実施形態５のものと同一である。
【０１２８】
複数のマスクスペーサ１２３は、それぞれの高さが、基板１１０上の表示領域の中央部を含む直線状領域（図１９では、基板中央の縦方向の直線状領域）において最も高く、この直線状領域の両側のそれぞれの外側（図１９では、左方及び右方）に向かうに従って低くなっている。マスクスペーサ１２３の高さは、直線状領域においては例えば５〜６μｍであり、また、その周辺部においては例えば０．３〜１．５μｍである。表示領域中央から表示領域周辺部にかけてのマスクスペーサ１２３の高さの分布は、製造において蒸着の際に蒸着マスク２００を重ね合わせたときの蒸着マスク２００の撓み形状に沿うよう高さとなるように設計されている。図２２及び２３は、マスクスペーサ１２３のスペーサ高さの分布を示す図である。
【０１２９】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
実施形態６の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、マスクスペーサ１２３のスペーサ高さが、表示領域の中央部を含む直線状領域において最も高く、直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って低くなるようにマスクスペーサ１２３を形成することを除いて、実施形態５と同一である。
【０１３０】
なお、赤色補助画素１３１Ｒ、緑色補助画素１３１Ｇ、及び青色補助画素１３１Ｂが図９に示すようにそれぞれ矩形であって、三者が横に並列して配されており、さらに、隣り合う画素１３０同士において赤色補助画素１３１Ｒと赤色補助画素１３１Ｒ、緑色補助画素１３１Ｇと緑色補助画素１３１Ｇ、及び青色補助画素１３１Ｂと青色補助画素１３１Ｂがライン状に並んで配されているとき、ライン方向と直線状領域の直線方向とが一致するようにマスクスペーサ１２３の配設密度の分布を設けることが好ましい。この場合、直線方向にはスペーサ高さの分布を設けないので直線方向の蒸着ずれの抑制効果は実施形態１の場合に比べて劣るものの、直線方向には同じ色の発光を行う有機層１２４が設けられるので、蒸着ずれが起こったとしても異なる色同士の混色は生じない。
【０１３１】
−実施形態６の効果−
実施形態６の構成によれば、マスクスペーサ１２３のスペーサ高さが表示領域中央を含む直線状領域において最も高く、且つその直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って低くなっているので、基板に蒸着マスク２００を重ね合わせると、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持される。
【０１３２】
蒸着マスクを重ね合わせたときに複数のマスクスペーサが一様なスペーサ高さとなっている場合には、基板と蒸着マスクとの距離は、直線状領域においてはマスクスペーサの長さに蒸着マスクの撓み分を加えた長さとなっている。また、外側の領域においてはマスクスペーサの長さとなっている。しかしながら、実施形態６によれば、蒸着マスク２００がスペーサ頂部に包絡された状態で保持されているので、基板と蒸着マスク２００との距離は、直線状領域においてはスペーサ高さの長さとなっている。また、外側の領域においては直線状領域よりも低く形成されたスペーサ高さの長さとなっている。したがって、直線状領域においてもその外側の領域においても基板と蒸着マスク２００との距離を小さくすることができる。その結果、基板上に有機層を蒸着形成する際に蒸着物の拡散が小さくなり、有機層が所定領域からずれて形成されるのを抑制することができて高輝度で画素欠陥の少ない高品位の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。さらに、蒸着ずれが抑制されることにより、各補助画素の領域の境界部分での混色が抑制されるので、コントラスト比の優れた有機ＥＬ表示装置が得られる。
【０１３３】
なお、各色補助画素１３１がライン状に並んで配された有機ＥＬ表示装置１００の場合、直線方向にスペーサ高さの分布を設けないので実施形態５と比較して直線方向の蒸着ずれの抑制効果が低減されるものの、直線方向には同じ色の発光を行う有機層１２４が設けられるので、異なる色同士の混色は生じない。
【０１３４】
《その他の実施形態》
その他、例えば複数のマスクスペーサ１２３が配設密度が不均一であって且つそれぞれの頂面の面積が不均一なレイアウトで形成されており、これらがスペーサ頂部包絡手段を構成している有機ＥＬ表示装置１００であっても、本発明の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【０１３５】
以上説明したように、本発明は有機ＥＬ表示装置及びその製造方法について有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１３６】
【図１】有機ＥＬ表示装置の表示領域を示す平面図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩにおける断面図である。
【図３】実施形態１にかかる基板上のマスクスペーサの配設レイアウトを示す図である。
【図４】基板と蒸着マスクとの支持状態を示す断面図である。
【図５】実施形態１のマスクスペーサの配設密度を示す図である。
【図６】実施形態１のマスクスペーサの配設密度を示すグラフである。
【図７】実施形態１にかかる（ａ）表示領域中央の画素及び（ｂ）周辺部画素のマスクスペーサの配設レイアウトの拡大図である。
【図８】（ａ）表示領域中央の画素及び（ｂ）周辺部画素の蒸着マスクの取り付け状態を示す説明図である。
【図９】実施形態２にかかる基板上のマスクスペーサの配設レイアウトを示す図である。
【図１０】実施形態２のマスクスペーサの配設密度を示す図である。
【図１１】実施形態２のマスクスペーサの配設密度を示すグラフである。
【図１２】実施形態３にかかる基板上のマスクスペーサの配設レイアウトを示す図である。
【図１３】実施形態３のマスクスペーサの頂部の面積の分布を示す図である。
【図１４】実施形態３のマスクスペーサの頂部の面積の分布を示すグラフである。
【図１５】実施形態３にかかる（ａ）表示領域中央の画素及び（ｂ）周辺部画素のマスクスペーサの配設レイアウトの拡大図である。
【図１６】実施形態４にかかる基板上のマスクスペーサの配設レイアウトを示す図である。
【図１７】実施形態４のマスクスペーサの頂部の面積の分布を示す図である。
【図１８】実施形態４のマスクスペーサの頂部の面積の分布を示すグラフである。
【図１９】実施形態５にかかる基板上のマスクスペーサの配設レイアウトを示す図である。
【図２０】実施形態５のマスクスペーサの高さの分布を示す図である。
【図２１】任意のマスクスペーサの高さを得るための連続多重露光の説明図である。
【図２２】実施形態６のマスクスペーサの高さの分布を示す図である。
【図２３】実施形態６のマスクスペーサの高さの分布を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１３７】
１００ 有機ＥＬ表示装置
１１０ 基板（ＴＦＴ基板）
１２３ マスクスペーサ
１３０ 画素
２００ マスク（蒸着マスク）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、該基板上に配設された複数のマスクスペーサを介してマスクを設け、該基板下方からの蒸着により該基板表面の所定部分に有機層を形成する有機層蒸着工程を備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
複数のマスクスペーサは、基板上の表示領域に設けられていると共に、マスクを基板上に設けた際に該マスクによってスペーサ頂部が包絡されるようにスペーサ頂部包絡手段を構成していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記スペーサ頂部包絡手段は、複数のマスクスペーサの配設密度が不均一である構成であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記複数のマスクスペーサの配設密度は、表示領域中央において最も大きく且つ該表示領域中央から外側に向かうに従って小さくなることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記複数のマスクスペーサの配設密度は、表示領域中央を含む直線状領域において最も大きく且つ該直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って小さくなることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記スペーサ頂部包絡手段は、複数のマスクスペーサの頂面の面積が不均一である構成であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記複数のマスクスペーサの頂面の面積は、表示領域中央において最も大きく且つ該表示領域中央から外側に向かうに従って小さくなることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記複数のマスクスペーサの頂面の面積は、表示領域中央を含む直線状領域において最も大きく且つ該直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って小さくなることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記スペーサ頂部包絡手段は、複数のマスクスペーサの高さが不均一である構成であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記複数のマスクスペーサの高さは、表示領域中央において最も高く且つ該表示領域中央から外側に向かうに従って低くなることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記複数のマスクスペーサの高さは、表示領域中央を含む直線状領域において最も高く且つ該直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って低くなることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８から１０のいずれかに記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記有機層蒸着工程の前に、基板上に連続多重露光によるフォトリソグラフィ技術により高さが不均一である複数のマスクスペーサを形成するスペーサ形成工程をさらに備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ表示装置。
【請求項１】
基板上に、該基板上に配設された複数のマスクスペーサを介してマスクを設け、該基板下方からの蒸着により該基板表面の所定部分に有機層を形成する有機層蒸着工程を備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
複数のマスクスペーサは、基板上の表示領域に設けられていると共に、マスクを基板上に設けた際に該マスクによってスペーサ頂部が包絡されるようにスペーサ頂部包絡手段を構成していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記スペーサ頂部包絡手段は、複数のマスクスペーサの配設密度が不均一である構成であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記複数のマスクスペーサの配設密度は、表示領域中央において最も大きく且つ該表示領域中央から外側に向かうに従って小さくなることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記複数のマスクスペーサの配設密度は、表示領域中央を含む直線状領域において最も大きく且つ該直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って小さくなることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記スペーサ頂部包絡手段は、複数のマスクスペーサの頂面の面積が不均一である構成であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記複数のマスクスペーサの頂面の面積は、表示領域中央において最も大きく且つ該表示領域中央から外側に向かうに従って小さくなることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記複数のマスクスペーサの頂面の面積は、表示領域中央を含む直線状領域において最も大きく且つ該直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って小さくなることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記スペーサ頂部包絡手段は、複数のマスクスペーサの高さが不均一である構成であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記複数のマスクスペーサの高さは、表示領域中央において最も高く且つ該表示領域中央から外側に向かうに従って低くなることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記複数のマスクスペーサの高さは、表示領域中央を含む直線状領域において最も高く且つ該直線状領域の両側のそれぞれの外側に向かうに従って低くなることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８から１０のいずれかに記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記有機層蒸着工程の前に、基板上に連続多重露光によるフォトリソグラフィ技術により高さが不均一である複数のマスクスペーサを形成するスペーサ形成工程をさらに備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１１】
【図１２】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図５】
【図１０】
【図１３】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１１】
【図１２】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図５】
【図１０】
【図１３】
【図１７】
【公開番号】特開２０１０−１４０８５２（Ｐ２０１０−１４０８５２Ａ）
【公開日】平成２２年６月２４日（２０１０．６．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３１８３４３（Ｐ２００８−３１８３４３）
【出願日】平成２０年１２月１５日（２００８．１２．１５）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年６月２４日（２０１０．６．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月１５日（２００８．１２．１５）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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