有機ＥＬ表示装置
【課題】上面発光型の有機ＥＬ表示装置で封止基板を用いた封止を行った場合に、視認され得る縞状の表示ムラが表示画像中に生じるのを防止する。
【解決手段】本発明の上面発光型有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板ＳＵＢと絶縁パターン層ＰＩとを備えたアレイ基板ＡＳと、絶縁パターン層ＰＩを挟んでアレイ基板ＡＳと向き合った封止基板ＣＳと、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの間に介在すると共に絶縁パターン層ＰＩを取り囲んだシール層ＳＳとを具備し、絶縁パターン層ＰＩは表示領域内に位置した隔壁部と周辺領域内に位置したスペーサ部とを含み、隔壁部及びスペーサ部の封止基板ＣＳとの各対向面は封止基板ＣＳと接触しており、絶縁基板ＳＵＢの主面に対して垂直な方向から見た場合に、周辺領域のうちシール層ＳＳと表示領域との間に位置した部分に対するスペーサ部の面積比は、表示領域に対する隔壁部の面積比と比較してより小さい。
【解決手段】本発明の上面発光型有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板ＳＵＢと絶縁パターン層ＰＩとを備えたアレイ基板ＡＳと、絶縁パターン層ＰＩを挟んでアレイ基板ＡＳと向き合った封止基板ＣＳと、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの間に介在すると共に絶縁パターン層ＰＩを取り囲んだシール層ＳＳとを具備し、絶縁パターン層ＰＩは表示領域内に位置した隔壁部と周辺領域内に位置したスペーサ部とを含み、隔壁部及びスペーサ部の封止基板ＣＳとの各対向面は封止基板ＣＳと接触しており、絶縁基板ＳＵＢの主面に対して垂直な方向から見た場合に、周辺領域のうちシール層ＳＳと表示領域との間に位置した部分に対するスペーサ部の面積比は、表示領域に対する隔壁部の面積比と比較してより小さい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、水分や酸素などと接触すると、容易に劣化する。したがって、有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子を封止して、有機ＥＬ素子と水分や酸素などとの接触を防止している。
【０００３】
有機ＥＬ素子の封止方法としては、中空封止と薄膜封止とがある。中空封止では、例えば、ガラス等の封止基板を、アレイ基板の有機ＥＬ素子が形成された面と向き合うように及びアレイ基板から離間するように配置する。そして、それら基板の対向面周縁部同士を接着剤で貼り合わせて、中空体を形成する。この中空体の内部空間は、例えば、不活性ガスで満たすか又は真空とする。この場合、典型的には、有機ＥＬ表示装置に下面発光型を採用すると共に、先の内部空間に乾燥剤をさらに配置する。
【０００４】
このように、中空封止を行う場合には、有機ＥＬ表示装置に下面発光型を採用するのが一般的である。本発明者らは、これに反し、上面発光型の有機ＥＬ表示装置で封止基板を用いた封止を行った。その結果、本発明者らは、上面発光型の有機ＥＬ表示装置では、封止基板を用いた封止を行うと、表示画像に縞状の表示ムラが生じる可能性があることを見出した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、上面発光型の有機ＥＬ表示装置で封止基板を用いた封止を行った場合に、視認され得る縞状の表示ムラが表示画像中に生じるのを防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板の一主面上に配置されると共に複数の開口が設けられた絶縁パターン層と、前記絶縁基板の前記主面上であって前記開口に対応した位置に配置された第１電極と前記絶縁パターン層を被覆すると共に前記第１電極と向き合った第２電極と前記第１及び第２電極間に介在した有機物層とを各々が含んだ複数の有機ＥＬ素子とを備えたアレイ基板と、前記絶縁パターン層を挟んで前記アレイ基板と向き合った封止基板と、前記アレイ基板と前記封止基板との間に介在すると共に前記絶縁パターン層を取り囲んだシール層とを具備し、前記絶縁パターン層は、前記複数の有機ＥＬ素子が配置された領域である表示領域内に位置した隔壁部と、前記表示領域を取り囲む周辺領域内に位置したスペーサ部とを含み、前記隔壁部及び前記スペーサ部の前記封止基板との各対向面は、前記第２電極を含む層を介して前記封止基板と接触しているか、又は、前記封止基板と直に接触しており、前記絶縁基板の前記主面に対して垂直な方向から見た場合に、前記周辺領域のうち前記シール層と前記表示領域との間に位置した部分に対する前記スペーサ部の面積比は、前記表示領域に対する前記隔壁部の面積比と比較してより小さいことを特徴とする上面発光型有機ＥＬ表示装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板の一主面上に配置されると共に複数の開口が設けられた絶縁パターン層と、前記絶縁基板の前記主面上であって前記開口に対応した位置に配置された第１電極と前記絶縁パターン層を被覆すると共に前記第１電極と向き合った第２電極と前記第１及び第２電極間に介在した有機物層とを各々が含んだ複数の有機ＥＬ素子とを備えたアレイ基板と、前記絶縁パターン層を挟んで前記アレイ基板と向き合った封止基板と、前記アレイ基板と前記封止基板との間に介在すると共に前記絶縁パターン層を取り囲んだシール層とを具備し、前記絶縁パターン層は、前記複数の有機ＥＬ素子が配置された領域である表示領域内に位置した隔壁部と、前記表示領域を取り囲む周辺領域内に位置したスペーサ部とを含み、前記隔壁部及び前記スペーサ部の前記封止基板との各対向面は、前記第２電極を含む層を介して前記封止基板と接触しているか、又は、前記封止基板と直に接触しており、前記アレイ基板と前記封止基板とを互いから離間させた状態において、前記スペーサ部は、前記隔壁部と比較して、前記絶縁基板の前記主面に対する高さがより低いことを特徴とする上面発光型有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、上面発光型の有機ＥＬ表示装置で封止基板を用いた封止を行った場合に、視認され得る縞状の表示ムラが表示画像中に生じるのを防止可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
図１は、本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図２に示す有機ＥＬ表示装置の一部を拡大して示す断面図である。図４は、図２に示す有機ＥＬ表示装置の他の一部を拡大して示す断面図である。図５は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の等価回路図である。
【００１１】
なお、図２乃至図４では、有機ＥＬ表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が上方を向き、背面が下方を向くように描いている。また、後述するように、図３には絶縁パターン層ＰＩの表示領域における構造を描き、図４には絶縁パターン層ＰＩの周辺領域における構造を描いている。
【００１２】
この有機ＥＬ表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この有機ＥＬ表示装置は、図１及び図２に示すように、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとを含んでいる。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとは、互いに向き合うように配置されており、それらの対向面中央部同士を接触させている。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの対向面周縁部間には、枠形状のシール層ＳＳが介在している。
【００１３】
アレイ基板ＡＳは、例えば、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。
【００１４】
基板ＳＵＢ上には、図３及び図４に示すように、アンダーコート層ＵＣとして、例えば、ＳｉＮx層とＳｉＯx層とが順次積層されている。アンダーコート層ＵＣ上には、例えばチャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層ＳＣ、例えばＴＥＯＳ（TetraEthyl OrthoSilicate）などを用いて形成され得るゲート絶縁膜ＧＩ、及び例えばＭｏＷなどからなるゲート電極Ｇが順次積層されており、それらはトップゲート型のＴＦＴを構成している。この例では、これらＴＦＴは、ｐチャネルＴＦＴであり、図５の画素ＰＸが含む駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷ１乃至ＳＷ３として利用している。
【００１５】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、ゲート電極Ｇと同一の工程で形成可能な走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２がさらに配置されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、図５に示すように、各々が画素ＰＸの行方向（Ｘ方向）に延びており、画素ＰＸの列方向（Ｙ方向）に交互に配列している。これら走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、走査信号線ドライバＹＤＲに接続されている。
【００１６】
図３及び図４に示すように、ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲート電極Ｇ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯxなどからなる層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩ上にはソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが配置されており、それらは、例えばＳｉＮxなどからなるパッシベーション膜ＰＳで埋め込まれている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有しており、層間絶縁膜ＩＩに設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴのソース及びドレインに電気的に接続されている。
【００１７】
層間絶縁膜ＩＩ上には、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥと同一の工程で形成可能な映像信号線ＤＬがさらに配置されている。映像信号線ＤＬは、図５に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。これら映像信号線ＤＬは、映像信号線ドライバＸＤＲに接続されている。なお、典型的には、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が配置された層間か、又は、映像信号線ＤＬが配置された層間に、図５の電源線ＰＳＬを敷設する。
【００１８】
パッシベーション膜ＰＳ上には、図３及び図４に示すように、平坦化層ＦＬが形成されている。平坦化層ＦＬ上には、反射層ＲＦが配置されている。平坦化層ＦＬの材料としては、例えば、硬質樹脂を使用することができる。反射層ＲＦの材料としては、例えば、Ａｌなどの金属材料を使用することができる。
【００１９】
平坦化層ＦＬ及び反射層ＲＦは、光取り出し層ＯＣで被覆されている。この光取り出し層ＯＣは必ずしも設けなくてもよいが、光取り出し層ＯＣを設けると、後述する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの内部で反射を繰り返しながら膜面方向に伝播する光の進行方向を変えることができる。こうすると、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光層が放出する光を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの外部へと高い効率で取り出すことを可能とする。光取り出し層ＯＬＥＤとしては、例えば、光散乱層や回折格子などを使用することができる。
【００２０】
光取り出し層ＯＬＥＤ上には、背面電極として、光透過性の第１電極ＰＥが互いから離間して並置されている。各第１電極ＰＥは、画素電極であり、反射層ＲＦと向き合うように配置されている。また、各第１電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳと平坦化層ＦＬと光取り出し層ＯＣとに設けた貫通孔を介して、ドレイン電極ＤＥに接続されている。
【００２１】
第１電極ＰＥは、この例では陽極である。第１電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）のような透明導電性酸化物を使用することができる。
【００２２】
光取り出し層ＯＣ上には、さらに、絶縁パターン層ＰＩが配置されている。絶縁パターン層ＰＩのうち、図１に示す一点鎖線Ｌで囲まれた表示領域内に位置した部分は隔壁部であり、表示領域を取り囲む周辺領域内に位置した部分はスペーサ部である。図３には絶縁パターン層ＰＩの隔壁部を描いており、図４には絶縁パターン層ＰＩのスペーサ部を描いている。
【００２３】
絶縁パターン層ＰＩの隔壁部には、第１電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、第１電極ＰＥが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、絶縁パターン層ＰＩの隔壁部には、第１電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。
【００２４】
また、絶縁パターン層ＰＩのスペーサ部は、複数箇所で開口した１つの層からなるか、又は、互いから離間した複数の島状部分で構成されている。基板ＳＵＢの主面に対して垂直な方向から見た場合に、周辺領域のうちシール層ＳＳと表示領域との間に位置した部分に対するスペーサ部の面積比は、表示領域に対する隔壁部の面積比と比較してより小さい。すなわち、スペーサ部は、隔壁部と比較して、基板ＳＵＢの主面に対して垂直な方向から見た面密度がより小さい。
【００２５】
絶縁パターン層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。絶縁パターン層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００２６】
第１電極ＰＥ上には、発光層を含んだ有機物層ＯＲＧが配置されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、または青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層ＯＲＧは、発光層以外の層をさらに含むことができる。例えば、有機物層ＯＲＧは、第１電極ＰＥから発光層への正孔の注入を媒介する役割を果たすバッファ層をさらに含むことができる。また、有機物層ＯＲＧは、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。
【００２７】
絶縁パターン層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、前面電極である光透過性の第２電極ＣＥで被覆されている。第２電極ＣＥは、この例では、各画素共通に連続して設けられた陰極である。第２電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと平坦化層ＦＬと光取り出し層ＯＣと絶縁パターン層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、第１電極ＰＥ、有機物層ＯＲＧ及び第２電極ＣＥで構成されている。
【００２８】
各画素ＰＸは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと画素回路とを含んでいる。この例では、画素回路は、図５に示すように、駆動制御素子ＤＲと、出力制御スイッチＳＷ１と、映像信号供給制御スイッチＳＷ２と、ダイオード接続スイッチＳＷ３と、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷ１乃至ＳＷ３はｐチャネルＴＦＴである。
【００２９】
駆動制御素子ＤＲと出力制御スイッチＳＷ１と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、第１電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、第２電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３０】
出力制御スイッチＳＷ１のゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。映像信号供給制御スイッチＳＷ２は映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。ダイオード接続スイッチＳＷ３は駆動制御素子ＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。キャパシタＣは、駆動制御素子ＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。
【００３１】
封止基板ＣＳは、例えば、ガラス基板などのように光透過性を有する絶縁基板である。封止基板ＣＳは、典型的には平板状である。封止基板ＣＳは、この例では、第２電極ＣＥを介して、絶縁パターン層ＰＩの隔壁部及びスペーサ部と接触している。なお、絶縁パターン層ＰＩのスペーサ部上に第２電極ＣＥを配置せず、封止基板ＣＳとスペーサ部とを直に接触させてもよい。
【００３２】
シール層ＳＳは、図２に示すようにアレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの間に介在している。シール層ＳＳは、図１に示すように枠形状を有しており、絶縁パターン層ＰＩを取り囲んでいる。シール層ＳＳの材料としては、例えば、接着剤やフリットガラスなどを使用することができる。
【００３３】
シール層ＳＳは、封止基板ＣＳをアレイ基板ＡＳに結合させる役割を果たすのに加え、封止基板ＣＳと共に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを密閉する役割を果たしている。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとシール層ＳＳとに囲まれた空間は、真空とするか又は不活性ガスなどを充填する。
【００３４】
この有機ＥＬ表示装置では、例えば、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２の各々を線順次駆動する。そして、或る画素ＰＸに映像信号を書き込む書込期間では、まず、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷ１を開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷ２及びＳＷ３を閉じる走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＸＤＲから、先の画素ＰＸが接続された映像信号線に映像信号を電流信号として出力し、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧を、先の映像信号に対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷ２及びＳＷ３を開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷ１を閉じる走査信号を電圧信号として出力する。
【００３５】
スイッチＳＷ１を閉じている有効表示期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧に対応した大きさの駆動電流が流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流の大きさに対応した輝度で発光する。
【００３６】
ところで、この有機ＥＬ表示装置の製造においては、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとを貼り合わせる際に、高い密着性を実現すべく、シール層ＳＳの位置で、封止基板ＣＳをアレイ基板ＡＳに対して強い力で押圧する。そのため、この有機ＥＬ表示装置では、シール層ＳＳの位置における絶縁基板ＳＵＢと封止基板ＣＳとの間の距離は、表示領域の中央に対応した位置における絶縁基板ＳＵＢと封止基板ＣＳとの間の距離と比較してより短い。すなわち、この有機ＥＬ表示装置では、封止基板ＣＳは、その外面が凸面となるように僅かに撓んでいる。
【００３７】
本発明者らは、この凸面の表示領域に対応した位置における曲率が大きいと、表示画像に縞状の表示ムラが生じる可能性があることを見い出した。そして、周辺領域のシール層ＳＳと表示領域とに挟まれた部分に上記のスペーサ部を配置することにより、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの密着性を損ねることなく、封止基板ＣＳの大きく撓んでいる部分を周辺領域に対応した位置のみに制限することができることを見い出した。
【００３８】
すなわち、スペーサ部は、周辺領域に対応した位置において、絶縁基板ＳＵＢと封止基板ＣＳとの間の距離を十分に広げる役割を果たす。そのため、シール層ＳＳに起因した封止基板ＣＳの変形が表示領域に対応した部分に及ぶのを防止することができる。
【００３９】
また、スペーサ部の面密度は隔壁部の面密度よりも小さいため、スペーサ部は隔壁部よりも変形し易い。それゆえ、封止基板ＣＳは、シール層ＳＳと表示領域とに挟まれた部分に対応した位置で適度に変形することができる。このため、例えば、封止基板ＣＳとシール層ＳＳとの間などに作用する張力が過度に大きくなることがない。すなわち、上記構造を採用しても、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの密着性が損ねられることはない。
【００４０】
したがって、本態様によると、表示画像に縞状の表示ムラが生じるのを防止することができる。
【００４１】
基板ＳＵＢの主面に対して垂直な方向から見た場合における、周辺領域のうちシール層ＳＳと表示領域との間に位置した部分に対するスペーサ部の幅Ｗ1は、例えば、１ｍｍ乃至５ｍｍの範囲内とする。スペーサ部の幅Ｗ1が小さい場合、シール層ＳＳに起因した封止基板ＣＳの変形が表示領域に対応した部分に及ぶ可能性がある。また、スペーサ部の幅Ｗ1が大きい場合、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの密着性が不十分となる可能性がある。
【００４２】
表示領域からシール層ＳＳまでの距離Ｌは、例えば、０．７５ｍｍ以上とする。距離Ｌが短い場合、封止基板ＣＳとシール層ＳＳとの間などに大きな張力が作用し、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの密着性が不十分となる可能性がある。なお、距離Ｌに上限はないが、通常は１．５ｍｍ以下とする。
【００４３】
シール層ＳＳの内周位置における絶縁基板ＳＵＢと封止基板ＣＳとの間の距離Ｄ1と、表示領域と周辺領域との境界の位置における絶縁基板ＳＵＢと封止基板ＣＳとの間の距離Ｄ2との差Ｄ2−Ｄ1は、典型的には、０．５μｍ乃至１０μｍの範囲内とする。差Ｄ2−Ｄ1がこの範囲内にある場合、十分な密着性を実現できる。
【００４４】
次に、本発明の第２態様について説明する。
第２態様は、アレイ基板ＡＳに以下の構造を採用したこと以外は、第１態様と同様である。すなわち、本態様では、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとを互いから離間させた状態において、絶縁基板ＳＵＢの主面に対するスペーサ部の高さＨ1を、絶縁基板ＳＵＢの主面に対する隔壁部の高さＨ2と比較してより低くする。そして、高さＨ1は、距離Ｄ1と比較してより高くする。
【００４５】
こうすると、第１態様と同様、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの密着性を損ねることなく、封止基板ＣＳの大きく撓んでいる部分を周辺領域に対応した位置のみに制限することができる。すなわち、本態様でも、表示画像に縞状の表示ムラが生じるのを防止することができる。
【００４６】
スペーサ部の高さＨ1を隔壁部の高さＨ2よりも低くするために、例えば、以下の構造を採用してもよい。
【００４７】
図６は、本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置で採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。図６に描いた部分は、有機ＥＬ表示装置のうち、図４に描いた部分に相当している。
【００４８】
図６の構造では、図４の構造と比較して、絶縁パターン層ＰＩのスペーサ部と絶縁基板ＳＵＢとの間の距離をより短くしている。ここでは、一例として、平坦化層ＦＬ及び光取り出し層ＯＣは、表示領域に対応した位置にのみ配置し、周辺領域に対応した位置では省略している。このような構造を採用すると、スペーサ部の厚さと隔壁部の厚さとが等しい場合であっても、スペーサ部の高さＨ1を隔壁部の高さＨ2よりも低くすることができる。
【００４９】
高さＨ2と高さＨ1との差と距離Ｄ1との比（Ｈ2−Ｈ1）／Ｄ1は、例えば、２５０乃至１０００の範囲内とする。比（Ｈ2−Ｈ1）／Ｄ1が大きい場合、シール層ＳＳに起因した封止基板ＣＳの変形が表示領域に対応した部分に及ぶ可能性がある。比（Ｈ2−Ｈ1）／Ｄ1が小さい場合、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの密着性が不十分となる可能性がある。
【００５０】
距離Ｌは、例えば、第１態様と同様に設定する。また、距離Ｄ1と距離Ｄ2との比Ｄ1／Ｄ2も、例えば、第１態様と同様に設定する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図。
【図３】図２に示す有機ＥＬ表示装置の一部を拡大して示す断面図。
【図４】図２に示す有機ＥＬ表示装置の他の一部を拡大して示す断面図。
【図５】図１に示す有機ＥＬ表示装置の等価回路図。
【図６】本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置で採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。
【符号の説明】
【００５２】
ＡＳ…アレイ基板、ＣＥ…第２電極、ＣＳ…封止基板、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＲ…駆動制御素子、ＦＬ…平坦化層、Ｇ…ゲート電極、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＩＩ…層間絶縁膜、Ｌ…表示領域と周辺領域との境界、ＮＤ１…第１電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…第２電源端子、ＯＣ…光取り出し層、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、
ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…第１電極、ＰＩ…絶縁パターン層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＲＦ…反射層、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＳ…シール層、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷ１…出力制御スイッチ、ＳＷ２…映像信号供給制御スイッチ、ＳＷ３…ダイオード接続スイッチ、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、水分や酸素などと接触すると、容易に劣化する。したがって、有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子を封止して、有機ＥＬ素子と水分や酸素などとの接触を防止している。
【０００３】
有機ＥＬ素子の封止方法としては、中空封止と薄膜封止とがある。中空封止では、例えば、ガラス等の封止基板を、アレイ基板の有機ＥＬ素子が形成された面と向き合うように及びアレイ基板から離間するように配置する。そして、それら基板の対向面周縁部同士を接着剤で貼り合わせて、中空体を形成する。この中空体の内部空間は、例えば、不活性ガスで満たすか又は真空とする。この場合、典型的には、有機ＥＬ表示装置に下面発光型を採用すると共に、先の内部空間に乾燥剤をさらに配置する。
【０００４】
このように、中空封止を行う場合には、有機ＥＬ表示装置に下面発光型を採用するのが一般的である。本発明者らは、これに反し、上面発光型の有機ＥＬ表示装置で封止基板を用いた封止を行った。その結果、本発明者らは、上面発光型の有機ＥＬ表示装置では、封止基板を用いた封止を行うと、表示画像に縞状の表示ムラが生じる可能性があることを見出した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、上面発光型の有機ＥＬ表示装置で封止基板を用いた封止を行った場合に、視認され得る縞状の表示ムラが表示画像中に生じるのを防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板の一主面上に配置されると共に複数の開口が設けられた絶縁パターン層と、前記絶縁基板の前記主面上であって前記開口に対応した位置に配置された第１電極と前記絶縁パターン層を被覆すると共に前記第１電極と向き合った第２電極と前記第１及び第２電極間に介在した有機物層とを各々が含んだ複数の有機ＥＬ素子とを備えたアレイ基板と、前記絶縁パターン層を挟んで前記アレイ基板と向き合った封止基板と、前記アレイ基板と前記封止基板との間に介在すると共に前記絶縁パターン層を取り囲んだシール層とを具備し、前記絶縁パターン層は、前記複数の有機ＥＬ素子が配置された領域である表示領域内に位置した隔壁部と、前記表示領域を取り囲む周辺領域内に位置したスペーサ部とを含み、前記隔壁部及び前記スペーサ部の前記封止基板との各対向面は、前記第２電極を含む層を介して前記封止基板と接触しているか、又は、前記封止基板と直に接触しており、前記絶縁基板の前記主面に対して垂直な方向から見た場合に、前記周辺領域のうち前記シール層と前記表示領域との間に位置した部分に対する前記スペーサ部の面積比は、前記表示領域に対する前記隔壁部の面積比と比較してより小さいことを特徴とする上面発光型有機ＥＬ表示装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板の一主面上に配置されると共に複数の開口が設けられた絶縁パターン層と、前記絶縁基板の前記主面上であって前記開口に対応した位置に配置された第１電極と前記絶縁パターン層を被覆すると共に前記第１電極と向き合った第２電極と前記第１及び第２電極間に介在した有機物層とを各々が含んだ複数の有機ＥＬ素子とを備えたアレイ基板と、前記絶縁パターン層を挟んで前記アレイ基板と向き合った封止基板と、前記アレイ基板と前記封止基板との間に介在すると共に前記絶縁パターン層を取り囲んだシール層とを具備し、前記絶縁パターン層は、前記複数の有機ＥＬ素子が配置された領域である表示領域内に位置した隔壁部と、前記表示領域を取り囲む周辺領域内に位置したスペーサ部とを含み、前記隔壁部及び前記スペーサ部の前記封止基板との各対向面は、前記第２電極を含む層を介して前記封止基板と接触しているか、又は、前記封止基板と直に接触しており、前記アレイ基板と前記封止基板とを互いから離間させた状態において、前記スペーサ部は、前記隔壁部と比較して、前記絶縁基板の前記主面に対する高さがより低いことを特徴とする上面発光型有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、上面発光型の有機ＥＬ表示装置で封止基板を用いた封止を行った場合に、視認され得る縞状の表示ムラが表示画像中に生じるのを防止可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
図１は、本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図２に示す有機ＥＬ表示装置の一部を拡大して示す断面図である。図４は、図２に示す有機ＥＬ表示装置の他の一部を拡大して示す断面図である。図５は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の等価回路図である。
【００１１】
なお、図２乃至図４では、有機ＥＬ表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が上方を向き、背面が下方を向くように描いている。また、後述するように、図３には絶縁パターン層ＰＩの表示領域における構造を描き、図４には絶縁パターン層ＰＩの周辺領域における構造を描いている。
【００１２】
この有機ＥＬ表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この有機ＥＬ表示装置は、図１及び図２に示すように、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとを含んでいる。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとは、互いに向き合うように配置されており、それらの対向面中央部同士を接触させている。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの対向面周縁部間には、枠形状のシール層ＳＳが介在している。
【００１３】
アレイ基板ＡＳは、例えば、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。
【００１４】
基板ＳＵＢ上には、図３及び図４に示すように、アンダーコート層ＵＣとして、例えば、ＳｉＮx層とＳｉＯx層とが順次積層されている。アンダーコート層ＵＣ上には、例えばチャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層ＳＣ、例えばＴＥＯＳ（TetraEthyl OrthoSilicate）などを用いて形成され得るゲート絶縁膜ＧＩ、及び例えばＭｏＷなどからなるゲート電極Ｇが順次積層されており、それらはトップゲート型のＴＦＴを構成している。この例では、これらＴＦＴは、ｐチャネルＴＦＴであり、図５の画素ＰＸが含む駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷ１乃至ＳＷ３として利用している。
【００１５】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、ゲート電極Ｇと同一の工程で形成可能な走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２がさらに配置されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、図５に示すように、各々が画素ＰＸの行方向（Ｘ方向）に延びており、画素ＰＸの列方向（Ｙ方向）に交互に配列している。これら走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、走査信号線ドライバＹＤＲに接続されている。
【００１６】
図３及び図４に示すように、ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲート電極Ｇ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯxなどからなる層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩ上にはソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが配置されており、それらは、例えばＳｉＮxなどからなるパッシベーション膜ＰＳで埋め込まれている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有しており、層間絶縁膜ＩＩに設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴのソース及びドレインに電気的に接続されている。
【００１７】
層間絶縁膜ＩＩ上には、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥと同一の工程で形成可能な映像信号線ＤＬがさらに配置されている。映像信号線ＤＬは、図５に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。これら映像信号線ＤＬは、映像信号線ドライバＸＤＲに接続されている。なお、典型的には、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が配置された層間か、又は、映像信号線ＤＬが配置された層間に、図５の電源線ＰＳＬを敷設する。
【００１８】
パッシベーション膜ＰＳ上には、図３及び図４に示すように、平坦化層ＦＬが形成されている。平坦化層ＦＬ上には、反射層ＲＦが配置されている。平坦化層ＦＬの材料としては、例えば、硬質樹脂を使用することができる。反射層ＲＦの材料としては、例えば、Ａｌなどの金属材料を使用することができる。
【００１９】
平坦化層ＦＬ及び反射層ＲＦは、光取り出し層ＯＣで被覆されている。この光取り出し層ＯＣは必ずしも設けなくてもよいが、光取り出し層ＯＣを設けると、後述する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの内部で反射を繰り返しながら膜面方向に伝播する光の進行方向を変えることができる。こうすると、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光層が放出する光を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの外部へと高い効率で取り出すことを可能とする。光取り出し層ＯＬＥＤとしては、例えば、光散乱層や回折格子などを使用することができる。
【００２０】
光取り出し層ＯＬＥＤ上には、背面電極として、光透過性の第１電極ＰＥが互いから離間して並置されている。各第１電極ＰＥは、画素電極であり、反射層ＲＦと向き合うように配置されている。また、各第１電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳと平坦化層ＦＬと光取り出し層ＯＣとに設けた貫通孔を介して、ドレイン電極ＤＥに接続されている。
【００２１】
第１電極ＰＥは、この例では陽極である。第１電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）のような透明導電性酸化物を使用することができる。
【００２２】
光取り出し層ＯＣ上には、さらに、絶縁パターン層ＰＩが配置されている。絶縁パターン層ＰＩのうち、図１に示す一点鎖線Ｌで囲まれた表示領域内に位置した部分は隔壁部であり、表示領域を取り囲む周辺領域内に位置した部分はスペーサ部である。図３には絶縁パターン層ＰＩの隔壁部を描いており、図４には絶縁パターン層ＰＩのスペーサ部を描いている。
【００２３】
絶縁パターン層ＰＩの隔壁部には、第１電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、第１電極ＰＥが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、絶縁パターン層ＰＩの隔壁部には、第１電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。
【００２４】
また、絶縁パターン層ＰＩのスペーサ部は、複数箇所で開口した１つの層からなるか、又は、互いから離間した複数の島状部分で構成されている。基板ＳＵＢの主面に対して垂直な方向から見た場合に、周辺領域のうちシール層ＳＳと表示領域との間に位置した部分に対するスペーサ部の面積比は、表示領域に対する隔壁部の面積比と比較してより小さい。すなわち、スペーサ部は、隔壁部と比較して、基板ＳＵＢの主面に対して垂直な方向から見た面密度がより小さい。
【００２５】
絶縁パターン層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。絶縁パターン層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００２６】
第１電極ＰＥ上には、発光層を含んだ有機物層ＯＲＧが配置されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、または青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層ＯＲＧは、発光層以外の層をさらに含むことができる。例えば、有機物層ＯＲＧは、第１電極ＰＥから発光層への正孔の注入を媒介する役割を果たすバッファ層をさらに含むことができる。また、有機物層ＯＲＧは、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。
【００２７】
絶縁パターン層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、前面電極である光透過性の第２電極ＣＥで被覆されている。第２電極ＣＥは、この例では、各画素共通に連続して設けられた陰極である。第２電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと平坦化層ＦＬと光取り出し層ＯＣと絶縁パターン層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、第１電極ＰＥ、有機物層ＯＲＧ及び第２電極ＣＥで構成されている。
【００２８】
各画素ＰＸは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと画素回路とを含んでいる。この例では、画素回路は、図５に示すように、駆動制御素子ＤＲと、出力制御スイッチＳＷ１と、映像信号供給制御スイッチＳＷ２と、ダイオード接続スイッチＳＷ３と、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷ１乃至ＳＷ３はｐチャネルＴＦＴである。
【００２９】
駆動制御素子ＤＲと出力制御スイッチＳＷ１と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、第１電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、第２電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３０】
出力制御スイッチＳＷ１のゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。映像信号供給制御スイッチＳＷ２は映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。ダイオード接続スイッチＳＷ３は駆動制御素子ＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。キャパシタＣは、駆動制御素子ＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。
【００３１】
封止基板ＣＳは、例えば、ガラス基板などのように光透過性を有する絶縁基板である。封止基板ＣＳは、典型的には平板状である。封止基板ＣＳは、この例では、第２電極ＣＥを介して、絶縁パターン層ＰＩの隔壁部及びスペーサ部と接触している。なお、絶縁パターン層ＰＩのスペーサ部上に第２電極ＣＥを配置せず、封止基板ＣＳとスペーサ部とを直に接触させてもよい。
【００３２】
シール層ＳＳは、図２に示すようにアレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの間に介在している。シール層ＳＳは、図１に示すように枠形状を有しており、絶縁パターン層ＰＩを取り囲んでいる。シール層ＳＳの材料としては、例えば、接着剤やフリットガラスなどを使用することができる。
【００３３】
シール層ＳＳは、封止基板ＣＳをアレイ基板ＡＳに結合させる役割を果たすのに加え、封止基板ＣＳと共に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを密閉する役割を果たしている。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとシール層ＳＳとに囲まれた空間は、真空とするか又は不活性ガスなどを充填する。
【００３４】
この有機ＥＬ表示装置では、例えば、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２の各々を線順次駆動する。そして、或る画素ＰＸに映像信号を書き込む書込期間では、まず、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷ１を開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷ２及びＳＷ３を閉じる走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＸＤＲから、先の画素ＰＸが接続された映像信号線に映像信号を電流信号として出力し、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧を、先の映像信号に対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷ２及びＳＷ３を開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷ１を閉じる走査信号を電圧信号として出力する。
【００３５】
スイッチＳＷ１を閉じている有効表示期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧に対応した大きさの駆動電流が流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流の大きさに対応した輝度で発光する。
【００３６】
ところで、この有機ＥＬ表示装置の製造においては、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとを貼り合わせる際に、高い密着性を実現すべく、シール層ＳＳの位置で、封止基板ＣＳをアレイ基板ＡＳに対して強い力で押圧する。そのため、この有機ＥＬ表示装置では、シール層ＳＳの位置における絶縁基板ＳＵＢと封止基板ＣＳとの間の距離は、表示領域の中央に対応した位置における絶縁基板ＳＵＢと封止基板ＣＳとの間の距離と比較してより短い。すなわち、この有機ＥＬ表示装置では、封止基板ＣＳは、その外面が凸面となるように僅かに撓んでいる。
【００３７】
本発明者らは、この凸面の表示領域に対応した位置における曲率が大きいと、表示画像に縞状の表示ムラが生じる可能性があることを見い出した。そして、周辺領域のシール層ＳＳと表示領域とに挟まれた部分に上記のスペーサ部を配置することにより、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの密着性を損ねることなく、封止基板ＣＳの大きく撓んでいる部分を周辺領域に対応した位置のみに制限することができることを見い出した。
【００３８】
すなわち、スペーサ部は、周辺領域に対応した位置において、絶縁基板ＳＵＢと封止基板ＣＳとの間の距離を十分に広げる役割を果たす。そのため、シール層ＳＳに起因した封止基板ＣＳの変形が表示領域に対応した部分に及ぶのを防止することができる。
【００３９】
また、スペーサ部の面密度は隔壁部の面密度よりも小さいため、スペーサ部は隔壁部よりも変形し易い。それゆえ、封止基板ＣＳは、シール層ＳＳと表示領域とに挟まれた部分に対応した位置で適度に変形することができる。このため、例えば、封止基板ＣＳとシール層ＳＳとの間などに作用する張力が過度に大きくなることがない。すなわち、上記構造を採用しても、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの密着性が損ねられることはない。
【００４０】
したがって、本態様によると、表示画像に縞状の表示ムラが生じるのを防止することができる。
【００４１】
基板ＳＵＢの主面に対して垂直な方向から見た場合における、周辺領域のうちシール層ＳＳと表示領域との間に位置した部分に対するスペーサ部の幅Ｗ1は、例えば、１ｍｍ乃至５ｍｍの範囲内とする。スペーサ部の幅Ｗ1が小さい場合、シール層ＳＳに起因した封止基板ＣＳの変形が表示領域に対応した部分に及ぶ可能性がある。また、スペーサ部の幅Ｗ1が大きい場合、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの密着性が不十分となる可能性がある。
【００４２】
表示領域からシール層ＳＳまでの距離Ｌは、例えば、０．７５ｍｍ以上とする。距離Ｌが短い場合、封止基板ＣＳとシール層ＳＳとの間などに大きな張力が作用し、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの密着性が不十分となる可能性がある。なお、距離Ｌに上限はないが、通常は１．５ｍｍ以下とする。
【００４３】
シール層ＳＳの内周位置における絶縁基板ＳＵＢと封止基板ＣＳとの間の距離Ｄ1と、表示領域と周辺領域との境界の位置における絶縁基板ＳＵＢと封止基板ＣＳとの間の距離Ｄ2との差Ｄ2−Ｄ1は、典型的には、０．５μｍ乃至１０μｍの範囲内とする。差Ｄ2−Ｄ1がこの範囲内にある場合、十分な密着性を実現できる。
【００４４】
次に、本発明の第２態様について説明する。
第２態様は、アレイ基板ＡＳに以下の構造を採用したこと以外は、第１態様と同様である。すなわち、本態様では、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとを互いから離間させた状態において、絶縁基板ＳＵＢの主面に対するスペーサ部の高さＨ1を、絶縁基板ＳＵＢの主面に対する隔壁部の高さＨ2と比較してより低くする。そして、高さＨ1は、距離Ｄ1と比較してより高くする。
【００４５】
こうすると、第１態様と同様、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの密着性を損ねることなく、封止基板ＣＳの大きく撓んでいる部分を周辺領域に対応した位置のみに制限することができる。すなわち、本態様でも、表示画像に縞状の表示ムラが生じるのを防止することができる。
【００４６】
スペーサ部の高さＨ1を隔壁部の高さＨ2よりも低くするために、例えば、以下の構造を採用してもよい。
【００４７】
図６は、本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置で採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。図６に描いた部分は、有機ＥＬ表示装置のうち、図４に描いた部分に相当している。
【００４８】
図６の構造では、図４の構造と比較して、絶縁パターン層ＰＩのスペーサ部と絶縁基板ＳＵＢとの間の距離をより短くしている。ここでは、一例として、平坦化層ＦＬ及び光取り出し層ＯＣは、表示領域に対応した位置にのみ配置し、周辺領域に対応した位置では省略している。このような構造を採用すると、スペーサ部の厚さと隔壁部の厚さとが等しい場合であっても、スペーサ部の高さＨ1を隔壁部の高さＨ2よりも低くすることができる。
【００４９】
高さＨ2と高さＨ1との差と距離Ｄ1との比（Ｈ2−Ｈ1）／Ｄ1は、例えば、２５０乃至１０００の範囲内とする。比（Ｈ2−Ｈ1）／Ｄ1が大きい場合、シール層ＳＳに起因した封止基板ＣＳの変形が表示領域に対応した部分に及ぶ可能性がある。比（Ｈ2−Ｈ1）／Ｄ1が小さい場合、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの密着性が不十分となる可能性がある。
【００５０】
距離Ｌは、例えば、第１態様と同様に設定する。また、距離Ｄ1と距離Ｄ2との比Ｄ1／Ｄ2も、例えば、第１態様と同様に設定する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図。
【図３】図２に示す有機ＥＬ表示装置の一部を拡大して示す断面図。
【図４】図２に示す有機ＥＬ表示装置の他の一部を拡大して示す断面図。
【図５】図１に示す有機ＥＬ表示装置の等価回路図。
【図６】本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置で採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。
【符号の説明】
【００５２】
ＡＳ…アレイ基板、ＣＥ…第２電極、ＣＳ…封止基板、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＲ…駆動制御素子、ＦＬ…平坦化層、Ｇ…ゲート電極、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＩＩ…層間絶縁膜、Ｌ…表示領域と周辺領域との境界、ＮＤ１…第１電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…第２電源端子、ＯＣ…光取り出し層、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、
ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…第１電極、ＰＩ…絶縁パターン層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＲＦ…反射層、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＳ…シール層、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷ１…出力制御スイッチ、ＳＷ２…映像信号供給制御スイッチ、ＳＷ３…ダイオード接続スイッチ、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板の一主面上に配置されると共に複数の開口が設けられた絶縁パターン層と、前記絶縁基板の前記主面上であって前記開口に対応した位置に配置された第１電極と前記絶縁パターン層を被覆すると共に前記第１電極と向き合った第２電極と前記第１及び第２電極間に介在した有機物層とを各々が含んだ複数の有機ＥＬ素子とを備えたアレイ基板と、
前記絶縁パターン層を挟んで前記アレイ基板と向き合った封止基板と、
前記アレイ基板と前記封止基板との間に介在すると共に前記絶縁パターン層を取り囲んだシール層とを具備し、
前記絶縁パターン層は、前記複数の有機ＥＬ素子が配置された領域である表示領域内に位置した隔壁部と、前記表示領域を取り囲む周辺領域内に位置したスペーサ部とを含み、
前記隔壁部及び前記スペーサ部の前記封止基板との各対向面は、前記第２電極を含む層を介して前記封止基板と接触しているか、又は、前記封止基板と直に接触しており、
前記絶縁基板の前記主面に対して垂直な方向から見た場合に、前記周辺領域のうち前記シール層と前記表示領域との間に位置した部分に対する前記スペーサ部の面積比は、前記表示領域に対する前記隔壁部の面積比と比較してより小さいことを特徴とする上面発光型有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
絶縁基板と、前記絶縁基板の一主面上に配置されると共に複数の開口が設けられた絶縁パターン層と、前記絶縁基板の前記主面上であって前記開口に対応した位置に配置された第１電極と前記絶縁パターン層を被覆すると共に前記第１電極と向き合った第２電極と前記第１及び第２電極間に介在した有機物層とを各々が含んだ複数の有機ＥＬ素子とを備えたアレイ基板と、
前記絶縁パターン層を挟んで前記アレイ基板と向き合った封止基板と、
前記アレイ基板と前記封止基板との間に介在すると共に前記絶縁パターン層を取り囲んだシール層とを具備し、
前記絶縁パターン層は、前記複数の有機ＥＬ素子が配置された領域である表示領域内に位置した隔壁部と、前記表示領域を取り囲む周辺領域内に位置したスペーサ部とを含み、
前記隔壁部及び前記スペーサ部の前記封止基板との各対向面は、前記第２電極を含む層を介して前記封止基板と接触しているか、又は、前記封止基板と直に接触しており、
前記アレイ基板と前記封止基板とを互いから離間させた状態において、前記スペーサ部は、前記隔壁部と比較して、前記絶縁基板の前記主面に対する高さがより低いことを特徴とする上面発光型有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記封止基板は、その外面周縁部が凸面となるように撓んでいることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記シール層はフリットガラスからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板の一主面上に配置されると共に複数の開口が設けられた絶縁パターン層と、前記絶縁基板の前記主面上であって前記開口に対応した位置に配置された第１電極と前記絶縁パターン層を被覆すると共に前記第１電極と向き合った第２電極と前記第１及び第２電極間に介在した有機物層とを各々が含んだ複数の有機ＥＬ素子とを備えたアレイ基板と、
前記絶縁パターン層を挟んで前記アレイ基板と向き合った封止基板と、
前記アレイ基板と前記封止基板との間に介在すると共に前記絶縁パターン層を取り囲んだシール層とを具備し、
前記絶縁パターン層は、前記複数の有機ＥＬ素子が配置された領域である表示領域内に位置した隔壁部と、前記表示領域を取り囲む周辺領域内に位置したスペーサ部とを含み、
前記隔壁部及び前記スペーサ部の前記封止基板との各対向面は、前記第２電極を含む層を介して前記封止基板と接触しているか、又は、前記封止基板と直に接触しており、
前記絶縁基板の前記主面に対して垂直な方向から見た場合に、前記周辺領域のうち前記シール層と前記表示領域との間に位置した部分に対する前記スペーサ部の面積比は、前記表示領域に対する前記隔壁部の面積比と比較してより小さいことを特徴とする上面発光型有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
絶縁基板と、前記絶縁基板の一主面上に配置されると共に複数の開口が設けられた絶縁パターン層と、前記絶縁基板の前記主面上であって前記開口に対応した位置に配置された第１電極と前記絶縁パターン層を被覆すると共に前記第１電極と向き合った第２電極と前記第１及び第２電極間に介在した有機物層とを各々が含んだ複数の有機ＥＬ素子とを備えたアレイ基板と、
前記絶縁パターン層を挟んで前記アレイ基板と向き合った封止基板と、
前記アレイ基板と前記封止基板との間に介在すると共に前記絶縁パターン層を取り囲んだシール層とを具備し、
前記絶縁パターン層は、前記複数の有機ＥＬ素子が配置された領域である表示領域内に位置した隔壁部と、前記表示領域を取り囲む周辺領域内に位置したスペーサ部とを含み、
前記隔壁部及び前記スペーサ部の前記封止基板との各対向面は、前記第２電極を含む層を介して前記封止基板と接触しているか、又は、前記封止基板と直に接触しており、
前記アレイ基板と前記封止基板とを互いから離間させた状態において、前記スペーサ部は、前記隔壁部と比較して、前記絶縁基板の前記主面に対する高さがより低いことを特徴とする上面発光型有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記封止基板は、その外面周縁部が凸面となるように撓んでいることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記シール層はフリットガラスからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００７−１２３０２３（Ｐ２００７−１２３０２３Ａ）
【公開日】平成１９年５月１７日（２００７．５．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３１２９３４（Ｐ２００５−３１２９３４）
【出願日】平成１７年１０月２７日（２００５．１０．２７）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年５月１７日（２００７．５．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１０月２７日（２００５．１０．２７）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
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