有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、電子機器
【課題】輝度ムラが低減され、カラー表示が可能な有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、電子機器を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置１０は、基板上に少なくとも赤、緑、青の発光色ごとに設けられた発光単位としての有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒと、有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒを駆動制御する駆動回路部を有する発光制御単位Ｌｕとを備え、発光制御単位Ｌｕが発光単位の下地層を構成し、互いに隣り合って配置された発光制御単位Ｌｕに跨る下地層の表面は３つの膜形成領域に区分され、第１膜形成領域は、各駆動回路部の薄膜トランジスター１１，１２と保持容量１３とを含み、第１膜形成領域と第１膜形成領域以外の他の膜形成領域とでは、異なる成膜方法を用いて発光層が形成されている。
【解決手段】有機ＥＬ装置１０は、基板上に少なくとも赤、緑、青の発光色ごとに設けられた発光単位としての有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒと、有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒを駆動制御する駆動回路部を有する発光制御単位Ｌｕとを備え、発光制御単位Ｌｕが発光単位の下地層を構成し、互いに隣り合って配置された発光制御単位Ｌｕに跨る下地層の表面は３つの膜形成領域に区分され、第１膜形成領域は、各駆動回路部の薄膜トランジスター１１，１２と保持容量１３とを含み、第１膜形成領域と第１膜形成領域以外の他の膜形成領域とでは、異なる成膜方法を用いて発光層が形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を有する有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置、有機ＥＬ装置の製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記有機ＥＬ装置としては、隔壁によって区画された略矩形状の開口領域に発光層を含む機能層を有し、開口領域には長辺部間の幅が狭められてなる狭窄部が長辺部の長さ方向における中央部に設けられた発光装置が知られている（特許文献１）。
【０００３】
また、他の有機ＥＬ装置として、異なる発光色の画素間を区切る第１の隔壁と、同一発光色の画素間を部分的に仕切る第２の隔壁とを有し、同一発光色の隣接する画素に形成された有機機能層同士が第２の隔壁の非形成領域で繋がっている発光装置が知られている（特許文献２）。
【０００４】
上記特許文献１および上記特許文献２の発光装置は、いずれも隔壁の形状や配置が工夫され、隔壁で区画された領域に形成される有機機能層の膜厚のばらつきを低減可能とするものである。また、有機機能層に含まれる発光層は、液滴吐出法（インクジェット法）により発光層形成材料を含む液状組成物を上記隔壁で区画された領域に吐出して、固化することにより形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１０３０３２号公報
【特許文献２】特開２００７−２２７１２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１および上記特許文献２に開示された発光装置は、アクティブ駆動型の発光装置であり、基板上において駆動回路上に有機機能層を有する発光素子が積層形成されたものである。駆動回路は、少なくとも２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、これらに接続する配線とにより構成されている。
したがって、基板上には、これらの電気的な構成要素が配置されていることから、隔壁により区画された領域の表面は、必ずしも平坦ではなく、段差が生じている。それゆえ、特に液滴吐出法（インクジェット法）を用いて有機機能層を形成すると、吐出された液状組成物が段差の最も低い部分に集まり易く、乾燥後に必ずしも均一な膜厚が得られないというおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。また、以下の形態または適用例において、「上」とは、基板から見て有機ＥＬ素子が配置された方向を示し、「○○上に」と記載された場合、○○の上に接するように配置される場合または○○の上に他の構成物を介して配置される場合または○○の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【０００８】
［適用例１］本適用例の有機ＥＬ装置は、基板を含む下地層と、前記下地層上に形成され、隣り合う第１膜形成領域と第２膜形成領域とを互いに区画する隔壁部と、前記下地層上であって、平面視で前記第１膜形成領域と重なる位置に形成されると共に、第１の色の光を発光可能な第１有機ＥＬ素子と、前記下地層上であって、平面視で前記第２膜形成領域と重なる位置に形成されると共に、前記第１の色の光とは異なる第２の色を発光可能な第２有機ＥＬ素子と、前記下地層に形成されており、前記第１有機ＥＬ素子の駆動を制御する第１駆動回路部と、前記下地層に形成されており、前記第２有機ＥＬ素子の駆動を制御する第２駆動回路部と、を有し、前記第１駆動回路部の少なくとも一部及び前記第２駆動回路部の少なくとも一部は、平面視において前記第１膜形成領域と重なるように配置されており、前記第１有機ＥＬ素子が有する第１発光層と前記第２有機ＥＬ素子が有する第２発光層とは、異なる成膜方法によって形成されていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、下地層は第１駆動回路部と第２駆動回路部を含むものであり、その表面はこれらの駆動回路部に起因する凹凸が生じ易い。隔壁部は、第１駆動回路部の少なくとも一部及び第２駆動回路部の少なくとも一部を含む第１膜形成領域とそれ以外の第２膜形成領域とを区画している。そして、第１膜形成領域と重なる位置に形成される第１発光層の成膜方法と、第２膜形成領域と重なる位置に形成される第２発光層の成膜方法とを異ならせることにより、それぞれの下地層の凹凸のばらつきに対応した成膜方法を選択して各発光層が設けられる。下地層の凹凸のばらつきが大きい方の膜形成領域には、例えば被覆性が優れた成膜方法を用いて膜厚ばらつきが少ない発光層が形成可能となる。その結果、隔壁部が駆動回路部をすべて含むように下地層を区画して得られた膜形成領域に発光層を設ける場合に比べて、下地層の凹凸のばらつきに起因した発光層の膜厚ムラが低減される。ゆえに、発光層の膜厚ムラに起因する輝度ムラなどが低減され、少なくとも２色の発光が得られる有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１膜形成領域と平面視において重なる領域の前記下地層の表面における凹凸のばらつきは、前記第２膜形成領域と平面視において重なる領域の前記下地層の凹凸のばらつきよりも大きいことを特徴とする。
この構成によれば、第１膜形成領域が第２膜形成領域に比べて下地層の凹凸のばらつきが大きくても、異なる成膜方法を用いて膜厚ムラが少ない第１発光層を設けることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第２発光層上に、前記第１発光層を形成するのと同一プロセスで形成され、前記第１発光層と同一材料からなる層が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、第１発光層と第２発光層とをそれぞれ対応する膜形成領域に選択的に設ける場合に比べて、第１発光層形成時に第２膜形成領域のマスキングが不要となり効率よく各発光層を設けることができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部は、それぞれ２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、を有し、前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部がそれぞれ有する、前記２つの薄膜トランジスター及び前記保持容量は、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されていることを特徴とする。
この構成によれば、薄膜トランジスターおよび保持容量に起因する下地層の凹凸を第１膜形成領域に集中させ、第１膜形成領域に比べて第２膜形成領域における下地層の凹凸のばらつきを小さくすることができる。すなわち、第２膜形成領域に設けられる第２発光層の膜厚ムラをより低減できる。
【００１３】
［適用例５］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部は、それぞれ２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、を有し、前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部がそれぞれ有する、前記２つの薄膜トランジスターは、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されており、前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部がそれぞれ有する、前記保持容量は、平面視において前記第２膜形成領域と重なる位置に配置されているとしてもよい。
この構成によれば、薄膜トランジスターと保持容量とを第１膜形成領域に配置する場合に比べて、保持容量が第２膜形成領域に配置されるので、保持容量の設計上の自由度を高められる。
【００１４】
［適用例６］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記隔壁部は、前記第１膜形成領域及び前記第２膜形成領域と隣り合う第３膜形成領域を区画しており、前記下地層上であって、平面視で前記第３膜形成領域と重なる位置に形成されると共に、前記第１の色の光及び前記第２の色の光とは異なる第３の色の光を発光可能な第３有機ＥＬ素子と、前記下地層に形成されており、前記第３有機ＥＬ素子の駆動を制御する第３駆動回路部と、平面視において、前記第２膜形成領域と前記第３膜形成領域の間に配置されると共に、前記第１膜形成領域を横切るように配置された第１データ線及び第２データ線と、を有し、前記第３有機ＥＬ素子が有する第３発光層は、前記第１有機ＥＬ素子が有する第１発光層とは異なる成膜方法によって形成されており、前記第３駆動回路部の少なくとも一部は、平面視において前記第１膜形成領域と重なるように配置されており、前記第１データ線は、前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部及び前記第３駆動回路部のうちのいずれか１つの駆動回路部と電気的に接続しており、前記第２データ線は、前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部及び前記第３駆動回路部のうちのいずれか１つの駆動回路部であって、前記第１データ線と電気的に接続された駆動回路部以外の駆動回路部と電気的に接続していることを特徴とする。
この構成によれば、隔壁部により区画された第１膜形成領域は第１および第２データ線を跨ぎ、他の第２膜形成領域および第３膜形成領域は第１および第２データ線を跨ぐことなく区画されている。したがって、第１膜形成領域に対して第２膜形成領域および第３膜形成領域における下地層の凹凸のばらつきを小さくできる。したがって、第２および第３膜形成領域に膜厚ムラが低減された第２発光層、第３発光層を設けることができる。すなわち、膜厚ムラに起因する輝度ムラなどが低減された少なくとも３色の発光が得られる有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置を提供できる。
【００１５】
［適用例７］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部および前記第３駆動回路部は、それぞれ２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、を有し、前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部および前記第３駆動回路部がそれぞれ有する、前記２つの薄膜トランジスター及び前記保持容量は、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されているとしてもよい。
この構成によれば、薄膜トランジスターおよび保持容量に起因する下地層の凹凸を第１膜形成領域に集中させ、第１膜形成領域に比べて第２および第３膜形成領域における下地層の凹凸のばらつきをより小さくすることができる。すなわち、第２および第３発光層の膜厚ムラをより低減できる。
【００１６】
［適用例８］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部および前記第３駆動回路部は、それぞれ２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、を有し、前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部および前記第３駆動回路部がそれぞれ有する、前記２つの薄膜トランジスターは、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されており、前記第１駆動回路部が有する前記保持容量は、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されており、前記第２駆動回路部が有する前記保持容量は、平面視において前記第２膜形成領域と重なる位置に配置されており、前記第３駆動回路部が有する前記保持容量は、平面視において前記第３膜形成領域と重なる位置に配置されているとしてもよい。
この構成によれば、膜形成領域ごとに保持容量が配置されているので、第１膜形成領域に３つ分の保持容量を設ける場合に比べて、保持容量の設計上の自由度を上げることができる。
【００１７】
［適用例９］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されており、前記第２発光層は、液滴吐出法によって形成されていることが好ましい。
この構成によれば、第１膜形成領域における下地層の凹凸のばらつきが他の膜形成領域に比べて大きくても、高い被覆性を有する蒸着法またはスピンコート法で第１発光層が形成されているので、ほぼ均一な膜厚を有する第１発光層を設けることができる。また、第２膜形成領域における下地層の凹凸のばらつきを第１膜形成領域に比べて小さくできるので、液滴吐出法を用いて第２発光層を形成すれば、ほぼ均一な膜厚を有する第２発光層を設けることができる。
【００１８】
［適用例１０］本適用例の有機ＥＬ装置の製造方法は、基板を含む下地層上に、第１有機ＥＬ素子と、第２有機ＥＬ素子とを有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記下地層内であって、前記基板の上方に、前記第１有機ＥＬ素子の駆動を制御する第１駆動回路部と、前記第２有機ＥＬ素子の駆動を制御する第２駆動回路部とを形成する駆動回路形成工程と、前記下地層上に形成され、隣り合う第１膜形成領域と第２膜形成領域とを互いに区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、前記下地層上であって、平面視で前記第１膜形成領域と重なる位置に、第１の色の光を発光可能な前記第１有機ＥＬ素子を形成すると共に、前記下地層上であって、平面視で前記第２膜形成領域と重なる位置に、前記第１の色とは異なる第２の色の光を発光可能な前記第２有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素子形成工程とを有し、前記駆動回路形成工程において、前記第１駆動回路部の少なくとも一部及び前記第２駆動回路部の少なくとも一部は、平面視において前記第１膜形成領域と重なるように形成し、前記第１有機ＥＬ素子が有する第１発光層と前記第２有機ＥＬ素子が有する第２発光層とは、異なる成膜方法によって形成することを特徴とする。
【００１９】
この方法によれば、駆動回路形成工程では、第１膜形成領域と重なるように第１駆動回路部の少なくとも一部及び第２駆動回路部の少なくとも一部が形成される。このため、第１膜形成領域における下地層の凹凸のばらつきが第２膜形成領域に比べて大きくなる。言い換えれば、第２膜形成領域における下地層の凹凸のばらつきが第１膜形成領域に比べて小さくなる。このような第１および第２膜形成領域に対して異なる成膜方法を採用して各発光層を形成すれば、下地層の凹凸のばらつきを考慮した成膜方法をそれぞれ選択して、膜厚ムラが少ない第１発光層並びに第２発光層を形成することができる。すなわち、すべての発光層を同一の成膜方法で形成する場合に比べて、発光層の膜厚ムラに起因する輝度ムラが低減され、少なくとも２色の発光が得られる有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置を製造できる。
【００２０】
［適用例１１］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記有機ＥＬ素子形成工程は、前記第２発光層を液滴吐出法によって形成する第１発光層形成工程と、前記第１発光層を蒸着法またはスピンコート法によって形成する第２発光層形成工程と、を有することが好ましい。
この方法によれば、第２膜形成領域に比べて下地層の凹凸のばらつきが大きい第１膜形成領域には、高い被覆性を有する蒸着法やスピンコート法を用いて第１発光層をほぼ均一に形成することができる。また、第１膜形成領域に比べて下地層の凹凸のばらつきが小さい第２膜形成領域には、液滴吐出法を用いて第２発光層をほぼ均一に且つ発光層形成材料の無駄を省いて効率よく形成することができる。
【００２１】
［適用例１２］本適用例の電子機器は、上記適用例の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする。
この構成によれば、輝度ムラなどが低減され、異なる発光色が得られる有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ装置を備えているので、高い表示品質を有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施例１の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】実施例１の発光単位と発光制御単位の配置を示す概略平面図。
【図３】実施例１の発光制御単位における駆動回路部を示す概略平面図。
【図４】図３のＡ−Ａ'線で切った発光単位と発光制御単位の概略断面図。
【図５】実施例１の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は実施例１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略平面図。
【図７】（ｄ）〜（ｆ）は実施例１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図８】（ｇ）〜（ｉ）は実施例１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図９】実施例２の有機ＥＬ装置における発光制御単位と発光単位との配置を示す概略平面図。
【図１０】図９のＢ−Ｂ'線で切った概略断面図。
【図１１】実施例３の有機ＥＬ装置における発光制御単位と発光単位との配置を示す概略平面図。
【図１２】実施例３の発光制御単位における駆動回路部の構成と膜形成領域との配置を示す概略平面図。
【図１３】実施例４の有機ＥＬ装置における発光制御単位と発光単位との配置を示す概略平面図。
【図１４】実施例４の発光制御単位における駆動回路部の構成と膜形成領域との配置を示す概略平面図。
【図１５】電子機器としての携帯型電話機を示す斜視図。
【図１６】変形例の発光制御単位における駆動回路部の構成と膜形成領域との配置を示す概略平面図。
【図１７】実施例４に対する変形例の駆動回路部の配置を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２４】
（第１実施形態）
本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置とその製造方法について、実施例１〜実施例４を挙げて説明する。
【００２５】
（実施例１）
＜有機ＥＬ装置＞
図１は実施例１の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図２は実施例１の発光単位と発光制御単位の配置を示す概略平面図、図３は実施例１の発光制御単位における駆動回路部を示す概略平面図、図４は図３のＡ−Ａ'線で切った発光単位と発光制御単位の概略断面図である。
【００２６】
図１に示すように、実施例１の有機ＥＬ装置１０は、発光単位としての有機ＥＬ素子２０を駆動するスイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型の表示装置である。
【００２７】
有機ＥＬ装置１０は、走査線駆動部３に接続された複数の走査線３１と、データ線駆動部４に接続された複数のデータ線４１と、各走査線３１に並列して設けられた複数の電源線４２と、を備えている。互いに絶縁され交差する走査線３１とデータ線４１とによって区画された領域に対応して設けられた発光制御単位Ｌｕによって有機ＥＬ素子２０の発光制御が行われている。
【００２８】
各発光制御単位Ｌｕは、走査線３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用のＴＦＴ１１と、このＴＦＴ１１を介してデータ線４１から供給される画素信号を保持する保持容量１３と、該保持容量１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用のＴＦＴ１２とを含む駆動回路部を備えている。
発光単位としての有機ＥＬ素子２０は、駆動用のＴＦＴ１２を介して電源線４２に電気的に接続したときに該電源線４２から駆動電流が流れ込む画素電極２３と、画素電極２３と共通電極２７との間に挟み込まれた機能層２４とを有している。
これらのＴＦＴ１１，１２に接続する走査線３１とデータ線４１とを総称して信号線と呼ぶ。
【００２９】
走査線３１が駆動されてスイッチング用のＴＦＴ１１がオン状態になると、そのときのデータ線４１の電位が保持容量１３に保持され、該保持容量１３の状態に応じて、駆動用のＴＦＴ１２のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用のＴＦＴ１２を介して、電源線４２から画素電極２３に電流が流れ、さらに機能層２４を介して共通電極２７に電流が流れる。機能層２４は、これを流れる電流量に応じて発光する。なお、発光制御単位Ｌｕの駆動回路部の構成は、これに限定されるものではなく、例えば２つ以上の薄膜トランジスターを含むとしてもよい。
【００３０】
次に、有機ＥＬ装置１０における各構成の基板上における配置について、図２および図３を参照して説明する。
【００３１】
図２に示すように、格子状に配置され互いに絶縁された走査線３１とデータ線４１とにより区画された領域に対応して、発光制御単位Ｌｕが設けられている。各発光制御単位Ｌｕは、前述したように２つのＴＦＴ１１，１２と、保持容量１３と、これらに繋がる配線とを有している。
【００３２】
走査線３１に沿った隣り合う３つの発光制御単位Ｌｕに跨った部分は、それぞれがほぼ同じ平面積を有する３つの略矩形状の領域に区分されている。上から順に第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃと呼ぶ。
【００３３】
第１膜形成領域７ａには、第１有機ＥＬ素子としての青色（Ｂ）の発光が得られる機能層２４ｂを有する有機ＥＬ素子２０Ｂが設けられている。第２膜形成領域７ｂには、第２有機ＥＬ素子としての緑色（Ｇ）の発光が得られる機能層２４ｇを有する有機ＥＬ素子２０Ｇが設けられている。第３膜形成領域７ｃには、第３有機ＥＬ素子としての赤色（Ｒ）の発光が得られる機能層２４ｒを有する有機ＥＬ素子２０Ｒが設けられている。言い換えれば、異なる発光色が得られる発光単位としての３つの有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが走査線３１に沿った隣り合う同数（３つ）の発光制御単位Ｌｕに跨って設けられている。
また、このような３つの有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒを１つの表示単位として、複数の表示単位が基板上にマトリクス状に設けられている。
【００３４】
電源線４２は、走査線３１に沿うと共に、隣り合う表示単位の第１膜形成領域７ａに亘って設けられている。
【００３５】
より具体的には、図３に示すように、ＴＦＴ１１，１２は、走査線３１とデータ線４１との交差点近傍に設けられている。ＴＦＴ１１，１２には、走査線３１やデータ線４１、保持容量１３に接続する配線と、ＴＦＴ１１（ドレイン）とＴＦＴ１２（ゲート）とを繋ぐ配線とが設けられている。
ＴＦＴ１２は、３端子（ゲート、ソース、ドレイン）のうちの１つ（ソース）が電源線４２に接続し、有機ＥＬ素子２０に電源線４２から流れ込む電流を制御するものであり、有機ＥＬ素子２０のスイッチングを行うＴＦＴ１１に比べて耐電流、耐電圧等の関係からより大きな平面積を有する。
【００３６】
保持容量１３は平面的に略四角形であり、ＴＦＴ１１，１２の近傍に設けられ、発光制御単位Ｌｕの平面積のほぼ１／６の大きさを占めている。なお、保持容量１３の電気容量は、走査信号におけるフレーム周波数や駆動用のＴＦＴ１２のオフ（ＯＦＦ）時漏れ電流、有機ＥＬ素子２０の発光特性を考慮して設計される。それゆえに実際には、適正な電気容量を定めることにより、保持容量１３の平面積が決まる。
【００３７】
隣り合う３つの発光制御単位ＬｕのＴＦＴ１１，１２と保持容量１３とが設けられた領域、すなわち第１膜形成領域７ａに亘って、青色（Ｂ）の発光が得られる有機ＥＬ素子２０Ｂの画素電極２３ｂが設けられている。画素電極２３ｂは、走査線３１に沿って配列する３つの発光制御単位Ｌｕのうち右端の発光制御単位ＬｕのＴＦＴ１２（ドレイン）に接続している。
【００３８】
隣り合う３つの発光制御単位Ｌｕに跨る第２膜形成領域７ｂに亘って、緑色（Ｇ）の発光が得られる有機ＥＬ素子２０Ｇの画素電極２３ｇが設けられている。画素電極２３ｇは、走査線３１に沿って配列する３つの発光制御単位Ｌｕのうち左端の発光制御単位ＬｕのＴＦＴ１２（ドレイン）に接続している。
【００３９】
隣り合う３つの発光制御単位Ｌｕに跨る第３膜形成領域７ｃに亘って、赤色（Ｒ）の発光が得られる有機ＥＬ素子２０Ｒの画素電極２３ｒが設けられている。画素電極２３ｒは、走査線３１に沿って配列する３つの発光制御単位Ｌｕのうち中央の発光制御単位ＬｕのＴＦＴ１２（ドレイン）に接続している。
【００４０】
画素電極２３ｇ，２３ｒは、実際には配線の都合上、走査線３１に沿って隣り合う３つの発光制御単位Ｌｕに対して、データ線４１に沿って隣り合う他の発光制御単位Ｌｕに設けられたＴＦＴ１２（ドレイン）にそれぞれ接続している。なお、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒとＴＦＴ１２との接続方法は、これに限定されるものではない。
【００４１】
次に、有機ＥＬ装置１０の厚み方向における構造について図４を参照して説明する。
図４に示すように、発光制御単位Ｌｕと、各発光色の有機ＥＬ素子２０（個々には有機ＥＬ素子２０Ｂ、有機ＥＬ素子２０Ｇ、有機ＥＬ素子２０Ｒと呼ぶ）とは、基板としての素子基板１上に積層形成されている。発光制御単位Ｌｕが発光単位としての有機ＥＬ素子２０の下地層に含まれる構成となっている。言い換えれば、発光制御単位Ｌｕが設けられた下地層上に各有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが設けられている。
また、本実施例では、下地層には素子基板１、発光制御単位Ｌｕ、反射層２１、絶縁膜１７が含まれている。
【００４２】
素子基板１は、透明なガラスや樹脂等の基板あるいは、不透明なシリコン等の基板が用いられる。まず、素子基板１の表面に例えばポリシリコン膜からなる半導体層１１ａ，１２ａ，１３ａがそれぞれ島状に設けられる。半導体層１１ａはＴＦＴ１１を構成するものであり、半導体層１２ａはＴＦＴ１２を構成するものである。半導体層１３ａは、保持容量１３を構成するものであり一方の電極となる。したがって、一方の電極１３ａと呼ぶこともある。半導体層１１ａ，１２ａ，１３ａの膜厚はおよそ５０ｎｍである。
【００４３】
島状の半導体層１１ａ，１２ａの外縁およびゲートと、半導体層１３ａの一部を除くほぼ全面を覆うようにゲート絶縁膜１ａが設けられている。半導体層１３ａを覆うゲート絶縁膜１ａは誘電体層として機能する。ゲート絶縁膜１ａの厚みは、およそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００４４】
ゲート絶縁膜１ａ上には、例えばＡｌ（アルミ）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、あるいはこれらの金属化合物からなる低抵抗金属配線層が設けられ、これをパターニングすることにより、走査線３１、データ線４１（図示省略）、ＴＦＴ１１，１２の各ゲート電極１１ｄ，１２ｄを構成している。また、保持容量１３の他方の電極１３ｂや一方の電極１３ａに繋がる配線（図示省略）を構成している。そして、これらを覆うように層間絶縁膜１４が設けられている。該低抵抗金属配線層の厚みはおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍである。層間絶縁膜１４の厚みもおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍである。
【００４５】
層間絶縁膜１４には、ＴＦＴ１１，１２のソースやドレインとの接続を図るためのコンタクトホール１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄが設けられている。また、保持容量１３と電源線４２およびＴＦＴ１２との接続を図るためのコンタクトホール（図示省略）が設けられている。
【００４６】
層間絶縁膜１４上に例えばＡｌ、Ｔａ、Ｗ、あるいはこれらの金属化合物などの低抵抗金属配線層が設けられ、これをパターニングすることにより、電源線４２やコンタクトホール１４ｂ，１４ｃ間を繋ぐ配線、電源線４２とコンタクトホール１４ｄ間を繋ぐ配線等を構成している。該低抵抗金属配線層の厚みはおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍである。
【００４７】
そして、電源線４２や層間絶縁膜１４を覆うように保護膜１５が設けられ、さらに保護膜１５を覆うように平坦化層１６が設けられている。上述したゲート絶縁膜１ａ、層間絶縁膜１４、保護膜１５は、例えばＳｉＮやＳｉＯ、ＳｉＯ2あるいはこれらシリコン化合物などの無機混合物からなる。保護膜１５の厚みはおよそ２００ｎｍ〜３００ｎｍである。平坦化層１６は、例えばアクリル系やエポキシ系の有機樹脂からなり、厚みはおよそ１μｍ〜２μｍである。
【００４８】
このように低抵抗金属配線層や層間絶縁膜１４などに比べて厚い平坦化層１６を設けても、素子基板１上における平坦化層１６の表面には凹凸が生じてしまう。特に、ＴＦＴ１１，１２が設けられた第１膜形成領域７ａの表面は、ＴＦＴ１１，１２に接続を図るためのコンタクトホール１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄや配線の形成により、他の第２膜形成領域７ｂや第３膜形成領域７ｃに比べてより多くの凹凸を有する。
【００４９】
この場合、平坦化層１６上の凹凸のばらつきは、ＴＦＴ１１，１２や保持容量１３、およびこれに繋がる低抵抗金属配線層を有する第１膜形成領域７ａが最も大きくなっている。これに対してＴＦＴ１１，１２や保持容量１３を有しない第２膜形成領域７ｂや第３膜形成領域７ｃの平坦化層１６上の凹凸のばらつきは小さくなっている。
ここでいう凹凸のばらつきは、平坦化層１６表面の算術平均粗さ（Ra）や平坦化層１６表面の基準面からの高さの標準偏差で定義することができる。また、発光時における画素内の輝度分布における標準偏差で定義することもできる。
ちなみに、第１膜形成領域７ａにおける表面の段差は、およそ数十ｎｍ〜数百ｎｍである。これに対して第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃにおける表面の段差は、図４の断面図上ではほとんど発生していない。あえて取り上げるとすれば、図３に示すように、隣り合う発光制御単位Ｌｕにおけるデータ線４１を跨ぐように第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃが区分されているため、データ線４１を跨いだ部分でわずかに段差が生じている程度である。
【００５０】
このような素子基板１における隣り合う３つの発光制御単位Ｌｕを含む下地層の段差に応じて、下地層の上層に異なる発光色の有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが設けられている。具体的には、第１膜形成領域７ａに有機ＥＬ素子２０Ｂが設けられ、第２膜形成領域７ｂに有機ＥＬ素子２０Ｇが設けられ、第３膜形成領域７ｃに有機ＥＬ素子２０Ｒが設けられている。
【００５１】
第１膜形成領域７ａに設けられた有機ＥＬ素子２０Ｂは、平坦化層１６上において順に積層形成された反射層２１、絶縁膜１７、画素電極２３ｂ、機能層２４ｂ、共通電極２７を含んでいる。他の有機ＥＬ素子２０Ｇ，２０Ｒも同様である。
【００５２】
反射層２１は、例えばＡｌ−Ｎｄの反射性金属材料からなり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。反射層２１を覆う絶縁膜１７は、ＳｉＮやＳｉＯなど透明な無機材料からなり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜であり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００５３】
各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒを実質的に区画しているのは、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの外縁を覆うように形成された絶縁膜１８と、絶縁膜１８上に設けられた隔壁部１９である。絶縁膜１８は、ＳｉＯ2などの無機絶縁材料からなり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。隔壁部１９は、フェノール系あるいはポリイミド系の樹脂材料からなり、厚み（高さ）はおよそ１μｍ〜２μｍである。
【００５４】
機能層２４ｇ，２４ｒのうち第２発光層としての発光層２６ｇおよび第３発光層としての発光層２６ｒは、隔壁部１９によって実質的に区画された第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃに機能性材料を含む液状体を塗布し、塗布された液状体を乾燥することにより成膜する塗布法を用いて形成されている。
機能層２４ｂの第１発光層としての発光層２６ｂは、第１膜形成領域７ａに機能性材料を蒸発させて成膜する蒸着法を用いて形成されている。また、隣り合う第２膜形成領域７ｂ（発光層２６ｇ）と第３膜形成領域７ｃ（発光層２６ｒ）と隔壁部１９とを覆うように形成されている。
また、機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒは、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒと発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒとの間にそれぞれ正孔注入層２５を有している。正孔注入層２５は、塗布法を用いて形成されている。詳細については、後述する有機ＥＬ装置１０の製造方法において述べる。
【００５５】
共通電極２７は、隔壁部１９と各機能層２４ｇ，２４ｂ，２４ｒとを覆うように設けられている。共通電極２７は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電膜であり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００５６】
発光制御単位Ｌｕや各有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが設けられた素子基板１は、透明なガラス等からなる封止基板（図示省略）と接合され、外部から水分や酸素等のガスが機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒに浸入しないように封止される。
【００５７】
有機ＥＬ装置１０は、各機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒからの発光が反射層２１により反射され封止基板側から取り出される、所謂トップエミッション構造が採用されたフルカラー表示が可能な表示装置である。反射層２１の下層側に発光制御単位Ｌｕが設けられているので、駆動回路部を構成するＴＦＴ１１，１２や保持容量１３、およびこれらに接続する配線（走査線３１、データ線４１、電源線４２など）は、機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒからの発光の取り出しを妨げない。したがって、これらの駆動回路部の構成要素を素子基板１上に比較的自由に配置することができる。なお、有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの構成は、これに限定されない。例えば、発光色ごとの輝度を向上させるために、各機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒと反射層２１との間に光共振構造を導入してもよい。
【００５８】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、有機ＥＬ装置１０の製造方法について、図５〜図８を参照して説明する。図５は実施例１の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図６（ａ）〜（ｃ）は実施例１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略平面図、図７（ｄ）〜（ｆ）および図８（ｇ）〜（ｉ）は実施例１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。
【００５９】
図５に示すように、実施例１の有機ＥＬ装置１０の製造方法は、素子基板１上に複数の発光制御単位Ｌｕを形成する発光制御単位形成工程（ステップＳ１）と、隣り合う３つの発光制御単位Ｌｕごとに下地層の表面を３つの膜形成領域に区分して、膜形成領域ごとに、反射層２１を形成する反射層形成工程（ステップＳ２）と、同じく膜形成領域ごとに発光制御単位Ｌｕに電気的に接続するように画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒを形成する画素電極形成工程（ステップＳ３）と、３つの膜形成領域をそれぞれ区画する隔壁部１９を形成する隔壁部形成工程（ステップＳ４）と、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒ上に機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒを形成する機能層形成工程（ステップＳ５）と、隔壁部１９と機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒとを覆うように共通電極２７を形成する共通電極形成工程（ステップＳ６）と、素子基板１と封止基板とを接合して封止する封止工程（ステップＳ７）とを備えている。なお、有機ＥＬ素子形成工程は、反射層形成工程、画素電極形成工程、機能層形成工程、共通電極形成工程を少なくとも含む。
【００６０】
ステップＳ１の発光制御単位形成工程（駆動回路形成工程）では、まず図６（ａ）に示すように、素子基板１上にポリシリコン膜を成膜して、フォトリソグラフィ法により各半導体層１１ａ，１２ａ，１３ａを島状に形成する。膜厚はおよそ５０ｎｍである。ポリシリコン膜の形成方法としては、公知の技術を用いることができ、例えば減圧ＣＶＤ法等が挙げられる。
そして、ＴＦＴ１１，１２に対応する半導体層１１ａ，１２ａでは、ソースおよびドレイン側をマスクし、半導体層１３ａでは、電気的な接続部をマスクした状態で、素子基板１を覆うようにゲート絶縁膜１ａを形成する。ゲート絶縁膜１ａの形成方法としては、例えば、ＳｉＮやＳｉＯをターゲットとして、膜厚がおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように真空中で成膜するスパッタ法などが挙げられる。
【００６１】
次に、ゲート絶縁膜１ａ上に例えば、Ａｌからなる低抵抗金属膜を厚みおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍとなるように同じくスパッタ法などにより成膜する。これをフォトリソグラフィ法によりパターニングして、図６（ｂ）に示すように、走査線３１、データ線４１、走査線３１から半導体層１１ａ上に延びてゲート電極１１ｄとなる配線３１ａ、半導体層１２ａ上から半導体層１３ａの接続部まで延びる配線１３ｃ（ゲート電極１２ｄを含む）、保持容量１３の他方の電極１３ｂを形成する。このとき、データ線４１に対して直交するように延在する走査線３１は、一旦、データ線４１上を切り欠くように形成しておく。
【００６２】
次に、素子基板１のほぼ全面を覆うように層間絶縁膜１４を形成する。層間絶縁膜１４を形成する方法としては、同じくスパッタ法を用い、ＳｉＮやＳｉＯをターゲットとして、膜厚がおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍとなるように真空中で成膜する。このとき、電源線４２以外の配線を形成する部分は、予め感光性樹脂材料等を用いてマスクしておく。層間絶縁膜１４を形成した後にマスクした部分を取り除けば、図６（ｃ）に示すように、コンタクトホール１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅ，１４ｆ，１４ｇ，１４ｈを形成することができる。
【００６３】
次に、再びＡｌからなる低抵抗金属膜を厚みおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍとなるように同じくスパッタ法などにより層間絶縁膜１４上に成膜する。これをフォトリソグラフィ法によりパターニングして、図６（ｃ）に示すように、電源線４２と、各種の配線とを形成する。例えば、コンタクトホール１４ｄとコンタクトホール１４ｆとを低抵抗金属膜で埋めることにより、データ線４１とＴＦＴ１１のソースとを繋ぐ配線１１ｅを形成することができる。コンタクトホール１４ｃとコンタクトホール１４ｅとを低抵抗金属膜で埋めることにより、ＴＦＴ１１のドレインとＴＦＴ１２のゲートとを繋ぐ配線１１ｆを形成することができる。２つのコンタクトホール１４ｇ間を低抵抗金属膜で埋めることにより、途切れていた走査線３１をデータ線４１上において電気的に繋げる配線３１ｃを形成することができる。コンタクトホール１４ｂとコンタクトホール１４ｈとを低抵抗金属膜で埋めることにより、電源線４２とＴＦＴ１２のソースおよび保持容量１３の他方の電極１３ｂとを繋ぐことができる。
【００６４】
次に、このようにしてできあがった駆動回路部を覆うように保護膜１５を成膜する。保護膜１５の形成方法としては、例えばＳｉＮをターゲットとして厚みが２００ｎｍ〜３００ｎｍとなるように同じくスパッタ法などにより成膜する。さらに、保護膜１５を覆うように平坦化層１６を形成する。平坦化層１６の形成方法としては、感光性のアクリル系樹脂をスピンコートまたはロールコートなどの方法により厚みおよそ１μｍ〜２μｍで塗布して固化させ、フォトリソグラフィ法によりパターニングする方法が挙げられる。パターニングするのは、主に、各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒとＴＦＴ１２のドレインとの接続を図るコンタクトホール１４ａに連通するコンタクトホール１６ａである。または、当該コンタクトホール１６ａの部分をマスクしてから平坦化層形成材料をコーティングしてもよい。
【００６５】
次に、ステップＳ２の反射層形成工程では、図７（ｄ）に示すように、平坦化層１６上の段差に応じて区分された第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃごとに反射層２１を形成する。反射層２１の形成方法としては、前述した反射層形成材料であるＡｌ−Ｎｄを厚みおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるようにスパッタ法で成膜する方法が挙げられる。そして、フォトリソグラフィ法により画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒよりもやや広い平面積を有する反射層２１を形成する。続いて、反射層２１を覆うように絶縁膜１７を成膜する。絶縁膜１７の形成方法は、ＳｉＮやＳｉＯをターゲットとして、膜厚がおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように真空中で成膜するスパッタ法などが挙げられる。
【００６６】
ステップＳ３の画素電極形成工程では、図７（ｄ）に示すように、絶縁膜１７上にＩＴＯ膜をスパッタ法などにより厚みおよそ１００ｎｍとなるように成膜する。そして、これをフォトグラフィ法によりパターニングして反射層２１の上方に各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒを形成する。また、コンタクトホール１６ａをＩＴＯ膜で埋めて画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒとＴＦＴ１２（ドレイン）とを接続させる。この場合、各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの平面積はほぼ同等である。
【００６７】
続いて、各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの外縁部を覆うように絶縁膜１８を形成する。絶縁膜１８の形成方法としては、各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの外縁部以外をマスクした状態で、ＳｉＮやＳｉＯをターゲットとしてスパッタし、厚みが５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように成膜する方法が挙げられる。
【００６８】
さらに、ステップＳ４の隔壁部形成工程では、素子基板１の表面にフェノール系あるいはポリイミド系の感光性樹脂材料を厚みが１μｍ〜２μｍとなるようにコーティングし固化して、露光・現像することにより、絶縁膜１８上に隔壁部１９を形成する。これにより、図７（ｄ）に示すように、隔壁部１９は実質的に第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃを区画する。第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃの平面積もほぼ同等である。
【００６９】
次に、ステップＳ５の機能層形成工程について説明する。本実施形態の機能層形成工程は、正孔注入層形成材料を含む液状体を塗布し固化して正孔注入層２５を形成する正孔注入層形成工程と、３つの膜形成領域のうち第１膜形成領域７ａ以外の第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃとに塗布法を用いて機能層２４ｇ，２４ｒのうちの発光層２６ｇ，２６ｒを形成する第１発光層形成工程と、第１膜形成領域７ａに蒸着法を用いて機能層２４ｂのうちの発光層２６ｂを形成する第２発光層形成工程とを含んでいる。
【００７０】
正孔注入層形成工程では、図７（ｄ）に示すように、ノズルから液状体を吐出可能な吐出ヘッド（インクジェットヘッド）５０を用いて、正孔注入層形成材料を含む所定量の液状体６０を液滴として第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃごとに塗布する。液状体６０は、例えば溶媒としてジエチレングリコールと水（純水）とを含み、正孔注入層形成材料として、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を重量比で０．５％含んだ溶液である。粘度がおよそ２０ｍＰａ・ｓ以下となるように溶媒の割合が調整されている。
なお、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ以外の正孔注入層形成材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体が挙げられる。
【００７１】
液状体６０が塗布された素子基板１を例えばランプアニール等の方法で加熱乾燥して溶媒を蒸発させることにより、図７（ｅ）に示すように、第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃごとに、正孔注入層２５を形成する。なお、液状体６０を塗布する前に、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの表面を親液処理すると共に、隔壁部１９の表面を撥液処理する表面処理を素子基板１に施してもよい。親液処理は酸素を処理ガスとしてプラズマ処理する方法、撥液処理はフッソ系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する方法が挙げられる。このようにすれば、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒ上に着弾した液状体６０はムラなく濡れ広がる。
【００７２】
続いて、第１発光層形成工程では、図７（ｆ）に示すように、緑色の発光が得られる発光層形成材料を含む液状体７０Ｇと赤色の発光が得られる発光層形成材料を含む液状体７０Ｒとをそれぞれ異なる吐出ヘッド５０に充填して、対応する第２膜形成領域７ｂと、第３膜形成領域７ｃとに液滴として塗布する。
液状体７０Ｇ，７０Ｒは、例えば溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含み、発光層形成材料として緑色、赤色の発光が得られるポリフルオレン誘導体（ＰＦ）を重量比で０．７％含んだものを用いた。粘度はおよそ１４ｍＰａ・ｓである。なお、ＰＦ以外の発光層形成材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ＰＥＤＯＴ等のポリチオフェニレン誘導体、ポリメチルフェニレンシラン（ＰＭＰＳ）等を用いることができる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ナイルレッド、クマリン６、キナクドリン等低分子材料をドープしたものを用いてもよい。
【００７３】
塗布された液状体７０Ｇ，７０Ｒの乾燥方法（固化方法）としては、一般的な加熱乾燥に比べて溶媒成分を比較的均一に乾燥可能な減圧乾燥法を用いている。これにより、図８（ｇ）に示すように、正孔注入層２５上に発光層２６ｇ，２６ｒを形成することができる。こうして正孔注入層２５と発光層２６ｇとを含む機能層２４ｇが形成される。また、同様に正孔注入層２５と発光層２６ｒとを含む機能層２４ｒが形成される。第２膜形成領域７ｂおよび第３膜形成領域７ｃは、いずれも画素電極２３ｇ，２３ｒが形成された下地層の表面における凹凸のばらつきが第１膜形成領域７ａに比べて小さくなっている。したがって、吐出ヘッド５０から吐出された液状体７０Ｇ，７０Ｒは、それぞれ対応する第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃとにおいてムラ無く濡れ広がり、乾燥後に膜厚がおよそ８０ｎｍの発光層２６ｇ，２６ｒが形成された。
【００７４】
次に、第２発光層形成工程では、図８（ｈ）に示すように、第１膜形成領域７ａの正孔注入層２５上に発光層２６ｂを蒸着法により形成する。このとき、他の第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃに亘って発光層２６ｂを成膜する。したがって、発光層２６ｇや発光層２６ｒの上にも発光層２６ｂが積層形成される。
発光層形成材料としては、例えばＣＢＰなどのホスト材料にＦＩｒｐｉｃなどのドーパント材料を混合したものが挙げられる。膜厚はおよそ５０ｎｍである。
蒸着法を用いて発光層２６ｂを成膜するので、下地層の表面が数十ｎｍ〜数百ｎｍほどの段差を有する第１膜形成領域７ａであっても、正孔注入層２５上に膜厚バラツキが少ない状態で発光層２６ｂが形成される。
これにより、正孔注入層２５と発光層２６ｂとを含む機能層２４ｂ、正孔注入層２５と発光層２６ｇおよび発光層２６ｂを含む機能層２４ｇ、正孔注入層２５と発光層２６ｒおよび発光層２６ｂを含む機能層２４ｒがそれぞれできあがる。
【００７５】
なお、機能層形成工程における機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒの形成方法は、これに限定されない。例えば、正孔注入層２５と発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒとの間に、中間層を形成してもよい。中間層形成材料を含む液状体としては、例えば、溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含み、中間層形成材料として、トリフェニルアミン系ポリマーを重量比で０．１％程度含んだものが挙げられる。
中間層は、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒに対する正孔の輸送性（注入性）を向上させると共に、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒから正孔注入層２５に電子が浸入することを抑制する機能を有する。
また、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒ形成後、正孔ブロック層、電子輸送層を蒸着法により積層してもよい。正孔ブロック層としては、ＢＡｌｑ、ＢＣＰがなどが挙げられ、電子輸送層としてはＡｌｑ３などが挙げられる。正孔ブロック層は、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒから正孔が漏れ出ることを抑制する機能を有する。電子輸送層は、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒに対する電子の輸送性（注入性）を向上させる機能を有する。
すなわち、これらの中間層、正孔ブロック層、電子輸送層は、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒにおける正孔と電子との結合による発光の効率を改善するものである。
【００７６】
次に、ステップＳ６の共通電極形成工程では、図８（ｉ）に示すように、３つの膜形成領域７ａ，７ｂ，７ｃに亘って形成された発光層２６ｂを覆うように、共通電極２７を形成する。これにより有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが完成する。
共通電極２７の材料としては、ＩＴＯとＣａ、Ｂａ、Ａｌ等の金属やＬｉＦ等のフッ化物とを組み合わせて用いるのが好ましい。特に機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒに近い側に仕事関数が小さいＣａ、Ｂａ、ＬｉＦの膜を形成し、遠い側に仕事関数が大きいＩＴＯを形成するのが好ましい。また、共通電極２７の上にＳｉＯ2、ＳｉＮ等の保護層を積層してもよい。このようにすれば、共通電極２７の酸化を防止することができる。共通電極２７の形成方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等が挙げられる。特に機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒの熱による損傷を防止できるという点では、蒸着法が好ましい。
【００７７】
次に、ステップＳ７の封止工程では、発光制御単位Ｌｕと有機ＥＬ素子２０とが形成された素子基板１と、封止基板とを接合することにより有機ＥＬ装置１０が完成する。素子基板１と封止基板の接合方法としては、素子基板１と封止基板との間に空間をおき、複数の有機ＥＬ素子２０を取り囲むように接着剤を配置して接合する所謂缶封止と呼ばれる方法や、当該空間に透明な樹脂を充填して封着する方法が挙げられる。
【００７８】
このような塗布法と蒸着法とを使い分けた有機ＥＬ装置１０およびその製造方法によれば、ほぼ同等の平面積を有する３つの膜形成領域７ａ，７ｂ，７ｃに対して蒸着法によりすべての発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒを選択的に形成する場合に比べて、蒸着マスクを不要としつつ、膜厚ムラが低減された発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒを効率よく形成することができる。すなわち、異なる発光色間の輝度が均衡し、且つ輝度ムラが低減されたトップエミッション型のフルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置１０を実現できると共に、効率よく製造することができる。
【００７９】
なお、本実施例では、発光層２６ｂを発光層２６ｇや発光層２６ｒの上にも形成する構成としたが、発光層２６ｂの形成時に、第１膜形成領域７ａ以外を遮るマスクを用いて、発光層２６ｂを蒸着法により形成することで、第１膜形成領域７ａだけに発光層２６ｂを形成するようにしてもよい。
【００８０】
また、発光層２６ｂを形成する方法として、蒸着法以外にスピンコート法やディップ法等を用いてもよい。この場合も、下地層の表面が数十ｎｍ〜数百ｎｍほどの段差を有する場合であっても、膜厚バラツキが少ない状態で発光層２６ｂを形成することが可能である。言い換えれば、各膜形成領域７ａ，７ｂ，７ｃにおける下地層の凹凸のばらつきを考慮して、異なる成膜方法を選定し、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒを形成する。
【００８１】
この場合、３つの膜形成領域７ａ，７ｂ，７ｃの設定に関連する有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの実質的な発光面積は、必ずしも同じでなくてよい。
主に高分子の発光層形成材料を用いる塗布法は、低分子の発光層形成材料を用いる蒸着法に比べて、現状では形成された発光層の発光寿命が短い傾向にある。また、発光層の発光ピーク波長が長い方が、発光寿命が長い傾向にある。
一方で、発光寿命は発光層を流れる電流量に依存し、輝度は電流量と発光面積に依存する。ゆえに、各発光色を安定した輝度で得ながら発光色間の発光寿命のバランス（均衡）を図る観点では、下地層の凹凸のばらつきが最も大きい部分を含む第１膜形成領域７ａには、凹凸の影響を受け難くい高い被覆性を有する蒸着法で所望の膜厚を有する発光層を形成する。これにより、膜厚ムラに起因して部分的に電流が集中して流れ、輝度ムラや発光寿命が短くなってしまうことを防ぐことができる。合わせて、蒸着法を用いて形成する発光層は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、３色の発光色のうち最も発光ピーク波長が短い青色の発光層２６ｂが好ましい。
さらには、塗布法を用いて形成される発光層２６ｒ（赤）と発光層２６ｇ（緑）とを比較すると、発光層２６ｇ（緑）の方が発光寿命が短くなるおそれがある。したがって、発光層２６ｒが形成される第３膜形成領域７ｃは、発光層２６ｇが形成される第２膜形成領域７ｂよりも、その平面積を小さくすることが好ましい。言い換えれば、平面積が大きい方の膜形成領域に発光寿命が短い方の発光層を形成することが好ましい。発光寿命が短い方の発光層を流れる電流量を抑制することにより、発光色間の発光寿命の差を縮小することができる。
【００８２】
まとめると、
１）下地層の凹凸のばらつきが大きくなる領域を第１膜形成領域７ａとして蒸着法を用いて発光ピーク波長が最も短い青色の発光層２６ｂを形成する。
２）他の第２膜形成領域７ｂおよび第３膜形成領域７ｃは、第１膜形成領域７ａに比べて高い平坦性を有するように隔壁部１９により区画して、発光層２６ｂに比べて発光ピーク波長が長い発光層２６ｇ，２６ｒを塗布法（液滴吐出法）により形成する。
３）第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃの平面積すなわち有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの発光面積は、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒの輝度と発光寿命とを考慮して発光色間でバランスが取れるように設定する。
以降の実施例２〜実施例４においても同じ技術的な思想で塗布法と蒸着法の使い分けがなされている。
【００８３】
（実施例２）
次に、実施例２の有機ＥＬ装置とその製造方法について、図９および図１０を参照して説明する。図９は実施例２の有機ＥＬ装置における発光制御単位と発光単位との配置を示す概略平面図、図１０は図９のＢ−Ｂ'線で切った概略断面図である。なお、実施例１の有機ＥＬ装置１０と同じ構成は、同じ符号を付すことにより、詳細の説明は省略する。
【００８４】
図９に示すように、実施例２の有機ＥＬ装置１００は、格子状に配置され互いに絶縁された走査線３１とデータ線４１とにより区画された領域に対応して、発光制御単位Ｌｕが設けられている。各発光制御単位Ｌｕは、実施例１の有機ＥＬ装置１０と同様に２つのＴＦＴ１１，１２と、保持容量１３と、これらに繋がる配線とを有している。
【００８５】
また、走査線３１に沿って隣り合って配置された発光制御単位Ｌｕに跨る下地層は、上から順に第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃに区分されている。第１膜形成領域７ａには画素電極２３ｂを有する有機ＥＬ素子２０Ｂが設けられている。第２膜形成領域７ｂには画素電極２３ｇを有する有機ＥＬ素子２０Ｇが設けられている。第３膜形成領域７ｃには画素電極２３ｒを有する有機ＥＬ素子２０Ｒが設けられている。
【００８６】
駆動用のＴＦＴ１２に対する各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの電気的な接続の仕方は、実施例１と同じである。
【００８７】
実施例２では、有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒを駆動制御する発光制御単位Ｌｕの保持容量１３が第２膜形成領域７ｂに設けられている。言い換えれば、第２膜形成領域７ｂの下地層は、３つの保持容量１３を含んでいる。
【００８８】
さらに、電源線４２は、第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃとに亘って設けられていると共に、走査線３１に沿って配置された複数の発光制御単位Ｌｕに跨って設けられている。すなわち、実施例２は、実施例１に対して保持容量１３および電源線４２の有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに対する相対的な配置を変えたものである。
【００８９】
より具体的には、図１０に示すように、第１膜形成領域７ａの下地層はＴＦＴ１１，１２を含み、第２膜形成領域７ｂの下地層は保持容量１３と電源線４２とを含み、第３膜形成領域７ｃは電源線４２を含んでいる。したがって、第１膜形成領域７ａの下地層は、表面の凹凸のばらつきが最も大きな部分を含んでいる。これに対して第２膜形成領域７ｂの下地層は、保持容量１３を含んでいるものの、保持容量１３が誘電体層としてのゲート絶縁膜１ａを介して対向配置された一対の電極１３ａ，１３ｂからなるため、その表面の段差は比較的に小さくなる。第３膜形成領域７ｃの下地層は、ほぼ膜厚が一定しているゲート絶縁膜１ａ、層間絶縁膜１４、電源線４２、保護膜１５、平坦化層１６が順に素子基板１上に積層されたものであるため、他に比べて最も良好な平坦性を有している。
【００９０】
そして、実施例１と同様に、第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃとにおける発光層２６ｇ，２６ｒは塗布法（液滴吐出法）により形成され、第１膜形成領域７ａにおける発光層２６ｂは蒸着法により形成されている。
【００９１】
３つの膜形成領域７ａ，７ｂ，７ｃの平面積は、ほぼ同等であるが、実際には様々な大きさに設定されるため、保持容量１３や電源線４２において所望の電気特性（すなわち、電気容量や電気抵抗）を確保する必要がある。その点において、実施例２の有機ＥＬ装置１００は、実施例１の有機ＥＬ装置１０に比べて、保持容量１３や電源線４２を設ける範囲を平面的に拡大しているので、所望の電気特性を確保するための設計上の自由度が高められている。言い換えれば、有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒからより安定した輝度の発光を得ることができる有機ＥＬ装置１００を実現している。
【００９２】
このような有機ＥＬ装置１００の製造方法は、保持容量１３や電源線４２を設ける範囲が拡大されてはいるものの、素子基板１上における各構成要素やその積層状態が実施例１と同じであるため、有機ＥＬ装置１０の製造方法を適用することができる。なお、後述する実施例３および実施例４も同様である。
【００９３】
（実施例３）
次に、実施例３の有機ＥＬ装置およびその製造方法について、図１１および図１２を参照して説明する。図１１は実施例３の有機ＥＬ装置における発光制御単位と発光単位との配置を示す概略平面図、図１２は実施例３の発光制御単位における駆動回路部の構成と膜形成領域との配置を示す概略平面図である。なお、実施例１の有機ＥＬ装置１０と同じ構成は、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。また、図１２では駆動回路部の構成のうち主なＴＦＴ１１，１２や保持容量１３、電源線４２の配置を示し、これらを繋ぐ配線を省略した。
【００９４】
図１１に示すように、実施例３の有機ＥＬ装置２００は、格子状に配置され互いに絶縁された走査線３１とデータ線４１とにより区画された領域に対応して、発光制御単位Ｌｕが設けられている。各発光制御単位Ｌｕは、実施例１の有機ＥＬ装置１０と同様に２つのＴＦＴ１１，１２と、保持容量１３と、これらに繋がる配線とを有している。
【００９５】
また、走査線３１に沿って隣り合って配置された発光制御単位Ｌｕに跨る下地層は、図面上で一番上が第１膜形成領域７ａとなっている。ここまでは、実施例１と同様であるが、第１膜形成領域７ａを除く他の下地層は、データ線４１を跨がないように走査線３１に沿って第４膜形成領域７ｄ、第５膜形成領域７ｅ、第６膜形成領域７ｆ、第７膜形成領域７ｇの４つに区分されている。
【００９６】
第１膜形成領域７ａには有機ＥＬ素子２０Ｂが設けられている。第４膜形成領域７ｄと第５膜形成領域７ｅとに跨って有機ＥＬ素子２０Ｒが設けられている。第６膜形成領域７ｆと第７膜形成領域７ｇとに跨って有機ＥＬ素子２０Ｇが設けられている。
すなわち、実施例３は、実施例１に対して隣り合った発光制御単位Ｌｕを含む下地層の表面を合計５つの膜形成領域７ａ，７ｄ，７ｅ，７ｆ，７ｇに区分すると共に、有機ＥＬ素子２０Ｒと有機ＥＬ素子２０Ｇの相対的な配置を変えたものである。
【００９７】
より具体的には、図１２に示すように、第１膜形成領域７ａの下地層は、ＴＦＴ１１，１２、保持容量１３、画素電極２３ｂ、データ線４１、電源線４２を含んでいる。これに対して、第４膜形成領域７ｄ、第５膜形成領域７ｅ、第６膜形成領域７ｆ、第７膜形成領域７ｇの下地層は、走査線３１やデータ線４１、あるいは電源線４２などの配線を含まない構成となっている。特に、互いに絶縁された状態で交差して素子基板１上に配置される信号線を含まない構成とすることが平坦性を確保する上で好ましい。
【００９８】
また、第４膜形成領域７ｄおよび第５膜形成領域７ｅには、塗布法（液滴吐出法）を用いて赤色の発光層形成材料を含む液状体７０Ｒが塗布されて発光層２６ｒが成膜されている。第６膜形成領域７ｆおよび第７膜形成領域７ｇには、同じく塗布法（液滴吐出法）を用いて緑色の発光層形成材料を含む液状体７０Ｇが塗布されて発光層２６ｇが成膜されている。そして、これらの発光層２６ｇ，２６ｒを覆うと共に、第１膜形成領域７ａには蒸着法を用いて電子輸送型の発光層２６ｂが形成されている。
【００９９】
実施例３の有機ＥＬ装置２００およびその製造方法によれば、塗布法を用いて発光層２６ｇ，２６ｒが形成される第４膜形成領域７ｄ、第５膜形成領域７ｅ、第６膜形成領域７ｆ、第７膜形成領域７ｇは、いずれもその下地層が配線を含まない構成となっている。したがって、実施例１や実施例２に比べて該下地層の表面は、高い平坦性を有する。ゆえに、発光層２６ｇ，２６ｒの膜厚ムラがより低減される。
【０１００】
なお、実施例１で説明したように５つの膜形成領域７ａ，７ｄ，７ｅ，７ｆ，７ｇの設定に関連する有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの実質的な発光面積は、必ずしも同じでなくてよい。
【０１０１】
（実施例４）
次に、実施例４の有機ＥＬ装置およびその製造方法について、図１３および図１４を参照して説明する。図１３は実施例４の有機ＥＬ装置における発光制御単位と発光単位との配置を示す概略平面図、図１４は実施例４の発光制御単位における駆動回路部の構成と膜形成領域との配置を示す概略平面図である。なお、実施例１の有機ＥＬ装置１０と同じ構成は、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。また、図１４では駆動回路部の構成のうち主なＴＦＴ１１，１２や保持容量１３、電源線４２の配置を示し、これらを繋ぐ配線を省略した。
【０１０２】
図１３に示すように、実施例４の有機ＥＬ装置３００は、実施例３の有機ＥＬ装置２００に対して、データ線４１の配置を一部変えると共に、これに伴って隣り合う発光制御単位Ｌｕにおける駆動回路部の構成要素の配置を異ならせたものである。
【０１０３】
具体的には、２本のデータ線４１が隣り合って延在するように設けられ、該２本のデータ線４１を挟んで２つの発光制御単位Ｌｕが走査線３１に沿って配置されている。
【０１０４】
２つの発光制御単位Ｌｕを含む下地層は、走査線３１に沿って２つの発光制御単位Ｌｕに跨る第１膜形成領域７ａと、一方（図面上では左側）の発光制御単位Ｌｕが設けられた範囲内の第８膜形成領域７ｈと、他方（図面上では右側）の発光制御単位Ｌｕが設けられた範囲内の第９膜形成領域７ｊとからなる３つの膜形成領域に区分されている。
【０１０５】
第１膜形成領域７ａには有機ＥＬ素子２０Ｂが設けられている。第８膜形成領域７ｈには有機ＥＬ素子２０Ｒが設けられている。第９膜形成領域７ｊには有機ＥＬ素子２０Ｇが設けられている。実施例１と同様に、有機ＥＬ素子２０Ｂは蒸着法を用いて形成された発光層２６ｂを有し、有機ＥＬ素子２０Ｇ（有機ＥＬ素子２０Ｒ）は塗布法（液滴吐出法）を用いて形成された発光層２６ｇ（発光層２６ｒ）を有するものである。
【０１０６】
より具体的には、図１４に示すように、一方の発光制御単位Ｌｕには、２つの有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｒを駆動制御するための駆動回路部の構成（ＴＦＴ１１，１２、保持容量１３、電源線４２など）が配置されている。ＴＦＴ１１，１２および保持容量１３はデータ線４１に沿った方向の軸に対して線対称な状態で配置されている。
【０１０７】
他方の発光制御単位Ｌｕには、有機ＥＬ素子２０Ｇを駆動制御するための駆動回路部の構成が配置されている。
【０１０８】
電源線４２は、第１膜形成領域７ａ内に設けられた３つの保持容量１３を覆うと共に、走査線３１に沿って延在している。
【０１０９】
有機ＥＬ素子２０Ｂの画素電極２３ｂは一方の発光制御単位Ｌｕの片方のＴＦＴ１２（ドレイン）に接続し、有機ＥＬ素子２０Ｒの画素電極２３ｒは一方の発光制御単位Ｌｕのもう片方のＴＦＴ１２（ドレイン）に接続している。有機ＥＬ素子２０Ｇの画素電極２３ｇは他方の発光制御単位ＬｕのＴＦＴ１２（ドレイン）に接続している。
【０１１０】
実施例４の有機ＥＬ装置３００によれば、データ線４１を含まないように区分された第８膜形成領域７ｈと第９膜形成領域７ｊとに塗布法（液滴吐出法）で発光層２６ｇ，２６ｒが形成されている。実施例３のように発光層２６ｇ，２６ｒがそれぞれ２つの領域に分割されていないので、発光層形成材料を含む液状体７０Ｇ，７０Ｒの吐出（塗布）が複雑にならずに済む。また、第８膜形成領域７ｈと第９膜形成領域７ｊとに行き渡らせることが比較的に容易である。つまり、下地層の平坦性が確保され、より膜厚ムラが少ない発光層２６ｇ，２６ｒが形成可能である。
【０１１１】
さらには、３つの膜形成領域７ａ，７ｈ，７ｊの平面積をほぼ同じとしてもよいし、少なくとも１つを異ならせてもよい。特に、２本のデータ線４１を跨がずに画素電極２３ｇ，２３ｒをそれぞれ設けることが可能であるから、画素電極２３ｇ，２３ｒの大きさ、つまりは有機ＥＬ素子２０Ｇ，２０Ｒの発光面積を比較的自由に調整可能である。
【０１１２】
なお、実施例４における電源線４２や保持容量１３の配置は、これに限定されない。図１７は、実施例４に対する変形例の駆動回路部の配置を示す概略平面図である。
図１７に示すように、変形例の有機ＥＬ装置５００は、実施例４の有機ＥＬ装置３００に対して電源線４２と保持容量１３の配置を変えたものである。
具体的には、第１膜形成領域７ａと第８膜形成領域７ｈ並びに第９膜形成領域７ｊに跨るように電源線４２が設けられている。とりわけ第１膜形成領域７ａでは、ＴＦＴ１１，１２が設けられた領域を避け、互いに隣接した２つのデータ線４１を跨いで電源線４２に沿って保持容量１３が設けられている。また、第８膜形成領域７ｈには、平面的にほぼ画素電極２３ｒの大きさと同じ大きさで画素電極２３ｒと重なる位置に保持容量１３ｈが設けられている。同様に、第９膜形成領域７ｊには、平面的にほぼ画素電極２３ｇの大きさと同じ大きさで画素電極２３ｇと重なる位置に保持容量１３ｊが設けられている。
このような電源線４２および保持容量１３，１３ｈ，１３ｊの配置とすることにより、各有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに対応した電気容量を有する保持容量１３，１３ｈ，１３ｊとすることができる。言い換えれば、保持容量の設計上の自由度を上げることができる。
【０１１３】
（第２実施形態）
次に、本実施形態の電子機器について携帯型電話機を例に説明する。図１５は、電子機器としての携帯型電話機を示す斜視図である。
【０１１４】
図１５に示すように、本実施形態の携帯型電話機１０００は、操作ボタン１００３を備えた本体１００２と、本体１００２にヒンジを介して折畳式に取り付けられた表示部１００１とを備えている。
表示部１００１には、上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１０，１００，２００，３００のいずれかが搭載されている。
したがって、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒの膜厚ムラに起因する輝度ムラが低減され見映えのよいフルカラー表示が可能な携帯型電話機１０００を提供することができる。
【０１１５】
なお、上記有機ＥＬ装置１０，１００，２００，３００のいずれかが搭載された電子機器は、携帯型電話機１０００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワーなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。
【０１１６】
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１１７】
（変形例１）上記第１実施形態の実施例３において、下地層における膜形成領域の区分の仕方は、これに限定されない。図１６は変形例の発光制御単位における駆動回路部の構成と膜形成領域との配置を示す概略平面図である。例えば、図１６に示すように、変形例の有機ＥＬ装置４００は、走査線３１に沿って配置された３つの発光制御単位Ｌｕに跨るように第１膜形成領域７ａが区分されている。データ線４１を挟んで２つの発光制御単位Ｌｕに跨るように第１０膜形成領域７ｋと第１１膜形成領域７Ｌとがそれぞれ区分されている。第１膜形成領域７ａには高い被覆性を有する蒸着法で発光層２６ｂが形成され、第１０膜形成領域７ｋと第１１膜形成領域７Ｌとには塗布法（液滴吐出法）で発光層２６ｒ，２６ｇがそれぞれ形成されている。
第１０膜形成領域７ｋと第１１膜形成領域７Ｌとは、それぞれデータ線４１を跨いで区分されているものの、実施例３のように発光層２６ｇ，２６ｒが形成される領域が分割されておらず、平坦性がある程度確保されているので、膜厚ムラが少ない発光層２６ｒ，２６ｇが形成される。
【０１１８】
（変形例２）上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０，１００，２００，３００は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の発光色が得られるものに限らず、他の色の発光色が得られる有機ＥＬ素子２０を備えていてもよい。言い換えれば、１つの表示単位において発光層が形成される膜形成領域の数は、３つに限定されない。より高い色再現性を実現できる。
【０１１９】
（変形例３）上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１０の製造方法において、第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃとで平面積が異なる場合、第１発光層形成工程では、平面積が小さいほど塗布後の乾燥が進み易く、乾燥速度の違いで成膜後の膜形状が安定しないおそれがある。したがって、平面積が大きい順に液状体７０Ｇ，７０Ｒを塗布することが望ましい。これによって、第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃ間の乾燥速度の差を抑制して、安定した膜形状の発光層２６ｇ，２６ｒを形成することができる。
【０１２０】
（変形例４）上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１０の製造方法において、第１発光層形成工程では、第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃとに、それぞれ異なる種類の液状体７０Ｇ，７０Ｒを塗布すると、後から塗布した液状体の膜形成領域に対する濡れ性が低下する。したがって、異なる種類の液状体７０Ｇ，７０Ｒのうち膜形成領域に対する濡れ性が低い順に塗布することが望ましい。このようにすれば、液状体７０Ｇ，７０Ｒの各膜形成領域における濡れ性を安定的に確保してムラなく塗布することができる。
【０１２１】
（変形例５）上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１０の製造方法において、異なる発光層形成材料を含む液状体７０Ｇ，７０Ｒのうち、例えば、水分や酸素に曝露されたり、加熱等を受けることによって失活し易い発光層形成材料を含む液状体は、一番最後に塗布することが望ましい。これにより歩留りを向上させることができる。
【符号の説明】
【０１２２】
１…基板としての素子基板、１０，１００，２００，３００，４００…有機ＥＬ装置、１１，１２…薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、１３，１３ｈ，１３ｊ…保持容量、１９…隔壁部、２０Ｂ…第１有機ＥＬ素子としての青色の有機ＥＬ素子、２０Ｇ…第２有機ＥＬ素子としての緑色の有機ＥＬ素子、２０Ｒ…第３有機ＥＬ素子としての赤色の有機ＥＬ素子、２３ｂ，２３ｇ，２３ｒ…画素電極、２４ｂ，２４ｇ，２４ｒ…機能層、２６ｂ…第１発光層としての青色の発光層、２６ｇ…第２発光層としての緑色の発光層、２６ｒ…第３発光層としての赤色の発光層、２７…共通電極、３１…走査線、４１…データ線、４２…電源線、１０００…電子機器としての携帯型電話機、Ｌｕ…発光制御単位。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を有する有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置、有機ＥＬ装置の製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記有機ＥＬ装置としては、隔壁によって区画された略矩形状の開口領域に発光層を含む機能層を有し、開口領域には長辺部間の幅が狭められてなる狭窄部が長辺部の長さ方向における中央部に設けられた発光装置が知られている（特許文献１）。
【０００３】
また、他の有機ＥＬ装置として、異なる発光色の画素間を区切る第１の隔壁と、同一発光色の画素間を部分的に仕切る第２の隔壁とを有し、同一発光色の隣接する画素に形成された有機機能層同士が第２の隔壁の非形成領域で繋がっている発光装置が知られている（特許文献２）。
【０００４】
上記特許文献１および上記特許文献２の発光装置は、いずれも隔壁の形状や配置が工夫され、隔壁で区画された領域に形成される有機機能層の膜厚のばらつきを低減可能とするものである。また、有機機能層に含まれる発光層は、液滴吐出法（インクジェット法）により発光層形成材料を含む液状組成物を上記隔壁で区画された領域に吐出して、固化することにより形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１０３０３２号公報
【特許文献２】特開２００７−２２７１２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１および上記特許文献２に開示された発光装置は、アクティブ駆動型の発光装置であり、基板上において駆動回路上に有機機能層を有する発光素子が積層形成されたものである。駆動回路は、少なくとも２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、これらに接続する配線とにより構成されている。
したがって、基板上には、これらの電気的な構成要素が配置されていることから、隔壁により区画された領域の表面は、必ずしも平坦ではなく、段差が生じている。それゆえ、特に液滴吐出法（インクジェット法）を用いて有機機能層を形成すると、吐出された液状組成物が段差の最も低い部分に集まり易く、乾燥後に必ずしも均一な膜厚が得られないというおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。また、以下の形態または適用例において、「上」とは、基板から見て有機ＥＬ素子が配置された方向を示し、「○○上に」と記載された場合、○○の上に接するように配置される場合または○○の上に他の構成物を介して配置される場合または○○の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【０００８】
［適用例１］本適用例の有機ＥＬ装置は、基板を含む下地層と、前記下地層上に形成され、隣り合う第１膜形成領域と第２膜形成領域とを互いに区画する隔壁部と、前記下地層上であって、平面視で前記第１膜形成領域と重なる位置に形成されると共に、第１の色の光を発光可能な第１有機ＥＬ素子と、前記下地層上であって、平面視で前記第２膜形成領域と重なる位置に形成されると共に、前記第１の色の光とは異なる第２の色を発光可能な第２有機ＥＬ素子と、前記下地層に形成されており、前記第１有機ＥＬ素子の駆動を制御する第１駆動回路部と、前記下地層に形成されており、前記第２有機ＥＬ素子の駆動を制御する第２駆動回路部と、を有し、前記第１駆動回路部の少なくとも一部及び前記第２駆動回路部の少なくとも一部は、平面視において前記第１膜形成領域と重なるように配置されており、前記第１有機ＥＬ素子が有する第１発光層と前記第２有機ＥＬ素子が有する第２発光層とは、異なる成膜方法によって形成されていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、下地層は第１駆動回路部と第２駆動回路部を含むものであり、その表面はこれらの駆動回路部に起因する凹凸が生じ易い。隔壁部は、第１駆動回路部の少なくとも一部及び第２駆動回路部の少なくとも一部を含む第１膜形成領域とそれ以外の第２膜形成領域とを区画している。そして、第１膜形成領域と重なる位置に形成される第１発光層の成膜方法と、第２膜形成領域と重なる位置に形成される第２発光層の成膜方法とを異ならせることにより、それぞれの下地層の凹凸のばらつきに対応した成膜方法を選択して各発光層が設けられる。下地層の凹凸のばらつきが大きい方の膜形成領域には、例えば被覆性が優れた成膜方法を用いて膜厚ばらつきが少ない発光層が形成可能となる。その結果、隔壁部が駆動回路部をすべて含むように下地層を区画して得られた膜形成領域に発光層を設ける場合に比べて、下地層の凹凸のばらつきに起因した発光層の膜厚ムラが低減される。ゆえに、発光層の膜厚ムラに起因する輝度ムラなどが低減され、少なくとも２色の発光が得られる有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１膜形成領域と平面視において重なる領域の前記下地層の表面における凹凸のばらつきは、前記第２膜形成領域と平面視において重なる領域の前記下地層の凹凸のばらつきよりも大きいことを特徴とする。
この構成によれば、第１膜形成領域が第２膜形成領域に比べて下地層の凹凸のばらつきが大きくても、異なる成膜方法を用いて膜厚ムラが少ない第１発光層を設けることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第２発光層上に、前記第１発光層を形成するのと同一プロセスで形成され、前記第１発光層と同一材料からなる層が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、第１発光層と第２発光層とをそれぞれ対応する膜形成領域に選択的に設ける場合に比べて、第１発光層形成時に第２膜形成領域のマスキングが不要となり効率よく各発光層を設けることができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部は、それぞれ２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、を有し、前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部がそれぞれ有する、前記２つの薄膜トランジスター及び前記保持容量は、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されていることを特徴とする。
この構成によれば、薄膜トランジスターおよび保持容量に起因する下地層の凹凸を第１膜形成領域に集中させ、第１膜形成領域に比べて第２膜形成領域における下地層の凹凸のばらつきを小さくすることができる。すなわち、第２膜形成領域に設けられる第２発光層の膜厚ムラをより低減できる。
【００１３】
［適用例５］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部は、それぞれ２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、を有し、前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部がそれぞれ有する、前記２つの薄膜トランジスターは、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されており、前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部がそれぞれ有する、前記保持容量は、平面視において前記第２膜形成領域と重なる位置に配置されているとしてもよい。
この構成によれば、薄膜トランジスターと保持容量とを第１膜形成領域に配置する場合に比べて、保持容量が第２膜形成領域に配置されるので、保持容量の設計上の自由度を高められる。
【００１４】
［適用例６］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記隔壁部は、前記第１膜形成領域及び前記第２膜形成領域と隣り合う第３膜形成領域を区画しており、前記下地層上であって、平面視で前記第３膜形成領域と重なる位置に形成されると共に、前記第１の色の光及び前記第２の色の光とは異なる第３の色の光を発光可能な第３有機ＥＬ素子と、前記下地層に形成されており、前記第３有機ＥＬ素子の駆動を制御する第３駆動回路部と、平面視において、前記第２膜形成領域と前記第３膜形成領域の間に配置されると共に、前記第１膜形成領域を横切るように配置された第１データ線及び第２データ線と、を有し、前記第３有機ＥＬ素子が有する第３発光層は、前記第１有機ＥＬ素子が有する第１発光層とは異なる成膜方法によって形成されており、前記第３駆動回路部の少なくとも一部は、平面視において前記第１膜形成領域と重なるように配置されており、前記第１データ線は、前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部及び前記第３駆動回路部のうちのいずれか１つの駆動回路部と電気的に接続しており、前記第２データ線は、前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部及び前記第３駆動回路部のうちのいずれか１つの駆動回路部であって、前記第１データ線と電気的に接続された駆動回路部以外の駆動回路部と電気的に接続していることを特徴とする。
この構成によれば、隔壁部により区画された第１膜形成領域は第１および第２データ線を跨ぎ、他の第２膜形成領域および第３膜形成領域は第１および第２データ線を跨ぐことなく区画されている。したがって、第１膜形成領域に対して第２膜形成領域および第３膜形成領域における下地層の凹凸のばらつきを小さくできる。したがって、第２および第３膜形成領域に膜厚ムラが低減された第２発光層、第３発光層を設けることができる。すなわち、膜厚ムラに起因する輝度ムラなどが低減された少なくとも３色の発光が得られる有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置を提供できる。
【００１５】
［適用例７］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部および前記第３駆動回路部は、それぞれ２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、を有し、前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部および前記第３駆動回路部がそれぞれ有する、前記２つの薄膜トランジスター及び前記保持容量は、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されているとしてもよい。
この構成によれば、薄膜トランジスターおよび保持容量に起因する下地層の凹凸を第１膜形成領域に集中させ、第１膜形成領域に比べて第２および第３膜形成領域における下地層の凹凸のばらつきをより小さくすることができる。すなわち、第２および第３発光層の膜厚ムラをより低減できる。
【００１６】
［適用例８］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部および前記第３駆動回路部は、それぞれ２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、を有し、前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部および前記第３駆動回路部がそれぞれ有する、前記２つの薄膜トランジスターは、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されており、前記第１駆動回路部が有する前記保持容量は、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されており、前記第２駆動回路部が有する前記保持容量は、平面視において前記第２膜形成領域と重なる位置に配置されており、前記第３駆動回路部が有する前記保持容量は、平面視において前記第３膜形成領域と重なる位置に配置されているとしてもよい。
この構成によれば、膜形成領域ごとに保持容量が配置されているので、第１膜形成領域に３つ分の保持容量を設ける場合に比べて、保持容量の設計上の自由度を上げることができる。
【００１７】
［適用例９］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されており、前記第２発光層は、液滴吐出法によって形成されていることが好ましい。
この構成によれば、第１膜形成領域における下地層の凹凸のばらつきが他の膜形成領域に比べて大きくても、高い被覆性を有する蒸着法またはスピンコート法で第１発光層が形成されているので、ほぼ均一な膜厚を有する第１発光層を設けることができる。また、第２膜形成領域における下地層の凹凸のばらつきを第１膜形成領域に比べて小さくできるので、液滴吐出法を用いて第２発光層を形成すれば、ほぼ均一な膜厚を有する第２発光層を設けることができる。
【００１８】
［適用例１０］本適用例の有機ＥＬ装置の製造方法は、基板を含む下地層上に、第１有機ＥＬ素子と、第２有機ＥＬ素子とを有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記下地層内であって、前記基板の上方に、前記第１有機ＥＬ素子の駆動を制御する第１駆動回路部と、前記第２有機ＥＬ素子の駆動を制御する第２駆動回路部とを形成する駆動回路形成工程と、前記下地層上に形成され、隣り合う第１膜形成領域と第２膜形成領域とを互いに区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、前記下地層上であって、平面視で前記第１膜形成領域と重なる位置に、第１の色の光を発光可能な前記第１有機ＥＬ素子を形成すると共に、前記下地層上であって、平面視で前記第２膜形成領域と重なる位置に、前記第１の色とは異なる第２の色の光を発光可能な前記第２有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素子形成工程とを有し、前記駆動回路形成工程において、前記第１駆動回路部の少なくとも一部及び前記第２駆動回路部の少なくとも一部は、平面視において前記第１膜形成領域と重なるように形成し、前記第１有機ＥＬ素子が有する第１発光層と前記第２有機ＥＬ素子が有する第２発光層とは、異なる成膜方法によって形成することを特徴とする。
【００１９】
この方法によれば、駆動回路形成工程では、第１膜形成領域と重なるように第１駆動回路部の少なくとも一部及び第２駆動回路部の少なくとも一部が形成される。このため、第１膜形成領域における下地層の凹凸のばらつきが第２膜形成領域に比べて大きくなる。言い換えれば、第２膜形成領域における下地層の凹凸のばらつきが第１膜形成領域に比べて小さくなる。このような第１および第２膜形成領域に対して異なる成膜方法を採用して各発光層を形成すれば、下地層の凹凸のばらつきを考慮した成膜方法をそれぞれ選択して、膜厚ムラが少ない第１発光層並びに第２発光層を形成することができる。すなわち、すべての発光層を同一の成膜方法で形成する場合に比べて、発光層の膜厚ムラに起因する輝度ムラが低減され、少なくとも２色の発光が得られる有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置を製造できる。
【００２０】
［適用例１１］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記有機ＥＬ素子形成工程は、前記第２発光層を液滴吐出法によって形成する第１発光層形成工程と、前記第１発光層を蒸着法またはスピンコート法によって形成する第２発光層形成工程と、を有することが好ましい。
この方法によれば、第２膜形成領域に比べて下地層の凹凸のばらつきが大きい第１膜形成領域には、高い被覆性を有する蒸着法やスピンコート法を用いて第１発光層をほぼ均一に形成することができる。また、第１膜形成領域に比べて下地層の凹凸のばらつきが小さい第２膜形成領域には、液滴吐出法を用いて第２発光層をほぼ均一に且つ発光層形成材料の無駄を省いて効率よく形成することができる。
【００２１】
［適用例１２］本適用例の電子機器は、上記適用例の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする。
この構成によれば、輝度ムラなどが低減され、異なる発光色が得られる有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ装置を備えているので、高い表示品質を有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施例１の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】実施例１の発光単位と発光制御単位の配置を示す概略平面図。
【図３】実施例１の発光制御単位における駆動回路部を示す概略平面図。
【図４】図３のＡ−Ａ'線で切った発光単位と発光制御単位の概略断面図。
【図５】実施例１の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は実施例１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略平面図。
【図７】（ｄ）〜（ｆ）は実施例１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図８】（ｇ）〜（ｉ）は実施例１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図９】実施例２の有機ＥＬ装置における発光制御単位と発光単位との配置を示す概略平面図。
【図１０】図９のＢ−Ｂ'線で切った概略断面図。
【図１１】実施例３の有機ＥＬ装置における発光制御単位と発光単位との配置を示す概略平面図。
【図１２】実施例３の発光制御単位における駆動回路部の構成と膜形成領域との配置を示す概略平面図。
【図１３】実施例４の有機ＥＬ装置における発光制御単位と発光単位との配置を示す概略平面図。
【図１４】実施例４の発光制御単位における駆動回路部の構成と膜形成領域との配置を示す概略平面図。
【図１５】電子機器としての携帯型電話機を示す斜視図。
【図１６】変形例の発光制御単位における駆動回路部の構成と膜形成領域との配置を示す概略平面図。
【図１７】実施例４に対する変形例の駆動回路部の配置を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２４】
（第１実施形態）
本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置とその製造方法について、実施例１〜実施例４を挙げて説明する。
【００２５】
（実施例１）
＜有機ＥＬ装置＞
図１は実施例１の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図２は実施例１の発光単位と発光制御単位の配置を示す概略平面図、図３は実施例１の発光制御単位における駆動回路部を示す概略平面図、図４は図３のＡ−Ａ'線で切った発光単位と発光制御単位の概略断面図である。
【００２６】
図１に示すように、実施例１の有機ＥＬ装置１０は、発光単位としての有機ＥＬ素子２０を駆動するスイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型の表示装置である。
【００２７】
有機ＥＬ装置１０は、走査線駆動部３に接続された複数の走査線３１と、データ線駆動部４に接続された複数のデータ線４１と、各走査線３１に並列して設けられた複数の電源線４２と、を備えている。互いに絶縁され交差する走査線３１とデータ線４１とによって区画された領域に対応して設けられた発光制御単位Ｌｕによって有機ＥＬ素子２０の発光制御が行われている。
【００２８】
各発光制御単位Ｌｕは、走査線３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用のＴＦＴ１１と、このＴＦＴ１１を介してデータ線４１から供給される画素信号を保持する保持容量１３と、該保持容量１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用のＴＦＴ１２とを含む駆動回路部を備えている。
発光単位としての有機ＥＬ素子２０は、駆動用のＴＦＴ１２を介して電源線４２に電気的に接続したときに該電源線４２から駆動電流が流れ込む画素電極２３と、画素電極２３と共通電極２７との間に挟み込まれた機能層２４とを有している。
これらのＴＦＴ１１，１２に接続する走査線３１とデータ線４１とを総称して信号線と呼ぶ。
【００２９】
走査線３１が駆動されてスイッチング用のＴＦＴ１１がオン状態になると、そのときのデータ線４１の電位が保持容量１３に保持され、該保持容量１３の状態に応じて、駆動用のＴＦＴ１２のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用のＴＦＴ１２を介して、電源線４２から画素電極２３に電流が流れ、さらに機能層２４を介して共通電極２７に電流が流れる。機能層２４は、これを流れる電流量に応じて発光する。なお、発光制御単位Ｌｕの駆動回路部の構成は、これに限定されるものではなく、例えば２つ以上の薄膜トランジスターを含むとしてもよい。
【００３０】
次に、有機ＥＬ装置１０における各構成の基板上における配置について、図２および図３を参照して説明する。
【００３１】
図２に示すように、格子状に配置され互いに絶縁された走査線３１とデータ線４１とにより区画された領域に対応して、発光制御単位Ｌｕが設けられている。各発光制御単位Ｌｕは、前述したように２つのＴＦＴ１１，１２と、保持容量１３と、これらに繋がる配線とを有している。
【００３２】
走査線３１に沿った隣り合う３つの発光制御単位Ｌｕに跨った部分は、それぞれがほぼ同じ平面積を有する３つの略矩形状の領域に区分されている。上から順に第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃと呼ぶ。
【００３３】
第１膜形成領域７ａには、第１有機ＥＬ素子としての青色（Ｂ）の発光が得られる機能層２４ｂを有する有機ＥＬ素子２０Ｂが設けられている。第２膜形成領域７ｂには、第２有機ＥＬ素子としての緑色（Ｇ）の発光が得られる機能層２４ｇを有する有機ＥＬ素子２０Ｇが設けられている。第３膜形成領域７ｃには、第３有機ＥＬ素子としての赤色（Ｒ）の発光が得られる機能層２４ｒを有する有機ＥＬ素子２０Ｒが設けられている。言い換えれば、異なる発光色が得られる発光単位としての３つの有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが走査線３１に沿った隣り合う同数（３つ）の発光制御単位Ｌｕに跨って設けられている。
また、このような３つの有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒを１つの表示単位として、複数の表示単位が基板上にマトリクス状に設けられている。
【００３４】
電源線４２は、走査線３１に沿うと共に、隣り合う表示単位の第１膜形成領域７ａに亘って設けられている。
【００３５】
より具体的には、図３に示すように、ＴＦＴ１１，１２は、走査線３１とデータ線４１との交差点近傍に設けられている。ＴＦＴ１１，１２には、走査線３１やデータ線４１、保持容量１３に接続する配線と、ＴＦＴ１１（ドレイン）とＴＦＴ１２（ゲート）とを繋ぐ配線とが設けられている。
ＴＦＴ１２は、３端子（ゲート、ソース、ドレイン）のうちの１つ（ソース）が電源線４２に接続し、有機ＥＬ素子２０に電源線４２から流れ込む電流を制御するものであり、有機ＥＬ素子２０のスイッチングを行うＴＦＴ１１に比べて耐電流、耐電圧等の関係からより大きな平面積を有する。
【００３６】
保持容量１３は平面的に略四角形であり、ＴＦＴ１１，１２の近傍に設けられ、発光制御単位Ｌｕの平面積のほぼ１／６の大きさを占めている。なお、保持容量１３の電気容量は、走査信号におけるフレーム周波数や駆動用のＴＦＴ１２のオフ（ＯＦＦ）時漏れ電流、有機ＥＬ素子２０の発光特性を考慮して設計される。それゆえに実際には、適正な電気容量を定めることにより、保持容量１３の平面積が決まる。
【００３７】
隣り合う３つの発光制御単位ＬｕのＴＦＴ１１，１２と保持容量１３とが設けられた領域、すなわち第１膜形成領域７ａに亘って、青色（Ｂ）の発光が得られる有機ＥＬ素子２０Ｂの画素電極２３ｂが設けられている。画素電極２３ｂは、走査線３１に沿って配列する３つの発光制御単位Ｌｕのうち右端の発光制御単位ＬｕのＴＦＴ１２（ドレイン）に接続している。
【００３８】
隣り合う３つの発光制御単位Ｌｕに跨る第２膜形成領域７ｂに亘って、緑色（Ｇ）の発光が得られる有機ＥＬ素子２０Ｇの画素電極２３ｇが設けられている。画素電極２３ｇは、走査線３１に沿って配列する３つの発光制御単位Ｌｕのうち左端の発光制御単位ＬｕのＴＦＴ１２（ドレイン）に接続している。
【００３９】
隣り合う３つの発光制御単位Ｌｕに跨る第３膜形成領域７ｃに亘って、赤色（Ｒ）の発光が得られる有機ＥＬ素子２０Ｒの画素電極２３ｒが設けられている。画素電極２３ｒは、走査線３１に沿って配列する３つの発光制御単位Ｌｕのうち中央の発光制御単位ＬｕのＴＦＴ１２（ドレイン）に接続している。
【００４０】
画素電極２３ｇ，２３ｒは、実際には配線の都合上、走査線３１に沿って隣り合う３つの発光制御単位Ｌｕに対して、データ線４１に沿って隣り合う他の発光制御単位Ｌｕに設けられたＴＦＴ１２（ドレイン）にそれぞれ接続している。なお、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒとＴＦＴ１２との接続方法は、これに限定されるものではない。
【００４１】
次に、有機ＥＬ装置１０の厚み方向における構造について図４を参照して説明する。
図４に示すように、発光制御単位Ｌｕと、各発光色の有機ＥＬ素子２０（個々には有機ＥＬ素子２０Ｂ、有機ＥＬ素子２０Ｇ、有機ＥＬ素子２０Ｒと呼ぶ）とは、基板としての素子基板１上に積層形成されている。発光制御単位Ｌｕが発光単位としての有機ＥＬ素子２０の下地層に含まれる構成となっている。言い換えれば、発光制御単位Ｌｕが設けられた下地層上に各有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが設けられている。
また、本実施例では、下地層には素子基板１、発光制御単位Ｌｕ、反射層２１、絶縁膜１７が含まれている。
【００４２】
素子基板１は、透明なガラスや樹脂等の基板あるいは、不透明なシリコン等の基板が用いられる。まず、素子基板１の表面に例えばポリシリコン膜からなる半導体層１１ａ，１２ａ，１３ａがそれぞれ島状に設けられる。半導体層１１ａはＴＦＴ１１を構成するものであり、半導体層１２ａはＴＦＴ１２を構成するものである。半導体層１３ａは、保持容量１３を構成するものであり一方の電極となる。したがって、一方の電極１３ａと呼ぶこともある。半導体層１１ａ，１２ａ，１３ａの膜厚はおよそ５０ｎｍである。
【００４３】
島状の半導体層１１ａ，１２ａの外縁およびゲートと、半導体層１３ａの一部を除くほぼ全面を覆うようにゲート絶縁膜１ａが設けられている。半導体層１３ａを覆うゲート絶縁膜１ａは誘電体層として機能する。ゲート絶縁膜１ａの厚みは、およそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００４４】
ゲート絶縁膜１ａ上には、例えばＡｌ（アルミ）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、あるいはこれらの金属化合物からなる低抵抗金属配線層が設けられ、これをパターニングすることにより、走査線３１、データ線４１（図示省略）、ＴＦＴ１１，１２の各ゲート電極１１ｄ，１２ｄを構成している。また、保持容量１３の他方の電極１３ｂや一方の電極１３ａに繋がる配線（図示省略）を構成している。そして、これらを覆うように層間絶縁膜１４が設けられている。該低抵抗金属配線層の厚みはおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍである。層間絶縁膜１４の厚みもおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍである。
【００４５】
層間絶縁膜１４には、ＴＦＴ１１，１２のソースやドレインとの接続を図るためのコンタクトホール１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄが設けられている。また、保持容量１３と電源線４２およびＴＦＴ１２との接続を図るためのコンタクトホール（図示省略）が設けられている。
【００４６】
層間絶縁膜１４上に例えばＡｌ、Ｔａ、Ｗ、あるいはこれらの金属化合物などの低抵抗金属配線層が設けられ、これをパターニングすることにより、電源線４２やコンタクトホール１４ｂ，１４ｃ間を繋ぐ配線、電源線４２とコンタクトホール１４ｄ間を繋ぐ配線等を構成している。該低抵抗金属配線層の厚みはおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍである。
【００４７】
そして、電源線４２や層間絶縁膜１４を覆うように保護膜１５が設けられ、さらに保護膜１５を覆うように平坦化層１６が設けられている。上述したゲート絶縁膜１ａ、層間絶縁膜１４、保護膜１５は、例えばＳｉＮやＳｉＯ、ＳｉＯ2あるいはこれらシリコン化合物などの無機混合物からなる。保護膜１５の厚みはおよそ２００ｎｍ〜３００ｎｍである。平坦化層１６は、例えばアクリル系やエポキシ系の有機樹脂からなり、厚みはおよそ１μｍ〜２μｍである。
【００４８】
このように低抵抗金属配線層や層間絶縁膜１４などに比べて厚い平坦化層１６を設けても、素子基板１上における平坦化層１６の表面には凹凸が生じてしまう。特に、ＴＦＴ１１，１２が設けられた第１膜形成領域７ａの表面は、ＴＦＴ１１，１２に接続を図るためのコンタクトホール１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄや配線の形成により、他の第２膜形成領域７ｂや第３膜形成領域７ｃに比べてより多くの凹凸を有する。
【００４９】
この場合、平坦化層１６上の凹凸のばらつきは、ＴＦＴ１１，１２や保持容量１３、およびこれに繋がる低抵抗金属配線層を有する第１膜形成領域７ａが最も大きくなっている。これに対してＴＦＴ１１，１２や保持容量１３を有しない第２膜形成領域７ｂや第３膜形成領域７ｃの平坦化層１６上の凹凸のばらつきは小さくなっている。
ここでいう凹凸のばらつきは、平坦化層１６表面の算術平均粗さ（Ra）や平坦化層１６表面の基準面からの高さの標準偏差で定義することができる。また、発光時における画素内の輝度分布における標準偏差で定義することもできる。
ちなみに、第１膜形成領域７ａにおける表面の段差は、およそ数十ｎｍ〜数百ｎｍである。これに対して第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃにおける表面の段差は、図４の断面図上ではほとんど発生していない。あえて取り上げるとすれば、図３に示すように、隣り合う発光制御単位Ｌｕにおけるデータ線４１を跨ぐように第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃが区分されているため、データ線４１を跨いだ部分でわずかに段差が生じている程度である。
【００５０】
このような素子基板１における隣り合う３つの発光制御単位Ｌｕを含む下地層の段差に応じて、下地層の上層に異なる発光色の有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが設けられている。具体的には、第１膜形成領域７ａに有機ＥＬ素子２０Ｂが設けられ、第２膜形成領域７ｂに有機ＥＬ素子２０Ｇが設けられ、第３膜形成領域７ｃに有機ＥＬ素子２０Ｒが設けられている。
【００５１】
第１膜形成領域７ａに設けられた有機ＥＬ素子２０Ｂは、平坦化層１６上において順に積層形成された反射層２１、絶縁膜１７、画素電極２３ｂ、機能層２４ｂ、共通電極２７を含んでいる。他の有機ＥＬ素子２０Ｇ，２０Ｒも同様である。
【００５２】
反射層２１は、例えばＡｌ−Ｎｄの反射性金属材料からなり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。反射層２１を覆う絶縁膜１７は、ＳｉＮやＳｉＯなど透明な無機材料からなり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜であり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００５３】
各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒを実質的に区画しているのは、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの外縁を覆うように形成された絶縁膜１８と、絶縁膜１８上に設けられた隔壁部１９である。絶縁膜１８は、ＳｉＯ2などの無機絶縁材料からなり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。隔壁部１９は、フェノール系あるいはポリイミド系の樹脂材料からなり、厚み（高さ）はおよそ１μｍ〜２μｍである。
【００５４】
機能層２４ｇ，２４ｒのうち第２発光層としての発光層２６ｇおよび第３発光層としての発光層２６ｒは、隔壁部１９によって実質的に区画された第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃに機能性材料を含む液状体を塗布し、塗布された液状体を乾燥することにより成膜する塗布法を用いて形成されている。
機能層２４ｂの第１発光層としての発光層２６ｂは、第１膜形成領域７ａに機能性材料を蒸発させて成膜する蒸着法を用いて形成されている。また、隣り合う第２膜形成領域７ｂ（発光層２６ｇ）と第３膜形成領域７ｃ（発光層２６ｒ）と隔壁部１９とを覆うように形成されている。
また、機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒは、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒと発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒとの間にそれぞれ正孔注入層２５を有している。正孔注入層２５は、塗布法を用いて形成されている。詳細については、後述する有機ＥＬ装置１０の製造方法において述べる。
【００５５】
共通電極２７は、隔壁部１９と各機能層２４ｇ，２４ｂ，２４ｒとを覆うように設けられている。共通電極２７は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電膜であり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００５６】
発光制御単位Ｌｕや各有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが設けられた素子基板１は、透明なガラス等からなる封止基板（図示省略）と接合され、外部から水分や酸素等のガスが機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒに浸入しないように封止される。
【００５７】
有機ＥＬ装置１０は、各機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒからの発光が反射層２１により反射され封止基板側から取り出される、所謂トップエミッション構造が採用されたフルカラー表示が可能な表示装置である。反射層２１の下層側に発光制御単位Ｌｕが設けられているので、駆動回路部を構成するＴＦＴ１１，１２や保持容量１３、およびこれらに接続する配線（走査線３１、データ線４１、電源線４２など）は、機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒからの発光の取り出しを妨げない。したがって、これらの駆動回路部の構成要素を素子基板１上に比較的自由に配置することができる。なお、有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの構成は、これに限定されない。例えば、発光色ごとの輝度を向上させるために、各機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒと反射層２１との間に光共振構造を導入してもよい。
【００５８】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、有機ＥＬ装置１０の製造方法について、図５〜図８を参照して説明する。図５は実施例１の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図６（ａ）〜（ｃ）は実施例１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略平面図、図７（ｄ）〜（ｆ）および図８（ｇ）〜（ｉ）は実施例１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。
【００５９】
図５に示すように、実施例１の有機ＥＬ装置１０の製造方法は、素子基板１上に複数の発光制御単位Ｌｕを形成する発光制御単位形成工程（ステップＳ１）と、隣り合う３つの発光制御単位Ｌｕごとに下地層の表面を３つの膜形成領域に区分して、膜形成領域ごとに、反射層２１を形成する反射層形成工程（ステップＳ２）と、同じく膜形成領域ごとに発光制御単位Ｌｕに電気的に接続するように画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒを形成する画素電極形成工程（ステップＳ３）と、３つの膜形成領域をそれぞれ区画する隔壁部１９を形成する隔壁部形成工程（ステップＳ４）と、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒ上に機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒを形成する機能層形成工程（ステップＳ５）と、隔壁部１９と機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒとを覆うように共通電極２７を形成する共通電極形成工程（ステップＳ６）と、素子基板１と封止基板とを接合して封止する封止工程（ステップＳ７）とを備えている。なお、有機ＥＬ素子形成工程は、反射層形成工程、画素電極形成工程、機能層形成工程、共通電極形成工程を少なくとも含む。
【００６０】
ステップＳ１の発光制御単位形成工程（駆動回路形成工程）では、まず図６（ａ）に示すように、素子基板１上にポリシリコン膜を成膜して、フォトリソグラフィ法により各半導体層１１ａ，１２ａ，１３ａを島状に形成する。膜厚はおよそ５０ｎｍである。ポリシリコン膜の形成方法としては、公知の技術を用いることができ、例えば減圧ＣＶＤ法等が挙げられる。
そして、ＴＦＴ１１，１２に対応する半導体層１１ａ，１２ａでは、ソースおよびドレイン側をマスクし、半導体層１３ａでは、電気的な接続部をマスクした状態で、素子基板１を覆うようにゲート絶縁膜１ａを形成する。ゲート絶縁膜１ａの形成方法としては、例えば、ＳｉＮやＳｉＯをターゲットとして、膜厚がおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように真空中で成膜するスパッタ法などが挙げられる。
【００６１】
次に、ゲート絶縁膜１ａ上に例えば、Ａｌからなる低抵抗金属膜を厚みおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍとなるように同じくスパッタ法などにより成膜する。これをフォトリソグラフィ法によりパターニングして、図６（ｂ）に示すように、走査線３１、データ線４１、走査線３１から半導体層１１ａ上に延びてゲート電極１１ｄとなる配線３１ａ、半導体層１２ａ上から半導体層１３ａの接続部まで延びる配線１３ｃ（ゲート電極１２ｄを含む）、保持容量１３の他方の電極１３ｂを形成する。このとき、データ線４１に対して直交するように延在する走査線３１は、一旦、データ線４１上を切り欠くように形成しておく。
【００６２】
次に、素子基板１のほぼ全面を覆うように層間絶縁膜１４を形成する。層間絶縁膜１４を形成する方法としては、同じくスパッタ法を用い、ＳｉＮやＳｉＯをターゲットとして、膜厚がおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍとなるように真空中で成膜する。このとき、電源線４２以外の配線を形成する部分は、予め感光性樹脂材料等を用いてマスクしておく。層間絶縁膜１４を形成した後にマスクした部分を取り除けば、図６（ｃ）に示すように、コンタクトホール１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅ，１４ｆ，１４ｇ，１４ｈを形成することができる。
【００６３】
次に、再びＡｌからなる低抵抗金属膜を厚みおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍとなるように同じくスパッタ法などにより層間絶縁膜１４上に成膜する。これをフォトリソグラフィ法によりパターニングして、図６（ｃ）に示すように、電源線４２と、各種の配線とを形成する。例えば、コンタクトホール１４ｄとコンタクトホール１４ｆとを低抵抗金属膜で埋めることにより、データ線４１とＴＦＴ１１のソースとを繋ぐ配線１１ｅを形成することができる。コンタクトホール１４ｃとコンタクトホール１４ｅとを低抵抗金属膜で埋めることにより、ＴＦＴ１１のドレインとＴＦＴ１２のゲートとを繋ぐ配線１１ｆを形成することができる。２つのコンタクトホール１４ｇ間を低抵抗金属膜で埋めることにより、途切れていた走査線３１をデータ線４１上において電気的に繋げる配線３１ｃを形成することができる。コンタクトホール１４ｂとコンタクトホール１４ｈとを低抵抗金属膜で埋めることにより、電源線４２とＴＦＴ１２のソースおよび保持容量１３の他方の電極１３ｂとを繋ぐことができる。
【００６４】
次に、このようにしてできあがった駆動回路部を覆うように保護膜１５を成膜する。保護膜１５の形成方法としては、例えばＳｉＮをターゲットとして厚みが２００ｎｍ〜３００ｎｍとなるように同じくスパッタ法などにより成膜する。さらに、保護膜１５を覆うように平坦化層１６を形成する。平坦化層１６の形成方法としては、感光性のアクリル系樹脂をスピンコートまたはロールコートなどの方法により厚みおよそ１μｍ〜２μｍで塗布して固化させ、フォトリソグラフィ法によりパターニングする方法が挙げられる。パターニングするのは、主に、各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒとＴＦＴ１２のドレインとの接続を図るコンタクトホール１４ａに連通するコンタクトホール１６ａである。または、当該コンタクトホール１６ａの部分をマスクしてから平坦化層形成材料をコーティングしてもよい。
【００６５】
次に、ステップＳ２の反射層形成工程では、図７（ｄ）に示すように、平坦化層１６上の段差に応じて区分された第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃごとに反射層２１を形成する。反射層２１の形成方法としては、前述した反射層形成材料であるＡｌ−Ｎｄを厚みおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるようにスパッタ法で成膜する方法が挙げられる。そして、フォトリソグラフィ法により画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒよりもやや広い平面積を有する反射層２１を形成する。続いて、反射層２１を覆うように絶縁膜１７を成膜する。絶縁膜１７の形成方法は、ＳｉＮやＳｉＯをターゲットとして、膜厚がおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように真空中で成膜するスパッタ法などが挙げられる。
【００６６】
ステップＳ３の画素電極形成工程では、図７（ｄ）に示すように、絶縁膜１７上にＩＴＯ膜をスパッタ法などにより厚みおよそ１００ｎｍとなるように成膜する。そして、これをフォトグラフィ法によりパターニングして反射層２１の上方に各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒを形成する。また、コンタクトホール１６ａをＩＴＯ膜で埋めて画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒとＴＦＴ１２（ドレイン）とを接続させる。この場合、各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの平面積はほぼ同等である。
【００６７】
続いて、各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの外縁部を覆うように絶縁膜１８を形成する。絶縁膜１８の形成方法としては、各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの外縁部以外をマスクした状態で、ＳｉＮやＳｉＯをターゲットとしてスパッタし、厚みが５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように成膜する方法が挙げられる。
【００６８】
さらに、ステップＳ４の隔壁部形成工程では、素子基板１の表面にフェノール系あるいはポリイミド系の感光性樹脂材料を厚みが１μｍ〜２μｍとなるようにコーティングし固化して、露光・現像することにより、絶縁膜１８上に隔壁部１９を形成する。これにより、図７（ｄ）に示すように、隔壁部１９は実質的に第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃを区画する。第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃの平面積もほぼ同等である。
【００６９】
次に、ステップＳ５の機能層形成工程について説明する。本実施形態の機能層形成工程は、正孔注入層形成材料を含む液状体を塗布し固化して正孔注入層２５を形成する正孔注入層形成工程と、３つの膜形成領域のうち第１膜形成領域７ａ以外の第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃとに塗布法を用いて機能層２４ｇ，２４ｒのうちの発光層２６ｇ，２６ｒを形成する第１発光層形成工程と、第１膜形成領域７ａに蒸着法を用いて機能層２４ｂのうちの発光層２６ｂを形成する第２発光層形成工程とを含んでいる。
【００７０】
正孔注入層形成工程では、図７（ｄ）に示すように、ノズルから液状体を吐出可能な吐出ヘッド（インクジェットヘッド）５０を用いて、正孔注入層形成材料を含む所定量の液状体６０を液滴として第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃごとに塗布する。液状体６０は、例えば溶媒としてジエチレングリコールと水（純水）とを含み、正孔注入層形成材料として、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を重量比で０．５％含んだ溶液である。粘度がおよそ２０ｍＰａ・ｓ以下となるように溶媒の割合が調整されている。
なお、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ以外の正孔注入層形成材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体が挙げられる。
【００７１】
液状体６０が塗布された素子基板１を例えばランプアニール等の方法で加熱乾燥して溶媒を蒸発させることにより、図７（ｅ）に示すように、第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃごとに、正孔注入層２５を形成する。なお、液状体６０を塗布する前に、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの表面を親液処理すると共に、隔壁部１９の表面を撥液処理する表面処理を素子基板１に施してもよい。親液処理は酸素を処理ガスとしてプラズマ処理する方法、撥液処理はフッソ系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する方法が挙げられる。このようにすれば、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒ上に着弾した液状体６０はムラなく濡れ広がる。
【００７２】
続いて、第１発光層形成工程では、図７（ｆ）に示すように、緑色の発光が得られる発光層形成材料を含む液状体７０Ｇと赤色の発光が得られる発光層形成材料を含む液状体７０Ｒとをそれぞれ異なる吐出ヘッド５０に充填して、対応する第２膜形成領域７ｂと、第３膜形成領域７ｃとに液滴として塗布する。
液状体７０Ｇ，７０Ｒは、例えば溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含み、発光層形成材料として緑色、赤色の発光が得られるポリフルオレン誘導体（ＰＦ）を重量比で０．７％含んだものを用いた。粘度はおよそ１４ｍＰａ・ｓである。なお、ＰＦ以外の発光層形成材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ＰＥＤＯＴ等のポリチオフェニレン誘導体、ポリメチルフェニレンシラン（ＰＭＰＳ）等を用いることができる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ナイルレッド、クマリン６、キナクドリン等低分子材料をドープしたものを用いてもよい。
【００７３】
塗布された液状体７０Ｇ，７０Ｒの乾燥方法（固化方法）としては、一般的な加熱乾燥に比べて溶媒成分を比較的均一に乾燥可能な減圧乾燥法を用いている。これにより、図８（ｇ）に示すように、正孔注入層２５上に発光層２６ｇ，２６ｒを形成することができる。こうして正孔注入層２５と発光層２６ｇとを含む機能層２４ｇが形成される。また、同様に正孔注入層２５と発光層２６ｒとを含む機能層２４ｒが形成される。第２膜形成領域７ｂおよび第３膜形成領域７ｃは、いずれも画素電極２３ｇ，２３ｒが形成された下地層の表面における凹凸のばらつきが第１膜形成領域７ａに比べて小さくなっている。したがって、吐出ヘッド５０から吐出された液状体７０Ｇ，７０Ｒは、それぞれ対応する第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃとにおいてムラ無く濡れ広がり、乾燥後に膜厚がおよそ８０ｎｍの発光層２６ｇ，２６ｒが形成された。
【００７４】
次に、第２発光層形成工程では、図８（ｈ）に示すように、第１膜形成領域７ａの正孔注入層２５上に発光層２６ｂを蒸着法により形成する。このとき、他の第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃに亘って発光層２６ｂを成膜する。したがって、発光層２６ｇや発光層２６ｒの上にも発光層２６ｂが積層形成される。
発光層形成材料としては、例えばＣＢＰなどのホスト材料にＦＩｒｐｉｃなどのドーパント材料を混合したものが挙げられる。膜厚はおよそ５０ｎｍである。
蒸着法を用いて発光層２６ｂを成膜するので、下地層の表面が数十ｎｍ〜数百ｎｍほどの段差を有する第１膜形成領域７ａであっても、正孔注入層２５上に膜厚バラツキが少ない状態で発光層２６ｂが形成される。
これにより、正孔注入層２５と発光層２６ｂとを含む機能層２４ｂ、正孔注入層２５と発光層２６ｇおよび発光層２６ｂを含む機能層２４ｇ、正孔注入層２５と発光層２６ｒおよび発光層２６ｂを含む機能層２４ｒがそれぞれできあがる。
【００７５】
なお、機能層形成工程における機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒの形成方法は、これに限定されない。例えば、正孔注入層２５と発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒとの間に、中間層を形成してもよい。中間層形成材料を含む液状体としては、例えば、溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含み、中間層形成材料として、トリフェニルアミン系ポリマーを重量比で０．１％程度含んだものが挙げられる。
中間層は、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒに対する正孔の輸送性（注入性）を向上させると共に、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒから正孔注入層２５に電子が浸入することを抑制する機能を有する。
また、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒ形成後、正孔ブロック層、電子輸送層を蒸着法により積層してもよい。正孔ブロック層としては、ＢＡｌｑ、ＢＣＰがなどが挙げられ、電子輸送層としてはＡｌｑ３などが挙げられる。正孔ブロック層は、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒから正孔が漏れ出ることを抑制する機能を有する。電子輸送層は、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒに対する電子の輸送性（注入性）を向上させる機能を有する。
すなわち、これらの中間層、正孔ブロック層、電子輸送層は、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒにおける正孔と電子との結合による発光の効率を改善するものである。
【００７６】
次に、ステップＳ６の共通電極形成工程では、図８（ｉ）に示すように、３つの膜形成領域７ａ，７ｂ，７ｃに亘って形成された発光層２６ｂを覆うように、共通電極２７を形成する。これにより有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが完成する。
共通電極２７の材料としては、ＩＴＯとＣａ、Ｂａ、Ａｌ等の金属やＬｉＦ等のフッ化物とを組み合わせて用いるのが好ましい。特に機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒに近い側に仕事関数が小さいＣａ、Ｂａ、ＬｉＦの膜を形成し、遠い側に仕事関数が大きいＩＴＯを形成するのが好ましい。また、共通電極２７の上にＳｉＯ2、ＳｉＮ等の保護層を積層してもよい。このようにすれば、共通電極２７の酸化を防止することができる。共通電極２７の形成方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等が挙げられる。特に機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒの熱による損傷を防止できるという点では、蒸着法が好ましい。
【００７７】
次に、ステップＳ７の封止工程では、発光制御単位Ｌｕと有機ＥＬ素子２０とが形成された素子基板１と、封止基板とを接合することにより有機ＥＬ装置１０が完成する。素子基板１と封止基板の接合方法としては、素子基板１と封止基板との間に空間をおき、複数の有機ＥＬ素子２０を取り囲むように接着剤を配置して接合する所謂缶封止と呼ばれる方法や、当該空間に透明な樹脂を充填して封着する方法が挙げられる。
【００７８】
このような塗布法と蒸着法とを使い分けた有機ＥＬ装置１０およびその製造方法によれば、ほぼ同等の平面積を有する３つの膜形成領域７ａ，７ｂ，７ｃに対して蒸着法によりすべての発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒを選択的に形成する場合に比べて、蒸着マスクを不要としつつ、膜厚ムラが低減された発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒを効率よく形成することができる。すなわち、異なる発光色間の輝度が均衡し、且つ輝度ムラが低減されたトップエミッション型のフルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置１０を実現できると共に、効率よく製造することができる。
【００７９】
なお、本実施例では、発光層２６ｂを発光層２６ｇや発光層２６ｒの上にも形成する構成としたが、発光層２６ｂの形成時に、第１膜形成領域７ａ以外を遮るマスクを用いて、発光層２６ｂを蒸着法により形成することで、第１膜形成領域７ａだけに発光層２６ｂを形成するようにしてもよい。
【００８０】
また、発光層２６ｂを形成する方法として、蒸着法以外にスピンコート法やディップ法等を用いてもよい。この場合も、下地層の表面が数十ｎｍ〜数百ｎｍほどの段差を有する場合であっても、膜厚バラツキが少ない状態で発光層２６ｂを形成することが可能である。言い換えれば、各膜形成領域７ａ，７ｂ，７ｃにおける下地層の凹凸のばらつきを考慮して、異なる成膜方法を選定し、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒを形成する。
【００８１】
この場合、３つの膜形成領域７ａ，７ｂ，７ｃの設定に関連する有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの実質的な発光面積は、必ずしも同じでなくてよい。
主に高分子の発光層形成材料を用いる塗布法は、低分子の発光層形成材料を用いる蒸着法に比べて、現状では形成された発光層の発光寿命が短い傾向にある。また、発光層の発光ピーク波長が長い方が、発光寿命が長い傾向にある。
一方で、発光寿命は発光層を流れる電流量に依存し、輝度は電流量と発光面積に依存する。ゆえに、各発光色を安定した輝度で得ながら発光色間の発光寿命のバランス（均衡）を図る観点では、下地層の凹凸のばらつきが最も大きい部分を含む第１膜形成領域７ａには、凹凸の影響を受け難くい高い被覆性を有する蒸着法で所望の膜厚を有する発光層を形成する。これにより、膜厚ムラに起因して部分的に電流が集中して流れ、輝度ムラや発光寿命が短くなってしまうことを防ぐことができる。合わせて、蒸着法を用いて形成する発光層は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、３色の発光色のうち最も発光ピーク波長が短い青色の発光層２６ｂが好ましい。
さらには、塗布法を用いて形成される発光層２６ｒ（赤）と発光層２６ｇ（緑）とを比較すると、発光層２６ｇ（緑）の方が発光寿命が短くなるおそれがある。したがって、発光層２６ｒが形成される第３膜形成領域７ｃは、発光層２６ｇが形成される第２膜形成領域７ｂよりも、その平面積を小さくすることが好ましい。言い換えれば、平面積が大きい方の膜形成領域に発光寿命が短い方の発光層を形成することが好ましい。発光寿命が短い方の発光層を流れる電流量を抑制することにより、発光色間の発光寿命の差を縮小することができる。
【００８２】
まとめると、
１）下地層の凹凸のばらつきが大きくなる領域を第１膜形成領域７ａとして蒸着法を用いて発光ピーク波長が最も短い青色の発光層２６ｂを形成する。
２）他の第２膜形成領域７ｂおよび第３膜形成領域７ｃは、第１膜形成領域７ａに比べて高い平坦性を有するように隔壁部１９により区画して、発光層２６ｂに比べて発光ピーク波長が長い発光層２６ｇ，２６ｒを塗布法（液滴吐出法）により形成する。
３）第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃの平面積すなわち有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの発光面積は、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒの輝度と発光寿命とを考慮して発光色間でバランスが取れるように設定する。
以降の実施例２〜実施例４においても同じ技術的な思想で塗布法と蒸着法の使い分けがなされている。
【００８３】
（実施例２）
次に、実施例２の有機ＥＬ装置とその製造方法について、図９および図１０を参照して説明する。図９は実施例２の有機ＥＬ装置における発光制御単位と発光単位との配置を示す概略平面図、図１０は図９のＢ−Ｂ'線で切った概略断面図である。なお、実施例１の有機ＥＬ装置１０と同じ構成は、同じ符号を付すことにより、詳細の説明は省略する。
【００８４】
図９に示すように、実施例２の有機ＥＬ装置１００は、格子状に配置され互いに絶縁された走査線３１とデータ線４１とにより区画された領域に対応して、発光制御単位Ｌｕが設けられている。各発光制御単位Ｌｕは、実施例１の有機ＥＬ装置１０と同様に２つのＴＦＴ１１，１２と、保持容量１３と、これらに繋がる配線とを有している。
【００８５】
また、走査線３１に沿って隣り合って配置された発光制御単位Ｌｕに跨る下地層は、上から順に第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃに区分されている。第１膜形成領域７ａには画素電極２３ｂを有する有機ＥＬ素子２０Ｂが設けられている。第２膜形成領域７ｂには画素電極２３ｇを有する有機ＥＬ素子２０Ｇが設けられている。第３膜形成領域７ｃには画素電極２３ｒを有する有機ＥＬ素子２０Ｒが設けられている。
【００８６】
駆動用のＴＦＴ１２に対する各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの電気的な接続の仕方は、実施例１と同じである。
【００８７】
実施例２では、有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒを駆動制御する発光制御単位Ｌｕの保持容量１３が第２膜形成領域７ｂに設けられている。言い換えれば、第２膜形成領域７ｂの下地層は、３つの保持容量１３を含んでいる。
【００８８】
さらに、電源線４２は、第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃとに亘って設けられていると共に、走査線３１に沿って配置された複数の発光制御単位Ｌｕに跨って設けられている。すなわち、実施例２は、実施例１に対して保持容量１３および電源線４２の有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに対する相対的な配置を変えたものである。
【００８９】
より具体的には、図１０に示すように、第１膜形成領域７ａの下地層はＴＦＴ１１，１２を含み、第２膜形成領域７ｂの下地層は保持容量１３と電源線４２とを含み、第３膜形成領域７ｃは電源線４２を含んでいる。したがって、第１膜形成領域７ａの下地層は、表面の凹凸のばらつきが最も大きな部分を含んでいる。これに対して第２膜形成領域７ｂの下地層は、保持容量１３を含んでいるものの、保持容量１３が誘電体層としてのゲート絶縁膜１ａを介して対向配置された一対の電極１３ａ，１３ｂからなるため、その表面の段差は比較的に小さくなる。第３膜形成領域７ｃの下地層は、ほぼ膜厚が一定しているゲート絶縁膜１ａ、層間絶縁膜１４、電源線４２、保護膜１５、平坦化層１６が順に素子基板１上に積層されたものであるため、他に比べて最も良好な平坦性を有している。
【００９０】
そして、実施例１と同様に、第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃとにおける発光層２６ｇ，２６ｒは塗布法（液滴吐出法）により形成され、第１膜形成領域７ａにおける発光層２６ｂは蒸着法により形成されている。
【００９１】
３つの膜形成領域７ａ，７ｂ，７ｃの平面積は、ほぼ同等であるが、実際には様々な大きさに設定されるため、保持容量１３や電源線４２において所望の電気特性（すなわち、電気容量や電気抵抗）を確保する必要がある。その点において、実施例２の有機ＥＬ装置１００は、実施例１の有機ＥＬ装置１０に比べて、保持容量１３や電源線４２を設ける範囲を平面的に拡大しているので、所望の電気特性を確保するための設計上の自由度が高められている。言い換えれば、有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒからより安定した輝度の発光を得ることができる有機ＥＬ装置１００を実現している。
【００９２】
このような有機ＥＬ装置１００の製造方法は、保持容量１３や電源線４２を設ける範囲が拡大されてはいるものの、素子基板１上における各構成要素やその積層状態が実施例１と同じであるため、有機ＥＬ装置１０の製造方法を適用することができる。なお、後述する実施例３および実施例４も同様である。
【００９３】
（実施例３）
次に、実施例３の有機ＥＬ装置およびその製造方法について、図１１および図１２を参照して説明する。図１１は実施例３の有機ＥＬ装置における発光制御単位と発光単位との配置を示す概略平面図、図１２は実施例３の発光制御単位における駆動回路部の構成と膜形成領域との配置を示す概略平面図である。なお、実施例１の有機ＥＬ装置１０と同じ構成は、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。また、図１２では駆動回路部の構成のうち主なＴＦＴ１１，１２や保持容量１３、電源線４２の配置を示し、これらを繋ぐ配線を省略した。
【００９４】
図１１に示すように、実施例３の有機ＥＬ装置２００は、格子状に配置され互いに絶縁された走査線３１とデータ線４１とにより区画された領域に対応して、発光制御単位Ｌｕが設けられている。各発光制御単位Ｌｕは、実施例１の有機ＥＬ装置１０と同様に２つのＴＦＴ１１，１２と、保持容量１３と、これらに繋がる配線とを有している。
【００９５】
また、走査線３１に沿って隣り合って配置された発光制御単位Ｌｕに跨る下地層は、図面上で一番上が第１膜形成領域７ａとなっている。ここまでは、実施例１と同様であるが、第１膜形成領域７ａを除く他の下地層は、データ線４１を跨がないように走査線３１に沿って第４膜形成領域７ｄ、第５膜形成領域７ｅ、第６膜形成領域７ｆ、第７膜形成領域７ｇの４つに区分されている。
【００９６】
第１膜形成領域７ａには有機ＥＬ素子２０Ｂが設けられている。第４膜形成領域７ｄと第５膜形成領域７ｅとに跨って有機ＥＬ素子２０Ｒが設けられている。第６膜形成領域７ｆと第７膜形成領域７ｇとに跨って有機ＥＬ素子２０Ｇが設けられている。
すなわち、実施例３は、実施例１に対して隣り合った発光制御単位Ｌｕを含む下地層の表面を合計５つの膜形成領域７ａ，７ｄ，７ｅ，７ｆ，７ｇに区分すると共に、有機ＥＬ素子２０Ｒと有機ＥＬ素子２０Ｇの相対的な配置を変えたものである。
【００９７】
より具体的には、図１２に示すように、第１膜形成領域７ａの下地層は、ＴＦＴ１１，１２、保持容量１３、画素電極２３ｂ、データ線４１、電源線４２を含んでいる。これに対して、第４膜形成領域７ｄ、第５膜形成領域７ｅ、第６膜形成領域７ｆ、第７膜形成領域７ｇの下地層は、走査線３１やデータ線４１、あるいは電源線４２などの配線を含まない構成となっている。特に、互いに絶縁された状態で交差して素子基板１上に配置される信号線を含まない構成とすることが平坦性を確保する上で好ましい。
【００９８】
また、第４膜形成領域７ｄおよび第５膜形成領域７ｅには、塗布法（液滴吐出法）を用いて赤色の発光層形成材料を含む液状体７０Ｒが塗布されて発光層２６ｒが成膜されている。第６膜形成領域７ｆおよび第７膜形成領域７ｇには、同じく塗布法（液滴吐出法）を用いて緑色の発光層形成材料を含む液状体７０Ｇが塗布されて発光層２６ｇが成膜されている。そして、これらの発光層２６ｇ，２６ｒを覆うと共に、第１膜形成領域７ａには蒸着法を用いて電子輸送型の発光層２６ｂが形成されている。
【００９９】
実施例３の有機ＥＬ装置２００およびその製造方法によれば、塗布法を用いて発光層２６ｇ，２６ｒが形成される第４膜形成領域７ｄ、第５膜形成領域７ｅ、第６膜形成領域７ｆ、第７膜形成領域７ｇは、いずれもその下地層が配線を含まない構成となっている。したがって、実施例１や実施例２に比べて該下地層の表面は、高い平坦性を有する。ゆえに、発光層２６ｇ，２６ｒの膜厚ムラがより低減される。
【０１００】
なお、実施例１で説明したように５つの膜形成領域７ａ，７ｄ，７ｅ，７ｆ，７ｇの設定に関連する有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの実質的な発光面積は、必ずしも同じでなくてよい。
【０１０１】
（実施例４）
次に、実施例４の有機ＥＬ装置およびその製造方法について、図１３および図１４を参照して説明する。図１３は実施例４の有機ＥＬ装置における発光制御単位と発光単位との配置を示す概略平面図、図１４は実施例４の発光制御単位における駆動回路部の構成と膜形成領域との配置を示す概略平面図である。なお、実施例１の有機ＥＬ装置１０と同じ構成は、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。また、図１４では駆動回路部の構成のうち主なＴＦＴ１１，１２や保持容量１３、電源線４２の配置を示し、これらを繋ぐ配線を省略した。
【０１０２】
図１３に示すように、実施例４の有機ＥＬ装置３００は、実施例３の有機ＥＬ装置２００に対して、データ線４１の配置を一部変えると共に、これに伴って隣り合う発光制御単位Ｌｕにおける駆動回路部の構成要素の配置を異ならせたものである。
【０１０３】
具体的には、２本のデータ線４１が隣り合って延在するように設けられ、該２本のデータ線４１を挟んで２つの発光制御単位Ｌｕが走査線３１に沿って配置されている。
【０１０４】
２つの発光制御単位Ｌｕを含む下地層は、走査線３１に沿って２つの発光制御単位Ｌｕに跨る第１膜形成領域７ａと、一方（図面上では左側）の発光制御単位Ｌｕが設けられた範囲内の第８膜形成領域７ｈと、他方（図面上では右側）の発光制御単位Ｌｕが設けられた範囲内の第９膜形成領域７ｊとからなる３つの膜形成領域に区分されている。
【０１０５】
第１膜形成領域７ａには有機ＥＬ素子２０Ｂが設けられている。第８膜形成領域７ｈには有機ＥＬ素子２０Ｒが設けられている。第９膜形成領域７ｊには有機ＥＬ素子２０Ｇが設けられている。実施例１と同様に、有機ＥＬ素子２０Ｂは蒸着法を用いて形成された発光層２６ｂを有し、有機ＥＬ素子２０Ｇ（有機ＥＬ素子２０Ｒ）は塗布法（液滴吐出法）を用いて形成された発光層２６ｇ（発光層２６ｒ）を有するものである。
【０１０６】
より具体的には、図１４に示すように、一方の発光制御単位Ｌｕには、２つの有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｒを駆動制御するための駆動回路部の構成（ＴＦＴ１１，１２、保持容量１３、電源線４２など）が配置されている。ＴＦＴ１１，１２および保持容量１３はデータ線４１に沿った方向の軸に対して線対称な状態で配置されている。
【０１０７】
他方の発光制御単位Ｌｕには、有機ＥＬ素子２０Ｇを駆動制御するための駆動回路部の構成が配置されている。
【０１０８】
電源線４２は、第１膜形成領域７ａ内に設けられた３つの保持容量１３を覆うと共に、走査線３１に沿って延在している。
【０１０９】
有機ＥＬ素子２０Ｂの画素電極２３ｂは一方の発光制御単位Ｌｕの片方のＴＦＴ１２（ドレイン）に接続し、有機ＥＬ素子２０Ｒの画素電極２３ｒは一方の発光制御単位Ｌｕのもう片方のＴＦＴ１２（ドレイン）に接続している。有機ＥＬ素子２０Ｇの画素電極２３ｇは他方の発光制御単位ＬｕのＴＦＴ１２（ドレイン）に接続している。
【０１１０】
実施例４の有機ＥＬ装置３００によれば、データ線４１を含まないように区分された第８膜形成領域７ｈと第９膜形成領域７ｊとに塗布法（液滴吐出法）で発光層２６ｇ，２６ｒが形成されている。実施例３のように発光層２６ｇ，２６ｒがそれぞれ２つの領域に分割されていないので、発光層形成材料を含む液状体７０Ｇ，７０Ｒの吐出（塗布）が複雑にならずに済む。また、第８膜形成領域７ｈと第９膜形成領域７ｊとに行き渡らせることが比較的に容易である。つまり、下地層の平坦性が確保され、より膜厚ムラが少ない発光層２６ｇ，２６ｒが形成可能である。
【０１１１】
さらには、３つの膜形成領域７ａ，７ｈ，７ｊの平面積をほぼ同じとしてもよいし、少なくとも１つを異ならせてもよい。特に、２本のデータ線４１を跨がずに画素電極２３ｇ，２３ｒをそれぞれ設けることが可能であるから、画素電極２３ｇ，２３ｒの大きさ、つまりは有機ＥＬ素子２０Ｇ，２０Ｒの発光面積を比較的自由に調整可能である。
【０１１２】
なお、実施例４における電源線４２や保持容量１３の配置は、これに限定されない。図１７は、実施例４に対する変形例の駆動回路部の配置を示す概略平面図である。
図１７に示すように、変形例の有機ＥＬ装置５００は、実施例４の有機ＥＬ装置３００に対して電源線４２と保持容量１３の配置を変えたものである。
具体的には、第１膜形成領域７ａと第８膜形成領域７ｈ並びに第９膜形成領域７ｊに跨るように電源線４２が設けられている。とりわけ第１膜形成領域７ａでは、ＴＦＴ１１，１２が設けられた領域を避け、互いに隣接した２つのデータ線４１を跨いで電源線４２に沿って保持容量１３が設けられている。また、第８膜形成領域７ｈには、平面的にほぼ画素電極２３ｒの大きさと同じ大きさで画素電極２３ｒと重なる位置に保持容量１３ｈが設けられている。同様に、第９膜形成領域７ｊには、平面的にほぼ画素電極２３ｇの大きさと同じ大きさで画素電極２３ｇと重なる位置に保持容量１３ｊが設けられている。
このような電源線４２および保持容量１３，１３ｈ，１３ｊの配置とすることにより、各有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに対応した電気容量を有する保持容量１３，１３ｈ，１３ｊとすることができる。言い換えれば、保持容量の設計上の自由度を上げることができる。
【０１１３】
（第２実施形態）
次に、本実施形態の電子機器について携帯型電話機を例に説明する。図１５は、電子機器としての携帯型電話機を示す斜視図である。
【０１１４】
図１５に示すように、本実施形態の携帯型電話機１０００は、操作ボタン１００３を備えた本体１００２と、本体１００２にヒンジを介して折畳式に取り付けられた表示部１００１とを備えている。
表示部１００１には、上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１０，１００，２００，３００のいずれかが搭載されている。
したがって、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒの膜厚ムラに起因する輝度ムラが低減され見映えのよいフルカラー表示が可能な携帯型電話機１０００を提供することができる。
【０１１５】
なお、上記有機ＥＬ装置１０，１００，２００，３００のいずれかが搭載された電子機器は、携帯型電話機１０００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワーなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。
【０１１６】
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１１７】
（変形例１）上記第１実施形態の実施例３において、下地層における膜形成領域の区分の仕方は、これに限定されない。図１６は変形例の発光制御単位における駆動回路部の構成と膜形成領域との配置を示す概略平面図である。例えば、図１６に示すように、変形例の有機ＥＬ装置４００は、走査線３１に沿って配置された３つの発光制御単位Ｌｕに跨るように第１膜形成領域７ａが区分されている。データ線４１を挟んで２つの発光制御単位Ｌｕに跨るように第１０膜形成領域７ｋと第１１膜形成領域７Ｌとがそれぞれ区分されている。第１膜形成領域７ａには高い被覆性を有する蒸着法で発光層２６ｂが形成され、第１０膜形成領域７ｋと第１１膜形成領域７Ｌとには塗布法（液滴吐出法）で発光層２６ｒ，２６ｇがそれぞれ形成されている。
第１０膜形成領域７ｋと第１１膜形成領域７Ｌとは、それぞれデータ線４１を跨いで区分されているものの、実施例３のように発光層２６ｇ，２６ｒが形成される領域が分割されておらず、平坦性がある程度確保されているので、膜厚ムラが少ない発光層２６ｒ，２６ｇが形成される。
【０１１８】
（変形例２）上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０，１００，２００，３００は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の発光色が得られるものに限らず、他の色の発光色が得られる有機ＥＬ素子２０を備えていてもよい。言い換えれば、１つの表示単位において発光層が形成される膜形成領域の数は、３つに限定されない。より高い色再現性を実現できる。
【０１１９】
（変形例３）上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１０の製造方法において、第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃとで平面積が異なる場合、第１発光層形成工程では、平面積が小さいほど塗布後の乾燥が進み易く、乾燥速度の違いで成膜後の膜形状が安定しないおそれがある。したがって、平面積が大きい順に液状体７０Ｇ，７０Ｒを塗布することが望ましい。これによって、第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃ間の乾燥速度の差を抑制して、安定した膜形状の発光層２６ｇ，２６ｒを形成することができる。
【０１２０】
（変形例４）上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１０の製造方法において、第１発光層形成工程では、第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃとに、それぞれ異なる種類の液状体７０Ｇ，７０Ｒを塗布すると、後から塗布した液状体の膜形成領域に対する濡れ性が低下する。したがって、異なる種類の液状体７０Ｇ，７０Ｒのうち膜形成領域に対する濡れ性が低い順に塗布することが望ましい。このようにすれば、液状体７０Ｇ，７０Ｒの各膜形成領域における濡れ性を安定的に確保してムラなく塗布することができる。
【０１２１】
（変形例５）上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１０の製造方法において、異なる発光層形成材料を含む液状体７０Ｇ，７０Ｒのうち、例えば、水分や酸素に曝露されたり、加熱等を受けることによって失活し易い発光層形成材料を含む液状体は、一番最後に塗布することが望ましい。これにより歩留りを向上させることができる。
【符号の説明】
【０１２２】
１…基板としての素子基板、１０，１００，２００，３００，４００…有機ＥＬ装置、１１，１２…薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、１３，１３ｈ，１３ｊ…保持容量、１９…隔壁部、２０Ｂ…第１有機ＥＬ素子としての青色の有機ＥＬ素子、２０Ｇ…第２有機ＥＬ素子としての緑色の有機ＥＬ素子、２０Ｒ…第３有機ＥＬ素子としての赤色の有機ＥＬ素子、２３ｂ，２３ｇ，２３ｒ…画素電極、２４ｂ，２４ｇ，２４ｒ…機能層、２６ｂ…第１発光層としての青色の発光層、２６ｇ…第２発光層としての緑色の発光層、２６ｒ…第３発光層としての赤色の発光層、２７…共通電極、３１…走査線、４１…データ線、４２…電源線、１０００…電子機器としての携帯型電話機、Ｌｕ…発光制御単位。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を含む下地層と、
前記下地層上に形成され、隣り合う第１膜形成領域と第２膜形成領域とを互いに区画する隔壁部と、
前記下地層上であって、平面視で前記第１膜形成領域と重なる位置に形成されると共に、第１の色の光を発光可能な第１有機ＥＬ素子と、
前記下地層上であって、平面視で前記第２膜形成領域と重なる位置に形成されると共に、前記第１の色の光とは異なる第２の色を発光可能な第２有機ＥＬ素子と、
前記下地層に形成されており、前記第１有機ＥＬ素子の駆動を制御する第１駆動回路部と、
前記下地層に形成されており、前記第２有機ＥＬ素子の駆動を制御する第２駆動回路部と、を有し、
前記第１駆動回路部の少なくとも一部及び前記第２駆動回路部の少なくとも一部は、平面視において前記第１膜形成領域と重なるように配置されており、
前記第１有機ＥＬ素子が有する第１発光層と前記第２有機ＥＬ素子が有する第２発光層とは、異なる成膜方法によって形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記第１膜形成領域と平面視において重なる領域の前記下地層の表面における凹凸のばらつきは、前記第２膜形成領域と平面視において重なる領域の前記下地層の凹凸のばらつきよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記第２発光層上に、前記第１発光層を形成するのと同一プロセスで形成され、前記第１発光層と同一材料からなる層が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部は、それぞれ２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、を有し、
前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部がそれぞれ有する、前記２つの薄膜トランジスター及び前記保持容量は、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部は、それぞれ２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、を有し、
前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部がそれぞれ有する、前記２つの薄膜トランジスターは、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されており、
前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部がそれぞれ有する、前記保持容量は、平面視において前記第２膜形成領域と重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記隔壁部は、前記第１膜形成領域及び前記第２膜形成領域と隣り合う第３膜形成領域を区画しており、
前記下地層上であって、平面視で前記第３膜形成領域と重なる位置に形成されると共に、前記第１の色の光及び前記第２の色の光とは異なる第３の色の光を発光可能な第３有機ＥＬ素子と、
前記下地層に形成されており、前記第３有機ＥＬ素子の駆動を制御する第３駆動回路部と、
平面視において、前記第２膜形成領域と前記第３膜形成領域の間に配置されると共に、前記第１膜形成領域を横切るように配置された第１データ線及び第２データ線と、
を有し、
前記第３有機ＥＬ素子が有する第３発光層は、前記第１有機ＥＬ素子が有する第１発光層とは異なる成膜方法によって形成されており、
前記第３駆動回路部の少なくとも一部は、平面視において前記第１膜形成領域と重なるように配置されており、
前記第１データ線は、前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部及び前記第３駆動回路部のうちのいずれか１つの駆動回路部と電気的に接続しており、
前記第２データ線は、前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部及び前記第３駆動回路部のうちのいずれか１つの駆動回路部であって、前記第１データ線と電気的に接続された駆動回路部以外の駆動回路部と電気的に接続していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部および前記第３駆動回路部は、それぞれ２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、を有し、
前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部および前記第３駆動回路部がそれぞれ有する、前記２つの薄膜トランジスター及び前記保持容量は、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部および前記第３駆動回路部は、それぞれ２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、を有し、
前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部および前記第３駆動回路部がそれぞれ有する、前記２つの薄膜トランジスターは、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されており、
前記第１駆動回路部が有する前記保持容量は、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されており、
前記第２駆動回路部が有する前記保持容量は、平面視において前記第２膜形成領域と重なる位置に配置されており、
前記第３駆動回路部が有する前記保持容量は、平面視において前記第３膜形成領域と重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
前記第１発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されており、前記第２発光層は、液滴吐出法によって形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
基板を含む下地層上に、第１有機ＥＬ素子と、第２有機ＥＬ素子とを有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記下地層内であって、前記基板の上方に、前記第１有機ＥＬ素子の駆動を制御する第１駆動回路部と、前記第２有機ＥＬ素子の駆動を制御する第２駆動回路部とを形成する駆動回路形成工程と、
前記下地層上に形成され、隣り合う第１膜形成領域と第２膜形成領域とを互いに区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、
前記下地層上であって、平面視で前記第１膜形成領域と重なる位置に、第１の色の光を発光可能な前記第１有機ＥＬ素子を形成すると共に、前記下地層上であって、平面視で前記第２膜形成領域と重なる位置に、前記第１の色とは異なる第２の色の光を発光可能な前記第２有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素子形成工程とを有し、
前記駆動回路形成工程において、前記第１駆動回路部の少なくとも一部及び前記第２駆動回路部の少なくとも一部は、平面視において前記第１膜形成領域と重なるように形成し、
前記第１有機ＥＬ素子が有する第１発光層と前記第２有機ＥＬ素子が有する第２発光層とは、異なる成膜方法によって形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記有機ＥＬ素子形成工程は、前記第２発光層を液滴吐出法によって形成する第１発光層形成工程と、前記第１発光層を蒸着法またはスピンコート法によって形成する第２発光層形成工程と、を有することを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板を含む下地層と、
前記下地層上に形成され、隣り合う第１膜形成領域と第２膜形成領域とを互いに区画する隔壁部と、
前記下地層上であって、平面視で前記第１膜形成領域と重なる位置に形成されると共に、第１の色の光を発光可能な第１有機ＥＬ素子と、
前記下地層上であって、平面視で前記第２膜形成領域と重なる位置に形成されると共に、前記第１の色の光とは異なる第２の色を発光可能な第２有機ＥＬ素子と、
前記下地層に形成されており、前記第１有機ＥＬ素子の駆動を制御する第１駆動回路部と、
前記下地層に形成されており、前記第２有機ＥＬ素子の駆動を制御する第２駆動回路部と、を有し、
前記第１駆動回路部の少なくとも一部及び前記第２駆動回路部の少なくとも一部は、平面視において前記第１膜形成領域と重なるように配置されており、
前記第１有機ＥＬ素子が有する第１発光層と前記第２有機ＥＬ素子が有する第２発光層とは、異なる成膜方法によって形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記第１膜形成領域と平面視において重なる領域の前記下地層の表面における凹凸のばらつきは、前記第２膜形成領域と平面視において重なる領域の前記下地層の凹凸のばらつきよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記第２発光層上に、前記第１発光層を形成するのと同一プロセスで形成され、前記第１発光層と同一材料からなる層が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部は、それぞれ２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、を有し、
前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部がそれぞれ有する、前記２つの薄膜トランジスター及び前記保持容量は、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部は、それぞれ２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、を有し、
前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部がそれぞれ有する、前記２つの薄膜トランジスターは、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されており、
前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部がそれぞれ有する、前記保持容量は、平面視において前記第２膜形成領域と重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記隔壁部は、前記第１膜形成領域及び前記第２膜形成領域と隣り合う第３膜形成領域を区画しており、
前記下地層上であって、平面視で前記第３膜形成領域と重なる位置に形成されると共に、前記第１の色の光及び前記第２の色の光とは異なる第３の色の光を発光可能な第３有機ＥＬ素子と、
前記下地層に形成されており、前記第３有機ＥＬ素子の駆動を制御する第３駆動回路部と、
平面視において、前記第２膜形成領域と前記第３膜形成領域の間に配置されると共に、前記第１膜形成領域を横切るように配置された第１データ線及び第２データ線と、
を有し、
前記第３有機ＥＬ素子が有する第３発光層は、前記第１有機ＥＬ素子が有する第１発光層とは異なる成膜方法によって形成されており、
前記第３駆動回路部の少なくとも一部は、平面視において前記第１膜形成領域と重なるように配置されており、
前記第１データ線は、前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部及び前記第３駆動回路部のうちのいずれか１つの駆動回路部と電気的に接続しており、
前記第２データ線は、前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部及び前記第３駆動回路部のうちのいずれか１つの駆動回路部であって、前記第１データ線と電気的に接続された駆動回路部以外の駆動回路部と電気的に接続していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部および前記第３駆動回路部は、それぞれ２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、を有し、
前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部および前記第３駆動回路部がそれぞれ有する、前記２つの薄膜トランジスター及び前記保持容量は、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部および前記第３駆動回路部は、それぞれ２つの薄膜トランジスターと、保持容量と、を有し、
前記第１駆動回路部、前記第２駆動回路部および前記第３駆動回路部がそれぞれ有する、前記２つの薄膜トランジスターは、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されており、
前記第１駆動回路部が有する前記保持容量は、平面視において前記第１膜形成領域と重なる位置に配置されており、
前記第２駆動回路部が有する前記保持容量は、平面視において前記第２膜形成領域と重なる位置に配置されており、
前記第３駆動回路部が有する前記保持容量は、平面視において前記第３膜形成領域と重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
前記第１発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されており、前記第２発光層は、液滴吐出法によって形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
基板を含む下地層上に、第１有機ＥＬ素子と、第２有機ＥＬ素子とを有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記下地層内であって、前記基板の上方に、前記第１有機ＥＬ素子の駆動を制御する第１駆動回路部と、前記第２有機ＥＬ素子の駆動を制御する第２駆動回路部とを形成する駆動回路形成工程と、
前記下地層上に形成され、隣り合う第１膜形成領域と第２膜形成領域とを互いに区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、
前記下地層上であって、平面視で前記第１膜形成領域と重なる位置に、第１の色の光を発光可能な前記第１有機ＥＬ素子を形成すると共に、前記下地層上であって、平面視で前記第２膜形成領域と重なる位置に、前記第１の色とは異なる第２の色の光を発光可能な前記第２有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素子形成工程とを有し、
前記駆動回路形成工程において、前記第１駆動回路部の少なくとも一部及び前記第２駆動回路部の少なくとも一部は、平面視において前記第１膜形成領域と重なるように形成し、
前記第１有機ＥＬ素子が有する第１発光層と前記第２有機ＥＬ素子が有する第２発光層とは、異なる成膜方法によって形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記有機ＥＬ素子形成工程は、前記第２発光層を液滴吐出法によって形成する第１発光層形成工程と、前記第１発光層を蒸着法またはスピンコート法によって形成する第２発光層形成工程と、を有することを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１１−２８８７６（Ｐ２０１１−２８８７６Ａ）
【公開日】平成２３年２月１０日（２０１１．２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１７０８７９（Ｐ２００９−１７０８７９）
【出願日】平成２１年７月２２日（２００９．７．２２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月１０日（２０１１．２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年７月２２日（２００９．７．２２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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