有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法及び電子機器
【課題】 発熱による劣化や、それに由来する表示不良や動作不良を抑えつつも、薄型化を実現できる有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 有機バンク層３６内の流通路に冷媒を流通させることで、当該流通路の周囲の熱を吸収することができる。有機層３０は当該流通路が形成された有機バンク層３６に囲まれているため、有機ＥＬ装置１を駆動したときには、有機層３０から発生した熱が効率的に吸収される。これにより、有機ＥＬ装置１が熱により表示不良や動作不良を起こすことも無い。また、冷媒を流通させる流通路を有機バンク層３６内に設けたことで、有機ＥＬ装置１を厚く形成しなくても済むので、薄型化を実現できる。
【解決手段】 有機バンク層３６内の流通路に冷媒を流通させることで、当該流通路の周囲の熱を吸収することができる。有機層３０は当該流通路が形成された有機バンク層３６に囲まれているため、有機ＥＬ装置１を駆動したときには、有機層３０から発生した熱が効率的に吸収される。これにより、有機ＥＬ装置１が熱により表示不良や動作不良を起こすことも無い。また、冷媒を流通させる流通路を有機バンク層３６内に設けたことで、有機ＥＬ装置１を厚く形成しなくても済むので、薄型化を実現できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置は、例えばガラス基板上に有機ＥＬ素子が形成された構成となっている。有機ＥＬ素子は、有機機能層と、この有機機能層を挟むように設けられる電極（陽極及び陰極）とで構成されている。有機機能層は、例えば正孔注入層／輸送層、発光層が陽極上にこの順に積層されてなる。
【０００３】
陽極及び陰極に電圧を印加すると、陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子が、発光層で再結合して発光する。有機ＥＬ装置は、電子・正孔の再結合や、電子回路の駆動の際に発熱するが、有機機能層は熱に弱く劣化しやすいため、結果として有機ＥＬ装置の表示不良や動作不良の原因となる。このため、例えば有機ＥＬ素子の基板に冷媒を流通させる流通路を設けた基板を貼り合わせた構成とすることで有機ＥＬ素子を冷却する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】実開平５−６７９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の構成では、貼り合わせた基板の厚さ分だけ有機ＥＬ装置が厚く形成されるため、薄型化の妨げとなってしまう。
本発明の目的は、発熱による劣化や、それに由来する表示不良や動作不良を抑えつつも、薄型化を実現できる有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明に係る有機ＥＬ装置は、基板と、前記基板上に設けられた、発光層を含む有機機能層と、前記基板上に前記有機機能層を囲むように設けられた隔壁と、前記隔壁内に設けられ、冷媒を流通させる流通路とを具備することを特徴とする。
【０００６】
本発明では、隔壁内の流通路に冷媒を流通させることで、当該流通路の周囲の熱を吸収することができる。有機機能層は当該流通路が形成された隔壁に囲まれているため、有機ＥＬ装置を駆動したときには、有機機能層から発生した熱を効率的に吸収することができる。その結果、有機ＥＬ装置の熱による劣化、及びそれに由来する表示不良や動作不良を抑えることができる。また、冷媒を流通させる流通路を隔壁内に設けたことで、有機ＥＬ装置の薄型化を実現できる。
【０００７】
本発明の別の観点に係る有機ＥＬ装置は、基板と、前記基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、発光層を含む有機機能層と、前記絶縁層内に前記有機機能層の位置に平面的に重なるように設けられ、冷媒を流通させる流通路とを具備することを特徴とする。
【０００８】
本発明では、基板上に形成する絶縁層内の流通路に冷媒を流通させることで、流通路の周囲の熱を吸収することができる。当該流通路と有機機能層とが平面的に重なるように設けられているので、有機ＥＬ装置を駆動したときには、有機機能層から発生した熱を効率的に吸収することができる。その結果、有機ＥＬ装置の熱により劣化、及びそれに由来する表示不良や動作不良を抑えることができる。また、冷媒を流通させる流通路を隔壁内に設けたことで、有機ＥＬ装置の薄型化を実現できる。
【０００９】
本発明の別の観点に係る有機ＥＬ装置は、基板と、前記基板内に設けられ、冷媒を流通させる流通路と、前記基板上に前記流通路の位置に平面的に重なるように設けられ、発光層を含む有機機能層とを具備することを特徴とする。
【００１０】
本発明では、基板内の流通路に冷媒を流通させることで、流通路の周囲の熱を吸収することができる。当該流通路と有機機能層とは平面的に重なるように設けられているので、有機ＥＬ装置を駆動したときには、有機機能層から発生した熱を効率的に吸収することができる。その結果、有機ＥＬ装置の熱により劣化、及びそれに由来する表示不良や動作不良を抑えることができる。また、冷媒を流通させる流通路を隔壁内に設けたことで、有機ＥＬ装置の薄型化を実現できる。
【００１１】
また、前記冷媒が、不活性の液体であることが好ましい。
冷媒が固体であれば、当該冷媒が流通路を流通しにくい。また、冷媒が気体であれば、流通路を流通しやすくなるものの、熱の吸収効率が低くなってしまう。本発明では、冷媒を液体とすることで、固体とした場合と比べて冷媒が流通路を流通しやすくすることができ、気体とした場合と比べて熱の吸収効率を高くすることができる。また、不活性な冷媒を用いることで、流通路の外壁（隔壁、基板又は絶縁層）を侵食させないようにすることができる。
【００１２】
また、前記冷媒が、絶縁材料からなる液体であることが好ましい。
これにより、流通路内を流通する冷媒を介して電流が流れてしまうのを防ぐことができる。
【００１３】
また、前記有機機能層が複数設けられ、当該複数の有機機能層がマトリクス状に配置され、前記流通路がマトリクスの行方向及び列方向にそれぞれ設けられていることが好ましい。
例えばアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置等のように複数の有機機能層がマトリクス状に配置される場合、有機ＥＬ装置から発生する熱量も多くなる。本発明によれば、流通路がマトリクスの行方向及び列方向にそれぞれ設けられており、どの有機機能層から発生する熱でも吸収することができる。したがって、発熱量が多くなっても有機機能層内にこもらないので、熱により当該有機機能層が劣化するのを防ぐことができる。
【００１４】
また、行方向の流通路と列方向の流通路とが繋がってしまうと、冷媒がスムーズに流通しなくなってしまう。本発明では、行方向に設けられた流通路と、列方向に設けられた流通路が交差しないよう配置することで、双方向の流通路が繋がってしまうことも無く、冷媒を各方向の流通路にスムーズに流通させることができる。
【００１５】
また、前記流通路が、装置外部から前記冷媒を流入させる流入口と、装置外部へ前記冷媒を排出する排出口とを有することが好ましい。
これにより、有機ＥＬ装置の外部から冷媒を流通させることができるので、流通路で冷媒の流通が滞ることも無く、熱の移動をスムーズに行わせることができる。例えば、流入口と排出口とに管を取り付けて、ポンプにより冷媒を流通させるようにしても良い。
【００１６】
本発明の別の観点に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に芯部材を形成する芯部材形成工程と、前記芯部材を覆うように、かつ、発光層を含む有機機能層が形成される領域を囲むように、前記基板上に隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記隔壁で覆われた前記芯部材を前記隔壁の外に取り出す取出工程と、前記基板上の前記隔壁で囲まれた領域に、前記有機機能層を形成する有機機能層形成工程とを具備することを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、芯部材を隔壁の外へ取り出すことにより、芯部材が存在していた部分に空洞を形成することができる。この空洞が、冷媒の流れる流通路として機能することになる。この方法であれば、例えばアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置のように隔壁が格子状に設けられる場合であっても簡単に流通路を形成することができる。
【００１８】
また、前記有機機能層を液滴吐出法により形成することが好ましい。
有機機能層を液滴吐出法により形成することで、隔壁に囲まれた領域に高分子材料を吐出することにより、簡単にかつ材料を無駄にすること無く当該有機機能層を形成することができる。
【００１９】
また、前記取出工程では、前記芯部材を溶融させて取り出すことが好ましい。
芯部材を溶融させることで、当該芯部材を隔壁の外側に取り出しやすくすることができる。芯部材を溶融させる方法としては、例えば芯部材を加熱して溶融する方法や、芯部材を液体に溶解させる方法等が挙げられる。加熱する場合は、例えば芯部材を構成する材料に、隔壁を構成する材料の融点よりも低い融点を有する材料を用いて加熱することが好ましい。また、溶融した芯部材にポンプなどで圧力を加えて隔壁の外部に取り出すようにしても良い。
【００２０】
また、前記取出工程では、前記芯部材に外力を加えて固体のまま取り出すことが好ましい。
これにより、芯部材を外部に取り出す際には、芯部材を溶融するなどの工程を経ることなく、加熱手段やポンプ等も用いることも無い。これにより、隔壁の外部に芯部材を簡単に取り出すことができる。例えば芯部材を金属等の外力に強い材料で形成し、当該芯部材を引き抜いて取り出す方法が挙げられる。
【００２１】
本発明の別の観点に係る電子機器は、上記の有機ＥＬ装置が搭載されていることを特徴とする。
本発明によれば、発熱による劣化、及びそれに由来する表示不良や動作不良を抑えつつも、薄型化を実現できる有機ＥＬ装置が搭載されているので、表示特性に優れた薄型の電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態を図面に基づき説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。
図１は、有機ＥＬ装置１の全体構成を概略的に示す分解斜視図である。
有機ＥＬ装置１は、基板２に配線や絶縁層等が形成された基体１０と、この基体１０上に形成された有機ＥＬ素子部３と、基体１０の端部２ａに取り付けられた駆動部４とを有しており、駆動部４から供給される電気信号に応じて有機ＥＬ素子部３が発光することで、画像や動画等を表示できるようになっている。また、有機ＥＬ素子部３及び基体１０を覆うように封止部５が形成されている。本実施形態では、薄膜トランジスタ（Thin film Transistor：ＴＦＴ）が形成されたアクティブマトリクス型であり、有機ＥＬ素子部３により発生した光が基体１０を透過して取り出されるボトムエミッション型である有機ＥＬ装置１を例に挙げて説明する。
【００２３】
図２は、有機ＥＬ装置１の平面図である。この図では、有機ＥＬ素子部３及び封止部５を省略している。図３は、有機ＥＬ装置１のＡ−Ａ断面を概略的に示す図である。図４は、有機ＥＬ装置１のＢ−Ｂ断面を概略的に示す図である。
【００２４】
図２に示すように、基体１０は、画素部７（一点鎖線内の領域）と周縁部８（当該一点鎖線の外の領域）とに区画されており、画素部７内では、実表示領域Ｐ（二点鎖線内の領域）とダミー領域Ｑ（一点鎖線と二点鎖線との間の領域）とに更に区画されている。また、画素部７の実表示領域Ｐは、有機ＥＬ素子部３からの光が通過する画素領域Ｋと、電極や配線等が配置される画素間Ｌとに区画されている。
【００２５】
図３及び図４に示すように、基体１０の構成要素である基板２は、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等からなる透明基板である。本実施形態に係る有機ＥＬ装置１はボトムエミッション型のものであり、光を取り出すには基板２を透明にする必要がある。なお、基板２を透明にすることで、外部からの光が基板２を透過して内部に到達する場合もある。基板２の表面２ｂには、下地として例えばＳｉＯ２等の透明な下地保護層１１が形成されている。
【００２６】
画素部７の実表示領域Ｐでは、下地保護層１１上に、シリコン膜１２、第１絶縁層（ゲート絶縁層）１３、ゲート配線１５、第２絶縁層１６、ソース配線１７、ソース電極１７ａ、ドレイン電極１８、第３絶縁層１９が形成されている。これらは画素間Ｌに形成される。また、画素部７のダミー領域Ｑでは、下地保護層１１上に、走査駆動回路２０、データ駆動回路２１、検査回路２２等が形成されている。また、駆動部４に接続された電源線（図示せず）が形成されている。
【００２７】
シリコン膜１２は、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する駆動用トランジスタである。シリコン膜１２のうち、ゲート絶縁層１３を挟んでゲート配線１５と重なる領域がチャネル領域１２ａである。チャネル領域１２ａのソース側には、低濃度ソース領域１２ｂ及び高濃度ソース領域１２ｓが形成され、チャネル領域１２ａのドレイン側には、低濃度ドレイン領域１２ｃ及び高濃度ドレイン領域１２ｄが形成されている。このようにシリコン膜１２は、ＬＤＤ（Light Doped Drain）構造を形成する。
【００２８】
高濃度ソース領域１２ｓ及び高濃度ドレイン領域１２ｄには、ゲート絶縁層１３と第２絶縁層１６とを連通して開孔されたコンタクトホール２３、２４が形成されている。一方、高濃度ドレイン領域１２ｓ側には、ドレイン電極１８に接続されるように、第３絶縁層１９を貫通してコンタクトホール２５が形成されている。
ゲート絶縁層１３は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ等で形成された透明な層であり、シリコン膜１２とゲート配線１５とを絶縁している。
【００２９】
ゲート配線１５及びソース配線１７は、それぞれマトリックス状に配設され、ゲート配線１５が例えばアルミニウムや銅等により図２のＸ方向に延びるように、ソース配線１７がゲート配線１５とほぼ直交する方向（図１のＹ方向）に延びるように、それぞれ形成されている。ソース配線１７は、コンタクトホール２３を介して高濃度ソース領域１２ｓに接続されている。また、ドレイン電極１８は、高濃度ドレイン領域１２ｄに接続されている。
【００３０】
第２絶縁層１６は、主にＳｉＯ２からなる透明な層であり、ゲート配線１５、ソース配線１７及びドレイン電極１８をそれぞれ絶縁している。
第３絶縁層１９は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とし、ソース配線１７とドレイン電極１８及びコンタクトホール２５とを絶縁している。なお、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２などを用いることもできる。
【００３１】
また、ダミー領域Ｑに設けられる走査駆動回路２０は、シフトレジスタ等のメモリや信号レベルを変換するレベルシフタ等の回路を有しており、ゲート配線１５に接続されている。データ駆動回路２１は、このシフトレジスタ、レベルシフタの他、ビデオラインやアナログシフタ等の回路を有しており、ソース配線１７に接続されている。走査駆動回路２０及びデータ駆動回路２１は、駆動制御信号線２８ａ、２８ｂを介して駆動部４に接続されており、当該駆動部４の制御によりゲート配線１５及びソース配線１７に電気信号を出力する。検査回路２２は、有機ＥＬ装置１の作動状況を検査するための回路であり、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）等を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。また、走査駆動回路２０、データ駆動回路２１及び検査回路２２は、駆動電源線２９ａ、２９ｂを介して電源に接続される。
【００３２】
周縁部８には、有機ＥＬ素子部３に接続する接続用配線２７が形成される。この接続用配線２７は駆動部４に接続されており、当該接続用配線２７を介して駆動部４からの電気信号を有機ＥＬ素子部３に供給することができるようになっている。
【００３３】
一方、有機ＥＬ素子部３は、陽極３１と、正孔注入層３２及び発光層３３からなる有機層（有機機能層）３０と、共通電極（陰極）３４と、画素開口膜３５と、有機バンク層３６とを有する。これらは上述した基体１０上に積層される。陽極３１、正孔注入層３２及び発光層３３は画素領域Ｋに形成され、画素開口膜３５及び有機バンク層３６は主に画素間Ｌに形成される。
【００３４】
陽極３１は、正孔注入層３２に正孔を注入する透明な電極であり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等から形成され、コンタクトホール２５を介してドレイン電極１８に接続される。
正孔注入層３２は、陽極３１から注入された正孔を発光層３３に輸送する層であり、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体、あるいはそれらのドーピング体等から形成されている。また、陰極３４は、駆動部４からの電気信号に応じて発光層３３に電子を注入する層であり、例えばカルシウム等の金属により形成されている。陰極３４は、実表示領域Ｐおよびダミー領域Ｑの総面積より広い面積を備え、それぞれの領域を覆うように形成されたもので、有機ＥＬ素子部３の外側を覆った状態で基体１０上に形成されている。この陰極３４は、接続用配線２７に接続され、当該接続用配線２７を介して駆動部４に接続されている。製造時の陰極３４の腐食防止のため、陰極３４の上層部に例えばアルミニウム等の保護層を形成してもよい。
【００３５】
発光層３３は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料、例えば低分子材料や高分子材料等により形成されている。この発光層３３では、正孔注入層３２からの正孔と陰極３４からの電子とが結合して光を発する。発光層３３には、赤色光を発する層、緑色光を発する層、青色光を発する層の３種類がある。各発光層３３からの光が正孔注入層３２、陽極３１及び基体１０を透過することで、基板２の実表示領域Ｐに画像や動画等が表示されるようになっている。
【００３６】
画素開口膜３５は、例えばＳｉＯ２等からなり、画素領域Ｋが開口するように画素間Ｌから画素領域Ｋの一部に亘って形成される絶縁膜である。この画素開口膜３５は、壁面３５ｂで囲まれた開口部３５ａにおいて陽極３１からの正孔の移動を可能にすると共に、開口部３５ａが設けられない部位での正孔の移動が起こらないようにしている。
【００３７】
有機バンク層３６は、正孔注入層３２や発光層３３をインクジェット法等の液滴吐出法で形成する際の隔壁であり、また、隣接する正孔注入層３２及び発光層３３の間で電子の移動が起こらないようにする絶縁層である。有機バンク層３６は、例えばアクリルやポリイミド等で形成され、各正孔注入層３２及び発光層３３を遮断するように設けられている。
【００３８】
図３に示すように、Ｙ方向へ延在する有機バンク層３６は、下層３６ｂに流通路３７を有している。また、図４に示すように、Ｘ方向へ延在する有機バンク層３６は、上層３６ａに流通路３８を有している。この流通路３７の大きさは、例えば幅（Ｘ方向の大きさ）が１００μｍであり、高さ（Ｚ方向の大きさ）が１μｍである。流通路３８についても同様の大きさである。この流通路３７及び流通路３８には、例えばフロリナート等の絶縁材料からなる不活性な冷媒が流れるようになっている。なお、冷媒については、絶縁材料や、不活性な材料な材料であれば、他の材料を適宜選択することが可能である。
【００３９】
図５は、有機バンク層３６の外観を示す斜視図である。同図では、説明の簡単のため、有機バンク層３６上に設けられる陰極３４等の図示を省略している。
同図に示すように、有機バンク層３６の側面３６ｄには、開口部３９及び開口部４０（流入口、排出口）が設けられる。流通路３７は開口部３９を介して外部へ通じており、流通路３８は開口部４０を介して外部へ通じている。開口部３９及び開口部４０から、冷媒が有機バンク層３６内に流入し、排出されるようになっている。
【００４０】
冷媒の流入及び排出は、例えば開口部３９には外部流通路４１を、開口部４０には外部流通路４２をそれぞれ取り付け、ポンプ４３及びポンプ４４により冷媒を流通させることができる。図５では、冷媒を流通路３８へ流通させる外部流通路４１及びポンプ４４と、冷媒を流通路３７へ流通させるための外部流通路４２及びポンプ４３とをそれぞれ別個に設けているが、流通路３７と流通路３８とに共通する外部流通路及びポンプを設けるようにしても良い。また、外部流通路４１及び外部流通路４２を、それぞれ陰極３４及び封止部５を貫通するように設け、ポンプ４３及びポンプ４４を封止部５の外部に設けるような構成であってもよい。なお、流入口と排出口とを逆にしても良い。
【００４１】
次に、このように構成された有機ＥＬ装置１を製造する工程を説明する。
図６は、有機ＥＬ装置１の製造工程を示すフローチャートである。ここでは、基体１０及び有機ＥＬ素子部３の画素部７の領域を形成する工程を中心に説明し、周縁部８を形成する工程の説明は省略する。
【００４２】
まず、基板２にＴＦＴ素子や絶縁膜等を形成することにより、基体１０を形成する工程について説明する（ＳＴ１）。
公知の方法により、基板２に下地保護層１１を形成し、その上にシリコン膜１２を形成し、レーザーアニールしてポリシリコン化する。シリコン膜１２をゲート絶縁層１３で覆った後、ゲート配線１５を形成し、その上に再びゲート絶縁層１３を形成する。また、ソース側のコンタクトホール２３をパターニングして形成する。
【００４３】
次に、第２絶縁層１６を形成し、コンタクトホール２４及びこのコンタクトホール２４に接続するソース電極１７ａをパターニングして形成する。また、第２絶縁層１６上にソース配線１７及びドレイン電極１８をパターニングして形成する。ソース配線１７及びドレイン電極１８上に第３絶縁層１９を形成し、ドレイン側のコンタクトホール２５をパターニングして形成する。なお、コンタクトホール２５は、陽極３１と接続させるため画素領域Ｋに形成する。このように、基体１０が形成される。
【００４４】
次に、有機ＥＬ素子部３を形成する工程を説明する（ＳＴ２〜ＳＴ８）。
基体１０のほぼ全面を覆うように透明な導電膜を形成し、画素領域Ｋに陽極３１が形成されるようにこの導電膜をパターニングする（ＳＴ２）。このとき、同時にダミー領域Ｑのダミーパターン（図示せず）も形成する。本工程により、画素領域Ｋでコンタクトホール２５と陽極３１とが接続され、これにより陽極とドレイン電極１８とが導通する。
次に、第３絶縁層１９上に画素開口膜３５を形成する（ＳＴ３）。画素開口膜３５は、壁面３５ｂで囲まれた開口部３５ａが形成されるように、例えば陽極３１に重ねて形成する。
【００４５】
次に、この画素開口膜３５上に有機バンク層３６を形成する（ＳＴ４）。以下、有機バンク層３６を形成する工程を詳細に説明する。
図７に示すように、まず、画素開口膜３５が形成された基体１０に芯部材５０を形成する。芯部材５０の材料としては、例えばテトラコンタノンや、当該テトラコンタノンよりも分子量の高い炭化水素等、有機バンク層３６を構成する上記の材料の乾燥温度よりも高く、当該材料の融点よりも低い材料であることが好ましい。また、キシレン等の溶剤に可溶であれば一層好ましい。この材料を例えばインクジェット法やスクリーン印刷法等により、画素開口膜３５上の開口部３５ａの間を通るように、Ｘ方向の一端５０ａから他端５０ｂまでパターニングして芯部材５０を形成する。
【００４６】
芯部材５０を形成したら、図８に示すように、画素開口膜３５上に下層３６ｂを形成する。下層３６ｂは、アクリル樹脂やポリイミド等の樹脂からなるレジストを溶媒に溶解したものを、芯部材５０を覆うように、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して形成する。画素開口膜３５の開口部３５ａの周囲には、当該開口部３５ａよりも開口が大きくなるように壁面３６ｃを形成する。
【００４７】
下層３６ｂを形成したら、図９に示すように、当該下層３６ｂ上に芯部材５１を形成する。芯部材５１の材料については、芯部材５０を構成する材料と同じものを用いることができる。芯部材５０を形成する場合と同様の方法により、下層３６ｂの開口の間を通るように、当該材料をＹ方向の一端５１ａから他端５１ｂまでパターニングして芯部材５１を形成する。
【００４８】
芯部材５１を形成したら、図１０に示すように、下層３６ｂ上に上層３６ａを形成する。上層３６ａは、下層３６ｂと同じくアクリル樹脂やポリイミド等の樹脂からなるレジストを溶媒に溶解したものを、芯部材５１を覆うように、スピンコート法、ディップコート法などの方法より塗布して形成する。
【００４９】
上層３６ａを形成したら、図１１に示すように、上層３６ａ及び下層３６ｂを加熱する。加熱手段としては、例えば図示しないホットプレート等が挙げられ、基板を当該ホットプレート上に載置して加熱することができる。この加熱手段により、例えば２００℃で、１０分間加熱する。上層３６ａ及び下層３６ｂを加熱すると、芯部材５０及び芯部材５１が熱により溶融する。
【００５０】
芯部材５０及び芯部材５１を溶融させたら、図１２に示すように、溶融した芯部材５０及び芯部材５１を取り出す。例えば、ポンプ５２により他端５０ｂ及び他端５１ｂ側から圧力を加えて、一端５０ａ及び一端５１ａ側から溶融した芯部材５０及び芯部材５１を押し出すようにする。芯部材５０及び芯部材５１が押し出されると、上層３６ａ内には流通路３８が形成され、下層３６ｂ内には流通路３７が形成される。また、一端５０ａ及び５１ａは例えば冷媒を流入させる開口部（流入口）として、他端５０ｂ及び他端５１ｂは例えば冷媒を排出する開口部（排出口）として形成される（流入口と排出口とは逆であっても良い）。このようにして内部に流通路３７及び流通路３８を有する有機バンク層３６を形成する。
【００５１】
次に、全面を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱してプラズマ処理を施す（ＳＴ５）。大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするＯ２プラズマ処理により、有機バンク層３６の壁面３６ｃ、陽極３１の上面３１ａ（図３参照）及び画素開口膜３５の上面３５ｃ（図３参照）をそれぞれ親液性にする。また、大気雰囲気中で四フッ化メタンを反応ガスとするＣＦ４プラズマ処理により、有機バンク層３６の上面３６ｅ（図３参照）および壁面３６ｃを撥液性にする。その後、各部を室温まで冷却する。
【００５２】
次に、例えばインクジェット法等の液滴吐出法や、スピンコート法などにより、正孔注入層３２を形成する（ＳＴ６）。その後、乾燥処理および熱処理を行って、陽極３１上に正孔注入層３２を形成する。打ち込まれた液滴は、親液化処理がなされた陽極３１上で広がり、開口部３５ａ内に満たされ、その一方で、撥液化処理された有機バンク層３６の上面では液滴がはじかれて付着しない。なお、本工程以降は、正孔注入層３２および発光層３３の酸化を防止するため、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。
【００５３】
正孔注入層３２を乾燥してアニールした後、例えばインクジェット法により、発光層形成材料を正孔注入層３２上に吐出し、乾燥処理および熱処理を行って発光層３３を形成する（ＳＴ７）。本工程では、例えば発光層３３の材料を青色の表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理した後、同様にして緑色及び赤色についてもそれぞれその表示領域に１色ずつ選択的に塗布し、乾燥処理する。また、必要に応じて、このような発光層３３の上に電子注入層を形成してもよい。
【００５４】
乾燥してアニールした後、例えば蒸着法等の物理的気相蒸着法によりカルシウムを成膜して陰極３４を形成する（ＳＴ８）。陰極３４が、発光層３３、有機バンク層３６の上面３６ｅ、有機バンク層３６の壁面３６ｃの一部を覆い、上述した接続用配線２７に接続されるように形成する。なお、陰極３４上に陰極保護層を形成させる場合には、蒸着法等の物理的気相蒸着法により陰極３４上に例えばアルミニウム等を成膜する。このようにして、有機ＥＬ素子部３を形成する。
基体１０及び有機ＥＬ素子部３を形成したら、当該基体１０及び有機ＥＬ素子部３のほぼ全体を封止部５により缶封止して有機ＥＬ装置１が完成する（ＳＴ９）。
【００５５】
このように、本実施形態によれば、有機バンク層３６内の流通路３７及び流通路３８に冷媒を流通させることで、当該流通路３７及び流通路３８の周囲の熱を吸収することができる。どの有機層３０ともに当該流通路３７及び流通路３８が形成された有機バンク層３６に囲まれているため、有機ＥＬ装置１を駆動したときには、有機層３０から発生した熱が効率的に吸収される。これにより、有機ＥＬ装置１の熱による劣化、及びそれに由来する表示不良や動作不良を抑えることができる。また、冷媒を流通させる流通路３７及び流通路３８を有機バンク層３６内に設けたことで、有機ＥＬ装置１の薄型化を実現できる。
【００５６】
なお、Ｘ方向の流通路３８とＹ方向の流通路３７とが繋がってしまうと、冷媒がスムーズに流通しなくなってしまう。本発明では、Ｘ方向に設けられた流通路３７と、Ｙ方向に設けられた流通路３８とが交差しないよう、異なる層（上層３６ａ及び下層３６ｂ）に配置することで、流通路３７と流通路３８とが繋がってしまうことも無く、冷媒を各方向にスムーズに流通させることができる。
【００５７】
（第２実施形態）
次に、本発明に係る第２実施形態を説明する。第１実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、第１実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。本実施形態では、流通路１３７及び流通路１３８の形成される部位が第１実施形態とは異なるので、かかる点を中心に説明する。
【００５８】
図１３は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１０１の構成を示す平面図である。図１４は図１３におけるＡ−Ａ断面図であり、図１５は図１３におけるＢ−Ｂ断面図である。
図１４及び図１５に示すように、第２絶縁層１６内に流通路１３７が設けられており、第３絶縁層１９内に流通路１３８が設けられている。また、図１３に示すように、流通路１３７は、Ｙ方向に配列された有機層３０を有する画素領域Ｋと平面的に重なるように設けられている。また、流通路１３８は、Ｘ方向に配列された画素領域Ｋ（有機層３０が設けられている）と平面的に重なるように設けられている。第１実施形態と同様、この流通路１３７及び流通路１３８には、例えばフロリナート等の絶縁材料からなる不活性な冷媒が流れるようになっている。冷媒については、絶縁材料や、不活性な材料な材料であれば、他の材料を適宜選択することが可能である。
【００５９】
図１６は、有機ＥＬ素子部３及び基体１０の外観を概略的に示す斜視図である。
同図に示すように、基体１０の側面１０ａには、開口部１３９及び開口部１４０（流入口、排出口）が設けられる。流通路１３７は開口部１３９を介して外部へ通じており、流通路１３８は開口部１４０を介して外部へ通じている。この開口部１３９及び開口部１４０から、冷媒が流入し、排出されるようになっている。冷媒の流入及び排出は、第１実施形態と同様に、例えば開口部１３９及び開口部１４０に外部流通路をそれぞれ取り付け、ポンプ等より冷媒を流通させることができる。
【００６０】
このように、本実施形態によれば、流通路１３７及び１３８に冷媒を流通させることで、当該流通路１３７及び流通路１３８の周囲の熱を吸収することができる。また、流通路１３７及び流通路１３８と有機層３０とが平面的に重なるように設けられているので、有機ＥＬ装置１０１を駆動したときには、有機層３０から発生した熱を効率的に吸収することができる。これにより、有機ＥＬ装置１０１の熱による劣化、及びそれに由来する表示不良や動作不良を抑えることができる。また、第２絶縁層１６及び第３絶縁層１９内に流通路１３７及び流通路１３８を設けたことで、有機ＥＬ装置１０１の薄型化を実現できる。
【００６１】
（第３実施形態）
次に、本発明に係る第３実施形態を説明する。第１実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、第１実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。本実施形態では、流通路２３７及び流通路２３８の形成される部位が第１実施形態とは異なるので、かかる点を中心に説明する。
【００６２】
図１７は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２０１の構成を示す平面図である。図１８は図１７におけるＡ−Ａ断面図であり、図１９は図１７におけるＢ−Ｂ断面図である。
図１８及び図１９に示すように、基板２の基板２の下側層２ｐに流通路２３７が設けられており、上側層２ｑに流通路２３８が設けられている。
【００６３】
図１７に示すように、流通路２３７は、Ｙ方向に配列された画素領域Ｋ（有機層３０が設けられている）と平面的に重なるように設けられている。また、流通路２３８は、Ｘ方向に配列された画素領域Ｋ（有機層３０が設けられている）と平面的に重なるように設けられている。第１実施形態と同様、この流通路２３７及び流通路２３８には、例えばフロリナート等の絶縁材料からなる不活性な冷媒が流れるようになっている。冷媒については、絶縁材料や、不活性な材料な材料であれば、他の材料を適宜選択することが可能である。
【００６４】
図２０は、有機ＥＬ素子部３及び基体１０の外観を概略的に示す斜視図である。
同図に示すように、基体１０の側面１０ａには、下側層２ｐに形成された開口部２３９及び上側層２ｑに形成された開口部２４０（流入口、排出口）が設けられる。流通路２３７は開口部２３９を介して外部へ通じており、流通路２３８は開口部２４０を介して外部へ通じている。この開口部２３９及び開口部２４０から、冷媒が流入し、排出されるようになっている。冷媒の流入及び排出は、第１実施形態と同様に、例えば開口部２３９及び開口部２４０に外部流通路をそれぞれ取り付け、ポンプ等より冷媒を流通させることができる。
【００６５】
このように、本実施形態によれば、基板２内の流通路２３７及び流通路２３８に冷媒を流通させることで、この流通路２３７及び流通路２３８の周囲の熱を吸収することができる。また、当該流通路２３７及び流通路２３８と有機層３０とは平面的に重なるように設けられているので、有機ＥＬ装置１を駆動したときには、有機層３０から発生した熱を効率的に吸収することができる。これにより、有機ＥＬ装置１の熱による劣化、及びそれに由来する表示不良や動作不良を抑えることができる。また、冷媒を流通させる流通路２３７及び流通路２３８を基板２内に設けたことで、有機ＥＬ装置１の薄型化を実現できる。
【００６６】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。
図２１は、携帯電話３００の全体構成を示す斜視図である。
携帯電話３００は、筺体３０１、複数の操作ボタンが設けられた操作部３０２、画像や動画、文字等を表示する表示部３０３を有する。表示部３０３には、本発明に係る有機ＥＬ装置１、１０１、２０１が搭載される。
このように、発熱による劣化、及びそれに由来する表示不良や動作不良を抑えつつも、薄型化を実現できる有機ＥＬ装置が搭載されているので、表示特性に優れた薄型の電子機器を得ることができる。
【００６７】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
上記実施形態では、芯部材５０及び芯部材５１を取り出すため、当該芯部材５０及び芯部材５１を加熱して溶融させるようにしたが、例えばこの芯部材５０及び芯部材５１を固体のまま取り出すことも可能である。この場合、芯部材５０及び５１として例えばステンレス等からなる金属線を形成し、下層３６ｂ及び上層３６ａを形成した後、工具などを用いて金属線を引き抜いたり押し出したりすることができる。
【００６８】
このようにすれば、芯部材５０及び芯部材５１を取り出すのに、当該芯部材５０及び芯部材５１を溶融するなどの工程を経ることなく、加熱手段やポンプ等も用いることも無い。また、芯部材５０及び芯部材５１を金属線で形成しているため、物理的な力を加えて引き抜いたり押し出したりしても破損されにくく、有機バンク層３６を内部から傷つけることも無い。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の概観を示す斜視図である。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す平面図である。
【図３】図２におけるＡ−Ａ断面図である。
【図４】図２におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図５】有機ＥＬ装置の一部の構成を示す斜視図である。
【図６】有機ＥＬ装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図７】有機ＥＬ装置の製造の様子を示す図（その１）である。
【図８】有機ＥＬ装置の製造の様子を示す図（その２）である。
【図９】有機ＥＬ装置の製造の様子を示す図（その３）である。
【図１０】有機ＥＬ装置の製造の様子を示す図（その４）である。
【図１１】有機ＥＬ装置の製造の様子を示す図（その５）である。
【図１２】有機ＥＬ装置の製造の様子を示す図（その６）である。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の概観を示す平面図である。
【図１４】図１３におけるＡ−Ａ断面図である。
【図１５】図１３におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図１６】有機ＥＬ装置の一部の構成を示す斜視図である。
【図１７】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の概観を示す平面図である。
【図１８】図１７におけるＡ−Ａ断面図である。
【図１９】図１７におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図２０】有機ＥＬ装置の一部の構成を示す斜視図である。
【図２１】本発明に係る電子機器の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７０】
１、１０１、２０１…有機ＥＬ装置 ２…基板 ３…ＥＬ膜 ３６…有機バンク層 ３６ｂ…下層 ３６ａ…上層 ３７、３８、１３７、１３８、２３７、２３８…流通路 ３９、４９、１３９、１４０、２３９、２４０…開口部 ５０、５１…芯部材 ３００…携帯電話
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置は、例えばガラス基板上に有機ＥＬ素子が形成された構成となっている。有機ＥＬ素子は、有機機能層と、この有機機能層を挟むように設けられる電極（陽極及び陰極）とで構成されている。有機機能層は、例えば正孔注入層／輸送層、発光層が陽極上にこの順に積層されてなる。
【０００３】
陽極及び陰極に電圧を印加すると、陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子が、発光層で再結合して発光する。有機ＥＬ装置は、電子・正孔の再結合や、電子回路の駆動の際に発熱するが、有機機能層は熱に弱く劣化しやすいため、結果として有機ＥＬ装置の表示不良や動作不良の原因となる。このため、例えば有機ＥＬ素子の基板に冷媒を流通させる流通路を設けた基板を貼り合わせた構成とすることで有機ＥＬ素子を冷却する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】実開平５−６７９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の構成では、貼り合わせた基板の厚さ分だけ有機ＥＬ装置が厚く形成されるため、薄型化の妨げとなってしまう。
本発明の目的は、発熱による劣化や、それに由来する表示不良や動作不良を抑えつつも、薄型化を実現できる有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明に係る有機ＥＬ装置は、基板と、前記基板上に設けられた、発光層を含む有機機能層と、前記基板上に前記有機機能層を囲むように設けられた隔壁と、前記隔壁内に設けられ、冷媒を流通させる流通路とを具備することを特徴とする。
【０００６】
本発明では、隔壁内の流通路に冷媒を流通させることで、当該流通路の周囲の熱を吸収することができる。有機機能層は当該流通路が形成された隔壁に囲まれているため、有機ＥＬ装置を駆動したときには、有機機能層から発生した熱を効率的に吸収することができる。その結果、有機ＥＬ装置の熱による劣化、及びそれに由来する表示不良や動作不良を抑えることができる。また、冷媒を流通させる流通路を隔壁内に設けたことで、有機ＥＬ装置の薄型化を実現できる。
【０００７】
本発明の別の観点に係る有機ＥＬ装置は、基板と、前記基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、発光層を含む有機機能層と、前記絶縁層内に前記有機機能層の位置に平面的に重なるように設けられ、冷媒を流通させる流通路とを具備することを特徴とする。
【０００８】
本発明では、基板上に形成する絶縁層内の流通路に冷媒を流通させることで、流通路の周囲の熱を吸収することができる。当該流通路と有機機能層とが平面的に重なるように設けられているので、有機ＥＬ装置を駆動したときには、有機機能層から発生した熱を効率的に吸収することができる。その結果、有機ＥＬ装置の熱により劣化、及びそれに由来する表示不良や動作不良を抑えることができる。また、冷媒を流通させる流通路を隔壁内に設けたことで、有機ＥＬ装置の薄型化を実現できる。
【０００９】
本発明の別の観点に係る有機ＥＬ装置は、基板と、前記基板内に設けられ、冷媒を流通させる流通路と、前記基板上に前記流通路の位置に平面的に重なるように設けられ、発光層を含む有機機能層とを具備することを特徴とする。
【００１０】
本発明では、基板内の流通路に冷媒を流通させることで、流通路の周囲の熱を吸収することができる。当該流通路と有機機能層とは平面的に重なるように設けられているので、有機ＥＬ装置を駆動したときには、有機機能層から発生した熱を効率的に吸収することができる。その結果、有機ＥＬ装置の熱により劣化、及びそれに由来する表示不良や動作不良を抑えることができる。また、冷媒を流通させる流通路を隔壁内に設けたことで、有機ＥＬ装置の薄型化を実現できる。
【００１１】
また、前記冷媒が、不活性の液体であることが好ましい。
冷媒が固体であれば、当該冷媒が流通路を流通しにくい。また、冷媒が気体であれば、流通路を流通しやすくなるものの、熱の吸収効率が低くなってしまう。本発明では、冷媒を液体とすることで、固体とした場合と比べて冷媒が流通路を流通しやすくすることができ、気体とした場合と比べて熱の吸収効率を高くすることができる。また、不活性な冷媒を用いることで、流通路の外壁（隔壁、基板又は絶縁層）を侵食させないようにすることができる。
【００１２】
また、前記冷媒が、絶縁材料からなる液体であることが好ましい。
これにより、流通路内を流通する冷媒を介して電流が流れてしまうのを防ぐことができる。
【００１３】
また、前記有機機能層が複数設けられ、当該複数の有機機能層がマトリクス状に配置され、前記流通路がマトリクスの行方向及び列方向にそれぞれ設けられていることが好ましい。
例えばアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置等のように複数の有機機能層がマトリクス状に配置される場合、有機ＥＬ装置から発生する熱量も多くなる。本発明によれば、流通路がマトリクスの行方向及び列方向にそれぞれ設けられており、どの有機機能層から発生する熱でも吸収することができる。したがって、発熱量が多くなっても有機機能層内にこもらないので、熱により当該有機機能層が劣化するのを防ぐことができる。
【００１４】
また、行方向の流通路と列方向の流通路とが繋がってしまうと、冷媒がスムーズに流通しなくなってしまう。本発明では、行方向に設けられた流通路と、列方向に設けられた流通路が交差しないよう配置することで、双方向の流通路が繋がってしまうことも無く、冷媒を各方向の流通路にスムーズに流通させることができる。
【００１５】
また、前記流通路が、装置外部から前記冷媒を流入させる流入口と、装置外部へ前記冷媒を排出する排出口とを有することが好ましい。
これにより、有機ＥＬ装置の外部から冷媒を流通させることができるので、流通路で冷媒の流通が滞ることも無く、熱の移動をスムーズに行わせることができる。例えば、流入口と排出口とに管を取り付けて、ポンプにより冷媒を流通させるようにしても良い。
【００１６】
本発明の別の観点に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に芯部材を形成する芯部材形成工程と、前記芯部材を覆うように、かつ、発光層を含む有機機能層が形成される領域を囲むように、前記基板上に隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記隔壁で覆われた前記芯部材を前記隔壁の外に取り出す取出工程と、前記基板上の前記隔壁で囲まれた領域に、前記有機機能層を形成する有機機能層形成工程とを具備することを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、芯部材を隔壁の外へ取り出すことにより、芯部材が存在していた部分に空洞を形成することができる。この空洞が、冷媒の流れる流通路として機能することになる。この方法であれば、例えばアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置のように隔壁が格子状に設けられる場合であっても簡単に流通路を形成することができる。
【００１８】
また、前記有機機能層を液滴吐出法により形成することが好ましい。
有機機能層を液滴吐出法により形成することで、隔壁に囲まれた領域に高分子材料を吐出することにより、簡単にかつ材料を無駄にすること無く当該有機機能層を形成することができる。
【００１９】
また、前記取出工程では、前記芯部材を溶融させて取り出すことが好ましい。
芯部材を溶融させることで、当該芯部材を隔壁の外側に取り出しやすくすることができる。芯部材を溶融させる方法としては、例えば芯部材を加熱して溶融する方法や、芯部材を液体に溶解させる方法等が挙げられる。加熱する場合は、例えば芯部材を構成する材料に、隔壁を構成する材料の融点よりも低い融点を有する材料を用いて加熱することが好ましい。また、溶融した芯部材にポンプなどで圧力を加えて隔壁の外部に取り出すようにしても良い。
【００２０】
また、前記取出工程では、前記芯部材に外力を加えて固体のまま取り出すことが好ましい。
これにより、芯部材を外部に取り出す際には、芯部材を溶融するなどの工程を経ることなく、加熱手段やポンプ等も用いることも無い。これにより、隔壁の外部に芯部材を簡単に取り出すことができる。例えば芯部材を金属等の外力に強い材料で形成し、当該芯部材を引き抜いて取り出す方法が挙げられる。
【００２１】
本発明の別の観点に係る電子機器は、上記の有機ＥＬ装置が搭載されていることを特徴とする。
本発明によれば、発熱による劣化、及びそれに由来する表示不良や動作不良を抑えつつも、薄型化を実現できる有機ＥＬ装置が搭載されているので、表示特性に優れた薄型の電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態を図面に基づき説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。
図１は、有機ＥＬ装置１の全体構成を概略的に示す分解斜視図である。
有機ＥＬ装置１は、基板２に配線や絶縁層等が形成された基体１０と、この基体１０上に形成された有機ＥＬ素子部３と、基体１０の端部２ａに取り付けられた駆動部４とを有しており、駆動部４から供給される電気信号に応じて有機ＥＬ素子部３が発光することで、画像や動画等を表示できるようになっている。また、有機ＥＬ素子部３及び基体１０を覆うように封止部５が形成されている。本実施形態では、薄膜トランジスタ（Thin film Transistor：ＴＦＴ）が形成されたアクティブマトリクス型であり、有機ＥＬ素子部３により発生した光が基体１０を透過して取り出されるボトムエミッション型である有機ＥＬ装置１を例に挙げて説明する。
【００２３】
図２は、有機ＥＬ装置１の平面図である。この図では、有機ＥＬ素子部３及び封止部５を省略している。図３は、有機ＥＬ装置１のＡ−Ａ断面を概略的に示す図である。図４は、有機ＥＬ装置１のＢ−Ｂ断面を概略的に示す図である。
【００２４】
図２に示すように、基体１０は、画素部７（一点鎖線内の領域）と周縁部８（当該一点鎖線の外の領域）とに区画されており、画素部７内では、実表示領域Ｐ（二点鎖線内の領域）とダミー領域Ｑ（一点鎖線と二点鎖線との間の領域）とに更に区画されている。また、画素部７の実表示領域Ｐは、有機ＥＬ素子部３からの光が通過する画素領域Ｋと、電極や配線等が配置される画素間Ｌとに区画されている。
【００２５】
図３及び図４に示すように、基体１０の構成要素である基板２は、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等からなる透明基板である。本実施形態に係る有機ＥＬ装置１はボトムエミッション型のものであり、光を取り出すには基板２を透明にする必要がある。なお、基板２を透明にすることで、外部からの光が基板２を透過して内部に到達する場合もある。基板２の表面２ｂには、下地として例えばＳｉＯ２等の透明な下地保護層１１が形成されている。
【００２６】
画素部７の実表示領域Ｐでは、下地保護層１１上に、シリコン膜１２、第１絶縁層（ゲート絶縁層）１３、ゲート配線１５、第２絶縁層１６、ソース配線１７、ソース電極１７ａ、ドレイン電極１８、第３絶縁層１９が形成されている。これらは画素間Ｌに形成される。また、画素部７のダミー領域Ｑでは、下地保護層１１上に、走査駆動回路２０、データ駆動回路２１、検査回路２２等が形成されている。また、駆動部４に接続された電源線（図示せず）が形成されている。
【００２７】
シリコン膜１２は、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する駆動用トランジスタである。シリコン膜１２のうち、ゲート絶縁層１３を挟んでゲート配線１５と重なる領域がチャネル領域１２ａである。チャネル領域１２ａのソース側には、低濃度ソース領域１２ｂ及び高濃度ソース領域１２ｓが形成され、チャネル領域１２ａのドレイン側には、低濃度ドレイン領域１２ｃ及び高濃度ドレイン領域１２ｄが形成されている。このようにシリコン膜１２は、ＬＤＤ（Light Doped Drain）構造を形成する。
【００２８】
高濃度ソース領域１２ｓ及び高濃度ドレイン領域１２ｄには、ゲート絶縁層１３と第２絶縁層１６とを連通して開孔されたコンタクトホール２３、２４が形成されている。一方、高濃度ドレイン領域１２ｓ側には、ドレイン電極１８に接続されるように、第３絶縁層１９を貫通してコンタクトホール２５が形成されている。
ゲート絶縁層１３は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ等で形成された透明な層であり、シリコン膜１２とゲート配線１５とを絶縁している。
【００２９】
ゲート配線１５及びソース配線１７は、それぞれマトリックス状に配設され、ゲート配線１５が例えばアルミニウムや銅等により図２のＸ方向に延びるように、ソース配線１７がゲート配線１５とほぼ直交する方向（図１のＹ方向）に延びるように、それぞれ形成されている。ソース配線１７は、コンタクトホール２３を介して高濃度ソース領域１２ｓに接続されている。また、ドレイン電極１８は、高濃度ドレイン領域１２ｄに接続されている。
【００３０】
第２絶縁層１６は、主にＳｉＯ２からなる透明な層であり、ゲート配線１５、ソース配線１７及びドレイン電極１８をそれぞれ絶縁している。
第３絶縁層１９は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とし、ソース配線１７とドレイン電極１８及びコンタクトホール２５とを絶縁している。なお、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２などを用いることもできる。
【００３１】
また、ダミー領域Ｑに設けられる走査駆動回路２０は、シフトレジスタ等のメモリや信号レベルを変換するレベルシフタ等の回路を有しており、ゲート配線１５に接続されている。データ駆動回路２１は、このシフトレジスタ、レベルシフタの他、ビデオラインやアナログシフタ等の回路を有しており、ソース配線１７に接続されている。走査駆動回路２０及びデータ駆動回路２１は、駆動制御信号線２８ａ、２８ｂを介して駆動部４に接続されており、当該駆動部４の制御によりゲート配線１５及びソース配線１７に電気信号を出力する。検査回路２２は、有機ＥＬ装置１の作動状況を検査するための回路であり、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）等を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。また、走査駆動回路２０、データ駆動回路２１及び検査回路２２は、駆動電源線２９ａ、２９ｂを介して電源に接続される。
【００３２】
周縁部８には、有機ＥＬ素子部３に接続する接続用配線２７が形成される。この接続用配線２７は駆動部４に接続されており、当該接続用配線２７を介して駆動部４からの電気信号を有機ＥＬ素子部３に供給することができるようになっている。
【００３３】
一方、有機ＥＬ素子部３は、陽極３１と、正孔注入層３２及び発光層３３からなる有機層（有機機能層）３０と、共通電極（陰極）３４と、画素開口膜３５と、有機バンク層３６とを有する。これらは上述した基体１０上に積層される。陽極３１、正孔注入層３２及び発光層３３は画素領域Ｋに形成され、画素開口膜３５及び有機バンク層３６は主に画素間Ｌに形成される。
【００３４】
陽極３１は、正孔注入層３２に正孔を注入する透明な電極であり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等から形成され、コンタクトホール２５を介してドレイン電極１８に接続される。
正孔注入層３２は、陽極３１から注入された正孔を発光層３３に輸送する層であり、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体、あるいはそれらのドーピング体等から形成されている。また、陰極３４は、駆動部４からの電気信号に応じて発光層３３に電子を注入する層であり、例えばカルシウム等の金属により形成されている。陰極３４は、実表示領域Ｐおよびダミー領域Ｑの総面積より広い面積を備え、それぞれの領域を覆うように形成されたもので、有機ＥＬ素子部３の外側を覆った状態で基体１０上に形成されている。この陰極３４は、接続用配線２７に接続され、当該接続用配線２７を介して駆動部４に接続されている。製造時の陰極３４の腐食防止のため、陰極３４の上層部に例えばアルミニウム等の保護層を形成してもよい。
【００３５】
発光層３３は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料、例えば低分子材料や高分子材料等により形成されている。この発光層３３では、正孔注入層３２からの正孔と陰極３４からの電子とが結合して光を発する。発光層３３には、赤色光を発する層、緑色光を発する層、青色光を発する層の３種類がある。各発光層３３からの光が正孔注入層３２、陽極３１及び基体１０を透過することで、基板２の実表示領域Ｐに画像や動画等が表示されるようになっている。
【００３６】
画素開口膜３５は、例えばＳｉＯ２等からなり、画素領域Ｋが開口するように画素間Ｌから画素領域Ｋの一部に亘って形成される絶縁膜である。この画素開口膜３５は、壁面３５ｂで囲まれた開口部３５ａにおいて陽極３１からの正孔の移動を可能にすると共に、開口部３５ａが設けられない部位での正孔の移動が起こらないようにしている。
【００３７】
有機バンク層３６は、正孔注入層３２や発光層３３をインクジェット法等の液滴吐出法で形成する際の隔壁であり、また、隣接する正孔注入層３２及び発光層３３の間で電子の移動が起こらないようにする絶縁層である。有機バンク層３６は、例えばアクリルやポリイミド等で形成され、各正孔注入層３２及び発光層３３を遮断するように設けられている。
【００３８】
図３に示すように、Ｙ方向へ延在する有機バンク層３６は、下層３６ｂに流通路３７を有している。また、図４に示すように、Ｘ方向へ延在する有機バンク層３６は、上層３６ａに流通路３８を有している。この流通路３７の大きさは、例えば幅（Ｘ方向の大きさ）が１００μｍであり、高さ（Ｚ方向の大きさ）が１μｍである。流通路３８についても同様の大きさである。この流通路３７及び流通路３８には、例えばフロリナート等の絶縁材料からなる不活性な冷媒が流れるようになっている。なお、冷媒については、絶縁材料や、不活性な材料な材料であれば、他の材料を適宜選択することが可能である。
【００３９】
図５は、有機バンク層３６の外観を示す斜視図である。同図では、説明の簡単のため、有機バンク層３６上に設けられる陰極３４等の図示を省略している。
同図に示すように、有機バンク層３６の側面３６ｄには、開口部３９及び開口部４０（流入口、排出口）が設けられる。流通路３７は開口部３９を介して外部へ通じており、流通路３８は開口部４０を介して外部へ通じている。開口部３９及び開口部４０から、冷媒が有機バンク層３６内に流入し、排出されるようになっている。
【００４０】
冷媒の流入及び排出は、例えば開口部３９には外部流通路４１を、開口部４０には外部流通路４２をそれぞれ取り付け、ポンプ４３及びポンプ４４により冷媒を流通させることができる。図５では、冷媒を流通路３８へ流通させる外部流通路４１及びポンプ４４と、冷媒を流通路３７へ流通させるための外部流通路４２及びポンプ４３とをそれぞれ別個に設けているが、流通路３７と流通路３８とに共通する外部流通路及びポンプを設けるようにしても良い。また、外部流通路４１及び外部流通路４２を、それぞれ陰極３４及び封止部５を貫通するように設け、ポンプ４３及びポンプ４４を封止部５の外部に設けるような構成であってもよい。なお、流入口と排出口とを逆にしても良い。
【００４１】
次に、このように構成された有機ＥＬ装置１を製造する工程を説明する。
図６は、有機ＥＬ装置１の製造工程を示すフローチャートである。ここでは、基体１０及び有機ＥＬ素子部３の画素部７の領域を形成する工程を中心に説明し、周縁部８を形成する工程の説明は省略する。
【００４２】
まず、基板２にＴＦＴ素子や絶縁膜等を形成することにより、基体１０を形成する工程について説明する（ＳＴ１）。
公知の方法により、基板２に下地保護層１１を形成し、その上にシリコン膜１２を形成し、レーザーアニールしてポリシリコン化する。シリコン膜１２をゲート絶縁層１３で覆った後、ゲート配線１５を形成し、その上に再びゲート絶縁層１３を形成する。また、ソース側のコンタクトホール２３をパターニングして形成する。
【００４３】
次に、第２絶縁層１６を形成し、コンタクトホール２４及びこのコンタクトホール２４に接続するソース電極１７ａをパターニングして形成する。また、第２絶縁層１６上にソース配線１７及びドレイン電極１８をパターニングして形成する。ソース配線１７及びドレイン電極１８上に第３絶縁層１９を形成し、ドレイン側のコンタクトホール２５をパターニングして形成する。なお、コンタクトホール２５は、陽極３１と接続させるため画素領域Ｋに形成する。このように、基体１０が形成される。
【００４４】
次に、有機ＥＬ素子部３を形成する工程を説明する（ＳＴ２〜ＳＴ８）。
基体１０のほぼ全面を覆うように透明な導電膜を形成し、画素領域Ｋに陽極３１が形成されるようにこの導電膜をパターニングする（ＳＴ２）。このとき、同時にダミー領域Ｑのダミーパターン（図示せず）も形成する。本工程により、画素領域Ｋでコンタクトホール２５と陽極３１とが接続され、これにより陽極とドレイン電極１８とが導通する。
次に、第３絶縁層１９上に画素開口膜３５を形成する（ＳＴ３）。画素開口膜３５は、壁面３５ｂで囲まれた開口部３５ａが形成されるように、例えば陽極３１に重ねて形成する。
【００４５】
次に、この画素開口膜３５上に有機バンク層３６を形成する（ＳＴ４）。以下、有機バンク層３６を形成する工程を詳細に説明する。
図７に示すように、まず、画素開口膜３５が形成された基体１０に芯部材５０を形成する。芯部材５０の材料としては、例えばテトラコンタノンや、当該テトラコンタノンよりも分子量の高い炭化水素等、有機バンク層３６を構成する上記の材料の乾燥温度よりも高く、当該材料の融点よりも低い材料であることが好ましい。また、キシレン等の溶剤に可溶であれば一層好ましい。この材料を例えばインクジェット法やスクリーン印刷法等により、画素開口膜３５上の開口部３５ａの間を通るように、Ｘ方向の一端５０ａから他端５０ｂまでパターニングして芯部材５０を形成する。
【００４６】
芯部材５０を形成したら、図８に示すように、画素開口膜３５上に下層３６ｂを形成する。下層３６ｂは、アクリル樹脂やポリイミド等の樹脂からなるレジストを溶媒に溶解したものを、芯部材５０を覆うように、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して形成する。画素開口膜３５の開口部３５ａの周囲には、当該開口部３５ａよりも開口が大きくなるように壁面３６ｃを形成する。
【００４７】
下層３６ｂを形成したら、図９に示すように、当該下層３６ｂ上に芯部材５１を形成する。芯部材５１の材料については、芯部材５０を構成する材料と同じものを用いることができる。芯部材５０を形成する場合と同様の方法により、下層３６ｂの開口の間を通るように、当該材料をＹ方向の一端５１ａから他端５１ｂまでパターニングして芯部材５１を形成する。
【００４８】
芯部材５１を形成したら、図１０に示すように、下層３６ｂ上に上層３６ａを形成する。上層３６ａは、下層３６ｂと同じくアクリル樹脂やポリイミド等の樹脂からなるレジストを溶媒に溶解したものを、芯部材５１を覆うように、スピンコート法、ディップコート法などの方法より塗布して形成する。
【００４９】
上層３６ａを形成したら、図１１に示すように、上層３６ａ及び下層３６ｂを加熱する。加熱手段としては、例えば図示しないホットプレート等が挙げられ、基板を当該ホットプレート上に載置して加熱することができる。この加熱手段により、例えば２００℃で、１０分間加熱する。上層３６ａ及び下層３６ｂを加熱すると、芯部材５０及び芯部材５１が熱により溶融する。
【００５０】
芯部材５０及び芯部材５１を溶融させたら、図１２に示すように、溶融した芯部材５０及び芯部材５１を取り出す。例えば、ポンプ５２により他端５０ｂ及び他端５１ｂ側から圧力を加えて、一端５０ａ及び一端５１ａ側から溶融した芯部材５０及び芯部材５１を押し出すようにする。芯部材５０及び芯部材５１が押し出されると、上層３６ａ内には流通路３８が形成され、下層３６ｂ内には流通路３７が形成される。また、一端５０ａ及び５１ａは例えば冷媒を流入させる開口部（流入口）として、他端５０ｂ及び他端５１ｂは例えば冷媒を排出する開口部（排出口）として形成される（流入口と排出口とは逆であっても良い）。このようにして内部に流通路３７及び流通路３８を有する有機バンク層３６を形成する。
【００５１】
次に、全面を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱してプラズマ処理を施す（ＳＴ５）。大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするＯ２プラズマ処理により、有機バンク層３６の壁面３６ｃ、陽極３１の上面３１ａ（図３参照）及び画素開口膜３５の上面３５ｃ（図３参照）をそれぞれ親液性にする。また、大気雰囲気中で四フッ化メタンを反応ガスとするＣＦ４プラズマ処理により、有機バンク層３６の上面３６ｅ（図３参照）および壁面３６ｃを撥液性にする。その後、各部を室温まで冷却する。
【００５２】
次に、例えばインクジェット法等の液滴吐出法や、スピンコート法などにより、正孔注入層３２を形成する（ＳＴ６）。その後、乾燥処理および熱処理を行って、陽極３１上に正孔注入層３２を形成する。打ち込まれた液滴は、親液化処理がなされた陽極３１上で広がり、開口部３５ａ内に満たされ、その一方で、撥液化処理された有機バンク層３６の上面では液滴がはじかれて付着しない。なお、本工程以降は、正孔注入層３２および発光層３３の酸化を防止するため、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。
【００５３】
正孔注入層３２を乾燥してアニールした後、例えばインクジェット法により、発光層形成材料を正孔注入層３２上に吐出し、乾燥処理および熱処理を行って発光層３３を形成する（ＳＴ７）。本工程では、例えば発光層３３の材料を青色の表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理した後、同様にして緑色及び赤色についてもそれぞれその表示領域に１色ずつ選択的に塗布し、乾燥処理する。また、必要に応じて、このような発光層３３の上に電子注入層を形成してもよい。
【００５４】
乾燥してアニールした後、例えば蒸着法等の物理的気相蒸着法によりカルシウムを成膜して陰極３４を形成する（ＳＴ８）。陰極３４が、発光層３３、有機バンク層３６の上面３６ｅ、有機バンク層３６の壁面３６ｃの一部を覆い、上述した接続用配線２７に接続されるように形成する。なお、陰極３４上に陰極保護層を形成させる場合には、蒸着法等の物理的気相蒸着法により陰極３４上に例えばアルミニウム等を成膜する。このようにして、有機ＥＬ素子部３を形成する。
基体１０及び有機ＥＬ素子部３を形成したら、当該基体１０及び有機ＥＬ素子部３のほぼ全体を封止部５により缶封止して有機ＥＬ装置１が完成する（ＳＴ９）。
【００５５】
このように、本実施形態によれば、有機バンク層３６内の流通路３７及び流通路３８に冷媒を流通させることで、当該流通路３７及び流通路３８の周囲の熱を吸収することができる。どの有機層３０ともに当該流通路３７及び流通路３８が形成された有機バンク層３６に囲まれているため、有機ＥＬ装置１を駆動したときには、有機層３０から発生した熱が効率的に吸収される。これにより、有機ＥＬ装置１の熱による劣化、及びそれに由来する表示不良や動作不良を抑えることができる。また、冷媒を流通させる流通路３７及び流通路３８を有機バンク層３６内に設けたことで、有機ＥＬ装置１の薄型化を実現できる。
【００５６】
なお、Ｘ方向の流通路３８とＹ方向の流通路３７とが繋がってしまうと、冷媒がスムーズに流通しなくなってしまう。本発明では、Ｘ方向に設けられた流通路３７と、Ｙ方向に設けられた流通路３８とが交差しないよう、異なる層（上層３６ａ及び下層３６ｂ）に配置することで、流通路３７と流通路３８とが繋がってしまうことも無く、冷媒を各方向にスムーズに流通させることができる。
【００５７】
（第２実施形態）
次に、本発明に係る第２実施形態を説明する。第１実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、第１実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。本実施形態では、流通路１３７及び流通路１３８の形成される部位が第１実施形態とは異なるので、かかる点を中心に説明する。
【００５８】
図１３は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１０１の構成を示す平面図である。図１４は図１３におけるＡ−Ａ断面図であり、図１５は図１３におけるＢ−Ｂ断面図である。
図１４及び図１５に示すように、第２絶縁層１６内に流通路１３７が設けられており、第３絶縁層１９内に流通路１３８が設けられている。また、図１３に示すように、流通路１３７は、Ｙ方向に配列された有機層３０を有する画素領域Ｋと平面的に重なるように設けられている。また、流通路１３８は、Ｘ方向に配列された画素領域Ｋ（有機層３０が設けられている）と平面的に重なるように設けられている。第１実施形態と同様、この流通路１３７及び流通路１３８には、例えばフロリナート等の絶縁材料からなる不活性な冷媒が流れるようになっている。冷媒については、絶縁材料や、不活性な材料な材料であれば、他の材料を適宜選択することが可能である。
【００５９】
図１６は、有機ＥＬ素子部３及び基体１０の外観を概略的に示す斜視図である。
同図に示すように、基体１０の側面１０ａには、開口部１３９及び開口部１４０（流入口、排出口）が設けられる。流通路１３７は開口部１３９を介して外部へ通じており、流通路１３８は開口部１４０を介して外部へ通じている。この開口部１３９及び開口部１４０から、冷媒が流入し、排出されるようになっている。冷媒の流入及び排出は、第１実施形態と同様に、例えば開口部１３９及び開口部１４０に外部流通路をそれぞれ取り付け、ポンプ等より冷媒を流通させることができる。
【００６０】
このように、本実施形態によれば、流通路１３７及び１３８に冷媒を流通させることで、当該流通路１３７及び流通路１３８の周囲の熱を吸収することができる。また、流通路１３７及び流通路１３８と有機層３０とが平面的に重なるように設けられているので、有機ＥＬ装置１０１を駆動したときには、有機層３０から発生した熱を効率的に吸収することができる。これにより、有機ＥＬ装置１０１の熱による劣化、及びそれに由来する表示不良や動作不良を抑えることができる。また、第２絶縁層１６及び第３絶縁層１９内に流通路１３７及び流通路１３８を設けたことで、有機ＥＬ装置１０１の薄型化を実現できる。
【００６１】
（第３実施形態）
次に、本発明に係る第３実施形態を説明する。第１実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、第１実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。本実施形態では、流通路２３７及び流通路２３８の形成される部位が第１実施形態とは異なるので、かかる点を中心に説明する。
【００６２】
図１７は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２０１の構成を示す平面図である。図１８は図１７におけるＡ−Ａ断面図であり、図１９は図１７におけるＢ−Ｂ断面図である。
図１８及び図１９に示すように、基板２の基板２の下側層２ｐに流通路２３７が設けられており、上側層２ｑに流通路２３８が設けられている。
【００６３】
図１７に示すように、流通路２３７は、Ｙ方向に配列された画素領域Ｋ（有機層３０が設けられている）と平面的に重なるように設けられている。また、流通路２３８は、Ｘ方向に配列された画素領域Ｋ（有機層３０が設けられている）と平面的に重なるように設けられている。第１実施形態と同様、この流通路２３７及び流通路２３８には、例えばフロリナート等の絶縁材料からなる不活性な冷媒が流れるようになっている。冷媒については、絶縁材料や、不活性な材料な材料であれば、他の材料を適宜選択することが可能である。
【００６４】
図２０は、有機ＥＬ素子部３及び基体１０の外観を概略的に示す斜視図である。
同図に示すように、基体１０の側面１０ａには、下側層２ｐに形成された開口部２３９及び上側層２ｑに形成された開口部２４０（流入口、排出口）が設けられる。流通路２３７は開口部２３９を介して外部へ通じており、流通路２３８は開口部２４０を介して外部へ通じている。この開口部２３９及び開口部２４０から、冷媒が流入し、排出されるようになっている。冷媒の流入及び排出は、第１実施形態と同様に、例えば開口部２３９及び開口部２４０に外部流通路をそれぞれ取り付け、ポンプ等より冷媒を流通させることができる。
【００６５】
このように、本実施形態によれば、基板２内の流通路２３７及び流通路２３８に冷媒を流通させることで、この流通路２３７及び流通路２３８の周囲の熱を吸収することができる。また、当該流通路２３７及び流通路２３８と有機層３０とは平面的に重なるように設けられているので、有機ＥＬ装置１を駆動したときには、有機層３０から発生した熱を効率的に吸収することができる。これにより、有機ＥＬ装置１の熱による劣化、及びそれに由来する表示不良や動作不良を抑えることができる。また、冷媒を流通させる流通路２３７及び流通路２３８を基板２内に設けたことで、有機ＥＬ装置１の薄型化を実現できる。
【００６６】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。
図２１は、携帯電話３００の全体構成を示す斜視図である。
携帯電話３００は、筺体３０１、複数の操作ボタンが設けられた操作部３０２、画像や動画、文字等を表示する表示部３０３を有する。表示部３０３には、本発明に係る有機ＥＬ装置１、１０１、２０１が搭載される。
このように、発熱による劣化、及びそれに由来する表示不良や動作不良を抑えつつも、薄型化を実現できる有機ＥＬ装置が搭載されているので、表示特性に優れた薄型の電子機器を得ることができる。
【００６７】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
上記実施形態では、芯部材５０及び芯部材５１を取り出すため、当該芯部材５０及び芯部材５１を加熱して溶融させるようにしたが、例えばこの芯部材５０及び芯部材５１を固体のまま取り出すことも可能である。この場合、芯部材５０及び５１として例えばステンレス等からなる金属線を形成し、下層３６ｂ及び上層３６ａを形成した後、工具などを用いて金属線を引き抜いたり押し出したりすることができる。
【００６８】
このようにすれば、芯部材５０及び芯部材５１を取り出すのに、当該芯部材５０及び芯部材５１を溶融するなどの工程を経ることなく、加熱手段やポンプ等も用いることも無い。また、芯部材５０及び芯部材５１を金属線で形成しているため、物理的な力を加えて引き抜いたり押し出したりしても破損されにくく、有機バンク層３６を内部から傷つけることも無い。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の概観を示す斜視図である。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す平面図である。
【図３】図２におけるＡ−Ａ断面図である。
【図４】図２におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図５】有機ＥＬ装置の一部の構成を示す斜視図である。
【図６】有機ＥＬ装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図７】有機ＥＬ装置の製造の様子を示す図（その１）である。
【図８】有機ＥＬ装置の製造の様子を示す図（その２）である。
【図９】有機ＥＬ装置の製造の様子を示す図（その３）である。
【図１０】有機ＥＬ装置の製造の様子を示す図（その４）である。
【図１１】有機ＥＬ装置の製造の様子を示す図（その５）である。
【図１２】有機ＥＬ装置の製造の様子を示す図（その６）である。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の概観を示す平面図である。
【図１４】図１３におけるＡ−Ａ断面図である。
【図１５】図１３におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図１６】有機ＥＬ装置の一部の構成を示す斜視図である。
【図１７】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の概観を示す平面図である。
【図１８】図１７におけるＡ−Ａ断面図である。
【図１９】図１７におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図２０】有機ＥＬ装置の一部の構成を示す斜視図である。
【図２１】本発明に係る電子機器の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７０】
１、１０１、２０１…有機ＥＬ装置 ２…基板 ３…ＥＬ膜 ３６…有機バンク層 ３６ｂ…下層 ３６ａ…上層 ３７、３８、１３７、１３８、２３７、２３８…流通路 ３９、４９、１３９、１４０、２３９、２４０…開口部 ５０、５１…芯部材 ３００…携帯電話
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、発光層を含む有機機能層と、
前記基板上に前記有機機能層を囲むように設けられた隔壁と、
前記隔壁内に設けられ、冷媒を流通させる流通路と
を具備することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、発光層を含む有機機能層と、
前記絶縁層内に前記有機機能層の位置に平面的に重なるように設けられ、冷媒を流通させる流通路と
を具備することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板内に設けられ、冷媒を流通させる流通路と、
前記基板上に前記流通路の位置に平面的に重なるように設けられ、発光層を含む有機機能層と
を具備することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記冷媒が、不活性の液体であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記冷媒が、絶縁材料からなる液体であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記有機機能層が複数設けられ、当該複数の有機機能層がマトリクス状に配置され、前記流通路がマトリクスの行方向及び列方向にそれぞれ設けられており、
前記行方向に設けられた流通路と、前記列方向に設けられた流通路とが異なる層に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のうちいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記流通路が、
装置外部から前記冷媒を流入させる流入口と、
装置外部へ前記冷媒を排出する排出口と
を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のうちいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
基板上に芯部材を形成する芯部材形成工程と、
前記芯部材を覆うように、かつ、発光層を含む有機機能層が形成される領域を囲むように、前記基板上に隔壁を形成する隔壁形成工程と、
前記隔壁で覆われた前記芯部材を前記隔壁の外に取り出す取出工程と、
前記基板上の前記隔壁で囲まれた領域に、前記有機機能層を形成する有機機能層形成工程と
を具備することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
前記有機機能層を液滴吐出法により形成することを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記取出工程では、前記芯部材を溶融させて取り出すことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記取出工程では、前記芯部材に外力を加えて固体のまま取り出すことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項７のうちいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置が搭載されていることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、発光層を含む有機機能層と、
前記基板上に前記有機機能層を囲むように設けられた隔壁と、
前記隔壁内に設けられ、冷媒を流通させる流通路と
を具備することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、発光層を含む有機機能層と、
前記絶縁層内に前記有機機能層の位置に平面的に重なるように設けられ、冷媒を流通させる流通路と
を具備することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板内に設けられ、冷媒を流通させる流通路と、
前記基板上に前記流通路の位置に平面的に重なるように設けられ、発光層を含む有機機能層と
を具備することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記冷媒が、不活性の液体であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記冷媒が、絶縁材料からなる液体であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記有機機能層が複数設けられ、当該複数の有機機能層がマトリクス状に配置され、前記流通路がマトリクスの行方向及び列方向にそれぞれ設けられており、
前記行方向に設けられた流通路と、前記列方向に設けられた流通路とが異なる層に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のうちいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記流通路が、
装置外部から前記冷媒を流入させる流入口と、
装置外部へ前記冷媒を排出する排出口と
を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のうちいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
基板上に芯部材を形成する芯部材形成工程と、
前記芯部材を覆うように、かつ、発光層を含む有機機能層が形成される領域を囲むように、前記基板上に隔壁を形成する隔壁形成工程と、
前記隔壁で覆われた前記芯部材を前記隔壁の外に取り出す取出工程と、
前記基板上の前記隔壁で囲まれた領域に、前記有機機能層を形成する有機機能層形成工程と
を具備することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
前記有機機能層を液滴吐出法により形成することを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記取出工程では、前記芯部材を溶融させて取り出すことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記取出工程では、前記芯部材に外力を加えて固体のまま取り出すことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項７のうちいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置が搭載されていることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２００６−１６４６６３（Ｐ２００６−１６４６６３Ａ）
【公開日】平成１８年６月２２日（２００６．６．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３５２３２７（Ｐ２００４−３５２３２７）
【出願日】平成１６年１２月６日（２００４．１２．６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月２２日（２００６．６．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１２月６日（２００４．１２．６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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