有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器
【課題】 封止性を損なうことなく、しかも生産効率の低下を招くことのない有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の素子領域１を有した複数個取りの大型素子基板１０に接着剤９を用いて大型封止基板１１を貼着した後に、素子領域１毎に個片化する有機ＥＬ装置Ｓの製造方法において、大型封止基板１１の内面に、素子領域１の外周に設けられる無効領域３に対応する凹部５を形成すると共に、大型封止基板１１の外面に、凹部５の側面に沿ってスクライブライン７ａを形成する工程と、大型素子基板１０及び／又は大型封止基板１１の所定位置に接着剤９を配置する工程と、大型素子基板１０と大型封止基板１１とを接着剤９を介して貼着する工程と、大型封止基板１１をスクライブライン７ａに沿ってスクライブする工程と、を有する。
【解決手段】 複数の素子領域１を有した複数個取りの大型素子基板１０に接着剤９を用いて大型封止基板１１を貼着した後に、素子領域１毎に個片化する有機ＥＬ装置Ｓの製造方法において、大型封止基板１１の内面に、素子領域１の外周に設けられる無効領域３に対応する凹部５を形成すると共に、大型封止基板１１の外面に、凹部５の側面に沿ってスクライブライン７ａを形成する工程と、大型素子基板１０及び／又は大型封止基板１１の所定位置に接着剤９を配置する工程と、大型素子基板１０と大型封止基板１１とを接着剤９を介して貼着する工程と、大型封止基板１１をスクライブライン７ａに沿ってスクライブする工程と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大型の基板をスクライブすることで個片化する工程を含む有機ＥＬ装置の製造方法と、これを備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面型の表示装置（フラットパネルディスプレイ）として、陽極と陰極との間に有機発光材料からなる発光層を形成した、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置が知られている。このような有機ＥＬ装置については、近年、その開発が強く進められ、これらを多数備えたカラー表示装置としての有機ＥＬ装置も、一部に提供されている。また、このような有機ＥＬ装置は、平面型の表示装置としてだけでなく、各種の表示体や照明としても、その利用が期待されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ装置（有機ＥＬ素子）にあっては、特に生産性の効率化による低コスト化や、高品質化が、実用化のための大きな課題となっている。このような背景から、従来、有機ＥＬ装置の製造方法として、大型の基板をスクライブすることで個片化し、有機ＥＬ装置を得るといった手法が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００４】
大型の基板をスクライブすることで個片化する方法として、具体的には、まず、図７（ａ）に示すように、大型素子基板３０１と大型封止基板３０２とを用意する。なお、大型素子基板３０１には平面視矩形状、すなわち大型素子基板３０１の表面をなす平面に対して垂直な方向から見た場合に矩形状である素子領域３０３が、多数形成されており、大型封止基板３０２の内面には、素子領域３０３に対応する位置に凹部３０４が形成されているものとする。
大型封止基板３０２における凹部３０４間には、図７（ａ）中二点鎖線で示すように、スクライブを行うための分割予定線３０５が設計上設けられている（想定されている）。この例においては、大型封止基板３０２側では分割予定線３０５が２本となっている。
一方、大型素子基板３０１には、１本の分割予定線３０６が設計上設けられている（想定されている）
【０００５】
次に、図７（ｂ）に示すように、大型素子基板３０１の分割予定線３０６の側部、すなわち分割予定線３０６に対して素子領域３０３側の側部に、分割予定線３０６に沿って接着剤３０７を配する。なお、この例では、大型素子基板３０１には分割予定線３０６が１本しか設けられていないが、接着剤３０７を配する位置としては、大型封止基板３０２側に設けられる分割予定線３０５に対応して、これらの側部に配するようにする。
【０００６】
次いで、図７（ｃ）に示すように接着剤３０７を介して大型素子基板３０１と大型封止基板３０２とを接合し、さらに接着剤３０７を硬化させることで大型素子基板３０１と大型封止基板３０２とを貼着する。
その後、分割予定線３０５，３０６に沿ってスクライブを行い、素子領域３０３毎に個片化して有機ＥＬ装置を得る。
【特許文献１】特開２００１−１４５１７５号公報
【特許文献２】特開２００３−１８１８２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述した有機ＥＬ装置の製造方法においては以下に述べる解決すべき課題がある。
図７（ｃ）に示したように、接着剤３０７を介して大型素子基板３０１と大型封止基板３０２とを接合すると、その際、接着剤３０７が広がりすぎてしまい、図７（ｃ）中Ａに示すように、分割予定線３０５，３０６を挟んで隣り合っていた２条の接着剤３０７が分割予定線３０５，３０６上で繋がってしまう。
その結果、接着剤３０７を硬化させた後、スクライブを行って個片化しようとしても、接着剤３０７が繋がってしまった箇所ではスクライブによる個片化を良好に行うことができなくなってしまう。
そして、個片化すべく接着剤３０７が繋がってしまった箇所を無理に引きはがそうとすると、この接着剤３０７に応力がかかってしまい、接着剤３０７と大型素子基板３０１との間で層間剥離が生じてしまい、接着剤３０７による封止性が著しく損なわれてしまうことがある。
【０００８】
このような問題をなくすため、素子領域３０３同士の間の無効領域３０８を広げ、接着剤３０７が分割予定線３０５，３０６上で繋がってしまうのを防止することも考えられる。しかし、その場合には、無効領域３０８が広くなり過ぎてしまうことから、大型基板に対する取り個数が少なくなって製品に対する材料コストが高くなり、結果的に生産効率が低下してしまうといった新たな問題を生じてしまう。
また、接着剤３０７を減らしてしまうと、大型素子基板３０１と大型封止基板３０２とを接合が不十分となってしまうという問題が生じてしまう。
【０００９】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、封止性を損なうことなく、しかも生産効率の低下を招くことのない有機ＥＬ装置の製造方法、及びこの有機ＥＬ装置を備える電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第１の発明は、複数の素子領域を有した複数個取りの大型素子基板に接着剤を用いて大型封止基板を貼着した後に、前記素子領域毎に個片化する有機ＥＬ装置の製造方法において、前記大型封止基板の内面に、前記素子領域の外周に設けられる無効領域に対応する凹部を形成する工程と、前記大型素子基板及び／又は前記大型封止基板の所定位置に接着剤を配置する工程と、前記大型素子基板と前記大型封止基板とを前記接着剤を介して貼着する工程と、前記大型封止基板の外面に、前記凹部の側面に沿ってスクライブラインを形成する工程と、前記大型封止基板を前記スクライブラインに沿ってスクライブする工程と、
を有するようにした。
この発明によれば、大型封止基板の内面において、スクライブラインを起点とする分割予定線の位置には、凹部が形成されているので、接着剤が分割予定線上まで広がって硬化することで、スクライブを十分に行うことができなくなるといった不都合が回避される。
【００１１】
また、複数の素子領域を有した複数個取りの大型素子基板に接着剤を用いて大型封止基板を貼着した後に、前記素子領域毎に個片化する有機ＥＬ装置の製造方法において、前記大型封止基板の内面に、前記素子領域の外周に設けられる無効領域に対応する凹部を形成すると共に、前記大型封止基板の外面に、前記凹部の側面に沿ってスクライブラインを形成する工程と、前記大型素子基板及び／又は前記大型封止基板の所定位置に接着剤を配置する工程と、前記大型素子基板と前記大型封止基板とを前記接着剤を介して貼着する工程と、前記大型封止基板を前記スクライブラインに沿ってスクライブする工程と、
を有するようにした。
この発明によっても、大型封止基板の分割予定線の位置には凹部が形成されているので、接着剤が分割予定線上まで広がって硬化することで、スクライブを十分に行うことができなくなるといった不都合が回避される。
【００１２】
また、前記スクライブラインが、前記凹部の側面よりも前記素子領域側に偏った位置に形成されるものでは、分割予定線がスクライブラインから凹部の側面に繋がるので、有機ＥＬ装置の封止基板が個片化された際に、その外周縁部が面取りされた状態となる。したがって、封止基板の外周縁部に欠けやバリが発生することが防止され、不良発生防止と作業効率化が図られる。
前記スクライブラインは、前記凹部の側面から前記素子領域側に約２ｍｍ以内の領域に形成する。
【００１３】
また、前記大型封止基板は、前記内面における前記素子領域の対向領域が、接着剤を配置する等により、前記接着剤の配置領域と同一平面を構成するものでは、いわゆるベタ封止構造の有機ＥＬ装置を得ることができる。
また、前記大型封止基板は、前記内面における前記素子領域の対向する領域に第２凹部が形成されるものでは、素子領域に接着剤を配置しないことにより、いわゆる缶封止構造の有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００１４】
また、前記大型封止基板をスクライブすると略同時に、前記大型素子基板を前記無効領域の略中央に沿ってスクライブする工程を有するものでは、有機ＥＬ装置を良好かつ効率的に個片化することができる。
【００１５】
第２の発明は、電子機器が、第１の発明の製造方法によって得られる有機ＥＬ装置を備えるようにした。この発明によれば、高品質な電子機器を効率よく得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法、及び有機ＥＬ装置の実施形態について図を参照して説明する。
〔第一実施形態〕
図１は、有機ＥＬ装置の製造方法の第１実施形態を説明するための工程図である。
まず、図１（ａ）に示すように、大型素子基板１０と大型封止基板１１とを用意する。
大型素子基板１０には、後述するスクライブによって個片化されることにより、最終的に素子基板１０ａとなるもので、平面視矩形状の素子領域１（有機ＥＬ装置Ｓ）が縦横に配列した状態で多数形成されている。
大型素子基板１０は、図２に示すように、各素子領域の他、各素子領域１を取り囲む封止領域２及び無効領域３が形成されている。
【００１７】
この有機ＥＬ装置Ｓは、例えば図３に示すように、無アルカリガラス等からなる素子基板２０上に構成されたものである。
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置Ｓは、発光層６０で発光した光を陽極（画素電極）２３側から出射する、いわゆるボトムエミッション型のものとする。ただし、光を陰極（対向電極）５０側から出射する、いわゆるトップエミッション型のものにも、本発明を適用できるのはもちろんである。
【００１８】
素子基板２０上には、画素電極２３に接続する駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部２１が形成されており、その上に有機ＥＬ素子２２が設けられている。有機ＥＬ素子２２は、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、有機ＥＬ物質からなる発光層６０と、陰極５０とが順に形成されたことによって構成されている。このような構成のもとに有機ＥＬ素子２２は、正孔輸送層７０から注入された正孔と陰極５０からの電子とが発光層６０で結合することにより、発光をなすようになっている。
【００１９】
陽極として機能する画素電極２３は、特にボトムエミッション型である場合、透明導電材料によって形成されており、具体的にはＩＴＯが好適に用いられている。
正孔輸送層７０の形成材料としては、例えば３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられている。
【００２０】
発光層６０を形成するための材料としては、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられている。また、これら材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることもできる。
【００２１】
陰極５０は、発光層６０を覆って形成されたもので、例えばＣａを厚さ２０ｎｍ程度に形成し、その上にＡｌを厚さ２００ｎｍ程度に形成して積層構造の電極とし、Ａｌを反射層としても機能させたものである。
なお、この陰極５０上には封止層５１が形成されており、さらにこの封止層５１上には、接着剤（接着層）を介して大型封止基板１１からなる封止基板が貼着されるようになっている。
【００２２】
また、このような有機ＥＬ素子２２の下方には、前述したように回路部２１が設けられている。この回路部２１は素子基板２０上に形成されたものである。すなわち、素子基板２０の表面にはＳｉＯ２を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
【００２３】
また、シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。
【００２４】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、電源線（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００２５】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層には、平坦化膜２８４が形成されている。この平坦化膜２８４は、例えばアクリル系やポリイミド系等の耐熱性絶縁性樹脂によって形成されたもので、駆動用ＴＦＴ１２３やソース電極２４３、ドレイン電極２４４などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。
【００２６】
そして、ＩＴＯ等からなる画素電極２３が、この平坦化膜２８４の表面上に形成されるとともに、該平坦化膜２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００２７】
画素電極２３が形成された平坦化膜２８４の表面には、画素電極２３と、前述した無機隔壁２５とが形成されており、さらに無機隔壁２５上には、有機隔壁２２１が形成されている。そして、画素電極２３上には、無機隔壁２５に形成された開口２５ａと、有機隔壁２２１に形成された開口２２１ａとの内部、すなわち画素領域に、正孔輸送層７０と発光層６０とが画素電極２３側からこの順で積層され、さらに発光層６０を覆って陰極５０が設けられていることにより、前述したように有機ＥＬ素子２２が形成されている。
【００２８】
図１（ａ）に戻り、大型封止基板１１は、後述するスクライブによって個片化されることにより、最終的に封止層５１上に貼着される封止基板１１ａとなるもので、その内面には、素子領域１に対応する位置に凹部４が形成されている。
更に、この大型封止基板１１における凹部４，４間には、凹部５が形成されている。つまり、無効領域３に対応する位置に凹部５が形成されている。なお、大型封止基板１１における凹部４，５以外の突出した部分、すなわち封止領域２に対応する領域を凸部６と呼ぶ。
このような構成のもとにこの大型封止基板１１は、個片化された封止基板１１ａが缶封止構造をとるようになっている。なお、凹部４内には、大型封止基板１１を大型素子基板１０に貼着するに先立ち、必要に応じて予め乾燥剤を配しておく。
【００２９】
また、この大型封止基板１１における外面であって、凹部５の両側面に略対向する位置には、この大型封止基板１１を図１（ａ）中二点鎖線に沿って分割するために、スクライブライン７ａがそれぞれ形成されている。つまり、大型封止基板１１の凹部４，４間には、２本の分割予定線７が設計上設けられている（想定されている）。
一方、大型素子基板１０においては、大型封止基板１１の凹部５の略中央部分に対向する位置に１本の分割予定線８が設計上設けられている（想定されている）。なお、大型封止基板１１と同様に、スクライブラインを予め形成しておいてもよい。
【００３０】
なお、図１（ａ）等に示すように、大型封止基板１１が分割される分割予定線７は、大型封止基板１１の外面に対して直交するものではなく、スクライブライン７ａから凹部４の側面に繋がる傾斜したものである。このように分割予定線７を傾斜させるために、スクライブライン７ａは、凹部５の両側面に対向する位置よりも、隣接する凹部４側に若干近づいた位置に形成されている。
【００３１】
このような大型封止基板１１を形成するには、その内面側に、エッチング法（ケミカル法）やサンドブラスト法、さらにはこれらを組み合わせる方法等により、凹部４及び凹部５を同時に形成する。凹部４及び凹部５の深さについては、大型封止基板１１を個片化した後に得られる缶封止構造において、通常は前述したようにこの凹部４内に乾燥剤等を設けるため、例えば０．３ｍｍ程度とする。なお、サンドブラスト法を採用した場合、加工により基板に歪等が残り易くなるので、大型封止基板１１が特に大型である場合には、加工法としてエッチング法を用いるのが好ましい。
また、外面に設けられるスクライブライン７ａも、凹部４及び凹部５の形成と同一の方法により形成する。具体的には、スクライブライン７ａは、凹部５の両側から隣接する凹部４側（素子領域３側）に約２ｍｍ以内の領域に形成されている。
【００３２】
このようにして大型封止基板１１に凹部４及び凹部５を形成したら、図１（ｂ）に示すように、素子領域１，１間、すなわち封止領域２に接着剤９を配する。
ここで、接着剤９は、これが押し広げられて形成される接着層の厚さが、通常は数μｍ〜２０μｍ程度となるようにその量が設定され、適宜な塗布幅で配される。また、この接着剤９については、熱硬化型のものや紫外線硬化型のものを用いることができ、具体的にはエポキシ系やアクリレート系の接着剤等を用いることができる。
【００３３】
次に、図１（ｃ）に示すように、接着剤９を介して大型素子基板１０と大型封止基板１１とを接合する。すると、接着剤９は、大型封止基板１１の凸部６の全面に広がって、その一部が凸部６から凹部５に漏出する。しかし、凸部６から漏出した接着剤９は、凹部５の側面に回り込んでその場に留まる。つまり、隣接する凸部６に配置した接着剤９同士は、凹部５に遮られるので、繋がることなく確実に分離された状態に保持される。
【００３４】
次いで、接着剤９を硬化させることによって大型素子基板１０と大型封止基板１１とを貼着する。接着剤９は、凹部５に遮られ、凸部６から広がるのが防止されている。
よって、設計的に設けられた（想定された）分割予定線７，８上には接着剤９が移行せず、したがって分割予定線７，８上にて接着剤９が硬化してしまうことが防止されている。
【００３５】
その後、図１（ｄ）に示すように、スクライブライン７ａ及び分割予定線８に沿ってスクライバーを押し当てて、スクライブを行うことで、素子領域１毎に個片化して有機ＥＬ装置Ｓを得る。
【００３６】
このように、分割予定線７，８の位置には凹部５が存在するので、接着剤９が分割予定線７，８上まで広がって硬化することで、スクライブを十分に行うことができなくなるといった不都合が回避される。
更に、スクライブライン７ａは、凹部５の両側面に対向する位置よりも隣接する凹部４側に形成されているので、分割予定線７がスクライブライン７ａから凹部４の側面に繋がる傾斜したものとなっている。これにより、個片化された有機ＥＬ装置Ｓの封止基板１１ａの外周縁部が面取り（縁落し）された状態となる。
したがって、封止基板１１ａの外周縁部に欠けやバリが発生することが防止される。そして、外周縁部の欠けによる不良発生が回避でき、また、バリ取り作業の効率化が図られる。
【００３７】
上述したように、第一実施形態の有機ＥＬ装置Ｓの製造方法によれば、スクライブによる個片化を良好に行うことができなくなった場合に、無理に引きはがそうとして封止性を損ねてしまうといった不都合を確実に防止し、高品質化による信頼性の向上を図ることができる。
【００３８】
更に、第一実施形態では、凹部４，４間に１つの凹部５を設ける場合について説明したが、本発明はこれに限定されることなく、例えば、図４に示すように、凹部４，４間に複数の凹部５を設けてもよい。接着剤９が凹部５の存在により、凸部６から広がらないようになればよい。
【００３９】
〔第二実施形態〕
図５は、有機ＥＬ装置の製造方法の第２実施形態を説明するための図である。なお、第１実施形態と同一の構成部材等については、同一の符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態が第一実施形態と異なるところは、図５（ａ）に示すように、大型封止基板１１には凹部５のみが形成されており、大型素子基板１０の素子領域１に対向する領域は、平面になっている点にある。
なお、第二実施形態においても、凹部４，４間に複数の凹部５を設けてもよい（図４参照）。
【００４０】
図５（ｂ）に示すように、接着剤９を介して大型素子基板１０と大型封止基板１１とを接合する。すると、接着剤９は大型封止基板１１の内面によって押し広げられ、その一部が凹部５に漏出する。
しかしながら、接着剤９は、凹部５が存在するため、分割予定線７，８まで広がることがない。したがって、隣接する素子領域１に配置された接着剤９同士は、繋がることなく確実に分離された状態に保持される。
【００４１】
次いで、接着剤９を硬化させることによって大型素子基板１０と大型封止基板１１とを接着する。
その後、図５（ｃ）に示すように、スクライブライン７ａ及び分割予定線８に沿ってスクライバーを押し当てて、スクライブを行うことで、素子領域１毎に個片化して有機ＥＬ装置Ｓを得る。
【００４２】
このように、分割予定線７，８の位置には凹部５が存在するので、接着剤９が分割予定線７，８上まで広がって硬化することで、スクライブを十分に行うことができなくなるといった不都合が回避される。
更に、スクライブライン７ａは、凹部５の両側面に対向する位置よりも素子領域３側に形成されているので、分割予定線７が凹部５の両側面に連続する傾斜したものとなる。つまり、個片化された有機ＥＬ装置Ｓの封止基板１１ａの外周縁部が面取り（縁落し）された状態となる。このため、封止基板１１ａの外周縁部に欠けやバリが発生することが防止される。したがって、外周縁部の欠けによる不良発生が回避でき、また、バリ取り作業の効率化が図られる。
また、接着剤９の配置時に前記大型素子基板１１の素子領域に、接着剤９を配置する様にすれば、缶封止構造に代えていわゆるベタ封止（面接着封止）構造とすることができる。
【００４３】
上述したように、第二実施形態の有機ＥＬ装置Ｓの製造方法によれば、スクライブによる個片化を良好に行うことができなくなった場合に、無理に引きはがそうとして封止性を損ねてしまうといった不都合を確実に防止し、高品質化による信頼性の向上を図ることができる。
【００４４】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。
例えば、接着剤９については、これにビーズ等からなるスペーサーを混在させておき、これによって大型素子基板１０と大型封止基板１１との間の接着剤９の厚みによって決まる間隔を、正確に制御するようにしてもよい。
【００４５】
なお、第一実施形態では、大型封止基板１１の外面に設けられるスクライブライン７ａを、凹部４及び凹部５の形成と略同時に形成する場合について説明したが、これに限らない。例えば、大型素子基板１０と大型封止基板１１とを接着剤９により接合した後に、形成してもよい。
【００４６】
また、素子領域１の側方に多数の外部接続端子を有している場合には、この外部接続端子を凹部５で囲まれた領域、すなわち無効領域３に露出させることで、外部接続端子を露出させた有機ＥＬ装置Ｓを容易に得るようにしてもよい。
【００４７】
〔電子機器〕
次に、上述した有機ＥＬ装置Ｓを表示部として有する電子機器について、図６を参照して説明する。
図６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６（ａ）において、携帯電話１０００は、上述した有機ＥＬ装置Ｓを用いた表示部１００１を備える。
図６（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図６（ｂ）において、時計１１００は、上述した有機ＥＬ装置Ｓを用いた表示部１１０１を備える。
図６（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図６（ｃ）において、情報処理装置１２００は、キーボードなどの入力部１２０２、情報処理装置本体（筐体）１２０４、上述した有機ＥＬ装置Ｓを用いた表示部１２０６を備える。
図６（ｄ）は、薄型大画面テレビの一例を示した斜視図である。図６（ｄ）において、薄型大画面テレビ１３００は、薄型大画面テレビ本体（筐体）１３０２、スピーカーなどの音声出力部１３０４、上記有機ＥＬ装置Ｓからなる表示部１３０６を備える。
【００４８】
このように、図６に示す電子機器１０００，１１００，１２００，１３００は、上記有機ＥＬ装置Ｓを備えているので、表示部１００１，１１０１，１２０６，１３０６の高品質化が図られたものとなる。
【００４９】
また、有機ＥＬ装置Ｓを表示部として備える場合に限らず、発光部として備える電子機器であってもよい。例えば、有機ＥＬ装置Ｓを露光ヘッド（ラインヘッド）として備えるページプリンタ（画像形成装置）であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図２】大型素子基板の要部平面図である。
【図３】素子領域の概略構成を説明するための要部側断面図である。
【図４】第１実施形態の変形例を説明するための図である。
【図５】第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図６】本実施形態に係る電子機器を示す図である。
【図７】従来の有機ＥＬ装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【符号の説明】
【００５１】
Ｓ…有機ＥＬ装置、 １…素子領域、 ３…無効領域、 ４，５…凹部、 ７ａ…スクライブライン、 ７，８…分割予定線、 ９…接着剤、 １０…大型素子基板、 １１…大型封止基板、 １０００，１１００，１２００，１３００…電子機器、 １００１，１１０１，１２０２，１３０６…表示部（有機ＥＬ装置）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大型の基板をスクライブすることで個片化する工程を含む有機ＥＬ装置の製造方法と、これを備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面型の表示装置（フラットパネルディスプレイ）として、陽極と陰極との間に有機発光材料からなる発光層を形成した、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置が知られている。このような有機ＥＬ装置については、近年、その開発が強く進められ、これらを多数備えたカラー表示装置としての有機ＥＬ装置も、一部に提供されている。また、このような有機ＥＬ装置は、平面型の表示装置としてだけでなく、各種の表示体や照明としても、その利用が期待されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ装置（有機ＥＬ素子）にあっては、特に生産性の効率化による低コスト化や、高品質化が、実用化のための大きな課題となっている。このような背景から、従来、有機ＥＬ装置の製造方法として、大型の基板をスクライブすることで個片化し、有機ＥＬ装置を得るといった手法が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００４】
大型の基板をスクライブすることで個片化する方法として、具体的には、まず、図７（ａ）に示すように、大型素子基板３０１と大型封止基板３０２とを用意する。なお、大型素子基板３０１には平面視矩形状、すなわち大型素子基板３０１の表面をなす平面に対して垂直な方向から見た場合に矩形状である素子領域３０３が、多数形成されており、大型封止基板３０２の内面には、素子領域３０３に対応する位置に凹部３０４が形成されているものとする。
大型封止基板３０２における凹部３０４間には、図７（ａ）中二点鎖線で示すように、スクライブを行うための分割予定線３０５が設計上設けられている（想定されている）。この例においては、大型封止基板３０２側では分割予定線３０５が２本となっている。
一方、大型素子基板３０１には、１本の分割予定線３０６が設計上設けられている（想定されている）
【０００５】
次に、図７（ｂ）に示すように、大型素子基板３０１の分割予定線３０６の側部、すなわち分割予定線３０６に対して素子領域３０３側の側部に、分割予定線３０６に沿って接着剤３０７を配する。なお、この例では、大型素子基板３０１には分割予定線３０６が１本しか設けられていないが、接着剤３０７を配する位置としては、大型封止基板３０２側に設けられる分割予定線３０５に対応して、これらの側部に配するようにする。
【０００６】
次いで、図７（ｃ）に示すように接着剤３０７を介して大型素子基板３０１と大型封止基板３０２とを接合し、さらに接着剤３０７を硬化させることで大型素子基板３０１と大型封止基板３０２とを貼着する。
その後、分割予定線３０５，３０６に沿ってスクライブを行い、素子領域３０３毎に個片化して有機ＥＬ装置を得る。
【特許文献１】特開２００１−１４５１７５号公報
【特許文献２】特開２００３−１８１８２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述した有機ＥＬ装置の製造方法においては以下に述べる解決すべき課題がある。
図７（ｃ）に示したように、接着剤３０７を介して大型素子基板３０１と大型封止基板３０２とを接合すると、その際、接着剤３０７が広がりすぎてしまい、図７（ｃ）中Ａに示すように、分割予定線３０５，３０６を挟んで隣り合っていた２条の接着剤３０７が分割予定線３０５，３０６上で繋がってしまう。
その結果、接着剤３０７を硬化させた後、スクライブを行って個片化しようとしても、接着剤３０７が繋がってしまった箇所ではスクライブによる個片化を良好に行うことができなくなってしまう。
そして、個片化すべく接着剤３０７が繋がってしまった箇所を無理に引きはがそうとすると、この接着剤３０７に応力がかかってしまい、接着剤３０７と大型素子基板３０１との間で層間剥離が生じてしまい、接着剤３０７による封止性が著しく損なわれてしまうことがある。
【０００８】
このような問題をなくすため、素子領域３０３同士の間の無効領域３０８を広げ、接着剤３０７が分割予定線３０５，３０６上で繋がってしまうのを防止することも考えられる。しかし、その場合には、無効領域３０８が広くなり過ぎてしまうことから、大型基板に対する取り個数が少なくなって製品に対する材料コストが高くなり、結果的に生産効率が低下してしまうといった新たな問題を生じてしまう。
また、接着剤３０７を減らしてしまうと、大型素子基板３０１と大型封止基板３０２とを接合が不十分となってしまうという問題が生じてしまう。
【０００９】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、封止性を損なうことなく、しかも生産効率の低下を招くことのない有機ＥＬ装置の製造方法、及びこの有機ＥＬ装置を備える電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第１の発明は、複数の素子領域を有した複数個取りの大型素子基板に接着剤を用いて大型封止基板を貼着した後に、前記素子領域毎に個片化する有機ＥＬ装置の製造方法において、前記大型封止基板の内面に、前記素子領域の外周に設けられる無効領域に対応する凹部を形成する工程と、前記大型素子基板及び／又は前記大型封止基板の所定位置に接着剤を配置する工程と、前記大型素子基板と前記大型封止基板とを前記接着剤を介して貼着する工程と、前記大型封止基板の外面に、前記凹部の側面に沿ってスクライブラインを形成する工程と、前記大型封止基板を前記スクライブラインに沿ってスクライブする工程と、
を有するようにした。
この発明によれば、大型封止基板の内面において、スクライブラインを起点とする分割予定線の位置には、凹部が形成されているので、接着剤が分割予定線上まで広がって硬化することで、スクライブを十分に行うことができなくなるといった不都合が回避される。
【００１１】
また、複数の素子領域を有した複数個取りの大型素子基板に接着剤を用いて大型封止基板を貼着した後に、前記素子領域毎に個片化する有機ＥＬ装置の製造方法において、前記大型封止基板の内面に、前記素子領域の外周に設けられる無効領域に対応する凹部を形成すると共に、前記大型封止基板の外面に、前記凹部の側面に沿ってスクライブラインを形成する工程と、前記大型素子基板及び／又は前記大型封止基板の所定位置に接着剤を配置する工程と、前記大型素子基板と前記大型封止基板とを前記接着剤を介して貼着する工程と、前記大型封止基板を前記スクライブラインに沿ってスクライブする工程と、
を有するようにした。
この発明によっても、大型封止基板の分割予定線の位置には凹部が形成されているので、接着剤が分割予定線上まで広がって硬化することで、スクライブを十分に行うことができなくなるといった不都合が回避される。
【００１２】
また、前記スクライブラインが、前記凹部の側面よりも前記素子領域側に偏った位置に形成されるものでは、分割予定線がスクライブラインから凹部の側面に繋がるので、有機ＥＬ装置の封止基板が個片化された際に、その外周縁部が面取りされた状態となる。したがって、封止基板の外周縁部に欠けやバリが発生することが防止され、不良発生防止と作業効率化が図られる。
前記スクライブラインは、前記凹部の側面から前記素子領域側に約２ｍｍ以内の領域に形成する。
【００１３】
また、前記大型封止基板は、前記内面における前記素子領域の対向領域が、接着剤を配置する等により、前記接着剤の配置領域と同一平面を構成するものでは、いわゆるベタ封止構造の有機ＥＬ装置を得ることができる。
また、前記大型封止基板は、前記内面における前記素子領域の対向する領域に第２凹部が形成されるものでは、素子領域に接着剤を配置しないことにより、いわゆる缶封止構造の有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００１４】
また、前記大型封止基板をスクライブすると略同時に、前記大型素子基板を前記無効領域の略中央に沿ってスクライブする工程を有するものでは、有機ＥＬ装置を良好かつ効率的に個片化することができる。
【００１５】
第２の発明は、電子機器が、第１の発明の製造方法によって得られる有機ＥＬ装置を備えるようにした。この発明によれば、高品質な電子機器を効率よく得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法、及び有機ＥＬ装置の実施形態について図を参照して説明する。
〔第一実施形態〕
図１は、有機ＥＬ装置の製造方法の第１実施形態を説明するための工程図である。
まず、図１（ａ）に示すように、大型素子基板１０と大型封止基板１１とを用意する。
大型素子基板１０には、後述するスクライブによって個片化されることにより、最終的に素子基板１０ａとなるもので、平面視矩形状の素子領域１（有機ＥＬ装置Ｓ）が縦横に配列した状態で多数形成されている。
大型素子基板１０は、図２に示すように、各素子領域の他、各素子領域１を取り囲む封止領域２及び無効領域３が形成されている。
【００１７】
この有機ＥＬ装置Ｓは、例えば図３に示すように、無アルカリガラス等からなる素子基板２０上に構成されたものである。
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置Ｓは、発光層６０で発光した光を陽極（画素電極）２３側から出射する、いわゆるボトムエミッション型のものとする。ただし、光を陰極（対向電極）５０側から出射する、いわゆるトップエミッション型のものにも、本発明を適用できるのはもちろんである。
【００１８】
素子基板２０上には、画素電極２３に接続する駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部２１が形成されており、その上に有機ＥＬ素子２２が設けられている。有機ＥＬ素子２２は、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、有機ＥＬ物質からなる発光層６０と、陰極５０とが順に形成されたことによって構成されている。このような構成のもとに有機ＥＬ素子２２は、正孔輸送層７０から注入された正孔と陰極５０からの電子とが発光層６０で結合することにより、発光をなすようになっている。
【００１９】
陽極として機能する画素電極２３は、特にボトムエミッション型である場合、透明導電材料によって形成されており、具体的にはＩＴＯが好適に用いられている。
正孔輸送層７０の形成材料としては、例えば３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられている。
【００２０】
発光層６０を形成するための材料としては、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられている。また、これら材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることもできる。
【００２１】
陰極５０は、発光層６０を覆って形成されたもので、例えばＣａを厚さ２０ｎｍ程度に形成し、その上にＡｌを厚さ２００ｎｍ程度に形成して積層構造の電極とし、Ａｌを反射層としても機能させたものである。
なお、この陰極５０上には封止層５１が形成されており、さらにこの封止層５１上には、接着剤（接着層）を介して大型封止基板１１からなる封止基板が貼着されるようになっている。
【００２２】
また、このような有機ＥＬ素子２２の下方には、前述したように回路部２１が設けられている。この回路部２１は素子基板２０上に形成されたものである。すなわち、素子基板２０の表面にはＳｉＯ２を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
【００２３】
また、シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。
【００２４】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、電源線（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００２５】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層には、平坦化膜２８４が形成されている。この平坦化膜２８４は、例えばアクリル系やポリイミド系等の耐熱性絶縁性樹脂によって形成されたもので、駆動用ＴＦＴ１２３やソース電極２４３、ドレイン電極２４４などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。
【００２６】
そして、ＩＴＯ等からなる画素電極２３が、この平坦化膜２８４の表面上に形成されるとともに、該平坦化膜２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００２７】
画素電極２３が形成された平坦化膜２８４の表面には、画素電極２３と、前述した無機隔壁２５とが形成されており、さらに無機隔壁２５上には、有機隔壁２２１が形成されている。そして、画素電極２３上には、無機隔壁２５に形成された開口２５ａと、有機隔壁２２１に形成された開口２２１ａとの内部、すなわち画素領域に、正孔輸送層７０と発光層６０とが画素電極２３側からこの順で積層され、さらに発光層６０を覆って陰極５０が設けられていることにより、前述したように有機ＥＬ素子２２が形成されている。
【００２８】
図１（ａ）に戻り、大型封止基板１１は、後述するスクライブによって個片化されることにより、最終的に封止層５１上に貼着される封止基板１１ａとなるもので、その内面には、素子領域１に対応する位置に凹部４が形成されている。
更に、この大型封止基板１１における凹部４，４間には、凹部５が形成されている。つまり、無効領域３に対応する位置に凹部５が形成されている。なお、大型封止基板１１における凹部４，５以外の突出した部分、すなわち封止領域２に対応する領域を凸部６と呼ぶ。
このような構成のもとにこの大型封止基板１１は、個片化された封止基板１１ａが缶封止構造をとるようになっている。なお、凹部４内には、大型封止基板１１を大型素子基板１０に貼着するに先立ち、必要に応じて予め乾燥剤を配しておく。
【００２９】
また、この大型封止基板１１における外面であって、凹部５の両側面に略対向する位置には、この大型封止基板１１を図１（ａ）中二点鎖線に沿って分割するために、スクライブライン７ａがそれぞれ形成されている。つまり、大型封止基板１１の凹部４，４間には、２本の分割予定線７が設計上設けられている（想定されている）。
一方、大型素子基板１０においては、大型封止基板１１の凹部５の略中央部分に対向する位置に１本の分割予定線８が設計上設けられている（想定されている）。なお、大型封止基板１１と同様に、スクライブラインを予め形成しておいてもよい。
【００３０】
なお、図１（ａ）等に示すように、大型封止基板１１が分割される分割予定線７は、大型封止基板１１の外面に対して直交するものではなく、スクライブライン７ａから凹部４の側面に繋がる傾斜したものである。このように分割予定線７を傾斜させるために、スクライブライン７ａは、凹部５の両側面に対向する位置よりも、隣接する凹部４側に若干近づいた位置に形成されている。
【００３１】
このような大型封止基板１１を形成するには、その内面側に、エッチング法（ケミカル法）やサンドブラスト法、さらにはこれらを組み合わせる方法等により、凹部４及び凹部５を同時に形成する。凹部４及び凹部５の深さについては、大型封止基板１１を個片化した後に得られる缶封止構造において、通常は前述したようにこの凹部４内に乾燥剤等を設けるため、例えば０．３ｍｍ程度とする。なお、サンドブラスト法を採用した場合、加工により基板に歪等が残り易くなるので、大型封止基板１１が特に大型である場合には、加工法としてエッチング法を用いるのが好ましい。
また、外面に設けられるスクライブライン７ａも、凹部４及び凹部５の形成と同一の方法により形成する。具体的には、スクライブライン７ａは、凹部５の両側から隣接する凹部４側（素子領域３側）に約２ｍｍ以内の領域に形成されている。
【００３２】
このようにして大型封止基板１１に凹部４及び凹部５を形成したら、図１（ｂ）に示すように、素子領域１，１間、すなわち封止領域２に接着剤９を配する。
ここで、接着剤９は、これが押し広げられて形成される接着層の厚さが、通常は数μｍ〜２０μｍ程度となるようにその量が設定され、適宜な塗布幅で配される。また、この接着剤９については、熱硬化型のものや紫外線硬化型のものを用いることができ、具体的にはエポキシ系やアクリレート系の接着剤等を用いることができる。
【００３３】
次に、図１（ｃ）に示すように、接着剤９を介して大型素子基板１０と大型封止基板１１とを接合する。すると、接着剤９は、大型封止基板１１の凸部６の全面に広がって、その一部が凸部６から凹部５に漏出する。しかし、凸部６から漏出した接着剤９は、凹部５の側面に回り込んでその場に留まる。つまり、隣接する凸部６に配置した接着剤９同士は、凹部５に遮られるので、繋がることなく確実に分離された状態に保持される。
【００３４】
次いで、接着剤９を硬化させることによって大型素子基板１０と大型封止基板１１とを貼着する。接着剤９は、凹部５に遮られ、凸部６から広がるのが防止されている。
よって、設計的に設けられた（想定された）分割予定線７，８上には接着剤９が移行せず、したがって分割予定線７，８上にて接着剤９が硬化してしまうことが防止されている。
【００３５】
その後、図１（ｄ）に示すように、スクライブライン７ａ及び分割予定線８に沿ってスクライバーを押し当てて、スクライブを行うことで、素子領域１毎に個片化して有機ＥＬ装置Ｓを得る。
【００３６】
このように、分割予定線７，８の位置には凹部５が存在するので、接着剤９が分割予定線７，８上まで広がって硬化することで、スクライブを十分に行うことができなくなるといった不都合が回避される。
更に、スクライブライン７ａは、凹部５の両側面に対向する位置よりも隣接する凹部４側に形成されているので、分割予定線７がスクライブライン７ａから凹部４の側面に繋がる傾斜したものとなっている。これにより、個片化された有機ＥＬ装置Ｓの封止基板１１ａの外周縁部が面取り（縁落し）された状態となる。
したがって、封止基板１１ａの外周縁部に欠けやバリが発生することが防止される。そして、外周縁部の欠けによる不良発生が回避でき、また、バリ取り作業の効率化が図られる。
【００３７】
上述したように、第一実施形態の有機ＥＬ装置Ｓの製造方法によれば、スクライブによる個片化を良好に行うことができなくなった場合に、無理に引きはがそうとして封止性を損ねてしまうといった不都合を確実に防止し、高品質化による信頼性の向上を図ることができる。
【００３８】
更に、第一実施形態では、凹部４，４間に１つの凹部５を設ける場合について説明したが、本発明はこれに限定されることなく、例えば、図４に示すように、凹部４，４間に複数の凹部５を設けてもよい。接着剤９が凹部５の存在により、凸部６から広がらないようになればよい。
【００３９】
〔第二実施形態〕
図５は、有機ＥＬ装置の製造方法の第２実施形態を説明するための図である。なお、第１実施形態と同一の構成部材等については、同一の符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態が第一実施形態と異なるところは、図５（ａ）に示すように、大型封止基板１１には凹部５のみが形成されており、大型素子基板１０の素子領域１に対向する領域は、平面になっている点にある。
なお、第二実施形態においても、凹部４，４間に複数の凹部５を設けてもよい（図４参照）。
【００４０】
図５（ｂ）に示すように、接着剤９を介して大型素子基板１０と大型封止基板１１とを接合する。すると、接着剤９は大型封止基板１１の内面によって押し広げられ、その一部が凹部５に漏出する。
しかしながら、接着剤９は、凹部５が存在するため、分割予定線７，８まで広がることがない。したがって、隣接する素子領域１に配置された接着剤９同士は、繋がることなく確実に分離された状態に保持される。
【００４１】
次いで、接着剤９を硬化させることによって大型素子基板１０と大型封止基板１１とを接着する。
その後、図５（ｃ）に示すように、スクライブライン７ａ及び分割予定線８に沿ってスクライバーを押し当てて、スクライブを行うことで、素子領域１毎に個片化して有機ＥＬ装置Ｓを得る。
【００４２】
このように、分割予定線７，８の位置には凹部５が存在するので、接着剤９が分割予定線７，８上まで広がって硬化することで、スクライブを十分に行うことができなくなるといった不都合が回避される。
更に、スクライブライン７ａは、凹部５の両側面に対向する位置よりも素子領域３側に形成されているので、分割予定線７が凹部５の両側面に連続する傾斜したものとなる。つまり、個片化された有機ＥＬ装置Ｓの封止基板１１ａの外周縁部が面取り（縁落し）された状態となる。このため、封止基板１１ａの外周縁部に欠けやバリが発生することが防止される。したがって、外周縁部の欠けによる不良発生が回避でき、また、バリ取り作業の効率化が図られる。
また、接着剤９の配置時に前記大型素子基板１１の素子領域に、接着剤９を配置する様にすれば、缶封止構造に代えていわゆるベタ封止（面接着封止）構造とすることができる。
【００４３】
上述したように、第二実施形態の有機ＥＬ装置Ｓの製造方法によれば、スクライブによる個片化を良好に行うことができなくなった場合に、無理に引きはがそうとして封止性を損ねてしまうといった不都合を確実に防止し、高品質化による信頼性の向上を図ることができる。
【００４４】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。
例えば、接着剤９については、これにビーズ等からなるスペーサーを混在させておき、これによって大型素子基板１０と大型封止基板１１との間の接着剤９の厚みによって決まる間隔を、正確に制御するようにしてもよい。
【００４５】
なお、第一実施形態では、大型封止基板１１の外面に設けられるスクライブライン７ａを、凹部４及び凹部５の形成と略同時に形成する場合について説明したが、これに限らない。例えば、大型素子基板１０と大型封止基板１１とを接着剤９により接合した後に、形成してもよい。
【００４６】
また、素子領域１の側方に多数の外部接続端子を有している場合には、この外部接続端子を凹部５で囲まれた領域、すなわち無効領域３に露出させることで、外部接続端子を露出させた有機ＥＬ装置Ｓを容易に得るようにしてもよい。
【００４７】
〔電子機器〕
次に、上述した有機ＥＬ装置Ｓを表示部として有する電子機器について、図６を参照して説明する。
図６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６（ａ）において、携帯電話１０００は、上述した有機ＥＬ装置Ｓを用いた表示部１００１を備える。
図６（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図６（ｂ）において、時計１１００は、上述した有機ＥＬ装置Ｓを用いた表示部１１０１を備える。
図６（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図６（ｃ）において、情報処理装置１２００は、キーボードなどの入力部１２０２、情報処理装置本体（筐体）１２０４、上述した有機ＥＬ装置Ｓを用いた表示部１２０６を備える。
図６（ｄ）は、薄型大画面テレビの一例を示した斜視図である。図６（ｄ）において、薄型大画面テレビ１３００は、薄型大画面テレビ本体（筐体）１３０２、スピーカーなどの音声出力部１３０４、上記有機ＥＬ装置Ｓからなる表示部１３０６を備える。
【００４８】
このように、図６に示す電子機器１０００，１１００，１２００，１３００は、上記有機ＥＬ装置Ｓを備えているので、表示部１００１，１１０１，１２０６，１３０６の高品質化が図られたものとなる。
【００４９】
また、有機ＥＬ装置Ｓを表示部として備える場合に限らず、発光部として備える電子機器であってもよい。例えば、有機ＥＬ装置Ｓを露光ヘッド（ラインヘッド）として備えるページプリンタ（画像形成装置）であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図２】大型素子基板の要部平面図である。
【図３】素子領域の概略構成を説明するための要部側断面図である。
【図４】第１実施形態の変形例を説明するための図である。
【図５】第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図６】本実施形態に係る電子機器を示す図である。
【図７】従来の有機ＥＬ装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【符号の説明】
【００５１】
Ｓ…有機ＥＬ装置、 １…素子領域、 ３…無効領域、 ４，５…凹部、 ７ａ…スクライブライン、 ７，８…分割予定線、 ９…接着剤、 １０…大型素子基板、 １１…大型封止基板、 １０００，１１００，１２００，１３００…電子機器、 １００１，１１０１，１２０２，１３０６…表示部（有機ＥＬ装置）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の素子領域を有した複数個取りの大型素子基板に接着剤を用いて大型封止基板を貼着した後に、前記素子領域毎に個片化する有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記大型封止基板の内面に、前記素子領域の外周に設けられる無効領域に対応する凹部を形成する工程と、
前記大型素子基板及び／又は前記大型封止基板の所定位置に接着剤を配置する工程と、
前記大型素子基板と前記大型封止基板とを前記接着剤を介して貼着する工程と、
前記大型封止基板の外面に、前記凹部の側面に沿ってスクライブラインを形成する工程と、
前記大型封止基板を前記スクライブラインに沿ってスクライブする工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
複数の素子領域を有した複数個取りの大型素子基板に接着剤を用いて大型封止基板を貼着した後に、前記素子領域毎に個片化する有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記大型封止基板の内面に、前記素子領域の外周に設けられる無効領域に対応する凹部を形成すると共に、前記大型封止基板の外面に、前記凹部の側面に沿ってスクライブラインを形成する工程と、
前記大型素子基板及び／又は前記大型封止基板の所定位置に接着剤を配置する工程と、
前記大型素子基板と前記大型封止基板とを前記接着剤を介して貼着する工程と、
前記大型封止基板を前記スクライブラインに沿ってスクライブする工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記スクライブラインは、前記凹部の側面よりも前記素子領域側に偏った位置に形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記スクライブラインは、前記凹部の側面から前記素子領域側に約２ｍｍ以内の領域に形成されることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記大型封止基板は、前記内面における前記素子領域の対向領域が、前記接着剤の配置領域と同一平面を構成することを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記大型封止基板は、前記内面における前記素子領域の対向する領域に第２凹部が形成されることを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
前記大型封止基板をスクライブすると略同時に、
前記大型素子基板を前記無効領域の略中央に沿ってスクライブする工程を有することを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の製造方法によって得られた有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
複数の素子領域を有した複数個取りの大型素子基板に接着剤を用いて大型封止基板を貼着した後に、前記素子領域毎に個片化する有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記大型封止基板の内面に、前記素子領域の外周に設けられる無効領域に対応する凹部を形成する工程と、
前記大型素子基板及び／又は前記大型封止基板の所定位置に接着剤を配置する工程と、
前記大型素子基板と前記大型封止基板とを前記接着剤を介して貼着する工程と、
前記大型封止基板の外面に、前記凹部の側面に沿ってスクライブラインを形成する工程と、
前記大型封止基板を前記スクライブラインに沿ってスクライブする工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
複数の素子領域を有した複数個取りの大型素子基板に接着剤を用いて大型封止基板を貼着した後に、前記素子領域毎に個片化する有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記大型封止基板の内面に、前記素子領域の外周に設けられる無効領域に対応する凹部を形成すると共に、前記大型封止基板の外面に、前記凹部の側面に沿ってスクライブラインを形成する工程と、
前記大型素子基板及び／又は前記大型封止基板の所定位置に接着剤を配置する工程と、
前記大型素子基板と前記大型封止基板とを前記接着剤を介して貼着する工程と、
前記大型封止基板を前記スクライブラインに沿ってスクライブする工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記スクライブラインは、前記凹部の側面よりも前記素子領域側に偏った位置に形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記スクライブラインは、前記凹部の側面から前記素子領域側に約２ｍｍ以内の領域に形成されることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記大型封止基板は、前記内面における前記素子領域の対向領域が、前記接着剤の配置領域と同一平面を構成することを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記大型封止基板は、前記内面における前記素子領域の対向する領域に第２凹部が形成されることを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
前記大型封止基板をスクライブすると略同時に、
前記大型素子基板を前記無効領域の略中央に沿ってスクライブする工程を有することを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の製造方法によって得られた有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００７−７３２８５（Ｐ２００７−７３２８５Ａ）
【公開日】平成１９年３月２２日（２００７．３．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２５７５５３（Ｐ２００５−２５７５５３）
【出願日】平成１７年９月６日（２００５．９．６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月２２日（２００７．３．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月６日（２００５．９．６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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