板状物の加工方法
【課題】分割後のチップ側面に残存する分割屑低減可能な半導体ウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】表面に複数のチップ領域を複数有する半導体ウエーハ１１を分割予定ラインに沿って分割する加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有するレーザ光をウエーハ内部のチップの仕上げ厚みに至らない領域ｔ２に第１の出力で集光して、該分割予定ラインに沿って分割の起点となる第１改質層２５を形成する工程と、その前又は後に、ウエーハ内部のチップの仕上げ厚み領域ｔ１に第１の出力よりも低い第２の出力でレーザ光を集光して、分割を誘導する第２改質層２３を形成する工程と、該ウエーハに外力を付与してチップに分割する工程と、少なくとも該分割工程を実施するまでの何れかの時点でウエーハの表面に粘着テープＴを貼着し、さらに該分割工程を実施した後、ウエーハの裏面１１ｂを研削してチップの仕上げ厚みへと薄化する工程を含む。
【解決手段】表面に複数のチップ領域を複数有する半導体ウエーハ１１を分割予定ラインに沿って分割する加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有するレーザ光をウエーハ内部のチップの仕上げ厚みに至らない領域ｔ２に第１の出力で集光して、該分割予定ラインに沿って分割の起点となる第１改質層２５を形成する工程と、その前又は後に、ウエーハ内部のチップの仕上げ厚み領域ｔ１に第１の出力よりも低い第２の出力でレーザ光を集光して、分割を誘導する第２改質層２３を形成する工程と、該ウエーハに外力を付与してチップに分割する工程と、少なくとも該分割工程を実施するまでの何れかの時点でウエーハの表面に粘着テープＴを貼着し、さらに該分割工程を実施した後、ウエーハの裏面１１ｂを研削してチップの仕上げ厚みへと薄化する工程を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハ等の板状物に対して透過性を有する波長のレーザビームを照射して板状物内部に改質層を形成した後、改質層を起点に板状物を分割して複数のチップを形成する板状物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたシリコンウエーハ、サファイアウエーハ等のウエーハは、加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
【０００３】
ウエーハの分割には、ダイシングソーと呼ばれる切削装置を用いたダイシング方法が広く採用されている。ダイシング方法では、ダイアモンド等の砥粒を金属や樹脂で固めて厚さ３０μｍ程度とした切削ブレードを、３００００ｒｐｍ程度の高速で回転させつつウエーハへと切り込ませることでウエーハを切削し、個々のデバイスチップへと分割する。
【０００４】
一方、近年では、ウエーハに対して透過性を有する波長（例えば１０６４ｎｍ）のレーザビームの集光点を分割予定ラインに対応するウエーハの内部に位置付けて、レーザビームを分割予定ラインに沿って照射してウエーハ内部に改質層を形成し、その後外力を付与してウエーハを個々のデバイスチップに分割する方法が提案されている（例えば、特許第３４０８８０５号公報参照）。
【０００５】
改質層とは密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域のことであり、溶融再硬化領域、屈折率変化領域、絶縁破壊領域の他、クラック領域やこれらが混在した領域も含まれる。
【０００６】
レーザ加工装置による改質層の形成は、ダイシングソーによるダイシング方法に比べて加工速度を早くすることができるとともに、サファイアやＳｉＣ等の硬度の高い素材からなるウエーハであっても比較的容易に加工することができる。また、改質層を例えば１０μｍ以下等の狭い幅とすることができるので、ダイシング方法で加工する場合に対してウエーハ１枚当たりのデバイス取り量を増やすことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、特許文献１に開示されたような分割方法で分割されて形成されたチップ側面（分割断面）には分割屑が往々にして残存する。分割屑がチップ側面に残存していると、ピックアップ工程等の後工程で装置内部を分割屑で汚染してしまい、後に処理するウエーハまで汚染させてしまう恐れがある。
【０００９】
ウエーハの表面にデバイスが形成されている場合には、分割屑がデバイスの表面に付着するとデバイス品質を低下させる上、後工程のボンディングやパッケージングに支障をきたすという問題がある。
【００１０】
ウエーハに外力を付与して個々のチップに分割した後のチップ間には間隔がほぼないため、分割後にウエーハを洗浄してもチップ側面に残存する分割屑を除去することは非常に難しい。
【００１１】
また、シリコンウエーハからなるＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）デバイスウエーハは、一般的に非常に微細で脆弱な構造を有するため、一般的な流体による洗浄が実施できず、分割屑の付着は大きな問題となる。
【００１２】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、分割後のチップ側面に残存する分割屑を従来よりも低減可能な板状物の加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明によると、表面に設定された交差する複数の分割予定ラインで区画されるチップ領域を複数有した板状物を該分割予定ラインに沿って分割して複数のチップを形成する板状物の加工方法であって、板状物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を板状物内部のチップの仕上げ厚みに至らない領域に位置付けて、該分割予定ラインに沿って該レーザビームを第１の出力で照射して分割の起点となる第１改質層を形成する第１改質層形成ステップと、該第１改質層形成ステップを実施する前又は後に、板状物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を板状物内部のチップの仕上げ厚み領域に位置付けて、該分割予定ラインに沿って該レーザビームを該第１の出力よりも低い第２の出力で照射して分割を誘導する第２改質層を形成する第２改質層形成ステップと、該第１改質層と該第２改質層が形成された板状物に外力を付与して該分割予定ラインに沿ってチップに分割する分割ステップと、少なくとも該分割ステップを実施するまでの何れかのタイミングで板状物の表面に粘着テープを貼着するテープ貼着ステップと、該分割ステップを実施した後、板状物の裏面を研削してチップの仕上げ厚みへと薄化する薄化ステップと、を具備したことを特徴とする板状物の加工方法が提供される。
【００１４】
好ましくは、第２の出力は第１の出力の１／２倍以下である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の加工方法では、まず、チップの仕上げ厚みには至らない領域に分割起点となる第１改質層を形成するとともに、チップの仕上げ厚み領域にはより低い出力で形成された第２改質層を形成する。次いで、板状物に外力を付与して第１改質層を起点に板状物を分割する。
【００１６】
この時、板状物の表面側には第２改質層が形成されているため、分割時に発生する第１改質層を起点に伸長するクラックは第２改質層でガイドされて分割予定ラインに沿って板状物を分割できる。
【００１７】
板状物を個々のチップに分割後、分割屑が多く残存するチップの仕上げ厚みに至らない領域は研削して除去するので、最終的に形成されるチップの側面に残存する分割屑を従来に比べて大幅に低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】ウエーハ内部に改質層を形成するのに適したレーザ加工装置の概略斜視図である。
【図２】レーザビーム照射ユニットのブロック図である。
【図３】半導体ウエーハの表面側斜視図である。
【図４】テープ貼着ステップを示す分解斜視図である。
【図５】第２改質層形成ステップを示す断面図である。
【図６】第１改質層形成ステップを示す断面図である。
【図７】分割ステップを示す分割装置の縦断面図である。
【図８】薄化ステップを示す一部断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明の板状物の加工方法において、第１及び第２改質層を形成するのに適したレーザ加工装置２の概略斜視図が示されている。
【００２０】
レーザ加工装置２は、静止基台４上にＸ軸方向に移動可能に搭載された第１スライドブロック６を含んでいる。第１スライドブロック６は、ボールねじ８及びパルスモータ１０から構成される加工送り手段１２により一対のガイドレール１４に沿って加工送り方向、すなわちＸ軸方向に移動される。
【００２１】
第１スライドブロック６上には第２スライドブロック１６がＹ軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第２スライドブロック１６はボールねじ１８及びパルスモータ２０から構成される割り出し送り手段２２により一対のガイドレール２４に沿って割り出し方向、すなわちＹ軸方向に移動される。
【００２２】
第２スライドブロック１６上には円筒支持部材２６を介してチャックテーブル２８が搭載されており、チャックテーブル２８は加工送り手段１２及び割り出し送り手段２２によりＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能である。チャックテーブル２８には、チャックテーブル２８に吸引保持されたウエーハを支持する環状フレームをクランプするクランプ３０が設けられている。
【００２３】
静止基台４にはコラム３２が立設されており、このコラム３２にはレーザビーム照射ユニット３４を収容するケーシング３５が取り付けられている。レーザビーム照射ユニット３４は、図２に示すように、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザを発振するレーザ発振器６２と、繰り返し周波数設定手段６４と、パルス幅調整手段６６と、パワー調整手段６８とを含んでいる。
【００２４】
レーザビーム照射ユニット３４のパワー調整手段６８により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング３５の先端に取り付けられた集光器３６のミラー７０で反射され、更に集光用対物レンズ７２によって集光されてチャックテーブル２８に保持されている光デバイスウエーハ１１に照射される。
【００２５】
ケーシング３５の先端部には、集光器３６とＸ軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像ユニット３８が配設されている。撮像ユニット３８は、可視光によって光デバイスウエーハ１１の加工領域を撮像する通常のＣＣＤ等の撮像素子を含んでいる。
【００２６】
撮像ユニット３８は更に、光デバイスウエーハ１１に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線ＣＣＤ等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ（制御手段）４０に送信される。
【００２７】
コントローラ４０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）４２と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）４４と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）４６と、カウンタ４８と、入力インターフェイス５０と、出力インターフェイス５２とを備えている。
【００２８】
５６は案内レール１４に沿って配設されたリニアスケール５４と、第１スライドブロック６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出ユニットであり、加工送り量検出ユニット５６の検出信号はコントローラ４０の入力エンターフェイス５０に入力される。
【００２９】
６０はガイドレール２４に沿って配設されたリニアスケール５８と第２スライドブロック１６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出ユニットであり、割り出し送り量検出ユニット６０の検出信号はコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。
【００３０】
撮像ユニット３８で撮像した画像信号もコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。一方、コントローラ４０の出力インターフェイス５２からはパルスモータ１０、パルスモータ２０、レーザビーム照射ユニット３４等に制御信号が出力される。
【００３１】
図３を参照すると、本発明の加工方法の加工対象となる半導体ウエーハ１１の表面側斜視図が示されている。図３に示す半導体ウエーハ１１は、例えば厚さが７００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面１１ａに複数の分割予定ライン（ストリート）１３が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン１３によって区画された各領域（チップ領域）にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。
【００３２】
このように構成された半導体ウエーハ１１は、デバイス１５が形成されているデバイス領域１７と、デバイス領域１７を囲繞する外周余剰領域１９をその表面１１ａの平坦部に備えている。また、半導体ウエーハ１１の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ２１が形成されている。
【００３３】
尚、以下の説明では、本発明の加工方法の加工対象として半導体ウエーハ１１（以下ウエーハとも言う）について説明するが、本発明の加工方法はサファイア基板上に発光層が積層された光デバイスウエーハや、表面にデバイスが形成されていないウエーハ等の板状被加工物（板状物）に適用可能である。
【００３４】
本発明の板状物の加工方法では、図４に示すように、ウエーハ１１の表面１１ａに粘着テープＴを貼着するテープ貼着ステップを実施する。粘着テープＴの外周部は環状フレームＦに貼着されている。
【００３５】
これにより、テープ貼着ステップ実施後には、ウエーハ１１は粘着テープＴを介して環状フレームＦに支持され、その裏面１１ｂが上方に露出される。尚、このテープ貼着ステップは、後で説明する第１改質層形成ステップ及び第２改質層形成ステップを実施した後や分割ステップを実施するまでの何れかのタイミングで実施するようにしてもよい。
【００３６】
テープ貼着ステップを実施した後、図５に示すように、レーザ加工装置２のチャックテーブル２８で粘着テープＴを介して半導体ウエーハ１１を吸引保持し、半導体ウエーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。
【００３７】
そして、撮像ユニット３８の赤外線撮像素子でウエーハ１１をその裏面１１ｂ側から撮像し、分割予定ライン１３に対応する領域を集光器３６とＸ軸方向に整列させるアライメントを実施する。このアライメントには、よく知られたパターンマッチング等の画像処理を利用する。
【００３８】
第１の方向に伸長する分割予定ライン１３のアライメントを実施後、チャックテーブル２８を９０度回転してから、第１の方向に直交する第２の方向に伸長する分割予定ライン１３のアライメントを実施する。
【００３９】
アライメント実施後、図５に示すように、半導体ウエーハ１１に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点Ｐをウエーハ内部のチップの仕上げ厚み領域ｔ１に位置付け、チャックテーブル２８を矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、ウエーハ１１の裏面１１ｂ側から第２の出力のレーザビームを分割予定ライン１３に沿って照射して、ウエーハ１１のチップの仕上げ厚み領域ｔ１に分割を誘導する第２改質層２３を形成する。
【００４０】
チャックテーブル２８をＹ軸方向に割り出し送りしながら、第１の方向に伸長する全ての分割予定ライン１３に対応するチップの仕上げ厚み領域ｔ１に第２改質層２３を形成する。
【００４１】
次いで、チャックテーブル２８を９０度回転してから、第１の方向に直交する第２の方向に伸長する全ての分割予定ライン１３に沿って対応するチップの仕上げ厚み領域ｔ１に同様な第２改質層２３を形成する。
【００４２】
第２改質層２３は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。例えば、溶融再硬化領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等を含み、これらの領域が混在した領域も含むものである。
【００４３】
この第２改質層形成ステップの加工条件は、例えば次のように設定されている。
【００４４】
光源 ：ＬＤ励起Ｑスイッチ Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザ
波長 ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
パルス出力 ：０．２５Ｗ
加工送り速度 ：３００ｍｍ／ｓ
【００４５】
第２改質層形成ステップ実施後、第２改質層形成ステップで使用した出力よりも大きな出力のレーザビームを使用して、ウエーハ内部に分割の起点となる第１改質層を形成する第１改質層形成ステップを実施する。
【００４６】
この第１改質層形成ステップは、図６に示すように、ウエーハ１１に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点Ｐをウエーハ内部のチップの仕上げ厚みに至らない領域ｔ２に位置付けて、チャックテーブル２８を矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、レーザビームを分割予定ライン１３に沿って第２の出力より大きい第１の出力で照射して、分割の起点となる第１改質層２５をチップの仕上げ厚みに至らない領域ｔ２に形成する。
【００４７】
チャックテーブル２８をＹ軸方向に割り出し送りしながら第１の方向に伸長する全ての分割予定ライン１３に沿ってチップの仕上げ厚みに至らない領域ｔ２に第１改質層２５を形成する。
【００４８】
次いで、チャックテーブル２８を９０度回転してから、第１の方向に直交する第２の方向に伸長する全ての分割予定ライン１３に対応するチップの仕上げ厚みに至らない領域ｔ２に同様な第１改質層２５を形成する。
【００４９】
この第１改質層形成ステップの加工条件は、例えば次のように設定されている。
【００５０】
光源 ：ＬＤ励起Ｑスイッチ Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザ
波長 ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
パルス出力 ：１．２Ｗ
加工送り速度 ：３００ｍｍ／ｓ
【００５１】
尚、上述した第１改質層形成ステップ及び第２改質層形成ステップでは、第１改質層２５及び第２改質層２３をそれぞれ複数層形成するようにしてもよい。特に、ウエーハ１１の厚みが７００μｍであり、チップの仕上げ厚みが１００μｍ以下であることを考慮すると、分割の起点となる第１改質層２５はチップの仕上げ厚みに至らない領域ｔ２に複数層形成するのが好ましい。
【００５２】
上述した実施形態では、ウエーハ１１の表面１１ａ側を粘着テープＴに貼着し、レーザビームをウエーハ１１の裏面１１ｂ側から入射させているが、ウエーハ１１の表面１１ａを粘着テープＴに貼着せずに第１改質層形成ステップ及び第２改質層形成ステップを実施する場合には、レーザビームをウエーハ１１の表面１１ａ側から入射させて第１改質層２５及び第２改質層２３を形成するようにしてもよい。
【００５３】
分割予定ライン１３上にＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）、パシベーション膜等がある場合には、レーザビームを裏面から入射させることが好ましい。表面側から入射させる場合には、第２改質層形成ステップを実施する前に第１改質層形成ステップを実施して、ウエーハ１１の裏面１１ｂ側から表面１１ａ側の順に改質層を形成する（入射面から遠い順に形成する）ことで、より安定した品質で改質層２３，２５を形成できる。
【００５４】
即ち、このような順に改質層を形成することで、レーザビームの集光点の手前に存在する改質層でレーザビームの照射が妨げられることが防止できる。ただし、改質層を形成する順番はこれに限定されるものではなく、レーザビームの入射面に近いほうから改質層を形成するようにしてもよい。
【００５５】
第１及び第２改質層形成ステップ実施後、第１改質層２５と第２改質層２３が形成されたウエーハ１１に外力を付与してウエーハを分割予定ライン１３に沿って個々のデバイスチップに分割する分割ステップを実施する。
【００５６】
尚、粘着テープＴをウエーハ１１の表面１１ａに貼着せずに第１改質層形成ステップ及び第２改質層形成ステップを実施した場合には、分割ステップを実施する前にウエーハ１１の表面１１ａに粘着テープＴを貼着し、粘着テープＴの外周部を環状フレームＦに貼着する。
【００５７】
この分割ステップは、図７に示すような分割装置７６により実施するのが好ましい。図７（Ａ）において、分割装置７６は環状フレームＦを保持するフレーム保持ユニット７８と、フレーム保持ユニット７８に保持された環状フレームＦに装着された粘着テープＴを拡張する拡張ドラム８０を具備している。
【００５８】
フレーム保持ユニット７６は、環状のフレーム保持部材８２と、フレーム保持部材８２の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ８４とから構成される。フレーム保持部材８２の上面は環状フレームＦを載置する載置面８２ａに形成されており、この載置面８２ａ上に環状フレームＦが載置される。
【００５９】
フレーム保持ユニット７８は、エアシリンダ８８から構成される駆動手段８６により、環状のフレーム保持部材８２をその載置面８２ａが拡張ドラム８０の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム８０の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動する。エアシリンダ８８のピストンロッド９０がフレーム保持部材８２の下面に連結されている。
【００６０】
分割ステップでは、図７（Ａ）に示すように、ウエーハ１１を粘着テープＴを介して支持した環状フレームＦを、フレーム保持部材８２の載置面８２ａ上に載置し、クランプ８４によってフレーム保持部材８２を固定する。この時、フレーム保持部材８２はその載置面８２ａが拡張ドラム８０の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。
【００６１】
次いで、エアシリンダ８８を駆動してフレーム保持部材８２を図７（Ｂ）に示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材８２の載置面８２ａ上に固定されている環状フレームＦも下降するため、環状フレームＦに貼着された粘着テープＴは拡張ドラム８０の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。
【００６２】
その結果、粘着テープＴに貼着されているウエーハ１１には放射状に引張力が作用する。このようにウエーハ１１に放射状に引張力が作用すると、ウエーハ１１は第１改質層２５を分割起点として分割予定ライン１３に沿って破断され、個々のデバイスチップ１５Ａに分割される。
【００６３】
尚、この分割時には、分割時に発生する第１改質層２５を起点に伸長するクラックは第２改質層２３でガイドされて分割予定ライン１３に沿ってウエーハ１１を個々のデバイス１５に分割できる。
【００６４】
ウエーハ１１を個々のデバイスチップ１５に分割すると、デバイスチップ１５の側面のチップの仕上げ厚みに至らない領域ｔ２には分割屑が多く付着するが、チップの仕上げ厚み領域ｔ１に形成された第２改質層２３は第１改質層形成時の出力よりも１／２倍以下の出力で形成されているため、チップの仕上げ厚み領域ｔ１に付着する分割屑を低減することができる。
【００６５】
分割ステップを実施した後、ウエーハ１１の裏面１１ｂを研削してチップの仕上げ厚みへと薄化する薄化ステップを実施する。この薄化ステップでは、図８に示すように、研削装置のチャックテーブル９２で粘着テープＴを介してウエーハ１１を吸引保持し、ウエーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。
【００６６】
図８において、研削ユニット９４のスピンドル９６の先端に固定されたホイールマウント９８には、図示しない複数のねじにより研削ホイール１００が着脱可能に装着されている。研削ホイール１００は、ホイール基台１０２の自由端部（下端部）に複数の研削砥石１０４を環状に配設して構成されている。
【００６７】
薄化ステップでは、チャックテーブル９２を矢印ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール１００を矢印ｂで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、研削ユニット送り機構を駆動して研削ホイール１００の研削砥石１０４をウエーハ１１の裏面１１ｂに接触させる。そして、研削ホイール１００を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。
【００６８】
接触式又は非接触式の厚み測定ゲージでウエーハ１１の厚みを測定しながら、ウエーハ１１を所望の厚みｔ１に研削する。ウエーハ１１を所望の厚みｔ１に研削すると、第１改質層２５は研削により全て除去される。
【００６９】
本実施形態の板状物の加工方法では、分割屑が多く残存するとともにチップの仕上げ厚みに至らない領域は研削して除去することで、最終的に形成されるチップの側面に残存する分割屑を従来に比べて大幅に低減することができる。
【符号の説明】
【００７０】
２ レーザ加工装置
１１ 半導体ウエーハ
１３ 分割予定ライン
１５ デバイス
２３ 第２改質層
２５ 第１改質層
２８ チャックテーブル
３４ レーザビーム照射ユニット
３６ 集光器
３８ 撮像ユニット
７６ 分割装置
９４ 研削ユニット
１００ 研削ホイール
１０４ 研削砥石
Ｔ 粘着テープ
Ｆ 環状フレーム
Ｐ 集光点
ｔ１ チップの仕上げ厚み領域
ｔ２ チップの仕上げ厚みに至らない領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハ等の板状物に対して透過性を有する波長のレーザビームを照射して板状物内部に改質層を形成した後、改質層を起点に板状物を分割して複数のチップを形成する板状物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたシリコンウエーハ、サファイアウエーハ等のウエーハは、加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
【０００３】
ウエーハの分割には、ダイシングソーと呼ばれる切削装置を用いたダイシング方法が広く採用されている。ダイシング方法では、ダイアモンド等の砥粒を金属や樹脂で固めて厚さ３０μｍ程度とした切削ブレードを、３００００ｒｐｍ程度の高速で回転させつつウエーハへと切り込ませることでウエーハを切削し、個々のデバイスチップへと分割する。
【０００４】
一方、近年では、ウエーハに対して透過性を有する波長（例えば１０６４ｎｍ）のレーザビームの集光点を分割予定ラインに対応するウエーハの内部に位置付けて、レーザビームを分割予定ラインに沿って照射してウエーハ内部に改質層を形成し、その後外力を付与してウエーハを個々のデバイスチップに分割する方法が提案されている（例えば、特許第３４０８８０５号公報参照）。
【０００５】
改質層とは密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域のことであり、溶融再硬化領域、屈折率変化領域、絶縁破壊領域の他、クラック領域やこれらが混在した領域も含まれる。
【０００６】
レーザ加工装置による改質層の形成は、ダイシングソーによるダイシング方法に比べて加工速度を早くすることができるとともに、サファイアやＳｉＣ等の硬度の高い素材からなるウエーハであっても比較的容易に加工することができる。また、改質層を例えば１０μｍ以下等の狭い幅とすることができるので、ダイシング方法で加工する場合に対してウエーハ１枚当たりのデバイス取り量を増やすことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、特許文献１に開示されたような分割方法で分割されて形成されたチップ側面（分割断面）には分割屑が往々にして残存する。分割屑がチップ側面に残存していると、ピックアップ工程等の後工程で装置内部を分割屑で汚染してしまい、後に処理するウエーハまで汚染させてしまう恐れがある。
【０００９】
ウエーハの表面にデバイスが形成されている場合には、分割屑がデバイスの表面に付着するとデバイス品質を低下させる上、後工程のボンディングやパッケージングに支障をきたすという問題がある。
【００１０】
ウエーハに外力を付与して個々のチップに分割した後のチップ間には間隔がほぼないため、分割後にウエーハを洗浄してもチップ側面に残存する分割屑を除去することは非常に難しい。
【００１１】
また、シリコンウエーハからなるＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）デバイスウエーハは、一般的に非常に微細で脆弱な構造を有するため、一般的な流体による洗浄が実施できず、分割屑の付着は大きな問題となる。
【００１２】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、分割後のチップ側面に残存する分割屑を従来よりも低減可能な板状物の加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明によると、表面に設定された交差する複数の分割予定ラインで区画されるチップ領域を複数有した板状物を該分割予定ラインに沿って分割して複数のチップを形成する板状物の加工方法であって、板状物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を板状物内部のチップの仕上げ厚みに至らない領域に位置付けて、該分割予定ラインに沿って該レーザビームを第１の出力で照射して分割の起点となる第１改質層を形成する第１改質層形成ステップと、該第１改質層形成ステップを実施する前又は後に、板状物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を板状物内部のチップの仕上げ厚み領域に位置付けて、該分割予定ラインに沿って該レーザビームを該第１の出力よりも低い第２の出力で照射して分割を誘導する第２改質層を形成する第２改質層形成ステップと、該第１改質層と該第２改質層が形成された板状物に外力を付与して該分割予定ラインに沿ってチップに分割する分割ステップと、少なくとも該分割ステップを実施するまでの何れかのタイミングで板状物の表面に粘着テープを貼着するテープ貼着ステップと、該分割ステップを実施した後、板状物の裏面を研削してチップの仕上げ厚みへと薄化する薄化ステップと、を具備したことを特徴とする板状物の加工方法が提供される。
【００１４】
好ましくは、第２の出力は第１の出力の１／２倍以下である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の加工方法では、まず、チップの仕上げ厚みには至らない領域に分割起点となる第１改質層を形成するとともに、チップの仕上げ厚み領域にはより低い出力で形成された第２改質層を形成する。次いで、板状物に外力を付与して第１改質層を起点に板状物を分割する。
【００１６】
この時、板状物の表面側には第２改質層が形成されているため、分割時に発生する第１改質層を起点に伸長するクラックは第２改質層でガイドされて分割予定ラインに沿って板状物を分割できる。
【００１７】
板状物を個々のチップに分割後、分割屑が多く残存するチップの仕上げ厚みに至らない領域は研削して除去するので、最終的に形成されるチップの側面に残存する分割屑を従来に比べて大幅に低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】ウエーハ内部に改質層を形成するのに適したレーザ加工装置の概略斜視図である。
【図２】レーザビーム照射ユニットのブロック図である。
【図３】半導体ウエーハの表面側斜視図である。
【図４】テープ貼着ステップを示す分解斜視図である。
【図５】第２改質層形成ステップを示す断面図である。
【図６】第１改質層形成ステップを示す断面図である。
【図７】分割ステップを示す分割装置の縦断面図である。
【図８】薄化ステップを示す一部断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明の板状物の加工方法において、第１及び第２改質層を形成するのに適したレーザ加工装置２の概略斜視図が示されている。
【００２０】
レーザ加工装置２は、静止基台４上にＸ軸方向に移動可能に搭載された第１スライドブロック６を含んでいる。第１スライドブロック６は、ボールねじ８及びパルスモータ１０から構成される加工送り手段１２により一対のガイドレール１４に沿って加工送り方向、すなわちＸ軸方向に移動される。
【００２１】
第１スライドブロック６上には第２スライドブロック１６がＹ軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第２スライドブロック１６はボールねじ１８及びパルスモータ２０から構成される割り出し送り手段２２により一対のガイドレール２４に沿って割り出し方向、すなわちＹ軸方向に移動される。
【００２２】
第２スライドブロック１６上には円筒支持部材２６を介してチャックテーブル２８が搭載されており、チャックテーブル２８は加工送り手段１２及び割り出し送り手段２２によりＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能である。チャックテーブル２８には、チャックテーブル２８に吸引保持されたウエーハを支持する環状フレームをクランプするクランプ３０が設けられている。
【００２３】
静止基台４にはコラム３２が立設されており、このコラム３２にはレーザビーム照射ユニット３４を収容するケーシング３５が取り付けられている。レーザビーム照射ユニット３４は、図２に示すように、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザを発振するレーザ発振器６２と、繰り返し周波数設定手段６４と、パルス幅調整手段６６と、パワー調整手段６８とを含んでいる。
【００２４】
レーザビーム照射ユニット３４のパワー調整手段６８により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング３５の先端に取り付けられた集光器３６のミラー７０で反射され、更に集光用対物レンズ７２によって集光されてチャックテーブル２８に保持されている光デバイスウエーハ１１に照射される。
【００２５】
ケーシング３５の先端部には、集光器３６とＸ軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像ユニット３８が配設されている。撮像ユニット３８は、可視光によって光デバイスウエーハ１１の加工領域を撮像する通常のＣＣＤ等の撮像素子を含んでいる。
【００２６】
撮像ユニット３８は更に、光デバイスウエーハ１１に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線ＣＣＤ等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ（制御手段）４０に送信される。
【００２７】
コントローラ４０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）４２と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）４４と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）４６と、カウンタ４８と、入力インターフェイス５０と、出力インターフェイス５２とを備えている。
【００２８】
５６は案内レール１４に沿って配設されたリニアスケール５４と、第１スライドブロック６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出ユニットであり、加工送り量検出ユニット５６の検出信号はコントローラ４０の入力エンターフェイス５０に入力される。
【００２９】
６０はガイドレール２４に沿って配設されたリニアスケール５８と第２スライドブロック１６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出ユニットであり、割り出し送り量検出ユニット６０の検出信号はコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。
【００３０】
撮像ユニット３８で撮像した画像信号もコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。一方、コントローラ４０の出力インターフェイス５２からはパルスモータ１０、パルスモータ２０、レーザビーム照射ユニット３４等に制御信号が出力される。
【００３１】
図３を参照すると、本発明の加工方法の加工対象となる半導体ウエーハ１１の表面側斜視図が示されている。図３に示す半導体ウエーハ１１は、例えば厚さが７００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面１１ａに複数の分割予定ライン（ストリート）１３が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン１３によって区画された各領域（チップ領域）にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。
【００３２】
このように構成された半導体ウエーハ１１は、デバイス１５が形成されているデバイス領域１７と、デバイス領域１７を囲繞する外周余剰領域１９をその表面１１ａの平坦部に備えている。また、半導体ウエーハ１１の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ２１が形成されている。
【００３３】
尚、以下の説明では、本発明の加工方法の加工対象として半導体ウエーハ１１（以下ウエーハとも言う）について説明するが、本発明の加工方法はサファイア基板上に発光層が積層された光デバイスウエーハや、表面にデバイスが形成されていないウエーハ等の板状被加工物（板状物）に適用可能である。
【００３４】
本発明の板状物の加工方法では、図４に示すように、ウエーハ１１の表面１１ａに粘着テープＴを貼着するテープ貼着ステップを実施する。粘着テープＴの外周部は環状フレームＦに貼着されている。
【００３５】
これにより、テープ貼着ステップ実施後には、ウエーハ１１は粘着テープＴを介して環状フレームＦに支持され、その裏面１１ｂが上方に露出される。尚、このテープ貼着ステップは、後で説明する第１改質層形成ステップ及び第２改質層形成ステップを実施した後や分割ステップを実施するまでの何れかのタイミングで実施するようにしてもよい。
【００３６】
テープ貼着ステップを実施した後、図５に示すように、レーザ加工装置２のチャックテーブル２８で粘着テープＴを介して半導体ウエーハ１１を吸引保持し、半導体ウエーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。
【００３７】
そして、撮像ユニット３８の赤外線撮像素子でウエーハ１１をその裏面１１ｂ側から撮像し、分割予定ライン１３に対応する領域を集光器３６とＸ軸方向に整列させるアライメントを実施する。このアライメントには、よく知られたパターンマッチング等の画像処理を利用する。
【００３８】
第１の方向に伸長する分割予定ライン１３のアライメントを実施後、チャックテーブル２８を９０度回転してから、第１の方向に直交する第２の方向に伸長する分割予定ライン１３のアライメントを実施する。
【００３９】
アライメント実施後、図５に示すように、半導体ウエーハ１１に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点Ｐをウエーハ内部のチップの仕上げ厚み領域ｔ１に位置付け、チャックテーブル２８を矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、ウエーハ１１の裏面１１ｂ側から第２の出力のレーザビームを分割予定ライン１３に沿って照射して、ウエーハ１１のチップの仕上げ厚み領域ｔ１に分割を誘導する第２改質層２３を形成する。
【００４０】
チャックテーブル２８をＹ軸方向に割り出し送りしながら、第１の方向に伸長する全ての分割予定ライン１３に対応するチップの仕上げ厚み領域ｔ１に第２改質層２３を形成する。
【００４１】
次いで、チャックテーブル２８を９０度回転してから、第１の方向に直交する第２の方向に伸長する全ての分割予定ライン１３に沿って対応するチップの仕上げ厚み領域ｔ１に同様な第２改質層２３を形成する。
【００４２】
第２改質層２３は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。例えば、溶融再硬化領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等を含み、これらの領域が混在した領域も含むものである。
【００４３】
この第２改質層形成ステップの加工条件は、例えば次のように設定されている。
【００４４】
光源 ：ＬＤ励起Ｑスイッチ Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザ
波長 ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
パルス出力 ：０．２５Ｗ
加工送り速度 ：３００ｍｍ／ｓ
【００４５】
第２改質層形成ステップ実施後、第２改質層形成ステップで使用した出力よりも大きな出力のレーザビームを使用して、ウエーハ内部に分割の起点となる第１改質層を形成する第１改質層形成ステップを実施する。
【００４６】
この第１改質層形成ステップは、図６に示すように、ウエーハ１１に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点Ｐをウエーハ内部のチップの仕上げ厚みに至らない領域ｔ２に位置付けて、チャックテーブル２８を矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、レーザビームを分割予定ライン１３に沿って第２の出力より大きい第１の出力で照射して、分割の起点となる第１改質層２５をチップの仕上げ厚みに至らない領域ｔ２に形成する。
【００４７】
チャックテーブル２８をＹ軸方向に割り出し送りしながら第１の方向に伸長する全ての分割予定ライン１３に沿ってチップの仕上げ厚みに至らない領域ｔ２に第１改質層２５を形成する。
【００４８】
次いで、チャックテーブル２８を９０度回転してから、第１の方向に直交する第２の方向に伸長する全ての分割予定ライン１３に対応するチップの仕上げ厚みに至らない領域ｔ２に同様な第１改質層２５を形成する。
【００４９】
この第１改質層形成ステップの加工条件は、例えば次のように設定されている。
【００５０】
光源 ：ＬＤ励起Ｑスイッチ Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザ
波長 ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
パルス出力 ：１．２Ｗ
加工送り速度 ：３００ｍｍ／ｓ
【００５１】
尚、上述した第１改質層形成ステップ及び第２改質層形成ステップでは、第１改質層２５及び第２改質層２３をそれぞれ複数層形成するようにしてもよい。特に、ウエーハ１１の厚みが７００μｍであり、チップの仕上げ厚みが１００μｍ以下であることを考慮すると、分割の起点となる第１改質層２５はチップの仕上げ厚みに至らない領域ｔ２に複数層形成するのが好ましい。
【００５２】
上述した実施形態では、ウエーハ１１の表面１１ａ側を粘着テープＴに貼着し、レーザビームをウエーハ１１の裏面１１ｂ側から入射させているが、ウエーハ１１の表面１１ａを粘着テープＴに貼着せずに第１改質層形成ステップ及び第２改質層形成ステップを実施する場合には、レーザビームをウエーハ１１の表面１１ａ側から入射させて第１改質層２５及び第２改質層２３を形成するようにしてもよい。
【００５３】
分割予定ライン１３上にＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）、パシベーション膜等がある場合には、レーザビームを裏面から入射させることが好ましい。表面側から入射させる場合には、第２改質層形成ステップを実施する前に第１改質層形成ステップを実施して、ウエーハ１１の裏面１１ｂ側から表面１１ａ側の順に改質層を形成する（入射面から遠い順に形成する）ことで、より安定した品質で改質層２３，２５を形成できる。
【００５４】
即ち、このような順に改質層を形成することで、レーザビームの集光点の手前に存在する改質層でレーザビームの照射が妨げられることが防止できる。ただし、改質層を形成する順番はこれに限定されるものではなく、レーザビームの入射面に近いほうから改質層を形成するようにしてもよい。
【００５５】
第１及び第２改質層形成ステップ実施後、第１改質層２５と第２改質層２３が形成されたウエーハ１１に外力を付与してウエーハを分割予定ライン１３に沿って個々のデバイスチップに分割する分割ステップを実施する。
【００５６】
尚、粘着テープＴをウエーハ１１の表面１１ａに貼着せずに第１改質層形成ステップ及び第２改質層形成ステップを実施した場合には、分割ステップを実施する前にウエーハ１１の表面１１ａに粘着テープＴを貼着し、粘着テープＴの外周部を環状フレームＦに貼着する。
【００５７】
この分割ステップは、図７に示すような分割装置７６により実施するのが好ましい。図７（Ａ）において、分割装置７６は環状フレームＦを保持するフレーム保持ユニット７８と、フレーム保持ユニット７８に保持された環状フレームＦに装着された粘着テープＴを拡張する拡張ドラム８０を具備している。
【００５８】
フレーム保持ユニット７６は、環状のフレーム保持部材８２と、フレーム保持部材８２の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ８４とから構成される。フレーム保持部材８２の上面は環状フレームＦを載置する載置面８２ａに形成されており、この載置面８２ａ上に環状フレームＦが載置される。
【００５９】
フレーム保持ユニット７８は、エアシリンダ８８から構成される駆動手段８６により、環状のフレーム保持部材８２をその載置面８２ａが拡張ドラム８０の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム８０の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動する。エアシリンダ８８のピストンロッド９０がフレーム保持部材８２の下面に連結されている。
【００６０】
分割ステップでは、図７（Ａ）に示すように、ウエーハ１１を粘着テープＴを介して支持した環状フレームＦを、フレーム保持部材８２の載置面８２ａ上に載置し、クランプ８４によってフレーム保持部材８２を固定する。この時、フレーム保持部材８２はその載置面８２ａが拡張ドラム８０の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。
【００６１】
次いで、エアシリンダ８８を駆動してフレーム保持部材８２を図７（Ｂ）に示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材８２の載置面８２ａ上に固定されている環状フレームＦも下降するため、環状フレームＦに貼着された粘着テープＴは拡張ドラム８０の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。
【００６２】
その結果、粘着テープＴに貼着されているウエーハ１１には放射状に引張力が作用する。このようにウエーハ１１に放射状に引張力が作用すると、ウエーハ１１は第１改質層２５を分割起点として分割予定ライン１３に沿って破断され、個々のデバイスチップ１５Ａに分割される。
【００６３】
尚、この分割時には、分割時に発生する第１改質層２５を起点に伸長するクラックは第２改質層２３でガイドされて分割予定ライン１３に沿ってウエーハ１１を個々のデバイス１５に分割できる。
【００６４】
ウエーハ１１を個々のデバイスチップ１５に分割すると、デバイスチップ１５の側面のチップの仕上げ厚みに至らない領域ｔ２には分割屑が多く付着するが、チップの仕上げ厚み領域ｔ１に形成された第２改質層２３は第１改質層形成時の出力よりも１／２倍以下の出力で形成されているため、チップの仕上げ厚み領域ｔ１に付着する分割屑を低減することができる。
【００６５】
分割ステップを実施した後、ウエーハ１１の裏面１１ｂを研削してチップの仕上げ厚みへと薄化する薄化ステップを実施する。この薄化ステップでは、図８に示すように、研削装置のチャックテーブル９２で粘着テープＴを介してウエーハ１１を吸引保持し、ウエーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。
【００６６】
図８において、研削ユニット９４のスピンドル９６の先端に固定されたホイールマウント９８には、図示しない複数のねじにより研削ホイール１００が着脱可能に装着されている。研削ホイール１００は、ホイール基台１０２の自由端部（下端部）に複数の研削砥石１０４を環状に配設して構成されている。
【００６７】
薄化ステップでは、チャックテーブル９２を矢印ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール１００を矢印ｂで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、研削ユニット送り機構を駆動して研削ホイール１００の研削砥石１０４をウエーハ１１の裏面１１ｂに接触させる。そして、研削ホイール１００を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。
【００６８】
接触式又は非接触式の厚み測定ゲージでウエーハ１１の厚みを測定しながら、ウエーハ１１を所望の厚みｔ１に研削する。ウエーハ１１を所望の厚みｔ１に研削すると、第１改質層２５は研削により全て除去される。
【００６９】
本実施形態の板状物の加工方法では、分割屑が多く残存するとともにチップの仕上げ厚みに至らない領域は研削して除去することで、最終的に形成されるチップの側面に残存する分割屑を従来に比べて大幅に低減することができる。
【符号の説明】
【００７０】
２ レーザ加工装置
１１ 半導体ウエーハ
１３ 分割予定ライン
１５ デバイス
２３ 第２改質層
２５ 第１改質層
２８ チャックテーブル
３４ レーザビーム照射ユニット
３６ 集光器
３８ 撮像ユニット
７６ 分割装置
９４ 研削ユニット
１００ 研削ホイール
１０４ 研削砥石
Ｔ 粘着テープ
Ｆ 環状フレーム
Ｐ 集光点
ｔ１ チップの仕上げ厚み領域
ｔ２ チップの仕上げ厚みに至らない領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に設定された交差する複数の分割予定ラインで区画されるチップ領域を複数有した板状物を該分割予定ラインに沿って分割して複数のチップを形成する板状物の加工方法であって、
板状物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を板状物内部のチップの仕上げ厚みに至らない領域に位置付けて、該分割予定ラインに沿って該レーザビームを第１の出力で照射して分割の起点となる第１改質層を形成する第１改質層形成ステップと、
該第１改質層形成ステップを実施する前又は後に、板状物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を板状物内部のチップの仕上げ厚み領域に位置付けて、該分割予定ラインに沿って該レーザビームを該第１の出力よりも低い第２の出力で照射して分割を誘導する第２改質層を形成する第２改質層形成ステップと、
該第１改質層と該第２改質層が形成された板状物に外力を付与して該分割予定ラインに沿ってチップに分割する分割ステップと、
少なくとも該分割ステップを実施するまでの何れかのタイミングで板状物の表面に粘着テープを貼着するテープ貼着ステップと、
該分割ステップを実施した後、板状物の裏面を研削してチップの仕上げ厚みへと薄化する薄化ステップと、
を具備したことを特徴とする板状物の加工方法。
【請求項２】
前記第２の出力は前記第１の出力の１／２倍以下の出力である請求項１記載の板状物の加工方法。
【請求項３】
板状物はシリコンウエーハから構成される請求項１〜２の何れか一つに記載の板状物の加工方法。
【請求項１】
表面に設定された交差する複数の分割予定ラインで区画されるチップ領域を複数有した板状物を該分割予定ラインに沿って分割して複数のチップを形成する板状物の加工方法であって、
板状物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を板状物内部のチップの仕上げ厚みに至らない領域に位置付けて、該分割予定ラインに沿って該レーザビームを第１の出力で照射して分割の起点となる第１改質層を形成する第１改質層形成ステップと、
該第１改質層形成ステップを実施する前又は後に、板状物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を板状物内部のチップの仕上げ厚み領域に位置付けて、該分割予定ラインに沿って該レーザビームを該第１の出力よりも低い第２の出力で照射して分割を誘導する第２改質層を形成する第２改質層形成ステップと、
該第１改質層と該第２改質層が形成された板状物に外力を付与して該分割予定ラインに沿ってチップに分割する分割ステップと、
少なくとも該分割ステップを実施するまでの何れかのタイミングで板状物の表面に粘着テープを貼着するテープ貼着ステップと、
該分割ステップを実施した後、板状物の裏面を研削してチップの仕上げ厚みへと薄化する薄化ステップと、
を具備したことを特徴とする板状物の加工方法。
【請求項２】
前記第２の出力は前記第１の出力の１／２倍以下の出力である請求項１記載の板状物の加工方法。
【請求項３】
板状物はシリコンウエーハから構成される請求項１〜２の何れか一つに記載の板状物の加工方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１３−１０５８２２（Ｐ２０１３−１０５８２２Ａ）
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４７３４４（Ｐ２０１１−２４７３４４）
【出願日】平成２３年１１月１１日（２０１１．１１．１１）
【出願人】（０００１３４０５１）株式会社ディスコ (2,397)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１１日（２０１１．１１．１１）
【出願人】（０００１３４０５１）株式会社ディスコ (2,397)
【Ｆターム（参考）】
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