説明

波長変換素子及びそれを備える光源

【課題】波長変換部を用いた光源の高輝度化を図る。
【解決手段】波長変換素子11は、第1の方向において対向している光入射面11a1及び光出射面11a2を有する。波長変換素子11は、第1の部分12Lと第2の部分12Hとを備えている。第1の部分12Lは、蛍光体粉末が第1の分散媒中に分散してなる。第1の部分12Lは、第1の方向において光入射面11a1から光出射面11a2に至る第1の波長変換部を構成している。第2の部分12Hは、第1の方向において光入射面11a1から光出射面11a2に至るように設けられている。第2の部分12Hは、第1の部分12Lに接するように設けられている。第2の部分12Hは、第1の分散媒とは異なる屈折率を有する第2の分散媒を含む。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、波長変換素子及びそれを備える光源に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)やレーザーダイオード(LD:Laser Diode)を用いた光源などの、蛍光ランプや白熱灯に変わる次世代の光源に対する注目が高まってきている。そのような次世代光源の一例として、例えば下記の特許文献1には、青色光を出射するLEDの光出射側にLEDからの光の一部を吸収し、黄色の光を出射する波長変換部材が配置された光源が開示されている。この光源は、LEDから出射された青色光と、波長変換部材から出射された黄色光との合成光である白色光を発する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2000−208815号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
近年、上記のような波長変換部材を用いた光源の輝度をさらに高めたいという要望が高まってきている。
【0005】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、波長変換部材を用いた光源の高輝度化を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明に係る波長変換素子は、第1の方向において対向している光入射面及び光出射面を有する。本発明に係る波長変換素子は、第1の部分と第2の部分とを備えている。第1の部分は、蛍光体粉末が第1の分散媒中に分散してなる。第1の部分は、第1の方向において光入射面から光出射面に至る第1の波長変換部を構成している。第2の部分は、第1の方向において光入射面から光出射面に至るように設けられている。第2の部分は、第1の部分に接するように設けられている。第2の部分は、第1の分散媒とは異なる屈折率を有する第2の分散媒を含む。
【0007】
波長変換部が、分散媒中に蛍光体粉末が分散しているものである場合は、例えば、ガラスのみからなる光学部とは異なり、波長変換部に入射した光が波長変換部中において大きく散乱する傾向にある。このため、例えば、光入射面から光出射面に向かって入射した光が散乱により側面から出射しやすい。従って、波長変換素子の光出射面から出射される光の強度が低くなってしまう。
【0008】
それに対して本発明に係る波長変換素子では、第1の波長変換部と接するように、第1の分散媒とは異なる屈折率を有する第2の分散媒を含む第2の部分が設けられている。このため、第1の波長変換部内の光は、第1の波長変換部と第2の部分との間の界面において高い反射率で反射される。このため、波長変換素子の側面から光が漏れることが効果的に抑制される。よって、本発明に係る波長変換素子では、光出射面から出射する光の強度を高めることができる。従って、本発明に係る波長変換素子を用いることによって、光源の高輝度化を図ることができる。
【0009】
また、波長変換素子の側面からの光の漏れをより効果的に抑制し、光出射面から出射する光の強度をさらに高める観点からは、第1の波長変換部を構成している第1の部分が第2の部分により包囲されていることが好ましい。
【0010】
第2の部分は、第2の分散媒のみにより構成されていてもよいが、第2の分散媒に分散している蛍光体粉末をさらに含み、第2の部分が第2の波長変換部を構成していることが好ましい。この構成では、波長変換素子において、波長変換に寄与する波長変換部の占める割合を高くすることができる。従って、光出射面から出射する光の強度をより高めることができる。この場合、第1の部分と第2の部分とのそれぞれが複数設けられており、複数の第1及び第2の部分がマトリクス状に配列されていることが好ましい。この構成では、第1の波長変換部が第2の波長変換部によって包囲され、かつ第2の波長変換部が第1の波長変換部によって包囲されることとなる。このため、第1及び第2の波長変換部のそれぞれに入射した光及び発生した蛍光は、第1または第2の波長変換部に閉じ込められた状態で光出射面まで伝搬する。従って、光出射面から出射する光の強度をさらに高めることができる。
【0011】
光出射面から出射する光の強度をさらに高める観点からは、第1及び第2の部分間の界面における反射率の差が大きい方が好ましい。従って、第1の分散媒の屈折率と第2の分散媒の屈折率との差は、0.05以上であることが好ましく、0.1以上であることがより好ましい。
【0012】
第1及び第2の分散媒は、蛍光体粉末を分散させることができるものであれば特に限定されない。第1及び第2の分散媒として好ましく用いられる分散媒の具体例としては、例えば、樹脂、ガラス、セラミックスなどが挙げられる。その中でも、ガラスやセラミックスなどの無機分散媒がより好ましく用いられる。無機分散媒を用いることにより、波長変換素子の耐熱性を向上することができるためである。また、同様の理由から、蛍光体粉末は、無機蛍光体粉末であることが好ましい。
【0013】
本発明に係る光源は、上記本発明に係る波長変換素子と、波長変換素子の光入射面に向けて蛍光体粉末の励起光を出射する発光素子とを備える。
【0014】
上述の通り、上記本発明に係る波長変換素子では、光出射面から出射する光の強度を高めることができる。従って、本発明に係る光源は、高輝度である。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、波長変換部材を用いた光源の高輝度化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】第1の実施形態に係る光源の模式図である。
【図2】第1の実施形態における波長変換素子の素子本体の略図的斜視図である。
【図3】図2の線III−IIIにおける略図的断面図である。
【図4】図2の線IV−IVにおける略図的断面図である。
【図5】第2の実施形態における波長変換素子の素子本体の略図的横断面図である。
【図6】第3の実施形態における波長変換素子の素子本体の略図的横断面図である。
【図7】第4の実施形態に係る光源の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は単なる例示である。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。
【0018】
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る光源の模式図である。図1に示すように、光源1は、波長変換素子11と、発光素子10とを備えている。波長変換素子11は、発光素子10から出射された光L0が照射された際に、光L0よりも波長の長い光L2を出射する。また、光L0の一部は、波長変換素子11を透過する。このため、波長変換素子11からは、透過光L1と光L2との合成光である光L3が出射する。このため、光源1から出射する光L3は、発光素子10から出射する光L0の波長及び強度と、波長変換素子11から出射する光L2の波長及び強度とによって決まる。例えば、光L0が青色光であり、光L2が黄色光である場合は、白色の光L3を得ることができる。
【0019】
発光素子10は、波長変換素子11に対して後述する蛍光体粉末の励起光を出射する素子である。発光素子10の種類は特に限定されない。発光素子10は、例えば、LED、LD、エレクトロルミネッセンス発光素子、プラズマ発光素子により構成することができる。光源1の輝度を高める観点からは、発光素子10は、高強度の光を出射するものであることが好ましい。この観点からは、発光素子10は、LEDやLDにより構成されていることが好ましい。
【0020】
本実施形態においては、波長変換素子11は、素子本体11aと、波長選択フィルタ層11bと、反射抑制層11cとを有する。もっとも、本発明においては、波長選択フィルタ層11b及び反射抑制層11cは、必須ではない。波長変換素子は、例えば、素子本体のみにより構成されていてもよい。また、素子本体の光出射面と光入射面との両方の上に波長選択フィルタ層または反射抑制層のいずれかが形成されていてもよい。
【0021】
波長選択フィルタ層11bは、素子本体11aの光入射面11a1の上に形成されている。この波長選択フィルタ層11bは、発光素子10から出射される光L0の内、特定の波長域の光のみを素子本体11aへ透過させ、それ以外の波長域の光の透過を抑制すると共に、素子本体11aで変換された光L2が光入射面11a1から出射することを防止する層である。波長選択フィルタ層11bは、例えば、誘電体多層膜により形成することができる。
【0022】
一方、反射抑制層11cは、素子本体11aの光出射面11a2の上に形成されている。この反射抑制層11cは、素子本体11aから出射する光が光出射面11a2で反射することを抑制して、素子本体11aから出射する光の出射率を高める層である。反射抑制層11cは、例えば、誘電体多層膜により形成することができる。
【0023】
図2は、素子本体11aの略図的斜視図である。図3は、図2の線III−IIIにおける略図的断面図である。図4は、図2の線IV−IVにおける略図的断面図である。図2〜図4に示すように、素子本体11aは、複数の第1の波長変換部12Lと、複数の第2の波長変換部12Hとを有する。第1及び第2の波長変換部12L,12Hのそれぞれは、分散媒と、分散媒中に分散している蛍光体粉末とを有する。
【0024】
蛍光体粉末は、発光素子10からの光L0を吸収し、光L0よりも波長が長い光L2を出射するものである。蛍光体粉末は、無機蛍光体粉末であることが好ましい。無機蛍光体粉末を用いることにより、素子本体11aの耐熱性を向上することができる。
【0025】
波長300〜440nmの紫外〜近紫外の励起光を照射すると青色の発光を発する無機蛍光体の具体例としては、Sr(POCl:Eu2+、(Sr,Ba)MgAl1017:Eu2+などが挙げられる。
【0026】
波長300〜440nmの紫外〜近紫外の励起光を照射すると緑色の蛍光(波長が50
0nm〜540nmの蛍光)を発する無機蛍光体の具体例としては、SrAl:Eu2+、SrGa:Eu2+などが挙げられる。
【0027】
波長440〜480nmの青色の励起光を照射すると緑色の蛍光(波長が500nm〜540nmの蛍光)を発する無機蛍光体の具体例としては、SrAl:Eu2+、SrGa:Eu2+などが挙げられる。
【0028】
波長300〜440nmの紫外〜近紫外の励起光を照射すると黄色の蛍光(波長が540nm〜595nmの蛍光)を発する無蛍光体の具体例としては、ZnS:Eu2+などが挙げられる。
【0029】
波長440〜480nmの青色の励起光を照射すると黄色の蛍光(波長が540nm〜595nmの蛍光)を発する無機蛍光体の具体例としては、Y(Al,Gd)12:Ce2+などが挙げられる。
【0030】
波長300〜440nmの紫外〜近紫外の励起光を照射すると赤色の蛍光(波長が600nm〜700nmの蛍光)を発する無機蛍光体の具体例としては、GdGa12:Cr3+、CaGa:Mn2+などが挙げられる。
【0031】
波長440〜480nmの青色の励起光を照射すると赤色の蛍光(波長が600nm〜700nmの蛍光)を発する無機蛍光体の具体例としては、MgTiO:Mn4+、KSiF:Mn4+などが挙げられる。
【0032】
蛍光体粉末の平均粒子径(D50)は、特に限定されない。蛍光体粉末の平均粒子径(D50)は、例えば、1μm〜50μm程度であることが好ましく、5μm〜25μm程度であることがより好ましい。蛍光体粉末の平均粒子径(D50)が大きすぎると、発光色が不均一になる場合がある。一方、蛍光体粉末の平均粒子径(D50)が小さすぎると、発光強度が低下する場合がある。
【0033】
第1及び第2の波長変換部12L,12Hのそれぞれにおける蛍光体粉末の含有量は、特に限定されない。第1及び第2の波長変換部12L,12Hのそれぞれにおける蛍光体粉末の含有量は、発光素子10から出射される光の強度、蛍光体粉末の発光特性、得ようとする光の色度などに応じて適宜設定することができる。第1及び第2の波長変換部12L,12Hのそれぞれにおける蛍光体粉末の含有量は、一般的には、例えば、0.01質量%〜30重量%程度とすることができ、0.05質量%〜20質量%であることが好ましく、0.08質量%〜15質量%であることがさらに好ましい。第1及び第2の波長変換部12L,12Hのそれぞれにおける蛍光体粉末の含有量が多すぎると、第1及び第2の波長変換部12L,12Hのそれぞれにおける気孔率が高くなり、光源1の発光強度が低下してしまう場合がある。一方、第1及び第2の波長変換部12L,12Hのそれぞれにおける蛍光体粉末の含有量が少なすぎると、十分に強い蛍光が得られなくなる場合がある。
【0034】
なお、第1の波長変換部12Lと、第2の波長変換部12Hとは、同種の蛍光体粉末を含んでいてもよいし、異なる種類の蛍光体粉末を含んでいてもよい。また、蛍光体粉末の平均粒子径(D50)及び蛍光体粉末の含有量は、第1の波長変換部12Lと、第2の波長変換部12Hとで同じであってもよいし、少なくとも一方が異なっていてもよい。
【0035】
分散媒は、例えば、耐熱樹脂やガラスやセラミックスであることが好ましい。なかでも、耐熱性が特に高く、発光素子10からの光L0により劣化し難いガラスやセラミックスなどの無機分散媒がより好ましく用いられる。
【0036】
耐熱樹脂の具体例としては、例えばポリイミドなどが挙げられる。ガラスの具体例としては、例えば、珪酸塩系ガラス、硼珪酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、硼リン酸塩系ガラスなどが挙げられる。セラミックスの具体例としては、例えば、ジルコニア、アルミナ、チタン酸バリウム、窒化ケイ素、窒化チタン等の金属窒化物などが挙げられる。
【0037】
本実施形態では、第1の波長変換部12Lの分散媒の屈折率と、第2の波長変換部12Hの分散媒の屈折率とが異なる。詳細には、光L0の波長及び光L2の波長のそれぞれにおいて、第1の波長変換部12Lの分散媒の屈折率と、第2の波長変換部12Hの分散媒の屈折率とが異なる。具体的には、光L0の波長及び光L2の波長のそれぞれにおいて、第1の波長変換部12Lの分散媒の屈折率は、第2の波長変換部12Hの分散媒の屈折率よりも低い。光L0の波長及び光L2の波長のそれぞれにおいて、第1の波長変換部12Lの分散媒の屈折率と、第2の波長変換部12Hの分散媒の屈折率との差は、0.05以上であることが好ましく、0.1以上であることがより好ましい。
【0038】
本実施形態では、第1及び第2の波長変換部12L,12Hのそれぞれは、四角柱状に形成されている。複数の第1及び第2の波長変換部12L,12Hは、y方向及びz方向に沿ってマトリクス状に配列されている。具体的には、複数の第1及び第2の波長変換部12L,12Hがy方向及びz方向のそれぞれにおいて交互に位置するようにマトリクス状に配列されている。このため、第1及び第2の波長変換部12L,12Hのそれぞれは、第2または第1の波長変換部12H,12Lにより包囲されている。具体的には、第1及び第2の波長変換部12L,12Hのそれぞれの側面のすべてが、第2または第1の波長変換部12H,12Lと接している。
【0039】
第1及び第2の波長変換部12L,12Hのそれぞれは、x方向において光入射面11a1から光出射面11a2に至るように設けられている。
【0040】
なお、隣り合う第1及び第2の波長変換部12L,12Hは、例えば融着することにより直接接合されていてもよいし、接着剤等により接着されていてもよい。また、隣り合う第1及び第2の波長変換部12L,12Hを、枠体などの固定部材を用いて固定してもよい。
【0041】
以上説明したように、本実施形態では、屈折率の異なる第1の波長変換部12Lと第2の波長変換部12Hとが接するように設けられている。このため、第1の波長変換部12L内の光は、第2の波長変換部12Hとの間の界面において高い反射率で反射される。同様に、第2の波長変換部12H内の光は、第1の波長変換部12Lとの間の界面において高い反射率で反射され、且つ、大きな角度で界面に入射した光は全反射される。よって、素子本体11aの側面から光が漏れることが効果的に抑制される。従って、素子本体11aの光出射面11a2から出射される光L3の強度を高めることができる。その結果、高輝度な光源1を実現することができる。
【0042】
本実施形態では、第1の波長変換部12Lが第2の波長変換部12Hにより包囲されており、第2の波長変換部12Hが第1の波長変換部12Lにより包囲されている。このため、素子本体11aの側面から光が漏れることがより効果的に抑制される。従って、素子本体11aの光出射面11a2から出射される光L3の強度をより高めることができる。
【0043】
また、第1及び第2の波長変換部材12L,12Hにより素子本体11aを構成することにより、光L3の直進性を向上することができる。
【0044】
なお、素子本体11aの光出射面11a2から出射される光L3の強度をより高める観
点からは、第1の波長変換部12Lと第2の波長変換部12Hとの間の界面における光反射率をより高くすることが好ましい。従って、第1の波長変換部12Lの分散媒の屈折率(≒第1の波長変換部12Lの屈折率)と第2の波長変換部12Hの分散媒の屈折率(≒第2の波長変換部12Hの屈折率)との差は、0.05以上であることが好ましく、0.1以上であることがより好ましい。
【0045】
なお、本実施形態では、複数の第1及び第2の波長変換部12L,12Hにより素子本体11aを構成する例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。第1及び第2の波長変換部12L,12Hのうちの一方のみを設け、第1及び第2の波長変換部12L,12Hのうちの他方の代わりに、第1及び第2の波長変換部12L,12Hのうちの一方の分散媒とは屈折率の異なる分散媒からなる部分を設けてもよい。この場合であっても、素子本体11aの側面からの光の漏れを効果的に抑制することができる。但し、素子本体11aにおいて、波長変換機能を有する波長変換部の占める割合を多くし、光出射面11a2から出射される光L3の強度を高くする観点からは、本実施形態のように、複数の第1及び第2の波長変換部12L,12Hにより素子本体11aを構成することが好ましい。
【0046】
以下、本発明実施した好ましい形態の他の例及び変形例について説明する。以下の説明において、上記第1の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【0047】
(第2及び第3の実施形態)
図5は、第2の実施形態における波長変換素子の素子本体の略図的横断面図である。図6は、第3の実施形態における波長変換素子の素子本体の略図的横断面図である。
【0048】
上記第1の実施形態では、複数の第1の波長変換部12Lと複数の第2の波長変換部12Hとを交互にマトリクス状に配置する例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、図5や図6に示すように、1または複数の第1の波長変換部12Lを1または複数の第2の波長変換部12Hにより包囲するようにしてもよい。この場合は、1または複数の第1の波長変換部12L内の光が外部に漏れることが効果的に抑制される。従って、上記第1の実施形態と同様に、光出射面11a2から出射される光L3の強度を高くすることができ、光源の高輝度化を図ることができる。
【0049】
また、上記第1の実施形態では、第1及び第2の波長変換部12L,12Hのそれぞれが四角柱状である例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。第1及び第2の波長変換部は、例えば、多角柱状、三角柱状などであってもよい。また、図6に示すように、第1の波長変換部12Lを円柱状とし、第2の波長変換部12Hを円筒状としてもよい。
【0050】
(第4の実施形態)
図7は、第4の実施形態に係る光源の模式図である。
【0051】
図7に示すように、本実施形態の光源2には、ビームスプリッタ18が設けられている。発光素子10からの光L0は、ビームスプリッタ18により波長変換素子11側に導かれる。波長変換素子11の光入射面側には反射抑制層11cが形成されており、反対側の面の上には、反射層11dが形成されている。反射層11dは、例えば、Ag、Al、Au、Pd、Pt、Cu、Ti、Ni、Crなどの金属やこれらの金属の少なくとも一つを含む合金または白色塗料により形成することができる。
【0052】
反射層11dの上には、樹脂や半田からなる接着層(図示せず)が形成されている。こ
の接着層を介して、ガラス、セラミックス、金属等からなる基板19と、波長変換素子11とが固定されている。この反射層11dにより、光L0の一部及び波長変換部材12の発光は、ビームスプリッタ18側に反射される。このため、光L3は、ビームスプリッタ18に向けて発せられ、ビームスプリッタ18を透過して出射される。
【0053】
尚、図7に示すように、接着層を介して基板19と波長変換素子11を固定した光源2とする場合、図2〜6に示すように複数の波長変換部材を配列して形成した波長変換素子11を用いることによって、発光素子10から出射される光L0を光L3に変換する際に発生する熱による基板19と波長変換素子11との剥離を効果的に抑えることができる。
【符号の説明】
【0054】
1,2…光源
10…発光素子
11…波長変換素子
11a…素子本体
11a1…光入射面
11a2…光出射面
11b…波長選択フィルタ層
11c…反射抑制層
11d…反射層
12L…第1の波長変換部
12H…第2の波長変換部
18…ビームスプリッタ
19…基板


【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1の方向において対向している光入射面及び光出射面を有する波長変換素子であって、
蛍光体粉末が第1の分散媒中に分散してなり、前記第1の方向において前記光入射面から前記光出射面に至る第1の波長変換部を構成している第1の部分と、
前記第1の方向において前記光入射面から前記光出射面に至るように、かつ前記第1の部分に接するように設けられており、前記第1の分散媒とは異なる屈折率を有する第2の分散媒を含む第2の部分と、
を備える、波長変換素子。
【請求項2】
前記第1の部分は、前記第2の部分により包囲されている、請求項1に記載の波長変換素子。
【請求項3】
前記第2の部分は、前記第2の分散媒に分散している蛍光体粉末をさらに含み、第2の波長変換部を構成している、請求項1または2に記載の波長変換素子。
【請求項4】
前記第1の部分と前記第2の部分とのそれぞれが複数設けられており、前記複数の第1及び第2の部分がマトリクス状に配列されている、請求項1〜3の波長変換素子。
【請求項5】
前記第1の分散媒の屈折率と前記第2の分散媒の屈折率との差が0.05以上である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の波長変換素子。
【請求項6】
前記第1及び第2の分散媒のそれぞれがガラスまたはセラミックスであり、前記蛍光体粉末が無機蛍光体粉末である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の波長変換素子。
【請求項7】
請求項1〜6のいずれか一項に記載の波長変換素子と、
前記波長変換素子の前記光入射面に向けて前記蛍光体粉末の励起光を出射する発光素子と、
を備える光源。

【図1】
image rotate

【図2】
image rotate

【図3】
image rotate

【図4】
image rotate

【図5】
image rotate

【図6】
image rotate

【図7】
image rotate


【公開番号】特開2012−109442(P2012−109442A)
【公開日】平成24年6月7日(2012.6.7)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−257923(P2010−257923)
【出願日】平成22年11月18日(2010.11.18)
【出願人】(000232243)日本電気硝子株式会社 (1,447)
【Fターム(参考)】