炭素−ヘテロ原子二重結合の接触水素化
炭素−ヘテロ原子二重結合を接触的に、特に単純ケトンを接触的に不斉水素化するための方法であって、基質と水素とを水素化触媒及び塩基の存在下で反応させる工程を含み、水素化触媒が５配位ルテニウム錯体であり、該錯体はいずれもが、モノホスフィン配位子及びＰ−Ｎ二座配位子を有することを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ルテニウム錯体（該錯体いずれもがモノホスフィン配位子及びＰ−Ｎ二座配位子を有する）を用いて、炭素−ヘテロ原子二重結合を接触的に、特に単純ケトンを接触的に不斉水素化するための方法に関する。
【０００２】
工業的な観点から適切な、炭素−ヘテロ原子二重結合を還元する実現性のある手段は、第１に移動水素化であり、第２に分子状水素を用いた水素化である。両方法についての必須条件は、その還元剤を活性化するための触媒の存在である。移動水素化において達成可能な水素化活性は、基本的に、その方法に関連する環境（大量の溶媒が必要であること）の結果として、分子状水素を用いた水素化におけるよりも有望であるとは言えない。しかし、分子状水素は、移動水素化における還元剤として供されるアルコールよりも活性化することが著しく困難であるため、近年、移動水素化のための触媒系はいくつか知られるようになったが、比べてみると、水素を用いた水素化については触媒系はほとんど知られていない。特に、単純ケトンの形態の基質については、今までに知られている触媒系は非常に少ない。単純ケトンは、カルボニル基の比較的近くに、官能基を有さないケトンであるか、あるいはより正確にはヘテロ原子を有さないケトンであり、この場合として、例えば、α−ケトエステル、α−ケトアミド、β−ケトエステル、あるいはアミノケトン、ヒドロキシケトン及びフェニルチオケトンである。
【０００３】
官能化されていないケトンの接触Ｈ２水素化のための有効な触媒系の第１の例は、R.Noyori及びT.Ohkumaにより、Angew.Chem.Int.Ed.2001,40,40ffに記載されている。これは、イソプロパノールの存在下で、均一系のＣｌ２Ｒｕ（ＰＲ３）３型Ｒｕ（II）錯体、過剰モルの塩基、及び第一級、第二級若しくは第三級モノアミン、又は好ましくはジアミンの形態の窒素含有有機化合物を用いて、５０barまでの圧力の水素ガスを用いて、単純カルボニル化合物を不斉水素化するための方法である。得られる触媒前駆体は、６配位の（Ｃｌ）２Ｒｕ（ホスフィン）２（Ｎ＾Ｎ）及び（Ｃｌ）２Ｒｕ（Ｐ＾Ｐ）（Ｎ＾Ｎ）錯体である。これらの錯体の有効な作用は、触媒工程中に、一方では基質の還元のための水素原子供与体として機能し、他方では分子状水素の活性化のための水素原子受容体として機能する、アミン配位子の特性に帰せられる（R. Noyori and T. Ohkuma, Angew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 40ff and R.H. Morris, Organometallics 2000, 19, 2655）。
【０００４】
単純ケトンの水素化を可能ならしめる第２の、より最近の触媒類の更なる例は、国際公開公報第０２／２２５２６ Ａ２に記載されている。これは、２個の二座配位子を有するがアミン配位子を有さない、６配位ルテニウム錯体の調製を記載している。２個の二座配位子は、Ｐ＾Ｐ配位子との併用でのＮ＾Ｐ配位子であるか、あるいは２個のＮ＾Ｐ配位子のいずれかである。
【０００５】
上述の例において、錯体はリン及び窒素の異なる配位子を有するが、上述の錯体は常に６座配位を有するため、中心ルテニウム原子の配位圏（coordination sphere）に関して何ら差異がないことは注目に値する。錯体の特定の中心原子の周りの配位子圏（ligand sphere）の性質は、錯体の持ち得る活性に大きな影響を与えることが知られている。
【０００６】
水素を用いた単純ケトンの接触水素化のための適切な触媒前駆体はまた、配位子が１個のモノホスフィン及び１個のＰ＾Ｎ二座配位子である５配位ルテニウム錯体であることも見出されている。
【０００７】
それ故に、本発明は、炭素−ヘテロ原子二重結合を含有する基質を水素化するための方法であって、
水素化触媒及び塩基の存在下で、該基質を水素と反応させる工程を含み、
水素化触媒が、式（Ｉ）：
［ＸＹＲｕ（ＰＲ１Ｒ２Ｒ３）（Ｐ−Ｚ−Ｎ）］ （Ｉ）
〔式中、
Ｘ、Ｙは、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１〜８アルコキシ若しくはＣ１〜８アシルオキシ基であるか、又は少なくとも１組の自由電子対を有するヘテロ原子（例えば、（シクロ）アルキル／アリールオキシ、シクロアルキルチオ又はシクロアルキルアミノ基の形態で）を少なくとも１つ含有する配位結合した有機溶媒分子であり、この場合に得られるカチオン性錯体の電荷は、アニオン、例えば、ＣＮ−、ＯＣＮ−、ＰＦ６−又はＦ３Ｃ−ＳＯ２Ｏ−によりバランスされており、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、各々独立して、アルキル、アルキルオキシ、アルキルチオ、ジアルキルアミノ、シクロアルキル、シクロアルキルオキシ、シクロアルキルチオ、ジシクロアルキルアミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ又はジアリールアミノ基であり、場合により、Ｃ１〜４アルキル基及びＣ１〜４アルコキシ基から各々独立して選択される１、２又は３個の基で置換されているか、あるいはＲ１、Ｒ２、Ｒ３基の１つが上に定義されたとおりであり、残りの２つの基が、酸素ブリッジを介して又は直接にリン原子と結合し、リン原子を含む４〜８員環の、場合により置換された環を形成しており、
Ｐ−Ｚ−Ｎは、ｓｐ２混成した窒素原子を含有し、式（II）：
【０００８】
【化１０】
【０００９】
（式中、
Ｒ４、Ｒ５は、各々独立して、場合により置換されている、直鎖、分枝鎖又は環状鎖のＣ１〜８アルキル若しくはＣ２〜８アルケニル基；場合により置換されている、Ｃ６〜１８アリール、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ３〜８シクロアルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−（ヘテロ）アリールであり、ここで、可能な置換基は、ハロゲン、有機ハロゲン基、Ｏ（Ｃ１〜８）アルキル、Ｎ（Ｃ１〜８アルキル）２であるか；あるいはＲ４及びＲ５は一緒になって、リン原子を含む５〜１０原子で構成される飽和又は芳香族の環となり、
Ｃａ、Ｃｂは、各々、少なくとも６つのπ電子を有する芳香族化合物の一部分であるが、場合により置換された（ヘテロ）アリールであり、
Ｒ６は、水素原子、場合により置換されている、直鎖、分枝鎖又は環状鎖のＣ１〜１０アルキル若しくはＣ２〜１０アルケニル基、場合により置換されている芳香族環、あるいは−ＯＲ６’若しくは−ＮＲ６Ｒ６”基であり、ここで、Ｒ６’及びＲ６”はＲ６について定義されたとおりであり、
Ｒ７は、水素原子、直鎖、分枝鎖又は環状鎖のＣ１〜１０アルキル若しくはＣ２〜１０アルケニル基、あるいはＲ７’ＣＯ若しくはＲ７’ＳＯ２基であり、ここで、Ｒ７’はＣ１〜８アルキル若しくはアリール基であるか、
あるいは
Ｒ６及びＲ７は一緒になって、５〜１０の、場合により置換された環原子で構成される不飽和（ヘテロ）環となり、Ｒ６及びＲ７が結合した炭素原子及び窒素原子を含み、場合により、更なるヘテロ原子を含む）二座配位子である〕
で示される遷移金属錯体であることを特徴とする方法を提供する。
【００１０】
上述の方法は、ケトンを高度に選択的に水素化して、対応する光学的に純粋なアルコールを製造するのに適している。
【００１１】
適切な基質は、一般式（Ｓ）のケトンである：
【００１２】
【化１１】
【００１３】
Ｒａ及びＲｂが異なる場合、これはプロキラルケトンであり、本発明の錯体により触媒される、対応するアルコールへの水素化はエナンチオ選択性である。エナンチオマー過剰率は、８０％（ｅｅ）を超えて、好ましくは９０％を超えて、特に９５％を超える。
【００１４】
Ｒａ及びＲｂ基に関して、これらは基本的には制限はない。Ｒａ及びＲｂ基は、各々独立して、水素原子、直鎖又は分枝鎖のアルキル基、単環式又は多環式のアリール、（ヘテロ）アリール若しくは（ヘテロ）アラルキル基であり、そしてまた全ての基が、更なる基、例えば、アルキル、（ヘテロ）アリール又は（ヘテロ）アラルキル基を有してもよい。還元されるカルボニル官能基はまた、単環式又は多環式の環構造に組み込まれていてもよい。本発明の方法の特徴は、官能化されていないケトンも水素化することが特に可能であが、Ｒａ及びＲｂ基は各々独立して官能基を有していてもよい。これらの基についての唯一の制限は、これらの基が触媒と反応して触媒を破壊しないことである。Ｒａ及びＲｂ基の可能な置換基及び式（Ｓ）における可能な置換基は、Ｈａｌ、ＯＲｘ、ＮＲ２ｘ又はＲｘであり、ここで、Ｒｘは、Ｈ、あるいは直鎖、分枝鎖又は環状鎖のＣ１〜１０アルキル若しくはＣ２〜１０アルケニル基である。
【００１５】
好ましい基質は、式（Ｓ）のプロキラルケトンであり、ここで、Ｒａ及びＲｂは、各々独立して、水素原子、環状鎖、直鎖又は分枝鎖のＣ１〜８アルキル若しくはＣ２〜８アルケニル基、あるいは、単環式又は多環式のアリール若しくはヘテロアリール基であり、場合により、直鎖若しくは分枝鎖のＣ１〜８アルキル基、Ｃ１〜８アルコキシ基又はハロゲン原子により置換されている。
【００１６】
式（Ｓ）の基質の例としては、特に、単環式又は多環式のアリールケトン若しくはヘテロアリールケトンが挙げられ、場合により、直鎖若しくはは分枝鎖のＣ１〜８アルキル基、Ｃ１〜８アルコキシ基又はハロゲン原子により置換されている。
【００１７】
上述の方法はまた、一般式（Ｏ）に対応するＣ＝Ｎ二重結合を含有する基質を水素化するのにも適している：
【００１８】
【化１２】
【００１９】
Ｒａ及びＲｂが異なる場合、これはプロキラルイミンであり、本発明の錯体により触媒される、対応するアミンへの水素化はエナンチオ選択性である。エナンチオマー過剰率は、８０％（ｅｅ）を超えて、好ましくは９０％を超えて、特に９５％を超える。
【００２０】
Ｒａ及びＲｂ基に関して、これらは基本的には制限はない。可能なＲａ及びＲｂ基は、式（Ｓ）のもとで特定されるものに対応する。式（Ｏ）におけるＲは、例えば、Ｈ、ＯＲ、ＳＲ、Ｐ（Ｏ）Ｒ２基であってもよく、ここで、Ｒは、各々の場合において、場合により置換されている、直鎖又は分枝鎖のＣ１〜８アルキル若しくはアルケニル基、あるいは場合により置換されている芳香族環であってもよい。ＮＲ基の可能な置換基は、Ｈａｌ、ＯＲｘ、ＮＲ２ｘ又はＲｘであり、ここで、Ｒｘは、Ｈ、又は直鎖、分枝鎖又は環状鎖のＣ１〜１０アルキル若しくはＣ２〜１０アルケニル基である。
【００２１】
炭素−ヘテロ原子二重結合を含有する基質を水素化するための本発明の方法は、水素化触媒が一般式（Ｉ）：
［ＸＹＲｕ（ＰＲ１Ｒ２Ｒ３）（Ｐ−Ｚ−Ｎ）］ （Ｉ）
で示される遷移金属錯体であることを特徴とする。
【００２２】
式（Ｉ）において、Ｘ及びＹは、好ましくは、各々独立して、水素原子又はハロゲン原子（好ましくは塩素原子）である。特に好ましくは、Ｘ及びＹ各々が塩素原子である。
【００２３】
本発明の式（Ｉ）の錯体において使用される好ましいモノホスフィンＰＲ１Ｒ２Ｒ３は、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３基が各々独立して、Ｃ１〜４アルキル基、Ｃ５〜６シクロアルキル基、又はフェニル基であるものであり、場合により、Ｃ１〜４アルキル基及びＣ１〜４アルコキシ基から、各々独立して選択される１、２又は３つの基によって場合により置換されているものである。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３基は、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、あるいはフェニル、ｏ−若しくはｐ−トリル、ｐ−イソプロピルフェニル又はメシチルである。特に好ましいモノホスフィンは、トリフェニルホスフィン、トリ−Ｃ１〜４アルキルホスフィン、トリトリルホスフィン又はトリメシチルホスフィンである。
【００２４】
本発明の（Ｉ）の錯体中のＰ−Ｚ−Ｎ部分は、１個の窒素原子を含有し、式（II）を有する二座配位子である：
【００２５】
【化１３】
【００２６】
式（II）において、Ｒ４、Ｒ５は、各々独立して、好ましくはＣ１〜４アルキル、好ましくは各々独立して、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチルである。Ｒ４、Ｒ５は、各々独立して、より好ましくは、Ｃ６〜１８アリール、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ３〜８シクロアルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−（ヘテロ）アリールであり、場合により置換されており、ここで、可能な置換基は、ハロゲン、有機ハロゲン基、Ｏ（Ｃ１〜８）アルキル、Ｎ（Ｃ１〜８アルキル）２であるか；あるいはＲ４及びＲ５は一緒になって、リン原子を含む５〜１０原子で構成される飽和又は芳香族の環になる。
【００２７】
Ｒ４及びＲ５が一緒になって、リン原子を含む、飽和環又は芳香族環を形成する場合、Ｒ４及びＲ５は一緒になって、好ましくは、ｎ−ブチレン、ｎ−ペンチレン又は２，２’−ビフェニレンとなる。
【００２８】
式（II）において、Ｃａ、Ｃｂは一緒になって、６つ以上のπ電子を有する芳香族化合物の一部分、場合により置換された（ヘテロ）アリールを形成する。基本的な芳香族構造は、メタロセンの配位子として、多環式芳香族化合物の形態の縮合ベンゼン（例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン）又はヘテロ芳香族化合物（例えば、キノリン又はイソキノリン）、あるいはシクロペンタジエニドイオンであってもよい。好ましくは、各々の場合の形態の、場合により置換されたベンゼンの形態の、純正６π電子系、あるいは６π又は１０π電子ヘテロ芳香族系である。
【００２９】
式（II）において、Ｒ６及びＲ７は、好ましくは各々独立して、水素原子、場合により置換されている、直鎖若しくは分枝鎖のＣ１〜４アルキル基、又は場合により置換されている芳香族環であるか、あるいは特に好ましくは、Ｒ６及びＲ７は一緒になって、５〜１０の、場合により置換された環原子で構成される不飽和ヘテロ環を形成し、Ｒ６及びＲ７が結合した炭素原子及び窒素原子を含み、場合により、更なるヘテロ原子を含む。
【００３０】
式（II）の好ましい配位子は、第１に、一般式（IIIａ）
【００３１】
【化１４】
【００３２】
〔式中、
ｎ＝１又は２、好ましくは１であり、
ｍ（Ｍに依存する）は、中心原子Ｍ上の自由な配位部位（free coordination sites）の数であり、
Ｍ＝Ｃｒ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ又はＲｅ、好ましくはＲｅであり、
Ｘ＝Ｏ、Ｓ又はＮ、好ましくはＯであり、
Ｌは、各々独立して、中心原子Ｍ上の自由な配位部位を満たす一座又は多座配位子であり、例えば、Ｐ（Ｃ６〜１８アリール）３、Ｐ（Ｃ６〜１８アルキル）３、Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、（Ｃ６〜１８アリール）２ＰＣＨ２ＣＨ２Ｐ（Ｃ６〜１８アリール）２、又は好ましくはＣＯであり、
Ｒ４、Ｒ５は、各々、式（II）のもとで与えられた定義に対応する基であり、
Ｒ１１は、Ｃ２〜８アルコキシアルキル、Ｃ７〜１９アラルキル、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ４〜１９ヘテロアラルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８（ヘテロ）アリール、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基、又は好ましくは、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ６〜１８アリール基であり、そして上述の基は、１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｈａｌ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓにより置換されていてもよく、あるいは上記基は、それらの炭素骨格中に１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓを有していてもよく、
Ｒ８、９、１０は、各々独立して、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ２〜８アルコキシアルキル、Ｃ６〜１８アリール、Ｃ７〜１９アラルキル、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ４〜１９ヘテロアラルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８（ヘテロ）アリール、Ｃ３〜８シクロアルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基、又は好ましくはＨであり、そして上述の基は、１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｈａｌ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓにより置換されていてもよく、あるいは上記基は、それらの炭素骨格中に１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓを有していてもよい〕
で示される配位子である。
【００３３】
式（II）の好ましい配位子は、また、式（IIIｂ）：
【００３４】
【化１５】
【００３５】
〔式中、
ｎ＝１又は２、好ましくは１であり、
Ｍ＝Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、好ましくはＦｅであり、
Ｘ＝Ｏ、Ｓ又はＮ、好ましくはＯであり、
Ｒ４、Ｒ５は、各々、式（II）のもとで与えられた定義に対応する基であり、
Ｒ１１は、Ｃ２〜８アルコキシアルキル、Ｃ７〜１９アラルキル、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ４〜１９ヘテロアラルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８（ヘテロ）アリール、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基、又は好ましくは、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ６〜１８アリール基、特にｉ−プロピルであり、そして
上述の基は、１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｈａｌ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓにより置換されていてもよく、あるいは上記基は、それらの炭素骨格中に１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓを有していてもよく、
Ｒ８、９、１０は、各々独立して、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ２〜８アルコキシアルキル、Ｃ６〜１８アリール、Ｃ７〜１９アラルキル、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ４〜１９ヘテロアラルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８（ヘテロ）アリール、Ｃ３〜８シクロアルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基、又は好ましくはＨであり、そして上述の基は、１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｈａｌ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓにより置換されていてもよく、あるいは上記基は、それらの炭素骨格中に１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓを有していてもよく、そして上記式における下方のシクロペンタジエニド配位子は、上方のシクロペンタジエニド配位子についての上述の可能な置換パターンを基準にして、可能なＰＲ４、５及びＲ８、９、１０基に関して同様に置換されてもよい〕
で示される配位子でもある。
【００３６】
すでに述べたように、式（II）中のＣａ、Ｃｂは一緒になって、６つ以上のπ電子を有する芳香族化合物の一部分、場合により置換された（ヘテロ）アリールを形成し、該芳香族化合物の部分は、好ましくは、それぞれの場合の形態の、場合により置換されたベンゼンの形態の純正６π電子系、あるいは６π又は１０π電子ヘテロ芳香族系である。それ故に、式（II）の好ましい配位子はまた、一般式（IV）及び（Ｖ）：
【００３７】
【化１６】
【００３８】
〔式中、
ｎ＝１又は２、好ましくは１であり、
Ｘ＝Ｏ、Ｓ又はＮ、好ましくはＯであり、
Ｒ４、Ｒ５は、各々、式（II）のもとで与えられた定義に対応する基であり、
Ｒ１１は、Ｃ２〜８アルコキシアルキル、Ｃ７〜１９アラルキル、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ４〜１９ヘテロアラルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８（ヘテロ）アリール、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基、又は好ましくは、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ６〜１８アリール基、特にｉ−プロピルであり、そして
上述の基は、１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｈａｌ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓにより置換されていてもよく、あるいは上記基は、それらの炭素骨格中に１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓを有していてもよく、
Ｒ１２、Ｒ１３は、各々独立して、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ１〜４アルコキシ基、又は好ましくはＨであるか、あるいは一緒になって縮合シクロアルキル環又はアリール環になる〕
で示される配位子でもある。
【００３９】
式（II）の好ましい配位子はまた、一般式（Ｖ）：
【００４０】
【化１７】
【００４１】
〔式中、
ｎ、Ｘ、Ｒ４、Ｒ５及びＲ１１は、各々、式（IV）で定義されたとおりであり、Ｒ１４及びＲ１５は一緒になって、６π又は１０π電子ヘテロ芳香族系になり、場合により、直鎖又は分枝鎖のＣ１〜８アルキル基により置換されており、そして可能なヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ、又はＳである〕
で示される配位子でもある。
一般式（IIIｂ）の特に好ましい配位子は、以下の配位子Ａ〜Ｇに対応する：
【００４２】
【化１８】
【００４３】
一般式（IV）の特に好ましい配位子は、式Ｊに対応する：
【００４４】
【化１９】
【００４５】
一般式（Ｖ）の特に好ましい配位子は、式Ｈ、Ｉ及びＫに対応する：
【００４６】
【化２０】
【００４７】
直鎖又は分枝鎖のＣ１〜８アルキルは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル又はオクチル（これらの構造異性体を全て含む）であるとみなされたい。
【００４８】
Ｃ２〜８アルコキシアルキルは、アルキル鎖が少なくとも１つの酸素官能基により中断されているが、２個の酸素原子が連続して結合していない基を意味する。炭素原子の数は、基の中に存在する炭素原子の合計数を示す。全ての構造異性体が含まれる。
【００４９】
Ｃ３〜８シクロアルキル基は、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロヘプチル基等を指す。ヘテロ原子で置換されたシクロアルキル基は、好ましくは、例えば、１−、２−、３−、４−ピペリジル、１−、２−、３−ピロリジニル、２−、３−テトラヒドロフリル、２−、３−、４−モルホリニルである。
Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基は、上に特定されたようなアルキル基を介して分子に結合する、上述のようなシクロアルキル基を表わす。
Ｃ６〜１８アリール基は、６〜１８個の炭素原子を有する芳香族基を指す。これらとしては、特に、フェニル、ナフチル、アントラニル、フェナントリル、ビフェニル基のような化合物が挙げられる。
【００５０】
Ｃ７〜１９アラルキル基は、Ｃ１〜８アルキル基を介して分子に結合するＣ６〜１８アリール基である。本発明の文脈によれば、Ｃ３〜１８ヘテロアリール基は、環中にヘテロ原子（例えば、窒素、酸素又は硫黄）を有する３〜１８個の炭素原子で構成される、５−、６−、又は７−員の芳香族環系を示す。このようなヘテロ芳香族環系は、特に、１−、２−、３−フリル、１−、２−、３−ピロリル、１−、２−、３−チエニル、２−、３−、４−ピリジル、２−、３−、４−、５−、６−、７−インドリル、３−、４−、５−ピラゾリル、２−、４−、５−イミダゾリル、アクリジニル、キノリニル、フェナントリジニル、２−、４−、５−、６−ピリミジニルのような基であるとみなされる。
【００５１】
Ｃ４〜１９ヘテロアラルキルは、Ｃ７〜１９アラルキル基に対応する、上に定義されたようなヘテロ芳香族系を指す。
Ｈａｌは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素であり、好ましくは塩素である。有機ハロゲン化合物は、炭素に加えて、ハロゲン族（フッ素、塩素、臭素及びヨウ素を含む）の元素を含有する化合物について使用される集合的な用語である。例はＣＦ３基である。
【００５２】
一般式（II）の特定のＰ−Ｚ−Ｎ二座配位子及びその調製は、文献から基本的に公知である。いくつかの参考文献を、本明細書実験セクションで引用している。一般式（Ｉ）の遷移金属錯体は、所望な場合、水素化される基質を含有する反応混合物中の「その場で（in situ）」調製してもよいし、又は水素化の前の最初に単離してもよい。錯体の調製方法は、基本的に同じである。錯体を調製する場合、Ｐ−Ｚ−Ｎ配位子は、基本的に化学量論的に導入される。
【００５３】
一般式（Ｉ）の遷移金属錯体は、有利には、特に単純ケトンを水素化するために使用してもよい。実際に、カルボニル基の近傍に配位するヘテロ原子を含有しない単純ケトンでさえ、高い活性及び高いエナンチオ選択性で水素化することができる。触媒の高い活性に照らして、プロキラルでないケトンの還元によりアキラルなアルコールを製造することもまた、第二級アルコールの経済的合成にとり実際的な関心を引くものである。
水素化は、代表的には、式（Ｉ）の錯体、基質、塩基、及び場合により溶媒を含む組成物で行われる。次いで、水素を、所望の圧力及び所望の温度下でこの組成物に注入する。選択される水素化条件は、基本的に、従来技術で公知の、通常の条件及び必須の工程パラメータ（例えば、圧力、温度、基質及び触媒の濃度、溶媒、塩基）に従う。以下に列挙される工程条件は、単に代表的例の性格を有するのみである。
【００５４】
基質に基づく錯体の濃度範囲は、広範囲に変わってもよい。一般に、基質に基づいて、０．１〜５００００ｐｐｍが使用される。これは、基質／錯体比（Ｓ／Ｃ）１０７〜２０に対応する。
使用される塩基は、水素化において通常使用される任意の無機塩基又は有機塩基であってよい。アルカリ金属及びアルカリ土類金属の水酸化物、アルコキシド及び炭酸塩、並びに第四級アンモニウム塩にのみ言及する。好ましくは、ＫＯＨ、ＫＯＭｅ、ＫＯｉＰｒ、ＫＯｔＢｕ、ＬｉＯＨ、ＬｉＯＭｅ、ＬｉＯｉＰｒ、ＮａＯＨ、ＮａＯＭｅ又はＮａＯｉＰｒを用いることである。塩基は、固体形態でか、あるいはアルコール又は好ましくは水に溶解した形態、例えば、ＫＯｔＢｕ／ｔＢｕＯＨ（１モル濃度）又はＮａＯＨ／Ｈ２Ｏ（１モル濃度）で使用してもよい。更に、使用される塩基は、広い濃度範囲で使用してもよい。金属錯体に対して表した塩基のモル当量（Ｂ／Ｍ）において、この比は、約０．５〜５００００、好ましくは２〜１００００であってもよい。
【００５５】
本発明の方法は、不活性溶媒の非存在下又は存在下で行うことができる。適切な溶媒は、例えば、脂肪族、脂環式、及び芳香族炭化水素（ペンタン、ヘキサン、石油エーテル、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン）、脂肪族ハロ炭化水素（塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン及びテトラクロロエタン）、ニトリル（アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル）、エーテル（ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン又はジオキサン）、ケトン（アセトン、メチルイソブチルケトン）、カルボン酸エステル及びラクトン（酢酸エチル又は酢酸メチル、バレロラクトン）、Ｎ−置換ラクタム（Ｎ−メチルピロリドン）、カルボキサミド（ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド）、非環式尿素（テトラメチル尿素）又は環式尿素（ジメチルイミダゾリジノン）、並びにスルホキシド及びスルホン（ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホキシド、テトラメチレンスルホン）及びアルコール（メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル）及び水である。溶媒は、単独又は少なくとも２つの溶媒の混合物で使用してもよい。好ましいのは、トルエンを用いることである。
【００５６】
本発明の水素化方法は、代表的な圧力１０×１０３〜１０×１０５Ｐａ（１〜１００bar）で行なってもよい。有利には、２０×１０４〜８５×１０４（２０〜８５bar）、特に８０×１０４Ｐａ（８０bar）が使用される。
【００５７】
水素化反応は、代表的には、標準的な室温、すなわち、約２０〜３５℃で行われる。しかし、主として使用される溶媒に依存して、又はより具体的には、使用される反応剤の溶解挙動に依存して、選択される温度はまた、約０〜１００℃であってもよい。
【００５８】
以下の非限定的な実施例は、本発明を詳細に説明する。
【００５９】
実施例：
使用した基質は以下のものである：
【００６０】
【化２１】
【００６１】
使用した配位子は以下のものである：
【００６２】
【化２２】
【００６３】
配位子Ａ〜Ｄを、参考文献（１）に従って調製した。配位子Ｅ〜Ｇを以下に示す実験セクションに従って調製した。配位子Ｈ、Ｉ及びＫを、参考文献（２）に従って調製した。配位子ＪはＳｔｒｅｍ社から市販されている。
【００６４】
触媒［ＲｕＣｌ２（ＰＰｈ３）（Ａ）］を参考文献（３）に従って調製した。
【００６５】
【表１】
【００６６】
配位子Ｅ、Ｆ及びＧの調製
【００６７】
配位子Ｅ：
２５０mLの三ッ口フラスコに、上述の参考文献（３）に従って調製したフェロセン−オキサゾリン前駆体（２．０ｇ、６．８mmol）、ＴＭＥＤＡ（１．２mL、８．２mmol）及びジエチルエーテル７０mLを仕込んだ。溶液を−７０℃まで冷却すると、黄濁を生じた。シリンジを用いて、反応混合物の温度を−６５℃未満に保ちながら、ｎ−ＢｕＬｉ（１．６Ｍヘキサン、５．５mL、８．８mmol）をゆっくり（約１０分かけて）添加した。添加後、混合物を−７０℃で２時間攪拌し、ドライアイス浴をはずし、反応溶液を０〜５℃で更に１５分間攪拌した。次いで、シリンジを用いて、ＰＣｌ（キシリル）２ ３．５ｇ（１２．６mmol）をゆっくり（約１０分かけて）添加した。次いで、今は暗橙色に着色された溶液を室温で約１５分間攪拌し、ジエチルエーテル５０mLを続けて添加した。飽和ＮａＨＣＯ３溶液３０mLを添加することで、反応を停止させた。ＥｔＯＡｃ各５０mLで３回抽出し、合わせた有機相をＮａ２ＳＯ４で乾燥させた。ロータリーエバポレーターで溶媒を除去した後、橙褐色に着色された油状物３．３ｇを得た。この油状物をカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２ ２４０ｇ、４：１ヘプタン／酢酸エチル）で精製し、純粋な橙色の結晶生成物１．５ｇを得た。
収量：１．５ｇ、理論量の４６％。
【００６８】
【表２】
【００６９】
配位子Ｆ：
２５０mLの三ッ口フラスコに、上述の参考文献（３）に従って調製したフェロセン−オキサゾリン前駆体（２．０ｇ、６．８mmol）、ＴＭＥＤＡ（１．２mL、８．２mmol）及びジエチルエーテル６０mLを仕込んだ。溶液を−７０℃まで冷却すると、黄色になった。シリンジを用いて、反応混合物の温度を−６５℃未満に保ちながら、ｎ−ＢｕＬｉ（１．６Ｍヘキサン、５．５mL、８．８mmol）をゆっくり（約１０分かけて）添加した。添加後、混合物を−７０℃で３時間攪拌し、ドライアイス浴をはずし、反応溶液を０〜５℃でさらに１５分間攪拌した。次いで、シリンジを用いて、ＰＣｌ（ｐ−ＣＦ３−アリール）２ １．８ｇ（６mmol）をゆっくり（約１０分かけて）添加した。次いで、暗橙色に着色された溶液を室温で約６０分間攪拌し、ジエチルエーテル５０mLを続けて添加した。飽和ＮａＨＣＯ３溶液３０mLを添加することで、反応を停止させた。ＥｔＯＡｃ各５０mLで３回抽出し、合わせた有機相をＮａ２ＳＯ４で乾燥させた。ロータリーエバポレーターで溶媒を除去した後、褐色の油状物を得た。少量の酢酸エチルを添加し、油状物を溶解させた。次いで、ヘプタンをゆっくり添加すると、橙色沈殿（１ｇ）の沈殿を生じ、この沈殿をフリットにより除去した。ろ液の溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、褐色に着色された油状物を得た。この油状物をカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２ １２０ｇ、４：１ヘプタン／酢酸エチル）で精製し、純粋な橙色の結晶生成物１．４ｇを得た。
収量：２．４ｇ、理論量の６５％。
【００７０】
【表３】
【００７１】
配位子Ｇ：
２５０mLの三ッ口フラスコに、上述の参考文献（３）に従って調製したフェロセン−オキサゾリン前駆体（２．９７ｇ、１０mmol）、ＴＭＥＤＡ（１．８mL、１２．０mmol）及びジエチルエーテル６０mLを仕込んだ。溶液を−７０℃まで冷却すると、黄濁を生じた。シリンジを用いて、反応混合物の温度を−６５℃未満に保ちながら、ｎ−ＢｕＬｉ（１．６Ｍヘキサン、８．６mL、１３．６mmol）をゆっくり（約１０分かけて）添加した。添加後、混合物を−７０℃で２時間攪拌し、ドライアイス浴をはずし、反応溶液を０〜５℃でさらに１５分間攪拌した。次いで、シリンジを用いて、ＰＣｌ（３，５−ＣＦ３−アリール）２ ６．０ｇ（１２．２mmol）をゆっくり（約１０分かけて）添加した。次いで、暗橙色に着色された溶液を室温で約１５分間攪拌し、ジエチルエーテル５０mLを続けて添加した。飽和ＮａＨＣＯ３溶液３０mLを添加することで、反応を停止させた。Ｅｔ２Ｏ各５０mLで３回抽出し、合わせた有機相をＮａ２ＳＯ４で乾燥させた。ロータリーエバポレーターで溶媒を除去した後、褐色に着色された油状物９．０ｇを得た。この油状物をカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２ ３８０ｇ、４：１ヘプタン／酢酸エチル）で精製し、暗橙色の結晶生成物３．０ｇを得た。収量：３．０ｇ、理論量の４２％。
【００７２】
【表４】
【００７３】
実験手順：
全ての反応をシュレンク（Schlenk）の技法を用いて、保護ガス雰囲気下で行った。
【００７４】
水素化の概要：
適切な前処理後、個々の触媒溶液を、不活性雰囲気にした５０mLの小型オートクレーブ（アルゴンの注入と脱気３回）に移し、出発物質（基質）及び塩基を続けて添加した。その後、オートクレーブを密閉し、水素を所望の圧力まで注入した。磁気攪拌器の電源を入れることにより反応を開始した。水素化時間が経過した時、磁気攪拌器を止め、オートクレーブを排気した。ＧＣ分析のためのサンプルを採取し、収率及び転化率を求めた。
【００７５】
転化率及びｅｅ値の決定：
１回の分析工程で、前記基質について転化率及びｅｅ値を求めた。
カラム：Ｂｅｔａ−Ｄｅｘ １１０（３０ｍ）；１１０℃の等温；キャリアガスとして１００kPaのＨ２；
反応剤１＝５．６分；Ｅ１＝７．７分；Ｅ２＝８．１分。
反応剤５＝８．８分、Ｅ１＝１２．５分；Ｅ２＝１３．０分。
反応剤７＝６．２分、Ｅ１＝８．４分；Ｅ２＝８．８分。
カラム：Ｂｅｔａ−Ｄｅｘ １１０（３０ｍ）；１１０℃の等温；キャリアガスとして１２０kPaのＨ２；
反応剤４＝２３．４分；Ｅ１＝２５．７分；Ｅ２＝２６．７分。
反応剤６＝７．３分；Ｅ１＝１３．６分；Ｅ２＝１４．３分。
カラム：Ｂｅｔａ−Ｄｅｘ １１０（３０ｍ）；１３０℃の等温；キャリアガスとして１００kPaのＨ２；
反応剤２＝５．７分、Ｅ１＝９．５分；Ｅ２＝１０．９分。
反応剤３＝７．７分、Ｅ１＝１１．１分；Ｅ２＝１１．７分。
【００７６】
結果
使用した反応剤、反応条件及び得られた結果に関する実験１〜６４の詳細を以下の表１に列挙した。
【００７７】
【表５】
【００７８】
実験１及び２：典型的な移動水素化条件下でこれらの実験を行った。イソプロパノール１０mLに、［ＲｕＣｌ２（ＰＰｈ３）（Ａ）］０．００５mmol、基質１ １mmol、及び塩基としてｉＰｒＯＫ ０．０２５mmolを添加した。実験１においてはアルゴン下、実験２においては水素圧１．１bar下で、室温で反応を行った。
【００７９】
実験３〜５９：個々の触媒は、配位子０．１mmol及び［ＲｕＣｌ２（ＰＰｈ３）３］０．１mLを、トルエン２０mL中で還流条件下１時間反応させることにより、「その場で」調製した。次いで、得られた溶液２mLを、２０mLフラスコ中の基質２mmolに添加した。次いで、１モルのＮａＯＨ水性溶液１mLを添加し、フラスコを多数並列（multiparallel）オートクレーブ中に入れた。次いで、水素を８０barの圧力に１時間注入した（他に言及しない限り、表を参照）。
【００８０】
実験６０〜６２：シュレンクフラスコ（Schlenk flask）に、実験６０においては、［ＲｕＣｌ２（ＰＰｈ３）（Ａ）］０．００５mmol、基質５０mmol、トルエン１８mL及び１モルのＮａＯＨ水性溶液１mLを仕込み、実験６１においては、基質２５０mmol、トルエン２mL及び１モルのＮａＯＨ水性溶液１mLを仕込んだ。組成物を５０mLのオートクレーブに入れ、実験６０においては１時間、実験６１においては７８時間、８０barの水素圧下に供した。反応６２については、反応を「混ぜ物なし（neat）」（すなわち、トルエンの添加なし）で行った以外は、実験６０と同じ反応条件を用いた。
【００８１】
実験６３〜６５：シュレンクフラスコに、［ＲｕＣｌ２（ＰＰｈ３）３］０．００５mmol、配位子０．００５mmol及びトルエン９mLを仕込み、還流条件下で１時間保持した。次いで、基質１００mmol及び１モルのＮａＯＨ水性溶液１mLを、「その場で」調製した触媒に室温で添加した。組成物を５０mLのオートクレーブに入れ、２０barの水素圧下に１時間又は１．５時間供した（表を参照）。
【００８２】
結果の考察
代表的な移動水素化条件下で行った最初の２つの比較実験は、水素圧１．１barの適用は活性にほとんど影響を与えないが、より高いエナンチオ選択性を可能にすることを示している。この関心を引く、重要な結果は、水素を用いた水素化が、移動水素化の主要な欠点（すなわち、エナンチオ選択性の割合が時間と共に減少していく（平衡に近づく）こと）を防ぐことが可能であることを示している。また、２０〜８０barの高圧下で、イソプロパノールではなくトルエンのような有機溶媒の存在下での水素化については、５００００までのターンオーバー数を達成することができることを示すことができた。また、水素化しにくいことが知られているイソブチロフェノン（基質６）のような基質を、同様の条件下で、高いエナンチオ選択性（ｅｅ＝９７．２％）で水素化することができたことは注目に値する。
【００８３】
イミンの水素化（基質８）：
【００８４】
【化２３】
【００８５】
【表６】
【００８６】
実験６６及び６７：個々の触媒は、配位子０．１mmol及び［ＲｕＣｌ２（ＰＰｈ３）３］０．１mLを、トルエン２０mL中で還流条件下１時間反応させることにより、「その場で」調製した。次いで、得られた溶液２mLを、２０mLフラスコ中の基質２mmolに添加した。次いで、１モルのＮａＯＨ水性溶液１mLを添加し、フラスコを多数並列（multiparallel）オートクレーブ中に入れた。次いで、水素を８０barの圧力に１６時間注入した。結果を上の表２に列挙した。
【００８７】
結果の考察：
イミンのような水素化困難な基質を用いた場合でさえ、ケトンで記載したのと同様の水素化条件に従って水素化が進行したということは非常に興味深いことである。９０％ｅｅより高い注目すべきエナンチオマー過剰率を達成することができた。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ルテニウム錯体（該錯体いずれもがモノホスフィン配位子及びＰ−Ｎ二座配位子を有する）を用いて、炭素−ヘテロ原子二重結合を接触的に、特に単純ケトンを接触的に不斉水素化するための方法に関する。
【０００２】
工業的な観点から適切な、炭素−ヘテロ原子二重結合を還元する実現性のある手段は、第１に移動水素化であり、第２に分子状水素を用いた水素化である。両方法についての必須条件は、その還元剤を活性化するための触媒の存在である。移動水素化において達成可能な水素化活性は、基本的に、その方法に関連する環境（大量の溶媒が必要であること）の結果として、分子状水素を用いた水素化におけるよりも有望であるとは言えない。しかし、分子状水素は、移動水素化における還元剤として供されるアルコールよりも活性化することが著しく困難であるため、近年、移動水素化のための触媒系はいくつか知られるようになったが、比べてみると、水素を用いた水素化については触媒系はほとんど知られていない。特に、単純ケトンの形態の基質については、今までに知られている触媒系は非常に少ない。単純ケトンは、カルボニル基の比較的近くに、官能基を有さないケトンであるか、あるいはより正確にはヘテロ原子を有さないケトンであり、この場合として、例えば、α−ケトエステル、α−ケトアミド、β−ケトエステル、あるいはアミノケトン、ヒドロキシケトン及びフェニルチオケトンである。
【０００３】
官能化されていないケトンの接触Ｈ２水素化のための有効な触媒系の第１の例は、R.Noyori及びT.Ohkumaにより、Angew.Chem.Int.Ed.2001,40,40ffに記載されている。これは、イソプロパノールの存在下で、均一系のＣｌ２Ｒｕ（ＰＲ３）３型Ｒｕ（II）錯体、過剰モルの塩基、及び第一級、第二級若しくは第三級モノアミン、又は好ましくはジアミンの形態の窒素含有有機化合物を用いて、５０barまでの圧力の水素ガスを用いて、単純カルボニル化合物を不斉水素化するための方法である。得られる触媒前駆体は、６配位の（Ｃｌ）２Ｒｕ（ホスフィン）２（Ｎ＾Ｎ）及び（Ｃｌ）２Ｒｕ（Ｐ＾Ｐ）（Ｎ＾Ｎ）錯体である。これらの錯体の有効な作用は、触媒工程中に、一方では基質の還元のための水素原子供与体として機能し、他方では分子状水素の活性化のための水素原子受容体として機能する、アミン配位子の特性に帰せられる（R. Noyori and T. Ohkuma, Angew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 40ff and R.H. Morris, Organometallics 2000, 19, 2655）。
【０００４】
単純ケトンの水素化を可能ならしめる第２の、より最近の触媒類の更なる例は、国際公開公報第０２／２２５２６ Ａ２に記載されている。これは、２個の二座配位子を有するがアミン配位子を有さない、６配位ルテニウム錯体の調製を記載している。２個の二座配位子は、Ｐ＾Ｐ配位子との併用でのＮ＾Ｐ配位子であるか、あるいは２個のＮ＾Ｐ配位子のいずれかである。
【０００５】
上述の例において、錯体はリン及び窒素の異なる配位子を有するが、上述の錯体は常に６座配位を有するため、中心ルテニウム原子の配位圏（coordination sphere）に関して何ら差異がないことは注目に値する。錯体の特定の中心原子の周りの配位子圏（ligand sphere）の性質は、錯体の持ち得る活性に大きな影響を与えることが知られている。
【０００６】
水素を用いた単純ケトンの接触水素化のための適切な触媒前駆体はまた、配位子が１個のモノホスフィン及び１個のＰ＾Ｎ二座配位子である５配位ルテニウム錯体であることも見出されている。
【０００７】
それ故に、本発明は、炭素−ヘテロ原子二重結合を含有する基質を水素化するための方法であって、
水素化触媒及び塩基の存在下で、該基質を水素と反応させる工程を含み、
水素化触媒が、式（Ｉ）：
［ＸＹＲｕ（ＰＲ１Ｒ２Ｒ３）（Ｐ−Ｚ−Ｎ）］ （Ｉ）
〔式中、
Ｘ、Ｙは、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１〜８アルコキシ若しくはＣ１〜８アシルオキシ基であるか、又は少なくとも１組の自由電子対を有するヘテロ原子（例えば、（シクロ）アルキル／アリールオキシ、シクロアルキルチオ又はシクロアルキルアミノ基の形態で）を少なくとも１つ含有する配位結合した有機溶媒分子であり、この場合に得られるカチオン性錯体の電荷は、アニオン、例えば、ＣＮ−、ＯＣＮ−、ＰＦ６−又はＦ３Ｃ−ＳＯ２Ｏ−によりバランスされており、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、各々独立して、アルキル、アルキルオキシ、アルキルチオ、ジアルキルアミノ、シクロアルキル、シクロアルキルオキシ、シクロアルキルチオ、ジシクロアルキルアミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ又はジアリールアミノ基であり、場合により、Ｃ１〜４アルキル基及びＣ１〜４アルコキシ基から各々独立して選択される１、２又は３個の基で置換されているか、あるいはＲ１、Ｒ２、Ｒ３基の１つが上に定義されたとおりであり、残りの２つの基が、酸素ブリッジを介して又は直接にリン原子と結合し、リン原子を含む４〜８員環の、場合により置換された環を形成しており、
Ｐ−Ｚ−Ｎは、ｓｐ２混成した窒素原子を含有し、式（II）：
【０００８】
【化１０】
【０００９】
（式中、
Ｒ４、Ｒ５は、各々独立して、場合により置換されている、直鎖、分枝鎖又は環状鎖のＣ１〜８アルキル若しくはＣ２〜８アルケニル基；場合により置換されている、Ｃ６〜１８アリール、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ３〜８シクロアルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−（ヘテロ）アリールであり、ここで、可能な置換基は、ハロゲン、有機ハロゲン基、Ｏ（Ｃ１〜８）アルキル、Ｎ（Ｃ１〜８アルキル）２であるか；あるいはＲ４及びＲ５は一緒になって、リン原子を含む５〜１０原子で構成される飽和又は芳香族の環となり、
Ｃａ、Ｃｂは、各々、少なくとも６つのπ電子を有する芳香族化合物の一部分であるが、場合により置換された（ヘテロ）アリールであり、
Ｒ６は、水素原子、場合により置換されている、直鎖、分枝鎖又は環状鎖のＣ１〜１０アルキル若しくはＣ２〜１０アルケニル基、場合により置換されている芳香族環、あるいは−ＯＲ６’若しくは−ＮＲ６Ｒ６”基であり、ここで、Ｒ６’及びＲ６”はＲ６について定義されたとおりであり、
Ｒ７は、水素原子、直鎖、分枝鎖又は環状鎖のＣ１〜１０アルキル若しくはＣ２〜１０アルケニル基、あるいはＲ７’ＣＯ若しくはＲ７’ＳＯ２基であり、ここで、Ｒ７’はＣ１〜８アルキル若しくはアリール基であるか、
あるいは
Ｒ６及びＲ７は一緒になって、５〜１０の、場合により置換された環原子で構成される不飽和（ヘテロ）環となり、Ｒ６及びＲ７が結合した炭素原子及び窒素原子を含み、場合により、更なるヘテロ原子を含む）二座配位子である〕
で示される遷移金属錯体であることを特徴とする方法を提供する。
【００１０】
上述の方法は、ケトンを高度に選択的に水素化して、対応する光学的に純粋なアルコールを製造するのに適している。
【００１１】
適切な基質は、一般式（Ｓ）のケトンである：
【００１２】
【化１１】
【００１３】
Ｒａ及びＲｂが異なる場合、これはプロキラルケトンであり、本発明の錯体により触媒される、対応するアルコールへの水素化はエナンチオ選択性である。エナンチオマー過剰率は、８０％（ｅｅ）を超えて、好ましくは９０％を超えて、特に９５％を超える。
【００１４】
Ｒａ及びＲｂ基に関して、これらは基本的には制限はない。Ｒａ及びＲｂ基は、各々独立して、水素原子、直鎖又は分枝鎖のアルキル基、単環式又は多環式のアリール、（ヘテロ）アリール若しくは（ヘテロ）アラルキル基であり、そしてまた全ての基が、更なる基、例えば、アルキル、（ヘテロ）アリール又は（ヘテロ）アラルキル基を有してもよい。還元されるカルボニル官能基はまた、単環式又は多環式の環構造に組み込まれていてもよい。本発明の方法の特徴は、官能化されていないケトンも水素化することが特に可能であが、Ｒａ及びＲｂ基は各々独立して官能基を有していてもよい。これらの基についての唯一の制限は、これらの基が触媒と反応して触媒を破壊しないことである。Ｒａ及びＲｂ基の可能な置換基及び式（Ｓ）における可能な置換基は、Ｈａｌ、ＯＲｘ、ＮＲ２ｘ又はＲｘであり、ここで、Ｒｘは、Ｈ、あるいは直鎖、分枝鎖又は環状鎖のＣ１〜１０アルキル若しくはＣ２〜１０アルケニル基である。
【００１５】
好ましい基質は、式（Ｓ）のプロキラルケトンであり、ここで、Ｒａ及びＲｂは、各々独立して、水素原子、環状鎖、直鎖又は分枝鎖のＣ１〜８アルキル若しくはＣ２〜８アルケニル基、あるいは、単環式又は多環式のアリール若しくはヘテロアリール基であり、場合により、直鎖若しくは分枝鎖のＣ１〜８アルキル基、Ｃ１〜８アルコキシ基又はハロゲン原子により置換されている。
【００１６】
式（Ｓ）の基質の例としては、特に、単環式又は多環式のアリールケトン若しくはヘテロアリールケトンが挙げられ、場合により、直鎖若しくはは分枝鎖のＣ１〜８アルキル基、Ｃ１〜８アルコキシ基又はハロゲン原子により置換されている。
【００１７】
上述の方法はまた、一般式（Ｏ）に対応するＣ＝Ｎ二重結合を含有する基質を水素化するのにも適している：
【００１８】
【化１２】
【００１９】
Ｒａ及びＲｂが異なる場合、これはプロキラルイミンであり、本発明の錯体により触媒される、対応するアミンへの水素化はエナンチオ選択性である。エナンチオマー過剰率は、８０％（ｅｅ）を超えて、好ましくは９０％を超えて、特に９５％を超える。
【００２０】
Ｒａ及びＲｂ基に関して、これらは基本的には制限はない。可能なＲａ及びＲｂ基は、式（Ｓ）のもとで特定されるものに対応する。式（Ｏ）におけるＲは、例えば、Ｈ、ＯＲ、ＳＲ、Ｐ（Ｏ）Ｒ２基であってもよく、ここで、Ｒは、各々の場合において、場合により置換されている、直鎖又は分枝鎖のＣ１〜８アルキル若しくはアルケニル基、あるいは場合により置換されている芳香族環であってもよい。ＮＲ基の可能な置換基は、Ｈａｌ、ＯＲｘ、ＮＲ２ｘ又はＲｘであり、ここで、Ｒｘは、Ｈ、又は直鎖、分枝鎖又は環状鎖のＣ１〜１０アルキル若しくはＣ２〜１０アルケニル基である。
【００２１】
炭素−ヘテロ原子二重結合を含有する基質を水素化するための本発明の方法は、水素化触媒が一般式（Ｉ）：
［ＸＹＲｕ（ＰＲ１Ｒ２Ｒ３）（Ｐ−Ｚ−Ｎ）］ （Ｉ）
で示される遷移金属錯体であることを特徴とする。
【００２２】
式（Ｉ）において、Ｘ及びＹは、好ましくは、各々独立して、水素原子又はハロゲン原子（好ましくは塩素原子）である。特に好ましくは、Ｘ及びＹ各々が塩素原子である。
【００２３】
本発明の式（Ｉ）の錯体において使用される好ましいモノホスフィンＰＲ１Ｒ２Ｒ３は、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３基が各々独立して、Ｃ１〜４アルキル基、Ｃ５〜６シクロアルキル基、又はフェニル基であるものであり、場合により、Ｃ１〜４アルキル基及びＣ１〜４アルコキシ基から、各々独立して選択される１、２又は３つの基によって場合により置換されているものである。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３基は、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、あるいはフェニル、ｏ−若しくはｐ−トリル、ｐ−イソプロピルフェニル又はメシチルである。特に好ましいモノホスフィンは、トリフェニルホスフィン、トリ−Ｃ１〜４アルキルホスフィン、トリトリルホスフィン又はトリメシチルホスフィンである。
【００２４】
本発明の（Ｉ）の錯体中のＰ−Ｚ−Ｎ部分は、１個の窒素原子を含有し、式（II）を有する二座配位子である：
【００２５】
【化１３】
【００２６】
式（II）において、Ｒ４、Ｒ５は、各々独立して、好ましくはＣ１〜４アルキル、好ましくは各々独立して、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチルである。Ｒ４、Ｒ５は、各々独立して、より好ましくは、Ｃ６〜１８アリール、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ３〜８シクロアルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−（ヘテロ）アリールであり、場合により置換されており、ここで、可能な置換基は、ハロゲン、有機ハロゲン基、Ｏ（Ｃ１〜８）アルキル、Ｎ（Ｃ１〜８アルキル）２であるか；あるいはＲ４及びＲ５は一緒になって、リン原子を含む５〜１０原子で構成される飽和又は芳香族の環になる。
【００２７】
Ｒ４及びＲ５が一緒になって、リン原子を含む、飽和環又は芳香族環を形成する場合、Ｒ４及びＲ５は一緒になって、好ましくは、ｎ−ブチレン、ｎ−ペンチレン又は２，２’−ビフェニレンとなる。
【００２８】
式（II）において、Ｃａ、Ｃｂは一緒になって、６つ以上のπ電子を有する芳香族化合物の一部分、場合により置換された（ヘテロ）アリールを形成する。基本的な芳香族構造は、メタロセンの配位子として、多環式芳香族化合物の形態の縮合ベンゼン（例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン）又はヘテロ芳香族化合物（例えば、キノリン又はイソキノリン）、あるいはシクロペンタジエニドイオンであってもよい。好ましくは、各々の場合の形態の、場合により置換されたベンゼンの形態の、純正６π電子系、あるいは６π又は１０π電子ヘテロ芳香族系である。
【００２９】
式（II）において、Ｒ６及びＲ７は、好ましくは各々独立して、水素原子、場合により置換されている、直鎖若しくは分枝鎖のＣ１〜４アルキル基、又は場合により置換されている芳香族環であるか、あるいは特に好ましくは、Ｒ６及びＲ７は一緒になって、５〜１０の、場合により置換された環原子で構成される不飽和ヘテロ環を形成し、Ｒ６及びＲ７が結合した炭素原子及び窒素原子を含み、場合により、更なるヘテロ原子を含む。
【００３０】
式（II）の好ましい配位子は、第１に、一般式（IIIａ）
【００３１】
【化１４】
【００３２】
〔式中、
ｎ＝１又は２、好ましくは１であり、
ｍ（Ｍに依存する）は、中心原子Ｍ上の自由な配位部位（free coordination sites）の数であり、
Ｍ＝Ｃｒ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ又はＲｅ、好ましくはＲｅであり、
Ｘ＝Ｏ、Ｓ又はＮ、好ましくはＯであり、
Ｌは、各々独立して、中心原子Ｍ上の自由な配位部位を満たす一座又は多座配位子であり、例えば、Ｐ（Ｃ６〜１８アリール）３、Ｐ（Ｃ６〜１８アルキル）３、Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、（Ｃ６〜１８アリール）２ＰＣＨ２ＣＨ２Ｐ（Ｃ６〜１８アリール）２、又は好ましくはＣＯであり、
Ｒ４、Ｒ５は、各々、式（II）のもとで与えられた定義に対応する基であり、
Ｒ１１は、Ｃ２〜８アルコキシアルキル、Ｃ７〜１９アラルキル、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ４〜１９ヘテロアラルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８（ヘテロ）アリール、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基、又は好ましくは、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ６〜１８アリール基であり、そして上述の基は、１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｈａｌ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓにより置換されていてもよく、あるいは上記基は、それらの炭素骨格中に１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓを有していてもよく、
Ｒ８、９、１０は、各々独立して、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ２〜８アルコキシアルキル、Ｃ６〜１８アリール、Ｃ７〜１９アラルキル、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ４〜１９ヘテロアラルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８（ヘテロ）アリール、Ｃ３〜８シクロアルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基、又は好ましくはＨであり、そして上述の基は、１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｈａｌ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓにより置換されていてもよく、あるいは上記基は、それらの炭素骨格中に１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓを有していてもよい〕
で示される配位子である。
【００３３】
式（II）の好ましい配位子は、また、式（IIIｂ）：
【００３４】
【化１５】
【００３５】
〔式中、
ｎ＝１又は２、好ましくは１であり、
Ｍ＝Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、好ましくはＦｅであり、
Ｘ＝Ｏ、Ｓ又はＮ、好ましくはＯであり、
Ｒ４、Ｒ５は、各々、式（II）のもとで与えられた定義に対応する基であり、
Ｒ１１は、Ｃ２〜８アルコキシアルキル、Ｃ７〜１９アラルキル、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ４〜１９ヘテロアラルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８（ヘテロ）アリール、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基、又は好ましくは、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ６〜１８アリール基、特にｉ−プロピルであり、そして
上述の基は、１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｈａｌ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓにより置換されていてもよく、あるいは上記基は、それらの炭素骨格中に１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓを有していてもよく、
Ｒ８、９、１０は、各々独立して、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ２〜８アルコキシアルキル、Ｃ６〜１８アリール、Ｃ７〜１９アラルキル、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ４〜１９ヘテロアラルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８（ヘテロ）アリール、Ｃ３〜８シクロアルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基、又は好ましくはＨであり、そして上述の基は、１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｈａｌ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓにより置換されていてもよく、あるいは上記基は、それらの炭素骨格中に１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓを有していてもよく、そして上記式における下方のシクロペンタジエニド配位子は、上方のシクロペンタジエニド配位子についての上述の可能な置換パターンを基準にして、可能なＰＲ４、５及びＲ８、９、１０基に関して同様に置換されてもよい〕
で示される配位子でもある。
【００３６】
すでに述べたように、式（II）中のＣａ、Ｃｂは一緒になって、６つ以上のπ電子を有する芳香族化合物の一部分、場合により置換された（ヘテロ）アリールを形成し、該芳香族化合物の部分は、好ましくは、それぞれの場合の形態の、場合により置換されたベンゼンの形態の純正６π電子系、あるいは６π又は１０π電子ヘテロ芳香族系である。それ故に、式（II）の好ましい配位子はまた、一般式（IV）及び（Ｖ）：
【００３７】
【化１６】
【００３８】
〔式中、
ｎ＝１又は２、好ましくは１であり、
Ｘ＝Ｏ、Ｓ又はＮ、好ましくはＯであり、
Ｒ４、Ｒ５は、各々、式（II）のもとで与えられた定義に対応する基であり、
Ｒ１１は、Ｃ２〜８アルコキシアルキル、Ｃ７〜１９アラルキル、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ４〜１９ヘテロアラルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８（ヘテロ）アリール、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基、又は好ましくは、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ６〜１８アリール基、特にｉ−プロピルであり、そして
上述の基は、１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｈａｌ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓにより置換されていてもよく、あるいは上記基は、それらの炭素骨格中に１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓを有していてもよく、
Ｒ１２、Ｒ１３は、各々独立して、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ１〜４アルコキシ基、又は好ましくはＨであるか、あるいは一緒になって縮合シクロアルキル環又はアリール環になる〕
で示される配位子でもある。
【００３９】
式（II）の好ましい配位子はまた、一般式（Ｖ）：
【００４０】
【化１７】
【００４１】
〔式中、
ｎ、Ｘ、Ｒ４、Ｒ５及びＲ１１は、各々、式（IV）で定義されたとおりであり、Ｒ１４及びＲ１５は一緒になって、６π又は１０π電子ヘテロ芳香族系になり、場合により、直鎖又は分枝鎖のＣ１〜８アルキル基により置換されており、そして可能なヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ、又はＳである〕
で示される配位子でもある。
一般式（IIIｂ）の特に好ましい配位子は、以下の配位子Ａ〜Ｇに対応する：
【００４２】
【化１８】
【００４３】
一般式（IV）の特に好ましい配位子は、式Ｊに対応する：
【００４４】
【化１９】
【００４５】
一般式（Ｖ）の特に好ましい配位子は、式Ｈ、Ｉ及びＫに対応する：
【００４６】
【化２０】
【００４７】
直鎖又は分枝鎖のＣ１〜８アルキルは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル又はオクチル（これらの構造異性体を全て含む）であるとみなされたい。
【００４８】
Ｃ２〜８アルコキシアルキルは、アルキル鎖が少なくとも１つの酸素官能基により中断されているが、２個の酸素原子が連続して結合していない基を意味する。炭素原子の数は、基の中に存在する炭素原子の合計数を示す。全ての構造異性体が含まれる。
【００４９】
Ｃ３〜８シクロアルキル基は、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロヘプチル基等を指す。ヘテロ原子で置換されたシクロアルキル基は、好ましくは、例えば、１−、２−、３−、４−ピペリジル、１−、２−、３−ピロリジニル、２−、３−テトラヒドロフリル、２−、３−、４−モルホリニルである。
Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基は、上に特定されたようなアルキル基を介して分子に結合する、上述のようなシクロアルキル基を表わす。
Ｃ６〜１８アリール基は、６〜１８個の炭素原子を有する芳香族基を指す。これらとしては、特に、フェニル、ナフチル、アントラニル、フェナントリル、ビフェニル基のような化合物が挙げられる。
【００５０】
Ｃ７〜１９アラルキル基は、Ｃ１〜８アルキル基を介して分子に結合するＣ６〜１８アリール基である。本発明の文脈によれば、Ｃ３〜１８ヘテロアリール基は、環中にヘテロ原子（例えば、窒素、酸素又は硫黄）を有する３〜１８個の炭素原子で構成される、５−、６−、又は７−員の芳香族環系を示す。このようなヘテロ芳香族環系は、特に、１−、２−、３−フリル、１−、２−、３−ピロリル、１−、２−、３−チエニル、２−、３−、４−ピリジル、２−、３−、４−、５−、６−、７−インドリル、３−、４−、５−ピラゾリル、２−、４−、５−イミダゾリル、アクリジニル、キノリニル、フェナントリジニル、２−、４−、５−、６−ピリミジニルのような基であるとみなされる。
【００５１】
Ｃ４〜１９ヘテロアラルキルは、Ｃ７〜１９アラルキル基に対応する、上に定義されたようなヘテロ芳香族系を指す。
Ｈａｌは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素であり、好ましくは塩素である。有機ハロゲン化合物は、炭素に加えて、ハロゲン族（フッ素、塩素、臭素及びヨウ素を含む）の元素を含有する化合物について使用される集合的な用語である。例はＣＦ３基である。
【００５２】
一般式（II）の特定のＰ−Ｚ−Ｎ二座配位子及びその調製は、文献から基本的に公知である。いくつかの参考文献を、本明細書実験セクションで引用している。一般式（Ｉ）の遷移金属錯体は、所望な場合、水素化される基質を含有する反応混合物中の「その場で（in situ）」調製してもよいし、又は水素化の前の最初に単離してもよい。錯体の調製方法は、基本的に同じである。錯体を調製する場合、Ｐ−Ｚ−Ｎ配位子は、基本的に化学量論的に導入される。
【００５３】
一般式（Ｉ）の遷移金属錯体は、有利には、特に単純ケトンを水素化するために使用してもよい。実際に、カルボニル基の近傍に配位するヘテロ原子を含有しない単純ケトンでさえ、高い活性及び高いエナンチオ選択性で水素化することができる。触媒の高い活性に照らして、プロキラルでないケトンの還元によりアキラルなアルコールを製造することもまた、第二級アルコールの経済的合成にとり実際的な関心を引くものである。
水素化は、代表的には、式（Ｉ）の錯体、基質、塩基、及び場合により溶媒を含む組成物で行われる。次いで、水素を、所望の圧力及び所望の温度下でこの組成物に注入する。選択される水素化条件は、基本的に、従来技術で公知の、通常の条件及び必須の工程パラメータ（例えば、圧力、温度、基質及び触媒の濃度、溶媒、塩基）に従う。以下に列挙される工程条件は、単に代表的例の性格を有するのみである。
【００５４】
基質に基づく錯体の濃度範囲は、広範囲に変わってもよい。一般に、基質に基づいて、０．１〜５００００ｐｐｍが使用される。これは、基質／錯体比（Ｓ／Ｃ）１０７〜２０に対応する。
使用される塩基は、水素化において通常使用される任意の無機塩基又は有機塩基であってよい。アルカリ金属及びアルカリ土類金属の水酸化物、アルコキシド及び炭酸塩、並びに第四級アンモニウム塩にのみ言及する。好ましくは、ＫＯＨ、ＫＯＭｅ、ＫＯｉＰｒ、ＫＯｔＢｕ、ＬｉＯＨ、ＬｉＯＭｅ、ＬｉＯｉＰｒ、ＮａＯＨ、ＮａＯＭｅ又はＮａＯｉＰｒを用いることである。塩基は、固体形態でか、あるいはアルコール又は好ましくは水に溶解した形態、例えば、ＫＯｔＢｕ／ｔＢｕＯＨ（１モル濃度）又はＮａＯＨ／Ｈ２Ｏ（１モル濃度）で使用してもよい。更に、使用される塩基は、広い濃度範囲で使用してもよい。金属錯体に対して表した塩基のモル当量（Ｂ／Ｍ）において、この比は、約０．５〜５００００、好ましくは２〜１００００であってもよい。
【００５５】
本発明の方法は、不活性溶媒の非存在下又は存在下で行うことができる。適切な溶媒は、例えば、脂肪族、脂環式、及び芳香族炭化水素（ペンタン、ヘキサン、石油エーテル、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン）、脂肪族ハロ炭化水素（塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン及びテトラクロロエタン）、ニトリル（アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル）、エーテル（ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン又はジオキサン）、ケトン（アセトン、メチルイソブチルケトン）、カルボン酸エステル及びラクトン（酢酸エチル又は酢酸メチル、バレロラクトン）、Ｎ−置換ラクタム（Ｎ−メチルピロリドン）、カルボキサミド（ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド）、非環式尿素（テトラメチル尿素）又は環式尿素（ジメチルイミダゾリジノン）、並びにスルホキシド及びスルホン（ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホキシド、テトラメチレンスルホン）及びアルコール（メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル）及び水である。溶媒は、単独又は少なくとも２つの溶媒の混合物で使用してもよい。好ましいのは、トルエンを用いることである。
【００５６】
本発明の水素化方法は、代表的な圧力１０×１０３〜１０×１０５Ｐａ（１〜１００bar）で行なってもよい。有利には、２０×１０４〜８５×１０４（２０〜８５bar）、特に８０×１０４Ｐａ（８０bar）が使用される。
【００５７】
水素化反応は、代表的には、標準的な室温、すなわち、約２０〜３５℃で行われる。しかし、主として使用される溶媒に依存して、又はより具体的には、使用される反応剤の溶解挙動に依存して、選択される温度はまた、約０〜１００℃であってもよい。
【００５８】
以下の非限定的な実施例は、本発明を詳細に説明する。
【００５９】
実施例：
使用した基質は以下のものである：
【００６０】
【化２１】
【００６１】
使用した配位子は以下のものである：
【００６２】
【化２２】
【００６３】
配位子Ａ〜Ｄを、参考文献（１）に従って調製した。配位子Ｅ〜Ｇを以下に示す実験セクションに従って調製した。配位子Ｈ、Ｉ及びＫを、参考文献（２）に従って調製した。配位子ＪはＳｔｒｅｍ社から市販されている。
【００６４】
触媒［ＲｕＣｌ２（ＰＰｈ３）（Ａ）］を参考文献（３）に従って調製した。
【００６５】
【表１】
【００６６】
配位子Ｅ、Ｆ及びＧの調製
【００６７】
配位子Ｅ：
２５０mLの三ッ口フラスコに、上述の参考文献（３）に従って調製したフェロセン−オキサゾリン前駆体（２．０ｇ、６．８mmol）、ＴＭＥＤＡ（１．２mL、８．２mmol）及びジエチルエーテル７０mLを仕込んだ。溶液を−７０℃まで冷却すると、黄濁を生じた。シリンジを用いて、反応混合物の温度を−６５℃未満に保ちながら、ｎ−ＢｕＬｉ（１．６Ｍヘキサン、５．５mL、８．８mmol）をゆっくり（約１０分かけて）添加した。添加後、混合物を−７０℃で２時間攪拌し、ドライアイス浴をはずし、反応溶液を０〜５℃で更に１５分間攪拌した。次いで、シリンジを用いて、ＰＣｌ（キシリル）２ ３．５ｇ（１２．６mmol）をゆっくり（約１０分かけて）添加した。次いで、今は暗橙色に着色された溶液を室温で約１５分間攪拌し、ジエチルエーテル５０mLを続けて添加した。飽和ＮａＨＣＯ３溶液３０mLを添加することで、反応を停止させた。ＥｔＯＡｃ各５０mLで３回抽出し、合わせた有機相をＮａ２ＳＯ４で乾燥させた。ロータリーエバポレーターで溶媒を除去した後、橙褐色に着色された油状物３．３ｇを得た。この油状物をカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２ ２４０ｇ、４：１ヘプタン／酢酸エチル）で精製し、純粋な橙色の結晶生成物１．５ｇを得た。
収量：１．５ｇ、理論量の４６％。
【００６８】
【表２】
【００６９】
配位子Ｆ：
２５０mLの三ッ口フラスコに、上述の参考文献（３）に従って調製したフェロセン−オキサゾリン前駆体（２．０ｇ、６．８mmol）、ＴＭＥＤＡ（１．２mL、８．２mmol）及びジエチルエーテル６０mLを仕込んだ。溶液を−７０℃まで冷却すると、黄色になった。シリンジを用いて、反応混合物の温度を−６５℃未満に保ちながら、ｎ−ＢｕＬｉ（１．６Ｍヘキサン、５．５mL、８．８mmol）をゆっくり（約１０分かけて）添加した。添加後、混合物を−７０℃で３時間攪拌し、ドライアイス浴をはずし、反応溶液を０〜５℃でさらに１５分間攪拌した。次いで、シリンジを用いて、ＰＣｌ（ｐ−ＣＦ３−アリール）２ １．８ｇ（６mmol）をゆっくり（約１０分かけて）添加した。次いで、暗橙色に着色された溶液を室温で約６０分間攪拌し、ジエチルエーテル５０mLを続けて添加した。飽和ＮａＨＣＯ３溶液３０mLを添加することで、反応を停止させた。ＥｔＯＡｃ各５０mLで３回抽出し、合わせた有機相をＮａ２ＳＯ４で乾燥させた。ロータリーエバポレーターで溶媒を除去した後、褐色の油状物を得た。少量の酢酸エチルを添加し、油状物を溶解させた。次いで、ヘプタンをゆっくり添加すると、橙色沈殿（１ｇ）の沈殿を生じ、この沈殿をフリットにより除去した。ろ液の溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、褐色に着色された油状物を得た。この油状物をカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２ １２０ｇ、４：１ヘプタン／酢酸エチル）で精製し、純粋な橙色の結晶生成物１．４ｇを得た。
収量：２．４ｇ、理論量の６５％。
【００７０】
【表３】
【００７１】
配位子Ｇ：
２５０mLの三ッ口フラスコに、上述の参考文献（３）に従って調製したフェロセン−オキサゾリン前駆体（２．９７ｇ、１０mmol）、ＴＭＥＤＡ（１．８mL、１２．０mmol）及びジエチルエーテル６０mLを仕込んだ。溶液を−７０℃まで冷却すると、黄濁を生じた。シリンジを用いて、反応混合物の温度を−６５℃未満に保ちながら、ｎ−ＢｕＬｉ（１．６Ｍヘキサン、８．６mL、１３．６mmol）をゆっくり（約１０分かけて）添加した。添加後、混合物を−７０℃で２時間攪拌し、ドライアイス浴をはずし、反応溶液を０〜５℃でさらに１５分間攪拌した。次いで、シリンジを用いて、ＰＣｌ（３，５−ＣＦ３−アリール）２ ６．０ｇ（１２．２mmol）をゆっくり（約１０分かけて）添加した。次いで、暗橙色に着色された溶液を室温で約１５分間攪拌し、ジエチルエーテル５０mLを続けて添加した。飽和ＮａＨＣＯ３溶液３０mLを添加することで、反応を停止させた。Ｅｔ２Ｏ各５０mLで３回抽出し、合わせた有機相をＮａ２ＳＯ４で乾燥させた。ロータリーエバポレーターで溶媒を除去した後、褐色に着色された油状物９．０ｇを得た。この油状物をカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２ ３８０ｇ、４：１ヘプタン／酢酸エチル）で精製し、暗橙色の結晶生成物３．０ｇを得た。収量：３．０ｇ、理論量の４２％。
【００７２】
【表４】
【００７３】
実験手順：
全ての反応をシュレンク（Schlenk）の技法を用いて、保護ガス雰囲気下で行った。
【００７４】
水素化の概要：
適切な前処理後、個々の触媒溶液を、不活性雰囲気にした５０mLの小型オートクレーブ（アルゴンの注入と脱気３回）に移し、出発物質（基質）及び塩基を続けて添加した。その後、オートクレーブを密閉し、水素を所望の圧力まで注入した。磁気攪拌器の電源を入れることにより反応を開始した。水素化時間が経過した時、磁気攪拌器を止め、オートクレーブを排気した。ＧＣ分析のためのサンプルを採取し、収率及び転化率を求めた。
【００７５】
転化率及びｅｅ値の決定：
１回の分析工程で、前記基質について転化率及びｅｅ値を求めた。
カラム：Ｂｅｔａ−Ｄｅｘ １１０（３０ｍ）；１１０℃の等温；キャリアガスとして１００kPaのＨ２；
反応剤１＝５．６分；Ｅ１＝７．７分；Ｅ２＝８．１分。
反応剤５＝８．８分、Ｅ１＝１２．５分；Ｅ２＝１３．０分。
反応剤７＝６．２分、Ｅ１＝８．４分；Ｅ２＝８．８分。
カラム：Ｂｅｔａ−Ｄｅｘ １１０（３０ｍ）；１１０℃の等温；キャリアガスとして１２０kPaのＨ２；
反応剤４＝２３．４分；Ｅ１＝２５．７分；Ｅ２＝２６．７分。
反応剤６＝７．３分；Ｅ１＝１３．６分；Ｅ２＝１４．３分。
カラム：Ｂｅｔａ−Ｄｅｘ １１０（３０ｍ）；１３０℃の等温；キャリアガスとして１００kPaのＨ２；
反応剤２＝５．７分、Ｅ１＝９．５分；Ｅ２＝１０．９分。
反応剤３＝７．７分、Ｅ１＝１１．１分；Ｅ２＝１１．７分。
【００７６】
結果
使用した反応剤、反応条件及び得られた結果に関する実験１〜６４の詳細を以下の表１に列挙した。
【００７７】
【表５】
【００７８】
実験１及び２：典型的な移動水素化条件下でこれらの実験を行った。イソプロパノール１０mLに、［ＲｕＣｌ２（ＰＰｈ３）（Ａ）］０．００５mmol、基質１ １mmol、及び塩基としてｉＰｒＯＫ ０．０２５mmolを添加した。実験１においてはアルゴン下、実験２においては水素圧１．１bar下で、室温で反応を行った。
【００７９】
実験３〜５９：個々の触媒は、配位子０．１mmol及び［ＲｕＣｌ２（ＰＰｈ３）３］０．１mLを、トルエン２０mL中で還流条件下１時間反応させることにより、「その場で」調製した。次いで、得られた溶液２mLを、２０mLフラスコ中の基質２mmolに添加した。次いで、１モルのＮａＯＨ水性溶液１mLを添加し、フラスコを多数並列（multiparallel）オートクレーブ中に入れた。次いで、水素を８０barの圧力に１時間注入した（他に言及しない限り、表を参照）。
【００８０】
実験６０〜６２：シュレンクフラスコ（Schlenk flask）に、実験６０においては、［ＲｕＣｌ２（ＰＰｈ３）（Ａ）］０．００５mmol、基質５０mmol、トルエン１８mL及び１モルのＮａＯＨ水性溶液１mLを仕込み、実験６１においては、基質２５０mmol、トルエン２mL及び１モルのＮａＯＨ水性溶液１mLを仕込んだ。組成物を５０mLのオートクレーブに入れ、実験６０においては１時間、実験６１においては７８時間、８０barの水素圧下に供した。反応６２については、反応を「混ぜ物なし（neat）」（すなわち、トルエンの添加なし）で行った以外は、実験６０と同じ反応条件を用いた。
【００８１】
実験６３〜６５：シュレンクフラスコに、［ＲｕＣｌ２（ＰＰｈ３）３］０．００５mmol、配位子０．００５mmol及びトルエン９mLを仕込み、還流条件下で１時間保持した。次いで、基質１００mmol及び１モルのＮａＯＨ水性溶液１mLを、「その場で」調製した触媒に室温で添加した。組成物を５０mLのオートクレーブに入れ、２０barの水素圧下に１時間又は１．５時間供した（表を参照）。
【００８２】
結果の考察
代表的な移動水素化条件下で行った最初の２つの比較実験は、水素圧１．１barの適用は活性にほとんど影響を与えないが、より高いエナンチオ選択性を可能にすることを示している。この関心を引く、重要な結果は、水素を用いた水素化が、移動水素化の主要な欠点（すなわち、エナンチオ選択性の割合が時間と共に減少していく（平衡に近づく）こと）を防ぐことが可能であることを示している。また、２０〜８０barの高圧下で、イソプロパノールではなくトルエンのような有機溶媒の存在下での水素化については、５００００までのターンオーバー数を達成することができることを示すことができた。また、水素化しにくいことが知られているイソブチロフェノン（基質６）のような基質を、同様の条件下で、高いエナンチオ選択性（ｅｅ＝９７．２％）で水素化することができたことは注目に値する。
【００８３】
イミンの水素化（基質８）：
【００８４】
【化２３】
【００８５】
【表６】
【００８６】
実験６６及び６７：個々の触媒は、配位子０．１mmol及び［ＲｕＣｌ２（ＰＰｈ３）３］０．１mLを、トルエン２０mL中で還流条件下１時間反応させることにより、「その場で」調製した。次いで、得られた溶液２mLを、２０mLフラスコ中の基質２mmolに添加した。次いで、１モルのＮａＯＨ水性溶液１mLを添加し、フラスコを多数並列（multiparallel）オートクレーブ中に入れた。次いで、水素を８０barの圧力に１６時間注入した。結果を上の表２に列挙した。
【００８７】
結果の考察：
イミンのような水素化困難な基質を用いた場合でさえ、ケトンで記載したのと同様の水素化条件に従って水素化が進行したということは非常に興味深いことである。９０％ｅｅより高い注目すべきエナンチオマー過剰率を達成することができた。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素−ヘテロ原子二重結合を含有する基質を水素化するための方法であって、
水素化触媒及び塩基の存在下、該基質を水素と反応させる工程を含み、
水素化触媒が、式（Ｉ）：
［ＸＹＲｕ（ＰＲ１Ｒ２Ｒ３）（Ｐ−Ｚ−Ｎ）］ （Ｉ）
〔式中、
Ｘ、Ｙは、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１〜８アルコキシ若しくはＣ１〜８アシルオキシ基であるか、又は少なくとも１組の自由電子対を有するヘテロ原子（例えば、（シクロ）アルキル／アリールオキシ、シクロアルキルチオ又はシクロアルキルアミノ基の形態で）を少なくとも１つ含有する配位結合した有機溶媒分子であり、この場合に得られるカチオン性錯体の電荷は、アニオン、例えば、ＣＮ−、ＯＣＮ−、ＰＦ６−又はＦ３Ｃ−ＳＯ２Ｏ−によりバランスされており、
Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、各々独立して、アルキル、アルキルオキシ、アルキルチオ、ジアルキルアミノ、シクロアルキル、シクロアルキルオキシ、シクロアルキルチオ、ジシクロアルキルアミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ又はジアリールアミノ基であり、場合により、Ｃ１〜４アルキル基及びＣ１〜４アルコキシ基から各々独立して選択される１、２又は３個の基で置換されているか、あるいはＲ１、Ｒ２、及びＲ３基の１つが上に定義されたとおりであり、残りの２つの基が、酸素ブリッジを介して又は直接にリン原子と結合し、リン原子を含む４〜８員環の、場合により置換された環を形成しており、
Ｐ−Ｚ−Ｎは、ｓｐ２混成した窒素原子を含有し、式（II）：
【化１】
（式中、
Ｒ４、Ｒ５は、各々独立して、場合により置換されている、直鎖、分枝鎖又は環状鎖のＣ１〜８アルキル若しくはＣ２〜８アルケニル基；場合により置換されている、Ｃ６〜１８アリール、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ３〜８シクロアルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−（ヘテロ）アリールであり、ここで、可能な置換基は、ハロゲン、有機ハロゲン基、Ｏ（Ｃ１〜８）アルキル、Ｎ（Ｃ１〜８アルキル）２であるか；あるいはＲ４及びＲ５は一緒になって、リン原子を含む５〜１０原子で構成される飽和又は芳香族の環となり、
Ｃａ、Ｃｂは、各々、少なくとも６つのπ電子を有する芳香族化合物の一部分であるが、場合により置換された（ヘテロ）アリールであり、
Ｒ６は、水素原子、場合により置換されている、直鎖、分枝鎖又は環状鎖のＣ１〜１０アルキル若しくはＣ２〜１０アルケニル基、場合により置換されている芳香族環、あるいは−ＯＲ６’若しくは−ＮＲ６Ｒ６”基であり、ここで、Ｒ６’及びＲ６”はＲ６について定義されたとおりであり、
Ｒ７は、水素原子、直鎖、分枝鎖又は環状鎖のＣ１〜１０アルキル若しくはＣ２〜１０アルケニル基、あるいはＲ７’ＣＯ若しくはＲ７’ＳＯ２基であり、ここで、Ｒ７’はＣ１〜８アルキル若しくはアリール基であるか、
あるいは
Ｒ６及びＲ７は一緒になって、５〜１０の、場合により置換された環原子で構成される不飽和（ヘテロ）環となり、Ｒ６及びＲ７が結合した炭素原子及び窒素原子を含み、場合により、更なるヘテロ原子を含む〕を有する二座配位子である〕
で示される遷移金属錯体であることを特徴とする方法。
【請求項２】
式（Ｉ）中のＸ、Ｙが、各々独立して、水素原子又はハロゲン原子であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
式（Ｉ）中のＸ、Ｙが、各々、ハロゲン原子、特に塩素であることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
式（Ｉ）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３が、各々独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、ｏ−若しくはｐ−トリル、ｐ−イソプロピルフェニル又はメシチル基であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
式（Ｉ）中のＲ４、Ｒ５が、各々独立して、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、シクロヘキシル、フェニル、ｏ−若しくはｐ−トリル、メシチル、α−若しくはβ−ナフチルから選択される基であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
式（II）中のＣａ、Ｃｂが、メタロセンの配位子として、場合により置換されたベンゼンの形態、又は場合により置換されたシクロペンタジエニドイオンの形態である純正６π電子系の一部分であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
式（II）中のＣ６及びＣ７が一緒になって、５〜１０の、場合により置換された環原子で構成される不飽和ヘテロ環になり、Ｒ６及びＲ７が結合した炭素原子及び窒素原子を含み、場合により、更なるヘテロ原子を含むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
式（II）の配位子が、一般式（IIIｂ）：
【化２】
〔式中、
ｎ＝１又は２、好ましくは１であり、
Ｍ＝Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、好ましくはＦｅであり、
Ｘ＝Ｏ、Ｓ又はＮ、好ましくはＯであり、
Ｒ４、Ｒ５は、各々、式（II）のもとで与えられた定義に対応する基であり、
Ｒ１１は、Ｃ２〜８アルコキシアルキル、Ｃ７〜１９アラルキル、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ４〜１９ヘテロアラルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８（ヘテロ）アリール、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基、又は好ましくは、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ６〜１８アリール基、特にｉ−プロピルであり、そして
上述の基は、１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｈａｌ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓにより置換されていてもよく、あるいは上記基は、それらの炭素骨格中に１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓを有していてもよく、
Ｒ８、９、１０は、各々独立して、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ２〜８アルコキシアルキル、Ｃ６〜１８アリール、Ｃ７〜１９アラルキル、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ４〜１９ヘテロアラルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８（ヘテロ）アリール、Ｃ３〜８シクロアルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基、又は好ましくはＨであり、上述の基は、１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｈａｌ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓにより置換されていてもよく、あるいは上記基は、それらの炭素骨格中に１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓを有していてもよい〕
で示される配位子であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
式（IIIｂ）の配位子が、配位子Ａ〜Ｇ：
【化３】
から選択されることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
式（II）の配位子が、一般式（IV）：
【化４】
〔式中、
ｎ＝１又は２、好ましくは１であり、
Ｘ＝Ｏ、Ｓ又はＮ、好ましくはＯであり、
Ｒ４、Ｒ５は、各々、式（II）のもとで与えられた定義に対応する基であり、
Ｒ１１は、Ｃ２〜８アルコキシアルキル、Ｃ７〜１９アラルキル、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ４〜１９ヘテロアラルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８（ヘテロ）アリール、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基、又は好ましくは、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ６〜１８アリール基、特にｉ−プロピルであり、そして
上述の基は、１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｈａｌ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓにより置換されていてもよく、あるいは上記基は、それらの炭素骨格中に１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓを有していてもよく、
Ｒ１２、Ｒ１３は、各々独立して、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ２〜８アルコキシ基、又は好ましくはＨであるか、あるいは一緒になって縮合シクロアルキル環又はアリール環となる〕
で示される配位であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
式（IV）の配位子が、式Ｊ：
【化５】
に対応することを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
式（II）の配位子が、一般式（Ｖ）：
【化６】
〔式中、
ｎ、Ｘ、Ｒ４、Ｒ５及びＲ１１は、各々、式（IV）に関し請求項１０で定義されたとおりであり、Ｒ１４及びＲ１５は一緒になって、６π又は１０π電子ヘテロ芳香族系となり、場合により、直鎖又は分枝鎖のＣ１〜８アルキル基により置換されており、可能なヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ、又はＳである〕
で示される配位子であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
式（Ｖ）の配位子が、式Ｈ、Ｉ及びＫ：
【化７】
の１つに対応することを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
水素化される基質がプロキラルイミン又はプロキラルケトンであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
水素化される基質が、一般式（Ｓ）：
【化８】
〔式中、Ｒａ及びＲｂは、各々独立して、水素原子、環状鎖、直鎖又は分枝鎖のＣ１〜８アルキル若しくはＣ２〜８アルケニル基、あるいは単環式又は多環式のアリール若しくはヘテロアリール基であり、場合により、直鎖若しくは分枝鎖のＣ１〜８アルキル基、Ｃ１〜８アルコキシ基、又はハロゲン原子により置換されている〕
で示されるプロキラルケトンであることを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
水素化される基質が、プロキラルの単環式又は多環式アリールケトン若しくはヘテロアリールケトンであり、場合により、直鎖又は分枝鎖のＣ１〜８アルキル基、Ｃ１〜８アルコキシ基、又はハロゲン原子によって置換されていることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
水素化される基質が、ケトン１〜７：
【化９】
の１つから選択されることを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【請求項１】
炭素−ヘテロ原子二重結合を含有する基質を水素化するための方法であって、
水素化触媒及び塩基の存在下、該基質を水素と反応させる工程を含み、
水素化触媒が、式（Ｉ）：
［ＸＹＲｕ（ＰＲ１Ｒ２Ｒ３）（Ｐ−Ｚ−Ｎ）］ （Ｉ）
〔式中、
Ｘ、Ｙは、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１〜８アルコキシ若しくはＣ１〜８アシルオキシ基であるか、又は少なくとも１組の自由電子対を有するヘテロ原子（例えば、（シクロ）アルキル／アリールオキシ、シクロアルキルチオ又はシクロアルキルアミノ基の形態で）を少なくとも１つ含有する配位結合した有機溶媒分子であり、この場合に得られるカチオン性錯体の電荷は、アニオン、例えば、ＣＮ−、ＯＣＮ−、ＰＦ６−又はＦ３Ｃ−ＳＯ２Ｏ−によりバランスされており、
Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、各々独立して、アルキル、アルキルオキシ、アルキルチオ、ジアルキルアミノ、シクロアルキル、シクロアルキルオキシ、シクロアルキルチオ、ジシクロアルキルアミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ又はジアリールアミノ基であり、場合により、Ｃ１〜４アルキル基及びＣ１〜４アルコキシ基から各々独立して選択される１、２又は３個の基で置換されているか、あるいはＲ１、Ｒ２、及びＲ３基の１つが上に定義されたとおりであり、残りの２つの基が、酸素ブリッジを介して又は直接にリン原子と結合し、リン原子を含む４〜８員環の、場合により置換された環を形成しており、
Ｐ−Ｚ−Ｎは、ｓｐ２混成した窒素原子を含有し、式（II）：
【化１】
（式中、
Ｒ４、Ｒ５は、各々独立して、場合により置換されている、直鎖、分枝鎖又は環状鎖のＣ１〜８アルキル若しくはＣ２〜８アルケニル基；場合により置換されている、Ｃ６〜１８アリール、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ３〜８シクロアルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−（ヘテロ）アリールであり、ここで、可能な置換基は、ハロゲン、有機ハロゲン基、Ｏ（Ｃ１〜８）アルキル、Ｎ（Ｃ１〜８アルキル）２であるか；あるいはＲ４及びＲ５は一緒になって、リン原子を含む５〜１０原子で構成される飽和又は芳香族の環となり、
Ｃａ、Ｃｂは、各々、少なくとも６つのπ電子を有する芳香族化合物の一部分であるが、場合により置換された（ヘテロ）アリールであり、
Ｒ６は、水素原子、場合により置換されている、直鎖、分枝鎖又は環状鎖のＣ１〜１０アルキル若しくはＣ２〜１０アルケニル基、場合により置換されている芳香族環、あるいは−ＯＲ６’若しくは−ＮＲ６Ｒ６”基であり、ここで、Ｒ６’及びＲ６”はＲ６について定義されたとおりであり、
Ｒ７は、水素原子、直鎖、分枝鎖又は環状鎖のＣ１〜１０アルキル若しくはＣ２〜１０アルケニル基、あるいはＲ７’ＣＯ若しくはＲ７’ＳＯ２基であり、ここで、Ｒ７’はＣ１〜８アルキル若しくはアリール基であるか、
あるいは
Ｒ６及びＲ７は一緒になって、５〜１０の、場合により置換された環原子で構成される不飽和（ヘテロ）環となり、Ｒ６及びＲ７が結合した炭素原子及び窒素原子を含み、場合により、更なるヘテロ原子を含む〕を有する二座配位子である〕
で示される遷移金属錯体であることを特徴とする方法。
【請求項２】
式（Ｉ）中のＸ、Ｙが、各々独立して、水素原子又はハロゲン原子であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
式（Ｉ）中のＸ、Ｙが、各々、ハロゲン原子、特に塩素であることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
式（Ｉ）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３が、各々独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、ｏ−若しくはｐ−トリル、ｐ−イソプロピルフェニル又はメシチル基であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
式（Ｉ）中のＲ４、Ｒ５が、各々独立して、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、シクロヘキシル、フェニル、ｏ−若しくはｐ−トリル、メシチル、α−若しくはβ−ナフチルから選択される基であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
式（II）中のＣａ、Ｃｂが、メタロセンの配位子として、場合により置換されたベンゼンの形態、又は場合により置換されたシクロペンタジエニドイオンの形態である純正６π電子系の一部分であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
式（II）中のＣ６及びＣ７が一緒になって、５〜１０の、場合により置換された環原子で構成される不飽和ヘテロ環になり、Ｒ６及びＲ７が結合した炭素原子及び窒素原子を含み、場合により、更なるヘテロ原子を含むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
式（II）の配位子が、一般式（IIIｂ）：
【化２】
〔式中、
ｎ＝１又は２、好ましくは１であり、
Ｍ＝Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、好ましくはＦｅであり、
Ｘ＝Ｏ、Ｓ又はＮ、好ましくはＯであり、
Ｒ４、Ｒ５は、各々、式（II）のもとで与えられた定義に対応する基であり、
Ｒ１１は、Ｃ２〜８アルコキシアルキル、Ｃ７〜１９アラルキル、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ４〜１９ヘテロアラルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８（ヘテロ）アリール、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基、又は好ましくは、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ６〜１８アリール基、特にｉ−プロピルであり、そして
上述の基は、１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｈａｌ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓにより置換されていてもよく、あるいは上記基は、それらの炭素骨格中に１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓを有していてもよく、
Ｒ８、９、１０は、各々独立して、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ２〜８アルコキシアルキル、Ｃ６〜１８アリール、Ｃ７〜１９アラルキル、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ４〜１９ヘテロアラルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８（ヘテロ）アリール、Ｃ３〜８シクロアルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基、又は好ましくはＨであり、上述の基は、１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｈａｌ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓにより置換されていてもよく、あるいは上記基は、それらの炭素骨格中に１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓを有していてもよい〕
で示される配位子であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
式（IIIｂ）の配位子が、配位子Ａ〜Ｇ：
【化３】
から選択されることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
式（II）の配位子が、一般式（IV）：
【化４】
〔式中、
ｎ＝１又は２、好ましくは１であり、
Ｘ＝Ｏ、Ｓ又はＮ、好ましくはＯであり、
Ｒ４、Ｒ５は、各々、式（II）のもとで与えられた定義に対応する基であり、
Ｒ１１は、Ｃ２〜８アルコキシアルキル、Ｃ７〜１９アラルキル、Ｃ３〜１８ヘテロアリール、Ｃ４〜１９ヘテロアラルキル、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８（ヘテロ）アリール、（Ｃ１〜８アルキル）１〜３−Ｃ６〜１８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル、Ｃ３〜８シクロアルキル−Ｃ１〜８アルキル基、又は好ましくは、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ６〜１８アリール基、特にｉ−プロピルであり、そして
上述の基は、１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｈａｌ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓにより置換されていてもよく、あるいは上記基は、それらの炭素骨格中に１つ以上のヘテロ原子、例えば、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓを有していてもよく、
Ｒ１２、Ｒ１３は、各々独立して、Ｃ１〜８アルキル、Ｃ２〜８アルコキシ基、又は好ましくはＨであるか、あるいは一緒になって縮合シクロアルキル環又はアリール環となる〕
で示される配位であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
式（IV）の配位子が、式Ｊ：
【化５】
に対応することを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
式（II）の配位子が、一般式（Ｖ）：
【化６】
〔式中、
ｎ、Ｘ、Ｒ４、Ｒ５及びＲ１１は、各々、式（IV）に関し請求項１０で定義されたとおりであり、Ｒ１４及びＲ１５は一緒になって、６π又は１０π電子ヘテロ芳香族系となり、場合により、直鎖又は分枝鎖のＣ１〜８アルキル基により置換されており、可能なヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ、又はＳである〕
で示される配位子であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
式（Ｖ）の配位子が、式Ｈ、Ｉ及びＫ：
【化７】
の１つに対応することを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
水素化される基質がプロキラルイミン又はプロキラルケトンであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
水素化される基質が、一般式（Ｓ）：
【化８】
〔式中、Ｒａ及びＲｂは、各々独立して、水素原子、環状鎖、直鎖又は分枝鎖のＣ１〜８アルキル若しくはＣ２〜８アルケニル基、あるいは単環式又は多環式のアリール若しくはヘテロアリール基であり、場合により、直鎖若しくは分枝鎖のＣ１〜８アルキル基、Ｃ１〜８アルコキシ基、又はハロゲン原子により置換されている〕
で示されるプロキラルケトンであることを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
水素化される基質が、プロキラルの単環式又は多環式アリールケトン若しくはヘテロアリールケトンであり、場合により、直鎖又は分枝鎖のＣ１〜８アルキル基、Ｃ１〜８アルコキシ基、又はハロゲン原子によって置換されていることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
水素化される基質が、ケトン１〜７：
【化９】
の１つから選択されることを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【公表番号】特表２００６−５０８１６１（Ｐ２００６−５０８１６１Ａ）
【公表日】平成１８年３月９日（２００６．３．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−５５６３３７（Ｐ２００４−５５６３３７）
【出願日】平成１５年１１月２７日（２００３．１１．２７）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００３／０５０９０２
【国際公開番号】ＷＯ２００４／０５０５８５
【国際公開日】平成１６年６月１７日（２００４．６．１７）
【出願人】（５９９１６３１５９）ソルヴィーアス アクチェンゲゼルシャフト (22)
【氏名又は名称原語表記】Ｓｏｌｖｉａｓ ＡＧ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１８年３月９日（２００６．３．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１５年１１月２７日（２００３．１１．２７）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００３／０５０９０２
【国際公開番号】ＷＯ２００４／０５０５８５
【国際公開日】平成１６年６月１７日（２００４．６．１７）
【出願人】（５９９１６３１５９）ソルヴィーアス アクチェンゲゼルシャフト (22)
【氏名又は名称原語表記】Ｓｏｌｖｉａｓ ＡＧ
【Ｆターム（参考）】
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