画像形成装置及び画像形成方法
【課題】 感光体の繰り返し使用における残留電位上昇を抑制し、高耐久で高速画像出力が可能な画像形成装置及び方法を提供する。
【解決手段】 静電潜像担持体と、該静電潜像担持体上に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、該静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段と、該可視像を記録媒体に転写する転写手段と、記録媒体に転写された転写像を定着させる定着手段と静電潜像担持体の残留電荷を光除電する除電手段とを少なくとも有する画像形成装置であって、前記除電手段が５００ｎｍ未満の短波長の光を照射する除電手段であると共に、前記静電潜像担持体が、支持体と、該支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とからなる感光層を有し、該電荷発生層中にチタニルフタロシアニン及びアゾ顔料を含有することを特徴とする画像形成装置である。
【解決手段】 静電潜像担持体と、該静電潜像担持体上に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、該静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段と、該可視像を記録媒体に転写する転写手段と、記録媒体に転写された転写像を定着させる定着手段と静電潜像担持体の残留電荷を光除電する除電手段とを少なくとも有する画像形成装置であって、前記除電手段が５００ｎｍ未満の短波長の光を照射する除電手段であると共に、前記静電潜像担持体が、支持体と、該支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とからなる感光層を有し、該電荷発生層中にチタニルフタロシアニン及びアゾ顔料を含有することを特徴とする画像形成装置である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電潜像担持体と、該静電潜像担持体上に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、該静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段と、該可視像を記録媒体に転写する転写手段と、記録媒体に転写された転写像を定着させる定着手段と静電潜像担持体の残留電荷を光除電する除電手段とを少なくとも有する画像形成装置であって、前記除電手段が５００ｎｍ未満の波長の光を照射する除電手段であると共に、前記静電潜像担持体が、支持体と、該支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とからなる感光層を有し、該電荷発生層中にチタニルフタロシアニン及びアゾ顔料を含有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記チタニルフタロシアニンが、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、少なくとも２７．２゜に最大回折ピークを有するチタニルフタロシアニン結晶であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記チタニルフタロシアニンが、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として少なくとも２７．２゜に最大回折ピークを有し、更に９．４゜、９．６゜、２４．０゜に主要なピークを有し、最も低角側の回折ピークとして７．３゜にピークを有し、該７．３°のピークと９．４゜のピークの間にピークを有さず、更に２６．３°にピークを有さないチタニルフタロシアニン結晶であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記アゾ顔料が、下記（Ｉ）式で表されるアゾ顔料であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像形成装置。
【化１】
（式（Ｉ）中、Ｒ２０１、Ｒ２０２はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基のいずれかを表し、同一でも異なっていても良い。またＣｐ１、Ｃｐ２はカップラー残基を表し、下記（ＩＩ）式で表される。）
【化２】
（式（ＩＩ）中、Ｒ２０３は、水素原子、アルキル基、アリール基を表す。Ｒ２０４、Ｒ２０５、Ｒ２０６、Ｒ２０７、Ｒ２０８はそれぞれ、水素原子、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、水酸基を表し、Ｚは置換もしくは無置換の芳香族炭素環または置換もしくは無置換の芳香族複素環を構成するのに必要な原子群を表す。）
【請求項５】
前記アゾ顔料のＣｐ１とＣｐ２が互いに異なるものであることを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記電荷輸送層が除電光を３０％以上透過することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記電荷輸送層に含有される電荷輸送物質がトリアリールアミン構造を有することを特徴とする請求項１乃至６項のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記電荷輸送物質が下記（ＩＩＩ）式で表される電荷輸送物質であることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【化３】
（式（ＩＩＩ）中、Ｒ３０１、Ｒ３０３及びＲ３０４は水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、無置換のアルキル基、ハロゲン原子又は置換もしくは無置換のアリール基を、Ｒ３０２は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表わす。またｋ、ｌ、ｍ及びｎは１、２、３又は４の整数であり、各々が２、３又は４の整数の時は前記Ｒ３０１、Ｒ３０２、Ｒ３０３及びＲ３０４は同一でも異なっていてもよい。）
【請求項９】
電荷輸送層が、トリアリールアミン構造を主鎖及び側鎖の少なくともいずれかに含むポリカーボネートを含有する請求項１乃至８のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１０】
電荷輸送層上に保護層を有する請求項１乃至９のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記保護層が除電光を３０％以上透過することを特徴とする請求項１０に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
保護層が、比抵抗１０１０Ω・ｃｍ以上の無機顔料及び金属酸化物から選択されるいずれかを含む請求項１０又は１１に記載の画像形成装置。
【請求項１３】
前記保護層が、少なくとも電荷輸送性構造を有しない３官能以上のラジカル重合性モノマーと１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物とを硬化することにより形成されることを特徴とする請求項１０又は１１のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１４】
前記保護層に用いられる１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物が、下記一般式（１）又は（２）の少なくとも一種であることを特徴とする請求項１３に記載の画像形成装置。
【化４】
【化５】
（式（１）及び（２）中、Ｒ１は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよいアリール基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、−ＣＯＯＲ２（Ｒ２は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアリール基）、ハロゲン化カルボニル基若しくはＣＯＮＲ３Ｒ４（Ｒ３及びＲ４は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアリール基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい）を表わし、Ａｒ１、Ａｒ２は置換もしくは無置換のアリーレン基を表わし、同一であっても異なってもよい。Ａｒ３、Ａｒ４は置換もしくは無置換のアリール基を表わし、同一であっても異なってもよい。Ｘaは単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。Ｚは置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル２価基、アルキレンオキシカルボニル２価基を表わす。ｍ、ｎは０〜３の整数を表わす。）
【請求項１５】
前記保護層に用いられる１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物が、下記一般式（３）の少なくとも一種以上であることを特徴とする請求項１３又は１４のいずれかに記載の画像形成装置。
【化６】
（式（３）中、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ０又は１の整数、Ｒａは水素原子、メチル基を表わし、Ｒｂ、Ｒｃは水素原子以外の置換基で炭素数１〜６のアルキル基を表わし、複数の場合は異なっても良い。ｓ、ｔは０〜３の整数を表わす。Ｚａは単結合、メチレン基、エチレン基、
【化７】
を表わす。）
【請求項１６】
前記保護層の硬化手段が加熱又は光エネルギー照射手段であることを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１７】
前記潜像担持体において、支持体と電荷発生層の間に中間層が設けられ、該中間層が電荷ブロッキング層とモアレ防止層からなることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１８】
前記電荷ブロッキング層が絶縁性材料からなり、その膜厚が２．０μｍ未満、０．３μｍ以上であることを特徴とする請求項１７に記載の画像形成装置。
【請求項１９】
前記モアレ防止層が無機顔料とバインダー樹脂を含有し、両者の容積比が１／１乃至３／１の範囲であることを特徴とする請求項１７又は１８のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項２０】
前記静電潜像形成手段に用いられる画像書き込み光の光源波長が、４５０ｎｍよりも短波長の光源であることを特徴とする請求項１乃至１９のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項２１】
少なくとも静電潜像担持体、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段及び除電手段を有する画像形成要素を複数備えた請求項１乃至２０のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項２２】
静電潜像担持体と、静電潜像形成手段、現像手段、除電手段及びクリーニング手段から選択される１つ以上の手段とが一体となり、装置本体と着脱自在なプロセスカートリッジを搭載している請求項１乃至２１のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項２３】
静電潜像担持体上に静電潜像を形成する静電潜像形成工程と、該静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像工程と、該可視像を記録媒体に転写する転写工程と、記録媒体に転写された転写像を定着させる定着工程と静電潜像担持体の残留電荷を光除電する除電工程とを少なくとも有する画像形成方法であって、前記除電工程が５００ｎｍ未満の波長の光を照射する除電工程であると共に、前記静電潜像担持体が、支持体と、該支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とからなる感光層を有し、該電荷発生層中にチタニルフタロシアニン及びアゾ顔料を含有することを特徴とすることを特徴とする画像形成方法。
【請求項２４】
前記チタニルフタロシアニンが、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、少なくとも２７．２゜に最大回折ピークを有するチタニルフタロシアニン結晶であり、かつ前記アゾ顔料が下記（Ｉ）式で表されるアゾ顔料であることを特徴とする請求項２３に記載の画像形成方法。
【化８】
（式（Ｉ）中、Ｃｐ１、Ｃｐ２、はカップラー残基を表す。Ｒ２０１、Ｒ２０２はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基のいずれかを表し、同一でも異なっていても良い。またＣｐ１、Ｃｐ２は下記（ＩＩ）式で表される。）
【化９】
（式（ＩＩ）中、Ｒ２０３は、水素原子、メチル基、エチル基などのアルキル基、フェニル基などのアリール基を表す。Ｒ２０４、Ｒ２０５、Ｒ２０６、Ｒ２０７、Ｒ２０８はそれぞれ、水素原子、ニトロ基、シアノ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、ジアルキルアミノ基、水酸基を表し、Ｚは置換もしくは無置換の芳香族炭素環または置換もしくは無置換の芳香族複素環を構成するのに必要な原子群を表す。）
【請求項２５】
前記チタニルフタロシアニンが、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として少なくとも２７．２゜に最大回折ピークを有し、更に９．４゜、９．６゜、２４．０゜に主要なピークを有し、最も低角側の回折ピークとして７．３゜にピークを有し、該７．３°のピークと９．４゜のピークの間にピークを有さず、更に２６．３°にピークを有さないチタニルフタロシアニン結晶であることを特徴とする請求項２３又は２４に記載の画像形成方法。
【請求項２６】
前記静電潜像形成工程に用いられる画像書き込み光の光源波長が、４５０ｎｍよりも短波長の光源であることを特徴とする請求項２３乃至２５のいずれかに記載の画像形成方法。
【請求項２７】
少なくとも静電潜像形成工程、現像工程、転写工程、除電工程及び定着工程を有する画像形成工程を複数備えた請求項２３乃至２６のいずれかに記載の画像形成方法。
【請求項１】
静電潜像担持体と、該静電潜像担持体上に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、該静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段と、該可視像を記録媒体に転写する転写手段と、記録媒体に転写された転写像を定着させる定着手段と静電潜像担持体の残留電荷を光除電する除電手段とを少なくとも有する画像形成装置であって、前記除電手段が５００ｎｍ未満の波長の光を照射する除電手段であると共に、前記静電潜像担持体が、支持体と、該支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とからなる感光層を有し、該電荷発生層中にチタニルフタロシアニン及びアゾ顔料を含有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記チタニルフタロシアニンが、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、少なくとも２７．２゜に最大回折ピークを有するチタニルフタロシアニン結晶であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記チタニルフタロシアニンが、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として少なくとも２７．２゜に最大回折ピークを有し、更に９．４゜、９．６゜、２４．０゜に主要なピークを有し、最も低角側の回折ピークとして７．３゜にピークを有し、該７．３°のピークと９．４゜のピークの間にピークを有さず、更に２６．３°にピークを有さないチタニルフタロシアニン結晶であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記アゾ顔料が、下記（Ｉ）式で表されるアゾ顔料であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像形成装置。
【化１】
（式（Ｉ）中、Ｒ２０１、Ｒ２０２はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基のいずれかを表し、同一でも異なっていても良い。またＣｐ１、Ｃｐ２はカップラー残基を表し、下記（ＩＩ）式で表される。）
【化２】
（式（ＩＩ）中、Ｒ２０３は、水素原子、アルキル基、アリール基を表す。Ｒ２０４、Ｒ２０５、Ｒ２０６、Ｒ２０７、Ｒ２０８はそれぞれ、水素原子、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、水酸基を表し、Ｚは置換もしくは無置換の芳香族炭素環または置換もしくは無置換の芳香族複素環を構成するのに必要な原子群を表す。）
【請求項５】
前記アゾ顔料のＣｐ１とＣｐ２が互いに異なるものであることを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記電荷輸送層が除電光を３０％以上透過することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記電荷輸送層に含有される電荷輸送物質がトリアリールアミン構造を有することを特徴とする請求項１乃至６項のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記電荷輸送物質が下記（ＩＩＩ）式で表される電荷輸送物質であることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【化３】
（式（ＩＩＩ）中、Ｒ３０１、Ｒ３０３及びＲ３０４は水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、無置換のアルキル基、ハロゲン原子又は置換もしくは無置換のアリール基を、Ｒ３０２は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表わす。またｋ、ｌ、ｍ及びｎは１、２、３又は４の整数であり、各々が２、３又は４の整数の時は前記Ｒ３０１、Ｒ３０２、Ｒ３０３及びＲ３０４は同一でも異なっていてもよい。）
【請求項９】
電荷輸送層が、トリアリールアミン構造を主鎖及び側鎖の少なくともいずれかに含むポリカーボネートを含有する請求項１乃至８のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１０】
電荷輸送層上に保護層を有する請求項１乃至９のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記保護層が除電光を３０％以上透過することを特徴とする請求項１０に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
保護層が、比抵抗１０１０Ω・ｃｍ以上の無機顔料及び金属酸化物から選択されるいずれかを含む請求項１０又は１１に記載の画像形成装置。
【請求項１３】
前記保護層が、少なくとも電荷輸送性構造を有しない３官能以上のラジカル重合性モノマーと１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物とを硬化することにより形成されることを特徴とする請求項１０又は１１のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１４】
前記保護層に用いられる１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物が、下記一般式（１）又は（２）の少なくとも一種であることを特徴とする請求項１３に記載の画像形成装置。
【化４】
【化５】
（式（１）及び（２）中、Ｒ１は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよいアリール基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、−ＣＯＯＲ２（Ｒ２は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアリール基）、ハロゲン化カルボニル基若しくはＣＯＮＲ３Ｒ４（Ｒ３及びＲ４は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアリール基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい）を表わし、Ａｒ１、Ａｒ２は置換もしくは無置換のアリーレン基を表わし、同一であっても異なってもよい。Ａｒ３、Ａｒ４は置換もしくは無置換のアリール基を表わし、同一であっても異なってもよい。Ｘaは単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。Ｚは置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル２価基、アルキレンオキシカルボニル２価基を表わす。ｍ、ｎは０〜３の整数を表わす。）
【請求項１５】
前記保護層に用いられる１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物が、下記一般式（３）の少なくとも一種以上であることを特徴とする請求項１３又は１４のいずれかに記載の画像形成装置。
【化６】
（式（３）中、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ０又は１の整数、Ｒａは水素原子、メチル基を表わし、Ｒｂ、Ｒｃは水素原子以外の置換基で炭素数１〜６のアルキル基を表わし、複数の場合は異なっても良い。ｓ、ｔは０〜３の整数を表わす。Ｚａは単結合、メチレン基、エチレン基、
【化７】
を表わす。）
【請求項１６】
前記保護層の硬化手段が加熱又は光エネルギー照射手段であることを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１７】
前記潜像担持体において、支持体と電荷発生層の間に中間層が設けられ、該中間層が電荷ブロッキング層とモアレ防止層からなることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１８】
前記電荷ブロッキング層が絶縁性材料からなり、その膜厚が２．０μｍ未満、０．３μｍ以上であることを特徴とする請求項１７に記載の画像形成装置。
【請求項１９】
前記モアレ防止層が無機顔料とバインダー樹脂を含有し、両者の容積比が１／１乃至３／１の範囲であることを特徴とする請求項１７又は１８のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項２０】
前記静電潜像形成手段に用いられる画像書き込み光の光源波長が、４５０ｎｍよりも短波長の光源であることを特徴とする請求項１乃至１９のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項２１】
少なくとも静電潜像担持体、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段及び除電手段を有する画像形成要素を複数備えた請求項１乃至２０のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項２２】
静電潜像担持体と、静電潜像形成手段、現像手段、除電手段及びクリーニング手段から選択される１つ以上の手段とが一体となり、装置本体と着脱自在なプロセスカートリッジを搭載している請求項１乃至２１のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項２３】
静電潜像担持体上に静電潜像を形成する静電潜像形成工程と、該静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像工程と、該可視像を記録媒体に転写する転写工程と、記録媒体に転写された転写像を定着させる定着工程と静電潜像担持体の残留電荷を光除電する除電工程とを少なくとも有する画像形成方法であって、前記除電工程が５００ｎｍ未満の波長の光を照射する除電工程であると共に、前記静電潜像担持体が、支持体と、該支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とからなる感光層を有し、該電荷発生層中にチタニルフタロシアニン及びアゾ顔料を含有することを特徴とすることを特徴とする画像形成方法。
【請求項２４】
前記チタニルフタロシアニンが、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、少なくとも２７．２゜に最大回折ピークを有するチタニルフタロシアニン結晶であり、かつ前記アゾ顔料が下記（Ｉ）式で表されるアゾ顔料であることを特徴とする請求項２３に記載の画像形成方法。
【化８】
（式（Ｉ）中、Ｃｐ１、Ｃｐ２、はカップラー残基を表す。Ｒ２０１、Ｒ２０２はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基のいずれかを表し、同一でも異なっていても良い。またＣｐ１、Ｃｐ２は下記（ＩＩ）式で表される。）
【化９】
（式（ＩＩ）中、Ｒ２０３は、水素原子、メチル基、エチル基などのアルキル基、フェニル基などのアリール基を表す。Ｒ２０４、Ｒ２０５、Ｒ２０６、Ｒ２０７、Ｒ２０８はそれぞれ、水素原子、ニトロ基、シアノ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、ジアルキルアミノ基、水酸基を表し、Ｚは置換もしくは無置換の芳香族炭素環または置換もしくは無置換の芳香族複素環を構成するのに必要な原子群を表す。）
【請求項２５】
前記チタニルフタロシアニンが、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として少なくとも２７．２゜に最大回折ピークを有し、更に９．４゜、９．６゜、２４．０゜に主要なピークを有し、最も低角側の回折ピークとして７．３゜にピークを有し、該７．３°のピークと９．４゜のピークの間にピークを有さず、更に２６．３°にピークを有さないチタニルフタロシアニン結晶であることを特徴とする請求項２３又は２４に記載の画像形成方法。
【請求項２６】
前記静電潜像形成工程に用いられる画像書き込み光の光源波長が、４５０ｎｍよりも短波長の光源であることを特徴とする請求項２３乃至２５のいずれかに記載の画像形成方法。
【請求項２７】
少なくとも静電潜像形成工程、現像工程、転写工程、除電工程及び定着工程を有する画像形成工程を複数備えた請求項２３乃至２６のいずれかに記載の画像形成方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１５】
【図８】
【図９】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１５】
【図８】
【図９】
【図１４】
【公開番号】特開２００６−２５９０６３（Ｐ２００６−２５９０６３Ａ）
【公開日】平成１８年９月２８日（２００６．９．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−７４６３６（Ｐ２００５−７４６３６）
【出願日】平成１７年３月１６日（２００５．３．１６）
【出願人】（０００００６７４７）株式会社リコー (37,907)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年９月２８日（２００６．９．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月１６日（２００５．３．１６）
【出願人】（０００００６７４７）株式会社リコー (37,907)
【Ｆターム（参考）】
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