【課題】表示粒子を用いた画像表示方法において、表示画像のコントラストをより高める。
【解決手段】対向配置された少なくとも一方が透光性を有する一対の基板１１，１２と、当該基板間に封入された互いに帯電極性の異なる、且つ互いに光学的反射濃度の異なる少なくとも２種類の表示粒子５Ａ，５Ｂを含む表示粒子群５とを備えた画像表示素子１０において、基板間に電界を印加して表示粒子群を移動させることにより画像表示を行う画像表示方法であって、基板間における書込み対象の画素に対し、正または負の書込み用の直流電圧を印加する書込みステップを有し、書込みステップの間の少なくとも一部において、前記基板間に交互電界を形成する交番電圧成分が前記直流電圧に重畳される構成とする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示粒子を用いた画像表示方法及びその方法に用いられる画像表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子ペーパ等に適用される画像表示素子に関し、色および帯電特性が異なる複数種類の表示粒子が、電界が印加される一対の基板間に封入されると共に、当該基板間を電界に応じて移動することにより画像を表示する構成が知られている。また、この種の画像表示素子では、電気・磁気を利用した書込み方式として、基板間に充填した溶媒中に表示粒子を分散させた湿式の表示方式（電気泳動方式等）や、基板間の間隙（空気、窒素、アルゴン等の中）に表示粒子を分散させた乾式の表示方式（帯電トナー型表示方式および電子粉流体方式等）が開発されている。
【０００３】
このような画像表示素子は、例えばパッシブマトリクス駆動による画像表示を実施し、一方の基板側で縦方向に配置される複数の行電極、及び他方の基板側で横方向に配置される複数の列電極を有する。画像の書き換えの際には、行電極に電圧を印加し、かつ画像を書き換える画素に対応する列電極に電圧を印加することで表示粒子を移動させることができる。
【０００４】
しかし、乾式の表示方式を用いる画像表示素子では、画像表示を繰り返し行うことにより、電極等に対する表示粒子の張り付きや表示粒子同士の付着・凝集が生じて、表示欠陥の発生やコントラストの低下を引き起こす場合がある。そこで、そのような問題を解消するために、画像表示を行う前に所定の駆動電圧を電極に印加することにより、画像表示素子の初期化を行う（表示粒子の凝集等を解消する）技術が存在する。
【０００５】
例えば、画像表示素子において、画像を表示する合間に、電極系の固有振動数を含むような周波数範囲で交番電圧の周波数を掃引することにより、電極に張り付いた表示粒子を引き剥がし、表示の色むらの発生を効果的に抑制する技術が知られている（特許文献１参照）。
【０００６】
また、画像表示素子において、画像表示を切り替える毎に、複数種類の粒子群が移動可能な周波数（２０Ｈｚ以上でかつ２０ｋＨｚ以下）で、かつ画像を表示させるときの表示駆動電圧よりも低い交番電圧を一対の電極に対して印加することにより、表示粒子の凝集体の発生や、間隙部材への付着・凝集を防止する技術が知られている（特許文献２参照）。
【０００７】
また、表示パネルを構成する複数の画像表示素子を有する画像表示装置において、画像表示素子の各々の表示特性に応じて設定されたオフセット電圧を基準交番電圧に重畳して形成される電界を付与して各画像表示素子の初期化を行った後、表示すべき画像データに応じた書込み電圧を各画像表示素子に印加してそれぞれ分割画像を書き込む（表示パネルとして１つの画像を表示する）ことにより、各画像表示素子間の濃度差をなくして均一な画像を表示する技術が知られている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−２４８２５０号公報
【特許文献２】特開２００３−００５２７７号公報
【特許文献３】特開２００５−２４１９９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記特許文献１〜３に記載の従来技術によれば、画像を表示する前に交番電圧を印加することにより基板間で表示粒子を撹乱させ、画像表示素子を初期化することができる。しかしながら、それらの従来技術では、画像表示素子の初期化により表示欠陥の発生やコントラストの低下を抑制することができるものの、画像の書込み動作において画像のコントラストを効果的に向上させるものではなかった。つまり、従来技術では、表示粒子の凝集等を抑制できでも、それだけでは、例えば白色表示をより白くするような効果は期待できなかった。
【００１０】
本発明は、このような従来技術の課題を鑑みて案出されたものであり、表示画像のコントラストをより高めることができる画像表示方法及びその方法に用いられる画像表示素子を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の画像表示方法は、対向配置された少なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、当該基板間に封入された互いに帯電極性の異なる、且つ互いに光学的反射濃度の異なる少なくとも２種類の表示粒子を含む表示粒子群とを備えた画像表示素子において、前記基板間に電界を印加して前記表示粒子群を移動させることにより画像表示を行う画像表示方法であって、前記基板間における書込み対象の画素に対し、正または負の書込み用の直流電圧を印加する書込みステップを有し、前記書込みステップの間の少なくとも一部において、前記基板間に交互電界を形成する交番電圧成分が前記直流電圧に重畳されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
このように本発明によれば、一対の基板間における全ての表示粒子（例えば、白色粒子および黒色粒子）を交番電圧成分によって往復運動させて表示粒子の付着・凝集等を解消すると共に、書込み対象の画素における所定の表示粒子（例えば、黒色粒子）を直流電圧によって選択的に表面基板側に移行・付着させる構成であるため、表示画像のコントラストをより高めることができるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態に係る画像表示装置の模式的な断面図
【図２】実施形態に係る画像表示素子の模式的な平面図
【図３】画像表示素子における画像表示の一例（一部黒色表示）を示す模式的平面図
【図４】画像表示素子における画像表示の一例（一部黒色表示）を示す模式的側面図
【図５】図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（従来技術による比較例）を示す説明図
【図６】図５中の所定の画素に相当する部位における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図
【図７】画像表示素子１０における画像表示の一例（全面白色表示）を示す模式的な平面図
【図８】画像表示素子１０における画像表示の一例（全面白色表示）を示す模式的な側面図
【図９】画像表示素子１０における画像表示の一例（全面白色表示）を示す模式的な斜視図
【図１０】図７〜図９中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第１の全面白色表示方法）を示す説明図
【図１１】図７〜図９中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第２の全面白色表示方法）を示す説明図
【図１２】図７〜図９中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第３の全面白色表示方法）を示す説明図
【図１３】図７〜図９中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第４の全面白色表示方法）を示す説明図
【図１４】図７〜図９中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第５の全面白色表示方法）を示す説明図
【図１５】図７〜図９中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第６の全面白色表示方法）を示す説明図
【図１６】図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第１の黒色表示方法）を示す説明図
【図１７】図１６中の所定の画素に相当する部位における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図
【図１８】図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第２の黒色表示方法）を示す説明図
【図１９】図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第３の黒色表示方法）を示す説明図
【図２０】図１９中の所定の画素に相当する部位における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図
【図２１】図１９に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図
【図２２】図１９に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図
【図２３】図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第４の黒色表示方法）を示す説明図
【図２４】図２３中の所定の画素に相当する部位における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図
【図２５】図２３に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図
【図２６】図２３に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図
【図２７】図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第５の黒色表示方法）を示す説明図
【図２８】図２７中の所定の画素に相当する部位における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図
【図２９】図２７に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図
【図３０】図２７に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図
【図３１】図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第６の黒色表示方法）を示す説明図
【図３２】図３１中の所定の画素に相当する部位における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図
【図３３】図３１に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図
【図３４】図３１に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図
【図３５】図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第７の黒色表示方法）を示す説明図
【図３６】図３５中の所定の画素に相当する部位における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図
【図３７】図３５に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図
【図３８】図３５に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図
【図３９】図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第８の黒色表示方法）を示す説明図
【図４０】図３９中の所定の画素に相当する部位における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図
【図４１】図４０に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図
【図４２】図４０に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図
【図４３】図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第９の黒色表示方法）を示す説明図
【図４４】図４３中の所定の画素に相当する部位における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図
【図４５】図４３に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図
【図４６】図４３に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図
【図４７】図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第１０の黒色表示方法）を示す説明図
【図４８】図４７中の所定の画素に相当する部位における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図
【図４９】図４８に示した行電極を基準とした列電極の電圧値の変形例を示す図
【図５０】図４８に示した行電極を基準とした列電極の電圧値の変形例を示す図
【図５１】図４８に示した行電極を基準とした列電極の電圧値の変形例を示す図
【図５２】隔壁形成における一工程（ドライフィルムラミネート工程）を示す模式的な断面図
【図５３】隔壁形成における一工程（露光工程）を示す模式的な断面図
【図５４】隔壁形成における一工程（現像工程）を示す模式的な断面図
【図５５】表面改質処理装置の構成図
【図５６】図９中のＸ部を拡大して示す詳細図
【図５７】本発明の画像表示素子のコントラスト測定結果を示す図
【図５８】本発明の一実施態様の画像表示コントラストを示す特性図
【図５９】本発明の一実施態様の画像表示コントラストを示す特性図
【図６０】本発明の一実施態様の画像表示コントラストを示す特性図
【図６１】本発明の一実施態様の画像表示コントラストを示す特性図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
上記課題を解決するためになされた第１の発明は、対向配置された少なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、当該基板間に封入された互いに帯電極性の異なる、且つ互いに光学的反射濃度の異なる少なくとも２種類の表示粒子を含む表示粒子群とを備えた画像表示素子において、前記基板間に電界を印加して前記表示粒子群を移動させることにより画像表示を行う画像表示方法であって、前記基板間における書込み対象の画素に対し、正または負の書込み用の直流電圧を印加する書込みステップを有し、前記書込みステップの間の少なくとも一部において、前記基板間に交互電界を形成する交番電圧成分が前記直流電圧に重畳される構成とする。
【００１５】
これによると、一対の基板間における全ての表示粒子（例えば、白色粒子および黒色粒子）を交番電圧成分によって往復運動させて表示粒子の付着・凝集等を解消すると共に、書込み対象の画素における所定の表示粒子（例えば、黒色粒子）を直流電圧によって選択的に表面基板側に移行・付着させる構成であるため、表示画像のコントラストをより高めることができる。
【００１６】
また、第２の発明は、前記交番電圧成分における最終パルスは、前記直流電圧の絶対値を減ずる方向に作用し、前記最終パルスの後に、前記直流電圧のみが所定時間印加される構成とする。
【００１７】
これによると、所定の表示粒子（例えば、黒色粒子）を表面基板側から引き戻すように交番電圧成分の最終パルスを作用させることにより、非書込み対象の画素において、クロストークにより所定の表示粒子（例えば、黒色粒子）が表面基板側の他の表示粒子（例えば、白色粒子）に混入することを防止することができる。これにより、表示画像のコントラストをより高めることができる。なお、書込み対象の画素の所定の表示粒子（例えば、黒色粒子）は、交番電圧成分と直流電圧の印加により、逆方向への移行はほとんど生じない。
【００１８】
また、第３の発明は、前記交番電圧成分における複数のパルスの振幅は、画像書込み開始から増大し、最大値に到達した後に減衰する構成とする。
【００１９】
これによると、交番電圧成分を一定の時間を持たせて徐々に増大させることにより、非書込み対象の画素における表示粒子の移動を抑制でき、クロストークに起因するコントラストの低下を抑制することができる。一方、書込み対象の画素において画像が書き換えられた後に、交番電圧成分を一定の時間を持たせて徐々に減衰させることにより、書き換えられた表示粒子が、反対基板側に移動する現象を抑制でき、クロストークに起因するコントラストの低下を抑えることができる。なお、交番電圧成分における複数のパルスの振幅については、例えば正弦波的または三角波的に変化させることができる。
【００２０】
また、第４の発明は、前記交番電圧成分では、前記書込みステップの開始側において、各パルスのピーク値までの立ち上がり速度が当該ピーク値からの立ち下がり速度よりも小さく設定される一方、前記書込みステップの終了側において、各パルスのピーク値までの立ち上がり速度が当該ピーク値からの立ち下がり速度よりも大きく設定された構成とする。
【００２１】
これによると、電圧印加開始側では交番電圧成分の各パルスの立ち上がり速度を遅らせ、一定の遅延時間を持たせて徐々に電圧を増大させることにより、非書込み対象の画素における表示粒子の移動を抑制でき、クロストークに起因するコントラストの低下を抑制することができる。また、電圧印加終了側では交番電圧成分の各パルスの立ち下がり速度を遅らせ、一定の遅延時間を持たせて徐々に電圧を減少させることにより、書込み対象の画素において書き換えられた表示粒子が、逆方向の基板側へ移動することを抑制することができる。
【００２２】
また、第５の発明は、前記書込みステップにおいて、前記表示粒子の移動による書込みを阻害する側に前記直流電圧の値が少なくとも一時的に変化する構成とする。
【００２３】
これによると、非書込み対象の画素において、意図せずに表面基板側に移動した表示粒子を本来位置すべき背面基板側に移動させて除去することができるため、クロストークによる混色を防止し、コントラストの低下を抑制することができる。
【００２４】
また、第６の発明は、前記直流電圧は、その絶対値が最大値に到達した後、前記書込みを阻害する側に一定の割合で変化するスロープ状の波形を有する構成とする。
【００２５】
これによると、直流電圧を一定の傾きで変化させるため、書き換え画素において書き換えられた表示粒子が、急な電圧変動に起因して逆方向の基板側に移動する現象を抑制することができる。
【００２６】
また、第７の発明は、前記直流電圧の最大電圧値をＶｄ、前記交番電圧成分の波形のピークツーピークの電圧差をＶｐとし、Ｖｄ≦Ｖｐ≦３×Ｖｄの関係を満たす構成とする。
【００２７】
これによると、直流電圧の最大電圧値をＶｄと、交番電圧成分の波形のピークツーピークの電圧差をＶｐとの関係を適切に定めることにより、交番電界により表示粒子が往復運動を行う際に、正または負に帯電した表示粒子が孤立した状態を取りやすくなり、それぞれの表示粒子が基板間に形成される直流電界に沿って移動して各基板に付着することを促進するとともに、非書込み画素におけるクロストークを抑制できる。
【００２８】
また、第８の発明は、前記直流電圧が印加される全期間をＴｄ、前記交番電圧成分が前記直流電圧に重畳される時間をＴｐとし、０．２×Ｔｄ≦Ｔｐ≦Ｔｄの関係を満たす構成とする。
【００２９】
これによると、交番電圧が重畳される期間を適切に定めることにより、表示粒子の往復運動が電界の交番に対応して繰り返し行われ、最終的に直流電圧パターンに応じて所定の表示粒子（例えば、黒色粒子）が選択的に表面基板側に移行・付着し、表示画像のコントラストをより高めると共に、クロストークを抑制することができる。
【００３０】
また、第９の発明は、前記書込みステップにおいて、立ち上がり時間が１ｍｓ〜５００ｍｓの範囲で設定されたスロープ状の波形を有する直流電圧が印加される構成とする。
【００３１】
これによると、矩形波形を用いて瞬時に所定の電圧値を印加する方法に比べて、非書込み対象の画素における表示粒子の移動を抑制でき、クロストークに起因するコントラストの低下を抑制することができる。なお、交番電圧は直流電圧のスロープ状の波形の立ち上がり後に重畳することが好ましい。
【００３２】
また、第１０の発明は、前記書込みステップにおいて、立ち下がり時間が１ｍｓ〜５００ｍｓの範囲で設定されたスロープ状の波形を有する直流電圧が印加される構成とする。
【００３３】
これによると、矩形波形を用いて瞬時に電圧値を０Ｖに戻す方法に比べて、書き換えられた表示粒子が、逆方向の基板側に移動する現象を抑制でき、クロストークに起因するコントラストの低下を抑制することができる。なお、交番電圧は直流電圧のスロープ状の波形の立ち上がり後に重畳することが好ましい。
【００３４】
また、第１１の発明は、対向配置された少なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、当該基板間に封入された互いに帯電極性の異なる、且つ互いに光学的反射濃度の異なる少なくとも２種類の表示粒子を含む表示粒子群とを備えた画像表示素子において、前記基板間に電界を印加して前記表示粒子群を移動させることにより画像表示を行う画像表示方法であって、極性反転を伴わない一方向極性の複数の電圧パルスを前記基板間に間欠的に印加する画像初期化ステップと、前記基板間に書込み用の電圧を印加する書込みステップとを有する構成とする。
【００３５】
これによると、極性反転を伴わない一方向極性の複数の電圧パルスを間欠的に印加して画像初期化（例えば、全面白色表示）を行うことにより、双極性の電圧を印加した場合のように表示粒子が反対側基板に移動することがなく、反対側基板に残留した表示粒子や基板間で凝集した表示粒子を分離して、それぞれ上下の基板に容易に移動させることが可能となるため、表示濃度（白色濃度）を向上させ、高コントラストを実現できる。
【００３６】
また、第１２の発明は、前記複数の電圧パルスの印加時間は、前記書込み用の電圧を印加する時間の２〜１００倍の範囲内である構成とする。
【００３７】
これによると、十分な画像初期化（例えば、全面白色表示）が可能となり、表示濃度（白色濃度）をより向上させ、より高コントラストを実現できる。
【００３８】
また、第１３の発明は、前記画像初期化ステップにおいて、複数の電圧パルスを含むと共に、立ち上がり時間または立ち下がり時間の少なくとも一方が１ｍｓ〜５００ｍｓの範囲で設定されたスロープ状の波形を有する電圧が印加される構成とする。
【００３９】
これによると、最大印加電圧値から０Ｖに減衰するまでの立ち下がり時間または０Ｖから最大印加電圧値に到達するまでの立ち上がり時間を適切に規定することにより、色戻りの抑制と高コントラストを確保する効果が得られる。
【００４０】
また、第１４の発明は、前記画像初期化ステップにおいて、前記複数の電圧パルスの印加前に、周波数が１００Ｈｚ〜１ｋＨｚの範囲内にあり、波形のピークツーピークの電圧差が５０〜３００Ｖの範囲内にある双方向極性の交番電圧を印加する構成とする。
【００４１】
これによると、双方向極性の交番電圧の印加により表示粒子の凝集をより緩和できると共に、その後の極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスの印加により、表示粒子の移動をよりスムーズにし、高コントラストを実現できる。
【００４２】
また、第１５の発明は、双方向極性の交番電圧の０Ｖとピーク間の電圧差をＶｒａ、前記一方向極性の電圧パルスの最大印加電圧値をＶｒｐとし、Ｖｒｐ≦Ｖｒａ≦２×Ｖｒｐの関係を満たす構成とする。
【００４３】
これによると、反対側基板に残留した表示粒子や基板間で凝集した表示粒子を分離するクーロン力を与えることができ、画像表示（白色表示）をより鮮明にすることができる。
【００４４】
また、第１６の発明は、対向配置された少なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、当該基板間に封入された互いに帯電極性の異なる、且つ互いに光学的反射濃度の異なる少なくとも２種類の表示粒子を含む表示粒子群とを備えた画像表示素子において、前記基板間に電界を印加して前記表示粒子群を移動させることにより画像表示を行う画像表示方法であって、前記基板間に書込み用の電圧を印加する書込みステップを有し、前記書込みステップにおいて、非書込み対象の画素に印加される電圧は、立ち下がり時間が１ｍｓ〜５００ｍｓの範囲で設定され、あるいは、書込み対象の画素に印加される電圧は、立ち上がり時間が１ｍｓ〜５００ｍｓの範囲で設定された構成とする。
【００４５】
これによると、非書込み対象の画素における表示粒子の移動を抑制し、クロストークに起因するコントラストの低下を抑制することができる。あるいは、書込み対象の画素において書き換えられた表示粒子が、反対基板側に移動する現象を抑制することができ、クロストークに起因するコントラストの低下を抑制することができる。
【００４６】
また、第１７の発明は、前記書込み用の電圧は、一方向極性の複数の電圧パルス成分を含み、立ち下がり時または立ち下がり時において各電圧パルスの振幅が一定の割合で増加または減少する構成とする。
【００４７】
これによると、一方向極性の複数の電圧パルスを段階的に下げることにより、非書込み対象の画素における表示粒子の移動を抑制でき、クロストークに起因するコントラストの低下をより抑制することができる。あるいは、一方向極性の複数の電圧パルスを段階的に上げることにより、書込み対象の画素において書き換えられた表示粒子が、反対基板側に移動する現象をより抑制でき、クロストークに起因するコントラストの低下をより抑制することができる。
【００４８】
また、第１８の発明は、上記第１から第１７の発明のいずれかに係る画像表示方法に用いられる画像表示素子とする。
【００４９】
また、第１９の発明は、前記表示粒子は、少なくとも結着樹脂及び顔料を含む着色樹脂粒子を球形化処理した粒子である構成とする。
【００５０】
これによると、表示粒子の粉体流動性が高まることと相俟って、上記した電圧パルスの印加により、より粒子が移動または分離しやすくなる効果が得られ、画像のコントラストを向上させることができる。
【００５１】
また、第２０の発明は、前記表示粒子は、少なくとも結着樹脂及び顔料を含む着色樹脂粒子と、平均粒径が８０ｎｍ〜５００ｎｍの微粒子を含む構成とする。
【００５２】
これによると、所定の粒径の微粒子を付着して存在させることにより、画像を繰り返し表示する経時特性においても、表示粒子の流動性の変動が抑えられるとともに、上記した画像表示前の電圧パルスの印加と相俟って、画像のコントラスト向上や、安定した画像表示動作を維持することが可能となる。
【００５３】
また、第２１の発明は、前記微粒子は、少なくとも炭素数６〜１８のアルキル基を有するアルキルトリアルコキシシランまたはアルキルシラザンで表面処理を施された無機微粒子である構成とする。
【００５４】
これによると、表示粒子の負帯電特性を高めて、高いコントラストを実現することができる。
【００５５】
また、第２２の発明は、前記微粒子は、少なくとも炭素数６〜１８のアルキル基を有するアルキルトリアルコキシシランまたはアルキルシラザンと、アミン系カップリング剤とによって表面処理された無機微粒子である構成とする。
【００５６】
これによると、表示粒子の正帯電特性を高めて、高いコントラストを実現することができる。
【００５７】
また、第２３の発明は、前記表示粒子は、平均粒径３ｎｍ〜１４ｎｍである第２の無機微粒子をさらに含む構成とする。
【００５８】
これによると、表示粒子の粉体流動性をより効果的に高めることができる。
【００５９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００６０】
＜画像表示素子の構成＞
図１は、本実施形態に係る画像表示装置の模式的な断面図である。図１に示すように、画像表示装置１は、所定の間隔をおいて対向配置された表面シート２と背面シート３との間の間隙４に帯電特性及び光学的反射濃度（例えば、白と黒）が互いに異なる２種類の表示粒子群５Ａ，５Ｂ（以下、総称する場合には表示粒子群５という。）が封入された画像表示素子１０と、表面シート２と背面シート３との間に電界を印加する電界付与手段としての電圧印加装置６とにより主として構成されている。
【００６１】
画像表示素子１０は、画像表示を行う電子ペーパ等として用いられるものであり、電圧印加装置６により、表面シート２と背面シート３との間に電界を印加して表示粒子群５を両シート２，３に対して略垂直な方向に移動させることで、文字や図形等からなる画像表示を行うと共に、当該画像表示を無電力で保持することができる。
【００６２】
電圧印加装置６は、図示しない電源や電圧制御回路等を備えると共に、画像表示素子１０に表示すべき画像情報をメモリ等に記憶し、その画像情報に基づき、画像表示素子１０に対する電圧印加のタイミングや電圧値等を制御する。電圧印加装置６による画像表示素子１０の駆動方式としては、公知の液晶表示装置の駆動と同様に、パッシブマトリクス駆動方式やアクティブマトリクス駆動方式等を適宜採用することができる。
【００６３】
図２は、本実施形態に係る画像表示素子の模式的な平面図である。図１にも示したように、表面シート２と背面シート３との間には、間隙を保持するための部材として互いに直交するように配置された格子状の隔壁７が介装されており、これにより、両シート２，３間の間隙４の大きさが一定に保持されている。また、平面視における間隙４には隔壁７によって複数のセル８が画成されており、気体（空気、窒素、アルゴン等）が満たされた各セル内には２種類の表示粒子群５Ａ，５Ｂが封入されている。本実施形態では、表示粒子群５Ａは、負帯電性の白色の第１表示粒子（以下、白色粒子という。）から構成され、表示粒子群５Ｂは、正帯電性の黒色の第２表示粒子（以下、黒色粒子という。）から構成されている。ここで、各表示粒子群５Ａ，５Ｂは、それぞれ１種類の表示粒子から構成されているが、色の異なる２種以上の表示粒子からそれぞれ構成してもよい。
【００６４】
（表面シート）
表面シート２は、図１に示すように、透明なＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）から形成された表面基板１１と、表面基板１１の一方側（内側）に形成され、透明なＩＴＯ（インジウム錫酸化物）からなる複数の帯状の列電極１２と、これら列電極１２を覆って保護すると共に表示粒子群５の帯電特性を安定化させるポリカーボネートから形成された誘電体膜１３とが積層された構成を有している。
【００６５】
表面基板１１としては、例えば、上記ＰＥＴの他に、ポリエーテルサルフォン、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、アクリル等からなる透明樹脂フィルムまたは透明樹脂シートのように可撓性を有するシートを好適に用いることができる。また、表面基板１１として、ガラスや石英などの無機材料からなる可撓性を有しないシートを用いてもよい。
【００６６】
表面基板１１の厚さは、１〜１００００μｍであり、好ましくは５〜５０００μｍである。表面基板１１は、厚さが１μｍ未満では、表面シート２の強度や背面シート３との間の間隙４の均一性を保持し難くなり、一方、厚さが１００００μｍを超えると、その透明性が低下すると共に、重量が増大して隔壁７のサイズを大きくする必要が生じるか、或いは隔壁７の強度が不足するという不都合が生じる。
【００６７】
各列電極１２は、所定の方向に共に延在し、透明かつパターン形成可能な導電性材料で形成されている。導電性材料としては、上記ＩＴＯの他に、アルミニウム、金、銀、銅などの金属類や、ＩＴＯ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズなどの金属酸化物系材料や、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンなどの導電性高分子類を用いることができる。
【００６８】
各列電極１２は、蒸着法、スパッタリング法または塗布法などにより導電膜として形成することができる。例えば、全面に電極材料（例えば、ＩＴＯ）が塗布または蒸着された電極基板に対して、その塗布等された金属酸化物系導電膜を酸系エッチング材料でスクリーン印刷によりパターニングすることができる。
【００６９】
また、各列電極１２のパターン形成は、レーザエッチング法、スクリーン印刷法、マスクなどを利用した蒸着によるパターニング法、インクジェット法等を用いることができる。レーザエッチング法は、透明導電膜をレーザ加工によってパターニングする方法である。また、スクリーン印刷法は、印刷する基材の上に、開口パターンが形成されたスクリーン（例えば、２００〜５００メッシュ）を置き、その開口パターンを利用して、開口パターン部分だけに導電性高分子や無機透明導電粒子が分散したペースト材料（電極材料）を付着させて印刷することにより、パターニングする方法である。このようなスクリーン印刷法としては公知の技術を用いることができる（例えば、特開２００４−２８７０１１号公報）。
【００７０】
各列電極１２の幅は３０〜５０００μｍであり、好ましくは１００〜２０００μｍである。各列電極１２の幅が３０μｍ未満では、断線等の可能性が高くなり、一方、５０００μｍを超えると、１画素のサイズが大きくなり表示が粗くなる。また、隣接する列電極間のスペースは好ましくは２０〜５００μｍであり、より好ましくは４０〜３００μｍである。電極間のスペースが２０μｍ未満では製作精度のバラツキ等により隣の列電極とショートする可能性が生じ、一方、５００μｍを超えると画像を表示しない領域が大きくなって表示品質が低下する。
【００７１】
列電極１２の面抵抗は、好ましくは１０００Ω／□以下であり、より好ましくは５００Ω／□以下である。列電極１２の面抵抗が１０００Ω／□を超えると、画像表示の書換の際に波形なまりが発生し、書換速度が遅くなる。また、画像表示部の端部の電圧が低下することにより、表示品質が低下するという問題が生じる。
【００７２】
誘電体膜１３には、上記ポリカーボネートの他に、ポリエステル、ポリイミド、エポキシ、ポリイソシアネート、ポリアミド、ポリビニルアルコール、ポリブタジエン、ポリメチルメタクリレート、共重合ナイロン、紫外線硬化アクリル樹脂等を用いることができる。
【００７３】
（背面シート）
背面シート３は、図１に示すように、透明なＰＥＴから形成された背面基板２１と、背面基板２１の内側に形成され、銅等からなる複数の帯状の行電極２２と、行電極２２を覆って保護すると共に当該行電極２２と隔壁７とを接合する接着層２３とが積層された構成を有している。各行電極２２は、列電極１２に直交する方向に延在し、互いに所定の間隔をおいて配置されている。また、接着層２３は、低温熱硬化型ポリエステル樹脂接着剤によって形成されている。
【００７４】
背面基板２１には、上述の表面シート２の表面基板１１と同様の材料を用いることができる。また、行電極２２は上記列電極１２と同様に構成することができるが、行電極２２の導電性材料としては、背面基板２１側からは必ずしも画像を表示する必要がないことなどから、銅、アルミニウム、銀ペーストや、銀ペーストにカーボンを添加したものを用いることもできる。
【００７５】
（隔壁）
隔壁７は、熱硬化性樹脂等の絶縁性材料からなる。隔壁７の形状は、用いられる表示粒子群５の特性により適宜設定することができる。隔壁７の幅は、１０〜１００μｍであり、好ましくは２０〜６０μｍである。また、隔壁７の高さは、２０〜１００μｍであり、好ましくは３０〜７０μｍである。
【００７６】
隔壁７は、対向する表面シート２と背面シート３との各々にリブを形成した後にそれらを接合する方法や、片側の基板上にのみリブを形成する方法等を用いて形成することができる。本実施形態では、１つのセルに複数の画素が含まれるが、１つのセルに１つの画素が含まれる構成でもよい。ここで、各画素は、各列電極１２と行電極２２とが交差する領域に形成される。
【００７７】
各セルの形状は、それらを画成する隔壁７の形状に応じて、例えば、四角状、ライン状、円形状または六角状とすることができ、そのようなセルは、格子状、ハニカム状または網目状に配置することができる。表示面側（ここでは、表面シート２側）から見た隔壁７の断面部分に相当するセルの枠部の面積は、表示画像の鮮明度の向上を図るために、可能な限り小さくした方が良い。
【００７８】
隔壁７の形成には、例えば、フォトレジスト法、スクリーン印刷法、サンドブラスト法、アディティブ法、金型転写法を用いることができる。このうちレジストフィルムを用いるフォトレジスト法やスクリーン印刷法をより好適に用いることができる。
【００７９】
フォトレジスト法では、透明基板及び対向基板のうち一方の基板上にドライフィルムを貼り付け、所定のパターンに露光し、現像し、洗浄する各工程により隔壁を形成できる。このようなフォトレジスト法としては公知の技術を用いることができる（例えば、特開２００５−００３８９２号公報）。
【００８０】
また、スクリーン印刷法では、上述の電極パターンを形成した基板上に、ステンレスメッシュなどからなる製版を介して、隔壁材料となるペーストを塗布・転写する。これを加熱、紫外線照射などにより硬化させる。このような工程を所望の高さの隔壁が形成されるまで繰り返す。このようなスクリーン印刷法としては公知の技術を用いることができる（例えば、特開２００４−３４１０１８号公報）。
【００８１】
各セルへの表示粒子の充填は、白色粒子からなる表示粒子群５Ａと、黒色粒子からなる表示粒子群５Ｂとを、例えば、重量比２：１〜１：１の割合で混合し、この混合粒子を所望の量だけスクリーンを通してセル内に振るい落とすこと等により実施することができる。このとき、隔壁７の頂上に載った表示粒子は、ゴムブレードで擦り切るようにして各セル内に落とす。その後、表面基板１１と背面基板２１とを隔壁７を介して密接させ、両基板間を加圧保持して、隔壁７と両基板１１，２１とをそれぞれ接着する。各セルに対する表示粒子群５の充填率は、好ましくは２０〜７０％であり、より好ましくは３０〜７０％であり、更に好ましくは４０〜６０％である。
【００８２】
＜画像表示素子の動作＞
【００８３】
画像表示素子１０では、表面シート２に設けた列電極１２と背面シート３に設けた行電極２２との間に電圧印加装置６による電圧が印加され、これにより発生する電界に応じて各表示粒子群５Ａ，５Ｂを表面シート２と背面シート３との間で移動させて白色又は黒色の画像を表示させることができる。
【００８４】
（従来技術による画像表示方法）
まず、比較例として従来技術と同様の画像表示方法について説明する。
【００８５】
図３及び図４は、それぞれ画像表示素子１０における画像表示の一例（一部黒色表示）を示す模式的な平面図および側面図であり、図５は、列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例を示す説明図であり、図６は、図５中の所定の書込み対象または非書込み対象となる画素に相当する部位（書込み部Ｈ１−Ｌ１、非書込み部Ｈ１−Ｌ２、及び非書込み部Ｈ１−Ｌ３）における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図である。
【００８６】
図３及び図４では、説明の便宜上、隔壁や基板、電源を省略し、それぞれ３本の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のみを示している。また、ここでは、画素に相当する部位Ｈ１−Ｌ１、Ｈ２−Ｌ２及びＨ３−Ｌ３のそれぞれを黒色表示に書き換えた場合（他は白色表示）を示しており、複数の白色○印および黒色（斜線が付された）○印は第１および第２表示粒子を表している。また、図５および図６では、縦軸には印加する電圧値、横軸は経過時間を示している（以下、他の図についても同様。）。
【００８７】
比較例の画像表示方法では、まず、電圧印加部６の直流電圧発生回路（図示せず）から、黒色への書き換えを行う行電極に正の電圧を印加し、書き換えを行わない他の行電極には０Ｖを印加する。さらに、選択した行電極に直交する各列電極に対し、黒色への書き換えを行う場合は負の電圧を印加し、書き換えを行わない場合は０Ｖを印加する。これらの動作を全ての行電極および列電極に対して順次行うことにより画像が表示される。それぞれの電圧印加時間を表示粒子の応答速度より長い時間（例えば、１０ｍｓ）に設定することにより、所定のコントラストを得ることができる。
【００８８】
ここでは、図５に示すように、列電極Ｈ１に書込み用の直流電圧（ここでは、−５０Ｖ）を一定時間（ここでは、３０ｍｓ）印加し、これと同期して行電極Ｌ１に直流電圧（ここでは、＋５０Ｖ）を一定時間（ここでは、３０ｍｓ）印加する。これにより、正帯電性の黒色粒子が列電極Ｈ１側に移動して表面シートの内面に付着する一方、負帯電性の白色粒子がこれとは逆の行電極Ｌ１側に移動して背面シートの内面に付着し、画素に相当する部位Ｈ１−Ｌ１が黒色表示に切り替えられる（つまり、黒色画像が表面シートを通して表示される）。
【００８９】
列電極Ｈ１の場合と同様に、列電極Ｈ２，Ｈ３についても順次直流電圧をそれぞれ一定時間印加し、これと同期して行電極Ｌ２，Ｌ３に直流電圧をそれぞれ一定時間印加する。これにより画素に相当する部位Ｈ２−Ｌ２及びＨ３−Ｌ３が黒色表示に切り替えられる。
【００９０】
このようにして一旦表示された画像は、電極間への電圧の印加を停止しても、表示粒子と誘電体膜１３，２３との間の静電付着力が維持されるため、表示粒子は基板の内面に付着したまま保持され、白黒画像が表示された状態を長時間に渡って保持することができる。なお、白色と黒色との表示切替を逆にする場合は、それぞれの電界の向きを逆転させればよい。また、表示粒子の駆動電圧値が異なる場合には、駆動電圧値に応じて電界の大きさを調整することができる。
【００９１】
ここで、図６に示すように、書込み部Ｈ１−Ｌ１部には、行電極を基準として−１００Ｖの直流電圧が印加され、画素が白色から黒色に書き換えられた後に印加された直流電圧を０Ｖに戻すと、表示基板側に電界力で押し付けられていた黒色粒子が、電界から開放されて背面基板側に移動する現象が生じる。逆に、背面基板側に付着した白色粒子は、印加された直流電圧を０Ｖに戻すと表面基板側に移動し、黒色画像に白色粒子が混入する色戻りが生じ、コントラストの低下が誘発され得る。
【００９２】
また、非書込み部Ｈ１−Ｌ２，Ｈ１−Ｌ３には、行電極を基準として−５０Ｖの直流電圧が印加され、表面基板側に白色画像を保持すべきところに、黒色粒子を移動させる電圧が印加された状態となっている。そのため、非書込み部Ｈ１−Ｌ２，Ｈ１−Ｌ３では、クロストーク（すなわち、他の画素に対する電圧印加の影響を受けて目的とは異なる画像が表示される現象）が発生しやすい。つまり、非書込み部Ｈ１−Ｌ２，Ｈ１−Ｌ３においても、所定の画像コントラストが得られる電圧の１／２の大きさの電圧が印加されるため、この印加電圧の電界力により一部の表示粒子が移動してしまい、白色画像に黒色粒子が混入してクロストークが生じ、コントラストの低下が誘発され得る。
【００９３】
次に、本発明による画像表示方法について説明する。まず始めに、画像の書込み前に全面白色表示の状態とする画像初期化ステップについて説明する。
【００９４】
（全面白色表示）
図７、図８及び図９は、それぞれ画像表示素子１０における画像表示の一例（全面白色表示）を示す模式的な平面図、側面図及び斜視図であり、図１０は、図７〜図９中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に対する印加する電圧の一例（第１の全面白色表示方法）を示す説明図である。
【００９５】
第１の全面白色表示方法では、図１０に示すように、まず、列電極Ｈ１には複数の電圧パルスＶｈｒ１を間欠的に印加する。電圧パルスＶｈｒ１は、極性反転を伴わない一方向極性（ここでは、０Ｖをベースにした＋２５０Ｖの正電圧）の電圧パルスである。このような電圧パルスの印加により、負帯電性の白色粒子を表示基板側に移動させやすくなり、より白色度を上昇させる効果が得られる。この電圧パルスＶｈｒ１の印加の後に、列電極Ｈ１に対して電圧パルスＶｈｒ１と同じ大きさ（＋２５０Ｖ）の直流電圧Ｖｈｄ１を印加し、全ての画素を白色表示に書き換える。
【００９６】
電圧パルスＶｈｒ１については、１パルスあたりの印加時間は５ｍｓ〜５００ｍｓ、印加間隔は５ｍｓ〜５０ｍｓｅｃ、印加回数は４回〜２０回が好ましい。より好ましくは、１パルスの印加時間は１０ｍｓ〜４００ｍｓ、印加間隔は５ｍｓ〜２０ｍｓｅｃ、印加回数は８回〜１５回である。さらに好ましくは、１パルスの印加時間は１５ｍｓ〜３００ｍｓ、印加間隔は５ｍｓ〜１０ｍｓｅｃ、印加回数は１０回〜１５回である。
【００９７】
印加時間Ｔｈｒ１が短すぎると、コントラスト向上の効果を得難くなり、それらが長すぎると表示に要する時間が長くなってユーザに待ちのイライラ感を与えてしまう。同様に、電圧パルスＶｈｒ１の印加間隔が短すぎるたり、或いは印加回数が少なすぎたりすると、コントラスト向上の効果を得難くなり、それらが長すぎると表示に要する時間が長くなってユーザに待ちのイライラ感を与えてしまう。
【００９８】
なお、複数の電圧パルスＶｈｒ１印加時間は、後述する書込みステップにおける書込み用の電圧を印加する時間の２〜１００倍の範囲内であることが好ましい。これにより、十分な画像初期化（例えば、全面白色表示）が可能となり、表示濃度（白色濃度）をより向上させ、より高コントラストを実現できる。２倍よりも短いとその効果が得にくく、１００倍よりも長いと、ユーザに対して待ちのノイライラ感を与える。
【００９９】
また、上記のような全面白色表示の直後に、所定の画像を書き込むために画素に対して所定の電圧（例えば、図２１のＶｋｒ１参照）を印加する場合、電圧印加時間は５ｍｓ〜５０ｍｓが好ましい。より好ましくは、電圧印加時間は１０ｍｓ〜３０ｍｓであり、さらに好ましくは、１５ｍｓ〜２５ｍｓである。
【０１００】
ここで、一方向極性の電圧パルスＶｈｒ１の最大印加電圧値をＶｒｐ、その後に所定の画像を書き込むために画素に対して印加する電圧値をＶｄとすると、Ｖｄ≦Ｖｒｐ≦２×Ｖｄの関係を満たすことが好ましい。これにより、反対側基板に残留した白粒子や、一対の基板間に残った白色粒子および黒色粒子に対し、基板から或いは粒子同士を分離するためのクーロン力を与えることができると共に、表示基板側へ移動すべき白色粒子により強いクーロン力を作用させてより鮮明な白色表示を実現できる。より好ましくは、１．３×Ｖｄ≦Ｖｒｐ≦２×Ｖｄでありさらに好ましくは、１．５×Ｖｄ≦Ｖｒｐ≦２×Ｖｄである。
【０１０１】
上記列電極Ｈ１の場合と同様に、列電極Ｈ２および列電極Ｈ３には、それぞれ電圧パルスＶｈｒ２，Ｖｈｒ３を印加した後、それぞれ直流電圧Ｖｈｄ２，Ｖｈｄ３を印加して、表示画素を全面白色表示に書き換えることができる。行電極Ｌ１、Ｌ２及びＬ３には電圧は印加せず、０Ｖのままである。なお、以下では、列電極Ｈ２，Ｈ３については、特に言及が必要な事項がある場合を除いて、列電極Ｈ１の場合と同様として詳細な説明を省略する。
【０１０２】
図１１は、図７〜図９中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に対する印加する電圧の一例（第２の全面白色表示方法）を示す説明図である。
【０１０３】
第２の全面白色表示方法では、図１１に示すように、列電極Ｈ１には複数の電圧パルスＶｈｒ１を間欠的に印加し、続いて、電圧パルスＶｈｒ１と同じ値の電圧Ｖｈｄ１を印加するが、この電圧Ｖｈｄ１に所定の立ち下がり時間が確保される点において図１０の場合とは異なる。つまり、電圧Ｖｈｄ１は、その立ち下がり時において、一定の傾き（すなわち、所定の電圧値（ここでは、＋２５０Ｖ）から０Ｖに到達するまでの一定の遅延時間）を持たせたスロープ状の波形（電圧Ｖｈｓ１）を有している。
【０１０４】
これにより、矩形波形を用いて瞬時に所定の電圧値から０Ｖに戻す（すなわち、立ち下がり時間を略ゼロとする）方法に比べて、移動後の表示粒子が逆方向の基板側に再び移動する色戻りの現象を抑制でき、鮮明に白色表示された状態を維持できる効果が得られる。
【０１０５】
ここでは、立ち下がり時間として、最大印加電圧値（ここでは、＋２５０Ｖ）から０Ｖに到達するまでの時間を１ｍｓｅｃ〜５００ｍｓｅｃとする。立ち下がり時間は、好ましくは、３ｍｓｅｃ〜３００ｍｓｅｃであり、より好ましくは１０ｍｓｅｃ〜１００ｍｓｅｃである。このように、立ち下がり時間を適切に確保することにより、色戻りの抑制と高コントラストを実現することができる。なお、立ち下がり時間が長すぎる場合（上述した上限値を超えた場合）でも画像表示には影響を及ぼさないが、ユーザに待ちのイライラ感を与えてしまう。
【０１０６】
図１２は、図７〜図９中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に対する印加する電圧の一例（第３の全面白色表示方法）を示す説明図である。
【０１０７】
第３の全面白色表示方法では、図１２に示すように、列電極Ｈ１には複数の電圧パルスＶｈｒ１を間欠的に印加するが、続いて、印加される電圧Ｖｈｄ１が電圧パルスＶｈｒ１と同様に複数の電圧パルスから構成される点において図１１の場合とは異なる。電圧Ｖｈｄ１の立ち下がり時（電圧Ｖｈｓ１）では、各電圧パルスの振幅値が一定の割合で減少する。これによると、移動後の表示粒子が逆方向の基板側に再び移動する色戻りの現象を抑制できると共に、複数の電圧パルスからなる電圧Ｖｈｄ１（電圧Ｖｈｓ１）によって表示粒子が運動状態となるため、白色粒子と黒色粒子との分離が促進され、より鮮明な白色表示を実現できる。
【０１０８】
図１３は、図７〜図９中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に対する印加する電圧の一例（第４の全面白色表示方法）を示す説明図である。
【０１０９】
第４の全面白色表示方法では、図１３に示すように、列電極Ｈ１には複数の電圧パルスＶｈｒ１を間欠的に印加し、続いて、電圧パルスＶｈｒ１と同じ値の電圧Ｖｈｄ１を印加するが、この電圧パルスＶｈｒ１に所定の立ち上がり時間が確保される点において図１１の場合とは異なる。つまり、電圧パルスＶｈｒ１は、その立ち上がり時において、一定の傾き（すなわち、０Ｖから所定の電圧値（ここでは、＋２５０Ｖ）に到達するまでの一定の遅延時間）を持たせたスロープ状の波形（電圧Ｖｈｕ１）を有している。電圧Ｖｈｕ１は、極性反転を伴わない一方向極性の複数の電圧パルスからなり、各電圧パルスの振幅値が一定の割合で増大する。
【０１１０】
これにより、矩形波形を用いて瞬時に所定の電圧値を印加する（すなわち、立ち上がり時間を略ゼロとする）方法に比べて、表示粒子に作用する電界からの力を緩和する効果が生じ、表示粒子に逆バイアスがかかったとしても、急な表示粒子の移動が生じ難くなる。
【０１１１】
図１４は、図７〜図９中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に対する印加する電圧の一例（第５の全面白色表示方法）を示す説明図である。
【０１１２】
第５の全面白色表示方法では、図１４に示すように、列電極Ｈ１には複数の電圧パルスＶｈｒ１を間欠的に印加し、続いて、所定の立ち下がり時間が確保された電圧パルスＶｈｄ１を印加するが、この電圧パルスＶｈｒ１に所定の立ち上がり時間が確保される点において図１２の場合とは異なる。つまり、電圧パルスＶｈｒ１は、図１３の場合と同様に、その立ち上がり時において、一定の傾きに到達するまでの一定の遅延時間）を持たせたスロープ状の波形（電圧Ｖｈｕ１）を有している。
【０１１３】
図１５は、図７〜図９中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に対する印加する電圧の一例（第６の全面白色表示方法）を示す説明図である。
【０１１４】
第６の全面白色表示方法では、図１５に示すように、列電極Ｈ１には複数の電圧パルスＶｈｒ１を間欠的に印加し、続いて、所定の立ち下がり時間が確保された直流電圧Ｖｈｄ１を印加するが、電圧パルスＶｈｒ１の前に矩形波の双方向極性の交番電圧Ｖｈａ１が印加される点において、図１１の場合とは異なる。交番電圧Ｖｈａ１は、波形のピークツーピークの電圧差が５００Ｖ（−２５０Ｖ〜＋２５０Ｖ）である。
【０１１５】
この交番電圧Ｖｈａ１の印加により、白色粒子と黒色粒子の凝集を緩和し、続く極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｒ１の印加により、白色粒子を円滑に移動させることができ、高コントラストを実現できる。なお、電圧Ｖｈｄ１（電圧Ｖｈｒ１）を図１４の場合と同様に複数の電圧パルスで構成してもよい。
【０１１６】
双方向極性の交番電圧Ｖｈａ１は、周波数が１００Ｈｚ〜１ｋＨｚの範囲内にあり、波形のピークツーピークの電圧差が５０〜６００Ｖの範囲内にあることが好ましい。この双方向極性の交番電圧の印加により、表示粒子の凝集を緩和できると共に、その後の極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスの印加により、白色粒子の移動をよりスムーズにし、高コントラストを実現できる。
【０１１７】
双方向極性の交番電圧の０Ｖとピーク間の電圧差をＶｒａ、前記一方向極性の電圧パルスの最大印加電圧値をＶｒｐとすると、ＶｒａはＶｒｐの１倍以上、２倍以下とすることが好ましい。これにより、反対側基板に残留した白色粒子や基板間で凝集した表示粒子を分離するクーロン力を与えることができ、白色表示をより鮮明にすることができる。
【０１１８】
（黒色表示）
次に、再び図３及び図４を参照して、本発明による画像表示方法に関し、上記のような全面白色表示の状態から少なくとも一部の画素を黒色表示に書き換える書込みステップについて説明する。なお、書込みステップは、以下で示す態様に限定されず、例えば全面黒色表示の状態から少なくとも一部の画素を白色表示に書き換えてもよく、或いは、一部の画素を黒色表示に書き換えた後に、更に、他の画素を黒色表示に書き換えてもよい。
【０１１９】
図１６は、図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第１の黒色表示方法）を示す説明図であり、図１７は、図１６中の所定の画素に相当する部位（書込み部Ｈ１−Ｌ１、非書込み部Ｈ１−Ｌ２、及び非書込み部Ｈ１−Ｌ３）における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図である。
【０１２０】
第１の黒色表示方法では、図１６に示すように、列電極Ｈ１に書込み用の直流電圧（ここでは、−１００Ｖ）を一定時間（ここでは、３０ｍｓ）印加し、それと同期して行電極Ｌ１に直流電圧（ここでは、＋１００Ｖ）を一定時間（ここでは、３０ｍｓ）印加する。これにより、画素Ｈ１−Ｌ１部が黒色表示に切り替えられる。このとき、非書込み部Ｈ１−Ｌ２，Ｈ１−Ｌ３では、白色粒子に対して逆バイアスとなる直流電圧（ここでは、−１００Ｖ）の電圧が印加された状態にあり、先に説明したようにクロストークが発生しやすい状態となっている。
【０１２１】
そこで、図１６または図１７に示すように、非書込み部Ｈ１−Ｌ２，Ｈ１−Ｌ３に印加される１パルスの印加電圧の波形において、所定の立ち上がり時間を確保している。つまり、印加電圧Ｖｋｒ１は、その立ち上がり時において、一定の傾き（すなわち、０Ｖから所定の電圧値（ここでは、−１００Ｖ）に到達するまでの一定の遅延時間）を持たせたスロープ状の波形（電圧Ｖｋｕ１）を有している。これにより、矩形波形を用いて瞬時に所定の電圧値を印加する（すなわち、立ち上がり時間を略ゼロとする）方法に比べて、表示粒子に作用する電界からの力を緩和する効果が生じ、表示粒子に逆バイアスがかかったとしても、急な表示粒子の移動が生じ難くなる。その結果、クロストークによる色戻りが生じ難くなり、画像のコントラストの低下を抑制する効果が得られる。
【０１２２】
また、１パルスの印加電圧Ｖｋｒ１の波形において、所定の立ち下がり時間を確保することも有効である。つまり、印加電圧は、その立ち下がり時において、一定の傾き（すなわち、所定の電圧値（ここでは、−１００Ｖ）から０Ｖに到達するまでの一定の遅延時間）を持たせたスロープ状の波形（電圧Ｖｋｓ１）を有している。これにより、上述の立ち上がり時の場合と同様に、瞬時に電圧値を０Ｖに戻す（すなわち、立ち下がり時間を略ゼロとする）方法に比べて、急な表示粒子の移動が生じ難くなり、画像のコントラストの低下を抑制する効果が得られる。
【０１２３】
図１６に示す１パルスの印加電圧において、立ち上がり時間Ｔｐ（ｍｓ）および立ち下がり時間Ｔｄ（ｍｓ）は、それぞれ１ｍｓ〜５００ｍｓであることが好ましい。より好ましくは３ｍｓ〜３００ｍｓであり、さらに好ましくは１０ｍｓ〜１００ｍｓである。立ち上がり時間Ｔｐ（ｍｓ）または立ち下がり時間Ｔｄ（ｍｓ）は、１ｍｓよりも短くなると表示粒子に作用する電界からの力を緩和する効果を得難くなる。また、５００ｍｓよりも長くなると、ユーザに待ちのイライラ感を与えてしまう。
【０１２４】
図１８は、図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第２の黒色表示方法）を示す説明図である。
【０１２５】
第２の黒色表示方法では、印加電圧の立ち上がり時および立ち下がり時において、図１６に示したスロープ状の波形（電圧Ｖｋｕ１，Ｖｋｓ１）の代わりに、極性反転を伴わない一方向極性の複数の電圧パルスを間欠的に印加する。電圧Ｖｋｕ１または電圧Ｖｋｓ１における複数の電圧パルスは、各電圧パルスの振幅値が一定の割合で増大または減少する。
【０１２６】
この方法によると、電圧Ｖｋｕ１、Ｖｋｓ１における複数の電圧パルスによって表示粒子が運動状態となるため、白色粒子と黒色粒子との分離が促進され、クロストークによるコントラストの低下を抑制する効果が得られる。
【０１２７】
図１９は、図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第３の黒色表示方法）を示す説明図であり、図２０は、図１９中の所定の画素に相当する部位（書込み部Ｈ１−Ｌ１、非書込み部Ｈ１−Ｌ２、及び非書込み部Ｈ１−Ｌ３）における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図である。
【０１２８】
第３の黒色表示方法では、図１９に示すように、列電極Ｈ１には一方向極性の複数の電圧パルスＶｈｒ１を間欠的に印加し、続いて、電圧パルスＶｈｒ１と同じ値の直流電圧Ｖｈｄ１を印加することにより、図１１の場合と同様に全面白色表示を行う。その後、黒色表示を行うために、図１６の場合と同様に、所定の立ち上がり時間および立ち下がり時間を確保した逆極性の電圧Ｖｋｒ１を印加する。電圧Ｖｋｒ１は、立ち上がり後、所定の書き換え電圧（ここでは、−１００Ｖ）で所定時間印加され、その後０Ｖまで立ち下がる。電圧Ｖｋｒ１の立ち上がり時のスロープ状の波形の傾きは、電圧Ｖｈｄ１（電圧Ｖｓｈ１）の立ち下がり時のスロープ状の波形の傾きと同一である。
【０１２９】
なお、列電極Ｌ１には、直流電圧Ｖｋｒ１と同じタイミングで同様の波形を有する逆極性の電圧が印加される。図２０に示すように、書込み部Ｈ１−Ｌ１における行電極を基準とした列電極の最大電圧値は−２００Ｖとなる。
【０１３０】
この方法によると、全面白色表示で印加する電圧Ｖｈｄ１に所定の立ち下がり時間を確保すると共に、その後、所定の立ち上がり時間を確保した書込み用の電圧Ｖｋｒ１を印加する構成であるため、基板間の白色粒子と黒色粒子の移動を緩やかに行わせることができ、全面白色表示時に表面基板側に付着した白色粒子が背面基板側へ移動する色戻りを防止することができる。
【０１３１】
また、書き換え画素においては、図２０に示すように、所定の立ち下がり時間を確保したスロープ状の波形を持つ電圧パルスが印加されるため、黒色粒子が、逆方向の背面基板側に移動する現象を抑制でき、クロストークに起因するコントラストの低下を抑制することができる。
【０１３２】
また、非書き換え画素においては、図２０に示すように、所定の立ち上がり時間を確保したスロープ状の波形を持つ電圧パルスが印加されるため、表示粒子の移動を抑制でき、クロストークに起因するコントラストの低下を抑制することができる。
【０１３３】
ここで、書き換え電圧Ｖｋｒ１において、０Ｖから最大印加電圧値に到達するまでの立ち上がり時間と、最大印加電圧値から０Ｖに減衰するまでの立ち下がり時間は、１ｍｓ〜５００ｍｓである。それらは、好ましくは３ｍｓ〜３００ｍｓであり、より好ましくは１０ｍｓ〜１００ｍｓである。
【０１３４】
図２１および図２２は、図１９に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図である。図２１に示すように、電圧パルスＶｈｒ１の前に図１５の場合と同様の矩形波の双方向極性の交番電圧Ｖｈａ１を印加してもよい。また、図２１では、交番電圧Ｖｈａ１の０Ｖとピーク間の電圧差は電圧パルスＶｈｒ１の最大印加電圧値（２５０Ｖ）と同一としたが、これに限定されるものではない。例えば、図２２に示すように、交番電圧Ｖｈａ１の０Ｖとピーク間の電圧差を電圧パルスＶｈｒ１の最大印加電圧値の１．５倍としてもよい。
【０１３５】
図２３は、図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第４の黒色表示方法）を示す説明図であり、図２４は、図２３中の所定の画素に相当する部位（書込み部Ｈ１−Ｌ１、非書込み部Ｈ１−Ｌ２、及び非書込み部Ｈ１−Ｌ３）における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図である。
【０１３６】
第４の黒色表示方法では、図２３に示すように、列電極Ｈ１には交番電圧成分Ｖａｖが重畳された直流電圧Ｖｄｖ（ここでは、−１００Ｖ）が書き換え電圧として印加される。また、列電極Ｌ１には、直流電圧Ｖｄｖと同期して＋１００Ｖの直流電圧が印加される。図２４に示すように、書込み部Ｈ１−Ｌ１における行電極を基準とした列電極の直流電圧の最大値は−２００Ｖとなる。
【０１３７】
交番電圧成分Ｖａｖは、直流電圧Ｖｄｖの印加開始から所定の期間重畳され、その最終パルスＰｅは、黒色粒子を表面基板側から引き戻すように（すなわち、直流電圧Ｖｄｖの絶対値を減ずる方向）に設定されている。交番電圧成分Ｖａｖの周波数は１０Ｈｚ〜１０ｋＨｚの範囲であることが好ましい。周波数は、より好ましくは０．１ｋＨｚ〜８ｋＨｚであり、さらに好ましくは１ｋＨｚ〜５ｋＨｚである。
【０１３８】
ここで、最大直流電圧値Ｖｄ（Ｖ）と交番電圧成分Ｖａｖのピークツーピークの電圧差Ｖｐ（Ｖ）との関係は、次式を満たすことが好ましい。つまり、重畳する交番電圧成分Ｖａｖの振幅値（ピークツーピークの電圧差Ｖｐ（Ｖ）の１／２）が書き換え用の直流電圧Ｖｄｖの値の１／２以上で、且つ直流電圧Ｖｄｖの値の１．５倍よりも小さいことが好ましい。
【０１３９】
Ｖｄ≦Ｖｐ≦３×Ｖｄ
（０．５×Ｖｄ≦０．５×Ｖｐ≦１．５×Ｖｄ）
【０１４０】
これにより、交番電圧成分Ｖａｖに基づく交番電界により表示粒子が往復運動を行う際に、正または負に帯電した表示粒子が孤立した状態を取りやすくなり、それぞれの表示粒子が基板間に形成される直流電界に沿って移動して各基板に付着することを促進するとともに、非書込み画素におけるクロストークを抑制できる。ここで、０．５×Ｖｐ＜０．５×Ｖｄとなると、交番電界による表示粒子の往復運動が弱まり、コントラストが向上し難くなる。０．５×Ｖｐ＞１．５×Ｖｄとなると、クロストークが起きやすくなり、コントラストの低下につながる。
【０１４１】
また、直流電圧Ｖｄｖが印加される全期間Ｔｄ（ｍｓｅｃ）と、交番電圧成分Ｖａｖの重畳期間Ｔｐ（ｍｓｅｃ）との関係は、次式を満たすことが好ましい。
【０１４２】
０．２×Ｔｄ≦Ｔｐ≦Ｔｄ
【０１４３】
ここで、Ｔｐ＜０．２×Ｔｄとなると、交番電界による粒子の往復運動が弱まり、コントラストが向上し難くなる。
【０１４４】
図２５および図２６は、図２３に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図である。直流電圧Ｖｄｖに重畳される交番電圧成分Ｖａｖは図２３に示したような正弦波に限定されず、例えば、図２５に示すように、矩形波とすることができる。また、図２６に示すように、交番電圧成分の重畳期間Ｔｐ（ｍｓｅｃ）を直流電圧Ｖｄｖの全印加期間Ｔｄ（ｍｓｅｃ）と等しくしてもよい。
【０１４５】
図２７は、図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第５の黒色表示方法）を示す説明図であり、図２８は、図２７中の所定の画素に相当する部位（書込み部Ｈ１−Ｌ１、非書込み部Ｈ１−Ｌ２、及び非書込み部Ｈ１−Ｌ３）における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図である。
【０１４６】
第５の黒色表示方法では、図２７に示すように、列電極Ｈ１には交番電圧成分Ｖａｖが重畳された直流電圧Ｖｄｖ（ここでは、−１００Ｖ）が書き換え電圧として印加されるが、直流電圧Ｖｄｖに所定の立ち下がり時間Ｔｓ（ｍｓｅｃ）が確保されている点において図２３の場合とは異なる。つまり、直流電圧Ｖｄｖは、その立ち下がり時において、一定の傾き（すなわち、所定の電圧値（ここでは、−１００Ｖ）から０Ｖに到達するまでの一定の遅延時間）を持たせたスロープ状の波形（電圧Ｖｓｖ）を有している。
【０１４７】
これにより、瞬時に電圧値を０Ｖに戻す（すなわち、立ち下がり時間を略ゼロとする）方法に比べて、書き換えられた表示粒子が逆方向の基板側に移動するいわゆる色戻り現象を抑制することができ、高コントラストを実現することができる。
【０１４８】
立ち下がり時間Ｔｓは１ｍｓ〜５００ｍｓであることが好ましい。より好ましくは３ｍｓ〜３００ｍｓ、さらに好ましくは１０ｍｓ〜１００ｍｓである。なお、立ち下がり時間が長すぎる場合（上述した上限値を超えた場合）でも画像表示には影響を及ぼさないが、ユーザに待ちのイライラ感を与えてしまう。
【０１４９】
なお、列電極Ｌ１には、直流電圧Ｖｄｖと同じタイミングで同様に立ち下がり時間Ｔｓが確保された＋１００Ｖの直流電圧が印加される。図２８に示すように、書込み部Ｈ１−Ｌ１における行電極を基準とした列電極の最大電圧値は、−２００Ｖとなる。
【０１５０】
図２９および図３０は、図２７に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図である。直流電圧Ｖｄｖに重畳される交番電圧成分Ｖａｖは図２７に示したような正弦波に限定されず、例えば、図２９に示すように、矩形波とすることができる。また、図３０に示すように、交番電圧成分の重畳期間Ｔｐ（ｍｓｅｃ）を立ち下がり時間Ｔｓ（ｍｓｅｃ）を除いた直流電圧Ｖｄｖの全印加期間Ｔｄ（ｍｓｅｃ）と等しくしてもよい。
【０１５１】
図３１は、図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第６の黒色表示方法）を示す説明図であり、図３２は、図３１中の所定の画素に相当する部位（書込み部Ｈ１−Ｌ１、非書込み部Ｈ１−Ｌ２、及び非書込み部Ｈ１−Ｌ３）における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図である。
【０１５２】
第６の黒色表示方法では、図３１に示すように、列電極Ｈ１には交番電圧成分が重畳された直流電圧（ここでは、−１００Ｖ）が書き換え電圧として印加されるが、交番電圧成分の振幅が変化する点において図２３（図２６）の場合とは異なる。つまり、交番電圧成分の振幅は、印加開始から時間とともに一定の割合にて徐々に増大し（電圧Ｖａｕ参照）、最大振幅値（Ｖｐ（Ｖ））に到達した後は一定の割合にて徐々に減少する（電圧Ｖａｄ参照）。つまり、交番電圧成分の振幅の推移を示す波形（破線参照）は三角波的に変化する。
【０１５３】
また、列電極Ｌ１には、直流電圧と同じタイミングで＋１００Ｖの直流電圧が印加される。図３２に示すように、書込み部Ｈ１−Ｌ１における行電極を基準とした列電極に印加される直流電圧の最大値は−２００Ｖとなる。
【０１５４】
ここで、最大直流電圧値Ｖｄ（Ｖ）と交番電圧成分のピークツーピークの最大電圧差Ｖｐ（Ｖ）との関係は、図２３の場合と同様に次式を満たすことが好ましい。
【０１５５】
Ｖｄ≦Ｖｐ≦３×Ｖｄ
（０．５×Ｖｄ≦０．５×Ｖｐ≦１．５×Ｖｄ）
【０１５６】
また、交番電圧成分の周波数は、０．１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚであることが好ましい。より好ましくは０．５ｋＨｚ〜５ｋＨｚであり、さらに好ましくは０．５ｋＨｚ〜１ｋＨｚである。これにより、逆側の基板に残留した白色粒子や、基板間に位置する白色および黒色粒子の往復運動が電界の交番に対応して繰り返して行われ、最終的に直流電圧パターンに応じて所定の表示粒子を選択的に表示基板面に移行・付着させることができる。
【０１５７】
図３３および図３４は、図３１に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図である。直流電圧に重畳される交番電圧成分は図３１に示したような正弦波に限定されず、例えば、図３３に示すように、矩形波とすることができる。この場合にも交番電圧成分全体の振幅の推移を示す波形は三角波的に変化する。或いは、図３４に示すように、振幅の推移を示す波形を正弦波的に変化させてもよい。
【０１５８】
図３５は、図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第７の黒色表示方法）を示す説明図であり、図３６は、図３５中の所定の画素に相当する部位（書込み部Ｈ１−Ｌ１、非書込み部Ｈ１−Ｌ２、及び非書込み部Ｈ１−Ｌ３）における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図である。
【０１５９】
第７の黒色表示方法では、図３５に示すように、列電極Ｈ１には振幅の推移を示す波形を三角波的に変化させた交番電圧成分（電圧Ｖａｕ，Ｖａｄ）が重畳された直流電圧（ここでは、−１００Ｖ）が書き換え電圧として印加されるが、直流電圧に所定の立ち上がり時間Ｔｕ（ｍｓｅｃ）および立ち下がり時間Ｔｓ（ｍｓｅｃ）が確保されている点において図３１の場合とは異なる。つまり、直流電圧は、交番電圧成分が重畳されない立ち上がり時および立ち下がり時において、一定の傾きを持たせたスロープ状の波形（電圧Ｖｄｕ、Ｖｄｓ）をそれぞれ有している。
【０１６０】
なお、列電極Ｌ１には、直流電圧と同じタイミングで同様に立ち上がり時間Ｔｕおよび立ち下がり時間Ｔｓが確保された＋１００Ｖの直流電圧が印加される。図３６に示すように、書込み部Ｈ１−Ｌ１における行電極を基準とした列電極に印加される直流電圧の最大値は−２００Ｖとなる。
【０１６１】
このように、所定の立ち下がり時間Ｔｓ（ｍｓ）を確保することにより、立ち下がり時間を略ゼロとする方法に比べて、書き換えられた表示粒子が、逆方向の基板側に移動するいわゆる色戻り現象を抑制でき、高コントラストを実現できる。また、立ち下がり時間Ｔｓ（ｍｓ）は、１ｍｓ〜５００ｍｓであることが好ましい。より好ましくは３ｍｓ〜３００ｍｓであり、さらに好ましくは１０ｍｓ〜１００ｍｓである。
【０１６２】
図３７および図３８は、図３５に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図である。直流電圧に重畳される交番電圧成分は図３５に示したような正弦波に限定されず、例えば、図３７に示すように、矩形波とすることができる。この場合にも振幅の推移を示す波形は三角波的に変化する。或いは、図３８に示すように、振幅の推移を示す波形を正弦波的に変化させてもよい。
【０１６３】
図３９は、図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第８の黒色表示方法）を示す説明図であり、図４０は、図３９中の所定の画素に相当する部位（書込み部Ｈ１−Ｌ１、非書込み部Ｈ１−Ｌ２、及び非書込み部Ｈ１−Ｌ３）における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図である。
【０１６４】
第８の黒色表示方法では、図３９に示すように、列電極Ｈ１には交番電圧成分Ｖａｖが重畳された直流電圧（ここでは、−１００Ｖ）が書き換え電圧として印加されるが、交番電圧成分の波形において図２３（図２６）の場合とは異なる。つまり、交番電圧成分では、印加開始側の電圧Ｖａ（印加期間Ｔａ）における各パルスの波形と、印加終了側の電圧Ｖｂ（印加期間Ｔｂ）における各パルスの波形とが非対称となっている。つまり、電圧Ｖａでは、各パルスのピーク値に向かう電圧立ち上がり速度を緩慢にする一方、そのピーク値からの電圧立ち下がり速度を急峻にしており、各パルスのピーク値までの立ち上がり速度（絶対値）が当該ピーク値からの立ち下がり速度（絶対値）よりも小さく設定されている。また、電圧Ｖｂでは、電圧Ｖａにおける電圧立ち上がり速度と電圧立ち下がり速度との関係が逆転しており、各パルスのピーク値までの立ち上がり速度が当該ピーク値からの立ち下がり速度よりも大きく設定されている。
【０１６５】
なお、列電極Ｌ１には、直流電圧と同じタイミングで＋１００Ｖの直流電圧が印加される。図４０に示すように、書込み部Ｈ１−Ｌ１における行電極を基準とした列電極に印加される直流電圧の最大値は−２００Ｖとなる。
【０１６６】
ここで、最大直流電圧値Ｖｄ（Ｖ）と交番電圧成分Ｖａｖのピークツーピークの最大電圧差Ｖｐ（Ｖ）との関係は、図２３の場合と同様に次式を満たすことが好ましい。
【０１６７】
Ｖｄ≦Ｖｐ≦３×Ｖｄ
（０．５×Ｖｄ≦０．５×Ｖｐ≦１．５×Ｖｄ）
【０１６８】
また、図３１の場合と同様に、交番電圧成分Ｖａｖの周波数は０．１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚであることが好ましい。周波数は、より好ましくは０．５ｋＨｚ〜５ｋＨｚ、さらに好ましくは０．５ｋＨｚ〜１ｋＨｚである。
【０１６９】
図４１および図４２は、図３９に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図である。交番電圧成分における印加開始側の電圧Ｖａと、印加終了側の電圧Ｖｂとの印加タイミング（印加期間Ｔａ，Ｔｂの比率）は、図３９に示したものに限定されず、例えば、図４１に示すように、電圧Ｖａの波形から電圧Ｖｂの波形に移行するタイミングを遅らせる（Ｔａ＞Ｔｂとする）ことができる。これにより、クロストークが若干生じたとしても、表示させる色（例えば黒色）をより鮮明に表示させることができる。
【０１７０】
さらに、交番電圧成分Ｖａｖのピーク部分の波形は、図３９に示した先端が尖った鋸状に限らず、図４２に示すように、０．１ｍｓｅｃ〜５ｍｓｅｃ間の範囲で平坦部とした矩形形状としてもよい。このように、画像表示方向の電圧（ここでは、黒色粒子用の負電圧）を一定時間保持することにより、コントラストを向上させることが可能となる。
【０１７１】
図４３は、図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第９の黒色表示方法）を示す説明図であり、図４４は、図４３中の所定の画素に相当する部位（書込み部Ｈ１−Ｌ１、非書込み部Ｈ１−Ｌ２、及び非書込み部Ｈ１−Ｌ３）における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図である。
【０１７２】
第９の黒色表示方法では、図４３に示すように、列電極Ｈ１には所定の波形を有する交番電圧成分が重畳された直流電圧（ここでは、−１００Ｖ）が書き換え電圧として印加されるが、直流電圧において所定の立ち上がり時間Ｔｕおよび立ち下がり時間Ｔｓが確保される点において図３９の場合とは異なる。つまり、直流電圧においては、一定の傾きを持たせたスロープ状の波形（電圧Ｖｕ、Ｖｓ）を有する。
【０１７３】
このように、所定の立ち下がり時間Ｔｓを確保することにより、立ち下がり時間を略ゼロとする方法に比べて、書き換えられた表示粒子が、逆方向の基板側に移動するいわゆる色戻り現象を抑制でき、高コントラストを実現できる。また、立ち下がり時間Ｔｓ（ｍｓ）は、１ｍｓ〜５００ｍｓであることが好ましい。より好ましくは３ｍｓ〜３００ｍｓであり、さらに好ましくは１０ｍｓ〜１００ｍｓである。
【０１７４】
なお、列電極Ｌ１には、直流電圧と同じタイミングで同様の立ち上がり時間Ｔｕおよび立ち下がり時間Ｔｓが設定されたスロープ状の波形を有する＋１００Ｖの直流電圧が印加される。図４４に示すように、書込み部Ｈ１−Ｌ１における行電極を基準とした列電極に印加される直流電圧の最大値は−２００Ｖとなる。
【０１７５】
図４５および図４６は、図４３に示した列電極Ｈ１に対する印加電圧の変形例を示す図である。交番電圧成分における印加開始側の電圧Ｖａと、印加終了側の電圧Ｖｂとの印加タイミング（印加期間Ｔａ，Ｔｂの比率）は、図４３に示したものに限定されず、例えば、電圧Ｖａから電圧Ｖｂに移行するタイミングを遅らせる（Ｔａ＞Ｔｂとする）ことができる。これにより、クロストークが若干生じたとしても、表示させる色（例えば黒色）をより鮮明に表示させることができる。さらに、交番電圧成分Ｖａｖのピーク部分の波形は、図４３に示した先端が尖った鋸状に限らず、図４６に示すように、０．１ｍｓｅｃ〜５ｍｓｅｃ間の範囲で平坦部とした矩形形状としてもよい。
【０１７６】
図４７は、図３及び図４中の列電極Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３および行電極Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に印加する電圧の一例（第１０の黒色表示方法）を示す説明図であり、図４８は、図４７中の所定の画素に相当する部位（書込み部Ｈ１−Ｌ１、非書込み部Ｈ１−Ｌ２、及び非書込み部Ｈ１−Ｌ３）における行電極を基準とした列電極の電圧値を示す説明図である。
【０１７７】
第１０の黒色表示方法では、図４７に示すように、列電極Ｈ１には所定の波形を有する交番電圧成分が重畳された直流電圧（ここでは、−１００Ｖ）が書き換え電圧として印加されるが、印加終了側において、直流電圧成分を、黒色粒子の表示基板側への移動を促進する側（負電圧：−１００Ｖ）から黒色粒子の表示基板側への移動を阻害させる側（正電圧：＋５０Ｖ）にシフトさせる点において図２６の場合とは異なる。交番電圧成分（電圧Ｖａｕ，Ｖａｄ）は、印加開始側（印加期間Ｔｕ）および印加終了側（印加期間Ｔｄ）において、直流電圧に対してそれぞれ重畳されている。
【０１７８】
なお、列電極Ｌ１には、直流電圧と同じタイミングで＋１００Ｖの直流電圧が印加される。図４８に示すように、書込み部Ｈ１−Ｌ１における行電極を基準とした列電極に印加される直流電圧の最大値は−２００Ｖとなる。また、非書込み部Ｈ１−Ｌ２，Ｈ１−Ｌ３では、黒色粒子の表示基板側への移動を阻害させる側にシフトさせた直流電圧に基づき、列電極に＋１００Ｖ以上の電圧成分が一定の周波数パルスで印加される状態となる。そのため、この電界成分は表示基板側に移動していた黒色粒子を背面基板側へ戻す方向に作用し、コントラストの低下を抑制することができる。一方、書込み部Ｈ１−Ｌ１部では、直流電圧により、黒色粒子を背面基板側へ引き戻す電界にまでは至っていないため、コントラストの低下を防ぐことができる。
【０１７９】
ここで、最大直流電圧値Ｖｄ（Ｖ）と交番電圧成分Ｖａｖのピークツーピークの最大電圧差Ｖｐ（Ｖ）との関係は、図２３の場合と同様に次式を満たすことが好ましい。
【０１８０】
Ｖｄ≦Ｖｐ≦３×Ｖｄ
（０．５×Ｖｄ≦０．５×Ｖｐ≦１．５×Ｖｄ）
【０１８１】
また、図３１の場合と同様に、交番電圧成分Ｖａｖの周波数は０．１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚであることが好ましい。周波数は、より好ましくは０．５ｋＨｚ〜５ｋＨｚ、さらに好ましくは０．５ｋＨｚ〜１ｋＨｚである。
【０１８２】
図４９〜図５０は、それぞれ図４８に示した行電極を基準とした列電極の電圧値の変形例を示す図である。
【０１８３】
図４９に示すように、印加終了側において、直流電圧成分を、黒色粒子の表示基板側への移動を促進する側から黒色粒子の表示基板側への移動を阻害させる側（ここでは、負電圧：−５０Ｖ）にシフトさせる際に、遅延時間を持たせ、一定の傾きのスロープ状の波形を有する複数のパルス電圧Ｖａｓとすることが可能である。
【０１８４】
最大直流電圧値（ここでは、負電圧：−２００Ｖ）から一定の直流電圧値（ここでは、負電圧：−５０Ｖ）に減衰するまでの印加期間Ｔｓは、１ｍｓ〜５００ｍｓの範囲内であることが好ましい。これにより、クロストークによる色戻りの抑制と高コントラストを確保する効果が得られる。印加期間Ｔｓが１ｍｓよりも短くなると表示粒子に作用する電界力がなまらせる効果を得難くなり、また、５００ｍｓよりも長くなると、ユーザに待ちのイライラ感を与える。印加期間Ｔｓは、より好ましくは３ｍｓ〜３００ｍｓ、さらに好ましくは１０ｍｓ〜１００ｍｓである。
【０１８５】
また、図５０に示すように、図４９に示した印加電圧において、直流電圧Ｖは、交番電圧成分が重畳されない所定の立ち上がり時間Ｔｎを確保して、一定の傾きのスロープ状の波形（電圧Ｖａｎ）を有するものとしてもよい。これにより、立ち上がり時間を略ゼロとする方法に比べて、非書き換え画素において表示粒子が移動する現象を抑制でき、高コントラストを実現できる
【０１８６】
０Ｖから最大印加電圧値（ここでは、−２００Ｖ）に到達するまでの立ち上がり時間Ｔｎは、１ｍｓ〜５００ｍｓであることが好ましい。立ち上がり時間Ｔｎは、より好ましくは３ｍｓ〜３００ｍｓ、さらに好ましくは、１０ｍｓ〜１００ｍｓである。なお、図５１に示すように、図５０に示した印加電圧において、直流電圧の立ち上がり時に交番電圧成分を重畳した構成も可能である。
【０１８７】
＜表示粒子の構成＞
表示粒子群を構成する少なくとも１種の表示粒子は、少なくとも結着樹脂及び顔料から生成された着色樹脂粒子と、この着色樹脂粒子に外添加して付着又は固着した微粒子とから主として構成される。
【０１８８】
より詳細には、白色粒子（第１表示粒子）では、白色顔料を使用し、例えば酸化チタンが好ましく使用できる。外添加される微粒子としては、少なくとも炭素数６〜１８のアルキル基を有するアルキルトリアルコキシシランまたはアルキルシラザンで表面処理された８０ｎｍ〜５００ｎｍの無機微粒子が好ましい。これにより、白色粒子の負帯電特性を高めて、高いコントラストを実現することができ、繰り返し表示を行った場合でも安定した画像表示動作を維持できる。
【０１８９】
一方、黒色粒子（第２表示粒子）には、カーボンブラック等の黒色顔料を好ましく使用できる。外添加される微粒子としては、少なくとも炭素数６〜１８のアルキル基を有するアルキルトリアルコキシシランまたはアルキルシラザン、及びアミン系カップリング剤によって表面処理された８０ｎｍ〜５００ｎｍの無機微粒子が好ましい。これにより、黒色粒子の正帯電特性を高めて、高いコントラストを実現することができ、繰り返し表示を行った場合でも安定した画像表示動作を維持できる。
【０１９０】
着色樹脂粒子に外添加する平均粒径が８０ｎｍ〜５００ｎｍの微粒子は、白色粒子及び黒色粒子の双方に外添加する構成でも構わないし、白色粒子または黒色粒子のいずれか一方に外添加する構成でも構わない。いずれか一方に外添加する場合、形状係数の大きいほうの粒子、すなわちよりポテト形状をしたほうの表示粒子に添加することが好ましい。一定の大きさの微粒子を配合することにより、繰り返し画像表示される際に、着色樹脂粒子の表面に外添加した微粒子が着色樹脂粒子中に埋没することを抑えて、帯電性、粉体流動性の劣化を抑制するためである。微粒子の平均粒径は、好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍ、より好ましくは１００ｎｍ〜２００ｎｍである。着色樹脂粒子の体積基準平均粒径は３〜１５μｍであることが好ましい。
【０１９１】
（着色樹脂粒子）
着色樹脂粒子は、バインダとしての結着樹脂及び着色剤とを少なくとも含むように形成され、必要に応じて電荷制御剤等の添加剤を含む。
【０１９２】
（結着樹脂）
結着樹脂としては、例えば、ウレタン樹脂、ウレア樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、アクリルウレタンシリコーン樹脂、アクリルウレタンフッ素樹脂、アクリルフッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリルシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、スチレン・アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ブチラール樹脂、塩化ビニリデン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂等を用いることができ、これら２種以上を混合して用いることもできる。
【０１９３】
結着樹脂に好適な材料であるポリエステル樹脂は、アルコール成分と、カルボン酸、カルボン酸エステルまたはカルボン酸無水物等のカルボン酸成分との重縮合によって得られる。
【０１９４】
ここで、２価カルボン酸または低級アルキルエステルとしては、例えば、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸などの脂肪族二塩基酸や、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸などの脂肪族不飽和二塩基酸や、無水フタル酸、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸などの芳香族二塩基酸や、これらのメチルエステル、エチルエステル等を用いることができる。このうちコハク酸、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸等の芳香族二塩基酸及びそれらの低級アルキルエステルがより好ましい。また、コハク酸とテレフタル酸、またはフタル酸とテレフタル酸とを組み合わせた使用がより好ましい。
【０１９５】
３価以上のカルボン酸成分としては、例えば、１，２，４−ベンゼントリカルボン酸、１，２，５−ベンゼントリカルボン酸、１，２，４−シクロヘキサントリカルボン酸、２，５，７−ナフタレントリカルボン酸、１，２，４−ナフタレントリカルボン酸、１，２，４−ブタントリカルボン酸、１，２，５−ヘキサトリカルボン酸、１，３−ジカルボキシル−２−メチル−２−メチレンカルボキシプロパン、テトラ（メチレンカルボキシル）メタン、１，２，７，８−オクタンテトラカルボン酸、ピロメリット酸、エンポール三量体酸及びこれらの酸無水物、アルキル（炭素数１〜１２）エステル等を用いることができる。
【０１９６】
２価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、１，４−ブチレングリコール、１，６−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ビスフェノールＡエチレンオキサイド付加物、ビスフェノールＡプロピレンオキサイド付加物などのジオール、グリセリン、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタンなどのトリオール、及びこれらの混合物を用いることができる。
【０１９７】
３価以上のアルコール成分としては、例えば、ソルビトール、１，２，３，６−ヘキサンテトロール、１，４−ソルビタン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリペンタエリスリトール、１，２，４−ブタントリオール、１，２，５−ペンタントリオール、グリセロール、２−メチルプロパントリオール、２−メチル−１，２，４−ブタントリオール、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、１，３，５−トリヒドロキシメチルベンゼン等を用いることができる。重合には、公知の重縮合や溶液重縮合等を用いることができる。これにより、良好な白黒やカラーの色材の色を発現させることができる。
【０１９８】
なお、多価カルボン酸と多価アルコールとの使用割合については、カルボキシル基数に対する水酸基数の割合（ＯＨ／ＣＯＯＨ）を０．８〜１．４とするのが一般的である。
【０１９９】
また、熱可塑性の結着樹脂として、スチレン、パラクロロスチレン、α−メチルスチレン等のスチレン類、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−プロピル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸２−エチルヘキシル等のアクリル系単量体、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ−プロピル、メタクリル酸ラウリル、メタクリル酸２−エチルヘキシル等のメタクリル系単量体、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸などのカルボキシル基を解離基として有する不飽和多価カルボン酸系単量体などの単独重合体、これらの単量体を２種以上組み合せた共重合体、又はそれらの混合物等を用いることができる。
【０２００】
好ましくはスチレン／アクリル系共重合体が好適に使用される。特に、スチレン／ブチルアクリレート共重合体が好ましく、スチレンを７５〜９０重量％、ブチルアクリレートを１０〜２５重量％含有するものが好適に使用される。スチレン単量体としては、スチレン、Ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ―エチルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、ｐ−ｎブチルスチレン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン、ｐ−ｎ−ヘキシルスチレン、ｐ−ｎ−オクチルスチレン、ｐ−ｎ−ヘキシルスチレン、Ｐ−クロルスチレンなどのスチレンおよびその誘導体を用いることができ、特に、スチレンが好ましい。
【０２０１】
また、アクリル単量体としては、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸フェニル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、β−ヒドロキシアクリル酸エチル、γ−ヒドロキシアクリル酸プロピル、α−ヒドロキシアクリル酸ブチル、β−ヒドロキシメタクリル酸エチル、γ−アミノアクリル酸プロピル、γ−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノアクリル酸プロピル、エチレングリコールジメタクリル酸エステル、テトラエチレングリコールジメタクリル酸エステル等を用いることができる。
【０２０２】
結着樹脂は、ＧＰＣ（Gel Permeation Chromatography）による分子量において、重量平均分子量が５万〜３５万であり、重量平均分子量と数平均分子量の比（重量平均分子量／数平均分子量）が３〜１００である。また、結着樹脂は、定荷重押出し形細管式レオメータフローテスタによる１／２法による溶融温度（以下、軟化点という。）が１１０〜１８０℃、流出開始温度が９０〜１６０℃、樹脂のガラス転移点が７０〜１００℃の範囲である。
【０２０３】
このように、軟化点が１１０〜１８０℃の範囲であり且つガラス転移点が７０〜１００℃の範囲である熱可塑性樹脂から結着樹脂を形成すれば、着色樹脂粒子の表面の溶融により、形状の制御を容易とすることができる。また、熱処理の際に着色樹脂粒子同士の二次凝集の発生を抑制することができるという利点もある。
【０２０４】
好ましくは、結着樹脂は、重量平均分子量が５万〜３０万、重量平均分子量／数平均分子量が３〜５０、軟化点が１２５〜１７０℃、流出開始温度が１０５〜１５０℃、ガラス転移点が７５〜９５℃の範囲である。
【０２０５】
より好ましくは、結着樹脂は、重量平均分子量が１０万〜２５万、重量平均分子量／数平均分子量が３〜１５、軟化点が１３５〜１７０℃、流出開始温度が１１０〜１５０℃、ガラス転移点が８０〜９０℃の範囲である。
【０２０６】
結着樹脂の重量平均分子量が５万より小さく、重量平均分子量／数平均分子量が３より小さく、軟化点が１１０℃より小さく、流出開始温度が９０℃より小さくなると、混練時の分散性が低下し、鮮明な色の発現性が低下する。これは表示粒子の耐久性の低下につながる。
【０２０７】
結着樹脂の重量平均分子量が３５万より大きく、重量平均分子量／数平均分子量が１００より大きく、軟化点が１８０℃より大きく、流出開始温度が１６０℃より大きくなると、熱処理における着色樹脂粒子の形状の制御が困難となり、繰り返し特性の改善が困難となる。
【０２０８】
また、結着樹脂の形成に際し、次のような２つ以上の熱特性の異なる樹脂（低軟化性または低分子量の樹脂粒子、高軟化性または高分子量の樹脂粒子）を混合させることも好ましい。
【０２０９】
低軟化性または低分子量の樹脂粒子では、重量平均分子量が１万〜６万、重量平均分子量と数平均分子量の比（重量平均分子量／数平均分子量）が１．５〜６、軟化点が９０〜１４０℃、流出開始温度が８０〜１２０℃、ガラス転移点が７５〜１００℃の範囲とする。
【０２１０】
好ましくは、重量平均分子量が２万〜５万、重量平均分子量／数平均分子量が１．５〜３．９、軟化点が９５〜１３５℃、流出開始温度が８５〜１１５℃、ガラス転移点が７８〜９８℃の範囲とする。
【０２１１】
より好ましくは、重量平均分子量が２万〜４万５千、重量平均分子量／数平均分子量が１．５〜３、軟化点が１００〜１３０℃、流出開始温度が９０〜１１０℃、ガラス転移点が８０〜８８℃の範囲とする。
【０２１２】
低軟化性または低分子量の樹脂粒子の配合の目的は、着色樹脂粒子のポテト形状に制御することを容易とすることにある。重量平均分子量が１万よりも小さく、重量平均分子量／数平均分子量が１．５よりも小さく、軟化点が９０℃よりも小さく、流出開始温度が８０℃よりも小さく、ガラス転移点が７５℃よりも小さいと、形状制御のための熱処理において、二次凝集しやすくなり、粒径が大きくなりやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が６万よりも大きく、重量平均分子量／数平均分子量が６よりも大きく、軟化点が１４０℃よりも大きく、流出開始温度が１２０℃よりも大きく、ガラス転移点が１００℃よりも大きいと、熱処理において、ポテト形状とするための形状制御が難しくなる傾向となる。
【０２１３】
また、相対的に高軟化性または高分子量の樹脂粒子では、重量平均分子量が６万〜６０万、重量平均分子量と数平均分子量の比（重量平均分子量／数平均分子量）が２〜１０、軟化点が１５０〜１９０℃、流出開始温度が１２０〜１７０℃、ガラス転移点が６５〜９５℃の範囲とする。
【０２１４】
好ましくは、重量平均分子量が８万〜５８万、重量平均分子量／数平均分子量が２〜７、軟化点が１５５〜１８５℃、流出開始温度が１２５〜１６５℃、ガラス転移点が６５〜９０℃の範囲とする。
【０２１５】
より好ましくは、重量平均分子量が１０万〜５５万、重量平均分子量／数平均分子量が２〜５、軟化点が１６０〜１８０℃、流出開始温度が１３０〜１６０℃、ガラス転移点が６５〜８０℃の範囲とする。
【０２１６】
高軟化性または高分子量の樹脂粒子の配合の目的は、表示粒子の安定した繰り返し表示特性を維持するための耐久性を保持させることにある。すなわち、粒子同士や基板、隔壁との衝突に対する耐久性を高めるためである。また、溶融混練処理において添加剤の分散性を均一化させ、高い帯電性を安定化させるためでもある。
【０２１７】
重量平均分子量が６万よりも小さく、重量平均分子量／数平均分子量が２よりも小さく、軟化点が１５０℃よりも小さく、流出開始温度が１２０℃よりも小さく、ガラス転移点が６５℃よりも小さいと、繰り返し表示特性を維持させる耐久性が低下しやすい傾向となる。
【０２１８】
重量平均分子量が６０万よりも大きく、重量平均分子量／数平均分子量が１０よりも大きく、軟化点が１９０℃よりも大きく、流出開始温度が１７０℃よりも大きく、或いはガラス転移点が９５℃よりも大きいと、熱処理において、ポテト形状とするための形状制御が難しくなる傾向となる。
【０２１９】
低軟化性または低分子量の樹脂粒子と、高軟化性または高分子量の樹脂粒子との配合比率は、５：５〜９：１の範囲とする。耐久性と球形化の進行をバランスよく確保するためである。好ましくは、６：４〜９：１の範囲とする。より好ましくは、７：３〜９：１の範囲とする。
【０２２０】
さらには、結着樹脂として、架橋重合体樹脂を含む構成も好ましい。架橋重合体を構成する単量体のスチレンとしては、例えばスチレン、αーメチルスチレン、Ｐークロルスチレンなどのスチレン及びその置換体、アクリル酸アルキルエステルとしては、例えばアクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸ドデシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸フェニル、メタクリル酸アルキルエステルとしては、例えばメタクリル酸、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸オクチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸ドデシル、メタクリル酸ヘキシル、などの二重結合を有するモノカルボン酸及びその置換体等がある。
【０２２１】
架橋重合体は主にモノマー１００重量部に対して０．１〜１０重量部の架橋剤を配合することが好ましい。架橋剤は主に重合性の二重結合を２個以上持つ化合物で、例えばジビニルベンゼン、ジビニルナフタレン等の芳香族ジビニル化合物、エチレングリコール、ジメタアクリレート、テトラエチレングリコール、ジメタクリレート、１，３ブタンジオール、ジメタクリレート、アリール、メタクリレート、等のジエチレン性カルボン酸エステル、Ｎ，Ｎジビニルアニリン、ジビニルエーテル、ジビニルスルフイド等がある。ジビニルベンゼン、エチレングリコールジメタアクリレートが好適に使用される。
【０２２２】
さらに好ましくは、架橋重合体樹脂とともに、線形状重合体を併用して使用する樹脂構成も好ましい。架橋構造を有しない低分子量重合体であり、顔料の分散性、表示粒子の微細粉砕性、形状制御性を確保するための樹脂成分である。
【０２２３】
その低分子量重合体の好ましい処方としては、スチレン５０〜１００重量％、及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル５０〜０重量％をモノマー単位として含有してなるスチレン−（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体であり、より好ましくはスチレン７０〜９０重量％及びアクリル酸ｎブチル３０〜１０重量％のものである。
【０２２４】
また架橋重合体の好ましい処方としては、スチレン５０〜１００重量％、（メタ）アクリル酸アルキルエステル０〜５０重量％及び架橋剤０．０１〜１０重量％（三者の合計が１００重量％となる）をモノマー単位として含有してなる架橋したスチレン−（メタ）アクリル酸アルキルエステル系共重合体であり、より好ましくはスチレン７０〜９０重量％、アクリル酸ｎブチル３０〜１０重量％及び架橋剤０．０１〜２重
量％（三者の合計が１００重量％となる）のものである。
【０２２５】
樹脂成分の製造法としては、塊状重合、溶液重合、懸濁重合、乳化重合等によって製造したイオン性重合体やラジカル性重合体等の低分子量重合体と、塊状重合、懸濁重合、乳化重合等によって製造した架橋重合体を、分散液状又は溶液状のままで混合した後、乾燥する方法及び別々に乾燥した後、表示粒子製造時にドライブレンドする方法や、押出機等で混合混練する方法等が採用される。
【０２２６】
好ましくは、予め重合させた低分子量重合体を架橋重合体樹脂用モノマー中に溶解し、次いで架橋重合体を得るための重合を行うことによって樹脂成分が得られ、このような樹脂成分は低分子量重合体と架橋重合体が均一に相互分散しているので、表示粒子製造時の顔料粒子の分散改善に寄与できる。
【０２２７】
低分子量重合体と架橋重合体の合計当り、低分子量重合体が２３〜４５重量％及び架橋重合体が７７〜５５重量％の比率で結着樹脂を形成することが好ましい。より好ましくは低分子量重合体が２３〜４０重量％及び架橋重合体が７７〜６０重量％、さらに好ましくは低分子量重合体が２３〜３５重量％及び架橋重合体が７７〜６５重量％である。顔料の分散性、表示粒子の微細粉砕性や形状制御性と耐久性とのバランスの取れる範囲である。
【０２２８】
低分子量重合体は、ＧＰＣ（Gel permeation Chromatography）による分子量において、重量平均分子量が１万〜１５万であり、重量平均分子量と数平均分子量の比（重量平均分子量／数平均分子量）が１．５〜５である。また、定荷重押出し形細管式レオメータフローテスタによる１／２法による溶融温度（以下、軟化点という。）が８５〜１３０℃、流出開始温度が７５〜１１５℃、樹脂のガラス転移点が５０〜８０℃の範囲である。好ましくは、重量平均分子量が１万〜１０万、重量平均分子量／数平均分子量が１．５〜３、軟化点が８５〜１２０℃、流出開始温度が７５〜１１０℃、ガラス転移点が５０〜７０℃の範囲である。より好ましくは、重量平均分子量が１万〜５万、重量平均分子量／数平均分子量が１．５〜２．５、軟化点が８５〜１１０℃、流出開始温度が７５〜１００℃、ガラス転移点が５０〜６０℃の範囲である。
【０２２９】
結着樹脂の重量平均分子量が１万より小さく、重量平均分子量／数平均分子量が１．５より小さく、軟化点が８５℃より小さく、流出開始温度が７５℃より小さくなると、混練時の分散性が低下するとともに、表示粒子の耐久性の低下につながる。
【０２３０】
結着樹脂の重量平均分子量が１５万より大きく、重量平均分子量／数平均分子量が５より大きく、軟化点が１３０℃より大きく、流出開始温度が１１５℃より大きくなると、熱処理における着色樹脂粒子の形状制御が困難となり、繰り返し特性改良が困難となる。
【０２３１】
（着色剤）
着色剤としては、以下に示すような、有機または無機の種々の顔料および染料を使用可能である。
【０２３２】
白色着色剤としては、酸化亜鉛、酸化スズ、ルチル型酸化チタン、アナターゼ型酸化チタン、硫化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ジルコニウム等の白色顔料を含む粒子を用いることができる。
【０２３３】
ここで、酸化チタンは、シリコーンオイルで処理されたものが好ましい。これにより、着色樹脂粒子中での酸化チタンの分散状態が均一化され、白色度が向上する。
【０２３４】
シリコーンオイルとしては、メチルハイドロジェンシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、環状ジメチルシリコーンオイル、エポキシ変性シリコーンオイル、カルボキシル変性シリコーンオイル、カルビノール変性シリコーンオイル、メタクリル変性シリコーンオイル、メルカプト変性シリコーンオイル、ポリエーテル変性シリコーンオイル、メチルスチリル変性シリコーンオイル、アルキル変性シリコーンオイル、フッ素変性シリコーンオイル、α−メチルスルホン変性シリコーンオイル又はクロルフェニルシリコーンオイル等が好ましい。特に、ジメチルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル又はメタクリル変性シリコーンオイルが好適に使用される。例えば、東レダウコーニングシリコーン社のＳＨ２００、ＳＨ５１０、ＳＦ２３０、ＳＨ２０３、ＢＹ１６―８２３、ＢＹ１６―８５５Ｂ等を使用できる。
【０２３５】
シリコーンオイルによる酸化チタンの処理は、次のように実施することができる。まず、トルエン等の有機溶媒にシリコーンオイルと酸化チタンを加えて、超音波を印加ながら十分に攪拌する。次に、シリコーンオイルが表面にコートされた酸化チタンを、加熱乾燥することにより、不要な溶媒成分を除去する。
【０２３６】
シリコーンオイルの添加量は、酸化チタン１００重量部に対して０．５〜３０重量部の範囲内であることが好ましい。より好ましくは、１〜２０重量部の範囲内、さらに好ましくは、２〜１０重量部の範囲内である。シリコーンオイルの添加量が０．５重量部未満の場合には、酸化チタンの表面が十分にコーチングされずに、着色樹脂粒子中での酸化チタンの分散状態が均一化され難くなり、白色度の向上が望めなくなる。一方、添加量が３０重量部を超える場合には、残存して表面処理に寄与しないシリコーンオイルが増大し、逆に表示粒子の粉体流動性を低下させてしまう。
【０２３７】
また、酸化チタンの添加量は、結着樹脂１００重量部に対して１０〜５０重量部の範囲内であることが好ましい。より好ましくは、１５〜３５重量部の範囲内、さらに好ましくは、２０〜３０重量部の範囲内である。酸化チタンの添加量が１０重量部未満の場合には、十分な白色度が得られず、一方、添加量が５０重量部を超える場合には、表示粒子の粉体流動性を低下させてしまう。
【０２３８】
黒色着色剤として、カーボンブラック、アニリンブラック、マンガンフェライトブラック、チタンブラック、磁性粉、オイルブラック等有機または無機系の染・顔料系の黒色顔料を好適に用いることができる。
【０２３９】
正帯電性黒色表示粒子として使用する黒色顔料のカーボンブラックは、アミノ変性シリコーンオイルで処理されたものが好ましい。これにより、着色樹脂粒子中でのカーボンブラックの分散状態が均一化され、黒色度が向上するとともに、正帯電性の向上につながる。
【０２４０】
アミノ変性シリコーンオイルとしては、信越化学社製のＫＦ８５７、ＫＦ８５８、ＫＦ８５９、ＫＦ８６１、ＫＦ８６４及びＫＦ８８０や、東レ・ダウコーニング社製のＤＦ８４１７等を使用できる。また、アミノシリコーンオイルに代わり又は併用してニトリル変性シリコーンオイルやイソシアネート系シリコーンオイルを用いることも好ましい。
【０２４１】
アミノ変性シリコーンオイルの添加量は、カーボンブラック１００重量部に対して０．２〜３０重量部の範囲内であることが好ましい。より好ましくは、１〜２０重量部の範囲内、さらに好ましくは、２〜１０重量部の範囲内である。アミノ変性シリコーンオイルの添加量が０．２重量部未満の場合には、カーボンブラックの表面が十分にコーチングされず、着色樹脂粒子中でのカーボンブラックの分散状態が均一化され難くなり、黒色度の向上が望めなくなる。一方、添加量が３０重量部を超える場合には、残存して表面処理に寄与しないシリコーンオイルが増大し、却って表示粒子の粉体流動性を低下させてしまう。
【０２４２】
カーボンブラックの添加量は、結着樹脂１００重量部に対して１〜１０重量部の範囲内であることが好ましい。より好ましくは２〜８重量部の範囲内、さらに好ましくは、３〜６重量部の範囲内である。添加量が１重量部未満の場合には、十分な黒色度が得られず、一方、１０重量部を超える場合には、表示粒子の粉体流動性を低下させてしまう。
【０２４３】
ここで、カーボンブラックのＤＢＰ吸油量（ｍｌ／１００ｇ）は４５〜７０が好ましい。具体的には、例えば、三菱化学社製の＃５２（粒径２７ｎｍ，ＤＢＰ吸油量６３ｍｌ／１００ｇ）、＃５０（同２８ｎｍ，同６５ｍｌ／１００ｇ）、＃４７（同２３ｎｍ，同６４ｍｌ／１００ｇ）、＃４５（同２４ｎｍ，同５３ｍｌ／１００ｇ）、＃４５Ｌ（同２４ｎｍ，同４５ｍｌ／１００ｇ）や、キャボット社製のＲＥＧＡＬ２５０Ｒ（同３５ｎｍ，同４６ｍｌ／１００ｇ）、ＲＥＧＡＬ３３０Ｒ（同２５ｎｍ，同６５ｍｌ／１００ｇ）、ＭＯＧＵＬＬ（同２４ｎｍ，同６０ｍｌ／１００ｇ）を用いることができる。より好ましくは、＃４５、＃４５Ｌ、ＲＥＧＡＬ２５０Ｒを用いると良い。ＤＢＰ吸油量が比較的低いカーボンブラックを用いることで、高いコントラストを得る効果がある。これは、樹脂中の分散性、着色性による効果と考えられる。
【０２４４】
ＤＢＰ吸油量は、粒子の鎖状集合状態（ストラクチャー）を定量的に表したもので、化学的結合による一次ストラクチャーと、ファンデルワールス力による物理的結合の２次的ストラクチャーから表される。
【０２４５】
ＤＢＰ吸油量の測定（ＪＩＳＫ６２１７）は、１５０℃±１℃で１時間乾燥した試料２０ｇ（Ａｇ）をアブソープトメータ（Ｂｒａｂｅｎｄｅｒ社製、スプリング張力２．６８ｋｇ／ｃｍ）の混合室に投入し、予めリミットスイッチを最大トルクの約７０％に設定した後、混合機を回転させる。同時に自動ビュレットからＤＢＰ（比重１．０４５〜１．０５０ｇ／ｃｍ^３）を４ｍｌ／ｍｉｎの割合で添加する。終点近くになるとトルクが急速に増加してリミットスイッチが切れる。それまでに添加したＤＢＰ量（Ｂｍｌ）と試料重量から試料１００ｇあたりのＤＢＰ吸油量（＝Ｂｘ１００／Ａ）（ｍｌ／１００ｇ）が求められる。
【０２４６】
なお、粒径にはＳＥＭによる算術平均径を用いている。カーボンブラックの粒子径は好ましくは２０〜４０ｎｍであり、より好ましくは２０〜３５ｎｍである。粒子径が好ましい範囲よりも大きいと着色力が低下する傾向となる。また、粒子径が好ましい範囲よりも小さいと、樹脂中での分散が困難になる傾向となる。
【０２４７】
青色着色剤としては、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：３、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５、紺青、フタロシアニンブルー、無金属フタロシアニンブルー、ファーストスカイブルー、インダンスレンブルーＢＣ等を用いることができる。添加量は結着樹脂１００重量部に対し、３〜１２重量部が好ましい。
【０２４８】
赤色着色剤としては、ブリリアントカーミン６Ｂ、エオシンレーキ、ローダミンレーキＢ、ブリリアントカーミン３Ｂ、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド４８，４９：１，５３：１，５７，５７：１，８１，１２２，５等の赤色顔料、Ｃ．Ｉ．ソルベント・レッド４９，５２，５８，８等の赤色染料を用いることができる。
【０２４９】
黄色着色剤としては、ナフトールイエローＳ、ベンジジンイエローＧ、ベンジジンイエローＧＲ、キノリンイエローレーキ、パーマネントイエローＮＣＧ、Ｃ．Ｉ．ピグメント・イエロー１，３，７４，９７又は９８等のアセト酢酸アリールアミド系モノアゾ黄色顔料、Ｃ．Ｉ．ピグメント・イエロー１２，１３，１４，１７等のアセト酢酸アリールアミド系ジスアゾ黄色顔料、Ｃ．Ｉ．ソルベンイエロー１９，７７，７９又はＣ．Ｉ．ディスパース・イエロー１６４が配合され、特に好ましくはＣ．Ｉ．ピグメント・イエロー９３，１８０，１８５のベンズイミダゾロン系顔料が好適である。
【０２５０】
（電荷制御剤）
負電荷制御剤としては、例えば、サリチル酸金属錯体、含金属アゾ染料、含金属（金属イオンや金属原子を含む）の油溶性染料、カリックスアレン化合物、含ホウ素化合物（例えば、ベンジル酸ホウ素錯体）、ニトロイミダゾール誘導体、アクリルスルホン酸系の重合体（スチレン系モノマーと極性基としてスルホン酸基を有するアクリル酸系モノマーとのビニル共重合体で、特に好ましくはアクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸との共重合体）等を用いることができる。
【０２５１】
サリチル酸金属錯体において、ベンゼン環に結合する官能基は、それぞれ独立して水素原子、直鎖もしくは分子鎖状の炭素数１〜１０のアルキル基またはアリル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等を用いることができる。また、金属としては、亜鉛、ニッケル、コバルト、銅、クロムを用いることができ、特に亜鉛、クロムが好ましい。
【０２５２】
ベンジル酸誘導体の金属塩としては、アルカリ金属としてリチウム、ナトリウムまたはカリウム等を用いることができ、特にカリウムが好ましい。
【０２５３】
一方、正電荷制御剤としては、例えば、ニグロシン染料、トリフェニルメタン系化合物、４級アンモニウム塩系化合物、ポリアミン樹脂、イミダゾール誘導体等を用いることができる。
【０２５４】
電荷制御剤の添加量は、結着樹脂１００重量部に対し、０．５〜８重量部とし、好ましくは１〜６重量部であり、より好ましくは２〜５重量部である。電荷制御剤の添加量が０．５重量部未満では帯電作用効果が無くなり、一方、８重量部を超えると帯電量が過度に高くなり、過帯電になりやすい傾向となる。
【０２５５】
（微粒子）
【０２５６】
表示粒子に使用される微粒子としては、シリカ、アルミナ、酸化チタン、ジルコニア、マグネシア、フェライト又はマグネタイト等の金属酸化物微粉末や、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム等のチタン酸塩や、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムまたはジルコン酸ストロンチウム等のジルコン酸塩等の無機微粒子や、これらの混合物を用いることができる。特に、疎水性シリカ、酸化チタン又はアルミナの金属酸化物微粉末が好ましい。帯電性を保持すると共に、流動性を向上させる効果が得られるためである。
【０２５７】
また、微粒子としては、アクリル酸エステル重合体、メタクリル酸エステル重合体、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、スチレン−メタクリル酸エステル共重合体、ウレタン重合体、ポリアミド重合体、塩化ビニル重合体、塩化ビニリデン重合体、セルロース、ポリエステル樹脂等の有機微粒子も好ましく使用できる。これらの中でも、メタクリル酸エステル重合体、スチレン−メタクリル酸エステル共重合体がより好ましい。具体的には、メタクリル酸メチル重合体、スチレン−メタクリル酸メチル共重合体が挙げられる。
【０２５８】
外添加する微粒子は、平均粒径が８０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。繰り返し画像表示される際に、着色樹脂粒子の表面に外添加した微粒子が着色樹脂粒子中に埋没することを抑えて、帯電性、粉体流動性が劣化することを抑制する効果が得られる。
【０２５９】
合成シリカ微粒子は、シラン化合物を燃焼させて得られる燃焼法シリカ（ヒュームドシリカ）、金属珪素粉を爆発的に燃焼させて得られる爆燃法シリカ、珪酸ナトリウムと鉱酸との中和反応によって得られる湿式シリカ、ヒドロカルビルオキシシランの加水分解によって得られるゾルゲル法シリカにより生成される。そのうち、本実施形態における一定の大きさの微粒子として、燃焼法シリカまたはゾルゲル法により生成されるシリカ微粒子を好ましく使用できる。生成されたシリカの粒度分布が狭く、またそのシリカの表面がやや微細凹凸を有しているため、着色樹脂粒子と外添加する際に、シリカの凝集体が生じにくく、着色樹脂粒子表面に一次粒子の形態で付着する。そのため、繰り返し特性における安定性や、安定した高粉体流動性等の機能を発現できる。
【０２６０】
疎水性球状ゾルゲルシリカは、ヒドロカルビルオキシシラン、好ましくはテトラヒドロカルビルオキシシラン、もしくはその部分加水分解縮合生成物またはそれらの組み合わせを加水分解および縮合することによって得られたＳｉＯ_２単位からなる親水性球状ゾルゲルシリカ微粒子の表面を疎水化処理することによって調製される。親水性球状ゾルゲルシリカ微粒子は、４官能性シラン化合物もしくはその部分加水分解縮合生成物またはそれらの組み合わせを、塩基性物質を含む親水性有機溶媒と水との混合液中で加水分解および縮合して、親水性球状ゾルゲルシリカ微粒子を生成させる。
【０２６１】
上記親水性有機溶媒としては、４官能性シラン化合物と、それらの部分加水分解縮合生成物と、水とを溶解するものであれば特に制限されず、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類が挙げられる。アルコールの炭素原子数が増えると、生成する親水性球状ゾルゲルシリカ微粒子の粒子径が大きくなる。従って、目的とする親水性球状ゾルゲルシリカ微粒子の粒子径によりアルコールの種類を選択することが望ましい。
【０２６２】
無機微粒子は炭素数６〜１８のアルキル基を有するアルキルトリアルコキシシランまたはアルキルシラザンで表面処理することが好ましい。この表面処理は、無機微粒子の表面に存在するＯＨ基をアルキルトリアルコキシシランと反応させることによって行われる。
【０２６３】
より具体的な表面処理方法としては、例えば、酸化チタンやシリカ微粒子等の無機微粒子と、アルキルトリアルコキシシランと、水蒸気とを約４００℃に加熱された流動層反応器中に不活性ガス（例えば、窒素ガス）によって導入し、アルキルトリアルコキシシランで無機微粒子表面を疎水化処理する。
【０２６４】
アルキルトリアルコキシシランまたはアルキルシラザンは、好ましくは炭素数８〜１６のアルキル基を有し、より好ましくは炭素数８〜１２のアルキル基を有する。アルキル基の炭素数が６未満となると、粉体流動性を高める効果が小さくなる。一方、アルキル基の炭素数が１８を超えると、無機微粒子の凝集性が高まり、着色樹脂粒子表面に無機微粒子を均一に付着させることが困難となり、表示粒子の粉体流動性が向上し難くなる。
【０２６５】
使用するアルキルトリアルコキシシランまたはアルキルシラザンしては、下記（化１）〜（化１６）で示されるアルコキシシランまたはアルキルシラザンが好ましい。また、下記（化１７）〜（化２３）で示されるクロロシラン系も好ましく使用できる。
【化１】

【化２】

【化３】

【化４】

【化５】

【化６】

【化７】

【化８】

【化９】

【化１０】

【化１１】

【化１２】

【化１３】

【化１４】

【化１５】

【化１６】

【化１７】

【化１８】

【化１９】

【化２０】

【化２１】

【化２２】

【化２３】

【０２６６】
また、正帯電性の無機微粒子は、少なくとも炭素数６〜１８のアルキル基を有するアルキルトリアルコキシシランまたはアルキルシラザン、及びアミン系カップリング剤とによって表面処理することが好ましい。アミン系シランカップリング剤としては、例えば、下記（化２４）〜（化２７）で示されるものが好ましく用いられる。
【化２４】

【化２５】

【化２６】

【化２７】

【０２６７】
これらの処理剤は、無機微粒子１００重量部に対して、０．１〜１５重量部添加されることが好ましい。より好ましくは０．５〜１０重量部、より好ましくは１〜５重量部である。
【０２６８】
また、平均粒径８０ｎｍ〜５００ｎｍの微粒子（第１の微粒子）とともに、平均粒径が３ｎｍ〜１４ｎｍの第２の微粒子を外添加する方法も好ましい。第２の微粒子としては、粒径の違いを除けば上記第１の微粒子の場合と同様の無機微粒子を用いることができる。また、着色樹脂粒子に対する第２の微粒子の添加量については、後述する第１の微粒子の場合と同様とすることができるが、それに限定されるものではない。第１の微粒子と第２の微粒子とは、同時に着色樹脂粒子に付着または固着させることもできるが、より好ましくは、第２の微粒子のみを着色樹脂粒子に対して予め固着させた後に、第１の微粒子を着色樹脂粒子に対して更に付着または固着させるとよい。
【０２６９】
このように、第１の微粒子とは平均粒径が異なる第２の微粒子の配合により、粉体流動性をより向上させることができ、その結果、画像コントラストを高められる。第２の微粒子の平均粒径は、好ましくは３ｎｍ〜７ｎｍであり、より好ましくは、５ｎｍ〜７ｎｍである。なお、第２の微粒子の平均粒径が３ｎｍ未満ではその製造が困難となり、第２の微粒子の平均粒径が１４ｎｍを超えると、表示粒子の粉体流動性を向上させる効果を得難くなる。
【０２７０】
微粒子の平均粒径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察によって１００００倍に拡大して観察し、画像解析によって、約１００個の粒子の長軸の長さ（１つの粒子中で最も長い直径）と短軸の長さ（１つの粒子中で最も短い直径）の平均値を求めた値である。
【０２７１】
処理された外添剤の水分吸着量は１重量％以下であることが好ましい。好ましくは０．５重量％以下、より好ましくは０．１重量％以下、さらに好ましくは０．０５重量％以下である。水分吸着量が１重量％より多いと、帯電性や耐フィルミング性が低下する。水分吸着量は、連続蒸気吸着装置（ＢＥＬＳＯＲＰ１８：日本ベル株式会社）にて測定した。
【０２７２】
（表示粒子の物性特性）
表示粒子は、生産性および画質（解像度）向上の観点から体積基準平均粒径が３〜１５μｍ、体積基準の変動係数が１０〜２０％にあることが好ましい。表示粒子は、より好ましくは、体積基準平均粒径が５〜１０μｍ、体積基準の変動係数が１０〜１８％であり、更に好ましくは、体積基準平均粒径が６〜９μｍ、体積基準の変動係数が１０〜１６％である。
【０２７３】
ここで、変動係数は、表示粒子の粒度分布における標準偏差を平均粒径で割ったものであり、粒度分布の広がり具合を表したものである。粒子径はコールターカウンタ（コールター社）を使用して測定した。体積粒径分布の変動係数が１０％未満であると生産が困難となり、コストアップの要因となる。一方、体積粒径分布の変動係数が２０％を超えると、粒度分布がブロードとなり、コントラストの改善が見込めない傾向となる。
【０２７４】
また、着色樹脂粒子の形状係数（ＳＦ）は１２０≦ＳＦ≦１４５である。その形状係数の変動係数は１６％以下であることが好ましい。より好ましくは１２０≦ＳＦ≦１４０、さらに好ましくは１２５≦ＳＦ≦１３５である。
【０２７５】
着色樹脂粒子の形状係数（ＳＦ）が１２０よりも小さくなると、着色樹脂粒子の形状がより球状に近づく。そのため、表面に外添加した無機微粒粒子が、繰り返しの画像表示の際に、着色樹脂粒子表面に埋没しやすくなり、表示特性の安定化を図り難くなる傾向にある。一方、着色樹脂粒子の形状係数が１４５よりも大きくなると、着色樹脂粒子の形状がより不定形の方向に進む。そのため、粉体流動性が低くなり、画像コントラストを向上させることができない。
【０２７６】
形状係数（ＳＦ）は、キーエンス社製のリアルサーフェイスビュー顕微鏡（ＶＥ７８００）を使用し、１０００倍に拡大したトナー母体粒子１００個程度を取込み、最大長及び投影面積を測定し、次の（数式１）にて求めた（ｄ：着色樹脂粒子の最も長い直径に相当する最大の長軸長、Ａ：着色樹脂粒子の投影面積）。
【０２７７】
ＳＦ＝１００×π×ｄ^２／（４×Ａ）・・・（数式１）
【０２７８】
着色樹脂粒子の粒度分布は、コールターカウンタＴＡ−ＩＩ型（コールターカウンタ社）を用い、個数分布、体積分布を出力するインターフェイス及びパーソナルコンピュータを接続して測定する。この粒度分布の測定には公知の方法を用いることができる（例えば、特開２００５−２８４２６９号公報）。
【０２７９】
樹脂の分子量は、数種の単分散ポリスチレンを標準サンプルとするゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定された値である。測定する装置は東ソー社製ＨＬＣ８１２０ＧＰＣシリーズ、カラムはＴＳＫｇｅｌ ｓｕｐｅｒＨＭ−Ｈ Ｈ４０００／Ｈ３０００／Ｈ２０００（６．０ｍｍＩ．Ｄ．−１５０ｍｍ×３）、溶離液ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、流量０．６ｍＬ／ｍｉｎ、試料濃度０．１％、注入量２０μＬ、検出器ＲＩ、測定温度４０℃である。また、測定前処理として、試料をＴＨＦに溶解して一晩放置後、０．４５μｍのメンブランフィルターでろ過し、シリカ等の添加剤を除去した樹脂成分を測定する。測定条件は、対象試料の分子量分布が、数種の単分散ポリスチレン標準試料により得られる検量線における分子量の対数とカウント数が直線となる範囲内に包含されることである。
【０２８０】
結着樹脂の軟化点は、島津製作所の定荷重押出し形細管式レオメータフローテスタ（ＣＦＴ５００）により測定する。この軟化点の測定には公知の方法を用いることができる（例えば、特開２００９−０７５５６４号公報）。この公知の方法における流動曲線から、後述する流出開始温度（Ｔｆｂ）や１／２法における溶融温度（軟化点Ｔｍ℃）が定義される。
【０２８１】
結着樹脂のガラス転移点は、示差走査熱量計（ＴＡインスツルメンツ社製、Ｑ１００型（冷却には純正の電気冷凍機を使用））により測定する。このガラス転移点の測定には公知の方法を用いることができる（例えば、特開２００９−０７５５６４号公報）。
【０２８２】
微粒子の帯電量の測定は、ノンコートのフェライトキャリアとの摩擦帯電のブローオフ法により測定した。具体的には、２５℃４５ＲＨ％の環境下で、１００ｍｌのポリエチレン容器にキャリア５０ｇとシリカ等の微粒子とを０．１ｇを混合し、縦回転にて１００ｍｉｎ^−１の速度で５分間と、３０分間攪拌した後、０．３ｇ採取し、窒素ガス１．９６×１０^４Ｐａで１分間ブローして測定した。なお、帯電特性としては、３０分間攪拌したときの帯電量と５分間攪拌したときの帯電量の割合（３０分値／５分値）が０．５以上であることが好ましい。表示粒子の帯電性の維持を図ることができ、安定した画像表示を出力することができる。
【０２８３】
＜表示粒子の製造方法＞
（ブレンド処理）
着色樹脂粒子の作製では、結着樹脂および着色剤と、必要に応じて帯電制御剤等の添加剤とを、撹拌羽根が具備されたミキサなどによりドライブレンド混合処理する。ミキサとしては、スーパーミキサ（川田製作所製）、ヘンシェルミキサ（三井三池工業製）、ＰＳミキサ（神鋼パンテック製）、レーディゲミキサ等の公知のミキサを使用できる。
【０２８４】
（溶融混練処理）
次に、溶融混練処理において、上記混合物中の結着樹脂を加熱作用又はせん断力作用により溶融させ、結着樹脂中に添加剤を分散させる。溶融混練処理には、シリンダと混練軸が複数のセグメントに分割された分割セグメント方式の二軸混練押出機等を好適に使用できる。例えば、池貝社製の混練押出機（商品名ＰＣＭ３０）が挙げられる。
【０２８５】
また、溶融混練処理には、２本の回転するロール間で材料を溶融混練処理する２本ロール混練機も好適に使用できる。例えば、三井鉱山社製２本ロール混練機（商品名ＫＮＥＡＤＥＸ１４０−８００）が挙げられる。この２本ロール混練機を用いた溶融混練処理は、公知のトナー溶融混練処理と同様に実施することができる（例えば、特開２００４−０１３０４９号公報）。
【０２８６】
なお、２本ロール混練機を用いた溶融混練処理においては、加熱するロールの表面温度は結着樹脂の軟化点よりも低く設定する。より詳細には、ロールの表面温度を結着樹脂の軟化点よりも１０℃以上低くすることが必要である。材料投入時に樹脂を早急に溶融させてロールに巻き付けさせるために温度を高くする（すなわち、樹脂軟化点とロール表面温度との差が１０℃未満となる）と、混練中にせん断力がかからず不均一分散となるためである。一方、温度差が７０℃を超えると樹脂が溶けきれないまま搬送されることになり、これも分散性の低下を招く。また、２本のロール間の温度差を樹脂のガラス転移点の１／２の温度以上とすることにより、混練時の超高分子量の分子切断が適当な状態で混練分散することができ、コントラストの改善と繰り返し性の向上とを両立させることができる。さらに、一方のロールを前半部と後半部で温度勾配を設け、その温度差を樹脂のガラス転移点よりも４０℃低い温度以上に設定することで表示特性の向上に効果が得られる。
【０２８７】
（微細化処理）
溶融混練処理され冷却して得られた混練塊を、カッターミルなどで粗粉砕し、その後、ジェットミル粉砕（例えば、商品名ＩＤＳ粉砕機、日本ニューマティック工業社製）、または固定したステータに対して回転するローラとの微小な空隙に被粉砕物を投入して粉砕する回転ロータ式粉砕（例えば、商品名クリプトロン粉砕機、アーステクニカ社製）などで細かく微細化粉砕処理し、更に、必要に応じて気流式分級機（例えば、商品名エルボージェット分級機、日鉄鉱業社製）により、所望の粒度分布の着色樹脂粒子を得ることができる。
【０２８８】
（乳化凝集法）
また、着色樹脂粒子の作製では、好適な別法として乳化凝集法を用いることができる。乳化凝集法では、まず、ビニル系単量体の単独重合体又は共重合体（ビニル系樹脂）の樹脂粒子をイオン性界面活性剤に分散させてなる分散液を調製し、その後重合開始剤や連鎖移動剤を使用して、乳化重合を行い、微細な粒径の樹脂粒子分散液を作成する。また、極性を有する界面活性剤を添加した水中に着色剤粒子を添加し、公知の分散手段を用いて分散させることにより着色剤粒子分散液を調製する。
【０２８９】
そして水系媒体中で、少なくとも、前述した樹脂粒子を分散せしめた樹脂粒子分散液と着色剤粒子を分散せしめた着色剤粒子分散液とを混合し、水系媒体のｐＨを一定の値（例えば、ｐＨは８〜１３）に調整し、無機塩の存在下で、水系媒体の温度を樹脂粒子のガラス転移点以上に一定時間（１時間から５時間）加熱することで着色樹脂粒子を生成することができる。
【０２９０】
また、イオン性界面活性剤を含有する樹脂粒子分散液と、着色剤粒子分散液を調製し、それらを混合し、前記イオン性界面活性剤とは反対の極性を有するイオン性界面活性剤により凝集を生じさせることにより凝集粒子を形成させ、その後、樹脂粒子のガラス転移点以上の温度に加熱して凝集粒子を融合して、洗浄、乾燥する方法により着色樹脂粒子を作製することもできる。
【０２９１】
（微粒子の付着）
まず、所望の粒度分布に形成した着色樹脂粒子と、第１の微粒子とを前述のヘンシェルミキサ、スーパーミキサなどの公知のミキサによって混合することにより、第１の微粒子を着色樹脂粒子に付着させることができる。
【０２９２】
着色樹脂粒子表面に付着させる第１の微粒子は、着色樹脂粒子１００重量部に対し０．５〜５重量部を添加することが好ましい。好ましくは０．７〜４重量部、より好ましくは０．９〜２．５重量部である。第１の微粒子が０．５重量部よりも少ないと、流動性が向上しない傾向となる。一方、第１の微粒子が５重量部を超えると浮遊粒子が生じ易くなる。
【０２９３】
（着色樹脂粒子の球形化処理（形状制御））
粉砕により所定の粒径に形成された着色樹脂粒子の形状をややポテト形状からポテト形状に調整するため、前記結着樹脂の軟化点よりも１１０〜２５０℃高い温度の熱風により表面処理を施し、前記着色樹脂粒子の形状を調整する方法を取ることが好ましい。より好ましくは結着樹脂の軟化点よりも１２０〜２３０℃高い温度、更に好ましくは結着樹脂の軟化点よりも１４０〜２１０℃高い温度である。熱風温度が結着樹脂の軟化点よりも１１０℃高くない場合、形状が不定形を維持したままの状態になる傾向にある。結着樹脂の軟化点から２５０℃の範囲を越える高い温度で処理すると、着色樹脂粒子の二次凝集が多く発生するようになり、粒子が粗大化し、粒度分布も広がる傾向となる。
【０２９４】
また、結着樹脂中に、架橋重合体及び低分子量重合体を含む場合、微細化処理された少なくとも結着樹脂、顔料及び酸変性ポリオレフィン樹脂を含む着色樹脂粒子を、低分子量重合体の軟化点よりも１５０〜３００℃高い温度の熱風により表面改質を施す処理を含む構成とすることができる。表示粒子を真球状からポテト状に形状を制御できる温度範囲である。
【実施例】
【０２９５】
以下、本発明に係る画像表示素子および表示粒子についてより具体的な実施例を挙げて説明する。
【０２９６】
図１を再び参照して画像表示素子の構成を説明する。ここで、透光性を有する表面基板１１および背面基板２１は、ともに厚さ１７５μｍの透明ＰＥＴからなる。間隙４の大きさに相当する隔壁７の高さＨは４０μｍとし、隔壁７の幅Ｗは約５０μｍとした。また、隣接する隔壁７間の間隔Ｄは１０００μｍとした。
【０２９７】
表面シート２の作製では、まず、厚さ５０ｎｍのＩＴＯを全面に蒸着した厚さ１７５μｍのＡ４サイズの透明ＰＥＴフィルム（すなわち、表面基板１１）を準備する。次に、レーザエッチング法により、各電極の幅が９００μｍで各電極間スペースが１００μｍの列電極１２を表面基板１１上に形成した。列電極１２の抵抗は１５０Ω／□であった。次に、その列電極１２上に、ＴＨＦ溶液中に１０％の重量比率でポリカーボネートを溶解させた溶液中で、引き上げディップ法により厚さ１２μｍの塗工膜を形成し、その後、乾燥炉にて８０℃で５分間乾燥することにより、厚さ３μｍの誘電体膜１３を積層形成した。
【０２９８】
図５２は、隔壁形成における一工程（ドライフィルムラミネート工程）を示す模式的な断面図である。誘電体膜１３の積層形成に続いて、ドライフィルムラミネータにて、図５２に示すように、表面基板１１上に列電極１２及び誘電体膜１３を形成した表面シート２と、エポキシ樹脂およびアクリル樹脂混合系からなる厚さ５０μｍの紫外線硬化型樹脂ドライフィルム３１とを密着して貼り合わせる。このとき、ロール温度は６０℃、送り速度は０．４ｍ／分とした。
【０２９９】
図５３は、隔壁形成における一工程（露光工程）を示す模式的な断面図である。続く露光工程において、図５３に示すように、表面シート２と樹脂ドライフィルム３１とを貼り合わせたものの上に露光マスク３２を置き、１００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で露光を行った。この露光マスク３２により、縦ラインおよび横ラインの幅がともに５０μｍ、ピッチが１０００μｍの隔壁を形成するための紫外線照射部分が画成される。
【０３００】
図５４は、隔壁形成における一工程（現像工程）を示す模式的な断面図である。続く現像工程では、露光を終えた紫外線硬化型樹脂ドライフィルム３１を、炭酸ナトリウム１％の現像液を用いたアルカリ現像機により、送り速度０．６ｍ／ｍｉｎ、液温３５℃、シャワー圧０．１５ＭＰａの条件で現像を行った。これにより、紫外線硬化型樹脂ドライフィルム３１は、図５４に示すように、露光工程における紫外線照射部分以外は現像液で除去され、後に隔壁となる硬化部７のみが残った。
【０３０１】
その後、イオン交換水で十分に洗浄後、水切り、室温での乾燥を１時間おこなった。さらに、紫外線硬化装置にて１０００ｍＪ／ｃｍ^２のアフターキュアーを行った後に、１３０℃の乾燥炉で３０分間アフターベークを行った。
【０３０２】
形成された隔壁は、顕微鏡による段差測定器による測定では、縦横ともに高さ４８μｍ、隔壁幅４５μｍ、ピッチ１０００μｍであった。
【０３０３】
また、背面シート３の作製には、厚さ１７５μｍのＡ４サイズのＰＥＴフィルム（すなわち、背面基板２１）上に、厚さ１８μｍの銅箔付きフィルムを用いた。
【０３０４】
ラミネート工程において、ドライフィルムラミネータにて、銅箔付きＰＥＴフィルムにアクリル系の厚さ２０μｍの紫外線硬化型樹脂ドライフィルムを密着して貼り合わせた。このとき、ロール温度は１１０℃、送り速度は０．４ｍ／分とした。
【０３０５】
次に、各電極の幅が９００μｍ、スペースが１ｍｍとなる露光マスクを作製した。続く露光工程において、銅箔付きＰＥＴフィルムに紫外線硬化型の樹脂ドライフィルムを貼り合わせたものに露光マスクを置き、１００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で露光を行った。
【０３０６】
さらに、続く現像工程において、露光を終えた紫外線硬化型樹脂ドライフィルムを、炭酸ナトリウム１％の現像液を用いたアルカリ現像機により、送り速度０．６ｍ／分、液温３５℃、シャワー圧０．１５ＭＰａの条件で現像を行った。この現像で除去されずに残った紫外線硬化型樹脂ドライフィルムにより、電極部のパターンが形成された。その後、塩化第２鉄液を用いたエッチング装置を用いて、送り速度０．５ｍ／分、液温４５℃、シャワー圧０．１３ＭＰａの条件で銅のエッチング現像を行った。これにより、各電極間のスペースに相当する不要な部分の銅箔を除去した。
【０３０７】
続いて、水酸化ナトリウム３％水溶液を用いたアルカリ現像機により、送り速度０．６ｍ／分、液温４５℃、シャワー圧０．１２ＭＰａの条件で電極部に残った紫外線硬化型樹脂ドライフィルムの剥離を行った。これにより、不要な部分が除去できたことが確認された。最後にイオン交換水で十分に洗浄を行い、その後、直ちにエアーブローによる水切りを実施した。
【０３０８】
以上の工程により、各電極の幅が８９５μｍ、スペースが１０５μｍ、ピッチが１ｍｍの行電極２２が形成されたことを確認した。各行電極２２は列電極１２と同様の幅およびスペースで形成されると共に、所定の間隔で各列電極１２に直交するように配置され、いわゆるパッシブマトリクス構成となっている。
【０３０９】
次に、表示粒子の充填工程について説明する。色および帯電特性が互いに異なる２種類の表示粒子群（白色粒子４０ｇと黒色粒子２０ｇ）の充填配合量の比率を２：１とし、その混合した粒子を、粉体スプレー中に充填した。続いて、ＩＴＯ電極上に隔壁が形成された表面基板をガラス板の上にテープで固定した後に、粉体スプレーを用いて粉体を吹き付けた。セル内への投入は、体積占有率が約５０％となるように調整して封入した。その後、幅５ｍｍ、長さ３０ｍｍ、幅３００ｍｍのシリコーンゴムスキージを用いて隔壁の頂上にある粒子の除去を行った。
【０３１０】
次に、背面シート３に熱硬化型ポリエステル接着剤を塗布し、１１０℃で５分間の硬化を行った。その後、隔壁７が形成され、セル８内に表示粒子群が充填された表面シート２と、熱硬化型ポリエステル樹脂接着剤が塗布された背面シート３とを張り合わせる。そして温度６５℃で３分間、１ＭＰａの圧力をかけて、表面シート２と背背面シート３とを接着し、画像表示素子１０を作製した。
【０３１１】
＜表示粒子の構成＞
（結着樹脂）
表１には実施例で使用した結着樹脂の特性を示す。
【０３１２】
【表１】

【０３１３】
［結着樹脂ＳＢ１］
スチレン０．６８ｋｇ、アクリル酸ブチル０．１２ｋｇ、２メルカプトエタノール１３ｇを仕込み、９０℃で１０時間重合反応を行った。続いてスチレン０．１６ｋｇ、アクリル酸ブチル４０ｇ、ジビニルベンゼン１．６ｇ、過酸化ベンゼン１．６ｇ、過酸化ベンゾイル６ｇの混合溶液を上記反応生成物に加えた後、ポリビニルアルコール１ｇを溶解させた脱イオン水の水溶液２ｋｇを加えて撹拌下８０℃に１２時間保ち重合反応を完結させた。得られた樹脂をソツクスレー抽出器でＴＨＦを用いて抽出したところ、不溶成分（架橋重合体）５８重量％、可溶成分（低分子量重合体）４２重量％に分けられた。低分子量重合体の数平均分子量（Ｍｎｆ）は６５００、重量平均分子量（Ｍｗｆ）は１３０００、重量平均分子量（Ｍｗｆ）と数平均分子量（Ｍｎｆ）との比Ｗｍｆ（Ｍｗｆ／Ｍｎｆ）は２であった。
【０３１４】
［結着樹脂ＳＢ２］
スチレン０．４２ｋｇ、アクリル酸ブチル０．０８ｋｇ、２−メルカプトエタノール８ｇを仕込み、９０℃で１０時間重合反応を行った。続いてスチレン０．４ｋｇ、アクリル酸ブチル０．１ｋｇ、ジビニルベンゼン２ｇ、過酸化ベンゾイル７ｇの混合溶液を上記反応生成物に加えた後、ポリビニルアルコール１ｇを溶解させた脱イオン水の水溶液２ｋｇを加え撹拌下８０℃で１２時間保ち重合反応を完結させた。後は実施例１と同じ操作を行ない、得られた樹脂は不溶成分（架橋重合体）７６重量％、可溶成分（低分子量重合体）２４重量％、低分子量重合体のＭｎｆは８３００、Ｍｗｆは２１０００、Ｗｍｆ（Ｍｗｆ／Ｍｎｆ）は２．５であった。
【０３１５】
［結着樹脂ＳＢ３］
スチレン０．８ｋｇ、アクリル酸ブチル０．２ｋｇ、過酸化ベンゾイル８０ｇを仕込み混合溶解させた後、ポリビニルアルコール１ｇを溶解させた脱イオン水の水溶液２ｋｇを加え撹拌下８５℃で１２時間重合反応を行ない、Ｍｎｆは１２０００、Ｍｗｆは３６０００、Ｗｍｆ（Ｍｗｆ／Ｍｎｆ）は３の低分子量重合体（ＳＢ３Ａ）を得た。別にスチレン０．８ｋｇ、アクリル酸ブチル０．２ｋｇ、ジビニルベンゼン５ｇ、過酸化ベンゾイル１０ｇを仕込み混合溶解させた後、ポリビニルアルコール１ｇを溶解させた脱イオン水の水溶液２ｋｇを加え撹拌下８０℃で１２時間重合反応を行ない架橋重合体の樹脂（ＳＢ３Ｂ）を得た。
【０３１６】
（顔料）
表２には実施例で使用した顔料の構成を示す。
【０３１７】
【表２】

【０３１８】
表２において、酸化チタン粒子ＰＷ１は、平均粒径０．２１ｎｍのルチル形酸化チタン（ＪＲ−４０５）をメチルハイドロジェンシリコーンオイルで表面処理したものである。この酸化チタンの表面処理は、酸化チタン原体（ＪＲ−４０５）１００重量部と、シリコーンオイル（東レダウコーニングシリコーン社ＳＨ１１０７）１０．５重量部と、トルエン３００重量部とを室温で２時間撹拌し、デカンテーションして上澄みを取り除いた後、８０℃に設定した真空乾燥機中で４時間加熱真空乾燥することにより行った。
【０３１９】
また、カーボンブラックは、粒径が２４ｎｍであり、ＤＢＰ吸油量は５３ｍｌ／１００ｇと低ＤＢＰ吸油量を有する顔料である。粒径はＳＥＭによる約１００個の算術平均径を取っている。
【０３２０】
（電荷制御剤）
表３には実施例で使用した電荷制御剤の構成を示す。ＣＮＷ１、ＣＮＷ２は負帯電性の電荷制御剤、ＣＰＢ１は正帯電性の電荷制御剤である。
【０３２１】
【表３】

【０３２２】
（着色樹脂粒子）
表４には実施例で使用した着色樹脂粒子Ａの組成を示す。表５において、配合した結着樹脂、顔料、酸変性ポリオレフィン（ＰＯ）、電荷制御剤を示し、括弧内は結着樹脂１００重量部に対する各素材の配合重量部を示す。
【０３２３】
【表４】

【０３２４】
表５には実施例で使用した着色樹脂粒子の特性を示す。表５において、表面処理を施す際の熱風温度、低分子量重合体の軟化点（Ｔｍｒ（℃））、熱風温度と結着樹脂の軟化点との差（Ｔｓｍｒ（℃））、着色樹脂粒子の形状係数（ＳＦ）、形状係数の変動係数、体積基準平均粒径Ｒ（μｍ）を示す。
【０３２５】
【表５】

【０３２６】
（無機微粒子）
表６には実施例で使用した微粒子の処方構成、微粒子の数平均粒径を示す。
【０３２７】
【表６】

【０３２８】
［ＳＮ１］
無機微粒子としてコロイダルシリカ（ＡＥＲＯＳＩＬ３８０（登録商標、平均粒径５ｎｍ）、日本アエロジル社製）２５Ｇをマグネットスターらに入れ、撹拌しながら、テトラヒドロフラン１０ｇに、上記（化１３）で示されるアルキルシラン０．６ｇ溶解した混合液を徐々に添加し、３０分間攪拌した。その後、濾過し、１２０℃で２時間乾燥した。それをピンミルで解砕し、無機微粒子ＳＮ１を得た。
【０３２９】
［ＳＮ２］
無機微粒子としてゾルゲル法によるシリカ（平均粒径１１０ｎｍ、信越化学社製）２５ｇをマグネットスターラに入れ、撹拌しながら、テトラヒドロフラン１０ｇに上記（化１５）で示されるアルキルシラン０．７ｇを溶解した混合液を徐々に添加し、３０分間攪拌した。その後、濾過し、１２０℃で２時間乾燥した。それをピンミルで解砕し、無機微粒子ＳＮ２を得た。
【０３３０】
［ＳＮ３］
無機微粒子として湿式法によるシリカ（平均粒径２９０ｎｍ、日本触媒社製）２５ｇをマグネットスターラに入れ、撹拌しながら、テトラヒドロフラン１０ｇに上記（化１１）で示されるアルキルシラン０．５ｇを溶解した混合液を徐々に添加し、３０分間攪拌した。その後、濾過し、１２０℃で２時間乾燥した。それをピンミルで解砕し、無機微粒子ＳＮ３を得た。
【０３３１】
［ＡＰ１］
無機微粒子としてコロイダルシリカ（ＡＥＲＯＳＩＬ３００（登録商標、平均粒径７ｎｍ）、日本アエロジル社製）２５ｇをマグネットスターラに入れ、撹拌しながら、テトラヒドロフラン１０ｇに、アミン基を有するカップリング剤としてγ−アミノプロピルトリエトキシシラン０．８ｇと、上記（化１５）で示されるアルキルシラン０．５ｇ溶解した混合液を徐々に添加し、３０分間攪拌した。その後、濾過し、１２０℃で２時間乾燥した。それをピンミルで解砕し、無機微粒子ＡＰ１を得た。
【０３３２】
［ＡＰ２］
無機微粒子としてゾルゲル法によるシリカ（平均粒径１２０ｎｍ、信越化学社製）２５ｇをマグネットスターラに入れ、撹拌しながら、テトラヒドロフラン１０ｇに、アミン基を有するカップリング剤としてγ−アミノプロピルトリエトキシシラン０．８ｇと、上記（化１５）で示されるアルキルシラン０．５ｇ溶解した混合液を徐々に添加し、３０分間攪拌した。その後、濾過し、１２０℃で２時間乾燥した。それをピンミルで解砕し、無機微粒子ＡＰ２を得た。
【０３３３】
（表示粒子）
表７には表示粒子のサンプルの特性を示す。括弧内は着色樹脂粒子１００重量部に対する微粒子の配合重量部を示す。表７において、着色樹脂粒子と外添加する微粒子を示し、括弧内は結着樹脂１００重量部に対する微粒子の配合重量部を示す。
【０３３４】
【表７】

【０３３５】
＜表示脂粒子の作製＞
着色樹脂粒子の作製にあたり、まず、結着樹脂、着色剤及び電荷制御剤を、撹拌羽根を具備したヘンシェルミキサＦＭ２０Ｂ（三井三池工業製）を使用して約４ｋｇ、回転数８００ｍｉｎ−１、時間５ｍｉｎの条件で羽根ＴＹＰＥ−Ｚ０Ｓ０にてブレンド処理した。
【０３３６】
混合された表示粒子の原料に対し、２本ロール式の溶融混練機にて溶融混練処理を行った（三井鉱山社製、商品名ＫＮＥＡＤＥＸ１４０−８００）。ロールの直径は共に１４０ｍｍ、長さは８００ｍｍである。原料を溶融させるための第１のロールの回転数は７５ｍｉｎ^−１、原料が投入される第１のロールの前半部を加熱する熱媒体の温度は１４０℃、第１のロールの後半部を加熱する熱媒体の温度は７０℃である。もうひとつの第２のロールの回転数は５５ｍｉｎ^−１で、ロール全部を１５℃で冷却した。第１のロールと第２のロールとのクリアランスは０．１ｍｍ、原料供給量は５ｋｇ／ｈで処理を行った。
【０３３７】
混練処理された後、冷却して得られた混練塊をカッターミルで粗粉砕した。粗粉砕された混練塊は、固定したステータに対して回転するローラとの微小な空隙に被粉砕物を投入して粉砕する回転ロータ式粉砕（商品名クリプトロン粉砕機、アーステクニカ社製）で微細化粉砕処理を施した。
【０３３８】
微細化粉砕装置は、表面に凹凸を有し高速回転する円筒状の回転体と、回転体の外側に間隙を存して嵌装され、回転体と中心軸を共有する表面に凹凸を有する円筒状の固定体とから構成される粉砕処理部を備える。被粉砕物は、粉砕処理部において、回転体と固定体との間隙に搬送され、高速回転する回転体と固定体の間に発生する高速気流の流動に伴って、相互に強い衝突を繰り返すことにより粉砕される。粉砕処理は、回転体と固定体の間隙は１．５ｍｍ、原料供給量は３ｋｇ／ｈ、冷却エアーの温度は０．５℃の条件で実施した。なお、微粉砕時の粒径を制御するためには、粉砕回転体の回転数、粗粉分級のための分級機の回転数を変えることで所定の粒径とすることができる。
【０３３９】
その後、微粉砕された原料は、更に気流式分級機（商品名エルボージェット分級機、日鉄鉱業社製）により、所望の粒度分布に分級した。
【０３４０】
（球形化処理）
図５５に、表面改質処理装置の構成図を示す。表面改質処理では、着色樹脂粒子９１は、定量供給機９２から投入され、粒子輸送配管１１１を通して圧縮空気９３により粒子の分散手段である分散ノズル９４（図５６参照）に送られる。分散ノズル９４から吐出された着色樹脂粒子９１は、熱風発生装置９５から熱風用配管１１２を通して放出される熱風９６中に投入される。着色樹脂粒子９１は、熱風９６中を分散しながら通過し、これにより、表面改質処理され、着色樹脂粒子の形状が制御される。その後、表面改質された表示粒子はフード９７内に取り込まれ、サイクロン９８に送られた後に回収ボックス９９に補集回収される。
【０３４１】
図５６に、図５５中の熱風中に投入される着色樹脂粒子の状態の詳細を示す。粒子輸送配管１１１と熱風用配管１１２とは同軸の二重管構造になっている。また、熱風用配管１１２と分散ノズル９４との間には、図示しない空隙が設けられており、この空隙に冷水または冷空気を流通させることにより、熱風の熱が粒子に伝わり難くなっている。分散ノズル９４は、先端に向けて徐々に細くなる先細り状を呈している。分散ノズル９４の前方には、吐出された着色樹脂粒子の整流に供される分散衝突板１１３が設けられている。
【０３４２】
分散ノズル９４の先端から吐出された着色樹脂粒子は、分散衝突板１１３に衝突し、その衝突面（曲面）に沿って横方向に流れる。その後、着色樹脂粒子は、粒子輸送配管１１１の外側に位置する熱風用配管１１２から吐出される熱風中に突入し、表面改質処理が施される。熱風温度とは、放射される熱風が最初に着色樹脂粒子と衝突する領域での温度であり、予め温度計にて放射される熱風の温度をその領域で測定しておく。
【０３４３】
分散衝突板１１３は、着色樹脂粒子の流れを層流状にする役目を果たし、これにより、均一な表面改質処理が可能となり、形状係数の変動係数を小さくできる。
【０３４４】
上記表面改質処理では、フード９７内に取り込まれた表面改質された表示粒子に対し、冷却器１０１から発生される冷却空気１０２により冷却処理を施すことが好ましい。この冷却空気１０２による急速冷却により処理の状態を安定化させることができる。冷却空気１０２の風量は処理量に応じて適宜設定することができる。表示粒子が熱風で処理される位置から冷却空気が当てられる地点までの距離は、処理量により定められるが、一般に１０〜１００ｃｍ、好ましくは２０〜８０ｃｍである。冷却空気１０２の温度は、特に限定されないが、１０℃以下が好ましい。また、別法として、水冷による方法、配管の周囲に冷却された固体物（ドライアイス等）を配置する方法等を用いることもできる。
【０３４５】
上記表面改質処理は、熱風風量が１．０Ｎｍ^３／ｍｉｎ（風圧５×１０^４Ｐａ）、分散ノズル９４の原料供給分散風量が０．５Ｎｍ^３／ｍｉｎ（風圧３×１０^４Ｐａ）、供給量が１ｋｇ／ｈで処理を行った。熱風による処理では、結着樹脂の軟化点よりも１１０〜２５０℃高い温度の熱風を用いた。この熱風の温度を変えることにより、着色樹脂粒子の形状を制御することが可能である。
【０３４６】
熱風風量は、風圧３〜５×１０^４Ｐａで０．３５〜１．０Ｎｍ^３／ｍｉｎが好適な範囲であり、また、原料供給分散風量は、風圧１〜３×１０^４Ｐａで、０．０５〜０．５Ｎｍ^３／ｍｉｎが好適な範囲である。また、熱風風量と原料供給分散風量の比は１０：１〜４：１の範囲が好ましい。原料供給分散風量に対する熱風９６の風量が大き過ぎると被処理粒子がはじかれて均一な処理が困難となる。また、熱風風量に対する原料供給分散風量が大き過ぎると被処理粒子が熱風中を横切り均一な処理が困難となる。
【０３４７】
なお、熱風発生装置９５としては、プロパンガス等により加熱されるヒータを使用したが、これに限らず、熱風を発生できるものであればよい。
【０３４８】
（着色樹脂粒子への微粒子の添加）
表面処理が施された着色樹脂粒子は、第１の微粒子（場合によっては、第２表示粒子を含む）と混合され、当該第１の微粒子を着色樹脂粒子に静電的に付着させる外添処理を行った。外添処理は、ヘンシェルミキサ（三井鉱山社製ＦＭ２０Ｂ）を使用し、攪拌羽根Ｚ０Ｓ０型、回転数２２００ｍｉｎ^−１、処理時間４ｍｉｎ、投入量１ｋｇの条件で実施した。
【０３４９】
場合によっては、上述のように第１の微粒子を着色樹脂粒子に静電的に付着させた後に、上記した表面改質処理と同様の熱風による処理を施すことも可能である。これにより、着色樹脂粒子の結着樹脂が一部溶融し、表面張力により、静電的に付着した第１の微粒子の全部または一部を着色樹脂粒子表面に固着させることができる。
【０３５０】
また、別法として、上記第１の微粒子の外添処理の前に、第２表示粒子のみを上記と同様に着色樹脂粒子に付着させた後、上記した表面改質処理と同様の熱風による処理を施すことにより、第２表示粒子の全部または一部を事前に着色樹脂粒子表面に固着させる外添処理（事前添加工程）を実施することができる。この場合、第１の微粒子は、第２表示粒子が固着された着色樹脂粒子に対して付着または固着される。
【０３５１】
＜表示粒子の評価＞
上記構成の画像表示素子に対し、駆動電圧（白色粒子と黒色粒子を入れ替えて白黒反転表示を行う際に、電極間に印加する電圧）特性の評価（駆動電圧とコントラストの関係の評価）を行った。
【０３５２】
表面基板と背面基板との電極間に一定の電圧を印加し、その電圧値において黒色／白色表示時の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、次の（数式２）で表される各駆動電圧に対するコントラストＣを算出して、駆動電圧特性の評価を行った。
【０３５３】
Ｃ＝１０^{（−ＩＤｗ）}／１０^{（−ＩＤｂ）}・・・（数式２）
【０３５４】
（評価試験１）
白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図１０及び図１６に示すプロセスにて、コントラストの評価を行った。
【０３５５】
まず、表示画素を全面白色表示に書き換えるため、表面基板側の各列電極に極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｒ１（＋２５０Ｖ）を複数回間欠的に印加した。このとき背面基板側の行電極の電位は０Ｖである。電圧パルスＶｈｒ１の１パルスの印加時間は２０ｍｓ、印加間隔は１０ｍｓにて、１０回のパルスを印加した。Ｖｈｄ１も＋２５０Ｖであり、印加時間は３０ｍｓｅｃである。
【０３５６】
次に、図１６に示す電圧波形にて、一部の画素を黒色表示に書き換えた。まず、表面基板側の各列電極に、直流電圧成分Ｖｋｕ１を遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち上げた。所定の直流電圧成分Ｖｋｒ１（−１００Ｖ）に到達した後、画像書き換え電圧を３０ｍｓ間印加し、その後、遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧Ｖｋｓ１を立ち下げて、書込み画素に黒色を表示させた。また、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。このとき、列電極への直流電圧印加と同期して、背面基板側の行電極に遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち上げた直流電圧成分（＋１００Ｖ）を印加した。
【０３５７】
次に、表示画素を全面白色表示に書き換えるため、表面基板側の各列電極に極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｒ１（＋２５０Ｖ）を複数回間欠的に印加した。このとき背面基板側の行電極の電位は０Ｖである。電圧パルスＶｈｒ１の１パルスの印加時間は２０ｍｓ、印加間隔は１０ｍｓ、１０回のパルスを印加した。Ｖｈｄ１も＋２５０Ｖで、印加時間は３０ｍｓｅｃである。
【０３５８】
その後、表面基板側の列電極に、直流電圧成分を遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち上げた。所定の直流電圧成分（−９０Ｖ）に到達した後、画像書き換え電圧を３０ｍｓ間印加し、その後、遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち下げて、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。このとき、列電極への直流電圧印加と同期して、背面基板側の行電極に遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち上げた直流電圧成分（＋９０Ｖ）を印加した。
【０３５９】
その後は、同様に行電極と列電極間に印加される画像書き換え電圧を２０Ｖステップで電圧値を低減しながら、上記した評価手順で反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性Ｃ−Ａ１を算出した。
【０３６０】
（評価試験２）
白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図１０及び図１８に示すプロセスにて、コントラストの評価を行った。
【０３６１】
まず、表示画素を全面白色表示に書き換えるため、図１０に示す電圧波形にて表面基板側の各列電極に極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｒ１（＋２５０Ｖ）を複数回間欠的に印加した。このとき背面基板側の行電極の電位は０Ｖである。電圧パルスＶｈｒ１の１パルスの印加時間は５０ｍｓ、印加間隔は１０ｍｓにて、６回のパルスを印加した。Ｖｈｄ１も＋２５０Ｖであり、印加時間は３０ｍｓｅｃである。
【０３６２】
その後、図１８に示す電圧波形にて、一部の画素を黒色表示に書き換えた。まず、表面基板側の各列電極に極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｋｕ１を、一定の割合で振幅を増加させる構成で印加した。Ｖｋｕ１の１パルスの印加時間は１０ｍｓ、１パルスの印加間隔時間は１０ｍｓであり、０Ｖから１パルスごとに１０Ｖずつ増加させて所定の−１００Ｖにまで電圧を立ち上げた。所定の直流電圧成分（−１００Ｖ）に到達した後、画像書き換え電圧Ｖｋｒ１を３０ｍｓ間印加した。その後、極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｋｓ１を、一定の割合で振幅を減衰させるように印加した。
【０３６３】
Ｖｋｓ１の１パルスの印加時間は１０ｍｓ、１パルスの印加間隔時間は１０ｍｓであり、所定の−１００Ｖから１０Ｖずつ減衰させて０Ｖにまで立ち下げて直流電圧をオフにした。このとき、列電極への直流電圧印加と同期して、背面基板側の各行電極に遅延時間２００ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち上げた。所定の直流電圧（＋１００Ｖ）に到達後、画像書き換え時間３０ｍｓ間印加した。その後、遅延時間２００ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち下げて、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０３６４】
次に、表示画素を全面白色表示に書き換えるため、表面基板側の各列電極に極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｒ１（＋２５０Ｖ）を複数回間欠的に印加した。このとき背面基板側の行電極の電位は０Ｖである。電圧パルスＶｈｒ１の１パルスの印加時間は５０ｍｓ、印加間隔は１０ｍｓにて、６回のパルスを印加した。Ｖｈｄ１も＋２５０Ｖであり、印加時間は３０ｍｓｅｃである。
【０３６５】
その後、一部の画素を黒色表示に書き換えた。まず、表面基板側の各列電極に極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｋｕ１を、一定の割合で振幅を増加させる構成で印加した。Ｖｋｕ１の１パルスの印加時間は１０ｍｓ、１パルスの印加間隔時間は１０ｍｓであり、０Ｖから１パルスごとに１０Ｖずつ増加させて所定の−９０Ｖにまで電圧を立ち上げた。所定の直流電圧成分（−９０Ｖ）に到達した後、画像書き換え電圧Ｖｋｒ１を３０ｍｓ間印加した。その後、極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｋｓ１を、一定の割合で振幅を減衰させる構成で印加した。Ｖｋｓ１の１パルスの印加時間は１０ｍｓ、１パルスの印加間隔時間は１０ｍｓであり、所定の−９０Ｖから１０Ｖずつ減衰させて０Ｖにまで立ち下げて直流電圧をオフにした。
【０３６６】
このとき、列電極への直流電圧印加と同期して、背面基板側の各行電極に遅延時間１８０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち上げた。所定の直流電圧（＋９０Ｖ）に到達後、画像書き換え時間３０ｍｓ間印加した。その後、遅延時間１８０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち下げて、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０３６７】
その後は、同様に行電極と列電極間に印加される画像書き換え電圧を２０Ｖステップで電圧値を低減しながら、上記した評価手順で反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性Ｃ−Ａ２を算出した。
【０３６８】
（評価試験３）
白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図１１及び図１６で示すプロセスにて、コントラストの評価を行った。
【０３６９】
まず、表示画素を全面白色表示に書き換えるため、図１１に示す電圧波形にて表面基板側の各列電極に極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｒ１（＋２５０Ｖ）を複数回間欠的に印加した。このとき背面基板側の行電極の電位は０Ｖである。電圧パルスＶｈｒ１の１パルスの印加時間は１００ｍｓ、印加間隔は１０ｍｓにて、５回のパルスを印加した。Ｖｈｄ１も＋２５０Ｖであり、印加時間は５０ｍｓｅｃである。その後、この電圧を遅延時間１００ｍｓｅｃでスロープ状の波形にて０Ｖに電圧を立ち下げた。
【０３７０】
次に、一部の画素を黒色表示に書き換えるプロセスは、評価試験１と同じプロセスにて行い、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０３７１】
次に、表示画素を全面白色表示に書き換えるため、表面基板側の各列電極に極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｒ１（＋２５０Ｖ）を複数回間欠的に印加した。このとき背面基板側の行電極の電位は０Ｖである。電圧パルスＶｈｒ１の１パルスの印加時間は１００ｍｓ、印加間隔は１０ｍｓにて、５回のパルスを印加した。Ｖｈｄ１も＋２５０Ｖであり、印加時間は３０ｍｓｅｃである。その後、この電圧を遅延時間１００ｍｓｅｃでスロープ状の波形にて０Ｖに電圧を立ち下げた。
【０３７２】
次に、一部の画素を黒色表示に書き換えるプロセスは、評価試験１と同じプロセスにて行い、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０３７３】
その後は、同様に行電極と列電極間に印加される画像書き換え電圧を２０Ｖステップで電圧値を低減しながら、上記した評価手順で反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性Ｃ−Ａ３を算出した。
【０３７４】
（評価試験４）
白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図１２及び図１８で示すプロセスにて、コントラストの評価を行った。
【０３７５】
まず、表示画素を全面白色表示に書き換えるため、図１２に示す電圧波形にて表面基板側の各列電極に極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｒ１（＋２５０Ｖ）を複数回間欠的に印加した。このとき背面基板側の行電極の電位は０Ｖである。電圧パルスＶｈｒ１の１パルスの印加時間は２０ｍｓ、印加間隔は１０ｍｓにて、２０回のパルスを印加した。Ｖｈｄ１も＋２５０Ｖで、印加時間は２０ｍｓｅｃである。その後、この電圧を、極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｓ１を、一定の割合で振幅を減衰させる構成で印加した。Ｖｈｓ１の１パルスの印加時間は１０ｍｓ、１パルスの印加間隔時間は１０ｍｓであり、所定の２５０Ｖから２５Ｖずつ減衰させて０Ｖにまで立ち下げて電圧をオフにした。
【０３７６】
次に、一部の画素を黒色表示に書き換えるプロセスは、評価試験２と同じプロセスにて行い、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０３７７】
次に、表示画素を全面白色表示に書き換えるため、表面基板側の各列電極に極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｒ１（＋２５０Ｖ）を複数回間欠的に印加した。このとき背面基板側の行電極の電位は０Ｖである。電圧パルスＶｈｒ１の１パルスの印加時間は２０ｍｓ、印加間隔は１０ｍｓにて、２０回のパルスを印加した。Ｖｈｄ１も＋２５０Ｖであり、印加時間は２０ｍｓｅｃである。その後、この電圧を、極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｓ１を、一定の割合で振幅を減衰させる構成で印加した。Ｖｈｓ１の１パルスの印加時間は１０ｍｓ、１パルスの印加間隔時間は１０ｍｓであり、所定の２５０Ｖから２５Ｖずつ減衰させて０Ｖにまで立ち下げて電圧をオフにした。
【０３７８】
次に、一部の画素を黒色表示に書き換えるプロセスは、評価試験２と同じプロセスにて行い、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０３７９】
その後は、同様に行電極と列電極間に印加される画像書き換え電圧を２０Ｖステップで電圧値を低減しながら、上記した評価手順で反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性Ｃ−Ａ４を算出した。
【０３８０】
（評価試験５）
白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図１３及び図１８で示すプロセスにて、コントラストの評価を行った。
【０３８１】
まず、表示画素を全面白色表示に書き換えるため、図１３に示す電圧波形にて表面基板側の各列電極に極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｕ１を、一定の割合で振幅を増加させる構成で印加した。Ｖｈｕ１の１パルスの印加時間は１０ｍｓ、１パルスの印加間隔時間は１０ｍｓであり、０Ｖから１パルスごとに２５Ｖずつ増加させて所定の２５０Ｖにまで電圧を立ち上げた。所定の直流電圧成分（−２５０Ｖ）に到達した後、極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｒ１（＋２５０Ｖ）を複数回間欠的に印加した。このとき背面基板側の行電極の電位は０Ｖである。電圧パルスＶｈｒ１の１パルスの印加時間は５０ｍｓ、印加間隔は１０ｍｓにて、１０回のパルスを印加した。Ｖｈｄ１も＋２５０Ｖであり、印加時間は５０ｍｓｅｃである。その後、この電圧を遅延時間１００ｍｓｅｃでスロープ状の波形にて０Ｖに電圧を立ち下げた。
【０３８２】
次に、一部の画素を黒色表示に書き換えるプロセスは、評価試験２と同じプロセスにて行い、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０３８３】
次に、表示画素を全面白色表示に書き換えるため、表面基板側の各列電極に極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｕ１を、一定の割合で振幅を増加させる構成で印加した。Ｖｈｕ１の１パルスの印加時間は１０ｍｓ、１パルスの印加間隔時間は１０ｍｓであり、０Ｖから１パルスごとに２５Ｖずつ増加させて所定の−２５０Ｖにまで電圧を立ち上げた。所定の直流電圧成分（−２５０Ｖ）に到達した後、極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｒ１（＋２５０Ｖ）を複数回間欠的に印加した。このとき背面基板側の行電極の電位は０Ｖである。電圧パルスＶｈｒ１の１パルスの印加時間は５０ｍｓ、印加間隔は１０ｍｓにて、１０回のパルスを印加した。Ｖｈｄ１も＋２５０Ｖであり、印加時間は５０ｍｓｅｃである。その後、この電圧を遅延時間１００ｍｓｅｃでスロープ状の波形にて０Ｖに電圧を立ち下げた。
【０３８４】
次に、一部の画素を黒色表示に書き換えるプロセスは、評価試験２と同じプロセスにて行い、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０３８５】
その後は、同様に行電極と列電極間に印加される画像書き換え電圧を２０Ｖステップで電圧値を低減しながら、上記した評価手順で反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性Ｃ−Ａ５を算出した。
【０３８６】
（評価試験６）
白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図１４及び図１８で示すプロセスにて、コントラストの評価を行った。
【０３８７】
まず、表示画素を全面白色表示に書き換えるため、図１２に示す電圧波形にて表面基板側の各列電極に極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｕ１を、一定の割合で振幅を増加させる構成で印加した。Ｖｈｕ１の１パルスの印加時間は１０ｍｓ、１パルスの印加間隔時間は１０ｍｓであり、０Ｖから１パルスごとに２５Ｖずつ増加させて所定の２５０Ｖにまで電圧を立ち上げた。その後、極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｒ１（＋２５０Ｖ）を複数回間欠的に印加した。このとき背面基板側の行電極の電位は０Ｖである。電圧パルスＶｈｒ１の１パルスの印加時間は３０ｍｓ、印加間隔は１０ｍｓにて、１５回のパルスを印加した。Ｖｈｄ１も＋２５０Ｖであり、印加時間は３０ｍｓｅｃである。その後、この電圧を、極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｓ１を、一定の割合で振幅を減衰させる構成で印加した。Ｖｈｓ１の１パルスの印加時間は１０ｍｓ、１パルスの印加間隔時間は１０ｍｓであり、所定の２５０Ｖから２５Ｖずつ減衰させて０Ｖにまで立ち下げて電圧をオフにした。
【０３８８】
次に、一部の画素を黒色表示に書き換えるプロセスは、評価試験２と同じプロセスにて行い、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０３８９】
次に、表示画素を全面白色表示に書き換えるため、表面基板側の各列電極に極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｕ１を、一定の割合で振幅を増加させる構成で印加した。Ｖｈｕ１の１パルスの印加時間は１０ｍｓ、１パルスの印加間隔時間は１０ｍｓであり、０Ｖから１パルスごとに２５Ｖずつ増加させて所定の２５０Ｖにまで電圧を立ち上げた。その後、極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｒ１（＋２５０Ｖ）を複数回間欠的に印加した。このとき背面基板側の行電極の電位は０Ｖである。電圧パルスＶｈｒ１の１パルスの印加時間は３０ｍｓ、印加間隔は１０ｍｓ、１５回のパルスを印加した。Ｖｈｄ１も＋２５０Ｖであり、印加時間は３０ｍｓｅｃである。その後、この電圧を、極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｓ１を、一定の割合で振幅を減衰させる構成で印加した。Ｖｈｓ１の１パルスの印加時間は１０ｍｓ、１パルスの印加間隔時間は１０ｍｓであり、所定の２５０Ｖから２５Ｖずつ減衰させて０Ｖにまで立ち下げて電圧をオフにした。
【０３９０】
次に、一部の画素を黒色表示に書き換えるプロセスは、評価試験２と同じプロセスにて行い、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０３９１】
その後は、同様に行電極と列電極間に印加される画像書き換え電圧を２０Ｖステップで電圧値を低減しながら、上記した評価手順で反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性Ｃ−Ａ６を算出した。
【０３９２】
（評価試験７）
次に、白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図１５で示すプロセスにて、コントラストの評価を行った。表示画素を全面白色表示に書き換えるため、表面基板側の各列電極に、双方向極性の交番電圧Ｖｈａ１（周波数１００Ｈｚ，０Ｖとｐｅａｋ間の電圧差２５０Ｖ）を５０ｍｓｅｃ間印加した。その後、極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｒ１（＋２５０Ｖ）を複数回間欠的に印加した。このとき背面基板側の行電極の電位は０Ｖである。電圧パルスＶｈｒ１の１パルスの印加時間は１００ｍｓ、印加間隔は１０ｍｓにて、５回のパルスを印加した。Ｖｈｄ１も＋２５０Ｖであり、印加時間は５０ｍｓｅｃである。その後、この電圧を遅延時間１００ｍｓｅｃでスロープ状の波形にて０Ｖに電圧を立ち下げた。
【０３９３】
次に、一部の画素を黒色表示に書き換えるプロセスは、評価試験２と同じプロセスにて行い、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０３９４】
次に、表示画素を全面白色表示に書き換えるため、表面基板側の各列電極に極性反転を伴わない一方向極性の電圧パルスＶｈｒ１（＋２５０Ｖ）を複数回間欠的に印加した。このとき背面基板側の行電極の電位は０Ｖである。電圧パルスＶｈｒ１の１パルスの印加時間は１００ｍｓ、印加間隔は１０ｍｓにて、５回のパルスを印加した。Ｖｈｄ１も＋２５０Ｖであり、印加時間は３０ｍｓｅｃである。その後、この電圧を遅延時間１００ｍｓｅｃでスロープ状の波形にて０Ｖに電圧を立ち下げた。
【０３９５】
次に、一部の画素を黒色表示に書き換えるプロセスは、評価試験２と同じプロセスにて行い、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０３９６】
その後は、同様に行電極と列電極間に印加される画像書き換え電圧を２０Ｖステップで電圧値を低減しながら、上記した評価手順で反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性Ｃ−Ａ７を算出した。
【０３９７】
（比較試験１）
比較例として、図５に示す単一の矩形型の１００Ｖのパルス印加により白と黒を表示させたときの各駆動電圧に対するコントラスト特性Ｃ-Ｂ１を算出した。各駆動電圧に対する各コントラスト特性を表８に示す。図５７にはそれをグラフ化したものを示す。
【０３９８】
【表８】

【０３９９】
本発明における白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群で、評価試験１における評価特性Ｃ−Ａ１は、高コントラスト値を発現している。さらに、本発明の評価試験２における評価特性Ｃ−Ａ２は、より高コントラスト値を発現している。さらには、本発明における、評価試験３における評価特性Ｃ−Ａ３は、一層の高コントラスト値を発現している。白色表示粒子ＤＷ３と黒色表示粒子ＤＢ３を組み合わせた表示粒子群で、評価試験５における評価特性Ｃ−Ａ５も同様に高コントラスト値を発現している。比較例Ｃ−Ｂ１においては、クロストークの影響で画像コントラストは低い値となっている。
【０４００】
＜表示粒子の評価＞
（評価試験８）
白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図２３に示すように、直流電圧に矩形波の交番電圧を重畳した画像表示バイアスを印加するプロセスにて、コントラストの評価を行った。
【０４０１】
まず、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、交番電圧成分Ｖａｖ（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差Ｖｐ１４０Ｖ）を重畳した直流電圧成分（−１００Ｖ）を印加し、これと同期して背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋１００Ｖ）を印加して、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。画像書き換え電圧印加期間は３０ｍｓであり、そのうち交番電圧成分Ｖａｖは２０ｍｓ間印加し、直流電圧のみ印加される期間は１０ｍｓである。
【０４０２】
次に、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、交番電圧成分Ｖａｖ（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差Ｖｐ１２６Ｖ）を重畳した直流電圧成分（−９０Ｖ）を印加し、これと同期して背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋９０Ｖ）を印加して、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。画像書き換え電圧印加期間は３０ｍｓであり、そのうち交番電圧成分Ｖａｖは２０ｍｓ間印加した。直流電圧のみ印加される期間は１０ｍｓである。
【０４０３】
その後は、同様に行電極と列電極間に印加される直流電圧成分を２０Ｖステップで電圧値を低減し、列電極の直流電圧に重畳される交番電圧成分のピークツーピーク間の電圧差Ｖｐの半分値を、直流電圧成分Ｖｄの７割の電圧値としながら反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＡＶ−Ｐ１を算出した。
【０４０４】
（評価試験９）
白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図２６に示すように、直流電圧に矩形波の交番電圧を重畳した画像表示バイアスを印加するプロセスにて、コントラストの評価を行った。
【０４０５】
まず、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、交番電圧成分Ｖａｖ（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差Ｖｐ１８０Ｖ）を重畳した直流電圧成分（−１００Ｖ）を印加し、これと同期して背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋１００Ｖ）を印加して、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。直流電圧に交番電圧を印加した画像書き換え電圧印加期間は３０ｍｓとした。
【０４０６】
次に、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、交番電圧成分Ｖａｖ（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差Ｖｐ１６２Ｖ）を重畳した直流電圧成分（−９０Ｖ）を印加し、これと同期して背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋９０Ｖ）を印加して、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。直流電圧に交番電圧を印加した画像書き換え電圧印加期間は３０ｍｓとした。
【０４０７】
その後は、同様に行電極と列電極間に印加される直流電圧成分を２０Ｖステップで電圧値を低減し、列電極の直流電圧に重畳される交番電圧成分のピークツーピーク間の電圧差Ｖｐの半分値を、直流電圧成分Ｖｄの９割の電圧値としながら反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＡＶ−Ｐ２を算出した。
【０４０８】
（評価試験１０）
白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図２９に示すように、直流電圧に矩形波の交番電圧を重畳した画像表示バイアスを印加するプロセスにて、コントラストの評価を行った。
【０４０９】
まず、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、交番電圧成分Ｖａｖ（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差Ｖｐ１８０Ｖ）を重畳した直流電圧成分（−１００Ｖ）を印加し、これと同期して背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋１００Ｖ）を印加して、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０４１０】
画像書き換え電圧印加期間は３０ｍｓであり、そのうち交番電圧成分Ｖａｖは２５ｍｓ間印加した。直流電圧Ｖｄｖのみ印加される期間は５ｍｓである。Ｖｄｖ印加終了した後、この電圧を遅延時間（Ｔｓ）１００ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて立ち下げた。このとき交番電圧Ｖａｖの最終成分は、表示させる色粒子（この場合は黒色粒子）を画像表示基板側から引き戻させる成分により形成している。
【０４１１】
次に、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、交番電圧成分Ｖａｖ（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差Ｖｐ１６２Ｖ）を重畳した直流電圧成分（−９０Ｖ）を印加し、これと同期して背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋９０Ｖ）を印加して、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０４１２】
画像書き換え電圧印加期間は３０ｍｓであり、そのうち交番電圧成分Ｖａｖは２５ｍｓ間印加した。直流電圧Ｖｄｖのみ印加される期間は５ｍｓである。Ｖｄｖ印加終了した後、この電圧を遅延時間（Ｔｓ）１００ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて立ち下げた。このとき交番電圧Ｖａｖの最終成分は、表示させる色粒子（この場合は黒色粒子）を画像表示基板側から引き戻させる成分により形成している。
【０４１３】
その後は、同様に行電極と列電極間に印加される直流電圧成分を２０Ｖステップで電圧値を低減し、列電極の直流電圧に重畳される交番電圧成分のピークツーピーク間の電圧差Ｖｐの半分値を、直流電圧成分Ｖｄの９割の電圧値としながら反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＡＶ−Ｐ３を算出した。
【０４１４】
（評価試験１１）
次に、白色表示粒子ＤＷ２と黒色表示粒子ＤＢ２を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図３０に示すように、直流電圧に矩形波の交番電圧を重畳した画像表示バイアスを印加するプロセスにて、コントラストの評価を行った。
【０４１５】
まず、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、交番電圧成分Ｖａｖ（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差Ｖｐ１８０Ｖ）を重畳した直流電圧成分（−１００Ｖ）を印加し、これと同期して背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋１００Ｖ）を印加して、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０４１６】
直流電圧に交番電圧を印加した画像書き換え電圧印加期間は３０ｍｓとした。Ｖａｖ印加終了した後、この電圧を遅延時間３０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて立ち下げた。このとき交番電圧Ｖａｖの最終成分は、表示させる色粒子（この場合は黒色粒子）を画像表示基板側から引き戻させる成分により形成している。
【０４１７】
次に、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、交番電圧成分Ｖａｖ（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差Ｖｐ１６２Ｖ）を重畳した直流電圧成分（−９０Ｖ）を印加し、これと同期して背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋９０Ｖ）を印加して、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０４１８】
直流電圧に交番電圧を印加した画像書き換え電圧印加期間は３０ｍｓとした。Ｖａｖ印加終了した後、この電圧を遅延時間３０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて立ち下げた。このとき交番電圧Ｖａｖの最終成分は、表示させる色粒子（この場合は黒色粒子）を画像表示基板側から引き戻させる成分により形成している。
【０４１９】
その後は、同様に行電極と列電極間に印加される直流電圧成分を２０Ｖステップで電圧値を低減し、列電極の直流電圧に重畳される交番電圧成分のピークツーピーク間の電圧差Ｖｐの半分値を、直流電圧成分Ｖｄの９割の電圧値としながら反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＡＶ−Ｐ４を算出した。
【０４２０】
（評価試験１２）
白色表示粒子ＤＷ３と黒色表示粒子ＤＢ３を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、評価試験１０と同じプロセスにて、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＡＶ−Ｐ５を算出した。
【０４２１】
各駆動電圧に対する各コントラスト特性を表９に示す。図５８にはそれをグラフ化したものを示す。
【０４２２】
【表９】

【０４２３】
本発明における白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群で、評価試験１における評価特性ＡＶ−Ｐ１は、交番電界に対応した粒子の繰り返しの往復運動による効果と考えられる高コントラスト値を発現している。また、本発明における白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群で、評価試験２における評価特性ＡＶ−Ｐ２はより高いコントラスト値を発現している。また、本発明における白色表示粒子ＤＷ２と黒色表示粒子ＤＢ２を組み合わせた表示粒子群で、評価試験４における評価特性ＡＶ−Ｐ４もより高いコントラスト値を発現している。さらに、本発明における白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群で、評価試験３における評価特性ＡＶ−Ｐ３や、白色表示粒子ＤＷ３と黒色表示粒子ＤＢ３を組み合わせた表示粒子群で、評価試験５における評価特性ＡＶ−Ｐ５はさらに高いコントラスト値を発現している。比較例Ｃ−Ｂ１においては、交番電界による粒子の往復運動を付与していないため、画像コントラストは低い値となっている。
【０４２４】
（評価試験１３）
白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図３１に示すように、直流電圧に矩形波の交番電圧を重畳した画像表示電圧を印加するプロセスにて、コントラストの評価を行った。
【０４２５】
まず、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、直流電圧成分（Ｖｄ＝−１００Ｖ）と、その直流電圧成分に対して三角波的に振幅が時間とともに増加し、最大振幅値に到達後、振幅が減衰する波形の交番電圧成分（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の最大電圧差（Ｖｐ）１８０Ｖ）を重畳した電圧を印加し、それと同期して背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋１００Ｖ）を印加して、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。画像書き換え電圧印加期間（Ｔｄ）は３０ｍｓとした。
【０４２６】
次に、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、直流電圧成分（Ｖｄ＝−９０Ｖ）と、その直流電圧成分に対して三角波的に振幅が時間とともに増加し、最大振幅値に到達後、振幅が減衰する波形の交番電圧成分（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の最大電圧差（Ｖｐ）１６２Ｖ）を重畳した電圧を印加し、それと同期して背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋９０Ｖ）を印加して、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。画像書き換え電圧印加期間（Ｔｄ）は３０ｍｓとした。
【０４２７】
その後は、同様に行電極と列電極間に印加される直流電圧成分を２０Ｖステップで電圧値を低減し、列電極の直流電圧に重畳される交番電圧成分のピークツーピーク間の最大電圧差Ｖｐの半分値を、直流電圧成分Ｖｄの９割の電圧値としながら反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＡＭ−Ｐ１を算出した。
【０４２８】
（評価試験１４）
白色表示粒子ＤＷ２と黒色表示粒子ＤＢ２を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図３５に示すように、直流電圧に矩形波の交番電圧を重畳した画像表示電圧を印加するプロセスにて、コントラストの評価を行った。
【０４２９】
まず、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、直流電圧成分のみを遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち上げた。所定の直流電圧成分（Ｖｄ＝−１００Ｖ）に到達すると、直流電圧成分に対して、三角波的に振幅が時間とともに増加し、最大振幅値に到達後、振幅が減衰する波形の交番電圧成分（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の最大電圧差（Ｖｐ）１８０Ｖ）を重畳した電圧を印加すると共に、背面基板側の行電極に遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち上げた直流電圧成分（＋１００Ｖ）を印加した。画像書き換え電圧印加期間（Ｔｄ）は３０ｍｓとした。その後交番電圧をオフとし、同時に直流電圧成分を遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて立ち下げて、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０４３０】
次に、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、直流電圧成分のみを遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち上げた。所定の直流電圧成分（Ｖｄ＝−９０Ｖ）に到達すると、直流電圧成分に対して、三角波的に振幅が時間とともに増加し、最大振幅値に到達後、振幅が減衰する波形の交番電圧成分（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の最大電圧差（Ｖｐ）１６２Ｖ）を重畳した電圧を印加すると共に、背面基板側の行電極に遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち上げた直流電圧成分（＋１００Ｖ）を印加した。画像書き換え電圧印加期間（Ｔｄ）は３０ｍｓとした。その後交番電圧をオフとし、同時に直流電圧成分を遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて立ち下げて、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０４３１】
その後は、同様に行電極と列電極間に印加される直流電圧成分を２０Ｖステップで電圧値を低減し、列電極の直流電圧に重畳される交番電圧成分のピークツーピーク間の最大電圧差Ｖｐの半分値を、直流電圧成分Ｖｄの９割の電圧値としながら反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＡＭ-Ｐ２を算出した。
【０４３２】
（評価試験１５）
白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図３３に示すような、直流電圧成分に、三角波的に振幅が時間とともに増加し、最大振幅値に到達後、振幅が減衰する矩形波形の交番電圧を重畳した画像表示電圧を印加するプロセスにて、コントラストの評価を行った。評価手順は評価試験６と同様なプロセスにて行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＡＭ−Ｐ３を算出した。
【０４３３】
（評価試験１６）
【０４３４】
白色表示粒子ＤＷ２と黒色表示粒子ＤＢ２を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図３７に示すような、遅延時間１００ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち上げた直流電圧成分に、三角波的に振幅が時間とともに増加し、最大振幅値に到達後、振幅が減衰する矩形波形の交番電圧を重畳した画像表示電圧を印加し、その後交番電圧をオフとし、同時に直流電圧成分を遅延時間１００ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて立ち下げるプロセスにて、コントラストの評価を行った。評価手順は評価試験７と同様なプロセスにて行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＡＭ−Ｐ４を算出した。
【０４３５】
各駆動電圧に対する各コントラスト特性を表１０に示す。図５９にはそれをグラフ化したものを示す。
【０４３６】
【表１０】

【０４３７】
本発明における白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群で、評価試験１における評価特性ＡＭ−Ｐ１は、交番電界に対応した粒子の繰り返しの往復運動による効果と考えられる高コントラスト値を発現している。また、本発明における白色表示粒子ＤＷ２と黒色表示粒子ＤＢ２を組み合わせた表示粒子群で、評価試験２における評価特性ＡＭ−Ｐ２はより高いコントラスト値を発現している。また、本発明における白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群で、評価試験３における評価特性ＡＭ−Ｐ３もより高いコントラスト値を発現している。さらに、本発明における白色表示粒子ＤＷ２と黒色表示粒子ＤＢ２を組み合わせた表示粒子群で、評価試験４における評価特性ＡＭ−Ｐ４はさらに高いコントラスト値を発現している。
【０４３８】
（評価試験１７）
白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図３９に示すように、直流電圧に交番電圧を重畳した画像表示電圧を印加するプロセスにて、コントラストの評価を行った。
【０４３９】
まず、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、直流電圧成分（Ｖｄ＝−１００Ｖ）と、その直流電圧成分に対して交番電圧成分（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差（Ｖｐ）１８０Ｖ）を重畳した電圧を印加し、それと同期して背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋１００Ｖ）を印加し、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。画像書き換え電圧印加期間（Ｔｄ）は３０ｍｓとした。
【０４４０】
このとき、交番電圧成分は黒を表示させる方向（負電圧）のピークに向かう電圧立ち上がり速度を緩慢にし、１８０Ｖのピーク電圧からの電圧立ち下がり速度を急峻にした波形で、時間（Ｔａ）１５ｍｓ印加した。その後、波形を逆転させ、黒を表示させる方向のピークに向かう電圧立ち上がり速度を急峻にし、ピークからの電圧立ち下がり速度を緩慢にした波形で、印加時間（Ｔｂ）は１５ｍｓとした。
【０４４１】
次に、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、表面基板側の列電極に、直流電圧成分（Ｖｄ＝−９０Ｖ）と、その直流電圧成分に対して交番電圧成分（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差（Ｖｐ）１６２Ｖ）を重畳した電圧を印加し、それと同期して背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋９０Ｖ）を印加し、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。画像書き換え電圧印加期間（Ｔｄ）は３０ｍｓとした。
【０４４２】
このとき、交番電圧成分は黒を表示させる方向（負電圧）のピークに向かう電圧立ち上がり速度を緩慢にし、１８０Ｖのピーク電圧からの電圧立ち下がり速度を急峻にした波形で、時間（Ｔａ）１５ｍｓ印加した。その後、波形を逆転させ、黒を表示させる方向のピークに向かう電圧立ち上がり速度を急峻にし、ピークからの電圧立ち下がり速度を緩慢にした波形で、印加時間（Ｔｂ）は１５ｍｓとした。
【０４４３】
その後は、同様に行電極と列電極間に印加される直流電圧成分を２０Ｖステップで電圧値を低減し、列電極の直流電圧に重畳される交番電圧成分のピークツーピーク間の電圧差Ｖｐの半分値を、直流電圧成分Ｖｄの９割の電圧値としながら反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＤＡ-Ｐ１を算出した。
【０４４４】
（評価試験１８）
白色表示粒子ＤＷ２と黒色表示粒子ＤＢ２を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図４３に示すように、直流電圧に交番電圧を重畳した画像表示電圧を印加するプロセスにて、コントラストの評価を行った。
【０４４５】
まず、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、直流電圧成分のみを遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち上げた。所定の直流電圧成分（Ｖｄ＝−１００Ｖ）に到達すると、直流電圧成分に対して交番電圧成分（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差（Ｖｐ）１８０Ｖ）を重畳した電圧を印加し、それと同期して背面基板側の行電極に遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち上げた直流電圧成分（＋１００Ｖ）を印加した。画像書き換え電圧印加期間（Ｔｄ）は３０ｍｓとした。その後交番電圧をオフとし、同時に直流電圧成分を遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて立ち下げて、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０４４６】
このとき、交番電圧成分は黒を表示させる方向（負電圧）のピークに向かう電圧立ち上がり速度を緩慢にし、１８０Ｖのピーク電圧からの電圧立ち下がり速度を急峻にした波形で、印加時間（Ｔａ）は１５ｍｓとした。その後、波形を逆転させ、黒を表示させる方向のピークに向かう電圧立ち上がり速度を急峻にし、ピークからの電圧立ち下がり速度を緩慢にした波形で、印加時間（Ｔｂ）は１５ｍｓとした。
【０４４７】
次に、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、直流電圧成分のみを遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち上げた。所定の直流電圧成分（Ｖｄ＝−９０Ｖ）に到達すると、直流電圧成分に対して交番電圧成分（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差（Ｖｐ）１６２Ｖ）を重畳した電圧を印加し、それと同期して背面基板側の行電極に遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち上げた直流電圧成分（＋９０Ｖ）を印加した。画像書き換え電圧印加期間（Ｔｄ）は３０ｍｓとした。その後交番電圧をオフとし、同時に直流電圧成分を遅延時間５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて立ち下げて、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて黒色表示画素部と白色表示画素部の反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０４４８】
このとき、交番電圧成分は黒を表示させる方向（負電圧）のピークに向かう電圧立ち上がり速度を緩慢にし、１８０Ｖのピーク電圧からの電圧立ち下がり速度を急峻にした波形で、印加時間（Ｔａ）は１５ｍｓとした。その後、波形を逆転させ、黒を表示させる方向のピークに向かう電圧立ち上がり速度を急峻にし、ピークからの電圧立ち下がり速度を緩慢にした波形で、印加時間（Ｔｂ）は１５ｍｓとした。
【０４４９】
その後は、同様に行電極と列電極間に印加される直流電圧成分を２０Ｖステップで電圧値を低減し、列電極の直流電圧に重畳される交番電圧成分のピークツーピーク間の電圧差Ｖｐの半分値を、直流電圧成分Ｖｄの９割の電圧値としながら反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＤＡ-Ｐ２を算出した。
【０４５０】
（評価試験１９）
白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図４２に示すような、直流電圧成分（Ｖｄ＝１００Ｖ）に交番電圧成分（周波数０．４ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差（Ｖｐ）１８０Ｖ）を重畳した電圧を印加したプロセスにてコントラストの評価を行った。交番電圧のピーク電圧に到達した時、１．５ｍｓ間の範囲で平坦部とした矩形形状とした。評価手順は評価試験１と同様なプロセスにて行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＤＡ-Ｐ３を算出した。
【０４５１】
（評価試験２０）
白色表示粒子ＤＷ２と黒色表示粒子ＤＢ２を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、図４６に示すような、遅延時間１００ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を立ち上げた直流電圧成分に、直流電圧成分（Ｖｄ＝１００Ｖ）に交番電圧成分（周波数０．４ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差（Ｖｐ）１８０Ｖ）を重畳した電圧を印加したプロセスにてコントラストの評価を行った。交番電圧のピーク電圧に到達した時、１．５ｍｓ間の範囲で平坦部とした矩形形状とした。評価手順は評価試験２と同様なプロセスにて行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＤＡ−Ｐ４を算出した。
【０４５２】
各駆動電圧に対する各コントラスト特性を表１１に示す。図６０にはそれをグラフ化したものを示す。
【０４５３】
【表１１】

【０４５４】
本発明における白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群で、評価試験１における評価特性ＤＡ−Ｐ１は、交番電界に対応した粒子の繰り返しの往復運動による効果と考えられる高コントラスト値を発現している。また、本発明における白色表示粒子ＤＷ２と黒色表示粒子ＤＢ２を組み合わせた表示粒子群で、評価試験２における評価特性ＤＡ−Ｐ２はより高いコントラスト値を発現している。また、本発明における白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群で、評価試験３における評価特性ＤＡ−Ｐ３もより高いコントラスト値を発現している。さらに、本発明における白色表示粒子ＤＷ２と黒色表示粒子ＤＢ２を組み合わせた表示粒子群で、評価試験４における評価特性ＤＡ−Ｐ４はさらに高いコントラスト値を発現している。
【０４５５】
（評価試験２１）
白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を白色に表示させた。
【０４５６】
その後、図４７に示すように、直流電圧に矩形波の交番電圧を重畳した画像表示電圧を印加するプロセスにて、コントラストの評価を行った。まず、表面基板側の列電極に、直流電圧成分（Ｖｄ＝−１００Ｖ）と、その直流電圧成分に対して交番電圧成分（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差（Ｖｐ）１８０Ｖ）を重畳した電圧を印加し、これと同期して背面基板側の行電極に直流電圧成分（Ｖｄ＝＋１００Ｖ）を印加した。その後、表面基板側の列電極に印加されている直流電圧成分（Ｖｕ）を＋５０Ｖに変化させ、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。画像書込み開始からの期間（Ｔｕ）を２０ｍｓ、その後の直流電圧を変化させ、（Ｔｄ＝）１０ｍｓ間印加した。画像書き換え電圧印加期間（Ｔｄ）は３０ｍｓとした。
【０４５７】
次に、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、直流電圧成分（Ｖｄ＝−９０Ｖ）と、その直流電圧成分に対して交番電圧成分（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差（Ｖｐ）１６２Ｖ）を重畳した電圧を印加し、これと同期して、背面基板側の行電極に直流電圧成分（Ｖｄ＝＋９０Ｖ）を印加した。その後、表面基板側の列電極に印加されている直流電圧成分（Ｖｕ）を＋４５Ｖに変化させ、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。画像書込み開始からの期間（Ｔｕ）を２０ｍｓ、その後の直流電圧を変化させ、（Ｔｄ＝）１０ｍｓ間印加した。画像書き換え電圧印加期間（Ｔｄ）は３０ｍｓとした。
【０４５８】
その後は、電圧Ｖａｕに対応する行電極と列電極間に印加される直流電圧成分を２０Ｖステップで電圧値を低減し、電圧Ｖａｄに対応する行電極と列電極間に印加される直流電圧成分を５Ｖステップで電圧値を低減し、列電極の直流電圧に重畳される交番電圧成分のピークツーピーク間の電圧差Ｖｐの半分値を、直流電圧成分Ｖｄの９割の電圧値としながら反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＤＣ-Ｐ１を算出した。
【０４５９】
（評価試験２２）
白色表示粒子ＤＷ２と黒色表示粒子ＤＢ２を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を白色に表示させた。
【０４６０】
その後、図４９に示すように、直流電圧に矩形波の交番電圧を重畳した画像表示電圧を印加するプロセスにて、コントラストの評価を行った。まず、表面基板側の列電極に、直流電圧成分（Ｖｄ＝−１００Ｖ）と、その直流電圧成分に対して交番電圧成分（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差（Ｖｐ）１８０Ｖ）を重畳した電圧を印加し、これと同期して、背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋１００Ｖ）を印加した。その画像書込み開始からの期間（Ｔｕ）は２０ｍｓとした。その後、表面基板側の列電極に印加されている直流電圧成分を遅延時間（Ｔｓ）５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を＋５０Ｖにまで緩慢に変化させた。その状態で印加期間（Ｔｄ）を１０ｍｓ維持して、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０４６１】
次に、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、直流電圧成分（Ｖｄ＝−９０Ｖ）と、その直流電圧成分に対して交番電圧成分（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差（Ｖｐ）１６２Ｖ）を重畳した電圧を印加し、これと同期して、背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋９０Ｖ）を印加した。その画像書込み開始からの期間（Ｔｕ）は２０ｍｓとした。その後、表面基板側の列電極に印加されている直流電圧成分を遅延時間（Ｔｓ）５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を＋４５Ｖにまで緩慢に変化させた。その状態で印加期間（Ｔｄ）を１０ｍｓ維持して、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０４６２】
その後は、電圧Ｖａｕに対応する行電極と列電極間に印加される直流電圧成分を２０Ｖステップで電圧値を低減し、電圧Ｖａｄに対応する行電極と列電極間に印加される直流電圧成分を５Ｖステップで電圧値を低減し、列電極の直流電圧に重畳される交番電圧成分のピークツーピーク間の電圧差Ｖｐの半分値を、直流電圧成分Ｖｄの９割の電圧値としながら反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＤＣ-Ｐ２を算出した。
【０４６３】
（評価試験２３）
白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を白色に表示させた。
【０４６４】
その後、図５０に示すように、直流電圧に矩形波の交番電圧を重畳した画像表示電圧を印加するプロセスにて、コントラストの評価を行った。まず、表面基板側の列電極に、遅延時間３０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて直流電圧成分を立ち上げた。その直流電圧成分（Ｖｄ）が−１００Ｖに到達すると、その直流電圧成分に対して交番電圧成分（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差（Ｖｐ）１８０Ｖ）を重畳した。これと同期して、背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋１００Ｖ）を遅延時間３０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて直流電圧成分を立ち上げて印加した。その電圧印加状態の期間（Ｔｕ）は２０ｍｓとした。その後、表面基板側の列電極に印加されている直流電圧成分を遅延時間（Ｔｓ）５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を＋５０Ｖにまで緩慢に変化させた。その後、その状態で印加期間（Ｔｄ）を１０ｍｓ維持して、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０４６５】
次に、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、遅延時間３０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて直流電圧成分を立ち上げた。その直流電圧成分（Ｖｄ）が−９０Ｖに到達すると、その直流電圧成分に対して交番電圧成分（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差（Ｖｐ）１６２Ｖ）を重畳した。これと同期して、背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋９０Ｖ）を遅延時間３０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて直流電圧成分を立ち上げて印加した。その電圧印加状態の期間（Ｔｕ）は２０ｍｓとした。その後、表面基板側の列電極に印加されている直流電圧成分を遅延時間（Ｔｓ）５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を＋４５Ｖにまで緩慢に変化させた。その後、その状態で印加期間（Ｔｄ）を１０ｍｓ維持して、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０４６６】
その後は、電圧Ｖａｕに対応する行電極と列電極間に印加される直流電圧成分を２０Ｖステップで電圧値を低減し、電圧Ｖａｄに対応する行電極と列電極間に印加される直流電圧成分を５Ｖステップで電圧値を低減し、列電極の直流電圧に重畳される交番電圧成分のピークツーピーク間の電圧差Ｖｐの半分値を、直流電圧成分Ｖｄの９割の電圧値としながら反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＤＣ−Ｐ３を算出した。
【０４６７】
（評価試験２４）
白色表示粒子ＤＷ２と黒色表示粒子ＤＢ２を組み合わせた表示粒子群を、画像表示素子に封入し、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を白色に表示させた。
【０４６８】
その後、図５１に示すように、直流電圧に交番電圧を重畳した画像表示電圧を印加するプロセスにて、コントラストの評価を行った。まず、表面基板側の列電極に、遅延時間３０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて交番電圧（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差（Ｖｐ）１８０Ｖ）を重畳した直流電圧成分を立ち上げた。その直流電圧成分（Ｖｄ）が−１００Ｖに到達すると、その直流電圧成分に対して交番電圧成分（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差（Ｖｐ）１８０Ｖ）を重畳した。これと同期して、背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋１００Ｖ）を遅延時間３０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて直流電圧成分を立ち上げて印加した。その電圧印加状態の期間（Ｔｕ）は２０ｍｓとした。その後、表面基板側の列電極に印加されている直流電圧成分を遅延時間（Ｔｓ）５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を＋５０Ｖにまで緩慢に変化させた。その後、その状態で印加期間（Ｔｄ）を１０ｍｓ維持して、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０４６９】
次に、表面基板側の全列電極に＋２００Ｖを印加し、行電極は０Ｖとして、表示画素全面を再度白色に表示させた。その後、表面基板側の列電極に、遅延時間３０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて交番電圧（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差（Ｖｐ）１６２Ｖ）を重畳した直流電圧成分を立ち上げた。その直流電圧成分（Ｖｄ）が−９０Ｖに到達すると、その直流電圧成分に対して交番電圧成分（周波数１ｋＨｚ，ピークツーピーク間の電圧差（Ｖｐ）１６２Ｖ）を重畳した。これと同期して、背面基板側の行電極に直流電圧成分（＋９０Ｖ）を遅延時間３０ｍｓｅｃで傾きを持たせたスロープ状の波形にて直流電圧成分を立ち上げて印加した。その電圧印加状態の期間（Ｔｕ）は２０ｍｓとした。その後、表面基板側の列電極に印加されている直流電圧成分を遅延時間（Ｔｓ）５０ｍｓで傾きを持たせたスロープ状の波形にて電圧を＋４５Ｖにまで緩慢に変化させた。その後、その状態で印加期間（Ｔｄ）を１０ｍｓ維持して、書込み画素に黒色を表示させ、非書込み画素は白色表示のままとさせて、マクベス濃度計を用いて反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）を測定した。
【０４７０】
その後は、電圧Ｖａｕに対応する行電極と列電極間に印加される直流電圧成分を２０Ｖステップで電圧値を低減し、電圧Ｖａｄに対応する行電極と列電極間に印加される直流電圧成分を５Ｖステップで電圧値を低減し、列電極の直流電圧に重畳される交番電圧成分のピークツーピーク間の電圧差Ｖｐの半分値を、直流電圧成分Ｖｄの９割の電圧値としながら反射画像濃度（ＩＤｂ、ＩＤｗ）測定を行い、各駆動電圧に対するコントラスト特性ＤＣ-Ｐ４を算出した。
【０４７１】
各駆動電圧に対する各コントラスト特性を表１２に示す。図６１にはそれをグラフ化したものを示す。
【０４７２】
【表１２】

【０４７３】
本発明における白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群で、評価試験１における評価特性ＤＣ−Ｐ１は、交番電界に対応した粒子の繰り返しの往復運動による効果と考えられる高コントラスト値を発現している。また、本発明における白色表示粒子ＤＷ２と黒色表示粒子ＤＢ２を組み合わせた表示粒子群で、評価試験２における評価特性ＤＣ−Ｐ２はより高いコントラスト値を発現している。
また、本発明における白色表示粒子ＤＷ１と黒色表示粒子ＤＢ１を組み合わせた表示粒子群で、評価試験３における評価特性ＤＣ−Ｐ３もより高いコントラスト値を発現している。さらに、本発明における白色表示粒子ＤＷ２と黒色表示粒子ＤＢ２を組み合わせた表示粒子群で、評価試験４における評価特性ＤＣ−Ｐ４はさらに高いコントラスト値を発現している。
【０４７４】
本発明について実施例を含む特定の実施形態に基づいて説明したが、これらの実施形態はあくまでも例示であって、本発明はこれらの実施形態によって限定されるものではない。上記実施形態に示した本発明に係る画像表示方法及びその方法に用いられる画像表示素子の各構成要素は、必ずしも全てが必須ではなく、少なくとも本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜取捨選択することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０４７５】
本発明に係る画像表示方法及びその方法に用いられる画像表示素子は、電子ブック、電子新聞等の情報伝達媒体、デジタルサイネージ、電子黒板等のメッセンジャーボード、ＩＣカード等上の表示部およびその表示方法などに好適に用いられる。
【符号の説明】
【０４７６】
１ 画像表示装置
２ 表面シート
３ 背面シート
４ 間隙
５ 表示粒子群
７ 隔壁
８ セル
１０ 画像表示素子
１１ 表面基板
１２ 列電極
１３ 誘電体膜
２１ 背面基板
２２ 行電極
２３ 誘電体膜
３１ 樹脂ドライフィルム
３２ 露光マスク
９１ 着色樹脂粒子
９４ 分散ノズル
９５ 熱風発生装置
９６ 熱風
１１１ 粒子輸送配管
１１２ 熱風用配管
１１３ 分散衝突板

【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された少なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、当該基板間に封入された互いに帯電極性の異なる、且つ互いに光学的反射濃度の異なる少なくとも２種類の表示粒子を含む表示粒子群とを備えた画像表示素子において、前記基板間に電界を印加して前記表示粒子群を移動させることにより画像表示を行う画像表示方法であって、
前記基板間における書込み対象の画素に対し、正または負の書込み用の直流電圧を印加する書込みステップを有し、
前記書込みステップの間の少なくとも一部において、前記基板間に交互電界を形成する交番電圧成分が前記直流電圧に重畳されることを特徴とする画像表示方法。
【請求項２】
前記交番電圧成分における最終パルスは、前記直流電圧の絶対値を減ずる方向に作用し、
前記最終パルスの後に、前記直流電圧のみが所定時間印加されることを特徴とする請求項１に記載の画像表示方法。
【請求項３】
前記交番電圧成分における複数のパルスの振幅は、画像書込み開始から増大し、最大値に到達した後に減衰することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像表示方法。
【請求項４】
前記交番電圧成分では、前記書込みステップの開始側において、各パルスのピーク値までの立ち上がり速度が当該ピーク値からの立ち下がり速度よりも小さく設定される一方、前記書込みステップの終了側において、各パルスのピーク値までの立ち上がり速度が当該ピーク値からの立ち下がり速度よりも大きく設定されたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の画像表示方法。
【請求項５】
前記書込みステップにおいて、前記表示粒子の移動による書込みを阻害する側に前記直流電圧の値が少なくとも一時的に変化することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の画像表示方法。
【請求項６】
前記直流電圧は、その絶対値が最大値に到達した後、前記書込みを阻害する側に一定の割合で変化するスロープ状の波形を有することを特徴とする請求項５に記載の画像表示方法。
【請求項７】
前記直流電圧の最大電圧値をＶｄ、前記交番電圧成分の波形のピークツーピークの電圧差をＶｐとし、次式の関係を満たすことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の画像表示方法。
Ｖｄ≦Ｖｐ≦３×Ｖｄ
【請求項８】
前記直流電圧が印加される全期間をＴｄ、前記交番電圧成分が前記直流電圧に重畳される時間をＴｐとし、次式の関係を満たすことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の画像表示方法。
０．２×Ｔｄ≦Ｔｐ≦Ｔｄ
【請求項９】
前記書込みステップにおいて、立ち上がり時間が１ｍｓ〜５００ｍｓの範囲で設定されたスロープ状の波形を有する直流電圧が印加されることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の画像表示方法。
【請求項１０】
前記書込みステップにおいて、立ち下がり時間が１ｍｓ〜５００ｍｓの範囲で設定されたスロープ状の波形を有する直流電圧が印加されることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の画像表示方法。
【請求項１１】
対向配置された少なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、当該基板間に封入された互いに帯電極性の異なる、且つ互いに光学的反射濃度の異なる少なくとも２種類の表示粒子を含む表示粒子群とを備えた画像表示素子において、前記基板間に電界を印加して前記表示粒子群を移動させることにより画像表示を行う画像表示方法であって、
極性反転を伴わない一方向極性の複数の電圧パルスを前記基板間に間欠的に印加する画像初期化ステップと、
前記基板間に書込み用の電圧を印加する書込みステップと
を有することを特徴とする画像表示方法。
【請求項１２】
前記複数の電圧パルスの印加時間は、前記書込み用の電圧を印加する時間の２〜１００倍の範囲内であることを特徴とする請求項１１に記載の画像表示方法。
【請求項１３】
前記画像初期化ステップにおいて、複数の電圧パルスを含むと共に、立ち上がり時間または立ち下がり時間の少なくとも一方が１ｍｓ〜５００ｍｓの範囲で設定されたスロープ状の波形を有する電圧が印加されることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の画像表示方法。
【請求項１４】
前記画像初期化ステップにおいて、前記複数の電圧パルスの印加前に、周波数が１００Ｈｚ〜１ｋＨｚの範囲内にあり、波形のピークツーピークの電圧差が５０〜３００Ｖの範囲内にある双方向極性の交番電圧を印加することを特徴とする請求項１１から請求項１３のいずれかに記載の画像表示方法。
【請求項１５】
双方向極性の交番電圧の０Ｖとピーク間の電圧差をＶｒａ、前記一方向極性の電圧パルスの最大印加電圧値をＶｒｐとし、次式の関係を満たすことを特徴とする請求項１４に記載の画像表示方法。
Ｖｒｐ≦Ｖｒａ≦２×Ｖｒｐ
【請求項１６】
対向配置された少なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、当該基板間に封入された互いに帯電極性の異なる、且つ互いに光学的反射濃度の異なる少なくとも２種類の表示粒子を含む表示粒子群とを備えた画像表示素子において、前記基板間に電界を印加して前記表示粒子群を移動させることにより画像表示を行う画像表示方法であって、
前記基板間に書込み用の電圧を印加する書込みステップを有し、
前記書込みステップにおいて、非書込み対象の画素に印加される電圧は、立ち下がり時間が１ｍｓ〜５００ｍｓの範囲で設定され、あるいは、書込み対象の画素に印加される電圧は、立ち上がり時間が１ｍｓ〜５００ｍｓの範囲で設定されたことを特徴とする画像表示方法。
【請求項１７】
前記書込み用の電圧は、一方向極性の複数の電圧パルス成分を含み、立ち下がり時または立ち下がり時において各電圧パルスの振幅が一定の割合で増加または減少することを特徴とする請求項１６に記載の画像表示方法。
【請求項１８】
請求項１から請求項１７のいずれかに記載の画像表示方法に用いられる画像表示素子。
【請求項１９】
前記表示粒子は、少なくとも結着樹脂及び顔料を含む着色樹脂粒子を球形化処理した粒子であることを特徴とする請求項１８に記載の画像表示素子。
【請求項２０】
前記表示粒子は、少なくとも結着樹脂及び顔料を含む着色樹脂粒子と、平均粒径が８０ｎｍ〜５００ｎｍの微粒子を含むことを特徴とする請求項１８または請求項１９に記載の画像表示素子。
【請求項２１】
前記微粒子は、少なくとも炭素数６〜１８のアルキル基を有するアルキルトリアルコキシシランまたはアルキルシラザンで表面処理を施された無機微粒子であることを特徴とする請求項２０に記載の画像表示素子。
【請求項２２】
前記微粒子は、少なくとも炭素数６〜１８のアルキル基を有するアルキルトリアルコキシシランまたはアルキルシラザンと、アミン系カップリング剤とによって表面処理された無機微粒子であることを特徴とする請求項２０に記載の画像表示素子。
【請求項２３】
前記表示粒子は、平均粒径３ｎｍ〜１４ｎｍである第２の無機微粒子をさらに含むことを特徴とする請求項１８から請求項２２のいずれかに記載の画像表示素子。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【図３８】

【図３９】

【図４０】

【図４１】

【図４２】

【図４３】

【図４４】

【図４５】

【図４６】

【図４７】

【図４８】

【図４９】

【図５０】

【図５１】

【図５２】

【図５３】

【図５４】

【図５５】

【図５６】

【図５７】

【図５８】

【図５９】

【図６０】

【図６１】

【公開番号】特開２０１３−２４９２４（Ｐ２０１３−２４９２４Ａ）
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１５６８３０（Ｐ２０１１−１５６８３０）
【出願日】平成２３年７月１５日（２０１１．７．１５）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】