画像表示装置の駆動方法
【課題】画像表示装置において、温度特性に起因する発光輝度の変動を改善すること。
【解決手段】有機発光素子ＯＬＥＤ、有機発光素子ＯＬＥＤに電気的に接続され、有機発光素子ＯＬＥＤの発光を制御する駆動トランジスタＴｄ、および駆動トランジスタＴｄに一端側が電気的に接続される容量Ｃｓを有する複数の画素回路と、該画素回路周辺の環境温度を測定する温度センサと、を備えた画像表示装置を準備するステップと、画像信号を容量Ｃｓに供給した後に、温度センサの測定結果に基づいた補正信号を容量Ｃｓに供給するステップと、容量Ｃｓに供給された画像信号および補正信号に基づいて有機発光素子ＯＬＥＤを発光させるステップと、を含む。
【解決手段】有機発光素子ＯＬＥＤ、有機発光素子ＯＬＥＤに電気的に接続され、有機発光素子ＯＬＥＤの発光を制御する駆動トランジスタＴｄ、および駆動トランジスタＴｄに一端側が電気的に接続される容量Ｃｓを有する複数の画素回路と、該画素回路周辺の環境温度を測定する温度センサと、を備えた画像表示装置を準備するステップと、画像信号を容量Ｃｓに供給した後に、温度センサの測定結果に基づいた補正信号を容量Ｃｓに供給するステップと、容量Ｃｓに供給された画像信号および補正信号に基づいて有機発光素子ＯＬＥＤを発光させるステップと、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置の駆動方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、発光層に注入された正孔と電子とが発光再結合することによって光を生じる機能を有する電流発光型の有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた画像表示装置が提案されている。
【０００３】
この種の画像表示装置では、例えばアモルファスシリコンや多結晶シリコン等で形成された薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下「ＴＦＴ」という）や有機ＥＬ素子の一つである有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：以下「ＯＬＥＤ」という）などが各画素を構成しており、各画素に適切な電流値が設定されることにより、各画素の輝度が制御される。
【０００４】
例えば発光素子と、ＴＦＴなどの駆動トランジスタとが直列に配置された画素を複数持つアクティブ・マトリクス型の画像表示装置では、各画素に設けられた駆動トランジスタの閾値電圧のばらつきにより、発光素子に流れる電流値が変化して輝度むらが発生する。この現象を改善するための手法として、例えば駆動トランジスタの閾値電圧を予め検出するとともに、検出した閾値電圧に基づいて発光素子に流れる電流を制御する方式（例えば非特許文献１）や、当該方式に基づく具体的な回路構成（例えば非特許文献２）などが開示されている。
【０００５】
【非特許文献１】Ｒ．Ｍ．Ａ． Ｄａｗｓｏｎ，ｅｔ ａｌ．（１９９８）．Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ ａｎ Ｉｍｐｒｏｖｅｄ Ｐｉｘｅｌ ｆｏｒ ａ Ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ Ａｃｔｉｖｅ−Ｍａｔｒｉｘ Ｏｒｇａｎｉｃ ＬＥＤ Ｄｉｓｐｌａｙ． ＳＩＤ９８ Ｄｉｇｅｓｔ， ｐｐ．１１−１４．
【非特許文献２】Ｓ．Ｏｎｏ ｅｔ ａｌ．（２００３）．Ｐｉｘｅｌ Ｃｉｒｃｕｉｔ ｆｏｒ ａ−Ｓｉ ＡＭ−ＯＬＥＤ．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＩＤＷ ’０３，ｐｐ．２５５−２５８．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記非特許文献などに開示された手法では、画像表示装置を使用する環境の温度変化や、駆動部の発熱などによる温度変化が生じた場合には、その温度変化に起因して表示画像の輝度が変動してしまうという問題点があった。
【０００７】
一方、このような温度変化をパラメータにして、階調に対する書き込み電圧の関係を表すデータ（ガンマデータ）を予め保持するとともに、温度変化に起因する表示画像の輝度変動を当該ガンマデータに基づいて調整することも考えられる。
【０００８】
しかしながら、このような手法では、上記ガンマデータを測定温度単位（例えば１℃刻み）で持つ必要があり、保持すべきデータが膨大になり、輝度調整が複雑化するという問題点があった。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、温度変化に起因して生ずる表示画像の輝度変動の改善を簡易に実現することができる画像表示装置の駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかる画像表示装置の駆動方法は、発光素子、前記発光素子に電気的に接続され、前記発光素子の発光を制御するドライバ素子、および前記ドライバ素子に一端側が電気的に接続される容量素子を有する複数の画素回路と、該画素回路周辺の環境温度を測定する温度測定素子と、を備えた画像表示装置を準備するステップと、画像信号を前記容量素子に供給した後に、前記温度測定素子の測定結果に基づいた補正信号を前記容量素子に供給するステップと、前記容量素子に供給された前記画像信号および前記補正信号に基づいて前記発光素子を発光させるステップと、を含むことを特徴とする。
【００１１】
また、つぎの発明にかかる画像表示装置の駆動方法は、発光素子、前記発光素子に電気的に接続され、前記発光素子の発光を制御するドライバ素子、および前記ドライバ素子に一端側が電気的に接続される容量素子を有する複数の画素回路と、該画素回路周辺の環境温度を測定する温度測定素子と、を備えた画像表示装置を準備するステップと、画像信号を前記容量素子に供給する前に、前記温度測定素子の測定結果に基づいた補正信号を前記容量素子に供給するステップと、前記容量素子に供給された前記画像信号および前記補正信号に基づいて前記発光素子を発光させるステップと、を含むことを特徴とする。
【００１２】
また、つぎの発明にかかる画像表示装置の駆動方法は、上記の発明において、前記補正信号は、前記温度測定素子が測定した測定温度に応じて値が可変することを特徴とする。
【００１３】
また、つぎの発明にかかる画像表示装置の駆動方法は、上記の発明において、前記画像信号および前記補正信号は前記容量素子の他端側より供給され、前記補正信号は、前記温度測定素子が測定した測定温度が基準温度よりも低い場合には、前記容量素子の前記他端側の電位を上昇させ、前記温度測定素子が測定した測定温度が基準温度よりも高い場合には、前記容量素子の前記他端側の電位を降下させることを特徴とする。
【００１４】
また、つぎの発明にかかる画像表示装置の駆動方法は、上記の発明において、前記画像信号および前記補正信号は前記容量素子の他端側より供給され、前記補正信号は、前記温度測定素子が測定した測定温度が基準温度よりも低い場合には、前記容量素子の前記他端側の電位を降下させ、前記温度測定素子が測定した測定温度が基準温度よりも高い場合には、前記容量素子の前記他端側の電位を上昇させることを特徴とする。
【００１５】
また、つぎの発明にかかる画像表示装置の駆動方法は、上記の発明において、前記補正信号の値は、前記画像信号の値に依存しないことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明にかかる画像表示装置の駆動方法によれば、画像信号とは別に温度変化に起因して生ずる表示画像の輝度変動に応じた補正信号を画素回路に供給することにより、発光素子の輝度調整を行なっていることから、かかる輝度調整を全階調において共通的に改善することができる。その結果、温度特性に起因する発光輝度の変動を簡易に改善することができるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明の画像表示装置の駆動方法にかかる好適な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に示す実施の形態により本発明が限定されるものではない。
【００１８】
（実施の形態１）
図１は、携帯情報端末などの表示部に適用される画像表示装置の概略構成を示す図であり、この画像表示装置の主要部の概略配置を図示している。
【００１９】
図１に示す画像表示装置は、マトリックス状に配置される複数の画素から成る発光部１（表示部）を有し、ガラス等を組成とする素子基板２と、ガラス等を組成とし、発光部１の表面を覆うように素子基板２に対向して設けられた封止基板３と、素子基板２と封止基板３との間に配置され、発光部１を取り囲み、素子基板２と封止基板３とを接合（接着）するためのシール材である封止材４と、を備えて構成される。
【００２０】
素子基板２は、その上面の発光部１を構成する各画素内に有機ＥＬ素子（通常、ＲＧＢ３色の有機ＥＬ素子が存在する）を有している。さらに、素子基板２の上面のうち、発光部１以外の領域には、有機ＥＬ素子を駆動するための駆動ＩＣ５と、発光部１を構成する有機ＥＬ素子の温度−輝度特性にかかるデータ（以下「温度／輝度特性データ」と表記）を記憶保持する、例えばＥＥＰＲＯＭである記憶部６と、が備えられている。
【００２１】
また、素子基板２の周辺部（素子基板２上でも可）には、サーミスタ等の温度センサ８が設けられる。温度センサ８は、現在の使用環境における温度（環境温度）を検知し、当該環境温度を駆動ＩＣ５に伝達する。駆動ＩＣ５は、温度センサ８から伝達された環境温度と記憶部６に記憶保持された温度／輝度特性データとに基づいて補正信号が決定され、該補正信号を画素回路に供給することにより、有機ＥＬ素子の発光輝度を調整する。
【００２２】
図２は、有機ＥＬ素子の発光輝度にかかる温度特性の一例を示す図であり、環境温度（横軸）の変化に対する有機ＥＬ素子の発光輝度（縦軸）の変化を白表示に対してプロットしたものである。同図に示すように、１℃あたり２〜３ｃｄ／ｍ2程度の輝度変化が生じていることが理解できる。
【００２３】
図３−１、図３−２は、本発明にかかる画像表示装置の駆動方法の概念を図２に対応するグラフ上に示した図である。これらの各図の縦軸は有機ＥＬ素子の発光輝度、横軸は環境温度である。図３−１、図３−２において、太線で表す基準輝度Ｋ１は、目標とする発光輝度レベルを示している。本例では、この基準輝度Ｋ１を、常温（２５℃）における有機ＥＬ素子の輝度レベル（約１４０ｃｄ／ｍ2）に設定している。
【００２４】
ここで、図３−１は、測定温度が基準温度より低いときの制御の概念を示している。同図に示すように、温度センサ８が測定した測定温度が基準温度より低いときには、有機ＥＬ素子の発光輝度を増加させる制御を行なう。また、発光輝度の増加量は、測定温度と基準温度との差が小さくなるに従って小さくするように制御する。
【００２５】
また、図３−２は、測定温度が基準温度より高いときの制御の概念を示している。同図に示すように、温度センサ８が測定した測定温度が基準温度より高いときには、有機ＥＬ素子の発光輝度を減少させる制御を行なう。また、発光輝度の減少量は、測定温度と基準温度との差が小さくなるに従って小さくするように制御する。
【００２６】
図４は、例えば図１に示した画像表示装置の発光部に設けられる画素回路（１画素）の構成を示す図である。同図に示す画素回路は、マトリックス状に配列されており、各画素回路は、有機ＥＬ素子の一つである有機発光素子ＯＬＥＤ、駆動トランジスタＴｄ、閾値電圧検出用トランジスタＴｓおよび閾値電圧（Ｖｔｈ）や画像信号電位を保持する容量Ｃｓを備えるように構成されている。
【００２７】
図４において、駆動トランジスタＴｄは、ゲート電極・ソース電極間に与えられる電位差に応じて有機発光素子ＯＬＥＤに流れる電流量を制御するためのドライバ素子である。また、閾値電圧検出用トランジスタＴｓは、オン状態となったときに、駆動トランジスタＴｄのゲート電極とドレイン電極とを電気的に接続することにより、駆動トランジスタＴｄのゲート電極からドレイン電極に向かって電流を流し、駆動トランジスタＴｄのゲート電極・ソース電極間の電位差を駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈに近づけ、結果的に、駆動トランジスタＴｄのゲート電極・ソース電極間の電位差を閾値電圧Ｖｔｈに近づけるもしくは閾値電圧Ｖｔｈとする機能（以下、「Ｖｔｈ検出機能」という）を有している。
【００２８】
有機発光素子ＯＬＥＤは、両端に閾値電圧以上の電位差（アノード−カソード間電圧）が生じることにより電流が流れ、発光する特性を有する素子である。具体的な構造や機能として、有機発光素子ＯＬＥＤは、Ａｌ、Ｃｕ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等によって形成されたアノード層およびカソード層と、アノード層とカソード層との間にフタルシアニン、トリスアルミニウム錯体、ベンゾキノリノラト、ベリリウム錯体等の有機系の材料によって形成された発光層とを少なくとも備えた構造を有し、発光層に注入された正孔と電子とが発光再結合することによって光を生じる機能を有する。
【００２９】
駆動トランジスタＴｄおよび閾値電圧検出用トランジスタＴｓは、例えば、薄膜トランジスタである。なお、以下に参照される各図面において、各薄膜トランジスタのチャネル（Ｎ型またはＰ型）については、Ｎ型、Ｐ型のいずれのタイプを用いてもよいが、本実施形態ではＮ型を用いるものとする。
【００３０】
第１電源線１１および第２電源線１２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤや駆動トランジスタＴｄに電圧を供給するためのものであり、供給電圧は可変可能となっている。走査線１３は、閾値電圧検出用トランジスタＴｓを制御するための信号を供給する。画像信号線１４は、有機発光素子ＯＬＥＤの発光輝度に対応する画像信号を容量Ｃｓに供給する。
【００３１】
つぎに、図４に示す画素回路の動作について、図５〜図１１を参照して説明する。ここで、図５は、図４に示した画素回路の動作を説明するためのシーケンス図であり、図１に示した駆動ＩＣ５の制御下で行われる。また、図６〜図１１は、図５において区分された６つの期間であるＣｓリセット期間（図６）、準備期間（図７）、Ｖｔｈ検出期間（図８）、書き込み期間（図９）、Ｃｏｌｅｄリセット期間（図１０）および発光期間（図１１）の各区間の動作を説明するための図である。なお、図６〜図１１において、有機発光素子ＯＬＥＤに並列に接続されるＣｏｌｅｄは、有機発光素子ＯＬＥＤが固有に有している素子容量である。
【００３２】
（Ｃｓリセット期間）
Ｃｓリセット期間の動作については、図５および図６を参照して説明する。Ｃｓリセット期間では、第１電源線１１が高電位（ＶＤＤ）、第２電源線１２が高電位（ＶＤＤ）、走査線１３が高電位（ＶｇＨ）、画像信号線１４がゼロ電位（ＧＮＤ）とされる。これにより、図５に示すように、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオン、駆動トランジスタＴｄがオフとされ、第１電源線１１→有機発光素子ＯＬＥＤ→閾値電圧検出用トランジスタＴｓ→容量Ｃｓという経路で電流が流れ、容量Ｃｓが充電されることにより、容量Ｃｓの電荷がリセットされる。なお、このＣｓリセット期間で容量Ｃｓを充電する理由は、容量Ｃｓに書き込まれている１フレーム前の画像信号電位をリセットするためである。
【００３３】
ここで、駆動トランジスタＴｄのゲート（Ａ点）および駆動トランジスタＴｄのドレイン（Ｂ点）の各電位をＶａ，Ｖｂとするとき、このＣｓリセット期間開始直後およびＣｓリセット期間終了時におけるＶａ，Ｖｂは、つぎのように表すことができる。なお、有機発光素子ＯＬＥＤの両端の電圧をＶｏｌｅｄとする。
【００３４】
・Ｃｓリセット期間の開始直後
Va=VDD+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
Vb=VDD-Voled
…（１）
・Ｃｓリセット期間の終了時
Va=Vb=VDD
…（２）
【００３５】
なお、実際のトランジスタには、一般的にゲート・ソース間およびゲート・ドレイン間に寄生容量が存在し、駆動トランジスタＴｄのゲート（Ａ点）、ドレイン（Ｂ点）の各電位は、これらの寄生容量の影響を若干受ける。しかしながら、本発明にかかる画像表示装置の駆動方法を説明する上で、これらの寄生容量の影響は無視することができる。そこで、上記式およびこれ以降に示す式においては、トランジスタに存在する寄生容量を含まない式を提示する。
【００３６】
（準備期間）
準備期間の動作については、図５および図７を参照して説明する。準備期間では、第１電源線１１がマイナス電位（−ＶＥ）、第２電源線１２がゼロ電位（ＧＮＤ）、走査線１３が低電位（ＶｇＬ）、画像信号線１４が高電位（ＶｇＨ）とされる。これにより、図７に示すように、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオフ、駆動トランジスタＴｄがオンとされ、第２電源線１２→駆動トランジスタＴｄ→素子容量Ｃｏｌｅｄという経路で電流が流れ、素子容量Ｃｏｌｅｄに電荷が蓄積される。なお、この準備期間で素子容量Ｃｏｌｅｄに電荷を蓄積する理由は、後述するＶｔｈ検出期間に駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧を閾値電圧に近づける際に、素子容量Ｃｏｌｅｄを駆動トランジスタＴｄのドレイン・ソース間に流す電流の供給源として作用させるためである。
【００３７】
なお、Ｃｓリセット期間と同様に、この準備期間における開始直後および終了時におけるＶａ，Ｖｂを示すと、以下のように表すことができる。
【００３８】
・準備期間の開始直後
Va=VDD+VdH
Vb=-VE
…（３）
・準備期間の終了時
Va=VDD+VdH
Vb=GND
…（４）
【００３９】
（Ｖｔｈ検出期間）
つぎに、Ｖｔｈ検出期間の動作について図５および図８を参照して説明する。Ｖｔｈ検出期間では、第１電源線１１がゼロ電位（ＧＮＤ）、走査線１３が高電位（ＶｇＨ）とされる。一方で、画像信号線１４が高電位（ＶｄＨ）に、第２電源線１２がゼロ電位（ＧＮＤ）に維持される。これにより、図８に示すように、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオンとなり、駆動トランジスタＴｄのゲートとドレインとが接続される。
【００４０】
また、容量Ｃｓおよび素子容量Ｃｏｌｅｄに蓄積されていた電荷が放電され、容量Ｃｓ→閾値電圧検出用トランジスタＴｓ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２および素子容量Ｃｏｌｅｄ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２という経路で電流が流れる。そして、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈに達すると、駆動トランジスタＴｄがオフとされるため、結果的に、駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈが検出される。
【００４１】
また、Ｖｔｈ検出期間の開始直後および終了時におけるＶａ，Ｖｂは、以下のとおりである。
【００４２】
・Ｖｔｈ検出期間の開始直後
Va=VDD+VdH
Vb=GND
…（５）
・Ｖｔｈ検出期間の終了時
Va=Vb=Vth
…（６）
【００４３】
（書き込み期間）
さらに、書き込み期間の動作について図５および図９を参照して説明する。書き込み期間では、画像信号電位（−Ｖｄａｔａ）を容量Ｃｓに反映させることにより、駆動トランジスタＴｄのゲート電位を所望電位に変化させることが行われる。より詳細には、第１電源線１１がゼロ電位（ＧＮＤ）に、第２電源線１２がゼロ電位（ＧＮＤ）にそれぞれ維持される。また、画像信号線１４は、Ｖｔｈ検出期間時の印加電位（ＶｄＨ）から画像信号電位（Ｖｄａｔａ）を差し引いた分の電位（ＶｄＨ−Ｖｄａｔａ）とされ、走査線１３は、書き込み期間内の所定期間において、高電位（ＶｇＨ）とされる。
【００４４】
これにより、図９に示したように、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオン、素子容量Ｃｏｌｅｄに蓄積された電荷が放電され、素子容量Ｃｏｌｅｄ→閾値電圧検出用トランジスタＴｓ→容量Ｃｓという経路で電流が流れる。すなわち、素子容量Ｃｏｌｅｄに蓄積されていた電荷が容量Ｃｓに移動する。この結果、容量Ｃｓには、画像信号電位（Ｖｄａｔａ）に基づいて決定される所定の電荷が蓄積される。
【００４５】
また、書き込み期間の開始直後および終了時におけるＶａ，Ｖｂは、以下のとおりである。
【００４６】
・書き込み期間の開始直後
Va=Vth-Vdata
Vb=Vth
…（７）
・書き込み期間の終了時
Va=Vb=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
…（８）
【００４７】
なお、書き込み期間では、容量Ｃｓと素子容量Ｃｏｌｅｄとが直列に接続されるので、容量Ｃｓの一端（駆動トランジスタＴｄのゲートに接続される端）の電位（すなわちＡ点）の低下量は、画像信号線１４の電位低下量Ｖｄａｔａとはならず、上式のように容量Ｃｓと素子容量Ｃｏｌｅｄとの容量比の影響を受ける。
【００４８】
（Ｃｏｌｅｄリセット期間）
Ｃｏｌｅｄリセット期間の動作については、図５および図１０を参照して説明する。Ｃｏｌｅｄリセット期間では、第１電源線１１がマイナス電位（−ＶＥ）、第２電源線１２もマイナス電位（−ＶＥ）とされる。一方、走査線１３が低電位（ＶｇＬ）に、画像信号線１４が高電位（ＶｄＨ）に維持される。このとき、図１０に示すように、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオフ、駆動トランジスタＴｄがオンとされ、有機発光素子ＯＬＥＤ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２という経路で電流が流れ、素子容量Ｃｏｌｅｄに残存する電荷が放電される。なお、このＣｏｌｅｄリセット期間に素子容量Ｃｏｌｅｄの電荷を放電する理由は、素子容量Ｃｏｌｅｄの残存電荷による発光への影響を回避するためである。
【００４９】
また、Ｃｏｌｅｄリセット期間の開始直後および終了時におけるＶａ，Ｖｂは、以下のとおりである。
【００５０】
・Ｃｏｌｅｄリセット期間の開始直後
Va=Vb=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
…（９）
・Ｃｏｌｅｄリセット期間の終了時
Va=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
Vb=-VE
…（１０）
【００５１】
なお、Ｃｏｌｅｄリセット期間では、Ａ点とＢ点とが電気的に非接続の状態で第１電源線１１の電位がＶｄａｔａだけ上昇するので、ＶａのみがＶｄａｔａ上昇し、Ｖｂは駆動トランジスタＴｄの導通により、第２電源線１２と同電位になる。
【００５２】
（発光期間）
最後に、発光期間の動作について図５および図１１を参照して説明する。発光期間では、第１電源線１１が高電位（ＶＤＤ）、第２電源線１２がゼロ高電位（ＧＮＤ）とされる。一方、走査線１３が低電位（ＶｇＬ）に、画像信号線１４が高電位（ＶｄＨ）に維持される。これにより、図１１に示したように、駆動トランジスタＴｄのオン、閾値電圧検出用トランジスタＴｓのオフが継続されるとともに、有機発光素子ＯＬＥＤに順バイアスの電圧が印加されるので、有機発光素子ＯＬＥＤ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２という経路で電流が流れ、有機発光素子ＯＬＥＤが発光する。
【００５３】
また、発光期間におけるＶａ，Ｖｂは、以下のとおりである。
・発光期間の開始直後および終了時
Va=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
Vb=VDD-Voled
…（１１）
【００５４】
図４に示した画素回路の一般的な動作は、上述のとおりである。つぎに、本発明の実施の形態１にかかる制御手法について説明する。ここで、図１２は、本発明の実施の形態１にかかる制御手法を図４に示す画素回路に適用した場合のシーケンス図である。
【００５５】
図１２において、図５に示したシーケンスとの相違点は、書き込み期間とＣｏｌｅｄリセット期間との間に温度補償期間を設けることにある。書込み期間後に温度補償期間を設ける場合は、環境温度が基準温度（例えば常温である２５℃）よりも高いと、有機ＥＬ素子の発光輝度を下げるために画像信号線１４の電位を下げる必要がある。このため、ΔＶの値は正の値をとり、環境温度と基準温度との差が大きくなるにつれてΔＶの値が大きくなる。
【００５６】
一方、環境温度が基準温度（例えば常温である２５℃）よりも低い場合は、有機ＥＬ素子の発光輝度を上げるために画像信号線１４の電位を上げる必要がある。このため、ΔＶの値は負の値をとり、環境温度と基準温度との差が大きくなるにつれてΔＶの値が小さくなる（ΔＶの絶対値は大きくなる）。本実施形態においては、環境温度が基準温度よりも高い場合を想定し、この温度補償期間では、図１２に示すように、有機ＥＬ素子の発光輝度を下げるために画像信号線１４の電位をΔＶ（ΔＶ＞０）だけ降下する制御を行っている。なお、この温度補償期間の動作によって、発光輝度を低下させる補償が可能となる。
【００５７】
つぎに、実施の形態１の制御シーケンスに基づく動作について説明する。なお、Ｃｓリセット期間〜書き込み期間に至るまでの動作は、上述の内容と同一であり、その説明を省略する。
【００５８】
（温度補償期間）
まず、温度補償期間に移行する直前の状態は、図９に示した書き込み期間終了時の状態に一致する。なお、このときのＡ点の電位（Ｖａ）およびＢ点の電位（Ｖｂ）は、以下に示すように上記（８）式のとおりである。
【００５９】
・書き込み期間終了時の電位
Va=Vb=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
…（８）（再掲）
【００６０】
一方、温度補償期間では、図１２に示すように、画像信号線１４にＶｄＨ−ΔＶの電位が印加される。ΔＶが補正信号電位に対応する。一方、走査線の電位はＶｇＬであり、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオフの状態が継続される。したがって、温度補償期間の開始直後におけるＡ点の電位（Ｖａ１）およびＢ点の電位（Ｖｂ１）は、次式で表される。
【００６１】
・温度補償期間開始直後の電位
Va1=Va-ΔV= Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata-ΔV
Vb1=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
…（１２）
なお、これらの電位は温度補償期間終了時にも維持される。すなわち、上記（１２）式と同一式で表される。
・温度補償期間終了時の電位
Va1=Va-ΔV= Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata-ΔV
Vb1=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
…（１３）
【００６２】
なお、ΔＶの値は、温度センサ８によって測定される環境温度によって可変する。かかるΔＶの値は、予め記憶部６に複数記憶されており、温度センサ８によって測定された環境温度と記憶部６に記憶された温度／輝度データに基づいて適切なΔＶの値が駆動ＩＣ５によって選択される。そして選択されたΔＶが所定のタイミングで画像信号線１４に供給される。この補正信号は、有機ＥＬ素子の階調には依存しない値を採用するため、補正信号を決定するために必要なデータが複雑化することを良好に防止している。
【００６３】
（Ｃｏｌｅｄリセット期間）
Ｃｏｌｅｄリセット期間では、第１電源線１１がマイナス電位（−ＶＥ）、第２電源線１２もマイナス電位（−ＶＥ）とされる。一方、走査線１３が低電位（ＶｇＬ）に、画像信号線１４が高電位（ＶｄＨ−ΔＶ）にそれぞれ維持される。したがって、Ｃｏｌｅｄリセット期間の開始直後および終了時におけるＡ点の電位（Ｖａ１）およびＢ点の電位（Ｖｂ１）は、次式で表される。
【００６４】
・Ｃｏｌｅｄリセット期間の開始直後
Va1=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata-ΔV
Vb1=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
…（１４）
・Ｃｏｌｅｄリセット期間の終了時
Va1=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata-ΔV
Vb1=-VE
…（１５）
【００６５】
（発光期間）
発光期間では、第１電源線１１が高電位（ＶＤＤ）、第２電源線１２がゼロ高電位（ＧＮＤ）とされる。一方、走査線１３が低電位（ＶｇＬ）に、画像信号線１４が高電位（ＶｄＨ−ΔＶ）にそれぞれ維持される。したがって、発光期間におけるＡ点の電位（Ｖａ１）およびＢ点の電位（Ｖｂ１）は、次式で表される。
【００６６】
・発光期間の開始直後および終了時
Va1=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata-ΔV
Vb1=VDD-Voled
…（１６）
【００６７】
ここで、図５に示すシーケンスに基づいて制御する場合の発光期間におけるＡ点（駆動トランジスタＴｄのゲート）の電位（上記（１１）式参照）と、図１２に示すシーケンスに基づいて制御する場合の発光期間におけるＡ点の電位（上記（１６）式参照）とを比較する。まず、（１６）式で示したＶａ１と（１１）式で示したＶａとの偏差δＶ１を算出すると、次式のようになる。
【００６８】
δV1=Va1-Va
=[Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata-ΔV]
-[Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata]
=-ΔV
…（１７）
【００６９】
このδＶ１が示す意味は、つぎのように説明することができる。すなわち、図１２に示すシーケンスでは、書き込み期間とＣｏｌｅｄリセット期間との間に画像信号線１４の電位をΔＶ（ΔＶ＞０）だけ降下させる温度補償期間を設けるとともに、当該電位を発光期間に至るまで維持するように制御する。その結果、発光期間において、駆動トランジスタＴｄのゲートに印加する電位を降下させることができ、発光期間における発光輝度を低下させることができる。なお、このシーケンスは、上記の説明から明らかなように、画像信号電位Ｖｄａｔａの値に左右されることがないので、各階調毎に補正データを持つ必要がなく、発光輝度の調整を簡易に行うことができる。
【００７０】
ところで、図１２のシーケンスおよび図１０の画素回路からも理解されるように、温度補償期間からＣｏｌｅｄリセット期間にかけて走査線１３は低電位（ＶｇＬ）が維持されているので、閾値電圧検出用トランジスタＴｓはオフを継続する。このため、Ａ点の電位を決定する容量Ｃｓの電荷の逃げ場がないので、Ｃｏｌｅｄリセット期間における画像信号線１４の電位が（ＶｄＨ−ΔＶ）である必要はない。すなわち、Ｃｏｌｅｄリセット期間における画像信号線１４の電位は任意である。
【００７１】
なお、温度補償期間における画像信号線１４の電位低下量ΔＶが比較的大きい場合であり、かつ、温度補償期間における印加電位（ＶｄＨ−ΔＶ）をＣｏｌｅｄリセット期間において維持した場合に、素子容量Ｃｏｌｅｄに蓄積された電荷の放電が不十分になることが懸念される。このような場合には、図５に示す従来シーケンスのように、Ｃｏｌｅｄリセット期間において、画像信号線１４の電位を、例えばＶｄＨに戻す一方で、発光期間において、再度、画像信号線１４の電位をΔＶだけ降下させるような制御を行うことが好ましい。
【００７２】
（実施の形態２）
つぎに、本発明の実施の形態２にかかる制御手法について説明する。図１３は、本発明の実施の形態２にかかる制御手法を図４に示す画素回路に適用した場合のシーケンス図である。
【００７３】
図１３に示すシーケンスは、書き込み期間とＣｏｌｅｄリセット期間との間に画像信号線１４の電位を｜ΔＶ｜（ΔＶ＜０）だけ上昇させる温度補償期間を設けるとともに、当該電位を発光期間に至るまで維持するように制御する点に特徴がある。なお、その他については、図１２に示す実施の形態１にかかるシーケンスと同一または同等であり、その詳細な説明を省略する。
【００７４】
本実施の形態においては、環境温度が基準温度よりも低い。それ故、有機ＥＬ素子の発光輝度を上昇させるべく、温度補償期間において、画像信号線１４の電位をΔＶだけ上昇させる制御を行っている。すなわち、実施形態２におけるΔＶの値は負の値をとっている。その結果、発光期間において、駆動トランジスタＴｄのゲートに印加する電位を上昇させることができ、発光期間における発光輝度を増加することができる。また、このシーケンスは、実施の形態１の場合と同様に、画像信号電位Ｖｄａｔａの値に左右されることがないので、画像信号電位の補正データを持つ必要がなく、発光輝度の調整を簡易に行うことができる。なお、Ｃｏｌｅｄリセット期間における画像信号線１４の電位が任意である点については、実施の形態１と同一である。
【００７５】
（実施の形態３）
つぎに、本発明の実施の形態３にかかる制御手法について説明する。図１４は、本発明の実施の形態３にかかる制御手法を図４に示す画素回路に適用した場合のシーケンス図である。
【００７６】
図１４において、図１２に示した実施の形態１にかかるシーケンスとの相違点は、温度補償期間を書み込み期間前に設けているところにある。具体的には、温度補償期間をＶｔｈ検出期間と書き込み期間との間に設けている。このように書込み期間前に温度補償期間を設ける場合、実施形態１，２とは異なり、環境温度が基準温度（例えば常温である２５℃）よりも高いと、有機ＥＬ素子の発光輝度を下げるために画像信号線１４の電位を上昇させる。一方、環境温度が基準温度（例えば常温である２５℃）よりも低いと、有機ＥＬ素子の発光輝度を上げるために画像信号線１４の電位を下降させる。本実施形態においては、環境温度が基準温度よりも低い場合を想定し、この温度補償期間で、図１４に示すように、有機ＥＬ素子の発光輝度を上げるために画像信号線１４の電位をΔＶ（ΔＶ＞０）だけ降下する制御を行っている。なお、この温度補償期間の動作によって、発光輝度を増加させる補償が可能となる。
【００７７】
つぎに、実施の形態３の制御シーケンスに基づく動作について説明する。なお、Ｃｓリセット期間〜Ｖｔｈ検出期間に至るまでの動作は、従来シーケンスと同一であり、その説明を省略する。
【００７８】
（温度補償期間）
まず、温度補償期間終了時、すなわちＶｔｈ検出期間終了時の状態は、図８に示したＶｔｈ検出期間の終了時の状態に一致する。したがって、温度補償期間終了時の電位はＶｔｈ検出期間終了時の電位と等しくなる。このときのＡ点の電位（Ｖａ２）およびＢ点の電位（Ｖｂ２）は、以下に示すように上記（６）式のとおりである。
【００７９】
・温度補償期間終了時の電位（Ｖｔｈ検出期間終了時の電位）
Va2=Vb2=Vth
…（１８）
【００８０】
一方、温度補償期間では、図１４に示すように、画像信号線１４にＶｄＨ−ΔＶ（ΔＶは補正信号）の電位が印加される。一方、走査線の電位はＶｇＨであり、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオンの状態が継続される。温度補償期間を開始した時には既にＶｔｈ検出が開始されているが、温度補償期間の開始直後におけるＡ点の電位（Ｖａ２）およびＢ点の電位（Ｖｂ２）としたときに、Ｖａ２とＶｂ２がＶｔｈ＋ΔＶよりも大きな電位になっていないと、補正信号電位が画像信号線１４に印加されたときに、Ｖｇｓの値がＶｔｈよりも小さい値となり、Ｖｔｈを正しく検出できなくなってしまうことから、Ｖａ２，Ｖｂ２は、次式の条件を満足している必要がある。
【００８１】
・温度補償期間開始直後の電位
Va2=Vb2≧Vth+ΔV
…（１９）
【００８２】
（書き込み期間）
書き込み期間では、第１電源線１１のゼロ電位（ＧＮＤ）と、第２電源線１２のゼロ電位（ＧＮＤ）とが維持される。一方、画像信号線１４は、Ｖｔｈ検出期間時の印加電位（ＶｄＨ）から画像信号電位（Ｖｄａｔａ）を差し引いた分の電位（ＶｄＨ−Ｖｄａｔａ）とされ、走査線１３は、書き込み期間内の所定期間において、高電位（ＶｇＨ）とされる。
【００８３】
その結果、書き込み期間の開始直後および終了時におけるＡ点の電位（Ｖａ２）およびＢ点の電位（Ｖｂ２）は、次式で表される。
【００８４】
・書き込み期間の開始直後の電位
Va2=Vth-(Vdata-ΔV)=Vth-Vdata+ΔV
Vb2=Vth
…（２０）
・書き込み期間の終了時
Va2=Vb2=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata+Cs/(Coled+Cs)×ΔV
…（２１）
【００８５】
なお、書き込み期間の開始時において、Ｂ点とＡ点との間の電位差（Ｖｂ２−Ｖａ２）は、Ｖｔｈ−（Ｖｔｈ−Ｖｄａｔａ+ΔＶ）＝Ｖｄａｔａ−ΔＶであり、この電位差が書き込み時に印加される点に注意が必要である。
【００８６】
（Ｃｏｌｅｄリセット期間）
Ｃｏｌｅｄリセット期間では、第１電源線１１がマイナス電位（−ＶＥ）、第２電源線１２もマイナス電位（−ＶＥ）とされる。一方、走査線１３が低電位（ＶｇＬ）に、画像信号線１４が高電位（ＶｄＨ）にそれぞれ維持される。したがって、Ｃｏｌｅｄリセット期間の開始直後および終了時におけるＡ点の電位（Ｖａ２）およびＢ点の電位（Ｖｂ２）は、次式で表される。
【００８７】
・Ｃｏｌｅｄリセット期間の開始直後
Va2=Vb2=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata+Cs/(Coled+Cs)×ΔV
…（２２）
・Ｃｏｌｅｄリセット期間の終了時
Va2=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata+Cs/(Coled+Cs)×ΔV
Vb2=-VE
…（２３）
【００８８】
（発光期間）
発光期間では、第１電源線１１が高電位（ＶＤＤ）、第２電源線１２がゼロ高電位（ＧＮＤ）とされる。一方、走査線１３が低電位（ＶｇＬ）に、画像信号線１４が高電位（ＶｄＨ−ΔＶ）にそれぞれ維持される。したがって、発光期間におけるＡ点の電位（Ｖａ２）およびＢ点の電位（Ｖｂ２）は、次式で表される。
【００８９】
・発光期間の開始直後および終了時
Va2=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata+Cs/(Coled+Cs)×ΔV
Vb2=VDD-Voled
…（２４）
【００９０】
ここで、図５に示すシーケンスに基づいて制御する場合の発光期間におけるＡ点（駆動トランジスタＴｄのゲート）の電位（上記（１１）式参照）と、図１４に示すシーケンスに基づいて制御する場合の発光期間におけるＡ点の電位（上記（２４）式参照）とを比較する。まず、（２４）式で示したＶａ２と（１１）式で示したＶａとの偏差δＶ２を算出すると、次式のようになる。
【００９１】
δV2=Va2-Va
=[Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata+Cs/(Coled+Cs)×ΔV]
-[Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata]
=Cs/(Coled+Cs)×ΔV
…（２５）
【００９２】
このδＶ２が示す意味は、つぎのように説明することができる。すなわち、図１４に示すシーケンスでは、Ｖｔｈ検出期間と書き込み期間との間に画像信号線１４の電位を通常の電位（ＶｄＨ）から−ΔＶだけ降下させる温度補償期間を設ける。その結果、発光期間において、駆動トランジスタＴｄのゲートに印加する電位を、（２５）式で示される電位量だけ実質的に上昇させることができ、発光期間における発光輝度を増大することができる。なお、この補正信号は、上記の説明から明らかなように、画像信号電位Ｖｄａｔａの値に左右されることがないので、各階調毎の補正データを持つ必要がなく、発光輝度の調整を簡易に行うことができる。
【００９３】
（実施の形態４）
つぎに、本発明の実施の形態４にかかる制御手法について説明する。図１５は、本発明の実施の形態４にかかる制御手法を図４に示す画素回路に適用した場合のシーケンス図である。
【００９４】
本実施形態においては、環境温度が基準温度よりも高い場合を想定し、図１５に示すように、Ｖｔｈ検出期間と書き込み期間との間に画像信号線１４の電位を｜ΔＶ｜（ΔＶ＜０）だけ上昇させる温度補償期間を設ける点に特徴がある。なお、その他については、図１４に示す実施の形態３にかかるシーケンスと同一または同等であり、その詳細な説明を省略する。
【００９５】
上述のように、本実施の形態にかかるシーケンスでは、温度補償期間において、画像信号線１４の電位を｜ΔＶ｜だけ上昇させる制御を行っているので、発光期間において、駆動トランジスタＴｄのゲートに印加する電位を実質的に降下させることができ、発光期間における発光輝度を低下することができる。また、このシーケンスは、実施の形態３の場合と同様に、画像信号電位Ｖｄａｔａの値に左右されることがないので、画像信号電位の補正データを持つ必要がなく、発光輝度の調整を簡易に行うことができる。
【００９６】
ところで、上記の説明では、図１２〜図１５に示すような制御シーケンスを図４に示す構成の画素回路に適用する場合について説明してきたが、本発明は、図４に示す画素回路以外でも当然に適用が可能である。
【００９７】
例えば、図４に示す画素回路は閾値電圧を検出する機能を有する画素回路として構成されているが、閾値電圧を検出する機能を有さない場合についても、本発明を適用することができる。
【００９８】
また、図４に示す画素回路は駆動トランジスタを含むトランジスタの数が２つの場合を一例として説明したが、トランジスタの数が３つの場合もしくは４つの場合、またはそれ以上の場合についても、本発明を適用することができる。
【００９９】
肝要な点は、補正信号を画素回路に供給することにより、駆動トランジスタＴｄにおけるゲート電位を可変することができる回路構成となっていればよい。
【０１００】
つぎに、実際の測定結果について説明する。
【０１０１】
図１６は、書き込み期間後に温度補償期間を設けた場合の輝度変化の測定結果を示す図である。図１７は、書き込み期間前に温度補償期間を設けた場合の輝度変化の測定結果を示す図である。図１６，１７において、縦軸は発光素子の白色発光輝度、横軸は温度補償期間に画像信号線に供給される補正信号（ΔＶ）の電位を示す。発光素子の白色発光輝度は、赤色発光素子（Ｒ）、緑色発光素子（Ｇ）、青色発光素子（Ｂ）の光によって構成された白色光の輝度を示す。なお、縦軸の値は、ΔＶ＝０Ｖである場合の発光素子の白色発光輝度を１としたときの輝度値として示している。また、図１６において、ΔＶ＝０Ｖの時の発光素子の白色発光輝度は１１０ｃｄ／ｍ2、図１７においては、ΔＶ＝０Ｖの時の発光素子の白色発光輝度は２５０ｃｄ／ｍ2である。また、図１６および図１７の双方の場合において、ＶｄＨの値はＲＧＢ共通で１０Ｖであり、Ｖｄａｔａの値はＲで１０Ｖ，Ｇで７．５Ｖ、Ｂで８．９Ｖである。図１６、図１７に示すように、ΔＶの電位を上下することにより、発光輝度をほぼリニアに可変することが理解できる。
【０１０２】
つぎに、上述の実施の形態１〜４にかかる駆動方法について、書き込み時の画像信号線の電位を変化させる駆動方法との間でその優位性を比較する。ここで、図１８−１は、環境温度が２５℃の場合の階調に対する書き込み電位を示す図であり、図１８−２は、環境温度が４０℃の場合の階調に対する書き込み電位を示す図である。図１８−１、図１８−２は縦軸が書込み期間における画像信号線の電位、横軸が階調を示す。
【０１０３】
上記のような環境温度が２５℃の場合と４０℃の場合とを比較して見ても明らかように、階調に対する書き込み電圧は環境温度によってかなり変化する。したがって、画像表示装置の輝度をある程度以上の精度で制御するためには、環境温度の測定刻みを、細かく（例えば１℃刻み等）行わなければならない。この場合、例えば図１８−１に示す１枚の補正カーブであっても、階調ごとの書き込み電位の値を保持しなければならない上、さらに１℃刻みごとのデータを保持することになると、これらの補正データだけでも膨大な量のデータとなる。
【０１０４】
これに対して、実施の形態１〜４にかかる駆動方法では、画像信号線の電位を上昇または降下させる変化量は、全ての階調で共通となるため、保持すべきデータ量が削減できるという効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
以上のように、本発明にかかる画像表示装置の駆動方法は、画素回路における発光輝度の温度特性改善に大きく寄与することができる発明として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】携帯情報端末などの表示部に適用される画像表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】有機ＥＬ素子の発光輝度にかかる温度特性の一例を示す図である。
【図３−１】本発明にかかる画像表示装置の駆動方法の概念（測定温度＜基準温度）を示す図である。
【図３−２】本発明にかかる画像表示装置の駆動方法の概念（測定温度＞基準温度）を示す図である。
【図４】図１に示した画像表示装置の発光部に設けられる画素回路（１画素）の構成を示す図である。
【図５】図４に示した画素回路の一般的な動作を説明するためのシーケンス図である。
【図６】図５に示すシーケンスのＣｓリセット期間における動作を説明する図である。
【図７】図５に示すシーケンスの準備期間における動作を説明する図である。
【図８】図５に示すシーケンスのＶｔｈ検出期間における動作を説明する図である。
【図９】図５に示すシーケンスの書き込み期間における動作を説明する図である。
【図１０】図５に示すシーケンスのＣｏｌｅｄリセット期間における動作を説明する図である。
【図１１】図５に示すシーケンスの発光期間における動作を説明する図である。
【図１２】本発明の実施の形態１にかかる制御手法を図４に示す画素回路に適用した場合のシーケンス図である。
【図１３】本発明の実施の形態２にかかる制御手法を図４に示す画素回路に適用した場合のシーケンス図である。
【図１４】本発明の実施の形態３にかかる制御手法を図４に示す画素回路に適用した場合のシーケンス図である。
【図１５】本発明の実施の形態４にかかる制御手法を図４に示す画素回路に適用した場合のシーケンス図である。
【図１６】書き込み期間後に温度補償期間を設けた場合の輝度変化の測定結果を示す図である。
【図１７】書き込み期間前に温度保補償期間を設けた場合の輝度変化の測定結果を示す図である。
【図１８−１】環境温度が２５℃の場合の階調に対する書き込み電位を示す図である。
【図１８−２】環境温度が４０℃の場合の階調に対する書き込み電位を示す図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１ 発光部
２ 素子基板
３ 封止基板
４ 封止材
５ 駆動ＩＣ
６ 記憶部
８ 温度センサ
１１ 第１電源線
１２ 第２電源線
１３ 走査線
１４ 画像信号線
ＯＬＥＤ 有機発光素子
Ｃｏｌｅｄ 素子容量
Ｃｓ 容量
Ｔｄ 駆動トランジスタ
Ｔｓ 閾値電圧検出用トランジスタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置の駆動方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、発光層に注入された正孔と電子とが発光再結合することによって光を生じる機能を有する電流発光型の有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた画像表示装置が提案されている。
【０００３】
この種の画像表示装置では、例えばアモルファスシリコンや多結晶シリコン等で形成された薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下「ＴＦＴ」という）や有機ＥＬ素子の一つである有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：以下「ＯＬＥＤ」という）などが各画素を構成しており、各画素に適切な電流値が設定されることにより、各画素の輝度が制御される。
【０００４】
例えば発光素子と、ＴＦＴなどの駆動トランジスタとが直列に配置された画素を複数持つアクティブ・マトリクス型の画像表示装置では、各画素に設けられた駆動トランジスタの閾値電圧のばらつきにより、発光素子に流れる電流値が変化して輝度むらが発生する。この現象を改善するための手法として、例えば駆動トランジスタの閾値電圧を予め検出するとともに、検出した閾値電圧に基づいて発光素子に流れる電流を制御する方式（例えば非特許文献１）や、当該方式に基づく具体的な回路構成（例えば非特許文献２）などが開示されている。
【０００５】
【非特許文献１】Ｒ．Ｍ．Ａ． Ｄａｗｓｏｎ，ｅｔ ａｌ．（１９９８）．Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ ａｎ Ｉｍｐｒｏｖｅｄ Ｐｉｘｅｌ ｆｏｒ ａ Ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ Ａｃｔｉｖｅ−Ｍａｔｒｉｘ Ｏｒｇａｎｉｃ ＬＥＤ Ｄｉｓｐｌａｙ． ＳＩＤ９８ Ｄｉｇｅｓｔ， ｐｐ．１１−１４．
【非特許文献２】Ｓ．Ｏｎｏ ｅｔ ａｌ．（２００３）．Ｐｉｘｅｌ Ｃｉｒｃｕｉｔ ｆｏｒ ａ−Ｓｉ ＡＭ−ＯＬＥＤ．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＩＤＷ ’０３，ｐｐ．２５５−２５８．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記非特許文献などに開示された手法では、画像表示装置を使用する環境の温度変化や、駆動部の発熱などによる温度変化が生じた場合には、その温度変化に起因して表示画像の輝度が変動してしまうという問題点があった。
【０００７】
一方、このような温度変化をパラメータにして、階調に対する書き込み電圧の関係を表すデータ（ガンマデータ）を予め保持するとともに、温度変化に起因する表示画像の輝度変動を当該ガンマデータに基づいて調整することも考えられる。
【０００８】
しかしながら、このような手法では、上記ガンマデータを測定温度単位（例えば１℃刻み）で持つ必要があり、保持すべきデータが膨大になり、輝度調整が複雑化するという問題点があった。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、温度変化に起因して生ずる表示画像の輝度変動の改善を簡易に実現することができる画像表示装置の駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかる画像表示装置の駆動方法は、発光素子、前記発光素子に電気的に接続され、前記発光素子の発光を制御するドライバ素子、および前記ドライバ素子に一端側が電気的に接続される容量素子を有する複数の画素回路と、該画素回路周辺の環境温度を測定する温度測定素子と、を備えた画像表示装置を準備するステップと、画像信号を前記容量素子に供給した後に、前記温度測定素子の測定結果に基づいた補正信号を前記容量素子に供給するステップと、前記容量素子に供給された前記画像信号および前記補正信号に基づいて前記発光素子を発光させるステップと、を含むことを特徴とする。
【００１１】
また、つぎの発明にかかる画像表示装置の駆動方法は、発光素子、前記発光素子に電気的に接続され、前記発光素子の発光を制御するドライバ素子、および前記ドライバ素子に一端側が電気的に接続される容量素子を有する複数の画素回路と、該画素回路周辺の環境温度を測定する温度測定素子と、を備えた画像表示装置を準備するステップと、画像信号を前記容量素子に供給する前に、前記温度測定素子の測定結果に基づいた補正信号を前記容量素子に供給するステップと、前記容量素子に供給された前記画像信号および前記補正信号に基づいて前記発光素子を発光させるステップと、を含むことを特徴とする。
【００１２】
また、つぎの発明にかかる画像表示装置の駆動方法は、上記の発明において、前記補正信号は、前記温度測定素子が測定した測定温度に応じて値が可変することを特徴とする。
【００１３】
また、つぎの発明にかかる画像表示装置の駆動方法は、上記の発明において、前記画像信号および前記補正信号は前記容量素子の他端側より供給され、前記補正信号は、前記温度測定素子が測定した測定温度が基準温度よりも低い場合には、前記容量素子の前記他端側の電位を上昇させ、前記温度測定素子が測定した測定温度が基準温度よりも高い場合には、前記容量素子の前記他端側の電位を降下させることを特徴とする。
【００１４】
また、つぎの発明にかかる画像表示装置の駆動方法は、上記の発明において、前記画像信号および前記補正信号は前記容量素子の他端側より供給され、前記補正信号は、前記温度測定素子が測定した測定温度が基準温度よりも低い場合には、前記容量素子の前記他端側の電位を降下させ、前記温度測定素子が測定した測定温度が基準温度よりも高い場合には、前記容量素子の前記他端側の電位を上昇させることを特徴とする。
【００１５】
また、つぎの発明にかかる画像表示装置の駆動方法は、上記の発明において、前記補正信号の値は、前記画像信号の値に依存しないことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明にかかる画像表示装置の駆動方法によれば、画像信号とは別に温度変化に起因して生ずる表示画像の輝度変動に応じた補正信号を画素回路に供給することにより、発光素子の輝度調整を行なっていることから、かかる輝度調整を全階調において共通的に改善することができる。その結果、温度特性に起因する発光輝度の変動を簡易に改善することができるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明の画像表示装置の駆動方法にかかる好適な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に示す実施の形態により本発明が限定されるものではない。
【００１８】
（実施の形態１）
図１は、携帯情報端末などの表示部に適用される画像表示装置の概略構成を示す図であり、この画像表示装置の主要部の概略配置を図示している。
【００１９】
図１に示す画像表示装置は、マトリックス状に配置される複数の画素から成る発光部１（表示部）を有し、ガラス等を組成とする素子基板２と、ガラス等を組成とし、発光部１の表面を覆うように素子基板２に対向して設けられた封止基板３と、素子基板２と封止基板３との間に配置され、発光部１を取り囲み、素子基板２と封止基板３とを接合（接着）するためのシール材である封止材４と、を備えて構成される。
【００２０】
素子基板２は、その上面の発光部１を構成する各画素内に有機ＥＬ素子（通常、ＲＧＢ３色の有機ＥＬ素子が存在する）を有している。さらに、素子基板２の上面のうち、発光部１以外の領域には、有機ＥＬ素子を駆動するための駆動ＩＣ５と、発光部１を構成する有機ＥＬ素子の温度−輝度特性にかかるデータ（以下「温度／輝度特性データ」と表記）を記憶保持する、例えばＥＥＰＲＯＭである記憶部６と、が備えられている。
【００２１】
また、素子基板２の周辺部（素子基板２上でも可）には、サーミスタ等の温度センサ８が設けられる。温度センサ８は、現在の使用環境における温度（環境温度）を検知し、当該環境温度を駆動ＩＣ５に伝達する。駆動ＩＣ５は、温度センサ８から伝達された環境温度と記憶部６に記憶保持された温度／輝度特性データとに基づいて補正信号が決定され、該補正信号を画素回路に供給することにより、有機ＥＬ素子の発光輝度を調整する。
【００２２】
図２は、有機ＥＬ素子の発光輝度にかかる温度特性の一例を示す図であり、環境温度（横軸）の変化に対する有機ＥＬ素子の発光輝度（縦軸）の変化を白表示に対してプロットしたものである。同図に示すように、１℃あたり２〜３ｃｄ／ｍ2程度の輝度変化が生じていることが理解できる。
【００２３】
図３−１、図３−２は、本発明にかかる画像表示装置の駆動方法の概念を図２に対応するグラフ上に示した図である。これらの各図の縦軸は有機ＥＬ素子の発光輝度、横軸は環境温度である。図３−１、図３−２において、太線で表す基準輝度Ｋ１は、目標とする発光輝度レベルを示している。本例では、この基準輝度Ｋ１を、常温（２５℃）における有機ＥＬ素子の輝度レベル（約１４０ｃｄ／ｍ2）に設定している。
【００２４】
ここで、図３−１は、測定温度が基準温度より低いときの制御の概念を示している。同図に示すように、温度センサ８が測定した測定温度が基準温度より低いときには、有機ＥＬ素子の発光輝度を増加させる制御を行なう。また、発光輝度の増加量は、測定温度と基準温度との差が小さくなるに従って小さくするように制御する。
【００２５】
また、図３−２は、測定温度が基準温度より高いときの制御の概念を示している。同図に示すように、温度センサ８が測定した測定温度が基準温度より高いときには、有機ＥＬ素子の発光輝度を減少させる制御を行なう。また、発光輝度の減少量は、測定温度と基準温度との差が小さくなるに従って小さくするように制御する。
【００２６】
図４は、例えば図１に示した画像表示装置の発光部に設けられる画素回路（１画素）の構成を示す図である。同図に示す画素回路は、マトリックス状に配列されており、各画素回路は、有機ＥＬ素子の一つである有機発光素子ＯＬＥＤ、駆動トランジスタＴｄ、閾値電圧検出用トランジスタＴｓおよび閾値電圧（Ｖｔｈ）や画像信号電位を保持する容量Ｃｓを備えるように構成されている。
【００２７】
図４において、駆動トランジスタＴｄは、ゲート電極・ソース電極間に与えられる電位差に応じて有機発光素子ＯＬＥＤに流れる電流量を制御するためのドライバ素子である。また、閾値電圧検出用トランジスタＴｓは、オン状態となったときに、駆動トランジスタＴｄのゲート電極とドレイン電極とを電気的に接続することにより、駆動トランジスタＴｄのゲート電極からドレイン電極に向かって電流を流し、駆動トランジスタＴｄのゲート電極・ソース電極間の電位差を駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈに近づけ、結果的に、駆動トランジスタＴｄのゲート電極・ソース電極間の電位差を閾値電圧Ｖｔｈに近づけるもしくは閾値電圧Ｖｔｈとする機能（以下、「Ｖｔｈ検出機能」という）を有している。
【００２８】
有機発光素子ＯＬＥＤは、両端に閾値電圧以上の電位差（アノード−カソード間電圧）が生じることにより電流が流れ、発光する特性を有する素子である。具体的な構造や機能として、有機発光素子ＯＬＥＤは、Ａｌ、Ｃｕ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等によって形成されたアノード層およびカソード層と、アノード層とカソード層との間にフタルシアニン、トリスアルミニウム錯体、ベンゾキノリノラト、ベリリウム錯体等の有機系の材料によって形成された発光層とを少なくとも備えた構造を有し、発光層に注入された正孔と電子とが発光再結合することによって光を生じる機能を有する。
【００２９】
駆動トランジスタＴｄおよび閾値電圧検出用トランジスタＴｓは、例えば、薄膜トランジスタである。なお、以下に参照される各図面において、各薄膜トランジスタのチャネル（Ｎ型またはＰ型）については、Ｎ型、Ｐ型のいずれのタイプを用いてもよいが、本実施形態ではＮ型を用いるものとする。
【００３０】
第１電源線１１および第２電源線１２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤや駆動トランジスタＴｄに電圧を供給するためのものであり、供給電圧は可変可能となっている。走査線１３は、閾値電圧検出用トランジスタＴｓを制御するための信号を供給する。画像信号線１４は、有機発光素子ＯＬＥＤの発光輝度に対応する画像信号を容量Ｃｓに供給する。
【００３１】
つぎに、図４に示す画素回路の動作について、図５〜図１１を参照して説明する。ここで、図５は、図４に示した画素回路の動作を説明するためのシーケンス図であり、図１に示した駆動ＩＣ５の制御下で行われる。また、図６〜図１１は、図５において区分された６つの期間であるＣｓリセット期間（図６）、準備期間（図７）、Ｖｔｈ検出期間（図８）、書き込み期間（図９）、Ｃｏｌｅｄリセット期間（図１０）および発光期間（図１１）の各区間の動作を説明するための図である。なお、図６〜図１１において、有機発光素子ＯＬＥＤに並列に接続されるＣｏｌｅｄは、有機発光素子ＯＬＥＤが固有に有している素子容量である。
【００３２】
（Ｃｓリセット期間）
Ｃｓリセット期間の動作については、図５および図６を参照して説明する。Ｃｓリセット期間では、第１電源線１１が高電位（ＶＤＤ）、第２電源線１２が高電位（ＶＤＤ）、走査線１３が高電位（ＶｇＨ）、画像信号線１４がゼロ電位（ＧＮＤ）とされる。これにより、図５に示すように、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオン、駆動トランジスタＴｄがオフとされ、第１電源線１１→有機発光素子ＯＬＥＤ→閾値電圧検出用トランジスタＴｓ→容量Ｃｓという経路で電流が流れ、容量Ｃｓが充電されることにより、容量Ｃｓの電荷がリセットされる。なお、このＣｓリセット期間で容量Ｃｓを充電する理由は、容量Ｃｓに書き込まれている１フレーム前の画像信号電位をリセットするためである。
【００３３】
ここで、駆動トランジスタＴｄのゲート（Ａ点）および駆動トランジスタＴｄのドレイン（Ｂ点）の各電位をＶａ，Ｖｂとするとき、このＣｓリセット期間開始直後およびＣｓリセット期間終了時におけるＶａ，Ｖｂは、つぎのように表すことができる。なお、有機発光素子ＯＬＥＤの両端の電圧をＶｏｌｅｄとする。
【００３４】
・Ｃｓリセット期間の開始直後
Va=VDD+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
Vb=VDD-Voled
…（１）
・Ｃｓリセット期間の終了時
Va=Vb=VDD
…（２）
【００３５】
なお、実際のトランジスタには、一般的にゲート・ソース間およびゲート・ドレイン間に寄生容量が存在し、駆動トランジスタＴｄのゲート（Ａ点）、ドレイン（Ｂ点）の各電位は、これらの寄生容量の影響を若干受ける。しかしながら、本発明にかかる画像表示装置の駆動方法を説明する上で、これらの寄生容量の影響は無視することができる。そこで、上記式およびこれ以降に示す式においては、トランジスタに存在する寄生容量を含まない式を提示する。
【００３６】
（準備期間）
準備期間の動作については、図５および図７を参照して説明する。準備期間では、第１電源線１１がマイナス電位（−ＶＥ）、第２電源線１２がゼロ電位（ＧＮＤ）、走査線１３が低電位（ＶｇＬ）、画像信号線１４が高電位（ＶｇＨ）とされる。これにより、図７に示すように、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオフ、駆動トランジスタＴｄがオンとされ、第２電源線１２→駆動トランジスタＴｄ→素子容量Ｃｏｌｅｄという経路で電流が流れ、素子容量Ｃｏｌｅｄに電荷が蓄積される。なお、この準備期間で素子容量Ｃｏｌｅｄに電荷を蓄積する理由は、後述するＶｔｈ検出期間に駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧を閾値電圧に近づける際に、素子容量Ｃｏｌｅｄを駆動トランジスタＴｄのドレイン・ソース間に流す電流の供給源として作用させるためである。
【００３７】
なお、Ｃｓリセット期間と同様に、この準備期間における開始直後および終了時におけるＶａ，Ｖｂを示すと、以下のように表すことができる。
【００３８】
・準備期間の開始直後
Va=VDD+VdH
Vb=-VE
…（３）
・準備期間の終了時
Va=VDD+VdH
Vb=GND
…（４）
【００３９】
（Ｖｔｈ検出期間）
つぎに、Ｖｔｈ検出期間の動作について図５および図８を参照して説明する。Ｖｔｈ検出期間では、第１電源線１１がゼロ電位（ＧＮＤ）、走査線１３が高電位（ＶｇＨ）とされる。一方で、画像信号線１４が高電位（ＶｄＨ）に、第２電源線１２がゼロ電位（ＧＮＤ）に維持される。これにより、図８に示すように、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオンとなり、駆動トランジスタＴｄのゲートとドレインとが接続される。
【００４０】
また、容量Ｃｓおよび素子容量Ｃｏｌｅｄに蓄積されていた電荷が放電され、容量Ｃｓ→閾値電圧検出用トランジスタＴｓ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２および素子容量Ｃｏｌｅｄ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２という経路で電流が流れる。そして、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈに達すると、駆動トランジスタＴｄがオフとされるため、結果的に、駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈが検出される。
【００４１】
また、Ｖｔｈ検出期間の開始直後および終了時におけるＶａ，Ｖｂは、以下のとおりである。
【００４２】
・Ｖｔｈ検出期間の開始直後
Va=VDD+VdH
Vb=GND
…（５）
・Ｖｔｈ検出期間の終了時
Va=Vb=Vth
…（６）
【００４３】
（書き込み期間）
さらに、書き込み期間の動作について図５および図９を参照して説明する。書き込み期間では、画像信号電位（−Ｖｄａｔａ）を容量Ｃｓに反映させることにより、駆動トランジスタＴｄのゲート電位を所望電位に変化させることが行われる。より詳細には、第１電源線１１がゼロ電位（ＧＮＤ）に、第２電源線１２がゼロ電位（ＧＮＤ）にそれぞれ維持される。また、画像信号線１４は、Ｖｔｈ検出期間時の印加電位（ＶｄＨ）から画像信号電位（Ｖｄａｔａ）を差し引いた分の電位（ＶｄＨ−Ｖｄａｔａ）とされ、走査線１３は、書き込み期間内の所定期間において、高電位（ＶｇＨ）とされる。
【００４４】
これにより、図９に示したように、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオン、素子容量Ｃｏｌｅｄに蓄積された電荷が放電され、素子容量Ｃｏｌｅｄ→閾値電圧検出用トランジスタＴｓ→容量Ｃｓという経路で電流が流れる。すなわち、素子容量Ｃｏｌｅｄに蓄積されていた電荷が容量Ｃｓに移動する。この結果、容量Ｃｓには、画像信号電位（Ｖｄａｔａ）に基づいて決定される所定の電荷が蓄積される。
【００４５】
また、書き込み期間の開始直後および終了時におけるＶａ，Ｖｂは、以下のとおりである。
【００４６】
・書き込み期間の開始直後
Va=Vth-Vdata
Vb=Vth
…（７）
・書き込み期間の終了時
Va=Vb=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
…（８）
【００４７】
なお、書き込み期間では、容量Ｃｓと素子容量Ｃｏｌｅｄとが直列に接続されるので、容量Ｃｓの一端（駆動トランジスタＴｄのゲートに接続される端）の電位（すなわちＡ点）の低下量は、画像信号線１４の電位低下量Ｖｄａｔａとはならず、上式のように容量Ｃｓと素子容量Ｃｏｌｅｄとの容量比の影響を受ける。
【００４８】
（Ｃｏｌｅｄリセット期間）
Ｃｏｌｅｄリセット期間の動作については、図５および図１０を参照して説明する。Ｃｏｌｅｄリセット期間では、第１電源線１１がマイナス電位（−ＶＥ）、第２電源線１２もマイナス電位（−ＶＥ）とされる。一方、走査線１３が低電位（ＶｇＬ）に、画像信号線１４が高電位（ＶｄＨ）に維持される。このとき、図１０に示すように、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオフ、駆動トランジスタＴｄがオンとされ、有機発光素子ＯＬＥＤ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２という経路で電流が流れ、素子容量Ｃｏｌｅｄに残存する電荷が放電される。なお、このＣｏｌｅｄリセット期間に素子容量Ｃｏｌｅｄの電荷を放電する理由は、素子容量Ｃｏｌｅｄの残存電荷による発光への影響を回避するためである。
【００４９】
また、Ｃｏｌｅｄリセット期間の開始直後および終了時におけるＶａ，Ｖｂは、以下のとおりである。
【００５０】
・Ｃｏｌｅｄリセット期間の開始直後
Va=Vb=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
…（９）
・Ｃｏｌｅｄリセット期間の終了時
Va=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
Vb=-VE
…（１０）
【００５１】
なお、Ｃｏｌｅｄリセット期間では、Ａ点とＢ点とが電気的に非接続の状態で第１電源線１１の電位がＶｄａｔａだけ上昇するので、ＶａのみがＶｄａｔａ上昇し、Ｖｂは駆動トランジスタＴｄの導通により、第２電源線１２と同電位になる。
【００５２】
（発光期間）
最後に、発光期間の動作について図５および図１１を参照して説明する。発光期間では、第１電源線１１が高電位（ＶＤＤ）、第２電源線１２がゼロ高電位（ＧＮＤ）とされる。一方、走査線１３が低電位（ＶｇＬ）に、画像信号線１４が高電位（ＶｄＨ）に維持される。これにより、図１１に示したように、駆動トランジスタＴｄのオン、閾値電圧検出用トランジスタＴｓのオフが継続されるとともに、有機発光素子ＯＬＥＤに順バイアスの電圧が印加されるので、有機発光素子ＯＬＥＤ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２という経路で電流が流れ、有機発光素子ＯＬＥＤが発光する。
【００５３】
また、発光期間におけるＶａ，Ｖｂは、以下のとおりである。
・発光期間の開始直後および終了時
Va=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
Vb=VDD-Voled
…（１１）
【００５４】
図４に示した画素回路の一般的な動作は、上述のとおりである。つぎに、本発明の実施の形態１にかかる制御手法について説明する。ここで、図１２は、本発明の実施の形態１にかかる制御手法を図４に示す画素回路に適用した場合のシーケンス図である。
【００５５】
図１２において、図５に示したシーケンスとの相違点は、書き込み期間とＣｏｌｅｄリセット期間との間に温度補償期間を設けることにある。書込み期間後に温度補償期間を設ける場合は、環境温度が基準温度（例えば常温である２５℃）よりも高いと、有機ＥＬ素子の発光輝度を下げるために画像信号線１４の電位を下げる必要がある。このため、ΔＶの値は正の値をとり、環境温度と基準温度との差が大きくなるにつれてΔＶの値が大きくなる。
【００５６】
一方、環境温度が基準温度（例えば常温である２５℃）よりも低い場合は、有機ＥＬ素子の発光輝度を上げるために画像信号線１４の電位を上げる必要がある。このため、ΔＶの値は負の値をとり、環境温度と基準温度との差が大きくなるにつれてΔＶの値が小さくなる（ΔＶの絶対値は大きくなる）。本実施形態においては、環境温度が基準温度よりも高い場合を想定し、この温度補償期間では、図１２に示すように、有機ＥＬ素子の発光輝度を下げるために画像信号線１４の電位をΔＶ（ΔＶ＞０）だけ降下する制御を行っている。なお、この温度補償期間の動作によって、発光輝度を低下させる補償が可能となる。
【００５７】
つぎに、実施の形態１の制御シーケンスに基づく動作について説明する。なお、Ｃｓリセット期間〜書き込み期間に至るまでの動作は、上述の内容と同一であり、その説明を省略する。
【００５８】
（温度補償期間）
まず、温度補償期間に移行する直前の状態は、図９に示した書き込み期間終了時の状態に一致する。なお、このときのＡ点の電位（Ｖａ）およびＢ点の電位（Ｖｂ）は、以下に示すように上記（８）式のとおりである。
【００５９】
・書き込み期間終了時の電位
Va=Vb=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
…（８）（再掲）
【００６０】
一方、温度補償期間では、図１２に示すように、画像信号線１４にＶｄＨ−ΔＶの電位が印加される。ΔＶが補正信号電位に対応する。一方、走査線の電位はＶｇＬであり、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオフの状態が継続される。したがって、温度補償期間の開始直後におけるＡ点の電位（Ｖａ１）およびＢ点の電位（Ｖｂ１）は、次式で表される。
【００６１】
・温度補償期間開始直後の電位
Va1=Va-ΔV= Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata-ΔV
Vb1=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
…（１２）
なお、これらの電位は温度補償期間終了時にも維持される。すなわち、上記（１２）式と同一式で表される。
・温度補償期間終了時の電位
Va1=Va-ΔV= Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata-ΔV
Vb1=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
…（１３）
【００６２】
なお、ΔＶの値は、温度センサ８によって測定される環境温度によって可変する。かかるΔＶの値は、予め記憶部６に複数記憶されており、温度センサ８によって測定された環境温度と記憶部６に記憶された温度／輝度データに基づいて適切なΔＶの値が駆動ＩＣ５によって選択される。そして選択されたΔＶが所定のタイミングで画像信号線１４に供給される。この補正信号は、有機ＥＬ素子の階調には依存しない値を採用するため、補正信号を決定するために必要なデータが複雑化することを良好に防止している。
【００６３】
（Ｃｏｌｅｄリセット期間）
Ｃｏｌｅｄリセット期間では、第１電源線１１がマイナス電位（−ＶＥ）、第２電源線１２もマイナス電位（−ＶＥ）とされる。一方、走査線１３が低電位（ＶｇＬ）に、画像信号線１４が高電位（ＶｄＨ−ΔＶ）にそれぞれ維持される。したがって、Ｃｏｌｅｄリセット期間の開始直後および終了時におけるＡ点の電位（Ｖａ１）およびＢ点の電位（Ｖｂ１）は、次式で表される。
【００６４】
・Ｃｏｌｅｄリセット期間の開始直後
Va1=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata-ΔV
Vb1=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
…（１４）
・Ｃｏｌｅｄリセット期間の終了時
Va1=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata-ΔV
Vb1=-VE
…（１５）
【００６５】
（発光期間）
発光期間では、第１電源線１１が高電位（ＶＤＤ）、第２電源線１２がゼロ高電位（ＧＮＤ）とされる。一方、走査線１３が低電位（ＶｇＬ）に、画像信号線１４が高電位（ＶｄＨ−ΔＶ）にそれぞれ維持される。したがって、発光期間におけるＡ点の電位（Ｖａ１）およびＢ点の電位（Ｖｂ１）は、次式で表される。
【００６６】
・発光期間の開始直後および終了時
Va1=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata-ΔV
Vb1=VDD-Voled
…（１６）
【００６７】
ここで、図５に示すシーケンスに基づいて制御する場合の発光期間におけるＡ点（駆動トランジスタＴｄのゲート）の電位（上記（１１）式参照）と、図１２に示すシーケンスに基づいて制御する場合の発光期間におけるＡ点の電位（上記（１６）式参照）とを比較する。まず、（１６）式で示したＶａ１と（１１）式で示したＶａとの偏差δＶ１を算出すると、次式のようになる。
【００６８】
δV1=Va1-Va
=[Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata-ΔV]
-[Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata]
=-ΔV
…（１７）
【００６９】
このδＶ１が示す意味は、つぎのように説明することができる。すなわち、図１２に示すシーケンスでは、書き込み期間とＣｏｌｅｄリセット期間との間に画像信号線１４の電位をΔＶ（ΔＶ＞０）だけ降下させる温度補償期間を設けるとともに、当該電位を発光期間に至るまで維持するように制御する。その結果、発光期間において、駆動トランジスタＴｄのゲートに印加する電位を降下させることができ、発光期間における発光輝度を低下させることができる。なお、このシーケンスは、上記の説明から明らかなように、画像信号電位Ｖｄａｔａの値に左右されることがないので、各階調毎に補正データを持つ必要がなく、発光輝度の調整を簡易に行うことができる。
【００７０】
ところで、図１２のシーケンスおよび図１０の画素回路からも理解されるように、温度補償期間からＣｏｌｅｄリセット期間にかけて走査線１３は低電位（ＶｇＬ）が維持されているので、閾値電圧検出用トランジスタＴｓはオフを継続する。このため、Ａ点の電位を決定する容量Ｃｓの電荷の逃げ場がないので、Ｃｏｌｅｄリセット期間における画像信号線１４の電位が（ＶｄＨ−ΔＶ）である必要はない。すなわち、Ｃｏｌｅｄリセット期間における画像信号線１４の電位は任意である。
【００７１】
なお、温度補償期間における画像信号線１４の電位低下量ΔＶが比較的大きい場合であり、かつ、温度補償期間における印加電位（ＶｄＨ−ΔＶ）をＣｏｌｅｄリセット期間において維持した場合に、素子容量Ｃｏｌｅｄに蓄積された電荷の放電が不十分になることが懸念される。このような場合には、図５に示す従来シーケンスのように、Ｃｏｌｅｄリセット期間において、画像信号線１４の電位を、例えばＶｄＨに戻す一方で、発光期間において、再度、画像信号線１４の電位をΔＶだけ降下させるような制御を行うことが好ましい。
【００７２】
（実施の形態２）
つぎに、本発明の実施の形態２にかかる制御手法について説明する。図１３は、本発明の実施の形態２にかかる制御手法を図４に示す画素回路に適用した場合のシーケンス図である。
【００７３】
図１３に示すシーケンスは、書き込み期間とＣｏｌｅｄリセット期間との間に画像信号線１４の電位を｜ΔＶ｜（ΔＶ＜０）だけ上昇させる温度補償期間を設けるとともに、当該電位を発光期間に至るまで維持するように制御する点に特徴がある。なお、その他については、図１２に示す実施の形態１にかかるシーケンスと同一または同等であり、その詳細な説明を省略する。
【００７４】
本実施の形態においては、環境温度が基準温度よりも低い。それ故、有機ＥＬ素子の発光輝度を上昇させるべく、温度補償期間において、画像信号線１４の電位をΔＶだけ上昇させる制御を行っている。すなわち、実施形態２におけるΔＶの値は負の値をとっている。その結果、発光期間において、駆動トランジスタＴｄのゲートに印加する電位を上昇させることができ、発光期間における発光輝度を増加することができる。また、このシーケンスは、実施の形態１の場合と同様に、画像信号電位Ｖｄａｔａの値に左右されることがないので、画像信号電位の補正データを持つ必要がなく、発光輝度の調整を簡易に行うことができる。なお、Ｃｏｌｅｄリセット期間における画像信号線１４の電位が任意である点については、実施の形態１と同一である。
【００７５】
（実施の形態３）
つぎに、本発明の実施の形態３にかかる制御手法について説明する。図１４は、本発明の実施の形態３にかかる制御手法を図４に示す画素回路に適用した場合のシーケンス図である。
【００７６】
図１４において、図１２に示した実施の形態１にかかるシーケンスとの相違点は、温度補償期間を書み込み期間前に設けているところにある。具体的には、温度補償期間をＶｔｈ検出期間と書き込み期間との間に設けている。このように書込み期間前に温度補償期間を設ける場合、実施形態１，２とは異なり、環境温度が基準温度（例えば常温である２５℃）よりも高いと、有機ＥＬ素子の発光輝度を下げるために画像信号線１４の電位を上昇させる。一方、環境温度が基準温度（例えば常温である２５℃）よりも低いと、有機ＥＬ素子の発光輝度を上げるために画像信号線１４の電位を下降させる。本実施形態においては、環境温度が基準温度よりも低い場合を想定し、この温度補償期間で、図１４に示すように、有機ＥＬ素子の発光輝度を上げるために画像信号線１４の電位をΔＶ（ΔＶ＞０）だけ降下する制御を行っている。なお、この温度補償期間の動作によって、発光輝度を増加させる補償が可能となる。
【００７７】
つぎに、実施の形態３の制御シーケンスに基づく動作について説明する。なお、Ｃｓリセット期間〜Ｖｔｈ検出期間に至るまでの動作は、従来シーケンスと同一であり、その説明を省略する。
【００７８】
（温度補償期間）
まず、温度補償期間終了時、すなわちＶｔｈ検出期間終了時の状態は、図８に示したＶｔｈ検出期間の終了時の状態に一致する。したがって、温度補償期間終了時の電位はＶｔｈ検出期間終了時の電位と等しくなる。このときのＡ点の電位（Ｖａ２）およびＢ点の電位（Ｖｂ２）は、以下に示すように上記（６）式のとおりである。
【００７９】
・温度補償期間終了時の電位（Ｖｔｈ検出期間終了時の電位）
Va2=Vb2=Vth
…（１８）
【００８０】
一方、温度補償期間では、図１４に示すように、画像信号線１４にＶｄＨ−ΔＶ（ΔＶは補正信号）の電位が印加される。一方、走査線の電位はＶｇＨであり、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオンの状態が継続される。温度補償期間を開始した時には既にＶｔｈ検出が開始されているが、温度補償期間の開始直後におけるＡ点の電位（Ｖａ２）およびＢ点の電位（Ｖｂ２）としたときに、Ｖａ２とＶｂ２がＶｔｈ＋ΔＶよりも大きな電位になっていないと、補正信号電位が画像信号線１４に印加されたときに、Ｖｇｓの値がＶｔｈよりも小さい値となり、Ｖｔｈを正しく検出できなくなってしまうことから、Ｖａ２，Ｖｂ２は、次式の条件を満足している必要がある。
【００８１】
・温度補償期間開始直後の電位
Va2=Vb2≧Vth+ΔV
…（１９）
【００８２】
（書き込み期間）
書き込み期間では、第１電源線１１のゼロ電位（ＧＮＤ）と、第２電源線１２のゼロ電位（ＧＮＤ）とが維持される。一方、画像信号線１４は、Ｖｔｈ検出期間時の印加電位（ＶｄＨ）から画像信号電位（Ｖｄａｔａ）を差し引いた分の電位（ＶｄＨ−Ｖｄａｔａ）とされ、走査線１３は、書き込み期間内の所定期間において、高電位（ＶｇＨ）とされる。
【００８３】
その結果、書き込み期間の開始直後および終了時におけるＡ点の電位（Ｖａ２）およびＢ点の電位（Ｖｂ２）は、次式で表される。
【００８４】
・書き込み期間の開始直後の電位
Va2=Vth-(Vdata-ΔV)=Vth-Vdata+ΔV
Vb2=Vth
…（２０）
・書き込み期間の終了時
Va2=Vb2=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata+Cs/(Coled+Cs)×ΔV
…（２１）
【００８５】
なお、書き込み期間の開始時において、Ｂ点とＡ点との間の電位差（Ｖｂ２−Ｖａ２）は、Ｖｔｈ−（Ｖｔｈ−Ｖｄａｔａ+ΔＶ）＝Ｖｄａｔａ−ΔＶであり、この電位差が書き込み時に印加される点に注意が必要である。
【００８６】
（Ｃｏｌｅｄリセット期間）
Ｃｏｌｅｄリセット期間では、第１電源線１１がマイナス電位（−ＶＥ）、第２電源線１２もマイナス電位（−ＶＥ）とされる。一方、走査線１３が低電位（ＶｇＬ）に、画像信号線１４が高電位（ＶｄＨ）にそれぞれ維持される。したがって、Ｃｏｌｅｄリセット期間の開始直後および終了時におけるＡ点の電位（Ｖａ２）およびＢ点の電位（Ｖｂ２）は、次式で表される。
【００８７】
・Ｃｏｌｅｄリセット期間の開始直後
Va2=Vb2=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata+Cs/(Coled+Cs)×ΔV
…（２２）
・Ｃｏｌｅｄリセット期間の終了時
Va2=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata+Cs/(Coled+Cs)×ΔV
Vb2=-VE
…（２３）
【００８８】
（発光期間）
発光期間では、第１電源線１１が高電位（ＶＤＤ）、第２電源線１２がゼロ高電位（ＧＮＤ）とされる。一方、走査線１３が低電位（ＶｇＬ）に、画像信号線１４が高電位（ＶｄＨ−ΔＶ）にそれぞれ維持される。したがって、発光期間におけるＡ点の電位（Ｖａ２）およびＢ点の電位（Ｖｂ２）は、次式で表される。
【００８９】
・発光期間の開始直後および終了時
Va2=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata+Cs/(Coled+Cs)×ΔV
Vb2=VDD-Voled
…（２４）
【００９０】
ここで、図５に示すシーケンスに基づいて制御する場合の発光期間におけるＡ点（駆動トランジスタＴｄのゲート）の電位（上記（１１）式参照）と、図１４に示すシーケンスに基づいて制御する場合の発光期間におけるＡ点の電位（上記（２４）式参照）とを比較する。まず、（２４）式で示したＶａ２と（１１）式で示したＶａとの偏差δＶ２を算出すると、次式のようになる。
【００９１】
δV2=Va2-Va
=[Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata+Cs/(Coled+Cs)×ΔV]
-[Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata]
=Cs/(Coled+Cs)×ΔV
…（２５）
【００９２】
このδＶ２が示す意味は、つぎのように説明することができる。すなわち、図１４に示すシーケンスでは、Ｖｔｈ検出期間と書き込み期間との間に画像信号線１４の電位を通常の電位（ＶｄＨ）から−ΔＶだけ降下させる温度補償期間を設ける。その結果、発光期間において、駆動トランジスタＴｄのゲートに印加する電位を、（２５）式で示される電位量だけ実質的に上昇させることができ、発光期間における発光輝度を増大することができる。なお、この補正信号は、上記の説明から明らかなように、画像信号電位Ｖｄａｔａの値に左右されることがないので、各階調毎の補正データを持つ必要がなく、発光輝度の調整を簡易に行うことができる。
【００９３】
（実施の形態４）
つぎに、本発明の実施の形態４にかかる制御手法について説明する。図１５は、本発明の実施の形態４にかかる制御手法を図４に示す画素回路に適用した場合のシーケンス図である。
【００９４】
本実施形態においては、環境温度が基準温度よりも高い場合を想定し、図１５に示すように、Ｖｔｈ検出期間と書き込み期間との間に画像信号線１４の電位を｜ΔＶ｜（ΔＶ＜０）だけ上昇させる温度補償期間を設ける点に特徴がある。なお、その他については、図１４に示す実施の形態３にかかるシーケンスと同一または同等であり、その詳細な説明を省略する。
【００９５】
上述のように、本実施の形態にかかるシーケンスでは、温度補償期間において、画像信号線１４の電位を｜ΔＶ｜だけ上昇させる制御を行っているので、発光期間において、駆動トランジスタＴｄのゲートに印加する電位を実質的に降下させることができ、発光期間における発光輝度を低下することができる。また、このシーケンスは、実施の形態３の場合と同様に、画像信号電位Ｖｄａｔａの値に左右されることがないので、画像信号電位の補正データを持つ必要がなく、発光輝度の調整を簡易に行うことができる。
【００９６】
ところで、上記の説明では、図１２〜図１５に示すような制御シーケンスを図４に示す構成の画素回路に適用する場合について説明してきたが、本発明は、図４に示す画素回路以外でも当然に適用が可能である。
【００９７】
例えば、図４に示す画素回路は閾値電圧を検出する機能を有する画素回路として構成されているが、閾値電圧を検出する機能を有さない場合についても、本発明を適用することができる。
【００９８】
また、図４に示す画素回路は駆動トランジスタを含むトランジスタの数が２つの場合を一例として説明したが、トランジスタの数が３つの場合もしくは４つの場合、またはそれ以上の場合についても、本発明を適用することができる。
【００９９】
肝要な点は、補正信号を画素回路に供給することにより、駆動トランジスタＴｄにおけるゲート電位を可変することができる回路構成となっていればよい。
【０１００】
つぎに、実際の測定結果について説明する。
【０１０１】
図１６は、書き込み期間後に温度補償期間を設けた場合の輝度変化の測定結果を示す図である。図１７は、書き込み期間前に温度補償期間を設けた場合の輝度変化の測定結果を示す図である。図１６，１７において、縦軸は発光素子の白色発光輝度、横軸は温度補償期間に画像信号線に供給される補正信号（ΔＶ）の電位を示す。発光素子の白色発光輝度は、赤色発光素子（Ｒ）、緑色発光素子（Ｇ）、青色発光素子（Ｂ）の光によって構成された白色光の輝度を示す。なお、縦軸の値は、ΔＶ＝０Ｖである場合の発光素子の白色発光輝度を１としたときの輝度値として示している。また、図１６において、ΔＶ＝０Ｖの時の発光素子の白色発光輝度は１１０ｃｄ／ｍ2、図１７においては、ΔＶ＝０Ｖの時の発光素子の白色発光輝度は２５０ｃｄ／ｍ2である。また、図１６および図１７の双方の場合において、ＶｄＨの値はＲＧＢ共通で１０Ｖであり、Ｖｄａｔａの値はＲで１０Ｖ，Ｇで７．５Ｖ、Ｂで８．９Ｖである。図１６、図１７に示すように、ΔＶの電位を上下することにより、発光輝度をほぼリニアに可変することが理解できる。
【０１０２】
つぎに、上述の実施の形態１〜４にかかる駆動方法について、書き込み時の画像信号線の電位を変化させる駆動方法との間でその優位性を比較する。ここで、図１８−１は、環境温度が２５℃の場合の階調に対する書き込み電位を示す図であり、図１８−２は、環境温度が４０℃の場合の階調に対する書き込み電位を示す図である。図１８−１、図１８−２は縦軸が書込み期間における画像信号線の電位、横軸が階調を示す。
【０１０３】
上記のような環境温度が２５℃の場合と４０℃の場合とを比較して見ても明らかように、階調に対する書き込み電圧は環境温度によってかなり変化する。したがって、画像表示装置の輝度をある程度以上の精度で制御するためには、環境温度の測定刻みを、細かく（例えば１℃刻み等）行わなければならない。この場合、例えば図１８−１に示す１枚の補正カーブであっても、階調ごとの書き込み電位の値を保持しなければならない上、さらに１℃刻みごとのデータを保持することになると、これらの補正データだけでも膨大な量のデータとなる。
【０１０４】
これに対して、実施の形態１〜４にかかる駆動方法では、画像信号線の電位を上昇または降下させる変化量は、全ての階調で共通となるため、保持すべきデータ量が削減できるという効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
以上のように、本発明にかかる画像表示装置の駆動方法は、画素回路における発光輝度の温度特性改善に大きく寄与することができる発明として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】携帯情報端末などの表示部に適用される画像表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】有機ＥＬ素子の発光輝度にかかる温度特性の一例を示す図である。
【図３−１】本発明にかかる画像表示装置の駆動方法の概念（測定温度＜基準温度）を示す図である。
【図３−２】本発明にかかる画像表示装置の駆動方法の概念（測定温度＞基準温度）を示す図である。
【図４】図１に示した画像表示装置の発光部に設けられる画素回路（１画素）の構成を示す図である。
【図５】図４に示した画素回路の一般的な動作を説明するためのシーケンス図である。
【図６】図５に示すシーケンスのＣｓリセット期間における動作を説明する図である。
【図７】図５に示すシーケンスの準備期間における動作を説明する図である。
【図８】図５に示すシーケンスのＶｔｈ検出期間における動作を説明する図である。
【図９】図５に示すシーケンスの書き込み期間における動作を説明する図である。
【図１０】図５に示すシーケンスのＣｏｌｅｄリセット期間における動作を説明する図である。
【図１１】図５に示すシーケンスの発光期間における動作を説明する図である。
【図１２】本発明の実施の形態１にかかる制御手法を図４に示す画素回路に適用した場合のシーケンス図である。
【図１３】本発明の実施の形態２にかかる制御手法を図４に示す画素回路に適用した場合のシーケンス図である。
【図１４】本発明の実施の形態３にかかる制御手法を図４に示す画素回路に適用した場合のシーケンス図である。
【図１５】本発明の実施の形態４にかかる制御手法を図４に示す画素回路に適用した場合のシーケンス図である。
【図１６】書き込み期間後に温度補償期間を設けた場合の輝度変化の測定結果を示す図である。
【図１７】書き込み期間前に温度保補償期間を設けた場合の輝度変化の測定結果を示す図である。
【図１８−１】環境温度が２５℃の場合の階調に対する書き込み電位を示す図である。
【図１８−２】環境温度が４０℃の場合の階調に対する書き込み電位を示す図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１ 発光部
２ 素子基板
３ 封止基板
４ 封止材
５ 駆動ＩＣ
６ 記憶部
８ 温度センサ
１１ 第１電源線
１２ 第２電源線
１３ 走査線
１４ 画像信号線
ＯＬＥＤ 有機発光素子
Ｃｏｌｅｄ 素子容量
Ｃｓ 容量
Ｔｄ 駆動トランジスタ
Ｔｓ 閾値電圧検出用トランジスタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子、前記発光素子に電気的に接続され、前記発光素子の発光を制御するドライバ素子、および前記ドライバ素子に一端側が電気的に接続される容量素子を有する複数の画素回路と、該画素回路周辺の環境温度を測定する温度測定素子と、を備えた画像表示装置を準備するステップと、
画像信号を前記容量素子に供給した後に、前記温度測定素子の測定結果に基づいた補正信号を前記容量素子に供給するステップと、
前記容量素子に供給された前記画像信号および前記補正信号に基づいて前記発光素子を発光させるステップと、
を含むことを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
【請求項２】
発光素子、前記発光素子に電気的に接続され、前記発光素子の発光を制御するドライバ素子、および前記ドライバ素子に一端側が電気的に接続される容量素子を有する複数の画素回路と、該画素回路周辺の環境温度を測定する温度測定素子と、を備えた画像表示装置を準備するステップと、
画像信号を前記容量素子に供給する前に、前記温度測定素子の測定結果に基づいた補正信号を前記容量素子に供給するステップと、
前記容量素子に供給された前記画像信号および前記補正信号に基づいて前記発光素子を発光させるステップと、
を含むことを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
【請求項３】
前記補正信号は、前記温度測定素子が測定した測定温度に応じて値が可変することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像表示装置の駆動方法。
【請求項４】
前記画像信号および前記補正信号は前記容量素子の他端側より供給され、
前記補正信号は、前記温度測定素子が測定した測定温度が基準温度よりも低い場合には、前記容量素子の前記他端側の電位を上昇させ、前記温度測定素子が測定した測定温度が基準温度よりも高い場合には、前記容量素子の前記他端側の電位を降下させることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の駆動方法。
【請求項５】
前記画像信号および前記補正信号は前記容量素子の他端側より供給され、
前記補正信号は、前記温度測定素子が測定した測定温度が基準温度よりも低い場合には、前記容量素子の前記他端側の電位を降下させ、前記温度測定素子が測定した測定温度が基準温度よりも高い場合には、前記容量素子の前記他端側の電位を上昇させることを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置の駆動方法。
【請求項６】
前記補正信号の値は、前記画像信号の値に依存しないことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の画像表示装置の駆動方法。
【請求項１】
発光素子、前記発光素子に電気的に接続され、前記発光素子の発光を制御するドライバ素子、および前記ドライバ素子に一端側が電気的に接続される容量素子を有する複数の画素回路と、該画素回路周辺の環境温度を測定する温度測定素子と、を備えた画像表示装置を準備するステップと、
画像信号を前記容量素子に供給した後に、前記温度測定素子の測定結果に基づいた補正信号を前記容量素子に供給するステップと、
前記容量素子に供給された前記画像信号および前記補正信号に基づいて前記発光素子を発光させるステップと、
を含むことを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
【請求項２】
発光素子、前記発光素子に電気的に接続され、前記発光素子の発光を制御するドライバ素子、および前記ドライバ素子に一端側が電気的に接続される容量素子を有する複数の画素回路と、該画素回路周辺の環境温度を測定する温度測定素子と、を備えた画像表示装置を準備するステップと、
画像信号を前記容量素子に供給する前に、前記温度測定素子の測定結果に基づいた補正信号を前記容量素子に供給するステップと、
前記容量素子に供給された前記画像信号および前記補正信号に基づいて前記発光素子を発光させるステップと、
を含むことを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
【請求項３】
前記補正信号は、前記温度測定素子が測定した測定温度に応じて値が可変することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像表示装置の駆動方法。
【請求項４】
前記画像信号および前記補正信号は前記容量素子の他端側より供給され、
前記補正信号は、前記温度測定素子が測定した測定温度が基準温度よりも低い場合には、前記容量素子の前記他端側の電位を上昇させ、前記温度測定素子が測定した測定温度が基準温度よりも高い場合には、前記容量素子の前記他端側の電位を降下させることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の駆動方法。
【請求項５】
前記画像信号および前記補正信号は前記容量素子の他端側より供給され、
前記補正信号は、前記温度測定素子が測定した測定温度が基準温度よりも低い場合には、前記容量素子の前記他端側の電位を降下させ、前記温度測定素子が測定した測定温度が基準温度よりも高い場合には、前記容量素子の前記他端側の電位を上昇させることを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置の駆動方法。
【請求項６】
前記補正信号の値は、前記画像信号の値に依存しないことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の画像表示装置の駆動方法。
【図１】
【図２】
【図３−１】
【図３−２】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８−１】
【図１８−２】
【図２】
【図３−１】
【図３−２】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８−１】
【図１８−２】
【公開番号】特開２００８−２６７３４（Ｐ２００８−２６７３４Ａ）
【公開日】平成２０年２月７日（２００８．２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２０１１６３（Ｐ２００６−２０１１６３）
【出願日】平成１８年７月２４日（２００６．７．２４）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年２月７日（２００８．２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年７月２４日（２００６．７．２４）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]