画像表示装置
【課題】 電子放出素子から放出された電子がフェースプレートを照射する位置が、スペーサの長手方向に沿ってずれることを抑制することを目的とする。
【解決手段】 複数の電子放出素子を有するリアプレートと、アノード電極を有するフェースプレートと、板状のスペーサであって、該スペーサの長手方向に沿って形成される導電性部材を有するスペーサと、前記複数の電子放出素子のうち第１の電子放出素子から放出された電子によって照射される前記フェースプレート上の位置から前記スペーサまでの距離と、該第１の電子放出素子に対して該スペーサの長手方向に配置される第２の電子放出素子から放出された電子によって照射される前記フェースプレート上の位置から該スペーサまでの距離との差を補償するように、前記導電性部材に該スペーサの長手方向に沿って電位勾配を形成する電位供給手段と、を有することを特徴とする。
【解決手段】 複数の電子放出素子を有するリアプレートと、アノード電極を有するフェースプレートと、板状のスペーサであって、該スペーサの長手方向に沿って形成される導電性部材を有するスペーサと、前記複数の電子放出素子のうち第１の電子放出素子から放出された電子によって照射される前記フェースプレート上の位置から前記スペーサまでの距離と、該第１の電子放出素子に対して該スペーサの長手方向に配置される第２の電子放出素子から放出された電子によって照射される前記フェースプレート上の位置から該スペーサまでの距離との差を補償するように、前記導電性部材に該スペーサの長手方向に沿って電位勾配を形成する電位供給手段と、を有することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は画像表示装置に関する。特に、電子放出素子とスペーサとを有する画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面型画像表示装置として、電子放出素子を用いた電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）が知られている。この電界放出ディスプレイにおいては、電子放出素子を有するリアプレートと蛍光体を有するフェースプレートとの間にスペーサを設ける構成が知られている。
【０００３】
電界放出ディスプレイにおいてスペーサが帯電することにより、電子放出素子から放出された電子の軌道が偏向されることが知られている（特許文献１参照）。スペーサの近傍と非近傍とで電子の軌道が偏向される度合いが異なることによりスペーサが視認されることは、画像表示装置としては好ましいものではない。
【０００４】
また、スペーサの側壁に電極を形成し、その電極に電位を供給する構成が知られている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−０２９６９７号公報
【特許文献２】特許第３３４０４４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らは、板状のスペーサを用いた場合、スペーサの長手方向に沿って、電子軌道の偏向方向や大きさに分布が生じることを見出した。
【０００６】
本発明は、電子放出素子から放出された電子がフェースプレートを照射する位置が、スペーサの長手方向に沿ってずれることを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の画像表示装置は、複数の電子放出素子を有するリアプレートと、前記複数の電子放出素子から放出された電子を加速するアノード電極を有するフェースプレートと、前記リアプレートと前記フェースプレートとの間に配置される板状のスペーサであって、該スペーサの長手方向に沿って形成される導電性部材を有するスペーサと、前記複数の電子放出素子のうち第１の電子放出素子から放出された電子によって照射される前記フェースプレート上の位置から前記スペーサまでの距離と、該第１の電子放出素子に対して該スペーサの長手方向に配置される第２の電子放出素子から放出された電子によって照射される前記フェースプレート上の位置から該スペーサまでの距離との差を補償するように、前記導電性部材に該スペーサの長手方向に沿って電位勾配を形成する電位供給手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、電子放出素子から放出された電子がフェースプレートを照射する位置が、スペーサの長手方向に沿ってずれることを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
＜第１の実施形態＞
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１０】
本実施形態の画像表示装置は、電子の照射によって画像を表示する装置である。電子放出素子としては、電界放出型素子、ＭＩＭ型素子、表面伝導型放出素子などを包含している。
【００１１】
本発明の実施の形態について、表面伝導型放出素子を用いた画像表示装置を例に挙げ、具体的に説明する。
【００１２】
図１は、本実施形態の画像表示装置の構造の一例を示す斜視図であり、その内部構造を示すために一部を切り欠いて示している。
【００１３】
まず、本実施形態の画像表示装置に用いるリアプレートについて説明する。リアプレート８上には、走査配線１２、変調配線１３、走査配線と変調配線との間を絶縁する層間絶縁層（不図示）及び複数の電子放出素子５を形成した電子源基板１４が固定されている。電子源基板１４はリアプレート８と兼ねても良い。
【００１４】
電子放出素子５は、一対の素子電極間に電子放出部を有する導電性膜が接続された表面伝導型放出素子である。電子放出素子５をＮ×Ｍ個配置し、それぞれ等間隔で形成したＭ本の走査配線１２とＮ本の変調配線１３とでマトリクス状に接続されている。また、走査配線１２が層間絶縁層を介して変調配線１３上に位置している。走査配線１２には引出端子Ｄｘ１〜Ｄｘｍを介して走査信号が印加され、変調配線１３には引出端子Ｄｙ１〜Ｄｙｎを介して変調信号が印加される。
【００１５】
次に、本実施形態の画像表示装置に用いるフェースプレートについて説明する。
【００１６】
フェースプレート１の基板としては、光透過性の基板が用いられ、ガラス基板が好適に用いられる。フェースプレート１の内面には、電子の照射により発光する蛍光体２が形成されている。本実施形態では、赤、青、緑の３色の蛍光体が形成されている。蛍光体の間には、ストライプ状もしくはマトリクス状の黒色部材（不図示）が配置されている。
【００１７】
蛍光体のリアプレート側表面には、ＣＲＴの分野で公知であるメタルバック４が形成されている。メタルバック４には、高圧端子Ｈｖを通して電子放出素子からの電子を加速する加速電圧が印加される。すなわち、メタルバック４は電子放出素子からの電子を加速するアノード電極としての機能を有している。
【００１８】
次に、スペーサ７について説明する。電子放出素子を利用した画像表示装置では、画像表示パネル内を真空にする必要がある。そのため、フェースプレート１並びにリアプレート８には大気圧がかかることになる。従って、フェースプレート１とリアプレート８の間にはスペーサ７が必要となる。また、スペーサ７は高電圧のかかるフェースプレート１とリアプレート８の間に配置されるため、絶縁耐圧が必要となる。
【００１９】
更に、スペーサ７は、スペーサ近傍と非近傍とで電位分布の差をできるだけ小さくするものであることが好ましい。スペーサ近傍と非近傍とで電位分布の差が大きくなると、スペーサ近傍と非近傍とで電子の軌道が異なり、画質が劣化するためである。特に、電子が照射されることによりスペーサが帯電すると、電位分布が変化してしまう。そこで、スペーサ７の帯電を緩和するため、スペーサ７に抵抗性を持たせることが好ましい。スペーサに抵抗性を持たせるためには、スペーサ基材そのものに導電性を付与する方法や、ガラスでできたスペーサ基材表面に高抵抗な膜を形成する方法がある。
【００２０】
スペーサ基材そのものに導電性を付与する場合、遷移金属酸化物（例えば、酸化鉄、チタニア、クロミア、酸化バナジウム、または酸化ニッケル）を電気絶縁性のセラミック（アルミナ等）と結合することによって形成される電気抵抗性セラミック組成物を用いる方法が挙げられる。遷移金属酸化物をアルミナと結合することによって、１０６〜１０１５Ωｃｍという所望の範囲の電気抵抗率を有するセラミックを得ることができる。
【００２１】
スペーサ基材表面に高抵抗膜を形成する場合、高抵抗膜に必要とされる機能は、上述したように帯電を緩和する為に微小電流が流れることである。抵抗値が低すぎると、電流が流れすぎるため消費電力が増加し、当該部分の温度が上昇するため好ましくない。また、抵抗値が高すぎると、帯電を緩和する為に微小電流が流れるという効果が得られない。そのため、高抵抗膜の抵抗値としては、シート抵抗値で１０７〜１０１６Ω／□であることが好ましい。
【００２２】
このような高抵抗膜の材料として、例えば、金属酸化物を用いることが出来る。金属酸化物の中でも、クロム、ニッケル、銅の酸化物が好ましい材料である。これらの酸化物は二次電子放出効率が比較的小さく、帯電しにくいためである。金属酸化物以外にも、炭素は二次電子放出効率が小さく好ましい材料である。
【００２３】
高抵抗膜の他の材料としては、ゲルマニウムと遷移金属との合金の窒化物は遷移金属の組成を調整することにより、良伝導体から絶縁体まで広い範囲に抵抗値を制御できるので好適な材料である。遷移金属元素としてはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ、Ｍｏ，Ｈｆ，Ｗ等があげられる。
【００２４】
この窒化物はスパッタ、窒素ガス雰囲気中での反応性スパッタ、電子ビーム蒸着、イオンプレーティング、イオンアシスト蒸着法等の薄膜形成手段によりスペーサ基板上に形成される。金属酸化膜も同様の薄膜形成法で作製することができるが、この場合窒素ガスに代えて酸素ガスを使用する。その他、ＣＶＤ法、アルコキシド塗布法でも金属酸化膜を形成できる。カーボン膜を用いる際には蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法で作製され、特に非晶質カーボンを作製する場合には、成膜中の雰囲気に水素が含まれるようにするか、成膜ガスに炭化水素ガスを使用する。
【００２５】
本実施形態のスペーサ７は、走査配線１２に沿って形成されているが、変調配線１３に沿って形成される場合であっても本発明を適用することができる。
【００２６】
１５は支持枠であり、この支持枠１５にリアプレート８、フェースプレート１がフリットガラス等を介して取り付けられている。
【００２７】
図１のスペーサ近傍におけるＸ方向の断面図を図２に示す。図１と同様の部材については同一の符号を用いているため、これらについての説明は省略する。
【００２８】
本実施形態においては、走査配線１２が形成される方向であるＸ方向がスペーサ７の長手方向となるように、スペーサ７が形成されている。本実施形態に用いるスペーサ７の長手方向は、画像表示装置のＸ方向における画像表示領域よりも長い。更に、スペーサ７は、その長手方向が画像表示領域を跨って配置されている。これは、スペーサ７の典型的なサイズが、Ｚ方向の高さが数ｍｍ程度、Ｘ方向が数ｍｍ〜数千ｍｍであるのに対し、Ｙ方向の厚さが数十μｍ〜数百μｍというようにアスペクト比の大きい形状となっているため、スペーサを固定する固定部材９が必要となることに起因する。固定部材９が画像表示領域内に存在すると、電子の軌道に影響を与えることとなるため、固定部材９は画像表示領域外に設けることが好ましい。そのため、スペーサ７の長手方向が画像表示領域を跨って配置されることとなる。ここで、画像表示領域とは、画像表示装置の画像が表示される領域を意味する。
【００２９】
次に、スペーサの長手方向に沿って形成される導電性部材２２について説明する。導電性部材２２は、スペーサ７の電位分布を規定するために設けられるものである。電位を規定する為には、抵抗性を有するスペーサの抵抗値よりも導電性部材２２の抵抗値が低いことが必要であり、典型的には金属膜や金属酸化物膜で形成される。特に抵抗値の調整が必要でない場合には、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｕなどの金属材料を使用することができる。また、抵抗値の調整が必要な場合には、ゲルマニウムと遷移金属との合金の窒化物などや、金属酸化物を用いることができる。導電性部材２２を形成する方法としては、スパッタ、窒素ガス雰囲気中での反応性スパッタ、電子ビーム蒸着、イオンプレーティング、イオンアシスト蒸着法等の薄膜形成手段や、アルコキシド塗布法などでも形成できる。またパターニングが必要な為、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、スクリーン印刷法、インクジェット法などで形成することができる。
【００３０】
本実施形態では、導電性部材２２がリアプレートと対向するスペーサの面に形成されるため、導電性部材２２と配線とを絶縁するための絶縁層２０が形成されている。図２においては、変調配線１３の上に形成される走査配線１２を図示していないが、絶縁層２０はこの走査配線１２と導電性部材２２との間にも形成されている。絶縁層２０は、例えば、ガラスフリットやアルミナなどのセラミックス、ＳｉＯ２などの絶縁膜が用いられ、フォトリソグラフィー法、印刷法などで形成される。
【００３１】
導電性部材２２の両端には、図３（ａ）に示すように、電位供給手段２３、２４が接続されている。本実施形態では、電位供給手段２３は電位供給手段２４よりも高い電位を供給する。そのため、導電性部材２２には図３（ｂ）に示すような電位勾配が形成される。すなわち、本実施形態によれば、スペーサ７の長手方向に沿って電位勾配を形成することが可能となる。このようにスペーサ７の長手方向に沿って電位勾配を形成することの作用について、図４、図５を用いて説明する。
【００３２】
図４、図５はスペーサ近傍の電位分布を示す図である。図中の破線は、等電位線を示すものである。
【００３３】
図４は、導電性部材２２の電位が電子放出素子５と近い場合の等電位線を示す図である。この場合、等電位線が全体的にＺ方向に持ち上がることとなり、電子は図４に示すように、スペーサから遠ざかる軌道をとる。一方、導電性部材２２により高い電位が印加されると、電位の与え方によっては図５に示すように電子放出素子５のほぼ直上に電子が照射されることとなる。
【００３４】
このように、導電性部材２２の電位に応じて、フェースプレート上に電子が照射される位置を調整することができる。
【００３５】
次に、本実施形態において、電子放出素子から放出された電子がフェースプレートを照射する位置が、スペーサの長手方向に沿ってずれることを抑制するための具体的な方法について、図６を用いて説明する。
【００３６】
図６は、画像表示領域内における電子の照射位置を示す図である。図中１１は画像表示領域を示している。また、図中７はスペーサを示している。図中（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、画像表示領域の左側、中央、右側における電子の照射位置を拡大したものである。また、破線３０は、スペーサがない場合に電子が照射されるべき位置（以下、便宜上、正規の電子照射位置と呼ぶ。）を示しており、３２は実際の電子の照射位置を示している。（ａ）では、正規の電子照射位置３０に対し、実際の電子の照射位置３２はスペーサ７に近づく方向にずれている。一方、（ｃ）では、正規の電子照射位置３０に対し、実際の電子の照射位置３２はスペーサ７から遠ざかる方向にずれている。（ｂ）は（ａ）と（ｃ）の中間的な状態であり、正規の電子照射位置３０と実際の電子の照射位置３２とが近い位置となっている。実際の電子の照射位置３２がスペーサ７の長手方向に沿って分布を持つことの明確な原因は不明である。しかし、本発明者らは、実際の電子の照射位置３２がスペーサ７の長手方向に沿って分布を持つ場合があることを見出した。
【００３７】
本実施形態においては、図４、図５を用いて説明したように、導電性部材２２に印加される電位が高くなるにつれて、電子放出素子から放出された電子の軌道がスペーサ７に近づく。そのため、図７に示すように、Ｘ方向に単調に増加する電位勾配が導電性部材２２に印加されるように電位供給手段２３、２４から導電性部材２２に電位を印加することにより、電子の照射位置のずれを抑制することができる。ここで、図６の（ａ）の位置にある電子放出素子（これを「第１の電子放出素子」とする。）から放出された電子によって照射されるフェースプレート上の位置からスペーサ７までの距離をＬ１とする。また、第１の電子放出素子に対してスペーサ７の長手方向（Ｘ方向）に位置する（ｃ）の位置にある電子放出素子（これを「第２の電子放出素子」とする。）から放出された電子によって照射されるフェースプレート上の位置からスペーサ７までの距離をＬ２とする。本発明は、Ｌ１とＬ２との差を補償することによってＬ１とＬ２の差が小さくなるような電位勾配を導電性部材２２に与えるように、電位供給手段２３、２４が導電性部材２２に電位を供給するものである。従って、本発明を適用することができる電位勾配の大きさは、ある程度の幅を有するものである。
【００３８】
また、本実施形態においては、リアプレート８と対向するスペーサ７の面に導電性部材２２が形成されるため、かかる導電性部材２２に印加する電位を低い電位とすることができる。
【００３９】
＜第２の実施形態＞
本発明の別の実施形態について以下に説明する。
【００４０】
第１の実施形態では、走査配線１２が層間絶縁層を介して変調配線１３上に位置していたのに対し、本実施形態では、変調配線１３が層間絶縁層を介して走査配線１２上に位置している点が異なる。また、スペーサ７に形成される導電性部材２２の構成が第１の実施形態とは異なる。
【００４１】
本実施形態における導電性部材２２の構成を図８に示す。第１の実施形態は、導電性部材２２がリアプレートと対向するスペーサの面に形成されるものであった。本実施形態の導電性部材２２は、第１の実施形態よりもＺ方向に位置し、スペーサ７の側面に形成されている。そのため、本実施形態では、導電性部材２２と配線とを絶縁するための絶縁層２０が不要となる。これは、スペーサ７の抵抗がある程度高い抵抗値であるため、導電性部材２２と配線との間の絶縁を確保することができるからである。そのため、変調配線１３の上にスペーサ７が直接配置される構成となる。
【００４２】
導電性部材２２の両端には、図９（ａ）に示すように、電位供給手段２３、２４が接続されている。本実施形態では、電位供給手段２３は電位供給手段２４よりも高い電位を供給する。そのため、導電性部材２２には図９（ｂ）に示すような電位勾配が形成される。第１の実施形態と異なり、本実施形態では周期的に配置される変調配線１３がスペーサ７に接しているため、変調配線１３の電位の影響を受けて、図９（ｂ）に示すように、周期的に電位が変動している。しかし、周期的な電位変動の中心を示す図９（ｂ）の破線は、スペーサ７の長手方向に沿って電位勾配を形成している。本発明はかかる構成にも適用することができる。
【００４３】
本実施形態の場合、導電性部材２２はスペーサ７のリアプレート側端面よりも、メタルバック４に近い位置に形成される。そのため、導電性部材２２に印加すべき電位は第１の実施形態に比べて高い電位となる。すなわち、導電性部材２２が形成されるＺ方向の位置が大きくなるにつれて、導電性部材２２に印加すべき電位の値は大きくなる。
【実施例】
【００４４】
（実施例１）
本実施例では、導電性部材を有するスペーサの製造方法と、電子照射位置の調整方法の一例を詳細に説明する。
【００４５】
（工程１：スペーサ基材）
スペーサの基材としては、機械的強度、電気的絶縁性に優れたガラスを用い、加熱延伸法を用いて、母材となるガラスを引き伸ばして、長い板状のスペーサ基材を得た。
【００４６】
（工程２：高抵抗膜形成）
工程１で作製したスペーサ基材の表面に、高抵抗膜としてゲルマニウムとタングステンとの合金の窒化物をスパッタ法により成膜した。高抵抗膜の膜厚は１００ｎｍとし、シート抵抗値は１×１０１１Ω／□程度であった。
【００４７】
（工程３：導電性部材形成）
工程２で形成した高抵抗膜つきスペーサに、Ｃｕの導電性部材２２を形成した。導電性部材２２をスペーサ７のリアプレート側端面に形成するため、図１０に示すように、まず、成膜治具４０によりスペーサ７を挟み込んだ。そして、成膜治具４０からスペーサ７が所望の高さ突き出るように配置した状態で、スパッタ法によりＣｕを成膜した。成膜したＣｕ膜のシート抵抗値は１×１０３Ω／□程度であった。
【００４８】
（工程４：スペーサ固定、導電性部材への給電）
工程３で作製したスペーサ７を、リアプレート８に固定する。固定には、Ａｇのフィラーとセラミックス粉が水ガラスに分散された導電性接着剤を用いた。リアプレート８のうち画像表示領域外の領域でスペーサ７を接着する部分に、不図示の配線を設け、外部電源である電位供給手段２３、２４から給電できるようにした。なお、リアプレート８とスペーサ７との画像領域内での接触部は、リアプレート８上に絶縁層２０を設けることで絶縁した。
【００４９】
（工程５ 電子照射位置測定、導電性部材への給電）
上述のように作製したスペーサ７と、リアプレート８、フェースプレート１を用いて画像表示装置を形成した。まずは、導電性部材２２への給電を、電位供給手段２３、２４ともに１０Ｖとして、画像表示装置から画像を表示させ、電子照射位置を測定するカメラにより、フェースプレート上における電子の照射位置を撮影した。本実施例の測定結果は、図６に示すようになった。スペーサ近傍の電子の照射位置は、電位供給手段２３側でスペーサ７に近づき（図６（ａ））、電位供給手段２４側でスペーサ７から遠ざかっていた（図６（ｃ））。そこで、電位供給手段２３から８Ｖを、電位供給手段２４から１２Ｖを導電性部材２２に印加し、スペーサ７の長手方向に沿って導電性部材２２に電位勾配を形成した。その結果、Ｌ１は大きくなる一方、Ｌ２は小さくなり、Ｌ１とＬ２の差が小さくなった。これにより、画像表示装置の画質が向上した。
【００５０】
（実施例２）
本実施例では、図８に示したように、導電性部材２２をスペーサ７のリアプレート側端面ではなく、スペーサ７の側面に形成した。その他の構成については第１の実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００５１】
工程１、工程２は実施例１と同様である。
【００５２】
（工程３：導電性部材形成）
工程２で形成した高抵抗膜つきスペーサの側面に、酸化スズの微粒子を分散した溶液をインクジェット法により形成した。
【００５３】
（工程４：スペーサ固定、導電性部材への給電）
工程３で作製したスペーサ７を、リアプレート８に固定する。固定には、Ａｇのフィラーとセラミックス粉が水ガラスに分散された導電性接着剤を用いた。リアプレート８のうち画像表示領域外の領域でスペーサ７を接着する部分に、不図示の配線を設け、外部電源である電位供給手段２３、２４から導電性部材２２に給電できるようにした。
【００５４】
（工程５ 電子照射位置測定、導電性部材への給電）
上述のように作製したスペーサ７と、リアプレート８、フェースプレート１を用いて画像表示装置を形成した。まずは、導電性部材２２への給電を、電位供給手段２３、２４ともに４００Ｖとして、画像表示装置から画像を表示させ、電子照射位置を測定するカメラにより、フェースプレート上における電子の照射位置を撮影した。本実施例の測定結果は、図６に示すようになった。スペーサ近傍の電子の照射位置は、電位供給手段２３側でスペーサ７に近づき（図６（ａ））、電位供給手段２４側でスペーサ７から遠ざかっていた（図６（ｃ））。そこで、電位供給手段２３から４００Ｖを、電位供給手段２４から６００Ｖを導電性部材２２に印加し、スペーサ７の長手方向に沿って導電性部材２２に電位勾配を形成した。その結果、Ｌ１は大きくなる一方、Ｌ２は小さくなり、Ｌ１とＬ２の差が小さくなった。これにより、画像表示装置の画質が向上した。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】画像表示装置の構造の一例を示す斜視図である。
【図２】スペーサ近傍における画像表示装置の断面図である。
【図３】導電性部材の電位分布を示す図である。
【図４】スペーサ近傍の電位分布を示す図である。
【図５】スペーサ近傍の電位分布を示す図である。
【図６】画像表示領域内における電子の照射位置を示す図である。
【図７】第１の実施形態における導電性部材の電位分布を示す図である。
【図８】スペーサ近傍における画像表示装置の断面図である。
【図９】導電性部材の電位分布を示す図である。
【図１０】導電性部材を形成する工程を説明する図である。
【符号の説明】
【００５６】
１ フェースプレート
４ メタルバック
５ 電子放出素子
７ スペーサ
８ リアプレート
１１ 画像表示領域
２２ 導電性部材
２３、２４ 電位供給手段
【技術分野】
【０００１】
本発明は画像表示装置に関する。特に、電子放出素子とスペーサとを有する画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面型画像表示装置として、電子放出素子を用いた電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）が知られている。この電界放出ディスプレイにおいては、電子放出素子を有するリアプレートと蛍光体を有するフェースプレートとの間にスペーサを設ける構成が知られている。
【０００３】
電界放出ディスプレイにおいてスペーサが帯電することにより、電子放出素子から放出された電子の軌道が偏向されることが知られている（特許文献１参照）。スペーサの近傍と非近傍とで電子の軌道が偏向される度合いが異なることによりスペーサが視認されることは、画像表示装置としては好ましいものではない。
【０００４】
また、スペーサの側壁に電極を形成し、その電極に電位を供給する構成が知られている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−０２９６９７号公報
【特許文献２】特許第３３４０４４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らは、板状のスペーサを用いた場合、スペーサの長手方向に沿って、電子軌道の偏向方向や大きさに分布が生じることを見出した。
【０００６】
本発明は、電子放出素子から放出された電子がフェースプレートを照射する位置が、スペーサの長手方向に沿ってずれることを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の画像表示装置は、複数の電子放出素子を有するリアプレートと、前記複数の電子放出素子から放出された電子を加速するアノード電極を有するフェースプレートと、前記リアプレートと前記フェースプレートとの間に配置される板状のスペーサであって、該スペーサの長手方向に沿って形成される導電性部材を有するスペーサと、前記複数の電子放出素子のうち第１の電子放出素子から放出された電子によって照射される前記フェースプレート上の位置から前記スペーサまでの距離と、該第１の電子放出素子に対して該スペーサの長手方向に配置される第２の電子放出素子から放出された電子によって照射される前記フェースプレート上の位置から該スペーサまでの距離との差を補償するように、前記導電性部材に該スペーサの長手方向に沿って電位勾配を形成する電位供給手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、電子放出素子から放出された電子がフェースプレートを照射する位置が、スペーサの長手方向に沿ってずれることを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
＜第１の実施形態＞
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１０】
本実施形態の画像表示装置は、電子の照射によって画像を表示する装置である。電子放出素子としては、電界放出型素子、ＭＩＭ型素子、表面伝導型放出素子などを包含している。
【００１１】
本発明の実施の形態について、表面伝導型放出素子を用いた画像表示装置を例に挙げ、具体的に説明する。
【００１２】
図１は、本実施形態の画像表示装置の構造の一例を示す斜視図であり、その内部構造を示すために一部を切り欠いて示している。
【００１３】
まず、本実施形態の画像表示装置に用いるリアプレートについて説明する。リアプレート８上には、走査配線１２、変調配線１３、走査配線と変調配線との間を絶縁する層間絶縁層（不図示）及び複数の電子放出素子５を形成した電子源基板１４が固定されている。電子源基板１４はリアプレート８と兼ねても良い。
【００１４】
電子放出素子５は、一対の素子電極間に電子放出部を有する導電性膜が接続された表面伝導型放出素子である。電子放出素子５をＮ×Ｍ個配置し、それぞれ等間隔で形成したＭ本の走査配線１２とＮ本の変調配線１３とでマトリクス状に接続されている。また、走査配線１２が層間絶縁層を介して変調配線１３上に位置している。走査配線１２には引出端子Ｄｘ１〜Ｄｘｍを介して走査信号が印加され、変調配線１３には引出端子Ｄｙ１〜Ｄｙｎを介して変調信号が印加される。
【００１５】
次に、本実施形態の画像表示装置に用いるフェースプレートについて説明する。
【００１６】
フェースプレート１の基板としては、光透過性の基板が用いられ、ガラス基板が好適に用いられる。フェースプレート１の内面には、電子の照射により発光する蛍光体２が形成されている。本実施形態では、赤、青、緑の３色の蛍光体が形成されている。蛍光体の間には、ストライプ状もしくはマトリクス状の黒色部材（不図示）が配置されている。
【００１７】
蛍光体のリアプレート側表面には、ＣＲＴの分野で公知であるメタルバック４が形成されている。メタルバック４には、高圧端子Ｈｖを通して電子放出素子からの電子を加速する加速電圧が印加される。すなわち、メタルバック４は電子放出素子からの電子を加速するアノード電極としての機能を有している。
【００１８】
次に、スペーサ７について説明する。電子放出素子を利用した画像表示装置では、画像表示パネル内を真空にする必要がある。そのため、フェースプレート１並びにリアプレート８には大気圧がかかることになる。従って、フェースプレート１とリアプレート８の間にはスペーサ７が必要となる。また、スペーサ７は高電圧のかかるフェースプレート１とリアプレート８の間に配置されるため、絶縁耐圧が必要となる。
【００１９】
更に、スペーサ７は、スペーサ近傍と非近傍とで電位分布の差をできるだけ小さくするものであることが好ましい。スペーサ近傍と非近傍とで電位分布の差が大きくなると、スペーサ近傍と非近傍とで電子の軌道が異なり、画質が劣化するためである。特に、電子が照射されることによりスペーサが帯電すると、電位分布が変化してしまう。そこで、スペーサ７の帯電を緩和するため、スペーサ７に抵抗性を持たせることが好ましい。スペーサに抵抗性を持たせるためには、スペーサ基材そのものに導電性を付与する方法や、ガラスでできたスペーサ基材表面に高抵抗な膜を形成する方法がある。
【００２０】
スペーサ基材そのものに導電性を付与する場合、遷移金属酸化物（例えば、酸化鉄、チタニア、クロミア、酸化バナジウム、または酸化ニッケル）を電気絶縁性のセラミック（アルミナ等）と結合することによって形成される電気抵抗性セラミック組成物を用いる方法が挙げられる。遷移金属酸化物をアルミナと結合することによって、１０６〜１０１５Ωｃｍという所望の範囲の電気抵抗率を有するセラミックを得ることができる。
【００２１】
スペーサ基材表面に高抵抗膜を形成する場合、高抵抗膜に必要とされる機能は、上述したように帯電を緩和する為に微小電流が流れることである。抵抗値が低すぎると、電流が流れすぎるため消費電力が増加し、当該部分の温度が上昇するため好ましくない。また、抵抗値が高すぎると、帯電を緩和する為に微小電流が流れるという効果が得られない。そのため、高抵抗膜の抵抗値としては、シート抵抗値で１０７〜１０１６Ω／□であることが好ましい。
【００２２】
このような高抵抗膜の材料として、例えば、金属酸化物を用いることが出来る。金属酸化物の中でも、クロム、ニッケル、銅の酸化物が好ましい材料である。これらの酸化物は二次電子放出効率が比較的小さく、帯電しにくいためである。金属酸化物以外にも、炭素は二次電子放出効率が小さく好ましい材料である。
【００２３】
高抵抗膜の他の材料としては、ゲルマニウムと遷移金属との合金の窒化物は遷移金属の組成を調整することにより、良伝導体から絶縁体まで広い範囲に抵抗値を制御できるので好適な材料である。遷移金属元素としてはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ、Ｍｏ，Ｈｆ，Ｗ等があげられる。
【００２４】
この窒化物はスパッタ、窒素ガス雰囲気中での反応性スパッタ、電子ビーム蒸着、イオンプレーティング、イオンアシスト蒸着法等の薄膜形成手段によりスペーサ基板上に形成される。金属酸化膜も同様の薄膜形成法で作製することができるが、この場合窒素ガスに代えて酸素ガスを使用する。その他、ＣＶＤ法、アルコキシド塗布法でも金属酸化膜を形成できる。カーボン膜を用いる際には蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法で作製され、特に非晶質カーボンを作製する場合には、成膜中の雰囲気に水素が含まれるようにするか、成膜ガスに炭化水素ガスを使用する。
【００２５】
本実施形態のスペーサ７は、走査配線１２に沿って形成されているが、変調配線１３に沿って形成される場合であっても本発明を適用することができる。
【００２６】
１５は支持枠であり、この支持枠１５にリアプレート８、フェースプレート１がフリットガラス等を介して取り付けられている。
【００２７】
図１のスペーサ近傍におけるＸ方向の断面図を図２に示す。図１と同様の部材については同一の符号を用いているため、これらについての説明は省略する。
【００２８】
本実施形態においては、走査配線１２が形成される方向であるＸ方向がスペーサ７の長手方向となるように、スペーサ７が形成されている。本実施形態に用いるスペーサ７の長手方向は、画像表示装置のＸ方向における画像表示領域よりも長い。更に、スペーサ７は、その長手方向が画像表示領域を跨って配置されている。これは、スペーサ７の典型的なサイズが、Ｚ方向の高さが数ｍｍ程度、Ｘ方向が数ｍｍ〜数千ｍｍであるのに対し、Ｙ方向の厚さが数十μｍ〜数百μｍというようにアスペクト比の大きい形状となっているため、スペーサを固定する固定部材９が必要となることに起因する。固定部材９が画像表示領域内に存在すると、電子の軌道に影響を与えることとなるため、固定部材９は画像表示領域外に設けることが好ましい。そのため、スペーサ７の長手方向が画像表示領域を跨って配置されることとなる。ここで、画像表示領域とは、画像表示装置の画像が表示される領域を意味する。
【００２９】
次に、スペーサの長手方向に沿って形成される導電性部材２２について説明する。導電性部材２２は、スペーサ７の電位分布を規定するために設けられるものである。電位を規定する為には、抵抗性を有するスペーサの抵抗値よりも導電性部材２２の抵抗値が低いことが必要であり、典型的には金属膜や金属酸化物膜で形成される。特に抵抗値の調整が必要でない場合には、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｕなどの金属材料を使用することができる。また、抵抗値の調整が必要な場合には、ゲルマニウムと遷移金属との合金の窒化物などや、金属酸化物を用いることができる。導電性部材２２を形成する方法としては、スパッタ、窒素ガス雰囲気中での反応性スパッタ、電子ビーム蒸着、イオンプレーティング、イオンアシスト蒸着法等の薄膜形成手段や、アルコキシド塗布法などでも形成できる。またパターニングが必要な為、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、スクリーン印刷法、インクジェット法などで形成することができる。
【００３０】
本実施形態では、導電性部材２２がリアプレートと対向するスペーサの面に形成されるため、導電性部材２２と配線とを絶縁するための絶縁層２０が形成されている。図２においては、変調配線１３の上に形成される走査配線１２を図示していないが、絶縁層２０はこの走査配線１２と導電性部材２２との間にも形成されている。絶縁層２０は、例えば、ガラスフリットやアルミナなどのセラミックス、ＳｉＯ２などの絶縁膜が用いられ、フォトリソグラフィー法、印刷法などで形成される。
【００３１】
導電性部材２２の両端には、図３（ａ）に示すように、電位供給手段２３、２４が接続されている。本実施形態では、電位供給手段２３は電位供給手段２４よりも高い電位を供給する。そのため、導電性部材２２には図３（ｂ）に示すような電位勾配が形成される。すなわち、本実施形態によれば、スペーサ７の長手方向に沿って電位勾配を形成することが可能となる。このようにスペーサ７の長手方向に沿って電位勾配を形成することの作用について、図４、図５を用いて説明する。
【００３２】
図４、図５はスペーサ近傍の電位分布を示す図である。図中の破線は、等電位線を示すものである。
【００３３】
図４は、導電性部材２２の電位が電子放出素子５と近い場合の等電位線を示す図である。この場合、等電位線が全体的にＺ方向に持ち上がることとなり、電子は図４に示すように、スペーサから遠ざかる軌道をとる。一方、導電性部材２２により高い電位が印加されると、電位の与え方によっては図５に示すように電子放出素子５のほぼ直上に電子が照射されることとなる。
【００３４】
このように、導電性部材２２の電位に応じて、フェースプレート上に電子が照射される位置を調整することができる。
【００３５】
次に、本実施形態において、電子放出素子から放出された電子がフェースプレートを照射する位置が、スペーサの長手方向に沿ってずれることを抑制するための具体的な方法について、図６を用いて説明する。
【００３６】
図６は、画像表示領域内における電子の照射位置を示す図である。図中１１は画像表示領域を示している。また、図中７はスペーサを示している。図中（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、画像表示領域の左側、中央、右側における電子の照射位置を拡大したものである。また、破線３０は、スペーサがない場合に電子が照射されるべき位置（以下、便宜上、正規の電子照射位置と呼ぶ。）を示しており、３２は実際の電子の照射位置を示している。（ａ）では、正規の電子照射位置３０に対し、実際の電子の照射位置３２はスペーサ７に近づく方向にずれている。一方、（ｃ）では、正規の電子照射位置３０に対し、実際の電子の照射位置３２はスペーサ７から遠ざかる方向にずれている。（ｂ）は（ａ）と（ｃ）の中間的な状態であり、正規の電子照射位置３０と実際の電子の照射位置３２とが近い位置となっている。実際の電子の照射位置３２がスペーサ７の長手方向に沿って分布を持つことの明確な原因は不明である。しかし、本発明者らは、実際の電子の照射位置３２がスペーサ７の長手方向に沿って分布を持つ場合があることを見出した。
【００３７】
本実施形態においては、図４、図５を用いて説明したように、導電性部材２２に印加される電位が高くなるにつれて、電子放出素子から放出された電子の軌道がスペーサ７に近づく。そのため、図７に示すように、Ｘ方向に単調に増加する電位勾配が導電性部材２２に印加されるように電位供給手段２３、２４から導電性部材２２に電位を印加することにより、電子の照射位置のずれを抑制することができる。ここで、図６の（ａ）の位置にある電子放出素子（これを「第１の電子放出素子」とする。）から放出された電子によって照射されるフェースプレート上の位置からスペーサ７までの距離をＬ１とする。また、第１の電子放出素子に対してスペーサ７の長手方向（Ｘ方向）に位置する（ｃ）の位置にある電子放出素子（これを「第２の電子放出素子」とする。）から放出された電子によって照射されるフェースプレート上の位置からスペーサ７までの距離をＬ２とする。本発明は、Ｌ１とＬ２との差を補償することによってＬ１とＬ２の差が小さくなるような電位勾配を導電性部材２２に与えるように、電位供給手段２３、２４が導電性部材２２に電位を供給するものである。従って、本発明を適用することができる電位勾配の大きさは、ある程度の幅を有するものである。
【００３８】
また、本実施形態においては、リアプレート８と対向するスペーサ７の面に導電性部材２２が形成されるため、かかる導電性部材２２に印加する電位を低い電位とすることができる。
【００３９】
＜第２の実施形態＞
本発明の別の実施形態について以下に説明する。
【００４０】
第１の実施形態では、走査配線１２が層間絶縁層を介して変調配線１３上に位置していたのに対し、本実施形態では、変調配線１３が層間絶縁層を介して走査配線１２上に位置している点が異なる。また、スペーサ７に形成される導電性部材２２の構成が第１の実施形態とは異なる。
【００４１】
本実施形態における導電性部材２２の構成を図８に示す。第１の実施形態は、導電性部材２２がリアプレートと対向するスペーサの面に形成されるものであった。本実施形態の導電性部材２２は、第１の実施形態よりもＺ方向に位置し、スペーサ７の側面に形成されている。そのため、本実施形態では、導電性部材２２と配線とを絶縁するための絶縁層２０が不要となる。これは、スペーサ７の抵抗がある程度高い抵抗値であるため、導電性部材２２と配線との間の絶縁を確保することができるからである。そのため、変調配線１３の上にスペーサ７が直接配置される構成となる。
【００４２】
導電性部材２２の両端には、図９（ａ）に示すように、電位供給手段２３、２４が接続されている。本実施形態では、電位供給手段２３は電位供給手段２４よりも高い電位を供給する。そのため、導電性部材２２には図９（ｂ）に示すような電位勾配が形成される。第１の実施形態と異なり、本実施形態では周期的に配置される変調配線１３がスペーサ７に接しているため、変調配線１３の電位の影響を受けて、図９（ｂ）に示すように、周期的に電位が変動している。しかし、周期的な電位変動の中心を示す図９（ｂ）の破線は、スペーサ７の長手方向に沿って電位勾配を形成している。本発明はかかる構成にも適用することができる。
【００４３】
本実施形態の場合、導電性部材２２はスペーサ７のリアプレート側端面よりも、メタルバック４に近い位置に形成される。そのため、導電性部材２２に印加すべき電位は第１の実施形態に比べて高い電位となる。すなわち、導電性部材２２が形成されるＺ方向の位置が大きくなるにつれて、導電性部材２２に印加すべき電位の値は大きくなる。
【実施例】
【００４４】
（実施例１）
本実施例では、導電性部材を有するスペーサの製造方法と、電子照射位置の調整方法の一例を詳細に説明する。
【００４５】
（工程１：スペーサ基材）
スペーサの基材としては、機械的強度、電気的絶縁性に優れたガラスを用い、加熱延伸法を用いて、母材となるガラスを引き伸ばして、長い板状のスペーサ基材を得た。
【００４６】
（工程２：高抵抗膜形成）
工程１で作製したスペーサ基材の表面に、高抵抗膜としてゲルマニウムとタングステンとの合金の窒化物をスパッタ法により成膜した。高抵抗膜の膜厚は１００ｎｍとし、シート抵抗値は１×１０１１Ω／□程度であった。
【００４７】
（工程３：導電性部材形成）
工程２で形成した高抵抗膜つきスペーサに、Ｃｕの導電性部材２２を形成した。導電性部材２２をスペーサ７のリアプレート側端面に形成するため、図１０に示すように、まず、成膜治具４０によりスペーサ７を挟み込んだ。そして、成膜治具４０からスペーサ７が所望の高さ突き出るように配置した状態で、スパッタ法によりＣｕを成膜した。成膜したＣｕ膜のシート抵抗値は１×１０３Ω／□程度であった。
【００４８】
（工程４：スペーサ固定、導電性部材への給電）
工程３で作製したスペーサ７を、リアプレート８に固定する。固定には、Ａｇのフィラーとセラミックス粉が水ガラスに分散された導電性接着剤を用いた。リアプレート８のうち画像表示領域外の領域でスペーサ７を接着する部分に、不図示の配線を設け、外部電源である電位供給手段２３、２４から給電できるようにした。なお、リアプレート８とスペーサ７との画像領域内での接触部は、リアプレート８上に絶縁層２０を設けることで絶縁した。
【００４９】
（工程５ 電子照射位置測定、導電性部材への給電）
上述のように作製したスペーサ７と、リアプレート８、フェースプレート１を用いて画像表示装置を形成した。まずは、導電性部材２２への給電を、電位供給手段２３、２４ともに１０Ｖとして、画像表示装置から画像を表示させ、電子照射位置を測定するカメラにより、フェースプレート上における電子の照射位置を撮影した。本実施例の測定結果は、図６に示すようになった。スペーサ近傍の電子の照射位置は、電位供給手段２３側でスペーサ７に近づき（図６（ａ））、電位供給手段２４側でスペーサ７から遠ざかっていた（図６（ｃ））。そこで、電位供給手段２３から８Ｖを、電位供給手段２４から１２Ｖを導電性部材２２に印加し、スペーサ７の長手方向に沿って導電性部材２２に電位勾配を形成した。その結果、Ｌ１は大きくなる一方、Ｌ２は小さくなり、Ｌ１とＬ２の差が小さくなった。これにより、画像表示装置の画質が向上した。
【００５０】
（実施例２）
本実施例では、図８に示したように、導電性部材２２をスペーサ７のリアプレート側端面ではなく、スペーサ７の側面に形成した。その他の構成については第１の実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００５１】
工程１、工程２は実施例１と同様である。
【００５２】
（工程３：導電性部材形成）
工程２で形成した高抵抗膜つきスペーサの側面に、酸化スズの微粒子を分散した溶液をインクジェット法により形成した。
【００５３】
（工程４：スペーサ固定、導電性部材への給電）
工程３で作製したスペーサ７を、リアプレート８に固定する。固定には、Ａｇのフィラーとセラミックス粉が水ガラスに分散された導電性接着剤を用いた。リアプレート８のうち画像表示領域外の領域でスペーサ７を接着する部分に、不図示の配線を設け、外部電源である電位供給手段２３、２４から導電性部材２２に給電できるようにした。
【００５４】
（工程５ 電子照射位置測定、導電性部材への給電）
上述のように作製したスペーサ７と、リアプレート８、フェースプレート１を用いて画像表示装置を形成した。まずは、導電性部材２２への給電を、電位供給手段２３、２４ともに４００Ｖとして、画像表示装置から画像を表示させ、電子照射位置を測定するカメラにより、フェースプレート上における電子の照射位置を撮影した。本実施例の測定結果は、図６に示すようになった。スペーサ近傍の電子の照射位置は、電位供給手段２３側でスペーサ７に近づき（図６（ａ））、電位供給手段２４側でスペーサ７から遠ざかっていた（図６（ｃ））。そこで、電位供給手段２３から４００Ｖを、電位供給手段２４から６００Ｖを導電性部材２２に印加し、スペーサ７の長手方向に沿って導電性部材２２に電位勾配を形成した。その結果、Ｌ１は大きくなる一方、Ｌ２は小さくなり、Ｌ１とＬ２の差が小さくなった。これにより、画像表示装置の画質が向上した。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】画像表示装置の構造の一例を示す斜視図である。
【図２】スペーサ近傍における画像表示装置の断面図である。
【図３】導電性部材の電位分布を示す図である。
【図４】スペーサ近傍の電位分布を示す図である。
【図５】スペーサ近傍の電位分布を示す図である。
【図６】画像表示領域内における電子の照射位置を示す図である。
【図７】第１の実施形態における導電性部材の電位分布を示す図である。
【図８】スペーサ近傍における画像表示装置の断面図である。
【図９】導電性部材の電位分布を示す図である。
【図１０】導電性部材を形成する工程を説明する図である。
【符号の説明】
【００５６】
１ フェースプレート
４ メタルバック
５ 電子放出素子
７ スペーサ
８ リアプレート
１１ 画像表示領域
２２ 導電性部材
２３、２４ 電位供給手段
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子放出素子を有するリアプレートと、
前記複数の電子放出素子から放出された電子を加速するアノード電極を有するフェースプレートと、
前記リアプレートと前記フェースプレートとの間に配置される板状のスペーサであって、該スペーサの長手方向に沿って形成される導電性部材を有するスペーサと、
前記複数の電子放出素子のうち第１の電子放出素子から放出された電子によって照射される前記フェースプレート上の位置から前記スペーサまでの距離と、該第１の電子放出素子に対して該スペーサの長手方向に配置される第２の電子放出素子から放出された電子によって照射される前記フェースプレート上の位置から該スペーサまでの距離との差を補償するように、前記導電性部材に該スペーサの長手方向に沿って電位勾配を形成する電位供給手段と、
を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記リアプレートと対向する前記スペーサの面に、前記導電性部材が形成されることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記スペーサは、その長手方向が画像表示領域を跨って配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項１】
複数の電子放出素子を有するリアプレートと、
前記複数の電子放出素子から放出された電子を加速するアノード電極を有するフェースプレートと、
前記リアプレートと前記フェースプレートとの間に配置される板状のスペーサであって、該スペーサの長手方向に沿って形成される導電性部材を有するスペーサと、
前記複数の電子放出素子のうち第１の電子放出素子から放出された電子によって照射される前記フェースプレート上の位置から前記スペーサまでの距離と、該第１の電子放出素子に対して該スペーサの長手方向に配置される第２の電子放出素子から放出された電子によって照射される前記フェースプレート上の位置から該スペーサまでの距離との差を補償するように、前記導電性部材に該スペーサの長手方向に沿って電位勾配を形成する電位供給手段と、
を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記リアプレートと対向する前記スペーサの面に、前記導電性部材が形成されることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記スペーサは、その長手方向が画像表示領域を跨って配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１０−１２３５００（Ｐ２０１０−１２３５００Ａ）
【公開日】平成２２年６月３日（２０１０．６．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２９８１７９（Ｐ２００８−２９８１７９）
【出願日】平成２０年１１月２１日（２００８．１１．２１）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年６月３日（２０１０．６．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１１月２１日（２００８．１１．２１）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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