画素回路及び表示装置
【課題】ドライブトランジスタの閾電圧に加え、移動度の影響を補正可能な画素回路を提供する。
【解決手段】画素回路2は補正用トランジスタTr5を備えており、サンプリング期間に先行して設定された補正期間に動作し、容量部Cs1,Cs2に通電して容量部が保持していた電位をリセットした後通電を遮断しドライブトランジスタTr2のソースSとゲートG間に現れる電位差を検出する。容量部Cs1,Cs2は検出した電位差に応じた電位を保持する。保持した電位はドライブトランジスタTr2の出力電流Idsに対する閾電圧Vthの影響を相殺する。更にドライブトランジスタTr2はそのチャネル領域の長さを短縮化して出力電流にソースS・ドレインD間電圧に対する依存性を与え、これにより出力電流Idsのキャリア移動度μに対する依存性を自己補正する。
【解決手段】画素回路2は補正用トランジスタTr5を備えており、サンプリング期間に先行して設定された補正期間に動作し、容量部Cs1,Cs2に通電して容量部が保持していた電位をリセットした後通電を遮断しドライブトランジスタTr2のソースSとゲートG間に現れる電位差を検出する。容量部Cs1,Cs2は検出した電位差に応じた電位を保持する。保持した電位はドライブトランジスタTr2の出力電流Idsに対する閾電圧Vthの影響を相殺する。更にドライブトランジスタTr2はそのチャネル領域の長さを短縮化して出力電流にソースS・ドレインD間電圧に対する依存性を与え、これにより出力電流Idsのキャリア移動度μに対する依存性を自己補正する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、画素毎に配した発光素子を電流駆動する画素回路に関する。又この画素回路がマトリクス状(行列状)に配列された表示装置であって、特に各画素回路内に設けた絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって、有機ELなどの発光素子に通電する電流量を制御する、いわゆるアクティブマトリクス型の表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
画像表示装置、例えば液晶ディスプレイなどでは、多数の液晶画素をマトリクス状に並べ、表示すべき画像情報に応じて画素毎に入射光の透過強度又は反射強度を制御することによって画像を表示する。これは、有機EL素子を画素に用いた有機ELディスプレイなどにおいても同様であるが、液晶画素と異なり有機EL素子は自発光素子である。その為、有機ELディスプレイは液晶ディスプレイに比べて画像の視認性が高く、バックライトが不要であり、応答速度が高いなどの利点を有する。又、各発光素子の輝度レベル(階調)はそれに流れる電流値によって制御可能であり、いわゆる電流制御型であるという点で液晶ディスプレイなどの電圧制御型とは大きく異なる。
【0003】
有機ELディスプレイにおいては、液晶ディスプレイと同様、その駆動方式として単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は構造が単純であるものの、大型且つ高精細のディスプレイの実現が難しいなどの問題がある為、現在はアクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、各画素回路内部の発光素子に流れる電流を、画素回路内部に設けた能動素子(一般には薄膜トランジスタ、TFT)によって制御するものであり、以下の特許文献に記載がある。
【特許文献1】特開2003−255856
【特許文献2】特開2003−271095
【特許文献3】特開2004−133240
【特許文献4】特開2004−029791
【特許文献5】特開2004−093682
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
従来の画素回路は、制御パルスを供給する行状の走査線と映像信号を供給する列状の信号線とが交差する部分に配され、少なくともサンプリングトランジスタと容量部とドライブトランジスタと発光素子とを含む。サンプリングトランジスタは、走査線から供給される制御パルスに応じ導通して信号線から供給された映像信号をサンプリングする。容量部は、サンプリングされた映像信号に応じた入力電位を保持する。ドライブトランジスタは、容量部に保持された入力電位に応じて所定の発光期間に出力電流を供給する。尚一般に、出力電流はドライブトランジスタのチャネル領域のキャリア移動度及び閾電圧に対して依存性を有する。発光素子は、ドライブトランジスタから供給された出力電流により映像信号に応じた輝度で発光する。
【0005】
ドライブトランジスタは、容量部に保持された入力電位をゲートに受けてソース/ドレイン間に出力電流を流し、発光素子に通電する。一般に発光素子の発光輝度は通電量に比例している。更にドライブトランジスタの出力電流供給量はゲート電圧すなわち容量部に書き込まれた入力電位によって制御される。従来の画素回路は、ドライブトランジスタのゲートに印加される入力電圧を入力映像信号に応じて変化させることで、発光素子に供給する電流量を制御している。
【0006】
ここでドライブトランジスタの動作特性は以下の式で表わされる。
Ids=(1/2)μ(W/L)Cox(Vgs−Vth)2
このトランジスタ特性式において、Idsはソース/ドレイン間に流れるドレイン電流を表わしており、画素回路では発光素子に供給される出力電流である。Vgsはソースを基準としてゲートに印加されるゲート印加電圧を表わしており、画素回路では上述した入力電位である。Vthはトランジスタの閾電圧である。又μはトランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度を表わしている。その他Wはチャネル幅を表わし、Lはチャネル長を表わし、Coxはゲート容量を表わしている。このトランジスタ特性式から明らかな様に、薄膜トランジスタは飽和領域で動作する時、ゲート電圧Vgsが閾電圧Vthを超えて大きくなると、オン状態となってドレイン電流Idsが流れる。原理的に見ると上記のトランジスタ特性式が示す様に、ゲート電圧Vgsが一定であれば常に同じ量のドレイン電流Idsが発光素子に供給される。従って、画面を構成する各画素に全て同一のレベルの入力信号を供給すれば、全画素が同一輝度で発光し、画面の一様性(ユニフォーミティ)が得られるはずである。
【0007】
しかしながら実際には、ポリシリコンなどの半導体薄膜で構成された薄膜トランジスタ(TFT)は、個々のデバイス特性にばらつきがある。特に、閾電圧Vthは一定ではなく、各画素毎にばらつきがある。前述のトランジスタ特性式から明らかな様に、各ドライブトランジスタの閾電圧Vthがばらつくと、ゲート印加電圧Vgsが一定であっても、ドレイン電流Idsにばらつきが生じ、画素毎に輝度がばらついてしまう為、画面のユニフォーミティを損なう。従来からドライブトランジスタの閾電圧のばらつきをキャンセルする機能を組み込んだ画素回路が開発されており、例えば前記の特許文献3に開示がある。
【0008】
閾電圧のばらつきをキャンセルする機能を組み込んだ画素回路は、ある程度画面のユニフォーミティを改善する事が可能である。しかしながら、ポリシリコン薄膜トランジスタの特性は、閾電圧ばかりでなく移動度μも素子毎にばらつきがある。前述のトランジスタ特性式から明らかなように、ドレイン電流Idsは移動度μに比例している。したがって移動度μがばらつくと、ゲート電圧Vgsが一定であってもドレイン電流Idsにばらつきが出てしまう。この結果発光輝度が画素毎に変化する為、画面のユニフォーミティを損なうという課題がある。なお、本願発明に直接の関連性はないが、画面のユニフォーミティを改善する為の技術として、以下の特許文献6ないし11が挙げられる。
【特許文献6】特開2002−132218
【特許文献7】特開2003−186438
【特許文献8】特開2000−276075
【特許文献9】特開2004−126559
【特許文献10】特開2004−004911
【特許文献11】特開2004−054234
【課題を解決するための手段】
【0009】
上述した従来の技術の課題に鑑み、本発明はドライブトランジスタの閾電圧のばらつきに加え移動度のばらつきの補正も可能な表示装置及び画素回路を提供する事を目的とする。かかる目的を達成する為に以下の手段を講じた。即ち本発明は、制御パルスを供給する行状の走査線と映像信号を供給する列状の信号線とが交差する部分に配され、少なくともサンプリングトランジスタと容量部とドライブトランジスタと発光素子とを含み、前記サンプリングトランジスタは、所定のサンプリング期間に走査線から供給される制御パルスに応じ導通して信号線から供給された映像信号をサンプリングし、前記容量部は、サンプリングされた映像信号に応じた入力電位を保持し、前記ドライブトランジスタは、該容量部に保持された入力電位に応じて所定の発光期間に出力電流を供給し、該出力電流は該ドライブトランジスタのチャネル領域のキャリア移動度及び閾電圧に対して依存性を有し、前記発光素子は、該ドライブトランジスタから供給された出力電流により該映像信号に応じた輝度で発光する画素回路において、該出力電流の閾電圧に対する依存性を補正するための補正手段を備えており、 前記補正手段は該ドライブトランジスタ及び容量部に接続しており、該サンプリング期間に先行して設定された補正期間に動作し、該容量部に通電して該容量部が保持していた電位をリセットした後該通電を遮断し該ドライブトランジスタのソースとゲート間に現れる電位差を検出し、前記容量部は該検出した電位差に応じた電位を保持し、該保持した電位は該ドライブトランジスタの出力電流に対する閾電圧の影響を相殺し、更に前記ドライブトランジスタはそのチャネル領域の長さを短縮化して出力電流にソース・ドレイン間電圧に対する依存性を与え、これにより該出力電流のキャリア移動度に対する依存性を自己補正することを特徴とする。好ましくは、前記ドライブトランジスタは、そのチャネル領域の長さが5μm以下に短縮化されている。
【0010】
又本発明は、画素アレイ部とスキャナ部と信号部とを含み、前記画素アレイ部は、行状に配された走査線と、列状に配された信号線と、両者が交差する部分に配された行列状の画素とからなり、前記信号部は、該信号線に映像信号を供給し、前記スキャナ部は、該走査線に制御パルスを供給して順次行ごとに画素を走査し、各画素は、少なくともサンプリングトランジスタと容量部とドライブトランジスタと発光素子とを含み、前記サンプリングトランジスタは、所定のサンプリング期間に走査線から供給されるサンプリング用制御パルスに応じ導通して信号線から供給された映像信号をサンプリングし、前記容量部は、サンプリングされた映像信号に応じた入力電位を保持し、前記ドライブトランジスタは、該容量部に保持された入力電位に応じて所定の発光期間に出力電流を供給し、該出力電流は該ドライブトランジスタのチャネル領域のキャリア移動度及び閾電圧に対して依存性を有し、前記発光素子は、該ドライブトランジスタから供給された出力電流により該映像信号に応じた輝度で発光する表示装置において、各画素は、該出力電流の閾電圧に対する依存性を補正するための補正手段を備えており、前記補正手段は該ドライブトランジスタ及び容量部に接続しており、該サンプリング期間に先行して設定された補正期間に動作し、該容量部に通電して該容量部が保持していた電位をリセットした後該通電を遮断し該ドライブトランジスタのソースとゲート間に現れる電位差を検出し、前記容量部は該検出した電位差に応じた電位を保持し、該保持した電位は該ドライブトランジスタの出力電流に対する閾電圧の影響を相殺し、更に前記ドライブトランジスタはそのチャネル領域の長さを短縮化して出力電流にソース・ドレイン間電圧に対する依存性を与え、これにより該出力電流のキャリア移動度に対する依存性を自己補正することを特徴とする。好ましくは、前記ドライブトランジスタは、そのチャネル領域の長さが5μm以下に短縮化されている。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、画素回路は出力電流の閾電圧に対する依存性に加えキャリア移動度に対する依存性も補正している。まず閾電圧に対する依存性の補正であるが、所定の補正期間でドライブトランジスタに検出用の過渡電流を流し、これがカットオフする時点でドライブトランジスタのソースとゲート間に現れる電位差を検出し、これを容量部に保持している。ドライブトランジスタがカットオフする時に現れる電位差は丁度閾電圧Vthに等しく、これを容量部に保持して入力電位に足し込む様にする。これによりドライブトランジスタの閾電圧の影響をキャンセル可能である。
【0012】
次にキャリア移動度のばらつき補正であるが、ドライブトランジスタのチャネル領域を短縮化して、いわゆるアーリ効果を付与し、これを利用して移動度ばらつきを自己補正している。具体的には、チャネル領域の長さを5μm以下に短縮化することで移動度のばらつき抑制に有効なアーリ効果を付与できる。一般にドライブトランジスタが飽和領域で動作する時、出力電流(ドレイン電流)はソース・ゲート間に現れるゲート電圧のみに依存し、ソース・ドレイン間に現れるドレイン電圧には依存しない。しかしながら、チャネル領域を短縮化してアーリ効果を付与すると、ドレイン電流がドレイン電圧に対して依存性を有するようになる。画素回路ではドライブトランジスタが発光素子を駆動する様になっており、発光素子との動作点でドレイン電圧が決まる。換言すると、発光素子のアノード電位の上下によってドレイン電圧が変動する。ドライブトランジスタにアーリ効果を付与すると、移動度が高く電流供給能力が大きい場合、アノード電位が上昇する方向に動作点が変化し、これに伴ってドレイン電圧が小さくなる。アーリ効果によってドレイン電圧が小さくなるとドレイン電流が下がる。この様にして移動度が高い場合ドレイン電流が下がる方向に自己補正がかかる。逆に移動度が小さく出力電流供給能力が少ない場合、アノード電位は下方に変化する傾向になりその分ドレイン電圧が拡大する。アーリ効果によってドレイン電圧の拡大に伴いドレイン電流が増大する。即ち少ない出力電流供給能力を補う方向にアーリ効果が作用するので、やはり自己補正がかかる。この様にしてドライブトランジスタのアーリ効果により移動度のばらつきを自動的に補正する事が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0013】
以下図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図1は本発明にかかる表示装置の第1実施形態を示すブロック図である。図示するように、アクティブマトリクス型の表示装置は、主要部となる画素アレイ1と周辺の回路群とで構成されている。画素アレイ1は画素回路2を含んでいる。周辺の回路群は水平セレクタ3、ライトスキャナ4、第一ドライブスキャナ5、第二ドライブスキャナ6、補正用スキャナ7などを含んでいる。
【0014】
画素アレイ1は行状の走査線WSと列状の信号線SLと両者の交差する部分にマトリクス状に配列した画素回路2とで構成されている。本例の場合、カラー表示を行うため、画素回路2はRGB三原色に分かれて設けてある。信号線SLは水平セレクタ3によって駆動される。走査線WSはライトスキャナ4によって走査される。なお、走査線WSと平行に別の走査線DS1,DS2,AZも配線されている。走査線DS1は第一ドライブスキャナ5によって走査される。走査線DS2は第二ドライブスキャナ6によって走査される。なお、走査線DS2はRGBに分かれて3本配されている。これに対し走査線DS1はRGB共通で1本配されている。残りの走査線AZは補正用スキャナ7によって走査される。
【0015】
図2は、図1に示した画素回路2の基本的な構成を示す回路図である。本画素回路2は、サンプリングトランジスタTr1、ドライブトランジスタTr2、スイッチングトランジスタTr3、スイッチングトランジスタTr4、検出トランジスタTr5、スイッチングトランジスタTr6、一対の容量素子Cs1,Cs2及び発光素子ELとで構成されている。本実施形態では各トランジスタTr1ないしTr6が全てNチャネル型のアモルファスシリコン薄膜トランジスタ(TFT)で構成されている。また発光素子ELは、例えば有機EL素子を用いることができる。本発明の特徴事項として、ドライブトランジスタTr2はチャネル領域の長さが5μm以下に短縮化されており、アーリ効果が付与されている。このアーリ効果により、ドライブトランジスタTr2の出力電流(ドレイン電流Ids)はソースS・ドレインD間電圧(ドレイン電圧Vds)に対する依存性が生じる。具体的には、ドレイン電圧が小さくなるほどドレイン電流が少なくなる傾向になる。
【0016】
引き続き図2を参照して画素回路2の構成を具体的に説明する。ドライブトランジスタTr2は入力ノードとなるゲートG、出力ノードとなるソースS及び電源ノードとなるドレインDとを備えている。出力ノード(S)には発光素子ELのアノードが接続している。発光素子ELのカソードは接地(GND)されている。本例では、発光素子ELはアノード及びカソードを備えた二端子形である。ドライブトランジスタTr2の電源側ノード(D)は、スイッチングトランジスタTr4を介して電源Vccに接続されている。このスイッチングトランジスタTr4のゲートは、走査線DS2に接続されている。
【0017】
ドライブトランジスタTr2の入力ノード(G)には保持容量Cs2の一端が接続されている。この保持容量Cs2の他端は出力ノード(S)に接続するとともに、スイッチングトランジスタTr3を介して接地されている。スイッチングトランジスタTr3のゲートは走査線DS1に接続されている。さらに入力ノード(G)には結合容量Cs1を介してサンプリングトランジスタTr1が接続している。サンプリングトランジスタTr1のゲートは走査線WSに接続している。またサンプリングトランジスタTr1のソースは信号線SLに接続している。加えて結合容量Cs1とサンプリングトランジスタTr1の接続ノードは、スイッチングトランジスタTr6を介して接地されている。スイッチングトランジスタTr6のゲートは走査線AZに接続している。最後に、ドライブトランジスタTr2のゲートGとドレインDとの間に検出トランジスタTr5が接続されている。検出トランジスタTr5のゲートは走査線AZに接続している。
【0018】
図3のタイミングチャートを参照して、図2に示した第1実施形態にかかる画素回路の動作を詳細に説明する。図示のタイミングチャートは、タイミングT1で1フィールド(1f)がスタートし、タイミングT8で1フィールドが終わるように表してある。時間軸に沿って、走査線WS,AZ,DS1及びDS2にそれぞれ印加される制御パルスWS、AZ、DS1及びDS2の波形を表してある。また同じ時間軸に沿って、ドライブトランジスタTr2の入力ノード(G)及び出力ノード(S)の電位変化を表してある。
【0019】
当該フィールドがスタートするタイミングT1の前のタイミングT0で、走査線WS,AZ,DS1がローレベルにある一方、走査線DS2がハイレベルにある。したがってスイッチングトランジスタTr4のみがオン状態で、残りのトランジスタTr1,Tr3,Tr5及びTr6はオフ状態となっている。この状態でドライブトランジスタTr2のドレインDはオン状態のスイッチングトランジスタTr4を介して電源Vccに接続される。ドライブトランジスタTr2はゲートGとソースSとの間に印加されるゲート電圧Vgsに応じて出力電流(ドレイン電流)Idsを発光素子ELに供給する。これにより発光素子ELは所定の輝度で発光している。
【0020】
タイミングT1となって当該フィールドがスタートすると、制御パルスAZが立ち上がる。これにより検出トランジスタTr5とスイッチングトランジスタTr6がオンする。Tr6がオンすることで結合容量Cs1の一端が接地電位GNDに固定され、ドライブトランジスタTr2の閾電圧(Vth)の検出準備状態に入る。検出トランジスタTr5もオンするため、ドライブトランジスタTr2のゲートGとドレインDが直結する。このときスイッチングトランジスタTr4はまだオン状態に保たれているため、ドライブトランジスタTr2のゲート電位は急激に上昇する。これと連動してドライブトランジスタTr2のソース電位も急激に上昇する。この様にして容量素子Cs1,Cs2に保持されていた電位を一旦リセットする。
【0021】
続いてタイミングT2になると、制御パルスDS2がローレベルとなりスイッチングトランジスタTr4がオフする。これにより、ドライブトランジスタTr2は電源Vccから切り離され非発光状態になる。同時に制御パルスDS1が立ち上がるので、スイッチングトランジスタTr3がオンし、ドライブトランジスタTr2のソースS及び保持容量Cs2の一端が接地される。スイッチングトランジスタTr4がオフすることで、ドライブトランジスタTr2のゲート電位Gは低下していく。丁度ゲート電位Gとソース電位Sとの差Vgsが閾電圧Vthとなったところで、ドレイン電流Idsは流れなくなる。この結果、ゲートGとソースSとの間に接続された保持容量Cs2にドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthが保持される。
【0022】
この後タイミングT3で制御パルスAZが立ち下がり、検出トランジスタTr5がオフとなってVth検出動作が終了する。
【0023】
続いてタイミングT4になると、制御パルスWSが立ち上がり、サンプリングトランジスタTr1がオンする。これにより信号線SLから供給された映像信号が結合容量Cs1を介して保持容量Cs2にカップリングされる。この結果、保持容量Cs2には先に書き込まれたVthに足し込むかたちで映像信号に対応した信号電圧Vinが書き込まれる。この結果、保持容量Cs2はドライブトランジスタTr2の入力ノード(G)に対して、入力電位Vin+Vthを供給することになる。入力電位には常に閾電圧Vthが足し込まれているので、例え画素ごとにドライブトランジスタの閾電圧がばらついていても、常にキャンセルすることができる。
【0024】
この後映像信号のサンプリングに割り当てられた1水平期間(1H)が経過するタイミングT5で制御パルスWSが立ち下がり、サンプリングトランジスタTr1がオフする。
【0025】
続いてタイミングT6に至ると、制御パルスDS1が立ち下がり、スイッチングトランジスタTr3がオフする。これにより、ドライブトランジスタTr2のソースS及び保持容量Cs2の一端が接地レベルから切り離され、発光動作の準備状態となる。
【0026】
この後タイミングT7になると制御パルスDS2が立ち上がり、スイッチングトランジスタTr4がオンする。この結果ドライブトランジスタTr2のドレインDが電源電位Vccに接続し、入力電位Vin+Vthに応じたドレイン電流Idsが流れ、発光素子ELは信号電位Vinに応じた輝度で発光する。タイミングT7では既にドライブトランジスタTr2のソースSが接地電位GNDから切り離されているので、発光素子ELに出力電流Idsが流れると電圧降下によりアノード電位(したがってドライブトランジスタTr2のソース電位)が上昇する。このときブートストラップ動作でゲート電位もそのまま上昇するので、保持容量Cs2に保持された入力電位(ゲート電位Vgs)は一定に維持される。この結果ドライブトランジスタTr2は定電源として動作する。
【0027】
最後にタイミングT8に至ると当該フィールドが完了するとともに次のフィールドに入る。
【0028】
ここで、発光期間T7−T8で行われるドライブトランジスタTr2の自己補正動作を詳細に説明する。図4はドライブトランジスタのドレイン電流Ids/ドレイン電圧Vds特性を示すグラフである(A)はアーリ効果を有さない通常のドライブトランジスタの特性を示し、(B)はアーリ効果を付与されたドライブトランジスタの特性を表している。グラフ中、カーブHは移動度が比較的高いドライブトランジスタの特性を表し、カーブLは移動度が比較的低いドライブトランジスタの特性を表している。また各特性カーブ上の黒点はドライブトランジスタが発光素子を駆動する場合の動作点を表している。発光素子側から見るとアノード電位であり、ドライブトランジスタ側から見るとソース電位となっている。
【0029】
まずアーリ効果のない場合(A)であるが、ドライブトランジスタは飽和領域で動作し、ドレイン電流Idsはドレイン電圧Vdsに対する依存性が見られない。即ちVdsに関わらずドレイン電流Idsは一定である。前述のトランジスタ特性式から明らかなように、ドレイン電流Idsはゲート電圧Vgsによって決定される。但し、Vgsが一定であっても移動度μ及び閾電圧Vthがばらつく為、Idsも画素間で変動する。本発明では、閾電圧Vthのばらつきは予めキャンセルされている。したがって移動度μの影響のみが残る。グラフから明らかなように、移動度μが高いと、ドライブトランジスタの電流供給能力が大きい為、移動度が高いドライブトランジスタのドレイン電流Idshは高くなる。この分発光素子内で生じる電圧降下が大きくなるのでアノード電位が上昇し、結果的にドレイン電圧Vdshは比較的低い。但し、通常のドライブトランジスタの場合、ドレイン電圧Vdsに対するドレイン電流Idsの依存性はない為、動作点がどこにあろうとも、常にゲート電圧Vgsで決まるドレイン電流Idshが流れる事になる。
【0030】
一方、特性カーブLで示すように、移動度μの小さなドライブトランジスタの場合、電流供給能力が低い為ドレイン電流Idslは比較的低レベルにある。その分動作点(Vdsl)は移動度が高い場合(Vdsh)に比べ上方にシフトする。以上の結果から明らかなように、通常のドライブトランジスタでは移動度μの相違が直接出力電流Idsの違いとなって現れ、何ら補正をしない限り画面のユニフォーミティを維持する事はできない。ドライブトランジスタが飽和領域で動作している場合は(A)に示すように理想的な定電流源となる為、動作点が変化しても出力電流値は変わらず、移動度のばらつきによる出力電流のばらつきは補正できない。
【0031】
これに対しドライブトランジスタにアーリ効果が付与された場合(B)、ドレイン電流Idsはドレイン電圧Vdsに対する依存性が生じるようになる。(B)に示すように、ドレイン電圧Vdsの上昇に伴いドレイン電流Idsが上昇する傾向が生じる。その割合は特性カーブの傾きで表され、移動度が小さい場合よりも移動度が大きい場合の方が傾斜が大きくなっている。このアーリ効果の為、発光素子に対する動作点が変動する。まず移動度が大きい場合であるが、比較的高いアノード電圧が低下する為、動作点Vdshがアーリ効果のない場合に比べて下方に移動する。この結果ドレイン電流Idshもアーリ効果のない場合に比べて小さくなる。一方移動度が小さい場合であるが、比較的低いアノード電圧がアーリ効果によって逆に上昇し、動作点Vdslがアーリ効果のない場合に比べて上方にシフトする。これにより移動度が小さいドライブトランジスタのドレイン電流Idslはアーリ効果のない場合に比べて大きくなる。以上により、アーリ効果によってIdshとIdslの差は縮小する方向に変化し、ドライブトランジスタの移動度のばらつきを吸収する方向に自己補正機能が作用する。よって本発明により移動度のばらつきを補正する事が可能である。
【0032】
図5は、出力電流のばらつきとドライブトランジスタのチャネル長(L長)との関係を示すグラフである。横軸にドライブトランジスタの出力電流の画素間ばらつきを%で取り、横軸にドライブトランジスタのL長(単位μm)を取ってある。グラフから明らかなように、L長を5μm以下に短縮化することで、出力電流のばらつきは急激に改善されている。この様にドライブトランジスタのチャネル長を5μm以下に短縮化する事で、移動度のばらつきを自己補正する事ができ、低温ポリシリコンTFTなどばらつきの大きいトランジスタを用いたパネルにおいても、ユニフォーミティの高い画質を得る事ができる。
【0033】
図6は、本発明にかかる表示装置及び画素回路の第2実施形態を示す回路図である。基本的には、図2に示した第1実施形態と類似しており、対応する部分には対応する参照番号を付してある。異なる点は、スイッチングトランジスタTr3のゲートを走査線WSに接続し、ライトスキャナ4によってスイッチングトランジスタTr3を動作させている事である。ライトスキャナ4をサンプリングトランジスタTr1とスイッチングトランジスタTr3の動作に共用する事で、ドライブスキャナが1個不用になる。
【0034】
図7は、図6に示した第2実施形態にかかる画素回路の動作説明に供するタイミングチャートである。補正準備期間T1−T2で制御パルスDS及びAZがハイレベルにある一方、制御パルスWSはローレベルである。この結果トランジスタTr1,Tr3がオフする一方、トランジスタTr4,Tr5,Tr6がオンする。これにより容量部(Cs1,Cs2)に保持されていた電位が一旦リセットされる。次にVth補正期間T2−T3で制御パルスDSがローレベルに切り替わり、スイッチングトランジスタTr4がオフする。この結果ドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthが検出され、容量部(Cs1,Cs2)に保持される。続いてサンプリング期間T4−T5になると制御パルスWSがハイレベルに切り替わり今までオフしていたサンプリングトランジスタTr1とスイッチングトランジスタTr3がオンする。これにより信号線SLから供給された映像信号がサンプリングされ、容量部(Cs1,Cs2)に保持される。最後に発光期間T6〜に入ると、制御パルスDSがハイレベルとなりスイッチングトランジスタTr4がオンになる。この時点で他のトランジスタTr1,Tr3,Tr5,Tr6は全てオフしている。ドレイン電流Idsが発光素子ELに流れ映像信号に応じた輝度で発光する。この時トランジスタTr3はオフしているのでブートストラップ動作が行われる。本発明の特徴事項として、ドライブトランジスタTr2のチャネル長を5μm以下に短縮化する事で、移動度のばらつきを自己補正する事ができ、低温ポリシリコンTFTなどばらつきの大きいトランジスタを用いたパネルにおいても、ユニフォーミティの高い画質を得る事ができる。
【0035】
図8は、本発明にかかる表示装置及び画素回路の第3実施形態を示す回路図である。基本的には図6に示した第2実施形態と類似しており、対応する部分には対応する参照番号を付してある。異なる点は、スイッチングトランジスタTr3のゲートが走査線WSではなく走査線AZに接続されている事である。この場合の動作タイミングは図7に示したタイミングチャートと同じになる。本実施形態でも、ドライブトランジスタTr2のチャネル長を好ましくは5μm以下に短縮化する事で、移動度のばらつきを自己補正する事ができ、低温ポリシリコンTFTなどばらつきの大きいトランジスタを用いたパネルにおいても、ユニフォーミティの高い画質を得る事ができる。
【0036】
図9は本発明にかかる表示装置及び画素回路の第4実施形態を示す回路図である。基本的には、図8に示した先の実施形態と同様であり、全てのトランジスタがNチャネル型となっている。異なる点は、画素回路を構成するトランジスタの素子数が1個減って5個になっている事である。また容量素子も2個から1個に減っており、容量部が1個の容量素子Csで構成されている。この関係で、画素回路2の接続関係が若干先の実施形態と異なっている。加えて先の実施形態では1個の補正用スキャナ7を用いていたが、これに代えて本実施形態では第一補正用スキャナ71と第二補正用スキャナ72を用いている。
【0037】
引き続き画素回路2の具体的な構成を説明する。ドライブトランジスタTr2は、そのドレインDがスイッチングトランジスタTr4を介して電源電位Vccに接続している。スイッチングトランジスタTr4のゲートは走査線DSを介してドライブスキャナ5に接続している。ドライブトランジスタTr2のソースSは発光素子ELのアノードに接続している。発光素子ELのカソードは接地されている。ドライブトランジスタTr2のゲートGは保持容量Cs及びスイッチングトランジスタTr3を介して所定の基準電位Vss2に接続している。トランジスタTr3のゲートは走査線AZ2を介して第二補正用スキャナ72に接続している。またドライブトランジスタTr2のゲートGと別の基準電位Vss1との間にスイッチングトランジスタTr6が接続している。このスイッチングトランジスタTr6のゲートは走査線AZ1を介して第一補正用スキャナ71に接続している。最後にサンプリングトランジスタTr1は信号線SLとドライブトランジスタTr2のゲートGとの間に接続している。このサンプリングトランジスタTr1のゲートは走査線WSを介してライトスキャナ4に接続している。
【0038】
図10は、図9に示した第4実施形態の動作説明に供するタイミングチャートである。タイミングT1で制御パルスDSがハイレベルからローレベルに切り替わり、スイッチングトランジスタTr4がオフする。発光素子ELに対する通電路が遮断されるので、画素回路2は非発光期間に入る。この時点で他の制御パルスAZ1,AZ2,WSは全てローレベルである。したがってタイミングT1では全てのトランジスタTr1,Tr3,Tr4,Tr6がオフになっている。
【0039】
続いて補正準備期間T2−T3に入ると、制御パルスAZ1,AZ2がローレベルからハイレベルに切り替わる。この結果スイッチングトランジスタTr3及びTr6がオンになり、保持容量Csに保持された電位がVss1,Vss2でリセットされる。この後Vth補正期間T4−T5になると、制御パルスDSがハイレベルになり、スイッチングトランジスタTr4がオンする。この時点でTr6は引き続きオン状態にある一方、トランジスタTr3はオフ状態に戻っている。これによりドレイン電流Idsが保持容量Csに流れ込み、カットオフになった時点でのゲートG/ソースS間の電位が保持容量Csに保持される。保持された電位はドライブトランジスタTr2のカットオフ電圧即ち閾電圧Vthに相当する。この後サンプリング期間T7−T8に進むと制御パルスWSがハイレベルになり、サンプリングトランジスタTr1がオンする。この時点でトランジスタTr6はオフしている。サンプリングトランジスタTr1がオンする事で信号線SLから映像信号がサンプリングされ保持容量Csに保持される。最後に発光期間T9〜に進むと、制御パルスDSが再びハイレベルとなり、スイッチングトランジスタTr4がオンする。この結果電源電位Vccと接地電位との間に電流路が形成され、ドライブトランジスタTr2から出力電流が発光素子ELに流れ、発光が開始する。本実施形態でも、ドライブトランジスタTr2のチャネル長を例えば5μm以下に短縮化する事で、移動度のばらつきを自己補正する事ができ、低温ポリシリコンTFTなどばらつきの大きいトランジスタを用いたパネルにおいても、ユニフォーミティの高い画質を得る事ができる。
【0040】
図11は、本発明にかかる画素回路及び表示装置の第5実施形態を示す模式的な回路図である。理解を容易にする為、先の実施形態と対応する部分には対応する参照番号を付してある。異なる点は、ドライブトランジスタTr2としてNチャネル型のTFTに代えてPチャネル型のTFTを使った事である。Pチャネル型のドライブトランジスタでも、そのチャネル領域の長さを短縮化してアーリ効果を付与する事で、キャリア移動度のばらつきを自己補正する事ができる。
【0041】
図示するように、画素回路2は5個の薄膜トランジスタTr1,Tr2,Tr4,Tr5,Tr6と、2個の容量素子Cs1,Cs2と、1個の発光素子ELとで構成されている。ドライブトランジスタTr2はPチャネル型のポリシリコンTFTである。残りのサンプリングトランジスタTr1,スイッチングトランジスタTr4,検出トランジスタTr5及びスイッチングトランジスタTr6は全てNチャネル型のポリシリコンTFTである。2個の要領素子Cs1とCs2は両者合わせて画素回路2の容量部を構成している。発光素子ELは例えばアノード及びカソードを備えた2端子型の有機EL素子からなる、但し本発明はこれに限られるものではなく、発光素子は一般的に電流駆動で発光するすべてのデバイスを含む。
【0042】
画素回路2の具体的な構成であるが、中心となるドライブトランジスタTr2のソースSが電源Vccに接続し、ドレインDがスイッチングトランジスタTr4を介して発光素子ELのアノードAに接続している。このトランジスタTr4のゲートは走査線DSに接続している。発光素子ELのカソードKは接地電位GNDに接続している。ドライブトランジスタTr2のゲートGとドレインDとの間に閾電圧検出用のトランジスタTr5が接続している。この検出トランジスタTr5のゲートは走査線AZに接続している。ドライブトランジスタTr2のゲートGは保持容量Cs2を介してサンプリングトランジスタTr1に接続している。サンプリングトランジスタTr1はこの保持容量Cs2と信号線SLとの間に介在している。サンプリングトランジスタTr1のゲートは走査線WSに接続している。保持容量Cs2とサンプリングトランジスタTr1の接続ノードには、電位固定用のスイッチングトランジスタTr6が接続している。このスイッチングトランジスタTr6のゲートは走査線AZに接続している。またこの接続ノードと電源電位Vccとの間に別の保持容量Cs1が接続している。なお、図では、ドライブトランジスタTr2のゲートGとソースSとの間に現れるゲート電圧をVgsとしている。またドライブトランジスタTr2のソースSとドレインDとの間を流れるドレイン電流をIdsで表してある。
【0043】
図12は、図11に示した実施形態の動作説明に供するタイミングチャートである。図示のタイミングチャートは、タイミングT1で1フィールド(1f)がスタートし、タイミングT8で1フィールドが終わるように表してある。時間軸に沿って、走査線WS,AZ,DSにそれぞれ印加される制御パルスWS,AZ,DSの波形を表してある。また同じ時間軸に沿って、ドライブトランジスタTr2のゲートG及び発光素子ELのアノードAの電位変化を表してある。まずタイミングT1で制御パルスAZが立ち上がり、検出トランジスタTr5及び電位固定用のスイッチングトランジスタTr6がオンする。これによりドライブトランジスタTr2のゲート電位が急激に低下すると共に、発光素子ELのアノード電位Aが急激に上昇する。即ち検出トランジスタTr5をオンしてドレイン電流Idsを保持容量Cs2に通電し、これが保持していた電位を一旦リセットしている。
【0044】
タイミングT2になると、制御パルスDSが立ち下がり、スイッチングトランジスタTr4がオフして非発光期間に入る。この時ゲート電位が上昇し、丁度Vccとの差がVthとなった所でドレイン電流Idsがカットオフする。したがってアノード電位は接地電位GNDまで低下する。この様にして検出されたドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthは保持容量Cs2に保持される。
【0045】
この後タイミングT3で制御パルスAZが立ち下がった後、タイミングT4で制御パルスWSが立ち上がる。これによりサンプリングトランジスタTr1がオンし、信号線SLから供給された映像信号に応じた信号電位Vinが保持容量Cs1にサンプリングされる。これにより、保持容量Cs2に保持された入力電位はVth+Vinとなり、これがドライブトランジスタTr2のゲート電位Vgとして与えられる。タイミングT4から1水平期間(1H)経過後のタイミングT5で、制御パルスWSがローレベルに戻る
【0046】
この後タイミングT7に至ると制御パルスDSが立ち上がりスイッチングトランジスタTr4がオンする。この結果入力電位Vth+Vinに応じたドレイン電流Idsが発光素子ELに流れ、タイミングT8までの間発光期間となる。なお、タイミングT2からタイミングT3までの期間T2−T3はVth補正期間と呼ばれる。またタイミングT4からタイミングT5までの期間T4−T5はサンプリング期間と呼ばれる。このサンプリング期間T4−T5は1水平期間1Hに相当する。加えてタイミングT7からタイミングT8までの期間T7−T8は発光期間と呼ばれる。
【0047】
図13は、本発明にかかる表示装置及び画素回路の第6実施形態を示す回路図である。理解を容易にする為、先の実施形態と対応する部分には対応する参照番号を付してある。本実施形態は全てのトランジスタをPチャネル型で構成した点に特徴がある。図示するように、本画素回路2は5個のトランジスタTr1ないしTr5と、2個の容量素子Cs1,Cs2と、1個の発光素子ELとで構成されている。
【0048】
ドライブトランジスタTr2のソースSはスイッチングトランジスタTr4を介して電源電位Vccに接続されている。スイッチングトランジスタTr4のゲートは走査線DSを介してドライブスキャナ5に接続されている。ドライブトランジスタTr2のドレインDは発光素子ELのアノードに接続されている。発光素子ELのカソードは接地されている。ドライブトランジスタTr2のゲートGはスイッチングトランジスタTr3を介して所定のオフセット電位Vofsに接続している。スイッチングトランジスタTr3のゲートは走査線AZを介して補正用スキャナ7に接続している。ドライブトランジスタTr2のゲートGと入力側のノードXとの間に保持容量Cs2が配されている。またドライブトランジスタTr2のソースSと入力ノードXとの間にVth検出用のトランジスタTr5が接続している。この検出トランジスタTr5のゲートは走査線AZに接続している。入力ノードXと電源電位Vccとの間に他の容量素子Cs1が接続している。最後に、サンプリングトランジスタTr1が信号線SLと入力ノードXとの間に接続している。このサンプリングトランジスタTr1のゲートは走査線WSを介してライトスキャナ4に接続している。なお信号線SLは水平セレクタ3に接続している。
【0049】
図14は、図13に示した第6実施形態の動作説明に供するタイミングチャートであり、制御パルスDS,AZ,WSの経時的な変化を表している。補正準備期間T1−T2で制御パルスDS及びAZがローレベルにあり、制御パルスWSがハイレベルである。この結果、トランジスタTr3,Tr4,Tr5がオンする一方、Tr1はオフしている。この結果、ドライブトランジスタTr2のドレイン電流が容量部(Cs1,Cs2)に流れ、これらが保持していた電位をリセットする。続いてVth補正期間T2−T3で制御パルスDSがハイレベルとなり、スイッチングトランジスタTr4がオフに切り替わる。これによりドレイン電流の通電が遮断され、ドライブトランジスタTr2がカットオフした時にソースとゲート間に現れる電位差Vthを検出する。この検出された電位差Vthは容量部(Cs1,Cs2)に保持される。保持した電位VthはドライブトランジスタTr2の出力電流Idsに対する閾電圧Vthの影響を相殺する為に用いられる。さらにサンプリング期間T4−T5になると、制御パルスWSがローレベルとなり、サンプリングトランジスタTr1がオンして、信号線SLから供給された映像信号をサンプリングし、容量部(Cs1,Cs2)に保持する。このあと発光期間T6〜になると、制御パルスDSがローレベルとなり、スイッチングトランジスタTr4がオンして出力電流Idsが発光素子ELに流れ込み、発光が開始する。本発明の特徴事項として、ドライブトランジスタTr2のチャネル長を短縮化する事で、移動度のばらつきを自己補正する事ができ、低温ポリシリコンTFTなどばらつきの大きいトランジスタを用いたパネルにおいても、ユニフォーミティの高い画質を得る事ができる。
【0050】
以上の説明から明らかなように、本発明の画素回路は、例えば図2及び図3を参照すると、基本的に制御パルスWS,DS1,DS2,AZを供給する行状の走査線WS,DS1,DS2,AZと映像信号を供給する列状の信号線SLとが交差する部分に配されている。画素回路2は、少なくともサンプリングトランジスタTr1と容量部Cs1,Cs2とドライブトランジスタTr2と発光素子ELを含む。サンプリングトランジスタTr1は、所定のサンプリング期間T4−T5に走査線WSから供給される制御パルスWSに応じ導通して信号線SLから供給された映像信号をサンプリングする。容量部(Cs1,Cs2)は、サンプリングされた映像信号に応じた入力電位Vinを保持する。ドライブトランジスタTr2は、容量部(Cs1,Cs2)に保持された入力電位Vinに応じて所定の発光期間T7−T8に出力電流Idsを供給する。この出力電流IdsはドライブトランジスタTr2のチャネル領域のキャリア移動度μ及び閾電圧Vthに対して依存性を有する。発光素子ELは、ドライブトランジスタTr2から供給された出力電流Idsにより映像信号に応じた輝度で発光する。特徴事項として、本画素回路2は出力電流Idsの閾電圧Vthに対する依存性を補正する為の補正手段を備えている。この補正手段は図2の実施形態の場合検出トランジスタTr5を含んでいる。この補正手段はドライブトランジスタTr2及び容量部(Cs1,Cs2)に接続しており、サンプリング期間T7−T8に先行して設定された補正期間T1−T3に動作し、容量部(Cs1,Cs2)に通電して容量部(Cs1,Cs2)が保持していた電位をリセットした後通電を遮断しドライブトランジスタTr2のソースSとゲートG間に現れる電位差Vgsを検出する。容量部の容量素子Cs2は検出した電位差Vgsに応じた電位を保持する。この保持した電位VgsはドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthに相当する。この検出電圧を入力電位に足しこむ事で、ドライブトランジスタTr2の出力電流Idsに対する閾電圧Vthの影響をキャンセルする。さらにドライブトランジスタTr2はそのチャネル領域の長さを短縮化して出力電流IdsにソースS・ドレインD間電圧に対する依存性を与え、これにより出力電流Idsのキャリア移動度μに対する依存性を自己補正している。
【図面の簡単な説明】
【0051】
【図1】本発明にかかる表示装置の第1実施形態を示すブロック図である。
【図2】図1に示した表示装置に含まれる画素回路の構成を示す回路図である。
【図3】第1実施形態の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図4】同じく第1実施形態の動作説明に供するグラフである。
【図5】同じく動作説明に供するグラフである。
【図6】本発明にかかる表示装置及び画素回路の第2実施形態を示す回路図である。
【図7】第2実施形態の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図8】本発明にかかる表示装置及び画素回路の第3実施形態を示す回路図である。
【図9】本発明にかかる表示装置及び画素回路の第4実施形態を示す回路図である。
【図10】第4実施形態の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図11】本発明にかかる表示装置及び画素回路の第5実施形態を示す回路図である。
【図12】第5実施形態の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図13】本発明にかかる表示装置及び画素回路の第6実施形態を示す回路図である。
【図14】第6実施形態の動作説明に供するタイミングチャートである。
【符号の説明】
【0052】
1・・・画素アレイ、2・・・画素回路、3・・・水平セレクタ、4・・・ライトスキャナ、5・・・ドライブスキャナ、6・・・ドライブスキャナ、7・・・補正用スキャナ、Tr1・・・サンプリングトランジスタ、Tr2・・・ドライブトランジスタ、Cs1・・・容量素子、Cs2・・・容量素子、EL・・・発光素子
【技術分野】
【0001】
本発明は、画素毎に配した発光素子を電流駆動する画素回路に関する。又この画素回路がマトリクス状(行列状)に配列された表示装置であって、特に各画素回路内に設けた絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって、有機ELなどの発光素子に通電する電流量を制御する、いわゆるアクティブマトリクス型の表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
画像表示装置、例えば液晶ディスプレイなどでは、多数の液晶画素をマトリクス状に並べ、表示すべき画像情報に応じて画素毎に入射光の透過強度又は反射強度を制御することによって画像を表示する。これは、有機EL素子を画素に用いた有機ELディスプレイなどにおいても同様であるが、液晶画素と異なり有機EL素子は自発光素子である。その為、有機ELディスプレイは液晶ディスプレイに比べて画像の視認性が高く、バックライトが不要であり、応答速度が高いなどの利点を有する。又、各発光素子の輝度レベル(階調)はそれに流れる電流値によって制御可能であり、いわゆる電流制御型であるという点で液晶ディスプレイなどの電圧制御型とは大きく異なる。
【0003】
有機ELディスプレイにおいては、液晶ディスプレイと同様、その駆動方式として単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は構造が単純であるものの、大型且つ高精細のディスプレイの実現が難しいなどの問題がある為、現在はアクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、各画素回路内部の発光素子に流れる電流を、画素回路内部に設けた能動素子(一般には薄膜トランジスタ、TFT)によって制御するものであり、以下の特許文献に記載がある。
【特許文献1】特開2003−255856
【特許文献2】特開2003−271095
【特許文献3】特開2004−133240
【特許文献4】特開2004−029791
【特許文献5】特開2004−093682
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
従来の画素回路は、制御パルスを供給する行状の走査線と映像信号を供給する列状の信号線とが交差する部分に配され、少なくともサンプリングトランジスタと容量部とドライブトランジスタと発光素子とを含む。サンプリングトランジスタは、走査線から供給される制御パルスに応じ導通して信号線から供給された映像信号をサンプリングする。容量部は、サンプリングされた映像信号に応じた入力電位を保持する。ドライブトランジスタは、容量部に保持された入力電位に応じて所定の発光期間に出力電流を供給する。尚一般に、出力電流はドライブトランジスタのチャネル領域のキャリア移動度及び閾電圧に対して依存性を有する。発光素子は、ドライブトランジスタから供給された出力電流により映像信号に応じた輝度で発光する。
【0005】
ドライブトランジスタは、容量部に保持された入力電位をゲートに受けてソース/ドレイン間に出力電流を流し、発光素子に通電する。一般に発光素子の発光輝度は通電量に比例している。更にドライブトランジスタの出力電流供給量はゲート電圧すなわち容量部に書き込まれた入力電位によって制御される。従来の画素回路は、ドライブトランジスタのゲートに印加される入力電圧を入力映像信号に応じて変化させることで、発光素子に供給する電流量を制御している。
【0006】
ここでドライブトランジスタの動作特性は以下の式で表わされる。
Ids=(1/2)μ(W/L)Cox(Vgs−Vth)2
このトランジスタ特性式において、Idsはソース/ドレイン間に流れるドレイン電流を表わしており、画素回路では発光素子に供給される出力電流である。Vgsはソースを基準としてゲートに印加されるゲート印加電圧を表わしており、画素回路では上述した入力電位である。Vthはトランジスタの閾電圧である。又μはトランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度を表わしている。その他Wはチャネル幅を表わし、Lはチャネル長を表わし、Coxはゲート容量を表わしている。このトランジスタ特性式から明らかな様に、薄膜トランジスタは飽和領域で動作する時、ゲート電圧Vgsが閾電圧Vthを超えて大きくなると、オン状態となってドレイン電流Idsが流れる。原理的に見ると上記のトランジスタ特性式が示す様に、ゲート電圧Vgsが一定であれば常に同じ量のドレイン電流Idsが発光素子に供給される。従って、画面を構成する各画素に全て同一のレベルの入力信号を供給すれば、全画素が同一輝度で発光し、画面の一様性(ユニフォーミティ)が得られるはずである。
【0007】
しかしながら実際には、ポリシリコンなどの半導体薄膜で構成された薄膜トランジスタ(TFT)は、個々のデバイス特性にばらつきがある。特に、閾電圧Vthは一定ではなく、各画素毎にばらつきがある。前述のトランジスタ特性式から明らかな様に、各ドライブトランジスタの閾電圧Vthがばらつくと、ゲート印加電圧Vgsが一定であっても、ドレイン電流Idsにばらつきが生じ、画素毎に輝度がばらついてしまう為、画面のユニフォーミティを損なう。従来からドライブトランジスタの閾電圧のばらつきをキャンセルする機能を組み込んだ画素回路が開発されており、例えば前記の特許文献3に開示がある。
【0008】
閾電圧のばらつきをキャンセルする機能を組み込んだ画素回路は、ある程度画面のユニフォーミティを改善する事が可能である。しかしながら、ポリシリコン薄膜トランジスタの特性は、閾電圧ばかりでなく移動度μも素子毎にばらつきがある。前述のトランジスタ特性式から明らかなように、ドレイン電流Idsは移動度μに比例している。したがって移動度μがばらつくと、ゲート電圧Vgsが一定であってもドレイン電流Idsにばらつきが出てしまう。この結果発光輝度が画素毎に変化する為、画面のユニフォーミティを損なうという課題がある。なお、本願発明に直接の関連性はないが、画面のユニフォーミティを改善する為の技術として、以下の特許文献6ないし11が挙げられる。
【特許文献6】特開2002−132218
【特許文献7】特開2003−186438
【特許文献8】特開2000−276075
【特許文献9】特開2004−126559
【特許文献10】特開2004−004911
【特許文献11】特開2004−054234
【課題を解決するための手段】
【0009】
上述した従来の技術の課題に鑑み、本発明はドライブトランジスタの閾電圧のばらつきに加え移動度のばらつきの補正も可能な表示装置及び画素回路を提供する事を目的とする。かかる目的を達成する為に以下の手段を講じた。即ち本発明は、制御パルスを供給する行状の走査線と映像信号を供給する列状の信号線とが交差する部分に配され、少なくともサンプリングトランジスタと容量部とドライブトランジスタと発光素子とを含み、前記サンプリングトランジスタは、所定のサンプリング期間に走査線から供給される制御パルスに応じ導通して信号線から供給された映像信号をサンプリングし、前記容量部は、サンプリングされた映像信号に応じた入力電位を保持し、前記ドライブトランジスタは、該容量部に保持された入力電位に応じて所定の発光期間に出力電流を供給し、該出力電流は該ドライブトランジスタのチャネル領域のキャリア移動度及び閾電圧に対して依存性を有し、前記発光素子は、該ドライブトランジスタから供給された出力電流により該映像信号に応じた輝度で発光する画素回路において、該出力電流の閾電圧に対する依存性を補正するための補正手段を備えており、 前記補正手段は該ドライブトランジスタ及び容量部に接続しており、該サンプリング期間に先行して設定された補正期間に動作し、該容量部に通電して該容量部が保持していた電位をリセットした後該通電を遮断し該ドライブトランジスタのソースとゲート間に現れる電位差を検出し、前記容量部は該検出した電位差に応じた電位を保持し、該保持した電位は該ドライブトランジスタの出力電流に対する閾電圧の影響を相殺し、更に前記ドライブトランジスタはそのチャネル領域の長さを短縮化して出力電流にソース・ドレイン間電圧に対する依存性を与え、これにより該出力電流のキャリア移動度に対する依存性を自己補正することを特徴とする。好ましくは、前記ドライブトランジスタは、そのチャネル領域の長さが5μm以下に短縮化されている。
【0010】
又本発明は、画素アレイ部とスキャナ部と信号部とを含み、前記画素アレイ部は、行状に配された走査線と、列状に配された信号線と、両者が交差する部分に配された行列状の画素とからなり、前記信号部は、該信号線に映像信号を供給し、前記スキャナ部は、該走査線に制御パルスを供給して順次行ごとに画素を走査し、各画素は、少なくともサンプリングトランジスタと容量部とドライブトランジスタと発光素子とを含み、前記サンプリングトランジスタは、所定のサンプリング期間に走査線から供給されるサンプリング用制御パルスに応じ導通して信号線から供給された映像信号をサンプリングし、前記容量部は、サンプリングされた映像信号に応じた入力電位を保持し、前記ドライブトランジスタは、該容量部に保持された入力電位に応じて所定の発光期間に出力電流を供給し、該出力電流は該ドライブトランジスタのチャネル領域のキャリア移動度及び閾電圧に対して依存性を有し、前記発光素子は、該ドライブトランジスタから供給された出力電流により該映像信号に応じた輝度で発光する表示装置において、各画素は、該出力電流の閾電圧に対する依存性を補正するための補正手段を備えており、前記補正手段は該ドライブトランジスタ及び容量部に接続しており、該サンプリング期間に先行して設定された補正期間に動作し、該容量部に通電して該容量部が保持していた電位をリセットした後該通電を遮断し該ドライブトランジスタのソースとゲート間に現れる電位差を検出し、前記容量部は該検出した電位差に応じた電位を保持し、該保持した電位は該ドライブトランジスタの出力電流に対する閾電圧の影響を相殺し、更に前記ドライブトランジスタはそのチャネル領域の長さを短縮化して出力電流にソース・ドレイン間電圧に対する依存性を与え、これにより該出力電流のキャリア移動度に対する依存性を自己補正することを特徴とする。好ましくは、前記ドライブトランジスタは、そのチャネル領域の長さが5μm以下に短縮化されている。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、画素回路は出力電流の閾電圧に対する依存性に加えキャリア移動度に対する依存性も補正している。まず閾電圧に対する依存性の補正であるが、所定の補正期間でドライブトランジスタに検出用の過渡電流を流し、これがカットオフする時点でドライブトランジスタのソースとゲート間に現れる電位差を検出し、これを容量部に保持している。ドライブトランジスタがカットオフする時に現れる電位差は丁度閾電圧Vthに等しく、これを容量部に保持して入力電位に足し込む様にする。これによりドライブトランジスタの閾電圧の影響をキャンセル可能である。
【0012】
次にキャリア移動度のばらつき補正であるが、ドライブトランジスタのチャネル領域を短縮化して、いわゆるアーリ効果を付与し、これを利用して移動度ばらつきを自己補正している。具体的には、チャネル領域の長さを5μm以下に短縮化することで移動度のばらつき抑制に有効なアーリ効果を付与できる。一般にドライブトランジスタが飽和領域で動作する時、出力電流(ドレイン電流)はソース・ゲート間に現れるゲート電圧のみに依存し、ソース・ドレイン間に現れるドレイン電圧には依存しない。しかしながら、チャネル領域を短縮化してアーリ効果を付与すると、ドレイン電流がドレイン電圧に対して依存性を有するようになる。画素回路ではドライブトランジスタが発光素子を駆動する様になっており、発光素子との動作点でドレイン電圧が決まる。換言すると、発光素子のアノード電位の上下によってドレイン電圧が変動する。ドライブトランジスタにアーリ効果を付与すると、移動度が高く電流供給能力が大きい場合、アノード電位が上昇する方向に動作点が変化し、これに伴ってドレイン電圧が小さくなる。アーリ効果によってドレイン電圧が小さくなるとドレイン電流が下がる。この様にして移動度が高い場合ドレイン電流が下がる方向に自己補正がかかる。逆に移動度が小さく出力電流供給能力が少ない場合、アノード電位は下方に変化する傾向になりその分ドレイン電圧が拡大する。アーリ効果によってドレイン電圧の拡大に伴いドレイン電流が増大する。即ち少ない出力電流供給能力を補う方向にアーリ効果が作用するので、やはり自己補正がかかる。この様にしてドライブトランジスタのアーリ効果により移動度のばらつきを自動的に補正する事が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0013】
以下図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図1は本発明にかかる表示装置の第1実施形態を示すブロック図である。図示するように、アクティブマトリクス型の表示装置は、主要部となる画素アレイ1と周辺の回路群とで構成されている。画素アレイ1は画素回路2を含んでいる。周辺の回路群は水平セレクタ3、ライトスキャナ4、第一ドライブスキャナ5、第二ドライブスキャナ6、補正用スキャナ7などを含んでいる。
【0014】
画素アレイ1は行状の走査線WSと列状の信号線SLと両者の交差する部分にマトリクス状に配列した画素回路2とで構成されている。本例の場合、カラー表示を行うため、画素回路2はRGB三原色に分かれて設けてある。信号線SLは水平セレクタ3によって駆動される。走査線WSはライトスキャナ4によって走査される。なお、走査線WSと平行に別の走査線DS1,DS2,AZも配線されている。走査線DS1は第一ドライブスキャナ5によって走査される。走査線DS2は第二ドライブスキャナ6によって走査される。なお、走査線DS2はRGBに分かれて3本配されている。これに対し走査線DS1はRGB共通で1本配されている。残りの走査線AZは補正用スキャナ7によって走査される。
【0015】
図2は、図1に示した画素回路2の基本的な構成を示す回路図である。本画素回路2は、サンプリングトランジスタTr1、ドライブトランジスタTr2、スイッチングトランジスタTr3、スイッチングトランジスタTr4、検出トランジスタTr5、スイッチングトランジスタTr6、一対の容量素子Cs1,Cs2及び発光素子ELとで構成されている。本実施形態では各トランジスタTr1ないしTr6が全てNチャネル型のアモルファスシリコン薄膜トランジスタ(TFT)で構成されている。また発光素子ELは、例えば有機EL素子を用いることができる。本発明の特徴事項として、ドライブトランジスタTr2はチャネル領域の長さが5μm以下に短縮化されており、アーリ効果が付与されている。このアーリ効果により、ドライブトランジスタTr2の出力電流(ドレイン電流Ids)はソースS・ドレインD間電圧(ドレイン電圧Vds)に対する依存性が生じる。具体的には、ドレイン電圧が小さくなるほどドレイン電流が少なくなる傾向になる。
【0016】
引き続き図2を参照して画素回路2の構成を具体的に説明する。ドライブトランジスタTr2は入力ノードとなるゲートG、出力ノードとなるソースS及び電源ノードとなるドレインDとを備えている。出力ノード(S)には発光素子ELのアノードが接続している。発光素子ELのカソードは接地(GND)されている。本例では、発光素子ELはアノード及びカソードを備えた二端子形である。ドライブトランジスタTr2の電源側ノード(D)は、スイッチングトランジスタTr4を介して電源Vccに接続されている。このスイッチングトランジスタTr4のゲートは、走査線DS2に接続されている。
【0017】
ドライブトランジスタTr2の入力ノード(G)には保持容量Cs2の一端が接続されている。この保持容量Cs2の他端は出力ノード(S)に接続するとともに、スイッチングトランジスタTr3を介して接地されている。スイッチングトランジスタTr3のゲートは走査線DS1に接続されている。さらに入力ノード(G)には結合容量Cs1を介してサンプリングトランジスタTr1が接続している。サンプリングトランジスタTr1のゲートは走査線WSに接続している。またサンプリングトランジスタTr1のソースは信号線SLに接続している。加えて結合容量Cs1とサンプリングトランジスタTr1の接続ノードは、スイッチングトランジスタTr6を介して接地されている。スイッチングトランジスタTr6のゲートは走査線AZに接続している。最後に、ドライブトランジスタTr2のゲートGとドレインDとの間に検出トランジスタTr5が接続されている。検出トランジスタTr5のゲートは走査線AZに接続している。
【0018】
図3のタイミングチャートを参照して、図2に示した第1実施形態にかかる画素回路の動作を詳細に説明する。図示のタイミングチャートは、タイミングT1で1フィールド(1f)がスタートし、タイミングT8で1フィールドが終わるように表してある。時間軸に沿って、走査線WS,AZ,DS1及びDS2にそれぞれ印加される制御パルスWS、AZ、DS1及びDS2の波形を表してある。また同じ時間軸に沿って、ドライブトランジスタTr2の入力ノード(G)及び出力ノード(S)の電位変化を表してある。
【0019】
当該フィールドがスタートするタイミングT1の前のタイミングT0で、走査線WS,AZ,DS1がローレベルにある一方、走査線DS2がハイレベルにある。したがってスイッチングトランジスタTr4のみがオン状態で、残りのトランジスタTr1,Tr3,Tr5及びTr6はオフ状態となっている。この状態でドライブトランジスタTr2のドレインDはオン状態のスイッチングトランジスタTr4を介して電源Vccに接続される。ドライブトランジスタTr2はゲートGとソースSとの間に印加されるゲート電圧Vgsに応じて出力電流(ドレイン電流)Idsを発光素子ELに供給する。これにより発光素子ELは所定の輝度で発光している。
【0020】
タイミングT1となって当該フィールドがスタートすると、制御パルスAZが立ち上がる。これにより検出トランジスタTr5とスイッチングトランジスタTr6がオンする。Tr6がオンすることで結合容量Cs1の一端が接地電位GNDに固定され、ドライブトランジスタTr2の閾電圧(Vth)の検出準備状態に入る。検出トランジスタTr5もオンするため、ドライブトランジスタTr2のゲートGとドレインDが直結する。このときスイッチングトランジスタTr4はまだオン状態に保たれているため、ドライブトランジスタTr2のゲート電位は急激に上昇する。これと連動してドライブトランジスタTr2のソース電位も急激に上昇する。この様にして容量素子Cs1,Cs2に保持されていた電位を一旦リセットする。
【0021】
続いてタイミングT2になると、制御パルスDS2がローレベルとなりスイッチングトランジスタTr4がオフする。これにより、ドライブトランジスタTr2は電源Vccから切り離され非発光状態になる。同時に制御パルスDS1が立ち上がるので、スイッチングトランジスタTr3がオンし、ドライブトランジスタTr2のソースS及び保持容量Cs2の一端が接地される。スイッチングトランジスタTr4がオフすることで、ドライブトランジスタTr2のゲート電位Gは低下していく。丁度ゲート電位Gとソース電位Sとの差Vgsが閾電圧Vthとなったところで、ドレイン電流Idsは流れなくなる。この結果、ゲートGとソースSとの間に接続された保持容量Cs2にドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthが保持される。
【0022】
この後タイミングT3で制御パルスAZが立ち下がり、検出トランジスタTr5がオフとなってVth検出動作が終了する。
【0023】
続いてタイミングT4になると、制御パルスWSが立ち上がり、サンプリングトランジスタTr1がオンする。これにより信号線SLから供給された映像信号が結合容量Cs1を介して保持容量Cs2にカップリングされる。この結果、保持容量Cs2には先に書き込まれたVthに足し込むかたちで映像信号に対応した信号電圧Vinが書き込まれる。この結果、保持容量Cs2はドライブトランジスタTr2の入力ノード(G)に対して、入力電位Vin+Vthを供給することになる。入力電位には常に閾電圧Vthが足し込まれているので、例え画素ごとにドライブトランジスタの閾電圧がばらついていても、常にキャンセルすることができる。
【0024】
この後映像信号のサンプリングに割り当てられた1水平期間(1H)が経過するタイミングT5で制御パルスWSが立ち下がり、サンプリングトランジスタTr1がオフする。
【0025】
続いてタイミングT6に至ると、制御パルスDS1が立ち下がり、スイッチングトランジスタTr3がオフする。これにより、ドライブトランジスタTr2のソースS及び保持容量Cs2の一端が接地レベルから切り離され、発光動作の準備状態となる。
【0026】
この後タイミングT7になると制御パルスDS2が立ち上がり、スイッチングトランジスタTr4がオンする。この結果ドライブトランジスタTr2のドレインDが電源電位Vccに接続し、入力電位Vin+Vthに応じたドレイン電流Idsが流れ、発光素子ELは信号電位Vinに応じた輝度で発光する。タイミングT7では既にドライブトランジスタTr2のソースSが接地電位GNDから切り離されているので、発光素子ELに出力電流Idsが流れると電圧降下によりアノード電位(したがってドライブトランジスタTr2のソース電位)が上昇する。このときブートストラップ動作でゲート電位もそのまま上昇するので、保持容量Cs2に保持された入力電位(ゲート電位Vgs)は一定に維持される。この結果ドライブトランジスタTr2は定電源として動作する。
【0027】
最後にタイミングT8に至ると当該フィールドが完了するとともに次のフィールドに入る。
【0028】
ここで、発光期間T7−T8で行われるドライブトランジスタTr2の自己補正動作を詳細に説明する。図4はドライブトランジスタのドレイン電流Ids/ドレイン電圧Vds特性を示すグラフである(A)はアーリ効果を有さない通常のドライブトランジスタの特性を示し、(B)はアーリ効果を付与されたドライブトランジスタの特性を表している。グラフ中、カーブHは移動度が比較的高いドライブトランジスタの特性を表し、カーブLは移動度が比較的低いドライブトランジスタの特性を表している。また各特性カーブ上の黒点はドライブトランジスタが発光素子を駆動する場合の動作点を表している。発光素子側から見るとアノード電位であり、ドライブトランジスタ側から見るとソース電位となっている。
【0029】
まずアーリ効果のない場合(A)であるが、ドライブトランジスタは飽和領域で動作し、ドレイン電流Idsはドレイン電圧Vdsに対する依存性が見られない。即ちVdsに関わらずドレイン電流Idsは一定である。前述のトランジスタ特性式から明らかなように、ドレイン電流Idsはゲート電圧Vgsによって決定される。但し、Vgsが一定であっても移動度μ及び閾電圧Vthがばらつく為、Idsも画素間で変動する。本発明では、閾電圧Vthのばらつきは予めキャンセルされている。したがって移動度μの影響のみが残る。グラフから明らかなように、移動度μが高いと、ドライブトランジスタの電流供給能力が大きい為、移動度が高いドライブトランジスタのドレイン電流Idshは高くなる。この分発光素子内で生じる電圧降下が大きくなるのでアノード電位が上昇し、結果的にドレイン電圧Vdshは比較的低い。但し、通常のドライブトランジスタの場合、ドレイン電圧Vdsに対するドレイン電流Idsの依存性はない為、動作点がどこにあろうとも、常にゲート電圧Vgsで決まるドレイン電流Idshが流れる事になる。
【0030】
一方、特性カーブLで示すように、移動度μの小さなドライブトランジスタの場合、電流供給能力が低い為ドレイン電流Idslは比較的低レベルにある。その分動作点(Vdsl)は移動度が高い場合(Vdsh)に比べ上方にシフトする。以上の結果から明らかなように、通常のドライブトランジスタでは移動度μの相違が直接出力電流Idsの違いとなって現れ、何ら補正をしない限り画面のユニフォーミティを維持する事はできない。ドライブトランジスタが飽和領域で動作している場合は(A)に示すように理想的な定電流源となる為、動作点が変化しても出力電流値は変わらず、移動度のばらつきによる出力電流のばらつきは補正できない。
【0031】
これに対しドライブトランジスタにアーリ効果が付与された場合(B)、ドレイン電流Idsはドレイン電圧Vdsに対する依存性が生じるようになる。(B)に示すように、ドレイン電圧Vdsの上昇に伴いドレイン電流Idsが上昇する傾向が生じる。その割合は特性カーブの傾きで表され、移動度が小さい場合よりも移動度が大きい場合の方が傾斜が大きくなっている。このアーリ効果の為、発光素子に対する動作点が変動する。まず移動度が大きい場合であるが、比較的高いアノード電圧が低下する為、動作点Vdshがアーリ効果のない場合に比べて下方に移動する。この結果ドレイン電流Idshもアーリ効果のない場合に比べて小さくなる。一方移動度が小さい場合であるが、比較的低いアノード電圧がアーリ効果によって逆に上昇し、動作点Vdslがアーリ効果のない場合に比べて上方にシフトする。これにより移動度が小さいドライブトランジスタのドレイン電流Idslはアーリ効果のない場合に比べて大きくなる。以上により、アーリ効果によってIdshとIdslの差は縮小する方向に変化し、ドライブトランジスタの移動度のばらつきを吸収する方向に自己補正機能が作用する。よって本発明により移動度のばらつきを補正する事が可能である。
【0032】
図5は、出力電流のばらつきとドライブトランジスタのチャネル長(L長)との関係を示すグラフである。横軸にドライブトランジスタの出力電流の画素間ばらつきを%で取り、横軸にドライブトランジスタのL長(単位μm)を取ってある。グラフから明らかなように、L長を5μm以下に短縮化することで、出力電流のばらつきは急激に改善されている。この様にドライブトランジスタのチャネル長を5μm以下に短縮化する事で、移動度のばらつきを自己補正する事ができ、低温ポリシリコンTFTなどばらつきの大きいトランジスタを用いたパネルにおいても、ユニフォーミティの高い画質を得る事ができる。
【0033】
図6は、本発明にかかる表示装置及び画素回路の第2実施形態を示す回路図である。基本的には、図2に示した第1実施形態と類似しており、対応する部分には対応する参照番号を付してある。異なる点は、スイッチングトランジスタTr3のゲートを走査線WSに接続し、ライトスキャナ4によってスイッチングトランジスタTr3を動作させている事である。ライトスキャナ4をサンプリングトランジスタTr1とスイッチングトランジスタTr3の動作に共用する事で、ドライブスキャナが1個不用になる。
【0034】
図7は、図6に示した第2実施形態にかかる画素回路の動作説明に供するタイミングチャートである。補正準備期間T1−T2で制御パルスDS及びAZがハイレベルにある一方、制御パルスWSはローレベルである。この結果トランジスタTr1,Tr3がオフする一方、トランジスタTr4,Tr5,Tr6がオンする。これにより容量部(Cs1,Cs2)に保持されていた電位が一旦リセットされる。次にVth補正期間T2−T3で制御パルスDSがローレベルに切り替わり、スイッチングトランジスタTr4がオフする。この結果ドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthが検出され、容量部(Cs1,Cs2)に保持される。続いてサンプリング期間T4−T5になると制御パルスWSがハイレベルに切り替わり今までオフしていたサンプリングトランジスタTr1とスイッチングトランジスタTr3がオンする。これにより信号線SLから供給された映像信号がサンプリングされ、容量部(Cs1,Cs2)に保持される。最後に発光期間T6〜に入ると、制御パルスDSがハイレベルとなりスイッチングトランジスタTr4がオンになる。この時点で他のトランジスタTr1,Tr3,Tr5,Tr6は全てオフしている。ドレイン電流Idsが発光素子ELに流れ映像信号に応じた輝度で発光する。この時トランジスタTr3はオフしているのでブートストラップ動作が行われる。本発明の特徴事項として、ドライブトランジスタTr2のチャネル長を5μm以下に短縮化する事で、移動度のばらつきを自己補正する事ができ、低温ポリシリコンTFTなどばらつきの大きいトランジスタを用いたパネルにおいても、ユニフォーミティの高い画質を得る事ができる。
【0035】
図8は、本発明にかかる表示装置及び画素回路の第3実施形態を示す回路図である。基本的には図6に示した第2実施形態と類似しており、対応する部分には対応する参照番号を付してある。異なる点は、スイッチングトランジスタTr3のゲートが走査線WSではなく走査線AZに接続されている事である。この場合の動作タイミングは図7に示したタイミングチャートと同じになる。本実施形態でも、ドライブトランジスタTr2のチャネル長を好ましくは5μm以下に短縮化する事で、移動度のばらつきを自己補正する事ができ、低温ポリシリコンTFTなどばらつきの大きいトランジスタを用いたパネルにおいても、ユニフォーミティの高い画質を得る事ができる。
【0036】
図9は本発明にかかる表示装置及び画素回路の第4実施形態を示す回路図である。基本的には、図8に示した先の実施形態と同様であり、全てのトランジスタがNチャネル型となっている。異なる点は、画素回路を構成するトランジスタの素子数が1個減って5個になっている事である。また容量素子も2個から1個に減っており、容量部が1個の容量素子Csで構成されている。この関係で、画素回路2の接続関係が若干先の実施形態と異なっている。加えて先の実施形態では1個の補正用スキャナ7を用いていたが、これに代えて本実施形態では第一補正用スキャナ71と第二補正用スキャナ72を用いている。
【0037】
引き続き画素回路2の具体的な構成を説明する。ドライブトランジスタTr2は、そのドレインDがスイッチングトランジスタTr4を介して電源電位Vccに接続している。スイッチングトランジスタTr4のゲートは走査線DSを介してドライブスキャナ5に接続している。ドライブトランジスタTr2のソースSは発光素子ELのアノードに接続している。発光素子ELのカソードは接地されている。ドライブトランジスタTr2のゲートGは保持容量Cs及びスイッチングトランジスタTr3を介して所定の基準電位Vss2に接続している。トランジスタTr3のゲートは走査線AZ2を介して第二補正用スキャナ72に接続している。またドライブトランジスタTr2のゲートGと別の基準電位Vss1との間にスイッチングトランジスタTr6が接続している。このスイッチングトランジスタTr6のゲートは走査線AZ1を介して第一補正用スキャナ71に接続している。最後にサンプリングトランジスタTr1は信号線SLとドライブトランジスタTr2のゲートGとの間に接続している。このサンプリングトランジスタTr1のゲートは走査線WSを介してライトスキャナ4に接続している。
【0038】
図10は、図9に示した第4実施形態の動作説明に供するタイミングチャートである。タイミングT1で制御パルスDSがハイレベルからローレベルに切り替わり、スイッチングトランジスタTr4がオフする。発光素子ELに対する通電路が遮断されるので、画素回路2は非発光期間に入る。この時点で他の制御パルスAZ1,AZ2,WSは全てローレベルである。したがってタイミングT1では全てのトランジスタTr1,Tr3,Tr4,Tr6がオフになっている。
【0039】
続いて補正準備期間T2−T3に入ると、制御パルスAZ1,AZ2がローレベルからハイレベルに切り替わる。この結果スイッチングトランジスタTr3及びTr6がオンになり、保持容量Csに保持された電位がVss1,Vss2でリセットされる。この後Vth補正期間T4−T5になると、制御パルスDSがハイレベルになり、スイッチングトランジスタTr4がオンする。この時点でTr6は引き続きオン状態にある一方、トランジスタTr3はオフ状態に戻っている。これによりドレイン電流Idsが保持容量Csに流れ込み、カットオフになった時点でのゲートG/ソースS間の電位が保持容量Csに保持される。保持された電位はドライブトランジスタTr2のカットオフ電圧即ち閾電圧Vthに相当する。この後サンプリング期間T7−T8に進むと制御パルスWSがハイレベルになり、サンプリングトランジスタTr1がオンする。この時点でトランジスタTr6はオフしている。サンプリングトランジスタTr1がオンする事で信号線SLから映像信号がサンプリングされ保持容量Csに保持される。最後に発光期間T9〜に進むと、制御パルスDSが再びハイレベルとなり、スイッチングトランジスタTr4がオンする。この結果電源電位Vccと接地電位との間に電流路が形成され、ドライブトランジスタTr2から出力電流が発光素子ELに流れ、発光が開始する。本実施形態でも、ドライブトランジスタTr2のチャネル長を例えば5μm以下に短縮化する事で、移動度のばらつきを自己補正する事ができ、低温ポリシリコンTFTなどばらつきの大きいトランジスタを用いたパネルにおいても、ユニフォーミティの高い画質を得る事ができる。
【0040】
図11は、本発明にかかる画素回路及び表示装置の第5実施形態を示す模式的な回路図である。理解を容易にする為、先の実施形態と対応する部分には対応する参照番号を付してある。異なる点は、ドライブトランジスタTr2としてNチャネル型のTFTに代えてPチャネル型のTFTを使った事である。Pチャネル型のドライブトランジスタでも、そのチャネル領域の長さを短縮化してアーリ効果を付与する事で、キャリア移動度のばらつきを自己補正する事ができる。
【0041】
図示するように、画素回路2は5個の薄膜トランジスタTr1,Tr2,Tr4,Tr5,Tr6と、2個の容量素子Cs1,Cs2と、1個の発光素子ELとで構成されている。ドライブトランジスタTr2はPチャネル型のポリシリコンTFTである。残りのサンプリングトランジスタTr1,スイッチングトランジスタTr4,検出トランジスタTr5及びスイッチングトランジスタTr6は全てNチャネル型のポリシリコンTFTである。2個の要領素子Cs1とCs2は両者合わせて画素回路2の容量部を構成している。発光素子ELは例えばアノード及びカソードを備えた2端子型の有機EL素子からなる、但し本発明はこれに限られるものではなく、発光素子は一般的に電流駆動で発光するすべてのデバイスを含む。
【0042】
画素回路2の具体的な構成であるが、中心となるドライブトランジスタTr2のソースSが電源Vccに接続し、ドレインDがスイッチングトランジスタTr4を介して発光素子ELのアノードAに接続している。このトランジスタTr4のゲートは走査線DSに接続している。発光素子ELのカソードKは接地電位GNDに接続している。ドライブトランジスタTr2のゲートGとドレインDとの間に閾電圧検出用のトランジスタTr5が接続している。この検出トランジスタTr5のゲートは走査線AZに接続している。ドライブトランジスタTr2のゲートGは保持容量Cs2を介してサンプリングトランジスタTr1に接続している。サンプリングトランジスタTr1はこの保持容量Cs2と信号線SLとの間に介在している。サンプリングトランジスタTr1のゲートは走査線WSに接続している。保持容量Cs2とサンプリングトランジスタTr1の接続ノードには、電位固定用のスイッチングトランジスタTr6が接続している。このスイッチングトランジスタTr6のゲートは走査線AZに接続している。またこの接続ノードと電源電位Vccとの間に別の保持容量Cs1が接続している。なお、図では、ドライブトランジスタTr2のゲートGとソースSとの間に現れるゲート電圧をVgsとしている。またドライブトランジスタTr2のソースSとドレインDとの間を流れるドレイン電流をIdsで表してある。
【0043】
図12は、図11に示した実施形態の動作説明に供するタイミングチャートである。図示のタイミングチャートは、タイミングT1で1フィールド(1f)がスタートし、タイミングT8で1フィールドが終わるように表してある。時間軸に沿って、走査線WS,AZ,DSにそれぞれ印加される制御パルスWS,AZ,DSの波形を表してある。また同じ時間軸に沿って、ドライブトランジスタTr2のゲートG及び発光素子ELのアノードAの電位変化を表してある。まずタイミングT1で制御パルスAZが立ち上がり、検出トランジスタTr5及び電位固定用のスイッチングトランジスタTr6がオンする。これによりドライブトランジスタTr2のゲート電位が急激に低下すると共に、発光素子ELのアノード電位Aが急激に上昇する。即ち検出トランジスタTr5をオンしてドレイン電流Idsを保持容量Cs2に通電し、これが保持していた電位を一旦リセットしている。
【0044】
タイミングT2になると、制御パルスDSが立ち下がり、スイッチングトランジスタTr4がオフして非発光期間に入る。この時ゲート電位が上昇し、丁度Vccとの差がVthとなった所でドレイン電流Idsがカットオフする。したがってアノード電位は接地電位GNDまで低下する。この様にして検出されたドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthは保持容量Cs2に保持される。
【0045】
この後タイミングT3で制御パルスAZが立ち下がった後、タイミングT4で制御パルスWSが立ち上がる。これによりサンプリングトランジスタTr1がオンし、信号線SLから供給された映像信号に応じた信号電位Vinが保持容量Cs1にサンプリングされる。これにより、保持容量Cs2に保持された入力電位はVth+Vinとなり、これがドライブトランジスタTr2のゲート電位Vgとして与えられる。タイミングT4から1水平期間(1H)経過後のタイミングT5で、制御パルスWSがローレベルに戻る
【0046】
この後タイミングT7に至ると制御パルスDSが立ち上がりスイッチングトランジスタTr4がオンする。この結果入力電位Vth+Vinに応じたドレイン電流Idsが発光素子ELに流れ、タイミングT8までの間発光期間となる。なお、タイミングT2からタイミングT3までの期間T2−T3はVth補正期間と呼ばれる。またタイミングT4からタイミングT5までの期間T4−T5はサンプリング期間と呼ばれる。このサンプリング期間T4−T5は1水平期間1Hに相当する。加えてタイミングT7からタイミングT8までの期間T7−T8は発光期間と呼ばれる。
【0047】
図13は、本発明にかかる表示装置及び画素回路の第6実施形態を示す回路図である。理解を容易にする為、先の実施形態と対応する部分には対応する参照番号を付してある。本実施形態は全てのトランジスタをPチャネル型で構成した点に特徴がある。図示するように、本画素回路2は5個のトランジスタTr1ないしTr5と、2個の容量素子Cs1,Cs2と、1個の発光素子ELとで構成されている。
【0048】
ドライブトランジスタTr2のソースSはスイッチングトランジスタTr4を介して電源電位Vccに接続されている。スイッチングトランジスタTr4のゲートは走査線DSを介してドライブスキャナ5に接続されている。ドライブトランジスタTr2のドレインDは発光素子ELのアノードに接続されている。発光素子ELのカソードは接地されている。ドライブトランジスタTr2のゲートGはスイッチングトランジスタTr3を介して所定のオフセット電位Vofsに接続している。スイッチングトランジスタTr3のゲートは走査線AZを介して補正用スキャナ7に接続している。ドライブトランジスタTr2のゲートGと入力側のノードXとの間に保持容量Cs2が配されている。またドライブトランジスタTr2のソースSと入力ノードXとの間にVth検出用のトランジスタTr5が接続している。この検出トランジスタTr5のゲートは走査線AZに接続している。入力ノードXと電源電位Vccとの間に他の容量素子Cs1が接続している。最後に、サンプリングトランジスタTr1が信号線SLと入力ノードXとの間に接続している。このサンプリングトランジスタTr1のゲートは走査線WSを介してライトスキャナ4に接続している。なお信号線SLは水平セレクタ3に接続している。
【0049】
図14は、図13に示した第6実施形態の動作説明に供するタイミングチャートであり、制御パルスDS,AZ,WSの経時的な変化を表している。補正準備期間T1−T2で制御パルスDS及びAZがローレベルにあり、制御パルスWSがハイレベルである。この結果、トランジスタTr3,Tr4,Tr5がオンする一方、Tr1はオフしている。この結果、ドライブトランジスタTr2のドレイン電流が容量部(Cs1,Cs2)に流れ、これらが保持していた電位をリセットする。続いてVth補正期間T2−T3で制御パルスDSがハイレベルとなり、スイッチングトランジスタTr4がオフに切り替わる。これによりドレイン電流の通電が遮断され、ドライブトランジスタTr2がカットオフした時にソースとゲート間に現れる電位差Vthを検出する。この検出された電位差Vthは容量部(Cs1,Cs2)に保持される。保持した電位VthはドライブトランジスタTr2の出力電流Idsに対する閾電圧Vthの影響を相殺する為に用いられる。さらにサンプリング期間T4−T5になると、制御パルスWSがローレベルとなり、サンプリングトランジスタTr1がオンして、信号線SLから供給された映像信号をサンプリングし、容量部(Cs1,Cs2)に保持する。このあと発光期間T6〜になると、制御パルスDSがローレベルとなり、スイッチングトランジスタTr4がオンして出力電流Idsが発光素子ELに流れ込み、発光が開始する。本発明の特徴事項として、ドライブトランジスタTr2のチャネル長を短縮化する事で、移動度のばらつきを自己補正する事ができ、低温ポリシリコンTFTなどばらつきの大きいトランジスタを用いたパネルにおいても、ユニフォーミティの高い画質を得る事ができる。
【0050】
以上の説明から明らかなように、本発明の画素回路は、例えば図2及び図3を参照すると、基本的に制御パルスWS,DS1,DS2,AZを供給する行状の走査線WS,DS1,DS2,AZと映像信号を供給する列状の信号線SLとが交差する部分に配されている。画素回路2は、少なくともサンプリングトランジスタTr1と容量部Cs1,Cs2とドライブトランジスタTr2と発光素子ELを含む。サンプリングトランジスタTr1は、所定のサンプリング期間T4−T5に走査線WSから供給される制御パルスWSに応じ導通して信号線SLから供給された映像信号をサンプリングする。容量部(Cs1,Cs2)は、サンプリングされた映像信号に応じた入力電位Vinを保持する。ドライブトランジスタTr2は、容量部(Cs1,Cs2)に保持された入力電位Vinに応じて所定の発光期間T7−T8に出力電流Idsを供給する。この出力電流IdsはドライブトランジスタTr2のチャネル領域のキャリア移動度μ及び閾電圧Vthに対して依存性を有する。発光素子ELは、ドライブトランジスタTr2から供給された出力電流Idsにより映像信号に応じた輝度で発光する。特徴事項として、本画素回路2は出力電流Idsの閾電圧Vthに対する依存性を補正する為の補正手段を備えている。この補正手段は図2の実施形態の場合検出トランジスタTr5を含んでいる。この補正手段はドライブトランジスタTr2及び容量部(Cs1,Cs2)に接続しており、サンプリング期間T7−T8に先行して設定された補正期間T1−T3に動作し、容量部(Cs1,Cs2)に通電して容量部(Cs1,Cs2)が保持していた電位をリセットした後通電を遮断しドライブトランジスタTr2のソースSとゲートG間に現れる電位差Vgsを検出する。容量部の容量素子Cs2は検出した電位差Vgsに応じた電位を保持する。この保持した電位VgsはドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthに相当する。この検出電圧を入力電位に足しこむ事で、ドライブトランジスタTr2の出力電流Idsに対する閾電圧Vthの影響をキャンセルする。さらにドライブトランジスタTr2はそのチャネル領域の長さを短縮化して出力電流IdsにソースS・ドレインD間電圧に対する依存性を与え、これにより出力電流Idsのキャリア移動度μに対する依存性を自己補正している。
【図面の簡単な説明】
【0051】
【図1】本発明にかかる表示装置の第1実施形態を示すブロック図である。
【図2】図1に示した表示装置に含まれる画素回路の構成を示す回路図である。
【図3】第1実施形態の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図4】同じく第1実施形態の動作説明に供するグラフである。
【図5】同じく動作説明に供するグラフである。
【図6】本発明にかかる表示装置及び画素回路の第2実施形態を示す回路図である。
【図7】第2実施形態の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図8】本発明にかかる表示装置及び画素回路の第3実施形態を示す回路図である。
【図9】本発明にかかる表示装置及び画素回路の第4実施形態を示す回路図である。
【図10】第4実施形態の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図11】本発明にかかる表示装置及び画素回路の第5実施形態を示す回路図である。
【図12】第5実施形態の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図13】本発明にかかる表示装置及び画素回路の第6実施形態を示す回路図である。
【図14】第6実施形態の動作説明に供するタイミングチャートである。
【符号の説明】
【0052】
1・・・画素アレイ、2・・・画素回路、3・・・水平セレクタ、4・・・ライトスキャナ、5・・・ドライブスキャナ、6・・・ドライブスキャナ、7・・・補正用スキャナ、Tr1・・・サンプリングトランジスタ、Tr2・・・ドライブトランジスタ、Cs1・・・容量素子、Cs2・・・容量素子、EL・・・発光素子
【特許請求の範囲】
【請求項1】
制御パルスを供給する行状の走査線と映像信号を供給する列状の信号線とが交差する部分に配され、少なくともサンプリングトランジスタと容量部とドライブトランジスタと発光素子とを含み、
前記サンプリングトランジスタは、所定のサンプリング期間に走査線から供給される制御パルスに応じ導通して信号線から供給された映像信号をサンプリングし、
前記容量部は、サンプリングされた映像信号に応じた入力電位を保持し、
前記ドライブトランジスタは、該容量部に保持された入力電位に応じて所定の発光期間に出力電流を供給し、該出力電流は該ドライブトランジスタのチャネル領域のキャリア移動度及び閾電圧に対して依存性を有し、
前記発光素子は、該ドライブトランジスタから供給された出力電流により該映像信号に応じた輝度で発光する画素回路において、
該出力電流の閾電圧に対する依存性を補正するための補正手段を備えており、 前記補正手段は該ドライブトランジスタ及び容量部に接続しており、該サンプリング期間に先行して設定された補正期間に動作し、該容量部に通電して該容量部が保持していた電位をリセットした後該通電を遮断し該ドライブトランジスタのソースとゲート間に現れる電位差を検出し、
前記容量部は該検出した電位差に応じた電位を保持し、該保持した電位は該ドライブトランジスタの出力電流に対する閾電圧の影響を相殺し、
更に前記ドライブトランジスタはそのチャネル領域の長さを短縮化して出力電流にソース・ドレイン間電圧に対する依存性を与え、これにより該出力電流のキャリア移動度に対する依存性を自己補正することを特徴とする画素回路。
【請求項2】
前記ドライブトランジスタは、そのチャネル領域の長さが5μm以下に短縮化されていることを特徴とする請求項1記載の画素回路。
【請求項3】
画素アレイ部とスキャナ部と信号部とを含み、
前記画素アレイ部は、行状に配された走査線と、列状に配された信号線と、両者が交差する部分に配された行列状の画素とからなり、
前記信号部は、該信号線に映像信号を供給し、
前記スキャナ部は、該走査線に制御パルスを供給して順次行ごとに画素を走査し、
各画素は、少なくともサンプリングトランジスタと容量部とドライブトランジスタと発光素子とを含み、
前記サンプリングトランジスタは、所定のサンプリング期間に走査線から供給されるサンプリング用制御パルスに応じ導通して信号線から供給された映像信号をサンプリングし、
前記容量部は、サンプリングされた映像信号に応じた入力電位を保持し、
前記ドライブトランジスタは、該容量部に保持された入力電位に応じて所定の発光期間に出力電流を供給し、該出力電流は該ドライブトランジスタのチャネル領域のキャリア移動度及び閾電圧に対して依存性を有し、
前記発光素子は、該ドライブトランジスタから供給された出力電流により該映像信号に応じた輝度で発光する表示装置において、
各画素は、該出力電流の閾電圧に対する依存性を補正するための補正手段を備えており、
前記補正手段は該ドライブトランジスタ及び容量部に接続しており、該サンプリング期間に先行して設定された補正期間に動作し、該容量部に通電して該容量部が保持していた電位をリセットした後該通電を遮断し該ドライブトランジスタのソースとゲート間に現れる電位差を検出し、
前記容量部は該検出した電位差に応じた電位を保持し、該保持した電位は該ドライブトランジスタの出力電流に対する閾電圧の影響を相殺し、
更に前記ドライブトランジスタはそのチャネル領域の長さを短縮化して出力電流にソース・ドレイン間電圧に対する依存性を与え、これにより該出力電流のキャリア移動度に対する依存性を自己補正することを特徴とする表示装置。
【請求項4】
前記ドライブトランジスタは、そのチャネル領域の長さが5μm以下に短縮化されていることを特徴とする請求項3記載の表示装置。
【請求項1】
制御パルスを供給する行状の走査線と映像信号を供給する列状の信号線とが交差する部分に配され、少なくともサンプリングトランジスタと容量部とドライブトランジスタと発光素子とを含み、
前記サンプリングトランジスタは、所定のサンプリング期間に走査線から供給される制御パルスに応じ導通して信号線から供給された映像信号をサンプリングし、
前記容量部は、サンプリングされた映像信号に応じた入力電位を保持し、
前記ドライブトランジスタは、該容量部に保持された入力電位に応じて所定の発光期間に出力電流を供給し、該出力電流は該ドライブトランジスタのチャネル領域のキャリア移動度及び閾電圧に対して依存性を有し、
前記発光素子は、該ドライブトランジスタから供給された出力電流により該映像信号に応じた輝度で発光する画素回路において、
該出力電流の閾電圧に対する依存性を補正するための補正手段を備えており、 前記補正手段は該ドライブトランジスタ及び容量部に接続しており、該サンプリング期間に先行して設定された補正期間に動作し、該容量部に通電して該容量部が保持していた電位をリセットした後該通電を遮断し該ドライブトランジスタのソースとゲート間に現れる電位差を検出し、
前記容量部は該検出した電位差に応じた電位を保持し、該保持した電位は該ドライブトランジスタの出力電流に対する閾電圧の影響を相殺し、
更に前記ドライブトランジスタはそのチャネル領域の長さを短縮化して出力電流にソース・ドレイン間電圧に対する依存性を与え、これにより該出力電流のキャリア移動度に対する依存性を自己補正することを特徴とする画素回路。
【請求項2】
前記ドライブトランジスタは、そのチャネル領域の長さが5μm以下に短縮化されていることを特徴とする請求項1記載の画素回路。
【請求項3】
画素アレイ部とスキャナ部と信号部とを含み、
前記画素アレイ部は、行状に配された走査線と、列状に配された信号線と、両者が交差する部分に配された行列状の画素とからなり、
前記信号部は、該信号線に映像信号を供給し、
前記スキャナ部は、該走査線に制御パルスを供給して順次行ごとに画素を走査し、
各画素は、少なくともサンプリングトランジスタと容量部とドライブトランジスタと発光素子とを含み、
前記サンプリングトランジスタは、所定のサンプリング期間に走査線から供給されるサンプリング用制御パルスに応じ導通して信号線から供給された映像信号をサンプリングし、
前記容量部は、サンプリングされた映像信号に応じた入力電位を保持し、
前記ドライブトランジスタは、該容量部に保持された入力電位に応じて所定の発光期間に出力電流を供給し、該出力電流は該ドライブトランジスタのチャネル領域のキャリア移動度及び閾電圧に対して依存性を有し、
前記発光素子は、該ドライブトランジスタから供給された出力電流により該映像信号に応じた輝度で発光する表示装置において、
各画素は、該出力電流の閾電圧に対する依存性を補正するための補正手段を備えており、
前記補正手段は該ドライブトランジスタ及び容量部に接続しており、該サンプリング期間に先行して設定された補正期間に動作し、該容量部に通電して該容量部が保持していた電位をリセットした後該通電を遮断し該ドライブトランジスタのソースとゲート間に現れる電位差を検出し、
前記容量部は該検出した電位差に応じた電位を保持し、該保持した電位は該ドライブトランジスタの出力電流に対する閾電圧の影響を相殺し、
更に前記ドライブトランジスタはそのチャネル領域の長さを短縮化して出力電流にソース・ドレイン間電圧に対する依存性を与え、これにより該出力電流のキャリア移動度に対する依存性を自己補正することを特徴とする表示装置。
【請求項4】
前記ドライブトランジスタは、そのチャネル領域の長さが5μm以下に短縮化されていることを特徴とする請求項3記載の表示装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【公開番号】特開2006−251631(P2006−251631A)
【公開日】平成18年9月21日(2006.9.21)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−70777(P2005−70777)
【出願日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【出願人】(000002185)ソニー株式会社 (34,172)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成18年9月21日(2006.9.21)
【国際特許分類】
【出願日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【出願人】(000002185)ソニー株式会社 (34,172)
【Fターム(参考)】
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