発光装置、及び発光装置の製造方法
【課題】 バンクにより区画された開口部に均一な膜厚の有機機能層を備え、長寿命で表示品質の高い発光装置、及び発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 有機材料ＢＢからなる隔壁１５０ａにより区画された開口部１５１に発光層１４０Ｂを含む機能層１４０を配置する、発光装置の製造方法である。基体Ｐ上に隔壁１５０ａを形成するとともに、隔壁１５０ａの上面の表面層におけるフッ素含有率を開口部１５１の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高くし、隔壁１５０ａによって区画される開口部１５１に機能層１４０を配置する。
【解決手段】 有機材料ＢＢからなる隔壁１５０ａにより区画された開口部１５１に発光層１４０Ｂを含む機能層１４０を配置する、発光装置の製造方法である。基体Ｐ上に隔壁１５０ａを形成するとともに、隔壁１５０ａの上面の表面層におけるフッ素含有率を開口部１５１の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高くし、隔壁１５０ａによって区画される開口部１５１に機能層１４０を配置する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置における発光層を含む有機機能層を、インクジェット法により形成する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。このようにインクジェット法を用いて有機機能層を形成する際には、バンクと呼ばれる隔壁で区画された開口部にインクジェットヘッドからインク化した機能材料を吐出した後、乾燥処理を行って発光層を形成している。
【０００３】
ところで、前記開口部の内側面の機能材料に対する濡れ性によって、発光層の成膜状態に影響を与える場合がある。
そこで、インクジェット法を用いる場合、一般的にバンク（隔壁）の表面に撥液処理を施す工程が必須となる。例えば、このような撥液処理としては、ＣＦ４ガスを用いたプラズマ処理を行っている。
【特許文献１】特開２００３−２４９３７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したようなＣＦ４ガスを用いたプラズマ処理は等方性であることから、バンクの上面だけでなく、開口部の内側面も撥液化してしまう。
そして、開口部の内側面が撥液化されると、該開口部の内側面で機能材料が弾かれてしまうため、開口部の中央部付近で機能材料の液層の膜厚が厚く、バンクの近傍では膜厚が薄くなってしまう。このように、膜厚にバラツキのある機能材料を乾燥して成膜された発光層は平坦性が低く、膜厚の薄い部分は膜厚がある部分に比べ劣化するのが早いことから、発光層の寿命が短くなってしまう。また、例えば発光層を挟んで設けられる電極間で、膜厚の薄い発光層部分で電極間がショートするおそれがある。さらに、平坦性が低い発光層を備えた有機ＥＬ装置は表示ムラを生じることから、表示品質が低下して発光装置としての信頼性も低いものとなってしまう。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、バンクにより区画された開口部に均一な膜厚の有機機能層を備え、長寿命で表示品質の高い発光装置、及び発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の発光装置の製造方法は、有機材料からなる隔壁により区画された開口部に発光層を含む機能層を配置する、発光装置の製造方法において、基体上に前記隔壁を形成するとともに、該隔壁の上面の表面層におけるフッ素含有率を、前記開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高くする工程と、前記隔壁によって区画される開口部に前記機能層を配置する工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
本発明の発光装置の製造方法によれば、隔壁の上面の表面層におけるフッ素含有率が側面の表面層におけるフッ素含有率より高められている。ここで、例えば前記上面の表面層が、機能層となる機能液に対し撥液性となる程度のフッ素含有率となっている場合、前記開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率は上面に比べて低いので、前記機能液に対して前記開口部の内側面が相対的に親液性となる。よって、このような隔壁により区画された開口部に、例えばインクジェット法によって機能層の前駆体となる機能液を吐出すると、該開口部に配置された機能液は相対的に親液性となっている前記開口部の内側面に良好に接触した状態となり、したがって膜厚が均一で平坦な液層となる。
そして、開口部の内側面に良好に接触し均一な膜厚に保持された機能液を乾燥処理することで、均一な膜厚からなる機能層を形成できる。よって、本構成により得られる機能層によれば、開口部の内側面で膜厚の薄い部分が生じることがないので、例えば前記機能層を挟んで設けられる電極間の短絡が防止される。また、平坦な機能層は劣化しにくいため、発光装置の長寿命化を図ることができる。さらに、平坦な膜厚からなる機能層として例えば発光層を有し、高い表示特性を備えるとともに表示ムラを防止した信頼性の高い液層装置を製造することができる。
【０００８】
また、上記発光装置の製造方法では、前記隔壁に設けられた開口部の内側面が基体の上面に対し、テーパー形状となっているのが好ましい。
このようにすれば、フッ素含有率が低く、相対的に親液性を示す開口部の内側面と機能液との接触面積を増加させることができる。したがって、前記隔壁により区画された開口部に機能液を良好に配置し、均一な膜厚の機能層を得る事ができる。
【０００９】
あるいは、上記発光装置の製造方法では、前記隔壁を形成するに際し、フッ素を含有する反応ガスを用いた異方性のプラズマ処理を行うのが好ましい。
このようにすれば、異方性のプラズマ処理を施すことにより隔壁の上面の表面層にのみ選択的にフッ素が付与されるので、隔壁の上面におけるフッ素含有率を選択的に高めることで隔壁の上面に撥液性が付与される。よって、開口部の内側面は撥液性が低く、相対的に親液性となるので、前記隔壁により区画された開口部に機能液を良好に配置でき、これにより均一な膜厚の機能層を得る事ができる。
【００１０】
また、上記発光装置の製造方法では、前記隔壁を形成する工程において、前記基体上に隔壁形成材料を設け、該隔壁形成材料の上面における表面層にフッ素イオンを注入した後、前記隔壁形成材料をパターニングするのが好ましい。
このようにすれば、隔壁の上面の表面層にのみフッ素イオンが選択的に注入されたものとなるので、隔壁の上面にのみ撥液性を付与することができる。よって、開口部の内側面は撥液性が低く相対的に親液性となるので、前記隔壁により区画された開口部に機能液を良好に配置でき、これにより均一な膜厚の機能層を得る事ができる。
【００１１】
また、上記発光装置の製造方法では、前記隔壁を、第１の有機材料と第２の有機材料とをこの順に積層することで形成するとともに、該第２の有機材料としてフッ素含有材料を用いるのが好ましい。
このようにすると、第２の有機材料におけるフッ素含有率が隔壁の上面の表面層におけるフッ素含有率となり、前記第２の有機材料及び第１の有機材料のフッ素含有量の平均が開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率となる。よって、相対的にフッ素含有率の高い隔壁の上面が撥液性となって、フッ素含有率が低い開口部の内側面は前記機能液に対し相対的に親液性を示すものとなる。したがって、前記隔壁により区画された開口部に機能液を良好に配置でき、これにより均一な膜厚の機能層を得る事ができる。
【００１２】
また、上記発光装置の製造方法では、前記第１の有機材料としてフッ素含有材料を用い、該第１の有機材料におけるフッ素含有率を、前記第２の有機材料におけるフッ素含有率よりも低いものとするのが好ましい。
ここで、第２の有機材料及び前記第１の有機材料のフッ素含有率の平均となる開口部の内側面におけるフッ素含有率は、該隔壁の上面を構成する第２の有機材料のフッ素含有率よりも低くなる。よって、前記隔壁により区画された開口部に機能液を良好に配置し、均一な膜厚の機能層を得る事ができる。
【００１３】
また、上記発光装置の製造方法では、前記第２の有機材料の厚みを、前記第１の有機材料の厚みよりも薄くするのが好ましい。
このように、フッ素含有率が高い第２の有機材料の厚みを小さくすることで、開口部の内側面におけるフッ素含有率の加重平均値が低くなり、結果として前記の内側面におけるフッ素含有率が低下する。よって、隔壁の上面が撥液性となって、上述したように隔壁により区画された開口部に均一な膜厚の機能層を形成することができる。
【００１４】
本発明の発光装置は、有機材料からなる隔壁により区画された開口部に発光層を含む機能層を備えた発光装置において、前記隔壁の上面の表面層におけるフッ素含有率は、前記開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高くなっていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の発光装置によれば、隔壁の上面の表面層におけるフッ素含有率が側面の表面層におけるフッ素含有率より高められている。ここで、例えば前記上面の表面層が、機能層となる機能液に対し撥液性となる程度のフッ素含有率を備えた場合、前記開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率は前記隔壁の上面に比べて低いので、開口部の内側面は相対的に機能液に対して親液性となっている。このような隔壁により区画された開口部に、例えばインクジェット法によって機能層の前駆体となる機能液を吐出すると、該開口部に配置された機能液は相対的に親液性となっている前記開口部の内側面に良好に接触した状態となり、したがって膜厚が均一で平坦な液層となる。
そして、開口部の内側面に良好に接触し均一な膜厚に保持された機能液を乾燥処理することで、均一な膜厚からなる機能層となる。よって、本構成の発光装置によれば、開口部の内側面に均一な膜厚の機能層を挟んで設けられる電極間の短絡を防止し、さらには平坦な膜厚の機能層は劣化しにくいため、発光装置の長寿命化が図られたものとなる。さらには、平坦な膜厚からなる機能層として、例えば機能層を備えた発光装置は表示ムラが防止され、信頼性が高く表示特性も高いものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明の発光装置及び発光装置の製造方法の実施形態について図面を参照し説明する。
【００１７】
（発光装置の製造方法）
はじめに、発光装置の製造方法における一実施形態として、有機ＥＬ装置（発光装置）を製造する工程について説明する。
本発明の有機ＥＬ装置（発光装置）の製造方法は、基板（基体）上に有機バンク（隔壁）を形成するとともに、該有機バンクの上面の表面層におけるフッ素含有率を、前記有機バンクの上面の表面層におけるフッ素含有率より高くする工程と、前記有機バンクによって区画される開口部に有機機能層（機能層）を配置する工程と、を備えている。なお、本実施形態においては液滴吐出法、例えばインクジェット法を用いることで、有機ＥＬ装置（発光装置）における有機機能層を製造する実施形態について説明する。なお、以下に示す手順や液体材料の材料構成は一例であってこれに限定されるものではない。
【００１８】
（第１の実施形態）
はじめに、有機ＥＬ装置の製造方法の第１の実施形態について説明する。
本実施形態では、有機バンク（隔壁）を、第１の有機材料と第２の有機材料とをこの順に積層することで形成している。また、この第２の有機材料としてフッ素含有材料を用いている。
【００１９】
図１及び図２は、本実施形態の有機ＥＬ装置７０の製造工程を示す図である。
まず、図１（ａ）に示すように、例えばガラスからなる基板（基体）Ｐ上に駆動用ＴＦＴ１４３、第１層間絶縁膜２３０、第２層間絶縁膜２４０及び画素電極１４１を形成する。これらは公知の方法により形成することができる。なお、画素電極１４１は、ボトムエミッション型の場合には、ＩＴＯ等の透光性導電材料により形成される。トップエミッション型の場合には、透光性導電材料のほかアルミニウム、銀、金、プラチナ等の不透明又は光反射性を有する導電材料によって形成される。また、ＩＴＯ／Ａｌの積層膜としてもよい。
【００２０】
次に、図１（ｂ）に示すように、画素電極１４１の周縁部と一部平面的に重なるように、酸化シリコン等の無機絶縁材料からなる無機バンク１４９を形成する。具体的には、画素電極１４１及び平坦化絶縁膜２４０を覆うように酸化シリコン膜を形成した後、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて酸化シリコン膜をパターニングし、画素電極１４１の表面を部分的に開口させて形成する。
【００２１】
次に、基板Ｐ上に有機バンク１５０を形成する工程を行う。
具体的には、図１（ｃ）に示すように、基板Ｐ上に設けられた前記無機バンク１４９上に、第１の有機材料Ｂ１を塗布した後、該第１の有機材料Ｂ１を乾燥（仮乾燥）する。続いて、この第１の有機材料Ｂ１上に第２の有機材料Ｂ２を塗布し、該第２の有機材料Ｂ２を乾燥（仮乾燥）する。このようにして、第１の有機材料Ｂ１と第２の有機材料Ｂ２とを順に積層した後、パターニングを行うことで開口部１５１を区画する有機バンク１５０を形成する。なお、前記第１、及び第２の有機材料Ｂ１，Ｂ２の塗布方法として、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等の各種方法を適用することが可能である。
また、第１の有機材料Ｂ１及び第２の有機材料Ｂ２には、それぞれ感光性材料からなるものを用いている。また、前記第１の有機材料Ｂ１としては、後述するインクジェット工程により吐出される液体材料に対し親液性を備えたものを採用し、例えばアクリル、ポリイミド等の有機絶縁材料を用いている。一方、前記第２の有機材料Ｂ２としては、前記液体材料に対し撥液性を備えたもの、すなわちフッ素含有材料を用いている。
【００２２】
ここで、液体材料に対して親液性を示す有機材料とはフッ素を全く含有していない材料にのみに限定されることはなく、該第１の有機材料Ｂ１としてフッ素含有材料を用いてもよい。すなわち、前記第１の有機材料Ｂ１を、機能液に対して撥液性を示さない程度のフッ素を含有した材料から構成してもよく、その場合に、この第１の有機材料Ｂ１については、そのフッ素含有率が前記第２の有機材料Ｂ２におけるフッ素含有率より低いものとする。
【００２３】
ところで、バンクが液体材料に対して撥液性を示すフッ素含有率としては、バンクの表面層のフッ素含有率、例えば表面から１００ｎｍ程度の深さまでの間のフッ素含有率が、フッ素のイオン濃度として１×１０２０個／ｃｍ３以上であると一般的に考えられている。そこで、本実施形態では、前記第２の有機材料Ｂ２として、そのフッ素含有率、すなわちフッ素のイオン濃度が、１×１０２０個／ｃｍ３以上のものを用いている。
【００２４】
そして、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いることで、第１の有機材料Ｂ１と第２の有機材料Ｂ２との積層体をパターニングし、開口部１５１を有する有機バンク１５０を形成する。よって、有機バンク１５０は、前記第１の有機材料Ｂ１から構成される第１バンク層１５０ａと、前記第２の有機材料Ｂ２から構成される第２バンク層１５０ｂとが積層されることで構成されたものとなっている。
【００２５】
なお、前記第２の有機材料Ｂ２の厚みを前記第１の有機材料Ｂ１の厚みより薄くしていることが望ましい。このように、フッ素含有率が高い第２の有機材料の厚みを小さくすることで、開口部１５１の内側面における表面層の中で、フッ素含有率の多い第２の有機材料Ｂ２が占める割合が少なくなり、すなわち前記開口部１５１の内側面におけるフッ素含有率の加重平均値が小さくなる。このように、前記の内側面におけるフッ素含有率が低下することで、開口部１５１の内側面におけるフッ素含有率は、有機バンク１５０の上面の内側面におけるフッ素含有率よりも低くなる。
【００２６】
前記有機バンク１５０の高さは、例えば１〜２μｍ程度に設定され、基板Ｐ上で有機ＥＬ素子２００の仕切部材として機能する。このような構成のもとに、正孔注入層や発光層の形成場所、すなわちこれらの形成材料の塗布位置とその周囲の有機バンク１５０との間に十分な高さの段差からなる前記開口部１５１が形成されたものとなっている。有機バンク１５０の開口部１５１と無機バンク１４９の開口部１４９ｂとは互いに連通し、画素電極１４１はこれらの開口部内において露出した状態となっている。
【００２７】
有機バンク１５０を形成した後、図１（ｄ）に示すように、有機バンク１５０及び画素電極１４１を含む基板Ｐ上の領域に対して表面処理を施す。
具体的には、親液化工程として大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を基板Ｐに施す。この親液処理によって、画素電極１４１上及び前記第１バンク層１５０ａの親液性をより向上させることができる。
【００２８】
次いで、熱処理を行うことにより有機バンク１５０を安定化させるとともに、前記第２バンク層１５０ａの撥液性をより向上させることができる。なお、熱処理の条件を制御することにより、有機バンク１５０を一部を軟化させて、前記開口部１５１の内側面が基板Ｐの上面に対し、鋭角をなす傾斜面となるテーパー形状にしても良い。このようなテーパー形状を備えたことで、後述する工程により開口部１５１に配置された有機機能層が有機バンク１５０の周辺で膜厚が薄くなるのを防止している。
【００２９】
次に、図２（ａ）に示すように、基板Ｐの上面を上に向けた状態で正孔注入層形成材料を含む液体材料１１４ａをインクジェットヘッド１により有機バンク１５０に囲まれた塗布位置（開口部１５１）に選択的に塗布する。正孔注入層を形成するための液体材料（機能液）１１４ａは、正孔注入層形成材料（電荷輸送層形成材料）及び溶媒を含む。
【００３０】
正孔注入層形成材料としては、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム、ポリスチレンスルフォン酸、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォン酸との混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を例示することができる。また、溶媒としては、イソプロピルアルコール、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−イミダゾリノン等の極性溶媒を例示することができる。
【００３１】
上述した正孔注入層形成材料を含む液体材料１１４ａがインクジェットヘッド１より基板Ｐ上に吐出されると、流動性が高いため水平方向に広がろうとするが、塗布された位置を囲んで有機バンク１５０が形成されているので、液体材料１１４ａは有機バンク１５０を越えてその外側に広がることがない。
【００３２】
このとき、前記有機バンク１５０における前記液体材料１１４ａに対する濡れ性によって、正孔注入層の成膜状態に影響が及ぼされる。
そこで、本実施形態では、上述したように相対的にフッ素含有率の高い有機バンク１５０の上面を撥液性とし、フッ素含有率が低い有機バンク１５０により区画される開口部１５１の内側面を前記液体材料１１４ａに対し相対的に親液性としている。
【００３３】
このような有機バンク１５０により区画された開口部１５１に、インクジェット法により正孔注入層（有機機能層）の前駆体となる液体材料１１４ａを吐出すると、該開口部１５１に配置された液体材料１１４ａは、上述したように開口部１５１の内側面が親液性となっているので、前記液体材料１１４ａが前記開口部１５１の内側面に良好に接触した状態となり、したがって膜厚が均一で平坦な液層となる。
【００３４】
また、前記有機バンク１５０に設けられた開口部１５１の内側面が基板Ｐの上面に対しテーパー形状となっているので、液体材料１１４ａに対し親液性となる開口部１５１の内側面と前記液体材料１１４ａとの接触面積を増加したものとなっている。
【００３５】
続いて、加熱あるいは光照射により液体材料１１４ａの溶媒を蒸発させて画素電極１４１上に固形の正孔注入層１４０Ａを形成する。または、大気環境下又は窒素ガス雰囲気下において所定温度及び時間（一例として２００℃、１０分）焼成するようにしてもよい。
あるいは大気圧より低い圧力環境下（減圧環境下）に配置することで溶媒を除去するようにしてもよい。
このとき、液体材料１１４ａからなる前記の液層は、開口部１５１の内側面に良好に接触し均一な膜厚に保持された状態で加熱処理されて正孔注入層１４０Ａとなるので、均一な膜厚からなる正孔注入層１４０Ａとなる。
【００３６】
続いて、図２（ｂ）に示すように、基板Ｐの上面を上に向けた状態でインクジェットヘッド１より発光層形成材料と溶媒とを含む液体材料（機能液）１１４ｂを有機バンク１５０内の正孔注入層１４０Ａ上に選択的に塗布する。
【００３７】
この発光層形成材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料である、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）や、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系などを好適に用いることができる。また、これらの発光材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
【００３８】
前記発光層形成材料については、極性溶媒に溶解または分散させて液体材料とし、この液体材料をインクジェットヘッド１から吐出するのが好ましい。極性溶媒は、前記発光材料等を容易に溶解または均一に分散させることができるため、インクジェットヘッド１のノズル孔での発光層形成材料中の固型分が付着したり目詰りを起こすのを防止することができる。
【００３９】
このような極性溶媒として具体的には、水、メタノール、エタノール等の水と相溶性のあるアルコール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルイミダゾリン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、２，３−ジヒドロベンゾフラン等の有機溶媒または無機溶媒が挙げられ、これらの溶媒を２種以上適宜混合したものであってもよい。
【００４０】
液体材料１１４ｂをインクジェットヘッド１から吐出することによる発光層の形成は、赤色の発色光を発光する発光層形成材料を含む液体材料、緑色の発色光を発光する発光層形成材料を含む液体材料、青色の発色光を発光する発光層形成材料を含む液体材料を、それぞれ対応する画素（開口部１５１）に吐出し塗布することによって行う。なお、各色に対応する画素は、これらが規則的な配置となるように予め決められている。
【００４１】
このようにして各色の発光層形成材料を含む液体材料１１４ｂを吐出し塗布したならば、液体材料１１４ｂ中の溶媒を蒸発させる。この工程により、図２（ｃ）に示すように正孔注入層１４０Ａ上に固形の発光層１４０Ｂが形成され、これにより正孔注入層１４０Ａと発光層１４０Ｂとからなる有機機能層１４０が得られる。ここで、発光層形成材料を含む液体材料１１４ｂ中の溶媒の蒸発については、必要に応じて加熱あるいは減圧等の処理を行うが、発光層形成材料は通常乾燥性が良好で速乾性であることから、特にこのような処理を行うことなく、したがって各色の発光層形成材料を順次吐出塗布することにより、その塗布順に各色の発光層１４０Ｂを形成することができる。
【００４２】
また、上述したように、有機バンク１５０は上面が撥液性で、側面（開口部１５１の内側面）が親液性となっているので、この正孔注入層１４０Ａ上に形成される発光層１４０Ｂも有機バンク１５０との接触面で良好に接触し、良好な平坦性を持って形成されたものとなる。従って、均一かつ良好な発光特性、及び信頼性を備えた発光層１４０Ｂを製造できる。
【００４３】
その後、図２（ｃ）に示すように、基板Ｐの表面全体に、あるいはストライプ状に、ＩＴＯ等からなる共通電極１５４を形成する。なお、共通電極１５４上に酸素等の侵入を防止するための電極保護層を設けてもよい。このようにして、有機ＥＬ素子２００が製造できる。
【００４４】
そして最後に、上記有機ＥＬ素子２００が設けられた基板Ｐと封止基板（図示しない）との貼り合わせを行う。ここでは、まず、基板Ｐ上に形成した共通電極１５４の面上に、共通電極１５４を覆う様に封止樹脂層３０を配置した後、減圧雰囲気下において封止基板４０を封止樹脂層３０上に配置し接着することによって行うことにより図３に示すような有機ＥＬ装置７０が得られる。
このように、減圧雰囲気下で接着を行うことにより、封止樹脂層３０と基板Ｐとの間、もしくは封止樹脂層３０と封止基板４０との間に気泡が侵入することを防止できる。このため、気泡を介して発光層１４０Ｂに酸素及び水分が侵入することが防止され、発光層１４０Ｂの発光特性や寿命の低下を抑制できる。以上の工程により、有機ＥＬ装置７０が製造できる。
【００４５】
このように、本実施形態における有機ＥＬ装置７０の製造方法においては、上述したように有機バンク１５０の上面を撥液性とし、該開口部１５１の内側面を親液性としているので、有機機能層１４０となる液体材料１１４ａ，１１４ｂを前記開口部１５１の内側面に良好に接触した状態に配置することが可能となる。よって、開口部１５１に平坦な膜厚からなる正孔注入層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂを形成できる。
そして、前記開口部１５１の内側面に形成された、正孔注入層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂを含む有機機能層１４０に膜厚の薄い部分が生じることがないので、前記有機機能層１４０を挟んで設けられる画素電極１４１及び共通電極１５４間で短絡が生じるのを防止できる。さらに、平坦な有機機能層１４０を備えているので、劣化が早まるといった不具合を防止でき、したがって有機ＥＬ装置７０の寿命をのばすことができる。さらに、平坦な膜厚からなる発光層１４０Ｂを備えた有機ＥＬ装置７０は表示ムラが防止され、よって表示特性が高く信頼性を備えたものとなる。
【００４６】
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置７０は、画素電極１４１を陽極とし、共通電極１５４を陰極とした構造を採用したが、これとは逆に画素電極１４１を陰極とし、共通電極１５４を陽極とする構造を採用することも可能である。この場合、画素電極と発光層との間に配置される電荷輸送層としては電子注入層が形成される。
【００４７】
（発光装置）
次に、発光装置の一実施形態として、上述した有機ＥＬ装置の製造方法により製造された有機ＥＬ装置７０の構成について図面を参照しつつ説明する。
図３は本実施形態の有機ＥＬ装置における側部断面図を示した図であり、図中符号７０は有機ＥＬ装置である。
有機ＥＬ装置は、基板Ｐ上に設けられた有機バンク１５０により区画された開口部１５１に有機機能層１４０を備えたものである。
【００４８】
前記基板Ｐとしては、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、基板Ｐ側から光を取り出す構成であるので、ガラス等の透明基板が用いられる。一方、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の場合には、有機ＥＬ素子２００が配設された側から光を取り出す構成であるので、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。
【００４９】
そして、前記基板Ｐ上には駆動用ＴＦＴ１４３が設けられていて、図３に示すように駆動用ＴＦＴ１４３は半導体膜２１０に形成されたソース領域１４３ａ、ドレイン領域１４３ｂ、及びチャネル領域１４３ｃと、半導体層表面に形成されたゲート絶縁膜２２０を介してチャネル領域１４３ｃに対向するゲート電極１４３Ａとを主体として構成されている。
【００５０】
半導体膜２１０及びゲート絶縁膜２２０を覆う第１層間絶縁膜２３０が形成されており、この第１層間絶縁膜２３０を貫通して半導体膜２１０に達するコンタクトホール２３２，２３４内に、それぞれドレイン電極２３６、ソース電極２３８が埋設され、各々の電極はドレイン領域１４３ｂ、ソース領域１４３ａに導電接続されている。第１層間絶縁膜２３０には、第２層間絶縁膜２４０が形成されており、この第２層間絶縁膜２４０に貫設されたコンタクトホールに画素電極１４１の一部が埋設されている。
【００５１】
そして画素電極１４１とドレイン電極２３６とが導電接続されることで、駆動用ＴＦＴ１４３と画素電極１４１（有機ＥＬ素子２００）とが電気的に接続されている。画素電極１４１の周縁部に一部乗り上げるようにして無機絶縁材料からなる無機バンク１４９が形成され、この無機バンク１４９上には有機材料からなる有機バンク１５０が積層されることにより隔壁部材を構成している。
【００５２】
本実施形態では、有機バンク１５０は、第１の有機材料Ｂ１から構成される第１バンク層１５０ａと、該第１のバンク層１５０ａよりも厚みが小さく、第２の有機材料Ｂ２からなる第２バンク層１５０ｂとが積層され構成されている。上述したように、前記第１の有機材料Ｂ１は前記有機機能層１４０となる液体材料に対して親液性を示す材料から構成され、前記第２の有機材料Ｂ２は前記液体材料に対して撥液性を示すフッ素含有率の材料から構成され、有機バンク１５０の上面の表面層におけるフッ素含有率が開口部１５１の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高いものとなっている。
【００５３】
画素電極１４１上であって、有機バンク１５０により区画された開口部１５１には電荷輸送層としての正孔注入層１４０Ａと発光層１４０Ｂとからなる有機機能層１４０が設けられている。この有機機能層１４０は、上述したインクジェット工程により形成されたもので開口部１５１の内側面に密着した状態に形成され、均一で平坦な膜厚から構成されたものとなっている。そして、前記発光層１４０Ｂと前記有機バンク１５０とを覆って共通電極１５４が形成され、有機ＥＬ素子２００を構成している。
【００５４】
このような構成によれば、開口部１５１の内側面に膜厚の薄い部分が生じることがないので、有機機能層１４０を挟んで設けられる電極（画素電極１４１及び共通電極１５４）間の短絡が防止される。また、平坦な膜厚の有機機能層１４０は劣化しにくいため、該有機機能層１４０を備えた有機ＥＬ装置７０は長寿命なものとなる。さらに、平坦な膜厚からなる発光層１４０Ｂを備えた有機ＥＬ装置７０は表示ムラを防止し、信頼性が高く表示特性も高いものとなる。
【００５５】
また、前記正孔注入層１４０Ａは画素電極１４１を覆って形成されており、その周端部は有機バンク１５０の下層側に設けられた無機バンク１４９のうち、有機バンク１５０から画素電極１４１中央側に突出して配置された部分も覆って形成されている。
【００５６】
前記画素電極１４１は、基板Ｐを介して光を取り出すボトムエミッション型の場合には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電材料により形成されるが、トップエミッション型の場合には透光性である必要はなく、金属材料等の適宜な導電材料によって形成できる。
【００５７】
共通電極１５４は、発光層１４０Ｂと有機バンク１５０の上面、さらには開口部１５１の内側面を覆った状態で基板Ｐ上に形成される。この共通電極１５４を形成するための材料としては、トップエミッション型の場合、透明導電材料が用いられる。透明導電材料としてはＩＴＯが好適であるが、他の透光性導電材料であっても構わない。ボトムエミッション型の場合には、透明導電材料のほか、アルミニウム等の不透明若しくは光反射性を有する導電材料を用いることができる。なお、共通電極１５４の上層側に、無機酸化物からなる共通電極１５４への酸素等の侵入を防止するための電極保護層を設けるようにしてもよい。
そして、前記共通電極上には封止樹脂層３０が設けられ、該封止樹脂層３０を介して封止基板４０を貼り合わせた構成となっている。
【００５８】
また、図４は、有機ＥＬ装置７０の回路構成を示す図である。
図４に示すように、有機ＥＬ装置７０は、ガラス等からなる基体上に、複数の走査線（配線、電力導通部）１３１と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線（配線、電力導通部）１３２と、これら信号線１３２に並列に延びる複数の共通給電線（配線、電力導通部）１３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に、画素（画素領域）７１が設けられて構成されたものである。
【００５９】
信号線１３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路７２が設けられている。一方、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査側駆動回路７３が設けられている。また、画素領域７１の各々には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４２と、このスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４２を介して信号線１３２から供給される画像信号（電力）を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号をゲート電極に供給する前記駆動用ＴＦＴ１４３と、この駆動用ＴＦＴ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極１４１と、この画素電極１４１と共通電極１５４との間に挟み込まれる有機機能層１４０と、が設けられている。
【００６０】
このような構成のもとに、走査線１３１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１４２がオンとなると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１４３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１４３のチャネルを介して共通給電線１３３から画素電極１４１に電流が流れ、さらに発光層１４０Ｂを通じて共通電極１５４に電流が流れることにより、有機ＥＬ素子２００は電流量に応じて発光するようになっている。
【００６１】
本実施形態の有機ＥＬ装置７０によれば、開口部１５１内に均一な膜厚の有機機能層１４０を備えているので、該有機機能層１４０を挟んで設けられる電極（画素電極１４１及び共通電極１５４）間の短絡を防止し、さらには平坦な膜厚の機能層は劣化しにくいため、有機ＥＬ装置７０は長寿命化が図られたものとなる。さらには、平坦な膜厚からなる発光層１４０Ｂを備えた有機ＥＬ装置７０は表示ムラを防止し、信頼性が高く表示特性も高いものとなる。
【００６２】
（第２の実施形態）
次に、有機ＥＬ装置の製造方法、及び有機ＥＬ装置の第２の実施形態について説明する。
本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法では、後述するように、有機バンクを形成するに際し、該有機バンクの上面の表面層におけるフッ素含有率を開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高くする工程を、フッ素を含有する反応ガスを用いた異方性のプラズマ処理により行っている。
【００６３】
なお、上述した第１実施形態では、２層からなる有機バンクの上段をフッ素含有率が高い材料（第２の有機材料Ｂ２）で形成していたが、本実施形態ではプラズマ処理を用いることで有機バンクの上面の表面層におけるフッ素含有率を、側面の表面層におけるフッ素含有率より高める方法の点において異なっており、この点以外の製造工程については同一である。したがって、以下の説明においては、フッ素を含有する反応ガスを用いた異方性のプラズマ処理工程について説明することとし、他の製造工程についてはその説明を省略する。また、同一の構造のものについては、同一符号を付している。
【００６４】
図５は、本実施形態の有機ＥＬ装置における有機バンクを形成する工程を示す図である。
図５（ａ）に示すように、基板Ｐ上には、駆動用ＴＦＴ１４３、及び画素電極１４１が形成されていて、該画素電極１４１の周縁部と一部平面的に重なるように無機バンク１４９が形成されている。
【００６５】
はじめに、前記無機バンク１４９上に例えばアクリル、ポリイミド等の有機絶縁材料からなるバンク形成材料ＢＢを、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等の各種方法により塗布する。
そして、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いることで、前記バンク形成材料ＢＢをパターニングし、開口部１５１が設けられた有機バンク１５０Ａを形成する。なお、有機バンク１５０Ａの開口部１５１と無機バンク１４９の開口部１４９ｂとは互いに連通し、画素電極１４１はこれらの開口部内において露出した状態としている。
【００６６】
続いて、前記有機バンク１５０Ａに設けられた開口部１５１に、正孔注入層形成材料を含む液体材料１１４ａをインクジェットヘッドにより吐出する前に、図５（ｂ）に示すように、有機バンク１５０Ａ及び画素電極１４１を含む基板Ｐ上の領域に対して表面処理を施す。
【００６７】
本実施形態では、フッ素を含有する反応ガスとして、例えばＣＦ４、ＳＦ６、ＣＨＦ３等のフッ化化合物を用いた異方性のプラズマ処理を行っている。具体的には、プラズマとしては、基板へのバイアスと、プラズマの励起エネルギーとを個々に制御可能なＩＣＰ（誘導結合型プラズマ）が好適に採用される。そして、低圧力雰囲気下（例えば、１０Ｐａ以下）で基板バイアスを高くかけることで、異方性のプラズマ処理を行っている。
このとき、有機バンク１５０Ａの上面における表面層、例えば表面から１００ｎｍ程度の深さまでの間のフッ素含有率が、フッ素のイオン濃度として１×１０２０個／ｃｍ３以上となるような条件の下で上記プラズマ処理を行った。したがって、有機バンク１５０Ａの上面（図５（ｂ）中２点鎖線により示される面）における表面層にのみフッ素イオンが導入されて、有機バンク１５０Ａの上面は液体材料を弾くようになる。
【００６８】
このとき、ＩＴＯ膜や金属膜等の無機材料からなる画素電極１４１の表面や酸化シリコン等の無機材料からなる無機バンク１４９の表面は有機材料からなる有機バンク１５０Ａの表面よりも撥液化されにくい。よって、有機バンク１５０Ａに設けられた開口部１５１内に露出した画素電極１４１の表面及び無機バンク１４９の表面には、フッ素イオンが導入されることがなく、液体材料に対して親液性を有した状態に保持されたままとなる。
このように、上記のプラズマ処理工程により、有機バンク１５０Ａの上面のみを選択的に撥液性とすることができ、有機バンク１５０Ａの上面の表面層におけるフッ素含有率が、前記有機バンク１５０Ａの側面の表面層におけるフッ素含有率よりも相対的に高まる。
【００６９】
次に、図５（ｃ）に示すように、正孔注入層（有機機能層）の形成材料を含む液体材料１１４ａをインクジェットヘッドにより有機バンク１５０Ａの開口部１５１に吐出する。
本実施形態では、相対的にフッ素含有率の高い有機バンク１５０Ａの上面が撥液性を示し、フッ素含有率が低い有機バンク１５０Ａにより区画される開口部１５１の内側面は液体材料１１４ａに対して親液性となっている。
よって、この開口部１５１に、インクジェット法により液体材料１１４ａを吐出すると、該液体材料１１４ａが開口部１５１の内側面に良好に接触した状態となり、膜厚が均一で平坦な液層となる。
【００７０】
続いて、前記第１実施形態と同様に、液体材料１１４ａが開口部１５１の内側面に良好に接触し、均一な膜厚に保持された状態で加熱処理することにより、均一な膜厚からなる正孔注入層１４０Ａが形成される。そして、インクジェットヘッドより発光層形成材料と溶媒とを含む液体材料１１４ｂを有機バンク１５０Ａ内の正孔注入層１４０Ａ上に選択的に塗布する。
【００７１】
また、上述したように、有機バンク１５０Ａは上面が撥液性で、側面（開口部１５１の内側面）が親液性となっているので、この正孔注入層１４０Ａ上に形成される発光層１４０Ｂも有機バンク１５０Ａに接触して形成されることで、均一な膜厚となる。したがって、均一かつ良好な発光特性、及び信頼性を備えた発光層１４０Ｂを製造できる。その後、図５（ｄ）に示すように、基板Ｐの表面全体に、あるいはストライプ状に、ＩＴＯ等からなる共通電極１５４を形成し、有機ＥＬ素子２００を形成できる。最後に、有機ＥＬ素子２００が設けられた基板Ｐと封止基板とを封止樹脂層を介して貼り合わせることにより本実施形態の有機ＥＬ装置が得られる。
【００７２】
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法により形成された有機ＥＬ装置は、有機バンク１５０Ａが１層構造からなるものである以外の構成については、前記第１の実施形態における有機ＥＬ装置７０と同一であることからその説明を省略する。
【００７３】
このように、本実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法によれば、上述したように有機バンク１５０Ａの上面を撥液性とし、該有機バンク１５０Ａの側面（開口部１５１の内側面）を親液性とすることで、開口部１５１に平坦な膜厚からなる正孔注入層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂを形成でき、表示ムラが防止された高い表示特性、及び信頼性を備えたものとなる。
よって、前記第１の実施形態と同様に、画素電極１４１及び共通電極１５４間での短絡を防止することにより、長寿命化が図られた有機ＥＬ装置となる。
【００７４】
（第３の実施形態）
次に、有機ＥＬ装置の製造方法における第３の実施形態について説明する。
本実施形態では、後述するように、有機バンク（隔壁）を、基体上に有機バンク形成材料（隔壁形成材料）を設け、該有機バンク形成材料の上面における表面層にフッ素イオンを注入した後、前記有機バンク形成材料に開口部をパターニングすることにより形成している。
【００７５】
なお、本実施形態では、前述した第２の実施形態における有機バンクの上面の表面層におけるフッ素含有率を前記開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高める方法としてイオン注入を用いて行う点が異なる以外の、有機ＥＬ装置を製造する工程は同一である。したがって、以下の説明においては、本実施形態の有機バンクを形成する工程にのみ詳細に説明することとし、他の製造工程についてはその説明を省略する。また、同一の構造のものについては、同一符号を付して説明する。
【００７６】
図６は、本実施形態の有機ＥＬ装置７０における有機バンクを形成する工程を模式的に示す図である。よって、図６中では、基板Ｐ上に設けられた、駆動用ＴＦＴ１４３、画素電極１４１、及びこの画素電極１４１上に設けられる無機バンク１４９の図示を省略している。
【００７７】
本実施形態では、図６（ａ）に示すように、無機バンク等が設けられた基板Ｐ上に感光性材料であって、例えばアクリル、ポリイミド等の有機絶縁材料からなるバンク形成材料（隔壁形成材料）ＢＢを、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等の各種方法により塗布する。
【００７８】
続いて、バンク形成材料ＢＢの上面側からイオンドーピングやイオンインプラ等のイオン注入法を用いることで、フッ素イオンを注入する。このとき、有機バンク１５０Ａの上面における表面層、例えば表面から１００ｎｍ程度の深さまでの間のフッ素含有率が、フッ素のイオン濃度として１×１０２０個／ｃｍ３以上となるような条件の下で上記イオン打ち込み工程を行った。なお、イオン注入量の制御は、ガス放電によりプラズマを発生させイオン化する際のイオン電流と試料（バンク形成材料ＢＢ）への注入時間とを調整することによりできる。
【００７９】
本実施形態では、加速電圧２〜５０ＫＶ程度の下で、例えばＢＦ３を注入することでフッ素イオンを注入した。また、ドーズ量については１．５×１０１６／ｃｍ２程度とする。すると、図６（ｂ）に示すように、バンク形成材料ＢＢの上面の表面層、具体的には上面から１００ｎｍ程度の深さとなる領域にフッ素イオンが注入されたフッ素注入領域ＦＡが形成される。ここで、フッ素注入領域ＦＡ、すなわちバンク形成材料ＢＢの上面の表面層は、上述したようにドーズ量１．５×１０１６／ｃｍ２で１００ｎｍ程度の深さまでフッ素イオンが注入されていることから、フッ素イオン濃度は１×１０２１個／ｃｍ３となる。よって、バンク形成材料ＢＢの上面の表面層は、１×１０２０個／ｃｍ３以上のフッ素含有率となっていることから、後の工程により開口部１５１内に吐出される液体材料に対し撥液性となる。
【００８０】
続いて、図６（ｃ）に示すようにして、フォトリソグラフィ技術により、マスクＭを介して露光を行った後、現像処理を行うことで前記バンク形成材料ＢＢをパターニングする。そして、図６（ｄ）に示すように、開口部１５１が設けられた有機バンク１５０Ｂを形成する。なお、本実施形態では、前記開口部１５１の内側面を基板Ｐの上面に対しテーパー形状としている。
【００８１】
ここで、画素電極１４１の表面や無機バンク１４９の表面をバンク形成材料ＢＢによって覆った状態でフッ素イオン打ち込みを行っているので、イオン打ち込み後に、有機バンク１５０Ｂに設けられた開口部１５１の内側面にはフッ素イオンが導入されることがなく、したがって液体材料に対して親液性を有した状態が保持される。
このように、上記のフッ素イオンの打ち込み工程により、有機バンク１５０Ｂの上面の表面層（フッ素領域）を撥液性とすることで、前記上面の表面層におけるフッ素含有率が、前記開口部１５１の内側面の表面層におけるフッ素含有率よりも相対的に高めた状態としている。
【００８２】
次に、上記実施形態と同様にして、正孔注入層形成材料を含む液体材料１１４ａをインクジェットヘッドにより有機バンク１５０Ｂの開口部１５１に吐出する。
このとき、前記第１，第２実施形態と同様に、開口部１５１に、インクジェット法により正孔注入層（有機機能層）の前駆体となる液体材料１１４ａを吐出し配置すると、該液体材料１１４ａは開口部１５１の内側面に良好に接触し、膜厚が均一で平坦な液層となる。続いて、前記の実施形態と同様に、加熱処理を行うと液体材料１１４ａが開口部１５１内に均一な膜厚の状態で保持されているので、均一な膜厚からなる正孔注入層１４０Ａとなる。
【００８３】
続いて、インクジェットヘッドより発光層形成材料と溶媒とを含む液体材料１１４ｂを有機バンク１５０Ｂ内の正孔注入層１４０Ａ上に選択的に塗布することで、均一かつ良好な発光特性、信頼性を備えた発光層１４０Ｂを製造できる。その後、基板Ｐの表面全体に、あるいはストライプ状に、ＩＴＯ等からなる共通電極１５４を形成し、図６（ｅ）に示すように、有機ＥＬ素子２００を製造できる。最後に、有機ＥＬ素子２００が設けられた基板Ｐと封止基板とを封止樹脂層を介して貼り合わせることにより本実施形態の有機ＥＬ装置が得られる。
【００８４】
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法により形成された有機ＥＬ装置は、有機バンク１５０Ｂが１層構造からなるものである以外の構成については、前記第１の実施形態における有機ＥＬ装置７０と同一であることからその説明を省略する。
【００８５】
このように、本実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法においても、上述したように有機バンク１５０Ｂの上面を撥液性とし、該有機バンク１５０Ｂの側面（開口部１５１の内側面）を親液性とすることで、開口部１５１に平坦な膜厚からなる正孔注入層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂを形成でき、表示ムラが防止された高い表示特性、及び信頼性を備えた有機ＥＬ装置を製造できる。
よって、前記第１，第２実施形態と同様に、画素電極１４１及び共通電極１５４間での短絡を防止することにより、長寿命化が図られた有機ＥＬ装置となる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】有機ＥＬ装置の製造工程を示す図である。
【図２】図１に続く有機ＥＬ装置の製造工程を示す図である。
【図３】第１の実施形態の有機ＥＬ装置における側部断面を示す図である。
【図４】第１の実施形態の有機ＥＬ装置の回路構成を示す図である
【図５】第２の実施形態の有機バンクを形成する工程を示す図である。
【図６】第３の実施形態の有機バンクを形成する工程を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００８７】
７０…有機ＥＬ装置（発光装置）、１１４ａ，１１４ｂ…液体材料（機能液）、１４０…有機機能層（機能層）、１４０Ａ…正孔注入層（電荷輸送層）、１４０Ｂ…発光層、１４１…画素電極、１４９…無機バンク、１４９ｂ…無機バンクの開口部、１５０…有機バンク（隔壁）、１５１…開口部、ＢＢ…バンク形成材料（隔壁形成材料）、Ｐ…基体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置における発光層を含む有機機能層を、インクジェット法により形成する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。このようにインクジェット法を用いて有機機能層を形成する際には、バンクと呼ばれる隔壁で区画された開口部にインクジェットヘッドからインク化した機能材料を吐出した後、乾燥処理を行って発光層を形成している。
【０００３】
ところで、前記開口部の内側面の機能材料に対する濡れ性によって、発光層の成膜状態に影響を与える場合がある。
そこで、インクジェット法を用いる場合、一般的にバンク（隔壁）の表面に撥液処理を施す工程が必須となる。例えば、このような撥液処理としては、ＣＦ４ガスを用いたプラズマ処理を行っている。
【特許文献１】特開２００３−２４９３７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したようなＣＦ４ガスを用いたプラズマ処理は等方性であることから、バンクの上面だけでなく、開口部の内側面も撥液化してしまう。
そして、開口部の内側面が撥液化されると、該開口部の内側面で機能材料が弾かれてしまうため、開口部の中央部付近で機能材料の液層の膜厚が厚く、バンクの近傍では膜厚が薄くなってしまう。このように、膜厚にバラツキのある機能材料を乾燥して成膜された発光層は平坦性が低く、膜厚の薄い部分は膜厚がある部分に比べ劣化するのが早いことから、発光層の寿命が短くなってしまう。また、例えば発光層を挟んで設けられる電極間で、膜厚の薄い発光層部分で電極間がショートするおそれがある。さらに、平坦性が低い発光層を備えた有機ＥＬ装置は表示ムラを生じることから、表示品質が低下して発光装置としての信頼性も低いものとなってしまう。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、バンクにより区画された開口部に均一な膜厚の有機機能層を備え、長寿命で表示品質の高い発光装置、及び発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の発光装置の製造方法は、有機材料からなる隔壁により区画された開口部に発光層を含む機能層を配置する、発光装置の製造方法において、基体上に前記隔壁を形成するとともに、該隔壁の上面の表面層におけるフッ素含有率を、前記開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高くする工程と、前記隔壁によって区画される開口部に前記機能層を配置する工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
本発明の発光装置の製造方法によれば、隔壁の上面の表面層におけるフッ素含有率が側面の表面層におけるフッ素含有率より高められている。ここで、例えば前記上面の表面層が、機能層となる機能液に対し撥液性となる程度のフッ素含有率となっている場合、前記開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率は上面に比べて低いので、前記機能液に対して前記開口部の内側面が相対的に親液性となる。よって、このような隔壁により区画された開口部に、例えばインクジェット法によって機能層の前駆体となる機能液を吐出すると、該開口部に配置された機能液は相対的に親液性となっている前記開口部の内側面に良好に接触した状態となり、したがって膜厚が均一で平坦な液層となる。
そして、開口部の内側面に良好に接触し均一な膜厚に保持された機能液を乾燥処理することで、均一な膜厚からなる機能層を形成できる。よって、本構成により得られる機能層によれば、開口部の内側面で膜厚の薄い部分が生じることがないので、例えば前記機能層を挟んで設けられる電極間の短絡が防止される。また、平坦な機能層は劣化しにくいため、発光装置の長寿命化を図ることができる。さらに、平坦な膜厚からなる機能層として例えば発光層を有し、高い表示特性を備えるとともに表示ムラを防止した信頼性の高い液層装置を製造することができる。
【０００８】
また、上記発光装置の製造方法では、前記隔壁に設けられた開口部の内側面が基体の上面に対し、テーパー形状となっているのが好ましい。
このようにすれば、フッ素含有率が低く、相対的に親液性を示す開口部の内側面と機能液との接触面積を増加させることができる。したがって、前記隔壁により区画された開口部に機能液を良好に配置し、均一な膜厚の機能層を得る事ができる。
【０００９】
あるいは、上記発光装置の製造方法では、前記隔壁を形成するに際し、フッ素を含有する反応ガスを用いた異方性のプラズマ処理を行うのが好ましい。
このようにすれば、異方性のプラズマ処理を施すことにより隔壁の上面の表面層にのみ選択的にフッ素が付与されるので、隔壁の上面におけるフッ素含有率を選択的に高めることで隔壁の上面に撥液性が付与される。よって、開口部の内側面は撥液性が低く、相対的に親液性となるので、前記隔壁により区画された開口部に機能液を良好に配置でき、これにより均一な膜厚の機能層を得る事ができる。
【００１０】
また、上記発光装置の製造方法では、前記隔壁を形成する工程において、前記基体上に隔壁形成材料を設け、該隔壁形成材料の上面における表面層にフッ素イオンを注入した後、前記隔壁形成材料をパターニングするのが好ましい。
このようにすれば、隔壁の上面の表面層にのみフッ素イオンが選択的に注入されたものとなるので、隔壁の上面にのみ撥液性を付与することができる。よって、開口部の内側面は撥液性が低く相対的に親液性となるので、前記隔壁により区画された開口部に機能液を良好に配置でき、これにより均一な膜厚の機能層を得る事ができる。
【００１１】
また、上記発光装置の製造方法では、前記隔壁を、第１の有機材料と第２の有機材料とをこの順に積層することで形成するとともに、該第２の有機材料としてフッ素含有材料を用いるのが好ましい。
このようにすると、第２の有機材料におけるフッ素含有率が隔壁の上面の表面層におけるフッ素含有率となり、前記第２の有機材料及び第１の有機材料のフッ素含有量の平均が開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率となる。よって、相対的にフッ素含有率の高い隔壁の上面が撥液性となって、フッ素含有率が低い開口部の内側面は前記機能液に対し相対的に親液性を示すものとなる。したがって、前記隔壁により区画された開口部に機能液を良好に配置でき、これにより均一な膜厚の機能層を得る事ができる。
【００１２】
また、上記発光装置の製造方法では、前記第１の有機材料としてフッ素含有材料を用い、該第１の有機材料におけるフッ素含有率を、前記第２の有機材料におけるフッ素含有率よりも低いものとするのが好ましい。
ここで、第２の有機材料及び前記第１の有機材料のフッ素含有率の平均となる開口部の内側面におけるフッ素含有率は、該隔壁の上面を構成する第２の有機材料のフッ素含有率よりも低くなる。よって、前記隔壁により区画された開口部に機能液を良好に配置し、均一な膜厚の機能層を得る事ができる。
【００１３】
また、上記発光装置の製造方法では、前記第２の有機材料の厚みを、前記第１の有機材料の厚みよりも薄くするのが好ましい。
このように、フッ素含有率が高い第２の有機材料の厚みを小さくすることで、開口部の内側面におけるフッ素含有率の加重平均値が低くなり、結果として前記の内側面におけるフッ素含有率が低下する。よって、隔壁の上面が撥液性となって、上述したように隔壁により区画された開口部に均一な膜厚の機能層を形成することができる。
【００１４】
本発明の発光装置は、有機材料からなる隔壁により区画された開口部に発光層を含む機能層を備えた発光装置において、前記隔壁の上面の表面層におけるフッ素含有率は、前記開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高くなっていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の発光装置によれば、隔壁の上面の表面層におけるフッ素含有率が側面の表面層におけるフッ素含有率より高められている。ここで、例えば前記上面の表面層が、機能層となる機能液に対し撥液性となる程度のフッ素含有率を備えた場合、前記開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率は前記隔壁の上面に比べて低いので、開口部の内側面は相対的に機能液に対して親液性となっている。このような隔壁により区画された開口部に、例えばインクジェット法によって機能層の前駆体となる機能液を吐出すると、該開口部に配置された機能液は相対的に親液性となっている前記開口部の内側面に良好に接触した状態となり、したがって膜厚が均一で平坦な液層となる。
そして、開口部の内側面に良好に接触し均一な膜厚に保持された機能液を乾燥処理することで、均一な膜厚からなる機能層となる。よって、本構成の発光装置によれば、開口部の内側面に均一な膜厚の機能層を挟んで設けられる電極間の短絡を防止し、さらには平坦な膜厚の機能層は劣化しにくいため、発光装置の長寿命化が図られたものとなる。さらには、平坦な膜厚からなる機能層として、例えば機能層を備えた発光装置は表示ムラが防止され、信頼性が高く表示特性も高いものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明の発光装置及び発光装置の製造方法の実施形態について図面を参照し説明する。
【００１７】
（発光装置の製造方法）
はじめに、発光装置の製造方法における一実施形態として、有機ＥＬ装置（発光装置）を製造する工程について説明する。
本発明の有機ＥＬ装置（発光装置）の製造方法は、基板（基体）上に有機バンク（隔壁）を形成するとともに、該有機バンクの上面の表面層におけるフッ素含有率を、前記有機バンクの上面の表面層におけるフッ素含有率より高くする工程と、前記有機バンクによって区画される開口部に有機機能層（機能層）を配置する工程と、を備えている。なお、本実施形態においては液滴吐出法、例えばインクジェット法を用いることで、有機ＥＬ装置（発光装置）における有機機能層を製造する実施形態について説明する。なお、以下に示す手順や液体材料の材料構成は一例であってこれに限定されるものではない。
【００１８】
（第１の実施形態）
はじめに、有機ＥＬ装置の製造方法の第１の実施形態について説明する。
本実施形態では、有機バンク（隔壁）を、第１の有機材料と第２の有機材料とをこの順に積層することで形成している。また、この第２の有機材料としてフッ素含有材料を用いている。
【００１９】
図１及び図２は、本実施形態の有機ＥＬ装置７０の製造工程を示す図である。
まず、図１（ａ）に示すように、例えばガラスからなる基板（基体）Ｐ上に駆動用ＴＦＴ１４３、第１層間絶縁膜２３０、第２層間絶縁膜２４０及び画素電極１４１を形成する。これらは公知の方法により形成することができる。なお、画素電極１４１は、ボトムエミッション型の場合には、ＩＴＯ等の透光性導電材料により形成される。トップエミッション型の場合には、透光性導電材料のほかアルミニウム、銀、金、プラチナ等の不透明又は光反射性を有する導電材料によって形成される。また、ＩＴＯ／Ａｌの積層膜としてもよい。
【００２０】
次に、図１（ｂ）に示すように、画素電極１４１の周縁部と一部平面的に重なるように、酸化シリコン等の無機絶縁材料からなる無機バンク１４９を形成する。具体的には、画素電極１４１及び平坦化絶縁膜２４０を覆うように酸化シリコン膜を形成した後、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて酸化シリコン膜をパターニングし、画素電極１４１の表面を部分的に開口させて形成する。
【００２１】
次に、基板Ｐ上に有機バンク１５０を形成する工程を行う。
具体的には、図１（ｃ）に示すように、基板Ｐ上に設けられた前記無機バンク１４９上に、第１の有機材料Ｂ１を塗布した後、該第１の有機材料Ｂ１を乾燥（仮乾燥）する。続いて、この第１の有機材料Ｂ１上に第２の有機材料Ｂ２を塗布し、該第２の有機材料Ｂ２を乾燥（仮乾燥）する。このようにして、第１の有機材料Ｂ１と第２の有機材料Ｂ２とを順に積層した後、パターニングを行うことで開口部１５１を区画する有機バンク１５０を形成する。なお、前記第１、及び第２の有機材料Ｂ１，Ｂ２の塗布方法として、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等の各種方法を適用することが可能である。
また、第１の有機材料Ｂ１及び第２の有機材料Ｂ２には、それぞれ感光性材料からなるものを用いている。また、前記第１の有機材料Ｂ１としては、後述するインクジェット工程により吐出される液体材料に対し親液性を備えたものを採用し、例えばアクリル、ポリイミド等の有機絶縁材料を用いている。一方、前記第２の有機材料Ｂ２としては、前記液体材料に対し撥液性を備えたもの、すなわちフッ素含有材料を用いている。
【００２２】
ここで、液体材料に対して親液性を示す有機材料とはフッ素を全く含有していない材料にのみに限定されることはなく、該第１の有機材料Ｂ１としてフッ素含有材料を用いてもよい。すなわち、前記第１の有機材料Ｂ１を、機能液に対して撥液性を示さない程度のフッ素を含有した材料から構成してもよく、その場合に、この第１の有機材料Ｂ１については、そのフッ素含有率が前記第２の有機材料Ｂ２におけるフッ素含有率より低いものとする。
【００２３】
ところで、バンクが液体材料に対して撥液性を示すフッ素含有率としては、バンクの表面層のフッ素含有率、例えば表面から１００ｎｍ程度の深さまでの間のフッ素含有率が、フッ素のイオン濃度として１×１０２０個／ｃｍ３以上であると一般的に考えられている。そこで、本実施形態では、前記第２の有機材料Ｂ２として、そのフッ素含有率、すなわちフッ素のイオン濃度が、１×１０２０個／ｃｍ３以上のものを用いている。
【００２４】
そして、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いることで、第１の有機材料Ｂ１と第２の有機材料Ｂ２との積層体をパターニングし、開口部１５１を有する有機バンク１５０を形成する。よって、有機バンク１５０は、前記第１の有機材料Ｂ１から構成される第１バンク層１５０ａと、前記第２の有機材料Ｂ２から構成される第２バンク層１５０ｂとが積層されることで構成されたものとなっている。
【００２５】
なお、前記第２の有機材料Ｂ２の厚みを前記第１の有機材料Ｂ１の厚みより薄くしていることが望ましい。このように、フッ素含有率が高い第２の有機材料の厚みを小さくすることで、開口部１５１の内側面における表面層の中で、フッ素含有率の多い第２の有機材料Ｂ２が占める割合が少なくなり、すなわち前記開口部１５１の内側面におけるフッ素含有率の加重平均値が小さくなる。このように、前記の内側面におけるフッ素含有率が低下することで、開口部１５１の内側面におけるフッ素含有率は、有機バンク１５０の上面の内側面におけるフッ素含有率よりも低くなる。
【００２６】
前記有機バンク１５０の高さは、例えば１〜２μｍ程度に設定され、基板Ｐ上で有機ＥＬ素子２００の仕切部材として機能する。このような構成のもとに、正孔注入層や発光層の形成場所、すなわちこれらの形成材料の塗布位置とその周囲の有機バンク１５０との間に十分な高さの段差からなる前記開口部１５１が形成されたものとなっている。有機バンク１５０の開口部１５１と無機バンク１４９の開口部１４９ｂとは互いに連通し、画素電極１４１はこれらの開口部内において露出した状態となっている。
【００２７】
有機バンク１５０を形成した後、図１（ｄ）に示すように、有機バンク１５０及び画素電極１４１を含む基板Ｐ上の領域に対して表面処理を施す。
具体的には、親液化工程として大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を基板Ｐに施す。この親液処理によって、画素電極１４１上及び前記第１バンク層１５０ａの親液性をより向上させることができる。
【００２８】
次いで、熱処理を行うことにより有機バンク１５０を安定化させるとともに、前記第２バンク層１５０ａの撥液性をより向上させることができる。なお、熱処理の条件を制御することにより、有機バンク１５０を一部を軟化させて、前記開口部１５１の内側面が基板Ｐの上面に対し、鋭角をなす傾斜面となるテーパー形状にしても良い。このようなテーパー形状を備えたことで、後述する工程により開口部１５１に配置された有機機能層が有機バンク１５０の周辺で膜厚が薄くなるのを防止している。
【００２９】
次に、図２（ａ）に示すように、基板Ｐの上面を上に向けた状態で正孔注入層形成材料を含む液体材料１１４ａをインクジェットヘッド１により有機バンク１５０に囲まれた塗布位置（開口部１５１）に選択的に塗布する。正孔注入層を形成するための液体材料（機能液）１１４ａは、正孔注入層形成材料（電荷輸送層形成材料）及び溶媒を含む。
【００３０】
正孔注入層形成材料としては、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム、ポリスチレンスルフォン酸、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォン酸との混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を例示することができる。また、溶媒としては、イソプロピルアルコール、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−イミダゾリノン等の極性溶媒を例示することができる。
【００３１】
上述した正孔注入層形成材料を含む液体材料１１４ａがインクジェットヘッド１より基板Ｐ上に吐出されると、流動性が高いため水平方向に広がろうとするが、塗布された位置を囲んで有機バンク１５０が形成されているので、液体材料１１４ａは有機バンク１５０を越えてその外側に広がることがない。
【００３２】
このとき、前記有機バンク１５０における前記液体材料１１４ａに対する濡れ性によって、正孔注入層の成膜状態に影響が及ぼされる。
そこで、本実施形態では、上述したように相対的にフッ素含有率の高い有機バンク１５０の上面を撥液性とし、フッ素含有率が低い有機バンク１５０により区画される開口部１５１の内側面を前記液体材料１１４ａに対し相対的に親液性としている。
【００３３】
このような有機バンク１５０により区画された開口部１５１に、インクジェット法により正孔注入層（有機機能層）の前駆体となる液体材料１１４ａを吐出すると、該開口部１５１に配置された液体材料１１４ａは、上述したように開口部１５１の内側面が親液性となっているので、前記液体材料１１４ａが前記開口部１５１の内側面に良好に接触した状態となり、したがって膜厚が均一で平坦な液層となる。
【００３４】
また、前記有機バンク１５０に設けられた開口部１５１の内側面が基板Ｐの上面に対しテーパー形状となっているので、液体材料１１４ａに対し親液性となる開口部１５１の内側面と前記液体材料１１４ａとの接触面積を増加したものとなっている。
【００３５】
続いて、加熱あるいは光照射により液体材料１１４ａの溶媒を蒸発させて画素電極１４１上に固形の正孔注入層１４０Ａを形成する。または、大気環境下又は窒素ガス雰囲気下において所定温度及び時間（一例として２００℃、１０分）焼成するようにしてもよい。
あるいは大気圧より低い圧力環境下（減圧環境下）に配置することで溶媒を除去するようにしてもよい。
このとき、液体材料１１４ａからなる前記の液層は、開口部１５１の内側面に良好に接触し均一な膜厚に保持された状態で加熱処理されて正孔注入層１４０Ａとなるので、均一な膜厚からなる正孔注入層１４０Ａとなる。
【００３６】
続いて、図２（ｂ）に示すように、基板Ｐの上面を上に向けた状態でインクジェットヘッド１より発光層形成材料と溶媒とを含む液体材料（機能液）１１４ｂを有機バンク１５０内の正孔注入層１４０Ａ上に選択的に塗布する。
【００３７】
この発光層形成材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料である、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）や、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系などを好適に用いることができる。また、これらの発光材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
【００３８】
前記発光層形成材料については、極性溶媒に溶解または分散させて液体材料とし、この液体材料をインクジェットヘッド１から吐出するのが好ましい。極性溶媒は、前記発光材料等を容易に溶解または均一に分散させることができるため、インクジェットヘッド１のノズル孔での発光層形成材料中の固型分が付着したり目詰りを起こすのを防止することができる。
【００３９】
このような極性溶媒として具体的には、水、メタノール、エタノール等の水と相溶性のあるアルコール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルイミダゾリン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、２，３−ジヒドロベンゾフラン等の有機溶媒または無機溶媒が挙げられ、これらの溶媒を２種以上適宜混合したものであってもよい。
【００４０】
液体材料１１４ｂをインクジェットヘッド１から吐出することによる発光層の形成は、赤色の発色光を発光する発光層形成材料を含む液体材料、緑色の発色光を発光する発光層形成材料を含む液体材料、青色の発色光を発光する発光層形成材料を含む液体材料を、それぞれ対応する画素（開口部１５１）に吐出し塗布することによって行う。なお、各色に対応する画素は、これらが規則的な配置となるように予め決められている。
【００４１】
このようにして各色の発光層形成材料を含む液体材料１１４ｂを吐出し塗布したならば、液体材料１１４ｂ中の溶媒を蒸発させる。この工程により、図２（ｃ）に示すように正孔注入層１４０Ａ上に固形の発光層１４０Ｂが形成され、これにより正孔注入層１４０Ａと発光層１４０Ｂとからなる有機機能層１４０が得られる。ここで、発光層形成材料を含む液体材料１１４ｂ中の溶媒の蒸発については、必要に応じて加熱あるいは減圧等の処理を行うが、発光層形成材料は通常乾燥性が良好で速乾性であることから、特にこのような処理を行うことなく、したがって各色の発光層形成材料を順次吐出塗布することにより、その塗布順に各色の発光層１４０Ｂを形成することができる。
【００４２】
また、上述したように、有機バンク１５０は上面が撥液性で、側面（開口部１５１の内側面）が親液性となっているので、この正孔注入層１４０Ａ上に形成される発光層１４０Ｂも有機バンク１５０との接触面で良好に接触し、良好な平坦性を持って形成されたものとなる。従って、均一かつ良好な発光特性、及び信頼性を備えた発光層１４０Ｂを製造できる。
【００４３】
その後、図２（ｃ）に示すように、基板Ｐの表面全体に、あるいはストライプ状に、ＩＴＯ等からなる共通電極１５４を形成する。なお、共通電極１５４上に酸素等の侵入を防止するための電極保護層を設けてもよい。このようにして、有機ＥＬ素子２００が製造できる。
【００４４】
そして最後に、上記有機ＥＬ素子２００が設けられた基板Ｐと封止基板（図示しない）との貼り合わせを行う。ここでは、まず、基板Ｐ上に形成した共通電極１５４の面上に、共通電極１５４を覆う様に封止樹脂層３０を配置した後、減圧雰囲気下において封止基板４０を封止樹脂層３０上に配置し接着することによって行うことにより図３に示すような有機ＥＬ装置７０が得られる。
このように、減圧雰囲気下で接着を行うことにより、封止樹脂層３０と基板Ｐとの間、もしくは封止樹脂層３０と封止基板４０との間に気泡が侵入することを防止できる。このため、気泡を介して発光層１４０Ｂに酸素及び水分が侵入することが防止され、発光層１４０Ｂの発光特性や寿命の低下を抑制できる。以上の工程により、有機ＥＬ装置７０が製造できる。
【００４５】
このように、本実施形態における有機ＥＬ装置７０の製造方法においては、上述したように有機バンク１５０の上面を撥液性とし、該開口部１５１の内側面を親液性としているので、有機機能層１４０となる液体材料１１４ａ，１１４ｂを前記開口部１５１の内側面に良好に接触した状態に配置することが可能となる。よって、開口部１５１に平坦な膜厚からなる正孔注入層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂを形成できる。
そして、前記開口部１５１の内側面に形成された、正孔注入層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂを含む有機機能層１４０に膜厚の薄い部分が生じることがないので、前記有機機能層１４０を挟んで設けられる画素電極１４１及び共通電極１５４間で短絡が生じるのを防止できる。さらに、平坦な有機機能層１４０を備えているので、劣化が早まるといった不具合を防止でき、したがって有機ＥＬ装置７０の寿命をのばすことができる。さらに、平坦な膜厚からなる発光層１４０Ｂを備えた有機ＥＬ装置７０は表示ムラが防止され、よって表示特性が高く信頼性を備えたものとなる。
【００４６】
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置７０は、画素電極１４１を陽極とし、共通電極１５４を陰極とした構造を採用したが、これとは逆に画素電極１４１を陰極とし、共通電極１５４を陽極とする構造を採用することも可能である。この場合、画素電極と発光層との間に配置される電荷輸送層としては電子注入層が形成される。
【００４７】
（発光装置）
次に、発光装置の一実施形態として、上述した有機ＥＬ装置の製造方法により製造された有機ＥＬ装置７０の構成について図面を参照しつつ説明する。
図３は本実施形態の有機ＥＬ装置における側部断面図を示した図であり、図中符号７０は有機ＥＬ装置である。
有機ＥＬ装置は、基板Ｐ上に設けられた有機バンク１５０により区画された開口部１５１に有機機能層１４０を備えたものである。
【００４８】
前記基板Ｐとしては、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、基板Ｐ側から光を取り出す構成であるので、ガラス等の透明基板が用いられる。一方、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の場合には、有機ＥＬ素子２００が配設された側から光を取り出す構成であるので、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。
【００４９】
そして、前記基板Ｐ上には駆動用ＴＦＴ１４３が設けられていて、図３に示すように駆動用ＴＦＴ１４３は半導体膜２１０に形成されたソース領域１４３ａ、ドレイン領域１４３ｂ、及びチャネル領域１４３ｃと、半導体層表面に形成されたゲート絶縁膜２２０を介してチャネル領域１４３ｃに対向するゲート電極１４３Ａとを主体として構成されている。
【００５０】
半導体膜２１０及びゲート絶縁膜２２０を覆う第１層間絶縁膜２３０が形成されており、この第１層間絶縁膜２３０を貫通して半導体膜２１０に達するコンタクトホール２３２，２３４内に、それぞれドレイン電極２３６、ソース電極２３８が埋設され、各々の電極はドレイン領域１４３ｂ、ソース領域１４３ａに導電接続されている。第１層間絶縁膜２３０には、第２層間絶縁膜２４０が形成されており、この第２層間絶縁膜２４０に貫設されたコンタクトホールに画素電極１４１の一部が埋設されている。
【００５１】
そして画素電極１４１とドレイン電極２３６とが導電接続されることで、駆動用ＴＦＴ１４３と画素電極１４１（有機ＥＬ素子２００）とが電気的に接続されている。画素電極１４１の周縁部に一部乗り上げるようにして無機絶縁材料からなる無機バンク１４９が形成され、この無機バンク１４９上には有機材料からなる有機バンク１５０が積層されることにより隔壁部材を構成している。
【００５２】
本実施形態では、有機バンク１５０は、第１の有機材料Ｂ１から構成される第１バンク層１５０ａと、該第１のバンク層１５０ａよりも厚みが小さく、第２の有機材料Ｂ２からなる第２バンク層１５０ｂとが積層され構成されている。上述したように、前記第１の有機材料Ｂ１は前記有機機能層１４０となる液体材料に対して親液性を示す材料から構成され、前記第２の有機材料Ｂ２は前記液体材料に対して撥液性を示すフッ素含有率の材料から構成され、有機バンク１５０の上面の表面層におけるフッ素含有率が開口部１５１の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高いものとなっている。
【００５３】
画素電極１４１上であって、有機バンク１５０により区画された開口部１５１には電荷輸送層としての正孔注入層１４０Ａと発光層１４０Ｂとからなる有機機能層１４０が設けられている。この有機機能層１４０は、上述したインクジェット工程により形成されたもので開口部１５１の内側面に密着した状態に形成され、均一で平坦な膜厚から構成されたものとなっている。そして、前記発光層１４０Ｂと前記有機バンク１５０とを覆って共通電極１５４が形成され、有機ＥＬ素子２００を構成している。
【００５４】
このような構成によれば、開口部１５１の内側面に膜厚の薄い部分が生じることがないので、有機機能層１４０を挟んで設けられる電極（画素電極１４１及び共通電極１５４）間の短絡が防止される。また、平坦な膜厚の有機機能層１４０は劣化しにくいため、該有機機能層１４０を備えた有機ＥＬ装置７０は長寿命なものとなる。さらに、平坦な膜厚からなる発光層１４０Ｂを備えた有機ＥＬ装置７０は表示ムラを防止し、信頼性が高く表示特性も高いものとなる。
【００５５】
また、前記正孔注入層１４０Ａは画素電極１４１を覆って形成されており、その周端部は有機バンク１５０の下層側に設けられた無機バンク１４９のうち、有機バンク１５０から画素電極１４１中央側に突出して配置された部分も覆って形成されている。
【００５６】
前記画素電極１４１は、基板Ｐを介して光を取り出すボトムエミッション型の場合には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電材料により形成されるが、トップエミッション型の場合には透光性である必要はなく、金属材料等の適宜な導電材料によって形成できる。
【００５７】
共通電極１５４は、発光層１４０Ｂと有機バンク１５０の上面、さらには開口部１５１の内側面を覆った状態で基板Ｐ上に形成される。この共通電極１５４を形成するための材料としては、トップエミッション型の場合、透明導電材料が用いられる。透明導電材料としてはＩＴＯが好適であるが、他の透光性導電材料であっても構わない。ボトムエミッション型の場合には、透明導電材料のほか、アルミニウム等の不透明若しくは光反射性を有する導電材料を用いることができる。なお、共通電極１５４の上層側に、無機酸化物からなる共通電極１５４への酸素等の侵入を防止するための電極保護層を設けるようにしてもよい。
そして、前記共通電極上には封止樹脂層３０が設けられ、該封止樹脂層３０を介して封止基板４０を貼り合わせた構成となっている。
【００５８】
また、図４は、有機ＥＬ装置７０の回路構成を示す図である。
図４に示すように、有機ＥＬ装置７０は、ガラス等からなる基体上に、複数の走査線（配線、電力導通部）１３１と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線（配線、電力導通部）１３２と、これら信号線１３２に並列に延びる複数の共通給電線（配線、電力導通部）１３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に、画素（画素領域）７１が設けられて構成されたものである。
【００５９】
信号線１３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路７２が設けられている。一方、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査側駆動回路７３が設けられている。また、画素領域７１の各々には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４２と、このスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４２を介して信号線１３２から供給される画像信号（電力）を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号をゲート電極に供給する前記駆動用ＴＦＴ１４３と、この駆動用ＴＦＴ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極１４１と、この画素電極１４１と共通電極１５４との間に挟み込まれる有機機能層１４０と、が設けられている。
【００６０】
このような構成のもとに、走査線１３１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１４２がオンとなると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１４３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１４３のチャネルを介して共通給電線１３３から画素電極１４１に電流が流れ、さらに発光層１４０Ｂを通じて共通電極１５４に電流が流れることにより、有機ＥＬ素子２００は電流量に応じて発光するようになっている。
【００６１】
本実施形態の有機ＥＬ装置７０によれば、開口部１５１内に均一な膜厚の有機機能層１４０を備えているので、該有機機能層１４０を挟んで設けられる電極（画素電極１４１及び共通電極１５４）間の短絡を防止し、さらには平坦な膜厚の機能層は劣化しにくいため、有機ＥＬ装置７０は長寿命化が図られたものとなる。さらには、平坦な膜厚からなる発光層１４０Ｂを備えた有機ＥＬ装置７０は表示ムラを防止し、信頼性が高く表示特性も高いものとなる。
【００６２】
（第２の実施形態）
次に、有機ＥＬ装置の製造方法、及び有機ＥＬ装置の第２の実施形態について説明する。
本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法では、後述するように、有機バンクを形成するに際し、該有機バンクの上面の表面層におけるフッ素含有率を開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高くする工程を、フッ素を含有する反応ガスを用いた異方性のプラズマ処理により行っている。
【００６３】
なお、上述した第１実施形態では、２層からなる有機バンクの上段をフッ素含有率が高い材料（第２の有機材料Ｂ２）で形成していたが、本実施形態ではプラズマ処理を用いることで有機バンクの上面の表面層におけるフッ素含有率を、側面の表面層におけるフッ素含有率より高める方法の点において異なっており、この点以外の製造工程については同一である。したがって、以下の説明においては、フッ素を含有する反応ガスを用いた異方性のプラズマ処理工程について説明することとし、他の製造工程についてはその説明を省略する。また、同一の構造のものについては、同一符号を付している。
【００６４】
図５は、本実施形態の有機ＥＬ装置における有機バンクを形成する工程を示す図である。
図５（ａ）に示すように、基板Ｐ上には、駆動用ＴＦＴ１４３、及び画素電極１４１が形成されていて、該画素電極１４１の周縁部と一部平面的に重なるように無機バンク１４９が形成されている。
【００６５】
はじめに、前記無機バンク１４９上に例えばアクリル、ポリイミド等の有機絶縁材料からなるバンク形成材料ＢＢを、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等の各種方法により塗布する。
そして、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いることで、前記バンク形成材料ＢＢをパターニングし、開口部１５１が設けられた有機バンク１５０Ａを形成する。なお、有機バンク１５０Ａの開口部１５１と無機バンク１４９の開口部１４９ｂとは互いに連通し、画素電極１４１はこれらの開口部内において露出した状態としている。
【００６６】
続いて、前記有機バンク１５０Ａに設けられた開口部１５１に、正孔注入層形成材料を含む液体材料１１４ａをインクジェットヘッドにより吐出する前に、図５（ｂ）に示すように、有機バンク１５０Ａ及び画素電極１４１を含む基板Ｐ上の領域に対して表面処理を施す。
【００６７】
本実施形態では、フッ素を含有する反応ガスとして、例えばＣＦ４、ＳＦ６、ＣＨＦ３等のフッ化化合物を用いた異方性のプラズマ処理を行っている。具体的には、プラズマとしては、基板へのバイアスと、プラズマの励起エネルギーとを個々に制御可能なＩＣＰ（誘導結合型プラズマ）が好適に採用される。そして、低圧力雰囲気下（例えば、１０Ｐａ以下）で基板バイアスを高くかけることで、異方性のプラズマ処理を行っている。
このとき、有機バンク１５０Ａの上面における表面層、例えば表面から１００ｎｍ程度の深さまでの間のフッ素含有率が、フッ素のイオン濃度として１×１０２０個／ｃｍ３以上となるような条件の下で上記プラズマ処理を行った。したがって、有機バンク１５０Ａの上面（図５（ｂ）中２点鎖線により示される面）における表面層にのみフッ素イオンが導入されて、有機バンク１５０Ａの上面は液体材料を弾くようになる。
【００６８】
このとき、ＩＴＯ膜や金属膜等の無機材料からなる画素電極１４１の表面や酸化シリコン等の無機材料からなる無機バンク１４９の表面は有機材料からなる有機バンク１５０Ａの表面よりも撥液化されにくい。よって、有機バンク１５０Ａに設けられた開口部１５１内に露出した画素電極１４１の表面及び無機バンク１４９の表面には、フッ素イオンが導入されることがなく、液体材料に対して親液性を有した状態に保持されたままとなる。
このように、上記のプラズマ処理工程により、有機バンク１５０Ａの上面のみを選択的に撥液性とすることができ、有機バンク１５０Ａの上面の表面層におけるフッ素含有率が、前記有機バンク１５０Ａの側面の表面層におけるフッ素含有率よりも相対的に高まる。
【００６９】
次に、図５（ｃ）に示すように、正孔注入層（有機機能層）の形成材料を含む液体材料１１４ａをインクジェットヘッドにより有機バンク１５０Ａの開口部１５１に吐出する。
本実施形態では、相対的にフッ素含有率の高い有機バンク１５０Ａの上面が撥液性を示し、フッ素含有率が低い有機バンク１５０Ａにより区画される開口部１５１の内側面は液体材料１１４ａに対して親液性となっている。
よって、この開口部１５１に、インクジェット法により液体材料１１４ａを吐出すると、該液体材料１１４ａが開口部１５１の内側面に良好に接触した状態となり、膜厚が均一で平坦な液層となる。
【００７０】
続いて、前記第１実施形態と同様に、液体材料１１４ａが開口部１５１の内側面に良好に接触し、均一な膜厚に保持された状態で加熱処理することにより、均一な膜厚からなる正孔注入層１４０Ａが形成される。そして、インクジェットヘッドより発光層形成材料と溶媒とを含む液体材料１１４ｂを有機バンク１５０Ａ内の正孔注入層１４０Ａ上に選択的に塗布する。
【００７１】
また、上述したように、有機バンク１５０Ａは上面が撥液性で、側面（開口部１５１の内側面）が親液性となっているので、この正孔注入層１４０Ａ上に形成される発光層１４０Ｂも有機バンク１５０Ａに接触して形成されることで、均一な膜厚となる。したがって、均一かつ良好な発光特性、及び信頼性を備えた発光層１４０Ｂを製造できる。その後、図５（ｄ）に示すように、基板Ｐの表面全体に、あるいはストライプ状に、ＩＴＯ等からなる共通電極１５４を形成し、有機ＥＬ素子２００を形成できる。最後に、有機ＥＬ素子２００が設けられた基板Ｐと封止基板とを封止樹脂層を介して貼り合わせることにより本実施形態の有機ＥＬ装置が得られる。
【００７２】
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法により形成された有機ＥＬ装置は、有機バンク１５０Ａが１層構造からなるものである以外の構成については、前記第１の実施形態における有機ＥＬ装置７０と同一であることからその説明を省略する。
【００７３】
このように、本実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法によれば、上述したように有機バンク１５０Ａの上面を撥液性とし、該有機バンク１５０Ａの側面（開口部１５１の内側面）を親液性とすることで、開口部１５１に平坦な膜厚からなる正孔注入層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂを形成でき、表示ムラが防止された高い表示特性、及び信頼性を備えたものとなる。
よって、前記第１の実施形態と同様に、画素電極１４１及び共通電極１５４間での短絡を防止することにより、長寿命化が図られた有機ＥＬ装置となる。
【００７４】
（第３の実施形態）
次に、有機ＥＬ装置の製造方法における第３の実施形態について説明する。
本実施形態では、後述するように、有機バンク（隔壁）を、基体上に有機バンク形成材料（隔壁形成材料）を設け、該有機バンク形成材料の上面における表面層にフッ素イオンを注入した後、前記有機バンク形成材料に開口部をパターニングすることにより形成している。
【００７５】
なお、本実施形態では、前述した第２の実施形態における有機バンクの上面の表面層におけるフッ素含有率を前記開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高める方法としてイオン注入を用いて行う点が異なる以外の、有機ＥＬ装置を製造する工程は同一である。したがって、以下の説明においては、本実施形態の有機バンクを形成する工程にのみ詳細に説明することとし、他の製造工程についてはその説明を省略する。また、同一の構造のものについては、同一符号を付して説明する。
【００７６】
図６は、本実施形態の有機ＥＬ装置７０における有機バンクを形成する工程を模式的に示す図である。よって、図６中では、基板Ｐ上に設けられた、駆動用ＴＦＴ１４３、画素電極１４１、及びこの画素電極１４１上に設けられる無機バンク１４９の図示を省略している。
【００７７】
本実施形態では、図６（ａ）に示すように、無機バンク等が設けられた基板Ｐ上に感光性材料であって、例えばアクリル、ポリイミド等の有機絶縁材料からなるバンク形成材料（隔壁形成材料）ＢＢを、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等の各種方法により塗布する。
【００７８】
続いて、バンク形成材料ＢＢの上面側からイオンドーピングやイオンインプラ等のイオン注入法を用いることで、フッ素イオンを注入する。このとき、有機バンク１５０Ａの上面における表面層、例えば表面から１００ｎｍ程度の深さまでの間のフッ素含有率が、フッ素のイオン濃度として１×１０２０個／ｃｍ３以上となるような条件の下で上記イオン打ち込み工程を行った。なお、イオン注入量の制御は、ガス放電によりプラズマを発生させイオン化する際のイオン電流と試料（バンク形成材料ＢＢ）への注入時間とを調整することによりできる。
【００７９】
本実施形態では、加速電圧２〜５０ＫＶ程度の下で、例えばＢＦ３を注入することでフッ素イオンを注入した。また、ドーズ量については１．５×１０１６／ｃｍ２程度とする。すると、図６（ｂ）に示すように、バンク形成材料ＢＢの上面の表面層、具体的には上面から１００ｎｍ程度の深さとなる領域にフッ素イオンが注入されたフッ素注入領域ＦＡが形成される。ここで、フッ素注入領域ＦＡ、すなわちバンク形成材料ＢＢの上面の表面層は、上述したようにドーズ量１．５×１０１６／ｃｍ２で１００ｎｍ程度の深さまでフッ素イオンが注入されていることから、フッ素イオン濃度は１×１０２１個／ｃｍ３となる。よって、バンク形成材料ＢＢの上面の表面層は、１×１０２０個／ｃｍ３以上のフッ素含有率となっていることから、後の工程により開口部１５１内に吐出される液体材料に対し撥液性となる。
【００８０】
続いて、図６（ｃ）に示すようにして、フォトリソグラフィ技術により、マスクＭを介して露光を行った後、現像処理を行うことで前記バンク形成材料ＢＢをパターニングする。そして、図６（ｄ）に示すように、開口部１５１が設けられた有機バンク１５０Ｂを形成する。なお、本実施形態では、前記開口部１５１の内側面を基板Ｐの上面に対しテーパー形状としている。
【００８１】
ここで、画素電極１４１の表面や無機バンク１４９の表面をバンク形成材料ＢＢによって覆った状態でフッ素イオン打ち込みを行っているので、イオン打ち込み後に、有機バンク１５０Ｂに設けられた開口部１５１の内側面にはフッ素イオンが導入されることがなく、したがって液体材料に対して親液性を有した状態が保持される。
このように、上記のフッ素イオンの打ち込み工程により、有機バンク１５０Ｂの上面の表面層（フッ素領域）を撥液性とすることで、前記上面の表面層におけるフッ素含有率が、前記開口部１５１の内側面の表面層におけるフッ素含有率よりも相対的に高めた状態としている。
【００８２】
次に、上記実施形態と同様にして、正孔注入層形成材料を含む液体材料１１４ａをインクジェットヘッドにより有機バンク１５０Ｂの開口部１５１に吐出する。
このとき、前記第１，第２実施形態と同様に、開口部１５１に、インクジェット法により正孔注入層（有機機能層）の前駆体となる液体材料１１４ａを吐出し配置すると、該液体材料１１４ａは開口部１５１の内側面に良好に接触し、膜厚が均一で平坦な液層となる。続いて、前記の実施形態と同様に、加熱処理を行うと液体材料１１４ａが開口部１５１内に均一な膜厚の状態で保持されているので、均一な膜厚からなる正孔注入層１４０Ａとなる。
【００８３】
続いて、インクジェットヘッドより発光層形成材料と溶媒とを含む液体材料１１４ｂを有機バンク１５０Ｂ内の正孔注入層１４０Ａ上に選択的に塗布することで、均一かつ良好な発光特性、信頼性を備えた発光層１４０Ｂを製造できる。その後、基板Ｐの表面全体に、あるいはストライプ状に、ＩＴＯ等からなる共通電極１５４を形成し、図６（ｅ）に示すように、有機ＥＬ素子２００を製造できる。最後に、有機ＥＬ素子２００が設けられた基板Ｐと封止基板とを封止樹脂層を介して貼り合わせることにより本実施形態の有機ＥＬ装置が得られる。
【００８４】
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法により形成された有機ＥＬ装置は、有機バンク１５０Ｂが１層構造からなるものである以外の構成については、前記第１の実施形態における有機ＥＬ装置７０と同一であることからその説明を省略する。
【００８５】
このように、本実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法においても、上述したように有機バンク１５０Ｂの上面を撥液性とし、該有機バンク１５０Ｂの側面（開口部１５１の内側面）を親液性とすることで、開口部１５１に平坦な膜厚からなる正孔注入層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂを形成でき、表示ムラが防止された高い表示特性、及び信頼性を備えた有機ＥＬ装置を製造できる。
よって、前記第１，第２実施形態と同様に、画素電極１４１及び共通電極１５４間での短絡を防止することにより、長寿命化が図られた有機ＥＬ装置となる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】有機ＥＬ装置の製造工程を示す図である。
【図２】図１に続く有機ＥＬ装置の製造工程を示す図である。
【図３】第１の実施形態の有機ＥＬ装置における側部断面を示す図である。
【図４】第１の実施形態の有機ＥＬ装置の回路構成を示す図である
【図５】第２の実施形態の有機バンクを形成する工程を示す図である。
【図６】第３の実施形態の有機バンクを形成する工程を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００８７】
７０…有機ＥＬ装置（発光装置）、１１４ａ，１１４ｂ…液体材料（機能液）、１４０…有機機能層（機能層）、１４０Ａ…正孔注入層（電荷輸送層）、１４０Ｂ…発光層、１４１…画素電極、１４９…無機バンク、１４９ｂ…無機バンクの開口部、１５０…有機バンク（隔壁）、１５１…開口部、ＢＢ…バンク形成材料（隔壁形成材料）、Ｐ…基体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機材料からなる隔壁により区画された開口部に発光層を含む機能層を配置する、発光装置の製造方法において、
基体上に前記隔壁を形成するとともに、該隔壁の上面の表面層におけるフッ素含有率を、前記開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高くする工程と、
前記隔壁によって区画される開口部に前記機能層を配置する工程と、を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記隔壁に設けられた開口部の内側面が基体の上面に対し、テーパー形状となっていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記隔壁を形成するに際し、フッ素を含有する反応ガスを用いた異方性のプラズマ処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記隔壁を形成する工程において、前記基体上に隔壁形成材料を設け、該隔壁形成材料の上面における表面層にフッ素イオンを注入した後、前記隔壁形成材料をパターニングすることで前記開口部を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記隔壁を、第１の有機材料と第２の有機材料とをこの順に積層することで形成するとともに、該第２の有機材料としてフッ素含有材料を用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の有機材料としてフッ素含有材料を用い、該第１の有機材料におけるフッ素含有率を、前記第２の有機材料におけるフッ素含有率よりも低いものとすることを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の有機材料の厚みを、前記第１の有機材料の厚みよりも薄くすることを特徴とする請求項６に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
有機材料からなる隔壁により区画された開口部に発光層を含む機能層を備えた発光装置において、
前記隔壁の上面の表面層におけるフッ素含有率は、前記開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高くなっていることを特徴とする発光装置。
【請求項１】
有機材料からなる隔壁により区画された開口部に発光層を含む機能層を配置する、発光装置の製造方法において、
基体上に前記隔壁を形成するとともに、該隔壁の上面の表面層におけるフッ素含有率を、前記開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高くする工程と、
前記隔壁によって区画される開口部に前記機能層を配置する工程と、を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記隔壁に設けられた開口部の内側面が基体の上面に対し、テーパー形状となっていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記隔壁を形成するに際し、フッ素を含有する反応ガスを用いた異方性のプラズマ処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記隔壁を形成する工程において、前記基体上に隔壁形成材料を設け、該隔壁形成材料の上面における表面層にフッ素イオンを注入した後、前記隔壁形成材料をパターニングすることで前記開口部を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記隔壁を、第１の有機材料と第２の有機材料とをこの順に積層することで形成するとともに、該第２の有機材料としてフッ素含有材料を用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の有機材料としてフッ素含有材料を用い、該第１の有機材料におけるフッ素含有率を、前記第２の有機材料におけるフッ素含有率よりも低いものとすることを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の有機材料の厚みを、前記第１の有機材料の厚みよりも薄くすることを特徴とする請求項６に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
有機材料からなる隔壁により区画された開口部に発光層を含む機能層を備えた発光装置において、
前記隔壁の上面の表面層におけるフッ素含有率は、前記開口部の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高くなっていることを特徴とする発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００７−１０３０３３（Ｐ２００７−１０３０３３Ａ）
【公開日】平成１９年４月１９日（２００７．４．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２８７６５７（Ｐ２００５−２８７６５７）
【出願日】平成１７年９月３０日（２００５．９．３０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年４月１９日（２００７．４．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月３０日（２００５．９．３０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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