発光装置の駆動方法
【課題】発光装置に入力されるビデオ信号が情報として有する画像自体が全体的に暗く、不鮮明であっても、対象物の認識を容易にすることができる発光装置の提案を課題とする。
【解決手段】ＥＬ素子を有する複数の画素を設け、第１のモードでは、ＥＬ素子が発光している期間において、ＥＬ素子の輝度が常に一定に保ち、第２のモードでは、ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間におけるＥＬ素子の輝度が、ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間におけるＥＬ素子の輝度に比べて高くすることで、ＥＬ素子の輝度が高くなるようにした。上記構成によって、発光装置に入力されるビデオ信号が情報として有する画像自体が全体的に暗くても、実際に表示される画像が明るくなるので、対象物の認識を容易にすることができる。
【解決手段】ＥＬ素子を有する複数の画素を設け、第１のモードでは、ＥＬ素子が発光している期間において、ＥＬ素子の輝度が常に一定に保ち、第２のモードでは、ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間におけるＥＬ素子の輝度が、ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間におけるＥＬ素子の輝度に比べて高くすることで、ＥＬ素子の輝度が高くなるようにした。上記構成によって、発光装置に入力されるビデオ信号が情報として有する画像自体が全体的に暗くても、実際に表示される画像が明るくなるので、対象物の認識を容易にすることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に形成されたＥＬ素子を、該基板とカバー材の間に封入したＥＬパネルに関する。また、該ＥＬパネルにＩＣを実装したＥＬモジュールに関する。なお本明細書において、ＥＬパネル及びＥＬモジュールを発光装置と総称する。本発明はさらに、該駆動方法によって表示を行う発光装置を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＬ素子は、自ら発光するため視認性が高く、液晶表示装置（ＬＣＤ）で必要なバックライトが要らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が無い。そのため、近年、ＥＬ素子を用いた発光装置はＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。
【０００３】
ＥＬ素子は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Electro Luminescence）が得られる有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）と、陽極層と、陰極層とを有する。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明の発光装置では、どちらの発光を用いていても良い。
【０００４】
なお、本明細書では、陽極と陰極の間に形成された全ての層をＥＬ層と定義する。ＥＬ層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的にＥＬ素子は、陽極／発光層／陰極が順に積層された構造を有しており、この構造に加えて、陽極／正孔注入層／発光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極等の順に積層した構造を有していることもある。
【０００５】
本明細書中では、陽極、ＥＬ層及び陰極で形成される発光素子をＥＬ素子と呼ぶ。また本明細書において、ＥＬ素子が発光することを、ＥＬ素子が駆動すると呼ぶ。
【０００６】
発光装置が有する画素部には、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘ、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙ、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘ及び複数の画素が設けられている。図１４（Ａ）に、一般的な発光装置の画素９００４の回路図を示す。画素９００４は、ソース信号線Ｓｉ（Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１つ）と、電源供給線Ｖｉ（Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つ）と、ゲート信号線Ｇｊ（Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つ）とを有している。
【０００７】
また画素９００４はスイッチング用ＴＦＴ９００８とＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９とを有している。スイッチング用ＴＦＴ９００８のゲート電極は、ゲート信号線Ｇｊに接続されている。スイッチング用ＴＦＴ９００８のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線Ｓｉに、もう一方がＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９のゲート電極にそれぞれ接続されている。
【０００８】
また、ＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９のソース領域は電源供給線Ｖｉに接続され、ドレイン領域はＥＬ素子９０１１に接続される。
【０００９】
ＥＬ素子９０１１は陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられたＥＬ層とからなる。陽極がＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９のドレイン領域と接続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に陰極がＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９のドレイン領域と接続している場合、陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。
【００１０】
全ての電源供給線Ｖ１〜Ｖｘには電源電位が与えられている。また全ての画素が有するＥＬ素子９０１１の対向電極には対向電位が与えられている。電源電位と対向電位は、表示装置の外付けのＩＣに設けられた電源９００５によって与えられる。
【００１１】
次に、図１５（Ａ）に示した画素の動作について説明する。時分割階調表示を行う場合、発光装置の動作は、書き込み期間と、表示期間とに分けて説明することができる。
【００１２】
書き込み期間において、ゲート信号線Ｇｊに入力された選択信号によって、スイッチング用ＴＦＴ９００８がオンになり、ソース信号線Ｓｉに入力された画像情報を有するデジタル信号（以下、デジタルビデオ信号と呼ぶ）が、スイッチング用ＴＦＴ９００８を介してＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９のゲート電極に入力される。なお本明細書において、デジタルビデオ信号がスイッチング用ＴＦＴ９００８を介してＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９のゲート電極に入力されることを、画素にデジタルビデオ信号が入力されるという。
【００１３】
ＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９のゲート電極に入力されたデジタルビデオ信号が有する、１または０の情報によって、ＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９のスイッチングが制御される。
【００１４】
ＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９がオフになる場合、電源供給線Ｖｉの電位がＥＬ素子９０１１の有する画素電極に与えられない。また、ＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９がオンになる場合、電源供給線Ｖｉの電位がＥＬ素子９０１１の有する画素電極に与えられる。
【００１５】
そして全ての画素にデジタルビデオ信号が入力されるまで、切り替えスイッチはオフになっており、対向電位は電源電位と同じ高さになっている。
【００１６】
全ての画素にデジタルビデオ信号が入力されると、書き込み期間が終了し、表示期間が開始される。表示期間において、切り替えスイッチはオンになり、電源９００５によって、対向電位が電源電位と電位差を有する高さになる。ＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９がオンの場合、この電位差はＥＬ素子９０１１の画素電極と対向電極の間にかかり、ＥＬ素子９０１１は発光する。なおこのときの対向電位と電源電位の電位差は、ＥＬ素子が発光する程度の大きさであることが必要である。
【００１７】
逆にＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９がオフの場合、ＥＬ素子９００９の画素電極は対向電位と同じ高さに保たれるので、ＥＬ素子９０１１は発光しない。なお、本明細書においては、ＥＬ素子９０１１の画素電極と対向電極の間の電位差をＥＬ駆動電圧と呼ぶ。
【００１８】
書き込み期間と表示期間を合わせてサブフレーム期間と呼ぶ。１フレーム期間内に、デジタルビデオ信号の各ビットに対応した複数のサブフレーム期間が設けられている。
【００１９】
図１４（Ｂ）に、５ビットのデジタルビデオ信号に対応するサブフレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦ５）の出現するタイミングを示す。横軸は時間を示しており、縦軸はＥＬ駆動電圧を示している。なお説明を簡便にするために、図１４（Ｂ）では、各ビットのデジタルビデオ信号によってＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９が常にオンになっている場合について示している。
【００２０】
各サブフレーム期間の書き込み期間において、ＥＬ駆動電圧は０であるため、ＥＬ素子９０１１は発光しない。各サブフレーム期間の表示期間において、ＥＬ駆動電圧の絶対値が０よりも大きくなり、ＥＬ素子９０１１は発光する。
【００２１】
そして、においてＥＬ駆動電圧は常に一定である。切り替えスイッチ９００６がオンのときのＥＬ駆動電圧は常に同じ大きさに保たれている。
【００２２】
ＥＬ素子９０１１が発光する期間の長さを制御することで、所望の階調を表示することが可能になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
ところで、未知の対象物の画像、例えば、防犯や立入禁止区域への不法侵入者の検知のために設けられた監視カメラの画像、また個人を照合するために撮影した顔や指紋の画像、医療分野において、放射線、荷電粒子、電磁波等により得られる生体内の器官の画像等、を発光装置に表示することで対象物を認識する場合、より鮮明な画像を表示することが求められる。
【００２４】
しかし、いくら発光装置の性能が向上して、より鮮明な画像を表示することが可能になっても、発光装置に入力されるビデオ信号が情報として有する画像自体が全体的に暗かったり、不鮮明であれば、鮮明な画像を表示することができず、対象物の認識が難しくなる。
【００２５】
上述した問題に鑑み、本発明は、発光装置に入力されるビデオ信号が情報として有する画像自体が全体的に暗かったり、不鮮明であっても、対象物の認識を容易にすることができる発光装置の考案を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明では、１フレーム期間内の少なくとも１つの表示期間において、画素電極と対向電極の間に印加されるＥＬ駆動電圧の絶対値を、一時的に大きくして、ＥＬ素子の輝度を高くした。つまり、全ての表示期間における電源電位と対向電位の電位差を常に一定に保つのではなく、少なくとも１つの表示期間内のある一定の期間（強発光期間）において、電源電位と対向電位の電位差の絶対値を他の期間に比べて大きくし、ＥＬ素子の輝度が高くなるようにした。
【００２７】
上記構成によって、発光装置に入力されるビデオ信号が情報として有する画像自体が全体的に暗くても、実際に表示される画像が明るくなるので、対象物の認識を容易にすることができる。
【００２８】
また、ある画素が表示する階調が、ある一定の階調より明るいときに、該画素のＥＬ素子に印加されるＥＬ駆動電圧の絶対値を大きくし、ＥＬ素子の輝度を高くしても良い。上記構成により、明るい階調を表示する画素はより明るくなり、画像のコントラストが大きくなって、画像が鮮明になり、対象物の認識を容易にすることができる。
【００２９】
また、各画素に入力されるデジタルビデオ信号から、隣接する画素に比べて階調が大きく異なる画素を特定することにより、対象物の輪郭を検出し、画像の輪郭の部分の画素においてのみコントラストを大きくしても良い。上記構成によって、画像の輪郭が抽出され、画像が鮮明になり、対象物の認識を容易にすることができる。
【００３０】
以下に、本発明の構成を示す。
【００３１】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 １フレーム期間において、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高いことを特徴とする発光装置が提供される。
【００３２】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 １フレーム期間に複数のサブフレーム期間が設けられており、 前記複数のサブフレーム期間の少なくとも１つのサブフレーム期間において、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高いことを特徴とする発光装置が提供される。
【００３３】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記画素電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位の高さを変えることで、１フレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置が提供される。
【００３４】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 １フレーム期間に複数のサブフレーム期間が設けられており、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記画素電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位の高さを変えることで、前記複数のサブフレーム期間の少なくとも１つのサブフレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置が提供される。
【００３５】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記画素電極に与えられる電位の高さを変えることで、１フレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置が提供される。
【００３６】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 １フレーム期間に複数のサブフレーム期間が設けられており、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記画素電極に与えられる電位の高さを変えることで、前記複数のサブフレーム期間の少なくとも１つのサブフレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置が提供される。
【００３７】
本発明によって、 ＥＬ素子、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ及び第２ＥＬ駆動用ＴＦＴを有する複数の画素と、第１の電源と、第２の電源とが設けられた発光装置であって、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに、前記第１ＥＬ駆動用ＴＦＴを介して前記第１の電源から前記画素電極に電位を与えるか、前記第２ＥＬ駆動用ＴＦＴを介して前記第２の電源から前記画素電極に電位を与えるかを選択して、前記画素電極に与えられる電位の高さを変えることで、１フレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置が提供される。
【００３８】
本発明によって、 ＥＬ素子、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ及び第２ＥＬ駆動用ＴＦＴを有する複数の画素と、第１の電源と、第２の電源とが設けられた発光装置であって、 １フレーム期間に複数のサブフレーム期間が設けられており、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに、前記第１ＥＬ駆動用ＴＦＴを介して前記第１の電源から前記画素電極に電位を与えるか、前記第２ＥＬ駆動用ＴＦＴを介して前記第２の電源から前記画素電極に電位を与えるかを選択して、前記画素電極に与えられる電位の高さを変えることで、前記複数のサブフレーム期間の少なくとも１つのサブフレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置が提供される。
【００３９】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 第１のモードまたは第２のモードで動作しており、 前記第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、 前記第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くなっていることを特徴とする発光装置が提供される。
【００４０】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 第１のモードまたは第２のモードで動作しており、 前記第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、 前記第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くなっており、 前記複数の画素のうち、表示する階調が一定の階調より暗い画素では第１のモードで動作し、 前記複数の画素のうち、表示する階調が一定の階調より明るい画素では第２のモードで動作することを特徴とする発光装置が提供される。
【００４１】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 第１のモードまたは第２のモードで動作しており、 前記第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、 前記第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くなっており、 前記複数の画素のうち、隣接する画素に比べて、表示する階調が一定の値以上明るい画素のみ第２のモードで動作し、 前記複数の画素のうち、隣接する画素に比べて、表示する階調が一定の値以上明るい画素以外の画素は第１のモードで動作することを特徴とする発光装置が提供される。
【００４２】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 １フレーム期間において、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高いことを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００４３】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 １フレーム期間に複数のサブフレーム期間が設けられており、 前記複数のサブフレーム期間の少なくとも１つのサブフレーム期間において、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高いことを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００４４】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記画素電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位の高さを変えることで、１フレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００４５】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 １フレーム期間に複数のサブフレーム期間が設けられており、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記画素電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位の高さを変えることで、前記複数のサブフレーム期間の少なくとも１つのサブフレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００４６】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記画素電極に与えられる電位の高さを変えることで、１フレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００４７】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 １フレーム期間に複数のサブフレーム期間が設けられており、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記画素電極に与えられる電位の高さを変えることで、前記複数のサブフレーム期間の少なくとも１つのサブフレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００４８】
本発明によって、 ＥＬ素子、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ及び第２ＥＬ駆動用ＴＦＴを有する複数の画素と、第１の電源と、第２の電源とが設けられた発光装置の駆動方法であって、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに、前記第１ＥＬ駆動用ＴＦＴを介して前記第１の電源から前記画素電極に電位を与えるか、前記第２ＥＬ駆動用ＴＦＴを介して前記第２の電源から前記画素電極に電位を与えるかを選択して、前記画素電極に与えられる電位の高さを変えることで、１フレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００４９】
本発明によって、 ＥＬ素子、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ及び第２ＥＬ駆動用ＴＦＴを有する複数の画素と、第１の電源と、第２の電源とが設けられた発光装置の駆動方法であって、 １フレーム期間に複数のサブフレーム期間が設けられており、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに、前記第１ＥＬ駆動用ＴＦＴを介して前記第１の電源から前記画素電極に電位を与えるか、前記第２ＥＬ駆動用ＴＦＴを介して前記第２の電源から前記画素電極に電位を与えるかを選択して、前記画素電極に与えられる電位の高さを変えることで、前記複数のサブフレーム期間の少なくとも１つのサブフレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００５０】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 第１のモードまたは第２のモードで動作しており、 前記第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、 前記第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くなっていることを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００５１】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 第１のモードまたは第２のモードで動作しており、 前記第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、 前記第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くなっており、 前記複数の画素のうち、表示する階調が一定の階調より暗い画素では第１のモードで動作し、 前記複数の画素のうち、表示する階調が一定の階調より明るい画素では第２のモードで動作することを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００５２】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 第１のモードまたは第２のモードで動作しており、 前記第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、 前記第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くなっており、 前記複数の画素のうち、隣接する画素に比べて、表示する階調が一定の値以上明るい画素のみ第２のモードで動作し、 前記複数の画素のうち、隣接する画素に比べて、表示する階調が一定の値以上明るい画素以外の画素は第１のモードで動作することを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【発明の効果】
【００５３】
本発明は上記構成によって、発光装置に入力されるビデオ信号が情報として有する画像自体が全体的に暗くても、実際に表示される画像が明るくなるので、対象物の認識を容易にすることができる。
【００５４】
また、ある画素が表示する階調が、ある一定の階調より明るいときに、該画素のＥＬ素子に印加されるＥＬ駆動電圧の絶対値を大きくし、ＥＬ素子の輝度を高くしても良い。上記構成により、明るい階調を表示する画素はより明るくなり、画像のコントラストが大きくなって、画像が鮮明になり、対象物の認識を容易にすることができる。
【００５５】
また、各画素に入力されるデジタルビデオ信号から、隣接する画素に比べて階調が大きく異なる画素を特定することにより、対象物の輪郭を検出し、画像の輪郭の部分の画素においてのみコントラストを大きくしても良い。上記構成によって、画像の輪郭が抽出され、画像が鮮明になり、対象物の認識を容易にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５６】
（実施の形態１）
以下に、本発明の構成について説明する。図１に本実施の形態の発光装置のブロック図を示す。
【００５７】
ＥＬパネル１００は、画素部１０１と、ソース信号線駆動回路１０２と、ゲート信号線駆動回路１０３とを有している。画素部１０１にはソース信号線Ｓ１〜Ｓｘと、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘと、対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙとが設けられている。なお、対向電源線の数は必ずしもゲート信号線と同じ数であるとは限らず、また電源供給線の数も、必ずしもソース信号線と同じ数であるとは限らない。
【００５８】
ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘの少なくとも１つと、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙの少なくとも１つと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘの少なくとも１つと、対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙの少なくとも１つを有する領域が、画素１０４に相当する。よって、画素部１０１には複数の画素１０４がマトリクス上に設けられている。
【００５９】
１０５は電源回路であり、電源Ａ（第１の電源）１０６と電源Ｂ（第２の電源）１０７の２つの電源が設けられている。電源Ａ１０６と電源Ｂ１０７によって、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘは常に一定の電位（電源電位）に保たれている。
【００６０】
また電源回路１０５は選択スイッチＡ１０８と、選択スイッチＢ１０９と、切り替えスイッチ１１０とを有している。切り替えスイッチ１１０は対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに電源Ａ１０６または電源Ｂ１０７によって電位を与えるか否かを選択するスイッチである。
【００６１】
また選択スイッチＡ１０８と選択スイッチＢ１０９は、一方がオンのときにもう一方がオフになる。切り替えスイッチ１１０がオンで、なおかつ選択スイッチＡ１０８がオンのとき、選択スイッチＡ１０８及び切り替えスイッチ１１０を介して、電源Ａ１０６から電位（非強調時電位）が対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えられる。逆に、切り替えスイッチ１１０がオンで、なおかつ選択スイッチＢ１０９がオンのとき、選択スイッチＢ１０９及び切り替えスイッチ１１０を介して、電源Ｂ１０７から電位（強調時電位）が対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えられる。
【００６２】
なお、本実施の形態では、ソース信号線駆動回路１０２とゲート信号線駆動回路１０３と、画素部１０１とが同じ基板上に形成され、電源回路１０５がＩＣチップ上に形成され、互いにＦＰＣ等のコネクターを介して接続されているが、本発明はこの構成に限定されない。ソース信号線駆動回路１０２と、ゲート信号線駆動回路１０３とは、画素部１０１と同じ基板上に形成されていなくとも良く、電源回路１０５と同じ基板上に形成されていても良い。また、電源回路１０５が有する選択スイッチＡ１０８と、選択スイッチＢ１０９と、切り替えスイッチ１１０とは、必ずしもＩＣチップ上に形成する必要はなく、画素部１０１と同じ基板上に形成しても良い。
【００６３】
図２（Ａ）に画素１０４の詳しい構成を示す。画素１０４は、ソース信号線Ｓｉ（Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１つ）と、電源供給線Ｖｉ（Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つ）と、ゲート信号線Ｇｊ（Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つ）と、対向電源線Ｖｅｊ（Ｖｅ１〜Ｖｅｙのいずれか１つ）とを有している。
【００６４】
また画素１０４はスイッチング用ＴＦＴ１１１とＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２とを有している。スイッチング用ＴＦＴ１１１のゲート電極は、ゲート信号線Ｇｊに接続されている。スイッチング用ＴＦＴ１１１のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線Ｓｉに、もう一方がＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２のゲート電極にそれぞれ接続されている。
【００６５】
また、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２のソース領域とドレイン領域は、一方は電源供給線Ｖｉに接続され、もう一方はＥＬ素子１１３に接続される。
【００６６】
ＥＬ素子１１３は陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられたＥＬ層とからなる。陽極がＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２のソース領域またはドレイン領域と接続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に陰極がＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２のソース領域またはドレイン領域と接続している場合、陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。
【００６７】
全ての電源供給線Ｖ１〜Ｖｘには、電源Ａ１０６及び電源Ｂ１０７によって一定の電源電位が与えられている。また全ての画素が有するＥＬ素子１１３の対向電極は、対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙのいずれかに接続されている。切り替えスイッチ１１０と、選択スイッチＡ１０８とがオンのとき、全ての対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに、電源Ａ１０６によって非強調時電位が与えられ、切り替えスイッチ１１０と、選択スイッチＢ１０９とがオンのとき、全ての対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに、電源Ｂ１０７によって強調時電位が与えられる。
【００６８】
次に、図１及び図２（Ａ）に示した本発明の発光装置の動作について説明する。時分割階調表示を行う場合、本発明の発光装置の動作は、書き込み期間と、表示期間とに分けて説明することができる。
【００６９】
書き込み期間において、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙが順に選択信号によって選択され、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに入力されたデジタルビデオ信号が各画素に入力される。なお本明細書において信号線が選択されるとは、該信号線にゲート電極が接続された全てのＴＦＴがオンになることを意味する。また、本明細書において画素にデジタルビデオ信号が入力されるというのは、デジタルビデオ信号が該画素の有するスイッチング用ＴＦＴを介して、ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に入力されることを意味する。
【００７０】
ここで、画素の詳しい動作について、図２（Ａ）に示した画素を例にとって説明する。
【００７１】
ゲート信号線Ｇｊに入力された選択信号によって、スイッチング用ＴＦＴ１１１がオンになり、ソース信号線Ｓｉに入力された画像情報を有するデジタル信号（以下、デジタルビデオ信号と呼ぶ）が、スイッチング用ＴＦＴ１１１を介してＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２のゲート電極に入力される。
【００７２】
ＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２のゲート電極に入力されたデジタルビデオ信号が有する、１または０の情報によって、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２のスイッチングが制御される。
【００７３】
ＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２がオフになる場合、電源供給線Ｖｉの電源電位は、ＥＬ素子１１３の有する画素電極に与えられない。また、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２がオンになる場合、電源供給線Ｖｉの電源電位は、ＥＬ素子１１３の有する画素電極に与えられる。
【００７４】
そして全ての画素にデジタルビデオ信号が入力されるまで切り替えスイッチはオフになっており、ＥＬ素子１１３の画素電極と対向電極は、同じ高さの電位に保たれている。
【００７５】
全ての画素にデジタルビデオ信号が入力されると、書き込み期間が終了し、表示期間が開始される。表示期間において、切り替えスイッチ１１０はオンになる。
【００７６】
そして、切り替えスイッチ１１０と、選択スイッチＡ１０８または選択スイッチＢ１０９とを介して、強調時電位または非強調時電位が全ての対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えられる。
【００７７】
電源電位と強調時電位、また電源電位と非強調時電位は、それぞれ電位差を有している。
【００７８】
ＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２がオンの場合、この電位差はＥＬ素子１１３の画素電極と対向電極の間にかかり、ＥＬ素子１１３は発光する。本実施の形態では、強調時電位が対向電極に与えられたときの、ＥＬ素子１１３の画素電極と対向電極の間の電位差を強調時ＥＬ駆動電圧Ｖａと呼ぶ。また、本実施の形態では、非強調時電位が対向電極に与えられたときの、ＥＬ素子１１３の画素電極と対向電極の間の電位差を非強調時ＥＬ駆動電圧Ｖｂと呼ぶ。なお、本明細書では、強調時ＥＬ駆動電圧と、非強調時ＥＬ駆動電圧とを総称してＥＬ駆動電圧と呼ぶ。
【００７９】
強調時ＥＬ駆動電圧によってＥＬ素子１１３が発光したときの輝度と、非強調時ＥＬ駆動電圧によってＥＬ素子１１３が発光したときの輝度では、前者のほうが高い。なお、以下本明細書において、強調時ＥＬ駆動電圧によってＥＬ素子が発光することを、ＥＬ素子が強発光すると呼び、非強調時ＥＬ駆動電圧によってＥＬ素子が発光することを、ＥＬ素子が通常発光すると呼ぶ。
【００８０】
一方、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２がオフの場合、ＥＬ素子１１３の画素電極は対向電極の電位と同じ高さに保たれるので、ＥＬ素子１１３は発光しない。
【００８１】
書き込み期間と表示期間を合わせてサブフレーム期間ＳＦと呼ぶ。１フレーム期間内に、デジタルビデオ信号の各ビットに対応した複数のサブフレーム期間が設けられている。
【００８２】
図２（Ｂ）に、本発明の発光装置を５ビットのデジタルビデオ信号で駆動させた場合において、サブフレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦ５）の出現するタイミングを示す。横軸は時間を示しており、縦軸はＥＬ駆動電圧を示している。なお説明を簡便にするために、図２（Ｂ）では、各ビットのデジタルビデオ信号によってＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２が常にオンになっている場合について示している。また、図２（Ｂ）では５ビットのデジタルビデオ信号で駆動させた場合について説明しているが、本発明はこのビット数に限定されない。
【００８３】
ＳＦ１〜ＳＦ５の各サブフレーム期間の書き込み期間において、ＥＬ駆動電圧は０であるため、ＥＬ素子１１３は発光しない。ＳＦ１〜ＳＦ５の各サブフレーム期間の表示期間において、ＥＬ駆動電圧の絶対値が０よりも大きくなり、ＥＬ素子１１３は発光する。
【００８４】
本実施の形態では、５ビット目のデジタルビデオ信号に対応するサブフレーム期間ＳＦ５の表示期間の一部においてのみ、選択スイッチＡ１０８をオン、選択スイッチＢ１０９をオフにして、電源Ａ１０６により強調時電位を対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えている。強調時電位が対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えられると、オンのＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２を介して強調時電位が画素電極に与えられる。その結果、ＥＬ素子１１３に強調時ＥＬ駆動電圧が印加され、ＥＬ素子１１３が強発光する。なお、ＥＬ素子が強発光している期間を、強発光期間と呼ぶ。
【００８５】
そして、サブフレーム期間ＳＦ５の表示期間のうち、強発光期間以外の期間と、他のサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ４が有する全ての表示期間においては、選択スイッチＡ１０８がオフ、選択スイッチＢ１０９がオンになり、電源Ｂ１０７により非強調時電位が対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えられる。非強調時電位が対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えられると、オンのＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２を介して非強調時電位が画素電極に与えられる。その結果、ＥＬ素子１１３に非強調時ＥＬ駆動電圧が印加され、ＥＬ素子１１３が通常発光する。
【００８６】
なお強発光期間は、本実施の形態で示したように、必ずしも最上位ビットに対応するサブフレーム期間内に設ける必要はない。強発光期間は、どのサブフレーム期間にも設けることができる。また本実施の形態では、１フレーム期間中において、１つのサブフレーム期間にのみ強発光期間を設けたが、本発明はこの構成に限定されない。１フレーム期間中において、複数のサブフレーム期間のそれぞれに強発光期間を設けても良い。
【００８７】
また強発光期間の長さは設計者が任意に設定することができるが、最も短い表示期間と同じか、それより短い方が好ましい。
【００８８】
また、本発明の発光装置では、強発光期間が設けられていないフレーム期間によって画像を表示する通常のモードと、強発光期間が設けらたフレーム期間によって画像を表示する強発光のモードとを自由に選択することが可能である。例えば、使用者が選択した場合や、発光装置を有する電子機器によって自動的に選択された場合にのみ、強発光のモードが選択されるようにしても良い。
【００８９】
また本発明では、ｎビット（ｎは任意の自然数）のデジタルビデオ信号を用いて表示を行う場合、表示期間の長さ比が、デジタルビデオ信号の最下位ビットに対応する表示期間から順に、２0：２1：２2：…：２(n-2)：２(n-1)となるようにすることが必要である。この表示期間の組み合わせで２n階調のうち所望の階調表示を行うことができる。またサブフレーム期間の出現する順序は、本実施の形態に示した順序に限定されない。サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦｎは、どのような順序で出現させても良い。
【００９０】
本発明では、１フレーム期間内に強発光期間を設けることによって、発光装置に入力されるビデオ信号が情報として有する画像自体が全体的に暗くても、実際に表示される画像が明るくなるので、対象物の認識を容易にすることができる。
【００９１】
（実施の形態２）
本実施の形態では、画素部が有する特定の画素のみに、強発光期間を設ける構成について説明する。図３に本実施の形態の発光装置のブロック図を示す。
【００９２】
ＥＬパネル２００は、画素部２０１と、第１ソース信号線駆動回路２０２ａと、第２ソース信号線駆動回路２０２ｂと、ゲート信号線駆動回路２０３とを有している。画素部２０１には第１ソース信号線Ｓａ１〜Ｓａｘと、第２ソース信号線Ｓｂ１〜Ｓｂｘと、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙと、第１電源供給線Ｖａ１〜Ｖａｘと、第２電源供給線Ｖｂ１〜Ｖｂｘと、対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙとが設けられている。なお、対向電源線の数は必ずしもゲート信号線と同じ数であるとは限らず、また第１または第２電源供給線の数も、必ずしも第１または第２ソース信号線と同じ数であるとは限らない。
【００９３】
第１ソース信号線Ｓａ１〜Ｓａｘの少なくとも１つと、第２ソース信号線Ｓｂ１〜Ｓｂｘの少なくとも１つと、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙの少なくとも１つと、第１電源供給線Ｖａ１〜Ｖａｘの少なくとも１つと、第２電源供給線Ｖｂ１〜Ｖｂｘの少なくとも１つと、対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙの少なくとも１つを有する領域が、画素２０４に相当する。よって、画素部２０１には複数の画素２０４がマトリクス上に設けられている。
【００９４】
２０５は電源回路であり、電源Ａ２０６と電源Ｂ２０７の２つの電源が設けられている。電源Ａ２０６によって、第１電源供給線Ｖａ１〜Ｖａｘに一定の電位（強調時電源電位）が与えられている。また、電源Ｂ２０７によって、第２電源供給線Ｖｂ１〜Ｖｂｘに一定の電位（非強調時電源電位）が与えられている。
【００９５】
また電源回路２０５は切り替えスイッチ２１０を有している。切り替えスイッチ２１０は対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに電源Ａ２０６及び電源Ｂ２０７によって電位を与えるか否かを選択するスイッチである。
【００９６】
切り替えスイッチ２１０がオンになると、切り替えスイッチ２１０を介して、電源Ａ２０６及び電源Ｂ２０７によって、一定の対向電位が対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えられる。
【００９７】
なお、本実施の形態では、第１ソース信号線駆動回路２０２ａと、第２ソース信号線駆動回路２０２ｂと、ゲート信号線駆動回路２０３と、画素部２０１とが同じ基板上に形成され、電源回路２０５がＩＣチップ上に形成され、互いにＦＰＣ等のコネクターを介して接続されているが、本発明はこの構成に限定されない。第１ソース信号線駆動回路２０２ａと、第２ソース信号線駆動回路２０２ｂと、ゲート信号線駆動回路２０３とは、画素部２０１と同じ基板上に形成されていなくとも良く、電源回路２０５と同じ基板上に形成されていても良い。また、電源回路２０５が有する切り替えスイッチ２１０は、必ずしもＩＣチップ上に形成する必要はなく、画素部２０１と同じ基板上に形成しても良い。
【００９８】
図４（Ａ）に画素２０４の詳しい構成を示す。画素２０４は、第１ソース信号線Ｓａｉ（Ｓａ１〜Ｓａｘのいずれか１つ）と、第２ソース信号線Ｓｂｉ（Ｓｂ１〜Ｓｂｘのいずれか１つ）と、第１電源供給線Ｖａｉ（Ｖａ１〜Ｖａｘのいずれか１つ）と、第２電源供給線Ｖｂｉ（Ｖｂ１〜Ｖｂｘのいずれか１つ）と、ゲート信号線Ｇｊ（Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つ）と、対向電源線Ｖｅｊ（Ｖｅ１〜Ｖｅｙのいずれか１つ）とを有している。
【００９９】
また画素２０４は、第１スイッチング用ＴＦＴ２１１ａと、第２スイッチング用ＴＦＴ２１１ｂと、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａと、第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂとを有している。第１スイッチング用ＴＦＴ２１１ａと、第２スイッチング用ＴＦＴ２１１ｂは、互いに極性が同じである。また、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａと、第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂは、互いに極性が同じである。
【０１００】
第１及び第２スイッチング用ＴＦＴ２１１ａ、２１１ｂのゲート電極は、ゲート信号線Ｇｊに接続されている。第１スイッチング用ＴＦＴ２１１ａのソース領域とドレイン領域は、一方が第１ソース信号線Ｓａｉに、もう一方が第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａのゲート電極にそれぞれ接続されている。また、第２スイッチング用ＴＦＴ２１１ｂのソース領域とドレイン領域は、一方が第２ソース信号線Ｓｂｉに、もう一方が第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂのゲート電極にそれぞれ接続されている。
【０１０１】
また、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａのソース領域とドレイン領域は、一方は第１電源供給線Ｖａｉに接続され、もう一方はＥＬ素子２１３に接続される。また、第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂのソース領域とドレイン領域は、一方は第２電源供給線Ｖｂｉに接続され、もう一方はＥＬ素子２１３に接続される。
【０１０２】
ＥＬ素子２１３は陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられたＥＬ層とからなる。陽極が第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａのソース領域もしくはドレイン領域と接続している場合、または、陽極が第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂのソース領域もしくはドレイン領域と接続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に陰極が第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａのソース領域もしくはドレイン領域と接続している場合、または、陰極が第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂのソース領域もしくはドレイン領域と接続している場合、陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。
【０１０３】
全ての第１電源供給線Ｖａ１〜Ｖａｘには、電源Ａ２０６によって一定の強調時電源電位が与えられている。また、全ての第２電源供給線Ｖｂ１〜Ｖｂｘには、電源Ｂ２０７によって一定の非強調時電源電位が与えられている。
【０１０４】
全ての画素が有するＥＬ素子２１３の対向電極は、対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙのいずれかに接続されている。切り替えスイッチ２１０がオンのとき、全ての対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに、電源Ａ２０６及び電源Ｂ２０７によって対向電位が与えられる。
【０１０５】
次に、図３及び図４（Ａ）に示した本発明の発光装置の動作について説明する。時分割階調表示を行う場合、本発明の発光装置の動作は、書き込み期間と、表示期間とに分けて説明することができる。
【０１０６】
書き込み期間において、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙが順に選択信号によって選択され、デジタルビデオ信号が各画素に入力される。
【０１０７】
ここで、画素の詳しい動作について、図４（Ａ）に示した画素を例にとって説明する。
【０１０８】
書き込み期間において、ゲート信号線Ｇｊに入力された選択信号によって、第１及び第２スイッチング用ＴＦＴ２１１ａ、２１１ｂがオンになる。
【０１０９】
そして本実施の形態では、第１ソース信号線Ｓａ１〜Ｓａｘに第１デジタルビデオ信号が入力され、第２ソース信号線Ｓｂ１〜Ｓｂｘに第２デジタルビデオ信号が入力される。
【０１１０】
第１ソース信号線Ｓａｉに入力された第１デジタルビデオ信号が、第１スイッチング用ＴＦＴ２１１ａを介して第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａのゲート電極に入力される。同時に、第２ソース信号線Ｓｂｉに入力された第２デジタルビデオ信号が、第２スイッチング用ＴＦＴ２１１ｂを介して第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａのゲート電極に入力される。
【０１１１】
なお、本実施の形態において、画素にデジタルビデオ信号が入力されるというのは、第１デジタルビデオ信号が該画素の有する第１スイッチング用ＴＦＴを介して、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に入力され、なおかつ、第２デジタルビデオ信号が該画素の有する第２スイッチング用ＴＦＴを介して、第２ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に入力されることを意味する。
【０１１２】
第１、第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａ、２１２ｂは、ゲート電極に入力された第１、第２デジタルビデオ信号が有する、１または０の情報によって、そのスイッチングが制御される。
【０１１３】
第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａと第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂは、一方がオンでもう一方がオフになるか、もしくは両方ともオフになる。
【０１１４】
第１及び第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａ、２１２ｂが両方ともオフになる場合、第１電源供給線Ｖａｉの強調時電源電位及び第２電源供給線Ｖｂｉの非強調時電源電位は、ＥＬ素子２１３の有する画素電極に与えられない。
【０１１５】
また、第１または第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａ、２１２ｂのいずれか一方がオンになる場合、第１電源供給線Ｖａｉの強調時電源電位または第２電源供給線Ｖｂｉの非強調時電源電位が、ＥＬ素子２１３の有する画素電極に与えられる。
【０１１６】
そして全ての画素にデジタルビデオ信号が入力されるまで切り替えスイッチはオフになっており、ＥＬ素子２１３の画素電極と対向電極は、同じ高さの電位に保たれている。
【０１１７】
全ての画素にデジタルビデオ信号が入力されると、書き込み期間が終了し、表示期間が開始される。表示期間において、切り替えスイッチ２１０はオンになる。
【０１１８】
そして、電源Ａ２０６及び電源Ｂ２０７によって、切り替えスイッチ２１０を介して、対向電位が全ての対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えられる。
【０１１９】
強調時電源電位と対向電位、また非強調時電源電位と対向電位は、それぞれ電位差を有している。
【０１２０】
第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａがオンで第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂがオフの場合、強調時電源電位と対向電位の電位差はＥＬ素子２１３の画素電極と対向電極の間にかかり、ＥＬ素子２１３は発光する。本実施の形態では、強調時電源電位が第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａを介して画素電極に与えられたときの、ＥＬ素子２１３の画素電極と対向電極の間の電位差を強調時ＥＬ駆動電圧Ｖａと呼ぶ。
【０１２１】
また、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａがオフで第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂがオンの場合、非強調時電源電位と対向電位の電位差はＥＬ素子２１３の画素電極と対向電極の間にかかり、ＥＬ素子２１３は発光する。本実施の形態では、非強調時電位がＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２を介して画素電極に与えられたときの、ＥＬ素子２１３の画素電極と対向電極の間の電位差を非強調時ＥＬ駆動電圧Ｖｂと呼ぶ。
【０１２２】
なお、本明細書では、強調時ＥＬ駆動電圧Ｖａと、非強調時ＥＬ駆動電圧Ｖｂとを総称してＥＬ駆動電圧と呼ぶ。
【０１２３】
強調時ＥＬ駆動電圧によってＥＬ素子２１３が発光したときの輝度と、非強調時ＥＬ駆動電圧によってＥＬ素子２１３が発光したときの輝度では、前者のほうが高い。
【０１２４】
一方、第１及び第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａ、２１２ｂが共にオフの場合、ＥＬ素子２１３の画素電極と対向電極の電位は同じ高さに保たれるので、ＥＬ素子２１３は発光しない。
【０１２５】
書き込み期間と表示期間を合わせてサブフレーム期間ＳＦと呼ぶ。１フレーム期間内に、デジタルビデオ信号の各ビットに対応した複数のサブフレーム期間が設けられている。
【０１２６】
図４（Ｂ）に、本発明の発光装置を５ビットのデジタルビデオ信号で駆動させた場合において、サブフレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦ５）の出現するタイミングを示す。横軸は時間を示しており、縦軸はＥＬ駆動電圧を示している。なお説明を簡便にするために、図２（Ｂ）では、各ビットのデジタルビデオ信号によって第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａと第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂのいずれか一方がオンになっている場合について示している。また、図２（Ｂ）では５ビットのデジタルビデオ信号で駆動させた場合について説明しているが、本発明はこのビット数に限定されない。
【０１２７】
ＳＦ１〜ＳＦ５の各サブフレーム期間の書き込み期間において、ＥＬ駆動電圧は０であるため、ＥＬ素子２１３は発光しない。ＳＦ１〜ＳＦ５の各サブフレーム期間の表示期間において、ＥＬ駆動電圧の絶対値が０よりも大きくなり、ＥＬ素子２１３は発光する。
【０１２８】
本実施の形態では、５ビット目のデジタルビデオ信号に対応するサブフレーム期間ＳＦ５の表示期間の一部においてのみ、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａをオン、第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂをオフにして、強調時電源電位をＥＬ素子２１３の画素電極に与えている。その結果、ＥＬ素子２１３に強調時ＥＬ駆動電圧が印加され、ＥＬ素子２１３が強発光する。なお、ＥＬ素子が強発光している期間を、強発光期間と呼ぶ。
【０１２９】
そして、サブフレーム期間ＳＦ５の表示期間のうち、強発光期間以外の期間と、他のサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ４が有する全ての表示期間においては、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａをオフ、第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂをオンにして、非強調時電源電位をＥＬ素子２１３の画素電極に与えている。その結果、ＥＬ素子２１３に非強調時ＥＬ駆動電圧が印加され、ＥＬ素子２１３が通常発光する。
【０１３０】
なお強発光期間は、本実施の形態で示したように、必ずしも最上位ビットに対応するサブフレーム期間内に設ける必要はない。強発光期間は、どのサブフレーム期間にも設けることができる。また本実施の形態では、１フレーム期間中において、１つのサブフレーム期間にのみ強発光期間を設けたが、本発明はこの構成に限定されない。１フレーム期間中において、複数のサブフレーム期間のそれぞれに強発光期間を設けても良い。
【０１３１】
また強発光期間の長さは設計者が任意に設定することができるが、最も短い表示期間と同じか、それより短い方が好ましい。
【０１３２】
また、本発明の発光装置では、強発光期間が設けられていないフレーム期間によって画像を表示する通常のモードと、強発光期間が設けらたフレーム期間によって画像を表示する強発光のモードとを自由に選択することが可能である。例えば、使用者が選択した場合や、発光装置を有する電子機器によって自動的に選択された場合にのみ、強発光のモードが選択されるようにしても良い。
【０１３３】
また本発明では、ｎビットのデジタルビデオ信号を用いて表示を行う場合、表示期間の長さ比が、デジタルビデオ信号の最下位ビットに対応する表示期間から順に、２0：２1：２2：…：２(n-2)：２(n-1)となるようにすることが必要である。この表示期間の組み合わせで２n階調のうち所望の階調表示を行うことができる。またサブフレーム期間の出現する順序は、本実施の形態に示した順序に限定されない。サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦｎは、どのような順序で出現させても良い。
【０１３４】
本発明では、１フレーム期間内に強発光期間を設けることによって、発光装置に入力されるビデオ信号が情報として有する画像自体が全体的に暗くても、実際に表示される画像が明るくなるので、対象物の認識を容易にすることができる。
【０１３５】
また、ある画素が表示する階調が、ある一定の階調より明るいときに、該画素のＥＬ素子に印加されるＥＬ駆動電圧の絶対値を大きくし、ＥＬ素子の輝度を高くしても良い。上記構成により、明るい階調を表示する画素はより明るくなり、画像のコントラストが大きくなって、画像が鮮明になり、対象物の認識を容易にすることができる。
【０１３６】
また、各画素に入力されるデジタルビデオ信号から、隣接する画素に比べて階調が大きく異なる画素を特定することにより、対象物の輪郭を検出し、画像の輪郭の部分の画素においてのみコントラストを大きくしても良い。上記構成によって、画像の輪郭が抽出され、画像が鮮明になり、対象物の認識を容易にすることができる。
【０１３７】
（実施の形態３）
実施の形態１及び２では、切り替えスイッチを設けた構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。切り替えスイッチは必ずしも設ける必要はない。
【０１３８】
ただしこの場合、書き込み期間において画素にデジタルビデオ信号（第１及び第２のデジタルビデオ信号も含む）が入力されると同時に、ＥＬ素子が発光または非発光の状態になり、画素が表示を行う。
【０１３９】
本実施の形態では、ｎビットのデジタルビデオ信号を用いて表示を行う場合、サブフレーム期間の長さ比が、デジタルビデオ信号の最下位ビットに対応するサブフレーム期間から順に、２0：２1：２2：…：２(n-2)：２(n-1)となるようにすることが必要である。このサブフレーム期間の組み合わせで２n階調のうち所望の階調表示を行うことができる。
【０１４０】
またサブフレーム期間の出現する順序は、本実施の形態に示した順序に限定されない。サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦｎは、どのような順序で出現させても良い。
【実施例１】
【０１４１】
以下に、本発明の実施例について説明する。
【０１４２】
本実施例では、強発光のモードにおける強発光期間の出現するタイミングが、実施の形態１及び２とは異なる例について説明する。
【０１４３】
図５に、本発明の発光装置を５ビットのデジタルビデオ信号で駆動させた場合において、サブフレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦ５）の出現するタイミングと、強発光期間の出現するタイミングを示す。横軸は時間を示しており、縦軸はＥＬ駆動電圧を示している。なお説明を簡便にするために、図５では、全ての表示期間においてＥＬ素子が強発光または通常発光している場合について示している。また、図５では５ビットのデジタルビデオ信号で駆動させた場合を例にとって説明しているが、本発明はこのビット数に限定されない。
【０１４４】
図５（Ａ）では、５ビットのデジタルビデオ信号の各ビットに対応している５つのサブフレーム期間が、ＳＦ３、ＳＦ２、ＳＦ５、ＳＦ４、ＳＦ１の順序で出現している。このように、１つのサブフレーム期間内において、最も表示期間の長さが長いサブフレーム期間（本実施例ではＳＦ５）の前後に、他のサブフレーム期間を出現させることで、中間階調を表示させたときに動画擬似輪郭が発生するのを防ぐことができる。
【０１４５】
そして図５（Ａ）では、強発光期間をサブフレーム期間ＳＦ５内に設けている。
【０１４６】
図５（Ｂ）では、５ビットのデジタルビデオ信号の各ビットに対応している５つのサブフレーム期間が、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ５、ＳＦ３、ＳＦ４の順序で出現している。
【０１４７】
そして図５（Ａ）では、強発光期間をサブフレーム期間ＳＦ１内に設けており、なおかつ強発光期間とサブフレーム期間ＳＦ１が有する表示期間とが完全に重なっている。つまり、サブフレーム期間ＳＦ１が有する表示期間において、ＥＬ素子は常に強発光している。
【０１４８】
また強発光期間の長さは設計者が任意に設定することができるが、最も短い表示期間と同じか、それより短い方が好ましい。
【実施例２】
【０１４９】
実施の形態２において、ある画素の表示する階調がある一定の階調より明るいときに、該画素のＥＬ素子に印加されるＥＬ駆動電圧の絶対値を大きくし、ＥＬ素子の輝度を高くする場合について、図６を用いて詳しく説明する。
【０１５０】
通常のモードの表示を行うためのデジタルビデオ信号が、切り替え回路２２０とレベル比較回路２２３とに入力される。レベル比較回路２２３において、入力されたデジタルビデオ信号によって表示を行う画素の階調が、所定の階調より明るいかどうかが判断される。
【０１５１】
その判断基準となるデータ（基準データ）は不揮発性メモリ２２１に記憶されており、揮発性メモリ２２２によって読み込まれ、レベル比較回路２２３に入力される。
【０１５２】
レベル比較回路２２３において、基準データとデジタルビデオ信号とが比較され、デジタルビデオ信号によって表示を行う画素の階調が、所定の階調より暗いと判断された場合、切り替え回路２２０に通常のモードで動作するように信号を送る。逆に、デジタルビデオ信号によって表示を行う画素の階調が、所定の階調より明るいと判断された場合、切り替え回路２２０に強発光のモードで動作するように信号を送る。
【０１５３】
そして、切り替え回路２２０が通常のモードで動作しているときは、入力されたデジタルビデオ信号から、通常のモードの表示を行うための第１デジタルビデオ信号と、第２デジタルビデオ信号とを生成し、それぞれ第１ソース信号線駆動回路２０２ａと、第２ソース信号線駆動回路２０２ｂに入力する。その結果、画素が有するＥＬ素子が通常発光を行う。
【０１５４】
逆に、切り替え回路２２０が強発光のモードで動作しているときは、入力されたデジタルビデオ信号から、強発光のモードの表示を行うための第１デジタルビデオ信号と、第２デジタルビデオ信号とを生成し、それぞれ第１ソース信号線駆動回路２０２ａと、第２ソース信号線駆動回路２０２ｂに入力する。その結果、画素が有するＥＬ素子が強発光を行う。
【０１５５】
上記構成により、明るい階調を表示する画素はより明るくなり、画像のコントラストが大きくなって、画像が鮮明になり、対象物の認識を容易にすることができる。
【０１５６】
本実施例は、実施例１に示した構成と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例３】
【０１５７】
実施の形態２において、各画素に入力されるデジタルビデオ信号から、隣接する画素に比べて階調が大きく異なる画素を特定することにより、対象物の輪郭を検出し、画像の輪郭の部分の画素においてのみコントラストを大きくする場合について、図７を用いて詳しく説明する。
【０１５８】
通常のモードの表示を行うためのデジタルビデオ信号が、選択時間補正回路２３０と、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）２３２とに入力される。
【０１５９】
ＤＳＰ２３２に入力されたデジタルビデオ信号は、微分フィルタ２３３に入力される。微分フィルタ２３３では入力されたデジタルビデオ信号から、画素部が有する全ての画素について、隣接する画素どうしの階調の差が数値化され、比較回路２３４にデータとして送られる。
【０１６０】
比較回路２３４は、数値化されたデータが基準となる値（基準数値化データ）
よりも大きい場合、隣接する画素によって輪郭が形成されていると判断する。基準数値化データは基準値メモリ２３５に記憶されており、比較回路２３４に読み込まれている。
【０１６１】
レベル比較回路２３４において、隣接する画素において輪郭が形成されていると判断された場合、切り替え回路２３１に通常のモードで動作するように信号を送る。逆に、隣接する画素において輪郭が形成されていないと判断された場合、切り替え回路２３１に強発光のモードで動作するように信号を送る。
【０１６２】
一方、選択時間補正回路２３０に入力されたデジタルビデオ信号は、切り替え回路２３１にモードを選択する信号が入力されるのに同期して、切り替え回路２３１に入力される。
【０１６３】
そして、切り替え回路２３１が通常のモードで動作しているときは、入力されたデジタルビデオ信号から、通常のモードの表示を行うための第１デジタルビデオ信号と、第２デジタルビデオ信号とを生成し、それぞれ第１ソース信号線駆動回路２０２ａと、第２ソース信号線駆動回路２０２ｂに入力する。その結果、隣接する２つの画素が有するＥＬ素子は、それぞれ通常発光を行う。
【０１６４】
逆に、切り替え回路２３１が強発光のモードで動作しているときは、入力されたデジタルビデオ信号から、強発光のモードの表示を行うための第１デジタルビデオ信号と、第２デジタルビデオ信号とを生成し、それぞれ第１ソース信号線駆動回路２０２ａと、第２ソース信号線駆動回路２０２ｂに入力する。その結果、隣接する２つの画素のうち、明るい階調を表示している画素が有するＥＬ素子が、強発光を行う。
【０１６５】
上記構成によって、画像の輪郭が抽出され、画像が鮮明になり、対象物の認識を容易にすることができる。
【実施例４】
【０１６６】
本実施例は、実施例１に示した構成と自由に組み合わせて実施することが可能である。
本実施例では、本発明の発光装置の画素部を駆動させるために用いる、ソース信号線駆動回路（第１ソース信号線駆動回路及び第２ソース信号線駆動回路を含む）、ゲート信号線駆動回路の詳しい構成について説明する。
【０１６７】
図８に本実施例の発光装置の駆動回路のブロック図を示す。図８（Ａ）はソース信号線駆動回路６０１であり、シフトレジスタ６０２、ラッチ（Ａ）６０３、ラッチ（Ｂ）６０４を有している。
【０１６８】
ソース信号線駆動回路６０１において、シフトレジスタ６０２にクロック信号（ＣＬＫ）およびスタートパルス（ＳＰ）が入力される。シフトレジスタ６０２は、これらのクロック信号（ＣＬＫ）およびスタートパルス（ＳＰ）に基づきタイミング信号を順に発生させ、バッファ等（図示せず）を通して後段の回路へタイミング信号を順次入力する。
【０１６９】
シフトレジスタ６０２からのタイミング信号は、バッファ等によって緩衝増幅される。タイミング信号が入力される配線には、多くの回路あるいは素子が接続されているために負荷容量（寄生容量）が大きい。この負荷容量が大きいために生ずるタイミング信号の立ち上がりまたは立ち下がりの”鈍り”を防ぐために、このバッファが設けられる。なおバッファは必ずしも設ける必要はない。
【０１７０】
バッファによって緩衝増幅されたタイミング信号は、ラッチ（Ａ）６０３に入力される。ラッチ（Ａ）６０３は、ｎビットのデジタルビデオ信号（第１デジタルビデオ信号またはだ２デジタルビデオ信号を含む）を処理する複数のステージのラッチを有している。ラッチ（Ａ）６０３は、前記タイミング信号が入力されると、ソース信号線駆動回路６０１の外部から入力されるｎビットのデジタルビデオ信号を順次取り込み、保持する。
【０１７１】
なお、ラッチ（Ａ）６０３にデジタルビデオ信号を取り込む際に、ラッチ（Ａ）６０３が有する複数のステージのラッチに、順にデジタルビデオ信号を入力しても良い。しかし本発明はこの構成に限定されない。ラッチ（Ａ）６０３が有する複数のステージのラッチをいくつかのグループに分け、各グループごとに並行して同時にデジタルビデオ信号を入力する、いわゆる分割駆動を行っても良い。
なおこのときのグループの数を分割数と呼ぶ。例えば４つのステージごとにラッチをグループに分けた場合、４分割で分割駆動すると言う。
【０１７２】
ラッチ（Ａ）６０３の全てのステージのラッチにデジタルビデオ信号の書き込みが一通り終了するまでの時間を、ライン期間と呼ぶ。実際には、上記ライン期間に水平帰線期間が加えられた期間をライン期間に含むことがある。
【０１７３】
１ライン期間が終了すると、ラッチ（Ｂ）６０４にラッチシグナル（Latch Signal）が入力される。この瞬間、ラッチ（Ａ）６０３に書き込まれ保持されているデジタルビデオ信号は、ラッチ（Ｂ）６０４に一斉に送出され、ラッチ（Ｂ）
６０４の全ステージのラッチに書き込まれ、保持される。
【０１７４】
デジタルビデオ信号をラッチ（Ｂ）６０４に送出し終えたラッチ（Ａ）６０３には、シフトレジスタ６０２からのタイミング信号に基づき、デジタルビデオ信号の書き込みが順次行われる。
【０１７５】
この２順目の１ライン期間中には、ラッチ（Ｂ）６０４に書き込まれ、保持されているデジタルビデオ信号がソース信号線（第１ソース信号線または第２ソース信号線を含む）に入力される。
【０１７６】
図８（Ｂ）はゲート信号線駆動回路の構成を示すブロック図である。
【０１７７】
ゲート信号線駆動回路６０５は、それぞれシフトレジスタ６０６、バッファ６０７を有している。また場合によってはレベルシフトを有していても良い。
【０１７８】
ゲート信号線駆動回路６０５において、シフトレジスタ６０６からのタイミング信号がバッファ６０７に入力され、対応するゲート信号線に入力される。ゲート信号線には、１ライン分の画素の第１スイッチング用ＴＦＴ及び第２スイッチング用ＴＦＴのゲート電極が接続されている。そして、１ライン分の画素の第１スイッチング用ＴＦＴ及び第２スイッチング用ＴＦＴを一斉にＯＮにしなくてはならないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なものが用いられる。
【０１７９】
本実施例は実施例１〜３と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例５】
【０１８０】
本発明の発光装置の作成方法の一例について、図９〜図１１を用いて説明する。ここでは、実施の形態１において示した発光装置の画素部のスイッチング用ＴＦＴおよびＥＬ駆動用ＴＦＴと、画素部の周辺に設けられる駆動部のＴＦＴを同時に作製する方法について、工程に従って詳細に説明する。なお、本実施例では実施の形態１で示した発光装置の作製方法について示したが、本実施例は実施の形態２に示した構成を有する発光装置の作製方法に適用させることも可能である。
【０１８１】
まず、本実施例ではコーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板９００を用いる。なお、基板９００としては、透光性を有する基板であれば限定されず、石英基板を用いても良い。また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。
【０１８２】
次いで、図９（Ａ）に示すように、基板９００上に酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜などの絶縁膜から成る下地膜９０１を形成する。本実施例では下地膜９０１として２層構造を用いるが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造を用いても良い。下地膜９０１の一層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ4、ＮＨ3、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜９０１ａを１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）形成する。
本実施例では、膜厚５０ｎｍの酸化窒化珪素膜９０１ａ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を形成した。次いで、下地膜９０１のニ層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ4、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜９０１ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）の厚さに積層形成する。本実施例では、膜厚１００ｎｍの酸化窒化珪素膜９０１ｂ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を形成した。
【０１８３】
次いで、下地膜９０１上に半導体層９０２〜９０５を形成する。半導体層９０２〜９０５は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜した後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）を行って得られた結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングして形成する。
この半導体層９０２〜９０５の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくは珪素（シリコン）またはシリコンゲルマニウム（ＳｉXＧｅ1-X（Ｘ＝０．０００１〜０．０２））合金などで形成すると良い。本実施例では、プラズマＣＶＤ法を用い、５５ｎｍの非晶質珪素膜を成膜した後、ニッケルを含む溶液を非晶質珪素膜上に保持させた。この非晶質珪素膜に脱水素化（５００℃、１時間）を行った後、熱結晶化（５５０℃、４時間）を行い、さらに結晶化を改善するためのレーザーアニ―ル処理を行って結晶質珪素膜を形成した。そして、この結晶質珪素膜をフォトリソグラフィ法を用いたパターニング処理によって、半導体層９０２〜９０５を形成した。
【０１８４】
また、半導体層９０２〜９０５を形成した後、ＴＦＴのしきい値を制御するために、半導体層９０２〜９０５に微量な不純物元素（ボロンまたはリン）をドーピングしてもよい。
【０１８５】
また、レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数３００Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４００ｍＪ／ｃｍ2(代表的には２００〜３００ｍＪ／ｃｍ2)とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数３０〜３００ｋＨｚとし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００ｍＪ／ｃｍ2(代表的には３５０〜５００ｍＪ／ｃｍ2)とすると良い。そして幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μｍで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバーラップ率）を５０〜９０％として行えばよい。
【０１８６】
次いで、半導体層９０２〜９０５を覆うゲート絶縁膜９０６を形成する。ゲート絶縁膜９０６はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により１１０ｎｍの厚さで酸化窒化珪素膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で形成した。勿論、ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【０１８７】
また、酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosiliｃate）とＯ2とを混合し、反応圧力４０Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力密度０．５〜０．８Ｗ／ｃｍ2で放電させて形成することができる。このようにして作製される酸化珪素膜は、その後４００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。
【０１８８】
そして、ゲート絶縁膜９０６上にゲート電極を形成するための耐熱性導電層９０７を２００〜４００ｎｍ（好ましくは２５０〜３５０ｎｍ）の厚さで形成する。耐熱性導電層９０７は単層で形成しても良いし、必要に応じて二層あるいは三層といった複数の層から成る積層構造としても良い。耐熱性導電層にはＴａ、Ｔｉ、Ｗから選ばれた元素、または前記元素を成分とする合金か、前記元素を組み合わせた合金膜が含まれる。これらの耐熱性導電層はスパッタ法やＣＶＤ法で形成されるものであり、低抵抗化を図るために含有する不純物濃度を低減させることが好ましく、特に酸素濃度に関しては３０ｐｐｍ以下とすると良い。本実施例ではＷ膜を３００ｎｍの厚さで形成する。Ｗ膜はＷをターゲットとしてスパッタ法で形成しても良いし、６フッ化タングステン（ＷＦ6）を用いて熱ＣＶＤ法で形成することもできる。いずれにしてもゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μΩｃｍ以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化する。このことより、スパッタ法による場合、純度９９．９９９９％のＷターゲットを用い、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してＷ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０μΩｃｍを実現することができる。
【０１８９】
一方、耐熱性導電層９０７にＴａ膜を用いる場合には、同様にスパッタ法で形成することが可能である。Ｔａ膜はスパッタガスにＡｒを用いる。また、スパッタ時のガス中に適量のＸｅやＫｒを加えておくと、形成する膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止することができる。α相のＴａ膜の抵抗率は２０μΩｃｍ程度でありゲート電極に使用することができるが、β相のＴａ膜の抵抗率は１８０μΩｃｍ程度でありゲート電極とするには不向きであった。ＴａＮ膜はα相に近い結晶構造を持つので、Ｔａ膜の下地にＴａＮ膜を形成すればα相のＴａ膜が容易に得られる。また、図示しないが、耐熱性導電層９０７の下に２〜２０ｎｍ程度の厚さでリン（Ｐ）をドープしたシリコン膜を形成しておくことは有効である。これにより、その上に形成される導電膜の密着性向上と酸化防止を図ると同時に、耐熱性導電層９０７が微量に含有するアルカリ金属元素が第１の形状のゲート絶縁膜９０６に拡散するのを防ぐことができる。いずれにしても、耐熱性導電層９０７は抵抗率を１０〜５０μΩｃｍの範囲ですることが好ましい。
【０１９０】
次に、フォトリソグラフィーの技術を使用してレジストによるマスク９０８を形成する。そして、第１のエッチング処理を行う。本実施例ではＩＣＰエッチング装置を用い、エッチング用ガスにＣｌ2とＣＦ4を用い、１Ｐａの圧力で３．２Ｗ／ｃｍ2のＲＦ（１３.５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを形成して行う。
基板側（試料ステージ）にも２２４ｍＷ／ｃｍ2のＲＦ（１３.５６ＭＨｚ）電力を投入し、これにより実質的に負の自己バイアス電圧が印加される。この条件でＷ膜のエッチング速度は約１００ｎｍ／ｍｉｎである。第１のエッチング処理はこのエッチング速度を基にＷ膜がちょうどエッチングされる時間を推定し、それよりもエッチング時間を２０％増加させた時間をエッチング時間とした。
【０１９１】
第１のエッチング処理により第１のテーパー形状を有する導電層９０９〜９１２が形成される。導電層９０９〜９１２のテーパー部の角度は１５〜３０°となるように形成される。残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させるオーバーエッチングを施すものとする。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜（ゲート絶縁膜９０６）の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされる。（図９（Ｂ））
【０１９２】
そして、第１のドーピング処理を行い一導電型の不純物元素を半導体層に添加する。ここでは、ｎ型を付与する不純物元素添加の工程を行う。第１の形状の導電層を形成したマスク９０８をそのまま残し、第１のテーパー形状を有する導電層９０９〜９１２をマスクとして自己整合的にｎ型を付与する不純物元素をイオンドープ法で添加する。ｎ型を付与する不純物元素をゲート電極の端部におけるテーパー部とゲート絶縁膜９０６とを通して、その下に位置する半導体層に達するように添加するためにドーズ量を１×１０13〜５×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2とし、加速電圧を８０〜１６０ｋｅＶとして行う。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いた。このようなイオンドープ法により第１の不純物領域９１４〜９１７には１×１０20〜１×１０21atoｍiｃ／ｃｍ3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素が添加される。（図９（Ｃ））
【０１９３】
この工程において、ドーピングの条件によっては、不純物が第１の形状の導電層９０９〜９１２の下に回りこみ、第１の不純物領域９１４〜９１７が第１の形状の導電層９０９〜９１２と重なることも起こりうる。
【０１９４】
次に、図９（Ｄ）に示すように第２のエッチング処理を行う。エッチング処理も同様にＩＣＰエッチング装置により行い、エッチングガスにＣＦ4とＣｌ2の混合ガスを用い、ＲＦ電力３．２Ｗ／ｃｍ2(１３.５６ＭＨｚ)、バイアス電力４５ｍＷ／ｃｍ2(１３.５６ＭＨｚ)、圧力１．０Ｐａでエッチングを行う。この条件で形成される第２の形状を有する導電層９１８〜９２１が形成される。その端部にはテーパー部が形成され、該端部から内側にむかって徐々に厚さが増加するテーパー形状となる。第１のエッチング処理と比較して基板側に印加するバイアス電力を低くした分等方性エッチングの割合が多くなり、テーパー部の角度は３０〜６０°となる。マスク９０８はエッチングされて端部が削れ、マスク９２２となる。また、図９（Ｄ）の工程において、ゲート絶縁膜９０６の表面が４０ｎｍ程度エッチングされる。
【０１９５】
そして、第１のドーピング処理よりもドーズ量を下げ高加速電圧の条件でｎ型を付与する不純物元素をドーピングする。例えば、加速電圧を７０〜１２０ｋｅＶとし、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量で行い、不純物濃度が大きくなった第１の不純物領域９２４〜９２７と、前記第１の不純物領域９２４〜９２７に接する第２の不純物領域９２８〜９３１とを形成する。この工程において、ドーピングの条件によっては、不純物が第２の形状の導電層９１８〜９２１の下に回りこみ、第２の不純物領域９２８〜９３１が第２の形状の導電層９１８〜９２１と重なることも起こりうる。第２の不純物領域における不純物濃度は、１×１０16〜１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3となるようにする。（図１０（Ａ））
【０１９６】
そして、（図１０（Ｂ））に示すように、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層９０２、９０５に一導電型とは逆の導電型の不純物領域９３３（９３３ａ、９３３ｂ）及び９３４（９３４ａ、９３４ｂ）を形成する。この場合も第２の形状の導電層９１８、９２１をマスクとしてｐ型を付与する不純物元素を添加し、自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層９０３、９０４は、レジストのマスク９３２を形成し全面を被覆しておく。ここで形成される不純物領域９３３、９３４はジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンドープ法で形成する。不純物領域９３３、９３４のｐ型を付与する不純物元素の濃度は、２×１０20〜２×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3となるようにする。
【０１９７】
しかしながら、この不純物領域９３３、９３４は詳細にはｎ型を付与する不純物元素を含有する２つの領域に分けて見ることができる。第３の不純物領域９３３ａ、９３４ａは１×１０20〜１×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度でｎ型を付与する不純物元素を含み、第４の不純物領域９３３ｂ、９３４ｂは１×１０17〜１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度でｎ型を付与する不純物元素を含んでいる。しかし、これらの不純物領域９３３ｂ、９３４ｂのｐ型を付与する不純物元素の濃度を１×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上となるようにし、第３の不純物領域９３３ａ、９３４ａにおいては、ｐ型を付与する不純物元素の濃度をｎ型を付与する不純物元素の濃度の１．５から３倍となるようにすることにより、第３の不純物領域でｐチャネル型ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。
【０１９８】
その後、図１０（Ｃ）に示すように、第２の形状を有する導電層９１８〜９２１およびゲート絶縁膜９０６上に第１の層間絶縁膜９３７を形成する。第１の層間絶縁膜９３７は酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた積層膜で形成すれば良い。いずれにしても第１の層間絶縁膜９３７は無機絶縁物材料から形成する。第１の層間絶縁膜９３７の膜厚は１００〜２００ｎｍとする。第１の層間絶縁膜９３７として酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳとＯ2とを混合し、反応圧力４０Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高周波（１３．５６MHz）電力密度０．５〜０．８W/cm2で放電させて形成することができる。また、第１の層間絶縁膜９３７として酸化窒化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、ＮＨ3から作製される酸化窒化シリコン膜、またはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜で形成すれば良い。この場合の作製条件は反応圧力２０〜２００Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高周波（６０MHz）電力密度０．１〜１．０W/cm2で形成することができる。また、第１の層間絶縁膜９３７としてＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｈ2から作製される酸化窒化水素化シリコン膜を適用しても良い。窒化シリコン膜も同様にプラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3から作製することが可能である。
【０１９９】
そして、それぞれの濃度で添加されたｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を活性化する工程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することができる。熱アニール法では酸素濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜７００℃、代表的には５００〜６００℃で行うものであり、本実施例では５５０℃で４時間の熱処理を行った。また、基板５０１に耐熱温度が低いプラスチック基板を用いる場合にはレーザーアニール法を適用することが好ましい。
【０２００】
活性化の工程に続いて、雰囲気ガスを変化させ、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、半導体層を水素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導体層にある１０16〜１０18/cm3のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。いずれにしても、半導体層９０２〜９０５中の欠陥密度を１０16/cm3以下とすることが望ましく、そのために水素を０．０１〜０．１atomic％程度付与すれば良い。
【０２０１】
そして、有機絶縁物材料からなる第２の層間絶縁膜９３９を１．０〜２．０μｍの平均膜厚で形成する。有機樹脂材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使用することができる。例えば、基板に塗布後、熱重合するタイプのポリイミドを用いる場合には、クリーンオーブンで３００℃で焼成して形成する。また、アクリルを用いる場合には、２液性のものを用い、主材と硬化剤を混合した後、スピナーを用いて基板全面に塗布した後、ホットプレートで８０℃で６０秒の予備加熱を行い、さらにクリーンオーブンで２５０℃で６０分焼成して形成することができる。
【０２０２】
このように、第２の層間絶縁膜９３９を有機絶縁物材料で形成することにより、表面を良好に平坦化させることができる。また、有機樹脂材料は一般に誘電率が低いので、寄生容量を低減できる。しかし、吸湿性があり保護膜としては適さないので、本実施例のように、第１の層間絶縁膜９３７として形成した酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜などと組み合わせて用いると良い。
【０２０３】
その後、所定のパターンのレジストマスクを形成し、それぞれの半導体層に形成されソース領域またはドレイン領域とする不純物領域に達するコンタクトホールを形成する。コンタクトホールはドライエッチング法で形成する。この場合、エッチングガスにＣＦ4、Ｏ2、Ｈｅの混合ガスを用い有機樹脂材料から成る第２の層間絶縁膜９３９をまずエッチングし、その後、続いてエッチングガスをＣＦ4、Ｏ2として第１の層間絶縁膜９３７をエッチングする。さらに、半導体層との選択比を高めるために、エッチングガスをＣＨＦ3に切り替えて第３の形状のゲート絶縁膜５７０をエッチングすることによりコンタクトホールを形成することができる。
【０２０４】
そして、導電性の金属膜をスパッタ法や真空蒸着法で形成し、マスクでパターニングし、その後エッチングすることで、ソース配線９４０〜９４３とドレイン配線９４４〜９４６を形成する。図示していないが、本実施例ではこの配線を、そして、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金膜（ＡｌとＴｉとの合金膜）との積層膜で形成した。
【０２０５】
次いで、その上に透明導電膜を８０〜１２０ｎｍの厚さで形成し、パターニングすることによって画素電極９４７を形成する（図１１（Ａ））。なお、本実施例では、透明電極として酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いる。
【０２０６】
また、画素電極９４７は、ドレイン配線９４６と接して重ねて形成することによってＥＬ駆動用ＴＦＴのドレイン領域と電気的な接続が形成される。
【０２０７】
次に、図１１（Ｂ）に示すように、画素電極９４７に対応する位置に開口部を有する第３の層間絶縁膜９４９を形成する。第３の層間絶縁膜９４９は絶縁性を有していて、バンクとして機能し、隣接する画素のＥＬ層を分離する役割を有している。本実施例ではレジストを用いて第３の層間絶縁膜９４９を形成する。
【０２０８】
本実施例では、第３の層間絶縁膜９４９の厚さを１μｍ程度とし、開口部は画素電極９４７に近くなればなるほど広くなる、所謂逆テーパー状になるように形成する。これはレジストを成膜した後、開口部を形成しようとする部分以外をマスクで覆い、ＵＶ光を照射して露光し、露光された部分を現像液で除去することによって形成される。
【０２０９】
本実施例のように、第３の層間絶縁膜９４９を逆テーパー状にすることで、後の工程においてＥＬ層を成膜した時に、隣り合う画素同士でＥＬ層が分断されるため、ＥＬ層と、第３の層間絶縁膜９４９の熱膨張係数が異なっていても、ＥＬ層がひび割れたり、剥離したりするのを抑えることができる。
【０２１０】
なお、本実施例においては、第３の層間絶縁膜としてレジストでなる膜を用いているが、場合によっては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、酸化珪素膜等を用いることもできる。第３の層間絶縁膜９４９は絶縁性を有する物質であれば、有機物と無機物のどちらでも良い。
【０２１１】
次に、ＥＬ層９５０を蒸着法により形成し、更に蒸着法により陰極（ＭｇＡｇ電極）９５１および保護電極９５２を形成する。このときＥＬ層９５０及び陰極９５１を形成するに先立って画素電極９４７に対して熱処理を施し、水分を完全に除去しておくことが望ましい。なお、本実施例ではＥＬ素子の陰極としてＭｇＡｇ電極を用いるが、公知の他の材料であっても良い。
【０２１２】
なお、ＥＬ層９５０としては、公知の材料を用いることができる。本実施例では正孔輸送層（Hole transporting layer）及び発光層（Emitting layer）でなる２層構造をＥＬ層とするが、正孔注入層、電子注入層若しくは電子輸送層のいずれかを設ける場合もある。このように組み合わせは既に様々な例が報告されており、そのいずれの構成を用いても構わない。
【０２１３】
本実施例では正孔輸送層としてポリフェニレンビニレンを蒸着法により形成する。また、発光層としては、ポリビニルカルバゾールに１，３，４−オキサジアゾール誘導体のＰＢＤを３０〜４０％分子分散させたものを蒸着法により形成し、緑色の発光中心としてクマリン６を約１％添加している。
【０２１４】
また、保護電極９５２でもＥＬ層９５０を水分や酸素から保護することは可能であるが、さらに好ましくは保護膜９５３を設けると良い。本実施例では保護膜９５３として３００ｎｍ厚の窒化珪素膜を設ける。この保護膜も保護電極９５２の後に大気解放しないで連続的に形成しても構わない。
【０２１５】
また、保護電極９５２は陰極９５１の劣化を防ぐために設けられ、アルミニウムを主成分とする金属膜が代表的である。勿論、他の材料でも良い。また、ＥＬ層９５０、陰極９５１は非常に水分に弱いので、保護電極９５２までを大気解放しないで連続的に形成し、外気からＥＬ層を保護することが望ましい。
【０２１６】
なお、ＥＬ層９５０の膜厚は１０〜４００[ｎｍ]（典型的には６０〜１５０[ｎｍ]）、陰極９５１の厚さは８０〜２００[ｎｍ]（典型的には１００〜１５０[ｎｍ]）とすれば良い。
【０２１７】
こうして図１１（Ｂ）に示すような構造の発光装置が完成する。なお、画素電極９４７、ＥＬ層９５０、陰極９５１の重なっている部分９５４がＥＬ素子に相当する。
【０２１８】
ｐチャネル型ＴＦＴ９６０及びｎチャネル型ＴＦＴ９６１は駆動回路が有するＴＦＴであり、ＣＭＯＳを形成している。スイッチング用ＴＦＴ９６２及びＥＬ駆動用ＴＦＴ９６３は画素部が有するＴＦＴであり、駆動回路のＴＦＴと画素部のＴＦＴとは同一基板上に形成することができる。
【０２１９】
なお、ＥＬ素子を用いた発光装置の場合、駆動回路の電源の電圧が５〜６Ｖ程度、最大でも１０Ｖ程度で十分なので、ＴＦＴにおいてホットエレクトロンによる劣化があまり問題にならない。また駆動回路を高速で動作させる必要があるので、ＴＦＴのゲート容量は小さいほうが好ましい。よって、本実施例のように、ＥＬ素子を用いた発光装置の駆動回路では、ＴＦＴの半導体層が有する第２の不純物領域９２９と、第４の不純物領域９３３ｂとが、それぞれゲート電極９１８、９１９と重ならない構成にするのが好ましい。
【０２２０】
本発明の発光装置の作製方法は、本実施例において説明した作製方法に限定されない。本発明の発光装置は公知の方法を用いて作成することが可能である。
【０２２１】
なお本実施例は、実施例１〜４と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例６】
【０２２２】
本実施例では、実施例５とは異なる発光装置の作製方法について説明する。
【０２２３】
第２の層間絶縁膜９３９を形成するまでの工程は、実施例５と同じである。図１２（Ａ）に示すように、第２の層間絶縁膜９３９を形成した後、第２の層間絶縁膜９３９に接するように、パッシベーション膜９３９を形成する。
【０２２４】
パッシベーション膜９３９は、第２の層間絶縁膜９３９に含まれる水分が、画素電極９４７や、第３の層間絶縁膜９８２を介して、ＥＬ層９５０に入るのを防ぐのに効果的である。第２の層間絶縁膜９３９が有機樹脂材料を有している場合、有機樹脂材料は水分を多く含むため、パッシベーション膜９３９を設けることは特に有効である。
【０２２５】
本実施例では、パッシベーション膜９３９として、窒化珪素膜を用いた。
【０２２６】
その後、所定のパターンのレジストマスクを形成し、それぞれの半導体層に形成されソース領域またはドレイン領域とする不純物領域に達するコンタクトホールを形成する。コンタクトホールはドライエッチング法で形成する。この場合、エッチングガスにＣＦ4、Ｏ2、Ｈｅの混合ガスを用い有機樹脂材料から成る第２の層間絶縁膜９３９をまずエッチングし、その後、続いてエッチングガスをＣＦ4、Ｏ2として第１の層間絶縁膜９３７をエッチングする。さらに、半導体層との選択比を高めるために、エッチングガスをＣＨＦ3に切り替えて第３の形状のゲート絶縁膜５７０をエッチングすることによりコンタクトホールを形成することができる。
【０２２７】
そして、導電性の金属膜をスパッタ法や真空蒸着法で形成し、マスクでパターニングし、その後エッチングすることで、ソース配線９４０〜９４３とドレイン配線９４４〜９４６を形成する。図示していないが、本実施例ではこの配線を、そして、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金膜（ＡｌとＴｉとの合金膜）との積層膜で形成した。
【０２２８】
次いで、その上に透明導電膜を８０〜１２０ｎｍの厚さで形成し、パターニングすることによって画素電極９４７を形成する（図１２（Ａ））。なお、本実施例では、透明電極として酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いる。
【０２２９】
また、画素電極９４７は、ドレイン配線９４６と接して重ねて形成することによってＥＬ駆動用ＴＦＴのドレイン領域と電気的な接続が形成される。
【０２３０】
次に、図１２（Ｂ）に示すように、画素電極９４７に対応する位置に開口部を有する第３の層間絶縁膜９８２を形成する。本実施例では、開口部を形成する際、ウエットエッチング法を用いることでテーパー形状の側壁とした。実施例５に示した場合と異なり、第３の層間絶縁膜９８２上に形成されるＥＬ層は分断されないため、開口部の側壁が十分になだらかでないと段差に起因するＥＬ層の劣化が顕著な問題となってしまうため、注意が必要である。
【０２３１】
なお、本実施例においては、第３の層間絶縁膜９８２として酸化珪素でなる膜を用いているが、場合によっては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）といった有機樹脂膜を用いることもできる。
【０２３２】
そして、第３の層間絶縁膜９８２上にＥＬ層９５０を形成する前に、第３の層間絶縁膜９８２の表面にアルゴンを用いたプラズマ処理を施し、第３の層間絶縁膜９８２の表面を緻密化しておくのが好ましい。上記構成によって、第３の層間絶縁膜９８２からＥＬ層９５０に水分が入るのを防ぐことができる。
【０２３３】
次に、ＥＬ層９５０を蒸着法により形成し、更に蒸着法により陰極（ＭｇＡｇ電極）９５１および保護電極９５２を形成する。このときＥＬ層９５０及び陰極９５１を形成するに先立って画素電極９４７に対して熱処理を施し、水分を完全に除去しておくことが望ましい。なお、本実施例ではＥＬ素子の陰極としてＭｇＡｇ電極を用いるが、公知の他の材料であっても良い。
【０２３４】
なお、ＥＬ層９５０としては、公知の材料を用いることができる。本実施例では正孔輸送層（Hole transporting layer）及び発光層（Emitting layer）でなる２層構造をＥＬ層とするが、正孔注入層、電子注入層若しくは電子輸送層のいずれかを設ける場合もある。このように組み合わせは既に様々な例が報告されており、そのいずれの構成を用いても構わない。
【０２３５】
本実施例では正孔輸送層としてポリフェニレンビニレンを蒸着法により形成する。また、発光層としては、ポリビニルカルバゾールに１，３，４−オキサジアゾール誘導体のＰＢＤを３０〜４０％分子分散させたものを蒸着法により形成し、緑色の発光中心としてクマリン６を約１％添加している。
【０２３６】
また、保護電極９５２でもＥＬ層９５０を水分や酸素から保護することは可能であるが、さらに好ましくは保護膜９５３を設けると良い。本実施例では保護膜９５３として３００ｎｍ厚の窒化珪素膜を設ける。この保護膜も保護電極９５２の後に大気解放しないで連続的に形成しても構わない。
【０２３７】
また、保護電極９５２は陰極９５１の劣化を防ぐために設けられ、アルミニウムを主成分とする金属膜が代表的である。勿論、他の材料でも良い。また、ＥＬ層９５０、陰極９５１は非常に水分に弱いので、保護電極９５２までを大気解放しないで連続的に形成し、外気からＥＬ層を保護することが望ましい。
【０２３８】
なお、ＥＬ層９５０の膜厚は１０〜４００[ｎｍ]（典型的には６０〜１５０[ｎｍ]）、陰極９５１の厚さは８０〜２００[ｎｍ]（典型的には１００〜１５０[ｎｍ]）とすれば良い。
【０２３９】
こうして図１２（Ｂ）に示すような構造の発光装置が完成する。なお、画素電極９４７、ＥＬ層９５０、陰極９５１の重なっている部分９５４がＥＬ素子に相当する。
【０２４０】
ｐチャネル型ＴＦＴ９６０及びｎチャネル型ＴＦＴ９６１は駆動回路が有するＴＦＴであり、ＣＭＯＳを形成している。スイッチング用ＴＦＴ９６２及びＥＬ駆動用ＴＦＴ９６３は画素部が有するＴＦＴであり、駆動回路のＴＦＴと画素部のＴＦＴとは同一基板上に形成することができる。
【０２４１】
本発明の発光装置の作製方法は、本実施例において説明した作製方法に限定されない。本発明の発光装置は公知の方法を用いて作成することが可能である。
【０２４２】
なお本実施例は、実施例１〜４と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例７】
【０２４３】
本実施例では、実施の形態１で示した本発明の発光装置の構成について、図１３を用いて説明する。
【０２４４】
図１３（Ａ）は、本発明の発光装置が有するＥＬパネルの上面図であり、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図、図１３（Ｃ）は図１３（Ａ）のＢ−Ｂ’における断面図である。
【０２４５】
基板４００１上に設けられた画素部４００２と、ソース信号線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲート信号線駆動回路４００４ａ、ｂとを囲むようにして、シール材４００９が設けられている。また画素部４００２と、ソース信号線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲート信号線駆動回路４００４ａ、ｂとの上にシーリング材４００８が設けられている。よって画素部４００２と、ソース信号線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲート信号線駆動回路４００４ａ、ｂとは、基板４００１とシール材４００９とシーリング材４００８とによって、充填材４２１０で密封されている。
【０２４６】
また基板４００１上に設けられた画素部４００２と、ソース信号線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲート信号線駆動回路４００４ａ、ｂとは、複数のＴＦＴを有している。図１３（Ｂ）では代表的に、下地膜４０１０上に形成された、ソース信号線駆動回路４００３に含まれる駆動ＴＦＴ（但し、ここではｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴを図示する）４２０１及び画素部４００２に含まれるＥＬ駆動用ＴＦＴ（ＥＬ素子への電流を制御するＴＦＴ）４２０２を図示した。
【０２４７】
本実施例では、駆動ＴＦＴ４２０１には公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴまたはｎチャネル型ＴＦＴが用いられ、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２には公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴが用いられる。また、画素部４００２にはＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２のゲートに接続された保持容量（図示せず）が設けられる。
【０２４８】
駆動ＴＦＴ４２０１及びＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２上には層間絶縁膜（平坦化膜）４３０１が形成され、その上にＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２のドレインと電気的に接続する画素電極（陽極）４２０３が形成される。画素電極４２０３としては仕事関数の大きい透明導電膜が用いられる。透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。また、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いても良い。
【０２４９】
そして、画素電極４２０３の上には絶縁膜４３０２が形成され、絶縁膜４３０２は画素電極４２０３の上に開口部が形成されている。この開口部において、画素電極４２０３の上にはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層４２０４が形成される。ＥＬ層４２０４は公知の有機ＥＬ材料または無機ＥＬ材料を用いることができる。また、有機ＥＬ材料には低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料があるがどちらを用いても良い。
【０２５０】
ＥＬ層４２０４の形成方法は公知の蒸着技術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、ＥＬ層の構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層または電子注入層を自由に組み合わせて積層構造または単層構造とすれば良い。
【０２５１】
ＥＬ層４２０４の上には遮光性を有する導電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主成分とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜）からなる陰極４２０５が形成される。また、陰極４２０５とＥＬ層４２０４の界面に存在する水分や酸素は極力排除しておくことが望ましい。従って、ＥＬ層４２０４を窒素または希ガス雰囲気で形成し、酸素や水分に触れさせないまま陰極４２０５を形成するといった工夫が必要である。本実施例ではマルチチャンバー方式（クラスターツール方式）の成膜装置を用いることで上述のような成膜を可能とする。そして陰極４２０５は所定の電圧が与えられている。
【０２５２】
以上のようにして、画素電極（陽極）４２０３、ＥＬ層４２０４及び陰極４２０５からなるＥＬ素子４３０３が形成される。そしてＥＬ素子４３０３を覆うように、絶縁膜４３０２上に保護膜４３０３が形成されている。保護膜４３０３は、ＥＬ素子４３０３に酸素や水分等が入り込むのを防ぐのに効果的である。
【０２５３】
４００５ａは電源供給線または対向電源線に接続された引き回し配線であり、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２のソース領域に電気的に接続されている。引き回し配線４００５ａはシール材４００９と基板４００１との間を通り、異方導電性フィルム４３００を介してＦＰＣ４００６が有するＦＰＣ用配線４３０１に電気的に接続される。電源供給線または対向電源線は、引き回し配線４００５ａ及びＦＰＣ４００６を介して、ＥＬパネルの外部に設けられた電源回路に接続されている。
【０２５４】
シーリング材４００８としては、ガラス材、金属材（代表的にはステンレス材）、セラミックス材、プラスチック材（プラスチックフィルムも含む）を用いることができる。プラスチック材としては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）
フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【０２５５】
但し、ＥＬ素子からの光の放射方向がカバー材側に向かう場合にはカバー材は透明でなければならない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透明物質を用いる。
【０２５６】
また、充填材４１０３としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることができる。本実施例では充填材として窒素を用いた。
【０２５７】
また充填材４１０３を吸湿性物質（好ましくは酸化バリウム）もしくは酸素を吸着しうる物質にさらしておくために、シーリング材４００８の基板４００１側の面に凹部４００７を設けて吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質４２０７を配置する。そして、吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質４２０７が飛び散らないように、凹部カバー材４２０８によって吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質４２０７は凹部４００７に保持されている。なお凹部カバー材４２０８は目の細かいメッシュ状になっており、空気や水分は通し、吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質４２０７は通さない構成になっている。吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質４２０７を設けることで、ＥＬ素子４３０３の劣化を抑制できる。
【０２５８】
図１３（Ｃ）に示すように、画素電極４２０３が形成されると同時に、引き回し配線４００５ａ上に接するように導電性膜４２０３ａが形成される。
【０２５９】
また、異方導電性フィルム４３００は導電性フィラー４３００ａを有している。基板４００１とＦＰＣ４００６とを熱圧着することで、基板４００１上の導電性膜４２０３ａとＦＰＣ４００６上のＦＰＣ用配線４３０１とが、導電性フィラー４３００ａによって電気的に接続される。
【０２６０】
本実施例は、実施例１〜７の構成と、自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例８】
【０２６１】
本発明において、三重項励起子からの燐光を発光に利用できるＥＬ材料を用いることで、外部発光量子効率を飛躍的に向上させることができる。これにより、ＥＬ素子の低消費電力化、長寿命化、および軽量化が可能になる。
【０２６２】
ここで、三重項励起子を利用し、外部発光量子効率を向上させた報告を示す。
(T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized Molecular Systems, ed.K.Honda, (Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437.)
【０２６３】
上記の論文により報告されたＥＬ材料（クマリン色素）の分子式を以下に示す。
【０２６４】
【化１】
【０２６５】
(M.A.Baldo, D.F.O'Brien, Y.You, A.Shoustikov, S.Sibley, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Nature 395 (1998) p.151.)
【０２６６】
上記の論文により報告されたＥＬ材料（Ｐｔ錯体）の分子式を以下に示す。
【０２６７】
【化２】
【０２６８】
(M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrrows, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.,75 (1999) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamura, T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Mayaguchi, Jpn.Appl.Phys., 38 (12B) (1999) L1502.)
【０２６９】
上記の論文により報告されたＥＬ材料（Ｉｒ錯体）の分子式を以下に示す。
【０２７０】
【化３】
【０２７１】
以上のように三重項励起子からの燐光発光を利用できれば原理的には一重項励起子からの蛍光発光を用いる場合より３〜４倍の高い外部発光量子効率の実現が可能となる。
【０２７２】
なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施例８のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例９】
【０２７３】
ＥＬ素子を用いた発光装置は自発光型であるため、液晶表示装置に比べ、明るい場所での視認性に優れ、視野角が広い。従って、様々な電子機器の表示部に用いることができる。
【０２７４】
本発明の発光装置を用いた電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ：Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、斜め方向から画面を見る機会が多い携帯情報端末は、視野角の広さが重要視されるため、発光装置を用いることが望ましい。それら電子機器の具体例を図１５に示す。
【０２７５】
図１５（Ａ）はＥＬ表示装置であり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明の発光装置は表示部２００３に用いることができる。発光装置は自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶表示装置よりも薄い表示部とすることができる。なお、ＥＬ表示装置は、パソコン用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。
【０２７６】
図１５（Ｂ）はデジタルスチルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッター２１０６等を含む。本発明の発光装置は表示部２１０２に用いることができる。
【０２７７】
図１５（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明の発光装置は表示部２２０３に用いることができる。
【０２７８】
図１５（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明の発光装置は表示部２３０２に用いることができる。
【０２７９】
図１５（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示するが、本発明の発光装置はこれら表示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
【０２８０】
図１５（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明の発光装置は表示部２５０２に用いることができる。
【０２８１】
図１５（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９等を含む。本発明の発光装置は表示部２６０２に用いることができる。
【０２８２】
ここで図１５（Ｈ）は携帯電話であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本発明の発光装置は表示部２７０３に用いることができる。なお、表示部２７０３は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
【０２８３】
なお、将来的にＥＬ材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。
【０２８４】
また、上記電子機器はインターネットやＣＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。ＥＬ材料の応答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。
【０２８５】
また、発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。
【０２８６】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜９に示したいずれの構成の発光装置を用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【０２８７】
【図１】本発明の発光装置のブロック図。
【図２】本発明の発光装置の画素の回路図と、タイミングチャート。
【図３】本発明の発光装置のブロック図。
【図４】本発明の発光装置の画素の回路図と、タイミングチャート。
【図５】本発明の発光装置のタイミングチャート。
【図６】第１及び第２デジタルビデオ信号を生成する回路群。
【図７】第１及び第２デジタルビデオ信号を生成する回路群。
【図８】駆動回路の構成を示す図。
【図９】本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図１０】本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図１１】本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図１２】本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図１３】本発明の発光装置が有するＥＬパネルの上面図及び断面図。
【図１４】一般的な発光装置の画素の回路図と、タイミングチャート。
【図１５】本発明の発光装置を用いた電子機器。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に形成されたＥＬ素子を、該基板とカバー材の間に封入したＥＬパネルに関する。また、該ＥＬパネルにＩＣを実装したＥＬモジュールに関する。なお本明細書において、ＥＬパネル及びＥＬモジュールを発光装置と総称する。本発明はさらに、該駆動方法によって表示を行う発光装置を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＬ素子は、自ら発光するため視認性が高く、液晶表示装置（ＬＣＤ）で必要なバックライトが要らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が無い。そのため、近年、ＥＬ素子を用いた発光装置はＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。
【０００３】
ＥＬ素子は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Electro Luminescence）が得られる有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）と、陽極層と、陰極層とを有する。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明の発光装置では、どちらの発光を用いていても良い。
【０００４】
なお、本明細書では、陽極と陰極の間に形成された全ての層をＥＬ層と定義する。ＥＬ層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的にＥＬ素子は、陽極／発光層／陰極が順に積層された構造を有しており、この構造に加えて、陽極／正孔注入層／発光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極等の順に積層した構造を有していることもある。
【０００５】
本明細書中では、陽極、ＥＬ層及び陰極で形成される発光素子をＥＬ素子と呼ぶ。また本明細書において、ＥＬ素子が発光することを、ＥＬ素子が駆動すると呼ぶ。
【０００６】
発光装置が有する画素部には、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘ、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙ、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘ及び複数の画素が設けられている。図１４（Ａ）に、一般的な発光装置の画素９００４の回路図を示す。画素９００４は、ソース信号線Ｓｉ（Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１つ）と、電源供給線Ｖｉ（Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つ）と、ゲート信号線Ｇｊ（Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つ）とを有している。
【０００７】
また画素９００４はスイッチング用ＴＦＴ９００８とＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９とを有している。スイッチング用ＴＦＴ９００８のゲート電極は、ゲート信号線Ｇｊに接続されている。スイッチング用ＴＦＴ９００８のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線Ｓｉに、もう一方がＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９のゲート電極にそれぞれ接続されている。
【０００８】
また、ＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９のソース領域は電源供給線Ｖｉに接続され、ドレイン領域はＥＬ素子９０１１に接続される。
【０００９】
ＥＬ素子９０１１は陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられたＥＬ層とからなる。陽極がＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９のドレイン領域と接続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に陰極がＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９のドレイン領域と接続している場合、陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。
【００１０】
全ての電源供給線Ｖ１〜Ｖｘには電源電位が与えられている。また全ての画素が有するＥＬ素子９０１１の対向電極には対向電位が与えられている。電源電位と対向電位は、表示装置の外付けのＩＣに設けられた電源９００５によって与えられる。
【００１１】
次に、図１５（Ａ）に示した画素の動作について説明する。時分割階調表示を行う場合、発光装置の動作は、書き込み期間と、表示期間とに分けて説明することができる。
【００１２】
書き込み期間において、ゲート信号線Ｇｊに入力された選択信号によって、スイッチング用ＴＦＴ９００８がオンになり、ソース信号線Ｓｉに入力された画像情報を有するデジタル信号（以下、デジタルビデオ信号と呼ぶ）が、スイッチング用ＴＦＴ９００８を介してＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９のゲート電極に入力される。なお本明細書において、デジタルビデオ信号がスイッチング用ＴＦＴ９００８を介してＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９のゲート電極に入力されることを、画素にデジタルビデオ信号が入力されるという。
【００１３】
ＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９のゲート電極に入力されたデジタルビデオ信号が有する、１または０の情報によって、ＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９のスイッチングが制御される。
【００１４】
ＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９がオフになる場合、電源供給線Ｖｉの電位がＥＬ素子９０１１の有する画素電極に与えられない。また、ＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９がオンになる場合、電源供給線Ｖｉの電位がＥＬ素子９０１１の有する画素電極に与えられる。
【００１５】
そして全ての画素にデジタルビデオ信号が入力されるまで、切り替えスイッチはオフになっており、対向電位は電源電位と同じ高さになっている。
【００１６】
全ての画素にデジタルビデオ信号が入力されると、書き込み期間が終了し、表示期間が開始される。表示期間において、切り替えスイッチはオンになり、電源９００５によって、対向電位が電源電位と電位差を有する高さになる。ＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９がオンの場合、この電位差はＥＬ素子９０１１の画素電極と対向電極の間にかかり、ＥＬ素子９０１１は発光する。なおこのときの対向電位と電源電位の電位差は、ＥＬ素子が発光する程度の大きさであることが必要である。
【００１７】
逆にＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９がオフの場合、ＥＬ素子９００９の画素電極は対向電位と同じ高さに保たれるので、ＥＬ素子９０１１は発光しない。なお、本明細書においては、ＥＬ素子９０１１の画素電極と対向電極の間の電位差をＥＬ駆動電圧と呼ぶ。
【００１８】
書き込み期間と表示期間を合わせてサブフレーム期間と呼ぶ。１フレーム期間内に、デジタルビデオ信号の各ビットに対応した複数のサブフレーム期間が設けられている。
【００１９】
図１４（Ｂ）に、５ビットのデジタルビデオ信号に対応するサブフレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦ５）の出現するタイミングを示す。横軸は時間を示しており、縦軸はＥＬ駆動電圧を示している。なお説明を簡便にするために、図１４（Ｂ）では、各ビットのデジタルビデオ信号によってＥＬ駆動用ＴＦＴ９００９が常にオンになっている場合について示している。
【００２０】
各サブフレーム期間の書き込み期間において、ＥＬ駆動電圧は０であるため、ＥＬ素子９０１１は発光しない。各サブフレーム期間の表示期間において、ＥＬ駆動電圧の絶対値が０よりも大きくなり、ＥＬ素子９０１１は発光する。
【００２１】
そして、においてＥＬ駆動電圧は常に一定である。切り替えスイッチ９００６がオンのときのＥＬ駆動電圧は常に同じ大きさに保たれている。
【００２２】
ＥＬ素子９０１１が発光する期間の長さを制御することで、所望の階調を表示することが可能になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
ところで、未知の対象物の画像、例えば、防犯や立入禁止区域への不法侵入者の検知のために設けられた監視カメラの画像、また個人を照合するために撮影した顔や指紋の画像、医療分野において、放射線、荷電粒子、電磁波等により得られる生体内の器官の画像等、を発光装置に表示することで対象物を認識する場合、より鮮明な画像を表示することが求められる。
【００２４】
しかし、いくら発光装置の性能が向上して、より鮮明な画像を表示することが可能になっても、発光装置に入力されるビデオ信号が情報として有する画像自体が全体的に暗かったり、不鮮明であれば、鮮明な画像を表示することができず、対象物の認識が難しくなる。
【００２５】
上述した問題に鑑み、本発明は、発光装置に入力されるビデオ信号が情報として有する画像自体が全体的に暗かったり、不鮮明であっても、対象物の認識を容易にすることができる発光装置の考案を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明では、１フレーム期間内の少なくとも１つの表示期間において、画素電極と対向電極の間に印加されるＥＬ駆動電圧の絶対値を、一時的に大きくして、ＥＬ素子の輝度を高くした。つまり、全ての表示期間における電源電位と対向電位の電位差を常に一定に保つのではなく、少なくとも１つの表示期間内のある一定の期間（強発光期間）において、電源電位と対向電位の電位差の絶対値を他の期間に比べて大きくし、ＥＬ素子の輝度が高くなるようにした。
【００２７】
上記構成によって、発光装置に入力されるビデオ信号が情報として有する画像自体が全体的に暗くても、実際に表示される画像が明るくなるので、対象物の認識を容易にすることができる。
【００２８】
また、ある画素が表示する階調が、ある一定の階調より明るいときに、該画素のＥＬ素子に印加されるＥＬ駆動電圧の絶対値を大きくし、ＥＬ素子の輝度を高くしても良い。上記構成により、明るい階調を表示する画素はより明るくなり、画像のコントラストが大きくなって、画像が鮮明になり、対象物の認識を容易にすることができる。
【００２９】
また、各画素に入力されるデジタルビデオ信号から、隣接する画素に比べて階調が大きく異なる画素を特定することにより、対象物の輪郭を検出し、画像の輪郭の部分の画素においてのみコントラストを大きくしても良い。上記構成によって、画像の輪郭が抽出され、画像が鮮明になり、対象物の認識を容易にすることができる。
【００３０】
以下に、本発明の構成を示す。
【００３１】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 １フレーム期間において、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高いことを特徴とする発光装置が提供される。
【００３２】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 １フレーム期間に複数のサブフレーム期間が設けられており、 前記複数のサブフレーム期間の少なくとも１つのサブフレーム期間において、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高いことを特徴とする発光装置が提供される。
【００３３】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記画素電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位の高さを変えることで、１フレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置が提供される。
【００３４】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 １フレーム期間に複数のサブフレーム期間が設けられており、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記画素電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位の高さを変えることで、前記複数のサブフレーム期間の少なくとも１つのサブフレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置が提供される。
【００３５】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記画素電極に与えられる電位の高さを変えることで、１フレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置が提供される。
【００３６】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 １フレーム期間に複数のサブフレーム期間が設けられており、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記画素電極に与えられる電位の高さを変えることで、前記複数のサブフレーム期間の少なくとも１つのサブフレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置が提供される。
【００３７】
本発明によって、 ＥＬ素子、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ及び第２ＥＬ駆動用ＴＦＴを有する複数の画素と、第１の電源と、第２の電源とが設けられた発光装置であって、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに、前記第１ＥＬ駆動用ＴＦＴを介して前記第１の電源から前記画素電極に電位を与えるか、前記第２ＥＬ駆動用ＴＦＴを介して前記第２の電源から前記画素電極に電位を与えるかを選択して、前記画素電極に与えられる電位の高さを変えることで、１フレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置が提供される。
【００３８】
本発明によって、 ＥＬ素子、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ及び第２ＥＬ駆動用ＴＦＴを有する複数の画素と、第１の電源と、第２の電源とが設けられた発光装置であって、 １フレーム期間に複数のサブフレーム期間が設けられており、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに、前記第１ＥＬ駆動用ＴＦＴを介して前記第１の電源から前記画素電極に電位を与えるか、前記第２ＥＬ駆動用ＴＦＴを介して前記第２の電源から前記画素電極に電位を与えるかを選択して、前記画素電極に与えられる電位の高さを変えることで、前記複数のサブフレーム期間の少なくとも１つのサブフレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置が提供される。
【００３９】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 第１のモードまたは第２のモードで動作しており、 前記第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、 前記第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くなっていることを特徴とする発光装置が提供される。
【００４０】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 第１のモードまたは第２のモードで動作しており、 前記第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、 前記第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くなっており、 前記複数の画素のうち、表示する階調が一定の階調より暗い画素では第１のモードで動作し、 前記複数の画素のうち、表示する階調が一定の階調より明るい画素では第２のモードで動作することを特徴とする発光装置が提供される。
【００４１】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置であって、 第１のモードまたは第２のモードで動作しており、 前記第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、 前記第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くなっており、 前記複数の画素のうち、隣接する画素に比べて、表示する階調が一定の値以上明るい画素のみ第２のモードで動作し、 前記複数の画素のうち、隣接する画素に比べて、表示する階調が一定の値以上明るい画素以外の画素は第１のモードで動作することを特徴とする発光装置が提供される。
【００４２】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 １フレーム期間において、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高いことを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００４３】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 １フレーム期間に複数のサブフレーム期間が設けられており、 前記複数のサブフレーム期間の少なくとも１つのサブフレーム期間において、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高いことを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００４４】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記画素電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位の高さを変えることで、１フレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００４５】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 １フレーム期間に複数のサブフレーム期間が設けられており、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記画素電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位の高さを変えることで、前記複数のサブフレーム期間の少なくとも１つのサブフレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００４６】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記画素電極に与えられる電位の高さを変えることで、１フレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００４７】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 １フレーム期間に複数のサブフレーム期間が設けられており、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記画素電極に与えられる電位の高さを変えることで、前記複数のサブフレーム期間の少なくとも１つのサブフレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００４８】
本発明によって、 ＥＬ素子、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ及び第２ＥＬ駆動用ＴＦＴを有する複数の画素と、第１の電源と、第２の電源とが設けられた発光装置の駆動方法であって、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに、前記第１ＥＬ駆動用ＴＦＴを介して前記第１の電源から前記画素電極に電位を与えるか、前記第２ＥＬ駆動用ＴＦＴを介して前記第２の電源から前記画素電極に電位を与えるかを選択して、前記画素電極に与えられる電位の高さを変えることで、１フレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００４９】
本発明によって、 ＥＬ素子、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ及び第２ＥＬ駆動用ＴＦＴを有する複数の画素と、第１の電源と、第２の電源とが設けられた発光装置の駆動方法であって、 １フレーム期間に複数のサブフレーム期間が設けられており、 前記ＥＬ素子は画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有し、 前記ＥＬ素子が発光しているときに前記対向電極に与えられる電位は常に一定であり、 前記ＥＬ素子が発光しているときに、前記第１ＥＬ駆動用ＴＦＴを介して前記第１の電源から前記画素電極に電位を与えるか、前記第２ＥＬ駆動用ＴＦＴを介して前記第２の電源から前記画素電極に電位を与えるかを選択して、前記画素電極に与えられる電位の高さを変えることで、前記複数のサブフレーム期間の少なくとも１つのサブフレーム期間において、所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くすることを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００５０】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 第１のモードまたは第２のモードで動作しており、 前記第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、 前記第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くなっていることを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００５１】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 第１のモードまたは第２のモードで動作しており、 前記第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、 前記第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くなっており、 前記複数の画素のうち、表示する階調が一定の階調より暗い画素では第１のモードで動作し、 前記複数の画素のうち、表示する階調が一定の階調より明るい画素では第２のモードで動作することを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【００５２】
本発明によって、 ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、 第１のモードまたは第２のモードで動作しており、 前記第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、 前記第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間以外の期間における前記複数のＥＬ素子の輝度に比べて高くなっており、 前記複数の画素のうち、隣接する画素に比べて、表示する階調が一定の値以上明るい画素のみ第２のモードで動作し、 前記複数の画素のうち、隣接する画素に比べて、表示する階調が一定の値以上明るい画素以外の画素は第１のモードで動作することを特徴とする発光装置の駆動方法が提供される。
【発明の効果】
【００５３】
本発明は上記構成によって、発光装置に入力されるビデオ信号が情報として有する画像自体が全体的に暗くても、実際に表示される画像が明るくなるので、対象物の認識を容易にすることができる。
【００５４】
また、ある画素が表示する階調が、ある一定の階調より明るいときに、該画素のＥＬ素子に印加されるＥＬ駆動電圧の絶対値を大きくし、ＥＬ素子の輝度を高くしても良い。上記構成により、明るい階調を表示する画素はより明るくなり、画像のコントラストが大きくなって、画像が鮮明になり、対象物の認識を容易にすることができる。
【００５５】
また、各画素に入力されるデジタルビデオ信号から、隣接する画素に比べて階調が大きく異なる画素を特定することにより、対象物の輪郭を検出し、画像の輪郭の部分の画素においてのみコントラストを大きくしても良い。上記構成によって、画像の輪郭が抽出され、画像が鮮明になり、対象物の認識を容易にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５６】
（実施の形態１）
以下に、本発明の構成について説明する。図１に本実施の形態の発光装置のブロック図を示す。
【００５７】
ＥＬパネル１００は、画素部１０１と、ソース信号線駆動回路１０２と、ゲート信号線駆動回路１０３とを有している。画素部１０１にはソース信号線Ｓ１〜Ｓｘと、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘと、対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙとが設けられている。なお、対向電源線の数は必ずしもゲート信号線と同じ数であるとは限らず、また電源供給線の数も、必ずしもソース信号線と同じ数であるとは限らない。
【００５８】
ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘの少なくとも１つと、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙの少なくとも１つと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘの少なくとも１つと、対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙの少なくとも１つを有する領域が、画素１０４に相当する。よって、画素部１０１には複数の画素１０４がマトリクス上に設けられている。
【００５９】
１０５は電源回路であり、電源Ａ（第１の電源）１０６と電源Ｂ（第２の電源）１０７の２つの電源が設けられている。電源Ａ１０６と電源Ｂ１０７によって、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘは常に一定の電位（電源電位）に保たれている。
【００６０】
また電源回路１０５は選択スイッチＡ１０８と、選択スイッチＢ１０９と、切り替えスイッチ１１０とを有している。切り替えスイッチ１１０は対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに電源Ａ１０６または電源Ｂ１０７によって電位を与えるか否かを選択するスイッチである。
【００６１】
また選択スイッチＡ１０８と選択スイッチＢ１０９は、一方がオンのときにもう一方がオフになる。切り替えスイッチ１１０がオンで、なおかつ選択スイッチＡ１０８がオンのとき、選択スイッチＡ１０８及び切り替えスイッチ１１０を介して、電源Ａ１０６から電位（非強調時電位）が対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えられる。逆に、切り替えスイッチ１１０がオンで、なおかつ選択スイッチＢ１０９がオンのとき、選択スイッチＢ１０９及び切り替えスイッチ１１０を介して、電源Ｂ１０７から電位（強調時電位）が対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えられる。
【００６２】
なお、本実施の形態では、ソース信号線駆動回路１０２とゲート信号線駆動回路１０３と、画素部１０１とが同じ基板上に形成され、電源回路１０５がＩＣチップ上に形成され、互いにＦＰＣ等のコネクターを介して接続されているが、本発明はこの構成に限定されない。ソース信号線駆動回路１０２と、ゲート信号線駆動回路１０３とは、画素部１０１と同じ基板上に形成されていなくとも良く、電源回路１０５と同じ基板上に形成されていても良い。また、電源回路１０５が有する選択スイッチＡ１０８と、選択スイッチＢ１０９と、切り替えスイッチ１１０とは、必ずしもＩＣチップ上に形成する必要はなく、画素部１０１と同じ基板上に形成しても良い。
【００６３】
図２（Ａ）に画素１０４の詳しい構成を示す。画素１０４は、ソース信号線Ｓｉ（Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１つ）と、電源供給線Ｖｉ（Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つ）と、ゲート信号線Ｇｊ（Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つ）と、対向電源線Ｖｅｊ（Ｖｅ１〜Ｖｅｙのいずれか１つ）とを有している。
【００６４】
また画素１０４はスイッチング用ＴＦＴ１１１とＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２とを有している。スイッチング用ＴＦＴ１１１のゲート電極は、ゲート信号線Ｇｊに接続されている。スイッチング用ＴＦＴ１１１のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線Ｓｉに、もう一方がＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２のゲート電極にそれぞれ接続されている。
【００６５】
また、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２のソース領域とドレイン領域は、一方は電源供給線Ｖｉに接続され、もう一方はＥＬ素子１１３に接続される。
【００６６】
ＥＬ素子１１３は陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられたＥＬ層とからなる。陽極がＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２のソース領域またはドレイン領域と接続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に陰極がＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２のソース領域またはドレイン領域と接続している場合、陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。
【００６７】
全ての電源供給線Ｖ１〜Ｖｘには、電源Ａ１０６及び電源Ｂ１０７によって一定の電源電位が与えられている。また全ての画素が有するＥＬ素子１１３の対向電極は、対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙのいずれかに接続されている。切り替えスイッチ１１０と、選択スイッチＡ１０８とがオンのとき、全ての対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに、電源Ａ１０６によって非強調時電位が与えられ、切り替えスイッチ１１０と、選択スイッチＢ１０９とがオンのとき、全ての対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに、電源Ｂ１０７によって強調時電位が与えられる。
【００６８】
次に、図１及び図２（Ａ）に示した本発明の発光装置の動作について説明する。時分割階調表示を行う場合、本発明の発光装置の動作は、書き込み期間と、表示期間とに分けて説明することができる。
【００６９】
書き込み期間において、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙが順に選択信号によって選択され、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに入力されたデジタルビデオ信号が各画素に入力される。なお本明細書において信号線が選択されるとは、該信号線にゲート電極が接続された全てのＴＦＴがオンになることを意味する。また、本明細書において画素にデジタルビデオ信号が入力されるというのは、デジタルビデオ信号が該画素の有するスイッチング用ＴＦＴを介して、ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に入力されることを意味する。
【００７０】
ここで、画素の詳しい動作について、図２（Ａ）に示した画素を例にとって説明する。
【００７１】
ゲート信号線Ｇｊに入力された選択信号によって、スイッチング用ＴＦＴ１１１がオンになり、ソース信号線Ｓｉに入力された画像情報を有するデジタル信号（以下、デジタルビデオ信号と呼ぶ）が、スイッチング用ＴＦＴ１１１を介してＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２のゲート電極に入力される。
【００７２】
ＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２のゲート電極に入力されたデジタルビデオ信号が有する、１または０の情報によって、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２のスイッチングが制御される。
【００７３】
ＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２がオフになる場合、電源供給線Ｖｉの電源電位は、ＥＬ素子１１３の有する画素電極に与えられない。また、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２がオンになる場合、電源供給線Ｖｉの電源電位は、ＥＬ素子１１３の有する画素電極に与えられる。
【００７４】
そして全ての画素にデジタルビデオ信号が入力されるまで切り替えスイッチはオフになっており、ＥＬ素子１１３の画素電極と対向電極は、同じ高さの電位に保たれている。
【００７５】
全ての画素にデジタルビデオ信号が入力されると、書き込み期間が終了し、表示期間が開始される。表示期間において、切り替えスイッチ１１０はオンになる。
【００７６】
そして、切り替えスイッチ１１０と、選択スイッチＡ１０８または選択スイッチＢ１０９とを介して、強調時電位または非強調時電位が全ての対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えられる。
【００７７】
電源電位と強調時電位、また電源電位と非強調時電位は、それぞれ電位差を有している。
【００７８】
ＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２がオンの場合、この電位差はＥＬ素子１１３の画素電極と対向電極の間にかかり、ＥＬ素子１１３は発光する。本実施の形態では、強調時電位が対向電極に与えられたときの、ＥＬ素子１１３の画素電極と対向電極の間の電位差を強調時ＥＬ駆動電圧Ｖａと呼ぶ。また、本実施の形態では、非強調時電位が対向電極に与えられたときの、ＥＬ素子１１３の画素電極と対向電極の間の電位差を非強調時ＥＬ駆動電圧Ｖｂと呼ぶ。なお、本明細書では、強調時ＥＬ駆動電圧と、非強調時ＥＬ駆動電圧とを総称してＥＬ駆動電圧と呼ぶ。
【００７９】
強調時ＥＬ駆動電圧によってＥＬ素子１１３が発光したときの輝度と、非強調時ＥＬ駆動電圧によってＥＬ素子１１３が発光したときの輝度では、前者のほうが高い。なお、以下本明細書において、強調時ＥＬ駆動電圧によってＥＬ素子が発光することを、ＥＬ素子が強発光すると呼び、非強調時ＥＬ駆動電圧によってＥＬ素子が発光することを、ＥＬ素子が通常発光すると呼ぶ。
【００８０】
一方、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２がオフの場合、ＥＬ素子１１３の画素電極は対向電極の電位と同じ高さに保たれるので、ＥＬ素子１１３は発光しない。
【００８１】
書き込み期間と表示期間を合わせてサブフレーム期間ＳＦと呼ぶ。１フレーム期間内に、デジタルビデオ信号の各ビットに対応した複数のサブフレーム期間が設けられている。
【００８２】
図２（Ｂ）に、本発明の発光装置を５ビットのデジタルビデオ信号で駆動させた場合において、サブフレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦ５）の出現するタイミングを示す。横軸は時間を示しており、縦軸はＥＬ駆動電圧を示している。なお説明を簡便にするために、図２（Ｂ）では、各ビットのデジタルビデオ信号によってＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２が常にオンになっている場合について示している。また、図２（Ｂ）では５ビットのデジタルビデオ信号で駆動させた場合について説明しているが、本発明はこのビット数に限定されない。
【００８３】
ＳＦ１〜ＳＦ５の各サブフレーム期間の書き込み期間において、ＥＬ駆動電圧は０であるため、ＥＬ素子１１３は発光しない。ＳＦ１〜ＳＦ５の各サブフレーム期間の表示期間において、ＥＬ駆動電圧の絶対値が０よりも大きくなり、ＥＬ素子１１３は発光する。
【００８４】
本実施の形態では、５ビット目のデジタルビデオ信号に対応するサブフレーム期間ＳＦ５の表示期間の一部においてのみ、選択スイッチＡ１０８をオン、選択スイッチＢ１０９をオフにして、電源Ａ１０６により強調時電位を対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えている。強調時電位が対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えられると、オンのＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２を介して強調時電位が画素電極に与えられる。その結果、ＥＬ素子１１３に強調時ＥＬ駆動電圧が印加され、ＥＬ素子１１３が強発光する。なお、ＥＬ素子が強発光している期間を、強発光期間と呼ぶ。
【００８５】
そして、サブフレーム期間ＳＦ５の表示期間のうち、強発光期間以外の期間と、他のサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ４が有する全ての表示期間においては、選択スイッチＡ１０８がオフ、選択スイッチＢ１０９がオンになり、電源Ｂ１０７により非強調時電位が対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えられる。非強調時電位が対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えられると、オンのＥＬ駆動用ＴＦＴ１１２を介して非強調時電位が画素電極に与えられる。その結果、ＥＬ素子１１３に非強調時ＥＬ駆動電圧が印加され、ＥＬ素子１１３が通常発光する。
【００８６】
なお強発光期間は、本実施の形態で示したように、必ずしも最上位ビットに対応するサブフレーム期間内に設ける必要はない。強発光期間は、どのサブフレーム期間にも設けることができる。また本実施の形態では、１フレーム期間中において、１つのサブフレーム期間にのみ強発光期間を設けたが、本発明はこの構成に限定されない。１フレーム期間中において、複数のサブフレーム期間のそれぞれに強発光期間を設けても良い。
【００８７】
また強発光期間の長さは設計者が任意に設定することができるが、最も短い表示期間と同じか、それより短い方が好ましい。
【００８８】
また、本発明の発光装置では、強発光期間が設けられていないフレーム期間によって画像を表示する通常のモードと、強発光期間が設けらたフレーム期間によって画像を表示する強発光のモードとを自由に選択することが可能である。例えば、使用者が選択した場合や、発光装置を有する電子機器によって自動的に選択された場合にのみ、強発光のモードが選択されるようにしても良い。
【００８９】
また本発明では、ｎビット（ｎは任意の自然数）のデジタルビデオ信号を用いて表示を行う場合、表示期間の長さ比が、デジタルビデオ信号の最下位ビットに対応する表示期間から順に、２0：２1：２2：…：２(n-2)：２(n-1)となるようにすることが必要である。この表示期間の組み合わせで２n階調のうち所望の階調表示を行うことができる。またサブフレーム期間の出現する順序は、本実施の形態に示した順序に限定されない。サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦｎは、どのような順序で出現させても良い。
【００９０】
本発明では、１フレーム期間内に強発光期間を設けることによって、発光装置に入力されるビデオ信号が情報として有する画像自体が全体的に暗くても、実際に表示される画像が明るくなるので、対象物の認識を容易にすることができる。
【００９１】
（実施の形態２）
本実施の形態では、画素部が有する特定の画素のみに、強発光期間を設ける構成について説明する。図３に本実施の形態の発光装置のブロック図を示す。
【００９２】
ＥＬパネル２００は、画素部２０１と、第１ソース信号線駆動回路２０２ａと、第２ソース信号線駆動回路２０２ｂと、ゲート信号線駆動回路２０３とを有している。画素部２０１には第１ソース信号線Ｓａ１〜Ｓａｘと、第２ソース信号線Ｓｂ１〜Ｓｂｘと、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙと、第１電源供給線Ｖａ１〜Ｖａｘと、第２電源供給線Ｖｂ１〜Ｖｂｘと、対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙとが設けられている。なお、対向電源線の数は必ずしもゲート信号線と同じ数であるとは限らず、また第１または第２電源供給線の数も、必ずしも第１または第２ソース信号線と同じ数であるとは限らない。
【００９３】
第１ソース信号線Ｓａ１〜Ｓａｘの少なくとも１つと、第２ソース信号線Ｓｂ１〜Ｓｂｘの少なくとも１つと、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙの少なくとも１つと、第１電源供給線Ｖａ１〜Ｖａｘの少なくとも１つと、第２電源供給線Ｖｂ１〜Ｖｂｘの少なくとも１つと、対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙの少なくとも１つを有する領域が、画素２０４に相当する。よって、画素部２０１には複数の画素２０４がマトリクス上に設けられている。
【００９４】
２０５は電源回路であり、電源Ａ２０６と電源Ｂ２０７の２つの電源が設けられている。電源Ａ２０６によって、第１電源供給線Ｖａ１〜Ｖａｘに一定の電位（強調時電源電位）が与えられている。また、電源Ｂ２０７によって、第２電源供給線Ｖｂ１〜Ｖｂｘに一定の電位（非強調時電源電位）が与えられている。
【００９５】
また電源回路２０５は切り替えスイッチ２１０を有している。切り替えスイッチ２１０は対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに電源Ａ２０６及び電源Ｂ２０７によって電位を与えるか否かを選択するスイッチである。
【００９６】
切り替えスイッチ２１０がオンになると、切り替えスイッチ２１０を介して、電源Ａ２０６及び電源Ｂ２０７によって、一定の対向電位が対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えられる。
【００９７】
なお、本実施の形態では、第１ソース信号線駆動回路２０２ａと、第２ソース信号線駆動回路２０２ｂと、ゲート信号線駆動回路２０３と、画素部２０１とが同じ基板上に形成され、電源回路２０５がＩＣチップ上に形成され、互いにＦＰＣ等のコネクターを介して接続されているが、本発明はこの構成に限定されない。第１ソース信号線駆動回路２０２ａと、第２ソース信号線駆動回路２０２ｂと、ゲート信号線駆動回路２０３とは、画素部２０１と同じ基板上に形成されていなくとも良く、電源回路２０５と同じ基板上に形成されていても良い。また、電源回路２０５が有する切り替えスイッチ２１０は、必ずしもＩＣチップ上に形成する必要はなく、画素部２０１と同じ基板上に形成しても良い。
【００９８】
図４（Ａ）に画素２０４の詳しい構成を示す。画素２０４は、第１ソース信号線Ｓａｉ（Ｓａ１〜Ｓａｘのいずれか１つ）と、第２ソース信号線Ｓｂｉ（Ｓｂ１〜Ｓｂｘのいずれか１つ）と、第１電源供給線Ｖａｉ（Ｖａ１〜Ｖａｘのいずれか１つ）と、第２電源供給線Ｖｂｉ（Ｖｂ１〜Ｖｂｘのいずれか１つ）と、ゲート信号線Ｇｊ（Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つ）と、対向電源線Ｖｅｊ（Ｖｅ１〜Ｖｅｙのいずれか１つ）とを有している。
【００９９】
また画素２０４は、第１スイッチング用ＴＦＴ２１１ａと、第２スイッチング用ＴＦＴ２１１ｂと、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａと、第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂとを有している。第１スイッチング用ＴＦＴ２１１ａと、第２スイッチング用ＴＦＴ２１１ｂは、互いに極性が同じである。また、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａと、第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂは、互いに極性が同じである。
【０１００】
第１及び第２スイッチング用ＴＦＴ２１１ａ、２１１ｂのゲート電極は、ゲート信号線Ｇｊに接続されている。第１スイッチング用ＴＦＴ２１１ａのソース領域とドレイン領域は、一方が第１ソース信号線Ｓａｉに、もう一方が第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａのゲート電極にそれぞれ接続されている。また、第２スイッチング用ＴＦＴ２１１ｂのソース領域とドレイン領域は、一方が第２ソース信号線Ｓｂｉに、もう一方が第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂのゲート電極にそれぞれ接続されている。
【０１０１】
また、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａのソース領域とドレイン領域は、一方は第１電源供給線Ｖａｉに接続され、もう一方はＥＬ素子２１３に接続される。また、第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂのソース領域とドレイン領域は、一方は第２電源供給線Ｖｂｉに接続され、もう一方はＥＬ素子２１３に接続される。
【０１０２】
ＥＬ素子２１３は陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられたＥＬ層とからなる。陽極が第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａのソース領域もしくはドレイン領域と接続している場合、または、陽極が第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂのソース領域もしくはドレイン領域と接続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に陰極が第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａのソース領域もしくはドレイン領域と接続している場合、または、陰極が第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂのソース領域もしくはドレイン領域と接続している場合、陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。
【０１０３】
全ての第１電源供給線Ｖａ１〜Ｖａｘには、電源Ａ２０６によって一定の強調時電源電位が与えられている。また、全ての第２電源供給線Ｖｂ１〜Ｖｂｘには、電源Ｂ２０７によって一定の非強調時電源電位が与えられている。
【０１０４】
全ての画素が有するＥＬ素子２１３の対向電極は、対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙのいずれかに接続されている。切り替えスイッチ２１０がオンのとき、全ての対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに、電源Ａ２０６及び電源Ｂ２０７によって対向電位が与えられる。
【０１０５】
次に、図３及び図４（Ａ）に示した本発明の発光装置の動作について説明する。時分割階調表示を行う場合、本発明の発光装置の動作は、書き込み期間と、表示期間とに分けて説明することができる。
【０１０６】
書き込み期間において、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙが順に選択信号によって選択され、デジタルビデオ信号が各画素に入力される。
【０１０７】
ここで、画素の詳しい動作について、図４（Ａ）に示した画素を例にとって説明する。
【０１０８】
書き込み期間において、ゲート信号線Ｇｊに入力された選択信号によって、第１及び第２スイッチング用ＴＦＴ２１１ａ、２１１ｂがオンになる。
【０１０９】
そして本実施の形態では、第１ソース信号線Ｓａ１〜Ｓａｘに第１デジタルビデオ信号が入力され、第２ソース信号線Ｓｂ１〜Ｓｂｘに第２デジタルビデオ信号が入力される。
【０１１０】
第１ソース信号線Ｓａｉに入力された第１デジタルビデオ信号が、第１スイッチング用ＴＦＴ２１１ａを介して第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａのゲート電極に入力される。同時に、第２ソース信号線Ｓｂｉに入力された第２デジタルビデオ信号が、第２スイッチング用ＴＦＴ２１１ｂを介して第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａのゲート電極に入力される。
【０１１１】
なお、本実施の形態において、画素にデジタルビデオ信号が入力されるというのは、第１デジタルビデオ信号が該画素の有する第１スイッチング用ＴＦＴを介して、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に入力され、なおかつ、第２デジタルビデオ信号が該画素の有する第２スイッチング用ＴＦＴを介して、第２ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に入力されることを意味する。
【０１１２】
第１、第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａ、２１２ｂは、ゲート電極に入力された第１、第２デジタルビデオ信号が有する、１または０の情報によって、そのスイッチングが制御される。
【０１１３】
第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａと第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂは、一方がオンでもう一方がオフになるか、もしくは両方ともオフになる。
【０１１４】
第１及び第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａ、２１２ｂが両方ともオフになる場合、第１電源供給線Ｖａｉの強調時電源電位及び第２電源供給線Ｖｂｉの非強調時電源電位は、ＥＬ素子２１３の有する画素電極に与えられない。
【０１１５】
また、第１または第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａ、２１２ｂのいずれか一方がオンになる場合、第１電源供給線Ｖａｉの強調時電源電位または第２電源供給線Ｖｂｉの非強調時電源電位が、ＥＬ素子２１３の有する画素電極に与えられる。
【０１１６】
そして全ての画素にデジタルビデオ信号が入力されるまで切り替えスイッチはオフになっており、ＥＬ素子２１３の画素電極と対向電極は、同じ高さの電位に保たれている。
【０１１７】
全ての画素にデジタルビデオ信号が入力されると、書き込み期間が終了し、表示期間が開始される。表示期間において、切り替えスイッチ２１０はオンになる。
【０１１８】
そして、電源Ａ２０６及び電源Ｂ２０７によって、切り替えスイッチ２１０を介して、対向電位が全ての対向電源線Ｖｅ１〜Ｖｅｙに与えられる。
【０１１９】
強調時電源電位と対向電位、また非強調時電源電位と対向電位は、それぞれ電位差を有している。
【０１２０】
第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａがオンで第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂがオフの場合、強調時電源電位と対向電位の電位差はＥＬ素子２１３の画素電極と対向電極の間にかかり、ＥＬ素子２１３は発光する。本実施の形態では、強調時電源電位が第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａを介して画素電極に与えられたときの、ＥＬ素子２１３の画素電極と対向電極の間の電位差を強調時ＥＬ駆動電圧Ｖａと呼ぶ。
【０１２１】
また、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａがオフで第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂがオンの場合、非強調時電源電位と対向電位の電位差はＥＬ素子２１３の画素電極と対向電極の間にかかり、ＥＬ素子２１３は発光する。本実施の形態では、非強調時電位がＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２を介して画素電極に与えられたときの、ＥＬ素子２１３の画素電極と対向電極の間の電位差を非強調時ＥＬ駆動電圧Ｖｂと呼ぶ。
【０１２２】
なお、本明細書では、強調時ＥＬ駆動電圧Ｖａと、非強調時ＥＬ駆動電圧Ｖｂとを総称してＥＬ駆動電圧と呼ぶ。
【０１２３】
強調時ＥＬ駆動電圧によってＥＬ素子２１３が発光したときの輝度と、非強調時ＥＬ駆動電圧によってＥＬ素子２１３が発光したときの輝度では、前者のほうが高い。
【０１２４】
一方、第１及び第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａ、２１２ｂが共にオフの場合、ＥＬ素子２１３の画素電極と対向電極の電位は同じ高さに保たれるので、ＥＬ素子２１３は発光しない。
【０１２５】
書き込み期間と表示期間を合わせてサブフレーム期間ＳＦと呼ぶ。１フレーム期間内に、デジタルビデオ信号の各ビットに対応した複数のサブフレーム期間が設けられている。
【０１２６】
図４（Ｂ）に、本発明の発光装置を５ビットのデジタルビデオ信号で駆動させた場合において、サブフレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦ５）の出現するタイミングを示す。横軸は時間を示しており、縦軸はＥＬ駆動電圧を示している。なお説明を簡便にするために、図２（Ｂ）では、各ビットのデジタルビデオ信号によって第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａと第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂのいずれか一方がオンになっている場合について示している。また、図２（Ｂ）では５ビットのデジタルビデオ信号で駆動させた場合について説明しているが、本発明はこのビット数に限定されない。
【０１２７】
ＳＦ１〜ＳＦ５の各サブフレーム期間の書き込み期間において、ＥＬ駆動電圧は０であるため、ＥＬ素子２１３は発光しない。ＳＦ１〜ＳＦ５の各サブフレーム期間の表示期間において、ＥＬ駆動電圧の絶対値が０よりも大きくなり、ＥＬ素子２１３は発光する。
【０１２８】
本実施の形態では、５ビット目のデジタルビデオ信号に対応するサブフレーム期間ＳＦ５の表示期間の一部においてのみ、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａをオン、第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂをオフにして、強調時電源電位をＥＬ素子２１３の画素電極に与えている。その結果、ＥＬ素子２１３に強調時ＥＬ駆動電圧が印加され、ＥＬ素子２１３が強発光する。なお、ＥＬ素子が強発光している期間を、強発光期間と呼ぶ。
【０１２９】
そして、サブフレーム期間ＳＦ５の表示期間のうち、強発光期間以外の期間と、他のサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ４が有する全ての表示期間においては、第１ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ａをオフ、第２ＥＬ駆動用ＴＦＴ２１２ｂをオンにして、非強調時電源電位をＥＬ素子２１３の画素電極に与えている。その結果、ＥＬ素子２１３に非強調時ＥＬ駆動電圧が印加され、ＥＬ素子２１３が通常発光する。
【０１３０】
なお強発光期間は、本実施の形態で示したように、必ずしも最上位ビットに対応するサブフレーム期間内に設ける必要はない。強発光期間は、どのサブフレーム期間にも設けることができる。また本実施の形態では、１フレーム期間中において、１つのサブフレーム期間にのみ強発光期間を設けたが、本発明はこの構成に限定されない。１フレーム期間中において、複数のサブフレーム期間のそれぞれに強発光期間を設けても良い。
【０１３１】
また強発光期間の長さは設計者が任意に設定することができるが、最も短い表示期間と同じか、それより短い方が好ましい。
【０１３２】
また、本発明の発光装置では、強発光期間が設けられていないフレーム期間によって画像を表示する通常のモードと、強発光期間が設けらたフレーム期間によって画像を表示する強発光のモードとを自由に選択することが可能である。例えば、使用者が選択した場合や、発光装置を有する電子機器によって自動的に選択された場合にのみ、強発光のモードが選択されるようにしても良い。
【０１３３】
また本発明では、ｎビットのデジタルビデオ信号を用いて表示を行う場合、表示期間の長さ比が、デジタルビデオ信号の最下位ビットに対応する表示期間から順に、２0：２1：２2：…：２(n-2)：２(n-1)となるようにすることが必要である。この表示期間の組み合わせで２n階調のうち所望の階調表示を行うことができる。またサブフレーム期間の出現する順序は、本実施の形態に示した順序に限定されない。サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦｎは、どのような順序で出現させても良い。
【０１３４】
本発明では、１フレーム期間内に強発光期間を設けることによって、発光装置に入力されるビデオ信号が情報として有する画像自体が全体的に暗くても、実際に表示される画像が明るくなるので、対象物の認識を容易にすることができる。
【０１３５】
また、ある画素が表示する階調が、ある一定の階調より明るいときに、該画素のＥＬ素子に印加されるＥＬ駆動電圧の絶対値を大きくし、ＥＬ素子の輝度を高くしても良い。上記構成により、明るい階調を表示する画素はより明るくなり、画像のコントラストが大きくなって、画像が鮮明になり、対象物の認識を容易にすることができる。
【０１３６】
また、各画素に入力されるデジタルビデオ信号から、隣接する画素に比べて階調が大きく異なる画素を特定することにより、対象物の輪郭を検出し、画像の輪郭の部分の画素においてのみコントラストを大きくしても良い。上記構成によって、画像の輪郭が抽出され、画像が鮮明になり、対象物の認識を容易にすることができる。
【０１３７】
（実施の形態３）
実施の形態１及び２では、切り替えスイッチを設けた構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。切り替えスイッチは必ずしも設ける必要はない。
【０１３８】
ただしこの場合、書き込み期間において画素にデジタルビデオ信号（第１及び第２のデジタルビデオ信号も含む）が入力されると同時に、ＥＬ素子が発光または非発光の状態になり、画素が表示を行う。
【０１３９】
本実施の形態では、ｎビットのデジタルビデオ信号を用いて表示を行う場合、サブフレーム期間の長さ比が、デジタルビデオ信号の最下位ビットに対応するサブフレーム期間から順に、２0：２1：２2：…：２(n-2)：２(n-1)となるようにすることが必要である。このサブフレーム期間の組み合わせで２n階調のうち所望の階調表示を行うことができる。
【０１４０】
またサブフレーム期間の出現する順序は、本実施の形態に示した順序に限定されない。サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦｎは、どのような順序で出現させても良い。
【実施例１】
【０１４１】
以下に、本発明の実施例について説明する。
【０１４２】
本実施例では、強発光のモードにおける強発光期間の出現するタイミングが、実施の形態１及び２とは異なる例について説明する。
【０１４３】
図５に、本発明の発光装置を５ビットのデジタルビデオ信号で駆動させた場合において、サブフレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦ５）の出現するタイミングと、強発光期間の出現するタイミングを示す。横軸は時間を示しており、縦軸はＥＬ駆動電圧を示している。なお説明を簡便にするために、図５では、全ての表示期間においてＥＬ素子が強発光または通常発光している場合について示している。また、図５では５ビットのデジタルビデオ信号で駆動させた場合を例にとって説明しているが、本発明はこのビット数に限定されない。
【０１４４】
図５（Ａ）では、５ビットのデジタルビデオ信号の各ビットに対応している５つのサブフレーム期間が、ＳＦ３、ＳＦ２、ＳＦ５、ＳＦ４、ＳＦ１の順序で出現している。このように、１つのサブフレーム期間内において、最も表示期間の長さが長いサブフレーム期間（本実施例ではＳＦ５）の前後に、他のサブフレーム期間を出現させることで、中間階調を表示させたときに動画擬似輪郭が発生するのを防ぐことができる。
【０１４５】
そして図５（Ａ）では、強発光期間をサブフレーム期間ＳＦ５内に設けている。
【０１４６】
図５（Ｂ）では、５ビットのデジタルビデオ信号の各ビットに対応している５つのサブフレーム期間が、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ５、ＳＦ３、ＳＦ４の順序で出現している。
【０１４７】
そして図５（Ａ）では、強発光期間をサブフレーム期間ＳＦ１内に設けており、なおかつ強発光期間とサブフレーム期間ＳＦ１が有する表示期間とが完全に重なっている。つまり、サブフレーム期間ＳＦ１が有する表示期間において、ＥＬ素子は常に強発光している。
【０１４８】
また強発光期間の長さは設計者が任意に設定することができるが、最も短い表示期間と同じか、それより短い方が好ましい。
【実施例２】
【０１４９】
実施の形態２において、ある画素の表示する階調がある一定の階調より明るいときに、該画素のＥＬ素子に印加されるＥＬ駆動電圧の絶対値を大きくし、ＥＬ素子の輝度を高くする場合について、図６を用いて詳しく説明する。
【０１５０】
通常のモードの表示を行うためのデジタルビデオ信号が、切り替え回路２２０とレベル比較回路２２３とに入力される。レベル比較回路２２３において、入力されたデジタルビデオ信号によって表示を行う画素の階調が、所定の階調より明るいかどうかが判断される。
【０１５１】
その判断基準となるデータ（基準データ）は不揮発性メモリ２２１に記憶されており、揮発性メモリ２２２によって読み込まれ、レベル比較回路２２３に入力される。
【０１５２】
レベル比較回路２２３において、基準データとデジタルビデオ信号とが比較され、デジタルビデオ信号によって表示を行う画素の階調が、所定の階調より暗いと判断された場合、切り替え回路２２０に通常のモードで動作するように信号を送る。逆に、デジタルビデオ信号によって表示を行う画素の階調が、所定の階調より明るいと判断された場合、切り替え回路２２０に強発光のモードで動作するように信号を送る。
【０１５３】
そして、切り替え回路２２０が通常のモードで動作しているときは、入力されたデジタルビデオ信号から、通常のモードの表示を行うための第１デジタルビデオ信号と、第２デジタルビデオ信号とを生成し、それぞれ第１ソース信号線駆動回路２０２ａと、第２ソース信号線駆動回路２０２ｂに入力する。その結果、画素が有するＥＬ素子が通常発光を行う。
【０１５４】
逆に、切り替え回路２２０が強発光のモードで動作しているときは、入力されたデジタルビデオ信号から、強発光のモードの表示を行うための第１デジタルビデオ信号と、第２デジタルビデオ信号とを生成し、それぞれ第１ソース信号線駆動回路２０２ａと、第２ソース信号線駆動回路２０２ｂに入力する。その結果、画素が有するＥＬ素子が強発光を行う。
【０１５５】
上記構成により、明るい階調を表示する画素はより明るくなり、画像のコントラストが大きくなって、画像が鮮明になり、対象物の認識を容易にすることができる。
【０１５６】
本実施例は、実施例１に示した構成と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例３】
【０１５７】
実施の形態２において、各画素に入力されるデジタルビデオ信号から、隣接する画素に比べて階調が大きく異なる画素を特定することにより、対象物の輪郭を検出し、画像の輪郭の部分の画素においてのみコントラストを大きくする場合について、図７を用いて詳しく説明する。
【０１５８】
通常のモードの表示を行うためのデジタルビデオ信号が、選択時間補正回路２３０と、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）２３２とに入力される。
【０１５９】
ＤＳＰ２３２に入力されたデジタルビデオ信号は、微分フィルタ２３３に入力される。微分フィルタ２３３では入力されたデジタルビデオ信号から、画素部が有する全ての画素について、隣接する画素どうしの階調の差が数値化され、比較回路２３４にデータとして送られる。
【０１６０】
比較回路２３４は、数値化されたデータが基準となる値（基準数値化データ）
よりも大きい場合、隣接する画素によって輪郭が形成されていると判断する。基準数値化データは基準値メモリ２３５に記憶されており、比較回路２３４に読み込まれている。
【０１６１】
レベル比較回路２３４において、隣接する画素において輪郭が形成されていると判断された場合、切り替え回路２３１に通常のモードで動作するように信号を送る。逆に、隣接する画素において輪郭が形成されていないと判断された場合、切り替え回路２３１に強発光のモードで動作するように信号を送る。
【０１６２】
一方、選択時間補正回路２３０に入力されたデジタルビデオ信号は、切り替え回路２３１にモードを選択する信号が入力されるのに同期して、切り替え回路２３１に入力される。
【０１６３】
そして、切り替え回路２３１が通常のモードで動作しているときは、入力されたデジタルビデオ信号から、通常のモードの表示を行うための第１デジタルビデオ信号と、第２デジタルビデオ信号とを生成し、それぞれ第１ソース信号線駆動回路２０２ａと、第２ソース信号線駆動回路２０２ｂに入力する。その結果、隣接する２つの画素が有するＥＬ素子は、それぞれ通常発光を行う。
【０１６４】
逆に、切り替え回路２３１が強発光のモードで動作しているときは、入力されたデジタルビデオ信号から、強発光のモードの表示を行うための第１デジタルビデオ信号と、第２デジタルビデオ信号とを生成し、それぞれ第１ソース信号線駆動回路２０２ａと、第２ソース信号線駆動回路２０２ｂに入力する。その結果、隣接する２つの画素のうち、明るい階調を表示している画素が有するＥＬ素子が、強発光を行う。
【０１６５】
上記構成によって、画像の輪郭が抽出され、画像が鮮明になり、対象物の認識を容易にすることができる。
【実施例４】
【０１６６】
本実施例は、実施例１に示した構成と自由に組み合わせて実施することが可能である。
本実施例では、本発明の発光装置の画素部を駆動させるために用いる、ソース信号線駆動回路（第１ソース信号線駆動回路及び第２ソース信号線駆動回路を含む）、ゲート信号線駆動回路の詳しい構成について説明する。
【０１６７】
図８に本実施例の発光装置の駆動回路のブロック図を示す。図８（Ａ）はソース信号線駆動回路６０１であり、シフトレジスタ６０２、ラッチ（Ａ）６０３、ラッチ（Ｂ）６０４を有している。
【０１６８】
ソース信号線駆動回路６０１において、シフトレジスタ６０２にクロック信号（ＣＬＫ）およびスタートパルス（ＳＰ）が入力される。シフトレジスタ６０２は、これらのクロック信号（ＣＬＫ）およびスタートパルス（ＳＰ）に基づきタイミング信号を順に発生させ、バッファ等（図示せず）を通して後段の回路へタイミング信号を順次入力する。
【０１６９】
シフトレジスタ６０２からのタイミング信号は、バッファ等によって緩衝増幅される。タイミング信号が入力される配線には、多くの回路あるいは素子が接続されているために負荷容量（寄生容量）が大きい。この負荷容量が大きいために生ずるタイミング信号の立ち上がりまたは立ち下がりの”鈍り”を防ぐために、このバッファが設けられる。なおバッファは必ずしも設ける必要はない。
【０１７０】
バッファによって緩衝増幅されたタイミング信号は、ラッチ（Ａ）６０３に入力される。ラッチ（Ａ）６０３は、ｎビットのデジタルビデオ信号（第１デジタルビデオ信号またはだ２デジタルビデオ信号を含む）を処理する複数のステージのラッチを有している。ラッチ（Ａ）６０３は、前記タイミング信号が入力されると、ソース信号線駆動回路６０１の外部から入力されるｎビットのデジタルビデオ信号を順次取り込み、保持する。
【０１７１】
なお、ラッチ（Ａ）６０３にデジタルビデオ信号を取り込む際に、ラッチ（Ａ）６０３が有する複数のステージのラッチに、順にデジタルビデオ信号を入力しても良い。しかし本発明はこの構成に限定されない。ラッチ（Ａ）６０３が有する複数のステージのラッチをいくつかのグループに分け、各グループごとに並行して同時にデジタルビデオ信号を入力する、いわゆる分割駆動を行っても良い。
なおこのときのグループの数を分割数と呼ぶ。例えば４つのステージごとにラッチをグループに分けた場合、４分割で分割駆動すると言う。
【０１７２】
ラッチ（Ａ）６０３の全てのステージのラッチにデジタルビデオ信号の書き込みが一通り終了するまでの時間を、ライン期間と呼ぶ。実際には、上記ライン期間に水平帰線期間が加えられた期間をライン期間に含むことがある。
【０１７３】
１ライン期間が終了すると、ラッチ（Ｂ）６０４にラッチシグナル（Latch Signal）が入力される。この瞬間、ラッチ（Ａ）６０３に書き込まれ保持されているデジタルビデオ信号は、ラッチ（Ｂ）６０４に一斉に送出され、ラッチ（Ｂ）
６０４の全ステージのラッチに書き込まれ、保持される。
【０１７４】
デジタルビデオ信号をラッチ（Ｂ）６０４に送出し終えたラッチ（Ａ）６０３には、シフトレジスタ６０２からのタイミング信号に基づき、デジタルビデオ信号の書き込みが順次行われる。
【０１７５】
この２順目の１ライン期間中には、ラッチ（Ｂ）６０４に書き込まれ、保持されているデジタルビデオ信号がソース信号線（第１ソース信号線または第２ソース信号線を含む）に入力される。
【０１７６】
図８（Ｂ）はゲート信号線駆動回路の構成を示すブロック図である。
【０１７７】
ゲート信号線駆動回路６０５は、それぞれシフトレジスタ６０６、バッファ６０７を有している。また場合によってはレベルシフトを有していても良い。
【０１７８】
ゲート信号線駆動回路６０５において、シフトレジスタ６０６からのタイミング信号がバッファ６０７に入力され、対応するゲート信号線に入力される。ゲート信号線には、１ライン分の画素の第１スイッチング用ＴＦＴ及び第２スイッチング用ＴＦＴのゲート電極が接続されている。そして、１ライン分の画素の第１スイッチング用ＴＦＴ及び第２スイッチング用ＴＦＴを一斉にＯＮにしなくてはならないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なものが用いられる。
【０１７９】
本実施例は実施例１〜３と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例５】
【０１８０】
本発明の発光装置の作成方法の一例について、図９〜図１１を用いて説明する。ここでは、実施の形態１において示した発光装置の画素部のスイッチング用ＴＦＴおよびＥＬ駆動用ＴＦＴと、画素部の周辺に設けられる駆動部のＴＦＴを同時に作製する方法について、工程に従って詳細に説明する。なお、本実施例では実施の形態１で示した発光装置の作製方法について示したが、本実施例は実施の形態２に示した構成を有する発光装置の作製方法に適用させることも可能である。
【０１８１】
まず、本実施例ではコーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板９００を用いる。なお、基板９００としては、透光性を有する基板であれば限定されず、石英基板を用いても良い。また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。
【０１８２】
次いで、図９（Ａ）に示すように、基板９００上に酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜などの絶縁膜から成る下地膜９０１を形成する。本実施例では下地膜９０１として２層構造を用いるが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造を用いても良い。下地膜９０１の一層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ4、ＮＨ3、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜９０１ａを１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）形成する。
本実施例では、膜厚５０ｎｍの酸化窒化珪素膜９０１ａ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を形成した。次いで、下地膜９０１のニ層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ4、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜９０１ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）の厚さに積層形成する。本実施例では、膜厚１００ｎｍの酸化窒化珪素膜９０１ｂ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を形成した。
【０１８３】
次いで、下地膜９０１上に半導体層９０２〜９０５を形成する。半導体層９０２〜９０５は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜した後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）を行って得られた結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングして形成する。
この半導体層９０２〜９０５の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくは珪素（シリコン）またはシリコンゲルマニウム（ＳｉXＧｅ1-X（Ｘ＝０．０００１〜０．０２））合金などで形成すると良い。本実施例では、プラズマＣＶＤ法を用い、５５ｎｍの非晶質珪素膜を成膜した後、ニッケルを含む溶液を非晶質珪素膜上に保持させた。この非晶質珪素膜に脱水素化（５００℃、１時間）を行った後、熱結晶化（５５０℃、４時間）を行い、さらに結晶化を改善するためのレーザーアニ―ル処理を行って結晶質珪素膜を形成した。そして、この結晶質珪素膜をフォトリソグラフィ法を用いたパターニング処理によって、半導体層９０２〜９０５を形成した。
【０１８４】
また、半導体層９０２〜９０５を形成した後、ＴＦＴのしきい値を制御するために、半導体層９０２〜９０５に微量な不純物元素（ボロンまたはリン）をドーピングしてもよい。
【０１８５】
また、レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数３００Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４００ｍＪ／ｃｍ2(代表的には２００〜３００ｍＪ／ｃｍ2)とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数３０〜３００ｋＨｚとし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００ｍＪ／ｃｍ2(代表的には３５０〜５００ｍＪ／ｃｍ2)とすると良い。そして幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μｍで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバーラップ率）を５０〜９０％として行えばよい。
【０１８６】
次いで、半導体層９０２〜９０５を覆うゲート絶縁膜９０６を形成する。ゲート絶縁膜９０６はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により１１０ｎｍの厚さで酸化窒化珪素膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で形成した。勿論、ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【０１８７】
また、酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosiliｃate）とＯ2とを混合し、反応圧力４０Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力密度０．５〜０．８Ｗ／ｃｍ2で放電させて形成することができる。このようにして作製される酸化珪素膜は、その後４００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。
【０１８８】
そして、ゲート絶縁膜９０６上にゲート電極を形成するための耐熱性導電層９０７を２００〜４００ｎｍ（好ましくは２５０〜３５０ｎｍ）の厚さで形成する。耐熱性導電層９０７は単層で形成しても良いし、必要に応じて二層あるいは三層といった複数の層から成る積層構造としても良い。耐熱性導電層にはＴａ、Ｔｉ、Ｗから選ばれた元素、または前記元素を成分とする合金か、前記元素を組み合わせた合金膜が含まれる。これらの耐熱性導電層はスパッタ法やＣＶＤ法で形成されるものであり、低抵抗化を図るために含有する不純物濃度を低減させることが好ましく、特に酸素濃度に関しては３０ｐｐｍ以下とすると良い。本実施例ではＷ膜を３００ｎｍの厚さで形成する。Ｗ膜はＷをターゲットとしてスパッタ法で形成しても良いし、６フッ化タングステン（ＷＦ6）を用いて熱ＣＶＤ法で形成することもできる。いずれにしてもゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μΩｃｍ以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化する。このことより、スパッタ法による場合、純度９９．９９９９％のＷターゲットを用い、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してＷ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０μΩｃｍを実現することができる。
【０１８９】
一方、耐熱性導電層９０７にＴａ膜を用いる場合には、同様にスパッタ法で形成することが可能である。Ｔａ膜はスパッタガスにＡｒを用いる。また、スパッタ時のガス中に適量のＸｅやＫｒを加えておくと、形成する膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止することができる。α相のＴａ膜の抵抗率は２０μΩｃｍ程度でありゲート電極に使用することができるが、β相のＴａ膜の抵抗率は１８０μΩｃｍ程度でありゲート電極とするには不向きであった。ＴａＮ膜はα相に近い結晶構造を持つので、Ｔａ膜の下地にＴａＮ膜を形成すればα相のＴａ膜が容易に得られる。また、図示しないが、耐熱性導電層９０７の下に２〜２０ｎｍ程度の厚さでリン（Ｐ）をドープしたシリコン膜を形成しておくことは有効である。これにより、その上に形成される導電膜の密着性向上と酸化防止を図ると同時に、耐熱性導電層９０７が微量に含有するアルカリ金属元素が第１の形状のゲート絶縁膜９０６に拡散するのを防ぐことができる。いずれにしても、耐熱性導電層９０７は抵抗率を１０〜５０μΩｃｍの範囲ですることが好ましい。
【０１９０】
次に、フォトリソグラフィーの技術を使用してレジストによるマスク９０８を形成する。そして、第１のエッチング処理を行う。本実施例ではＩＣＰエッチング装置を用い、エッチング用ガスにＣｌ2とＣＦ4を用い、１Ｐａの圧力で３．２Ｗ／ｃｍ2のＲＦ（１３.５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを形成して行う。
基板側（試料ステージ）にも２２４ｍＷ／ｃｍ2のＲＦ（１３.５６ＭＨｚ）電力を投入し、これにより実質的に負の自己バイアス電圧が印加される。この条件でＷ膜のエッチング速度は約１００ｎｍ／ｍｉｎである。第１のエッチング処理はこのエッチング速度を基にＷ膜がちょうどエッチングされる時間を推定し、それよりもエッチング時間を２０％増加させた時間をエッチング時間とした。
【０１９１】
第１のエッチング処理により第１のテーパー形状を有する導電層９０９〜９１２が形成される。導電層９０９〜９１２のテーパー部の角度は１５〜３０°となるように形成される。残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させるオーバーエッチングを施すものとする。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜（ゲート絶縁膜９０６）の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされる。（図９（Ｂ））
【０１９２】
そして、第１のドーピング処理を行い一導電型の不純物元素を半導体層に添加する。ここでは、ｎ型を付与する不純物元素添加の工程を行う。第１の形状の導電層を形成したマスク９０８をそのまま残し、第１のテーパー形状を有する導電層９０９〜９１２をマスクとして自己整合的にｎ型を付与する不純物元素をイオンドープ法で添加する。ｎ型を付与する不純物元素をゲート電極の端部におけるテーパー部とゲート絶縁膜９０６とを通して、その下に位置する半導体層に達するように添加するためにドーズ量を１×１０13〜５×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2とし、加速電圧を８０〜１６０ｋｅＶとして行う。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いた。このようなイオンドープ法により第１の不純物領域９１４〜９１７には１×１０20〜１×１０21atoｍiｃ／ｃｍ3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素が添加される。（図９（Ｃ））
【０１９３】
この工程において、ドーピングの条件によっては、不純物が第１の形状の導電層９０９〜９１２の下に回りこみ、第１の不純物領域９１４〜９１７が第１の形状の導電層９０９〜９１２と重なることも起こりうる。
【０１９４】
次に、図９（Ｄ）に示すように第２のエッチング処理を行う。エッチング処理も同様にＩＣＰエッチング装置により行い、エッチングガスにＣＦ4とＣｌ2の混合ガスを用い、ＲＦ電力３．２Ｗ／ｃｍ2(１３.５６ＭＨｚ)、バイアス電力４５ｍＷ／ｃｍ2(１３.５６ＭＨｚ)、圧力１．０Ｐａでエッチングを行う。この条件で形成される第２の形状を有する導電層９１８〜９２１が形成される。その端部にはテーパー部が形成され、該端部から内側にむかって徐々に厚さが増加するテーパー形状となる。第１のエッチング処理と比較して基板側に印加するバイアス電力を低くした分等方性エッチングの割合が多くなり、テーパー部の角度は３０〜６０°となる。マスク９０８はエッチングされて端部が削れ、マスク９２２となる。また、図９（Ｄ）の工程において、ゲート絶縁膜９０６の表面が４０ｎｍ程度エッチングされる。
【０１９５】
そして、第１のドーピング処理よりもドーズ量を下げ高加速電圧の条件でｎ型を付与する不純物元素をドーピングする。例えば、加速電圧を７０〜１２０ｋｅＶとし、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量で行い、不純物濃度が大きくなった第１の不純物領域９２４〜９２７と、前記第１の不純物領域９２４〜９２７に接する第２の不純物領域９２８〜９３１とを形成する。この工程において、ドーピングの条件によっては、不純物が第２の形状の導電層９１８〜９２１の下に回りこみ、第２の不純物領域９２８〜９３１が第２の形状の導電層９１８〜９２１と重なることも起こりうる。第２の不純物領域における不純物濃度は、１×１０16〜１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3となるようにする。（図１０（Ａ））
【０１９６】
そして、（図１０（Ｂ））に示すように、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層９０２、９０５に一導電型とは逆の導電型の不純物領域９３３（９３３ａ、９３３ｂ）及び９３４（９３４ａ、９３４ｂ）を形成する。この場合も第２の形状の導電層９１８、９２１をマスクとしてｐ型を付与する不純物元素を添加し、自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層９０３、９０４は、レジストのマスク９３２を形成し全面を被覆しておく。ここで形成される不純物領域９３３、９３４はジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンドープ法で形成する。不純物領域９３３、９３４のｐ型を付与する不純物元素の濃度は、２×１０20〜２×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3となるようにする。
【０１９７】
しかしながら、この不純物領域９３３、９３４は詳細にはｎ型を付与する不純物元素を含有する２つの領域に分けて見ることができる。第３の不純物領域９３３ａ、９３４ａは１×１０20〜１×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度でｎ型を付与する不純物元素を含み、第４の不純物領域９３３ｂ、９３４ｂは１×１０17〜１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度でｎ型を付与する不純物元素を含んでいる。しかし、これらの不純物領域９３３ｂ、９３４ｂのｐ型を付与する不純物元素の濃度を１×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上となるようにし、第３の不純物領域９３３ａ、９３４ａにおいては、ｐ型を付与する不純物元素の濃度をｎ型を付与する不純物元素の濃度の１．５から３倍となるようにすることにより、第３の不純物領域でｐチャネル型ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。
【０１９８】
その後、図１０（Ｃ）に示すように、第２の形状を有する導電層９１８〜９２１およびゲート絶縁膜９０６上に第１の層間絶縁膜９３７を形成する。第１の層間絶縁膜９３７は酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた積層膜で形成すれば良い。いずれにしても第１の層間絶縁膜９３７は無機絶縁物材料から形成する。第１の層間絶縁膜９３７の膜厚は１００〜２００ｎｍとする。第１の層間絶縁膜９３７として酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳとＯ2とを混合し、反応圧力４０Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高周波（１３．５６MHz）電力密度０．５〜０．８W/cm2で放電させて形成することができる。また、第１の層間絶縁膜９３７として酸化窒化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、ＮＨ3から作製される酸化窒化シリコン膜、またはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜で形成すれば良い。この場合の作製条件は反応圧力２０〜２００Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高周波（６０MHz）電力密度０．１〜１．０W/cm2で形成することができる。また、第１の層間絶縁膜９３７としてＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｈ2から作製される酸化窒化水素化シリコン膜を適用しても良い。窒化シリコン膜も同様にプラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3から作製することが可能である。
【０１９９】
そして、それぞれの濃度で添加されたｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を活性化する工程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することができる。熱アニール法では酸素濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜７００℃、代表的には５００〜６００℃で行うものであり、本実施例では５５０℃で４時間の熱処理を行った。また、基板５０１に耐熱温度が低いプラスチック基板を用いる場合にはレーザーアニール法を適用することが好ましい。
【０２００】
活性化の工程に続いて、雰囲気ガスを変化させ、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、半導体層を水素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導体層にある１０16〜１０18/cm3のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。いずれにしても、半導体層９０２〜９０５中の欠陥密度を１０16/cm3以下とすることが望ましく、そのために水素を０．０１〜０．１atomic％程度付与すれば良い。
【０２０１】
そして、有機絶縁物材料からなる第２の層間絶縁膜９３９を１．０〜２．０μｍの平均膜厚で形成する。有機樹脂材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使用することができる。例えば、基板に塗布後、熱重合するタイプのポリイミドを用いる場合には、クリーンオーブンで３００℃で焼成して形成する。また、アクリルを用いる場合には、２液性のものを用い、主材と硬化剤を混合した後、スピナーを用いて基板全面に塗布した後、ホットプレートで８０℃で６０秒の予備加熱を行い、さらにクリーンオーブンで２５０℃で６０分焼成して形成することができる。
【０２０２】
このように、第２の層間絶縁膜９３９を有機絶縁物材料で形成することにより、表面を良好に平坦化させることができる。また、有機樹脂材料は一般に誘電率が低いので、寄生容量を低減できる。しかし、吸湿性があり保護膜としては適さないので、本実施例のように、第１の層間絶縁膜９３７として形成した酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜などと組み合わせて用いると良い。
【０２０３】
その後、所定のパターンのレジストマスクを形成し、それぞれの半導体層に形成されソース領域またはドレイン領域とする不純物領域に達するコンタクトホールを形成する。コンタクトホールはドライエッチング法で形成する。この場合、エッチングガスにＣＦ4、Ｏ2、Ｈｅの混合ガスを用い有機樹脂材料から成る第２の層間絶縁膜９３９をまずエッチングし、その後、続いてエッチングガスをＣＦ4、Ｏ2として第１の層間絶縁膜９３７をエッチングする。さらに、半導体層との選択比を高めるために、エッチングガスをＣＨＦ3に切り替えて第３の形状のゲート絶縁膜５７０をエッチングすることによりコンタクトホールを形成することができる。
【０２０４】
そして、導電性の金属膜をスパッタ法や真空蒸着法で形成し、マスクでパターニングし、その後エッチングすることで、ソース配線９４０〜９４３とドレイン配線９４４〜９４６を形成する。図示していないが、本実施例ではこの配線を、そして、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金膜（ＡｌとＴｉとの合金膜）との積層膜で形成した。
【０２０５】
次いで、その上に透明導電膜を８０〜１２０ｎｍの厚さで形成し、パターニングすることによって画素電極９４７を形成する（図１１（Ａ））。なお、本実施例では、透明電極として酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いる。
【０２０６】
また、画素電極９４７は、ドレイン配線９４６と接して重ねて形成することによってＥＬ駆動用ＴＦＴのドレイン領域と電気的な接続が形成される。
【０２０７】
次に、図１１（Ｂ）に示すように、画素電極９４７に対応する位置に開口部を有する第３の層間絶縁膜９４９を形成する。第３の層間絶縁膜９４９は絶縁性を有していて、バンクとして機能し、隣接する画素のＥＬ層を分離する役割を有している。本実施例ではレジストを用いて第３の層間絶縁膜９４９を形成する。
【０２０８】
本実施例では、第３の層間絶縁膜９４９の厚さを１μｍ程度とし、開口部は画素電極９４７に近くなればなるほど広くなる、所謂逆テーパー状になるように形成する。これはレジストを成膜した後、開口部を形成しようとする部分以外をマスクで覆い、ＵＶ光を照射して露光し、露光された部分を現像液で除去することによって形成される。
【０２０９】
本実施例のように、第３の層間絶縁膜９４９を逆テーパー状にすることで、後の工程においてＥＬ層を成膜した時に、隣り合う画素同士でＥＬ層が分断されるため、ＥＬ層と、第３の層間絶縁膜９４９の熱膨張係数が異なっていても、ＥＬ層がひび割れたり、剥離したりするのを抑えることができる。
【０２１０】
なお、本実施例においては、第３の層間絶縁膜としてレジストでなる膜を用いているが、場合によっては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、酸化珪素膜等を用いることもできる。第３の層間絶縁膜９４９は絶縁性を有する物質であれば、有機物と無機物のどちらでも良い。
【０２１１】
次に、ＥＬ層９５０を蒸着法により形成し、更に蒸着法により陰極（ＭｇＡｇ電極）９５１および保護電極９５２を形成する。このときＥＬ層９５０及び陰極９５１を形成するに先立って画素電極９４７に対して熱処理を施し、水分を完全に除去しておくことが望ましい。なお、本実施例ではＥＬ素子の陰極としてＭｇＡｇ電極を用いるが、公知の他の材料であっても良い。
【０２１２】
なお、ＥＬ層９５０としては、公知の材料を用いることができる。本実施例では正孔輸送層（Hole transporting layer）及び発光層（Emitting layer）でなる２層構造をＥＬ層とするが、正孔注入層、電子注入層若しくは電子輸送層のいずれかを設ける場合もある。このように組み合わせは既に様々な例が報告されており、そのいずれの構成を用いても構わない。
【０２１３】
本実施例では正孔輸送層としてポリフェニレンビニレンを蒸着法により形成する。また、発光層としては、ポリビニルカルバゾールに１，３，４−オキサジアゾール誘導体のＰＢＤを３０〜４０％分子分散させたものを蒸着法により形成し、緑色の発光中心としてクマリン６を約１％添加している。
【０２１４】
また、保護電極９５２でもＥＬ層９５０を水分や酸素から保護することは可能であるが、さらに好ましくは保護膜９５３を設けると良い。本実施例では保護膜９５３として３００ｎｍ厚の窒化珪素膜を設ける。この保護膜も保護電極９５２の後に大気解放しないで連続的に形成しても構わない。
【０２１５】
また、保護電極９５２は陰極９５１の劣化を防ぐために設けられ、アルミニウムを主成分とする金属膜が代表的である。勿論、他の材料でも良い。また、ＥＬ層９５０、陰極９５１は非常に水分に弱いので、保護電極９５２までを大気解放しないで連続的に形成し、外気からＥＬ層を保護することが望ましい。
【０２１６】
なお、ＥＬ層９５０の膜厚は１０〜４００[ｎｍ]（典型的には６０〜１５０[ｎｍ]）、陰極９５１の厚さは８０〜２００[ｎｍ]（典型的には１００〜１５０[ｎｍ]）とすれば良い。
【０２１７】
こうして図１１（Ｂ）に示すような構造の発光装置が完成する。なお、画素電極９４７、ＥＬ層９５０、陰極９５１の重なっている部分９５４がＥＬ素子に相当する。
【０２１８】
ｐチャネル型ＴＦＴ９６０及びｎチャネル型ＴＦＴ９６１は駆動回路が有するＴＦＴであり、ＣＭＯＳを形成している。スイッチング用ＴＦＴ９６２及びＥＬ駆動用ＴＦＴ９６３は画素部が有するＴＦＴであり、駆動回路のＴＦＴと画素部のＴＦＴとは同一基板上に形成することができる。
【０２１９】
なお、ＥＬ素子を用いた発光装置の場合、駆動回路の電源の電圧が５〜６Ｖ程度、最大でも１０Ｖ程度で十分なので、ＴＦＴにおいてホットエレクトロンによる劣化があまり問題にならない。また駆動回路を高速で動作させる必要があるので、ＴＦＴのゲート容量は小さいほうが好ましい。よって、本実施例のように、ＥＬ素子を用いた発光装置の駆動回路では、ＴＦＴの半導体層が有する第２の不純物領域９２９と、第４の不純物領域９３３ｂとが、それぞれゲート電極９１８、９１９と重ならない構成にするのが好ましい。
【０２２０】
本発明の発光装置の作製方法は、本実施例において説明した作製方法に限定されない。本発明の発光装置は公知の方法を用いて作成することが可能である。
【０２２１】
なお本実施例は、実施例１〜４と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例６】
【０２２２】
本実施例では、実施例５とは異なる発光装置の作製方法について説明する。
【０２２３】
第２の層間絶縁膜９３９を形成するまでの工程は、実施例５と同じである。図１２（Ａ）に示すように、第２の層間絶縁膜９３９を形成した後、第２の層間絶縁膜９３９に接するように、パッシベーション膜９３９を形成する。
【０２２４】
パッシベーション膜９３９は、第２の層間絶縁膜９３９に含まれる水分が、画素電極９４７や、第３の層間絶縁膜９８２を介して、ＥＬ層９５０に入るのを防ぐのに効果的である。第２の層間絶縁膜９３９が有機樹脂材料を有している場合、有機樹脂材料は水分を多く含むため、パッシベーション膜９３９を設けることは特に有効である。
【０２２５】
本実施例では、パッシベーション膜９３９として、窒化珪素膜を用いた。
【０２２６】
その後、所定のパターンのレジストマスクを形成し、それぞれの半導体層に形成されソース領域またはドレイン領域とする不純物領域に達するコンタクトホールを形成する。コンタクトホールはドライエッチング法で形成する。この場合、エッチングガスにＣＦ4、Ｏ2、Ｈｅの混合ガスを用い有機樹脂材料から成る第２の層間絶縁膜９３９をまずエッチングし、その後、続いてエッチングガスをＣＦ4、Ｏ2として第１の層間絶縁膜９３７をエッチングする。さらに、半導体層との選択比を高めるために、エッチングガスをＣＨＦ3に切り替えて第３の形状のゲート絶縁膜５７０をエッチングすることによりコンタクトホールを形成することができる。
【０２２７】
そして、導電性の金属膜をスパッタ法や真空蒸着法で形成し、マスクでパターニングし、その後エッチングすることで、ソース配線９４０〜９４３とドレイン配線９４４〜９４６を形成する。図示していないが、本実施例ではこの配線を、そして、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金膜（ＡｌとＴｉとの合金膜）との積層膜で形成した。
【０２２８】
次いで、その上に透明導電膜を８０〜１２０ｎｍの厚さで形成し、パターニングすることによって画素電極９４７を形成する（図１２（Ａ））。なお、本実施例では、透明電極として酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いる。
【０２２９】
また、画素電極９４７は、ドレイン配線９４６と接して重ねて形成することによってＥＬ駆動用ＴＦＴのドレイン領域と電気的な接続が形成される。
【０２３０】
次に、図１２（Ｂ）に示すように、画素電極９４７に対応する位置に開口部を有する第３の層間絶縁膜９８２を形成する。本実施例では、開口部を形成する際、ウエットエッチング法を用いることでテーパー形状の側壁とした。実施例５に示した場合と異なり、第３の層間絶縁膜９８２上に形成されるＥＬ層は分断されないため、開口部の側壁が十分になだらかでないと段差に起因するＥＬ層の劣化が顕著な問題となってしまうため、注意が必要である。
【０２３１】
なお、本実施例においては、第３の層間絶縁膜９８２として酸化珪素でなる膜を用いているが、場合によっては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）といった有機樹脂膜を用いることもできる。
【０２３２】
そして、第３の層間絶縁膜９８２上にＥＬ層９５０を形成する前に、第３の層間絶縁膜９８２の表面にアルゴンを用いたプラズマ処理を施し、第３の層間絶縁膜９８２の表面を緻密化しておくのが好ましい。上記構成によって、第３の層間絶縁膜９８２からＥＬ層９５０に水分が入るのを防ぐことができる。
【０２３３】
次に、ＥＬ層９５０を蒸着法により形成し、更に蒸着法により陰極（ＭｇＡｇ電極）９５１および保護電極９５２を形成する。このときＥＬ層９５０及び陰極９５１を形成するに先立って画素電極９４７に対して熱処理を施し、水分を完全に除去しておくことが望ましい。なお、本実施例ではＥＬ素子の陰極としてＭｇＡｇ電極を用いるが、公知の他の材料であっても良い。
【０２３４】
なお、ＥＬ層９５０としては、公知の材料を用いることができる。本実施例では正孔輸送層（Hole transporting layer）及び発光層（Emitting layer）でなる２層構造をＥＬ層とするが、正孔注入層、電子注入層若しくは電子輸送層のいずれかを設ける場合もある。このように組み合わせは既に様々な例が報告されており、そのいずれの構成を用いても構わない。
【０２３５】
本実施例では正孔輸送層としてポリフェニレンビニレンを蒸着法により形成する。また、発光層としては、ポリビニルカルバゾールに１，３，４−オキサジアゾール誘導体のＰＢＤを３０〜４０％分子分散させたものを蒸着法により形成し、緑色の発光中心としてクマリン６を約１％添加している。
【０２３６】
また、保護電極９５２でもＥＬ層９５０を水分や酸素から保護することは可能であるが、さらに好ましくは保護膜９５３を設けると良い。本実施例では保護膜９５３として３００ｎｍ厚の窒化珪素膜を設ける。この保護膜も保護電極９５２の後に大気解放しないで連続的に形成しても構わない。
【０２３７】
また、保護電極９５２は陰極９５１の劣化を防ぐために設けられ、アルミニウムを主成分とする金属膜が代表的である。勿論、他の材料でも良い。また、ＥＬ層９５０、陰極９５１は非常に水分に弱いので、保護電極９５２までを大気解放しないで連続的に形成し、外気からＥＬ層を保護することが望ましい。
【０２３８】
なお、ＥＬ層９５０の膜厚は１０〜４００[ｎｍ]（典型的には６０〜１５０[ｎｍ]）、陰極９５１の厚さは８０〜２００[ｎｍ]（典型的には１００〜１５０[ｎｍ]）とすれば良い。
【０２３９】
こうして図１２（Ｂ）に示すような構造の発光装置が完成する。なお、画素電極９４７、ＥＬ層９５０、陰極９５１の重なっている部分９５４がＥＬ素子に相当する。
【０２４０】
ｐチャネル型ＴＦＴ９６０及びｎチャネル型ＴＦＴ９６１は駆動回路が有するＴＦＴであり、ＣＭＯＳを形成している。スイッチング用ＴＦＴ９６２及びＥＬ駆動用ＴＦＴ９６３は画素部が有するＴＦＴであり、駆動回路のＴＦＴと画素部のＴＦＴとは同一基板上に形成することができる。
【０２４１】
本発明の発光装置の作製方法は、本実施例において説明した作製方法に限定されない。本発明の発光装置は公知の方法を用いて作成することが可能である。
【０２４２】
なお本実施例は、実施例１〜４と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例７】
【０２４３】
本実施例では、実施の形態１で示した本発明の発光装置の構成について、図１３を用いて説明する。
【０２４４】
図１３（Ａ）は、本発明の発光装置が有するＥＬパネルの上面図であり、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図、図１３（Ｃ）は図１３（Ａ）のＢ−Ｂ’における断面図である。
【０２４５】
基板４００１上に設けられた画素部４００２と、ソース信号線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲート信号線駆動回路４００４ａ、ｂとを囲むようにして、シール材４００９が設けられている。また画素部４００２と、ソース信号線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲート信号線駆動回路４００４ａ、ｂとの上にシーリング材４００８が設けられている。よって画素部４００２と、ソース信号線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲート信号線駆動回路４００４ａ、ｂとは、基板４００１とシール材４００９とシーリング材４００８とによって、充填材４２１０で密封されている。
【０２４６】
また基板４００１上に設けられた画素部４００２と、ソース信号線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲート信号線駆動回路４００４ａ、ｂとは、複数のＴＦＴを有している。図１３（Ｂ）では代表的に、下地膜４０１０上に形成された、ソース信号線駆動回路４００３に含まれる駆動ＴＦＴ（但し、ここではｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴを図示する）４２０１及び画素部４００２に含まれるＥＬ駆動用ＴＦＴ（ＥＬ素子への電流を制御するＴＦＴ）４２０２を図示した。
【０２４７】
本実施例では、駆動ＴＦＴ４２０１には公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴまたはｎチャネル型ＴＦＴが用いられ、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２には公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴが用いられる。また、画素部４００２にはＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２のゲートに接続された保持容量（図示せず）が設けられる。
【０２４８】
駆動ＴＦＴ４２０１及びＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２上には層間絶縁膜（平坦化膜）４３０１が形成され、その上にＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２のドレインと電気的に接続する画素電極（陽極）４２０３が形成される。画素電極４２０３としては仕事関数の大きい透明導電膜が用いられる。透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。また、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いても良い。
【０２４９】
そして、画素電極４２０３の上には絶縁膜４３０２が形成され、絶縁膜４３０２は画素電極４２０３の上に開口部が形成されている。この開口部において、画素電極４２０３の上にはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層４２０４が形成される。ＥＬ層４２０４は公知の有機ＥＬ材料または無機ＥＬ材料を用いることができる。また、有機ＥＬ材料には低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料があるがどちらを用いても良い。
【０２５０】
ＥＬ層４２０４の形成方法は公知の蒸着技術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、ＥＬ層の構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層または電子注入層を自由に組み合わせて積層構造または単層構造とすれば良い。
【０２５１】
ＥＬ層４２０４の上には遮光性を有する導電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主成分とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜）からなる陰極４２０５が形成される。また、陰極４２０５とＥＬ層４２０４の界面に存在する水分や酸素は極力排除しておくことが望ましい。従って、ＥＬ層４２０４を窒素または希ガス雰囲気で形成し、酸素や水分に触れさせないまま陰極４２０５を形成するといった工夫が必要である。本実施例ではマルチチャンバー方式（クラスターツール方式）の成膜装置を用いることで上述のような成膜を可能とする。そして陰極４２０５は所定の電圧が与えられている。
【０２５２】
以上のようにして、画素電極（陽極）４２０３、ＥＬ層４２０４及び陰極４２０５からなるＥＬ素子４３０３が形成される。そしてＥＬ素子４３０３を覆うように、絶縁膜４３０２上に保護膜４３０３が形成されている。保護膜４３０３は、ＥＬ素子４３０３に酸素や水分等が入り込むのを防ぐのに効果的である。
【０２５３】
４００５ａは電源供給線または対向電源線に接続された引き回し配線であり、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２のソース領域に電気的に接続されている。引き回し配線４００５ａはシール材４００９と基板４００１との間を通り、異方導電性フィルム４３００を介してＦＰＣ４００６が有するＦＰＣ用配線４３０１に電気的に接続される。電源供給線または対向電源線は、引き回し配線４００５ａ及びＦＰＣ４００６を介して、ＥＬパネルの外部に設けられた電源回路に接続されている。
【０２５４】
シーリング材４００８としては、ガラス材、金属材（代表的にはステンレス材）、セラミックス材、プラスチック材（プラスチックフィルムも含む）を用いることができる。プラスチック材としては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）
フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【０２５５】
但し、ＥＬ素子からの光の放射方向がカバー材側に向かう場合にはカバー材は透明でなければならない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透明物質を用いる。
【０２５６】
また、充填材４１０３としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることができる。本実施例では充填材として窒素を用いた。
【０２５７】
また充填材４１０３を吸湿性物質（好ましくは酸化バリウム）もしくは酸素を吸着しうる物質にさらしておくために、シーリング材４００８の基板４００１側の面に凹部４００７を設けて吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質４２０７を配置する。そして、吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質４２０７が飛び散らないように、凹部カバー材４２０８によって吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質４２０７は凹部４００７に保持されている。なお凹部カバー材４２０８は目の細かいメッシュ状になっており、空気や水分は通し、吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質４２０７は通さない構成になっている。吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質４２０７を設けることで、ＥＬ素子４３０３の劣化を抑制できる。
【０２５８】
図１３（Ｃ）に示すように、画素電極４２０３が形成されると同時に、引き回し配線４００５ａ上に接するように導電性膜４２０３ａが形成される。
【０２５９】
また、異方導電性フィルム４３００は導電性フィラー４３００ａを有している。基板４００１とＦＰＣ４００６とを熱圧着することで、基板４００１上の導電性膜４２０３ａとＦＰＣ４００６上のＦＰＣ用配線４３０１とが、導電性フィラー４３００ａによって電気的に接続される。
【０２６０】
本実施例は、実施例１〜７の構成と、自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例８】
【０２６１】
本発明において、三重項励起子からの燐光を発光に利用できるＥＬ材料を用いることで、外部発光量子効率を飛躍的に向上させることができる。これにより、ＥＬ素子の低消費電力化、長寿命化、および軽量化が可能になる。
【０２６２】
ここで、三重項励起子を利用し、外部発光量子効率を向上させた報告を示す。
(T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized Molecular Systems, ed.K.Honda, (Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437.)
【０２６３】
上記の論文により報告されたＥＬ材料（クマリン色素）の分子式を以下に示す。
【０２６４】
【化１】
【０２６５】
(M.A.Baldo, D.F.O'Brien, Y.You, A.Shoustikov, S.Sibley, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Nature 395 (1998) p.151.)
【０２６６】
上記の論文により報告されたＥＬ材料（Ｐｔ錯体）の分子式を以下に示す。
【０２６７】
【化２】
【０２６８】
(M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrrows, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.,75 (1999) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamura, T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Mayaguchi, Jpn.Appl.Phys., 38 (12B) (1999) L1502.)
【０２６９】
上記の論文により報告されたＥＬ材料（Ｉｒ錯体）の分子式を以下に示す。
【０２７０】
【化３】
【０２７１】
以上のように三重項励起子からの燐光発光を利用できれば原理的には一重項励起子からの蛍光発光を用いる場合より３〜４倍の高い外部発光量子効率の実現が可能となる。
【０２７２】
なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施例８のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例９】
【０２７３】
ＥＬ素子を用いた発光装置は自発光型であるため、液晶表示装置に比べ、明るい場所での視認性に優れ、視野角が広い。従って、様々な電子機器の表示部に用いることができる。
【０２７４】
本発明の発光装置を用いた電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ：Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、斜め方向から画面を見る機会が多い携帯情報端末は、視野角の広さが重要視されるため、発光装置を用いることが望ましい。それら電子機器の具体例を図１５に示す。
【０２７５】
図１５（Ａ）はＥＬ表示装置であり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明の発光装置は表示部２００３に用いることができる。発光装置は自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶表示装置よりも薄い表示部とすることができる。なお、ＥＬ表示装置は、パソコン用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。
【０２７６】
図１５（Ｂ）はデジタルスチルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッター２１０６等を含む。本発明の発光装置は表示部２１０２に用いることができる。
【０２７７】
図１５（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明の発光装置は表示部２２０３に用いることができる。
【０２７８】
図１５（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明の発光装置は表示部２３０２に用いることができる。
【０２７９】
図１５（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示するが、本発明の発光装置はこれら表示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
【０２８０】
図１５（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明の発光装置は表示部２５０２に用いることができる。
【０２８１】
図１５（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９等を含む。本発明の発光装置は表示部２６０２に用いることができる。
【０２８２】
ここで図１５（Ｈ）は携帯電話であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本発明の発光装置は表示部２７０３に用いることができる。なお、表示部２７０３は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
【０２８３】
なお、将来的にＥＬ材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。
【０２８４】
また、上記電子機器はインターネットやＣＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。ＥＬ材料の応答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。
【０２８５】
また、発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。
【０２８６】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜９に示したいずれの構成の発光装置を用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【０２８７】
【図１】本発明の発光装置のブロック図。
【図２】本発明の発光装置の画素の回路図と、タイミングチャート。
【図３】本発明の発光装置のブロック図。
【図４】本発明の発光装置の画素の回路図と、タイミングチャート。
【図５】本発明の発光装置のタイミングチャート。
【図６】第１及び第２デジタルビデオ信号を生成する回路群。
【図７】第１及び第２デジタルビデオ信号を生成する回路群。
【図８】駆動回路の構成を示す図。
【図９】本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図１０】本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図１１】本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図１２】本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図１３】本発明の発光装置が有するＥＬパネルの上面図及び断面図。
【図１４】一般的な発光装置の画素の回路図と、タイミングチャート。
【図１５】本発明の発光装置を用いた電子機器。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、
第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、
第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの前記所定の期間以外の期間における前記ＥＬ素子の輝度に比べて高くなっていることを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項２】
ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、
第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、
第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの前記所定の期間以外の期間における前記ＥＬ素子の輝度に比べて高くなっており、
前記複数の画素のうち、表示する階調が一定の階調より暗い画素では前記第１のモードで動作し、
前記複数の画素のうち、表示する階調が前記一定の階調より明るい画素では前記第２のモードで動作することを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項３】
ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、
第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、
第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの前記所定の期間以外の期間における前記ＥＬ素子の輝度に比べて高くなっており、
前記複数の画素のうち、隣接する画素に比べて、表示する階調が一定の値以上明るい画素のみ前記第２のモードで動作し、
前記複数の画素のうち、隣接する画素に比べて、表示する階調が前記一定の値以上明るい画素以外の画素は前記第１のモードで動作することを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項１】
ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、
第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、
第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの前記所定の期間以外の期間における前記ＥＬ素子の輝度に比べて高くなっていることを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項２】
ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、
第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、
第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの前記所定の期間以外の期間における前記ＥＬ素子の輝度に比べて高くなっており、
前記複数の画素のうち、表示する階調が一定の階調より暗い画素では前記第１のモードで動作し、
前記複数の画素のうち、表示する階調が前記一定の階調より明るい画素では前記第２のモードで動作することを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項３】
ＥＬ素子を有する複数の画素が設けられた発光装置の駆動方法であって、
第１のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間において、前記ＥＬ素子の輝度が常に一定に保たれており、
第２のモードでは、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの所定の期間における前記ＥＬ素子の輝度が、前記ＥＬ素子が発光している期間のうちの前記所定の期間以外の期間における前記ＥＬ素子の輝度に比べて高くなっており、
前記複数の画素のうち、隣接する画素に比べて、表示する階調が一定の値以上明るい画素のみ前記第２のモードで動作し、
前記複数の画素のうち、隣接する画素に比べて、表示する階調が前記一定の値以上明るい画素以外の画素は前記第１のモードで動作することを特徴とする発光装置の駆動方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００７−４１６１５（Ｐ２００７−４１６１５Ａ）
【公開日】平成１９年２月１５日（２００７．２．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２５９９２９（Ｐ２００６−２５９９２９）
【出願日】平成１８年９月２６日（２００６．９．２６）
【分割の表示】特願２００１−３４５８１１（Ｐ２００１−３４５８１１）の分割
【原出願日】平成１３年１１月１２日（２００１．１１．１２）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年２月１５日（２００７．２．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年９月２６日（２００６．９．２６）
【分割の表示】特願２００１−３４５８１１（Ｐ２００１−３４５８１１）の分割
【原出願日】平成１３年１１月１２日（２００１．１１．１２）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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