発光装置及び表示装置
【課題】本発明は、蛍光層が形成される前面基板の発熱量を減少させることが可能な発光装置及びこの発光装置を光源として用いて、表示パネルの性能低下を抑制することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】本発明による発光装置１０は、互いに対向配置されて真空容器を構成する第１基板１２及び第２基板１４と、第１基板１２に配置される電子放出ユニット１８と、第２基板１４に配置される発光ユニット２０とを含む。発光ユニット２０は、第２基板１４に互いに間隔をおいて形成される複数の蛍光層３０と、蛍光層３０の間に形成される放熱層３２と、蛍光層３０と放熱層３２の一面に位置するアノード電極３４とを含む。放熱層３２はその端部が真空容器の外側に伸びて大気中に露出される。
【解決手段】本発明による発光装置１０は、互いに対向配置されて真空容器を構成する第１基板１２及び第２基板１４と、第１基板１２に配置される電子放出ユニット１８と、第２基板１４に配置される発光ユニット２０とを含む。発光ユニット２０は、第２基板１４に互いに間隔をおいて形成される複数の蛍光層３０と、蛍光層３０の間に形成される放熱層３２と、蛍光層３０と放熱層３２の一面に位置するアノード電極３４とを含む。放熱層３２はその端部が真空容器の外側に伸びて大気中に露出される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び表示装置に関し、より詳しくは、電子放出部と蛍光層とを用いて光を発光する発光装置、及びこの発光装置を光源として用いる表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルのような受光型表示パネルを備えた発光装置は、表示パネルに光を提供する光源を要する。一般に、冷陰極蛍光ランプ（ＣＣＦＬ）方式の発光装置と、発光ダイオード（ＬＥＤ）方式の発光装置とが、表示装置の光源として幅広く用いられている。
【０００３】
ＣＣＦＬ方式とＬＥＤ方式とは、各々線光源と点光源とを用いるので、光拡散のための複数の光学部材を備えている。しかし、線光源または点光源として放出された光の相当量が光学部材を経て漏れるため、ＣＣＦＬ方式及びＬＥＤ方式においては、十分な輝度を得るために消費電力を高めなければならない。
【０００４】
最近、ＣＣＦＬ方式及びＬＥＤ方式を代替する発光装置として、後面基板に電子放出部を備え、前面基板に蛍光層とアノード電極とを備えた発光装置が提案されている。この発光装置では、前面基板と後面基板とが密封部材によって接合され、内部の空気が排気されて真空容器を構成し、電子放出部から放出された電子が蛍光層を励起させて可視光を放出する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような発光装置では、蛍光層での持続的な電子衝突によって前面基板に相当な熱が発生する。しかし、前面基板は表示パネルと向き合うように位置するため、冷却装置を設置するのが困難である。つまり、かかる発光装置では、前面基板の熱が表示パネルに伝えられて表示パネルの性能低下を誘発し、蛍光層が長時間高温に露出することによって発光効率が落ちる問題が生じる。
【０００６】
また、このような発光装置では、表示装置駆動時に発光面全体が一定の輝度で発光するため、表示装置に要求される画質改善、例えば、動的コントラスト比を高めることが困難であるという問題もある。
【０００７】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、蛍光層が形成される前面基板の発熱量を減少させ、表示パネルの性能低下を抑制することが可能な、新規かつ改良された発光装置及び表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、互いに対向配置されて真空容器を構成する第１基板及び第２基板と、第１基板に配置される電子放出ユニットと、第２基板に配置される発光ユニットと、を備え、発光ユニットは、第２基板上に互いに間隔をおいて形成される複数の蛍光層と、蛍光層の間に形成され、真空容器の外側に伸びて大気中に露出される端部を備えた放熱層と、蛍光層及び放熱層の一面に位置するアノード電極と、を含む発光装置が提供される。
【０００９】
また、放熱層は、導電性炭素系物質を含むようにしてもよい。
【００１０】
また、放熱層は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金、白金、及び白金合金で構成された群より選択される金属を含むようにしてもよい。
【００１１】
また、蛍光層は、四角形に形成されてもよく、放熱層は、格子パターンに形成されてもよい。
【００１２】
また、アノード電極は、蛍光層及び放熱層の第１基板に対向する一面に金属膜で形成されてもよい。
【００１３】
あるいは、アノード電極は、蛍光層及び放熱層の第２基板に対向する一面に透明導電膜で形成されてもよい。
【００１４】
また、発光ユニットは、蛍光層及び放熱層の第１基板に対向する一面に位置する金属反射膜をさらに含むようにしてもよい。
【００１５】
また、電子放出ユニットは、互いに絶縁状態を維持しながら互いに交差する方向に沿って形成される第１電極及び第２電極と、第１電極または第２電極に電気的に接続する電子放出部と、を含むようにしてもよい。
【００１６】
また、電子放出部は、炭素系物質とナノメートルサイズ物質とのうち、少なくとも一つを含むようにしてもよい。
【００１７】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、画像を表示する表示パネルと表示パネルに対して光を放出する発光装置と、を備え、発光装置は、（ｉ）互いに対向配置されて真空容器を構成する第１基板及び第２基板と、（ｉｉ）第１基板に配置される電子放出ユニットと、（ｉｉｉ）第２基板上に互いに間隔をおいて形成される複数の蛍光層、蛍光層の間に形成され、真空容器の外側に伸びて大気中に露出される端部を備えた放熱層、及び蛍光層と放熱層との一面に位置するアノード電極を含む発光ユニットと、を含む，表示装置が提供される。
【００１８】
また、放熱層は、導電性炭素系物質を含むようにしてもよい。
【００１９】
また、放熱層は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金、白金、及び白金合金で構成された群より選択される金属を含むようにしてもよい。
【００２０】
また、蛍光層は四角形に形成され、放熱層は、格子パターンに形成されるようにしてもよい。
【００２１】
また、アノード電極は、蛍光層及び放熱層の第１基板に対向する一面に金属膜で形成されるようにしてもよい。
【００２２】
また、アノード電極は、蛍光層及び放熱層の第２基板に対向する一面に透明導電膜で形成されるようにしてもよい。
【００２３】
また、発光ユニットは、蛍光層及び放熱層の第１基板に対向する一面に位置する金属反射膜をさらに含むようしてもよい。
【００２４】
また、電子放出ユニットは、互いに絶縁状態を維持しながら互いに交差する方向に沿って形成される第１電極及び第２電極と、第１電極または第２電極に電気的に接続される電子放出部と、を含むようにしてもよい。
【００２５】
また、表示パネルは、第１画素を形成し、発光装置は、第１画素より少ない個数の第２画素を形成しながら、第２画素毎に独立して発光強さを制御するようにしてもよい。
【００２６】
また、表示パネルは、液晶表示パネルであってもよい。
【発明の効果】
【００２７】
以上説明したように本発明によれば、蛍光層が形成される前面基板の発熱量を減少させ、表示パネルの性能低下を抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２９】
本発明の第１の目的は、蛍光層が形成される前面基板の発熱量を減らすことが可能な発光装置と、この発光装置を光源として用いて表示パネルの性能低下を抑制することが可能な表示装置とを提供することである。
【００３０】
また、本発明の第２の目的は、発光面を複数領域に分割し、分割された領域別に輝度を独立的に制御できる発光装置と、この発光装置を光源として用いて画面の動的コントラスト比を高めることが可能な表示装置を提供することである。
【００３１】
（発光装置の第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる発光装置の断面図である。
【００３２】
図１を参照すると、本実施形態の発光装置１０は、所定の間隔をおいて平行に対向配置される第１基板１２と第２基板１４とを含む。第１基板１２及び第２基板１４の周縁には密封部材１６が配置され、両基板を接合させる。また、内部空間をほぼ１０-６Ｔｏｒｒの真空度に排気して、第１基板１２、第２基板１４及び密封部材１６によって真空容器が構成される。
【００３３】
第１基板１２及び第２基板１４上の領域のうち、密封部材１６の内側に位置する領域は、実際に可視光放出に寄与する有効領域と、有効領域を囲む非有効領域とに区分できる。第１基板１２の有効領域には電子放出のための電子放出ユニット１８が配置され、第２基板１４の有効領域には可視光放出のための発光ユニット２０が配置される。
【００３４】
図２は、本発明の第１の実施形態にかかる発光装置における有効領域を示した部分分解斜視図である。
【００３５】
図１及び図２を参照すると、電子放出ユニット１８は、絶縁層２４を間において互いに交差方向に沿って帯状パターンで形成される第１電極２２及び第２電極２６と、第１電極２２と第２電極２６のうち、一方の電極に電気的に接続する電子放出部２８とを含む。
【００３６】
電子放出部２８が第１電極２２に形成される場合、第１電極２２が電子放出部２８に電流を供給するカソード電極となり、第２電極２６がカソード電極との電圧差によって電界を形成して電子放出を誘導するゲート電極となる。また、電子放出部２８が第２電極２６に形成される場合、第２電極２６がカソード電極となり、第１電極２２がゲート電極となる。
【００３７】
第１電極２２及び第２電極２６のうち、発光装置１０の行方向（図２に表記されたｘ軸方向）に沿って位置する電極が走査電極として機能し、発光装置１０の列方向（図２に表記されたｙ軸方向）に沿って位置する電極がデータ電極として機能する。
【００３８】
図面では、電子放出部２８が第１電極２２に形成され、第１電極２２が発光装置１０の列方向に沿って配置され、第２電極２６が発光装置１０の行方向に沿って配置されることを示した。電子放出部２８の位置と第１電極２２及び第２電極２６の配置方向とは、上述した例に限定されず、多様に変形可能である。
【００３９】
第１電極２２と第２電極２６との交差領域毎に、第２電極２６及び絶縁層２４には開口部２６１、２４１が形成されて第１電極２２の表面の一部を露出させ、絶縁層２４の開口部２４１の内側の第１電極２２の上に電子放出部２８が位置する。
【００４０】
電子放出部２８は、真空中に電界を加えると電子を放出する物質、例えば、炭素系物質またはナノメートルサイズ物質等で構成される。電子放出部２８は、例えば、炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、Ｃ６０、シリコンナノワイヤー及びこれらの組み合わせで構成された群より選択した物質を含んでもよく、スクリーン印刷、直接成長、化学気相蒸着またはスパッタリングなどの製造法で製造されてもよい。
【００４１】
一方、電子放出部は、モリブデン（Ｍｏ）またはシリコン（Ｓｉ）等を主材質とする先端が尖っているチップ構造物であってもよい。
【００４２】
上述した構造において、第１電極２２と第２電極２６との交差領域がそれぞれ発光装置１０の１つの画素領域に対応するように構成したり、２つ以上の交差領域が発光装置１０の１つの画素領域に対応するように構成してもよい。後者の場合、１つの画素領域に対応する２つ以上の第１電極２２及び／または２つ以上の第２電極２６は互いに電気的に接続されて同一駆動電圧を印加する。
【００４３】
次に、発光ユニット２０は、第２基板１４の一面に所定のパターンを有して互いに間隔をおいて位置する蛍光層３０と、蛍光層３０の間に蛍光層３０と並んで位置する放熱層３２と、第１基板１２に向かう蛍光層３０と放熱層３２の一面に位置するアノード電極３４と、を含む。
【００４４】
蛍光層３０は、白色光を放出する白色蛍光層に形成されることができる。蛍光層３０は、画素領域毎に１つずつ配置されてもよく、１つの画素領域に２つ以上配置されてもよく、２つ以上の画素領域にわたって１つ配置されてもよい。これら３つの場合全てにおいて、各々の蛍光層３０は、図３に示したように四角形に形成されてもよい。
【００４５】
放熱層３２は、熱伝導係数が高い物質で形成される。放熱層３２は、例えば、黒鉛のような導電性炭素系物質で構成される。一方、放熱層３２は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金、白金、及び白金合金で構成された群より選択された金属を含んでもよい。
【００４６】
放熱層３２は、蛍光層３０の配列に合わせて蛍光層３０の間に格子パターンで形成される。図４に示したように、放熱層３２は、その端部３２１を密封部材１６の外側に露出させて、駆動時に第２基板１４で発生する熱を速かに大気中に放出させる。
【００４７】
アノード電極３４は、蛍光層３０及び放熱層３２の表面を覆うアルミニウムのような金属膜で形成されてもよい。アノード電極３４は、電子ビームを引き寄せる加速電極として、高電圧を印加して蛍光層３０を高電位状態に維持させ、蛍光層３０で放射された可視光の中、第１基板１２に向かって放射された可視光を第２基板１４側に反射させて輝度を高める役割を果たす。
【００４８】
そして、第１基板１２と第２基板１４との間には、真空容器に加えられる圧縮力に対して両基板を支持し、両基板の間隔を一定に維持させるスペーサ（図示せず）が配置される。
【００４９】
上述した構成の発光装置１０は、真空容器外部から第１電極２２と第２電極２６とに所定の駆動電圧を印加し、アノード電極３４に数千ボルトの正の直流電圧を印加して駆動する。図１で「３６」は第２電極から延長された第２電極リード部を示し、「３８」はアノード電極から延長されたアノードリード部を示す。
【００５０】
このとき、第１電極２２と第２電極２６との電圧差がしきい値以上となって１つの画素から電子放出部２８の周囲に電界が形成され、電子放出部２８から電子が放出される。さらに、放出された電子がアノード電圧に引き寄せられて、対応する蛍光層３０の部位に衝突することによって蛍光層３０を発光させる。蛍光層３０の画素別の発光の強さは、当該画素の電子ビーム放出量に対応する。
【００５１】
上述した駆動過程において、蛍光層３０とアノード電極３４とが配置される第２基板１４には持続的な電子衝突によって熱が発生するが、本実施形態の発光装置１０では、高い熱伝導係数を有する放熱層３２が蛍光層３０の間に配置され、その端部３２１が大気中に露出されることによって、第２基板１４から発生する熱を放熱層３２を通して速かに大気中に放出させることができ、これにより第２基板１４の温度上昇を減少させることができる。
【００５２】
従って、本実施形態の発光装置１０は、昇温軽減のための別途の冷却装置を備る必要がないため、電力損失を最少化して蛍光層３０の劣化を抑制し、発光効率を上げることができる。また、本実施形態の発光装置１０は、表示装置（図示せず）の表示パネル（図示せず）の後方に配置されて光源として機能する時、熱による表示パネルの性能低下を抑制することができる。
【００５３】
（発光装置の第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態にかかる発光装置のうち、第２基板と発光ユニットとを示した部分拡大断面図である。
【００５４】
図５を参照すると、本実施形態における発光ユニット２０’は、第２基板１４’の一面に配置され、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）のような透明導電膜で構成されるアノード電極３４’と、アノード電極３４’の第１基板に対抗する一面に所定のパターンで互いに間隔をおいて形成される蛍光層３０’と、蛍光層３０’の間に蛍光層３０’と並んで形成される放熱層３２’とにより構成される。
【００５５】
そして、蛍光層３０’及び放熱層３２’の第１基板に対向する一面に金属反射膜４０がさらに形成される。蛍光層３０’及び放熱層３２’の材料及び形状などは上述した第１の実施形態と同様に形成されてもよい。また、金属反射膜４０は、アルミニウムで形成されてもよい。
【００５６】
一方、上述した第１及び第２の実施形態において、第１基板１２と第２基板１４、１４’は、５〜２０ｍｍの比較的大きい間隔をおいて配置させることができる。そして、アノード電極３４、３４’は、アノードリード部３８を通して、１０ｋＶ以上、望ましくは１０〜１５ｋＶ程度の高電圧を印加する。本実施形態の発光装置１０は、上述した構成により、有効領域中央部でほぼ１０，０００ｃｄ／ｍ２以上の最大輝度を実現することができる。
【００５７】
（表示装置）
図６は、本発明の一実施形態にかかる表示装置の分解斜視図である。図６に示した表示装置は、本発明を例示するためであり、本発明がこれに限定されるのではない。
【００５８】
図６を参照すると、本実施形態の表示装置１００は、発光装置１０と、発光装置１０の前方に位置する表示パネル５０とを含む。発光装置１０と表示パネル５０との間には発光装置１０で発光された光を均等に拡散させて表示パネル５０に提供する拡散板６０が配置されてもよい。拡散板６０と発光装置１０とは、所定の距離をおいて配置される。表示パネル６０の前方と発光装置１０の後方とには、各々トップシャーシ６２とボトムシャーシ６４が位置する。
【００５９】
表示パネル５０は、液晶表示パネルまたは他の受光型表示パネルで構成される。以下、一例として、表示パネル５０が液晶表示パネルである場合について説明する。
【００６０】
表示パネル５０は、多数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されたＴＦＴ基板５２と、ＴＦＴ基板５２上部に位置するカラーフィルタ基板５４と、この基板５２、５４の間に注入される液晶層（図示せず）を含む。カラーフィルタ基板５４の上部とＴＦＴ基板５２の下部とには偏光板（図示せず）が付着されて表示パネル５０を通過する光を偏光させる。
【００６１】
各ＴＦＴのソース端子にはデータラインが接続され、ゲート端子にはゲートラインが接続され、ドレイン端子には画素電極が接続される。ゲートライン及びデータラインに各々回路ボードアセンブリ５６、５８から電気的な信号を入力すると、ＴＦＴのゲート端子とソース端子に電気的な信号が入力され、信号入力によりＴＦＴは導通または遮断されて画素電極駆動に必要な電気的な信号がドレイン端子に出力される。
【００６２】
カラーフィルタ基板５４には、赤色、緑色及び青色のカラーフィルタと共通電極ととが位置する。ＴＦＴが導通すると、画素電極と共通電極の間に電界が形成される。この電界によって、液晶層を構成する液晶分子の配列角が変化して、変化された配列角により画素別に光透過度が変化する。
【００６３】
表示パネル５０の回路ボードアセンブリ５６、５８は、各々の駆動集積回路（ＩＣ）パッケージ５６１、５８１と接続される。表示パネル５０を駆動するために、ゲート回路ボードアセンブリ５６は、ゲート駆動信号を伝送し、データ回路ボードアセンブリ５８はデータ駆動信号を伝送する。
【００６４】
発光装置１０は、表示パネル５０より少ない数の画素を形成して、発光装置１０の１つの画素が２つ以上の表示パネル５０の画素に対応するようにする。発光装置１０の各画素は、対応する複数の表示パネル５０画素のうちの最も高い階調に対応して発光することができる。発光装置１０は、画素別に２〜８ビットの階調を表現できる。
【００６５】
便宜上、表示パネル５０の画素を第１画素、発光装置１０の画素を第２画素といい、１つの第２画素に対応する複数の第１画素を第１画素群という。
【００６６】
発光装置１０の駆動過程は、表示パネル５０を制御する信号制御部（図示せず）が第１画素群の第１画素のうち、最も高い階調を検出し、検出された階調により第２画素発光に必要な階調を算出してこれをデジタルデータに変換し、このデジタルデータを利用して、発光装置１０の駆動信号を生成する諸過程を含むことができる。発光装置１０の駆動信号は走査駆動信号とデータ駆動信号とを含む。
【００６７】
発光装置１０の回路ボードアセンブリ（図示せず）、つまり、走査回路ボードアセンブリとデータ回路ボードアセンブリとは、各々の駆動ＩＣパッケージ４４１、４６１と接続される。発光装置１０を駆動するために、走査回路ボードアセンブリは走査駆動信号を伝送し、データ回路ボードアセンブリはデータ駆動信号を伝送する。
【００６８】
発光装置１０の第２画素は、対応する第１画素群に画像が表示される時、第１画素群に同期して所定の階調に発光する。このように、発光装置１０は、画素別に輝度を独立的に制御して、各画素に対応する表示パネル５０の画素に適切な強さの光を提供する。従って、本実施形態の表示装置１００は、動的コントラスト比が優れた画面を表示することができ、より鮮明な画質を実現することができる。
【００６９】
以上説明したように本発明によれば、放熱層によって第２基板の発熱量を減らすため、表示パネルの性能低下を抑制し、蛍光層の劣化を抑制して発光効率を上げることができる。また、本発明による発光装置は、複数の画素を備えて画素別に輝度を独立的に制御することができる。従って、本発明による表示装置は、輝度と動的コントラスト比を向上できる。
【００７０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の第１の実施形態１にかかる発光装置の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態にかかる発光装置の有効領域を示した部分分解斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施形態にかかる発光装置の発光ユニットの部分平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態１にかかる発光装置の第２基板の平面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態にかかる発光装置の第２基板及び発光ユニットの部分拡大断面図である。
【図６】本発明の一実施形態にかかる表示装置の分解斜視図である。
【符号の説明】
【００７２】
１００ 表示装置
１０ 発光装置
１２、１４、１４’ 基板
１６ 密封部材
１８ 電子放出ユニット
２０、２０’ 発光ユニット
２２、２６ 電極
２４ 絶縁層
２８ 電子放出部
３０、３０’ 蛍光層
３２、３２’ 放熱層
３４、３４’ アノード電極
３６ 第２電極リード部
３８ アノードリード部
４０ 金属反射膜
４４１、４６１ 駆動ＩＣパッケージ
５０ 表示パネル
５２ ＴＦＴ基板
５４ カラーフィルター基板
５６、５８ 回路ボードアセンブリ
５６１、５８１ 駆動集積回路（ＩＣ）パッケージ
６０ 拡散板
６２ トップシャーシ
６４ ボトムシャーシ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び表示装置に関し、より詳しくは、電子放出部と蛍光層とを用いて光を発光する発光装置、及びこの発光装置を光源として用いる表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルのような受光型表示パネルを備えた発光装置は、表示パネルに光を提供する光源を要する。一般に、冷陰極蛍光ランプ（ＣＣＦＬ）方式の発光装置と、発光ダイオード（ＬＥＤ）方式の発光装置とが、表示装置の光源として幅広く用いられている。
【０００３】
ＣＣＦＬ方式とＬＥＤ方式とは、各々線光源と点光源とを用いるので、光拡散のための複数の光学部材を備えている。しかし、線光源または点光源として放出された光の相当量が光学部材を経て漏れるため、ＣＣＦＬ方式及びＬＥＤ方式においては、十分な輝度を得るために消費電力を高めなければならない。
【０００４】
最近、ＣＣＦＬ方式及びＬＥＤ方式を代替する発光装置として、後面基板に電子放出部を備え、前面基板に蛍光層とアノード電極とを備えた発光装置が提案されている。この発光装置では、前面基板と後面基板とが密封部材によって接合され、内部の空気が排気されて真空容器を構成し、電子放出部から放出された電子が蛍光層を励起させて可視光を放出する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような発光装置では、蛍光層での持続的な電子衝突によって前面基板に相当な熱が発生する。しかし、前面基板は表示パネルと向き合うように位置するため、冷却装置を設置するのが困難である。つまり、かかる発光装置では、前面基板の熱が表示パネルに伝えられて表示パネルの性能低下を誘発し、蛍光層が長時間高温に露出することによって発光効率が落ちる問題が生じる。
【０００６】
また、このような発光装置では、表示装置駆動時に発光面全体が一定の輝度で発光するため、表示装置に要求される画質改善、例えば、動的コントラスト比を高めることが困難であるという問題もある。
【０００７】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、蛍光層が形成される前面基板の発熱量を減少させ、表示パネルの性能低下を抑制することが可能な、新規かつ改良された発光装置及び表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、互いに対向配置されて真空容器を構成する第１基板及び第２基板と、第１基板に配置される電子放出ユニットと、第２基板に配置される発光ユニットと、を備え、発光ユニットは、第２基板上に互いに間隔をおいて形成される複数の蛍光層と、蛍光層の間に形成され、真空容器の外側に伸びて大気中に露出される端部を備えた放熱層と、蛍光層及び放熱層の一面に位置するアノード電極と、を含む発光装置が提供される。
【０００９】
また、放熱層は、導電性炭素系物質を含むようにしてもよい。
【００１０】
また、放熱層は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金、白金、及び白金合金で構成された群より選択される金属を含むようにしてもよい。
【００１１】
また、蛍光層は、四角形に形成されてもよく、放熱層は、格子パターンに形成されてもよい。
【００１２】
また、アノード電極は、蛍光層及び放熱層の第１基板に対向する一面に金属膜で形成されてもよい。
【００１３】
あるいは、アノード電極は、蛍光層及び放熱層の第２基板に対向する一面に透明導電膜で形成されてもよい。
【００１４】
また、発光ユニットは、蛍光層及び放熱層の第１基板に対向する一面に位置する金属反射膜をさらに含むようにしてもよい。
【００１５】
また、電子放出ユニットは、互いに絶縁状態を維持しながら互いに交差する方向に沿って形成される第１電極及び第２電極と、第１電極または第２電極に電気的に接続する電子放出部と、を含むようにしてもよい。
【００１６】
また、電子放出部は、炭素系物質とナノメートルサイズ物質とのうち、少なくとも一つを含むようにしてもよい。
【００１７】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、画像を表示する表示パネルと表示パネルに対して光を放出する発光装置と、を備え、発光装置は、（ｉ）互いに対向配置されて真空容器を構成する第１基板及び第２基板と、（ｉｉ）第１基板に配置される電子放出ユニットと、（ｉｉｉ）第２基板上に互いに間隔をおいて形成される複数の蛍光層、蛍光層の間に形成され、真空容器の外側に伸びて大気中に露出される端部を備えた放熱層、及び蛍光層と放熱層との一面に位置するアノード電極を含む発光ユニットと、を含む，表示装置が提供される。
【００１８】
また、放熱層は、導電性炭素系物質を含むようにしてもよい。
【００１９】
また、放熱層は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金、白金、及び白金合金で構成された群より選択される金属を含むようにしてもよい。
【００２０】
また、蛍光層は四角形に形成され、放熱層は、格子パターンに形成されるようにしてもよい。
【００２１】
また、アノード電極は、蛍光層及び放熱層の第１基板に対向する一面に金属膜で形成されるようにしてもよい。
【００２２】
また、アノード電極は、蛍光層及び放熱層の第２基板に対向する一面に透明導電膜で形成されるようにしてもよい。
【００２３】
また、発光ユニットは、蛍光層及び放熱層の第１基板に対向する一面に位置する金属反射膜をさらに含むようしてもよい。
【００２４】
また、電子放出ユニットは、互いに絶縁状態を維持しながら互いに交差する方向に沿って形成される第１電極及び第２電極と、第１電極または第２電極に電気的に接続される電子放出部と、を含むようにしてもよい。
【００２５】
また、表示パネルは、第１画素を形成し、発光装置は、第１画素より少ない個数の第２画素を形成しながら、第２画素毎に独立して発光強さを制御するようにしてもよい。
【００２６】
また、表示パネルは、液晶表示パネルであってもよい。
【発明の効果】
【００２７】
以上説明したように本発明によれば、蛍光層が形成される前面基板の発熱量を減少させ、表示パネルの性能低下を抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２９】
本発明の第１の目的は、蛍光層が形成される前面基板の発熱量を減らすことが可能な発光装置と、この発光装置を光源として用いて表示パネルの性能低下を抑制することが可能な表示装置とを提供することである。
【００３０】
また、本発明の第２の目的は、発光面を複数領域に分割し、分割された領域別に輝度を独立的に制御できる発光装置と、この発光装置を光源として用いて画面の動的コントラスト比を高めることが可能な表示装置を提供することである。
【００３１】
（発光装置の第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる発光装置の断面図である。
【００３２】
図１を参照すると、本実施形態の発光装置１０は、所定の間隔をおいて平行に対向配置される第１基板１２と第２基板１４とを含む。第１基板１２及び第２基板１４の周縁には密封部材１６が配置され、両基板を接合させる。また、内部空間をほぼ１０-６Ｔｏｒｒの真空度に排気して、第１基板１２、第２基板１４及び密封部材１６によって真空容器が構成される。
【００３３】
第１基板１２及び第２基板１４上の領域のうち、密封部材１６の内側に位置する領域は、実際に可視光放出に寄与する有効領域と、有効領域を囲む非有効領域とに区分できる。第１基板１２の有効領域には電子放出のための電子放出ユニット１８が配置され、第２基板１４の有効領域には可視光放出のための発光ユニット２０が配置される。
【００３４】
図２は、本発明の第１の実施形態にかかる発光装置における有効領域を示した部分分解斜視図である。
【００３５】
図１及び図２を参照すると、電子放出ユニット１８は、絶縁層２４を間において互いに交差方向に沿って帯状パターンで形成される第１電極２２及び第２電極２６と、第１電極２２と第２電極２６のうち、一方の電極に電気的に接続する電子放出部２８とを含む。
【００３６】
電子放出部２８が第１電極２２に形成される場合、第１電極２２が電子放出部２８に電流を供給するカソード電極となり、第２電極２６がカソード電極との電圧差によって電界を形成して電子放出を誘導するゲート電極となる。また、電子放出部２８が第２電極２６に形成される場合、第２電極２６がカソード電極となり、第１電極２２がゲート電極となる。
【００３７】
第１電極２２及び第２電極２６のうち、発光装置１０の行方向（図２に表記されたｘ軸方向）に沿って位置する電極が走査電極として機能し、発光装置１０の列方向（図２に表記されたｙ軸方向）に沿って位置する電極がデータ電極として機能する。
【００３８】
図面では、電子放出部２８が第１電極２２に形成され、第１電極２２が発光装置１０の列方向に沿って配置され、第２電極２６が発光装置１０の行方向に沿って配置されることを示した。電子放出部２８の位置と第１電極２２及び第２電極２６の配置方向とは、上述した例に限定されず、多様に変形可能である。
【００３９】
第１電極２２と第２電極２６との交差領域毎に、第２電極２６及び絶縁層２４には開口部２６１、２４１が形成されて第１電極２２の表面の一部を露出させ、絶縁層２４の開口部２４１の内側の第１電極２２の上に電子放出部２８が位置する。
【００４０】
電子放出部２８は、真空中に電界を加えると電子を放出する物質、例えば、炭素系物質またはナノメートルサイズ物質等で構成される。電子放出部２８は、例えば、炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、Ｃ６０、シリコンナノワイヤー及びこれらの組み合わせで構成された群より選択した物質を含んでもよく、スクリーン印刷、直接成長、化学気相蒸着またはスパッタリングなどの製造法で製造されてもよい。
【００４１】
一方、電子放出部は、モリブデン（Ｍｏ）またはシリコン（Ｓｉ）等を主材質とする先端が尖っているチップ構造物であってもよい。
【００４２】
上述した構造において、第１電極２２と第２電極２６との交差領域がそれぞれ発光装置１０の１つの画素領域に対応するように構成したり、２つ以上の交差領域が発光装置１０の１つの画素領域に対応するように構成してもよい。後者の場合、１つの画素領域に対応する２つ以上の第１電極２２及び／または２つ以上の第２電極２６は互いに電気的に接続されて同一駆動電圧を印加する。
【００４３】
次に、発光ユニット２０は、第２基板１４の一面に所定のパターンを有して互いに間隔をおいて位置する蛍光層３０と、蛍光層３０の間に蛍光層３０と並んで位置する放熱層３２と、第１基板１２に向かう蛍光層３０と放熱層３２の一面に位置するアノード電極３４と、を含む。
【００４４】
蛍光層３０は、白色光を放出する白色蛍光層に形成されることができる。蛍光層３０は、画素領域毎に１つずつ配置されてもよく、１つの画素領域に２つ以上配置されてもよく、２つ以上の画素領域にわたって１つ配置されてもよい。これら３つの場合全てにおいて、各々の蛍光層３０は、図３に示したように四角形に形成されてもよい。
【００４５】
放熱層３２は、熱伝導係数が高い物質で形成される。放熱層３２は、例えば、黒鉛のような導電性炭素系物質で構成される。一方、放熱層３２は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金、白金、及び白金合金で構成された群より選択された金属を含んでもよい。
【００４６】
放熱層３２は、蛍光層３０の配列に合わせて蛍光層３０の間に格子パターンで形成される。図４に示したように、放熱層３２は、その端部３２１を密封部材１６の外側に露出させて、駆動時に第２基板１４で発生する熱を速かに大気中に放出させる。
【００４７】
アノード電極３４は、蛍光層３０及び放熱層３２の表面を覆うアルミニウムのような金属膜で形成されてもよい。アノード電極３４は、電子ビームを引き寄せる加速電極として、高電圧を印加して蛍光層３０を高電位状態に維持させ、蛍光層３０で放射された可視光の中、第１基板１２に向かって放射された可視光を第２基板１４側に反射させて輝度を高める役割を果たす。
【００４８】
そして、第１基板１２と第２基板１４との間には、真空容器に加えられる圧縮力に対して両基板を支持し、両基板の間隔を一定に維持させるスペーサ（図示せず）が配置される。
【００４９】
上述した構成の発光装置１０は、真空容器外部から第１電極２２と第２電極２６とに所定の駆動電圧を印加し、アノード電極３４に数千ボルトの正の直流電圧を印加して駆動する。図１で「３６」は第２電極から延長された第２電極リード部を示し、「３８」はアノード電極から延長されたアノードリード部を示す。
【００５０】
このとき、第１電極２２と第２電極２６との電圧差がしきい値以上となって１つの画素から電子放出部２８の周囲に電界が形成され、電子放出部２８から電子が放出される。さらに、放出された電子がアノード電圧に引き寄せられて、対応する蛍光層３０の部位に衝突することによって蛍光層３０を発光させる。蛍光層３０の画素別の発光の強さは、当該画素の電子ビーム放出量に対応する。
【００５１】
上述した駆動過程において、蛍光層３０とアノード電極３４とが配置される第２基板１４には持続的な電子衝突によって熱が発生するが、本実施形態の発光装置１０では、高い熱伝導係数を有する放熱層３２が蛍光層３０の間に配置され、その端部３２１が大気中に露出されることによって、第２基板１４から発生する熱を放熱層３２を通して速かに大気中に放出させることができ、これにより第２基板１４の温度上昇を減少させることができる。
【００５２】
従って、本実施形態の発光装置１０は、昇温軽減のための別途の冷却装置を備る必要がないため、電力損失を最少化して蛍光層３０の劣化を抑制し、発光効率を上げることができる。また、本実施形態の発光装置１０は、表示装置（図示せず）の表示パネル（図示せず）の後方に配置されて光源として機能する時、熱による表示パネルの性能低下を抑制することができる。
【００５３】
（発光装置の第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態にかかる発光装置のうち、第２基板と発光ユニットとを示した部分拡大断面図である。
【００５４】
図５を参照すると、本実施形態における発光ユニット２０’は、第２基板１４’の一面に配置され、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）のような透明導電膜で構成されるアノード電極３４’と、アノード電極３４’の第１基板に対抗する一面に所定のパターンで互いに間隔をおいて形成される蛍光層３０’と、蛍光層３０’の間に蛍光層３０’と並んで形成される放熱層３２’とにより構成される。
【００５５】
そして、蛍光層３０’及び放熱層３２’の第１基板に対向する一面に金属反射膜４０がさらに形成される。蛍光層３０’及び放熱層３２’の材料及び形状などは上述した第１の実施形態と同様に形成されてもよい。また、金属反射膜４０は、アルミニウムで形成されてもよい。
【００５６】
一方、上述した第１及び第２の実施形態において、第１基板１２と第２基板１４、１４’は、５〜２０ｍｍの比較的大きい間隔をおいて配置させることができる。そして、アノード電極３４、３４’は、アノードリード部３８を通して、１０ｋＶ以上、望ましくは１０〜１５ｋＶ程度の高電圧を印加する。本実施形態の発光装置１０は、上述した構成により、有効領域中央部でほぼ１０，０００ｃｄ／ｍ２以上の最大輝度を実現することができる。
【００５７】
（表示装置）
図６は、本発明の一実施形態にかかる表示装置の分解斜視図である。図６に示した表示装置は、本発明を例示するためであり、本発明がこれに限定されるのではない。
【００５８】
図６を参照すると、本実施形態の表示装置１００は、発光装置１０と、発光装置１０の前方に位置する表示パネル５０とを含む。発光装置１０と表示パネル５０との間には発光装置１０で発光された光を均等に拡散させて表示パネル５０に提供する拡散板６０が配置されてもよい。拡散板６０と発光装置１０とは、所定の距離をおいて配置される。表示パネル６０の前方と発光装置１０の後方とには、各々トップシャーシ６２とボトムシャーシ６４が位置する。
【００５９】
表示パネル５０は、液晶表示パネルまたは他の受光型表示パネルで構成される。以下、一例として、表示パネル５０が液晶表示パネルである場合について説明する。
【００６０】
表示パネル５０は、多数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されたＴＦＴ基板５２と、ＴＦＴ基板５２上部に位置するカラーフィルタ基板５４と、この基板５２、５４の間に注入される液晶層（図示せず）を含む。カラーフィルタ基板５４の上部とＴＦＴ基板５２の下部とには偏光板（図示せず）が付着されて表示パネル５０を通過する光を偏光させる。
【００６１】
各ＴＦＴのソース端子にはデータラインが接続され、ゲート端子にはゲートラインが接続され、ドレイン端子には画素電極が接続される。ゲートライン及びデータラインに各々回路ボードアセンブリ５６、５８から電気的な信号を入力すると、ＴＦＴのゲート端子とソース端子に電気的な信号が入力され、信号入力によりＴＦＴは導通または遮断されて画素電極駆動に必要な電気的な信号がドレイン端子に出力される。
【００６２】
カラーフィルタ基板５４には、赤色、緑色及び青色のカラーフィルタと共通電極ととが位置する。ＴＦＴが導通すると、画素電極と共通電極の間に電界が形成される。この電界によって、液晶層を構成する液晶分子の配列角が変化して、変化された配列角により画素別に光透過度が変化する。
【００６３】
表示パネル５０の回路ボードアセンブリ５６、５８は、各々の駆動集積回路（ＩＣ）パッケージ５６１、５８１と接続される。表示パネル５０を駆動するために、ゲート回路ボードアセンブリ５６は、ゲート駆動信号を伝送し、データ回路ボードアセンブリ５８はデータ駆動信号を伝送する。
【００６４】
発光装置１０は、表示パネル５０より少ない数の画素を形成して、発光装置１０の１つの画素が２つ以上の表示パネル５０の画素に対応するようにする。発光装置１０の各画素は、対応する複数の表示パネル５０画素のうちの最も高い階調に対応して発光することができる。発光装置１０は、画素別に２〜８ビットの階調を表現できる。
【００６５】
便宜上、表示パネル５０の画素を第１画素、発光装置１０の画素を第２画素といい、１つの第２画素に対応する複数の第１画素を第１画素群という。
【００６６】
発光装置１０の駆動過程は、表示パネル５０を制御する信号制御部（図示せず）が第１画素群の第１画素のうち、最も高い階調を検出し、検出された階調により第２画素発光に必要な階調を算出してこれをデジタルデータに変換し、このデジタルデータを利用して、発光装置１０の駆動信号を生成する諸過程を含むことができる。発光装置１０の駆動信号は走査駆動信号とデータ駆動信号とを含む。
【００６７】
発光装置１０の回路ボードアセンブリ（図示せず）、つまり、走査回路ボードアセンブリとデータ回路ボードアセンブリとは、各々の駆動ＩＣパッケージ４４１、４６１と接続される。発光装置１０を駆動するために、走査回路ボードアセンブリは走査駆動信号を伝送し、データ回路ボードアセンブリはデータ駆動信号を伝送する。
【００６８】
発光装置１０の第２画素は、対応する第１画素群に画像が表示される時、第１画素群に同期して所定の階調に発光する。このように、発光装置１０は、画素別に輝度を独立的に制御して、各画素に対応する表示パネル５０の画素に適切な強さの光を提供する。従って、本実施形態の表示装置１００は、動的コントラスト比が優れた画面を表示することができ、より鮮明な画質を実現することができる。
【００６９】
以上説明したように本発明によれば、放熱層によって第２基板の発熱量を減らすため、表示パネルの性能低下を抑制し、蛍光層の劣化を抑制して発光効率を上げることができる。また、本発明による発光装置は、複数の画素を備えて画素別に輝度を独立的に制御することができる。従って、本発明による表示装置は、輝度と動的コントラスト比を向上できる。
【００７０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の第１の実施形態１にかかる発光装置の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態にかかる発光装置の有効領域を示した部分分解斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施形態にかかる発光装置の発光ユニットの部分平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態１にかかる発光装置の第２基板の平面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態にかかる発光装置の第２基板及び発光ユニットの部分拡大断面図である。
【図６】本発明の一実施形態にかかる表示装置の分解斜視図である。
【符号の説明】
【００７２】
１００ 表示装置
１０ 発光装置
１２、１４、１４’ 基板
１６ 密封部材
１８ 電子放出ユニット
２０、２０’ 発光ユニット
２２、２６ 電極
２４ 絶縁層
２８ 電子放出部
３０、３０’ 蛍光層
３２、３２’ 放熱層
３４、３４’ アノード電極
３６ 第２電極リード部
３８ アノードリード部
４０ 金属反射膜
４４１、４６１ 駆動ＩＣパッケージ
５０ 表示パネル
５２ ＴＦＴ基板
５４ カラーフィルター基板
５６、５８ 回路ボードアセンブリ
５６１、５８１ 駆動集積回路（ＩＣ）パッケージ
６０ 拡散板
６２ トップシャーシ
６４ ボトムシャーシ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置されて真空容器を構成する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板に配置される電子放出ユニットと、
前記第２基板に配置される発光ユニットと、
を備え、
前記発光ユニットは、
前記第２基板上に互いに間隔をおいて形成される複数の蛍光層と、
前記蛍光層の間に形成され、前記真空容器の外側に伸びて大気中に露出される端部を備えた放熱層と、
前記蛍光層及び前記放熱層の一面に位置するアノード電極と、
を含むことを特徴とする、発光装置。
【請求項２】
前記放熱層は、導電性炭素系物質を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記放熱層は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金、白金、及び白金合金で構成された群より選択される金属を含むことを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の発光装置。
【請求項４】
前記蛍光層は、四角形に形成され、前記放熱層は、格子パターンに形成されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項５】
前記アノード電極は、前記蛍光層及び前記放熱層の前記第１基板に対向する一面に金属膜で形成されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記アノード電極は、前記蛍光層及び前記放熱層の前記第２基板に対向する一面に透明導電膜で形成されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項７】
前記発光ユニットは、前記蛍光層及び前記放熱層の前記第１基板に対向する一面に位置する金属反射膜をさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記電子放出ユニットは、互いに絶縁状態を維持しながら互いに交差する方向に沿って形成される第１電極及び第２電極と、
前記第１電極または前記第２電極に電気的に接続する電子放出部と、
を含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の発光装置。
【請求項９】
前記電子放出部は、炭素系物質とナノメートルサイズ物質とのうち、少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
画像を表示する表示パネルと
前記表示パネルに対して光を放出する発光装置と、
を備え、
前記発光装置は、
互いに対向配置されて真空容器を構成する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板に配置される電子放出ユニットと、
前記第２基板上に互いに間隔をおいて形成される複数の蛍光層、前記蛍光層の間に形成され、前記真空容器の外側に伸びて大気中に露出される端部を備えた放熱層、及び前記蛍光層と前記放熱層との一面に位置するアノード電極を含む発光ユニットと、
を含むことを特徴とする、表示装置。
【請求項１１】
前記放熱層は、導電性炭素系物質を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記放熱層は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金、白金、及び白金合金で構成された群より選択される金属を含むことを特徴とする、請求項１０または１１のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１３】
前記蛍光層は四角形に形成され、前記放熱層は、格子パターンに形成されることを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１４】
前記アノード電極は、前記蛍光層及び前記放熱層の前記第１基板に対向する一面に金属膜で形成されることを特徴とする、請求項１０〜１３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１５】
前記アノード電極は、前記蛍光層及び前記放熱層の前記第２基板に対向する一面に透明導電膜で形成されることを特徴とする、請求項１０〜１３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１６】
前記発光ユニットは、前記蛍光層及び前記放熱層の前記第１基板に対向する一面に位置する金属反射膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記電子放出ユニットは、
互いに絶縁状態を維持しながら互いに交差する方向に沿って形成される第１電極及び第２電極と、
前記第１電極または前記第２電極に電気的に接続される電子放出部と、
を含むことを特徴とする、請求項１０〜１６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１８】
前記表示パネルは、第１画素を形成し、
前記発光装置は、前記第１画素より少ない個数の第２画素を形成しながら、前記第２画素毎に独立して発光強さを制御することを特徴とする、請求項１０〜１７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１９】
前記表示パネルは、液晶表示パネルであることを特徴とする、請求項１０〜１８のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１】
互いに対向配置されて真空容器を構成する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板に配置される電子放出ユニットと、
前記第２基板に配置される発光ユニットと、
を備え、
前記発光ユニットは、
前記第２基板上に互いに間隔をおいて形成される複数の蛍光層と、
前記蛍光層の間に形成され、前記真空容器の外側に伸びて大気中に露出される端部を備えた放熱層と、
前記蛍光層及び前記放熱層の一面に位置するアノード電極と、
を含むことを特徴とする、発光装置。
【請求項２】
前記放熱層は、導電性炭素系物質を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記放熱層は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金、白金、及び白金合金で構成された群より選択される金属を含むことを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の発光装置。
【請求項４】
前記蛍光層は、四角形に形成され、前記放熱層は、格子パターンに形成されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項５】
前記アノード電極は、前記蛍光層及び前記放熱層の前記第１基板に対向する一面に金属膜で形成されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記アノード電極は、前記蛍光層及び前記放熱層の前記第２基板に対向する一面に透明導電膜で形成されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項７】
前記発光ユニットは、前記蛍光層及び前記放熱層の前記第１基板に対向する一面に位置する金属反射膜をさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記電子放出ユニットは、互いに絶縁状態を維持しながら互いに交差する方向に沿って形成される第１電極及び第２電極と、
前記第１電極または前記第２電極に電気的に接続する電子放出部と、
を含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の発光装置。
【請求項９】
前記電子放出部は、炭素系物質とナノメートルサイズ物質とのうち、少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
画像を表示する表示パネルと
前記表示パネルに対して光を放出する発光装置と、
を備え、
前記発光装置は、
互いに対向配置されて真空容器を構成する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板に配置される電子放出ユニットと、
前記第２基板上に互いに間隔をおいて形成される複数の蛍光層、前記蛍光層の間に形成され、前記真空容器の外側に伸びて大気中に露出される端部を備えた放熱層、及び前記蛍光層と前記放熱層との一面に位置するアノード電極を含む発光ユニットと、
を含むことを特徴とする、表示装置。
【請求項１１】
前記放熱層は、導電性炭素系物質を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記放熱層は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金、白金、及び白金合金で構成された群より選択される金属を含むことを特徴とする、請求項１０または１１のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１３】
前記蛍光層は四角形に形成され、前記放熱層は、格子パターンに形成されることを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１４】
前記アノード電極は、前記蛍光層及び前記放熱層の前記第１基板に対向する一面に金属膜で形成されることを特徴とする、請求項１０〜１３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１５】
前記アノード電極は、前記蛍光層及び前記放熱層の前記第２基板に対向する一面に透明導電膜で形成されることを特徴とする、請求項１０〜１３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１６】
前記発光ユニットは、前記蛍光層及び前記放熱層の前記第１基板に対向する一面に位置する金属反射膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記電子放出ユニットは、
互いに絶縁状態を維持しながら互いに交差する方向に沿って形成される第１電極及び第２電極と、
前記第１電極または前記第２電極に電気的に接続される電子放出部と、
を含むことを特徴とする、請求項１０〜１６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１８】
前記表示パネルは、第１画素を形成し、
前記発光装置は、前記第１画素より少ない個数の第２画素を形成しながら、前記第２画素毎に独立して発光強さを制御することを特徴とする、請求項１０〜１７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１９】
前記表示パネルは、液晶表示パネルであることを特徴とする、請求項１０〜１８のいずれかに記載の表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００７−３１１３４２（Ｐ２００７−３１１３４２Ａ）
【公開日】平成１９年１１月２９日（２００７．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１２５３１２（Ｐ２００７−１２５３１２）
【出願日】平成１９年５月１０日（２００７．５．１０）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月２９日（２００７．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月１０日（２００７．５．１０）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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